JP2015170647A - Method of manufacturing connection body, connection method for electronic component, and connection body - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate poor connection of an electrode terminal by preventing warping of an electronic component.SOLUTION: In a method of manufacturing a connection body, an electronic component which has bumps separately provided on one side of paired opposed side edges and the another side thereof, is arranged on a circuit board via an adhesive film, and pressure-bonded to the circuit board by a pressure-bonding tool. The adhesive film causes hardening reaction in an area where a section between the bumps of the electronic component is prearranged, before the electronic component is pressure-bonded by the pressure-bonding tool.

Description

本発明は、電子部品と回路基板とが接続された接続体の製造方法に関し、特に接着フィルムを介して電子部品を加圧することにより当該電子部品が回路基板に接続された接続体の製造方法、電子部品の接続方法及びこれにより製造された接続体に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a connection body in which an electronic component and a circuit board are connected, and in particular, a method for manufacturing a connection body in which the electronic component is connected to a circuit board by pressurizing the electronic component through an adhesive film, The present invention relates to an electronic component connection method and a connection body manufactured thereby.

従来、各種電子機器の回路基板にICチップやLSIチップ等の電子部品が接続された接続体が提供されている。近年、各種電子機器においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、電子部品として、実装面に突起状の電極であるバンプが配列されたICチップやLSIチップを用いて、これらICチップ等の電子部品を直接回路基板上に実装するいわゆるCOB(chip on board)や、COG(chip on glass)が採用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a connection body is provided in which electronic components such as an IC chip and an LSI chip are connected to circuit boards of various electronic devices. In recent years, various electronic devices use IC chips or LSI chips in which bumps, which are protruding electrodes, are arranged on the mounting surface as electronic components from the viewpoints of fine pitch, light weight, and thinning. So-called COB (chip on board) or COG (chip on glass) for directly mounting electronic components on the circuit board is employed.

COB接続やCOG接続においては、回路基板の端子部上に、異方性導電フィルムを介してICチップが熱圧着されている。異方性導電フィルムは、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、2つの導体間で加熱圧着されることにより導電粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。異方性導電フィルムを構成する接着剤としては、通常、信頼性の高い熱硬化性の接着剤を用いるようになっている。また、光硬化性樹脂による接続や、熱硬化と光硬化を併用した接続方法も用いられている。   In COB connection and COG connection, an IC chip is thermocompression-bonded on a terminal portion of a circuit board via an anisotropic conductive film. An anisotropic conductive film is a film formed by mixing conductive particles in a thermosetting binder resin, and heat conduction is performed between two conductors so that electrical conduction between the conductors is achieved with the conductive particles. The mechanical connection between the conductors is maintained by the binder resin. As an adhesive constituting the anisotropic conductive film, a highly reliable thermosetting adhesive is usually used. In addition, a connection method using a photo-curing resin or a connection method using both thermosetting and photo-curing is also used.

バンプ付きICチップ50は、例えば図8(A)に示すように、回路基板の実装面に、一方の側縁50aに沿って入力バンプ51が一列で配列された入力バンプ領域52が形成され、一方の側縁50aと対向する他方の側縁50bに沿って出力バンプ53が二列の千鳥状に配列された出力バンプ領域54が設けられている。バンプ配列はICチップの種類によって様々であるが、一般に、従来のバンプ付きICチップは、入力バンプ51の数よりも出力バンプ53の数が多く、入力バンプ領域52の面積よりも出力バンプ領域54の面積が広くなり、また入力バンプ51の形状が出力バンプ53の形状よりも大きく形成されている。   For example, as shown in FIG. 8A, the bumped IC chip 50 has an input bump area 52 in which input bumps 51 are arranged in a line along one side edge 50a on the mounting surface of the circuit board. An output bump area 54 in which output bumps 53 are arranged in two rows in a zigzag manner is provided along the other side edge 50b facing one side edge 50a. The bump arrangement varies depending on the type of IC chip. In general, a conventional IC chip with bumps has a larger number of output bumps 53 than the number of input bumps 51, and an output bump area 54 than the area of the input bump area 52. And the shape of the input bump 51 is formed larger than the shape of the output bump 53.

そして、COG実装では、図8(B)に示すように、異方性導電フィルム55を介して回路基板56の電極端子57上にICチップ50が搭載された後、熱圧着ヘッド58によりICチップ50の上から加熱押圧する。この熱圧着ヘッド58による熱加圧によって、異方性導電フィルム55のバインダー樹脂が溶融して各入出力バンプ51,53と回路基板56の電極端子57との間から流動するとともに、各入出力バンプ51,53と回路基板56の電極端子57との間に導電性粒子が挟持され、この状態でバインダー樹脂が熱硬化する。これにより、ICチップ50は、回路基板56上に電気的、機械的に接続される。   In COG mounting, as shown in FIG. 8B, after the IC chip 50 is mounted on the electrode terminal 57 of the circuit board 56 via the anisotropic conductive film 55, the IC chip is mounted by the thermocompression bonding head 58. Heat and press from above 50. By the heat and pressure by the thermocompression bonding head 58, the binder resin of the anisotropic conductive film 55 is melted and flows from between the input / output bumps 51 and 53 and the electrode terminals 57 of the circuit board 56, and each input / output. Conductive particles are sandwiched between the bumps 51 and 53 and the electrode terminal 57 of the circuit board 56, and in this state, the binder resin is thermally cured. As a result, the IC chip 50 is electrically and mechanically connected to the circuit board 56.

特開2013−155286号公報JP2013-155286A

ここで、バンプ付きICチップ50等の電子部品は、対向する一対の側縁の一方側に入力バンプ51が形成され、他方側に出力バンプ53が形成されることにより離間し、中央部にバンプが形成されていない領域がある。   Here, an electronic component such as an IC chip 50 with bumps is separated by forming an input bump 51 on one side of a pair of opposing side edges and forming an output bump 53 on the other side, and bumps in the center. There is a region where is not formed.

また、ICチップ50は、入力バンプ51と出力バンプ53との各バンプ配列及び大きさが異なり、実装面において非対称に配置されている。そして、例えばスマートフォン等の各種液晶表示パネルに用いられる駆動用IC等のICチップにおいては、高画素化が進むにつれて各画素に対応した出力信号も増え、出力バンプも増加する傾向にあり、一方の側縁に形成されている入力バンプ51が一列で配列されているのに対し、他方の側縁に形成される出力バンプ53は2列又は3列以上に配列される設計も提案されている。   Further, the IC chip 50 is different in bump arrangement and size between the input bump 51 and the output bump 53 and is asymmetrically arranged on the mounting surface. For example, in an IC chip such as a driving IC used for various liquid crystal display panels such as smartphones, as the number of pixels increases, output signals corresponding to each pixel increase, and output bumps tend to increase. There has also been proposed a design in which the input bumps 51 formed on the side edge are arranged in one row while the output bumps 53 formed on the other side edge are arranged in two rows or three or more rows.

さらに、近年のスマートフォンやタブレット端末、ウェアラブル端末等のモバイル機器の小型化、薄型化の進展に伴い、ICチップ50も幅広かつ薄型に設計され、入出力バンプ間の領域が広がり、面方向の押圧に対してバンプ間領域が変形しやすい。   Furthermore, as mobile devices such as smartphones, tablet devices, and wearable devices have become smaller and thinner in recent years, the IC chip 50 is also designed to be wider and thinner, increasing the area between the input and output bumps, and pressing in the surface direction. On the other hand, the area between the bumps is easily deformed.

このため、ICチップ50は、回路基板56に接続する際に熱圧着ヘッド58によって加熱押圧されると、入力バンプ51や出力バンプ53が形成されていない中央のバンプ間領域においてバインダー樹脂の排除が進み、撓みが生じる。その結果、ICチップ50は、基板の側縁に形成されている入力バンプ51や出力バンプ53の外側が浮いた状態となり、押圧力が弱まり、接続不良となる恐れが生じる。   For this reason, when the IC chip 50 is heated and pressed by the thermocompression bonding head 58 when connected to the circuit board 56, the binder resin is eliminated in the central inter-bump region where the input bump 51 and the output bump 53 are not formed. Advance and bend. As a result, the IC chip 50 is in a state where the outside of the input bumps 51 and the output bumps 53 formed on the side edge of the substrate is floated, the pressing force is weakened, and there is a possibility that connection failure occurs.

