JP2015233055A - BiTe系ナノコンポジット熱電材料およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】Bi2(Te、Se)3母相にAgドープTeが分散されてなるナノコンポジット熱電材料、および、BiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法であって、固溶限より多い量のTeとともにBi、SeおよびAg+イオンが含まれた状態で、エタノールスラリー中のBi、Te、SeおよびAg+イオンを水熱処理して、Bi、Te、Se母材中においてAg+イオンをエタノール還元するとともに、還元されたAgを過剰Teに対してドープさせてBi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを分散させる、前記方法。【選択図】なし
Description
本発明は、ナノコンポジット熱電材料およびその製造方法に関し、さらに詳しくは新規なN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料およびその製造方法に関する。
近年、地球温暖化問題から二酸化炭素排出量を削減するために、化石燃料から得られるエネルギーの割合を低減する技術への関心が益々増大しており、その1つとして未利用廃熱エネルギーを電気エネルギーに直接変換し得る熱電材料が挙げられる。
前記の熱電材料は、火力発電のように熱を一旦運動エネルギーに変換しそれから電気エネルギーに変換する2段階の工程を必要とせず、熱から直接的に電気エネルギーに変換することを可能とし得る。
前記の熱電材料は、火力発電のように熱を一旦運動エネルギーに変換しそれから電気エネルギーに変換する2段階の工程を必要とせず、熱から直接的に電気エネルギーに変換することを可能とし得る。
そして、熱から電気エネルギーへの変換は、通常熱電材料から成形したバルク体の両端の温度差を利用して行われる。この温度差によって電圧が生じる現象はゼーベックにより発見されたのでゼーベック効果と呼ばれている。この熱電材料の性能は、次式:Z=α2σ/κ(=Pf/κ)で求められる性能指数Zで表わされる。
ここで、αは熱電材料のゼーベック係数、σは熱電材料の導電率、κは熱電材料の熱伝導率である。α2σの項をまとめて出力因子Pfという。そして、Zは温度の逆数の次元を有し、この性能指数Zに絶対温度Tを乗じて得られるZTは無次元の値となる。そしてこのZTを無次元性能指数と呼び、熱電材料の性能を表す指標として用いられている。
ここで、αは熱電材料のゼーベック係数、σは熱電材料の導電率、κは熱電材料の熱伝導率である。α2σの項をまとめて出力因子Pfという。そして、Zは温度の逆数の次元を有し、この性能指数Zに絶対温度Tを乗じて得られるZTは無次元の値となる。そしてこのZTを無次元性能指数と呼び、熱電材料の性能を表す指標として用いられている。
熱電材料が幅広く使用されるためにはその性能、特に低温での性能をさらに向上させることが求められている。そして、熱電材料の性能向上には前記の式から明らかなように、より高いゼーベック係数α、より高い導電率σであることによるより高い出力因子、より低い熱伝導率κが求められる。
しかし、これらすべての項目を同時に改良することは困難であり、熱電材料の前記項目のいずれか1つを改良する目的で多くの試みがなされている。
しかし、これらすべての項目を同時に改良することは困難であり、熱電材料の前記項目のいずれか1つを改良する目的で多くの試みがなされている。
例えば、特許文献1には、第1熱電半導体よりなるマトリクスと該マトリクス中に分散した第2熱電半導体よりなる分散粒子とを有する熱電半導体組成物が記載され、前記第1熱電半導体としてAgBiTe2が、前記第2熱電半導体としてAg2Teが示されている。
また、特許文献2には、熱電変換材料の複数の塩を配合する際に、構成要素のうち半導体である1種の構成元素の塩を化学量論組成に対して過剰量に配合して溶液を作成し、還元剤と混合して作成したスラリーを水熱合成して化学量論組成の部分を合金化させて熱電変改材料のナノ粒子を形成し、ナノ粒子の混合粉末を焼結、熱間強加工して半導体ナノワイヤーを形成するナノコンポジット熱電変換材料の製造方法が記載されており、具体例として(Bi、Sb)2Te3のマトリクス(母相)中に半導体ワイヤー(Te)が分散したナノコンポジット熱電変換材料を得た例が示されている。
また、特許文献2には、熱電変換材料の複数の塩を配合する際に、構成要素のうち半導体である1種の構成元素の塩を化学量論組成に対して過剰量に配合して溶液を作成し、還元剤と混合して作成したスラリーを水熱合成して化学量論組成の部分を合金化させて熱電変改材料のナノ粒子を形成し、ナノ粒子の混合粉末を焼結、熱間強加工して半導体ナノワイヤーを形成するナノコンポジット熱電変換材料の製造方法が記載されており、具体例として(Bi、Sb)2Te3のマトリクス(母相)中に半導体ワイヤー(Te)が分散したナノコンポジット熱電変換材料を得た例が示されている。
また、特許文献3には、複数の二元合金をボールミル粉砕して多元素熱電合金粉末を形成する方法が記載され、具体例としてBi2Te3とSb2Te3の組み合わせ、PbSbとAgTeの組み合わせが示されている。
