JP2015196234A - 研磨パッド - Google Patents

Abstract

【課題】高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】略円板状をなし、外周方向に延びる複数の溝２０１が形成され、該複数の溝により区画された研磨面２００を有する研磨シート２０ａを含む研磨パッドであって、複数の溝のうちの少なくとも一部の溝の途中に設けられ、当該研磨パッドの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなる浅底部２０２を有し、溝の最も深い位置から浅底部における深さが最も浅い位置までの第１の距離が、溝の最も深い位置から研磨面までの第２の距離以下であり、当該研磨パッドの中心から少なくとも一部の浅底部までの溝を介した距離が、第１の距離の２０倍以上の距離となる平坦区間を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、研磨パッドに関する。より詳しくは、半導体、誘電／金属複合体および集積回路等において平坦面を形成するために好ましく使用される研磨パッドに関する。

半導体デバイスが高密度化するにつれ、多層配線や、これに伴う層間絶縁膜形成、プラグ、ダマシンなどの電極形成等の技術が重要度を増している。これに伴い、これら層間絶縁膜や電極の金属膜の平坦化プロセスの重要度は増しており、この平坦化プロセスのための効率的な技術として、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と呼ばれる研磨技術が普及している。

一般に、ＣＭＰを行うための装置は、被処理物である半導体ウェハーを保持する研磨ヘッドと、被処理物の研磨処理を行うための研磨パッドと、この研磨パッドを回転自在に保持する研磨定盤と、研磨パッド上にスラリーを供給する供給部と、パッド表面をドレッシングするドレッサーと、を有する。半導体ウェハーの研磨処理では、半導体ウェハーと研磨パッドとを相対運動させることで、半導体ウェハーと研磨パッドとの間に供給されるスラリーにより半導体ウェハー表面の層の突出した部分を除去し、ウェハー表面の層を平坦化する。また、パッド表面は、ドレッサーとして例えばダイヤモンドドレッサーなどを用いたドレッシングにより更新される。このドレッシングにより、目詰まりを防止するとともに、パッド表面（研磨面）の目立てが行われる。

ＣＭＰでは、ウェハーの局所平坦性およびグローバル平坦性の確保、欠陥（スクラッチ、パーティクル）の防止、高い研磨レートの確保等に代表されるような様々な要求特性がある。これらの要求特性を満たすために、研磨パッドには様々な工夫がなされている。その工夫の一つとして、研磨パッドの研磨層表面に溝を形成するものがある。

例えば、研磨パッドの中心から径方向に延びる溝が形成され、この溝の断面形状を略矩形とすることにより、ウェハーの平坦性や研磨レートの向上を図る技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

ところで、研磨パッド上に供給されたスラリーは、研磨パッドの回転により生じる遠心力によって内周側から外周側に移動する。この際、スラリーが有効に活用されずに研磨パッド外に排出されて、研磨レートのばらつきなどの上述した要求特性を満たさなくなる場合があった。このため、スラリー供給量を増加させて要求特性を安定化させる方法が挙げられるが、このスラリー供給量の増加がコストアップに繋がることがある。このコストアップを解消するため、スラリーの流れに対抗してスラリーの排出を抑制したり、スラリーを混合したりするための対抗手段を溝に設けることが記載されている（例えば、特許文献２，３参照）。特許文献２では、溝に対して、底面部と直交する抵抗体などを設けてスラリーの排出を抑制している。また、特許文献３では、溝の延伸方向に沿って溝深さを変化させることによって、溝を流れるスラリーの混合を行っている。

特開２００２−１４４２１９号公報 特開平１１−２６７９６１号公報 特開２００５−１５０７４５号公報

しかしながら、上述した対抗手段では、溝を流れるスラリーの流量が極端に抑制され、研磨面へのスラリー供給が十分に行われずに研磨レートが低下してしまうとともに、スクラッチが発生しやすくなるという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制できる研磨パッドを提供することを目的とする。

上記目的を達成するための検討の結果、本発明者らは、研磨面に溝が設けられた研磨パッドで研磨するとき、一定深さの溝内を流れるときの研磨面へのスラリー供給不足がスクラッチを発生させていると考えた。そこで、本発明は、上記課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる研磨パッドは、略円板状をなし、外周方向に延びる複数の溝が形成され、該複数の溝により区画された研磨面を有する研磨パッドであって、前記複数の溝のうちの少なくとも一部の溝の途中に設けられ、当該研磨パッドの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなる浅底部を有し、前記溝の最も深い位置から前記浅底部における深さが最も浅い位置までの第１の距離が、前記溝の最も深い位置から前記研磨面までの第２の距離以下であり、当該研磨パッドの中心から少なくとも一部の前記浅底部までの前記溝を介した距離が、前記第１の距離の２０倍以上の距離となる平坦区間を有することを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、前記浅底部は、当該研磨パッドの中心からの距離が、当該研磨パッドの半径の１５．０％以上９０．０％以下となる位置に設けられることを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、前記第１の距離が、前記第２の距離の２０％以上１００％以下であることを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、複数の前記浅底部は、前記研磨面上で閉じた経路上に位置することを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、複数の前記浅底部は、前記研磨面上で直線状の経路上に位置することを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、前記溝において、該溝の延伸方向と平行であって、前記研磨面と直交する平面を切断面とする断面が、Ｙ字状をなすことを特徴とする。

また、本発明にかかる研磨パッドは、上記の発明において、前記複数の溝は、格子状をなすことを特徴とする。

本発明によれば、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制できる研磨パッドを提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態１にかかる研磨パッドを備えた研磨システムの概略構成を示す図である。 図２は、本発明の実施の形態１にかかる研磨システムの要部の構成を示す断面図である。 図３は、本発明の実施の形態１にかかる研磨パッドの概略構成を示す斜視図である。 図４は、本発明の実施の形態１にかかる研磨パッドの研磨シートの概略構成を示す模式図である。 図５は、図４に示す研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。 図６は、図４に示す研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の実施の形態１の変形例１にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図８は、本発明の実施の形態１の変形例２にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ａは、本発明の実施の形態１の変形例３にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｂは、本発明の実施の形態１の変形例４にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｃは、本発明の実施の形態１の変形例５にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｄは、本発明の実施の形態１の変形例６にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｅは、本発明の実施の形態１の変形例７にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｆは、本発明の実施の形態１の変形例８にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図９Ｇは、本発明の実施の形態１の変形例９にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ａは、本発明の実施の形態１の変形例１０にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｂは、本発明の実施の形態１の変形例１１にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｃは、本発明の実施の形態１の変形例１２にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｄは、本発明の実施の形態１の変形例１３にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｅは、本発明の実施の形態１の変形例１４にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｆは、本発明の実施の形態１の変形例１５にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｇは、本発明の実施の形態１の変形例１６にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１０Ｈは、本発明の実施の形態１の変形例１７にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。 図１１は、本発明の実施の形態１の変形例１８にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１２は、本発明の実施の形態１の変形例１９にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１３は、本発明の実施の形態１の変形例２０にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１４は、本発明の実施の形態１の変形例２１にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１５は、本発明の実施の形態１の変形例２２にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１６は、本発明の実施の形態１の変形例２３にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１７は、本発明の実施の形態１の変形例２４にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。 図１８は、本発明の実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。 図１９は、本発明の実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図である。 図２０は、本発明の実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。 図２１は、本発明の実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図である。 図２２は、本発明の実施の形態３にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。 図２３は、本発明の実施の形態３にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。

以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる研磨パッドを備えた研磨システムの概略構成を示す図である。図２は、本実施の形態１にかかる研磨システムの要部の構成を示す断面図である。図１に示す研磨システム１は、研磨定盤１０、研磨ヘッド１１、供給部１２、ドレッサー１３および研磨パッド２０を備える。研磨システム１では、被処理物である半導体ウェハーＷと研磨パッド２０とを相対運動させることで、半導体ウェハーＷと研磨パッド２０との間に供給されるスラリーＰにより半導体ウェハーＷの表面（ウェハー表面）の層の突出した部分を除去し、ウェハー表面の層を平坦化する。