また、図9に示すように、ICチップ50は、入力バンプ51や出力バンプ53が形成されていない中央部が撓むと、出力バンプ53において、内側に形成されたバンプ53aに圧力が集中する結果、相対的に、外側に形成されたバンプ53bによる導電性粒子60への押圧力が弱まり、接続不良となる。また、圧着ヘッド58による加熱押圧が終了し、プレスアウトした際に、回路基板56とICチップ50の線膨張係数の差に起因する収縮率の差によって回路基板56やICチップ50に反りが生じ、相対的に、外側に形成されたバンプ53bによる導電性粒子60への押圧力が弱まり、接続不良となる。   Further, as shown in FIG. 9, in the IC chip 50, when the central portion where the input bump 51 and the output bump 53 are not formed is bent, the pressure is concentrated on the bump 53a formed on the inner side in the output bump 53. Relatively, the pressing force to the conductive particles 60 by the bumps 53b formed on the outside is weakened, resulting in poor connection. Further, when the heat pressing by the crimping head 58 is finished and pressed out, the circuit board 56 and the IC chip 50 are warped due to the difference in contraction rate caused by the difference in linear expansion coefficient between the circuit board 56 and the IC chip 50. Relatively, the pressing force to the conductive particles 60 by the bumps 53b formed on the outside is weakened, resulting in poor connection.

そこで、本発明は、電子部品の反りを防止し、電極端子の接続不良を解消することができる接続体の製造方法、電子部品の接続方法及び接続体を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the connection body which can prevent the curvature of an electronic component, and can eliminate the connection defect of an electrode terminal, the connection method of an electronic component, and a connection body.

上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体の製造方法は、対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する接続体の製造方法において、上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせるものである。   In order to solve the above-described problem, a manufacturing method of a connection body according to the present invention is an electronic component in which bumps are provided separately on one side and the other side of a pair of opposing side edges via an adhesive film. In the method of manufacturing a connection body, which is arranged on a circuit board and the electronic component is crimped to the circuit board by a crimping tool, the adhesive film is preliminarily bonded to the electronic component before the electronic component is crimped by the crimping tool. A curing reaction is caused in a region where the bumps are arranged.

また、本発明に係る電子部品の接続方法は、対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する電子部品の接続方法において、上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせるものである。   Further, the electronic component connecting method according to the present invention is such that an electronic component provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges is disposed on a circuit board via an adhesive film, and is crimped. In the electronic component connecting method in which the electronic component is crimped to the circuit board by a tool, the adhesive film is disposed between the bumps of the electronic component in advance before the electronic component is crimped by the crimping tool. It causes a curing reaction in the region.

また、本発明に係る接続体は、上述した方法により製造されたものである。   Moreover, the connection body which concerns on this invention is manufactured by the method mentioned above.

本発明によれば、接着フィルムが予め電子部品のバンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせているため、加熱押圧されている電子部品の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されているバンプの浮きを防止し、接続抵抗の上昇を防止することができる。   According to the present invention, since the adhesive film causes a curing reaction in a region where the bumps of the electronic component are arranged in advance, the electronic component being heated and pressed is prevented from being bent and arranged along both side edges. It is possible to prevent the bumps from floating and to prevent the connection resistance from increasing.

図1は、本発明が適用された接続体の製造工程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a connection body to which the present invention is applied. 図2は、本発明が適用された接続体の製造工程を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a connection body to which the present invention is applied. 図3は、液晶駆動用ICの実装面を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a mounting surface of the liquid crystal driving IC. 図4は、異方性導電フィルムの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the anisotropic conductive film. 図5は、異方性導電フィルムの平面図である。FIG. 5 is a plan view of the anisotropic conductive film. 図6は、本発明が適用された接続体の製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a connection body to which the present invention is applied. 図7は、異方性導電フィルムを予め硬化反応を進行させる工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a step of allowing the anisotropic conductive film to advance a curing reaction in advance. (A)は液晶駆動用ICの平面図であり、(B)は接続工程を示す断面図である。(A) is a top view of liquid crystal drive IC, (B) is sectional drawing which shows a connection process. 図9は、液晶駆動用ICに反りが生じた状態を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the liquid crystal driving IC is warped.

以下、本発明が適用された接続体の製造方法、電子部品の接続方法及び接続体について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Hereinafter, a method for manufacturing a connection body, a method for connecting an electronic component, and a connection body to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Further, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

[液晶表示パネル]
以下では、本発明が適用された接続体として、ガラス基板に、電子部品として液晶駆動用のICチップが実装された液晶表示パネルを例に説明する。この液晶表示パネル10は、図1に示すように、ガラス基板等からなる二枚の透明基板11,12が対向配置され、これら透明基板11,12が枠状のシール13によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル10は、透明基板11,12によって囲繞された空間内に液晶14が封入されることによりパネル表示部15が形成されている。
[LCD panel]
Hereinafter, a liquid crystal display panel in which an IC chip for driving a liquid crystal as an electronic component is mounted on a glass substrate will be described as an example of a connection body to which the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel 10 includes two transparent substrates 11 and 12 made of a glass substrate and the like, and the transparent substrates 11 and 12 are bonded to each other by a frame-shaped seal 13. . In the liquid crystal display panel 10, the liquid crystal 14 is sealed in a space surrounded by the transparent substrates 11 and 12 to form a panel display unit 15.

透明基板11,12は、互いに対向する両内側表面に、ITO(酸化インジウムスズ)等からなる縞状の一対の透明電極16,17が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極16,17は、これら両透明電極16,17の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。   The transparent substrates 11 and 12 have a pair of striped transparent electrodes 16 and 17 made of ITO (indium tin oxide) or the like on both inner surfaces facing each other so as to intersect each other. The transparent electrodes 16 and 17 are configured such that a pixel as a minimum unit of liquid crystal display is configured by the intersection of the transparent electrodes 16 and 17.

両透明基板11,12のうち、一方の透明基板12は、他方の透明基板11よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板12の縁部12aには、電子部品として液晶駆動用IC18が実装されるCOG実装部20が設けられている。なお、COG実装部20には、透明電極17の端子部17a、及び液晶駆動用IC18に設けられたIC側アライメントマーク22と重畳させる基板側アライメントマーク21が形成されている。   Of the transparent substrates 11 and 12, one transparent substrate 12 is formed to have a larger planar dimension than the other transparent substrate 11, and an edge 12a of the formed transparent substrate 12 has an electronic component. A COG mounting unit 20 on which the liquid crystal driving IC 18 is mounted is provided. The COG mounting portion 20 is formed with a substrate-side alignment mark 21 that overlaps the terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 and the IC-side alignment mark 22 provided on the liquid crystal driving IC 18.

液晶駆動用IC18は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。また、図2に示すように、液晶駆動用IC18は、透明基板12への実装面18aに、透明電極17の端子部17aと導通接続される複数の電極端子19(バンプ)が形成されている。電極端子19は、例えば銅バンプや金バンプ、あるいは銅バンプに金メッキを施したもの等が好適に用いられる。   The liquid crystal driving IC 18 can selectively apply a liquid crystal driving voltage to the pixels to change the alignment of the liquid crystal partially and perform a predetermined liquid crystal display. As shown in FIG. 2, the liquid crystal driving IC 18 has a plurality of electrode terminals 19 (bumps) that are electrically connected to the terminal portions 17 a of the transparent electrode 17 on the mounting surface 18 a to the transparent substrate 12. . As the electrode terminal 19, for example, a copper bump, a gold bump, or a copper bump plated with gold is suitably used.

[電極端子]
液晶駆動用IC18は、例えば、図3に示すように、実装面18aの一方の側縁に沿って電極端子19a(入力バンプ)が一列で配列され、一方の側縁と対向する他方の側縁に沿って電極端子19b(出力バンプ)が複数列で千鳥状に配列され、電極端子19aと電極端子19bとの間には電極端子が設けられていない端子間領域Aを有する。各電極端子19a,19bと、透明基板12のCOG実装部20に設けられている端子部17aとは、それぞれ同数かつ同ピッチで形成され、透明基板12と液晶駆動用IC18とが位置合わせされて接続されることにより、接続される。
[Electrode terminal]
For example, as shown in FIG. 3, the liquid crystal driving IC 18 has electrode terminals 19a (input bumps) arranged in a line along one side edge of the mounting surface 18a, and the other side edge facing one side edge. The electrode terminals 19b (output bumps) are arranged in a staggered manner in a plurality of rows along the line, and there is an inter-terminal region A where no electrode terminals are provided between the electrode terminals 19a and 19b. The electrode terminals 19a and 19b and the terminal portions 17a provided on the COG mounting portion 20 of the transparent substrate 12 are formed at the same number and pitch, respectively, and the transparent substrate 12 and the liquid crystal driving IC 18 are aligned. Connected by connecting.

