JP2015203628A - 荷電粒子線装置及び座標補正方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の目的は、様々なサイズの欠陥が混在する試料に対して欠陥検出率を向上させることが可能な装置、及び、座標補正方法を提供することにある。
【解決手段】
検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置は、ステージと、荷電粒子線光学系と、画像演算部と、光学顕微鏡と、制御部とを備える。前記制御部は、前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類し、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する。
【選択図】図3
【解決手段】
検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置は、ステージと、荷電粒子線光学系と、画像演算部と、光学顕微鏡と、制御部とを備える。前記制御部は、前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類し、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する。
【選択図】図3
Description
本発明は、荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置における座標補正方法に関する。
従来より、半導体ウェハ等の試料に対して観察を行うための試料観察装置が使用されている。例えば、半導体製品の製造過程では、製造装置で発生した異物等による半導体形成パタンのショートや断線欠落等によって、製品歩留まりが低下するおそれがある。そこで、半導体製造工程において、半導体基板上の欠陥あるいは異物(以下、欠陥と異物とを合わせて単に欠陥という)の種類を特定し、欠陥の発生原因を解析することは歩留まり向上のために重要なことである。
近年、半導体は微細化が進み、微小の欠陥が半導体の性能に重大な障害を与える可能性がある。そこで、光学式欠陥検査装置あるいは光学式異物検査装置、またはSEM式外観検査装置(以下、単に検査装置という)を用いて欠陥の発生箇所を特定し、当該検査装置により得られた欠陥座標等の情報に基づき、暗視野式光学顕微鏡(Dark Field Optical Microscope、以下、DFOMという)、あるいは走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、以下SEMという)などの観察装置(以下、レビュー装置という)で、視野を該欠陥が存在する位置に移動して、該欠陥を拡大して撮像する。このように欠陥を撮像したうえで、大きさや致命性の判定、元素分析、断面観察等を実施し、その欠陥の種類を特定することで不具合原因を特定することが一般的に行われている。その結果、装置やプロセスの改善を行い、歩留まり低下を防いでいる。
上記のようなレビュー作業に関して、欠陥レビュー作業の自動化・効率化の要請から、検査装置からのデータを基に、自動的に欠陥の拡大画像を取得する機能(Automatic Defect Review、以下、ADRという)を有するレビュー装置が開発されている。ところが、SEMで画像を取得する場合、検査装置で取得された欠陥位置情報をそのままレビュー装置の撮像位置情報として使用すると、欠陥がSEMの撮像視野から外れる確率が非常に多くなる。これは、SEM式のレビュー装置では拡大倍率が大きいため、検査装置の持つ座標系とレビュー装置の持つ座標系との微妙なずれがそのまま拡大されてしまうためである。
そこで、検査装置から提供される欠陥の座標情報を実際に撮像し、取得画像を画像処理することにより検出される欠陥の座標の情報を用いて、アライメント(以下、ファインアライメントという)を行い、検査装置の座標系とレビュー装置の座標系のオフセット補正や回転補正、ピッチ補正等を行う。例えば特許文献1には、上記のファインアライメント機能が開示されている。
ファインアライメントに使用される欠陥の登録作業では、座標データやサイズ等の情報からファインアライメント点を抽出するための選別方法あるいは選抜基準を設定する。レビュー装置は、その設定情報に基づいて欠陥数点をサンプリングとして選別し、選別した欠陥の該当欠陥位置へ移動した後、該当欠陥位置の画像を取得する。画像に欠陥が含まれていれば、当該欠陥をファインアライメント点として登録する。
ただし、配線パタンの形成されていない半導体ウェハ(以下、ベアウェハという)の場合、配線パタンが形成されているウェハ(以下、パターンウェハという)に比べて、欠陥観察対象サイズも小さいため、視野が広く、微小粒子からの散乱光で画像を表示するDFOMを使って検査装置から出力された欠陥点のすべてをファインアライメント点として登録している場合がある。これは、1ウェハあたりの処理時間は長くなるが、ファインアライメント点に登録した欠陥に関しては、登録したときの座標を使ってADRを実行するため、ADRの欠陥検出率が向上するからである。
また、ベアウェハの場合、検査装置の座標系とレビュー装置の座標系は、回転による座標誤差が大きいことから、ファインアライメント点の登録順序は、中心から外周に向かって決定することが多い。
