JP2015195199A - Photocurable conductive material, connection structure and method of producing connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電性粒子と、光硬化性を有する硬化性成分とを含む光硬化性導電材料に関する。また、本発明は、上記光硬化性導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a photocurable conductive material containing conductive particles and a curable component having photocurability. The present invention also relates to a connection structure using the photocurable conductive material and a method for manufacturing the connection structure.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。 For example, when the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the glass substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass substrate. Next, the semiconductor chips are stacked, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、接着剤である樹脂中に、発光成分を内包するカプセルと、導電性粒子とを含む導電材料が開示されている。発光成分を内包するカプセルと、導電性粒子とは、別々に配合されている。
As an example of the anisotropic conductive material,
下記の特許文献2には、金属材料で被覆されているコア粒子と、屈折率が1.52以上である光反射性無機粒子により形成された光反射層とを備える光反射性導電性粒子が開示されている。上記光反射層は、上記コア粒子の表面上に配置されている。上記光反射性導電性粒子は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために用いられている。
また、下記の特許文献3,4には、導電性粒子を含む導電材料として用いられる材料ではない組成物が開示されている。
Moreover, the following
下記の特許文献3には、(A)成分:エポキシ樹脂と、(B)成分:エポキシ基及び水酸基を有する脂肪族化合物と、(C)成分:活性エネルギー線によりカチオン種を発生する開始剤とを含み、(A)成分100質量部に対して(B)成分を5〜45質量部含む遅延硬化性を有する樹脂組成物が開示されている。
下記の特許文献4には、カチオン重合性物質(A)とエネルギー線カチオン重合開始剤(B)とカチオン重合遅延剤(C)を含有する接着剤組成物が開示されている。
下記の特許文献5には、(A)エポキシ化合物と、(B)光カチオン発生剤と、(C)カチオン重合の連鎖移動作用を有する連鎖移動剤とを含む接着剤組成物が開示されている。この接着剤組成物は、導電性粒子を含むことができる。特許文献5には、(A)エポキシ化合物の硬化挙動を制御する目的で、接着剤組成物は、鎖状エーテル化合物又は環状エーテル化合物を含んでいてもよいことが記載されている。鎖状エーテル化合物又は環状エーテル化合物としては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール等のポリエチレングリコール類及びそれらの末端水酸基をエーテル結合やエステル結合で官能化した誘導体;エチレンオキシドやプロピレンオキシドやシクロヘキセンオキシドなどの単官能エポキシ類の重合体;多官能エポキシの架橋体;単官能又は多官能のオキセタン類の重合体;単官能もしくは多官能のテトラヒドロフラン類の重合体;12−クラウン−4−エーテル、14−クラウン−4−エーテル、15−クラウン−5−エーテル、18−クラウン−6−エーテル、21−クラウン−7−エーテル、24−クラウン−8−エーテル、30−クラウン−7−エーテル、ベンゾ−18−クラウン−6−エーテル、ジベンゾ−18−クラウン−6−エーテル、トリベンゾ−18−クラウン−6−エーテル等のポリエチレングリコール類の環化物;エチレンオキシドやプロピレンオキシドやシクロヘキセンオキシド等の単官能エポキシ類の重合体の環化物等が挙げられている。 Patent Document 5 below discloses an adhesive composition containing (A) an epoxy compound, (B) a photocation generator, and (C) a chain transfer agent having a chain transfer action of cationic polymerization. . The adhesive composition can include conductive particles. Patent Document 5 describes that the adhesive composition may contain a chain ether compound or a cyclic ether compound for the purpose of controlling the curing behavior of the epoxy compound (A). Examples of chain ether compounds or cyclic ether compounds include polyethylene glycols such as diethylene glycol, triethylene glycol, and tetraethylene glycol, and derivatives obtained by functionalizing the terminal hydroxyl groups with ether bonds or ester bonds; ethylene oxide, propylene oxide, cyclohexene oxide, etc. A monofunctional epoxy polymer; a monofunctional or polyfunctional oxetane polymer; a monofunctional or polyfunctional tetrahydrofuran polymer; 12-crown-4-ether, 14- Crown-4-ether, 15-crown-5-ether, 18-crown-6-ether, 21-crown-7-ether, 24-crown-8-ether, 30-crown-7-ether, benzo-18- Crown-6-e Cyclized products of polyethylene glycols such as ter, dibenzo-18-crown-6-ether, tribenzo-18-crown-6-ether; cyclized products of polymers of monofunctional epoxies such as ethylene oxide, propylene oxide, and cyclohexene oxide Is listed.
近年、導電材料により接着される様々な接続対象部材の薄型化が進行している。導電材料により接着された接続対象部材が薄いと、接着により又は熱により接続対象部材が反りやすいという問題がある。接続対象部材の反りの発生は、電極間の導通信頼性を大きく低下させる。反りを抑えるためには、導電材料を光硬化により硬化させたり、熱硬化温度を低くするために、導電材料を熱硬化と光硬化とにより硬化させたりすることが望ましい。 In recent years, thinning of various connection target members bonded by a conductive material has progressed. When the connection target member bonded by the conductive material is thin, there is a problem that the connection target member is likely to warp due to bonding or heat. Generation | occurrence | production of the curvature of a connection object member reduces the conduction | electrical_connection reliability between electrodes significantly. In order to suppress warpage, it is desirable to cure the conductive material by photocuring, or to cure the conductive material by thermal curing and photocuring in order to lower the thermosetting temperature.
しかしながら、導電材料を光硬化により硬化させたり、熱硬化温度を低くするために、導電材料を熱硬化と光硬化とにより硬化させたりしただけでは、電極や導電性粒子により光が遮られ、光が直接照射されなかった導電材料部分の硬化が不十分になることがある。不十分な硬化は、接続対象部材の反りを発生させるだけでなく、剥離の原因にもなる。特に電極により光が遮られた部分で、硬化が不十分になりやすい。このことは、特許文献1,2に記載の導電材料を用いた場合でも起こり得る。
However, if the conductive material is cured by photocuring, or if the conductive material is cured by thermal curing and photocuring in order to lower the heat curing temperature, the light is blocked by the electrodes and conductive particles. The conductive material portion that has not been directly irradiated may be insufficiently cured. Insufficient curing not only causes warping of the connection target member but also causes peeling. In particular, curing is likely to be insufficient at a portion where light is blocked by the electrode. This can occur even when the conductive materials described in
一方で、上側の接続対象部材の積層前に、導電材料の上側から導電材料に光を照射すれば、電極により光が遮られるのを防ぐことは可能である。しかしながら、上側の接続対象部材の積層前に、導電材料の上側から導電材料に光を照射した後に、上側の接続対象部材を積層すると、導電材料の硬化がかなり進行していることによって、上側の接続対象部材と導電材料の硬化物とが充分に接続されないことがある。このことは、特許文献1,2に記載の導電材料を用いた場合でも起こり得る。
On the other hand, if the conductive material is irradiated with light from the upper side of the conductive material before the upper connection target member is stacked, it is possible to prevent light from being blocked by the electrode. However, before the upper connection target member is stacked, if the upper connection target member is stacked after irradiating the conductive material with light from the upper side of the conductive material, the curing of the conductive material has considerably progressed. The member to be connected and the cured material of the conductive material may not be sufficiently connected. This can occur even when the conductive materials described in
なお、特許文献3,4に記載の組成物は、導電性粒子を含む導電材料ではないために、上記の課題自体が存在しない。
In addition, since the compositions described in
また、特許文献5に記載のような鎖状エーテル化合物又は環状エーテル化合物を用いた接着剤組成物では、接着界面にボイドが発生しやすく、接着性が低くなることがある。また、電極があるライン(L)の幅と電極が無いスペース(S)の間隔とを示すL/Sが小さいときに、接着界面にボイドがより一層発生しやすく、接着性がより一層低くなりやすいという問題がある。 In addition, in an adhesive composition using a chain ether compound or a cyclic ether compound as described in Patent Document 5, voids are likely to occur at the adhesion interface, and the adhesiveness may be lowered. In addition, when L / S indicating the width of the line (L) where the electrode is present and the space (S) where the electrode is absent is small, voids are more likely to occur at the adhesive interface, and the adhesiveness is further reduced. There is a problem that it is easy.
本発明の目的は、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられたときに、接続対象部材の反りを抑えて電極間の導通信頼性を高めることができ、かつ接合界面にボイドを生じ難くして、接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性を高めることができる光硬化性導電材料を提供することである。また、本発明は、上記光硬化性導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することも目的とする。 An object of the present invention is to suppress warpage of a connection target member and improve conduction reliability between electrodes when used for connection of a connection target member having an electrode on the surface, and to generate a void at a bonding interface. It is difficult to provide a photo-curable conductive material that can increase the connection reliability between a connection target member and a cured product of the conductive material. Another object of the present invention is to provide a connection structure using the photocurable conductive material and a method for manufacturing the connection structure.
本発明の広い局面によれば、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられ、光硬化性を有する導電材料であり、導電性粒子と、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光硬化遅延剤とを含み、前記光硬化遅延剤が、3級アミン化合物である、光硬化性導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a conductive material that is used for connection of a connection target member having an electrode on its surface and has photocurability, a conductive particle, a photocurable compound, a photocationic polymerization initiator, A photocurable conductive material comprising a photocuring retarder, wherein the photocuring retarder is a tertiary amine compound.
前記3級アミン化合物が、トリアジン骨格を有する化合物であることが好ましい。前記3級アミン化合物が、カチオン重合性基を有することが好ましい。前記カチオン重合性基がエポキシ基であることが好ましい。 The tertiary amine compound is preferably a compound having a triazine skeleton. The tertiary amine compound preferably has a cationic polymerizable group. The cationically polymerizable group is preferably an epoxy group.
本発明に係る光硬化性導電材料のある特定の局面では、前記光カチオン重合開始剤が、光の照射により酸を発生する光カチオン重合開始剤であり、前記光硬化遅延剤が、光カチオン重合開始剤から発生した酸を捕捉可能である。 In a specific aspect of the photocurable conductive material according to the present invention, the photocationic polymerization initiator is a photocationic polymerization initiator that generates an acid by light irradiation, and the photocuring retarder is a photocationic polymerization. The acid generated from the initiator can be captured.
本発明に係る光硬化性導電材料は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材とを接続し、かつ前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続して、接続構造体を得るために好適に用いられ、光硬化性導電材料は、前記第1の接続対象部材の表面上に配置された後に、前記第1の接続対象部材側とは反対側から光硬化性導電材料に第1の光照射が行われ、次に前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に前記第2の接続対象部材が配置され、前記第2の接続対象部材が配置される時又は配置された後、光硬化性導電材料に第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、前記接続構造体を得るために好適に用いられる。 The photocurable conductive material according to the present invention connects a first connection target member having a first electrode on the surface and a second connection target member having a second electrode on the surface, and the first connection target member has the first electrode. The electrode is suitably used to obtain a connection structure by electrically connecting the second electrode and the second electrode, and the photocurable conductive material is disposed on the surface of the first connection target member. Later, first photoirradiation is performed on the photocurable conductive material from the side opposite to the first connection target member side, and then the conductive property is provided between the first electrode and the second electrode. The second connection target member is disposed on the surface opposite to the first connection target member side of the photocurable conductive material subjected to the first light irradiation so that the particles are positioned, Of the second light irradiation and heat application to the photocurable conductive material, when or after the two connection target members are arranged One is performed Kutomo, through the steps photocurable conductive material to form a cured product obtained by curing, is preferably used to obtain the connection structure.
本発明に係る光硬化性導電材料は、(1)光硬化性導電材料に第2の光照射が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、前記接続構造体を得るために好適に用いられ、(2)光硬化性導電材料に熱の付与が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、前記接続構造体を得るためにも好適に用いられ、(3)光硬化性導電材料に第2の光照射が行われてかつ光硬化性導電材料に熱の付与が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、前記接続構造体を得るためにも好適に用いられる。 The photocurable conductive material according to the present invention is (1) the connection structure having undergone a step of forming a cured product obtained by curing the photocurable conductive material by second light irradiation to the photocurable conductive material. The connection structure is obtained through a step of forming a cured product obtained by applying heat to the photocurable conductive material and forming a cured product obtained by curing the photocurable conductive material. (3) Curing in which the photocurable conductive material is cured by the second light irradiation and the photocurable conductive material being heated. It is also suitably used for obtaining the connection structure through a step of forming an object.
本発明に係る光硬化性導電材料のある特定の局面では、前記光硬化性導電材料は、光硬化性及び熱硬化性を有する導電材料であり、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 In a specific aspect of the photocurable conductive material according to the present invention, the photocurable conductive material is a conductive material having photocurability and thermosetting, and includes a thermosetting compound and a thermosetting agent. .
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した光硬化性導電材料を硬化させることで形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the A connection portion that connects the second connection target member, and the connection portion is formed by curing the photocurable conductive material described above, and the first electrode and the second electrode A connection structure is provided in which an electrode is electrically connected by the conductive particles.
