JP2015532769A - プラズマを加速及び圧縮する装置 - Google Patents

Abstract

プラズマ加速及び圧縮デバイスの例を説明する。デバイスは、加速器の入口から延びる高圧縮漏斗区画と、漏斗区画の端部から加速器の出口まで延びることができる高圧縮漏斗区画に接続された細長い区画とを有するプラズマ加速器を含む。漏斗区画は、急勾配のテーパ付きで円錐形にすることができるが、細長い区画は、出口の方向にその長さに沿って軽いなだらかなテーパを有することができる。デバイスは、電流パルスを加速器に提供し、押し込み磁束を発生させて加速器全体を通してプラズマトーラスを加速かつ圧縮するための電源を含む。電流パルスは、細長い区画の出口でのプラズマトーラスの背後の電流パルスが、細長い区画の第１の端部における電流パルスよりも有意に小さいが、細長い区画の出口でのプラズマトーラスの圧力が、細長い区画の開始時のプラズマトーラスの圧力よりも大きいように成形することができる。【選択図】図２

Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、これにより引用によってその全体が本明細書に組み込まれる「高効率プラズマ加速器」という名称の２０１２年８月２９日出願の米国特許仮出願第６１／６９４，５５０号の「３５ Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）」の下での利益を主張するものである。

本発明の開示は、一般的にプラズマ加速及び圧縮の方法及びシステムに関し、より具体的には、高効率プラズマ加速器及びプラズマを加速する方法に関する。

プラズマは、粒子の少なくとも一部がイオン化された気体に類似する物質の状態である。荷電粒子（例えば、陽イオン及び陰電子）の存在は、プラズマを導電性にする。プラズマトーラスは、連結されたポロイダル及びトロイダル（一部の場合に）閉鎖磁束を有するトロイダル配位に成形された自立磁化プラズマである。ポロイダル及びトロイダル磁束の連結の程度は、プラズマトーラスのヘリシティを定める。単純接続容積に閉じ込められたプラズマトーラスは、コンパクトトロイド（ＣＴ）と呼ばれる。ＣＴ配位は、例えば、（ｉ）トロイダル及びポロイダル成分の両方を有する内部磁場との安定な電磁流体力学的平衡に近いスフェロマク配位、又は（ｉｉ）同じくトロイダル磁気トポロジーを有するが、軸線方向により細長く、外面が偏長回転楕円体に類似することができ、かつトロイダル磁場成分のない主としてポロイダル磁場を有する「逆転磁界配位（ＦＲＣ）」を含むことができる。ＣＴプラズマは、スフェロマク状態とＦＲＣ状態の間にある状態で存在するものを含む一連の磁場配位に形成することができる。初期プラズマトーラスは、時間と共にその磁場配位を進化かつ変化させることも可能である。

Ｒ．Ｃ．Ｄｕｃｋ他著「ＳＰＨＥＸスフェロマクの持続中に緩和及び電流駆動を担うｎ＝１モードの構造」、「プラズマの物理学、制御、融合」、ｖｏｌ．３９，ｐｐ．７１５−７３６，１９９７年５月

１つの態様によって、プラズマ加速及び圧縮デバイスを提供する。デバイスは、プラズマトーラスを加速及び圧縮するためのプラズマ加速器と、加速器に流入する電流を生成し、かつ加速器全体を通してプラズマトーラスを加速かつ圧縮するのに十分なプラズマトーラスの背後の押し込み磁束を発生させる加速器に電気加速度パルスを与えるための電源とを含む。

加速器は、管状外側電極及び外側電極の内側を延びる管状内側電極を有し、外部及び内側電極は、チャネルを通るプラズマトーラスを加速及び圧縮するための環状プラズマ伝播チャネルを定める。プラズマ伝播チャネルは、プラズマ発生器からのプラズマトーラスを受け入れるための入口端と、環状チャネルの内側で加速かつ圧縮されたプラズマトーラスを排出するための出口端とを有する。プラズマ伝播チャネルは、上流端が入口と流体連通して下流端が出口と流体連通する縦方向に細長い区画を有する。内側及び外側電極間の半径方向距離として定義される断面環状間隙は、細長い区画の長さに沿って下流方向に非線形に減少する。装置は、プラズマトーラスが押し込み磁束の膨脹によって細長い区画全体を通して加速かつ圧縮される細長い区画の前に十分なインダクタンスを有するように構成される。プラズマ伝播チャネルの寸法は、細長い区画の選択されたインダクタンス及び細長い区画の前の選択されたインダクタンスに対して、下流端で細長い区画に流入する電流が細長い区画の上流端でのものよりも小さく、かつプラズマトーラス圧力が細長い区画の上流端よりも細長い区画の下流端で大きいように選択される。細長い区画は、１と２の間のプラズマトーラス半径方向圧縮比を有するように構成することができる。

プラズマ伝播チャネルは、入口と細長い区画の上流端との間に高圧縮漏斗区画を更に含むことができる。漏斗区画は、入口と流体連通する上流端及び細長い区画の上流端と流体連通する下流端を含む。内側及び外側電極間の半径方向距離として定義される漏斗区画内の断面環状間隙は、漏斗区画の長さに沿って下流方向に減少する。更に、漏斗区画は、３と１０の間の半径方向圧縮比を有するように構成することができる。

細長い区画は、内側電極半径及び外側電極半径の固定比を有することができる。細長い区画の縦方向位置ｚに沿った内側又は外側電極の一方の半径ｒ（ｚ）は、次式：

によって定めることができ、式中、ｚ₀は、上流端での細長い区画の縦方向位置であり、ｃは、細長い区画の単位長さ当たりのインダクタンスＬ’対細長い区画の前のインダクタンスＬ₀の比であり、ａ及びｂは、

によって定められる常数であり、式中、ｒ₀は、上流端での内側又は外側電極の半径であり、かつ

であり、式中、ｒ₁及びｚ₁は、内側又は外側電極のそれぞれの半径及び下流端での細長い区画の縦方向位置である。

これに代えて、内側及び外側電極の半径は、互いに対して固定比にはない。そのような場合に、細長い区画の縦方向位置ｚに沿った内側及び外側電極の各々の半径ｒ（ｚ）は、次式：

によって個別に定められ、式中、ｚ₀は、上流端での細長い区画の縦方向位置であり、ｃは、細長い区画の単位長さ当たりのインダクタンスＬ’対細長い区画の前のインダクタンスＬ₀の比であり、ａ及びｂは、

によって定められる常数であり、式中、ｒ₀は、上流端での内側又は外側電極の半径であり、かつ

であり、式中、ｒ₁及びｚ₁は、内側又は外側電極のそれぞれの半径及び下流端での細長い区画の縦方向位置である。

電源は、プラズマトーラスが細長い区画に入ると停止する電気加速度パルスを発生するように構成することができる。電源はまた、プラズマトーラスが細長い区画に沿って移動する時に一定押し込み磁束をもたらすタイミング、持続時間、及び電流振幅を有する電気加速度パルスを発生するように構成することができる。

別の態様によって、上記で定めたようなプラズマ加速及び圧縮デバイスと、管状外側電極及び外側電極の内側を延びて環状プラズマ形成チャネルをその間に定める管状内側電極を含むプラズマ発生器とを含むシステムを提供する。加速器の外側電極は、プラズマ発生器の外側電極に物理的に接続され、環状プラズマ形成チャネルは、環状プラズマ伝播チャネルと位置合わせされてこれと流体連通している。システムは、外側電極の内壁と加速器内側電極の上流端及びプラズマ発生器内側電極の下流端間の空間とによって定められたプラズマトーラス緩和領域を更に含むことができる。緩和領域は、プラズマ形成チャネル及びプラズマ伝播チャネルと流体連通している。緩和領域は、加速器内側電極の上流端に形成された内向き膨脹ゾーンを含むことができる。これに代えて、緩和領域は、外側電極での加速器の上流端に形成された外向き膨脹ゾーンを含むことができる。

図面中の要素のサイズ及び相対位置は、必ずしも縮尺通りに描かれていない。例えば、様々な要素の形状及び角度は、縮尺通りに描かれておらず、これらの要素の一部は、図面の読みやすさを改善するために任意に拡大して位置決めされている。

