JP2015534263A - Method and apparatus for routing die signals using external wiring - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 46
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
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- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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Abstract
外部配線(202+222+212)を使用してダイ(152)の内側部分においてダイ信号をラウティングするためのアプローチの様々な態様が本明細書で説明される。このアプローチは、ダイ(152)の内側部分の回路に結合されたコンタクト(102,112)を提供し、これらのコンタクト(102,112)はダイ(152)の外側部分に露出している。外部配線(202+222+212)は、ダイ(152)の内側部分の回路からの信号が外部からダイ(152)にラウティングされそれらをダイ(152)に再挿入するために、これらのコンタクト(102,112)を結合するように構成される。開示されるアプローチの様々な態様では、外部配線(202+222+212)は、ダイ(152)のためのパッケージング(252)によって保護される。テストモード中に回路を結合するように構成されたテスト回路は、ダイ(152)の内側部分で予見される。【選択図】 図1Various aspects of an approach for routing die signals at the inner portion of die (152) using external wiring (202 + 222 + 212) are described herein. This approach provides contacts (102, 112) coupled to the circuitry of the inner portion of die (152), which are exposed on the outer portion of die (152). External wiring (202 + 222 + 212) is routed to these contacts (102, 112) for signals from the circuitry inside the die (152) to be routed from the outside to the die (152) and reinserted into the die (152). ). In various aspects of the disclosed approach, the external wiring (202 + 222 + 212) is protected by packaging (252) for the die (152). A test circuit configured to couple the circuit during the test mode is foreseen at the inner portion of the die (152). [Selection] Figure 1
Description
[0001] 本願は、米国特許商標庁に2012年8月31日に出願された「METHOD AND APPARATUS FOR ROUTING DIE SIGNALS USING EXTERNAL INTERCONNECTS」と題する仮特許出願第61/696092号の優先権および利益を主張し、この内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。 [0001] This application claims the priority and interest of provisional patent application 61/696092 entitled "METHOD AND APPARATUS FOR ROUTING DIE SIGNALS USING EXTERNAL INTERCONNECTS" filed with the US Patent and Trademark Office on August 31, 2012. The entire contents of which are hereby incorporated by reference.
[0002] 本開示の態様は一般に集積回路に関し、より具体的には、外部配線(external interconnect)を使用してダイ信号をラウティング(routing)するための方法および装置に関する。 [0002] Aspects of the present disclosure relate generally to integrated circuits, and more specifically to a method and apparatus for routing a die signal using an external interconnect.
[0003] 現代の集積回路における様々な信号の効率的なラウティングは、信号分配の適切なタイミングを確実にすること、クロストークを最小化すること、およびインピーダンスを整合させることを含む多くの課題を、すべてがより高い部品数(component count)によりかつてないほど縮小している利用可能な面積(real estate)に適合すると同時に、克服することを伴う。クロック信号のラウティングは、これらの信号が集積回路の異なる部分から到達する異なるデータ信号を同期させるために使用されるため、特に重要である。しかしながら、配線に存在するインピーダンスに起因して、クロックソースと、このクロックソースに結合された回路の位置との間の様々な空間距離により、集積回路の様々な位置でのクロック信号到達時間に不整合がある場合が多い。タイミングにおけるこれらの不整合はクロックキューとして知られている。また、クロック信号ラインと並列して延びている(run)ような、他の配線によって引き起こされるノイズのために、同一のクロック入力を有する2つの異なるロケーションに到達するクロック信号もまた、通称クロックジッタとして知られている位相ノイズを経験しうる。 [0003] Efficient routing of various signals in modern integrated circuits has many challenges, including ensuring proper timing of signal distribution, minimizing crosstalk, and matching impedance. To meet the real estate, which has all been reduced by a higher component count than ever before, while overcoming it. Clock signal routing is particularly important because these signals are used to synchronize different data signals arriving from different parts of the integrated circuit. However, due to the impedance present in the wiring, the various spatial distances between the clock source and the position of the circuit coupled to this clock source will cause a delay in the arrival time of the clock signal at various locations in the integrated circuit. Often there is a match. These inconsistencies in timing are known as clock cues. Also, a clock signal that reaches two different locations with the same clock input due to noise caused by other wiring, such as run in parallel with the clock signal line, is also commonly referred to as clock jitter. You can experience the phase noise known as
[0004] クロック分配ネットワーク(CDN)は、クロックキューに関する制約を確実にする目的で使用されることができ、ジッタは最小化される。高速な遷移時間およびバランスしたデューティサイクルのような他の検討事項もまた考慮に入れられる必要がある。CDNは、Hツリー、バッファクロックツリー、平衡クロックツリー、メッシュクロックネットワークのような異なる技法を使用して設計されうる。しかしながら、高いクロック周波数で動作する、急速にスケーリングするトランジスタの加工寸法(feature size)に比例して配線がスケーリングしないため、効率的なCDNを設計するというタスクは、これらの技法を使用した場合であっても、より一層難しくなってきている。例えば、ダイ内プロセス変動によるクロックバッファの不整合がスキューを最小化する能力を制限するため、ただクロックツリー平衡化を使用するだけでは次第に不十分になる。また、典型的なHツリーは、非対称かつ不規則な形状のクロックドメインへのクロックの分配にそれ程適しておらず、むしろ、集積回路のフロアプランニングおよびレイアウトにさらなる複雑性(complication)を加える。さらに、既存のHツリー分配に対するスキュー低減技法は、配線の高い電力消費と非効率的な使用により阻害される(suffer from)。他のアプローチは、リーフごとに独立して、ソースでスキュー補正(skew compensation)を実行する。しかしながら、これらのアプローチは、各リーフからソースに返る、長く様々な長さの基準線を必要とし、それは、各フィードバックラインのプロセスに依存した遅延により、スキュー補正に誤差をもたらす。加えて、効率的なCDNを設計する際の難易度が設計の終盤では増加するため、CDN設計は多くの場合、集積回路内の残りの回路の設計が完了しうる前に完成(finalize)させられなければならない。 [0004] A clock distribution network (CDN) can be used to ensure constraints on the clock queue, and jitter is minimized. Other considerations such as fast transition times and balanced duty cycle also need to be taken into account. The CDN can be designed using different techniques such as H-tree, buffer clock tree, balanced clock tree, mesh clock network. However, the task of designing an efficient CDN is the task of using these techniques because the wiring does not scale in proportion to the feature size of a rapidly scaling transistor operating at a high clock frequency. Even so, it has become even more difficult. For example, just using clock tree balancing is increasingly insufficient because clock buffer mismatch due to intra-die process variations limits the ability to minimize skew. Also, typical H-trees are not well suited for distributing clocks into asymmetric and irregularly shaped clock domains, but rather add additional complexity to integrated circuit floor planning and layout. In addition, skew reduction techniques for existing H-tree distribution are hampered by high power consumption and inefficient use of wiring. Another approach performs skew compensation at the source independently for each leaf. However, these approaches require long and varying lengths of reference lines that return from each leaf to the source, which introduces errors in skew correction due to the process dependent delay of each feedback line. In addition, as the difficulty in designing an efficient CDN increases at the end of the design, the CDN design is often finalized before the design of the remaining circuits in the integrated circuit can be completed. Must be done.
[0005] 差動シグナリングは、クロック信号を分配するために使用されうる別のアプローチである。差動シグナリングはクロックツリーアプローチと比べて多くの面でより効率的であるが、この技法の実現は、差動シグナリングを提供するのに必要とされる比較的複雑な回路に使用するためにより多くの面積を必要とする。また、長距離にわたる差動信号の低抵抗を確実にするためには慎重なラウティングが必要とされ、この要件を達成するために上層が使用されることが多いため、これは多くの場合貴重なラウティングリソースを消費する。さらに別の検討事項は、差動シグナリング回路が、シールドを必要とし、このアプローチの望ましさ(desirability)をさらに低減させる条件(provision)を必要とすることである。 [0005] Differential signaling is another approach that can be used to distribute clock signals. Although differential signaling is more efficient in many aspects compared to the clock tree approach, the implementation of this technique is more for use in the relatively complex circuitry required to provide differential signaling. Requires an area. Also, this is often valuable because careful routing is required to ensure low resistance of differential signals over long distances, and upper layers are often used to achieve this requirement. Consumes expensive routing resources. Yet another consideration is that differential signaling circuits require shielding and provisions that further reduce the desirability of this approach.
