JP2015126227A - Desmearing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a desmearing device capable of removing both smears caused by an inorganic material and an organic material surely, without using a chemical requiring waste liquid treatment.SOLUTION: A desmearing device for desmearing a wiring board material, where an insulation layer composed of resin containing a filler and a conductive layer are laminated and a through hole is formed to penetrate the insulation layer, has a UV irradiation unit for irradiating the wiring board material with UV-ray having a wavelength of 220 nm or less, and a physical vibration unit for giving physical vibration to the wiring board material irradiated with UV-ray by the UV irradiation unit.

Description

本発明は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層され、絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料をデスミア処理するデスミア処理装置に関する。   The present invention relates to a desmear processing apparatus for performing desmear processing on a wiring board material in which an insulating layer made of a resin containing a filler and a conductive layer are laminated and a through hole penetrating the insulating layer is formed.

例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア（残渣）が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。 For example, as a wiring board for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element, a multilayer wiring board in which insulating layers and conductive layers (wiring layers) are alternately stacked is known. In such a multilayer wiring board, in order to electrically connect one conductive layer and another conductive layer, a via hole or a through hole extending through one or a plurality of insulating layers in the thickness direction is formed. Yes.
In the manufacturing process of a multilayer wiring board, by removing a part of the insulating layer and the conductive layer by performing drilling or laser processing on the wiring board material in which the insulating layer and the conductive layer are laminated, via holes and A through hole is formed. In the formation of via holes and through holes, smears (residues) due to the materials constituting the insulating layer and conductive layer are generated in the wiring board material. For this reason, the desmear process which removes a smear with respect to the said wiring board material is performed.

配線基板材料のデスミア処理方法としては、従来、湿式のデスミア処理方法および乾式のデスミア処理方法が知られている（特許文献１および特許文献２参照）。
湿式のデスミア処理方法は、配線基板材料を過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、配線基板材料に残留するスミアを溶解若しくは剥離して除去する方法である。一方、乾式のデスミア処理方法は、配線基板材料に紫外線を照射することにより、当該紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンによってスミアを分解して除去する方法である。 Conventionally, wet desmear treatment methods and dry desmear treatment methods are known as desmear treatment methods for wiring board materials (see Patent Document 1 and Patent Document 2).
The wet desmear treatment method is a method in which the smear remaining on the wiring board material is dissolved or removed by immersing the wiring board material in an alkaline solution in which potassium permanganate or sodium hydroxide is dissolved. is there. On the other hand, the dry desmear treatment method is a method in which smear is decomposed and removed by irradiating the wiring board material with ultraviolet rays, by the energy of the ultraviolet rays and ozone generated by the irradiation of the ultraviolet rays.

しかしながら、湿式のデスミア処理方法においては、スミアをアルカリ溶液に溶解させるのに長い時間を要すること、配線基板材料をアルカリ溶液に浸漬した後に洗浄処理および中和処理を行う必要があること、使用済みのアルカリ溶液について廃液処理が必要となることなどから、デスミア処理のコストが相当に高くなる、という問題がある。
また、近年、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、径の小さいビアホールを形成することが求められている。そして、径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、アルカリ溶液がビアホール内に十分に浸入しないため、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難となる。 However, in the wet desmear treatment method, it takes a long time to dissolve the smear in the alkaline solution, and it is necessary to perform the cleaning treatment and the neutralization treatment after immersing the wiring board material in the alkaline solution. There is a problem that the cost of desmear treatment becomes considerably high because waste solution treatment is required for the alkaline solution.
In recent years, it has been required to form a via hole having a small diameter in accordance with a request for miniaturization of a wiring pattern in a wiring board. And when performing a desmear process with respect to the wiring board material which has a via hole with a small diameter, since an alkaline solution does not fully infiltrate into a via hole, it becomes difficult to perform a required desmear process reliably.

これに対して、乾式のデスミア処理方法によれば、短時間でデスミア処理を行うことができ、また、配線基板材料の洗浄・中和や廃液処理が不要であることから、デスミア処理についてコストの低減化を図ることが可能である。更に、径の小さいビアホールを有する配線基板材料についても対応可能である。   On the other hand, according to the dry desmear treatment method, the desmear treatment can be performed in a short time, and the cleaning / neutralization of the wiring board material and the waste liquid treatment are unnecessary, so that the cost of the desmear treatment Reduction can be achieved. Furthermore, it is possible to cope with a wiring board material having a via hole having a small diameter.

しかしながら、従来の乾式のデスミア処理においては、以下のような問題があることが判明した。
乾式のデスミア処理においては、絶縁層を構成する樹脂などの有機物質に起因するスミアは、紫外線およびオゾンの作用によって分解して除去される。然るに、絶縁層中に含有されたフィラーを構成するセラミックスや導電層を構成する金属などの無機物質に起因するスミアは、紫外線やオゾンの作用によっては分解されず、配線基板材料に残留する、という問題がある。 However, it has been found that the conventional dry desmear treatment has the following problems.
In the dry desmear process, smears caused by organic substances such as resins constituting the insulating layer are decomposed and removed by the action of ultraviolet rays and ozone. However, smear caused by inorganic substances such as ceramics constituting the filler contained in the insulating layer and metals constituting the conductive layer is not decomposed by the action of ultraviolet rays or ozone, and remains in the wiring board material. There's a problem.

特開２０１０−２０５８０１号公報JP 2010-205801 A 特開平８−１８０７５７号公報JP-A-8-180757

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができ、廃液処理が必要な薬品を用いることが不要なデスミア処理装置を提供することにある。   The present invention has been made on the basis of the circumstances as described above, and its purpose is to remove smears caused by either inorganic substances or organic substances with certainty, and waste liquid treatment is necessary. Another object of the present invention is to provide a desmear treatment apparatus that does not require the use of a chemical.

本発明のデスミア処理装置は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料のデスミア処理装置において、
前記配線基板材料に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と
を有することを特徴とする。 The desmear treatment apparatus of the present invention is a desmear treatment apparatus for a wiring board material in which an insulating layer made of a resin containing a filler and a conductive layer are laminated.
An ultraviolet irradiation processing unit that irradiates the wiring board material with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less;
And a physical vibration processing unit that applies physical vibration to the wiring board material that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit.

本発明のデスミア処理装置においては、前記物理的振動処理部は、超音波振動処理によって配線基板材料に物理的振動を与えるものであることが好ましい。
また、前記紫外線照射処理部は、前記配線基板材料が配置される処理室と、この処理室に酸素を含む処理用ガスを供給するガス供給口とを有することが好ましい。
また、前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部を有することが好ましい。
また、前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることが好ましい。
また、前記配線基板材料が湿潤処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分に紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部を有することが好ましい。 In the desmear processing apparatus of the present invention, it is preferable that the physical vibration processing unit applies physical vibration to the wiring board material by ultrasonic vibration processing.
Moreover, it is preferable that the said ultraviolet irradiation process part has a process chamber in which the said wiring board material is arrange | positioned, and a gas supply port which supplies the process gas containing oxygen to this process chamber.
Moreover, it is preferable to have a wet treatment part which wets the to-be-processed part in the said wiring board material, before the said wiring board material is provided to the said ultraviolet irradiation process part.
Moreover, it is preferable that the said wet process part wets the to-be-processed part in the said wiring board material by immersing the said wiring board material in water, and carrying out the ultrasonic vibration of the said water in this state.
In addition, it is preferable to have a dry ultraviolet irradiation processing section that irradiates ultraviolet rays to a portion to be processed in the wiring board material before the wiring board material is provided to the wet processing section.

本発明のデスミア処理装置によれば、紫外線照射処理部において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線が雰囲気ガスに照射されることにより、オゾンや活性酸素が生成される。また、湿潤処理部を有する場合には、当該湿潤処理部において配線基板材料が湿潤されるため、当該配線基板材料に波長２２０ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、ＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物質に起因するスミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素、或いはＯＨラジカルなどによって分解される。
紫外線照射処理部においては、無機物質に起因するスミアは分解されず、配線基板材料に残留するが、当該無機物質に起因するスミア、例えばシリカやアルミナなどの無機物質は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部において、配線基板材料に物理的振動を与えることにより、無機物質に起因するスミアが破壊されて当該配線基板材料から離脱する。或いは、無機物質に起因するスミアの収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じるため、無機物質に起因するスミアは、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料から離脱する。
従って、本発明のデスミア処理装置によれば、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができる。
また、配線基板材料に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。 According to the desmear treatment apparatus of the present invention, ozone and active oxygen are generated by irradiating the atmosphere gas with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less in the ultraviolet irradiation processing section. In addition, when the wet processing unit is included, the wiring board material is wetted in the wet processing unit, and therefore, OH radicals are generated by irradiating the wiring board material with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less. The smear caused by the organic substance is decomposed by ozone energy, active oxygen, OH radicals, or the like generated by ultraviolet energy and ultraviolet irradiation.
In the ultraviolet irradiation processing section, smears caused by inorganic substances are not decomposed and remain in the wiring board material, but smears caused by the inorganic substances, for example, inorganic substances such as silica and alumina, are irradiated with ultraviolet rays. It becomes brittle. For this reason, in the physical vibration processing unit, by applying physical vibration to the wiring board material, smear caused by the inorganic substance is destroyed and detached from the wiring board material. Alternatively, a slight gap is generated between smears due to smear shrinkage caused by inorganic substances and differences in thermal expansion that occur when each smear is irradiated with ultraviolet rays. The substrate is separated from the wiring board material by applying the vibration treatment.
Therefore, according to the desmear treatment apparatus of the present invention, it is possible to reliably remove smears caused by either inorganic substances or organic substances.
Moreover, since it is only necessary to perform ultraviolet irradiation treatment and physical vibration treatment on the wiring board material, it is not necessary to use chemicals that require waste liquid treatment.

