JP2015506887A - ナノダイヤモンドの制御された合成のための方法およびシステム - Google Patents

ナノダイヤモンドの制御された合成のための方法およびシステム Download PDF

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Abstract

液状媒体中において,炭素含有材料を含む特製固体炭素源ターゲットの表面から所定の距離の位置に集束され,ターゲット表面に衝撃を与える光−水圧効果を生じてダイヤモンドナノ結晶を形成するパラメータを有する照射エネルギービームによって炭素源ターゲットを処理することに基づくナノダイヤモンドの制御された合成方法およびシステムを提供する。【選択図】図1

Description

この発明は,一般的には人工ダイヤモンドの分野におけるものであり,ナノダイヤモンドを合成するための方法およびシステムに関する。
現在,航空宇宙,半導体,精密機械,光学機器,自動車,複合材料等,様々な産業分野においてダイヤモンドが広く利用されている。
産業上のダイヤモンド分野全体に影響を及ぼす最新動向としては,いわゆるナノダイヤモンド,すなわち超分散ダイヤモンド(UDD:Ultra Disperse Diamonds)または超ナノ結晶ダイヤモンド(UNCD:Ultra NanoCrystalline Diamonds)に対する需要の高まりが挙げられる。これらは,個別分子と材料のバルク状態との間における物質の境界状態(boundary state)である。現在のところ,最も革新的な合成ダイヤモンドのタイプは,1960年代半ばにロシアで発見されたナノダイヤモンド粉末であり,それは所望の特性の新規複合材料および物体を作ることができるという独特の特徴により,現下,様々な技術分野に適用されている。
現在,ナノダイヤモンドは,触媒および先進複合材料において,また様々な応用分野の生物学的およびナノ医学的研究において,高分子化合物,潤滑剤および塗装剤の添加剤,あるいは精密研磨組成物における研磨剤として広く利用されている。
ナノダイヤモンドの製造プロセスは通常,合成および精製という2つの主要な段階を含む。
現在,ナノダイヤモンドの合成を行う技術がいくつか存在する。ナノダイヤモンドは通常,爆発物の分子に含まれる炭素からデトネーティング(detonating)(爆発)により合成する(デトネーション(detonation)由来のナノダイヤモンドと称する)。また,ナノダイヤモンドは,超音波キャビテーション(ultrasonic cavitation)により,大気圧かつ室温で有機液体のグラファイト懸濁液から合成可能である。その収率は,およそ10%である。別の合成技術としては,グラファイトへの高エネルギーレーザーパルスの照射が挙げられる。得られるダイヤモンドの構造および粒子サイズは,爆発で得られるものとほぼ同等である。
一般的に,ナノダイヤモンドの爆発合成は,爆発分子に含まれる炭素源(carbon source)から,不活性雰囲気中での固体爆発物のデトネーションにより行われる(たとえば,V. Yu. Dolmatov「Detonation synthesis of ultra-dispersed diamonds:properties and applications(超分散ダイヤモンドのデトネーション合成:その特性と応用)」,Russian Chemical Reviews,2001,V.7(7),P,607−626参照)。デトネーションウエイブ(爆発波)の前方では化学結合の分解が生じて,莫大なエネルギーが瞬間的に解放される。高温(3,000〜4,000K)かつ高圧(20〜30GPa)の環境では,1マイクロ秒にも満たない間に,爆発炭素から高分散炭素媒体が凝集される。デトネーション合成の条件下では,爆発炭素が完全にダイヤモンド相に変換されるわけではない。炭素の収率は爆発物重量の4〜10%であり,大掛かりな精製および分離の工程が必要である。
固体爆発物のデトネーションにより合成されたUDDからのナノダイヤモンドの精製は,様々な機械的処理および化学的処理を含む複雑なプロセスである。特に,ナノダイヤモンドの精製は通常,生成プロセスで作られた様々な混合物を機械的に除去することから始まる。その後,ダイヤモンド相を分離するため,硫酸および硝酸を含む組成物をもってダイヤモンド−炭素粉末を熱酸化させる。そして,酸性媒体からの分離後,ナノダイヤモンド粒子を水洗する。
