JP2015199191A - タングステンmems構造の製造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】特に、いわゆる「MEMSラスト」製造プロセス(例えば、電子回路が製造された後に、MEMS構造が製造されるとき)に対して、厚い(すなわち、2ミクロンよりも大きい)、微粒子、低応力タングステンMEMS構造が、低温で製造される。堆積したタングステン層から非常に正確に構造細部をエッチングするための、かつ下層基板にタングステン層134を強力かつ安定に固定するための手段が開示される。また、タングステンを損傷することなく、またはそれを表面張力によって引き下ろさせ、動けなくさせることなく、可動タングステン層の下にある犠牲層を除去するための手段が開示される。
【選択図】図11
Description
本特許出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、2014年4月4日出願の「FABRICATION OF TUNGSTEN MEMS STRUCTURES」と題する米国仮特許出願第61/975,061号の利益を主張し、したがってその優先権を主張する。
本発明は概して、MEMSデバイスに関し、より具体的には、タングステンMEMS構造の製造に関する。
(項目1)
タングステン系MEMS構造を有するMEMSデバイスを製造するための方法であって、
下層酸化物層の上に、最初に上記酸化物層を圧縮することなく、少なくとも2ミクロンの厚さの低応力タングステン系材料層を形成するために、約500℃未満の温度で、かつ粒成長抑制剤を使用して、タングステン系材料を堆積することと、
タングステン系MEMS構造を形成するために、上記タングステン系材料層をエッチングすることと、
を含む、方法。
(項目2)
上記タングステン系MEMS構造は、解放可能タングステン系可動質量であり、上記方法は、上記タングステン系可動質量を解放するために、上記解放可能タングステン系可動質量の下にある酸化物を除去することをさらに含む、上記項目に記載の方法。
(項目3)
上記MEMSデバイスは、上記タングステン系材料を堆積する前に、電子回路を含み、上記タングステン系材料の上記堆積は、約450℃を超えて上記電子回路の温度を上昇させない、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目4)
上記タングステン系材料を堆積することは、
粒成長抑制剤でドープされた標的上に上記タングステン系材料を堆積すること、または
あるいは(1)タングステン系材料層を堆積すること、および(2)続いて堆積されたタングステン系材料層に垂直粒成長を停止するための粒成長抑制剤を導入すること、
のうちの少なくとも1つを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目5)
上記粒成長抑制剤は、
ホウ素、または
希土類金属、
のうちの少なくとも1つを含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目6)
上記タングステン系材料層をエッチングすることは、正確な強異方性のエッチを形成するために、本質的に六フッ化硫黄(SF6)ガスから生成されるフッ素であるエッチング液、およびトリフルオロメタンから生成されるポリテトラフルオロエチレン状ポリマーの保護層を使用して、上記タングステン系材料層をエッチングすること
を含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目7)
酸素プラズマを使用してエッチングした後に、上記残留保護ポリマーを除去すること
をさらに含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目8)
上記タングステン系材料を堆積することは、
上記タングステン系材料の上記堆積中に、酸素レベルを制御すること
を含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目9)
上記低応力タングステン系材料層を形成するために、上記タングステン系材料を堆積する前に、上記酸化物層を通して下層基板に少なくとも1つのタングステン系アンカーを形成することをさらに含み、上記MEMS構造は、上記少なくとも1つのタングステン系アンカーによって、上記下層基板に固定される、
上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目10)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、それぞれ直径が約1ミクロンの小型タングステン系アンカーのマトリクスを含む、複合アンカーであり、小型タングステン系アンカーの上記マトリクスを形成することは、
上記酸化物層を通った上記下層基板へのそれぞれ直径が約1ミクロンの小さな穴のマトリクスを含む、パターン化された酸化物層を形成するために、上記酸化物層をパターン化することと、
小型タングステン系アンカーの上記マトリクスを形成するために、上記穴をタングステン系プラグで充填することと、