研磨定盤１０は、研磨パッド２０を回転自在に保持する。研磨定盤１０は、研磨パッド２０を保持する保持面を有するパッド保持部１０ａと、回転自在に設けられ、パッド保持部１０ａを支持する支持部１０ｂと、を有する。支持部１０ｂは、円柱状をなし、中心軸を回転軸として自転可能である。研磨パッド２０は、接着剤や両面テープなどにより、パッド保持部１０ａの保持面上に着脱自在に取り付けられる。

研磨ヘッド１１は、半導体ウェハーＷを保持する。研磨ヘッド１１は、半導体ウェハーＷを保持するウェハー保持部１１ａと、回転自在に設けられ、ウェハー保持部１１ａを支持する支持部１１ｂと、を有する。ウェハー保持部１１ａは、略Ｕ字状をなし、先端部分には円環状のリテーナリング１１ｃが設けられている。支持部１１ｂは、円柱状をなし、中心軸を回転軸として自転可能である。また、ウェハー保持部１１ａおよびリテーナリング１１ｃが形成する中空空間には、エアバッグ１１ｄが設けられている。半導体ウェハーＷは、ウェハー保持部１１ａおよびリテーナリング１１ｃが形成する中空空間であって、研磨パッド２０と対向するように配置される。この際、半導体ウェハーＷは、エアバッグ１１ｄにより研磨パッド２０に対する押し付けの圧力が調整される。

供給部１２は、ノズルなどにより構成され、研磨パッド２０上にスラリーＰを供給する。スラリーＰは、砥粒が分散された研磨液であり、砥粒にはシリカ砥粒などが用いられる。

ドレッサー１３は、例えばダイヤモンドドレッサーなどが用いられ、研磨パッド２０の表面（パッド表面）をドレッシングする。パッド表面は、ドレッサー１３を用いたドレッシングにより削られて更新される。このドレッシングにより、目詰まりを防止するとともに、パッド表面（研磨面）の目立てが行われる。

図３は、本実施の形態１にかかる研磨パッドを有する研磨部材の概略構成を示す斜視図である。研磨パッド２０は、円板状をなし、自身の回転により被処理物の研磨処理を行う。研磨パッド２０は、半導体ウェハーＷと接触して半導体ウェハーＷの表面を研磨する研磨面２００が設けられた研磨シート２０ａと、研磨シート２０ａを保持するとともに、保持部１０ａの保持面上に取り付けられる基部２０ｂと、研磨シート２０ａおよび基部２０ｂの間に設けられ、研磨シート２０ａおよび基部２０ｂを接着する接着層２０ｃと、を有する。

研磨シート２０ａは、独立気泡を有する構造をとることが、半導体、誘電／金属複合体および集積回路などに対して平坦面を形成させる上で好ましい。また、研磨シート２０ａの硬度は、アスカーゴム硬度計Ｄ型（高分子計器株式会社製）により計測される硬度（以下、アスカーＤ硬度という）において、４５度〜６５度であることが好ましい。アスカーＤ硬度が４５度未満の場合には、被研磨材のプラナリティが低下する。一方、アスカーＤ硬度が６５度より大きい場合は、プラナリティは良好であるが、被研磨材の研磨レートのウェハー面内ユニフォーミティ（均一性）の低下に伴って、ウェハー面内でプラナリティのユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。

研磨シート２０ａは、特に限定されないが、形成する材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、“ネオプレン（登録商標）”ゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムおよびこれらを主成分とした樹脂などが挙げられる。これらを二種以上用いてもよい。このような樹脂においても、独立気泡径が比較的容易にコントロールできる点でポリウレタンを主成分とする素材がより好ましい。

ポリウレタンとは、ポリイソシアネートの重付加反応または重合反応により合成される高分子である。ポリイソシアネートの対称として用いられる化合物は、含活性水素化合物、すなわち、二つ以上のポリヒドロキシ基、あるいはアミノ基含有化合物である。ポリイソシアネートとして、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどを挙げることができるがこれに限定されるものではない。これらを二種以上用いてもよい。

ポリヒドロキシ基含有化合物としてはポリオールが代表的であり、ポリエーテルポリオール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、エポキシ樹脂変性ポリオール、ポリエステルポリオール、アクリルポリオール、ポリブタジエンポリオール、シリコーンポリオール等が挙げられる。これらを二種以上用いてもよい。硬度、気泡径および発泡倍率によって、ポリイソシアネートとポリオール、および触媒、発泡剤、整泡剤の組み合わせや最適量を決めることが好ましい。

研磨シート２０ａにおいてポリウレタンを主成分とする場合、ポリウレタン中への独立気泡の形成方法としては、ポリウレタン製造時における樹脂中への各種発泡剤の配合による化学発泡法が一般的であるが、機械的な撹拌により樹脂を発泡させたのち硬化させる方法も好ましく使用することができる。また、ポリウレタン製造時に内部に空隙を有する中空粒子ポリマーを混錬することもできる。

独立気泡の平均気泡径は、スクラッチを低減する観点から３０μｍ以上が好ましい。一方、被研磨材の局所的凹凸の平坦性の観点から１５０μｍ以下が好ましく、１４０μｍ以下がより好ましく、１３０μｍ以下がより好ましい。なお、平均気泡径は、サンプル断面をＶＫ−８５００（株式会社キーエンス製）の超深度顕微鏡にて倍率４００倍で観察したときに一視野内に観察される気泡のうち、視野端部に欠損した円状に観察される気泡を除く円状気泡を画像処理装置にて断面面積から円相当径を測定し、数平均値を算出することにより求められる。

研磨シート２０ａは、特性改良を目的として、研磨剤、帯電防止剤、潤滑剤、安定剤、染料等の各種添加剤を含有してもよい。

本発明において、研磨シート２０ａの密度は、局所的な平坦性不良やグローバル平坦性の観点から、０．３ｇ／ｃｍ^３以上が好ましく、０．６ｇ／ｃｍ^３以上がより好ましく、０．６５ｇ／ｃｍ^３以上がより好ましい。一方、スクラッチを低減する観点から、研磨シート２０ａの密度は１．１ｇ／ｃｍ^３以下が好ましく、０．９ｇ／ｃｍ^３以下がより好ましく、０．８５ｇ／ｃｍ^３以下がより好ましい。なお、本発明における研磨シート２０ａの密度は、ハーバード型ピクノメーター（ＪＩＳ Ｒ−３５０３基準）を用い、水を媒体に測定した値である。

基部２０ｂは、形成材料として、天然ゴム、ニトリルゴム、“ネオプレン（登録商標）”ゴム、ポリブタジエンゴム、熱硬化ポリウレタンゴム、熱可塑性ポリウレタンゴム、シリコーンゴムなどの無発泡のエラストマー、“トーレペフ（登録商標、東レ（株）製ペフ）”などのポリオレフィン発砲体、ポリエステル樹脂を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。
接着層２０ｃは、接着剤や両面テープなどにより実現される。

図４は、本実施の形態１にかかる研磨パッドの研磨シートの概略構成を示す模式図である。図４に示す研磨シート２０ａには、一方の表面側に設けられた格子状をなす複数の溝２０１と、溝２０１の形成面であって、溝２０１に設けられ、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する複数の浅底部２０２を有する流動制御部２１と、が形成されている。研磨面２００は、複数の溝２０１により区画されている。本実施の形態において、複数の浅底部２０２は、研磨シート２０ａの研磨面２００上で閉じた経路上に位置している。該閉じた経路は正方形をなし、この正方形の対角線の交点（中心）が研磨シート２０ａの中心と一致している。