本発明のデスミア処理装置によるデスミア処理の処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the structure of the principal part in an example of the wiring board material used as the process target of the desmear process by the desmear processing apparatus of this invention. 図１に示す配線基板材料の製造工程を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the manufacturing process of the wiring board material shown in FIG. 本発明のデスミア処理装置の第１の例における構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure in the 1st example of the desmear processing apparatus of this invention. 波長２２０ｎｍの紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。It is sectional drawing for description which shows the outline of a structure in an example of the excimer lamp used as an ultraviolet light source of wavelength 220nm, Comprising: (a) The cross-sectional view which shows the cross section along the longitudinal direction of a discharge vessel, (b) (a It is an AA line sectional view in). 本発明のデスミア処理装置の第２の例における構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure in the 2nd example of the desmear processing apparatus of this invention. 本発明のデスミア処理装置の第３の例における構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure in the 3rd example of the desmear processing apparatus of this invention. 本発明のデスミア処理装置の第４の例における構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure in the 4th example of the desmear processing apparatus of this invention. 本発明のデスミア処理装置の第５の例における構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure in the 5th example of the desmear processing apparatus of this invention. 本発明のデスミア処理装置において、配線基板材料を紫外線照射部および物理的振動処理部に交互に繰り返して供する場合の処理工程を示す説明図である。In the desmear processing apparatus of this invention, it is explanatory drawing which shows the process process in the case of supplying a wiring board material alternately and repeatedly to an ultraviolet irradiation part and a physical vibration process part.

以下、本発明のデスミア処理装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処理装置によるデスミア処理の処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料１は、第１絶縁層２と、この第１絶縁層２の表面上に積層された、所要のパターンの導電層（配線層）３と、この導電層３を含む第１絶縁層２上に積層された第２絶縁層４とにより構成されている。第２絶縁層４には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔５が形成されており、この貫通孔５によって、導電層３の一部が露出した状態とされている。 Embodiments of the desmear processing apparatus of the present invention will be described below.
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a main part in an example of a wiring board material to be processed by a desmear process by the desmear processing apparatus of the present invention. The wiring board material 1 includes a first insulating layer 2, a conductive layer (wiring layer) 3 having a required pattern laminated on the surface of the first insulating layer 2, and a first insulating layer including the conductive layer 3. The second insulating layer 4 is laminated on the layer 2. The second insulating layer 4 is formed with a through hole 5 such as a via hole extending in the thickness direction, and a part of the conductive layer 3 is exposed by the through hole 5.

第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々は、無機物質よりなる粒状のフィラーが含有された樹脂によって構成されている。
第１絶縁層２および第２絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
第１絶縁層２中および第２絶縁層４中に含有されるフィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。フィラーの平均粒子径は、例えば０．１〜３μｍである。
第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々におけるフィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
導電層３を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第１絶縁層２の厚みは、例えば２０〜８００μｍ、第２絶縁層４の厚みは、例えば１０〜５０μｍである。導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、貫通孔５の径は、例えば３０〜１００μｍである。 Each of the first insulating layer 2 and the second insulating layer 4 is made of a resin containing a granular filler made of an inorganic substance.
As the resin constituting the first insulating layer 2 and the second insulating layer 4, an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a polyimide resin, a polyester resin, or the like can be used.
As a material constituting the filler contained in the first insulating layer 2 and the second insulating layer 4, silica, alumina, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, titanium oxide, or the like can be used. The average particle diameter of the filler is, for example, 0.1 to 3 μm.
The ratio of the filler in each of the first insulating layer 2 and the second insulating layer 4 is, for example, 20 to 60% by mass.
As a material constituting the conductive layer 3, copper, nickel, gold, or the like can be used.
The thickness of the first insulating layer 2 is, for example, 20 to 800 μm, and the thickness of the second insulating layer 4 is, for example, 10 to 50 μm. The thickness of the conductive layer 3 is, for example, 10 to 100 μm. Moreover, the diameter of the through-hole 5 is 30-100 micrometers, for example.

このような配線基板材料１は、例えば以下のようにして得られる。
先ず、図２（ａ）に示すように、第１絶縁層２の表面上に、所要のパターンの導電層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に第２絶縁層４を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、第２絶縁層４における所要の箇所に、当該第２絶縁層４の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔５を形成する。 Such a wiring board material 1 is obtained as follows, for example.
First, as shown in FIG. 2A, a conductive layer 3 having a required pattern is formed on the surface of the first insulating layer 2. Next, as shown in FIG. 2B, the second insulating layer 4 is formed on the surface of the first insulating layer 2 including the conductive layer 3. Then, as shown in FIG. 2 (c), a through hole 5 extending through the second insulating layer 4 in the thickness direction is formed at a required location in the second insulating layer 4.

以上において、導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。
第２絶縁層４を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中にフィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に、フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
第２絶縁層４に貫通孔５を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔５を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やＹＡＧレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料１においては、第２絶縁層４における貫通孔５の内壁面、第２絶縁層４の表面における貫通孔５の周辺領域、および貫通孔５の底部すなわち導電層３における貫通孔５によって露出した部分などには、貫通孔５を形成する際に生じたスミア６が残留している。 In the above, the method for forming the conductive layer 3 is not particularly limited, and various methods such as a subtractive method and a semi-additive method can be used.
As a method of forming the second insulating layer 4, after applying an insulating layer forming material containing a filler in a liquid thermosetting resin on the surface of the first insulating layer 2 including the conductive layer 3, A method of curing the insulating layer forming material or a method of bonding an insulating sheet containing a filler onto the surface of the first insulating layer 2 including the conductive layer 3 by thermocompression bonding or the like can be used.
As a method for forming the through hole 5 in the second insulating layer 4, a method by drilling or a method by laser processing can be used. When the through hole 5 is formed by laser processing, a carbon dioxide laser device, a YAG laser device, or the like can be used.
In the wiring board material 1 thus obtained, the inner wall surface of the through hole 5 in the second insulating layer 4, the peripheral region of the through hole 5 on the surface of the second insulating layer 4, and the bottom of the through hole 5, that is, the conductive layer The smear 6 generated when the through hole 5 is formed remains in a portion exposed by the through hole 5 in FIG.

図３は、本発明のデスミア処理装置の第１の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。   FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration in the first example of the desmear processing apparatus of the present invention. The desmear treatment apparatus includes an ultraviolet irradiation processing unit 30 that irradiates the wiring board material 1 with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less. On the downstream side of the ultraviolet irradiation processing unit 30, a physical vibration processing unit 40 that provides physical vibration to the wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided. On the downstream side of the physical vibration processing unit 40, a rinsing processing unit 50 for injecting water onto the wiring board material 1 subjected to vibration processing by the physical vibration processing unit 40 is provided. On the downstream side of the rinsing processing unit 50, a drying processing unit 60 for drying the wiring board material 1 rinsed by the rinsing processing unit 50 is provided.

この第１の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、その他の処理部から独立した筐体３１を有する。
また、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。この筐体６５は、その内部に物理的振動処理部４０において用いられる水を貯蔵するタンク６７と、リンス処理部５０において用いられる水を貯蔵するタンク６８とを有する。また、筐体６５には、乾燥処理部６０側の側面に、排気口６５Ｈが設けられている。
紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から物理的振動処理部４０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。 また、筐体６５の内部には、配線基板材料１を、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０にこの順で搬送する搬送機構６６が設けられている。 In the desmear processing apparatus of the first example, the ultraviolet irradiation processing unit 30 includes a housing 31 that is independent from other processing units.
Further, the physical vibration processing unit 40, the rinse processing unit 50, and the drying processing unit 60 are provided in a common casing 65 so as to be arranged along the conveyance direction of the wiring board material 1. The housing 65 includes a tank 67 that stores water used in the physical vibration processing unit 40 and a tank 68 that stores water used in the rinse processing unit 50. Further, the housing 65 is provided with an exhaust port 65H on the side surface on the drying processing unit 60 side.
Between the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the physical vibration processing unit 40, a transport robot 25 that transports the wiring board material 1 from the ultraviolet irradiation processing unit 30 to the physical vibration processing unit 40 is provided. The transport robot 25 has a suction arm 26 that sucks and holds the wiring board material 1. In addition, a transport mechanism 66 that transports the wiring board material 1 to the physical vibration processing unit 40, the rinse processing unit 50, and the drying processing unit 60 in this order is provided inside the housing 65.

紫外線照射処理部３０における筐体３１内には、複数のエキシマランプ１０が収容されたランプ収容室Ｓ１が設けられている。また、筐体３１の下面には、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓部材３２が設けられている。そして、ランプ収容室Ｓ１の下方には、紫外線透過窓部材３２を介して、配線基板材料１が搬入される処理室Ｓ２が設けられている。
処理室Ｓ２内には、配線基板材料１が載置されるステージ３３が設けられている。このステージ３３には、処理室Ｓ２内に処理用ガスを供給するガス供給口３４ａおよび処理室Ｓ２からガスを排出するガス排出口３４ｂが形成されている。
また、ステージ３３には、ヒータが内蔵されている。このヒータによって、ステージ３３上に載置された配線基板材料１を、例えば８０〜２００℃に加熱することができる。 A lamp housing chamber S1 in which a plurality of excimer lamps 10 are housed is provided in the housing 31 of the ultraviolet irradiation processing unit 30. Further, an ultraviolet transmissive window member 32 made of, for example, synthetic quartz glass is provided on the lower surface of the housing 31. A processing chamber S2 into which the wiring board material 1 is carried is provided below the lamp housing chamber S1 via the ultraviolet ray transmitting window member 32.
A stage 33 on which the wiring board material 1 is placed is provided in the processing chamber S2. The stage 33 is formed with a gas supply port 34a for supplying processing gas into the processing chamber S2 and a gas exhaust port 34b for discharging gas from the processing chamber S2.
The stage 33 has a built-in heater. With this heater, the wiring board material 1 placed on the stage 33 can be heated to 80 to 200 ° C., for example.

