JP2015209574A - Method for manufacturing member having film on surface - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method that allows masks to be more stably moved, in a film forming technology for superposing a plurality of masks on a substrate.SOLUTION: A method for manufacturing a member having a film on a surface thereof includes the steps of: disposing a first mask having openings on a substrate and disposing a second mask having openings on the first mask; growing a film on the surface of the substrate exposed in the openings of the first and second masks; and moving the first and second masks from the substrate after the growth of the film. The second mask has through holes. In the moving step, the first and second masks are moved by adsorbing the first mask through the through holes.

Description

本発明は、表面に膜を有する部材を製造する方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a member having a film on its surface.

特許文献1には、基板上に複数のマスクを重ねて配置し、各マスクの開口内に露出する基板の表面に膜を形成する技術が開示されている。このような技術によれば、成膜時に基板からマスクが浮き上がることを防止することができる。   Patent Document 1 discloses a technique in which a plurality of masks are stacked on a substrate and a film is formed on the surface of the substrate exposed in the opening of each mask. According to such a technique, it is possible to prevent the mask from floating from the substrate during film formation.

特開昭63−69962号公報Japanese Patent Laid-Open No. 63-69692

膜を形成した後に、基板上から別の場所に各マスクを移動させる必要がある。特許文献1のように複数のマスクを基板上に重ねる成膜技術では、最表面のマスクを移動させようとする際に、最表面のマスクよりも下側のマスクが最表面のマスクに付着し、下側のマスクまで移動する場合があり、マスクを移動させる工程が安定しない。また、最表面のマスクに付着した下側のマスクが、移動の途中で脱落する場合もある。したがって、本明細書では、複数のマスクを基板上に重ねる成膜技術において、より安定してマスクを移動させることが可能な方法を提供する。   After forming the film, it is necessary to move each mask from the substrate to another location. In a film forming technique in which a plurality of masks are stacked on a substrate as in Patent Document 1, when an outermost mask is moved, a lower mask than the outermost mask adheres to the outermost mask. The mask may be moved to the lower mask, and the process of moving the mask is not stable. Further, the lower mask attached to the outermost mask may fall off during the movement. Therefore, the present specification provides a method capable of moving a mask more stably in a film formation technique in which a plurality of masks are stacked on a substrate.

本明細書は、表面に膜を有する部材を製造する方法を開示する。この方法は、開口を有する第1マスクを基板上に配置し、開口を有する第2マスクを前記第1マスク上に配置する工程と、前記第1マスクの前記開口と前記第2マスクの前記開口内に露出する前記基板の表面に、膜を成長させる工程と、前記膜を成長させた後に、前記基板上から前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる工程を有する。前記第2マスクが、貫通孔を有している。前記移動させる工程では、前記貫通孔を介して前記第1マスクを吸着することによって、前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる。   This specification discloses the method of manufacturing the member which has a film | membrane on the surface. The method includes the steps of disposing a first mask having an opening on a substrate and disposing a second mask having an opening on the first mask, the opening of the first mask, and the opening of the second mask. And a step of growing a film on the surface of the substrate exposed inside, and a step of moving the first mask and the second mask from the substrate after the film is grown. The second mask has a through hole. In the moving step, the first mask and the second mask are moved by sucking the first mask through the through hole.

なお、上記の基板は、導体、絶縁体または半導体の何れであってもよい。また、上記の膜は、導体、絶縁体または半導体の何れであってもよい。また、上記の配置する工程は、第1マスクと第2マスクを同時に基板上に配置してもよいし、第1マスクを基板上に配置し、その後、第2マスクを第1マスク上に配置してもよい。   The substrate may be any one of a conductor, an insulator, and a semiconductor. The film may be any of a conductor, an insulator, and a semiconductor. Further, in the step of arranging, the first mask and the second mask may be arranged on the substrate at the same time, or the first mask is arranged on the substrate, and then the second mask is arranged on the first mask. May be.

この方法で用いる第2マスクには、貫通孔が形成されている。前記移動させる工程では、貫通孔を介して第2マスクの下側に位置する第1マスクを吸着する。このため、第1マスクと第2マスクをまとめて移動させることができる。下側の第1マスクを吸着するため、移動の途中で何れかのマスクが脱落すること防止できる。このため、表面に膜を有する部材を安定して製造することができる。   A through hole is formed in the second mask used in this method. In the moving step, the first mask located below the second mask is sucked through the through hole. For this reason, the first mask and the second mask can be moved together. Since the lower first mask is sucked, it is possible to prevent any of the masks from dropping off during the movement. For this reason, the member which has a film | membrane on the surface can be manufactured stably.

基板12、第1マスク14及び第2マスク18の斜視図。The perspective view of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18. FIG. 成膜装置の概略説明図。Schematic explanatory drawing of the film-forming apparatus. 実施例1の移動装置32の概略説明図。FIG. 2 is a schematic explanatory diagram of a moving device 32 according to the first embodiment. 成膜処理を示すフローチャート。5 is a flowchart showing a film forming process. 第2マスク18を第2マスクステージ40から移動させる際における移動装置32と第2マスク18の配置を示す斜視図。The perspective view which shows arrangement | positioning of the moving apparatus 32 and the 2nd mask 18 when moving the 2nd mask 18 from the 2nd mask stage 40. FIG. 第2マスク18を第2マスクステージ40から移動させる際における移動装置32と第2マスク18の配置を示す斜視図。The perspective view which shows arrangement | positioning of the moving apparatus 32 and the 2nd mask 18 when moving the 2nd mask 18 from the 2nd mask stage 40. FIG. ステップS6実施後における基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。Sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 after implementation of step S6. ステップS8実施後における基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。Sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 after implementation of step S8. 第1マスク14と第2マスク18を基板12から移動させる際における移動装置32と第2マスク18の配置を示す斜視図。The perspective view which shows arrangement | positioning of the moving apparatus 32 and the 2nd mask 18 when moving the 1st mask 14 and the 2nd mask 18 from the board | substrate 12. FIG. 吸着コレット36により第1マスク14を吸着する際の基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。Sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 1st mask 14 with the adsorption | suction collet 36. FIG. 実施例2において、吸着コレット36により第1マスク14を吸着する際の基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。Sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 1st mask 14 with the adsorption | suction collet 36 in Example 2. FIG. 実施例3において、吸着コレット36により第1マスク14を吸着する際の基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。In Example 3, sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 1st mask 14 with the adsorption collet 36. FIG. 実施例3において、吸着コレット36により第1マスク14を吸着する際の基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。In Example 3, sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 1st mask 14 with the adsorption collet 36. FIG. 実施例4の移動装置32の概略説明図。FIG. 6 is a schematic explanatory diagram of a moving device 32 according to a fourth embodiment. 実施例4において、補助コレット38により第2マスク18を吸着する際の第2マスク18の断面図。In Example 4, sectional drawing of the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 2nd mask 18 with the auxiliary collet 38. FIG. 実施例4において、吸着コレット36により第1マスク14を吸着する際の基板12、第1マスク14及び第2マスク18の断面図。In Example 4, sectional drawing of the board | substrate 12, the 1st mask 14, and the 2nd mask 18 at the time of adsorb | sucking the 1st mask 14 with the adsorption collet 36. FIG.

