JP2015518991A - 寄生静電容量制御機能を有するタッチ検出方法及び装置 - Google Patents

Abstract

本発明の実施例によると，複数個のセンサパッド及び前記複数個のセンサパッド各々に連結された信号配線を含むタッチパネルのタッチ検出装置において，前記複数個のセンサパッドの中でタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドと隣接した他のセンサパッドの間で発生する寄生静電容量を制御するための寄生静電容量制御部を含み，前記寄生静電容量制御部は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線に隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに印加されるようにするタッチ検出装置が提供される。【選択図】図７

Description

本発明は，タッチ（操作）を検出する装置に関し，より詳細には，タッチを検出するセンサパッドの出力端電圧を隣接した他のセンサパッドに印加して寄生静電容量を減殺するタッチ検出装置に関する。

タッチスクリーンパネルは，映像表示装置の画面に表示された文字や図形を人の指や他の接触手段で接触してユーザの命令を入力する装置として，映像表示装置上に付着して使用される。タッチスクリーンパネルは，人の指などに接触された接触位置を電気的信号に変換し，変換された電気的信号は入力信号として利用される。

タッチスクリーンパネルを具現する方式では，抵抗膜方式，光感知方式及び静電容量方式などが知られている。このうち，静電容量方式のタッチパネルは，人の手または物体が接触した時に導電性感知パターンが周辺の他の感知パターンまたは接地電極などと形成する静電容量の変化を感知することにより接触位置を電気的信号に変換する。

図１は，従来技術による静電式タッチスクリーンパネルの一例に関する分解平面図である。

図１を参照すれば，タッチスクリーンパネル１０は，透明基板１２，透明基板１２上に順に形成された第１センサパターン層１３，第１絶縁膜層１４，第２センサパターン層１５，第２の絶縁膜層１６及び金属配線１７からなる。

第１センサパターン層１３は，透明基板１２上に横方向に沿って連結されることができ，行単位で金属配線１７と連結される。

第２センサパターン層１５は，第１絶縁膜層１４上に列方向に沿って連結されることができ，第１センサパターン層１３と重畳されないように第１センサパターン層１３と交互に配置される。また，第２センサパターン層１５は，列単位で金属配線１７と連結される。

タッチスクリーンパネル１０に人の指や接触手段が接触すると，第１及び第２センサパターン層１３，１５及び金属配線１７を通じて駆動回路側に接触位置による静電容量の変化が伝達される。そして，このように伝達された静電容量の変化が電気的信号に変換されることによって接触位置が把握される。

しかし，このようなタッチスクリーンパネル１０は，各センサパターン層１３，１５にインジウムチンオキサイド(ＩＴＯ)のような透明な導電性物質からなるパターンを別に具備する必要があり，センサパターン層１３，１５の間に絶縁膜層１４を具備しなければならないので，厚さが増加する。

また，タッチにより微細に発生する静電容量の変化を数回蓄積するとタッチ検出が可能であるので，高い周波数で静電容量変化を感知しなければならない。そして，静電容量の変化を決まった時間内に充分に蓄積するためには，低い抵抗を維持するための金属配線を必要とするが，このような金属配線は，タッチスクリーンの枠にベゼルを厚くして追加のマスク工程を発生させる。

このような問題点を解決するために，図２に示すようなタッチ検出装置が提案された。

図２に示すタッチ検出装置は，タッチパネル２０と駆動装置３０及びこれらを連結する回路基板４０を含む。

タッチパネル２０は，基板２１上に形成されて多角形のマトリックス形態に配列される複数のセンサパッド２２及びセンサパッド２２に連結されている複数の信号配線２３を含む。

各信号配線２３は，一端がセンサパッド２２に連結されており，他端は基板２１の下側縁部まで伸びている。センサパッド２２と信号配線２３は，カバーガラス５０にパターニングされることができる。

駆動装置３０は，複数のセンサパッド２２を順次に一つずつ選択して該当センサパッド２２の静電容量を測定し，これを通じてタッチ発生有無を検出する。

複数のセンサパッド２２は，導電体で形成されており，各センサパッド２２間の距離が非常に近いので，寄生静電容量が当然存在する。寄生静電容量は，タッチ発生有無検出に悪影響を及ぶようにする。

したがって，このような寄生静電容量を最小化してタッチ発生有無検出へのエラーを防止する技術が必要である。

したがって，前記のような従来の諸問題点を解消するために提案されたものであって，本発明の目的は，複数のセンサパッドを含むタッチ検出装置において，センサパッド間の関係による寄生静電容量を制御してタッチ検出の感度を向上させることにある。

前記目的を達成するための本発明の一実施例によれば，複数個のセンサパッド及び前記複数個のセンサパッド各々に連結された信号配線を含むタッチパネルのタッチ検出装置において，前記複数個のセンサパッドのうちタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドと隣接した他のセンサパッドの間で発生する寄生静電容量を制御するための寄生静電容量制御部を含み，前記寄生静電容量制御部は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線に隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに印加されるようにするタッチ検出装置が提供される。

前記寄生静電容量制御部は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの検出時期に前記他のセンサパッドに印加されるようにすることができる。

前記寄生静電容量制御部は，バッファーを含み，前記バッファーの入力端は，前記特定センサパッドの出力端と連結され，前記バッファーの出力端は，前記他のセンサパッドに各々連結されることができる。

前記寄生静電容量制御部は，第１フレーム及び第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つが前記第２フレームで前記他のセンサパッドに選択的に印加されるようにすることができる。

前記寄生静電容量制御部は，バッファー及びマルチフレクサを含み，前記バッファーの入力端は，前記特定センサパッドの出力端と連結され，前記バッファーの出力端は，前記マルチフレクサの入力端に連結され，前記マルチフレクサの出力端は，前記他のセンサパッドに各々連結されることができる。

前記寄生静電容量制御部は，前記第１フレーム及び前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つを選択し，前記他のセンサパッドに各々印加されるようにすることができる。

前記寄生静電容量制御部は，前記第１フレームが最初フレームである場合，前記第１フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにすることができる。