図５は、図４に示す研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。図６は、図４に示す研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図であって、溝２０１を通過し、かつ研磨面２００と直交する平面を切断面とする断面図である。溝２０１は、研磨面２００と直交する方向に延びる二つの側面部２０１ａと、二つの側面部２０１ａと連結し、溝２０１の底面をなす底面部２０１ｂとを有し、研磨シート２０ａの表面（研磨面２００）および溝２０１の延伸方向と直交する平面を切断面とする断面が略Ｕ字状をなす。底面部２０１ｂは、研磨面２００と略平行な平面状をなしている。以下、二つの側面部２０１ａの間の距離Ｗに対応する長さを「溝幅」、研磨面２００から底面部２０１ａまでの距離Ｄに対応する長さを「溝深さ」という。

浅底部２０２は、複数の溝２０１のうちの一部の溝２０１の途中に設けられている。本実施の形態１では、浅底部２０２は、溝２０１の途中であって、直交関係にある二つの溝２０１の間に設けられる（例えば、図４のＸ方向に延びる溝２０１の途中であって、Ｙ方向に延びる二つの溝２０１の間に浅底部２０２を設ける）。浅底部２０２は、Ｘ方向に延びる溝２０１とＹ方向に延びる溝２０１の交差部に設けられていてもよい。

浅底部２０２は、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第１斜面部２０２ａと、第１斜面部２０２ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０２ｂと、一端で頭頂部２０２ｂの第１斜面部２０２ａに連なる側と異なる側に連なるとともに、他端で溝２０１における外周側の底面部２０１ｂに連なる第２斜面部２０２ｃと、を有する。

第１斜面部２０２ａおよび第２斜面部２０２ｃは、底面部２０１ｂから平面状に延びている。すなわち、図６にも示すように、研磨面２００と直交する平面を切断面とする断面において、第１斜面部２０２ａおよび第２斜面部２０２ｃは直線状をなしている。

また、本実施の形態１において、頭頂部２０２ｂは、研磨面２００が通過する平面上に位置している。すなわち、頭頂部２０２ｂは、溝２０１の最も深い位置（底面部２０１ｂ）からの高さ（第１の距離）が、底面部２０１ｂから研磨面２００までの溝深さ（距離Ｄ、第２の距離）と同等（１００％）であって、研磨面２００に連続する平面をなしている。なお、本発明において、頭頂部から底面部２０１ｂまでの高さ（第１の距離）、および溝の底面部２０１ｂから研磨面までの溝深さ（第２の距離）は、研磨面に対して直交する方向に沿った距離のことをいう。

研磨システム１では、研磨ヘッド１１が半導体ウェハーＷを保持した状態で、図示しない制御部の制御のもと、供給部１２によりスラリーＰを供給しながら研磨定盤１０、研磨ヘッド１１およびドレッサー１３を回転させることによって、半導体ウェハーＷに研磨処理を施す。この際、スラリーＰは、研磨パッド２０の中心近傍に供給され、研磨パッド２０の回転に伴う遠心力により、研磨面２００や溝２０１において研磨パッド２０の外周側に向けて流れる。

また、スラリーＰは、溝２０１を流れる途中で浅底部２０２に導入される。浅底部２０２に導入されたスラリーＰは、まず第１斜面部２０２ａに進入し、流速を低下させつつ頭頂部２０２ｂに向けて遡上する。スラリーＰは、第１斜面部２０２ａを遡上して頭頂部２０２ｂで研磨面２００と同じ高さに位置して研磨処理に用いられた後、第２斜面部２０２ｃを下降し、再び溝２０１に流れ込む。

スラリーＰが頭頂部２０２ｂに到達したとき、スラリーＰがウェハーＷの下面に当たるように構成されていると、ウェハーＷをより効果的に研磨でき、高い研磨レートを保ちながら、マイクロスクラッチを抑制することができることから好ましい。すなわち、浅底部２０２は、使用する研磨システムに応じて、頭頂部２０２ｂが研磨ヘッド１１の下部に位置するように形成することが好ましい。

また、浅底部２０２は、研磨シート２０ａの中心を囲繞するように形成されている。このため、研磨シート２０ａの中心近傍に供給されたスラリーＰは、遠心力によって研磨シート２０ａの外周側に流れた場合、必ず浅底部２０２を通過する。これにより、スラリーＰが流れる方向に関わらず、スラリーＰの流量を制御することができる。

溝２０１を流れるスラリーＰは、第１斜面部２０２ａを遡上するため、ある程度の助走距離をもって浅底部２０２に進入することが好ましい。したがって、研磨パッド２０は、研磨パッド２０の中心から浅底部２０２までの間に、頭頂部２０１ｂの底面部２０１ｂからの高さ（第１の距離）の２０倍以上の平坦区間（底面部２０１ｂによる平坦な流路）を有している。換言すれば、研磨シート２０ａの中心から溝２０１を介して浅底部２０２に到達するまでの距離は、最短でも第１の距離の２０倍である。このような平坦区間は第１の距離の４０倍以上であることが好ましく、８０倍以上であることがさらに好ましい。また、浅底部２０２の形成位置は、研磨シート２０ａの中心からの最短距離が、研磨シート２０ａの半径に対して１５．０％以上あることが好ましい。なお、平坦区間における研磨パッド２０（研磨シート２０ａ）の中心とは、該中心を通過する溝２０１の底面部２０１ｂ、または該中心に最も近い溝２０１の底面部２０１ｂをさす。また、該平坦区間は、一部の浅底部２０２において設けられていれば、スラリーＰの流量を制御できるため、すべての浅底部２０２が上述した平坦区間を有するように形成されることが好ましいが、少なくとも一部の浅底部２０２が該平坦区間を有するように形成されていればよい。

浅底部２０２の形成方法としては、例えば、研磨シートにカッターを入れて溝２０１を形成する際、浅底部２０２の形成位置において、順次溝深さを浅くして第１斜面部２０２ａを形成後、頭頂部２０１ｂの間はカッターを入れず、頭頂部２０１ｂ通過後に再びカッターを入れて順次溝深さを深くしていき、第２傾斜部２０２ｃを形成する。換言すれば、第１斜面部２０２ａおよび第２傾斜部２０２ｃの溝深さに合わせてカッターを入れることにより、浅底部２０２を形成することができる。

上述した実施の形態１によれば、研磨シート上に、複数の溝２０１と、溝２０１の途中に設けられ、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する浅底部２０２と、を形成するようにしたので、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制することができる。

（実施の形態１の変形例１）
図７は、本実施の形態１の変形例１にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図７に示す浅底部２０３は、溝２０１の途中に設けられ、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる斜面部２０３ａと、斜面部２０３ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０３ｂと、頭頂部２０３ｂから底面部２０１ｂと同じ溝深さで研磨面２００と直交する方向に延びる側壁部２０３ｃと、側壁部２０３ｃおよび底面部２０１ｂを連結する連結部２０３ｄと、を有する。

上述した実施の形態１にかかる浅底部２０２は外周側にも斜面が形成されるものとして説明したが、図７に示す浅底部２０３のように、少なくともスラリーＰの移動方向（図７の矢印Ｒ）に対し、スラリーＰの進入側に斜面が設けられてスラリーＰが遡上するものであれば適用可能である。

（実施の形態１の変形例２）
図８は、本実施の形態１の変形例２にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図８に示す浅底部２０４は、溝２０１の途中に設けられ、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる斜面部２０４ａと、斜面部２０４ａと底面部２０１ｂとを連結し、研磨面２００と直交する方向に延びる側壁部２０４ｂと、を有する。

図８に示す浅底部２０４のように、スラリーＰの移動方向（図８の矢印Ｒ）に対し、スラリーＰの進入側から研磨面２００に向けて延びる斜面のみにより構成されるものであっても適用可能である。

