JP2015179584A - Light emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子に関する。 The present invention relates to a light emitting element.
有機発光層を有する有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光素子、或いはその他の発光素子においては、発生した光のうち外部に放射される光の割合（光取り出し効率）を向上することが望まれている。 In an organic EL (Electro Luminescence) light-emitting element having an organic light-emitting layer, or other light-emitting elements, it is desired to improve the ratio of light emitted to the outside (light extraction efficiency) of the generated light.
発光素子の光取り出し効率向上に関して、各種の先行技術がある。 There are various prior arts for improving the light extraction efficiency of a light emitting element.
特許文献１には、透光性基板と、透光性基板の表面に形成される透明導電膜とからなる面発光素子用基板が記載されている。透光性基板は、ピラミッド形状、レンズ形状などの凹凸面を有している。この凹凸面は、透明平坦化膜により平坦化されている。そして、透明平坦化膜の屈折率ｎｄ１と、透明導電膜の屈折率ｎｄ２との関係が、ｎｄ１／ｎｄ２≧０．９である。 Patent Document 1 describes a surface light emitting device substrate including a light-transmitting substrate and a transparent conductive film formed on the surface of the light-transmitting substrate. The translucent substrate has an uneven surface such as a pyramid shape or a lens shape. This uneven surface is flattened by a transparent flattening film. The relationship between the refractive index nd1 of the transparent planarizing film and the refractive index nd2 of the transparent conductive film is nd1 / nd2 ≧ 0.9.
特許文献２には、可視光に対する透光性を有する構造体と、構造体の一方の面上に設けられた高屈折率材料層と、高屈折率材料層上に設けられた発光領域を含む発光体と、を有する発光素子が記載されている。高屈折率材料層および発光領域の屈折率は、それぞれ１．６以上である。構造体の屈折率は、１．０より高く、且つ、高屈折率材料層の屈折率よりも低い。そして、構造体の表裏には、それぞれ凹凸構造が形成されている。 Patent Document 2 includes a structure having a property of transmitting visible light, a high refractive index material layer provided on one surface of the structure, and a light emitting region provided on the high refractive index material layer. And a light emitting element having a light emitter. Each of the high refractive index material layer and the light emitting region has a refractive index of 1.6 or more. The refractive index of the structure is higher than 1.0 and lower than the refractive index of the high refractive index material layer. And the uneven structure is formed in the front and back of a structure, respectively.
特許文献３には、単結晶基板の光出射面側に光取出し膜を有するＬＥＤ用基板が記載されている。このＬＥＤ用基板の光取出し膜はミクロンオーダーの凹凸を有している。光取出し膜の最表面は、アモルファスアルミナあるいはアルミナ水和物を主成分とするナノオーダーのランダム微細凹凸構造からなる。 Patent Document 3 describes an LED substrate having a light extraction film on the light emitting surface side of a single crystal substrate. The light extraction film of this LED substrate has irregularities on the order of microns. The outermost surface of the light extraction film is composed of a nano-order random fine uneven structure mainly composed of amorphous alumina or alumina hydrate.
本発明者の検討によれば、特許文献１、２の技術は、単に凹凸構造を利用して光取り出し効率の向上を図る技術であり、光取り出し効率について改善の余地がある。 According to the study of the present inventor, the techniques of Patent Documents 1 and 2 are techniques for improving the light extraction efficiency by simply using the concavo-convex structure, and there is room for improvement in the light extraction efficiency.
また、特許文献３の技術は、光取出し膜の最表面に、アモルファスアルミナあるいはアルミナ水和物を主成分とするナノオーダーのランダム微細凹凸構造が成膜されているため、発光素子の界面の数が増加する。このため、ミクロンオーダーの凹凸と、ナノオーダーの微細凹凸構造と、を備えることによる光取り出し効率の向上作用が、界面の増加による光取り出し効率の低下作用によって相殺されてしまう可能性がある。 In the technique of Patent Document 3, a nano-order random fine concavo-convex structure mainly composed of amorphous alumina or alumina hydrate is formed on the outermost surface of the light extraction film. Will increase. For this reason, there is a possibility that the effect of improving the light extraction efficiency due to the provision of the micron-order unevenness and the nano-order fine unevenness structure is offset by the light extraction efficiency decreasing effect due to the increase in the interface.
本発明が解決しようとする課題としては、より効果的に発光素子の光取り出し効率を向上することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to improve the light extraction efficiency of the light emitting element more effectively.
請求項１に記載の発明は、
相互に積層された複数の層を有し、
前記複数の層には発光層が含まれ、
前記複数の層のうち、互いに屈折率が異なる層どうしの界面に、第１の凹凸が形成され、
前記第１の凹凸の表面には、光を散乱させる光散乱加工が施されている発光素子である。
The invention described in claim 1
Having a plurality of layers stacked on each other;
The plurality of layers includes a light emitting layer,
Of the plurality of layers, first irregularities are formed at the interface between layers having different refractive indexes,
The surface of the first unevenness is a light emitting element that is subjected to light scattering processing for scattering light.
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
図１は実施形態に係る発光素子１００の模式的な断面図である。図２は第１の凹凸１０および光散乱加工（例えば、第２の凹凸２０）を有する界面１１５の近傍の模式的な断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the interface 115 having the first unevenness 10 and light scattering processing (for example, the second unevenness 20).
本実施形態に係る発光素子１００は、相互に積層された複数の層を有している。これら複数の層には発光層が含まれている。複数の層のうち、互いに屈折率が異なる層どうしの界面（例えば界面１１５）に、第１の凹凸１０が形成されている。第１の凹凸１０の表面には、光を散乱（拡散）させる光散乱加工（例えば、第２の凹凸２０）が施されている。この発光素子１００は、例えばディスプレイ、照明装置、又は光通信装置の光源として用いることができる。 The light emitting element 100 according to the present embodiment has a plurality of layers stacked on each other. The plurality of layers include a light emitting layer. Of the plurality of layers, the first unevenness 10 is formed at the interface (for example, the interface 115) between layers having different refractive indexes. The surface of the first unevenness 10 is subjected to light scattering processing (for example, the second unevenness 20) that scatters (diffuses) light. The light emitting element 100 can be used as a light source of a display, a lighting device, or an optical communication device, for example.
