JP2015222742A - 基板構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品に対する電気的な接続を容易にする技術を提供することを目的とする。【解決手段】本出願は、電子部品が搭載された基板構造体を開示する。基板構造体は、前記電子部品を支持する支持領域と、前記支持領域に隣接する隣接領域と、を含む基板と、前記隣接領域を通じて前記電子部品に電気的に接続される導電部と、前記隣接領域を少なくとも部分的に被覆する樹脂層と、を備える。前記導電部は、前記樹脂層による被覆を回避する回避部を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品が搭載された基板構造体に関する。

特許文献１に開示される技術は、光導波路と光導波路に光学的に結合する光素子との間に充填される樹脂の流出防止に取り組む。特許文献１は、樹脂の流出が望ましくない領域と、樹脂が供給される領域と、の間に樹脂を堰き止める突条を設けることを提案する。

特開２０１１−３３６５９号公報

設計者は、設計上の制限、製品に要求される性能上の制限、製造プロセス上の制限や製造コスト上の制限といった様々な制限に起因して、突条に十分な高さ寸法を与えられないこともある。あるいは、設計者は、基板上の特定の領域において、突条を配置できないことある。

光素子に電気的に接続される導電部が、樹脂によって完全に覆われることは、光素子への電力供給或いは光素子からの電気信号の伝達を妨げることもある。例えば、導電部が、樹脂によって完全に覆われるならば、光素子と光素子へ電力を供給するための電源との間の電気的な接続は、樹脂によって妨げられる。

上述の課題は、光素子を搭載した光モジュールだけでなく、他の電子部品を搭載した様々な基板構造体にも共通する。

本発明は、基板構造体に対する電気的な接続を容易にする技術を提供することを目的とする。

本発明の一局面に係る基板構造体は、電子部品と、前記電子部品を支持する支持領域と、前記支持領域に隣接する隣接領域と、を含む基板と、前記隣接領域を通じて前記電子部品に電気的に接続される導電部と、前記隣接領域を少なくとも部分的に被覆する樹脂層と、を備える。前記導電部は、前記樹脂層による被覆を回避する回避部を含む。

上記構成によれば、導電部は、樹脂層による被覆を回避する回避部を含むので、導電部は、樹脂層から露出する。したがって、基板構造体に対する電気的な接続は容易に行われることになる。

上記構成において、前記導電部は、前記隣接領域に形成された第１導電層と、前記第１導電層から隆起した隆起部と、を含んでもよい。前記回避部は、前記隆起部に形成された導電性の表面を含んでもよい。前記導電性の表面は、前記樹脂層から突出した位置に配置されてもよい。

上記構成によれば、回避部として形成された導電性の表面は、樹脂層から突出した位置に配置されるので、導電性の表面は、樹脂層から露出する。したがって、基板構造体に対する電気的な接続は容易に行われることになる。

上記構成において、前記基板は、前記隣接領域から隆起した隆起領域を含んでもよい。前記回避部は、前記隆起領域に形成された第２導電層を含んでもよい。

上記構成によれば、第２導電層は、隣接領域から隆起した隆起領域に形成されるので、第２導電層は、樹脂層から露出する。したがって、基板構造体に対する電気的な接続は容易に行われることになる。

上記構成において、前記回避部は、前記樹脂層を形成する樹脂をはじく表面特性を有してもよい。

上記構成によれば、回避部は、樹脂層を形成する樹脂をはじく表面特性を有するので、回避部は、樹脂層から露出することができる。したがって、基板構造体に対する電気的な接続は容易に行われることになる。

上記構成において、前記樹脂層は、前記電子部品を封止してもよい。

上記構成によれば、樹脂層は、電子部品を封止するので、電子部品は、樹脂層によって保護されることとなる。

上記構成において、基板構造体は、前記回避部と前記電子部品との間で前記隣接領域から突出した突条を更に備えてもよい。

上記構成において、突条は、回避部と電子部品との間で隣接領域から突出するので、回避部の周囲の樹脂層は薄くなる。

上記構成において、前記電子部品は、電気エネルギと光エネルギとの間でのエネルギ変換を行う光素子を含んでもよい。

上記構成によれば、電子部品は、電気エネルギと光エネルギとの間でのエネルギ変換を行う光素子を含むので、基板構造体は、電気エネルギと光エネルギとを利用する様々な装置として利用可能となる。