なお、電極端子19a,19bの配列は、図3に示す以外にも、一方の側縁に一又は複数列で配列され、他方の側縁に一又は複数列で配列されるいずれの構成であってもよい。また、電極端子19a,19bは、一列配列の一部が複数列となってもよく、複数列の一部が一列となってもよい。また、電極端子19a,19bは、複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が並列するストレート配列で形成されてもよく、あるいは複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が均等にズレる千鳥配列で形成されてもよい。なお、本明細書では、入力バンプを構成する電極端子19aと出力バンプを構成する電極端子19bとを区別する必要のない場合は、たんに電極端子19という。   In addition to the arrangement shown in FIG. 3, the electrode terminals 19a and 19b may be arranged in one or more rows on one side edge and in one or more rows on the other side edge. May be. In addition, the electrode terminals 19a and 19b may have a plurality of rows arranged in a row, and a portion of the rows may be arranged in a row. Further, the electrode terminals 19a and 19b may be formed in a straight arrangement in which a plurality of rows are parallel and adjacent electrode terminals are parallel, or a plurality of rows of parallel and adjacent electrode terminals are equal. It may be formed in a staggered arrangement. In the present specification, when it is not necessary to distinguish between the electrode terminals 19a constituting the input bumps and the electrode terminals 19b constituting the output bumps, they are simply referred to as electrode terminals 19.

また、液晶駆動用IC18は、実装面18aに、基板側アライメントマーク21と重畳させることにより、透明基板12に対するアライメントを行うIC側アライメントマーク22が形成されている(図2参照)。なお、透明基板12の透明電極17の配線ピッチや液晶駆動用IC18の電極端子19のファインピッチ化が進んでいることから、液晶駆動用IC18と透明基板12とは、高精度のアライメント調整が求められている。   Further, the liquid crystal driving IC 18 is formed with an IC side alignment mark 22 for alignment with the transparent substrate 12 by being superimposed on the mounting surface 18a with the substrate side alignment mark 21 (see FIG. 2). Since the wiring pitch of the transparent electrodes 17 of the transparent substrate 12 and the fine pitch of the electrode terminals 19 of the liquid crystal driving IC 18 are increasing, the liquid crystal driving IC 18 and the transparent substrate 12 are required to have high-precision alignment adjustment. It has been.

基板側アライメントマーク21及びIC側アライメントマーク22は、組み合わされることにより透明基板12と液晶駆動用IC18とのアライメントが取れる種々のマークを用いることができる。   As the substrate-side alignment mark 21 and the IC-side alignment mark 22, various marks that can be aligned with the transparent substrate 12 and the liquid crystal driving IC 18 can be used.

COG実装部20に形成されている透明電極17の端子部17a上には、回路接続用接着フィルムとして異方性導電フィルム1を用いて液晶駆動用IC18が接続される。異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有しており、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の縁部12aに形成された透明電極17の端子部17aとを、導電性粒子4を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム1は、熱圧着ヘッド33により熱圧着されることによりバインダー樹脂が流動化して導電性粒子4が端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間で押し潰され、この状態でバインダー樹脂が硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18とを電気的、機械的に接続する。   On the terminal part 17a of the transparent electrode 17 formed in the COG mounting part 20, a liquid crystal driving IC 18 is connected using the anisotropic conductive film 1 as an adhesive film for circuit connection. The anisotropic conductive film 1 contains conductive particles 4, and the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 formed on the edge portion 12 a of the transparent substrate 12 are electrically conductive. Electrical connection is made through the particles 4. The anisotropic conductive film 1 is thermocompression bonded by the thermocompression bonding head 33, whereby the binder resin is fluidized and the conductive particles 4 are crushed between the terminal portion 17a and the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18. In this state, the binder resin is cured. Thereby, the anisotropic conductive film 1 electrically and mechanically connects the transparent substrate 12 and the liquid crystal driving IC 18.

また、両透明電極16,17上には、所定のラビング処理が施された配向膜24が形成されており、この配向膜24によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板11,12の外側には、一対の偏光板25,26が配設されており、これら両偏光板25,26によってバックライト等の光源(図示せず)からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。   Further, an alignment film 24 subjected to a predetermined rubbing process is formed on both the transparent electrodes 16 and 17, and the initial alignment of liquid crystal molecules is regulated by the alignment film 24. In addition, a pair of polarizing plates 25 and 26 are disposed outside the transparent substrates 11 and 12, and these polarizing plates 25 and 26 allow transmitted light from a light source (not shown) such as a backlight to be transmitted. The vibration direction is regulated.

[異方性導電フィルム]
次いで、異方性導電フィルム1について説明する。異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)1は、図4に示すように、通常、基材となる剥離フィルム2上に導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層(接着剤層)3が形成されたものである。異方性導電フィルム1は、熱硬化型あるいは紫外線等の光硬化型の接着剤であり、液晶表示パネル10の透明基板12に形成された透明電極17上に貼着されるとともに液晶駆動用IC18が搭載され、熱圧着ヘッド33により熱加圧されることにより流動化して導電性粒子4が相対向する透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間で押し潰され、加熱あるいは紫外線照射により、導電性粒子が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム1は、透明基板12と液晶駆動用IC18とを接続し、導通させることができる。
[Anisotropic conductive film]
Next, the anisotropic conductive film 1 will be described. As shown in FIG. 4, an anisotropic conductive film (ACF) 1 usually has a binder resin layer (adhesive layer) 3 containing conductive particles 4 on a release film 2 as a base material. It is formed. The anisotropic conductive film 1 is a thermosetting adhesive or a photo-curing adhesive such as ultraviolet rays, and is attached to the transparent electrode 17 formed on the transparent substrate 12 of the liquid crystal display panel 10 and also has a liquid crystal driving IC 18. Is mounted and is fluidized by being thermally pressed by the thermocompression bonding head 33, and the conductive particles 4 are crushed between the terminal portion 17a of the transparent electrode 17 and the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18 facing each other. The conductive particles are cured in a crushed state by heating or ultraviolet irradiation. Thereby, the anisotropic conductive film 1 can connect the transparent substrate 12 and the liquid crystal driving IC 18 to make them conductive.

また、異方性導電フィルム1は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー樹脂層3に導電性粒子4が分散されている。   In the anisotropic conductive film 1, conductive particles 4 are dispersed in a normal binder resin layer 3 containing a film-forming resin, a curable resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, and the like.

バインダー樹脂層3を支持する剥離フィルム2は、例えば、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly-4-methylpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム1の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム1の形状を維持する。   The release film 2 that supports the binder resin layer 3 includes, for example, a release agent such as silicone on PET (Poly Ethylene Terephthalate), OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly-4-methylpentene-1), PTFE (Polytetrafluoroethylene), and the like. It coats and prevents the anisotropic conductive film 1 from drying, and maintains the shape of the anisotropic conductive film 1.

バインダー樹脂層3に含有される膜形成樹脂としては、平均分子量が10000〜80000程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。   The film-forming resin contained in the binder resin layer 3 is preferably a resin having an average molecular weight of about 10,000 to 80,000. Examples of the film forming resin include various resins such as an epoxy resin, a modified epoxy resin, a urethane resin, and a phenoxy resin. Among these, phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.

硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、市販のエポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。   It does not specifically limit as curable resin, For example, a commercially available epoxy resin, an acrylic resin, etc. are mentioned.

エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、2種以上の組み合わせであってもよい。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin. Naphthol type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as an acrylic resin, According to the objective, an acrylic compound, liquid acrylate, etc. can be selected suitably. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy- 1,3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclo Examples include decanyl acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate, and epoxy acrylate. In addition, what made acrylate the methacrylate can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、加熱硬化型、UV硬化型等の各種硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種(カチオンやアニオン、ラジカル)を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、2種以上の混合体であってもよい。中でも、マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤が好適である。   The latent curing agent is not particularly limited, and examples thereof include various curing agents such as a heat curing type and a UV curing type. The latent curing agent does not normally react, but is activated by various triggers selected according to applications such as heat, light, and pressure, and starts the reaction. The activation method of the thermal activation type latent curing agent includes a method of generating active species (cation, anion, radical) by a dissociation reaction by heating, etc., and it is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, and epoxy at high temperature There are a method of initiating a curing reaction by dissolving and dissolving with a resin, a method of initiating a curing reaction by eluting a molecular sieve encapsulated type curing agent at a high temperature, and an elution / curing method using microcapsules. Thermally active latent curing agents include imidazole, hydrazide, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine imides, polyamine salts, dicyandiamide, etc., and modified products thereof. The above mixture may be sufficient. Among these, a microcapsule type imidazole-based latent curing agent is preferable.

シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。   Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, an epoxy type, an amino type, a mercapto sulfide type, a ureido type etc. can be mentioned. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.

バインダー樹脂層3を構成する接着剤組成物は、このように膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する場合に限定されず、通常の異方性導電フィルムの接着剤組成物として用いられる何れの材料から構成されるようにしてもよい。   The adhesive composition constituting the binder resin layer 3 is not limited to the case where it contains a film-forming resin, a curable resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, etc. You may make it comprise any material used as an adhesive composition.

[導電性粒子]
導電性粒子4としては、異方性導電フィルム1において使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子4としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
[Conductive particles]
Examples of the conductive particles 4 include any known conductive particles used in the anisotropic conductive film 1. Examples of the conductive particles 4 include particles of various metals and metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver, gold, metal oxide, carbon, graphite, glass, ceramic, Examples thereof include those in which the surface of particles such as plastic is coated with metal, or those in which the surface of these particles is further coated with an insulating thin film. In the case where the surface of the resin particle is coated with metal, examples of the resin particle include an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, an acrylonitrile / styrene (AS) resin, a benzoguanamine resin, a divinylbenzene resin, a styrene resin, and the like. Can be mentioned.

異方性導電フィルム1は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤、導電性粒子等を含有する接着剤組成物を調整する。調整した接着剤組成物をバーコーター、塗布装置等を用いて剥離フィルム2上に塗布し、オーブン等によって乾燥させ、最後にカバーフィルム6をラミネートすることにより、剥離フィルム2にバインダー樹脂層3が支持された異方性導電フィルム1を得る。   Although the anisotropic conductive film 1 may be produced by any method, for example, it can be produced by the following method. An adhesive composition containing a film-forming resin, a curable resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, conductive particles and the like is prepared. The adjusted adhesive composition is applied onto the release film 2 using a bar coater, a coating device, etc., dried by an oven or the like, and finally the cover film 6 is laminated, whereby the binder resin layer 3 is formed on the release film 2. A supported anisotropic conductive film 1 is obtained.

[先行硬化]
異方性導電フィルム1は、液晶駆動用IC18が後述する熱圧着ヘッド33によって圧着される前に、液晶駆動用IC18の電極端子19a,19b間の、電極端子が設けられていない端子間領域Aが配置される領域に予め硬化反応を生じさせる。図3に示すように、液晶駆動用IC18の実装面18aが電極端子19の配列方向を長手方向とする矩形状に形成されている場合、異方性導電フィルム1も、液晶駆動用IC18の長手方向に沿って貼り付けられる。このとき、異方性導電フィルム1は、図5に示すように、液晶駆動用IC18の端子間領域Aに配置される幅方向の略中心付近に、予め硬化反応が生じさせられた予備硬化部5が形成される。
[Precuring]
Between the electrode terminals 19a and 19b of the liquid crystal drive IC 18 before the liquid crystal drive IC 18 is pressure-bonded by the thermocompression bonding head 33 described later, the anisotropic conductive film 1 is a terminal region A in which no electrode terminals are provided. A curing reaction is caused in advance in the region where the is disposed. As shown in FIG. 3, when the mounting surface 18 a of the liquid crystal driving IC 18 is formed in a rectangular shape whose longitudinal direction is the arrangement direction of the electrode terminals 19, the anisotropic conductive film 1 also has the longitudinal direction of the liquid crystal driving IC 18. Affixed along the direction. At this time, as shown in FIG. 5, the anisotropic conductive film 1 is a precured portion in which a curing reaction has been generated in the vicinity of the approximate center in the width direction disposed in the inter-terminal region A of the liquid crystal driving IC 18. 5 is formed.

したがって、異方性導電フィルム1は、液晶駆動用IC18がCOG実装部20に配置されると、図6に示すように、液晶駆動用IC18の端子間領域Aが予備硬化部5上に設けられる。予備硬化部5は、硬化反応が進行しているためバインダー樹脂の粘度が高く、熱圧着ヘッド33により液晶駆動用IC18が加熱押圧された場合にも、端子間領域Aからの排出が抑制される。したがって、異方性導電フィルム1は、予備硬化部5によって熱圧着ヘッド33に加熱押圧されている液晶駆動用IC18の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されている電極端子部19a,19bの浮きを防止し、導電性粒子4の押圧不足による接続抵抗の上昇を防止することができる。   Therefore, in the anisotropic conductive film 1, when the liquid crystal driving IC 18 is disposed in the COG mounting portion 20, the inter-terminal region A of the liquid crystal driving IC 18 is provided on the precuring portion 5 as shown in FIG. 6. . The preliminary curing unit 5 has a high viscosity of the binder resin because the curing reaction has progressed, and even when the liquid crystal driving IC 18 is heated and pressed by the thermocompression bonding head 33, the discharge from the inter-terminal region A is suppressed. . Therefore, the anisotropic conductive film 1 prevents the bending of the liquid crystal driving IC 18 that is heated and pressed against the thermocompression bonding head 33 by the precuring portion 5, and the electrode terminal portions 19a and 19b arranged along both side edges. Can be prevented, and an increase in connection resistance due to insufficient pressing of the conductive particles 4 can be prevented.

[硬化反応率]
ここで、予備硬化部5の硬化反応率は10〜30%とすることが好ましい。硬化反応率が10%未満であると、液晶駆動用IC18の反りを十分に抑制することができず、側縁側の電極端子19bが浮いてしまい、導電性粒子4の押圧不足を十分に解消することができないおそれがある。また、硬化反応率が30%を超えると、液晶駆動用IC18の圧着時に、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂の流動が妨げられ、電極端子19と端子部17aとの間からバインダー樹脂が排除されずに導電性粒子4の押し込みが不足し、導通抵抗が上昇するおそれがある。
[Curing reaction rate]
Here, the curing reaction rate of the precured portion 5 is preferably 10 to 30%. When the curing reaction rate is less than 10%, the warp of the liquid crystal driving IC 18 cannot be sufficiently suppressed, and the electrode terminal 19b on the side edge side floats, and the insufficient pressing of the conductive particles 4 is sufficiently solved. There is a risk that it will not be possible. If the curing reaction rate exceeds 30%, the flow of the binder resin of the anisotropic conductive film 1 is hindered when the liquid crystal driving IC 18 is crimped, and the binder resin is excluded from between the electrode terminal 19 and the terminal portion 17a. Otherwise, the pushing of the conductive particles 4 is insufficient, and the conduction resistance may increase.

[先行熱硬化]
異方性導電フィルム1は、熱硬化型のバインダー樹脂層3を用いる場合は、予め幅方向の略中心付近を加熱することにより硬化させることができる。この予備硬化は、例えば、図7に示すように、異方性導電フィルム1の予備硬化部5の幅に応じた幅Wを有する熱圧着ツール7でカバーフィルム6上から加熱押圧することにより行う。
[Pre-curing]
When the thermosetting binder resin layer 3 is used, the anisotropic conductive film 1 can be cured by heating in the vicinity of the substantial center in the width direction in advance. For example, as shown in FIG. 7, the preliminary curing is performed by heating and pressing from above the cover film 6 with a thermocompression bonding tool 7 having a width W corresponding to the width of the preliminary curing portion 5 of the anisotropic conductive film 1. .

なお、予備硬化は、熱圧着ツール7で加熱押圧する以外にも、予備硬化させる幅に応じたスリットを通して赤外線を照射し、バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近を加熱し、硬化反応を開始させてもよい。あるいは、赤外光を予備硬化させる幅に応じた幅に絞り、直接バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に照射してもよい。   In addition to pre-curing with the thermocompression bonding tool 7, the pre-curing is performed by irradiating infrared rays through a slit corresponding to the pre-curing width to heat the vicinity of the center of the binder resin layer 15 in the width direction to perform a curing reaction. You may start. Or you may squeeze to the width | variety according to the width | variety which pre-cures infrared light, and may irradiate to the approximate center of the width direction of the binder resin layer 15 directly.