（従来技術）一定テーパ形状を有するプラズマ伝播チャネルを有するプラズマ加速及び圧縮のための公知のシステムの模擬実施形態のグラフである。上側グラフが加速器の環状の軸線方向に延びるプラズマ伝播チャネルの形状（半径対軸線方向長さ）を示し、上側曲線が外側電極の形状を示し、下側曲線が内側電極の形状を示す。下側グラフが加速器内でプラズマ伝播チャネルの長さに沿った平衡電流Ｉ_bal（実線曲線）及び電流閾値Ｉ_lift（鎖点曲線）を示す。 （従来技術）実線が平衡電流であり、破線が閾値電流である図１Ａの加速器の環状チャネルの長さに沿ったプラズマトーラスのλ（最低エネルギ状態）の関数としての押し込み電流（単位メガアンペア、ＭＡ）のグラフである。 電源と、プラズマ発生器と、非線形減少環状間隙を有する細長い区画を含む環状プラズマ伝播チャネルを有する加速器と、内向き膨脹ゾーンを有する緩和領域とを含むプラズマ加速及び圧縮システムの１つの非限定的実施形態の概略縦方向断面図である。 実線がプラズマ発生器内で形成領域に印加されたプラズマ形成パルスの電圧を示し、破線が時間（単位μｓ）の関数として加速器に印加された加速度パルスの電圧を示す図２のプラズマ発生器及び加速器に電源によって印加された例示的な電圧（単位ｋＶ）のグラフである。 図３Ａに示すプラズマ発生器（実線）及び加速器（破線）に印加された電流（単位ＭＡ）を示すグラフである。 図２の加速器のプラズマ伝播チャネルの１つの適切な形状の概略縦方向断面図である。 実線曲線が平衡電流Ｉ_balを表し、鎖点曲線が電流閾値Ｉ_liftを表し、破線曲線が動的電流を表す図４Ａに示す加速器内の軸線縦方向位置の関数としての閾値電流、平衡電流、及び動的電流のグラフである。 実線曲線が平衡電流を表し、鎖点曲線が電流閾値を表し、破線曲線が動的電流を表す図４Ａに示す加速器内のプラズマトーラスのλ（最低エネルギ状態）の関数としての閾値電流、平衡電流、及び動的電流のグラフである。 図４Ａに示す加速器内でｔ＝６２μｓでの模擬ポロイダル磁束の輪郭の縦方向断面図である。 図４Ａに示す加速器内でｔ＝７０μｓでの模擬ポロイダル磁束の輪郭の縦方向断面図である。 別の実施形態による形状プロファイルを有する加速器内の模擬ポロイダル磁束の輪郭の縦方向断面図である。 電源と、プラズマ発生器と、非線形減少環状間隙を有する細長い区画を含む環状プラズマ伝播チャネルを有する加速器とを有し、緩和領域のないプラズマ加速及び圧縮システムの別の非限定的実施形態の概略縦方向断面図である。 図８に示す加速器の模擬作動においてｔ＝３５μｓでのポロイダル磁束の輪郭の縦方向断面図である。 実線曲線がプラズマ発生器の形成領域に印加されたプラズマ形成パルスの電圧（上側グラフ）及び電流（下側グラフ）を示し、破線曲線が時間（単位μｓ）の関数として加速器に印加された加速度パルスの電圧（上側グラフ）及び電流（下側グラフ）を示す図８のプラズマ発生器及び加速器に電源によって印加された例示的な電圧（単位ｋＶ）及び電流（単位ＭＡ）のグラフである。

プラズマ加速及び圧縮に対する公知のシステムの一例は、２段磁化マーシャルガンである。第１段において、プラズマトーラスは、１対の同軸電極にわたってコンデンサバンクを放電することによって形成することができ、半径方向磁場は、プラズマの初期磁化を提供する。第２段において、コンデンサバンクは、電機子としてのプラズマトーラスを有するテーパ同軸加速器内で放電され、加速器は、一定テーパ形状を有する環状チャネルを定める１対の同軸上に位置合わせされた管状内側及び外側電極を有し、すなわち、チャネルは、チャネルの長さに沿って直線的に減少する環状間隙（内側及び外側電極の半径の間の距離）を有する。電流Ｊは、電流によって発生する磁場Ｂと相互作用し、磁（ローレンツ）力Ｊ×Ｂは、加速度環状チャネルを通してプラズマトーラスを加速かつ圧縮する。

公知の加速及び圧縮システムの別の例は、一定の環状間隙（圧縮はない）を有する長い同軸円筒形の加速度領域の後にプラズマが圧縮される一定テーパ形状を有する収束かつ集束する区画が続くガン形状を使用するＲＡＣＥシステム（ローレンス・リバモア国立研究所におけるリング加速器実験）である。このクラスのデバイスのほとんどの応用において、プラズマトーラスの最終運動エネルギは、プラズマトーラスが最終衝突領域の中にもたらされる時に放射線のパルスの中に急速に放出される。

公知の加速及び圧縮システムの別の例は、ＭＡＲＡＵＤＥＲシステム（米国ニューメキシコ州のアルバカーキ所在の空軍フィリップス研究所における非常に高い指向性エネルギ及び放射線を得るための磁気的に加速されたリング）である。ＭＡＲＡＵＤＥＲデバイスは、一定テーパ形状に続いて長い一定間隙加速器を有する予備圧縮コーンを含む。

一定テーパ形状を有する環状チャネルを有する同軸加速器を使用してプラズマを加速して同時に圧縮することができるある一定のシステムにおいて、チャネルの直線的に減少する環状間隙を通してプラズマトーラスを押し込んで圧縮するために、押し込み電流は、トーラスの増大する磁気圧力（反転力）に打ち勝つ必要があるので、電源から加速器に印加される加速パルスは、チャネルの長さに沿って増加してプラズマトーラスがプラズマ加速器の下流端に達する時に最高になる加速器内の押し込み電流を生成するように構成しなければならない。プラズマトーラスが加速器を離れて磁束保存チャンバ（例えば、ターゲットチャンバ）に入ると、有意な量の電流が、加速器内で循環したままである可能性がある。ジェネラル・フュージョン・インコーポレーテッド（カナダのバーナビー所在）において建設中のプラズマ加速器のある一定の原型による実験は、この循環電流が、ターゲットチャンバにおいてプラズマトーラスの寿命に影響を与える場合があることを示している。この循環電流の何らかの割合は、プラズマトーラスの中心を通過することができる開いた力線上を流れる場合がある。加速器からターゲットチャンバへの磁気エネルギの流入は、典型的に、比較的冷たいプラズマ粒子の流入を伴う場合があり、そのプラズマ粒子は、比較的熱いプラズマトーラスを冷却するように機能する。連結した電流及びプラズマトーラス間のこの相互作用の力学は、Ｒ．Ｃ．Ｄｕｃｋ他著「ＳＰＨＥＸスフェロマクの持続中に緩和及び電流駆動を担うｎ＝１モードの構造」、「プラズマの物理学、制御、融合」、ｖｏｌ．３９，ｐｐ．７１５−７３６，１９９７年５月によって説明されている。

ジェネラル・フュージョン・インコーポレーテッドでの実験は、一部の場合では、押し込み磁束は、それがプラズマ加速器の中に注入された状態では取り除くことが困難になる可能性があることを更に示している。印加電圧が加速器内の総磁束の変化率であることは公知であるが、逆電圧の印加は、磁束の流れを逆にすることなく、負の磁束が正の磁束を直ちに相殺できないことが観察されている。これに代えて、内部プラズマに電流シートを形成することができ、分離された正及び負の磁束領域をもたらす。その結果、正味磁束は低下するが、押し込み電流は実際に増加する。

従って、加速器の出口端での減少した量の押し込み電流により、及び特に加速器の入口端よりも出口端でより小さい押し込み電流により、加速器からのプラズマトーラスを圧縮して加速するシステム及び／又はシステムを作動する方法を提供することが望ましい。

そのような改善されたシステム及び／又は方法の特定の実施形態を説明する前に、プラズマトーラスの圧縮及び加速を支配する以下の原理を考察することは有用である。加速器内の圧縮の簡単なモデルは、プラズマトーラスのエネルギがテイラー状態のものと同様に挙動するという近似に基づいている。テイラー状態は、

