JP2015149312A - Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】III族窒化物半導体レーザ素子のｃ軸及びｍ軸に係るｃ−ｍ面とIII族窒化物半導体レーザ素子の基板主面の法線軸に直交する平面との交差線に直交する基準面と活性層の端面との成す角度がｃ−ｍ面における角度成分において小さくできる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。
【解決手段】押圧によりレーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する際に、基板生産物５を支持するように基板生産物５を支持台の第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２上に配置すると共に、第１基準面Ｒ１に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面Ｒ２に沿ってブレード５ｇが基板生産物５に対して移動可能なようにブレード５ｇ及び基板生産物５を配置する。角度ＴＨＥＴＡが５度以上１０度以下の範囲にあるとき、レーザ共振器を構成する第１端面はｃ−ｍ面内において規定される角度に関して優れた垂直性を示す。
【選択図】図３

Description

本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。

特許文献１は、半導体レーザチップを製造する方法を開示する。特許文献２は、ウエハ分割装置を開示する。特許文献３は、六方晶ＧａＮ基板上に半導体層が積層形成された半導体レーザを歩留まり良くチップ分割を行う方法を開示する。

特開２０００−１２４５３７号公報 特開２００４−２２１３９２号公報 特開２００２−１８５０８５号公報

特許文献１では、簡便・低コスト・歩留まり向上を目的として、透明な台上で弾性シートによる加圧で劈開を行う。これにより、スクライブ部以外での割れを防いでいる。特許文献２では、ウエハを左右対称の位置で劈開により分割できる分割装置を用いる。特許文献３では、半導体層を積層したＧａＮ基板の裏面の表面ラフネスＲａを低減して、歩留まり良くチップ分割を行う方法を開示する。

特許文献１〜３に開示された発明では、異方性のない材料を劈開することを目的としており、これ故に、分割されるべき対象物、ブレード、支持台が左右対称の構成で配置される。しかしながら、III族窒化物半導体レーザの技術分野では、半極性面を用いて半導体レーザが作製されている。このような半導体レーザでは、例えばレーザ共振器のための端面として、半導体結晶のへき開面を利用できない。また、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザの作製では、III族窒化物半導体の結晶構造の対称性から外れた方向にレーザ共振器のための端面が延在するように、III族窒化物半導体レーザのための基板生産物の分割を行う。

本発明は、上記のような事情を鑑みて為されたものであり、III族窒化物半導体レーザ素子の半導体のｃ軸及びｍ軸により規定されるｃ−ｍ面とIII族窒化物半導体レーザ素子の基板主面の法線軸に直交する平面との交差線に直交する基準面と活性層の端面との成す角度をｃ−ｍ面における角度成分に関して小さくできる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供することを目的とする。

本発明に係る一側面は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。この方法は、第１基準面に沿って延在する半極性主面を含みIII族窒化物半導体を備える基板と、前記半極性主面上に形成され活性層を含む半導体領域と、前記半導体領域の主面において第１方向に延在すると共に前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第１電極と、複数のスクライブマークとを備える基板生産物を準備する工程と、前記基板生産物の第１面を支持するように前記基板生産物を支持台の第１支持面及び第２支持面上に配置すると共に、前記第１基準面に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面に沿ってブレードが前記基板生産物に対して相対的に移動可能なように、前記ブレード、前記第１支持面、前記第２支持面及び前記基板生産物を配置する工程と、前記基板生産物に対して相対的に前記第２基準面に沿って前記ブレードを移動し前記基板生産物の第２面を前記第１支持面及び前記第２支持面上において押圧して、前記スクライブマークの位置で前記基板生産物を分離してレーザバー及び別の基板生産物を形成する工程と、を備え、前記複数のスクライブマークは、前記第１基板生産物の前記第１面に設けられ、前記第１基板生産物の前記第１面は前記第１基板生産物の前記第２面に反対側にあり、前記III族窒化物半導体のｃ軸方向を示すｃ軸ベクトルは、該III族窒化物半導体のｍ軸及び前記ｃ軸により規定されるｃ−ｍ面内において、前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ＡＬＰＨＡで傾斜して成しており、前記角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下又は１０１度以上１０９度以下の角度範囲にあり、前記レーザバーは、前記押圧による分離により形成される第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面及び前記第２端面は前記ｃ−ｍ面に交差し、前記第１端面及び前記第２端面は、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成しており、前記レーザバー及び前記別の基板生産物を形成する際に、前記角度ＴＨＥＴＡは、前記レーザバーから前記別の基板生産物への向きに取られた角度として５度以上１０度以下の範囲にある。

本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。

以上説明したように、本発明の一側面によれば、III族窒化物半導体レーザ素子の基板主面の法線軸に直交する平面と上記ｃ−ｍ面との交差線に直交する基準面と活性層の端面との成す角度をｃ−ｍ面における角度成分において小さくできる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。

図１は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。 図２は、本実施形態に係る作製方法によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子のためのエピタキシャル基板及び基板生産物の構造を概略的に示す図面である。 図３は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物及びレーザバーを示す図面である。 図４は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物及びレーザバーを示す図面である。 図５は、共振器端面の品質をその角度に関して説明するための図面である。 図６は、実施例で作製されるレーザダイオードの構造を示す図面である。 図７は、加工された基板生産物を示す図面である。 図８は、基板生産物の形態を示す図面である。 図９は、基板生産物へのブレード進入角と、基板主面に垂直な方向に関する端面の垂直ずれ角との関係を示す図面である。 図１０は、ブレード・基板角度と垂直ずれ角との関係を示す図面である。 図１１は、同じレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物の割断を示す図面である。 図１２は、異なるレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物の割断を示す図面である。

本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、本実施の形態のいくつかの側面を説明する。

本実施の形態に係る一側面は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。この方法は、（ａ）第１基準面に沿って延在する半極性主面を含みIII族窒化物半導体を備える基板と、前記半極性主面上に形成され活性層を含む半導体領域と、前記半導体領域の主面において第１方向に延在すると共に前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第１電極と、複数のスクライブマークとを備える基板生産物を準備する工程と、（ｂ）前記基板生産物の第１面を支持するように前記基板生産物を支持台の第１支持面及び第２支持面上に配置すると共に、前記第１基準面に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面に沿ってブレードが前記基板生産物に対して相対的に移動可能なように、前記ブレード、前記第１支持面、前記第２支持面及び前記基板生産物を配列する工程と、前記基板生産物に対して前記ブレードを前記第２基準面に沿って相対的に移動し前記基板生産物の第１面を前記第１支持面及び前記第２支持面上において押圧して、前記スクライブマークの位置で前記基板生産物を分離してレーザバー及び別の基板生産物を形成する工程と、を備える。前記複数のスクライブマークは、前記基板生産物の前記第１面に設けられ、前記基板生産物の前記第１面は前記第１基板生産物の前記第２面に反対側にあり、前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルは、該III族窒化物半導体のｍ軸及び前記ｃ軸により規定されるｃ−ｍ面内において、前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ＡＬＰＨＡで傾斜して成しており、前記角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下又は１０１度以上１０９度以下の角度範囲にあり、前記レーザバーは、前記押圧による分離により形成される第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面及び前記第２端面は前記ｃ−ｍ面に交差し、前記第１端面及び前記第２端面は、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成しており、前記レーザバー及び前記別の基板生産物を形成する際に、前記角度ＴＨＥＴＡは、前記レーザバーから前記別の基板生産物への向きに取られた角度として５度以上１０度以下の範囲にある。

この作製方法によれば、押圧によりレーザバー及び別の基板生産物を形成する際に、基板生産物を支持台の第１支持面及び第２支持面上に配置すると共に、第１基準面に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面に沿ってブレードが基板生産物に対して相対的に移動可能なように、ブレード、第１支持面、第２支持面及び基板生産物が配置されている。この角度ＴＨＥＴＡが上記の角度範囲にあるとき、スクライブマークの位置で基板生産物を分離して形成されたレーザバーの第１端面は、ｃ−ｍ面内において規定される角度に関して優れた垂直性を示す。ここで、角度ＴＨＥＴＡが、レーザバーから別の基板生産物への向きに取られた角度として規定される。