最初に、以下に説明する実施例の特徴について、列記する。なお、下記の特徴は、何れも、独立して有用なものである。
(特徴1)移動させる工程で第1マスクと第2マスクを移動させる移動装置が、吸着コレットを有している。吸着コレットが、貫通孔内に挿入されるとともに第1マスクと接触した状態で、第1マスクを吸着する。
(特徴2)移動させる工程で第1マスクと第2マスクを移動させる移動装置が、吸着コレットを有している。吸着コレットが、第2マスクと接触した状態で貫通孔内を減圧することで、第1マスクを吸着する。この場合、第1マスクの貫通孔内に露出する部分の厚みが、第1マスクの貫通孔の外側に位置する部分の厚みよりも薄くてもよい。
(特徴3)方法は、第2マスクを搬送する工程をさらに有する。第2マスクが、少なくとも3つの貫通孔を有する。移動装置が、少なくとも3つの前記吸着コレットを有する。移動装置が、少なくとも3つの吸着コレットによって囲まれた範囲内に存在する軸周りに少なくとも3つの吸着コレットを回転可能である。搬送する工程では、少なくとも3つの吸着コレットが、貫通孔に対して軸周りに変位した位置で第2マスクの表面に接触した状態で、第2マスクを吸着する。
(特徴4)方法が、第2マスクを搬送する工程をさらに有する。移動装置が、補助コレットをさらに有する。搬送する工程では、補助コレットが、第2マスクの表面に接触した状態で、第2マスクを吸着する。
(特徴5)なお、上記特徴3、4の搬送する工程は、第2マスクを搬送する工程であればどのような工程であってもよい。例えば、膜を形成する前に第1マスクの上に第2マスクを重ねる工程であってもよい。また、膜を形成した後(すなわち、第1マスクと第2マスクを基板上から移動させた後)に、第2マスクを第1マスク上から移動させる工程であってもよい。また、その他の第2マスクを搬送する工程であってもよい。
First, features of the embodiments described below are listed. The following features are all independently useful.
(Characteristic 1) The moving device that moves the first mask and the second mask in the moving step has a suction collet. The suction collet is inserted into the through hole and sucks the first mask in contact with the first mask.
(Characteristic 2) A moving device for moving the first mask and the second mask in the moving step has a suction collet. The suction collet sucks the first mask by reducing the pressure in the through-hole while in contact with the second mask. In this case, the thickness of the portion exposed in the through hole of the first mask may be thinner than the thickness of the portion located outside the through hole of the first mask.
(Feature 3) The method further includes a step of transporting the second mask. The second mask has at least three through holes. A moving device has at least three of the adsorption collets. The moving device is capable of rotating at least three suction collets about an axis existing within a range surrounded by at least three suction collets. In the transporting step, the second mask is sucked in a state where at least three suction collets are in contact with the surface of the second mask at a position displaced about the axis with respect to the through hole.
(Feature 4) The method further includes a step of transporting the second mask. The moving device further has an auxiliary collet. In the transporting step, the auxiliary collet adsorbs the second mask while being in contact with the surface of the second mask.
(Characteristic 5) It should be noted that the process of transporting the above characteristics 3 and 4 may be any process as long as it transports the second mask. For example, it may be a step of overlaying the second mask on the first mask before forming the film. Further, it may be a step of moving the second mask from the first mask after forming the film (that is, after moving the first mask and the second mask from the substrate). Moreover, the process of conveying another 2nd mask may be sufficient.

図1は、実施例1の方法に使用する基板12、第1マスク14、第2マスク18を示している。図1に示す基板12は、シリコン製の半導体基板である。本実施例の方法では、基板12上に電極膜を形成する。第1マスク14は、基板12上に直接載置されるマスクである。第1マスク14には、複数の開口16が形成されている。開口16は、第1マスク14の表面から裏面まで貫通している。第2マスク18は、第1マスク14上に載置されるマスクである。すなわち、基板12上には、第1マスク14と第2マスク18が積層される。第2マスク18は、複数の開口20を有している。開口20は、第2マスク18の表面から裏面まで貫通している。本実施例では、開口20は、開口16と同一パターンに形成されている。また、第2マスク18の外周部(すなわち、複数の開口20が形成されている領域の周囲の部分)には、4つの貫通孔22が形成されている。貫通孔22は、第2マスク18の表面から裏面まで貫通している。   FIG. 1 shows a substrate 12, a first mask 14, and a second mask 18 used in the method of the first embodiment. The substrate 12 shown in FIG. 1 is a silicon semiconductor substrate. In the method of this embodiment, an electrode film is formed on the substrate 12. The first mask 14 is a mask placed directly on the substrate 12. A plurality of openings 16 are formed in the first mask 14. The opening 16 penetrates from the front surface to the back surface of the first mask 14. The second mask 18 is a mask placed on the first mask 14. That is, the first mask 14 and the second mask 18 are stacked on the substrate 12. The second mask 18 has a plurality of openings 20. The opening 20 penetrates from the front surface to the back surface of the second mask 18. In the present embodiment, the openings 20 are formed in the same pattern as the openings 16. Further, four through holes 22 are formed in the outer peripheral portion of the second mask 18 (that is, the portion around the region where the plurality of openings 20 are formed). The through hole 22 penetrates from the front surface to the back surface of the second mask 18.

