JP2015141741A - Method of producing patterned transparent conductive laminate - Google Patents

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聡美 榎原
Satomi Ebara
聡美 榎原
松本 和正
Kazumasa Matsumoto
和正 松本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a patterned transparent conductive laminate having a conductive linear structure, wherein the patterned transparent conductive laminate prevents its bone from being visible.SOLUTION: For a patterned transparent conductive laminate having a conductive linear structure, a step (A) of patterning a conductive layer into a conductive area and an insulative area and a step (B) of applying sandblast treatment to the insulative area are performed in this order.

Description

本発明は、導電性線状構造体を含む導電層を有するパターン化透明導電積層体の製造方法に関する。さらに詳しくは、導電性領域のパターンが視認される、いわゆる「骨見え」が抑制されたパターン化透明導電積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a patterned transparent conductive laminate having a conductive layer containing a conductive linear structure. More specifically, the present invention relates to a method for producing a patterned transparent conductive laminate in which a pattern of a conductive region is visually recognized, so-called “bone appearance” is suppressed.

透明導電積層体は、タッチパネル、有機EL、液晶ディスプレイやPDPなどの用途に加えて、フレキシブルディスプレイや太陽電池といった分野でも電極用の導電部材として広く用いられている。このような導電性を発現する透明導電積層体を形成するにあたり、樹脂に導電性線状構造体を含有させて膜を形成する方法がある。   Transparent conductive laminates are widely used as conductive members for electrodes in fields such as flexible displays and solar cells, in addition to applications such as touch panels, organic EL, liquid crystal displays, and PDPs. In forming such a transparent conductive laminate exhibiting conductivity, there is a method of forming a film by incorporating a conductive linear structure into a resin.

上記導電性線状構造体として、カーボンナノチューブや金属ナノワイヤーが知られている。これらの導電性線状構造体を分散させた塗料を塗布して形成された塗膜(導電層)は、塗膜内で導電性線状構造体同士が接したネットワーク構造を構築することによって導電性が発現する(特許文献1、2)。   Carbon nanotubes and metal nanowires are known as the conductive linear structure. A coating film (conductive layer) formed by applying a paint in which these conductive linear structures are dispersed is conductive by constructing a network structure in which the conductive linear structures are in contact with each other in the coating film. Sex develops (Patent Documents 1 and 2).

透明導電積層体をタッチパネル等へ適用する際には、導通可能な導電性領域と非導電性の絶縁性領域とに導電層をパターン化する必要がある。この導電層のパターン化は、一般的にケミカルエッチング法を用いて行われている。   When applying a transparent conductive laminated body to a touch panel etc., it is necessary to pattern a conductive layer into the electroconductive area | region which can be conduct | electrically_connected, and a nonelectroconductive insulating area | region. The patterning of the conductive layer is generally performed using a chemical etching method.

特開2000−26760号公報JP 2000-26760 A 特表2009−505358号公報Special table 2009-505358

上記したように、導電層のパターン形成方法としてはケミカルエッチング法が一般的に用いられているが、ケミカルエッチング法により導電性領域と絶縁性領域にパターン化された導電層は、両者の光学特性(例えばヘイズ値)の違いによって、導電性領域のパターンが視認される、いわゆる「骨見え」が起こり、品位が低下するという課題がある。   As described above, the chemical etching method is generally used as the pattern forming method of the conductive layer. However, the conductive layer patterned into the conductive region and the insulating region by the chemical etching method has both optical characteristics. Depending on the difference (for example, haze value), a so-called “bone appearance” in which the pattern of the conductive region is visually recognized occurs, and there is a problem that the quality is lowered.

従って本発明の目的は、上記従来技術の課題に鑑み、骨見えが低減されたパターン化透明導電積層体の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for producing a patterned transparent conductive laminate having reduced bone appearance in view of the above-described problems of the prior art.

本発明の上記目的は以下の発明によって基本的に達成された。
1)基材の少なくとも片面に導電性線状構造体を含む導電層を有し、該導電層は導電性領域と絶縁性領域にパターン化された透明導電積層体の製造方法であって、導電層を導電性領域と絶縁性領域にパターン化する工程(A)、および絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)をこの順に有することを特徴とするパターン化透明導電積層体の製造方法。
2)導電層をパターン化する工程(A)が、導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜を形成する工程(A1)、および導電層をエッチングする工程(A2)をこの順に有し、絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)はエッチングレジスト膜を介して行われ、前記工程(B)の後に、エッチングレジスト膜を除去する工程(C)を有する、前記1)に記載のパターン化透明導電積層体の製造方法。
3)前記導電性線状構造体が銀ナノワイヤーである、前記1)または2)に記載の透明導電積層体の製造方法。
4)前記1)〜3)のいずれかに記載の透明導電積層体を用いてなる、タッチパネル。
The above object of the present invention has been basically achieved by the following invention.
1) A method for producing a transparent conductive laminate having a conductive layer containing a conductive linear structure on at least one side of a substrate, the conductive layer being patterned into a conductive region and an insulating region, A method for producing a patterned transparent conductive laminate, comprising a step (A) of patterning a layer into a conductive region and an insulating region, and a step (B) of subjecting the insulating region to a sandblast treatment in this order.
2) The step (A) of patterning the conductive layer includes, in this order, a step (A1) of forming a patterned etching resist film on the conductive layer and a step (A2) of etching the conductive layer. The patterning process according to 1), wherein the step (B) of performing sandblasting on the conductive region is performed through an etching resist film, and the step (C) of removing the etching resist film is provided after the step (B). A method for producing a transparent conductive laminate.
3) The manufacturing method of the transparent conductive laminated body as described in said 1) or 2) whose said conductive linear structure is silver nanowire.
4) A touch panel using the transparent conductive laminate according to any one of 1) to 3).

本発明のパターン化透明導電積層体の製造方法により、ケミカルエッチング法を用いて、骨見えが低減されたパターン化透明導電積層体の製造方法を提供できる。   According to the method for producing a patterned transparent conductive laminate of the present invention, a method for producing a patterned transparent conductive laminate having reduced bone appearance can be provided using a chemical etching method.

図1aは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1 a is a schematic cross-sectional view showing an example of the production process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図1bは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1 b is a schematic cross-sectional view showing an example of the production process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図1cは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1c is a schematic cross-sectional view showing an example of the production process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図1dは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1d is a schematic cross-sectional view showing an example of the production process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図1eは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1e is a schematic cross-sectional view showing an example of the production process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図1fは本発明のパターン化透明導電積層体の製造工程の一例を示す模式断面図である。FIG. 1f is a schematic cross-sectional view showing an example of the manufacturing process of the patterned transparent conductive laminate of the present invention. 図2は本発明のパターン化透明導電積層体を用いたタッチパネルの一例を示す模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a touch panel using the patterned transparent conductive laminate of the present invention.