本実施の形態に係る一側面では、前記基板生産物を準備する前記工程において、前記半極性主面の法線軸の方向を示す法線ベクトルと前記III族窒化物半導体のａ軸とによって規定されるａ−ｎ面と前記基板生産物の前記第１面との交差線の方向に延在する複数のスクライブマーク配列を形成することが好ましい。

この作製方法によれば、スクライブマークの配列は、押圧による分離の進行方向を案内する。上記の交差線の延在方向にスクライブマークの配列を形成するとき、レーザ共振器のための垂直性を有する端面をレーザバーに付与できるように第１端面の進展方向を案内できる。また、このようなスクライブマークの配列は、上記範囲の角度ＴＨＥＴＡと一緒になって、ｃ−ｍ面内において規定される角度に関してレーザバーの第１端面に優れた垂直性を付与するために良い。

本実施の形態に係る一側面は、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための複数のIII族窒化物層を含むエピタキシャル基板を用意する工程と、前記エピタキシャル基板に加工を行う工程とを更に備えることができる。前記エピタキシャル基板の前記加工は、前記第１電極を形成すること、及び第２電極を形成することを含み、前記基板の厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるような処理が施され、前記処理はスライス又は研削であり、前記第２面は、前記処理により形成された加工面と前記加工面上の前記第２電極を含む面との何れかであることができる。

この作製方法によれば、当該基板が５０μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有するので、上記範囲の角度ＴＨＥＴＡと一緒になって、レーザバーの第１端面に優れた垂直性を付与するために良い。

本実施の形態に係る一側面では、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークは、前記第１面から前記第２面の方向に延在するスクライブ溝を含むことができる。この作製方法によれば、レーザスクライバは、品質のそろったスクライブ線を形成するために役立つ。

本実施の形態に係る一側面では、前記半極性主面は、｛２０−２１｝面の半極性面から、前記III族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有することが好ましい。この作製方法によれば、半極性主面が−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有するとき、優れた垂直性の第１端面を形成できる。

本実施の形態に係る一側面では、前記半極性主面は、｛２０−２−１｝面の半極性面から、前記III族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有することが好ましい。この作製方法によれば、半極性主面が−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有するとき、優れた垂直性の第１端面を形成できる。

本実施の形態に係る一側面では、前記半極性主面は、｛２０−２１｝面及び｛２０−２−１｝面のいずれかの面を備えることが好ましい。この作製方法によれば、半極性主面が｛２０−２１｝面及び｛２０−２−１｝面のいずれかの面を備えるとき、優れた垂直性の第１端面を形成できる。

本実施の形態に係る一側面では、前記基板は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含むことが好ましい。この作製方法によれば、六方晶系のIII族窒化物を基板の材料として利用でき、また優れた垂直性の第１端面を形成できる。

本実施の形態に係る一側面では、前記第１端面における前記活性層の端面は、前記基板のｍ軸に直交する平面に対して、前記ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度より大きく（ＡＬＰＨＡ＋５）度未満の範囲の角度を成すことが好ましい。この作製方法によれば、上記の角度範囲の優れた垂直性を第１端面に付与できる。

本実施の形態に係る一側面では、前記活性層の端面は、前記ｃ−ｍ面と前記法線ベクトルとに直交する平面において、当該平面と前記ｃ−ｍ面との交線に直交する面から、−５度以上＋５度以下の範囲の角度ずれを有していることが好ましい。この作製方法によれば、上記の角度範囲の優れた垂直性を第１端面に付与できる。

次いで、添付図面を参照しながら、本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びIII族窒化物半導体レーザ素子に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。

図１は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法の主要な工程を示す図である。

工程Ｓ１０１では、III族窒化物半導体レーザ素子のためのエピタキシャル基板を準備する。この準備のために、本実施例では、エピタキシャル基板を作製する。図２は、本実施形態に係る作製方法によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子のためのエピタキシャル基板及び基板生産物の構造、並びに結果として得られるIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、利得ガイド型の構造を有するが、利得ガイド型の構造に限定されるものではなく、リッジ構造、埋込構造等を有することができる。

エピタキシャル基板Ｅでは、半導体レーザのための（半導体領域１９に対応する部材）半導体領域が半導体基板（支持基体１７に対応する部材）の主面上にエピタキシャルに成長されている。この結晶成長は、例えば有機金属気相成長法で行われることができる。支持基体１７の主面は半極性面を備えるので、エピタキシャル基板Ｅでは、基板Ｓｕｂ及び半導体領域Ｅｐｉの半導体のｃ軸は、基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦの法線軸に対して傾斜している。この傾斜に起因して、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器のための端面としてへき開面を用いることができない。また、レーザ共振器端面の作製に際して、基板生産物の結晶半導体に係る対称性から外れた平面に沿った破断面を形成することになる。

III族窒化物半導体レーザ素子１１の支持基体１７は、エピタキシャル基板Ｅ及び基板生産物５の半導体基板に対応する。III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体領域１９は、エピタキシャル基板Ｅ及び基板生産物５の半導体領域Ｅｐｉに対応する。

III族窒化物半導体レーザ素子１１の構造とエピタキシャル基板Ｅ及び基板生産物５の構造との間には上記のような対応関係があるので、引き続く説明では、III族窒化物半導体レーザ素子１１の構造を記述する。

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、レーザ構造体１３、絶縁膜３１、ｐ側の電極１５、及びｎ側の電極４１を備える。レーザ構造体１３は、支持基体１７及び半導体領域１９を含む。レーザ構造体１３は、第１面１３ａ及び第２面１３ｂを含み、第１面１３ａは第２面１３ｂの反対側の面である。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、基板生産物５の分離により作製されたレーザバーを介して作製される。支持基体１７は、六方晶系III族窒化物半導体からなる。支持基体１７は、主面１７ａ及び裏面１７ｂを有する。主面１７ａは半極性を示す。

レーザ構造体１３の第１面１３ａの法線軸（支持基体１７の主面１７ａの法線）ＮＸは、例えば直交座標系Ｓのｚ軸の方向に向く。III族窒化物半導体レーザ素子１１の支持基体１７の主面１７ａは例えばｘ−ｙ面に平行に延在する。また、図２には、代表的なｃ面ＳＣが描かれている。支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸は、軸ＣＸに対応している。ｃ軸（軸ＣＸ）は、支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸の方向に、ゼロより大きな角度ＡＬＰＨＡで法線軸ＮＸに対して傾斜している。ｃ軸ベクトルＶＣは、ｃ軸の方向を示すベクトルである。法線ベクトルＮＶは、法線軸ＮＸに沿ってレーザ構造体１３の第２面１３ｂから第１面１３ａに向かうベクトルであり、第１面１３ａ及び主面１７ａの両方に垂直である。ｃ軸ベクトルＶＣと法線ベクトルＮＶとの間の角度は、角度ＡＬＰＨＡである。本実施例では、角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲内と１０１度以上１０９度以下の範囲内との何れかにあることができる。角度ＡＬＰＨＡは７１度以上７９度以下の範囲内にあることができる。或いは、角度ＡＬＰＨＡは１０１度以上１０９度以下の範囲内であることができる。

半導体領域１９は、支持基体１７の半極性主面の上に設けられている。半導体領域１９は、半導体層２０、ｎ側のクラッド層２１、ｎ側光ガイド層３５ａ、ｎ側光ガイド層３５ｂ、活性層２５、ｐ側光ガイド層３７、ｐ側ブロック層３９、ｐ側光ガイド層３８、ｐ側のクラッド層２３及びコンタクト層３３を含む。

半導体層２０は、支持基体１７の半極性主面の上に設けられている。半導体層２０は、ｎ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばｎ型ＧａＮ等からなる。

クラッド層２１は、半導体層２０の上に設けられている。クラッド層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばｎ型ＡｌＧａＮ、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ等からなる。ｎ側光ガイド層３５ａは、ｎ側のクラッド層２１の上に設けられている。ｎ側光ガイド層３５ｂは、ｎ側光ガイド層３５ａの上に設けられている。ｎ側光ガイド層３５ａ及びｎ側光ガイド層３５ｂは、例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。