[0006] ますます複雑化するシステム、低下した電源電圧、より大きいダイサイズ、およびより高いクロックレートにより、現代の集積回路のためのクロック分配は実現することがより一層困難になってきているため、説明された課題を克服することができる望ましさもまた明らかになってきている。 [0006] With increasingly complex systems, reduced supply voltages, larger die sizes, and higher clock rates, clock distribution for modern integrated circuits is becoming more difficult to achieve. The desirability of overcoming the described problems has also become apparent.
[0007] 本開示の1つまたは複数の態様の簡略化された概要を、そのような態様の基本的な理解を提供するために以下に提示する。この概要は、考えられる本開示のすべての特徴の広範な概観ではなく、本開示のすべての態様の重要な要素または決定的な要素を識別することも、本開示のいずれかまたはすべての態様の適用範囲(scope)を線引きすることも意図されていない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明への前置きとして、本開示の1つまたは複数の態様のいくつかの概念を簡略な形式で提示することである。 [0007] A simplified summary of one or more aspects of the disclosure is presented below to provide a basic understanding of such aspects. This summary is not an extensive overview of all possible features of the disclosure, and it may identify key or critical elements of all aspects of the disclosure, Nor is it intended to delineate the scope. Its sole purpose is to present some concepts of one or more aspects of the disclosure in a simplified form as a prelude to the more detailed description that is presented later.
[0008] 外側配線(exterior interconnect)を使用してダイの内側部分(interior portion)でダイ信号をラウティングするためのアプローチの様々な態様が本明細書で説明される。このアプローチは、ダイの内側部分の回路に結合されたコンタクト(contact)を提供し、これらのコンタクトはダイの外側部分(exterior portion)に露出している(exposed)。外側配線は、ダイの内側部分の回路からの信号が外部からダイにラウティングされうるように、これらのコンタクトを結合するように構成される。開示されるアプローチの様々な態様では、外側配線はダイのパッケージングによって保護される。 [0008] Various aspects of an approach for routing die signals at an interior portion of a die using an exterior interconnect are described herein. This approach provides contacts that are coupled to the circuitry of the inner portion of the die, and these contacts are exposed to the exterior portion of the die. The outer wiring is configured to couple these contacts so that signals from the circuitry on the inner portion of the die can be routed to the die from the outside. In various aspects of the disclosed approach, the outer wiring is protected by die packaging.
[0009] 一態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む装置を提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクト(die exterior contact)および第2のダイ外側コンタクトと、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクトは第1の回路に電気的に接続され、第2のダイ外側コンタクトは第2の回路に電気的に接続される、第1のダイ外側コンタクトと第2のダイ外側コンタクトとを電気的に接続し、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線とをさらに含み、ここにおいて、配線はダイの外側部分上に位置する。 [0009] In one aspect, the present disclosure provides an apparatus that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die has a first die exterior contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is electrically connected to the first circuit; The second die outer contact is electrically connected to the second circuit, the first die outer contact and the second die outer contact are electrically connected, and the second circuit is connected to the first circuit. And interconnects configured to couple, wherein the interconnects are located on the outer portion of the die.
[0010] 別の態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む装置を提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクト手段および第2のダイ外側コンタクト手段と、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクト手段は第1の回路に電気的に接続され、第2のダイ外側コンタクト手段は第2の回路に電気的に接続される、第1のダイ外側コンタクトと第2のダイ外側コンタクトとを電気的に接続し、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線手段とをさらに含み、ここにおいて、配線手段はダイの外側部分上に位置する。 [0010] In another aspect, the present disclosure provides an apparatus that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die includes first die outer contact means and second die outer contact means on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact means is electrically connected to the first circuit and the second die The die outer contact means is electrically connected to the second circuit, electrically connects the first die outer contact and the second die outer contact, and couples the second circuit to the first circuit. Wiring means configured to: wherein the wiring means is located on the outer portion of the die.
[0011] さらに別の態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む半導体デバイスを提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクトと、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクトは第1の回路に結合され、第2のダイ外側コンタクトは第2の回路に結合される、第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクトに結合され、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線を含むパッケージとをさらに含み、ここにおいて、パッケージはダイの外側部分上に位置する。 [0011] In yet another aspect, the present disclosure provides a semiconductor device that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die includes a first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is coupled to the first circuit and the second die outer contact is the first die contact. A package including a wiring coupled to the first circuit and the second die outer contact and configured to couple the second circuit to the first circuit. Here, the package is located on the outer portion of the die.
[0012] さらに別の態様では、本開示は、ダイの外側部分上に複数のコンタクトを露出させることを含む方法を提供し、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを含み、第1の回路および第2の回路はダイの内側部分にある。方法は、ダイの内側部分にある第1の回路と第2の回路とを接続するために、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトを結合することをさらに含む。 [0012] In yet another aspect, the present disclosure provides a method that includes exposing a plurality of contacts on an outer portion of a die, the plurality of contacts coupled to a first circuit. And a second contact coupled to the second circuit, the first circuit and the second circuit being in an inner portion of the die. The method combines at least two of the plurality of contacts via at least one wiring external to the die to connect the first circuit and the second circuit on the inner portion of the die. In addition.
[0013] 本発明のこれらの態様または他の態様は、以下に続く詳細な説明を精査した上で、より十分に理解されることとなる。 [0013] These or other aspects of the invention will be more fully understood upon review of the detailed description that follows.
[0014] 本開示のこれらの態様および他の例示的な態様が以下に続く詳細な説明および添付の図面で説明されている。 [0014] These and other exemplary aspects of the disclosure are described in the detailed description and the accompanying drawings that follow.
[0022] 一般の慣習にしたがって、図面のうちのいくつかは明瞭さのために簡略化されうる。ゆえに、これらの図面は、所与の装置(例えば、デバイス)の構成要素または方法のすべてを描写するわけではなく、また実物大でもない。最後に、本明細書および図面を通じて同様の特徴を表すために同様の参照番号が使用されうる。 [0022] In accordance with common practice, some of the drawings may be simplified for clarity. Thus, these drawings do not depict every component or method of a given apparatus (eg, device) and are not full scale. Finally, like reference numerals may be used to represent like features throughout the specification and drawings.
[0023] 添付の図面に関連して以下に示される詳細な説明は、様々な構成の説明を意図するものであり、本明細書で説明される概念が実施されうる唯一の構成を表すことを意図したものではない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を提供する目的で具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしに実施されうることは当業者には明らかであろう。いくつかの事例では、周知の構造および構成要素が、そのような概念を曖昧にしないためにブロック図の形式で示されている。 [0023] The detailed description set forth below in connection with the appended drawings is intended as a description of various configurations and represents the only configurations in which the concepts described herein can be implemented. Not intended. The detailed description includes specific details for the purpose of providing a thorough understanding of various concepts. However, it will be apparent to those skilled in the art that these concepts may be practiced without these specific details. In some instances, well-known structures and components are shown in block diagram form in order to avoid obscuring such concepts.
