JP2015005614A - Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。【解決手段】基板生産物SPは、III族窒化物半導体レーザ素子11のための素子エリアD(AREA)の配列ARYを有する。配列ARYはレーザバーを作成できるような第1方向への素子エリアD(AREA)の一次元配列を含み、オーミック電極は半導体領域19上において第1方向に交差する第2方向に延在する。六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に素子エリアが配列されて素子エリア配列D(AREA)を構成する。後の工程で、六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した延在方向に傾斜させてスクライブマーク列65を作成できる。【選択図】図7
Description
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に関する。
特許文献1は、窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を開示する。非特許文献1は、ドライエッチングにより共振器ミラーを形成することを開示する。
JJAP 46(2007)L444
特許文献1は、窒化物半導体レーザ素子を(20−21)面GaN基板上に作製することを開示する。窒化物半導体レーザ素子の光導波路がGaN基板のc軸を(20−21)面の基板主面上に投影した投影c軸の方向に延在するとき、c面、a面やm面といった劈開面(低面指数のファセット)を光共振器に利用できない。この窒化物半導体レーザ素子では、光共振器のための端面を形成するために、スクライブマークの形成とこのマークに合わせた押圧とを行う。
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供することを目的とする。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を備え、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を準備する工程と、(b)前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(c)前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記半導体領域は活性層を含み、前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸に向けて前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1及び第2の端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、前記スクライブマークは、前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在する。
このIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法(以下「作製方法」)によれば、スクライブマークが六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延びるので、このゼロより大きな角度PHIにより、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明に係る作製方法では、前記角度PHIは0.1度以上であることが好ましい。この作製方法によれば、角度PHIの下限は、アライメントずれに起因して角度PHIがゼロに近づき過ぎるのを回避することを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。
本発明に係る作製方法では、前記基板生産物は第1面及び第2面を有し、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1面と前記基板との間に位置し、前記スクライブマークを形成する工程では、前記基板生産物の前記第1面をスクライブすることが好ましい。
この作製方法によれば、ゼロより大きな角度PHIで六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に傾斜した延在軸の方向に沿って延びるようにスクライブマークをエピ面に形成するので、延在軸を傾斜させることによる制御性能(端面形成における制御性)を向上できる。
本発明に係る作製方法では、前記基板生産物は、前記半導体領域上に設けられたオーミック電極を備え、前記オーミック電極は、前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸の方向に延在することが好ましい。
この作製方法によれば、オーミック電極が射影c軸の方向に延在するので、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面として劈開面を利用できない。
本発明に係る作製方法では、前記基板生産物を準備する工程において、前記基板には当該基板の厚さを100μm以下にするように加工が施されていることが好ましい。この作製方法によれば、この加工により、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面の形成が容易になる。
本発明に係る作製方法では、前記基板生産物は第1面及び第2面を有し、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1面と前記基板との間に位置し、前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は、加工により当該基板の厚さを薄くされ、前記加工はスライス又は研削であり、前記第1端面及び前記第2端面の各々は前記第1面のエッジから前記第2面のエッジまで延在し、前記第2面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面上に形成された電極を含む面との何れかであることができる。
この作製方法によれば、基板の厚さを加工により薄くすることは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面に所望の品質を与えるために有効である。
本発明に係る作製方法では、前記半極性主面は、(20−21)面と(20−2−1)面との何れかの面方位から、前記III族窒化物半導体のm面の方向に−4度以上+4度以下の範囲で傾斜した傾斜面であり、前記半導体領域の前記活性層は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体を備えることができる。
この作製方法によれば、上記の面方位の半極性面の利用は、半導体領域の活性層が波長500nm以上550nm以下の光を発生することに好適である。
本発明に係る作製方法では、前記半極性主面は、(20−21)面と(20−2−1)面との何れかであることができる。この作製方法によれば、上記の面方位の半極性面の利用は、半導体領域の活性層が波長500nm以上550nm以下の光を発生することに好適である。
本発明に係る作製方法では、前記基板の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含むことができる。
この作製方法によれば、上記のようなIII族窒化物の利用は、基板の半極性主面の法線軸に対してIII族窒化物半導体の[0001]軸が六方晶系III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に傾斜するときにIII族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器にm−n面に交差する端面を形成することを可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含むことができる。この作製方法によれば、角度PHIで傾斜した方向に延在するスクライブ溝を形成することが容易になる。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブは、前記角度PHIで傾斜した方向に前記レーザスクライバのレーザビームを前記基板生産物に対して相対的に走査することによって行われることが好ましい。この作製方法によれば、レーザビームの相対的な走査の方向を調整することにより、角度PHIで傾斜した方向に延在するスクライブマークを形成できる。
本発明に係る作製方法では、前記レーザスクライバの前記レーザビームの走査は、前記III族窒化物半導体の前記[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した走査軸の方向に行われることが好ましい。
この作製方法によれば、[1−210]軸の方向に対してゼロより大きな角度で走査方向を設定することは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することを可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記走査軸の方向と前記[1−210]軸の方向との成す角度は0.1度以上であることが好ましい。この作製方法によれば、走査軸の傾斜の下限は、アライメントずれに起因して走査方向の傾斜角がゼロに近づき過ぎることの回避を可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。
本発明に係る作製方法では、前記素子エリアの配列は、前記III族窒化物半導体の前記[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に配列される複数の列を含み、前記配列の各列は素子エリアの一次元配列を含むことが好ましい。
この作製方法によれば、ゼロより大きな角度で六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にして傾斜した配列軸の方向に素子エリアが配列されて素子エリア配列を構成するので、スクライブマークの延在方向を傾斜させることが容易になる。
本発明に係る作製方法では、前記基板生産物において、前記素子エリアの配列は、前記射影c軸の方向に延在する複数の行を含み、前記配列の各行は、前記素子エリアの一次元の配置を含み、前記基板生産物は、前記素子エリアにそれぞれ設けられた複数のパッド電極を含み、前記素子エリアの前記パッド電極は、前記行において、ゼロより大きな角度で前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にして傾斜した配列軸の方向に沿って配列されていることが好ましい。
この作製方法によれば、配列の行において素子エリアのパッド電極を上記の配列軸の方向に配列させることによって、スクライブマークの延在方向を傾斜させると共にレーザ共振器のための端面の品質を制御することを可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記III族窒化物半導体レーザ素子はリッジ構造を有することが好ましい。この作製方法によれば、リッジ構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を作製できる。
本発明に係る作製方法では、前記半導体領域の前記活性層は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体層を備え、前記半導体領域の前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を有することが好ましい。この作製方法によれば、幅広い発光波長範囲において、インジウム均一性に優れた活性層を提供できる。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、(b)前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(c)前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸に向けて前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1及び第2の端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、前記スクライブマークは、前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在する。
この作製方法によれば、スクライブマークが六方晶系III族窒化物半導体のc軸を半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで半極性面上において傾斜した延在軸の方向に延びるので、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、(b)前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(c)前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸の方向に前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1及び第2の端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、前記スクライブマークは、前記m−n面及び前記半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在する。
この作製方法によれば、スクライブマークが、m−n面に直交すると共に半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで前記半極性主面において傾斜した延在軸の方向に沿って延びるので、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、(b)前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(c)前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に前記半極性主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1及び第2の端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、前記配列では、前記素子エリアが第1方向に配列されており、前記基板生産物は、前記半導体領域上において前記第1方向に交差する第2方向に延在するオーミック電極を含み、前記オーミック電極の延在方向は、前記レーザ共振器の向きを規定し、前記スクライブマークは、前記オーミック電極の前記延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延びる。
この作製方法によれば、スクライブマークが、オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで半極性主面において傾斜した延在軸の方向に延びるので、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブマークを形成する工程では、前記基板生産物の半導体領域をスクライブし、前記角度PHIは0.1度以上であることが好ましい。
