JP2015135650A - Design method, design device and program - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To design a clock path that is excellent in resistance properties with respect to power source noise.SOLUTION: A design device 1 is configured to: preferentially select a small coefficient within a range satisfying a design condition from a coefficient group (coefficent library 5) showing delay increase when a voltage falls for each combination of clock buffers 11a, 11b and 11c different in a parameter and wiring loads 12a, 12b and 12c connected to the clock buffers 11a, 11b and 11c; select the clock buffer and wiring load that have a parameter associated with the selected coefficient out of the clock buffers 11a, 11b and 11c and wiring loads 12a, 12b and 12c, and design a clock path 10.

Description

本発明は、設計方法、設計装置及びプログラムに関する。   The present invention relates to a design method, a design apparatus, and a program.

近年、半導体集積回路の微細化に伴う電流密度の増加や、高速化、高集積化による電力増加などの影響で、電源ノイズ量が増加傾向にある。また、消費電力削減のための低電圧化によって、回路の電源ノイズ耐性は低下している。そのため、たとえば、ノイズの影響を受けやすい素子の周辺からノイズ源を遠ざけるなど、電源ノイズを考慮した設計が行われている。   In recent years, the amount of power supply noise tends to increase due to an increase in current density accompanying miniaturization of a semiconductor integrated circuit, and an increase in power due to higher speed and higher integration. In addition, the power supply noise resistance of the circuit is lowered due to the lower voltage for power consumption reduction. For this reason, for example, a design in consideration of power supply noise is performed such as moving a noise source away from the periphery of an element that is easily affected by noise.

特開2011−151100号公報JP 2011-151100 A 特開2011−8410号公報JP 2011-8410 A 特開2006−195754号公報JP 2006-195754 A 特開2005−4268号公報JP 2005-4268 A

同期回路のクロックパスでは、電源ノイズにより遅延変動が生じ、タイミング制約を満たさなくなる可能性がある。そのため、たとえば、クロックパスに高速に動作するクロックバッファを使用したり、配線負荷を短くしたりして、クロックパスで発生する遅延を最小化して、電源ノイズの影響を受けにくくすることが考えられる。   In the clock path of the synchronous circuit, delay variation may occur due to power supply noise, and timing constraints may not be satisfied. For this reason, for example, it is possible to use a clock buffer that operates at high speed in the clock path or shorten the wiring load to minimize the delay generated in the clock path and make it less susceptible to power supply noise. .

しかし、このようなクロックパスでも、電源ノイズの影響を受けたときには遅延時間が増加し、タイミング制約を満たさなくなる可能性があり、電源ノイズに対する耐性の高いクロックパスとは言えない。   However, even with such a clock path, the delay time increases when it is affected by power supply noise, and timing constraints may not be satisfied. Therefore, it cannot be said that the clock path is highly resistant to power supply noise.

発明の一観点によれば、設計装置が、パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとの、電圧降下時の遅延増加を表す係数群から、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、設計方法が提供される。   According to one aspect of the invention, the design apparatus has a coefficient representing an increase in delay at the time of a voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers. A clock buffer and a wiring having the parameters associated with the selected coefficient out of the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads, with priority being selected from a group within a range satisfying a design condition. A design method is provided for selecting a load and designing a clock path.

また、発明の一観点によれば、設計装置が、パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとに、遅延時間と、電圧降下の大きさに対する遅延増加量とを算出し、前記電圧降下に対する前記遅延増加量を、前記遅延時間で割ることで、電圧降下時の遅延増加を表す係数群を算出し、前記係数群のうち、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、設計方法が提供される。   Further, according to one aspect of the invention, the design apparatus may reduce delay time and voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers. The delay increase amount with respect to the magnitude is calculated, and the delay increase amount with respect to the voltage drop is divided by the delay time to calculate a coefficient group representing the delay increase at the time of the voltage drop. A small coefficient is preferentially selected within a range that satisfies a condition, and a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient are selected from the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads. Thus, a design method for designing a clock path is provided.

開示の設計方法、設計装置及びプログラムによれば、電源ノイズに対する耐性の高いクロックパスを設計できる。   According to the disclosed design method, design apparatus, and program, it is possible to design a clock path highly resistant to power supply noise.

第1の実施の形態の設計方法、設計装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the design method of 1st Embodiment, and a design apparatus. ノイズ量の算出例を示す図である。It is a figure which shows the example of calculation of noise amount. クロックパスの遅延変動の最大値に対するシミュレーション結果と式(1)の計算値との相関の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the correlation with the simulation result with respect to the maximum value of the delay variation of a clock path, and the calculated value of Formula (1). 第2の実施の形態の設計装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the design apparatus of 2nd Embodiment. 設計対象のクロックパスを含む半導体集積回路の一例を示す図である。1 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit including a design target clock path. FIG. 第2の実施の形態の設計方法の一例の流れを説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the flow of an example of the design method of 2nd Embodiment. 遅延増加量と電圧降下の大きさとの関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the delay increase amount and the magnitude | size of a voltage drop. 係数ライブラリの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a coefficient library. 係数群の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a coefficient group. 複数種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時のパス遅延の変動の一例の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of an example of the fluctuation | variation of the path delay at the time of the noise generation | occurrence | production in the clock path using multiple types of clock buffers and wiring load. 複数種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時刻とパス遅延の変動量の関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the noise generation time and the variation | change_quantity of a path delay in the clock path using multiple types of clock buffers and wiring loads. 同一種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時のパス遅延の変動の一例の様子を示す図である。It is a figure which shows the mode of an example of the fluctuation | variation of the path delay at the time of the noise generation in the clock path using the same kind of clock buffer and wiring load. 同一種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時刻とパス遅延の変動量の関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the noise generation time in the clock path | route using the same kind of clock buffer and wiring load, and the variation | change_quantity of path delay. パラメータに応じた遅延時間の大きさの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the magnitude | size of the delay time according to a parameter.

以下、発明を実施するための形態を、図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の設計方法、設計装置の一例を示す図である。
Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a design method and a design apparatus according to the first embodiment.

設計装置1は、プロセッサ2と記憶部3を有している。プロセッサ2は、記憶部3に記憶されているデータ及びプログラムに基づき、以下のような設計方法を実行する。
記憶部3は、プロセッサ2が実行するプログラムや、各種データを記憶する。たとえば、記憶部3は、後述する係数ライブラリ5を記憶する。
The design apparatus 1 includes a processor 2 and a storage unit 3. The processor 2 executes the following design method based on data and programs stored in the storage unit 3.
The storage unit 3 stores programs executed by the processor 2 and various data. For example, the storage unit 3 stores a coefficient library 5 described later.

本実施の形態の設計方法は、電源ノイズに対する遅延変動が小さくなるようなクロックパス、つまり電源ノイズに対する耐性の高いクロックパスを設計するものである。
まず、プロセッサ2は、パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとの、電圧降下時の遅延増加を表す係数群を算出する(ステップS1)。
The design method according to the present embodiment is designed to design a clock path with a small delay variation with respect to power supply noise, that is, a clock path with high resistance to power supply noise.
First, the processor 2 calculates a coefficient group representing a delay increase at the time of a voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers (step S1). ).

クロックバッファのパラメータには、クロックバッファの大きさ(クロックバッファに含まれるトランジスタサイズ)、トランジスタの閾値電圧などがある。
配線負荷のパラメータには、配線幅、配線長、隣接する配線との配線間隔、配線が使用する配線層の種類(たとえば、メタル1層、2層、…)などがある。
The parameters of the clock buffer include the size of the clock buffer (the transistor size included in the clock buffer), the threshold voltage of the transistor, and the like.
The wiring load parameters include the wiring width, the wiring length, the wiring interval between adjacent wirings, the type of wiring layer used by the wiring (for example, the first metal layer, the second layer,...).