[0024] 図1は、本明細書で詳しく説明される方法で組み立てられる前の、ダイ152およびパッケージ252を含む半導体デバイスアセンブリ100の分解側面図を例示する。具体的な例は、半導体デバイスアセンブリ100と、例示される他のアセンブリとを説明するために本明細書で提供されうるが、開示されるアプローチの様々な態様が様々な集積回路パッケージに適用されうることに留意されたい。ゆえに、これらの例は、別途示されていない限り制限するものであると考えられるべきではない。例えば、半導体デバイスアセンブリ100は、単一のデバイスとしてまたはパッケージデバイスアセンブリ上のパッケージの一部として実現されうる。
[0024] FIG. 1 illustrates an exploded side view of a
[0025] ダイ152は、シリコンウエハから形成されえ、ここでは、ダイ152がシリコンウエハから切断されてパッケージ252へと組み立てられる前に、典型的には個々のディスクリート構成要素および1つまたは複数の回路がエッチングされている。パッケージ252は、ダイ152を包含および保護するための、金属、プラスチック、ガラス、および/またはセラミック材料で作られているケーシングでありうる。パッケージ252は、衝撃および腐食に対する保護を提供し、外部回路をダイ152に接続するために使用されるコンタクトピン(contact pin)またはリード線を保持し、ダイ152で生じた熱を放散する。開示されるアプローチの一態様では、パッケージ252はまた、通常ダイ152内でラウティングされる信号をラウティングするための導電性配線層を含む。しかしながら、ダイ152内からこれらの信号を抽出してダイ152にそれらを再挿入するだけのことによって、信号をラウティングするこのアプローチは、レイアウト設計において大幅な柔軟性と低減された複雑性とを提供し、そうでなければこれらの信号のために確保される必要のある貴重なダイ面積を解放し、ラウティングされた信号の動作速度と信頼性とを増加させる。
[0025] The
[0026] ダイ152は、ダイ152の外面(exterior surface)154上に露出した第1および第2のコンタクトピラー(contact pillar)102,112を含む。第1および第2のコンタクトピラー102,112は、それぞれ第1および第2のトレース(trace)108,118を介して、ダイ152の内側部分の1つまたは複数の回路に結合されうる。例えば、第1のトレース108は、クロック信号を生成するクロック信号生成回路に結合され、第2のトレース118は、このクロック信号を使用する(すなわち、消費する)メモリ回路またはI/O回路のクロック信号入力に結合されうる。第1のコンタクトピラー102はクロック信号生成回路の出力に結合され、第2のコンタクトピラー112はメモリ回路のクロック入力に結合されうる。本明細書で使用される例は、クロック回路から他の回路へのクロック信号の分配を伴いうるが、開示されるアプローチの様々な態様は、本システムにおいて説明されるクロックおよびメモリ回路に加え、他のタイプの信号の分配および他のタイプの回路の結合にも適用されうる。
The
[0027] 開示されるアプローチの一態様では、第1のコンタクトピラー102を第2のコンタクトピラー112に接続するために配線の形式の導電路(conductive path)がパッケージ252内のダイ152の外に設けられ、それによって、クロック信号生成回路の出力からのクロック信号のような信号は、メモリ回路のクロック信号入力に結合されうる。図1に例示される実現では、外部導電路が、パッケージ252内のパッケージ配線層222として示されている。この外部導電路は、それが、ダイ152内の様々な層から離れてかつそれとは別に配線層を設けるため、ダイ152において信号をラウティングする際の制限を回避する。
[0027] In one aspect of the disclosed approach, a conductive path in the form of wiring is connected to the outside of the die 152 in the
[0028] 開示されるアプローチの一態様では、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212による第1および第2のコンタクトピラー102,112へのそれぞれの電気接続が、それぞれのはんだキャップ104,114によってなされうる。ゆえに、実現では、パッケージ252およびダイ152のアセンブリは、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212と第1および第2のコンタクトピラー102,112との間の電気接続がはんだキャップ104,114を使用してなされることを可能にするために、パッケージ252およびダイ152を物理的に近くに配置することを伴う。はんだキャップ104,114は、組み立て中のはんだの這い上がり(solder wicking)を制限し、それ程アグレッシブでないはんだフラックスの使用を可能にし、鉛の含有量を最小化する比較的平滑なドームを形成するようにリフローされている共晶はんだキャップ(eutectic solder cap)でありうる。はんだキャップ104,114はまた、鉛フリーはんだ、すなわちインジウムでありうる。開示されるアプローチの別の態様では、コンタクトピラー102とパッケージ配線層コンタクト202との間の接続を形成するために熱圧縮技法が使用されうる。開示されるアプローチのさらに別の態様では、コンタクトピラー102とパッケージ配線層コンタクト202との間の接続は導電性接着剤(conductive adhesive)を用いて達成されうる。
[0028] In one aspect of the disclosed approach, the respective electrical connections to the first and
[0029] 図2は、ダイ152内の位相ロックループ(PLL)回路162によって生成されたクロック信号をラウティングするために図1のパッケージ配線層222を使用して実現されうるラウティングスキーム200を例示する。クロック信号は、複数のルート222a−dを介してラウティングされることができ、それらの各々は、ダイ152の内側にある様々な他の回路からのそれぞれの複数のコンタクトのうちの1つまたは複数をクロック信号に結合するために使用されうる。図2はダイ152およびパッケージ252の両方の組み合わせられた視点であるため、それら2つをより明確に区別するために、ダイ152自体を含むダイ152に関連付けられた素子は点線を使用して例示されるだろう。例えば、PLL回路162はダイ152に関連付けられるため、このPLL回路162は点線を使用して表される。
FIG. 2 illustrates a
[0030] さらに、図2が平面図であり、第2のコンタクトピラー112のような、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続されたダイ152上のコンタクトピラーは複数のルート222a−dの直下にありうるため、これらのコンタクトピラーは通常この視点からは見ることができない。しかしながら、本明細書でより詳細に説明されるように、第2のコンタクトピラー112が複数のルート222a−dのうちの少なくとも1つの真下にあることを例示するために、第2のコンタクトピラー112の誇張表現が使用されるだろう。ゆえに、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続された他のコンタクトピラーは、それらが複数のルート222a−dのうちのそれぞれ1つによってカバーされているためこの図では見ることができないが、第2のコンタクトピラー112と同様の方式で構成されうることに留意されたい。
[0030] Further, FIG. 2 is a plan view, and the contact pillar on the
[0031] 図1も参照すると、パッケージ配線層222は、第2のコンタクトピラー112に結合されうるルート222cを含む複数のルート222a−dを含みうる。ゆえに、第1のトレース108を通して、PLL回路162によって生成されたクロック信号に結合されうる第1のコンタクトピラー102は、図1の例で説明されるようにメモリ回路に結合されうる第2のコンタクトピラー112に、ルート222cを通してこのクロック信号を送出(pass)しうる。ゆえに、第2のトレース118を通して第2のコンタクトピラー112に結合されるメモリ回路は、第1のコンタクトピラー102からのクロック信号を使用することができる。
Referring also to FIG. 1, the
[0032] 図2はまた、図1には例示されておらず、ダイ152内の回路へのアクセスを可能にするコンタクトに対応する複数のコンタクト182a−dを含む。これらのコンタクトは、パッケージ252の他のピン(示されない)に接続されえ、複数のルート222a−dには電気的に結合されない。ゆえに、複数のコンタクト182a−dは、入力/出力(I/O)、電力、またはダイ152のための他の接続に対して使用されるコンタクトでありうる。複数のコンタクト182a−dによって搬送される信号が、上述されたよな、パッケージ配線層222を使用してダイ152内の他のロケーションに分配される信号とは異なることに留意されたい、というのも、後者のタイプの信号はそれらが外部からダイ152にラウティングされる場合であってもパッケージ252内に留まるためである。ゆえに、パッケージを通してダイから外部回路に典型的に導通される信号とは異なり、本明細書で開示される様々な態様を使用して分配される信号は、ダイの外部からラウティングされるがパッケージ内に留まりうる。上述されたように、これらの信号を外部からダイにラウティングするアプローチは多くの利点を提供する。
[0032] FIG. 2 also includes a plurality of
[0033] 図1を再度参照すると、第1および第2のコンタクトピラー102,112が、機械的および電気的な接続を、それぞれ第1および第2のトレース108,118の露出パッド部に提供するそれぞれの第1および第2のUBM(under-bump metallization)層106,116上に形成される。ゆえに、第1のUMB層106は、第1のトレース108の露出パッド部108’への機械的および電気的な接続を第1のコンタクトピラー102に提供し、第2のUMB層116は、第2のトレース118の露出パッド部118’への機械的および電気的な接続を第2のコンタクトピラー112に提供する。
[0033] Referring again to FIG. 1, first and
[0034] ダイ152はパッシベーション層110を含み、これは、第1および第2のUMB層106,116とともに、ダイ152に対して環境保護を提供する。この例示にみられうるように、パッシベーション層110は、第1のトレース108の露出パッド部108’および第2のトレース118の露出パッド部118’の両方のエッジを覆い(overlap)、それらを密封(seal)しうる。第1および第2のUMB層106,116は、パッシベーション層110の開口を密封し、ゆえに、上述されたように、これらのパッドに機械的および電気的な結合を提供しつつそれらを保護する。
[0034] The
[0035] 開示されるアプローチの一態様では、第1および第2のコンタクトピラー102,112は、円柱形の銅を使用して形成されることができ、また、オプションで電気めっきされうる。第1および第2のコンタクトピラー102,112に関連付けられたパラメータの例となる範囲は下記パラメータを含む:
−ピッチ:電流範囲が約80−110μmで、約60μm程度の低さ;
−直径:20〜50μm;および
−高さ:15〜50μm;
ここで、ピッチは、中心から中心を測定した場合の、隣接するコンタクトピラー間の最短距離であり、直径はコンタクトピラーの直径であり、高さはコンタクトピラーの高さである。
[0035] In one aspect of the disclosed approach, the first and
-Pitch: current range is about 80-110 μm, low as about 60 μm;
-Diameter: 20-50 [mu] m; and-Height: 15-50 [mu] m;
Here, the pitch is the shortest distance between adjacent contact pillars when the center is measured from the center, the diameter is the diameter of the contact pillar, and the height is the height of the contact pillar.
