JP2015170647A - Method of manufacturing connection body, connection method for electronic component, and connection body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品と回路基板とが接続された接続体の製造方法に関し、特に接着フィルムを介して電子部品を加圧することにより当該電子部品が回路基板に接続された接続体の製造方法、電子部品の接続方法及びこれにより製造された接続体に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a connection body in which an electronic component and a circuit board are connected, and in particular, a method for manufacturing a connection body in which the electronic component is connected to a circuit board by pressurizing the electronic component through an adhesive film, The present invention relates to an electronic component connection method and a connection body manufactured thereby.
従来、各種電子機器の回路基板にICチップやLSIチップ等の電子部品が接続された接続体が提供されている。近年、各種電子機器においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、電子部品として、実装面に突起状の電極であるバンプが配列されたICチップやLSIチップを用いて、これらICチップ等の電子部品を直接回路基板上に実装するいわゆるCOB(chip on board)や、COG(chip on glass)が採用されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a connection body is provided in which electronic components such as an IC chip and an LSI chip are connected to circuit boards of various electronic devices. In recent years, various electronic devices use IC chips or LSI chips in which bumps, which are protruding electrodes, are arranged on the mounting surface as electronic components from the viewpoints of fine pitch, light weight, and thinning. So-called COB (chip on board) or COG (chip on glass) for directly mounting electronic components on the circuit board is employed.
COB接続やCOG接続においては、回路基板の端子部上に、異方性導電フィルムを介してICチップが熱圧着されている。異方性導電フィルムは、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、2つの導体間で加熱圧着されることにより導電粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。異方性導電フィルムを構成する接着剤としては、通常、信頼性の高い熱硬化性の接着剤を用いるようになっている。また、光硬化性樹脂による接続や、熱硬化と光硬化を併用した接続方法も用いられている。 In COB connection and COG connection, an IC chip is thermocompression-bonded on a terminal portion of a circuit board via an anisotropic conductive film. An anisotropic conductive film is a film formed by mixing conductive particles in a thermosetting binder resin, and heat conduction is performed between two conductors so that electrical conduction between the conductors is achieved with the conductive particles. The mechanical connection between the conductors is maintained by the binder resin. As an adhesive constituting the anisotropic conductive film, a highly reliable thermosetting adhesive is usually used. In addition, a connection method using a photo-curing resin or a connection method using both thermosetting and photo-curing is also used.
バンプ付きICチップ50は、例えば図8(A)に示すように、回路基板の実装面に、一方の側縁50aに沿って入力バンプ51が一列で配列された入力バンプ領域52が形成され、一方の側縁50aと対向する他方の側縁50bに沿って出力バンプ53が二列の千鳥状に配列された出力バンプ領域54が設けられている。バンプ配列はICチップの種類によって様々であるが、一般に、従来のバンプ付きICチップは、入力バンプ51の数よりも出力バンプ53の数が多く、入力バンプ領域52の面積よりも出力バンプ領域54の面積が広くなり、また入力バンプ51の形状が出力バンプ53の形状よりも大きく形成されている。
For example, as shown in FIG. 8A, the bumped
そして、COG実装では、図8(B)に示すように、異方性導電フィルム55を介して回路基板56の電極端子57上にICチップ50が搭載された後、熱圧着ヘッド58によりICチップ50の上から加熱押圧する。この熱圧着ヘッド58による熱加圧によって、異方性導電フィルム55のバインダー樹脂が溶融して各入出力バンプ51,53と回路基板56の電極端子57との間から流動するとともに、各入出力バンプ51,53と回路基板56の電極端子57との間に導電性粒子が挟持され、この状態でバインダー樹脂が熱硬化する。これにより、ICチップ50は、回路基板56上に電気的、機械的に接続される。
In COG mounting, as shown in FIG. 8B, after the
ここで、バンプ付きICチップ50等の電子部品は、対向する一対の側縁の一方側に入力バンプ51が形成され、他方側に出力バンプ53が形成されることにより離間し、中央部にバンプが形成されていない領域がある。
Here, an electronic component such as an
また、ICチップ50は、入力バンプ51と出力バンプ53との各バンプ配列及び大きさが異なり、実装面において非対称に配置されている。そして、例えばスマートフォン等の各種液晶表示パネルに用いられる駆動用IC等のICチップにおいては、高画素化が進むにつれて各画素に対応した出力信号も増え、出力バンプも増加する傾向にあり、一方の側縁に形成されている入力バンプ51が一列で配列されているのに対し、他方の側縁に形成される出力バンプ53は2列又は3列以上に配列される設計も提案されている。
Further, the
さらに、近年のスマートフォンやタブレット端末、ウェアラブル端末等のモバイル機器の小型化、薄型化の進展に伴い、ICチップ50も幅広かつ薄型に設計され、入出力バンプ間の領域が広がり、面方向の押圧に対してバンプ間領域が変形しやすい。
Furthermore, as mobile devices such as smartphones, tablet devices, and wearable devices have become smaller and thinner in recent years, the
このため、ICチップ50は、回路基板56に接続する際に熱圧着ヘッド58によって加熱押圧されると、入力バンプ51や出力バンプ53が形成されていない中央のバンプ間領域においてバインダー樹脂の排除が進み、撓みが生じる。その結果、ICチップ50は、基板の側縁に形成されている入力バンプ51や出力バンプ53の外側が浮いた状態となり、押圧力が弱まり、接続不良となる恐れが生じる。
For this reason, when the
また、図9に示すように、ICチップ50は、入力バンプ51や出力バンプ53が形成されていない中央部が撓むと、出力バンプ53において、内側に形成されたバンプ53aに圧力が集中する結果、相対的に、外側に形成されたバンプ53bによる導電性粒子60への押圧力が弱まり、接続不良となる。また、圧着ヘッド58による加熱押圧が終了し、プレスアウトした際に、回路基板56とICチップ50の線膨張係数の差に起因する収縮率の差によって回路基板56やICチップ50に反りが生じ、相対的に、外側に形成されたバンプ53bによる導電性粒子60への押圧力が弱まり、接続不良となる。
Further, as shown in FIG. 9, in the
そこで、本発明は、電子部品の反りを防止し、電極端子の接続不良を解消することができる接続体の製造方法、電子部品の接続方法及び接続体を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the connection body which can prevent the curvature of an electronic component, and can eliminate the connection defect of an electrode terminal, the connection method of an electronic component, and a connection body.
