JP2015130409A - Light-emitting device, light-emitting module, projector, communication apparatus, manufacturing method of light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device that can accurately recognize a place where light is emitted even when the position of an end surface is varied.SOLUTION: The light-emitting device includes a multilayer substrate 41, a first emitting unit 16b that emits light 17 from a first side face 41a of the multilayer substrate 41, and a first element mark 18 that has a part of the shape in planar view viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 41 including the first side face 41a. The first element mark 18 has a first optical axis side 18b parallel to the optical axis 17a of the light 17.

Description

本発明は、発光デバイス、発光モジュール、プロジェクター、通信機器、発光デバイスの製造方法及び発光モジュールの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device, a light emitting module, a projector, a communication device, a method for manufacturing a light emitting device, and a method for manufacturing a light emitting module.

プロジェクターの光源や光通信の光源にスーパールミネッセントダイオード(Super Luminescent Diode、以下「SLD」ともいう)や半導体レーザー等が用いられている。光源はレンズや光ファイバー等の光学系に組み合わせて用いられる。   Super luminescent diodes (hereinafter also referred to as “SLDs”), semiconductor lasers, and the like are used as light sources for projectors and light sources for optical communication. The light source is used in combination with an optical system such as a lens or an optical fiber.

半導体レーザー素子を用いた光モジュールが特許文献1に開示されている。それによると、基板上に半導体レーザー素子と光ファイバーが設置されている。基板にはV溝が形成され、光ファイバーはV溝に沿って設置されている。そして、半導体レーザー素子及び基板には位置合わせ用のマークが設置されている。そして、半導体レーザー素子を基板に設置するときには、撮像カメラとロボットとを活用する。撮像カメラにて位置合わせ用のマークの像を撮像し、マークの位置を認識する。そして、位置合わせ用のマークの像を用いて半導体レーザー素子の位置と基板の位置とを認識する。次に、ロボットを制御して基板上の所定の位置に半導体レーザー素子を設置していた。   An optical module using a semiconductor laser element is disclosed in Patent Document 1. According to this, a semiconductor laser element and an optical fiber are installed on the substrate. A V-groove is formed in the substrate, and the optical fiber is installed along the V-groove. The semiconductor laser element and the substrate are provided with alignment marks. And when installing a semiconductor laser element in a board | substrate, an imaging camera and a robot are utilized. An image of a mark for alignment is picked up by an imaging camera, and the position of the mark is recognized. Then, the position of the semiconductor laser element and the position of the substrate are recognized using the image of the alignment mark. Next, the robot was controlled to install the semiconductor laser element at a predetermined position on the substrate.

特開平11−52195号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-52195

特許文献1では半導体レーザー素子にマークが設置され、マークには光軸との相対位置が設定されている。従って、マークを用いて光軸の位置を認識することが可能になっている。半導体レーザー素子等の製造工程ではシリコンウエハー等の母材が用いられる。そして、発光デバイスが母材に複数格子状に形成される。そして、母材が分割されて発光デバイスとなる。発光層にガリウム、インジウム、リンが用いられるとき、これらの物質は水溶性である。従って、母材をダイヤモンドブレードに純水を流動させながら切断すると発光層に損傷を与える。このため、母材を分割するときには母材の結晶面に沿って劈開する方法が行われている。   In Patent Document 1, a mark is placed on a semiconductor laser element, and a relative position to the optical axis is set for the mark. Therefore, the position of the optical axis can be recognized using the mark. In the manufacturing process of a semiconductor laser element or the like, a base material such as a silicon wafer is used. And the light emitting device is formed in a plurality of grids on the base material. Then, the base material is divided into light emitting devices. When gallium, indium, or phosphorus is used for the light emitting layer, these substances are water-soluble. Therefore, if the base material is cut while flowing pure water through the diamond blade, the light emitting layer is damaged. For this reason, when dividing | segmenting a base material, the method of cleaving along the crystal plane of a base material is performed.

劈開法では分割された面が光軸方向の位置にバラツキが生じる。マークに対しても光軸方向の位置にバラツキが生じる。分割された面には光が射出される場所があり、光学部品との位置合わせをするときには分割された面を認識する必要がある。そこで、分割により形成された面の位置にバラツキが生じても光が発光する場所を正確に認識することができる発光デバイスが望まれていた。   In the cleavage method, the divided surfaces vary in positions in the optical axis direction. Variations also occur in the position in the optical axis direction with respect to the mark. There is a place where light is emitted on the divided surface, and it is necessary to recognize the divided surface when aligning with the optical component. Therefore, there has been a demand for a light-emitting device that can accurately recognize a place where light is emitted even if the position of the surface formed by the division varies.

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following forms or application examples.

[適用例1]
本適用例にかかる発光デバイスであって、基板と、前記基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする。
[Application Example 1]
A light-emitting device according to this application example, wherein the substrate, an emission unit that emits light from the side surface of the substrate, and a part of the shape including a side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate And.

本適用例によれば、発光デバイスは基板を備えている。射出部は基板の側面から光を射出する。発光デバイスはマークを有し、基板の厚み方向から見た平面視でマークの形状の一部が基板の側面を含んでいる。従って、マークを見ることにより基板の側面の位置を認識することができる。そして、基板の側面から光が射出されるので、光の光軸方向で光が射出される位置を認識することができる。発光デバイスは母材から分割して形成されるので、発光デバイスの側面の位置にバラツキが生じる。マークは側面の位置を示すので、側面の位置にバラツキが生じてもマークを用いて光が発光する場所を正確に認識することができる。   According to this application example, the light emitting device includes the substrate. The emitting unit emits light from the side surface of the substrate. The light emitting device has a mark, and part of the shape of the mark includes the side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate. Therefore, the position of the side surface of the substrate can be recognized by looking at the mark. And since light is inject | emitted from the side surface of a board | substrate, the position where light is inject | emitted in the optical axis direction of light can be recognized. Since the light emitting device is formed by being divided from the base material, variation occurs in the position of the side surface of the light emitting device. Since the mark indicates the position of the side surface, it is possible to accurately recognize the location where light is emitted using the mark even if the position of the side surface varies.

[適用例2]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記マークは前記形状の一部が前記光の光軸と平行となっていることを特徴とする。
[Application Example 2]
In the light emitting device according to the application example described above, a part of the shape of the mark is parallel to the optical axis of the light.

本適用例によれば、マークは形状の一部が光の光軸と平行となっている。従って、マークは光軸の方向を示す為、マークを用いて光軸の方向を正確に認識することができる。   According to this application example, part of the shape of the mark is parallel to the optical axis of the light. Accordingly, since the mark indicates the direction of the optical axis, the direction of the optical axis can be accurately recognized using the mark.

[適用例3]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は電流を入力する電極を備え、前記マークは前記電極の一部であることを特徴とする。
[Application Example 3]
In the light emitting device according to the application example, the substrate includes an electrode for inputting a current, and the mark is a part of the electrode.

本適用例によれば、発光デバイスは電流を入力する電極を備えている。そして、マークは電極の一部となっている。従って、電極を形成するときにマークを形成することができる。その結果、電極を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。   According to this application example, the light emitting device includes an electrode for inputting a current. The mark is a part of the electrode. Therefore, a mark can be formed when forming an electrode. As a result, the mark can be formed with higher productivity than when the step of forming the electrode and the step of forming the mark are separated.

[適用例4]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板はベース基板を含む複数の層を有し、前記マークは前記ベース基板の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
[Application Example 4]
In the light emitting device according to the application example described above, the substrate has a plurality of layers including a base substrate, and the mark is formed by unevenness of the base substrate.

本適用例によれば、基板は複数の層が積層された基板である。ベース基板をマークの形状にパターニングすることによりベース基板に積層された各層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、ベース基板を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。   According to this application example, the substrate is a substrate in which a plurality of layers are stacked. By patterning the base substrate into the shape of the mark, unevenness in the shape of the mark can be formed on each layer stacked on the base substrate. Therefore, when forming the base substrate, irregularities corresponding to the marks can be formed. As a result, the mark can be formed with higher productivity than when the step of forming the layer and the step of forming the mark are separated.

[適用例5]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は発光層を備え、前記マークは前記発光層の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
[Application Example 5]
In the light emitting device according to the application example described above, the substrate includes a light emitting layer, and the mark is formed by unevenness of the light emitting layer.

本適用例によれば、基板は発光層を備えた基板である。発光層をマークの形状にパターニングすることにより発光層に積層された各層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、発光層を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、発光層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。   According to this application example, the substrate is a substrate including a light emitting layer. By patterning the light emitting layer into the shape of the mark, irregularities in the shape of the mark can be formed in each layer stacked on the light emitting layer. Accordingly, it is possible to form the unevenness corresponding to the mark when forming the light emitting layer. As a result, the mark can be formed with higher productivity than when the step of forming the light emitting layer and the step of forming the mark are separated.

[適用例6]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記基板は絶縁層を備え、前記マークは前記絶縁層の凹凸により成り立っていることを特徴とする。
[Application Example 6]
In the light emitting device according to the application example described above, the substrate includes an insulating layer, and the mark is formed by unevenness of the insulating layer.

本適用例によれば、基板は絶縁層を備えた基板である。絶縁層をマークの形状にパターニングすることにより絶縁層に積層された層にマークの形状の凹凸を形成することができる。従って、絶縁層を形成するときにマークに対応した凹凸を形成することができる。その結果、絶縁層を形成する工程と、マークを形成する工程とを別にするときに比べて生産性良くマークを形成することができる。   According to this application example, the substrate is a substrate including an insulating layer. By patterning the insulating layer into the shape of the mark, unevenness in the shape of the mark can be formed in the layer stacked on the insulating layer. Therefore, when the insulating layer is formed, irregularities corresponding to the marks can be formed. As a result, the mark can be formed with higher productivity than when the step of forming the insulating layer and the step of forming the mark are separated.

[適用例7]
上記適用例にかかる発光デバイスにおいて、前記マークは複数設置されていることを特徴とする。
[Application Example 7]
In the light emitting device according to the application example described above, a plurality of the marks are provided.

本適用例によれば、基板にはマークが複数設置されている。マークと光軸との相対位置は所定の位置関係となっている。従って、複数のマークのうち2つのマークを結ぶ線の方向から光軸の方向を認識することができる。そして、2つのマークが離れている程、2つのマークを結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが1つのときに比べて精度良く光軸の方向を認識することができる。   According to this application example, a plurality of marks are provided on the substrate. The relative position between the mark and the optical axis has a predetermined positional relationship. Therefore, the direction of the optical axis can be recognized from the direction of the line connecting two marks among the plurality of marks. And the accuracy of the direction of the line which connects two marks improves, so that two marks are separated. Therefore, the direction of the optical axis can be recognized with higher accuracy than when there is one mark.

[適用例8]
本適用例にかかる発光デバイスの製造方法であって、母材に射出部を設置し、前記母材にマークを設置し、前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材とを分割することを特徴とする。
[Application Example 8]
A method for manufacturing a light emitting device according to this application example, wherein an injection part is installed on a base material, a mark is installed on the base material, and the base material is arranged along a dividing line passing through the mark and the injection part. Is divided.

本適用例によれば、母材には射出部とマークとが設置される。そして、マークと射出部とを通る分割線に沿って母材が分割される。従って、射出部の端とマークの一部とが分割線上に位置する。その結果、分割線と直交する方向においてマークの位置を用いて射出部の端の位置を正確に認識することができる。   According to this application example, the injection part and the mark are installed on the base material. Then, the base material is divided along a dividing line passing through the mark and the emission part. Therefore, the end of the emission part and a part of the mark are located on the dividing line. As a result, the position of the end of the emitting portion can be accurately recognized using the position of the mark in the direction orthogonal to the dividing line.

[適用例9]
本適用例にかかる発光モジュールであって、第1マークが設置されたベース基板と、前記ベース基板に設置された発光デバイスと、を備え、前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含む第2マークと、を備えることを特徴とする。
[Application Example 9]
A light emitting module according to this application example, comprising: a base substrate on which a first mark is installed; and a light emitting device installed on the base substrate, wherein the light emitting device emits light from a side surface of the substrate. And a second mark in which a part of the shape includes a side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.

本適用例によれば、発光モジュールはベース基板と発光デバイスとを備えている。ベース基板には第1マークが設置され、発光デバイスには第2マークが設置されている。従って第1マークと第2マークとを用いてベース基板に対して発光デバイスを位置精度良く設置することができる。そして、射出部は基板の側面から光を射出する。発光デバイスは第2マークを有し、基板の厚み方向から見た平面視で第2マークの形状の一部が基板の側面を含んでいる。従って、第2マークを見ることにより基板の側面の位置を認識することができる。そして、基板の側面から光が射出されるので、光の光軸方向で光が出る位置を認識することができる。発光デバイスは母材から分割して形成されるので、発光デバイスの側面の位置にバラツキが生じる。第2マークは側面の位置を示すので、側面の位置にバラツキが生じても第2マークを用いてベース基板に対して光が発光する場所を正確に認識することができる。従って、側面の位置にバラツキが生じてもベース基板に対する射出部の場所を精度良く設置することができる。   According to this application example, the light emitting module includes the base substrate and the light emitting device. A first mark is provided on the base substrate, and a second mark is provided on the light emitting device. Therefore, the light emitting device can be installed with high positional accuracy with respect to the base substrate using the first mark and the second mark. The emission unit emits light from the side surface of the substrate. The light emitting device has a second mark, and a part of the shape of the second mark includes the side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate. Therefore, the position of the side surface of the substrate can be recognized by looking at the second mark. And since light is inject | emitted from the side surface of a board | substrate, the position where light comes out in the optical axis direction of light can be recognized. Since the light emitting device is formed by being divided from the base material, variation occurs in the position of the side surface of the light emitting device. Since the second mark indicates the position of the side surface, it is possible to accurately recognize the location where light is emitted to the base substrate using the second mark even when the position of the side surface varies. Therefore, even when the position of the side surface varies, the location of the injection portion relative to the base substrate can be installed with high accuracy.

[適用例10]
本適用例にかかる発光モジュールの製造方法であって、母材に射出部を設置し、前記母材にマークを設置し、前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割して発光デバイスを形成し、ベース基板に位置合わせマークを設置し、前記位置合わせマークと分割された前記マークとを用いて、前記ベース基板に前記発光デバイスを設置することを特徴とする。
[Application Example 10]
A method of manufacturing a light emitting module according to this application example, wherein an injection part is installed on a base material, a mark is installed on the base material, and the base material is placed along a dividing line passing through the mark and the injection part. A light emitting device is divided to form an alignment mark, a positioning mark is set on the base substrate, and the light emitting device is set on the base substrate using the positioning mark and the divided mark.

本適用例によれば、母材には射出部とマークとが設置される。そして、マークと射出部とを通る分割線に沿って母材が分割される。従って、射出部の端とマークの一部とが分割線上に位置する。その結果、分割線と直交する方向においてマークの位置を用いて射出部の端の位置を正確に認識することができる。ベース基板には位置合わせマークが設置される。そして、位置合わせマークと分割されたマークとを用いて、ベース基板に発光デバイスが設置される。その結果、ベース基板に射出部を位置精度良く設置することができる。   According to this application example, the injection part and the mark are installed on the base material. Then, the base material is divided along a dividing line passing through the mark and the emission part. Therefore, the end of the emission part and a part of the mark are located on the dividing line. As a result, the position of the end of the emitting portion can be accurately recognized using the position of the mark in the direction orthogonal to the dividing line. An alignment mark is set on the base substrate. Then, the light emitting device is installed on the base substrate using the alignment mark and the divided marks. As a result, the injection unit can be installed on the base substrate with high positional accuracy.

[適用例11]
本適用例にかかるプロジェクターであって、上記のいずれかに記載の発光デバイスと、前記発光デバイスから射出された光を集光するレンズと、前記レンズによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含むことを特徴とする。
[Application Example 11]
A projector according to this application example, wherein the light-emitting device according to any one of the above, a lens that collects light emitted from the light-emitting device, and light collected by the lens according to image information A light modulation device that modulates the light and a projection device that projects an image formed by the light modulation device.

本適用例によれば、発光デバイスが射出した光をレンズが集光する。集光された光を光変調装置が変調する。そして、変調した光を投射装置が投射している。発光デバイスは、光を発光する場所を位置精度良く設置することができる。従って、マークを用いて発光デバイスのアライメントを容易に行うことができる。その結果、本適用例のプロジェクターは位置合わせが容易な発光デバイスを備えたプロジェクターとすることができる。   According to this application example, the lens collects the light emitted from the light emitting device. The light modulation device modulates the collected light. The projection device projects the modulated light. The light emitting device can place a light emitting place with high positional accuracy. Therefore, the alignment of the light emitting device can be easily performed using the mark. As a result, the projector of this application example can be a projector including a light emitting device that can be easily positioned.

