JP2015138962A - Process liquid nozzle and application processing unit - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process liquid nozzle which removes foreign objects in a process liquid to inhibit clogging of the process liquid nozzle and thereby properly supplies the process liquid from the process liquid nozzle to a substrate.SOLUTION: A process liquid nozzle 132 includes: an upper block 200; a lower block 201; a solvent circulation space 202 formed in an inner space of the upper block 200 and the lower block 201; a solvent flow passage 245 which connects a solvent discharge port 244 with the circulation space 202; a filter 260 which is provided at an upper part of the flow passage 245, collects foreign objects in the solvent, and removes the foreign objects; and a fixing member 261 which fixes the filter 260 in a vertical direction. The fixing member 261 includes: a body part 262 which fixes the filter 260 with a lower surface; and a protrusion part 264 which protrudes from an upper surface of the body part 262 and contacts with a ceiling surface 211 of the circulation space 202.

Description

本発明は、基板に処理液を供給する処理液ノズル、及び当該処理液ノズルを備えた塗布処理装置に関する。   The present invention relates to a processing liquid nozzle that supplies a processing liquid to a substrate, and a coating processing apparatus including the processing liquid nozzle.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄化が求められている。そして例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have been increasing in diameter. Further, in a specific process such as mounting, wafer thinning is required. For example, if a thin wafer having a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate.

かかるウェハと支持基板の接合は、例えば特許文献1に記載された接合システムを用いて、ウェハと支持基板との間に接着剤を介在させることにより行われている。接合システムは、例えばウェハに接着剤を塗布する塗布装置と、接着剤が塗布されたウェハを加熱する熱処理装置と、接着剤を介してウェハと支持基板とを押圧して接合する接合装置とを有している。   Such bonding of the wafer and the support substrate is performed by interposing an adhesive between the wafer and the support substrate using, for example, a bonding system described in Patent Document 1. The bonding system includes, for example, a coating device that applies an adhesive to a wafer, a heat treatment device that heats the wafer to which the adhesive is applied, and a bonding device that presses and bonds the wafer and the support substrate via the adhesive. Have.

上記接合装置では、ウェハと支持基板を押圧すると、当該ウェハと支持基板の間から接着剤がはみ出る。このようにはみ出た接着剤は、ウェハと支持基板の搬送工程や処理工程に悪影響を及ぼすおそれがある。例えば搬送工程において、ウェハと支持基板を搬送する搬送装置に接着剤が付着すると、当該接着剤が他のウェハや支持基板に付着してしまう。さらに処理工程においても、ウェハと支持基板に所定の処理を行う処理装置に接着剤が付着する場合がある。かかる場合、ウェハと支持基板を適切に接合することができない。そこで、塗布装置において、接着剤が塗布されたウェハの外周部に対して溶剤ノズルから接着剤の溶剤を供給し、当該ウェハの外周部上の接着剤を除去することが提案されている。   In the bonding apparatus, when the wafer and the support substrate are pressed, the adhesive protrudes from between the wafer and the support substrate. The adhesive that protrudes in this way may adversely affect the transfer process and processing process of the wafer and the support substrate. For example, when an adhesive adheres to a transport device that transports a wafer and a support substrate in the transport process, the adhesive adheres to another wafer or support substrate. Further, in the processing step, an adhesive may adhere to a processing apparatus that performs a predetermined processing on the wafer and the support substrate. In such a case, the wafer and the support substrate cannot be bonded appropriately. Therefore, it has been proposed to remove the adhesive on the outer peripheral portion of the wafer by supplying the solvent of the adhesive from the solvent nozzle to the outer peripheral portion of the wafer to which the adhesive has been applied.

特開2013−58569号公報JP 2013-58569 A

しかしながら、溶剤中には異物が混入している場合があり、当該異物によって特許文献1に記載の溶剤ノズルが詰まる場合がある。特に溶剤ノズルの径が小さい場合、この問題が顕著になる。かかる場合、ウェハの外周部上の接着剤を適切に除去することができない。   However, foreign matters may be mixed in the solvent, and the foreign matter may clog the solvent nozzle described in Patent Document 1. This problem is particularly noticeable when the diameter of the solvent nozzle is small. In such a case, the adhesive on the outer periphery of the wafer cannot be removed properly.

また、発明者らが調べたところ、このような異物は様々な原因によって発生することが分かっている。例えば溶剤ノズルに接続される溶剤の供給管の一部が剥離して異物が発生する場合がある。また、例えば定期メンテナンス時に溶剤ノズルから供給管を交換する際に、溶剤ノズルに異物が混入する場合もある。さらに、例えば溶剤ノズルと供給管の継手との間に設けられたシール材が剥離して異物が発生する場合もある。このように異物の発生源は特定することは困難である。   In addition, as a result of investigations by the inventors, it has been found that such foreign matters are generated due to various causes. For example, a part of the solvent supply pipe connected to the solvent nozzle may be peeled off to generate foreign matter. Further, for example, when the supply pipe is replaced from the solvent nozzle during regular maintenance, foreign matter may be mixed into the solvent nozzle. Furthermore, for example, the sealing material provided between the solvent nozzle and the joint of the supply pipe may be peeled off to generate foreign matter. Thus, it is difficult to specify the source of the foreign matter.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、処理液中の異物を除去して処理液ノズルの詰まりを抑制し、処理液ノズルから基板に処理液を適切に供給することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to remove foreign substances in the processing liquid to suppress clogging of the processing liquid nozzle and to appropriately supply the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate. To do.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板に処理液を供給する処理液ノズルであって、中空のノズル本体と、前記ノズル本体の内部に形成された処理液の流通空間と、前記ノズル本体の下部に形成された処理液の吐出口と前記流通空間とを接続し、当該ノズル本体を鉛直方向に貫通する処理液の流通路と、前記流通路の上部に設けられ、処理液中の異物を捕集して除去するフィルタと、前記ノズル本体との間で前記フィルタを鉛直方向に固定する固定部材と、を有し、前記固定部材は、前記フィルタを下面で固定する本体部と、前記本体部の上面から突起し、前記流通空間の天井面に当接する突起部と、を有することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention provides a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to a substrate, comprising a hollow nozzle body, a flow space for processing liquid formed in the nozzle body, and the nozzle A treatment liquid discharge port formed in the lower part of the main body is connected to the flow space, and a treatment liquid flow passage penetrating the nozzle body in the vertical direction is provided in the upper part of the flow passage. A filter that collects and removes foreign matter; and a fixing member that fixes the filter in a vertical direction between the nozzle body, and the fixing member includes a main body portion that fixes the filter on a lower surface; And a protrusion that protrudes from the upper surface of the main body and abuts against the ceiling surface of the circulation space.

本発明によれば、処理液ノズルの内部にフィルタが設けられているので、処理液ノズルから基板に処理液を供給する直前に処理液中の異物を除去することができる。すなわち、異物の発生源によらず、異物を除去することができる。したがって、処理液ノズルの詰まりを抑制することができる。   According to the present invention, since the filter is provided inside the processing liquid nozzle, the foreign matter in the processing liquid can be removed immediately before the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to the substrate. That is, the foreign matter can be removed regardless of the source of the foreign matter. Therefore, clogging of the treatment liquid nozzle can be suppressed.

しかも、固定部材は、その突起部が流通空間の天井面に当接することで、フィルタを固定する。フィルタを固定する通常の方法としては、例えばネジ固定や嵌め込み固定などが考えられるが、かかる場合、摺動によって異物が発生する。この点、本発明によれば、フィルタを固定するにあたり、突起部が流通空間の天井面に当接するだけなので、異物の発生を抑制することができる。したがって、処理液ノズルの詰まりをより確実に抑制することができ、処理液ノズルから基板に処理液を適切に供給することができる。   In addition, the fixing member fixes the filter by the protrusions coming into contact with the ceiling surface of the circulation space. As a normal method for fixing the filter, for example, screw fixing or fitting fixing may be considered. In such a case, foreign matter is generated by sliding. In this regard, according to the present invention, when the filter is fixed, the protrusions only come into contact with the ceiling surface of the circulation space, so that the generation of foreign matters can be suppressed. Therefore, clogging of the processing liquid nozzle can be more reliably suppressed, and the processing liquid can be appropriately supplied from the processing liquid nozzle to the substrate.

前記流通空間の天井面は、中央部から外周部に向けて鉛直下方に傾斜していてもよい。   The ceiling surface of the circulation space may be inclined vertically downward from the central portion toward the outer peripheral portion.

前記突起部の先端部は半球形状を有していてもよい。   The tip of the protrusion may have a hemispherical shape.

別な観点による本発明は、基板に処理液を供給する処理液ノズルであって、中空のノズル本体と、前記ノズル本体の内部に形成された処理液の流通空間と、前記ノズル本体の下部に形成された処理液の吐出口と前記流通空間とを接続し、当該ノズル本体を鉛直方向に貫通する処理液の流通路と、前記流通路に設けられ、処理液中の異物を捕集して除去するフィルタと、前記ノズル本体との間で前記フィルタを鉛直方向に固定し、磁性体を備えた固定部材と、前記フィルタを挟んで前記固定部材を引き寄せる磁石と、を有することを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to a substrate, comprising a hollow nozzle body, a processing liquid circulation space formed in the nozzle body, and a lower portion of the nozzle body. The formed treatment liquid discharge port is connected to the flow space, and the treatment liquid flow path that penetrates the nozzle body in the vertical direction, and provided in the flow path, collects foreign substances in the treatment liquid. The filter is fixed in a vertical direction between the filter to be removed and the nozzle body, and includes a fixing member provided with a magnetic body, and a magnet that draws the fixing member across the filter. .

前記磁石は、前記流通路の外側に配置されていてもよい。   The magnet may be disposed outside the flow passage.

前記フィルタと前記固定部材は、それぞれ前記流通路の上部に配置されていてもよい。或いは、前記フィルタと前記固定部材は、それぞれ前記流通路の内部に配置されていてもよい。   The filter and the fixing member may be respectively disposed on the upper part of the flow passage. Or the said filter and the said fixing member may each be arrange | positioned inside the said flow path.

前記流通空間は、前記流通路の上端より下方に形成され、処理液中の異物を沈降させて捕集するための異物捕集空間を有していてもよい。   The circulation space may be formed below the upper end of the flow passage, and may have a foreign matter collection space for sinking and collecting foreign matter in the processing liquid.