活性層２５は、ｎ側のクラッド層２１とｐ側のクラッド層２３との間に設けられる。活性層２５は、ｎ側光ガイド層３５ｂとｐ側光ガイド層３７との間に設けられている。活性層２５は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層２５ａである。活性層２５は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂを含み、井戸層２５ａ及び障壁層２５ｂは交互に配列されている。井戸層２５ａは、例えばＩｎＧａＮ等からなり、障壁層２５ｂは例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。活性層２５は、波長３６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光の発生に好適である。

ｐ側光ガイド層３７は、活性層２５の上に設けられている。ｐ側光ガイド層３７は、アンドープ窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ等からなる。

ｐ側光ガイド層３８は、ｐ側光ガイド層３７上に、本実施例ではより具体的にｐ側ブロック層３９の上に設けられている。ｐ側光ガイド層３８は、ｐ側ブロック層３９とクラッド層２３との間に設けられている。ｐ側光ガイド層３８は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ｐ型ＧａＮ、ｐ型ＩｎＧａＮ等からなる。

必要な場合には、半導体領域１９はｐ側ブロック層３９を備えることができる。ｐ側ブロック層３９は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばｐ型ＡｌＧａＮ等からなる。本実施例では、ｐ側光ガイド層３７は、活性層２５とｐ側ブロック層３９との間に設けられている。ｐ側ブロック層３９は、ｐ側光ガイド層３７とｐ側光ガイド層３８との間に設けられるが、ｐ側ブロック層３９の位置はこれに限定されるものではない。

クラッド層２３は、ｐ側光ガイド層３８の上に設けられている。クラッド層２３は、ｐ側光ガイド層３８とコンタクト層３３との間に設けられている。クラッド層２３は、ｐ型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ等からなる。

コンタクト層３３は、クラッド層２３の上に設けられている。コンタクト層３３は、ｐ型窒化ガリウム半導体からなり、例えば、ｐ型ＧａＮ等からなる。

半導体層２０、クラッド層２１、ｎ側光ガイド層３５ａ、ｎ側光ガイド層３５ｂ、活性層２５、ｐ側光ガイド層３７、ｐ側ブロック層３９、ｐ側光ガイド層３８、クラッド層２３及びコンタクト層３３は、主面１７ａ（レーザ構造体１３のエピ面の第１面１３ａ）の法線軸ＮＸに沿って順に配列されている。

法線軸ＮＸは、半極性主面ＳＦの法線であり、基板生産物５の表面５ａに対しても垂直である。法線ベクトルＮＶは、基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦにおける法線軸ＮＸの方向を向いており、法線軸ＮＸに沿って半極性主面ＳＦから半導体領域Ｅｐｉの方向に向いている。法線ベクトルＮＶは、基板生産物５の表面５ａ及び半極性主面ＳＦに対して垂直である。法線軸ＮＸ及び法線ベクトルＮＶは、直交座標系Ｓのｚ軸に平行である。基板生産物５の表面５ａはｘ−ｙ平面に平行であり、また半極性主面ＳＦもｘ−ｙ平面に平行である。

図２には、結晶座標系ＣＲが記載されている。基板Ｓｕｂの六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸方向を示すｃ軸ベクトルＶＣは、半極性主面ＳＦの法線ベクトルＮＶに対して角度ＡＬＰＨＡの傾斜角を成している。角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と、１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲内にある。なお、図２に示される角度ＡＬＰＨＡは、一例として、７１度以上７９度以下の範囲内にある。基板Ｓｕｂの六方晶系III族窒化物半導体のａ軸は、ｙ軸を示す方向と逆向きである。基板ＳｕｂのIII族窒化物半導体のｃ軸（ｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルＶＣ）、基板ＳｕｂのIII族窒化物半導体のｍ軸（ｍ軸の方向を示すｍ軸ベクトルＶＭ）と、及び法線軸ＮＸ（法線軸ＮＸの方向を示す法線ベクトルＮＶ）は、ｙ軸に直交しており、またｚ−ｘ面内に平行であることができる。基板Ｓｕｂの六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸（ｃ軸ベクトルＶＣ）、基板Ｓｕｂの六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸（ｍ軸ベクトルＶＭ）、及び法線軸ＮＸ（法線ベクトルＮＶ）は、ａ軸に直交していることができる。

工程Ｓ１０２では、エピタキシャル基板Ｅに加工を行う。エピタキシャル基板Ｅの加工は、第１電極（ｐ側の電極１５）を形成すること、基板Ｓｕｂの裏面に裏面処理（基板の裏面の研磨により基板の厚さを薄くすること）を行うこと、及び第２電極（ｎ側の電極４１）、を形成することを含むことができ、またリッジ構造を形成することを含んでいても良い。必要な場合には、基板生産物５（エピタキシャル基板Ｅ）のエピ面を覆うように絶縁膜の堆積を行うことができる。また、エピタキシャル基板Ｅの加工では、この絶縁膜の開口により絶縁膜３１を形成することができる。

基板Ｓｕｂの厚さが例えば５０μｍ以上１００μｍ以下になるように処理が施される。この処理は、例えばスライス又は研磨であることができる。スライスでは、基板Ｓｕｂをインゴットから切り出す際に行われ、研磨としては、裏面電極を形成する前に基板生産物５に裏面研磨が適用される。基板生産物５の第１面は、裏面処理により形成された加工面と該加工面上の第２電極（電極４１）を含む面との何れかであることができる。

絶縁膜３１及び電極１５は、半導体領域１９のｐ側の表面１９ａ（レーザ構造体１３の第１面１３ａ）上に設けられている。絶縁膜３１は、半導体領域１９の表面１９ａを覆っており、半導体領域１９は絶縁膜３１と支持基体１７との間に位置する。絶縁膜３１は開口３１ａを有し、開口３１ａは半導体領域１９の表面１９ａとｃ−ｍ面との交差線ＬＩＸの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極１５は、開口３１ａを介して半導体領域１９の表面１９ａ（コンタクト層３３）に接触を成しており、電極１５及び開口３１ａは交差線ＬＩＸの方向に延在する。ｎ側の電極４１は、レーザ構造体１３の第２面１３ｂ（支持基体１７の裏面１７ｂ）に設けられており、本実施例では、第２面１３ｂ（裏面１７ｂ）の全体を覆っている。

絶縁膜３１は、シリコン系無機絶縁膜、金属酸化膜等からなり、例えばＳｉＯ_２である。電極４１は、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕからなり、電極１５は、例えばＮｉ／Ａｕからなる。また、III族窒化物半導体レーザ素子１１は、パッド電極を有する。このパッド電極は電極１５に接続されており、例えばＴｉ／Ａｌからなる。

工程Ｓ１０３では、基板生産物５を準備する。基板生産物５は、III族窒化物半導体を備える基板（素子の支持基体１７）と、活性層（素子の活性層２５）を含む半導体領域（素子の半導体領域１９）と、この半導体領域上に設けられた複数の第１電極（電極１５）の配列と、複数のスクライブマーク５ｂの配列とを備える。基板（素子の支持基体１７）は、第１基準面Ｒ１と実質的に平行に延在する半極性主面（主面１７ａ）を含む。半導体領域（半導体領域１９）は、この半極性主面（主面１７ａ）上に形成された活性層（活性層２５）を含む。複数の第１電極（電極１５）は、半導体領域（半導体領域１９）の主面（表面１９ａ）において第１方向（図２に示された座標系のｘ方向）に延在すると共に第１方向と交差する第２方向（図２に示された座標系のｙ方向）に配列される。

基板Ｓｕｂの材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む。基板Ｓｕｂは、半極性主面ＳＦ（III族窒化物半導体レーザ素子１１における主面１７ａに対応）を有しており、半極性主面ＳＦは六方晶系III族窒化物半導体を備える。

半極性主面ＳＦは、｛２０−２１｝面及び｛２０−２−１｝面の何れかの半極性面から、基板Ｓｕｂの六方晶系III族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する。また、半極性主面ＳＦは、｛２０−２１｝面及び｛２０−２−１｝面の何れかであることができる。このような半極性主面ＳＦ上には、半導体領域Ｅｐｉがエピタキシャル成長によって形成される。この半導体領域Ｅｐｉは基板Ｓｕｂの半極性主面ＳＦに接している。