[適用例12]
本適用例にかかる通信機器であって、ベース基板と、前記ベース基板に設置された発光デバイスと、前記ベース基板に設置された光ファイバーと、を備え、前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする。
[Application Example 12]
A communication apparatus according to this application example, comprising: a base substrate; a light emitting device installed on the base substrate; and an optical fiber installed on the base substrate, wherein the light emitting device emits light from a side surface of the substrate. The injection part which inject | emits, and the mark in which a part of shape is planar view seen from the thickness direction of the said board | substrate includes the side surface of the said board | substrate, It is characterized by the above-mentioned.

本適用例によれば、ベース基板には発光デバイスと光ファイバーとが設置される。発光デバイスが射出した光は光ファイバーに入光する。マークを用いることにより発光デバイスは光を発光する場所を位置精度良くベース基板に設置することができる。従って、光ファイバーと発光デバイスとの位置を合わせるアライメントを容易に行うことができる。その結果、本適用例の通信機器は設置位置の調整が容易な発光デバイスを備えた通信機器とすることができる。   According to this application example, the light emitting device and the optical fiber are installed on the base substrate. Light emitted from the light emitting device enters the optical fiber. By using the mark, the light emitting device can place the light emitting place on the base substrate with high positional accuracy. Therefore, alignment for aligning the positions of the optical fiber and the light emitting device can be easily performed. As a result, the communication device of this application example can be a communication device including a light emitting device whose installation position can be easily adjusted.

第1の実施形態にかかわるプロジェクターの光学系の構造を示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram illustrating a structure of an optical system of the projector according to the first embodiment. (a)は光学モジュールの構造を示す模式平面図、(b)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図。(A) is a schematic plan view which shows the structure of an optical module, (b) is a schematic sectional side view which shows the structure of an optical module. (a)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図、(b)は、発光モジュールの構造を示す模式平面図。(A) is a typical sectional side view which shows the structure of a light emitting device, (b) is a schematic top view which shows the structure of a light emitting module. 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of a light-emitting device. 第2の実施形態にかかわり、(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。In connection with the second embodiment, (a) is a schematic plan view of an essential part showing the structure of a light emitting device, and (b) is a schematic side sectional view showing the structure of the light emitting device. 第3の実施形態にかかわり、(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。In connection with the third embodiment, (a) is a schematic plan view of an essential part showing the structure of a light emitting device, and (b) is a schematic side sectional view showing the structure of the light emitting device. 第4の実施形態にかかわり、(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。In connection with the fourth embodiment, (a) is a schematic plan view of an essential part showing the structure of a light emitting device, and (b) is a schematic side sectional view showing the structure of the light emitting device. 第5の実施形態にかかわり、(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。In connection with the fifth embodiment, (a) is a schematic plan view of an essential part showing the structure of a light emitting device, and (b) is a schematic side sectional view showing the structure of the light emitting device. 第6の実施形態にかかわり、(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図、(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図。In connection with the sixth embodiment, (a) is a schematic plan view of an essential part showing the structure of a light emitting device, and (b) is a schematic side sectional view showing the structure of the light emitting device. 第7の実施形態にかかわり、(a)は、通信装置の構造を示す模式平面図、(b)は、通信装置の構造を示す模式側面図。In connection with the seventh embodiment, (a) is a schematic plan view showing the structure of a communication device, and (b) is a schematic side view showing the structure of the communication device. 比較例における基板の分断方法を説明する為の要部拡大模式図。The principal part expansion schematic diagram for demonstrating the cutting method of the board | substrate in a comparative example.

以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
(第1の実施形態)
本実施形態では、発光デバイス、発光デバイスが設置された発光モジュール、発光モジュールが設置されたプロジェクター及び発光モジュールの製造方法の特徴的な例について、図1〜図6に従って説明する。図1は、プロジェクターの光学系の構造を示すブロック図である。
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In addition, each member in each drawing is illustrated with a different scale for each member in order to make the size recognizable on each drawing.
(First embodiment)
In the present embodiment, characteristic examples of a light emitting device, a light emitting module in which the light emitting device is installed, a projector in which the light emitting module is installed, and a method for manufacturing the light emitting module will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing the structure of the optical system of the projector.

図1に示すように、プロジェクター1は図中中央に位置するクロスダイクロイックプリズム2を備えている。クロスダイクロイックプリズム2の図中上側には赤色光学系3が設置され、クロスダイクロイックプリズム2の図中左側には緑色光学系4が設置されている。クロスダイクロイックプリズム2の図中下側には青色光学系5が設置されている。   As shown in FIG. 1, the projector 1 includes a cross dichroic prism 2 located in the center of the drawing. A red optical system 3 is installed on the upper side of the cross dichroic prism 2 in the drawing, and a green optical system 4 is installed on the left side of the cross dichroic prism 2 in the drawing. A blue optical system 5 is installed below the cross dichroic prism 2 in the figure.

赤色光学系3は赤色の画像をクロスダイクロイックプリズム2に射出し、緑色光学系4は緑色の画像をクロスダイクロイックプリズム2に射出する。青色光学系5は青色の画像をクロスダイクロイックプリズム2に射出する。   The red optical system 3 emits a red image to the cross dichroic prism 2, and the green optical system 4 emits a green image to the cross dichroic prism 2. The blue optical system 5 emits a blue image to the cross dichroic prism 2.

赤色光学系3はクロスダイクロイックプリズム2に近い方から順に光変調装置としての液晶ライトバルブ6、均一化光学系7、発光デバイスとしての赤色光源8が設置されている。緑色光学系4及び青色光学系5も赤色光学系3と同様な構成となっている。緑色光学系4はクロスダイクロイックプリズム2に近い方から順に液晶ライトバルブ6、均一化光学系7、発光デバイスとしての緑色光源9が設置されている。青色光学系5はクロスダイクロイックプリズム2に近い方から順に液晶ライトバルブ6、均一化光学系7、発光デバイスとしての青色光源10が設置されている。   In the red optical system 3, a liquid crystal light valve 6 as a light modulator, a uniformizing optical system 7, and a red light source 8 as a light emitting device are installed in order from the side closer to the cross dichroic prism 2. The green optical system 4 and the blue optical system 5 have the same configuration as the red optical system 3. In the green optical system 4, a liquid crystal light valve 6, a uniformizing optical system 7, and a green light source 9 as a light emitting device are installed in order from the side closer to the cross dichroic prism 2. In the blue optical system 5, a liquid crystal light valve 6, a uniformizing optical system 7, and a blue light source 10 as a light emitting device are installed in order from the side closer to the cross dichroic prism 2.

赤色光源8は赤色光を発光する発光モジュールであり、緑色光源9は緑色光を発光する発光モジュールである。青色光源10は青色光を発光する発光モジュールである。   The red light source 8 is a light emitting module that emits red light, and the green light source 9 is a light emitting module that emits green light. The blue light source 10 is a light emitting module that emits blue light.

均一化光学系7はホログラム7a及びレンズとしてのフィールドレンズ7b等によって構成されている。均一化光学系7は赤色光源8、緑色光源9及び青色光源10が射出する光の照度分布を均一にする。   The homogenizing optical system 7 includes a hologram 7a and a field lens 7b as a lens. The homogenizing optical system 7 makes the illuminance distribution of the light emitted from the red light source 8, the green light source 9, and the blue light source 10 uniform.

液晶ライトバルブ6は光の透過と遮断とを制御する機能を有している。液晶ライトバルブ6は対向する透明板に液晶が挟まれた構造をしている。透明板にはマトリックス状の透明電極が配置され、電気信号により液晶を駆動する。液晶により光は偏光具合を制御される。さらに、液晶ライトバルブ6には偏光板を備え、特定の方向に偏光した光を透過させる。画像情報に対応する電気信号にて液晶を駆動することにより、液晶ライトバルブ6は通過する光の分布を画像に対応する光の分布にすることが可能になっている。電気信号に対応して光の分布を制御することを光変調と称す。従って、液晶ライトバルブ6は光変調装置であり、画像を形成する装置になっている。   The liquid crystal light valve 6 has a function of controlling transmission and blocking of light. The liquid crystal light valve 6 has a structure in which liquid crystal is sandwiched between opposing transparent plates. A transparent electrode in the form of a matrix is disposed on the transparent plate, and the liquid crystal is driven by an electric signal. Light is polarized by the liquid crystal. Further, the liquid crystal light valve 6 includes a polarizing plate, and transmits light polarized in a specific direction. By driving the liquid crystal with an electrical signal corresponding to image information, the liquid crystal light valve 6 can change the distribution of light passing therethrough to the distribution of light corresponding to the image. Controlling the light distribution in response to an electrical signal is called light modulation. Accordingly, the liquid crystal light valve 6 is a light modulation device and is a device for forming an image.

クロスダイクロイックプリズム2は4つの直角プリズムを貼り合わせて形成されている。クロスダイクロイックプリズム2の内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3色の光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。従って、クロスダイクロイックプリズム2は色光合成手段になっている。   The cross dichroic prism 2 is formed by bonding four right-angle prisms. On the inner surface of the cross dichroic prism 2, a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are arranged in a cross shape. These dielectric multilayer films combine three colors of light to form light representing a color image. Therefore, the cross dichroic prism 2 is a color light combining means.

クロスダイクロイックプリズム2の図中右側には投射装置としての投射レンズ11が設置され、投射レンズ11の図中右側にはスクリーン12が設置されている。そして、クロスダイクロイックプリズム2によって合成された光は投射レンズ11によりスクリーン12上に投射され、拡大された画像が表示される。投射レンズ11は投射装置であり、スクリーン12は表示面になっている。   A projection lens 11 as a projection device is installed on the right side of the cross dichroic prism 2 in the figure, and a screen 12 is installed on the right side of the projection lens 11 in the figure. Then, the light synthesized by the cross dichroic prism 2 is projected onto the screen 12 by the projection lens 11, and an enlarged image is displayed. The projection lens 11 is a projection device, and the screen 12 is a display surface.

尚、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micromirror Device)が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。   In the above example, a transmissive liquid crystal light valve is used as the light modulation device. However, a light valve other than liquid crystal may be used, or a reflective light valve may be used. Examples of such a light valve include a reflection type liquid crystal light valve and a digital micromirror device (Digital Micromirror Device). Further, the configuration of the projection optical system is appropriately changed depending on the type of light valve used.

また、赤色光源8、緑色光源9及び青色光源10からの光をスクリーン上で走査させる走査型のプロジェクター等の画像表示装置にしても良い。この装置においても赤色光源8、緑色光源9及び青色光源10を用いて、表示面に走査手段を用いて所望の大きさの画像を表示させることができる。   Alternatively, an image display device such as a scanning projector that scans light from the red light source 8, the green light source 9, and the blue light source 10 on a screen may be used. In this apparatus as well, an image having a desired size can be displayed on the display surface using the red light source 8, the green light source 9, and the blue light source 10 using the scanning unit.

次に、赤色光源8に用いられる光学モジュールについて説明する。緑色光源9及び青色光源10は赤色光源8と同様の構造であり、説明を省略する。図2(a)は光学モジュールの構造を示す模式平面図である。図2(b)は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のA−A線に沿う断面側からみた図である。   Next, an optical module used for the red light source 8 will be described. The green light source 9 and the blue light source 10 have the same structure as the red light source 8, and a description thereof is omitted. FIG. 2A is a schematic plan view showing the structure of the optical module. FIG. 2B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the optical module, and is a view seen from the cross-sectional side along the line AA in FIG.

図2に示すように、発光モジュール13はベース基板14を備えている。ベース基板14は有底角筒状であり、底部14aと底部14aの周囲に立設する側壁部14bとを備えている。底部14aは矩形の板状であり、長手方向をX方向とする。底部14aの平面方向でX方向と直交する方向をY方向とする。底部14aの厚み方向であり側壁部14bが立設する方向をZ方向とする。   As shown in FIG. 2, the light emitting module 13 includes a base substrate 14. The base substrate 14 has a bottomed rectangular tube shape, and includes a bottom portion 14a and a side wall portion 14b standing around the bottom portion 14a. The bottom portion 14a has a rectangular plate shape, and the longitudinal direction is the X direction. A direction perpendicular to the X direction in the planar direction of the bottom portion 14a is defined as a Y direction. The direction in which the side wall portion 14b is erected in the thickness direction of the bottom portion 14a is defined as the Z direction.

ベース基板14の材質としては、例えば、Cu、Al、Mo、W、Si、C、Be、Auや、これらの化合物(例えば、AlN、BeO等)や合金(例えばCuMo等)等を挙げることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅(Cu)層とモリブデン(Mo)層の多層構造等から、ベース基板14を構成することもできる。   Examples of the material of the base substrate 14 include Cu, Al, Mo, W, Si, C, Be, Au, a compound thereof (for example, AlN, BeO), and an alloy (for example, CuMo). it can. Further, the base substrate 14 can also be configured from a combination of these examples, for example, a multilayer structure of a copper (Cu) layer and a molybdenum (Mo) layer.

底部14aの中程にはサブマウント15が設置され、サブマウント15に重ねて発光デバイス16が設置されている。サブマウント15の熱伝導率は、例えば、発光デバイス16の熱伝導率よりも大きく、ベース基板14の熱伝導率よりも小さい。ベース基板14及びサブマウント15の各々の熱伝導率は、例えば、140W/mK以上である。サブマウント15の材質としては、例えば、AlN、CuW、SiC、BeO、CuMo、CuとMoを積層したCMC等を挙げることができる。サブマウント15は、ベース基板14と発光デバイス16との熱膨張率の差により生じる発光デバイス16の反りを防止する。   A submount 15 is installed in the middle of the bottom portion 14 a, and a light emitting device 16 is installed on the submount 15. The thermal conductivity of the submount 15 is, for example, larger than the thermal conductivity of the light emitting device 16 and smaller than the thermal conductivity of the base substrate 14. The thermal conductivity of each of the base substrate 14 and the submount 15 is, for example, 140 W / mK or more. Examples of the material of the submount 15 include AlN, CuW, SiC, BeO, CuMo, CMC in which Cu and Mo are stacked, and the like. The submount 15 prevents warpage of the light emitting device 16 caused by a difference in coefficient of thermal expansion between the base substrate 14 and the light emitting device 16.

発光デバイス16はX方向に長い直方体の形状をしており、X方向及び−X方向に光17を射出するスーパールミネッセントダイオード(Super Luminescent Diodeである。以下「SLD」ともいう。)である。本実施形態では、発光デバイス16がInGaAlP系(赤色)のSLDの場合について説明する。SLDは、半導体レーザーと異なり端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することが可能になっている。発光デバイス16において+X方向に光17を射出する場所を射出部としての第1射出部16bとし、−X方向に光17を射出する場所を射出部としての第2射出部16cとする。   The light-emitting device 16 has a rectangular parallelepiped shape that is long in the X direction, and is a super luminescent diode (super luminescent diode, hereinafter also referred to as “SLD”) that emits light 17 in the X direction and the −X direction. . In the present embodiment, the case where the light emitting device 16 is an InGaAlP-based (red) SLD will be described. Unlike a semiconductor laser, an SLD can prevent laser oscillation by suppressing the formation of a resonator due to end face reflection. As a result, speckle noise can be reduced. In the light emitting device 16, a place where the light 17 is emitted in the + X direction is a first emission part 16b as an emission part, and a place where the light 17 is emitted in the −X direction is a second emission part 16c as an emission part.

発光デバイス16においてZ方向を向く上面16aには第2マーク及びマークとしての第1素子マーク18及び第2マーク及びマークとしての第2素子マーク21が設置されている。第1素子マーク18は上面16aの+X方向且つ+Y方向に位置している。第2素子マーク21は上面16aの−X方向且つ−Y方向に位置している。   In the light emitting device 16, a first element mark 18 as a second mark and a mark and a second element mark 21 as a mark and a mark are provided on the upper surface 16 a facing the Z direction. The first element mark 18 is located in the + X direction and the + Y direction of the upper surface 16a. The second element mark 21 is located in the −X direction and the −Y direction of the upper surface 16a.

