JP2015108833A - 液晶表示装置、モジュール及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】静止画および動画の品質（画質）が向上された表示装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置に周期Ｔｉｎで第ｐ（ｐは正の整数）の入力画像データと、第ｐ＋１の入力画像データが入力され、入力画像データに基づいて、周期Ｔで第ｉ（ｉは正の整数）の元画像データと、第ｉ＋１の元画像とが生成され、第ｉの元画像データに基づいて、Ｊ個（Ｊは３以上の整数）のサブ画像が生成され、周期ＴにおいてＪ個のサブ画像が順次表示され、第ｉの元画像データ又はｉ＋１の元画像データのうち、少なくとも一方
は、第ｐの入力画像データと第ｐ＋１の入力画像データの中間状態であり、サブ画像は、第１の明るさ又は第２の明るさのいずれかを表示し、Ｊ個のサブ画像のうち、少なくとも一つのサブ画像を他のサブ画像と異なる画像とする。
【選択図】図１４

Description

本発明は、装置およびその駆動方法に関する。具体的には、半導体装置およびその駆動方
法に関する。さらに具体的には、表示装置およびその駆動方法、特にホールド型の駆動方
法による動画の品質を向上する方法に関する。

近年、薄型の表示装置に対する関心が高まっている。ＣＲＴディスプレイに代わり、液晶
ディスプレイ、プラズマディスプレイ、プロジェクションディスプレイなどが開発され、
普及してきた。さらに、フィールドエミッションディスプレイ、無機エレクトロルミネセ
ンスディスプレイ、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ、電子ペーパーなどが、次
世代の表示装置として開発が進められている。

上述したような表示装置に備えられた表示部には、画像を構成する最小単位である画素が
並置される。そして、それぞれの画素が、画像データにしたがった輝度で発光することで
、表示部に画像が形成される。

このような表示装置を用いて動画を表示させるときは、複数の画像を、１秒間に数十回、
素早く表示させることで行う。この、複数の画像を表示する周期（または、画像データが
表示装置に入力される周期）のことを、１フレーム期間と呼ぶ。

ここで、表示装置の駆動方法は、画素の輝度が、１フレーム期間内に、どのような時間的
分布を持っているかという観点でも分類できる。アクティブマトリクス型の表示装置に主
に用いられるホールド型の駆動方法は、１フレーム期間内で、画素の輝度は一定である。
一方、ＣＲＴ等に用いられるインパルス型の駆動方法は、１フレーム期間内に一度強く発
光した後、画素の輝度は直ちに減衰して発光しなくなる。インパルス型の駆動方法では、
１フレーム期間の大半は非発光状態である。

ホールド型の表示装置は、動画を表示したとき、画像の一部分が動いている場合では動い
ているものが尾を引いたように見えたり、画像全体で動いている場合では全体がぼやけて
見えたりする問題（動画ボケ：Ｍｏｔｉｏｎ Ｂｌｕｒ）を持つことが明らかになってき
ている。これは、人間の目は動いている物体の動きを予測して物体が動く先に視線を動か
しているのに対して、ホールド型の表示装置に表示される画像は１フレーム期間の間は止
まり続けているという不一致から起こっているといわれている。インパルス型の表示装置
では、画像は一瞬表示されてから直ちに消えるので、このような見え方と表示の不一致は
起こらず、動画ボケの問題は起こらない。

ホールド型の表示装置における動画ボケの問題を解決する方法としては、主に、次の２つ
の方法が提案されている（特許文献１）。１つ目は、１フレーム期間内に、本来の画像を
表示する期間と、黒画像を表示する期間とを設けることである。こうすることで、表示を
擬似的にインパルス型に近づけることができ、目の残像を抑えることができるため、動画
の品質を向上することができる（特許文献２、３）。２つ目は、１フレーム期間の長さを
短くする（フレーム周波数を大きくする）ことである。こうすることで、画像の動きが目
の動きに追従できるようになり、画像の動きがなめらかになるため、動画の品質を向上す
ることができる（特許文献４）。さらに、１つ目の方法の改良技術として、黒画像の代わ
りに、元の画像より暗い画像を表示することでも動画の品質を向上することができること
が公開されている（特許文献５、６、非特許文献１、２、３）。さらに、条件に応じて駆
動方法を変える方法も公開されている（特許文献７、８）。

特開平４−３０２２８９ 特開平９−３２５７１５ 特開２０００−２０００６３ 特開２００５−２６８９１２ 特開２００２−２３７０７ 特開２００４−２４０３１７ 特開２００２−９１４００ 特開２００４−１７７５７５

ＳＩＤ’０５ ＤＩＧＥＳＴ，６０．２，ｐｐ１７３４，（２００５） ＳＩＤ’０６ ＤＩＧＥＳＴ，６９．４，ｐｐ１９５０，（２００６） ＳＩＤ’０６ ＤＩＧＥＳＴ，６９．５，ｐｐ１９５４，（２００６）

このように、ホールド型の表示装置における動画ボケの問題を解決する方法として、様々
なものが検討されているが、その効果はまだ不十分であり、インパルス型と同等な動画の
品質を持つには至っていない。さらに、黒画像を表示する表示を擬似的にインパルス型に
近づける方法では、ちらつき（フリッカ）が増大する。また、黒画像の表示することによ
って画像の輝度が小さくなってしまい、黒画像を挿入しない場合と同等の輝度を得るため
には消費電力が増大してしまうという問題もある。フレーム周波数を大きくする方法では
、データ処理が複雑になるため、高速に処理できる駆動回路が必要になり、製造コストの
増加や、データ処理に伴う発熱や消費電力の増大が問題となる。

本発明は、このような問題を鑑みてなされたものであり、主な課題としては、静止画およ
び動画の品質（画質）が向上された表示装置およびその駆動方法を提供することである。
より詳細には、動画ボケの問題がない表示装置およびその駆動方法を提供すること、フリ
ッカのない表示装置およびその駆動方法を提供すること、視野角が向上された表示装置お
よびその駆動方法を提供すること、応答速度が向上された表示装置およびその駆動方法を
提供すること、等を課題とする。さらに、消費電力が低減された表示装置およびその駆動
方法を提供すること、製造コストが低減された表示装置およびその駆動方法を提供するこ
と、等を課題とする。

本発明の液晶表示装置の駆動方法の一は、液晶表示装置に周期Ｔｉｎで第ｐ（ｐは正の整
数）の入力画像データと、第ｐ＋１の入力画像データが入力され、入力画像データに基づ
いて、周期Ｔで第ｉ（ｉは正の整数）の元画像データと、第ｉ＋１の元画像とが生成され
、第ｉの元画像データに基づいて、Ｊ個（Ｊは３以上の整数）のサブ画像が生成され、周
期ＴにおいてＪ個のサブ画像が順次表示され、第ｉの元画像データ又はｉ＋１の元画像デ
ータのうち、少なくとも一方は、第ｐの入力画像データと第ｐ＋１の入力画像データの中
間状態であり、サブ画像は、第１の明るさ又は第２の明るさのいずれかを表示し、Ｊ個の
サブ画像のうち、少なくとも一つのサブ画像は他のサブ画像と異なる画像であることを特
徴とする。

なお、Ｊ個のサブ画像のうち、少なくとも一つのサブ画像が他のサブ画像と異なる画像で
あることによる利点としては、次のような点を挙げることができる。たとえば、周期Ｔの
期間内において異なるサブ画像が順次表示されれば、周期Ｔの期間内において明るさが時
間的に変化する画素が少なくとも一つ存在することとなる。つまり、当該画素においては
インパルス型の駆動が行なわれているといえる。すなわち、Ｊ個のサブ画像のうち、少な
くとも一つのサブ画像が他のサブ画像と異なる画像であることによって、表示をインパル
ス型とすることができるので、動画の画質を向上できる。さらに、Ｊを大きくすることに
よって、周期Ｔの期間内におけるそれぞれの画素への書き込みの頻度が大きくなるため、
定電荷駆動による画素への書き込み電圧不足を解消し、表示素子の応答時間を短くするこ
とができる。

また、本発明の液晶表示装置の駆動方法の一は、上記構成において、Ｊ個のサブ画像のう
ち、少なくとも一つは黒画像であることを特徴とする。

また、本発明の液晶表示装置の駆動方法の一は、液晶表示装置に周期Ｔｉｎで第ｐ（ｐは
正の整数）の入力画像データと、第ｐ＋１の入力画像データが入力され、入力画像データ
に基づいて、周期Ｔで第ｉ（ｉは正の整数）の元画像データと、第ｉ＋１の元画像とが生
成され、第ｉの元画像データに基づいて、Ｊ個（Ｊは３以上の整数）のサブ画像が生成さ
れ、周期ＴにおいてＪ個のサブ画像が順次表示され、第ｉの元画像データ又はｉ＋１の元
画像データのうち、少なくとも一方は、第ｐの入力画像データと第ｐ＋１の入力画像デー
タの中間状態であり、サブ画像は、第１の明るさ又は第２の明るさのいずれかを表示し、
Ｊ個のサブ画像は、全て同じ画像であることを特徴とする。

また、本発明の液晶表示装置の駆動方法の一は、液晶表示装置に周期Ｔｉｎで第ｐ（ｐは
正の整数）の入力画像データと、第ｐ＋１の入力画像データが入力され、入力画像データ
に基づいて、周期Ｔで第ｉ（ｉは正の整数）の元画像データと、第ｉ＋１の元画像とが生
成され、第ｉの元画像データに基づいて、第１のサブ画像と第２のサブ画像が生成され、
周期Ｔにおいて第１のサブ画像と第２のサブ画像が順次表示され、第ｉの元画像データ又
はｉ＋１の元画像データのうち、少なくとも一方は、第ｐの入力画像データと第ｐ＋１の
入力画像データの中間状態であり、周期Ｔｉｎは、周期Ｔの２倍より大きく、第１のサブ
画像と第２のサブ画像が異なる画像であることを特徴とする。また第１のサブ画像又は第
２のサブ画像は、黒画像であることを特徴とする。

また、本発明の液晶表示装置の駆動方法の一は、液晶表示装置に周期Ｔｉｎで第ｐ（ｐは
正の整数）の入力画像データと、第ｐ＋１の入力画像データが入力され、入力画像データ
に基づいて、周期Ｔで第ｉ（ｉは正の整数）の元画像データと、第ｉ＋１の元画像とが生
成され、第ｉの元画像データに基づいて、第１のサブ画像と第２のサブ画像が生成され、
周期Ｔにおいて第１のサブ画像と第２のサブ画像が順次表示され、第ｉの元画像データ又
はｉ＋１の元画像データのうち、少なくとも一方は、第ｐの入力画像データと第ｐ＋１の
入力画像データの中間状態であり、周期Ｔｉｎは、周期Ｔの２倍より大きく、第１のサブ
画像と第２のサブ画像が同じ画像であることを特徴とする。

なお、スイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイ
ッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく
、特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ（例えば、バイポ
ーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、
ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用
いることが出来る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いること
が出来る。

機械的なスイッチの例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように、
ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがある
。そのスイッチは、機械的に動かすことが出来る電極を有し、その電極が動くことによっ
て、接続と非接続とを制御して動作する。

スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとし
て動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流
を抑えたい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オ
フ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を有するトランジスタやマルチゲート
構造を有するトランジスタ等がある。または、スイッチとして動作させるトランジスタの
ソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）の電位に近い状態で動
作する場合はＮチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。反対に、ソース端子の
電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）の電位に近い状態で動作する場合はＰチャネル型ト
ランジスタを用いることが望ましい。なぜなら、Ｎチャネル型トランジスタではソース端
子が低電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、Ｐチャネル型トランジスタではソー
ス端子が高電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、ゲートとソースの間の電圧の絶
対値を大きくできる。ソースフォロワ動作をしてしまうことが少ないため、出力電圧の大
きさが小さくなってしまうことが少ないからである。

なお、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタの両方を用いて、ＣＭＯ
Ｓ型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャ
ネル型トランジスタまたはＮチャネル型トランジスタのどちらか一方のトランジスタが導
通すれば電流が流れるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入
力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。さ
らに、スイッチをオンまたはオフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来
るので、消費電力を小さくすることも出来る。

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、スイッチは、入力端子（ソース端子
またはドレイン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、
導通を制御する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを
用いる場合、スイッチは、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、ト
ランジスタよりもダイオードをスイッチとして用いた方が、端子を制御するための配線を
少なくすることが出来る。

なお、ＡとＢとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気的に接
続されている場合と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合と、ＡとＢとが直接接続さ
れている場合とを含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回
路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがって、所定の接続関係
、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続
関係以外のものも含むものとする。

例えば、ＡとＢとが電気的に接続されている場合として、ＡとＢとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオードなど）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢと
が機能的に接続されている場合として、ＡとＢとの機能的な接続を可能とする回路（例え
ば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換
回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路
、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源
、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ
、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、
制御回路など）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢと
が直接接続されている場合として、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を挟まずに、Ａと
Ｂとが直接接続されていてもよい。

なお、ＡとＢとが直接接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが直接接
続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を間に介さずに接続され
ている場合）と、ＡとＢとが電気的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の
素子や別の回路を挟んで接続されている場合）とを含むものとする。

なお、ＡとＢとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電
気的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続さ
れている場合）と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別
の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＡとＢとが直接接続されている場合（
つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むも
のとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続さ
れている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディ
スプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディ
スプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、
反射率、透過率などが変化する表示媒体を用いることができる。なお、ＥＬ素子を用いた
表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールド
エミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒ
ｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）
など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、
半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型
液晶ディスプレイ）、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパー
がある。

なお、ＥＬ素子とは、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたＥＬ層とを有する
素子である。なお、ＥＬ層としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するもの、
３重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（蛍光）を利
用するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、有機物によ
って形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと
無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材
料と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、
ＥＬ素子として様々なものを用いることができる。

なお、電子放出素子とは、先鋭な陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子である。例
えば、電子放出素子として、スピント型、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）型、金属―絶
縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属
―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）型、ＭＯＳ型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、表面伝
導エミッタＳＣＤ型、オード型、ダイヤモンド型、表面伝導エミッタＳＣＤ型、金属―絶
縁体―半導体−金属型等の薄膜型、ＨＥＥＤ型、ＥＬ型、ポーラスシリコン型、表面伝導
（ＳＥＤ）型などを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子放出素子とし
て様々なものを用いることができる。

なお、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素
子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液
晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御
される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック
液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、ライオトロピック液晶、リオトロピ
ック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高
分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＤＬＣ）、バナナ型液晶、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モー
ド、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ
Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モー
ド、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅ
ｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇ
ｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。ただ
し、これに限定されず、液晶素子として様々なものを用いることができる。

なお、電子ペーパーとしては、光学異方性と染料分子配向のような分子により表示される
もの、電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化のような粒子により表示されるもの、フィ
ルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により表示される
もの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して時発光により表示さ
れるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーとして、マイクロカプセル型電気泳動
、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール
、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレク
トロウェッテイング、光散乱（透明白濁）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリ
ック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィ
ルム、ロイコ染料発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジ
ション、フレキシブル有機ＥＬなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、
電子ペーパーとして様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気
泳動を用いることによって、電気泳動方式の欠点である泳動粒子の凝集、沈殿を解決する
ことができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性
などのメリットを有する。

なお、プラズマディスプレイは、電極を表面に形成した基板と、電極及び微小な溝を表面
に形成し且つ溝内に蛍光体層を形成した基板とを狭い間隔で対向させて、希ガスを封入し
た構造を有する。なお、電極間に電圧をかけることによって紫外線を発生させ、蛍光体を
光らせることで、表示を行うことができる。なお、プラズマディスプレイとしては、ＤＣ
型ＰＤＰ、ＡＣ型ＰＤＰでもよい。ここで、プラズマディスプレイパネルとしては、ＡＳ
Ｗ（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｗｈｉｌｅ Ｓｕｓｔａｉｎ）駆動、サブフレームをリセット期間
、アドレス期間、維持期間に分割するＡＤＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｓｅｐ
ａｒａｔｅｄ）駆動、ＣＬＥＡＲ（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ａｄｄｒｅｓｓ ａｎｄ Ｒ
ｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆａｌｓｅ Ｃｏｎｔｏｕｒ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）駆動、ＡＬ
ＩＳ（Ａｌｔｅｒｎａｔｅ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ ｏｆ Ｓｕｒｆａｃｅｓ）方式、ＴＥＲ
ＥＳ（Ｔｅｃｈｂｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ Ｓｕｓｆａｉｎｅｒ）駆動
などを用いることができる。ただし、これに限定されず、プラズマディスプレイとして様
々なものを用いることができる。

なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ
、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射
型液晶ディスプレイ）、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）を用いた表示装置、デジ
タルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置などの光源としては、エレクト
ロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、ＬＥＤ、レーザー光源、水銀ランプなどを用い
ることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いることができる
。

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定され
ない。例えば、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート
構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続
された構成となる。マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上
による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、マルチゲート構造により、飽和領域
で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があま
り変化せず、電圧・電流特性の傾きがフラットな特性にすることができる。電圧・電流特
性の傾きがフラットである特性を利用すると、理想的な電流源回路や、非常に高い抵抗値
をもつ能動負荷を実現することが出来る。その結果、特性のよい差動回路やカレントミラ
ー回路を実現することが出来る。別の例として、チャネルの上下にゲート電極が配置され
ている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることによ
り、チャネル領域が増えるため、電流値の増加、又は空乏層ができやすくなることによる
Ｓ値の低減を図ることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のト
ランジスタが並列に接続されたような構成となる。

あるいは、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネル
領域の下にゲート電極が配置されている構造でもよい。あるいは、正スタガ構造または逆
スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、チャネル領
域が並列に接続されていてもよいし、チャネル領域が直列に接続されていてもよい。ある
いは、チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていても
よい。チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なる構造にす
ることにより、チャネル領域の一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐこ
とができる。あるいは、ＬＤＤ領域を設けても良い。ＬＤＤ領域を設けることにより、オ
フ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上による信頼性の向上を図ることができる。あ
るいは、ＬＤＤ領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間
電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、電圧・電流特性の傾きが
フラットな特性にすることができる。

なお、トランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板を用いて形成さ
せることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、同
一の基板に形成されていてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の
全てが、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板を用いて形成さ
れていてもよく、さまざまな基板を用いてに形成されていてもよい。所定の機能を実現さ
せるために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていることにより、部品点数の
削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図るこ
とができる。あるいは、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部が、ある基板に
形成されており、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が、別の基板に形
成されていてもよい。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基
板を用いて形成されていなくてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回
路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成され、所定の機能を実現させるた
めに必要な回路の別の一部は、単結晶基板に形成され、単結晶基板を用いて形成されたト
ランジスタで構成されたＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）でガラス基
板に接続して、ガラス基板上にそのＩＣチップを配置してもよい。あるいは、そのＩＣチ
ップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用い
てガラス基板と接続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されているこ
とにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による
信頼性の向上を図ることができる。あるいは、駆動電圧が高い部分及び駆動周波数が高い
部分の回路は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分の回路は同じ基板に
形成せず、そのかわりに、例えば、単結晶基板にその部分の回路を形成して、その回路で
構成されたＩＣチップを用いるようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。

なお、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例とし
ては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。
従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合
には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるもの
とする。なお、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、ＲＧＢ以外の
色を用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。あるいは
、ＲＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一
色以上追加してもよい。あるいは、例えば、ＲＧＢの中の少なくとも一色に類似した色を
、ＲＧＢに追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは
、どちらも青色であるが、少し周波数が異なっている。同様に、Ｒ１、Ｒ２、Ｇ、Ｂとし
てもよい。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができ
る。このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することが出来る。別の例と
しては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域
一つ分を一画素としてもよい。よって、一例として、面積階調を行う場合または副画素（
サブ画素）を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、
その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素として
もよい。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。あ
るいは、明るさを制御する領域が１つの色要素の中に複数あっても、それらをまとめて、
１つの色要素を１画素としてもよい。よって、その場合は、一つの色要素は、一つの画素
で構成されることとなる。あるいは、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさ
を制御する場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある
。あるいは、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給
する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、１
つの色要素について、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていて
もよい。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視
野角を広くすることが出来る。

なお、一画素（三色分）と明示的に記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素と
考える場合であるとする。一画素（一色分）と明示的に記載する場合は、一つの色要素に
つき、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。

なお、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合がある。ここで、画素がマト
リクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に
並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含む。よって、
例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置さ
れている場合、又は三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合も含む。さらに、
ベイヤー配置されている場合も含む。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でも
よく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタなどを
一色以上追加したものなどがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異
なっていてもよい。これにより、低消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることがで
きる。

なお、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有
しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）やＴＦＤ（
Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製
造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。さら
に、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度
化をはかることが出来る。

なお、アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形
素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティ
ブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないた
め、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

なお、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子
を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレ
イン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソー
スとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソー
スまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類（明細書、特許
請求の範囲又は図面など）においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソー
スもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端
子、第２端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第１の電極、第２の電極と表
記する場合がある。あるいは、ソース領域、ドレイン領域と表記する場合がある。

なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を
有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第
２端子と表記する場合がある。

なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査
信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極
とは、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている
部分の導電膜のことを言う。なお、ゲート電極の一部は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏ
ｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域またはソース領域（またはドレイン領域）と、ゲート絶縁膜を
介してオーバーラップしている場合もある。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電
極の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又
はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。

ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分（領域、
導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート
電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線と
が、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート
配線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜、配
線など）はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることにな
る。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極と呼んでも良い
し、ゲート配線と呼んでも良い。

なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島（アイランド）を形成し
てつながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート電極と呼んでも良い。同様
に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつ
ながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート配線と呼んでも良い。このよう
な部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップ
していない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しか
し、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲ
ート電極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域
、導電膜、配線など）がある。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）もゲ
ート電極またはゲート配線と呼んでも良い。

なお、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのゲート電極と、別のゲー
ト電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのよ
うな部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための
部分（領域、導電膜、配線など）であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲー
トのトランジスタを１つのトランジスタと見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んで
も良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極または
ゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線
など）は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。さらに、例えば、ゲート電極とゲー
ト配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線とは異な
る材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い
。

なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分（領域、導電膜、配線など）または、ゲート
電極と電気的に接続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分の
ことを言う。

なお、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線などと呼ぶ場合、配
線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲート配線、ゲー
ト線、ゲート信号線、走査線、走査信号線は、トランジスタのゲートと同じ層で形成され
た配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線またはトランジスタのゲート
と同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源
線、基準電位供給配線などがある。

なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線、ソース信号線、
データ線、データ信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを
言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素
など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純
物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域
は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、
ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソ
ース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トラ
ンジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続
するための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。

しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分（
領域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、
ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース
配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されている
ソース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電
膜、配線など）はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能しているこ
とになる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソース電極と呼んで
も良いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島（アイランド）を形成し
てつながっている部分（領域、導電膜、配線など）や、ソース電極とソース電極とを接続
する部分（領域、導電膜、配線など）も、ソース電極と呼んでも良い。さらに、ソース領
域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と
同じ材料で形成され、ソース配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている領域
も、ソース配線と呼んでも良い。このような部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な
意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時
の仕様などの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極ま
たはソース配線とつながっている部分（領域、導電膜、配線など）がある。よって、その
ような部分（領域、導電膜、配線など）もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。

なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソ
ース電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接
続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のことを言う。

なお、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線などと呼ぶ場合
、配線にトランジスタのソース（ドレイン）が接続されていない場合もある。この場合、
ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トランジスタのソー
ス（ドレイン）と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース（ドレイン）と同じ材
料で形成された配線またはトランジスタのソース（ドレイン）と同時に成膜された配線を
意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線など
がある。

なお、ドレインについては、ソースと同様である。

なお、半導体装置とは半導体素子（トランジスタ、ダイオード、サイリスタなど）を含
む回路を有する装置のことをいう。さらに、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を半導体装置と呼んでもよい。または、半導体材料を有する装置のことを半導体装置
と言う。

なお、表示素子とは、光学変調素子、液晶素子、発光素子、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、
無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電子放出素子、電気泳動素子、放
電素子、光反射素子、光回折素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、などの
ことを言う。ただし、これに限定されない。

なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素
子を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周
辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の
画素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプ
などによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス（ＣＯＧ）
で接続されたＩＣチップ、または、ＴＡＢなどで接続されたＩＣチップを含んでいても良
い。なお、表示装置は、ＩＣチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタな
どが取り付けられたフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を含んでもよい。なお、
表示装置は、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などを介して接続され、ＩＣチ
ップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配
線基板（ＰＷＢ）を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの
光学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、
光センサなどを含んでいても良い。ここで、バックライトユニットのような照明装置は、
導光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管など）、冷
却装置（水冷式、空冷式）などを含んでいても良い。

なお、照明装置は、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反
射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管、熱陰極管など）、冷却装置などを有している装置の
ことをいう。

なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発
光素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。

なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のこ
とをいう。

なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、
直視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。

なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例
えば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ（選択用トランジ
スタ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある）、画素電極に電圧または電流
を供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆
動装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路（ゲートドライバ、ゲ
ート線駆動回路などと呼ぶことがある）、ソース信号線に信号を供給する回路（ソースド
ライバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある）などは、駆動装置の一例である。

なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置な
どは、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発
光装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有
している場合がある。

なお、Ａの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されている、と明示的に
記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されない。直接接し
てはいない場合、つまり、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。こ
こで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、
など）であるとする。

従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、と明示的に記
載されている場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直
接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが
形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単
層でもよいし、複層でもよい。

さらに、Ａの上方にＢが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同様
であり、Ａの上にＢが直接接していることに限定されず、ＡとＢとの間に別の対象物が介
在する場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、と
いう場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して
別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよ
いし、複層でもよい。

なお、Ａの上にＢが直接接して形成されている、と明示的に記載する場合は、Ａの上に
直接接してＢが形成されている場合を含み、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合は含
まないものとする。

なお、Ａの下にＢが、あるいは、Ａの下方にＢが、の場合についても、同様である。

なお、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。
ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として
記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず
、単数であることも可能である。

入力画像データのフレームレートを様々な表示フレームレートに変換できることで、状況
に応じて最適な表示フレームレートおよび駆動方法を選択できるので、画質が向上された
表示装置およびその駆動方法を得ることができる。

さらに、表示フレームレートを入力画像データのフレームレートよりも大きくすること、
または擬似的にインパルス型の駆動とすること等によって、動画ボケの問題がない表示装
置およびその駆動方法を得ることができる。さらに、明るさの変化の周期を短く、または
変化量を小さくすること等によって、フリッカのない表示装置およびその駆動方法を得る
ことができる。さらに、特に液晶表示装置において、最適な液晶モードを選択すること等
により、視野角が向上された表示装置およびその駆動方法を得ることができる。さらに、
特に液晶表示装置において、一時的に本来の電圧を超えた大きさの電圧を装置に加えるこ
と等によって、応答速度が向上された表示装置およびその駆動方法を得ることができる。
さらに、上記の効果に加えて、明るさを抑えることまたは装置の駆動周波数を小さくする
こと等の様々な手段によって、消費電力を低減された表示装置およびその駆動方法を得る
ことができる。さらに、高い駆動周波数が要求されない回路を使用すること、製造プロセ
スを簡単にすること等の様々な手段によって、製造コストが低減された表示装置およびそ
の駆動方法を得ることができる。

本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明の表示装置の一形態を説明する図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の周辺回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の周辺回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の周辺回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の周辺回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置のタイミングチャート。 本発明に係わる表示装置のタイミングチャート。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の周辺構成部材を説明する図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置のブロック図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の駆動方法を説明する図。 本発明に係わる表示装置の駆動方法を説明する図。 本発明に係わる表示装置の駆動方法を説明する図。 本発明に係わる表示装置の駆動方法を説明する図。 本発明に係わる表示装置の駆動方法を説明する図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図。 本発明に係わる表示装置の上面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図。 本発明に係わる表示装置の上面図。 本発明に係わる表示装置の上面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図と断面図。 本発明に係わる表示装置の断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図と断面図。 本発明に係わる表示装置のタイミングチャート。 本発明に係わる表示装置のタイミングチャート。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の回路構成を説明する図。 本発明に係わる表示装置の上面図と断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図と断面図。 本発明に係わる表示装置の上面図と断面図。 本発明に係わる表示装置の発光素子を説明する図。 本発明に係わる表示装置の製造装置を説明する図。 本発明に係わる表示装置の製造装置を説明する図。 本発明に係わる表示装置の発光素子を説明する図。 本発明に係わる表示装置の発光素子を説明する図。 本発明に係わる表示装置の構造を説明する図。 本発明に係わる表示装置の構造を説明する図。 本発明に係わる表示装置の構造を説明する図。 本発明に係わる表示装置の構造を説明する図。 本発明に係わる表示装置の構造を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明に係わる表示装置を用いた電子機器を説明する図。

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、本発明は多くの異なる
態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、それ
ぞれの実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態においては、表示装置に表示される画像の品質を向上する方法の一例につい
て説明する。

本実施の形態では、入力される画像データのフレームレート（１秒間あたりのフレームの
数：単位Ｈｚ）（入力フレームレートとも記す）は、表示のフレームレート（表示フレー
ムレートとも記す）と、必ずしも一致していなくてもよい。入力フレームレートと表示フ
レームレートが異なる場合は、画像データのフレームレートを変換する回路（フレームレ
ート変換回路）によって、入力フレームレートを表示フレームレートに合うように変換す
ることができる。こうすることによって、入力フレームレートと表示フレームレートが異
なっている場合でも、様々な表示フレームレートで表示を行なうことができる。

入力フレームレートが表示フレームレートよりも大きい場合、入力される画像データの一
部を破棄することで、様々な表示フレームレートに変換して表示を行なうことができる。
この場合は、表示フレームレートを小さくできるため、表示するための駆動回路の動作周
波数を小さくすることができ、消費電力を低減できる。一方、入力フレームレートが表示
フレームレートよりも小さい場合、入力される画像データの全部または一部を複数回表示
させる、入力される画像データから別の画像を生成する、入力される画像データとは関係
のない画像を生成する、等の手段を用いることで、様々な表示フレームレートに変換して
表示を行なうことができる。この場合は、表示フレームレートを大きくすることによって
、動画の品質を向上することができる。

本実施の形態においては、入力フレームレートが表示フレームレートよりも小さい場合の
フレームレート変換方法について詳細に説明する。なお、入力フレームレートが表示フレ
ームレートよりも大きい場合のフレームレート変換方法については、入力フレームレート
が表示フレームレートよりも小さい場合のフレームレート変換方法の逆の手順を実行する
ことによって実現することができる。

本実施の形態においては、入力フレームレートと同じフレームレートで表示される画像の
ことを基本画像と呼ぶこととする。一方、基本画像とは異なるフレームレートで表示され
る画像であって、入力フレームレートと表示フレームレートの整合を取るために表示され
る画像のことを、補間画像と呼ぶこととする。基本画像には、入力される画像データと同
じ画像を用いることができる。補間画像には、基本画像と同じ画像を用いることができる
。さらに、基本画像とは異なる画像を作成し、作成した画像を補間画像とすることもでき
る。

補間画像を作成する場合は、入力される画像データの時間的変化（画像の動き）を検出し
、これらの中間状態の画像を補間画像とする方法、基本画像の輝度にある係数をかけた画
像を補間画像とする方法、入力された画像データから、異なる複数の画像を作成し、当該
複数の画像を時間的に連続して提示する（当該複数の画像のうちの１つを基本画像とし、
残りを補間画像とする）ことで、入力された画像データに対応する画像が表示されたよう
に観察者に知覚させる方法、等がある。入力された画像データから異なる複数の画像を作
成する方法としては、入力された画像データのガンマ値を変換する方法、入力された画像
データに含まれる階調値を分割する方法、等がある。

なお、中間状態の画像（中間画像）とは、入力された画像データの時間的変化（画像の動
き）を検出し、検出された動きを内挿して求められた画像である。このような方法によっ
て中間画像を求めることを、動き補償と呼ぶこととする。

次に、フレームレート変換方法の具体例について説明する。この方法によれば、任意の有
理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換を実現することができる。ここで、ｎおよびｍは
１以上の整数とする。本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第１のステップ
と、第２のステップに分けて取り扱うことができる。ここで、第１のステップは、任意の
有理数（ｎ／ｍ）倍にフレームレート変換するステップである。ここでは、補間画像とし
て基本画像を用いてもよいし、動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いて
もよい。第２のステップは、入力された画像データまたは第１のステップにおいてフレー
ムレート変換された各々の画像から、異なる複数の画像（サブ画像）を作成し、当該複数
のサブ画像を時間的に連続して表示する方法を行なうためのステップである。第２のステ
ップによる方法を用いることによって、実際は複数の異なる画像を表示しているのにもか
かわらず、見た目上、元の画像が表示されたように人間の目に知覚させることもできる。

なお、本実施の形態におけるフレームレート変換方法は、第１のステップおよび第２のス
テップを両方用いてもよいし、第１のステップを省略して第２のステップのみ用いてもよ
いし、第２のステップを省略して第１のステップのみを用いてもよい。

まず、第１のステップとして、任意の有理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換について
説明する（図１３参照）。図１３は、横軸は時間であり、縦軸は様々なｎおよびｍについ
て場合分けを行なって示したものである。図１３内の図形は、表示される画像の模式図を
表しており、その横位置によって表示されるタイミングを表している。さらに、図形内に
表示した点によって、画像の動きを模式的に表しているものとする。ただし、これは説明
のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。この方法は、様々な画像に対
して適用することができる。

期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。入力画像データの周期は、入力フレ
ームレートに対応している。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚの場合は、入力画
像データの周期は１／６０秒である。同様に、入力フレームレートが５０Ｈｚであれば、
入力画像データの周期は１／５０秒である。このように、入力画像データの周期（単位：
秒）は入力フレームレート（単位：Ｈｚ）の逆数となる。なお、入力フレームレートは様
々なものを用いることができる。たとえば、２４Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、７０Ｈｚ、
４８Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１４０Ｈｚ、等を挙げることができる。ここで、２
４Ｈｚはフィルム映画等に用いられるフレームレートである。５０Ｈｚは、ＰＡＬ規格の
映像信号等に用いられるフレームレートである。６０Ｈｚは、ＮＴＳＣ規格の映像信号等
に用いられるフレームレートである。７０Ｈｚは、パーソナルコンピュータのディスプレ
イ入力信号等に用いられるフレームレートである。４８Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ、
１４０Ｈｚ、は、これらの２倍のフレームレートである。なお、２倍に限らず、様々な倍
数のフレームレートであってもよい。このように、本実施の形態に示す方法によれば、様
々な規格の入力信号に対してフレームレートの変換を実現することができる。

第１のステップにおける任意の有理数（ｎ／ｍ）倍のフレームレート変換の手順は、以下
のとおりである。
手順１として、第１の基本画像に対する第ｋの補間画像（ｋは１以上の整数；初期値は１
）の表示タイミングを決定する。第ｋの補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が
表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍した期間が経過した時点である
とする。
手順２として、第ｋの補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が、整
数であるかどうかを判別する。整数であった場合は、第ｋの補間画像の表示タイミングに
おいて第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。整数で
なかった場合は、手順３に進む。手順３として、第ｋの補間画像として用いる画像を決定
する。具体的には、第ｋの補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）を
、ｘ＋ｙ／ｎの形に変換する。ここで、ｘおよびｙは整数であり、ｙはｎよりも小さい数
であるとする。そして、第ｋの補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は
、第ｋの補間画像は、第（ｘ＋１）の基本画像から第（ｘ＋２）の基本画像までの画像の
動きを（ｙ／ｎ）倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第ｋの補間画
像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）の基本画像を用いることができる。
なお、画像の動きを（ｙ／ｎ）倍した動きに相当する画像として中間画像を求める方法に
ついては、別の部分で詳細に述べる。手順４として、対象とする補間画像を次の補間画像
に移す。具体的には、ｋの値を１増加させ、手順１に戻る。

次に、第１のステップにおける手順において、ｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説
明する。

なお、第１のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第１のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境（温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等）、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第１のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が可能となる。

ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１（図１３のｎ＝１，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第１の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が１である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は基
本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１倍であることを特徴とする。

具体的な表現としては、変換比が１（ｎ／ｍ＝１）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、を、入力画像データの周
期と等倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第
ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉ＋１の画像デー
タにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が１である場合は、フレームレート変換回路を省略することができるため
、製造コストを低減できるという利点を有する。さらに、変換比が１である場合は、変換
比が１より小さい場合よりも動画の品質を向上できるという利点を有する。さらに、変換
比が１である場合は、変換比が１より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。

ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が２（図１３のｎ＝２，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１／２倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１／２であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数１／２をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数１／２の場合は、ｘ＝０，ｙ＝１である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／２倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第２の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ
＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力
画像データの周期の１／２倍であることを特徴とする。

具体的な表現としては、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、を、
入力画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前
記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／２倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が２（ｎ／ｍ＝２）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、を、入力画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法で
あって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１
の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第
ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

具体的には、変換比が２である場合は、２倍速駆動、または単に倍速駆動とも呼ばれる。
たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１２０Ｈｚ（
１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を２回連続して表示す
ることになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は
、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可
能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
特に顕著な画質改善効果をもたらす。これは、液晶素子の静電容量が印加電圧によって変
動してしまう、いわゆるダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題に関
係する。すなわち、表示フレームレートを入力フレームレートよりも大きくすることによ
って、画像データの書き込み動作の頻度を大きくできるので、ダイナミックキャパシタン
スによる書き込み電圧不足に起因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することがで
きる。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的であ
る。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をそ
の整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等
）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる。

ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が３（図１３のｎ＝３，ｍ＝１の箇所）の場
合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１では
、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間画像
の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ（ｍ
／ｎ）倍すなわち１／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数１／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数１／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝１である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち２／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第２の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数２／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数２／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝２である。そして、第２の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第２の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち２／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第２
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第２の補間画像の表示タイミングと、第２の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第２の補
間画像から第３の補間画像へ移す。すなわち、ｋを２から３に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝３のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第３の補間画像の表示タイミングを
決定する。第３の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち１倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第３の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は１であるので、整数であ
る。したがって、第３の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第２の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ
＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は基本
画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１／３倍であることを特徴とする
。

具体的な表現としては、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｉ（ｉは正の整数）
の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次
入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ
＋３の画像と、を、入力画像データの周期の１／３倍の間隔で順次表示する表示装置の駆
動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記
第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１
／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前
記第ｉの画像から前記第ｉ＋１の画像までの動きを２／３倍した動きに相当する画像デー
タにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがっ
て表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が３（ｎ／ｍ＝３）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期の１／３倍の間隔で順次表示する表
示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示
され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋
２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記
第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が３である場合は、変換比が３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が３である場合は、変換比が３より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が３である場合は、３倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）であ
る。そして、ひとつの入力画像に対し、画像を３回連続して表示することになる。このと
き、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。さらに、表
示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシ
タンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に
対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１８０Ｈｚ
駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１８０Ｈ
ｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、４５Ｈｚ、９
０Ｈｚ、１８０Ｈｚ、３６０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリ
ッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が３／２（図１３のｎ＝３，ｍ＝２の箇所）
の場合は、第１のステップにおける動作は次のようになる。まず、ｋ＝１のとき、手順１
では、第１の基本画像に対する第１の補間画像の表示タイミングを決定する。第１の補間
画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力画像データの周期をｋ
（ｍ／ｎ）倍すなわち２／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第１の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第１の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数２／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数２／３の場合は、ｘ＝０，ｙ＝２である。そして、第１の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第１の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第１の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第２の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち２／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第１
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第１の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第１の補間画像の表示タイミングと、第１の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第１の補
間画像から第２の補間画像へ移す。すなわち、ｋを１から２に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝２のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第２の補間画像の表示タイミングを
決定する。第２の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち４／３倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第２の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は４／３であるので、整数
ではない。したがって、手順３に進む。

手順３では、第２の補間画像として用いる画像を決定する。そのために、係数４／３をｘ
＋ｙ／ｎの形に変換する。係数４／３の場合は、ｘ＝１，ｙ＝１である。そして、第２の
補間画像を動き補償によって求めた中間画像とする場合は、第２の補間画像は、第（ｘ＋
１）すなわち第２の基本画像から第（ｘ＋２）すなわち第３の基本画像までの画像の動き
をｙ／ｎ倍すなわち１／３倍した動きに相当する画像として求めた中間画像とする。第２
の補間画像を基本画像と同じ画像とする場合は、第（ｘ＋１）すなわち第２の基本画像を
用いることができる。

ここまでの手順により、第２の補間画像の表示タイミングと、第２の補間画像として表示
する画像を決定することができた。次に、手順４では、対象とする補間画像を、第２の補
間画像から第３の補間画像へ移す。すなわち、ｋを２から３に変更し、手順１に戻る。

ｋ＝３のとき、手順１では、第１の基本画像に対する第３の補間画像の表示タイミングを
決定する。第３の補間画像の表示タイミングは、第１の基本画像が表示されてから、入力
画像データの周期をｋ（ｍ／ｎ）倍すなわち２倍した期間が経過した時点である。

次に、手順２では、第３の補間画像の表示タイミングの決定に用いた係数ｋ（ｍ／ｎ）が
、整数であるかどうかを判別する。ここで、係数ｋ（ｍ／ｎ）は２であるので、整数であ
る。したがって、第３の補間画像の表示タイミングにおいては第（ｋ（ｍ／ｎ）＋１）す
なわち第３の基本画像を表示し、第１のステップを終了する。

すなわち、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第ｋの画像は基本画像であ
り、第ｋ＋１の画像は補間画像であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画
像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の２／３倍であることを特
徴とする。

具体的な表現としては、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第ｉ（ｉは正
の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、が、入力
画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１
の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期の２／３倍
の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像
データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第
ｉ＋１の画像データまでの動きを２／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表
示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像から前記第ｉ＋２の画像までの動き
を１／３倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は
、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が３／２（ｎ／ｍ＝３／２）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と
、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、を、入力画像データの周期
の２／３倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記
第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データ
にしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがって
表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されるこ
とを特徴とする。

ここで、変換比が３／２である場合は、変換比が３／２より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が３／２である場合は、変換比が３／
２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が３／２である場合は、３／２倍速駆動または１．５倍速駆動とも呼
ばれる。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは９０
Ｈｚ（９０Ｈｚ駆動）である。そして、２つの入力画像に対し、画像を３回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆
動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作
周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減でき
る。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナ
ミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、
残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆
動と９０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波
数を９０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３
０Ｈｚ、４５Ｈｚ、９０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現
れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

上記以外の正の整数ｎおよびｍについては手順の詳細は省略するが、第１のステップにお
けるフレームレート変換の手順にしたがうことで、変換比は任意の有理数（ｎ／ｍ）とし
て設定することができる。なお、正の整数ｎおよびｍの組み合わせのうち、変換比（ｎ／
ｍ）が約分できる組み合わせについては、約分した後の変換比と同様に取り扱うことがで
きる。

たとえば、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が４（図１３のｎ＝４，ｍ＝１の
箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像であり、第ｋ
＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４の画像は基本
画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の１／４倍であることを特徴とする
。

さらに具体的な表現としては、変換比が４（ｎ／ｍ＝４）である場合は、第ｉ（ｉは正の
整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期
で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と
、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の１／４倍の間隔で
順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データに
したがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の
画像データまでの動きを１／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動き
を１／２倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は
、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを３／４倍した動きに
相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像
データにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が４（ｎ／ｍ＝４）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の１／４倍の間
隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像デー
タにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表
示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ
＋３の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前
記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が４である場合は、変換比が４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が４である場合は、変換比が４より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が４である場合は、４倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）であ
る。そして、１つの入力画像に対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、１２０
Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、４０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。

さらに、たとえば、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が４／３（図１３のｎ＝
４，ｍ＝３の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像
であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４
の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像データの周期の３／４倍であること
を特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が４／３（ｎ／ｍ＝４／３）である場合は、第ｉ（
ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、第
ｉ＋３の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋ
は正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ
＋４の画像と、を、入力画像データの周期の３／４倍の間隔で順次表示する表示装置の駆
動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記
第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを３
／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前
記第ｉ＋１の画像から前記第ｉ＋２の画像までの動きを１／２倍した動きに相当する画像
データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋２の画像から前記第ｉ
＋３の画像までの動きを１／４倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋３の画像データにしたがって表示されることを特徴と
する。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が４／３（ｎ／ｍ＝４／３）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、第ｉ＋３の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ
（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、
第ｋ＋４の画像と、を、入力画像データの周期の３／４倍の間隔で順次表示する表示装置
の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、
前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画
像は、前記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第
ｉ＋２の画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋３の画像
データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が４／３である場合は、変換比が４／３より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が４／３である場合は、変換比が４／
３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が４／３である場合は、４／３倍速駆動または１．２５倍速駆動とも
呼ばれる。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは８
０Ｈｚ（８０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力画像に対し、画像を４回連続して表
示することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場
合は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させること
が可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の
駆動周波数の大きな駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動
作周波数を低減できるため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減で
きる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイ
ナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き
、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流
駆動と８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周
波数を８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、
４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によっ
て現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

さらに、たとえば、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が５（図１３のｎ＝５，
ｍ＝１の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像であ
り、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４の画
像は補間画像であり、第ｋ＋５の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像デー
タの周期の１／５倍であることを特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が５（ｎ／ｍ＝５）である場合は、第ｉ（ｉは正の
整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の周期
で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と
、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の画像と、を、入力画像データの周期
の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、前記
第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データ
から前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／５倍した動きに相当する画像データにし
たがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画
像データまでの動きを２／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前
記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを
３／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを４／５倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が５（ｎ／ｍ＝５）である場合は、第ｉ（ｉは
正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、入力画像データとして一定の
周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画
像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の画像と、を、入力画像データの
周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前記第ｋの画像は、
前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像デ
ータにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって
表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第
ｋ＋４の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、
前記第ｉ＋１の画像データにしたがって表示されることを特徴とする。

ここで、変換比が５である場合は、変換比が５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
きるという利点を有する。さらに、変換比が５である場合は、変換比が５より大きい場合
よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が５である場合は、５倍速駆動とも呼ばれる。たとえば、入力フレー
ムレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）であ
る。そして、１つの入力画像に対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき
、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。特に、１２０
Ｈｚ駆動（倍速駆動）、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法
と比較すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用い
ることができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に
向上させることが可能である。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。

さらに、たとえば、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が５／２（図１３のｎ＝
５，ｍ＝２の箇所）の場合は、第ｋの画像は基本画像であり、第ｋ＋１の画像は補間画像
であり、第ｋ＋２の画像は補間画像であり、第ｋ＋３の画像は補間画像であり、第ｋ＋４
の画像は補間画像であり、第ｋ＋５の画像は基本画像であり、画像表示周期は、入力画像
データの周期の１／５倍であることを特徴とする。

さらに具体的な表現としては、変換比が５／２（ｎ／ｍ＝５／２）である場合は、第ｉ（
ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと、が
、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第
ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋５の
画像と、を、入力画像データの周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法
であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋
１の画像は、前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを２／５倍
した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ
の画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを４／５倍した動きに相当する画
像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画像データから
前記第ｉ＋２の画像データまでの動きを１／５倍した動きに相当する画像データにしたが
って表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像データから前記第ｉ＋２の画
像データまでの動きを３／５倍した動きに相当する画像データにしたがって表示され、前
記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示されることを特徴とす
る。

さらに別の具体的な表現としては、変換比が５／２（ｎ／ｍ＝５／２）である場合は、第
ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、第ｉ＋２の画像データと
、が、入力画像データとして一定の周期で順次入力され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と
、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、第ｋ＋３の画像と、第ｋ＋４の画像と、第ｋ＋
５の画像と、を、入力画像データの周期の１／５倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動
方法であって、前記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第
ｋ＋１の画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、
前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋３の画像は、前記第ｉ＋１の画
像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋４の画像は、前記第ｉ＋１の画像データにし
たがって表示され、前記第ｋ＋５の画像は、前記第ｉ＋２の画像データにしたがって表示
されることを特徴とする。

ここで、変換比が５／２である場合は、変換比が５／２より小さい場合よりも動画の品質
を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が５／２である場合は、変換比が５よ
り大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。

具体的には、変換比が５である場合は、５／２倍速駆動または２．５倍速駆動とも呼ばれ
る。たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレートは１５０Ｈ
ｚ（１５０Ｈｚ駆動）である。そして、２つの入力画像に対し、画像を５回連続して表示
することになる。このとき、補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合
は、動画の動きを滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが
可能である。特に、１２０Ｈｚ駆動（倍速駆動）等の駆動周波数の小さな駆動方法と比較
すると、さらに精度の高い動き補償によって求めた中間画像を補間画像として用いること
ができるため、さらに動画の動きを滑らかにすることができ、動画の品質を顕著に向上さ
せることが可能である。さらに、１８０Ｈｚ駆動（３倍速駆動）等の駆動周波数の大きな
駆動方法と比較すると、動き補償によって中間画像を求める回路の動作周波数を低減でき
るため、安価な回路が使用でき、製造コストおよび消費電力を低減できる。さらに、表示
装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタ
ンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対
し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１５０Ｈｚ駆
動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１５０Ｈｚ
としつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０
Ｈｚ、７５Ｈｚ、１５０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカ
を、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。

このように、正の整数ｎおよびｍを様々に設定することによって、変換比は任意の有理数
（ｎ／ｍ）として設定することができる。詳細な説明は省略するが、ｎが１０以下の範囲
では、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１（１倍速駆動、６０Ｈｚ）、ｎ＝
２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝２（２倍速駆動、１２０Ｈｚ）、ｎ＝３，ｍ＝
１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝３（３倍速駆動、１８０Ｈｚ）、ｎ＝３，ｍ＝２、すな
わち変換比（ｎ／ｍ）＝３／２（３／２倍速駆動、９０Ｈｚ）、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわ
ち変換比（ｎ／ｍ）＝４（４倍速駆動、２４０Ｈｚ）、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比
（ｎ／ｍ）＝４／３（４／３倍速駆動、８０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（
ｎ／ｍ）＝５／１（５倍速駆動、３００Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／
ｍ）＝５／２（５／２倍速駆動、１５０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／
ｍ）＝５／３（５／３倍速駆動、１００Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／
ｍ）＝５／４（５／４倍速駆動、７５Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）＝６（６倍速駆動、３６０Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／
５（６／５倍速駆動、７２Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（７
倍速駆動、４２０Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７／２
倍速駆動、２１０Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（７／３
倍速駆動、１４０Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／４
倍速駆動、１０５Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（７／５
倍速駆動、８４Ｈｚ）、ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／６倍
速駆動、７０Ｈｚ）、ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（８倍速駆動、４
８０Ｈｚ）、ｎ＝８，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（８／３倍速駆動、１
６０Ｈｚ）、ｎ＝８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（８／５倍速駆動、９
６Ｈｚ）、ｎ＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（８／７倍速駆動、６８
．６Ｈｚ）、ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（９倍速駆動、５４０Ｈｚ
）、ｎ＝９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ
）、ｎ＝９，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ
）、ｎ＝９，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（９／５倍速駆動、１０８Ｈｚ
）、ｎ＝９，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（９／７倍速駆動、７７．１Ｈ
ｚ）、ｎ＝９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／８倍速駆動、６７．５
Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（１０倍速駆動、６００Ｈ
ｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（１０／３倍速駆動、２
００Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（１０／７倍速駆
動、８５．７Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（１０／
９倍速駆動、６６．７Ｈｚ）、以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入
力フレームレートが６０Ｈｚであるときの例であり、その他の入力フレームレートに対し
ては、それぞれの変換比を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第１のステップにおけるフレームレート変換の
手順が適用できることは明らかである。

なお、表示される画像のうち、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示で
きる画像がどの程度含まれているかによって、変換比を決定することができる。具体的に
は、ｍが小さいほど、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像
の割合は大きくなる。動き補償を行なう頻度が小さいと、動き補償を行なう回路の動作頻
度を減少させることができるため、消費電力を小さくでき、さらに、動き補償によってエ
ラーが含まれる画像（画像の動きを正確に反映していない中間画像）が作成されてしまう
可能性を低くすることができるため、画像の品質を向上させることができる。このような
変換比としては、ｎが１０以下の範囲においては、たとえば、１，２，３，３／２，４，
５，５／２，６，７，７／２，８，９，９／２，１０が挙げられる。このような変換比を
用いると、特に補間画像として動き補償によって求められた中間画像を用いる場合におい
て、画像の品質を高くすることができ、かつ、消費電力を低減することができる。なぜな
らば、ｍが２である場合は、入力される画像データに動き補償を行なうことなく表示でき
る画像の数が比較的多く（入力される画像データの総数に対して１／２だけ存在する）、
動き補償を行う頻度が減少するためである。さらに、ｍが１である場合は、入力される画
像データに動き補償を行なうことなく表示できる画像の数が多く（入力される画像データ
の総数に等しい）、動き補償を行うことがないためである。一方、ｍは大きいほど、精度
の高い動き補償によって作成された中間画像を用いることができるので、画像の動きをよ
り滑らかにできるという利点を有する。

なお、表示装置が液晶表示装置である場合は、液晶素子の応答時間にしたがって変換比を
決定することができる。ここでは、液晶素子の応答時間とは、液晶素子に印加する電圧を
変化させてから液晶素子が応答するまでの時間である。液晶素子の応答時間が、液晶素子
に印加する電圧の変化量によって異なる場合は、複数の代表的な電圧変化における応答時
間の平均値とすることができる。または、液晶素子の応答時間は、ＭＰＲＴ（Ｍｏｖｉｎ
ｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｔｉｍｅ）で定義されるものであってもよい。
そして、フレームレート変換によって、画像表示周期が液晶素子の応答時間に近くなるよ
うに、変換比を決定できる。具体的には、液晶素子の応答時間は、入力画像データの周期
と変換比の逆数を積算した値から、この値の半分程度の値までの時間であることが好まし
い。こうすることで、液晶素子の応答時間に合った画像表示周期とすることができるので
、画質を向上することができる。たとえば、液晶素子の応答時間が４ミリ秒以上８ミリ秒
以下の場合に、倍速駆動（１２０Ｈｚ駆動）とすることができる。これは、１２０Ｈｚ駆
動の画像表示周期が約８ミリ秒であり、１２０Ｈｚ駆動の画像表示周期の半分が約４ミリ
秒であることによる。同様に、たとえば、液晶素子の応答時間が３ミリ秒以上６ミリ秒以
下の場合に、３倍速駆動（１８０Ｈｚ駆動）とすることができ、液晶素子の応答時間が５
ミリ秒以上１１ミリ秒以下の場合に、１．５倍速駆動（９０Ｈｚ駆動）とすることができ
、液晶素子の応答時間が２ミリ秒以上４ミリ秒以下の場合に、４倍速駆動（２４０Ｈｚ駆
動）とすることができ、液晶素子の応答時間が６ミリ秒以上１２ミリ秒以下の場合に、１
．２５倍速駆動（８０Ｈｚ駆動）とすることができる。なお、他の駆動周波数についても
同様である。