上記構成において、基板構造体は、光を伝送する伝送部を更に備えてもよい。前記光素子は、前記伝送部に光学的に結合してもよい。

上記構成によれば、光素子は、伝送部に光学的に結合するので、基板構造体は、光素子から光を伝送することができる。あるいは、基板構造体は、光を光素子へ伝送することができる。

上記構成において、前記伝送部は、前記光素子と光学的に結合可能な第１材料から形成されたコア部と、前記コア部を覆う第２材料から形成されたクラッド部と、を含んでもよい。前記基板は、第３材料から形成されてもよい。前記回避部は、前記第１材料、前記第２材料及び前記第３材料のうち少なくとも１つを含む芯部と、前記芯部を少なくとも部分的に覆う導電性の被膜層と、を含んでもよい。

上記構成によれば、回避部は、第１材料、第２材料及び第３材料のうち少なくとも１つを含む芯部と、芯部を少なくとも部分的に覆う導電性の被膜層と、を含むので、回避部は、容易に形成される。

上記構成において、前記樹脂層は、前記光素子と前記伝送部との間に充填されたアンダーフィル層を形成してもよい。

上記構成によれば、樹脂層は、光素子と伝送部との間に充填されたアンダーフィル層を形成するので、異物は、光素子と伝送部との間に侵入しにくくなる。

本発明は、基板構造体に対する電気的な接続を容易にすることができる。

第１実施形態の基板構造体の概念図である。 基板の概略的な平面図である（第２実施形態）。 図２Ａに示されるＡ−Ａ線に沿う基板の概略的な断面図である。 基板の概略的な平面図である（第３実施形態）。 図３Ａに示されるＡ−Ａ線に沿う基板の概略的な断面図である。 第４実施形態の基板構造体として例示される光モジュールの概略的な断面図である。 図４に示される光モジュールの基板の概略的な平面図である。 第５実施形態の基板構造体として例示される光モジュールの概略的な断面図である。 第６実施形態の基板構造体として例示される光モジュールの概略的な断面図である。

添付の図面を参照して、基板構造体に関する様々な実施形態が以下に説明される。基板構造体は、以下の説明によって、明確に理解可能である。「上」、「下」、「左」や「右」といった方向を表す用語は、単に、説明の明瞭化を目的とする。したがって、これらの用語は、限定的に解釈されるべきものではない。

＜第１実施形態＞
電子部品と電気的に接続される導電部自体が、樹脂層による被覆を回避する構造的な特性或いは表面特性を有するならば、基板構造体に対する電気的な接続は容易化される。第１実施形態において、樹脂層による被覆を回避する構造的な特性或いは表面特性を有する基板構造体が説明される。

図１は、第１実施形態の基板構造体１００の概念図である。図１を参照して、基板構造体１００が説明される。

基板構造体１００は、電子部品２００と、基板３００と、導電部４００と、樹脂層５００と、を備える。電子部品２００は、電力の供給に応じて所定の動作を行ってもよい。代替的に、電子部品２００は、電気エネルギを出力する素子であってもよい。電子部品は、電気エネルギと光エネルギとの間でエネルギ変換を行う光素子であってもよい。光素子は、電気エネルギの供給に応じて、光を発してもよい。代替的に、光素子は、受光に応じて、電気信号を出力してもよい。本実施形態の原理は、電子部品２００の特定の用途及び特定の機能に限定されない。

図１には、電子部品２００、導電部４００及び樹脂層５００を支持する基板３００の領域を第１領域３１０と第２領域３２０とに区分する点線枠ＤＦが示されている。電子部品２００は、点線枠ＤＦ内の第１領域３１０内で支持される。第２領域３２０は、第１領域３１０に隣接し、第１領域３１０を取り囲む。基板３００は、Ｓｉ基板（シリコン基板）であってもよい。代替的に、基板３００は、ＳＯＩ基板（シリコンオンインシュレータ基板）であってもよい。本実施形態の原理は、基板３００の特定の種類に限定されない。本実施形態において、支持領域は、第１領域３１０によって例示される。隣接領域は、第２領域３２０によって例示される。

導電部４００は、第２領域３２０から第１領域３１０に向けて延び、電子部品２００へ電気的に接続される。導電部４００は、電子部品２００への電力供給に利用されてもよい。代替的に、導電部４００は、電子部品２００からの電気信号といった電気エネルギの伝達に利用されてもよい。本実施形態の原理は、導電部４００の特定の用途に限定されない。