上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体の製造方法は、対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する接続体の製造方法において、上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせるものである。 In order to solve the above-described problem, a manufacturing method of a connection body according to the present invention is an electronic component in which bumps are provided separately on one side and the other side of a pair of opposing side edges via an adhesive film. In the method of manufacturing a connection body, which is arranged on a circuit board and the electronic component is crimped to the circuit board by a crimping tool, the adhesive film is preliminarily bonded to the electronic component before the electronic component is crimped by the crimping tool. A curing reaction is caused in a region where the bumps are arranged.
また、本発明に係る電子部品の接続方法は、対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する電子部品の接続方法において、上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせるものである。 Further, the electronic component connecting method according to the present invention is such that an electronic component provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges is disposed on a circuit board via an adhesive film, and is crimped. In the electronic component connecting method in which the electronic component is crimped to the circuit board by a tool, the adhesive film is disposed between the bumps of the electronic component in advance before the electronic component is crimped by the crimping tool. It causes a curing reaction in the region.
また、本発明に係る接続体は、上述した方法により製造されたものである。 Moreover, the connection body which concerns on this invention is manufactured by the method mentioned above.
本発明によれば、接着フィルムが予め電子部品のバンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせているため、加熱押圧されている電子部品の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されているバンプの浮きを防止し、接続抵抗の上昇を防止することができる。 According to the present invention, since the adhesive film causes a curing reaction in a region where the bumps of the electronic component are arranged in advance, the electronic component being heated and pressed is prevented from being bent and arranged along both side edges. It is possible to prevent the bumps from floating and to prevent the connection resistance from increasing.
以下、本発明が適用された接続体の製造方法、電子部品の接続方法及び接続体について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Hereinafter, a method for manufacturing a connection body, a method for connecting an electronic component, and a connection body to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Further, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
[液晶表示パネル]
以下では、本発明が適用された接続体として、ガラス基板に、電子部品として液晶駆動用のICチップが実装された液晶表示パネルを例に説明する。この液晶表示パネル10は、図1に示すように、ガラス基板等からなる二枚の透明基板11,12が対向配置され、これら透明基板11,12が枠状のシール13によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル10は、透明基板11,12によって囲繞された空間内に液晶14が封入されることによりパネル表示部15が形成されている。
[LCD panel]
Hereinafter, a liquid crystal display panel in which an IC chip for driving a liquid crystal as an electronic component is mounted on a glass substrate will be described as an example of a connection body to which the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the liquid
透明基板11,12は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極16,17が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極16,17は、これら両透明電極16,17の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
The
両透明基板11,12のうち、一方の透明基板12は、他方の透明基板11よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板12の縁部12aには、電子部品として液晶駆動用IC18が実装されるCOG実装部20が設けられている。なお、COG実装部20には、透明電極17の端子部17a、及び液晶駆動用IC18に設けられたIC側アライメントマーク22と重畳させる基板側アライメントマーク21が形成されている。
Of the
液晶駆動用IC18は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。また、図2に示すように、液晶駆動用IC18は、透明基板12への実装面18aに、透明電極17の端子部17aと導通接続される複数の電極端子19(バンプ)が形成されている。電極端子19は、例えば銅バンプや金バンプ、あるいは銅バンプに金メッキを施したもの等が好適に用いられる。
The liquid
[電極端子]
液晶駆動用IC18は、例えば、図3に示すように、実装面18aの一方の側縁に沿って電極端子19a(入力バンプ)が一列で配列され、一方の側縁と対向する他方の側縁に沿って電極端子19b(出力バンプ)が複数列で千鳥状に配列され、電極端子19aと電極端子19bとの間には電極端子が設けられていない端子間領域Aを有する。各電極端子19a,19bと、透明基板12のCOG実装部20に設けられている端子部17aとは、それぞれ同数かつ同ピッチで形成され、透明基板12と液晶駆動用IC18とが位置合わせされて接続されることにより、接続される。
[Electrode terminal]
For example, as shown in FIG. 3, the liquid
なお、電極端子19a,19bの配列は、図3に示す以外にも、一方の側縁に一又は複数列で配列され、他方の側縁に一又は複数列で配列されるいずれの構成であってもよい。また、電極端子19a,19bは、一列配列の一部が複数列となってもよく、複数列の一部が一列となってもよい。また、電極端子19a,19bは、複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が並列するストレート配列で形成されてもよく、あるいは複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が均等にズレる千鳥配列で形成されてもよい。なお、本明細書では、入力バンプを構成する電極端子19aと出力バンプを構成する電極端子19bとを区別する必要のない場合は、たんに電極端子19という。