本発明の広い局面によれば、上述した光硬化性導電材料を用いて、かつ、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材とを用いて、前記第1の接続対象部材の表面上に、前記光硬化性導電材料を配置する工程と、前記第1の接続対象部材の表面上に配置された前記光硬化性導電材料に、前記第1の接続対象部材側とは反対側から、第1の光照射を行う工程と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた前記光硬化性導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、前記第2の接続対象部材を配置する工程と、前記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、前記光硬化性導電材料に、第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方を行う工程とを備え、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を前記光硬化性導電材料の硬化物により形成して、かつ前記第1の電極と前記第2の電極とを前記導電性粒子により電気的に接続する、接続構造体の製造方法が提供される。 According to the wide aspect of the present invention, the first connection object member having the first electrode on the surface and the second connection having the second electrode on the surface using the above-described photocurable conductive material. A step of disposing the photocurable conductive material on the surface of the first connection target member using the target member; and the photocurable conductivity disposed on the surface of the first connection target member. In the material, the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode, and the step of performing the first light irradiation from the side opposite to the first connection target member side. And disposing the second connection target member on the surface opposite to the first connection target member side of the photocurable conductive material subjected to the first light irradiation, and the second Of the second light irradiation and heat application to the photocurable conductive material during or after the arrangement of the connection target member A step of performing at least one, forming a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member with a cured product of the photocurable conductive material, and A method for manufacturing a connection structure is provided in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、前記第2の光照射工程が、(1)前記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、前記光硬化性導電材料に第2の光照射を行う第2の光照射工程であることが好ましく、(2)前記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、前記光硬化性導電材料に熱の付与を行う熱の付与工程であることも好ましく、(3)前記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、前記光硬化性導電材料に第2の光照射を行い、かつ前記光硬化性導電材料に熱の付与を行う第2の光照射及び熱の付与工程であることも好ましい。 In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the second light irradiation step includes (1) second light irradiation to the photocurable conductive material during or after the second connection target member is disposed. It is preferable that the second light irradiation step is performed, and (2) a heat application step for applying heat to the photocurable conductive material during or after the second connection target member is arranged. (3) Second time of irradiating the photocurable conductive material with a second light and applying heat to the photocurable conductive material during or after the second connection target member is arranged. It is also preferable to be a light irradiation and heat application step.
本発明に係る光硬化性導電材料は、光硬化性を有する導電材料であり、導電性粒子と、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光硬化遅延剤とを含み、更に上記光硬化遅延剤が3級アミン化合物であるので、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられたときに、接続対象部材の反りを抑えて電極間の導通信頼性を高めることができ、かつ接合界面にボイドを生じ難くして、接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性を高めることができる。 The photocurable conductive material according to the present invention is a photocurable conductive material, and includes conductive particles, a photocurable compound, a photocationic polymerization initiator, and a photocuring retarder. Since the curing retarder is a tertiary amine compound, when used for connection of a connection target member having an electrode on the surface, the warpage of the connection target member can be suppressed and the conduction reliability between the electrodes can be improved, and It is possible to increase the reliability of connection between the connection target member and the cured material of the conductive material by making it difficult for voids to form at the bonding interface.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
本発明に係る光硬化性導電材料は、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられ、光硬化性を有する導電材料である。本発明に係る光硬化性導電材料は、導電性粒子と、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光硬化遅延剤とを含む。光硬化遅延剤は、光硬化遅延剤を用いていない場合と比べて、光の照射後の導電材料の硬化速度を遅延させる。本発明に係る光硬化性導電材料では、上記光硬化遅延剤は、3級アミン化合物である。 The photocurable conductive material according to the present invention is a conductive material that is used for connection of a connection target member having electrodes on the surface and has photocurability. The photocurable conductive material according to the present invention includes conductive particles, a photocurable compound, a photocationic polymerization initiator, and a photocuring retarder. The photocuring retarder delays the curing rate of the conductive material after irradiation with light, compared to the case where no photocuring retarder is used. In the photocurable conductive material according to the present invention, the photocuring retarder is a tertiary amine compound.
本発明に係る光硬化性導電材料における上述した構成の採用により、電極を表面に有する接続対象部材の接続に用いられたときに、接続対象部材の反りを抑えて電極間の導通信頼性を高めることができる。さらに、本発明に係る光硬化性導電材料における上述した構成の採用により、特に上記光硬化遅延剤が、3級アミン化合物であることにより、接合界面にボイドを生じ難くして、接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性を高めることができる。本発明では、電極があるライン(L)の幅と電極が無いスペース(S)の間隔とを示すL/Sが小さくても接合界面にボイドを生じ難くして、接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性を高めることができる。 By adopting the above-described configuration in the photocurable conductive material according to the present invention, when used for connection of a connection target member having an electrode on the surface, the warpage of the connection target member is suppressed and the conduction reliability between the electrodes is increased. be able to. Furthermore, by adopting the above-described configuration in the photocurable conductive material according to the present invention, in particular, the photocuring retarder is a tertiary amine compound. The connection reliability with the hardened | cured material of an electroconductive material can be improved. In the present invention, even if the L / S indicating the width of the line (L) where the electrode is present and the space (S) where the electrode is not present is small, it is difficult to generate a void at the joint interface, and the connection target member and the conductive material Connection reliability with the cured product can be improved.
本発明では、光硬化性導電材料に光を照射しても、光硬化遅延剤の影響によって硬化が速やかに進行することがないため、例えば、上側の接続対象部材の積層前であっても、導電材料の上側から導電材料に光を照射することができ、この光照射を行っても、接続信頼性に優れる接続構造体を得ることができる。また、上側の接続対象部材の積層時に、接着性を充分に確保できる。さらに、上側の接続対象部材の積層時に、電極と導電性粒子との間の導電性粒子を除く成分の排除性が高くなる。また、得られる接続構造体において、ボイドの発生を抑えることもできる。また、上側の接続対象部材の積層前に、導電材料の上側から導電材料に光を照射すれば、電極により光が遮られるのを防ぐことができ、導電材料に均一に光を直接照射することが可能である。導電材料に均一に光を直接照射することで、導電材料の硬化物における硬化率が部分的に異なることを防ぐことができる。このため、導電材料の硬化物により接続された接続対象部材の反りを抑えることができる。接続対象部材が薄くても、反りを充分に抑えることができる。接続対象部材の反りを抑えることによって、電極間の導通信頼性を高めることができる。 In the present invention, even if the photocurable conductive material is irradiated with light, the curing does not proceed rapidly due to the influence of the photocuring retarder.For example, even before the upper connection target member is laminated, The conductive material can be irradiated with light from the upper side of the conductive material, and a connection structure excellent in connection reliability can be obtained even when this light irradiation is performed. Also, sufficient adhesion can be secured when the upper connection target members are stacked. Further, when the upper connection target member is stacked, the component excluding the conductive particles between the electrode and the conductive particles is highly excluded. Moreover, generation of voids can be suppressed in the obtained connection structure. In addition, if the conductive material is irradiated with light from the upper side of the conductive material before the upper connection target member is laminated, the light can be prevented from being blocked by the electrode, and the conductive material can be directly irradiated with light uniformly. Is possible. By directly irradiating the conductive material with light directly, it is possible to prevent the curing rate of the cured material of the conductive material from being partially different. For this reason, the curvature of the connection object member connected by the hardened | cured material of the electrically conductive material can be suppressed. Even if the connection target member is thin, warping can be sufficiently suppressed. By suppressing the warpage of the connection object member, the conduction reliability between the electrodes can be increased.
本発明では、導電材料を光硬化のみにより硬化させたり、導電材料を熱硬化と光硬化とにより硬化させたりすることができる。光硬化が行われることによって、導電材料を熱硬化させる場合に、導電材料を充分に硬化させるための熱硬化温度を低くすることができる。熱硬化温度を低くすることによって、接続対象部材の熱劣化を抑えることができる。さらに、熱硬化温度を低くすることによって、熱に起因する接続対象部材の反りの発生を効果的に抑えることができる。 In the present invention, the conductive material can be cured only by photocuring, or the conductive material can be cured by thermal curing and photocuring. By performing photocuring, when the conductive material is thermally cured, the thermal curing temperature for sufficiently curing the conductive material can be lowered. By lowering the thermosetting temperature, it is possible to suppress thermal degradation of the connection target member. Furthermore, by reducing the thermosetting temperature, it is possible to effectively suppress the warpage of the connection target member due to heat.
本発明では、導電材料の上側から導電材料に光を照射した後に、上側の接続対象部材の配置時点での導電材料の硬化が抑えられる。このことによって、導電材料の上側から導電材料に光を照射した後に、上側の接続対象部材を積層しても、上側の接続対象部材と導電材料の硬化物とを充分に接続させることができる。 In this invention, after irradiating light to a conductive material from the upper side of a conductive material, hardening of the conductive material at the time of arrangement | positioning of an upper connection object member is suppressed. Thus, even if the upper connection target member is stacked after the conductive material is irradiated with light from the upper side of the conductive material, the upper connection target member and the cured material of the conductive material can be sufficiently connected.
本発明に係る光硬化性導電材料は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材とを接続し、かつ上記第1の電極と上記第2の電極とを電気的に接続して、接続構造体を得るために好適に用いられる。 The photocurable conductive material according to the present invention connects the first connection target member having the first electrode on the surface and the second connection target member having the second electrode on the surface, and the first connection member. This electrode is suitably used for obtaining a connection structure by electrically connecting the second electrode and the second electrode.
また、本発明に係る光硬化性導電材料に関しては、光硬化性導電材料は、上記第1の接続対象部材の表面上に配置された後に、上記第1の接続対象部材側とは反対側から光硬化性導電材料に第1の光照射が行われ、次に上記第1の電極と上記第2の電極との間に上記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に上記第2の接続対象部材が配置される時又は配置された後、光硬化性導電材料に第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方が行われ、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て上記接続構造体を得るために好適に用いられる。このような工程を経て接続構造体を得ることにより、電極間の導通信頼性が高く、かつ接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性が高い接続構造体を得ることができる。 Moreover, regarding the photocurable conductive material according to the present invention, after the photocurable conductive material is disposed on the surface of the first connection target member, from the side opposite to the first connection target member side. The first light irradiation is performed on the photocurable conductive material, and then the first light irradiation is performed such that the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode. When the second connection target member is disposed on the surface of the photocurable conductive material opposite to the first connection target member side or after the second connection target member is disposed, the second light is applied to the photocurable conductive material. At least one of irradiation and application of heat is performed, and it is suitably used for obtaining the connection structure through a step of forming a cured product obtained by curing the photocurable conductive material. By obtaining the connection structure through such steps, a connection structure having high conduction reliability between the electrodes and high connection reliability between the connection target member and the cured conductive material can be obtained.
この場合に、本発明に係る光硬化性導電材料は、(1)光硬化性導電材料に第2の光照射が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、上記接続構造体を得るために好適に用いられ、(2)光硬化性導電材料に熱の付与が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、上記接続構造体を得るためにも好適に用いられ、(3)光硬化性導電材料に第2の光照射が行われてかつ光硬化性導電材料に熱の付与が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、上記接続構造体を得るためにも好適に用いられる。 In this case, the photocurable conductive material according to the present invention is (1) subjected to a process of forming a cured product obtained by curing the photocurable conductive material by applying a second light irradiation to the photocurable conductive material. The connection structure is preferably used to obtain the connection structure. (2) The connection is performed through a step of forming a cured product obtained by curing the photocurable conductive material by applying heat to the photocurable conductive material. It is also preferably used for obtaining a structure, and (3) the photocurable conductive material is subjected to the second light irradiation and the photocurable conductive material is applied with heat, so that the photocurable conductive material is used. It is also suitably used for obtaining the above connection structure through a step of forming a cured product.
上記光カチオン重合開始剤が、光の照射により酸を発生する光カチオン重合開始剤であることが好ましい。上記光硬化遅延剤は、光カチオン重合開始剤から発生した酸を捕捉可能であることが好ましい。上記第1の光照射により、上記カチオン硬化開始剤から一部の酸を発生させ、上記第2の光照射によっても、上記光カチオン重合開始剤から酸を発生させることが好ましい。上記第1の光照射により、上記カチオン硬化開始剤から全部の酸を発生させないことが好ましい。この場合には、上側の接続対象部材の積層前に、導電材料の上側から導電材料に光を照射したときに、光カチオン重合開始剤から酸が発生すると、上記光硬化遅延剤により酸が効果的に捕捉される。このため、導電材料の上側から導電材料に光を照射しても、上側の接続対象部材の積層前に、光硬化性導電材料の硬化度の上昇を効果的に抑えることができる。本発明に係る光硬化性導電材料中で、上記光硬化遅延剤は、上記第2の光照射により上記光カチオン重合開始剤から発生した酸の一部もしくは全量を捕捉不可能であることが好ましい。この場合には、第2の光照射により、光硬化性導電材料を効果的に硬化させることができる。本発明では、第1の光照射後に、光硬化遅延剤の作用を発現させ、第2の光照射後に、光硬化遅延剤の作用を第1の光照射後よりも発現させないことが好ましい。 The photocationic polymerization initiator is preferably a photocationic polymerization initiator that generates an acid upon irradiation with light. The photocuring retarder is preferably capable of capturing an acid generated from the photocationic polymerization initiator. It is preferable that a part of the acid is generated from the cationic curing initiator by the first light irradiation, and an acid is generated from the cationic photopolymerization initiator by the second light irradiation. It is preferable not to generate all the acid from the cationic curing initiator by the first light irradiation. In this case, when the conductive material is irradiated with light from the upper side of the conductive material before the upper connection target member is laminated, if the acid is generated from the photocationic polymerization initiator, the acid is effective due to the photocuring retarder. Captured. For this reason, even if it irradiates light to a conductive material from the upper side of a conductive material, the raise of the hardening degree of a photocurable conductive material can be suppressed effectively before lamination | stacking of the upper connection object member. In the photocurable conductive material according to the present invention, it is preferable that the photocuring retarder cannot capture part or all of the acid generated from the photocationic polymerization initiator by the second light irradiation. . In this case, the photocurable conductive material can be effectively cured by the second light irradiation. In the present invention, it is preferable that the action of the photocuring retarder is expressed after the first light irradiation, and the action of the photocuring retarder is not expressed after the second light irradiation than after the first light irradiation.