基板生産物５は、半導体領域Ｅｐｉの表面上に設けられた絶縁膜（III族窒化物半導体レーザ素子１１の絶縁膜３１）と、ｐ側電極（III族窒化物半導体レーザ素子１１の電極１５）と、ｎ側電極（III族窒化物半導体レーザ素子１１の電極４１）とを有し、これらは、基板Ｓｕｂ及び半導体領域Ｅｐｉ上に設けられている。基板生産物５のｐ側の表面５ａ（第１面１３ａ）に、ｐ側電極が設けられている。基板Ｓｕｂの裏面には、この面を覆うようにｎ側電極が設けられている。このｎ側電極の表面は、基板生産物５の裏面５ｅ（第２面）に含まれる。基板生産物５は、III族窒化物半導体レーザ素子１１のサイズを有する複数の素子区画の二次元配列を備える。この二次元配列は、引き続く工程で、基板生産物５から順に分離されて作成されるレーザバーのための複数の素子区画を含む複数の一次元配列を備える。これらの一次元配列の各々をレーザバー区画として参照する。本実施例では、基板生産物５において複数のレーザバー区画はｃ−ｍ面に沿って一次元に配列される。各レーザバー区画はａ軸方向に一次元に配列された素子区画の列を含む。

基板生産物５の表面５ａをスクライブする。このスクライブにより、スクライブマーク５ｂが形成される。スクライブマーク５ｂは、ａ軸の方向と法線軸ＮＸとによって規定されるａ−ｎ面に沿って配列されており、基板生産物５の表面５ａから基板生産物５の裏面５ｅの方向に延びる。スクライブマーク５ｂは、ａ軸方向に延在している。スクライブマーク５ｂは、例えば、基板生産物５の一のエッジに形成されることができる。

スクライブは、例えばレーザスクライバを用いて行われることができる。レーザスクライバは、品質のそろったスクライブ線を形成するために役立つ。図２を参照すると、二つのスクライブマーク５ｂが既に形成されており、レーザビームＬＢを用いてスクライブマーク５ｃの形成が進められている。スクライブマーク５ｂの長さは、ａ−ｎ面と表面５ａとの交差線よりも短く、この交差線の一部分にレーザビームＬＢの照射が行われる。スクライブマーク５ｂはスクライブ溝を含み、このスクライブ溝が、基板生産物５の第２面１３ｂの反対側にある第１面１３ａに設けられる。スクライブ溝は、レーザ構造体１３の第１面１３ａから第２面１３ｂへの方向に延在する。スクライブ溝は、レーザビームＬＢを基板生産物５の表面５ａに照射することにより形成され、また表面５ａから半導体領域Ｅｐｉを介して基板Ｓｕｂに到達している。

図３は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物及びレーザバーを示す図面である。基板生産物５から、別の基板生産物及びレーザバーの作製は、例えば分離装置を用いて行うことができる。別の基板生産物及びレーザバーの作製のために、工程Ｓ１０４では、分離装置のブレード５ｇ、分離装置の第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２、並びに基板生産物５の配置を行う。

図３に示されるように、基板生産物５の表面５ａを支持台Ｈに向けて、基板生産物５を支持台Ｈに置く。支持台Ｈは、基板生産物５を支持するために設けられる。支持台Ｈは、表面Ｈａと、裏面Ｈｂと、孔部ＨＬとを有する。表面Ｈａは、基板生産物５が搭載される面である。裏面Ｈｂは、表面Ｈａの反対側にある面である。孔部ＨＬは、表面Ｈａから裏面Ｈｂに貫通する部分である。孔部ＨＬは、表面Ｈａに沿って延びており支持台Ｈにおいて規定される基準軸Ａａと直交する方向に延在する。基準軸Ａａに直交する方向の孔部ＨＬの幅は、基板生産物５の表面５ａの径より長い。ブレード５ｇは、基板生産物５が支持台Ｈに支持されているとき、裏面５ｅから支持台Ｈへの方向に向けた押圧を基板生産物５に可能にする。支持台Ｈは、第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２を有し、第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２は互いに分離されており、本実施例では第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２は孔部ＨＬにより分離されている。

図３に示すように、ブレード５ｇを孔部ＨＬに位置合わせできるように、支持台Ｈの表面Ｈａ上にブレード５ｇが設置されている。また、この分離装置は、支持台Ｈ、ブレード５ｇ、モニタカメラ６ａ及び表示装置６ｃを備える。ブレード５ｇを孔部ＨＬに位置合わせできるように、支持台Ｈの裏面Ｈｂから離れてモニタカメラ６ａが設置されている。ブレード５ｇとモニタカメラ６ａとの間に、支持台Ｈ及び孔部ＨＬが位置しており、このような配置の支持台Ｈ上に基板生産物５を置く。

モニタカメラ６ａは、レンズ６ｂを有する。モニタカメラ６ａには、表示装置６ｃが接続されている。表示装置６ｃはディスプレイを有し、このディスプレイには、モニタカメラ６ａからの取得画像が表示される。ブレード５ｇ及びモニタカメラ６ａの位置を確認できように、基板生産物５が支持台Ｈの上に搭載されていない場合には、表示装置６ｃのディスプレイには、孔部ＨＬを介してブレード５ｇのエッジ５ｈが表示される。表示装置６ｃのディスプレイを見ながら、エッジ５ｈの表示位置に、表面５ａとスクライブマーク５ｂとの交差線Ｐ１を合わせるように、支持台Ｈ及びブレード５ｇの少なくともいずれか一方を調整して、支持台Ｈ上に搭載されている基板生産物５及びブレード５ｇに所望の配置を適用できる。

ブレード５ｇは、ナイフエッジ状のエッジ５ｈを有する。ブレード５ｇの向きを示す軸方向ベクトルＶＸは、エッジ５ｈの先端から、ブレード５ｇの根本５ｉに向かう方向を示す。軸方向ベクトルＶＸは、モニタカメラ６ａ（具体的にはレンズ６ｂ）からブレード５ｇのエッジ５ｈに向かう方向を向いている。これ故に、軸方向ベクトルＶＸは、ブレード５ｇのナイフエッジの向きと反対に向いている。エッジ５ｈは、押圧可能なように一の方向に延在しており、この向きは、図２、図３及び図４においてｙ軸方向である。基板生産物５の押圧の際には、エッジ５ｈは、基板生産物５のａ軸の方向に延在している。

基板生産物５を支持するように、基板生産物５を分離装置の支持台Ｈの第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２上に配置すると共に、基板生産物５の第１基準面Ｒ１に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面Ｒ２に沿ってブレード５ｇが基板生産物５に対して相対的に移動可能なように、ブレード５ｇ、第１支持面Ｈ１、第２支持面Ｈ２及び基板生産物５を配列する。

図３に示される例では、複数のスクライブマーク５ｂのうちで最も端にある一のスクライブマーク（ここでは、形成されるべきレーザバーと別の基板生産物５１との境界を示すスクライブマーク５ｂ１）が孔部ＨＬの上に位置している。また、スクライブマーク５ｂ１は、孔部ＨＬに沿って延在しており、この配置を第１支持面及び第２支持面上において維持するように、基板生産物５を支持台Ｈに固定する。

基板生産物５の位置決めに際して、支持台Ｈの表面Ｈａに直交している基準面とブレード５ｇを基板生産物５の裏面５ｅに押圧する押圧方向との成す角度は、角度ＴＨＥＴＡに決定される。角度ＴＨＥＴＡに係る説明を行うに際して、基板生産物５のｃ軸及びｍ軸によって規定されるｃ−ｍ面、及び支持台Ｈの表面Ｈａに垂直であり基板生産物５のａ軸方向に延在する基準面Ａｂ（又は、基板生産物５の延在方向に示す第１基準面Ｒ１に垂直であり基板生産物５のａ軸方向に延在する基準面）を参照する。基板生産物５における複数のレーザバー区画は、スクライブマーク５ｂ１により、一のレーザバー区画のための第１部分と、残りの複数のレーザバー区画のための第２部分とに分けられる。角度ＴＨＥＴＡは、基準面Ａｂを基準にしてｃ−ｍ面において基板生産物５の第１部分から基板生産物５の第２部分の向きにプラスの角度として取られる。このような形態において、第１基準面Ｒ１に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜する第２基準面Ｒ２に沿って、ブレード５ｇが基板生産物に対して相対的に移動可能なように、基板生産物５、第１支持面Ｈ１、第２支持面Ｈ２及びブレード５ｇを配列させる。ここで、直交面及び第２基準面Ｒ２は、ａ軸方向に延在する。角度ＴＨＥＴＡの傾斜のために、支持台Ｈ及びブレード５ｇの少なくともいずれか一方の角度を変更することができる。ブレード５ｇの押圧方向を示す第２基準面Ｒ２は、スクライブマーク５ｂ１の位置において基板生産物５の第１部分の表面（エピ面）に対して鋭角を成し、スクライブマーク５ｂ１の位置において基板生産物５の第２部分の表面（エピ面）に対して鈍角を成す。ブレード５ｇを裏面５ｅに押圧する押圧の向きは、軸方向ベクトルＶＸと逆向きである。本実施例では、角度ＴＨＥＴＡは、５度以上１０度以下の範囲にある。