図1には、クロックパス10の例が示されている。クロックパス10では、クロックバッファ11aとそれに接続される配線負荷12aの組み合わせを一段のセルとして、そのセルが、クロックパス10の長さに応じて複数段接続されている。   An example of the clock path 10 is shown in FIG. In the clock path 10, a combination of the clock buffer 11 a and the wiring load 12 a connected to the clock buffer 11 a is used as one stage cell, and the cells are connected in a plurality of stages according to the length of the clock path 10.

本実施の形態の例では、係数を電圧感度(Ds)/遅延時間(D)と表すものとする。ここで、電圧感度は、Ds=ΔD/ΔVと表すものとする。Dは、理想の電源電圧Vddのときの上記の組み合わせ1段分の遅延時間(セルの遅延時間)を示し、ΔDは、ΔVの電圧降下に対する遅延増加量を示している。DとΔDは、上記のようなパラメータによって変わってくる可能性があるため、係数は、パラメータの異なる、複数のクロックバッファと複数の配線負荷との組み合わせごとに、たとえば、回路シミュレーションを用いて算出される。   In the example of the present embodiment, the coefficient is expressed as voltage sensitivity (Ds) / delay time (D). Here, the voltage sensitivity is expressed as Ds = ΔD / ΔV. D indicates the delay time (cell delay time) for one stage of the above combination at the ideal power supply voltage Vdd, and ΔD indicates an increase in delay with respect to the voltage drop of ΔV. Since D and ΔD may vary depending on the parameters as described above, the coefficient is calculated using, for example, circuit simulation for each combination of a plurality of clock buffers and a plurality of wiring loads having different parameters. Is done.

図1には、パラメータの異なる、複数のクロックバッファ11a,11b,11cと、複数の配線負荷12a,12b,12cとの組み合わせA,B,Cが示されている。
なお、配線負荷12a,12b,12cは、配線抵抗R1,R2,R3,R4,R5,R6、配線容量C1,C2,C3,C4,C5,C6を有しており、配線長や配線幅などのパラメータによってこれらの値が変わってくる。また、クロックバッファ11a,11b,11cは、大きさが異なっている。このように、パラメータが異なる、クロックバッファ11a,11b,11cと配線負荷12a,12b,12cとの組み合わせA,B,Cでは、DやΔDも変わってくる可能性がある。
FIG. 1 shows combinations A, B, and C of a plurality of clock buffers 11a, 11b, and 11c and a plurality of wiring loads 12a, 12b, and 12c having different parameters.
The wiring loads 12a, 12b and 12c have wiring resistances R1, R2, R3, R4, R5 and R6, wiring capacitances C1, C2, C3, C4, C5 and C6. These values vary depending on the parameters. The clock buffers 11a, 11b, and 11c have different sizes. Thus, in the combinations A, B, and C of the clock buffers 11a, 11b, and 11c and the wiring loads 12a, 12b, and 12c having different parameters, D and ΔD may also change.

そのため、図1の例では、係数は、パラメータの異なる、クロックバッファ11a,11b,11cと、配線負荷12a,12b,12cとの組み合わせA,B,Cごとに算出されることになる。   Therefore, in the example of FIG. 1, the coefficient is calculated for each combination A, B, and C of the clock buffers 11a, 11b, and 11c and the wiring loads 12a, 12b, and 12c having different parameters.

算出された係数群は、係数ライブラリ5として、たとえば、記憶部3に記憶される。
次に、プロセッサ2は、係数群から、設計条件を満たす範囲で、小さい係数を優先的に選択する(ステップS2)。
The calculated coefficient group is stored in the storage unit 3 as the coefficient library 5, for example.
Next, the processor 2 preferentially selects a small coefficient within a range satisfying the design condition from the coefficient group (step S2).

設計条件には、クロックパスの配線長、クロックパスのタイミング条件(タイミング制約)、セル種類、配線条件(配線層、配線幅、配線間隔)などがある。たとえば、ステップS2の処理では、設計で使用しないクロックバッファの種類や配線条件のパラメータに対応した係数は選択されない。そして、設計で使用する条件のパラメータに対応した係数のなかで、小さい係数が優先的に選択される(たとえば、最小の係数が選択される)。   The design conditions include clock path wiring length, clock path timing conditions (timing constraints), cell type, wiring conditions (wiring layer, wiring width, wiring spacing), and the like. For example, in the process of step S2, the coefficient corresponding to the type of clock buffer not used in the design and the parameter of the wiring condition is not selected. Then, among the coefficients corresponding to the condition parameters used in the design, a smaller coefficient is preferentially selected (for example, the smallest coefficient is selected).

本願発明者らは、クロックパスの遅延変動の最大値は、あるパラメータのクロックバッファと配線負荷の組み合わせが一様に複数段繰り返し接続されて作成されるクロックパスでは、以下の式で近似できるとの知見を得た。   The inventors of the present application can approximate the maximum value of the delay variation of the clock path by the following formula in a clock path created by repeatedly connecting a combination of a clock buffer and a wiring load of a certain parameter uniformly in a plurality of stages. I got the knowledge.

Max(ΔDpath)=(Ds/D)×S (1)
式(1)において、Max(ΔDpath)は、クロックパスの遅延変動ΔDpathの最大値、(Ds/D)は前述した係数、Sはクロックパスが受けるノイズ量である。
Max (ΔD path ) = (Ds / D) × S (1)
In Expression (1), Max (ΔD path ) is the maximum value of the delay variation ΔD path of the clock path, (Ds / D) is the coefficient described above, and S is the amount of noise received by the clock path.

ノイズ量は、以下のようにして求められる。
図2は、ノイズ量の算出例を示す図である。
横軸は時間を示し、縦軸は電圧を示している。図2の例では、タイミングT0からタイミングT1までの間にクロックパスの電源線がノイズを受け、理想の電源電圧Vddから電圧降下していることが示されている。ノイズ量(S)は、電源電圧Vddからの電圧降下の大きさΔVを、ノイズを受けた時間(T0〜T1)で積分することにより求められる。
The amount of noise is obtained as follows.
FIG. 2 is a diagram illustrating a calculation example of the noise amount.
The horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates voltage. In the example of FIG. 2, it is shown that the power line of the clock path receives noise between the timing T0 and the timing T1, and the voltage drops from the ideal power supply voltage Vdd. The noise amount (S) is obtained by integrating the magnitude ΔV of the voltage drop from the power supply voltage Vdd with the time (T0 to T1) when the noise is received.

式(1)で求めたMax(ΔDpath)と、回路シミュレーションで求めたMax(ΔDpath)との関係を以下に示す。
図3は、クロックパスの遅延変動の最大値に対するシミュレーション結果と式(1)の計算値との相関の一例を示す図である。
And Max determined in equation (1) (ΔD path), showing the relationship between the Max ([Delta] D path) obtained in circuit simulation below.
FIG. 3 is a diagram showing an example of the correlation between the simulation result for the maximum delay variation of the clock path and the calculated value of Equation (1).

横軸は遅延変動の最大値のシミュレーション値を示し、縦軸は、式(1)で求めた計算値を示している。パラメータを変化させた一段のクロックバッファと配線負荷の組み合わせと同じものを、21段接続したクロックパスについてのシミュレーション値と式(1)による計算値との相関が示されている。   The horizontal axis indicates the simulation value of the maximum value of the delay variation, and the vertical axis indicates the calculated value obtained by Expression (1). The correlation between the simulation value for the clock path in which 21 stages of the same combination of the clock buffer and the wiring load with the changed parameters and the wiring load are connected and the calculated value by the equation (1) is shown.

パラメータを変化させることで遅延変動の最大値は変化するが、図3に示すように、遅延変動の最大値の計算値は、シミュレーション値に対してよく一致している。そのため、クロックパスの変動遅延の最大値は、式(1)で近似できることがわかる。   Although the maximum value of the delay variation is changed by changing the parameter, as shown in FIG. 3, the calculated value of the maximum value of the delay variation is in good agreement with the simulation value. Therefore, it can be seen that the maximum value of the variable delay of the clock path can be approximated by Equation (1).

