JP2015520362A - ハドロンビーム検証用の装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
‐ ビーム範囲: 所定のターゲットにおける所定のビームエネルギーでのブラッグピークの位置であり、通常は、水ファントム又は多層電離箱で測定される;
‐ スポット位置及びスポットサイズ: 通常は、適切な2D検出器、例えば、CCDカメラを備えたシンチレータスクリーンや、電離箱のアレイによって測定される;
‐ 付与線量(蓄積線量): 照射設備の出力率を調べるために、通常は、絶対電離箱によって測定される。
これら各特性は、個別の測定デバイスによって、多数の異なるビームエネルギー準位において一般的には測定される。従って、検証作業を完了させるのに必要な時間は、少なくとも60分間となる。こうした長い検証時間は、一日に行うことができる処置数に関して、処置施設の効率を低下させる。
・ 相互に平行な二つの表面を備えた主ディグレーダ素子(それら表面間の距離が主ディグレーダ素子の厚さを定める)と、
・ 主ディグレーダ素子に関連して、厚さの異なる複数のディグレーダ部分を備えた多重厚さディグレーダ素子(“関連”とは、前記複数のディグレーダ部分の各々が、前記相互に平行な二つの表面のうち一方の断面の異なる部分と向き合っていることを意味する)と、
・ 付与線量(蓄積線量)、又はそれを表す又はそれに比例する信号を検出するのに適した二次元検出手段であって、主ディグレーダ素子及び多重厚さディグレーダ素子に関連する第一部分を有する二次元検出手段(“関連”とは、第一部分が、主ディグレーダ素子及び多重厚さディグレーダ素子を通過したペンシルビームを検出するように構成されていることを意味する)と、
を備え、
‐ 主ディグレーダ素子の厚さ及び多重厚さディグレーダ素子のディグレーダ部分の厚さが、所定のビームエネルギーに対して設計されていて、そのビームエネルギーを有するビームが主ディグレーダ素子を通過する際に現れるブラッグピーク近傍の複数のデータ得点が検出手段の第一部分を介して得られるようになっていて、
‐ 二次元検出手段が、ディグレーダ素子を通過していないペンシルビームを検出するように構成された第二部分を備える。
・ ビーム範囲、及び、
・ スポットサイズ、又はそのサイズを表すパラメータ。
・ ハドロンペンシルビームを発生させるためのハドロンビーム発生器;
・ ハドロンペンシルビームで対象を走査するための走査デバイスであって、その走査デバイスは、以下の二つを備える:
○ X‐Y走査平面にわたってハドロンペンシルビームを走査させるように構成された一つ又は複数の走査磁石であって、X‐Y走査平面は中心ビーム経路に対応するZ軸に垂直であり、その中心ビーム経路は、一つ又は複数の走査磁石が全て活性化されていない際におけるハドロンペンシルビームの軌跡である、一つ又は複数の走査磁石;
○ X‐Y走査平面に位置する複数の走査位置に粒子ビームを逐次的に移動させることによってハドロンペンシルビームを走査させるように構成された走査制御手段;
・ 本発明に係るペンシルビームの特性を検証するための装置、その装置は、主ディグレーダ素子の平行な二つの表面がZ軸に実質的に垂直になるように配置される。
・ ペンシルビームを主ディグレーダ素子の相互に平行な二つの表面に向けることができるように、ハドロンビーム照射ノズルに対して所定の位置に本発明の装置を位置決めするステップ;
・ 所定のエネルギー(主ディグレーダ素子の厚さ及びディグレーダ部分の厚さはその所定のエネルギーに対して設計される)に対応するエネルギーを有するペンシルビームを伝送するようにハドロンビーム照射設備を設定するステップ;
・ ペンシルビームを生成するステップ;
・ 厚さの異なる複数のディグレーダ部分のうち少なくとも二つの方向にペンシルビームを送り、ビームが主ディグレーダ素子を通過する結果として現れるブラッグピーク近傍の複数のデータ点を二次元検出手段で検出するステップ;
・ 二次元検出手段の第二部分の一つ以上の所定のスポット位置の方向にペンシルビームを送るステップ;
・ 得られたデータから少なくとも以下の二つを導出するステップ;
・ ビーム範囲
・ スポットサイズ、又はそのサイズを表すパラメータ。
好ましくは、ビーム範囲は、十分多数のデータ点に基づいたブラッグピークの形状の推定によって得られる。
‐ 主ディグレーダ素子1: これは、既知のプロトンビームディグレーディング特性を有する或る体積の物質である。主ディグレーダ素子は、相互に平行な表面2及び3を有する。主ディグレーダ素子は、ペンシルビーム照射設備に対して配置するのに適していて、ペンシルビームを平行な表面2及び3に向けることができるようになる(つまり、ビームは、一方の表面から他方へとディグレーダ素子を通過し、また、ビームが両表面に垂直となり得る)。主ディグレーダ素子1は、所定の厚さDを有する。好ましくは、ディグレーダ素子1は、PMMA又は既知の水等価厚さを有する他の適切な物質製の矩形のブロックである。代わりに、ディグレーダ素子は或る体積の水である;