[0036] 通常使用されるより大きな球状の有鉛はんだバンプの代わりに銅のピラーを使用することで、多くの望ましくない副作用が回避されうる。例えば、はんだバンプの直径は、典型的には100μmほどの大きさであり、これははんだバンプ間により大きい間隔(ピッチ)を必要とし、それによって相互接続密度(interconnection density)を低減させる。より大きな球体を通るより長い導電路はまた、任意の接続の電気抵抗および熱抵抗の両方を増加させる。 [0036] By using copper pillars instead of the more commonly used spherical leaded solder bumps, many undesirable side effects can be avoided. For example, the solder bump diameter is typically on the order of 100 μm, which requires a larger spacing (pitch) between the solder bumps, thereby reducing the interconnection density. Longer conductive paths through larger spheres also increase both the electrical and thermal resistance of any connection.
[0037] 非溶解の銅の円柱(copper cylinder)は、はんだバンプよりも大きい、ダイからパッケージまでの間隔を提供し、それによって、より優れたストレス緩和を提供する。銅の円柱の高い縦横比はまた、所与の高さに対してより狭い間隔(ピッチ)を可能にし、それによって接続密度を増加させうる。多くの場合、ダイ152とパッケージ252との間により強い機械接続を提供するため、ヒートブリッジを提供するため、ならびに、ダイ152およびシステムの残りの部分の異なる加熱によりはんだ接合部に圧力が加わらないことを確実にするために、電気絶縁接着剤がそれらの間にアンダーフィルされる。アンダーフィルが使用される場合、より大きな高さであれば、より速いアンダーフィルフローと、より均一な散布とが可能になりうる。加えて、鉛と比べてより強い銅の機械的せん断強度は、接続の強度を改善するだけでなく、半導体デバイスアセンブリ100の耐久性を全面的に増加させる。鉛と比べて増加した銅の熱伝導性もまた、このアセンブリの熱性能を改善する。
[0037] The undissolved copper cylinder provides a larger die-to-package spacing than the solder bumps, thereby providing better stress relief. The high aspect ratio of the copper cylinder may also allow a narrower spacing (pitch) for a given height, thereby increasing the connection density. Often, no pressure is applied to the solder joints to provide a stronger mechanical connection between the die 152 and the
[0038] より重要なことには、鉛と比べて、増加した銅の電気伝導性と、第1および第2のコンタクトピラー102,112、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212、パッケージ配線層222の比較的大きなサイズとは、信号損失を最小化し、したがって、クロック信号のようなクリティカル(critical)な信号でさえも、顕著なスキューまたはジッタ効果なく、ダイ152内の多くの異なる位置に分配されることができる。例えば、パッケージ配線層222は、任意の適切な導電材料で構成され、20μmと同程度の厚みであるかまたはそれよりも厚い可能性がある。これは、合わせても合計で約10μmにしかなりえないダイ152内の導電層の基準値(typical value)と比べて格段に厚い。開示されるアプローチの様々な態様では、パッケージ配線層122の厚みに制限はない。例えば、パッケージ配線層122の厚みは、ダイ152のものの5倍でありうる。さらに、外部的にダイ152からラウティングされる信号の別個の分配を可能にすることによって、通常存在する他のトレースからのクロストークが効率的に除去されうる。
[0038] More importantly, the increased copper electrical conductivity and the first and
[0039] 図3は、ダイ352およびパッケージ452を含む別の半導体デバイスアセンブリ300の分解側面図を例示する。ダイ352およびパッケージ452は、以下で説明される違いはあるが、ダイ152およびパッケージ252について説明されたものと類似している。示される例では、半導体デバイスアセンブリ100のコンタクトピラー102,112のようなコンタクトピラーの代わりに、第1および第2のトレース308,318を、各トレースの露出パッド部308’,318’を通して電気的に接触させるためにダイ352の外面354上にコンタクトバー302が露出している。例えば、第1のトレース308は、クロック信号を生成するクロック信号生成回路に結合され、第2のトレース318は、クロック信号入力においてクロック信号の使用を必要とする(すなわち、消費する)メモリ回路のクロック信号入力に結合されうる。ゆえに、コンタクトバー302は、クロック信号生成回路の出力をメモリ回路のクロック入力と結合しうる。
FIG. 3 illustrates an exploded side view of another
[0040] 図4は、ダイ352内の位相ロックループ(PLL)回路362によって生成されたクロック信号をラウティングするために図3のコンタクトバー302を使用して実現されうるラウティングスキーム400を例示する。クロック信号は、複数のコンタクトバー302a,bを介してラウティングされることができ、それらは各々、ダイ352の内側にある様々な他の回路からのそれぞれ複数のコンタクトのうちのいずれか1つをクロック信号に結合するために使用されうる。図4はダイ352およびパッケージ452の両方の組み合わせられた視点であるため、それら2つをより明確に区別するために、ダイ352自体を含むダイ352に関連付けられた要素は点線を使用して例示されるだろう。例えば、PLL回路362はダイ352に関連付けられるため、このPLL回路362は点線を使用して表される。
FIG. 4 illustrates a
[0041] さらに、図4が平面図であり、第2のトレース318の露出パッド部318’のような、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続されたダイ352上の露出パッド部は、複数のコンタクトバー302a,bの直下にありうるため、これらの露出パッド部は、通常この視点からは見ることができない。しかしながら、本明細書でより詳細に説明されるように、露出パッド部318’が複数のコンタクトバー302a,bのうちの少なくとも1つの真下にあることを例示するために、露出パッド部の誇張表現が使用されるだろう。ゆえに、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続された他の露出パッド部は、それらが複数のコンタクトバー302a,bのうちのそれぞれ1つによってカバーされているためこの図では見ることができないが、露出パッド部318’と同様の方式で構成されうることに留意されたい。
[0041] Further, FIG. 4 is a plan view, with exposed pad portions on die 352 connected to circuitry inside the die that consumes the clock signal, such as exposed pad portion 318 'of
[0042] 例えば、戻って図3を参照すると、コンタクトバー302は、第2のトレース318の露出パッド部318’に接続するために使用されるコンタクトバー302bを含む複数のコンタクトバー302a,bを含みうる。ゆえに、第1のトレース308の露出パッド部308’からコンタクトバー302への接続を通して、PLL回路362によって生成されたクロック信号に結合されうる第1のトレース308は、その信号を、図3の例によって説明されたようにメモリ回路に結合され、コンタクトバー302bの下の露出パッド部318’として例示される第2のトレース318にコンタクトバー302bを通して送出させうる。ゆえに、第2のトレース318に結合されるメモリ回路は、第1のトレース308からのクロック信号を使用することができる。
[0042] For example, referring back to FIG. 3, the