In addition to the arrangement shown in FIG. 3, the
また、液晶駆動用IC18は、実装面18aに、基板側アライメントマーク21と重畳させることにより、透明基板12に対するアライメントを行うIC側アライメントマーク22が形成されている(図2参照)。なお、透明基板12の透明電極17の配線ピッチや液晶駆動用IC18の電極端子19のファインピッチ化が進んでいることから、液晶駆動用IC18と透明基板12とは、高精度のアライメント調整が求められている。
Further, the liquid
基板側アライメントマーク21及びIC側アライメントマーク22は、組み合わされることにより透明基板12と液晶駆動用IC18とのアライメントが取れる種々のマークを用いることができる。
As the substrate-
COG実装部20に形成されている透明電極17の端子部17a上には、回路接続用接着フィルムとして異方性導電フィルム1を用いて液晶駆動用IC18が接続される。異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有しており、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の縁部12aに形成された透明電極17の端子部17aとを、導電性粒子4を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム1は、熱圧着ヘッド33により熱圧着されることによりバインダー樹脂が流動化して導電性粒子4が端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間で押し潰され、この状態でバインダー樹脂が硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18とを電気的、機械的に接続する。
On the
また、両透明電極16,17上には、所定のラビング処理が施された配向膜24が形成されており、この配向膜24によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板11,12の外側には、一対の偏光板25,26が配設されており、これら両偏光板25,26によってバックライト等の光源(図示せず)からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
Further, an
[異方性導電フィルム]
次いで、異方性導電フィルム1について説明する。異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)1は、図4に示すように、通常、基材となる剥離フィルム2上に導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層(接着剤層)3が形成されたものである。異方性導電フィルム1は、熱硬化型あるいは紫外線等の光硬化型の接着剤であり、液晶表示パネル10の透明基板12に形成された透明電極17上に貼着されるとともに液晶駆動用IC18が搭載され、熱圧着ヘッド33により熱加圧されることにより流動化して導電性粒子4が相対向する透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間で押し潰され、加熱あるいは紫外線照射により、導電性粒子が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18とを接続し、導通させることができる。
[Anisotropic conductive film]
Next, the anisotropic
また、異方性導電フィルム1は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー樹脂層3に導電性粒子4が分散されている。
In the anisotropic
バインダー樹脂層3を支持する剥離フィルム2は、例えば、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methylpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム1の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム1の形状を維持する。
The
バインダー樹脂層3に含有される膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
The film-forming resin contained in the
硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。 It does not specifically limit as curable resin, For example, a commercially available epoxy resin, an acrylic resin, etc. are mentioned.
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin. Naphthol type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。 There is no restriction | limiting in particular as an acrylic resin, According to the objective, an acrylic compound, liquid acrylate, etc. can be selected suitably. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy- 1,3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclo Examples include decanyl acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate, and epoxy acrylate. In addition, what made acrylate the methacrylate can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、UV硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種(カチオンやアニオン、ラジカル)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、2種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。 The latent curing agent is not particularly limited, and examples thereof include various curing agents such as a heat curing type and a UV curing type. The latent curing agent does not normally react, but is activated by various triggers selected according to applications such as heat, light, and pressure, and starts the reaction. The activation method of the thermal activation type latent curing agent includes a method of generating active species (cation, anion, radical) by a dissociation reaction by heating, etc., and it is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, and epoxy at high temperature There are a method of initiating a curing reaction by dissolving and dissolving with a resin, a method of initiating a curing reaction by eluting a molecular sieve encapsulated type curing agent at a high temperature, and an elution / curing method using microcapsules. Thermally active latent curing agents include imidazole, hydrazide, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, polyamine salts, dicyandiamide, etc., and modified products thereof. The above mixture may be sufficient. Among these, a microcapsule type imidazole-based latent curing agent is preferable.
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。 Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, an epoxy type, an amino type, a mercapto sulfide type, a ureido type etc. can be mentioned. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.