Z方向から底部14aを見たとき第1素子マーク18の+X側には底部14aに第1マークとしての第1ベースマーク22が設置されている。同様に、Z方向から底部14aを見たとき第2素子マーク21の−X側には底部14aに第1マークとしての第2ベースマーク23が設置されている。第1素子マーク18〜第2ベースマーク23はベース基板14に発光デバイス16を設置するときに用いるマークである。   When the bottom portion 14a is viewed from the Z direction, a first base mark 22 as a first mark is provided on the bottom portion 14a on the + X side of the first element mark 18. Similarly, when the bottom portion 14a is viewed from the Z direction, a second base mark 23 as a first mark is provided on the bottom portion 14a on the −X side of the second element mark 21. The first element mark 18 to the second base mark 23 are marks used when the light emitting device 16 is installed on the base substrate 14.

発光デバイス16の+X方向側には第1凹部14cが形成されている。第1凹部14cはZ方向から見た形状が四角形であり、第1凹部14cには底部14a側の面が四角形の第1反射鏡24が設置されている。第1凹部14cの形状に合わせて第1反射鏡24を設置することにより、第1反射鏡24は所定の位置に設置されるようになっている。同様に、発光デバイス16の−X方向側には第2凹部14dが形成されている。第2凹部14dはZ方向から見た形状が四角形であり、第2凹部14dには底部14a側の面が四角形の第2反射鏡25が設置されている。第2凹部14dの形状に合わせて第2反射鏡25を設置することにより、第2反射鏡25は所定の位置に設置されるようになっている。   A first recess 14 c is formed on the + X direction side of the light emitting device 16. The first recess 14c has a quadrangular shape when viewed from the Z direction, and a first reflecting mirror 24 having a quadrangular surface on the bottom 14a side is installed in the first recess 14c. By installing the first reflecting mirror 24 according to the shape of the first recess 14c, the first reflecting mirror 24 is installed at a predetermined position. Similarly, a second recess 14 d is formed on the −X direction side of the light emitting device 16. The second recess 14d has a quadrangular shape when viewed from the Z direction, and a second reflecting mirror 25 having a quadrangular surface on the bottom 14a side is installed in the second recess 14d. By installing the second reflecting mirror 25 according to the shape of the second recess 14d, the second reflecting mirror 25 is installed at a predetermined position.

第1反射鏡24及び第2反射鏡25の光17に対する反射率は、50%より高く、100%以下であることが好ましい。第1反射鏡24及び第2反射鏡25の材質としては、例えば、Al、Ag、Au等が挙げられる。例えば、第1反射鏡24及び第2反射鏡25の表面の材質のみを、上記材質(例えば、Al、Ag、Au)としてもよい。   The reflectance of the first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 with respect to the light 17 is preferably higher than 50% and not higher than 100%. Examples of the material of the first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 include Al, Ag, Au, and the like. For example, only the materials of the surfaces of the first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 may be the above materials (for example, Al, Ag, Au).

第1反射鏡24及び第2反射鏡25は三角柱の形状をしている。そして、発光デバイス16から射出される光17の光軸17aが第1反射鏡24の反射面となす角度は45度になっている。そして、発光デバイス16から+X方向に射出される光17は第1反射鏡24にて反射し+Z方向に進行する。同様に、発光デバイス16から射出される光17の光軸17aが第2反射鏡25の反射面となす角度は45度になっている。発光デバイス16から−X方向に射出される光17は第2反射鏡25にて反射し+Z方向に進行する。従って発光モジュール13から射出される光17は+Z方向に進行するようになっている。   The first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 have a triangular prism shape. And the angle which the optical axis 17a of the light 17 inject | emitted from the light emitting device 16 makes with the reflective surface of the 1st reflective mirror 24 is 45 degree | times. The light 17 emitted from the light emitting device 16 in the + X direction is reflected by the first reflecting mirror 24 and travels in the + Z direction. Similarly, the angle formed by the optical axis 17a of the light 17 emitted from the light emitting device 16 and the reflecting surface of the second reflecting mirror 25 is 45 degrees. Light 17 emitted from the light emitting device 16 in the −X direction is reflected by the second reflecting mirror 25 and travels in the + Z direction. Accordingly, the light 17 emitted from the light emitting module 13 travels in the + Z direction.

側壁部14bの+Z方向側には蓋部26が設置されている。蓋部26はリッドとも称される。尚、図2(a)は見易くするために蓋部26が省略された図となっている。蓋部26は、ベース基板14の側壁部14bに囲まれた凹部27を密閉して、凹部27内に設けられた発光デバイス16を封止する。蓋部26の材質は光17の波長に対して透過性のある材質である。これにより、光17のうちの少なくとも一部は、蓋部26を透過する。蓋部26の材質は、特に限定されず例えば、石英、ガラス、水晶、プラスチック等を用いることができる。これらは、発光デバイス16が射出する光17の波長に応じて適宜選択されることができる。これにより、光17の吸収損失を低減することができる。   A lid portion 26 is installed on the + Z direction side of the side wall portion 14b. The lid portion 26 is also referred to as a lid. 2A is a view in which the lid portion 26 is omitted for easy viewing. The lid portion 26 seals the light emitting device 16 provided in the concave portion 27 by sealing the concave portion 27 surrounded by the side wall portion 14 b of the base substrate 14. The material of the lid portion 26 is a material that is transparent to the wavelength of the light 17. Thereby, at least a part of the light 17 is transmitted through the lid portion 26. The material of the cover part 26 is not specifically limited, For example, quartz, glass, quartz, a plastic etc. can be used. These can be appropriately selected according to the wavelength of the light 17 emitted from the light emitting device 16. Thereby, the absorption loss of the light 17 can be reduced.

発光デバイス16の−Y方向側には底部14aに貫通電極28が設置されている。そして、発光デバイス16の上面16aと貫通電極28とは、ワイヤーボンディング等の接続部材29により接続されている。   A through electrode 28 is provided on the bottom 14 a on the −Y direction side of the light emitting device 16. The upper surface 16a of the light emitting device 16 and the through electrode 28 are connected by a connection member 29 such as wire bonding.

図3(a)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図2(a)のB−B線に沿う断面側から見た図である。図3(a)に示すように、サブマウント15上には第1電極30が設置されている。第1電極30はY方向の中程にZ方向に突出する凸部30aが設置されている。凸部30aは発光デバイス16のX方向の全幅に渡って設置されている。   FIG. 3A is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the light-emitting device, as viewed from the cross-sectional side along the line BB in FIG. As shown in FIG. 3A, the first electrode 30 is provided on the submount 15. The first electrode 30 is provided with a convex portion 30a protruding in the Z direction in the middle of the Y direction. The convex portion 30 a is installed over the entire width of the light emitting device 16 in the X direction.

凸部30aを挟んで+Y方向側と−Y方向側とには絶縁層31が設置されている。凸部30a及び絶縁層31に重ねてコンタクト層32が設置されている。コンタクト層32は凸部30aと接触している。コンタクト層32に重ねて第1クラッド層33が設置され、第1クラッド層33に重ねて活性層34が設置されている。活性層34において凸部30aと対向する部分が発光する利得領域35になっている。利得領域35の中央が光軸17aとなる。   An insulating layer 31 is provided on the + Y direction side and the −Y direction side with the convex portion 30a interposed therebetween. A contact layer 32 is provided so as to overlap the convex portion 30 a and the insulating layer 31. The contact layer 32 is in contact with the convex portion 30a. A first cladding layer 33 is provided so as to overlap the contact layer 32, and an active layer 34 is provided so as to overlap the first cladding layer 33. A portion of the active layer 34 facing the convex portion 30a is a gain region 35 that emits light. The center of the gain region 35 is the optical axis 17a.

活性層34に重ねて第2クラッド層36が設置され、第2クラッド層36に重ねてベース基板37が設置されている。ベース基板37に重ねて電極としての第2電極38が設置され、第2電極38には第1素子マーク18及び第2素子マーク21が設置されている。第2電極38には接続部材29が接続され、接続部材29は第2電極38と貫通電極28とを電気的に接続する。第1電極30〜第2電極38まで積層された基板を基板としての積層基板41とする。   A second clad layer 36 is placed over the active layer 34, and a base substrate 37 is placed over the second clad layer 36. A second electrode 38 serving as an electrode is placed on the base substrate 37, and the first element mark 18 and the second element mark 21 are placed on the second electrode 38. A connection member 29 is connected to the second electrode 38, and the connection member 29 electrically connects the second electrode 38 and the through electrode 28. A substrate laminated from the first electrode 30 to the second electrode 38 is a laminated substrate 41 as a substrate.

第1電極30は、コンタクト層32を介して第1クラッド層33と電気的に接続されている。第1電極30は、発光デバイス16を駆動するための一方の電極であり、第1電極30及び第2電極38は電流を入出力する部位となっている。第1電極30としては、例えば、コンタクト層32側からCr層、AuZn層、Au層の順序で積層したもの等を用いることができる。第1電極30の凸部30aとコンタクト層32との接触面の平面形状は利得領域35の平面形状と同じ形状となる。第1電極30とコンタクト層32との接触面の平面形状によって、第1電極30と第2電極38との間の電流経路が決定される。その結果、利得領域35の平面形状が決定される。   The first electrode 30 is electrically connected to the first cladding layer 33 through the contact layer 32. The first electrode 30 is one electrode for driving the light emitting device 16, and the first electrode 30 and the second electrode 38 are portions for inputting and outputting current. As the 1st electrode 30, the thing laminated | stacked in order of the Cr layer, the AuZn layer, and Au layer from the contact layer 32 side etc. can be used, for example. The planar shape of the contact surface between the protrusion 30 a of the first electrode 30 and the contact layer 32 is the same as the planar shape of the gain region 35. The current path between the first electrode 30 and the second electrode 38 is determined by the planar shape of the contact surface between the first electrode 30 and the contact layer 32. As a result, the planar shape of the gain region 35 is determined.

絶縁層31は、利得領域35と対向する場所以外のコンタクト層32の−Z方向側に形成されている。すなわち、絶縁層31は利得領域35の下方に開口を有し、開口では第1電極30とコンタクト層32とが接触する。絶縁層31としては、例えば、SiN層、SiO2層、ポリイミド層等を用いることができる。絶縁層31は第1電極30とコンタクト層32との間で電流が流れる場所を凸部30aに限定する機能を有している。 The insulating layer 31 is formed on the −Z direction side of the contact layer 32 other than the location facing the gain region 35. That is, the insulating layer 31 has an opening below the gain region 35, and the first electrode 30 and the contact layer 32 are in contact with each other in the opening. As the insulating layer 31, for example, a SiN layer, a SiO 2 layer, a polyimide layer, or the like can be used. The insulating layer 31 has a function of limiting a place where current flows between the first electrode 30 and the contact layer 32 to the convex portion 30a.

コンタクト層32は、第1クラッド層33と第1電極30の凸部30aとの間に形成されている。コンタクト層32は第1電極30とオーミックコンタクトする層であれば良く特に限定されない。コンタクト層32は第2導電型の半導体を用いることができ、本実施形態では例えばコンタクト層32にp型GaAs層を用いている。   The contact layer 32 is formed between the first cladding layer 33 and the convex portion 30 a of the first electrode 30. The contact layer 32 is not particularly limited as long as it is in a layer in ohmic contact with the first electrode 30. The contact layer 32 may be a second conductivity type semiconductor. In the present embodiment, for example, a p-type GaAs layer is used for the contact layer 32.

第1クラッド層33は、コンタクト層32と活性層34との間に形成されている。第1クラッド層33としては、例えば、第2導電型(例えばp型)のAlGaInP層等を用いることができる。p型の第1クラッド層33を用いたとき不純物がドーピングされていない活性層34、及びn型の第2クラッド層36を配置することにより、pinダイオードが構成される。第1クラッド層33及び第2クラッド層36の各々は、活性層34よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。   The first cladding layer 33 is formed between the contact layer 32 and the active layer 34. As the first cladding layer 33, for example, a second conductivity type (for example, p-type) AlGaInP layer or the like can be used. When a p-type first cladding layer 33 is used, a pin diode is configured by disposing an active layer 34 that is not doped with impurities and an n-type second cladding layer 36. Each of the first cladding layer 33 and the second cladding layer 36 is a layer having a larger forbidden band width and a smaller refractive index than the active layer 34.

活性層34は、第1クラッド層33と第2クラッド層36とに挟まれた積層構造体を構成している。活性層34は、光を増幅する機能を有する。第1クラッド層33及び第2クラッド層36は、活性層34を挟んで、注入キャリア(電子及び正孔)並びに光を閉じ込める機能を有する。活性層34は、例えば、InGaPウェル層とInGaAlPバリア層とから構成される量子井戸構造を3つ重ねた多重量子井戸(MQW)構造を有する。   The active layer 34 constitutes a laminated structure sandwiched between the first cladding layer 33 and the second cladding layer 36. The active layer 34 has a function of amplifying light. The first cladding layer 33 and the second cladding layer 36 have a function of confining injected carriers (electrons and holes) and light with the active layer 34 interposed therebetween. The active layer 34 has, for example, a multiple quantum well (MQW) structure in which three quantum well structures each composed of an InGaP well layer and an InGaAlP barrier layer are stacked.

活性層34の形状は、例えば、直方体や立方体等にすることができる。活性層34では+X方向側の側面である第1側面と−X方向側の側面である第2側面とが互いに対向しており平行となっている。第1側面及び第2側面は活性層34の界面のうち第1クラッド層33または第2クラッド層36に接していない面である。積層構造体において第1側面及び第2側面は露出している面である。第1クラッド層33、活性層34、第2クラッド層36の積層構造体は、コンタクト層32とベース基板37とに挟まれている。   The shape of the active layer 34 can be, for example, a rectangular parallelepiped or a cube. In the active layer 34, the first side surface which is the side surface on the + X direction side and the second side surface which is the side surface on the −X direction side face each other and are parallel to each other. The first side surface and the second side surface are surfaces that are not in contact with the first cladding layer 33 or the second cladding layer 36 in the interface of the active layer 34. In the laminated structure, the first side surface and the second side surface are exposed surfaces. A laminated structure of the first cladding layer 33, the active layer 34, and the second cladding layer 36 is sandwiched between the contact layer 32 and the base substrate 37.

利得領域35は活性層34の一部であり、活性層34に電流が流動する場所である。利得領域35は光17を生じさせることができ、光17は利得領域35内で利得を受けることができる。利得領域35の平面形状は特に限定されないが、本実施形態では例えば、長方形となっている。第1側面41a及び第2側面41bから光17が射出される。   The gain region 35 is a part of the active layer 34 and is a place where current flows through the active layer 34. The gain region 35 can generate light 17 and the light 17 can receive gain within the gain region 35. The planar shape of the gain region 35 is not particularly limited, but is, for example, a rectangle in this embodiment. Light 17 is emitted from the first side surface 41a and the second side surface 41b.

第2クラッド層36は、活性層34と接して設置されている。第2クラッド層36としては、例えば、n型のAlGaInP層等を用いることができる。尚、図示はしないが、ベース基板37と第2クラッド層36との間にはバッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、n型のGaAs層、InGaP層等を用いることができる。   The second cladding layer 36 is disposed in contact with the active layer 34. As the second cladding layer 36, for example, an n-type AlGaInP layer or the like can be used. Although not shown, a buffer layer may be formed between the base substrate 37 and the second cladding layer 36. As the buffer layer, for example, an n-type GaAs layer, an InGaP layer, or the like can be used.

ベース基板37には、例えば、n型の第1導電型であるGaAs基板等を用いることができる。   As the base substrate 37, for example, an n-type first conductivity type GaAs substrate or the like can be used.

第2電極38はベース基板37上の全面に設置され、ベース基板37と電気的に接続している。第2電極38はベース基板37を介して第2クラッド層36と電気的に接続されている。第2電極38は、発光デバイス16を駆動するための電極であり、第1電極30とともに電流を入出力する部位となっている。第2電極38としては、例えば、ベース基板37側からCr層、AuGe層、Ni層、Au層の順序で積層したもの等を用いることができる。   The second electrode 38 is installed on the entire surface of the base substrate 37 and is electrically connected to the base substrate 37. The second electrode 38 is electrically connected to the second cladding layer 36 via the base substrate 37. The second electrode 38 is an electrode for driving the light emitting device 16, and is a part that inputs and outputs current together with the first electrode 30. As the second electrode 38, for example, a layer in which a Cr layer, an AuGe layer, a Ni layer, and an Au layer are stacked in this order from the base substrate 37 side can be used.