上記第1の光照射によってすべての酸を発生させても構わない。この場合、上記第1の電極と上記第2の電極との間に上記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に上記第2の接続対象部材が配置される時又は配置された後、光硬化性導電材料に第2の光照射を行わず、光硬化性導電材料に熱の付与を行うことで、熱による硬化のみを行っても構わない。 All the acids may be generated by the first light irradiation. In this case, the first connection target member of the photocurable conductive material that has been subjected to the first light irradiation so that the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode. When the second connection object member is disposed on the surface opposite to the side or after the second connection target member is disposed, the second light irradiation is not performed on the photocurable conductive material, and heat is applied to the photocurable conductive material. It is possible to carry out only curing by heat.
本発明に係る光硬化性導電材料は、光硬化性及び熱硬化性を有する導電材料であり、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。この場合には、光硬化性導電材料に熱を付与することで、光硬化性導電材料を効果的に硬化させることができる。 The photocurable conductive material according to the present invention is a conductive material having photocurability and thermosetting, and preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. In this case, the photocurable conductive material can be effectively cured by applying heat to the photocurable conductive material.
また、本発明に係る光硬化性導電材料に関しては、光硬化性導電材料は、上記第1の接続対象部材の表面上に配置された後に、上記第1の接続対象部材側とは反対側から光硬化性導電材料に第1の光照射が行われ、次に上記第1の電極と上記第2の電極との間に上記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に上記第2の接続対象部材が配置され、上記第2の接続対象部材が配置される時又は配置された後、光硬化性導電材料に第2の光照射が行われてかつ光硬化性導電材料に熱の付与が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、上記接続構造体を得るために好適に用いられる。このような工程を経て接続構造体を得ることにより、電極間の導通信頼性がより一層高く、かつ接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性がより一層高い接続構造体を得ることができる。 Moreover, regarding the photocurable conductive material according to the present invention, after the photocurable conductive material is disposed on the surface of the first connection target member, from the side opposite to the first connection target member side. The first light irradiation is performed on the photocurable conductive material, and then the first light irradiation is performed such that the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode. When the second connection target member is disposed on the surface of the photocurable conductive material opposite to the first connection target member side and the second connection target member is disposed or after the second connection target member is disposed. The connection is performed through a step of forming a cured product in which the photocurable conductive material is cured by applying a second light irradiation to the photocurable conductive material and applying heat to the photocurable conductive material. It is preferably used for obtaining a structure. By obtaining a connection structure through such processes, a connection structure having higher conduction reliability between the electrodes and further higher connection reliability between the connection target member and the cured conductive material is obtained. Can do.
上記光硬化性導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。上記光硬化性導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。該異方性導電材料には、上下の電極間を導通するための導電材料が含まれる。 The photocurable conductive material is preferably a circuit connection material. The photocurable conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The anisotropic conductive material includes a conductive material for conducting between the upper and lower electrodes.
上記光硬化性導電材料は、導電ペースト及び導電フィルムとして使用され得る。上記光硬化性導電材料が導電フィルムである場合には、上記導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。 The photocurable conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. When the photocurable conductive material is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles.
接続構造体における接続部にボイドが発生するのを抑制し、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記光硬化性導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記光硬化性導電材料は、導電ペーストであり、かつペースト状の状態で接続対象部材の上面に塗工されることが好ましい。 From the viewpoint of suppressing the generation of voids at the connection portions in the connection structure and further improving the conduction reliability, the photocurable conductive material is preferably a conductive paste. The photocurable conductive material is preferably a conductive paste and is applied to the upper surface of the connection target member in a paste state.
次に、図1を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る光硬化性導電材料を用いた接続構造体について、具体的に説明する。 Next, a connection structure using a photocurable conductive material according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG.
図1は、本発明の一実施形態に係る光硬化性導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。図1に示す接続構造体1は、第1の電極2aを表面に有する第1の接続対象部材2と、第2の電極3aを表面に有する第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、光硬化成分の硬化物11を含む。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using a photocurable conductive material according to an embodiment of the present invention. The
第1の電極2aと第2の電極3aとは、導電性粒子21(後述する図3に示す導電性粒子21)により電気的に接続されている。接続部4は、導電性粒子21と、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、3級アミン化合物である光硬化遅延剤とを含む光硬化性導電材料に光を照射して、かつ光硬化性導電材料を硬化させることにより形成されている。
The
図1に示す接続構造体1は、具体的には、例えば、図2(a)〜(d)に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記光硬化性導電材料として、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、3級アミン化合物である光硬化遅延剤とを含み、かつ光硬化性及び熱硬化性を有する光硬化性導電材料(光硬化性及び熱硬化性導電材料)を用いている。以下の説明において、光硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、3級アミン化合物である光硬化遅延剤とを、光硬化性成分と記載することがある。なお、熱硬化性を有さず、光硬化性のみを有する光硬化性導電材料を用いてもよい。光硬化性化合物は、光硬化性化合物として作用するだけでなく、熱硬化性化合物として作用してもよく、光及び熱硬化性化合物であってもよい。
Specifically, the
図2(a)に示すように、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。また、複数の導電性粒子21と光硬化性成分とを含む光硬化性導電材料を用意する。次に、第1の接続対象部材2の第1の電極2a側の表面上に、上記光硬化性導電材料を用いて、光硬化性導電材料層4Aを配置する。このとき、第1の電極2a上に、1つ又は複数の導電性粒子21が配置されていることが好ましい。ここでは、上記光硬化性導電材料として、導電ペーストを用いているので、導電ペーストの配置は、導電ペーストの塗布により行われている。光硬化性導電材料層4Aは、導電ペースト層である。
As shown in FIG. 2A, a first
次に、上側の第2の接続対象部材3を配置する前に、光硬化性導電材料層4Aの上側から、光硬化性導電材料層4Aに光を照射する(第1の光照射工程)。すなわち、第2の接続対象部材3の配置前に、光硬化性導電材料層4Aの第1の接続対象部材2側とは反対側から、光硬化性導電材料層4Aに第1の光照射を行う。本実施形態では、第2の接続対象部材3の配置前に第1の光照射を行っているので、第2の接続対象部材3における第2の電極3aにより光が遮られない。このため、光硬化性導電材料層4Aの全領域に、比較的均一に光を直接至らせることができる。一方で、第2の接続対象部材3の配置後に第1の光照射を行った場合には、第2の電極3aにより光が遮られ、光硬化性導電材料層4Aに光が直接照射されない領域が存在する。第2の接続対象部材3の配置前に第1の光照射を行えば、導電性粒子21により光が遮られる光硬化性導電材料層4Aの領域は存在するものの、その領域の1つあたりの大きさは、第2の電極3aにより光が遮られる光硬化性導電材料層4Aの領域の大きさよりも小さい。導電性粒子21により光が遮られる光硬化性導電材料層4Aの領域の影響は、第2の電極3aにより光が遮られる光硬化性導電材料層4Aの領域の影響よりも小さい。
Next, before the upper second
図2(a),(b)に示すように上記第1の光照射により、光硬化性導電材料層4Aは、上記第1の光照射が行われた光硬化性導電材料層4Bになる。上記第1の光照射の後に、光硬化遅延剤の影響によって光硬化性導電材料層4Bの硬化は速やかに進行せず、光硬化性導電材料層4Bの硬化速度は遅い。この結果、光硬化性導電材料層4Bでは、硬化が抑えられている。
As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), by the first light irradiation, the photocurable
次に、図2(c)に示すように、上記第1の光照射が行われた光硬化性導電材料層4Bの第1の接続対象部材2側とは反対の表面上に、第2の電極3aを表面に有する第2の接続対象部材3を、第2の電極3a側から配置する。すなわち、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3との間に、光硬化性導電材料層4Bを配置する。また、第1の電極2aと第2の電極3aとが対向するように、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に導電性粒子21が位置するように、光硬化性導電材料層4Bを配置する。
Next, as shown in FIG. 2C, the second light irradiation is performed on the surface opposite to the first
第2の接続対象部材3の配置時又は配置後に、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料層4Bに第2の光照射を行う(第2の光照射工程)。また、第2の接続対象部材3の配置時又は配置後に、光硬化性導電材料層4Bに熱の付与を行う(第1の熱の付与工程)。好ましくは熱圧着ヘッド51により熱の付与が行われる。第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを熱圧着させることで、光硬化性導電材料層4Bに熱の付与を行うことが好ましい。熱の付与を行う場合は第2の光照射は行わなくても構わない。第2の光照射により、好ましくは第2の光照射と第1の熱の付与とにより、もしくは第1の熱の付与により、光硬化性導電材料層4Bの硬化が進行した結果、図2(d)に示すように、硬化が進行した光硬化性導電材料層4Cが形成される。この時点で、接続部4を形成してもよい。
The second light irradiation is performed on the photocurable
上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、上記光硬化性導電材料に、第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方を行う工程が行われればよい。上記第2の光照射工程が、(1)上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、上記光硬化性導電材料に第2の光照射を行う第2の光照射工程であることが好ましく、(2)上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、上記光硬化性導電材料に熱の付与を行う熱の付与工程であることも好ましく、(3)上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、上記光硬化性導電材料に第2の光照射を行い、かつ上記光硬化性導電材料に熱の付与を行う第2の光照射及び熱の付与工程であることも好ましい。 A step of performing at least one of the second light irradiation and the application of heat to the photocurable conductive material may be performed during or after the second connection target member is arranged. The second light irradiation step may be (1) a second light irradiation step of performing second light irradiation on the photocurable conductive material at the time of or after the second connection target member is disposed. Preferably, (2) it is also preferably a heat application step of applying heat to the photocurable conductive material at the time of or after the second connection target member is arranged, and (3) the second connection target. It may also be a second light irradiation and heat application step in which a second light irradiation is performed on the photocurable conductive material and a heat is applied to the photocurable conductive material during or after the arrangement of the members. preferable.
また、好ましくは、上記第1の熱の付与の後、又は、上記第2の光照射及び第1の熱の付与の後、光硬化性導電材料層4Cに第2の熱の付与を行うことで、接続部4を形成し(第2の熱の付与工程)、より好ましくは、上記第2の光照射及び第1の熱の付与の後、光硬化性導電材料層4Cに第2の熱の付与を行うことで、接続部4を形成する(第2の熱の付与工程)。
Preferably, after the application of the first heat, or after the application of the second light irradiation and the first heat, the application of the second heat to the photocurable
この結果、図1に示す接続構造体1が得られる。
As a result, the
第1の光照射時及び第2の光照射時に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長420nm以下に十分な発光分布を有する光源や、波長420nm以下の特定波長に強い発光を有する光源等が挙げられる。波長420nm以下に十分な発光分布を有する光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。また、波長420nm以下の特定波長に強い発光を有する光源の具体例としては、LEDランプ等が挙げられる。なかでもLEDランプが好ましい。LEDランプを用いた場合には、被照射物自身の発熱が非常に少なくなり、発熱による上記光硬化性導電材料の過度の熱劣化を防ぐことができる。 The light source used at the time of 1st light irradiation and 2nd light irradiation is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less, a light source having strong light emission at a specific wavelength of 420 nm or less, and the like. Specific examples of the light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less include, for example, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, and a metal halide lamp. Can be mentioned. Moreover, an LED lamp etc. are mentioned as a specific example of the light source which has strong light emission in the specific wavelength of 420 nm or less. Among these, an LED lamp is preferable. When an LED lamp is used, the irradiation object itself generates very little heat, and excessive thermal deterioration of the photocurable conductive material due to heat generation can be prevented.
第1の光照射における光照射量は、好ましくは50〜500mJ/cm2程度であり、より好ましくは100mJ/cm2以上、更に好ましくは150mJ/cm2以上、より好ましくは400mJ/cm2以下、更に好ましくは300mJ/cm2以下である。 Light irradiation amount in the first light irradiation is preferably 50 to 500 mJ / cm 2, more preferably about 100 mJ / cm 2 or more, more preferably 150 mJ / cm 2 or more, more preferably 400 mJ / cm 2 or less, More preferably, it is 300 mJ / cm 2 or less.
第2の光照射により上記光硬化性導電材料層を硬化させるために、上記光硬化性導電材料層を適度に硬化させるための光照射量は、好ましくは300〜1000mJ/cm2程度であり、より好ましくは400mJ/cm2以上、更に好ましくは500mJ/cm2以上、より好ましくは900mJ/cm2以下、更に好ましくは800mJ/cm2以下である。 In order to cure the photocurable conductive material layer by the second light irradiation, the light irradiation amount for appropriately curing the photocurable conductive material layer is preferably about 300 to 1000 mJ / cm 2 . more preferably 400 mJ / cm 2 or more, more preferably 500 mJ / cm 2 or more, more preferably 900 mJ / cm 2 or less, more preferably 800 mJ / cm 2 or less.