以下においては、説明を簡単にするため、発光素子の各構成要素の位置関係（上下関係等）が各図に示す関係であるものとして説明を行う。ただし、この説明における位置関係は、発光素子の使用時の位置関係とは必ずしも一致しない。 In the following, for the sake of simplicity, the description will be made assuming that the positional relationship (vertical relationship, etc.) of each component of the light emitting element is the relationship shown in each drawing. However, the positional relationship in this description does not necessarily match the positional relationship when the light emitting element is used.
発光素子は、どのような発光方式のものであっても良い。発光素子は、例えば、有機ＥＬ発光素子、無機ＥＬ発光素子とすることができる。或いは、発光素子は、ＬＥＤを有するもの、例えばアレイ状に配列された複数のＬＥＤを有するものであっても良い。 The light emitting element may be of any light emitting type. The light emitting element can be, for example, an organic EL light emitting element or an inorganic EL light emitting element. Alternatively, the light emitting element may have an LED, for example, a plurality of LEDs arranged in an array.
本実施形態では、一例として、発光素子１００が有機ＥＬ発光素子である例を説明する。 In the present embodiment, an example in which the light emitting element 100 is an organic EL light emitting element will be described as an example.
この発光素子１００は、例えば図１に示すように、発光層を含む有機機能層１４０と、第１電極１３０と、第２電極１５０と、第１透光層１１０と、第２透光層１２０と、を備えている。 For example, as illustrated in FIG. 1, the light emitting element 100 includes an organic functional layer 140 including a light emitting layer, a first electrode 130, a second electrode 150, a first light transmitting layer 110, and a second light transmitting layer 120. And.
有機機能層１４０は、第１電極１３０と第２電極１５０との間に配置されている。図１において、第１電極１３０は有機機能層１４０の上面に設けられ、第２電極１５０は有機機能層１４０の下面に設けられている。 The organic functional layer 140 is disposed between the first electrode 130 and the second electrode 150. In FIG. 1, the first electrode 130 is provided on the upper surface of the organic functional layer 140, and the second electrode 150 is provided on the lower surface of the organic functional layer 140.
第１電極１３０は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物導電体からなる透明電極である。ただし、第１電極１３０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。 The first electrode 130 is a transparent electrode made of a metal oxide conductor such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). However, the first electrode 130 may be a metal thin film that is thin enough to transmit light.
第２電極１５０は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの金属層からなる反射電極である。第２電極１５０は、有機機能層１４０から第２電極１５０側に向かう光を、第１透光層１１０側に向けて反射する。ただし、第２電極１５０をＩＴＯやＩＺＯなどの金属酸化物導電体からなる透明電極とし、第２電極１５０よりも下層に光反射層（図示略）を設けても良い。 The second electrode 150 is a reflective electrode made of a metal layer such as Ag, Au, or Al. The second electrode 150 reflects light traveling from the organic functional layer 140 toward the second electrode 150 toward the first light transmissive layer 110. However, the second electrode 150 may be a transparent electrode made of a metal oxide conductor such as ITO or IZO, and a light reflecting layer (not shown) may be provided below the second electrode 150.
第１電極１３０と第２電極１５０とのうちの何れか一方が陽極で、何れか他方が陰極である。陰極を構成する材料と陽極を構成する材料とは、仕事関数が互いに異なっている。 One of the first electrode 130 and the second electrode 150 is an anode, and the other is a cathode. The material constituting the cathode and the material constituting the anode have different work functions.
第１電極１３０の上面側には、第２透光層１２０が設けられている。なお、第２透光層１２０と第１電極１３０は、相互に接していても良いし、それらの間に他の透光性の層が存在していても良い。 A second light transmissive layer 120 is provided on the upper surface side of the first electrode 130. Note that the second light transmitting layer 120 and the first electrode 130 may be in contact with each other, or another light transmitting layer may exist between them.
第２透光層１２０は、例えば、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの金属酸化物導電体、又は、高屈折率の透光性絶縁膜（例えば樹脂膜など）である。 The second light transmissive layer 120 is, for example, a metal oxide conductor such as ITO or IZO, or a high refractive index light transmissive insulating film (for example, a resin film).
第２透光層１２０の上面には、第１透光層１１０が設けられている。 A first light transmissive layer 110 is provided on the upper surface of the second light transmissive layer 120.
第１透光層１１０は、例えば、ガラスや樹脂などの透光性を有する材料からなる板状部材（基材）である。なお、第１透光層１１０は、透光性のフィルムであっても良い。 The 1st translucent layer 110 is a plate-shaped member (base material) which consists of material which has translucency, such as glass and resin, for example. The first light transmissive layer 110 may be a light transmissive film.
第１透光層１１０と第２透光層１２０とは互いに接しており、それらの間に界面１１５が形成されている。 The first light transmissive layer 110 and the second light transmissive layer 120 are in contact with each other, and an interface 115 is formed between them.
有機機能層１４０の発光層で発光した光は、第１透光層１１０の上面側へ放射される。ここで、第１透光層１１０の上面が、発光素子１００から外部に光を放射する光取り出し面となっていても良いし、第１透光層１１０の上面に光取り出し膜が設けられ、この光取り出し膜の上面が光取り出し面となっていても良い。 The light emitted from the light emitting layer of the organic functional layer 140 is emitted to the upper surface side of the first light transmissive layer 110. Here, the upper surface of the first light transmissive layer 110 may be a light extraction surface that emits light from the light emitting element 100 to the outside, or a light extraction film is provided on the upper surface of the first light transmissive layer 110, The upper surface of the light extraction film may be a light extraction surface.
このように、発光素子１００は、相互に積層された複数の層、例えば、第１透光層１１０、第２透光層１２０、第１電極１３０、有機機能層１４０および第２電極１５０を有している。 As described above, the light emitting device 100 includes a plurality of layers stacked on each other, for example, the first light transmitting layer 110, the second light transmitting layer 120, the first electrode 130, the organic functional layer 140, and the second electrode 150. doing.
これら複数の層のうち、互いに屈折率が異なる層どうしの界面に、第１の凹凸１０が形成されている。例えば、第１透光層１１０と第２透光層１２０との界面１１５に、第１の凹凸１０が形成されている。 Of these plural layers, the first unevenness 10 is formed at the interface between layers having different refractive indexes. For example, the first unevenness 10 is formed at the interface 115 between the first light transmitting layer 110 and the second light transmitting layer 120.