本発明のパターン化透明導電積層体は、基材の少なくとも片面に導電性線状構造体を含む導電層を有し、この導電層が導電性領域と絶縁性領域にパターン化されたものである。導電層のパターン形状は、パターン化透明導電積層体が適用される用途(例えばタッチパネル用途)に応じて、各種パターンが採用される。パターン形状としては、例えば、ストライプ状、格子状、あるいはこれらの組み合わせ等が挙げられる。具体的には、例えば、特開2006−344163号公報、特開2011−128896号公報等に開示されているパターンが挙げられる。   The patterned transparent conductive laminate of the present invention has a conductive layer containing a conductive linear structure on at least one surface of a substrate, and the conductive layer is patterned into a conductive region and an insulating region. . Various patterns are adopted as the pattern shape of the conductive layer depending on the application (for example, touch panel application) to which the patterned transparent conductive laminate is applied. Examples of the pattern shape include a stripe shape, a lattice shape, or a combination thereof. Specifically, for example, there are patterns disclosed in JP-A-2006-344163, JP-A-2011-128896, and the like.

本発明のパターン化透明導電積層体は、導電層の導電性線状構造体を保護する目的で導電層上に保護層が設けられていてもよい。かかる保護層は導電層と一体的(導電層の導電性線状構造体の中に保護層成分の樹脂が入り込み、かつ保護層中に導電性線状構造体の一部が入り込んでいる)になっており、保護層が設けられている場合は、この保護層を含めて導電層と称す。保護層の詳細は後述する。   In the patterned transparent conductive laminate of the present invention, a protective layer may be provided on the conductive layer for the purpose of protecting the conductive linear structure of the conductive layer. Such a protective layer is integrated with the conductive layer (the resin of the protective layer component is contained in the conductive linear structure of the conductive layer, and a part of the conductive linear structure is contained in the protective layer). In the case where a protective layer is provided, the conductive layer including the protective layer is referred to as a conductive layer. Details of the protective layer will be described later.

導電性線状構造体を含む導電層を導電性領域と絶縁性領域にパターン化すると、導電性領域(導電性線状構造体が存在する領域)と絶縁性領域(エッチング等によって導電性線状構造体が除去された領域)との光学特性(例えばヘイズ値)の差によって導電性領域のパターン化が視認される「骨見え」現象が起こりやすくなる。本発明は、絶縁性領域にサンドブラスト処理を施すことによって、上記した課題である「骨見え」が抑制されることを見出し、本発明を成すに至った。   When a conductive layer containing a conductive linear structure is patterned into a conductive region and an insulating region, the conductive region (the region where the conductive linear structure exists) and the insulating region (conductive linear by etching, etc.) Due to the difference in optical characteristics (for example, haze value) with respect to the region from which the structure has been removed, a “bone appearance” phenomenon in which patterning of the conductive region is visually recognized is likely to occur. The present invention has found that the above-mentioned “bone appearance”, which is a problem, is suppressed by subjecting the insulating region to sandblasting, and has led to the present invention.

絶縁性領域にサンドブラスト処理を施すことにより絶縁性領域に微小な凹みが形成されてヘイズ値が大きくなり、絶縁性領域のヘイズ値が導電性領域のヘイズ値と同程度になることによって、前述の「骨見え」が低減すると推測される。   By subjecting the insulating region to sandblasting, a minute dent is formed in the insulating region to increase the haze value, and the haze value of the insulating region is approximately the same as the haze value of the conductive region. It is estimated that “bone appearance” is reduced.

本発明のパターン化透明導電積層体の製造方法を、図1を用いて詳細に説明する。図1aは本発明のパターン化透明導電積層体の製造に用いられる透明導電積層体の一例を示す模式断面図である。透明導電積層体10は、基材1の上に導電性線状構造体3を含む導電層2を有する。導電層2の上に導電性線状構造体を保護する目的で保護層(図示せず)が設けられていてもよい。   The manufacturing method of the patterned transparent conductive laminated body of this invention is demonstrated in detail using FIG. FIG. 1a is a schematic cross-sectional view showing an example of a transparent conductive laminate used for producing the patterned transparent conductive laminate of the present invention. The transparent conductive laminate 10 has a conductive layer 2 including a conductive linear structure 3 on a substrate 1. A protective layer (not shown) may be provided on the conductive layer 2 for the purpose of protecting the conductive linear structure.

本発明のパターン化透明導電積層体の製造方法は、導電層を導電性領域と絶縁性領域にパターン化する工程(A)、および絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)をこの順に有する。   The manufacturing method of the patterned transparent conductive laminated body of this invention has the process (A) which patterns a conductive layer into an electroconductive area | region and an insulating area, and the process (B) which performs a sandblast process to an insulating area in this order. .

導電層を導電性領域と絶縁性領域にパターン化する工程(A)は、ケミカルエッチング法が好ましく用いられる。ケミカルエッチング法は、導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜を形成する工程(A1)、および導電層をエッチングする工程(A2)をこの順に有する。   A chemical etching method is preferably used in the step (A) of patterning the conductive layer into a conductive region and an insulating region. The chemical etching method includes a step (A1) of forming a patterned etching resist film on the conductive layer and a step (A2) of etching the conductive layer in this order.

導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜を形成する工程(A1)は、フォトリソグラフィ法(マスク露光法あるいはレーザー露光法)や印刷法を用いて行うことができる。   The step (A1) of forming a patterned etching resist film on the conductive layer can be performed using a photolithography method (mask exposure method or laser exposure method) or a printing method.

エッチングレジスト膜は、紫外線あるいはレーザー光線などの露光で硬化しかつ未露光部はアルカリ溶液などで現像が可能なアクリル系フォトレジスト材料などで構成される。エッチングレジスト膜は、導電層上に液状のレジスト材料を塗布によって積層してもよいし、導電層上にドライレジストフィルムを貼り合わせることによって積層してもよい。   The etching resist film is made of an acrylic photoresist material that is cured by exposure to ultraviolet rays or a laser beam, and the unexposed portion can be developed with an alkaline solution. The etching resist film may be laminated by applying a liquid resist material on the conductive layer, or may be laminated by bonding a dry resist film on the conductive layer.

図1bおよび図1cは、導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜を形成する工程(A1)の一例であり、ここではフォトリソグラフィ法(マスク露光法)を用いた例を示す。   FIG. 1B and FIG. 1C show an example of the step (A1) of forming a patterned etching resist film on the conductive layer. Here, an example using a photolithography method (mask exposure method) is shown.

先ず、エッチングレジスト膜(ここではドライレジストフィルムを用いた)5を透明導電積層体10の導電層2の表面に積層する。次に、フォトマスク8を介してエッチングレジスト膜5を露光(紫外線照射)する(図1b)。フォトマスク8は、所定(所望)の導電層パターンに合わせて、光遮蔽部6と光透過部7にパターン化されたものである。なお、かかる露光において、光が遮蔽される導電層の領域が最終的に絶縁性領域となり、光が透過する領域が導電性領域となる。   First, an etching resist film (here, a dry resist film is used) 5 is laminated on the surface of the conductive layer 2 of the transparent conductive laminate 10. Next, the etching resist film 5 is exposed (ultraviolet irradiation) through the photomask 8 (FIG. 1b). The photomask 8 is patterned into a light shielding portion 6 and a light transmitting portion 7 in accordance with a predetermined (desired) conductive layer pattern. Note that in such exposure, the region of the conductive layer where light is shielded finally becomes an insulating region, and the region where light is transmitted becomes a conductive region.

