JP2015204464A - マルチバンドアンテナ - Google Patents

Abstract

【課題】多周波広帯域の送受信に対応し、さらには小型化，薄型化を実現する。
【解決手段】多周波広帯域の送受信に対応するマルチバンドアンテナであって、低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯に共通な軸部と、前記軸部とグランド板に接続される単一の給電部と、前記軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子と、前記軸部から切り離された非対称な下段の無給電素子とを有し、前記上段の給電素子に非対称な摂動素子をそれぞれ設けている。共通な軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子に非対称な摂動素子をそれぞれ設けたため、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記周波数帯毎に異ならせることができ、図６〜図９に示すシミュレーションの結果から明らかなように、規定の電気長を短縮して、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯の多周波広帯域の送受信に対応するマルチバンドアンテナに関する。

最近、スマートフォンやタブレット端末などの携帯端末には、その高速データ通信の規格としてＬＴＥ（Long Term Evolution）への対応が要求されている。なお、前記Ｇは世代の意味である。

前記ＬＴＥは、広帯域化によるマルチパス発生で相互干渉が増えるのを防ぐ第４世代移動体通信（４Ｇ）の無線通信技術となっている。

第４世代移動体通信は、日米欧、東南アジア，中国等全世界の携帯電話を同じＬＴＥ方式で推進しようというものであるが、それ以前の世代の通信も併用するものであり、第４世代移動体通信に用いられるアンテナには、１台で例えば低周波数帯では６９８〜９６０ＭＨｚ、中間周波数帯では３周波数帯（１４２８ＭＨｚ〜１５９５ＭＨｚ，１７１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ，２５００ＭＨｚ〜２７００ＭＨｚ）をカバーするばかりでなく、４Ｇのための高周波数帯の３．４ＧＨｚ〜３．６ＧＨｚまでを新たにカバーすることが要求されることとなる。

前記要求に応えられるマルチバンドアンテナの基礎をなすアンテナを本発明者等が開発していた（特許文献１）。前記マルチバンドアンテナは、低周波数帯及び高周波数帯に共通な軸部と、前記軸部とグランド板とに接続された単一の給電部と、周波数帯を単位として前記軸部から枝分かれして非対称なアンテナ素子である低周波数帯の給電素子及び高周波数帯の給電素子と、前記低周波数帯の給電素子と前記高周波数帯の給電素子とにそれぞれ組み合わせた低周波数帯の無給電素子及び高周波数帯の無給電素子とを有し、前記低周波数帯の無給電素子及び前記高周波数帯の無給電素子を、前記低周波数帯の給電素子及び前記高周波数帯の給電素子と前記グランド板との間のスペース内に組み込んだ構成のものである。

特許第５３２４６０８号

しかしながら、特許文献１に開示したマルチバンドアンテナは、その特許公報の図８，図１２，図１３及び図１４から明らかなように、低周波数帯では６９８〜９６０ＭＨｚ、中間周波数帯では３周波数帯（１４２８ＭＨｚ〜１５９５ＭＨｚ，１７１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ，２５００ＭＨｚ〜２７００ＭＨｚ）をカバーすることはできるが、４Ｇのための高周波数帯の３．４ＧＨｚ〜３．６ＧＨｚまでをカバーすることができないという構成であった。

そのため、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯の多周波広帯域に対応するマルチバンドアンテナの開発が喫緊の課題である。

また、第４世代移動体通信（４Ｇ）のアンテナには、前記多周波広帯域に対応するという要求に応えられるばかりでなく、アンテナの小型化が要求されている。すなわち、携帯端末のうち特に第４世代移動体通信（４Ｇ）に対応するタブレット端末には、ＬＴＥ，無線ＬＡＮ，Bluetooth（登録商標）,ＧＰＳ受信などの各種のアンテナが搭載されており、これらのアンテナ相互間を接近させると、電波干渉を引き起こして良好な受信環境を構築することができなくなるため、アンテナ相互間の距離を引き離して電波干渉を回避するために、アンテナの小型化が要求されている。

本発明の目的は、多周波広帯域の送受信に対応し、さらには小型化，薄型化を実現したマルチバンドアンテナを提供することにある。

第４世代移動体通信（４Ｇ）は、１台のアンテナにて、低周波数帯では６９８〜９６０ＭＨｚ、中間周波数帯では３周波数帯（１４２８ＭＨｚ〜１５９５ＭＨｚ，１７１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ，２５００ＭＨｚ〜２７００ＭＨｚ）、高周波数帯の３．４ＧＨｚ〜３．６ＧＨｚまでをカバーすることが要求されているから、それぞれの周波数帯に対応する電気長をもつ３素子のアンテナ素子を基板に搭載することが考えられる。

しかし、多周波広帯域の下限周波数は６９８ＭＨｚであり、上限周波数は３．６ＧＨｚであるから、下限周波数と上限周波数のための電気長が広範囲に渡るものであるから、各周波数帯をそれぞれ専用のアンテナ素子で対応させて小型化を実現するには、その小型化のサイズに限界がある。