第1の光照射による硬化の進行を抑え、第2の光の照射による硬化を効果的に進行させる観点からは、第1の光照射における光照射強度は、第2の光照射における光照射強度よりも小さいことが好ましい。第1の光照射における光照射強度は、第2の光照射における光照射強度の1/2以下であることが好ましく、1/3以下であることがより好ましい。 From the viewpoint of suppressing the progress of curing by the first light irradiation and effectively proceeding the curing by the second light irradiation, the light irradiation intensity in the first light irradiation is the light irradiation intensity in the second light irradiation. Is preferably smaller. The light irradiation intensity in the first light irradiation is preferably 1/2 or less, more preferably 1/3 or less of the light irradiation intensity in the second light irradiation.
第1の光照射を行う前の光硬化性導電材料の粘度η1と、波長365nmの紫外線照射を、光照射量が150mJ/cm2となるように照射してから60秒後の光硬化性導電材料の粘度η2とを測定したときに、粘度η2の粘度η1に対する比(η2/η1)は、好ましくは1.5以下、より好ましくは1.3以下である。なお、上記比(η2/η1)は一般的に0.5以上であり、好ましくは0.8以上、より好ましくは0.9以上、更に好ましくは1以上である。 Photocurable conductive material 60 seconds after the viscosity η1 of the photocurable conductive material before the first light irradiation and ultraviolet irradiation with a wavelength of 365 nm are applied so that the light irradiation amount is 150 mJ / cm 2. When the viscosity η2 of the material is measured, the ratio of the viscosity η2 to the viscosity η1 (η2 / η1) is preferably 1.5 or less, more preferably 1.3 or less. The ratio (η2 / η1) is generally 0.5 or more, preferably 0.8 or more, more preferably 0.9 or more, and further preferably 1 or more.
なお、第2の光照射は、上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に行われ、配置時に行われてもよく、配置後に行われてもよい。但し、第2の光照射は、配置後に行われることがより好ましい。また、第2の光照射と第1の熱の付与とは同時に行われてもよく、別々に行われてもよく、第2の光照射後に第1の熱の付与が行われてもよく、第1の熱の付与後に第2の光照射が行われてもよい。第2の光照射と第1の熱の付与とは同時に行われることが好ましい。 Note that the second light irradiation is performed at the time of or after the placement of the second connection target member, and may be performed at the time of placement or after the placement. However, it is more preferable that the second light irradiation is performed after the arrangement. In addition, the second light irradiation and the application of the first heat may be performed simultaneously, may be performed separately, or the first heat may be applied after the second light irradiation, The second light irradiation may be performed after the application of the first heat. It is preferable that the second light irradiation and the application of the first heat are performed simultaneously.
上記光硬化性導電材料に熱を付与することにより硬化させる場合には、上記光硬化性導電材料層を適度に硬化させるための加熱温度は好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは130℃以下である。 In the case of curing by applying heat to the photocurable conductive material, the heating temperature for appropriately curing the photocurable conductive material layer is preferably 80 ° C or higher, more preferably 100 ° C or higher, preferably Is 150 ° C. or lower, more preferably 130 ° C. or lower.
上記第1の熱の付与と上記第2の熱の付与とを行う場合には、上記第1の熱の付与での加熱温度は好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは130℃以下である。上記第2の熱の付与での加熱温度は、好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは130℃以下である。 When the application of the first heat and the application of the second heat are performed, the heating temperature in the application of the first heat is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C or lower, more preferably 130 ° C or lower. The heating temperature in the application of the second heat is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or lower, more preferably 130 ° C. or lower.
上記第1の熱の付与は、上記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に行われることが好ましく、配置時に行われてもよく、配置後に行われてもよい。但し、上記第1の熱の付与は、配置時に行われることがより好ましい。 The application of the first heat is preferably performed during or after the placement of the second connection target member, may be performed during the placement, or may be performed after the placement. However, the application of the first heat is more preferably performed at the time of arrangement.
上記の接続構造体1の製造方法では、光硬化性導電材料層4Aに第1の光照射を行っても、光硬化遅延剤の採用によって、硬化が速やかに進行することがないため、例えば、第2の接続対象部材3の配置前に、光硬化性導電材料層4Aの第1の接続対象部材2側とは反対側から光硬化性導電材料層4Aに光を照射することができる。第2の接続対象部材3の配置前に、光硬化性導電材料層4Aの第1の接続対象部材2側とは反対側から光硬化性導電材料層4Aに第1の光照射を行えば、第2の電極3aにより光が遮られるのを防ぐことができ、光硬化性導電材料層4Aに均一に光を直接照射することが可能である。光硬化導電材料層4Aに均一に光を直接照射することで、光硬化性導電材料の硬化物(接続部4)における硬化率が部分的に異なることを防ぐことができる。このため、光硬化性導電材料の硬化物(接続部)により接続された第1,第2の接続対象部材2,3の反りを抑えることができる。第1,第2の接続対象部材2,3が薄くても、反りを充分に抑えることができる。さらに、第2の接続対象部材3の配置前に、光硬化性導電材料層4Aの第1の接続対象部材2側とは反対側から光硬化性導電材料層4Aに第1の光照射を行った後に、第2の接続対象部材3の配置時点での光硬化性導電材料層4Bの過度の硬化が抑えられる。このことによって、光硬化性導電材料層4Aの第1の接続対象部材2側とは反対側から光硬化性導電材料層4Aに第1の光照射を行った後に、第2の接続対象部材3を配置しても、第2の接続対象部材3と光硬化性導電材料の硬化物(接続部4)とを充分に接続させることができる。さらに、特に3級アミン化合物である光硬化遅延剤を用いているために、3級アミン化合物ではない光硬化遅延剤を用いた場合と比べて、接合界面にボイドを生じ難くすることができる。接合界面に存在するボイドの発生を抑えることによって、接続対象部材と導電材料の硬化物との接続信頼性を高めることができる。
In the manufacturing method of the
以下、導電性粒子、光硬化性導電材料及び接続構造体の他の詳細を説明する。 Hereinafter, other details of the conductive particles, the photocurable conductive material, and the connection structure will be described.
(導電性粒子)
図3に、本発明の一実施形態に係る光硬化性導電材料に用いられる導電性粒子21を断面図で示す。
(Conductive particles)
In FIG. 3, the
導電性粒子21は、第1,第2の接続対象部材2,3の第1,第2の電極2a,3a間を電気的に接続する。導電性粒子21は、基材粒子31と、基材粒子31の表面上に配置された導電部32とを備える。導電部32は、導電層である。上記導電性粒子の導電性の表面上に絶縁性物質が配置されていてもよい。導電部の外表面上に絶縁性物質が配置されていてもよい。なお、絶縁性物質は、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間から排除される。上記導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していてもよい。上記導電性粒子は、導電部の外表面に突起を有していてもよい。
The
また、導電性粒子21は基材粒子31を有するが、導電性粒子は全体が導電性の材料により形成されていてもよい。導電性粒子の全体が導電部であってもよい。また、導電性粒子21は、単層の導電部32(導電層)を有するが、導電性粒子は多層の導電層を有していてもよい。
Moreover, although the
図4に、本発明の他の実施形態に係る光硬化性導電材料に用いられる導電性粒子複合体を断面図で示す。 FIG. 4 is a sectional view showing a conductive particle composite used in a photocurable conductive material according to another embodiment of the present invention.
図4に示す導電性粒子複合体22は、導電性粒子21と、導電性粒子21の表面に付着している光硬化遅延剤33とを有する。このように、光硬化遅延剤33は、導電性粒子21の表面に付着していてもよい。光硬化遅延剤33が導電性粒子21の表面に付着した導電性粒子複合体22を用いてもよい。この導電性粒子複合体22を用いた場合には、光硬化遅延剤が光硬化性導電材料の接着性を低下させ難く、接続構造体において、接続信頼性がより一層高くなる。また、光硬化遅延剤33が、導電性粒子21の表面に付着していることにより、導電接続時に、電極と導電性粒子との間の導電性粒子を除く配合成分を排除して、電極間の導通信頼性を高めることができる。
The conductive particle
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。 Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles.
上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、一般的に上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、圧縮により上記導電性粒子が変形しやすく、上記導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。 The substrate particles are preferably resin particles formed of a resin. When connecting between electrodes, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, generally the said electroconductive particle is compressed. When the substrate particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed by compression, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes high.
上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。また、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させることにより、光硬化性導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成可能である。また、基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Various organic materials are suitably used as the material for the resin particles. Examples of the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; polyalkylene terephthalate and polysulfone. , Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide, Polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetherether Tons, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. Design and synthesis of resin particles with any compression properties suitable for photo-curing conductive materials by polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group Is possible. Further, since the hardness of the base particles can be easily controlled within a suitable range, the material of the resin particles is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups. It is preferable that
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having the ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer. And a polymer.
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate Esters; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene Is mentioned.
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanure And silane-containing monomers such as triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane It is done.
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子が得られる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerization by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal particles, examples of the inorganic material that is a material of the substrate particles include silica and carbon black. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
上記基材粒子が金属粒子である場合には、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。 When the substrate particles are metal particles, examples of the metal that is a material of the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles.
上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、より一層好ましくは1μm以上、更に好ましくは1.5μm以上、特に好ましくは2μm以上、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは300μm以下、更に好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、更に一層好ましくは30μm以下、特に好ましくは5μm以下、最も好ましくは3μm以下である。基材粒子の平均粒子径が上記下限以上であると、上記導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、上記導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した上記導電性粒子が形成されにくくなる。基材粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、上記導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が狭くなる。 The average particle diameter of the substrate particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 1 μm or more, still more preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2 μm or more, preferably 1000 μm or less. More preferably, it is 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, still more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, still more preferably 30 μm or less, particularly preferably 5 μm or less, and most preferably 3 μm or less. When the average particle diameter of the base particles is equal to or greater than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrode is increased, and thus the conduction reliability between the electrodes is further increased, and the connection is made through the conductive particles. The connection resistance between the formed electrodes is further reduced. Furthermore, when forming a conductive part on the surface of a base particle by electroless plating, it becomes difficult to aggregate and it becomes difficult to form the aggregated conductive particles. When the average particle diameter of the substrate particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily compressed, the connection resistance between the electrodes is further reduced, and the interval between the electrodes is further narrowed.
上記基材粒子の平均粒子径は、0.1μm以上、5μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の平均粒子径が0.1〜5μmの範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい上記導電性粒子が得られる。電極間の間隔をより一層小さくしたり、導電部の厚みを厚くしても、より一層小さい上記導電性粒子を得たりする観点からは、上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは2μm以上、好ましくは3μm以下である。接続信頼性及び導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは2.6μm以上である。 The average particle diameter of the substrate particles is particularly preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less. When the average particle diameter of the substrate particles is in the range of 0.1 to 5 μm, even when the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive portion is increased, the small conductive particles can be obtained. From the viewpoint of obtaining even smaller conductive particles even when the distance between the electrodes is further reduced or the thickness of the conductive portion is increased, the average particle diameter of the base particles is preferably 0.00. It is 5 μm or more, more preferably 2 μm or more, and preferably 3 μm or less. From the viewpoint of further improving the connection reliability and the conduction reliability, the average particle diameter of the base particles is preferably 2.6 μm or more.
上記基材粒子の上記平均粒子径は数平均粒子径を示す。該平均粒子径は、例えばコールターカウンター(ベックマンコールター社製)を用いて測定可能である。 The average particle diameter of the substrate particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter can be measured using, for example, a Coulter counter (manufactured by Beckman Coulter).
上記導電部の厚みは、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは20nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、更に好ましくは500nm以下、特に好ましくは400nm以下、最も好ましくは300nm以下である。上記導電部の厚みは、複数の導電部がある場合には、複数の導電部全体の厚みである。上記導電部の厚みが上記下限以上であると、上記導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電部の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。 The thickness of the conductive part is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, still more preferably 500 nm or less, particularly preferably 400 nm or less, most preferably 300 nm or less. When there are a plurality of conductive portions, the thickness of the conductive portion is the thickness of the entire plurality of conductive portions. When the thickness of the conductive part is equal to or greater than the lower limit, the conductivity of the conductive particles is further improved. When the thickness of the conductive part is not more than the above upper limit, the difference in the coefficient of thermal expansion between the base particle and the conductive part becomes small, and the conductive part becomes difficult to peel from the base particle.
上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。 Examples of a method for forming the conductive part on the surface of the substrate particle include a method for forming the conductive part by electroless plating and a method for forming the conductive part by electroplating.
上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部の材料である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いてもよい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The conductive part preferably contains a metal. The metal that is the material of the conductive part is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, tungsten, molybdenum and cadmium, and alloys thereof. Is mentioned. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは1.5μm以上、より好ましくは2.5μm以上、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下である。接続信頼性及び導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは2.8μm以上である。 From the viewpoint of further improving the reliability of conduction between the electrodes, the average particle size of the conductive particles is preferably 1.5 μm or more, more preferably 2.5 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less. is there. From the viewpoint of further improving connection reliability and conduction reliability, the average particle diameter of the conductive particles is preferably 2.8 μm or more.
上記導電性粒子の平均粒子径は、数平均粒子径を示す。上記平均粒子径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。 The average particle diameter of the conductive particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter is determined using a particle size distribution measuring device or the like.
