JP2015529002A - 透明化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、透明化合物半導体及びその製造方法に関し、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い透明化合物半導体を提供するためのものである。本発明による透明化合物半導体は、Ba1−XLaXSnO3(0<x<0.1)の組成を有し、10cm2/V sec以上の電荷移動度を有する。

Description

本発明は、透明化合物半導体及びその製造方法に関し、より詳細には、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い透明化合物半導体及びその製造方法に関する。
現在、情報通信技術(information technology)の傾向の1つは、電子素子の機能と表示素子の機能を融合しようとするものである。電子素子と表示素子を融合するには、電子素子が透明ではなければならない。
したがって、透明性を満足しながら電子素子としての機能を行うことができる透明半導体と透明伝導体、それらの製造方法に関する研究が活発に行われている。例えば、このような透明伝導体としてITO(Indium Tin Oxide)が開発されて使用されており、ZnOなどが透明半導体として開発されているが、安定性が劣っていて、透明半導体としての応用可能性が極めて制限されている。
したがって、本発明の目的は、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い透明化合物半導体及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させて製造したBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成を有し、10cm/V sec以上の電荷移動度を有する透明化合物半導体を提供する。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度とすることができる。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOは、上記Ba化合物、La化合物及びSn化合物をBa1−XLaSnO(0<x<0.1)によって混合した後、500℃〜1500℃で反応させて製造することができる。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOの厚さは、0.4nm〜400nmとすることができる。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOは、可視光線帯域で90%以上の光透過率とすることができる。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOは、空気状態で常温〜530℃に温度を昇降させたときに抵抗の変化が2%未満とすることができる。
本発明による透明化合物半導体において、上記Ba1−XLaSnOは、単結晶またはエピタクシャルフィルム形態を有することができる。
本発明は、また、Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させてBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成を有し、10cm/V sec以上の電荷移動度を有する透明化合物半導体の製造方法を提供する。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記Ba1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度を有することができる。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記Ba化合物は、BaCOまたはBaOであり、上記La化合物は、Laであり、上記Sn化合物は、SnOとすることができる。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記Ba化合物、La化合物及びSn化合物をBa1−XLaSnO(0<x<0.1)によって混合した後、500℃〜1500℃で反応させて上記Ba1−XLaSnOを製造することができる。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記Ba1−XLaSnOをベース基板の上に物理または化学的に蒸着して形成することができる。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記ベース基板は、格子定数が0.37〜045nmであるABO構造を有するペロブスカイト(perovskite)金属酸化物を含むことができる。
本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記ABOは、SrTiO、LaAlO、SrZrO、BaNbOのうち1つでとすることができる。
そして、本発明による透明化合物半導体の製造方法において、上記Ba1−XLaSnOの厚さは、0.4nm〜400nmとすることができる。
本発明による透明化合物半導体であるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)は、n−タイプでドーピングされた透明化合物半導体であって、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い特性を有している。すなわちBa1−XLaSnOは、可視光線帯域で90%以上の光透過度を有する透明性と、空気中で常温〜530℃に温度を昇降させたときに抵抗の変化が2%未満の安定性と、10cm/V sec以上の電荷移動度を有する透明化合物半導体を提供する。
特に本発明によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)は、10cm/V sec以上の高い電荷移動度を有する透明化合物半導体であるから、表示素子など多様な電子製品に活用することができる。
図1は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の光学的伝送スペクトルを示すグラフである。 図2は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の温度抵抗度を示すグラフである。 図3は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の電荷密度、抵抗及び電荷移動度を示すグラフである。
下記の説明では、本発明の実施例を理解するのに必要な部分だけが説明され、その他の部分の説明は、本発明の要旨を不明にしないように省略されることに留意しなければならない。
