JP2015534263A - Method and apparatus for routing die signals using external wiring - Google Patents

Method and apparatus for routing die signals using external wiring Download PDF

Info

Publication number
JP2015534263A
JP2015534263A JP2015530109A JP2015530109A JP2015534263A JP 2015534263 A JP2015534263 A JP 2015534263A JP 2015530109 A JP2015530109 A JP 2015530109A JP 2015530109 A JP2015530109 A JP 2015530109A JP 2015534263 A JP2015534263 A JP 2015534263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
circuit
wiring
outer contact
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015530109A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015534263A5 (en
Inventor
スリニバス、バイシュナフ
ヤン、バーニー・ジョード
ブルーノッリ、マイケル
ウェスト、ディビッド・イアン
ペインター、チャールズ・ディビッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of JP2015534263A publication Critical patent/JP2015534263A/en
Publication of JP2015534263A5 publication Critical patent/JP2015534263A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02377Fan-in arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05556Shape in side view
    • H01L2224/05558Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05569Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/114Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1146Plating
    • H01L2224/11462Electroplating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13026Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/13028Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body the bump connector being disposed on at least two separate bonding areas, e.g. bond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13109Indium [In] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13116Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1416Random layout, i.e. layout with no symmetry
    • H01L2224/14164Random layout, i.e. layout with no symmetry covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/14165Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2746Plating
    • H01L2224/27462Electroplating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/2902Disposition
    • H01L2224/29026Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/29028Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body the layer connector being disposed on at least two separate bonding areas, e.g. bond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/29078Plural core members being disposed next to each other, e.g. side-to-side arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/30Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/301Disposition
    • H01L2224/3012Layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/3213Disposition the layer connector connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. connecting two bonding areas on the same semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • H01L2224/81815Reflow soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/30Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/38Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/381Pitch distance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

外部配線(202+222+212)を使用してダイ(152)の内側部分においてダイ信号をラウティングするためのアプローチの様々な態様が本明細書で説明される。このアプローチは、ダイ(152)の内側部分の回路に結合されたコンタクト(102,112)を提供し、これらのコンタクト(102,112)はダイ(152)の外側部分に露出している。外部配線(202+222+212)は、ダイ(152)の内側部分の回路からの信号が外部からダイ(152)にラウティングされそれらをダイ(152)に再挿入するために、これらのコンタクト(102,112)を結合するように構成される。開示されるアプローチの様々な態様では、外部配線(202+222+212)は、ダイ(152)のためのパッケージング(252)によって保護される。テストモード中に回路を結合するように構成されたテスト回路は、ダイ(152)の内側部分で予見される。【選択図】 図1Various aspects of an approach for routing die signals at the inner portion of die (152) using external wiring (202 + 222 + 212) are described herein. This approach provides contacts (102, 112) coupled to the circuitry of the inner portion of die (152), which are exposed on the outer portion of die (152). External wiring (202 + 222 + 212) is routed to these contacts (102, 112) for signals from the circuitry inside the die (152) to be routed from the outside to the die (152) and reinserted into the die (152). ). In various aspects of the disclosed approach, the external wiring (202 + 222 + 212) is protected by packaging (252) for the die (152). A test circuit configured to couple the circuit during the test mode is foreseen at the inner portion of the die (152). [Selection] Figure 1

Description

関連出願への相互参照Cross-reference to related applications

[0001] 本願は、米国特許商標庁に2012年8月31日に出願された「METHOD AND APPARATUS FOR ROUTING DIE SIGNALS USING EXTERNAL INTERCONNECTS」と題する仮特許出願第61/696092号の優先権および利益を主張し、この内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。   [0001] This application claims the priority and interest of provisional patent application 61/696092 entitled "METHOD AND APPARATUS FOR ROUTING DIE SIGNALS USING EXTERNAL INTERCONNECTS" filed with the US Patent and Trademark Office on August 31, 2012. The entire contents of which are hereby incorporated by reference.

[0002] 本開示の態様は一般に集積回路に関し、より具体的には、外部配線(external interconnect)を使用してダイ信号をラウティング(routing)するための方法および装置に関する。   [0002] Aspects of the present disclosure relate generally to integrated circuits, and more specifically to a method and apparatus for routing a die signal using an external interconnect.

[0003] 現代の集積回路における様々な信号の効率的なラウティングは、信号分配の適切なタイミングを確実にすること、クロストークを最小化すること、およびインピーダンスを整合させることを含む多くの課題を、すべてがより高い部品数(component count)によりかつてないほど縮小している利用可能な面積(real estate)に適合すると同時に、克服することを伴う。クロック信号のラウティングは、これらの信号が集積回路の異なる部分から到達する異なるデータ信号を同期させるために使用されるため、特に重要である。しかしながら、配線に存在するインピーダンスに起因して、クロックソースと、このクロックソースに結合された回路の位置との間の様々な空間距離により、集積回路の様々な位置でのクロック信号到達時間に不整合がある場合が多い。タイミングにおけるこれらの不整合はクロックキューとして知られている。また、クロック信号ラインと並列して延びている(run)ような、他の配線によって引き起こされるノイズのために、同一のクロック入力を有する2つの異なるロケーションに到達するクロック信号もまた、通称クロックジッタとして知られている位相ノイズを経験しうる。   [0003] Efficient routing of various signals in modern integrated circuits has many challenges, including ensuring proper timing of signal distribution, minimizing crosstalk, and matching impedance. To meet the real estate, which has all been reduced by a higher component count than ever before, while overcoming it. Clock signal routing is particularly important because these signals are used to synchronize different data signals arriving from different parts of the integrated circuit. However, due to the impedance present in the wiring, the various spatial distances between the clock source and the position of the circuit coupled to this clock source will cause a delay in the arrival time of the clock signal at various locations in the integrated circuit. Often there is a match. These inconsistencies in timing are known as clock cues. Also, a clock signal that reaches two different locations with the same clock input due to noise caused by other wiring, such as run in parallel with the clock signal line, is also commonly referred to as clock jitter. You can experience the phase noise known as

[0004] クロック分配ネットワーク(CDN)は、クロックキューに関する制約を確実にする目的で使用されることができ、ジッタは最小化される。高速な遷移時間およびバランスしたデューティサイクルのような他の検討事項もまた考慮に入れられる必要がある。CDNは、Hツリー、バッファクロックツリー、平衡クロックツリー、メッシュクロックネットワークのような異なる技法を使用して設計されうる。しかしながら、高いクロック周波数で動作する、急速にスケーリングするトランジスタの加工寸法(feature size)に比例して配線がスケーリングしないため、効率的なCDNを設計するというタスクは、これらの技法を使用した場合であっても、より一層難しくなってきている。例えば、ダイ内プロセス変動によるクロックバッファの不整合がスキューを最小化する能力を制限するため、ただクロックツリー平衡化を使用するだけでは次第に不十分になる。また、典型的なHツリーは、非対称かつ不規則な形状のクロックドメインへのクロックの分配にそれ程適しておらず、むしろ、集積回路のフロアプランニングおよびレイアウトにさらなる複雑性(complication)を加える。さらに、既存のHツリー分配に対するスキュー低減技法は、配線の高い電力消費と非効率的な使用により阻害される(suffer from)。他のアプローチは、リーフごとに独立して、ソースでスキュー補正(skew compensation)を実行する。しかしながら、これらのアプローチは、各リーフからソースに返る、長く様々な長さの基準線を必要とし、それは、各フィードバックラインのプロセスに依存した遅延により、スキュー補正に誤差をもたらす。加えて、効率的なCDNを設計する際の難易度が設計の終盤では増加するため、CDN設計は多くの場合、集積回路内の残りの回路の設計が完了しうる前に完成(finalize)させられなければならない。   [0004] A clock distribution network (CDN) can be used to ensure constraints on the clock queue, and jitter is minimized. Other considerations such as fast transition times and balanced duty cycle also need to be taken into account. The CDN can be designed using different techniques such as H-tree, buffer clock tree, balanced clock tree, mesh clock network. However, the task of designing an efficient CDN is the task of using these techniques because the wiring does not scale in proportion to the feature size of a rapidly scaling transistor operating at a high clock frequency. Even so, it has become even more difficult. For example, just using clock tree balancing is increasingly insufficient because clock buffer mismatch due to intra-die process variations limits the ability to minimize skew. Also, typical H-trees are not well suited for distributing clocks into asymmetric and irregularly shaped clock domains, but rather add additional complexity to integrated circuit floor planning and layout. In addition, skew reduction techniques for existing H-tree distribution are hampered by high power consumption and inefficient use of wiring. Another approach performs skew compensation at the source independently for each leaf. However, these approaches require long and varying lengths of reference lines that return from each leaf to the source, which introduces errors in skew correction due to the process dependent delay of each feedback line. In addition, as the difficulty in designing an efficient CDN increases at the end of the design, the CDN design is often finalized before the design of the remaining circuits in the integrated circuit can be completed. Must be done.

[0005] 差動シグナリングは、クロック信号を分配するために使用されうる別のアプローチである。差動シグナリングはクロックツリーアプローチと比べて多くの面でより効率的であるが、この技法の実現は、差動シグナリングを提供するのに必要とされる比較的複雑な回路に使用するためにより多くの面積を必要とする。また、長距離にわたる差動信号の低抵抗を確実にするためには慎重なラウティングが必要とされ、この要件を達成するために上層が使用されることが多いため、これは多くの場合貴重なラウティングリソースを消費する。さらに別の検討事項は、差動シグナリング回路が、シールドを必要とし、このアプローチの望ましさ(desirability)をさらに低減させる条件(provision)を必要とすることである。   [0005] Differential signaling is another approach that can be used to distribute clock signals. Although differential signaling is more efficient in many aspects compared to the clock tree approach, the implementation of this technique is more for use in the relatively complex circuitry required to provide differential signaling. Requires an area. Also, this is often valuable because careful routing is required to ensure low resistance of differential signals over long distances, and upper layers are often used to achieve this requirement. Consumes expensive routing resources. Yet another consideration is that differential signaling circuits require shielding and provisions that further reduce the desirability of this approach.

[0006] ますます複雑化するシステム、低下した電源電圧、より大きいダイサイズ、およびより高いクロックレートにより、現代の集積回路のためのクロック分配は実現することがより一層困難になってきているため、説明された課題を克服することができる望ましさもまた明らかになってきている。   [0006] With increasingly complex systems, reduced supply voltages, larger die sizes, and higher clock rates, clock distribution for modern integrated circuits is becoming more difficult to achieve. The desirability of overcoming the described problems has also become apparent.

[0007] 本開示の1つまたは複数の態様の簡略化された概要を、そのような態様の基本的な理解を提供するために以下に提示する。この概要は、考えられる本開示のすべての特徴の広範な概観ではなく、本開示のすべての態様の重要な要素または決定的な要素を識別することも、本開示のいずれかまたはすべての態様の適用範囲(scope)を線引きすることも意図されていない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明への前置きとして、本開示の1つまたは複数の態様のいくつかの概念を簡略な形式で提示することである。   [0007] A simplified summary of one or more aspects of the disclosure is presented below to provide a basic understanding of such aspects. This summary is not an extensive overview of all possible features of the disclosure, and it may identify key or critical elements of all aspects of the disclosure, Nor is it intended to delineate the scope. Its sole purpose is to present some concepts of one or more aspects of the disclosure in a simplified form as a prelude to the more detailed description that is presented later.

[0008] 外側配線(exterior interconnect)を使用してダイの内側部分(interior portion)でダイ信号をラウティングするためのアプローチの様々な態様が本明細書で説明される。このアプローチは、ダイの内側部分の回路に結合されたコンタクト(contact)を提供し、これらのコンタクトはダイの外側部分(exterior portion)に露出している(exposed)。外側配線は、ダイの内側部分の回路からの信号が外部からダイにラウティングされうるように、これらのコンタクトを結合するように構成される。開示されるアプローチの様々な態様では、外側配線はダイのパッケージングによって保護される。   [0008] Various aspects of an approach for routing die signals at an interior portion of a die using an exterior interconnect are described herein. This approach provides contacts that are coupled to the circuitry of the inner portion of the die, and these contacts are exposed to the exterior portion of the die. The outer wiring is configured to couple these contacts so that signals from the circuitry on the inner portion of the die can be routed to the die from the outside. In various aspects of the disclosed approach, the outer wiring is protected by die packaging.