バインダー樹脂層3を構成する接着剤組成物は、このように膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する場合に限定されず、通常の異方性導電フィルムの接着剤組成物として用いられる何れの材料から構成されるようにしてもよい。
The adhesive composition constituting the
[導電性粒子]
導電性粒子4としては、異方性導電フィルム1において使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子4としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
[Conductive particles]
Examples of the
異方性導電フィルム1は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤、導電性粒子等を含有する接着剤組成物を調整する。調整した接着剤組成物をバーコーター、塗布装置等を用いて剥離フィルム2上に塗布し、オーブン等によって乾燥させ、最後にカバーフィルム6をラミネートすることにより、剥離フィルム2にバインダー樹脂層3が支持された異方性導電フィルム1を得る。
Although the anisotropic
[先行硬化]
異方性導電フィルム1は、液晶駆動用IC18が後述する熱圧着ヘッド33によって圧着される前に、液晶駆動用IC18の電極端子19a,19b間の、電極端子が設けられていない端子間領域Aが配置される領域に予め硬化反応を生じさせる。図3に示すように、液晶駆動用IC18の実装面18aが電極端子19の配列方向を長手方向とする矩形状に形成されている場合、異方性導電フィルム1も、液晶駆動用IC18の長手方向に沿って貼り付けられる。このとき、異方性導電フィルム1は、図5に示すように、液晶駆動用IC18の端子間領域Aに配置される幅方向の略中心付近に、予め硬化反応が生じさせられた予備硬化部5が形成される。
[Precuring]
Between the
したがって、異方性導電フィルム1は、液晶駆動用IC18がCOG実装部20に配置されると、図6に示すように、液晶駆動用IC18の端子間領域Aが予備硬化部5上に設けられる。予備硬化部5は、硬化反応が進行しているためバインダー樹脂の粘度が高く、熱圧着ヘッド33により液晶駆動用IC18が加熱押圧された場合にも、端子間領域Aからの排出が抑制される。したがって、異方性導電フィルム1は、予備硬化部5によって熱圧着ヘッド33に加熱押圧されている液晶駆動用IC18の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されている電極端子部19a,19bの浮きを防止し、導電性粒子4の押圧不足による接続抵抗の上昇を防止することができる。
Therefore, in the anisotropic
[硬化反応率]
ここで、予備硬化部5の硬化反応率は10〜30%とすることが好ましい。硬化反応率が10%未満であると、液晶駆動用IC18の反りを十分に抑制することができず、側縁側の電極端子19bが浮いてしまい、導電性粒子4の押圧不足を十分に解消することができないおそれがある。また、硬化反応率が30%を超えると、液晶駆動用IC18の圧着時に、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂の流動が妨げられ、電極端子19と端子部17aとの間からバインダー樹脂が排除されずに導電性粒子4の押し込みが不足し、導通抵抗が上昇するおそれがある。
[Curing reaction rate]
Here, the curing reaction rate of the
[先行熱硬化]
異方性導電フィルム1は、熱硬化型のバインダー樹脂層3を用いる場合は、予め幅方向の略中心付近を加熱することにより硬化させることができる。この予備硬化は、例えば、図7に示すように、異方性導電フィルム1の予備硬化部5の幅に応じた幅Wを有する熱圧着ツール7でカバーフィルム6上から加熱押圧することにより行う。
[Pre-curing]
When the thermosetting
なお、予備硬化は、熱圧着ツール7で加熱押圧する以外にも、予備硬化させる幅に応じたスリットを通して赤外線を照射し、バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近を加熱し、硬化反応を開始させてもよい。あるいは、赤外光を予備硬化させる幅に応じた幅に絞り、直接バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に照射してもよい。
In addition to pre-curing with the
[先行光硬化]
また、異方性導電フィルム1は、光硬化型のバインダー樹脂層3を用いる場合は、予備硬化させる幅に応じたスリットを通して、バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に紫外光を照射することにより硬化反応を開始させてもよい。あるいは、紫外光を予備硬化させる幅に応じた幅に絞り、直接バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に照射してもよい。
[Advanced photocuring]
Further, when the photocurable
なお、異方性導電フィルム1の予備硬化は、加熱硬化が好ましい。光硬化によると、バインダー樹脂層15の表面から極浅い深度までしか硬化させることができない。一方、熱硬化によれば、伝熱効果によりバインダー樹脂層15の表面から厚さ方向に深く硬化反応を進行させることができ、予備硬化部5の厚さ方向の全域にわたって確実に硬化反応を生じさせることができる。
The preliminary curing of the anisotropic
[2層ACF]
なお、本発明に係る異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層3と、導電性粒子が含まれない絶縁性の接着剤組成物からなる絶縁性接着剤層とを積層されてなる2層構造の異方性導電フィルムとしてもよい。
[2-layer ACF]
The anisotropic
絶縁性接着材層を構成する絶縁性の接着剤組成物は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー成分からなり、上述したバインダー樹脂層3の接着剤組成物と同様の材料で構成することができる。 The insulating adhesive composition constituting the insulating adhesive layer comprises a normal binder component containing a film-forming resin, a curable resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, etc., and the binder resin layer described above 3 can be made of the same material as the adhesive composition of No. 3.