ファインアライメントの登録作業は、通常、視野の移動先に欠陥がない場合は、移動先の周辺に視野を移動して撮像を行うことにより欠陥を探す作業(サーチアラウンドと称される)を行う。最初の数点はこのサーチアラウンド機能を使って欠陥検出を行うが、その後は、リアルタイムに座標の補正をかけるため、サーチアラウンドの機能を使わずに、視野の移動先に欠陥が入るようになり、ファインアライメントの登録時間が短縮できる。
現状、微小欠陥及び巨大欠陥が混在するベアウェハにおいて、巨大欠陥のファインアライメント点を登録した後、次の欠陥が微小欠陥だった場合、視野の移動先に欠陥が入らない現象が発生している。これは、検査装置が、巨大欠陥のどの部分を検出したかわからないため、検査装置で検出した欠陥の重心位置とレビュー装置で検出した欠陥の重心位置が異なった場合、座標の誤差が大きくなり、次のファインアライメント点に間違った座標の誤差を反映し、欠陥の検出に失敗する。
本発明の目的は、様々なサイズの欠陥が混在する試料に対して欠陥検出率を向上させることが可能な装置、及び、座標補正方法を提供することにある。
上記課題を解決する為に、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例をあげるならば、検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置であって、試料を搭載するステージと、荷電粒子線を前記試料上の前記欠陥の位置に対して走査する荷電粒子線光学系と、前記試料から発生した二次信号に基づいて画像を生成する画像演算部と、前記試料上の前記欠陥の位置に対して光を照射し、検出される反射光または散乱光の情報を検出信号として出力する光学顕微鏡と、前記ステージ、前記荷電粒子線光学系、前記画像演算部、及び光学顕微鏡を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類し、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する荷電粒子線装置が提供される。
また、他の例によれば、検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置における座標補正方法であって、制御部により、前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類するステップと、前記制御部により、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定するステップと、を含む座標補正方法が提供される。
本発明によれば、微小欠陥及び巨大欠陥が混在する試料においても、欠陥検出率が向上する。
本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施例の説明により明らかにされる。
本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施例の説明により明らかにされる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明する。なお、添付図面は本発明の原理に則った具体的な実施例を示しているが、これらは本発明の理解のためのものであり、決して本発明を限定的に解釈するために用いられるものではない。
試料観察装置としては、荷電粒子線(代表的には、電子)を試料表面で走査して、二次的に発生する電子を用いる荷電粒子線装置がある。本発明は、荷電粒子線装置全般に適用可能である。荷電粒子線装置の代表的な例として、走査電子顕微鏡(SEM)がある。
[第1実施例]
以下の実施例は、半導体電子回路基板や液晶表示基板等の薄膜デバイス製造過程で生じた欠陥を、走査電子顕微鏡等の拡大撮像装置を用いてレビューするためのレビュー装置、及び、レビュー方法に関するものである。
以下の実施例は、半導体電子回路基板や液晶表示基板等の薄膜デバイス製造過程で生じた欠陥を、走査電子顕微鏡等の拡大撮像装置を用いてレビューするためのレビュー装置、及び、レビュー方法に関するものである。
図1は、半導体ウェハの製造ラインでの各装置とその接続構成の一例を示す。図1において、1はデータ管理サーバ、2は半導体製造装置、3は検査装置、4はレビュー装置、5は解析装置、6はレビュー・解析装置、7はネットワークである。製造ラインにおいて、図1に示すように、半導体製造装置2、検査装置3、レビュー装置4、解析装置5、及びレビュー・解析装置6が、データ管理サーバ1とネットワーク7によって相互に接続されている。
半導体製造装置2は、露光装置やエッチング装置などの半導体ウェハの製造に用いられる。検査装置3は、半導体ウェハ上の欠陥位置を検査するものであって、例えば、半導体ウェハ上に光のビームスポットをスキャンさせ、その乱反射の度合いから欠陥位置を特定したり、形成されているパタンの画像を2つのチップからそれぞれ取得し、これら画像を比較して相違する部分を欠陥とし、その欠陥位置を検出する。検査装置3は、少なくとも欠陥の座標情報と欠陥のサイズの情報とを出力する。