前記異物捕集空間は、当該異物捕集空間における異物の沈降速度が、前記流通空間における処理液の流通速度よりも大きくなるように形成されてもよい。   The foreign matter collection space may be formed such that the sedimentation speed of foreign matter in the foreign matter collection space is larger than the flow rate of the treatment liquid in the circulation space.

前記沈降速度が前記流通速度より大きくなるように、前記異物捕集空間における処理液の流出面積が決定されてもよい。また、前記沈降速度が前記流通速度より大きくなるように、前記異物捕集空間における深さが決定されてもよい。   The outflow area of the processing liquid in the foreign matter collection space may be determined so that the sedimentation speed is greater than the circulation speed. Moreover, the depth in the foreign matter collection space may be determined so that the settling velocity is larger than the circulation velocity.

前記ノズル本体には、前記流通空間に処理液を供給する処理液供給管が複数設けられていてもよい。   The nozzle body may be provided with a plurality of treatment liquid supply pipes for supplying a treatment liquid to the circulation space.

前記ノズル本体には、前記流通空間内を排気する排気管が設けられていてもよい。   The nozzle body may be provided with an exhaust pipe that exhausts the inside of the circulation space.

また別な観点による本発明は、前記処理液ノズルを備え、基板同士を接合するための接着剤を一の基板の表面に塗布する塗布処理装置であって、基板を保持して回転させる回転保持部と、前記回転保持部に保持された基板の中心部に接着剤を供給する接着剤ノズルと、を有し、前記処理液ノズルから供給される処理液は接着剤の溶剤であって、前記処理液ノズルは、前記接着剤ノズルによって接着剤が塗布された基板の外周部上に接着剤の溶剤を供給し、当該外周部上の接着剤を除去することを特徴としている。   Another aspect of the present invention is a coating processing apparatus that includes the processing liquid nozzle and applies an adhesive for bonding substrates to the surface of one substrate, and holds and rotates the substrate. And an adhesive nozzle that supplies an adhesive to the center of the substrate held by the rotation holding portion, and the processing liquid supplied from the processing liquid nozzle is a solvent for the adhesive, The treatment liquid nozzle is characterized in that an adhesive solvent is supplied onto the outer peripheral portion of the substrate coated with the adhesive by the adhesive nozzle, and the adhesive on the outer peripheral portion is removed.

本発明によれば、処理液中の異物を除去して処理液ノズルの詰まりを抑制し、処理液ノズルから基板に処理液を適切に供給することができる。   According to the present invention, it is possible to remove foreign substances in the processing liquid, suppress clogging of the processing liquid nozzle, and appropriately supply the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate.

本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the joining system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the joining system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating processing apparatus. 塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating processing apparatus. 溶剤ノズルの構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of a solvent nozzle. 溶剤ノズルの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a solvent nozzle. 下部ブロック、フィルタ及び固定部材の構成の概略を示す縦断面の斜視図である。It is a perspective view of the longitudinal section which shows the outline of a structure of a lower block, a filter, and a fixing member. 溶剤ノズルの内部における溶剤の流れを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the flow of the solvent in the inside of a solvent nozzle. 被処理ウェハの外周部上の接着剤を除去する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the adhesive agent on the outer peripheral part of a to-be-processed wafer is removed. 他の実施の形態にかかる下部ブロック、フィルタ及び固定部材の構成の概略を示す縦断面の斜視図である。It is a perspective view of the longitudinal section which shows the outline of a structure of the lower block, filter, and fixing member concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるノズル部、フィルタ及び固定部材の構成の概略を示す縦断面の斜視図である。It is a perspective view of the longitudinal section which shows the outline of a structure of the nozzle part, filter, and fixing member concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるノズル部、フィルタ及び固定部材の構成の概略を示す縦断面の斜視図である。It is a perspective view of the longitudinal section which shows the outline of a structure of the nozzle part, filter, and fixing member concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるノズル部、フィルタ及び固定部材の構成の概略を示す縦断面の斜視図である。It is a perspective view of the longitudinal section which shows the outline of a structure of the nozzle part, filter, and fixing member concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる溶剤ノズルの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the solvent nozzle concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる接合システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、接合システム1の内部構成の概略を示す側面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing the outline of the configuration of the joining system 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a side view illustrating the outline of the internal configuration of the joining system 1.

接合システム1では、図3に示すように例えば接着剤Gを介して、基板としての被処理ウェハWと基板としての支持ウェハSとを接合する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を表面としての「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を裏面としての「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を表面としての「接合面S」といい、接合面Sと反対側の面を裏面としての「非接合面S」という。そして、接合システム1では、被処理ウェハWと支持ウェハSを接合して重合ウェハTを形成する。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されており、非接合面Wが研磨処理される。また、支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the bonding system 1, as shown in FIG. 3, for example, a processing target wafer W as a substrate and a support wafer S as a substrate are bonded via an adhesive G. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as a “bonding surface W J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface W J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-bonding surface W N ”. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as a “bonding surface S J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface S J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-joint surface S N ”. And in the joining system 1, the to-be-processed wafer W and the support wafer S are joined, and the superposition | polymerization wafer T is formed. Note that wafer W is a wafer as a product, for example, joint surface W J A plurality of electronic circuit is formed on the non-bonding surface W N is polished. The support wafer S is a wafer having the same diameter as that of the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

接合システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the bonding system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. The loading / unloading station 2 for loading / unloading and the processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are integrally connected. .

搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、X方向(図1中の上下方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、接合システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの1つを不具合ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で被処理ウェハWと支持ウェハSとの接合に不具合が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハTと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットCのうち、1つのカセットCを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットCを正常な重合ウェハTの収容用として用いている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the interface system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. One of the cassettes may be used for collecting defective wafers. That is, this is a cassette that can separate from a normal superposed wafer T a wafer in which a defect occurs in the joining of the processing target wafer W and the supporting wafer S due to various factors. In the present embodiment, among the plurality of cassettes C T, using a one cassette C T for the recovery of the fault wafer, and using the other cassette C T for the accommodation of a normal bonded wafer T.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10に隣接してウェハ搬送部20が設けられている。ウェハ搬送部20には、X方向に延伸する搬送路21上を移動自在なウェハ搬送装置22が設けられている。ウェハ搬送装置22は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセットC、C、Cと、後述する処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50、51との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。 In the loading / unloading station 2, a wafer transfer unit 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10. The wafer transfer unit 20 is provided with a wafer transfer device 22 that is movable on a transfer path 21 extending in the X direction. The wafer transfer device 22 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and includes cassettes C W , C S , and C T on each cassette mounting plate 11 and a third of the processing station 3 to be described later. The to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the superposed wafer T can be transferred to and from the transition devices 50 and 51 of the processing block G3.

処理ステーション3には、各種処理装置を備えた複数例えば3つの処理ブロックG1、G2、G3が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1中のX方向負方向側)には、第1の処理ブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1中のX方向正方向側)には、第2の処理ブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3の搬入出ステーション2側(図1中のY方向負方向側)には、第3の処理ブロックG3が設けられている。   The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, three processing blocks G1, G2, and G3 including various processing apparatuses. For example, a first processing block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). A second processing block G2 is provided. Further, a third processing block G3 is provided on the processing station 3 on the side of the loading / unloading station 2 (the Y direction negative direction side in FIG. 1).

例えば第1の処理ブロックG1には、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合装置30〜33が、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。なお、接合装置30〜33の装置数や配置は任意に設定することができる。   For example, in the first processing block G1, bonding devices 30 to 33 for pressing and bonding the processing target wafer W and the supporting wafer S via the adhesive G are provided in this order from the loading / unloading station 2 side in the Y direction. They are arranged side by side. The number and arrangement of the joining devices 30 to 33 can be arbitrarily set.

接合装置30〜33は、外部との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを受け渡すための受渡部(図示せず)と、支持ウェハSの表裏面を反転させる反転部(図示せず)と、接着剤Gを介して被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合部(図示せず)と、受渡部、反転部及び接合部に対して、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送する搬送部(図示せず)と、を有している。   The joining devices 30 to 33 include a delivery unit (not shown) for delivering the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T to the outside, and a reversing unit for inverting the front and back surfaces of the support wafer S ( (Not shown), a bonded portion (not shown) that presses and bonds the wafer to be processed W and the support wafer S via the adhesive G, and a delivery portion, a reversing portion, and a bonded portion. And a transport unit (not shown) for transporting the wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T.

例えば第2の処理ブロックG2には、図2に示すように被処理ウェハWに接着剤Gを塗布し、さらに被処理ウェハWの外周部上の接着剤Gを除去する塗布処理装置40と、接着剤Gが塗布された被処理ウェハWを所定の温度に加熱する熱処理装置41〜43と、同様の熱処理装置44〜46とが、搬入出ステーション2側に向かう方向(図2中のY方向負方向)にこの順で並べて配置されている。熱処理装置41〜43と熱処理装置44〜46は、それぞれ下からこの順で3段に設けられている。なお、熱処理装置41〜46の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は任意に設定することができる。   For example, in the second processing block G2, as shown in FIG. 2, a coating processing apparatus 40 that applies the adhesive G to the processing target wafer W and further removes the adhesive G on the outer peripheral portion of the processing target wafer W; A heat treatment apparatus 41 to 43 for heating the wafer W to be processed to which the adhesive G is applied to a predetermined temperature and a similar heat treatment apparatus 44 to 46 toward the loading / unloading station 2 side (Y direction in FIG. 2). They are arranged in this order in the negative direction). The heat treatment apparatuses 41 to 43 and the heat treatment apparatuses 44 to 46 are provided in three stages in this order from the bottom. The number of heat treatment apparatuses 41 to 46 and the arrangement in the vertical direction and the horizontal direction can be arbitrarily set.

熱処理装置44〜46は、被処理ウェハWを加熱処理する加熱部(図示せず)と、被処理ウェハWを温度調節する温度調節部(図示せず)を有している。なお、塗布処理装置40の構成については後述する。   The heat treatment apparatuses 44 to 46 include a heating unit (not shown) that heats the wafer W to be processed, and a temperature adjusting unit (not shown) that adjusts the temperature of the wafer W to be processed. The configuration of the coating processing apparatus 40 will be described later.

例えば第3の処理ブロックG3には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのトランジション装置50、51が下からこの順で2段に設けられている。   For example, in the third processing block G3, transition devices 50 and 51 for the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are provided in two stages in this order from the bottom.