[0043] 図4はまた、図3には例示されておらず、ダイ352内の回路へのアクセスを可能にするコンタクトに対応する複数のコンタクト382a−bを含む。これらのコンタクトは、他のピンに接続されえ、コンタクトバー302a,bには電気的に結合されない。ゆえに、複数のコンタクト382a−bは、入力/出力(I/O)、電力、またはダイ352のための他の接続に対して使用されるコンタクトでありうる。この場合もまた、図2についての説明と同じように、複数のコンタクト382a−bによって搬送される信号が、上述されたような、コンタクトバー302を使用してダイ352内の他の位置に分配される信号とは異なることに留意されたい。というのも、後者のタイプの信号は、それらが外部からダイ352にラウティングされる場合であってもパッケージ452内に留まるためである。ゆえに、典型的にはパッケージを通してダイから外部回路に導通される信号とは異なり、本明細書で開示される様々な態様を使用して分配される信号は、ダイの外部からラウティングされるが、パッケージ内に留まりうる。上述されたように、これらの信号を外部からダイにラウティングするアプローチは多くの利点を提供する。
[0043] FIG. 4 also includes a plurality of
[0044] ダイ152と同じように、ダイ352はパッシベーション層310を含み、これは、UMB層306とともに、ダイ352に対して環境保護を提供する。図3にみられうるように、パッシベーション層310は、第1のトレース308の露出パッド部308’および第2のトレース318の露出パッド部318’の両方のエッジを覆い、それらを密封しうる。第1および第2のUMB層306は、パッシベーション層306の開口を密封し、ゆえに、上述されたように、これらのパッドに機械的および電気的な結合をそれらに提供しつつそれらを保護する。
[0044] Like the
[0045] 開示されるアプローチの一態様では、コンタクトバー302は、複数の銅コンタクトピラーを使用して形成されることができ、また、オプションで電気めっきされうる。具体的には、図1の第1および第2のコンタクトピラー102,112に類似した銅コンタクトピラーは、配線を形成するために互いの十分近くに配置されうる。具体的には、図3に示されるように、これらの銅コンタクトピラーは、銅の「バー(bar)」を形成しうる。コンタクトバー302に関連付けられたパラメータの例となる範囲は下記パラメータを含む:
−厚さ:20〜50μm;および
−高さ:20〜50μm;
ここで、厚さはコンタクトバー302の厚さであり、上述された直径範囲と大きさが類似しえ、高さは、コンタクトバーの高さである。コンタクトバー302は、必ずしも棒状に構成される必要はないが、直線ではない形状を含む他の形状で作られうることに留意されたい。
[0045] In one aspect of the disclosed approach, the
-Thickness: 20-50 [mu] m; and-Height: 20-50 [mu] m;
Here, the thickness is the thickness of the
[0046] 図5は、ダイ522内の1つの回路によって生成され、ダイ522内の他の回路によって使用されるダイ信号を外部からラウティングするための開示されるアプローチの別の態様を説明するための回路図500を例示する。具体的には、回路図は、ダイ522をテストするためのアプローチを例示する。提供されている例では、PLL 512のようなクロック信号生成回路によって提供されるクロック信号は、外部信号ルート502を通して宛先回路546に送信されうる。例えば、宛先回路546は、適切に動作するためにPLL 512からのクロック信号を使用するメモリ回路でありうる。外部信号ルート502は、上述されたアプローチのうちの1つでありうる。例えば、外部信号ルート502は、図1で紹介されたパッケージ配線層222でありうるか、図3で紹介されたコンタクトバー302でありうる。外部信号ルート502を使用して宛先回路546がPLL 512に結合されるために、パッケージ配線層が位置するパッケージ(または、ダイ上に形成されるコンタクトバー)は、ダイ522に結合される必要がある。しかしながら、これは、パッケージラウティングアプローチが使用された場合にはダイ552がテストされる前にそれがパッケージと組み立てられることを、または、コネクタバーラウティングアプローチが使用された場合にはコネクタバーを含めるようにダイ552が処理されることを必要とし、これは、最終的にダイ522が不完全であると決定された場合にアセンブリ/処理リソースを無駄にする。
[0046] FIG. 5 illustrates another aspect of the disclosed approach for externally routing die signals generated by one circuit in
[0047] 開示されるアプローチの一態様では、パッケージへの組み立ての前にダイ522をテストすることを可能にするために、一次信号経路510とは別に、二次信号経路580が提供されうる。例えば、二次信号経路580は、ダイ522がパッケージと一体化される前にダイ522をテストするために使用されるか、または外部信号ルート502を追加するためにさらに処理される第2のクロック経路でありうる。二次信号経路580は、フル動作クロック周波数である必要はないが、ダイ522をテストするのに十分なクロック周波数で動作されうる複数のリピーター582−1〜nを含む。一次信号経路510と二次信号経路580は両方とも、マルチプレクサ(MUX)542に結合されうる。MUX 542は、ダイ522がテスト下にある(二次信号経路580)か、通常の動作モード下にある(一次信号経路510)かに基づいて適切な信号を選択的に送出しうる。開示されるアプローチの一態様では、MUX 542は、プログラムで、または、自動テスト装置ベクトルを通して制御されうる。
[0047] In one aspect of the disclosed approach, a
[0048] 外部信号ルート502に関して、ダイ552は、一対のダイオード534,536およびリピーター532に結合された抵抗素子538を含む受信機に信号を送信するために、リピーター522に加え、一対のダイオード524,526、および抵抗素子528を含む送信機を含む。これらの素子は、ダイ552に静電気放電保護を提供するために使用されることができ、それらがクロック信号の機能を提供することと直接関係がないため、オプションでありうる。
[0048] With respect to
[0049] 図6は、外部配線を使用してダイ信号をラウティングするための、ダイ152のようなダイを構成するためのプロセス600を例示し、602では、複数のコンタクトがダイの外側部分上に露出しており、ここで、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを含み、第1および第2の回路はダイの内側部分にある。ゆえに、第1および第2のコンタクトピラー102,112のような複数のコンタクトは、ダイ152の外部表面154のような、ダイの外部部分に露出している。複数のコンタクトは、上述されたように、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって形成され、ダイの内側部分の回路に結合されうる。
[0049] FIG. 6 illustrates a
[0050] 604では、ダイの外側部分にある第1および第2の回路を接続するために、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトが結合される。ゆえに、ダイの外側部分上の複数のコンタクトのうちの2つ以上のコンタクトは、第1および第2のコンタクトピラー102,112を結合するための、パッケージ252内のパッケージ配線層222のような配線を使用して結合されうる。開示されるアプローチの一態様では、配線は、パッケージ252のようなデバイスパッケージ内に位置しうる。開示されるアプローチの別の態様では、配線は、ダイ352の外面354のようなダイの外側部分上に形成されたダイ352のコンタクトバー302のような導体でありうる。
[0050] At 604, at least two of the plurality of contacts are coupled via at least one wiring external to the die to connect the first and second circuits on the outer portion of the die. The Thus, two or more of the plurality of contacts on the outer portion of the die are interconnects such as
[0051] 開示されるアプローチの様々な態様は、ラウティングを構成する際の柔軟性を提供するだけでなく、信号がダイの内側でラウティングされなければならない場合の空間および干渉問題のような問題を回避する。例えば、外部配線の使用は、クロック信号のような、通常ダイの内側でラウティングされる信号のラウティングが、ダイの外でラウティングされることを可能とする。 [0051] Various aspects of the disclosed approach not only provide flexibility in configuring routing, but also like space and interference problems when signals must be routed inside the die. Avoid problems. For example, the use of external wiring allows routing of signals normally routed inside the die, such as clock signals, to be routed outside the die.