エキシマランプ１０としては、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下の紫外線を放射するものが用いられる。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、樹脂などの有機物質に起因するスミア（以下、「有機物スミア」ともいう。）を分解除去することが困難となる。波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射するエキシマランプ１０としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）を用いることができる。   As the excimer lamp 10, a lamp that emits ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, preferably 190 nm or less is used. When the wavelength of ultraviolet rays exceeds 220 nm, it is difficult to decompose and remove smears (hereinafter also referred to as “organic smears”) caused by organic substances such as resins. As the excimer lamp 10 that emits ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, a xenon excimer lamp (peak wavelength: 172 nm) can be used.

図４は、波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
このエキシマランプ１０は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器１１を備えており、この放電容器１１の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器１１は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。 FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing an outline of the configuration of an example of an excimer lamp used as an ultraviolet light source having a wavelength of 220 nm or less, and (a) a cross-sectional view showing a cross section along the longitudinal direction of the discharge vessel; (B) It is the sectional view on the AA line in (a).
This excimer lamp 10 includes a hollow discharge vessel 11 having a rectangular cross section in which both ends are hermetically sealed and a discharge space S is formed therein. As the discharge gas, for example, xenon gas or a mixed gas of argon and chlorine is enclosed.
The discharge vessel 11 is made of silica glass, for example, synthetic quartz glass, which transmits vacuum ultraviolet light well, and has a function as a dielectric.

放電容器１１における長辺面の外表面には、一対の格子状の電極、すなわち、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５および接地電極として機能する他方の電極１６が長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、一対の電極１５，１６間に誘電体として機能する放電容器１１が介在された状態とされている。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器１１にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。 On the outer surface of the long side surface of the discharge vessel 11, a pair of grid electrodes, that is, one electrode 15 functioning as a high voltage supply electrode and the other electrode 16 functioning as a ground electrode extend in a long direction. Thus, the discharge vessel 11 functioning as a dielectric is interposed between the pair of electrodes 15 and 16.
Such an electrode can be formed, for example, by applying an electrode material made of metal to the discharge vessel 11 or by printing or vapor deposition.

このエキシマランプ１０においては、一方の電極１５に点灯電力が供給されると、誘電体として機能する放電容器１１の壁を介して両電極１５，１６間に放電が生成され、これにより、エキシマ分子が形成されると共にこのエキシマ分子から真空紫外光が放射されるエキシマ放電が生ずるが、このエキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器１１の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子とからなる紫外線反射膜２０が設けられている。ここに、放電用ガスとしてキセノンガスを用いた場合は、波長１７２ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出され、放電用ガスとしてアルゴンと塩素とを混合したガスを用いた場合には、波長１７５ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出される。   In this excimer lamp 10, when lighting power is supplied to one electrode 15, a discharge is generated between both electrodes 15 and 16 through the wall of the discharge vessel 11 functioning as a dielectric, and thereby excimer molecules Excimer discharge in which vacuum ultraviolet light is radiated from the excimer molecule is generated. In order to efficiently use the vacuum ultraviolet light generated by the excimer discharge, silica particles and silica particles are formed on the inner surface of the discharge vessel 11. An ultraviolet reflecting film 20 made of alumina particles is provided. Here, when xenon gas is used as the discharge gas, vacuum ultraviolet light having a peak at a wavelength of 172 nm is emitted, and when gas mixed with argon and chlorine is used as the discharge gas, the peak is at a wavelength of 175 nm. A vacuum ultraviolet ray having is emitted.

紫外線反射膜２０は、例えば、放電容器１１における長辺面の、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５に対応する内表面領域とこの領域に連続する短辺面の内表面領域の一部にわたって形成されており、放電容器１１における長辺面の、接地電極として機能する他方の電極１６に対応する内表面領域において紫外線反射膜２０が形成されていないことによって光出射部（アパーチャ部）１８が構成されている。
紫外線反射膜２０の膜厚は、例えば１０〜１００μｍであることが好ましい。 The ultraviolet reflection film 20 is, for example, an inner surface region corresponding to one electrode 15 functioning as a high voltage supply electrode on the long side surface of the discharge vessel 11 and a part of an inner surface region of a short side surface continuous with this region. The light emitting portion (aperture portion) 18 is formed by the absence of the ultraviolet reflecting film 20 in the inner surface region corresponding to the other electrode 16 that functions as the ground electrode on the long side surface of the discharge vessel 11. Is configured.
The film thickness of the ultraviolet reflecting film 20 is preferably 10 to 100 μm, for example.

紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子それ自体が高い屈折率を有する真空紫外光透過性を有するものであることから、シリカ粒子またはアルミナ粒子に到達した真空紫外光の一部が粒子の表面で反射されると共に他の一部が屈折して粒子の内部に入射され、さらに、粒子の内部に入射される光の多くが透過され（一部が吸収）、再び、出射されるに際して屈折される、このような反射、屈折が繰り返し起こる「拡散反射」させる機能を有する。
また、紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。 Since the ultraviolet reflecting film 20 has a vacuum ultraviolet light transmission property in which the silica particles and the alumina particles themselves have a high refractive index, a part of the vacuum ultraviolet light reaching the silica particles or the alumina particles is the surface of the particles. And the other part is refracted and incident on the inside of the particle, and much of the light incident on the inside of the particle is transmitted (partially absorbed) and refracted when it is emitted again. It has a function of “diffuse reflection” in which such reflection and refraction occur repeatedly.
Further, since the ultraviolet reflecting film 20 is composed of silica particles and alumina particles, that is, ceramics, the ultraviolet reflecting film 20 does not generate an impure gas and has a characteristic that can withstand discharge.

紫外線反射膜２０を構成するシリカ粒子は、例えばシリカガラスを粉末状に細かい粒子としたものなどを用いることができる。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜３μｍであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。 As the silica particles constituting the ultraviolet reflective film 20, for example, silica glass made into fine powder particles can be used.
The silica particles have a particle size defined as follows within a range of 0.01 to 20 μm, for example, and the center particle size (peak value of the number average particle size) is, for example, 0.1 to 10 μm. Is preferable, and more preferably 0.3 to 3 μm.
Moreover, it is preferable that the ratio of the silica particle which has a center particle diameter is 50% or more.

紫外線反射膜２０を構成するアルミナ粒子は、数平均粒子径が例えば０．１〜１０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜３μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜１μｍであるものである。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。 The alumina particles constituting the ultraviolet reflecting film 20 have a number average particle diameter in the range of, for example, 0.1 to 10 μm, and the center particle diameter (peak value of the number average particle diameter) is, for example, 0.1. Those having a thickness of ˜3 μm are preferred, and those having a thickness of 0.3-1 μm are more preferred.
Moreover, it is preferable that the ratio of the alumina particle which has a center particle diameter is 50% or more.

この第１の例のデスミア処理装置における物理的振動処理部４０は、配線基板材料１に対して液体を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、具体的には、例えば水中において配線基板材料１に超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理を行うものである。
物理的振動処理部４０は、水槽４１を有する。水槽４１内には、振動板４２が設けられている。また、水槽４１には、排水口４１Ｈが設けられている。
水槽４１には、ポンプ４３によって、タンク６７内に貯蔵された水が、フィルター４４を介して供給される。また、排水口４１Ｈから排出された水は、タンク６７に回収される。これにより、水槽４１内の水を、フィルター４４を介して循環させることができる。 The physical vibration processing unit 40 in the desmear processing apparatus of the first example performs ultrasonic vibration processing on the wiring board material 1 using a liquid as a vibration medium, specifically, for example, in the wiring board material in water. 1 is subjected to a physical vibration process on the wiring board material 1 by performing an ultrasonic vibration process.
The physical vibration processing unit 40 includes a water tank 41. A diaphragm 42 is provided in the water tank 41. Further, the water tank 41 is provided with a drain port 41H.
Water stored in the tank 67 is supplied to the water tank 41 through the filter 44 by the pump 43. Further, the water discharged from the drain port 41H is collected in the tank 67. Thereby, the water in the water tank 41 can be circulated through the filter 44.

振動板４２の表面から水面までの距離は、３０〜３００ｍｍであることが好ましい。この距離が３０ｍｍ未満である場合には、超音波の反射によって、振動板４２自体の寿命が短くなることがある。一方、この距離が３００ｍｍを超える場合には、電力密度が低下するために、無機スミアが除去されにくくなることがある。   The distance from the surface of the diaphragm 42 to the water surface is preferably 30 to 300 mm. When this distance is less than 30 mm, the life of the diaphragm 42 itself may be shortened by reflection of ultrasonic waves. On the other hand, when this distance exceeds 300 mm, the power density decreases, and thus it may be difficult to remove inorganic smear.

物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に対する物理的振動処理は、当該配線基板材料１を、搬送機構６６によって搬送しながら行うことができる。配線基板材料１の搬送速度は、処理時間や水槽４１の寸法などを考慮して設定されるが、例えば０．５ｍ／ｍｉｎである。   In the physical vibration processing unit 40, the physical vibration processing on the wiring board material 1 can be performed while the wiring board material 1 is transported by the transport mechanism 66. The conveyance speed of the wiring board material 1 is set in consideration of the processing time and the dimensions of the water tank 41, and is, for example, 0.5 m / min.

物理的振動処理部４０の仕様の一例を示すと、以下の通りである。
水槽４１の縦横の寸法が、７００ｍｍ×８００ｍｍである。
振動板４２の縦横の寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍで、振動板４２の駆動電力が２ｋＷである。 An example of the specification of the physical vibration processing unit 40 is as follows.
The vertical and horizontal dimensions of the water tank 41 are 700 mm × 800 mm.
The vertical and horizontal dimensions of the diaphragm 42 are 500 mm × 600 mm, and the driving power of the diaphragm 42 is 2 kW.