図1に示すように第1の処理ブロックG1〜第3の処理ブロックG3に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域60が形成されている。ウェハ搬送領域60には、例えばウェハ搬送装置61が配置されている。なお、ウェハ搬送領域60内の圧力は大気圧以上であり、当該ウェハ搬送領域60において、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTのいわゆる大気系の搬送が行われる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer region 60 is formed in a region surrounded by the first processing block G1 to the third processing block G3. For example, a wafer transfer device 61 is disposed in the wafer transfer region 60. Note that the pressure in the wafer transfer region 60 is equal to or higher than atmospheric pressure, and the wafer to be processed W, the support wafer S, and the superposed wafer T are transferred in a so-called atmospheric system in the wafer transfer region 60.

ウェハ搬送装置61は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置61は、ウェハ搬送領域60内を移動し、周囲の第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2及び第3の処理ブロックG3内の所定の装置に被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。   The wafer transfer device 61 has, for example, a transfer arm that can move around the vertical direction, horizontal direction (Y direction, X direction), and vertical axis. The wafer transfer device 61 moves within the wafer transfer region 60, and moves to a predetermined device in the surrounding first processing block G1, second processing block G2, and third processing block G3. S and superposed wafer T can be conveyed.

以上の接合システム1には、図1に示すように制御部70が設けられている。制御部70は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、接合システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム1における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部70にインストールされたものであってもよい。   The above joining system 1 is provided with a controller 70 as shown in FIG. The control unit 70 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the bonding system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transfer apparatuses to realize the below-described joining process in the joining system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 70 from the storage medium H.

次に、上述した塗布処理装置40の構成について説明する。塗布処理装置40は、図4に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送領域60側の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。   Next, the configuration of the above-described coating processing apparatus 40 will be described. As shown in FIG. 4, the coating processing apparatus 40 has a processing container 100 capable of sealing the inside. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the processing container 100 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器100内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させる回転保持部としてのスピンチャック110が設けられている。スピンチャック110は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハWをスピンチャック110上に吸着保持できる。   A spin chuck 110 serving as a rotation holding unit that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 100. The spin chuck 110 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W to be processed is provided on the upper surface, for example. The wafer W to be processed can be sucked and held on the spin chuck 110 by suction from the suction port.

スピンチャック110の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部111が設けられている。スピンチャック110は、チャック駆動部111により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部111には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック110は昇降自在になっている。   Below the spin chuck 110, for example, a chuck driving unit 111 including a motor is provided. The spin chuck 110 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 111. Further, the chuck driving unit 111 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 110 is movable up and down.

スピンチャック110の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ112が設けられている。カップ112の下面には、回収した液体を排出する排出管113と、カップ112内の雰囲気を真空引きして排気する排気管114が接続されている。   Around the spin chuck 110, there is provided a cup 112 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 112 are a discharge pipe 113 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 114 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 112.

図5に示すようにカップ112のX方向負方向(図5中の下方向)側には、Y方向(図5中の左右方向)に沿って延伸するレール120が形成されている。レール120は、例えばカップ112のY方向負方向(図5中の左方向)側の外方からY方向正方向(図5中の右方向)側の外方まで形成されている。レール120には、アーム121が取り付けられている。   As shown in FIG. 5, a rail 120 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 5) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 5) side of the cup 112. The rail 120 is formed, for example, from the outer side of the cup 112 in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) to the outer side in the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5). An arm 121 is attached to the rail 120.

アーム121には、図4及び図5に示すように被処理ウェハWに液体状の接着剤Gを供給する接着剤ノズル122が支持されている。アーム121は、図5に示すノズル駆動部123により、レール120上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル122は、カップ112のY方向正方向側の外方に設置された待機部124からカップ112内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム121は、ノズル駆動部123によって昇降自在であり、接着剤ノズル122の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the arm 121 supports an adhesive nozzle 122 that supplies a liquid adhesive G to the wafer W to be processed. The arm 121 is movable on the rail 120 by a nozzle driving unit 123 shown in FIG. As a result, the adhesive nozzle 122 can move from the standby portion 124 installed on the outer side of the cup 112 on the positive side in the Y direction to above the central portion of the wafer W to be processed in the cup 112, and further to the wafer W to be processed. It can move in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 121 can be moved up and down by a nozzle driving unit 123 and the height of the adhesive nozzle 122 can be adjusted.

接着剤ノズル122には、図4に示すように当該接着剤ノズル122に接着剤Gを供給する接着剤供給管125が接続されている。接着剤供給管125は、内部に接着剤Gを貯留する接着剤供給源126に連通している。また、接着剤供給管125には、接着剤Gの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群127が設けられている。   As shown in FIG. 4, an adhesive supply pipe 125 that supplies the adhesive G to the adhesive nozzle 122 is connected to the adhesive nozzle 122. The adhesive supply pipe 125 communicates with an adhesive supply source 126 that stores the adhesive G therein. Further, the adhesive supply pipe 125 is provided with a supply device group 127 including a valve for controlling the flow of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like.

また、図5に示すようにカップ112とレール120の間には、Y方向(図5中の左右方向)に沿って延伸するレール130が形成されている。レール130は、例えばカップ112のY方向負方向(図5中の左方向)側の外方からカップ112の中央近傍まで形成されている。レール130には、アーム131が取り付けられている。   In addition, as shown in FIG. 5, a rail 130 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 5) is formed between the cup 112 and the rail 120. The rail 130 is formed, for example, from the outside of the cup 112 in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) to the vicinity of the center of the cup 112. An arm 131 is attached to the rail 130.

アーム131には、図4及び図5に示すように被処理ウェハWに接着剤Gの溶剤を処理液として供給する、処理液ノズルとしての溶剤ノズル132が支持されている。アーム121は、図5に示すノズル駆動部133により、レール130上を移動自在である。これにより、溶剤ノズル132は、カップ112のY方向負方向側の外方に設置された待機部134からカップ112内の被処理ウェハWの外周部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム131は、ノズル駆動部133によって昇降自在であり、溶剤ノズル132の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the arm 131 supports a solvent nozzle 132 as a processing liquid nozzle that supplies a solvent of the adhesive G as a processing liquid to the wafer W to be processed. The arm 121 is movable on the rail 130 by a nozzle driving unit 133 shown in FIG. Thereby, the solvent nozzle 132 can move from the standby part 134 installed on the outer side of the Y direction negative direction of the cup 112 to above the outer peripheral part of the wafer W to be processed in the cup 112, and further on the wafer W to be processed. Can be moved in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 131 can be moved up and down by a nozzle driving unit 133 and the height of the solvent nozzle 132 can be adjusted.

溶剤ノズル132には、図4に示すように当該溶剤ノズル132に接着剤Gの溶剤を供給する、処理液供給管としての溶剤供給管135が接続されている。溶剤供給管135は、後述するように溶剤ノズル132に接続される際、2本に分岐する。また、溶剤供給管135は、内部に接着剤Gの溶剤を貯留する溶剤供給源136に連通している。さらに、溶剤供給管135には、接着剤Gの溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群137が設けられている。なお、接着剤Gの溶剤には、例えば有機系のシンナーが用いられる。   As shown in FIG. 4, the solvent nozzle 132 is connected with a solvent supply pipe 135 as a processing liquid supply pipe for supplying the solvent of the adhesive G to the solvent nozzle 132. As will be described later, the solvent supply pipe 135 branches into two when connected to the solvent nozzle 132. The solvent supply pipe 135 communicates with a solvent supply source 136 that stores the solvent of the adhesive G therein. Further, the solvent supply pipe 135 is provided with a supply device group 137 including a valve for controlling the flow of the solvent of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like. For example, an organic thinner is used as the solvent for the adhesive G.

なお、本実施の形態では、接着剤ノズル122を支持するアーム121と溶剤ノズル132を支持するアーム131は、それぞれ別々のレール120、130に取り付けられていたが、同じレールに取り付けられていてもよい。また、接着剤ノズル122と溶剤ノズル132は、それぞれ別々のアーム121、131に支持されていたが、同じアームに支持されていてもよい。   In the present embodiment, the arm 121 that supports the adhesive nozzle 122 and the arm 131 that supports the solvent nozzle 132 are attached to separate rails 120 and 130, respectively, but may be attached to the same rail. Good. In addition, the adhesive nozzle 122 and the solvent nozzle 132 are supported by separate arms 121 and 131, respectively, but may be supported by the same arm.

また、塗布処理装置40における各部の動作は、上述した制御部70によって制御される。   In addition, the operation of each unit in the coating processing apparatus 40 is controlled by the control unit 70 described above.

次に、上述した溶剤ノズル132の構成について説明する。溶剤ノズル132は、図6及び図7に示すように上部ブロック200と下部ブロック201を有している。下部ブロック201がアーム131に形成された溝部131aに嵌め込まれて、溶剤ノズル132はアーム131に支持される。   Next, the configuration of the solvent nozzle 132 will be described. The solvent nozzle 132 has the upper block 200 and the lower block 201 as shown in FIG.6 and FIG.7. The lower block 201 is fitted into a groove 131 a formed in the arm 131, and the solvent nozzle 132 is supported by the arm 131.

上部ブロック200と下部ブロック201は一体となって、本発明における中空のノズル本体を構成する。これら上部ブロック200と下部ブロック201が一体となったノズル本体の内部には、溶剤が流通する流通空間202が形成される。なお、流通空間202は、後述する上部ブロック200の上部空間210と下部ブロック201の下部空間230が結合されて形成される。   The upper block 200 and the lower block 201 are integrated to form a hollow nozzle body in the present invention. A circulation space 202 through which a solvent flows is formed inside the nozzle body in which the upper block 200 and the lower block 201 are integrated. The distribution space 202 is formed by combining an upper space 210 of the upper block 200 described later and a lower space 230 of the lower block 201.

上部ブロック200には、下面から上方に窪んだ上部空間210が形成されている。上部空間210(流通空間202)の天井面211は、その中央部から外周部に向けて鉛直下方に傾斜している。天井面211の中央部には、流通空間202の内部を排気するための排気口212が形成されている。また、天井面211の外縁部は段状に下方に窪み、当該外縁部には流通空間202に溶剤を供給するための溶剤供給口213が例えば2か所に形成されている。   In the upper block 200, an upper space 210 that is recessed upward from the lower surface is formed. The ceiling surface 211 of the upper space 210 (distribution space 202) is inclined vertically downward from the central portion toward the outer peripheral portion. An exhaust port 212 for exhausting the inside of the circulation space 202 is formed at the center of the ceiling surface 211. In addition, the outer edge portion of the ceiling surface 211 is stepped downward, and solvent supply ports 213 for supplying the solvent to the circulation space 202 are formed at two locations on the outer edge portion, for example.