[0052] 開示されるアプローチの様々な態様の説明を簡略にする目的で、半導体、追加のパッシベーション層、および金属層のような特定の素子および層は示されていない。さらに、例示される様々なアセンブリの構築に使用されうる共通の材料は、それらが当業者によって当然知られているため説明されていない。 [0052] For purposes of simplifying the description of various aspects of the disclosed approaches, specific elements and layers such as semiconductors, additional passivation layers, and metal layers are not shown. Further, common materials that can be used to construct the various illustrated assemblies are not described as they are naturally known by those skilled in the art.
[0053] 開示された方法におけるステップの特定の順序または階層が例示的なプロセスを例示する図であることは理解されるべきである。設計の選好に基づいて、これらの方法における特定の順序または階層が並べ替えられうるということは理解されるべきである。添付の方法の請求項は、様々なステップの要素を、例示的な順序で提示するものであり、本明細書で明確に記載されていない限り、提示された特定の順序または階層に限定されるように意図されるものではない。 [0053] It is to be understood that the specific order or hierarchy of steps in the disclosed methods is a diagram illustrating an exemplary process. It should be understood that a particular order or hierarchy in these methods can be rearranged based on design preferences. The accompanying method claims present elements of the various steps in a sample order, and are limited to the particular order or hierarchy presented, unless explicitly stated herein. Is not intended to be.
[0054] 図7は、半導体デバイスにおけるダイ信号の外部信号ラウティングに関する開示されたアプローチの様々な態様を利用しうる処理システム710を採用する装置700についてのハードウェア実現の例を例示する概念図である。ゆえに、本開示の様々な態様によれば、ワイヤレスノードを含む、任意のデバイスを実現するために使用されうる装置700内の一素子または一素子の任意の部分、あるいは複数の素子のあらゆる組み合わせは、本明細書で説明された外部ダイラウティングアプローチを利用しうる。本明細書に含まれる装置700についての説明は、多様なデバイスに役立つように、開示されるアプローチの様々な態様がどのようにして使用されうるかについての非限定的な例を提供することを意味する。
[0054] FIG. 7 is a conceptual diagram illustrating an example hardware implementation for an
[0055] 例えば、処理システム710は、プロセッサ714として例示される1つまたは複数のプロセッサを含む。プロセッサ714の例には、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、プログラマブル論理デバイス(PLD)、ステートマシン、ゲート論理、ディスクリートハードウェア回路、および本開示全体にわたって説明される様々な機能を実行するように構成された他の適切なハードウェアが含まれる。プロセッサ714のようなプロセッサは、典型的に、ダイ上に形成される様々なサブシステムを含み、ここで、これらの様々なサブシステムは、ダイの様々な部分全体にわたって分配される必要がある共通のクロック信号に依存する。開示されるアプローチの様々な態様によれば、クロック信号は、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を使用してパッケージ内のダイに外部から分配されうる。外部ラウティングは、プロセッサ714において分配されているクロック信号のクロックスキューと位相オフセットとを低減させるだけでなく、ダイの内側部分の利用可能な空間を増加させうる。処理システム710のプロセッサ714に加えて、装置700内の任意の集積回路が、外部ラウティング技法を有利な方法で利用しうることに留意されたい。
[0055] For example, the
[0056] 処理システム710は、概ねバス712で表されるバスアーキテクチャを有するものとして実現されうる。バス712は、処理システム710の特定の用途と設計の制約全体に依存して、任意の数の相互接続バスおよびブリッジを含みうる。バス712は、1つまたは複数のプロセッサ(概ねプロセッサ718で表される)、メモリ718、およびコンピュータ可読媒体(概ねコンピュータ可読媒体716で表される)を含む様々な回路を互いにリンク付けする。バス712はまた、当技術分野において周知であり、そのためより詳細には説明されないであろうタイミングソース、周辺機器、電圧レギュレータ、および電力管理回路のような様々な他の回路をリンク付けしうる。バスインターフェース720は、バス712とトランシーバ750との間のインターフェースを提供する。トランシーバ750は、送信媒体を通じて様々な他の装置と通信するための手段を提供しうる。装置の性質に依存して、ユーザインタフェース730(例えば、キーパッド、ディスプレイ、スピーカ、マイクロフォン、ジョイスティック)もまた提供されうる。
[0056]
[0057] プロセッサ714は、バス712の管理と、コンピュータ可読媒体716またはメモリ718に記憶されうるソフトウェアの実行を含む汎用処理とを担っている。このソフトウェアは、プロセッサ714によって実行されると、処理システム710に、あらゆる特定の装置に関して本明細書で説明された様々な機能を実行させる。ソフトウェアは、ソフトウェア、ファームウェア、ミドルウェア、マイクロコード、ハードウェア記述言語、等のいずれで呼ばれても、命令、命令セット、コード、コードセグメント、プログラムコード、プログラム、サブプログラム、ソフトウェアモジュール、アプリケーション、ソフトウェアアプリケーション、ソフトウェアパッケージ、ルーチン、サブルーチン、オブジェクト、実行ファイル、実行スレッド、プロシージャ、関数等を意味するものと広く解釈されるものとする。
[0057] The
[0058] コンピュータ可読媒体716またはメモリ718はまた、ソフトウェアを実行する際にプロセッサ714によって操作されるデータを記憶するために使用されうる。コンピュータ可読媒体716は、コンピュータ可読記憶媒体のような非一時的コンピュータ可読媒体でありうる。非一時的コンピュータ可読媒体は、例として、磁気記憶デバイス(例えば、ハードディスク、フロッピー(登録商標)ディスク、磁気ストリップ)、光学ディスク(例えば、コンパクトディスク(CD)、デジタル多用途ディスク(DVD))、スマートカード、フラッシュメモリデバイス(例えば、カード、スティック、キードライブ)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読取専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、消去可能なPROM(EPROM)、電気的に消去可能なPROM(EEPROM)、レジスタ、リムーバブルディスク、および、コンピュータによってアクセスされ読み取りすることができるソフトウェアおよび/または命令を記憶するためのその他の適切な媒体を含む。コンピュータ可読媒体はまた、例として、キャリア波、送信ライン、ならびに、コンピュータによってアクセスされ読み取られうる命令および/またはソフトウェアを送信するためのその他の適切な媒体を含みうる。処理システム710内に存在するように例示されているが、コンピュータ可読媒体716は、処理システム710の外部に存在しうるか、あるいは、処理システム710を含む多数のエンティティにわたって分散されうる。コンピュータ可読媒体716は、コンピュータプログラム製品に具現化されうる。例として、コンピュータプログラム製品は、パッケージング材料のコンピュータ可読媒体を含みうる。当業者は、特定の用途およびシステム全体に課された設計制約全体に依存して本開示全体を通して示されている説明された機能を実現することがどれ程最良であるかを認識することになる。
[0058] The computer-
[0059] 当業者はさらに、本明細書で開示された態様と関係して説明された様々な実例となる論理ブロック、モジュール、プロセッサ、手段、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア(例えば、ソースコーディングまたは何らかの他の技法を使用して設計されうる、デジタル実現、アナログ実現、またはこれら2つの組み合わせ)、命令を組み込んでいる様々な形式のプログラムまたは設計コード(本明細書では便宜上、「ソフトウェア」または「ソフトウェアモジュール」と呼ばれる)、あるいは両方の組み合わせ、として実現されうることがさらに認識されるだろう。このハードウェアおよびソフトウェアの互換性を明確に例示するために、様々な実例となる構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能の観点から概ね上で説明されている。このような機能がハードウェアとして実現されるかソフトウェアとして実現されるかは、特定の用途およびシステム全体に課せられる設計制約に依存する。当業者は、特定の用途ごとに、様々な方法で上に説明された機能を実現することができるが、このような実現の決定は本開示の適用範囲からの逸脱の原因になるとして解釈されるべきではない。 [0059] Those skilled in the art further recognize that the various illustrative logic blocks, modules, processors, means, circuits, and algorithm steps described in connection with the aspects disclosed herein are electronic hardware (eg, Various forms of program or design code (in this document for convenience, "software", which may be designed using source coding or some other technique, digital implementation, analog implementation, or a combination of the two), instructions It will be further appreciated that it may be implemented as a "" or "software module"), or a combination of both. To clearly illustrate this hardware and software compatibility, various illustrative components, blocks, modules, circuits, and steps have been described above generally in terms of their functionality. Whether such a function is realized as hardware or software depends on a specific application and design constraints imposed on the entire system. Those skilled in the art can implement the functions described above in various ways for each particular application, but such implementation decisions are interpreted as causing deviations from the scope of this disclosure. Should not.