この作製方法によれば、角度PHIの下限は、アライメントずれに起因してスクライブマークの傾斜角がゼロに近づき過ぎることを避けることを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。また、角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在するスクライブマークを、活性層を含む半導体領域のエピ面に形成するので、傾斜した延在軸による端面の垂直性に関して制御性を増す。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含み、前記スクライブは、前記角度PHIで傾斜した方向に、前記レーザスクライバの前記レーザビームを前記基板生産物に対して相対的に走査することによって行われることが好ましい。この作製方法によれば、レーザビームの相対的な走査の方向を調整することにより、角度PHIで傾斜した方向に延在するスクライブマークを形成できる。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)第1面及び該第1面に反対側の第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体を含む一又は複数の評価対象物を準備する工程と、(b)前記評価対象物をスクライブして、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なるスクライブ方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成する工程と、(c)前記スクライブマーク列を形成した後に、前記III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を前記評価対象物に行って、前記評価対象物に前記第1面及び前記第2面の一方から他方まで延在する加工端面を形成する工程と、(d)前記加工端面の評価を行う工程と、(e)前記評価の結果から、スクライブマーク列の配列方向(又は走査方向)を示すマーク列方向を決定する工程と、(f)III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、前記主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記導波路軸方向に延在するレーザ導波路及びオーミック電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、(g)前記マーク列方向に前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(h)前記スクライブマークを形成した後に前記基板生産物に押圧を行って、前記基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。
この作製方法によれば、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成した後に、光共振器のための端面を形成する加工処理をスクライブマークに合わせて押圧を行って加工端面を形成する。この加工端面の評価を行う。この評価結果に基づきスクライブマークの向きを決定する。これ故に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブマーク列の向きは、以下の(a)〜(d)のいずれかの方向であることができる。
(a)前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(b)前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(c)前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に前記半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(d)前記オーミック電極の前記延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(a)前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(b)前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(c)前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に前記半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(d)前記オーミック電極の前記延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
この作製方法によれば、スクライブマーク列の延在方向を上記の(a)〜(d)のいずれかの方向に基準して規定できる。
本発明に係る作製方法では、前記結晶体は、III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含むことができる。この作製方法によれば、評価に用いる評価対象物がレーザ構造体を含むとき、幾何学的な端面角度の評価だけでなく、電気的な評価を行うことも可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含むことができる。この作製方法によれば、上記の導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成することを可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜していることが好ましい。この作製方法によれば、半極性面を用いる半導体レーザ素子の作製条件の設定を可能にする。
本発明に係る作製方法では、前記角度ALPHAは45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であることが好ましい。この作製方法によれば、上記の傾斜角によって示される面方位を用いて、半極性面に起因する様々な寄与を半導体レーザ素子の作製に利用できる。
本発明に係る作製方法では、前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に前記主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であることが好ましい。この作製方法によれば、インジウム組成の取り込み及び均一性に優れた面方位において半導体レーザ素子を作製できる。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る。この方法は、(a)第1面及び該第1面に反対側の第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体を含む一又は複数の評価対象物を準備する工程と、(b)前記評価対象物をスクライブして、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成する工程と、(c)前記スクライブマーク列を形成した後に、前記III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を前記評価対象物に行って、前記評価対象物に前記第1面及び前記第2面の一方から他方まで延在する加工端面を形成する工程と、(d)前記加工端面の評価を行って、前記スクライブマーク列の配列方向と前記加工端面の延在方向との関係を見積もる工程と、(f)前記評価の見積り結果から、前記スクライブマーク列の配列方向を決定する工程と、(g)III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、前記主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、(h)決定された配列方向を用いて前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、(i)前記スクライブマークを形成した後に、押圧を前記基板生産物に行って、前記基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。
この作製方法によれば、導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成した後に、光共振器のための端面を形成する加工処理をスクライブマークに合わせて行って加工端面を形成する。この加工端面の評価において、スクライブマーク列の配列方向と加工端面の延在方向との関係を見積もる。この見積り結果に基づきスクライブ向きの条件を決定できる。これ故に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、(a)III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、(b)前記レーザ構造体の前記半導体領域上において導波路軸の方向に延在するオーミック電極とを備える。前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記III族窒化物半導体のc軸は、前記III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対してゼロより大きな角度ALPHAで傾斜しており、前記レーザ構造体は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm−n面に交差する端面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記端面を含み、前記レーザ構造体は第1及び第2面を含み、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1面と前記支持基体との間に設けられ、前記レーザ構造体は、前記端面において前記半導体領域から前記支持基体への方向に延在すると共に前記第1面のエッジに位置するスクライブ跡を含み、前記スクライブ跡の延在方向は、前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にして傾斜している。
このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、スクライブマークが、ゼロより大きな角度PHIでIII族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に傾斜した延在軸の方向に沿って延びるので、この角度PHIにより、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
以上説明したように、本発明によれば、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。及びIII族窒化物半導体レーザ素子を評価する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
(第1の実施形態)
図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及びオーミック電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系のIII族窒化物半導体からなる半極性主面17aを有し、裏面17bを有する。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17a上に設けられている。電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。半導体領域19は活性層25を含み、活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含む。
図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及びオーミック電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系のIII族窒化物半導体からなる半極性主面17aを有し、裏面17bを有する。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17a上に設けられている。電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。半導体領域19は活性層25を含み、活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含む。
図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。半極性主面17aは、本実施例では、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在し、例えば平坦な面であることができる。また、図1には、代表的なc面Scが描かれている。本実施例では、支持基体17のIII族窒化物半導体の<0001>軸の方向を示すc+軸ベクトル(単位ベクトル)は、III族窒化物半導体のm軸及びa軸のいずれかの結晶軸の方向に、法線ベクトルNV(単位ベクトル)に対して傾斜する。c+軸ベクトルはc+軸ベクトルVC+として表されており、<000−1>軸の方向はc+軸ベクトルと逆方向であり、c−軸ベクトルVC−(単位ベクトル)で表される。図1に示される実施例では、支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体の[0001]軸は、六方晶系III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に法線軸NXに対して角度ALPHAで傾斜している。この[0001]軸の向きは、c+軸ベクトルVC+によって示される。一実施例では、この角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であることができ、この範囲では、上記の傾斜角によって示される面方位を用いて、半極性面に起因する様々な寄与を半導体レーザ素子の作製に利用できる。また、この角度ALPHAは、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であることが望ましく、この範囲では、インジウムの取り込み及び均一性に優れた面方位を用いて半導体レーザ素子を作製できる。さらに、この角度ALPHAは、71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であることが好ましい。
レーザ構造体13は、共振器のための第1端面27及び第2端面29を含む。共振器のためのレーザ導波路は、第2端面29から第1端面27まで半極性面17aに沿って延在しており、導波路ベクトルWVは第2端面29から第1端面27への方向を示す。レーザ構造体13の第1及び第2の端面27、29は、III族窒化物半導体の結晶軸(例えばm軸)及び法線軸NXによって規定される基準面に交差する。図1では、第1及び第2端面27、29は六方晶系III族窒化物半導体のm軸(a軸)及び法線軸NXによって規定されるm−n面(a−n面)に交差している。
支持基体17のIII族窒化物半導体の<0001>軸の方向を示すc+軸ベクトルは、法線軸NXの方向を示す法線ベクトルNVに対してIII族窒化物半導体のm軸の結晶軸の方向に63度以上80度以下の範囲の傾斜角で傾斜しているとき、この角度範囲の半極性面は、インジウムを含むIII族窒化物半導体においてインジウム組成の空間的均一性を提供でき、また高いインジウム組成を可能にする。
半導体領域19の第1端面19c上に、窒化物半導体レーザダイオード11の光共振器のための第1反射膜43aが設けられる。半導体領域19の第2端面19d上に、該窒化物半導体レーザダイオード11の光共振器のための第2反射膜43bが設けられる。