式(1)からわかるように、係数(Ds/D)を最小にすることで、ノイズによるクロックパスの遅延変動の最大値を小さくできる。
ただ、後述するように係数を小さくすると、遅延時間が大きくなるため、ステップS2の処理では、設計条件の1つであるタイミング制約を満たす範囲で、小さい係数が優先的に選択される。タイミング制約の判定の例については、第2の実施の形態にて説明する。
As can be seen from equation (1), by minimizing the coefficient (Ds / D), the maximum value of the delay variation of the clock path due to noise can be reduced.
However, as will be described later, if the coefficient is reduced, the delay time is increased. Therefore, in the process of step S2, a smaller coefficient is preferentially selected within a range that satisfies the timing constraint, which is one of the design conditions. An example of timing constraint determination will be described in the second embodiment.

以上のようなステップS2の処理が終わると、プロセッサ2は、ステップS3の処理を行う。ステップS3の処理では、プロセッサ2は、パラメータの異なる複数のクロックバッファと複数の配線負荷のうち、ステップS2の処理で選択した係数に対応付けられたパラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する。   When the process of step S2 as described above is completed, the processor 2 performs the process of step S3. In the process of step S3, the processor 2 selects a clock buffer and a wiring load having a parameter associated with the coefficient selected in the process of step S2 among a plurality of clock buffers and a plurality of wiring loads having different parameters. Design the clock path.

前述したように、係数は電圧降下時の遅延増加を表すものである。そのため、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、その係数に対応付けられたパラメータのクロックバッファ及び配線負荷を用いてクロックパスを設計することで、電源ノイズによる電圧降下に対する遅延増加が小さいクロックパスを設計できる。つまり、電源ノイズによる遅延変動が起きにくい(電源ノイズに対する耐性が高い)クロックパスを設計することができる。   As described above, the coefficient represents an increase in delay when the voltage drops. Therefore, by selecting a small coefficient preferentially within a range that satisfies the design condition, and designing the clock path using the clock buffer and wiring load of the parameters associated with the coefficient, the delay increases due to the voltage drop due to power supply noise. A small clock path can be designed. That is, it is possible to design a clock path in which delay variation due to power supply noise hardly occurs (high resistance to power supply noise).

また、設計の段階で電源ノイズに対する耐性が高いクロックパスを設計できるので、配置・配線処理後に回路シミュレータでクロックパスの遅延変動を検証し、その結果に応じて配置・配線処理に戻り修正するなどの手戻りの発生を抑制できる。   In addition, a clock path that is highly resistant to power supply noise can be designed at the design stage, so the delay variation of the clock path is verified with a circuit simulator after the placement / routing process, and the return to the placement / routing process is corrected according to the result. The occurrence of reworking can be suppressed.

なお、上記の例では、設計装置1が係数ライブラリ5を生成するものとして説明したがこれに限定されない。たとえば、他の装置により生成された係数ライブラリ5を設計装置1が取得して、記憶部3に格納しておき、クロックパスの設計の際に、プロセッサ2が記憶部3から読み出して使用するようにしてもよい。   In the above example, the design apparatus 1 has been described as generating the coefficient library 5, but the present invention is not limited to this. For example, the design device 1 acquires the coefficient library 5 generated by another device and stores it in the storage unit 3 so that the processor 2 reads it from the storage unit 3 and uses it when designing the clock path. It may be.

(第2の実施の形態)
以下、第2の実施の形態の設計方法及び設計装置の一例を示す。
図4は、第2の実施の形態の設計装置の一例を示す図である。
(Second Embodiment)
Hereinafter, an example of the design method and design apparatus of the second embodiment will be described.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a design apparatus according to the second embodiment.

設計装置は、たとえば、コンピュータ20であり、プロセッサ21によって装置全体が制御されている。プロセッサ21には、バス29を介してRAM(Random Access Memory)22と複数の周辺機器が接続されている。プロセッサ21は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ21は、たとえばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、またはPLD(Programmable Logic Device)である。またプロセッサ21は、CPU、MPU、DSP、ASIC、PLDのうちの2以上の要素の組み合わせであってもよい。   The design apparatus is, for example, a computer 20, and the entire apparatus is controlled by a processor 21. The processor 21 is connected to a RAM (Random Access Memory) 22 and a plurality of peripheral devices via a bus 29. The processor 21 may be a multiprocessor. The processor 21 is, for example, a central processing unit (CPU), a micro processing unit (MPU), a digital signal processor (DSP), an application specific integrated circuit (ASIC), or a programmable logic device (PLD). The processor 21 may be a combination of two or more elements among CPU, MPU, DSP, ASIC, and PLD.

RAM22は、コンピュータ20の主記憶装置として使用される。RAM22には、プロセッサ21に実行させるOS(Operating System)のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM22には、プロセッサ21による処理に必要な各種データが格納される。   The RAM 22 is used as a main storage device of the computer 20. The RAM 22 temporarily stores at least part of an OS (Operating System) program and application programs to be executed by the processor 21. The RAM 22 stores various data necessary for processing by the processor 21.

バス29に接続されている周辺機器としては、HDD(Hard Disk Drive)23、グラフィック処理装置24、入力インタフェース25、光学ドライブ装置26、機器接続インタフェース27及びネットワークインタフェース28がある。   Peripheral devices connected to the bus 29 include an HDD (Hard Disk Drive) 23, a graphic processing device 24, an input interface 25, an optical drive device 26, a device connection interface 27, and a network interface 28.

HDD23は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込み及び読み出しを行う。HDD23は、コンピュータ20の補助記憶装置として使用される。HDD23には、OSのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。なお、補助記憶装置としては、フラッシュメモリなどの半導体記憶装置を使用することもできる。   The HDD 23 magnetically writes and reads data to and from the built-in disk. The HDD 23 is used as an auxiliary storage device of the computer 20. The HDD 23 stores an OS program, application programs, and various data. Note that a semiconductor storage device such as a flash memory can also be used as the auxiliary storage device.

グラフィック処理装置24には、モニタ24aが接続されている。グラフィック処理装置24は、プロセッサ21からの命令にしたがって、画像をモニタ24aの画面に表示させる。モニタ24aとしては、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた表示装置や液晶表示装置などがある。   A monitor 24 a is connected to the graphic processing device 24. The graphic processing device 24 displays an image on the screen of the monitor 24a in accordance with an instruction from the processor 21. Examples of the monitor 24a include a display device using a CRT (Cathode Ray Tube) and a liquid crystal display device.

入力インタフェース25には、キーボード25aとマウス25bとが接続されている。入力インタフェース25は、キーボード25aやマウス25bから送られてくる信号をプロセッサ21に送信する。なお、マウス25bは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボールなどがある。   A keyboard 25 a and a mouse 25 b are connected to the input interface 25. The input interface 25 transmits a signal sent from the keyboard 25a and the mouse 25b to the processor 21. The mouse 25b is an example of a pointing device, and other pointing devices can also be used. Examples of other pointing devices include a touch panel, a tablet, a touch pad, and a trackball.

光学ドライブ装置26は、レーザ光などを利用して、光ディスク26aに記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク26aは、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク26aには、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(ReWritable)などがある。   The optical drive device 26 reads data recorded on the optical disc 26a using a laser beam or the like. The optical disk 26a is a portable recording medium on which data is recorded so that it can be read by reflection of light. The optical disk 26a includes a DVD (Digital Versatile Disc), a DVD-RAM, a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), a CD-R (Recordable) / RW (ReWritable), and the like.