第1電極30と第2電極38との間にpinダイオードの順バイアス電圧を印加する。これにより、活性層34の利得領域35では電子と正孔との再結合が起こり、再結合により発光が生じる。生じた光17を起点として連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域35内を光が進行して光強度が増幅される。そして、発光デバイス16では+X方向と−X方向との両面から光17が射出される。   A forward bias voltage of a pin diode is applied between the first electrode 30 and the second electrode 38. As a result, recombination of electrons and holes occurs in the gain region 35 of the active layer 34, and light emission occurs due to the recombination. Stimulated emission occurs in a chain manner starting from the generated light 17, and the light travels through the gain region 35 to amplify the light intensity. The light emitting device 16 emits light 17 from both the + X direction and the −X direction.

図3(b)は、発光モジュールの構造を示す模式平面図である。図3(b)に示すように、第2電極38には第1素子マーク18及び第2素子マーク21が設置されている。第1素子マーク18及び第2素子マーク21は第2電極38の一部が除去されて凹部となっている。従って、第1素子マーク18及び第2素子マーク21は第2電極38の一部となっている。第2電極38を形成するときに第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成することができる。その結果、第2電極38を形成する工程と、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成することができる。   FIG. 3B is a schematic plan view showing the structure of the light emitting module. As shown in FIG. 3B, the first element mark 18 and the second element mark 21 are provided on the second electrode 38. The first element mark 18 and the second element mark 21 are recessed by removing a part of the second electrode 38. Accordingly, the first element mark 18 and the second element mark 21 are part of the second electrode 38. When the second electrode 38 is formed, the first element mark 18 and the second element mark 21 can be formed. As a result, the first element mark 18 and the second element mark 21 are more productive than when the step of forming the second electrode 38 and the step of forming the first element mark 18 and the second element mark 21 are separated. Can be formed.

積層基板41の側面のうち+X方向側の側面を側面としての第1側面41aとし、−X方向側の側面を側面としての第2側面41bとする。第1側面41aに第1射出部16bが位置し、第2側面41bに第2射出部16cが位置している。そして、Z方向から見た平面形状において第1素子マーク18の+X方向側の辺である第1端辺18aは第1側面41aを含んでいる。同様に、第2素子マーク21の−X方向側の辺である第2端辺21aは第2側面41bを含んでいる。つまり、第1素子マーク18及び第2素子マーク21は形状の一部が積層基板41の側面を含んでいる。   Of the side surfaces of the multilayer substrate 41, the side surface on the + X direction side is defined as a first side surface 41a, and the −X direction side surface is defined as a second side surface 41b. The 1st injection part 16b is located in the 1st side 41a, and the 2nd injection part 16c is located in the 2nd side 41b. The first end side 18a that is the side on the + X direction side of the first element mark 18 in the planar shape viewed from the Z direction includes the first side surface 41a. Similarly, the second end side 21a that is the side on the −X direction side of the second element mark 21 includes the second side surface 41b. That is, the first element mark 18 and the second element mark 21 partially include the side surface of the multilayer substrate 41.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク18の+X方向側の第1端辺18aは第1側面41aと同一線上にある。従って、第1素子マーク18を見ることにより第1側面41aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面41aから光が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る位置を認識することができる。積層基板41はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面41aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク18は第1側面41aの位置を示すので、第1側面41aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク18を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 18a on the + X direction side of the first element mark 18 is on the same line as the first side surface 41a. Accordingly, by looking at the first element mark 18, the position of the light 17 on the first side surface 41a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since light is inject | emitted from the 1st side surface 41a, the position where the light 17 goes out in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the multilayer substrate 41 is formed by being divided from the mother board, variations occur in the position of the first side surface 41a. Since the first element mark 18 indicates the position of the first side face 41a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 18 even if the position of the first side face 41a varies. it can.

第2素子マーク21においても第2素子マーク21と第2側面41bとの位置関係が同様の関係となっている。従って、第2素子マーク21は第2側面41bの位置を示すので、第2側面41bの位置にバラツキが生じても第2素子マーク21を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   Also in the second element mark 21, the positional relationship between the second element mark 21 and the second side surface 41b is the same. Accordingly, since the second element mark 21 indicates the position of the second side surface 41b, even if the position of the second side surface 41b varies, the location where the light 17 is emitted is accurately recognized using the second element mark 21. be able to.

第1素子マーク18の−Y方向側の辺を第1光軸辺18bとする。第1光軸辺18bは第1素子マーク18の形状の一部である。第1光軸辺18bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺18bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク18を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。同様に、第2素子マーク21の+Y方向側の辺を第2光軸辺21bとする。第2光軸辺21bは第2素子マーク21の形状の一部である。第2光軸辺21bは光17の光軸17aと平行となっている。第2光軸辺21bは光17の光軸17aの方向を示す為、第2素子マーク21を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 18 is defined as a first optical axis side 18b. The first optical axis side 18 b is a part of the shape of the first element mark 18. The first optical axis side 18 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 18 b indicates the direction of the optical axis 17 a of the light 17, the direction of the optical axis 17 a of the light 17 can be accurately recognized using the first element mark 18. Similarly, the + Y direction side of the second element mark 21 is defined as a second optical axis side 21b. The second optical axis side 21 b is a part of the shape of the second element mark 21. The second optical axis side 21 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the second optical axis side 21b indicates the direction of the optical axis 17a of the light 17, the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be accurately recognized using the second element mark 21.

積層基板41には第1素子マーク18及び第2素子マーク21の複数のマークが設置されている。第1素子マーク18と第2素子マーク21と光17の光軸17aとの相対位置は予め設定された所定の位置関係となっている。従って、第1素子マーク18と第2素子マーク21のマークを結ぶ線の方向から光17の光軸17aの方向を認識することができる。そして、第1素子マーク18と第2素子マーク21が離れている程、第1素子マーク18と第2素子マーク21を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが1つのときに比べて精度良く光17の光軸の方向を認識することができる。   A plurality of marks of the first element mark 18 and the second element mark 21 are provided on the multilayer substrate 41. The relative positions of the first element mark 18, the second element mark 21 and the optical axis 17 a of the light 17 have a predetermined positional relationship set in advance. Therefore, the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized from the direction of the line connecting the first element mark 18 and the second element mark 21. As the first element mark 18 and the second element mark 21 are separated from each other, the accuracy in the direction of the line connecting the first element mark 18 and the second element mark 21 is improved. Therefore, the direction of the optical axis of the light 17 can be recognized with higher accuracy than when there is one mark.

次に、図4〜図6を用いて、製造方法を詳細に説明する。図4〜図6は発光モジュールの製造方法を説明するための模式図である。図4(a)に示すように、母材としてのマザーボード42を用意する。マザーボード42は複数のベース基板37を配置可能な大きさを備えた基板である。マザーボード42の大きさは特に限定されないが、本実施例では例えば、ベース基板37を3行6列の18個並べた大きさになっている。   Next, the manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 4-6 is a schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of a light emitting module. As shown in FIG. 4A, a mother board 42 as a base material is prepared. The mother board 42 is a board having a size capable of arranging a plurality of base boards 37. The size of the mother board 42 is not particularly limited, but in the present embodiment, for example, 18 base substrates 37 are arranged in 3 rows and 6 columns.

マザーボード42上に第2クラッド層36、活性層34、第1クラッド層33、及びコンタクト層32を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等を用いることができる。   On the mother board 42, the second cladding layer 36, the active layer 34, the first cladding layer 33, and the contact layer 32 are epitaxially grown in this order. As a method of epitaxial growth, for example, a MOCVD (Metal Organic Chemical Deposition) method, an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method, or the like can be used.

図4(b)に示すように、コンタクト層32上に開口部を有する絶縁層31を形成する。絶縁層31は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により形成される。開口部は、例えば、絶縁部をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によりパターニングし、コンタクト層32が露出するように形成される。開口部はマザーボード42を切断する分割線としての切断予定線43を平面方向に挟んで複数設置される。   As shown in FIG. 4B, an insulating layer 31 having an opening is formed on the contact layer 32. The insulating layer 31 is formed by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The opening is formed, for example, by patterning the insulating part by photolithography technique and etching technique so that the contact layer 32 is exposed. A plurality of openings are provided with a planned cutting line 43 serving as a dividing line for cutting the mother board 42 in the plane direction.

次に、露出したコンタクト層32及び絶縁層31上に第1電極30を形成する。次に、マザーボード42の図中下側の面に第2電極38を形成する。第1電極30及び第2電極38は、例えば、真空蒸着法により形成される。尚、第1電極30及び第2電極38の形成順序は、特に限定されない。   Next, the first electrode 30 is formed on the exposed contact layer 32 and insulating layer 31. Next, the second electrode 38 is formed on the lower surface of the mother board 42 in the drawing. The first electrode 30 and the second electrode 38 are formed by, for example, a vacuum evaporation method. The order of forming the first electrode 30 and the second electrode 38 is not particularly limited.

図4(c)に示すように、第2電極38に第1素子マーク18及び第2素子マーク21を設置する。第1素子マーク18と第2素子マーク21とは繋がった形状となっている。第1素子マーク18及び第2素子マーク21は切断予定線43を挟んで設置される。第1素子マーク18及び第2素子マーク21は例えば、絶縁部をフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によりパターニングして形成することができる。切断予定線43は第1射出部16b及び第2射出部16cを通る線となっている。   As shown in FIG. 4C, the first element mark 18 and the second element mark 21 are provided on the second electrode 38. The first element mark 18 and the second element mark 21 are connected to each other. The first element mark 18 and the second element mark 21 are placed with the planned cutting line 43 in between. For example, the first element mark 18 and the second element mark 21 can be formed by patterning an insulating portion by a photolithography technique and an etching technique. The planned cutting line 43 is a line passing through the first injection part 16b and the second injection part 16c.

図5(a)に示すように、マザーボード42の第1電極30側を樹脂シート44に接着する。樹脂シート44は図示しない枠に固定されている。次に、第2電極38上において切断予定線43に沿ってスクラビングホイール45を転動させる。これにより、マザーボード42には切断予定線43に沿ってクラック46が形成される。切断予定線43は格子状に設定されており、クラック46も格子状に形成される。   As shown in FIG. 5A, the first electrode 30 side of the mother board 42 is bonded to the resin sheet 44. The resin sheet 44 is fixed to a frame (not shown). Next, the scrubbing wheel 45 is rolled along the planned cutting line 43 on the second electrode 38. As a result, a crack 46 is formed along the planned cutting line 43 in the mother board 42. The planned cutting lines 43 are set in a lattice shape, and the cracks 46 are also formed in a lattice shape.

図5(b)に示すように、マザーボード42の第2電極38側に張力が作用するようにマザーボード42に圧力を加える。切断予定線43にはクラックが形成されているので、切断予定線43に沿ってマザーボード42が切断される。そして、マザーボード42から積層基板41が形成され、劈開された面が第1側面41a及び第2側面41bになる。このとき、第1素子マーク18と第2素子マーク21とが接合したマークは切断予定線43を挟んでいるので、分断されて第1素子マーク18及び第2素子マーク21になる。これにより、第1側面41aの一部が第1素子マーク18の形状の一部になり、第2側面41bの一部が第2素子マーク21の形状の一部になる。そして、切断予定線43は第1射出部16b及び第2射出部16cを通る線となっている。つまり、第1素子マーク18、第2素子マーク21、第1射出部16b及び第2射出部16cを通る切断予定線43に沿ってマザーボード42が分割される。   As shown in FIG. 5B, pressure is applied to the mother board 42 so that tension acts on the second electrode 38 side of the mother board 42. Since the crack is formed in the planned cutting line 43, the mother board 42 is cut along the planned cutting line 43. The laminated substrate 41 is formed from the mother board 42, and the cleaved surfaces become the first side surface 41a and the second side surface 41b. At this time, the mark formed by joining the first element mark 18 and the second element mark 21 sandwiches the planned cutting line 43, so that it is divided into the first element mark 18 and the second element mark 21. Thereby, a part of the first side surface 41 a becomes a part of the shape of the first element mark 18, and a part of the second side surface 41 b becomes a part of the shape of the second element mark 21. The planned cutting line 43 is a line passing through the first injection part 16b and the second injection part 16c. That is, the mother board 42 is divided along a planned cutting line 43 that passes through the first element mark 18, the second element mark 21, the first injection part 16 b and the second injection part 16 c.

図5(c)に示すように、積層基板41の第1電極30をサブマウント15に実装する。実装方法ははんだ付けの他、導電性樹脂接着法を用いることができる。以上の工程により、発光デバイス16が完成する。   As shown in FIG. 5C, the first electrode 30 of the multilayer substrate 41 is mounted on the submount 15. As a mounting method, in addition to soldering, a conductive resin bonding method can be used. The light emitting device 16 is completed through the above steps.

図6(a)に示すように、例えば切削加工等により、第1凹部14c及び第2凹部14dを有するベース基板14を形成する。次に、ベース基板14に貫通電極28を形成する。公知の方法により底部14aに貫通孔を形成する。次に、貫通孔の内側の側面を覆うように絶縁部材を配置する。絶縁部材は、貫通孔を塞がないように形成される。絶縁部材は、例えばCVD法等により成膜される。次に、絶縁部材の内側に棒状の端子を挿入する。尚、棒状の端子の周囲に絶縁部材を形成したものを、貫通孔に挿入する方法を用いることもできる。   As shown in FIG. 6A, the base substrate 14 having the first recess 14c and the second recess 14d is formed by, for example, cutting. Next, the through electrode 28 is formed on the base substrate 14. A through hole is formed in the bottom portion 14a by a known method. Next, an insulating member is arrange | positioned so that the side surface inside a through-hole may be covered. The insulating member is formed so as not to block the through hole. The insulating member is formed by, for example, a CVD method. Next, a rod-shaped terminal is inserted inside the insulating member. It is also possible to use a method in which an insulating member formed around a rod-shaped terminal is inserted into the through hole.

次に、底部14aのZ方向側の面に第1ベースマーク22及び第2ベースマーク23を設置する。第1ベースマーク22及び第2ベースマーク23はオフセット印刷やインクジェット法を用いた印刷等各種の方法を用いることができる。   Next, the first base mark 22 and the second base mark 23 are installed on the surface of the bottom portion 14a on the Z direction side. For the first base mark 22 and the second base mark 23, various methods such as offset printing and printing using an inkjet method can be used.

図6(b)に示すように、ロボット等の組立装置47を用いて発光デバイス16をベース基板14の底部14aに実装する。ベース基板14とサブマウント15との接合には、はんだペーストや導電性樹脂接着等の接合部材51を用いて接合することができる。組立装置47はロボットハンド48、第1撮像装置49、第2撮像装置50を備えている。ロボットハンド48は真空ポンプを備え発光デバイス16を吸着して把持することができる。第1撮像装置49及び第2撮像装置50にはオートフォーカス装置が設置され、離れた場所のマークに対して個別にフォーカスを合わせる事が可能になっている。まず、ベース基板14においてサブマウント15を設置する場所に接合部材51を設置する。接合部材51の設置には各種の印刷法やシリンジを用いることができる。   As illustrated in FIG. 6B, the light emitting device 16 is mounted on the bottom portion 14 a of the base substrate 14 using an assembly apparatus 47 such as a robot. The base substrate 14 and the submount 15 can be joined using a joining member 51 such as solder paste or conductive resin adhesion. The assembling apparatus 47 includes a robot hand 48, a first imaging device 49, and a second imaging device 50. The robot hand 48 includes a vacuum pump and can adsorb and hold the light emitting device 16. The first imaging device 49 and the second imaging device 50 are provided with an autofocus device, and it is possible to individually focus on marks at a distant place. First, the joining member 51 is installed on the base substrate 14 where the submount 15 is installed. Various printing methods and syringes can be used to install the joining member 51.

次に、組立装置47はロボットハンド48に発光デバイス16を把持させて、接合部材51と対向する場所に発光デバイス16を移動させる。次に、組立装置47は第1撮像装置49に第1素子マーク18及び第1ベースマーク22を撮像させる。組立装置47は第1素子マーク18の第1端辺18a及び第1光軸辺18bの位置と向きから第1射出部16bの位置と光17の光軸17aの方向を精度良く認識する。   Next, the assembling apparatus 47 causes the robot hand 48 to grip the light emitting device 16 and moves the light emitting device 16 to a location facing the joining member 51. Next, the assembling apparatus 47 causes the first imaging device 49 to image the first element mark 18 and the first base mark 22. The assembling apparatus 47 accurately recognizes the position of the first emitting portion 16b and the direction of the optical axis 17a of the light 17 from the position and orientation of the first end side 18a and the first optical axis side 18b of the first element mark 18.