[0009] 一態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む装置を提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクト(die exterior contact)および第2のダイ外側コンタクトと、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクトは第1の回路に電気的に接続され、第2のダイ外側コンタクトは第2の回路に電気的に接続される、第1のダイ外側コンタクトと第2のダイ外側コンタクトとを電気的に接続し、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線とをさらに含み、ここにおいて、配線はダイの外側部分上に位置する。   [0009] In one aspect, the present disclosure provides an apparatus that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die has a first die exterior contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is electrically connected to the first circuit; The second die outer contact is electrically connected to the second circuit, the first die outer contact and the second die outer contact are electrically connected, and the second circuit is connected to the first circuit. And interconnects configured to couple, wherein the interconnects are located on the outer portion of the die.

[0010] 別の態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む装置を提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクト手段および第2のダイ外側コンタクト手段と、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクト手段は第1の回路に電気的に接続され、第2のダイ外側コンタクト手段は第2の回路に電気的に接続される、第1のダイ外側コンタクトと第2のダイ外側コンタクトとを電気的に接続し、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線手段とをさらに含み、ここにおいて、配線手段はダイの外側部分上に位置する。   [0010] In another aspect, the present disclosure provides an apparatus that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die includes first die outer contact means and second die outer contact means on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact means is electrically connected to the first circuit and the second die The die outer contact means is electrically connected to the second circuit, electrically connects the first die outer contact and the second die outer contact, and couples the second circuit to the first circuit. Wiring means configured to: wherein the wiring means is located on the outer portion of the die.

[0011] さらに別の態様では、本開示は、外側部分と、複数の回路を含む内側部分とを含むダイを含む半導体デバイスを提供する。内側部分の複数の回路は、ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、ダイの第2のエリアに形成された第2の回路とを含む。ダイは、ダイの外側部分上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクトと、ここにおいて、第1のダイ外側コンタクトは第1の回路に結合され、第2のダイ外側コンタクトは第2の回路に結合される、第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクトに結合され、第2の回路を第1の回路に結合するように構成された配線を含むパッケージとをさらに含み、ここにおいて、パッケージはダイの外側部分上に位置する。   [0011] In yet another aspect, the present disclosure provides a semiconductor device that includes a die that includes an outer portion and an inner portion that includes a plurality of circuits. The plurality of circuits in the inner portion includes a first circuit formed in the first area of the die and a second circuit formed in the second area of the die. The die includes a first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is coupled to the first circuit and the second die outer contact is the first die contact. A package including a wiring coupled to the first circuit and the second die outer contact and configured to couple the second circuit to the first circuit. Here, the package is located on the outer portion of the die.

[0012] さらに別の態様では、本開示は、ダイの外側部分上に複数のコンタクトを露出させることを含む方法を提供し、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを含み、第1の回路および第2の回路はダイの内側部分にある。方法は、ダイの内側部分にある第1の回路と第2の回路とを接続するために、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトを結合することをさらに含む。   [0012] In yet another aspect, the present disclosure provides a method that includes exposing a plurality of contacts on an outer portion of a die, the plurality of contacts coupled to a first circuit. And a second contact coupled to the second circuit, the first circuit and the second circuit being in an inner portion of the die. The method combines at least two of the plurality of contacts via at least one wiring external to the die to connect the first circuit and the second circuit on the inner portion of the die. In addition.

[0013] 本発明のこれらの態様または他の態様は、以下に続く詳細な説明を精査した上で、より十分に理解されることとなる。   [0013] These or other aspects of the invention will be more fully understood upon review of the detailed description that follows.

[0014] 本開示のこれらの態様および他の例示的な態様が以下に続く詳細な説明および添付の図面で説明されている。   [0014] These and other exemplary aspects of the disclosure are described in the detailed description and the accompanying drawings that follow.

図1は、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって構成された半導体デバイスアセンブリのためのダイ信号ラウティング実現の例の分解側面図である。FIG. 1 is an exploded side view of an example of a die signal routing implementation for a semiconductor device assembly configured in accordance with various aspects of the disclosed approach. 図2は、図エラー!参照先が見当たらない。のダイ信号ラウティング実現の平面図である。Figure 2 shows a diagram error! I can't find a reference. It is a top view of realization of die signal routing. 図3は、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって構成された外部ダイ信号ラウティング実現の例の分解側面図である。FIG. 3 is an exploded side view of an example of an external die signal routing implementation configured in accordance with various aspects of the disclosed approach. 図4は、図エラー!参照先が見当たらない。の外部ダイ信号ラウティング実現の平面図である。Figure 4 shows a diagram error! I can't find a reference. FIG. 6 is a plan view of the realization of the external die signal routing. 図5は、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって構成された概念化ダイ信号ラウティング実現のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a conceptualized die signal routing implementation configured in accordance with various aspects of the disclosed approach. 図6は、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって構成された概念化ダイ信号ラウティング実現のフロー図である。FIG. 6 is a flow diagram of a conceptualized die signal routing implementation configured in accordance with various aspects of the disclosed approach. 図7は、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって説明されるダイ信号ラウティング実現を利用しうる処理システムを採用した装置のためにハードウェア実現の例を例示するブロック図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating an example hardware implementation for an apparatus employing a processing system that may utilize a die signal routing implementation described in accordance with various aspects of the disclosed approach.

発明の詳細な説明Detailed Description of the Invention

[0022] 一般の慣習にしたがって、図面のうちのいくつかは明瞭さのために簡略化されうる。ゆえに、これらの図面は、所与の装置(例えば、デバイス)の構成要素または方法のすべてを描写するわけではなく、また実物大でもない。最後に、本明細書および図面を通じて同様の特徴を表すために同様の参照番号が使用されうる。   [0022] In accordance with common practice, some of the drawings may be simplified for clarity. Thus, these drawings do not depict every component or method of a given apparatus (eg, device) and are not full scale. Finally, like reference numerals may be used to represent like features throughout the specification and drawings.

[0023] 添付の図面に関連して以下に示される詳細な説明は、様々な構成の説明を意図するものであり、本明細書で説明される概念が実施されうる唯一の構成を表すことを意図したものではない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を提供する目的で具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしに実施されうることは当業者には明らかであろう。いくつかの事例では、周知の構造および構成要素が、そのような概念を曖昧にしないためにブロック図の形式で示されている。   [0023] The detailed description set forth below in connection with the appended drawings is intended as a description of various configurations and represents the only configurations in which the concepts described herein can be implemented. Not intended. The detailed description includes specific details for the purpose of providing a thorough understanding of various concepts. However, it will be apparent to those skilled in the art that these concepts may be practiced without these specific details. In some instances, well-known structures and components are shown in block diagram form in order to avoid obscuring such concepts.

[0024] 図1は、本明細書で詳しく説明される方法で組み立てられる前の、ダイ152およびパッケージ252を含む半導体デバイスアセンブリ100の分解側面図を例示する。具体的な例は、半導体デバイスアセンブリ100と、例示される他のアセンブリとを説明するために本明細書で提供されうるが、開示されるアプローチの様々な態様が様々な集積回路パッケージに適用されうることに留意されたい。ゆえに、これらの例は、別途示されていない限り制限するものであると考えられるべきではない。例えば、半導体デバイスアセンブリ100は、単一のデバイスとしてまたはパッケージデバイスアセンブリ上のパッケージの一部として実現されうる。   [0024] FIG. 1 illustrates an exploded side view of a semiconductor device assembly 100 including a die 152 and a package 252 prior to being assembled in the manner described in detail herein. Although specific examples may be provided herein to describe the semiconductor device assembly 100 and other illustrated assemblies, various aspects of the disclosed approach may be applied to various integrated circuit packages. Note that it is possible. Therefore, these examples should not be considered limiting unless otherwise indicated. For example, the semiconductor device assembly 100 can be implemented as a single device or as part of a package on a package device assembly.

[0025] ダイ152は、シリコンウエハから形成されえ、ここでは、ダイ152がシリコンウエハから切断されてパッケージ252へと組み立てられる前に、典型的には個々のディスクリート構成要素および1つまたは複数の回路がエッチングされている。パッケージ252は、ダイ152を包含および保護するための、金属、プラスチック、ガラス、および/またはセラミック材料で作られているケーシングでありうる。パッケージ252は、衝撃および腐食に対する保護を提供し、外部回路をダイ152に接続するために使用されるコンタクトピン(contact pin)またはリード線を保持し、ダイ152で生じた熱を放散する。開示されるアプローチの一態様では、パッケージ252はまた、通常ダイ152内でラウティングされる信号をラウティングするための導電性配線層を含む。しかしながら、ダイ152内からこれらの信号を抽出してダイ152にそれらを再挿入するだけのことによって、信号をラウティングするこのアプローチは、レイアウト設計において大幅な柔軟性と低減された複雑性とを提供し、そうでなければこれらの信号のために確保される必要のある貴重なダイ面積を解放し、ラウティングされた信号の動作速度と信頼性とを増加させる。   [0025] The die 152 may be formed from a silicon wafer, where typically the individual discrete components and one or more of the die 152 are cut before the die 152 is cut from the silicon wafer and assembled into a package 252. The circuit is etched. Package 252 can be a casing made of metal, plastic, glass, and / or ceramic material to contain and protect die 152. Package 252 provides protection against shock and corrosion, holds contact pins or leads used to connect external circuitry to die 152, and dissipates heat generated by die 152. In one aspect of the disclosed approach, package 252 also includes a conductive wiring layer for routing signals that are normally routed within die 152. However, by extracting these signals from within die 152 and reinserting them into die 152, this approach of routing the signals provides great flexibility and reduced complexity in layout design. Provides valuable die area that would otherwise need to be reserved for these signals, increasing the operating speed and reliability of the routed signals.

[0026] ダイ152は、ダイ152の外面(exterior surface)154上に露出した第1および第2のコンタクトピラー(contact pillar)102,112を含む。第1および第2のコンタクトピラー102,112は、それぞれ第1および第2のトレース(trace)108,118を介して、ダイ152の内側部分の1つまたは複数の回路に結合されうる。例えば、第1のトレース108は、クロック信号を生成するクロック信号生成回路に結合され、第2のトレース118は、このクロック信号を使用する(すなわち、消費する)メモリ回路またはI/O回路のクロック信号入力に結合されうる。第1のコンタクトピラー102はクロック信号生成回路の出力に結合され、第2のコンタクトピラー112はメモリ回路のクロック入力に結合されうる。本明細書で使用される例は、クロック回路から他の回路へのクロック信号の分配を伴いうるが、開示されるアプローチの様々な態様は、本システムにおいて説明されるクロックおよびメモリ回路に加え、他のタイプの信号の分配および他のタイプの回路の結合にも適用されうる。   The die 152 includes first and second contact pillars 102, 112 that are exposed on the exterior surface 154 of the die 152. The first and second contact pillars 102, 112 may be coupled to one or more circuits of the inner portion of the die 152 via first and second traces 108, 118, respectively. For example, the first trace 108 is coupled to a clock signal generation circuit that generates a clock signal, and the second trace 118 is a clock of a memory circuit or I / O circuit that uses (ie, consumes) this clock signal. It can be coupled to a signal input. The first contact pillar 102 may be coupled to the output of the clock signal generation circuit, and the second contact pillar 112 may be coupled to the clock input of the memory circuit. Although the examples used herein may involve the distribution of a clock signal from a clock circuit to other circuits, various aspects of the disclosed approach are in addition to the clock and memory circuits described in the present system, It can also be applied to the distribution of other types of signals and the coupling of other types of circuits.