‐ 多重厚さディグレーダ素子5: 図1の具体的な実施形態では、これは、厚さの異なる複数のディグレーダパッチを備えた素子であり、好ましくは、主ディグレーダ素子1と同じ物質製であり、各パッチは、主ディグレーダ素子の表面3の異なる部分と向き合うように配置される。言い換えると、パッチは、表面2及び3に平行な平面内において互いに重ならない。好ましい実施形態によると、パッチは、主ディグレーダ素子の平行な表面2及び3に平行な単一平面に配置される;
‐ 二次元検出手段6(以下、“2D検出器”と称する)であり、主ディグレーダ素子1及び多重厚さディグレーダ素子5を通過するペンシルビーム4の付与線量又はその線量を表す若しくはその線量に比例した信号を検出するように構成された第一部分7と、ディグレーダ素子1及び5を通過しないペンシルビーム4’のビーム特性を検出するように構成された第二部分8とを備える。2D検出器は、当該分野において既知であるように、電離箱のアレイ、シンチレータスクリーン、又は、液体シンチレータであり、CCDカメラが備わっている。本発明の装置は、2D検出器から得られた信号を受信及び処理するのに適したデータ処理手段及びデータ表示手段を備えるか、又はこれらに接続されていて、また、それら信号に基づいて、少なくとも以下のデータを導出及び表示する:
‐ ビーム範囲の推定(2D検出器の部分7を介して得られる);
‐ スポットサイズ、場合によってはスポット位置及び/又はスポットフルエンス、又はそれらを表すパラメータ(2D検出器の部分8を介して得られる)の表示。
点a: 2mmパッチ
点b: 6mmパッチ
点c: 8mmパッチ
点d: 10mmパッチ
点e: 12mmパッチ
好ましくは、他のデータ点fが、空の領域10’のうち一つにおける線量を測定することによって得られる。点aからeの測定のみで、実際のブラッグピークを再構築して、そこからビーム範囲(最も一般的には、線量が最大線量レベルの90%に達する位置として定義されるが、他の定義も本発明において使用可能である)の推定を導出することができることは明らかである。楔形素子100では、2mm、6mm、8mm、10mm、12mmの厚さを有する楔の部分にペンシルビームを逐次的に向けることによって、同じデータaからeを得ることができる。楔形素子は、データ点fを得るための厚さゼロの領域も備えることができる。
・ 点g: 主ディグレーダ32の下方の多重厚さディグレーダ素子の領域10’(パッチなし)の下方の検出器によって測定される;
・ 点h: 主ディグレーダ31の下方の多重厚さディグレーダ素子の領域10’(パッチなし)の下方の2D検出器によって測定される。
点iは、空の象限の下方に存在する検出器によって測定される。
ハドロンビーム照射設備によって生成される所定のビームエネルギーのペンシルビームの特性を評価するための装置であって、ペンシルビームが対象を通過すると或る線量を付与し、その線量は、線量付与が最大となるブラッグピークを有する特徴的ブラッグ曲線に従い、そのピークの位置が、ペンシルビームのビーム範囲を決定し、
該装置は、
・ ペンシルビームのビーム範囲を低減するための主ディグレーダ素子(1)であって、相互に平行な二つの表面(2、3)を備え、二つの表面間の距離が、主ディグレーダ素子(1)の厚さを定める、主ディグレーダ素子(1)と、
・ 主ディグレーダ素子に関連する多重厚さディグレーダ素子(5)であって、ペンシルビームのビーム範囲を更に低減するための厚さの異なる複数のディグレーダ部分を備え、各部分が、相互に平行な表面(2、3)のうち一方の断面の異なる部分に向き合う、多重厚さディグレーダ素子(5)と、
・ ペンシルビームによって付与される線量、又はその線量を表す若しくはその線量に比例する信号を検出するのに適した二次元検出手段(6)と、
を備え、
・ 検出手段が、主ディグレーダ素子(1)及び多重厚さディグレーダ素子(5)に関連している第一部分(7)を有し、その第一部分が、ビームが主ディグレーダ素子(1)及び多重厚さディグレーダ素子(5)のディグレーダ部分を通過する際におけるペンシルビームの線量信号を検出するように構成されていて、
・ 主ディグレーダ素子の厚さ及び複数のディグレーダ部分の厚さが、ブラッグピークの多数のデータ点を測定することを可能にすることによって、ブラッグピークの形状及び位置を定めるように構成されていて、
・ 検出手段が、ディグレーダ素子を通過していないペンシルビーム(4’)を検出するように構成された第二部分(8)を更に有する、
装置。
・ ハドロンペンシルビームを発生させるためのハドロンビーム発生器500と、
・ ハドロンペンシルビームでターゲットを走査するための走査デバイスと、を備え、該走査デバイスが、