次に、組立装置47は第2撮像装置50に第2素子マーク21及び第2ベースマーク23を撮像させる。組立装置47は第2素子マーク21の第2端辺21a及び第2光軸辺21bの位置と向きから第2射出部16cの位置と光17の光軸17aの方向を精度良く認識する。   Next, the assembling device 47 causes the second imaging device 50 to image the second element mark 21 and the second base mark 23. The assembling apparatus 47 accurately recognizes the position of the second emitting portion 16c and the direction of the optical axis 17a of the light 17 from the position and orientation of the second end side 21a and the second optical axis side 21b of the second element mark 21.

組立装置47は第1ベースマーク22及び第2ベースマーク23より発光デバイス16を設置する予定の位置を算出する。そして、第1射出部16b及び第2射出部16cが設置予定の位置に近い位置になるように組立装置47はロボットハンド48を制御して発光デバイス16をベース基板14に設置する。従って、ベース基板14に対して発光デバイス16はX方向及びY方向において位置精度良く設置される。   The assembling apparatus 47 calculates the position where the light emitting device 16 is to be installed from the first base mark 22 and the second base mark 23. Then, the assembling apparatus 47 controls the robot hand 48 so as to install the light emitting device 16 on the base substrate 14 so that the first injection unit 16b and the second injection unit 16c are close to the positions where installation is planned. Therefore, the light emitting device 16 is installed with high positional accuracy with respect to the base substrate 14 in the X direction and the Y direction.

尚、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を結ぶ線の方向から光軸17aの方向を認識しても良い。第1素子マーク18及び第2素子マーク21が離れている程、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、精度良く光軸17aの方向を認識することができる。   The direction of the optical axis 17a may be recognized from the direction of the line connecting the first element mark 18 and the second element mark 21. As the first element mark 18 and the second element mark 21 are separated from each other, the accuracy of the direction of the line connecting the first element mark 18 and the second element mark 21 is improved. Therefore, the direction of the optical axis 17a can be recognized with high accuracy.

次に、接合部材51を加熱しサブマウント15をベース基板14に固着させる。その結果、図6(c)に示すように、発光デバイス16がベース基板14に位置精度よく実装される。   Next, the bonding member 51 is heated to fix the submount 15 to the base substrate 14. As a result, as shown in FIG. 6C, the light emitting device 16 is mounted on the base substrate 14 with high positional accuracy.

次に、図6(d)に示すように、貫通電極28と発光デバイス16の第2電極38とを接続部材29により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディング等により行われる。   Next, as shown in FIG. 6D, the through electrode 28 and the second electrode 38 of the light emitting device 16 are connected by the connection member 29. This step is performed by, for example, wire bonding.

次に、図6(e)に示すように、第1反射鏡24を第1凹部14cに押し当てて設置し固定する。同様に、第2反射鏡25を、第2凹部14dに押し当てて設置し固定する。第1反射鏡24及び第2反射鏡25は接着剤を用いて固定してもよい。第1反射鏡24及び第2反射鏡25は、例えば、蒸着法等により表面に膜を形成し反射率を高めても良い。尚、貫通電極28と第2電極38とを接続する工程と、第1反射鏡24及び第2反射鏡25を設置する工程とは、順番を入れ替えても良い。   Next, as shown in FIG. 6E, the first reflecting mirror 24 is pressed against the first recess 14c to be installed and fixed. Similarly, the second reflecting mirror 25 is installed by being pressed against the second recess 14d. The first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 may be fixed using an adhesive. The first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 may increase the reflectivity by forming a film on the surface by vapor deposition, for example. The step of connecting the through electrode 28 and the second electrode 38 and the step of installing the first reflecting mirror 24 and the second reflecting mirror 25 may be switched in order.

次に、蓋部26を、例えば窒素雰囲気中でベース基板14に接着する。これにより、発光デバイス16が封止される。以上の工程により、発光モジュール13が完成する。   Next, the lid portion 26 is bonded to the base substrate 14 in a nitrogen atmosphere, for example. Thereby, the light emitting device 16 is sealed. The light emitting module 13 is completed through the above steps.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、第1射出部16b及び第2射出部16cは積層基板41の側面から光を射出する。積層基板41の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク18及び第2素子マーク21の形状の一部が積層基板41の第1側面41a及び第2側面41bを含んでいる。従って、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を見ることにより積層基板41の第1側面41a及び第2側面41bの位置を認識することができる。そして、積層基板41の第1側面41a及び第2側面41bから光17が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る位置を認識することができる。発光デバイス16はマザーボード42から分割して形成されるので、発光デバイス16の第1側面41a及び第2側面41bの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク18及び第2素子マーク21は側面の位置を示すので、第1側面41a及び第2側面41bの位置にバラツキが生じても第1素子マーク18及び第2素子マーク21を用いて光17が発光する場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to this embodiment, the first emission unit 16 b and the second emission unit 16 c emit light from the side surface of the multilayer substrate 41. Part of the shape of the first element mark 18 and the second element mark 21 includes the first side surface 41 a and the second side surface 41 b of the multilayer substrate 41 in a plan view as viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 41. Therefore, the positions of the first side surface 41 a and the second side surface 41 b of the multilayer substrate 41 can be recognized by looking at the first element mark 18 and the second element mark 21. And since the light 17 is inject | emitted from the 1st side surface 41a and the 2nd side surface 41b of the laminated substrate 41, the position where the light 17 goes out in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the light emitting device 16 is formed separately from the mother board 42, the positions of the first side surface 41a and the second side surface 41b of the light emitting device 16 vary. Since the first element mark 18 and the second element mark 21 indicate the positions of the side surfaces, even if the positions of the first side surface 41a and the second side surface 41b vary, the first element mark 18 and the second element mark 21 are used. The place where the light 17 emits light can be accurately recognized.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク18は形状の一部である第1光軸辺18bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク18は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク18を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。同様に、第2素子マーク21は形状の一部である第2光軸辺21bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第2素子マーク21は光軸17aの方向を示す為、第2素子マーク21を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first optical axis side 18 b that is a part of the first element mark 18 is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 18 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 18. Similarly, the second element mark 21 has a second optical axis side 21b, which is a part of the shape, parallel to the optical axis 17a of the light 17. Accordingly, since the second element mark 21 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the second element mark 21.

(3)本実施形態によれば、発光デバイス16は活性層34に電気を送る第2電極38を備えている。そして、第1素子マーク18及び第2素子マーク21は第2電極38の一部となっている。従って、第2電極38を形成するときに第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成することができる。その結果、第2電極38を形成する工程と、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク18及び第2素子マーク21を形成することができる。   (3) According to this embodiment, the light emitting device 16 includes the second electrode 38 that sends electricity to the active layer 34. The first element mark 18 and the second element mark 21 are part of the second electrode 38. Therefore, the first element mark 18 and the second element mark 21 can be formed when the second electrode 38 is formed. As a result, the first element mark 18 and the second element mark 21 are more productive than when the step of forming the second electrode 38 and the step of forming the first element mark 18 and the second element mark 21 are separated. Can be formed.

(4)本実施形態によれば、積層基板41には第1素子マーク18及び第2素子マーク21が設置されている。第1素子マーク18及び第2素子マーク21と光軸17aとの相対位置は予め設定された所定の位置関係となっている。従って、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を結ぶ線の方向から光軸17aの方向を認識することができる。そして、2つのマークが離れている程、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を結ぶ線の方向の精度が向上する。従って、マークが1つのときに比べて精度良く光軸17aの方向を認識することができる。   (4) According to this embodiment, the first element mark 18 and the second element mark 21 are provided on the multilayer substrate 41. The relative positions of the first element mark 18 and the second element mark 21 and the optical axis 17a have a predetermined positional relationship set in advance. Therefore, the direction of the optical axis 17 a can be recognized from the direction of the line connecting the first element mark 18 and the second element mark 21. And the accuracy of the direction of the line which connects the 1st element mark 18 and the 2nd element mark 21 improves, so that two marks are separated. Therefore, the direction of the optical axis 17a can be recognized with higher accuracy than when there is one mark.

(5)本実施形態によれば、第1素子マーク18及び第2素子マーク21と第1射出部16b及び第2射出部16cとを通る切断予定線43に沿ってマザーボード42が分割される。従って、第1射出部16b及び第2射出部16cと第1素子マーク18及び第2素子マーク21の一部とが切断予定線43上に位置する。その結果、切断予定線43と直交する方向において第1素子マーク18及び第2素子マーク21の位置を用いて第1射出部16b及び第2射出部16cの位置を正確に認識することができる。   (5) According to the present embodiment, the mother board 42 is divided along the planned cutting line 43 that passes through the first element mark 18 and the second element mark 21, and the first emission part 16 b and the second emission part 16 c. Therefore, the first emission part 16b and the second emission part 16c and the first element mark 18 and a part of the second element mark 21 are positioned on the planned cutting line 43. As a result, the positions of the first emission part 16b and the second emission part 16c can be accurately recognized using the positions of the first element mark 18 and the second element mark 21 in the direction orthogonal to the planned cutting line 43.

(6)本実施形態によれば、第1ベースマーク22、第2ベースマーク23、第1素子マーク18及び第2素子マーク21を用いて、ベース基板14に発光デバイス16が設置される。切断予定線43と直交する方向において第1素子マーク18及び第2素子マーク21の位置を用いることにより、第1射出部16b及び第2射出部16cの位置を正確に認識することができる。その結果、ベース基板14に第1射出部16b及び第2射出部16cを位置精度良く設置することができる。   (6) According to the present embodiment, the light emitting device 16 is installed on the base substrate 14 using the first base mark 22, the second base mark 23, the first element mark 18, and the second element mark 21. By using the positions of the first element mark 18 and the second element mark 21 in the direction orthogonal to the planned cutting line 43, the positions of the first emission part 16b and the second emission part 16c can be accurately recognized. As a result, the first injection unit 16b and the second injection unit 16c can be installed on the base substrate 14 with high positional accuracy.

(第2の実施形態)
次に、発光デバイスの一実施形態について図7を用いて説明する。図7(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図7(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図7(a)のC−C線に沿う模式断面図である。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、第1電極に位置合わせ用のマークが設置されている点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, an embodiment of a light emitting device will be described with reference to FIG. Fig.7 (a) is a principal part schematic top view which shows the structure of a light-emitting device. FIG. 7B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the light emitting device, and is a schematic cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 7A. This embodiment is different from the first embodiment in that an alignment mark is provided on the first electrode. Note that description of the same points as in the first embodiment is omitted.

すなわち、本実施形態では、図7に示すように、発光デバイス54は積層基板55を備え、サブマウント15上に設置されている。積層基板55はサブマウント15側から順に、第2電極56、ベース基板37、第2クラッド層36、活性層34、第1クラッド層33、コンタクト層32、絶縁層31、電極としての第1電極57が積層されている。第1電極57はY方向の中程に凸部57aが設置され、凸部57aはコンタクト層32と接触している。   That is, in this embodiment, as shown in FIG. 7, the light emitting device 54 includes a laminated substrate 55 and is installed on the submount 15. The laminated substrate 55 includes a second electrode 56, a base substrate 37, a second cladding layer 36, an active layer 34, a first cladding layer 33, a contact layer 32, an insulating layer 31, and a first electrode as an electrode in order from the submount 15 side. 57 are stacked. The first electrode 57 is provided with a convex portion 57 a in the middle of the Y direction, and the convex portion 57 a is in contact with the contact layer 32.

活性層34において凸部57aと対向する場所は光17を発光する利得領域35となっている。積層基板55の+X方向側の端面である第1側面55aから光17が射出される。第1側面55aにおいて光17が射出される場所を第1射出部54bとする。第1射出部54bは利得領域35に位置する。   A portion of the active layer 34 that faces the convex portion 57 a is a gain region 35 that emits light 17. Light 17 is emitted from the first side surface 55 a that is the end surface of the laminated substrate 55 on the + X direction side. A place where the light 17 is emitted from the first side surface 55a is defined as a first emission portion 54b. The first emission part 54 b is located in the gain region 35.

第1電極57にはマークとしての第1素子マーク58が設置されている。そして、Z方向から見た平面形状において第1素子マーク58の+X方向側の辺である第1端辺58aは第1側面55aを含んでいる。第1素子マーク58は形状の一部が積層基板55の側面である第1側面55aを含んでいる。   The first electrode 57 is provided with a first element mark 58 as a mark. The first end side 58a which is the side on the + X direction side of the first element mark 58 in the planar shape viewed from the Z direction includes the first side surface 55a. The first element mark 58 includes a first side surface 55 a whose part is the side surface of the multilayer substrate 55.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク58の+X方向側の第1端辺58aは第1側面55aと同一線上にある。従って、第1素子マーク58を見ることにより第1側面55aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面55aから光が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る位置を認識することができる。積層基板55はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面55aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク58は第1側面55aの位置を示すので、第1側面55aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク58を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 58a on the + X direction side of the first element mark 58 is on the same line as the first side surface 55a. Accordingly, by viewing the first element mark 58, the position of the light 17 on the first side surface 55a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since light is inject | emitted from the 1st side surface 55a, the position where the light 17 goes out in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the multilayer substrate 55 is formed by being divided from the mother board, the position of the first side surface 55a varies. Since the first element mark 58 indicates the position of the first side surface 55a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 58 even if the position of the first side surface 55a varies. it can.

第1素子マーク58の−Y方向側の辺を第1光軸辺58bとする。第1光軸辺58bは第1素子マーク58の形状の一部である。第1光軸辺58bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺58bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク58を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 58 is defined as a first optical axis side 58b. The first optical axis side 58 b is a part of the shape of the first element mark 58. The first optical axis side 58 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 58b indicates the direction of the optical axis 17a of the light 17, it is possible to accurately recognize the direction of the optical axis 17a of the light 17 using the first element mark 58.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、発光デバイス54は第1素子マーク58を有し、積層基板55の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク58の形状の一部が積層基板55の第1側面55aを含んでいる。従って、第1素子マーク58を見ることにより積層基板55の第1側面55aの位置を認識することができる。第1素子マーク58は第1側面55aの位置を示すので、第1側面55aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク58を用いて光17が射出される第1射出部54bの場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the light emitting device 54 has the first element mark 58, and a part of the shape of the first element mark 58 in the plan view as viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 55 is the multilayer substrate 55. The first side surface 55a is included. Therefore, the position of the first side surface 55 a of the multilayer substrate 55 can be recognized by looking at the first element mark 58. Since the first element mark 58 indicates the position of the first side surface 55a, the location of the first emitting portion 54b where the light 17 is emitted using the first element mark 58 even if the position of the first side surface 55a varies. It can be recognized accurately.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク58は形状の一部である第1光軸辺58bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク58は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク58を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first optical axis side 58b, which is a part of the shape of the first element mark 58, is parallel to the optical axis 17a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 58 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 58.

(3)本実施形態によれば、発光デバイス54は活性層34に電気を送る第1電極57を備えている。そして、第1素子マーク58は第1電極57の一部となっている。従って、第1電極57を形成するときに第1素子マーク58を形成することができる。その結果、第1電極57を形成する工程と、第1素子マーク58を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク58を形成することができる。   (3) According to this embodiment, the light emitting device 54 includes the first electrode 57 that sends electricity to the active layer 34. The first element mark 58 is a part of the first electrode 57. Accordingly, the first element mark 58 can be formed when the first electrode 57 is formed. As a result, the first element mark 58 can be formed with higher productivity than when the step of forming the first electrode 57 and the step of forming the first element mark 58 are separated.

(第3の実施形態)
次に、発光デバイスの一実施形態について図8を用いて説明する。図8(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図8(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図8(a)のD−D線に沿う模式断面図である。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、第2電極の位置合わせマークに対応する凹部がベース基板に設置されている点にある。尚、第1の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, an embodiment of a light emitting device will be described with reference to FIG. Fig.8 (a) is a principal part schematic top view which shows the structure of a light-emitting device. FIG. 8B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the light-emitting device, and is a schematic cross-sectional view taken along the line DD in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that a recess corresponding to the alignment mark of the second electrode is provided in the base substrate. Note that description of the same points as in the first embodiment is omitted.

すなわち、本実施形態では、図8に示すように、発光デバイス61は積層基板62を備え、積層基板62はサブマウント15上に設置されている。積層基板62はサブマウント15側から順に、第1電極30、絶縁層31、コンタクト層32、第1クラッド層33、活性層34、第2クラッド層36、ベース基板63、電極としての第2電極64が積層されている。第1電極30はY方向の中程に凸部30aが設置され、凸部30aはコンタクト層32と接触している。   That is, in the present embodiment, as illustrated in FIG. 8, the light emitting device 61 includes a multilayer substrate 62, and the multilayer substrate 62 is installed on the submount 15. The laminated substrate 62 includes a first electrode 30, an insulating layer 31, a contact layer 32, a first cladding layer 33, an active layer 34, a second cladding layer 36, a base substrate 63, and a second electrode as an electrode in order from the submount 15 side. 64 are laminated. The first electrode 30 is provided with a convex portion 30 a in the middle of the Y direction, and the convex portion 30 a is in contact with the contact layer 32.

