JP2015137889A - Testing method of control board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パワーデバイスの制御回路を構成する制御基板(プリント配線板)を装着したインテリジェントパワーモジュール(IPM)の製造工程における制御基板の機能(ファンクション)テストに関する。 The present invention relates to a function test of a control board in the manufacturing process of an intelligent power module (IPM) equipped with a control board (printed wiring board) constituting a control circuit of a power device.
制御基板の機能テストは低温、常温、高温でそれぞれ行われる(例えば、特許文献1参照)。例えば、まず温度1の−40℃で低温テストを行う。次に、結露防止のため余熱ステージ(25℃乾空環境下)にて既定時間経過するまで待機する。次に、25℃で常温テストを行う。最後に100℃で高温テストを行う。その後、制御基板温度を室温の25℃まで冷却するため、待機ステージ(室温中)にて既定時間経過するまで待機する。これらのテスト工程の後、次工程へ移行する。 The function test of the control board is performed at a low temperature, a normal temperature, and a high temperature, respectively (for example, see Patent Document 1). For example, a low temperature test is first performed at a temperature of -40 ° C. Next, it waits until predetermined time passes in a preheating stage (25 degreeC dry air environment) in order to prevent dew condensation. Next, a room temperature test is performed at 25 ° C. Finally, a high temperature test is performed at 100 ° C. Thereafter, in order to cool the control substrate temperature to 25 ° C., which is room temperature, the control board waits until a predetermined time elapses in a standby stage (in room temperature). After these test steps, the process proceeds to the next step.
IPMの実際の使用環境下では、制御基板温度は連続的に変化する為、従来のテスト方式では許容温度範囲内の全ポイントにおける異常検知を網羅できず、制御基板に実装される多数電子部品の温度依存電気特性が集積した結果、ある特定の中間温度でのみ発生する異常を検知できない。このため、市場への不良流出を増加し、この不良に起因してコストが増加するという問題があった。 Since the control board temperature changes continuously under the actual usage environment of the IPM, the conventional test method cannot cover abnormality detection at all points within the allowable temperature range, and many electronic components mounted on the control board cannot be detected. As a result of the accumulation of temperature-dependent electrical characteristics, abnormalities that occur only at a certain intermediate temperature cannot be detected. For this reason, there was a problem that the outflow of defects to the market increased and the cost increased due to these defects.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は市場への不良流出を低減することができ、この不良に起因して発生するコストを低減することができる制御基板のテスト方法を得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to reduce the outflow of defects to the market and to control the costs caused by the defects. A method for testing a substrate is obtained.
本発明に係る制御基板のテスト方法は、パワーデバイスの制御回路を構成する制御基板を装着したインテリジェントパワーモジュールの製造工程における前記制御基板のテスト方法であって、前記制御基板の温度が第1の温度において前記制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テストを行う工程と、前記制御基板の温度が前記第1の温度とは異なる第2の温度において前記制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テストを行う工程と、前記制御基板の温度が前記第1の温度から前記第2の温度までスイープする間において前記制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを行う工程とを備えることを特徴とする。 A test method for a control board according to the present invention is a test method for a control board in a manufacturing process of an intelligent power module having a control board constituting a control circuit of a power device, wherein the temperature of the control board is a first value. A step of performing a function test for detecting an abnormality by measuring an electrical characteristic of the control board at a temperature, and measuring an electrical characteristic of the control board at a second temperature at which the temperature of the control board is different from the first temperature And performing a function test for detecting an abnormality, and detecting an abnormality by monitoring a change in electrical characteristics of the control board while the temperature of the control board is swept from the first temperature to the second temperature. And a step of performing a temperature sweep test.
本発明では、制御基板の温度が第1の温度から第2の温度までスイープする間において制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを行う。これにより、第1の温度と第2の温度との間のある特定の中間温度でのみ発生する異常を検知することができる。このため、市場への不良流出を低減することができ、この不良に起因して発生するコストを低減することができる。 In the present invention, while the temperature of the control board is swept from the first temperature to the second temperature, a temperature sweep test is performed to monitor a change in the electrical characteristics of the control board and detect an abnormality. Thereby, it is possible to detect an abnormality that occurs only at a specific intermediate temperature between the first temperature and the second temperature. For this reason, the outflow of defects to the market can be reduced, and the cost generated due to the defects can be reduced.