次に、上述した浅底部２０２（第１傾斜部２０２ａ）の変形例について、図９Ａ〜図９Ｇを参照して説明する。以下の変形例３〜９では、浅底部における研磨シート２０ａの中心側の構成を説明する。浅底部の外周側の構成については、実施の形態１の第２斜面部２０２ｃや、変形例１の側壁部２０３ｃおよび連結部２０３ｄのいずれの構成であってもよいし、外周側の形状が内周側の形状と対称な構成であってもよい。

（実施の形態１の変形例３）
図９Ａは、本実施の形態１の変形例３にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ａに示す浅底部２０５は、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる斜面部２０５ａと、斜面部２０５ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０５ｂと、を有する。

上述した実施の形態１では、第１斜面部２０２ａの研磨面２００の高さまで延びるものとして説明したが、図９Ａに示す浅底部２０５のように、底面部２０１ｂから頭頂部２０５ｂまでの高さｄ１（第１の距離）は、研磨面２００から底面部２０１ｂまでの溝深さｄ２（第２の距離）よりも小さい。

浅底部が形成されていても、頭頂部の高さが低すぎると研磨面へのスラリー供給不足によりマイクロスクラッチが発生することから、頭頂部の高さｄ１は、マイクロスクラッチを抑制するという点で、溝深さｄ２に対して２０．０％以上１００％以下の範囲であることが好ましい。頭頂部の高さがこの範囲であることで、研磨面へスラリーが誘導されてマイクロスクラッチを大幅に低減する、あるいは、スラリー流量を減らしてもマイクロスクラッチを抑制することができるため、コスト削減につながる。研磨面へのスラリーの誘導性の観点から、頭頂部の高さｄ１の範囲は、３５％以上１００％以下が好ましく、５０％以上１００％以下がさらに好ましい。

（実施の形態１の変形例４）
図９Ｂは、本実施の形態１の変形例４にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｂに示す浅底部２０６は、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように弧状をなして延びる曲面部２０６ａと、曲面部２０６ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０６ｂと、を有する。曲面部２０６ａは、底面部２０１ｂに向けて凸となる形状をなしている。

（実施の形態１の変形例５）
図９Ｃは、本実施の形態１の変形例５にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｃに示す浅底部２０７は、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように弧状をなして延びる曲面部２０７ａと、曲面部２０７ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０７ｂと、を有する。曲面部２０７ａは、研磨面２００に向けて凸となる形状をなしている。

図９Ｂおよび図９Ｃに示す浅底部２０６，２０７のように、スラリーＰが遡上する面が湾曲した形状をなしていても、研磨レートを保ちながら、スラリーＰの流れを制御することができる。

（実施の形態１の変形例６）
図９Ｄは、本実施の形態１の変形例６にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｄに示す浅底部２０８は、研磨シート２０ａの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第１斜面部２０８ａと、第１斜面部２０８ａに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる第１平面部２０８ｂと、第１平面部２０８ｂの第１斜面部２０８ａに連なる側と異なる側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第２斜面部２０８ｃと、第２斜面部２０８ｃに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる第２平面部２０８ｄと、第２平面部２０８ｄの第２斜面部２０８ｃに連なる側と異なる側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第３斜面部２０８ｅと、第３斜面部２０８ｅに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０８ｆと、を有する。

図９Ｄに示す浅底部２０８のように、底面部２０１ｂから頭頂部２０８ｆにかけて複数の段部が形成され、スラリーＰが段階的に遡上するように構成した場合であっても、研磨レートを保ちながら、スラリーＰの流れを制御することができる。

（実施の形態１の変形例７）
図９Ｅは、本実施の形態１の変形例７にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｅに示す浅底部２０９は、研磨シート２０ａの中心側の端部であって、該端部における底面部２０１ｂから研磨面２００と直交する方向に延びる側壁部２０９ａと、側壁部２０９ａの端部から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる斜面部２０９ｂと、斜面部２０９ｂに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２０９ｃと、を有する。

（実施の形態１の変形例８）
図９Ｆは、本実施の形態１の変形例８にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｆに示す浅底部２１０は、研磨シート２０ａの中心側の端部であって、該端部における底面部２０１ｂから研磨面２００と直交する方向に延びる側壁部２１０ａと、側壁部２１０ａの端部から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように弧状をなして延びる曲面部２１０ｂと、曲面部２１０ｂに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２１０ｃと、を有する。曲面部２１０ｂは、底面部２０１ｂに向けて凸となる形状をなしている。

（実施の形態１の変形例９）
図９Ｇは、本実施の形態１の変形例９にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図９Ｇに示す浅底部２１１は、研磨シート２０ａの中心側の端部であって、該端部における底面部２０１ｂから研磨面２００と直交する方向に延びる側壁部２１１ａと、側壁部２１１ａの端部から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように弧状をなして延びる曲面部２１１ｂと、曲面部２１１ｂに連なり、溝２０１に沿って研磨面２００と平行に延びる頭頂部２１１ｃと、を有する。曲面部２１１ｂは、研磨面２００に向けて凸となる形状をなしている。

ここで、側壁部２０９ａ，２１０ａ，２１１ａは、底面部２０１ｂからの高さが、上述した溝深さｄ１に対して、２０．０％未満となるように設定されている。

図９Ｅ〜９Ｇに示す浅底部２０９，２１０，２１１のように、底面部２０１ｂと、スラリーＰが遡上する斜面部２０９ｂ、曲面部２１０ｂ，２１１ｂとの間に側壁部２０９ａ，２１０ａ，２１１ａにより段部が形成されている場合であっても、側壁部２０９ａ，２１０ａ，２１１ａの高さを上述した条件を満たすように設定することによって、研磨レートを保ちながら、スラリーＰの流れを制御することができる。

（実施の形態１の変形例１０）
続いて、上述した浅底部２０２（頭頂部２０２ｂ）の変形例について、図１０Ａ〜図１０Ｉを参照して説明する。図１０Ａは、本実施の形態１の変形例１０にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ａに示す浅底部２１２の頭頂部２１２ａのように、研磨面２００に対して傾斜した平面状をなすものであってもよい。頭頂部２１２ａは、例えば研磨シート２０ａの中心からみて左肩上がり（紙面左上がり）に傾斜している。

（実施の形態１の変形例１１）
図１０Ｂは、本実施の形態１の変形例１１にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｂに示す浅底部２１３の頭頂部２１３ａのように、研磨面２００に対して傾斜した平面状をなすものであってもよい。頭頂部２１３ａは、例えば研磨シート２０ａの中心からみて右肩上がり（紙面右上がり）に傾斜している。

上述した変形例１０，１１のように、スラリーＰが流れる方向と直交する方向に傾斜を設けるようにしてもよい。また、頭頂部２１２ａおよび頭頂部２１３ａを組み合わせてもよい。例えば、隣接する溝２０１に対して交互に頭頂部２１２ａおよび頭頂部２１３ａを設けてもよいし、溝２０１の延伸方向に応じて頭頂部２１２ａおよび頭頂部２１３ａを設けるようにしてもよい。

（実施の形態１の変形例１２）
図１０Ｃは、本実施の形態１の変形例１２にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｃに示す浅底部２１４の頭頂部２１４ａのように、弧状に湾曲した凹状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１３）
図１０Ｄは、本実施の形態１の変形例１３にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｄに示す浅底部２１５の頭頂部２１５ａのように、弧状に湾曲した凸状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１４）
図１０Ｅは、本実施の形態１の変形例１４にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｅに示す浅底部２１６の頭頂部２１６ａのように、弧状に湾曲した凹凸を繰り返す形状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１５）
図１０Ｆは、本実施の形態１の変形例１５にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｆに示す浅底部２１７の頭頂部２１７ａのように、Ｖ字状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１６）
図１０Ｇは、本実施の形態１の変形例１６にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｇに示す浅底部２１８の頭頂部２１８ａのように、先鋭端を有する凸状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１７）
図１０Ｈは、本実施の形態１の変形例１７にかかる浅底部の概略構成を示す断面図である。図１０Ｈに示す浅底部２１９の頭頂部２１９ａのように、Ｖ字状と先鋭端を有する凸状とを繰り返す形状をなすものであってもよい。

