JP2015191898A - CeドープのPZT系圧電体膜形成用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ceドープの複合金属酸化物からなるPZT系圧電体膜の形成に用いられる組成物は、複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むPZT系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン等とを含む。組成物中の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が、(1.00〜1.28):(0.005〜0.05):(0.40〜0.55):(0.60〜0.45)を満たし、かつZrとTiの金属原子比の合計割合が1となる割合で、PZT系前駆体を含む。組成物100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が酸化物濃度で17〜35質量%であり、組成物100質量%中のジオールの割合が16〜56質量%であり、ポリビニルピロリドン等の割合がPZT系前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルである。
【選択図】図1
Description
+(300clogηrel +(c+1.5clogηrel)2)1/2/(0.15c+0.003c2)
上記式中、「ηrel」は、ポリビニルピロリドン水溶液の水に対する相対粘度を示し、「c」は、ポリビニルピロリドン水溶液中のポリビニルピロリドン濃度(%)を示す。
先ず、反応容器に酢酸鉛三水和物(Pb源)とプロピレングリコール(ジオール)とを入れ、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流した後、この反応容器に2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)、チタンテトライソプロポキシド(Ti源)及びアセチルアセトン(安定化剤)を更に加え、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流して反応させることにより、合成液を調製した。ここで、上記酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.005:0.40:0.60となるように秤量した。またプロピレングリコール(ジオール)はCeドープのPZT系前駆体1モルに対して7モル(37質量%)となるように添加し、アセチルアセトン(安定化剤)はCeドープのPZT系前駆体1モルに対して2モルとなるように添加した。次いで上記合成液100質量%中に占めるCeドープのPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で35%となるように減圧蒸留を行って不要な溶媒を除去した。ここで、合成液中に占めるCeドープのPZT系前駆体の濃度における酸化物濃度とは、合成液に含まれる全ての金属原子が目的の酸化物になったと仮定して算出した、合成液100質量%に占める金属酸化物の濃度をいう。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.005:0.50:0.50となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.005:0.50:0.50であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.005:0.50:0.50となり、一般式:Pb1.01Ce0.005Zr0.50Ti0.50O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.005:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体のの金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.005:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.005:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.01Ce0.005Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.005:0.55:0.45となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.005:0.55:0.45であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.005:0.55:0.45となり、一般式:Pb1.01Ce0.005Zr0.55Ti0.45O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.01:0.40:0.60となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.01:0.40:0.60であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.01:0.40:0.60となり、一般式:Pb1.01Ce0.01Zr0.40Ti0.60O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.01:0.50:0.50となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.01:0.50:0.50であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.01:0.50:0.50となり、一般式:Pb1.01Ce0.01Zr0.50Ti0.50O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.01:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.01:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.01:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.01Ce0.01Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.01:0.55:0.45となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.01:0.55:0.45であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.01:0.55:0.45となり、一般式:Pb1.01Ce0.01Zr0.55Ti0.45O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.40:0.60となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.40:0.60であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.40:0.60となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.40Ti0.60O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.50:0.50となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.50:0.50であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.50:0.50となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.50Ti0.50O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.55:0.45となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.55:0.45であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.55:0.45となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.55Ti0.45O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.05:0.40:0.60となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比は1.15:0.05:0.40:0.60であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.04:0.05:0.40:0.60となり、一般式:Pb1.04Ce0.05Zr0.40Ti0.60O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.05:0.50:0.50となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.05:0.50:0.50であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.04:0.05:0.50:0.50となり、一般式:Pb1.04Ce0.05Zr0.50Ti0.50O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.05:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.05:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.04:0.05:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.04Ce0.05Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.05:0.55:0.45となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.05:0.55:0.45であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.04:0.05:0.55:0.45となり、一般式:Pb1.04Ce0.05Zr0.55Ti0.45O3で表される。