なお、変換比は、動画の品質と、消費電力および製造コストのトレードオフによっても決
定することができる。つまり、変換比を大きくすることによって動画の品質を上げること
ができる一方で、変換比を小さくすることによって消費電力および製造コストを低減でき
る。すなわち、ｎが１０以下の範囲における各々の変換比は、以下のような利点を有する
。

変換比が１である場合は、変換比が１より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が１より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上す
ることができる。

変換比が２である場合は、変換比が２より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が３である場合は、変換比が３より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／３倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が３／２である場合は、変換比が３／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が３／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／３倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が４である場合は、変換比が４より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が４／３である場合は、変換比が４／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が４／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が５である場合は、変換比が５より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が５／２である場合は、変換比が５／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／５倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が５／３である場合は、変換比が５／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が５／４である場合は、変換比が５／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が５／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が６である場合は、変換比が６より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が６より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が６／５である場合は、変換比が６／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が６／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７である場合は、変換比が７より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が７／２である場合は、変換比が７／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／７倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が７／３である場合は、変換比が７／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／４である場合は、変換比が７／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／５である場合は、変換比が７／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が７／６である場合は、変換比が７／６より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が７／６より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の６／７倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８である場合は、変換比が８より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が８より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が８／３である場合は、変換比が８／３より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の３／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８／５である場合は、変換比が８／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が８／７である場合は、変換比が８／７より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が８／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の７／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９である場合は、変換比が９より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、変換
比が９より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍが小さ
いので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応答時間
が入力画像データの周期の１／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

変換比が９／２である場合は、変換比が９／２より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／２より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素
子の応答時間が入力画像データの周期の２／９倍程度である液晶表示装置に適用すること
で、画質を向上することができる。

変換比が９／４である場合は、変換比が９／４より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／４より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の４／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／５である場合は、変換比が９／５より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／５より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の５／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／７である場合は、変換比が９／７より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の７／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が９／８である場合は、変換比が９／８より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、変換比が９／８より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さら
に、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の８／９倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

変換比が１０である場合は、変換比が１０より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、
変換比が１０より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、ｍ
が小さいので、高い画質を得られる一方で消費電力を低減できる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、
画質を向上することができる。

変換比が１０／３である場合は、変換比が１０／３より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の３／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

変換比が１０／７である場合は、変換比が１０／７より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／７より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の７／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

変換比が１０／９である場合は、変換比が１０／９より小さい場合よりも動画の品質を向
上でき、変換比が１０／９より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる
。さらに、ｍが大きいので、画像の動きをより滑らかにできる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の９／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

なお、ｎが１０より大きい範囲における各々の変換比においても、同様な利点を有するの
は明らかである。

次に、第２のステップとして、入力された画像データにしたがった画像または第１のステ
ップにおいて任意の有理数（ｎ／ｍ）倍にフレームレート変換された各々の画像（元画像
と呼ぶこととする）から、異なる複数の画像（サブ画像）を作成し、当該複数のサブ画像
を時間的に連続して提示する方法について説明する。こうすることによって、実際は複数
の画像を提示しているのにもかかわらず、見た目上、１つの元画像が表示されたように人
間の目に知覚させることもできる。

なお、ここでは、１つの元画像から作成されたサブ画像のうち、先に表示されるサブ画像
を、第１のサブ画像と呼ぶこととする。ここで、第１のサブ画像を表示するタイミングは
、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同じであるとする。一方、
その後に表示されるサブ画像を、第２のサブ画像と呼ぶこととする。第２のサブ画像を表
示するタイミングは、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングに関わら
ず、任意に決めることができる。なお、実際に表示させる画像は、第２のステップにおけ
る方法により元画像から作成された画像である。なお、サブ画像を作成するための元画像
も、様々な画像を用いることができる。なお、サブ画像の数は２つに限定されず、２つよ
り大きくてもよい。第２のステップにおいては、サブ画像の数をＪ個（Ｊは２以上の整数
）と表記する。このとき、第１のステップで決められた元画像を表示するタイミングと同
じタイミングで表示されるサブ画像を、第１のサブ画像と呼び、それ以降に続いて表示さ
れるサブ画像を、表示される順番にしたがって第２のサブ画像、第３のサブ画像〜第Ｊの
サブ画像、と呼ぶこととする。

１つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法としては、様々なものがあるが、主なも
のとしては次のような方法を挙げることができる。１つは、元画像をそのままサブ画像と
して用いる方法である。１つは、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法である
。１つは、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法である。

ここで、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法は、さらに複数の方法に分ける
ことができる。主なものとしては次のような方法を挙げることができる。１つは、少なく
とも１つのサブ画像を黒画像とする方法（黒挿入法と呼ぶこととする）である。１つは、
元画像の明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全て
のサブ画像のうち唯１つのサブ画像によって行なう方法（時分割階調制御法と呼ぶことと
する）である。１つは、一方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した明るい画像とし
、他方のサブ画像を、元画像のガンマ値を変更した暗い画像とする方法（ガンマ補完法と
呼ぶこととする）である。

上に挙げたいくつかの方法を、それぞれ簡単に説明する。元画像をそのままサブ画像とし
て用いる方法は、第１のサブ画像として、元画像をそのまま用いる。さらに、第２のサブ
画像として、元画像をそのまま用いる。この方法を用いると、サブ画像を新たに作成する
回路を動作させることがない、または当該回路そのものを用いる必要がなくなるため、消
費電力および製造コストを低減することができる。特に、液晶表示装置においては、第１
のステップにおいて、動き補償によって求めた中間画像を補間画像としたフレームレート
変換を行なった後にこの方法を用いることが好ましい。なぜならば、動き補償によって求
めた中間画像を補間画像とすることで、動画の動きを滑らかにしつつ、同じ画像を繰り返
し表示することで、液晶素子のダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足に起
因する、動画の尾引き、残像等の障害を低減することができるからである。

次に、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法における、画像の明るさおよびサ
ブ画像が表示される期間の長さの設定方法について詳細に説明する。なお、Ｊはサブ画像
の数を表し、２以上の整数であるとする。小文字のｊは大文字のＪとは区別される。ｊは
１以上Ｊ以下の整数であるとする。通常のホールド駆動における画素の明るさをＬ、元画
像データの周期をＴ、第ｊのサブ画像における画素の明るさをＬ_ｊ、第ｊのサブ画像が表
示される期間の長さをＴ_ｊ、とすると、以下の式が成り立つように、Ｌ_ｊおよびＴ_ｊを設
定するのが好ましい。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法は、少なくとも１つの
サブ画像を黒画像とする方法である。こうすることによって、表示方法を擬似的にインパ
ルス型とすることができるため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質
の低下を防ぐことができる。ここで、黒画像の挿入に伴う、表示画像の明るさの低下を防
ぐために、数式１および数式２の条件に従うことが好ましい。しかし、表示画像の明るさ
の低下が許容できるような状況（周囲が暗い等）である場合、ユーザによって表示画像の
明るさの低下が許容する設定になっている場合などであれば、数式１および数式２の条件
に従わなくてもよい。たとえば、１つのサブ画像は元画像と同じものとし、他のサブ画像
を黒画像としてもよい。この場合は、数式１および数式２の条件にしたがったときと比べ
て、消費電力を低減できる。さらに、液晶表示装置においては、一方のサブ画像を、明る
さの最大値に制限をつけずに元画像の全体的な明るさを大きくしたものとするとき、バッ
クライトの明るさを大きくすることで、数式１および数式２の条件を実現してもよい。こ
の場合は、画素に書き込む電圧値を制御することなく、数式１および数式２の条件を満足
することができるため、画像処理回路の動作を省略でき、消費電力を低減できる。

なお、黒挿入法は、いずれか１つのサブ画像において、全ての画素のＬ_ｊを０とすること
を特徴とする。こうすることにより、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができ
るため、表示方法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができ
る。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法は、元画像の
明るさを複数の範囲に分割し、当該範囲における明るさを制御するときは、全てのサブ画
像のうち唯１つのサブ画像によって行なう方法である。こうすることによって、明るさを
低下させることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方
法がホールド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。

元画像の明るさを複数の範囲に分割する方法としては、明るさの最大値（Ｌ_ｍａｘ）を、
サブ画像の数だけ分割する方法がある。これは、たとえば、０からＬ_ｍａｘまでの明るさ
が２５６段階（階調０から階調２５５）で調節できる表示装置において、サブ画像の数を
２としたとき、階調０から階調１２７までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを
階調０から階調２５５の範囲で調節する一方で、他方のサブ画像の明るさを階調０とし、
階調１２８から階調２５５までを表示するときは、一方のサブ画像の明るさを階調２５５
とする一方で、他方のサブ画像の明るさを階調０から階調２５５の範囲で調節する方法で
ある。こうすることによって、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることがで
き、かつ、擬似的にインパルス型とすることができるので、ホールド型であることに起因
する動画の品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は２より大きくてもよい
。たとえば、サブ画像の数を３としたときは、元画像の明るさの段階（階調０から階調２
５５）を、３つに分割する。なお、元画像の明るさの段階の数とサブ画像の数によっては
、明るさの段階の数がサブ画像の数で割り切れない場合もあるが、分割後のそれぞれの明
るさの範囲に含まれる明るさの段階の数は、ちょうど同じでなくても、適宜振り分ければ
よい。

なお、時分割階調制御法においても、数式１および数式２に示した関係を満たすことによ
って、明るさの低下などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、
好ましい。

元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法は、一方のサブ画
像を、元画像のガンマ特性を変更した明るい画像とし、他方のサブ画像を、元画像のガン
マ特性を変更した暗い画像とする方法である。こうすることによって、明るさを低下させ
ることなく、表示方法を擬似的にインパルス型とすることができるため、表示方法がホー
ルド型であることに起因する動画の品質の低下を防ぐことができる。ここで、ガンマ特性
とは、明るさの段階（階調）に対する明るさの程度のことである。通常、ガンマ特性は線
形に近くなるように調整される。これは、明るさの段階である階調に対する明るさの変化
が比例するようにすれば、滑らかな階調を得ることができるからである。ガンマ補完法で
は、一方のサブ画像のガンマ特性を線形からずらして、中間の明るさ（中間調）の領域に
おいて、線形よりも明るくなるように調整する（中間調が本来よりも明るい画像となる）
。そして、他方のサブ画像のガンマ特性も線形からずらして、同じく中間調の領域におい
て、線形よりも暗くなるように調整する（中間調が本来よりも暗い画像となる）。ここで
、一方のサブ画像を線形より明るくした量と、他方のサブ画像を線形より暗くした量を、
全ての階調において概等しくすることが好ましい。こうすることで、元画像が表示された
ように人間の目に知覚させることができ、かつ、ホールド型であることに起因する動画の
品質の低下を防ぐことができる。なお、サブ画像の数は２より大きくてもよい。たとえば
、サブ画像の数を３としたときは、３つのサブ画像について、それぞれガンマ特性を調整
し、線形から明るくした量の合計と、線形から暗くした量の合計が概等しくなるようにす
ればよい。

なお、ガンマ補完法においても、数式１および数式２に示した関係を満たすことによって
、明るさの低下などがおこらず、元画像と同様な画像を表示することができるため、好ま
しい。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊ
の変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑ら
かに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する
。

動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法は、一方のサブ画像を、前
後の画像から動き補償によって求めた中間画像とする方法である。こうすることで、画像
の動きを滑らかにすることができるので、動画の品質を向上できる。

次に、サブ画像を表示するタイミングと、サブ画像を作成する方法との関係について説明
する。第１のサブ画像を表示するタイミングは、第１のステップで決められた元画像を表
示するタイミングと同じであり、第２のサブ画像を表示するタイミングは、第１のステッ
プで決められた元画像を表示するタイミングに関わらず、任意に決めることができるとし
たが、第２のサブ画像を表示するタイミングにしたがって、サブ画像自体を変化させても
よい。こうすることで、第２のサブ画像を表示するタイミングを様々に変化させたとして
も、元画像が表示されたように人間の目に知覚させることができる。具体的には、第２の
サブ画像を表示するタイミングを早くした場合は、第１のサブ画像はより明るくし、第２
のサブ画像はより暗くすることができる。さらに、第２のサブ画像を表示するタイミング
を遅くした場合は、第１のサブ画像はより暗くし、第２のサブ画像はより明るくすること
ができる。これは、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間の長さによって変
わるためである。より詳細には、人間の目が知覚する明るさは、画像を表示する期間が長
いほど明るくなり、画像を表示する期間が短いほど暗くなる。すなわち、第２のサブ画像
を表示するタイミングを早くすることによって、第１のサブ画像を表示する期間の長さが
短くなり、第２のサブ画像を表示する期間の長さが長くなるため、そのままでは第１のサ
ブ画像は暗く、第２のサブ画像は明るく、人間の目に知覚されてしまう。その結果、元画
像とは異なる画像が人間の目に知覚されてしまうことになるが、これを防ぐために、第１
のサブ画像はより明るくし、第２のサブ画像はより暗くすることができる。同様に、第２
のサブ画像を表示するタイミングを遅くすることによって、第１のサブ画像を表示する期
間の長さが長くなり、第２のサブ画像を表示する期間の長さが短くなる場合は、第１のサ
ブ画像はより暗くし、第２のサブ画像はより明るくすることができる。

上記の説明に基づいて、第２のステップにおける処理手順を、以下に示す。
手順１として、１つの元画像から複数のサブ画像を作成する方法を決定する。より詳細に
は、複数のサブ画像を作成する方法は、元画像をそのままサブ画像として用いる方法、元
画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法、動き補償によって求めた中間画像をサブ
画像として用いる方法、から選択することができる。
手順２として、サブ画像の数Ｊを決定する。なお、Ｊは２以上の整数である。
手順３として、第ｊのサブ画像における画素の明るさＬ_ｊ、第ｊのサブ画像が表示される
期間の長さＴ_ｊを、手順１で選択した方法にしたがって決定する。手順３により、それぞ
れのサブ画像が表示される期間の長さと、それぞれのサブ画像に含まれる個々の画素の明
るさが具体的に決められる。
手順４として、手順１乃至手順３のそれぞれで決定された事項にしたがって、元画像を処
理し、実際に表示する。
手順５として、対象とする元画像を次の元画像に移す。そして、手順１に戻る。

なお、第２のステップにおける手順を実行する仕組みは、装置に実装されたものであって
もよいし、装置の設計段階であらかじめ決められたものであってもよい。第２のステップ
における手順を実行する仕組みが装置に実装されていれば、状況に応じた最適な動作が行
われるように、駆動方法を切り替えることが可能となる。なお、ここでいう状況とは、画
像データの内容、装置内外の環境（温度、湿度、気圧、光、音、磁界、電界、放射線量、
高度、加速度、移動速度、等）、ユーザ設定、ソフトウエアバージョン、等を含む。一方
、第２のステップにおける手順を実行する仕組みが装置の設計段階であらかじめ決められ
たものであれば、それぞれの駆動方法に最適な駆動回路を用いることができ、さらに、仕
組みが決められていることによって、量産効果による製造コストの低減が期待できる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる様々な駆動方法を、それぞれ、第
１のステップにおけるｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説明する。

第２のステップにおける手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、数式１および数式２
にしたがった関係とする表示装置の駆動方法であって、全てのｊにおいて、第ｊのサブ画
像に含まれるそれぞれの画素の明るさＬ_ｊが、それぞれの画素に対しＬ_ｊ＝Ｌであること
を特徴とする。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステ
ップにおいて作成された元画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップ
の説明で挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図１４に示すよう
なものとなる。図１４において、横軸は時間であり、縦軸は第１のステップにおいて用い
た様々なｎおよびｍについて場合分けを行なって示したものである。

たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１で
あるときは、図１４のｎ＝１，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの２倍（２倍速駆動）となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレート
は１２０Ｈｚ（１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を２回連続して表示することになる。ここで、２倍速駆動である場合は、フレーム
レートが２倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、２倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、
元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によっ
て中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することがで
きるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置
がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンス
による書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特
に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を
組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとし
つつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ
、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを
、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が
入力画像データの周期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が２であるときは、図１４のｎ＝２，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの４倍（４倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、４倍速
駆動である場合は、フレームレートが４倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、４倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／４倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの６倍（６倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは３６０Ｈｚ（３６０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を６回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、６倍速
駆動である場合は、フレームレートが６倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、６倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と３６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を３６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／６倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３／２であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの３倍（３倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を３回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、３
倍速駆動である場合は、フレームレートが３倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択され
ることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路
自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減する
ことができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合
は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画
の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装
置の交流駆動と１８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装
置の駆動周波数を１８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一
（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交
流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる
。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／３倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８倍（８倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは４８０Ｈｚ（４８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、８倍速
駆動である場合は、フレームレートが８倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、８倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されるこ
とによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体
を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減すること
ができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、
ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾
引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の
交流駆動と４８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の
駆動周波数を４８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（た
とえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／８倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４／３であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝３の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８／３倍（８
／３倍速駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば
、表示フレームレートは１６０Ｈｚ（１６０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力され
る画像データに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、８／３倍速駆動である場合は、フレームレートが８／３倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、８／３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用
いる方法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回
避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。
さらに、液晶表示装置の交流駆動と１６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。す
なわち、液晶表示装置の駆動周波数を１６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数
倍または整数分の一（たとえば、４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、３２０Ｈｚ等）とす
ることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低
減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の３／８倍程
度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの１０倍（１０倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは６００Ｈｚ（６００Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を１０回連続して表示することになる。このとき、第１のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
１０倍速駆動である場合は、フレームレートが１０倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、１０倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が
選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または
当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを
低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置で
ある場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるた
め、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液
晶表示装置の交流駆動と６００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液
晶表示装置の駆動周波数を６００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整
数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすることによ
って、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減すること
ができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／１０倍程度である
液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５／２であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの５倍（５倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）である。そして、１つの入力される画像デ
ータに対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、５倍
速駆動である場合は、フレームレートが５倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、５倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２
のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択される
ことによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自
体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減するこ
とができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は
、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の
尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置
の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置
の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（
たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすることによって、交流駆
動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さ
らに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／５倍程度である液晶表示装置に
適用することで、画質を向上することができる。

このように、第２のステップにおける手順１において、元画像をそのままサブ画像として
用いる方法が選択され、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数が２と決
定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２＝Ｔ／２と決定された場合
は、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決められる変換比のフレームレート
変換に対し、表示フレームレートをさらに２倍のフレームレートとすることができるため
、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレームレートよ
り小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示フレーム
レートより大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像をそのままサブ画像として用
いる方法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回
避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。
さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍また
は整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の（１／（変換比の２倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向
上することができる。

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、ｎが１０以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（１０／３倍速駆動、２０
０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／２倍速駆動、１５
０Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（１２倍速駆動、７２０Ｈｚ
）、ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（１２／５倍速駆動、１４４Ｈ
ｚ）、ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（１４倍速駆動、８４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、ｎ＝
７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（１４／３倍速駆動、２８０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（１４／５倍速駆動、１６８Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（１６倍速駆動、９６０Ｈｚ）、ｎ＝８
，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（１６／３倍速駆動、３２０Ｈｚ）、ｎ＝
８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（１６／５倍速駆動、１９２Ｈｚ）、ｎ
＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（１６／７倍速駆動、１３７Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（１８倍速駆動、１０８０Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（１８／５倍速駆動、２１６Ｈｚ）、ｎ＝９
，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（１８／７倍速駆動、１５４Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（２０倍速駆動、１２００Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（２０／３倍速駆動、４００Ｈｚ）
、ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（２０／７倍速駆動、１７１
Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（２０／９倍速駆動、
１３３Ｈｚ）、以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレー
トが６０Ｈｚであるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれ
の変換比の２倍を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第２のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。

なお、Ｊ＝２とする場合、第１のステップにおける変換比が２より大きいと、特に効果的
である。なぜならば、第２のステップにおいて、サブ画像の数をＪ＝２のように比較的小
さくすれば、その分、第１のステップにおける変換比を大きくすることができるからであ
る。このような変換比は、ｎが１０以下の範囲においては、３、４、５、５／２、６、７
、７／２、７／３、８、８／３、９、９／２、９／４、１０、１０／３、が挙げられる。
第１のステップ後の表示フレームレートがこのような値の場合、Ｊ＝３以上とすることに
よって、第２のステップにおけるサブ画像の数が小さいことによる利点（消費電力および
製造コストの低減等）と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点（動画の
品質向上、フリッカの低減等）を、両立させることが可能となる。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
１において、元画像をそのままサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ画像
の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、この場合はサブ画像と
して用いる画像が同じであるため、サブ画像の表示タイミングに関わらず、元画像をきち
んと表示することができるからである。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画
像をそのままサブ画像として用いる方法が選択されることによって、動き補償によって中
間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができる
ため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、表示装置がア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによ
る書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕
著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流
駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れ
るフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子
の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

なお、Ｊ＝３以上とする場合、第１のステップにおける変換比は様々な値をとることがで
きるが、特に、第１のステップにおける変換比が比較的小さい場合（２以下）に、Ｊ＝３
以上とするのが効果的である。なぜならば、第１のステップ後の表示フレームレートが比
較的小さければ、その分、第２のステップにおいて、Ｊを大きくすることができるからで
ある。このような変換比は、ｎが１０以下の範囲においては、１、２、３／２、４／３、
５／３、５／４、６／５、７／４、７／５、７／６、８／７、９／５、９／７、９／８、
１０／７、１０／９、が挙げられる。このうち、変換比が１、２、３／２、４／３、５／
３、５／４の場合については、図１５に図示する。このように、第１のステップ後の表示
フレームレートが比較的小さな値の場合、Ｊ＝３以上とすることによって、第１のステッ
プにおける表示フレームレートが小さいことによる利点（消費電力および製造コストの低
減等）と、最終的な表示フレームレートが大きいことによる利点（動画の品質向上、フリ
ッカの低減等）を、両立させることが可能となる。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、第１
のステップにおけるｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説明する。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、黒挿入法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、数式１および数式２
にしたがった関係とする表示装置の駆動方法であって、少なくとも１つのｊにおいて、第
ｊのサブ画像に含まれる全て画素の明るさＬ_ｊが、Ｌ_ｊ＝０であることを特徴とする。こ
こで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにおいて作成
された元画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全
ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図１４に示すよう
なものとなる。図１４において、横軸は時間であり、縦軸は第１のステップにおいて用い
た様々なｎおよびｍについて場合分けを行なって示したものである。

たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１で
あるときは、図１４のｎ＝１，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの２倍（２倍速駆動）となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレート
は１２０Ｈｚ（１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を２回連続して表示することになる。ここで、２倍速駆動である場合は、フレーム
レートが２倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、２倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、
元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択されることによ
って、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置
から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができ
る。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法と
することができるため、動画の品質を向上できる。さらに、表示装置がアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧
不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効
果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効
果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周
波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４
０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚さ
れない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が２であるときは、図１４のｎ＝２，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの４倍（４倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、４倍速
駆動である場合は、フレームレートが４倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、４倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒
挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的
にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さらに、
表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパ
シタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害
に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と２４０Ｈ
ｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を２４０
Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、
６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフ
リッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの６倍（６倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは３６０Ｈｚ（３６０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を６回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、６倍速
駆動である場合は、フレームレートが６倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、６倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒
挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的
にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さらに、
表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパ
シタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害
に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と３６０Ｈ
ｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を３６０
Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、
６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフ
リッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３／２であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの３倍（３倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を３回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、３
倍速駆動である場合は、フレームレートが３倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち
、黒挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作
を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の
製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬
似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さら
に、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキ
ャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の
障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１８
０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１
８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈ
ｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れ
るフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子
の応答時間が入力画像データの周期の１／３倍程度である液晶表示装置に適用することで
、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８倍（８倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは４８０Ｈｚ（４８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、８倍速
駆動である場合は、フレームレートが８倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、８倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒
挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的
にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さらに、
表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパ
シタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害
に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と４８０Ｈ
ｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を４８０
Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、
６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフ
リッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４／３であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝３の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８／３倍（８
／３倍速駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば
、表示フレームレートは１６０Ｈｚ（１６０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力され
る画像データに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、８／３倍速駆動である場合は、フレームレートが８／３倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、８／３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に
分配する方法のうち、黒挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を
作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消
費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる
階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質
を向上できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合
は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画
の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装
置の交流駆動と１６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装
置の駆動周波数を１６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一
（たとえば、４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、３２０Ｈｚ等）とすることによって、交
流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる
。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の３／８倍程度である液晶表示装
置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの１０倍（１０倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは６００Ｈｚ（６００Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を１０回連続して表示することになる。このとき、第１のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
１０倍速駆動である場合は、フレームレートが１０倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、１０倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、黒挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回
路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力およ
び装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によ
らずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上でき
る。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナ
ミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、
残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆
動と６００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周
波数を６００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば
、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によ
って現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、
液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／１０倍程度である液晶表示装置に適用
することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５／２であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの５倍（５倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）である。そして、１つの入力される画像デ
ータに対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、５倍
速駆動である場合は、フレームレートが５倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、５倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２
のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、
黒挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似
的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さらに
、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャ
パシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障
害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と３００
Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を３０
０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ
、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフ
リッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応
答時間が入力画像データの周期の１／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画
質を向上することができる。

このように、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像
に分配する方法のうち、黒挿入法が選択され、第２のステップにおける手順２において、
サブ画像の数が２と決定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２＝Ｔ
／２と決定された場合は、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決められる変
換比のフレームレート変換に対し、さらに２倍のフレームレートとすることができるため
、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレームレートよ
り小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示フレーム
レートより大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に
分配する方法のうち、黒挿入法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を
作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消
費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる
階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質
を向上できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合
は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画
の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装
置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とする
ことによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減
することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換
比の２倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、ｎが１０以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（１０／３倍速駆動、２０
０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／２倍速駆動、１５
０Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（１２倍速駆動、７２０Ｈｚ
）、ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（１２／５倍速駆動、１４４Ｈ
ｚ）、ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（１４倍速駆動、８４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、ｎ＝
７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（１４／３倍速駆動、２８０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（１４／５倍速駆動、１６８Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（１６倍速駆動、９６０Ｈｚ）、ｎ＝８
，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（１６／３倍速駆動、３２０Ｈｚ）、ｎ＝
８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（１６／５倍速駆動、１９２Ｈｚ）、ｎ
＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（１６／７倍速駆動、１３７Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（１８倍速駆動、１０８０Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（１８／５倍速駆動、２１６Ｈｚ）、ｎ＝９
，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（１８／７倍速駆動、１５４Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（２０倍速駆動、１２００Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（２０／３倍速駆動、４００Ｈｚ）
、ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（２０／７倍速駆動、１７１
Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（２０／９倍速駆動、
１３３Ｈｚ）、以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレー
トが６０Ｈｚであるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれ
の変換比の２倍を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第２のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。ただし、上記の駆動方法のように、手順
１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択さ
れた場合は、サブ画像の明るさを変化させずに、そのまま表示してもよい。なぜならば、
この場合はサブ画像の明るさを変えない場合は、元画像の全体の明るさが暗くなって表示
されるだけであるからである。すなわち、この方法を表示装置の明るさの制御に積極的に
用いることで、動画の品質を向上させつつ、明るさの制御も可能となる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画
像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、黒挿入法が選択されることによって
、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から
省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。
さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とする
ことができるため、動画の品質を向上できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足
の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果を
もたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその
整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間
の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画
像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで
、画質を向上することができる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、第１
のステップにおけるｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説明する。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、時分割階調制御法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、前記固有の明るさＬは、最大値がＬ_ｍａｘであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以
下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ_ｊを持つ画素が複数並置されることに
よって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ表示される画像であり、前記Ｌ、前記
Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、数式１および数式２にしたがった関係とする表示装置の駆
動方法であって、前記固有の明るさＬを表示するにあたって、（ｊ−１）×Ｌ_ｍａｘ／Ｊ
からＪ×Ｌ_ｍａｘ／Ｊの明るさの範囲における明るさの調節は、前記Ｊ個のサブ画像表示
期間のうち唯１つのサブ画像表示期間における明るさの調節によって行なうことを特徴と
する。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第１のステップにお
いて作成された元画像データを用いることができる。すなわち、第１のステップの説明で
挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができる。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図１４に示すよう
なものとなる。
図１４において、横軸は時間であり、縦軸は第１のステップにおいて用いた様々なｎおよ
びｍについて場合分けを行なって示したものである。

たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１で
あるときは、図１４のｎ＝１，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの２倍（２倍速駆動）となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレート
は１２０Ｈｚ（１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を２回連続して表示することになる。ここで、２倍速駆動である場合は、フレーム
レートが２倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、２倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、
元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択される
ことによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自
体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減するこ
とができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の
品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに
消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置で
ある場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるた
め、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液
晶表示装置の交流駆動と１２０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液
晶表示装置の駆動周波数を１２０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整
数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによ
って、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減すること
ができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／２倍程度である液
晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が２であるときは、図１４のｎ＝２，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの４倍（４倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、４倍速
駆動である場合は、フレームレートが４倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、４倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時
分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の
動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法とす
ることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなってし
まうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電
圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善
効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも
効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の
周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２
４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の１／４倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの６倍（６倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは３６０Ｈｚ（３６０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を６回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、６倍速
駆動である場合は、フレームレートが６倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、６倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時
分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の
動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法とす
ることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなってし
まうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電
圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善
効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と３６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも
効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を３６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の
周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１
８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の１／６倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３／２であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの３倍（３倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を３回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、３
倍速駆動である場合は、フレームレートが３倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち
、時分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回
路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力およ
び装置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法
とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなっ
てしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込
み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質
改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１８０Ｈｚ駆動を組み合わせる
のも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１８０Ｈｚとしつつ、交流駆
動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ
、１８０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に
知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像デー
タの周期の１／３倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することがで
きる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８倍（８倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは４８０Ｈｚ（４８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、８倍速
駆動である場合は、フレームレートが８倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、８倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時
分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の
動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法とす
ることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなってし
まうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電
圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善
効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と４８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも
効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を４８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の
周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２
４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の１／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４／３であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝３の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８／３倍（８
／３倍速駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば
、表示フレームレートは１６０Ｈｚ（１６０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力され
る画像データに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、８／３倍速駆動である場合は、フレームレートが８／３倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、８／３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に
分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中
間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができる
ため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にイン
パルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の
明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表
示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシ
タンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に
対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１６０Ｈｚ
駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１６０Ｈ
ｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、４０Ｈｚ、８
０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、３２０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリ
ッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答
時間が入力画像データの周期の３／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質
を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの１０倍（１０倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは６００Ｈｚ（６００Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を１０回連続して表示することになる。このとき、第１のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
１０倍速駆動である場合は、フレームレートが１０倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、１０倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、時分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作
成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費
電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の
表示方法とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小
さくなってしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がア
クティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによ
る書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕
著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と６００Ｈｚ駆動を組み
合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を６００Ｈｚとしつつ
、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１
００Ｈｚ、１２０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人
間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力
画像データの周期の１／１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上す
ることができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５／２であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの５倍（５倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）である。そして、１つの入力される画像デ
ータに対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、５倍
速駆動である場合は、フレームレートが５倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、５倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２
のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、
時分割階調制御法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路
の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および
装置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法と
することができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなって
しまうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み
電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改
善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるの
も効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動
の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１
００Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の１／５倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

このように、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像
に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択され、第２のステップにおける手順２に
おいて、サブ画像の数が２と決定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝
Ｔ２＝Ｔ／２と決定された場合は、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、さらに２倍のフレームレートとすることがで
きるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレーム
レートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示
フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサ
ブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択されることによって、動き補償に
よって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略すること
ができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、擬似
的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質が向上でき、かつ、表
示装置の明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに消費電力を低減できる。さ
らに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミック
キャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等
の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を
大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交
流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる
。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比の２倍））倍程
度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、ｎが１０以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（１０／３倍速駆動、２０
０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／２倍速駆動、１５
０Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（１２倍速駆動、７２０Ｈｚ
）、ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（１２／５倍速駆動、１４４Ｈ
ｚ）、ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（１４倍速駆動、８４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、ｎ＝
７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（１４／３倍速駆動、２８０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（１４／５倍速駆動、１６８Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（１６倍速駆動、９６０Ｈｚ）、ｎ＝８
，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（１６／３倍速駆動、３２０Ｈｚ）、ｎ＝
８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（１６／５倍速駆動、１９２Ｈｚ）、ｎ
＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（１６／７倍速駆動、１３７Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（１８倍速駆動、１０８０Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（１８／５倍速駆動、２１６Ｈｚ）、ｎ＝９
，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（１８／７倍速駆動、１５４Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（２０倍速駆動、１２００Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（２０／３倍速駆動、４００Ｈｚ）
、ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（２０／７倍速駆動、１７１
Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（２０／９倍速駆動、
１３３Ｈｚ）、以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレー
トが６０Ｈｚであるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれ
の変換比の２倍を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第２のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画
像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、時分割階調制御法が選択されること
によって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を
装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することが
できる。さらに、擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質
が向上でき、かつ、表示装置の明るさが小さくなってしまうことがないため、さらに消費
電力を低減できる。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である
場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、
動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表
示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一と
することによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に
低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（
変換比のＪ倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することがで
きる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、第１
のステップにおけるｎおよびｍの値を具体的に示して詳細に説明する。

第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、ガンマ補完法が選択された場合、駆動方法は次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、前記周期Ｔは、Ｊ（Ｊは２以上の整数）個のサブ画像表示期間に分割され、
前記第ｉの画像データは、複数の画素にそれぞれ固有の明るさＬを持たせることができる
データであり、第ｊ（ｊは１以上Ｊ以下の整数）のサブ画像は、それぞれ固有の明るさＬ
_ｊを持つ画素が複数並置されることによって構成され、第ｊのサブ画像表示期間Ｔ_ｊだけ
表示される画像であり、前記Ｌ、前記Ｔ、前記Ｌ_ｊ、前記Ｔ_ｊ、を、数式１および数式２
にしたがった関係とする表示装置の駆動方法であって、それぞれのサブ画像において、階
調に対する明るさの変化の特性を、線形からずらし、線形から明るい方へずらした明るさ
の量の合計と、線形から暗い方へずらした明るさの量の合計が、全ての階調において概等
しいことを特徴とする。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される画像データとしては、第
１のステップにおいて作成された元画像データを用いることができる。すなわち、第１の
ステップの説明で挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と組み合わせることができ
る。

そして、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数Ｊが２と決定され、手順
３において、Ｔ_１＝Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合、上記駆動方法は、図１４に示すよう
なものとなる。
図１４において、横軸は時間であり、縦軸は第１のステップにおいて用いた様々なｎおよ
びｍについて場合分けを行なって示したものである。

たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝１，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）が１で
あるときは、図１４のｎ＝１，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。このとき、表
示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの２倍（２倍速駆動）となる
。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレームレート
は１２０Ｈｚ（１２０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像データに対し
、画像を２回連続して表示することになる。ここで、２倍速駆動である場合は、フレーム
レートが２倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき、２倍速より大きい場合より
も消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、
元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択されること
によって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を
装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することが
できる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方
法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ
変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどに
よって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変
換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を変えることによって、ガンマ
値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガ
ンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置
から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができ
る。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの
変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らか
に表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。
さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミッ
クキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像
等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と
１２０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数
を１２０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、３
０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって
現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶
素子の応答時間が入力画像データの周期の１／２倍程度である液晶表示装置に適用するこ
とで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝２，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が２であるときは、図１４のｎ＝２，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの４倍（４倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは２４０Ｈｚ（２４０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を４回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、４倍速
駆動である場合は、フレームレートが４倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、４倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガ
ンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作
を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の
製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬
似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さら
に、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場合は
、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さらに
、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を
変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。この
場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞ
れのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画
像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向
上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避でき
るため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに
、液晶表示装置の交流駆動と２４０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち
、液晶表示装置の駆動周波数を２４０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍また
は整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／４倍程度であ
る液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの６倍（６倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは３６０Ｈｚ（３６０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を６回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、６倍速
駆動である場合は、フレームレートが６倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、６倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガ
ンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作
を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の
製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬
似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さら
に、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場合は
、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さらに
、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を
変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。この
場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞ
れのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画
像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向
上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避でき
るため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに
、液晶表示装置の交流駆動と３６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち
、液晶表示装置の駆動周波数を３６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍また
は整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／６倍程度であ
る液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝３，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が３／２であるときは、図１４のｎ＝３，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの３倍（３倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは１８０Ｈｚ（１８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を３回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにお
ける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らか
にすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、３
倍速駆動である場合は、フレームレートが３倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上
でき、３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第
２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち
、ガンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の
動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらず
に擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。
さらに、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場
合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さ
らに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電
圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。
この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路
を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の
製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそ
れぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサ
ブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質
も向上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表
示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避
できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さ
らに、液晶表示装置の交流駆動と１８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すな
わち、液晶表示装置の駆動周波数を１８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍
または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、１８０Ｈｚ等）とする
ことによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減
することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／３倍程度
である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８倍（８倍速駆動
）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フレー
ムレートは４８０Ｈｚ（４８０Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像デー
タに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおける
補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかにす
ることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、８倍速
駆動である場合は、フレームレートが８倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上でき
、８倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２の
ステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガ
ンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作
を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の
製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬
似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さら
に、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場合は
、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さらに
、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を
変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。この
場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を停
止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製造
コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞ
れのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画
像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向
上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避でき
るため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに
、液晶表示装置の交流駆動と４８０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわち
、液晶表示装置の駆動周波数を４８０Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍また
は整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／８倍程度であ
る液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝４，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が４／３であるときは、図１４のｎ＝４，ｍ＝３の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの８／３倍（８
／３倍速駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば
、表示フレームレートは１６０Ｈｚ（１６０Ｈｚ駆動）である。そして、３つの入力され
る画像データに対し、画像を８回連続して表示することになる。このとき、第１のステッ
プにおける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを
滑らかにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここ
で、８／３倍速駆動である場合は、フレームレートが８／３倍速より小さい場合よりも動
画の品質を向上でき、８／３倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に
分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画
像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため
、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含ま
れる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の
品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求
めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御でき
る利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路
（ＤＡＣ）の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構
成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガン
マ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消
費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法において
は、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっている
ため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知
覚される画像の品質も向上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電
圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善
効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と１６０Ｈｚ駆動を組み合わせるのも
効果的である。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を１６０Ｈｚとしつつ、交流駆動の
周波数をその整数倍または整数分の一（たとえば、４０Ｈｚ、８０Ｈｚ、１６０Ｈｚ、３
２０Ｈｚ等）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚
されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの
周期の３／８倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる
。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝１の箇所に示すような駆動方法となる。この
とき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの１０倍（１０倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは６００Ｈｚ（６００Ｈｚ駆動）である。そして、ひとつの入力される画像
データに対し、画像を１０回連続して表示することになる。このとき、第１のステップに
おける補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑ら
かにすることができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、
１０倍速駆動である場合は、フレームレートが１０倍速より小さい場合よりも動画の品質
を向上でき、１０倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さ
らに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方
法のうち、ガンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成す
る回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力
および装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値
によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上
できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい
。この場合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有
する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）
の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であって
もよい。この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行
なう回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力およ
び装置の製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に
対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それ
ぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画
像の品質も向上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問
題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもた
らす。さらに、液晶表示装置の交流駆動と６００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的であ
る。すなわち、液晶表示装置の駆動周波数を６００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をそ
の整数倍または整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ、１２０Ｈｚ等
）とすることによって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程
度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／
１０倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

さらに、たとえば、第１のステップにおいて、ｎ＝５，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ
）が５／２であるときは、図１４のｎ＝５，ｍ＝２の箇所に示すような駆動方法となる。
このとき、表示フレームレートは入力される画像データのフレームレートの５倍（５倍速
駆動）となる。具体的には、たとえば、入力フレームレートが６０Ｈｚであれば、表示フ
レームレートは３００Ｈｚ（３００Ｈｚ駆動）である。そして、１つの入力される画像デ
ータに対し、画像を５回連続して表示することになる。このとき、第１のステップにおけ
る補間画像が動き補償によって求められた中間画像である場合は、動画の動きを滑らかに
することができるため、動画の品質を顕著に向上させることが可能である。ここで、５倍
速駆動である場合は、フレームレートが５倍速より小さい場合よりも動画の品質を向上で
き、５倍速より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２
のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、
ガンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中間画像を作成する回路の動
作を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置
の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに
擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動画の品質を向上できる。さ
らに、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像を求めてもよい。この場合
は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さら
に、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧
を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。こ
の場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を
停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装置の製
造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれ
ぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ
画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も
向上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避で
きるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さら
に、液晶表示装置の交流駆動と３００Ｈｚ駆動を組み合わせるのも効果的である。すなわ
ち、液晶表示装置の駆動周波数を３００Ｈｚとしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍ま
たは整数分の一（たとえば、３０Ｈｚ、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、１００Ｈｚ等）とすること
によって、交流駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減する
ことができる。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の１／５倍程度であ
る液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

このように、第２のステップにおける手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画像
に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択され、第２のステップにおける手順２におい
て、サブ画像の数が２と決定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２
＝Ｔ／２と決定された場合は、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決められ
る変換比のフレームレート変換に対し、さらに２倍のフレームレートとすることができる
ため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さらに、当該表示フレームレー
トより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質を向上でき、当該表示フレ
ームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消費電力および製造コストを
低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画像の明るさを複数のサブ画
像に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択されることによって、動き補償によって中
間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置から省略することができる
ため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、画像データに
含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法とすることができるため、動
画の品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換することによってサブ画像
を求めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどによって、様々にガンマ値を制御
できる利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せず、デジタルアナログ変換
回路（ＤＡＣ）の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を変化させたサブ画像を求め
る構成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガンマ変換することがないので、
ガンマ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため
、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。さらに、ガンマ補完法にお
いては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化がガンマ曲線にしたがって
いるため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表示でき、最終的に人間の目
で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。さらに、表示装置がアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタンスによる書き込
み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し特に顕著な画質
改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ、交流駆動の周
波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によって現れるフリッ
カを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液晶素子の応答時
間が入力画像データの周期の（１／（変換比の２倍））倍程度である液晶表示装置に適用
することで、画質を向上することができる。

なお、詳細な説明が省略したが、上に上げた変換比以外の場合においても、同様な利点を
有するのは明らかである。たとえば、ｎが１０以下の範囲においては、上に挙げたものの
ほかに、ｎ＝５，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／３（１０／３倍速駆動、２０
０Ｈｚ）、ｎ＝５，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝５／４（５／２倍速駆動、１５
０Ｈｚ）、ｎ＝６，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６（１２倍速駆動、７２０Ｈｚ
）、ｎ＝６，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝６／５（１２／５倍速駆動、１４４Ｈ
ｚ）、ｎ＝７，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７（１４倍速駆動、８４０Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／２（７倍速駆動、４２０Ｈｚ）、ｎ＝
７，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／３（１４／３倍速駆動、２８０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／４（７／２倍速駆動、２１０Ｈｚ）、ｎ
＝７，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／５（１４／５倍速駆動、１６８Ｈｚ）、
ｎ＝７，ｍ＝６、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝７／６（７／３倍速駆動、１４０Ｈｚ）、
ｎ＝８，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８（１６倍速駆動、９６０Ｈｚ）、ｎ＝８
，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／３（１６／３倍速駆動、３２０Ｈｚ）、ｎ＝
８，ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／５（１６／５倍速駆動、１９２Ｈｚ）、ｎ
＝８，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝８／７（１６／７倍速駆動、１３７Ｈｚ）、
ｎ＝９，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９（１８倍速駆動、１０８０Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝２、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／２（９倍速駆動、５４０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝４、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／４（９／２倍速駆動、２７０Ｈｚ）、ｎ＝９，
ｍ＝５、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／５（１８／５倍速駆動、２１６Ｈｚ）、ｎ＝９
，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／７（１８／７倍速駆動、１５４Ｈｚ）、ｎ＝
９，ｍ＝８、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝９／８（９／４倍速駆動、１３５Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝１、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０（２０倍速駆動、１２００Ｈｚ）、ｎ＝
１０，ｍ＝３、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／３（２０／３倍速駆動、４００Ｈｚ）
、ｎ＝１０，ｍ＝７、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／７（２０／７倍速駆動、１７１
Ｈｚ）、ｎ＝１０，ｍ＝９、すなわち変換比（ｎ／ｍ）＝１０／９（２０／９倍速駆動、
１３３Ｈｚ）、以上の組み合わせが考えられる。なお、周波数の表記は入力フレームレー
トが６０Ｈｚであるときの例であり、その他の入力フレームレートに対しては、それぞれ
の変換比の２倍を入力フレームレートと積算した値が駆動周波数となる。

なお、ｎが１０より大きい整数である場合については、具体的なｎおよびｍの数字は挙げ
ないが、様々なｎおよびｍに対し、この、第２のステップにおける手順が適用できること
は明らかである。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順１
において、元画像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ法が選択され
た場合は、サブ画像の明るさを変化させる場合に、ガンマ値を変化させてもよい。すなわ
ち、第２のサブ画像の表示タイミングにしたがって、ガンマ値を決めてもよい。こうする
ことで、画像全体の明るさを変化させる回路を停止または当該回路自体を装置から省略す
ることができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。さらに、第２のステップの手順１において、元画
像の明るさを複数のサブ画像に分配する方法のうち、ガンマ補完法が選択されることによ
って、動き補償によって中間画像を作成する回路の動作を停止または当該回路自体を装置
から省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができ
る。さらに、画像データに含まれる階調値によらずに擬似的にインパルス型の表示方法と
することができるため、動画の品質を向上できる。さらに、画像データを直接ガンマ変換
することによってサブ画像を求めてもよい。この場合は、動画の動きの大きさなどによっ
て、様々にガンマ値を制御できる利点を有する。さらに、画像データは直接ガンマ変換せ
ず、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ）の参照電圧を変えることによって、ガンマ値を
変化させたサブ画像を求める構成であってもよい。この場合は、画像データを直接ガンマ
変換することがないので、ガンマ変換を行なう回路を停止または当該回路自体を装置から
省略することができるため、消費電力および装置の製造コストを低減することができる。
さらに、ガンマ補完法においては、階調に対するそれぞれのサブ画像の明るさＬ_ｊの変化
がガンマ曲線にしたがっているため、それぞれのサブ画像がそれ自体で階調を滑らかに表
示でき、最終的に人間の目で知覚される画像の品質も向上するという利点を有する。さら
に、表示装置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキ
ャパシタンスによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の
障害に対し特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大
きくしつつ、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流
駆動によって現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。
さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍程度
である液晶表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

次に、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法の別の例について、詳細
に説明する。

第２のステップにおける手順１において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択され、第２のステップにおける手順２において、サブ画像の数が２
と決定され、第２のステップにおける手順３において、Ｔ１＝Ｔ２＝Ｔ／２と決定された
場合は、第２のステップにおける手順によって決められる駆動方法は、次のようになる。

第ｉ（ｉは正の整数）の画像データと、第ｉ＋１の画像データと、が、一定の周期Ｔで順
次用意され、第ｋ（ｋは正の整数）の画像と、第ｋ＋１の画像と、第ｋ＋２の画像と、を
、元画像データの周期の１／２倍の間隔で順次表示する表示装置の駆動方法であって、前
記第ｋの画像は、前記第ｉの画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋１の画像は、
前記第ｉの画像データから前記第ｉ＋１の画像データまでの動きを１／２倍した動きに相
当する画像データにしたがって表示され、前記第ｋ＋２の画像は、前記第ｉ＋１の画像デ
ータにしたがって表示されることを特徴とする。ここで、一定の周期Ｔで順次用意される
画像データとしては、第１のステップにおいて作成された元画像データを用いることがで
きる。すなわち、第１のステップの説明で挙げた全ての表示パターンを、上記駆動方法と
組み合わせることができる。

なお、上記の駆動方法は、第１のステップにおいて用いた様々なｎおよびｍについて、そ
れぞれ組み合わせて実施できることは明らかである。

第２のステップにおける手順１において、動き補償によって求めた中間画像をサブ画像と
して用いる方法が選択されることの利点は、第１のステップにおける手順において、動き
補償によって求めた中間画像を補間画像とする場合に、第１のステップにおいて用いた中
間画像を求める方法が、第２のステップでもそのままの方法で用いることができる点であ
る。すなわち、動き補償によって中間画像を求める回路を、第１のステップだけではなく
、第２のステップでも利用することができるので、回路を有効に利用できるようになり、
処理効率を向上できる。また、画像の動きをさらに滑らかにすることができるため、動画
の品質をさらに向上させることができる。

なお、ここでは、手順２においてサブ画像の数Ｊが２と決定され、手順３においてＴ_１＝
Ｔ_２＝Ｔ／２と決定された場合について説明したが、これに限定されないのは明らかであ
る。

たとえば、第２のステップにおける手順３において、Ｔ_１＜Ｔ_２と決定された場合は、第
１のサブ画像をより明るく、第２のサブ画像をより暗くすることができる。さらに、第２
のステップにおける手順３において、Ｔ_１＞Ｔ_２と決定された場合は、第１のサブ画像を
より暗く、第２のサブ画像をより明るくすることができる。こうすることで、元画像をき
ちんと人間の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にす
ることもできるため、動画の品質を向上できる。こうすることで、元画像をきちんと人間
の目に知覚させることができると同時に、表示を擬似的にインパルス駆動にすることもで
きるため、動画の品質を向上できる。なお、上記の駆動方法のように、手順２において、
動き補償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法が選択された場合は、サブ
画像の明るさを変化させなくてもよい。なぜならば、中間状態の画像はそれ自体で画像と
して完結しているため、第２のサブ画像の表示タイミングが変化しても、人間の目に知覚
される画像としては変化しないためである。この場合は、画像全体の明るさを変化させる
回路を停止または当該回路自体を装置から省略することができるため、消費電力および装
置の製造コストを低減することができる。

さらに、手順２において、サブ画像の数Ｊが２ではなく、それ以外の値に決定されてもよ
いことは明らかである。この場合、第１のステップにおけるｎおよびｍの値によって決め
られる変換比のフレームレート変換に対し、表示フレームレートをさらにＪ倍のフレーム
レートとすることができるため、動画の品質をさらに向上させることが可能となる。さら
に、当該表示フレームレートより小さい表示フレームレートである場合よりも動画の品質
を向上でき、当該表示フレームレートより大きい表示フレームレートである場合よりも消
費電力および製造コストを低減できる。第２のステップにおける手順１において、動き補
償によって求めた中間画像をサブ画像として用いる方法が選択されることによって、第１
のステップにおける手順において、動き補償によって求めた中間画像を補間画像とする場
合に、第１のステップにおいて用いた中間画像を求める方法が、第２のステップでもその
ままの方法で用いることができる。すなわち、動き補償によって中間画像を求める回路を
、第１のステップだけではなく、第２のステップでも利用することができるので、回路を
有効に利用できるようになり、処理効率を向上できる。また、画像の動きをさらに滑らか
にすることができるため、動画の品質をさらに向上させることができる。さらに、表示装
置がアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である場合は、ダイナミックキャパシタン
スによる書き込み電圧不足の問題が回避できるため、動画の尾引き、残像等の障害に対し
特に顕著な画質改善効果をもたらす。さらに、液晶表示装置の駆動周波数を大きくしつつ
、交流駆動の周波数をその整数倍または整数分の一とすることによって、交流駆動によっ
て現れるフリッカを、人間の目に知覚されない程度に低減することができる。さらに、液
晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１／（変換比のＪ倍））倍程度である液晶
表示装置に適用することで、画質を向上することができる。

たとえば、Ｊ＝３である場合は、特に、サブ画像の数が３より小さい場合よりも動画の品
質を向上でき、サブ画像の数が３より大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減
できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周期の（１
／（変換比の３倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上すること
ができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝４である場合は、特に、サブ画像の数が４より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が４より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の４倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、たとえば、Ｊ＝５である場合は、特に、サブ画像の数が５より小さい場合よりも
動画の品質を向上でき、サブ画像の数が５より大きい場合よりも消費電力および製造コス
トを低減できるという利点を有する。さらに、液晶素子の応答時間が入力画像データの周
期の（１／（変換比の５倍））倍程度である液晶表示装置に適用することで、画質を向上
することができる。

さらに、Ｊが上に挙げたもの以外であっても、同様な利点を有する。

次に、図１６を参照して、入力フレームレートと表示フレームレートが異なる場合の、フ
レームレート変換方法の具体例について説明する。図１６（Ａ）乃至（Ｃ）に示す方法に
おいては、画像上の円形の領域がフレームによって位置が変化する領域であり、画像上の
三角形の領域がフレームによって位置がほぼ変化しない領域であるとしている。ただし、
これは説明のための例であり、表示される画像はこれに限定されない。図１６（Ａ）乃至
（Ｃ）の方法は、様々な画像に対して適用することができる。

図１６（Ａ）は、表示フレームレートが入力フレームレートの２倍（変換比が２）である
場合を表している。変換比が２である場合は、変換比が２より小さい場合よりも動画の品
質を向上できるという利点を有する。さらに、変換比が２である場合は、変換比が２より
大きい場合よりも消費電力および製造コストを低減できるという利点を有する。図１６（
Ａ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表したも
のである。ここで、注目している画像のことを、第ｐの画像（ｐは正の整数）と表記する
こととする。そして、注目している画像の次に表示される画像を、第（ｐ＋１）の画像、
注目している画像の前に表示される画像を、第（ｐ―１）の画像、というように、注目し
ている画像からどれだけ離れて表示されるかということを、便宜的に表記することとする
。そして、画像１６０１は第ｐの画像、画像１６０２は第（ｐ＋１）の画像、画像１６０
３は第（ｐ＋２）の画像、画像１６０４は第（ｐ＋３）の画像、画像１６０５は第（ｐ＋
４）の画像であるとする。期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。なお、図
１６（Ａ）は変換比が２である場合を表しているため、期間Ｔｉｎは、第ｐの画像が表示
されてから第（ｐ＋１）の画像が表示されるまで期間の２倍の長さとなる。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１６０２は、第ｐの画像１６０１から第（ｐ＋２）の画像１
６０３までの画像の変化量を検出することで、第ｐの画像１６０１および第（ｐ＋２）の
画像１６０３の中間状態となるように作成された画像であってもよい。図１６（Ａ）では
、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほぼ
変化しない領域（三角形の領域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。す
なわち、第（ｐ＋１）の画像１６０２における円形の領域の位置は、第ｐの画像１６０１
における位置と、第（ｐ＋２）の画像１６０３における位置の中間の位置としている。つ
まり、第（ｐ＋１）の画像１６０２は、動き補償を行なって画像データを補間したもので
ある。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像データを補間
することによって、なめらかな表示を行なうことができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１６０２は、第ｐの画像１６０１および第（ｐ＋２）の画像
１６０３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則で制御した画
像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図１６（Ａ）のように、第ｐの画像１６
０１の代表的な輝度をＬ、第（ｐ＋１）の画像１６０２の代表的な輝度をＬｃとしたとき
、ＬとＬｃで、Ｌ＞Ｌｃという関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌ＜Ｌｃ＜０．
８Ｌという関係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌｃ＜０．５Ｌという関
係があってもよい。または、逆にＬとＬｃで、Ｌ＜Ｌｃという関係があってもよい。望ま
しくは、０．１Ｌｃ＜Ｌ＜０．８Ｌｃという関係があってもよい。さらに望ましくは、０
．２Ｌｃ＜Ｌ＜０．５Ｌｃという関係があってもよい。このようにすることで、表示を擬
似的にインパルス型とすることができるため、目の残像を抑えることができる。