図2は、実施例1の方法に使用する成膜装置30を示している。図2に示すように、成膜装置30は、移動装置32、第2マスク用ステージ40、成膜用ステージ42、使用後マスク用ステージ44を有している。第2マスク用ステージ40は、成膜処理に使用する前の第2マスク18を載置するためのステージである。また、図2には示されていないが、成膜装置30は、基板用ステージと第1マスク用ステージを有している。基板用ステージは、成膜処理前の基板12を載置するためのステージである。第1マスク用ステージは、成膜処理に使用する前の第1マスク14を載置するためのステージである。成膜用ステージ42は、基板12に成膜するためのステージである。成膜用ステージ42は、成膜用のチャンバー内に設置されている。使用後マスク用ステージ44は、成膜処理に使用した後の第1マスク14及び第2マスク18を載置するためのステージである。移動装置32は、第2マスク用ステージ40の上部、成膜用ステージ42の上部及び使用後マスク用ステージ44の上部に移動可能とされている。なお、移動装置32が、さらに、基板用ステージの上部と第1マスク用ステージの上部に移動可能とされていてもよい。また、移動装置32は、各ステージに対して進退動することができる。このため、移動装置32は、各ステージ上のマスク等に接触することができる。   FIG. 2 shows a film forming apparatus 30 used in the method of the first embodiment. As shown in FIG. 2, the film forming apparatus 30 includes a moving device 32, a second mask stage 40, a film forming stage 42, and a post-use mask stage 44. The second mask stage 40 is a stage for placing the second mask 18 before being used for the film forming process. Although not shown in FIG. 2, the film forming apparatus 30 includes a substrate stage and a first mask stage. The substrate stage is a stage for placing the substrate 12 before film formation. The first mask stage is a stage for placing the first mask 14 before being used for the film forming process. The film forming stage 42 is a stage for forming a film on the substrate 12. The film formation stage 42 is installed in a film formation chamber. The post-use mask stage 44 is a stage for placing the first mask 14 and the second mask 18 after being used for the film forming process. The moving device 32 is movable to the upper part of the second mask stage 40, the upper part of the film forming stage 42, and the upper part of the used mask stage 44. The moving device 32 may be further movable to the upper part of the substrate stage and the upper part of the first mask stage. Further, the moving device 32 can move forward and backward with respect to each stage. For this reason, the moving apparatus 32 can contact the mask etc. on each stage.

図3は、移動装置32を示している。移動装置32は、搬送用吸着板34と、4つの吸着コレット36を有している。なお、図3では、図の見易さのため、搬送用吸着板34を点線で示している。搬送用吸着板34は、円盤状のプレートである。4つの吸着コレット36は、搬送用吸着板34の下面に固定されている。4つの吸着コレット36は、搬送用吸着板34の外周部に固定されている。4つの吸着コレット36は、搬送用吸着板34の中心軸34aから略等距離に設置されている。4つの吸着コレット36は、搬送用吸着板34の中心軸34aの周囲に略均等角度間隔(すなわち、90°間隔)で配置されている。移動装置32は、搬送用吸着板34の中心軸34a周りに回転することができる。搬送用吸着板34及び吸着コレット36の内部には、吸着コレット36の先端に開口する空気流路が形成されている。図示しないポンプにより空気流路内から空気を吸引することで、各吸着コレット36で空気を吸引することができる。このため、各吸着コレット36によって、マスク等を吸着することができる。   FIG. 3 shows the moving device 32. The moving device 32 has a conveying suction plate 34 and four suction collets 36. In FIG. 3, the conveyance suction plate 34 is indicated by a dotted line for easy viewing. The conveyance suction plate 34 is a disk-shaped plate. The four suction collets 36 are fixed to the lower surface of the transport suction plate 34. The four suction collets 36 are fixed to the outer peripheral portion of the transport suction plate 34. The four suction collets 36 are installed at approximately the same distance from the central axis 34 a of the transport suction plate 34. The four suction collets 36 are arranged at substantially equal angular intervals (ie, 90 ° intervals) around the central axis 34 a of the conveyance suction plate 34. The moving device 32 can rotate around the central axis 34 a of the conveyance suction plate 34. An air flow path that opens to the tip of the suction collet 36 is formed inside the transport suction plate 34 and the suction collet 36. By sucking air from the air flow path by a pump (not shown), air can be sucked by each adsorption collet 36. For this reason, a mask etc. can be adsorbed by each adsorption collet 36.

次に、実施例1の成膜方法について、図4のフローチャートに従って説明する。図4のフローチャートの開始時点では、基板用ステージ上に基板12が載置されており、第1マスク用ステージ上に第1マスク14が載置されており、第2マスク用ステージ40上に第2マスク18が載置されている。まず、ステップS2において、基板12を、基板用ステージ上から成膜用ステージ42上に移動させる。ここでは、移動装置32を用いて基板12を移動させてもよいし、別の移動装置を用いて基板12を移動させてもよい。次に、ステップS4において、第1マスク14を、第1マスク用ステージ上から基板12上(すなわち、成膜用ステージ42上)に移動させる。すなわち、成膜用ステージ42上において、基板12の上に第1マスク14を積層する。ここでは、移動装置32を用いて第1マスク14を移動させてもよいし、別の移動装置を用いて第1マスク14を移動させてもよい。   Next, the film forming method of Example 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. At the start of the flowchart of FIG. 4, the substrate 12 is placed on the substrate stage, the first mask 14 is placed on the first mask stage, and the first mask 14 is placed on the second mask stage 40. Two masks 18 are placed. First, in step S2, the substrate 12 is moved from the substrate stage onto the film formation stage. Here, the substrate 12 may be moved using the moving device 32, or the substrate 12 may be moved using another moving device. Next, in step S4, the first mask 14 is moved from the first mask stage to the substrate 12 (that is, on the film forming stage 42). That is, the first mask 14 is stacked on the substrate 12 on the film formation stage 42. Here, the first mask 14 may be moved using the moving device 32, or the first mask 14 may be moved using another moving device.

次に、ステップS6において、第2マスク18を、第2マスク用ステージ40上から第1マスク14上(すなわち、成膜用ステージ42上)に移動させる。すなわち、成膜用ステージ42上において、第1マスク14の上に第2マスク18を積層する。ここでは、移動装置32によって第2マスク18を移動させる。以下に、移動装置32の動作について詳細に説明する。   Next, in step S <b> 6, the second mask 18 is moved from the second mask stage 40 to the first mask 14 (that is, on the film forming stage 42). That is, the second mask 18 is stacked on the first mask 14 on the film forming stage 42. Here, the second mask 18 is moved by the moving device 32. Hereinafter, the operation of the moving device 32 will be described in detail.