そこで、本発明者等は発想を転換させて、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記素子及び前記軸部の組合せにより周波数帯毎に異ならせることにより、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応し且つ更なる小型化を実現したものである。前記軸部及び前記給電素子並びに前記無給電素子の線幅に着目して前記周波数毎に表面電流の密度を異ならせている。

具体的には、本発明に係るマルチバンドアンテナは、多周波広帯域の送受信に対応するマルチバンドアンテナであって、低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯に共通な軸部と、前記軸部とグランド板に接続される単一の給電部と、前記軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子と、前記軸部から切り離された非対称な下段の無給電素子とを有し、前記上段の給電素子に非対称な摂動素子をそれぞれ設けたことを特徴とするものである。

以上説明したように本発明によれば、共通な軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子に非対称な摂動素子をそれぞれ設けたため、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記周波数帯毎に異ならせることができ、図６〜図９に示す実測値から明らかなように低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応することができるという顕著な効果を奏するものである。

さらには、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記素子及び前記軸部の組合せにより前記周波数帯毎に異ならせて低周波数帯から高周波数帯までの多周波広帯域に対応するため、これらの給電素子及び無給電素子の電気長を短縮することができ、更なる小型化を実現することができる。

（ａ）は本発明の実施形態に係るマルチバンドアンテナを示す表面図、（ｂ）は同裏面図である。 図１に示す本発明の実施形態に係るマルチバンドアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は板状の摂動素子を１つの給電素子に取り付けた例を示す表面図、（ｂ）は図３（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は角柱の摂動素子を１つの給電素子に取り付けた例を示す表面図、（ｂ）は図３（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は板状の摂動素子を２つの給電素子に取り付けた例を示す表面図、（ｂ）は図３（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）の左側は６９８ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は６９８ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｂ）の左側は１０００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は１０００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｃ）の左側は１４００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は１４００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図である。 （ａ）の左側は１５９５ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は１５９５ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｂ）の左側は１７００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は１７００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｃ）の左側は２２００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は２２００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図である。 （ａ）の左側は２５００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は２５００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｂ）の左側は２７００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は２７００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図である。 （ａ）の左側は３４００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は３４００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、（ｂ）の左側は３６００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の表面側に流れる表面電流の密度を示す特性図、その右側は３６００ＭＨｚにおける給電素子及び無給電素子並びに軸部の裏面側に流れる表面電流の密度を示す特性図である。 （ａ）は摂動素子を設け且つ逆Ｌ型の無給電素子に近接する給電素子をストレート形状に形成した図、（ｂ）は図１０（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は給電素子の線幅を検証するための図、（ｂ）は図１１（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は摂動素子の変更例を示す図、（ｂ）は図１２（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は摂動素子の変更例を示す図、（ｂ）は図１３（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は摂動素子の起立度合いと給電素子との関係を示す図、（ｂ）は図１４（ａ）のアンテナにおけるＶＳＷＲの実測値を示す特性図である。 （ａ）は摂動素子の実装例を示す斜視図、（ｂ）はクリップ片の支え部に摂動素子を保持した状態を透視した斜視図、（ｃ）はクリップ片による取付け状態を示す断面図、（ｄ）は凸片と溝との嵌合状態を示す断面図である。 （ａ）は細径パイプによる摂動素子の実装状態を示す斜視図、（ｂ）は細径パイプのカシメ状態を基板の裏面から見た斜視図である。 （ａ）は軸部の変更例を示す表面図、（ｂ）は無給電素子の変更例を示す裏面図、（ｃ）は実測したＶＳＷＲを示す特性図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。

（実施形態１）
本発明の実施形態１に係るマルチバンドアンテナは、多周波広帯域の送受信波に対応するマルチバンドアンテナを対象とするものであり、単一の給電部１を用いることにより、多周波広帯域の送受信を行うものである。本発明の実施形態１に係るマルチバンドアンテナは図１（ａ）（ｂ）に示すように、単一の給電部１に接続された単一の軸部２と、前記軸部２から枝分かれして非対称な給電素子３ａ，３ｂと、前記軸部２から切り離された非対称な無給電素子５ａ，５ｂとを有しており、これらの素子を同一の基板４上に設けている。
なお、図１（ａ）では、軸部２，給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂの相互関係を示すために、基板４の表面４ａ側に形成した軸部２，給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａに加えて、基板４の裏面４ｂ側に形成された無給電素子５ｂを基板表面側から透視した状態で図示している。同様に、図１（ｂ）では、軸部２，給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂの相互関係を示すために、基板４の裏面４ｂ側に形成された無給電素子５ｂを加えて、基板４の表面４ａ側に形成した軸部２，給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａを基板表面側から透視した状態で図示している。図１（ａ）（ｂ）で示した図示の形態は、図３〜図９，図１０〜図１４及び図１７においても同様に踏襲している。