電子部品２００が、基板３００に取り付けられた後、電子部品２００と基板３００との間を充填するための樹脂及び／又は電子部品２００を封止するための樹脂が供給されることもある。これらの用途に用いられる樹脂は、供給時において、液状であるので、樹脂の一部は、第２領域３２０へ流出する。第２領域３２０へ流出した樹脂は、その後、固化され、第２領域３２０を少なくとも部分的に被覆する樹脂層５００を形成する。尚、本実施形態の原理は、樹脂の特定の用途に限定されない。

上述の如く、導電部４００は、第２領域３２０に形成されるので、導電部４００は、部分的に覆われる。しかしながら、導電部４００は、樹脂層５００による被覆を回避する回避部４１０を含むので、回避部４１０において、導電部４００は樹脂層５００から露出することができる。

回避部４１０は、第２領域３２０から突出する突出構造を有してもよい。設計者は、想定される樹脂層５００の厚さ寸法よりも大きな値を、突出構造の突出量に与えてもよい。

突出構造は、導電部４００全体に亘って形成されてもよい。この場合、導電部４００は、樹脂層５００から全体的に露出することができる。

代替的に、回避部４１０は、樹脂層５００の樹脂をはじく表面特性を有してもよい。回避部４１０は、樹脂をはじくようにプラズマ処理を受けてもよい。代替的に、回避部４１０の表面は、樹脂をはじくように形成された微細構造によって覆われてもよい。更に代替的に、回避部４１０の表面は、親水化処理又は疎水化処理に曝されてもよい。例えば、使用される樹脂が親水性であるならば、回避部４１０の表面は疎水化処理を受けてもよい。使用される樹脂が疎水性であるならば、回避部４１０の表面は親水化処理を受けてもよい。本実施形態の原理は、回避部４１０に対して施与される特定の表面処理技術に限定されない。

上述の表面処理は、導電部４００全体に施与されてもよい。この場合、導電部４００は、全体的に、回避部４１０として機能することができる。代替的に、上述の表面処理は、導電部４００の一部に施与されてもよい。この場合、導電部４００の一部が、樹脂層５００から露出する。樹脂層５００によって覆われた導電部４００の他の領域は、樹脂層５００によって保護される。

＜第２実施形態＞
基板構造体は、光を伝送する伝送部を備える光モジュールであってもよい。第２実施形態において、伝送部を備える光モジュールが説明される。

図２Ａは、基板３００Ａの概略的な平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示されるＡ−Ａ線に沿う基板３００Ａの概略的な断面図である。図１乃至図２Ｂを参照して、基板３００Ａが説明される。

図２Ａは、基板３００Ａと、４つの矩形状の導電層４２１，４２２，４２３，４２４と、を示す。基板３００Ａは、図１を参照して説明された基板３００に対応する。導電層４２１，４２２，４２３，４２４それぞれは、図１を参照して説明された導電部４００に対応する。

基板３００Ａは、第１縁３３１と、第２縁３３２と、第３縁３３３と、第４縁３３４と、を含む。第１縁３３１、第２縁３３２、第３縁３３３及び第４縁３３４は、基板３００Ａの外形輪郭を形成する。第２縁３３２は、第１縁３３１に反対側に位置する。第３縁３３３は、第１縁３３１の左端と第２縁３３２の左端との間で延びる。第４縁３３４は、第１縁３３１の右端と第２縁３３２の右端との間で延びる。

基板３００Ａには、第１溝部３４１及び第２溝部３４２が形成される。第１溝部３４１は、導電層４２１，４２４の組と導電層４２２，４２３との間で、第３縁３３３及び第４縁３３４と略平行に延びる。第２溝部３４２は、第１溝部３４１から第２縁３３２へ延びる。第１溝部３４１は、伝送部６００の形成のために用いられる。第２溝部３４２は、光ファイバ（図示せず）の配置のために用いられる。

伝送部６００は、コア部６１０と、クラッド部６２０と、を含む。コア部６１０は、第１溝部３４１に沿って延び、光ファイバと光学的に結合される。クラッド部６２０は、第１溝部３４１内に形成されたコア部６１０を被覆する。伝送部６００に対して、様々な既知の光伝送構造が適用されてもよい。したがって、本実施形態の原理は、伝送部６００の特定の構造に限定されない。