レビュー装置4は、検査装置3の検査情報に基づいて欠陥を観察する。観察には、光学式顕微鏡で撮像する方法と、電子顕微鏡で撮像する方法がある。解析装置5は、例えば、EDX(Energy DispersiveX-ray Spectrometer)やオージェ電子分光法を用いて元素分析を行うものである。オージェ電子分光法は、電子線を対象に照射したときに対象から放出されるオージェ電子を検出し、解析する方法であり、一般によく知られた方法である。レビュー・解析装置6は、欠陥の観察と元素分析とを両方行うことができるようにした装置である。
なお、これらの検査、観察、分析のための各装置は、必ずしも分離している必要はなく、例えば、検査とレビューとを同一装置内で行えるようにするなど、組み合わせるようにしてもよい。データ管理サーバ1は、これらの検査装置3、レビュー装置4、解析装置5、及び、レビュー・解析装置6で得られたデータを管理するものであり、レビュー装置4や解析装置5は、データ管理サーバ1を介して検査装置3から出力された欠陥位置座標などの情報を取得することができる。ここでは接続の一例を示したが、装置間でデータの装置利用が可能であればどのような接続構成であってもよい。
レビュー装置4、解析装置5或いはレビュー・解析装置6は、検査装置3により得られた欠陥位置の座標データ及び欠陥のサイズなどの情報を取得し、該座標データに基づいて欠陥の位置決めをし、レビューや解析を行う。
図2は、レビュー装置4の一例であり、欠陥レビューSEMの全体構成例である。レビューの対象となる半導体ウェハは、XYステージ15に搭載される。XYステージ15は、複数または単数のマイクロプロセッサを有する全体制御部19から送られる制御信号に基づいて、ステージ制御部23によりX方向、またはY方向に移動制御される。XYステージ15は、高さ方向にも制御することができる。SEMを応用した撮像装置8は、XYステージ15に固定された半導体ウェハの所定領域の拡大画像を撮像する。
撮像装置8の電子ビームEBの発生源である電子源9には、一定に制御された電圧が高電圧安定化電源24から印加される。電子源9から発射された電子ビームEBは、第1コンデンサレンズ10、第2コンデンサレンズ11、第1対物レンズ13、第2対物レンズ14によって収束されて細く絞られるとともに、偏向走査用コイル12によって半導体ウェハ上を走査する。
測定対象の半導体ウェハへの電子ビームEBの照射によって、半導体ウェハから二次電子や反射電子等の二次信号が発生し、信号検出器25で検出される。以上説明した電子源や対物レンズなど各種光学要素の集合は電子光学系を構成しており、撮像装置8の輪郭線として模式的に図示されている真空容器内に保持される。信号検出器25の出力信号はアナログ信号をディジタル信号へ変換するA/D変換部21で処理され、マイクロプロセッサを有する画像演算部20に入力される。画像演算部20では、入力された情報に基づいて、半導体ウェハのSEM像の生成や欠陥検出処理などの画像処理が行われる。画像演算部20による画像処理結果は、全体制御部19を介してディスプレイ17に表示される。
全体制御部19には記憶装置16が接続され、画像演算部20で生成されたSEM像や付随するデータが記憶される。ディスプレイ17上には、レビュー装置の操作画面の役割を果たすGUI(Graphical User's Interface)が表示される。レビュー装置を使用するユーザは、キーボードやポインティングデバイスなどにより構成される入力装置18を用いて、欠陥観察の条件等、検査に必要な情報をディスプレイ17上のGUIに入力する。
半導体ウェハの欠陥情報(座標データやサイズの情報など)は、図1に示した検査装置3からネットワーク7を介して全体制御部19に送られ、記憶装置16内の欠陥ファイルに格納される。欠陥ファイルには、検査装置3で取得された欠陥の欠陥IDと、当該IDに対応する欠陥座標情報と、サイズの情報などが格納されている。全体制御部19は、当該欠陥座標情報に基づいて、欠陥が撮像装置8の視野に入るようにステージ制御部23にステージ移動命令を送り、XYステージ15を移動させる。
SEMは高倍率で撮像するため視野が狭く、欠陥が視野内に収まるように撮像するためには、外部の検査装置3より取得された欠陥座標をレビュー装置4上における欠陥座標に正確に座標補正(ファインアライメント)する必要がある。そこで、本実施例の撮像装置8には暗視野光学顕微鏡(DFOM)27が設けられており、外部の検査装置3より取得された欠陥座標情報に基づいて、レビュー対象となる欠陥が存在する座標にレーザーを照射し、検出される反射光または散乱光の情報を検出信号として出力し、DFOM画像を撮像する。
DFOMの出力信号は、信号検出器25の出力信号と同様にA/D変換部21で量子化された後、画像演算部20に入力され、各種の画像処理が行われる。欠陥部で生ずる散乱光の重心の座標をレビュー装置4上における欠陥座標として算出し、ファインアライメント点として登録する。この操作をレビュー対象とする全ての欠陥について実行することにより、半導体デバイス上の欠陥をレビュー装置4により正確に捕捉・レビュー(撮像)することができる。
全体制御部19は、入力された情報と予め記憶された制御プログラムとに従って、電子光学系制御ユニット22、DFOM制御ユニット28およびステージ制御部23を制御する。電子光学系制御ユニット22、DFOM制御ユニット28およびステージ制御部23は、全体制御部19からの指令に従い、撮像装置8内の電子光学系、暗視野光学顕微鏡27、XYステージ15の制御を行う。