この2層構造の異方性導電フィルム1は、絶縁性接着剤層を構成する接着剤組成物を剥離フィルムに塗布、乾燥させた後、上述した剥離フィルム2に支持されたバインダー樹脂層3と貼り合わせることにより形成することができる。
The anisotropic
なお、異方性導電フィルム1の形状は、特に限定されないが、例えば、図4に示すように、巻取リール8に巻回可能な長尺テープ形状とすることにより、所定の長さだけカットして使用することができる。
The shape of the anisotropic
また、上述の実施の形態では、接着フィルムとして、導電性粒子4を含有した熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形した異方性導電フィルム1を例に説明したが、本発明に係る接着剤は、これに限定されず、例えば導電性粒子4を含有しないバインダー樹脂層3を用いた絶縁性接着フィルムでもよい。
Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated as an example the anisotropic
[接続装置]
次いで、透明基板12に液晶駆動用IC18を接続する接続装置について説明する。接続装置30は、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が透明基板12の透明電極17上に接続された接続体の製造工程に用いるものであり、図1に示すように、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が仮搭載された透明基板12が載置されるステージ31と、ステージ31上に載置された透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を加熱押圧する熱圧着ヘッド33と、熱圧着ヘッド33を移動するヘッド移動機構34とを有する。
[Connecting device]
Next, a connection device for connecting the liquid
ステージ31は、表面に透明基板12の縁部12aが載置されるとともに、熱圧着ヘッド33と対峙されている。
The
なお、ステージ31は、ヒータ等の図示しない加熱機構によって、バインダー樹脂層3が硬化しない程度の温度(例えば80〜100℃)に補助加熱するようにしもよい。これにより、ステージ31は、表面に載置される透明基板12と、熱圧着ヘッド33に加熱押圧される液晶駆動用IC18及び異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3との加熱温度差を縮小することができる。このため、ステージ31は、例えばセラミック等の熱伝導性の良好な材料により形成することが好ましい。
The
熱圧着ヘッド33は、透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を加熱押圧するものであり、ヒータによって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂が硬化する所定の温度に加熱される。また、熱圧着ヘッド33は、ヘッド移動機構34に保持されることにより、ステージ31に近接、離間自在とされ、液晶駆動用IC18に対する押圧力を調整可能とされている。
The
熱圧着ヘッド33は、液晶駆動用IC18の接続時には、ヘッド移動機構34によって液晶駆動用IC18を透明基板12に対して所定の温度、圧力、時間にて加熱押圧する。熱圧着ヘッド33に加熱押圧されることにより、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂は流動性を示し、透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間から流出するとともに、導電性粒子4が挟持され、この状態でバインダー樹脂が硬化する。また、熱圧着ヘッド33は、液晶駆動用IC18の接続工程が終了すると、ヘッド移動機構34によってステージ31の上方に離間され、次の加熱押圧工程まで待機する。
When the liquid
[接続工程]
次いで、透明基板12に液晶駆動用IC18を接続する接続工程について説明する。接続工程では、先ず、透明基板12の端子部17aが形成されたCOG実装部20上に異方性導電フィルム1を仮貼りする。異方性導電フィルム1は、COG実装部20上に仮貼りされる前、又は仮貼り後、液晶駆動用IC18の搭載前に、予めバインダー樹脂層15の液晶駆動用IC18の端子間領域Aが配置される領域に、加熱又は紫外線照射によって硬化反応を生じさせた予備硬化部5が形成されている。異方性導電フィルム1は、COG実装部20上に仮貼りされた後、剥離フィルム2が剥離されることにより、バインダー樹脂層15のみが貼付される。
[Connection process]
Next, a connection process for connecting the liquid
次いで、透明基板12のCOG実装部20上に異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が搭載され、この透明基板12を接続装置30のステージ31上に載置する。これにより、液晶駆動用IC18がステージ31の上方に待機する熱圧着ヘッド33と対峙される。
Next, the liquid
次いで、バインダー樹脂層3を硬化させる所定の温度に加熱された熱圧着ヘッド33によって、所定の圧力、時間で液晶駆動用IC18上から熱加圧する。これにより、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3は流動性を示し、液晶駆動用IC18の実装面18aと透明基板12のCOG実装部20の間から流出するとともに、バインダー樹脂層3中の導電性粒子4は、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の端子部17aとの間に挟持されて押し潰され、この状態で熱圧着ヘッド33によって加熱されたバインダー樹脂が硬化する。
Next, the
このとき、本発明に係る接続工程においては、液晶駆動用IC18の端子間領域A下におけるバインダー樹脂層3に予め硬化反応を進行させているため、熱圧着ヘッド33により液晶駆動用IC18が加熱押圧された場合にも、端子間領域Aからの排出が抑制される。
At this time, in the connection step according to the present invention, since the curing reaction is advanced in advance in the
したがって、本接続工程によれば、図6に示すように、異方性導電フィルム1の予備硬化部5によって、熱圧着ヘッド33に加熱押圧されている液晶駆動用IC18の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されている電極端子部19a,19bの浮きを防止し、導電性粒子4の押圧不足による接続抵抗の上昇を防止することができる。
Therefore, according to this connection process, as shown in FIG. 6, the
また、本接続工程によれば、液晶駆動用IC18の端子間領域A下におけるバインダー樹脂層3に予め硬化反応を進行させているため、バインダー樹脂の硬化収縮に伴う液晶駆動用IC18の端子間領域Aの反りの発生を抑制することができ、熱圧着ヘッド33の加熱押圧の終了後においても、液晶駆動用IC18の残留応力によるスプリングバックを防止して、端子部17a及び電極端子19の接続性を維持することができる。