図１と同様に、基板３００Ａ上に点線枠ＤＦが示されている。点線枠ＤＦ内の第１領域３１０は、導電層４２１，４２４の左端に重畳する。点線枠ＤＦ内の第１領域３１０は、導電層４２２，４２３の右端に重畳する。本実施形態において、図１を参照して説明された電子部品２００は、電気エネルギと光エネルギとの間でエネルギ変換を行う光素子として機能する。電子部品２００は、第１領域３１０上で固定される。この結果、電子部品２００は、コア部６１０に光学的に結合される。加えて、電子部品２００は、導電層４２１，４２２，４２３，４２４に電気的に接続される。導電層４２１，４２２，４２３，４２４の配置は、電子部品２００の構造に適するように決定される。

電子部品２００は、導電層４２１，４２２，４２３，４２４のうち少なくとも１つを通じて電力を受けてもよい。この結果、電子部品２００は、光を発することができる。電子部品２００からの光は、伝送部６００によって、光ファイバに伝達される。

代替的に、電子部品２００は、光ファイバ及び伝送部６００を通じて伝送された光を受けてもよい。電子部品２００は、受光に応じて、電気信号を生成してもよい。電気信号は、電子部品２００から導電層４２１，４２２，４２３，４２４のうち少なくとも１つに伝達されてもよい。

導電層４２１，４２２，４２３，４２４それぞれは、第１実施形態に関連して説明された表面特性を有してもよい。この結果、導電層４２１，４２２，４２３，４２４それぞれは、樹脂層５００から少なくとも部分的に露出することができる。

＜第３実施形態＞
第２実施形態において、導電部は、表面処理によって、樹脂層による被覆を回避する。代替的に、導電部は、樹脂層に対して突出する突出構造を有してもよい。第３実施形態において、突出構造が形成された導電部を有する光モジュールが説明される。

図３Ａは、基板３００Ａの概略的な平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示されるＡ−Ａ線に沿う基板３００Ａの概略的な断面図である。図１、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、基板３００Ａ上に形成される突出構造が説明される。第２実施形態及び第３実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第２実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第２実施形態の説明は、これらの要素に援用される。

第２実施形態と同様に、図３Ａ及び図３Ｂは、基板３００Ａと伝送部６００と、を示す。第２実施形態の説明は、これらの要素に適用される。

図３Ａは、４つの導電部４３０，４４０，４５０，４６０と、を示す。導電部４３０，４４０，４５０，４６０それぞれは、図１を参照して説明された導電部４００に対応する。

導電部４３０は、導電層４３１と、隆起部４３２（バンプ）と、を含む。導電層４３１は、基板３００Ａ上に一般的なプリント技術を用いて形成されてもよい。尚、本実施形態の原理は、導電層４３１の特定の形成技術に限定されない。隆起部４３２は、導電層４３１から突出する。本実施形態において、隆起部４３２は、略半球状である。代替的に、隆起部４３２は、他の形状を有してもよい。本実施形態の原理は、隆起部４３２の特定の形状に限定されない。本実施形態において、第１導電層は、導電層４３１によって例示されてもよい。

設計者は、基板３００Ａ上への樹脂の供給量から基板３００Ａ上に形成される樹脂層５００（図１を参照）の厚さを算定してもよい。設計者は、隆起部４３２に算定された厚さよりも大きな半径を与えてもよい。この結果、隆起部４３２の導電性の表面は、樹脂層５００から突出した位置に配置される。隆起部４３２は、全体的に導電性であってもよい。代替的に、隆起部４３２は、誘電体と、誘電体を被覆する導電性の表面と、を含んでもよい。本実施形態の原理は、隆起部４３２の特定の構造に限定されない。本実施形態において、隆起部４３２は、図１を参照して説明された回避部４１０として機能することができる。

第１実施形態及び第２実施形態に関連して説明された表面処理は、導電部４３０全体又は隆起部４３２に適用されてもよい。この結果、導電部４３０に対する電気的な接続は容易化される。

導電部４４０は、導電層４４１と、隆起部４４２（バンプ）と、を含む。導電層４４１は、基板３００Ａ上に一般的なプリント技術を用いて形成されてもよい。尚、本実施形態の原理は、導電層４４１の特定の形成技術に限定されない。隆起部４４２は、導電層４４１から突出する。本実施形態において、隆起部４４２は、略半球状である。代替的に、隆起部４４２は、他の形状を有してもよい。本実施形態の原理は、隆起部４４２の特定の形状に限定されない。本実施形態において、第１導電層は、導電層４４１によって例示されてもよい。