さらに、本発明の実施形態１に係るマルチバンドアンテナは、前記軸部２の線幅をＬ１，前記給電素子３ａ，３ｂの線幅をＬ２，Ｌ３、前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅をＬ４，Ｌ５とすると、前記軸部２の線幅Ｌ１を、前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５より広く、或いは前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５と同じに設定している。

本発明の実施形態１は、軸部２の線幅Ｌ１を給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５より広く、或いは前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５と同じに設定することにより、給電素子３ａ，３ｂと無給電素子４ａ、４ｂと軸部２とに流れる表面電流の密度を、低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯毎に異ならせて、図６〜図９に示す実測値から明らかなように低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応するものである。なお、図６〜図９に示す実測値は、軸部２の線幅Ｌ１を給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５より広く設定した場合であるが、軸部１の線幅Ｌ１を前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５と同じに設定しても同様の実測値を得ている。

より具体的に説明すると、図１（ａ）（ｂ）に示す本発明の実施形態１では、給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂのパターンを誘電体の基板４上にエッチング加工により形成している。エッチング加工後の実施形態１に係るマルチバンドアンテナの構造を説明する。
図１（ａ）（ｂ）において、非対称な給電素子３ａ，３ｂはその長さが長短異なるものであり、その給電素子３ａ，３ｂを基板４の表面４ａ上に形成している。非対称な無給電素子５ａ，５ｂはその長さが長短異なるものであり、長さの短い無給電素子５ｂを基板４の表面４ａ上に形成し、長さの長い無給電素子５ａを基板４の裏面４ｂにそれぞれ分けて形成している。
基板４の表面４ａに形成した給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂには異なる模様の網点を付けて相互間を識別している。しかも、基板４の裏面４ｂに形成された無給電素子５ｂには１点鎖線を付することにより、基板４の表裏面４ａ，４ｂの素子相互間を識別している。

前記軸部２は図１（ａ）（ｂ）に示すように、前記給電部１に接続されて立ち上がって基板４の表面４ａ側に形成されている。そして、前記給電素子３ａ，３ｂは前記軸部２から枝分かれさせて基板４の表面４ａに形成され、前記無給電素子５ａ，５ｂは前記軸部２から切り離されて基板４の表面４ａと裏面４ｂとに分けて形成されている。前記給電素子３ａ，３ｂは前記軸部２に直結して機械的に結合され、前記無給電素子５ａ，５ｂは前記軸部２に電気的に結合（静電結合或いは電磁結合）されている。

図１（ａ）（ｂ）に示す実施形態１においては、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａは前記軸部２を中心として左側の基板４の表面４ａ上に形成し、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂは前記軸部２を中心として右側の基板４の表面４ａ上に形成している。なお、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａを軸部２の右側、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂは前記軸部２を中心として左側にそれぞれ形成してもよいものである。

前記給電素子３ａ,３ｂと前記無給電素子５ａ，５ｂとは、それぞれ非対称構造のアンテナ素子として形成しており、その構成を具体的に説明する。
長い給電素子３ａは図１（ａ）（ｂ）に示すように、前記軸部２の頂部から左側の横方向に引き出し、その先端を下側に引き出し、次に右横側に折り曲げて形成している。短い給電素子３ｂは図１（ａ）（ｂ）に示すように、前記軸部２から右横側に引き出し、その先端を上側に引き出し、次にその先端を左横側に折り曲げて形成している。さらに、短い給電素子３ｂは、軸部２から右横側に引き出した箇所をミアンダ形状に形成している。
長い無給電素子５ａは図１（ａ）（ｂ）に示すように、前記軸部２に対して左側の横方向に引き出し、その先端を下側に引き出し、次に右横側に折り曲げて形成している。短い無給電素子５ｂは図１（ａ）（ｂ）に示すように、前記軸部２に対して右横側に引き出し、その先端を上側に引き出し、次にその先端を右横側に折り曲げて逆Ｌ型アンテナ素子として形成している。

本発明の実施形態１は上述したように、表面電流の密度を周波数帯毎に異ならせることにより、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応させるために、前記軸部２の線幅をＬ１，前記給電素子３ａ，３ｂの線幅をＬ２，前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅をＬ３とすると、前記軸部２の線幅Ｌ１を前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５より広く（Ｌ１＞Ｌ２〜Ｌ５）、或いは前記軸部２の線幅Ｌ１を前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５と同じ（Ｌ１＝Ｌ２〜Ｌ５）に設定している。上述した前記軸部２及び前記給電素子３ａ，３ｂ並びに前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ１，Ｌ２〜Ｌ５は、これらの素子の最も広い部分での寸法を意味している。
すなわち、軸部２はその根元側と頂部側とが同一の線幅に設定されて立ち上がっており、線幅Ｌ１はその根元側と頂部側との矢印で示す部分の寸法である。線幅Ｌ２は長い給電素子３ａの軸部２から左横側に引き出した矢印で示す部分の寸法であり、線幅Ｌ３は短い給電素子３ｂの軸部２に対して左横側に折り曲げた矢印で示す部分の寸法である。線幅Ｌ４は長い無給電素子５ａの軸部２から左横側に引き出した矢印で示す部分の寸法であり、線幅Ｌ５は短い無給電素子５ｂの軸部２に対して左横側に折り曲げた矢印で示す部分の寸法である。