まず、図5に示すように、移動装置32を、第2マスク用ステージ40の真上に移動させる。ここでは、第2マスク用ステージ40上に載置された第2マスク18の中心軸と、搬送用吸着板34の中心軸34aとが略一致する位置に移動装置32を停止させる。また、上述したように、移動装置32は、中心軸34a周りに回転することができる。ここでは、図5に示すように、各吸着コレット36が、第2マスク18の外周部のうちの貫通孔22が形成されていない位置の上部に位置するように、移動装置32の中心軸34a周りの角度を調節する。次に、図6に示すように、移動装置32を第2マスク18に向かって移動させ、各吸着コレット36の先端を第2マスク18に接触させる。そして、各吸着コレット36によって第2マスク18を吸着する。第2マスク18を吸着したら、第2マスク18を第2マスク用ステージ40から持ち上げ、第2マスク18を成膜用ステージ42上に移動させる。そして、第2マスク18が第1マスク14と接触する位置まで第2マスク18を移動させた段階で、各吸着コレット36の吸着を解除する。これによって、第2マスク18が移動装置32から分離され、第2マスク18が第1マスク14上に載置される。以上のようにして、ステップS6が完了する。ステップS6を実行することで、図7に示すように、成膜用ステージ42上において、基板12上に第1マスク14と第2マスク18が積層された状態となる。なお、図7に示すように、ステップS6では、第1マスク14の開口16と第2マスク18の開口20が略一致するように、第2マスク18を載置する。この状態では、貫通孔22に対応する位置において、第1マスク14には貫通孔や開口等は形成されていない。したがって、貫通孔22がその下端において第1マスク14によって閉塞される。   First, as shown in FIG. 5, the moving device 32 is moved directly above the second mask stage 40. Here, the moving device 32 is stopped at a position where the center axis of the second mask 18 placed on the second mask stage 40 and the center axis 34a of the transport suction plate 34 substantially coincide. Further, as described above, the moving device 32 can rotate around the central axis 34a. Here, as shown in FIG. 5, the central axis 34 a of the moving device 32 is set so that each suction collet 36 is located above the position of the outer peripheral portion of the second mask 18 where the through hole 22 is not formed. Adjust the surrounding angle. Next, as shown in FIG. 6, the moving device 32 is moved toward the second mask 18, and the tip of each suction collet 36 is brought into contact with the second mask 18. Then, the second mask 18 is sucked by each suction collet 36. When the second mask 18 is sucked, the second mask 18 is lifted from the second mask stage 40, and the second mask 18 is moved onto the film forming stage 42. Then, when the second mask 18 is moved to a position where the second mask 18 comes into contact with the first mask 14, the suction of each suction collet 36 is released. As a result, the second mask 18 is separated from the moving device 32, and the second mask 18 is placed on the first mask 14. As described above, step S6 is completed. By executing step S6, the first mask 14 and the second mask 18 are laminated on the substrate 12 on the film forming stage 42 as shown in FIG. As shown in FIG. 7, in step S6, the second mask 18 is placed so that the opening 16 of the first mask 14 and the opening 20 of the second mask 18 substantially coincide. In this state, no through hole or opening is formed in the first mask 14 at a position corresponding to the through hole 22. Accordingly, the through hole 22 is closed by the first mask 14 at the lower end thereof.

次に、ステップS8において、成膜用ステージ42上で成膜処理を行う。本実施例では、スパッタリングまたは蒸着によって、図8に示すように、金属膜13(電極膜)を基板12の表面に成長させる。成膜処理を行うと、開口16、20内に露出する基板12の表面に、金属膜13が形成される。また、第1マスク14と第2マスク18の表面にも、金属膜13が形成される。第1マスク14及び第2マスク18に覆われている範囲の基板12の表面には、金属膜13が形成されない。したがって、基板12の表面に、パターン化された金属膜13を形成することができる。   Next, in step S8, a film forming process is performed on the film forming stage. In this embodiment, a metal film 13 (electrode film) is grown on the surface of the substrate 12 by sputtering or vapor deposition, as shown in FIG. When the film forming process is performed, the metal film 13 is formed on the surface of the substrate 12 exposed in the openings 16 and 20. The metal film 13 is also formed on the surfaces of the first mask 14 and the second mask 18. The metal film 13 is not formed on the surface of the substrate 12 in a range covered with the first mask 14 and the second mask 18. Therefore, the patterned metal film 13 can be formed on the surface of the substrate 12.

次に、ステップS10において、第1マスク14と第2マスク18を、基板12上から使用後マスク用ステージ44上に移動させる。すなわち、基板12上から第1マスク14と第2マスク18を移動させて、基板12を露出させる。ここでは、移動装置32によって第1マスク14と第2マスク18を移動させる。以下に、移動装置32の動作について詳細に説明する。   Next, in step S <b> 10, the first mask 14 and the second mask 18 are moved from the substrate 12 onto the post-use mask stage 44. That is, the first mask 14 and the second mask 18 are moved from the substrate 12 to expose the substrate 12. Here, the first mask 14 and the second mask 18 are moved by the moving device 32. Hereinafter, the operation of the moving device 32 will be described in detail.

まず、図9に示すように、移動装置32を、成膜用ステージ42の真上に移動させる。ここでは、成膜用ステージ42上に載置された第2マスク18の中心軸と、搬送用吸着板34の中心軸34aとが略一致する位置に移動装置32を停止させる。また、上述したように、移動装置32は、中心軸34a周りに回転することができる。ここでは、図9に示すように、各吸着コレット36が、第2マスク18の貫通孔22の上部に位置するように、移動装置32の中心軸34a周りの角度を調節する。次に、移動装置32を成膜用ステージ42に向かって移動させる。ここで、各吸着コレット36の先端部の直径は、各貫通孔22の直径よりも小さい。したがって、移動装置32を成膜用ステージ42に向かって移動させると、各吸着コレット36の先端部が、貫通孔22の内部に挿入される。ここでは、図10に示すように、各吸着コレット36が貫通孔22内で第1マスク14と接触するまで、移動装置32を下降させる。そして、各吸着コレット36によって第1マスク14を吸着する。第1マスク14を吸着したら、第1マスク14を基板12から持ち上げる。このとき、第1マスク14上に載置されている第2マスク18は、第1マスク14と共に持ち上げられる。その後、移動装置32によって、第1マスク14と第2マスク18を、使用後マスク用ステージ44上に移動させる。そして、各吸着コレット36の吸着を解除することによって、第1マスク14と第2マスク18を、移動装置32から分離させ、使用後マスク用ステージ44上に載置する。以上のようにして、ステップS10が完了する。   First, as shown in FIG. 9, the moving device 32 is moved directly above the film forming stage 42. Here, the moving device 32 is stopped at a position where the central axis of the second mask 18 placed on the film forming stage 42 and the central axis 34a of the transporting suction plate 34 substantially coincide with each other. Further, as described above, the moving device 32 can rotate around the central axis 34a. Here, as shown in FIG. 9, the angle around the central axis 34 a of the moving device 32 is adjusted so that each suction collet 36 is positioned above the through hole 22 of the second mask 18. Next, the moving device 32 is moved toward the film forming stage 42. Here, the diameter of the tip of each suction collet 36 is smaller than the diameter of each through hole 22. Therefore, when the moving device 32 is moved toward the film forming stage 42, the tip of each suction collet 36 is inserted into the through hole 22. Here, as shown in FIG. 10, the moving device 32 is lowered until each suction collet 36 contacts the first mask 14 in the through hole 22. Then, the first mask 14 is sucked by each suction collet 36. When the first mask 14 is sucked, the first mask 14 is lifted from the substrate 12. At this time, the second mask 18 placed on the first mask 14 is lifted together with the first mask 14. Thereafter, the moving device 32 moves the first mask 14 and the second mask 18 onto the post-use mask stage 44. Then, by releasing the suction of each suction collet 36, the first mask 14 and the second mask 18 are separated from the moving device 32 and placed on the post-use mask stage 44. As described above, step S10 is completed.