Further, according to the present connection step, since the curing reaction is advanced in advance in the
電極端子19と端子部17aとは、導電性粒子4を挟持することにより電気的に接続される。これにより、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12に形成された端子部17aとの間で導通性を確保された液晶表示パネル10を製造することができる。
The
電極端子19と端子部17aとの間にない導電性粒子4は、隣接する電極端子19間の端子間スペースにおいてバインダー樹脂に分散されており、電気的に絶縁した状態を維持している。これにより、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の端子部17aとの間のみで電気的導通が図られる。なお、バインダー樹脂として、ラジカル重合反応系の速硬化タイプのものを用いることで、短い加熱時間によってもバインダー樹脂を速硬化させることができる。また、異方性導電フィルム1としては、熱硬化型に限らず、加圧接続を行うものであれば、光硬化型もしくは光熱併用型の接着剤を用いてもよい。
The
次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電フィルムを用いて評価用ICを評価用ガラス基板に接続した接続体サンプルを作成し、評価用ICのバンプと評価用ガラス基板の端子部とに挟持された導電性粒子の高さ、及び信頼性試験後における導通抵抗値を測定した。 Next, examples of the present invention will be described. In this example, a connected body sample in which an evaluation IC is connected to an evaluation glass substrate using an anisotropic conductive film is prepared, and the conductive material sandwiched between the bump of the evaluation IC and the terminal portion of the evaluation glass substrate. The height of the conductive particles and the conduction resistance value after the reliability test were measured.
[異方性導電フィルム]
評価用ICの接続に用いる異方性導電フィルムは、フェノキシ樹脂(商品名:YP50、新日鐵化学社製)60質量部、エポキシ樹脂(商品名:EP828、ジャパンエポキシレジン社製)40質量部、シランカップリング剤(商品名:KBM−403、信越化学工業社製)1質量部、熱カチオン系硬化剤(商品名:SI‐60L、三新化学工業社製)4質量部、導電性粒子(商品名:ミクロパールAU、粒子径3μm、積水化学工業社製)をトルエンに加えたバインダー樹脂組成物を調整し、このバインダー樹脂組成物を剥離フィルム(PET)上に塗布した後、70℃の熱風中に10分間放置し乾燥させることにより形成した。異方性導電フィルムは、幅2.5mm、乾燥後のバインダー樹脂層の厚みは18μmである。
[Anisotropic conductive film]
The anisotropic conductive film used for connecting the IC for evaluation was 60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), 40 parts by mass of epoxy resin (trade name: EP828, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.). , 1 part by mass of a silane coupling agent (trade name: KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 4 parts by mass of a thermal cationic curing agent (trade name: SI-60L, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), conductive particles (Trade name: Micropearl AU,
[評価用IC]
導通抵抗を測定するための評価素子として、幅2.0mm×長さ24mm、厚み0.20mmのIC基板を備え、一方の長辺側の側縁に沿って複数の出力バンプが2列千鳥配列で形成され、一方の長辺側の側縁と対向する他方の長辺側の側縁に沿って複数の入力バンプが1列ストレート配列で形成されている評価用ICを用意した。入力バンプサイズは40μm×120μm、出力バンプサイズは14μm×120μmである。また、入力バンプと出力バンプとの端子間領域の幅は1.5mmである。
[IC for evaluation]
As an evaluation element for measuring the conduction resistance, an IC substrate having a width of 2.0 mm × a length of 24 mm and a thickness of 0.20 mm is provided, and a plurality of output bumps are arranged in two rows along a side edge on one long side. An evaluation IC was prepared, in which a plurality of input bumps were formed in a single-line straight arrangement along the other long side edge opposite to the one long side edge. The input bump size is 40 μm × 120 μm, and the output bump size is 14 μm × 120 μm. The width of the inter-terminal region between the input bump and the output bump is 1.5 mm.
[評価用ガラス基板]
評価用ICが接続される評価用ガラス基板として、厚み0.1mm、評価用ICのバンプと同サイズ同ピッチの櫛歯状の電極パターンが形成されたITOパターングラスを用いた。
[Evaluation Glass Substrate]
As an evaluation glass substrate to which the evaluation IC is connected, an ITO pattern glass having a comb-like electrode pattern having a thickness of 0.1 mm and the same size and the same pitch as the bump of the evaluation IC was used.