さらに、特許文献4には、式:Bi2−xSbxTey(但し、1.5≦x≦1.8、3.0<y≦4.0)で示される熱電材料が記載されている。
さらに、特許文献4には、式:Bi2−xSbxTey(但し、1.5≦x≦1.8、3.0<y≦4.0)で示される熱電材料が記載されている。
しかし、前記の特許文献1に示されている熱電材料はAg2Teのゼーベック係数がマトリックスよりも小さく熱電材料全体のゼーベック係数が低下し、特許文献2に示されている熱電変換材料ではP型材料である金属Teを含むためN型の熱電マトリクスにドープすると熱電材料単体のゼーベック係数が低下する。また、前記の特許文献3に示されているPbSbとAgTeの組み合わせはPbSbがBiTe系熱電材料ではなく、前記の特許文献4に記載の熱電材料はBi−Sb−Te系の熱電材料である。つまり、従来公知の熱電材料では、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を得ることは困難である。
従って、本発明の1つの目的は、熱電材料の母相(マトリックス)に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料として、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を提供することである。
また、本発明の他の目的は、熱電変換材料の母相に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料として、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、熱電変換材料の母相に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料として、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法を提供することである。
本発明は、Bi2(TeS、e)3母相にAgドープTeが分散されてなるナノコンポジット熱電材料に関する。
また、本発明は、BiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法であって、
固溶限より多い量のTeとともにBi、SeおよびAg+イオンが含まれた状態で、エタノールスラリー中のBi、Te、SeおよびAg+イオンを水熱処理して、
Bi、Te、Se母材中においてAg+イオンをエタノール還元するとともに、還元されたAgを過剰Teに対してドープさせてBi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを分散させる、前記方法に関する。
また、本発明は、BiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法であって、
固溶限より多い量のTeとともにBi、SeおよびAg+イオンが含まれた状態で、エタノールスラリー中のBi、Te、SeおよびAg+イオンを水熱処理して、
Bi、Te、Se母材中においてAg+イオンをエタノール還元するとともに、還元されたAgを過剰Teに対してドープさせてBi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを分散させる、前記方法に関する。
本発明によれば、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を得ることができる。
また、本発明によれば、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を容易に得ることができる。
また、本発明によれば、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を容易に得ることができる。
以下、本発明の実施態様について図面を参照して詳説する。
本発明の実施態様の熱電材料は、図1−4に示すように、Bi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを含むナノ粒子が分散されてなるナノコンポジット熱電材料である。
本発明の実施態様のナノコンポジット熱電材によれば、N型熱電母材であるBi2(TeS、e)3母相と、過剰に存在するTeにAgがドープされたAgドープTeが複合化されているので、Te単独の場合のようにTeがP型の材料であるために生じるキャリア濃度の低下をもたらすことなく、N型の性質を有している。
本発明の実施態様の熱電材料は、図1−4に示すように、Bi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを含むナノ粒子が分散されてなるナノコンポジット熱電材料である。
本発明の実施態様のナノコンポジット熱電材によれば、N型熱電母材であるBi2(TeS、e)3母相と、過剰に存在するTeにAgがドープされたAgドープTeが複合化されているので、Te単独の場合のようにTeがP型の材料であるために生じるキャリア濃度の低下をもたらすことなく、N型の性質を有している。