次に、本発明の特徴を説明する。本発明は、検査装置3が出力する欠陥情報に含まれる欠陥サイズを元に、半導体ウェハ上の欠陥をn段階(複数のサイズの段階)に分類し、欠陥サイズの小さいグループから順に、ファインアライメントの実行順序を決定し、ファインアライメントの登録を実施する。これにより、巨大欠陥のオフセットに影響しないようにする。また、検査装置3とレビュー装置4で検出した欠陥サイズの差が所定の範囲を超える場合は、ファインアライメント点には登録せず、欠陥の誤検出によるファインアライメント精度の低下を防止する。
以下では、本発明をレビュー装置4に実装した例として説明するが、検査装置3により得られた欠陥位置の座標データ及び欠陥のサイズなどの情報を取得し、該座標データに基づいてレビューや解析を行う装置であれば、本発明の適用対象となる。
図3は、全体制御部19における本発明に関連する構成要素を示す。全体制御部19は、欠陥情報入力部19−1と、グループ情報入力部19−2と、実行順序決定部19−3と、DFOM画像判定部19−4と、座標変換部19−5とを備える。
欠陥情報入力部19−1は、記憶装置16に格納されている欠陥情報(欠陥の座標情報及びサイズ情報)を取得し、取得した欠陥情報を実行順序決定部19−3に入力する。ここでの欠陥情報は、上述した通り、検査装置3から取得されたものである。
グループ情報入力部19−2は、ディスプレイ17に後述する画面(インタフェース)を表示し、入力装置18から入力されたグループ情報(グループ数と各グループの欠陥サイズの情報)を取得する。グループ情報入力部19−2は、取得したグループ情報を実行順序決定部19−3に入力する。なお、グループ情報は、予め記憶装置16に格納されていてもよい。この場合、グループ情報入力部19−2は、グループ情報を記憶装置16から取得してもよい。この構成によれば、グループ情報の画面での入力を省略することができる。
実行順序決定部19−3は、欠陥情報及びグループ情報に基づいて、検査装置3が検出した欠陥についてファインアライメントを行う実行順序を決定する。この実行順序の決定方法については後述する。DFOM画像判定部19−4は、実行順序決定部19−3によって決定された実行順序に従って、欠陥の検出処理を行う。また、座標変換部19−5は、DFOM画像判定部19−4によって検出された欠陥について、ファインアライメント点として登録するかを判定する。
次に、図4を用いて第1実施例の欠陥レビュー装置の動作について説明する。図4は、SEM画像を取得するまでの動作を示す。
まず、分析対象となる半導体ウェハをロードする(ステップ100)。次に、全体制御部19の欠陥情報入力部19−1は、検査装置3によって得られた欠陥情報(欠陥の座標情報及びサイズ情報)を記憶装置16から読み込み(ステップ101)、検査装置3で検出した欠陥座標および欠陥サイズを取得する。
次に、全体制御部19は、SEMの座標系と半導体ウェハの座標系の誤差修正を行うためのウェハアライメントを行う(ステップ102)。ウェハアライメントは、パターンウェハであれば、例えば、半導体ウェハに露光されている半導体パタンのうち、位置関係が既知で、かつ近傍に同様のパタンのない特徴的なパタンを、半導体ウェハ上の複数の位置において指定することによって行う。これにより、例えば回転のずれなどを補正することができる。ベアウェハであれば、ウェハ輪郭部分を3点以上指定することでウェハ中心を算出し、加えて、半導体ウェハに形成されているノッチ部分の数点を指定することで、回転方向のずれ量を算出し補正する。
次に、全体制御部19は、DFOMを用いて、ファインアライメント点の登録を行う。(ステップ103)。ここでのファインアライメント点の登録方法は後述する。次に、ステップ103で登録した座標に基づき、全体制御部19は、ステージ制御部23に指示してXYステージ15を移動する(ステップ104)。ステージ移動後、全体制御部19は、予め設定された倍率で画像演算部20に指示し、低倍のSEM像を撮像する(ステップ105)。画像演算部20は、低倍のSEM像を用いて、正確な欠陥の位置を算出し(ステップ106)、イメージシフトにより欠陥部を視野の中心に移動し、高倍のSEM像を撮像する(ステップ107)。ステップ104からステップ107の処理を、全ての欠陥分だけ繰り返し(ステップ108)、全ての欠陥の高倍SEM像を撮像する。
図5は、欠陥レビュー装置におけるファインアライメント点の登録フローの例を示す。本例では、検査装置3が検出した全ての欠陥をDFOMで検出し、ファインアライメント点として登録する。最初に、グループ情報入力部19−2は、入力装置18から入力されたグループ情報(グループ数と各グループの欠陥サイズの情報)を取得する(ステップ200)。
図6は、グループ情報を入力するための画面の一例である。画面は、グループ数入力部300と、サイズ入力部301とを備える。オペレータは、最初に、グループ数をグループ数入力部300に入力し、グループ数を決定する。このとき、グループ数入力部300に入力した数字に応じて、サイズ入力部301にグループ数分だけのボックス(欠陥サイズを入力するためのボックス)が表示される。ここでは、グループ数に「3」が入力されたと仮定する。次に、グループ1のエリアの欠陥サイズの最大値302を入力し、次に、グループ2のエリアの欠陥サイズの最大値303を入力する。最大値302、303の入力により、グループ2の最小値及びグループ3の最小値は自動的に入力され、グループ分けに必要な情報が決定される。なお、以下で説明する欠陥のサイズとは、XY平面における欠陥のX方向の長さとY方向の長さの長い方の長さを意味する。欠陥のサイズは、この例に限定されず、X方向の長さ、Y方向の長さ、欠陥の面積、欠陥の領域の重心を通る最大長さなど、他の基準を採用してもよい。