なお、画像の代表的な輝度については、後に図１７を参照して詳しく述べる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

さらに、第（ｐ＋３）の画像１６０４についても、第（ｐ＋２）の画像１６０３および第
（ｐ＋４）の画像１６０５から同様な方法を用いて作成されてもよい。すなわち、第（ｐ
＋３）の画像１６０４は、第（ｐ＋２）の画像１６０３から第（ｐ＋４）の画像１６０５
までの画像の変化量を検出することで、第（ｐ＋２）の画像１６０３および第（ｐ＋４）
の画像１６０５の中間状態となるように作成された画像であって、さらに、画像の輝度を
一定の規則で制御した画像であってもよい。

図１６（Ｂ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの３倍（変換比が３）であ
る場合を表している。図１６（Ｂ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変
化の様子を、模式的に表したものである。画像１６１１は第ｐの画像、画像１６１２は第
（ｐ＋１）の画像、画像１６１３は第（ｐ＋２）の画像、画像１６１４は第（ｐ＋３）の
画像、画像１６１５は第（ｐ＋４）の画像、画像１６１６は第（ｐ＋５）の画像、画像１
６１７は第（ｐ＋６）の画像であるとする。期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表し
ている。なお、図１６（Ｂ）は変換比が３である場合を表しているため、期間Ｔｉｎは、
第ｐの画像が表示されてから第（ｐ＋１）の画像が表示されるまで期間の３倍の長さとな
る。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１６１２および第（ｐ＋２）の画像１６１３は、第ｐの画像
１６１１から第（ｐ＋３）の画像１６１４までの画像の変化量を検出することで、第ｐの
画像１６１１および第（ｐ＋３）の画像１６１４の中間状態となるように作成された画像
であってもよい。図１６（Ｂ）では、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域
）と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）と、によって、中間
状態の画像の様子を表している。すなわち、第（ｐ＋１）の画像１６１２および第（ｐ＋
２）の画像１６１３における円形の領域の位置は、第ｐの画像１６１１における位置と、
第（ｐ＋３）の画像１６１４における位置の中間の位置としている。具体的には、第ｐの
画像１６１１および第（ｐ＋３）の画像１６１４から検出した、円形の領域が移動する量
をＸとしたとき、第（ｐ＋１）の画像１６１２における円形の領域の位置は、第ｐの画像
１６１１における位置から、（１／３）Ｘ程度変位した位置であっても良い。さらに、第
（ｐ＋２）の画像１６１３における円形の領域の位置は、第ｐの画像１６１１における位
置から、（２／３）Ｘ程度変位した位置であっても良い。つまり、第（ｐ＋１）の画像１
６１２および第（ｐ＋２）の画像１６１３は、動き補償を行なって画像データを補間した
ものである。このように、画像上で動きのある物体に対して動き補償を行い、画像データ
を補間することにより、なめらかな表示を行なうことができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１６１２および第（ｐ＋２）の画像１６１３は、第ｐの画像
１６１１および第（ｐ＋３）の画像１６１４の中間状態となるように作成された上で、画
像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図１
６（Ｂ）のように、第ｐの画像１６１１の代表的な輝度をＬ、第（ｐ＋１）の画像１６１
２の代表的な輝度をＬｃ１、第（ｐ＋２）の画像１６１３の代表的な輝度をＬｃ２とした
とき、Ｌ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＞Ｌｃ１またはＬ＞Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２
という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌ＜Ｌｃ１＝Ｌｃ２＜０．８Ｌという関
係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌｃ＝Ｌｃ２＜０．５Ｌという関係が
あってもよい。または、逆にＬ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＜Ｌｃ１またはＬ＜Ｌｃ２
またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌｃ１＝０．１Ｌ
ｃ２＜Ｌ＜０．８Ｌｃ１＝０．８Ｌｃ２という関係があってもよい。さらに望ましくは、
０．２Ｌｃ１＝０．２Ｌｃ２＜Ｌ＜０．５Ｌｃ１＝０．５Ｌｃ２という関係があってもよ
い。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型とすることができるため、目の
残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画像が交互に現れるようにしても
よい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くすることができるので、フリッカを低
減することができる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

さらに、第（ｐ＋４）の画像１６１５および第（ｐ＋５）の画像１６１６についても、第
（ｐ＋３）の画像１６１４および第（ｐ＋６）の画像１６１７から同様な方法を用いて作
成されてもよい。すなわち、第（ｐ＋４）の画像１６１５および第（ｐ＋５）の画像１６
１６は、第（ｐ＋３）の画像１６１４から第（ｐ＋６）の画像１６１７までの画像の変化
量を検出することで、第（ｐ＋３）の画像１６１４および第（ｐ＋６）の画像１６１７の
中間状態となるように作成された画像であって、さらに、画像の輝度を一定の規則で制御
した画像であってもよい。

なお、図１６（Ｂ）の方法を用いると、表示フレームレートが大きいので、画像の動きが
目の動きによく追従できるようになり、画像の動きをなめらかに表示することができるた
め、動画ボケを大幅に低減することができる。

図１６（Ｃ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの１．５倍（変換比１．５
）である場合を表している。図１６（Ｃ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間
的な変化の様子を、模式的に表したものである。画像１６２１は第ｐの画像、画像１６２
２は第（ｐ＋１）の画像、画像１６２３は第（ｐ＋２）の画像、画像１６２４は第（ｐ＋
３）の画像であるとする。なお、実際には表示されなくてもよいが、画像１６２５は入力
画像データであり、第（ｐ＋１）の画像１６２２および第（ｐ＋２）の画像１６２３が作
成されるために用いられていてもよい。期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表してい
る。なお、図１６（Ｃ）は変換比が１．５である場合を表しているため、期間Ｔｉｎは、
第ｐの画像が表示されてから第（ｐ＋１）の画像が表示されるまで期間の１．５倍の長さ
となる。

ここで、第（ｐ＋１）の画像１６２２および第（ｐ＋２）の画像１６２３は、第ｐの画像
１６２１から画像１６２５を経由して第（ｐ＋３）の画像１６２４までの画像の変化量を
検出することで、第ｐの画像１６２１および第（ｐ＋３）の画像１６２４の中間状態とな
るように作成された画像であってもよい。図１６（Ｃ）では、フレームによって位置が変
化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の領
域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。すなわち、第（ｐ＋１）の画像
１６２２および第（ｐ＋２）の画像１６２３における円形の領域の位置は、第ｐの画像１
６２１における位置と、第（ｐ＋３）の画像１６２４における位置の中間の位置としてい
る。つまり、第（ｐ＋１）の画像１６２２および第（ｐ＋２）の画像１６２３は、動き補
償を行なって画像データを補間したものである。このように、画像上で動きのある物体に
対して動き補償を行い、画像データを補間することにより、なめらかな表示を行なうこと
ができる。

さらに、第（ｐ＋１）の画像１６２２および第（ｐ＋２）の画像１６２３は、第ｐの画像
１６２１および第（ｐ＋３）の画像１６２４の中間状態となるように作成された上で、画
像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、たとえば、図１
６（Ｃ）のように、第ｐの画像１６２１の代表的な輝度をＬ、第（ｐ＋１）の画像１６２
２の代表的な輝度をＬｃ１、第（ｐ＋２）の画像１６２３の代表的な輝度をＬｃ２とした
とき、Ｌ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＞Ｌｃ１またはＬ＞Ｌｃ２またはＬｃ１＝Ｌｃ２
という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌ＜Ｌｃ１＝Ｌｃ２＜０．８Ｌという関
係があってもよい。さらに望ましくは、０．２Ｌ＜Ｌｃ＝Ｌｃ２＜０．５Ｌという関係が
あってもよい。または、逆にＬ、Ｌｃ１、Ｌｃ２において、Ｌ＜Ｌｃ１またはＬ＜Ｌｃ２
またはＬｃ１＝Ｌｃ２という関係があってもよい。望ましくは、０．１Ｌｃ１＝０．１Ｌ
ｃ２＜Ｌ＜０．８Ｌｃ１＝０．８Ｌｃ２という関係があってもよい。さらに望ましくは、
０．２Ｌｃ１＝０．２Ｌｃ２＜Ｌ＜０．５Ｌｃ１＝０．５Ｌｃ２という関係があってもよ
い。このようにすることで、表示を擬似的にインパルス型とすることができるため、目の
残像を抑えることができる。または、輝度を変化させる画像が交互に現れるようにしても
よい。こうすることで、輝度が変化する周期を短くすることができるので、フリッカを低
減することができる。

このように、動画ボケに対する２つの異なる原因（画像の動きがなめらかではないこと、
および目の残像）を同時に解決することによって、動画ボケを大幅に低減することができ
る。

なお、図１６（Ｃ）の方法を用いると、表示フレームレートが小さいので、表示装置に信
号を書き込む時間を長くすることができる。そのため、表示装置のクロック周波数を小さ
くできるので、消費電力を低減することができる。また、動き補償を行なう処理速度を遅
くできるので、消費電力を低減することができる。

次に、図１７を参照して、画像の代表的な輝度について説明する。図１７（Ａ）乃至（Ｄ
）に示す図は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、模式的に表
したものである。図１７（Ｅ）は、ある領域内の画像の輝度を測定する方法の一例である
。

画像の輝度を測定する方法としては、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度
を測定する方法がある。この方法を用いると、画像の細部まで厳密に輝度を測定すること
ができる。

ただし、画像を構成するそれぞれの画素に対し、個別に輝度を測定する方法は、非常に労
力を要するため、別の方法を用いてもよい。画像の輝度を測定する別の方法としては、画
像内のある領域に注目し、その領域の平均的な輝度を測定する方法がある。この方法によ
って、簡易に画像の輝度を測定することができる。本実施の形態においては、画像内のあ
る領域の平均的な輝度を測定する方法によって求めた輝度を、便宜的に、画像の代表的な
輝度と呼ぶこととする。

そして、画像の代表的な輝度を求めるために、画像内のどの領域に注目するかという点に
ついて、以下で説明する。

図１７（Ａ）は、画像の変化に対し、位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）の輝度
を、画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周
期、画像１７０１は第ｐの画像、画像１７０２は第（ｐ＋１）の画像、画像１７０３は第
（ｐ＋２）の画像、第１の領域１７０４は第ｐの画像１７０１における輝度測定領域、第
２の領域１７０５は第（ｐ＋１）の画像１７０２における輝度測定領域、第３の領域１７
０６は第（ｐ＋２）の画像１７０３における輝度測定領域を、それぞれ表している。ここ
で、第１乃至第３の領域は、装置内の空間的な位置としては、概同じであるとしてよい。
つまり、第１乃至第３の領域で画像の代表的な輝度を測定することによって、画像の代表
的な輝度の時間変化を求めることができる。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１７０４で測定される輝度をＬ、第２
の領域１７０５で測定される輝度をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的に
インパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１７０４と第２の領域１７０５、第２の領域１７０５と第３の領域１
７０６、第１の領域１７０４と第３の領域１７０６のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％となる。そして、相対輝度が８
０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が５０％以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２０％以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が１０％以上８０
％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。

図１７（Ｂ）は、タイル状に分割された領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的
な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１７１１
は第ｐの画像、画像１７１２は第（ｐ＋１）の画像、画像１７１３は第（ｐ＋２）の画像
、第１の領域１７１４は第ｐの画像１７１１における輝度測定領域、第２の領域１７１５
は第（ｐ＋１）の画像１７１２における輝度測定領域、第３の領域１７１６は第（ｐ＋２
）の画像１７１３における輝度測定領域を、それぞれ表している。ここで、第１乃至第３
の領域は、装置内の空間的な位置としては、概同じであるとしてよい。つまり、第１乃至
第３の領域で画像の代表的な輝度を測定することによって、画像の代表的な輝度の時間変
化を求めることができる。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１７１４で測定される輝度の全ての領
域における平均値をＬ、第２の領域１７１５で測定される輝度の全ての領域における平均
値をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的にインパルス型であるといえる。
このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１７１４と第２の領域１７１５、第２の領域１７１５と第３の領域１
７１６、第１の領域１７１４と第３の領域１７１６のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％となる。そして、相対輝度が８
０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が５０％以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２０％以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が１０％以上８０
％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。

図１７（Ｃ）は、画像の中央の領域の輝度を測定し、その平均値を画像の代表的な輝度と
する方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１７２１は第ｐの
画像、画像１７２２は第（ｐ＋１）の画像、画像１７２３は第（ｐ＋２）の画像、第１の
領域１７２４は第ｐの画像１７２１における輝度測定領域、第２の領域１７２５は第（ｐ
＋１）の画像１７２２における輝度測定領域、第３の領域１７２６は第（ｐ＋２）の画像
１７２３における輝度測定領域を、それぞれ表している。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１７２４で測定される輝度をＬ、第２
の領域１７２５で測定される輝度をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的に
インパルス型であるといえる。このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１７２４と第２の領域１７２５、第２の領域１７２５と第３の領域１
７２６、第１の領域１７２４と第３の領域１７２６のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％となる。そして、相対輝度が８
０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が５０％以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２０％以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が１０％以上８０
％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。

図１７（Ｄ）は、画像全体からサンプリングした複数の点の輝度を測定し、その平均値を
画像の代表的な輝度とする方法の例を表している。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、
画像１７３１は第ｐの画像、画像１７３２は第（ｐ＋１）の画像、画像１７３３は第（ｐ
＋２）の画像、第１の領域１７３４は第ｐの画像１７３１における輝度測定領域、第２の
領域１７３５は第（ｐ＋１）の画像１７３２における輝度測定領域、第３の領域１７３６
は第（ｐ＋２）の画像１７３３における輝度測定領域を、それぞれ表している。

画像の代表的な輝度を測定することで、表示が擬似的にインパルス型となっているかどう
かを判断することができる。たとえば、第１の領域１７３４で測定される輝度の全ての領
域における平均値をＬ、第２の領域１７３５で測定される輝度の全ての領域における平均
値をＬｃとしたとき、Ｌｃ＜Ｌであれば、表示は擬似的にインパルス型であるといえる。
このようなときに、動画の品質は向上しているといえる。

なお、輝度測定領域において、時間の変化に対する画像の代表的な輝度の変化量（相対輝
度）が、次のような範囲であると、画質を向上することができる。相対輝度としては、た
とえば、第１の領域１７３４と第２の領域１７３５、第２の領域１７３５と第３の領域１
７３６、第１の領域１７３４と第３の領域１７３６のそれぞれに対し、大きい方の輝度に
対する小さい方の輝度の割合とすることができる。つまり、時間の変化に対する画像の代
表的な輝度の変化量が０であるとき、相対輝度は１００％となる。そして、相対輝度が８
０％以下であれば、動画の品質を向上できる。特に、相対輝度が５０％以下であれば、動
画の品質を顕著に向上できる。さらに、相対輝度が１０％以上であれば、消費電力を低減
し、かつフリッカを抑えることができる。特に、相対輝度が２０％以上であれば、消費電
力およびフリッカを顕著に低減することができる。すなわち、相対輝度が１０％以上８０
％以下であれば、動画の品質を向上させ、かつ、消費電力およびフリッカを低減すること
ができる。さらに、相対輝度が２０％以上５０％以下であれば、動画の品質を顕著に向上
させ、かつ、消費電力およびフリッカを顕著に低減することができる。

図１７（Ｅ）は、図１７（Ａ）乃至（Ｄ）に示す図における、輝度測定領域内の測定方法
を示した図である。領域１７４１は注目している輝度測定領域、点１７４２は輝度測定領
域１７４１内の輝度測定点である。時間分解能の高い輝度計測機器は、その測定対象範囲
が小さい場合があるため、領域１７４１が大きい場合は、領域全てを測定するのではなく
、図１７（Ｅ）のように、領域１７４１内を点状で偏り無く、複数の点で測定し、その平
均値をもって領域１７４１の輝度であるとしてもよい。

なお、画像がＲ、Ｇ、Ｂの３原色の組み合わせを持つ場合は、測定される輝度は、Ｒ、Ｇ
、Ｂを合わせた輝度であってもよいし、ＲおよびＧを合わせた輝度、ＧおよびＢを合わせ
た輝度、ＢおよびＲを合わせた輝度であってもよいし、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの輝度であっ
てもよい。

次に、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作成する方法、
および入力画像データに含まれる画像の動き等に従って駆動方法を制御する方法について
説明する。

図１８を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作
成する方法の例について説明する。図１８（Ａ）は、表示フレームレートが、入力フレー
ムレートの２倍（変換比が２）である場合を表したものである。図１８（Ａ）は、横軸を
時間として、画像の動きを検出する方法を、模式的に表したものである。期間Ｔｉｎは入
力画像データの周期、画像１８０１は第ｐの画像、画像１８０２は第（ｐ＋１）の画像、
画像１８０３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ表している。また、画像中に、時間に依
存しない領域として、第１の領域１８０４、第２の領域１８０５および第３の領域１８０
６を設ける。

まず、第（ｐ＋２）の画像１８０３においては、画像をタイル状の複数の領域に分割し、
そのうちの１つの領域である第３の領域１８０６内の画像データに着目する。

次に、第ｐの画像１８０１において、第３の領域１８０６を中心とした第３の領域１８０
６よりも大きな範囲に着目する。ここで、第３の領域１８０６を中心とした第３の領域１
８０６よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範囲は、水平方向（Ｘ方
向）の範囲を１８０７、垂直方向（Ｙ方向）の範囲を１８０８とする。なお、データ検索
範囲の水平方向の範囲１８０７および垂直方向の範囲１８０８は、第３の領域１８０６の
水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、それぞれ１５画素分程度拡大した範囲であって
もよい。

そして、データ検索範囲内において、前記第３の領域１８０６内の画像データと最も類似
した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることができ
る。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第１の領域１８０４が導出
されたとする。

次に、導出された第１の領域１８０４と、第３の領域１８０６との位置の違いを表す量と
して、ベクトル１８０９を導出する。なお、ベクトル１８０９を、動きベクトルと呼ぶこ
とにする。

そして、第（ｐ＋１）の画像１８０２においては、動きベクトル１８０９から求めたベク
トル１８１０と、第（ｐ＋２）の画像１８０３における第３の領域１８０６内の画像デー
タと、第ｐの画像１８０１における第１の領域１８０４内の画像データと、によって、第
２の領域１８０５を形成する。

ここで、動きベクトル１８０９から求めたベクトル１８１０を変位ベクトルと呼ぶことに
する。変位ベクトル１８１０は、第２の領域１８０５を形成する位置を決める役割を持つ
。第２の領域１８０５は、第３の領域１８０６から変位ベクトル１８１０だけ離れた位置
に形成される。なお、変位ベクトル１８１０は、動きベクトル１８０９に係数（１／２）
をかけた量であってもよい。

第（ｐ＋１）の画像１８０２における第２の領域１８０５内の画像データは、第（ｐ＋２
）の画像１８０３における第３の領域１８０６内の画像データと、第ｐの画像１８０１に
おける第１の領域１８０４内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第（ｐ＋１）の画像１８０２における第２の領域１８０５内の画像データは、第（ｐ＋２
）の画像１８０３における第３の領域１８０６内の画像データと、第ｐの画像１８０１に
おける第１の領域１８０４内の画像データの平均値であってもよい。

このようにして、第（ｐ＋２）の画像１８０３における第３の領域１８０６に対応する、
第（ｐ＋１）の画像１８０２における第２の領域１８０５を形成することができる。なお
、以上の処理を、第（ｐ＋２）の画像１８０３における他の領域にも行なうことで、第（
ｐ＋２）の画像１８０３と第ｐの画像１８０１の中間状態となる、第（ｐ＋１）の画像１
８０２を形成することができる。

図１８（Ｂ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの３倍（変換比が３）であ
る場合を表したものである。図１８（Ｂ）は、横軸を時間として、画像の動きを検出する
方法を、模式的に表したものである。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像１８１１
は第ｐの画像、画像１８１２は第（ｐ＋１）の画像、画像１８１３は第（ｐ＋２）の画像
、画像１８１４は第（ｐ＋３）の画像を、それぞれ表している。また、画像中に、時間に
依存しない領域として、第１の領域１８１５、第２の領域１８１６、第３の領域１８１７
および第４の領域１８１８を設ける。

まず、第（ｐ＋３）の画像１８１４においては、画像をタイル状の複数の領域に分割し、
そのうちの１つの領域である第４の領域１８１８内の画像データに着目する。

次に、第ｐの画像１８１１において、第４の領域１８１８を中心とした第４の領域１８１
８よりも大きな範囲に着目する。ここで、第４の領域１８１８を中心とした第４の領域１
８１８よりも大きな範囲は、データ検索範囲である。データ検索範囲は、水平方向（Ｘ方
向）の範囲を１８１９、垂直方向（Ｙ方向）の範囲を１８２０とする。なお、データ検索
範囲の水平方向の範囲１８１９および垂直方向の範囲１８２０は、第４の領域１８１８の
水平方向の範囲および垂直方向の範囲を、それぞれ１５画素分程度拡大した範囲であって
もよい。

そして、データ検索範囲内において、前記第４の領域１８１８内の画像データと最も類似
した画像データを持つ領域を検索する。検索方法は、最小二乗法などを用いることができ
る。検索の結果、最も類似した画像データを持つ領域として、第１の領域１８１５が導出
されたとする。

次に、導出された第１の領域１８１５と、第４の領域１８１８との位置の違いを表す量と
して、ベクトル１８２１を導出する。なお、ベクトル１８２１を、動きベクトルと呼ぶこ
とにする。

そして、第（ｐ＋１）の画像１８１２および、第（ｐ＋２）の画像１８１３においては、
動きベクトル１８２１から求めたベクトル１８２２および１８２３と、第（ｐ＋３）の画
像１８１４における第４の領域１８１８内の画像データと、第ｐの画像１８１１における
第１の領域１８１５内の画像データと、によって、第２の領域１８１６および第３の領域
１８１７を形成する。

ここで、動きベクトル１８２１から求めたベクトル１８２２を第１の変位ベクトルと呼ぶ
ことにする。また、ベクトル１８２３を第２の変位ベクトルと呼ぶことにする。第１の変
位ベクトル１８２２は、第２の領域１８１６を形成する位置を決める役割を持つ。第２の
領域１８１６は、第４の領域１８１８から第１の変位ベクトル１８２２だけ離れた位置に
形成される。なお、変位ベクトル１８２２は、動きベクトル１８２１に（１／３）をかけ
た量であってもよい。また、第２の変位ベクトル１８２３は、第３の領域１８１７を形成
する位置を決める役割を持つ。第３の領域１８１７は、第４の領域１８１８から第２の変
位ベクトル１８２３だけ離れた位置に形成される。なお、変位ベクトル１８２３は、動き
ベクトル１８２１に（２／３）をかけた量であってもよい。

第（ｐ＋１）の画像１８１２における第２の領域１８１６内の画像データは、第（ｐ＋３
）の画像１８１４における第４の領域１８１８内の画像データと、第ｐの画像１８１１に
おける第１の領域１８１５内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第（ｐ＋１）の画像１８１２における第２の領域１８１６内の画像データは、第（ｐ＋３
）の画像１８１４における第４の領域１８１８内の画像データと、第ｐの画像１８１１に
おける第１の領域１８１５内の画像データの平均値であってもよい。

第（ｐ＋２）の画像１８１３における第３の領域１８１７内の画像データは、第（ｐ＋３
）の画像１８１４における第４の領域１８１８内の画像データと、第ｐの画像１８１１に
おける第１の領域１８１５内の画像データによって決められるとしてもよい。たとえば、
第（ｐ＋２）の画像１８１３における第３の領域１８１７内の画像データは、第（ｐ＋３
）の画像１８１４における第４の領域１８１８内の画像データと、第ｐの画像１８１１に
おける第１の領域１８１５内の画像データの平均値であってもよい。

このようにして、第（ｐ＋３）の画像１８１４における第４の領域１８１８に対応する、
第（ｐ＋１）の画像１８０２における第２の領域１８１６、および第（ｐ＋２）の画像１
８１３における第３の領域１８１７を形成することができる。なお、以上の処理を、第（
ｐ＋３）の画像１８１４における他の領域にも行なうことで、第（ｐ＋３）の画像１８１
４と第ｐの画像１８１１の中間状態となる、第（ｐ＋１）の画像１８１２および第（ｐ＋
２）の画像１８１３を形成することができる。

次に、図１９を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画
像を作成する回路の例について説明する。図１９（Ａ）は、表示領域に画像を表示するた
めのソースドライバ、ゲートドライバを含む周辺駆動回路と、周辺駆動回路を制御する制
御回路の接続関係を表した図である。図１９（Ｂ）は、前記制御回路の詳細な回路構成の
一例を表した図である。図１９（Ｃ）は、前記制御回路に含まれる画像処理回路の詳細な
回路構成の一例を表した図である。図１９（Ｄ）は、前記制御回路に含まれる画像処理回
路の詳細な回路構成の別の例を表した図である。

図１９（Ａ）のように、本実施の形態における装置は、制御回路１９１１と、ソースドラ
イバ１９１２と、ゲートドライバ１９１３と、表示領域１９１４と、を含んでいてもよい
。

なお、制御回路１９１１、ソースドライバ１９１２およびゲートドライバ１９１３は、表
示領域１９１４が形成されている基板と同一の基板上に形成されていてもよい。

なお、制御回路１９１１、ソースドライバ１９１２およびゲートドライバ１９１３は、こ
れらのうち一部が、表示領域１９１４が形成されている基板と同一の基板上に形成され、
その他の回路は、表示領域１９１４が形成されている基板とは異なる基板上に形成されて
いてもよい。たとえば、ソースドライバ１９１２およびゲートドライバ１９１３が、表示
領域１９１４が形成されている基板と同一の基板上に形成され、制御回路１９１１は異な
る基板上に外付けＩＣとして形成されていてもよい。同様に、ゲートドライバ１９１３が
、表示領域１９１４が形成されている基板と同一の基板上に形成され、その他の回路は異
なる基板上に外付けＩＣとして形成されていてもよい。同様に、ソースドライバ１９１２
、ゲートドライバ１９１３および制御回路１９１１の一部が、表示領域１９１４が形成さ
れている基板と同一の基板上に形成され、その他の回路は異なる基板上に外付けＩＣとし
て形成されていてもよい。

制御回路１９１１は、外部画像信号１９００と、水平同期信号１９０１と、垂直同期信号
１９０２と、が入力され、画像信号１９０３と、ソーススタートパルス１９０４と、ソー
スクロック１９０５と、ゲートスタートパルス１９０６と、ゲートクロック１９０７と、
が出力される構成であってもよい。

ソースドライバ１９１２は、画像信号１９０３と、ソーススタートパルス１９０４と、ソ
ースクロック１９０５と、が入力され、画像信号１９０３に従った電圧または電流を表示
領域１９１４に出力する構成であってもよい。

ゲートドライバ１９１３は、ゲートスタートパルス１９０６と、ゲートクロック１９０７
と、が入力され、ソースドライバ１９１２から出力される信号を表示領域１９１４に書き
込むタイミングを指定する信号が出力される構成であってもよい。

外部画像信号１９００の周波数と、画像信号１９０３の周波数が異なっている場合、ソー
スドライバ１９１２およびゲートドライバ１９１３を駆動するタイミングを制御する信号
も、入力される水平同期信号１９０１および垂直同期信号１９０２とは異なる周波数を持
つことになる。そのため、画像信号１９０３の処理に加えて、ソースドライバ１９１２お
よびゲートドライバ１９１３を駆動するタイミングを制御する信号も処理する必要がある
。制御回路１９１１は、そのための機能を持った回路であってもよい。たとえば、外部画
像信号１９００の周波数に対して画像信号１９０３の周波数が倍であった場合、制御回路
１９１１は、外部画像信号１９００に含まれる画像信号を補間して倍の周波数の画像信号
１９０３を生成し、かつ、タイミングを制御する信号も倍の周波数になるように制御する
。

また、制御回路１９１１は、図１９（Ｂ）のように、画像処理回路１９１５と、タイミン
グ発生回路１９１６と、を含んでいてもよい。

画像処理回路１９１５は、外部画像信号１９００と、周波数制御信号１９０８と、が入力
され、画像信号１９０３が出力される構成であってもよい。

タイミング発生回路１９１６は、水平同期信号１９０１と、垂直同期信号１９０２と、が
入力され、ソーススタートパルス１９０４と、ソースクロック１９０５と、ゲートスター
トパルス１９０６と、ゲートクロック１９０７と、周波数制御信号１９０８と、が出力さ
れる構成であってもよい。なお、タイミング発生回路１９１６は、周波数制御信号１９０
８の状態を指定するためのデータを保持するメモリまたはレジスタ等を含んでいてもよい
。また、タイミング発生回路１９１６は、外部から周波数制御信号１９０８の状態を指定
する信号が入力される構成であってもよい。

画像処理回路１９１５は、図１９（Ｃ）のように、動き検出回路１９２０と、第１のメモ
リ１９２１と、第２のメモリ１９２２と、第３のメモリ１９２３と、輝度制御回路１９２
４と、高速処理回路１９２５と、を含んでいてもよい。

動き検出回路１９２０は、複数の画像データが入力され、画像の動きが検出され、前記複
数の画像データの中間状態である画像データが出力される構成であってもよい。

第１のメモリ１９２１は、外部画像信号１９００が入力され、前記外部画像信号１９００
を一定期間保持しつつ、動き検出回路１９２０と第２のメモリ１９２２に前記外部画像信
号１９００を出力する構成であってもよい。

第２のメモリ１９２２は、第１のメモリ１９２１から出力された画像データが入力され、
前記画像データを一定期間保持しつつ、動き検出回路１９２０と高速処理回路１９２５に
前記画像データを出力する構成であってもよい。

第３のメモリ１９２３は、動き検出回路１９２０から出力された画像データが入力され、
前記画像データを一定期間保持しつつ、輝度制御回路１９２４に前記画像データを出力す
る構成であってもよい。

高速処理回路１９２５は、第２のメモリ１９２２から出力された画像データと、輝度制御
回路１９２４から出力された画像データと、周波数制御信号１９０８と、が入力され、前
記画像データを、画像信号１９０３として出力する構成であってもよい。

外部画像信号１９００の周波数と、画像信号１９０３の周波数が異なっている場合、画像
処理回路１９１５によって、外部画像信号１９００に含まれる画像信号を補間して画像信
号１９０３を生成してもよい。入力された外部画像信号１９００は、一旦第１のメモリ１
９２１に保持される。そのとき、第２のメモリ１９２２には、１つ前のフレームで入力さ
れた画像データが保持されている。動き検出回路１９２０は、第１のメモリ１９２１およ
び第２のメモリ１９２２に保持された画像データを適宜読み込み、両者の画像データの違
いから動きベクトルを検出し、さらに、中間状態の画像データを生成してもよい。生成さ
れた中間状態の画像データは、第３のメモリ１９２３によって保持される。

動き検出回路１９２０が中間状態の画像データを生成しているとき、高速処理回路１９２
５は、第２のメモリ１９２２に保持されている画像データを、画像信号１９０３として出
力する。その後、第３のメモリ１９２３に保持された画像データを輝度制御回路１９２４
を通じて画像信号１９０３として出力する。このとき、第２のメモリ１９２２および第３
のメモリ１９２３が更新される周波数は外部画像信号１９００の周波数と同じだが、高速
処理回路１９２５を通じて出力される画像信号１９０３の周波数は、外部画像信号１９０
０の周波数と異なっていてもよい。具体的には、たとえば、画像信号１９０３の周波数は
外部画像信号１９００の周波数の１．５倍、２倍、３倍が挙げられる。しかし、これに限
定されるものではなく、様々な周波数とすることができる。なお、画像信号１９０３の周
波数は、周波数制御信号１９０８によって指定されてもよい。

図１９（Ｄ）に示した画像処理回路１９１５の構成は、図１９（Ｃ）に示した画像処理回
路１９１５の構成に、第４のメモリ１９２６を加えたものである。このように、第１のメ
モリ１９２１から出力された画像データと、第２のメモリ１９２２から出力された画像デ
ータに加えて、第４のメモリ１９２６から出力された画像データも動き検出回路１９２０
に出力することで、正確に画像の動きを検出することが可能になる。

なお、入力される画像データが、データ圧縮等のために、すでに動きベクトルを含んでい
るような場合、たとえばＭＰＥＧ（Ｍｏｖｉｎｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｅｘｐｅｒｔ Ｇｒ
ｏｕｐ）の規格に基づく画像データである場合は、これを用いて中間状態の画像を補間画
像として生成すればよい。このとき、動き検出回路１９２０に含まれる、動きベクトルを
生成する部分は不要となる。また、画像信号１９０３に係るエンコードおよびデコード処
理も簡単なものとなるため、消費電力を低減できる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態２）
本実施の形態においては、表示装置の画像の品質を向上させる方法の、更なる応用例につ
いて説明する。主なものとしては、様々な状況に対して駆動方法を変化させるものである
。なお、ここでいう状況とは、画像データの内容、装置内外の環境（温度、湿度、気圧、
光、音、磁界、電界、放射線量、高度、加速度、移動速度、等）、ユーザ設定、ソフトウ
エアバージョン、等を含む。

図２０を参照して、入力画像データに含まれる画像の動きを検出し、中間状態の画像を作
成する方法の例について説明する。図２０（Ａ）乃至（Ｅ）は、表示フレームレートが、
入力フレームレートの２倍である場合に表示される画像の模式図を表したものである。図
２０（Ａ）は、横軸を時間として、画像の動きを検出する方法を、模式的に表したもので
ある。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像２００１は第ｐの画像、画像２００２は
第（ｐ＋１）の画像、画像２００３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ表している。また
、画像中に、時間に依存しない領域として、第１の領域２００４、第２の領域２００５、
第３の領域２００６、第４の領域２００７、第５の領域２００８、第６の領域２００９、
を設ける。

第（ｐ＋２）の画像２００３における第３の領域２００６、および第ｐの画像２００１に
おける第１の領域２００４から、第（ｐ＋１）の画像２００２における第２の領域２００
５を求める方法については、既に述べた方法を用いてもよい。つまり、図２０における第
ｐの画像２００１、第（ｐ＋１）の画像２００２、第（ｐ＋２）の画像２００３、第１の
領域２００４、第２の領域２００５、第３の領域２００６、動きベクトル２０１０および
変位ベクトル２０１１を、それぞれ、図１８における第ｐの画像１８０１、第（ｐ＋１）
の画像１８０２、第（ｐ＋２）の画像１８０３、第１の領域１８０４、第２の領域１８０
５、第３の領域１８０６、動きベクトル１８０９および変位ベクトル１８１０に対応して
いるとしてもよい。

第４の領域２００７および第６の領域２００９は、それぞれの領域に含まれる画像データ
が、第ｐの画像２００１および第（ｐ＋２）の画像２００３において、ほぼ動いていない
状態である場合を示している。このとき、第５の領域２００８に生成される画像データは
、第ｐの画像２００１における第４の領域２００７内の画像データと、第（ｐ＋２）の画
像２００３における第６の領域２００９内の画像データの平均値であってもよいが、図２
０（Ａ）のように、輝度の小さい黒画像であってもよい。すなわち、画像の動きの大きい
領域においては中間状態の画像を生成し、画像の動きの小さい領域においては黒画像を生
成するとしてもよい。こうすることで、第（ｐ＋１）の画像２００２の代表的な輝度が小
さくなり、表示を擬似的にインパルス型とすることができる。このように、動き補償によ
り画像を補間した上で、表示する画像間で代表的な輝度の差を設けて表示を擬似的にイン
パルス型としてもよい。こうすることで、動きをなめらかにすることができ、かつ、目の
残像を抑えることができるので、動画ボケを大幅に低減することができる。

なお、中間状態の画像を生成するか、黒画像を生成するかを決める場合、動きベクトル２
０１０の大きさに閾値を設けることとしてもよい。動きベクトル２０１０の大きさの閾値
としては、３画素分であることが望ましく、さらに望ましくは２画素分である。

図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）に示した中間画像の生成方法を用いた場合の、画像の切り
替わりを表した模式図である。期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像２０２１は第ｐ
の画像、画像２０２２は第（ｐ＋１）の画像、画像２０２３は第（ｐ＋２）の画像を、そ
れぞれ表している。また、走査信号によって画像を走査する様子を、矢印２０２４、２０
２５、２０２６によって表している。

図２０（Ｂ）においては、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）と、フレ
ームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）が、同時に含まれている画像を
例としてあげている。このとき、図２０（Ｂ）に示す駆動方法では、画像の動きによって
検出された動きベクトルが大きい領域と小さい領域で、第（ｐ＋１）の画像２０２２の生
成方法を変える。具体的には、動きベクトルが大きい領域（ここでは主に円形の領域）で
は中間状態とし、動きベクトルが小さい領域（ここでは主に三角形の領域）では黒画像と
する。こうすることで、第（ｐ＋１）の画像２０２２の代表的な輝度が小さくなり、表示
を擬似的にインパルス型とすることができる。このように、動き補償により画像を補間し
た上で、表示する画像間で代表的な輝度の差を設けて表示を擬似的にインパルス型として
もよい。こうすることで、動きをなめらかにすることができ、かつ、目の残像を抑えるこ
とができるので、動画ボケを大幅に低減することができる。

なお、図２０（Ｂ）において、第（ｐ＋１）の画像２０２２の画像データを表示領域に書
き込むときに、積極的に黒データを書き込むのではなく、画像が大きく動いている部分の
みに書き込みを行い、画像があまり動いていない部分においては、書き込みをせず、第ｐ
の画像２０２１のデータを保持する駆動としてもよい。この場合、第ｐの画像２０２１の
データを書き込むときは、走査信号を矢印２０２４のように全体に走査させる。次に、第
（ｐ＋１）の画像２０２２のデータを書き込むときは、走査信号を矢印２０２５のように
、動きの大きい領域のみに走査させる。第（ｐ＋２）の画像２０２３のデータを書き込む
ときは、走査信号を矢印２０２６のように全体に走査させる。こうすることで、動きが小
さく、中間状態の画像を表示する必要のない部分にはデータ書き込みをしなくてもよくな
るため、消費電力を低減できる。また、第（ｐ＋１）の画像２０２２を生成する際にノイ
ズが混入しないので、画質を向上することができる。

図２０（Ｃ）乃至（Ｅ）は、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）と、フ
レームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の領域）が、同時に含まれている画像
を例としてあげている。そして、フレームによって位置が変化する領域において、動きの
大きさがそれぞれ異なっている場合を表している。

図２０（Ｃ）において、期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像２０３１は第ｐの画像
、画像２０３２は第（ｐ＋１）の画像、画像２０３３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ
表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２０３２は、第ｐの画像２０３１から第（ｐ＋
２）の画像２０３３までの画像の変化量（動きベクトル）を検出することで、第ｐの画像
２０３１および第（ｐ＋２）の画像２０３３の中間状態となるように作成された画像であ
ってもよい。さらに、第（ｐ＋１）の画像２０３２は、第ｐの画像２０３１および第（ｐ
＋２）の画像２０３３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則
で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、動きベクトルの大きさに
よって決められるとしてもよい。

図２０（Ｄ）において、期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像２０４１は第ｐの画像
、画像２０４２は第（ｐ＋１）の画像、画像２０４３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ
表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２０４２は、第ｐの画像２０４１から第（ｐ＋
２）の画像２０４３までの画像の変化量（動きベクトル）を検出することで、第ｐの画像
２０４１および第（ｐ＋２）の画像２０４３の中間状態となるように作成された画像であ
ってもよい。さらに、第（ｐ＋１）の画像２０４２は、第ｐの画像２０４１および第（ｐ
＋２）の画像２０４３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則
で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、動きベクトルの大きさに
よって決められるとしてもよい。

図２０（Ｅ）において、期間Ｔｉｎは入力画像データの周期、画像２０５１は第ｐの画像
、画像２０５２は第（ｐ＋１）の画像、画像２０５３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ
表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２０５２は、第ｐの画像２０５１から第（ｐ＋
２）の画像２０５３までの画像の変化量（動きベクトル）を検出することで、第ｐの画像
２０５１および第（ｐ＋２）の画像２０５３の中間状態となるように作成された画像であ
ってもよい。さらに、第（ｐ＋１）の画像２０５２は、第ｐの画像２０５１および第（ｐ
＋２）の画像２０５３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝度を一定の規則
で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、動きベクトルの大きさに
よって決められるとしてもよい。

図２０（Ｃ）乃至（Ｅ）において、フレームによって位置が変化する領域（円形の領域）
の動きが一番大きいのが図２０（Ｄ）に示す駆動方法であり、その次に大きいのが図２０
（Ｃ）に示す駆動方法であり、その次に大きいのが図２０（Ｅ）に示す駆動方法であると
する。このとき、補間画像の輝度は、検出された動きベクトルの大きさから決められると
してもよい。

すなわち、図２０（Ｃ）における第（ｐ＋１）の画像２０３２の輝度をＬｃ０とし、図２
０（Ｄ）における第（ｐ＋１）の画像２０４２の輝度をＬｃ１とし、図２０（Ｅ）におけ
る第（ｐ＋１）の画像２０５２の輝度をＬｃ２としたとき、Ｌｃ０、Ｌｃ１、Ｌｃ２は、
Ｌｃ１＜Ｌｃ０＜Ｌｃ２という関係があってもよい。つまり、フレームによって位置が変
化する領域の動きが大きいほど、補間画像の輝度を小さくするようにしてもよい。こうす
ることで、画像の動きが大きく、動画ボケが強く発生してしまう場合には、表示をより擬
似的にインパルス型に近づけることができる。このように、動き補償により画像を補間し
た上で、表示する画像間で代表的な輝度の差を設けて表示を擬似的にインパルス型として
もよい。こうすることで、動きをなめらかにすることができ、かつ、目の残像を抑えるこ
とができるので、動画ボケを大幅に低減することができる。

なお、画像の動きが小さく、動画ボケがあまり発生しない場合には、表示をホールド型に
近づけることができるので、フリッカおよび消費電力を低減することができる。

なお、画像の輝度が制御される量は、検出された動きベクトルの大きさだけではなく、ユ
ーザによる設定または外部の環境（周囲の明るさ、温度など）、またはこれらの組み合わ
せから決められるとしてもよい。

次に、図２１を参照して、画像の動きと表示フレームレートを関係付ける方法について説
明する。図２１（Ａ）乃至（Ｃ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化
の様子を、模式的に表したものである。また、図２１（Ａ）乃至（Ｃ）は、フレームによ
って位置が変化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域
（三角形の領域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。図２１（Ａ）は、
表示フレームレートが、入力フレームレートの２倍である場合を表している。図２１（Ｂ
）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの３倍である場合を表している。図２
１（Ｃ）は、表示フレームレートが、入力フレームレートの１．５倍である場合を表して
いる。

図２１（Ａ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２１０
１は第ｐの画像、画像２１０２は第（ｐ＋１）の画像、画像２１０３は第（ｐ＋２）の画
像、画像２１０４は第（ｐ＋３）の画像、画像２１０５は第（ｐ＋４）の画像を、それぞ
れ表している。

図２１（Ａ）において、第（ｐ＋１）の画像２１０２は、第ｐの画像２１０１から第（ｐ
＋２）の画像２１０３までの画像の変化量を検出することで、第ｐの画像２１０１および
第（ｐ＋２）の画像２１０３の中間状態となるように作成された画像であってもよい。同
様に、第（ｐ＋３）の画像２１０４は、第（ｐ＋２）の画像２１０３から第（ｐ＋４）の
画像２１０５までの画像の変化量を検出することで、第（ｐ＋２）の画像２１０３および
第（ｐ＋４）の画像２１０５の中間状態となるように作成された画像であってもよい。

図２１（Ｂ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２１１
１は第ｐの画像、画像２１１２は第（ｐ＋１）の画像、画像２１１３は第（ｐ＋２）の画
像、画像２１１４は第（ｐ＋３）の画像、画像２１１５は第（ｐ＋４）の画像、画像２１
１６は第（ｐ＋５）の画像、画像２１１７は第（ｐ＋６）の画像を、それぞれ表している
。

図２１（Ｂ）において、第（ｐ＋１）の画像２１１２および第（ｐ＋２）の画像２１１３
は、第ｐの画像２１１１から第（ｐ＋３）の画像２１１４までの画像の変化量を検出する
ことで、第ｐの画像２１１１および第（ｐ＋３）の画像２１１４の中間状態となるように
作成された画像であってもよい。同様に、第（ｐ＋４）の画像２１１５および第（ｐ＋５
）の画像２１１６は、第（ｐ＋３）の画像２１１４から第（ｐ＋６）の画像２１１７まで
の画像の変化量を検出することで、第（ｐ＋３）の画像２１１４および第（ｐ＋６）の画
像２１１７の中間状態となるように作成された画像であってもよい。

図２１（Ｃ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２１２
１は第ｐの画像、画像２１２２は第（ｐ＋１）の画像、画像２１２３は第（ｐ＋２）の画
像、画像２１２４は第（ｐ＋３）の画像を、それぞれ表している。なお、実際には表示さ
れなくてもよいが、画像２１２５は入力画像データであり、第（ｐ＋１）の画像２１２２
および第（ｐ＋２）の画像２１２３が作成されるために用いられていてもよい。

図２１（Ｃ）において、第（ｐ＋１）の画像２１２２および第（ｐ＋２）の画像２１２３
は、第ｐの画像２１２１から第（ｐ＋４）の画像２１２５を通じて第（ｐ＋３）の画像２
１２４までの画像の変化量を検出することで、第ｐの画像２１２１および第（ｐ＋３）の
画像２１２４の中間状態となるように作成された画像であってもよい。

ここで、図２１（Ａ）乃至（Ｃ）においては、それぞれの基本画像における、フレームに
よって位置が変化する領域の動きの大きさが異なっている。すなわち、図２１（Ｂ）で示
す画像（表示フレームレート３倍）が画像の動きが一番大きく、その次に大きいのが図２
１（Ａ）で示す画像（表示フレームレート２倍）、その次に大きいのが図２１（Ｃ）で示
す画像（表示フレームレート１．５倍）である。このように、画像の動きの大きさに従っ
て、表示フレームレートの周波数を変更して表示させてもよい。こうすることによって、
画像の動きの大きさに対して適切な駆動周波数を選択することができるので、動画のなめ
らかさを向上することによって動画ボケを効果的に低減しつつ、消費電力の増加および処
理量の増加による発熱の増加も低減することができる。また、画像の動きが小さいときの
フリッカも低減することができる。

なお、表示フレームレートは、検出された動きベクトルの大きさだけではなく、ユーザに
よる設定または外部の環境（周囲の明るさ、温度など）、またはこれらの組み合わせから
決められるとしてもよい。

さらに、図２１（Ａ）乃至（Ｃ）における補間画像は、複数の基本画像の中間状態となる
ように作成された上で、画像の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の
規則とは、具体的には、動きベクトルの大きさ、ユーザによる設定または外部の環境（周
囲の明るさ、温度など）、またはこれらの組み合わせから決められるとしてもよい。この
ように、動き補償により画像を補間した上で、表示する画像間で代表的な輝度の差を設け
て表示を擬似的にインパルス型としてもよい。こうすることで、動きをなめらかにするこ
とができ、かつ、目の残像を抑えることができるので、動画ボケを大幅に低減することが
できる。

次に、図２２を参照して、画像の動きと駆動方法を関係付ける方法について説明する。図
２２（Ａ）乃至（Ｅ）は、横軸を時間として、表示される画像の時間的な変化の様子を、
模式的に表したものである。また、図２２（Ａ）乃至（Ｅ）は、フレームによって位置が
変化する領域（円形の領域）と、フレームによって位置がほぼ変化しない領域（三角形の
領域）と、によって、中間状態の画像の様子を表している。

図２２（Ａ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２２０
１は第ｐの画像、画像２２０２は第（ｐ＋１）の画像、画像２２０３は第（ｐ＋２）の画
像を、それぞれ表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２２０２は、第ｐの画像２２０
１から第（ｐ＋２）の画像２２０３までの画像の変化量（動きベクトル）を検出すること
で、第ｐの画像２２０１および第（ｐ＋２）の画像２２０３の中間状態となるように作成
された画像であってもよい。さらに、第（ｐ＋１）の画像２２０２は、第ｐの画像２２０
１および第（ｐ＋２）の画像２２０３の中間状態となるように作成された上で、画像の輝
度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、動きベク
トルの大きさ、ユーザによる設定または外部の環境（周囲の明るさ、温度など）、または
これらの組み合わせから決められるとしてもよい。

図２２（Ａ）は、入力される画像データから、画像が動いている量を検出し、中間状態と
なるような画像を補間画像とし、かつ、補間画像の輝度を変化させる方法である。本実施
の形態においては、図２２（Ａ）に示す駆動方法を、輝度制御倍速駆動と呼ぶ。

図２２（Ｂ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２２１
１は第ｐの画像、画像２２１２は第（ｐ＋１）の画像、画像２２１３は第（ｐ＋２）の画
像を、それぞれ表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２２１２は、第ｐの画像２２１
１から第（ｐ＋２）の画像２２１３までの画像の変化量（動きベクトル）を検出すること
で、第ｐの画像２２１１および第（ｐ＋２）の画像２２１３の中間状態となるように作成
された画像であってもよい。さらに、第（ｐ＋１）の画像２２１２は、第ｐの画像２２１
１および第（ｐ＋２）の画像２２１３の中間状態となるように作成された上で、表示フレ
ームレートを一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、
動きベクトルの大きさ、ユーザによる設定または外部の環境（周囲の明るさ、温度など）
、またはこれらの組み合わせから決められるとしてもよい。

図２２（Ｂ）は、複数のフレームに含まれる画像データから、画像が動いている量を検出
し、該複数のフレームに含まれる画像の中間状態となるような画像を補間画像として、表
示フレームレートを入力フレームレートよりも大きくする方法である。本実施の形態にお
いては、図２２（Ｂ）に示す駆動方法を、倍速駆動と呼ぶ。

図２２（Ｃ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２２２
１は第ｐの画像、画像２２２２は第（ｐ＋１）の画像、画像２２２３は第（ｐ＋２）の画
像を、それぞれ表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２２２２は、第ｐの画像２２２
１の輝度を一定の規則で制御した画像であってもよい。一定の規則とは、具体的には、動
きベクトルの大きさ、ユーザによる設定または外部の環境（周囲の明るさ、温度など）、
またはこれらの組み合わせから決められるとしてもよい。

図２２（Ｃ）は、補間画像として暗画像または黒画像を用いることで、表示を擬似的にイ
ンパルス型とする方法である。本実施の形態においては、図２２（Ｃ）に示す駆動方法を
、黒画像挿入駆動と呼ぶ。

図２２（Ｄ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２２３
１は第ｐの画像、画像２２３２は第（ｐ＋１）の画像、画像２２３３は第（ｐ＋２）の画
像を、それぞれ表している。ここで、第（ｐ＋１）の画像２２３２は、第ｐの画像２２３
１の画像データにしたがって、一定の規則で生成された画像であってもよい。一定の規則
とは、具体的には、動きベクトルの大きさ、ユーザによる設定または外部の環境（周囲の
明るさ、温度など）、またはこれらの組み合わせから決められるとしてもよい。

図２２（Ｄ）は、第ｐの画像２２３１の階調レベルを大きくし、輝度が飽和した部分につ
いて、第（ｐ＋１）の画像２２３２を補間画像として表示し、第ｐの画像２２３１の階調
を補うことで、表示を擬似的にインパルス型とする方法であってもよい。
本実施の形態においては、図２２（Ｄ）に示す駆動方法を、時分割階調制御駆動と呼ぶ。

図２２（Ｅ）において、期間Ｔｉｎは、入力画像データの周期を表している。画像２２４
１は第ｐの画像、画像２２４３は第（ｐ＋２）の画像を、それぞれ表している。

図２２（Ｅ）は、基本画像を入力画像データの周期にわたって表示し続ける、ホールド型
駆動を表している。

ここで、図２２（Ａ）乃至（Ｅ）においては、それぞれの基本画像における、フレームに
よって位置が変化する領域の動きの大きさが異なっている。すなわち、図２２（Ａ）示す
画像（輝度制御倍速駆動）が画像の動きが一番大きく、その次に大きいのが図２２（Ｂ）
で示す画像（倍速駆動）、その次に大きいのが図２２（Ｃ）で示す画像（黒画像挿入駆動
）、その次に大きいのが図２２（Ｄ）で示す画像（時分割階調制御駆動）、その次に大き
いのが図２２（Ｅ）で示す画像（ホールド型駆動）である。このように、画像の動きの大
きさに従って、駆動方法を変更して表示させてもよい。こうすることによって、画像の動
きの大きさに対して適切な駆動方法を選択することができるので、動画ボケを効果的に低
減しつつ、消費電力の増加および処理量の増加による発熱の増加も低減することができる
。また、画像の動きが小さいときのフリッカも低減することができる。

次に、図２３を参照して、画像の動きおよび周囲の明るさによって駆動方法を選択するフ
ローチャートについて説明する。

開始後に、第１のステップとして、周囲の明るさを検出するかどうかを選択する。選択す
る場合は、第２のステップに進む。選択しない場合は、第６のステップに進む。なお、周
囲の明るさを検出しない場合には、装置が周囲の明るさを検出する手段を持たない場合も
含んでいる。

第２のステップとして、周囲の明るさを検出する。その後、第３のステップに進む。

第３のステップとして、第２のステップで検出した明るさが、あらかじめ決められた明る
さの閾値以下かどうかを判断する。明るさの閾値以下だった場合は、第４のステップに進
む。明るさの閾値より大きかった場合は、第５のステップに進む。なお、明るさの閾値は
、装置内のメモリに保持されていてもよい。また、明るさの閾値は、ユーザが指定できる
ような構成であってもよい。