活性層34において凸部30aと対向する場所は光17を発光する利得領域35となっている。積層基板62の+X方向側の端面である第1側面62aから光17が射出される。第1側面62aにおいて光17が射出される場所を第1射出部61bとする。   A portion of the active layer 34 facing the convex portion 30 a is a gain region 35 that emits light 17. Light 17 is emitted from the first side surface 62 a that is the end surface of the laminated substrate 62 on the + X direction side. A place where the light 17 is emitted from the first side face 62a is defined as a first emission part 61b.

ベース基板63にはZ方向側の面に凹凸としての凹部63aが形成されている。凹部63aはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第2電極64には凹部63aの形状に凹んだマークとしての第1素子マーク65が形成されている。第2電極64は蒸着法、スパッター法、CVD法等により成膜されて形成されている。従って、第1素子マーク65は凹部63aの形状に倣った形状となっている。つまり、第1素子マーク65はベース基板63の凹部63aにより成り立っている。Z方向から見た平面形状において第1素子マーク65の+X方向側の辺である第1端辺65aは第1側面62aを含んでいる。第1素子マーク65は形状の一部が積層基板62の側面である第1側面62aを含んでいる。   The base substrate 63 has a recess 63a as an unevenness on the surface in the Z direction. The recess 63a can be formed using a photolithography method and an etching method. The second electrode 64 is formed with a first element mark 65 as a mark recessed in the shape of the recess 63a. The second electrode 64 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. Accordingly, the first element mark 65 has a shape that follows the shape of the recess 63a. That is, the first element mark 65 is formed by the recess 63 a of the base substrate 63. In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 65a that is the side on the + X direction side of the first element mark 65 includes the first side surface 62a. The first element mark 65 includes a first side surface 62 a whose part is the side surface of the multilayer substrate 62.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク65の+X方向側の第1端辺65aは第1側面62aと同一線上にある。従って、第1素子マーク65を見ることにより第1側面62aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面62aから光17が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る第1射出部61bの位置を認識することができる。積層基板62はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面62aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク65は第1側面62aの位置を示すので、第1側面62aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク65を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 65a on the + X direction side of the first element mark 65 is on the same line as the first side surface 62a. Therefore, by looking at the first element mark 65, the position of the light 17 on the first side surface 62a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since the light 17 is inject | emitted from the 1st side surface 62a, the position of the 1st emission part 61b from which the light 17 emits in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the multilayer substrate 62 is formed separately from the mother board, variation occurs in the position of the first side surface 62a. Since the first element mark 65 indicates the position of the first side surface 62a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 65 even if the position of the first side surface 62a varies. it can.

第1素子マーク65の−Y方向側の辺を第1光軸辺65bとする。第1光軸辺65bは第1素子マーク65の形状の一部である。第1光軸辺65bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺65bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク65を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 65 is defined as a first optical axis side 65b. The first optical axis side 65 b is a part of the shape of the first element mark 65. The first optical axis side 65 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 65 b indicates the direction of the optical axis 17 a of the light 17, the direction of the optical axis 17 a of the light 17 can be accurately recognized using the first element mark 65.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、発光デバイス61は第1素子マーク65を有し、積層基板62の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク65の形状の一部が積層基板62の第1側面62aを含んでいる。従って、第1素子マーク65を見ることにより積層基板62の第1側面62aの位置を認識することができる。第1素子マーク65は第1側面62aの位置を示すので、第1側面62aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク65を用いて光17が射出される第1射出部61bの場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the light emitting device 61 has the first element mark 65, and a part of the shape of the first element mark 65 in the plan view viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 62 is The first side surface 62a is included. Therefore, the position of the first side surface 62 a of the multilayer substrate 62 can be recognized by looking at the first element mark 65. Since the first element mark 65 indicates the position of the first side face 62a, the location of the first emitting portion 61b where the light 17 is emitted using the first element mark 65 even if the position of the first side face 62a varies. It can be recognized accurately.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク65は形状の一部である第1光軸辺65bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク65は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク65を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first optical axis side 65 b that is a part of the shape of the first element mark 65 is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 65 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 65.

(3)本実施形態によれば、積層基板62の基礎となるベース基板63を備えている。そして、第1素子マーク65の形状はベース基板63の凹部63aにより成り立っている。ベース基板63を形成するときに第1素子マーク65に対応する凹部63aを形成することができる。その結果、ベース基板63を形成する工程と、第1素子マーク65を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク65を形成することができる。   (3) According to this embodiment, the base substrate 63 serving as the basis of the multilayer substrate 62 is provided. The shape of the first element mark 65 is formed by the recess 63 a of the base substrate 63. When the base substrate 63 is formed, the recess 63a corresponding to the first element mark 65 can be formed. As a result, the first element mark 65 can be formed with higher productivity than when the step of forming the base substrate 63 and the step of forming the first element mark 65 are separated.

(第4の実施形態)
次に、発光デバイスの一実施形態について図9を用いて説明する。図9(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図9(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図9(a)のE−E線に沿う模式断面図である。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、ベース基板に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第2の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, an embodiment of a light emitting device will be described with reference to FIG. Fig.9 (a) is a principal part schematic top view which shows the structure of a light-emitting device. FIG. 9B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the light-emitting device, and is a schematic cross-sectional view taken along the line EE in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that a recess corresponding to the alignment mark is provided on the base substrate. Note that the description of the same points as in the second embodiment will be omitted.

すなわち、本実施形態では、図9に示すように、発光デバイス68は積層基板69を備え、積層基板69はサブマウント15上に設置されている。積層基板69はサブマウント15側から順に、第2電極56、ベース基板70、第2クラッド層71、活性層72、第1クラッド層73、コンタクト層74、絶縁層75、電極としての第1電極76が積層されている。第1電極76はY方向の中程に凸部76aが設置され、凸部76aはコンタクト層74と接触している。   That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the light emitting device 68 includes a multilayer substrate 69, and the multilayer substrate 69 is installed on the submount 15. The laminated substrate 69 includes, in order from the submount 15 side, a second electrode 56, a base substrate 70, a second cladding layer 71, an active layer 72, a first cladding layer 73, a contact layer 74, an insulating layer 75, and a first electrode as an electrode. 76 is laminated. The first electrode 76 is provided with a convex portion 76 a in the middle of the Y direction, and the convex portion 76 a is in contact with the contact layer 74.

活性層72において凸部76aと対向する場所は光17を発光する利得領域35となっている。積層基板69の+X方向側の端面である第1側面69aから光17が射出される。第1側面69aにおいて光17が射出される場所を第1射出部68bとする。   A portion of the active layer 72 that faces the convex portion 76 a is a gain region 35 that emits light 17. Light 17 is emitted from the first side surface 69 a that is the end surface of the laminated substrate 69 on the + X direction side. A place where the light 17 is emitted from the first side surface 69a is defined as a first emission portion 68b.

ベース基板70にはZ方向側の面に凹凸としての凹部70aが形成されている。凹部70aのZ方向側には凹部70aと対向する場所に第2クラッド層71が凹んだ凹部71aが形成されている。さらに、凹部71aのZ方向側には凹部71aと対向する場所に活性層72が凹んだ凹部72aが形成されている。さらに、凹部72aのZ方向側には凹部72aと対向する場所に第1クラッド層73が凹んだ凹部73aが形成されている。さらに、凹部73aのZ方向側には凹部73aと対向する場所にコンタクト層74が凹んだ凹部74aが形成されている。さらに、凹部74aのZ方向側には凹部74aと対向する場所に絶縁層75が凹んだ凹部75aが形成されている。さらに、凹部75aのZ方向側には凹部75aと対向する場所に第1電極76が凹んだマークとしての第1素子マーク77が形成されている。   The base substrate 70 has a recess 70a as an unevenness on the surface in the Z direction. On the Z direction side of the recess 70a, a recess 71a in which the second cladding layer 71 is recessed is formed at a location facing the recess 70a. Further, a recess 72a in which the active layer 72 is recessed is formed at a position facing the recess 71a on the Z direction side of the recess 71a. Further, a recess 73a in which the first cladding layer 73 is recessed is formed on the Z direction side of the recess 72a at a location facing the recess 72a. Further, a recess 74a in which the contact layer 74 is recessed is formed on the Z direction side of the recess 73a at a location facing the recess 73a. Further, a recess 75a in which the insulating layer 75 is recessed is formed on the Z direction side of the recess 74a at a location facing the recess 74a. Furthermore, a first element mark 77 is formed on the Z direction side of the recess 75a as a mark in which the first electrode 76 is recessed at a location facing the recess 75a.

凹部70aはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第2クラッド層71、活性層72、第1クラッド層73、コンタクト層74、絶縁層75、第1電極76は蒸着法、スパッター法、CVD法等により成膜されて形成されている。従って、第1素子マーク77は凹部70aの形状に倣った形状となっている。つまり、第1素子マーク77はベース基板70の凹部70aにより成り立っている。Z方向から見た平面形状において第1素子マーク77の+X方向側の辺である第1端辺77aは第1側面69aを含んでいる。第1素子マーク77は形状の一部が積層基板69の側面である第1側面69aを含んでいる。   The recess 70a can be formed using a photolithography method and an etching method. The second cladding layer 71, the active layer 72, the first cladding layer 73, the contact layer 74, the insulating layer 75, and the first electrode 76 are formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. Therefore, the first element mark 77 has a shape that follows the shape of the recess 70a. That is, the first element mark 77 is formed by the recess 70 a of the base substrate 70. The first end side 77a which is the side on the + X direction side of the first element mark 77 in the planar shape viewed from the Z direction includes a first side surface 69a. The first element mark 77 includes a first side surface 69 a in which a part of the shape is a side surface of the multilayer substrate 69.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク77の+X方向側の第1端辺77aは第1側面69aと同一線上にある。従って、第1素子マーク77を見ることにより第1側面69aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面69aから光が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る第1射出部68bの位置を認識することができる。積層基板69はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面69aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク77は第1側面69aの位置を示すので、第1側面69aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク77を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 77a on the + X direction side of the first element mark 77 is on the same line as the first side surface 69a. Accordingly, by looking at the first element mark 77, the position of the light 17 on the first side surface 69a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since light is inject | emitted from the 1st side surface 69a, the position of the 1st emission part 68b from which the light 17 emits in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the multilayer substrate 69 is formed separately from the mother board, variations occur in the position of the first side surface 69a. Since the first element mark 77 indicates the position of the first side surface 69a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 77 even if the position of the first side surface 69a varies. it can.

第1素子マーク77の−Y方向側の辺を第1光軸辺77bとする。第1光軸辺77bは第1素子マーク77の形状の一部である。第1光軸辺77bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺77bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク77を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 77 is defined as a first optical axis side 77b. The first optical axis side 77 b is a part of the shape of the first element mark 77. The first optical axis side 77 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 77 b indicates the direction of the optical axis 17 a of the light 17, the direction of the optical axis 17 a of the light 17 can be accurately recognized using the first element mark 77.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、発光デバイス68は第1素子マーク77を有し、積層基板69の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク77の形状の一部が積層基板69の第1側面69aを含んでいる。従って、第1素子マーク77を見ることにより積層基板69の第1側面69aの位置を認識することができる。第1素子マーク77は第1側面69aの位置を示すので、第1側面69aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク77を用いて光17が射出される第1射出部68bの場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to this embodiment, the light emitting device 68 has the first element mark 77, and a part of the shape of the first element mark 77 in the plan view as viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 69 is The first side surface 69a is included. Therefore, the position of the first side surface 69 a of the multilayer substrate 69 can be recognized by looking at the first element mark 77. Since the first element mark 77 indicates the position of the first side surface 69a, the position of the first emitting portion 68b where the light 17 is emitted using the first element mark 77 even if the position of the first side surface 69a varies. It can be recognized accurately.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク77は形状の一部である第1光軸辺77bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク77は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク77を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first optical axis side 77 b, which is a part of the first element mark 77, is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 77 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 77.

(3)本実施形態によれば、積層基板62は基礎となるベース基板70を備えている。そして、第1素子マーク77の形状はベース基板70の凹部70aにより成り立っている。ベース基板70を形成するときに第1素子マーク77に対応する凹部70aを形成することができる。その結果、ベース基板70を形成する工程と、第1素子マーク77を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク77を形成することができる。   (3) According to the present embodiment, the multilayer substrate 62 includes the base substrate 70 serving as a basis. The shape of the first element mark 77 is formed by the recess 70 a of the base substrate 70. When the base substrate 70 is formed, a recess 70 a corresponding to the first element mark 77 can be formed. As a result, the first element mark 77 can be formed with higher productivity than when the step of forming the base substrate 70 and the step of forming the first element mark 77 are separated.

(第5の実施形態)
次に、発光デバイスの一実施形態について図10を用いて説明する。図10(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図10(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図10(a)のF−F線に沿う模式断面図である。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、絶縁層に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第2の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Fifth embodiment)
Next, an embodiment of a light emitting device will be described with reference to FIG. FIG. 10A is a schematic plan view of an essential part showing the structure of the light emitting device. FIG. 10B is a schematic side cross-sectional view illustrating the structure of the light emitting device, and is a schematic cross-sectional view taken along the line FF in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that a recess corresponding to the alignment mark is provided in the insulating layer. Note that the description of the same points as in the second embodiment will be omitted.

すなわち、本実施形態では、図10に示すように、発光デバイス80は積層基板81を備え、積層基板81はサブマウント15上に設置されている。積層基板81はサブマウント15側から順に、第2電極56、ベース基板37、第2クラッド層36、活性層34、第1クラッド層33、コンタクト層32、絶縁層82、第1電極76が積層されている。第1電極76はY方向の中程に凸部76aが設置され、凸部76aはコンタクト層32と接触している。   That is, in the present embodiment, as illustrated in FIG. 10, the light emitting device 80 includes a multilayer substrate 81, and the multilayer substrate 81 is installed on the submount 15. In the laminated substrate 81, the second electrode 56, the base substrate 37, the second cladding layer 36, the active layer 34, the first cladding layer 33, the contact layer 32, the insulating layer 82, and the first electrode 76 are laminated in order from the submount 15 side. Has been. The first electrode 76 is provided with a convex portion 76 a in the middle of the Y direction, and the convex portion 76 a is in contact with the contact layer 32.

活性層34において凸部76aと対向する場所は光17を発光する利得領域35となっている。積層基板81の+X方向側の端面である第1側面81aから光17が射出される。第1側面81aにおいて光17が射出される場所を第1射出部80bとする。   A portion of the active layer 34 that faces the convex portion 76 a is a gain region 35 that emits light 17. Light 17 is emitted from the first side surface 81 a which is the end surface of the laminated substrate 81 on the + X direction side. A place where the light 17 is emitted from the first side surface 81a is defined as a first emitting portion 80b.

絶縁層82にはZ方向側の面に凹部82aが形成されている。凹部82aのZ方向側には凹部82aと対向する場所に第1電極76が凹んだマークとしての第1素子マーク83が形成されている。   The insulating layer 82 has a recess 82a on the surface in the Z direction. A first element mark 83 is formed on the Z direction side of the recess 82a as a mark in which the first electrode 76 is recessed at a location facing the recess 82a.

凹部82aはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第1電極76は蒸着法、スパッター法、CVD法等により成膜されて形成されている。従って、第1素子マーク83は凹部82aの形状に倣った形状となっている。つまり、第1素子マーク83は絶縁層82の凹部82aにより成り立っている。   The recess 82a can be formed by using a photolithography method and an etching method. The first electrode 76 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. Accordingly, the first element mark 83 has a shape that follows the shape of the recess 82a. That is, the first element mark 83 is formed by the recess 82 a of the insulating layer 82.