○ X‐Y走査平面にわたってハドロンペンシルビームを走査させるように構成された一つ又は複数の走査磁石502であって、XY走査平面が、中心ビーム経路に対応するZ軸に垂直であり、中心ビーム経路は、一つ又は複数の走査磁石の全てが活性化されていない際におけるハドロンペンシルビームの軌跡である、一つ又は複数の走査磁石502と、
○ X‐Y走査平面に位置する多数の走査位置に粒子ビームを逐次的に移動させることによって、ハドロンペンシルビームを走査させるように構成された走査制御手段503と、を備え、
・該システムが、本発明に係るペンシルビームの特性を評価するための装置を更に備え、該装置が、主ディグレーダ素子1と、多重厚さディグレーダ素子5と、2D検出器6とを備え、該装置は、主ディグレーダ素子1の平行な表面2、3がZ軸に実質的に垂直になるように配置される。
2、3 主ディグレーダ素子の相互に平行な表面
4 ペンシルビーム
5 多重厚さディグレーダ素子
6 二次元検出手段
7 二次元検出手段の第一部分
8 二次元検出手段の第二部分
10 ディグレーダパッチ
100 楔形ディグレーダ素子
Claims (19)
- ハドロンビーム照射設備によって生成されるペンシルビームの特性を評価するための装置であって、
相互に平行な二つの表面(2、3)を備えた主ディグレーダ素子(1)であって、前記二つの表面間の距離が該主ディグレーダ素子(1)の厚さを定める、主ディグレーダ素子(1)と、
前記主ディグレーダ素子に関連して、厚さの異なる複数のディグレーダ部分を備えた多重厚さディグレーダ素子(5)であって、前記複数のディグレーダ部分の各々が、前記相互に平行な二つの表面(2、3)のうち一方の断面の異なる部分と向き合う、多重厚さディグレーダ素子(5)と、
付与線量、又は該付与線量を表す若しくは該付与線量に比例する信号を検出するのに適した二次元検出手段(6)であって、前記主ディグレーダ素子(1)及び前記多重厚さディグレーダ素子(5)に関係した第一部分(7)を有し、前記第一部分が、前記主ディグレーダ素子(1)及び前記多重厚さディグレーダ素子(5)を通過したペンシルビーム(4)を検出するように構成されている、二次元検出手段(6)と、
を備え、
前記主ディグレーダ素子(1)の厚さ及び前記多重厚さディグレーダ素子のディグレーダ部分の厚さが、所定のビームエネルギーに対して設定されていて、前記所定のビームエネルギーを有するビームが前記主ディグレーダ素子を通過する際に現れるブラッグピーク近傍の複数のデータ点が前記二次元検出手段の第一部分を介して得られ、
前記二次元検出手段(6)が、前記ディグレーダ素子を通過していないペンシルビーム(4’)を検出するように構成された第二部分(8)を備える、装置。 - 前記ディグレーダ部分が、厚さの異なる複数のディグレーダパッチ(10)によって形成されていて、各パッチが一定の厚さを有し、前記パッチが、前記主ディグレーダ素子(1)の相互に平行な二つの表面(2、3)に平行に配置されている、請求項1に記載の装置。
- 前記多重厚さディグレーダ素子(5)が、ディグレーダパッチが存在しない少なくとも一つの領域(10’)を更に備える、請求項2に記載の装置。
- 前記ディグレーダパッチ(10)の全てが第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面と前記第二表面との間の距離が厚さであり、前記ディグレーダパッチ(10)の全てが、各パッチの第一表面が全て単一平面に存在するように且つ各パッチの第二表面が全て前記単一平面から離れて延在するように配置されている、請求項2又は3に記載の装置。
- 前記主ディグレーダ素子(1)及び前記多重厚さディグレーダ素子(5)が、前記相互に平行な二つの表面(2,3)の方向に沿った同一の矩形断面を有し、前記パッチ(10)が、該方向に沿った矩形断面を有する、請求項2から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記多重厚さディグレーダ素子が楔形ディグレーダ素子(100)であり、前記ディグレーダ部分が、異なる厚さを有する楔形素子の断面によって形成されている、請求項1に記載の装置。
- 厚さの異なる複数の主ディグレーダ素子(30、31、32)を備え、各主ディグレーダ素子が請求項1に規定されるように多重厚さディグレーダ素子(5、100)と関連していて、前記二次元検出手段が、請求項1に規定されるように各主ディグレーダ素子に関連する部分を備え、前記ディグレーダ素子をいずれも通過していないペンシルビーム(4’)を検出するように構成された第二部分を更に備え、各主ディグレーダ素子の厚さが、異なる所定のビームエネルギーに関連している、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記主ディグレーダ素子(1)、又は前記複数の主ディグレーダ素子(30、31、32)の少なくとも一つが、ペンシルビームを向けることによって付与される絶対線量を決定するのに適した検出器(41)が取り付けられる領域(40)を備え、該検出器が、前記主ディグレーダ素子で生じるブラッグピークのプラトー領域(45)に配置される、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。