設計者は、基板３００Ａ上への樹脂の供給量から基板３００Ａ上に形成される樹脂層５００（図１を参照）の厚さを算定してもよい。設計者は、隆起部４４２に算定された厚さよりも大きな半径を与えてもよい。この結果、隆起部４４２の導電性の表面は、樹脂層５００から突出した位置に配置される。隆起部４４２は、全体的に導電性であってもよい。代替的に、隆起部４４２は、誘電体と、誘電体を被覆する導電性の表面と、を含んでもよい。本実施形態の原理は、隆起部４４２の特定の構造に限定されない。本実施形態において、隆起部４４２は、図１を参照して説明された回避部４１０として機能することができる。

第１実施形態及び第２実施形態に関連して説明された表面処理は、導電部４４０全体又は隆起部４４２に適用されてもよい。この結果、導電部４４０に対する電気的な接続は容易化される。

導電部４５０は、導電層４５１と、隆起部４５２（バンプ）と、を含む。導電層４５１は、基板３００Ａ上に一般的なプリント技術を用いて形成されてもよい。尚、本実施形態の原理は、導電層４５１の特定の形成技術に限定されない。隆起部４５２は、導電層４５１から突出する。本実施形態において、隆起部４５２は、略半球状である。代替的に、隆起部４５２は、他の形状を有してもよい。本実施形態の原理は、隆起部４５２の特定の形状に限定されない。本実施形態において、第１導電層は、導電層４５１によって例示されてもよい。

設計者は、基板３００Ａ上への樹脂の供給量から基板３００Ａ上に形成される樹脂層５００（図１を参照）の厚さを算定してもよい。設計者は、隆起部４５２に算定された厚さよりも大きな半径を与えてもよい。この結果、隆起部４５２の導電性の表面は、樹脂層５００から突出した位置に配置される。隆起部４５２は、全体的に導電性であってもよい。代替的に、隆起部４５２は、誘電体と、誘電体を被覆する導電性の表面と、を含んでもよい。本実施形態の原理は、隆起部４５２の特定の構造に限定されない。本実施形態において、隆起部４５２は、図１を参照して説明された回避部４１０として機能することができる。

第１実施形態及び第２実施形態に関連して説明された表面処理は、導電部４５０全体又は隆起部４５２に適用されてもよい。この結果、導電部４５０に対する電気的な接続は容易化される。

導電部４６０は、導電層４６１と、隆起部４６２（バンプ）と、を含む。導電層４６１は、基板３００Ａ上に一般的なプリント技術を用いて形成されてもよい。尚、本実施形態の原理は、導電層４６１の特定の形成技術に限定されない。隆起部４６２は、導電層４６１から突出する。本実施形態において、隆起部４６２は、略半球状である。代替的に、隆起部４６２は、他の形状を有してもよい。本実施形態の原理は、隆起部４６２の特定の形状に限定されない。本実施形態において、第１導電層は、導電層４６１によって例示されてもよい。

設計者は、基板３００Ａ上への樹脂の供給量から基板３００Ａ上に形成される樹脂層５００（図１を参照）の厚さを算定してもよい。設計者は、隆起部４６２に算定された厚さよりも大きな半径を与えてもよい。この結果、隆起部４６２の導電性の表面は、樹脂層５００から突出した位置に配置される。隆起部４６２は、全体的に導電性であってもよい。代替的に、隆起部４６２は、誘電体と、誘電体を被覆する導電性の表面と、を含んでもよい。本実施形態の原理は、隆起部４６２の特定の構造に限定されない。本実施形態において、隆起部４６２は、図１を参照して説明された回避部４１０として機能することができる。

第１実施形態及び第２実施形態に関連して説明された表面処理は、導電部４６０全体又は隆起部４６２に適用されてもよい。この結果、導電部４６０に対する電気的な接続は容易化される。

＜第４実施形態＞
回避部へ向けて流れる樹脂が堰き止められるならば、回避部へ到達する樹脂の量は少なくなる。この結果、回避部は、樹脂層から露出しやすくなる。第４実施形態において、回避部へ向けて流れる樹脂を堰き止める堰構造を有する光モジュールが説明される。

図４は、第４実施形態の基板構造体として例示される光モジュール１００Ｂの概略的な断面図である。図１及び図４を参照して、光モジュール１００Ｂが説明される。第３実施形態及び第４実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第３実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第３実施形態の説明は、これらの要素に援用される。