によるフォースフリープラズマ配位であり、式中、

は、プラズマトーラスの磁場であり、λは、その最低エネルギ状態においてプラズマトーラスを説明する固有値である。同軸レールガンにおいて加速されるプラズマトーラスの場合に、λは、レールガンのプラズマ伝播チャネル内のプラズマトーラスの縦方向位置ｚの関数である。

テイラー状態のエネルギＵは、

であり、式中、μ₀は、真空の透磁率（４π×１０^-7Ｎ／Ａ²）であり、Ｋは、プラズマトーラスの磁気ヘリシティであり、式中、Ｋは、

によって与えられ、式中、

は、プラズマトーラスの位置の関数である磁気ベクトルポテンシャルであり、Ｖは、プラズマトーラスの容積である。

テイラー状態から、プラズマトーラスのエネルギが、位置ｚでのプラズマトーラスに対するλに比例すると仮定することができ、

式中、

であり、プラズマトーラスのヘリシティは保存量である。

１対の同軸上に位置合わせされた管状電極、すなわち、外側半径ｒ_outerを有する外側電極及び内側半径ｒ_innerを有する内側電極によって定められた環状プラズマ伝播チャネルを有する同軸加速器に対して、プラズマ伝播チャネルに沿った軸線方向位置ｚの関数として環状伝播チャネル内の環状間隙Δｒの変化は、Δｒ（ｚ）＝ｒ_outer−ｒ_innerとして定めることができる。チャネル内の与えられた軸線方向縦方向位置でのプラズマトーラスの均衡を保つ力は、ｄλ／ｄｚに比例し、λ（ｚ）は、チャネル内の軸線縦方向位置ｚにある時のプラズマトーラスを説明する固有値である。

加速器に電気的に結合された電源が電気パルスを加速器に印加する時に、押し込み電流は、加速器内の電極にわたって、つまり電極のうちの１つにわたって、プラズマトーラスを通じて環状間隙にわたって、他の電極にわたって流れて電源に戻る。プラズマトーラスを加速器を通して駆動するのに必要な印加押し込み力（Ｆ_push）は、押し込み電流に起因する磁気圧力をプラズマトーラスの背（上流）側にわたって積分することによって決定することができ、かつ次式：

によって表すことができ、ここで、Ｉは、押し込み電流（トーラスの背部における）であり、Ｌ（ｚ）は、プラズマトーラスがチャネルに沿って縦方向位置ｚにある時の押し込み電流ループ（電極に沿った及び間隙にわたる電流路）のインダクタンスである。チャネルの単位長さあたりのインダクタンスＬ’≡ｄＬ（ｚ）／ｄｚは、従って、テーパ形状に対してプラズマトーラスの位置ｚの関数である外側半径ｒ_outer及び内側半径ｒ_innerを有する同軸加速器に対して、

によって与えられる。「テーパ形状」は、チャネルの長さに沿って下流方向に減少する環状間隙を有する環状プラズマ伝播チャネルを有する同軸加速器を意味する。外側半径ｒ_outer対内側半径ｒ_innerの一定の比を有する環状プラズマ伝播チャネルに対して、単位長さ当たりのインダクタンスＬ’は一定である。

プラズマトーラスを前方に移動するために、押し込み力は、加速器プラズマ伝播チャネルのテーパ付き壁によってプラズマトーラスに作用する反転力に打ち勝つ必要がある。反転力の値は、

として定められる仮想仕事の原理から見出すことができる。

反転力Ｆ_wall（ｚ）は、プラズマトーラスのエネルギが、常数Ｋを有する

であると仮定されたので、ｄλ／ｄｚに比例する。

平衡電流Ｉ_balは、正味の力がゼロ（Ｆ_push＋Ｆ_wall＝０）であるように反転力Ｆ_wallに等しい押し込み力Ｆ_pushを生成する加速器内の電流として定められ、次式：

によって与えられる。

すなわち、加速器のプラズマ伝播チャネルの下で前方に加速すべきプラズマトーラスに対して、加速度パルスからの印加電流は、平衡電流よりも大きくしなければならない（Ｉ＞Ｉ_bal）。

これに加えて、電源は、プラズマ伝播チャネル内の「ブローバイ」効果の可能性を低下させるか又はそれを回避する加速度パルスを生成するようなパラメータを用いて構成することができる。ブローバイは、押し込み電流の磁気圧力が内側電極からプラズマトーラスを持ち上げる時に発生する可能性があり、磁束がトーラスの先で膨脹することを可能にする。この効果は、「静的ブローバイ」と呼ばれ、プラズマトーラスに高すぎる加速を与えようとすると発生する可能性がある「レイリー−テイラー」ブローバイとは異なっている。プラズマトーラスが加速していない時に、

の場合にそれは内側電極から持ち上げられることになり、式中、Ｂ_pushは、内部導体（加速器の内側電極）における押し込み電流の磁場であり、Ｂ_maxは、内部導体におけるプラズマトーラスの最大磁場である。

Ｂ_pushは、チャネル内のプラズマトーラスの縦方向位置ｚの関数である内側電極の半径と印加電流との関数である。

内側電極でのプラズマトーラスの最大磁場は、次式：

によって与えられ、式中、ψは、プラズマトーラスのポロイダル磁束であり、

である。

押し込み磁界は、内部導体において最大であり、２πｒ_innerＢ_push＝μ₀Ｉによって与えられ、従って、ブローバイのための閾値電流は、Ｉ_lift＝２πｒ_innerＢ_push／μ₀である。ブローバイに対する閾値電流Ｉ_liftは、Ｂ_push＝Ｂ_max時の電流として定められ、かつ

として定められる。

すなわち、静的な場合に、ブローバイの可能性を低下させるか又はそれを回避するために、押し込み電流は、閾値電流よりも下げるべきである（Ｉ＜Ｉ_lift）。

図１Ａ（従来技術）に示す上側プロットは、一定テーパ形状を有するプラズマ伝播チャネルを有する公知のプラズマ加速及び圧縮の例を示し（すなわち、チャネルの長さに沿って下流方向に直線的に減少する環状間隙を有するチャネル）、このプロットにおける上側曲線は、外側電極の形状を示し、下側曲線は、内側電極の形状を示している。図１Ａに示す下側プロットは、図１Ａのシステムに流入する電流の例を示し、特に、プラズマ伝播チャネル内のトーラスの軸線縦方向位置の関数として加速器内の平衡電流Ｉ_bal（実線曲線）と、プラズマ伝播チャネル内のプラズマトーラスの軸線縦方向位置の関数として加速器の静的ブローバイの電流閾値Ｉ_lift（鎖点曲線）とを示している。一定テーパ形状を有する公知のシステムで見られるように、プラズマトーラスを前方に駆動するのに必要な電流は、プラズマトーラスがシステムの下流端にある時に最大である。

図１Ｂは、図１Ａに示す加速器のプラズマトーラスのλ（ここでλ＝２π／Δｒ（ｚ））の関数として平衡電流（実線曲線）及び閾値電流（鎖点曲線）の例を示している。一定テーパ形状を有する加速器内で見られるようにプラズマトーラスが加速器のプラズマ伝播チャネルの下で加速される時に、プラズマトーラスを押し込むのに必要な最小電流（Ｉ_bal）は、プラズマトーラスが最大圧縮である時に（その最高λを有する）、押し込み電流が加速器の下流端で最大であるようにチャネルの長さに沿って増加する。

プラズマ圧縮及び加速システムの本発明の実施形態は、プラズマトーラスが、その背後に比較的小さい押し込み電流と最大圧縮プラズマトーラスとを有して加速器の出口に到達することができるように設計される。加速器の出口にある押し込み電流は、加速器の入口にあるよりも小さく、依然として加速器全体を通してプラズマトーラスの加速及び圧縮を提供するものでなければならない。