リンス処理部５０においては、配線基板材料１に水を噴射することにより、当該配線基板材料１のリンス処理が行われる。このリンス処理は、搬送機構６６によって配線基板材料１を搬送しながら行うことができる。
リンス処理部５０は、配線基板材料１に水を噴射するスプレーノズル５６を有する。このスプレーノズル５６には、ポンプ５７によって、タンク６８に貯蔵された水がフィルター５８を介して供給される。スプレーノズル５６から噴射された水は、タンク６８に回収される。これにより、リンス処理に用いられる水を、フィルター５８を介して循環して使用することができる。
また、スプレーノズル５６から噴射される水の水圧は、例えば０．１〜０．５ＭＰａである。 In the rinsing unit 50, the wiring substrate material 1 is rinsed by spraying water onto the wiring substrate material 1. This rinsing process can be performed while the wiring board material 1 is being transported by the transport mechanism 66.
The rinse treatment unit 50 includes a spray nozzle 56 that sprays water onto the wiring board material 1. Water stored in a tank 68 is supplied to the spray nozzle 56 via a filter 58 by a pump 57. The water sprayed from the spray nozzle 56 is collected in the tank 68. Thereby, the water used for the rinse treatment can be circulated through the filter 58 and used.
Moreover, the water pressure of the water sprayed from the spray nozzle 56 is, for example, 0.1 to 0.5 MPa.

乾燥処理部６０においては、配線基板材料１にエアーを噴射することにより、当該配線基板材料１の乾燥処理が行われる。この乾燥処理は、搬送機構６６によって配線基板材料１を搬送しながら行うことができる。
乾燥処理部６０は、配線基板材料１にエアーを噴射するスリットノズル６１を有する。このスリットノズル６１には、ブロワー６２によって、フィルター６３を介してエアーが供給される。スリットノズル６１から噴射されたエアーは、排気口６５Ｈを介して、筐体６５の外部に排出される。 In the drying processing unit 60, the wiring board material 1 is dried by injecting air onto the wiring board material 1. This drying process can be performed while transporting the wiring board material 1 by the transport mechanism 66.
The drying processing unit 60 includes a slit nozzle 61 that injects air onto the wiring board material 1. Air is supplied to the slit nozzle 61 through a filter 63 by a blower 62. The air jetted from the slit nozzle 61 is discharged to the outside of the housing 65 through the exhaust port 65H.

上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス供給口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理部３０において、配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、配線基板材料１に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば３０秒間〜１８０分間である。 In the desmear processing apparatus, the wiring board material 1 is placed on the stage 33 in the processing chamber S2 of the ultraviolet irradiation processing unit 30. Further, a processing gas containing oxygen is supplied from the gas supply port 34a into the processing chamber S2. Then, by irradiating the wiring board material 1 with ultraviolet rays by the excimer lamp 10, the ultraviolet irradiation process is performed on the wiring board material 1.
In the ultraviolet irradiation processing unit 30, the illuminance of ultraviolet rays applied to the wiring board material 1 is, for example, 10 to 1000 mW / cm 2 . Moreover, the irradiation time of the ultraviolet rays with respect to the wiring board material 1 is appropriately set in consideration of the illuminance of ultraviolet rays, the residual state of smears, and the like, and is, for example, 30 seconds to 180 minutes.

紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が水中に浸漬される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機物質に起因するスミア（以下、「無機物スミア」ともいう。）を破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となる。
また、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜６００秒間である。 The wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation treatment is transported to the physical vibration processing unit 40 by the transport robot 25 and the transport mechanism 66. Then, the wiring board material 1 is immersed in water in the water tank 41 of the physical vibration processing unit 40. Then, while the wiring board material 1 is transported by the transport mechanism 66, the physical vibration processing is performed on the wiring board material 1 by ultrasonically vibrating water.
The frequency of the ultrasonic wave in the ultrasonic vibration treatment is preferably 20 to 70 kHz. When this frequency exceeds 70 kHz, it is difficult to destroy smears (hereinafter also referred to as “inorganic smears”) caused by inorganic substances and to release them from the wiring board material.
The processing time of the ultrasonic vibration processing is, for example, 10 to 600 seconds.

振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。 The wiring substrate material 1 subjected to the vibration processing is transported to the rinse processing unit 50 by the transport mechanism 66. And while the wiring board material 1 is conveyed by the conveyance mechanism 66, the water is sprayed from the spray nozzle 56 of the rinsing processing unit 50 to the wiring board material 1, thereby rinsing the wiring board material 1.
The rinsed wiring board material 1 is transported to the drying processing unit 60 by the transport mechanism 66. Then, while the wiring board material 1 is being transported by the transport mechanism 66, air is jetted from the slit nozzle 61 of the drying processing unit 60 to the wiring board material 1, whereby the drying processing for the wiring board material 1 is performed.

図５は、本発明のデスミア処理装置の第２の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。   FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration in the second example of the desmear processing apparatus of the present invention. The desmear treatment apparatus includes an ultraviolet irradiation processing unit 30 that irradiates the wiring board material 1 with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less. On the downstream side of the ultraviolet irradiation processing unit 30, a physical vibration processing unit 40 that provides physical vibration to the wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided. On the downstream side of the physical vibration processing unit 40, a rinsing processing unit 50 for injecting water onto the wiring board material 1 subjected to vibration processing by the physical vibration processing unit 40 is provided. On the downstream side of the rinsing processing unit 50, a drying processing unit 60 for drying the wiring board material 1 rinsed by the rinsing processing unit 50 is provided.

この第２の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、その他の処理部から独立した筐体３１を有する。
また、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。物理的振動処理部４０、リンス処理部５０、乾燥処理部６０および筐体６５の構成は、第１の例のデスミア処理装置と同様である。 In the desmear processing apparatus of the second example, the ultraviolet irradiation processing unit 30 includes a casing 31 that is independent from other processing units.
Further, the physical vibration processing unit 40, the rinse processing unit 50, and the drying processing unit 60 are provided in a common casing 65 so as to be arranged along the conveyance direction of the wiring board material 1. The configurations of the physical vibration processing unit 40, the rinse processing unit 50, the drying processing unit 60, and the housing 65 are the same as those of the desmear processing apparatus of the first example.

紫外線照射処理部３０における筐体３１内には、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射する複数のエキシマランプ１０が収容されたランプ収容室Ｓ１が設けられている。また、筐体３１の下面には、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓部材３２が設けられている。そして、ランプ収容室Ｓ１の下方には、紫外線透過窓部材３２を介して、配線基板材料１が搬入される処理室Ｓ２が設けられている。この処理室Ｓ２は、筐体３１の下面および箱型の処理室形成材３５によって形成されている。具体的には、処理室形成材３５は上面に開口を有し、この開口を塞ぐよう筐体３１が配置されている。
処理室形成材３５には、処理室Ｓ２内に処理用ガスを導入する複数のガス導入口３６ａおよび処理室Ｓ２からガスを排出する複数のガス排出口３６ｂが形成されている。処理室形成材３５の内部および筐体６５の内部には、配線基板材料１を、紫外線照射処理部３０、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０にこの順で搬送する共通の搬送機構６６が設けられている。配線基板材料１に対する紫外線照射処理は、当該配線基板材料１を、搬送機構６６によって搬送しながら行うことができる。 A lamp housing chamber S1 in which a plurality of excimer lamps 10 that emit ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less is housed is provided in the housing 31 of the ultraviolet irradiation processing unit 30. Further, an ultraviolet transmissive window member 32 made of, for example, synthetic quartz glass is provided on the lower surface of the housing 31. A processing chamber S2 into which the wiring board material 1 is carried is provided below the lamp housing chamber S1 via the ultraviolet ray transmitting window member 32. The processing chamber S2 is formed by the lower surface of the casing 31 and a box-shaped processing chamber forming material 35. Specifically, the processing chamber forming material 35 has an opening on the upper surface, and the casing 31 is disposed so as to close the opening.
In the processing chamber forming material 35, a plurality of gas inlets 36a for introducing processing gas into the processing chamber S2 and a plurality of gas outlets 36b for discharging gas from the processing chamber S2 are formed. In the processing chamber forming material 35 and the housing 65, the wiring board material 1 is conveyed to the ultraviolet irradiation processing unit 30, the physical vibration processing unit 40, the rinse processing unit 50, and the drying processing unit 60 in this order. A common transport mechanism 66 is provided. The ultraviolet irradiation process for the wiring board material 1 can be performed while the wiring board material 1 is transported by the transport mechanism 66.

上記のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が搬送機構６６によって紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２内に搬送される。また、ガス導入口３６ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、処理室Ｓ２内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。 In the desmear processing apparatus, the wiring board material 1 is transferred into the processing chamber S2 of the ultraviolet irradiation processing unit 30 by the transfer mechanism 66. Further, a processing gas containing oxygen is supplied from the gas inlet 36a into the processing chamber S2. In the processing chamber S <b> 2, the wiring board material 1 is irradiated with ultraviolet rays by the excimer lamp 10 while the wiring board material 1 is transferred by the transfer mechanism 66, whereby the ultraviolet irradiation process is performed on the wiring board material 1.
The wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation treatment is transported to the physical vibration processing unit 40 by the transport robot 25 and the transport mechanism 66. In the water tank 41 of the physical vibration processing unit 40, the physical vibration processing is performed on the wiring board material 1 while the wiring board material 1 is transferred by the transfer mechanism 66.
The wiring substrate material 1 subjected to the vibration processing is transported to the rinse processing unit 50 by the transport mechanism 66. And while the wiring board material 1 is conveyed by the conveyance mechanism 66, the water is sprayed from the spray nozzle 56 of the rinsing processing unit 50 to the wiring board material 1, thereby rinsing the wiring board material 1.
The rinsed wiring board material 1 is transported to the drying processing unit 60 by the transport mechanism 66. Then, while the wiring board material 1 is being transported by the transport mechanism 66, air is jetted from the slit nozzle 61 of the drying processing unit 60 to the wiring board material 1, whereby the drying processing for the wiring board material 1 is performed.