を含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目11)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、大型タングステン系アンカーを含み、上記大型タングステン系アンカーを形成することは、
空洞が上記酸化物層を通って上記下層基板まで延在し、実質的に底部よりも頂部でより幅広くなるように、上記空洞の幅および深さを徐々に増加させる複数のエッチングステップを使用して、上記酸化物層中に空洞をエッチングすることによって、上記酸化物層をパターン化することと、
上記大型タングステン系アンカーを形成するために、上記空洞をタングステン系材料で均一に充填することと、
を含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目12)
上記下層基板は、上記MEMSデバイスのグランドプレーン構造であり、上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に純粋なタングステンから形成され、上記グランドプレーン構造は、チタン−タングステンから形成される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目13)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、空隙または亀裂なしで均一に充填される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目14)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーおよび上記タングステン系材料層は、同じタングステン系材料から形成される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目15)
項目1に記載のプロセスによって形成される、少なくとも2ミクロンの厚さの低応力タングステン系MEMS構造
を備える、MEMSデバイス。
(項目16)
上記MEMS構造は、上記MEMS構造から上記酸化物層を通って上記下層基板まで延在する、少なくとも1つのタングステン系アンカーによって、上記下層基板に固定される、上記項目に記載のMEMSデバイス。
(項目17)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、それぞれ直径が約1ミクロンの小型タングステン系アンカーのマトリクスを含む、複合アンカーである、上記項目のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
(項目18)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に底部よりも頂部でより幅広い、大型タングステン系アンカーを含む、上記項目のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
(項目19)
上記下層基板は、上記MEMSデバイスのグランドプレーン構造であり、上記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に純粋なタングステンから形成され、上記グランドプレーン構造は、チタン−タングステンから形成される、上記項目のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
(項目20)
上記少なくとも1つのタングステン系アンカーおよび上記低応力タングステン系MEMS構造は、同じタングステン系材料から形成される、上記項目のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
特に、いわゆる「MEMSラスト」製造プロセス(例えば、電子回路が製造された後に、MEMS構造が製造されるとき)に対して、厚い(すなわち、2ミクロンよりも大きい)、微粒子、低応力タングステンMEMS構造が、低温で製造される。堆積したタングステン層から非常に正確に構造細部をエッチングするための、かつ下層基板にタングステン層を強力かつ安定に固定するための手段が開示される。また、タングステンを損傷することなく、またはそれを表面張力によって引き下ろさせ、動けなくさせることなく、可動タングステン層の下にある犠牲層を除去するための手段が開示される。
タングステンMEMS構造の製造に関するいくつかの検討事項がここで考察される。
本質的に、シリコン系MEMS構造および電気相互接続をタングステン系MEMS構造および電気相互接続で置き換える、例示的な製造プロセスが、ここで、断面図で種々の製造プロセスステップを示す図1〜12を参照して記載される。
解放動作中の解放可能MEMS構造の吸着を防止するために、種々の代替の実施形態は、例えば、米国特許第5,314,572号(参照により本明細書に組み込まれる)に記載されるように、解放動作中に、解放可能MEMS構造を支持するための1つ以上の台座を利用してもよい。