機器接続インタフェース27は、コンピュータ20に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。たとえば機器接続インタフェース27には、メモリ装置27aやメモリリーダライタ27bを接続することができる。メモリ装置27aは、機器接続インタフェース27との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ27bは、メモリカード27cへのデータの書き込み、またはメモリカード27cからのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード27cは、カード型の記録媒体である。   The device connection interface 27 is a communication interface for connecting peripheral devices to the computer 20. For example, the device connection interface 27 can be connected to a memory device 27a and a memory reader / writer 27b. The memory device 27 a is a recording medium equipped with a communication function with the device connection interface 27. The memory reader / writer 27b is a device that writes data to the memory card 27c or reads data from the memory card 27c. The memory card 27c is a card-type recording medium.

ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aに接続されている。ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aを介して、他のコンピュータまたは通信機器との間でデータの送受信を行う。   The network interface 28 is connected to the network 28a. The network interface 28 transmits / receives data to / from other computers or communication devices via the network 28a.

以上のようなハードウェア構成によって、第2の実施の形態の処理機能を実現することができる。なお、図1に示した第1の実施の形態の設計装置1も、図4に示したコンピュータ20と同様のハードウェアにより実現することができる。   With the hardware configuration described above, the processing functions of the second embodiment can be realized. The design apparatus 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 can also be realized by the same hardware as the computer 20 shown in FIG.

コンピュータ20は、たとえばコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、第2の実施の形態の処理機能を実現する。コンピュータ20に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。たとえば、コンピュータ20に実行させるプログラムをHDD23に格納しておくことができる。プロセッサ21は、HDD23内のプログラムの少なくとも一部をRAM22にロードし、プログラムを実行する。またコンピュータ20に実行させるプログラムを、光ディスク26a、メモリ装置27a、メモリカード27cなどの可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、たとえばプロセッサ21からの制御により、HDD23にインストールされた後、実行可能となる。またプロセッサ21が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。   The computer 20 implements the processing functions of the second embodiment by executing a program recorded on a computer-readable recording medium, for example. A program describing the processing contents to be executed by the computer 20 can be recorded in various recording media. For example, a program to be executed by the computer 20 can be stored in the HDD 23. The processor 21 loads at least a part of the program in the HDD 23 into the RAM 22 and executes the program. A program to be executed by the computer 20 can also be recorded on a portable recording medium such as the optical disk 26a, the memory device 27a, and the memory card 27c. The program stored in the portable recording medium becomes executable after being installed in the HDD 23 under the control of the processor 21, for example. The processor 21 can also read and execute the program directly from the portable recording medium.

(設計対象の一例)
図5は、設計対象のクロックパスを含む半導体集積回路の一例を示す図である。
半導体集積回路30は、回路部31、PLL(Phase Locked Loop)32、クロックパス33、DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)34、I/O(Input / Output)35を有している。
(Example of design object)
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit including a clock path to be designed.
The semiconductor integrated circuit 30 includes a circuit unit 31, a PLL (Phase Locked Loop) 32, a clock path 33, a DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 34, and an I / O (Input / Output) 35. .

回路部31は、電源ノイズの発生源となるものであり、図5の例では、フリップフロップ31a,31b,31c,31dを有する同期回路である。フリップフロップ31a,31b,31c,31dは、電源電圧Vddと、クロックバッファ31e,31fを介して入力されるクロックにより動作する。たとえば、これらのフリップフロップ31a,31b,31c,31dの動作によって、電源ノイズが発生する。   The circuit unit 31 serves as a power source noise generation source. In the example of FIG. 5, the circuit unit 31 is a synchronous circuit having flip-flops 31a, 31b, 31c, and 31d. The flip-flops 31a, 31b, 31c, and 31d operate based on the power supply voltage Vdd and a clock that is input via the clock buffers 31e and 31f. For example, power supply noise is generated by the operation of these flip-flops 31a, 31b, 31c, and 31d.

PLL32は、所定の周波数のクロックを生成する。
クロックパス33は、クロックバッファ33a1〜33anとそれらに接続された配線負荷33b1〜33bnを有しており、PLL32で生成されたクロックを伝搬する。
The PLL 32 generates a clock having a predetermined frequency.
The clock path 33 has clock buffers 33a1 to 33an and wiring loads 33b1 to 33bn connected thereto, and propagates a clock generated by the PLL32.

DDR SDRAM34は、同期回路の一例として示されているものであり、クロックパス33を介して入力されたクロックに同期して所定の動作を行う。
I/O35は、DDR SDRAM34から読み出されたデータを出力したり、外部から入力されるデータをDDR SDRAM34に供給したりする。I/O35は、PLL32で生成されたクロックを、クロックパス33とDDR SDRAM34を介して出力するようにしてもよい。
The DDR SDRAM 34 is shown as an example of a synchronization circuit, and performs a predetermined operation in synchronization with a clock input via the clock path 33.
The I / O 35 outputs data read from the DDR SDRAM 34 or supplies data input from the outside to the DDR SDRAM 34. The I / O 35 may output the clock generated by the PLL 32 via the clock path 33 and the DDR SDRAM 34.

このような半導体集積回路30において、回路部31で電源ノイズが発生した場合、クロックパス33はその影響をうけ、パス遅延が増加する可能性がある。以下に示す設計方法は、電源ノイズによる遅延変動が起きにくい、つまり電源ノイズ耐性が高いクロックパス33を設計するものである。   In such a semiconductor integrated circuit 30, when power supply noise occurs in the circuit unit 31, the clock path 33 is affected by this, and there is a possibility that the path delay increases. The design method described below is to design a clock path 33 that is less susceptible to delay fluctuations due to power supply noise, that is, has high power noise resistance.

(設計方法の一例)
図6は、第2の実施の形態の設計方法の一例の流れを説明するフローチャートである。
以下の処理は、図4に示したコンピュータ20において、プロセッサ21の制御のもと行われる。なお、第2の実施の形態の設計方法では、第1の実施の形態で説明したような係数ライブラリは予め生成されており、たとえば、HDD23に格納されているものとして説明する。
(Example of design method)
FIG. 6 is a flowchart for explaining the flow of an example of the design method according to the second embodiment.
The following processing is performed under the control of the processor 21 in the computer 20 shown in FIG. In the design method of the second embodiment, the coefficient library as described in the first embodiment is generated in advance and is described as being stored in the HDD 23, for example.

まず、簡単に各処理ステップを説明する。
たとえば、まず半導体集積回路における電源ノイズのノイズ量の算出が行われ(ステップS10)、算出されたノイズ量40は、たとえば、HDD23に格納される。
First, each processing step will be briefly described.
For example, first, the amount of power supply noise in the semiconductor integrated circuit is calculated (step S10), and the calculated noise amount 40 is stored in the HDD 23, for example.

その後、クロックパスの設計が行われる(ステップS11)。ステップS11の処理は、たとえば、以下のステップS111,S112,S113,S114,S115の処理を含む。   Thereafter, a clock path is designed (step S11). The process of step S11 includes, for example, the following processes of steps S111, S112, S113, S114, and S115.

ステップS111の処理では、係数ライブラリ41から設計条件42を満たす範囲で最小の係数が選択される。
ステップS112の処理では、選択された係数に対応した一段のクロックバッファと配線負荷が選択される。
In the process of step S111, the minimum coefficient is selected from the coefficient library 41 within a range that satisfies the design condition.
In the process of step S112, a one-stage clock buffer and wiring load corresponding to the selected coefficient are selected.

ステップS113の処理では、クロックバッファと配線負荷の選択結果と、設計条件42に含まれるクロックパスの配線長に基づき、クロックパスに含めるクロックバッファと配線負荷によるセルの段数が決定される。   In the process of step S113, the number of cell stages depending on the clock buffer and the wiring load included in the clock path is determined based on the selection result of the clock buffer and the wiring load and the wiring length of the clock path included in the design condition 42.