本発明の実施の形態に係る制御基板のテスト方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。 A control board test method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and repeated description may be omitted.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る制御基板のテスト方法のフローチャートである。このテスト方法は、パワーデバイスの制御回路を構成する制御基板(プリント配線板)を装着したインテリジェントパワーモジュール(IPM)の製造工程における制御基板の機能(ファンクション)テストである。
FIG. 1 is a flowchart of a control board test method according to
まず、制御基板を低温槽に通過させて基板温度を−40℃(低温)まで下げる(ステップS1)。次に、制御基板の温度が−40℃(低温)において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(低温テスト)を行う(ステップS2)。次に、結露防止のため制御基板を余熱ステージに搬送する(ステップS3)。制御基板に25℃乾空を送風し(ステップS4)、既定時間経過するまで待機する(ステップS5)。 First, the control substrate is passed through a low temperature bath, and the substrate temperature is lowered to −40 ° C. (low temperature) (step S1). Next, a function test (low temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring the electrical characteristics of the control board when the temperature of the control board is −40 ° C. (low temperature) (step S2). Next, the control board is transported to the preheat stage to prevent condensation (step S3). The control board is blown with 25 ° C. dry air (step S4) and waits until a predetermined time elapses (step S5).
次に、制御基板の温度が25℃(常温)において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(常温テスト)を行う(ステップS6)。次に、制御基板を高温槽に通過させて基板温度を100℃(高温)まで上げる(ステップS7)。次に、制御基板の温度が100℃において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(高温テスト)を行う(ステップS8)。次に、制御基板を冷却するため25℃の冷風を送風しつつ(ステップS9)、制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを室温の25℃に到達するまで繰返し行う(ステップS10,S11)。これらのテスト工程の後、次工程へ移行する。 Next, a function test (normal temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring electrical characteristics of the control substrate when the temperature of the control substrate is 25 ° C. (normal temperature) (step S6). Next, the control substrate is passed through a high temperature bath to raise the substrate temperature to 100 ° C. (high temperature) (step S7). Next, a function test (high temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring the electrical characteristics of the control board when the temperature of the control board is 100 ° C. (step S8). Next, a temperature sweep test for monitoring changes in the electrical characteristics of the control board and detecting abnormalities is repeated until 25 ° C. of room temperature is reached, while blowing cool air of 25 ° C. to cool the control board (step S9). (Steps S10 and S11). After these test steps, the process proceeds to the next step.
本実施の形態では、制御基板の温度が100℃(高温)から25℃(常温)までスイープする間において制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを行う。これにより、100℃と25℃との間のある特定の中間温度でのみ発生する異常を検知することができる。このため、市場への不良流出を低減することができ、この不良に起因して発生するコストを低減することができる。 In this embodiment, while the temperature of the control board is swept from 100 ° C. (high temperature) to 25 ° C. (room temperature), a temperature sweep test is performed to monitor the change in the electrical characteristics of the control board and detect an abnormality. Thereby, the abnormality which generate | occur | produces only in the certain intermediate temperature between 100 degreeC and 25 degreeC is detectable. For this reason, the outflow of defects to the market can be reduced, and the cost generated due to the defects can be reduced.
図2は温度に対する信号出力を示す図である。破線グラフは比較例であり、−40℃(低温)、25℃(常温)、100℃(高温)のドットに該当する温度ポイントでのみテストを行っている。このため、例えば細い実線グラフに示すような特定の温度(ここでは75℃と−10℃の2箇所)でのみ信号出力に異常が見られるとすると、比較例では異常を検知することができない。これに対して、本実施の形態のように高温100℃から常温25℃まで繰返し機能テストを行うため、図2において75℃でのみ発生する出力異常を検知することができる。 FIG. 2 is a diagram showing a signal output with respect to temperature. A broken line graph is a comparative example, and tests are performed only at temperature points corresponding to dots of −40 ° C. (low temperature), 25 ° C. (normal temperature), and 100 ° C. (high temperature). For this reason, for example, if an abnormality is observed in the signal output only at specific temperatures (here, two locations of 75 ° C. and −10 ° C.) as shown in the thin solid line graph, the abnormality cannot be detected in the comparative example. On the other hand, since the functional test is repeatedly performed from a high temperature of 100 ° C. to a normal temperature of 25 ° C. as in the present embodiment, an output abnormality that occurs only at 75 ° C. in FIG. 2 can be detected.