上部ブロック200の上面には、排気管220を接続するための管継手221が接続されている。排気管220は、管継手221を介して排気口212に連通している。そして、天井面211が傾斜しているため、流通空間202を流通する溶剤中の気泡は天井面211の中央部に集められ、排気口212を介して排気管220から排出される。   A pipe joint 221 for connecting the exhaust pipe 220 is connected to the upper surface of the upper block 200. The exhaust pipe 220 communicates with the exhaust port 212 via a pipe joint 221. Since the ceiling surface 211 is inclined, bubbles in the solvent flowing through the circulation space 202 are collected at the center of the ceiling surface 211 and are discharged from the exhaust pipe 220 through the exhaust port 212.

また、上部ブロック200の上面には、溶剤供給管135を接続するための管継手222が複数、例えば2つ設けられている。溶剤供給管135は、管継手222を介して溶剤供給口213に連通している。そして、溶剤供給管135から溶剤供給口213を介して流通空間202に溶剤が供給される。   A plurality of, for example, two pipe joints 222 for connecting the solvent supply pipe 135 are provided on the upper surface of the upper block 200. The solvent supply pipe 135 communicates with the solvent supply port 213 through the pipe joint 222. Then, the solvent is supplied from the solvent supply pipe 135 to the circulation space 202 through the solvent supply port 213.

下部ブロック201は、図6〜図8に示すように上面から下方に窪んだ下部空間230が形成されている。上述したように、この下部空間230と上部ブロック200の上部空間210が結合されて、流通空間202が形成される。下部空間230(流通空間202)は、溶剤中の異物を沈降させて捕集するための異物捕集空間231を有している。異物捕集空間231は、後述する出張部240の周囲であって、流入口242(流通路245の上端)より下方に形成される。この異物捕集空間231の具体的な設計方法は後述する。なお、下部ブロック201には、異物捕集空間231で捕集された異物を排出する異物排出管(図示せず)が設けられていてもよい。   As shown in FIGS. 6 to 8, the lower block 201 has a lower space 230 that is recessed downward from the upper surface. As described above, the lower space 230 and the upper space 210 of the upper block 200 are combined to form the circulation space 202. The lower space 230 (distribution space 202) has a foreign matter collection space 231 for sinking and collecting foreign matter in the solvent. The foreign matter collection space 231 is formed around a business trip unit 240 described later and below the inflow port 242 (the upper end of the flow passage 245). A specific design method for the foreign matter collection space 231 will be described later. The lower block 201 may be provided with a foreign matter discharge pipe (not shown) for discharging the foreign matter collected in the foreign matter collection space 231.

下部ブロック201において、下部空間230の中央部には底面から突出した出張部240が形成されている。出張部240の上面には、後述するフィルタ260と固定部材261が配設される溝部241が形成されている。溝部241の底面には、流通空間202から溶剤が流入する流入口242が形成されている。また、下部ブロック201には、下面中央部から下方に突出したノズル部243が形成されている。ノズル部243の下面には溶剤の吐出口244が形成されている。吐出口244の径は、例えば0.1mm以下である。出張部240とノズル部243には、流入口242と吐出口244とを接続し、これら出張部240とノズル部243を鉛直方向に貫通する溶剤の流通路245が形成されている。なお、流通路245の上部は、流入口242から径が小さくなるテーパ形状を有している。   In the lower block 201, a business trip part 240 protruding from the bottom surface is formed at the center of the lower space 230. On the upper surface of the business trip part 240, a groove part 241 in which a filter 260 and a fixing member 261 described later are disposed is formed. An inlet 242 through which the solvent flows from the circulation space 202 is formed on the bottom surface of the groove portion 241. Further, the lower block 201 is formed with a nozzle portion 243 that protrudes downward from the center portion of the lower surface. A solvent discharge port 244 is formed on the lower surface of the nozzle portion 243. The diameter of the discharge port 244 is, for example, 0.1 mm or less. An inflow port 242 and an outlet 244 are connected to the business trip section 240 and the nozzle section 243, and a solvent flow passage 245 that penetrates the business trip section 240 and the nozzle section 243 in the vertical direction is formed. Note that the upper portion of the flow passage 245 has a tapered shape whose diameter decreases from the inflow port 242.

下部ブロック201の側面には、当該側面から外方に突出した環状のリング250が設けられている。リング250の上面は上部ブロック200と当接し、当該上面には環状のシール材251、例えば樹脂製のOリングが設けられている。   An annular ring 250 protruding outward from the side surface is provided on the side surface of the lower block 201. The upper surface of the ring 250 is in contact with the upper block 200, and an annular sealing material 251 such as a resin O-ring is provided on the upper surface.

溶剤ノズル132は、溶剤中の異物を捕集して除去するフィルタ260と、フィルタ260を固定する固定部材261と、をさらに有している。フィルタ260と固定部材261は、下部ブロック201の溝部241に配設される。なお、フィルタ260には溶剤が所定の流速で通過するため、固定が緩いと、フィルタ260は振動するなど移動するおそれがあり、かかる場合、フィルタ260の移動によって異物が発生するおそれがある。したがって、フィルタ260は固定部材261によって適切に固定される必要がある。   The solvent nozzle 132 further includes a filter 260 that collects and removes foreign substances in the solvent, and a fixing member 261 that fixes the filter 260. The filter 260 and the fixing member 261 are disposed in the groove portion 241 of the lower block 201. In addition, since the solvent passes through the filter 260 at a predetermined flow rate, if the fixing is loose, the filter 260 may move, for example, vibrate. In such a case, foreign matter may be generated by the movement of the filter 260. Therefore, the filter 260 needs to be appropriately fixed by the fixing member 261.

フィルタ260には、例えば数十μmの径の孔が複数形成され、厚みが数十μmのメッシュプレートが用いられる。フィルタ260における孔の径は、予想される異物の径に応じて任意に設定できる。フィルタ260は、流通路245の流入口242を覆うように配設される。   For the filter 260, for example, a mesh plate having a plurality of holes with a diameter of several tens of μm and a thickness of several tens of μm is used. The diameter of the hole in the filter 260 can be arbitrarily set according to the expected diameter of the foreign matter. The filter 260 is disposed so as to cover the inlet 242 of the flow passage 245.

固定部材261は、フィルタ260を下面で固定する樹脂製の本体部262を有している。本体部262の中央部には、溶剤を流通させるための貫通孔263が形成されている。また、固定部材261は、本体部262の上面から突起する樹脂製の突起部264を有している。突起部264は、貫通孔263の周囲に2つ設けられている。突起部264の先端部264aは半球形状を有している。なお、先端部264aは概ね半球形状であればよく、要は丸まっていればよい。   The fixing member 261 has a resin main body 262 that fixes the filter 260 on the lower surface. A through hole 263 for allowing the solvent to flow is formed in the center of the main body 262. In addition, the fixing member 261 has a resin protrusion 264 that protrudes from the upper surface of the main body 262. Two protrusions 264 are provided around the through hole 263. The tip 264a of the protrusion 264 has a hemispherical shape. In addition, the front-end | tip part 264a should just be substantially hemispherical shape, and the point should just be rounded.

そして、突起部264が上部空間210(流通空間202)の天井面211に当接して、固定部材261は出張部240との間でフィルタ260を鉛直方向に固定される。このとき、突起部264と天井面211の接触面積が小さいため、異物の発生を抑制することができる。また、突起部264の先端部が平坦で角張っていれば、天井面211と接触する際に当該先端部が削られて異物が発生するおそれがあるが、本実施の形態の先端部264aは丸まっているので、かかる異物の発生を抑制することができる。しかも、天井面211が中央部から外周部に向けて鉛直下方に傾斜しているので、突起部264は天井面211の傾斜に倣い、突起部264が座屈するのを抑制することができる。そして、突起部264の挙動が安定して、固定部材261によってフィルタ260を確実に固定することができる。   And the projection part 264 contact | abuts to the ceiling surface 211 of the upper space 210 (circulation space 202), and the fixing member 261 fixes the filter 260 to a perpendicular direction between the business trip parts 240. FIG. At this time, since the contact area between the protrusion 264 and the ceiling surface 211 is small, the generation of foreign matter can be suppressed. Further, if the tip portion of the protrusion 264 is flat and square, the tip portion 264a of the present embodiment may be rounded although the tip portion may be scraped off when contacting the ceiling surface 211. Therefore, generation | occurrence | production of this foreign material can be suppressed. In addition, since the ceiling surface 211 is inclined vertically downward from the central portion toward the outer peripheral portion, the protruding portion 264 can follow the inclination of the ceiling surface 211, and the protruding portion 264 can be prevented from buckling. Then, the behavior of the protrusion 264 is stabilized, and the filter 260 can be reliably fixed by the fixing member 261.

なお、固定部材261は、図8に示す本体部262の外側面262aと出張部240の溝部241の内側面241aとの間に隙間を設けて、溝部241に配設される。このため、固定部材261と出張部240が摺動することによって異物が発生することはない。   The fixing member 261 is disposed in the groove portion 241 with a gap provided between the outer side surface 262a of the main body portion 262 and the inner side surface 241a of the groove portion 241 of the business trip portion 240 shown in FIG. For this reason, a foreign material does not generate | occur | produce when the fixing member 261 and the business trip part 240 slide.

次に、上述した異物捕集空間231の構成について説明する。異物捕集空間231は、流通空間202を流れる溶剤中の異物を沈降させるための空間であり、先ず、溶剤ノズル132内の溶剤の流れについて説明する。図9に示すように溶剤供給管135から流通空間202に供給された溶剤は、異物捕集空間231を経て上昇した後、固定部材261の貫通孔263、フィルタ260、流入口242、流通路245を順次通過して、吐出口244から吐出される(図9中の点線矢印が溶剤の流通経路)。   Next, the structure of the foreign material collection space 231 described above will be described. The foreign matter collection space 231 is a space for allowing foreign matter in the solvent flowing through the circulation space 202 to settle. First, the flow of the solvent in the solvent nozzle 132 will be described. As shown in FIG. 9, the solvent supplied from the solvent supply pipe 135 to the circulation space 202 rises through the foreign substance collection space 231, and then passes through the through hole 263, the filter 260, the inlet 242, and the passage 245 of the fixing member 261. Are sequentially discharged and discharged from the discharge port 244 (a dotted line arrow in FIG. 9 is a distribution route of the solvent).