改善されたプラズマ圧縮システムの実施形態をここで図２〜図９を参照して説明する。これらの実施形態は、高圧縮区画と高圧縮区画の下流の軽度の圧縮の細長い区画とを含む環状プラズマ伝播チャネルを定める同軸上に位置合わせされた管状内側及び外側電極を有する加速器を含み、この加速器は、加速器を通してプラズマトーラスの加速及び圧縮を完了するのに必要な押し込み電流の量を低減する形状を有する。より具体的には、細長い区画内の環状伝播チャネルは、チャネルの長さに沿って下流方向に非線形に減少する断面環状間隙（内側及び外側電極の間の半径方向距離として定義される）を有する。システムはまた、プラズマ発生器と、プラズマ発生器及び加速器に電気的に結合された電源とを含み、このシステムは、電気プラズマ形成パルスをプラズマ発生器にかつ電気加速度パルスを加速器に提供する。電源は、細長い区画の下流端にある押し込み電流が細長い区画の上流端よりも小さくなるように、軽い圧縮の細長い区画の端部にプラズマトーラスを押し込む加速度パルスを与えるように構成される。例えば、一部の実施において、電源は、プラズマトーラスが細長い区画に入る時に、プラズマトーラスが細長い区画のある一定の点を通過すると追加の押し込み磁束をシステムに追加するように構成される。他の実施形態において、電源は、追加の押し込み磁束を提供し、かつプラズマトーラスの加速及び圧縮を終了する加速度パルスを生成するように構成され、この押し込み磁束は、様々な実施において最初にプラズマトーラスを加速かつ圧縮するのに使用する押し込み磁束の例えば５％未満、１０％未満、１５％未満、又は２５％未満とすることができる。追加の押し込み磁束は、適用される場合に、一部のそのような実施において抵抗に打ち勝つように使用することができる。

ここで図２を参照して、１つの非限定的実施形態によって、プラズマ加速及び圧縮システム１０は、入口１１２及び入口１１２の下流の出口１４０、並びに入口１１２と出口１１４の間を延びる環状プラズマ伝播チャネル１１８を有する加速器１００を含む。プラズマ伝播チャネル１１８は、入口１１２と流体連通する上流端を有する高圧縮漏斗区画１１０と、漏斗区画１１０の下流端１１４と流体連通する上流端１１４ａ及び出口１４０と流体連通する下流端を有する軽度の圧縮の細長い区画１２０とを含む。漏斗区画１１０は、入口１１２から下流方向に延びる円錐形の比較的急勾配のテーパ付き形状を有し、それを通過する磁化プラズマトーラス１３に比較的高い圧縮比を提供する。この実施形態において、漏斗区画１１０は、一定テーパ形状を有し、すなわち、漏斗区画の長さに沿って下流に直線的に減少する環状間隙を有するが、漏斗区画は、これに代えて様々なテーパ形状を有することができる。細長い区画１２０は、漏斗区画１１０よりも比較的なだらかなテーパを有するような形状にされる。細長い区画１２０において、テーパは、漏斗区画１１０と比較すると、プラズマトーラスの比較的小さい圧縮が加速器１００の比較的長い区画にわたって得られるように比較的緩やかである。細長い区画１２０は、漏斗区画１１０の急勾配のテーパから緩やかな移行を提供するような形状にされる。細長い区画１２０の上流端１１４ａは、緩やかなコーナ形状を有し、より鋭い移行によって発生する可能性があるプラズマトーラスの非断熱加熱を低下させることができる。更に、細長い区画１２０は、様々なテーパ形状を有し、すなわち、細長い区画１２０におけるチャネルの断面環状間隙は、細長い区画１２０の長さに沿って下流方向に非線形に減少する。この形状は、細長い区画の与えられたインダクタンス及び細長い区画の前のインダクタンス（「プレインダクタンス」）に対して加速度パルスからの押し込み電流を細長い区画１２０の入口１１４ａよりも出口１４０で小さくなるようにする。

システム１０は、プラズマ発生器１２及び磁束保存システム２００（例えば、ターゲットチャンバ）を更に含む。発生器１２は、磁化トロイダルプラズマ１３を発生させるように構成され、管状内側形成電極１４と、内側形成電極１４と同軸でこれを取り囲む管状外側電極１６ａとを含み、これらの間に環状プラズマ形成チャネル１７を定める。

発生器１２はまた、外側電極１６ａの外側の回りに延びる一連の磁気コイル１８を含む。気体注入器は、環状プラズマ形成チャネル１７と気体連通しており、チャンバの回りに延びる注入器の一連の高速パフ弁２０（これらのうちの２つのみが図２に示されている）を通してチャネル１７の中に正確な量の気体を注入するように作動可能である。高速パフ弁２０の各々は、気体リザーバ２２と流体連通しており、プラズマ発生器１２への気体の実質的に対称な導入を行うように作動可能である。システム１０は、少なくとも１つのコンデンサバンク及び好ましくは２つ又はそれよりも多くのコンデンサバンクを含む電源２４を更に含み、電流をプラズマ発生器１２及び加速器１００に提供するように作動可能である。コイル１８は、プラズマのポロイダル磁場を形成するための半径方向スタッフィング磁場を提供するように構成される。システム１０は、更に、ポンピングシステム（図示せず）を使用して少なくとも部分的にガス抜きすることができる。

環状プラズマ伝播チャネル１１８の形状、並びにその漏斗及び細長い区画１１０、１２０は、ほぼ管状の内側電極１１５及び内側電極１１５と同軸でこれを取り囲むほぼ管状の外側電極１６ｂによって定められる。発生器１２の下流端は、加速器入口１１２に、すなわち、漏斗区画１１０の上流端に流体的に結合される。発生器及び加速器外側電極１６ａ、１６ｂのインタフェース、並びにプラズマ発生器の内側電極１４の下流端及び加速器内側電極１１５の上流端は、一緒にプラズマトーラスのための緩和領域５０として機能する開放容積を定める。図２の図示の例において、発生器の内側電極の直径は、入口１１２にある加速器の内側電極の直径よりも大きく、それによって緩和領域５０の内向き膨脹ゾーンを生成する。発生器１２に形成されたプラズマトーラス１３が形成チャネル１７を離れて緩和領域５０に入ると、トーラスは僅かに膨脹し、磁力線は再接続され、プラズマトーラスは、電源２４のコンデンサバンクがパルスを加速器１００に提供する前に安定化し、加速器入口１１２から下流の加速器１００及び加速器出口１４０の方向にプラズマトーラス１３を加速かつ圧縮することができるようになる。これに代えてかつ図７に示すように、緩和領域は、以下により詳細に説明するように外向き膨脹ゾーンを用いて構成することができる。

上述したようにかつ以下により詳細に説明するように、加速器１００は、プラズマトーラスがその背後に最大エネルギ（最大圧縮）及び最小押し込み電流を有して出口１４０に到達するように、プラズマトーラス１３の同時加速及び圧縮を提供するように構成される。

１つの実施において、電源２４をトリガして電気加速度パルスを加速器に提供し、押し込み電流は、電源２４からプラズマトーラス１３を通して電極１１５及び１６ｂの間の環状間隙にわたって加速器の内側電極１１５（「加速電極」）に流れ、外側電極１６ｂ、１６ａを通して電源２４に戻る。この押し込み電流は、電極１１５、１６ｂの間の領域において方位磁場を発生させる。この磁場は、電流に作用して、プラズマトーラス１３を円錐形漏斗区画１１０の下で加速する電磁気Ｊ×Ｂ（ローレンツ）押し込み力を生成する。

押し込み電流は、プラズマトーラス１３が加速器１００の下で加速して出口１４０に到達するように、プラズマ伝播チャネル１１８の形状によって定められた反転力（背圧）よりも大きい押し込み力を生成するように選択される。プラズマ伝播チャネルの最も急勾配のテーパが漏斗区画１１０にあるので、最高背圧は、加速器１００のこの部分に存在し、電源２４は、従って、そこで並びに細長い区画１２０を通しても背圧に打ち勝つほど十分に高い漏斗区画１１０内の押し込み力を発生させる押し込み電流を有する加速度パルスを生成するように構成される。プラズマ伝播チャネル１１８のテーパ度は、細長い区画１２０において有意に下がるので、電源２４は、プラズマトーラス１３が細長い区画１２０に入る時に最大押し込み電流Ｉ_criticalを（Ｉ_臨界）生成するように構成される。細長い区画１２０の上流端１１４ａにおいて、発生した押し込み磁束φは、Ｉ_critical及び細長い区画１２０の前のシステム１０のインダクタンスＬ₀（上流端１１４ａにおいて）によって定められる。従って、ピーク押し込み電流は、円錐形漏斗区画１１０の下流端１１４及び細長い区画１２０の上流端１１４ａにある。プラズマトーラス１３が細長い区画１２０に入り、それに沿って伝わり始めた状態で、追加の押し込み磁束を加速器の中に注入する必要はほとんどないか又は全くない。電源２４が放電された状態で、それは、システム１０から切り離すことができ（内部アークによる短絡又は絶縁体が導電性になる）、電流は、ループでシステム１０内で流れることができる。