次に、ステップS12において、移動装置32または図示しない移動装置によって、基板12を、成膜用ステージ42上から次工程に移動させる。以上によって、基板12の表面に金属膜13を形成する一連の処理が完了する。   Next, in step S12, the substrate 12 is moved from the film-forming stage 42 to the next process by the moving device 32 or a moving device (not shown). Thus, a series of processes for forming the metal film 13 on the surface of the substrate 12 is completed.

上述した実施例1の方法では、吸着コレット36を貫通孔22内に挿入し、吸着コレット36を第1マスク14に接触させた状態で、吸着コレット36によって第1マスク14を吸着する。これによって、基板12上から使用後マスク用ステージ44上に第1マスク14と第2マスク18を同時に移動させる。この方法によれば、確実に、第1マスク14と第2マスク18をまとめて基板12上から移動させることができる。この方法では、何れかのマスクが移動の途中で脱落することを防止することができる。したがって、この方法によれば、安定して金属膜13が形成された基板12を製造することができる。   In the method of the first embodiment described above, the suction collet 36 is inserted into the through hole 22, and the first mask 14 is sucked by the suction collet 36 while the suction collet 36 is in contact with the first mask 14. Thus, the first mask 14 and the second mask 18 are simultaneously moved from the substrate 12 onto the post-use mask stage 44. According to this method, the first mask 14 and the second mask 18 can be reliably moved from the substrate 12 together. In this method, it is possible to prevent any mask from dropping off during the movement. Therefore, according to this method, the substrate 12 on which the metal film 13 is stably formed can be manufactured.

また、上述した実施例1の方法では、ステップS6では中心軸34a周りの搬送用吸着板34の角度を調節することで、各吸着コレット36を第2マスク18の貫通孔22以外の部分に接触させ、ステップS10では中心軸34a周りの搬送用吸着板34の角度を調節することで、各吸着コレット36を第2マスク18の貫通孔22内に挿入して第1マスク14に接触させた。すなわち、この方法では、搬送用吸着板34を中心軸34a周りに回転させることで、各吸着コレット36を、第2マスク18と接触可能な位置と、第2マスク18の貫通孔22内に挿入可能な位置とに切り替えることが可能であった。このような構成によれば、ステップS6では第2マスク18の中心軸の周囲に略均等に配置された吸着コレット36によって第2マスク18を搬送することが可能である。また、ステップS10でも、第2マスク18及び第1マスク14の中心軸の周囲に略均等に配置された吸着コレット36によって第1マスク14と第2マスク18を搬送することが可能である。このように、中心軸34aの周囲に均等に配置された吸着コレット36によってマスク14または18の外周部を3か所以上吸着することで、搬送時にマスク14または18が撓むことを抑制することが可能である。このため、第2マスク18を載置する際には高い位置精度で第2マスク18を載置することが可能であり、また、第1マスク14を基板12から分離する際には第1マスク14が撓んで基板12を傷つけることを防止することが可能である。中心軸34aは、4つの吸着コレット36の中心軸(より詳細には、4つの吸着コレット36を繋いで得られる四角形の中心に位置する軸)である。上記のように4つの吸着コレット36の中心軸の周りに各吸着コレット36を回転させれば、4つの吸着コレット36の中心軸の第2マスク18に対する相対位置を移動させることなく、各吸着コレット36を第2マスク18に対して移動させることができる。したがって、ステップS6でもステップS10でも、4つの吸着コレット36の中心軸とマスクの中心軸を容易に位置合わせすることが可能であり、搬送時のマスクの撓みを抑制することができる。なお、吸着コレット36を回転させる回転軸は、各吸着コレット36の中心軸であることが好ましいが、各吸着コレット36によって囲まれた範囲内に位置する軸であってもよい。このような軸であれば、移動装置32を回転させたときに、4つの吸着コレット36の中心軸の第2マスク18に対する相対移動を比較的少なくすることができる。   In the method of the first embodiment described above, in step S6, the suction collet 36 is brought into contact with a portion other than the through-hole 22 of the second mask 18 by adjusting the angle of the transport suction plate 34 around the central axis 34a. In step S10, the suction collet 36 is inserted into the through hole 22 of the second mask 18 and brought into contact with the first mask 14 by adjusting the angle of the transport suction plate 34 around the central axis 34a. That is, in this method, each suction collet 36 is inserted into the position where it can come into contact with the second mask 18 and into the through hole 22 of the second mask 18 by rotating the suction plate 34 for conveyance around the central axis 34a. It was possible to switch to a possible position. According to such a configuration, in step S6, the second mask 18 can be transported by the suction collet 36 arranged substantially evenly around the central axis of the second mask 18. Also in step S10, the first mask 14 and the second mask 18 can be transported by the suction collet 36 that is arranged substantially evenly around the central axes of the second mask 18 and the first mask 14. In this way, by adsorbing the outer peripheral portion of the mask 14 or 18 at three or more locations by the suction collet 36 evenly arranged around the central axis 34a, the mask 14 or 18 is prevented from being bent during conveyance. Is possible. Therefore, the second mask 18 can be placed with high positional accuracy when the second mask 18 is placed, and the first mask 14 is separated when the first mask 14 is separated from the substrate 12. It is possible to prevent the substrate 14 from being bent and damaging the substrate 12. The central axis 34a is a central axis of the four adsorption collets 36 (more specifically, an axis positioned at the center of a quadrangle obtained by connecting the four adsorption collets 36). If each suction collet 36 is rotated around the central axes of the four suction collets 36 as described above, the respective suction collets are moved without moving the relative positions of the central axes of the four suction collets 36 with respect to the second mask 18. 36 can be moved relative to the second mask 18. Therefore, in both step S6 and step S10, it is possible to easily align the central axis of the four suction collets 36 and the central axis of the mask, and it is possible to suppress the bending of the mask during conveyance. The rotation axis for rotating the adsorption collet 36 is preferably the central axis of each adsorption collet 36, but may be an axis located within a range surrounded by each adsorption collet 36. With such an axis, when the moving device 32 is rotated, the relative movement of the central axes of the four suction collets 36 with respect to the second mask 18 can be relatively reduced.