第1及び第2端面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れている。レーザ構造体13は第1面(エピ面)13a及び第2面(基板裏面)13bを含む。第1面13aは第2面13bの反対側の面である。半導体領域19は第1面13aと支持基体17との間に位置する。
図1及び図2を参照すると、オーミック電極15はIII族窒化物半導体のc軸を半極性主面17aに射影した射影c軸(射影[0001])の方向に延在する。オーミック電極15が射影c軸の方向に延在するので、当該III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成する端面27、29として劈開面を利用できない。
レーザ構造体13はスクライブ跡20aを含み、このスクライブ跡20aは、端面27において半導体領域19から支持基体17への方向に延在すると共に第1面(エピ面)13aの第1エッジ13cに位置する。スクライブ跡20aはレーザ構造体13の一方の側面24aからレーザ導波路LDWGへの向かう方向に延在する。また、レーザ構造体13はスクライブ跡20bを含み、このスクライブ跡20bは、端面27において半導体領域19から支持基体17への方向に延在すると共に第1面(エピ面)13aの第1エッジ13cに位置する。スクライブ跡20bはレーザ構造体13の他方の側面24bからレーザ導波路LDWGへの向かう方向に延在する。スクライブ跡20a、20bは、後ほど行われる製造方法の説明で示されるスクライブマークの片割れであり、スクライブ跡20a、20bの延在方向SLCは、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度(以下、この角度を「PHI」として参照する)で傾斜した延在軸に沿って延びている。本実施例では、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向は、レーザ構造体13のオーミック電極15が半導体領域19に接触を成す第1面13aのエッジ13cの延在方向EDG1に対してゼロ近傍の角度範囲(例えば−0.1度から+0.1度の範囲)にほぼ収まる。スクライブ跡20a、20bの延在方向SLCは、射影c軸の直交する平面に対して角度PHI未満の角度で傾斜している。上記の説明は、端面27を参照しながら行われるけれども、この説明は、端面29に適用されることができ、端面29にはスクライブ跡22a、22bが、スクライブ跡20a、20b対応するように設けられている。
スクライブ跡(製造工程においてはスクライブマーク)20a、20bは、第1面13aに設けられている。ゼロより大きな角度PHIで六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向に対して傾斜した延在軸の方向に沿って並ぶスクライブマークをエピ面に形成するので、延在軸の傾斜により制御性(端面形成における制御性)を向上できる。
傾斜の基準は、スクライブマーク列の向きは、以下の(a)〜(d)のいずれかの方向であることができる。
(a)上記の実施例で用いられた、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(b)III族窒化物半導体のc軸を半極性主面17aに射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び半極性主面17aの法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(d)オーミック電極15の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
これらの基準は、以下の作製方法に係る説明において、スクライブマーク列の延在方向を示すものとして参照される。共振器端面は、[1−210]軸に延在することが好ましいが、外部からの戻り光の低減等の理由により[1−210]軸に対して傾斜させることが良い場合もある。
(a)上記の実施例で用いられた、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(b)III族窒化物半導体のc軸を半極性主面17aに射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び半極性主面17aの法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(d)オーミック電極15の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
これらの基準は、以下の作製方法に係る説明において、スクライブマーク列の延在方向を示すものとして参照される。共振器端面は、[1−210]軸に延在することが好ましいが、外部からの戻り光の低減等の理由により[1−210]軸に対して傾斜させることが良い場合もある。
このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、スクライブ跡20a、20bが、ゼロより大きな角度PHIでIII族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に傾斜した延在軸SLCの方向に沿って延びるので、この角度PHIにより、当該III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成する端面27(29)における垂直性を調整できる。一実施例では、角度PHIは0.1度以上であることができる。角度PHIの下限は、アライメントずれに起因して角度PHIがゼロに近づき過ぎるのを回避することを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。なお、スクライブマークは第2面13bに形成されるときは、スクライブ跡20a、20b、22a、22bは、第2面(基板面)13bの第2エッジ13dに位置する。
半導体領域19は、第1のクラッド層21及び第2のクラッド層23を含む。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。第1のクラッド層21は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体層を備えることができる。活性層25の窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、z軸の方向に井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた発光領域、例えば量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、活性層25は、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。さらには、活性層25は、緑光の波長領域、例えば波長500nm以上550nm以下の波長範囲の光の発生に好適である。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。法線軸NXは法線ベクトルNVの方向へ延びる。支持基体17のIII族窒化物半導体のc軸Cxはc+軸ベクトルVC+の方向に延びる。
c+軸ベクトルVC+は、半極性主面17aの法線軸NXの方向の法線成分と半極性主面17aに平行な方向の平行成分とを有する。レーザ構造体13は、支持基体17の半極性主面17a上に延在するレーザ導波路構造を含む。c+軸ベクトルVC+の平行成分は第2端面29から第1端面27への方向を向き、レーザ導波路構造はc+軸ベクトルVC+の平行成分(射影c軸)の方向に延在する。
また、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17a上にエピタキシャルに成長されてc+軸ベクトルVC+の法線成分(法線軸NX)の方向に沿って配列されている。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、c+軸ベクトルVC+の平行成分(射影c軸)の方向に延在する。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、支持基体17の半極性主面17a上に延在するレーザ導波路構造を構成することができる。この構造では、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25が半極性主面17a上にエピタキシャルに成長されてc+軸ベクトルVC+の法線成分の方向に沿って配列されるので、半導体領域19の結晶軸の向きが支持基体17の結晶軸の向きと実質的に同じになると共に半極性主面17aの面方位が半導体領域19の半導体層の表面の面方位と実質的に同じになる。
III族窒化物半導体レーザ素子11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31は、レーザ構造体13の半導体領域19の表面19a上に設けられ、また表面19aを覆っている。半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。支持基体17は六方晶系III族窒化物半導体からなる。絶縁膜31は開口31aを有する。開口31aは、例えばストライプ形状を成す。本実施例のようにc軸がm軸(a軸)の方向に傾斜するとき、開口31aは半導体領域19の表面19aと上記のm−n面(a−n面)との交差線の方向に延在する。交差線は導波路ベクトルWVの向きに延在する。
電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19a(例えば第2導電型のコンタクト層33)に接触を成しており、上記の交差線の方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線の方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11は利得導波路構造を有することができる。電極15は、絶縁膜31の開口31aを通して半導体領域19の表面に接触を成す。
また、III族窒化物半導体レーザ素子11は、リッジ構造を有するレーザ素子に適用されることができる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、例えばレーザ構造体13の半導体領域19がリッジ構造を有するように構成される。オーミック電極15は、リッジ構造の上面に接触を成す。リッジ構造は、活性層25に供給される電流の分布幅を制御できると共に光の閉じ込めを制御でき、レーザ導波路を伝搬する光とキャリアとの相互作用の程度を調整できる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、半導体領域19は、III族窒化物からなるコンタクト層33と、III族窒化物からなる光ガイド層37とを含む。光ガイド層37は活性層25とコンタクト層33との間に設けられ、また活性層25とクラッド層23との間に設けられる。リッジ構造はコンタクト層33と光ガイド層37の一部とを含むように設けられた高さを有することが好ましい。リッジ構造の高さは活性層25に供給される電流をガイドして活性層25内での電流分布幅の調整を容易にする。
支持基体17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば支持基体17の裏面17bを覆っている。III族窒化物半導体レーザ素子15は、オーミック電極15上に設けられたパッド電極42を更に備えることができる。パッド電極42は例えば金からなることができ、オーミック電極15は半導体領域19の上面19aに接触を成しており、また例えばPd電極を含むことが好ましい。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17は第1基体端面17cを有し、この基体端面17cは半導体領域19の端面19cに繋がれている。第1反射膜43aは第1基体端面17c上に設けられている。支持基体17は第2基体端面17dを有し、この基体端面17dは半導体領域19の端面19dに繋がれている。第2反射膜43bは第2基体端面17d上に設けられる。この形態においては、第1反射膜43a及び第2反射膜43bは、それぞれ、半導体領域19の第1端面19c及び第2端面19dから連続して第1基体端面17c及び第2基体端面17d上に至る。
第1反射膜43a及び第2反射膜43bの各々は、例えば誘電体多層膜によって構成されることができる。引き続く説明では、第1反射膜43a及び第2反射膜43bは、それぞれ、第1誘電体多層膜43a及び第2誘電体多層膜43bとして参照する。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1端面27及び第2端面29の各々は、へき開では形成されない端面であることができる。本件では、第1端面27及び第2端面29を低指数のへき開面と区別するために、第1端面27及び第2端面29を第1割断面27及び第2割断面29として参照することもある。第1割断面27及び第2割断面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸(a軸)及び法線軸NXによって規定されるm−n面(a−m面)に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2割断面27、29を含み、第1割断面27及び第2割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1面13a及び第2面13bを含み、第1面13aは第2面13bの反対側の面である。第1及び第2割断面27、29は、第1面13aのエッジ13cから第2面13bのエッジ13dまで延在する。第1及び第2割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。
このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2割断面27、29がm−n面に交差する。これ故に、m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。
III族窒化物半導体レーザ素子11における光導波構造について説明する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側の光ガイド層35及びp側の光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。
図3は、III族窒化物半導体レーザ素子11の活性層25における発光の偏光を示す図面である。
図3の(a)部及び図4に示されるように、III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1及び第2端面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れており、端面17c及び端面19cは誘電体多層膜43aで覆われている。支持基体17の端面17c及び活性層25における端面25cの法線ベクトルNAと活性層25のm軸ベクトルMAとの成す角度BETAは、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1において規定される成分(BETA)1と、第1平面S1及び法線軸NXに直交する第2平面S2において規定される成分(BETA)2とによって規定される。成分(BETA)1は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲であることが好ましい。この角度範囲は、活性層25の端面25cに沿って延在する参照面とm面との成す角度として理解される。このIII族窒化物半導体レーザ素子11は、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAに関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。また、成分(BETA)2は第2平面S2において−5度以上+5度以下の範囲であることが好ましい。ここで、BETA2=(BETA)1 2+(BETA)2 2である。このとき、III族窒化物半導体レーザ素子11の端面27、29は、半極性面17aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度に関して上記の垂直性を満たす。