[先行光硬化]
また、異方性導電フィルム1は、光硬化型のバインダー樹脂層3を用いる場合は、予備硬化させる幅に応じたスリットを通して、バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に紫外光を照射することにより硬化反応を開始させてもよい。あるいは、紫外光を予備硬化させる幅に応じた幅に絞り、直接バインダー樹脂層15の幅方向の略中心付近に照射してもよい。
[Advanced photocuring]
Further, when the photocurable binder resin layer 3 is used, the anisotropic conductive film 1 irradiates ultraviolet light near the substantial center in the width direction of the binder resin layer 15 through a slit corresponding to the width to be precured. The curing reaction may be initiated by this. Or you may restrict | squeeze to the width | variety according to the width | variety which pre-cures ultraviolet light, and may irradiate to the approximate center of the width direction of the binder resin layer 15 directly.

なお、異方性導電フィルム1の予備硬化は、加熱硬化が好ましい。光硬化によると、バインダー樹脂層15の表面から極浅い深度までしか硬化させることができない。一方、熱硬化によれば、伝熱効果によりバインダー樹脂層15の表面から厚さ方向に深く硬化反応を進行させることができ、予備硬化部5の厚さ方向の全域にわたって確実に硬化反応を生じさせることができる。   The preliminary curing of the anisotropic conductive film 1 is preferably heat curing. According to photocuring, it can be cured only from the surface of the binder resin layer 15 to a very shallow depth. On the other hand, according to thermosetting, the curing reaction can proceed deeply in the thickness direction from the surface of the binder resin layer 15 due to the heat transfer effect, and the curing reaction is surely generated over the entire area in the thickness direction of the preliminary curing portion 5. Can be made.

[2層ACF]
なお、本発明に係る異方性導電フィルム1は、導電性粒子4を含有するバインダー樹脂層3と、導電性粒子が含まれない絶縁性の接着剤組成物からなる絶縁性接着剤層とを積層されてなる2層構造の異方性導電フィルムとしてもよい。
[2-layer ACF]
The anisotropic conductive film 1 according to the present invention includes a binder resin layer 3 containing conductive particles 4 and an insulating adhesive layer made of an insulating adhesive composition that does not contain conductive particles. It is good also as an anisotropic conductive film of the 2 layer structure laminated | stacked.

絶縁性接着材層を構成する絶縁性の接着剤組成物は、膜形成樹脂、硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー成分からなり、上述したバインダー樹脂層3の接着剤組成物と同様の材料で構成することができる。   The insulating adhesive composition constituting the insulating adhesive layer comprises a normal binder component containing a film-forming resin, a curable resin, a latent curing agent, a silane coupling agent, etc., and the binder resin layer described above 3 can be made of the same material as the adhesive composition of No. 3.

この2層構造の異方性導電フィルム1は、絶縁性接着剤層を構成する接着剤組成物を剥離フィルムに塗布、乾燥させた後、上述した剥離フィルム2に支持されたバインダー樹脂層3と貼り合わせることにより形成することができる。   The anisotropic conductive film 1 having a two-layer structure is formed by applying an adhesive composition constituting an insulating adhesive layer to a release film and drying the binder resin layer 3 supported by the release film 2 described above. It can be formed by bonding.

なお、異方性導電フィルム1の形状は、特に限定されないが、例えば、図4に示すように、巻取リール8に巻回可能な長尺テープ形状とすることにより、所定の長さだけカットして使用することができる。   The shape of the anisotropic conductive film 1 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 4, the shape of the anisotropic conductive film 1 is a long tape shape that can be wound around the take-up reel 8, and is cut by a predetermined length. Can be used.

また、上述の実施の形態では、接着フィルムとして、導電性粒子4を含有した熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形した異方性導電フィルム1を例に説明したが、本発明に係る接着剤は、これに限定されず、例えば導電性粒子4を含有しないバインダー樹脂層3を用いた絶縁性接着フィルムでもよい。   Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated as an example the anisotropic conductive film 1 which shape | molded the thermosetting resin composition containing the electroconductive particle 4 in the film form as an adhesive film, the adhesion | attachment which concerns on this invention An agent is not limited to this, For example, the insulating adhesive film using the binder resin layer 3 which does not contain the electroconductive particle 4 may be sufficient.

[接続装置]
次いで、透明基板12に液晶駆動用IC18を接続する接続装置について説明する。接続装置30は、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が透明基板12の透明電極17上に接続された接続体の製造工程に用いるものであり、図1に示すように、異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が仮搭載された透明基板12が載置されるステージ31と、ステージ31上に載置された透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を加熱押圧する熱圧着ヘッド33と、熱圧着ヘッド33を移動するヘッド移動機構34とを有する。
[Connecting device]
Next, a connection device for connecting the liquid crystal driving IC 18 to the transparent substrate 12 will be described. The connection device 30 is used in a manufacturing process of a connection body in which the liquid crystal driving IC 18 is connected to the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 through the anisotropic conductive film 1. As shown in FIG. A stage 31 on which the transparent substrate 12 on which the liquid crystal driving IC 18 is temporarily mounted is placed via the anisotropic conductive film 1, and the transparent substrate 12 placed on the stage 31 via the anisotropic conductive film 1. It has a thermocompression bonding head 33 that heats and presses the mounted liquid crystal driving IC 18, and a head moving mechanism 34 that moves the thermocompression bonding head 33.

ステージ31は、表面に透明基板12の縁部12aが載置されるとともに、熱圧着ヘッド33と対峙されている。   The stage 31 has the edge 12 a of the transparent substrate 12 placed on the surface thereof and is opposed to the thermocompression bonding head 33.

なお、ステージ31は、ヒータ等の図示しない加熱機構によって、バインダー樹脂層3が硬化しない程度の温度(例えば80〜100℃)に補助加熱するようにしもよい。これにより、ステージ31は、表面に載置される透明基板12と、熱圧着ヘッド33に加熱押圧される液晶駆動用IC18及び異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3との加熱温度差を縮小することができる。このため、ステージ31は、例えばセラミック等の熱伝導性の良好な材料により形成することが好ましい。   The stage 31 may be auxiliary heated to a temperature (for example, 80 to 100 ° C.) that does not cure the binder resin layer 3 by a heating mechanism (not shown) such as a heater. Thereby, the stage 31 reduces the heating temperature difference between the transparent substrate 12 placed on the surface and the liquid crystal driving IC 18 heated and pressed by the thermocompression bonding head 33 and the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1. can do. For this reason, it is preferable to form the stage 31 with a material having good thermal conductivity such as ceramic.

熱圧着ヘッド33は、透明基板12に異方性導電フィルム1を介して搭載された液晶駆動用IC18を加熱押圧するものであり、ヒータによって異方性導電フィルム1のバインダー樹脂が硬化する所定の温度に加熱される。また、熱圧着ヘッド33は、ヘッド移動機構34に保持されることにより、ステージ31に近接、離間自在とされ、液晶駆動用IC18に対する押圧力を調整可能とされている。   The thermocompression bonding head 33 heats and presses the liquid crystal driving IC 18 mounted on the transparent substrate 12 with the anisotropic conductive film 1 interposed therebetween, and a predetermined resin that cures the binder resin of the anisotropic conductive film 1 by the heater. Heated to temperature. Further, the thermocompression bonding head 33 is held by the head moving mechanism 34 so that the thermocompression bonding head 33 can be moved close to and away from the stage 31 and the pressing force applied to the liquid crystal driving IC 18 can be adjusted.