また、上述した実施例1の方法では、4つの吸着コレット36を使用したが、吸着コレット36の数はいくつであってもよい。但し、より安定してマスクを搬送するためには、吸着コレット36の数は3つ以上であることが好ましい。   Moreover, in the method of Example 1 mentioned above, although the four adsorption collets 36 were used, the number of the adsorption collets 36 may be any number. However, in order to transport the mask more stably, the number of suction collets 36 is preferably three or more.

実施例2の方法では、吸着コレット36が実施例1とは異なる。図11に示す実施例2の吸着コレット36の先端の直径は、貫通孔22の直径よりも大きい。実施例2の移動装置32のその他の構成は、実施例1の移動装置32と等しい。実施例2の方法では、図4のステップS2〜S8を、実施例1と同様にして行う。ステップS10では、図11に示すように、吸着コレット36を第2マスク18の貫通孔22に向かって移動させる。実施例2では、吸着コレット36の先端の直径が貫通孔22の直径よりも大きいため、吸着コレット36が貫通孔22の周囲の第2マスク18の表面に接触する。ここでは、貫通孔22の全体が吸着コレット36に覆われるように、吸着コレット36を第2マスク18に接触させる。吸着コレット36を第2マスク18に接触させたら、吸着コレット36によって貫通孔22内の空気を吸引する。すると、貫通孔22内が減圧されて、第1マスク14と第2マスク18が、吸着コレット36に吸着される。その後は、実施例1の方法と同様に、第1マスク14と第2マスク18をまとめて、使用後マスク用ステージ44に移動させる。このように、実施例2の方法でも、基板12上から、第1マスク14と第2マスク18をまとめて移動させることができる。   In the method of the second embodiment, the adsorption collet 36 is different from that of the first embodiment. The diameter of the tip of the suction collet 36 of Example 2 shown in FIG. 11 is larger than the diameter of the through hole 22. Other configurations of the moving device 32 of the second embodiment are the same as those of the moving device 32 of the first embodiment. In the method of the second embodiment, steps S2 to S8 in FIG. 4 are performed in the same manner as in the first embodiment. In step S10, the suction collet 36 is moved toward the through hole 22 of the second mask 18, as shown in FIG. In Example 2, since the diameter of the tip of the suction collet 36 is larger than the diameter of the through hole 22, the suction collet 36 contacts the surface of the second mask 18 around the through hole 22. Here, the suction collet 36 is brought into contact with the second mask 18 so that the entire through-hole 22 is covered with the suction collet 36. When the suction collet 36 is brought into contact with the second mask 18, the air in the through hole 22 is sucked by the suction collet 36. Then, the inside of the through hole 22 is decompressed, and the first mask 14 and the second mask 18 are adsorbed by the adsorption collet 36. Thereafter, similarly to the method of the first embodiment, the first mask 14 and the second mask 18 are moved together to the post-use mask stage 44. As described above, the first mask 14 and the second mask 18 can be moved together from the substrate 12 also by the method of the second embodiment.

実施例3では、実施例2と同様に、先端の直径が大きい吸着コレット36を使用する。図12に示すように、実施例3では、第1マスク14に薄板部14aが形成されている。薄板部14aは、第1マスク14上に第2マスク18が積層されたときに貫通孔22の内部に露出する部分に形成されている。薄板部14aは、貫通孔22の外側(貫通孔22の内部に露出しない部分)の第1マスク14よりも厚みが薄い。このような構成によると、ステップS10で吸着コレット36によって貫通孔22内を減圧するときに、図13に示すように、薄板部14aが吸着コレット36側に向かって反る。このように薄板部14aが反ることで、第1マスク14と第2マスク18との界面15(接触部)を介して空気が漏れることが抑制される。このため、この方法によれば、吸着コレット36の吸着力を向上させることができる。   In the third embodiment, as in the second embodiment, the suction collet 36 having a large tip diameter is used. As shown in FIG. 12, in Example 3, a thin plate portion 14 a is formed on the first mask 14. The thin plate portion 14 a is formed in a portion exposed to the inside of the through hole 22 when the second mask 18 is laminated on the first mask 14. The thin plate portion 14a is thinner than the first mask 14 outside the through hole 22 (a portion not exposed to the inside of the through hole 22). According to such a configuration, when the inside of the through hole 22 is depressurized by the suction collet 36 in step S10, the thin plate portion 14a warps toward the suction collet 36 as shown in FIG. As the thin plate portion 14a is warped in this way, the leakage of air through the interface 15 (contact portion) between the first mask 14 and the second mask 18 is suppressed. For this reason, according to this method, the adsorption power of the adsorption collet 36 can be improved.

実施例4では、移動装置32が、図14に示すように、吸着コレット36に加えて、補助コレット38を有している。補助コレット38は、搬送用吸着板34の下面であって、各吸着コレット36の隣に設置されている。吸着コレット36の空気流路と補助コレット38の空気流路はそれぞれ独立して形成されている。このため、吸着コレット36でのみ吸着動作を実行することが可能であり、補助コレット38でのみ吸着動作を実行することも可能である。吸着コレット36は、補助コレット38よりも下側に突出している。実施例4では、吸着コレット36の先端の直径は、貫通孔22の直径よりも小さい。また、実施例4では、移動装置32が、中心軸34a周りに回転することができない。移動装置32が各ステージ上に停止している状態では、吸着コレット36が、第2マスク18の貫通孔22の上部(すなわち、貫通孔22に挿入可能な位置)に配置され、補助コレット38が、第2マスク18の貫通孔22が形成されていない部分の上部(すなわち、第2マスク18の表面に接触可能な位置)に配置される。   In the fourth embodiment, the moving device 32 has an auxiliary collet 38 in addition to the suction collet 36 as shown in FIG. The auxiliary collet 38 is installed on the lower surface of the conveyance suction plate 34 and next to each suction collet 36. The air flow path of the adsorption collet 36 and the air flow path of the auxiliary collet 38 are formed independently of each other. For this reason, the suction operation can be executed only by the suction collet 36, and the suction operation can be executed only by the auxiliary collet 38. The suction collet 36 protrudes below the auxiliary collet 38. In the fourth embodiment, the diameter of the tip of the adsorption collet 36 is smaller than the diameter of the through hole 22. In the fourth embodiment, the moving device 32 cannot rotate around the central axis 34a. In a state in which the moving device 32 is stopped on each stage, the suction collet 36 is disposed above the through hole 22 of the second mask 18 (that is, a position where the second collimator 22 can be inserted), and the auxiliary collet 38 is disposed. The second mask 18 is disposed at an upper part of the portion where the through hole 22 is not formed (that is, a position where the second mask 18 can contact the surface of the second mask 18).