この評価用ガラス基板に異方性導電フィルムを仮貼りした後、ICバンプと基板電極とのアライメントを取りながら評価用ICを搭載し、熱圧着ヘッドにより170℃、圧力60MPa、5secの条件で熱圧着することにより接続体サンプルを作成した。作成した各接続体サンプルについて、評価用ICの出力バンプと評価用ガラス基板の端子部とに挟持された導電性粒子の高さを、接続体サンプルの断面を電子顕微鏡(SEM)にて測定した。測定は、IC基板の一方の長辺の外側に配列された第1列と、内側に配列された第2列の各出力バンプ下の導電性粒子について行った。第1列と第2列の各出力バンプにおける導電性粒子の高さの差が小さいほど、導電性粒子が均等に押圧されている、すなわち評価用ICの反りが抑制されていることとなり良好である。
After temporarily attaching an anisotropic conductive film to the glass substrate for evaluation, the IC for evaluation was mounted while aligning the IC bump and the substrate electrode, and heat was applied by a thermocompression bonding head at 170 ° C.,
また、各接続体サンプルの第1列の出力バンプについて、デジタルマルチメーター(商品名:デジタルマルチメーター7561、横河電機社製)を用いて、信頼性試験後における導通抵抗を測定した。信頼性試験の条件は、85℃、85%RH、500hrである。抵抗値の評価は、初期値:10Ω未満を○(最良)、初期値:10Ω以上30Ω未満を△(普通)、30Ω以上を×(不良)とした。 Moreover, about the output bump of the 1st row | line | column of each connection body sample, the conduction resistance after a reliability test was measured using the digital multimeter (brand name: Digital multimeter 7561, Yokogawa Electric Corporation make). The conditions of the reliability test are 85 ° C., 85% RH, and 500 hr. In the evaluation of the resistance value, the initial value: less than 10Ω is ◯ (best), the initial value: 10Ω or more and less than 30Ω is Δ (normal), and 30Ω or more is × (defect).
[実施例1]
実施例1では、異方性導電フィルムを評価用ガラス基板に貼着する前に、評価用ICの入力バンプ及び出力バンプ間の、バンプが設けられていない端子間領域が配置される領域に予め硬化反応を生じさせた。この予備硬化は、幅0.5mmの熱圧着ツール(SUS製カートリッジヒーター)によって異方性導電フィルムを加熱押圧することにより行った(図7参照)。熱圧着ツールの加熱押圧条件は、1.0MPa、130℃、3秒とした。熱圧着ツールの温度は、先端に熱電対を設けて測定した。
[Example 1]
In Example 1, before adhering the anisotropic conductive film to the glass substrate for evaluation, an area between the input bumps and the output bumps of the evaluation IC between which the terminals are not provided is arranged in advance. A curing reaction was caused. This pre-curing was performed by heating and pressing the anisotropic conductive film with a thermocompression tool (SUS cartridge heater) having a width of 0.5 mm (see FIG. 7). The heat pressing conditions of the thermocompression bonding tool were 1.0 MPa, 130 ° C., and 3 seconds. The temperature of the thermocompression bonding tool was measured by providing a thermocouple at the tip.
実施例1に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、8%であった。硬化反応率の測定は、熱圧着ツールが接触した予備硬化部をカッターで切り取り、赤外分光光度計(FT/IR−4100、日本分光社製)を用いて、評価用ガラス基板への仮貼り前と、評価用ICの接続後のエポキシ環の吸収波長の減衰量(%)から算出した。 The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 1 was measured and found to be 8%. For the measurement of the curing reaction rate, the pre-cured part with which the thermocompression bonding tool is in contact is cut out with a cutter, and temporarily attached to a glass substrate for evaluation using an infrared spectrophotometer (FT / IR-4100, manufactured by JASCO Corporation). It was calculated from the attenuation amount (%) of the absorption wavelength of the epoxy ring before and after connection of the evaluation IC.
実施例1に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.7μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は△(普通)となった。 In the connection body sample according to Example 1, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.7 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was Δ (normal).
[実施例2]
実施例2では、熱圧着ツールの加熱温度を140℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例2に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、16%であった。
[Example 2]
In Example 2, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 140 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 2 was measured and found to be 16%.
実施例2に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.3μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は〇(最良)となった。 In the connection body sample according to Example 2, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.3 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was ◯ (best).
[実施例3]
実施例3では、熱圧着ツールの加熱温度を150℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例3に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、27%であった。
[Example 3]
In Example 3, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 150 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 3 was measured and found to be 27%.
実施例3に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は〇(最良)となった。 In the connection body sample according to Example 3, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.2 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was ◯ (best).
[実施例4]
実施例4では、熱圧着ツールの加熱温度を160℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例4に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、41%であった。
[Example 4]
In Example 4, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 160 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 4 was measured and found to be 41%.
実施例4に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.4μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.4μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は△(普通)となった。 In the connection body sample according to Example 4, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.4 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.4 μm. The evaluation of the conduction resistance was Δ (normal).
[比較例1]
比較例1では、異方性導電フィルムに対する予備硬化を行わなかった。
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, preliminary curing for the anisotropic conductive film was not performed.