図3の(a)部に示されるように、本実施の形態の結晶軸の(m−n面に沿った)方向に向きづけられたレーザ導波路の活性層25からのレーザ光Lは六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子11において、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。レーザ共振器のための第1及び第2端面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。しかしながら、第1及び第2の端面27、29は共振器のための,ミラーとしての平坦性、垂直性を有する。これ故に、第1及び第2端面27、29とこれらの端面27、29間に延在するレーザ導波路とを用いて、図3の(b)部に示されるように、c軸を主面に投影した方向に偏光する遷移による発光I2よりも強い遷移による発光I1を利用して低しきい値のレーザ発振が可能になる。III族窒化物半導体レーザ素子11におけるLEDモードにおける光は、III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光成分I1と、III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、偏光成分I1は偏光成分I2よりも大きいことが好ましい。
再び図1を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さは400μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために好適である。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さは100μm以下であることが更に好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために更に好適である。また、厚さ50μm以上では、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、低面指数で示されるへき開面を共振器のための端面に利用しない。このような端面は、この明細書では、へき開面と区別するために割断面として参照される。発明者らの知見によれば、割断面の利用のためには、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は45度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、この角度は100度以上であることが好ましく、また135度以下であることが好ましい。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、破断面の形成の観点から、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは71度以上であることが好ましく、また79度以下であることが好ましい。角度ALPHAが71度以上であるとき成分(BETA)2を所望の範囲の値にすることが容易となる。また、角度ALPHAが79度以下であるとき成分(BETA)1を所望の範囲の値にすることが容易となる。
III族窒化物半導体レーザ素子11では、III族窒化物半導体のc軸が窒化物半導体のm軸の方向に傾斜するとき、実用的な面方位及び角度範囲は、少なくとも以下の面方位及び角度範囲を含む。例えば、支持基体17の主面17aが、{20−21}面から−4度以上+4度以下の範囲で傾斜する傾斜面であることが好ましい。半導体領域19の活性層25にIII族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体を用いるとき、上記の面方位の半極性面の利用は、半導体領域の活性層が波長500nm以上550nm以下の光を発生することに好適である。また、半極性主面17aは、(20−21)面と(20−2−1)面との何れかであることが好ましい。上記の面方位の半極性面の利用は、半導体領域の活性層が波長500nm以上550nm以下の光を発生することに好適である。
支持基体17(後ほど説明される基板51)は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面27、29を得ることができる。また、上記のようなIII族窒化物の利用は、基板の半極性主面17aの法線軸NXに対してIII族窒化物半導体の[0001]軸が六方晶系III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に傾斜するときにIII族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器にm−n面に交差する端面27、29を形成することを可能にする。
支持基体17の主面17aはGaNであることができ、また支持基体17はGaN単結晶体であることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、GaN主面を用いたレーザ構造体の実現により、例えば上記の波長範囲(青色から緑色までの波長範囲)における発光を実現できる。また、AlN又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、またその低い屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。また、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の積層欠陥密度は1×104cm−1以下であることができる。積層欠陥密度が1×104cm−1以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が低い。
図5は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。図6の(a)部を参照すると、基板51が示されている。本実施例では、基板51のc軸がm軸の方向に傾斜している。工程S101では、III族窒化物半導体レーザ素子の作製のための基板51を準備する。基板51の六方晶系III族窒化物半導体のc軸(ベクトルVC+)は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸方向(ベクトルVM)の方向に法線軸NXに対してゼロより大きい角度ALPHAで傾斜している。これ故に、基板51は、六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面51aを有する。本実施の形態に係る製造方法では、主面51aの角度ALPHAは、例えば71度以上79度以下の範囲であることができる。
工程S102では、基板生産物SPを形成する。図6の(a)部では、基板生産物SPはほぼ円板形の部材として描かれているけれども、基板生産物SPの形状はこれに限定されるものではない。
基板生産物SPを得るために、まず、工程S103において、レーザ構造体55を形成する。レーザ構造体55は、半導体領域53及び基板51を含む。半導体領域53は半極性主面51a上に形成される。半導体領域53を形成するために、半極性主面51a上に、第1導電型の窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61を順に成長する。窒化ガリウム系半導体領域57は例えばn型クラッド層を含み、窒化ガリウム系半導体領域61は例えばp型クラッド層を含むことができる。発光層59は窒化ガリウム系半導体領域57と窒化ガリウム系半導体領域61との間に設けられ、また活性層、光ガイド層及び電子ブロック層等を含むことができる。窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61は、半極性主面51aの法線軸NXに沿って配列されている。これらの半導体層は主面51a上にエピタキシャル成長される。半導体領域53上は、絶縁膜54で覆われている。絶縁膜54は例えばシリコン酸化物からなる。絶縁膜54は開口54aを有する。開口54aは例えばストライプ形状を成す。図6の(a)部を参照すると、導波路ベクトルWVが描かれており、本実施例では、このベクトルWVはm−n面に平行に延在する。必要な場合には、絶縁膜54の形成に先立って、半導体領域53にリッジ構造を形成しても良く、絶縁膜54の形成と共に半導体領域53にリッジ構造を形成しても良く、絶縁膜54の形成及び電極の形成と共に半導体領域53にリッジ構造を形成しても良い。このように形成されたリッジ構造は、リッジ形状に加工された窒化ガリウム系半導体領域61を含むことができる。半導体領域53の厚みは例えば3〜4μmであることができる。
工程S104では、レーザ構造体55上に、アノード電極58a及びカソード電極58bが形成される。また、基板51の裏面に電極を形成する前に、結晶成長に用いた基板51の裏面を研磨(或いは、予め薄く基板をスライス)して、所望の厚さDSUBの基板生産物SPを形成する。基板51には当該基板51の厚さを100μm以下にするように加工が施されることが好ましい。この加工により、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面の形成が容易になる。また、基板51の厚さは、当該基板51の取り扱い容易性から、50μm以上であることが好ましい。
電極の形成では、例えばアノード電極58aが半導体領域53上に形成されると共に、カソード電極58bが基板51の裏面(研磨面)51b上に形成される。アノード電極58aはX軸方向(或いは、c軸を半極性主面51a上に射影した方向「射影c軸方向」)に延在し、カソード電極58bは裏面51bの全面を覆っている。これらの工程により、基板生産物SPが形成される。基板生産物SPは、第1面63aと、これに反対側に位置する第2面63bとを含む。半導体領域53は第1面63aと基板51との間に位置する。上記のような作製の結果、基板生産物SPは、半導体領域19上に設けられたオーミック電極58cを備える。基板生産物SPは、図6の(a)部に示されるように、本実施例において作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子がリッジ構造を有するように形成される。オーミック電極58cはリッジ構造の上面に位置する。オーミック電極58cは、好適な実施例では、上記の射影c軸の方向に延在する。オーミック電極58cが射影c軸の方向に延在するIII族窒化物半導体レーザ素子では、そのレーザ共振器を構成する端面として劈開面を利用できない。
図7は、基板生産物を示す平面図である。図7に示されるように、基板生産物SPは、III族窒化物半導体レーザ素子11のための素子エリアD(AREA)の配列ARYを有する。配列ARYは、引き続く工程においてレーザバーを作成できるような第1方向への素子エリアD(AREA)の一次元配列を含み、オーミック電極は半導体領域19上において第1方向に交差する第2方向に延在する。また、素子エリアD(AREA)の配列ARYは、この実施例では、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に延在する複数の列を含むことができ、各列は素子エリアD(AREA)の一次元配置を含む。[1−210]軸の方向は、作製される共振器端面の期待される延在方向に対応する。この作製方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に素子エリアが配列されて素子エリア配列D(AREA)を構成するので、後の工程で、延在方向を傾斜させてスクライブマーク列65を形成することが容易になる。
また、素子エリアD(AREA)の配列は、射影c軸の方向に延在する複数の行を含むことができ、各行は素子エリアD(AREA)の一次元の配置を含むことができる。基板生産物SPは、素子エリアD(AREA)にそれぞれ設けられた複数のパッド電極42の配列を含む。素子エリアD(AREA)のパッド電極42は、配列ARYにおいて、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に沿って配列されている。この作製方法によれば、配列ARYの行において素子エリアD(AREA)のパッド電極42を上記の配列軸の方向に配列させるので、スクライブマーク列の延在方向を傾斜させることが容易になり、またレーザ共振器端面の品質(傾斜角に係る垂直性)を制御することを可能にする。
ゼロより大きな角度PHIで六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に傾斜した延在軸の方向に沿って延在するスクライブマーク列65を第1面63a(エピ面)に形成するので、傾斜した延在軸による制御性(端面形成における制御性)を向上できる。
次いで、工程S105では、レーザ共振器のための端面を有するレーザバーを形成する。端面は所定範囲の端面角度を有する。本実施例では、基板生産物SPからレーザバーを作製する。レーザバーは、誘電体多層膜を形成可能な一対の端面(共振器端面)を有する。引き続き、レーザバー及び端面の作製の一例を説明する。
工程S106では、図6の(b)部に示されるように、基板生産物SPの第1の面63aにスクライブ溝を形成する。基板51の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は<0001>軸方向に向く。この<0001>軸方向がc+軸ベクトルによって表される。本実施の形態においてスクライブは、c+軸ベクトルに交差する方向に行われることが好ましい。スクライブによりスクライブマークが形成される。スクライブマークは、スクライブ溝65aを含む。図6の(b)部では、5つのスクライブ溝の列が既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブ溝65bの形成が進められている。スクライブ溝65aの長さは、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa−n面と第1面63aとの交差線AISの長さよりも短い。レーザビームLBの照射により、特定の方向に延在し基板に到達する溝が第1面63aに形成される。スクライブ溝65aは例えば基板生産物SPの一エッジに形成されることができ、またスクライブ溝は、レーザチップ幅(レーザ導波路に垂直な方向に係る素子長)に合わせたピッチで配列されていてもよく、このスクライブ溝配列を用いる作製では、図1に示されるようにスクライブ跡を窒化物素子に残すことができる。スクライブ溝は、素子長の整数倍のピッチで配列されていることもできる。
基板生産物SPのエピ面をスクライブして、作製したい共振器端面の延在方向に対して傾斜する方向にスクライブマークを配列させる。本実施例では、図7に示されるように、スクライブマークは、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在する。スクライブは、レーザスクライバ10aを用いて行われる。レーザスクライバ10aの利用は、角度PHIで傾斜した方向に延在するスクライブ溝を形成することが容易にする。