上記のように、可動質量の移動を駆動および/または感知するための電極が、タングステン系材料から形成されてもよい。例えば、グランドプレーン構造120および122は、例えば、可動MEMS構造134の面外移動を駆動および/または感知するために、ある特定の例示的な実施形態においてタングステン系材料から形成されてもよい。
図11および18は、グランドプレーン構造120および122上に直接形成される可動MEMS構造134を示す。種々の代替の実施形態では、可動MEMS構造134は代わりに、1つ以上のタングステン系アンカーを使用して、グランドプレーン構造120および122または他のタングステン系構造に固定されてもよい。電極などの他の構造が同様に、タングステン系アンカーを使用して固定されてもよい。
本発明者らは、4umシリコンよりもむしろ2.5umタングステンで製造されたシールド面、ランナー、およびセンサ構造を有する、Analog Devices iMEMS ADXRS640の設計及び形状に基づき、タングステン系ジャイロスコープの実環境試験を実施した。したがって、本発明者らは、同一条件下で動作したとき、シリコン系ジャイロスコープよりもタングステン系ジャイロスコープから、約2〜4倍良好なノイズ特性を予想した。シリコンおよびタングステン構造は、同一電圧および同一雰囲気で動作したとき、ほぼ同一の偏向を有することが予想され、本発明者らは、タングステン系ジャイロスコープが、予想されたQおよび予想された運動振幅を有する予想された周波数に近く、それらの集積電子機器と共振することを発見した。重要なことに、本発明者らは、タングステン系ジャイロスコープの分解能下限値が、大幅にシリコンよりも改善されたように思われ、タングステン系ジャイロスコープがシリコン系ジャイロスコープよりも良好な長期的安定性を有することを示すことを発見した。これは、より大きいコリオリの力、および電荷をトラップするための絶縁表面がないことから予想された(タングステンの表面酸化物が導電性である一方で、シリコンの表面酸化物は絶縁性である)。図29は、タングステン系ジャイロスコープの改善された分解能下限値を示す、タングステン系ジャイロスコープおよびシリコン系ジャイロスコープに対するアラン偏差プロットを示すグラフである。
見出しは便宜上上記で使用され、いかなる方法によっても本発明を制限するものと解釈されるものではないことに留意されたい。
前記酸化物層を通った前記下層基板へのそれぞれ直径が約1ミクロンの小さな穴のマトリクスを含む、パターン化された酸化物層を形成するために、酸化物層をパターン化することと、
小型タングステン系アンカーの前記マトリクスを形成するために、タングステン系プラグで前記穴を充填することと、
前記パターン化された酸化物層上に、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系材料層を形成することであって、前記タングステン系材料層は、前記下層酸化物層を圧縮することなく、約500℃未満の低温で堆積され、前記厚いタングステン系材料層は、小型タングステン系アンカーの前記マトリクスによって前記下層基板に固定される、パターン化された酸化物層上に、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系材料層を形成することと、
を含む、方法。
小型タングステン系アンカーの前記マトリクスによって、前記下層基板に固定される解放可能タングステン系MEMS構造を形成するために、前記タングステン系材料層をパターン化すること
を含む、請求項P15に記載の方法。
基板と、
前記基板上の非圧縮酸化物層であって、前記酸化物層を通って前記基板まで延在する、それぞれ直径が約1ミクロンの小型タングステン系アンカーのマトリクスを含む、非圧縮酸化物層と、
前記酸化物層上にあり、小型タングステン系アンカーの前記マトリクスによって前記下層基板に固定される、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系MEMS構造と、
を備える、MEMSデバイス。
請求項P21に記載のMEMSデバイス。
前記空洞が酸化物層を通って前記下層基板まで延在し、実質的に底部よりも頂部でより幅広くなるように、前記空洞の幅および深さを徐々に増加させる複数のエッチングステップを使用して、前記酸化物層中に空洞をエッチングすることを含む、前記酸化物層をパターン化することと、
大型タングステン系アンカーを形成するために、前記空洞をタングステン系材料で均一に充填することと、
前記パターン化された酸化物層上に、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系材料層を形成することであって、前記タングステン系材料層は、前記下層酸化物層を圧縮することなく、約500℃未満の低温で堆積され、前記厚いタングステン系材料層は、前記大型タングステン系アンカーによって前記下層基板に固定される、前記パターン化された酸化物層上に、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系材料層を形成することと、
を含む、方法。