第１の凹凸１０の凸部の形状及び凹部の形状は、特に限定されないが、例えば、円錐状、ピラミッド形状（四角錐形状）、その他の角錐形状、レンズ形状等の形状とすることができる。第１の凹凸１０の凸部及び凹部は、規則的に（周期的に）配置されていても良いし、不規則に配置されていても良い。 The shape of the convex portion and the shape of the concave portion of the first unevenness 10 are not particularly limited, and may be, for example, a cone shape, a pyramid shape (quadrangular pyramid shape), other pyramid shapes, a lens shape, or the like. The convex portions and concave portions of the first unevenness 10 may be regularly (periodically) arranged or irregularly arranged.
第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径（図２に示す直径Ｄ１等）は、それぞれ可視光の波長よりも大きいことが好ましい。第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径は、例えば、７６０ｎｍ以上とすることができ、１μｍ以上であることが更に好ましい。すなわち、第１の凹凸１０は、例えば、ミクロンオーダーの凹凸形状とすることができる。ここで、第１の凹凸１０における凹部の直径とは、例えば、発光素子１００を平面視したときの第１の凹凸１０における凹部の円相当径を意味する。同様に、第１の凹凸１０における凸部の直径とは、例えば、発光素子１００を平面視したときの第１の凹凸１０における凸部の円相当径を意味する。 It is preferable that the diameters (such as the diameter D1 shown in FIG. 2) of the concave portions and the convex portions in the first unevenness 10 are each larger than the wavelength of visible light. The diameter of the concave portion and the convex portion in the first unevenness 10 can be, for example, 760 nm or more, and more preferably 1 μm or more. That is, the 1st unevenness | corrugation 10 can be made into the uneven | corrugated shape of a micron order, for example. Here, the diameter of the recess in the first unevenness 10 means, for example, the equivalent circle diameter of the recess in the first unevenness 10 when the light emitting element 100 is viewed in plan. Similarly, the diameter of the convex part in the 1st unevenness | corrugation means the circle equivalent diameter of the convex part in the 1st unevenness | corrugation 10 when the light emitting element 100 is planarly viewed, for example.
第１の凹凸１０の表面には、光を散乱させる光散乱加工が施されている。すなわち、第１の凹凸１０の表面自体が、光散乱作用を持つ形状に加工されている。 The surface of the first unevenness 10 is subjected to light scattering processing for scattering light. That is, the surface itself of the first unevenness 10 is processed into a shape having a light scattering action.
光散乱加工は、例えば、図２に示すように、第１の凹凸１０の表面に形成された第２の凹凸２０である。第２の凹凸２０は、第１の凹凸１０よりも微小な凹凸である。すなわち、第２の凹凸２０における凹部及び凸部の直径（図２に示す直径Ｄ２等）は、第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径よりも小さい。ここで、第２の凹凸２０における凹部及び凸部の直径とは、例えば、第１の凹凸１０の表面を、当該表面に直交する方向に見たときの、第２の凹凸２０の円相当径である（図２参照）。 The light scattering processing is, for example, the second unevenness 20 formed on the surface of the first unevenness 10 as shown in FIG. The second irregularities 20 are finer irregularities than the first irregularities 10. That is, the diameters of the concave and convex portions (such as the diameter D2 shown in FIG. 2) in the second concave and convex portion 20 are smaller than the diameters of the concave and convex portions in the first concave and convex portion 10. Here, the diameters of the recesses and protrusions in the second unevenness 20 are, for example, equivalent circle diameters of the second unevenness 20 when the surface of the first unevenness 10 is viewed in a direction perpendicular to the surface. (See FIG. 2).
第１透光層１１０の屈折率は、例えば、１．４０以上１．５５以下とすることができる。第２透光層１２０の屈折率は、例えば、１．７０以上２．０以下とすることができる。 The refractive index of the first light transmissive layer 110 can be, for example, 1.40 or more and 1.55 or less. The refractive index of the second light transmissive layer 120 can be, for example, 1.70 or more and 2.0 or less.
なお、第２透光層１２０の下面は、例えば平坦化されている。 In addition, the lower surface of the 2nd translucent layer 120 is planarized, for example.
次に、動作を説明する。 Next, the operation will be described.
第１電極１３０と第２電極１５０との間に電圧が印加されることにより、有機機能層１４０の発光層が発光する。第１透光層１１０、第２透光層１２０、第１電極１３０及び有機機能層１４０は、いずれも、有機機能層１４０の発光層が発光した光の少なくとも一部を透過させる。発光層が発光した光の一部は、第１透光層１１０の上面側の光取り出し面から、発光素子１００の外部に放射される（取り出される）。 When a voltage is applied between the first electrode 130 and the second electrode 150, the light emitting layer of the organic functional layer 140 emits light. The first light transmissive layer 110, the second light transmissive layer 120, the first electrode 130, and the organic functional layer 140 all transmit at least part of the light emitted from the light emitting layer of the organic functional layer 140. Part of the light emitted from the light emitting layer is emitted (extracted) from the light extraction surface on the upper surface side of the first light transmissive layer 110 to the outside of the light emitting element 100.
発光素子１００には、互いに屈折率が異なる層どうしの界面１１５に、第１の凹凸１０が形成されているので、界面１１５における光の全反射を抑制し、光取り出し効率を向上することができる。つまり、第１の凹凸１０が存在しない場合と比べて、光取り出し効率を向上することができる。 In the light emitting element 100, since the first unevenness 10 is formed at the interface 115 between layers having different refractive indexes, total reflection of light at the interface 115 can be suppressed and light extraction efficiency can be improved. . That is, the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where the first unevenness 10 does not exist.
ここで、比較形態について説明する。 Here, a comparative example will be described.