異物捕集空間231は、異物捕集空間231における異物の沈降速度が、流通空間202における溶剤の流通速度よりも大きくなるように形成される。このように異物の沈降速度を溶剤の流通速度より大きくするためのパラメータとしては、異物捕集空間231から溶剤が流出する際の異物捕集空間231の流出面積Aがある。本実施の形態では、流出面積Aは平面視における異物捕集空間231の面積と換言できる。そして、流出面積Aを調節することで、異物の沈降速度を溶剤の流通速度よりも大きくする。具体的には、流出面積Aが大きいと、異物捕集空間231から流出する溶剤の流通速度が小さくなるため、異物捕集空間231において異物を沈降させやすくなる。   The foreign matter collection space 231 is formed such that the sedimentation rate of foreign matter in the foreign matter collection space 231 is larger than the circulation rate of the solvent in the circulation space 202. Thus, as a parameter for making the sedimentation rate of the foreign material larger than the circulation rate of the solvent, there is an outflow area A of the foreign material collection space 231 when the solvent flows out from the foreign material collection space 231. In the present embodiment, the outflow area A can be restated as the area of the foreign matter collection space 231 in plan view. Then, by adjusting the outflow area A, the sedimentation rate of the foreign matter is made larger than the circulation rate of the solvent. Specifically, when the outflow area A is large, the flow rate of the solvent flowing out from the foreign matter collection space 231 is reduced, and thus foreign matters are easily settled in the foreign matter collection space 231.

また、異物の沈降速度を溶剤の流通速度より大きくするためのパラメータとしては、異物捕集空間231の深さDがある。例えば異物捕集空間231の深さDが小さいと、溶剤供給管135から流通空間202に供給された溶剤は、下部ブロック201の底面(異物捕集空間231の底面)に衝突する場合がある。かかる場合、異物捕集空間231内での溶剤の流れが乱され、異物を適切に沈降させることができない。そこで、異物捕集空間231内の溶剤の流れを乱さずに異物の沈降速度を溶剤の流通速度より大きくするため、異物捕集空間231の深さDを確保する必要がある。   Moreover, as a parameter for making the sedimentation rate of the foreign material larger than the circulation rate of the solvent, there is a depth D of the foreign material collection space 231. For example, if the depth D of the foreign material collection space 231 is small, the solvent supplied from the solvent supply pipe 135 to the circulation space 202 may collide with the bottom surface of the lower block 201 (the bottom surface of the foreign material collection space 231). In such a case, the flow of the solvent in the foreign matter collection space 231 is disturbed, and the foreign matter cannot be appropriately settled. Therefore, it is necessary to ensure the depth D of the foreign matter collection space 231 in order to make the foreign matter settling speed larger than the circulation speed of the solvent without disturbing the flow of the solvent in the foreign matter collection space 231.

さらに、異物の沈降速度を溶剤の流通速度より大きくするためには、複数の溶剤供給口213から流通空間202に溶剤を供給することも有効である。かかる場合、流通空間202に溶剤を分散して供給することで、流通空間202内の溶剤の流通速度を小さくできる。そうすると、異物捕集空間231において、異物を沈降させやすくなる。   Further, in order to make the sedimentation rate of the foreign matter larger than the circulation rate of the solvent, it is also effective to supply the solvent from the plurality of solvent supply ports 213 to the circulation space 202. In such a case, by distributing and supplying the solvent to the distribution space 202, the distribution speed of the solvent in the distribution space 202 can be reduced. If it does so, it will become easy to settle a foreign material in the foreign material collection space 231.

そして、例えばシミュレーションを行ったり、或いは実験を行ったりすることにより、異物捕集空間231の形状が最適化される。換言すれば、異物捕集空間231から流出する溶剤の流れを乱さず、異物の沈降速度を溶剤の流通速度より大きくするという条件を満たせば、異物捕集空間231の形状、溶剤供給口213の数や配置、形状(溶剤供給管135の数や配置、形状)は任意に設計できるのである。   And the shape of the foreign material collection space 231 is optimized by performing a simulation or conducting an experiment, for example. In other words, the shape of the foreign matter collection space 231, the shape of the solvent supply port 213 and the solvent supply port 213 are satisfied as long as the condition that the sedimentation rate of the foreign matter is made larger than the flow rate of the solvent without disturbing the flow of the solvent flowing out from the foreign matter collection space 231. The number, arrangement, and shape (number, arrangement, and shape of the solvent supply pipe 135) can be arbitrarily designed.

すなわち、異物捕集空間231の形状は本実施の形態に限定されない。また、溶剤供給口213の数(溶剤供給管135の数)も本実施の形態に限定されず、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。さらに、溶剤供給口213は流通空間202の上面に形成されていたが、これに限定されず、例えば溶剤供給口213は流通空間202の側面に形成され、流通空間202の側方から溶剤を供給するようにしてもよい。また、溶剤供給口213の径を溶剤供給管135の径よりも大きくし、流通空間202に供給される溶剤の速度を小さくしてもよい。   That is, the shape of the foreign material collection space 231 is not limited to the present embodiment. Further, the number of solvent supply ports 213 (the number of solvent supply pipes 135) is not limited to the present embodiment, and may be one or three or more. Further, the solvent supply port 213 is formed on the upper surface of the circulation space 202, but the present invention is not limited to this. For example, the solvent supply port 213 is formed on the side surface of the circulation space 202 and supplies the solvent from the side of the circulation space 202. You may make it do. Further, the diameter of the solvent supply port 213 may be made larger than the diameter of the solvent supply pipe 135, and the speed of the solvent supplied to the circulation space 202 may be reduced.

なお、発明者らが、本実施の形態の溶剤ノズル132を用いてシミュレーションを行ったところ、異物捕集空間231において80μm以上の径の異物を除去することができた。   In addition, when the inventors performed a simulation using the solvent nozzle 132 of the present embodiment, it was possible to remove foreign matters having a diameter of 80 μm or more in the foreign matter collection space 231.

次に、以上のように構成された接合システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理方法について説明する。   Next, a method for joining the processing target wafer W and the supporting wafer S performed using the joining system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数枚の被処理ウェハWを収容したカセットC、複数枚の支持ウェハSを収容したカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウェハ搬送装置22によりカセットC内の被処理ウェハWが取り出され、処理ステーション3の第3の処理ブロックG3のトランジション装置50に搬送される。このとき、被処理ウェハWは、その非接合面Wが下方を向いた状態で搬送される。 First, a cassette C W housing a plurality of the processed the wafer W, the cassette C S accommodating a plurality of support wafer S, and an empty cassette C T is a predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2 Placed. Thereafter, the wafer W to be processed in the cassette CW is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the transition device 50 of the third processing block G3 of the processing station 3. At this time, the wafer W to be processed is transported with its non-bonding surface W N facing downward.

次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって塗布処理装置40に搬送される。塗布処理装置40に搬入された被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61からスピンチャック110に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持される。 Next, the processing target wafer W is transferred to the coating processing apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 61. The wafer W to be processed loaded into the coating processing apparatus 40 is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the spin chuck 110 and is sucked and held. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction.

続いて、アーム121によって待機部124の接着剤ノズル122を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック110によって被処理ウェハWを回転させながら、接着剤ノズル122から被処理ウェハWの接合面Wに接着剤Gを供給する。供給された接着剤Gは遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wに接着剤Gが塗布される。 Subsequently, the arm 121 moves the adhesive nozzle 122 of the standby unit 124 to above the center of the wafer W to be processed. Thereafter, while rotating the wafer W by the spin chuck 110, and supplies the adhesive G from the adhesive nozzles 122 on the bonding surface W J of wafer W. Supplied adhesive G is diffused into the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the adhesive G is applied to the bonding surface W J of the wafer W.

その後、接着剤ノズル122を待機部124に移動させると共に、アーム131によって待機部134の溶剤ノズル132を被処理ウェハWの外周部上方まで移動させる。このとき、図10に示すように溶剤ノズル132は、被処理ウェハWの外側面Wから所定の距離L、例えば5mm〜7.5mmの位置に配置される。この距離Lは、制御部70によって、例えば接着剤Gの種類、被処理ウェハW上に塗布される接着剤Gの目標膜厚、被処理ウェハWを加熱する熱処理温度、又は被処理ウェハWと支持基板とを押圧する圧力に基づいて決定される。 Thereafter, the adhesive nozzle 122 is moved to the standby part 124, and the solvent nozzle 132 of the standby part 134 is moved above the outer peripheral part of the wafer W to be processed by the arm 131. At this time, the solvent nozzle 132 as shown in FIG. 10, the outer surface W S a predetermined distance from L to be processed the wafer W, are arranged, for example, the position of 5Mm~7.5Mm. The distance L is determined by the control unit 70, for example, the type of the adhesive G, the target film thickness of the adhesive G applied to the wafer W to be processed, the heat treatment temperature for heating the wafer W to be processed, or the wafer W to be processed. It is determined based on the pressure for pressing the support substrate.

その後、スピンチャック110によって被処理ウェハWを回転させながら、溶剤ノズル132から被処理ウェハWの外周部Wに接着剤Gの溶剤を供給する。供給された接着剤Gの溶剤は、遠心力により被処理ウェハWの外周部W上を外側面Wに向かって流れる。この接着剤Gによって被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gが除去される。 Thereafter, while rotating the wafer W by the spin chuck 110, and supplies the solvent adhesive G from the solvent nozzle 132 to the outer peripheral portion W E of the wafer W. Solvent supplied adhesive G flows over the outer peripheral portion W E of the wafer W toward the outer surface W S by centrifugal force. Adhesive G on the outer peripheral portion W E of the wafer W is removed by the adhesive G.

このとき、図9に示したように溶剤ノズル132では、溶剤供給管135から流通空間202に溶剤が供給され、異物捕集空間231において当該溶剤中の異物が沈降して捕集される。さらに、流通空間202から流通路245に溶剤が流入する際、フィルタ260によって当該溶剤中の異物が捕集される。そして、異物が除去された溶剤は、吐出口244から吐出される。かかる場合、溶剤中の異物は異物捕集空間231とフィルタ260によって2段階で捕集されるので、当該異物を確実に除去することができる。このため、溶剤ノズル132の詰まりを抑制することができる。   At this time, as shown in FIG. 9, in the solvent nozzle 132, the solvent is supplied from the solvent supply pipe 135 to the circulation space 202, and the foreign matter in the solvent settles and is collected in the foreign matter collection space 231. Furthermore, when the solvent flows into the flow passage 245 from the circulation space 202, the filter 260 collects foreign matters in the solvent. Then, the solvent from which the foreign matter has been removed is discharged from the discharge port 244. In such a case, the foreign matter in the solvent is collected in two stages by the foreign matter collection space 231 and the filter 260, so that the foreign matter can be reliably removed. For this reason, clogging of the solvent nozzle 132 can be suppressed.