細長い区画１２０の環状チャネル形状は、以下の原理に基づいて数学的に定めることができる。加速器１００の細長い区画１２０において、プラズマトーラス１３は、押し込み磁束の膨脹によって圧縮される。加速器１００に流入する押し込み電流は、細長い区画１２０におけるインダクタンスの増加の結果として、プラズマトーラスが加速器１００の出口端１４０に近づくと減少する。しかし、プラズマトーラス１３の背後の押し込み電流は、プラズマ伝播チャネル１１８の縮小した環状断面内のプラズマトーラス圧縮により、背圧（反転力）の増加に打ち勝つだけ依然として十分に大きくなければならない。

プラズマ伝播チャネル１１８内のその縦方向位置ｚとは無関係にプラズマトーラス１３が力平衡状態にある間に、押し込み磁束φによってプラズマトーラス１３を加速するためには、関数λ（ｚ）は、１／Ｌ（ｚ）の線形関数として定めることができる。

線形性条件は、総エネルギＫλ（ｚ）／２μ₀ ＋ Φ²／２Ｌ（ｚ）をヘリシティＫ＝Ｋ₀の何らかの値に対してプラズマトーラスの位置（ｚ）とは無関係にすることを可能にする。Ｋ₀は、ヘリシティの臨界値であり、Ｋ＜Ｋ₀の場合に前方に加速される静止したプラズマトーラスとＫ＞Ｋ₀の場合に後方に加速されるプラズマトーラスとの間で区別することができる。

Φがプラズマトーラスの背後の押し込み磁束であり、Ｌがチャネル１１８の細長い区画１２０におけるインダクタンスであるとして縦方向チャネル位置ｚでの印加電流Ｉ（ｚ）をＩ（ｚ） ＝ Φ／Ｌ（ｚ）として定めることにより、細長い区画１２０の形状（曲線）を定める数学的表現は、いずれかの又は僅かな追加の磁束を加速器１００の中に追加することなく細長い区画の下流端（出口１４０における）までを通してプラズマトーラス１３を加速かつ圧縮することができるように導出することができる。

区画１２０における加速電極の単位長さＬ’当たりのインダクタンスが一定である時（すなわち、縦方向チャネル位置ｚとは無関係）、加速器１００のインダクタンスは、次式：
Ｌ（ｚ）＝Ｌ₀＋（ｚ−ｚ₀）Ｌ’ （１３）
によって与えられ、式中、Ｌ₀は、細長い区画１２０の前（プラズマトーラスが細長い区画１２０の第１の端部１１４ａにある時）の押し込み電流ループのインダクタンス（プレインダクタンス）である。Ｌ₀は、上述の円錐形漏斗区画１１０のインダクタンスと細長い区画１２０の前の押し込み電流ループの一部として含まれるべきあらゆる追加のインダクタンスとを含むことができる。

加速器１００の内側及び外側電極半径ｒ_inner及びｒ_outerの比が一定である場合に、細長い区画１２０における単位長さＬ’当たりのインダクタンスも一定であり、区画１２０に入るプラズマトーラスは、一定押し込み磁束φ＝Ｉ（ｚ）Ｌ（ｚ）を有して加速器１００の出口１４０まで移動することができる。細長い区画１２０の形状は、細長い区画１２０の上流端１１４ａにおける内側又は外側電極１１５、１６ｂのいずれかの半径（ｒ₀、ｚ₀）、出口１４０における内側及び外側電極１１５、１６ｂの半径（ｒ₁、ｚ₁）、細長い区画１２０の単位長さＬ’当たりのインダクタンスにより、かつ細長い区画１２０の前のインダクタンスＬ₀によって決定することができ、以下の数学的方程式：

によって定められ、式中、ｃ＝Ｌ’／Ｌ₀であり、ｒ（ｚ）は、細長い区画１２０に沿った軸線縦方向位置ｚにおける内側又は外側電極の半径のいずれかであり、ｚ₀は、細長い区画１２０の上流端１１４ａにおける細長い区画１２０の軸線方向位置であり、ａ及びｂは、上流及び下流端ｚ＝ｚ₀及びｚ＝ｚ₁での式１４を解くことによって決定することができる常数である（以下の式におけるｒ₀及びｒ₁は、それぞれ上流及び下流端での内側又は外側電極の半径を示す）。

加速器の細長い区画１２０の異なる可能な形状構成は、式１４〜１７及び「多目的移流コード」電磁流体力学シミュレーションソフトウエア（ＶＡＣ、ミシガン大学から入手可能）を使用して計算することができる。例えば、システム１０は、以下のパラメータ：入口１１２で約１ｍになり、接合部１１４／１１４ａ（すなわち、漏斗区画１１０の下流端と細長い区画１２０の上流端の間の接合部）で約０．３ｍｍになり、かつ出口１４０で約０．２ｍになる外側電極１６の半径；入口１１２で約０．５ｍになり、接合部１１４／１１４ａで約０．１５ｍｍになり、かつ出口１４０で約０．１ｍになる加速（内側）電極１１５の半径；１．５ｍｍになる円錐形漏斗区画１１０の長さ；約２．５ｍｍになる細長い区画１２０の長さ；を用いて、外側電極半径対内側電極半径の一定の比を有する細長い区画形状を有するように選択することができる。区画１２０における単位長さＬ’当たりの計算インダクタンス（与えられたパラメータに対して）は、約Ｌ’＝１２８ｎＨ／ｍであるが、計算プレインダクタンスＬ₀は、約２００ｎＨである。上述のパラメータを有するシステム１０のシミュレーションにおいて、寄生的プレインダクタンスは約５０ｎＨであるが、そのプレインダクタンス（細長い区画の前のインダクタンス）は、模擬システム１０における総プレインダクタンスが約２０１ｎＨであることを意味する１５１ｎＨであり、計算プレインダクタンスよりも僅かに大きい。上記パラメータに基づいて、本発明者は、プラズマトーラスを出口１４０までを通して加速かつ圧縮し、出口１４０における押し込み電流を細長い区画１２０の第１の端部１１４ａにおける押し込み電流よりも小さくするために、細長い区画１２０の様々なテーパ曲線をａ＝１１．１０４５ｍ^-1、ｂ＝４．２１７４ｍ^-1、及びｃ＝０．６４ｍ^-1に対して式（１４）から定めることができることを見出した。上述のパラメータを有するシステムは、例えば、以下のパラメータ：約１０^-6ｋｇのプラズマトーラスの質量（例えば、１立方メートル当たり３×１０²⁰イオンを有する重陽子プラズマ）と、プラズマトーラス約０．１８Ｗｂのポロイダル磁束と、トロイダル磁束約０．０３２４Ｗｂ及びヘリシティ０．０１１７Ｗｂ²とを有するプラズマトーラスを加速かつ圧縮することができる。上述の加速器及びプラズマトーラスの寸法及びパラメータは、例示的な目的に過ぎず、異なる寸法／パラメータを有するシステムは、加速器の端部における押し込み電流が最小であるがプラズマエネルギが最大になるように（プラズマトーラスの最大圧縮）、様々な構成のプラズマトーラスを効率的に加速かつ圧縮するように設計することができる。

別の実施形態において、細長い区画１２０におけるインダクタンスは、その長さに沿って変化し、その場合に、外側電極１６及び加速電極１１５（細長い区画１２０に沿った）の両方の形状は、細長い区画１２０に沿った各縦方向位置に沿った内側電極及び外側電極の直径ｒ（ｚ）_innner及びｒ（ｚ）_outerについて解くことによって式１４〜１７を使用して個別に決定される。