上記導電性粒子は導電性の表面に、複数の突起を有することが好ましい。なお、芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に突起を容易に形成可能である。突起によって、上記接続信頼性及び上記導通信頼性の双方が高くなる。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に上記導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と上記導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、突起によって、上記導電性粒子と電極との間の導電性粒子を除く配合成分(バインダー樹脂)が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。 The conductive particles preferably have a plurality of protrusions on the conductive surface. In addition, since the core substance is embedded in the conductive portion, a protrusion can be easily formed on the outer surface of the conductive portion. The protrusion increases both the connection reliability and the conduction reliability. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. When conductive particles having protrusions are used, the oxide film is effectively excluded by the protrusions by placing the conductive particles between the electrodes and pressing them. For this reason, an electrode and the said electroconductive particle contact more reliably, and the connection resistance between electrodes becomes still lower. Furthermore, the projection effectively eliminates the compounding component (binder resin) excluding the conductive particles between the conductive particles and the electrode. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes high.
上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法として、従来公知の方法を採用可能である。基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第1の導電部を形成した後、該第1の導電部上に芯物質を配置し、次に第2の導電部を形成する方法、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で芯物質を析出させる方法等が挙げられる。 As a method for forming protrusions on the surface of the conductive particles, a conventionally known method can be employed. A method of forming a conductive part by electroless plating after attaching a core substance to the surface of the base particle, and a method of forming a conductive part by electroless plating on the surface of the base particle, attaching a core substance, For example, a method of forming a conductive portion by electroless plating. As another method for forming the protrusion, a first conductive part is formed on the surface of the base particle, and then a core substance is disposed on the first conductive part, and then the second conductive part. , A method of adding a core substance in the middle of forming a conductive part on the surface of the base particle, and a method of depositing a core substance in the middle of forming a conductive part on the surface of the base particle Etc.
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。 Examples of the material of the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the nonconductive material include silica, alumina, and zirconia. Among them, metal is preferable because conductivity can be increased and connection resistance can be effectively reduced. The core substance is preferably metal particles.
上記導電性粒子は、上記導電性粒子の表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の上記導電性粒子が接触したときに、複数の導電性粒子間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で上記導電性粒子を加圧することにより、導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記絶縁性物質の材料の屈折率は1.6未満であってもよい。 The conductive particles preferably include an insulating material disposed on the surface of the conductive particles. In this case, when the conductive particles are used for connection between electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of the conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of conductive particles, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. Note that the insulating material between the conductive layer and the electrode can be easily removed by pressurizing the conductive particles with the two electrodes when connecting the electrodes. The refractive index of the insulating material may be less than 1.6.
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 The insulating substance is preferably an insulating particle because the insulating substance can be more easily removed when the electrodes are pressed.
上記絶縁性物質の材料は、有機物質又は有機無機ハイブリッド物質であることが好ましい。すなわち、上記絶縁性物質(絶縁性粒子など)は、有機物質又は有機無機ハイブリッド物質により形成されていることが好ましい。 The material of the insulating substance is preferably an organic substance or an organic-inorganic hybrid substance. That is, the insulating material (insulating particles and the like) is preferably formed of an organic material or an organic-inorganic hybrid material.
上記光硬化性導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは1重量%以上、特に好ましくは5重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは40重量%以下、更に好ましくは30重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the photocurable conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, and particularly preferably 5%. % By weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, still more preferably 30% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
(光硬化性成分)
上記光硬化性導電材料は光硬化性を有する。上記光硬化性導電材料は、硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光硬化遅延剤とを含む。上記硬化性化合物は、光硬化性化合物(光の照射により硬化可能な化合物)を含む。上記光硬化性導電材料は、光硬化性及び熱硬化性を有することが好ましい。上記光硬化性導電材料は、光硬化性化合物(光の照射により硬化可能な化合物)と、光カチオン重合開始剤と、光硬化遅延剤と、熱硬化性化合物(熱の付与により硬化可能な化合物)と、熱硬化剤とを含むことも好ましい。上記光硬化性化合物(光の照射により硬化可能な化合物)が、光及び熱硬化性化合物(光の照射及び熱の付与により硬化可能な化合物)であってもよい。上記光カチオン重合開始剤が、光及び熱カチオン重合開始剤であってもよい。
(Photocurable component)
The photocurable conductive material has photocurability. The photocurable conductive material includes a curable compound, a photocationic polymerization initiator, and a photocuring retarder. The said curable compound contains a photocurable compound (compound curable by irradiation of light). The photocurable conductive material preferably has photocurability and thermosetting. The photocurable conductive material includes a photocurable compound (a compound that can be cured by light irradiation), a cationic photopolymerization initiator, a photocuring retarder, and a thermosetting compound (a compound that can be cured by application of heat). ) And a thermosetting agent. The photocurable compound (compound curable by light irradiation) may be a light and thermosetting compound (compound curable by light irradiation and heat application). The photocationic polymerization initiator may be a light and thermal cationic polymerization initiator.
上記光硬化性導電材料は、光硬化性及び熱硬化性を有することが好ましい。この場合には、例えば、熱の付与により光硬化性導電材料をより一層良好に硬化させることができ、光硬化性導電材料の硬化物の硬化度を効果的に高めることができる。 The photocurable conductive material preferably has photocurability and thermosetting. In this case, for example, the photocurable conductive material can be cured more favorably by applying heat, and the degree of cure of the cured product of the photocurable conductive material can be effectively increased.
本発明に係る光硬化性導電材料は、第1の光照射後に、熱の付与、又は、第2の光照射及び熱の付与が行われることで、硬化させて用いられることが好ましく、第1の光照射後に、第2の光照射及び熱の付与が行われることで、硬化させて用いられることがより好ましい。このように光硬化性導電材料を硬化させることで、本発明の効果がより一層効果的に得られる。 The photocurable conductive material according to the present invention is preferably used after being cured by applying heat or applying second light and applying heat after the first light irradiation. It is more preferable that the second light irradiation and the heat application be performed after the light irradiation to be cured and used. Thus, the effect of the present invention can be obtained more effectively by curing the photocurable conductive material.
光硬化性成分中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。 The method for dispersing the conductive particles in the photocurable component is not particularly limited, and a conventionally known dispersion method can be used.
上記光硬化性導電材料100重量%中、上記導電性粒子を除く成分の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、好ましくは90.98重量%以下である。上記導電性粒子を除く成分の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に上記導電性粒子が効率的に配置され、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the photocurable conductive material, the content of the components excluding the conductive particles is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, preferably 90.98. % By weight or less. When the content of the component excluding the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
光硬化性化合物:
光の照射によって硬化するように、上記光硬化性導電材料は、光硬化性化合物を含む。
Photocurable compound:
The photocurable conductive material contains a photocurable compound so as to be cured by irradiation with light.
上記光硬化性化合物としては特に限定されず、(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物及び環状エーテル基を有する光硬化性化合物等が挙げられる。 The photocurable compound is not particularly limited, and examples thereof include a photocurable compound having a (meth) acryloyl group and a photocurable compound having a cyclic ether group.
上記光硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。電極間の導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記光硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を1個又は2個有することが好ましい。 The photocurable compound is preferably a photocurable compound having a (meth) acryloyl group. By using the photocurable compound having a (meth) acryloyl group, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced. From the viewpoint of effectively increasing the conduction reliability between the electrodes, the photocurable compound preferably has one or two (meth) acryloyl groups.
上記(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。 The photocurable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and ( The photocurable compound which has a (meth) acryloyl group is mentioned.
上記(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物として、(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、(メタ)アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ(メタ)アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン(メタ)アクリレート等が好適に用いられる。上記「(メタ)アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「(メタ)アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「(メタ)アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。 As a photocurable compound having the above (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a compound having (meth) acrylic acid and a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound. (Meth) acrylate or urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with isocyanate is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.
上記(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、2官能のエステル化合物及び3官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。 The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、(メタ)アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物又は部分(メタ)アクリレート化エピスルフィド化合物である。 The photocurable compound having the epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a photocurable compound obtained by converting a group into a (meth) acryloyl group. Such a photocurable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.
上記光硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と、(メタ)アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と(メタ)アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応することにより得られる。 The photocurable compound is preferably a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a catalyst according to a conventional method.
上記部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ(メタ)アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.
上記光硬化性化合物として、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を(メタ)アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と(メタ)アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。 As the photocurable compound, a modified phenoxy resin obtained by converting a part of epoxy groups or a part of thiirane groups of a phenoxy resin having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups into (meth) acryloyl groups is used. Also good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.
また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。 Further, the photocurable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル(メタ)アクリレート、及びウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート及びテトラデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.
上記光硬化性導電材料100重量%中、上記光硬化性化合物の含有量は、好ましくは60重量%以上、より好ましくは80重量%以上、好ましくは90重量%以下である。上記光硬化性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が適度に光硬化する。 In 100% by weight of the photocurable conductive material, the content of the photocurable compound is preferably 60% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and preferably 90% by weight or less. When the content of the photocurable compound is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the photocurable conductive material is appropriately photocured.
光カチオン重合開始剤:
上記光カチオン重合開始剤は、光の照射によりカチオンを発生する。上記光カチオン重合開始剤として、ヨードニウム塩及びスルフォニウム塩が好適に用いられる。上記光カチオン重合開始剤の市販品としては、サンエイドSI−45L、サンエイドSI−60L、サンエイドSI−80L、サンエイドSI−100L、サンエイドSI−110L、サンエイドSI−150L(以上、三新化学社製)、アデカオプトマーSP−150、アデカオプトマーSP−170、アデカオプトマーSP−171(以上、ADEKA社製)、UVE−1014(ゼネラルエレクトロニクス社製)、並びにCD−1012(サートマー社製)等が挙げられる。
Photocationic polymerization initiator:
The above cationic photopolymerization initiator generates cations when irradiated with light. As the photocationic polymerization initiator, iodonium salts and sulfonium salts are preferably used. Commercially available products of the above cationic photopolymerization initiator include Sun-Aid SI-45L, Sun-Aid SI-60L, Sun-Aid SI-80L, Sun-Aid SI-100L, Sun-Aid SI-110L, and Sun-Aid SI-150L (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) Adekaoptomer SP-150, Adekaoptomer SP-170, Adekaoptomer SP-171 (manufactured by ADEKA), UVE-1014 (manufactured by General Electronics), CD-1012 (manufactured by Sartomer), and the like. Can be mentioned.
好ましい光カチオン重合開始剤のアニオン部分としては、PF6、BF4、及びB(C6F5)4が挙げられる。 Preferable examples of the anionic portion of the cationic photopolymerization initiator include PF 6 , BF 4 , and B (C 6 F 5 ) 4 .
また、上記光カチオン重合開始剤の他の具体例としては、2−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、2−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、2−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、3−メチル−2−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、3−メチル−2−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、3−メチル−2−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、3−メチル−2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、3−メチル−2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、3−メチル−2−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、4−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、及びフルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。 Other specific examples of the cationic photopolymerization initiator include 2-butenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 2-butenyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, 2-butenyldimethylsulfate. Phonium hexafluorophosphate, 2-butenyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 2-butenyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, 2-butenyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, 3 -Methyl-2-butenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 3-methyl-2-butenyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, 3-methyl-2-butenyldimethyls Phonium hexafluorophosphate, 3-methyl-2-butenyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 3-methyl-2-butenyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, 3-methyl-2- Butenyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, 4-hydroxyphenylcinnamylmethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4-hydroxyphenylcinnamylmethylsulfonium tetrafluoroborate, 4-hydroxyphenylcinnamylmethyl Sulfonium hexafluorophosphate, α-naphthylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, α-naphthylmethyltetramethyl Sulfonium tetrafluoroborate, α-naphthylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, cinnamyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, cinnamyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, cinnamyldimethylsulfonium Hexafluorophosphate, cinnamyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, cinnamyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, cinnamyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, biphenylmethyldimethylsulfonium tetrakis (penta Fluorophenyl) borate, biphenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, Biphenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, biphenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, biphenylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, biphenylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, phenylmethyldimethyl Sulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, phenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, phenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, phenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, phenylmethyltetramethylene Sulfonium tetrafluoroborate, phenyl Rutetramethylenesulfonium hexafluorophosphate, fluorenylmethyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, fluorenylmethyldimethylsulfonium tetrafluoroborate, fluorenylmethyldimethylsulfonium hexafluorophosphate, Examples include fluorenylmethyltetramethylenesulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, fluorenylmethyltetramethylenesulfonium tetrafluoroborate, and fluorenylmethyltetramethylenesulfonium hexafluorophosphate.
上記光カチオン重合開始剤は、光の照射により無機酸イオンを放出するか、又は光の照射によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出することが好ましい。上記光カチオン重合開始剤は、光の照射により無機酸イオンを放出する成分であることが好ましく、光の照射によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分であることも好ましい。 The cationic photopolymerization initiator preferably releases inorganic acid ions upon irradiation with light, or releases organic acid ions containing boron atoms upon irradiation with light. The photocationic polymerization initiator is preferably a component that releases inorganic acid ions when irradiated with light, and is also preferably a component that releases organic acid ions containing boron atoms when irradiated with light.
光の照射により無機酸イオンを放出する光カチオン重合開始剤は、アニオン部分としてSbF6−又はPF6−を有する化合物であることが好ましい。上記光カチオン重合開始剤は、アニオン部分としてSbF6−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてPF6−を有する化合物であることも好ましい。 The photocationic polymerization initiator that releases inorganic acid ions upon irradiation with light is preferably a compound having SbF 6- or PF 6- as an anion moiety. The photocationic polymerization initiator is preferably a compound having SbF 6− as the anion moiety, and is preferably a compound having PF 6− as the anion moiety.