第1電極76には第1素子マーク83が設置されている。そして、Z方向から見た平面形状において第1素子マーク83の+X方向側の辺である第1端辺83aは第1側面81aを含んでいる。従って、第1素子マーク83は形状の一部が積層基板81の側面である第1側面81aを含んでいる。   A first element mark 83 is provided on the first electrode 76. The first end side 83a that is the side on the + X direction side of the first element mark 83 in the planar shape viewed from the Z direction includes the first side surface 81a. Therefore, the first element mark 83 includes the first side surface 81 a in which a part of the shape is the side surface of the multilayer substrate 81.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク83の+X方向側の第1端辺83aは第1側面81aと同一線上にある。従って、第1素子マーク83を見ることにより第1側面81aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面81aから光が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る第1射出部80bの位置を認識することができる。積層基板81はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面81aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク83は第1側面81aの位置を示すので、第1側面81aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク83を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 83a on the + X direction side of the first element mark 83 is on the same line as the first side surface 81a. Accordingly, by looking at the first element mark 83, the position of the light 17 on the first side surface 81a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since light is inject | emitted from the 1st side surface 81a, the position of the 1st emission part 80b from which the light 17 emits in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the multilayer substrate 81 is formed separately from the mother board, variations occur in the position of the first side surface 81a. Since the first element mark 83 indicates the position of the first side surface 81a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 83 even if the position of the first side surface 81a varies. it can.

第1素子マーク83の−Y方向側の辺を第1光軸辺83bとする。第1光軸辺83bは第1素子マーク83の形状の一部である。第1光軸辺83bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺83bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク83を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 83 is defined as a first optical axis side 83b. The first optical axis side 83 b is a part of the shape of the first element mark 83. The first optical axis side 83 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 83b indicates the direction of the optical axis 17a of the light 17, the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be accurately recognized using the first element mark 83.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、発光デバイス80は第1素子マーク83を有し、積層基板81の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク83の形状の一部が積層基板81の第1側面81aを含んでいる。従って、第1素子マーク83を見ることにより積層基板81の第1側面81aの位置を認識することができる。第1素子マーク83は第1側面81aの位置を示すので、第1側面81aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク83を用いて光17が射出される第1射出部80bの場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to this embodiment, the light emitting device 80 has the first element mark 83, and a part of the shape of the first element mark 83 in the plan view when viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 81 is the multilayer substrate 81. The first side surface 81a is included. Therefore, the position of the first side surface 81 a of the multilayer substrate 81 can be recognized by looking at the first element mark 83. Since the first element mark 83 indicates the position of the first side surface 81a, the location of the first emitting portion 80b where the light 17 is emitted using the first element mark 83 even if the position of the first side surface 81a varies. It can be recognized accurately.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク83は形状の一部である第1光軸辺83bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク83は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク83を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first optical axis side 83 b, which is a part of the shape of the first element mark 83, is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 83 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 83.

(3)本実施形態によれば、発光デバイス80は活性層34に電気を送る第1電極76を備えている。そして、第1素子マーク83の形状は絶縁層82の凹部82aにより成り立っている。絶縁層82を形成するときに第1素子マーク83に対応する凹部82aを形成することができる。その結果、絶縁層82を形成する工程と、第1素子マーク83を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク83を形成することができる。   (3) According to this embodiment, the light emitting device 80 includes the first electrode 76 that sends electricity to the active layer 34. The shape of the first element mark 83 is formed by the recess 82 a of the insulating layer 82. When forming the insulating layer 82, the recess 82a corresponding to the first element mark 83 can be formed. As a result, the first element mark 83 can be formed with higher productivity than when the step of forming the insulating layer 82 and the step of forming the first element mark 83 are separated.

(第6の実施形態)
次に、発光デバイスの一実施形態について図11を用いて説明する。図11(a)は、発光デバイスの構造を示す要部模式平面図である。図11(b)は、発光デバイスの構造を示す模式側断面図であり、図11(a)のG−G線に沿う模式断面図である。本実施形態が第1の実施形態と異なるところは、活性層に位置合わせマークに対応する凹部が設置されている点にある。尚、第2の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Sixth embodiment)
Next, an embodiment of a light emitting device will be described with reference to FIG. Fig.11 (a) is a principal part schematic top view which shows the structure of a light-emitting device. FIG. 11B is a schematic side cross-sectional view showing the structure of the light-emitting device, and is a schematic cross-sectional view taken along the line GG in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that a recess corresponding to the alignment mark is provided in the active layer. Note that the description of the same points as in the second embodiment will be omitted.

すなわち、本実施形態では、図11に示すように、発光デバイス86は積層基板87を備え、積層基板87はサブマウント15上に設置されている。積層基板87はサブマウント15側から順に、第2電極56、ベース基板37、第2クラッド層36、発光層としての活性層88、第1クラッド層73、コンタクト層74、絶縁層75、第1電極76が積層されている。第1電極76はY方向の中程に凸部76aが設置され、凸部76aはコンタクト層74と接触している。   That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, the light emitting device 86 includes a multilayer substrate 87, and the multilayer substrate 87 is installed on the submount 15. The laminated substrate 87 includes, in order from the submount 15 side, the second electrode 56, the base substrate 37, the second cladding layer 36, the active layer 88 as the light emitting layer, the first cladding layer 73, the contact layer 74, the insulating layer 75, the first layer. An electrode 76 is stacked. The first electrode 76 is provided with a convex portion 76 a in the middle of the Y direction, and the convex portion 76 a is in contact with the contact layer 74.

活性層88において凸部76aと対向する場所は光17を発光する利得領域35となっている。積層基板87の+X方向側の端面である第1側面87aから光17が射出される。第1側面87aにおいて光17が射出される場所を第1射出部86bとする。   A portion of the active layer 88 facing the convex portion 76 a is a gain region 35 that emits light 17. Light 17 is emitted from the first side surface 87 a which is the end surface of the laminated substrate 87 on the + X direction side. A place where the light 17 is emitted from the first side surface 87a is defined as a first emitting portion 86b.

活性層88には凹凸としての孔部88aが形成されている。孔部88aのZ方向側には孔部88aと対向する場所に第1クラッド層73が凹んだ凹部73aが形成されている。さらに、凹部73aのZ方向側には凹部73aと対向する場所にコンタクト層74が凹んだ凹部74aが形成されている。さらに、凹部74aのZ方向側には凹部74aと対向する場所に絶縁層75が凹んだ凹部75aが形成されている。さらに、凹部75aのZ方向側には凹部75aと対向する場所に第1電極76が凹んだマークとしての第1素子マーク89が形成されている。   The active layer 88 is formed with a hole 88a as an unevenness. On the Z direction side of the hole 88a, a recess 73a in which the first cladding layer 73 is recessed is formed at a location facing the hole 88a. Further, a recess 74a in which the contact layer 74 is recessed is formed on the Z direction side of the recess 73a at a location facing the recess 73a. Further, a recess 75a in which the insulating layer 75 is recessed is formed on the Z direction side of the recess 74a at a location facing the recess 74a. Further, a first element mark 89 is formed on the Z direction side of the recess 75a as a mark in which the first electrode 76 is recessed at a location facing the recess 75a.

孔部88aはフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて形成することができる。第1クラッド層73、コンタクト層74、絶縁層75、第1電極76は蒸着法、スパッター法、CVD法等により成膜されて形成されている。従って、第1素子マーク89は孔部88aの形状に倣った形状となっている。つまり、第1素子マーク89は活性層88の孔部88aにより成り立っている。Z方向から見た平面形状において第1素子マーク89の+X方向側の辺である第1端辺89aは第1側面87aを含んでいる。第1素子マーク89は形状の一部が積層基板87の側面である第1側面87aを含んでいる。   The hole 88a can be formed by using a photolithography method and an etching method. The first cladding layer 73, the contact layer 74, the insulating layer 75, and the first electrode 76 are formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. Accordingly, the first element mark 89 has a shape that follows the shape of the hole 88a. That is, the first element mark 89 is formed by the hole 88 a of the active layer 88. The first end side 89a that is the side on the + X direction side of the first element mark 89 in the planar shape viewed from the Z direction includes the first side surface 87a. The first element mark 89 includes a first side surface 87 a in which a part of the shape is the side surface of the multilayer substrate 87.

Z方向から見た平面形状において第1素子マーク89の+X方向側の第1端辺89aは第1側面87aと同一線上にある。従って、第1素子マーク89を見ることにより第1側面87aの光17の光軸17aの方向の位置を認識することができる。そして、第1側面87aから光が射出されるので、光17の光軸17aの方向で光17が出る第1射出部86bの位置を認識することができる。積層基板87はマザーボードから分割して形成されるので、第1側面87aの位置にバラツキが生じる。第1素子マーク89は第1側面87aの位置を示すので、第1側面87aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク89を用いて光17が射出される場所を正確に認識することができる。   In the planar shape viewed from the Z direction, the first end side 89a on the + X direction side of the first element mark 89 is on the same line as the first side surface 87a. Accordingly, by looking at the first element mark 89, the position of the light 17 on the first side surface 87a in the direction of the optical axis 17a can be recognized. And since light is inject | emitted from the 1st side surface 87a, the position of the 1st emission part 86b from which the light 17 emits in the direction of the optical axis 17a of the light 17 can be recognized. Since the laminated substrate 87 is formed separately from the mother board, variations occur in the position of the first side surface 87a. Since the first element mark 89 indicates the position of the first side surface 87a, it is possible to accurately recognize the location where the light 17 is emitted using the first element mark 89 even if the position of the first side surface 87a varies. it can.

第1素子マーク89の−Y方向側の辺を第1光軸辺89bとする。第1光軸辺89bは第1素子マーク89の形状の一部である。第1光軸辺89bは光17の光軸17aと平行となっている。第1光軸辺89bは光17の光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク89を用いて光17の光軸17aの方向を正確に認識することができる。   The side on the −Y direction side of the first element mark 89 is defined as a first optical axis side 89b. The first optical axis side 89 b is a part of the shape of the first element mark 89. The first optical axis side 89 b is parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Since the first optical axis side 89b indicates the direction of the optical axis 17a of the light 17, it is possible to accurately recognize the direction of the optical axis 17a of the light 17 using the first element mark 89.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、発光デバイス86は第1素子マーク89を有し、積層基板87の厚み方向から見た平面視で第1素子マーク89の形状の一部が積層基板87の第1側面87aを含んでいる。従って、第1素子マーク89を見ることにより積層基板87の第1側面87aの位置を認識することができる。第1素子マーク89は第1側面87aの位置を示すので、第1側面87aの位置にバラツキが生じても第1素子マーク89を用いて光17が射出される第1射出部86bの場所を正確に認識することができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the light emitting device 86 has the first element mark 89, and a part of the shape of the first element mark 89 in the plan view when viewed from the thickness direction of the multilayer substrate 87 is the multilayer substrate 87. A first side 87a is included. Therefore, the position of the first side surface 87 a of the multilayer substrate 87 can be recognized by looking at the first element mark 89. Since the first element mark 89 indicates the position of the first side surface 87a, the location of the first emitting portion 86b where the light 17 is emitted using the first element mark 89 even if the position of the first side surface 87a varies. It can be recognized accurately.

(2)本実施形態によれば、第1素子マーク89は形状の一部である第1光軸辺89bが光17の光軸17aと平行となっている。従って、第1素子マーク89は光軸17aの方向を示す為、第1素子マーク89を用いて光軸17aの方向を正確に認識することができる。   (2) According to the present embodiment, the first element mark 89 has a first optical axis side 89 b which is a part of the shape, parallel to the optical axis 17 a of the light 17. Accordingly, since the first element mark 89 indicates the direction of the optical axis 17a, the direction of the optical axis 17a can be accurately recognized using the first element mark 89.

(3)本実施形態によれば、積層基板87は活性層88を備えている。そして、第1素子マーク89の形状は活性層88の孔部88aにより成り立っている。活性層88を形成するときに第1素子マーク89に対応する孔部88aを形成することができる。その結果、活性層88を形成する工程と、第1素子マーク89を形成する工程とを別にするときに比べて生産性良く第1素子マーク89を形成することができる。   (3) According to the present embodiment, the multilayer substrate 87 includes the active layer 88. The shape of the first element mark 89 is formed by the hole 88 a of the active layer 88. When forming the active layer 88, a hole 88a corresponding to the first element mark 89 can be formed. As a result, the first element mark 89 can be formed with higher productivity than when the step of forming the active layer 88 and the step of forming the first element mark 89 are separated.

(第7の実施形態)
次に、発光デバイスが設置された通信装置の一実施形態について図12を用いて説明する。図12(a)は、通信装置の構造を示す模式平面図であり、図12(b)は、通信装置の構造を示す模式側面図である。本実施形態の通信装置には上記に記載された発光デバイスが設置されている。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
(Seventh embodiment)
Next, an embodiment of a communication apparatus in which a light emitting device is installed will be described with reference to FIG. FIG. 12A is a schematic plan view showing the structure of the communication device, and FIG. 12B is a schematic side view showing the structure of the communication device. The light emitting device described above is installed in the communication apparatus of this embodiment. In addition, description is abbreviate | omitted about the same point as said embodiment.

すなわち、本実施形態では、図12に示すように、通信機器としての通信装置91はベース基板92を備えている。ベース基板92は板状であり、平面形状が長方形となっている。長方形の長手方向をX方向とし、平面上でX方向と直交する方向をY方向とする。ベース基板92の厚み方向をZ方向とする。   That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 12, a communication device 91 as a communication device includes a base substrate 92. The base substrate 92 has a plate shape and has a rectangular planar shape. The longitudinal direction of the rectangle is the X direction, and the direction orthogonal to the X direction on the plane is the Y direction. The thickness direction of the base substrate 92 is defined as the Z direction.

ベース基板92の中程には支持板93が設置され、支持板93上に発光デバイス94が設置されている。発光デバイス94には、上記に記載の発光デバイス16、54、61、68、80、86の何れかが用いられている。発光デバイス94において+X方向側の面を第1側面94aとし、−X方向側の面を第2側面94bとする。第1側面94aには射出部としての第1射出部94cが設けられ、第2側面94bには射出部としての第2射出部94dが設けられている。第1射出部94c及び第2射出部94dからは光17が射出される。   A support plate 93 is installed in the middle of the base substrate 92, and a light emitting device 94 is installed on the support plate 93. Any of the light emitting devices 16, 54, 61, 68, 80, and 86 described above is used as the light emitting device 94. In the light emitting device 94, a surface on the + X direction side is a first side surface 94a, and a surface on the −X direction side is a second side surface 94b. The first side surface 94a is provided with a first injection portion 94c as an injection portion, and the second side surface 94b is provided with a second injection portion 94d as an injection portion. Light 17 is emitted from the first emission part 94c and the second emission part 94d.

発光デバイス94の+X方向側にはマークとしての第1素子マーク95が設置され、−X方向側にはマークとしての第2素子マーク96が設置されている。Z方向から見た平面視で第1素子マーク95は形状の一部が第1側面94aを含んでおり、第2素子マーク96は形状の一部が第2側面94bを含んでいる。   A first element mark 95 as a mark is disposed on the + X direction side of the light emitting device 94, and a second element mark 96 as a mark is disposed on the −X direction side. In the plan view as viewed from the Z direction, the first element mark 95 has a part of the shape including the first side surface 94a, and the second element mark 96 has a part of the shape including the second side surface 94b.

ベース基板92には第1素子マーク95の+X方向に第1ベースマーク92aが設置され、第2素子マーク96の−X方向に第2ベースマーク92bが設置されている。ベース基板92と発光デバイス94との位置合わせには第1素子マーク95、第2素子マーク96、第1ベースマーク92a及び第2ベースマーク92bが用いられている。   On the base substrate 92, a first base mark 92 a is installed in the + X direction of the first element mark 95, and a second base mark 92 b is installed in the −X direction of the second element mark 96. The first element mark 95, the second element mark 96, the first base mark 92a, and the second base mark 92b are used for alignment between the base substrate 92 and the light emitting device 94.

光17の光軸17a上において、発光デバイス94の+X方向側には、第1凸レンズ97、光学フィルター98、コネクター99が設置され、コネクター99には光ファイバー100が設置されている。発光デバイス94の第1射出部94cから射出された光17は第1凸レンズ97を通過して集光される。光17は次に光学フィルター98を通過し光ファイバー100に入射し、光ファイバー100内を進行する。   On the optical axis 17 a of the light 17, a first convex lens 97, an optical filter 98, and a connector 99 are installed on the + X direction side of the light emitting device 94, and an optical fiber 100 is installed in the connector 99. The light 17 emitted from the first emission part 94 c of the light emitting device 94 passes through the first convex lens 97 and is condensed. The light 17 then passes through the optical filter 98 and enters the optical fiber 100, and travels through the optical fiber 100.