図３は比較形態に係る発光素子の構造を示す図であり、第１の凹凸１０のみが形成された界面１１５近傍の模式的な断面図である。比較形態に係る発光素子は、第２の凹凸２０等の光散乱加工を有していない点で、実施形態に係る発光素子１００と相違し、その他の点では、実施形態に係る発光素子１００と同様に構成されている。 FIG. 3 is a view showing the structure of the light emitting device according to the comparative embodiment, and is a schematic cross-sectional view in the vicinity of the interface 115 where only the first unevenness 10 is formed. The light-emitting element according to the comparative embodiment is different from the light-emitting element 100 according to the embodiment in that it does not have the light scattering processing such as the second unevenness 20, and the light-emitting element 100 according to the embodiment is otherwise different from the light-emitting element 100 according to the embodiment. It is constituted similarly.
比較形態に係る発光素子の場合、発光層側から光取り出し面側に向かう光のうち、図３に示す光Ｌ１１のように、界面１１５における臨界角以上の光は、界面１１５において全反射し（光Ｌ１２、Ｌ１３）、例えば、発光層側へ戻ってしまう。つまり、界面１１５に第１の凹凸１０が形成されているだけの場合、界面１１５を透過できない光が存在する。 In the case of the light-emitting element according to the comparative embodiment, among the light traveling from the light-emitting layer side to the light extraction surface side, light having a critical angle or more at the interface 115 is totally reflected at the interface 115 as light L11 shown in FIG. Light L12, L13), for example, returns to the light emitting layer side. That is, when the first unevenness 10 is only formed on the interface 115, there is light that cannot be transmitted through the interface 115.
これに対し、図２に示すように、本実施形態のように、第１の凹凸１０に、第２の凹凸２０等の光散乱加工が施されている場合、図２に示す光Ｌ１のように、界面１１５における臨界角以上の光であっても、界面１１５にて様々な方向に向けて散乱させることができるので、その一部（光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４等）については、界面１１５を透過させて、光取り出し面側に向かわせることができる。つまり、光散乱加工によって、界面１１５に到達する光の向きを変化させ、界面１１５における臨界角以上の光の一部を発光素子１００の外部に取り出せるようにすることができる。
よって、本実施形態によれば、単に界面１１５に第１の凹凸１０が形成されている場合（図３の比較形態）と比べて、光取り出し効率を向上することができる。
On the other hand, as shown in FIG. 2, when the first unevenness 10 is subjected to light scattering processing such as the second unevenness 20 as in the present embodiment, the light L1 shown in FIG. In addition, even light having a critical angle or more at the interface 115 can be scattered in various directions at the interface 115, and for some of the light (light L 2, L 3, L 4, etc.) The light can be transmitted toward the light extraction surface. That is, by light scattering processing, the direction of light reaching the interface 115 can be changed, and a part of light having a critical angle or more at the interface 115 can be extracted to the outside of the light emitting element 100.
Therefore, according to the present embodiment, the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where the first unevenness 10 is simply formed on the interface 115 (comparative form in FIG. 3).
以上、本実施形態によれば、発光素子１００が有する複数の層のうち、互いに屈折率が異なる層どうしの界面１１５に、第１の凹凸１０が形成され、且つ、第１の凹凸１０の表面には、光を散乱させる光散乱加工が施されている。よって、第１の凹凸１０の存在により、界面１１５における光の全反射を抑制し、光取り出し効率を向上することができる。
更に、第１の凹凸１０の表面には、光を散乱させる光散乱加工が施されているので、界面１１５における臨界角以上の光を、界面１１５にて様々な方向に向けて散乱させることができるので、その一部の光については、界面１１５を透過させて、光取り出し面側に向かわせることができる。よって、単に界面１１５に第１の凹凸１０が形成されている場合と比べて、光取り出し効率を向上することができる。
また、第１の凹凸１０の上に光散乱用の別の層を積層するのではなく、第１の凹凸１０自体の表面が、光を散乱する形状に加工されている。すなわち、第１の凹凸１０と光散乱加工との間に界面が存在しない。よって、界面の増加による反射を抑制することができるため、より効果的に、発光素子１００の光取り出し効率を向上することができる。
As described above, according to the present embodiment, the first unevenness 10 is formed at the interface 115 between the layers having different refractive indexes among the plurality of layers of the light emitting element 100, and the surface of the first unevenness 10. Is subjected to light scattering processing for scattering light. Therefore, the presence of the first unevenness 10 can suppress the total reflection of light at the interface 115 and improve the light extraction efficiency.
Furthermore, since the surface of the first unevenness 10 is subjected to light scattering processing for scattering light, light having a critical angle or more at the interface 115 can be scattered in various directions at the interface 115. Therefore, part of the light can be transmitted through the interface 115 and directed toward the light extraction surface. Therefore, the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where the first unevenness 10 is simply formed on the interface 115.
Further, instead of laminating another layer for scattering light on the first unevenness 10, the surface of the first unevenness 10 itself is processed into a shape that scatters light. That is, no interface exists between the first unevenness 10 and the light scattering processing. Therefore, since reflection due to an increase in the interface can be suppressed, the light extraction efficiency of the light-emitting element 100 can be more effectively improved.
また、第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径は、可視光の波長よりも大きいので、より確実に、第１透光層１１０と第２透光層１２０との屈折率差を利用して、第１の凹凸１０により光取り出し効率を向上させることができる。 Moreover, since the diameters of the concave portions and the convex portions in the first unevenness 10 are larger than the wavelength of visible light, the refractive index difference between the first light transmitting layer 110 and the second light transmitting layer 120 is more reliably used. Thus, the light extraction efficiency can be improved by the first unevenness 10.
また、光散乱加工は、第１の凹凸１０の表面に形成された第２の凹凸２０であり、第２の凹凸２０は、第１の凹凸１０よりも微小な凹凸である。よって、第１の凹凸１０の表面に微小な凹凸を形成するだけで、容易に、光取り出し効率を向上することができる。 The light scattering processing is the second unevenness 20 formed on the surface of the first unevenness 10, and the second unevenness 20 is an unevenness that is finer than the first unevenness 10. Therefore, the light extraction efficiency can be easily improved only by forming minute irregularities on the surface of the first irregularity 10.