[0027] 開示されるアプローチの一態様では、第1のコンタクトピラー102を第2のコンタクトピラー112に接続するために配線の形式の導電路(conductive path)がパッケージ252内のダイ152の外に設けられ、それによって、クロック信号生成回路の出力からのクロック信号のような信号は、メモリ回路のクロック信号入力に結合されうる。図1に例示される実現では、外部導電路が、パッケージ252内のパッケージ配線層222として示されている。この外部導電路は、それが、ダイ152内の様々な層から離れてかつそれとは別に配線層を設けるため、ダイ152において信号をラウティングする際の制限を回避する。   [0027] In one aspect of the disclosed approach, a conductive path in the form of wiring is connected to the outside of the die 152 in the package 252 to connect the first contact pillar 102 to the second contact pillar 112. A signal such as a clock signal from the output of the clock signal generation circuit can be coupled to the clock signal input of the memory circuit. In the implementation illustrated in FIG. 1, the external conductive path is shown as a package wiring layer 222 in the package 252. This external conductive path avoids limitations in routing signals at the die 152 because it provides wiring layers that are separate from and separate from the various layers within the die 152.

[0028] 開示されるアプローチの一態様では、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212による第1および第2のコンタクトピラー102,112へのそれぞれの電気接続が、それぞれのはんだキャップ104,114によってなされうる。ゆえに、実現では、パッケージ252およびダイ152のアセンブリは、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212と第1および第2のコンタクトピラー102,112との間の電気接続がはんだキャップ104,114を使用してなされることを可能にするために、パッケージ252およびダイ152を物理的に近くに配置することを伴う。はんだキャップ104,114は、組み立て中のはんだの這い上がり(solder wicking)を制限し、それ程アグレッシブでないはんだフラックスの使用を可能にし、鉛の含有量を最小化する比較的平滑なドームを形成するようにリフローされている共晶はんだキャップ(eutectic solder cap)でありうる。はんだキャップ104,114はまた、鉛フリーはんだ、すなわちインジウムでありうる。開示されるアプローチの別の態様では、コンタクトピラー102とパッケージ配線層コンタクト202との間の接続を形成するために熱圧縮技法が使用されうる。開示されるアプローチのさらに別の態様では、コンタクトピラー102とパッケージ配線層コンタクト202との間の接続は導電性接着剤(conductive adhesive)を用いて達成されうる。   [0028] In one aspect of the disclosed approach, the respective electrical connections to the first and second contact pillars 102, 112 by the first and second package wiring layer contacts 202, 212 are the respective solder caps 104. , 114. Thus, in an implementation, the package 252 and die 152 assembly is such that the electrical connection between the first and second package wiring layer contacts 202, 212 and the first and second contact pillars 102, 112 is a solder cap 104, In order to be able to be done using 114, it involves placing the package 252 and die 152 in close physical proximity. The solder caps 104, 114 limit solder wicking during assembly, allow the use of less aggressive solder flux, and form a relatively smooth dome that minimizes lead content. It can be an eutectic solder cap that has been reflowed into The solder caps 104, 114 can also be lead-free solder, i.e. indium. In another aspect of the disclosed approach, thermal compression techniques can be used to form a connection between the contact pillar 102 and the package wiring layer contact 202. In yet another aspect of the disclosed approach, the connection between the contact pillar 102 and the package wiring layer contact 202 can be achieved using a conductive adhesive.

[0029] 図2は、ダイ152内の位相ロックループ(PLL)回路162によって生成されたクロック信号をラウティングするために図1のパッケージ配線層222を使用して実現されうるラウティングスキーム200を例示する。クロック信号は、複数のルート222a−dを介してラウティングされることができ、それらの各々は、ダイ152の内側にある様々な他の回路からのそれぞれの複数のコンタクトのうちの1つまたは複数をクロック信号に結合するために使用されうる。図2はダイ152およびパッケージ252の両方の組み合わせられた視点であるため、それら2つをより明確に区別するために、ダイ152自体を含むダイ152に関連付けられた素子は点線を使用して例示されるだろう。例えば、PLL回路162はダイ152に関連付けられるため、このPLL回路162は点線を使用して表される。   FIG. 2 illustrates a routing scheme 200 that can be implemented using the package wiring layer 222 of FIG. 1 to route the clock signal generated by the phase-locked loop (PLL) circuit 162 in the die 152. Illustrate. The clock signal can be routed via a plurality of routes 222a-d, each of which is one or more of a respective plurality of contacts from various other circuits inside die 152 or Multiples can be used to couple to the clock signal. 2 is a combined view of both the die 152 and the package 252, the elements associated with the die 152, including the die 152 itself, are illustrated using dotted lines to more clearly distinguish the two. Will be done. For example, because PLL circuit 162 is associated with die 152, this PLL circuit 162 is represented using a dotted line.

[0030] さらに、図2が平面図であり、第2のコンタクトピラー112のような、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続されたダイ152上のコンタクトピラーは複数のルート222a−dの直下にありうるため、これらのコンタクトピラーは通常この視点からは見ることができない。しかしながら、本明細書でより詳細に説明されるように、第2のコンタクトピラー112が複数のルート222a−dのうちの少なくとも1つの真下にあることを例示するために、第2のコンタクトピラー112の誇張表現が使用されるだろう。ゆえに、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続された他のコンタクトピラーは、それらが複数のルート222a−dのうちのそれぞれ1つによってカバーされているためこの図では見ることができないが、第2のコンタクトピラー112と同様の方式で構成されうることに留意されたい。   [0030] Further, FIG. 2 is a plan view, and the contact pillar on the die 152 connected to circuitry inside the die that consumes the clock signal, such as the second contact pillar 112, has a plurality of routes 222a-. These contact pillars are usually not visible from this point of view because they can be directly under d. However, as described in more detail herein, the second contact pillar 112 is illustrated to illustrate that the second contact pillar 112 is directly under at least one of the plurality of routes 222a-d. The exaggerated expression of would be used. Thus, other contact pillars connected to circuitry inside the die that consumes the clock signal are not visible in this view because they are covered by each one of the plurality of routes 222a-d. Note that can be configured in a manner similar to the second contact pillar 112.

[0031] 図1も参照すると、パッケージ配線層222は、第2のコンタクトピラー112に結合されうるルート222cを含む複数のルート222a−dを含みうる。ゆえに、第1のトレース108を通して、PLL回路162によって生成されたクロック信号に結合されうる第1のコンタクトピラー102は、図1の例で説明されるようにメモリ回路に結合されうる第2のコンタクトピラー112に、ルート222cを通してこのクロック信号を送出(pass)しうる。ゆえに、第2のトレース118を通して第2のコンタクトピラー112に結合されるメモリ回路は、第1のコンタクトピラー102からのクロック信号を使用することができる。   Referring also to FIG. 1, the package wiring layer 222 may include a plurality of routes 222 a-d including a route 222 c that can be coupled to the second contact pillar 112. Thus, the first contact pillar 102 that can be coupled to the clock signal generated by the PLL circuit 162 through the first trace 108 is a second contact that can be coupled to the memory circuit as described in the example of FIG. This clock signal may be passed to the pillar 112 through the route 222c. Thus, a memory circuit coupled to the second contact pillar 112 through the second trace 118 can use the clock signal from the first contact pillar 102.

[0032] 図2はまた、図1には例示されておらず、ダイ152内の回路へのアクセスを可能にするコンタクトに対応する複数のコンタクト182a−dを含む。これらのコンタクトは、パッケージ252の他のピン(示されない)に接続されえ、複数のルート222a−dには電気的に結合されない。ゆえに、複数のコンタクト182a−dは、入力/出力(I/O)、電力、またはダイ152のための他の接続に対して使用されるコンタクトでありうる。複数のコンタクト182a−dによって搬送される信号が、上述されたよな、パッケージ配線層222を使用してダイ152内の他のロケーションに分配される信号とは異なることに留意されたい、というのも、後者のタイプの信号はそれらが外部からダイ152にラウティングされる場合であってもパッケージ252内に留まるためである。ゆえに、パッケージを通してダイから外部回路に典型的に導通される信号とは異なり、本明細書で開示される様々な態様を使用して分配される信号は、ダイの外部からラウティングされるがパッケージ内に留まりうる。上述されたように、これらの信号を外部からダイにラウティングするアプローチは多くの利点を提供する。   [0032] FIG. 2 also includes a plurality of contacts 182a-d that are not illustrated in FIG. 1 and correspond to contacts that allow access to circuitry within the die 152. These contacts can be connected to other pins (not shown) of the package 252 and are not electrically coupled to the plurality of routes 222a-d. Thus, the plurality of contacts 182 a-d can be contacts used for input / output (I / O), power, or other connections for the die 152. Note that the signal carried by the plurality of contacts 182a-d is different from the signal distributed to other locations in the die 152 using the package wiring layer 222, as described above. This is because the latter type of signals remain in the package 252 even if they are routed to the die 152 from the outside. Thus, unlike signals that are typically conducted through the package from the die to external circuitry, signals distributed using the various aspects disclosed herein are routed from the outside of the die, but are packaged. Can stay inside. As mentioned above, the approach of routing these signals from the outside to the die offers many advantages.

[0033] 図1を再度参照すると、第1および第2のコンタクトピラー102,112が、機械的および電気的な接続を、それぞれ第1および第2のトレース108,118の露出パッド部に提供するそれぞれの第1および第2のUBM(under-bump metallization)層106,116上に形成される。ゆえに、第1のUMB層106は、第1のトレース108の露出パッド部108’への機械的および電気的な接続を第1のコンタクトピラー102に提供し、第2のUMB層116は、第2のトレース118の露出パッド部118’への機械的および電気的な接続を第2のコンタクトピラー112に提供する。   [0033] Referring again to FIG. 1, first and second contact pillars 102, 112 provide mechanical and electrical connections to the exposed pad portions of the first and second traces 108, 118, respectively. Formed on respective first and second under-bump metallization (UBM) layers 106, 116. Thus, the first UMB layer 106 provides mechanical and electrical connection to the first contact pillar 102 to the exposed pad portion 108 ′ of the first trace 108, and the second UMB layer 116 includes the first UMB layer 116. A mechanical and electrical connection to the exposed pad portion 118 ′ of the second trace 118 is provided to the second contact pillar 112.

[0034] ダイ152はパッシベーション層110を含み、これは、第1および第2のUMB層106,116とともに、ダイ152に対して環境保護を提供する。この例示にみられうるように、パッシベーション層110は、第1のトレース108の露出パッド部108’および第2のトレース118の露出パッド部118’の両方のエッジを覆い(overlap)、それらを密封(seal)しうる。第1および第2のUMB層106,116は、パッシベーション層110の開口を密封し、ゆえに、上述されたように、これらのパッドに機械的および電気的な結合を提供しつつそれらを保護する。   [0034] The die 152 includes a passivation layer 110, which, together with the first and second UMB layers 106, 116, provides environmental protection for the die 152. As can be seen in this illustration, the passivation layer 110 covers the edges of both the exposed pad portion 108 ′ of the first trace 108 and the exposed pad portion 118 ′ of the second trace 118 and seals them. (Seal). The first and second UMB layers 106, 116 seal the openings in the passivation layer 110 and thus protect them while providing mechanical and electrical coupling to these pads, as described above.

[0035] 開示されるアプローチの一態様では、第1および第2のコンタクトピラー102,112は、円柱形の銅を使用して形成されることができ、また、オプションで電気めっきされうる。第1および第2のコンタクトピラー102,112に関連付けられたパラメータの例となる範囲は下記パラメータを含む:
−ピッチ:電流範囲が約80−110μmで、約60μm程度の低さ;
−直径:20〜50μm;および
−高さ:15〜50μm;
ここで、ピッチは、中心から中心を測定した場合の、隣接するコンタクトピラー間の最短距離であり、直径はコンタクトピラーの直径であり、高さはコンタクトピラーの高さである。
[0035] In one aspect of the disclosed approach, the first and second contact pillars 102, 112 can be formed using cylindrical copper and can optionally be electroplated. Exemplary ranges of parameters associated with the first and second contact pillars 102, 112 include the following parameters:
-Pitch: current range is about 80-110 μm, low as about 60 μm;
-Diameter: 20-50 [mu] m; and-Height: 15-50 [mu] m;
Here, the pitch is the shortest distance between adjacent contact pillars when the center is measured from the center, the diameter is the diameter of the contact pillar, and the height is the height of the contact pillar.