電源２４は、その中にプラズマトーラスを発生させるプラズマ発生器に対してプラズマ形成パルス、かつ押し込み電流を発生させる加速器１００及び入口１１２から出口１４０まで加速器１００を通してプラズマトーラスを押し込むその中の押し込み磁束に対して電気加速度パルスを発生するように構成される。図３Ａ及び３Ｂは、好ましい形成パルス（実線）及び加速度パルス（破線）の電圧及び電流プロファイルを示している。特に、図３Ａは、時間の関数としてプラズマ発生器１２（実線）及び加速器１００（破線）に対して電源２４によって印加された電圧の例を示している。これらの図で認められるように、加速度パルスは、約１６ｋＶの電圧、約２０μｓの持続時間を有し、プラズマトーラスが入口１１２において緩和領域５０にある時（約５０μｓ）にパルスを印加し、プラズマトーラス１３が細長い区画に入る時（約７０μｓ）に終るように時間設定される。図３Ｂは、時間の関数として電源２４によってプラズマ発生器１２に（実線曲線）及び加速器１００に（破線曲線）印加される電流の例を示している。加速度パルス中に（５０μｓ＜ｔ＜７０μｓのタイミングにおいて）、電流がその最大レベルＩ_criticalの方向に上昇すると、プラズマトーラス１３は、円錐形漏斗区画１１０の下に移動し始め、プラズマトーラス１３は圧縮される。すなわち、プラズマトーラス１３は、ある程度まで圧縮され、プラズマの磁場圧力を増加させ、従って、押し込み磁場がプラズマトーラス１３を内側電極１１５から切り離すのを防止する（ブローバイが起こるのを防止する）。加速度パルスは、細長い区画１２０の始めまでを通してプラズマトーラス１３を押圧し続けながら、反転力を相殺するほど十分に高い押し込み電流を提供するように構成される。電流ピークは、漏斗及び細長い区画１１０、１２０の接合部１１４／１１４ａにあり、一定テーパ形状（図１Ａを参照）を有する前のプラズマ加速器のような加速器（出口端１４０）の端部にはない。プラズマトーラス１３が細長い区画１２０に達し、それに沿って伝わり始めた状態で、追加の磁束は、この実施形態では加速器１００の中に注入する必要はない。細長い区画１２０は、より長い細長い区画１２０にわたってプラズマトーラス１３のより軽い圧縮を与えることができるような形状にされる。プラズマトーラス１３が細長い区画１２０を通して下流に移動すると、細長い区画内のインダクタンス（Ｌ）は増加し、従って、押し込み電流（Ｉ）は減少することになる。図３Ｂに示すようなピーク電流は、約１．４４ＭＡにすることができるが、細長い区画１２０の端部における（出口１４０における）プラズマトーラスの背後を流れる押し込み電流は、細長い区画１２０におけるインダクタンスの増加により約０．５ＭＡまで減少している。従って、この実施形態において、押し込み電流は、プラズマトーラス１３が加速器１００の円錐形漏斗圧縮区画１１０の下流１１４にある時にその最高の状態にある。

本出願人は、プラズマ加速及び圧縮システム１０の異なる設計、具体的には円錐形漏斗区画１１０及び細長い区画１２０の異なる形状の性能を評価し、加速器１００の効率を予想してプラズマトーラス１３を高エネルギ条件まで加速かつ圧縮するために、ＶＡＣコードを使用するＭＨＤ（電磁流体力学）モデリングを利用した。図４Ａは、加速器１００の圧縮漏斗区画１１０及び細長い区画１２０を示す図２のプラズマ加速及び圧縮システム１０の模擬作動の例を示している。縦方向チャネル位置ｚ≒２．５ｍにおける破線垂直線５００は、漏斗区画１１０及び細長い区画１２０の接合部１１４／１１４ａを示している。漏斗区画１１０の長さは１．５ｍに設定され、細長い区画の長さは２．５ｍに設定された。

図４Ｂは、図４Ａの模擬システム１０の閾値電流、平衡電流、及び動的電流を示し、平衡電流Ｉ_balは、実線曲線として示されており、静的ブローバイが起こるための電流閾値Ｉ_liftは、鎖点曲線として示されており、プラズマトーラスの背後の動的電流は、破線曲線として示されている。全ての電流は、プラズマ伝播チャネルの長さに沿ってプラズマトーラスの位置の関数として示されている。動的電流曲線は、加速器全体を通してプラズマトーラスを押し込むように電源によって生成すべきターゲット押し込み電流を表している。図４Ｂは、細長い区画に存在する動的電流のみを示すが、細長い区画の前に（漏斗区画に）存在する動的電流は、明瞭化のために省略されている。動的電流は、ブローバイを回避するために閾値電流よりも小さく、かつ磁束損失、摩擦などのような様々な損失を考慮して平衡電流よりも大きくなるように設計される。図４Ｂに示す動的（押し込み）電流を図１Ａに示す動的（押し込み）電流（下側プロット）と比較することにより、システム１０の出口における動的電流は、一定テーパ形状を有する加速器の端部における押し込み電流よりも遥かに低いことを見ることができる。

図５は、λの関数として図４Ａに示すパラメータを有するシステムにおいて閾値、平衡、及び動的電流の例を示している。図に示すように、漏斗及び細長い区画の接合部１１４／１４４ａにおけるλは、約２４ｍ^-1であり、その点における平衡電流は、最大約１．２ＭＡであるが、細長い区画の端部におけるλは、約３３ｍ^-1の最大値まで有意に増加し、一方、平衡電流値は、漏斗区画１１０の端部におけるよりも有意に低い約０．４ＭＡである。この図は、最大圧縮プラズマトーラスが、その背後に最小押し込み電流を有して加速器１００の出口１４０に押し込まれることを示している。

図６Ａ及び図６Ｂは、図４Ａに示すパラメータを有するシステム１０の模擬作動を示し、特に、ｔ＝６２μｓ（図６Ａ）において及びｔ＝７０μｓ（図６Ｂ）においてプラズマ伝播チャネル１１８におけるポロイダル磁束の輪郭を示している。図６Ａは、その前側が漏斗区画１１４の下流端に到達すると、プラズマトーラス１３が漏斗区画１１０において圧縮されることを示している。図６Ｂは、プラズマトーラス１３が細長い区画１２０に入る時のプラズマトーラス１３を示している。プラズマトーラス１３は、ｚ＝２．５ｍでのその端部に対して約１３０ｋｍ／ｓで圧縮漏斗区画１１０の下に押し込まれる可能性があり、次に、電源２４の加速回路は、プラズマトーラス１３がｚ≒２．５ｍでのその開始時に３０ｋｍ／ｓで細長い区画に入る時にゼロ電圧に設定される。シミュレーションは、プラズマトーラス１３が、ｔ≒９０μｓ及び約１１８ｋｍ／ｓの速度でシステム１０の端部（出口端１４０）に到達することができることを示した。

別の実施形態によってかつ図７を参照して、システム１０には、外向き膨脹ゾーンを有する緩和領域が備えられる。図７は、２．５ｍの長さを有する漏斗区画及び４．５ｍの長さを有する細長い区画を有するこのシステム１０の模擬作動を示している。外向き膨脹とそれに続く内向き圧縮は、圧縮漏斗区画１１０において非常に急勾配のテーパを利用することができるので、この構成は、ブローバイの発生がより起こりやすくなる可能性がある。

更に別の実施形態によってかつ図８を参照して、プラズマ圧縮及び加速システム１０００には、非緩和領域が備えられる。システム１０００は、２区画加速器１１００と電源１０２４とを含む。システムは、プラズマ発生器１０１２及び磁束保存領域１２００（例えば、ターゲットチャンバ）を更に含む。発生器１０１２は、管状外側電極１０１６の中に挿入された管状内側（形成）電極１０１４を含んで環状プラズマ形成チャネルをそこに形成し、それらの間に正確な量の気体を注入することができる。気体が、電極１０１４及び１０１６の間のプラズマ形成チャネルを充填した状態で、電源１０２４は、気体をイオン化して磁化プラズマトーラス１０１３を形成することができる電極間に放電された電流を含むプラズマ発生器にプラズマ形成パルスを与える。