第３実施形態と同様に、光モジュール１００Ｂは、基板３００Ａと、伝送部６００と、導電部４３０，４４０と、を備える。第３実施形態の説明は、これらの要素に適用される。

光モジュール１００Ｂは、光素子２００Ｂと、樹脂層５００Ｂと、突条７０１，７０２と、接点部４３３，４４３と、を更に備える。上述の様々な実施形態と同様に、光素子２００Ｂは、第１領域に配置される。この結果、光素子２００Ｂは、クラッド部６２０を通じて、コア部６１０に光学的に結合される。光素子２００Ｂは、図１を参照して説明された電子部品２００に対応する。

光素子２００Ｂは、接点部４３３によって、導電部４３０に電気的に接続される。光素子２００Ｂは、接点部４４３によって、導電部４４０に電気的に接続される。

樹脂層５００Ｂは、光素子２００Ｂと伝送部６００との間の空隙を充填するアンダーフィル層として用いられる。光モジュール１００Ｂを製造する製造者は、樹脂を光素子２００Ｂと伝送部６００との間の空隙に注入してもよい。しかしながら、液状の樹脂は、第１領域から第２領域に溢れ出す。

突条７０１は、光素子２００Ｂと隆起部４３２との間で、基板３００Ａの第２領域から突出する。突条７０２は、光素子２００Ｂと隆起部４４２との間で、基板３００Ａの第２領域から突出する。

第２領域に溢れ出した樹脂は、突条７０１，７０２によって堰き止められる。製造者が、樹脂を多く供給するならば、樹脂は、突条７０１，７０２を乗り越えることもある。しかしながら、突条７０１，７０２を乗り越える樹脂は、少量であるので、隆起部４３２，４４２は、樹脂層５００Ｂから露出しやすくなる。

図５は、基板３００Ａの概略的な平面図である。図４及び図５を参照して、光モジュール１００Ｂが更に説明される。

第３実施形態と同様に、光モジュール１００Ｂは、導電部４５０，４６０を備える。突条７０１は、伝送部６００による光の伝搬方向に略平行に延び、導電部４３０の導電層４３１と導電部４６０の導電層４６１とに交差する。したがって、隆起部４３２，４６２は、樹脂層５００Ｂから露出しやすくなる。突条７０２は、伝送部６００による光の伝搬方向に略平行に延び、導電部４４０の導電層４４１と導電部４５０の導電層４５１とに交差する。したがって、隆起部４４２，４５２は、樹脂層５００Ｂから露出しやすくなる。

本実施形態において、突条７０１，７０２が堰構造を形成する。堰構造は、第２領域内で樹脂を堰き止めることができる他の形状を有してもよい。本実施形態の原理は、堰構造の特定の形状に限定されない。

＜第５実施形態＞
隆起部が、基板、コア部又はクラッド部に用いられた材料を含むならば、回避部は、容易に形成される。第５実施形態において、基板、コア部又はクラッド部に用いられた材料を含有する隆起部を有する光モジュールが説明される。

図６は、第５実施形態の基板構造体として例示される光モジュール１００Ｃの概略的な断面図である。図１及び図６を参照して、光モジュール１００Ｃが説明される。第４実施形態及び第５実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第４実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第４実施形態の説明は、これらの要素に援用される。

第４実施形態と同様に、光モジュール１００Ｃは、光素子２００Ｂと、基板３００Ａと、接点部４３３，４４３と、樹脂層５００Ｂと、伝送部６００と、突条７０１，７０２と、を備える。第４実施形態の説明は、これらの要素に適用される。

光モジュール１００Ｃは、導電部４３０Ｃ，４４０Ｃを更に備える。導電部４３０Ｃ，４４０Ｃそれぞれは、図１を参照して説明された導電部４００に対応する。

第４実施形態と同様に、導電部４３０Ｃは、導電層４３１を含む。第４実施形態の説明は、導電層４３１に援用される。

第４実施形態と同様に、導電部４４０Ｃは、導電層４４１を含む。第４実施形態の説明は、導電層４４１に援用される。

導電部４３０Ｃは、導電層４３１から隆起する隆起部４３２Ｃ（バンプ）を含む。隆起部４３２Ｃは、芯部４３４と、導電性の被膜層４３５と、を含む。被膜層４３５は、芯部４３４を少なくとも部分的に覆う。隆起部４３２Ｃは、図１を参照して説明された回避部４１０に対応する。