上記光カチオン重合開始剤のアニオン部分がB(C6X5)4 −で表されることが好ましい。ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する光カチオン重合開始剤は、下記式(1)で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。 Anionic portion of the cationic photopolymerization initiator is B (C 6 X 5) 4 - is preferably represented by. The photocationic polymerization initiator that releases an organic acid ion containing a boron atom is preferably a compound having an anion moiety represented by the following formula (1).
上記式(1)中、Xはハロゲン原子を表す。上記式(1)中のXは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。 In the above formula (1), X represents a halogen atom. X in the formula (1) is preferably a chlorine atom, a bromine atom or a fluorine atom, and more preferably a fluorine atom.
上記光カチオン重合開始剤のアニオン部分がB(C6F5)4 −で表されることが好ましい。上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する光カチオン重合開始剤は、下記式(1A)で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。 Anionic portion of the cationic photopolymerization initiator is B (C 6 F 5) 4 - is preferably represented by. As for the photocationic polymerization initiator which discharge | releases the said organic acid ion containing a boron atom, it is more preferable that it is a compound which has an anion part represented by following formula (1A).
また、上記光カチオン重合開始剤の種類は、イオン性光酸発生型であってもよく、非イオン性光酸発生型であってもよい。 The type of the cationic photopolymerization initiator may be an ionic photoacid generating type or a nonionic photoacid generating type.
上記アンチモン錯体は特に限定されないが、スルホニウム塩であることが好ましい。上記アンチモン錯体であるスルホニウム塩としては、テトラフェニル(ジフェニルスルフィド−4,4’−ジイル)ビススルホニウム・ジ(六フッ化アンチモン)、テトラ(4−メトキトフェニル)[ジフェニルスルフィド−4,4’−ジイル]ビススルホニウム・ジ(六フッ化アンチモン)、ジフェニル(4−フェニルチオフェニル)スルホニウム・六フッ化アンチモン、並びにジ(4−メトキシフェニル)[4−フェニルチオフェニル]スルホニウム・六フッ化アンチモン等が挙げられる。 The antimony complex is not particularly limited, but is preferably a sulfonium salt. Examples of the sulfonium salt that is the antimony complex include tetraphenyl (diphenyl sulfide-4,4′-diyl) bissulfonium di (antimony hexafluoride), tetra (4-methoxyphenyl) [diphenyl sulfide-4,4 ′. -Diyl] bissulfonium di (antimony hexafluoride), diphenyl (4-phenylthiophenyl) sulfonium hexamonium fluoride, and di (4-methoxyphenyl) [4-phenylthiophenyl] sulfonium hexamonium hexafluoride Etc.
上記アンチモン錯体の市販品としては、例えば、アデカオプトマーSP−170(ADEKA社製)等が挙げられる。 As a commercial item of the said antimony complex, Adeka optomer SP-170 (made by ADEKA) etc. are mentioned, for example.
6フッ化リンイオンを有する塩の市販品としては、例えば、WPI−113(和光純薬工業社製)、並びにCPI−100P(サンアプロ社製)等が挙げられる。 As a commercial item of the salt which has 6 hexafluoride phosphorus ion, WPI-113 (made by Wako Pure Chemical Industries), CPI-100P (made by San Apro), etc. are mentioned, for example.
上記光カチオン重合開始剤の含有量は特に限定されない。上記光硬化性化合物100重量部に対して、上記光カチオン重合開始剤の含有量は、好ましくは0.05重量部以上、より好ましくは0.15重量部以上、好ましくは2重量部以下、より好ましくは1重量部以下である。上記光カチオン重合開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が適度に光硬化する。 Content of the said photocationic polymerization initiator is not specifically limited. The content of the photocationic polymerization initiator is preferably 0.05 parts by weight or more, more preferably 0.15 parts by weight or more, preferably 2 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the photocurable compound. The amount is preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocationic polymerization initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the photocurable conductive material is appropriately photocured.
光硬化遅延剤:
光硬化遅延剤は、光照射された後に、比較的短い時間での光硬化性導電材料の硬化の進行を抑える。光硬化遅延剤は、3級アミン化合物である。なお、光硬化性化合物には、光硬化遅延剤は含まれないこととする。
Light curing retarder:
The photocuring retarder suppresses the progress of curing of the photocurable conductive material in a relatively short time after being irradiated with light. The photocuring retarder is a tertiary amine compound. The photocurable compound does not contain a photocuring retarder.
上記3級アミン化合物としては、トリエチルアミン、トリメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリチオール、イソシアヌル酸トリグリシジル及び2,4,6−トリ(グリシジルオキシ)−1,3,5−トリアジン等が挙げられる。 Examples of the tertiary amine compound include triethylamine, trimethylamine, diisopropylethylamine, 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiol, triglycidyl isocyanurate and 2,4,6-tri (glycidyloxy) -1, 3,5-triazine and the like can be mentioned.
接合界面にボイドをより一層生じ難くし、かつ接合信頼性をより一層高める観点からは、上記3級アミン化合物が、トリアジン骨格を有する化合物であることが好ましい。トリアジン骨格中の窒素原子が、3級アミンの窒素原子であることが好ましい。 From the viewpoint of making voids less likely to be generated at the bonding interface and further improving the bonding reliability, the tertiary amine compound is preferably a compound having a triazine skeleton. The nitrogen atom in the triazine skeleton is preferably a tertiary amine nitrogen atom.
接合界面にボイドをより一層生じ難くし、かつ接着信頼性をより一層高める観点からは、上記3級アミン化合物が、カチオン重合性基を有することが好ましい。 From the viewpoint of making it more difficult to generate voids at the bonding interface and further improving the adhesion reliability, it is preferable that the tertiary amine compound has a cationic polymerizable group.
上記カチオン重合性基としては、エポキシ基、ビニル基及びオキセタン基等が挙げられる。 Examples of the cationic polymerizable group include an epoxy group, a vinyl group, and an oxetane group.
接合界面にボイドをより一層生じ難くし、かつ接着信頼性をより一層高める観点からは、上記カチオン重合性基がエポキシ基であることが好ましい。 From the viewpoint of making it more difficult for voids to be generated at the bonding interface and further improving the adhesion reliability, the cationic polymerizable group is preferably an epoxy group.
上記光硬化遅延剤は、導電性粒子の表面に付着していることが好ましい。上記光硬化性導電材料は、光硬化遅延剤が導電性粒子の表面に付着した状態で、導電性粒子及び光硬化性遅延剤が光硬化性導電材料中に含まれていることが好ましい。上記導電性粒子と上記光硬化遅延剤とが、上記導電性粒子の表面に上記光硬化遅延剤を付着させた後に、配合されていることが好ましい。上記導電性粒子と上記光硬化遅延剤とが、上記導電性粒子の表面に上記光硬化遅延剤を付着させた後に、他の成分と混合されて、光硬化性導電材料が得られていることが好ましい。光硬化遅延剤が導電性粒子の表面に付着している場合には、導電接続時に、電極と導電性粒子との間の導電性粒子を除く配合成分を効果的に排除して、電極間の導通信頼性を効果的に高めることができる。 It is preferable that the said photocuring retarder adheres to the surface of electroconductive particle. In the photocurable conductive material, it is preferable that the photocurable conductive material contains the conductive particles and the photocurable retarder in a state where the photocurable retarder is attached to the surface of the conductive particles. The conductive particles and the photocuring retarder are preferably blended after the photocuring retarder is attached to the surface of the conductive particles. The conductive particles and the photocuring retarder are adhered to the surface of the conductive particles and then mixed with other components to obtain a photocurable conductive material. Is preferred. When the photo-setting retarder is attached to the surface of the conductive particles, the compounding components excluding the conductive particles between the electrodes and the conductive particles are effectively excluded during the conductive connection, The conduction reliability can be effectively increased.
上記光硬化遅延剤の含有量は特に限定されない。上記光硬化性化合物100重量部に対して、上記光硬化遅延剤の含有量は、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。上記光硬化遅延剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が適度に遅延して光硬化する。 Content of the said photocuring retarder is not specifically limited. The content of the photocuring retarder is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight of the photocurable compound. Is 5 parts by weight or less. When the content of the photocuring retarder is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the photocurable conductive material is photocured with an appropriate delay.
上記導電性粒子と上記光硬化遅延剤との合計100重量%中、上記光硬化遅延剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、更に好ましくは1重量%以上、特に好ましは3重量%以上、最も好ましくは10重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは30重量%以下、更に好ましくは20重量%以下である。上記光硬化遅延剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が適度に遅延して光硬化する。また、接続信頼性がより一層高くなる。 In a total of 100 wt% of the conductive particles and the photocuring retarder, the content of the photocuring retarder is preferably 0.01 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more, and still more preferably 1 % By weight or more, particularly preferably 3% by weight or more, most preferably 10% by weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 20% by weight or less. When the content of the photocuring retarder is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the photocurable conductive material is photocured with an appropriate delay. Further, the connection reliability is further increased.
熱硬化性化合物:
上記熱硬化性化合物は熱硬化性を有する。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
Thermosetting compound:
The thermosetting compound has thermosetting properties. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記熱硬化性化合物は熱硬化性及び光硬化性を有してもよく、光硬化性を有していなくてもよい。 The said thermosetting compound may have thermosetting and photocurability, and does not need to have photocurability.
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。 Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds.
上記光硬化性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましく、チイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことがより好ましい。エポキシ基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。光硬化性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記熱硬化性化合物100重量%中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、100重量%以下である。上記熱硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であってもよい。 From the viewpoint of easily controlling the curing of the photocurable conductive material or further enhancing the conduction reliability in the connection structure, the thermosetting compound is a thermosetting compound having an epoxy group or a thiirane group. It is preferable that a thermosetting compound having a thiirane group is included. The thermosetting compound having an epoxy group is an epoxy compound. The thermosetting compound having a thiirane group is an episulfide compound. From the viewpoint of enhancing the curability of the photocurable conductive material, the content of the compound having an epoxy group or thiirane group in the thermosetting compound is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight. % Or more and 100% by weight or less. The total amount of the thermosetting compound may be a compound having the epoxy group or thiirane group.
上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。 Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.
上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化可能であるので、ナフタレン環が好ましい。 The thermosetting compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. The aromatic ring is preferably a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring, and more preferably a benzene ring or a naphthalene ring. Also, a naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.
上記熱硬化性化合物は、フェノキシ樹脂を含んでいてもよい。この場合に、フェノキシ樹脂と、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを併用してもよい。この場合に、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、フェノキシ樹脂ではないことが好ましい。 The thermosetting compound may contain a phenoxy resin. In this case, you may use together a phenoxy resin and the thermosetting compound which has the said epoxy group or thiirane group. In this case, it is preferable that the thermosetting compound having the epoxy group or thiirane group is not a phenoxy resin.
接続構造体における電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは20000以上、好ましくは70000以下である。 From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes in the connection structure, the weight average molecular weight of the phenoxy resin is preferably 20000 or more, and preferably 70000 or less.
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。 The weight average molecular weight indicates a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).
上記フェノキシ樹脂と、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを併用する場合には、上記光硬化性導電材料は、上記フェノキシ樹脂と上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを重量比で、1:99〜99:1で含むことが好ましく、10:90〜90:10で含むことがより好ましく、20:80〜80:20で含むことが更に好ましく、30:70〜70:30で含むことが特に好ましい。 When the phenoxy resin and the thermosetting compound having the epoxy group or thiirane group are used in combination, the photocurable conductive material includes the phenoxy resin and the thermosetting compound having the epoxy group or thiirane group. Is preferably included at a weight ratio of 1:99 to 99: 1, more preferably 10:90 to 90:10, still more preferably 20:80 to 80:20, and 30:70 to It is particularly preferred to include at 70:30.
熱硬化性化合物を用いる場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、1:99〜99:1であってもよく、10:90〜90:10であってもよく、20:80〜80:20であってもよく、30:70〜70:30であってもよい。 When using a thermosetting compound, the compounding ratio of a photocurable compound and a thermosetting compound is suitably adjusted according to the kind of a photocurable compound and a thermosetting compound. The compounding ratio of the photocurable compound and the thermosetting compound may be 1:99 to 99: 1, 10:90 to 90:10, or 20:80 to 80:20. It may be 30: 70-70: 30.
上記光硬化性導電材料100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは0重量%(未含有)以上、より好ましくは0.3重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。上記熱硬化性化合物が含まれかつ上記熱硬化性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が適度に熱硬化する。 In 100% by weight of the photocurable conductive material, the content of the thermosetting compound is preferably 0% by weight (not contained) or more, more preferably 0.3% by weight or more, and preferably 50% by weight or less. Preferably it is 30 weight% or less. When the thermosetting compound is contained and the content of the thermosetting compound is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the photocurable conductive material is appropriately thermoset.
熱硬化剤:
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を使用可能である。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
Thermosetting agent:
The said thermosetting agent is not specifically limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記光硬化性導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能であるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、光硬化性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 Since the photocurable conductive material can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. Moreover, since the storage stability of a photocurable conductive material can be improved, a latent curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは5重量部以上、より好ましくは10重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは30重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光硬化性導電材料が十分に熱硬化する。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, preferably 40 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. More preferably, it is 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the photocurable conductive material is sufficiently thermoset.