レーザスクライバ10aを用いたスクライブマークの形成は、例えば以下のように行われる。レーザスクライブは、ゼロより大きな角度で傾斜した方向にレーザスクライバのレーザビームLBを基板生産物SPに対して相対的に走査することによって行われる。この方法によれば、レーザビームの相対的な走査の方向を調整することにより、基板生産物SP上には、走査方向に対応した角度で傾斜した方向に延在するスクライブマークを形成できる。
図7を参照すると、基板生産物SPのエピ面をスクライブして、作製したい共振器端面の延在方向に対して傾斜する方向にスクライブマークを配列させている。この配列において、複数のスクライブマーク列65は実質的に平行であって、これらのスクライブマーク列65のスクライブマーク65cは、形成されるべき割断面の延在方向に対して傾斜する方向に延びる。形成されるべき割断面の延在方向にレーザビームLBの走査方向を合わせた後にレーザ10aの走査方向を所望の角度だけ変更してスクライバレーザビームLBを走査すると、走査方向に対応したスクライブマーク列65を形成できる。
本実施例では、レーザビームLBの走査は、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した走査軸(例えば図7に示された軸SCNAX)の方向に行われる。[1−210]軸の方向に対してゼロより大きな角度で走査方向を設定することは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することを可能にする。走査軸SCNAXの方向と[1−210]軸の方向との成す角度は0.1度以上であることができる。走査軸SCNAXの傾斜の下限は、レーザスクライバ10aと基板生産物SPとの間のアライメントずれに起因して走査方向の傾斜角がゼロに近づき過ぎることを避けることを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。
スクライブマーク列65の向きに関して、傾斜の基準は、以下の(a)〜(d)のいずれかの方向であることができる。
(a)上記の実施例で用いられた、基板のIII族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(b)III族窒化物半導体のc軸を基板の半極性主面17aに射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び基板の半極性主面17aの法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(d)オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
これらの基準は、以下の作製方法に係る説明において、スクライブマーク列の延在方向を示すものとして参照される。共振器端面は、[1−210]軸に延在することが好ましい。また、スクライブマーク列の傾斜の角度は0.1度以上であることが好ましい。角度の下限はアライメントずれに起因して角度PHIがゼロに近づき過ぎるのを回避することを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。また、本実施例では、スクライブマークを形成する際には、基板生産物SPの第1面(エピ面)63aをスクライブする。
(a)上記の実施例で用いられた、基板のIII族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(b)III族窒化物半導体のc軸を基板の半極性主面17aに射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び基板の半極性主面17aの法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
(d)オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸。
これらの基準は、以下の作製方法に係る説明において、スクライブマーク列の延在方向を示すものとして参照される。共振器端面は、[1−210]軸に延在することが好ましい。また、スクライブマーク列の傾斜の角度は0.1度以上であることが好ましい。角度の下限はアライメントずれに起因して角度PHIがゼロに近づき過ぎるのを回避することを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。また、本実施例では、スクライブマークを形成する際には、基板生産物SPの第1面(エピ面)63aをスクライブする。
上記のように作製されたスクライブマーク列65は、上記のいずれかを基準にして0.1度以上の角度PHIを成して延在する。スクライブマーク列65の傾斜角の下限は、スクライブマーク列65と上記基準との成す角度PHIがゼロに近づき過ぎるのを回避することを可能にする。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整することも可能になる。製造工程において可能な場合には、角度PHIの下限は0.05度であることができる。
図6の(d)部に示されるように、スクライブによりスクライブ溝65aが形成され、該スクライブ溝65aは半導体領域53の表面から基板51に到達する。スクライブ溝65aは、半導体領域53の表面における開口66aと基板51に到達する底部66bとを有する。スクライブ溝65aの開口66aの端とスクライブ溝65aの底部66bの最深端とによって規定される基準平面はIII族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa−n面の方向に延在することができる。
工程S107では、図6の(c)部に示されるように基板生産物SPをシート12a、12bに挟んだ後に、基板生産物SPの第2面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。本実施例では、図6の(c)部及び図7に示されるように、押圧はスクライブマーク列の延在方向を示すベクトル及びIII族窒化物半導体の法線軸NXとによって規定される平面と第2面との交線の位置に行われる。
押圧は、例えばブレード69といったブレイキング装置を用いて行われる。ブレード69は、一方向に延在するエッジ69aと、エッジ69aを規定する少なくとも2つのブレード面69b、69cを含む。また、基板生産物SP1の押圧は支持装置71上において行われる。支持装置71は、支持面71aと凹部71bとを含み、凹部71bは一方向に延在する。凹部71bは、支持面71aに形成されている。基板生産物SP1のスクライブ溝65aの向き及び位置を支持装置71の凹部71bの延在方向に合わせて、基板生産物SP1を支持装置71上において凹部71bに位置決めする。凹部71bの延在方向にブレイキング装置のエッジの向きを合わせて、第2面63bに交差する方向からブレイキング装置のエッジを基板生産物SP1に押し当てる。交差方向は好ましくは第2面63bにほぼ垂直方向である。これによって、基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押し当てにより、第1及び第2端面67a、67bを有するレーザバーLB1が形成され、これらの端面67a、67bでは、少なくとも発光層の一部は半導体レーザの共振ミラーに適用可能な程度の垂直性及び平坦性を有する。
このIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法(以下「作製方法」)によれば、スクライブマークが六方晶系III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準に角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在するので、このゼロより大きな角度PHIにより、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
形成されたレーザバーLB1は、上記の分離により形成された第1及び第2端面67a、67bを有し、端面67a、67bの各々は、第1の面63aから第2の面63bにまで延在する。これ故に、端面67a、67bは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成でき、XZ面に交差する。このXZ面は、III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm−n面に対応する。レーザバーLB0、LB1の各々に、導波路ベクトルWVが示されている。導波路ベクトルWVは、端面67bから端面67aの方向に向いている。図6の(c)部において、レーザバーLB0は、c軸ベクトルVCの向きを示すために一部破断して示されている。導波路ベクトルWVはc軸ベクトルVC+と鋭角を成す。
この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物SPの第1面63aをスクライブした後に、基板生産物SPの第2面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。これ故に、m−n面に交差するように、レーザバーLB1に第1及び第2端面67a、67bが形成される。この端面形成によれば、第1及び第2端面67a、67bに当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性が提供される。形成されたレーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在している。この方法では、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面を形成している。
この方法によれば、基板生産物SP1の割断により、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1が形成される。工程S107では、押圧による分離を繰り返して、多数のレーザバーを作製する。この割断は、レーザバーLB1の割断線BREAKに比べて短く割断線に対して傾いたスクライブ溝65aを用いて引き起こされる。
スクライブマーク列65が、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在するように形成されており、このスクライブマーク列65の一つにブレードを合わせて、レーザバーを作製する。このような手順で作製されたレーザバーでは、正常なブレイキングにより生成された共振器端面の角度(X−Y面に平行な面内における角度)は、スクライブマーク列65の傾斜角未満であって且つ[1−210]軸に対してゼロ度以上である範囲に収まる。レーザバーを作製する方法によれば、スクライブマーク列が[1−210]軸の方向を基準に角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在するので、このゼロより大きな角度PHIにより、レーザバーのレーザ共振器端面における垂直性を調整できる。また、好ましくは、角度PHIは0.1度以上である。角度PHIの下限は、偶発的な理由により角度PHIがゼロに近づき過ぎることを回避できる。この回避と共に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
工程S108では、レーザバーLB1の端面67a、67bに誘電体多層膜を形成して、レーザバー生産物を形成する。この工程は、例えば以下のように行われる。まず、レーザバーLB1の端面67a、67bのいずれか一方に誘電体多層膜を形成する。次いで、レーザバーLB1の端面67a、67bのいずれか他方に誘電体多層膜を形成する。フロント側の誘電体多層膜の反射率が、リア(背面)側の誘電体多層膜の反射率より小さいとき、このフロント(前端面)側からレーザ光の多くは出射され、このリア側でレーザ光の大部分は反射される。
工程S109において、このレーザバー生産物を個々の半導体レーザのチップに分離する。
また、基板51の材料は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、レーザ共振器として利用可能な端面を得ることができる。基板51は好ましくはGaNからなる。
基板生産物SPを形成する際に、結晶成長に使用された半導体基板は、基板厚が400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、第2の面63bが研磨により形成された加工面であることができる。この基板厚では、割断を使用するとき、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性を歩留まりよく得られる。また、割断を使用するとき、イオンダメージの無い端面67a、67bを形成できる。第2の面63bが研磨により形成された研磨面であることが好ましい。また、基板生産物SPを比較的容易に取り扱うためには、基板厚が50μm以上であることが好ましい。
本実施の形態に係るレーザ端面の製造方法では、レーザバーLB1においても、図3を参照しながら説明された角度BETAが規定される。レーザバーLB1では、角度BETAの成分(BETA)1は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面(図3を参照した説明における第1平面S1に対応する面)において(ALPHA−5)度以上(ALPHA+5)度以下の範囲であることが好ましい。レーザバーLB1の端面67a、67bは、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。また、角度BETAの成分(BETA)2は、第2平面(図2に示された第2平面S2に対応する面)において−5度以上+5度以下の範囲であることが好ましい。このとき、レーザバーLB1の端面67a、67bは、半極性面51aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。
端面67a、67bは、半極性面51a上にエピタキシャルに成長された複数の窒化ガリウム系半導体層への押圧によるブレイクによって形成される。半極性面51a上へのエピタキシャル膜であるが故に、端面67a、67bは、これまで共振器ミラーとして用いられてきたc面、m面、又はa面といった低面指数のへき開面ではない。しかしながら、半極性面51a上へのエピタキシャル膜の積層のブレイクにおいて、端面67a、67bは、共振器ミラーとして適用可能な平坦性及び垂直性を有する。
本発明は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。その一例では、c軸がm軸の方向に傾斜した半極性面の支持基体を用いるIII族窒化物半導体レーザ素子を説明し、その説明によればc軸及びm軸によって規定される面に沿ってレーザ導波路を延在させるとき、しきい値電流を下げることができる。しかし、発明者らは、(20−21)面上に作製した半導体レーザ素子において、c軸及びm軸によって規定される面に交差する共振器ミラーを形成する際に、スクライブ溝を(20−21)面のa軸の方向から微小な角度だけ回転させた方向に延在させることにより、共振器ミラーの品質ばらつきが低減されることを見出した。本方法を用いれば、半導体レーザ素子の製造において、発振しきい値電流のばらつきを抑制することが可能となる。