前記寄生静電容量制御部は，前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧がタッチ検出のための基準値より高い場合，前記第２フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにすることができる。

前記複数個のセンサパッドは，行及び列方向に配置され，前記列と列との間には，列方向に配置されて隣接した列に属するセンサパッド間の関係による寄生静電容量発生を抑制するダミーラインが形成されることができる。

前記複数個のセンサパッドは，前記センサパッドを駆動する駆動装置から遠く離れるほど大きい面積を有することができる。

一方，本発明の他の実施例によれば，複数個のセンサパッド及び前記複数個のセンサパッド各々に連結された信号配線を含むタッチパネルのタッチ検出方法において，前記複数個のセンサパッドのうちタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線に隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに印加されるようにして寄生静電容量を制御する段階と，前記特定センサパッドの出力端電圧変化の差に基礎してタッチ発生有無を検出する段階と，を含み，前記寄生静電容量制御段階は，前記特定センサパッドの検出時期に前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッドに印加されるようにするタッチ検出方法が提供される。

前記寄生静電容量制御段階は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの検出時期に前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことができる。

前記寄生静電容量制御段階は，第１フレーム及び第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つが前記第２フレームで前記他のセンサパッドに選択的に印加されるようにする段階を含むことができる。

前記寄生静電容量制御段階は，前記第１フレームが最初フレームである場合，前記第１フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことができる。

前記寄生静電容量制御段階は，前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧がタッチ検出のための基準値より高い場合，前記第２フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことができる。

本発明の実施例によれば，複数のセンサパッドを含むタッチ検出装置において，検出対象であるセンサパッドの出力端電圧を隣接した他のセンサパッドに印加することにより，寄生静電容量が減殺され，これによって，タッチ感度が向上される。

また，本発明の実施例によれば，複数のセンサパッドを含むタッチ検出装置において，第１フレームで検出された検出対象であるセンサパッドの出力端電圧を，第２フレームでタッチ検出時にセンサパッドに印加することにより，寄生静電容量が調整されることができ，これによって，タッチ感度が向上される。

一方，本発明の実施例によれば，複数のセンサパッドを含むタッチ検出装置において，センサパッドの列と列との間にダミーラインを形成することにより，寄生静電容量を一層減殺させることができる。

本発明の効果は上述した効果に限定されるものではなく，本発明の詳細な説明または特許請求の範囲に記載された発明の構成から推論可能なすべての効果を含むことで理解されなければならない。

従来技術による靜電式タッチスクリーンパネルの一例に関する分解平面図である。 通常的なタッチ検出装置の分解平面図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出装置の構造を示す図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出部を例示した回路図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出部の例示的な波形図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出装置を示す図である。 一つの列に属しているｎ個のセンサパッドを示す図である。 センサパッドと信号配線の配置に関する一例を示す図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出装置の回路図を簡略化して示す図である。 本発明の他の実施例によるタッチ検出装置を示す図である。 一つの列に属しているｎ個のセンサパッドを示す図である。 本発明の他の実施例によるタッチ検出装置の寄生静電容量制御部を示す図である。 本発明の他の実施例によるタッチ検出装置の回路図を簡略化して示す図である。 本発明の一実施例によって形成されたダミーラインの一例に関する図である。 本発明の一実施例によるタッチ検出装置の構成を示す図である。

以下，図面を参照して本発明を説明する。しかし，本発明は，多様に変更可能であり，さまざまな実施形態を有することができる。したがって，これは本発明の好ましい実施態様に過ぎず，本発明の実施の範囲を限定するものではない。また，図面において本発明を明確に説明するための説明と関係ない部分は省略し，明細書全体を通じて類似な部分には類似な図面符号を付与した。

明細書全体において，いかなる部分が他の部分に「連結されて」いるとの用語は，ある部分が他の部分に「直接的に連結されて」いる場合だけではなく，その中間に他の部材が介在して「間接的に連結されて」いる場合も含む。また，いかなる部分がいかなる構成要素を「含む」との用語は，特別に反対される記載がない限り，他の構成要素を除外することではなく，他の構成要素をさらに具備できることを意味する。

以下，添付図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。

本発明の実施例は，寄生静電容量を調整してタッチ感度を向上させるタッチ検出方式と関連される。

図３は，本発明の一実施例によるタッチ検出装置の構造を示す図である。

図３を参照すれば，タッチ検出装置は，タッチパネル１００と，駆動装置２００と，を含む。

タッチパネル１００は，複数のセンサパッド１１０及びセンサパッド１１０に連結されている複数の信号配線１２０を含む。

例えば，複数のセンサパッド１１０は，四角形または菱形であることができるが，これと異なる形態であるか，均一な形態の多角形状であってもよい。センサパッド１１０は，隣接した多角形のマトリックス形態に配列されることができる。

駆動装置２００は，タッチ検出部２１０，タッチ情報処理部２２０，メモリー２３０及び制御部２４０などを含むことができ，一つ以上の集積回路(ＩＣ)チップで具現することができる。

タッチ検出部２１０，タッチ情報処理部２２０，メモリー２３０，制御部２４０は，各々分離されるか，二つ以上の構成要素を統合して具現することができる。

タッチ検出部２１０は，センサパッド１１０及び信号配線１２０と連結された複数のスイッチと複数のキャパシタを含むことができ，制御部２４０から信号を受けてタッチ検出のための回路を駆動し，タッチ検出結果に対応する電圧を出力する。また，タッチ検出部２１０は，増幅器及びアナログ−デジタル変換器を含むことができ，センサパッド１１０の電圧変化の差を変換，増幅またはデジタル化してメモリー２３０に記憶させることができる。

タッチ情報処理部２２０は，メモリー２３０に記憶されたデジタル電圧を処理してタッチ発生有無，タッチ面積及びタッチ座標などの必要な情報を生成する。

メモリー２３０は，タッチ検出部２１０から検出された電圧変化の差に基礎したデジタル電圧とタッチ検出，面積算出，タッチ座標算出に利用されるあらかじめ決まったデータまたはリアルタイムで受信されるデータを記憶する。