導電部４４０Ｃは、導電層４４１から隆起する隆起部４４２Ｃ（バンプ）を含む。隆起部４４２Ｃは、芯部４４４と、導電性の被膜層４４５と、を含む。被膜層４４５は、芯部４４４を少なくとも部分的に覆う。隆起部４４２Ｃは、図１を参照して説明された回避部４１０に対応する。

コア部６１０は、光素子２００Ｂと光学的に結合可能な第１材料から形成される。第１材料は、既知の光伝送構造のコア部に利用される透光性材料であってもよい。本実施形態の原理は、コア部６１０の特定の材料に限定されない。

コア部６１０を覆うクラッド部６２０は、第１材料よりも低い屈折率を有する透光性の第２材料から形成されてもよい。第２材料は、既知の光伝送構造のクラッド部に利用される材料であってもよい。本実施形態の原理は、クラッド部６２０の特定の材料に限定されない。

基板３００Ａは、コア部６１０が収容される第１溝部３４１の形成に適した第３材料から形成される。第３材料として、シリコンが例示される。第３材料は、既知の光伝送構造の基板に利用される他の材料であってもよい。本実施形態の原理は、基板３００Ａの特定の材料に限定されない。

芯部４３４は、上述の第１材料乃至第３材料のうち少なくとも１つを含んでもよい。芯部４４４も、上述の第１材料乃至第３材料のうち少なくとも１つを含んでもよい。芯部４３４，４４４が、第１材料を含むならば、芯部４３４，４４４は、コア部６１０を形成するための工程において形成されてもよい。芯部４３４，４４４が、第２材料を含むならば、芯部４３４，４４４は、クラッド部６２０を形成するための工程において形成されてもよい。芯部４３４，４４４が、第３材料を含むならば、芯部４３４，４４４は、基板３００Ａと一体的であってもよい。

芯部４３４，４４４の形成の後、被膜層４３５，４４５は、導電層４３１，４４１とともに形成されてもよい。したがって、隆起部４３２Ｃ，４４２Ｃは、容易に形成されることとなる。

＜第６実施形態＞
上述の様々な実施形態において、導電部は、基板の平坦な面に形成される。基板が隆起した表面形状を有するならば、回避部は、基板の隆起した表面形状を利用して形成されてもよい。第６実施形態において、隆起した表面形状を有する基板を含む光モジュールが説明される。

図７は、第６実施形態の基板構造体として例示される光モジュール１００Ｄの概略的な断面図である。図１及び図７を参照して、光モジュール１００Ｄが説明される。第４実施形態及び第６実施形態の間で共通して用いられる符号は、当該共通の符号が付された要素が、第４実施形態と同一の機能を有することを意味する。したがって、第４実施形態の説明は、これらの要素に援用される。

第４実施形態と同様に、光モジュール１００Ｄは、光素子２００Ｂと、接点部４３３，４４３と、樹脂層５００Ｂと、伝送部６００と、突条７０１，７０２と、を備える。第４実施形態の説明は、これらの要素に適用される。

光モジュール１００Ｄは、基板３００Ｄと、導電層４３０Ｄ，４４０Ｄと、を更に備える。基板３００Ｄは、図１を参照して説明された基板３００に対応する。導電層４３０Ｄ，４４０Ｄそれぞれは、図１を参照して説明された導電部４００に対応する。

第４実施形態と同様に、基板３００Ｄは、第１領域と第２領域とを含む。第４実施形態の説明は、これらの領域に適用される。

基板３００Ｄは、右隆起領域と左隆起領域とを更に含む。第２領域の右側の右隆起領域は、第２領域から隆起する。第２領域の左側の左隆起領域は、第２領域から隆起する。本実施形態において、隆起領域は、右隆起領域及び左隆起領域のうち少なくとも一方によって例示される。

右隆起領域は、水平面３５１と、法面３５２と、を含む。水平面３５１は、第２領域よりも上方に位置する。法面３５２は、水平面３５１と第２領域との間の垂直面を形成する。

左隆起領域は、水平面３６１と、法面３６２と、を含む。水平面３６１は、第２領域よりも上方に位置する。法面３６２は、水平面３６１と第２領域との間の垂直面を形成する。

尚、法面３５２，３６２は、垂直面を形成しなくともよい。法面３５２，３６２は、樹脂を堰き止める堰面として機能すればよい。したがって、本実施形態の原理は、法面３５２，３６２によって規定される隆起角度によっては何ら限定されない。