[0060] 本明細書に開示される態様と関連して説明される様々な実例となる論理ブロック、モジュール、および回路は、集積回路(IC)、アクセス端末、またはアクセスポイント内で実現されるか、またはそれらによって実行されうる。ICは、汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア構成要素、電気的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、あるいは本明細書で説明された機能を実行するように設計され、IC内に、ICの外に、またはその両方に存在するコードまたは命令を実行しうるこれらの任意の組み合わせを備えうる。汎用プロセッサはマイクロプロセッサでありうるが、代替的に、このプロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンでありうる。プロセッサはまた、例えば、DSPと、1つのマクロプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアに関連する1つまたは複数のマイクロプロセッサ、またはその他の上記構成の組み合わせといったコンピューティングデバイスの組み合わせとしても実現されうる。 [0060] Are the various illustrative logic blocks, modules, and circuits described in connection with aspects disclosed herein implemented in an integrated circuit (IC), access terminal, or access point? Or may be performed by them. ICs are general purpose processors, digital signal processors (DSPs), application specific integrated circuits (ASICs), field programmable gate arrays (FPGAs) or other programmable logic devices, discrete gate or transistor logic, discrete hardware components, electrical Designed to perform components, optical components, mechanical components, or the functions described herein, and execute code or instructions that reside in, outside of, or both in an IC Any combination of these may be provided. A general purpose processor may be a microprocessor, but in the alternative, the processor may be any conventional processor, controller, microcontroller, or state machine. The processor can also be implemented as a combination of computing devices such as, for example, a DSP and a macro processor, a plurality of microprocessors, one or more microprocessors associated with a DSP core, or other combinations of the above configurations. .
[0061] 開示されたプロセスにおけるステップの任意の特定の順序または階層が例示的なアプローチの一例であることは理解される。設計の選好に基づいて、プロセスにおけるステップの特定の順序または階層が本開示の範囲内でありながら並べ替えられうることは理解される。添付の方法の請求項は、様々なステップの要素を例示的な順序で提示するが、提示された特定の順序または階層に限定されることは意図されない。 [0061] It is understood that any specific order or hierarchy of steps in the disclosed processes is an example of an exemplary approach. It is understood that based on design preferences, a particular order or hierarchy of steps in the process can be rearranged while remaining within the scope of this disclosure. The accompanying method claims present elements of the various steps in a sample order, and are not intended to be limited to the specific order or hierarchy presented.
[0062] 本明細書に開示された態様に関連して説明されたアルゴリズムまたは方法のステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこれら2つの組み合わせにおいて具現化されうる。ソフトウェアモジュール(例えば、実行可能な命令および関連データを含む)および他のデータは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバルディスク、CD−ROMのようなデータメモリ、あるいは当技術分野において知られているその他の任意の形式のコンピュータ可読記憶媒体内に存在しうる。例示的な記憶媒体は、プロセッサがこの記憶媒体から情報(例えばコード)を読み取り、この記憶媒体に情報を書き込むことができるように、例えば、コンピュータ/プロセッサ(本明細書では便宜上「プロセッサ」と呼ばれる)のような機械に結合されうる。例示的な記憶媒体はプロセッサに一体化されうる。プロセッサおよび記憶媒体はASIC内に存在しうる。ASICはユーザ機器内に存在しうる。代替的に、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ機器内のディスクリート構成要素として存在しうる。さらに、いくつかの態様では、任意の適切なコンピュータプログラム製品は、本開示の態様のうちの1つ以上に関連したコード(例えば、少なくとも1つのコンピュータによって実行可能な)を備えるコンピュータ可読媒体を備えうる。いくつかの態様では、コンピュータプログラム製品はパッケージング材料を備えうる。 [0062] The algorithm or method steps described in connection with the aspects disclosed herein may be implemented directly in hardware, in a software module executed by a processor, or in a combination of the two. Software modules (eg, including executable instructions and associated data) and other data include data such as RAM memory, flash memory, ROM memory, EPROM memory, EEPROM memory, registers, hard disk, removable disk, CD-ROM It may reside in memory, or any other form of computer readable storage medium known in the art. An exemplary storage medium is, for example, a computer / processor (referred to herein as a “processor” for convenience) so that the processor can read information (eg, code) from the storage medium and write information to the storage medium. ). An exemplary storage medium may be integral to the processor. A processor and a storage medium may reside in the ASIC. The ASIC can reside in the user equipment. In the alternative, the processor and the storage medium may reside as discrete components in user equipment. Further, in some aspects, any suitable computer program product comprises a computer-readable medium comprising code (eg, executable by at least one computer) associated with one or more of the aspects of the present disclosure. sell. In some aspects, the computer program product may comprise packaging material.