第４のステップとして、液晶表示装置のようにバックライトを有する装置である場合、バ
ックライト点滅モードを選択する。その後、第５のステップに進む。なお、バックライト
を有さない装置である場合は、そのまま第５のステップに進む。なお、バックライト点滅
モードとは、バックライト全体の輝度を一斉に増減させるものでもよいし、バックライト
の一部分の輝度を順次増減させるものであってもよい。なお、バックライト点滅モードを
選択した場合、バックライトの最大輝度が同じであれば、平均輝度が小さくなるのでバッ
クライトは暗くなってしまうが、周囲の明るさが閾値以下であれば、バックライトが暗く
なることで表示が見やすくなり、黒浮きが低減され、かつ、消費電力を低減することがで
きる。

第５のステップとして、液晶表示装置のようにバックライトを有する装置である場合、バ
ックライト出力を決定する。その後、第６のステップに進む。なお、バックライトを有さ
ない装置である場合は、そのまま第６のステップに進んでもよいし、検出した明るさによ
って最大輝度を決定し、その後に第６のステップに進んでもよい。なお、周囲の明るさが
小さいほど、バックライト出力も小さくするのが望ましい。こうすることによって、黒浮
きを低減しつつ、消費電力を低減することができる。

第６のステップとして、動きベクトルεを検出する。その後、第７のステップに進む。な
お、動きベクトルεは、ここではスカラー量として取り扱う。

なお、第６のステップにおいて、画像から検出する動きベクトルεは、１つの動きベクト
ルであってもよいし、複数の動きベクトルから求めたものであってもよい。たとえば、複
数の動きベクトルを検出し、検出された動きベクトルの大きさと数から、駆動法の選択に
使用する動きベクトルεを求めてもよい。

第７のステップとして、動きベクトルεが動きベクトルの第１の閾値ε１よりも大きいか
どうかを判断する。この条件に当てはまる場合は、第１２のステップに進む。そうでない
場合は、第８のステップに進む。

第８のステップとして、動きベクトルεが動きベクトルの第２の閾値ε２よりも大きく、
第１の閾値ε１以下かどうかを判断する。この条件に当てはまる場合は、第１３のステッ
プに進む。そうでない場合は、第９のステップに進む。

第９のステップとして、動きベクトルεが動きベクトルの第３の閾値ε３よりも大きく、
第２の閾値ε２以下かどうかを判断する。この条件に当てはまる場合は、第１４のステッ
プに進む。そうでない場合は、第１０のステップに進む。

第１０のステップとして、動きベクトルεが動きベクトルの第４の閾値ε４よりも大きく
、第３の閾値ε３以下かどうかを判断する。この条件に当てはまる場合は、第１５のステ
ップに進む。そうでない場合は、第１１のステップに進む。

第１１のステップとして、ホールド型駆動（図２２（Ｅ））を選択する。その後、第１６
のステップに進む。

第１２のステップとして、輝度制御倍速駆動（図２２（Ａ））を選択する。その後、第１
６のステップに進む。

第１３のステップとして、倍速駆動（図２２（Ｂ））を選択する。その後、第１６のステ
ップに進む。

第１４のステップとして、黒画像挿入駆動（図２２（Ｃ））を選択する。その後、第１６
のステップに進む。

第１５のステップとして、時分割階調制御駆動（図２２（Ｄ））を選択する。その後、第
１６のステップに進む。

第１６のステップとして、選択した駆動方法を、一定期間維持する。その後、終了する。

なお、第１６のステップにおいて、駆動法を維持する期間は、適宜選択することができる
。たとえば、１フレームごとに検出した動きベクトルによって１フレームごとに駆動法を
切替えてもよいし、数秒単位で駆動法を切替えてもよいし、数分単位で駆動法を切替えて
もよいし、ユーザが設定した表示モード等によって駆動方法を維持する期間を決定しても
よい。

このように、図２３に示したフローチャートに従って駆動方法を選択することで、画像の
動きの大きさに対して適切な駆動方法を選択することができるので、動画ボケを効果的に
低減しつつ、消費電力の増加および処理量の増加による発熱の増加も低減することができ
る。また、画像の動きが小さいときのフリッカも低減することができる。

なお、ここでは動きベクトルの閾値を４つ設定し、これらに従って５つの駆動方法から１
つ選択するとしたが、選択できる駆動方法の内容は、上述したものに限定されず、様々な
駆動方法を用いることができる。また、選択できる駆動方法の数は、あまり大きいと駆動
回路が複雑になり、処理も複雑になるため、５種類以下が望ましい。こうすることで、製
造コストを低減できる。また、消費電力を低減できる。

なお、動きベクトルの閾値ε１乃至ε４の大小関係は、０＜ε４＜ε３＜ε２＜ε１であ
ってもよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態３）
本実施の形態においては、１フレームを２つ以上の複数のサブフレームに分割し、これら
の複数のサブフレームを、主に画像表示に用いるもの（明画像）と、主に動画の残像低減
のために用いるもの（暗画像）とに使い分けることで、動画の品質を向上する方法につい
て説明する。

ここで、黒画像と暗画像の違いを説明する。黒画像は、画像を形成する全ての画素が、非
発光状態または非透過状態となっている画像であり、まさに真っ黒な画像であるとする。
一方、暗画像は、画像を形成する画素のうち、比較的小さい輝度で発光している画素が、
主であるときに形成される画像であるとする。すなわち、暗画像とは、画像を形成する全
ての画素の総発光量が、対応する明画像と比較して小さい画像であるとする。この定義に
従えば、暗画像として黒画像が用いられる場合もあり得る。

次に、積分輝度について説明する。一般的に、表示装置に並置された画素の集合として形
成された画像は、そのままの画像として人間に知覚されるとは限らない。

第１に、画素のサイズが十分小さい場合には、分散して配置されている画素であっても、
人間の目は空間的に近接した画素と判別できなくなる。たとえば、近接した画素の発光色
が違うときは、発光色の違いは知覚されず、近接した画素同士で混ざり合った色として知
覚される。この性質は並置混色と呼ばれ、これによりカラー画像を表示させることができ
る。また、近接した画素で輝度が異なれば、知覚されるのは近接した画素の輝度の中間値
となる。この性質を利用して中間輝度を表現する技術としては、ディザ拡散、誤差拡散等
の階調補間技術がある。また、発光領域の面積にしたがって階調を表現する面積階調法も
これに含まれる。

第２に、画素が発光している時間が十分小さく、かつ、時間的に分散させて複数回発光さ
せた場合には、人間の目は時間的に近接した輝度の違いが判別できなくなる。例えば、輝
度の大きい発光と小さい発光を連続して行なった場合、その画素は、両者の中間の輝度で
発光したと知覚される。この性質を利用して中間輝度を表現する技術は、時間階調法と呼
ばれる。また、時間的に近接して発光色が異なれば、その画素の発光色は、近接した時間
同士で混ざり合った色として知覚される。この性質を利用してカラー画像を表示させる技
術としては、フィールドシーケンシャル法がある。

ここで、時間的に分散させて複数回発光させた場合に、人間の目が時間的に近接した輝度
の違いが判別できなくなることは、人間の目の時間周波数特性に関係する。人間の目は、
ある臨界値より大きな周波数で変動する輝度は、変動しているとは知覚されず、一定の輝
度で光り続けているように見える。このとき、人間の目が感じる輝度は、輝度を時間で積
分した値（積分輝度）に依存する。

一方、ある臨界値以下の周波数では、人間の目には、輝度の変化がフリッカ（ちらつき）
としてそのまま知覚される。この臨界値は、輝度に依存するが、大体数十Ｈｚ（周期は十
〜数十ｍｓｅｃ）である。すなわち、積分輝度とは、人間の目には輝度変化が知覚されな
い数十ｍｓｅｃまでの時間範囲で、輝度を時間積分した値であるとする。

次に、図２を参照して、１フレームを複数のサブフレームに分割した場合に、積分輝度を
定式化して表すことを説明する。図２の（Ａ）の実線は、一例として、１フレームを２つ
のサブフレームに分割したときの、１フレーム中の画素の輝度の時間変化の一例を示した
ものである。

図２の（Ａ）において、１フレーム期間の長さをＴｉｎ、第１のサブフレームの期間の長
さをＴ１、第２のサブフレームの期間の長さをＴ２、第１のサブフレーム期間における画
素の平均輝度をＸ１、第２のサブフレーム期間における画素の平均輝度をＸ２、とすると
、第１のサブフレーム期間における積分輝度は、Ｔ１とＸ１の積となる。同様に、第２の
サブフレーム期間における積分輝度は、Ｔ２とＸ２の積となる。

なお、実際に表示装置として用いるデバイスの特性上、輝度の時間変化が、図２の（Ａ）
の実線のようになり難い場合もある。たとえば、液晶を用いた表示装置の場合、輝度変化
が、図２の（Ａ）の破線で示すように、緩やかに変化する。このような場合、厳密には輝
度の時間積分をとることで積分輝度を定義するが、本実施の形態では、簡単のため、平均
輝度とサブフレーム期間の積で積分輝度を定義することにする。このように、各サブフレ
ーム期間における輝度は一定でなくてもよい。

図２の（Ｂ）に、表示する階調に対する、１フレーム期間における積分輝度の配分の一例
を示す。横軸は階調であり、縦軸は１フレーム期間における積分輝度である。図２の（Ｂ
）では、階調０から階調２５５までを表示する場合を表している。なお、階調５から階調
２５１までは、表示を省略している。各階調において、網掛けで示した部分は、第１のサ
ブフレーム期間における積分輝度を表し、白地で示した部分は、第２のサブフレーム期間
における積分輝度を表す。

このように、１フレーム期間における積分輝度は、第１のサブフレーム期間における積分
輝度と、第２のサブフレーム期間における積分輝度の和として表現できる。そして、これ
らの積分輝度の配分は、表示する階調によって個別に設定できる。

ここで、１フレーム期間を分割するサブフレーム期間の数は、２以上の整数であればよい
。このことを定式化すると、以下のように表現することができる。すなわち、１フレーム
期間は、ｎ個（ｎは２以上の整数）のサブフレーム期間に分割され、第ｉ（ｉは１以上ｎ
以下の整数）のサブフレーム期間における前記表示素子の平均輝度をＸｉ、第ｉのサブフ
レーム期間の長さをＴｉとしたとき、輝度の時間に関する関数Ｘ（ｔ）を、前記１フレー
ム期間で時間積分した積分輝度Ｙは、数式３のように表すことができる。

なお、第ｉのサブフレーム期間の長さＴｉは、全てのサブフレーム期間で概ね等しいこと
が望ましい。それは、画素に画像データを書き込む期間（アドレス期間）は、全てのサブ
フレーム期間の長さが等しいときに、一番長くすることができるからである。アドレス期
間が長ければ、表示装置の周辺駆動回路の動作周波数を遅くすることができるので、消費
電力を低減できる。また、表示装置の歩留まりも向上する。ただし、これに限定されず、
Ｔｉがサブフレーム期間によって異なっていてもよい。たとえば、明画像を表示するサブ
フレーム期間の長さの方が長い場合は、消費電力を大きくすることなく、バックライトユ
ニットの平均輝度を上げることができる。また、バックライトユニットの平均輝度を変え
ることなく、消費電力を小さくすることができる。すなわち、発光の効率を向上できる。
また、暗画像を表示するサブフレーム期間の長さの方が長い場合は、動画の品質の向上が
顕著であるという利点を有する。

本実施の形態においては、サブフレームの分割数ｎは２であり、かつ、それぞれのサブフ
レーム期間の長さは等しい場合について説明する。また、１フレーム期間の前半に位置す
るサブフレーム期間を１ＳＦ、後半に位置するサブフレーム期間を２ＳＦと表記する。

図１は、本実施の形態における、表示する階調に対する２つのサブフレーム期間への輝度
の配分方法を表す図である。図１の（Ａ）は、２ＳＦにおける輝度が１ＳＦにおける輝度
より大きい場合を示しており、図１の（Ｂ）は、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝
度より大きい場合を示している。

まず、図１の（Ａ）を参照して説明する。図１の（Ａ）の横軸は時間であり、縦の実線は
フレームの境界を表している。また、縦の破線は、サブフレームの境界を表している。縦
軸は輝度である。すなわち、図１の（Ａ）は、時間とともに輝度が上昇していく場合にお
いて、ある画素の輝度の時間に対する変化を、５フレームにわたって表示しているもので
ある。

横軸の下方に表示されているのは、そのフレームにおいて、どの程度の階調が表されるか
を示したものである。すなわち、図１の（Ａ）においては、最初に最低階調を表示し、そ
れから、低階調側の中間調、中程度の中間調、高階調側の中間調、最高階調の順で階調を
表示していったときの、ある画素の輝度の時間に対する変化を示している。

黒画像を挿入することで動画の品質は向上するが、本実施の形態において説明する表示装
置の駆動方法の特徴は、黒画像ではなく、黒に近い、暗い画像（暗画像）を挿入すること
によって、動画の品質を向上させる点である。すなわち、１フレーム期間を２つのサブフ
レーム期間１ＳＦと２ＳＦに分割し、最高階調を表示するときにおける１ＳＦにおける輝
度を、２ＳＦにおける輝度よりも小さい輝度で発光させることにより、動画の品質の向上
を実現し、１フレーム期間における輝度を一定に保つ。

階調の表現方法としては、まず、最低階調から中程度の中間調に至るまでの範囲では、２
ＳＦにおける輝度の大小によって表現する。そして、２ＳＦにおける輝度が最大値Ｌｍａ
ｘ２となってからは、２ＳＦにおける輝度はＬｍａｘ２に固定した上で、１ＳＦにおける
輝度の大小によって、階調を表現する。そして、最高階調を表現するとき、１ＳＦにおけ
る輝度Ｌｍａｘ１が、Ｌｍａｘ２よりも小さいと、動画の品質を向上する上で、好適であ
る。

すなわち、最高階調近傍においても、輝度を維持する時間（ホールド時間）を短くするこ
とで、全ての階調範囲において残像が低減するので、動画の品質を良好なものとすること
ができる。かつ、最高階調のときに、１ＳＦにおいて、黒画像ではなく暗画像を表示させ
ることで、Ｌｍａｘ１の輝度を小さくすることができる。したがって、消費電力を低減す
ることができる。

なお、動画の品質を向上するためには、Ｌｍａｘ１をＬｍａｘ２の９０％以下、より好ま
しくは６０％以下とするのが好適である。また、Ｌｍａｘ１を大きくして１フレーム内の
最高輝度を抑制し、消費電力を抑えるためには、Ｌｍａｘ１をＬｍａｘ２の５０％以上と
するのが好適である。すなわち、１ＳＦで暗画像を挿入する場合、Ｌｍａｘ１は、（１／
２）Ｌｍａｘ２＜Ｌｍａｘ１＜（９／１０）Ｌｍａｘ２という範囲内であるのが好適であ
り、より好ましくは、（１／２）Ｌｍａｘ２＜Ｌｍａｘ１＜（３／５）Ｌｍａｘ２範囲内
であるのが好ましい。

なお、１フレーム期間の長さは、フリッカの起こりにくい１／６０秒以下であることが望
ましい。ただし、１フレーム期間の長さを短くすればするほど、周辺駆動回路の動作周波
数が大きくなり、消費電力が増大してしまうので、１フレーム期間の長さは、１／１２０
秒から１／６０までの間であることが好適である。

次に、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度より大きい場合に関して、図１の（Ｂ）
を参照して説明する。図１の（Ｂ）の横軸は時間であり、縦の実線はフレームの境界を表
している。また、縦の破線は、サブフレームの境界を表している。縦軸は輝度である。す
なわち、図１の（Ｂ）は、ある画素の輝度の時間に対する変化を、５フレームにわたって
表示しているものである。図１の（Ａ）では、１ＳＦの方が２ＳＦよりも輝度が小さかっ
たが、これに限定されない。すなわち、図１の（Ｂ）に示したように、１フレーム期間を
２つのサブフレーム期間１ＳＦと２ＳＦに分割し、最高階調を表示するときにおける２Ｓ
Ｆにおける輝度を、１ＳＦにおける輝度よりも小さい輝度で発光させることにより、動画
の品質の向上を実現できる。このように、１ＳＦと２ＳＦの順序を逆にすることは可能で
ある。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態４）
本実施の形態においては、実施の形態３で説明した、１フレームを複数のサブフレームに
分割し、これらの複数のサブフレームを、主に画像表示に用いるもの（明画像）と、主に
動画の残像低減のために用いるもの（暗画像）とに使い分ける方法の他の例について説明
する。

表示する画像を明画像と暗画像に分けるときには、表示する画像の階調を表現するときに
必要となる輝度を、複数のサブフレームにどのように配分するかという点で、いくつかの
方法が存在する。このことを説明するために、本実施の形態においては、横軸に階調、縦
軸に積分輝度をとり、１ＳＦにおける積分輝度と階調の関係、２ＳＦにおける積分輝度と
階調の関係、１ＳＦと２ＳＦで合計した積分輝度と階調の関係、を表したグラフを参照す
る。

まず、図３の（Ａ）を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図３の（Ａ）は、１
フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一例を表したものであ
る。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単に表したものである
。表に傾き一定と記載されているサブフレームは、階調に対する積分輝度の変化が一定で
あることを表している。すなわち、図３の（Ａ）に示す形態においては、２ＳＦの階調に
対する積分輝度の変化が一定である。なお、図３の（Ａ）では、傾きの値が正の場合を示
しているが、傾きの値は、０であってもよいし、負であってもよい。また、表に（合計―
ｘＳＦ）と記載されている場合は、当該サブフレームとは別のサブフレームの積分輝度に
よって、当該サブフレームの積分輝度が決まる場合を表している。ここで、ｘＳＦには、
１ＳＦ、２ＳＦなど、様々なサブフレームが当てはまる。すなわち、図３の（Ａ）に示す
形態においては、１ＳＦの積分輝度は、合計輝度から２ＳＦの積分輝度を引いた値である
ことを表している。ここで、合計輝度は別に定められているものとし、本実施の形態にお
いては、下に凸の曲線であるものとする。これは、人間の目の特性を考慮し、ガンマ補正
を施している場合である。なお、合計輝度は、階調に対し線形であってもよいし、上に凸
の曲線であってもよいし、線分と曲線の組み合わせであってもよい。また、合計輝度やガ
ンマ特性が、表示画像によって切り替わる機構を有していてもよいし、使用者によって調
節できる機構を有していてもよい。

図３の（Ａ）に示す形態においては、２ＳＦの階調に対する積分輝度の変化が一定である
ため、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点があ
る。なお、図３の（Ａ）に示す形態において、図１の（Ａ）と図１の（Ｂ）で示したとお
り、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合におい
ても、同様の効果を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大き
いが、これに限定されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくても
よい。ただし、合計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制
御しやすいため、望ましい。

図３の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。図３の（Ｂ）のように、グラフの下方に示した表に比一定と記載
したサブフレームは、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい場合を表し
ている。すなわち、図３の（Ｂ）に示す形態においては、１ＳＦの積分輝度と２ＳＦの積
分輝度の比が、階調によらず等しい場合を表している。なお、この場合の比の値（大きい
ほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、１よりも小さく、０．５よりも大き
いことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。な
お、比一定の特徴を有する場合は、双方のサブフレームにおいて比一定の特徴を有してい
るとしてもよい。つまり、一方が比一定であって、他方は比一定でない場合はないとして
もよい。なお、図３の（Ｂ）に示す形態において、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり、１
ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果を有する。なお、１ＳＦ
における輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定されない。１ＳＦにおけ
る輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合計輝度が非線形の場合は
、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、望ましい。

次に、図４を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図４は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、２つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。本実施の形態では、低階調側の領域から、領域１、領域２
、…として名づけて説明する。

なお、以下の説明において、領域の境界において積分輝度の値が連続であることは、次の
ように定義されることとする。すなわち、領域の境界によって隔てられた２つの隣接する
階調のうち、低階調側の領域に属する階調を境界階調（低）、高階調側の領域に属する階
調を境界階調（高）とし、境界階調（高）における輝度と境界階調（低）における輝度の
差の絶対値を境界輝度差としたとき、領域の境界において積分輝度の値が連続であるとい
うことは、境界輝度差がある値Δｘ以下であることをいう。

ここで、Δｘの値は、境界階調（高）における輝度および境界階調（低）における輝度な
どにしたがって様々な値をとり得るが、注目している階調−輝度特性を人間の目で見たと
きにおける連続性（つまり、注目している階調−輝度特性に対応する画像が表示されたと
き、当該画像が領域の境界においてなめらかに表示されているかどうか）の観点から決め
ることができる。具体的には、境界階調（低）における輝度と、境界階調（低）よりも１
つ小さい階調における輝度の差の絶対値を第１近傍境界輝度差（低）としたとき、Δｘは
、第１近傍境界輝度差（低）の２倍程度であることが好ましい。

本実施の形態および他の実施の形態においては、一例として、Δｘは第１近傍境界輝度差
（低）の２倍であるとして説明を行なう。

図４の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。表の領域２の欄に傾き一定（連続）（傾き正）と記載されているサ
ブフレームは、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領
域（領域１）との境界において積分輝度の値が連続し、かつ、当該領域における階調に対
する積分輝度の変化が正の符号をもつことを表している。このような特徴を持つことによ
り、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が小さくなるので、画像表示時のちらつき
が低減するという利点がある。

図４の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。表の領域２の欄に傾き一定（連続）（傾き０）と記載されているサ
ブフレームは、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領
域（領域１）との境界において積分輝度の値が連続し、かつ、当該領域における階調に対
する積分輝度の変化が０であることを表している。このような特徴を持つことにより、画
像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。

図４の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。表の領域２の欄に傾き一定（連続）（傾き負）と記載されているサ
ブフレームは、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領
域（領域１）との境界において積分輝度の値が連続し、かつ、当該領域における階調に対
する積分輝度の変化が負の符号をもつことを表している。このような特徴を持つことによ
り、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が大きくなるので、動画のボケを効率よく
低減することができる。

なお、図４の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示す形態において、１ＳＦと２ＳＦは交換可
能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果を有する。
なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定されない。
１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合計輝度が非
線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、望ましい。
また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別であっても
よい。輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであってもよいし、領
域２のみであってもよいし、領域１と領域２であってもよい。

このように、表示できる階調が複数の領域に分けられる場合、それぞれの領域における、
階調に対する積分輝度の変化（傾きの値）は、様々な値をとることができる。ただし、図
４の（Ｄ）に示すように、傾きの値は、当該領域の境界における積分輝度の合計値の接線
の傾きよりも小さいことが好適である。すなわち、領域の境界における積分輝度の合計値
の接線の傾きをθｍａｘとしたとき、当該領域における傾きの値θは、−θｍａｘ＜θ＜
θｍａｘという範囲内であることが好適である。（図４の（Ｄ）中のハッチング領域）こ
の範囲内であることによって、階調に対する積分輝度の変化が急激であることによって、
領域の境界において当該階調が強調され、不自然な輪郭が発生する現象を低減することが
できる。

なお、階調に対する積分輝度の変化が急激であることによって、領域の境界において当該
階調が強調され、不自然な輪郭が発生する現象を低減する方法としては、図４の（Ｄ）に
示す方法とは別に、図４の（Ｅ）および（Ｆ）に示す方法を用いることもできる。図４の
（Ｅ）および（Ｆ）は、各領域の特徴は図４の（Ｂ）に示す形態と同じであり、その領域
の境界となる階調が異なっている。このような、領域の境界となる階調が異なっている複
数の輝度配分形態を用意し、これらを必要に応じて切替えることによっても、領域の境界
において当該階調が強調され、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。な
お、このような方法は、図４の（Ｂ）に示す形態だけではなく、様々な輝度配分形態に適
用することができる。

なお、複数の輝度配分形態を切替える方法としては、たとえば、フレーム毎に切替えても
よい。こうすることで、効率よく不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。
また、表示する画像に従って、輝度配分形態を切替えてもよい。このとき、画像の階調分
布に閾値が存在する場合は、領域の境界を、その閾値近傍に設定するのが好適である。た
とえば、階調１００以下の階調の分布がほとんどない明るい画像の場合は、領域の境界を
階調１００近傍に設定するのが好適である。同様に、階調１００以上の階調の分布がほと
んどない暗い画像の場合においても、領域の境界を階調１００近傍に設定するのが好適で
ある。こうすることで、表示される画像において、閾値近傍をまたぐ階調が少なくなるた
め、領域の境界において当該階調が強調され、不自然な輪郭が発生する現象を低減するこ
とができる。
なお、画像の明暗によって、閾値を設定してもよい。たとえば、全体的に暗い画像の場合
は、領域の境界を高階調側に設定し、全体的に明るい画像の場合は、領域の境界を低階調
側に設定してもよい。こうすることで、示される画像において、閾値近傍をまたぐ階調が
少なくなるため、領域の境界において当該階調が強調され、不自然な輪郭が発生する現象
を低減することができる。
なお、表示する画像に従って、輝度配分形態を切替える方法は、領域の境界が異なってい
る形態同士だけではなく、様々な輝度配分形態に対して適用することができる。

次に、図５を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図５は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、２つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。特に、双方の領域について、どちらか一方のサブフレーム
の階調に対する積分輝度の変化が一定である場合について説明する。

図５の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が連続して
いることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっても
よい。２ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、１ＳＦの輝度に従った輝度をとるこ
とである。このような特徴を持つことにより、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆
動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減す
ることができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力
を低減できる。

図５の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。２ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が大きい方
向へ不連続に変化していることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であって
も、負の値であってもよい。１ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度
に従った輝度をとることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１
ＳＦと２ＳＦの輝度差が小さくなるので、画像表示時のちらつきが低減するという利点が
ある。また、２ＳＦのとる輝度変化が単純になるため、画像処理や印加電圧が単純になり
、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。特に、オーバードライブ駆動を行な
う場合に、メモリ素子の容量を低減できるという利点がある。

図５の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が小さい方
向へ不連続に変化していることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であって
も、負の値であってもよい。２ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、１ＳＦの輝度
に従った輝度をとることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１
ＳＦと２ＳＦの輝度差が小さくなるので、画像表示時のちらつきが低減するという利点が
ある。

図５の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。２ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が連続して
いることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっても
よい。１ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をとるこ
とである。このような特徴を持つことにより、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆
動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減す
ることができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力
を低減できる。

図５の（Ｅ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が大きい方
向へ不連続に変化していることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であって
も、負の値であってもよい。２ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、１ＳＦの輝度
に従った輝度をとることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１
ＳＦと２ＳＦの輝度差が大きくなるので、動画のボケを効率よく低減することができる。

図５の（Ｆ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。２ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一定であ
り、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が小さい方
向へ不連続に変化していることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であって
も、負の値であってもよい。１ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度
に従った輝度をとることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１
ＳＦと２ＳＦの輝度差が大きくなるので、動画のボケを効率よく低減することができる。

なお、図５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）および（Ｆ）に示す形態において
、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合において
も、同様の効果を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きい
が、これに限定されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよ
い。ただし、合計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御
しやすいため、望ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わってもよ
い。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別であっ
てもよい。輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであってもよいし
、領域２のみであってもよいし、領域１と領域２であってもよい。

次に、図６を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図６は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、２つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。特に、一方の領域において、どちらか一方のサブフレーム
の階調に対する積分輝度の変化が一定であり、他方の領域において、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しい場合について説明する。

図６の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの
輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きい
ことが好適である。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きく
できるので、動画のボケを効率よく低減することができる。２ＳＦの領域２における特徴
は、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領域（領域１
）との境界において積分輝度の値が連続していることである。なお、傾きの値は正の値で
あっても、０であっても、負の値であってもよい。１ＳＦの領域２における特徴は、合計
輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をとることである。このような特徴を持つことにより
、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。
また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２ＳＦにお
いて最高輝度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

図６の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの
輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きい
ことが好適である。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きく
できるので、動画のボケを効率よく低減することができる。２ＳＦの領域２における特徴
は、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領域（領域１
）との境界において積分輝度の値が大きい方向へ不連続に変化していることである。なお
、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。１ＳＦの領域２
における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をとることである。このような
特徴を持つことにより、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が小さくなるので、画
像表示時のちらつきが低減するという利点がある。

図６の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの
輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きい
ことが好適である。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きく
できるので、動画のボケを効率よく低減することができる。２ＳＦの領域２における特徴
は、階調に対する積分輝度の変化が一定であり、かつ、近接する低階調側の領域（領域１
）との境界において積分輝度の値が小さい方向へ不連続に変化していることである。なお
、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。１ＳＦの領域２
における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をとることである。このような
特徴を持つことにより、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が大きくなるので、動
画のボケを効率よく低減することができる。

図６の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度
比が、各階調において等しく、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界におい
て積分輝度の値が、１ＳＦは小さい方向へ、２ＳＦは大きい方向へ、それぞれ不連続に変
化していることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１ＳＦと２
ＳＦの輝度差が小さくなるので、画像表示時のちらつきが低減するという利点がある。な
お、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、１よ
りも小さく、０．５よりも大きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率
よく低減することができる。

図６の（Ｅ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度
比が、各階調において等しく、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界におい
て積分輝度の値が、１ＳＦ、２ＳＦともに、連続していることである。このような特徴を
持つことにより、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するとい
う利点がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。なお、この
場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、１よりも小さ
く、０．５よりも大きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減
することができる。

図６の（Ｆ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が一
定であることである。なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であっ
てもよい。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、２ＳＦの輝度に従った輝度をと
ることである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度
比が、各階調において等しく、かつ、近接する低階調側の領域（領域１）との境界におい
て積分輝度の値が、１ＳＦは大きい方向へ、２ＳＦは小さい方向へ、それぞれ不連続に変
化していることである。このような特徴を持つことにより、最大階調における１ＳＦと２
ＳＦの輝度差が大きくなるので、動画のボケを効率よく低減することができる。なお、こ
の場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、１よりも小
さく、０．５よりも大きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低
減することができる。

なお、図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）および（Ｆ）に示す形態において
、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合において
も、同様の効果を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きい
が、これに限定されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよ
い。ただし、合計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御
しやすいため、望ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、
領域ごとに個別であってもよい。輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１
のみであってもよいし、領域２のみであってもよいし、領域１と領域２であってもよい。

次に、図７を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図７は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、２つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。特に、双方の領域について、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比
が、各階調において等しい場合について説明する。

図７の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの
輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きい
ことが好適である。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きく
できるので、動画のボケを効率よく低減することができる。１ＳＦおよび２ＳＦの領域２
における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しく、かつ、近接す
る低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が、１ＳＦは小さい方向へ、
２ＳＦは大きい方向へ、それぞれ不連続に変化していることである。このような特徴を持
つことにより、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が小さくなるので、画像表示時
のちらつきが低減するという利点がある。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に
対する小さいほうの輝度の大きさ）は、１よりも小さく、０．５よりも大きいことが好適
である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。

図７の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦおよび２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積
分輝度比が、各階調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの
輝度に対する小さいほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きい
ことが好適である。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きく
できるので、動画のボケを効率よく低減することができる。１ＳＦおよび２ＳＦの領域２
における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しく、かつ、近接す
る低階調側の領域（領域１）との境界において積分輝度の値が、１ＳＦは大きい方向へ、
２ＳＦは小さい方向へ、それぞれ不連続に変化していることである。このような特徴を持
つことにより、最大階調における１ＳＦと２ＳＦの輝度差が大きくなるので、動画のボケ
を効率よく低減することができる。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する
小さいほうの輝度の大きさ）は、１よりも小さく、０．５よりも大きいことが好適である
。こうすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。

なお、図７の（Ａ）および（Ｂ）に示す形態において、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり
、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果を有する。なお、１
ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定されない。１ＳＦに
おける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合計輝度が非線形の場
合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、望ましい。また、１
ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別であってもよい。輝
度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであってもよいし、領域２のみ
であってもよいし、領域１と領域２であってもよい。

次に、図８を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図８は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、３つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。特に、全ての領域について、どちらか一方のサブフレーム
の階調に対する積分輝度の変化が一定である場合について説明する。

図８の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１および領域２および領域３における特徴は、階調に
対する積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および領域２および領域
３における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることであ
る。

図８の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１、領域２および１ＳＦの領域３における特徴は、階
調に対する積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１、領域２および２Ｓ
Ｆの領域３における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとる
ことである。

図８の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１、領域３および１ＳＦの領域２における特徴は、階
調に対する積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１、領域３および２Ｓ
Ｆの領域２における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとる
ことである。

図８の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。１ＳＦの領域１および２ＳＦの領域２、領域３における特徴は、階
調に対する積分輝度の変化が一定であることである。２ＳＦの領域１および１ＳＦの領域
２、領域３における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとる
ことである。

なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。図８におい
ては、この違いについては詳細に説明しないが、全ての領域について、これらの組み合わ
せを適用することができる。傾きが正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの
輝度差が大きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、傾きが
正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像表
示時のちらつきが低減するという利点がある。また、傾きが０である場合は、画像処理や
印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自然
な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝度
を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、すでに述べたように、領域の境界における輝度の状態は、近接する低階調側の領域
と比較して、大きい方向へ不連続に変化するか、連続しているか、小さい方向へ不連続に
変化するかの、いずれかの状態を取り得る。図８においては、この違いについては詳細に
説明しないが、全ての領域の境界について、これらの組み合わせを適用することができる
。領域の境界において輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が大き
くなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、領域の境界において
輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像表
示時のちらつきが低減するという利点がある。また、領域の境界において輝度が連続であ
る場合は、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点
がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２
ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）に示す形態において、１ＳＦと２ＳＦ
は交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果を
有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定さ
れない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合計
輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、望
ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わってもよい。また、１ＳＦ
と２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別であってもよい。輝度の
大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであってもよいし、領域２のみであ
ってもよいし、領域３のみであってもよいし、領域１と領域２であってもよいし、領域２
と領域３であってもよいし、領域３と領域１であってもよいし、領域１と領域２と領域３
であってもよい。

次に、図９を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図９は、表示できる階調を複
数の領域、たとえば、３つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異なる特
徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分する
方法の例を表したものである。特に、３つの領域のうちの２つの領域において、どちらか
一方のサブフレームの階調に対する積分輝度の変化が一定であり、残り１つの領域におい
て、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい場合について説明する。

図９の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１および領域２における特徴は、階調に対する積分輝
度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および領域２における特徴は、合計輝
度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域３および
２ＳＦの領域３における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい
ことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大
きさ）は、１よりも小さく、０．５よりも大きいことが好適である。こうすることで、動
画のボケを効率よく低減することができる。

図９の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１および１ＳＦの領域２における特徴は、階調に対す
る積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および２ＳＦの領域２におけ
る特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１Ｓ
Ｆの領域３および２ＳＦの領域３における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階
調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さ
いほうの輝度の大きさ）は、１よりも小さく、０．５よりも大きいことが好適である。こ
うすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。

図９の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１および領域３における特徴は、階調に対する積分輝
度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および領域３における特徴は、合計輝
度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域２および
２ＳＦの領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい
ことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大
きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こうすることで
、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケを効率よく
低減することができる。

図９の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域１および１ＳＦの領域３における特徴は、階調に対す
る積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および２ＳＦの領域３におけ
る特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１Ｓ
Ｆの領域２および２ＳＦの領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階
調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さ
いほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である
。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画
のボケを効率よく低減することができる。

図９の（Ｅ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域２および領域３における特徴は、階調に対する積分輝
度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域２および領域３における特徴は、合計輝
度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域１および
２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい
ことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大
きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こうすることで
、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケを効率よく
低減することができる。

図９の（Ｆ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の一
例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡単
に表したものである。２ＳＦの領域２および１ＳＦの領域３における特徴は、階調に対す
る積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域２および２ＳＦの領域３におけ
る特徴は、合計輝度と、他方のサブフレームの輝度に従った輝度をとることである。１Ｓ
Ｆの領域１および２ＳＦの領域１における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階
調において等しいことである。なお、この場合の比の値（大きいほうの輝度に対する小さ
いほうの輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である
。こうすることで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画
のボケを効率よく低減することができる。

なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。図９におい
ては、この違いについては詳細に説明しないが、全ての領域について、これらの組み合わ
せを適用することができる。傾きが正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの
輝度差が大きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、傾きが
正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像表
示時のちらつきが低減するという利点がある。また、傾きが０である場合は、画像処理や
印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自然
な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝度
を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、すでに述べたように、領域の境界における輝度の状態は、近接する低階調側の領域
と比較して、大きい方向へ不連続に変化するか、連続しているか、小さい方向へ不連続に
変化するかの、いずれかの状態を取り得る。図９においては、この違いについては詳細に
説明しないが、全ての領域の境界について、これらの組み合わせを適用することができる
。領域の境界において輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が大き
くなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、領域の境界において
輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像表
示時のちらつきが低減するという利点がある。また、領域の境界において輝度が連続であ
る場合は、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点
がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２
ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、図９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）および（Ｆ）に示す形態において
、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合において
も、同様の効果を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きい
が、これに限定されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよ
い。ただし、合計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御
しやすいため、望ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、
領域ごとに個別であってもよい。輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１
のみであってもよいし、領域２のみであってもよいし、領域３のみであってもよいし、領
域１と領域２であってもよいし、領域２と領域３であってもよいし、領域３と領域１であ
ってもよいし、領域１と領域２と領域３であってもよい。

次に、図１０を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図１０は、表示できる階調
を複数の領域、たとえば、３つの領域に分割し、それぞれの領域で各サブフレームが異な
る特徴を有し得る場合において、１フレームで合計した積分輝度を１ＳＦと２ＳＦで配分
する方法の例を表したものである。特に、３つの領域のうちの２つの領域において、１Ｓ
Ｆと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しく、残り１つの領域において、どちらか
一方のサブフレームの階調に対する積分輝度の変化が一定である場合について説明する。
また、全ての領域において、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しい場合
についても説明する。

図１０の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡
単に表したものである。２ＳＦの領域１における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が
一定であることである。１ＳＦの領域１における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレー
ムの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域２、領域３および２ＳＦの領域２
、領域３における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しいことで
ある。なお、領域２における比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大き
さ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こうすることで、
低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケを効率よく低
減することができる。なお、領域３における比の値は、１よりも小さく、０．５よりも大
きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。

図１０の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡
単に表したものである。２ＳＦの領域２における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が
一定であることである。１ＳＦの領域２における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレー
ムの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域１、領域３および２ＳＦの領域１
、領域３における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しいことで
ある。なお、領域１における比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほうの輝度の大き
さ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こうすることで、
低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケを効率よく低
減することができる。なお、領域３における比の値は、１よりも小さく、０．５よりも大
きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減することができる。

図１０の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡
単に表したものである。２ＳＦの領域３における特徴は、階調に対する積分輝度の変化が
一定であることである。１ＳＦの領域３における特徴は、合計輝度と、他方のサブフレー
ムの輝度に従った輝度をとることである。１ＳＦの領域１、領域２および２ＳＦの領域１
、領域２における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しいことで
ある。なお、領域１および領域２における比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほう
の輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こう
することで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケ
を効率よく低減することができる。

図１０の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの特徴を簡
単に表したものである。１ＳＦの領域１、領域２、領域３および２ＳＦの領域１、領域２
、領域３における特徴は、１ＳＦと２ＳＦの積分輝度比が、各階調において等しいことで
ある。なお、領域１および領域２における比の値（大きいほうの輝度に対する小さいほう
の輝度の大きさ）は、０．５よりも小さく、０．１よりも大きいことが好適である。こう
することで、低階調側における１ＳＦと２ＳＦの輝度差を大きくできるので、動画のボケ
を効率よく低減することができる。なお、領域３における比の値は、１よりも小さく、０
．５よりも大きいことが好適である。こうすることで、動画のボケを効率よく低減するこ
とができる。

なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。図１０にお
いては、この違いについては詳細に説明しないが、全ての領域について、これらの組み合
わせを適用することができる。傾きが正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦ
の輝度差が大きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、傾き
が正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像
表示時のちらつきが低減するという利点がある。また、傾きが０である場合は、画像処理
や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自
然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝
度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、すでに述べたように、領域の境界における輝度の状態は、近接する低階調側の領域
と比較して、大きい方向へ不連続に変化するか、連続しているか、小さい方向へ不連続に
変化するかの、いずれかの状態を取り得る。図１０においては、この違いについては詳細
に説明しないが、全ての領域の境界について、これらの組み合わせを適用することができ
る。領域の境界において輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が大
きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、領域の境界におい
て輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像
表示時のちらつきが低減するという利点がある。また、領域の境界において輝度が連続で
ある場合は、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利
点がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと
２ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、図１０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）に示す形態において、１ＳＦと２Ｓ
Ｆは交換可能であり、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果
を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定
されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合
計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、
望ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別
であってもよい。輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであっても
よいし、領域２のみであってもよいし、領域３のみであってもよいし、領域１と領域２で
あってもよいし、領域２と領域３であってもよいし、領域３と領域１であってもよいし、
領域１と領域２と領域３であってもよい。

次に、図１１を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図１１は、表示できる階調
を分割する数を４つ以上にした場合の例について説明したものである。領域の分割数は、
それぞれの領域に含まれる階調の種類が複数存在する限りにおいて、いくつでもよい。図
１１では、その中でも特徴のある例について取り扱う。

図１１の（Ａ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。図１１の（Ａ）に示す方法の特徴は、２ＳＦに表示する画像を
暗画像として用いることに加えて、２ＳＦに表示する画像の輝度の種類を数種類に限定し
、階調が大きくなるにつれて段階的に輝度を大きくしていくことである。さらに、それぞ
れの領域について、明画像を用いて階調を補完することである。こうすることで、２ＳＦ
に表示する画像を表示するための映像データを作成することが容易になるため、周辺駆動
回路の負荷が軽減するという利点がある。また、オーバードライブ駆動と組み合わせた場
合に、２ＳＦに表示する輝度の種類が少なくなるため、オーバードライブ回路を簡略化で
きる利点がある。なお、２ＳＦに表示する輝度の種類は、４種類から１６種類程度である
ことが好適である。また、表示できる階調を分割する数は、ＳＦに表示する輝度の種類の
数と同じであることが好適である。

図１１の（Ｂ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦで配分する方法の
一例を表したものである。図１１の（Ｂ）に示す方法の特徴は、１ＳＦに表示する画像を
明画像として用いることに加えて、１ＳＦに表示する画像の輝度の種類を数種類に限定し
、階調が大きくなるにつれて段階的に輝度を大きくしていくことである。さらに、それぞ
れの領域について、暗画像を用いて階調を補完することである。さらに、領域の境界にお
いて、暗画像の輝度は０に近くすることである。こうすることで、１ＳＦに表示する画像
を表示するための映像データを作成することが容易になるため、周辺駆動回路の負荷が軽
減するという利点がある。また、オーバードライブ駆動と組み合わせた場合に、１ＳＦに
表示する輝度の種類が少なくなるため、オーバードライブ回路を簡略化できる利点がある
。また、暗画像の平均輝度を大幅に小さくすることができるため、動画のボケを低減する
効果が顕著である。なお、１ＳＦに表示する輝度の種類は、１６種類から６４種類程度で
あることが好適である。また、表示できる階調を分割する数は、ＳＦに表示する輝度の種
類の数と同じであることが好適である。こうすることによって、たとえば、ＤＡコンバー
ターの構成を簡易にすることができる。つまり、一方のサブフレーム期間においてはデジ
タル信号のまま扱い、他方のサブフレーム期間については、アナログ信号の振幅が小さく
なる（離散値の種類が少なくなる）ため、消費電力が低減でき、回路規模を縮小できる。
なお、両方のサブフレーム期間でアナログ信号である場合においても、両方のアナログ信
号の振幅が小さくなるため、消費電力が低減でき、回路規模を縮小できる。

なお、図１１の（Ａ）および（Ｂ）に示す形態において、１ＳＦと２ＳＦは交換可能であ
り、１ＳＦと２ＳＦの特徴が入れ替わった場合においても、同様の効果を有する。なお、
１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大きいが、これに限定されない。１ＳＦ
における輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくてもよい。ただし、合計輝度が非線形の
場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制御しやすいため、望ましい。また、
１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わるのは、領域ごとに個別であってもよい。
輝度の大小関係が入れ替わる領域は、たとえば、領域１のみであってもよいし、領域２の
みであってもよいし、領域３のみであってもよいし、領域１と領域２であってもよいし、
領域２と領域３であってもよいし、領域３と領域１であってもよいし、領域１と領域２と
領域３であってもよい。領域４以降についても、同様である。

次に、図１２を参照して、本実施の形態の一形態を説明する。図１２は、１フレームを分
割するサブフレームの数を、３つにした場合の例について説明したものである。サブフレ
ームの数について限定はないが、３つにした場合には、特に有益な効果を奏する。ここで
、１フレーム期間の１番始めに位置するサブフレーム期間を１ＳＦ、２番目に位置するサ
ブフレーム期間を２ＳＦ、３番目に位置するサブフレーム期間を３ＳＦと表記する。

図１２の（Ａ）および（Ｂ）に示したグラフの横軸は時間であり、縦の実線はフレームの
境界を表している。また、縦の破線は、サブフレームの境界を表している。縦軸は輝度で
ある。すなわち、図１２の（Ａ）および（Ｂ）は、ある画素の輝度の時間に対する変化を
、５フレームにわたって表示しているものである。

横軸の下方に表示されているのは、そのフレームにおいて、どの程度の階調が表されるか
を示したものである。すなわち、図１２の（Ａ）および（Ｂ）においては、最初に最低階
調を表示し、それから、低階調側の中間調、中程度の中間調、高階調側の中間調、最高階
調の順で階調を表示していったときの、ある画素の輝度の時間に対する変化を示している
。

図１２の（Ａ）および（Ｂ）に示す方法は、１ＳＦと２ＳＦにおける輝度を変化させるこ
とによって階調を表現し、かつ、３ＳＦにおいては、輝度を０または非常に小さくするこ
とで、擬似的にインパルス型の駆動方法を行なうことを可能にしていることを特徴として
いる。図１２の（Ａ）は、２ＳＦに明画像、１ＳＦに暗画像を表示する場合を表している
。また、図１２の（Ｂ）は、１ＳＦに明画像、２ＳＦに暗画像を表示する場合を表してい
る。

なお、３ＳＦにおいて、輝度を０または非常に小さくすることで、動画のボケを改善する
効果が得られるため、１ＳＦの最大輝度Ｌｍａｘ１と、２ＳＦの最大輝度Ｌｍａｘ２に特
に限定はないが、実施の形態３で説明したときと同様に、１ＳＦで暗画像を挿入する場合
、Ｌｍａｘ１は、（１／２）Ｌｍａｘ２＜Ｌｍａｘ１＜（９／１０）Ｌｍａｘ２という範
囲内であるのが望ましい。また、２ＳＦで暗画像を挿入する場合、Ｌｍａｘ２は、（１／
２）Ｌｍａｘ１＜Ｌｍａｘ２＜（９／１０）Ｌｍａｘ１という範囲内であるのが望ましい
。

図１２の（Ｃ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦと３ＳＦで配分す
る方法の一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの
特徴を簡単に表したものである。２ＳＦの領域１および１ＳＦの領域２における特徴は、
階調に対する積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および２ＳＦの領
域２における特徴は、合計輝度と、他のサブフレームの輝度に従った輝度をとることであ
る。ここで、３ＳＦの領域１、領域２における輝度は、０で一定であってもよい。こうす
ることで、全領域において、動画のボケを効果的に低減することができる。

図１２の（Ｄ）は、１フレームで合計した積分輝度を、１ＳＦと２ＳＦと３ＳＦで配分す
る方法の一例を表したものである。また、グラフの下方に示した表は、各サブフレームの
特徴を簡単に表したものである。２ＳＦの領域１および１ＳＦの領域２における特徴は、
階調に対する積分輝度の変化が一定であることである。１ＳＦの領域１および２ＳＦの領
域２における特徴は、合計輝度と、他のサブフレームの輝度に従った輝度をとることであ
る。また、３ＳＦの領域１、領域２における輝度の傾きは、小さい値で一定であってもよ
い。なお、３ＳＦ最大輝度をＬｍａｘ３としたとき、Ｌｍａｘ３は、１ＳＦの最大輝度お
よび２ＳＦの最大輝度の１０分の１以下であることが好適である。こうすることで、全階
調領域において、動画のボケを効果的に低減することができる。

なお、傾きの値は正の値であっても、０であっても、負の値であってもよい。図１２にお
いては、この違いについては詳細に説明しないが、全ての領域について、これらの組み合
わせを適用することができる。傾きが正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦ
の輝度差が大きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、傾き
が正または負の値をとるために、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像
表示時のちらつきが低減するという利点がある。また、傾きが０である場合は、画像処理
や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利点がある。また、不自
然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと２ＳＦにおいて最高輝
度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、すでに述べたように、領域の境界における輝度の状態は、近接する低階調側の領域
と比較して、大きい方向へ不連続に変化するか、連続しているか、小さい方向へ不連続に
変化するかの、いずれかの状態を取り得る。図１２においては、この違いについては詳細
に説明しないが、全ての領域の境界について、これらの組み合わせを適用することができ
る。領域の境界において輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が大
きくなる場合は、動画のボケを効率よく低減することができる。また、領域の境界におい
て輝度が不連続に変化した結果、１ＳＦおよび２ＳＦの輝度差が小さくなる場合は、画像
表示時のちらつきが低減するという利点がある。また、領域の境界において輝度が連続で
ある場合は、画像処理や印加電圧が単純になり、周辺駆動回路の負荷が軽減するという利
点がある。また、不自然な輪郭が発生する現象を低減することができる。また、１ＳＦと
２ＳＦにおいて最高輝度を小さくできるので、消費電力を低減できる。

なお、図１２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）に示す形態において、１ＳＦ、２Ｓ
Ｆ、３ＳＦは交換可能であり、１ＳＦ、２ＳＦ、３ＳＦの特徴が入れ替わった場合におい
ても、同様の効果を有する。なお、１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも大き
いが、これに限定されない。１ＳＦにおける輝度が２ＳＦにおける輝度よりも小さくても
よい。ただし、合計輝度が非線形の場合は、２ＳＦにおける輝度が小さい方が、階調を制
御しやすいため、望ましい。また、１ＳＦと２ＳＦで、輝度の大小関係が入れ替わっても
よい。また、領域１のみ１ＳＦと２ＳＦの輝度の大小関係が入れ替わってもよいし、領域
２のみ１ＳＦと２ＳＦの輝度の大小関係が入れ替わってもよいし、領域１と領域２で１Ｓ
Ｆと２ＳＦの輝度の大小関係が入れ替わってもよい。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、オーバードライブ駆動と組み合わせて実施
してもよい。こうすることで、液晶表示素子の応答速度を速め、動画の品質を向上させる
ことができる。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、走査型バックライトと組み合わせた液晶表
示装置として実施してもよい。こうすることで、バックライトの平均輝度を低減できるの
で、消費電力を低減することができる。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、高周波駆動と組み合わせて実施してもよい
。こうすることで、動画の品質をさらに向上させることができる。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、コモン線の電位を操作して、表示素子に目
的の電圧を印加する駆動方法と組み合わせて実施してもよい。こうすることで、映像信号
を画素に書き込む頻度が小さくなるため、画素に映像信号を書き込む際の消費電力を低減
することができる。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、有機ＥＬ素子などの電流で駆動する表示素
子と組み合わせて実施してもよい。こうすることで、映像信号電流を大きくすることがで
きるので、書き込み時間を小さくすることができる。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、インターレース走査と組み合わせて実施し
てもよい。こうすることで、周辺駆動回路の動作周波数を低減することができるので、消
費電力を低減することができる。特に、暗画像において非発光となる画素が多い画像であ
るとき、または、明画像において最高輝度で発光する画素が多い画像であるときに、効果
的である。すなわち、階調の変化の少ない画像に対しては、インターレース走査による解
像度の低下が少ないからである。

なお、本実施の形態で説明した全ての形態は、基準電位を変更できるＤＡコンバーター回
路と組み合わせて実施してもよい。こうすることで、ＤＡコンバーター回路の効率を向上
させることができる。特に、明画像を表示するサブフレームと、暗画像を表示するサブフ
レームで、基準電位を変更できるようにするのが効果的である。すなわち、明画像を表示
するときと、暗画像を表示するときでは、必要とされる映像信号の電位の平均値が異なる
ためである。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板
について説明する。具体的には、単結晶半導体基板から、異種基板（以下、「ベース基板
」ともいう）に転写して形成するＳＯＩ基板の作成方法について説明する。

なお、ＳＯＩ基板を用いて作成されたトランジスタは、通常の単結晶半導体基板を用い
て作成されたトランジスタと比べて、寄生容量が小さく、さらに短チャネル効果が出にく
いという特徴を持っている。さらに、通常の薄膜トランジスタ（アモルファスシリコンお
よび多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを含む）と比べて、移動度が高く、駆動電
圧が小さく、かつ、経年劣化および特性ばらつきが小さいという特徴を持っている。この
ような特徴を持つトランジスタを作製することができるＳＯＩ基板を様々な装置に応用す
ることによって、従来の装置が持っていた様々な課題を解決することができる。

たとえば、トランジスタをより微細とすることで、その性能を向上することが出来る装置
（ＣＰＵ：中央演算装置、半導体メモリなど）を、ＳＯＩ基板を用いて作製することで、
トランジスタの短チャネル効果を抑制することができるので、さらにトランジスタを微細
なものとすることができ、性能を向上することができる。

さらに、たとえば、薄膜トランジスタを用いることが適している装置（表示装置など）を
、ＳＯＩ基板を用いて作製することで、画素の開口率を向上させて消費電力を低減でき（
トランジスタの大きさを小さくできる）、さらに、駆動電圧を小さくして消費電力を低減
でき、さらに、信頼性を向上させることができ（経年劣化を小さくできる）、さらに、表
示画像の品質を向上させることができる（トランジスタの特性ばらつきを小さくできる）
、など、表示装置の様々な特性を向上させることができる。