たとえば,KorjenevskyほかによるPCT特許出願WO03/086970号には,超分散合成ダイヤモンドの生成(製造)(production)および精製(purification)技術の記載がある。この方法は,非酸化性雰囲気の爆発チャンバーの閉空間内における,負の酸素平衡を有する爆発性材料のデトネーション−変換と,爆発生成物の排出と,鉱酸(無機酸)による熱化学的精製およびそれに続く不純物の洗浄とを含む。凝集されたデトネーション生成物はさらに,衝撃波の作用に晒される。化学的精製は,硝酸水溶液を用いて以下3つの段階により行う。第1の段階は,20〜60℃の範囲の温度で0.5〜5時間の周期モードである。第2の段階は,110〜300℃の温度範囲で20〜120分の連続モードであり,5つの温度領域を有する。そして,第3の段階は,20〜80℃の範囲の温度で0.5〜5時間の周期モードであり,反応集合体に対して酸素含有気体混合物を付加的に吹き付ける。凝集生成物への衝撃波の追加作用は,5〜20分の時間間隔で1〜50回繰り返し行う。その際,衝撃波面の圧力は,0.4〜15.0MPAの範囲に特定される。
Stavrevほかに付与された米国特許第5,353,708号には,不活性ガス環境を設けずに超分散ダイヤモンドを生成する方法の記載がある。このプロセスは,閉空間内で水に囲まれた有機爆発物を爆発させる工程を含み,当該有機爆発物は化学量論的に負の酸素平衡を有しており,上記爆発を通常環境または低真空環境で起こすものである。このデトネーションプロセスは,爆発が軽減されない閉空間で進行する。爆発物は,装填中心から周縁部に向かうデトネーションプロセスの半径方向−軸方向制御を備えたオートクレーブ(耐圧ガマ)等の固体シェル内,および装填周縁部から中心への半径方向−軸方向制御を備えたソフトシェル内に配置される。通常の装填量は,直径がおよそ1.2mで長さが1.8mの円筒状空間の場合,およそ400〜800gである。従来技術のデトネーション法で得られるナノダイヤモンドは,デトネーション合成の条件にも依るが,通常2〜50nmの範囲の比較的広い粒子サイズ分布が特徴である。初期のナノダイヤモンド粒子は,フラクタルクラスタ構造(サイズ30〜40nm)を形成し,最終的により大きな凝集体(数百nmオーダーの大きさ)を形成する。従来技術により得られるナノダイヤモンドは,通常の状態では,UDD粒子重量で最大,およそ96〜98%の純度,0.3〜1.1nm/gの細孔(pore)容積,および8〜10nmの平均細孔直径を有する粉末である。
Wengong Zhangほかに付与された中国特許第1547843号には,常温,常圧で連続的にナノダイヤモンド結晶を合成する非爆発式の方法が記載されている。この方法によれば,適正な保護雰囲気による保護の下,連続的に流れる(そしてシフトする)浸漬液相内に存在する固体炭素源の表面に集束パルスレーザービームを照射する。固体炭素源の表面上を流れる液体薄層の厚さは,0.002〜0.500ml/秒の液体流量で0.01〜5.00mmの範囲となるように制御する。その結果,処理領域(反応器)から流れ出る前に,固体−液体界面に作られた高温,高圧微小領域でナノダイヤモンド粒子が形成される。
この発明は,その広範な一面において,非ダイヤモンド炭素源(carbon non-diamond source)を含む特製固体ターゲットの表面から所定の距離において透明液体中に集束された照射ビームにより音響衝撃波(acoustic shock waves)を発生させることよってナノダイヤモンドを生成(製造)(produce)する新たな方法(アプローチ)を提供する。特製ターゲットを音響衝撃波で処理すると,ダイヤモンドナノ結晶が形成される。
この発明のいくつかの実施形態において,ナノダイヤモンド合成プロセスは,焦点面(focusing plane)と固体炭素源ターゲットの表面との間の距離,および/またはレーザーパルスのエネルギー束,および/または幅,および/または形状,および/または特製炭素源ターゲットの含有量(content)のうちの少なくとも1つを変化させることによって制御するようにしてもよい(制御することができる)。たとえば,3.9〜300nmの平均初期粒子サイズは,少なくとも照射ビームのエネルギー強度(強さ)(intensity)を変化させることによって制御するようにしてもよい(制御することができる)。
この方法を用いて,特性(純度,均一性等)が向上したナノダイヤモンドを得ることができる。
この発明の広範な別の面によれば,
−炭素源ターゲット(carbon source target)を設け,
−炭素源ターゲットの表面に液体層を設け,