制御部２４０は，タッチ検出部２１０及びタッチ情報処理部２２０を制御し，マイクロコントロールユニット(MCU:micro control unit)を含むことができ，ファームウェアを通じて決まった信号処理を実行することができる。

図４及び図５を参照して図３に示すタッチパネル及びタッチ検出部の動作に対して詳細に説明する。

図４は，本発明の一実施例によるタッチ検出部を例示した回路図であり，図５は，本発明の一実施例によるタッチ検出部の例示的な波形図である。

図４を参照すれば，タッチ検出部２１０は，信号配線１２０を通じてセンサパッド１１０に連結されており，スイッチング動作をするトランジスタ２１１，寄生キャパシタＣｐ，駆動キャパシタＣｄｒｖ，共通電圧キャパシタＣｖｃｏｍ及びレベルシフト検出部２１２を含む。

トランジスタ２１１，寄生キャパシタＣｐ，駆動キャパシタＣｄｒｖ，共通電圧キャパシタＣｖｃｏｍ及びレベルシフト検出部２１２は，センサパッド１１０及び信号配線１２０当たり一つずつグループを成すことができ，以後，センサパッド１１０，信号配線１２０，トランジスタ２１１，寄生キャパシタＣｐ，駆動キャパシタＣｄｒｖ及び共通電圧キャパシタＣｖｃｏｍを合わせて「タッチセンシングユニット(touch sensing unit)」と称する。このタッチセンシングユニットは，各々の構成要素がマルチフレクサにより電気的に連結された場合を含む概念である。

一方，本発明の実施例では，タッチが発生しなかった場合の電気的特性またはデータ値を「非タッチ基準値(non-touch reference value)」と称する。

以下，便宜上キャパシタとその静電容量の図面符号は同一に使用する。

トランジスタ２１１は，例えば，電界効果トランジスタ(field effect transistor)として，ゲート(gate)には制御信号Ｖｇが印加され，ソース(source)には充電信号Ｖｂが印加されることができ，ドレイン(drain)は信号配線１２０に連結されることができる。もちろんソースが信号配線１２０に連結されてドレインに充電信号Ｖｂが印加されてもよい。制御信号Ｖｇと充電信号Ｖｂは，制御部２４０により制御されることができ，トランジスタ２１１の代わりにスイッチング動作が可能である他の素子を使用してもよい。

寄生静電容量Ｃｐは，センサパッド１１０に付随的に発生する静電容量を意味することで，センサパッド１１０，信号配線１２０などにより形成される一種の寄生容量である。寄生静電容量Ｃｐは，タッチ検出部２１０，タッチパネル，映像表示装置により発生する任意の寄生容量を含むことができる。

共通電圧静電容量Ｃｖｃｏｍは，タッチパネル１００がＬＣＤのような表示装置(図示せず)上に装着される時，表示装置の共通電極(図示せず)とタッチパネル１００の間に形成される静電容量である。共通電極には，球形波などの共通電圧Ｖｃｏｍが表示装置により印加される。一方，共通電圧静電容量Ｃｖｃｏｍも一種の寄生容量として寄生静電容量Ｃｐに含まれることができ，以下，共通電圧静電容量Ｃｖｃｏｍに対して別途の言及がないと，共通電圧静電容量Ｃｖｃｏｍは寄生静電容量Ｃｐに含まれることで説明する。

駆動静電容量Ｃｄｒｖは，センサパッド１１０別に所定周波数で交番する交番電圧Ｖｄｒｖを供給する経路に形成される静電容量である。駆動キャパシタＣｄｒｖに印加される交番電圧Ｖｄｒｖは，好ましくは，球形波信号である。交番電圧Ｖｄｒｖは，デューティ比(duty ratio)が同一なクロック信号であるか，デューティ比が相異なっていることができる。交番電圧Ｖｄｒｖは，別途の交番電圧生成手段により提供されるか，共通電圧Ｖｃｏｍを利用することできる。

一方，図４で，タッチ静電容量Ｃｔは，ユーザがセンサパッド１１０をタッチする場合にセンサパッド１１０とユーザの指などのタッチ入力道具の間に形成される静電容量を示している。

図５を参照すれば，充電信号Ｖｂと制御信号Ｖｇが各々トランジスタ２１１のソースとゲートに印加されている。

まず，センサパッド１１０にタッチ入力道具がタッチされない場合(non-touch)に対して説明する。充電信号Ｖｂが，例えば，５Ｖに上昇した後に，トランジスタ２１１のゲートに印加される制御信号Ｖｇが低電圧ＶＬから高電圧ＶＨに上昇すると，トランジスタ２１１がターンオンされて充電区間Ｔ１が開始される。これによって，センサパッド１１０は，５Ｖの充電信号Ｖｂで充電され，出力電圧Ｖｏは，充電電圧Ｖｂになる。寄生キャパシタＣｐ，駆動キャパシタＣｄｒｖ及び共通電圧キャパシタＣｖｃｏｍにも充電電圧Ｖｂにより電荷が充電される。充電区間Ｔ１では，トランジスタ２１１がターンオンされるので，交番電圧Ｖｄｒｖは出力電圧Ｖｏに影響を及ばない。

次に，制御信号Ｖｇが高電圧ＶＨから低電圧ＶＬに下降しながらセンシング区間Ｔ２が開始すると，トランジスタ２１１がターンオフされ，タッチキャパシタＣｔ，寄生キャパシタＣｐ，駆動キャパシタＣｄｒｖ及び共通電圧キャパシタＣｖｃｏｍが充電された状態で絶縁される。この時，充電された電荷を安定的に絶縁させるためにレベルシフト検出部２１２の入力端は，ハイインピーダンスを有することができる。

このようにセンサパッド１１０などに充電された電荷が絶縁されている状態をフローティング(floating)状態と言う。この時，駆動キャパシタＣｄｒｖに印加された交番電圧Ｖｄｒｖが，例えば，０Ｖから５Ｖに上昇すれば，センサパッド１１０の出力電圧Ｖｏは，電圧レベルが瞬間的に上昇され，さらに５Ｖから０Ｖに下降すれば，出力電圧Ｖｏのレベルは，瞬間的に降下される。この時の電圧レベルの上昇と下降は，連結された静電容量によって相異なっている値を有するようになる。このように連結された静電容量によって電圧レベルの上昇値または下降値が変わる現象は，「kick-back」と呼ばれる。