工程Ｓ１０５では、基板生産物５の押圧により、レーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する。この工程では、基板生産物５を割断して、レーザバー５ｄ及び他の基板生産物５１を作製する。

図４を参照すると、レーザバー５ｄが既に分離されている。図３では、レーザバー５ｄは未だ分離されていない。図３及び図４には、図３に示す基板生産物５を保護するためのシートＴＦ（例えば保護シート）が描かれている。図４のＩ−Ｉ線に沿ってとられた断面が図３に示される。

ブレード５ｇの位置決めの一例では、ブレード５ｇの押圧方向を示す第２基準面Ｒ２がスクライブマーク５ｂ１と基板生産物５の表面５ａとの交差線Ｐ１（基準面Ａｂも交差線Ｐ１を通過する）を通過するように、ｃ−ｍ面に沿った方向（ａ軸に直交する方向）にブレード５ｇの位置決めを行う。

例えば、第２基準面Ｒ２に沿って基板生産物５に向けてブレード５ｇを移動すると共に第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２上において基板生産物５の裏面５ｅにブレード５ｇを押し当てて基板生産物５を押圧する。この押圧により、基板生産物５からレーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する。

ブレード５ｇの位置及び角度が決定された後に、ブレード５ｇを基板生産物５の裏面５ｅに押し当てる。この押し当ての際に、ブレード５ｇの軸方向ベクトルＶＸが法線ベクトルＮＶに対し角度ＴＨＥＴＡで傾いている。この傾斜状態で、基板生産物５の裏面５ｅにブレード５ｇのエッジ５ｈを押し当てる押圧によって基板生産物５を割断して、素子区画の一次元配列を含むレーザバー５ｄを形成する。レーザバー５ｄは、割断によって形成された端面５ｆを有する。この端面５ｆは、レーザバー５ｄの表面（割断前の表面５ａによって与えられる面）からレーザバー５ｄの裏面（割断前の裏面５ｅによって与えられる面）にまで延在する。基板生産物５におけるｃ軸ベクトルＶＣは、半極性主面ＳＦの法線ベクトルＮＶに対して角度ＡＬＰＨＡの傾斜を成しているので、基板生産物５からレーザバー５ｄが割断によって形成される端面５ｆ（第１及び第２端面。素子の割断面２７及び割断面２９）は劈開面ではない。しかし、端面５ｆを半導体レーザの共振器ミラーとして利用できる。

上記の説明から理解されるように、レーザバー５ｄは、第１及び第２端面として、押圧による分離により形成される端面５ｆを有する。第１端面及び第２端面は、既に説明したｃ−ｍ面に交差するように延在している。第１端面及び第２端面は、III族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器を構成する。レーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する際に、角度ＴＨＥＴＡは、レーザバー５ｄから別の基板生産物５１への向きに正の角度として取られた角度、例えば５度以上１０度以下の範囲にある。

この作製方法によれば、押圧によりレーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する際に、直交面（第１基準面Ｒ１に直交しａ軸方向に延在する平面）に対して第２基準面Ｒ２（ａ軸方向に延在し角度ＴＨＥＴＡで傾斜する平面）に沿ってブレード５ｇが基板生産物５に対して相対的に移動可能であるように、基板生産物５を支持台の第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２上に配置すると共に、ブレード５ｇ、第１支持面Ｈ１、第２支持面Ｈ２及び基板生産物５の位置決めを行う。ここで、角度ＴＨＥＴＡが、レーザバー５ｄから別の基板生産物５１への向きに取られた角度として規定される。この角度ＴＨＥＴＡが、５度以上１０度以下の範囲にあるとき、レーザ共振器を構成する第１端面及び第２端面は、ｃ−ｍ面内において規定される角度に関して優れた垂直性を示す。

スクライブマークの位置で基板生産物５を分離して形成されたレーザバー５ｄの端面５ｆは、III族窒化物半導体レーザ素子１１における割断面２７及び割断面２９に対応する。割断面２７及び割断面２９は、ｃ−ｍ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器は、割断面２７及び割断面２９を含み、割断面２７及び割断面２９の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。III族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器の共振器長は、例えば５００μｍ程度である。割断面２７及び割断面２９は、第１面１３ａのエッジ１３ｃから第２面１３ｂ（レーザ構造体の裏面）のエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７及び割断面２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面といった、これまでのへき開面とは異なる。

III族窒化物半導体レーザ素子１１によれば、レーザ共振器を構成する割断面２７及び割断面２９がｃ−ｍ面に交差するので、半極性の主面１７ａとｃ−ｍ面との交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。従って、III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。

本実施例では、スクライブマークは、主面１７ａの法線軸ＮＸの方向を示す法線ベクトルとIII族窒化物半導体のａ軸とによって規定されるａ−ｎ面と、基板生産物５の第１面１３ａとの交差線に沿って配列される。この作製方法によれば、スクライブマークの配列は、押圧による分離の進行方向を案内する。上記の交差線の延在方向にスクライブマークの配列を形成するとき、レーザバーの第１端面の形成に際して、ｃ−ｍ面内において規定される角度に関して優れた垂直性を示すように第１端面の延在方向を案内できる。角度ＴＨＥＴＡの上記範囲と一緒になって、レーザバーの第１端面（及び第２端面）に優れた垂直性を付与するために良い。

支持基体１７は、５０μｍ以上１００μｍ以下の厚さＤＳＵＢを有する。支持基体１７の材料は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む。このような厚さの薄い基板Ｓｕｂは、角度ＴＨＥＴＡの上記範囲と一緒になって、レーザバーの第１端面（及び第２端面）に優れた垂直性を付与するために良い。基板Ｓｕｂでは、半極性主面ＳＦは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性面からｍ面方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する。また、半極性主面ＳＦが、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかであることができる。

図５は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法により作製される端面の角度ずれを説明するための図である。次いで、図５を参照しながら、レーザバーの端面５ｆの品質を説明する。端面５ｆは、ｃ面、ｍ面及びａ面といったこれまでのへき開面とは異なる。端面５ｆの形成は、スクライブマーク５ｂに沿って進展するので、端面５ｆは、ａ−ｎ面に沿って延在する。また、端面５ｆはｃ−ｍ面に交差するので、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成するために使用できる。このように形成された端面５ｆは、共振器ミラーに十分な垂直性及び平坦性を有する。端面５ｆにおける半導体領域の活性層の端面（図５に示す端面ＳＥ）は、基板Ｓｕｂのｍ軸に直交する平面に対して、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸及びｍ軸によって規定されるｃ−ｍ面（第１平面Ｓ１）において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す。また、半導体領域の活性層の端面（図５に示す端面ＳＥ）は、ｃ−ｍ面及び法線ベクトルＮＶ（法線軸ＮＸ）に直交する第２平面Ｓ２において、この第２平面Ｓ２とｃ−ｍ面との交差線ＬＩＸ（図５において導波路Ｉｄの延在方向を示す線）に直交する面ＷＧを基準に−５度以上＋５度以下の範囲の角度を有している。従って、上記のような端面５ｆは、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを活性層の端面ＳＥに提供できる。上記のように作製されたIII族窒化物半導体レーザ素子１１において、レーザ構造体１３は、ｃ−ｍ面に交差する割断面２７及び割断面２９を含む。III族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ導波路は、ｎ側のクラッド層２１、ｐ側のクラッド層２３及び活性層２５を含み、交差線ＬＩＸの方向に延在する。