前記大型タングステン系アンカーによって前記下層基板に固定される解放可能タングステン系MEMS構造を形成するために、前記タングステン系材料層をパターン化すること
を含む、請求項P27に記載の方法。
基板と、
前記基板上の非圧縮酸化物層であって、実質的に底部よりも頂部でより幅広くなり、前記酸化物層を通って前記基板まで延在する、大型タングステン系アンカーを含む、非圧縮酸化物層と、
前記酸化物層上にあり、前記大型タングステン系アンカーによって前記下層基板に固定される、少なくとも2ミクロン厚の厚いタングステン系MEMS構造と、
を備える、MEMSデバイス。
別紙A−プロセスパラメータの観点からのZ軸櫛歯駆動型ガス減衰ジャイロスコープの理想的な速度ノイズ
これは、試設計を行うために必要とされる全てのトレードオフおよびかなり複雑な計算を行う必要なく、プロセスを定量的に比較するために使用され得る近似公式である。それは、固定形状を使用するよりもむしろプロセスに対する最適化を明示的に含み、したがって、以前の「性能指数」からのかなり誇張された順位付けよりも公平な比較であるが、それは、同一の定性的結果を示す。これは、別紙Bで得られるエアジャイロスコープに関する。真空ジャイロスコに関しては別紙Cを参照されたい。
導出は別紙Bにある。
全ての単位はΩnを除いてSIUである。
Ωnは(度/秒)/ルートHzの速度ノイズスペクトル密度である。
b=構造の厚さ: g=最小形状: h=犠牲層の厚さ
E=ヤング率: p=密度: ζ=空気粘性
V=印加された電圧: Vn=差動増幅器入力ノイズ: Ct=フィンガー終端静電容量
一般的なパラメータ:
u:=10−6 ε:=8.9・10−12 Vn:=12・10−9 fo:=22000 k:=1.4・10−23 T:=300
ζ:=6・u(700Kで70mbarの空気で覆う)
4μmシリコン 21V BiMOS
4μmタングステン 21V BiMOS
2.5μmタングステン 21V BiMOS
所与の幅(W)および厚さ(b)の構造における使用可能な周波数範囲は、第1の屈曲面外モードによって上方で境界される。この周波数は通常、ほぼ正方形の設計に対して最高であり、実際には、同一サイズの単純に支持された正方形プレートの第1のモードよりもわずかに低い。そのプレートモードの周波数は、
確かな経験則は、ジャイロ共振器周波数、foが、fp/2を超えてはいけないことである。我々は常に、所与のダイ面積に対する最良の性能のために、これを限界近くまで押し上げる。したがって、ほぼ、
可能な限り最大の機械的信号を得たいと願う。これは、所与の入力速度、Ω度/秒に対するコリオリ加速度計の変位xであり、
しかし、
これは、foに対する別の制限を強調する。foが、xが大きくなり得るように可能な限り小さいことを願う。しかしながら、それが低くなるほど、ジャイロスコープは衝撃および振動をより受けやすくなる。foが非常に低くなる場合、ジャイロスコープは、粘着にさらに負ける可能性がある。経験豊富な顧客は、10kHzでは不安になり、一方で、20kHzは、忘れるには十分に高い。我々は通常、約16kHzで作業する。したがって、実際には、foの選択における自由はほとんどなく、方程式(1)は以下の通りになる:
犠牲層および構造の両方がわずか数μmの厚さである場合、基板へのせん断減衰は、Dを占める。
gen1およびgen2設計の両方において、
加速度計上の1ルートHzあたりのブラウン力は、
foにおける、1ルートHzあたりのブラウン変位、Xbはしたがって、
したがって、DaおよびNを置き換えることで、
加速度計の変位によって誘発される差動信号電圧は、
したがって、電子機器の入力換算電圧ノイズがfoにおいて1ルートあたりVnである場合、等価加速度計変位、Xvは、
また、総等価変位ノイズ電力は、
これは、自由パラメータλを含有し、それは、最小Ωnに対して最適化される。
Claims (20)
- タングステン系MEMS構造を有するMEMSデバイスを製造するための方法であって、
下層酸化物層の上に、最初に前記酸化物層を圧縮することなく、少なくとも2ミクロンの厚さの低応力タングステン系材料層を形成するために、約500℃未満の温度で、かつ粒成長抑制剤を使用して、タングステン系材料を堆積することと、
タングステン系MEMS構造を形成するために、前記タングステン系材料層をエッチングすることと、
を含む、方法。 - 前記タングステン系MEMS構造は、解放可能タングステン系可動質量であり、前記方法は、前記タングステン系可動質量を解放するために、前記解放可能タングステン系可動質量の下にある酸化物を除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記MEMSデバイスは、前記タングステン系材料を堆積する前に、電子回路を含み、前記タングステン系材料の前記堆積は、約450℃を超えて前記電子回路の温度を上昇させない、請求項1に記載の方法。
- 前記タングステン系材料を堆積することは、
粒成長抑制剤でドープされた標的上に前記タングステン系材料を堆積すること、または
あるいは(1)タングステン系材料層を堆積すること、および(2)続いて堆積されたタングステン系材料層に垂直粒成長を停止するための粒成長抑制剤を導入すること、
のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記粒成長抑制剤は、
ホウ素、または
希土類金属、
のうちの少なくとも1つを含む、請求項4に記載の方法。 - 前記タングステン系材料層をエッチングすることは、正確な強異方性のエッチを形成するために、本質的に六フッ化硫黄(SF6)ガスから生成されるフッ素であるエッチング液、およびトリフルオロメタンから生成されるポリテトラフルオロエチレン状ポリマーの保護層を使用して、前記タングステン系材料層をエッチングすること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 酸素プラズマを使用してエッチングした後に、前記残留保護ポリマーを除去すること
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記タングステン系材料を堆積することは、
前記タングステン系材料の前記堆積中に、酸素レベルを制御すること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記低応力タングステン系材料層を形成するために、前記タングステン系材料を堆積する前に、前記酸化物層を通して下層基板に少なくとも1つのタングステン系アンカーを形成することをさらに含み、前記MEMS構造は、前記少なくとも1つのタングステン系アンカーによって、前記下層基板に固定される、
請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、それぞれ直径が約1ミクロンの小型タングステン系アンカーのマトリクスを含む、複合アンカーであり、小型タングステン系アンカーの前記マトリクスを形成することは、
前記酸化物層を通った前記下層基板へのそれぞれ直径が約1ミクロンの小さな穴のマトリクスを含む、パターン化された酸化物層を形成するために、前記酸化物層をパターン化することと、
小型タングステン系アンカーの前記マトリクスを形成するために、前記穴をタングステン系プラグで充填することと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、大型タングステン系アンカーを含み、前記大型タングステン系アンカーを形成することは、
空洞が前記酸化物層を通って前記下層基板まで延在し、実質的に底部よりも頂部でより幅広くなるように、前記空洞の幅および深さを徐々に増加させる複数のエッチングステップを使用して、前記酸化物層中に空洞をエッチングすることによって、前記酸化物層をパターン化することと、
前記大型タングステン系アンカーを形成するために、前記空洞をタングステン系材料で均一に充填することと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記下層基板は、前記MEMSデバイスのグランドプレーン構造であり、前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に純粋なタングステンから形成され、前記グランドプレーン構造は、チタン−タングステンから形成される、請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、空隙または亀裂なしで均一に充填される、請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーおよび前記タングステン系材料層は、同じタングステン系材料から形成される、請求項9に記載の方法。
- 請求項1に記載のプロセスによって形成される、少なくとも2ミクロンの厚さの低応力タングステン系MEMS構造
を備える、MEMSデバイス。 - 前記MEMS構造は、前記MEMS構造から前記酸化物層を通って前記下層基板まで延在する、少なくとも1つのタングステン系アンカーによって、前記下層基板に固定される、請求項15に記載のMEMSデバイス。
- 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、それぞれ直径が約1ミクロンの小型タングステン系アンカーのマトリクスを含む、複合アンカーである、請求項16に記載のMEMSデバイス。
- 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に底部よりも頂部でより幅広い、大型タングステン系アンカーを含む、請求項16に記載のMEMSデバイス。
- 前記下層基板は、前記MEMSデバイスのグランドプレーン構造であり、前記少なくとも1つのタングステン系アンカーは、実質的に純粋なタングステンから形成され、前記グランドプレーン構造は、チタン−タングステンから形成される、請求項16に記載のMEMSデバイス。
- 前記少なくとも1つのタングステン系アンカーおよび前記低応力タングステン系MEMS構造は、同じタングステン系材料から形成される、請求項16に記載のMEMSデバイス。
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