図3は、本発明の実施の形態1に係る温度スイープテスト時の制御基板の温度勾配を示す図である。細線は、冷風を一定風量で送風した場合を示す。太線は、制御基板の温度勾配を一定に保つように風量を制御した場合を示す。このように一定風量で冷却を行った場合、制御基板の温度勾配は必ずしも一定とはならない。そこで、制御基板の温度勾配を一定に保つように制御基板の温度をモニタして風量を制御する。これにより、温度スイープ範囲内における温度変化に対するテストデータサンプリングの割合を一定にすることができる。また逆に特定の温度範囲だけサンプリング密度を増すことができる。即ち、検査の目的や制御基板の温度特性に応じたテスト方式を構築できる。
FIG. 3 is a diagram showing a temperature gradient of the control board during the temperature sweep test according to
図4は、本発明の実施の形態1で遅延時間を設定した場合の制御基板の温度勾配を示す図である。ステージに冷却機能のみで加熱機能が無い場合、温度スイープテストの開始時に高温テストの温度に近い状態に維持することが好ましい。しかし、温度スイープテストの開始時に制御基板の温度が既に低下し始めているため、テストを行えない温度領域が生じてしまう。そこで、送風の開始タイミングを温度スイープテストの開始タイミングに対して一定時間遅延させることが好ましい。これにより、温度スイープテスト開始時に高温テストの温度に近い状態に維持することができるため、テストを行えない温度領域を最小限に留めることができる。 FIG. 4 is a diagram showing a temperature gradient of the control board when the delay time is set in the first embodiment of the present invention. When the stage has only a cooling function and no heating function, it is preferable to maintain a state close to the temperature of the high temperature test at the start of the temperature sweep test. However, since the temperature of the control board has already started to decrease at the start of the temperature sweep test, a temperature region in which the test cannot be performed occurs. Therefore, it is preferable to delay the start timing of blowing by a certain time with respect to the start timing of the temperature sweep test. As a result, the temperature can be maintained close to the temperature of the high temperature test at the start of the temperature sweep test, so that the temperature range where the test cannot be performed can be kept to a minimum.
図5は、本発明の実施の形態1に係る送風装置を示す断面図と送風整流板を示す上面図である。ステージ1に、テストの試料となるIPMの制御基板2が保持されている。温度スイープテストにおいて、電動送風機(ファン)3が生成した風を送風整流板4の通風穴5と送風整流板6の通風穴7を通って制御基板2に送風する。ここで、電動送風機(ファン)3の送風口を制御基板2の中心に対向して配置する。送風整流板4の通風穴5と送風整流板6の通風穴7を交互(ちどり)に配置する。これにより、制御基板2に送風される風が層流となり、制御基板2の温度の面内均一性が向上する。従って、テスト温度に対する検出精度を向上することができる。
FIG. 5: is sectional drawing which shows the air blower which concerns on
実施の形態2.
図6は、本発明の実施の形態2に係る制御基板のテスト方法のフローチャートである。まず、制御基板を低温槽に通過させて基板温度を−40℃(低温)まで下げる(ステップS1)。次に、制御基板の温度が−40℃(低温)において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(低温テスト)を行う(ステップS2)。次に、結露防止のため制御基板を余熱ステージに搬送する(ステップS3)。制御基板に25℃乾空を送風しつつ(ステップS4)、制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを室温の25℃に到達するまで繰返し行う(ステップS12,S13)。
FIG. 6 is a flowchart of the control board test method according to the second embodiment of the present invention. First, the control substrate is passed through a low temperature bath, and the substrate temperature is lowered to −40 ° C. (low temperature) (step S1). Next, a function test (low temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring the electrical characteristics of the control board when the temperature of the control board is −40 ° C. (low temperature) (step S2). Next, the control board is transported to the preheat stage to prevent condensation (step S3). While blowing dry air at 25 ° C. to the control board (step S4), a temperature sweep test for monitoring the change in the electrical characteristics of the control board and detecting an abnormality is repeated until reaching 25 ° C. of the room temperature (steps S12 and S13). .
次に、制御基板の温度が25℃(常温)において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(常温テスト)を行う(ステップS6)。次に、制御基板を高温槽に通過させて基板温度を100℃(高温)まで上げる(ステップS7)。次に、制御基板の温度が100℃において制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テスト(高温テスト)を行う(ステップS8)。次に、制御基板を冷却するため25℃の冷風を送風し(ステップS9)、既定時間経過するまで待機する(ステップS14)。これらのテスト工程の後、次工程へ移行する。 Next, a function test (normal temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring the electrical characteristics of the control substrate when the temperature of the control substrate is 25 ° C. (normal temperature) (step S6). Next, the control substrate is passed through a high temperature bath to raise the substrate temperature to 100 ° C. (high temperature) (step S7). Next, a function test (high temperature test) is performed to detect an abnormality by measuring the electrical characteristics of the control board when the temperature of the control board is 100 ° C. (step S8). Next, in order to cool the control board, cold air of 25 ° C. is blown (step S9), and the process waits until a predetermined time has elapsed (step S14). After these test steps, the process proceeds to the next step.