−照射(放射)エネルギービーム(irradiation energy beam)を発生し,
−炭素源ターゲットの表面の上の所定距離であって,液体内の選択された領域(selected
area)(選択領域)に照射エネルギービームを集束(フォーカシング)させる,
ことを含むナノダイヤモンドの粉末(パウダー)の合成方法が提供される。
特定の流体力学的効果が発生し,炭素源ターゲットの表面に衝撃が加えられる。より具体的には,ダイヤモンドの立方結晶構造を形成するのに十分な条件(温度,圧力等)が与えられる。このいわゆる「光−水圧(液圧)効果(light-hydraulic effect)」は,1963年に,発見され,そしてA.Prokhorovほかの名義でUSSRにNo.65の番号の下で登録された「科学的発見」として開示されている。
また,炭素源ターゲットを液体内に浸す(浸漬する)ことによって,当該ターゲットの表面に液体層を設けるようにしてもよい(設けることができる)。
この発明は,さらに別の面において,合成ナノダイヤモンド材料をさらに浄化(cleaning)または精製(purification)することを提供する。ナノダイヤモンドは,脱イオン水中で浮選法(flotation method)により分離および浄化を行うようにしてもよい(行うことができる)し,さらに任意で洗浄および乾燥も行うようにしてもよい。
上記ターゲットの炭素含有材料は,フラーレン(fullerene),非晶質(アモルファス)炭素,グラファイトおよび固体炭化水素から選ばれる少なくとも1つの要素を含んでいてもよい(含むことができる)。
上記液体は,少なくとも水,グリセリン,アセトン,ベンゼンまたは別の液体炭化水素を含んでいてもよい。
照射エネルギービームは,レーザーで発生させるようにしてもよい。
いくつかの実施形態において,レーザーは,532〜1,320nmの範囲の少なくとも1つの波長で動作するものである。
照射エネルギービームは,少なくとも1つのレーザーパルスで発生させるようにしてもよい。
いくつかの実施形態において,レーザーパルスは,矩形パルスである。
レーザーパルスの幅は,1〜およそ5,000ナノ秒,最も好ましくは10〜およそ20ナノ秒の範囲であってもよい。
レーザーパルスの強度(強さ)は,およそ106〜およそ1013W/cm2,好ましくはおよそ1010〜およそ1011W/cm2の範囲であってもよい。
炭素源ターゲットの表面の上の所定距離は,およそ0.1〜およそ20mm,好ましくはおよそ2〜3mmの範囲であってもよい。
この発明の広範な別の面によれば,液体内に浸漬(浸)された炭素含有炭素源ターゲット(carbon containing carbon source target)を収容する保持アセンブリと,炭素源ターゲットに向かい,当該炭素源ターゲットの表面の上の所定距離の位置において上記液体内の選択された領域上に集束される(焦点の合った)照射(放射)エネルギービームを発生するように構成された照射エネルギーアセンブリとを備えるナノダイヤモンド合成システムが提供される。
保持アセンブリは,液体内に浸漬された(浸された)炭素源ターゲットを収容する液体収容容器を備えていてもよい(備えることができる)。
いくつかの実施形態において,上記容器は,それを通過する照射エネルギービームに対して透明なウィンドウを備えていてもよい。
照射エネルギー源は,532〜1,320nmの範囲の少なくとも1つの波長,好ましくは1,064nmで発光するように動作可能なレーザーを備えていてもよい。
この発明の広範な別の面によれば,以下のパラメータの少なくとも一つにより特徴づけられる超分散ダイヤモンド組成物(diamond composition of matter)が提供される。
i)99%より高い純度を有する;
ii)3.9〜300nmの平均粒子サイズを有する。
この発明によれば,ナノダイヤモンド組成物は,上記特徴をすべて備えていることが好ましい,すなわち,99%より高い純度および2〜30nmの粒子分布を有することが好ましい。
純度は,99%を超え,好ましくは99.6%を超え,最も好ましくは99.9%超である。
ナノダイヤモンド粒子サイズ分布は,2〜20nm,または2〜12nm,または2〜8nm,最も好ましくは2〜4nmであってもよい。
「ナノダイヤモンド組成物(nanodiamond composition of matter)」という用語は,ナノダイヤモンドが消費者に提供される際の最終形態(製品)を意味しており,ナノダイヤモンド粒子だけではなく,炭素源ターゲット材料の残留物,またはプロセスで用いられた環境材料等のその他残留物である組成物(composition of matter)(混合物)中の微量の不純物を含む。