具体的には、ＳＯＩ基板を用いて作製された液晶表示装置は、その特性を顕著に向上させ
ることができる。たとえば、画素のトランジスタを、ＳＯＩ基板を用いて作製することで
、液晶表示装置の開口率を大きくすることができるので、消費電力を低減できる。さらに
、ゲートドライバおよびソースドライバなどの周辺駆動回路を、ＳＯＩ基板を用いて作製
することで、当該回路の駆動電圧を小さくできるので、消費電力を低減できる。さらに、
画像データ処理回路およびタイミング発生回路などを、ＳＯＩ基板を用いて作製すること
で、当該回路の駆動電圧を小さくできるので、消費電力を低減できる。ここで、液晶表示
装置がオーバードライブ駆動を行なうことができる構成である場合、さらに効果的である
。なぜならば、オーバードライブ駆動によって画像データの処理が頻繁に行なわれるため
、駆動電圧の低減による消費電力の低減効果がさらに顕著になるためである。さらに、ル
ックアップテーブル等、メモリを用いる回路であった場合も、駆動電圧の低減による消費
電力の低減効果が顕著である。同様に、液晶表示装置に入力される画像データのフレーム
レートを変換し、より大きいフレームレートに変えて表示を行なう駆動（倍速駆動）を行
なうことができる構成である場合も、ＳＯＩ基板を用いて作製することの効果は大きい。
なぜならば、倍速駆動によって画素回路および周辺駆動回路の駆動周波数が著しく大きく
なるが、この場合、ＳＯＩ基板を用いて作製することによって、駆動電圧が低減できるた
め、消費電力を大きく低減できるためである。

次に、ＳＯＩ基板の作成方法について説明する。

ＳＯＩ基板２４００は、ベース基板２４１０の一表面上に、絶縁層２４２０及び単結晶
半導体層２４３０（以下、ＳＯＩ層ともいう）が順次積層された積層体が複数設けられた
構成を有する（図２４（Ｆ）および（Ｇ）参照）。ＳＯＩ層２４３０は、絶縁層２４２０
を介してベース基板２４１０上に設けられており、いわゆるＳＯＩ構造を形成している。
ここで、１枚のベース基板２４１０上に複数のＳＯＩ層が設けられて、１枚のＳＯＩ基板
２４００を形成していてもよい。なお、図２４（Ｆ）および（Ｇ）に示す構成では、１枚
のベース基板２４１０に２つのＳＯＩ層２４３０が設けられている例を示す。

ＳＯＩ層２４３０は単結晶半導体であり、代表的には単結晶シリコンを用いることがで
きる。その他、水素イオン注入剥離法を利用して単結晶半導体基板若しくは多結晶半導体
基板から剥離可能であるシリコン、ゲルマニウムや、ガリウムヒ素、インジウムリンなど
の化合物半導体である結晶性半導体層を用いることもできる。

なお、当該ＳＯＩ基板を構成するＳＯＩ層２４３０のサイズは、所望のパネルサイズと
概同じとなっていてもよい。ここで、「パネルサイズ」とは、表示パネルの表示部及びそ
の周辺の額縁部（非表示部）を合わせたサイズを示す。また、「サイズ」とは、面積を示
すものとする。

パネルサイズは用途により適宜選択すればよいが、例えば対角１０インチ未満の中小型
パネルサイズとすることができる。中小型パネルとして携帯電話機を想定する場合、表示
部のサイズ（画面サイズ）としては、例えば対角２．２インチ（５６ｍｍ）、対角２．４
インチ（６１ｍｍ）、対角２．６インチ（６６ｍｍ）等が知られている。これらのパネル
サイズとする場合は、画面サイズに表示部周辺の額縁部のサイズ（画面額縁サイズ）を考
慮したサイズとすればよい。

ＳＯＩ層２４３０の形状は特に限定されないが、矩形状（正方形を含む）とすると加工
が容易になり、ベース基板２４１０にも集積度良く貼り合わせることができ好ましい。ま
た、ディスプレイ等の表示装置のパネルとする場合は、ＳＯＩ層２４３０のアスペクト比
が４：３となるようにすることが好ましい。ＳＯＩ層２４３０を所望のパネルサイズ程度
とすることで、完成するＳＯＩ基板を用いて製造した表示パネルを組み込んで各種表示装
置を製造する際に、パネル毎に歩留まりを管理することが可能となる。また、個々のパネ
ルを分断する際に、素子にダメージが入るのを防止することができる。よって、歩留まり
の向上を図ることができる。さらに、ＳＯＩ層２４３０を所望のパネルサイズ程度とする
ことで、各パネル毎の素子を１つのＳＯＩ層で形成することができ、特性のばらつきを抑
えることが可能になる。

ベース基板２４１０は絶縁表面を有する基板または絶縁基板を用いる。具体的には、ア
ルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのよう
な電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイヤ基板が
挙げられる。好ましくはベース基板２４１０としてガラス基板を用いるのがよく、例えば
第６世代（２４５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）
、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）といわれる大面積のマザーガラス基板を用い
る。大面積のマザーガラス基板をベース基板２４１０として用い、本発明を適用してＳＯ
Ｉ基板を製造することで、ＳＯＩ基板の大面積化が実現できる。また、個々のＳＯＩ層を
所望のパネルサイズとすることで、１枚のベース基板で製造できる表示パネルの数（面取
り数）を増大させることができる。したがって、該表示パネルを組み込んで製造する最終
製品（表示装置）の生産性を向上させることができる。

ベース基板２４１０とＳＯＩ層２４３０の間には、絶縁層２４２０が設けられている。
絶縁層２４２０は単層構造としても積層構造としてもよいが、ベース基板２４１０と接合
する面（以下、「接合面」ともいう）は、平滑面を有し親水性表面となるようにする。図
２４（Ｆ）は絶縁層２４２０として接合層２４２２を形成する例を示している。平滑面を
有し親水性表面を形成できる接合層２４２２としては、酸化シリコン層が適している。特
に、有機シランを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン層が好ましい。有
機シランとしては、テトラエトキシシラン（略称；ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）
_４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ_３）_４）、トリメチルシラン（（
ＣＨ_３）_３ＳＩＨ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリ
エトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ
（ＣＨ_３）_２）_３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。

上記平滑面を有し親水性表面を形成する接合層２４２２は、膜厚５ｎｍ乃至５００ｎｍ
の範囲で設けることが好ましい。接合層２４２２の膜厚を上記範囲内とすることで、被成
膜表面の表面荒れを平滑化すると共に、当該膜の成長表面の平滑性を確保することが可能
である。また、接合する基板（図２４（Ｆ）ではベース基板２４１０）との歪みを緩和す
ることができる。なお、ベース基板２４１０にも、接合層２４２２と同様の酸化シリコン
層を設けてもよい。本発明に係るＳＯＩ基板は、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板
であるベース基板２４１０にＳＯＩ層２４３０を接合するに際し、接合を形成する面の一
方若しくは双方に、好ましくは有機シランを原材料として成膜した酸化シリコン層でなる
接合層を設けることで強固な接合を形成することができる。

図２４（Ｇ）は絶縁層２４２０を積層構造とする例を示している。具体的には、絶縁層
２４２０として接合層２４２２及び窒素含有絶縁層２４２４の積層構造を形成する例を示
している。なお、ベース基板２４１０との接合面には接合層２４２２が形成されるように
するため、ＳＯＩ層２４３０と接合層２４２２との間に窒素含有絶縁層２４２４が設けら
れた構成とする。窒素含有絶縁層２４２４は、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層又は
酸化窒化シリコン層を用いて単層構造又は積層構造で形成する。例えば、ＳＯＩ層２４３
０側から酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層を積層して窒素含有絶縁層２４２４と
することができる。接合層２４２２はベース基板２４１０と接合を形成するために設ける
のに対し、窒素含有絶縁層２４２４は、可動イオンや水分等の不純物がＳＯＩ層２４３０
に拡散して汚染されることを防ぐために設けることが好ましい。

なお、酸化窒化シリコン層とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを
示し、濃度範囲として酸素が５５原子％〜６５原子％、窒素が１原子％〜２０原子％、Ｓ
ｉが２５原子％〜３５原子％、水素が０．１原子％〜１０原子％の範囲で含まれるものを
いう。また、窒化酸化シリコン層とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
ものを示し、濃度範囲として酸素が１５原子％〜３０原子％、窒素が２０原子％〜３５原
子％、Ｓｉが２５原子％〜３５原子％、水素が１５原子％〜２５原子％の範囲で含まれる
ものをいう。

図２６（Ｄ）、（Ｅ）は、ベース基板２４１０に接合層を含む絶縁層２４５０を形成す
る例を示している。絶縁層２４５０は、単層構造でも積層構造でもよいが、ＳＯＩ層２４
３０との接合面は平滑面を有し親水性表面を形成するようにする。なお、ベース基板２４
１０と接合層との間には、ベース基板２４１０として用いられるガラス基板からアルカリ
金属若しくはアルカリ土類金属などの可動イオンの拡散を防ぐため、バリア層が設けられ
ていることが好ましい。

図２６（Ｅ）は、絶縁層２４５０としてバリア層２４５２、接合層２４５４の積層構造
を形成する例を示している。接合層２４５４としては、前記接合層２４２２と同様の酸化
シリコン層を設ければよい。また、ＳＯＩ層２４３０に適宜接合層を設けてもよい。図２
６（Ｅ）では、ＳＯＩ層２４３０にも接合層２４２２を設ける例を示している。このよう
な構成とすることで、ベース基板２４１０及びＳＯＩ層２４３０を接合させる際に接合層
同士で接合を形成するため、より強固な接合を形成することができる。バリア層２４５２
は、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を用
いて単層構造又は積層構造で形成する。好ましくは、窒素を含有する絶縁層を用いて形成
する。

図２６（Ｄ）は、ベース基板２４１０に接合層を設ける例を示している。具体的には、
ベース基板２４１０に絶縁層２４５０としてバリア層２４５２と接合層２４５４の積層構
造を設けている。また、ＳＯＩ層２４３０には酸化シリコン層２４２６を設けている。ベ
ース基板２４１０にＳＯＩ層２４３０を接合する際には、酸化シリコン層２４２６が接合
層２４５４と接合を形成する。酸化シリコン層２４２６は、熱酸化法により形成されたも
のが好ましい。また、酸化シリコン層２４２６としてケミカルオキサイドを適用すること
もできる。ケミカルオキサイドは、例えばオゾン含有水で半導体基板表面を処理すること
で形成することができる。ケミカルオキサイドは半導体基板の表面の平坦性を反映して形
成されるので好ましい。

次に、本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法について説明する。まず、図２４（Ｆ）に示
すＳＯＩ基板の製造方法の例について説明する。

まず、半導体基板２４０１を準備する（図２４（Ａ）、図２５（Ａ）参照）。半導体基
板２４０１としては、市販の半導体基板を用いればよく、例えばシリコン基板やゲルマニ
ウム基板、ガリウムヒ素やインジウムリンなどの化合物半導体基板が挙げられる。市販の
シリコン基板としては、直径５インチ（１２５ｍｍ）、直径６インチ（１５０ｍｍ）、直
径８インチ（２００ｍｍ）、直径１２インチ（３００ｍｍ）サイズのものが代表的であり
、その形状は円形のものがほとんどである。また、膜厚は１．５ｍｍ程度まで適宜選択で
きる。

次に、半導体基板２４０１の表面から電界で加速されたイオン２４０４を所定の深さに
注入し、イオンドーピング層２４０３を形成する（図２４（Ａ）、図２５（Ａ）参照）。
イオン２４０４の注入は、後にベース基板に転置するＳＯＩ層の膜厚を考慮して行われる
。好ましくは、ＳＯＩ層の膜厚が５ｎｍ乃至５００ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍ乃至２
００ｎｍの厚さとなるようにする。イオンを注入する際の加速電圧及びイオンのドーズ量
は、転置するＳＯＩ層の膜厚を考慮して適宜選択する。イオン２４０４は、水素、ヘリウ
ム、又はフッ素等のハロゲンのイオンを用いることができる。なお、イオン２４０４とし
ては、水素、ヘリウム、又はハロゲン元素から選ばれたソースガスをプラズマ励起して生
成された一の原子又は複数の同一の原子からなるイオン種を注入することが好ましい。水
素イオンを注入する場合には、Ｈ^＋、Ｈ_２ ^＋、Ｈ_３ ^＋イオンを含ませると共に、Ｈ_３ ^＋イ
オンの割合を高めておくとイオンの注入効率を高めることができ、注入時間を短縮するこ
とができるため好ましい。また、このような構成とすることで、剥離を容易に行うことが
できる。

なお、所定の深さにイオンドーピング層２４０３を形成するために、イオン２４０４を
高ドーズ条件で注入する必要がある場合がある。このとき、条件によっては半導体基板２
４０１の表面が粗くなってしまう。そのため、半導体基板のイオンが注入される表面に、
保護層として窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層などを膜厚５０ｎｍ乃至２００ｎｍ
の範囲で設けておいてもよい。

次に、半導体基板２４０１に接合層２４２２を形成する（図２４（Ｂ）、図２５（Ｂ）
参照）。接合層２４２２は、半導体基板２４０１がベース基板と接合を形成する面に形成
する。ここで形成する接合層２４２２としては、上述のように有機シランを原料ガスに用
いた化学気相成長法により成膜される酸化シリコン層が好ましい。その他に、シランを原
料ガスに用いた化学気相成長法により成膜される酸化シリコン層を適用することもできる
。化学気相成長法による成膜では、半導体基板２４０１に形成したイオンドーピング層２
４０３から脱ガスが起こらない程度の温度が適用される。例えば、３５０℃以下の成膜温
度が適用される。なお、単結晶半導体基板または多結晶半導体基板などの半導体基板から
ＳＯＩ層を剥離する加熱処理は、化学気相成長法による成膜温度よりも高い加熱処理温度
が適用される。

ここで、半導体基板２４０１を所望の大きさ、形状に加工することができる（図２４（
Ｃ）、図２５（Ｃ）参照）。具体的には、所望のパネルサイズとなるように加工すること
ができる。図２５（Ｃ）では、円形の半導体基板２４０１を分断して、矩形の半導体基板
２４０２を形成する例を示している。この際、接合層２４２２及びイオンドーピング層２
４０３も分断される。こうすることによって、所定の深さにイオンドーピング層２４０３
が形成され、表面（ベース基板との接合面）に接合層２４２２が形成され、さらに所望の
パネルサイズである半導体基板２４０２を得ることができる。

そして、半導体基板２４０２は、各種表示装置のパネルサイズとすることが好ましい。
パネルサイズは組み込まれる最終製品等によって適宜選択すればよいが、例えば対角１０
インチ未満の中小型パネルのパネルサイズとすることができる。例えば、画面サイズ対角
２．４インチの携帯電話機に適用する場合、画面サイズ対角２．４インチに画面額縁サイ
ズを考慮したパネルサイズとする。また、半導体基板２４０２の形状も最終製品等、用途
によって適宜選択すればよいが、ディスプレイ等の表示装置に適用する場合、アスペクト
比３：４程度の矩形とすることが好ましい。また、半導体基板２４０２を矩形状にすると
、後の製造工程における加工が容易になり、さらに半導体基板２４０１から効率的に切り
出すことも可能になるため好ましい。半導体基板２４０１の分断は、ダイサー或いはワイ
ヤソー等の切断装置、レーザー切断、プラズマ切断、電子ビーム切断、その他任意の切断
手段を用いることができる。

なお、半導体基板表面に接合層を形成するまでの工程順序は、適宜入れ替えることが可
能である。ここでは半導体基板にイオンドーピング層を形成し、前記半導体基板の表面に
接合層を形成した後、前記半導体基板を所望のパネルサイズに加工する例を示している。
これに対し、例えば、半導体基板を所望のパネルサイズに加工した後、前記所望のパネル
サイズの半導体基板にイオンドーピング層を形成し、前記所望のパネルサイズの半導体基
板の表面に接合層を形成することもできる。

次に、ベース基板２４１０と半導体基板２４０２を貼り合わせる。図２４（Ｄ）には、
ベース基板２４１０と半導体基板２４０２の接合層２４２２が形成された面とを密着させ
、ベース基板２４１０と接合層２４２２を接合させて、ベース基板２４１０と半導体基板
２４０２を貼り合わせる例を示す。なお、接合を形成する面（接合面）は十分に清浄化し
ておくことが好ましい。ベース基板２４１０と接合層２４２２を密着させることにより接
合が形成される。この接合はファンデルワールス力が作用しており、ベース基板２４１０
と半導体基板２４０２とを圧接することで、水素結合による強固な接合を形成することが
可能である。

また、ベース基板２４１０と接合層２４２２との良好な接合を形成するために、接合面
を活性化しておいてもよい。例えば、接合を形成する面の一方又は双方に原子ビーム若し
くはイオンビームを照射する。原子ビーム若しくはイオンビームを利用する場合には、ア
ルゴン等の不活性ガス中性原子ビーム若しくは不活性ガスイオンビームを用いることがで
きる。その他に、プラズマ照射若しくはラジカル処理を行うことで接合面を活性化するこ
ともできる。このような表面処理により、４００℃以下の温度であっても異種材料間の接
合を形成することが容易となる。

また、接合層２４２２を介してベース基板２４１０と半導体基板２４０２を貼り合わせ
た後は、加熱処理又は加圧処理を行うことが好ましい。加熱処理又は加圧処理を行うこと
で接合強度を向上させることが可能となる。加熱処理の温度は、ベース基板２４１０の耐
熱温度以下であることが好ましい。加圧処理においては、接合面に垂直な方向に圧力が加
わるように行い、ベース基板２４１０及び半導体基板２４０２の耐圧性を考慮して行う。

次に、加熱処理を行いイオンドーピング層２４０３を劈開面として半導体基板２４０２
の一部をベース基板２４１０から剥離する（図２４（Ｅ）参照）。加熱処理の温度は接合
層２４２２の成膜温度以上、ベース基板２４１０の耐熱温度以下で行うことが好ましい。
例えば、４００℃乃至６００℃の加熱処理を行うことにより、イオンドーピング層２４０
３に形成された微小な空洞の堆積変化が起こり、イオンドーピング層２４０３に沿って劈
開することが可能となる。接合層２４２２はベース基板２４１０と接合しているので、ベ
ース基板２４１０上には半導体基板２４０２と同じ結晶性のＳＯＩ層２４３０が残存する
こととなる。

以上で、ベース基板２４１０上に接合層２４２２を介してＳＯＩ層２４３０が設けられ
たＳＯＩ構造が形成される。なお、ＳＯＩ基板は、１枚のベース基板上に接合層を介して
複数のＳＯＩ層が設けられた構造であるとすることができる。例えば、イオンドーピング
層が形成され、且つ表面に接合層が形成され、所望のパネルサイズに加工された半導体基
板２４０２を、所望の個数だけ準備する。そして、図２７（Ａ）に示すようにベース基板
２４１０に半導体基板２４０２を所望の個数貼り合わせた後、図２７（Ｂ）に示すように
加熱処理により一括で剥離を行うことで、ＳＯＩ基板を製造することができる。なお、加
熱処理による剥離を一括に行わず、１つ又はある程度の個数の半導体基板２４０２を貼り
合わせ、剥離する工程を繰り返して、ＳＯＩ基板を製造することもできる。

また、半導体基板２４０２は、ベース基板２４１０に規則的に配列させると、後の工程
が容易になり好ましい。例えば、ＣＣＤカメラやコンピュータ等の制御装置を用いること
で、規則的に半導体基板２４０２を配列させて貼り合わせていくことが可能になる。また
、ベース基板２４１０や半導体基板２４０２にマーカ等を形成して、位置合わせを行って
もよい。なお、図２７では隣接するＳＯＩ層間はある程度隙間を空けるような構成として
いるが、極力隙間を空けないように敷き詰めて設ける構成としてもよい。

なお、剥離により得られるＳＯＩ層は、その表面を平坦化するため、化学的機械的研磨
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）を行っても
よい。また、ＣＭＰ等の物理的研磨手段を用いず、ＳＯＩ層の表面にレーザービームを照
射して平坦化を行ってもよい。なお、レーザービームを照射する際は、酸素濃度が１０ｐ
ｐｍ以下の窒素雰囲気下で行うことが好ましい。これは、酸素雰囲気下でレーザービーム
の照射を行うとＳＯＩ層表面が荒れる恐れがあるからである。また、得られたＳＯＩ層の
薄膜化を目的として、ＣＭＰ等を行ってもよい。

次に、ベース基板側に接合層を設けて、図２６（Ｄ）に示すようなＳＯＩ層を形成する
工程について説明する。

図２６（Ａ）は酸化シリコン層２４２６が形成された半導体基板２４０１に電界で加速
されたイオン２４０４を所定の深さに注入し、イオンドーピング層２４０３を形成する工
程を示している。酸化シリコン層２４２６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成
することもできるが、好ましくは熱酸化法により形成する。また、酸化シリコン層２４２
６として、オゾン含有水等で半導体基板表面を処理することにより形成されるケミカルオ
キサイドを適用してもよい。半導体基板２４０１は、上述の図２４（Ａ）の場合と同様の
ものを適用できる。また、水素、ヘリウム又はフッ素等のハロゲンのイオンの注入も、上
述の図２４（Ａ）の場合と同様である。半導体基板２４０１の表面に酸化シリコン層２４
２６を形成しておくことで、イオンの注入の際に半導体基板表面がダメージを受け、平坦
性が損なわれるのを防ぐことができる。

図２６（Ｂ）は、バリア層２４５２及び接合層２４５４が形成されたベース基板２４１
０と、半導体基板２４０２の酸化シリコン層２４２６が形成された面を密着させて接合を
形成する工程を示している。ベース基板２４１０上の接合層２４５４と半導体基板２４０
２の酸化シリコン層２４２６を密着させることによって接合が形成される。なお、半導体
基板２４０２は、イオンドーピング層２４０３が形成され、表面に酸化シリコン層２４２
６が形成された半導体基板２４０１を所望のパネルサイズに加工したものである。バリア
層２４５２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法により、酸化シリコン層、窒化シリコン層、
酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を用いて単層構造又は積層構造で形成すれば
よい。接合層２４５４は、上述の接合層２４２２と同様の酸化シリコン層を形成すればよ
い。

そして、図２６（Ｃ）に示すように半導体基板２４０２の一部を剥離する。剥離のため
の加熱処理は図２４（Ｅ）の場合と同様に行い、イオンドーピング層２４０３を劈開面と
してベース基板２４１０から剥離する。剥離処理後、ベース基板２４１０上に半導体基板
２４０２と同じ結晶性のＳＯＩ層２４３０が残存することで、ＳＯＩ基板を得ることがで
きる。ここで、ＳＯＩ基板は、ベース基板２４１０上にバリア層２４５２、接合層２４５
４、酸化シリコン層２４２６を介してＳＯＩ層２４３０が設けられた構造とすることがで
きる。なお、剥離処理後、得られたＳＯＩ層を平坦化又は薄膜化するため、ＣＭＰやレー
ザービームの照射等を行ってもよい。

本実施の形態において説明したＳＯＩ基板の製造方法によって、ベース基板２４１０の
耐熱温度が６００℃以下であっても、接合部の接着力が強固なＳＯＩ層２４３０を得るこ
とができる。また、６００℃以下の温度プロセスを適用すればよいため、ベース基板２４
１０として、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ
酸ガラスの如き無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用
することが可能となる。もちろん、セラミック基板、サファイヤ基板、石英基板等を適用
することも可能である。すなわち、一辺が１メートルを超える基板上に単結晶半導体層を
形成することができる。このような大面積基板を使って液晶ディスプレイのような表示装
置や、半導体集積回路を製造することができる。

本実施の形態において説明したＳＯＩ基板は、ベース基板上にパネルサイズのＳＯＩ層
を設ける構成である。このようにすることで、１つのＳＯＩ層で所望の表示パネルを形成
することができ、歩留まりの向上を図ることができる。また、１つのＳＯＩ層で所望の表
示パネルを形成することができるため、表示パネルを形成する素子のばらつきを抑制する
ことが可能である。

さらに、本実施の形態において説明したＳＯＩ基板は、ベース基板にＳＯＩ層を転写し
て形成する際にＳＯＩ層の結晶に欠陥が生じても、パネル毎に歩留まりを管理することが
できる。また、ベース基板へのＳＯＩ層の転写をパネルサイズで行うため、異種材料を貼
り合わせる場合も応力等のストレスが緩和でき、歩留まりの向上を図ることができる。

さらに、本実施の形態において説明したＳＯＩ基板は、ベース基板上に複数のＳＯＩ層
を設けることで大面積化を実現できる。よって、一度の製造プロセスで多数の表示パネル
を製造することが可能となり、当該表示パネルを組み込んで製造する最終製品の生産性を
向上させることができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態６）
本実施の形態においては、トランジスタの構造及び作製方法について説明する。

図２８（Ａ）乃至（Ｇ）は、トランジスタの構造及び作製方法の例を示す図である。図２
８（Ａ）は、トランジスタの構造の例を示す図である。図２８（Ｂ）乃至（Ｇ）は、トラ
ンジスタの作製方法の例を示す図である。

なお、トランジスタの構造及び作製方法は、図２８（Ａ）乃至（Ｇ）に示すものに限定さ
れず、様々な構造及び作製方法を用いることができる。

まず、図２８（Ａ）を参照し、トランジスタの構造の例について説明する。図２８（Ａ）
は複数の異なる構造を有するトランジスタの断面図である。ここで、図２８（Ａ）におい
ては、複数の異なる構造を有するトランジスタを並置して示しているが、これは、トラン
ジスタの構造を説明するための表現であり、トランジスタが、実際に図２８（Ａ）のよう
に並置されている必要はなく、必要に応じてつくり分けることができる。

次に、トランジスタを構成する各層の特徴について説明する。

基板１１０１１１は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラ
ス基板、石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができ
る。他にも、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥ
Ｎ）、ポリエ−テルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック又はアクリル等の可
撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用
いることによって、折り曲げが可能である半導体装置を作製することが可能となる。可撓
性を有す基板であれば、基板の面積及び基板の形状に大きな制限はないため、基板１１０
１１１として、例えば、１辺が１メ−トル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産
性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場
合と比較すると、大きな優位点である。

絶縁膜１１０１１２は、下地膜として機能する。基板１１０１１１からＮａなどのアルカ
リ金属又はアルカリ土類金属が、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設け
る。絶縁膜１１０１１２としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化
窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸
素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造若しくはこれらの積層構造で設けることができる。
例えば、絶縁膜１１０１１２を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪
素膜を設け、２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。別の例として、絶縁
膜１１０１１２を３層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、
２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を設け、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設
けるとよい。

半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５は、非晶質（アモルファス）半導体
又はセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）で形成することができる。あるいは、多結晶半導
体層を用いても良い。ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な
構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序
を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、
０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマン
スペクトルが５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格
子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピ−クが観測される。未結合手（ダ
ングリングボンド）の補償するものとして水素又はハロゲンを少なくとも１原子％又はそ
れ以上含ませている。ＳＡＳは、材料ガスをグロ−放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成
する。材料ガスとしては、ＳｉＨ_４、その他にもＳｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣ
ｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４などを用いることが可能である。あるいは、ＧｅＦ_４を混合
させても良い。この材料ガスをＨ２、あるいは、Ｈ_２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ば
れた一種又は複数種の希ガス元素で希釈してもよい。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧
力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好まし
くは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよい。膜中の不純物元素と
して、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０^２０ｃｍ⁻１以下とすること
が望ましく、特に、酸素濃度は５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１９／ｃ
ｍ^３以下とする。ここでは、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等）を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）で非晶
質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層をレーザー結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスア
ニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの公知
の結晶化法により結晶化させる。

絶縁膜１１０１１６は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素
を有する絶縁膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造で設けることができる。

ゲ−ト電極１１０１１７は、単層の導電膜、又は二層、三層の導電膜の積層構造とするこ
とができる。ゲ−ト電極１１０１１７の材料としては、公知の導電膜を用いることができ
る。たとえば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）などの元素の単体膜、あるいは、前記元素の
窒化膜（代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、あるいは、
前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、あるいは
、前記元素のシリサイド膜（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜
）などを用いることができる。なお、上述した単体膜、窒化膜、合金膜、シリサイド膜な
どは、単層で用いてもよいし、積層して用いてもよい。

絶縁膜１１０１１８は、公知の手段（スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法等）によって、酸
化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）
、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（
ダイヤモンドライクカ−ボン）等の炭素を含む膜の単層構造、若しくはこれらの積層構造
で設けることができる。

絶縁膜１１０１１９は、シロキサン樹脂、あるいは、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（
ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）
（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等
の炭素を含む膜、あるいは、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル
、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、からなる単層若しくは積層構造で設ける
ことができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。
シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基
として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられ
る。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置換基として、少なく
とも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、絶縁膜１１０１１８を設
けずにゲ−ト電極１１０１１７を覆うように直接絶縁膜１１０１１９を設けることも可能
である。

導電膜１１０１２３は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍ
ｎなどの元素の単体膜、あるいは、前記元素の窒化膜、あるいは、前記元素を組み合わせ
た合金膜、あるいは、前記元素のシリサイド膜などを用いることができる。例えば、前記
元素を複数含む合金として、Ｃ及びＴｉを含有したＡｌ合金、Ｎｉを含有したＡｌ合金、
Ｃ及びＮｉを含有したＡｌ合金、Ｃ及びＭｎを含有したＡｌ合金等を用いることができる
。例えば、積層構造で設ける場合、ＡｌをＭｏ又はＴｉなどで挟み込んだ構造とすること
ができる。こうすることで、Ａｌの熱や化学反応に対する耐性を向上することができる。

次に、図２８（Ａ）に示した、複数の異なる構造を有するトランジスタの断面図を参照し
て、各々の構造の特徴について説明する。

１１０１０１は、シングルドレイントランジスタであり、簡便な方法で製造できるため、
製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利点がある。ここで、半導体層１１０１１
３、１１０１１５は、それぞれ不純物の濃度が異なり、半導体層１１０１１３はチャネル
領域、半導体層１１０１１５はソース領域及びドレイン領域として用いる。このように、
不純物の量を制御することで、半導体層の抵抗率を制御できる。半導体層と導電膜１１０
１２３との電気的な接続状態を、オ−ミック接続に近づけることができる。なお、不純物
の量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲ−ト電極１１０１１７をマスクとし
て半導体層に不純物をド−ピングする方法を用いることができる。

１１０１０２は、ゲ−ト電極１１０１１７に一定以上のテーパ角を有するトランジスタで
あり、簡便な方法で製造できるため、製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利点
がある。ここで、半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５は、それぞれ不純
物濃度が異なり、半導体層１１０１１３はチャネル領域、半導体層１１０１１４は低濃度
ドレイン（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ：ＬＤＤ）領域、半導体層１１０１
１５はソース領域及びドレイン領域として用いる。このように、不純物の量を制御するこ
とで、半導体層の抵抗率を制御できる。半導体層と導電膜１１０１２３との電気的な接続
状態を、オ−ミック接続に近づけることができる。ＬＤＤ領域を有するため、トランジス
タ内部に高電界がかかりにくく、ホットキャリアによる素子の劣化を抑制することができ
る。なお、不純物の量の異なる半導体層を作り分ける方法としては、ゲ−ト電極１１０１
１７をマスクとして半導体層に不純物をド−ピングする方法を用いることができる。１１
０１０２においては、ゲ−ト電極１１０１１７が一定以上のテーパ角を有しているため、
ゲ−ト電極１１０１１７を通過して半導体層にド−ピングされる不純物の濃度に勾配を持
たせることができ、簡便にＬＤＤ領域を形成することができる。

１１０１０３は、ゲ−ト電極１１０１１７が少なくとも２層で構成され、下層のゲ−ト電
極が上層のゲ−ト電極よりも長い形状を有するトランジスタである。本明細書中において
は、上層のゲ−ト電極及び下層のゲ−ト電極の形状を、帽子型と呼ぶ。ゲ−ト電極１１０
１１７の形状が帽子型であることによって、フォトマスクを追加することなく、ＬＤＤ領
域を形成することができる。なお、１１０１０３のように、ＬＤＤ領域がゲ−ト電極１１
０１１７と重なっている構造を、特にＧＯＬＤ構造（Ｇａｔｅ Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ
ＬＤＤ）と呼ぶ。なお、ゲ−ト電極１１０１１７の形状を帽子型とする方法としては、次
のような方法を用いてもよい。

まず、ゲ−ト電極１１０１１７をパタ−ニングする際に、ドライエッチングにより、下層
のゲ−ト電極及び上層のゲ−ト電極をエッチングして側面に傾斜（テーパ）のある形状に
する。続いて、異方性エッチングにより上層のゲ−ト電極の傾斜を垂直に近くなるように
加工する。これにより、断面形状が帽子型のゲ−ト電極が形成される。その後、２回、不
純物元素をド−ピングすることによって、チャネル領域として用いる半導体層１１０１１
３、ＬＤＤ領域として用いる半導体層１１０１１４、ソ−ス電極及びドレイン電極として
用いる半導体層１１０１１５が形成される。

なお、ゲ−ト電極１１０１１７と重なっているＬＤＤ領域をＬｏｖ領域、ゲ−ト電極１１
０１１７と重なっていないＬＤＤ領域をＬｏｆｆ領域と呼ぶことにする。ここで、Ｌｏｆ
ｆ領域はオフ電流値を抑える効果は高いが、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリ
アによるオン電流値の劣化を防ぐ効果は低い。一方、Ｌｏｖ領域はドレイン近傍の電界を
緩和し、オン電流値の劣化の防止には有効であるが、オフ電流値を抑える効果は低い。よ
って、種々の回路毎に、求められる特性に応じた構造のトランジスタを作製することが好
ましい。たとえば、半導体装置を表示装置として用いる場合、画素トランジスタは、オフ
電流値を抑えるために、Ｌｏｆｆ領域を有するトランジスタを用いることが好適である。
一方、周辺回路におけるトランジスタは、ドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣
化を防止するために、Ｌｏｖ領域を有するトランジスタを用いることが好適である。

１１０１０４は、ゲ−ト電極１１０１１７の側面に接して、サイドウォ−ル１１０１２１
を有するトランジスタである。サイドウォ−ル１１０１２１を有することによって、サイ
ドウォ−ル１１０１２１と重なる領域をＬＤＤ領域とすることができる。

１１０１０５は、半導体層にマスクを用いてド−ピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｆ
ｆ）領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成
することができ、トランジスタのオフ電流値を低減することができる。

１１０１０６は、半導体層にマスクを用いてド−ピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｖ
）領域を形成したトランジスタである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成す
ることができ、トランジスタのドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化を低減す
ることができる。

次に、図２８（Ｂ）乃至（Ｇ）を参照して、トランジスタの作製方法の例を説明する。

なお、トランジスタの構造及び作製方法は、図２８に示すものに限定されず、様々な構造
及び作製方法を用いることができる。

本実施の形態においては、基板１１０１１１の表面に、絶縁膜１１０１１２の表面に、半
導体層１１０１１３の表面に、１１０１１４の表面に、１１０１１５の表面に、絶縁膜１
１０１１６の表面に、絶縁膜１１０１１８の表面に、又は絶縁膜１１０１１９の表面に、
プラズマ処理を用いて酸化又は窒化を行うことにより、半導体層又は絶縁膜を酸化又は窒
化することができる。このように、プラズマ処理を用いて半導体層又は絶縁膜を酸化又は
窒化することによって、当該半導体層又は当該絶縁膜の表面を改質し、ＣＶＤ法やスパッ
タ法により形成した絶縁膜と比較してより緻密な絶縁膜を形成することができるため、ピ
ンホ−ル等の欠陥を抑制し半導体装置の特性等を向上させることが可能となる。

まず、基板１１０１１１の表面をフッ酸（ＨＦ）、アルカリ又は純水を用いて洗浄する。
基板１１０１１１は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラ
ス基板、石英基板、セラミック基板又はステンレスを含む金属基板等を用いることができ
る。他にも、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥ
Ｎ）、ポリエ−テルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可
撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。なお、ここでは基板１１
０１１１としてガラス基板を用いる場合を示す。

ここで、基板１１０１１１の表面にプラズマ処理を行うことで、基板１１０１１１の表面
を酸化又は窒化することによって、基板１１０１１１の表面に酸化膜又は窒化膜を形成し
てもよい（図２８（Ｂ））。表面にプラズマ処理を行うことで形成された酸化膜又は窒化
膜などの絶縁膜を、以下では、プラズマ処理絶縁膜とも記す。図２８（Ｂ）においては、
絶縁膜１１０１３１がプラズマ処理絶縁膜である。一般的に、ガラス又はプラスチック等
の基板上に薄膜トランジスタ等の半導体素子を設ける場合、ガラス又はプラスチック等に
含まれるＮａなどの、アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に
混入して汚染することによって、半導体素子の特性に影響を及ぼす恐れがある。しかし、
ガラス又はプラスチック等からなる基板の表面を窒化することにより、基板に含まれるＮ
ａなどの、アルカリ金属又はアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に混入するの
を防止することができる。

なお、プラズマ処理により表面を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ_２
）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、あるい
は、酸素と水素（Ｈ_２）と希ガス雰囲気下、あるいは、一酸化二窒素と希ガス雰囲気下）
でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体層を窒化する場合には、窒素雰
囲気下（例えば、窒素（Ｎ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一
つを含む）雰囲気下、あるいは、窒素と水素と希ガス雰囲気下、あるいは、ＮＨ_３と希ガ
ス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる
。あるいは、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。そのため、プラズマ処理絶縁膜
は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含
む）を含んでいる。たとえば、Ａｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡｒが含まれ
ている。

プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１
×１０^１３ｃｍ^−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅｖ以上１．５ｅＶ以下で
行うことが好適である。プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物付近での電子温度
が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。プラズマの
電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被照
射物を酸化又は窒化することよって形成される酸化物又は窒化膜は、ＣＶＤ法やスパッタ
法等により形成された膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成すること
ができる。あるいは、プラズマの電子温度が１ｅＶ以下と低いため、従来のプラズマ処理
や熱酸化法と比較して低温度で酸化又は窒化処理を行うことができる。たとえば、ガラス
基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分に酸化又は窒
化処理を行うことができる。なお、プラズマを形成するための周波数としては、マイクロ
波（２．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。なお、以下に特に断らない場合
は、プラズマ処理として上記条件を用いて行うものとする。

なお、図２８（Ｂ）においては、基板１１０１１１の表面をプラズマ処理することによっ
てプラズマ処理絶縁膜を形成する場合を示しているが、本実施の形態は、基板１１０１１
１の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成しない場合も含む。

なお、図２８（Ｃ）乃至（Ｇ）においては、被処理物の表面をプラズマ処理することによ
って形成されるプラズマ処理絶縁膜を図示しないが、本実施の形態においては、基板１１
０１１１、絶縁膜１１０１１２、半導体層１１０１１３、１１０１１４、１１０１１５、
絶縁膜１１０１１６、絶縁膜１１０１１８、又は絶縁膜１１０１１９の表面に、プラズマ
処理を行なうことによって形成されるプラズマ処理絶縁膜が存在する場合も含む。

次に、基板１１０１１１上に公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等）を用いて絶縁膜１１０１１２を形成する（図２８（Ｃ））。絶縁膜１１０１１２とし
ては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）を用いること
ができる。

ここで、絶縁膜１１０１１２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１２を酸化又
は窒化することによって、絶縁膜１１０１１２の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成しても
よい。絶縁膜１１０１１２の表面を酸化することによって、絶縁膜１１０１１２の表面を
改質しピンホ−ル等の欠陥の少ない緻密な膜を得ることができる。絶縁膜１１０１１２の
表面を酸化することによって、Ｎ原子の含有率が低いプラズマ処理絶縁膜を形成すること
ができるため、プラズマ処理絶縁膜に半導体層を設けた場合にプラズマ処理絶縁膜と半導
体層界面特性が向上する。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。なお、プラズマ
処理は上述した条件下で同様に行うことができる。

次に、絶縁膜１１０１１２上に島状の半導体層１１０１１３、１１０１１４を形成する（
図２８（Ｄ））。島状の半導体層１１０１１３、１１０１１４は、絶縁膜１１０１１２上
に公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いてシリコン（Ｓ
ｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体層を形成
し、当該非晶質半導体層を結晶化させ、半導体層を選択的にエッチングすることにより設
けることができる。なお、非晶質半導体層の結晶化は、レーザー結晶化法、ＲＴＡ又はフ
ァーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法
又はこれら方法を組み合わせた方法等の公知の結晶化法により行うことができる。なお、
ここでは、島状の半導体層の端部を直角に近い形状（θ＝８５〜１００°）で設ける。あ
るいは、低濃度ドレイン領域となる半導体層１１０１１４は、マスクを用いて不純物をド
−ピングすることによって形成されてもよい。

ここで、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面にプラズマ処理を行い、半導体層１
１０１１３、１１０１１４の表面を酸化又は窒化することによって、半導体層１１０１１
３、１１０１１４の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。例えば、半導体層１１
０１１３、１１０１１４としてＳｉを用いた場合、プラズマ処理絶縁膜として、酸化珪素
（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）が形成される。あるいは、プラズマ処理により半
導体層１１０１１３、１１０１１４を酸化させた後に、再度プラズマ処理を行うことによ
って窒化させてもよい。この場合、半導体層１１０１１３、１１０１１４に接して酸化珪
素（ＳｉＯｘ）が形成され、当該酸化珪素の表面に窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞
ｙ）が形成される。なお、プラズマ処理により半導体層を酸化する場合には、酸素雰囲気
下（例えば、酸素（Ｏ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを
含む）雰囲気下、あるいは、酸素と水素（Ｈ_２）と希ガス雰囲気下又は一酸化二窒素と希
ガス雰囲気下）、でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体層を窒化する
場合には、窒素雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ_２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ
ｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、あるいは、窒素と水素と希ガス雰囲気下又はＮＨ
３と希ガス雰囲気下）、でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いるこ
とができる。あるいは、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。そのため、プラズマ
処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくと
も一つを含む）を含んでいる。たとえば、Ａｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡ
ｒが含まれている。

次に、絶縁膜１１０１１６を形成する（図２８（Ｅ））。絶縁膜１１０１１６は、公知の
手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて、酸化珪素（ＳｉＯｘ
）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（
ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積
層構造で設けることができる。なお、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面をプラ
ズマ処理することにより、半導体層１１０１１３、１１０１１４の表面にプラズマ処理絶
縁膜を形成した場合には、プラズマ処理絶縁膜を絶縁膜１１０１１６として用いることも
可能である。

ここで、絶縁膜１１０１１６の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１６の表面を
酸化又は窒化することによって、絶縁膜１１０１１６の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成
してもよい。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。なお、プラズマ処理は上述し
た条件下で同様に行うことができる。

あるいは、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより絶縁膜１１０１１６を酸化
させた後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。この
ように、絶縁膜１１０１１６にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１６の表面を酸化又
は窒化することによって、絶縁膜１１０１１６の表面を改質し緻密な膜を形成することが
できる。プラズマ処理を行うことによって得られた絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法で形
成された絶縁膜と比較して緻密でピンホ−ル等の欠陥も少ないため、薄膜トランジスタの
特性を向上させることができる。

次に、ゲ−ト電極１１０１１７を形成する（図２８（Ｆ））。ゲ−ト電極１１０１１７は
、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて形成すること
ができる。

１１０１０１においては、ゲ−ト電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成する
ことができる。

１１０１０２においては、ゲ−ト電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン
領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

１１０１０３においては、ゲ−ト電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン
領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

１１０１０４においては、ゲ−ト電極１１０１１７の側面にサイドウォ−ル１１０１２１
を形成した後、不純物ド−ピングを行なうことで、ＬＤＤ領域として用いる１１０１１４
と、半導体層ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成する
ことができる。

なお、サイドウォ−ル１１０１２１は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）
を用いることができる。サイドウォ−ル１１０１２１をゲ−ト電極１１０１１７の側面に
形成する方法としては、たとえば、ゲ−ト電極１１０１１７を形成した後に、酸化珪素（
ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）を公知の方法で成膜した後に、異方性エッチングに
よって酸化珪素（ＳｉＯｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜をエッチングする方法を用いる
ことができる。こうすることで、ゲ−ト電極１１０１１７の側面にのみ酸化珪素（ＳｉＯ
ｘ）又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜を残すことができるので、ゲ−ト電極１１０１１７の側
面にサイドウォ−ル１１０１２１を形成することができる。

１１０１０５においては、ゲ−ト電極１１０１１７を覆うようにマスク１１０１２２を形
成した後、不純物ド−ピングを行なうことで、ＬＤＤ（Ｌｏｆｆ）領域として用いる１１
０１１４と、半導体層ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を
形成することができる。

１１０１０６においては、ゲ−ト電極１１０１１７を形成した後に不純物ド−ピングを行
なうことで、ＬＤＤ（Ｌｏｖ）領域として用いる１１０１１４と、半導体層ソース領域及
びドレイン領域として用いる半導体層１１０１１５を形成することができる。

次に、絶縁膜１１０１１８を形成する（図２８（Ｇ））。絶縁膜１１０１１８は、公知の
手段（スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（Ｓ
ｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（
ｘ＞ｙ）等の酸素又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等の
炭素を含む膜の単層構造、又はこれらの積層構造で設けることができる。

ここで、絶縁膜１１０１１８の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜１１０１１８の表面を
酸化又は窒化することによって、絶縁膜１１０１１８の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成
してもよい。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。なお、プラズマ処理は上述し
た条件下で同様に行うことができる。

次に、絶縁膜１１０１１９を形成する。絶縁膜１１０１１９は、公知の手段（スパッタ法
やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒
化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素
又は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカ−ボン）等の炭素を含む膜を用
いることができる他に、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル、ベ
ンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂の単層構造、又はこれらの積
層構造で設けることができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹
脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成
される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水
素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。あるいは、置換基
として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、プラズマ
処理絶縁膜には、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なく
とも一つを含む）が含まれており、例えばＡｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜中に
Ａｒが含まれている。

絶縁膜１１０１１９としてポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノ−ル、ベンゾシク
ロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等を用いた場合、絶縁膜１１０１１９
の表面をプラズマ処理により酸化又は窒化することにより、当該絶縁膜の表面を改質する
ことができる。表面を改質することによって、絶縁膜１１０１１９の強度が向上し開口部
形成時等におけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメ−ジを低減する
ことが可能となる。絶縁膜１１０１１９の表面が改質されることによって、絶縁膜１１０
１１９上に導電膜１１０１２３を形成する場合に導電膜との密着性が向上する。例えば、
絶縁膜１１０１１９としてシロキサン樹脂を用いてプラズマ処理を用いて窒化を行った場
合、シロキサン樹脂の表面が窒化されることにより窒素又は希ガスを含むプラズマ処理絶
縁膜が形成され、物理的強度が向上する。

次に、半導体層１１０１１５と電気的に接続された導電膜１１０１２３を形成するため、
絶縁膜１１０１１９、絶縁膜１１０１１８、絶縁膜１１０１１６にコンタクトホ−ルを形
成する。なお、コンタクトホ−ルの形状はテーパ状であってもよい。こうすることで、導
電膜１１０１２３のカバレッジを向上させることができる。

図３２は、ボトムゲート型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。

基板１１０５０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０５０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０５０３及び導電層１１０５０４）が形成
されている。導電層１１０５０３は、トランジスタ１１０５２０のゲート電極として機能
する部分を含む。導電層１１０５０４は、容量素子１１０５２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０５１４）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、半導体層が形成されている。そ
して、半導体層の一部は、第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されていな
い部分まで延長されている。半導体層は、チャネル形成領域（チャネル形成領域１１０５
１０）、ＬＤＤ領域（ＬＤＤ領域１１０５０８、ＬＤＤ領域１１０５０９）、不純物領域
（不純物領域１１０５０５、不純物領域１１０５０６、不純物領域１１０５０７）を有し
ている。チャネル形成領域１１０５１０は、トランジスタ１１０５２０のチャネル形成領
域として機能する。ＬＤＤ領域１１０５０８及びＬＤＤ領域１１０５０９は、トランジス
タ１１０５２０のＬＤＤ領域とし機能する。なお、ＬＤＤ領域１１０５０８及びＬＤＤ領
域１１０５０９は必ずしも必要ではない。不純物領域１１０５０５は、トランジスタ１１
０５２０のソース電極及びドレイン電極の一方として機能する部分を含む。不純物領域１
００５０６は、トランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン電極の他方として機
能する部分を含む。不純物領域１１０５０７は、容量素子１１０５２１の第２の電極とし
て機能する部分を含む。

全面に、第３の絶縁膜（絶縁膜１１０５１１）が形成されている。第３の絶縁膜の一部に
は、選択的にコンタクトホールが形成されている。絶縁膜１１０５１１は、層間膜として
の機能を有する。第３の絶縁膜としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
窒化シリコンなど）あるいは、低誘電率の有機化合物材料（感光性又は非感光性の有機樹
脂材料）などを用いることができる。あるいは、シロキサンを含む材料を用いることもで
きる。なお、シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成さ
れる材料である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香
族炭化水素）が用いられる。あるいは、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。あるい
は、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

第３の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０５１２及び導電層１１０５１３）が形成
されている。導電層１１０５１２は、第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し
てトランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン電極の他方と接続されている。し
たがって、導電層１１０５１２は、トランジスタ１１０５２０のソース電極及びドレイン
電極の他方として機能する部分を含む。導電層１１０５１３は、容量素子１１０５２１の
第１の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ
、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇ
ｅなど、又はこれらの合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む
）の積層を用いることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合のトラ
ンジスタ及び容量素子の構造について説明する。

図２９は、トップゲ−ト型のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面構造を示す。

基板１１０２０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０２０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０２０３、導電層１１０２０４及び導電層
１１０２０５）が形成されている。導電層１１０２０３は、トランジスタ１１０２２０の
ソ−ス電極及びドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。導電層１１０２０
４は、トランジスタ１１０２２０のソ−ス電極及びドレイン電極の他方の電極として機能
する部分を含む。導電層１１０２０５は、容量素子１１０２２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

導電層１１０２０３及び導電層１１０２０４の上部に、第１の半導体層（半導体層１１０
２０６及び半導体層１１０２０７）が形成されている。半導体層１１０２０６は、ソ−ス
電極とドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０２０７は、
ソ−ス電極とドレイン電極の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第１の半導体
層としては、リン等を含んだシリコン等を用いることができる。

導電層１１０２０３と導電層１１０２０４との間であって、かつ第１の絶縁膜上に、第２
の半導体層（半導体層１１０２０８）が形成されている。そして、半導体層１１０２０８
の一部は、導電層１１０２０３上及び導電層１１０２０４上まで延長されている。半導体
層１１０２０８は、トランジスタ１１０２２０のチャネル領域として機能する部分を含む
。なお、第２の半導体層としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

少なくとも半導体層１１０２０８及び導電層１１０２０５を覆うように、第２の絶縁膜（
絶縁膜１１０２０９及び絶縁膜１１０２１０）が形成されている。第２の絶縁膜は、ゲ−
ト絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層、又はこれらの積層を用い
ることができる。

なお、第２の半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いるこ
とが望ましい。なぜなら、第２の半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラッ
プ準位が少なくなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０２１１及び導電層１１０２１２）が形成
されている。導電層１１０２１１は、トランジスタ１１０２２０のゲ−ト電極として機能
する部分を含む。導電層１１０２１２は、容量素子１１０２２１の第２の電極、又は配線
としての機能を有する。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこ
れらの合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用い
ることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

図３０は、逆スタガ型（ボトムゲ−ト型）のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図３０に示すトランジスタは、チャネルエッチ型と呼ばれる構造であ
る。

基板１１０３０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０３０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０３０３及び導電層１１０３０４）が形成
されている。導電層１１０３０３は、トランジスタ１１０３２０のゲ−ト電極として機能
する部分を含む。導電層１１０３０４は、容量素子１１０３２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴＢ、Ｃｒ、Ｗ、Ｂｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ｂｇ、Ｂｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＢＢ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０３０２）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲ−ト絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第１の半導体層（半導体層１１
０３０６）が形成されている。そして、半導体層１１０３０８の一部は、第２の絶縁膜上
のうち第１の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層１１
０３０６は、トランジスタ１１０３２０のチャネル領域として機能する部分を含む。なお
、半導体層１１０３０６としては、アモルファスシリコン（Ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

第１の半導体層上の一部に、第２の半導体層（半導体層１１０３０７及び半導体層１１０
３０７）が形成されている。半導体層１１０３０７は、ソ−ス電極とドレイン電極の一方
の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０３０８は、ソ−ス電極とドレイン電極
の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導体層としては、リン等を含んだ
シリコン等を用いることができる。

第２の半導体層上及び第２の絶縁膜上に、第２の導電層（導電層１１０３０９、導電層１
１０３１０及び導電層１１０３１１）が形成されている。導電層１１０３０９は、トラン
ジスタ１１０３２０のソ−ス電極とドレイン電極の一方として機能する部分を含む。導電
層１１０３１０は、トランジスタ１１０３２０のソ−スとドレイン電極の他方として機能
する部分を含む。導電層１１０３１２は、容量素子１１０３２１の第２の電極として機能
する部分を含む。なお、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＮＡ−Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

ここで、チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマス
クを用いて、第１の半導体層及び第２の半導体層を形成することができる。具体的には、
第１の半導体層と第２の半導体層とは連続して成膜される。そして、第１の半導体層及び
第２の半導体層は、同じマスクを用いて形成される。

チャネルエッチ型のトランジスタが特徴とする工程の別の一例を説明する。新たなマスク
を用いることなく、トランジスタのチャネル領域を形成することができる。具体的には、
第２の導電層が形成された後で、第２の導電層をマスクとして用いて第２の半導体層の一
部を除去する。あるいは、第２の導電層と同じマスクを用いて第２の半導体層の一部を除
去する。そして、除去された第２の半導体層の下部に形成されている第１の半導体層がト
ランジスタのチャネル領域となる。

図３１は、逆スタガ型（ボトムゲ−ト型）のトランジスタの断面構造及び容量素子の断面
構造を示す。特に、図３１に示すトランジスタは、チャネル保護型（チャネルストップ型
）と呼ばれる構造である。

基板１１０４０１上に第１の絶縁膜（絶縁膜１１０４０２）が全面に形成されている。第
１の絶縁膜は、基板側からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トランジスタの性質が変
化してしまうことを防ぐ機能を有する。つまり、第１の絶縁膜は下地膜としての機能を有
する。したがって、信頼性の高いトランジスタを作製することができる。なお、第１の絶
縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ
）などの単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、第１の絶縁膜を必ずしも形成する必要はない。この場合は、工程数の削減を図るこ
とができる。製造コストの削減を図ることができる。構造を簡単にできるので、歩留まり
の向上を図ることができる。

第１の絶縁膜上に、第１の導電層（導電層１１０４０３及び導電層１１０４０４）が形成
されている。導電層１１０４０３は、トランジスタ１１０４２０のゲ−ト電極として機能
する部分を含む。導電層１１０４０４は、容量素子１１０４２１の第１の電極として機能
する部分を含む。なお、第１の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴＣ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｌ、Ｎ
ｄ、Ｃｕ、Ｃｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＮＣ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＣＣ、Ｇｅなど、又はこれらの
合金を用いることができる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いること
ができる。