本実施の形態では、制御基板の温度が−40℃(低温)から25℃(常温)までスイープする間において制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを行う。これにより、−40℃と25℃との間のある特定の中間温度でのみ発生する異常を検知することができる。例えば、図2において−10℃でのみ発生する出力異常を検知することができる。このため、市場への不良流出を低減することができ、この不良に起因して発生するコストを低減することができる。 In the present embodiment, while the temperature of the control board is swept from −40 ° C. (low temperature) to 25 ° C. (normal temperature), a temperature sweep test is performed to monitor the change in the electrical characteristics of the control board and detect an abnormality. Thereby, the abnormality which generate | occur | produces only in the certain intermediate temperature between -40 degreeC and 25 degreeC is detectable. For example, an output abnormality that occurs only at −10 ° C. in FIG. 2 can be detected. For this reason, the outflow of defects to the market can be reduced, and the cost generated due to the defects can be reduced.
図7は、本発明の実施の形態2に係る温度スイープテスト時の制御基板の温度勾配を示す図である。細線は、乾空を一定風量で送風した場合を示す。太線は、制御基板の温度勾配を一定に保つように風量を制御した場合を示す。このように一定風量で送風した場合、制御基板の温度勾配は必ずしも一定とはならない。そこで、制御基板の温度勾配を一定に保つように制御基板の温度をモニタして風量を制御する。これにより、温度スイープ範囲内における温度変化に対するテストデータサンプリングの割合を一定にすることができる。また逆に特定の温度範囲だけサンプリング密度を増すことができる。即ち、検査の目的や制御基板の温度特性に応じたテスト方式を構築できる。
FIG. 7 is a diagram showing a temperature gradient of the control board during the temperature sweep test according to
図8は、本発明の実施の形態2で遅延時間を設定した場合の制御基板の温度勾配を示す図である。ステージに加熱機能のみで冷却機能が無い場合、温度スイープテストの開始時に低温テストの温度に近い状態に維持することが好ましい。しかし、温度スイープテストの開始時に制御基板の温度が既に上昇し始めているため、テストを行えない温度領域が生じてしまう。そこで、送風の開始タイミングを温度スイープテストの開始タイミングに対して一定時間遅延させることが好ましい。これにより、温度スイープテスト開始時に低温テストの温度に近い状態に維持することができるため、テストを行えない温度領域を最小限に留めることができる。 FIG. 8 is a diagram showing a temperature gradient of the control board when the delay time is set in the second embodiment of the present invention. When the stage has only a heating function and no cooling function, it is preferable to maintain a temperature close to the temperature of the low temperature test at the start of the temperature sweep test. However, since the temperature of the control board has already started to rise at the start of the temperature sweep test, a temperature region in which the test cannot be performed occurs. Therefore, it is preferable to delay the start timing of blowing by a certain time with respect to the start timing of the temperature sweep test. As a result, since the temperature can be maintained close to the temperature of the low temperature test at the start of the temperature sweep test, the temperature range where the test cannot be performed can be kept to a minimum.
また、本実施の形態でも、温度スイープテストにおいて図5の送風装置を用いることにより、制御基板2に送風される風が層流となり、制御基板2の温度の面内均一性が向上する。従って、テスト温度に対する検出精度を向上することができる。
Also in this embodiment, by using the air blower of FIG. 5 in the temperature sweep test, the air blown to the
2 制御基板、3 電動送風機、4,6 送風整流板、5,7 通風穴 2 Control board, 3 Electric blower, 4, 6 Ventilation plate, 5, 7 Ventilation hole
Claims (4)
前記制御基板の温度が第1の温度において前記制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テストを行う工程と、
前記制御基板の温度が前記第1の温度とは異なる第2の温度において前記制御基板の電気特性を測定して異常を検知する機能テストを行う工程と、
前記制御基板の温度が前記第1の温度から前記第2の温度までスイープする間において前記制御基板の電気特性の変化を監視し異常を検知する温度スイープテストを行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 A test method of the control board in the manufacturing process of an intelligent power module equipped with a control board constituting a control circuit of a power device,
Performing a function test for detecting an abnormality by measuring electrical characteristics of the control board at a first temperature of the control board; and
Performing a function test for detecting an abnormality by measuring electrical characteristics of the control board at a second temperature at which the temperature of the control board is different from the first temperature;
A step of performing a temperature sweep test for monitoring a change in electrical characteristics of the control board and detecting an abnormality while the temperature of the control board is swept from the first temperature to the second temperature. A method for testing a semiconductor device.
前記電動送風機の送風口を前記制御基板の中心に対向して配置し、
前記第1の送風整流板の通風穴と前記第2の送風整流板の通風穴を交互に配置することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の制御基板のテスト方法。 In the temperature sweep test, the wind generated by the electric blower is blown to the control board through the ventilation hole of the first ventilation rectifying plate and the ventilation hole of the second ventilation rectifying plate,
The air blower opening of the electric blower is disposed opposite the center of the control board,
4. The control board test method according to claim 1, wherein the ventilation holes of the first ventilation rectifying plate and the ventilation holes of the second ventilation rectifying plate are alternately arranged. 5.
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