センサパッド１１０にタッチがない場合，すなわち，センサパッド１１０に連結されたキャパシタが駆動キャパシタＣｄｒｖと寄生キャパシタＣｐしかない場合には，これらキャパシタＣｄｒｖ，Ｃｐによる出力電圧Ｖｏの電圧変動(ΔＶｏ１)は，次の数学式１のようである。

ここで，ＶｄｒｖＨとＶｄｒｖＬは，各々交番電圧Ｖｄｒｖのハイレベル電圧及びローレベル電圧である。数学式１のΔＶｏ１は，タッチが発生しないセンサパッド１１０の電気的特性に対応するので，上述した「非タッチ基準値」で設定されることができる。

次に，センサパッド１１０にタッチ入力道具がタッチされた場合に対して説明する。タッチ発生時には，センサパッド１１０とタッチ入力道具の間にタッチキャパシタＣｔが形成され，これによって，センサパッド１１０に連結されたキャパシタは，駆動キャパシタＣｄｒｖと寄生キャパシタＣｐ外にもタッチキャパシタＣｔが追加される。上述した方式と同様に，充電区間Ｔ３を経てセンシング区間Ｔ４でこれら三つのキャパシタＣｄｒｖ，Ｃｐ，Ｃｔによるセンサパッド１１０の電圧変動(ΔＶｏ２)は，次の数学式２のようにある。

数学式１と数学式２を比較すると，数学式２の分母項目にタッチ静電容量Ｃｔが追加されたので，結局，タッチがある場合の電圧変動(ΔＶｏ２)は，タッチがない場合の電圧変動(ΔＶｏ１)に比べて小さくて，その差は，タッチ容量Ｃｔによって変わる。このようにタッチ前後の電圧変動(ΔＶｏ)の差(ΔＶｏ１−ΔＶｏ２)を「レベルシフト」と称する。

したがって，タッチ未発生時のセンサパッド１１０での出力電圧Ｖｏの変動分(ΔＶｏ１)及びタッチ発生時のセンサパッド１１０での出力電圧Ｖｏの変動分(ΔＶｏ２)を測定してレベルシフトが発生したかを把握することができ，これを通じてタッチ発生有無を検出することができる。

レベルシフト値が大きいほどタッチ時と非タッチ時を明確に区分することができることは当然である。センサパッド１１０がフローティング状態である時の交番電圧Ｖｄｒｖの印加による出力電圧Ｖｏ変動分(ΔＶｏ１，ΔＶｏ２)の数式を参照すれば，分母に寄生静電容量Ｃｐが存在することが分かる。

本発明の一実施例は，このような寄生静電容量Ｃｐの値を調整して，交番電圧Ｖｄｒｖの印加によるタッチ発生時のセンサパッド１１０での出力電圧Ｖｏ変動分(ΔＶｏ２)の大きさに対する誤差範囲を減らすことにより，タッチ感度を向上させてノイズに対する耐性を強化する。

まず，静電容量が発生する原理に対して説明すれば，次のようである。

互いに違う極性で帯電された導体の辺りが誘電率(ε)を有する物質で取り囲まれている時，各導体間の電位の大きさによって導体に集まる電荷の量Ｑを静電容量Ｃと言う。すなわち，静電容量Ｃは，次の数学式３で表現されることができる。

数学式３を参照すれば，静電容量Ｃは，導体の面積Ａに比例し，導体間の距離ｄに反比例する。

図２に示されたようなタッチ検出装置において，センサパッドまたは信号配線の間にはガラス(Glass)またはＯＣＡなどのような誘電物質が存在し，前記センサパッドまたは信号配線は，互いにこのような誘電物質を通じて絶縁されている。センサパッドと信号配線は導体であるので，タッチ検出装置は多数の導体とその周辺に存在する誘電物質を含む構造，すなわち，静電容量を形成するキャパシタ構造を有するようになる。

各導体(センサパッドまたは信号配線)の広さと導体間の距離，導体間に存在する誘電物質の誘電率(ε)により希望しない静電容量が形成されるようになり，このような静電容量が寄生静電容量Ｃｐになる。

特に，複数のセンサパッドが行及び列に密集して配置されるタッチスクリーンパネルでは，導体の配列が非常に稠密であり，さらに多数が分布されているので，これによって発生する寄生静電容量Ｃｐの量は，非常に大きくなる。したがって，このような寄生静電容量Ｃｐを調整することは，タッチスクリーンパネルにおいてタッチ検出と関連された性能に影響を及ぶ重要な要素になる。

図６は，本発明の一実施例によるタッチ検出装置を示す図である。

図６を参照すれば，本発明の一実施例によるタッチ検出装置における駆動装置２００には，寄生静電容量制御部２５０をさらに含むことができる。

本発明の一実施例による寄生静電容量制御部２５０は，複数のセンサパッド１１０のうち現在タッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドの出力端電圧を特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッドに供給する。これによって，寄生静電容量制御部２５０は，複数個のセンサパッドの中でタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドと隣接した他のセンサパッドの間で発生する寄生静電容量を減殺させることができる。

図７は，一つの列に属しているｎ個のセンサパッドを示す図として，寄生静電容量の減殺原理を説明するための図である。図７を参照すれば，寄生静電容量制御部２５０は，同一な列に属する複数のセンサパッドの中で現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧を他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎに供給する。また，寄生静電容量制御部２５０は，隔離されて配置される各センサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎの間のショート(short)防止などのためのバッファー２５１を含むことができる。すなわち，現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧がバッファー２５１に入力され，バッファー２５１の出力端は，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎと連結されることができる。