この発明の一面によれば,ナノダイヤモンド組成物の大部分(99.6%超,好ましくは99.95%超)は,ナノダイヤモンド粒子自体で構成されていてもよい(構成することができる)。
この発明の方法およびシステムで生成(製造)(produce)されるナノダイヤモンド粉末(パウダー)の純度は,最大99.96wt%が可能であり,競合する従来技術のナノダイヤモンド製品のおよそ98wt%という数字を凌駕する。同様に,この発明のナノダイヤモンド粉末は,主としておよそ4〜5nmというナノダイヤモンド粒子(particle)の狭いサイズ分布を特徴とする。
この発明のナノダイヤモンド製品(nanodiamond product)は,高価な機器,反応混合物,または長々しくて複雑な精製プロセスを用いることなく,簡単かつ効率的に製造することができる。
この発明のナノダイヤモンド製品は,製造コストを低くすることができる。
この発明のナノダイヤモンドに基づいて,研磨製品,潤滑剤,冷媒,調合薬,高分子化合物,化学的硬化剤,静電塗装剤,電解質添加剤,CVD法によるダイヤモンド成長のための前駆体,触媒等の様々なプレパレーションズ(preparations)を製造するようにしてもよい(することができる)。
この発明の理解を得るとともにその実際の実施方法を示すため,以下,添付の図面を参照して,それには限定されない例のみに基づき,実施形態を説明する。
図1は,この発明の一実施形態に係るナノダイヤモンド合成システム10の一例を示す簡易模式図である。 図2Aおよび図2Bはそれぞれ,デトネーション法(爆発法)に基づく技術およびこの発明の合成法により得られたナノダイヤモンドの熱重量解析(Thermo Gravimetric Analysis)の結果を示す。 図3Aおよび図3Bはそれぞれ,デトネーション法およびこの発明の合成法により生成されたナノダイヤモンドについて得られたラマンスペクトルを示す。
図1を参照して,この図は,この発明の一実施形態に係るナノダイヤモンド合成システム10の一例を示す簡易模式図である。システム10は,液体内に浸漬された(浸された)炭素含有炭素源ターゲット(a carbon containing carbon source target)12を収容する容器11等を備える保持アセンブリを具備する。また,このシステムは,炭素源ターゲット12に向かう照射(放射)エネルギービーム(irradiation energy beam)14を発生し,当該照射エネルギービーム14を選択された領域(選択領域)15上に集束(集光)(焦点をあわせる)させるように構成された照射エネルギーアセンブリ13を具備する。選択領域15は,炭素源ターゲット12の表面16の上の液体内において,表面16から所定の距離dに配置されている。図1に示すように,容器11は,そこを通過する照射エネルギービーム14に対して透明なウィンドウ17を備えていてもよい。照射エネルギー源13は,照射エネルギービーム14を選択領域15上に集束させるように構成された集束ユニット(focusing unit)18等のビーム形成光学系を具備する。集束ユニットは,線状等の所望の形状の照射スポットを提供するように設計することができることに留意すべきである。また必要ならば,システム10は,表面16の上の距離dにおいて可視化される平面(a plane)20に沿って選択領域15を相対的に変位するように構成された少なくとも1つのステージ/コンベヤ19を備えてもよい。当然のことながら,この相対的変位は,炭素源ターゲット12または照射エネルギービーム14を移動させることによって実現可能である。これに代えて,相対的変位は炭素源ターゲット12および照射エネルギービーム14の両方を相互に移動させることによっても実現可能である。
また,当然のことながら,この発明は,図1に示すシステムの実施例に限定されない。したがって,別の実施例によれば,照射エネルギービーム14を容器11の内部に配置することも可能である(図示せず)。
炭素源ターゲット12の炭素含有材料(carbon containing materials)の一例としては,フラーレンC60〜C100,アモルファス(非晶質)炭素,グラファイト,およびスチレンやナフタレン等の固体炭化水素のうちの少なくとも1つが挙げられる。また,炭素源ターゲット12を浸漬する液体としては,たとえば照射エネルギービーム14に対して透明な水,またはグリセリン,エタノール,アセトン,脂肪酸等の炭素含有物質を含む水が挙げられる。同様に,水は,希ガスやCO2等の気体が溶け込んでいてもよい。液体に気体を添加する目的の一つは,発生した圧縮衝撃波(compression shock waves)を高めることである。