本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、m軸の方向に傾斜したc軸を有する支持基体を用いる。このIII窒化物半導体レーザ素子が、c軸及びm軸によって規定される面に沿って延在するレーザ導波路を備えるとき、低いしきい値電流を示す。しかし、このレーザ導波路の向きでは、劈開面を利用した共振器ミラーを作製することができない。それ故に、これまではドライエッチング(反応性イオンエッチング:RIE)を用いて共振器ミラーを作製してきた。しかしながら、このRIE法で作製された共振器ミラーは垂直性、平坦性に関して改善されるべきものを有する。これに対して、共振器ミラーとして、基板生産物への押圧により、劈開面と異なる割断面を作製した利用する方法を発明者らは見出している。引き続き、この押圧法により、安定した品質を有する共振器ミラーを作製することについて説明する。
その制御の一例として、発明者らは、レーザスクライバで基板生産物にスクライブ溝を形成する際に、加工用レーザ光の走査方向を調整して、形成されるべき共振器端面の延在方向に対してスクライブ溝の配列の延在方向を基板生産物の主面において傾ける。これにより、共振器端面の品質を調整できることを見出している。このような制御により、低しきい値電流でレーザ発振を可能とする共振器ミラー面の作製が可能になる。本実施の形態に従う方法で得られる共振器ミラーは、いずれも従来の劈開面とは異なる面方位の端面で構成されており、またこれまでの共振器ミラーとは全く異なる。
発明者らの実験によれば、例えば(20−21)面上に作製した半導体レーザ素子において、c軸及びm軸によって規定される面に交差する共振器ミラーを形成する際に、スクライブ溝列の延在方向を(20−21)面のa軸の方向を基準に微小な角度だけ基板主面の法線軸の周りに回転させた方向に延在させることにより、共振器ミラーの品質ばらつきが低減される。以下の実施例及び発明者らの他の実験から、半導体レーザ素子の製造において、発振しきい値電流のばらつきを低減できることを理解できる。
(実施例1)
以下の通り、レーザダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH3)、シラン(SiH4)、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いた。基板71として、{20−21}GaN基板を準備した。このGaN基板は、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからm軸方向に75度の範囲の角度でウエハスライス装置を用いて切り出して作製可能である。
以下の通り、レーザダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH3)、シラン(SiH4)、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いた。基板71として、{20−21}GaN基板を準備した。このGaN基板は、HVPE法で厚く成長した(0001)GaNインゴットからm軸方向に75度の範囲の角度でウエハスライス装置を用いて切り出して作製可能である。
この基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、図8に示されるレーザ構造体のためのエピタキシャル層を以下の成長手順で成長する。基板71を成長炉に配置した後に、まず、基板71上にn型GaN層(厚さ:1000nm)72を成長した。次に、n型クラッド層(例えばInAlGaN、厚さ:1500nm)73をn型GaN層72上に成長する。引き続き、発光層を作製した。まず、光ガイド層(例えばn型GaN、厚さ:200nm)74a及び光ガイド層(例えばアンドープInGaN、厚さ:65nm)74bをn型クラッド層73上に成長した。次いで、活性層75を成長する。この活性層75は、InGaN(井戸層、厚さ:3nm)及びGaN(障壁層、厚さ:15nm)から構成され、例えば3周期からなる多重量子井戸構造を有する。この後に、光ガイド層(例えばアンドープInGaN、厚さ:65nm)76a、電子ブロック層(例えばp型AlGaN、厚さ20nm)76b及び光ガイド層(例えばp型GaN、厚さ200nm)76cを活性層75上に順に成長する。次に、p型クラッド層(例えばInAlGaN及び/又はAlGaN、厚さ:400nm)77を発光層上に成長する。最後に、コンタクト層(例えば、p型GaN厚さ:50nm)78をp型クラッド層77上に成長した。これらのエピタキシャル成長によりエピタキシャル基板EPを形成する。
このエピタキシャル基板EPを用いて、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によりリッジ構造を作製する。例えば、幅2μmのリッジ構造を作製するために、フォトリソグラフィによって幅2μmのポジ型レジストによってマスクを形成する。レーザ導波路方向は、c軸を主面に投影した投影成分の方向に平行になるように向き付けした。ドライエッチングには、例えば塩素ガス(Cl2)を用いた。Cl2を用いたドライエッチングによってリッジ構造を作製する。リッジ構造のためのエッチング深さは、例えば0.7μmであり、本実施例ではAlGaNブロック層が露出するまでエピタキシャル基板の半導体領域のエッチングを行う。エッチングの後に、レジストマスクを除去した。フォトリソグラフィを用いて約幅2μmのストライプマスクをリッジ構造上に残した。ストライプマスクの向きはリッジ構造の向きに合わせた。この後に、リッジ側面にSiO2を真空蒸着法で形成する。絶縁膜の蒸着の後に、リフトオフ法によってリッジ上のシリコン酸化膜(例えばSiO2膜)を除去して、ストライプ状開口部を有する絶縁膜79を形成する。
次いで、アノード電極及びカソード電極を形成して、基板生産物を作製する。具体的には、絶縁膜79を形成した後、p側電極80a及びn側電極80bを作製して基板生産物を作製する。このために、p側電極80aを真空蒸着法によって作製する。p側電極80aは例えばNi/Auであった。p側電極80aはストライプ形状を成し、リッジ構造の向きに延在する。本実施例では、リッジ構造の向きは、c軸をGaN基板主面に投影した方向(投影c軸方向)に延在している。この後に、エピタキシャル基板の裏面、つまりGaN基板(GaNウエハ)の裏面を研磨して、80μmまで薄くする。裏面の研磨は、ダイヤモンドスラリーを用いて行われた。研磨面には、n側電極80bを蒸着により形成する。n側電極80bはTi/Al/Ti/Auから成る。
この基板生産物からスクライブによってレーザバーを作製するために、波長355nmのYAGレーザを照射可能なレーザスクライバを用いたが、レーザ光源はこれに限定されるものではない。400μmピッチで基板の絶縁膜、もしくは絶縁膜開口箇所を通してエピ表面に直接レーザ光を照射することによって、スクライブ溝を形成した。スクライブ溝のピッチは、半導体レーザの素子幅であり、例えば400μmである。レーザスクライバのレーザビームの走査速度は例えば5mm/sであり、レーザパワーは例えば100mWである。ブレードを用いて、共振器ミラーを割断により作製した。基板生産物の裏面の押圧によりブレイクすることによって、レーザバーを作製した。押圧は、例えばブレイキング装置を用いて行われる。ブレイキング装置のブレード押込み量は、例えば60μmである。
この後に、端面コートを行った。端面コートとして、シリコン酸化膜(例えばSiO2)/タンタル酸化膜(例えばTa2O5)を組み合せた誘電体多層膜を用いた。レーザバーの端面に真空蒸着法によって誘電体多層膜をコーティングする際には、誘電体多層膜を例えばSiO2とTiO2を交互に積層して構成する。それぞれの膜厚は、例えば50〜100nmの範囲で調整して反射率の中心波長が例えば500〜530nmの範囲になるように設計する。
(実施例2)
レーザスクライバでエピ表面(例えば第1面)にスクライブ溝を形成する条件の実験について説明する。まず、レーザスクライバにおいて、基板のa軸方向がレーザビームの走査方向に平行になるように基板生産物の位置合わせを行う。次に、この配置位置から基板主面の法線軸の周りに微小な角度φだけ基板生産物を基板生産物のエピ面に平行な面内において回転させる。角度φは、本実施例では、図2に示すように、基板(支持基体)のIII族窒化物半導体の[0001]軸をエピ面に投影した投影軸(投影[0001]軸)から該III族窒化物半導体の[1−210]軸(或いは、形成されるべき割断の進行方向を示すベクトルFVの向き)に向かう方向への回転角度として規定される。この角度φは、該III族窒化物半導体の[1−210]軸とレーザビームの走査方向との成す角度に対応しており、また、該III族窒化物半導体の[1−210]軸とスクライブマーク列との成す角度に対応する。
レーザスクライバでエピ表面(例えば第1面)にスクライブ溝を形成する条件の実験について説明する。まず、レーザスクライバにおいて、基板のa軸方向がレーザビームの走査方向に平行になるように基板生産物の位置合わせを行う。次に、この配置位置から基板主面の法線軸の周りに微小な角度φだけ基板生産物を基板生産物のエピ面に平行な面内において回転させる。角度φは、本実施例では、図2に示すように、基板(支持基体)のIII族窒化物半導体の[0001]軸をエピ面に投影した投影軸(投影[0001]軸)から該III族窒化物半導体の[1−210]軸(或いは、形成されるべき割断の進行方向を示すベクトルFVの向き)に向かう方向への回転角度として規定される。この角度φは、該III族窒化物半導体の[1−210]軸とレーザビームの走査方向との成す角度に対応しており、また、該III族窒化物半導体の[1−210]軸とスクライブマーク列との成す角度に対応する。
基板の[1−210]軸の方向は、例えば劈開によってa面を露出させることにより知ることができる。レーザ導波路からスクライブ溝先端までの間隔がいずれも一定の距離だけ離れるようにレーザスクライブの開始点を決定した後、レーザビームを走査して基板生産物のエピ面にスクライブ溝の配列を形成する。
また、基板生産物において[−12−10]軸方向に延在する走査軸と基板生産物の端部との交差部の一方にもスクライブ溝を形成する。発明者らの知見によれば、このようにスクライブ溝の配列を形成することにより、スクライブ後のブレイクにおいて、基板生産物の割断を、スクライブ溝配列の延在方向よりも[1−210]軸の延在方向に寄った方向に進行させることができる。好適な条件では、基板生産物の割断は、ほぼ [1−210]軸の延在方向に沿って進行するようになる。換言すれば、III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向に対して正の角度で傾斜させる方向にスクライブマーク列を形成するとき、当該スクライブマーク列に合わせた押圧により、基板生産物の割断は、スクライブマーク列の延在方向を基準にしてゼロより小さい角度で傾斜する方向に進行する。例えば、割断の進行方向の傾斜角の絶対値は、[1−210]軸の方向の周りに割断面が延在するような範囲にある。既に説明したように、スクライブ溝の配列は、図7に示されている。図9を参照すると、軸SCNAXがスクライブマーク配列方向を示し、スクライブマーク配列方向の傾斜角の向きを矢印ARROW1が示す。矢印ARROW2は、角度の定義における正の向きを示す。
発明者らは、様々な角度φ0でスクライブ溝列を形成している。これらの角度のスクライブ溝列を用いて作製したレーザバーの共振器ミラーの品質を評価している。その品質の評価の一例は以下のように行われる。基板生産物の法線軸に直交する第2平面内における、端面の垂直からのずれ角φFRCを見積もる。具体的には、品質評価では、各レーザバー内の全チップに関するずれ角の平均値とその標準偏差を評価指標として用いる。
ずれ角φFRCは、基板の[0001]軸をエピ面に投影した投影c軸から[1−210]軸の方向に、割断の進行方向を示すベクトルFVと基板の[1−210]軸との成す角度として規定される。このずれ角φFRCは、光学顕微鏡による各チップの観察像を画像処理することで計測されることができる。
図10は、角度φ0とずれ角φFRCの平均値との関係を示す。図10によれば、ずれ角φFRCの平均値は、わずかなシフトを除いて、角度φ0と概ね一致することが示される。このほぼ一致は、割断がスクライブ溝に案内されていることを示す結果と考えられる。ずれ角φFRCは、[1−210]軸を基準に正若しくは負の値、又はゼロを取り得る。図10の結果は、角度φ0より大きな角度で割断が進行することがあり、また角φ0より小さな角度で割断が進行することがあることを示している。また、図10の結果からは、角度φ0の大きさに応じて割断の進行方向を調整できることも理解できる。図10の直線は、最小自乗法による相関を示す一次式であり、スクライブ角度φ0を「x」で表し、ずれ角φFRCを「y」で表すとき、y=0.9738×x―0.1099という関係が導かれる。ここで、相関係数R2は0.7435である。
図11は、角度φ0とずれ角φFRCの標準偏差σとの関係を示す。図11によれば、ずれ角φFRCの標準偏差σは、角度φ0がゼロから負の値を取るとき急激に増加する。一方、ずれ角φFRCの標準偏差σは、角度φ0がゼロから正の方向に増加しても大きく変化しない。これらの傾向は、角度φ0が負の値を取ると、端面のずれ角がレーザバー内で大きくばらついてしまうことを意味しており、ずれ角φFRCのばらつきを抑制するためには角度φ0が正の角度範囲であることが望ましい。発明者らの実験によれば、角度φ0が0.1度以上の値を取る時に、レーザバー内の端面のずれ角のばらつきを低減できる。また、角度φ0が0.05度以上であってもよい。
発明者らの知見によれば、(20−21)面上に作製した半導体レーザ素子において、c軸及びm軸によって規定される面に交差する共振器ミラーを形成する際には、端面のずれ角φFRCは図10に示されるように、スクライブマーク列の延在方向に沿って進行するよりは、むしろスクライブマーク列から[1−210]軸への方向に変位した方向に進行する傾向(割断の性質)にある。スクライブ溝の配列を正値の角度φ0の向きに延在させることにより、割断の進行方向と、割断の際のスクライブ溝によるガイド作用は、上記の性質(割断の性質)を打ち消すように働き、この結果、均一な品質の共振器ミラーの形成が可能になっている。
図10及び図11に示された数値は以下のものである。
角度φ0、角度φFRCの平均値、角度φFRCの標準偏差。
-0.46、 -0.44、 0.89。
-0.40、 -1.00、 1.21。
-0.34、 -0.42、 0.70。
-0.23、 -0.88、 0.85。
-0.23、 -0.20、 0.54。
-0.17、 0.72、 0.37。
-0.12、 -0.16、 0.23。
-0.11、 -0.14、 0.35。
-0.11、 -0.24、 0.24。
-0.11、 -0.30、 0.46。
-0.06、 -0.13、 0.24。
0.00、 -0.14、 0.20。
0.00、 0.07、 0.13。
0.11、 -0.20、 0.18。
0.11、 -0.18、 0.16。
0.12、 0.40、 0.15。
0.29、 -0.31、 0.11。
0.29、 0.30、 0.14。
0.29、 0.27、 0.12。
0.58、 0.70、 0.15。
0.77、 0.05、 0.30。
0.97、 0.76、 0.27。
2.34、 2.34、 0.29。
図10及び図11に示された数値は以下のものである。
角度φ0、角度φFRCの平均値、角度φFRCの標準偏差。
-0.46、 -0.44、 0.89。
-0.40、 -1.00、 1.21。
-0.34、 -0.42、 0.70。
-0.23、 -0.88、 0.85。
-0.23、 -0.20、 0.54。
-0.17、 0.72、 0.37。
-0.12、 -0.16、 0.23。
-0.11、 -0.14、 0.35。
-0.11、 -0.24、 0.24。
-0.11、 -0.30、 0.46。
-0.06、 -0.13、 0.24。
0.00、 -0.14、 0.20。
0.00、 0.07、 0.13。
0.11、 -0.20、 0.18。