ステップS114の処理では、クロックパス情報43(クロックパスの段数を含む)が出力される。クロックパス情報43は、たとえば、HDD23に格納される。
ステップS115の処理は、後述するタイミング制約の確認で、タイミング制約が満たされないと判定されたときに行われ、クロックバッファや、配線負荷が変更される。たとえば、ステップS111で選択された係数の次に小さい係数が選択され、その係数に対応したパラメータを有する一段のクロックバッファと配線負荷に変更される。
In the process of step S114, clock path information 43 (including the number of clock path stages) is output. The clock path information 43 is stored in the HDD 23, for example.
The process of step S115 is performed when it is determined in the timing constraint check described later that the timing constraint is not satisfied, and the clock buffer and the wiring load are changed. For example, the next smaller coefficient than the coefficient selected in step S111 is selected and changed to a one-stage clock buffer and wiring load having parameters corresponding to the coefficient.

ステップS11の処理後、タイミング制約の確認が行われる(ステップS12)。ステップS12の処理では、設計されたクロックパスがタイミング制約を満たしている否かが判定される。タイミング制約が満たされていないときには、ステップS115の処理が行われる。   After the process of step S11, the timing constraint is confirmed (step S12). In the process of step S12, it is determined whether or not the designed clock path satisfies the timing constraint. When the timing constraint is not satisfied, the process of step S115 is performed.

タイミング制約が満たされているときには、遅延変動量の最大値の計算が行われる(ステップS13)。遅延変動量の最大値は、ノイズ量40と、ステップS111またはステップS115の処理で選択された係数44に基づき、前述した式(1)により求められる。   When the timing constraint is satisfied, the maximum value of the delay variation is calculated (step S13). The maximum value of the delay variation amount is obtained by the above-described equation (1) based on the noise amount 40 and the coefficient 44 selected in the process of step S111 or step S115.

その後、ステップS13の処理で算出された遅延変動量の最大値が、クロックパスが接続される同期回路の制約を満たすか否かが確認される(ステップS14)。制約が満たされていないときには、ノイズ量40の見直しが行われる(ステップS15)。ステップS15の処理では、たとえば、ノイズ量40の再計算が行われ、ノイズ量40が更新され、その後、ステップS13からの処理が繰り返される。なお、ノイズ量40を減らすような再設計が行われたのち、ステップS10からの処理が繰り返されるようにしてもよい。   Thereafter, it is confirmed whether or not the maximum value of the delay variation calculated in the process of step S13 satisfies the constraint of the synchronous circuit to which the clock path is connected (step S14). When the constraint is not satisfied, the noise amount 40 is reviewed (step S15). In the process of step S15, for example, the noise amount 40 is recalculated, the noise amount 40 is updated, and then the process from step S13 is repeated. In addition, after redesigning to reduce the noise amount 40, the processing from step S10 may be repeated.

ステップS14の処理で、遅延変動量の最大値が、制約を満たしていると判定されたときには、図6に示されている設計処理が終了する。
なお、各ステップの処理の順序は、上記に限定されるものではない。たとえば、ステップS10のノイズ量の算出処理は、ステップS13の遅延変動量の最大値を計算する処理の直前に行うようにしてもよい。
If it is determined in step S14 that the maximum delay variation amount satisfies the constraint, the design process shown in FIG. 6 ends.
Note that the processing order of each step is not limited to the above. For example, the noise amount calculation process of step S10 may be performed immediately before the process of calculating the maximum delay fluctuation amount of step S13.

以下、ステップS10,S11,S12の処理の一例を説明する。
(ノイズ量算出処理(ステップS10))
ノイズ量算出処理では、たとえば、以前に設計された半導体集積回路についてのDvD(Dynamic voltage Drop)解析結果や、クロックレイテンシとDvDピーク制約などからノイズ量が算出される。たとえば、プロセッサ21は、DvD解析結果と、クロックパスの電源波形を取得し、図2に示したように、電源電圧Vddからの電圧降下を、ノイズを受けた時間(T0〜T1)で積分することによりノイズ量を算出する。
Hereinafter, an example of the processing of steps S10, S11, and S12 will be described.
(Noise amount calculation process (step S10))
In the noise amount calculation process, for example, the noise amount is calculated from a DvD (Dynamic voltage Drop) analysis result of a previously designed semiconductor integrated circuit, clock latency, DvD peak constraint, and the like. For example, the processor 21 acquires the DvD analysis result and the power supply waveform of the clock path, and integrates the voltage drop from the power supply voltage Vdd with the time (T0 to T1) when receiving noise as shown in FIG. As a result, the amount of noise is calculated.

(クロックパス設計(ステップS11))
クロックパスの設計処理では、プロセッサ21は、たとえば、HDD23に格納されている係数ライブラリ41と設計条件42を取得して、ステップS111〜S115の処理を行う。設計条件42は、たとえば、クロックパスのタイミング制約や遅延変動制約のほか、クロックパスの配線長、クロックバッファの種類(トランジスタサイズやトランジスタの閾値電圧などが異なる)、配線条件を含む。
(Clock path design (step S11))
In the clock path design process, for example, the processor 21 acquires the coefficient library 41 and the design condition 42 stored in the HDD 23 and performs the processes of steps S111 to S115. The design conditions 42 include, for example, clock path timing constraints and delay variation constraints, clock path wiring length, clock buffer type (transistor size, transistor threshold voltage, and the like are different), and wiring conditions.

配線条件は、たとえば、使用可能な、配線層、配線長、配線幅、隣接配線との間隔などであり、プロセステクノロジーによって決まる。
係数ライブラリ41で管理される係数は、前述したように、あるパラメータを有するクロックバッファと配線負荷の組み合わせによるセルでの、電圧感度(Ds)/遅延時間(D)で表される。Dsは、遅延増加量(ΔD)と電圧降下の大きさ(ΔV)を用いてDs=ΔD/ΔVと表される。
The wiring conditions include, for example, usable wiring layers, wiring lengths, wiring widths, and intervals between adjacent wirings, and are determined by process technology.
As described above, the coefficient managed by the coefficient library 41 is expressed by voltage sensitivity (Ds) / delay time (D) in a cell based on a combination of a clock buffer having a certain parameter and a wiring load. Ds is expressed as Ds = ΔD / ΔV using the delay increase amount (ΔD) and the magnitude of the voltage drop (ΔV).

遅延増加量と電圧降下との関係は、たとえば、以下のようになる。
図7は、遅延増加量と電圧降下の大きさとの関係の一例を示す図である。
横軸が電圧降下の大きさ(ΔV)を示し、縦軸が遅延変動量(ΔD)を示している。
The relationship between the delay increase amount and the voltage drop is, for example, as follows.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the relationship between the delay increase amount and the magnitude of the voltage drop.
The horizontal axis indicates the magnitude of voltage drop (ΔV), and the vertical axis indicates the delay fluctuation amount (ΔD).

遅延増加量と電圧降下の大きさの関係は、図7に示すように非線形であり、電圧降下が大きくなると遅延増加量は急激に増大する。本実施の形態では、プロセッサ21は、比較的線形と見なせる領域での電圧降下の大きさΔV1と、その時の遅延増加量ΔD1から、電圧感度を算出するものとする。   The relationship between the delay increase amount and the magnitude of the voltage drop is non-linear as shown in FIG. 7, and the delay increase amount increases rapidly as the voltage drop increases. In the present embodiment, the processor 21 calculates the voltage sensitivity from the voltage drop magnitude ΔV1 in a region that can be regarded as relatively linear and the delay increase amount ΔD1 at that time.

なお、遅延時間(D)や、ΔV1だけ電圧降下が発生したときのΔD1は、クロックバッファと配線負荷のパラメータの組み合わせごとに、たとえば、回路シミュレーションにより得られる。そして、これらの値に基づき算出される係数群により、たとえば、以下のような係数ライブラリ41が得られる。   Note that the delay time (D) and ΔD1 when the voltage drop occurs by ΔV1 are obtained for each combination of the clock buffer and wiring load parameters, for example, by circuit simulation. Then, for example, the following coefficient library 41 is obtained from the coefficient group calculated based on these values.