次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置41に搬送される。熱処理装置41では、先ず、加熱部によって被処理ウェハWは所定の温度、例えば100℃〜300℃に加熱される。かかる加熱を行うことで被処理ウェハW上の接着剤Gが加熱され、当該接着剤Gが硬化する。その後、温度調節部によって、被処理ウェハWは、被処理ウェハWは所定の温度に温度調節される。   Next, the wafer W to be processed is transferred to the heat treatment apparatus 41 by the wafer transfer apparatus 61. In the heat treatment apparatus 41, first, the processing target wafer W is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 300 ° C. by the heating unit. By performing such heating, the adhesive G on the processing target wafer W is heated and the adhesive G is cured. Thereafter, the temperature of the wafer to be processed W is adjusted to a predetermined temperature by the temperature adjusting unit.

次に被処理ウェハWは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。接合装置30では、接合部において、被処理ウェハWの接合面Wが上方を向いた状態、すなわち接着剤Gが上方を向いた状態で被処理ウェハWが第1の保持部に保持される。 Next, the wafer W to be processed is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer device 61. In the bonding apparatus 30, at the junction, a state where the bonding surface W J of wafer W is facing upward, i.e. wafer W in a state where the adhesive G is facing upward is held in the first holding portion .

被処理ウェハWに対して、上述した塗布処理装置40における処理、熱処理装置41における処理、接合装置30における処理が行われている間、当該被処理ウェハWに続いて支持ウェハSの処理が行われる。支持ウェハSは、ウェハ搬送装置61によって接合装置30に搬送される。接合装置30では、反転部によって支持ウェハSは、その表裏面が反転される。すなわち、支持ウェハSの接合面Sが下方に向けられる。その後、接合部において、支持ウェハSの接合面Sが下方を向いた状態で支持ウェハSが第2の保持部に保持される。 While the processing in the coating processing apparatus 40, the processing in the heat treatment apparatus 41, and the processing in the bonding apparatus 30 are performed on the processing target wafer W, the supporting wafer S is processed following the processing target wafer W. Is called. The support wafer S is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer device 61. In the bonding apparatus 30, the front and back surfaces of the support wafer S are reversed by the reversing unit. That is, the bonding surface S J of the support wafer S is directed downward. Thereafter, the joint support wafer S is held in the second holding portion in a state where the bonding surface S J is directed downward of the support wafer S.

接合装置30において、被処理ウェハWと支持ウェハSがそれぞれ第1の保持部と第2の保持部に保持されると、被処理ウェハWと支持ウェハSの水平方向の位置と鉛直方向の位置を調節した後、被処理ウェハWの接合面Wと支持ウェハSの接合面Sを当接させて、被処理ウェハWと支持ウェハSを接着剤Gにより接着させる。さらに被処理ウェハWと支持ウェハSを所定の温度、例えば200℃で加熱しながら押圧し、被処理ウェハWと支持ウェハSがより強固に接着され、接合される。 In the bonding apparatus 30, when the processing target wafer W and the supporting wafer S are respectively held by the first holding unit and the second holding unit, the horizontal position and the vertical position of the processing target wafer W and the supporting wafer S are obtained. after adjusting the, it is abutted against the joint surface S J of the joint surface W J and support wafer S to be processed the wafer W, is adhered by the adhesive G for supporting wafer S and the object wafer W. Further, the wafer to be processed W and the support wafer S are pressed while being heated at a predetermined temperature, for example, 200 ° C., so that the wafer to be processed W and the support wafer S are more firmly bonded and bonded.

次に被処理ウェハWと支持ウェハSが接合された重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によって熱処理装置42に搬送される。そして、熱処理装置42において、重合ウェハTは所定の温度、例えば常温(23℃)に温度調節される。その後、重合ウェハTは、ウェハ搬送装置61によってトランジション装置51に搬送され、その後搬入出ステーション2のウェハ搬送装置22によって所定のカセット載置板11のカセットCに搬送される。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理が終了する。 Next, the superposed wafer T in which the wafer W to be processed and the support wafer S are bonded is transferred to the heat treatment apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 61. In the heat treatment apparatus 42, the temperature of the superposed wafer T is adjusted to a predetermined temperature, for example, normal temperature (23 ° C.). Thereafter, bonded wafer T is transferred to the transition unit 51 by the wafer transfer apparatus 61, as by the wafer transfer apparatus 22 of the subsequent unloading station 2 is transported to the cassette C T of predetermined cassette mounting plate 11. In this way, a series of bonding processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態によれば、溶剤ノズル132の内部に異物捕集空間231とフィルタ260が設けられているので、溶剤ノズル132から被処理ウェハWに溶剤を供給する直前に溶剤中の異物を除去することができる。すなわち、異物の発生源によらず、異物を除去することができる。しかも、このように異物捕集空間231とフィルタ260によって2段階で異物が捕集されるので、当該異物を確実に除去することができる。したがって、本実施の形態のように吐出口244の径が小さい場合でも、溶剤ノズル132の詰まりを抑制することができ、溶剤ノズル132から被処理ウェハWに溶剤を適切に供給することができる。さらに、異物を含まない溶剤を被処理ウェハWに供給できるので、被処理ウェハWの外周部W上の接着剤Gを適切に除去することができる。 According to the above embodiment, since the foreign matter collection space 231 and the filter 260 are provided inside the solvent nozzle 132, the foreign matter in the solvent is removed immediately before the solvent is supplied from the solvent nozzle 132 to the wafer W to be processed. Can be removed. That is, the foreign matter can be removed regardless of the source of the foreign matter. In addition, since the foreign matter is collected in two stages by the foreign matter collecting space 231 and the filter 260 in this way, the foreign matter can be reliably removed. Therefore, even when the diameter of the discharge port 244 is small as in the present embodiment, clogging of the solvent nozzle 132 can be suppressed, and the solvent can be appropriately supplied from the solvent nozzle 132 to the wafer W to be processed. Furthermore, since a solvent that does not contain the foreign matter can be supplied to be processed the wafer W, it is possible to appropriately remove the adhesive G on the outer peripheral portion W E of the processing target wafer W.

また、フィルタ260の固定部材261は、その突起部264が流通空間202の天井面211に当接することで、フィルタ260を固定する。そして、突起部264の先端部264aは半球形状を有しているので、天井面211と接触することによって先端部264aが削られることがない。したがって、フィルタ260を固定するにあたり、突起部264が天井面211に小さい接触面積で当接し、しかもこの当接によって先端部264aが削られることがないので、異物の発生を抑制することができる。したがって、溶剤ノズル132の詰まりをより確実に抑制することができる。   Further, the fixing member 261 of the filter 260 fixes the filter 260 by the protrusion 264 coming into contact with the ceiling surface 211 of the circulation space 202. And since the front-end | tip part 264a of the projection part 264 has hemispherical shape, the front-end | tip part 264a is not scraped by contacting with the ceiling surface 211. FIG. Therefore, when fixing the filter 260, the protrusion 264 contacts the ceiling surface 211 with a small contact area, and the tip 264a is not scraped by the contact, so that the generation of foreign matter can be suppressed. Therefore, clogging of the solvent nozzle 132 can be more reliably suppressed.

さらに、流通空間202の天井面211は、中央部から外周部に向けて鉛直下方に傾斜しているので、固定部材261の突起部264は天井面211の傾斜に倣い、突起部264が座屈するのを抑制することができる。したがって、固定部材261によってフィルタ260を適切に固定することができる。   Furthermore, since the ceiling surface 211 of the circulation space 202 is inclined vertically downward from the central portion toward the outer peripheral portion, the protruding portion 264 of the fixing member 261 follows the inclination of the ceiling surface 211 and the protruding portion 264 is buckled. Can be suppressed. Therefore, the filter 260 can be appropriately fixed by the fixing member 261.

また、異物捕集空間231は、その流出面積Aや深さDを調節することで、異物捕集空間231における異物の沈降速度が、流通空間202における溶剤の流通速度よりも大きくなるように形成される。しかも、溶剤供給管135を複数設けることによって、流通空間202に溶剤が分散して供給され、流通空間202内の溶剤の流通速度を小さくできる。したがって、異物捕集空間231において異物を適切に沈降させて捕集することができる。   Further, the foreign matter collection space 231 is formed so that the sedimentation rate of the foreign matter in the foreign matter collection space 231 is larger than the circulation rate of the solvent in the circulation space 202 by adjusting the outflow area A and the depth D thereof. Is done. Moreover, by providing a plurality of solvent supply pipes 135, the solvent is dispersedly supplied to the circulation space 202, and the circulation speed of the solvent in the circulation space 202 can be reduced. Therefore, the foreign matter can be appropriately settled and collected in the foreign matter collecting space 231.

以上の実施の形態の溶剤ノズル132において、フィルタ260を固定する固定部材261の構成は本実施の形態に限定されない。例えば磁石(マグネット)を用いてフィルタ260を固定してもよい。このような磁石を用いた実施の形態について、以下、図11〜図14を用いて説明する。   In the solvent nozzle 132 of the above embodiment, the structure of the fixing member 261 that fixes the filter 260 is not limited to this embodiment. For example, the filter 260 may be fixed using a magnet. Hereinafter, an embodiment using such a magnet will be described with reference to FIGS.

図11に示すように溶剤ノズル132は、上記実施の形態の固定部材261に代えて、固定部材300を有している。固定部材300は磁性体、例えば金属からなる。また、固定部材300の中央部には、溶剤を流通させるための貫通孔301が形成されている。   As shown in FIG. 11, the solvent nozzle 132 has a fixing member 300 instead of the fixing member 261 of the above embodiment. The fixing member 300 is made of a magnetic material such as metal. In addition, a through hole 301 for allowing the solvent to flow is formed in the central portion of the fixing member 300.

下部ブロック201の出張部240には、流通路245の外側において孔310が例えば2箇所に形成れている。各孔310の内部に、支持部材311に支持された磁石312が嵌め込まれる。なお、溶剤ノズル132のその他の構成は、上記実施の形態の溶剤ノズル132の構成と同様であるので説明を省略する。   In the business trip part 240 of the lower block 201, holes 310 are formed, for example, at two locations outside the flow passage 245. A magnet 312 supported by the support member 311 is fitted into each hole 310. The other configuration of the solvent nozzle 132 is the same as the configuration of the solvent nozzle 132 of the above embodiment, and thus the description thereof is omitted.