また、グループ分けに必要なグループ情報を、DFOMの視野サイズなどを考慮し、記憶装置16にあらかじめ登録しておき、グループ情報入力部19−2が、記憶装置16からグループ情報を取得してもよい。これにより、ユーザのレシピ作成の手間を省くことが可能になる。なお、図6の画面での入力は、図5のフローのステップ200より前の段階であれば、どの時点で行われてもよい。
次に、実行順序決定部19−3は、欠陥情報入力部19−1によって取得された欠陥情報(欠陥座標及び欠陥サイズ)と、グループ情報入力部19−2によって取得されたグループ情報とに基づいて、欠陥点のグループ分けを行う(ステップ201)。ここで、実行順序決定部19−3は、各欠陥を識別する識別子(例えば、欠陥ID)とグループの識別子(グループID)とを関連付けた情報を作成する。実行順序決定部19−3は、欠陥のグループ分けを行った後に、欠陥のグループ分けの情報に基づいて、ファインアライメント点の登録順序を決定する(ステップ202)。
図7A及び図7Bは、ファインアライメント点の登録順序を決定する方法の一例を示す。図7Aは、ウェハの中心位置を原点とし、ウェハ上の欠陥の位置を示した図である。実行順序決定部19−3は、欠陥サイズとグループ情報とに基づいて、欠陥点のグループ分けを行う。図7Aの例では、図6の「グループ1」で指定されたサイズの欠陥が丸印として示され、図6の「グループ2」で指定されたサイズの欠陥が三角印として示され、図6の「グループ3」で指定されたサイズの欠陥が四角印として示されている。
実行順序決定部19−3は、欠陥のサイズが一番小さいグループ(すなわち、グループ1)から、ファインアライメントの実行順序を決定する。ここで、実行順序決定部19−3は、図7Aに示すように、XY座標平面を4象限に分割した上で、さらに、原点からの距離に応じて、各象限を4つのエリアに分割する。したがって、XY座標平面は、16個のエリア701、702、・・・、716に分割される。
実行順序決定部19−3は、グループ1の中で、中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する。具体的には、実行順序決定部19−3は、各欠陥の位置に対する角度及び距離に基づいてファインアライメントの実行順序を決定する。角度及び距離の定義を図7Bに示す。「角度」とは欠陥の位置に対するX軸との角度θとして定義し、「距離」は、原点から欠陥の位置までの距離dとして定義する。本実施例では、実行順序を決定する際、角度を優先し、角度が同じ場合は距離が小さいものを選択する。
図7Aの例では、角度を優先するため、グループ1の中で、まず、エリア701にある欠陥が1番目に選択される。なお、エリア701内で角度が同じ欠陥があった場合は、距離が小さいものが先の順序で選択される。次に、グループ1の中で、エリア702にある欠陥が選択され、その次に、エリア703の欠陥が選択され、その後、エリア704の欠陥が選択される。次は、エリア701〜704の1つ外側のエリア705〜708の中の欠陥が順番に選択される。このように、グループ1の欠陥の中で、エリア701→エリア702→エリア703→・・・・→エリア715→エリア716の順で欠陥が選択される。
次に、実行順序決定部19−3は、グループ2の中で、中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する。具体的には、グループ2の欠陥の中で、エリア701→エリア702→エリア703→・・・・→エリア715→エリア716の順で欠陥が選択される。最後に、実行順序決定部19−3は、グループ3の中で、中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定する。ここでも同様に、グループ3の欠陥の中で、エリア701→エリア702→エリア703→・・・・→エリア715→エリア716の順で欠陥が選択されて、ファインアライメントの実行順序が決定される。図7Aは、決定されたファインアライメントの実行順序を数字で示している。
このように、欠陥点をサイズによって複数のグループに分類し、かつ、欠陥サイズが小さいグループから順に中心から外周に向かって実行順序を決定する点が、本発明の特徴である。まず、上述したように、巨大欠陥の次の欠陥が微小欠陥だった場合、視野の移動先に欠陥が入らない現象が発生するが、欠陥をサイズによってグループ分けをし、かつ、小さいサイズの欠陥のグループから実行順序を決定することにより、巨大欠陥の後に微小欠陥が来ることがなくなる。また、図7Aに示すように、ウェハは、そもそも中心で位置を合わせているため、中心位置に近い欠陥の方が、検査装置3から出力された結果(欠陥の座標情報)の誤差が小さく、精度が良いと考えられる。また、回転による座標誤差が大きいことも考えられる。したがって、中心位置に近い欠陥から位置を合わせることにより、短いサーチアラウンドの時間で欠陥を検出することができる。例えば、ウェハの外周からサーチアラウンドを行うと、検査装置3から出力された結果の精度が悪い場合もあり、サーチアラウンドに時間がかかり、スループットが落ちてしまう。したがって、欠陥をサイズによってグループ分けをし、かつ、小さいサイズの欠陥のグループから順に中心から外周に向かって実行順序を決定することにより、欠陥の検出効率が上がり、スループットがより向上する。