（実施の形態１の変形例１８）
続いて、研磨シートにおける浅底部の形成領域の変形例について、図１１〜図１７を参照して説明する。図１１は、本実施の形態１の変形例１８にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１１に示す研磨シート２０ｄのように、研磨面２００上で異なる径の閉じた経路上に浅底部２０２が設けられている二つの流動制御部（第１流動制御部２２ａおよび第２流動制御部２２ｂ）を有するものであってもよい。この場合、研磨シート２０ｄの中心から径方向に移動するスラリーＰは、浅底部による流れの制御を二回受けることとなる。

また、変形例１８の場合、スラリーＰが内側の第１流動制御部２２ａの第１斜面部（第１斜面部２０２ａ）を遡上するための助走距離を確保するため、第１流動制御部２２ａの形成位置は、研磨シート２０ａの中心から溝２０１を介して第１流動制御部２２ａに到達するまでの最短距離が、第１流動制御部２２ａの頭頂部（頭頂部２０１ｂ）の高さ（第１の距離）の２０倍以上であることが好ましく、４０倍以上であることがより好ましく、８０倍以上であることがさらに好ましい。また、スラリーＰが外側の第２流動制御部２２ｂの第１斜面部を遡上するための助走距離を確保するため、第１流動制御部２２ａと第２流動制御部２２ｂとは、それぞれの頭頂部の中心間の距離が、第２流動制御部２２ｂの頭頂部の高さ（第３の距離）に対して２０倍以上となるよう形成されることが好ましく、４０倍以上となるよう形成されることがより好ましく、８０倍以上となるよう形成されることがさらに好ましい。

（実施の形態１の変形例１９）
図１２は、本実施の形態１の変形例１９にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１２に示す研磨シート２０ｅのように、研磨面２００上で八角形状をなす経路上に浅底部２０２が設けられている流動制御部２３を有するものであってもよい。この場合、四角形をなす経路と比して、研磨シート２０ｅの中心からの最短距離と最小距離との差を小さくすることができる。

（実施の形態１の変形例２０）
図１３は、本実施の形態１の変形例２０にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１３に示す研磨シート２０ｆのように、研磨面２００上で直線状をなす経路上に浅底部２０２が設けられた第１流動制御部２４ａおよび第２流動制御部２４ｂからなる流動制御部２４を有するものであってもよい。変形例２０では、直線状をなす経路が、研磨シートの径方向と直交する直線をなしている。

（実施の形態１の変形例２１）
図１４は、本実施の形態１の変形例２１にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１４に示す研磨シート２０ｇのように、研磨面２００上の閉じた経路上であって、所定の溝間隔で浅底部２０２が設けられた流動制御部２５を有するものであってもよい。流動制御部２５には、隣接する溝２０１に対して一つおきに上述した浅底部２０２が形成されている。

（実施の形態１の変形例２２）
図１５は、本実施の形態１の変形例２２にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１５に示す研磨シート２０ｈのように、外周側に設けられた流動制御部２６を有するものであってもよい。流動制御部２６には、隣接する溝２０１に対して一つおきに浅底部２２０が形成されている。浅底部２２０は、上述した第１斜面部２０２ａと、第１斜面部２０２ａの端部から研磨シート２０ｈの外縁まで研磨面２００と平行に平面状をなして延びる頭頂部と、を有する。

（実施の形態１の変形例２３）
図１６は、本実施の形態１の変形例２３にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。これまでの研磨シートには、格子状の溝が形成されているものとして説明したが、図１６に示す研磨シート２０ｉのように、中心から外縁に向けて弧状をなして延びる複数の溝２２１が形成されたものであっても、研磨シート２０ｉと同心の円をなす経路上に浅底部２０２が設けられた流動制御部２７を形成することによって上述した効果を得ることができる。溝２２１は、例えば、上述した溝２０１と同様の断面形状を有する。

（実施の形態１の変形例２４）
図１７は、本実施の形態１の変形例２４にかかる研磨シートの概略構成を示す平面図である。図１７に示す研磨シート２０ｊには、中心から外縁に向けて直線状に延びる複数の溝２２２と、研磨シート２０ｊと同心の円をなす経路上に浅底部２０２が設けられた流動制御部２８とが形成されている。溝２２２は、例えば、上述した溝２０１と同様の断面形状を有する。

なお、研磨に寄与したスラリー中には、研磨屑や凝集物などの不純物が含まれ、マイクロスクラッチを発生させるおそれがある。研磨パッドを回転させてスラリーを供給した場合、スラリーは、回転とは反対の方向および遠心力方向、さらに半導体ウェハーの回転方向に流れ、研磨パッドの外周から排出される。このことから、研磨層表面から見て、流動制御部（浅底部）は、少なくとも研磨パッド中心から流動制御部までの距離が、研磨パッドの半径の９０％以内の範囲の溝内に形成されることが好ましい。新鮮なスラリーが研磨面に誘導されるために、浅底部はスラリーの供給位置より研磨パッド外周側にあることが重要である。浅底部は、研磨パッド中心から流動制御部までの距離が、研磨パッドの半径の８５％以下の溝内に設けられることが好ましく、８０％以下の溝内に設けられることがさらに好ましい。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について、図面を参照して説明する。図１８は、本発明の実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。図１９は、本実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図であって、研磨面３００および溝３０１の延伸方向と直交する平面を切断面とする断面図である。上述した実施の形態１では、例えば溝２０１の断面形状が略Ｕ字（カップ）状をなすものとして説明したが、本実施の形態２にかかる研磨シートには、研磨面３００に対して、断面がＹ字状をなす溝３０１が形成されている。溝の断面がＹ字状をなすことにより、高い研磨レートを保ちながら研磨レートの変動を抑制できる。また、ウェハーと研磨パッドの間で吸引力が働き、またスラリー流れが改善し、スラリーが効率的にタイル上に運ばれることから、研磨レートが上昇する。吸引力が働くことでウェハー面内に均一に研磨パッドが接触する効果も伴い、ウェハーの研磨レートに高い面内均一性を与える。

溝３０１は、図１９に示すように、研磨面３００から傾斜して延びる二つの斜面部３０１ａと、溝３０１の底部をなし、研磨面３００と平行な平面状の底面部３０１ｂと、研磨面３００と直交する平面をなし、斜面部３０１ａの端部と底面部３０１ｂの端部とをそれぞれ連結する二つの側壁部３０１ｃと、を有する。複数の溝３０１は、例えば、上述した実施の形態１のように、格子状をなす。

図２０は、本実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。図２１は、本実施の形態２にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す断面図であって、研磨面３００に直交し、浅底部３０２が設けられる溝３０１の延伸方向と平行な平面を切断面とする断面図である。

溝３０１には、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する複数の浅底部３０２が設けられた流動制御部が形成されている。この流動制御部は、例えば、上述した実施の形態１のように、複数の浅底部３０２は、研磨シート２０ａの研磨面２００上で閉じた経路上に位置している。

浅底部３０２は、図２１に示すように、研磨シートの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第１斜面部３０２ａと、第１斜面部３０２ａの基端であって、研磨面３００と同等の高さに位置する頭頂部３０２ｂと、頭頂部３０２ｂから、研磨面３００に対して傾斜して延び、直交して延びる溝３０１の側壁部３０１ｃに連なる第２斜面部３０２ｃと、を有する。

第１斜面部３０２ａは、研磨面３００に連なる二つの斜面部３０２１と、第１斜面部３０２ａの底部をなし、頭頂部３０２ｂに連なる平面状の底面部３０２２と、研磨面３００と直交する平面をなし、斜面部３０２１の端部と底面部３０２２の端部とをそれぞれ連結する二つの側壁部３０２３と、を有する。