- 前記装置の参照位置を定めるのに適した複数のX線ターゲット(50)を更に備えた請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。
- 前記二次元検出手段から得られた信号を受信及び処理して、該信号に基づいて、少なくとも、
ビーム範囲と
スポットサイズ、又は該スポットサイズを表すパラメータと
のデータを導出及び表示するのに適したデータ処理手段及びデータ表示手段を更に備えた請求項1から9のいずれか一項に記載の装置。 - 前記主ディグレーダ素子が、複数の個別の層(300、300’)であるか、又は該複数の個別の層(300、300’)から構築されている、請求項1から10のいずれか一項に記載の装置。
- 複数の主ディグレーダ素子に共通の層が、一体部分として形成されている、請求項11に記載の装置。
- 前記層のうち一つ又は複数が、ペンシルビームを向けることによって付与される絶対線量を決定するのに適した検出器が取り付けられる領域(400)を備える、請求項11又は12に記載の装置。
- 前記多重厚さディグレーダ素子の最も厚い厚さに対する前記主ディグレーダ素子の厚さの比率が5よりも大きい、請求項1から13のいずれか一項に記載の装置。
- ハドロンペンシルビームを対象に照射するためのハドロン治療システムであって、
ハドロンペンシルビームを発生させるためのハドロンビーム発生器と、
前記ハドロンペンシルビームで前記対象を走査するための走査デバイスであって、
X‐Y走査平面にわたって前記ハドロンペンシルビームを走査させるように構成された一つ又は複数の走査磁石であって、前記X‐Y走査平面が中心ビーム経路に対応するZ軸に垂直であり、前記中心ビーム経路が、該一つ又は複数の走査磁石を全て活性化させていない際における前記ハドロンペンシルビームの軌跡である、一つ又は複数の走査磁石、及び、
前記X‐Y走査平面に位置する複数の走査位置に粒子ビームを逐次的に移動させることによって前記ハドロンペンシルビームを走査させるように構成された走査制御手段、
を備えた走査デバイスと、
請求項1から14のいずれか一項に記載のペンシルビームの特性を評価するための装置であって、前記主ディグレーダ素子の平行な二つの表面が前記Z軸に実質的に垂直になるように配置される装置と、
を備えたハドロン治療システム。 - 前記複数の走査位置の各々が、前記複数のディグレーダ部分のうち一つと相関しているか、又は前記二次元検出手段の第二部分の位置と相関している、請求項15に記載のハドロン治療システム。
- ハドロンビーム照射設備によって生成されるペンシルビームの特性を評価するための方法であって、
請求項1から14のいずれか一項に記載の装置を、ペンシルビームが前記主ディグレーダ素子(1)の相互に平行な二つの表面(2、3)に向けられるようにハドロンビーム照射ノズルに対して所定の位置に位置決めするステップと、
所定のエネルギーに対応するエネルギーを有するペンシルビームを伝送するように前記ハドロンビーム照射設備を設定するステップであって、前記主ディグレーダ素子の厚さ及び前記ディグレーダ部分の厚さが前記所定のエネルギーに対して設計されている、ステップと、
前記ペンシルビームを生成するステップと、
前記厚さの異なる複数のディグレーダ部分のうち少なくとも二つの方向に前記ペンシルビームを送り、前記ビームが前記主ディグレーダ素子を通過する結果として現れるブラッグピーク近傍の複数のデータ点を、前記二次元検出手段(6)の第一部分で検出するステップと、
前記二次元検出手段(6)の第二部分(8)の一つ以上の所定のスポット位置の方向に前記ペンシルビームを送るステップと、
得られたデータから、少なくとも、
ビーム範囲と、
スポットサイズ、又は該スポットサイズを表すパラメータと
を導出するステップと、を備える方法。 - 前記装置を位置決めするステップが、ハドロン治療処置室の患者診療台の所定の位置に前記装置を配置して、前記患者診療台を位置決めすることを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記装置のX線画像を撮って、該X線画像におけるX線ターゲット(50)の位置を参照画像と比較することによって前記装置を位置決めするステップを更に備えた請求項17又は18に記載の方法。
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