次に、フォトマスク8を介して露光されたエッチングレジスト膜5を現像処理する。この現像処理によって、未露光部分(フォトマスク8の光遮蔽部6に対応する部分)のエッチングレジスト膜は溶解除去され、露光部分(フォトマスク8の光透過部7に対応する部分)のエッチングレジスト膜は溶解除去されずに残って、導電層2の上にパターン化されたエッチングレジスト膜5が形成される(図1c)。   Next, the etching resist film 5 exposed through the photomask 8 is developed. By this development processing, the etching resist film in the unexposed portion (the portion corresponding to the light shielding portion 6 of the photomask 8) is dissolved and removed, and the etching resist in the exposed portion (the portion corresponding to the light transmitting portion 7 of the photomask 8). The film remains without being dissolved and removed, and a patterned etching resist film 5 is formed on the conductive layer 2 (FIG. 1c).

次に、導電層をエッチングする工程(A2)が実行される(図1d)。この工程は、パターン化されたエッチングレジスト膜を介して導電層がエッチングされる。   Next, the step (A2) of etching the conductive layer is performed (FIG. 1d). In this step, the conductive layer is etched through the patterned etching resist film.

エッチング液はエッチングレジスト膜5が被覆されていない領域16にのみ作用し、導電層の導電性線状構造体3が溶解除去され、絶縁性領域を形成する。一方、エッチングレジスト膜5が被覆されている領域17の導電層はエッチングされず、導電性領域となる(図1d)。   The etching solution acts only on the region 16 where the etching resist film 5 is not covered, and the conductive linear structure 3 of the conductive layer is dissolved and removed to form an insulating region. On the other hand, the conductive layer in the region 17 covered with the etching resist film 5 is not etched and becomes a conductive region (FIG. 1d).

エッチング液としては、導電性線状構造体に応じて適宜選択することができる。例えば銀ナノワイヤーの場合には、塩酸と硝酸の混合物のような酸性エッチング液を使用することができる。エッチング液中に含まれる酸の含有量は、エッチング液全質量に対し1〜40質量%が好ましく、より好ましくは10〜25質量%である。40質量%より大きいとエッチング速度が極端に早くなり、エッチングの制御が難しくなる場合がある。また、エッチング時の処理温度は、使用するエッチング液の種類や濃度に応じて適宜調整すればよいが、30〜60℃で処理することでエッチング液成分が導電性線状構造体に作用しやすくなるため好ましい。30℃未満であると低温での制御が困難な場合や、エッチング液成分の作用や浸透が遅くなる場合があり、60℃を超えると酸成分同士が過剰に反応する可能性があり、エッチング液が変化してしまう場合がある。   The etchant can be appropriately selected according to the conductive linear structure. For example, in the case of silver nanowires, an acidic etching solution such as a mixture of hydrochloric acid and nitric acid can be used. The content of the acid contained in the etching solution is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 10 to 25% by mass with respect to the total mass of the etching solution. When it is larger than 40% by mass, the etching rate becomes extremely fast, and it may be difficult to control the etching. Moreover, the processing temperature at the time of etching may be appropriately adjusted according to the type and concentration of the etching solution used, but the etching solution component easily acts on the conductive linear structure by processing at 30 to 60 ° C. Therefore, it is preferable. If it is less than 30 ° C, control at low temperatures may be difficult, and the action and penetration of the etching solution component may be slow. If it exceeds 60 ° C, the acid components may react excessively, and the etching solution May change.

次に、絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)が実行される(図1e)。サンドブラスト処理は、エッチングレジスト膜を介して行われる。これによって、導電性領域27はエッチングレジスト膜がサンドブラスト用マスクとなるのでサンドブラスト処理が施されず、絶縁性領域26のみがサンドブラスト処理される。   Next, a step (B) of performing a sandblasting process on the insulating region is performed (FIG. 1e). The sand blasting process is performed through an etching resist film. As a result, the conductive region 27 is not subjected to sandblasting because the etching resist film serves as a sandblasting mask, and only the insulating region 26 is sandblasted.

サンドブラスト処理が施された絶縁性領域26には、微小な凹み9が形成される。エッチング処理によって、線状構造体が溶解除去されてヘイズ値が低下した絶縁性領域26に微小凹み9を形成することで、絶縁性領域26のヘイズ値を導電性領域27のヘイズ値と同等程度まで上昇させることができる。これによって、導電性領域と絶縁性領域とのヘイズ値差(光学特性差)が小さくなり、「骨見え」が低減すると考えられる。   A minute recess 9 is formed in the insulating region 26 subjected to the sandblasting process. By forming the micro-dent 9 in the insulating region 26 in which the linear structure is dissolved and removed by the etching process, the haze value of the insulating region 26 is approximately equal to the haze value of the conductive region 27. Can be raised. This is considered to reduce the haze value difference (optical characteristic difference) between the conductive region and the insulating region, thereby reducing the “bone appearance”.

サンドブラスト処理としては、特に限定されず、公知のサンドブラスト処理を用いることができる。例えば、無機粒子を投射材として、これを圧搾空気の力によってノズル先端から吹き付ける方法が挙げられる。   It does not specifically limit as a sandblasting process, A well-known sandblasting process can be used. For example, there is a method in which inorganic particles are used as a projecting material, and this is sprayed from the nozzle tip by the force of compressed air.

サンドブラスト処理に用いられる投射材としては、シリカ、シリコンカーバイト、ジルコニア、アルミナ、ダイヤモンド等の無機粒子が挙げられる。これらの中でも硬度の高い粒子が好ましく用いられる。   Examples of the projection material used for the sand blasting include inorganic particles such as silica, silicon carbide, zirconia, alumina, and diamond. Among these, particles having high hardness are preferably used.

また、投射材として電気絶縁性の高い無機粒子が好ましく用いられる。電気絶縁性の高い無機粒子は、絶縁性領域の表面に残留しても絶縁性を低下させることはない。   In addition, inorganic particles having high electrical insulation are preferably used as the projection material. Even if inorganic particles having high electrical insulation remain on the surface of the insulating region, the insulating properties are not lowered.

投射材の平均粒子径は1〜50μmであることが好ましい。投射材の平均粒子径が1〜50μmの範囲であることによって、適度な衝突エネルギーを得ることができ、基材にダメージを与えることがなく、絶縁性領域に凹みを与えることができる。粒子径が50μmを超えて大きいと、投射材を吹き当てる際の衝突エネルギーが大きくなり過ぎ、凹みが大きくなってヘイズ値の調整が難しくなることがある。逆に投射材の平均粒子径が1μm未満であると、投射材の衝突エネルギーが小さ過ぎ、適度な凹みが形成できないことがある。   The average particle diameter of the projection material is preferably 1 to 50 μm. When the average particle diameter of the projection material is in the range of 1 to 50 μm, an appropriate collision energy can be obtained, and the dent can be given to the insulating region without damaging the base material. When the particle diameter is larger than 50 μm, the collision energy when spraying the projection material becomes too large, and the dent becomes large, making it difficult to adjust the haze value. Conversely, if the average particle diameter of the projection material is less than 1 μm, the collision energy of the projection material may be too small to form an appropriate dent.

ここで、投射材の平均粒子径は、中心粒径(D50)を意味するものであり、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置で測定された値である。   Here, the average particle diameter of a projection material means a center particle diameter (D50), and is a value measured by a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus.