[0063] 先の説明は、本明細書で説明された様々な態様を当業者が実施することができるようにするために提供される。これらの態様に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書において定義された包括的な原理は他の態様に適用されうる。ゆえに、特許請求の範囲は、本明細書に示された態様に制限されることを意図せず、特許請求の範囲の言語と合致する全範囲が与えられるべきであり、ここで、単数形の要素への参照は、別途明記されていない限り、「1つまたは1つだけの」を意味することを意図せず、むしろ「1つまたは複数の」を意味することを意図する。別途明記されていない限り、「いくつかの/何らかの(some)」という用語は「1つまたは複数の」を指す。項目のリスト「のうちの少なくとも1つ」を指す表現は、単一のメンバを含む、それらの項目の任意の組み合わせを指す。例として、「a,b、またはcのうちの少なくとも1つ」は、a,b、c、aとb、aとc、bとc、aとbとcをカバーすることが意図される。当業者に知られているまたは後に知られることとなる、本開示全体にわたって説明された様々な態様の要素に対するすべての構造的および機能的な均等物は、参照によって本明細書に明確に組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されることが意図される。さらに、本明細書に開示されたものはいずれも、そのような開示が特許請求の範囲に明示的に記載されているかどうかに関らず、公に献呈されることが意図されない。特許請求の範囲の要素は、その要素が「〜のための手段」という表現を使用して明確に記載されていない限り、または、方法請求項の場合には、その要素が「〜のためのステップ」という表現を使用して記載されていない限り、いずれも米国特許法第112条6項の規定のもとで解釈されるべきではない。
[0063] The previous description is provided to enable any person skilled in the art to implement the various aspects described herein. Various modifications to these aspects will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other aspects. Accordingly, the claims are not intended to be limited to the embodiments shown herein, but are to be given the full scope consistent with the language of the claims, where singular Reference to an element is not intended to mean "one or more", unless expressly stated otherwise, but rather to mean "one or more". Unless otherwise specified, the term “some” refers to “one or more”. An expression referring to “at least one of” a list of items refers to any combination of those items including a single member. By way of example, “at least one of a, b, or c” is intended to cover a, b, c, a and b, a and c, b and c, a and b and c. . All structural and functional equivalents to the elements of the various embodiments described throughout this disclosure that will be known or later known to those skilled in the art are expressly incorporated herein by reference. And is intended to be encompassed by the following claims. Moreover, nothing disclosed herein is intended to be publicly contributed, whether or not such disclosure is expressly recited in the claims. An element of a claim is not specifically stated using the expression “means for” or, in the case of a method claim, the element is “for Unless stated using the expression “step”, none should be construed under the provisions of 35
Claims (37)
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分の上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクト、ここにおいて、前記第1のダイ外側コンタクトは前記第1の回路に電気的に接続され、前記第2のダイ外側コンタクトは前記第2の回路に電気的に接続される、と、
前記第1のダイ外側コンタクトと前記第2のダイ外側コンタクトと電気的に接続し、前記第2の回路を前記第1の回路に結合するように構成された配線、ここにおいて、前記配線は、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える装置。 A device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
A first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is electrically connected to the first circuit; A die outer contact is electrically connected to the second circuit;
A wiring configured to electrically connect the first die outer contact and the second die outer contact and to couple the second circuit to the first circuit, wherein the wiring is Located on the outer portion of the die;
A device comprising:
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分上の第1の外側コンタクト手段および第2の外側コンタクト手段、ここにおいて、前記第1の外側コンタクト手段は、前記第1の回路に電気的に接続され、前記第2の外側コンタクト手段は、前記第2の回路に電気的に接続される、と、
前記第2の回路を前記第1の回路に電気的に接続するための配線手段、ここにおいて、前記配線手段は、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える、装置。 A device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
First outer contact means and second outer contact means on the outer portion of the die, wherein the first outer contact means is electrically connected to the first circuit and the second outer contact means; The outer contact means is electrically connected to the second circuit;
Wiring means for electrically connecting the second circuit to the first circuit, wherein the wiring means is located on the outer portion of the die; and
An apparatus comprising:
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分の上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクト、ここにおいて、前記第1のダイ外側コンタクトは前記第1の回路に結合され、前記第2のダイ外側コンタクトは前記第2の回路に結合される、と、
前記第1のダイ外側コンタクトおよび前記第2のダイ外側コンタクトに結合され、前記第2の回路を前記第1の回路に結合するように構成された配線を備えるパッケージ、ここにおいて、前記パッケージは、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える装置。 A semiconductor device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
A first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is coupled to the first circuit and the second die outer contact; Is coupled to the second circuit;
A package coupled to the first die outer contact and the second die outer contact and comprising wiring configured to couple the second circuit to the first circuit, wherein the package comprises: Located on the outer portion of the die;
A device comprising:
ダイの外側部分上に複数のコンタクトを露出させることと、ここにおいて、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを備え、前記第1の回路および前記第2の回路は、前記ダイの内側部分にある、
前記ダイの前記内側部分の前記第1の回路および前記第2の回路を接続するために、前記複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトを、前記ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して結合することと
を備える方法。 A method,
Exposing a plurality of contacts on the outer portion of the die, wherein the plurality of contacts are a first contact coupled to the first circuit and a second contact coupled to the second circuit; The first circuit and the second circuit are in an inner portion of the die,
In order to connect the first circuit and the second circuit of the inner portion of the die, at least two contacts of the plurality of contacts are connected via at least one wiring outside the die. A method comprising: combining.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261696092P | 2012-08-31 | 2012-08-31 | |
US61/696,092 | 2012-08-31 | ||
US13/802,759 | 2013-03-14 | ||
US13/802,759 US9871012B2 (en) | 2012-08-31 | 2013-03-14 | Method and apparatus for routing die signals using external interconnects |
PCT/US2013/057613 WO2014036456A2 (en) | 2012-08-31 | 2013-08-30 | Method and apparatus for routing die signals using external interconnects |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015534263A true JP2015534263A (en) | 2015-11-26 |
JP2015534263A5 JP2015534263A5 (en) | 2016-09-23 |
Family
ID=49263428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015530109A Pending JP2015534263A (en) | 2012-08-31 | 2013-08-30 | Method and apparatus for routing die signals using external wiring |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9871012B2 (en) |
EP (1) | EP2891177A2 (en) |
JP (1) | JP2015534263A (en) |
KR (1) | KR101908528B1 (en) |
CN (2) | CN104603939A (en) |
WO (1) | WO2014036456A2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018144012A1 (en) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Functionally versatile cassettes |
US10636758B2 (en) | 2017-10-05 | 2020-04-28 | Texas Instruments Incorporated | Expanded head pillar for bump bonds |
CN108346636B (en) * | 2018-04-13 | 2023-10-13 | 长鑫存储技术有限公司 | Pad structure of memory and manufacturing method thereof |
KR20210121336A (en) | 2020-03-26 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor package |
TWI750080B (en) * | 2021-04-15 | 2021-12-11 | 鎂輪全球股份有限公司 | Chip module with heat dissipation device and manufacturing method thereof |
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JP3031966B2 (en) | 1990-07-02 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | Integrated circuit device |
US6211703B1 (en) | 1996-06-07 | 2001-04-03 | Hitachi, Ltd. | Signal transmission system |
US7230340B2 (en) | 2000-10-18 | 2007-06-12 | Megica Corporation | Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips |
JP2000227457A (en) | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device |
US6180426B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-01-30 | Mou-Shiung Lin | High performance sub-system design and assembly |
US6397361B1 (en) | 1999-04-02 | 2002-05-28 | International Business Machines Corporation | Reduced-pin integrated circuit I/O test |
US7709943B2 (en) | 2005-02-14 | 2010-05-04 | Daniel Michaels | Stacked ball grid array package module utilizing one or more interposer layers |
US7335536B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices |
KR100725493B1 (en) | 2005-11-10 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | Display device and manufactureing method of the same |
JP2008159608A (en) | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device, method of manufacturing the same and device of designing the same |
CN101874296B (en) | 2007-09-28 | 2015-08-26 | 泰塞拉公司 | Paired projection is utilized to carry out flip chip interconnects |
US8064224B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-11-22 | Intel Corporation | Microelectronic package containing silicon patches for high density interconnects, and method of manufacturing same |
US8278141B2 (en) | 2008-06-11 | 2012-10-02 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with internal stacking module |
US7569935B1 (en) | 2008-11-12 | 2009-08-04 | Powertech Technology Inc. | Pillar-to-pillar flip-chip assembly |
US8759949B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer backside structures having copper pillars |
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-
2013
- 2013-03-14 US US13/802,759 patent/US9871012B2/en active Active
- 2013-08-30 JP JP2015530109A patent/JP2015534263A/en active Pending
- 2013-08-30 WO PCT/US2013/057613 patent/WO2014036456A2/en active Application Filing
- 2013-08-30 CN CN201380044641.0A patent/CN104603939A/en active Pending
- 2013-08-30 CN CN202010279093.1A patent/CN111463182A/en active Pending
- 2013-08-30 EP EP13770728.7A patent/EP2891177A2/en not_active Ceased
- 2013-08-30 KR KR1020157007941A patent/KR101908528B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104603939A (en) | 2015-05-06 |
EP2891177A2 (en) | 2015-07-08 |
US9871012B2 (en) | 2018-01-16 |
US20140061642A1 (en) | 2014-03-06 |
WO2014036456A2 (en) | 2014-03-06 |
KR101908528B1 (en) | 2018-10-16 |
KR20150052146A (en) | 2015-05-13 |
CN111463182A (en) | 2020-07-28 |
WO2014036456A3 (en) | 2014-04-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20180713 |