第２斜面部３０２ｃは、研磨面３００に連なる二つの斜面部３０２４と、第２斜面部３０２ｃの底部をなし、頭頂部３０２ｂに連なる平面状の底面部３０２５と、研磨面３００と直交する平面をなし、斜面部３０２４の端部と底面部３０２５の端部とをそれぞれ連結する二つの側壁部３０２６と、を有する。

上述した実施の形態２によれば、研磨シート上に、複数の溝３０１と、溝３０１の途中に設けられ、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する浅底部３０２と、を形成するようにしたので、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制することができる。

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について、図面を参照して説明する。図２２は、本発明の実施の形態３にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。上述した実施の形態１では、例えば溝２０１の断面形状が略Ｕ字（カップ）状をなすものとして説明したが、本実施の形態３にかかる研磨シートには、研磨面４００に対して、断面がＶ字状をなす溝４０１が形成されている。

溝４０１は、研磨面４００から傾斜して延びる二つの斜面部４０１ａを有する。二つの斜面部４０１ａは、研磨面４００に連なる側と異なる側の端部同士で当接することによって、研磨面４００と直交する平面を切断面とする断面がＶ字状をなす。複数の溝４０１は、例えば、上述した実施の形態１のように、格子状をなす。

図２３は、本実施の形態３にかかる研磨シートの要部の構成を模式的に示す斜視図である。溝４０１には、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する複数の浅底部４０２を有する流動制御部が形成されている。この流動制御部は、例えば、上述した実施の形態１のように、複数の浅底部４０２を繋いだ軌跡が正方形状をなす。

浅底部４０２は、図２３に示すように、研磨シートの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなるように傾斜して延びる第１斜面部４０２ａと、第１斜面部４０２ａの基端であって、研磨面４００と同等の高さに位置する頭頂部４０２ｂと、頭頂部４０２ｂから外周側に向けて漸次深さが深くなるように傾斜して延びる第２斜面部４０２ｃと、を有する。第１斜面部４０２ａおよび第２斜面部４０２ｃは、溝の延伸方向と直交する平面を切断面とする断面が、Ｖ字状をなしている。

上述した実施の形態３によれば、研磨シート上に、複数の溝４０１と、溝４０１の途中に設けられ、少なくとも外周側に向けて段階的に溝深さを縮小させることによって、スラリーＰの流れを制御する浅底部４０２と、を形成するようにしたので、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制することができる。

なお、上述した実施の形態１〜３において、浅底部は、研磨シートの中心側から外周側に向けて（研磨シートの径方向と非直交となる方向に）漸次深さが浅くなるように浅底部が設けられていれば、上述した効果を得ることが可能である。

また、上述した実施の形態１〜３および変形例に記載した浅底部の構成（形状）を組み合わせて研磨シートを構成してもよい。具体的には、例えば、実施の形態２にかかる溝３０１が形成された研磨シートに対して、変形例１〜１７に示す断面を有する浅底部を設けてもよいし、変形例１８〜２４にかかる研磨シートの溝形状を、溝３０１に代えてもよい。

本発明の研磨パッドにおいては、スラリーが浅底部の第１斜面部を遡上するための助走区間を設ける必要があることから、少なくとも一部の浅底部において、研磨パッドの中心から溝を介して当該浅底部に到達するまでの距離が、当該浅底部の頭頂部の高さ（第１の距離）の２０倍以上、好ましくは４０倍以上、さらに好ましくは８０倍以上の距離となる平坦区間が形成されている。また、研磨パッドの径方向でみて最も内側（中心側）の流動制御部（浅底部）は、研磨パッド中心から溝を介して当該流動制御部に到達するまでの距離が、当該流動制御部（浅底部）の頭頂部の高さ（第１の距離）の２０倍以上であることが好ましく、４０倍以上であることがより好ましく、８０倍以上であることがさらに好ましい。一方、研磨パッド中心から径方向に延びる１筋の溝の中に複数の浅底部を形成する場合には、径方向で隣り合う２つの浅底部の頭頂部の中心間が、当該２つの浅底部のうち外周側に存在する浅底部の頭頂部の高さ（第３の距離）に対して２０倍以上の距離となるよう形成されることが好ましく、４０倍以上の距離となるよう形成されることがより好ましく、８０倍以上の距離となるよう形成されることがさらに好ましい。すなわち、流動制御部を複数列設ける場合には、隣り合う２列の流動制御部の最短距離が、当該２列の流動制御部のうち外周側に存在する流動制御部の頭頂部の高さ（第３の距離）に対して２０倍以上となるよう形成されることが好ましく、４０倍以上となるよう形成されることがより好ましく、８０倍以上となるよう形成されることがさらに好ましい。

本発明において研磨される被研磨材としては、例えば半導体ウェハーＷの上に形成された絶縁層または金属配線の表面が挙げられる。絶縁層としては、金属配線の層間絶縁膜や金属配線の下層絶縁膜や素子分離に使用されるシャロートレンチアイソレーションを挙げることができる。金属配線としては、アルミニウム、タングステン、銅、およびそれらの合金などを挙げることができ、構造的にはダマシン、デュアルダマシン、プラグなどがある。銅を金属配線とした場合には、窒化珪素等のバリアメタルも研磨対象となる。絶縁膜は、現在酸化シリコンが主流であるが、低誘電率絶縁膜も用いられる。本発明の研磨システム１では、半導体ウェハーＷのほか、磁気ヘッド、ハードディスク、サファイヤ、ＳｉＣ、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを研磨対象とすることもできる。

本発明の研磨パッドは、ガラス、半導体、誘電／金属複合体および集積回路等に平坦面を形成するために好適に使用される。

以下、実施例によって、さらに本発明の詳細を説明する。しかし、本実施例により本発明が限定して解釈される訳ではない。なお、測定は以下のとおりに行った。

（硬度測定）
硬度測定は、ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して行った。作製した発泡ポリウレタンシートを２ｃｍ×２ｃｍ（厚みは任意）の大きさに切り出して測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時の硬度測定用試料は、試料を重ね合わせるなどして厚みを６ｍｍ以上とした。この硬度測定用試料に対し、アスカーゴム硬度計Ｄ型（高分子計器株式会社製）を用いて硬度を測定した。

（気泡径測定）
平均気泡径は、サンプル断面を超深度顕微鏡（ＶＫ−８５００、株式会社キーエンス製）にて倍率４００倍で観察したときに一視野内に観察される気泡のうち、視野端部に欠損した円状に観察される気泡を除く円状気泡を画像処理装置にて断面面積から円相当径を測定し、算出した数平均値を平均気泡径とした。

（研磨処理）
アプライドマテリアルズ製のウェハー用研磨装置（Ｍｉｒｒａ ３４００）を用いて、所定の研磨条件で８インチの半導体ウェハーの研磨を行った。半導体ウェハー一枚あたりの研磨時間は、１分とした。スラリーは、キャボット社製のＳＳ−２５を使用し、スラリーおよび純水を１：１（ｖｏｌ％）で希釈したものを用いた。この希釈したスラリーを７５ｍＬ／分の流量で流し、ドレッサー（Ｓａｅｓｏｌ Ｄｉａｍｏｎｄ製）で荷重１７．６Ｎ（４ｌｂｆ）、研磨開始から３６秒間インサイチュードレッシングをして１５０枚を研磨した。次いで、別の研磨パッドに貼り替えた後、希釈したスラリーの流量を５０ｍｌ／分に変更し、それ以外は前記と同様に１５０枚を研磨した。研磨処理にかかる条件は、以下のとおりである。
リテーナリング圧力 ：４１ｋＰａ（６ｐｓｉ）
インナーチューブ圧力：２８ｋＰａ（４ｐｓｉ）
メンブレン圧力 ：２８ｋＰａ（４ｐｓｉ）
プラテン回転数 ：７６ｒｐｍ
研磨ヘッド回転数 ：７５ｒｐｍ