比較例1に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.9μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は×(不良)となった。 In the connection body sample according to Comparative Example 1, the conductive particle height in the first row of output bumps was 2.9 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps was 2.2 μm. The conduction resistance was evaluated as x (defect).
表1に示すように、実施例1〜4に係る接続体サンプルにおいては、第1列と第2列の各出力バンプ下における導電性粒子の高さの差が0.5μm以下であり、評価用ICの反りが抑制されていることが分かる。これは、評価用ICの端子間領域に配置される領域で予め硬化反応を進行させておくことにより、評価用ICの接続時において端子間領域下でのバインダー樹脂の排出を抑えるとともに、粘度の高い予備硬化部により評価用ICの撓みを抑制していることによる。 As shown in Table 1, in the connection body samples according to Examples 1 to 4, the difference in height of the conductive particles under each output bump in the first row and the second row is 0.5 μm or less, and evaluation It can be seen that the warpage of the IC is suppressed. This is because the curing reaction is allowed to proceed in advance in the region arranged in the inter-terminal region of the evaluation IC, thereby suppressing the discharge of the binder resin under the inter-terminal region when the evaluation IC is connected, and the viscosity of This is because bending of the evaluation IC is suppressed by a high pre-cured portion.
一方、比較例1では、評価用ICの端子間領域におけるバインダー樹脂の排出が進むことにより撓みが生じ、評価用ICの外側に配列された第1列の出力バンプが浮いた状態となり、内側の第2列における出力バンプにおける導電性粒子高さとの差が0.7μmと拡がった。また、第1列の出力バンプにおいては、導電性粒子自体も十分に押圧されていない。そのため、比較例1では、第1列における信頼性試験後における導通抵抗の評価も×(不良)となった。 On the other hand, in Comparative Example 1, the bending of the binder resin in the inter-terminal region of the evaluation IC is caused to bend, and the output bumps in the first row arranged outside the evaluation IC are in a floating state. The difference from the height of the conductive particles in the output bump in the second row expanded to 0.7 μm. Further, the conductive particles themselves are not sufficiently pressed in the output bumps in the first row. Therefore, in Comparative Example 1, the evaluation of the conduction resistance after the reliability test in the first column was x (defect).
実施例2及び実施例3では、第1列と第2列の各出力バンプ下における導電性粒子の高さの差がなく、信頼性試験後における導通抵抗の評価も〇(最良)となった。これに対し、実施例1では、予備硬化部の硬化反応率が8%とやや低く、実使用上は問題ないものの、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが高くなり評価用ICの反りの抑制効果が若干下がった。また、実施例4では、予備硬化部の硬化反応率が41%とやや高く、実施例1〜3に比してバインダー樹脂の排出が抑制され、実使用上は問題ないものの、導通抵抗値が若干高くなった。これより、予備硬化部の硬化反応率は、10〜30%が最適であることが分かる。 In Example 2 and Example 3, there was no difference in the height of the conductive particles under each output bump in the first row and the second row, and the evaluation of the conduction resistance after the reliability test was also ◯ (best). . On the other hand, in Example 1, although the curing reaction rate of the precured portion is slightly low at 8% and there is no problem in actual use, the height of the conductive particles in the output bumps in the first row is increased, and the evaluation IC Suppression of warpage was slightly reduced. Further, in Example 4, the curing reaction rate of the precured part is slightly high at 41%, and the discharge of the binder resin is suppressed as compared with Examples 1 to 3, and although there is no problem in actual use, the conduction resistance value is Slightly higher. From this, it can be seen that the optimal curing reaction rate of the precured portion is 10 to 30%.
1 異方性導電フィルム、2 剥離フィルム、3 バインダー樹脂層、4 導電性粒子、5 予備硬化部、6 カバーフィルム、7 熱圧着ツール、10 液晶表示パネル、11,12 透明基板、13 シール、14 液晶、15 パネル表示部、16,17 透明電極、17a 端子部、18 液晶駆動用IC、20 COG実装部、30 接続装置、31 ステージ、33 熱圧着ヘッド、34 ヘッド移動機構
DESCRIPTION OF
Claims (7)
圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する接続体の製造方法において、
上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせる接続体の製造方法。 Electronic components provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges are arranged on a circuit board via an adhesive film,
In the manufacturing method of the connection body for crimping the electronic component to the circuit board with a crimping tool,
The said adhesive film is a manufacturing method of the connection body which produces a hardening reaction in the area | region where the said bumps of the said electronic component are arrange | positioned previously, before the said electronic component is crimped | bonded by the said crimping tool.
圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する電子部品の接続方法において、
上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせる電子部品の接続方法。 Electronic components provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges are arranged on a circuit board via an adhesive film,
In the method for connecting electronic components, in which the electronic component is crimped to the circuit board by a crimping tool,
The adhesive film is a connection method for an electronic component in which a curing reaction is caused in a region where the bumps of the electronic component are arranged in advance before the electronic component is crimped by the crimping tool.
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