なお、基板生産物５から一又は複数のレーザバー５ｄが分離された後には、残余の基板生産物５１が形成されるが、このような残余の基板生産物５１に対しても、基板生産物５及びスクライブマーク５ｂ１に対する上述の手順を適用できる。

工程Ｓ１０６では、レーザバー５ｄの端面５ｆに誘電体多層膜を形成してレーザバー生産物を形成する。この後に、工程Ｓ１０７では、このレーザバー生産物を個々のIII族窒化物半導体レーザ素子（III族窒化物半導体レーザ素子１１に対応）に分離する。このようにして、III族窒化物半導体レーザ素子１１がレーザバー５ｄから形成される。

以上説明したように、基板生産物５に関連する第１基準面Ｒ１に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した方向（第２基準面Ｒ２の方向）に沿ってブレード５ｇを移動して基板生産物５を押圧する。この押圧は、図３における複数のスクライブマーク５ｂのうち最も端にあるスクライブマーク５ｂ１を目指して行われる。押圧に際して、スクライブマーク５ｂ１において、第２基準面Ｒ２が別の基板生産物５１のエピ面に成す角度は、第２基準面Ｒ２がレーザバーの裏面に成す角度より小さい。スクライブマーク５ｂ１において、第２基準面Ｒ２が別の基板生産物５１の裏面に成す角度は鋭角であり、第２基準面Ｒ２がレーザバーの裏面に成す角度は鈍角である。

基板生産物５において六方晶系III族窒化物のｃ軸ベクトルＶＣと半極性主面ＳＦの法線ベクトルＮＶとの間の角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかにある。基板生産物５への押圧角として、角度ＴＨＥＴＡが正の角度として例えば５度以上１０度以下の範囲にある。この組み合わせによって、このブレード５ｇの押圧による分離によって形成されるレーザバー５ｄの端面５ｆは、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有する。従って、このレーザバー５ｄから作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子１１の発振しきい値電流Ｉｔｈは低減される。具体的には、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの面からｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する半極性主面ＳＦを有する基板生産物５に対し本実施形態に係る作製方法が適用できる。特に、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの半極性主面ＳＦを有する基板生産物５に作製方法を適用して、緑色発光（波長510nm〜540nm）の半導体レーザを作製できる。

以上説明した共振器端面を形成する方法においては、スクライブマーク５ｂが、ａ−ｎ面に沿って形成されるので、ブレード５ｇを用いて作製されたレーザバー５ｄの端面もａ−ｎ面に沿って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる端面をｃ−ｍ面に直交するように形成できる。スクライブマーク５ｂが表面５ａから裏面５ｅの方向に延びているので、レーザバー５ｄの分離が容易に行える。また、スクライブは、レーザスクライバを用いて行われるので、スクライブマークが均一な品質で形成される。スクライブマークは、基板Ｓｕｂに到達するスクライブ溝を含むので、レーザバー５ｄの分離の方向を案内できる。

また、III族窒化物半導体レーザ素子１１のための端面を形成する方法においては、基板Ｓｕｂの厚さ（支持基体１７の厚さＤＳＵＢ）は４００μｍ以下であることが、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために良い。特に、基板Ｓｕｂの厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下であるときでも、基板Ｓｕｂの剛性は高い。基板Ｓｕｂの加工にスライス又は研磨を適用するとき、加工面に十分な平坦性が実現できる。ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮといった窒化物系半導体材料は、基板Ｓｕｂの加工を可能にする。このような加工の結果、III族窒化物半導体レーザ素子１１では、支持基体１７の厚さＤＳＵＢは５０μｍ以上１００μｍ以下であることになる。この場合にも、ハンドリングを煩うことなく生産歩留まりを向上できる。半極性の主面１７ａは、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかであることができる。更に、｛２０−２１｝面と｛２０−２−１｝面との何れかの面から−４度以上＋４度以下の範囲で微傾斜した面も半極性の主面１７ａとして良い。これら典型的な半極性の主面１７ａにおいて、III族窒化物半導体レーザ素子１１のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の割断面２７及び割断面２９を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。

支持基体１７（基板Ｓｕｂ）の積層欠陥密度は、１×１０^４ｃｍ^−３以下であることができる。積層欠陥密度が１×１０^４ｃｍ^−３以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び／又は垂直性が乱れる可能性が比較的に低い。また、支持基体１７の材料は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかの窒化ガリウム系半導体を含む。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面２７及び割断面２９を得ることができる。ＡｌＮ又はＡｌＧａＮ基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。ＩｎＧａＮ基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。

（実施例１）
以下の通り有機金属気相成長法によりレーザダイオードを作製する。図６は、実施例で作製されるレーザダイオードの構造を示す。原料にはトリメチルガリウムＴＭＧａ、トリメチルアルミニウムＴＭＡｌ、トリメチルインジウムＴＭＩｎ、アンモニアＮＨ_３、シランＳｉＨ_４を用いる。ｍ軸方向に７５度の角度で傾斜した（２０−２１）面を主面とするＧａＮ基板を準備する。この基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル積層を成長する。なお、基板として、ＨＶＰＥ法で厚く成長した（０００１）ＧａＮインゴットからで切り出して、ｍ軸方向に７５度の角度を成す（２０−２１）面の主面を有するＧａＮ基板を作製できる。

まず、厚さ１０００ｎｍ程度のｎ型ＧａＮを成長する。次に、厚さ１２００ｎｍ程度のｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層（ｎ側のクラッド層）を成長する。引き続き、厚さ２００ｎｍ程度のｎ型ＧａＮ層（ｎ側の光ガイド層）と厚さ６５ｎｍ程度のアンドープＩｎＧａＮ層（ｎ側の光ガイド層）とを成長する。この後に、活性層を成長する。活性層は、１５ｎｍ程度の厚みの複数のＧａＮ層（障壁層）と３ｎｍ程度の厚みの複数のＩｎＧａＮ層（井戸層）とが交互に設けられた３周期ＭＱＷを有する。

続いて、厚さ６５ｎｍ程度のアンドープＩｎＧａＮ層（ｐ側の光ガイド層）と、厚さ２０ｎｍ程度のｐ型ＡｌＧａＮ層と、厚さ２００ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層（ｐ側の光ガイド層）とを成長する。次に、厚さ４００ｎｍ程度のｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層（ｐ側のクラッド層）を成長する。次いで、厚さ５０ｎｍ程度のｐ型ＧａＮ層（コンタクト層）を成長する。

ＳｉＯ_２の絶縁膜をｐ型ＧａＮ層の上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅１０μｍ程度のストライプ窓をパターニングして後に、ウエットエッチングによりストライプ窓を絶縁膜に形成する。ストライプ窓を絶縁膜に形成した後に、Ｎｉ／Ａｕから成るｐ側電極とＴｉ／Ａｌから成るパッド電極ＰＡＤとを蒸着により形成する。ＧａＮ基板の裏面をダイヤモンドスラリーを用いて研磨する。この研磨された裏面（研磨面）に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕから成るｎ側電極を蒸着により形成する。以上のようにして、基板生産物を作製できる。

（実施例２）
図７は、加工された基板生産物ＳＰを示す図面である。図７に示されるように、基板生産物ＳＰは、直方体の形状を成す。基板生産物ＳＰは、｛２０−２１｝面を主面として有するＧａＮ基板と、このＧａＮ基板の主面上に設けられた半導体領域とを含む。基板生産物ＳＰの半導体領域には、第１方向に延在すると共に該第１方向と交差する第２方向に配列されたストライプ状のオーミック電極ＥＳＴが設けられている。個々の半導体レーザチップ（基板生産物ＳＰの素子区画）毎に、パッド電極ＰＡＤが二次元に配列されている。基板生産物ＳＰのエピ面には、スクライブマークＳＣＢの配列が形成されている。図７には、基板生産物の面方位を示すために、III族窒化物のｃ軸、ａ軸及び、ｍ軸を示す座標系が描かれている。