熱圧着ヘッド33は、液晶駆動用IC18の接続時には、ヘッド移動機構34によって液晶駆動用IC18を透明基板12に対して所定の温度、圧力、時間にて加熱押圧する。熱圧着ヘッド33に加熱押圧されることにより、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂は流動性を示し、透明電極17の端子部17aと液晶駆動用IC18の電極端子19との間から流出するとともに、導電性粒子4が挟持され、この状態でバインダー樹脂が硬化する。また、熱圧着ヘッド33は、液晶駆動用IC18の接続工程が終了すると、ヘッド移動機構34によってステージ31の上方に離間され、次の加熱押圧工程まで待機する。   When the liquid crystal driving IC 18 is connected, the thermocompression bonding head 33 heats and presses the liquid crystal driving IC 18 against the transparent substrate 12 at a predetermined temperature, pressure, and time by the head moving mechanism 34. By being heated and pressed by the thermocompression bonding head 33, the binder resin of the anisotropic conductive film 1 exhibits fluidity and flows out between the terminal portion 17 a of the transparent electrode 17 and the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18. The conductive particles 4 are sandwiched, and the binder resin is cured in this state. When the connection process of the liquid crystal driving IC 18 is completed, the thermocompression bonding head 33 is separated above the stage 31 by the head moving mechanism 34 and waits until the next heating and pressing process.

[接続工程]
次いで、透明基板12に液晶駆動用IC18を接続する接続工程について説明する。接続工程では、先ず、透明基板12の端子部17aが形成されたCOG実装部20上に異方性導電フィルム1を仮貼りする。異方性導電フィルム1は、COG実装部20上に仮貼りされる前、又は仮貼り後、液晶駆動用IC18の搭載前に、予めバインダー樹脂層15の液晶駆動用IC18の端子間領域Aが配置される領域に、加熱又は紫外線照射によって硬化反応を生じさせた予備硬化部5が形成されている。異方性導電フィルム1は、COG実装部20上に仮貼りされた後、剥離フィルム2が剥離されることにより、バインダー樹脂層15のみが貼付される。
[Connection process]
Next, a connection process for connecting the liquid crystal driving IC 18 to the transparent substrate 12 will be described. In the connecting step, first, the anisotropic conductive film 1 is temporarily pasted on the COG mounting part 20 on which the terminal part 17a of the transparent substrate 12 is formed. The anisotropic conductive film 1 has a region A between terminals of the liquid crystal driving IC 18 of the binder resin layer 15 in advance before the liquid crystal driving IC 18 is mounted before or after being temporarily pasted on the COG mounting portion 20. A precured portion 5 in which a curing reaction is caused by heating or ultraviolet irradiation is formed in the region to be disposed. After the anisotropic conductive film 1 is temporarily attached on the COG mounting portion 20, the release film 2 is peeled off, so that only the binder resin layer 15 is attached.

次いで、透明基板12のCOG実装部20上に異方性導電フィルム1を介して液晶駆動用IC18が搭載され、この透明基板12を接続装置30のステージ31上に載置する。これにより、液晶駆動用IC18がステージ31の上方に待機する熱圧着ヘッド33と対峙される。   Next, the liquid crystal driving IC 18 is mounted on the COG mounting portion 20 of the transparent substrate 12 via the anisotropic conductive film 1, and the transparent substrate 12 is mounted on the stage 31 of the connection device 30. Thus, the liquid crystal driving IC 18 is opposed to the thermocompression bonding head 33 that stands by above the stage 31.

次いで、バインダー樹脂層3を硬化させる所定の温度に加熱された熱圧着ヘッド33によって、所定の圧力、時間で液晶駆動用IC18上から熱加圧する。これにより、異方性導電フィルム1のバインダー樹脂層3は流動性を示し、液晶駆動用IC18の実装面18aと透明基板12のCOG実装部20の間から流出するとともに、バインダー樹脂層3中の導電性粒子4は、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の端子部17aとの間に挟持されて押し潰され、この状態で熱圧着ヘッド33によって加熱されたバインダー樹脂が硬化する。   Next, the thermocompression bonding head 33 heated to a predetermined temperature for curing the binder resin layer 3 is hot-pressed from above the liquid crystal driving IC 18 at a predetermined pressure and time. Thereby, the binder resin layer 3 of the anisotropic conductive film 1 exhibits fluidity, and flows out from between the mounting surface 18a of the liquid crystal driving IC 18 and the COG mounting portion 20 of the transparent substrate 12, and in the binder resin layer 3. The conductive particles 4 are sandwiched and crushed between the electrode terminals 19 of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portions 17a of the transparent substrate 12, and in this state, the binder resin heated by the thermocompression bonding head 33 is cured.

このとき、本発明に係る接続工程においては、液晶駆動用IC18の端子間領域A下におけるバインダー樹脂層3に予め硬化反応を進行させているため、熱圧着ヘッド33により液晶駆動用IC18が加熱押圧された場合にも、端子間領域Aからの排出が抑制される。   At this time, in the connection step according to the present invention, since the curing reaction is advanced in advance in the binder resin layer 3 below the inter-terminal region A of the liquid crystal driving IC 18, the liquid crystal driving IC 18 is heated and pressed by the thermocompression bonding head 33. Also when it is done, discharge from the inter-terminal region A is suppressed.

したがって、本接続工程によれば、図6に示すように、異方性導電フィルム1の予備硬化部5によって、熱圧着ヘッド33に加熱押圧されている液晶駆動用IC18の撓みを防止し、両側縁に沿って配列されている電極端子部19a,19bの浮きを防止し、導電性粒子4の押圧不足による接続抵抗の上昇を防止することができる。   Therefore, according to this connection process, as shown in FIG. 6, the precured portion 5 of the anisotropic conductive film 1 prevents the liquid crystal driving IC 18 being heated and pressed against the thermocompression bonding head 33 from being bent. It is possible to prevent the electrode terminal portions 19 a and 19 b arranged along the edge from floating and to prevent an increase in connection resistance due to insufficient pressing of the conductive particles 4.

また、本接続工程によれば、液晶駆動用IC18の端子間領域A下におけるバインダー樹脂層3に予め硬化反応を進行させているため、バインダー樹脂の硬化収縮に伴う液晶駆動用IC18の端子間領域Aの反りの発生を抑制することができ、熱圧着ヘッド33の加熱押圧の終了後においても、液晶駆動用IC18の残留応力によるスプリングバックを防止して、端子部17a及び電極端子19の接続性を維持することができる。   Further, according to the present connection step, since the curing reaction is advanced in advance in the binder resin layer 3 below the inter-terminal region A of the liquid crystal driving IC 18, the inter-terminal region of the liquid crystal driving IC 18 accompanying the curing shrinkage of the binder resin. The occurrence of warping of A can be suppressed, and even after the heating and pressing of the thermocompression bonding head 33, the spring back due to the residual stress of the liquid crystal driving IC 18 is prevented, and the connectivity between the terminal portion 17a and the electrode terminal 19 is prevented. Can be maintained.

電極端子19と端子部17aとは、導電性粒子4を挟持することにより電気的に接続される。これにより、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12に形成された端子部17aとの間で導通性を確保された液晶表示パネル10を製造することができる。   The electrode terminal 19 and the terminal part 17a are electrically connected by sandwiching the conductive particles 4. Thereby, the liquid crystal display panel 10 in which electrical conductivity is ensured between the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17a formed on the transparent substrate 12 can be manufactured.

電極端子19と端子部17aとの間にない導電性粒子4は、隣接する電極端子19間の端子間スペースにおいてバインダー樹脂に分散されており、電気的に絶縁した状態を維持している。これにより、液晶駆動用IC18の電極端子19と透明基板12の端子部17aとの間のみで電気的導通が図られる。なお、バインダー樹脂として、ラジカル重合反応系の速硬化タイプのものを用いることで、短い加熱時間によってもバインダー樹脂を速硬化させることができる。また、異方性導電フィルム1としては、熱硬化型に限らず、加圧接続を行うものであれば、光硬化型もしくは光熱併用型の接着剤を用いてもよい。   The conductive particles 4 that are not between the electrode terminals 19 and the terminal portions 17a are dispersed in the binder resin in the inter-terminal spaces between the adjacent electrode terminals 19, and maintain an electrically insulated state. Thereby, electrical conduction is achieved only between the electrode terminal 19 of the liquid crystal driving IC 18 and the terminal portion 17a of the transparent substrate 12. In addition, by using a fast curing type radical polymerization reaction system as the binder resin, the binder resin can be rapidly cured even with a short heating time. Further, the anisotropic conductive film 1 is not limited to the thermosetting type, and may be a photo-curing type or a photo-heat combined type adhesive as long as pressure connection is performed.