次に、上述したアンテナ素子３ａ，３ｂ，５ａ，５ｂと組合せるグランド板６との関係を説明する。前記単一の給電部１は、前記軸部２のグランド板６側の端部２ａと前記グランド板６とに接続している。前記基板４の表面４ａに形成した無給電素子５ｂはグランド板６から立ち上がって逆Ｌ型形状に形成している。前記基板４の裏面４ｂに形成した無給電素子５ａは、グランド板６から立ち上がって形成している。前記基板４の表面４ａに横長のインピーダンス整合片７を形成し、前記インピーダンス整合片７の一端部７ａを前記軸部２のグランド板６側の端部２ａに接合し、且つ前記グランド板６の端縁に沿って沿わせた前記インピーダンス整合片７の他端部７ｂを前記グランド板６に接合している。この場合、インピーダンス整合片７とグランド板６の端縁との間には、隙間Ｓ１を確保している。このため、インピーダンス整合片７の他端部以外がグランド板に接触するのを回避してインピーダンス整合を図る。なお、前記インピーダンス整合片７は、より良いＶＳＷＲの改善のために用いているものであり、これらのインピーダンス整合片７を不要とした場合であっても実用上支障がないことを確認している。なお、グランド板６を基板４の一部にエッチンング加工により形成しているが、ノートパソコンの共通電極をなすグランド板６と組合せるようにしてもよく、グランド板６が基板４に形成されていることは必要十分条件ではない。

次に、図１（ａ），（ｂ）に示すアンテナ構造によるＶＳＷＲを実測した。その結果を図２に示す。図２の横軸は周波数、縦軸はＶＳＷＲを示す。

図２に示すように、低周波数帯の８５０ＭＨｚ付近で共振し、中間周波数帯の１９００ＭＨｚ付近及び２６００ＭＨｚ付近で共振し、高周波数帯の３１００ＭＨｚ付近及び３６００ＭＨｚで共振していることが分る。

以上のように、図１（ａ），（ｂ）に示すアンテナ構造によれば、軸部の線幅を給電素子及び無給電素子の線幅より広く或いはこれらの素子の線幅と同一に設定することにより、図２から明らかなように低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応することができる。これは、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度が低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯毎に異なるから、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応することができたものと考えられる。

以上のように、図１（ａ），（ｂ）に示す構造によれば、軸部の線幅を給電素子及び無給電素子の線幅より広く或いはこれらの素子の線幅と同一に設定したため、図２から明らかなように、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応させるという目的を達成することができた。

さらには、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記素子及び前記軸部の組合せにより前記周波数帯毎に異ならせて低周波数帯から高周波数帯までの多周波広帯域に対応するため、これらの給電素子及び無給電素子の規定の電気長を短縮することができ、更なる小型化を実現することができる。

（実施形態２）
本実施形態１によれば、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応させるという目的を達成することができたが、中間周波数帯でのずれがあるため、これを改善する必要がある。本実施形態２では、中間周波数帯でのずれを改善することを試みている。

摂動素子を用いて低域側に周波数をシフトすることは一般的に行われているので、この技術をそのまま本発明に適用した場合について考察した。その考察を図３及び図４に基づいて説明する。
図３（ａ）は板状の摂動素子Ｐ１を長い給電素子３ａに設けた場合を示す図である。図３（ａ）に示すように摂動素子Ｐ１を長い給電素子３ａに設けた構造では、図２と図３（ｂ）とを比較すると明らかなように中間周波数帯の改善に至っていないことが分かる。また、図４（ａ）は図３（ａ）に示す板状の摂動素子Ｐを角柱の摂動素子Ｐ２に変更し且つ角柱の摂動素子Ｐ２を長い給電素子３ａに設けた場合を示す図である。図４（ａ）に示すように摂動素子Ｐ２を長い給電素子３ａに設けた構造では、図２と図４（ｂ）とを比較すると明らかなように中間周波数帯の改善に至っていないことが分かる。

本実施形態２は、図３及び図４に示す摂動素子Ｐ１，Ｐ２の構造を解析して、図５（ａ）に示す構造を開発したものである。すなわち、本実施形態２は、前記上段の給電素子３ａ，３ｂに非対称な摂動素子８，９をそれぞれ設けている。短い給電素子（逆Ｌ型アンテナ素子）３ｂの逆Ｌ型無給電素子５ｂに沿う辺３ｃはミアンダ形状に成形している。なお、給電素子３ｂの辺３ｃの全体をミアンダ形状としているが、図６〜図９に示すように、辺３ｃの一部に線幅の太い部分を設けてその両端をミアンダ形状にしてもよいものである。