図8は、係数ライブラリの一例を示す図である。
たとえば、係数ライブラリ41は、複数のテーブルa11,b11,c11〜axk,bxk,cxkを有しており、複数のパラメータの組み合わせごとの係数が管理されている。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a coefficient library.
For example, the coefficient library 41 includes a plurality of tables a11, b11, c11 to axk, bxk, cxk, and a coefficient for each combination of a plurality of parameters is managed.

テーブルa11では、クロックバッファの種類が“BFa”、使用配線層が“M1”、配線幅が“W1”のときの配線間隔(d1,d2,…,dn)と配線長(l1,l2,…,lm)に応じた係数群が管理されている。そして、クロックバッファの種類を“BFb”、“BFc”と変えて、その他のパラメータが同じときの係数群がテーブルb11,c11で管理されている。   In the table a11, the wiring interval (d1, d2,... Dn) and the wiring length (l1, l2,...) When the type of the clock buffer is “BFa”, the used wiring layer is “M1”, and the wiring width is “W1”. , Lm) is managed. Then, the types of clock buffers are changed to “BFb” and “BFc”, and coefficient groups when other parameters are the same are managed in the tables b11 and c11.

同様に、使用配線層をM1〜Mx、配線幅をW1〜Wkの範囲で変化させたときの係数群がテーブルa11,b11,c11〜axk,bxk,cxkで管理されている。
なお、クロックバッファの種類は3種類に限定されるものではなく、4種類以上であってもよいし2種類であってもよい。
Similarly, tables a11, b11, c11 to axk, bxk, and cxk manage the coefficient groups when the used wiring layer is changed in the range of M1 to Mx and the wiring width in the range of W1 to Wk.
Note that the types of clock buffers are not limited to three types, and may be four or more types or two types.

ステップS111の処理では、たとえば、上記のような係数ライブラリ41から設計条件42を満たすようなテーブルが選択され、そのテーブルで管理されている係数群のなかで、最小の係数が選択される。   In the process of step S111, for example, a table that satisfies the design condition 42 is selected from the coefficient library 41 as described above, and the minimum coefficient is selected from the coefficient group managed in the table.

図9は、係数群の一例を示す図である。
図9では、図8に示したテーブルa11の係数群の例が示されている。配線間隔をd1〜d6、配線長をl1〜l16の範囲で変化させたときの係数群が示されている。配線間隔は、“d1”が最も狭く、“d6”が最も広い。配線長は、“l1”が最も短く、“l16”が最も長い。図9の例では、配線間隔が“d1”、配線長が“l15”のときの係数が最小となっている。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a coefficient group.
FIG. 9 shows an example of the coefficient group of the table a11 shown in FIG. A coefficient group is shown when the wiring interval is changed in the range of d1 to d6 and the wiring length is changed in the range of l1 to l16. As for the wiring interval, “d1” is the narrowest and “d6” is the widest. As for the wiring length, “l1” is the shortest and “l16” is the longest. In the example of FIG. 9, the coefficient when the wiring interval is “d1” and the wiring length is “l15” is minimum.

そのため、ステップS111の処理で、図9に示すようなテーブルa11が選択され、“d1”、“l15”が設計条件を満たすとき、このときの係数が選択される。
ステップS112の処理では、選択された係数に対応したパラメータを有するクロックバッファと配線負荷が選択される。上記の例では、クロックバッファの種類が“BFa”のクロックバッファが選択される。また、使用配線層が“M1”、配線幅が“W1”、配線間隔が“d1”、配線長が“l15”の配線負荷が選択される。
Therefore, when the table a11 as shown in FIG. 9 is selected in the process of step S111 and “d1” and “l15” satisfy the design condition, the coefficient at this time is selected.
In the process of step S112, a clock buffer and a wiring load having parameters corresponding to the selected coefficient are selected. In the above example, the clock buffer whose type is “BFa” is selected. In addition, a wiring load having a wiring layer of “M1”, a wiring width of “W1”, a wiring interval of “d1”, and a wiring length of “l15” is selected.

上記のように選択されたクロックバッファと配線負荷と設計条件42に含まれるクロックパスの配線長に基づき、クロックパスに含めるクロックバッファと配線負荷によるセルの段数が決定され(ステップS113)、その情報が出力される(ステップS114)。   Based on the clock buffer selected as described above, the wiring load, and the wiring length of the clock path included in the design condition 42, the number of cell stages depending on the clock buffer included in the clock path and the wiring load is determined (step S113). Is output (step S114).

なお、本実施の形態では、ステップS112の処理で選択されたクロックバッファと配線負荷によるセルを一様に複数段繰り返してクロックパスを設計するものとする。
その理由を以下に説明する。
In the present embodiment, it is assumed that the clock path is designed by repeating the clock buffer selected in step S112 and the cell due to the wiring load uniformly in multiple stages.
The reason will be described below.

図10は、複数種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時のパス遅延の変動の一例の様子を示す図である。
また、図11は、複数種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時刻とパス遅延の変動量の関係の一例を示す図である。図11において、横軸はノイズ発生時刻を示し、縦軸はパス遅延の変動量を示している。
FIG. 10 is a diagram showing an example of a variation in path delay when noise occurs in a clock path using a plurality of types of clock buffers and wiring loads.
FIG. 11 is a diagram showing an example of the relationship between noise generation time and path delay variation in a clock path using a plurality of types of clock buffers and wiring loads. In FIG. 11, the horizontal axis indicates the noise occurrence time, and the vertical axis indicates the path delay variation.

図10に示すように、クロックパス50は、複数種類のクロックバッファ51a,52a,53a,54a、配線負荷51b,52b,53b,54bを有している。図10の例では、ある周期をもつノイズの発生時刻を矢印方向に走査したときのパス遅延の変動の様子が示されている。たとえば、クロックがクロックバッファ52aに到達した付近でノイズが発生すると、遅延時間はΔDaだけ変動する。一方、クロックがクロックバッファ53aに達した付近でノイズが発生すると、遅延時間の変動量はΔDbとなる。各段での遅延時間の変動量の差異によって、パス遅延の変動量も、ΔDp1になったり、ΔDp2になったりして変動する。   As shown in FIG. 10, the clock path 50 has a plurality of types of clock buffers 51a, 52a, 53a, 54a, and wiring loads 51b, 52b, 53b, 54b. In the example of FIG. 10, the state of path delay variation when the occurrence time of noise having a certain period is scanned in the direction of the arrow is shown. For example, if noise occurs near the clock reaching the clock buffer 52a, the delay time varies by ΔDa. On the other hand, if noise occurs near the clock reaching the clock buffer 53a, the amount of variation in the delay time becomes ΔDb. Due to the difference in the fluctuation amount of the delay time in each stage, the fluctuation amount of the path delay also varies such as ΔDp1 or ΔDp2.

つまり、各段のクロックバッファと配線負荷が一様でないと、パス遅延の変動量は、たとえば、図11に示すようにノイズの発生時刻に応じて変動する。
図12は、同一種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時のパス遅延の変動の一例の様子を示す図である。
That is, if the clock buffers and the wiring loads at each stage are not uniform, the path delay variation amount varies according to the noise generation time, for example, as shown in FIG.
FIG. 12 is a diagram showing an example of path delay variation when noise occurs in a clock path using the same type of clock buffer and wiring load.

また、図13は、同一種類のクロックバッファ、配線負荷を用いたクロックパスにおけるノイズ発生時刻とパス遅延の変動量の関係の一例を示す図である。図13において、横軸はノイズ発生時刻を示し、縦軸はパス遅延の変動量を示している。   FIG. 13 is a diagram showing an example of the relationship between noise generation time and path delay variation in clock paths using the same type of clock buffer and wiring load. In FIG. 13, the horizontal axis indicates the noise occurrence time, and the vertical axis indicates the path delay variation.