かかる場合、固定部材300とフィルタ260が出張部240の溝部241に配設された状態で、固定部材300が磁石312に引き寄せられて、フィルタ260が固定部材300によって固定される。すなわち、固定部材300は流通空間202の天井面211などに接触することがなく、非接触の状態でフィルタ260を固定する。したがって、フィルタ260を固定する際の異物の発生をより確実に抑制することができる。   In such a case, the fixing member 300 is attracted to the magnet 312 in a state where the fixing member 300 and the filter 260 are disposed in the groove portion 241 of the business trip part 240, and the filter 260 is fixed by the fixing member 300. That is, the fixing member 300 does not contact the ceiling surface 211 of the circulation space 202 and fixes the filter 260 in a non-contact state. Therefore, the generation of foreign matters when the filter 260 is fixed can be more reliably suppressed.

また、磁石312を取り外せば、固定部材300とフィルタ260を容易に取り外すことができ、溶剤ノズル132のメンテナンスを容易に行うこともできる。   Moreover, if the magnet 312 is removed, the fixing member 300 and the filter 260 can be easily removed, and maintenance of the solvent nozzle 132 can be easily performed.

図12及び図13に示すように溶剤ノズル132は、上記実施の形態の出張部240とノズル部243に代えて、保持部320とノズル部321を有している。保持部320には、フィルタ260と固定部材300が配設される溝部322が形成されている。なお、固定部材300は、図11に示した例と同様に磁性体からなる。また、図12及び図13の例では、フィルタ260と固定部材300は平面視において略円形状を有しているが、平面形状はこれに限定されず、上記実施の形態と同様に略矩形状であってもよい。   As shown in FIGS. 12 and 13, the solvent nozzle 132 has a holding part 320 and a nozzle part 321 instead of the business trip part 240 and the nozzle part 243 of the above embodiment. The holding part 320 is formed with a groove part 322 in which the filter 260 and the fixing member 300 are disposed. The fixing member 300 is made of a magnetic material as in the example shown in FIG. In the example of FIGS. 12 and 13, the filter 260 and the fixing member 300 have a substantially circular shape in plan view, but the planar shape is not limited to this, and is substantially rectangular as in the above embodiment. It may be.

ノズル部321は、保持部320から鉛直下方に延伸している。ノズル部321の内部には、上記実施の形態と同様の溶剤の流通路245が形成されている。この流通路245の上端(溝部322の底面)には流入口242が形成され、流通路245の下端には吐出口244が形成されている。   The nozzle part 321 extends vertically downward from the holding part 320. Inside the nozzle portion 321, a solvent flow passage 245 similar to that of the above embodiment is formed. An inflow port 242 is formed at the upper end of the flow passage 245 (the bottom surface of the groove 322), and a discharge port 244 is formed at the lower end of the flow passage 245.

ノズル部321の外側には、支持部材330に支持された磁石331が設けられている。支持部材330の中央部には貫通孔332が形成され、貫通孔332にノズル部321が嵌め込まれるようになっている。なお、溶剤ノズル132のその他の構成は、上記実施の形態の溶剤ノズル132の構成と同様であるので説明を省略する。   A magnet 331 supported by the support member 330 is provided outside the nozzle portion 321. A through hole 332 is formed in the central portion of the support member 330, and the nozzle portion 321 is fitted into the through hole 332. The other configuration of the solvent nozzle 132 is the same as the configuration of the solvent nozzle 132 of the above embodiment, and thus the description thereof is omitted.

かかる場合、固定部材300とフィルタ260が保持部320の溝部322に配設された状態で、固定部材300が磁石331に引き寄せられて、フィルタ260が固定部材300によって固定される。すなわち、固定部材300は非接触の状態でフィルタ260を固定する。したがって、フィルタ260を固定する際の異物の発生をより確実に抑制することができる。   In such a case, the fixing member 300 is attracted to the magnet 331 in a state where the fixing member 300 and the filter 260 are disposed in the groove portion 322 of the holding portion 320, and the filter 260 is fixed by the fixing member 300. That is, the fixing member 300 fixes the filter 260 in a non-contact state. Therefore, the generation of foreign matters when the filter 260 is fixed can be more reliably suppressed.

また、磁石331は支持部材330に埋め込まれており、構造が単純である。このため、溶剤ノズル132の製造が容易で、しかも品質も安定する。   Further, the magnet 331 is embedded in the support member 330, and the structure is simple. For this reason, manufacture of the solvent nozzle 132 is easy, and also quality is stabilized.

上記実施の形態ではフィルタ260は流通路245の上部に設けられていたが、図14に示すようにフィルタ260は流通路245の内部に設けられるようにしてもよい。溶剤ノズル132は、上記実施の形態のノズル部321に代えて、ノズル部340を有している。ノズル部340の内部には溶剤の流通路245が形成され、ノズル部340は流通路245を囲う磁石341を有している。また、フィルタ260と磁性体からなる固定部材300は一体に構成されて、流通路245の内部に配設される。なお、溶剤ノズル132のその他の構成は、上記実施の形態の溶剤ノズル132の構成と同様であるので説明を省略する。   In the above embodiment, the filter 260 is provided in the upper part of the flow passage 245. However, the filter 260 may be provided in the flow passage 245 as shown in FIG. The solvent nozzle 132 has a nozzle portion 340 instead of the nozzle portion 321 of the above embodiment. A solvent flow passage 245 is formed inside the nozzle portion 340, and the nozzle portion 340 includes a magnet 341 that surrounds the flow passage 245. In addition, the filter 260 and the fixing member 300 made of a magnetic material are integrally formed and disposed inside the flow passage 245. The other configuration of the solvent nozzle 132 is the same as the configuration of the solvent nozzle 132 of the above embodiment, and thus the description thereof is omitted.

かかる場合、固定部材300とフィルタ260が流通路245の内部に配設された状態で、固定部材300が磁石341に引き寄せられて、フィルタ260が固定される。すなわち、固定部材300は流通路245の側面と接触せず、非接触の状態でフィルタ260を固定する。したがって、フィルタ260を固定する際の異物の発生をより確実に抑制することができる。   In such a case, in a state where the fixing member 300 and the filter 260 are disposed inside the flow passage 245, the fixing member 300 is attracted to the magnet 341, and the filter 260 is fixed. That is, the fixing member 300 does not contact the side surface of the flow passage 245 and fixes the filter 260 in a non-contact state. Therefore, the generation of foreign matters when the filter 260 is fixed can be more reliably suppressed.

以上の実施の形態の溶剤ノズル132は、その内部に異物捕集空間231が設けられていたが、当該異物捕集空間231を省略してもよい。すなわち、溶剤中の異物の除去をフィルタ260のみによって行ってもよい。   Although the solvent nozzle 132 of the above embodiment is provided with the foreign substance collection space 231 therein, the foreign substance collection space 231 may be omitted. That is, the foreign matter in the solvent may be removed only by the filter 260.

図15に示すように溶剤ノズル132の流通空間202は、異物捕集空間231が省略され、固定部材261の直上のみに形成される。また、流通空間202に溶剤を供給する溶剤供給口213は、流通空間202の天井面211の中央部に1箇所に形成される。これに伴い、上部ブロック200に接続される溶剤供給管135も1つとなる。なお、溶剤ノズル132のその他の構成は、上記実施の形態の溶剤ノズル132の構成と同様であるので説明を省略する。   As shown in FIG. 15, the flow space 202 of the solvent nozzle 132 is formed only directly above the fixing member 261 without the foreign matter collection space 231. Further, the solvent supply port 213 for supplying the solvent to the circulation space 202 is formed at one place in the center of the ceiling surface 211 of the circulation space 202. Accordingly, the solvent supply pipe 135 connected to the upper block 200 is also one. The other configuration of the solvent nozzle 132 is the same as the configuration of the solvent nozzle 132 of the above embodiment, and thus the description thereof is omitted.

かかる場合、溶剤供給管135から流通空間202に供給された溶剤は、流通空間202、固定部材261の貫通孔263、フィルタ260、流入口242、流通路245を順次通過して、吐出口244から吐出される。そして、溶剤がフィルタ260を通過する際、当該溶剤中の異物が捕集されて除去される。したがって、溶剤ノズル132の詰まりを抑制することができ、溶剤ノズル132から被処理ウェハWに溶剤を適切に供給することができる。   In this case, the solvent supplied from the solvent supply pipe 135 to the circulation space 202 sequentially passes through the circulation space 202, the through hole 263 of the fixing member 261, the filter 260, the inflow port 242, and the flow passage 245, and then from the discharge port 244. Discharged. And when a solvent passes the filter 260, the foreign material in the said solvent is collected and removed. Therefore, clogging of the solvent nozzle 132 can be suppressed, and the solvent can be appropriately supplied from the solvent nozzle 132 to the wafer W to be processed.

ここで、上記実施の形態のように溶剤ノズル132に異物捕集空間231を形成した場合、異物捕集空間231とフィルタ260の2段階で異物を捕集できるので、異物の除去能力が向上する。これに対して、本実施の形態のように溶剤ノズル132に異物捕集空間231を形成しない場合、フィルタ260のみで異物を除去することになるが、異物捕集空間231の構造を単純化できるので、溶剤ノズル132の製造が容易で、しかも品質も安定する。したがって、異物捕集空間231の有無は、要求される異物の除去能力に応じて選択すればよい。   Here, when the foreign substance collection space 231 is formed in the solvent nozzle 132 as in the above embodiment, the foreign substance can be collected in two stages of the foreign substance collection space 231 and the filter 260, so that the foreign substance removal capability is improved. . On the other hand, when the foreign matter collection space 231 is not formed in the solvent nozzle 132 as in the present embodiment, the foreign matter is removed only by the filter 260, but the structure of the foreign matter collection space 231 can be simplified. Therefore, the production of the solvent nozzle 132 is easy and the quality is stable. Therefore, the presence / absence of the foreign matter collection space 231 may be selected according to the required foreign matter removal capability.

なお、図15に示した例においても、固定部材261に代えて、図11〜図14に示したように磁石を用いてフィルタ260を固定してもよい。   In the example shown in FIG. 15, instead of the fixing member 261, the filter 260 may be fixed using a magnet as shown in FIGS. 11 to 14.