図６は、本発明のデスミア処理装置の第３の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１を水中に浸漬する第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂが、配線基板材料１の搬送方向に沿ってこの順に設けられている。第２リンス処理部５０ｂの下流側には、当該第２リンス処理部５０ｂによってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。   FIG. 6 is an explanatory diagram showing the configuration of the third example of the desmear processing apparatus of the present invention. The desmear treatment apparatus includes an ultraviolet irradiation processing unit 30 that irradiates the wiring board material 1 with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less. On the downstream side of the ultraviolet irradiation processing unit 30, a physical vibration processing unit 40 that provides physical vibration to the wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided. On the downstream side of the physical vibration processing unit 40, a first rinsing processing unit 50a and a second rinsing processing unit 50b for immersing the wiring board material 1 subjected to the vibration processing by the physical vibration processing unit 40 in water are connected to the wiring. They are provided in this order along the conveying direction of the substrate material 1. On the downstream side of the second rinsing processing unit 50b, a drying processing unit 60 for drying the wiring board material 1 rinsed by the second rinsing processing unit 50b is provided.

この第３の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、第１の例のデスミア処理装置の紫外線照射処理部３０と同様の構成である。
また、物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。筐体６５には、乾燥処理部６０側の上面に、排気口６５Ｈが設けられている。
紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から後述する搬送用かご６９内に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。 In the desmear processing apparatus of the third example, the ultraviolet irradiation processing unit 30 has the same configuration as the ultraviolet irradiation processing unit 30 of the desmear processing apparatus of the first example.
Further, the physical vibration processing unit 40, the first rinsing processing unit 50a, the second rinsing processing unit 50b, and the drying processing unit 60 are provided in a common casing 65 so as to be arranged along the conveyance direction of the wiring board material 1. It has been. The housing 65 is provided with an exhaust port 65H on the upper surface on the drying processing unit 60 side.
Between the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the physical vibration processing unit 40, there is provided a transport robot 25 that transports the wiring board material 1 from the ultraviolet irradiation processing unit 30 into a transporting car 69 described later. The transport robot 25 has a suction arm 26 that sucks and holds the wiring board material 1.

物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０の各々は、複数の配線基板材料１を搬送用かご６９内に収納した状態で、各配線基板材料１に対する処理を行うものである。また、筐体６５の内部には、配線基板材料１が収容された搬送用かご６９を、物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０にこの順で搬送する搬送用レール６６ａが設けられている。   Each of the physical vibration processing unit 40, the first rinsing processing unit 50a, the second rinsing processing unit 50b, and the drying processing unit 60 is configured in such a manner that a plurality of wiring board materials 1 are stored in the transporting car 69. The material 1 is processed. In addition, inside the housing 65, a transporting basket 69 in which the wiring board material 1 is accommodated is transferred to the physical vibration processing unit 40, the first rinsing processing unit 50a, the second rinsing processing unit 50b, and the drying processing unit 60. A transport rail 66a for transporting in this order is provided.

物理的振動処理部４０においては、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１に対して、液体例えば水を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
物理的振動処理部４０は、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９を収容する水槽４１を有する。水槽４１内には、２つの振動板４２がそれぞれ垂直な姿勢で互いに対向するよう配置されている。水槽４１内の水は、ポンプ４３によって、フィルター４４を介して循環される。 In the physical vibration processing unit 40, physical vibration of the wiring board material 1 is performed by subjecting the wiring board material 1 accommodated in the transporting car 69 to ultrasonic vibration treatment using a liquid such as water as a vibration medium. Processing is performed.
The physical vibration processing unit 40 includes a water tank 41 that accommodates a transport basket 69 in which the wiring board material 1 is accommodated. In the water tank 41, two diaphragms 42 are arranged to face each other in a vertical posture. The water in the water tank 41 is circulated through the filter 44 by the pump 43.

第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂにおいては、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１を水に浸漬することにより、当該配線基板材料１のリンス処理が行われる。
第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂの各々は、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９を収容する水槽５１ａ，５１ｂを有する。水槽５１ａ，５１ｂ内の水は、ポンプ５７ａ，５７ｂによって、フィルター５８ａ，５８ｂを介して循環される。 In the 1st rinse process part 50a and the 2nd rinse process part 50b, the rinse process of the said wiring board material 1 is performed by immersing the wiring board material 1 accommodated in the cage | basket | car 69 for conveyance in water.
Each of the first rinse treatment unit 50a and the second rinse treatment unit 50b has water tanks 51a and 51b for accommodating a transporting basket 69 in which the wiring board material 1 is accommodated. The water in the water tanks 51a and 51b is circulated through the filters 58a and 58b by the pumps 57a and 57b.

乾燥処理部６０には、２つのヒータ６４が互いに離間して対向するよう配置されている。乾燥処理部６０においては、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９が、２つのヒータ６４の間に配置される。そして、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１がヒータ６４によって加熱されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。   Two heaters 64 are arranged in the drying processing unit 60 so as to be spaced apart from each other. In the drying processing unit 60, a transport basket 69 in which the wiring board material 1 is stored is disposed between the two heaters 64. Then, the wiring board material 1 stored in the transporting car 69 is heated by the heater 64, whereby the wiring board material 1 is dried.

上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス供給口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５によって搬送用かご６９内に搬送されて収納される。配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、物理的振動処理部４０の水槽４１内に収容される。そして、水槽４１内において配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
次いで、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、第１リンス部５０ａの水槽５１ａ内の水中に浸漬される。その後、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、第２リンス部５０ｂの水槽５１ｂ内の水中に浸漬される。このようにして、配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
次いで、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、乾燥処理部６０における２つのヒータ６４の間に配置される。そして、配線基板材料１がヒータ６４によって加熱されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。 In the desmear processing apparatus, the wiring board material 1 is placed on the stage 33 in the processing chamber S2 of the ultraviolet irradiation processing unit 30. Further, a processing gas containing oxygen is supplied from the gas supply port 34a into the processing chamber S2. Then, by irradiating the wiring board material 1 with ultraviolet rays by the excimer lamp 10, the ultraviolet irradiation process is performed on the wiring board material 1.
The wiring board material 1 subjected to the ultraviolet irradiation treatment is transported and stored in the transporting car 69 by the transporting robot 25. The transport basket 69 in which the wiring board material 1 is stored is transported along the transport rail 66 a and is stored in the water tank 41 of the physical vibration processing unit 40. Then, physical vibration processing is performed on the wiring board material 1 in the water tank 41.
Next, the transporting car 69 in which the wiring board material 1 is stored is transported along the transporting rail 66a and immersed in the water in the water tank 51a of the first rinsing unit 50a. Thereafter, the transport basket 69 in which the wiring board material 1 is stored is transported along the transport rail 66a and immersed in the water in the water tank 51b of the second rinse section 50b. In this way, the rinsing process for the wiring board material 1 is performed.
Next, the transporting car 69 in which the wiring board material 1 is stored is transported along the transporting rail 66 a and is disposed between the two heaters 64 in the drying processing unit 60. Then, the wiring board material 1 is heated by the heater 64, whereby the wiring board material 1 is dried.

図７は、本発明のデスミア処理装置の第４の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０は、第１の例のデスミア処理装置の紫外線照射処理部３０と同様の構成である。紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から物理的振動処理部４０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。   FIG. 7 is an explanatory diagram showing the configuration of the fourth example of the desmear processing apparatus of the present invention. The desmear treatment apparatus includes an ultraviolet irradiation processing unit 30 that irradiates the wiring board material 1 with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less. The ultraviolet irradiation processing unit 30 has the same configuration as the ultraviolet irradiation processing unit 30 of the desmear processing apparatus of the first example. On the downstream side of the ultraviolet irradiation processing unit 30, a physical vibration processing unit 40 that provides physical vibration to the wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided. Between the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the physical vibration processing unit 40, a transport robot 25 that transports the wiring board material 1 from the ultraviolet irradiation processing unit 30 to the physical vibration processing unit 40 is provided. The transport robot 25 has a suction arm 26 that sucks and holds the wiring board material 1.

この第４の例のデスミア処理装置における物理的振動処理部４０は、配線基板材料１に対して空気を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理を行うものである。具体的には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料１に吹きつけることにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
この物理的振動処理部４０は、筐体４５を有する。この筐体４５には、当該筐体４５内に配置された配線基板材料１に、超音波振動させた圧縮空気を噴射する圧縮空気噴射口４６と物理的振動処理によって配線基板材料１から離脱したスミアを吸引するスミア吸引口４７とが形成されている。また、筐体４５の内部には、配線基板材料１を搬送する搬送機構４８が設けられている。超音波振動させた圧縮空気を供給する手段としては、実開平５−８０５７３号公報、特開平７−６０２１１号公報、特開平７−６８２２６号公報等に記載された手段を用いることができる。 The physical vibration processing unit 40 in the desmear processing apparatus of the fourth example performs physical vibration processing on the wiring board material 1 by performing ultrasonic vibration processing on the wiring board material 1 using air as a vibration medium. Is. Specifically, physical vibration processing is performed on the wiring board material 1 by blowing the compressed air on the wiring board material 1 while ultrasonically vibrating the compressed air.
The physical vibration processing unit 40 has a housing 45. The casing 45 is separated from the wiring board material 1 by physical vibration processing and a compressed air injection port 46 that jets compressed air that is ultrasonically vibrated into the wiring board material 1 disposed in the casing 45. A smear suction port 47 for sucking smear is formed. In addition, a transport mechanism 48 that transports the wiring board material 1 is provided inside the housing 45. As means for supplying ultrasonically vibrated compressed air, means described in Japanese Utility Model Laid-Open Nos. 5-80573, 7-60211, 7-68226, and the like can be used.

上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス導入口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、配線基板材料１に圧縮空気噴射口４６から超音波振動させた圧縮空気を噴射することにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。 In the desmear processing apparatus, the wiring board material 1 is placed on the stage 33 in the processing chamber S2 of the ultraviolet irradiation processing unit 30. Further, a processing gas containing oxygen is supplied from the gas inlet 34a into the processing chamber S2. Then, by irradiating the wiring board material 1 with ultraviolet rays by the excimer lamp 10, the ultraviolet irradiation process is performed on the wiring board material 1.
The wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation treatment is transported to the physical vibration processing unit 40 by the transport robot 25 and the transport mechanism 66. Then, while the wiring board material 1 is transported by the transport mechanism 66, the physical vibration processing for the wiring board material 1 is performed by spraying the compressed air that is ultrasonically vibrated from the compressed air ejection port 46 onto the wiring board material 1. Done.
The pressure of the compressed air is preferably 0.2 MPa or more. Moreover, the processing time of the ultrasonic vibration processing by compressed air is 5 to 60 seconds, for example.