また、本発明の実施態様の熱電材料の製造方法においては、図5に示すように、Bi2(Te、Se)3の合金を形成するための量論比より多い量、すなわち固溶限より多い量のTeとともにBi、SeおよびAg+イオンが含まれるように、エタノール中にBi、Te、SeおよびAgの前駆体の塩を投入し、混合してエタノールスラリーを得る。
前記のエタノールスラリーの溶媒としては、エタノーを含む溶媒であれば特に制限はなく、エタノール単独あるいはエタノールとメタノール、1−プロパノール、イソプロパノール、1−ブナノールおよび2−ブタノールから選ばれるアルカノールとの混合溶媒であり得る。
前記のBi、Te、SeおよびAgの前駆体の塩としては、例えば、前記元素のハロゲン化物、例えば塩化物、フッ化物、臭素化物、好適には塩化物や、硫酸塩、硝酸塩などが挙げられる。
前記のBi、Te、SeおよびAgの前駆体の塩としては、例えば、前記元素のハロゲン化物、例えば塩化物、フッ化物、臭素化物、好適には塩化物や、硫酸塩、硝酸塩などが挙げられる。
また、本発明の実施態様においてAgの量は、Agの過剰Teに対する割合(Ag/過剰Te)が0.2モル%以上、好適には20モル%以下の範囲、例えば0.2〜10モル%の範囲であり得る。
本発明の実施態様においては、図6に示すように、前記の過剰のTeとともにBi、SeおよびAgの前駆体の塩が含まれエタノールスラリーを加熱して、Bi、Te、SeおよびAg+イオンを水熱処理する。
前記の水熱処理は、例えばエタノールスラリーを密閉の高圧容器、例えばオートクレーブに入れ、100℃以上500℃未満の温度、好適には200℃以上400℃未満の温度に加熱して、熱電材料を構成するBi、Te、Seの合金化と、過剰Teの析出、およびエタノールによるAg還元とAgドープTe(図6でTeAgとして表示)の生成を起こす。
前記の水熱処理は、例えばエタノールスラリーを密閉の高圧容器、例えばオートクレーブに入れ、100℃以上500℃未満の温度、好適には200℃以上400℃未満の温度に加熱して、熱電材料を構成するBi、Te、Seの合金化と、過剰Teの析出、およびエタノールによるAg還元とAgドープTe(図6でTeAgとして表示)の生成を起こす。
前記の水熱処理後、通常は、自然冷却後、スラリーを回収、乾燥して、AgドープTeを含み、Ag固溶量が少ないBi2(Te、Se)3粉末としてN型のナノコンポジット熱電材料を得ることができる。
以下、本発明の実施例を示す。
以下の各例において、得られたナノコンポジット熱電材料についての測定は以下に示す方法によって行った。なお、以下の測定法は例示であって同等の測定法を用いて同様に測定し得る。
以下の各例において、得られたナノコンポジット熱電材料についての測定は以下に示す方法によって行った。なお、以下の測定法は例示であって同等の測定法を用いて同様に測定し得る。
ゼーベック係数の測定
測定サンプルの一端を加熱し、他端を冷却することにより生ずる温度差と熱起電力とに基いて算出する方法によって、アルバック理工製ZEM3を用いて測定。
測定サンプルの一端を加熱し、他端を冷却することにより生ずる温度差と熱起電力とに基いて算出する方法によって、アルバック理工製ZEM3を用いて測定。
実施例1
液相にて作成された塩化ビスマス、塩化テルルおよび塩化セレンのエタノールスラリーに、硝酸銀エタノール溶液を混合して、Agを過剰Teに対して(Ag/過剰Te)2.0モル%の割合で含むエタノールスラリーを調製した。このとき、硝酸銀はエタノールに溶解して銀はAg+イオンとして存在する。
液相にて作成された塩化ビスマス、塩化テルルおよび塩化セレンのエタノールスラリーに、硝酸銀エタノール溶液を混合して、Agを過剰Teに対して(Ag/過剰Te)2.0モル%の割合で含むエタノールスラリーを調製した。このとき、硝酸銀はエタノールに溶解して銀はAg+イオンとして存在する。
このスラリーを、攪拌機構を備えた熱処理容器(容量:500mL)に入れた。このとき、粉末重量16gに対してエタノール量は250mLであった。
次いで、スラリーを270℃、10時間の条件で水熱処理を施し、これによりBi、Te、Seの合金化およびTeの析出、Ag還元、AgドープTeの生成を行った。
自然冷却後、スラリーを回収し、乾燥して、ナノコンポジット熱電材料であるAgドープTeを含むBi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を図1、図2、図3、図4および図7に示す。
次いで、スラリーを270℃、10時間の条件で水熱処理を施し、これによりBi、Te、Seの合金化およびTeの析出、Ag還元、AgドープTeの生成を行った。
自然冷却後、スラリーを回収し、乾燥して、ナノコンポジット熱電材料であるAgドープTeを含むBi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を図1、図2、図3、図4および図7に示す。
実施例2〜5