基板生産物ＳＰは、複数の素子区画ＳＣＴの二次元配列を含む。各素子区画ＳＣＴは、基板生産物ＳＰの主面においてIII族窒化物半導体レーザ素子１１のサイズを有する。この二次元配列は、引き続く工程で、基板生産物５から順に分離されて作成されるレーザバーのための複数の素子区画ＳＣＴを含む複数の一次元配列を備える。これらの一次元配列の各々をレーザバー区画ＬＢＳＣＴとして参照する。本実施例では、基板生産物５において複数のレーザバー区画ＬＢＳＣＴはｃ−ｍ面に沿って一次元に配列される。各レーザバー区画ＬＢＳＣＴはａ軸方向に一次元に配列された素子区画ＳＣＴの列を含む。

図８の（ａ）部に示されるように、この基板生産物ＳＰがシートＴＦ（例えば粘着シート）に貼り付けられ、シートＴＦは金属製の枠に固定される。これにより、枠を取り扱うことにより、図８の（ｂ）部に示されるように、分割装置において基板生産物ＳＰの向き及び位置を調整できる。

具体的な実験の配置は以下のように行われる。

直径５０ｍｍ及び厚み３００μｍの半極性｛２０−２１｝ＧａＮ基板上に、有機金属化学気相成長法により、エピタキシャル多層膜構造を成長する。フォトリソグラフィ法、反応性イオンエッチングによりリッジ構造を持つレーザダイオードを作製する。リッジストライプの間隔は４００μｍである。リッジストライプは基板のａ軸方向と垂直な方向に延在する。ＧａＮ基板とエピタキシャル層との合計厚が１００μｍになるように、基板裏面を研磨する。レーザダイオードの共振器長は５００μｍになるように、スクライブ溝の配列を形成した。スクライブ溝はａ軸方向に配列されており、そのピッチは、例えば４００μｍである。

レーザダイオード作製プロセスを終えた直径５０ｍｍの生産物から、基板生産物ＳＰ（例えばサイズ１０ｍｍ×８ｍｍの矩形）を作製する。基板生産物ＳＰでは、ストライプ方向及びこのストライプと垂直方向に、それぞれ、２０個のレーザダイオードが配列されている。基板生産物ＳＰの作製のための加工は、分割装置を用いて生産物からの切り出しにより行われる。なお、実施例１において作製された基板生産物からレーザバーを作製できる。

矩形の基板生産物ＳＰのエピタキシャル層の側に、ストライプ方向と垂直に、レーザスクライバを用いて共振器長となる５００μｍ間隔にミシン目のスクライブラインを形成する。スクライブラインはリッジストライプ部から例えば約１００μｍ以上の距離で離間されており、スクライブラインの長さは例えば２００μｍ以上である。

共振器ミラーの形成には、レーザスクライバを用いる。波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザを用いて１００ｍＷのレーザの出力、５ｍｍ／ｓのレーザの走査速度の条件によりスクライブマークを形成する。スクライブマークは４００μｍピッチで配置されている。スクライブマークを基板生産物ＳＰに形成した後に、実施形態に係る分離装置を用いて基板生産物を割断して、レーザバーを作製した。この割断によって、レーザバーに、共振器ミラーのために端面が提供される。

粘着性及び伸縮性を持つポリエチレンシートに矩形の基板生産物を貼り付けると共にポリエチレンシートを直径１０ｃｍの金属枠に取り付ける。ポリエチレンシートに基板生産物ＳＰの基板裏面が向いている。基板生産物ＳＰのエピ面の側は、ポリエチレンシートに覆われていない。

左右の支持台の高さ及び傾斜角を左右独立して変更可能な割断装置を用いて矩形の基板生産物ＳＰをリッジストライプ方向と垂直な方向に割断して、レーザ共振器面を含むレーザバーを形成する。

基板生産物ＳＰの割断は以下のようにして行うことができる。まず、図３及び図４に示されるように、ブレード５ｇの押圧方向と支持台Ｈの表面Ｈａとが直交するように、基板生産物ＳＰを支持台Ｈに置く。次に、複数のスクライブマーク５ｂの中で最も端にある一のスクライブマークが支持台Ｈの孔部ＨＬの上に位置すると共に孔部ＨＬに沿って延びるように、基板生産物を支持台Ｈに固定する。次に、ｃ−ｍ面において、ブレード５ｇの押圧方向とａ軸とによって規定される基準面Ａｂに対して基板生産物が角度ＴＨＥＴＡの傾斜を成すように支持台の角度を変更して、ブレード進入角を決定する。次に、表示装置６ｃのディスプレイを見ながら、表面５ａに形成されているスクライブマーク５ｂが、ディスプレイにおいてブレード５ｇのエッジ５ｈが表示されるべき箇所と重なるように、ブレードと基板生産物ＳＰとの位置合わせを行う。そして、基板生産物ＳＰの裏面（基板生産物５の裏面５ｅ）に向けてブレード５ｇを移動することによって基板生産物ＳＰを割断し、レーザバー（レーザバー５ｄ）を基板生産物ＳＰから分離する。これにより、レーザバーを作製できる。この割断によって形成された端面５ｆを共振器ミラーとして利用できる。このレーザバーを更に分離して、個々のIII族窒化物半導体レーザ素子（III族窒化物半導体レーザ素子１１）を得る。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、割断面から成る共振器ミラーを有する。

図９は、基板生産物へのブレード進入角と、基板主面に垂直な方向に対する端面の角度との関係を示す。端面のずれ角の見積もりを以下のように行った。割断により作製したレーザバーの共振器端面の断面を観察できるように、共振器端面に交差する断面をレーザバーの分割により形成して観察用試料を作製する。この試料の断面を電子顕微鏡（倍率１０００倍）で観察すると共に、画像の撮影を行う。この画像上において、レーザエピ表面とレーザエピ側割断面との角度を見積もる。図９の（ａ）部は、ブレード進入角（横軸）とずれ角（縦軸）との関係を示す。図９の（ａ）部の縦軸に示される角度（ズレ角度）の符号は、図９の（ｂ）部に示されるように規定される。エピ面からの観察により共振器端面が見えるとき、共振器端面の角度は負として規定され、基板裏面からの観察により共振器端面が見えるとき、共振器端面の角度は正として規定される。

図９の（ａ）の結果の具体的な数値を示す。
ブレード進入角（横軸）、角度（縦軸）。
0, -3.5。
0, -6.6。
1.7, -4.5。
3.0, -3.9。
7.6, -0.7。
10.7, 5.6。
12.2, 4.4。
21.0, 6.5。
図９の結果によれば、ずれ角（縦軸）が−５度より大きく＋５度未満の範囲に収めるためには、ブレード進入角（横軸）は８度以上１３度以下の範囲である。ずれ角（縦軸）が−４度以上＋４度以下の範囲に収めるためには、ブレード進入角（横軸）は７度以上１２度以下の範囲である。また、垂直ずれ角（縦軸）が−２度以上＋２度以下の範囲に収めるためには、ブレード進入角（横軸）は５度以上１０度以下の範囲である。

実施例に係るIII族窒化物半導体レーザ素子に対し、通電による評価を、室温において行う。パルス幅５００ｎｓ及びデューティ比０．１％のパルス駆動により、電流−光出力特性（Ｉ−Ｌ特性）を調べる。この測定では、III族窒化物半導体レーザ素子の表面電極に金属針を接触されて、III族窒化物半導体レーザ素子に通電した。光出力測定では、III族窒化物半導体レーザ素子の端面からの光をフォトダイオードによって受光して、フォトダイオードからの電気信号により発光量を見積もる。

（実施例３）
図１０は、ブレード・基板角度（横軸）とずれ角（縦軸）との関係を示す。
ブレードで基板生産物ＳＰを押圧する際に、基板生産物が割れてレーザバー及び別の基板生産物が形成される前に基板生産物が撓んで屈曲する。図１１の（ａ）部は、同じレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物の撓みを示しており、この撓んだ基板生産物ＳＰがまさに割れるときを模式的に示している。この角度を「基板−ブレード角度」として参照する。同じレベルの配置では、基板生産物ＳＰの一端部（第１部分）には、基板生産物ＳＰから作製されるべきレーザバーのための素子区画の一列が位置する。基板生産物ＳＰの残り部（第２部分）には、基板生産物ＳＰから引き続き順次に作製されるべきレーザバーのための素子区画の複数の列が位置する。図１１の（ｂ）部は、同じレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物の押圧により作製されたレーザバーの共振器端面の縦断面の走査型電子顕微鏡像を示す図面である。基板生産物の撓みにより弓なりの縦断面が観察され、レーザ共振器端面が垂直に形成されていない事が確認できる。