（実施例１）
図４は実施例１に係る発光素子１００の模式的な断面図である。図５は実施例１に係る発光素子１００の第１の凹凸１０及び光散乱加工（第２の凹凸２０）を有する界面１１５近傍の模式的な断面図である。本実施例に係る発光素子１００は、以下に説明する点で、上記の実施形態に係る発光素子１００と相違し、その他の点では、上記の実施形態に係る発光素子１００と同様に構成されている。
Example 1
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device 100 according to the first embodiment. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the interface 115 having the first unevenness 10 and the light scattering processing (second unevenness 20) of the light emitting device 100 according to the first embodiment. The light emitting device 100 according to this example is different from the light emitting device 100 according to the above embodiment in the points described below, and is otherwise configured in the same manner as the light emitting device 100 according to the above embodiment. Yes.
本実施例の場合も、第１透光層１１０と第２透光層１２０との界面１１５に、第１の凹凸１０が形成されている。 Also in the present embodiment, the first unevenness 10 is formed at the interface 115 between the first light transmitting layer 110 and the second light transmitting layer 120.
第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径は、可視光の波長よりも大きい。第１の凹凸１０は、例えば、ミクロンオーダーの凹凸とすることができる。第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径Ｄ１（図５）は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。したがって、第１の凹凸１０における凸部の周期（ピッチ）、並びに、凹部の周期（ピッチ）は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。 The diameters of the concave portions and the convex portions in the first unevenness 10 are larger than the wavelength of visible light. The first irregularities 10 can be, for example, irregularities on the order of microns. The diameter D1 (FIG. 5) of the concave portion and the convex portion in the first unevenness 10 can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. Therefore, the period (pitch) of the convex part and the period (pitch) of the concave part in the first unevenness 10 can be set to, for example, 10 μm or more and 200 μm or less.
第１の凹凸１０における凸部の高さと直径との比（高さ／直径）は、例えば、０．２以上０．８以下とすることができる。同様に、第１の凹凸１０における凹部の深さと直径との比（深さ／直径）は、例えば、０．２以上０．８以下とすることができる。 The ratio (height / diameter) between the height and the diameter of the protrusions in the first unevenness 10 can be, for example, 0.2 or more and 0.8 or less. Similarly, the ratio (depth / diameter) between the depth and the diameter of the recess in the first unevenness 10 can be set to be 0.2 or more and 0.8 or less, for example.
界面１１５において、第１の凹凸１０が形成された範囲における平面割合は、２０％以下であることが好ましい。ここで、平面割合とは、凹部でも凸部でもない平坦な部分の面積の割合を意味する。 In the interface 115, the plane ratio in the range where the first unevenness 10 is formed is preferably 20% or less. Here, the plane ratio means the ratio of the area of a flat portion that is neither a concave portion nor a convex portion.
一方、第２の凹凸２０は、第１の凹凸１０よりも微小な凹凸である。第２の凹凸２０は、例えば、ナノオーダーの凹凸とすることができる。また、第２の凹凸２０における凹部及び凸部の配置は、ランダムな配置とすることができる。第２の凹凸２０における凹部及び凸部の直径Ｄ２（図５）は、例えば、第１の凹凸１０における凹部及び凸部の直径Ｄ１の１／１０以下とすることができる。より具体的には、例えば、直径Ｄ２は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。 On the other hand, the second unevenness 20 is a finer unevenness than the first unevenness 10. The second irregularities 20 can be, for example, nano-order irregularities. Moreover, the arrangement | positioning of the recessed part and convex part in the 2nd unevenness | corrugation 20 can be made into random arrangement | positioning. The diameter D2 (FIG. 5) of the concave and convex portions in the second concave and convex portion 20 can be, for example, 1/10 or less of the diameter D1 of the concave and convex portions in the first concave and convex portion 10. More specifically, for example, the diameter D2 can be 10 nm or more and 1000 nm or less.
第２の凹凸２０の表面粗さＲａは、例えば、０．０３μｍ以上２μｍ以下とすることができる。
また、第２の凹凸２０における凸部の密度、並びに、凹部の密度は、例えば、１×１０８個／ｍｍ２以上１×１０１０個／ｍｍ２以下とすることができる。
The surface roughness Ra of the second unevenness 20 can be set to 0.03 μm or more and 2 μm or less, for example.
The density of the protrusions in the second uneven 20, as well as the density of the recesses, for example, be 1 × 10 10 pieces / mm 2 or less 1 × 10 8 pieces / mm 2 or more.
本実施例の場合、図１に示すように、発光素子１００は、例えば、第２透光層１２０と第１電極１３０との間に設けられたバリア層１７０を有している。バリア層１７０は、例えば、ＳｉＯ２薄膜などである。 In the case of this example, as illustrated in FIG. 1, the light emitting element 100 includes, for example, a barrier layer 170 provided between the second light transmitting layer 120 and the first electrode 130. The barrier layer 170 is, for example, a SiO 2 thin film.
更に、発光素子１００は、第１透光層１１０の上面に設けられた光取り出し膜１８０を有している。本実施例では、光取り出し膜１８０の上面が、光取り出し面となっている。 Furthermore, the light emitting element 100 includes a light extraction film 180 provided on the upper surface of the first light transmissive layer 110. In this embodiment, the upper surface of the light extraction film 180 is a light extraction surface.
光取り出し膜１８０の上面には、凹凸が形成されている。この凹凸の形状は、特に限定されないが、例えば、光取り出し膜１８０の上面は、半球状、ピラミッド状（正四角錐状）、正三角錐状の凸部を正方格子状又は六方最密格子状のアレイ状に配置した形状となっている。光取り出し膜１８０の上面の凹凸は、ミクロンオーダーのものとすることができる。この凸部の高さと直径との比率は、例えば０．４以上０．８以下とすることができる。光取り出し膜１８０の屈折率は、例えば、１．４０以上１．５５以下とすることができる。 Irregularities are formed on the upper surface of the light extraction film 180. The shape of the unevenness is not particularly limited. For example, the upper surface of the light extraction film 180 has a hemispherical, pyramidal (regular quadrangular pyramidal), or equilateral triangular pyramidal convex portion that is a square lattice or hexagonal close-packed lattice array. The shape is arranged in a shape. The unevenness on the upper surface of the light extraction film 180 can be of the micron order. The ratio between the height and the diameter of the convex portion can be set to 0.4 to 0.8, for example. The refractive index of the light extraction film 180 can be, for example, 1.40 or more and 1.55 or less.