図12に示すように、クロックパス60は、同一種類の(パラメータが同じ)クロックバッファ61a,62a,63a,64a、配線負荷61b,62b,63b,64bを有している。図12では、ある周期をもつノイズの発生時刻を矢印方向に走査したときのパス遅延の変動の様子が示されている。   As shown in FIG. 12, the clock path 60 includes clock buffers 61a, 62a, 63a, and 64a of the same type (having the same parameters) and wiring loads 61b, 62b, 63b, and 64b. FIG. 12 shows how the path delay fluctuates when the occurrence time of noise having a certain period is scanned in the direction of the arrow.

図12の例では、各段のクロックバッファ61a,62a,63a,64aと配線負荷61b,62b,63b,64bが同一種類である。そのため、ノイズの発生時刻によらず、各段での遅延の変動量はΔDcとなり、パスの遅延の変動量も、一定の値(ΔDp3)となる。   In the example of FIG. 12, the clock buffers 61a, 62a, 63a, 64a and the wiring loads 61b, 62b, 63b, 64b of the respective stages are of the same type. Therefore, regardless of the noise occurrence time, the delay variation amount at each stage is ΔDc, and the path delay variation amount is also a constant value (ΔDp3).

つまり、各段のクロックバッファと配線負荷が一様であると、図13に示すようにパス遅延の変動量のばらつきを抑制できる。そのため、ジッタを抑制できる。
ステップS112の処理で選択されたクロックバッファと配線負荷によるセルを一様に複数段繰り返してクロックパスを設計する理由は、以上の通りである。
That is, if the clock buffer and the wiring load at each stage are uniform, variation in path delay variation can be suppressed as shown in FIG. Therefore, jitter can be suppressed.
The reason for designing a clock path by repeating a plurality of cells uniformly by the clock buffer and wiring load selected in the process of step S112 is as described above.

ステップS115の処理は、後述するタイミング制約の確認で、タイミング制約が満たされないと判定されたときに行われ、クロックバッファや、配線負荷が変更される。たとえば、ステップS111で選択された係数の次に小さい係数が選択され、その係数に対応した一段のクロックバッファと配線負荷が選択される。図9に示した例では、“1.00”の次に小さい係数は“1.01”であるため、この係数に対応付けられた配線長“l16”、配線間隔“d1”をパラメータとしてもつ配線負荷が選択される。   The process of step S115 is performed when it is determined in the timing constraint check described later that the timing constraint is not satisfied, and the clock buffer and the wiring load are changed. For example, the next smaller coefficient than the coefficient selected in step S111 is selected, and the one-stage clock buffer and wiring load corresponding to the coefficient are selected. In the example shown in FIG. 9, since the next smallest coefficient after “1.00” is “1.01”, the wiring length “l16” and the wiring interval “d1” associated with this coefficient are used as parameters. A wiring load is selected.

(タイミング制約の確認(ステップS12))
ステップS111の処理で、最小の係数が選択されると、その係数に対応付けられたパラメータをもつクロックバッファと配線負荷を用いて作成されるクロックパスのノイズ耐性は高くなる。しかし、係数が小さくなると、遅延時間は大きくなるという傾向がある。
(Confirmation of timing constraints (step S12))
When the minimum coefficient is selected in the process of step S111, the noise resistance of the clock path created using the clock buffer having the parameter associated with the coefficient and the wiring load is increased. However, as the coefficient decreases, the delay time tends to increase.

図14は、パラメータに応じた遅延時間の大きさの例を示す図である。
図14に示されているテーブルa11dでは、図9に示したテーブルa11と同じパラメータであるときの遅延時間の例が示されている。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of the magnitude of the delay time according to the parameter.
The table a11d shown in FIG. 14 shows an example of the delay time when the parameters are the same as those in the table a11 shown in FIG.

前述したように、図9に示したテーブルa11では配線長が“l15”、配線間隔が“d1”のときに係数が最小であるが、図14に示したテーブルa11dでは、配線長が“l15”、配線間隔が“d1”のとき、遅延時間は比較的大きくなっている。そのため、このようなパラメータをもつセルが複数段繰り返して接続されたクロックパスは、タイミング制約を満たさなくなる可能性がある。   As described above, in the table a11 shown in FIG. 9, the coefficient is the minimum when the wiring length is “l15” and the wiring interval is “d1”, but in the table a11d shown in FIG. "When the wiring interval is" d1 ", the delay time is relatively large. Therefore, there is a possibility that a clock path in which cells having such parameters are connected repeatedly in a plurality of stages may not satisfy the timing constraint.

そこで、ステップS12の処理では、ステップS11の処理で設計されたクロックパスが、設計条件42に含まれるタイミング制約を満たすものであるか否かが確認される。
プロセッサ21は、クロックパスがタイミング制約を満たしているか否かを、STA(Static Timing Analysis)解析を実行することで確認できる。クロックパスのタイミング制約は、クロックパルス幅が十分であるか否かと、クロックレイテンシ(クロック遅延)の制約があるが、これらの制約条件は開発するチップの仕様により決まっている。なお、STA解析での入力は、たとえば、セルの遅延ライブラリ、クロックパス情報43(クロックパスの段数の情報)を含む。
Therefore, in the process of step S12, it is confirmed whether or not the clock path designed in the process of step S11 satisfies the timing constraint included in the design condition 42.
The processor 21 can confirm whether or not the clock path satisfies the timing constraint by executing STA (Static Timing Analysis) analysis. The clock path timing constraints include whether or not the clock pulse width is sufficient and clock latency (clock delay) constraints. These constraint conditions are determined by the specifications of the chip to be developed. The input in the STA analysis includes, for example, a cell delay library and clock path information 43 (information on the number of clock path stages).

タイミング制約が満たされていないときには、ステップS115の処理が行われ、タイミング制約が満たされているときには、ステップS13の処理が行われる。小さい係数を用いると遅延時間が大きくなくため、このようなステップS12,S115の処理を行うことで、タイミング制約を満たさなくなることを防げる。   When the timing constraint is not satisfied, the process of step S115 is performed, and when the timing constraint is satisfied, the process of step S13 is performed. If a small coefficient is used, the delay time is not large. Therefore, it is possible to prevent the timing constraint from being satisfied by performing the processing in steps S12 and S115.

このように、本実施の形態の設計方法によれば、設計条件42を満たす範囲で、できるだけ小さい係数が選択され、その係数に対応付けられたパラメータを有するクロックバッファと配線負荷により、クロックパスが設計される。係数は、電圧降下時の遅延増加を表すものである。そのため、電源ノイズによる電圧降下に対する遅延増加が小さいクロックパスを設計できる。つまり、電源ノイズによる遅延変動が起きにくい(電源ノイズに対する耐性が高い)クロックパスを設計することができる。   As described above, according to the design method of the present embodiment, a coefficient as small as possible is selected within the range satisfying the design condition 42, and the clock path is determined by the clock buffer having the parameter associated with the coefficient and the wiring load. Designed. The coefficient represents an increase in delay when the voltage drops. Therefore, it is possible to design a clock path in which a delay increase with respect to a voltage drop due to power supply noise is small. That is, it is possible to design a clock path in which delay variation due to power supply noise hardly occurs (high resistance to power supply noise).

また、設計の段階で電源ノイズに対する耐性が高いクロックパスを設計できるので、配置・配線処理後に回路シミュレータでクロックパスの遅延変動を検証し、その結果に応じて配置・配線処理に戻り修正するなどの手戻りの発生を抑制できる。   In addition, a clock path that is highly resistant to power supply noise can be designed at the design stage, so the delay variation of the clock path is verified with a circuit simulator after the placement / routing process, and the return to the placement / routing process is corrected according to the result. The occurrence of reworking can be suppressed.