少なくとも第１の導電層を覆うように、第２の絶縁膜（絶縁膜１１０４０２）が形成され
ている。第２の絶縁膜は、ゲ−ト絶縁膜としての機能を有する。なお、第２の絶縁膜とし
ては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの
単層、又はこれらの積層を用いることができる。

なお、半導体層に接する部分の第２の絶縁膜としては、酸化シリコン膜を用いることが望
ましい。なぜなら、半導体層と第２の絶縁膜とが接する界面におけるトラップ準位が少な
くなるからである。

なお、第２の絶縁膜がＭｏと接する場合、Ｍｏと接する部分の第２の絶縁膜としては酸化
シリコン膜を用いることが望ましい。なぜなら、酸化シリコン膜はＭｏを酸化させないか
らである。

第２の絶縁膜上のうち第１の導電層と重なって形成されている部分の一部に、フォトリソ
グラフィ法、インクジェット法又は印刷法などによって、第１の半導体層（半導体層１１
０４０６）が形成されている。そして、半導体層１１０４０８の一部は、第２の絶縁膜上
のうち第１の導電層と重なって形成されていない部分まで延長されている。半導体層１１
０４０６は、トランジスタ１１０４２０のチャネル領域として機能する部分を含む。なお
、半導体層１１０４０６としては、アモルファスシリコン（Ｃ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性
を有する半導体層、又は微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体層などを用いることが
できる。

第１の半導体層上の一部に、第３の絶縁膜（絶縁膜１１０４１２）が形成されている。絶
縁膜１１０４１２は、トランジスタ１１０４２０のチャネル領域がエッチングによって除
去されることを防止する機能を有する。つまり、絶縁膜１１０４１２は、チャネル保護膜
（チャネルストップ膜）として機能する。なお、第３の絶縁膜としては、酸化シリコン膜
、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層、又はこれらの積
層を用いることができる。

第１の半導体層上の一部及び第３の絶縁膜上の一部に、第２の半導体層（半導体層１１０
４０７及び半導体層１１０４０８）が形成されている。半導体層１１０４０７は、ソ−ス
電極とドレイン電極の一方の電極として機能する部分を含む。半導体層１１０４０８は、
ソ−ス電極とドレイン電極の他方の電極として機能する部分を含む。なお、第２の導体層
としては、リン等を含んだシリコン等を用いることができる。

第２の半導体層上に、第２の導電層（導電層１１０４０９、導電層１１０４１０及び導電
層１１０４１１）が形成されている。導電層１１０４０９は、トランジスタ１１０４２０
のソ−ス電極とドレイン電極の一方として機能する部分を含む。導電層１１０４１０は、
トランジスタ１１０４２０のソ−スとドレイン電極の他方として機能する部分を含む。導
電層１１０４１１は、容量素子１１０４２１の第２の電極として機能する部分を含む。な
お、第２の導電層としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、ＮＣ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｇｅなど、又はこれらの合金を用いることが
できる。あるいは、これらの元素（合金も含む）の積層を用いることができる。

なお、第２の導電層が形成された後の工程として、様々な絶縁膜、又は様々な導電膜が形
成されていてもよい。

ここで、チャネル保護型のトランジスタが特徴とする工程の一例を説明する。同じマスク
を用いて、第１の半導体層、第２の半導体層及び第２の導電層を形成することができる。
同時に、チャネル領域を形成することができる。具体的には、第１の半導体層を成膜し、
次に第３の絶縁膜（チャネル保護膜、チャネルストップ膜）をマスクを用いて形成し、次
に第２の半導体層と第２の導電層とを連続して成膜する。そして、第２の導電層が成膜さ
れた後で、第１の半導体層、第２の半導体層及び第２の導電層が同じマスクを用いて形成
される。ただし、第３の絶縁膜の下部の第１の半導体層は、第３の絶縁膜によって保護さ
れるのでエッチングによって除去されない。この部分（第１の半導体層のうち上部に第３
の絶縁膜が形成された部分）がチャネル領域となる。

次に、トランジスタを製造するための基板として、半導体基板を用いた例について説明す
る。半導体基板を用いて製造されたトランジスタは、移動度が高いため、トランジスタサ
イズを小さくすることができる。その結果、単位面積当たりのトランジスタ数を増やす（
集積度を上げる）ことができ、同一の回路構成では集積度が大きいほど基板サイズを小さ
くすることができるため、製造コストを低減できる。さらに、同一の基板サイズでは集積
度が大きいほど回路規模を大きくすることができるため、製造コストはほぼ同等のままで
、より高い機能を持たせることが可能となる。その上、特性のばらつきが少ないため、製
造の歩留まりも高くすることができる。さらに、動作電圧が小さいので、消費電力を低減
することができる。さらに、移動度が高いため、高速動作が可能である。

半導体基板を用いて製造されたトランジスタを集積して構成された回路は、ＩＣチップ等
の形態をとって装置に実装されることで、当該装置に様々な機能を持たせることができる
。たとえば、表示装置の周辺駆動回路（データドライバ（ソースドライバ）、スキャンド
ライバ（ゲートドライバ）、タイミングコントローラ、画像処理回路、インターフェース
回路、電源回路、発振回路等）を、半導体基板を用いて製造されたトランジスタを集積し
て構成することで、サイズが小さく、消費電力が小さく、高速動作が可能な周辺駆動回路
を、低コストで歩留まり高く製造することができる。なお、半導体基板を用いて製造され
たトランジスタを集積して構成された回路は、単一の極性のトランジスタを有する構成で
あってもよい。こうすることで、製造プロセスを簡略化できるため、製造コストを低減で
きる。

半導体基板を用いて製造されたトランジスタを集積して構成された回路は、その他には、
たとえば、表示パネルに用いることができる。より詳細には、ＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）等の反射型液晶パネル、微小ミラーを集積した
ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）素子、ＥＬパネル等
に用いることができる。これらの表示パネルを、半導体基板を用いて製造することで、サ
イズが小さく、消費電力が小さく、高速動作が可能な表示パネルを、低コストで歩留まり
高く製造することができる。なお、表示パネルには、大規模集積回路（ＬＳＩ）など、表
示パネルの駆動以外の機能を持った素子上に形成されたものも含む。

以下に、半導体基板を用いてトランジスタを製造する方法について述べる。

まず、半導体基板１１０６００に素子を分離した領域１１０６０４、１１０６０６（以下
、領域１１０６０４、１１０６０６とも記す）を形成する（図３３（Ａ）参照）。半導体
基板１１０６００に設けられた領域１１０６０４、１１０６０６は、それぞれ絶縁膜１１
０６０２（フィールド酸化膜ともいう）によって分離されている。ここでは、半導体基板
１１０６００としてｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板を用い、半導体基板１１０６０
０の領域１１０６０６にｐウェル１１０６０７を設けた例を示している。

半導体基板１１０６００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例
えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板
、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイヤ基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わ
せ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅ
ｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等
を用いることができる。

領域１１０６０４、１１０６０６は、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）又はトレンチ分離法等を適宜用いることができる
。

半導体基板１１０６００の領域１１０６０６に形成されたｐウェルは、半導体基板１１０
６００にｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって形成すること
ができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリ
ウム（Ｇａ）等を用いることができる。

なお、本実施例では、半導体基板１１０６００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を
用いているため、領域１１０６０４には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す
不純物元素を導入することにより領域１１０６０４にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を
示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。一方、ｐ
型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域１１０６０４にｎ型を示す不純物
元素を導入してｎウェルを形成し、領域１１０６０６には不純物元素の導入を行わない構
成としてもよい。

次に、領域１１０６０４、１１０６０６を覆うように絶縁膜１１０６３２、１１０６３４
をそれぞれ形成する（図３３（Ｂ）参照）。

絶縁膜１１０６３２、１１０６３４は、例えば、熱処理を行い半導体基板１１０６００に
設けられた領域１１０６０４、１１０６０６の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で
絶縁膜１１０６３２、１１０６３４を形成することができる。熱酸化法により酸化珪素膜
を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることにより
、酸化珪素膜と酸素と窒素を有する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよい。

他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜１１０６３２、１１０６３４を形
成してもよい。例えば、半導体基板１１０６００に設けられた領域１１０６０４、１１０
６０６の表面に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁
膜１１０６３２、１１０６３４として酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）
膜で形成することができる。別の例として高密度プラズマ処理により領域１１０６０４、
１１０６０６の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによっ
て窒化処理を行ってもよい。この場合、領域１１０６０４、１１０６０６の表面に接して
酸化珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜に（酸窒化珪素膜）が形成され、絶縁膜１１０６
３２、１１０６３４は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜となる。別の例として
、熱酸化法により領域１１０６０４、１１０６０６の表面に酸化珪素膜を形成した後に高
密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。

半導体基板１１０６００の領域１１０６０４、１１０６０６に形成された絶縁膜１１０６
３２、１１０６３４は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する
。

次に、領域１１０６０４、１１０６０６に形成された絶縁膜１１０６３２、１１０６３４
を覆うように導電膜を形成する（図３３（Ｃ）参照）。ここでは、導電膜として、導電膜
１１０６３６と導電膜１１０６３８を順に積層して形成した例を示している。もちろん、
導電膜は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。

導電膜１１０６３６、１１０６３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、
チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃ
ｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料で形成することができる。あるいは、これらの元素を窒化した金属窒
化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素
、金属材料を導入したシリサイド等に代表される半導体材料により形成することもできる
。

ここでは、導電膜１１０６３６として窒化タンタルを用い、さらに、導電膜１１０６３８
としてタングステンを用いた積層構造とする。他にも、導電膜１１０６３６としては、窒
化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いるこ
とができる。導電膜１１０６３８としては、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた
単層又は積層膜を用いることができる。

次に、積層して設けられた導電膜１１０６３６、１１０６３８を選択的にエッチングして
除去することによって、領域１１０６０４、１１０６０６の一部に導電膜１１０６３６、
１１０６３８を残存させ、それぞれゲート電極１１０６４０、１１０６４２を形成する（
図３４（Ａ）参照）。

次に、領域１１０６０４を覆うようにレジストマスク１１０６４８を選択的に形成し、当
該レジストマスク１１０６４８、ゲート電極１１０６４２をマスクとして領域１１０６０
６に不純物元素を導入することによって不純物領域１１０６５２を形成する（図３４（Ｂ
）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元
素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いること
ができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリ
ウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用い
る。なお、不純物元素を導入後、不純物元素の拡散および結晶構造の修復のため、熱処理
を行なってもよい。

図３４（Ｂ）においては、不純物元素を導入することによって、領域１１０６０６にソー
ス領域又はドレインを形成する不純物領域１１０６５２とチャネル形成領域１１０６５０
が形成される。

次に、領域１１０６０６を覆うようにレジストマスク１１０６６６を選択的に形成し、当
該レジストマスク１１０６６６、ゲート電極１１０６４０をマスクとして領域１１０６０
４に不純物元素を導入することによって不純物領域１１０６７０を形成する（図３４（Ｃ
）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元
素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いること
ができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリ
ウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、図３４（Ｃ）で領域１１０６０６に導
入した不純物元素と異なる導電型を有する不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入す
る。その結果、領域１１０６０４にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１
１０６７０とチャネル形成領域１１０６６８が形成される。なお、不純物元素を導入後、
不純物元素の拡散および結晶構造の修復のため、熱処理を行なってもよい。

次に、絶縁膜１１０６３２、１１０６３４、ゲート電極１１０６４０、１１０６４２を覆
うように第２の絶縁膜１１０６７２を形成する。さらに、領域１１０６０４、１１０６０
６にそれぞれ形成された不純物領域１１０６５２、１１０６７０と電気的に接続する配線
１１０６７４を形成する（図３４（Ｄ）参照）。

第２の絶縁膜１１０６７２は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、
窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライク
カーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノー
ル、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材
料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ
−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）と
の結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばア
ルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもで
きる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよ
い。

配線１１０６７４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タ
ングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル
（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネ
オジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元
素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウ
ムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料
、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合
金材料に相当する。配線１１０６７４は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａ
ｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜
と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、
チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミ
ニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、配線１１０６７４を形
成する材料として最適である。例えば、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウム
やアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。例えば、還元性の高
い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜に薄い自然酸化膜が
できていたとしても、この自然酸化膜を還元する。その結果、配線１１０６７４は、結晶
質半導体膜と、電気的および物理的に良好に接続することができる。

なお、トランジスタの構造は図示した構造に限定されるものではないことを付記する。例
えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造のトランジスタの構造を取り得る。フィ
ンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を抑制する
ことができるため好適である。

次に、トランジスタを製造するための基板として、半導体基板を用いた別の例について説
明する。

まず、基板１１０８００に絶縁膜を形成する。ここでは、ｎ型の導電型を有する単結晶Ｓ
ｉを基板１１０８００として用い、当該基板１１０８００に絶縁膜１１０８０２と絶縁膜
１１０８０４を形成する（図３５（Ａ）参照）。例えば、基板１１０８００に熱処理を行
うことにより絶縁膜１１０８０２として酸化珪素（ＳｉＯｘ）を形成する。さらに、ＣＶ
Ｄ法等を用いて窒化珪素（ＳｉＮｘ）を成膜する。

基板１１０８００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、
ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、Ｉｎ
Ｐ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイヤ基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法ま
たはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）法
を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用い
ることができる。

絶縁膜１１０８０４は、絶縁膜１１０８０２を形成した後に高密度プラズマ処理により当
該絶縁膜１１０８０２を窒化することにより設けてもよい。なお、絶縁膜は単層又は３層
以上の積層構造であってもよい。

次に、選択的にレジストマスク１１０８０６のパターンを形成し、当該レジストマスク１
１０８０６をマスクとして選択的にエッチングを行うことによって、基板１１０８００に
選択的に凹部１１０８０８を形成する（図３５（Ｂ）参照）。基板１１０８００、絶縁膜
１１０８０２、１１０８０４のエッチングとしては、プラズマを利用したドライエッチン
グにより行うことができる。

次に、レジストマスク１１０８０６のパターンを除去した後、基板１１０８００に形成さ
れた凹部１１０８０８を充填するように絶縁膜１１０８１０を形成する（図３５（Ｃ）参
照）。

絶縁膜１１０８１０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮ
ｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。ここでは、絶縁膜１１０８１０
として、常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケー
ト）ガスを用いて酸化珪素膜を形成する。

次に、研削処理、研磨処理又はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏ
ｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことによって、基板１１０８００の表面を露出させる。する
と、基板１１０８００の表面は、基板１１０８００の凹部１１０８０８に形成された絶縁
膜１１０８１０によって分断される。（図３６（Ａ）参照）ここでは、分断された領域を
、それぞれ領域１１０８１２、１１０８１３とする。なお、絶縁膜１１０８１１は、研削
処理、研磨処理又はＣＭＰ処理によって、絶縁膜１１０８１０の一部が除去されることで
得られたものである。

続いて、ｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって、基板１１０
８００の領域１１０８１３にｐウェル１１０８１５を形成する。ｐ型を示す不純物元素と
しては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができ
る。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を領域１１０８１３に導入する。なお、
不純物元素を導入後、不純物元素の拡散および結晶構造の修復のため、熱処理を行なって
もよい。

なお、基板１１０８００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いた場合、領域１１
０８１２には不純物元素の導入を行わなくてもよいが、ｎ型を示す不純物元素を導入する
ことにより領域１１０８１２にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素として
は、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。

一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域１１０８１２にｎ型を示
す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域１１０８１２、１１０８１３には不純物
元素の導入を行わない構成としてもよい。

次に、基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３の表面に絶縁膜１１０８３２
、１１０８３４をそれぞれ形成する（図３６（Ｂ）参照）。

絶縁膜１１０８３２、１１０８３４は、例えば、熱処理を行い基板１１０８００に設けら
れた領域１１０８１２、１１０８１３の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で絶縁膜
１１０８３２、１１０８３４を形成することができる。あるいは、熱酸化法により酸化珪
素膜を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることに
より、酸化珪素膜と酸素と窒素を有する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよ
い。

他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜１１０８３２、１１０８３４を形
成してもよい。例えば、基板１１０８００に設けられた領域１１０８１２、１１０８１３
の表面に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁膜１１
０８３２、１１０８３４として酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜で形
成することができる。別の例として、高密度プラズマ処理により領域１１０８１２、１１
０８１３の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒
化処理を行ってもよい。この場合、領域１１０８１２、１１０８１３の表面に接して酸化
珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜上に（酸窒化珪素膜）が形成され、絶縁膜１１０８３
２、１１０８３４は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜となる。別の例として、
熱酸化法により領域１１０８１２、１１０８１３の表面に酸化珪素膜を形成した後に高密
度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。

なお、基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３に形成された絶縁膜１１０８
３２、１１０８３４は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する
。

次に、基板１１０８００に設けられた領域１１０８１２、１１０８１３に形成された絶縁
膜１１０８３２、１１０８３４を覆うように導電膜を形成する（図３６（Ｃ）参照）。こ
こでは、導電膜として、導電膜１１０８３６と導電膜１１０８３８を順に積層して形成し
た例を示している。もちろん、導電膜は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい
。

導電膜１１０８３６、１１０８３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、
チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃ
ｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料で形成することができる。あるいは、これらの元素を窒化した金属窒
化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素
、金属材料を導入したシリサイド等に代表される半導体材料により形成することもできる
。

ここでは、導電膜１１０８３６として窒化タンタルを用い、さらに導電膜１１０８３８と
してタングステンを用いた積層構造とする。他にも、導電膜１１０８３６としては、窒化
タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層
膜を用いることができる。導電膜１１０８３８としては、タングステン、タンタル、モリ
ブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。

次に、積層して設けられた導電膜１１０８３６、１１０８３８を選択的にエッチングして
除去することによって、基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３の一部に導
電膜１１０８３６、１１０８３８を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電膜
１１０８４０、１１０８４２を形成する（図３６（Ｄ）参照）。ここでは、導電膜１１０
８４０、１１０８４２と重ならない領域において、基板１１０８００の表面が露出するよ
うにする。

具体的には、基板１１０８００の領域１１０８１２において、絶縁膜１１０８３２のうち
導電膜１１０８４０と重ならない部分を選択的に除去し、導電膜１１０８４０と絶縁膜１
１０８３２の端部が概略一致するように形成する。さらに、基板１１０８００の領域１１
０８１３において、絶縁膜１１０８３４のうち導電膜１１０８４２と重ならない部分を選
択的に除去し、導電膜１１０８４２と絶縁膜１１０８３４の端部が概略一致するように形
成する。

この場合、導電膜１１０８４０、１１０８４２の形成と同時に重ならない部分の絶縁膜等
を除去してもよいし、導電膜１１０８４０、１１０８４２を形成後残存したレジストマス
ク又は当該導電膜１１０８４０、１１０８４２をマスクとして重ならない部分の絶縁膜等
を除去してもよい。

次に、基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３に不純物元素を選択的に導入
する（図３７（Ａ）参照）。ここでは、領域１１０８１３に導電膜１１０８４２をマスク
としてｎ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入し、領域１１０８１２に導電膜
１１０８４０をマスクとしてｐ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入する。ｎ
型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（
Ｇａ）等を用いることができる。なお、不純物元素を導入後、不純物元素の拡散および結
晶構造の修復のため、熱処理を行なってもよい。

次に、導電膜１１０８４０、１１０８４２の側面に接するサイドウォール１１０８５４を
形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸
化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層
又は積層して形成する。そして、当該絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチング
により選択的にエッチングして、導電膜１１０８４０、１１０８４２の側面に接するよう
に形成することができる。なお、サイドウォール１１０８５４は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌ
ｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
ここでは、サイドウォール１１０８５４は、導電膜１１０８４０、１１０８４２の下方に
形成された絶縁膜や浮遊ゲート電極の側面にも接するように形成されている。

続いて、当該サイドウォール１１０８５４、導電膜１１０８４０、１１０８４２をマスク
として基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３に不純物元素を導入すること
によって、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域を形成する（図３７（
Ｂ）参照）。ここでは、基板１１０８００の領域１１０８１３にサイドウォール１１０８
５４と導電膜１１０８４２をマスクとして高濃度のｎ型を付与する不純物元素を導入し、
領域１１０８１２にサイドウォール１１０８５４と導電膜１１０８４０をマスクとして高
濃度のｐ型を付与する不純物元素を導入する。

その結果、基板１１０８００の領域１１０８１２には、ソース領域又はドレイン領域を形
成する不純物領域１１０８５８と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１１０８６０
と、チャネル形成領域１１０８５６が形成される。そして、基板１１０８００の領域１１
０８１３には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１１０８６４と、ＬＤ
Ｄ領域を形成する低濃度不純物領域１１０８６６と、チャネル形成領域１１０８６２が形
成される。

なお、ここでは、サイドウォールを用いてＬＤＤ領域を形成する例を示したが、これに限
定されない。サイドウォールを用いずに、マスク等を用いてＬＤＤ領域を形成してもよい
し、ＬＤＤ領域を形成しなくてもよい。ＬＤＤ領域を形成しない場合は、製造プロセスを
簡単にすることができるため、製造コストを低減することができる。

なお、ここでは、導電膜１１０８４０、１１０８４２と重ならない領域において基板１１
０８００の表面を露出させた状態で不純物元素の導入を行っている。従って、基板１１０
８００の領域１１０８１２、１１０８１３にそれぞれ形成されるチャネル形成領域１１０
８５６、１１０８６２は導電膜１１０８４０、１１０８４２によって自己整合的に形成す
ることができる。

次に、基板１１０８００の領域１１０８１２、１１０８１３に設けられた絶縁膜や導電膜
等を覆うように第２の絶縁膜１１０８７７を形成し、当該絶縁膜１１０８７７に開口部１
１０８７８を形成する（図３７（Ｃ）参照）。

第２の絶縁膜１１０８７７は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、
窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（Ｓｉ
ＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライク
カーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノー
ル、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材
料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ
−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）と
の結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばア
ルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもで
きる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよ
い。

次に、ＣＶＤ法を用いて開口部１１０８７８に導電膜１１０８８０を形成し、当該導電膜
１１０８８０と電気的に接続するように絶縁膜１１０８７７上に導電膜１１０８８２ａ〜
１１０８８２ｄを選択的に形成する（図３７（Ｄ）参照）。

導電膜１１０８８０、１１０８８２ａ〜１１０８８２ｄは、ＣＶＤ法やスパッタリング法
等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）
、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）
から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、
単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニ
ウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、
炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜１１０８８０、１１０８
８２ａ〜１１０８８２ｄは、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜
とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン
膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化
物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアル
ミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜１１０８８０を形成する材料
として最適である。例えば、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニ
ウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。例えば、還元性の高い元素であ
るチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができてい
たとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることが
できる。ここでは、導電膜１１０８８０はＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）を選択成長
することにより形成することができる。

以上の工程により、基板１１０８００の領域１１０８１２に形成されたｐ型のトランジス
タと、領域１１０８１３に形成されたｎ型のトランジスタとを得ることができる。

なお本発明のトランジスタを構成するトランジスタの構造は図示した構造に限定されるも
のではないことを付記する。例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造のトラン
ジスタの構造を取り得る。フィンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微細化に
伴う短チャネル効果を抑制することができるため好適である。

ここまで、トランジスタの構造及びトランジスタの作製方法について説明した。ここで、
配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどは、アルミニウム（Ａｌ）、タン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム
（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）
、銅（Ｃｕ）、マグネシウム （Ｍｇ） 、スカンジウム （Ｓｃ）、 コバルト（ Ｃ
ｏ） 、亜鉛（ Ｚｎ） 、ニオブ（ Ｎｂ） 、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボ
ロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム （Ｉｎ ）、錫 （Ｓｎ
）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つもしくは複数の元素、または、前記群か
ら選ばれた一つもしくは複数の元素を成分とする化合物、合金材料（例えば、インジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸
化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ
）、アルミネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）、モリブデンニオ
ブ（Ｍｏ−Ｎｂ）など）で形成されることが望ましい。または、配線、電極、導電層、導
電膜、端子などは、これらの化合物を組み合わせた物質などを有して形成されることが望
ましい。もしくは、前記群から選ばれた一つもしくは複数の元素とシリコンの化合物（シ
リサイド）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）
、前記群から選ばれた一つもしくは複数の元素と窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒
化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形成されることが望ましい。

なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）またはｐ型不純物（ボロンなど）
を含んでいてもよい。シリコンが不純物を含むことにより、導電率が向上する、或いは通
常の導体と同様な振る舞いをすることが可能となる。従って、配線、電極などとして利用
しやすくなる。

なお、シリコンは、単結晶、多結晶（ポリシリコン）、微結晶（マイクロクリスタルシリ
コン）など、様々な結晶性を有するシリコンを用いることが出来る。あるいは、シリコン
は非晶質（アモルファスシリコン）などの結晶性を有さないシリコンを用いることが出来
る。単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることにより、配線、電極、導電層、導
電膜、端子などの抵抗を小さくすることが出来る。非晶質シリコンまたは微結晶シリコン
を用いることにより、簡単な工程で配線などを形成することが出来る。

なお、アルミニウムまたは銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができる。
さらに、エッチングしやすいので、パターニングしやすく、微細加工を行うことが出来る
。

なお、銅は、導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。銅を用いる場合は、
密着性を向上させるため、積層構造にすることが望ましい。

なお、モリブデンまたはチタンは、酸化物半導体（ＩＴＯ、ＩＺＯなど）またはシリコン
と接触しても、不良を起こさない、エッチングしやすい、耐熱性が高いなどの利点を有す
るため、望ましい。

なお、タングステンは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。

なお、ネオジウムは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。特に、ネオジウ
ムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、アルミニウムがヒロックをおこし
にくくなる。

なお、シリコンは、トランジスタが有する半導体層と同時に形成できる、耐熱性が高いな
どの利点を有するため、望ましい。

なお、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＳＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化錫（Ｓ
ｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ）は、透光性を有しているため、光を透過させる部分
に用いることができる。たとえば、画素電極や共通電極として用いることができる。

なお、ＩＺＯは、エッチングしやすく、加工しやすいため、望ましい。ＩＺＯは、エッチ
ングしたときに、残渣が残ってしまう、ということも起こりにくい。したがって、画素電
極としてＩＺＯを用いると、液晶素子や発光素子に不具合（ショート、配向乱れなど）を
もたらすことを低減出来る。

なお、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどは、単層構造でもよいし、
多層構造になっていてもよい。単層構造にすることにより、配線、電極、導電層、導電膜
、端子などの製造工程を簡略化することができ、工程日数を少なくでき、コストを低減す
ることが出来る。あるいは、多層構造にすることにより、それぞれの材料のメリットを生
かしつつ、デメリットを低減させ、性能の良い配線、電極などを形成することが出来る。
たとえば、低抵抗材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むことにより、配線の低
抵抗化を図ることができる。別の例として、低耐熱性の材料を、高耐熱性の材料で挟む積
層構造にすることにより、低耐熱性の材料の持つメリットを生かしつつ、配線、電極など
の耐熱性を高くすることが出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデン、チタ
ン、ネオジウムなどを含む層で挟む積層構造にすると望ましい。

ここで、配線、電極など同士が直接接する場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例
えば、一方の配線、電極などが他方の配線、電極など材料の中に入っていって、性質を変
えてしまい、本来の目的を果たせなくなる。別の例として、高抵抗な部分を形成又は製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、積層構造により反応しやすい材料を、反応しにくい材料で挟んだり、覆ったりすると
よい。例えば、ＩＴＯとアルミニウムとを接続させる場合は、ＩＴＯとアルミニウムとの
間に、チタン、モリブデン、ネオジウム合金を挟むことが望ましい。別の例として、シリ
コンとアルミニウムとを接続させる場合は、ＩＴＯとアルミニウムとの間に、チタン、モ
リブデン、ネオジウム合金を挟むことが望ましい。

なお、配線とは、導電体が配置されているものを言う。線状に伸びていても良いし、伸び
ずに短く配置されていてもよい。したがって、電極は、配線に含まれている。

なお、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどとして、カーボンナノチュ
ーブを用いても良い。さらに、カーボンナノチューブは、透光性を有しているため、光を
透過させる部分に用いることができる。たとえば、画素電極や共通電極として用いること
ができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態７）
本実施の形態においては、表示装置の構成について説明する。

図３８（Ａ）を参照して、表示装置の構成について説明する。図３８（Ａ）は、表示装置
の上面図である。

画素部１７０１０１、走査線側入力端子１７０１０３及び信号線側入力端子１７０１０４
が基板１７０１００上に形成され、走査線が走査線側入力端子１７０１０３から行方向に
延在して基板１７０１００上に形成され、信号線が信号線側入力端子１７０１０４から列
方向に延在して基板１７０１００上に形成されている。そして、画素１７０１０２が画素
部１７０１０１に走査線と信号線とが交差するところで、マトリクス状に配置されている
。

走査線側入力端子１７０１０３は、基板１７０１００の行方向の両側に形成されている。
そして、一方の走査線側入力端子１７０１０３から延在する走査線と、他方の走査線側入
力端子１７０１０３から延在する走査線とは、交互に形成されている。この場合、画素１
７０１０２を高密度に配置することができるため、高精細な表示装置を得ることができる
。ただし、これに限定されず、走査線側入力端子１７０１０３が基板１７０１００の行方
向の一方だけに形成されていてもよい。この場合、表示装置の額縁を小さくすることがで
きる。画素部１７０１０１の領域の拡大を図ることができる。別の例として、一方の走査
線側入力端子１７０１０３から延在する走査線と、他方の走査線側入力端子１７０１０３
から延在する走査線とが共通になっていてもよい。この場合、大型の表示装置などの、走
査線の負荷が大きい表示装置などに適している。なお、信号が外付けの駆動回路から走査
線側入力端子１７０１０３を介して走査線に入力されている。

信号線側入力端子１７０１０４は、基板１７０１００の列方向の一方に形成されている。
この場合、表示装置の額縁を小さくすることができる。画素部１７０１０１の領域の拡大
を図ることができる。ただし、これに限定されず、信号線側入力端子１７０１０４は、基
板１７０１００の列方向の両側に形成されていてもよい。この場合、画素１７０１０２を
高密度に配置することができる。なお、信号が外付けの駆動回路から信号線側入力端子１
７０１０４を介して走査線に入力されている。

画素１７０１０２は、スイッチング素子と画素電極を有している。画素１７０１０２それ
ぞれにおいて、スイッチング素子の第１端子が信号線に接続され、スイッチング素子の第
２端子が画素電極に接続されている。そして、スイッチング素子のオンとオフが走査線に
よって制御されている。ただし、これに限定されず、様々な構成を用いることができる。
例えば、画素１７０１０２は、容量素子を有していてもよい。この場合、容量線を基板１
７０１００上に形成することが望ましい。別の例として、画素１７０１０２は、駆動トラ
ンジスタなどの電流源を有していてもよい。この場合、電源線を基板１７０１００上に形
成することが望ましい。

なお、基板１７０１００として、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラ
スチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、
綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセ
テート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、
ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが
出来る。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮）又は皮下組織を基板として用いて
もよい。ただし、これに限定されず、様々なものを用いることができる。

なお、画素１７０１０２が有するスイッチング素子として、トランジスタ（例えば、バイ
ポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード
、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを
用いることができる。ただし、これに限定されず、様々なものを用いることができる。な
お、画素１７０１０２が有するスイッチング素子としてＭＯＳトランジスタを用いた場合
、ゲート電極が走査線に接続され、第１端子が信号線に接続され、第２端子が画素電極に
接続される。

ここまで、外付けの駆動回路によって信号を入力する場合について説明した。ただし、こ
れに限定されず、ＩＣチップを表示装置に実装することができる。

例えば、図３９（Ａ）に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によっ
て、ＩＣチップ１７０２０１を基板１７０１００に実装することができる。この場合、Ｉ
Ｃチップ１７０２０１を基板１７０１００に実装する前に検査できるので、表示装置の歩
留まりの向上を図ることができる。信頼性を高めることができる。なお、図３８（Ａ）の
構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。

別の例として、図３９（Ｂ）に示すように、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）方式によって、ＩＣチップ１７０２０１をＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１７０２００に実装することができる。この場合、ＩＣ
チップ１７０２０１をＦＰＣ１７０２００に実装する前に検査できるので、表示装置の歩
留まりの向上を図ることができる。信頼性を高めることができる。なお、図３８（Ａ）の
構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。

ここで、ＩＣチップを基板１７０１００に実装するだけでなく、駆動回路を基板１７０１
００上に形成することができる。

例えば、図３８（Ｂ）に示すように、走査線駆動回路１７０１０５を基板１７０１００上
に形成することができる。この場合、部品点数の削減によるコストの低減を図ることがで
きる。回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。走査線駆動
回路１７０１０５は駆動周波数が低いので、トランジスタの半導体層として非結晶シリコ
ン又は微結晶シリコンを用いて走査線駆動回路１７０１０５を容易に形成することができ
る。なお、信号線に信号を出力するためのＩＣチップを基板１７０１００にＣＯＧ方式で
実装してもよい。あるいは、信号線に信号を出力するためのＩＣチップをＴＡＢ方式で実
装したＦＰＣを基板１７０１００に配置してもよい。なお、走査線駆動回路１７０１０５
を制御するためのＩＣチップを基板１７０１００にＣＯＧ方式で実装してもよい。あるい
は、走査線駆動回路１７０１０５を制御するためのＩＣチップをＴＡＢ方式で実装したＦ
ＰＣを基板１７０１００に配置してもよい。なお、図３８（Ａ）の構成と共通するところ
は共通の符号を用いて、その説明を省略する。

別の例として、図３８（Ｃ）に示すように、走査線駆動回路１７０１０５及び信号線駆動
回路１７０１０６を基板１７０１００上に形成することができる。このため、部品点数の
削減によるコストの低減を図ることができる。回路部品との接続点数の低減による信頼性
の向上を図ることができる。なお、走査線駆動回路１７０１０５を制御するためのＩＣチ
ップを基板１７０１００にＣＯＧ方式で実装してもよい。あるいは、走査線駆動回路１７
０１０５を制御するためのＩＣチップをＴＡＢ方式で実装したＦＰＣを基板１７０１００
に配置してもよい。信号線駆動回路１７０１０６を制御するためのＩＣチップを基板１７
０１００にＣＯＧ方式で実装してもよい。あるいは、信号線駆動回路１７０１０６を制御
するためのＩＣチップをＴＡＢ方式で実装したＦＰＣを基板１７０１００に配置してもよ
い。なお、図３８（Ａ）の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略
する。

次に、図４０を参照して、別の表示装置の構成について説明する。具体的には、ＴＦＴ基
板と、対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された表示層とを有する表示装置
について説明する。図４０は、表示装置の上面図である。

基板１７０３００上に、画素部１７０３０１、走査線駆動回路１７０３０２ａ、走査線駆
動回路１７０３０２ｂ及び信号線駆動回路１７０３０３が形成されている。そして、これ
らの画素部１７０３０１、走査線駆動回路１７０３０２ａ、走査線駆動回路１７０３０２
ｂ及び信号線駆動回路１７０３０３は、シール材１７０３２１によって基板１７０３００
と基板１７０３１０との間に封止されている。

さらに、ＦＰＣ１０７３２０が基板１７０３００に配置されている。そして、ＩＣチップ
１０７３２１がＦＰＣ１７０３２０にＴＡＢ方式で実装されている。

画素部１７０３０１には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。そして、走査線
が走査線駆動回路１７０３０２ａから行方向に延在して基板１７０３００上に形成されて
いる。走査線が走査線駆動回路１７０３０２ｂから行方向に延在して基板１７０３００上
に形成されている。信号線が信号線駆動回路１７０３０３から列方向に延在して基板１７
０３００上に形成されている。

走査線駆動回路１７０３０２ａが基板１７０３００の行方向の一方に形成され、走査線駆
動回路１７０３０２ｂが基板１７０３００の行方向の他方に形成されている。そして、走
査線駆動回路１７０３０２ａから延在する走査線と、走査線駆動回路１７０３０２ｂから
延在する走査線とは、交互に形成されている。したがって、高精細な表示装置を得ること
ができる。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路１７０３０２ａと走査線駆動回路
１７０３０２ｂのどちらか一方だけが、基板１７０３００上に形成されていてもよい。こ
の場合、表示装置の額縁を小さくすることができる。画素部１７０３０１の領域の拡大を
図ることができる。別の例として、走査線駆動回路１７０３０２ａから延在する走査線と
、走査線駆動回路１７０３０２ｂから延在する走査線とが、共通になっていてもよい。こ
の場合、大型の表示装置などの、走査線の負荷が大きい表示装置などに適している。

信号線駆動回路１７０３０３は、基板１７０３００の列方向の一方に形成されている。こ
のため、表示装置の額縁を小さくすることができる。画素部１７０３０１の領域の拡大を
図ることができる。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路１７０３０３が基板１７
０３００上の列方向の両側に形成されていてもよい。この場合、高精細な表示装置を得る
ことができる。

なお、基板１７０３００として、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラ
スチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、
綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセ
テート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、
ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが
出来る。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮）又は皮下組織を基板として用いて
もよい。ただし、これに限定されず、様々なものを用いることができる。

なお、表示装置が有するスイッチング素子として、トランジスタ（例えば、バイポーラト
ランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮ
ダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅ
ｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いるこ
とができる。ただし、これに限定されず、様々なものを用いることができる。

ここまで、駆動回路が画素部と同じ基板上に形成されている場合について説明した。ただ
し、これに限定されず、駆動回路の一部又は全部を形成した別の基板をＩＣチップとして
、画素部が形成されている基板に実装してもよい。

例えば、図４１（Ａ）に示すように、信号線駆動回路の代わりにＩＣチップ１７０４０１
を基板１７０３００にＣＯＧ方式で実装することができる。この場合、信号線駆動回路の
代わりにＩＣチップ１７０４０１を基板１７０３００にＣＯＧ方式で実装することによっ
て、消費電力の増加を防ぐことができる。なぜなら、信号線駆動回路は駆動周波数が高い
ので、消費電力が大きいからである。ＩＣチップ１７０４０１を基板１７０３００に実装
する前に検査できるので、表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。信頼性を高め
ることができる。走査線駆動回路１７０３０２ａ及び走査線駆動回路１７０３０２ｂは駆
動周波数が低いので、トランジスタの半導体層として非結晶シリコン又は微結晶シリコン
を用いて走査線駆動回路１７０３０２ａ及び走査線駆動回路１７０３０２ｂを容易に形成
することができる。よって、大型の基板を用いて表示装置を製造することができる。なお
、図４０の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。

別の例として、図４１（Ｂ）に示すように、信号線駆動回路の代わりにＩＣチップ１７０
４０１を基板１７０３００にＣＯＧ方式で実装し、走査線駆動回路１７０３０２ａの代わ
りにＩＣチップ１７０５０１ａを基板１７０３００にＣＯＧ方式で実装し、走査線駆動回
路１７０３０２ｂの代わりにＩＣチップ１７０５０１ｂを基板１７０３００にＣＯＧ方式
で実装してもよい。この場合、ＩＣチップ１７０４０１、ＩＣチップ１７０５０１ａ及び
ＩＣチップ１７０５０１ｂを基板１７０３００に実装する前に検査できるので、表示装置
の歩留まりの向上を図ることができる。信頼性を高めることができる。基板１７０３００
に形成されるトランジスタの半導体層として非結晶シリコン又は微結晶シリコンを容易に
用いることができる。よって、大型の基板を用いて表示装置を製造することができる。な
お、図４０の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に
行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施
の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態８）
本実施の形態においては、表示装置の動作について説明する。

図４２は、表示装置の構成例を示す図である。

表示装置１８０１００は、画素部１８０１０１、信号線駆動回路１８０１０３及び走査線
駆動回路１８０１０４を有する。画素部１８０１０１には、複数の信号線Ｓ１乃至Ｓｍが
信号線駆動回路１８０１０３から列方向に延伸して配置されている。画素部１８０１０１
には、複数の走査線Ｇ１乃至Ｇｎが走査線駆動回路１８０１０４から行方向に延伸して配
置されている。そして、複数の信号線Ｓ１乃至Ｓｍと複数の走査線Ｇ１乃至Ｇｎとがそれ
ぞれ交差するところで、画素１８０１０２がマトリクス状に配置されている。

なお、信号線駆動回路１８０１０３は、信号線Ｓ１乃至Ｓｎそれぞれに信号を出力する機
能を有する。この信号をビデオ信号と呼んでもよい。なお、走査線駆動回路１８０１０４
は、走査線Ｇ１乃至Ｇｍそれぞれに信号を出力する機能を有する。この信号を走査信号と
呼んでもよい。

なお、画素１８０１０２は、少なくとも信号線と接続されたスイッチング素子を有してい
る。このスイッチング素子は、走査線の電位（走査信）によってオン、オフが制御される
。そして、スイッチング素子がオンしている場合に画素１８０１０２は選択され、オフし
ている場合に画素１８０１０２は選択されない。

画素１８０１０２が選択されている場合（選択状態）は、信号線から画素１８０１０２に
ビデオ信号が入力される。そして、画素１８０１０２の状態（例えば、輝度、透過率、保
持容量の電圧など）は、この入力されたビデオ信号に応じて変化する。

画素１８０１０２が選択されていない場合（非選択状態）は、ビデオ信号が画素１８０１
０２に入力されない。ただし、画素１８０１０２は選択時に入力されたビデオ信号に応じ
た電位を保持しているため、画素１８０１０２はビデオ信号に応じた（例えば、輝度、透
過率、保持容量の電圧など）を維持する。

なお、表示装置の構成は、図４２に限定されない。例えば、画素１８０１０２の構成に応
じて、新たに配線（走査線、信号線、電源線、容量線又はコモン線など）を追加してもよ
い。別の例として、様々な機能を有する回路を追加してもよい。

図４３は、表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートの一例を示す。

図４３のタイミングチャートは、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期
間を示す。１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリッカ）
を感じないように少なくとも１／６０秒以下とすることが好ましい。

図４３のタイミングチャートは、１行目の走査線Ｇ１、ｉ行目の走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１
乃至Ｇｍのうちいずれか一）、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１及びｍ行目の走査線Ｇｍがそ
れぞれ選択されるタイミングを示している。

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素１８０１０２も選
択される。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されていると、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続
されている画素１８０１０２も選択される。

走査線Ｇ１乃至Ｇｍの走査線それぞれは、１行目の走査線Ｇ１からｍ行目の走査線Ｇｍま
で順に選択される（以下、走査するともいう）。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択され
ている期間は、ｉ行目の走査線Ｇｉ以外の走査線（Ｇ１乃至Ｇｉ−１、Ｇｉ＋１乃至Ｇｍ
）は選択されない。そして、次の期間に、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１が選択される。な
お、１つの走査線が選択されている期間を１ゲート選択期間と呼ぶ。

したがって、ある行の走査線が選択されると、当該走査線に接続された複数の画素１８０
１０２に、信号線Ｇ１乃至信号線Ｇｍそれぞれからビデオ信号が入力される。例えば、ｉ
行目の走査線Ｇｉが選択されている間、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続されている複数の画素
１８０１０２は、各々の信号線Ｓ１乃至Ｓｎから任意のビデオ信号をそれぞれ入力する。
こうして、個々の複数の画素１８０１０２を走査信号及びビデオ信号によって、独立して
制御することができる。

次に、１ゲート選択期間を複数のサブゲート選択期間に分割した場合について説明する。
図４４は、１ゲート選択期間を２つのサブゲート選択期間（第１のサブゲート選択期間及
び第２のサブゲート選択期間）に分割した場合のタイミングチャートを示す。

なお、１ゲート選択期間を３つ以上のサブゲート選択期間に分割することもできる。

図４４のタイミングチャートは、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期
間を示す。１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリッカ）
を感じないように少なくとも１／６０秒以下とすることが好ましい。

なお、１フレームは２つのサブフレーム（第１のサブフレーム及び第２のサブフレーム）
に分割されている。

図４４のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉ、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１、ｊ
行目の走査線Ｇｊ（走査線Ｇｉ＋１乃至Ｇｍのうちいずれか一）、ｊ＋１行目の走査線及
びＧｊ＋１行目の走査線Ｇｊ＋１がそれぞれ選択されるタイミングを示している。

なお、走査線が選択されると同時に、当該走査線に接続されている画素１８０１０２も選
択される。例えば、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されていると、ｉ行目の走査線Ｇｉに接続
されている画素１８０１０２も選択される。

なお、走査線Ｇ１乃至Ｇｍの走査線それぞれは、各サブゲート選択期間内で順に走査され
る。例えば、ある１ゲート選択期間において、第１のサブゲート選択期間ではｉ行目の走
査線Ｇｉが選択され、第２のサブゲート選択期間ではｊ行目の走査線Ｇｊが選択される。
すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に２行分の走査信号を選択したかのよ
うに動作させることが可能となる。このとき、第１のサブゲート選択期間と第２のサブゲ
ート選択期間とで、別々のビデオ信号が信号線Ｓ１乃至Ｓｎに入力される。したがって、
ｉ行目に接続されている複数の画素１８０１０２とｊ行目に接続されている複数の画素１
８０１０２とには、別々のビデオ信号を入力することができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態９）
本実施の形態においては、液晶パネルの周辺部について説明する。

図４５は、エッジライト式と呼ばれるバックライトユニット２０１０１と、液晶パネル２
０１０７とを有している液晶表示装置の一例を示す。エッジライト式とは、バックライト
ユニットの端部に光源を配置し、その光源の蛍光を発光面全体から放射する方式である。
エッジライト式のバックライトユニットは、薄型で省電力化を図ることができる。

バックライトユニット２０１０１は、拡散板２０１０２、導光板２０１０３、反射板２０
１０４、ランプリフレクタ２０１０５及び光源２０１０６によって構成される。

光源２０１０６は必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源２０１０６とし
ては冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる。ラ
ンプリフレクタ２０１０５は、光源２０１０６からの蛍光を効率よく導光板２０１０３に
導く機能を有する。導光板２０１０３は、蛍光を全反射させて、全面に光を導く機能を有
する。拡散板２０１０２は、明度のムラを低減する機能を有する。反射板２０１０４は、
導光板２０１０３から下方向（液晶パネル２０１０７と反対方向）に漏れた光を反射して
再利用する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０１０１には、光源２０１０６の輝度を調整するための制
御回路が接続されている。この制御回路によって、光源２０１０６の輝度を調整すること
ができる。

図４６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、エッジライト式のバックライトユニットの
詳細な構成を示す図である。なお、拡散板、導光板及び反射板などはその説明を省略する
。

図４６（Ａ）に示すバックライトユニット２０２０１は、光源として冷陰極管２０２０３
を用いた構成である。そして、冷陰極管２０２０３からの光を効率よく反射させるため、
ランプリフレクタ２０２０２が設けられている。このような構成は、冷陰極管からの輝度
の強度のため、大型表示装置に用いることが多い。

図４６（Ｂ）に示すバックライトユニット２０２１１は、光源として発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）２０２１３を用いた構成である。例えば、白色に発する発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２１３は所定の間隔に配置される。そして、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２１３か
らの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ２０２１２が設けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、発光ダイオードを用いた構成は大型表示装置に適する
。発光ダイオードは色再現性に優れているので、より実物に近い画像を表示することが出
来る。ＬＥＤはチップが小さいため、配置面積を小さくできる。したがって、表示装置の
狭額縁化を図ることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図４６（Ｃ）に示すバックライトユニット２０２２１は、光源として各色ＲＧＢの発光ダ
イオード（ＬＥＤ）２０２２３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２４、発光ダイオード
（ＬＥＤ）２０２２５を用いた構成である。各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）２０
２２３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２４、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２５は
、それぞれ所定の間隔に配置される。各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２３
、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２４、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２５を用いる
ことによって、色再現性を高くすることができる。そして、発光ダイオードからの光を効
率よく反射させるため、ランプリフレクタ２０２２２が設けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、光源として各色ＲＧＢの発光ダイオードを用いた構成
は大型表示装置に適する。発光ダイオードは色再現性に優れているので、より実物に近い
画像を表示することが出来る。ＬＥＤはチップが小さいため、配置面積を小さくできる。
したがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

なお、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。いわいるフィールドシーケンシャルモードである。

なお、白色を発する発光ダイオードと、各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２
３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２４、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２２５とを組
み合わせることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図４７（Ｄ）に示すバックライトユニット２０２３１は、光源として各色ＲＧＢの発光ダ
イオード（ＬＥＤ）２０２３３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３４、発光ダイオード
（ＬＥＤ）２０２３５を用いた構成である。例えば、各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）２０２３３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３４、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０
２３５のうち発光強度の低い色（例えば緑）は複数配置されている。各色ＲＧＢの発光ダ
イオード（ＬＥＤ）２０２３３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３４、発光ダイオード
（ＬＥＤ）２０２３５を用いることによって、色再現性を高くすることができる。そして
、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ２０２３２が設
けられている。

発光ダイオードの輝度は高いので、光源として各色ＲＧＢの発光ダイオードを用いた構成
は大型表示装置に適する。発光ダイオードは色再現性に優れているので、より実物に近い
画像を表示することが出来る。ＬＥＤはチップが小さいため、配置面積を小さくできる。
したがって、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

なお、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによって、カラー表示
を行うことができる。いわいるフィールドシーケンシャルモードである。

なお、白色を発する発光ダイオードと、各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３
３、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３４、発光ダイオード（ＬＥＤ）２０２３５とを組
み合わせることができる。

なお、発光ダイオードが大型の表示装置に搭載される場合、発光ダイオードを該基板の背
面に配置することができる。発光ダイオードは、所定の間隔を維持し、各色の発光ダイオ
ードが順に配置される。発光ダイオードの配置によって、色再現性を高めることができる
。

図４９（Ａ）は、直下型と呼ばれるバックライトユニットと、液晶パネルとを有する液晶
表示装置の一例を示す。直下式とは、発光面の直下に光源を配置することで、その光源の
蛍光を発光面全体から放射する方式である。直下式のバックライトユニットは、発光光量
を効率よく利用することができる。

バックライトユニット２０５００は、拡散板２０５０１、遮光板２０５０２、ランプリフ
レクタ２０５０３及び光源２０５０４によって構成される。

光源２０５０４から発せられた光は、ランプリフレクタ２０５０３によってバックライト
ユニット２０５００の一方の面に集められる。すなわち、バックライトユニット２０５０
０は、強く発光する面とほとんど発光しない面を有することになる。このとき、バックラ
イトユニット２０５００の強く発光する面側に液晶パネル２０５０５を配置することによ
って、光源２０５０４から発せられた光を効率よく液晶パネル２０５０５に照射すること
ができる。

光源２０５０４は、必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源２０５０４と
しては、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる
。ランプリフレクタ２０５０３は、光源２０５０４の蛍光を効率よく拡散板２０５０１及
び遮光板２０５０２に導く機能を有する。遮光板２０５０２は、光源２０５０４の配置に
合わせて光が強いところほど遮光を多くすることで、明度のムラを低減する機能を有する
。拡散板２０５０１は、さらに明度のムラを低減する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０５００には、光源２０５０４の輝度を調整するための制
御回路が接続されている。この制御回路によって、光源２０５０４の輝度を調整すること
ができる。

図４９（Ｂ）は、直下型と呼ばれるバックライトユニットと、液晶パネルとを有する液晶
表示装置の一例を示す。直下式とは、発光面の直下に光源を配置することで、その光源の
蛍光を発光面全体から放射する方式である。直下式のバックライトユニットは、発光光量
を効率よく利用することができる。

バックライトユニット２０５１０は、拡散板２０５１１、遮光板２０５１２、ランプリフ
レクタ２０５１３、各色ＲＧＢの光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（Ｇ）２０５１４ｂ及び
光源（Ｂ）２０５１４ｃによって構成される。

光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（Ｇ）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１４ｃから発せ
られた光は、ランプリフレクタ２０５１３によってバックライトユニット２０５１０の一
方の面に集められる。すなわち、バックライトユニット２０５１０は、強く発光する面と
ほとんど発光しない面を有することになる。このとき、バックライトユニット２０５１０
の強く発光する面側に液晶パネル２０５１５を配置することによって、光源（Ｒ）２０５
１４ａ、光源（Ｇ）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１４ｃから発せられた光を効率よ
く液晶パネル２０５１５に照射することができる。

各色ＲＧＢの光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（Ｇ）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１
４ｃは、必要に応じて発光する機能を有する。例えば、光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（
Ｇ）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１４ｃとしては、冷陰極管、熱陰極管、発光ダイ
オード、無機ＥＬ又は有機ＥＬなどが用いられる。ランプリフレクタ２０５１３は、光源
２０５１４の蛍光を効率よく拡散板２０５１１及び遮光板２０５１２に導く機能を有する
。遮光板２０５１２は、光源２０５１４の配置に合わせて光が強いところほど遮光を多く
することで、明度のムラを低減する機能を有する。拡散板２０５１１は、さらに明度のム
ラを低減する機能を有する。

なお、バックライトユニット２０５１０には、各色ＲＧＢの光源（Ｒ）２０５１４ａ、光
源（Ｇ）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１４ｃの輝度を調整するための制御回路が接
続されている。この制御回路によって、各色ＲＧＢの光源（Ｒ）２０５１４ａ、光源（Ｇ
）２０５１４ｂ及び光源（Ｂ）２０５１４ｃの輝度を調整することができる。

図４７は、偏光板（偏光フィルムともいう）の構成の一例を示す図である。

偏光フィルム２０３００は、保護フィルム２０３０１、基板フィルム２０３０２、ＰＶＡ
偏光フィルム２０３０３、基板フィルム２０３０４、粘着剤層２０３０５及び離型フィル
ム２０３０６を有する。

ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、ある振動方向だけの光（直線偏光）を作り出す機能を
有する。具体的には、ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、電子の密度が縦と横で大きく異
なる分子（偏光子）を含んでいる。ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、この電子の密度が
縦と横で大きく異なる分子の方向を揃えることで、直線偏光を作り出すことができる。

一例として、ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙ Ｖｉ
ｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）の高分子フィルムに、ヨウ素化合物をドープし、ＰＶＡフィル
ムをある方向に引っ張ることで、一定方向にヨウ素分子の並んだフィルムを得ることがで
きる。そして、ヨウ素分子の長軸と平行な光は、ヨウ素分子に吸収される。なお、高耐久
用途及び高耐熱用途として、ヨウ素の代わりに２色性の染料が用いてもよい。なお、染料
は、車載用ＬＣＤ又はプロジェクタ用ＬＣＤなどの耐久性、耐熱性が求められる液晶表示
装置に用いられることが望ましい。

ＰＶＡ偏光フィルム２０３０３は、両側を基材となるフィルム（基板フィルム２０３０２
及び基板フィルム２０３０４）で挟むことで、信頼性を増すことができる。なお、ＰＶＡ
偏光フィルム２０３０３は、高透明性、高耐久性のトリアセチルロース（ＴＡＣ）フィル
ムによって挟まれていてもよい。なお、基板フィルム及びＴＡＣフィルムは、ＰＶＡ偏光
フィルム２０３０３が有する偏光子の保護層として機能する。