塩化ビスマス、塩化テルル、塩化セレンおよび硝酸銀の量を変えて、Bi2(Te、Se)3に対する過剰なTeの割合、過剰Teに対するAgの割合(Ag/過剰Te)を図7に示すように変えた他は実施例1と同様にして、ナノコンポジット熱電材料であるAgドープTeを含むBi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を他の結果とまとめて図7に示す。
なお、各例におけるAg/過剰Te(mol%)は以下の通りである。
実施例1:1.7mol%
実施例2:2.0mol%
実施例3:2.5mol%
実施例4:5.6mol%
実施例5:7.7mol%
塩化ビスマス、塩化テルル、塩化セレンおよび硝酸銀の量を変えて、Bi2(Te、Se)3に対する過剰なTeの割合、過剰Teに対するAgの割合(Ag/過剰Te)を図7に示すように変えた他は実施例1と同様にして、ナノコンポジット熱電材料であるAgドープTeを含むBi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を他の結果とまとめて図7に示す。
なお、各例におけるAg/過剰Te(mol%)は以下の通りである。
実施例1:1.7mol%
実施例2:2.0mol%
実施例3:2.5mol%
実施例4:5.6mol%
実施例5:7.7mol%
比較例1
Agの過剰Teに対する割合(Ag/過剰Te)を0モル%に変えた他は実施例1と同様にして、Bi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を他の結果とまとめて図7に示す。
Agの過剰Teに対する割合(Ag/過剰Te)を0モル%に変えた他は実施例1と同様にして、Bi2(Te、Se)3粉末を得た。
得られた熱電材料について評価を行った。
得られた結果を他の結果とまとめて図7に示す。
図7から、N型高ゼーベック係数材料であるAgドープTeを含むナノ粒子をBi2(Te、Se)3母相に含むことにより、ナノコンポジット熱電材料としてN型のBi2(Te、Se)3熱電材料のゼーベック係数が向上することが確認された。
本発明によれば、ゼーベック係数を高め得るN型のBiTe系ナノコンポジット熱電材料を得ることができる。
Claims (2)
- Bi2(Te、Se)3母相にAgドープTeが分散されてなるナノコンポジット熱電材料。
- BiTe系ナノコンポジット熱電材料の製造方法であって、
固溶限より多い量のTeとともにBi、SeおよびAg+イオンが含まれた状態で、エタノールスラリー中のBi、Te、SeおよびAg+イオンを水熱処理して、
Bi、Te、Se母材中においてAg+イオンをエタノール還元するとともに、還元されたAgを過剰Teに対してドープさせてBi2(Te、Se)3母相にAgドープTeを分散させる、前記方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014118692A JP2015233055A (ja) | 2014-06-09 | 2014-06-09 | BiTe系ナノコンポジット熱電材料およびその製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108821771A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-16 | 桂林电子科技大学 | 一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法 |
US11024438B2 (en) | 2017-06-07 | 2021-06-01 | Lg Chem, Ltd. | Chalcogen-containing compound, its preparation method and thermoelectric element comprising the same |
-
2014
- 2014-06-09 JP JP2014118692A patent/JP2015233055A/ja active Pending
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US11024438B2 (en) | 2017-06-07 | 2021-06-01 | Lg Chem, Ltd. | Chalcogen-containing compound, its preparation method and thermoelectric element comprising the same |
CN108821771A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-16 | 桂林电子科技大学 | 一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法 |
CN108821771B (zh) * | 2018-05-29 | 2020-06-09 | 桂林电子科技大学 | 一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法 |
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