以下で説明される本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならないし、発明者は、自分の発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念として適切に定義することができるという原則に即して本発明の技術的思想に符合する意味や概念として解釈されなければならない。したがって、本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の技術的思想をすべて代弁するものではないので、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例をより詳細に説明する。
本発明による透明化合物半導体は、Ba1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成を有するn−タイプでドーピングされた透明化合物半導体である。Ba1−XLaSnOは、(Ba+La):Sn=1:1の組成比を満足する。
ここで、Ba1−XLaSnOが0<x<0.1の組成比を有する理由は、Ba1−XLaSnOが半導体性を有するようにするためである。x=0、すなわちLa=0の場合には、BaSnOは、絶縁体になるので、Laの組成比は、0よりも大きくならなければならない。また、Laをドーピングして0.1になる場合には、Ba0.9La0.1SnOは金属になるので、Laは、0.1よりも小さい組成比を有しなければならない。したがって、Ba1−XLaSnOが半導体性を有するためには、0<x<0.1の組成比を有する。
Ba1−XLaSnOは、良好な透明性、安定性及び10cm/V sec以上の電荷移動度を有するように、0.4nm〜400nmの厚さを有するように形成することが好ましい。このような厚さでBa1−XLaSnOを形成する理由は、次の通りである。まず、0.4nmが1つの原子層の厚さに該当するので、Ba1−XLaSnOを0.4nmよりも薄く形成することはできない。そして、Ba1−XLaSnOの厚さが400nmを超過すれば、透明性が劣るからである。
そして、Ba1−XLaSnOは、単結晶またはエピタクシャルフィルム形態で製造することができる。
このような本発明による透明化合物半導体として使用されるBa1−XLaSnOは、次のように形成することができる。
まず、Ba1−XLaSnOは、ドーピングされないBaSnOにLaをドーピングして形成することができる。BaSnOは、格子定数が0.41nmの絶縁性物質であって、3eVより大きいバンドギャップを有し、透明である。
この際、Ba1−XLaSnOの基礎物質としてBaSnOを使用した理由は次の通りである。まず、基礎科学的な側面でバンドギャップが略4eVになる絶縁体に金属物質のドーピングが1020/cm以下になりながら、電荷移動度が大きくなることができる物質があることについて予想することに無理がある。しかし、本発明では、BaSnOのようにABO構造を有するペロブスカイト(perovskite)金属酸化物構造でA−位置(site)ドーピングを通じて高い電荷移動度の具現が可能であることを確認した。すなわちペロブスカイト金属酸化物は、結晶化(crystallization)温度が異なる構造の金属化合物に比べて高い点はあるが、2つの陽イオン(cation)位置に物質をドーピングすることができる可能性を提供する長所を有している。特に本発明では、3eVの高いバンドギャップを有するペロブスカイト金属酸化物であるBaSnOをBa1−XLaSnOの基礎物質として使用した。
BaSnOは、3eVより大きいバンドギャップを有しており、これは、透明性が高いことを意味する。また、このような高いバンドギャップを有するBaSnOを利用したBa1−XLaSnOは、約1.2eVのバンドギャップを有するシリコンや、約1.5eVのバンドギャップを有するGaAsに比べて透明性の観点から長所を有している。
または、Ba1−XLaSnOは、Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させて形成することができる。この際、Ba化合物としては、BaCOまたはBaOが使用されることができる。La化合物としては、Laが使用されることができる。そして、Sn化合物としては、SnOが使用されることができる。例えば、Ba化合物、La化合物及びSn化合物をBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成比によって混合した後、500℃〜1500℃で反応させてBa1−XLaSnOを製造する。この際、500℃〜1500℃で反応を行う理由は、500℃以下では、Ba1−XLaSnOの結晶構造が形成されず、1500℃を超過する場合には、Ba1−XLaSnOの結晶構造が破れるか、または透明化合物半導体としての特性が劣るからである。
Ba1−XLaSnOは、Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させて形成するとき、ベース基板を提供し、物理的または化学的な方法を使用してベース基板の上に形成することができる。ベース基板としては、ABO構造を有するペロブスカイト金属酸化物であって、格子定数が0.41nmのBaSnOと類似な物質が使用されることができる。例えば、ベース基板としては、格子定数が0.37〜0.45nmのSrTiO、LaAlO、SrZrO、BaNbOなどが使用されることができ、これに限定されるものではない。
そして、Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させて形成したBa1−XLaSnOは、10cm/V sec以上の電荷移動度を有する。特にBa1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度を有する。
このような本発明によるBa1−XLaSnOが良好な透明性、安定性及び電荷移動度を有していることを図1〜図3のグラフを通じて確認することができる。
図1は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の光学的伝送スペクトルを示すグラフである。
図1を参照すれば、ドーピングされないBaSnOと本発明の実施例によるBa1−XLaSnO単結晶の光学的伝送スペクトルを示す。ここで、aは、ドーピングされないBaSnOとドーピングされたBaSnO(本発明によるBa1−XLaSnO)単結晶の伝送スペクトルである。bは、ドーピングされないBaSnOとドーピングされたBaSnOの吸収係数(Absorption coefficient(α))をフォトンエネルギーの機能で示したグラフである。
ドーピングされないBaSnOとドーピングされたBaSnO(n=2.39x1020cm−3)の吸収係数αは、厚さが異なる同じ見本の伝送スペクトル測定で抽出した。αとフォトンエネルギーの関係から予測されたドーピングされないBaSnOとドーピングされたBaSnO(n=2.39x1020cm−3)の光学的バンドギャップは、それぞれ3.03eVと3.01eVであった。
すなわち本発明の実施例によるBa1−XLaSnOは、可視光線帯域で一般的厚さの薄膜の場合、90%以上の光透過度を有していることを確認することができる。
図2は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の温度抵抗度を示すグラフである。