0.11、 -0.18、 0.16。
0.12、 0.40、 0.15。
0.29、 -0.31、 0.11。
0.29、 0.30、 0.14。
0.29、 0.27、 0.12。
0.58、 0.70、 0.15。
0.77、 0.05、 0.30。
0.97、 0.76、 0.27。
2.34、 2.34、 0.29。
(実施例3)
0.3度、0.6度、0.7度、1.3度の角度φ0で作製したレーザバーを通電により評価している。その評価は室温(例えば摂氏25度)で行われる。電源の印加には、パルス幅500ns、デューティ比0.1%のパルス電源を用い、レーザバーの表面電極(アノード電極)に針を当てて、電流300mAを上限にレーザバー内の半導体レーザに通電を行う。光出力測定の際には、レーザバー端面からの発光をフォトダイオードによって検出して、電流−光出力特性(I−L特性)を調べる。
0.3度、0.6度、0.7度、1.3度の角度φ0で作製したレーザバーを通電により評価している。その評価は室温(例えば摂氏25度)で行われる。電源の印加には、パルス幅500ns、デューティ比0.1%のパルス電源を用い、レーザバーの表面電極(アノード電極)に針を当てて、電流300mAを上限にレーザバー内の半導体レーザに通電を行う。光出力測定の際には、レーザバー端面からの発光をフォトダイオードによって検出して、電流−光出力特性(I−L特性)を調べる。
図12は、上記の各条件で作製したレーザバーに関して、スクライブ角度φ0と発振しきい値電流の平均値及び標準偏差との関係を示す。図12の(a)部は、発振しきい値電流の平均値を示し、図12の(b)は、発振しきい値電流の標準偏差を示す。
角度φ0(単位、degree)、発振チップ数、平均値(mA)、標準偏差(mA)。
0.3度、 182、 64、 34。
0.6度、 199、 86、 37。
0.7度、 253、 64、 30。
1.3度、 220、 92、 46。
角度φ0(単位、degree)、発振チップ数、平均値(mA)、標準偏差(mA)。
0.3度、 182、 64、 34。
0.6度、 199、 86、 37。
0.7度、 253、 64、 30。
1.3度、 220、 92、 46。
図12の(b)部を参照すると、角度1度を超えるような角度φ0では、発振しきい値電流のばらつきが大きくなる傾向を示す。この傾向は、図12において、角度φ0が正の方向に大きくなるにつれて、共振器端面のずれ角φFRCのばらつきが緩やかに大きくなる傾向と整合する。発振しきい値電流の標準偏差が例えば40mA以下になると見込まれる角度φ0の範囲は、0.1度以上であり、かつ1.0度以下である。
図13は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法における主要な工程を示す図面である。
工程S201では、第1面及び該第1面に反対側の第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体(又は窒化物体)を含む一又は複数の評価対象物を準備する。この結晶体は、押圧により割断の発生を模擬するためのものであって、例えば評価したい半導体素子の作製に用いる面方位のIII族窒化物基板、窒化ガリウム系半導体基板、やGaN基板であっても良い。このような結晶体を用いるときには、ブレイクにより生成された端面の幾何学的な角度を評価できる。或いは、結晶(又は窒化物体)体は、III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、この半極性主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含むことができる。評価に用いる評価対象物がレーザ構造体を含むとき、端面角度の評価だけでなく、電気的な評価を行うことも可能にする。
工程S202では、評価対象物をスクライブして、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成する。例えば実施例において説明されたように、角度φ0として、0.3度、0.6度、0.7度、1.3度といった正、負又はゼロの角度値を用いることができる。スクライブマークはスクライブ溝を含む。スクライブマークの形成は、例えばレーザスクライバの利用により行われる。レーザスクライバは、導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在しレーザバー作製評価のための複数のスクライブマーク列を形成することを可能にする。
工程S203では、スクライブマーク列を形成した後に、III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を上記の評価対象物に行って、評価対象物に加工端面を形成する。加工端面は、評価対象物の第1面及び第2面の一方から他方まで延在する。加工端面の形成は、例えば実施例に例示されたブレードを用いた押圧を評価対象物に行うことにより実現される。
工程S204では、加工端面の評価を行う。この評価は、例えば実施例における角度φFRCの平均値及び/又は標準偏差の算出等により行われる。さらに、この評価として、例えばしきい値電流の測定を行うこともできる。
工程S205では、上記の評価の結果から、スクライブマーク列の向き示すマーク列方向(例えば角度φ0の決定値)を決定する。この決定は、マーク列方向自体の決定だけでなく、角度の下限の決定や角度の上限の決定であってもよい。
工程S206では、基板生産物を形成する。基板生産物は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、基板主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、また導波路軸方向に延在するレーザ導波路及びオーミック電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する。
工程S207では、基板生産物をマーク列方向にスクライブして、スクライブマークを形成する。この形成には、例えばレーザスクライバを用いることができる。
工程S208では、スクライブマークを形成した後に基板生産物に押圧を行って、基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する。
この作製方法によれば、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成した後に、光共振器のための端面を形成する加工処理をスクライブマークに合わせて押圧を行って加工端面を形成する。この加工端面の評価を行う。この評価結果に基づきスクライブマーク列の配列条件を決定できる。これ故に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
この作製方法においては、スクライブマーク列の向きは、以下の(a)〜(d)のいずれかの方向であることができる。
(a)III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度φ0で傾斜した延在軸の方向。
(b)III族窒化物半導体のc軸を半極性の基板主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度φ0で傾斜した延在軸の方向。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び半極性の基板主面の法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に基板主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(d)オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(a)III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度φ0で傾斜した延在軸の方向。
(b)III族窒化物半導体のc軸を半極性の基板主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度φ0で傾斜した延在軸の方向。
(c)III族窒化物半導体の[−1010]軸及び半極性の基板主面の法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に基板主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
(d)オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向。
既に説明したように、基板のIII族窒化物半導体の[0001]軸は、基板主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜していることができる。半極性面を用いる半導体レーザ素子の作製条件の設定を可能にする。また、この角度ALPHAは45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であることができる。さらに、基板のIII族窒化物半導体の[0001]軸がIII族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に基板主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜するとき、角度ALPHAは63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であることが好ましい。
図14は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法における主要な工程を示す図面である。
工程S301では、第1面及び該第1面に反対側であって平行な第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体を含む一又は複数の評価対象物を準備する。工程S302では、この評価対象物をスクライブして、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なるスクライブ方向に延びレーザバー作製評価のための複数のスクライブマーク列を形成する。工程S303では、スクライブマーク列を形成した後に、III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を評価対象物に行って、加工端面を形成する。加工端面は、評価対象物に第1面及び第2面の一方から他方まで延在する。工程S304では、加工端面の評価を行って、スクライブマーク列の配列方向と加工端面の延在方向との関係を見積もる。工程S305では、評価の見積り結果から、スクライブマーク列の配列方向を決定する。工程S306では、基板生産物を形成する。この基板生産物は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、前記主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含む。基板生産物は、また、III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する。工程S307では、決定された配列方向を用いて基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する。工程S308では、スクライブマークを形成した後に、押圧を基板生産物に行って、基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する。この作製方法によれば、導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在する複数のスクライブマーク列を形成した後に、光共振器のための端面を形成する加工処理をスクライブマークに合わせて押圧を行って加工端面を形成する。この加工端面の評価において、スクライブマーク列の配列方向と加工端面の延在方向との関係を見積もる。この見積り結果に基づきスクライブ条件を決定できる。これ故に、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整できる。
本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。
以上説明したように、本実施の形態によれば、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する端面における垂直性を調整可能にする、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。
11…III族窒化物半導体レーザ素子、13…レーザ構造体、13a…第1の面、13b…第2の面、13c、13d…エッジ、15…電極、17…支持基体、17a…半極性主面、17b…支持基体裏面、17c…支持基体端面、19…半導体領域、19a…半導体領域表面、19c…半導体領域端面、21…第1のクラッド層、23…第2のクラッド層、25…活性層、25a…井戸層、25b…障壁層、27、29…端面、ALPHA…角度、Sc…c面、NX…法線軸、31…絶縁膜、31a…絶縁膜開口、35…n側光ガイド層、37…p側光ガイド層、39…キャリアブロック層、41…電極、43a、43b…誘電体多層膜、MA…m軸ベクトル、BETA…角度、51…基板、51a…半極性主面、SP…基板生産物、57…窒化ガリウム系半導体領域、59…発光層、61…窒化ガリウム系半導体領域、53…半導体領域、54…絶縁膜、54a…絶縁膜開口、55…レーザ構造体、58a…アノード電極、58b…カソード電極、63a…第1面、63b…第2面、10a…レーザスクライバ、65a…スクライブ溝、65b…スクライブ溝、LB…レーザビーム、SP1…基板生産物、LB1…レーザバー、69…ブレード、69a…エッジ、69b、69c…ブレード面、71…支持装置、71a…支持面、71b…凹部。
Claims (30)
- III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を準備する工程と、
前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記半導体領域は活性層を含み、
前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って前記III族窒化物半導体の前記[−1010]軸に向けて前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、
前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1端面及び第2端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、
前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、
前記スクライブマークは、前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在する、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記角度PHIは0.1度以上である、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記基板生産物は第1面及び第2面を有し、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1面と前記基板との間に位置し、