上述の絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)が実行された後、エッチングレジスト膜を除去する工程(C)が実行される(図1f)。導電層2上に存在するエッチングレジスト膜5が、アルカリ処理されて剥離除去される。アルカリ処理に用いられるアルカリ液としては、1〜4質量%程度の水酸化ナトリウムを含有するアルカリ水溶液が一般的に用いられる。   After the step (B) of performing the sandblast treatment on the insulating region is performed, the step (C) of removing the etching resist film is performed (FIG. 1f). The etching resist film 5 present on the conductive layer 2 is stripped and removed by alkali treatment. As the alkaline solution used for the alkali treatment, an alkaline aqueous solution containing about 1 to 4% by mass of sodium hydroxide is generally used.

このエッチングレジスト膜を除去する工程(C)の後には、通常水洗処理が行われる。   After the step (C) of removing the etching resist film, a normal water washing process is performed.

以下、本発明のパターン化透明導電積層体を構成する各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component which comprises the patterned transparent conductive laminated body of this invention is demonstrated in detail.

[基材]
基材は、その上に導電層が積層される材料であり、例えば剛性または柔軟性を有する基材を用いることができる。タッチパネル用途等へ適用することを考慮して、基材は可視光線領域における全光線透過率が80%以上、好ましくは85%以上、より好ましくは90%以上の透明性を有するものであることが好ましい。具体的にはフィルム基材、ガラス基材などを挙げることができ、厚み250μm以下で巻き取り可能なフィルム基材であっても、厚み250μmを超えるガラス基材であってもよい。コスト、生産性、取り扱い性等の観点からは250μm以下のフィルム基材が好ましく、190μm以下がより好ましく、150μm以下が特に好ましい。
[Base material]
The base material is a material on which a conductive layer is laminated. For example, a base material having rigidity or flexibility can be used. In consideration of application to touch panel applications, etc., the base material has a transparency with a total light transmittance in the visible light region of 80% or more, preferably 85% or more, more preferably 90% or more. preferable. Specifically, a film base material, a glass base material, etc. can be mentioned, Even if it is a film base material which can be wound up with a thickness of 250 micrometers or less, a glass base material exceeding thickness 250 micrometers may be sufficient. From the viewpoints of cost, productivity, handleability, etc., a film substrate of 250 μm or less is preferable, 190 μm or less is more preferable, and 150 μm or less is particularly preferable.

フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、アラミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、脂環式アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、トリアセチルセルロース、および、これら樹脂の混合および/あるいは共重合したものが挙げられ、例えばその樹脂を未延伸、一軸延伸、二軸延伸してフィルムとすることができる。   Film base materials include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyimide, polyphenylene sulfide, aramid, polypropylene, polyethylene, polylactic acid, polyvinyl chloride, polycarbonate, polymethyl methacrylate, and alicyclic. Examples include acrylic resins, cycloolefin resins, triacetylcellulose, and mixtures and / or copolymers of these resins. For example, the resin can be unstretched, uniaxially stretched, or biaxially stretched to form a film.

ガラス基材としては、通常のソーダガラスを用いることができる。   As the glass substrate, ordinary soda glass can be used.

また、これらの複数の基材を組み合わせて用いることもできる。例えば、フィルム基材とガラス基材を組み合わせた基材、2種以上のフィルムを積層した基材などの複合基材であってもよい。   Moreover, these several base materials can also be used in combination. For example, a composite substrate such as a substrate in which a film substrate and a glass substrate are combined, or a substrate in which two or more kinds of films are laminated may be used.

さらに、基材には、必要に応じ、表面処理が施されていてもよい。表面処理は、グロー放電、コロナ放電、プラズマ処理、火炎処理等の物理的処理、あるいは樹脂層を設けてあってもよい。フィルムの場合、易接着層のあるものでもよい。基材の種類は上述に限定されることはなく、用途に応じて透明性や耐久性や可撓性やコスト等から最適なものを選ぶことができる。   Furthermore, the substrate may be subjected to a surface treatment as necessary. The surface treatment may be provided with a physical treatment such as glow discharge, corona discharge, plasma treatment, flame treatment, or a resin layer. In the case of a film, it may have an easy adhesion layer. The kind of base material is not limited to the above, and an optimal one can be selected from transparency, durability, flexibility, cost, etc. according to the application.

[導電層]
導電層は、導電性線状構造体を含有するものであり、その他として、導電性線状構造体分散塗料に含まれる結合剤、分散剤、レベリング剤等の添加剤を、別途含んでいても良い。
[Conductive layer]
The conductive layer contains a conductive linear structure, and may additionally contain additives such as a binder, a dispersant, and a leveling agent contained in the conductive linear structure-dispersed paint. good.

導電性線状構造体を三次元の構造体として模式的に示すと、導電性線状構造体は、楕円柱または楕円柱の湾曲体もしくはその屈曲体として示すことができる。本明細書では、かかる楕円柱の底面における長径や短径に相当する長さを、導電性線状構造体の「短軸の長さ(導電性線状構造体の直径)」と称することがある。また、かかる楕円柱の高さに相当する長さを、導電性線状構造体の「長軸の長さ(導電性線状構造体の長さ)」と称することがある。   When the conductive linear structure is schematically shown as a three-dimensional structure, the conductive linear structure can be shown as an elliptic cylinder, a curved body of an elliptic cylinder, or a bent body thereof. In the present specification, the length corresponding to the major axis or minor axis at the bottom surface of the elliptical cylinder is referred to as the “short axis length (diameter of the conductive linear structure)” of the conductive linear structure. is there. Further, the length corresponding to the height of the elliptic cylinder may be referred to as “long axis length (length of conductive linear structure)” of the conductive linear structure.

導電性線状構造体としては、短軸の長さ(導電性線状構造体の直径)及び長軸の長さ(導電性線状構造体の長さ)は、種々の範囲を採りうるが、短軸の長さは1nm〜1000nmが好ましく、短軸の長さに対する長軸の長さの比であるアスペクト比(長軸の長さ/短軸の長さ)が10より大きくなるような長さであれば良い。アスペクト比が大きいと、より効果的なネットワーク構造が形成可能となるため、好ましい。また、長軸の長さとしては、1μm〜100μmであることが好ましい。   As the conductive linear structure, the length of the short axis (the diameter of the conductive linear structure) and the length of the long axis (the length of the conductive linear structure) can take various ranges. The length of the short axis is preferably 1 nm to 1000 nm, and the aspect ratio (long axis length / short axis length), which is the ratio of the long axis length to the short axis length, is greater than 10. Any length is acceptable. A large aspect ratio is preferable because a more effective network structure can be formed. Further, the length of the long axis is preferably 1 μm to 100 μm.

導電性線状構造体の形状としては、直線形状や弧の形状などが挙げられ、それらの組み合わせであっても良く、かつそれらは屈曲部を有していても良い。このような導電性線状構造体の例として、繊維状導電体やワイヤー状導電体、針状導電体等が挙げられる。ここで、繊維状とは、直線形状のものであり、屈曲部を有していても良い。ワイヤー状とは、弧の形状をしている構造体であり、針状とは、直線形状をしている構造体である。   Examples of the shape of the conductive linear structure include a linear shape and an arc shape, which may be a combination thereof, and may have a bent portion. Examples of such conductive linear structures include fibrous conductors, wire conductors, and needle conductors. Here, the fibrous shape is a linear shape and may have a bent portion. The wire shape is a structure having an arc shape, and the needle shape is a structure having a linear shape.