実施例4では、ステップS2、S4は実施例1と同様にして実施される。ステップS6では、移動装置32を第2マスク18に向かって移動させる。すると、図15に示すように、吸着コレット36が貫通孔22内に挿入されるとともに、補助コレット38が第2マスク18の表面と接触する。ここでは、吸着コレット36では吸着動作を実行せずに、補助コレット38で吸着動作を実行する。これによって、第2マスク18を吸着して成膜用ステージ42上に移動させる。   In the fourth embodiment, steps S2 and S4 are performed in the same manner as in the first embodiment. In step S <b> 6, the moving device 32 is moved toward the second mask 18. Then, as shown in FIG. 15, the suction collet 36 is inserted into the through hole 22, and the auxiliary collet 38 comes into contact with the surface of the second mask 18. Here, the suction operation is performed by the auxiliary collet 38 without performing the suction operation by the suction collet 36. As a result, the second mask 18 is sucked and moved onto the film forming stage 42.

実施例4のステップS8は、実施例1と同様にして実施される。実施例4のステップS10では、まず、移動装置32を第2マスク18に向かって移動させる。すると、図16に示すように、吸着コレット36が貫通孔22内で第1マスク14と接触するとともに、補助コレット38が第2マスク18と接触する。ここでは、吸着コレット36で吸着動作を実行し、補助コレット38では吸着動作を実行しない。これによって、第1マスク14を吸着して、第1マスク14と第2マスク18をまとめて成膜用ステージ42上に移動させる。その後のステップS12は、実施例1と同様にして実行される。   Step S8 of the fourth embodiment is performed in the same manner as the first embodiment. In step S <b> 10 of the fourth embodiment, first, the moving device 32 is moved toward the second mask 18. Then, as shown in FIG. 16, the suction collet 36 contacts the first mask 14 in the through hole 22, and the auxiliary collet 38 contacts the second mask 18. Here, the suction operation is performed by the suction collet 36, and the suction operation is not performed by the auxiliary collet 38. As a result, the first mask 14 is sucked, and the first mask 14 and the second mask 18 are moved together onto the film forming stage 42. The subsequent step S12 is executed in the same manner as in the first embodiment.

このように、実施例4の方法では、ステップS6では補助コレット38によって第2マスク18を吸着し、ステップS10では吸着コレット36によって第1マスク14を吸着する。このような構成によっても、移動装置32をステップS6とステップS10の両方で使用することができる。   As described above, in the method of the fourth embodiment, the second mask 18 is sucked by the auxiliary collet 38 in step S6, and the first mask 14 is sucked by the suction collet 36 in step S10. Even with such a configuration, the moving device 32 can be used in both step S6 and step S10.

また、実施例4のように吸着コレット36と補助コレット38を用いることで、実施例1のように移動装置32を中心軸34a周りに回転させる必要がなくなる。すなわち、実施例4の構成では、移動装置32の回転駆動機構を省略することができる。逆に言えば、実施例1のように回転駆動機構を採用すれば、実施例4のような補助コレット38及び補助コレット38用の空気吸引機構を省略することができる。   Further, by using the suction collet 36 and the auxiliary collet 38 as in the fourth embodiment, it is not necessary to rotate the moving device 32 around the central axis 34a as in the first embodiment. That is, in the configuration of the fourth embodiment, the rotational drive mechanism of the moving device 32 can be omitted. Conversely, if the rotational drive mechanism is employed as in the first embodiment, the auxiliary collet 38 and the air suction mechanism for the auxiliary collet 38 as in the fourth embodiment can be omitted.

なお、上述した実施例4では、吸着コレット36の先端の直径が貫通孔22の直径よりも小さかったが、実施例4でも実施例2のように先端の直径が貫通孔22よりも大きい吸着コレット36を用いてもよい。   In the above-described fourth embodiment, the diameter of the tip of the suction collet 36 is smaller than the diameter of the through-hole 22, but in the fourth embodiment, the suction collet whose tip diameter is larger than that of the through-hole 22 as in the second embodiment. 36 may be used.

また、上述した実施例4では、ステップS8で吸着コレット36でのみ吸着動作を行ったが、ステップS8で吸着コレット36と補助コレット38の両方で吸着動作を行ってもうよい。   In the above-described fourth embodiment, the suction operation is performed only with the suction collet 36 in step S8. However, the suction operation may be performed with both the suction collet 36 and the auxiliary collet 38 in step S8.

以上、実施例1〜4について説明した。なお、上述した実施例1〜4では、ステップS6で第2マスク18を移動させる際に、移動装置32を使用した。しかしながら、ステップS6では、別の移動装置によって第2マスク18を移動させてもよい。また、ステップS6とは別の第2マスク18を移動させる工程で、ステップS2と同様に移動装置32を使用してもよい。例えば、使用後マスク用ステージ44上から第2マスク18だけを別の位置に搬送する際に、ステップS6と同様にして移動装置32を使用してもよい。   The examples 1 to 4 have been described above. In Examples 1 to 4 described above, the moving device 32 is used when moving the second mask 18 in Step S6. However, in step S6, the second mask 18 may be moved by another moving device. Further, in the step of moving the second mask 18 different from step S6, the moving device 32 may be used similarly to step S2. For example, when only the second mask 18 is transported from the post-use mask stage 44 to another position, the moving device 32 may be used in the same manner as in step S6.

また、上述した実施例1〜4では、ステップS10において基板12を成膜用ステージ42に固定することなく、第1マスク14を基板12から分離させることが可能であった。基板12の重量、厚み、材質等によっては、実施例1〜4のように、基板12を成膜用ステージ42に固定しなくても、第1マスク14を基板12から好適に分離させることができる。しかしながら、場合によっては、第1マスク14を基板12から分離させる際に、基板12が第1マスク14に付着して、好適に分離させることができない場合がある。このような場合には、ステップS10において、空気吸引や静電吸着等によって基板12を成膜用ステージ42に固定して、第1マスク14を基板12から分離させてもよい。   In the first to fourth embodiments, it is possible to separate the first mask 14 from the substrate 12 without fixing the substrate 12 to the film formation stage 42 in step S10. Depending on the weight, thickness, material, etc. of the substrate 12, the first mask 14 can be suitably separated from the substrate 12 without fixing the substrate 12 to the film forming stage 42 as in the first to fourth embodiments. it can. However, in some cases, when the first mask 14 is separated from the substrate 12, the substrate 12 may adhere to the first mask 14 and cannot be suitably separated. In such a case, in step S <b> 10, the substrate 12 may be fixed to the film formation stage 42 by air suction, electrostatic adsorption, or the like, and the first mask 14 may be separated from the substrate 12.