（平均研磨レート）
１５０枚目に研磨した８インチの半導体ウェハーを用いて、この半導体ウェハーの中心から外周１ｍｍまでを径方向に所定の間隔で研磨量（厚さ）を測定した。半導体ウェハー中心部を０ｍｍ地点として、０ｍｍ地点から９０ｍｍ地点以内の面内を５ｍｍ毎に３７点、０ｍｍ地点から９１ｍｍ地点以上の面内を１ｍｍ毎に１８点を測定して平均研磨レート（ｎｍ／分）を算出した。

（マイクロスクラッチ数）
研磨した半導体ウェハーを０．５重量％のふっ酸で洗浄し、水洗後、０．２８重量％のアンモニア溶液と０．３５重量％の過酸化水素水との混合溶液にて洗浄し、水洗乾燥した。水洗乾燥後の半導体ウェハーについて、ケーエルエー・テンコール株式会社製のＳＰ−１を用いて、０．１５５μｍ以上のマイクロスクラッチ数を計数した。マイクロスクラッチ数は、２００個以下であることが好ましい。

＜参考例１＞
研磨パッドにおける溝の形状は、以下のとおりである。
Ａ−１：溝の延伸方向に直交する方向の断面が、Ｕ字状をなす（図５，６参照）
Ａ−２：溝の延伸方向に直交する方向の断面が、Ｙ字状をなす（図２０，２１参照）

＜参考例２＞
研磨パッドにおける流動制御部（浅底部）の形成パターンは、以下のとおりである。
Ｂ−１：浅底部が設けられる経路が、略正方形状をなす（図４参照）
Ｂ−２：浅底部が設けられる経路が、略正方形状をなすとともに、浅底部が溝一つおきに形成されている（図１４参照）
Ｂ−３：浅底部が設けられる経路が、略正方形状をなす二つの流動制御部を有する（図１１参照）

＜実施例１＞
まず、３０重量部のポリプロピレングリコールと、４０重量部のジフェニルメタンジイソシアネートと、０．５重量部の水と、０．３重量部のトリエチルアミンと、１．７重量部のシリコーン整泡剤と、０．０９重量部のオクチル酸スズと、をＲＩＭ（Reaction Injection Molding）成型機で混合して、金型に吐出して加圧成型を行い、独立気泡の発泡ポリウレタンシートを作製した。

作製した発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル０．２重量部を添加したメチルメタクリレートに６０分間浸漬した。次に、浸漬後の発泡ポリウレタンシートを、１５重量部のポリビニルアルコール“ＣＰ”（重合度：約５００、ナカライテスク株式会社製）、３５重量部のエチルアルコール（試薬特級、片山化学工業株式会社製）および５０重量部の水からなる溶液中に浸漬後乾燥することにより、発泡ポリウレタンシート表層をポリビニルアルコールで被覆した。

次に、ポリビニルアルコールで被覆した発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して２枚のガラス板間に挟み込んで、６５℃で６時間保持後、１２０℃で３時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型し水洗した後、５０℃で真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートを厚み約２ｍｍにスライス加工することにより測定用の加工シートを作製した。加工シート中のメチルメタクリレート含有率は６６重量％であった。加工シートのＤ硬度は５４度、密度は０．８１ｇ／ｃｍ^３、独立気泡の平均気泡径は４５μｍであった。また、得られた硬質発泡シートを両面研削して、厚みが２．２ｍｍの研磨用シートを作製した。

上記方法により得られた研磨用シートに、クッション層として熱可塑性ポリウレタン（クッション層の厚み：０．３ｍｍ、日本マタイ株式会社製）を、ＭＡ−６２０３（三井化学ポリウレタン株式会社製）を接着層としてロールコーターを用いて積層し、さらに、クッション層の裏面に裏面テープとして両面テープ（５６０４ＴＤＭ、積水化学工業株式会社製）を貼り合わせた。この積層体を５０８ｍｍの直径の円に打ち抜いて、研磨用シートの表面に溝ピッチ１１．５ｍｍ、溝幅２．０ｍｍ、溝深さ１．７ｍｍの断面がＵ字状をなす溝を格子状に形成することによって、研磨パッドを作製した。

流動制御部は、研磨パッド中心を通過する溝、または最も近い溝からの垂直距離（パッド中心から流動制御部までの最短距離）が研磨パッド半径の５４．３％（研磨パッド中心から１３８．０ｍｍ）となる位置に形成するとともに、浅底部を通過する軌跡が正方形をなすように他の浅底部を形成した。このとき、正方形の対角線の交点は、研磨パッドの中心と一致している。

浅底部の頭頂部の高さ（例えば、図９Ａのｄ１）は、１．７ｍｍ（溝深さの１００．０％）とした。したがって、浅底部の頭頂部における溝幅は、０．０ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：０．０％）である。また、浅底部（頭頂部）の高さに対する最短距離の割合は、８１．２倍となった。

得られた研磨パッドを用いて、上述した研磨処理（スラリー流量：７５ｍＬ／分）により１５０枚の半導体ウェハーを研磨した。次いで、研磨パッドを貼り替えて、スラリーの流量を５０ｍｌ／分に変更し、それ以外は前記と同様に１５０枚の半導体ウェハーを研磨した。

実施例１では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜（ウェハー）の平均研磨レートは１７９．７ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、６２個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および３５個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。得られた形状および特性について、表１に示す。

＜比較例１−１＞
流動制御部を有さない研磨パッドに変更したこと以外は実施例１と同様にして研磨した。比較例１−２では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは１８２．５ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は４７個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および３９６個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、スラリー流量が７５ｍＬ／分の場合に良好な結果が得られた一方、スラリー流量が５０ｍＬ／分の場合は好ましい個数である２００個より多かった。

＜比較例１−２＞
溝幅を３．４ｍｍとし、流動制御部を有さない研磨パッドに変更したこと以外は実施例１と同様にして研磨した。比較例１−２では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０５．９ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は１６個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１３８５個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、スラリー流量が７５ｍＬ／分の場合に良好な結果が得られた一方、スラリー流量が５０ｍＬ／分の場合は好ましい個数である２００個より多かった。

＜実施例２−１＞
実施例１と同様にして、厚みが２．２ｍｍの研磨用シートを作製してクッション層を貼り合わせた。この積層体を５０８ｍｍの直径の円に打ち抜いて、研磨用シートの表面に溝ピッチ１１．５ｍｍ、溝幅３．４ｍｍ（最大幅）、溝深さ１．７ｍｍの断面がＹ字状をなす溝を格子状に形成することによって、研磨パッドを作製した。

流動制御部は、研磨パッド中心を通過する溝、または最も近い溝からの垂直距離（パッド中心から流動制御部までの最短距離）が研磨パッド半径の５４．３％（研磨パッド中心から１３８．０ｍｍ）となる位置に形成するとともに、浅底部を通過する軌跡が正方形をなすように他の浅底部を形成した。このとき、正方形の対角線の交点は、研磨パッドの中心と一致している。

浅底部の頭頂部の高さは、１．０ｍｍ（溝深さの５８．８％）とした。浅底部の頭頂部における溝幅は、１．４ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：４１．２％）となった。また、浅底部（頭頂部）の高さに対する最短距離の割合は、１３８．０倍となった。

得られた研磨パッドを用いて、上述した研磨処理（スラリー流量：７５ｍＬ／分）により１５０枚の半導体ウェハーを研磨した。次いで、研磨パッドを貼り替えて、スラリーの流量を５０ｍｌ／分に変更し、それ以外は前記と同様に１５０枚の半導体ウェハーを研磨した。