一方の基板フィルム（基板フィルム２０３０４）には、液晶パネルのガラス基板に貼るた
めの粘着剤層２０３０５が貼られている。なお、粘着剤層２０３０５は、粘着剤を片側の
基板フィルム（基板フィルム２０３０４）に塗布することで形成される。粘着剤層２０３
０５には、離型フィルム２０３０６（セパレートフィルム）が備えられている。

他方の基板フィルム（基板フィルム２０３０２）には、保護フィルム２０３０１が備えら
れている。

なお、偏光フィルム２０３００表面に、ハードコート散乱層（アンチグレア層）が備えら
れていてもよい。ハードコート散乱層は、ＡＧ処理によって表面に微細な凹凸が形成され
ており、外光を散乱させる防眩機能を有するため、液晶パネルへの外光の映り込みを防ぐ
ことができる。表面反射を防ぐことができる。

なお、偏光フィルム２０３００表面に、複数の屈折率の異なる光学薄膜層を多層化（アン
チリフレクション処理、若しくはＡＲ処理ともいう）してもよい。多層化された複数の屈
折率のことなる光学薄膜層は、光の干渉効果によって表面の反射率を低減することができ
る。

図４８は、液晶表示装置のシステムブロックの一例を示す図である。

画素部２０４０５には、信号線２０４１２が信号線駆動回路２０４０３から延伸して配置
されている。画素部２０４０５には、走査線２０４１０が走査線駆動回路２０４０４から
延伸して配置されている。そして、信号線２０４１２と走査線２０４１０との交差領域に
、複数の画素がマトリクス状に配置されている。なお、複数の画素それぞれはスイッチン
グ素子を有している。したがって、複数の画素それぞれに液晶分子の傾きを制御するため
の電圧を独立して入力することができる。このように各交差領域にスイッチング素子が設
けられた構造をアクティブ型と呼ぶ。ただし、このようなアクティブ型に限定されず、パ
ッシブ型の構成でもよい。パッシブ型は、各画素にスイッチング素子がないため、工程が
簡便である。

駆動回路部２０４０８は、制御回路２０４０２、信号線駆動回路２０４０３及び走査線駆
動回路２０４０４を有する。制御回路２０４０２には映像信号２０４０１が入力されてい
る。制御回路２０４０２は、この映像信号２０４０１に応じて、信号線駆動回路２０４０
３及び走査線駆動回路２０４０４を制御する。そのため、映像信号２０４０１は、信号線
駆動回路２０４０３及び走査線駆動回路２０４０４に、それぞれ制御信号を入力する。そ
して、この制御信号に応じて、信号線駆動回路２０４０３はビデオ信号を信号線２０４１
２に入力し、走査線駆動回路２０４０４は走査信号を走査線２０４１０に入力する。そし
て、画素が有するスイッチング素子が走査信号に応じて選択され、画素の画素電極にビデ
オ信号が入力される。

なお、制御回路２０４０２は、映像信号２０４０１に応じて電源２０４０７も制御してい
る。電源２０４０７は、照明手段２０４０６へ電力を供給する手段を有している。照明手
段２０４０６としては、エッジライト式のバックライトユニット、又は直下型のバックラ
イトユニットを用いることができる。ただし、照明手段２０４０６としては、フロントラ
イトを用いてもよい。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ、全体を照らす発
光体及び導光体で構成された板状のライトユニットである。このような照明手段により、
低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。

図４８（Ｂ）に示すように走査線駆動回路２０４０４は、シフトレジスタ２０４４１、レ
ベルシフタ２０４４２、バッファ２０４４３として機能する回路を有する。シフトレジス
タ２０４４１にはゲートスタートパルス（ＧＳＰ）、ゲートクロック信号（ＧＣＫ）等の
信号が入力される。

図４８（Ｃ）に示すように信号線駆動回路２０４０３は、シフトレジスタ２０４３１、第
１のラッチ２０４３２、第２のラッチ２０４３３、レベルシフタ２０４３４、バッファ２
０４３５として機能する回路を有する。バッファ２０４３５として機能する回路とは、弱
い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフタ２０
４３４には、スタートパルス（ＳＳＰ）等の信号が、第１のラッチ２０４３２にはビデオ
信号等のデータ（ＤＡＴＡ）が入力される。第２のラッチ２０４３３にはラッチ（ＬＡＴ
）信号を一時保持することができ、一斉に画素部２０４０５へ入力させる。これを線順次
駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第２のラ
ッチは不要とすることができる。

なお、本実施の形態において、液晶パネルは、公知のものを用いることができる。例えば
、液晶パネルとして、２つの基板の間に液晶層が封止された構成を用いることができる。
一方の基板上には、トランジスタ、容量素子、画素電極又は配向膜などが形成されている
。なお、一方の基板の上面と反対側には、偏光板、位相差板又はプリズムシートが配置さ
れていてもよい。他方の基板上には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、対向電極又
は配向膜などが形成されている。なお、他方の基板の上面と反対側には、偏光板又は位相
差板が配置されていてもよい。なお、カラーフィルタ及びブラックマトリクスは、一方の
基板の上面に形成されてもよい。なお、一方の基板の上面側又はその反対側にスリット（
格子）を配置することで、３次元表示を行うことができる。

なお、偏光板、位相差板及びプリズムシートをそれぞれ、２つの基板の間に配置すること
が可能である。あるいは、２つの基板のうちのいずれかと一体とすることが可能である。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態においては、液晶表示装置に適用できる画素の構成及び画素の動作について
説明する。

なお、本実施の形態において、液晶の動作モードとして、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（
Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍ
ａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒ
ｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏ
ｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。

図５０（Ａ）は、液晶表示装置に適用できる画素構成の一例を示す図である。

画素４０１００は、トランジスタ４０１０１、液晶素子４０１０２及び容量素子４０１０
３を有している。トランジスタ４０１０１のゲートは配線４０１０５に接続されている。
トランジスタ４０１０１の第１端子は配線４０１０４に接続されている。トランジスタ４
０１０１の第２端子は液晶素子４０１０２の第１電極及び容量素子４０１０３の第１電極
に接続される。液晶素子４０１０２の第２電極は対向電極４０１０７に相当する。容量素
子４０１０３の第２の電極が配線４０１０６に接続されている。

配線４０１０４は、信号線として機能する。配線４０１０５は走査線として機能する。配
線４０１０６は容量線として機能する。トランジスタ４０１０１は、スイッチとして機能
する。容量素子４０１０３は、保持容量として機能する。

トランジスタ４０１０１はスイッチとして機能すればよく、トランジスタ４０１０１の極
性はＰチャネル型でもよいし、Ｎチャネル型でもよい。

なお、配線４０１０４にはビデオ信号が入力されている。配線４０１０５には走査信号が
入力されている。配線４０１０６はある一定の電位が供給されている。なお、走査信号は
Ｈレベル又はＬレベルのデジタル電圧信号である。トランジスタ４０１０１がＮチャネル
型の場合、走査信号のＨレベルはトランジスタ４０１０１をオンできる電位、走査信号の
Ｌレベルはトランジスタ４０１０１をオフできる電位である。あるいは、トランジスタ４
０１０１がＰチャネル型の場合、走査信号のＨレベルはトランジスタ４０１０１をオフで
きる電位、走査信号のＬレベルはトランジスタ４０１０１をオンできる電位である。なお
、ビデオ信号はアナログ電圧である。ただし、これに限定されず、ビデオ信号はデジタル
の電圧でもよい。または、ビデオ信号は電流でもよい。そして、このビデオ信号の電流は
、アナログでもデジタルでもよい。ビデオ信号は、走査信号のＨレベルよりも低く、走査
信号のＬレベルよりも高い電位である。なお、配線４０１０６に供給されている一定の電
位は対向電極４０１０７の電位と等しいことが好ましい。

画素４０１００の動作について、トランジスタ４０１０１がオンしている場合とトランジ
スタ４０１０１がオフしている場合に分けて説明する。

トランジスタ４０１０１がオンしている場合は、配線４０１０４と、液晶素子４０１０２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１０３の第１電極とが電気的に接続される。し
たがって、ビデオ信号は、配線４０１０４からトランジスタ４０１０１を介して、液晶素
子４０１０２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１０３の第１電極に入力される。
そして、容量素子４０１０３はビデオ信号と配線４０１０６に供給されている電位との電
位差を保持する。

トランジスタ４０１０１がオフしている場合は、配線４０１０４と、液晶素子４０１０２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１０３の第１電極とが電気的に遮断される。し
たがって、液晶素子４０１０２の第１電極及び容量素子４０１０３の第１電極は浮遊状態
となる。容量素子４０１０３はビデオ信号と配線４０１０６に供給されている電位との電
位差を保持しているため、液晶素子４０１０２の第１電極及び容量素子４０１０３の第１
電極は、ビデオ信号と同じ（対応した）電位を維持する。なお、液晶素子４０１０２は、
ビデオ信号に応じた透過率となる。

図５０（Ｂ）は、液晶表示装置に適用できる画素構成の一例を示す図である。特に、図５
０（Ｂ）は、横電界モード（ＩＰＳモード、ＦＦＳモードを含む）に適した液晶表示装置
に適用できる画素構成の一例を示す図である。

画素４０１１０は、トランジスタ４０１１１、液晶素子４０１１２及び容量素子４０１１
３を有している。トランジスタ４０１１１のゲートは配線４０１１５に接続されている。
トランジスタ４０１１１の第１端子は配線４０１１４に接続されている。トランジスタ４
０１１１の第２端子は液晶素子４０１１２の第１電極及び容量素子４０１１３の第１電極
に接続される。液晶素子４０１１２の第２電極は配線４０１１６と接続されている。容量
素子４０１１３の第２の電極が配線４０１１６に接続されている。

配線４０１１４は、信号線として機能する。配線４０１１５は走査線として機能する。配
線４０１１６は容量線として機能する。トランジスタ４０１１１は、スイッチとして機能
する。容量素子４０１１３は、保持容量として機能する。

トランジスタ４０１１１はスイッチとして機能すればよく、トランジスタ４０１１１の極
性はＰチャネル型でもよいし、Ｎチャネル型でもよい。

なお、配線４０１１４にはビデオ信号が入力されている。配線４０１１５には走査信号が
入力されている。配線４０１１６はある一定の電位が供給されている。なお、走査信号は
Ｈレベル又はＬレベルのデジタル電圧信号である。トランジスタ４０１１１がＮチャネル
型の場合、走査信号のＨレベルはトランジスタ４０１１１をオンできる電位、走査信号の
Ｌレベルはトランジスタ４０１１１をオフできる電位である。あるいは、トランジスタ４
０１１１がＰチャネル型の場合、走査信号のＨレベルはトランジスタ４０１１１をオフで
きる電位、走査信号のＬレベルはトランジスタ４０１１１をオンできる電位である。なお
、ビデオ信号はアナログ電圧である。ただし、これに限定されず、ビデオ信号はデジタル
の電圧でもよい。または、ビデオ信号は電流でもよい。そして、ビデオ信号の電流は、ア
ナログでもデジタルでもよい。ビデオ信号は、走査信号のＨレベルよりも低く、走査信号
のＬレベルよりも高い電位である。

画素４０１１０の動作について、トランジスタ４０１１１がオンしている場合とトランジ
スタ４０１１１がオフしている場合に分けて説明する。

トランジスタ４０１１１がオンしている場合は、配線４０１１４と、液晶素子４０１１２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１１３の第１電極とが電気的に接続される。し
たがって、ビデオ信号は、配線４０１１４からトランジスタ４０１１１を介して、液晶素
子４０１１２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１１３の第１電極に入力される。
そして、容量素子４０１１３はビデオ信号と配線４０１１６に供給されている電位との電
位差を保持する。

トランジスタ４０１１１がオフしている場合は、配線４０１１４と、液晶素子４０１１２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０１１３の第１電極とが電気的に遮断される。し
たがって、液晶素子４０１１２の第１電極及び容量素子４０１１３の第１電極は浮遊状態
となる。容量素子４０１１３はビデオ信号と配線４０１１６に供給されている電位との電
位差を保持しているため、液晶素子４０１１２の第１電極及び容量素子４０１１３の第１
電極は、ビデオ信号と同じ（対応した）電位を維持する。なお、液晶素子４０１１２は、
ビデオ信号に応じた透過率となる。

図５１は、液晶表示装置に適用できる画素構成の一例を示す図である。特に、図５１は、
配線数を減らして画素の開口率を大きくできる画素構成の一例である。

図５１は、同じ列方向に配置された二つの画素（画素４０２００及び画素４０２１０）を
示す。例えば、画素４０２００がＮ行目に配置されている場合、画素４０２１０はＮ＋１
行目に配置されている。

画素４０２００は、トランジスタ４０２０１、液晶素子４０２０２及び容量素子４０２０
３を有している。トランジスタ４０２０１のゲートは配線４０２０５に接続されている。
トランジスタ４０２０１の第１端子は配線４０２０４に接続されている。トランジスタ４
０２０１の第２端子は液晶素子４０２０２の第１電極及び容量素子４０２０３の第１電極
に接続される。液晶素子４０２０２の第２電極は対向電極４０２０７に相当する。容量素
子４０２０３の第２電極は、前行のトランジスタのゲートと同じ配線に接続されている。

画素４０２１０は、トランジスタ４０２１１、液晶素子４０２１２及び容量素子４０２１
３を有している。トランジスタ４０２１１のゲートは配線４０２１５に接続されている。
トランジスタ４０２１１の第１端子は配線４０２０４に接続されている。トランジスタ４
０２１１の第２端子は液晶素子４０２１２の第１電極及び容量素子４０２１３の第１電極
に接続される。液晶素子４０２１２の第２電極は対向電極４０２１７に相当する。容量素
子４０２１３の第２電極は、前行のトランジスタのゲートと同じ配線（配線４０２０５）
に接続されている。

配線４０２０４は、信号線として機能する。配線４０２０５はＮ行目の走査線として機能
する。配線４０２０６はＮ行目の容量線として機能する。トランジスタ４０２０１は、ス
イッチとして機能する。容量素子４０２０３は、保持容量として機能する。

配線４０２１４は、信号線として機能する。配線４０２１５はＮ＋１行目の走査線として
機能する。配線４０２１６はＮ＋１行目の容量線として機能する。トランジスタ４０２１
１は、スイッチとして機能する。容量素子４０２１３は、保持容量として機能する。

トランジスタ４０２０１及びトランジスタ４０２１１はスイッチとして機能すればよく、
トランジスタ４０２０１の極性及びトランジスタ４０２１１の極性はＰチャネル型でもよ
いし、Ｎチャネル型でもよい。

なお、配線４０２０４にはビデオ信号が入力されている。配線４０２０５には走査信号（
Ｎ行目）が入力されている。配線４０２１５には走査信号（Ｎ＋１行目）が入力されてい
る。

走査信号はＨレベル又はＬレベルのデジタル電圧信号である。トランジスタ４０２０１（
又はトランジスタ４０２１１）がＮチャネル型の場合、走査信号のＨレベルはトランジス
タ４０２０１（又はトランジスタ４０２１１）をオンできる電位、走査信号のＬレベルは
トランジスタ４０２０１（又はトランジスタ４０２１１）をオフできる電位である。ある
いは、トランジスタ４０２０１（又はトランジスタ４０２１１）がＰチャネル型の場合、
走査信号のＨレベルはトランジスタ４０２０１（又はトランジスタ４０２１１）をオフで
きる電位、走査信号のＬレベルはトランジスタ４０２０１（又はトランジスタ４０２１１
）をオンできる電位である。なお、ビデオ信号はアナログ電圧である。ただし、これに限
定されず、ビデオ信号はデジタルの電圧でもよい。または、ビデオ信号は電流でもよい。
そして、ビデオ信号の電流は、アナログでもデジタルでもよい。ビデオ信号は、走査信号
のＨレベルよりも低く、走査信号のＬレベルよりも高い電位である。

画素４０２００の動作について、トランジスタ４０２０１がオンしている場合とトランジ
スタ４０２０１がオフしている場合に分けて説明する。

トランジスタ４０２０１がオンしている場合は、配線４０２０４と、液晶素子４０２０２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２０３の第１電極とが電気的に接続される。し
たがって、ビデオ信号は、配線４０２０４からトランジスタ４０２０１を介して、液晶素
子４０２０２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２０３の第１電極に入力される。
そして、容量素子４０２０３はビデオ信号と前行のトランジスタのゲートと同じ配線に供
給されている電位との電位差を保持する。

トランジスタ４０２０１がオフしている場合は、配線４０２０４と、液晶素子４０２０２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２０３の第１電極とが電気的に遮断される。し
たがって、液晶素子４０２０２の第１電極及び容量素子４０２０３の第１電極は浮遊状態
となる。容量素子４０２０３はビデオ信号と前行のトランジスタのゲートと同じ配線に供
給されている電位との電位差を保持しているため、液晶素子４０２０２の第１電極及び容
量素子４０２０３の第１電極は、ビデオ信号と同じ（対応した）電位を維持する。なお、
液晶素子４０２０２は、ビデオ信号に応じた透過率となる。

画素４０２１０の動作について、トランジスタ４０２１１がオンしている場合とトランジ
スタ４０２１１がオフしている場合に分けて説明する。

トランジスタ４０２１１がオンしている場合は、配線４０２０４と、液晶素子４０２１２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２１３の第１電極とが電気的に接続される。し
たがって、ビデオ信号は、配線４０２０４からトランジスタ４０２１１を介して、液晶素
子４０２１２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２１３の第１電極に入力される。
そして、容量素子４０２１３はビデオ信号と前行のトランジスタのゲートと同じ配線（配
線４０２０５）に供給されている電位との電位差を保持する。

トランジスタ４０２１１がオフしている場合は、配線４０２０４と、液晶素子４０２１２
の第１電極（画素電極）及び容量素子４０２１３の第１電極とが電気的に遮断される。し
たがって、液晶素子４０２１２の第１電極及び容量素子４０２１３の第１電極は浮遊状態
となる。容量素子４０２１３はビデオ信号と前行のトランジスタのゲートと同じ配線（配
線４０２０５）に供給されている電位との電位差を保持しているため、液晶素子４０２１
２の第１電極及び容量素子４０２１３の第１電極は、ビデオ信号と同じ（対応した）電位
を維持する。なお、液晶素子４０２１２は、ビデオ信号に応じた透過率となる。

図５２は、液晶表示装置に適用できる画素構成の一例を示す図である。特に、図５２は、
サブ画素を用いることで視野角を向上できる画素構成の一例である。

画素４０３２０は、サブ画素４０３００とサブ画素４０３１０を有している。画素４０３
２０が２つのサブ画素を有している場合について説明するが、画素４０３２０は３つ以上
のサブ画素を有していてもよい。

サブ画素４０３００は、トランジスタ４０３０１、液晶素子４０３０２及び容量素子４０
３０３を有している。トランジスタ４０３０１のゲートは配線４０３０５に接続されてい
る。トランジスタ４０３０１の第１端子は配線４０３０４に接続されている。トランジス
タ４０３０１の第２端子は液晶素子４０３０２の第１電極及び容量素子４０３０３の第１
電極に接続される。液晶素子４０３０２の第２電極は対向電極４０３０７に相当する。容
量素子４０３０３の第２の電極が配線４０３０６に接続されている。

サブ画素４０３１０は、トランジスタ４０３１１、液晶素子４０３１２及び容量素子４０
３１３を有している。トランジスタ４０３１１のゲートは配線４０３１５に接続されてい
る。トランジスタ４０３０１の第１端子は配線４０３０４に接続されている。トランジス
タ４０３１１の第２端子は液晶素子４０３１２の第１電極及び容量素子４０３１３の第１
電極に接続される。液晶素子４０３１２の第２電極は対向電極４０３１７に相当する。容
量素子４０３１３の第２の電極が配線４０３０６に接続されている。

配線４０３０４は、信号線として機能する。配線４０３０５は走査線として機能する。配
線４０３１５は信号線として機能する。配線４０３０６は容量線として機能する。トラン
ジスタ４０３０１は、スイッチとして機能する。トランジスタ４０３１１は、スイッチと
して機能する。容量素子４０３０３は、保持容量として機能する。容量素子４０３１３は
、保持容量として機能する。

トランジスタ４０３０１はスイッチとして機能すればよく、トランジスタ４０３０１の極
性はＰチャネル型でもよいし、Ｎチャネル型でもよい。トランジスタ４０３１１はスイッ
チとして機能すればよく、トランジスタ４０３１１の極性はＰチャネル型でもよいし、Ｎ
チャネル型でもよい。

なお、配線４０３０４にはビデオ信号が入力されている。配線４０３０５には走査信号が
入力されている。配線４０３１５には走査信号が入力されている。配線４０３０６はある
一定の電位が供給されている。

なお、走査信号はＨレベル又はＬレベルのデジタル電圧信号である。トランジスタ４０３
０１（又はトランジスタ４０３１１）がＮチャネル型の場合、走査信号のＨレベルはトラ
ンジスタ４０３０１（又はトランジスタ４０３１１）をオンできる電位、走査信号のＬレ
ベルはトランジスタ４０３０１（又はトランジスタ４０３１１）をオフできる電位である
。あるいは、トランジスタ４０３０１（又はトランジスタ４０３１１）がＰチャネル型の
場合、走査信号のＨレベルはトランジスタ４０３０１（又はトランジスタ４０３１１）を
オフできる電位、走査信号のＬレベルはトランジスタ４０３０１（又はトランジスタ４０
３１１）をオンできる電位である。なお、ビデオ信号はアナログ電圧である。ただし、こ
れに限定されず、ビデオ信号はデジタルの電圧でもよい。または、ビデオ信号は電流でも
よい。そして、ビデオ信号の電流は、アナログでもデジタルでもよい。ビデオ信号は、走
査信号のＨレベルよりも低く、走査信号のＬレベルよりも高い電位である。なお、配線４
０３０６に供給されている一定の電位は対向電極４０３０７の電位又は対向電極４０３１
７の電位と等しいことが好ましい。

画素４０３２０の動作について、トランジスタ４０３０１がオンしトランジスタ４０３１
１がオフしている場合と、トランジスタ４０３０１がオフしトランジスタ４０３１１がオ
ンしている場合と、トランジスタ４０３０１及びトランジスタ４０３１１がオフしている
場合とに分けて説明する。

トランジスタ４０３０１がオンしトランジスタ４０３１１がオフしている場合は、サブ画
素４０３００において、配線４０３０４と、液晶素子４０３０２の第１電極（画素電極）
及び容量素子４０３０３の第１電極とが電気的に接続される。したがって、ビデオ信号は
、配線４０３０４からトランジスタ４０３０１を介して、液晶素子４０３０２の第１電極
（画素電極）及び容量素子４０３０３の第１電極に入力される。そして、容量素子４０３
０３はビデオ信号と配線４０３０６に供給されている電位との電位差を保持する。このと
き、サブ画素４０３１０において、配線４０３０４と、液晶素子４０３１２の第１電極（
画素電極）及び容量素子４０３１３の第１電極とが電気的に遮断される。したがって、ビ
デオ信号は、サブ画素４０３１０には入力されない。

トランジスタ４０３０１がオフし、トランジスタ４０３１１がオンしている場合は、サブ
画素４０３００において、配線４０３０４と、液晶素子４０３０２の第１電極（画素電極
）及び容量素子４０３０３の第１電極とが電気的に遮断される。したがって、液晶素子４
０３０２の第１電極及び容量素子４０３０３の第１電極は浮遊状態となる。容量素子４０
３０３はビデオ信号と配線４０３０６に供給されている電位との電位差を保持しているた
め、液晶素子４０３０２の第１電極及び容量素子４０３０３の第１電極は、ビデオ信号と
同じ（対応した）電位を維持する。このとき、サブ画素４０３１０において、配線４０３
０４と、液晶素子４０３１２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０３１３の第１電極
とが電気的に接続される。したがって、ビデオ信号は、配線４０３０４からトランジスタ
４０３１１を介して、液晶素子４０３１２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０３１
３の第１電極に入力される。そして、容量素子４０３１３はビデオ信号と配線４０３１６
に供給されている電位との電位差を保持する。

トランジスタ４０３０１及びトランジスタ４０３１１がオフしている場合は、サブ画素４
０３００において、配線４０３０４と、液晶素子４０３０２の第１電極（画素電極）及び
容量素子４０３０３の第１電極とが電気的に遮断される。したがって、液晶素子４０３０
２の第１電極及び容量素子４０３０３の第１電極は浮遊状態となる。容量素子４０３０３
はビデオ信号と配線４０３０６に供給されている電位との電位差を保持しているため、液
晶素子４０３０２の第１電極及び容量素子４０３０３の第１電極は、ビデオ信号と同じ（
対応した）電位を維持する。なお、液晶素子４０３０２は、ビデオ信号に応じた透過率と
なる。このとき、このとき、サブ画素４０３１０において、配線４０３０４と、液晶素子
４０３１２の第１電極（画素電極）及び容量素子４０３１３の第１電極とが電気的に遮断
される。したがって、液晶素子４０３１２の第１電極及び容量素子４０３１３の第１電極
は浮遊状態となる。容量素子４０３１３はビデオ信号と配線４０３０６に供給されている
電位との電位差を保持しているため、液晶素子４０３１２の第１電極及び容量素子４０３
１３の第１電極は、ビデオ信号と同じ（対応した）電位を維持する。なお、液晶素子４０
３１２は、ビデオ信号に応じた透過率となる。

サブ画素４０３００に入力するビデオ信号は、サブ画素４０３１０に入力するビデオ信号
と異なる値としてもよい。この場合、液晶素子４０３０２の液晶分子の配向を液晶素子４
０３１２の液晶分子の配向と異ならせることができるため、視野角を広くすることができ
る。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１１）
本実施形態においては、表示装置の駆動方法について説明する。特に、液晶表示装置の駆
動方法について説明する。

本実施形態において説明する液晶表示装置に用いることのできる液晶パネルは、液晶材料
を２枚の基板によって挟んだ構造であるとする。２枚の基板は、それぞれ、液晶材料に印
加する電界を制御するための電極を備えている。液晶材料は、外部から印加される電界に
よって、光学的および電気的な性質が変化する材料である。したがって、液晶パネルは、
基板が有する電極を用いて液晶材料に印加する電圧を制御することによって、所望の光学
的および電気的な性質を得ることができるデバイスである。そして、多数の電極を平面的
に並置することでそれぞれを画素とし、画素に印加する電圧を個別に制御することにより
、精細な画像を表示できる液晶パネルとすることができる。

ここで、電界の変化に対する液晶材料の応答時間は、２枚の基板の間隔（セルギャップ）
および液晶材料の種類等に依存するが、一般的に数ミリ秒から数十ミリ秒である。さらに
、電界の変化量が小さい場合は、液晶材料の応答時間はさらに長くなる。この性質は、液
晶パネルによって動きのある画像を表示する場合に、残像、尾引き、コントラストの低下
といった画像表示上の障害を引き起こし、特に中間調から別の中間調へ変化する場合（電
界の変化が小さい）場合に、前述の障害の程度が著しくなる。

一方、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルに特有の問題として、定電荷駆動による
書き込み電圧の変化がある。以下に、本実施形態における定電荷駆動について説明する。

アクティブマトリクスにおける画素回路は、書き込みを制御するスイッチと、電荷を保持
する容量素子を含む。アクティブマトリクスにおける画素回路の駆動方法は、スイッチを
オン状態として所定の電圧を画素回路に書き込んだ後、直ちにスイッチをオフ状態として
画素回路内の電荷を保持する（ホールド状態）というものである。ホールド状態時、画素
回路の内部と外部には電荷のやり取りが行なわれない（定電荷）。通常、スイッチがオン
状態となっている期間に比べて、オフ状態となっている期間は数百（走査線本数）倍程度
長い。そのため、画素回路のスイッチは、ほとんどオフ状態となっていると考えてよい。
以上より、本実施形態における定電荷駆動とは、液晶パネルの駆動時、画素回路はほとん
どの期間においてホールド状態である駆動方法であるとする。

次に、液晶材料の電気的特性について説明する。液晶材料は、外部から印加される電界が
変化すると、光学的性質が変化するのと同時に、誘電率も変化する。すなわち、液晶パネ
ルの各画素を２枚の電極に挟まれた容量素子（液晶素子）として考えたとき、当該容量素
子は、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子である。この現象を、ダイナ
ミックキャパシタンスと呼ぶこととする。

このように、印加される電圧によって静電容量が変化する容量素子を、上述した定電荷駆
動によって駆動する場合、次のような問題が生じる。すなわち、電荷の移動が行なわれな
いホールド状態において、液晶素子の静電容量が変化すると、印加される電圧も変化して
しまうという問題である。これは、（電荷量）＝（静電容量）×（印加電圧）という関係
式において、電荷量が一定であるということから理解できる。

以上の理由により、アクティブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であるこ
とによって、ホールド状態時における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしま
う。その結果、液晶素子の透過率は、ホールド状態を取らない駆動法における変化とは異
なったものとなる。この様子を示したのが、図５６である。図５６（Ａ）は、横軸に時間
、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図
５６（Ｂ）は、横軸に時間、縦軸に電圧をとった場合の、画素回路に書き込む電圧の制御
例を表したものである。図５６（Ｃ）は、横軸に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、
図５６（Ａ）または図５６（Ｂ）によって表した電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液
晶素子の透過率の時間変化を表したものである。図５６（Ａ）乃至（Ｃ）において、期間
Ｆは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換える時刻をｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４〜とし
て説明する。

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻０におけ
る書き換えでは｜Ｖ_１｜、時刻ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４〜における書き換えでは｜Ｖ_２｜
であるとする。（図５６（Ａ）参照）

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。（反転駆動：図５６（Ｂ）参照）この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期（反転周期）は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。

そして、図５６（Ａ）または図５６（Ｂ）に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図５６（Ｃ）に示す。ここで、液晶素子に電圧｜Ｖ_１
｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_１とする。同様に、液晶
素子に電圧｜Ｖ_２｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_２とす
る。時刻ｔ_１において、液晶素子に印加される電圧が｜Ｖ_１｜から｜Ｖ_２｜に変化すると
、液晶素子の透過率は、破線３０４０１に示したように、すぐにＴＲ_２とはならず、ゆっ
くりと変化する。たとえば、電圧の書き換え周期が、６０Ｈｚの画像信号のフレーム周期
（１６．７ミリ秒）と同じであるとき、透過率がＴＲ_２に変化するまでは、数フレーム程
度の時間が必要となる。

ただし、破線３０４０１に示したような、滑らかな透過率の時間変化は、液晶素子に正確
に電圧｜Ｖ_２｜が印加されたときのものである。実際の液晶パネル、たとえば、アクティ
ブマトリクスを用いた液晶パネルでは、定電荷駆動であることによって、ホールド状態時
における電圧が、書き込み時における電圧から変化してしまうため、液晶素子の透過率は
破線３０４０１に示したような時間変化とはならず、かわりに、実線３０４０２に示した
ような、段階的な時間変化となる。これは、定電荷駆動であることによって電圧が変化し
てしまうため、１回の書き込みでは目的の電圧に到達することができないためである。そ
の結果、液晶素子の透過率の応答時間は、本来の応答時間（破線３０４０１）よりも、見
かけ上、さらに長くなってしまい、残像、尾引き、コントラストの低下といった画像表示
上の障害を顕著に引き起こしてしまうということになる。

オーバードライブ駆動を用いることによって、液晶素子の本来の応答時間の長さと、ダイ
ナミックキャパシタンスおよび定電荷駆動による書き込み不足に起因する見かけ上の応答
時間がさらに長くなる現象を、同時に解決することができる。この様子を示したのが、図
５７である。図５７（Ａ）は、横軸に時間、縦軸に電圧の絶対値をとり、画素回路に書き
込む電圧の制御例を表したものである。図５７（Ｂ）は、横軸に時間、縦軸に電圧をとっ
た場合の、画素回路に書き込む電圧の制御例を表したものである。図５７（Ｃ）は、横軸
に時間、縦軸に液晶素子の透過率をとり、図５７（Ａ）または図５７（Ｂ）によって表し
た電圧を画素回路に書き込んだ場合の、液晶素子の透過率の時間変化を表したものである
。図５７（Ａ）乃至（Ｃ）において、期間Ｆは電圧の書き換え周期を表し、電圧を書き換
える時刻をｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４〜として説明する。

ここで、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、時刻０におけ
る書き換えでは｜Ｖ_１｜、時刻ｔ_１における書き換えでは｜Ｖ_３｜、時刻ｔ_２、ｔ_３、ｔ
_４〜における書き換えでは｜Ｖ_２｜であるとする。（図５７（Ａ）参照）

なお、液晶表示装置に入力される画像データに対応する書き込み電圧は、その極性を周期
的に入れ替えてもよい。（反転駆動：図５７（Ｂ）参照）この方法によって、液晶に直流
電圧をできるだけ印加しないようにすることができるので、液晶素子の劣化による焼きつ
き等を防ぐことができる。なお、極性を入れ替える周期（反転周期）は、電圧の書き換え
周期と同じでもよい。この場合は、反転周期が短いので、反転駆動によるフリッカの発生
を低減することができる。さらに、反転周期は、電圧の書き換え周期の整数倍の周期であ
ってもよい。この場合は、反転周期が長く、極性を変えて電圧を書き込む頻度を減少させ
ることができるため、消費電力を低減することができる。

そして、図５７（Ａ）または図５７（Ｂ）に示したような電圧を液晶素子に印加したとき
の液晶素子の透過率の時間変化を、図５７（Ｃ）に示す。ここで、液晶素子に電圧｜Ｖ_１
｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_１とする。同様に、液晶
素子に電圧｜Ｖ_２｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透過率をＴＲ_２とす
る。同様に、液晶素子に電圧｜Ｖ_３｜が印加され、十分時間が経過した後の液晶素子の透
過率をＴＲ_３とする。時刻ｔ_１において、液晶素子に印加される電圧が｜Ｖ_１｜から｜Ｖ
_３｜に変化すると、液晶素子の透過率は、破線３０５０１に示したように、数フレームを
かけて透過率をＴＲ_３まで変化しようとする。しかし、電圧｜Ｖ_３｜の印加は時刻ｔ_２で
終わり、時刻ｔ_２より後は、電圧｜Ｖ_２｜が印加される。そのため、液晶素子の透過率は
破線３０５０１に示したようにはならず、実線３０５０２に示したようになる。ここで、
時刻ｔ_２の時点において、透過率が概ねＴＲ_２となっているように、電圧｜Ｖ_３｜の値を
設定するのが好ましい。ここで、電圧｜Ｖ_３｜を、オーバードライブ電圧とも呼ぶことと
する。

つまり、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜を変化させれば、液晶素子の応答時間をあ
る程度制御することができる。なぜならば、液晶の応答時間は、電界の強さによって変化
するからである。具体的には、電界が強いほど、液晶素子の応答時間は短くなり、電界が
弱いほど、液晶素子の応答時間は長くなる。

なお、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜は、電圧の変化量、すなわち、目的とする透
過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜、にしたがって変化させる
のが好ましい。なぜならば、液晶素子の応答時間が電圧の変化量によって変わってしまっ
ても、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜をそれに合わせて変化させれば、常に最適な
応答時間を得ることができるからである。

なお、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜は、ＴＮ、ＶＡ、ＩＰＳ、ＯＣＢ等の液晶の
モードによって変化させるのが好ましい。なぜならば、液晶の応答速度が液晶のモードに
よって異なってしまっても、オーバードライブ電圧である｜Ｖ_３｜をそれに合わせて変化
させれば、常に最適な応答時間を得ることができるからである。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期と同じでもよい。この場合は、液
晶表示装置の周辺駆動回路を簡単にできるため、製造コストの低い液晶表示装置を得るこ
とができる。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期よりも短くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Ｆは入力信号のフレーム周期の１／２倍でもよいし、１／３倍でもよい
し、それ以下でもよい。この方法は、黒挿入駆動、バックライト点滅、バックライトスキ
ャン、動き補償による中間画像挿入駆動等、液晶表示装置のホールド駆動に起因する動画
品質の低下の対策法と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、液晶表示装置のホー
ルド駆動に起因する動画品質の低下の対策法は、要求される液晶素子の応答時間が短いた
め、本実施形態で説明したオーバードライブ駆動法を用いることで、比較的容易に液晶素
子の応答時間を短くすることができる。液晶素子の応答時間は、セルギャップ、液晶材料
および液晶モード等によって本質的に短くすることは可能ではあるが、技術的に困難であ
る。そのため、オーバードライブのような、駆動方法から液晶素子の応答時間を短くする
方法を用いることは、非常に重要である。

なお、電圧書き換え周期Ｆは、入力信号のフレーム周期よりも長くてもよい。たとえば、
電圧書き換え周期Ｆは入力信号のフレーム周期の２倍でもよいし、３倍でもよいし、それ
以上でもよい。この方法は、長期間電圧の書き換えが行なわれないか否かを判断する手段
（回路）と合わせて用いるのが効果的である。すなわち、長期間電圧の書き換えが行なわ
れない場合は、電圧の書き換え動作自体を行わないことによって、回路の動作をその期間
中は停止させることができるので、消費電力の低い液晶表示装置を得ることができる。

次に、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜を、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える
電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜、にしたがって変化させるための具体的な方法について説明
する。

オーバードライブ回路は、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜お
よび｜Ｖ_２｜にしたがって、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜を適切に制御するための回路
であるため、オーバードライブ回路に入力される信号は、透過率ＴＲ_１を与える電圧｜Ｖ
_１｜に関係する信号と、透過率ＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_２｜に関係する信号であり、オー
バードライブ回路から出力される信号は、オーバードライブ電圧｜Ｖ_３｜に関係する信号
となる。ここで、これらの信号としては、液晶素子に印加する電圧（｜Ｖ_１｜、｜Ｖ_２｜
、｜Ｖ_３｜）のようなアナログの電圧値であってもよいし、液晶素子に印加する電圧を与
えるためのデジタル信号であってもよい。ここでは、オーバードライブ回路に関係する信
号はデジタル信号であるとして説明する。

まず、図５３の（Ａ）を参照して、オーバードライブ回路の全体的な構成について説明す
る。ここでは、オーバードライブ電圧を制御するための信号として、入力画像信号３０１
０１ａおよび３０１０１ｂを用いる。これらの信号を処理した結果、オーバードライブ電
圧を与える信号として、出力画像信号３０１０４が出力されるとする。

ここで、目的とする透過率ＴＲ_１およびＴＲ_２を与える電圧｜Ｖ_１｜および｜Ｖ_２｜は、
互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であるため、入力画像信号３０１０１ａおよ
び３０１０１ｂも、同様に互いに隣り合ったフレームにおける画像信号であることが好ま
しい。このような信号を得るためには、入力画像信号３０１０１ａを、図５３の（Ａ）に
おける遅延回路３０１０２に入力し、その結果出力される信号を、入力画像信号３０１０
１ｂとすることができる。遅延回路３０１０２としては、たとえば、メモリが挙げられる
。すなわち、入力画像信号３０１０１ａを１フレーム分遅延させるために、メモリに当該
入力画像信号３０１０１ａを記憶させておき、同時に、１つ前のフレームにおいて記憶さ
せておいた信号を、入力画像信号３０１０１ｂとしてメモリから取り出し、入力画像信号
３０１０１ａと、入力画像信号３０１０１ｂを、同時に補正回路３０１０３に入力するこ
とで、互いに隣り合ったフレームにおける画像信号を扱えるようにすることができる。そ
して、互いに隣り合ったフレームにおける画像信号を、補正回路３０１０３に入力するこ
とで、出力画像信号３０１０４を得ることができる。なお、遅延回路３０１０２としてメ
モリを用いたときは、１フレーム分遅延させるために、１フレーム分の画像信号を記憶で
きる容量を持ったメモリ（すなわち、フレームメモリ）とすることができる。こうするこ
とで、メモリ容量の過不足なく、遅延回路としての機能を有することができる。

次に、メモリの容量を削減することを主な目的として構成された遅延回路３０１０２につ
いて説明する。遅延回路３０１０２としてこのような回路を用いることで、メモリの容量
を削減することができるため、製造コストを低減することができる。

このような特徴を持つ遅延回路３０１０２として、具体的には、図５３の（Ｂ）に示すよ
うなものを用いることができる。図５３の（Ｂ）に示す遅延回路３０１０２は、エンコー
ダ３０１０５と、メモリ３０１０６と、デコーダ３０１０７を有する。

図５３の（Ｂ）に示す遅延回路３０１０２の動作としては、次のようなものとなる。まず
、入力画像信号３０１０１ａをメモリ３０１０６に記憶させる前に、エンコーダ３０１０
５によって、圧縮処理を行なう。これによって、メモリ３０１０６に記憶させるべきデー
タのサイズを減らすことができる。その結果、メモリの容量を削減することができるため
、製造コストを低減することができる。そして、圧縮処理を施された画像信号は、デコー
ダ３０１０７に送られ、ここで伸張処理を行なう。これによって、エンコーダ３０１０５
によって圧縮処理された前の信号を復元することができる。ここで、エンコーダ３０１０
５およびデコーダ３０１０７によって行なわれる圧縮伸張処理は、可逆的な処理であって
もよい。こうすることで、圧縮伸張処理を行なった後でも画像信号の劣化がないため、最
終的に装置に表示される画像の品質を落とすことなく、メモリの容量を削減することがで
きる。さらに、エンコーダ３０１０５およびデコーダ３０１０７によって行なわれる圧縮
伸張処理は、非可逆的な処理であってもよい。こうすることで、圧縮後の画像信号のデー
タのサイズを非常に小さくすることができるため、メモリの容量を大幅に削減することが
できる。

なお、メモリの容量を削減するための方法としては、上に挙げたもの以外にも、様々な方
法を用いることができる。エンコーダによって画像圧縮するのではなく、画像信号が有す
る色情報を削減する（たとえば、２６万色から６万５千色に減色する）、またはデータ数
を削減する（解像度を小さくする）、などの方法を用いることができる。

次に、補正回路３０１０３の具体例について、図５３の（Ｃ）乃至（Ｅ）を参照して説明
する。補正回路３０１０３は、２つの入力画像信号から、ある値の出力画像信号を出力す
るための回路である。ここで、２つの入力画像信号と出力画像信号の関係が非線形であり
、簡単な演算で求めることが難しい場合には、補正回路３０１０３として、ルックアップ
テーブル（ＬＵＴ）を用いてもよい。ＬＵＴには、２つの入力画像信号と出力画像信号の
関係が、測定によってあらかじめ求められているため、２つの入力画像信号に対応する出
力画像信号を、ＬＵＴを参照するだけで求めることができる。（図５３の（Ｃ）参照）補
正回路３０１０３としてＬＵＴ３０１０８を用いることで、複雑な回路設計等を行なうこ
となく、補正回路３０１０３を実現することができる。

ここで、ＬＵＴはメモリの１つであるため、メモリ容量をできるだけ削減することが、製
造コストを低減する上で、好ましい。それを実現するための補正回路３０１０３の例とし
て、図５３の（Ｄ）に示す回路が考えられる。図５３の（Ｄ）に示す補正回路３０１０３
は、ＬＵＴ３０１０９と、加算器３０１１０を有する。ＬＵＴ３０１０９には、入力画像
信号３０１０１ａと、出力するべき出力画像信号３０１０４の差分データが格納されてい
る。つまり、入力画像信号３０１０１ａおよび入力画像信号３０１０１ｂから、対応する
差分データをＬＵＴ３０１０９から取り出し、取り出した差分データと入力画像信号３０
１０１ａを、加算器３０１１０によって加算することで、出力画像信号３０１０４を得る
ことができる。なお、ＬＵＴ３０１０９に格納するデータを差分データとすることで、Ｌ
ＵＴのメモリ容量の削減が実現できる。なぜならば、そのままの出力画像信号３０１０４
よりも、差分データの方がデータサイズが小さいため、ＬＵＴ３０１０９に必要なメモリ
容量を小さくできるからである。

さらに、出力画像信号が、２つの入力画像信号の四則演算等の簡単な演算によって求めら
れるならば、加算器、減算器、乗算器等の簡単な回路の組み合わせによって実現できる。
その結果、ＬＵＴを用いる必要が無くなり、製造コストを大幅に低減することができる。
このような回路としては、図５３の（Ｅ）に示す回路を挙げることができる。図５３の（
Ｅ）に示す補正回路３０１０３は、減算器３０１１１と、乗算器３０１１２と、加算器３
０１１３、を有する。まず、入力画像信号３０１０１ａと、入力画像信号３０１０１ｂの
差分を、減算器３０１１１によって求める。その後、乗算器３０１１２によって、適切な
係数を差分値に乗ずる。そして、入力画像信号３０１０１ａに、適切な係数を乗じた差分
値を、加算器３０１１３によって加算することで、出力画像信号３０１０４を得ることが
できる。このような回路を用いることによって、ＬＵＴを用いる必要が無くなり、製造コ
ストを大幅に低減することができる。

なお、ある条件の下で、図５３の（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることによって
、不適切な出力画像信号３０１０４を出力することを防止することができる。その条件と
は、オーバードライブ電圧を与える出力画像信号３０１０４と、入力画像信号３０１０１
ａおよび入力画像信号３０１０１ｂの差分値に、線形性があることである。そして、この
線形性の傾きを、乗算器３０１１２によって乗ずる係数とする。すなわち、このような性
質を持つ液晶素子に、図５３の（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることが好ましい
。このような性質を持つ液晶素子としては、応答速度の階調依存性の小さい、ＩＰＳモー
ドの液晶素子が挙げられる。このように、たとえば、ＩＰＳモードの液晶素子に図５３の
（Ｅ）に示す補正回路３０１０３を用いることによって、製造コストを大幅に低減でき、
かつ、不適切な出力画像信号３０１０４を出力することを防止することができるオーバー
ドライブ回路を得ることができる。

なお、図５３の（Ａ）乃至（Ｅ）に示した回路と同等の働きを、ソフトウェア処理によっ
て実現してもよい。遅延回路に用いるメモリについては、液晶表示装置が有する他のメモ
リ、液晶表示装置に表示する画像を送り出す側の装置（たとえば、パーソナルコンピュー
タやそれに準じた装置が有するビデオカード等）が有するメモリ等を流用することができ
る。こうすることで、製造コストを低減できるだけでなく、オーバードライブの強さや利
用する状況などを、ユーザが好みに応じて選択できるようにすることができる。

次に、コモン線の電位を操作する駆動について、図５４を参照して説明する。図５４の（
Ａ）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装置において、走査
線一本に対し、コモン線が一本配置されているときの、複数の画素回路を表した図である
。図５４の（Ａ）に示す画素回路は、トランジスタ３０２０１、補助容量３０２０２、表
示素子３０２０３、映像信号線３０２０４、走査線３０２０５、コモン線３０２０６、を
備えている。

トランジスタ３０２０１のゲート電極は、走査線３０２０５に電気的に接続され、トラン
ジスタ３０２０１のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線３０２０４に電気
的に接続され、トランジスタ３０２０１のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容
量３０２０２の一方の電極、及び表示素子３０２０３の一方の電極に電気的に接続されて
いる。
また、補助容量３０２０２の他方の電極は、コモン線３０２０６に電気的に接続されてい
る。

まず、走査線３０２０５によって選択された画素は、トランジスタ３０２０１がオンとな
るため、それぞれ、映像信号線３０２０４を介して、表示素子３０２０３及び補助容量３
０２０２に映像信号に対応した電圧がかかる。このとき、その映像信号が、コモン線３０
２０６に接続された全ての画素に対して最低階調を表示させるものだった場合、あるいは
、コモン線３０２０６に接続された全ての画素に対して最高階調を表示させるものだった
場合は、画素にそれぞれ映像信号線３０２０４を介して映像信号を書き込む必要はない。
映像信号線３０２０４を介して映像信号を書き込む代わりに、コモン線３０２０６の電位
を動かすことで、表示素子３０２０３にかかる電圧を変えることができる。

次に、図５４の（Ｂ）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装
置において、走査線一本に対し、コモン線が２本配置されているときの、複数の画素回路
を表した図である。図５４の（Ｂ）に示す画素回路は、トランジスタ３０２１１、補助容
量３０２１２、表示素子３０２１３、映像信号線３０２１４、走査線３０２１５、第１の
コモン線３０２１６、第２のコモン線３０２１７、を備えている。

トランジスタ３０２１１のゲート電極は、走査線３０２１５に電気的に接続され、トラン
ジスタ３０２１１のソース電極及びドレイン電極の一方は、映像信号線３０２１４に電気
的に接続され、トランジスタ３０２１１のソース電極及びドレイン電極の他方は、補助容
量３０２１２の一方の電極、及び表示素子３０２１３の一方の電極に電気的に接続されて
いる。
また、補助容量３０２１２の他方の電極は、第１のコモン線３０２１６に電気的に接続さ
れている。
また、当該画素と隣接する画素においては、補助容量３０２１２の他方の電極は、第２の
コモン線３０２１７に電気的に接続されている。

図５４の（Ｂ）に示す画素回路は、コモン線一本に対し電気的に接続されている画素が少
ないため、映像信号線３０２１４を介して映像信号を書き込む代わりに、第１のコモン線
３０２１６又は第２のコモン線３０２１７の電位を動かすことで、表示素子３０２１３に
かかる電圧を変えることができる頻度が、顕著に大きくなる。また、ソース反転駆動又は
ドット反転駆動が可能になる。ソース反転駆動又はドット反転駆動により、素子の信頼性
を向上させつつ、フリッカを抑えることができる。

次に、走査型バックライトについて、図５５を参照して説明する。図５５の（Ａ）は、冷
陰極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図５５の（Ａ）に示す走査型バッ
クライトは、拡散板３０３０１と、Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎと
、を備える。Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎを、拡散板３０３０１の
後ろに並置することで、Ｎ個の冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎは、その輝度
を変化させて走査することができる。

走査するときの各冷陰極管の輝度の変化を、図５５の（Ｃ）を用いて説明する。まず、冷
陰極管３０３０２―１の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管３０
３０２―１の隣に配置された冷陰極管３０３０２―２の輝度を、同じ時間だけ変化させる
。このように、冷陰極管３０３０２―１から３０３０２―Ｎまで、輝度を順に変化させる
。なお、図５５の（Ｃ）においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さいも
のとしたが、元の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管３０３０２―１から３０３０
２―Ｎまで走査するとしたが、逆方向に冷陰極管３０３０２―Ｎから３０３０２―１まで
走査してもよい。

図５５のように駆動することで、バックライトの平均輝度を小さくすることができる。し
たがって、液晶表示装置の消費電力の大部分を占める、バックライトの消費電力を低減す
ることができる。

なお、走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いてもよい。その場合の走査型バッ
クライトは、図５５の（Ｂ）のようになる。図５５の（Ｂ）に示す走査型バックライトは
、拡散板３０３１１と、ＬＥＤを並置した光源３０３１２―１から３０３１２―Ｎと、を
備える。走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いた場合、バックライトを薄く、
軽くできる利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。さら
に、ＬＥＤを並置した光源３０３１２―１から３０３１２―Ｎのそれぞれに並置したＬＥ
Ｄも、同様に走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもできる。
点走査型とすれば、動画像の画質をさらに向上させることができる。

なお、バックライトの光源としてＬＥＤを用いた場合も、図５５の（Ｃ）に示すように輝
度を変化させて駆動することができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１２）
本実施の形態においては、各種液晶モードについて説明する。

まず、断面図を用いて各種液晶モードについて説明する。

図５８（Ａ）、（Ｂ）は、ＴＮモードの断面の模式図を示す。

互いに対向するように配置された第１の基板５０１０１及び第２の基板５０１０２に、液
晶層５０１００が挟持されている。第１の基板５０１０１の上面には、第１の電極５０１
０５が形成されている。第２の基板５０１０２の上面には、第２の電極５０１０６が形成
されている。第１の基板５０１０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０１０３が配
置されている。第２の基板５０１０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０１０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０１０３と第２の偏光板５０１０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０１０３は、第１の基板５０１０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０１０４は、第２の基板５０１０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図５８（Ａ）は、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０
１０３と第２の偏光板５０１０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バ
ックライトからの光は基板を通過できない。したがって、黒色表示が行われる。

なお、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図５８（Ｂ）は、第１の電極５０１０５及び第２の電極５０１０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並び、平面内で回転している状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板
５０１０３と第２の偏光板５０１０４とがクロスニコルになるように配置されているため
、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。いわゆる
ノーマリーホワイトモードである。

図５８（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０１０１側
又は第２の基板５０１０２側に設けることができる。

ＴＮモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図５９（Ａ）、（Ｂ）は、ＶＡモードの断面の模式図を示す。ＶＡモードは、無電界の時
に液晶分子が基板に垂直となるように配向されているモードである。

互いに対向するように配置された第１の基板５０２０１及び第２の基板５０２０２に、液
晶層５０２００が挟持されている。第１の基板５０２０１の上面には、第１の電極５０２
０５が形成されている。第２の基板５０２０２の上面には、第２の電極５０２０６が形成
されている。第１の基板５０２０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０２０３が配
置されている。第２の基板５０２０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０２０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０２０３と第２の偏光板５０２０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０２０３は、第１の基板５０２０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０２０４は、第２の基板５０２０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図５９（Ａ）は、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が横に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０２
０３と第２の偏光板５０２０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バッ
クライトからの光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図５９（Ｂ）は、第１の電極５０２０５及び第２の電極５０２０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトか
らの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０２０３と第２の
偏光板５０２０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラッ
クモードである。

図５９（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０２０１側
又は第２の基板５０２０２側に設けることができる。

ＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図５９（Ｃ）、（Ｄ）は、ＭＶＡモードの断面の模式図を示す。ＭＶＡモードは、それぞ
れの部分の視野角依存性を互いに補償する方法である。

互いに対向するように配置された第１の基板５０２１１及び第２の基板５０２１２に、液
晶層５０２１０が挟持されている。第１の基板５０２１１の上面には、第１の電極５０２
１５が形成されている。第２の基板５０２１２の上面には、第２の電極５０２１６が形成
されている。第１の電極５０２１５上には、配向制御用に第１の突起物５０２１１７が形
成されている。第２の電極５０２１６上には、配向制御用に第２の突起物５０２１１８が
形成されている。第１の基板５０２１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０２１３
が配置されている。第２の基板５０２１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０２１
４が配置されている。なお、第１の偏光板５０２１３と第２の偏光板５０２１４とは、ク
ロスニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０２１３は、第１の基板５０２１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０２１４は、第２の基板５０２１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図５９（Ｃ）は、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が第１の突起物５０２１１７及
び第２の突起物５０２１１８に対して倒れて並んだ状態となるため、バックライトからの
光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０２１３と第２の偏光板
５０２１４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトからの光は
基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図５９（Ｄ）は、第１の電極５０２１５及び第２の電極５０２１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、バックライトか
らの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０２１３と第２の
偏光板５０２１４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわゆるノーマリーブラッ
クモードである。