(接続構造体の他の詳細)
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。
(Other details of connection structure)
Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components that are circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The connection target member is preferably an electronic component.
本発明に係る接続構造体の製造方法及び本発明に係る接続構造体は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に適用できる。なかでも、上記光硬化性導電材料は、FOG用途又はCOG用途に好適であり、COG用途により好適である。上記光硬化性導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとガラス基板との接続に適用することが好ましく、半導体チップとガラス基板との接続に適用することがより好ましい。 The connection structure manufacturing method according to the present invention and the connection structure according to the present invention include, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board ( COF (Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), or the like. Especially, the said photocurable conductive material is suitable for a FOG use or a COG use, and is more suitable for a COG use. The photocurable conductive material is preferably applied to the connection between the flexible printed circuit board and the glass substrate, or the connection between the semiconductor chip and the glass substrate, and more preferably applied to the connection between the semiconductor chip and the glass substrate.
本発明に係る接続構造体の製造方法及び本発明に係る接続構造体では、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材との組み合わせが、ガラス基板とフレキシブルプリント基板又は半導体チップとの組み合わせであることが好ましく、ガラス基板と半導体チップとの組み合わせであることがより好ましい。上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材のいずれが、ガラス基板であってもよく、フレキシブルプリント基板又は半導体チップであってもよい。 In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention and the connection structure according to the present invention, a combination of the first connection target member and the second connection target member includes a glass substrate and a flexible printed circuit board or a semiconductor chip. It is preferable to be a combination of these, and it is more preferable to be a combination of a glass substrate and a semiconductor chip. Any of the first connection target member and the second connection target member may be a glass substrate, a flexible printed circuit board, or a semiconductor chip.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
(1)導電性粒子複合体の作製
ジビニルベンゼン樹脂粒子(平均粒子径3μm)の表面がニッケルめっき層(厚み0.1μm)により被覆された導電性粒子を用意した。この導電性粒子の表面に、光硬化遅延剤としてイソシアヌル酸ジグリシジルモノアリル(四国化成工業社製「MA−DGIC」)(トリアジン骨格とエポキシ基とを有する化合物)を付着させて、導電性粒子複合体を得た。得られた導電性粒子複合体は、導電性粒子99重量%と、光硬化遅延剤1重量%とを含む。
(Example 1)
(1) Preparation of electroconductive particle composite The electroconductive particle by which the surface of the divinylbenzene resin particle (average particle diameter of 3 micrometers) was coat | covered with the nickel plating layer (thickness 0.1 micrometer) was prepared. Diglycidyl monoallyl isocyanurate diglycidyl monoallyl (“MA-DGIC” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) (compound having a triazine skeleton and an epoxy group) is attached to the surface of the conductive particles as a photo-setting retarder. A complex was obtained. The obtained conductive particle composite contains 99% by weight of conductive particles and 1% by weight of a photo-setting retarder.
(2)異方性導電フィルム(光硬化性導電材料)の作製
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド社製「PKHC」)45重量部と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート1009」)25重量部と、光カチオン重合開始剤(三新化学工業社製「サンエイドSI−80」)10重量部と、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン社製「SH6040」)2重量部と、導電性粒子複合体15重量部(導電性粒子14.85重量部と光硬化遅延剤0.15重量部)とトルエンとを混合し、固形分50%の樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。
(2) Production of anisotropic conductive film (photo-curable conductive material) 45 parts by weight of phenoxy resin ("PKHC" manufactured by Union Carbide) and 25 weights of bisphenol A type epoxy resin ("Epicoat 1009" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) Parts, 10 parts by weight of a cationic photopolymerization initiator (“San-Aid SI-80” manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), 2 parts by weight of a silane coupling agent (“SH6040” manufactured by Toray Dow Corning Silicone), and conductive particles 15 parts by weight of the composite (14.85 parts by weight of conductive particles and 0.15 part by weight of a photocuring retarder) and toluene were mixed to obtain a resin composition having a solid content of 50%. The obtained resin composition was applied onto polyethylene terephthalate that had been subjected to release treatment, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.
(3)接続構造体の作製
L/Sが15μm/15μmのTi−Al−Tiである複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが15μm/15μmである金電極パターンを下面に有する半導体チップ(第2の接続対象部材)を用意した。
(3) Preparation of connection structure The transparent glass substrate (1st connection object member) which has the multilayer electrode pattern which is Ti / Al-Ti whose L / S is 15 micrometers / 15 micrometers on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip (second connection target member) having a gold electrode pattern with L / S of 15 μm / 15 μm on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電フィルムを貼り付けた。次に、異方性導電フィルムの上側から、波長365nmの紫外線照射を光照射量が100mJ/cm2となるように照射した(第1の光照射工程)。 The obtained anisotropic conductive film was affixed on the chip mounting portion on the transparent glass substrate. Next, ultraviolet irradiation with a wavelength of 365 nm was applied from the upper side of the anisotropic conductive film so that the amount of light irradiation was 100 mJ / cm 2 (first light irradiation step).
第1の光照射を行ってから60秒後に、異方性導電フィルム上に、上記半導体チップを電極同士が対向するように積層した。その後、ヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せた。接続条件に関しては、110℃、50MPaで5秒間の加熱及び押圧と(第1の熱の付与工程)、透明ガラス基板側からの紫外線照射とを同時に行った。具体的には、加熱及び押圧のみを開始して2秒経過後から波長365nmの紫外線照射を、光照射量が600mJ/cm2となるように照射した(第2の光照射工程)。加熱押圧開始から10秒後に加熱及び押圧と紫外線照射とを同時に終了させた。その後、圧力を開放した。その後、100℃で1時間加熱して(第2の熱の付与工程)、接続構造体を得た。 Sixty seconds after the first light irradiation, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive film so that the electrodes face each other. Thereafter, a pressure heating head was placed on the upper surface of the semiconductor chip while adjusting the temperature of the head. Regarding the connection conditions, heating and pressing at 110 ° C. and 50 MPa for 5 seconds (first heat application step) and ultraviolet irradiation from the transparent glass substrate side were performed simultaneously. Specifically, after only 2 seconds from the start of heating and pressing, ultraviolet irradiation with a wavelength of 365 nm was applied so that the amount of light irradiation was 600 mJ / cm 2 (second light irradiation step). After 10 seconds from the start of heating and pressing, heating and pressing and ultraviolet irradiation were simultaneously terminated. Thereafter, the pressure was released. Then, it heated at 100 degreeC for 1 hour (2nd heat provision process), and obtained the connection structure.
(実施例2)
光カチオン重合開始剤を、サンアプロ社製「CPI−101A」に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 2)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the cationic photopolymerization initiator was changed to “CPI-101A” manufactured by Sun Apro.
(実施例3)
光硬化遅延剤を1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリチオールに変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 3)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocuring retarder was changed to 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiol.
(実施例4)
接続構造体の作製方法を次のように変更した。
Example 4
The manufacturing method of the connection structure was changed as follows.
実施例1で得られた異方性導電フィルムを用意した。 The anisotropic conductive film obtained in Example 1 was prepared.
L/Sが10μm/10μmのTi−Al−Tiである複層電極パターンを上面に有する透明ガラス基板(第1の接続対象部材)を用意した。また、L/Sが10μm/10μmである金電極パターンを下面に有する半導体チップ(第2の接続対象部材)を用意した。 A transparent glass substrate (first connection target member) having a multilayer electrode pattern of L / S of Ti—Al—Ti with 10 μm / 10 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip (second connection target member) having a gold electrode pattern having a L / S of 10 μm / 10 μm on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電フィルムを貼り付けた。次に、異方性導電フィルムの上側から、波長365nmの紫外線照射を光照射量が200mJ/cm2となるように照射した(第1の光照射工程)。 The obtained anisotropic conductive film was affixed on the chip mounting portion on the transparent glass substrate. Next, ultraviolet irradiation with a wavelength of 365 nm was applied from the upper side of the anisotropic conductive film so that the amount of light irradiation was 200 mJ / cm 2 (first light irradiation step).
第1の光照射を行ってから60秒後に、異方性導電フィルム上に、上記半導体チップを電極同士が対向するように積層した。その後、ヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せた。接続条件に関しては、110℃、50MPaで30秒間の加熱及び押圧(第1の熱の付与工程)を行って接続構造体を得た。 Sixty seconds after the first light irradiation, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive film so that the electrodes face each other. Thereafter, a pressure heating head was placed on the upper surface of the semiconductor chip while adjusting the temperature of the head. Regarding connection conditions, heating and pressing (first heat application step) at 110 ° C. and 50 MPa for 30 seconds were performed to obtain a connection structure.
(実施例5)
光硬化遅延剤をトリエチルアミンに変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 5)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocuring retarder was changed to triethylamine.
(実施例6)
実施例6では、導電性粒子と光硬化遅延剤とを複合化させずに、別々に用いた。
(Example 6)
In Example 6, the conductive particles and the photocuring retarder were used separately without being combined.
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド社製「PKHC」)45重量部と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート1009」)25重量部と、光カチオン重合開始剤(三新化学工業社製「サンエイドSI−80」)10重量部と、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン社製「SH6040」)2重量部と、光硬化遅延剤(イソシアヌル酸ジグリシジルモノアリル(四国化成工業社製「MA−DGIC」)(トリアジン骨格とエポキシ基とを有する化合物))1重量部と、導電性粒子20重量部とをトルエンと混合し、固形分50%の樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。なお、用いた導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子(平均粒子径3μm)の表面がニッケルめっき層(厚み0.1μm)により被覆された導電性粒子である。 45 parts by weight of phenoxy resin (“PKHC” manufactured by Union Carbide), 25 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 1009” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and photocationic polymerization initiator (“Sun Aid” manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) SI-80 ") 10 parts by weight, 2 parts by weight of a silane coupling agent (" SH6040 "manufactured by Toray Dow Corning Silicone) and a photo-setting retarder (diglycidyl monoallyl isocyanurate (" Shikoku Kasei Kogyo "MA- DGIC ") (a compound having a triazine skeleton and an epoxy group)) 1 part by weight and 20 parts by weight of conductive particles were mixed with toluene to obtain a resin composition having a solid content of 50%. The obtained resin composition was applied onto polyethylene terephthalate that had been subjected to release treatment, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm. In addition, the used electroconductive particle is an electroconductive particle with which the surface of the divinylbenzene resin particle (average particle diameter of 3 micrometers) was coat | covered with the nickel plating layer (thickness 0.1 micrometer).
(実施例7)
光硬化遅延剤を1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリチオールに変更したこと以外は実施例6と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 7)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 6 except that the photocuring retarder was changed to 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiol.
(実施例8)
光硬化遅延剤をトリエチルアミンに変更したこと以外は実施例6と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 8)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 6 except that the photocuring retarder was changed to triethylamine.
(実施例9)
ジビニルベンゼン樹脂粒子(平均粒子径3μm)の表面に芯物質であるニッケル粒子(100nm)を付着させた後、ニッケルめっき層(厚み0.1μm)により被覆された突起付き導電性粒子を用意した。導電性粒子をこの突起付き導電性粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
Example 9
After depositing nickel particles (100 nm) as a core substance on the surface of divinylbenzene resin particles (
(実施例10)
ジビニルベンゼン樹脂粒子(平均粒子径3μm)の表面に芯物質であるニッケル粒子(平均粒子径100nm)を付着させた後、ニッケルめっき層(厚み0.1μm)により被覆された突起付き導電性粒子を得た。この導電性粒子の表面を、更に有機絶縁性粒子(MMA(メチルメタクリレート)の重合体による平均粒子径200nmの絶縁性粒子)にて均一に被覆して、絶縁性粒子被覆及び突起付き導電性粒子を得た。得られた絶縁性粒子被覆及び突起付き導電性粒子では、導電性粒子の表面積の約60%を絶縁性粒子が覆っていた。導電性粒子をこの絶縁性粒子被覆及び突起付き導電性粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 10)
After depositing nickel particles (average particle diameter of 100 nm) as a core substance on the surface of divinylbenzene resin particles (average particle diameter of 3 μm), conductive particles with protrusions coated with a nickel plating layer (thickness of 0.1 μm) are used. Obtained. The surface of the conductive particles is further uniformly coated with organic insulating particles (insulating particles having an average particle size of 200 nm made of a polymer of MMA (methyl methacrylate)), and the insulating particles are coated and conductive particles with protrusions. Got. In the obtained insulating particle covering and conductive particles with protrusions, the insulating particles covered about 60% of the surface area of the conductive particles. An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were changed to the insulating particle coating and the conductive particles with protrusions.
(実施例11)
ジビニルベンゼン樹脂粒子(平均粒子径2.5μm)の表面がニッケルめっき層(厚み0.1μm)により被覆された導電性粒子を用意した。導電性粒子をこの突起付き導電性粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Example 11)
The electroconductive particle by which the surface of the divinylbenzene resin particle (average particle diameter 2.5 micrometers) was coat | covered with the nickel plating layer (thickness 0.1 micrometer) was prepared. An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were changed to the conductive particles with protrusions.
(比較例1)
光硬化遅延剤を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルムを得た。第1の光照射工程を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Comparative Example 1)
An anisotropic conductive film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocuring retarder was not used. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the first light irradiation step was not performed.