なお、上記の例では、実行順序決定部19−3は、各欠陥の位置に対する角度及び距離の両方を考慮してファインアライメントの実行順序を決定しているが、この例に限定されない。実行順序決定部19−3は、各欠陥の位置に対する角度または距離のいずれかに基づいてファインアライメントの実行順序を決定してもよい。
次に、全体制御部19は、実行順序決定部19−3によって決定されたファインアライメント点の登録順序に従って、ステージ制御部23に指示を行ってXYステージ15を制御し、欠陥点に移動する(ステップ203)。次に、DFOM画像判定部19−4は、欠陥の検出処理(ステップ204)を行う。欠陥の検出処理は、例えば、画像データを二値化して欠陥に該当する領域の画素数を計算し、画素数がある閾値よりも大きいかどうかを判定するアルゴリズムを用いる。また、ハレーション等に起因して、二値化画像内に欠陥に該当し得る領域が2つ以上存在する場合は、欠陥の重心を算出するために適切な画像ではないと判定するアルゴリズムを用いることもできる。さらに、二値化された画像内に欠陥に該当し得る領域が二以上存在する場合であっても、視野の中心から最も近い欠陥候補であって当該欠陥候補の領域の画素数がある閾値よりも大きいかどうかによって判定するアルゴリズムを用いることができる。
移動した場所に欠陥が見つからない場合(ステップ205)は、DFOM画像判定部19−4は、ステージ制御部23に指示をし、視野移動(ステップ206)を行う。視野の移動範囲は事前に設定され、当該設定された移動範囲内で撮像を実行し、再度ステップ204の欠陥の検出処理を実行する。
ステップ205において欠陥が見つかった場合、座標変換部19−5は、当該レビュー装置4で検出した欠陥サイズを使って、入力装置18から指定された情報を元に、ファインアライメント点として登録するかを判定する(ステップ207)。これは、レビュー装置4で検出した欠陥サイズが検査装置3で検出した欠陥サイズより小さい場合(図8A)や、逆にレビュー装置4で検出した欠陥サイズが検査装置3で検出した欠陥サイズより大きい場合(図8B)に、欠陥座標のオフセットの信頼性が低い可能性があるからである。
ステップ207における登録の判定は、例えば、所定の閾値を用いて判定することができる。図9は、判定に使用する閾値を設定する画面の一例である。図9の400には、検査装置3で取得した欠陥サイズとレビュー装置4で検出した欠陥サイズの比率を設定する。このような比率を設定することにより、図8A及び図8Bに示したような検査装置3とレビュー装置4との間で欠陥サイズの差が大きいものを、ファインアライメント点として登録しないように判定できる。また、別の例として、レビュー装置4で検出した欠陥サイズのみを判定に使用してもよい。図9の401には、レビュー装置4で検出した欠陥サイズの下限の閾値を設定し、このサイズより大きいサイズの欠陥をファインアライメント点として登録しないようにしてもよい。
また、判定に使用する欠陥サイズ情報を、DFOMの視野サイズなどを考慮し、記憶装置16にあらかじめ登録しておいてもよい。座標変換部19−5が記憶装置16から情報を取得することで、ユーザのレシピ作成の手間を省くことが可能になる。
最後に、座標変換部19−5は、次の欠陥点がある場合(ステップ209)は、ファインアライメント点として登録されている座標を使って次の欠陥点の座標補正を行う(ステップ210)。その後、再度ステップ204からの処理を繰り返し、検査装置3が出力した欠陥点の全てに対して、ファインアライメント点を登録する。なお、ステップ209において次の欠陥点がない場合は、ファインアライメントを終了する。
本実施例によれば、欠陥をサイズによってグループ分けをし、かつ、小さいサイズの欠陥のグループから順に中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定することにより、欠陥の検出効率が上がり、スループットがより向上する。
なお、従来では、検査装置が出力する欠陥の情報を利用し、欠陥サイズが大きい場合、その欠陥をファインアライメントの対象外とするような手法も考えられたが、検査装置から出力される欠陥サイズが正確でない場合もあり、欠陥の検出が正確に行えない場合もあった。これに対して、本実施例では、サイズで欠陥を分類した上で、サイズのグループごとに実行順序を決定するため、検出の精度が向上する。
さらに、本実施例では、検査装置3とレビュー装置4との間で欠陥サイズの差が大きいものを、ファインアライメント点として登録しないようになっているため、欠陥座標のオフセットの信頼性が低いもの排除した上で、ファインアライメントを行うことができる。これにより、欠陥の誤検出によるファインアライメント精度の低下を防止する。
[第2実施例]