[0036] 通常使用されるより大きな球状の有鉛はんだバンプの代わりに銅のピラーを使用することで、多くの望ましくない副作用が回避されうる。例えば、はんだバンプの直径は、典型的には100μmほどの大きさであり、これははんだバンプ間により大きい間隔(ピッチ)を必要とし、それによって相互接続密度(interconnection density)を低減させる。より大きな球体を通るより長い導電路はまた、任意の接続の電気抵抗および熱抵抗の両方を増加させる。   [0036] By using copper pillars instead of the more commonly used spherical leaded solder bumps, many undesirable side effects can be avoided. For example, the solder bump diameter is typically on the order of 100 μm, which requires a larger spacing (pitch) between the solder bumps, thereby reducing the interconnection density. Longer conductive paths through larger spheres also increase both the electrical and thermal resistance of any connection.

[0037] 非溶解の銅の円柱(copper cylinder)は、はんだバンプよりも大きい、ダイからパッケージまでの間隔を提供し、それによって、より優れたストレス緩和を提供する。銅の円柱の高い縦横比はまた、所与の高さに対してより狭い間隔(ピッチ)を可能にし、それによって接続密度を増加させうる。多くの場合、ダイ152とパッケージ252との間により強い機械接続を提供するため、ヒートブリッジを提供するため、ならびに、ダイ152およびシステムの残りの部分の異なる加熱によりはんだ接合部に圧力が加わらないことを確実にするために、電気絶縁接着剤がそれらの間にアンダーフィルされる。アンダーフィルが使用される場合、より大きな高さであれば、より速いアンダーフィルフローと、より均一な散布とが可能になりうる。加えて、鉛と比べてより強い銅の機械的せん断強度は、接続の強度を改善するだけでなく、半導体デバイスアセンブリ100の耐久性を全面的に増加させる。鉛と比べて増加した銅の熱伝導性もまた、このアセンブリの熱性能を改善する。   [0037] The undissolved copper cylinder provides a larger die-to-package spacing than the solder bumps, thereby providing better stress relief. The high aspect ratio of the copper cylinder may also allow a narrower spacing (pitch) for a given height, thereby increasing the connection density. Often, no pressure is applied to the solder joints to provide a stronger mechanical connection between the die 152 and the package 252, to provide a heat bridge, and because of the different heating of the die 152 and the rest of the system. To ensure that, an electrically insulating adhesive is underfilled between them. If underfill is used, a higher height may allow for faster underfill flow and more uniform spreading. In addition, the stronger mechanical shear strength of copper compared to lead not only improves the strength of the connection, but also increases the overall durability of the semiconductor device assembly 100. The increased thermal conductivity of copper compared to lead also improves the thermal performance of this assembly.

[0038] より重要なことには、鉛と比べて、増加した銅の電気伝導性と、第1および第2のコンタクトピラー102,112、第1および第2のパッケージ配線層コンタクト202,212、パッケージ配線層222の比較的大きなサイズとは、信号損失を最小化し、したがって、クロック信号のようなクリティカル(critical)な信号でさえも、顕著なスキューまたはジッタ効果なく、ダイ152内の多くの異なる位置に分配されることができる。例えば、パッケージ配線層222は、任意の適切な導電材料で構成され、20μmと同程度の厚みであるかまたはそれよりも厚い可能性がある。これは、合わせても合計で約10μmにしかなりえないダイ152内の導電層の基準値(typical value)と比べて格段に厚い。開示されるアプローチの様々な態様では、パッケージ配線層122の厚みに制限はない。例えば、パッケージ配線層122の厚みは、ダイ152のものの5倍でありうる。さらに、外部的にダイ152からラウティングされる信号の別個の分配を可能にすることによって、通常存在する他のトレースからのクロストークが効率的に除去されうる。   [0038] More importantly, the increased copper electrical conductivity and the first and second contact pillars 102, 112, the first and second package wiring layer contacts 202, 212, compared to lead, The relatively large size of package wiring layer 222 minimizes signal loss, and thus many different in die 152 without significant skew or jitter effects, even for critical signals such as clock signals. Can be distributed to locations. For example, the package wiring layer 222 is made of any appropriate conductive material, and may be as thick as 20 μm or thicker. This is much thicker than the typical value of the conductive layer in the die 152 which cannot be increased to about 10 μm in total. In various aspects of the disclosed approach, the thickness of the package wiring layer 122 is not limited. For example, the thickness of the package wiring layer 122 can be five times that of the die 152. Further, by allowing separate distribution of signals routed externally from die 152, crosstalk from other traces that are normally present can be effectively eliminated.

[0039] 図3は、ダイ352およびパッケージ452を含む別の半導体デバイスアセンブリ300の分解側面図を例示する。ダイ352およびパッケージ452は、以下で説明される違いはあるが、ダイ152およびパッケージ252について説明されたものと類似している。示される例では、半導体デバイスアセンブリ100のコンタクトピラー102,112のようなコンタクトピラーの代わりに、第1および第2のトレース308,318を、各トレースの露出パッド部308’,318’を通して電気的に接触させるためにダイ352の外面354上にコンタクトバー302が露出している。例えば、第1のトレース308は、クロック信号を生成するクロック信号生成回路に結合され、第2のトレース318は、クロック信号入力においてクロック信号の使用を必要とする(すなわち、消費する)メモリ回路のクロック信号入力に結合されうる。ゆえに、コンタクトバー302は、クロック信号生成回路の出力をメモリ回路のクロック入力と結合しうる。   FIG. 3 illustrates an exploded side view of another semiconductor device assembly 300 that includes a die 352 and a package 452. Die 352 and package 452 are similar to those described for die 152 and package 252 with the differences described below. In the example shown, instead of contact pillars, such as contact pillars 102, 112 of semiconductor device assembly 100, first and second traces 308, 318 are electrically connected through exposed pad portions 308 ', 318' of each trace. The contact bar 302 is exposed on the outer surface 354 of the die 352 for contact with the die. For example, the first trace 308 is coupled to a clock signal generation circuit that generates a clock signal, and the second trace 318 is a memory circuit that requires (ie consumes) the use of the clock signal at the clock signal input. A clock signal input may be coupled. Thus, the contact bar 302 can couple the output of the clock signal generation circuit with the clock input of the memory circuit.

[0040] 図4は、ダイ352内の位相ロックループ(PLL)回路362によって生成されたクロック信号をラウティングするために図3のコンタクトバー302を使用して実現されうるラウティングスキーム400を例示する。クロック信号は、複数のコンタクトバー302a,bを介してラウティングされることができ、それらは各々、ダイ352の内側にある様々な他の回路からのそれぞれ複数のコンタクトのうちのいずれか1つをクロック信号に結合するために使用されうる。図4はダイ352およびパッケージ452の両方の組み合わせられた視点であるため、それら2つをより明確に区別するために、ダイ352自体を含むダイ352に関連付けられた要素は点線を使用して例示されるだろう。例えば、PLL回路362はダイ352に関連付けられるため、このPLL回路362は点線を使用して表される。   FIG. 4 illustrates a routing scheme 400 that may be implemented using the contact bar 302 of FIG. 3 to route the clock signal generated by the phase locked loop (PLL) circuit 362 in the die 352. To do. The clock signal can be routed through a plurality of contact bars 302a, b, each of which is one of each of a plurality of contacts from various other circuits inside the die 352. Can be used to couple to the clock signal. Since FIG. 4 is a combined view of both the die 352 and the package 452, in order to more clearly distinguish the two, the elements associated with the die 352 including the die 352 itself are illustrated using dotted lines. Will be done. For example, because PLL circuit 362 is associated with die 352, PLL circuit 362 is represented using a dotted line.

[0041] さらに、図4が平面図であり、第2のトレース318の露出パッド部318’のような、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続されたダイ352上の露出パッド部は、複数のコンタクトバー302a,bの直下にありうるため、これらの露出パッド部は、通常この視点からは見ることができない。しかしながら、本明細書でより詳細に説明されるように、露出パッド部318’が複数のコンタクトバー302a,bのうちの少なくとも1つの真下にあることを例示するために、露出パッド部の誇張表現が使用されるだろう。ゆえに、クロック信号を消費するダイの内側にある回路に接続された他の露出パッド部は、それらが複数のコンタクトバー302a,bのうちのそれぞれ1つによってカバーされているためこの図では見ることができないが、露出パッド部318’と同様の方式で構成されうることに留意されたい。   [0041] Further, FIG. 4 is a plan view, with exposed pad portions on die 352 connected to circuitry inside the die that consumes the clock signal, such as exposed pad portion 318 'of second trace 318. Can be directly below the plurality of contact bars 302a, b, so that these exposed pad portions are usually not visible from this point of view. However, as will be described in more detail herein, an exaggerated representation of the exposed pad portion to illustrate that the exposed pad portion 318 'is directly under at least one of the plurality of contact bars 302a, b. Would be used. Thus, other exposed pad portions connected to circuitry inside the die that consumes the clock signal are seen in this figure because they are covered by each one of the plurality of contact bars 302a, b. However, it should be noted that it may be configured in the same manner as the exposed pad portion 318 ′.

[0042] 例えば、戻って図3を参照すると、コンタクトバー302は、第2のトレース318の露出パッド部318’に接続するために使用されるコンタクトバー302bを含む複数のコンタクトバー302a,bを含みうる。ゆえに、第1のトレース308の露出パッド部308’からコンタクトバー302への接続を通して、PLL回路362によって生成されたクロック信号に結合されうる第1のトレース308は、その信号を、図3の例によって説明されたようにメモリ回路に結合され、コンタクトバー302bの下の露出パッド部318’として例示される第2のトレース318にコンタクトバー302bを通して送出させうる。ゆえに、第2のトレース318に結合されるメモリ回路は、第1のトレース308からのクロック信号を使用することができる。   [0042] For example, referring back to FIG. 3, the contact bar 302 includes a plurality of contact bars 302a, b including a contact bar 302b used to connect to the exposed pad portion 318 'of the second trace 318. May be included. Thus, the first trace 308, which can be coupled to the clock signal generated by the PLL circuit 362 through the connection from the exposed pad portion 308 ′ of the first trace 308 to the contact bar 302, converts the signal into the example of FIG. The second trace 318, illustrated as an exposed pad portion 318 'under the contact bar 302b, can be routed through the contact bar 302b and coupled to the memory circuit as described by. Thus, the memory circuit coupled to the second trace 318 can use the clock signal from the first trace 308.

[0043] 図4はまた、図3には例示されておらず、ダイ352内の回路へのアクセスを可能にするコンタクトに対応する複数のコンタクト382a−bを含む。これらのコンタクトは、他のピンに接続されえ、コンタクトバー302a,bには電気的に結合されない。ゆえに、複数のコンタクト382a−bは、入力/出力(I/O)、電力、またはダイ352のための他の接続に対して使用されるコンタクトでありうる。この場合もまた、図2についての説明と同じように、複数のコンタクト382a−bによって搬送される信号が、上述されたような、コンタクトバー302を使用してダイ352内の他の位置に分配される信号とは異なることに留意されたい。というのも、後者のタイプの信号は、それらが外部からダイ352にラウティングされる場合であってもパッケージ452内に留まるためである。ゆえに、典型的にはパッケージを通してダイから外部回路に導通される信号とは異なり、本明細書で開示される様々な態様を使用して分配される信号は、ダイの外部からラウティングされるが、パッケージ内に留まりうる。上述されたように、これらの信号を外部からダイにラウティングするアプローチは多くの利点を提供する。   [0043] FIG. 4 also includes a plurality of contacts 382a-b that are not illustrated in FIG. 3 and correspond to contacts that allow access to circuitry within die 352. These contacts can be connected to other pins and are not electrically coupled to contact bars 302a, b. Thus, the plurality of contacts 382a-b can be contacts used for input / output (I / O), power, or other connections for the die 352. Again, as described with respect to FIG. 2, the signal carried by the plurality of contacts 382a-b is distributed to other locations within the die 352 using the contact bar 302 as described above. Note that this is different from the signal being generated. This is because the latter type of signal remains in the package 452 even when they are routed to the die 352 from the outside. Thus, unlike signals that are typically conducted through the package from the die to external circuitry, signals distributed using the various aspects disclosed herein are routed from the outside of the die. Can stay in the package. As mentioned above, the approach of routing these signals from the outside to the die offers many advantages.