寄生静電量制御部２５０により寄生静電容量が減殺される理由に対して説明すれば，次のようである。

２個の導体とその間に存在する誘電物質からなるキャパシタ構造において，該当構造に充電される電荷量Ｑは，Ｑ＝ＣＶのような数式で表現されることができる。ここで，Ｃは，該当構造の静電容量値であり，Ｖは，両導体間の電位差である。

前記数式で，電圧Ｖを０に近く収斂させると，導体間の電位差によりひかれる電荷量Ｑも０に近く収斂させることができる。静電容量Ｃは，電荷の充電能力に比例するので，充電される電荷量Ｑが０に近くなると，導体間の関係により形成される静電容量Ｃも０に近く収斂するという意味になる。

また，図７を参照すれば，本発明の実施例は，前記原理を利用したことで，特定センサパッド１１０−ｉに対してタッチ発生有無を検出する場合，該当センサパッド１１０−ｉと周辺に存在するセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎの電位を同一レベルに近く制御し，タッチ発生有無の検出に影響を及ぶ寄生静電容量Ｃｐを「０」に近く補償する。

例えば，図７に示すように，同一な列に属するセンサパッドのうち現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧を寄生静電容量制御部２５０のバッファー２５１を通じて他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎに各々印加すると，センサパッド１１０−ｉと他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎの間の電位差が最小化され，これによって，センサパッド間の関係により発生した寄生静電容量が効果的に減殺されることができる。

一方，図７では，タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０−ｉと同一な列に属している他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，１１０−ｎにセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧を印加することで説明したが，これに限定されるものではなく，各々のセンサパッドと駆動装置を連結する信号配線の連結形態によって複数のセンサパッド１１０−ｉと同一な行に属している他のセンサパッドにセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧を印加してもよい。

図８は，複数のセンサパッドで構成されるセンサパッド列が複数個含まれるタッチ検出装置を簡略化して示す図として，各々のセンサパッドとこれに各々連結された信号配線の配置を示す図である。

センサパッド１１０及びこれと連結される信号配線１２０相互間に発生する寄生静電容量Ｃｐの大きさは，相互電気フラックス(Electric Flux)の密度が高く存在する区間であればあるほど大きくなる。上述のように，静電容量の大きさは，導体間の距離が近いほど大きくなるので，近接したセンサパッド１１０間の信号配線１２０の間の関係により寄生静電容量Ｃｐは大きく発生するようになる。

図８を参照すれば，同一な列に属しているセンサパッド１１０の信号配線１２０は，非常に近接して配置されている。例えば，同一な列に配置されている第１センサパッド１１０−１と第２センサパッド１１０−２の関係を説明すれば，第１センサパッド１１０−１に連結された第１信号配線１２０−１と第２センサパッド１１０−２に連結された第２信号配線１２０−２が非常に近接した距離で並んで配置されており，互いに隣接するように配置された総長さは，第２センサパッド１１０−２から駆動装置２００(図６参照)までの距離であることが分かる。一方，これと比較する時，互いに違う列に属するセンサパッド間の関係では，各センサパッド１１０に連結された信号配線１２０間の距離が遠く離れているので，寄生静電容量Ｃｐが相対的に少なく形成される。

すなわち，各センサパッドの信号配線１２０間の距離が遠く離れている互いに違う列に属するセンサパッドの間で発生する寄生静電容量Ｃｐよりセンサパッドの信号配線１２０間の距離が隣接した同一な列に属するセンサパッドの間で発生する寄生静電容量Ｃｐが相対的に非常に大きくなる。

したがって，本発明の実施例では，隣接したセンサパッド１１０の間で形成される寄生静電容量Ｃｐを最小化するため，タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０の出力端電圧を特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッド１１０に供給する。

一方，センサパッド１１０間の寄生静電容量Ｃｐの大きくは，該当センサパッド１１０が駆動装置２００(図６参照)から遠い距離に配置されているほど大きくなる。駆動装置２００から遠い距離にあるほど該当センサパッド１１０及びこれと隣接したセンサパッド１１０に連結された各々の信号配線１２０の長さ，すなわち，各センサパッド１１０に連結された信号配線１２０が並んで配置された長さが長くなるからである。

タッチ発生有無の検出時には，タッチ手段(例えば，指など)とセンサパッド１１０の間で発生するタッチ静電容量Ｃｔの大きさを把握してそのタッチ面積も検出するようになるが，タッチ面積検出の正確性のためには，タッチ静電容量Ｃｔの大きさが明確に算出されなければならない。したがって，相対的に寄生静電容量Ｃｐの大きさに影響を受けないことが好ましい。

上述のように，駆動装置２００から遠い距離に配置されているセンサパッド１１０間の関係で相対的に大きい寄生静電容量Ｃｐが形成されるようになるので，このような影響を減殺させるためには，図８に示すように，駆動装置２００から遠い距離に配置されているセンサパッド１１０であればあるほど広い面積を有することが好ましい。

図９は，本発明の一実施例によるタッチ検出装置の回路図を簡略化して示す図である。

図９を参照すれば，タッチ検出部２１０で現在タッチ発生有無の検出対象で選択したセンサパッド１１０の出力端電圧Ｖｏが，寄生静電容量制御部２５０のバッファー２５１を経て特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッド１１０’に入力されることが分かる。具体的に，バッファー２５１の入力端は，現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０の出力端と連結され，バッファー２５１の出力端は，他のセンサパッド１１０’に各々連結されることができる。バッファー２５１は，現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０と他のセンサパッド１１０’の間のショート防止，信号の調整及び干渉防止などの機能を行うバッファー増幅器(Buffer Amplifier)で具現することができる。この時，検出対象であるセンサパッド１１０の出力端電圧Ｖｏをそのまま他のセンサパッド１１０’に印加してセンサパッド間の電位を同一レベルで形成しなればならないので，バッファー増幅器の利得は，１になる必要があるが，必要によって，変更されることもできる。すなわち，センサパッド１１０間の電位差を「０」に近くするために寄生静電容量制御部２５０に含まれるバッファー２５１の利得を変更することができる。

寄生静電容量制御部２５０を通じて寄生静電容量Ｃｐのうち一番大きく寄与する部分，すなわち，隣接したセンサパッド間の関係によって形成される寄生静電容量Ｃｐが最小限に減殺されることができる。