第1実施例では、半導体ウェハ上の全ての欠陥に対してファインアライメントを行い、DFOMで検出した座標を用いて、SEM像を撮像するレビュー装置の構成例について説明したが、本実施例では、巨大欠陥を除いて、ファインアライメント点を登録するレビュー装置の構成例について説明する。
第1実施例では、半導体ウェハ上の全ての欠陥に対してファインアライメントを行い、DFOMで検出した座標を用いて、SEM像を撮像するレビュー装置の構成例について説明したが、本実施例では、巨大欠陥を除いて、ファインアライメント点を登録するレビュー装置の構成例について説明する。
図10は、第2実施例における全体制御部19の構成の一例である。図10において、図2と同じ構成については同じ符号を付し、これらの構成・動作は同じであるため説明を省略する。本実施例では、図2の構成に対して欠陥候補抽出部19−6が追加されている。欠陥候補抽出部19−6は、記憶装置16に格納されている欠陥サイズと、巨大欠陥サイズの情報を元に、ファインアライメントの対象となる欠陥候補を抽出する。
図11は、第2実施例におけるファインアライメント点を登録するフロー図である。図11において、図5と同じステップについては同じ符号を付し、これらの処理内容は同じであるため説明を省略する。本実施例では、図5のフローに対してステップ500が追加されている。
本実施例では、入力装置18を介してディスプレイ17上で巨大欠陥サイズの閾値をあらかじめ入力しておく。ステップ200が実行された後、欠陥候補抽出部19−6は、記憶装置16に格納されている欠陥サイズと、入力装置18から指定された巨大欠陥サイズの情報を元に、巨大欠陥をファインアライメント点の対象外とする(ステップ500)。その後のステップは、第1実施例と同様である。
次に、ファインアライメント点の登録後、SEM像で欠陥を撮像する際には、図4のステップ104において、ファインアライメント点として登録されている欠陥は、登録した座標を使用する。ステップ500においてファインアライメントの対象外とされた巨大欠陥は、ファインアライメント点として登録されている別の欠陥点の座標を使って座標補正を行い、欠陥位置へ移動する。
本実施例では、巨大欠陥の座標位置の精度は低下するが、欠陥サイズが大きいため、低倍率のSEM像の視野内に入る可能性は高いと思われる。また、巨大欠陥のファインアライメントを実行しないため、1ウェハあたりの処理時間を短縮することができる。
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることもできる。また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることもできる。また、各実施例の構成の一部について、他の構成を追加・削除・置換することもできる。
また、上記の全体制御部19の機能、処理手段などは、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイルなどの情報は、メモリやハードディスク、SSD(Solid State Drive)などの記憶装置、または、ICカード、SDカード、DVDなどの記憶媒体に置くことができる。上記の全体制御部19の機能、処理手段などは、それらの一部あるいは全部を、例えば集積回路で設計するなどによりハードウェアで実現してもよい。
また、図面における制御線や情報線は、説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。全ての構成が相互に接続されていてもよい。
1 データ管理サーバ
2 製造装置
3 検査装置
4 レビュー装置
5 解析装置
6 レビュー・解析装置
7 ネットワーク
8 撮像装置
9 電子源
10 第1コンデンサレンズ
12 第2コンデンサレンズ
13 第1対物レンズ
14 第2対物レンズ
15 XYステージ
16 記憶装置
17 ディスプレイ(出力部)
18 入力装置
19 全体制御部
19−1 欠陥情報入力部
19−2 グループ情報入力部
19−3 実行順序決定部
19−4 DFOM画像判定部
19−5 座標変換部
19−6 欠陥候補抽出部
20 画像演算部
21 A/D変換部
22 電子光学系制御部
23 ステージ制御部
24 高電圧安定化電源
25 信号検出器
26 反射電子用検出器
27 暗視野光学顕微鏡
28 DFOM制御ユニット
2 製造装置
3 検査装置
4 レビュー装置
5 解析装置
6 レビュー・解析装置
7 ネットワーク
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9 電子源
10 第1コンデンサレンズ
12 第2コンデンサレンズ
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14 第2対物レンズ
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17 ディスプレイ(出力部)
18 入力装置
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19−1 欠陥情報入力部
19−2 グループ情報入力部
19−3 実行順序決定部
19−4 DFOM画像判定部
19−5 座標変換部
19−6 欠陥候補抽出部
20 画像演算部
21 A/D変換部
22 電子光学系制御部
23 ステージ制御部
