JP2015115130A - 二次電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明による二次電池及びその製造方法の第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。第1の実施形態の二次電池は量子電池である。
図6は、第1の実施形態に係る二次電池20の構成を示す断面図であり、上述した図4(B)と同様な方向から見た断面図である。図6は、面方向の寸法より厚み方向の寸法を強調して示している。
次に、図6に示す構造を有する第1の実施形態の二次電池20の製造方法を説明する。図7は、第1の実施形態の二次電池の製造方法を示す説明図である。図7(A1)〜(A4)が概略斜視図であり、図7(B1)〜(B4)が断面図である。図7(B1)〜(B4)の断面図は、上述した図6に示す断面図に比較し、二次電池の中間形成状態や完成品を時計方向に90度だけ回転した断面図である。
次に、図6に示す構造を有する第1の実施形態の二次電池20の実装構造の一例を説明する。
第1の実施形態の二次電池20によれば、以下の効果を奏することができる。
上記第1の実施形態の説明においても、種々変形実施形態に言及したが、さらに、以下に例示するような変形実施形態を挙げることができる。
Claims (9)
- 第1電極としての機能と基材としての機能とを発揮するシート状の第1電極兼用基材と、
上記第1電極兼用基材の表面側に設けられた表面側蓄電層と、
上記表面側蓄電層に積層された表面側第2電極層と、
上記第1電極兼用基材の裏面側に設けられた裏面側蓄電層と、
上記裏面側蓄電層に積層された裏面側第2電極層と
を備えることを特徴とする二次電池。 - 上記表面側蓄電層及び上記裏面側蓄電層はそれぞれ、酸化物半導体が、バンドギャップ内に電子不在のエネルギー準位が多数発生する光励起構造変化を起こし、エネルギー準位に電子を捕獲させることで充電し、捕獲した電子を放出させることで放電する充電層でなり、
上記第1電極兼用基材と上記表面側充電層との間に設けられた表面側第1酸化物半導体層と、
上記第1電極兼用基材と上記裏面側充電層との間に設けられた裏面側第1酸化物半導体層と、
上記表面側充電層と上記表面側第2電極層との間に設けられた表面側第2酸化物半導体層と、
上記裏面側充電層と上記裏面側第2電極層との間に設けられた裏面側第2酸化物半導体層とをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の二次電池。 - 上記表面側充電層及び上記表面側第2電極層が設けられていない領域、及び、上記裏面側充電層及び上記裏面側第2電極層が設けられていない領域の少なくとも一方を、上記第1電極を外部の第1電極部材と接続する領域として有することを特徴とする請求項1又は2に記載の二次電池。
- 上記第1電極兼用基材の少なくとも一部の端面に、上記表面側第2電極層及び上記裏面側第2電極層と、上記第1電極との短絡を防止する基材端面絶縁部を設けたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の二次電池。
- 上記表面側第1酸化物半導体層及び上記裏面側第1酸化物半導体層はn型金属酸化物半導体で、上記表面側第2酸化物半導体層及び上記裏面側第2酸化物半導体層はp型金属酸化物半導体であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の二次電池。
- 上記表面側第1酸化物半導体層及び上記裏面側第1酸化物半導体層はp型金属酸化物半導体で、上記表面側第2酸化物半導体層及び上記裏面側第2酸化物半導体層はn型金属酸化物半導体であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の二次電池。
- 第1電極としての機能と基材としての機能とを発揮するシート状の第1電極兼用基材の表面側及び裏面側に第1酸化物半導体層を積層する工程と、
表面側の上記第1酸化物半導体層に表面側充電層を積層する工程と、
裏面側の上記第1酸化物半導体層に裏面側充電層を積層する工程と、
上記表面側充電層及び上記裏面側充電層に紫外線を照射する工程と、
上記表面側充電層に第2酸化物半導体層及び第2電極層を積層する工程と、
上記裏面側充電層に第2酸化物半導体層及び第2電極層を積層する工程と
を含むことを特徴とする二次電池の製造方法。 - 上記シート状の第1電極兼用基材の端部に基材端面絶縁部を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項7に記載の二次電池の製造方法。
- 第1電極としての機能と基材としての機能とを発揮するシート状の第1電極兼用基材の表面から裏面に連続するように第1酸化物半導体層を積層する工程と、
上記第1酸化物半導体層の一部又は全部を覆うように充電層を積層する工程と、
上記充電層に紫外線を照射する工程と、
上記充電層の一部又は全部を覆うように第2の半導体酸化物層及び第2電極層を積層する工程と
を含むことを特徴とする二次電池の製造方法。
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