加速器１１００は、外側（加速）電極１０１５を含み、その中に内側電極１０１４を挿入し、その中に環状プラズマ伝播チャネル１１１８を生成し、それを通してプラズマトーラス１０２３は、ターゲットチャンバ１２００の方向に伝播する。加速器１１００は、圧縮漏斗区画１１１０と漏斗区画１１１０の下流及びそれと流体連通する細長い区画１１２０とを含む。圧縮漏斗区画１１１０は、円錐形テーパがつけられた区画であり、加速器の入口１１１２と流体連通する上流端と、細長い区画１１２０の上流端１１４ａと流体連通する下流端１１１４とを有する。

漏斗区画１１１０において、テーパは、比較的急勾配にすることができ、約３−１０の係数によってプラズマトーラスの半径方向圧縮を提供することができる。細長い区画１１２０は、円錐形漏斗区画１１１０よりも遙かに比較的なだらかなテーパを有して漏斗セグメント１１１０よりも長く、従って、より長い縦方向部分にわたってより小さい圧縮率を提供する。例えば、区画１１２０の長さに沿ったプラズマトーラスの約１−２の倍数による半径方向圧縮が可能である。

細長い区画１１２０は、漏斗区画１１１０の下流端１１１４に接続され、かつこれと流体連通する上流端１１１４ａと、加速器１１００の出口１１４０と流体連通する下流端とを有する。図２に示す実施形態と同様に、細長い区画は、様々なテーパ形状を有し、すなわち、細長い区画１１２０における環状伝播チャネル１１１８の環状間隙は、細長い区画１１２０の長さに沿って下流方向に非線形に減少する。細長い区画１１２０は、漏斗区画１１１０のより急勾配のテーパから区画１１２０の長さに沿って提供されたよりなだらかなテーパへ比較的緩やかな移行を提供するように構成することができる。例えば、区画１１２０は、その上流端が急勾配である漏斗区画１１１０からの滑らかな変化を提供する大きい半径曲率を含むように構成することができる。

システム１０００は、外側ドライブを含み、すなわち、電源は、電流が、外側電極１０１５にわたって、プラズマトーラスを通って環状間隙にわたって、内側電極１０１４にわたって電源１０２４から流れ、次に電源に戻るように加速器１１００に電気的に結合される。電源１０２４が放電された状態で、電源１０２４は、システム１０００から切り離すことができ（短絡）、電流は、ループでシステム１０００内を流れることができる。

図２に示すシステム１０とは異なり、システム１０００は、緩和領域又はいずれかの他の種類の膨脹領域も含まない。電源は、押し込み磁束の力線張力が、緊張した力線を切り取る磁力線の再接続を駆動するようにプラズマが依然として発生器１０１２から泡立っている時に、加速度パルスを発生させ、プラズマトーラスを形成し、かつプラズマトーラスを加速器１１００の下に押し込むように構成される。

別の実施形態において、システム１０００は、図２のシステムに示すタイプと同様の内側ドライブを含む。

ここで図９Ａを参照して、図８に示すシステム１０００の模擬作動は、ｔ＝３５μｓでのポロイダル磁束の輪郭を示している。気づくように、押し込み磁束は、その下流端１１１４の方向に加速器１１００の圧縮漏斗区画１１１０の下でプラズマトーラスを加速かつ圧縮する。電源から加速度パルスが放電される時に、プラズマトーラスは、プラズマトーラスが、加速器１１００の中に注入される追加の流束なしにターゲットチャンバ１２００の方向に更に加速されて圧縮される細長い区画１１２０に入る。

電源によって生成されたプラズマ形成パルス及び加速パルスの電圧及び電流プロファイルは、図９Ｂに示されている。電圧プロファイルは、上側プロットに示されており、電流プロファイルは、下側プロットに示されており、かつ両方とも時間の関数としてプラズマ形成パルスは実線で示されており、加速パルスは破線で示されている。この図で認められるように、加速度パルスがトリガされるが、プラズマ形成パルスからの電圧／電流は、まだ放電されていない。加速器１１００における加速度パルスの印加電圧は、約１１ｋＶである。発生器１０１２において形成されたプラズマが、発生器から泡立ってプラズマトーラスを形成すると、加速度パルスは、加速（押し込み）電流が磁力線の再接続を駆動してプラズマトーラスを形成し、加速器の下のプラズマトーラスを直ちに加速することができるようにトリガされる。押し込み電流が蓄積すると、プラズマトーラスは、漏斗及び細長い区画１１１０、１１２０の接合部１１１４／１１１４ａの方向に漏斗区画１１１０の下で圧縮され、プラズマトーラスが細長い区画１１２０に入ってそれに沿って伝わり始める時に追加の流束を注入する必要はない。模擬作動において、プラズマトーラスがターゲットチャンバ１２００に到達する時に加速器に流入する押し込み電流は、細長い区画１１２０におけるインダクタンスの増加により約０．２５ＭＡまで減少している。

２つの区画を含む加速器のある一定の実施を説明したが、これは、例示的な目的のためであり、限定又は必須条件下にはなく、特に、システム１０、１０００の加速器は、式１４において定められたような様々なテーパ付き形状を有する単一細長い区画を用いるだけで提供することができ、加速器は、十分なインダクタンス及びプレインダクタンスを含み、加速度パルスが細長い区画の入口でよりも出口でのより低い押し込み電流によってプラズマトーラスを出口に押し込む押し込み磁束を発生させる。これに代えて、他の実施形態は、３つ、４つ、５つ、又はそれよりも多くの細長い区画を含むことができ、これらの区画のうちの少なくとも１つは、様々なテーパ付き形状を有する。例えば、テーパは、一部の実施形態では「トランペット形状」とすることができる。関連設計パラメータ（例えば、テーパ、内側半径／外側半径、区画の長さ、押し込み電流、その他）は、本明細書に説明するＭＨＤモデリング技術を使用して各そのような実施において決定することができる。

開示する実施形態のいずれにおいても得られるプラズマトーラスは、高エネルギプラズマとすることができ、例えば、医療のためのアイソトープ、中性子源、Ｘ線放射線源、核融合デバイスなどのような用途に適切とすることができる。上述のシステム及び方法の実施形態を使用して、核融合性物質を含むプラズマを圧縮することができる。例えば、核融合物質は、例えば、重水素、トリチウム、ヘリウム−３、リチウム−６、リチウム−７などのような軽元素の１つ又はそれよりも多くのアイソトープを含むことができる。従って、システムの一部の実施形態は、中性子発生器又は中性子源として作用するように構成して作動させることができる。そのように生成された中性子は、研究及び産業分野において広範囲の実用的用途を有する。例えば、中性子源は、様々な物質（例えば、爆発物、薬剤、充填材、核分裂性物質、毒物、その他）において多量、少量、微量、及び希元素の多要素解析を提供することができ、様々な用途（例えば、爆発物検出及び識別、環境又は核廃棄物の環境モニタ、その他）において使用することができる中性子放射化解析（ＮＡＡ）に使用することができる。中性子源として構成されたシステムの実施形態はまた、材料研究（例えば、材料の構造、力学、組成物、及び化学的均質性の解析）のために、工業的物品の非破壊試験（例えば、中性子ラジオグラフィー及び／又は中性子トモグラフィー）のために、及び多くの他の工業及び技術的応用のために使用することができる。プラズマ圧縮のための上述のシステム及び方法の実施形態はまた、例えば、天体物理学及び核物理学における応用を含む高エネルギ密度プラズマの研究における応用に対して研究されている。

本発明の開示の特定の要素、実施形態、及び用途を図示して説明したが、特に上述の教示に照らして本発明の開示の範囲から逸脱することなく当業者によって修正を行うことができるので、開示の範囲はこれに限定されるものではないことは理解されるであろう。従って、例えば、本明細書に開示するあらゆる方法又は処理において、方法／処理を構成する行為又は作動は、あらゆる適切な順序で行うことができ、必ずしもいずれかの特定の開示された順序に限定されない。要素及び構成要素は、様々な実施形態において異なって、組み合わされて、及び／又は排除されて構成又は配置することができる。上述の様々な特徴及び処理は、互いに無関係に使用することができ、又は様々な方法で組み合わせることができる。全ての可能な組合せ及び部分的組合せは、本発明の開示の範囲に含まれるように考えられている。本発明の開示を通して「一部の実施形態」又は「実施形態」などへの参照は、実施形態に関連して説明する特定の特徴、構造、段階、処理、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本発明の開示を通して語句「一部の実施形態において」又は「実施形態において」などの出現は、必ずしも全て同じ実施形態への参照であるとは限らず、同じか又は異なる実施形態のうちの１つ又はそれよりも多くを参照することができる。実際には、本明細書に説明する新しい方法及びシステムは、様々な他の形態に具現化することができ、更に、本明細書に説明する実施形態の形態における様々な省略、追加、置換、均等物、再配置、及び変更は、本明細書に説明する本発明の精神から逸脱することなく行うことができる。