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.01モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.025モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.075モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.25モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して16質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して28質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して42質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して56質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.00:0.03:0.52:0.48となるように秤量し、ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.05モルとし、更にプロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して30質量%としたこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.00:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が0.95:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb0.95Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.05:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例25と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.05:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が0.99:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb0.99Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例25と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.01Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.28:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例25と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.28:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.15Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.004:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.004:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.01:0.004:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.01Ce0.004Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.06:0.40:0.60となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.06:0.40:0.60であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.04:0.06:0.40:0.60となり、一般式:Pb1.04Ce0.06Zr0.40Ti0.60O3で表される。
2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)を添加しなかった、即ち酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.02:0:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.02Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.38:0.62となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.38:0.62であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.38:0.62となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.38Ti0.62O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.15:0.03:0.57:0.43となるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にしてPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.15:0.03:0.57:0.43であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.03:0.03:0.57:0.43となり、一般式:Pb1.03Ce0.03Zr0.57Ti0.43O3で表される。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.005モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
ポリビニルピロリドン(PVP)の混合割合をCeドープのPZT系前駆体1モルに対して0.30モルとしたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して15質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
プロピレングリコール(ジオール)の混合割合を組成物100質量%に対して60質量%としたこと以外は、実施例5と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が0.99:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例25と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は0.99:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が0.93:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb0.93Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸セリウム(Ce源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)は、CeをドープしたPZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.29:0.03:0.52:0.48となるように秤量したこと以外は、実施例25と同様にしてCeドープのPZT系圧電体膜を形成した。なお、PZT系前駆体の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)は1.29:0.03:0.52:0.48であったけれども、Pbの一部が焼成により蒸発して飛んでしまい、焼成後のCeドープのPZT系圧電体膜は、金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が1.16:0.03:0.52:0.48となり、一般式:Pb1.16Ce0.03Zr0.52Ti0.48O3で表される。
実施例1〜28及び比較例1〜11で形成したCeドープのPZT系圧電体膜について、ヒステリシスのずれ、比誘電率、圧電定数e31.f及びクラックの有無をそれぞれ測定した。圧電体膜のヒステリシスのずれは、オシロスコープを用いて測定した。具体的には、先ずCeドープのPZT系圧電体膜の上面に、スパッタ法により200μmφの一対の電極をそれぞれ形成した後、RTAを用いて、酸素雰囲気中で700℃に1分間保持して、ダメージを回復するためのアニーリングを行い、MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタ構造を作製し、この構造体を試験サンプルとした。また、圧電体膜の比誘電率の測定は、強誘電体評価装置(aix ACCT社製:TF−analyzer2000)を用いて測定した。また、圧電定数e31.fの測定は、圧電評価装置(aix ACCT社製:aixPES)を用いて測定した。具体的には、先ず、CeドープのPZT系圧電体膜にPt上部電極を形成した後、パターニングして短冊状に加工した。次に、圧電評価装置により、CeドープのPZT系圧電体膜に歪みを印加して生じた電荷量を測定し圧電定数e31.fを求めた。更に、クラックの有無は、上記膜厚測定に用いた走査型電子顕微鏡により膜表面及び膜断面の組織を走査型電子顕微鏡(SEM)により撮影した画像を観察し、このSEM画像からクラックの有無を観察した。そして、クラックが観察されなかった状態であったときを『クラック無し』とし、クラックが観察された状態であったときを『クラック有り』とした。これらの結果を表1及び表2に示す。
Claims (2)
- Ceドープの複合金属酸化物からなるPZT系圧電体膜の形成に用いられる組成物であり、
前記複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むPZT系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールとを含み、
前記組成物中の金属原子比(Pb:Ce:Zr:Ti)が、(1.00〜1.28):(0.005〜0.05):(0.40〜0.55):(0.60〜0.45)を満たし、かつ前記Zrと前記Tiの金属原子比の合計割合が1となる割合で、前記PZT系前駆体を含み、
前記組成物100質量%中に占める前記PZT系前駆体の濃度が酸化物濃度で17〜35質量%であり、
前記組成物100質量%中の前記ジオールの割合が16〜56質量%であり、
前記ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールの割合が前記PZT系前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルである、CeドープのPZT系圧電体膜形成用組成物。 - 前記組成物100質量%中の添加割合が0.6〜10質量%である炭素数6以上12以下の直鎖状モノアルコールを更に含有する請求項1記載のCeドープのPZT系圧電体膜形成用組成物。
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