好ましくは炭素源ターゲット12の炭素含有材料は,煤(soot)の形態である。
その場合,炭素源ターゲット12は,炭化水素および液体をさらに含んでいてもよい(含むことができる)。
この実施例によれば,集束ユニット18は,所望の形状および寸法の照射スポットを提供する1つまたは複数の光学レンズを配置したもの(図1には1つのレンズのみ図示)を備えることができる。
上記集束照射エネルギービーム14の特性を有する照射エネルギー源13の一例としては,炭素源ターゲット12の表面に衝撃を与える特定の流体力学効果を生じさせるレーザー光源21,より具体的には,ダイヤモンドの立方結晶構造を形成するのに十分な条件(温度,圧力等)を与えるレーザー光源21が挙げられるが,これに限定されない。このいわゆる「光−水圧効果」は,1963年に,発見され,かつA.Prokhorovほかの名義でUSSRにNo.65の下で登録された「科学的発見」として開示されている。
この発明の本質は,この発明を説明し,そして当業者にこの発明の実施および使用を教示することを意図した以下の,限定的でない実施例によって,より理解可能である。この実施例は,この発明の範囲またはその保護範囲を何ら限定するものではない。
炭素源ターゲットとしては,1〜3mmの範囲の厚さ(幅)を有する市販のフラーレンC60〜C100とバインダとの混合層が利用可能である。バインダは,有機ワックス等の低融点固体炭化水素を含んでいてもよい(含むことができる)。また,この層は,何らかの基板上に載置され,脱イオン水に浸漬可能である。
炭素源ターゲットの表面の上の脱イオン水層(deionized water layer)の厚さは,たとえば0.5〜10mmが可能である。
いくつかの実施形態においては,炭素源ターゲットの炭素含有材料として炭素煤を利用可能である。
この発明によれば,532〜1,064nmの範囲の波長で動作する市販のレーザー光源を用いてナノダイヤモンドの生成(製造)(produce)が可能である。炭素源ターゲットの表面の上の液相内における選択領域に,およそ0.01〜5マイクロ秒の範囲のパルス幅を有する電磁エネルギーの少なくとも1つの単一矩形パルスを照射することができる。レーザーパルスの強度は,およそ106〜およそ1013W/cm2,好ましくはおよそ1010〜およそ1011W/cm2の範囲であってもよい。選択領域と炭素源ターゲットの表面との間の所定距離は,0.5〜10mmの範囲,好ましくは2〜5mmの範囲が可能である。
特定の一実施例においては,脱イオン水に浸漬された炭素源ターゲットの表面の上およそ3mmの距離において液体内に配置された選択領域上に集束されたパルス幅12ナノ秒,強度およそ7×1010のレーザーパルスを用いることにより,ナノダイヤモンド粒子の平均サイズがおよそ4〜5nmのナノダイヤモンドが得られた。照射後,生成された材料に洗浄工程を適用して,未変換の材料およびバインダから合成ナノダイヤモンド材料を分離した。
この発明は,さらに別の面において,合成ナノダイヤモンド材料をさらに浄化または精製することを提供してもよい。ナノダイヤモンドは,任意で洗浄および乾燥も行うことにより,脱イオン水中で浮遊選(浮選)法(flotation method)により分離および浄化を行うようにしてもよい(することができる)。
この発明のプロセスおよびシステムによって,ナノダイヤモンドの以下の特性が得られる。
ナノダイヤモンド粉末の純度は,従来のX線蛍光(XRF:X-Ray Fluorescence)法による測定により,最大,ナノダイヤモンド粒子重量で99.99%である。
この発明に従って生成されたナノダイヤモンド粒子のサイズは,およそ2〜10nmであり,従来のトンネル電子顕微鏡法(TEM:Tunneling Electron Microscopy)での測定では,主に4〜5nmの間に分布しており,非常に均一である。
特定の実施例において,この発明のナノダイヤモンド粉末は,0.004%の不燃性残留物,ゼータ電位:+45(pH=7),および水中での凝集サイズ:5〜50nmのうちの少なくとも1つによって特徴づけることができる。