本発明における導電性線状構造体の材質は金属、合金、金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物、等の成分を含有するものである。金属としては、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、マンガン、アンチモン、パラジウム、ビスマス、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、亜鉛、スカンジウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、テルル、錫、マグネシウムなどが挙げられる。合金としては、前記金属を含む合金(ステンレス鋼、黄銅、等)が挙げられる。金属酸化物としては、InO、SnO、ZnO、などが挙げられ、またこれらの金属酸化物複合体(InOSn、SnO−Sb、SnO−V、TiO(Sn/Sb)O、SiO(Sn/Sb)O、KO−nTiO−(Sn/Sb)O、KO−nTiO−Cなど)も挙げられる。またこれらは表面処理を施されていてもよい。さらに、有機化合物(例えば、植物繊維、合成繊維等)や非金属材料(例えば、無機繊維等)の表面に前記金属や金属酸化物でコーティングまたは蒸着したものも導電性線状構造体に含まれる。 The material of the conductive linear structure in the present invention contains components such as a metal, an alloy, a metal oxide, a metal nitride, and a metal hydroxide. Metals include gold, platinum, silver, nickel, copper, aluminum, gallium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, manganese, antimony, palladium, bismuth, technetium, rhenium, iron, osmium, cobalt, Examples thereof include zinc, scandium, boron, gallium, indium, silicon, germanium, tellurium, tin, and magnesium. Examples of the alloy include alloys containing the metal (stainless steel, brass, etc.). Examples of the metal oxide include InO 2 , SnO 2 , ZnO, and the like, and these metal oxide composites (InO 2 Sn, SnO 2 —Sb 2 O 4 , SnO 2 —V 2 O 5 , TiO 2). (Sn / Sb) O 2 , SiO 2 (Sn / Sb) O 2 , K 2 O—nTiO 2 — (Sn / Sb) O 2 , K 2 O—nTiO 2 —C, etc.). These may be subjected to a surface treatment. Further, the conductive linear structure includes those obtained by coating or vapor-depositing the surface of an organic compound (for example, vegetable fiber, synthetic fiber, etc.) or a non-metallic material (for example, inorganic fiber) with the metal or metal oxide. .

上記した導電性線状構造体のうち、透明性等の光学特性や導電性等の観点から銀ナノワイヤーを特に好ましく使用することができる。また、導電性線状構造体を単独、又は複数を組み合わせて混合して使用することもでき、さらに、必要に応じて他のマイクロ〜ナノサイズの導電性材料を添加しても良い。   Among the above-described conductive linear structures, silver nanowires can be particularly preferably used from the viewpoints of optical properties such as transparency and conductivity. In addition, the conductive linear structures can be used alone or in combination of a plurality of them, and other micro-to-nano conductive materials may be added as necessary.

本発明の導電層は、導電性線状構造体を分散媒に分散させた塗料を基材上に塗布することによって形成することができる。   The conductive layer of the present invention can be formed by applying a coating material in which a conductive linear structure is dispersed in a dispersion medium on a substrate.

上記分散媒としては、導電性線状構造体が安定分散可能な液体であれば特に限定されず用いることができるが、具体的には、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、または芳香族溶剤(ベンゼン、トルエン、キシレン等)等が好ましく用いられる。また、上記液体は、揮発性であることが好ましく、液体の沸点は200℃以下が好ましく、150℃以下がより好ましく、100℃以下が特に好ましい。   The dispersion medium is not particularly limited as long as the conductive linear structure can be stably dispersed, and specifically, water, alcohol, ketone, ether, hydrocarbon, or aromatic can be used. A solvent (benzene, toluene, xylene, etc.) is preferably used. The liquid is preferably volatile, and the boiling point of the liquid is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower, and particularly preferably 100 ° C. or lower.

また、導電層を形成するための塗料は、塗布適性、基材との密着性、導電層の製膜性等の観点から、結合材を含有することが好ましい。   Moreover, it is preferable that the coating material for forming a conductive layer contains a binder from the viewpoints of applicability, adhesion to a substrate, film forming property of a conductive layer, and the like.

結合材としては、カルボキシメチルセルロース(CMC)、2−ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)、メチルセルロース(MC)、ポリビニルアルコール(PVA)等が好ましく用いられる。   As the binder, carboxymethylcellulose (CMC), 2-hydroxyethylcellulose (HEC), hydroxypropylmethylcellulose (HPMC), methylcellulose (MC), polyvinyl alcohol (PVA) and the like are preferably used.

また、上記塗料には、本発明の効果を阻害しない範囲内で各種の添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えば、有機および無機の微粒子、架橋剤、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐酸化安定剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、核剤、染料、充填剤、分散剤およびカップリング剤などが挙げられる。   Moreover, various additives can be added to the coating material within a range that does not impair the effects of the present invention. Examples of additives include organic and inorganic fine particles, cross-linking agents, flame retardants, flame retardant aids, heat stabilizers, oxidation stabilizers, leveling agents, ultraviolet absorbers, light stabilizers, nucleating agents, dyes, Examples include fillers, dispersants, and coupling agents.

上記した導電層を形成するための塗料を基材上に塗布する方法としては、ウェットコーティング法が好ましく用いられる。ウェットコーティング法としては、例えば、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート、スピンコート、グラビアコート、エクストルージョンコート、スライドビードコート、カーテンコートなど公知の方法を用いることができる。   A wet coating method is preferably used as a method for applying the coating material for forming the conductive layer on the substrate. As the wet coating method, for example, known methods such as spray coating, bar coating, roll coating, die coating, dip coating, spin coating, gravure coating, extrusion coating, slide bead coating, and curtain coating can be used.

本発明において、導電性線状構造体は、導電層中においてネットワーク構造で存在していることが好ましい。ネットワーク構造とは、少なくとも1つの接点で導電性線状構造体同士が接していることである。最も小さいネットワーク構造は2本の導電性線状構造体が、ある一接点を有している場合である。接点は導電性線状構造体のいかなる部分同士で形成されていてもよく、導電性線状構造体の末端部同士が接していたり、末端と末端以外の部分が接していたり、末端以外の部分同士が接していてもよく、また、接するとはその接点が接合していても、単に接触しているだけでもよい。   In the present invention, the conductive linear structure is preferably present in a network structure in the conductive layer. The network structure means that the conductive linear structures are in contact with each other at at least one contact. The smallest network structure is a case where two conductive linear structures have one contact. The contact may be formed by any part of the conductive linear structure, the end parts of the conductive linear structure are in contact with each other, the terminal and the part other than the terminal are in contact, or the part other than the terminal They may be in contact with each other, and may be in contact with each other even if the contacts are joined.