前記非対称な摂動素子８，９は長さを異ならせて給電素子３ａ，３ｂに沿わせて設けている。すなわち、長い給電素子３ａには長い摂動素子８を、短い給電素子３ｂには短い摂動素子９をそれぞれ設けている。さらに、前記上段の長い給電素子３ａに設けた前記摂動素子８を前記軸部２まで延長させて設けている。この場合、短い給電素子３ｂに設けた摂動素子９の長さは給電素子３ｂの長さに止めている。
上述した本実施形態２のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

次に、上段の給電素子３ａ，３ｂに摂動素子８，９を設け、しかも辺３ｃの一部に線幅の太い部分を設けてその両端をミアンダ形状にし、さらに、軸部２の線幅Ｌ１を給電素子３ａ，３ｂ及び無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５より広く設定することにより、給電素子３ａ，３ｂと無給電素子５ａ，５ｂと軸部２とに流れる表面電流の密度を低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯毎に異ならせて、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応させ且つ中間周波数帯の改善がなされているかを図６〜図９に示すシミュレーションの結果に基づいて検証する。
図６〜図９の実測値は、軸部１の線幅Ｌ１を前記給電素子３ａ，３ｂ及び前記無給電素子５ａ，５ｂの線幅Ｌ２〜Ｌ５と同じに設定しても同様の実測値を得ている。

以下に示す図６（ａ）（ｂ）（ｃ），図７（ａ）（ｂ）（ｃ），図８（ａ）（ｂ），図９（ａ）（ｂ）において、図６〜図９でのシミュレーションは、給電素子３ａ，３ｂと無給電素子５ａ，５ｂと軸部２とに流れる表面電流の密度を低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯毎に異ならせて、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応させることを示すことに主眼があるため、電流がグランド板６にも流れているが、グランド板６に流れる表面電流の密度分布については割愛している。インピーダンス整合片７についても同様に割愛している。

図６（ａ）は低周波数帯の下限周波数低周波数である６９８ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図６（ａ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図６（ａ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図６（ａ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図６（ａ）のシミュレーション結果から明らかなように、長い給電素子３ａと長い無給電素子５ａとの表面電流密度が最大を示しており、軸部２の全体，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂの一部にも表面電流密度が比較的高い部分が見られる。この周波数６９８ＭＨｚでは、斜線で示す長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａが共振に主に寄与しているものと考えている。

図６（ｂ）は低周波数帯の上限周波数付近である１０００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図６（ｂ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図６（ｂ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図６（ｂ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図６（ｂ）のシミュレーション結果から明らかなように、長い給電素子３ａと長い無給電素子５ａとの表面電流密度が最大を示しており、軸部２の全体，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂの一部にも表面電流密度が比較的高い部分が見られる。この周波数６９８ＭＨｚでは、斜線で示す長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａが共振に主に寄与しており、それ以外の領域が前記共振に補完的に寄与しているものと考えている。このシミュレーションの結果は、図６（ａ）に示すシミュレーションの結果と実質的に符合しており、低周波数帯の６９８７ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの範囲に対しては斜線で示す長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａが対応していることが分かる。

図６（ｃ）〜図８（ｂ）は中間周波数帯１４２８ＭＨｚ〜１５９５ＭＨｚ，１７１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ，２５００ＭＨｚ〜２７００ＭＨｚを意図してシミュレーションしている。
図６（ｃ）は中間周波数帯の下限周波数付近である１４００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図６（ｃ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図６（ｃ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図６（ｃ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図６（ｃ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数１４００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数１４００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図７（ａ）は中間周波数帯である１５９５ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図７（ａ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図７（ａ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図７（ａ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図７（ａ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数１５９５ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数１５９５ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図７（ｂ）は中間周波数帯である１７００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図７（ｂ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図７（ｂ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図７（ｂ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図７（ｂ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数１７００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数１７００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図７（ｃ）は中間周波数帯である２２００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図７（ｃ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図７（ｃ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図７（ｃ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図７（ｃ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数２２００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数２２００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図８（ａ）は中間周波数帯である２５００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図８（ａ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図８（ａ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図８（ａ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図８（ａ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数２５００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数２５００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図８（ｂ）は中間周波数帯である２７００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図８（ｂ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図８（ｂ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図８（ｂ）において、表面電流密度が高い領域を斜線で示し、それに続く領域をドットで示している。
図８（ｂ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａと、短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂとに実質的に均一とみられる表面電流密度が現れており、この周波数２７００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，長い給電素子３ａ及び長い無給電素子５ａ，短い給電素子３ｂ及び短い無給電素子５ｂが共振に寄与しており、これらの素子が周波数２７００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図９（ａ）は高周波数帯である３４００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図９（ａ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図９（ａ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図９（ａ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図９（ａ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、短い給電素子３ｂ及び長い無給電素子５ａとに主に表面電流密度が現れており、この周波数３４００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，短い給電素子３ｂ及び長い無給電素子５ａが主に共振に寄与しており、これらの素子が周波数３４００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図９（ｂ）は高周波数帯である３６００ＭＨｚを意図してシミュレーションした結果を示している。なお、図９（ｂ）の左側は基板４の表面４ａからシミュレーションの結果を見た図、図９（ｂ）の右側は基板４の裏面４ｂからシミュレーションの結果を見た図である。図９（ｂ）において、表面電流密度が高い領域及び比較的高い領域を斜線で示している。
図９（ｂ）のシミュレーション結果から明らかなように、軸部２と、短い給電素子３ｂ及び長い無給電素子５ａとに主に表面電流密度が現れており、この周波数３６００ＭＨｚでは、斜線で示す、軸部２，短い給電素子３ｂ及び長い無給電素子５ａが主に共振に寄与しており、これらの素子が周波数３６００ＭＨｚに対応しているものと考えられる。