[0044] ダイ152と同じように、ダイ352はパッシベーション層310を含み、これは、UMB層306とともに、ダイ352に対して環境保護を提供する。図3にみられうるように、パッシベーション層310は、第1のトレース308の露出パッド部308’および第2のトレース318の露出パッド部318’の両方のエッジを覆い、それらを密封しうる。第1および第2のUMB層306は、パッシベーション層306の開口を密封し、ゆえに、上述されたように、これらのパッドに機械的および電気的な結合をそれらに提供しつつそれらを保護する。   [0044] Like the die 152, the die 352 includes a passivation layer 310 that, along with the UMB layer 306, provides environmental protection to the die 352. As can be seen in FIG. 3, the passivation layer 310 can cover and seal the edges of both the exposed pad portion 308 ′ of the first trace 308 and the exposed pad portion 318 ′ of the second trace 318. The first and second UMB layers 306 seal the openings in the passivation layer 306 and thus protect them while providing them with mechanical and electrical coupling as described above.

[0045] 開示されるアプローチの一態様では、コンタクトバー302は、複数の銅コンタクトピラーを使用して形成されることができ、また、オプションで電気めっきされうる。具体的には、図1の第1および第2のコンタクトピラー102,112に類似した銅コンタクトピラーは、配線を形成するために互いの十分近くに配置されうる。具体的には、図3に示されるように、これらの銅コンタクトピラーは、銅の「バー(bar)」を形成しうる。コンタクトバー302に関連付けられたパラメータの例となる範囲は下記パラメータを含む:
−厚さ:20〜50μm;および
−高さ:20〜50μm;
ここで、厚さはコンタクトバー302の厚さであり、上述された直径範囲と大きさが類似しえ、高さは、コンタクトバーの高さである。コンタクトバー302は、必ずしも棒状に構成される必要はないが、直線ではない形状を含む他の形状で作られうることに留意されたい。
[0045] In one aspect of the disclosed approach, the contact bar 302 can be formed using a plurality of copper contact pillars and can optionally be electroplated. Specifically, copper contact pillars similar to the first and second contact pillars 102, 112 of FIG. 1 can be placed sufficiently close to each other to form wiring. Specifically, as shown in FIG. 3, these copper contact pillars can form a copper “bar”. Exemplary ranges of parameters associated with contact bar 302 include the following parameters:
-Thickness: 20-50 [mu] m; and-Height: 20-50 [mu] m;
Here, the thickness is the thickness of the contact bar 302, which can be similar in size to the diameter range described above, and the height is the height of the contact bar. It should be noted that the contact bar 302 need not be configured as a bar, but can be made in other shapes, including non-straight shapes.

[0046] 図5は、ダイ522内の1つの回路によって生成され、ダイ522内の他の回路によって使用されるダイ信号を外部からラウティングするための開示されるアプローチの別の態様を説明するための回路図500を例示する。具体的には、回路図は、ダイ522をテストするためのアプローチを例示する。提供されている例では、PLL 512のようなクロック信号生成回路によって提供されるクロック信号は、外部信号ルート502を通して宛先回路546に送信されうる。例えば、宛先回路546は、適切に動作するためにPLL 512からのクロック信号を使用するメモリ回路でありうる。外部信号ルート502は、上述されたアプローチのうちの1つでありうる。例えば、外部信号ルート502は、図1で紹介されたパッケージ配線層222でありうるか、図3で紹介されたコンタクトバー302でありうる。外部信号ルート502を使用して宛先回路546がPLL 512に結合されるために、パッケージ配線層が位置するパッケージ(または、ダイ上に形成されるコンタクトバー)は、ダイ522に結合される必要がある。しかしながら、これは、パッケージラウティングアプローチが使用された場合にはダイ552がテストされる前にそれがパッケージと組み立てられることを、または、コネクタバーラウティングアプローチが使用された場合にはコネクタバーを含めるようにダイ552が処理されることを必要とし、これは、最終的にダイ522が不完全であると決定された場合にアセンブリ/処理リソースを無駄にする。   [0046] FIG. 5 illustrates another aspect of the disclosed approach for externally routing die signals generated by one circuit in die 522 and used by other circuits in die 522. An exemplary circuit diagram 500 is illustrated. Specifically, the circuit diagram illustrates an approach for testing the die 522. In the example provided, a clock signal provided by a clock signal generation circuit such as PLL 512 may be transmitted to destination circuit 546 through external signal route 502. For example, destination circuit 546 may be a memory circuit that uses a clock signal from PLL 512 to operate properly. The external signal route 502 can be one of the approaches described above. For example, the external signal route 502 may be the package wiring layer 222 introduced in FIG. 1 or the contact bar 302 introduced in FIG. In order for the destination circuit 546 to be coupled to the PLL 512 using the external signal route 502, the package in which the package wiring layer is located (or the contact bar formed on the die) needs to be coupled to the die 522. is there. However, this means that if the package routing approach is used, the die 552 is assembled with the package before it is tested, or if the connector bar routing approach is used, the connector bar The die 552 needs to be processed for inclusion, which wastes assembly / processing resources if it is ultimately determined that the die 522 is incomplete.

[0047] 開示されるアプローチの一態様では、パッケージへの組み立ての前にダイ522をテストすることを可能にするために、一次信号経路510とは別に、二次信号経路580が提供されうる。例えば、二次信号経路580は、ダイ522がパッケージと一体化される前にダイ522をテストするために使用されるか、または外部信号ルート502を追加するためにさらに処理される第2のクロック経路でありうる。二次信号経路580は、フル動作クロック周波数である必要はないが、ダイ522をテストするのに十分なクロック周波数で動作されうる複数のリピーター582−1〜nを含む。一次信号経路510と二次信号経路580は両方とも、マルチプレクサ(MUX)542に結合されうる。MUX 542は、ダイ522がテスト下にある(二次信号経路580)か、通常の動作モード下にある(一次信号経路510)かに基づいて適切な信号を選択的に送出しうる。開示されるアプローチの一態様では、MUX 542は、プログラムで、または、自動テスト装置ベクトルを通して制御されうる。   [0047] In one aspect of the disclosed approach, a secondary signal path 580 can be provided separate from the primary signal path 510 to allow testing of the die 522 prior to assembly into a package. For example, the secondary signal path 580 is used to test the die 522 before the die 522 is integrated with the package, or a second clock that is further processed to add an external signal route 502. It can be a route. Secondary signal path 580 need not be at a full operating clock frequency, but includes a plurality of repeaters 582-1-n that can be operated at a clock frequency sufficient to test die 522. Both primary signal path 510 and secondary signal path 580 may be coupled to multiplexer (MUX) 542. MUX 542 may selectively send the appropriate signal based on whether die 522 is under test (secondary signal path 580) or under normal operating mode (primary signal path 510). In one aspect of the disclosed approach, MUX 542 may be controlled programmatically or through an automated test equipment vector.

[0048] 外部信号ルート502に関して、ダイ552は、一対のダイオード534,536およびリピーター532に結合された抵抗素子538を含む受信機に信号を送信するために、リピーター522に加え、一対のダイオード524,526、および抵抗素子528を含む送信機を含む。これらの素子は、ダイ552に静電気放電保護を提供するために使用されることができ、それらがクロック信号の機能を提供することと直接関係がないため、オプションでありうる。   [0048] With respect to external signal route 502, die 552 includes a pair of diodes 524 in addition to repeater 522 to transmit a signal to a receiver including a pair of diodes 534, 536 and a resistive element 538 coupled to repeater 532. , 526 and a transmitter including a resistive element 528. These elements can be optional because they can be used to provide electrostatic discharge protection to the die 552 and are not directly related to providing clock signal functionality.

[0049] 図6は、外部配線を使用してダイ信号をラウティングするための、ダイ152のようなダイを構成するためのプロセス600を例示し、602では、複数のコンタクトがダイの外側部分上に露出しており、ここで、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを含み、第1および第2の回路はダイの内側部分にある。ゆえに、第1および第2のコンタクトピラー102,112のような複数のコンタクトは、ダイ152の外部表面154のような、ダイの外部部分に露出している。複数のコンタクトは、上述されたように、開示されるアプローチの様々な態様にしたがって形成され、ダイの内側部分の回路に結合されうる。   [0049] FIG. 6 illustrates a process 600 for constructing a die, such as die 152, for routing die signals using external wiring, where at 602, multiple contacts are on the outer portion of the die. Exposed, wherein the plurality of contacts includes a first contact coupled to the first circuit and a second contact coupled to the second circuit, wherein the first and second contacts This circuit is in the inner part of the die. Thus, a plurality of contacts, such as the first and second contact pillars 102, 112, are exposed to an outer portion of the die, such as the outer surface 154 of the die 152. A plurality of contacts may be formed in accordance with various aspects of the disclosed approach, as described above, and coupled to circuitry on the inner portion of the die.

[0050] 604では、ダイの外側部分にある第1および第2の回路を接続するために、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトが結合される。ゆえに、ダイの外側部分上の複数のコンタクトのうちの2つ以上のコンタクトは、第1および第2のコンタクトピラー102,112を結合するための、パッケージ252内のパッケージ配線層222のような配線を使用して結合されうる。開示されるアプローチの一態様では、配線は、パッケージ252のようなデバイスパッケージ内に位置しうる。開示されるアプローチの別の態様では、配線は、ダイ352の外面354のようなダイの外側部分上に形成されたダイ352のコンタクトバー302のような導体でありうる。   [0050] At 604, at least two of the plurality of contacts are coupled via at least one wiring external to the die to connect the first and second circuits on the outer portion of the die. The Thus, two or more of the plurality of contacts on the outer portion of the die are interconnects such as package interconnect layer 222 in package 252 for coupling first and second contact pillars 102 and 112. Can be combined. In one aspect of the disclosed approach, the wiring can be located in a device package, such as package 252. In another aspect of the disclosed approach, the wiring may be a conductor, such as the contact bar 302 of the die 352 formed on the outer portion of the die, such as the outer surface 354 of the die 352.

[0051] 開示されるアプローチの様々な態様は、ラウティングを構成する際の柔軟性を提供するだけでなく、信号がダイの内側でラウティングされなければならない場合の空間および干渉問題のような問題を回避する。例えば、外部配線の使用は、クロック信号のような、通常ダイの内側でラウティングされる信号のラウティングが、ダイの外でラウティングされることを可能とする。   [0051] Various aspects of the disclosed approach not only provide flexibility in configuring routing, but also like space and interference problems when signals must be routed inside the die. Avoid problems. For example, the use of external wiring allows routing of signals normally routed inside the die, such as clock signals, to be routed outside the die.

[0052] 開示されるアプローチの様々な態様の説明を簡略にする目的で、半導体、追加のパッシベーション層、および金属層のような特定の素子および層は示されていない。さらに、例示される様々なアセンブリの構築に使用されうる共通の材料は、それらが当業者によって当然知られているため説明されていない。   [0052] For purposes of simplifying the description of various aspects of the disclosed approaches, specific elements and layers such as semiconductors, additional passivation layers, and metal layers are not shown. Further, common materials that can be used to construct the various illustrated assemblies are not described as they are naturally known by those skilled in the art.

[0053] 開示された方法におけるステップの特定の順序または階層が例示的なプロセスを例示する図であることは理解されるべきである。設計の選好に基づいて、これらの方法における特定の順序または階層が並べ替えられうるということは理解されるべきである。添付の方法の請求項は、様々なステップの要素を、例示的な順序で提示するものであり、本明細書で明確に記載されていない限り、提示された特定の順序または階層に限定されるように意図されるものではない。   [0053] It is to be understood that the specific order or hierarchy of steps in the disclosed methods is a diagram illustrating an exemplary process. It should be understood that a particular order or hierarchy in these methods can be rearranged based on design preferences. The accompanying method claims present elements of the various steps in a sample order, and are limited to the particular order or hierarchy presented, unless explicitly stated herein. Is not intended to be.