以上の実施の形態では、被処理ウェハWを下側に配置し、且つ支持ウェハSを上側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを接合していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、支持ウェハSの接合面Sに接着剤Gを塗布し、また被処理ウェハWの表裏面を反転させる。そして、支持ウェハSと被処理ウェハWを接合する。但し、被処理ウェハW上の電子回路等を保護する観点から、被処理ウェハW上に接着剤Gを塗布するのが好ましい。 In the above-described embodiment, the wafer to be processed W and the support wafer S are bonded in a state where the wafer to be processed W is disposed on the lower side and the support wafer S is disposed on the upper side. The support wafer S may be disposed upside down. In such a case, the adhesive G is applied to the bonding surface S J of the support wafer S, also reversing the front and rear surfaces of the processing target wafer W. And the support wafer S and the to-be-processed wafer W are joined. However, from the viewpoint of protecting the electronic circuit and the like on the processing target wafer W, it is preferable to apply the adhesive G on the processing target wafer W.

また、以上の実施の形態では、塗布処理装置40において被処理ウェハWと支持ウェハSのいずれか一方に接着剤Gを塗布していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの両方に接着剤Gを塗布してもよい。   Further, in the above embodiment, the adhesive G is applied to either the processing target wafer W or the support wafer S in the coating processing apparatus 40, but the adhesive is applied to both the processing target wafer W and the support wafer S. G may be applied.

以上の実施の形態では、本発明の処理液ノズルとして、塗布処理装置40における溶剤ノズル132を用いた場合について説明したが、本発明の処理液ノズルは他の処理にも適用できる。例えばフォトリソグラフィー処理において、ウェハにレジスト液を塗布する際、ウェハの外周部をリンス液によって洗浄するEBRノズル(Edge Bead Removerノズル)にも本発明の処理液ノズルを適用できる。或いは、ウェハに他の塗布液を塗布するノズルにも本発明の処理液ノズルを適用できる。さらに、本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   Although the case where the solvent nozzle 132 in the coating processing apparatus 40 is used as the processing liquid nozzle of the present invention has been described in the above embodiment, the processing liquid nozzle of the present invention can be applied to other processes. For example, in the photolithography process, the processing liquid nozzle of the present invention can be applied to an EBR nozzle (Edge Bead Remover nozzle) that cleans the outer periphery of the wafer with a rinsing liquid when a resist liquid is applied to the wafer. Or the process liquid nozzle of this invention is applicable also to the nozzle which apply | coats another coating liquid to a wafer. Furthermore, the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

但し、上記実施の形態のように接着剤Gを介した被処理ウェハWと支持ウェハSの接合処理では、溶剤ノズル132によって被処理ウェハWの外周部上の接着剤Gを除去する際に要求される精度が極めて高い。したがって、溶剤ノズル132から被処理ウェハWに溶剤を適切に供給することは重要であり、処理液ノズルとして溶剤ノズル132を用いた場合に本発明は特に有用となる。   However, in the bonding process between the wafer W to be processed and the support wafer S via the adhesive G as in the above embodiment, it is required when the adhesive G on the outer peripheral portion of the wafer W to be processed is removed by the solvent nozzle 132. Accuracy is extremely high. Accordingly, it is important to appropriately supply the solvent from the solvent nozzle 132 to the wafer W to be processed, and the present invention is particularly useful when the solvent nozzle 132 is used as the processing liquid nozzle.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.

1 接合システム
40 塗布処理装置
110 スピンチャック
122 接着剤ノズル
132 溶剤ノズル
135 溶剤供給管
200 上部ブロック
201 下部ブロック
202 流通空間
210 上部空間
211 天井面
220 排気管
230 下部空間
231 異物捕集空間
242 流入口
244 吐出口
245 流通路
260 フィルタ
261 固定部材
262 本体部
264 突起部
300 固定部材
312、331、341 磁石
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Joining system 40 Coating processing apparatus 110 Spin chuck 122 Adhesive nozzle 132 Solvent nozzle 135 Solvent supply pipe 200 Upper block 201 Lower block 202 Distribution space 210 Upper space 211 Ceiling surface 220 Exhaust pipe 230 Lower space 231 Foreign matter collection space 242 Inlet 244 Discharge port 245 Flow path 260 Filter 261 Fixing member 262 Main body 264 Protrusion 300 Fixing member 312, 331, 341 Magnet G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (14)

基板に処理液を供給する処理液ノズルであって、
中空のノズル本体と、
前記ノズル本体の内部に形成された処理液の流通空間と、
前記ノズル本体の下部に形成された処理液の吐出口と前記流通空間とを接続し、当該ノズル本体を鉛直方向に貫通する処理液の流通路と、
前記流通路の上部に設けられ、処理液中の異物を捕集して除去するフィルタと、
前記ノズル本体との間で前記フィルタを鉛直方向に固定する固定部材と、を有し、
前記固定部材は、
前記フィルタを下面で固定する本体部と、
前記本体部の上面から突起し、前記流通空間の天井面に当接する突起部と、を有することを特徴とする、処理液ノズル。
A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to a substrate,
A hollow nozzle body;
A flow space for the treatment liquid formed inside the nozzle body,
A flow path for the processing liquid that connects the discharge port of the processing liquid formed in the lower part of the nozzle body and the circulation space, and penetrates the nozzle body in the vertical direction,
A filter provided at an upper portion of the flow path to collect and remove foreign substances in the processing liquid;
A fixing member that fixes the filter in the vertical direction between the nozzle body and
The fixing member is
A main body for fixing the filter on the lower surface;
A treatment liquid nozzle, comprising: a protrusion protruding from an upper surface of the main body and abutting against a ceiling surface of the circulation space.
前記流通空間の天井面は、中央部から外周部に向けて鉛直下方に傾斜していることを特徴とする、請求項1に記載の処理液ノズル。 The processing liquid nozzle according to claim 1, wherein a ceiling surface of the circulation space is inclined vertically downward from a central portion toward an outer peripheral portion. 前記突起部の先端部は半球形状を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の処理液ノズル。 The treatment liquid nozzle according to claim 1, wherein a tip of the protrusion has a hemispherical shape. 基板に処理液を供給する処理液ノズルであって、
中空のノズル本体と、
前記ノズル本体の内部に形成された処理液の流通空間と、
前記ノズル本体の下部に形成された処理液の吐出口と前記流通空間とを接続し、当該ノズル本体を鉛直方向に貫通する処理液の流通路と、
前記流通路に設けられ、処理液中の異物を捕集して除去するフィルタと、
前記ノズル本体との間で前記フィルタを鉛直方向に固定し、磁性体を備えた固定部材と、
前記フィルタを挟んで前記固定部材を引き寄せる磁石と、を有することを特徴とする、処理液ノズル。
A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to a substrate,
A hollow nozzle body;
A flow space for the treatment liquid formed inside the nozzle body,
A flow path for the processing liquid that connects the discharge port of the processing liquid formed in the lower part of the nozzle body and the circulation space, and penetrates the nozzle body in the vertical direction,
A filter that is provided in the flow path and collects and removes foreign substances in the processing liquid;
Fixing the filter in the vertical direction between the nozzle body and a fixing member provided with a magnetic body;
And a magnet for attracting the fixing member with the filter interposed therebetween.
前記磁石は、前記流通路の外側に配置されていることを特徴とする、請求項4に記載の処理液ノズル。 The processing liquid nozzle according to claim 4, wherein the magnet is disposed outside the flow passage. 前記フィルタと前記固定部材は、それぞれ前記流通路の上部に配置されていることを特徴とする、請求項4又は5に記載の処理液ノズル。 The processing liquid nozzle according to claim 4, wherein the filter and the fixing member are respectively disposed in an upper part of the flow passage. 前記フィルタと前記固定部材は、それぞれ前記流通路の内部に配置されていることを特徴とする、請求項4又は5に記載の処理液ノズル。 The processing liquid nozzle according to claim 4, wherein the filter and the fixing member are respectively disposed inside the flow passage. 前記流通空間は、前記流通路の上端より下方に形成され、処理液中の異物を沈降させて捕集するための異物捕集空間を有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の処理液ノズル。 The said circulation space is formed below the upper end of the said flow path, and has a foreign material collection space for sinking and collecting the foreign material in a process liquid, The one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. The treatment liquid nozzle according to one item. 前記異物捕集空間は、当該異物捕集空間における異物の沈降速度が、前記流通空間における処理液の流通速度よりも大きくなるように形成されることを特徴とする、請求項8に記載の処理液ノズル。 The processing according to claim 8, wherein the foreign matter collection space is formed such that a sedimentation rate of foreign matter in the foreign matter collection space is larger than a circulation rate of the treatment liquid in the circulation space. Liquid nozzle. 前記沈降速度が前記流通速度より大きくなるように、前記異物捕集空間における処理液の流出面積が決定されることを特徴とする、請求項9に記載の処理液ノズル。 The processing liquid nozzle according to claim 9, wherein an outflow area of the processing liquid in the foreign matter collection space is determined so that the settling speed is larger than the circulation speed. 前記沈降速度が前記流通速度より大きくなるように、前記異物捕集空間における深さが決定されることを特徴とする、請求項9又は10に記載の処理液ノズル。 11. The treatment liquid nozzle according to claim 9, wherein a depth in the foreign matter collecting space is determined so that the settling speed is larger than the circulation speed. 前記ノズル本体には、前記流通空間に処理液を供給する処理液供給管が複数設けられていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の処理液ノズル。 12. The processing liquid nozzle according to claim 1, wherein the nozzle body is provided with a plurality of processing liquid supply pipes for supplying a processing liquid to the circulation space. 前記ノズル本体には、前記流通空間内を排気する排気管が設けられていることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の処理液ノズル。 The treatment liquid nozzle according to claim 1, wherein an exhaust pipe for exhausting the inside of the circulation space is provided in the nozzle body. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の処理液ノズルを備え、基板同士を接合するための接着剤を一の基板の表面に塗布する塗布処理装置であって、
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された基板の中心部に接着剤を供給する接着剤ノズルと、を有し、
前記処理液ノズルから供給される処理液は接着剤の溶剤であって、
前記処理液ノズルは、前記接着剤ノズルによって接着剤が塗布された基板の外周部上に接着剤の溶剤を供給し、当該外周部上の接着剤を除去することを特徴とする、塗布処理装置。
A coating processing apparatus comprising the processing liquid nozzle according to any one of claims 1 to 13, and applying an adhesive for bonding substrates to the surface of one substrate,
A rotation holding unit for holding and rotating the substrate;
An adhesive nozzle that supplies an adhesive to the center of the substrate held by the rotation holding unit,
The treatment liquid supplied from the treatment liquid nozzle is an adhesive solvent,
The treatment liquid nozzle supplies an adhesive solvent onto the outer peripheral portion of the substrate to which the adhesive has been applied by the adhesive nozzle, and removes the adhesive on the outer peripheral portion. .
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