第１〜第４の例のデスミア処理装置によれば、紫外線照射処理部３０において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線が酸素を含む雰囲気ガスに照射されることにより、オゾンや活性酸素が生成される。そして、配線基板材料１に残留する有機物スミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。
紫外線照射処理部３０においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料１に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料１から離脱する。
従って、第１〜第４の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料１から除去することができる。
また、配線基板材料１に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。 According to the desmear treatment apparatuses of the first to fourth examples, ozone and active oxygen are generated by irradiating ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less to an atmosphere gas containing oxygen in the ultraviolet irradiation processing unit 30. The organic smear remaining on the wiring board material 1 is decomposed by ozone and active oxygen generated by the ultraviolet energy and ultraviolet irradiation.
In the ultraviolet irradiation processing unit 30, the inorganic smear is not decomposed and remains in the wiring board material 1, but the inorganic smear becomes brittle when irradiated with ultraviolet light. For this reason, in the physical vibration processing unit 40, by applying physical vibration to the wiring board material 1, the inorganic smear breaks or peels from a slight gap between the inorganic smear and the organic smear and the wiring board material 1. Leave.
Therefore, according to the desmear processing apparatuses of the first to fourth examples, any of the inorganic smear and the organic smear can be reliably removed from the wiring board material 1.
Moreover, since it is only necessary to perform ultraviolet irradiation treatment and physical vibration treatment on the wiring board material 1, it is not necessary to use chemicals that require waste liquid treatment.

図８は、本発明のデスミア処理装置の第５の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１における被処理部分を湿潤する湿潤処理部７０を有する。この湿潤処理部７０の下流側には、湿潤処理された配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０が設けられている。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。この第５の例における紫外線照射処理部３０から乾燥処理部６０までの構成は、第１の例のデスミア処理装置と同様である。また、湿潤処理部７０と紫外線照射処理部３０との間には、湿潤処理部７０から紫外線照射処理部３０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２７が設けられている。この運搬ロボット２７は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２８を有する。   FIG. 8 is an explanatory diagram showing the configuration of the fifth example of the desmear processing apparatus of the present invention. The desmear processing apparatus includes a wet processing unit 70 that wets a portion to be processed in the wiring board material 1. On the downstream side of the wet processing unit 70, an ultraviolet irradiation processing unit 30 that irradiates the wet processed wiring board material 1 with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less is provided. On the downstream side of the ultraviolet irradiation processing unit 30, a physical vibration processing unit 40 that provides physical vibration to the wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided. On the downstream side of the physical vibration processing unit 40, a rinsing processing unit 50 for injecting water onto the wiring board material 1 subjected to vibration processing by the physical vibration processing unit 40 is provided. On the downstream side of the rinsing processing unit 50, a drying processing unit 60 for drying the wiring board material 1 rinsed by the rinsing processing unit 50 is provided. The configuration from the ultraviolet irradiation processing unit 30 to the drying processing unit 60 in the fifth example is the same as that of the desmear processing apparatus of the first example. A transport robot 27 that transports the wiring board material 1 from the wet processing unit 70 to the ultraviolet irradiation processing unit 30 is provided between the wet processing unit 70 and the ultraviolet irradiation processing unit 30. The transport robot 27 has a suction arm 28 that sucks and holds the wiring board material 1.

湿潤処理部７０は、筐体７５を有する。筐体７５内には、配線基板材料１に対して湿潤処理を行う湿潤処理室Ｓ３と、湿潤処理された配線基板材料１から余剰の水分を除去する水分除去処理室Ｓ４が形成されている。また、筐体７５の内部には、配線基板材料１を湿潤処理室Ｓ３から水分除去処理室Ｓ４に搬送する搬送機構７４が設けられている。   The wet processing unit 70 has a housing 75. In the housing 75, a wet treatment chamber S3 for performing a wet treatment on the wiring board material 1 and a moisture removal treatment chamber S4 for removing excess water from the wet treated wiring board material 1 are formed. In addition, a transport mechanism 74 that transports the wiring board material 1 from the wet processing chamber S3 to the moisture removal processing chamber S4 is provided in the housing 75.

湿潤処理部７０においては、配線基板材料１を水に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、配線基板材料１に対する湿潤処理が行われる。超音波振動させることにより、配線基板材料における貫通孔内に水が短時間で進入するため、浸漬時間を短縮することができる。
湿潤処理部７０における湿潤処理室Ｓ３内には、水槽７１が設けられている。水槽７１内には、振動板７２が設けられている。また、水槽７１には、排水口７１Ｈが設けられている。また、水槽７１の下方には、湿潤処理に用いられるタンク７３が設けられている。 水槽７１には、ポンプ７６によって、タンク７３内に貯蔵された水が、フィルター７７を介して供給される。また、排水口７１Ｈから排出された水は、タンク７３に回収される。これにより、水槽７１内の水を、フィルター７７を介して循環させることができる。
水分除去処理室Ｓ４内には、配線基板材料１にエアーを噴射するスリットノズル７８が設けられている。このスリットノズル７８には、ブロワー７９によって、フィルター８０を介してエアーが供給される。スリットノズル７８から噴射されたエアーは、筐体７５に形成された排気口７５Ｈを介して、筐体７５の外部に排出される。 In the wet treatment unit 70, the wiring board material 1 is immersed in water, and in this state, the water is ultrasonically vibrated, whereby the wet treatment is performed on the wiring board material 1. By ultrasonically vibrating, water enters the through-hole in the wiring board material in a short time, so that the immersion time can be shortened.
A water tank 71 is provided in the wet treatment chamber S3 of the wet treatment unit 70. A diaphragm 72 is provided in the water tank 71. Further, the water tank 71 is provided with a drain port 71H. Further, below the water tank 71, a tank 73 used for wet processing is provided. Water stored in the tank 73 is supplied to the water tank 71 through a filter 77 by a pump 76. Further, the water discharged from the drain port 71H is collected in the tank 73. Thereby, the water in the water tank 71 can be circulated through the filter 77.
A slit nozzle 78 for injecting air to the wiring board material 1 is provided in the moisture removal processing chamber S4. Air is supplied to the slit nozzle 78 through a filter 80 by a blower 79. The air jetted from the slit nozzle 78 is discharged to the outside of the casing 75 through an exhaust port 75H formed in the casing 75.

上記のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が搬送機構７４によって湿潤処理部７０の水槽７１に搬送される。そして、水槽７１内において、配線基板材料１が搬送機構７４によって搬送されながら、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料１に対する湿潤処理が行われる。湿潤処理された配線基板材料１は、搬送機構７４によって水分除去処理室Ｓ４に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構７４によって搬送されながら、スリットノズル７８から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１から余剰の水分が除去される。
以上において、配線基板材料１の浸漬時間は、例えば１０〜６０秒間である。 In the desmear processing apparatus, the wiring board material 1 is transferred to the water tank 71 of the wet processing unit 70 by the transfer mechanism 74. In the water tank 71, the wiring board material 1 is conveyed by the conveyance mechanism 74, and the water is ultrasonically vibrated, so that the wiring board material 1 is wetted. The wet-processed wiring board material 1 is transferred to the moisture removal processing chamber S4 by the transfer mechanism 74. Then, while the wiring board material 1 is transported by the transport mechanism 74, air is ejected from the slit nozzle 78 to the wiring board material 1, whereby excess moisture is removed from the wiring board material 1.
In the above, the immersion time of the wiring board material 1 is, for example, 10 to 60 seconds.

このようにして湿潤処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２７によって、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に載置される。また、ガス導入口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。 The wiring board material 1 thus wet-treated is placed on the stage 33 in the processing chamber S2 of the ultraviolet irradiation processing unit 30 by the transport robot 27. Further, a processing gas containing oxygen is supplied from the gas inlet 34a into the processing chamber S2. Then, by irradiating the wiring board material 1 with ultraviolet rays by the excimer lamp 10, the ultraviolet irradiation process is performed on the wiring board material 1.
The wiring board material 1 that has been subjected to the ultraviolet irradiation treatment is transported to the physical vibration processing unit 40 by the transport robot 25 and the transport mechanism 66. In the water tank 41 of the physical vibration processing unit 40, the physical vibration processing is performed on the wiring board material 1 while the wiring board material 1 is transferred by the transfer mechanism 66.
The wiring substrate material 1 subjected to the vibration processing is transported to the rinse processing unit 50 by the transport mechanism 66. And while the wiring board material 1 is conveyed by the conveyance mechanism 66, the water is sprayed from the spray nozzle 56 of the rinsing processing unit 50 to the wiring board material 1, thereby rinsing the wiring board material 1.
The rinsed wiring board material 1 is transported to the drying processing unit 60 by the transport mechanism 66. Then, while the wiring board material 1 is being transported by the transport mechanism 66, air is jetted from the slit nozzle 61 of the drying processing unit 60 to the wiring board material 1, whereby the drying processing for the wiring board material 1 is performed.

第５の例のデスミア処理装置によれば、湿潤処理部７０において配線基板材料１が湿潤され、紫外線照射処理部３０において、配線基板材料１に波長２２０ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、ＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物スミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるＯＨラジカルなどによって分解される。ＯＨラジカルはオゾンや活性酸素などに比べ、酸化力が高いため、有機物スミアは短時間で分解される。
紫外線照射処理部３０においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料１に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料１から離脱する。
従って、第５の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料１から除去することができる。
また、配線基板材料１に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。 According to the desmear treatment apparatus of the fifth example, the wiring substrate material 1 is wetted in the wet treatment unit 70, and the ultraviolet irradiation processing unit 30 irradiates the wiring substrate material 1 with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less. Radicals are generated. The organic smear is decomposed by ultraviolet energy and OH radicals generated by the irradiation of ultraviolet rays. Since OH radicals have higher oxidizing power than ozone and active oxygen, organic smears are decomposed in a short time.
In the ultraviolet irradiation processing unit 30, the inorganic smear is not decomposed and remains in the wiring board material 1, but the inorganic smear becomes brittle when irradiated with ultraviolet light. For this reason, in the physical vibration processing unit 40, by applying physical vibration to the wiring board material 1, the inorganic smear breaks or peels from a slight gap between the inorganic smear and the organic smear and the wiring board material 1. Leave.
Therefore, according to the desmear treatment apparatus of the fifth example, any of inorganic smear and organic smear can be reliably removed from the wiring board material 1.
Moreover, since it is only necessary to perform ultraviolet irradiation treatment and physical vibration treatment on the wiring board material 1, it is not necessary to use chemicals that require waste liquid treatment.