[0054] 図7は、半導体デバイスにおけるダイ信号の外部信号ラウティングに関する開示されたアプローチの様々な態様を利用しうる処理システム710を採用する装置700についてのハードウェア実現の例を例示する概念図である。ゆえに、本開示の様々な態様によれば、ワイヤレスノードを含む、任意のデバイスを実現するために使用されうる装置700内の一素子または一素子の任意の部分、あるいは複数の素子のあらゆる組み合わせは、本明細書で説明された外部ダイラウティングアプローチを利用しうる。本明細書に含まれる装置700についての説明は、多様なデバイスに役立つように、開示されるアプローチの様々な態様がどのようにして使用されうるかについての非限定的な例を提供することを意味する。   [0054] FIG. 7 is a conceptual diagram illustrating an example hardware implementation for an apparatus 700 employing a processing system 710 that may utilize various aspects of the disclosed approach for external signal routing of die signals in a semiconductor device. It is. Thus, according to various aspects of the present disclosure, an element or any portion of an element or any combination of elements in apparatus 700 that may be used to implement any device, including a wireless node, The external die routing approach described herein may be utilized. The description of the apparatus 700 included herein is meant to provide a non-limiting example of how various aspects of the disclosed approach can be used to serve a variety of devices. To do.

[0055] 例えば、処理システム710は、プロセッサ714として例示される1つまたは複数のプロセッサを含む。プロセッサ714の例には、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、プログラマブル論理デバイス(PLD)、ステートマシン、ゲート論理、ディスクリートハードウェア回路、および本開示全体にわたって説明される様々な機能を実行するように構成された他の適切なハードウェアが含まれる。プロセッサ714のようなプロセッサは、典型的に、ダイ上に形成される様々なサブシステムを含み、ここで、これらの様々なサブシステムは、ダイの様々な部分全体にわたって分配される必要がある共通のクロック信号に依存する。開示されるアプローチの様々な態様によれば、クロック信号は、ダイの外部にある少なくとも1つの配線を使用してパッケージ内のダイに外部から分配されうる。外部ラウティングは、プロセッサ714において分配されているクロック信号のクロックスキューと位相オフセットとを低減させるだけでなく、ダイの内側部分の利用可能な空間を増加させうる。処理システム710のプロセッサ714に加えて、装置700内の任意の集積回路が、外部ラウティング技法を有利な方法で利用しうることに留意されたい。   [0055] For example, the processing system 710 includes one or more processors, exemplified as the processor 714. Examples of processor 714 include a microprocessor, microcontroller, digital signal processor (DSP), field programmable gate array (FPGA), programmable logic device (PLD), state machine, gate logic, discrete hardware circuitry, and the entire disclosure. Other suitable hardware configured to perform the various functions described throughout are included. A processor, such as processor 714, typically includes various subsystems formed on a die, where these various subsystems need to be distributed across various portions of the die. Depending on the clock signal. In accordance with various aspects of the disclosed approach, the clock signal can be distributed externally to the dies in the package using at least one wiring external to the die. External routing may not only reduce the clock skew and phase offset of the clock signal being distributed in the processor 714, but also increase the available space in the inner portion of the die. Note that in addition to processor 714 of processing system 710, any integrated circuit in apparatus 700 may utilize external routing techniques in an advantageous manner.

[0056] 処理システム710は、概ねバス712で表されるバスアーキテクチャを有するものとして実現されうる。バス712は、処理システム710の特定の用途と設計の制約全体に依存して、任意の数の相互接続バスおよびブリッジを含みうる。バス712は、1つまたは複数のプロセッサ(概ねプロセッサ718で表される)、メモリ718、およびコンピュータ可読媒体(概ねコンピュータ可読媒体716で表される)を含む様々な回路を互いにリンク付けする。バス712はまた、当技術分野において周知であり、そのためより詳細には説明されないであろうタイミングソース、周辺機器、電圧レギュレータ、および電力管理回路のような様々な他の回路をリンク付けしうる。バスインターフェース720は、バス712とトランシーバ750との間のインターフェースを提供する。トランシーバ750は、送信媒体を通じて様々な他の装置と通信するための手段を提供しうる。装置の性質に依存して、ユーザインタフェース730(例えば、キーパッド、ディスプレイ、スピーカ、マイクロフォン、ジョイスティック)もまた提供されうる。   [0056] Processing system 710 may be implemented as having a bus architecture represented generally by bus 712. Bus 712 may include any number of interconnect buses and bridges, depending on the specific application of processing system 710 and the overall design constraints. Bus 712 links various circuits together, including one or more processors (generally represented by processor 718), memory 718, and computer-readable media (generally represented by computer-readable medium 716). Bus 712 may also link various other circuits such as timing sources, peripherals, voltage regulators, and power management circuits that are well known in the art and will not be described in more detail. Bus interface 720 provides an interface between bus 712 and transceiver 750. The transceiver 750 may provide a means for communicating with various other devices over a transmission medium. Depending on the nature of the device, a user interface 730 (eg, keypad, display, speaker, microphone, joystick) may also be provided.

[0057] プロセッサ714は、バス712の管理と、コンピュータ可読媒体716またはメモリ718に記憶されうるソフトウェアの実行を含む汎用処理とを担っている。このソフトウェアは、プロセッサ714によって実行されると、処理システム710に、あらゆる特定の装置に関して本明細書で説明された様々な機能を実行させる。ソフトウェアは、ソフトウェア、ファームウェア、ミドルウェア、マイクロコード、ハードウェア記述言語、等のいずれで呼ばれても、命令、命令セット、コード、コードセグメント、プログラムコード、プログラム、サブプログラム、ソフトウェアモジュール、アプリケーション、ソフトウェアアプリケーション、ソフトウェアパッケージ、ルーチン、サブルーチン、オブジェクト、実行ファイル、実行スレッド、プロシージャ、関数等を意味するものと広く解釈されるものとする。   [0057] The processor 714 is responsible for managing the bus 712 and general processing including execution of software that can be stored on the computer readable medium 716 or memory 718. This software, when executed by the processor 714, causes the processing system 710 to perform various functions described herein for any particular device. Software is called software, firmware, middleware, microcode, hardware description language, etc., and instructions, instruction set, code, code segment, program code, program, subprogram, software module, application, software It shall be interpreted broadly to mean applications, software packages, routines, subroutines, objects, execution files, execution threads, procedures, functions, etc.

[0058] コンピュータ可読媒体716またはメモリ718はまた、ソフトウェアを実行する際にプロセッサ714によって操作されるデータを記憶するために使用されうる。コンピュータ可読媒体716は、コンピュータ可読記憶媒体のような非一時的コンピュータ可読媒体でありうる。非一時的コンピュータ可読媒体は、例として、磁気記憶デバイス(例えば、ハードディスク、フロッピー(登録商標)ディスク、磁気ストリップ)、光学ディスク(例えば、コンパクトディスク(CD)、デジタル多用途ディスク(DVD))、スマートカード、フラッシュメモリデバイス(例えば、カード、スティック、キードライブ)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読取専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、消去可能なPROM(EPROM)、電気的に消去可能なPROM(EEPROM)、レジスタ、リムーバブルディスク、および、コンピュータによってアクセスされ読み取りすることができるソフトウェアおよび/または命令を記憶するためのその他の適切な媒体を含む。コンピュータ可読媒体はまた、例として、キャリア波、送信ライン、ならびに、コンピュータによってアクセスされ読み取られうる命令および/またはソフトウェアを送信するためのその他の適切な媒体を含みうる。処理システム710内に存在するように例示されているが、コンピュータ可読媒体716は、処理システム710の外部に存在しうるか、あるいは、処理システム710を含む多数のエンティティにわたって分散されうる。コンピュータ可読媒体716は、コンピュータプログラム製品に具現化されうる。例として、コンピュータプログラム製品は、パッケージング材料のコンピュータ可読媒体を含みうる。当業者は、特定の用途およびシステム全体に課された設計制約全体に依存して本開示全体を通して示されている説明された機能を実現することがどれ程最良であるかを認識することになる。   [0058] The computer-readable medium 716 or memory 718 may also be used to store data that is manipulated by the processor 714 in executing software. The computer readable medium 716 may be a non-transitory computer readable medium such as a computer readable storage medium. Non-transitory computer readable media include, by way of example, magnetic storage devices (eg, hard disks, floppy disks, magnetic strips), optical disks (eg, compact disks (CDs), digital versatile disks (DVDs)), Smart cards, flash memory devices (eg cards, sticks, key drives), random access memory (RAM), read only memory (ROM), programmable ROM (PROM), erasable PROM (EPROM), electrically erasable PROM (EEPROM), registers, removable disks, and other suitable media for storing software and / or instructions that can be accessed and read by a computer. Computer-readable media can also include, by way of example, carrier waves, transmission lines and other suitable media for transmitting instructions and / or software that can be accessed and read by a computer. Although illustrated as being within processing system 710, computer readable media 716 can reside external to processing system 710 or can be distributed across multiple entities including processing system 710. The computer readable medium 716 may be embodied in a computer program product. By way of example, a computer program product may include a computer readable medium of packaging material. Those skilled in the art will recognize how best to implement the described functionality shown throughout this disclosure, depending on the particular application and the overall design constraints imposed on the overall system. .

[0059] 当業者はさらに、本明細書で開示された態様と関係して説明された様々な実例となる論理ブロック、モジュール、プロセッサ、手段、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア(例えば、ソースコーディングまたは何らかの他の技法を使用して設計されうる、デジタル実現、アナログ実現、またはこれら2つの組み合わせ)、命令を組み込んでいる様々な形式のプログラムまたは設計コード(本明細書では便宜上、「ソフトウェア」または「ソフトウェアモジュール」と呼ばれる)、あるいは両方の組み合わせ、として実現されうることがさらに認識されるだろう。このハードウェアおよびソフトウェアの互換性を明確に例示するために、様々な実例となる構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能の観点から概ね上で説明されている。このような機能がハードウェアとして実現されるかソフトウェアとして実現されるかは、特定の用途およびシステム全体に課せられる設計制約に依存する。当業者は、特定の用途ごとに、様々な方法で上に説明された機能を実現することができるが、このような実現の決定は本開示の適用範囲からの逸脱の原因になるとして解釈されるべきではない。   [0059] Those skilled in the art further recognize that the various illustrative logic blocks, modules, processors, means, circuits, and algorithm steps described in connection with the aspects disclosed herein are electronic hardware (eg, Various forms of program or design code (in this document for convenience, "software", which may be designed using source coding or some other technique, digital implementation, analog implementation, or a combination of the two), instructions It will be further appreciated that it may be implemented as a "" or "software module"), or a combination of both. To clearly illustrate this hardware and software compatibility, various illustrative components, blocks, modules, circuits, and steps have been described above generally in terms of their functionality. Whether such a function is realized as hardware or software depends on a specific application and design constraints imposed on the entire system. Those skilled in the art can implement the functions described above in various ways for each particular application, but such implementation decisions are interpreted as causing deviations from the scope of this disclosure. Should not.

[0060] 本明細書に開示される態様と関連して説明される様々な実例となる論理ブロック、モジュール、および回路は、集積回路(IC)、アクセス端末、またはアクセスポイント内で実現されるか、またはそれらによって実行されうる。ICは、汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア構成要素、電気的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、あるいは本明細書で説明された機能を実行するように設計され、IC内に、ICの外に、またはその両方に存在するコードまたは命令を実行しうるこれらの任意の組み合わせを備えうる。汎用プロセッサはマイクロプロセッサでありうるが、代替的に、このプロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンでありうる。プロセッサはまた、例えば、DSPと、1つのマクロプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアに関連する1つまたは複数のマイクロプロセッサ、またはその他の上記構成の組み合わせといったコンピューティングデバイスの組み合わせとしても実現されうる。   [0060] Are the various illustrative logic blocks, modules, and circuits described in connection with aspects disclosed herein implemented in an integrated circuit (IC), access terminal, or access point? Or may be performed by them. ICs are general purpose processors, digital signal processors (DSPs), application specific integrated circuits (ASICs), field programmable gate arrays (FPGAs) or other programmable logic devices, discrete gate or transistor logic, discrete hardware components, electrical Designed to perform components, optical components, mechanical components, or the functions described herein, and execute code or instructions that reside in, outside of, or both in an IC Any combination of these may be provided. A general purpose processor may be a microprocessor, but in the alternative, the processor may be any conventional processor, controller, microcontroller, or state machine. The processor can also be implemented as a combination of computing devices such as, for example, a DSP and a macro processor, a plurality of microprocessors, one or more microprocessors associated with a DSP core, or other combinations of the above configurations. .