また、第２電極１５０の下面側には、有機機能層１４０を大気や水分から保護するための封止部１６０が設けられている。 In addition, a sealing portion 160 for protecting the organic functional layer 140 from the atmosphere and moisture is provided on the lower surface side of the second electrode 150.
次に、有機機能層１４０の層構造の例について説明する。 Next, an example of the layer structure of the organic functional layer 140 will be described.
図６（ａ）は有機機能層１４０の層構造の第１例を示す断面図である。この有機機能層１４０は、正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、発光層１４３、電子輸送層１４４、及び電子注入層１４５をこの順に積層した構造を有している。すなわち有機機能層１４０は、有機エレクトロルミネッセンス発光層である。なお、正孔注入層１４１及び正孔輸送層１４２の代わりに、これら２つの層の機能を有する一つの層を設けてもよい。同様に、電子輸送層１４４及び電子注入層１４５の代わりに、これら２つの層の機能を有する一つの層を設けてもよい。 FIG. 6A is a cross-sectional view showing a first example of the layer structure of the organic functional layer 140. The organic functional layer 140 has a structure in which a hole injection layer 141, a hole transport layer 142, a light emitting layer 143, an electron transport layer 144, and an electron injection layer 145 are stacked in this order. That is, the organic functional layer 140 is an organic electroluminescence light emitting layer. Note that instead of the hole injection layer 141 and the hole transport layer 142, one layer having the functions of these two layers may be provided. Similarly, instead of the electron transport layer 144 and the electron injection layer 145, one layer having the functions of these two layers may be provided.
この例において、発光層１４３は、例えば赤色の光を発光する層、青色の光を発光する層又は緑色の光を発光する層である。この場合、平面視において、赤色の光を発光する発光層１４３を有する領域、緑色の光を発光する発光層１４３を有する領域、及び青色の光を発光する発光層１４３を有する領域が繰り返し設けられていても良い。この場合、各領域を同時に発光させると、発光素子は白色等の単一の発光色で発光する。 In this example, the light emitting layer 143 is, for example, a layer that emits red light, a layer that emits blue light, or a layer that emits green light. In this case, in a plan view, a region having a light emitting layer 143 that emits red light, a region having a light emitting layer 143 that emits green light, and a region having a light emitting layer 143 that emits blue light are repeatedly provided. May be. In this case, when each region emits light simultaneously, the light emitting element emits light in a single light emission color such as white.
なお、発光層１４３は、複数の色を発光するための材料を混ぜることにより、白色等の単一の発光色で発光するように構成されていても良い。 Note that the light-emitting layer 143 may be configured to emit light in a single emission color such as white by mixing materials for emitting a plurality of colors.
図６（ｂ）は有機機能層１４０の層構造の第２例を示す断面図である。この有機機能層１４０の発光層１４３は、発光層１４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃをこの順に積層した構成を有している。発光層１４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃは、互いに異なる色の光（例えば赤、緑、及び青）を発光する。そして発光層１４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃが同時に発光することにより、発光素子は白色等の単一の発光色で発光する。 FIG. 6B is a cross-sectional view showing a second example of the layer structure of the organic functional layer 140. The light emitting layer 143 of the organic functional layer 140 has a structure in which light emitting layers 143a, 143b, and 143c are stacked in this order. The light emitting layers 143a, 143b, and 143c emit light of different colors (for example, red, green, and blue). The light emitting layers 143a, 143b, and 143c emit light at the same time, so that the light emitting element emits light in a single light emission color such as white.
次に、本実施形態に係る発光素子１００を製造する方法の一例を説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the light emitting device 100 according to this embodiment will be described.
第１透光層１１０の一方の面（図４における下面）に、第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）を形成する。第１の凹凸１０および光散乱加工の形成方法については後述する。 The first unevenness 10 and the light scattering process (second unevenness 20) are formed on one surface (the lower surface in FIG. 4) of the first light transmitting layer 110. A method of forming the first unevenness 10 and the light scattering process will be described later.
次に、第１透光層１１０の一方の面に、第２透光層１２０を成膜する。これにより、第２透光層１２０における第１透光層１１０側の面にも、第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）が形成される。すなわち、第２透光層１２０における第１透光層１１０側の面は、第１透光層１１０の一方の面に形成された第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）を反映した形状となる。これにより、第１透光層１１０と第２透光層１２０との間に、第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）を有する界面１１５が形成される。なお、第２透光層１２０における第１透光層１１０側とは反対側の面は、例えば平坦に形成される。 Next, the second light transmitting layer 120 is formed on one surface of the first light transmitting layer 110. Thus, the first unevenness 10 and the light scattering process (second unevenness 20) are also formed on the surface of the second light transmitting layer 120 on the first light transmitting layer 110 side. That is, the surface of the second light transmitting layer 120 on the first light transmitting layer 110 side is the first unevenness 10 formed on one surface of the first light transmitting layer 110 and the light scattering process (second unevenness 20). The shape reflects. Thereby, the interface 115 which has the 1st unevenness | corrugation 10 and the light-scattering process (2nd unevenness | corrugation 20) is formed between the 1st translucent layer 110 and the 2nd translucent layer 120. FIG. In addition, the surface on the opposite side to the 1st translucent layer 110 side in the 2nd translucent layer 120 is formed flat, for example.
次に、第２透光層１２０における第１透光層１１０側とは反対側の面（図４における下面）に、ＳｉＯ２薄膜等を成膜し、バリア層１７０を形成する。 Next, a SiO 2 thin film or the like is formed on the surface of the second light transmissive layer 120 opposite to the first light transmissive layer 110 (the lower surface in FIG. 4) to form the barrier layer 170.
次に、バリア層１７０における第１透光層１１０側とは反対側の面（図４における下面）に、スパッタ法などによりＩＴＯやＩＺＯなどの金属酸化物導電体からなる透光性の導電膜を成膜し、エッチングによりこれをパターニングして第１電極１３０を形成する。 Next, a light-transmitting conductive film made of a metal oxide conductor such as ITO or IZO is formed on the surface of the barrier layer 170 opposite to the first light-transmitting layer 110 side (the lower surface in FIG. 4) by sputtering or the like. The first electrode 130 is formed by patterning this by etching.
次に、第１電極１３０における第２透光層１２０側とは反対側の面（図４における下面）に、有機材料を成膜することにより有機機能層１４０を形成する。 Next, the organic functional layer 140 is formed by depositing an organic material on the surface of the first electrode 130 opposite to the second light transmitting layer 120 (the lower surface in FIG. 4).