図５（ａ）に示すように、上段の給電素子３ａ，３ｂに摂動素子８，９を設け、しかも辺３ｃの全体をミアンダ形状にしたアンテナ構造であっても、図６〜図９に示すシミュレーションと同様の結果を得ている。

図５（ａ）に示す非対称な上段の給電素子３ａ，３ｂに非対称な摂動素子８，９を設け、しかも辺３ｃの全体をミアンダ形状にしたアンテナ構造におけるＶＳＷＲを実測し、その実測結果を図５（ｂ）に示す。
図５（ｂ）のＶＳＷＲの実測値を図２のＶＳＷＲの実測値と比較すると、摂動素子８，９を設けたことにより、中間周波数帯での特性の改善及び帯域幅の拡大に寄与していることが分かる。
さらに、図５（ａ）及び図６に示すミアンダ形状を採用することにより、給電素子３ｂを流れる電流による電気的結合（電磁結合又は静電結合）の影響を無給電素子５ｂに付与することで、中間周波数帯での特性の改善及び帯域幅の拡大に寄与していることが分かった。この場合、前記電気的結合による大きな影響を与えるには図５（ａ）のミアンダ形状を採用すればよい。

以上のように、本実施形態２によれば、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を図６〜図９に示すように周波数帯毎に異ならせて、低周波数帯，中間周波数帯及び高周波数帯に対応することができるばかりでなく、中間周波数帯での特性の改善及び帯域幅の拡大に寄与することができるという顕著な効果を得ることができるものである。

さらには、給電素子と無給電素子と軸部とに流れる表面電流の密度を前記素子及び前記軸部の組合せにより前記周波数帯毎に異ならせて低周波数帯から高周波数帯までの多周波広帯域に対応するため、これらの給電素子及び無給電素子の電気長を短縮することができ、更なる小型化を実現することができる。

図５（ａ）に示す本実施形態２によれば、図５（ｂ）に示すように、１５００ＭＨｚ付近で共振しており、中間周波数帯を改善することができるとともに、高周波数帯も改善することができるという利点がある。

（実施形態３）
図１（ａ）及び図５（ａ）に示した実施形態では短い給電素子（逆Ｌ型アンテナ素子）３ｂの逆Ｌ型無給電素子５ｂに沿う辺３ｃをミアンダ形状に形成した例を示したが、図１０（ａ）に示す実施形態３は、短い給電素子３ｂの辺３ｃをストレート形状に変更している。この場合、図５（ａ）に示す摂動素子８，９が存在していることを前提としている。
上述した本実施形態３のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。
図１０（ｂ）と図５（ｂ）とを比較すると明らかなように、短い給電素子３ｂの辺３ｃを一点鎖線で示すミアンダ形状Ｄ１から実線で示すストレート形状Ｄ２に変更しても図５（ｂ）に示すように、１５００ＭＨｚ付近で共振しており、中間周波数帯を改善することができるとともに、高周波数帯も改善することができるという利点がある。

（実施形態４）
図１１（ａ）は、長い給電素子３ａの長い無給電素子５ａに沿う辺３ｄの線幅Ｌ２１を広く反対側の線幅Ｌ２２を狭くした場合のＶＳＷＲを実測した。図１１（ｂ）と図２とを比較すると明らかなように、前記給電素子３ａの辺３ｄを広く反対側を狭くすることにより、低周波数帯及び中間周波数帯のアンテナ特性が劣化することが分かる。
この考察から、図１（ａ）及び図５（ａ）に示すように、長い給電素子３ａの長い無給電素子５ａに沿う辺３ｄの線幅Ｌ２１を狭く反対側の線幅Ｌ２２を広くすることが必要であることが分かる。上述した本実施形態４のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

（実施形態５）
図１２（ａ）は、図５（ａ）に示す摂動素子９に庇９ａを設けている。前記庇９ａは短い給電素子３ｂ側に設けている。本実施形態５では、庇９ａが給電素子３ｂに電磁的影響を与えることにより、図５（ｂ）と図１２（ｂ）とを比較すると明らかなように、高周波数側の帯域が改善していることが分かる。上述した本実施形態５のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