図2Aおよび図2Bはそれぞれ,デトネーションまたは爆発に基づく方法およびこの発明の方法により生成されたサンプルの熱重量解析結果(TGA:Thermo Gravimetric Analysis)を示す。この発明に従って作られたナノダイヤモンドサンプルのTGAグラフ(図2B)は,デトネーションまたは爆発に基づく方法により生成されたサンプルの分解温度範囲390℃よりも狭い分解温度範囲(temperature range of decomposition)250℃を示している。図2AのT=590℃におけるフラクチャー(fracture)(折れ線)は,材料の不均質性を示している。このフラクチャーは,本発明によって作られたサンプルの特徴を示す図2Bには存在しない。
図3Aおよび図3Bはそれぞれ,デトネーションまたは爆発に基づく方法およびこの発明の方法により生成されたナノダイヤモンドサンプルのラマンスペクトルを示す。図3Bのスペクトルの1,323cm-1における強いピークは,この発明により生成されたサンプルに関して,デトネーションまたは爆発に基づく方法(図2A)よりも高いダイヤモンド相含有量(率)(content)に対応している。1,332cm-1から1,322cm-1への(図3A),および1,323cm-1(図3B)へのダイヤモンドに対応したピークシフト,ならびに1,590cm-1から1,620cm-1への,および1,625cm-1のGラインのシフトは,およそ2〜6nmの平均ナノダイヤモンドサイズを裏付けるものと考えられる。また,図3Aのラマンスペクトルの1,350cm-1のピークはサイズ30〜50nmの粒子の存在を示し,1,585cm-1におけるピークはグラファイトの存在を示している。
この発明のナノダイヤモンドの可能性ある応用分野としては,機械建造,造船,宇宙航空産業,研磨剤や医療用工具,エレクトロニクス,半導体製造,電気工学,医薬,精密加工,化学,生物学等が挙げられるが,これらに限定されない。たとえば,この発明の方法およびシステムにより生成されるナノダイヤモンドは,無線工学,エレクトロニクス,光学,医薬および機械建造に用いる高精密材料を得るための研磨ペーストおよび懸濁液の添加剤として利用してもよい。このような用途においては,ナノダイヤモンドにより,処理面の粗さを数ナノメートル以下まで容易に低減できる。さらに,この発明の方法およびシステムにより得られるナノダイヤモンドは,溶液および溶融物からの重合,化学的硬化,電子ビーム,ガス火炎,および静電塗装等の技術に利用してもよい。同様に,この発明の方法およびシステムにより得られるナノダイヤモンドは,たとえばモーターやトランスミッションのオイルの添加剤等,潤滑物質および潤滑冷却液を作るのに利用可能である。
さらに,この発明の方法およびシステムにより得られたナノダイヤモンドは,金属めっき技術にも利用可能である。この場合,ナノダイヤモンドは,Cr,Ni,Cu,Au,Ag,Zn,Sn,Al,NiB等の金属とともに使用可能である。
この発明の方法およびシステムの利用例としてナノダイヤモンドの生成を示したが,この技術は,必要な変更を加えて,立方晶窒化ホウ素(CBN:Cubic Boron Nitride)の生成にも利用可能である。CBNは,その多結晶構造がダイヤモンドと類似しており,カーバイド基板にも接合される。CBNには,数多くの応用分野で高い関心が集まっている。CBNは,最も一般的な材料用の切削工具において有効に作用するものと考えられる。ただし,チタンやチタン合金材料は,非常に硬くて脆弱であるため例外である。CBNは,高い硬度や剛性,広い波長範囲にわたる光学的透明性,耐薬品性,および高伝熱性等,数多くの際立つ特性が組み合わさったものである。
当然のことながら,この明細書中で使用する専門用語は説明を目的としたものであり,限定的なものと見なされるべきではない。
また,当業者は当然のことながら,添付の請求の範囲に規定するこの発明の範囲から逸脱することなく,上述したこの発明の実施形態に対して種々改良および変更をすることができることと理解されたい。

Claims (30)

  1. 炭素含有材料を含む炭素源ターゲットを設けるステップと,
    前記炭素源ターゲットの表面に液体層を設けるステップと,
    照射エネルギービームを発生するステップと,
    前記炭素源ターゲットの表面から所定の距離において,前記液体層内の選択された領域に前記照射エネルギービームを集束させるステップと,
    を含むナノダイヤモンドの制御された合成方法。
  2. 前記炭素源ターゲットが,前記炭素含有材料と混合されたバインダをさらに含む,請求項1に記載の方法。
  3. 前記バインダが低融点固体炭化水素を含む,請求項2に記載の方法。
  4. 前記低融点固体炭化水素が有機ワックスを含む,請求項3に記載の方法。