タッチ検出部２１０の他の構成要素に対する説明及びタッチ検出動作は，図４を参照して詳しく説明したので，ここではその説明を省略する。

従来には，タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０を含んだ全てのセンサパッド１１０’は，フローティング(Floating)，接地(Gnd)またはプリチャージ(Pre-charge)の中でいずれの一つの状態で一括的に設定された。

しかし，本発明の一実施例によれば，タッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッド１１０での出力端電圧Ｖｏが，寄生静電容量制御部２５０を通じて特定センサパッド１１０と特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッド１１０’に各々印加される。したがって，タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０及び他のセンサパッド１１０’は，いずれもフローティング状態になることができる。また，センサパッド１１０及び他のセンサパッド１１０’に属しないセンサパッドは，従来方式と同様にフローティング(Floating)，接地(Gnd)またはプリチャージ(Pre-charge)の中でいずれの一つの状態に設定されることができる。

一方，寄生静電容量制御部は，これとは異なる方法でセンサパッド１１０間に存在する寄生静電容量を調整することができる。

図１０は，本発明の他の実施例によるタッチ検出装置を示す図である。

図１０を参照すれば，本発明の他の実施例によるタッチ検出装置の駆動装置２００も寄生静電容量制御部２６０をさらに含むことができる。

寄生静電容量制御部２６０は，複数のセンサパッド１１０のうち現在タッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドに対して，第１フレームで検出された特定センサパッドの出力端電圧を，第２フレームで特定センサパッドに対するタッチ検出時に，前記特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに供給する。これにより，寄生静電容量制御部２６０は，複数個のセンサパッドのうちタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドと隣接した他のセンサパッドの間で発生する寄生静電容量を調整することができる。ここで，フレームは，タッチ位置を検出するために複数のセンサパッド１１０に対する電圧値を検出する一周期を意味する。

このために，寄生静電容量制御部２６０は，バッファー２６１(図１２参照)及びマルチフレクサ２６２(図１２参照)を含むことができ，これに関しては，図１２及び図１３を参照して後述する。

図１１は，一つの列に属しているｎ個のセンサパッドを示す図として，寄生静電容量の調整原理を説明するための図である。

寄生静電容量制御部２６０は，隔離されて配置される各センサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎの間のショート(short)防止などのためのバッファー２６１を含むことができる。

２個の導体とその間に存在する誘電物質からなるキャパシタ構造において，該当構造に充電される電荷量Ｑは，Ｑ＝ＣＶであることは上述した。この数式で静電容量Ｃを増加させると，電荷量Ｑの流入または流出がない状況で電圧Ｖ，すなわち，二つの導体間の電位差は減るようになる。

さらに，図１１を参照すれば，本発明の実施例は，前記原理を利用したことで，タッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，以前フレームでの前記特定センサパッド１１０−ｉの出力電圧を現在フレームでバッファー２６１を通じて周辺に存在するセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに入力することにより，センサパッド１１０−ｉの出力端電圧と他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎの間で静電容量を生成させて，これによって，センサパッド１１０−ｉの出力端電圧の値の変化範囲を減らす。

具体的には，第１フレームで検出される特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧が２Ｖ，第２フレームで検出される特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧が０Ｖである場合を例で説明すれば，次のようである。

第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力された電圧２Ｖを，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに印加すると，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧は０Ｖであるが，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎには２Ｖが印加される。これによって，特定センサパッド１１０−ｉと他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎの間で電位差が発生するようになり，静電容量Ｃが発生する。この時，電荷量Ｑは，新たに発生するか消えないので，電荷量Ｑが一定な状態で静電容量Ｃが生成されて増加するようになれば，電圧Ｖは減るようになる。この時，電圧Ｖは，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧と第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧との間の電位差を意味する。したがって，結果的に第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧と第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧との間の電位差が減るようになる。

すなわち，現在特定センサパッドに対するタッチ検出時，以前に検出された特定センサパッドの出力端電圧を他のセンサパッドに印加すると，現在検出される特定センサパッドの出力端電圧を他のセンサパッドに印加する場合より各々のフレームで検出される特定 センサパッドの出力端電圧間の値に対する誤差範囲を減らして，タッチ感度を向上させることができる。

図１２は，本発明の他の実施例によるタッチ検出装置の寄生静電容量制御部の一例を示す図である。

図１２を参照すれば，寄生静電容量制御部２６０は，第１フレームで検出された複数のセンサパッドの中でタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を，第２フレームでセンサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給する。

また，寄生静電容量制御部２６０は，バッファー２６１及びマルチフレクサ２６２を含むことができる。この時，バッファー２６１は，隔離されて配置される各センサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎの間のショート(short)防止などのためのことであり，マルチフレクサ２６２は，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給される特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を選択するためのものである。具体的には，タッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がバッファー２６１に入力され，バッファー２６１の出力端は，マルチフレクサ２６２の入力端に連結され，マルチフレクサ２６２の出力端は，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎと連結されることができる。この時，マルチフレクサ２６２は，第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧及び第２フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧の中で一つを選択して他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに各々選択的に印加することができる。

マルチフレクサ２６２は，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給することができる。但し，マルチフレクサ２６２は，所定の条件に限って，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，第２フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給することができる。例えば，マルチフレクサ２６２は，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がタッチ検出のための基準値より高い場合，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給することができる。この時，基準値は，タッチが発生した場合に検出可能なセンサパッド１１０−ｉの出力端電圧の値であらかじめ設定することができる。

すなわち，第１フレームで特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧と第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧の差が臨界値以上である場合，マルチフレクサ２６２は，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，第１フレームではない第２フレームでの特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を周辺センサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに入力することができる。これは，前記の場合，第１フレームと第２フレームとの間でタッチから非タッチ，または非タッチからタッチに状態変化が発生したことなので，両フレームで検出されるセンサパッド１１０の出力端電圧差を減少させる必要がないからである。