[0061] 開示されたプロセスにおけるステップの任意の特定の順序または階層が例示的なアプローチの一例であることは理解される。設計の選好に基づいて、プロセスにおけるステップの特定の順序または階層が本開示の範囲内でありながら並べ替えられうることは理解される。添付の方法の請求項は、様々なステップの要素を例示的な順序で提示するが、提示された特定の順序または階層に限定されることは意図されない。   [0061] It is understood that any specific order or hierarchy of steps in the disclosed processes is an example of an exemplary approach. It is understood that based on design preferences, a particular order or hierarchy of steps in the process can be rearranged while remaining within the scope of this disclosure. The accompanying method claims present elements of the various steps in a sample order, and are not intended to be limited to the specific order or hierarchy presented.

[0062] 本明細書に開示された態様に関連して説明されたアルゴリズムまたは方法のステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこれら2つの組み合わせにおいて具現化されうる。ソフトウェアモジュール(例えば、実行可能な命令および関連データを含む)および他のデータは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバルディスク、CD−ROMのようなデータメモリ、あるいは当技術分野において知られているその他の任意の形式のコンピュータ可読記憶媒体内に存在しうる。例示的な記憶媒体は、プロセッサがこの記憶媒体から情報(例えばコード)を読み取り、この記憶媒体に情報を書き込むことができるように、例えば、コンピュータ/プロセッサ(本明細書では便宜上「プロセッサ」と呼ばれる)のような機械に結合されうる。例示的な記憶媒体はプロセッサに一体化されうる。プロセッサおよび記憶媒体はASIC内に存在しうる。ASICはユーザ機器内に存在しうる。代替的に、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ機器内のディスクリート構成要素として存在しうる。さらに、いくつかの態様では、任意の適切なコンピュータプログラム製品は、本開示の態様のうちの1つ以上に関連したコード(例えば、少なくとも1つのコンピュータによって実行可能な)を備えるコンピュータ可読媒体を備えうる。いくつかの態様では、コンピュータプログラム製品はパッケージング材料を備えうる。   [0062] The algorithm or method steps described in connection with the aspects disclosed herein may be implemented directly in hardware, in a software module executed by a processor, or in a combination of the two. Software modules (eg, including executable instructions and associated data) and other data include data such as RAM memory, flash memory, ROM memory, EPROM memory, EEPROM memory, registers, hard disk, removable disk, CD-ROM It may reside in memory, or any other form of computer readable storage medium known in the art. An exemplary storage medium is, for example, a computer / processor (referred to herein as a “processor” for convenience) so that the processor can read information (eg, code) from the storage medium and write information to the storage medium. ). An exemplary storage medium may be integral to the processor. A processor and a storage medium may reside in the ASIC. The ASIC can reside in the user equipment. In the alternative, the processor and the storage medium may reside as discrete components in user equipment. Further, in some aspects, any suitable computer program product comprises a computer-readable medium comprising code (eg, executable by at least one computer) associated with one or more of the aspects of the present disclosure. sell. In some aspects, the computer program product may comprise packaging material.

[0063] 先の説明は、本明細書で説明された様々な態様を当業者が実施することができるようにするために提供される。これらの態様に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書において定義された包括的な原理は他の態様に適用されうる。ゆえに、特許請求の範囲は、本明細書に示された態様に制限されることを意図せず、特許請求の範囲の言語と合致する全範囲が与えられるべきであり、ここで、単数形の要素への参照は、別途明記されていない限り、「1つまたは1つだけの」を意味することを意図せず、むしろ「1つまたは複数の」を意味することを意図する。別途明記されていない限り、「いくつかの/何らかの(some)」という用語は「1つまたは複数の」を指す。項目のリスト「のうちの少なくとも1つ」を指す表現は、単一のメンバを含む、それらの項目の任意の組み合わせを指す。例として、「a,b、またはcのうちの少なくとも1つ」は、a,b、c、aとb、aとc、bとc、aとbとcをカバーすることが意図される。当業者に知られているまたは後に知られることとなる、本開示全体にわたって説明された様々な態様の要素に対するすべての構造的および機能的な均等物は、参照によって本明細書に明確に組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されることが意図される。さらに、本明細書に開示されたものはいずれも、そのような開示が特許請求の範囲に明示的に記載されているかどうかに関らず、公に献呈されることが意図されない。特許請求の範囲の要素は、その要素が「〜のための手段」という表現を使用して明確に記載されていない限り、または、方法請求項の場合には、その要素が「〜のためのステップ」という表現を使用して記載されていない限り、いずれも米国特許法第112条6項の規定のもとで解釈されるべきではない。   [0063] The previous description is provided to enable any person skilled in the art to implement the various aspects described herein. Various modifications to these aspects will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other aspects. Accordingly, the claims are not intended to be limited to the embodiments shown herein, but are to be given the full scope consistent with the language of the claims, where singular Reference to an element is not intended to mean "one or more", unless expressly stated otherwise, but rather to mean "one or more". Unless otherwise specified, the term “some” refers to “one or more”. An expression referring to “at least one of” a list of items refers to any combination of those items including a single member. By way of example, “at least one of a, b, or c” is intended to cover a, b, c, a and b, a and c, b and c, a and b and c. . All structural and functional equivalents to the elements of the various embodiments described throughout this disclosure that will be known or later known to those skilled in the art are expressly incorporated herein by reference. And is intended to be encompassed by the following claims. Moreover, nothing disclosed herein is intended to be publicly contributed, whether or not such disclosure is expressly recited in the claims. An element of a claim is not specifically stated using the expression “means for” or, in the case of a method claim, the element is “for Unless stated using the expression “step”, none should be construed under the provisions of 35 USC 112,6.

Claims (37)

装置であって、
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分の上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクト、ここにおいて、前記第1のダイ外側コンタクトは前記第1の回路に電気的に接続され、前記第2のダイ外側コンタクトは前記第2の回路に電気的に接続される、と、
前記第1のダイ外側コンタクトと前記第2のダイ外側コンタクトと電気的に接続し、前記第2の回路を前記第1の回路に結合するように構成された配線、ここにおいて、前記配線は、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える装置。
A device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
A first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is electrically connected to the first circuit; A die outer contact is electrically connected to the second circuit;
A wiring configured to electrically connect the first die outer contact and the second die outer contact and to couple the second circuit to the first circuit, wherein the wiring is Located on the outer portion of the die;
A device comprising:
前記配線は、銅またはアルミニウムのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the wiring comprises at least one of copper or aluminum. 前記配線は、複数の導電性ピラーを備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the wiring comprises a plurality of conductive pillars. 前記複数の導電性ピラーは、棒状を形成するために互いに物理的に接触している隣接した柱として形成される、請求項3に記載の装置。   The apparatus of claim 3, wherein the plurality of conductive pillars are formed as adjacent columns that are in physical contact with each other to form a rod. 前記ダイおよび前記配線は各々厚みを備え、前記配線の前記厚みは、前記ダイの前記厚みの少なくとも5倍である、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the die and the wiring each have a thickness, and the thickness of the wiring is at least five times the thickness of the die. パッケージをさらに備え、前記ダイは前記パッケージによって支持され、前記パッケージは前記配線を備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, further comprising a package, wherein the die is supported by the package, and the package comprises the wiring. 前記配線は、前記パッケージに形成された導電性材料の層を備える、請求項6に記載の装置。   The apparatus of claim 6, wherein the wiring comprises a layer of conductive material formed on the package. 前記第1の回路によって生成され、前記第2の回路に供給される信号は、前記パッケージと前記ダイとの間に留まる、請求項6に記載の装置。   The apparatus of claim 6, wherein a signal generated by the first circuit and provided to the second circuit remains between the package and the die. 前記第1の回路によって生成され、前記第2の回路に供給される信号は、前記パッケージ内に留まる、請求項6に記載の装置。   The apparatus of claim 6, wherein a signal generated by the first circuit and provided to the second circuit remains in the package. 前記第1のダイ外側コンタクトおよび前記第2のダイ外側コンタクトのうちの少なくとも1つは銅のピラーを備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein at least one of the first die outer contact and the second die outer contact comprises a copper pillar. 前記第1のダイ外側コンタクトおよび前記第2のダイ外側コンタクトは、前記ダイの前記外側部分の下の配線層にさらに結合され、前記配線層は、前記第1のダイ外側コンタクトを前記第1の回路に、前記第2のダイ外側コンタクトを前記第2の回路にそれぞれ別個に結合するように構成される、請求項1に記載の装置。   The first die outer contact and the second die outer contact are further coupled to a wiring layer under the outer portion of the die, and the wiring layer connects the first die outer contact to the first die. The apparatus of claim 1, wherein the apparatus is configured to separately couple the second die outer contact to the circuit to the second circuit. 前記第1の回路は信号ソースを備え、前記第2の回路は信号シンクを備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the first circuit comprises a signal source and the second circuit comprises a signal sink. 前記信号ソースはクロック回路である、請求項12に記載の装置。   The apparatus of claim 12, wherein the signal source is a clock circuit. 前記第1の回路は、クロック信号を提供するように構成されたクロック生成器を備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the first circuit comprises a clock generator configured to provide a clock signal. 前記ダイの前記内側部分の前記複数の回路は、テストモード中、前記第1の回路および前記第2の回路を結合するように構成されたテスト回路をさらに備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the plurality of circuits of the inner portion of the die further comprises a test circuit configured to couple the first circuit and the second circuit during a test mode. 前記テスト回路は、前記第1の回路および前記第2の回路を結合するために、前記テスト回路および前記配線から選択することを可能にするように構成されたマルチプレクサを備える、請求項15に記載の装置。   16. The test circuit of claim 15, comprising a multiplexer configured to allow selection from the test circuit and the wiring to couple the first circuit and the second circuit. Equipment. 前記テスト回路だけが、前記テストモード中、前記第1の回路および前記第2の回路を結合させる、請求項15に記載の装置。   The apparatus of claim 15, wherein only the test circuit couples the first circuit and the second circuit during the test mode. 前記テスト回路は、前記テストモード中以外、前記第1の回路を前記第2の回路に結合させるように動作不可能である、請求項15に記載の装置。   The apparatus of claim 15, wherein the test circuit is not operable to couple the first circuit to the second circuit except during the test mode. 装置であって、
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分上の第1の外側コンタクト手段および第2の外側コンタクト手段、ここにおいて、前記第1の外側コンタクト手段は、前記第1の回路に電気的に接続され、前記第2の外側コンタクト手段は、前記第2の回路に電気的に接続される、と、
前記第2の回路を前記第1の回路に電気的に接続するための配線手段、ここにおいて、前記配線手段は、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える、装置。
A device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
First outer contact means and second outer contact means on the outer portion of the die, wherein the first outer contact means is electrically connected to the first circuit and the second outer contact means; The outer contact means is electrically connected to the second circuit;
Wiring means for electrically connecting the second circuit to the first circuit, wherein the wiring means is located on the outer portion of the die; and
An apparatus comprising:
前記配線手段は、銅またはアルミニウムのうちの少なくとも1つを備える、請求項19に記載の装置。   The apparatus of claim 19, wherein the wiring means comprises at least one of copper or aluminum. 前記配線手段は、複数の導電性ピラーを備える、請求項19に記載の装置。   The apparatus according to claim 19, wherein the wiring means includes a plurality of conductive pillars. 前記複数の導電性ピラーは、棒状を形成するために互いに物理的に接触している隣接した柱として形成される、請求項21に記載の装置。   The apparatus of claim 21, wherein the plurality of conductive pillars are formed as adjacent columns that are in physical contact with each other to form a rod. 前記ダイおよび前記配線手段は各々厚みを備え、前記配線手段の前記厚みは、前記ダイの前記厚みの少なくとも5倍である、請求項19に記載の装置。   20. The apparatus of claim 19, wherein the die and the wiring means each have a thickness, and the thickness of the wiring means is at least five times the thickness of the die. パッケージをさらに備える、ここにおいて、前記ダイは前記パッケージによって支持され、前記パッケージは前記配線手段を備える、請求項19に記載の装置。   20. The apparatus of claim 19, further comprising a package, wherein the die is supported by the package, and the package comprises the wiring means. 前記配線手段は、前記パッケージ内に形成された、導電性素材の層を備える、請求項24に記載の装置。   25. The apparatus of claim 24, wherein the wiring means comprises a layer of conductive material formed in the package. 前記第1の回路によって生成され、前記第2の回路に供給される信号は、前記パッケージと前記ダイとの間に留まる、請求項24に記載の装置。   25. The apparatus of claim 24, wherein a signal generated by the first circuit and provided to the second circuit remains between the package and the die. 前記第1の回路によって生成され、前記第2の回路に供給される信号は、前記パッケージ内に留まる、請求項24に記載の装置。   25. The apparatus of claim 24, wherein a signal generated by the first circuit and provided to the second circuit remains in the package. 前記第1の外側コンタクト手段および前記第2の外側コンタクト手段のうちの少なくとも1つは銅柱を備える、請求項19に記載の装置。   The apparatus of claim 19, wherein at least one of the first outer contact means and the second outer contact means comprises a copper post. 前記第1の外側コンタクト手段および前記第2の外側コンタクト手段は、前記ダイの前記外側部分の下の配線層にさらに結合され、前記配線層は、それぞれ、前記第1の外側コンタクト手段を前記第1の回路に、前記第2の外側コンタクト手段を前記第2の回路に別個に結合するように構成される、請求項19に記載の装置。   The first outer contact means and the second outer contact means are further coupled to a wiring layer under the outer portion of the die, and the wiring layers respectively connect the first outer contact means to the first outer contact means. 21. The apparatus of claim 19, wherein the apparatus is configured to separately couple the second outer contact means to a second circuit. 前記第1の回路は信号を生成するための手段を備え、前記第2の回路は信号シンクを備える、請求項19に記載の装置。   The apparatus of claim 19, wherein the first circuit comprises means for generating a signal and the second circuit comprises a signal sink. 前記信号を生成するための前記手段はクロック回路である、請求項30に記載の装置。   32. The apparatus of claim 30, wherein the means for generating the signal is a clock circuit. 前記ダイの前記内側部分の前記複数の回路は、テストモード中、前記第1の回路および前記第2の回路を結合するように構成されたテスト手段をさらに備える、請求項19に記載の装置。   20. The apparatus of claim 19, wherein the plurality of circuits in the inner portion of the die further comprises test means configured to couple the first circuit and the second circuit during a test mode. 前記テスト手段は、前記第1の回路および前記第2の回路を結合させるために、テスト回路および前記配線手段から選択することを可能にするように構成されたマルチプレクサを備える、請求項32に記載の装置。   33. The multiplexer of claim 32, wherein the test means comprises a multiplexer configured to allow a selection from a test circuit and the wiring means to couple the first circuit and the second circuit. Equipment. 前記テスト手段だけが、前記テストモード中、前記第1の回路および前記第2の回路を結合させる、請求項32に記載の装置。   33. The apparatus of claim 32, wherein only the test means couples the first circuit and the second circuit during the test mode. 前記テスト手段は、前記テストモード中以外、前記第1の回路を前記第2の回路に結合させるように動作不可能である、請求項32に記載の装置。   33. The apparatus of claim 32, wherein the test means is inoperable to couple the first circuit to the second circuit except during the test mode. 半導体デバイスであって、
外側部分と、複数の回路を備える内側部分とを備えるダイ、ここにおいて、前記内側部分の前記複数の回路は、
前記ダイの第1のエリアに形成された第1の回路と、
前記ダイの第2のエリアに形成された第2の回路と
を備える、と、
前記ダイの前記外側部分の上の第1のダイ外側コンタクトおよび第2のダイ外側コンタクト、ここにおいて、前記第1のダイ外側コンタクトは前記第1の回路に結合され、前記第2のダイ外側コンタクトは前記第2の回路に結合される、と、
前記第1のダイ外側コンタクトおよび前記第2のダイ外側コンタクトに結合され、前記第2の回路を前記第1の回路に結合するように構成された配線を備えるパッケージ、ここにおいて、前記パッケージは、前記ダイの前記外側部分上に位置する、と、
を備える装置。
A semiconductor device,
A die comprising an outer portion and an inner portion comprising a plurality of circuits, wherein the plurality of circuits of the inner portion comprises:
A first circuit formed in a first area of the die;
A second circuit formed in a second area of the die; and
A first die outer contact and a second die outer contact on the outer portion of the die, wherein the first die outer contact is coupled to the first circuit and the second die outer contact; Is coupled to the second circuit;
A package coupled to the first die outer contact and the second die outer contact and comprising wiring configured to couple the second circuit to the first circuit, wherein the package comprises: Located on the outer portion of the die;
A device comprising:
方法であって、
ダイの外側部分上に複数のコンタクトを露出させることと、ここにおいて、複数のコンタクトは、第1の回路に結合された第1のコンタクトと、第2の回路に結合された第2のコンタクトとを備え、前記第1の回路および前記第2の回路は、前記ダイの内側部分にある、
前記ダイの前記内側部分の前記第1の回路および前記第2の回路を接続するために、前記複数のコンタクトのうちの少なくとも2つのコンタクトを、前記ダイの外部にある少なくとも1つの配線を介して結合することと
を備える方法。
A method,
Exposing a plurality of contacts on the outer portion of the die, wherein the plurality of contacts are a first contact coupled to the first circuit and a second contact coupled to the second circuit; The first circuit and the second circuit are in an inner portion of the die,
In order to connect the first circuit and the second circuit of the inner portion of the die, at least two contacts of the plurality of contacts are connected via at least one wiring outside the die. A method comprising: combining.
JP2015530109A 2012-08-31 2013-08-30 Method and apparatus for routing die signals using external wiring Pending JP2015534263A (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261696092P 2012-08-31 2012-08-31
US61/696,092 2012-08-31
US13/802,759 2013-03-14
US13/802,759 US9871012B2 (en) 2012-08-31 2013-03-14 Method and apparatus for routing die signals using external interconnects
PCT/US2013/057613 WO2014036456A2 (en) 2012-08-31 2013-08-30 Method and apparatus for routing die signals using external interconnects