本発明のデスミア処理装置においては、上記の実施の形態に限定されず、以下のような種々の変更を加えることができる。
（１）紫外線処理部３０において、エキシマランプ１０の代わりに、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることもできる。
（２）第１の例、第３の例、第４の例および第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部３０によって配線基板材料１の一面に対して紫外線照射処理を行い、次いで、運搬ロボット２５によって配線基板材料１を反転させた後、紫外線照射処理部３０によって配線基板材料１の他面に対して紫外線照射処理を行うことができる。
（３）第２の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部３０における処理室Ｓ２の上方および下方の両方の位置に、エキシマランプ１０を配置することにより、配線基板材料１の両面に対して同時に紫外線照射処理を行うことができる。
（４）第１の例、第２の例および第５の例のデスミア処理装置においては、物理的振動処理部４０の水槽４１内における配線基板材料１の上方および下方の両方の位置に、振動板４２を配置することができる。このような構成によれば、超音波の電力密度を上げることができる。そのため、振動板４２の長さを小さくすることができ、その結果、デスミア処理装置の全長を小さくすることができる。 In the desmear processing apparatus of this invention, it is not limited to said embodiment, The following various changes can be added.
(1) In the ultraviolet processing unit 30, a low-pressure mercury lamp (185 nm emission line), a rare gas fluorescent lamp, or the like can be used instead of the excimer lamp 10.
(2) In the desmear processing apparatuses of the first example, the third example, the fourth example, and the fifth example, when it is necessary to perform desmear processing on both surfaces of the wiring board material 1 The ultraviolet irradiation processing unit 30 performs ultraviolet irradiation processing on one surface of the wiring board material 1, and then the wiring substrate material 1 is reversed by the transport robot 25, and then the ultraviolet irradiation processing unit 30 performs other processing on the wiring board material 1. Ultraviolet irradiation treatment can be performed on the surface.
(3) In the desmear processing apparatus of the second example, when it is necessary to perform desmear processing on both surfaces of the wiring board material 1, the upper and lower sides of the processing chamber S2 in the ultraviolet irradiation processing unit 30 By disposing the excimer lamp 10 at both positions, it is possible to simultaneously perform ultraviolet irradiation treatment on both surfaces of the wiring board material 1.
(4) In the desmear treatment apparatuses of the first example, the second example, and the fifth example, vibrations are generated at both the upper and lower positions of the wiring board material 1 in the water tank 41 of the physical vibration processing unit 40. A plate 42 can be arranged. According to such a configuration, the power density of ultrasonic waves can be increased. Therefore, the length of the diaphragm 42 can be reduced, and as a result, the overall length of the desmear processing apparatus can be reduced.

（５）第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が湿潤処理部７０に供される前に、配線基板材料１における被処理部分が湿潤していない状態で、当該被処理部分のぬれ性を改善するぬれ性改善処理部が設けられていてもよい。
ぬれ性改善処理部は、配線基板材料１における被処理部分に対して、当該被処理部分が湿潤していない状態で紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部、大気圧プラズマ処理部、減圧プラズマ処理部、コロナ放電処理部などによって構成することができるが、乾式紫外線照射処理部が好ましい。乾式紫外線照射処理部としては、紫外線照射処理部３０と同様の構成のものを用いることができる。
乾式紫外線照射処理部において、配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、配線基板材料１に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度や配線基板材料１の材質などを考慮して適宜設定されるが、例えば１０〜６０秒間である。
このような構成によれば、乾式紫外線照射処理部によって配線基板材料１における被処理部分のぬれ性が改善されるので、湿潤処理部７０において配線基板材料１における被処理部分を確実に湿潤することができる。 (5) In the desmear processing apparatus of the fifth example, before the wiring substrate material 1 is provided to the wet processing unit 70, the processing target portion in the wiring substrate material 1 is not wetted. There may be provided a wettability improvement processing unit for improving the wettability.
The wettability improvement processing unit includes a dry ultraviolet irradiation processing unit, an atmospheric pressure plasma processing unit, and a reduced pressure plasma processing unit that irradiates the processing target part of the wiring board material 1 with ultraviolet rays in a state where the processing target part is not wet. Although it can be constituted by a corona discharge treatment section or the like, a dry ultraviolet irradiation treatment section is preferred. As the dry ultraviolet irradiation processing unit, the same configuration as that of the ultraviolet irradiation processing unit 30 can be used.
In the dry ultraviolet irradiation processing section, the illuminance of ultraviolet rays irradiated to the wiring board material 1 is, for example, 10 to 1000 mW / cm 2 . Moreover, the irradiation time of the ultraviolet rays with respect to the wiring board material 1 is appropriately set in consideration of the illuminance of the ultraviolet rays, the material of the wiring board material 1, and the like, and is, for example, 10 to 60 seconds.
According to such a configuration, the wettability of the portion to be processed in the wiring board material 1 is improved by the dry ultraviolet irradiation processing section, so that the portion to be processed in the wiring board material 1 is reliably wetted in the wet processing section 70. Can do.

（６）第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が物理的振動処理部４０に供される前に、湿潤処理部７０および紫外線照射処理部３０に交互に繰り返して供される構成であってもよい。
配線基板材料１が湿潤処理部７０および紫外線照射処理部３０に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部３０における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜５回である。
このような構成によれは、配線基板材料１における被処理部分が湿潤した状態を確保することができるので、紫外線照射処理部３０においては、有機物スミアが高い効率で分解される。その結果、紫外線照射処理部３０における紫外線照射時間の合計を短縮することができる。 (6) In the desmear processing apparatus of the fifth example, before the wiring board material 1 is supplied to the physical vibration processing unit 40, it is alternately and repeatedly supplied to the wet processing unit 70 and the ultraviolet irradiation processing unit 30. It may be a configuration.
The number of repetitions that the wiring board material 1 is provided to the wet treatment unit 70 and the ultraviolet irradiation processing unit 30 is appropriately set in consideration of the ultraviolet irradiation time in the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the like. is there.
According to such a configuration, it is possible to ensure that the portion to be processed in the wiring board material 1 is wet, and therefore, in the ultraviolet irradiation processing unit 30, the organic smear is decomposed with high efficiency. As a result, the total ultraviolet irradiation time in the ultraviolet irradiation processing unit 30 can be shortened.

（７）本発明のデスミア処理装置においては、配線基板材料１を紫外線照射処理部３０および物理的振動処理部４０に交互に繰り返して供する構成であってもよい。
配線基板材料１が紫外線照射処理部３０および物理的振動処理部４０に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部３０における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜５回である。 (7) The desmear processing apparatus of the present invention may be configured such that the wiring board material 1 is alternately and repeatedly provided to the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the physical vibration processing unit 40.
The number of times that the wiring board material 1 is provided to the ultraviolet irradiation processing unit 30 and the physical vibration processing unit 40 is appropriately set in consideration of the ultraviolet irradiation time in the ultraviolet irradiation processing unit 30. Times.

このような構成のデスミア処理装置においては、以下のようにして、配線基板材料１に対するデスミア処理が行われる。
図９（ａ）に示すように、デスミア処理前の配線基板材料１においては、配線基板材料１における被処理部分例えば導電層３上にはスミア６が残留している。このスミア６は、樹脂などの有機物スミア７と、この有機物スミア７中に含有された、無機物スミア８とよりなるものである。
このような配線基板材料１の被処理部分に対して、紫外線照射処理部において、酸素を含む雰囲気下において波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、雰囲気ガス中の酸素が反応してオゾンや活性酸素が生成される。そして、有機物スミア７の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。また、配線基板材料１が、湿潤処理部によって湿潤した状態である場合には、配線基板材料１の被処理部分に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、水が反応してＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物スミア７の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線が水に照射されることによって生ずるＯＨラジカルなどによって分解されてガス化される。 In the desmear processing apparatus having such a configuration, the desmear process is performed on the wiring board material 1 as follows.
As shown in FIG. 9A, in the wiring board material 1 before the desmearing process, the smear 6 remains on the part to be processed in the wiring board material 1, for example, on the conductive layer 3. The smear 6 includes an organic smear 7 such as a resin, and an inorganic smear 8 contained in the organic smear 7.
By irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less in an ultraviolet irradiation atmosphere to the portion to be processed of such a wiring board material 1, oxygen in the atmospheric gas reacts with ozone and activity. Oxygen is produced. A part of the organic smear 7 is decomposed and gasified by ultraviolet energy and ozone or active oxygen generated with the irradiation of ultraviolet rays. In addition, when the wiring board material 1 is in a wet state by the wet treatment part, the target part of the wiring board material 1 is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 220 nm or less, so that water reacts to generate OH. Radicals are generated. A part of the organic smear 7 is decomposed and gasified by ultraviolet energy and OH radicals generated by irradiating water with ultraviolet light.