[保護層]
導電層上に保護層が積層されていてもよい。保護層は、導電性積層体の耐擦傷性を向上させる役目を有する。上記の観点から、保護層は樹脂を含むことが好ましく、保護層に含有させる樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、アクリル樹脂、ポリカーボネート(PC)、ポリスチレン、トリアセテート(TAC)、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリオレフィンなど樹脂が挙げられる。保護層の膜厚は、耐擦傷性の観点からは、厚い方が好ましい。具体的には10nm以上が好ましく、50nm以上がより好ましく、100nm以上が特に好ましく、120nm以上が最も好ましい。また、保護層には、本発明の効果を阻害しない範囲内で各種の添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えば、有機および無機の微粒子、架橋剤、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐酸化安定剤、レベリング剤、滑り賦活剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、核剤、染料、充填剤、分散剤およびカップリング剤などを用いることができる。保護層を形成する方法としては、ウェットコーティング法が好ましく用いられる。ウェットコーティング法としては、前述の導電層の塗布方法に挙げたものと同様のものが用いられる。
[Protective layer]
A protective layer may be stacked over the conductive layer. The protective layer serves to improve the scratch resistance of the conductive laminate. From the above viewpoint, the protective layer preferably contains a resin. Examples of the resin to be contained in the protective layer include polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), acrylic resin, and polycarbonate. (PC), polystyrene, triacetate (TAC), polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyvinyl butyral, polyurethane, polyolefin, and other resins. The thickness of the protective layer is preferably thicker from the viewpoint of scratch resistance. Specifically, it is preferably 10 nm or more, more preferably 50 nm or more, particularly preferably 100 nm or more, and most preferably 120 nm or more. Moreover, various additives can be added to the protective layer within a range that does not impair the effects of the present invention. Examples of additives include organic and inorganic fine particles, crosslinking agents, flame retardants, flame retardant aids, heat stabilizers, oxidation stabilizers, leveling agents, slip activators, ultraviolet absorbers, light stabilizers, and cores. Agents, dyes, fillers, dispersants, coupling agents and the like can be used. As a method for forming the protective layer, a wet coating method is preferably used. As the wet coating method, the same ones as mentioned in the above-mentioned conductive layer coating method are used.

[ハードコート層]
本発明のパターン化透明導電積層体は、基材に対し導電層が積層されている側とは反対の面にハードコート層を設けることができる。ハードコート層を設けることによって、耐摩耗性、高表面硬度、耐溶剤性、耐汚染性を付与することができる。
[Hard coat layer]
The patterned transparent conductive laminate of the present invention can be provided with a hard coat layer on the surface opposite to the side on which the conductive layer is laminated with respect to the substrate. By providing the hard coat layer, wear resistance, high surface hardness, solvent resistance, and contamination resistance can be imparted.

[パターン化透明導電積層体]
本発明のパターン化透明導電積層体は、全光線透過率が80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることが特に好ましい。
[Patterned transparent conductive laminate]
The patterned transparent conductive laminate of the present invention preferably has a total light transmittance of 80% or more, more preferably 85% or more, and particularly preferably 90% or more.

本発明のパターン化透明導電積層体は、導電性領域の表面抵抗値が1Ω/□以上、1×10Ω/□以下であることが好ましく、より好ましくは1×10Ω/□以上、1.5×10Ω/□以下である。この範囲にあることで、タッチパネル用途として好ましく用いることができる。すなわち、1Ω/□以上であれば消費電力を少なくすることができ、1×10Ω/□以下であれば、タッチパネルの座標読みとりにおける誤差の影響を小さくすることができる。 In the patterned transparent conductive laminate of the present invention, the surface resistance value of the conductive region is preferably 1 Ω / □ or more and 1 × 10 4 Ω / □ or less, more preferably 1 × 10 1 Ω / □ or more, 1.5 × 10 3 Ω / □ or less. By being in this range, it can be preferably used as a touch panel application. That is, if it is 1 Ω / □ or more, power consumption can be reduced, and if it is 1 × 10 4 Ω / □ or less, the influence of errors in reading coordinates of the touch panel can be reduced.

本発明のパターン化透明導電積層体は、タッチパネル、有機EL、液晶ディスプレイやPDPなどの電極用の導電部材として好ましく使用することができる。特にタッチパネルの電極部材として好ましく用いられる。   The patterned transparent conductive laminate of the present invention can be preferably used as a conductive member for electrodes of touch panels, organic EL, liquid crystal displays, PDPs and the like. In particular, it is preferably used as an electrode member of a touch panel.

タッチパネルの方式としては、抵抗膜式と静電容量式とが主流であるが、これらの方式に限らずいずれの方式にも好ましく用いることができる。特に静電容量式タッチパネルに好ましく用いられる。   As a touch panel system, a resistance film type and a capacitance type are mainly used, but the present invention is not limited to these systems and can be preferably used in any system. In particular, it is preferably used for a capacitive touch panel.

[タッチパネル]
本発明のパターン化透明導電積層体は、特にタッチパネルとして好ましく使用することができる。タッチパネルは、パターンが形成された透明導電積層体を単独もしくは複数枚、さらには他の部材と組み合わせて搭載されたものであり、抵抗膜式タッチパネルや静電容量式タッチパネル等が挙げられる。
[Touch panel]
The patterned transparent conductive laminate of the present invention can be preferably used particularly as a touch panel. A touch panel is mounted with a single or a plurality of transparent conductive laminates having a pattern formed thereon, and further in combination with other members, and examples include a resistive touch panel and a capacitive touch panel.

図2は、本発明のパターン化透明導電積層体を用いた静電容量式タッチパネルの一例を示す模式断面図である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a capacitive touch panel using the patterned transparent conductive laminate of the present invention.

2つのパターン化透明導電積層体31が、接着剤や粘着剤等の接合層32を介して積層されており、更にタッチ面側の基板33が配置されている。基板33の表面にはハードコート層(あるいはハードコートフィルム)34が積層されている。   Two patterned transparent conductive laminates 31 are laminated via a bonding layer 32 such as an adhesive or an adhesive, and a substrate 33 on the touch surface side is further disposed. A hard coat layer (or hard coat film) 34 is laminated on the surface of the substrate 33.

以下に、実施例に基づき、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples, but the present invention is not limited to the following examples.

[評価方法]
まず、各実施例および比較例における評価方法を説明する。
[Evaluation method]
First, an evaluation method in each example and comparative example will be described.

(1)絶縁確認試験
エッチング処理した領域(絶縁性領域)の表面抵抗値を、絶縁抵抗計(三和電気計器(株)製 DG6)を用いて測定し、絶縁性を確認した。表面抵抗値が25Vで4MΩ以上を絶縁とし、4MΩ未満を導通とする。
(1) Insulation confirmation test The surface resistance value of the etched region (insulating region) was measured using an insulation resistance meter (DG6 manufactured by Sanwa Denki Keiki Co., Ltd.) to confirm the insulation. When the surface resistance value is 25 V, 4 MΩ or more is insulated and less than 4 MΩ is conducted.

(2)パターン化透明導電積層体の導電層(絶縁性領域)の表面観察
パターン化透明導電積層体の導電層側表面を、カラー3Dレーザー顕微鏡((株)キーエンス製 VK−9700/9710)、標準対物レンズ150X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 150X)、観察アプリケーション((株)キーエンス製 VK−H1V1)を用いて倍率3000倍で観察、撮影し、絶縁性領域における導電性線状構造体の有無と凹みの有無を確認した。
(2) Surface observation of the conductive layer (insulating region) of the patterned transparent conductive laminate The conductive layer side surface of the patterned transparent conductive laminate is a color 3D laser microscope (VK-9700 / 9710 manufactured by Keyence Corporation), Conductive linear shape in the insulating region using a standard objective lens 150X (CF IC EPI Plan Apo 150X manufactured by Nikon Co., Ltd.) and an observation application (VK-H1V1 manufactured by Keyence Co., Ltd.) at a magnification of 3000 times. The presence or absence of a structure and the presence or absence of a dent were confirmed.