また、上述した実施例1〜4では、第1マスク14の開口16と第2マスク18の開口20のパターンが略同一であった。しかしながら、これらのパターンが異なっていてもよい。すなわち、第1マスク14の開口16と第2マスク18の開口20を通して基板12の表面に膜を成長させることが可能であれば、これらの開口16、20のパターンはどのようなパターンであってもよい。   In the first to fourth embodiments, the patterns of the openings 16 of the first mask 14 and the openings 20 of the second mask 18 are substantially the same. However, these patterns may be different. That is, if the film can be grown on the surface of the substrate 12 through the opening 16 of the first mask 14 and the opening 20 of the second mask 18, the pattern of these openings 16 and 20 is any pattern. Also good.

また、上述した実施例1〜4では、基板12が半導体基板であったが、基板12は、半導体、導体、絶縁体の何れであってもよい。また、上述した実施例1〜4では、成長させる膜が金属膜であったが、成長させる膜は、半導体、導体、絶縁体のいずれであってもよい。   Moreover, in Examples 1-4 mentioned above, although the board | substrate 12 was a semiconductor substrate, the board | substrate 12 may be any of a semiconductor, a conductor, and an insulator. In Examples 1 to 4 described above, the film to be grown is a metal film, but the film to be grown may be any of a semiconductor, a conductor, and an insulator.

また、上述した実施例1〜4では、2枚のマスクを基板の上に重ねたが、3枚以上のマスクを基板の上に重ねてもよい。この場合でも、最表面のマスクに貫通孔を設けることで、最表層のマスクとその下側のマスクをまとめて移動させることができる。   In Examples 1 to 4 described above, two masks are stacked on the substrate, but three or more masks may be stacked on the substrate. Even in this case, by providing a through-hole in the outermost mask, the outermost mask and the lower mask can be moved together.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology illustrated in the present specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.

12:基板
13:金属膜
14:第1マスク
14a:薄板部
15:界面
16:開口
18:第2マスク
20:開口
22:貫通孔
30:成膜装置
32:移動装置
34:搬送用吸着板
34a:中心軸
36:吸着コレット
38:補助コレット
40:第2マスク用ステージ
42:成膜用ステージ
44:使用後マスク用ステージ
12: Substrate 13: Metal film 14: First mask 14a: Thin plate portion 15: Interface 16: Opening 18: Second mask 20: Opening 22: Through hole 30: Film forming device 32: Moving device 34: Transporting suction plate 34a : Central axis 36: suction collet 38: auxiliary collet 40: second mask stage 42: film formation stage 44: post-use mask stage

Claims (6)

表面に膜を有する部材を製造する方法であって、
開口を有する第1マスクを基板上に配置し、開口を有する第2マスクを前記第1マスク上に配置する工程と、
前記第1マスクの前記開口と前記第2マスクの前記開口内に露出する前記基板の表面に、膜を成長させる工程と、
前記膜を成長させた後に、前記基板上から前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる工程、
を有し、
前記第2マスクが、貫通孔を有しており、
前記移動させる工程では、前記貫通孔を介して前記第1マスクを吸着することによって、前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる、
方法。
A method for producing a member having a film on a surface,
Disposing a first mask having an opening on the substrate and disposing a second mask having an opening on the first mask;
Growing a film on the surface of the substrate exposed in the opening of the first mask and the opening of the second mask;
Moving the first mask and the second mask from the substrate after growing the film;
Have
The second mask has a through hole;
In the moving step, the first mask and the second mask are moved by sucking the first mask through the through hole.
Method.
前記移動させる工程で前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる移動装置が、吸着コレットを有しており、
前記吸着コレットが、前記貫通孔内に挿入されるとともに前記第1マスクと接触した状態で、前記第1マスクを吸着する、
請求項1の方法。
The moving device for moving the first mask and the second mask in the moving step has a suction collet,
The suction collet is inserted into the through hole and sucks the first mask in a state of being in contact with the first mask;
The method of claim 1.
前記移動させる工程で前記第1マスクと前記第2マスクを移動させる移動装置が、吸着コレットを有しており、
前記吸着コレットが、前記第2マスクと接触した状態で前記貫通孔内を減圧することで、前記第1マスクを吸着する、
請求項1または2の方法。
The moving device for moving the first mask and the second mask in the moving step has a suction collet,
The suction collet sucks the first mask by reducing the pressure in the through hole in a state where the suction collet is in contact with the second mask.
The method of claim 1 or 2.
前記第1マスクの前記貫通孔内に露出する部分の厚みが、前記第1マスクの前記貫通孔の外側に位置する部分の厚みよりも薄い、請求項3の方法。   The method according to claim 3, wherein a thickness of a portion of the first mask exposed in the through hole is smaller than a thickness of a portion of the first mask located outside the through hole. 前記方法が、前記第2マスクを搬送する工程をさらに有しており、
前記第2マスクが、少なくとも3つの前記貫通孔を有しており、
前記移動装置が、少なくとも3つの前記吸着コレットを有しており、
前記移動装置が、前記少なくとも3つの前記吸着コレットによって囲まれた範囲内に存在する軸周りに前記少なくとも3つの前記吸着コレットを回転可能であり、
前記搬送する工程では、前記少なくとも3つの前記吸着コレットが、前記貫通孔に対して前記軸周りに変位した位置で前記第2マスクの表面に接触した状態で、前記第2マスクを吸着する、
請求項2〜4のいずれか一項の方法。
The method further comprises transporting the second mask;
The second mask has at least three of the through holes;
The moving device has at least three of the adsorption collets;
The moving device is capable of rotating the at least three adsorption collets about an axis existing within a range surrounded by the at least three adsorption collets;
In the transporting step, the at least three suction collets suck the second mask while being in contact with the surface of the second mask at a position displaced about the axis with respect to the through-hole.
The method according to any one of claims 2 to 4.
前記方法が、前記第2マスクを搬送する工程をさらに有しており、
前記移動装置が、補助コレットをさらに有しており、
前記搬送する工程では、前記補助コレットが、前記第2マスクの表面に接触した状態で、前記第2マスクを吸着する、
請求項2〜4のいずれか一項の方法。
The method further comprises transporting the second mask;
The moving device further comprises an auxiliary collet;
In the transporting step, the auxiliary collet adsorbs the second mask while being in contact with the surface of the second mask.
The method according to any one of claims 2 to 4.
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