次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電フィルムを用いて評価用ICを評価用ガラス基板に接続した接続体サンプルを作成し、評価用ICのバンプと評価用ガラス基板の端子部とに挟持された導電性粒子の高さ、及び信頼性試験後における導通抵抗値を測定した。   Next, examples of the present invention will be described. In this example, a connected body sample in which an evaluation IC is connected to an evaluation glass substrate using an anisotropic conductive film is prepared, and the conductive material sandwiched between the bump of the evaluation IC and the terminal portion of the evaluation glass substrate. The height of the conductive particles and the conduction resistance value after the reliability test were measured.

[異方性導電フィルム]
評価用ICの接続に用いる異方性導電フィルムは、フェノキシ樹脂(商品名:YP50、新日鐵化学社製)60質量部、エポキシ樹脂(商品名:EP828、ジャパンエポキシレジン社製)40質量部、シランカップリング剤(商品名:KBM−403、信越化学工業社製)1質量部、熱カチオン系硬化剤(商品名:SI‐60L、三新化学工業社製)4質量部、導電性粒子(商品名:ミクロパールAU、粒子径3μm、積水化学工業社製)をトルエンに加えたバインダー樹脂組成物を調整し、このバインダー樹脂組成物を剥離フィルム(PET)上に塗布した後、70℃の熱風中に10分間放置し乾燥させることにより形成した。異方性導電フィルムは、幅2.5mm、乾燥後のバインダー樹脂層の厚みは18μmである。
[Anisotropic conductive film]
The anisotropic conductive film used for connecting the IC for evaluation was 60 parts by mass of phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), 40 parts by mass of epoxy resin (trade name: EP828, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.). , 1 part by mass of a silane coupling agent (trade name: KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 4 parts by mass of a thermal cationic curing agent (trade name: SI-60L, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), conductive particles (Trade name: Micropearl AU, particle size 3 μm, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) was adjusted to a binder resin composition added to toluene, and this binder resin composition was applied onto a release film (PET), followed by 70 ° C. It was formed by leaving it in hot air for 10 minutes and drying it. The anisotropic conductive film has a width of 2.5 mm, and the binder resin layer after drying has a thickness of 18 μm.

[評価用IC]
導通抵抗を測定するための評価素子として、幅2.0mm×長さ24mm、厚み0.20mmのIC基板を備え、一方の長辺側の側縁に沿って複数の出力バンプが2列千鳥配列で形成され、一方の長辺側の側縁と対向する他方の長辺側の側縁に沿って複数の入力バンプが1列ストレート配列で形成されている評価用ICを用意した。入力バンプサイズは40μm×120μm、出力バンプサイズは14μm×120μmである。また、入力バンプと出力バンプとの端子間領域の幅は1.5mmである。
[IC for evaluation]
As an evaluation element for measuring the conduction resistance, an IC substrate having a width of 2.0 mm × a length of 24 mm and a thickness of 0.20 mm is provided, and a plurality of output bumps are arranged in two rows along a side edge on one long side. An evaluation IC was prepared, in which a plurality of input bumps were formed in a single-line straight arrangement along the other long side edge opposite to the one long side edge. The input bump size is 40 μm × 120 μm, and the output bump size is 14 μm × 120 μm. The width of the inter-terminal region between the input bump and the output bump is 1.5 mm.

[評価用ガラス基板]
評価用ICが接続される評価用ガラス基板として、厚み0.1mm、評価用ICのバンプと同サイズ同ピッチの櫛歯状の電極パターンが形成されたITOパターングラスを用いた。
[Evaluation Glass Substrate]
As an evaluation glass substrate to which the evaluation IC is connected, an ITO pattern glass having a comb-like electrode pattern having a thickness of 0.1 mm and the same size and the same pitch as the bump of the evaluation IC was used.

この評価用ガラス基板に異方性導電フィルムを仮貼りした後、ICバンプと基板電極とのアライメントを取りながら評価用ICを搭載し、熱圧着ヘッドにより170℃、圧力60MPa、5secの条件で熱圧着することにより接続体サンプルを作成した。作成した各接続体サンプルについて、評価用ICの出力バンプと評価用ガラス基板の端子部とに挟持された導電性粒子の高さを、接続体サンプルの断面を電子顕微鏡(SEM)にて測定した。測定は、IC基板の一方の長辺の外側に配列された第1列と、内側に配列された第2列の各出力バンプ下の導電性粒子について行った。第1列と第2列の各出力バンプにおける導電性粒子の高さの差が小さいほど、導電性粒子が均等に押圧されている、すなわち評価用ICの反りが抑制されていることとなり良好である。   After temporarily attaching an anisotropic conductive film to the glass substrate for evaluation, the IC for evaluation was mounted while aligning the IC bump and the substrate electrode, and heat was applied by a thermocompression bonding head at 170 ° C., pressure 60 MPa, and 5 sec. A connector sample was prepared by pressure bonding. About each created connection body sample, the cross section of the connection body sample was measured with the electron microscope (SEM) about the height of the electroconductive particle pinched by the output bump of evaluation IC, and the terminal part of the glass substrate for evaluation. . The measurement was performed on the conductive particles under each output bump in the first row arranged outside the one long side of the IC substrate and in the second row arranged inside. The smaller the difference between the heights of the conductive particles in the output bumps in the first row and the second row, the more uniformly the conductive particles are pressed, that is, the warpage of the evaluation IC is suppressed. is there.

また、各接続体サンプルの第1列の出力バンプについて、デジタルマルチメーター(商品名:デジタルマルチメーター7561、横河電機社製)を用いて、信頼性試験後における導通抵抗を測定した。信頼性試験の条件は、85℃、85%RH、500hrである。抵抗値の評価は、初期値:10Ω未満を○(最良)、初期値:10Ω以上30Ω未満を△(普通)、30Ω以上を×(不良)とした。   Moreover, about the output bump of the 1st row | line | column of each connection body sample, the conduction resistance after a reliability test was measured using the digital multimeter (brand name: Digital multimeter 7561, Yokogawa Electric Corporation make). The conditions of the reliability test are 85 ° C., 85% RH, and 500 hr. In the evaluation of the resistance value, the initial value: less than 10Ω is ◯ (best), the initial value: 10Ω or more and less than 30Ω is Δ (normal), and 30Ω or more is × (defect).

[実施例1]
実施例1では、異方性導電フィルムを評価用ガラス基板に貼着する前に、評価用ICの入力バンプ及び出力バンプ間の、バンプが設けられていない端子間領域が配置される領域に予め硬化反応を生じさせた。この予備硬化は、幅0.5mmの熱圧着ツール(SUS製カートリッジヒーター)によって異方性導電フィルムを加熱押圧することにより行った(図7参照)。熱圧着ツールの加熱押圧条件は、1.0MPa、130℃、3秒とした。熱圧着ツールの温度は、先端に熱電対を設けて測定した。
[Example 1]
In Example 1, before adhering the anisotropic conductive film to the glass substrate for evaluation, an area between the input bumps and the output bumps of the evaluation IC between which the terminals are not provided is arranged in advance. A curing reaction was caused. This pre-curing was performed by heating and pressing the anisotropic conductive film with a thermocompression tool (SUS cartridge heater) having a width of 0.5 mm (see FIG. 7). The heat pressing conditions of the thermocompression bonding tool were 1.0 MPa, 130 ° C., and 3 seconds. The temperature of the thermocompression bonding tool was measured by providing a thermocouple at the tip.

実施例1に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、8%であった。硬化反応率の測定は、熱圧着ツールが接触した予備硬化部をカッターで切り取り、赤外分光光度計(FT/IR−4100、日本分光社製)を用いて、評価用ガラス基板への仮貼り前と、評価用ICの接続後のエポキシ環の吸収波長の減衰量(%)から算出した。   The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 1 was measured and found to be 8%. For the measurement of the curing reaction rate, the pre-cured part with which the thermocompression bonding tool is in contact is cut out with a cutter, and temporarily attached to a glass substrate for evaluation using an infrared spectrophotometer (FT / IR-4100, manufactured by JASCO Corporation). It was calculated from the attenuation amount (%) of the absorption wavelength of the epoxy ring before and after connection of the evaluation IC.

実施例1に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.7μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は△(普通)となった。   In the connection body sample according to Example 1, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.7 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was Δ (normal).

[実施例2]
実施例2では、熱圧着ツールの加熱温度を140℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例2に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、16%であった。
[Example 2]
In Example 2, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 140 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 2 was measured and found to be 16%.

実施例2に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.3μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は〇(最良)となった。   In the connection body sample according to Example 2, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.3 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was ◯ (best).