その結果、図９（ｂ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の一部が除去される。このとき、無機物スミア８の一部は、有機物スミア７の一部が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８、例えばシリカやアルミナなどの無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。これは、無機物スミア８が紫外線を受けることによって収縮することにより、当該無機物スミア８に歪みが生じるためと考えられる。
次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。 また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、有機物スミア７と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、無機物スミア８は、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。
それらの結果、図９（ｃ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の一部が除去される。 As a result, as shown in FIG. 9B, a part of the organic smear 7 is removed from the wiring board material 1. At this time, a part of the inorganic smear 8 is exposed by removing a part of the organic smear 7. Further, the exposed inorganic smear 8, for example, an inorganic smear 8 such as silica or alumina, becomes brittle when irradiated with ultraviolet rays. This is presumably because the inorganic smear 8 is distorted by receiving ultraviolet rays, so that the inorganic smear 8 is distorted.
Next, by subjecting the wiring board material 1 to physical vibration treatment, the exposed inorganic smear 8 is destroyed by the mechanical action due to vibration and detached from the wiring board material 1. In addition, a slight gap may be generated between the organic smear 7 and the inorganic smear 8 due to the shrinkage of the inorganic smear 8 or the difference in thermal expansion that occurs when each smear is irradiated with ultraviolet rays. 8 is detached from the wiring board material 1 by performing a physical vibration treatment.
As a result, a part of the inorganic smear 8 is removed from the wiring board material 1 as shown in FIG.

その後、配線基板材料１の被処理部分に波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、有機物スミア７の残部の大部分は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素などによって分解されてガス化される。その結果、図９（ｄ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の残部の大部分が除去される。このとき、無機物スミア８の残部は、有機物スミア７の残部の大部分が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。
次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８や有機物スミア７の残部は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、配線基板材料１と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。それらの結果、図９（ｅ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の残部および有機物スミア７の残部が除去され、これにより、例えば導電層３の表面が露出した状態となる。 After that, by irradiating the portion to be processed of the wiring board material 1 with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less, most of the remaining part of the organic smear 7 is decomposed by ultraviolet energy, ozone, active oxygen, etc. generated by the ultraviolet irradiation. And gasified. As a result, as shown in FIG. 9D, most of the remaining part of the organic smear 7 is removed from the wiring board material 1. At this time, the remaining part of the inorganic smear 8 is exposed by removing most of the remaining part of the organic smear 7. Further, the exposed inorganic smear 8 becomes brittle when irradiated with ultraviolet rays.
Next, by subjecting the wiring board material 1 to physical vibration treatment, the remaining inorganic smear 8 and remaining organic smear 7 are destroyed by mechanical action due to vibration and detached from the wiring board material 1. In addition, a slight gap may be generated between the wiring board material 1 and the inorganic smear 8 due to shrinkage of the inorganic smear 8 or a difference in thermal expansion that occurs when each smear is irradiated with ultraviolet rays. The substrate is separated from the wiring board material 1 by performing a mechanical vibration treatment. As a result, as shown in FIG. 9 (e), the remaining part of the inorganic smear 8 and the remaining part of the organic smear 7 are removed from the wiring board material 1, and thereby, for example, the surface of the conductive layer 3 is exposed.

このように、配線基板材料１が紫外線照射処理部および物理的振動処理部に交互に繰り返して供されることにより、紫外線照射処理部における紫外線照射時間の合計を、紫外線照射処理部に供される回数が１開の場合の紫外線照射時間よりも短くすることができる。これは、有機物スミア７が紫外線の照射によって分解されず残留しても、当該有機物スミア７は劣化するため、物理的振動処理によって配線基板材料１から離脱して除去されるためと考えられる。
また、配線基板材料１が湿潤した状態である場合には、ＯＨラジカルおよびオゾンや活性酸素による分解が行われる。ＯＨラジカルは、オゾンや活性酸素よりも分解速度が高いため、紫外線照射処理部に繰り返し供されることにより、ＯＨラジカル反応が起こる時間を長く取ることでき、紫外線照射時間の合計を短くすることができる。 As described above, the wiring substrate material 1 is alternately and repeatedly provided to the ultraviolet irradiation processing unit and the physical vibration processing unit, whereby the total ultraviolet irradiation time in the ultraviolet irradiation processing unit is provided to the ultraviolet irradiation processing unit. It can be made shorter than the ultraviolet irradiation time when the number of times is 1 open. This is presumably because, even if the organic smear 7 remains without being decomposed by the irradiation of ultraviolet rays, the organic smear 7 deteriorates and is detached from the wiring board material 1 by physical vibration treatment and removed.
Further, when the wiring board material 1 is in a wet state, decomposition with OH radicals, ozone or active oxygen is performed. Since OH radicals have a higher decomposition rate than ozone and active oxygen, it is possible to take a long time for the OH radical reaction to be repeated and to shorten the total ultraviolet irradiation time by being repeatedly applied to the ultraviolet irradiation treatment section. it can.

１ 配線基板材料
２ 第１絶縁層
３ 導電層
４ 第２絶縁層
５ 貫通孔
６ スミア
７ 有機物スミア
８ 無機物スミア
１０ エキシマランプ
１１ 放電容器
１５ 一方の電極（高電圧供給電極）
１６ 他方の電極（接地電極）
１８ 光出射部（アパーチャ部）
２０ 紫外線反射膜
２５ 運搬ロボット
２６ 吸着アーム
２７ 運搬ロボット
２８ 吸着アーム
３０ 紫外線照射処理部
３１ 筐体
３２ 紫外線透過窓部材
３３ ステージ
３４ａ ガス供給口
３４ｂ ガス排出口
３５ 処理室形成材
３６ａ ガス導入口
３６ｂ ガス排出口
４０ 物理的振動処理部
４１ 水槽
４１Ｈ 排水口
４２ 振動板
４３ ポンプ
４４ フィルター
４５ 筐体
４６ 圧縮空気噴射口
４７ スミア吸引口
４８ 搬送機構
５０ リンス処理部
５０ａ 第１リンス処理部
５０ｂ 第２リンス処理部
５１ａ，５１ｂ 水槽
５６ スプレーノズル
５７，５７ａ，５７ｂ ポンプ
５８，５８ａ，５８ｂ フィルター
６０ 乾燥処理部
６１ スリットノズル
６２ ブロワー
６３ フィルター
６４ ヒータ
６５ 筐体
６５Ｈ 排気口
６６ 搬送機構
６６ａ 搬送用レール
６７，６８ タンク
６９ 搬送用かご
７０ 湿潤処理部
７１ 水槽
７１Ｈ 排水口
７２ 振動板
７３ タンク
７４ 搬送機構
７５ 筐体
７５Ｈ 排気口
７６ ポンプ
７７ フィルター
７８ スリットノズル
７９ ブロワー
８０ フィルター
Ｓ１ ランプ収容室
Ｓ２ 処理室
Ｓ３ 湿潤処理室
Ｓ４ 水分除去処理室 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board material 2 1st insulating layer 3 Conductive layer 4 2nd insulating layer 5 Through-hole 6 Smear 7 Organic smear 8 Inorganic smear 10 Excimer lamp 11 Discharge vessel 15 One electrode (high voltage supply electrode)
16 The other electrode (ground electrode)
18 Light emitting part (aperture part)
20 UV reflective film 25 Transport robot 26 Suction arm 27 Transport robot 28 Suction arm 30 UV irradiation processing unit 31 Housing 32 UV transmission window member 33 Stage 34a Gas supply port 34b Gas discharge port 35 Processing chamber forming material 36a Gas introduction port 36b Gas Discharge port 40 Physical vibration processing unit 41 Water tank 41H Drain port 42 Diaphragm 43 Pump 44 Filter 45 Housing 46 Compressed air injection port 47 Smear suction port 48 Transport mechanism 50 Rinse processing unit 50a First rinse processing unit 50b Second rinse processing 51a, 51b Water tank 56 Spray nozzle 57, 57a, 57b Pump 58, 58a, 58b Filter 60 Drying processing unit 61 Slit nozzle 62 Blower 63 Filter 64 Heater 65 Housing 65H Exhaust port 66 Conveying mechanism 66a Conveying rail 67, 68 Tank 69 Transport Car 70 Wet processing unit 71 Water tank 71H Drain port 72 Vibration plate 73 Tank 74 Transport mechanism 75 Housing 75H Exhaust port 76 Pump 77 Filter 78 Slit nozzle 79 Blower 80 Filter S1 Lamp storage chamber S2 Processing chamber S3 Wet processing chamber S4 Moisture removal processing Room

Claims (6)

フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなり、前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料のデスミア処理装置において、
前記配線基板材料に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と
を有することを特徴とするデスミア処理装置。 In a desmear treatment apparatus for a wiring board material in which an insulating layer made of a resin containing a filler and a conductive layer are laminated, and a through-hole penetrating the insulating layer is formed,
An ultraviolet irradiation processing unit that irradiates the wiring board material with ultraviolet light having a wavelength of 220 nm or less;
A desmear processing apparatus comprising: a physical vibration processing unit that applies physical vibration to a wiring board material that has been subjected to ultraviolet irradiation processing by the ultraviolet irradiation processing unit. 前記物理的振動処理部は、超音波振動処理によって配線基板材料に物理的振動を与えるものであることを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理装置。   The desmear processing apparatus according to claim 1, wherein the physical vibration processing unit applies physical vibration to the wiring board material by ultrasonic vibration processing. 前記紫外線照射処理部は、前記配線基板材料が配置される処理室と、この処理室に酸素を含む処理用ガスを供給するガス供給口とを有することを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理装置。   2. The desmear according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiation processing unit includes a processing chamber in which the wiring board material is disposed, and a gas supply port that supplies a processing gas containing oxygen to the processing chamber. Processing equipment. 前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部を有することを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理装置。   2. The desmear treatment apparatus according to claim 1, further comprising a wet processing unit that wets a portion to be processed in the wiring board material before the wiring board material is provided to the ultraviolet irradiation processing unit. 前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることを特徴とする請求項４に記載のデスミア処理装置。   The wet processing unit is configured to wet a portion to be processed in the wiring board material by immersing the wiring board material in water and ultrasonically vibrating the water in this state. Item 5. The desmear treatment apparatus according to Item 4. 前記配線基板材料が湿潤処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分に紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部を有することを特徴とする請求項４に記載のデスミア処理装置。   5. The desmear treatment apparatus according to claim 4, further comprising a dry ultraviolet irradiation processing unit configured to irradiate a portion to be processed in the wiring substrate material with ultraviolet rays before being provided to the wet processing unit.
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