  5. 前記液体が水を含む,請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記水が脱イオン水である,請求項5に記載の方法。
  7. 前記照射エネルギービームが,前記炭素源ターゲットの表面に衝撃を与える光−水圧効果を生じさせるパラメータを有する,請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記炭素源ターゲットの表面上の前記液体層が,当該炭素源ターゲットを当該液体に浸漬することによって設けられる,請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記炭素含有材料が,フラーレン,非晶質炭素,グラファイトおよび固体炭化水素のうちの少なくとも1つを含む,請求項1に記載の方法。
  10. 前記炭素含有材料が煤の形態である,請求項1または9に記載の方法。
  11. 前記照射エネルギービームが少なくとも1つのレーザーによって生成される,請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記少なくとも1つのレーザーが,およそ532〜1,320nmの範囲の少なくとも1つの波長で動作するものである,請求項11に記載の方法。
  13. 前記照射エネルギービームが少なくとも1つのレーザーパルスによって生成される,請求項11または12に記載の方法。
  14. 前記少なくとも1つのレーザーパルスが,およそ0.001〜およそ5マイクロ秒の範囲の幅を有する,請求項13に記載の方法。
  15. 前記照射エネルギービームが,およそ106〜およそ1013W/cm2の範囲の強度を有する,請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記炭素源ターゲットの表面からの前記所定の距離が,およそ0.1〜およそ20mmの範囲である,請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記炭素源ターゲットの表面からの前記所定の距離が,およそ2〜3mmである,請求項16に記載の方法。
  18. 浮選の適用により前記合成ナノダイヤモンドを精製するステップをさらに含む,請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
  19. 液体に浸漬された炭素含有炭素源ターゲットを収容する保持アセンブリと,
    前記炭素源ターゲットに向かい,当該炭素源ターゲットの表面の上の所定距離において前記液体内の選択された領域に集束される照射エネルギービームを発生するように構成された照射エネルギーアセンブリと,
    を備えるナノダイヤモンド合成システム。
  20. 前記照射エネルギーアセンブリが,前記炭素源ターゲットの表面に衝撃を与える光−水圧効果を生じさせることができるものである,請求項19に記載のシステム。
  21. 前記保持アセンブリが容器を備える,請求項19に記載のシステム。
  22. 前記照射エネルギーアセンブリが少なくとも1つのレーザーを備える,請求項19に記載のシステム。
  23. 前記少なくとも1つのレーザーが,およそ532〜1,230nmの範囲の少なくとも1つの波長の光を発するように動作可能である,請求項22に記載のシステム。
  24. 前記少なくとも1つのレーザーがパルスモードで動作可能である,請求項22または23に記載のシステム。
  25. 以下のパラメータ:
    99%w/wより高い純度を有する,
    およそ2〜300nmの粒子サイズ分布を有する,
    の少なくとも一つにより特徴づけられるナノダイヤモンド組成物。
  26. およそ2〜10nmの粒子サイズ分布を有する,請求項25に記載のナノダイヤモンド組成物。
  27. 99.6%w/wより高い純度を有する,請求項25または26に記載のナノダイヤモンド組成物。
  28. およそ2〜4nmの粒子サイズ分布を有する,請求項25または27に記載のナノダイヤモンド組成物。
  29. およそ250℃の分解温度範囲を有する,請求項25〜28のいずれか一項に記載のナノダイヤモンド組成物。
  30. ラマンスペクトルにおける1,323cm-1のピークによって特徴づけられる,請求項25〜29のいずれか一項に記載のナノダイヤモンド組成物。
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