(3)導電層パターンの視認性「骨見え」の評価(非視認性試験)
パターン化透明導電積層体の導電性領域と絶縁性領域の境目の視認性を、蛍光灯下で目視にて観察し、下記の基準で評価した。
レベル5:境目が見えない
レベル4:殆ど境目が見えない
レベル3:薄い境目が見える
レベル2:境目が見える
レベル1:境目が明らかに見える。
(3) Evaluation of visibility “bone appearance” of conductive layer pattern (non-visibility test)
The visibility of the boundary between the conductive region and the insulating region of the patterned transparent conductive laminate was visually observed under a fluorescent lamp and evaluated according to the following criteria.
Level 5: The border is invisible Level 4: The border is almost invisible Level 3: The thin border is visible Level 2: The border is visible Level 1: The border is clearly visible

[実施例1]
透明導電積層体を以下の要領で作製した。
[Example 1]
A transparent conductive laminate was produced as follows.

<導電層形成用塗料>
導電性線状構造体として、短軸の長さが50〜100nm、長軸の長さ20〜40μm、アスペクト比200以上の銀ナノワイヤーを用い、銀ナノワイヤー分散溶液(米Cambrios社製、CleraOhm Ink−A AQ)30質量部あたりに、超純水(和光純薬工業(株)製、超純水Ultrapure Watar)を70質量部、防錆剤(米Cambrios社製、ClearOhm SFT−D)を0.12質量部添加し、導電層形成用塗料を調製した。
<Paint for forming conductive layer>
As a conductive linear structure, a silver nanowire dispersion solution (manufactured by Camrios Inc., CleraOhm) using silver nanowires having a short axis length of 50 to 100 nm, a long axis length of 20 to 40 μm, and an aspect ratio of 200 or more. Ink-A AQ) per 30 parts by mass of ultrapure water (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., ultrapure water Ultrapure Water), 70 parts by mass, rust preventive (Cambrios, ClearOhm SFT-D) 0.12 mass part was added and the coating material for conductive layer formation was prepared.

<導電層の積層>
厚さが125μmの光学用ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製 ルミラー)を基材として用い、当該フィルムの片面に、上記の導電層形成用塗料をダイコート法で固形分塗布量が1g/mとなるように塗布し、80℃で乾燥して、基材上に導電層を積層した。
<Lamination of conductive layer>
Using an optical polyethylene terephthalate film (Lumirror manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 125 μm as a base material, the coating amount for forming the conductive layer is applied to one side of the film by a die coating method so that the solid content is 1 g / m 2. And dried at 80 ° C. to laminate a conductive layer on the substrate.

<保護層形成用塗料>
アクリル樹脂系塗料(中国塗料(株)製 フォルシードNo.420C 樹脂濃度50重量%)5質量部あたりに、酢酸エチルを95質量部加えて保護層形成用塗料を調製した。
<Coating for forming protective layer>
A protective layer-forming coating material was prepared by adding 95 parts by mass of ethyl acetate to 5 parts by mass of acrylic resin-based paint (Forseed No. 420C, resin concentration 50% by weight, manufactured by China Paint Co., Ltd.).

<保護層の積層>
基材上に積層された導電層の上に、上記の保護層形成用塗料を保護層の厚み(硬化後の厚み)が210nmとなるようにダイコート法で塗布し、80℃で乾燥し、紫外線(ヒュージョンUVシステムズジャパン(株)製 LH10−70UVランプ)を200mJ/cm照射して硬化させることで保護層を形成し、透明導電積層体を作製した。
<Lamination of protective layer>
On the conductive layer laminated on the substrate, the above protective layer-forming coating material is applied by a die coating method so that the thickness of the protective layer (thickness after curing) is 210 nm, dried at 80 ° C., and UV A protective layer was formed by irradiating and curing 200 mJ / cm 2 (LH10-70UV lamp manufactured by Fusion UV Systems Japan Co., Ltd.) to prepare a transparent conductive laminate.

<パターン化されたエッチングレジスト膜の形成>
透明導電積層体の導電層(保護層を含む)の上に、エッチングレジスト膜(ドライレジストフィルム;旭化成イーマテリアルズ(株)製の「サンフォートSPG−152」)を、ホットロール式ラミネーターを用い、ロール温度105℃、エアー圧力0.3MPa、ラミネート速度2m/minの条件で熱ラミネートし、熱ラミネート体を得た。
<Formation of patterned etching resist film>
An etching resist film (dry resist film; “Sunfort SPG-152” manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) is used on the conductive layer (including the protective layer) of the transparent conductive laminate, and a hot roll laminator is used. Then, heat lamination was performed under the conditions of a roll temperature of 105 ° C., an air pressure of 0.3 MPa, and a lamination speed of 2 m / min to obtain a heat laminate.

次いで、熱ラミネート体のドライレジストフィルムの上にフォトマスクを置き、このフォトマスクの上から、4.5kW水銀ショートアークランプ((株)オーク製作所製 HMW−801 平行光)を使用して、露光量200mJ/cmで露光した。 Next, a photomask is placed on the dry resist film of the thermal laminate, and exposure is performed on the photomask using a 4.5 kW mercury short arc lamp (HMW-801 parallel light manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.). The exposure was performed at an amount of 200 mJ / cm 2 .

次いで、露光後の熱ラミネート体に、現像液を吹きつけ(スプレーし)、現像処理した。具体的には、コンベアー式現像機を用い、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液を現像液とし、液温度30℃、スプレー圧力0.22MPaの条件で26秒間現像処理を行うことで、導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜(ドライレジストフィルム)を形成した。   Next, a developing solution was sprayed on the heat-laminated body after the exposure to develop it. Specifically, using a conveyor type developing machine, a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution is used as a developing solution, and the developing process is performed for 26 seconds under the conditions of a liquid temperature of 30 ° C. and a spray pressure of 0.22 MPa. A patterned etching resist film (dry resist film) was formed.

<エッチング>
導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜が形成された透明導電積層体を下記のエッチング液(45℃)に5分間浸漬してエッチング処理した。
<Etching>
The transparent conductive laminate having the patterned etching resist film formed on the conductive layer was immersed in the following etching solution (45 ° C.) for 5 minutes for etching treatment.

<エッチング液>
塩酸(和光純薬工業(株)製の特級グレード;塩化水素36質量%)100質量部と、硝酸(佐々木化学薬品(株)製の特級グレード;硝酸60質量%)15質量部に純水85質量部を加えて、エッチング液とした。当該エッチング液の塩化水素と硝酸の質量比は4:1であり、塩化水素と硝酸を合わせた酸濃度は22.5質量%である。
<Etching solution>
100 parts by mass of hydrochloric acid (special grade manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd .; hydrogen chloride 36% by mass), 15 parts by mass of nitric acid (special grade manufactured by Sasaki Chemical Co., Ltd .; 60% by mass nitric acid), 85% pure water Mass parts were added to obtain an etching solution. The mass ratio of hydrogen chloride and nitric acid in the etching solution is 4: 1, and the combined acid concentration of hydrogen chloride and nitric acid is 22.5% by mass.

<サンドブラスト処理>
上記のようにして導電層をエッチングしてパターン化した透明導電積層体の導電層の面に以下のサンドブラスト処理を施した。
<Sandblasting>
The following sandblast treatment was applied to the surface of the conductive layer of the transparent conductive laminate patterned by etching the conductive layer as described above.