導電層４３０Ｄは、３つの導電領域４３６，４３７，４３８に区分される。導電領域４３６は、接点部４３３から法面３５２に向けて延びる。導電領域４３７は、法面３５２上に形成される。導電領域４３８は、水平面３５１上に形成される。

導電層４４０Ｄは、３つの導電領域４４６，４４７，４４８に区分される。導電領域４４６は、接点部４４３から法面３６２に向けて延びる。導電領域４４７は、法面３６２上に形成される。導電領域４４８は、水平面３６１上に形成される。

突条７０１，７０２を乗り越えた樹脂は、法面３５２，３６２によって堰き止められる。したがって、導電領域４３８，４４８は、樹脂層５００Ｂに覆われにくくなる。導電領域４３８，４４８それぞれは、図１を参照して説明された回避部４１０に対応する。本実施形態において、第２導電層は、導電領域４３８，４４８のうち少なくとも一方によって例示される。

基板３００Ｄの表面形状は、一般的なエッチング加工によって形成されてもよい。本実施形態の原理は、基板３００Ｄの表面形状を作り出す特定の加工技術に限定されない。

上述の様々な実施形態の原理は、基板構造体の用途に適合するように、組み合わされてもよい。

上述の実施形態の原理は、電子部品が搭載される様々な装置に好適に利用される。

１００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板構造体
１００Ｂ〜１００Ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光モジュール
２００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電子部品
２００Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光素子
３００，３００Ａ，３００Ｄ・・・・・・・・・・・・・・・基板
３１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１領域
３２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２領域
４００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電部
４１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・回避部
４２１〜４２４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４３０，４３０Ｃ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電部
４３０Ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４３１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４３２，４３２Ｃ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・隆起部
４３４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・芯部
４３５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・被膜層
４３８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電領域
４４０，４４０Ｃ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電部
４４０Ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４４１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４４２，４４２Ｃ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・隆起部
４４４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・芯部
４４５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・被膜層
４４８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電領域
４５０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電部
４５１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４５２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・隆起部
４６０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電部
４６１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電層
４６２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・隆起部
５００，５００Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・樹脂層
６００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・伝送部
６１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・コア部
６２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・クラッド部
７０１，７０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・突条

Claims (10)

1. 電子部品が搭載された基板構造体であって、
   前記電子部品を支持する支持領域と、前記支持領域に隣接する隣接領域と、を含む基板と、
   前記隣接領域を通じて前記電子部品に電気的に接続される導電部と、
   前記隣接領域を少なくとも部分的に被覆する樹脂層と、を備え、
   前記導電部は、前記樹脂層による被覆を回避する回避部を含むことを特徴とする基板構造体。
2. 前記導電部は、前記隣接領域に形成された第１導電層と、前記第１導電層から隆起した隆起部と、を含み、
   前記回避部は、前記隆起部に形成された導電性の表面を含み、
   前記導電性の表面は、前記樹脂層から突出した位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板構造体。
3. 前記基板は、前記隣接領域から隆起した隆起領域を含み、
   前記回避部は、前記隆起領域に形成された第２導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板構造体。
4. 前記回避部は、前記樹脂層を形成する樹脂をはじく表面特性を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板構造体。
5. 前記樹脂層は、前記電子部品を封止することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板構造体。
6. 前記回避部と前記電子部品との間で前記隣接領域から突出した突条を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板構造体。
7. 前記電子部品は、電気エネルギと光エネルギとの間でのエネルギ変換を行う光素子を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板構造体。
8. 光を伝送する伝送部を更に備え、
   前記光素子は、前記伝送部に光学的に結合することを特徴とする請求項７に記載の基板構造体。
9. 前記伝送部は、前記光素子と光学的に結合可能な第１材料から形成されたコア部と、前記コア部を覆う第２材料から形成されたクラッド部と、を含み、
   前記基板は、第３材料から形成され、
   前記回避部は、前記第１材料、前記第２材料及び前記第３材料のうち少なくとも１つを含む芯部と、前記芯部を少なくとも部分的に覆う導電性の被膜層と、を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板構造体。
10. 前記樹脂層は、前記光素子と前記伝送部との間に充填されたアンダーフィル層を形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の基板構造体。

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