以上の実施形態では、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに直結することにより機械的に結合して例を示したが、これに限られるものではない。図１３（ａ）に示すように、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂから若干浮かせて隙間（約０．１ｍｍ）Ｓ２を明けて配置することにより、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに電気的に接合（電磁結合或いは静電結合）させてもよいものである。なお、隙間Ｓを明ける場合、隙間Ｓ２内に誘電体を介装し、その誘電体で摂動素子８，９を支えて給電素子３ａ，３ｂに取り付ける構造を採用してもよい。
図１３（ａ）に示す構造は、図１３（ｂ）と図５（ｂ）とを比較すると明らかなように、一点鎖線で示す浮きなしのＶＳＷＲＤ３に対して実線で示す隙間Ｓ２があるＶＳＷＲでは中間周波数帯の下限側で若干変化するが、全体として実用範囲である。このことからして、摂動素子８，９と給電素子３ａ，３ｂとは機械的結合或いは電気的結合のいずれを選択して実装することができる。

（実施形態６）
図１４（ａ）に示す例は、前記摂動素子８，９の前記給電素子３ａ，３ｂに対する起立角度θを調整する場合を考察した例である。図１４（ａ）では、前記摂動素子８，９の前記給電素子３ａ，３ｂに対する起立角度θを４５°に調整している。そのＶＳＷＲを図１４（ｂ）に示す。
図１４（ｂ）には、起立角度θが９０°の場合を一点鎖線Ｖ１、起立角度θが４５°の場合を実線Ｖ２で示している。
図１４（ｂ）における一点鎖線Ｖ１で示すＶＳＷＲと実線Ｖ２で示すＶＳＷＲとを比較すると明らかなように、起立角度θによって低周波数帯から高周波数帯までのＶＳＷＲを調整することができることが分かる。なお、図１４（ｂ）では、起立角度θを４５°と９０°の場合のＶＳＷＲを採り上げてその変化の傾向を示しており、起立角度θによってＶＳＷＲに変化を与えられるので、これ以外の角度で起立させてもよいものである。上述した本実施形態６のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

（実施形態７）
次に、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂにクリップ構造により実装する構造を図１５，図１６に基づいて説明する。
図１５（ａ）〜（ｄ）に示すクリップ構造は、クリップ片１０で基板４を挟持して実装する構造である。クリップ片１０は誘電体から構成され、舌片１０ａと支え部１０ｂとを有している。
舌片１０ａは支え部１０ｂと交差する方向に突き出ており、バネ性を有して板厚方向で基板４を挟むようになっている。
支え部１０ｂは、摂動素子８，９を挿入する両端と底部側が開口された逆コ字型のパイプ形状をなし、舌片１０ａが基板４を挟持した位置で軸部２と給電素子３ｂとの間に対応させて仕切１０ｃを備えており、左右から内部に圧入されて仕切１０ｃに当接した状態で摂動素子８，９を支えている。２つの摂動素子８，９は仕切１０ｃにより相互間が電気的に絶縁されている。
一方の摂動素子８は、給電素子３ａの長さを超えて軸部２に接合する位置まで支え部１０ｂ内に圧入され、他方の摂動素子９は給電素子３ｂの長さ範囲で支え部１０ｂ内に圧入されている。支え部１０ｂの内壁には図１５（ｂ）に示すように内側に突き出た突起１０ｄを有しており、支え部１０ｂ内に圧入された摂動素子８，９に突起１０ｄが密着して抜け出るのを阻止している。
また、基板４には図１５（ｂ）に示すように軸部２と給電素子３ｂとの間に溝４ｃが設けられ、舌片１０ａには、溝４ｃに嵌合する凸片１０ｅが設けられている。

図１５に示すクリップ片１０で摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに実装するには、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、支え部１０ｂ内に左右方向から摂動素子８，９を圧入し、その相互間を仕切１０ｃで絶縁する。
次に、図１５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、舌片１０ａで軸部２と給電素子３ｂとの間の位置で基板４を挟持し、舌片１０ａのバネ性を利用して、支え部１０ｂ内の摂動素子８を給電素子３ａに、摂動素子９を給電素子３ｂにそれぞれ圧着させる。
さらに、図１５（ｄ）に示すように、支え部１０ｂの凸片１０ｅを基板４の溝４ｃ内に圧入して、摂動素子８と給電素子３ａ、摂動素子９と給電素子３ｂとの位置決めを行う。

以上のように、図１５に示すクリップ構造によれば、パイプ形状の支え部１０ｂ内に２つの摂動素子８，９を保持し、舌片１０ａで基板４に挟持して、摂動素子８，９を給電素子８，９にそれぞれ設けるため、ワンタッチ方式で摂動素子８，９を組み付けることができ、組立の生産性を向上させることができる。
さらに、溝４ｃと凸片１０ｄとの嵌合により、給電素子３ａ，３ｂと摂動素子８，９との位置決めがされるため、摂動素子８，９と給電素子３ｓ，３ｂとの組合せによる多周波広帯域の送受信の性能を維持することができる。
さらには、アンテナでは誘電体をアンテナ素子に重合させると、ＶＳＷＲの改善に寄与することが知られており、本実施形態では、摂動素子８，９の取付けの際に誘電材の舌片１０ａが軸部２と給電素子３ｂとの間に介在することになり、摂動素子８，９の取付けとＶＳＷＲの改善とを一挙に行うことができるという利点がある。