次に、有機機能層１４０における第１電極１３０側とは反対側の面（図４における下面）に、マスクを用いた蒸着法などによりＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属材料を所望のパターンに堆積させて、第２電極１５０を形成する。 Next, a metal material such as Ag, Au, or Al is deposited in a desired pattern on the surface of the organic functional layer 140 opposite to the first electrode 130 side (the lower surface in FIG. 4) by vapor deposition using a mask. Thus, the second electrode 150 is formed.
なお、必要に応じてバスラインや隔壁部をそれぞれ適切なタイミングで形成しても良い。また、第２電極１５０の下面には、封止層１６０を形成する。 In addition, you may form a bus line and a partition part at an appropriate timing as needed. Further, the sealing layer 160 is formed on the lower surface of the second electrode 150.
次に、第１透光層１１０に第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）を形成する方法の例を説明する。 Next, the example of the method of forming the 1st unevenness | corrugation 10 and the light-scattering process (2nd unevenness | corrugation 20) in the 1st translucent layer 110 is demonstrated.
図７は実施例１に係る発光素子の製造方法を説明するための図であり、このうち（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。図８（ａ）および（ｂ）は実施例１に係る発光素子の製造方法の一連の工程を示す断面図である。 7A and 7B are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to Example 1, in which (a) is a cross-sectional view and (b) is a plan view. 8A and 8B are cross-sectional views illustrating a series of steps in the method for manufacturing the light-emitting element according to Example 1. FIG.
先ず、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、第１透光層１１０の一方の面上に、所定のパターンのマスク７０を形成する。第１透光層１１０は、例えば、ガラス基板とすることができる。マスク７０の形状及び配置は特に限定されないが、一例として、円形のマスク７０を格子状に配置することができる。 First, as shown in FIGS. 7A and 7B, a mask 70 having a predetermined pattern is formed on one surface of the first light transmitting layer 110. The first light transmissive layer 110 can be a glass substrate, for example. Although the shape and arrangement | positioning of the mask 70 are not specifically limited, As an example, the circular mask 70 can be arrange | positioned at a grid | lattice form.
次に、図８（ａ）に示すように、サンドブラストを行うことより、第１透光層１１０の一方の面に凹部８０を形成する。つまり、第１の凹凸１０の原形となる凹凸８０が第１透光層１１０の一方の面に形成される。 Next, as shown in FIG. 8A, the concave portion 80 is formed on one surface of the first light transmitting layer 110 by sandblasting. That is, the unevenness 80 that is the original shape of the first unevenness 10 is formed on one surface of the first light transmitting layer 110.
次に、第１透光層１１０からマスク７０を除去した後、再度、サンドブラストを行うことにより、第１透光層１１０の一方の面の表面の凹凸８０を粗し加工する。これにより、図８（ｂ）に示すように、第１透光層１１０の一方の面には、最終形状の第１の凹凸１０が形成されるととともに、第１の凹凸１０の表面には微小な凹凸、すなわち、第２の凹凸２０が形成される。 Next, after removing the mask 70 from the first light-transmitting layer 110, the surface of the first light-transmitting layer 110 on one surface is roughened by sandblasting again. As a result, as shown in FIG. 8B, the first irregularities 10 having the final shape are formed on one surface of the first light-transmitting layer 110, and the first irregularities 10 are formed on the surface of the first irregularities 10. Minute irregularities, that is, second irregularities 20 are formed.
その後、上記のように、第１の凹凸１０および第２の凹凸２０が形成された第１透光層１１０の一方の面に、第２透光層１２０を成膜することにより、第１透光層１１０と第２透光層１２０との間に、第１の凹凸１０および光散乱加工（第２の凹凸２０）を有する界面１１５が形成される。 Thereafter, as described above, the first light-transmitting layer 120 is formed on one surface of the first light-transmitting layer 110 on which the first unevenness 10 and the second unevenness 20 are formed. Between the light layer 110 and the second light transmitting layer 120, an interface 115 having the first unevenness 10 and the light scattering process (second unevenness 20) is formed.
なお、ここでは、図８（ａ）に示す工程において、サンドブラスト法により凹凸８０を形成する例を説明したが、サンドブラスト法ではなく、ウェットエッチングによって凹凸８０を形成しても良い。 Here, although the example in which the unevenness 80 is formed by the sandblasting method in the step shown in FIG. 8A has been described, the unevenness 80 may be formed by wet etching instead of the sandblasting method.
図９は実施例１に係る発光素子１００の第１透光層１１０を示す図であり、このうち（ａ）は第１の凹凸１０及び光散乱加工（第２の凹凸２０）を有する表面近傍の断面の撮像画像を、（ｂ）は第１の凹凸１０及び光散乱加工（第２の凹凸２０）を有する表面を俯瞰した撮像画像を、それぞれ示す。すなわち、図９（ａ）および（ｂ）は、サンドブラスト法により実際に加工された第１透光層１１０の画像を示す。 FIG. 9 is a diagram illustrating the first light-transmitting layer 110 of the light-emitting element 100 according to Example 1, in which (a) indicates the vicinity of the surface having the first unevenness 10 and the light scattering processing (second unevenness 20). (B) shows the captured image which looked down at the surface which has the 1st unevenness | corrugation 10 and the light-scattering process (2nd unevenness | corrugation 20), respectively. That is, FIGS. 9A and 9B show images of the first light transmissive layer 110 actually processed by the sandblast method.
図９（ａ）および（ｂ）に示すように、相対的に大きい凹凸（第１の凹凸１０）の表面に、微小な凹凸（第２の凹凸２０）が形成されている。具体的には、第１の凹凸１０における凹部及び凸部は、ピッチが６０μｍ程度、深さ（高さ）３０μ程度の、円錐状の形状のものである。また、第１の凹凸１０の表面には、第１の凹凸１０の１／１００程度のＲａの第２の凹凸２０が形成されている。 As shown in FIGS. 9A and 9B, minute unevenness (second unevenness 20) is formed on the surface of relatively large unevenness (first unevenness 10). Specifically, the recesses and protrusions in the first unevenness 10 have a conical shape with a pitch of about 60 μm and a depth (height) of about 30 μm. In addition, on the surface of the first unevenness 10, Ra second unevenness 20 about 1/100 of the first unevenness 10 is formed.