[実施例3]
実施例3では、熱圧着ツールの加熱温度を150℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例3に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、27%であった。
[Example 3]
In Example 3, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 150 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 3 was measured and found to be 27%.

実施例3に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は〇(最良)となった。   In the connection body sample according to Example 3, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.2 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.2 μm. The evaluation of the conduction resistance was ◯ (best).

[実施例4]
実施例4では、熱圧着ツールの加熱温度を160℃とした他は、実施例1と同じ条件とした。実施例4に係る異方性導電フィルムの予備硬化部の硬化反応率を測定したところ、41%であった。
[Example 4]
In Example 4, the same conditions as in Example 1 were used except that the heating temperature of the thermocompression bonding tool was set to 160 ° C. The curing reaction rate of the precured portion of the anisotropic conductive film according to Example 4 was measured and found to be 41%.

実施例4に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.4μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.4μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は△(普通)となった。   In the connection body sample according to Example 4, the conductive particle height in the first row of output bumps is 2.4 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps is 2.4 μm. The evaluation of the conduction resistance was Δ (normal).

[比較例1]
比較例1では、異方性導電フィルムに対する予備硬化を行わなかった。
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, preliminary curing for the anisotropic conductive film was not performed.

比較例1に係る接続体サンプルでは、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.9μ、第2列の出力バンプにおける導電性粒子高さが2.2μmで、信頼性試験後における導通抵抗の評価は×(不良)となった。   In the connection body sample according to Comparative Example 1, the conductive particle height in the first row of output bumps was 2.9 μm, and the conductive particle height in the second row of output bumps was 2.2 μm. The conduction resistance was evaluated as x (defect).

Figure 2015170647
Figure 2015170647

表1に示すように、実施例1〜4に係る接続体サンプルにおいては、第1列と第2列の各出力バンプ下における導電性粒子の高さの差が0.5μm以下であり、評価用ICの反りが抑制されていることが分かる。これは、評価用ICの端子間領域に配置される領域で予め硬化反応を進行させておくことにより、評価用ICの接続時において端子間領域下でのバインダー樹脂の排出を抑えるとともに、粘度の高い予備硬化部により評価用ICの撓みを抑制していることによる。   As shown in Table 1, in the connection body samples according to Examples 1 to 4, the difference in height of the conductive particles under each output bump in the first row and the second row is 0.5 μm or less, and evaluation It can be seen that the warpage of the IC is suppressed. This is because the curing reaction is allowed to proceed in advance in the region arranged in the inter-terminal region of the evaluation IC, thereby suppressing the discharge of the binder resin under the inter-terminal region when the evaluation IC is connected, and the viscosity of This is because bending of the evaluation IC is suppressed by a high pre-cured portion.

一方、比較例1では、評価用ICの端子間領域におけるバインダー樹脂の排出が進むことにより撓みが生じ、評価用ICの外側に配列された第1列の出力バンプが浮いた状態となり、内側の第2列における出力バンプにおける導電性粒子高さとの差が0.7μmと拡がった。また、第1列の出力バンプにおいては、導電性粒子自体も十分に押圧されていない。そのため、比較例1では、第1列における信頼性試験後における導通抵抗の評価も×(不良)となった。   On the other hand, in Comparative Example 1, the bending of the binder resin in the inter-terminal region of the evaluation IC is caused to bend, and the output bumps in the first row arranged outside the evaluation IC are in a floating state. The difference from the height of the conductive particles in the output bump in the second row expanded to 0.7 μm. Further, the conductive particles themselves are not sufficiently pressed in the output bumps in the first row. Therefore, in Comparative Example 1, the evaluation of the conduction resistance after the reliability test in the first column was x (defect).

実施例2及び実施例3では、第1列と第2列の各出力バンプ下における導電性粒子の高さの差がなく、信頼性試験後における導通抵抗の評価も〇(最良)となった。これに対し、実施例1では、予備硬化部の硬化反応率が8%とやや低く、実使用上は問題ないものの、第1列の出力バンプにおける導電性粒子高さが高くなり評価用ICの反りの抑制効果が若干下がった。また、実施例4では、予備硬化部の硬化反応率が41%とやや高く、実施例1〜3に比してバインダー樹脂の排出が抑制され、実使用上は問題ないものの、導通抵抗値が若干高くなった。これより、予備硬化部の硬化反応率は、10〜30%が最適であることが分かる。   In Example 2 and Example 3, there was no difference in the height of the conductive particles under each output bump in the first row and the second row, and the evaluation of the conduction resistance after the reliability test was also ◯ (best). . On the other hand, in Example 1, although the curing reaction rate of the precured portion is slightly low at 8% and there is no problem in actual use, the height of the conductive particles in the output bumps in the first row is increased, and the evaluation IC Suppression of warpage was slightly reduced. Further, in Example 4, the curing reaction rate of the precured part is slightly high at 41%, and the discharge of the binder resin is suppressed as compared with Examples 1 to 3, and although there is no problem in actual use, the conduction resistance value is Slightly higher. From this, it can be seen that the optimal curing reaction rate of the precured portion is 10 to 30%.

1 異方性導電フィルム、2 剥離フィルム、3 バインダー樹脂層、4 導電性粒子、5 予備硬化部、6 カバーフィルム、7 熱圧着ツール、10 液晶表示パネル、11,12 透明基板、13 シール、14 液晶、15 パネル表示部、16,17 透明電極、17a 端子部、18 液晶駆動用IC、20 COG実装部、30 接続装置、31 ステージ、33 熱圧着ヘッド、34 ヘッド移動機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anisotropic conductive film, 2 Release film, 3 Binder resin layer, 4 Conductive particle, 5 Pre-hardening part, 6 Cover film, 7 Thermocompression bonding tool, 10 Liquid crystal display panel, 11, 12 Transparent substrate, 13 Seal, 14 Liquid crystal, 15 Panel display part, 16, 17 Transparent electrode, 17a Terminal part, 18 Liquid crystal driving IC, 20 COG mounting part, 30 Connection device, 31 Stage, 33 Thermocompression bonding head, 34 Head moving mechanism

Claims (7)

対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、
圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する接続体の製造方法において、
上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせる接続体の製造方法。
Electronic components provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges are arranged on a circuit board via an adhesive film,
In the manufacturing method of the connection body for crimping the electronic component to the circuit board with a crimping tool,
The said adhesive film is a manufacturing method of the connection body which produces a hardening reaction in the area | region where the said bumps of the said electronic component are arrange | positioned previously, before the said electronic component is crimped | bonded by the said crimping tool.
上記接着フィルムは、幅方向の中心部に硬化反応を生じさせる請求項1記載の接続体の製造方法。   The said adhesive film is a manufacturing method of the connection body of Claim 1 which produces a curing reaction in the center part of the width direction. 上記接着フィルムの硬化反応は、硬化反応率が10〜30%である請求項1又は2に記載の接続体の製造方法。   The method for producing a connection body according to claim 1 or 2, wherein the curing reaction of the adhesive film has a curing reaction rate of 10 to 30%. 上記接着フィルムを加熱することにより、上記硬化反応を生じさせる請求項1〜3のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The manufacturing method of the connection body of any one of Claims 1-3 which produce the said hardening reaction by heating the said adhesive film. 上記接着フィルムに光を照射することにより、上記硬化反応を生じさせる請求項1〜3のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。   The manufacturing method of the connection body of any one of Claims 1-3 which produce the said hardening reaction by irradiating light to the said adhesive film. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法により製造された接続体。   The connection body manufactured by the method of any one of Claims 1-5. 対向する一対の側縁の一方側及び他方側に離間してバンプが設けられた電子部品を、接着フィルムを介して回路基板に配置し、
圧着ツールによって上記電子部品を上記回路基板に圧着する電子部品の接続方法において、
上記接着フィルムは、上記電子部品が上記圧着ツールによって圧着される前に、予め上記電子部品の上記バンプ間が配置される領域に硬化反応を生じさせる電子部品の接続方法。
Electronic components provided with bumps on one side and the other side of a pair of opposing side edges are arranged on a circuit board via an adhesive film,
In the method for connecting electronic components, in which the electronic component is crimped to the circuit board by a crimping tool,
The adhesive film is a connection method for an electronic component in which a curing reaction is caused in a region where the bumps of the electronic component are arranged in advance before the electronic component is crimped by the crimping tool.
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