実施形態の様々な態様及び利点は、適切な場合に説明されている。必ずしも全てのそのような態様又は利点は、あらゆる特定の実施形態により達成することができるとは限らないことは理解しなければならない。従って、例えば、様々な実施形態は、必ずしも本明細書で教示又は示唆される場合がある他の態様又は利点を達成することなく、本明細書で教示するような１つの利点又は１群の利点を達成又は最適化するように実施することができることは認識しなければならない。

取りわけ「ｃａｎ」、「ｃｏｕｌｄ」、「ｍｉｇｈｔ」、「ｍａｙ」、及び「ｅ．ｇ．，」などのような本明細書に使用する条件的言語は、具体的にそれ以外の言及又は使用時の文脈でそれ以外が理解されない限り、一般的に、ある一定の実施形態が、ある一定の特徴、要素、及び／又は段階を含むが、他の実施形態はこれらを含まないことを伝えるように考えられている。従って、そのような条件的言語は、一般的に、特徴、要素、及び／又は段階が１つ又はそれよりも多くの実施形態に何らかの方法で必要であること、又は１つ又はそれよりも多くの実施形態が、これらの特徴、要素、及び／又は段階をいずれかの特定の実施形態に含めるか又は実施しなければならないか否かをオペレータに入力又は促す必要の有無にかかわらず決定するための論理を必ず含むことを意味するものではない。単一の特徴又は１群の特徴は、いずれの特定の実施形態に必要でもなく又は不可欠でもない。用語「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」、及び「ｈａｖｉｎｇ」などは、同義語であり、オープンエンド様式で網羅的に使用され、かつ追加の要素、特徴、行為、及び作動などを排除しない。同様に、用語「又は」は、例えば、要素のリストを接続するのに使用する時に、用語「又は」がリスト中の要素の１つ、一部、又は全てを意味するように、その包含的意味で（その排他的意味でなく）使用される。

本明細書に説明する実施形態の例示的な計算、シミュレーション、結果、グラフ、値、及びパラメータは、例示するように考えられており、開示する実施形態を限定するものではない。他の実施形態は、本明細書に説明する例示的な実施例とは異なって構成及び／又は作動させることができる。

１３ プラズマトーラス
５０ 緩和領域
１１８ プラズマ伝播チャネル
１２０ 細長い区画
２００ 磁束保存システム

Claims (13)

1. プラズマを加速及び圧縮する装置であって、
   管状外側電極と該外側電極の内側を延びる管状内側電極とを含み、これらの間に、通過するプラズマトーラスを加速及び圧縮するための環状プラズマ伝播チャネルが定められたプラズマ加速器であって、プラズマ発生器から該プラズマトーラスを受け入れるための入口と加速及び圧縮されたプラズマトーラスを排出するための出口とを有し、該プラズマ伝播チャネルが、該入口と流体連通する上流端及び該出口と流体連通する下流端を有する縦方向に細長い区画を有し、該内側電極と外側電極との間の半径方向距離として定義される断面環状間隙が、該細長い区画の長さに沿って下流方向に非線形に減少する、前記プラズマを加速器と、
   前記加速器に電気的に結合され、該加速器に流れ込む電流を生成し、かつ前記上流端から前記細長い区画を通って前記下流端まで及び該加速器の前記出口まで前記プラズマトーラスを押し込むのに十分である該プラズマトーラスの背後の押し込み磁束を発生させる電気加速度パルスを与えるように構成された電源と、
   を含み、
   前記装置が、前記プラズマトーラスが前記押し込み磁束の膨脹によって前記細長い区画を通して加速及び圧縮されるように該細長い区画の前で十分なインダクタンスを有するように構成され、
   前記プラズマ伝播チャネルの寸法が、該細長い区画の選択されたインダクタンス及び該細長い区画の前の選択されたインダクタンスに対して、前記下流端で該細長い区画に流入する前記電流が、該細長い区画の前記上流端よりも小さく、かつプラズマトーラス圧力が、該細長い区画の該上流端よりも該細長い区画の該下流端でより大きいように選択される、ことを特徴とする装置。
2. 前記細長い区画は、１と２の間のプラズマトーラス半径方向圧縮比を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記電源は、前記加速器の前記入口から該加速器の前記出口まで加速器を通して前記プラズマトーラスの同時の加速及び圧縮を提供する加速度パルスを生成するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 前記プラズマ伝播チャネルは、前記入口と前記細長い区画の前記上流端との間に高圧縮漏斗区画を更に含み、該漏斗区画は、該入口と流体連通する上流端及び該細長い区画の該上流端と流体連通する下流端を含み、
   前記内側電極と外側電極との間の半径方向距離として定義される前記漏斗区画内の断面環状間隙が、該漏斗区画の長さに沿って下流方向に減少する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 前記漏斗区画は、３と１０の間の半径方向圧縮比を有することを特徴とする請求項４に記載の装置。
6. 前記細長い区画は、内側電極半径及び外側電極半径の固定比を有し、該細長い区画の縦方向位置ｚに沿った該内側電極又は外側電極のうちの一方の該半径ｒ（ｚ）は、次式：
   

   

   によって定められ、式中、ｚ₀は、前記上流端での該細長い区画の縦方向位置であり、ｃは、該細長い区画の単位長さＬ’当たりのインダクタンス対該細長い区画の前のインダクタンスＬ₀の比であり、
   

   

   であり、式中、ｒ₀は、該上流端での該内側電極又は外側電極の該半径であり、かつ
   

   

   であり、式中、ｒ₁及びｚ₁は、それぞれ前記下流端での該内側電極又は外側電極の該半径及び該細長い区画の該縦方向位置である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
7. 前記細長い区画の縦方向位置ｚに沿った前記内側電極及び外側電極の各々の前記半径ｒ（ｚ）は、次式：
   

   

   によって定められ、式中、ｚ₀は、前記上流端での該細長い区画の縦方向位置であり、ｃは、該細長い区画の単位長さＬ’当たりのインダクタンス対該細長い区画の前のインダクタンスＬ₀の比であり、
   

   

   であり、式中、ｒ₀は、該上流端での該内側電極又は外側電極の該半径であり、かつ
   

   

   であり、式中、ｒ₁及びｚ₁は、それぞれ前記下流端での該内側電極又は外側電極の該半径及び該細長い区画の該縦方向位置である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
8. 前記電源は、前記プラズマトーラスが前記細長い区画に入ると停止する電気加速度パルスを発生するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 前記電源は、前記プラズマトーラスが前記細長い区画に沿って移動する時に一定の押し込み磁束をもたらすタイミング、持続時間、及び電流振幅を有する電気加速度パルスを発生するように構成されることを特徴とする請求項８に記載の装置。
10. システムであって、
    請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の前記プラズマを加速及び圧縮する装置と、
    管状外側電極と該外側電極の内側を延びる管状内側電極とを含み、これらの間に、環状プラズマ形成チャネルを定めるプラズマ発生器と、
    を含み、
    前記加速器の外側電極が、前記プラズマ発生器の前記外側電極と物理的に接続され、
    前記環状プラズマ形成チャネルは、前記環状プラズマ伝播チャネルと位置合わせされてこれと流体連通している、
    ことを特徴とするシステム。
11. 前記外側電極の内壁によって定められたプラズマトーラス緩和領域と、前記加速器の内側電極の上流端と前記プラズマ発生器の内側電極の下流端との間の空間とを更に含み、
    前記緩和領域は、前記プラズマ形成チャネル及び前記プラズマ伝播チャネルと流体連通している、
    ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
12. 前記緩和領域は、前記加速器の内側電極の前記上流端に形成された内向き膨脹ゾーンを含むことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
13. 前記緩和領域は、前記外側電極での前記加速器の前記上流端に形成された外向き膨脹ゾーンを含むことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。

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