前記スクライブマークを形成する工程では、前記基板生産物の前記第1面をスクライブする、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記基板生産物は、前記半導体領域上に設けられたオーミック電極を備え、
前記オーミック電極は、前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸の方向に延在する、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記基板生産物を準備する工程において、前記基板には当該基板の厚さを100μm以下にするように加工が施されている、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記基板生産物は第1面及び第2面を有し、前記第1面は前記第2面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1面と前記基板との間に位置し、
前記基板生産物を準備する工程において、
前記基板は、加工により当該基板の厚さを薄くされ、前記加工はスライス又は研削であり、
前記第1端面及び前記第2端面の各々は前記第1面のエッジから前記第2面のエッジまで延在し、
前記第2面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面上に形成された電極を含む面との何れかである、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記半極性主面は、(20−21)面と(20−2−1)面との何れかの半極性面から、前記III族窒化物半導体のm面の方向に−4度以上+4度以下の範囲で傾斜した傾斜面であり、
前記半導体領域の前記活性層は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体を備える、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記半極性主面は、(20−21)面と(20−2−1)面との何れかである、請求項7に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記基板は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを備える、請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記スクライブは、前記角度PHIで傾斜した方向にレーザスクライバのレーザビームを前記基板生産物に対して相対的に走査することによって行われる、請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記レーザスクライバの前記レーザビームの走査は、前記III族窒化物半導体の前記[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した走査軸の方向に行われる、請求項11に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記走査軸の方向と前記[1−210]軸の方向との成す角度は0.1度以上である、請求項12に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記素子エリアの配列は、前記III族窒化物半導体の前記[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に配列される複数の列を含み、前記配列の各列は素子エリアの一次元配列を含む、請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記基板生産物において、前記素子エリアの配列は、前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸の方向に延在する複数の行を含み、
前記配列の各行は、前記素子エリアの一次元の配置を含み、
前記基板生産物は、前記素子エリアにそれぞれ設けられた複数のパッド電極を含み、
前記素子エリアの前記パッド電極は、前記行において、前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度で傾斜した配列軸の方向に沿って配列されている、請求項1〜請求項14のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記III族窒化物半導体レーザ素子はリッジ構造を有する、請求項1〜請求項15のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記半導体領域の前記活性層は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム半導体層を備え、
前記半導体領域の前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する、請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、
前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸に向けて前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、
前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1端面及び第2端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、
前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、
前記スクライブマークは、前記III族窒化物半導体のc軸を前記半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対して角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在し、前記角度PHIはゼロより大きい、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、
前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体のm軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、
前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1端面及び第2端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、
前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、
前記スクライブマークは、前記m−n面及び前記半極性主面に直交する基準面に対して角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延在し、前記角度PHIはゼロより大きい、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、
前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に、前記基板生産物に押圧を行うことにより前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に沿って、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に前記半極性主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは71度以上79度以下又は101度以上109度以下の範囲であり、
前記レーザバーは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する第1端面及び第2端面を有し、前記第1端面及び前記第2端面は前記分離により形成され、
前記第1端面及び前記第2端面は前記m−n面に交差し、
前記配列では、前記素子エリアが第1方向に配列されており、
前記基板生産物は、前記半導体領域上において前記第1方向に交差する第2方向に延在するオーミック電極を含み、
前記オーミック電極の延在方向は、前記レーザ共振器の向きを規定し、
前記スクライブマークは、前記オーミック電極の前記延在方向に直交する基準面に対して角度PHIで傾斜した延在軸の方向に沿って延び、前記角度PHIはゼロより大きい、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記スクライブマークを形成する工程では、前記基板生産物の前記半導体領域をスクライブし、
前記角度PHIは0.1度以上である、請求項18〜請求項20のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブマークはスクライブ溝を含み、
前記スクライブは、前記角度PHIで傾斜した方向に、前記レーザスクライバのレーザビームを前記基板生産物に対して相対的に走査することによって行われる、請求項18〜請求項21のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
第1面及び該第1面に反対側の第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体を含む一又は複数の評価対象物を準備する工程と、
前記評価対象物をスクライブして、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なるスクライブ方向に延在しておりレーザバー作製評価のための複数のスクライブマーク列を形成する工程と、
前記スクライブマーク列を形成した後に、前記III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を前記評価対象物に行って、前記評価対象物に前記第1面及び前記第2面の一方から他方まで延在する加工端面を形成する工程と、
前記加工端面の評価を行う工程と、
前記評価の結果から、前記スクライブマーク列の向きを示すマーク列方向を決定する工程と、
III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、前記主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、前記導波路軸方向に延在するレーザ導波路及びオーミック電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、
前記マーク列方向に前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に前記基板生産物に押圧を行って、前記基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備える、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記スクライブマーク列の向きは、以下の(a)〜(d)のいずれかの方向、
(a)前記III族窒化物半導体の[1−210]軸の方向を基準にゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向、
(b)前記III族窒化物半導体のc軸を半極性主面に射影した射影c軸に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向、
(c)前記III族窒化物半導体の[−1010]軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定されるm−n面に直交すると共に前記半極性主面に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向、
(d)前記オーミック電極の延在方向に直交する基準面に対してゼロより大きな角度PHIで傾斜した延在軸の方向、
を基準にして規定される、請求項23に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記結晶体は、III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含む、請求項23又は請求項24に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、請求項23〜請求項25のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - 前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜している、請求項23〜請求項26のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記角度ALPHAは45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲である、請求項27に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
- 前記基板の前記III族窒化物半導体の[0001]軸は、前記III族窒化物半導体の[−1010]軸の方向に前記主面の法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、
前記角度ALPHAは63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲である、請求項23〜請求項26のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。 - III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
第1面及び該第1面に反対側の第2面を有しておりIII族窒化物半導体の結晶体を含む一又は複数の評価対象物を準備する工程と、
前記評価対象物をスクライブして、前記III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路の向きを示す導波路軸方向に交差し互いに異なる方向に延在しておりレーザバー作製評価のための複数のスクライブマーク列を形成する工程と、
前記スクライブマーク列を形成した後に、前記III族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を形成する加工処理を前記評価対象物に行って、前記評価対象物に前記第1面及び前記第2面の一方から他方まで延在する加工端面を形成する工程と、
前記加工端面の評価を行って、前記スクライブマーク列の配列方向と前記加工端面の延在方向との関係を見積もる工程と、
前記評価の見積り結果から、前記スクライブマーク列の配列方向を決定する工程と、
III族窒化物半導体からなる主面を有する基板と、前記主面の上に形成された半導体領域とを含むレーザ構造体を含み、III族窒化物半導体レーザ素子のための素子エリアの配列を有する基板生産物を形成する工程と、
決定された配列方向を用いて前記基板生産物をスクライブして、スクライブマークを前記基板生産物に形成する工程と、
前記スクライブマークを形成した後に、押圧を前記基板生産物に行って、前記基板生産物から別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備える、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
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