図１６に示すクリップ構造は細径のパイプを用いた構造である。図１６（ａ）に示すように、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂ側に向けて貫通する孔１１を設け、図１６（ｂ）に示すように、貫通孔１１に一致させて基板４の板厚方向に貫通する孔１２を給電素子３ａ，３ｂ設けている。

図１６（ａ）に示す細径のパイプを用いて摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに実装するには、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、摂動素子８，９の貫通孔１１及び給電素子３ａ，３ｂの貫通孔１２に渡って細径のパイプ１３を貫通させ、その先端を基板４の孔１２から裏面４ｂに突き出し、その突き出たパイプ１３をかしめ、そのカシメ力（クリップ力）により摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに密着させている。

図１６に示すクリップ構造によれば、摂動素子８，９及び給電素子３ａ，３ｂに貫通孔１１，１２を設けることにあるが、それらの貫通孔１１，１２がパイプ１３で穴埋めされるため、摂動素子８，９と給電素子３ｓ，３ｂとの機能に影響を与えることを回避することができ、多周波広帯域の送受信の性能を維持することができる。
図１６に示すクリップ構造にあっても、パイプ１３を貫通孔１１，１２に圧入させてカシメることにより、摂動素子８，９を給電素子３ａ，３ｂに実装することができるという利点を有している。
上述した本実施形態のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

（実施形態８）
図１７（ａ）（ｂ）は、図５（ａ）に示すアンテナ構造におけるＶＳＷＲをさらに改善する例を示すものである。
図１７（ａ）に示すように、軸部２から給電素子３ａに枝分かれる箇所を拡大（拡大部１４）している。同様に図１７（ｂ）に示すように、基板４の裏面４ｂ側の無給電素子５ａがグランド板６から立ち上がった箇所を拡大（拡大部１５）している。
上述した本実施形態８のその他の構成は本実施形態１の構成と同様に構成してある。

図１７（ａ）（ｂ）に示すように、拡大部１４，拡大部１５を設けることにより、軸部２と給電素子３ａとの間、グランド板６と無給電素子５ａとの間での電流の流れに変化を与えて、図１７（ｃ）に示すように低周波数帯から高周波数帯までのＶＳＷＲの改善と帯域幅の拡大を図ることができるという利点がある。
なお、本実施形態のように２つの拡大部１４，１５を設けることが最も有効であるが、そのいずれか一方を設けるだけでも実用の範囲での効果を得ることができることを確認している。

本発明は、多周波広帯域の送受信に対応し、且つ小型化の実現に貢献することができるものである。

１ 給電部
２ 軸部
３ａ，３ｂ 給電素子
５ａ，５ｂ 無給電素子
８，９ 摂動素子
９ａ 庇
１０ クリップ片
１０ａ 舌片
１０ｂ 支え部
１３ 細径のパイプ

Claims (6)

1. 多周波広帯域の送受信に対応するマルチバンドアンテナであって、
   低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯に共通な軸部と、
   前記軸部とグランド板に接続される単一の給電部と、
   前記軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子と、
   前記軸部から切り離された非対称な下段の無給電素子とを有し、
   前記上段の給電素子に非対称な摂動素子をそれぞれ設けたことを特徴とするマルチバンドアンテナ。
2. 前記請求項１に記載のマルチバンドアンテナにおいて、
   前記軸部の線幅が、前記給電素子及び前記無給電素子の線幅と同一又はこれらの素子より広く、
   前記上段の長い給電素子に設けた前記摂動素子を前記軸部まで延長させて設けたことを特徴とするマルチバンドアンテナ。
3. 前記請求項１又は２に記載のマルチバンドアンテナにおいて、
   クリップ構造で前記摂動素子を前記給電素子に結合させたことを特徴とするマルチバンドアンテナ。
4. 前記請求項１に記載のマルチバンドアンテナにおいて、
   前記上段の給電素子及び前記下段の無給電素子は、それぞれの長さが長短異なっており、前記短い無給電素子に沿う前記短い給電素子の一部をミアンダ形状に形成したことを特徴とするマルチバンドアンテナ。
5. 前記請求項１に記載のマルチバンドアンテナにおいて、
   前記上段の給電素子及び前記下段の無給電素子は、それぞれの長さが長短異なっており、前記短い無給電素子に沿う前記短い給電素子の一部をストレート形状に形成したことを特徴とするマルチバンドアンテナ。
6. 多周波広帯域の送受信に対応するマルチバンドアンテナであって、
   低周波数帯及び中間周波数帯並びに高周波数帯に共通な軸部と、
   前記軸部とグランド板に接続される単一の給電部と、
   前記軸部から枝分かれして非対称な上段の給電素子と、
   前記軸部から切り離された非対称な下段の無給電素子とを有し、
   前記軸部の線幅が、前記給電素子及び前記無給電素子の線幅と同一又はこれらの素子より広いことを特徴とするマルチバンドアンテナ。

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