図１０（ａ）は実施例１に係る発光素子１００を発光させた状態での界面１１５近傍の断面の撮像画像を示す図である。すなわち、図１０（ａ）は、図９に示す第１透光層１１０を用いて実際に製造された発光素子１００を発光させた状態で撮像した画像を示す。 FIG. 10A is a diagram illustrating a captured image of a cross section in the vicinity of the interface 115 in a state where the light emitting element 100 according to Example 1 emits light. That is, FIG. 10A shows an image captured in a state where the light emitting element 100 actually manufactured using the first light transmitting layer 110 shown in FIG. 9 is caused to emit light.
また、図１０（ｂ）は比較例１に係る発光素子を発光させた状態での界面１１５近傍の断面の撮像画像を示す図である。比較例１に係る発光素子は、界面１１５に第２の凹凸２０を有していない点で、実施例１に係る発光素子１００と相違し、その他の点では実施例１に係る発光素子１００と同様に構成されている。すなわち、図１０（ｂ）は、第２の凹凸２０を有していない点でのみ図９に示す第１透光層１１０と相違する第１透光層を用いて実際に製造された発光素子を発光させた状態で撮像した画像を示す。 FIG. 10B is a diagram illustrating a captured image of a cross section in the vicinity of the interface 115 in a state where the light emitting element according to Comparative Example 1 emits light. The light-emitting element according to Comparative Example 1 is different from the light-emitting element 100 according to Example 1 in that the second unevenness 20 is not provided at the interface 115, and the light-emitting element 100 according to Example 1 is otherwise different from the light-emitting element 100 according to Example 1. It is constituted similarly. That is, FIG. 10B shows a light-emitting element actually manufactured using a first light-transmitting layer different from the first light-transmitting layer 110 shown in FIG. 9 only in that the second unevenness 20 is not provided. The image image | photographed in the state which lighted was shown.
図１０（ａ）、（ｂ）とも、上方が光取り出し側となっている。図１０（ａ）と図１０（ｂ）との比較から、本実施例に係る発光素子１００は、比較例１に係る発光素子よりも光取り出し側が明るくなっていること、すなわち、光取り出し効率が向上していることが分かる。 10A and 10B, the upper side is the light extraction side. From a comparison between FIG. 10A and FIG. 10B, the light emitting element 100 according to this example is lighter on the light extraction side than the light emitting element according to Comparative Example 1, that is, the light extraction efficiency is higher. It can be seen that it has improved.
また、比較例２として、界面１１５に第１の凹凸１０および第２の凹凸２０を有していない点で、実施例１に係る発光素子１００と相違し、その他の点では実施例１に係る発光素子１００と同様に構成されている発光素子も製造した。 Further, as Comparative Example 2, the interface 115 is different from the light-emitting element 100 according to Example 1 in that the first unevenness 10 and the second unevenness 20 are not provided on the interface 115, and other points are related to Example 1. A light-emitting element configured similarly to the light-emitting element 100 was also manufactured.
そして、実施例１、比較例１および比較例２について、それぞれ発光した状態での光取り出し面の全光束量を測定した結果を説明する。
比較例２の場合、１７（１ｍ）となった。
比較例１に係る発光素子の場合、２０（ｌｍ）となった。つまり、第１の凹凸１０の存在により光取り出し効率が向上したことが分かる。
実施例１に係る発光素子１００の場合、２６（ｌｍ）となった。つまり、第１の凹凸１０の表面に第２の凹凸２０が存在することによって、光取り出し効率が顕著に向上したことが分かる。
Then, for Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the results of measuring the total luminous flux amount on the light extraction surface in the state where light is emitted will be described.
In the case of the comparative example 2, it was 17 (1 m).
In the case of the light emitting device according to Comparative Example 1, the value was 20 (lm). That is, it can be seen that the light extraction efficiency is improved by the presence of the first unevenness 10.
In the case of the light emitting device 100 according to Example 1, the value was 26 (lm). That is, it can be seen that the light extraction efficiency is significantly improved by the presence of the second unevenness 20 on the surface of the first unevenness 10.
以上のような本実施例によっても、上記の実施形態と同様の効果が得られる。 According to the present embodiment as described above, the same effect as that of the above embodiment can be obtained.
なお、第１の凹凸１０および第２の凹凸２０は、上記のように、サンドブラストを２回に分けて行うこと、或いは、ウェットエッチングとサンドブラストとを順次行うことによって、容易に形成することができる。 In addition, the 1st unevenness | corrugation 10 and the 2nd unevenness | corrugation 20 can be easily formed by performing sandblasting twice as mentioned above, or performing wet etching and sandblasting sequentially. .
また、第１透光層１１０の上面には光取り出し膜１８０が設けられていることにより、更に光取り出し効率が向上する。 In addition, since the light extraction film 180 is provided on the upper surface of the first light transmissive layer 110, the light extraction efficiency is further improved.
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
１０ 第１の凹凸
２０ 第２の凹凸（光散乱加工）
１００ 発光素子
１１０ 第１透光層
１１５ 界面
１２０ 第２透光層
10 First unevenness 20 Second unevenness (light scattering processing)
100 Light-Emitting Element 110 First Light Transmitting Layer 115 Interface 120 Second Light Transmitting Layer
Claims (3)
前記複数の層には発光層が含まれ、
前記複数の層のうち、互いに屈折率が異なる層どうしの界面に、第１の凹凸が形成され、
前記第１の凹凸の表面には、光を散乱させる光散乱加工が施されている発光素子。 Having a plurality of layers stacked on each other;
The plurality of layers includes a light emitting layer,
Of the plurality of layers, first irregularities are formed at the interface between layers having different refractive indexes,
The light emitting element by which the light-scattering process which scatters light is given to the surface of said 1st unevenness | corrugation.
前記第２の凹凸は、前記第１の凹凸よりも微小な凹凸である請求項１又は２に記載の発光素子。 The light scattering process is a second unevenness formed on the surface of the first unevenness,
The light-emitting element according to claim 1, wherein the second unevenness is an unevenness that is finer than the first unevenness.
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