24 高電圧安定化電源
25 信号検出器
26 反射電子用検出器
27 暗視野光学顕微鏡
28 DFOM制御ユニット
Claims (8)
- 検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置であって、
試料を搭載するステージと、
荷電粒子線を前記試料上の前記欠陥の位置に対して走査する荷電粒子線光学系と、
前記試料から発生した二次信号に基づいて画像を生成する画像演算部と、
前記試料上の前記欠陥の位置に対して光を照射し、検出される反射光または散乱光の情報を検出信号として出力する光学顕微鏡と、
前記ステージ、前記荷電粒子線光学系、前記画像演算部、及び光学顕微鏡を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類し、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記欠陥サイズ情報における欠陥のサイズと、当該荷電粒子線装置で測定した前記欠陥のサイズとの差が所定の範囲を超える欠陥があった場合、当該欠陥を前記ファインアライメントの対象外とすることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
出力部または記憶装置を更に備え、
前記制御部は、前記複数のグループに関するグループの数及びサイズの情報を前記出力部上の画面または前記記憶装置を介して取得することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記欠陥サイズ情報における欠陥のサイズが所定の閾値を超える場合、前記ファインアライメントの対象外とすることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 検査装置から取得された試料上の欠陥情報を用いて、前記試料上の欠陥の位置の画像を取得する荷電粒子線装置における座標補正方法であって、
制御部により、前記欠陥情報に含まれる欠陥サイズ情報を用いて欠陥を複数のグループに分類するステップと、
前記制御部により、前記複数のグループのうち欠陥サイズが小さいグループから順に、前記試料の中心から外周に向かってファインアライメントの実行順序を決定するステップと、
を含むことを特徴とする座標補正方法。 - 請求項5に記載の座標補正方法において、
前記制御部により、前記欠陥サイズ情報における欠陥のサイズと、前記荷電粒子線装置で測定した前記欠陥のサイズとの差が所定の範囲を超える欠陥があった場合、当該欠陥を前記ファインアライメントの対象外とするステップをさらに含むことを特徴とする座標補正方法。 - 請求項5に記載の座標補正方法において、
前記制御部により、前記複数のグループに関するグループの数及びサイズの情報を出力部上の画面または記憶装置を介して取得するステップをさらに含むことを特徴とする座標補正方法。 - 請求項5に記載の座標補正方法において、
前記制御部により、前記欠陥サイズ情報における欠陥のサイズが所定の閾値を超える場合、前記ファインアライメントの対象外とするステップをさらに含むことを特徴とする座標補正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014083261A JP2015203628A (ja) | 2014-04-15 | 2014-04-15 | 荷電粒子線装置及び座標補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014083261A JP2015203628A (ja) | 2014-04-15 | 2014-04-15 | 荷電粒子線装置及び座標補正方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015203628A true JP2015203628A (ja) | 2015-11-16 |
Family
ID=54597145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014083261A Pending JP2015203628A (ja) | 2014-04-15 | 2014-04-15 | 荷電粒子線装置及び座標補正方法 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2015203628A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023053768A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム |
-
2014
- 2014-04-15 JP JP2014083261A patent/JP2015203628A/ja active Pending
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WO2023053768A1 (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム |
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