なお、第2の実施の形態では、係数ライブラリ41は、予め作成されているものとして説明したが、第1の実施の形態の設計方法と同様に、図6に示す処理を行う設計装置(コンピュータ20)が、係数ライブラリ41を作成するようにしてもよい。また、設計装置が、他の装置で作成された係数ライブラリ41を取得して、図6に示したような処理を行うようにしてもよい。   In the second embodiment, the coefficient library 41 has been described as being created in advance. However, as in the design method of the first embodiment, a design apparatus (computer) that performs the processing shown in FIG. 20) may create the coefficient library 41. Further, the design apparatus may acquire the coefficient library 41 created by another apparatus and perform the processing as shown in FIG.

また、S111の処理では、係数ライブラリ41から設計条件42を満たす範囲で最小の係数が選択される、としたが、必ずしも最小でなくてもよく、優先的に小さい係数が選択されるようにすれば、高ノイズ耐性のクロックパスを設計できる。   In the processing of S111, the minimum coefficient is selected from the coefficient library 41 within the range that satisfies the design condition 42. However, the minimum coefficient is not necessarily selected, and a small coefficient is preferentially selected. For example, a clock path with high noise resistance can be designed.

また、上記の説明では、一段のセルをクロックバッファとその出力側に接続された配線負荷の組み合わせとしたが、クロックバッファとその入力側に接続された配線負荷の組み合わせとしてもよい。   In the above description, a single cell is a combination of a clock buffer and a wiring load connected to its output side, but may be a combination of a clock buffer and a wiring load connected to its input side.

以上、実施の形態に基づき、本発明の設計方法、設計装置及びプログラムの一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。   As described above, one aspect of the design method, the design apparatus, and the program according to the present invention has been described based on the embodiments, but these are only examples and are not limited to the above description.

1 設計装置
2 プロセッサ
3 記憶部
5 係数ライブラリ
10 クロックパス
11a,11b,11c クロックバッファ
12a,12b,12c 配線負荷
R1〜R6 配線抵抗
C1〜C6 配線容量
D 遅延時間
Ds 電圧感度
ΔD 遅延増加量
ΔV 電圧降下の大きさ
Vdd 電源電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Design apparatus 2 Processor 3 Memory | storage part 5 Coefficient library 10 Clock path 11a, 11b, 11c Clock buffer 12a, 12b, 12c Wiring load R1-R6 Wiring resistance C1-C6 Wiring capacity D Delay time Ds Voltage sensitivity ΔD Delay increase ΔV Voltage Size of drop Vdd Power supply voltage

Claims (10)

設計装置が、
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとの、電圧降下時の遅延増加を表す係数群から、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
ことを特徴とする設計方法。
Design equipment
A small coefficient within a range satisfying the design condition is selected from a group of coefficients representing an increase in delay at the time of voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers. Select preferentially,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A design method characterized by that.
前記設計装置は、前記クロックパスの長さに基づき、選択した前記クロックバッファ及び前記配線負荷を前記クロックパス上に繰り返し配置する、ことを特徴とする請求項1に記載の設計方法。   The design method according to claim 1, wherein the design apparatus repeatedly arranges the selected clock buffer and the wiring load on the clock path based on a length of the clock path. 前記係数は、1つの前記クロックバッファと1つの前記配線負荷との組み合わせにおける、電圧降下の大きさに対する遅延増加量を、遅延時間で割った値である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の設計方法。   The coefficient is a value obtained by dividing a delay increase amount with respect to a magnitude of a voltage drop by a delay time in a combination of one clock buffer and one wiring load. The design method described in 1. 前記パラメータの異なる、前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷との組み合わせごとに、電圧降下の大きさに対する遅延増加量と、遅延時間を算出し、前記電圧降下に対する前記遅延増加量を、前記遅延時間を割ることで前記係数を算出する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の設計方法。   For each combination of the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads having different parameters, a delay increase amount with respect to the magnitude of the voltage drop and a delay time are calculated, and the delay increase amount with respect to the voltage drop is calculated as The design method according to claim 1, wherein the coefficient is calculated by dividing a delay time. 前記設計条件は、前記クロックパスのタイミング条件を含み、前記係数群から、前記タイミング条件を満たす範囲で、最小の係数を選択する、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の設計方法。   5. The design condition according to claim 1, wherein the design condition includes a timing condition of the clock path, and a minimum coefficient is selected from the coefficient group within a range that satisfies the timing condition. The design method described. 設計装置が、
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとに、遅延時間と、電圧降下の大きさに対する遅延増加量とを算出し、前記電圧降下に対する前記遅延増加量を、前記遅延時間で割ることで、電圧降下時の遅延増加を表す係数群を算出し、
前記係数群のうち、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
ことを特徴とする設計方法。
Design equipment
For each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers, a delay time and a delay increase amount with respect to the magnitude of the voltage drop are calculated, and the voltage drop By dividing the amount of increase in delay by the delay time, a coefficient group representing an increase in delay at the time of voltage drop is calculated,
From the coefficient group, a small coefficient is preferentially selected within a range that satisfies a design condition,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A design method characterized by that.
プロセッサを有し、
前記プロセッサは、
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとの、電圧降下時の遅延増加を表す係数群から、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
ことを特徴とする設計装置。
Have a processor,
The processor is
A small coefficient within a range satisfying the design condition is selected from a group of coefficients representing an increase in delay at the time of voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers. Select preferentially,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A design device characterized by that.
プロセッサを有し、
前記プロセッサは、
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとに、遅延時間と、電圧降下の大きさに対する遅延増加量とを算出し、前記電圧降下に対する前記遅延増加量を、前記遅延時間で割ることで、電圧降下時の遅延増加を表す係数群を算出し、
前記係数群のうち、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
ことを特徴とする設計装置。
Have a processor,
The processor is
For each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers, a delay time and a delay increase amount with respect to the magnitude of the voltage drop are calculated, and the voltage drop By dividing the amount of increase in delay by the delay time, a coefficient group representing an increase in delay at the time of voltage drop is calculated,
From the coefficient group, a small coefficient is preferentially selected within a range that satisfies a design condition,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A design device characterized by that.
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとの、電圧降下時の遅延増加を表す係数群から、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
処理をコンピュータに実行させるプログラム。
A small coefficient within a range satisfying the design condition is selected from a group of coefficients representing an increase in delay at the time of voltage drop for each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers. Select preferentially,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A program that causes a computer to execute processing.
パラメータの異なる、複数のクロックバッファと、前記複数のクロックバッファに接続される複数の配線負荷との組み合わせごとに、遅延時間と、電圧降下の大きさに対する遅延増加量とを算出し、前記電圧降下に対する前記遅延増加量を、前記遅延時間で割ることで、電圧降下時の遅延増加を表す係数群を算出し、
前記係数群のうち、設計条件を満たす範囲で小さい係数を優先的に選択し、
前記複数のクロックバッファと前記複数の配線負荷のうち、選択した前記係数に対応付けられた前記パラメータを有する、クロックバッファ及び配線負荷を選択して、クロックパスを設計する、
処理をコンピュータに実行させるプログラム。
For each combination of a plurality of clock buffers having different parameters and a plurality of wiring loads connected to the plurality of clock buffers, a delay time and a delay increase amount with respect to the magnitude of the voltage drop are calculated, and the voltage drop By dividing the amount of increase in delay by the delay time, a coefficient group representing an increase in delay at the time of voltage drop is calculated,
From the coefficient group, a small coefficient is preferentially selected within a range that satisfies a design condition,
A clock path is designed by selecting a clock buffer and a wiring load having the parameter associated with the selected coefficient among the plurality of clock buffers and the plurality of wiring loads.
A program that causes a computer to execute processing.
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