(比較例2)
光カチオン重合開始剤を、光ラジカル発生剤(チバジャパン社製「IRGACURE 819」)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Comparative Example 2)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocationic polymerization initiator was changed to a photoradical generator (“IRGACURE 819” manufactured by Ciba Japan).
(比較例3)
光硬化遅延剤をポリグリセロールポリグリシジルエーテル(ナガセケムテック社製「デコナール EX−421」)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Comparative Example 3)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocuring retarder was changed to polyglycerol polyglycidyl ether (“Deconal EX-421” manufactured by Nagase Chemtech).
(比較例4)
光硬化遅延剤を和光純薬工業社製「18−クラウン−6−エーテル」に変更したこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び接続構造体を得た。
(Comparative Example 4)
An anisotropic conductive film and a connection structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the photocuring retarder was changed to “18-crown-6-ether” manufactured by Wako Pure Chemical Industries.
(評価)
(1)粘度
第1の光照射を行う前の光硬化性導電材料の粘度η1と、波長365nmの紫外線照射を、光照射量が150mJ/cm2(接続構造体作製時の光照射強度)となるように照射してから60秒後の光硬化性導電材料の粘度η2とを測定した。粘度の測定には、TAインスツルメント社製「AR−2000ex」を用いた。粘度を下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Viscosity Viscosity η1 of the photocurable conductive material before the first light irradiation, UV irradiation with a wavelength of 365 nm, and a light irradiation amount of 150 mJ / cm 2 (light irradiation intensity at the time of manufacturing the connection structure) The viscosity η2 of the photocurable conductive material 60 seconds after the irradiation was measured. For the measurement of viscosity, “AR-2000ex” manufactured by TA Instruments was used. The viscosity was determined according to the following criteria.
[粘度の判定基準]
A:η2/η1が1.3以下
B:η2/η1が1.3を超え、1.5以下
C:η2/η1が1.5を超える
[Criteria for viscosity]
A: η2 / η1 is 1.3 or less B: η2 / η1 exceeds 1.3 and 1.5 or less C: η2 / η1 exceeds 1.5
(2)ボイドの有無
得られた接続構造体の断面を観察して、光硬化性導電材料が硬化した接続部にボイドが生じているか否かを、光学顕微鏡により観察した。ボイドの有無を下記の基準で判定した。ボイドが無いと接続信頼性が高くなり、ボイドが少ないほど接続信頼性が高くなる。
(2) Presence / absence of voids A cross section of the obtained connection structure was observed, and it was observed with an optical microscope whether or not voids were generated in the connection portion where the photocurable conductive material was cured. The presence or absence of voids was determined according to the following criteria. If there are no voids, the connection reliability increases, and the fewer the voids, the higher the connection reliability.
[ボイドの有無の判定基準]
○:ボイド無し
△:僅かにボイドがあるが、電極のL/S、ピッチ以上のボイドはなし
×:隣接する電極間以上のサイズのボイドあり
[Criteria for the presence or absence of voids]
○: No void △: There is a slight void, but there is no void larger than the electrode L / S, pitch ×: There is a void larger than the size between adjacent electrodes
(3)電極と導電性粒子との接続状態
得られた接続構造体の断面を観察して、電極と導電性粒子との間に、光硬化性導電材料が硬化した接続部が挟み込まれている箇所があるか否かを評価した。
(3) Connection state between electrode and conductive particle The cross section of the obtained connection structure is observed, and the connection part where the photocurable conductive material is cured is sandwiched between the electrode and the conductive particle. It was evaluated whether there was a place.
[電極と導電性粒子との接続状態]
○○:電極と導電性粒子との間に、光硬化性導電材料が硬化した接続部が挟み込まれていない
○:電極と導電性粒子との間に、接続不良が生じない程度に、光硬化性導電材料が硬化した接続部がごくわずかに挟み込まれている
△:電極と導電性粒子との間に、接続不良が生じない程度に、光硬化性導電材料が硬化した接続部がわずかに挟み込まれている
×:電極と導電性粒子との間に、接続不良が生じる可能性がある程度に、光硬化性導電材料が硬化した接続部が挟み込まれている
[Connection between electrode and conductive particles]
○○: The connection part where the photocurable conductive material is cured is not sandwiched between the electrode and the conductive particle. ○: Photocuring is performed so that no poor connection occurs between the electrode and the conductive particle. The connection part in which the conductive conductive material is cured is slightly sandwiched. Δ: The connection part in which the photocurable conductive material is cured is slightly sandwiched between the electrode and the conductive particles to such an extent that a connection failure does not occur. X: The connection part where the photocurable conductive material is cured is sandwiched between the electrode and the conductive particles to the extent that a connection failure may occur.
(4)第2の接続対象部材の反り
得られた接続構造体において、第2の接続対象部材である半導体チップの反り量を測定した。水平な面上に接続構造体を配置して、第2の接続対象部材である半導体チップの長辺25mmでの測定における最大高さ位置と最小高さ位置との差を反り量とした。第2の接続対象部材の反りを下記の基準で判定した。なお、第2の接続対象部材の反り量が大きい場合に、第2の接続対象部材が接続部から剥離しやすい傾向があることを確認した。
(4) Warpage of second connection target member In the obtained connection structure, the amount of warpage of the semiconductor chip as the second connection target member was measured. The connection structure was arranged on a horizontal surface, and the difference between the maximum height position and the minimum height position in the measurement at the long side 25 mm of the semiconductor chip as the second connection target member was taken as the amount of warpage. The warpage of the second connection target member was determined according to the following criteria. In addition, when the curvature amount of the 2nd connection object member was large, it confirmed that the 2nd connection object member tends to peel from a connection part easily.
[第2の接続対象部材の反りの判定基準]
○○:第2の接続対象部材の反り量が10μm未満
○:第2の接続対象部材の反り量が10μm以上、15μm未満
△:第2の接続対象部材の反り量が15μm以上、20μm未満
×:第2の接続対象部材の反り量が20μm以上
[Criteria for determining warpage of second connection target member]
○: The warpage amount of the second connection target member is less than 10 μm. ○: The warpage amount of the second connection target member is 10 μm or more and less than 15 μm. Δ: The warpage amount of the second connection target member is 15 μm or more and less than 20 μm. : The warpage amount of the second connection target member is 20 μm or more.
(5)電極間の接続信頼性
4端子法により、得られた接続構造体における電極間の抵抗値を測定した。その後、85℃及び湿度85%の環境下で500時間処理した接続構造体における電極間の抵抗値を再度測定した。高温高湿環境下に放置した後の抵抗値の上昇倍率に従って、電極間の接続信頼性を下記の評価基準で評価した。
(5) Connection reliability between electrodes The resistance value between the electrodes in the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. Then, the resistance value between the electrodes in the connection structure treated for 500 hours in an environment of 85 ° C. and humidity of 85% was measured again. The connection reliability between the electrodes was evaluated according to the following evaluation criteria according to the increasing ratio of the resistance value after being left in a high temperature and high humidity environment.
[電極間の接続信頼性の判定基準]
○○:抵抗値上昇倍率が2倍未満
○:抵抗値上昇倍率が2倍以上、4倍未満
△:抵抗値上昇倍率が4倍以上、8倍未満
×:抵抗値上昇倍率が8倍以上
[Judgment criteria for connection reliability between electrodes]
○○: Resistance value increase rate is less than 2 times ○: Resistance value increase rate is 2 times or more and less than 4 times △: Resistance value increase rate is 4 times or more and less than 8 times ×: Resistance value increase rate is 8 times or more
(6)電極間の導通信頼性
4端子法により、得られた接続構造体における電極間の抵抗値を測定した。電極間の導通信頼性を下記の基準で判定した。
(6) Conduction reliability between electrodes The resistance value between the electrodes in the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The conduction reliability between the electrodes was determined according to the following criteria.
[電極間の導通信頼性の判定基準]
○○:抵抗値が1.5Ω未満
○:抵抗値が1.5Ω以上、2.0Ω未満
△:抵抗値が2.0Ω以上、2.5Ω未満
×:抵抗値が2.5Ω以上
[Judgment criteria for conduction reliability between electrodes]
○○: Resistance value is less than 1.5Ω ○: Resistance value is 1.5Ω or more and less than 2.0Ω Δ: Resistance value is 2.0Ω or more and less than 2.5Ω ×: Resistance value is 2.5Ω or more
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
なお、実施例1と実施例9,10とでは、接続信頼性及び導通信頼性の評価結果は「○○」であるが、接続信頼性の抵抗値上昇率は、実施例9,10の方が実施例1よりも小さく、導通信頼性の抵抗値は実施例9,10の方が実施例1よりも小さかった。また、実施例10では、実施例1,9よりも、横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性に優れていた。 In Example 1 and Examples 9 and 10, the evaluation result of connection reliability and conduction reliability is “◯◯”, but the rate of increase in resistance value of connection reliability is that of Examples 9 and 10. However, the resistance value of conduction reliability was smaller in Examples 9 and 10 than in Example 1. Moreover, in Example 10, the insulation reliability between the electrodes adjacent in the lateral direction was superior to those in Examples 1 and 9.
1…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4…接続部
4A…光硬化性導電材料層
4B…第1の光照射が行われた光硬化性導電材料層
4C…第2の光照射及び第1の熱の付与が行われた光硬化性導電材料層
11…光硬化性成分の硬化物
21…導電性粒子
22…導電性粒子複合体
31…基材粒子
32…導電部
33…光硬化遅延剤
51…熱圧着ヘッド
DESCRIPTION OF
Claims (15)
導電性粒子と、
光硬化性化合物と、
光カチオン重合開始剤と、
光硬化遅延剤とを含み、
前記光硬化遅延剤が、3級アミン化合物である、光硬化性導電材料。 It is used for connection of connection target members having electrodes on the surface, and is a conductive material having photocurability,
Conductive particles;
A photocurable compound;
A photocationic polymerization initiator;
A light curing retarder,
A photocurable conductive material, wherein the photocurable retarder is a tertiary amine compound.
前記光硬化遅延剤が、光カチオン重合開始剤から発生した酸を捕捉可能である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光硬化性導電材料。 The cationic photopolymerization initiator is a cationic photopolymerization initiator that generates an acid by irradiation with light,
The photocurable conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the photocuring retarder is capable of capturing an acid generated from a photocationic polymerization initiator.
光硬化性導電材料は、前記第1の接続対象部材の表面上に配置された後に、前記第1の接続対象部材側とは反対側から光硬化性導電材料に第1の光照射が行われ、次に前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた光硬化性導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に前記第2の接続対象部材が配置され、前記第2の接続対象部材が配置される時又は配置された後、光硬化性導電材料に第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方が行われて、光硬化性導電材料が硬化した硬化物を形成する工程を経て、前記接続構造体を得るために用いられる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光硬化性導電材料。 The first connection target member having the first electrode on the surface is connected to the second connection target member having the second electrode on the surface, and the first electrode and the second electrode are electrically connected. Used to connect and obtain a connection structure,
After the photocurable conductive material is disposed on the surface of the first connection target member, the first light irradiation is performed on the photocurable conductive material from the side opposite to the first connection target member side. Next, the first connection target member of the photocurable conductive material that has been irradiated with the first light so that the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode. The second connection object member is disposed on the surface opposite to the side, and the second light irradiation and heat are applied to the photocurable conductive material when or after the second connection object member is disposed. 6. The method according to claim 1, wherein the connection structure is obtained through a step of forming a cured product obtained by curing at least one of the application of the photocurable conductive material. The photocurable conductive material described in 1.
熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む、請求項1〜6,8及び9のいずれか1項に記載の光硬化性導電材料。 It is a conductive material having photocurability and thermosetting property,
The photocurable conductive material according to any one of claims 1 to 6, 8, and 9, comprising a thermosetting compound and a thermosetting agent.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜10のいずれか1項に記載の光硬化性導電材料を硬化させることで形成されており、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connection portion is formed by curing the photocurable conductive material according to any one of claims 1 to 10,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材とを用いて、
前記第1の接続対象部材の表面上に、前記光硬化性導電材料を配置する工程と、
前記第1の接続対象部材の表面上に配置された前記光硬化性導電材料に、前記第1の接続対象部材側とは反対側から、第1の光照射を行う工程と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記導電性粒子が位置するように、第1の光照射が行われた前記光硬化性導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、前記第2の接続対象部材を配置する工程と、
前記第2の接続対象部材の配置時又は配置後に、前記光硬化性導電材料に、第2の光照射及び熱の付与の内の少なくとも一方を行う工程とを備え、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を前記光硬化性導電材料の硬化物により形成して、かつ前記第1の電極と前記第2の電極とを前記導電性粒子により電気的に接続する、接続構造体の製造方法。 Using the photocurable conductive material according to any one of claims 1 to 10, and
Using the first connection target member having the first electrode on the surface and the second connection target member having the second electrode on the surface,
Disposing the photocurable conductive material on the surface of the first connection target member;
Performing a first light irradiation on the photo-curable conductive material disposed on the surface of the first connection target member from the side opposite to the first connection target member side;
The first connection target member side of the photocurable conductive material subjected to the first light irradiation so that the conductive particles are positioned between the first electrode and the second electrode; Arranging the second connection object member on the opposite surface;
A step of performing at least one of second light irradiation and heat application to the photocurable conductive material at or after the second connection target member is arranged,
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed of a cured product of the photocurable conductive material, and the first electrode and the second electrode Is electrically connected by the conductive particles.
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