図１２の（ａ）部は、異なるレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物の撓みを示しており、この撓んだ基板生産物ＳＰがまさに割れるときを模式的に示している。異なるレベルの配置においても、基板生産物の一端部（第１部分）は、基板生産物から作製されるべきレーザバーのための素子区画の一列を備えると共に、基板生産物の残り部（第２部分）は、基板生産物から引き続き順次に作製されるべきレーザバーのための素子区画の複数の列を備える。図１２の（ａ）部に示されるように、基板生産物の第１部分は左の受け台で支持されると共に、基板生産物の第２部分は右の受台で支持される。異なるレベルの配置では、左の受台に対して、右の受台が相対的に高い。また、このような相対的な高ささを受台に付与できるように、基板生産物ＳＰに対してブレードの移動方向を傾斜させてもよい。図１２の（ｂ）部は、異なるレベルに配置された２つの受台に支持される基板生産物ＳＰの押圧により作製されたレーザバーの共振器端面の縦断面の走査型電子顕微鏡像を示す図面である。基板性生物の撓み形状の変化によりレーザエピ側縦断面が垂直に形成されていることが確認できる。

図１０を再び参照すると、ずれ角度がゼロに近づけるためには、７‐８度程度の基板−ブレード角度を実現することが好ましい。

また、図１２の（ｂ）部に示された走査型電子顕微鏡像における共振器端面の縦断面の垂直性は、図１１の（ｂ）部に示された走査型電子顕微鏡像における共振器端面の縦断面の垂直性より優れる。図１２の（ａ）部に示される受台（異なるレベルに配置された２つの受台）の配置により生成される基板生産物ＳＰの撓みは、共振器端面の縦断面に優れた垂直性を提供できる。基板生産物の押圧面とブレードの押圧方向との成す角度を直角から相対的に傾けることによって、基板生産物ＳＰからレーザバーを作成する際にブレード・基板角度を変更できる。上記の相対的な傾斜は、例えば基板生産物ＳＰを配置する２つの支持面のレベル差（例えば高さの差）を設けることにより実現できる。

以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。

以上説明したように、本実施の形態によれば、III族窒化物半導体レーザ素子の基板主面の法線軸に直交する平面とｃ−ｍ面との交差線に直交する基準面と活性層の端面との成す角度がｃ−ｍ面における角度成分において小さくできる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。

１１…III族窒化物半導体レーザ素子、１３…レーザ構造体、１３ａ…第１面、１３ｂ…第２面、１７ｂ…裏面、５ｅ…裏面、Ｈｂ…裏面、１３ｃ，１３ｄ，５ｈ…エッジ、１５…電極、１７…支持基体、１７ａ…主面、１９…半導体領域、１９ａ…表面、５ａ…表面、Ｈａ…表面、２０…半導体層、２１…クラッド層、２３…クラッド層、２５…活性層、２５ａ…井戸層、２５ｂ…障壁層、２７，２９…割断面、３１…絶縁膜、３１ａ…開口、３３…コンタクト層、３５ａ，３５ｂ…ｎ側光ガイド層、３７，３８…ｐ側光ガイド層、４１…電極、５，５１…基板生産物、５ｂ，５ｂ１，５ｃ…スクライブマーク、５ｄ…レーザバー、５ｆ…端面、５ｉ…根本、ＳＥ…端面、５ｇ…ブレード、６ａ…モニタカメラ、６ｂ…レンズ、６ｃ…表示装置、Ａａ…基準軸、Ａｂ…基準面、ＣＲ…結晶座標系、ＣＸ…軸、Ｈ…支持台、ＨＬ…孔部、Ｉｄ…導波路、ＬＢ…レーザビーム、ＬＩＸ…交差線、Ｅｐｉ…半導体領域、ＮＶ…法線ベクトル、ＮＸ…法線軸、Ｐ１…交差線、Ｓ…直交座標系、ＳＣ…ｃ面、ＳＦ…半極性主面、Ｓｕｂ…基板、ＴＦ…シート、ＶＣ…ｃ軸ベクトル、ＶＭ…ｍ軸ベクトル、ＶＸ…軸方向ベクトル。

Claims (10)

1. III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
   第１基準面に沿って延在する半極性主面を含みIII族窒化物半導体を備える基板と、前記半極性主面上に形成され活性層を含む半導体領域と、前記半導体領域の主面において第１方向に延在すると共に前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の第１電極と、スクライブマークとを備える基板生産物を準備する工程と、
   前記基板生産物の第１面を支持するように前記基板生産物を支持台の第１支持面及び第２支持面上に配置すると共に、前記第１基準面に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面に沿ってブレードが前記基板生産物に対して相対的に移動可能なように、前記ブレード、前記第１支持面、前記第２支持面及び前記基板生産物を配置する工程と、
   前記基板生産物に対して相対的に前記第２基準面に沿って前記ブレードを移動し前記基板生産物の第２面を前記第１支持面及び前記第２支持面上において押圧して、前記スクライブマークの位置で前記基板生産物を分離してレーザバー及び別の基板生産物を形成する工程と、
   を備え、
   前記スクライブマークは、前記基板生産物の前記第１面に設けられ、前記基板生産物の前記第１面は前記基板生産物の前記第２面に反対側にあり、
   前記III族窒化物半導体のｃ軸の方向を示すｃ軸ベクトルは、前記III族窒化物半導体のｍ軸及び前記ｃ軸により規定されるｃ−ｍ面内において、前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ＡＬＰＨＡで傾斜して成しており、前記角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下又は１０１度以上１０９度以下の角度範囲にあり、
   前記レーザバーは、前記押圧による分離により形成される第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面及び前記第２端面は前記ｃ−ｍ面に交差し、前記第１端面及び前記第２端面は、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成しており、
   前記レーザバー及び前記別の基板生産物を形成する際に、前記角度ＴＨＥＴＡは、前記レーザバーから前記別の基板生産物への向きに取られた角度として５度以上１０度以下の範囲にある、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
2. 前記基板生産物を準備する前記工程において、前記半極性主面の前記法線ベクトルと前記III族窒化物半導体のａ軸とによって規定されるａ−ｎ面と前記基板生産物の前記第１面との交差線の方向に延在する複数のスクライブマーク配列を形成する、請求項１に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
3. 前記III族窒化物半導体レーザ素子のための複数のIII族窒化物層と、前記III族窒化物層を搭載する半導体基板とを含むエピタキシャル基板を用意する工程と、
   前記エピタキシャル基板に加工を行う工程と、
   を更に備え、
   前記エピタキシャル基板の前記加工は、前記第１電極を形成すること及び第２電極を形成することを含み、
   前記基板の厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるような処理が「施されており、前記処理はスライス又は研削であり、前記第２面は、前記処理により形成された加工面と前記加工面上の前記第２電極を含む面との少なくともいずれかである、請求項１又は請求項２に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
4. 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
   前記スクライブマークは、前記第１面から前記第２面の方向に延在するスクライブ溝を含む、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
5. 前記半極性主面は、｛２０−２１｝面の半極性面から、前記III族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
6. 前記半極性主面は、｛２０−２−１｝面の半極性面から、前記III族窒化物半導体のｍ面の方向に−４度以上＋４度以下の範囲の傾斜を有する、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
7. 前記半極性主面は、｛２０−２１｝面及び｛２０−２−１｝面のいずれかの面を備える、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
8. 前記基板は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの何れかを含む、請求項１〜請求項７の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
9. 前記第１端面における前記活性層の端面は、前記ｍ軸に直交する基準面に対して、前記ｃ−ｍ面において（ＡＬＰＨＡ−５）度より大きく（ＡＬＰＨＡ＋５）度未満の範囲内の角度を成す、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
10. 前記活性層の端面は、前記ｃ−ｍ面と前記法線ベクトルとに直交する平面において、当該平面と前記ｃ−ｍ面との交差線に直交する面を基準にして−５度以上＋５度以下の範囲内の角度を有している、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。