図2を参照すれば、本発明の実施例によるBa0.96La0.04SnO3−δ薄膜フィルムの酸素(O)、アルゴン(Ar)及び空気状態での温度抵抗度を示す。Ba0.96La0.04SnO3−δ薄膜フィルムを酸素、アルゴンまたは空気状態で常温〜530℃で温度を昇降させたときに抵抗の変化率を測定した。Ba0.96La0.04SnO3−δ薄膜フィルムは、エピタクシャルフィルムとすることができる。
ここで、(a)で、上方のグラフは、温度とガス環境で変わることを示し、下方のグラフは、それによる結果的な抵抗変化値を示す。フィルムは、100nm厚さ、温度は、5時間530℃に維持した。
(b)は、抵抗度と温度との関係を示し、抵抗度は、空気では1.7%程度変化し、530℃で5時間8%程度アルゴンでは下がり、530℃〜5時間8%程度酸素では上がったことを確認することができる。
このように本発明によるBa1−XLaSnOは、空気、酸素、アルゴン状態で常温〜530℃に温度を昇降させても、抵抗の変化が大きくない安定性を有していることを確認することができる。特に本発明によるBa1−XLaSnOは、空気状態で常温〜530℃に温度を昇降させたときに抵抗の変化が2%未満の安定性を有していることを確認することができる。
図3は、本発明の実施例によるBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の電荷密度、抵抗及び電荷移動度を示すグラフである。
図3を参照すれば、本発明の実施例によるBa1−XLaSnOの薄膜フィルムの温度変化による電荷密度n、抵抗ρ及び電荷移動度μの変化を示す。電荷密度n、抵抗ρ及び電荷移動度μは、温度に影響を受ける係数である。ここで、b、d、fは、Ba1−XLaSnO薄膜フィルムの電荷密度n、抵抗ρ及び電荷移動度μを示す。
本発明の実施例によるBa1−XLaSnOは、10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを確認することができる。Ba1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを確認することができる。なお、xの値が0.04、0.07の場合、Ba1−XLaSnOは、50cm/V sec以上の電荷移動度を有することを確認することができる。
このように、本発明によるBa1−XLaSnOは、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い特性を有している。すなわちBa1−XLaSnOは、可視光線帯域で90%以上の光透過度を有する透明性と、空気状態で常温〜530℃で温度を昇降させたときに抵抗の変化が2%未満の安定性と、50cm/V sec以上(常温で〜1020/cmドーピングレベル水準で)の電荷移動度を有する優れた透明化合物半導体としての特性を示すことを確認することができる。
また、本発明によるBa1−XLaSnOは、良好な透明性、安定性及び電荷移動度を有するので、電子及び通信機器産業など多様な産業分野で使用されることができる。特に本発明によるBa1−XLaSnOは、酸化物の安定性と大きいバンドギャップを有するのため、高い温度で作動することができ、放射線に影響をあまり受けず、高い電力量を扱わなければならない宇宙産業や軍用産業などに使用することができる。
一方、本明細書と図面に開示された実施例は、理解を助けるために特定例を提示したものに過ぎず、本発明の範囲を限定しようとするものではない。ここに開示された実施例以外にも、本発明の技術的思想に基づく他の変形例が実施可能であることは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者には自明である。

Claims (15)

  1. Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させて製造したBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成を有し、10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを特徴とする透明化合物半導体。
  2. 上記Ba1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを特徴とする請求項1に記載の透明化合物半導体。
  3. 上記Ba1−XLaSnOは、上記Ba化合物、La化合物及びSn化合物をBa1−XLaSnO(0<x<0.1)によって混合した後に500℃〜1500℃で反応させて製造したことを特徴とする請求項2に記載の透明化合物半導体
  4. 上記Ba1−XLaSnOの厚さは、0.4nm〜400nmであることを特徴とする請求項3に記載の透明化合物半導体。
  5. 上記Ba1−XLaSnOは、可視光線帯域で90%以上の光透過率を有することを特徴とする請求項3に記載の透明化合物半導体。
  6. 上記Ba1−XLaSnOは、空気状態で常温〜530℃に温度を昇降させたときに抵抗の変化が2%未満であることを特徴とする請求項3に記載の透明化合物半導体。
  7. 上記Ba1−XLaSnOは、単結晶またはエピタクシャルフィルム形態を有することを特徴とする請求項3に記載の透明化合物半導体。
  8. Ba化合物、La化合物及びSn化合物を反応させてBa1−XLaSnO(0<x<0.1)の組成を有し、10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを特徴とする透明化合物半導体の製造方法。
  9. 上記Ba1−XLaSnOは、常温で10cm/V sec以上の電荷移動度を有することを特徴とする請求項8に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  10. 上記Ba化合物は、BaCOまたはBaOであり、上記La化合物は、Laであり、上記Sn化合物は、SnOであることを特徴とする請求項9に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  11. 上記Ba化合物、La化合物及びSn化合物をBa1−XLaSnO(0<x<0.1)によって混合した後に500℃〜1500℃で反応させて上記Ba1−XLaSnOを製造することを特徴とする請求項9に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  12. 上記Ba1−XLaSnOをベース基板の上に物理または化学的に蒸着して形成することを特徴とする請求項9に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  13. 上記ベース基板は、格子定数が0.37〜045nmのABO構造を有するペロブスカイト(perovskite)金属酸化物を含むことを特徴とする請求項12に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  14. 上記ABOは、SrTiO、LaAlO、SrZrO、BaNbOのうち1つであることを特徴とする請求項13に記載の透明化合物半導体の製造方法。
  15. 上記Ba1−XLaSnOの厚さは、0.4nm〜400nmであることを特徴とする請求項9に記載の透明化合物半導体の製造方法。
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