サンドブラスト装置として新東ブレーター社製「マイクロブラスターMB1−ML」を用い、投射材として中心粒径17μmのシリコンカーバイトを、噴射圧0.15MPa、ノズル移動速度10m/s、投射回数4回の条件で投射して、サンドブラスト処理を行なった。   “Microblaster MB1-ML” manufactured by Shinto Blator Co., Ltd. is used as a sandblasting device, silicon carbide having a center particle diameter of 17 μm is used as a projection material, injection pressure is 0.15 MPa, nozzle moving speed is 10 m / s, and the number of times of projection is four. And blasting was performed.

<エッチングレジスト膜の剥離除去>
サンドブラスト処理後、透明導電積層体にアルカリ剥離液を吹き付けて(スプレーして)、透明導電積層体レジストパターニングサンプルからエッチングレジスト膜を剥離除去した。具体的には、コンベアー式剥離機を用い、3質量%の水酸化ナトリウム水溶液を剥離液とし、液温度50℃、スプレー圧力0.20MPaの条件で34秒間剥離処理を行うことで、エッチングレジスト膜を完全に剥離除去した。最後に水洗して、実施例1のパターン化透明導電積層体を得た。
<Peeling and removal of etching resist film>
After the sandblast treatment, an alkaline stripping solution was sprayed (sprayed) on the transparent conductive laminate, and the etching resist film was peeled and removed from the transparent conductive laminate resist patterning sample. Specifically, an etching resist film is formed by using a conveyor-type peeling machine and using a 3% by mass sodium hydroxide aqueous solution as a peeling liquid and performing a peeling treatment for 34 seconds under the conditions of a liquid temperature of 50 ° C. and a spray pressure of 0.20 MPa. Was completely peeled off. Finally, it was washed with water to obtain the patterned transparent conductive laminate of Example 1.

[評価]
実施例1のパターン化透明導電積層体を評価した結果を以下に示す。
[Evaluation]
The results of evaluating the patterned transparent conductive laminate of Example 1 are shown below.

<絶縁確認試験>
パターン化された導電層の絶縁性領域を上述した試験方法で確認したところ、絶縁性(4MΩ以上)であった。
<Insulation confirmation test>
When the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, it was insulating (4 MΩ or more).

<絶縁性領域の表面観察>
パターン化された導電層の絶縁性領域を上述した試験方法で確認したところ、線状構造体は確認されなかった。また、絶縁性領域に平均径400nmの凹みが形成されていた。
<Surface observation of insulating region>
When the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, no linear structure was confirmed. In addition, a recess having an average diameter of 400 nm was formed in the insulating region.

<非視認性試験>
パターン化導電層の導電性領域と絶縁性領域との境目を上述した試験方法で確認したところ、レベル5(境目が見えない)であった。
<Non-visibility test>
When the boundary between the conductive region and the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, it was Level 5 (the boundary was not visible).

[比較例1]
サンドブラスト処理を行なわない以外は、実施例1と同様にしてパターン化透明導電積層体を作製した。
[Comparative Example 1]
A patterned transparent conductive laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that the sandblast treatment was not performed.

[評価]
比較例1のパターン化透明導電積層体を評価した結果を以下に示す。
[Evaluation]
The results of evaluating the patterned transparent conductive laminate of Comparative Example 1 are shown below.

<絶縁確認試験>
パターン化された導電層の絶縁性領域を上述した試験方法で確認したところ、絶縁性(4MΩ以上)であった。
<Insulation confirmation test>
When the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, it was insulating (4 MΩ or more).

<絶縁性領域の表面観察>
パターン化された導電層の絶縁性領域を上述した試験方法で確認したところ、線状構造体は確認されなかった。また、絶縁性領域に凹みは形成されていなかった。
<Surface observation of insulating region>
When the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, no linear structure was confirmed. Further, no recess was formed in the insulating region.

<非視認性試験>
パターン化導電層の導電性領域と絶縁性領域との境目を上述した試験方法で確認したところ、レベル1(境目が明らかに見える)であった。
<Non-visibility test>
When the boundary between the conductive region and the insulating region of the patterned conductive layer was confirmed by the test method described above, it was Level 1 (the boundary was clearly visible).

本発明のパターン化透明導電積層体の製造方法によって得られたパターン化透明導電積層体は、タッチパネル、電子ペーパーなどのディスプレイおよび太陽電池モジュールなどに使用される電極部材に好適に使用することができる。   The patterned transparent conductive laminate obtained by the method for producing a patterned transparent conductive laminate of the present invention can be suitably used for electrode members used in displays such as touch panels and electronic paper, solar cell modules, and the like. .

1.基材
2.導電層
3.導電性線状構造体
5.エッチングレジスト膜
6.フォトマスクの光遮蔽部
7.フォトマスクの光透過部
8.フォトマスク
9.凹み
10.透明導電積層体
16.エッチングレジスト膜が被覆されていない領域
17.エッチングレジスト膜5が被覆されている領域
26.絶縁性領域
27.導電性領域
31.パターン化透明導電積層体
32.接合層
33.タッチ面側の基板
34.ハードコート層(ハードコートフィルム)
1. Base material 2. 2. Conductive layer 4. Conductive linear structure 5. Etching resist film 6. Light shielding part of photomask 7. Light transmission part of photomask 8. Photomask Dent 10. Transparent conductive laminate 16. 18. Region not covered with etching resist film Region 26 covered with etching resist film 5 Insulating region 27. Conductive region 31. Patterned transparent conductive laminate 32. Bonding layer 33. Substrate on the touch surface side 34. Hard coat layer (hard coat film)

Claims (4)

基材の少なくとも片面に導電性線状構造体を含む導電層を有し、該導電層は導電性領域と絶縁性領域にパターン化された透明導電積層体の製造方法であって、導電層を導電性領域と絶縁性領域にパターン化する工程(A)、および絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)をこの順に有することを特徴とするパターン化透明導電積層体の製造方法。 A method for producing a transparent conductive laminate having a conductive layer containing a conductive linear structure on at least one side of a substrate, the conductive layer being patterned into a conductive region and an insulating region, A method for producing a patterned transparent conductive laminate, comprising a step (A) of patterning a conductive region and an insulating region, and a step (B) of subjecting the insulating region to a sandblast treatment in this order. 導電層をパターン化する工程(A)が、導電層上にパターン化されたエッチングレジスト膜を形成する工程(A1)、および導電層をエッチングする工程(A2)をこの順に有し、絶縁性領域にサンドブラスト処理を施す工程(B)はエッチングレジスト膜を介して行われ、前記工程(B)の後に、エッチングレジスト膜を除去する工程(C)を有する、請求項1に記載のパターン化透明導電積層体の製造方法。 The step (A) of patterning the conductive layer includes, in this order, a step (A1) of forming a patterned etching resist film on the conductive layer and a step (A2) of etching the conductive layer. 2. The patterned transparent conductive film according to claim 1, wherein the step (B) of performing a sandblasting process is performed through an etching resist film, and the step (C) of removing the etching resist film is provided after the step (B). A manufacturing method of a layered product. 前記導電性線状構造体が銀ナノワイヤーである、請求項1または2に記載の透明導電積層体の製造方法。 The manufacturing method of the transparent conductive laminated body of Claim 1 or 2 whose said electroconductive linear structure is silver nanowire. 請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電積層体を用いてなる、タッチパネル。
The touch panel which uses the transparent conductive laminated body in any one of Claims 1-3.
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