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015534263A true JP2015534263A (en) 2015-11-26
JP2015534263A5 JP2015534263A5 (en) 2016-09-23

Family

ID=49263428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015530109A Pending JP2015534263A (en) 2012-08-31 2013-08-30 Method and apparatus for routing die signals using external wiring

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9871012B2 (en)
EP (1) EP2891177A2 (en)
JP (1) JP2015534263A (en)
KR (1) KR101908528B1 (en)
CN (2) CN104603939A (en)
WO (1) WO2014036456A2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018144012A1 (en) 2017-02-03 2018-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Functionally versatile cassettes
US10636758B2 (en) 2017-10-05 2020-04-28 Texas Instruments Incorporated Expanded head pillar for bump bonds
CN108346636B (en) * 2018-04-13 2023-10-13 长鑫存储技术有限公司 Pad structure of memory and manufacturing method thereof
KR20210121336A (en) 2020-03-26 2021-10-08 삼성전자주식회사 Semiconductor package
TWI750080B (en) * 2021-04-15 2021-12-11 鎂輪全球股份有限公司 Chip module with heat dissipation device and manufacturing method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107048A (en) * 1995-03-30 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor package
JPH11195746A (en) * 1997-10-08 1999-07-21 Lucent Technol Inc Integrated circuit package
JP2002170928A (en) * 2000-11-29 2002-06-14 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JP2005150391A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Renesas Technology Corp Semiconductor device
US20070102814A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007335888A (en) * 2000-12-18 2007-12-27 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
US20120126368A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Mediatek Inc. Semiconductor Package

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1937009A1 (en) 1969-07-21 1971-01-28 Siemens Ag Non contacting conductor cross overs for - integrated circuits
JP3031966B2 (en) 1990-07-02 2000-04-10 株式会社東芝 Integrated circuit device
US6211703B1 (en) 1996-06-07 2001-04-03 Hitachi, Ltd. Signal transmission system
US7230340B2 (en) 2000-10-18 2007-06-12 Megica Corporation Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips
JP2000227457A (en) 1999-02-05 2000-08-15 Rohm Co Ltd Semiconductor device
US6180426B1 (en) 1999-03-01 2001-01-30 Mou-Shiung Lin High performance sub-system design and assembly
US6397361B1 (en) 1999-04-02 2002-05-28 International Business Machines Corporation Reduced-pin integrated circuit I/O test
US7709943B2 (en) 2005-02-14 2010-05-04 Daniel Michaels Stacked ball grid array package module utilizing one or more interposer layers
US7335536B2 (en) 2005-09-01 2008-02-26 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices
KR100725493B1 (en) 2005-11-10 2007-06-08 삼성전자주식회사 Display device and manufactureing method of the same
JP2008159608A (en) 2006-12-20 2008-07-10 Fujitsu Ltd Semiconductor device, method of manufacturing the same and device of designing the same
CN101874296B (en) 2007-09-28 2015-08-26 泰塞拉公司 Paired projection is utilized to carry out flip chip interconnects
US8064224B2 (en) * 2008-03-31 2011-11-22 Intel Corporation Microelectronic package containing silicon patches for high density interconnects, and method of manufacturing same
US8278141B2 (en) 2008-06-11 2012-10-02 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with internal stacking module
US7569935B1 (en) 2008-11-12 2009-08-04 Powertech Technology Inc. Pillar-to-pillar flip-chip assembly
US8759949B2 (en) 2009-04-30 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer backside structures having copper pillars
US9006908B2 (en) * 2012-08-01 2015-04-14 Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107048A (en) * 1995-03-30 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor package
JPH11195746A (en) * 1997-10-08 1999-07-21 Lucent Technol Inc Integrated circuit package
JP2002170928A (en) * 2000-11-29 2002-06-14 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JP2007335888A (en) * 2000-12-18 2007-12-27 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2005150391A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Renesas Technology Corp Semiconductor device
US20070102814A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20120126368A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Mediatek Inc. Semiconductor Package

Also Published As

Publication number Publication date
CN104603939A (en) 2015-05-06
EP2891177A2 (en) 2015-07-08
US9871012B2 (en) 2018-01-16
US20140061642A1 (en) 2014-03-06
WO2014036456A2 (en) 2014-03-06
KR101908528B1 (en) 2018-10-16
KR20150052146A (en) 2015-05-13
CN111463182A (en) 2020-07-28
WO2014036456A3 (en) 2014-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102250743B1 (en) Side by side semiconductor package
Sharma et al. Universal chiplet interconnect express (UCIe): An open industry standard for innovations with chiplets at package level
US8901748B2 (en) Direct external interconnect for embedded interconnect bridge package
JP2015534263A (en) Method and apparatus for routing die signals using external wiring
TWI698973B (en) Bridge device for interfacing a packaged device with a substrate
Noor et al. Us microelectronics packaging ecosystem: Challenges and opportunities
KR20120052338A (en) Integrated circuit package
JP5957103B2 (en) Semiconductor chip and semiconductor chip package
WO2020108315A1 (en) Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)
JP2005150391A (en) Semiconductor device
US20120221996A1 (en) System and method for distribution analysis of stacked-die integrated circuits
Ben Abdallah et al. 3D integration technology for multicore systems on-chip
US20240202421A1 (en) Bi-directional dynamic function exchange
Richard Tying the System Together
Rathore Flexibility, Scalability, and Efficiency in Next-Generation Digital Signal Processors
US20230299050A1 (en) Test architecture for 3d stacked circuits
Acito et al. Advanced Package Design: Inter-Domain Design Methodologies
TW201248777A (en) Fault-tolerant unit and method for through-silicon via
Vaidyanathan et al. Techniques for early package closure in system-in-packages
TW200913367A (en) Discrete component electromagnetic coupler
US7596774B2 (en) Hard macro with configurable side input/output terminals, for a subsystem
Caley et al. A comparative analysis of 3D-IC partitioning schemes for asynchronous circuits
Yang et al. Dynamic Self‐Repair Architectures for Defective Through‐silicon Vias
US9780040B1 (en) Integrated circuit package substrates having a common die dependent region and methods for designing the same
Welsh et al. Universal Connection Matrix: A Breadboard in a Package

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160802

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160802

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170808

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180523

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180531

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20180713