また，マルチフレクサ２６２は，第１フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時，第１フレームが最初のフレームである場合，第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給することができる。これは，第１フレームが最初フレームである場合には，以前フレームに対する特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がないので，マルチフレクサ２６２がバッファー２６１を通じて第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに供給するようになる。これによって，第１フレームではセンサパッド間の関係により発生する寄生静電容量を減殺させてタッチ発生有無の検出にエラーを防止することができる。具体的には，Ｑ＝ＣＶの数式で電圧Ｖが０で収斂するので，静電容量Ｃ，すなわち，特定センサパッド１１０−ｉと他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎの間の寄生静電容量が減る。したがって，数学式２を通じて算出される電圧変動(ΔＶｏ２)が増加するようになって，初期タッチ検出に対する正確度が向上される。

一方，第１フレームと第２フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧の中でマルチフレクサ２６２を通じて一つの特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧を選択する方式で説明したが，これに限定されず，特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がメモリー２３に保存されてからマルチフレクサ２６２に入力されることもできる。すなわち，特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧は，メモリー２３０(図３参照)に保存されることができ，メモリー２３０に保存された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がマルチフレクサ２６２に入力されることができる。例えば，第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧はアナログ−デジタル変換してメモリー２３０にあらかじめ保存され，第２フレームで特定センサパッド１１０−ｉに対するタッチ検出時に，第１フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧がデジタル−アナログ変換してマルチフレクサ２６２に入力されることによって，他のセンサパッド１１０−１，１１０−２，…，１１０−ｎに各々供給されることができる。この時，第２フレームで検出された特定センサパッド１１０−ｉの出力端電圧は，アナログ−デジタル変換してメモリー２３０に保存されることができる。

図１３は，本発明の他の実施例によるタッチ検出装置の回路図を簡略化して示す図である。

図１３を参照すれば，タッチ検出部２１０で現在タッチ発生有無の検出対象で選択したセンサパッド１１０に対して，第１フレームで検出されたセンサパッド１１０の出力端電圧Ｖｏが，第２フレームでセンサパッド１１０に対するタッチ検出時に，寄生静電容量制御部２６０のバッファー２６１及びマルチフレクサ２６２を経てセンサパッド１１０の信号配線と隣接した信号配線と連結された他のセンサパッド１１０’に入力される。具体的には，バッファー２６１の入力端は，現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０の出力端と連結され，バッファー２６１の出力端は，マルチフレクサ２６２の入力端に連結され，マルチフレクサ２６２の出力端は，他のセンサパッド１１０’に各々連結されることができる。

バッファー２６１は，現在タッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０と他のセンサパッド１１０’との間のショート防止，信号の調整及び干渉防止などの機能を行うバッファー増幅器(Buffer Amplifier)で具現することができる。この時，第１フレームで検出された検出対象であるセンサパッド１１０の出力端電圧Ｖｏを，第２フレームでセンサパッド１１０に対するタッチ検出時に，他のセンサパッド１１０’に印加しなければならないので，バッファー増幅器の利得は，１になる必要があるが，必要によって，変更してもよい。すなわち，第１フレームと第２フレームでのセンサパッド１１０の間の電位差を減らすために，寄生静電容量制御部２６０に含まれるバッファー２６１の利得を変更してもよい。

寄生静電容量制御部２６０を通じて寄生静電容量Ｃｐのうち一番大きく寄与する部分，すなわち，隣接したセンサパッド間の関係によって形成される寄生静電容量Ｃｐを調整することにより，タッチ検出時にセンサパッド１１０の出力端電圧値に対する誤差範囲を減らしてタッチ検出に対する感度を向上させることができる。

本発明の実施例によれば，寄生静電容量制御部２６０により隣接したセンサパッドの間で発生する寄生静電容量発生が抑制または生成される。これによって，寄生静電容量を調整することができ，センサパッドの出力端電圧値に対する誤差範囲を減らしてタッチ発生有無の検出感度を向上させることができる。

一方，図１４を参照すれば，本発明の実施例によるタッチ検出装置では，複数のセンサパッドで構成される列と隣接する列との間にダミーライン３００をさらに形成することができる。

これは，特定センサパッド１１０と隣接する列に属するセンサパッド１１０’'との間の関係による寄生静電容量Ｃｐを減殺させるためのことである。

具体的には，特定列に属するセンサパッド１１０と連結された信号配線１２０は，他の列に属するセンサパッド１１０’'と連結された信号配線１２０''との関係においても寄生静電容量Ｃｐを発生させることができる。特に，信号配線１２０の配置形態から見た時，駆動装置２００(図６及び図１０参照)から遠く離れているセンサパッド１１０であればあるほどそれと連結された信号配線１２０が隣接列のセンサパッド１１０’'と連結された信号配線１２０''と非常に近接しているので，隣接列に属するセンサパッド１１０’'との関係において一層激しい寄生静電容量Ｃｐを発生させる。

このような隣接する列間の関係で発生する寄生静電容量Ｃｐも減殺させるため，列と列との間には，ダミーライン３００を形成することができる。

ダミーライン３００は，列と列との間で駆動装置２００(図６及び図１０参照)から遠くなる方向，すなわち，列方向に延長されることができる。

列と列との間に配置されたダミーライン３００には，何らの信号も印加されないか(絶縁状態維持)，駆動装置２００(図６及び図１０参照)から駆動信号が印加されることができる。

図１５は，本発明の一実施例によるタッチ検出装置の構成を示す図で，列と列との間に配置されたダミーライン３００に駆動信号が印加される原理を説明する図である。

図１５を参照すれば，タッチパネル１００に複数のセンサパッド１１０がＮ×Ｍのマトリックス形態で配列される場合，駆動装置２００のタッチ検出部２１０には，Ｎ個のマルチフレクサ(ＭＵＸ)を含む。