発光デバイス94の−X方向側にはコリメートレンズ101及び反射鏡102が設置されている。そして、発光デバイス94の第2射出部94dから射出された光17はコリメートレンズ101を通過して平行光になる。光17は次に、反射鏡102にて反射しコリメートレンズ101を通過して集光される。集光された光17は発光デバイス94に入射し発光デバイス94を通過して第1射出部94cから射出される。   A collimating lens 101 and a reflecting mirror 102 are installed on the −X direction side of the light emitting device 94. The light 17 emitted from the second emission part 94d of the light emitting device 94 passes through the collimator lens 101 and becomes parallel light. Next, the light 17 is reflected by the reflecting mirror 102, passes through the collimating lens 101, and is collected. The condensed light 17 enters the light emitting device 94, passes through the light emitting device 94, and is emitted from the first emitting portion 94c.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、ベース基板92には発光デバイス94と光ファイバー100とが設置されている。発光デバイス94が射出した光17は光ファイバー100に入光する。第1素子マーク95、第2素子マーク96、第1ベースマーク92a及び第2ベースマーク92bを用いることにより発光デバイス94は光17を発光する場所を位置精度良くベース基板92に設置することができる。従って、光ファイバー100と発光デバイス94とを合わせる位置合わせを容易に行うことができる。その結果、通信装置91は位置合わせが容易な発光デバイス94を備えた通信機器とすることができる。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to this embodiment, the light emitting device 94 and the optical fiber 100 are installed on the base substrate 92. Light 17 emitted from the light emitting device 94 enters the optical fiber 100. By using the first element mark 95, the second element mark 96, the first base mark 92a, and the second base mark 92b, the light emitting device 94 can place the light 17 emission place on the base substrate 92 with high positional accuracy. . Therefore, the alignment of the optical fiber 100 and the light emitting device 94 can be easily performed. As a result, the communication device 91 can be a communication device including the light emitting device 94 that can be easily aligned.

(比較例)
図13は比較例における基板の分断方法を説明する為の要部拡大模式図である。マザーボード42には利得領域35と直交して切断予定線43が設定されている。そして、マザーボード42には位置合わせ用のマーク105が設置されている。切断予定線43に沿って切断したときの側面が第1側面106になったときマーク105と第1側面106との距離を第1距離106aとする。このとき、光17は射出部106bから射出される。
(Comparative example)
FIG. 13 is an enlarged schematic view of a main part for explaining a substrate dividing method in a comparative example. A cutting line 43 is set on the mother board 42 so as to be orthogonal to the gain region 35. A positioning mark 105 is provided on the mother board 42. The distance between the mark 105 and the first side surface 106 when the side surface cut along the planned cutting line 43 becomes the first side surface 106 is defined as a first distance 106a. At this time, the light 17 is emitted from the emission unit 106b.

別の機会において、切断予定線43に沿って切断したときの側面が第2側面107になったときマーク105と第2側面107との距離を第2距離107aとする。このとき、光17は射出部107bから射出される。光17を射出する射出部は第1側面106または第2側面107に位置するので、光軸17aの方向においてマーク105から射出部までの距離は第1距離106aまたは第2距離107aになる。従って、マーク105から射出部までの距離は切断により形成された側面の位置に影響されることになる。第1の実施形態〜第6の実施形態ではマークが側面まで達している。従って、マークから射出部までの距離は切断により影響されない為、マークを用いて精度良く射出部の位置合わせをすることができる。   On another occasion, the distance between the mark 105 and the second side surface 107 when the side surface cut along the planned cutting line 43 becomes the second side surface 107 is defined as a second distance 107a. At this time, the light 17 is emitted from the emission unit 107b. Since the emission part that emits the light 17 is located on the first side face 106 or the second side face 107, the distance from the mark 105 to the emission part in the direction of the optical axis 17a is the first distance 106a or the second distance 107a. Therefore, the distance from the mark 105 to the injection portion is affected by the position of the side surface formed by cutting. In the first to sixth embodiments, the mark reaches the side surface. Accordingly, since the distance from the mark to the injection portion is not affected by the cutting, the alignment of the injection portion can be accurately performed using the mark.

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例1)
前記第1の実施形態では、第1素子マーク18及び第2素子マーク21が凹んだ形状となっていたが、突出する形状でも良い。第1素子マーク18及び第2素子マーク21は凹凸の形状でも良い。このときにもZ方向から見て第1素子マーク18及び第2素子マーク21の形状を確認することができる。この内容は、前記第2の実施形態の第1素子マーク58、前記第3の実施形態における第1素子マーク65、前記第4の実施形態における第1素子マーク77、前記第5の実施形態における第1素子マーク83、前記第6の実施形態における第1素子マーク89にも適用することができる。
Note that the present embodiment is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be added by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. A modification will be described below.
(Modification 1)
In the first embodiment, the first element mark 18 and the second element mark 21 are recessed, but a protruding shape may be used. The first element mark 18 and the second element mark 21 may be uneven. Also at this time, the shapes of the first element mark 18 and the second element mark 21 can be confirmed as viewed from the Z direction. The contents are the first element mark 58 of the second embodiment, the first element mark 65 of the third embodiment, the first element mark 77 of the fourth embodiment, and the fifth embodiment. The present invention can also be applied to the first element mark 83 and the first element mark 89 in the sixth embodiment.

前記第3の実施形態では、ベース基板63に凹部63aを形成した。ベース基板63には凸部を形成してもよく、凹凸部を形成しても良い。何れのときにも第2電極64に第1素子マーク65を形成することができる。前記第4の実施形態においても、ベース基板70に凹部70aを形成した。ベース基板70には凸部を形成してもよく、凹凸部を形成しても良い。何れのときにも第1電極76に第1素子マーク77を形成することができる。   In the third embodiment, the recess 63 a is formed in the base substrate 63. The base substrate 63 may be formed with a convex portion or an uneven portion. At any time, the first element mark 65 can be formed on the second electrode 64. Also in the fourth embodiment, the recess 70 a is formed in the base substrate 70. The base substrate 70 may be formed with a convex portion or an uneven portion. At any time, the first element mark 77 can be formed on the first electrode 76.

同様に、前記第4の実施形態ではベース基板70の凹部70aを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。前記第5の実施形態では絶縁層82の凹部82aを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。前記第6の実施形態では第2クラッド層36、活性層88、第1クラッド層73の何れかを突出する形状や凹凸の形状にしても良い。このときにもZ方向から見てマークの形状を確認することができる。製造し易い形態にしても良い。   Similarly, in the fourth embodiment, the concave portion 70a of the base substrate 70 may be protruded or uneven. In the fifth embodiment, the concave portion 82a of the insulating layer 82 may be protruded or uneven. In the sixth embodiment, any one of the second cladding layer 36, the active layer 88, and the first cladding layer 73 may have a protruding shape or an uneven shape. Also at this time, the shape of the mark can be confirmed when viewed from the Z direction. You may make it the form which is easy to manufacture.

(変形例2)
前記第1の実施形態では、光軸17aが第1側面41a及び第2側面41bと直交した。光軸17aは第1側面41a及び第2側面41bと斜めに交差しても良い。このときにも第1光軸辺18b及び第2光軸辺21bを光軸17aと平行にする。これにより、第1素子マーク18を用いて第1射出部16bの位置と光軸17aとを認識することができる。同様に、第2素子マーク21を用いて第2射出部16cの位置と光軸17aとを認識することができる。この内容は、前記第2の実施形態〜前記第6の実施形態にも適用することができる。
(Modification 2)
In the first embodiment, the optical axis 17a is orthogonal to the first side surface 41a and the second side surface 41b. The optical axis 17a may cross the first side surface 41a and the second side surface 41b obliquely. Also at this time, the first optical axis side 18b and the second optical axis side 21b are made parallel to the optical axis 17a. Thereby, the position of the 1st injection | emission part 16b and the optical axis 17a can be recognized using the 1st element mark 18. FIG. Similarly, the position of the second emitting portion 16c and the optical axis 17a can be recognized using the second element mark 21. This content can also be applied to the second to sixth embodiments.

(変形例3)
前記第1の実施形態では、発光デバイス16に第1素子マーク18及び第2素子マーク21の2つのマークが設置された。1つのマークでもベース基板14に対して発光デバイス16の位置を合わせることができるときには第1素子マーク18または第2素子マーク21の一方のマークのみ設置し他方を省略しても良い。マークを減らすことにより生産性良く発光デバイス16を製造することができる。この内容は、前記第2の実施形態〜前記第6の実施形態にも適用することができる。
(Modification 3)
In the first embodiment, the light emitting device 16 is provided with two marks, the first element mark 18 and the second element mark 21. When the position of the light emitting device 16 can be adjusted with respect to the base substrate 14 even with one mark, only one of the first element mark 18 and the second element mark 21 may be provided and the other may be omitted. The light emitting device 16 can be manufactured with high productivity by reducing the number of marks. This content can also be applied to the second to sixth embodiments.

(変形例4)
前記第6の実施形態では、活性層88に孔部88aを形成した。活性層88には凹部、凸部、凹凸部を形成してもよい。他にも、活性層88以外にも第2クラッド層36または第1クラッド層73に凹部、凸部、凹凸部を形成してもよい。このときにも、第1電極76に第1素子マーク89を形成することができる。
(Modification 4)
In the sixth embodiment, the hole 88 a is formed in the active layer 88. The active layer 88 may be formed with concave portions, convex portions, and concave and convex portions. In addition, in addition to the active layer 88, a concave portion, a convex portion, or a concave and convex portion may be formed in the second cladding layer 36 or the first cladding layer 73. Also at this time, the first element mark 89 can be formed on the first electrode 76.

1…プロジェクター、6…光変調装置としての液晶ライトバルブ、7b…レンズとしてのフィールドレンズ、8…発光デバイスとしての赤色光源、9…発光デバイスとしての緑色光源、10…発光デバイスとしての青色光源、11…投射装置としての投射レンズ、14,63,70,92…ベース基板、16b,94c…射出部としての第1射出部、16c,94d…射出部としての第2射出部、16,54,61,68,80,86,94…発光デバイス、17…光、17a…光軸、18…第2マーク及びマークとしての第1素子マーク、21…第2マーク及びマークとしての第2素子マーク、22…第1マークとしての第1ベースマーク、23…第1マークとしての第2ベースマーク、38,64…電極としての第2電極、41…基板としての積層基板、41a…側面としての第1側面、41b…側面としての第2側面、42…母材としてのマザーボード、43…分割線としての切断予定線、57,76…電極としての第1電極、58,65,77,83,89,95…マークとしての第1素子マーク、63a,70a…凹凸としての凹部、75…絶縁層、88…発光層としての活性層、88a…凹凸としての孔部、91…通信機器としての通信装置、96…マークとしての第2素子マーク、100…光ファイバー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Projector, 6 ... Liquid crystal light valve as a light modulator, 7b ... Field lens as a lens, 8 ... Red light source as a light-emitting device, 9 ... Green light source as a light-emitting device, 10 ... Blue light source as a light-emitting device, DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Projection lens as a projection apparatus, 14, 63, 70, 92 ... Base board | substrate, 16b, 94c ... 1st injection | emission part as an injection | emission part, 16c, 94d ... 2nd injection | emission part as an injection | emission part, 16, 54, 61, 68, 80, 86, 94 ... light emitting device, 17 ... light, 17a ... optical axis, 18 ... second mark and first element mark as mark, 21 ... second mark and second element mark as mark, 22 ... a first base mark as a first mark, 23 ... a second base mark as a first mark, 38, 64 ... a second electrode as an electrode, 41 ... a substrate 41a ... a first side as a side, 41b ... a second side as a side, 42 ... a mother board as a base material, 43 ... a cutting line as a dividing line, 57,76 ... first as an electrode Electrodes 58, 65, 77, 83, 89, 95... First element mark as mark, 63a, 70a. A hole, 91 ... a communication device as a communication device, 96 ... a second element mark as a mark, 100 ... an optical fiber.

Claims (12)

基板と、
前記基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする発光デバイス。
A substrate,
An emission part for emitting light from the side surface of the substrate;
A light emitting device, comprising: a mark having a part of a shape including a side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.
請求項1に記載の発光デバイスであって、
前記マークは前記形状の一部が前記光の光軸と平行となっていることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 1,
A part of the shape of the mark is parallel to the optical axis of the light.
請求項1または2に記載の発光デバイスであって、
前記基板は電流を入力する電極を備え、
前記マークは前記電極の一部であることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The substrate includes an electrode for inputting current,
The light emitting device, wherein the mark is a part of the electrode.
請求項1または2に記載の発光デバイスであって、
前記基板はベース基板を含む複数の層を有し、
前記マークは前記ベース基板の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The substrate has a plurality of layers including a base substrate;
The light-emitting device, wherein the mark is formed by unevenness of the base substrate.
請求項4に記載の発光デバイスであって、
前記基板は発光層を備え、前記マークは前記発光層の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 4,
The light-emitting device, wherein the substrate includes a light-emitting layer, and the mark is formed by unevenness of the light-emitting layer.
請求項4に記載の発光デバイスであって、
前記基板は絶縁層を備え、前記マークは前記絶縁層の凹凸により成り立っていることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 4,
The substrate includes an insulating layer, and the mark is formed by unevenness of the insulating layer.
請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光デバイスであって、
前記マークは複数設置されていることを特徴とする発光デバイス。
The light-emitting device according to claim 1,
A light emitting device, wherein a plurality of the marks are installed.
母材に射出部を設置し、
前記母材にマークを設置し、
前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
Install the injection part in the base material,
A mark is set on the base material,
A method of manufacturing a light emitting device, wherein the base material is divided along a dividing line passing through the mark and the emitting portion.
第1マークが設置されたベース基板と、
前記ベース基板に設置された発光デバイスと、を備え、
前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含む第2マークと、を備えることを特徴とする発光モジュール。
A base substrate on which a first mark is installed;
A light emitting device installed on the base substrate,
The light emitting device includes an emission unit that emits light from a side surface of the substrate;
A light emitting module comprising: a second mark, a part of the shape of which includes a side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.
母材に射出部を設置し、
前記母材にマークを設置し、
前記マークと前記射出部とを通る分割線に沿って前記母材を分割して発光デバイスを形成し、
ベース基板に位置合わせマークを設置し、
前記位置合わせマークと分割された前記マークとを用いて、前記ベース基板に前記発光デバイスを設置することを特徴とする発光モジュールの製造方法。
Install the injection part in the base material,
A mark is set on the base material,
Dividing the base material along a dividing line passing through the mark and the emission part to form a light emitting device,
Place the alignment mark on the base board,
A method of manufacturing a light emitting module, wherein the light emitting device is installed on the base substrate using the alignment mark and the divided marks.
請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光デバイスと、
前記発光デバイスから射出された光を集光するレンズと、
前記レンズによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含むことを特徴とするプロジェクター。
The light emitting device according to any one of claims 1 to 7,
A lens for collecting the light emitted from the light emitting device;
A light modulation device that modulates light collected by the lens according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
Including a projector.
ベース基板と、
前記ベース基板に設置された発光デバイスと、
前記ベース基板に設置された光ファイバーと、を備え、
前記発光デバイスは、基板の側面から光を射出する射出部と、
前記基板の厚み方向から見た平面視で形状の一部が前記基板の側面を含むマークと、を備えることを特徴とする通信機器。
A base substrate;
A light emitting device installed on the base substrate;
An optical fiber installed on the base substrate,
The light emitting device includes an emission unit that emits light from a side surface of the substrate;
A communication device comprising: a mark having a part of a shape including a side surface of the substrate in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10296039B2 (en) 2016-09-13 2019-05-21 Wacom Co., Ltd. Analog circuit, position indicator, and system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09145965A (en) * 1995-11-22 1997-06-06 Hitachi Ltd Optical module and its manufacture
JP2005101044A (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Method for packaging optical semiconductor device and method for manufacturing optical module using the same
JP2008124218A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Sony Corp Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
JP2013239614A (en) * 2012-05-16 2013-11-28 Seiko Epson Corp Method of manufacturing light-emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09145965A (en) * 1995-11-22 1997-06-06 Hitachi Ltd Optical module and its manufacture
JP2005101044A (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Method for packaging optical semiconductor device and method for manufacturing optical module using the same
JP2008124218A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Sony Corp Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
JP2013239614A (en) * 2012-05-16 2013-11-28 Seiko Epson Corp Method of manufacturing light-emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10296039B2 (en) 2016-09-13 2019-05-21 Wacom Co., Ltd. Analog circuit, position indicator, and system
US10795402B2 (en) 2016-09-13 2020-10-06 Wacom Co., Ltd. Analog circuit, position indicator, and system

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