実施例２−１では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜（ウェハー）の平均研磨レートは２０８．３ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、４０個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および５６個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。得られた形状および特性について、表２に示す。

＜実施例２−２＞
実施例２−１の溝形状において、溝深さを１．５ｍｍに変更した以外は実施例２−１と同様にして研磨した。なお、浅底部の頭頂部の高さを１．０ｍｍとし、頭頂部における溝幅が１．０ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：３３．３％）であり、溝深さに対する頭頂部の高さの割合は６６．７％となっている。実施例２−２では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０５．０ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、６１個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および８９個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−３＞
浅底部の頭頂部の高さを０．４ｍｍ（溝深さの２３．５％）に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。なお、浅底部の頭頂部における溝幅は２．６ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：７６．５％）であり、溝深さに対する頭頂部の高さの割合は２３．５％となっている。実施例２−３では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．６ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１７２個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１９１個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−４＞
浅底部の頭頂部の高さを１．７ｍｍ（溝深さと同等）に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。したがって、浅底部の頭頂部における溝幅は０．０ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：０．０％）であり、溝深さに対する頭頂部の高さの割合は１００．０％である。実施例２−４では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．３ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、６３個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１６３個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−５＞
浅底部の頭頂部の高さを０．６ｍｍ（溝深さの３５．３％）に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。なお、浅底部の頭頂部における溝幅は２．２ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：６４．７％）であり、溝深さに対する頭頂部の高さの割合は３５．３％となっている。実施例２−５では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．４ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１３８個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１５４個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−６＞
流動制御部の形成領域において、溝一つおきに浅底部が形成された非連続な非閉鎖系の流動制御部に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。実施例２−６では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０７．７ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、６２個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および８５個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−７＞
実施例２−１の研磨パッドにおいて、外周側（研磨パッド中心から２４１．５ｍｍの位置）に流動制御部を追加したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。流動制御部間の最短距離は１０３．５ｍｍ（外周側の浅底部（頭頂部）の高さに対する割合：１０３．５倍）とした。実施例２−８では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．８ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、９３個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１１６個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−８＞
流動制御部の形成位置を、研磨パッド中心からの最短距離で９２．０ｍｍ（研磨パッド半径の３６．２％）の位置に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。実施例２−９では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．１ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、７７個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および９２個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−９＞
流動制御部の形成位置を、研磨パッド中心からの最短距離で２０７．０ｍｍ（研磨パッド半径の８１．５％）の位置に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。実施例２−１０では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０２．８ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１６８個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１７７個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−１０＞
流動制御部の形成位置を、研磨パッド中心からの最短距離で２１８．５ｍｍ（研磨パッド半径の８６．０％）の位置に変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。実施例２−１１では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０２．２ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１８３個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１９３個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−１１＞
流動制御部の形成位置を、研磨パッド中心からの最短距離で３８．０ｍｍ（研磨パッド半径の１５．０％）の位置に変更したこと以外は実施例２−４と同様にして研磨した。実施例２−１２では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２００．３ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、９２個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１２１個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜実施例２−１２＞
流動制御部の頭頂部における溝幅を２．８ｍｍ（溝の最大溝幅に対する頭頂部の溝幅の割合：８２．４％）の位置に変更したこと以外は実施例２−３と同様にして研磨した。実施例２−１３では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０４．２ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１７７個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および１９２個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、良好な結果であった。

＜比較例２−１＞
流動制御部を有さない研磨パッドに変更したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。比較例２−１では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは１９９．２ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、１１５３個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および３５００個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、いずれの流量においても、好ましい個数である２００個より多かった。

＜比較例２−２＞
流動制御部を有さない研磨パッドに変更したこと以外は実施例２−２と同様にして研磨した。比較例２−２では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２００．９ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、２４１個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および６４３個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、いずれの流量においても、好ましい個数である２００個より多かった。

＜比較例２−３＞
浅底部の第１および第２斜面部を底面部と垂直な壁面（垂直壁）としたこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。比較例２−３では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０６．９ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、２６０個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および４８８個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、いずれの流量においても、好ましい個数である２００個より多かった。

＜比較例２−４＞
流動制御部間のピッチを４．０ｍｍとして複数の流動制御部を形成したこと以外は実施例２−１と同様にして研磨した。比較例２−５では、スラリー流量が７５ｍＬ／分のときの１５０枚目の酸化膜の平均研磨レートは２０８．８ｎｍ／分であった。マイクロスクラッチ数は、２９２５個（スラリー流量：７５ｍＬ／分）および７３１３個（スラリー流量：５０ｍＬ／分）であり、いずれの流量においても、好ましい個数である２００個より多かった。

以上のように、本発明にかかる研磨パッドは、高い研磨レートを保ちながらマイクロスクラッチを抑制するのに有用である。

１ 研磨システム
１０ 研磨定盤
１１ 研磨ヘッド
１２ 供給部
１３ ドレッサー
１０ａ パッド保持部
１０ｂ，１１ｂ 支持部
１１ａ ウェハー保持部
１１ｃ リテーナリング
１１ｄ エアバッグ
２０ 研磨パッド
２０ａ，２０ｄ〜２０ｊ 研磨シート
２０ｂ 基部
２０ｃ 接着層
２１，２３〜２８ 流動制御部
２４ａ，２２ａ 第１流動制御部
２４ｂ，２２ｂ 第２流動制御部
２００，３００，４００ 研磨面
２０１，２２１，２２２，３０１，４０１ 溝
２０１ａ 側面部
２０１ｂ，３０１ｂ 底面部
２０２〜２２０，３０２，４０２ 浅底部
２０２ａ，２０８ａ，３０２ａ，４０２ａ 第１斜面部
２０２ｂ，２０３ｂ，２０５ｂ，２０６ｂ，２０７ｂ，２０８ｆ，２０９ｃ，２１０ｃ，２１１ｃ，２１２ａ，２１３ａ，２１４ａ，２１５ａ，２１６ａ，２１７ａ，２１８ａ，２１９ａ，３０２ｂ，４０２ｂ 頭頂部
２０２ｃ，２０８ｃ，３０２ｃ，４０２ｃ 第２斜面部
２０３ａ，２０４ａ，２０５ａ，２０９ｂ，３０１ａ，４０１ａ 斜面部
２０３ｃ，２０４ｂ，２０９ａ，２１０ａ，２１１ａ，３０１ｃ 側壁部
２０３ｄ 連結部
２０６ａ，２０７ａ，２１０ｂ，２１１ｂ 曲面部
２０８ｂ 第１平面部
２０８ｄ 第２平面部
２０８ｅ 第３斜面部

Claims (7)

1. 略円板状をなし、外周方向に延びる複数の溝が形成され、該複数の溝により区画された研磨面を有する研磨パッドであって、
   前記複数の溝のうちの少なくとも一部の溝の途中に設けられ、当該研磨パッドの中心側から外周側に向けて漸次深さが浅くなる浅底部を有し、
   前記溝の最も深い位置から前記浅底部における深さが最も浅い位置までの第１の距離が、前記溝の最も深い位置から前記研磨面までの第２の距離以下であり、
   当該研磨パッドの中心から少なくとも一部の前記浅底部までの前記溝を介した距離が、前記第１の距離の２０倍以上の距離となる平坦区間を有することを特徴とする研磨パッド。
2. 前記浅底部は、当該研磨パッドの中心からの距離が、当該研磨パッドの半径の１５．０％以上９０．０％以下となる位置に設けられることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
3. 前記第１の距離が、前記第２の距離の２０％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨パッド。
4. 複数の前記浅底部は、前記研磨面上で閉じた経路上に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の研磨パッド。
5. 複数の前記浅底部は、前記研磨面上で直線状の経路上に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の研磨パッド。
6. 前記溝において、該溝の延伸方向と平行であって、前記研磨面と直交する平面を切断面とする断面が、Ｙ字状をなすことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の研磨パッド。
7. 前記複数の溝は、格子状をなすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の研磨パッド。

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