すなわち，一つの列に対して一つのマルチフレクサＭＵＸが具備され，マルチフレクサＭＵＸは，一つの列に属するＭ個のセンサパッド１１０の中で一つを選択する。このために，マルチフレクサＭＵＸには，センサパッド選択ピンＳｐがＭ個具備され，Ｍ個のセンサパッド選択ピンＳＰは，一つの列に属するＭ個のセンサパッド１１０と信号配線を通じて各々連結される。マルチフレクサＭＵＸにより選択されたセンサパッド１１０には，駆動信号が供給されてタッチ発生有無の検出が行われる。この時，該当駆動信号はタッチ発生有無の検出対象になるセンサパッド１１０が属する列の左右に配置されているダミーライン３００にも供給されることができる。このためにマルチフレクサＭＵＸは，ダミーライン駆動ピンＤＰをさらに具備することができる。ダミーライン駆動ピンＤＰは，センサパッド１１０へのタッチ発生有無の検出のための駆動信号の印加時，該当駆動信号がダミーライン３００にも供給されるようにする。すなわち，ダミーライン３００は，タッチ検出部２１０のマルチフレクサＭＵＸに具備されたダミーライン駆動ピンＤＰと連結されている。

特定センサパッド１１０に対してタッチ発生有無の検出動作が行われる時，このセンサパッド１１０と隣接した列に属するセンサパッドは，互いに違う電位を有することができ，これによって，隣接した列に属するセンサパッド間の関係により寄生静電容量Ｃｐが発生することができる。しかし，図１５に示すように，特定センサパッド１１０に対するタッチ発生有無の検出動作時に，ダミーライン３００にも駆動信号が印加されると，該当センサパッド１１０と一番隣接した導体であるダミーライン３００は実質的に同一な電位を有するようになり，列と列との間の関係による寄生静電容量Ｃｐ発生も防止される。

以上，添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが，本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば，本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で，様々な置換，変形及び変更が可能である。したがって，以上で記述した実施例はすべての面で例示的なことであり，限定的なことではない。例えば，単一形態で説明されている各構成要素は，分散して実施されることができ，同様に，分散されたことで説明されている構成要素も結合された形態で実施されることができる。

本発明の範囲は，後述する特許請求範囲により示され，特許請求の範囲の意味及び範囲，そしてその均等概念から導出されるすべての変更または変形された形態は，本発明の範囲に含まれる。

Claims (15)

1. 複数個のセンサパッド及び前記複数個のセンサパッド各々に連結された信号配線を含むタッチパネルのタッチ検出装置であって，
   前記複数個のセンサパッドの中でタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドと隣接した他のセンサパッドの間で発生する寄生静電容量を制御するための寄生静電容量制御部を含み，
   前記寄生静電容量制御部は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線に隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに印加されるようにすることを特徴とするタッチ検出装置。
2. 前記寄生静電容量制御部は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの検出時期に前記他のセンサパッドに印加されるようにすることを特徴とする請求項１記載のタッチ検出装置。
3. 前記寄生静電容量制御部は，バッファーを含み，
   前記バッファーの入力端は，前記特定センサパッドの出力端と連結され，
   前記バッファーの出力端は，前記他のセンサパッドに各々連結されることを特徴とする請求項２記載のタッチ検出装置。
4. 前記寄生静電容量制御部は，第１フレーム及び第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つが前記第２フレームで前記他のセンサパッドに選択的に印加されるようにすることを特徴とする請求項１記載のタッチ検出装置。
5. 前記寄生静電容量制御部は，バッファー及びマルチフレクサを含み，
   前記バッファーの入力端は，前記特定センサパッドの出力端と連結され，
   前記バッファーの出力端は，前記マルチフレクサの入力端に連結され，
   前記マルチフレクサの出力端は，前記他のセンサパッドに各々連結されることを特徴とする請求項４記載のタッチ検出装置。
6. 前記寄生静電容量制御部は，前記第１フレーム及び前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つを選択し，前記他のセンサパッドに各々印加されるようにすることを特徴とする請求項４記載のタッチ検出装置。
7. 前記寄生静電容量制御部は，前記第１フレームが最初フレームである場合，前記第１フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにすることを特徴とする請求項４記載のタッチ検出装置。
8. 前記寄生静電容量制御部は，前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧がタッチ検出のための基準値より高い場合，前記第２フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにすることを特徴とする請求項４記載のタッチ検出装置。
9. 前記複数個のセンサパッドは，行及び十方向に配置され，前記列と列との間には，列方向に配置されて隣接した列に属するセンサパッド間の関係による寄生静電容量発生を抑制するダミーラインが形成されることを特徴とする請求項１記載のタッチ検出装置。
10. 前記複数個のセンサパッドは，前記センサパッドを駆動する駆動装置から遠く離れるほど大きい面積を有することを特徴とする請求項１記載のタッチ検出装置。
11. 複数個のセンサパッド及び前記複数個のセンサパッド各々に連結された信号配線を含むタッチパネルのタッチ検出方法であって，
    前記複数個のセンサパッドのうちタッチ発生有無の検出対象になる特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線に隣接した信号配線と連結された他のセンサパッドに印加されるようにして寄生静電容量を制御する段階と，
    前記特定センサパッドの出力端電圧変化の差に基礎してタッチ発生有無を検出する段階と，を含み，
    前記寄生静電容量制御段階は，前記特定センサパッドの検出時期に前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの信号配線と隣接した信号配線を有した他のセンサパッドに印加されるようにすることを特徴とするタッチ検出方法。
12. 前記寄生静電容量制御段階は，前記特定センサパッドの出力端電圧が前記特定センサパッドの検出時期に前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことを特徴とする請求項１１記載のタッチ検出方法。
13. 前記寄生静電容量制御段階は，第１フレーム及び第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧の中で一つが前記第２フレームで前記他のセンサパッドに選択的に印加されるようにする段階を含むことを特徴とする請求項１１記載のタッチ検出方法。
14. 前記寄生静電容量制御段階は，前記第１フレームが最初フレームである場合，前記第１フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のタッチ検出方法。
15. 前記寄生静電容量制御段階は，前記第２フレームで検出された前記特定センサパッドの出力端電圧がタッチ検出のための基準値より高い場合，前記第２フレームで前記特定センサパッドの出力端電圧が前記他のセンサパッドに印加されるようにする段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のタッチ検出方法。
    
    

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