図５９（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０２１１側
又は第２の基板５０２１２側に設けることができる。

ＭＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図６０（Ａ）、（Ｂ）は、ＯＣＢモードの断面の模式図を示す。ＯＣＢモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、視野角依存が少ない。この
液晶分子の状態は、ベンド配向と呼ばれる。

互いに対向するように配置された第１の基板５０３０１及び第２の基板５０３０２に、液
晶層５０３００が挟持されている。第１の基板５０３０１の上面には、第１の電極５０３
０５が形成されている。第２の基板５０３０２の上面には、第２の電極５０３０６が形成
されている。第１の基板５０３０１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０３０３が配
置されている。第２の基板５０３０２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０３０４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０３０３と第２の偏光板５０３０４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０３０３は、第１の基板５０３０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０３０４は、第２の基板５０３０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図６０（Ａ）は、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子が縦に並んだ状態となるため、
バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光板５０
３０３と第２の偏光板５０３０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バ
ックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。

なお、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図６０（Ｂ）は、第１の電極５０３０５及び第２の電極５０３０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がベンド配向の状態となるため、バックライト
からの光は液晶分子の複屈折の影響を受ける。そして、第１の偏光板５０３０３と第２の
偏光板５０３０４とがクロスニコルになるように配置されているため、バックライトから
の光は基板を通過する。したがって、白色表示が行われる。いわゆるノーマリーホワイト
モードである。

図６０（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０３０１側
又は第２の基板５０３０２側に設けることができる。

ＯＣＢモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図６０（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＬＣモード又はＡＦＬＣモードの断面の模式図を示す。

互いに対向するように配置された第１の基板５０３１１及び第２の基板５０３１２に、液
晶層５０３１０が挟持されている。第１の基板５０３１１の上面には、第１の電極５０３
１５が形成されている。第２の基板５０３１２の上面には、第２の電極５０３１６が形成
されている。第１の基板５０３１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０３１３が配
置されている。第２の基板５０３１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０３１４が
配置されている。なお、第１の偏光板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とは、クロス
ニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０３１３は、第１の基板５０３１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０３１４は、第２の基板５０３１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図６０（Ｃ）は、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた方向
で横に並んでいる状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受
ける。そして、第１の偏光板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とがクロスニコルにな
るように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって、白
色表示が行われる。

なお、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図６０（Ｄ）は、第１の電極５０３１５及び第２の電極５０３１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０３１３と第２の偏光板５０３１４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図６０（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０３１１側
又は第２の基板５０３１２側に設けることができる。

ＦＬＣモード又はＡＦＬＣモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい
。

図６１（Ａ）、（Ｂ）は、ＩＰＳモードの断面の模式図を示す。ＩＰＳモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、液晶分子を基板に対して常
に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる
。

互いに対向するように配置された第１の基板５０４０１及び第２の基板５０４０２に、液
晶層５０４００が挟持されている。第１の基板５０４０１の上面には、第１の電極５０４
０５及び第２の電極５０４０６が形成されている。第１の基板５０４０１の液晶層と反対
側には、第１の偏光板５０４０３が配置されている。第２の基板５０４０２の液晶層と反
対側には、第２の偏光板５０４０４が配置されている。なお、第１の偏光板５０４０３と
第２の偏光板５０４０４とは、クロスニコルになるように配置されている。

第１の偏光板５０４０３は、第１の基板５０４０１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０４０４は、第２の基板５０４０２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図６１（Ａ）は、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気
力線に沿って配向した状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響
を受ける。そして、第１の偏光板５０４０３と第２の偏光板５０４０４とがクロスニコル
になるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって
、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図６１（Ｂ）は、第１の電極５０４０５及び第２の電極５０４０６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０４０３と第２の偏光板５０４０４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図６１（Ａ）、（Ｂ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０４０１側
又は第２の基板５０４０２側に設けることができる。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図６１（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＦＳモードの断面の模式図を示す。ＦＦＳモードは、液晶層
内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため、液晶分子を基板に対して常
に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる
。

互いに対向するように配置された第１の基板５０４１１及び第２の基板５０４１２に、液
晶層５０４１０が挟持されている。第１の基板５０４１１の上面には、第２の電極５０４
１６が形成されている。第２の電極５０４１６の上面には、絶縁膜５０４１７が形成され
ている。絶縁膜５０４１７上には、第２の電極５０４１６が形成されている。第１の基板
５０４１１の液晶層と反対側には、第１の偏光板５０４１３が配置されている。第２の基
板５０４１２の液晶層と反対側には、第２の偏光板５０４１４が配置されている。なお、
第１の偏光板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とは、クロスニコルになるように配置
されている。

第１の偏光板５０４１３は、第１の基板５０４１１の上面に配置されてもよい。第２の偏
光板５０４１４は、第２の基板５０４１２の上面に配置されてもよい。

第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６のうち、少なくとも一方（又は両方）の
電極が透光性を有していればよい（透過型又は反射型）。あるいは、両方の電極が透光性
を有し、かつ一方の電極の一部が反射性を有していてもよい（半透過型）。

図６１（Ｃ）は、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に電圧が印加（縦電界
方式と呼ぶ）された場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向からずれた電気
力線に沿って配向した状態となるため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響
を受ける。そして、第１の偏光板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とがクロスニコル
になるように配置されているため、バックライトからの光は基板を通過する。したがって
、白色表示が行われる。

なお、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

図６１（Ｄ）は、第１の電極５０４１５及び第２の電極５０４１６に電圧が印加されてい
ない場合の断面の模式図である。液晶分子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる
ため、バックライトからの光は液晶分子の複屈折の影響を受けない。そして、第１の偏光
板５０４１３と第２の偏光板５０４１４とがクロスニコルになるように配置されているた
め、バックライトからの光は基板を通過しない。したがって、黒色表示が行われる。いわ
ゆるノーマリーブラックモードである。

図６１（Ｃ）、（Ｄ）に示した構成を有する液晶表示装置は、カラーフィルタを設けるこ
とで、フルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタは、第１の基板５０４１１側
又は第２の基板５０４１２側に設けることができる。

ＦＦＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

次に、上面図を用いて各種液晶モードを説明する。

図６２は、ＭＶＡモードを適用した画素部の上面図を示す。ＭＶＡモードは、それぞれの
部分の視野角依存性を互いに補償する方法である。

図６２は、第１の画素電極５０５０１、第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、
５０５０２ｃ）、及び突起物５０５０３を示している。第１の画素電極５０５０１は、対
向基板の全面に形成されている。形状がくの字型となるように、第２の画素電極（５０５
０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）が形成されている。形状が第２の画素電極（５０
５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）と対応するように、第１の画素電極５０５０１
上に第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）が形成されている。

第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）の開口部は、突起物のよ
うに機能する。

第１の画素電極５０５０１及び第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０
２ｃ）に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）された場合、液晶分子が第２の画素電極（５０
５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０２ｃ）の開口部及び突起物５０５０３に対して倒れて
並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、
バックライトからの光が基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の画素電極５０５０１及び第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５
０５０２ｃ）に印加する電圧を制御することで、液晶分子の状態を制御することが可能で
ある。したがって、バックライトからの光が基板を通過する量を制御できるため、所定の
映像表示を行うことが可能である。

第１の画素電極５０５０１及び第２の画素電極（５０５０２ａ、５０５０２ｂ、５０５０
２ｃ）に電圧が印加されていない場合、液晶分子が縦に並んだ状態となる。一対の偏光板
がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光がパネルを
通過しないため、黒色表示が行われる。いわゆる、ノーマリーブラックモードである。

ＭＶＡモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図６３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、ＩＰＳモードを適用した画素部の上面図を示
す。ＩＰＳモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため
、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側の
みに設けた横電界方式をとる。

ＩＰＳモードでは、一対の電極が異なる形状となるように形成される。

図６３（Ａ）は、第１の画素電極５０６０１及び第２の画素電極５０６０２を示している
。第１の画素電極５０６０１及び第２の画素電極５０６０２は、波状形状である。

図６３（Ｂ）は、第１の画素電極５０６１１及び第２の画素電極５０６１２を示している
。第１の画素電極５０６１１及び第２の画素電極５０６１２は、同心円状の開口部を有す
る形状である。

図６３（Ｃ）は、第１の画素電極５０６３１及び第２の画素電極５０６３２を示している
。第１の画素電極５０６３１及び第２の画素電極５０６３２は、櫛場状であり一部重なっ
ている形状である。

図６３（Ｄ）は、第１の画素電極５０６４１及び第２の画素電極５０６４２を示している
。第１の画素電極５０６４１及び第２の画素電極５０６４２は、櫛場状であり電極同士が
かみ合うような形状である。

第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極（５０
６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）され
た場合、液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態となる。一対
の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光が
基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極
（５０６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

第１の電極（５０６０１、５０６１１、５０６２１、５０６３１）及び第２の電極（５０
６０２、５０６１２、５０６２２、５０６３２）に電圧が印加されていない場合、液晶分
子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるよ
うに配置されているときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示
が行われる。いわいるノーマリーブラックモードである。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

図６４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、ＦＦＳモードを適用した画素部の上面図を示
す。ＦＦＳモードは、液晶層内で液晶分子の配列が光学的に補償状態を形成しているため
、液晶分子を基板に対して常に平面内で回転させるモードであり、電極は一方の基板側の
みに設けた横電界方式をとる。

ＦＦＳモードでは、第２の電極の上面に、第１の電極が様々な形状となるように形成され
る。

図６４（Ａ）は、第１の画素電極５０７０１及び第２の画素電極５０７０２を示している
。第１の画素電極５０７０１は、屈曲したくの字形状である。第２の画素電極５０７０２
は、パターン形成されていなくてもよい。

図６４（Ｂ）は、第１の画素電極５０７１１及び第２の画素電極５０７１２を示している
。第１の画素電極５０７１１は、同心円状の形状である。第２の画素電極５０７１２は、
パターン形成されていなくてもよい。

図６４（Ｃ）は、第１の画素電極５０７３１及び第２の画素電極５０７３２を示している
。第１の画素電極５０７３１は、櫛場状で電極同士がかみ合うような形状である。第２の
画素電極５０７３２は、パターン形成されていなくてもよい。

図６４（Ｄ）は、第１の画素電極５０７４１及び第２の画素電極５０７４２を示している
。第１の画素電極５０７４１は、櫛場状の形状である。第２の画素電極５０７４２は、パ
ターン形成されていなくてもよい。

第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極（５０
７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）され
た場合、液晶分子がラビング方向からずれた電気力線に沿って配向した状態となる。一対
の偏光板がクロスニコルとなるように配置されているときには、バックライトからの光が
基板を通過するため、白色表示が行われる。

なお、第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極
（５０７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に印加する電圧を制御することで
、液晶分子の状態を制御することが可能である。したがって、バックライトからの光が基
板を通過する量を制御できるため、所定の映像表示を行うことが可能である。

第１の電極（５０７０１、５０７１１、５０７２１、５０７３１）及び第２の電極（５０
７０２、５０７１２、５０７２２、５０７３２）に電圧が印加されていない場合、液晶分
子がラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。一対の偏光板がクロスニコルとなるよ
うに配置されているときには、バックライトからの光が基板を通過しないため、黒色表示
が行われる。いわいるノーマリーブラックモードである。

ＩＰＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１３）
本実施の形態においては、表示装置の画素構造について説明する。特に、液晶表示装置の
画素構造について説明する。

各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の断面図を
参照して説明する。

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。

なお、トランジスタの構造としては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いるこ
とができる。なお、ボトムゲート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャ
ネル保護型などを用いることができる。

図６５は、ＴＮ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。
図６５に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、安価に液晶表示装置を製
造することができる。

図６５に示す画素構造の特徴について説明する。図６５に示した液晶分子１０１１８は、
長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０１１８の向きを示すため、図６５に
おいては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現された液晶分子１０１１
８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子１０１１８ほど、そ
の長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図６５に示した液晶分
子１０１１８は、第１の基板１０１０１に近いものと、第２の基板１０１１６に近いもの
とでは、その長軸の向きが９０度異なっており、これらの中間に位置する液晶分子１０１
１８の長軸の向きは、これらを滑らかにつなぐような向きとなる。すなわち、図６５に示
した液晶分子１０１１８は、第１の基板１０１０１と第２の基板１０１１６の間で、９０
度ねじれているような配向状態となっている。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６５において、２枚の基板は、
第１の基板１０１０１及び第２の基板１０１１６である。第１の基板には、トランジスタ
及び画素電極が形成される。第２の基板には、遮光膜１０１１４、カラーフィルタ１０１
１５、第４の導電層１０１１３、スペーサ１０１１７、及び第２の配向膜１０１１２が形
成される。

なお、第２の基板１０１１６に遮光膜１０１１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０１１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０１１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０１１６にカラーフィルタ１０１１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０１１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０１１５を形成しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０１１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、スペーサ１０１１７の代わりに、球状のスペーサを散布してもよい。球状のスペー
サを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。構造
が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、スペーサ１０１１７を形
成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様にするこ
とができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０１０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０１０１上に、第１の絶縁膜１０１０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０１０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０１０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０１０２上に、第１の導電層１０１０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０１０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０１０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０１０５及び第２の半導体層１０１０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０１０５及び第２の半導体層１０１０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０１０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０１０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０１０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０１０６は、第２の導電層１０１０７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０１０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０１０６が除去された部分の第１の導電層１０１０３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０１０８が形成され、第３の絶縁膜１０１０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０１０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０１０４にもコンタクトホールを形成してもよい。なお、
第３の絶縁膜１０１０８の表面は、できるだけ平坦であることが好適である。なぜならば
、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が影響を受けてしまうからである。

次に、第３の導電層１０１０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０１１０が形成される。なお、第１の配向膜１０１１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０１０１と、遮光膜１０１１４、カラーフィルタ１０
１１５、第４の導電層１０１１３、スペーサ１０１１７及び第２の配向膜１０１１２が形
成された第２の基板１０１１６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＴＮ方
式では、第４の導電層１０１１３は、第２の基板１０１１６の全面に形成される。

図６６（Ａ）は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６６
（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が大きく、応答速
度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６６（Ａ）に示す画素構造の特徴について説明する。ＭＶＡ方式の液晶パネルの画素構
造の特徴について説明する。図６６（Ａ）に示した液晶分子１０２１８は、長軸と短軸を
持った細長い分子である。液晶分子１０２１８の向きを示すため、図６６（Ａ）において
は、その長さによって表現している。すなわち、長く表現された液晶分子１０２１８は、
その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子１０２１８ほど、その長軸
の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図６６（Ａ）に示した液晶分
子１０２１８は、その長軸の向きが配向膜の法線方向を向くように配向している。よって
、配向制御用突起１０２１９のある部分の液晶分子１０２１８は、配向制御用突起１０２
１９を中心として放射状に配向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶
表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６６（Ａ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０２０１及び第２の基板１０２１６である。第１の基板には、トラン
ジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０２１４、カラーフィ
ルタ１０２１５、第４の導電層１０２１３、スペーサ１０２１７、第２の配向膜１０２１
２、及び配向制御用突起１０２１９が形成されている。

なお、第２の基板１０２１６に遮光膜１０２１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０２１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０２１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２１６にカラーフィルタ１０２１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０２１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０２１５を作製しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０２１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２１６にスペーサ１０２１７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０２１７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０２０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０２０１上に、第１の絶縁膜１０２０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０２０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０２０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０２０２上に、第１の導電層１０２０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０２０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０２０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０２０５及び第２の半導体層１０２０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０２０５及び第２の半導体層１０２０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０２０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０２０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０２０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０２０６は、第２の導電層１０２０７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０２０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０２０６が除去された部分の第１の導電層１０２０３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０２０８が形成され、第３の絶縁膜１０２０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０２０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０２０４にもコンタクトホールを形成してもよい。

次に、第３の導電層１０２０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０２１０が形成される。なお、第１の配向膜１０２１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０２０１と、遮光膜１０２１４、カラーフィルタ１０
２１５、第４の導電層１０２１３、スペーサ１０２１７、及び第２の配向膜１０２１２を
作製した第２の基板１０２１６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＭＶＡ
方式では、第４の導電層１０２１３は、第２の基板１０２１６の全面に形成されている。
なお、第４の導電層１０２１３に接して、配向制御用突起１０２１９が形成されている。
配向制御用突起１０２１９の形状は、滑らかな曲面を持った形状であることが好ましい。
こうすることで、近接する液晶分子１０２１８の配向が極近いものとなるため、配向不良
を低減することができる。配向膜の段切れによって起こる配向膜の不良を低減することが
できる。

図６６（Ｂ）は、ＰＶＡ（Ｐａｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６６（Ｂ）に
示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が大きく、応答速度が速く
、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６６（Ｂ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６６（Ｂ）に示した液晶分子１
０２４８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０２４８の向きを示すた
め、図６６（Ｂ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０２４８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０２４８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６６（Ｂ）に示した液晶分子１０２４８は、その長軸の向きが配向膜の法線方向を向くよ
うに配向している。よって、電極切り欠き部１０２４９のある部分の液晶分子１０２４８
は、電極切り欠き部１０２４９と第４の導電層１０２４３の境界を中心として放射状に配
向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる
。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６６（Ｂ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０２３１、及び第２の基板１０２４６である。第１の基板には、トラ
ンジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０２４４、カラーフ
ィルタ１０２４５、第４の導電層１０２４３、スペーサ１０２４７、及び第２の配向膜１
０２４２が形成されている。

なお、第２の基板１０２４６に遮光膜１０２４４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０２４４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０２４
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２４６にカラーフィルタ１０２４５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０２４５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０２４５を作製しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０２４
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０２４６にスペーサ１０２４７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０２４７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０２３１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０２３１上に、第１の絶縁膜１０２３２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０２３２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０２３２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０２３２上に、第１の導電層１０２３３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０２３４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０２３４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０２３５及び第２の半導体層１０２３６が形成される。なお、第
１の半導体層１０２３５及び第２の半導体層１０２３６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０２３７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０２３７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０２３７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０２３６は、第２の導電層１０２３７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０２３７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０２３６が除去された部分の第１の導電層１０２３３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０２３８が形成され、第３の絶縁膜１０２３８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０２３８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０２３４にもコンタクトホールを形成してもよい。なお、
第３の絶縁膜１０２３８の表面は、できるだけ平坦であることが好適である。なぜならば
、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が影響を受けてしまうからである。

次に、第３の導電層１０２３９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。

次に、第１の配向膜１０２４０が形成される。なお、第１の配向膜１０２４０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０２３１と、遮光膜１０２４４、カラーフィルタ１０
２４５、第４の導電層１０２４３、スペーサ１０２４７、及び第２の配向膜１０２４２を
作製した第２の基板１０２４６とがシール材によって数マイクロメートルのギャップを持
たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料が注入される。なお、ＰＶＡ
方式では、第４の導電層１０２４３にパターン加工が施され、電極切り欠き部１０２４９
が形成される。なお、電極切り欠き部１０２４９の形状に限定はないが、異なる向きを持
った複数の矩形を組み合わせた形状であるのが好適である。こうすることで、配向の異な
る複数の領域が形成できるので、視野角の大きな液晶表示装置を得ることができる。なお
、電極切り欠き部１０２４９と第４の導電層１０２４３の境界における第４の導電層１０
２４３の形状は、滑らかな曲線であることが好適である。こうすることで、近接する液晶
分子１０２４８の配向が極近いものとなるため、配向不良が低減する。第２の配向膜１０
２４２が、電極切り欠き部１０２４９によって段切れを起こしてしまうことによる、配向
膜の不良も低減することができる。

図６７（Ａ）は、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式とトランジスタ
とを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６７（Ａ）に示す画素構造を液晶
表示装置に適用することによって、原理的に視野角が大きく、応答速度の階調依存性の小
さい液晶表示装置を得ることができる。

図６７（Ａ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６７（Ａ）に示した液晶分子１
０３１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０３１８の向きを示すた
め、図６７（Ａ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０３１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０３１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６７（Ａ）に示した液晶分子１０３１８は、その長軸の向きが常に基板と水平の方向を向
くように配向している。図６７（Ａ）においては、電界のない状態における配向を表して
いるが、液晶分子１０３１８に電界がかかったときは、その長軸の向きが常に基板と水平
の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって、視野角の大き
い液晶表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６７（Ａ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０３０１、及び第２の基板１０３１６である。第１の基板には、トラ
ンジスタ及び画素電極が形成されている。第２の基板には、遮光膜１０３１４、カラーフ
ィルタ１０３１５、スペーサ１０３１７、及び第２の配向膜１０３１２が形成されている
。

なお、第２の基板１０３１６に遮光膜１０３１４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０３１４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０３１
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３１６にカラーフィルタ１０３１５が形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０３１５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。ただし、カラーフィルタ１０３１５を形成しない場合でも、フィー
ルドシーケンシャル駆動によってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。構造
が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、カラーフィルタ１０３１
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３１６にスペーサ１０３１７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０３１７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０３０１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０３０１上に、第１の絶縁膜１０３０２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０３０２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０３０２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０３０２上に、第１の導電層１０３０３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０３０４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０３０４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０３０５及び第２の半導体層１０３０６が形成される。なお、第
１の半導体層１０３０５及び第２の半導体層１０３０６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０３０７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０３０７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０３０７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０３０６は、第２の導電層１０３０７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０３０７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０３０６が除去された部分の第１の導電層１０３０３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０３０８が形成され、第３の絶縁膜１０３０８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第３の絶縁膜１０３０８にコンタクトホールを形成
すると同時に、第２の絶縁膜１０３０４にもコンタクトホールを形成してもよい。

次に、第３の導電層１０３０９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。ここで、第３の導電層１０３０９の形状は、互いにかみ
合った２つの櫛歯状とする。一方の櫛歯状の電極がトランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極の一方と電気的に接続され、他方の櫛歯状の電極が共通電極と電気的に接続される
。こうすることで、液晶分子１０３１８に効果的に横方向の電界をかけることができる。

次に、第１の配向膜１０３１０が形成される。なお、第１の配向膜１０３１０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０３０１と、遮光膜１０３１４、カラーフィルタ１０
３１５、スペーサ１０３１７、及び第２の配向膜１０３１２とがシール材によって数マイ
クロメートルのギャップを持たせて貼り合わせられる。そして、２枚の基板間に液晶材料
が注入される。

図６７（Ｂ）は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式とトラ
ンジスタとを組み合わせた場合の画素の断面図の一例である。図６７（Ｂ）に示す画素構
造を液晶表示装置に適用することによって、原理的に視野角が大きく、応答速度の階調依
存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。

図６９（Ｂ）に示す画素構造の特徴について説明する。図６９（Ｂ）に示した液晶分子１
０３４８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子１０３４８の向きを示すた
め、図６９（Ｂ）においては、その長さによって表現している。すなわち、長く表現され
た液晶分子１０３４８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く表現された液晶分子
１０３４８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっているとする。つまり、図
６９（Ｂ）に示した液晶分子１０３４８は、その長軸の向きが常に基板と水平の方向を向
くように配向している。図６９（Ｂ）においては、電界のない状態における配向を表して
いるが、液晶分子１０３４８に電界がかかったときは、その長軸の向きが常に基板と水平
の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって、視野角の大き
い液晶表示装置を得ることができる。

なお、トランジスタとして、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタを用い
た場合について説明する。非晶質半導体を用いたトランジスタを用いた場合、大面積の基
板を用いて、安価に液晶表示装置を製造することができる。

液晶表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネル
は、加工を施した２枚の基板を、数マイクロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、
２枚の基板間に液晶材料を注入することで作製される。図６９（Ｂ）において、２枚の基
板は、第１の基板１０３３１及び第２の基板１０３４６である。第１の基板には、トラン
ジスタ及び画素電極が形成され、第２の基板には、遮光膜１０３４４、カラーフィルタ１
０３４５、スペーサ１０３４７、及び第２の配向膜１０３４２が形成されている。

なお、第２の基板１０３４６に遮光膜１０３４４が形成されていなくてもよい。遮光膜１
０３４４を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができ
る。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。一方、遮光膜１０３４
４を形成する場合は、黒表示時に光漏れの少ない表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３４６にカラーフィルタ１０３４５を形成されていなくてもよい。
カラーフィルタ１０３４５を形成しない場合は、工程数が減少するため、製造コストを低
減することができる。構造が簡単であるので、歩留まりの向上を図ることができる。ただ
し、カラーフィルタ１０３４５を形成しない場合でも、フィールドシーケンシャル駆動に
よってカラー表示ができる表示装置を得ることができる。一方、カラーフィルタ１０３４
５を形成する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。

なお、第２の基板１０３４６にスペーサ１０３４７の代わりに、球状のスペーサを散布し
てもよい。球状のスペーサを散布する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減
することができる。構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
スペーサ１０３４７を形成する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板
間の距離を一様にすることができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。

第１の基板１０３３１に施す加工について説明する。

まず、第１の基板１０３３１上に、第１の絶縁膜１０３３２がスパッタ法、印刷法又は塗
布法などによって成膜される。ただし、第１の絶縁膜１０３３２は成膜されていなくても
よい。第１の絶縁膜１０３３２は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、トラン
ジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の絶縁膜１０３３２上に、第１の導電層１０３３３がフォトリソグラフィ法、
レーザー直描法又はインクジェット法などによって形成される。

次に、第２の絶縁膜１０３３４がスパッタ法、印刷法又は塗布法などによって全面に成膜
されている。第２の絶縁膜１０３３４は、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、
トランジスタの性質が変化してしまうのを防ぐ機能を有する。

次に、第１の半導体層１０３３５及び第２の半導体層１０３３６が形成される。なお、第
１の半導体層１０３３５及び第２の半導体層１０３３６は連続して成膜され、同時にその
形状が加工される。

次に、第２の導電層１０３３７がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。なお、第２の導電層１０３３７の形状が加工されるとき
に行われるエッチング方法としては、ドライエッチングで行なうのが好適である。なお、
第２の導電層１０３３７としては、透明性を有する材料を用いてもよいし、反射性を有す
る材料を用いてもよい。

次に、トランジスタのチャネル領域を形成する。その工程の一例を説明する。第２の半導
体層１０３３６は、第２の導電層１０３３７をマスクとして用いてエッチングされる。あ
るいは、第２の導電層１０３３７の形状を加工するためのマスクを用いてエッチングされ
る。そして、第２の半導体層１０３３６が除去された部分の第１の導電層１０３３３がト
ランジスタとチャネル領域となる。こうすることで、マスク枚数を減らすことができるの
で、製造コストを低減することができる。

次に、第３の絶縁膜１０３３８が形成され、第３の絶縁膜１０３３８には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。

次に、第４の導電層１０３４３がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成されている。

次に、第４の絶縁膜１０３４９が形成され、第４の絶縁膜１０３４９には選択的にコンタ
クトホールが形成されている。なお、第４の絶縁膜１０３４９の表面は、できるだけ平坦
であることが好適である。なぜならば、液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が
影響を受けてしまうからである。

次に、第３の導電層１０３３９がフォトリソグラフィ法、レーザー直描法又はインクジェ
ット法などによって形成される。ここで、第３の導電層１０３３９の形状は、櫛歯状とす
る。

次に、第１の配向膜１０３４０が形成される。なお、第１の配向膜１０３４０を形成後、
液晶分子の配向を制御するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜
をこすることによって、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによっ
て、配向膜に配向性を持たせることができる。

以上のように作製した第１の基板１０３３１と、遮光膜１０３４４、カラーフィルタ１０
３４５、スペーサ１０３４７、及び第２の配向膜１０３４２を、シール材によって数マイ
クロメートルのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液晶材料を注入すること
で、液晶パネルが作製できる。

ここで、各導電層又は各絶縁膜に用いることができる材料について説明する。

図６５の第１の絶縁膜１０１０２、図６６（Ａ）の第１の絶縁膜１０２０２、図６６（Ｂ
）の第１の絶縁膜１０２３２、図６７（Ａ）の第１の絶縁膜１０３０２、図６７（Ｂ）の
第１の絶縁膜１０３３２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコ
ン膜（ＳｉＯｘＮｙ）等の絶縁膜を用いることができる。あるいは、第１の絶縁膜１０１
０２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）等の
うちの２つ以上の膜を組み合わせた積層構造の絶縁膜を用いることができる。

図６５の第１の導電層１０１０３、図６６（Ａ）の第１の導電層１０２０３、図６６（Ｂ
）の第１の導電層１０２３３、図６７（Ａ）の第１の導電層１０３０３、図６７（Ａ）の
第１の導電層１０３０３、図６７（Ｂ）の第１の導電層１０３３３としては、Ｍｏ、Ｔｉ
、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｒなどを用いることができる。あるいは、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃ
ｒなどのうちの２つ以上を組み合わせた積層構造を用いることもできる。

図６５の第２の絶縁膜１０１０４、図６６（Ａ）の第２の絶縁膜１０２０４、図６６（Ｂ
）の第２の絶縁膜１０２３４、図６７（Ａ）の第２の絶縁膜１０３０４、図６７（Ｂ）の
第２の絶縁膜１０３３４としては、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化
窒化シリコン膜などを用いることができる。あるいは、熱酸化膜、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜などのうち２以上を組み合わせた積層構造などを用い
ることができる。なお、半導体層と接する部分では、酸化シリコン膜であることが好まし
い。なぜなら、酸化シリコン膜にすると半導体層との界面におけるトラップ準位が少なく
なるからである。なお、Ｍｏと接する部分では、窒化シリコン膜であることが好ましい。
なぜなら、窒化シリコン膜はＭｏを酸化させないからである。

図６５の第１の半導体層１０１０５、図６６（Ａ）の第１の半導体層１０２０５、図６６
（Ｂ）の第１の半導体層１０２３５、図６７（Ａ）の第１の半導体層１０３０５、図６７
（Ｂ）の第１の半導体層１０３３５としては、シリコン又はシリコンゲルマニウム（Ｓｉ
Ｇｅ）などを用いることができる。

図６５の第２の半導体層１０１０６、図６６（Ａ）の第２の半導体層１０２０６、図６６
（Ｂ）の第２の半導体層１０２３６、図６７（Ａ）の第２の半導体層１０３０６、図６７
（Ｂ）の第２の半導体層１０３３６としては、リン等を含んだシリコン等を用いることが
できる。

図６５の第２の導電層１０１０７及び第３の導電層１０１０９、図６６（Ａ）の第２の導
電層１０２０７及び第３の導電層１０２０９、図６６（Ｂ）の第２の導電層１０２３７及
び第２の導電層１０２３９、図６７（Ａ）の第２の導電層１０３０７及び第２の導電層１
０３０９、もしくは図６７（Ｂ）の第２の導電層１０３３７、第２の導電層１０３３９及
び第４の導電層１０３４３の透明性を有する材料としては、酸化インジウムに酸化スズを
混ぜたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素
を混ぜたインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化インジウムに酸化亜鉛を混ぜた
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化亜鉛膜又は酸化スズ膜などを用いることができ
る。なお、ＩＺＯとは、ＩＴＯに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合させたター
ゲットを用いてスパッタリングにより形成される透明導電材料である。

図６５の第２の導電層１０１０７及び第３の導電層１０１０９、図６６（Ａ）の第２の導
電層１０２０７及び第３の導電層１０２０９、図６６（Ｂ）の第２の導電層１０２３７及
び第２の導電層１０２３９、図６７（Ａ）の第２の導電層１０３０７及び第２の導電層１
０３０９、もしくは図６７（Ｂ）の第２の導電層１０３３７、第２の導電層１０３３９及
び第４の導電層１０３４３の反射性を有する材料としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ
、Ａｌなどを用いることができる。あるいは、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、ＷとＡｌを積層
させた２層構造、ＡｌをＴｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗなどの金属で挟んだ３層積層構造と
してもよい。

図６５の第３の絶縁膜１０１０８、図６６（Ａ）の第３の絶縁膜１０２０８、図６６（Ｂ
）の第３の絶縁膜１０２３８、図６６（Ｂ）の第３の導電層１０２３９、図６７（Ａ）の
第３の絶縁膜１０３０８、図６７（Ｂ）の第３の絶縁膜１０３３８及び第４の絶縁膜１０
３４９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）ある
いは、低誘電率の有機化合物材料（感光性又は非感光性の有機樹脂材料）などを用いるこ
とができる。あるいは、シロキサンを含む材料を用いることもできる。なお、シロキサン
は、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料である。置換基
として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられ
る。あるいは、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。あるいは、置換基として、少な
くとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

図６５の第１の配向膜１０１１０、図６６（Ａ）の第１の配向膜１０２１０、図６６（Ｂ
）の第１の配向膜１０２４０、図６６（Ｂ）の第１の配向膜１０３１０、図６７（Ｂ）の
第１の配向膜１０３４０としては、ポリイミドなどの高分子膜を用いることができる。

次に、各液晶モードとトランジスタとを組み合わせた場合の画素構造について、画素の上
面図（レイアウト図）を参照して説明する。

なお、液晶モードとしては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉ
ｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。

なお、トランジスタとしては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリ
スタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体層を有す
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。

なお、トランジスタの構造としては、トップゲート型又はボトムゲート型などを用いるこ
とができる。ボトムゲート型のトランジスタとしては、チャネルエッチ型又はチャネル保
護型などを用いることができる。

図６８は、ＴＮ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図の一例である。
図６８に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、安価に液晶表示装置を製
造することができる。

図６８に示す画素は、走査線１０４０１と、映像信号線１０４０２と、容量線１０４０３
と、トランジスタ１０４０４と、画素電極１０４０５と、画素容量１０４０６と、を有し
ている。

走査線１０４０１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
４０２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０４
０１と映像信号線１０４０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０４０１と。映像信号線１０４０２との交差部に、半
導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０４０１と。映像信号線１０
４０２と交差容量を低減することができる。

容量線１０４０３は、画素電極１０４０５と平行に配置されている。容量線１０４０３と
画素電極１０４０５とが重なって配置されている部分が画素容量１０４０６となる。なお
、容量線１０４０３の一部は、映像信号線１０４０２に沿って、映像信号線１０４０２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０４０２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０４０３と映像信号線１０４０
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０４０３は、走査線１０４０１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０４０４は、映像信号線１０４０２と画素電極１０４０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０４０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０４０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０４０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０４０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０４０５は、トランジスタ１０４０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０４０５は、映像信号線１０４０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０４０５は、矩形であ
る。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができる。なお、画素電極１０４０
５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるい
は、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０４０５に
用いてもよい。

図６９（Ａ）は、ＭＶＡ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図の一例
である。図６９（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が
大きく、応答速度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６９（Ａ）に示す画素は、走査線１０５０１と、映像信号線１０５０２と、容量線１０
５０３と、トランジスタ１０５０４と、画素電極１０５０５と、画素容量１０５０６と、
配向制御用突起１０５０７と、を有する。

走査線１０５０１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
５０２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０５
０１と映像信号線１０５０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０５０１と。映像信号線１０５０２との交差部に、半
導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０５０１と。映像信号線１０
５０２と交差容量を低減することができる。

容量線１０５０３は、画素電極１０５０５と平行に配置されている。容量線１０５０３と
画素電極１０５０５とが重なって配置されている部分が画素容量１０５０６となる。なお
、容量線１０５０３の一部は、映像信号線１０５０２に沿って、映像信号線１０５０２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０５０２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０５０３と映像信号線１０５０
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０５０３は、走査線１０５０１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０５０４は、映像信号線１０５０２と画素電極１０５０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０５０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０５０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０５０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０５０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０５０５は、トランジスタ１０５０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５０５は、映像信号線１０５０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０５０５は、矩形であ
る。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができる。なお、画素電極１０５０
５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるい
は、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０５０５に
用いてもよい。

配向制御用突起１０５０７は、対向基板に形成されている。配向制御用突起１０５０７は
、液晶分子を放射状に配向させる機能を有する。なお、配向制御用突起１０５０７の形状
に限定はない。例えば、配向制御用突起１０５０７の形状は、くの字型となっていてもよ
い。こうすることで、液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野
角の向上を図ることができる。

図６９（Ｂ）は、ＰＶＡ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図の一例
である。図６９（Ｂ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、視野角が
大きく、応答速度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得ることができる。

図６９（Ｂ）に示す画素は、走査線１０５１１と、映像信号線１０５１２と、容量線１０
５１３と、トランジスタ１０５１４と、画素電極１０５１５と、画素容量１０５１６と、
電極切り欠き部１０５１７、を有する。

走査線１０５１１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
５１２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０５
１１と映像信号線１０５１２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０５１１と。映像信号線１０５１２との交差部に、半
導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０５１１と。映像信号線１０
５１２と交差容量を低減することができる。

容量線１０５１３は、画素電極１０５１５と平行に配置されている。容量線１０５１３と
画素電極１０５１５とが重なって配置されている部分が画素容量１０５１６となる。なお
、容量線１０５１３の一部は、映像信号線１０５１２に沿って、映像信号線１０５１２を
囲むように延設されている。こうすることで、クロストークを低減することができる。ク
ロストークとは、映像信号線１０５１２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の
電位が変化してしまう現象のことである。なお、容量線１０５１３と映像信号線１０５１
２との間に半導体層を配置することによって、交差容量を低減することができる。なお、
容量線１０５１３は、走査線１０５１１と同様な材料で構成されている。

トランジスタ１０５１４は、映像信号線１０５１２と画素電極１０５１５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０５１４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０５１４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０５１４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０５１４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０５１５は、トランジスタ１０５１４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５１５は、映像信号線１０５１２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０５１５は、電極切り
欠き部１０５１７の形状に合わせた形状である。具体的には、電極切り欠き部１０５１７
のない部分に、画素電極１０５１５を切り欠いた部分を形成したような形状である。こう
することで、液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野角の向上
を図ることができる。なお、画素電極１０５１５としては、透明性を有する材料又は反射
性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反射性を有する
材料とを組み合わせて、画素電極１０５１５に用いてもよい。

図７０（Ａ）は、ＩＰＳ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図の一例
である。図７０（Ａ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、原理的に
視野角が大きく、応答速度の階調依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。

図７０（Ａ）に示す画素は、走査線１０６０１と、映像信号線１０６０２と、共通電極１
０６０３と、トランジスタ１０６０４と、画素電極１０６０５と、を有する。

走査線１０６０１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
６０２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０６
０１と映像信号線１０６０２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０６０１と映像信号線１０６０２との交差部に、半導
体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０６０１と。映像信号線１０６
０２と交差容量を低減することができる。なお、映像信号線１０６０２は、画素電極１０
６０５の形状に合わせて形成されている。

共通電極１０６０３は、画素電極１０６０５と平行に配置されている。共通電極１０６０
３は、横方向の電界を発生させるための電極である。なお、共通電極１０６０３の形状は
、屈曲した櫛歯状である。なお、共通電極１０６０３の一部は、映像信号線１０６０２に
沿って、映像信号線１０６０２を囲むように延設されている。こうすることで、クロスト
ークを低減することができる。クロストークとは、映像信号線１０６０２の電位変化に伴
って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象のことである。なお、共通電
極１０６０３と映像信号線１０６０２との間に半導体層を配置することによって、交差容
量を低減することができる。なお、共通電極１０６０３の走査線１０６０１と平行に配置
されている部分では、走査線１０６０１と同様な材料で構成されている。共通電極１０６
０３の画素電極１０６０５と平行に配置されている部分では、画素電極１０６０５と同様
な材料で構成されている。

トランジスタ１０６０４は、映像信号線１０６０２と画素電極１０６０５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０６０４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０６０４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０６０５は、トランジスタ１０６０４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５０５は、映像信号線１０６０２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０６０５の形状は、屈
曲した櫛歯状の形状である。こうすることで、液晶分子に横電界をかけることができる。
液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。視野角の向上を図ることが
できる。なお、画素電極１０６０５としては、透明性を有する材料又は反射性を有する材
料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反射性を有する材料とを組み
合わせて、画素電極１０６０５に用いてもよい。

なお、共通電極１０６０３のうち櫛歯状の部分と画素電極１０６０５とは、別々の導電層
で形成されていてもよい。例えば、共通電極１０６０３のうち櫛歯状の部分は、走査線１
０６０１又は映像信号線１０６０２と同じ導電層で形成されていてもよい。同様に、画素
電極１０６０５は、走査線１０６０１又は映像信号線１０６０２と同じ導電層で形成され
ていてもよい。

図７０（Ｂ）は、ＦＦＳ方式とトランジスタとを組み合わせた場合の画素の上面図である
。図７０（Ｂ）に示す画素構造を液晶表示装置に適用することによって、原理的に視野角
が大きく、応答速度の階調依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。

図７０（Ｂ）に示す画素は、走査線１０６１１と、映像信号線１０６１２と、共通電極１
０６１３と、トランジスタ１０６１４と、画素電極１０６１５と、を備えていてもよい。

走査線１０６１１は、信号（走査信号）を画素に伝達する機能を有する。映像信号線１０
６１２は、信号（映像信号）を画素に伝達するための機能を有する。なお、走査線１０６
１１と映像信号線１０６１２とは、マトリックス状に配置されるため、異なる層の導電層
で形成されている。なお、走査線１０６１１と。映像信号線１０６１２との交差部に、半
導体層が配置されていてもよい。こうすることで、走査線１０６１１と。映像信号線１０
６１２と交差容量を低減することができる。なお、映像信号線１０６１２は、画素電極１
０６１５の形状に合わせて形成されている。

共通電極１０６０１３は、画素電極１０６１５の下部、及び画素電極１０６１５と画素電
極１０６１５との間の下部に一様に形成されている。なお、共通電極１０６０１３として
は、透明性を有する材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明
性を有する材料と反射性を有する材料とを組み合わせて、共通電極１０６０１３に用いて
もよい。

トランジスタ１０６１４は、映像信号線１０６１２と画素電極１０６１５を導通させるス
イッチとしての機能を有する。なお、トランジスタ１０６０４のソース領域及びドレイン
領域の一方は、トランジスタ１０６１４のソース領域及びドレイン領域の他方に囲まれる
ように配置されている。こうすることで、トランジスタ１０６１４のチャネル幅が大きく
なるため、スイッチング能力の向上を図ることができる。なお、トランジスタ１０６１４
のゲート電極は、半導体層を囲むように配置されている。

画素電極１０６１５は、トランジスタ１０６１４のソース電極及びドレイン電極の一方に
電気的に接続される。画素電極１０５１５は、映像信号線１０６１２によって伝達された
信号電圧を液晶素子に与えるための電極である。なお、画素電極１０６１５の形状は、屈
曲した櫛歯状の形状である。こうすることで、液晶分子に横電界をかけることができる。
なお、櫛歯状の画素電極１０６１５は、共通電極１０６１３の一様な部分よりも液晶層に
近いところに配置される。液晶分子の配向が異なる複数の領域を形成することができる。
視野角の向上を図ることができる。なお、画素電極１０６１５としては、透明性を有する
材料又は反射性を有する材料を用いることができる。あるいは、透明性を有する材料と反
射性を有する材料とを組み合わせて、画素電極１０６１５に用いてもよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１４）
本実施の形態では、液晶セル（液晶パネルともいう）の作製工程を説明する。

液晶の充填方法として真空注入法を用いた場合の液晶セルの作製工程について、図７１（
Ａ）乃至（Ｅ）、及び図７２（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して説明する。

図７２（Ｃ）は、液晶セルを示す断面図である。第１の基板７０１０１と第２の基板７０
１０７とが、スペーサ７０１０６及びシール材７０１０５を介して貼り付けられている。
そして、液晶７０１０９が第１の基板７０１０１と第２の基板７０１０７との間に配置さ
れている。なお、配向膜７０１０２が第１の基板７０１０１上に形成され、配向膜７０１
０８が第２の基板７０１０７上に形成されている。

第１の基板７０１０１には、複数の画素がマトリクス状に形成されている。そして、複数
の画素それぞれは、トランジスタを有していてもよい。なお、第１の基板７０１０１をＴ
ＦＴ基板、アレイ基板、ＴＦＴアレイ基板と呼んでもよい。第１の基板７０１０１として
は、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロ
ファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロ
ン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン
、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ス
テンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの
動物の皮膚（皮表、真皮）又は皮下組織を基板として用いてもよい。ただし、これに限定
されず、様々なものを用いることができる。

第２の基板７０１０７には、共通電極、カラーフィルタ、ブラックマトリクスなどが形成
されている。なお、第２の基板７０１０７を対向基板又はカラーフィルタ基板と呼んでも
よい。

配向膜７０１０２は、液晶分子を一定方向に配向させる機能を有する。配向膜７０１０２
としては、ポリイミド樹脂などを用いることができる。ただし、これに限定されず、様々
なものを用いることができる。なお、配向膜７０１０８は、配向膜７０１０２と同様であ
る。

シール材７０１０５は、液晶７０１０９が漏れないように、第１の基板７０１０１と第２
の基板７０１０７を接着する機能を有する。つまり、封止材として機能する。

スペーサ７０１０６は、第１の基板７０１０１と第２の基板７０１０７との間の空間（液
晶のセルギャップ）を一定に保つための機能を有する。スペーサ７０１０６としては、粒
状スペーサ又は柱状スペーサを用いることができる。粒状スペーサとしては、ファイバ状
のものと球状のもとがある。そして、粒状スペーサの材料としては、プラスチック又はガ
ラスなどがある。なお、プラスチックで形成された球状スペーサは、プラスチックビーズ
と呼ばれ、広く利用されている。なお、ガラスで形成されたファイバ状のスペーサは、ガ
ラスファイバと呼ばれ、シール材に混入されて利用される。

図７１（Ａ）は、第１の基板７０１０１上に配向膜７０１０２を形成する工程を示した断
面図である。配向膜７０１０２は、ローラ７０１０３を用いたローラーコート法によって
第１の基板７０１０１上に形成される。ただし、第１の基板７０１０１上に配向膜７０１
０２を形成する方法としては、ローラーコート法の他に、オフセット印刷法、ディップコ
ート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコ
ート法、エクストルージョンコート法などを用いることができる。その後、仮焼成、本焼
成が配向膜７０１０２に順に施される。

図７１（Ｂ）は、配向膜７０１０２にラビング処理を施す工程を示した断面図である。ラ
ビング処理は、ドラムに布を巻きつけたラビング用ローラ７０１０４を回転させて配向膜
７０１０２を擦ることによって行われる。このラビング処理が配向膜７０１０２に施され
ると、液晶分子を一定方向に配向させるための溝が、配向膜７０１０２に形成される。た
だし、これに限定されず、イオンビームを用いて配向膜に溝を形成してもよい。その後、
水洗浄処理が第１の基板７０１０１に施される。こうすることで、第１の基板７０１０１
の表面の異物又は汚れなどを除去することができる。

なお、図示はしないが、第１の基板７０１０１と同様に、配向膜７０１０８が第２の基板
７０１０７に形成され、ラビング処理が配向膜７０１０８に施される。ただし、これに限
定されず、イオンビームを用いて配向膜に溝を形成してもよい。

図７１（Ｃ）は、シール材７０１０５を配向膜７０１０２上に形成する工程を示した断面
図である。シール材７０１０５は描画装置又はスクリーン印刷などによって塗布され、シ
ールパターンが形成される。このシールパターンは第１の基板７０１０１の外周に沿って
形成され、シールパターンの一部に液晶注入口が設けられている。そして、仮止め用のＵ
Ｖ樹脂が第１の基板７０１０１の表示領域外にディスペンサなどでスポット塗布される。

なお、シール材７０１０５は、第２の基板７０１０７に形成されてもよい。

図７１（Ｄ）は、スペーサ７０１０６を第１の基板７０１０１に散布する工程を示した断
面図である。スペーサ７０１０６は、圧縮された気体とともにのノズルから噴出して散布
される（乾式散布）。あるいは、スペーサ７０１０６は、揮発性の液体に混合され、この
液体を噴路露するようにして散布される（湿式散布）。このような乾式散布又は湿式散布
によって、スペーサ７０１０６を第１の基板７０１０１に均一に散布することができる。

ここで、スペーサ７０１０６として、球状の粒状スペーサを用いた場合について説明した
。ただし、これに限定されず、柱状スペーサを用いることもできる。柱状スペーサは、第
１の基板７０１０１に形成されていてもよいし、第２の基板７０１０７に形成されていて
もよい。あるいは、スペーサの一部が第１の基板７０１０１に形成され、残りが第２の基
板７０１０７に形成されていてもよい。

なお、スペーサがシール材の中に混入していてもよい。こうすることで、液晶のセルギャ
ップを一定に保ちやすくできる。

図７１（Ｅ）は、第１の基板７０１０１と第２の基板７０１０７とを張り合わせる工程を
示した断面図である。第１の基板７０１０１と第２の基板７０１０７とは、大気中で張り
合わされる。そして、第１の基板７０１０１と第２の基板７０１０７と間のギャップが一
定となるように、両基板が加圧される。その後、紫外線照射又は熱処理がシール材７０１
０５に施されることによって、シール材７０１０５が硬化する。

図７２（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶を充填する工程を示した上面図である。第１の基板７０
１０１と第２の基板７０１０７とが張り合わされたセル（空セルともいう）が真空槽内に
入れられる。その後、真空槽内が減圧された後に、空セルの液晶注入口７０１１３が液晶
に浸漬される。そして、真空槽内が大気に開放されると、液晶７０１０９が差圧と毛細管
現象によって空セル内に充填される。

必要な量の液晶７０１０９が空セルに充填されると、液晶注入口が樹脂７０１１０によっ
て封口される。そして、空セルに余分に付着した液晶が洗浄される。その後、アニール処
理によって、再配向処理が液晶７０１０９に施される。こうして、液晶セルが完成する。

次に、液晶の充填方法として滴下法を用いた場合の液晶セルの作製工程について、図７３
（Ａ）乃至（Ｄ）、及び図７４（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して説明する。

図７４（Ｃ）は、液晶セルを示す断面図である。第１の基板７０３０１と第２の基板７０
３０７とが、スペーサ７０３０６及びシール材７０３０５を介して貼り付けられている。
そして、液晶７０３０９が第１の基板７０３０１と第２の基板７０３０７との間に配置さ
れている。なお、配向膜７０３０２が第１の基板７０３０１上に形成され、配向膜７０３
０８が第２の基板７０３０７上に形成されている。

第１の基板７０３０１には、複数の画素がマトリクス状に形成されている。そして、複数
の画素それぞれは、トランジスタを有していてもよい。なお、第１の基板７０３０１をＴ
ＦＴ基板、アレイ基板、ＴＦＴアレイ基板と呼んでもよい。第１の基板７０３０１として
は、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロ
ファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロ
ン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン
、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ス
テンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの
動物の皮膚（皮表、真皮）又は皮下組織を基板として用いてもよい。ただし、これに限定
されず、様々なものを用いることができる。

第２の基板７０３０７には、共通電極、カラーフィルタ、ブラックマトリクスなどが形成
されている。なお、第２の基板７０３０７を対向基板又はカラーフィルタ基板と呼んでも
よい。

配向膜７０３０２は、液晶分子を一定方向に配向させる機能を有する。配向膜７０３０２
としては、ポリイミド樹脂などを用いることができる。ただし、これに限定されず、様々
なものを用いることができる。なお、配向膜７０３０８は、配向膜７０３０２と同様であ
る。

シール材７０３０５は、液晶７０３０９が漏れないように、第１の基板７０３０１と第２
の基板７０３０７を接着する機能を有する。つまり、封止材として機能する。

スペーサ７０３０６は、第１の基板７０３０１と第２の基板７０３０７との間の空間（液
晶のセルギャップ）を一定に保つための機能を有する。スペーサ７０３０６としては、粒
状スペーサ又は柱状スペーサを用いることができる。粒状スペーサとしては、ファイバ状
のものと球状のもとがある。そして、粒状スペーサの材料としては、プラスチック又はガ
ラスなどがある。なお、プラスチックで形成された球状スペーサは、プラスチックビーズ
と呼ばれ、広く利用されている。なお、ガラスで形成されたファイバ状のスペーサは、ガ
ラスファイバと呼ばれ、シール材に混入されて利用される。

図７３（Ａ）は、第１の基板７０３０１上に配向膜７０３０２を形成する工程を示した断
面図である。配向膜７０３０２は、ローラ７０３０３を用いたローラーコート法によって
第１の基板７０３０１上に形成される。ただし、第１の基板７０３０１上に配向膜７０３
０２を形成する方法としては、ローラーコート法の他に、オフセット印刷法、ディップコ
ート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコ
ート法、エクストルージョンコート法などを用いることもできる。その後、仮焼成、本焼
成が配向膜７０３０２に順に施される。

図７３（Ｂ）は、配向膜７０３０２にラビング処理を施す工程を示した断面図である。ラ
ビング処理は、ドラムに布を巻きつけたラビング用ローラ７０３０４を回転させて配向膜
７０３０２を擦ることによって行われる。このラビング処理が配向膜７０３０２に施され
ると、液晶分子を一定方向に配向させるための溝が、配向膜７０３０２に形成される。た
だし、これに限定されず、イオンビームを用いて配向膜に溝を形成してもよい。その後、
水洗浄処理が第１の基板７０３０１に施される。こうすることで、第１の基板７０３０１
の表面の異物又は汚れなどを除去することができる。

なお、図示はしないが、第１の基板７０３０１と同様に、配向膜７０３０８が第２の基板
７０３０７に形成され、ラビング処理が配向膜７０３０８に施される。ただし、これに限
定されず、イオンビームを用いて配向膜に溝を形成してもよい。

図７３（Ｃ）は、シール材７０３０５を配向膜７０３０２上に形成する工程を示した断面
図である。シール材７０３０５は描画装置又はスクリーン印刷などによって塗布され、シ
ールパターンが形成される。このシールパターンは第１の基板７０３０１の外周に沿って
形成される。ここで、シール材７０３０５は、ラジカル型のＵＶ樹脂又はカチオン型のＵ
Ｖ樹脂を用いる。そして、導電性樹脂がスポット的にディスペンサで塗布される。

なお、シール材７０３０５は、第２の基板７０３０７に形成されてもよい。

図７３（Ｄ）は、スペーサ７０３０６を第１の基板７０３０１に散布する工程を示した断
面図である。スペーサ７０３０６は、圧縮された気体とともにのノズルから噴出して散布
される（乾式散布）。あるいは、スペーサ７０３０６は、揮発性の液体に混合され、この
液体を噴路露するようにして散布される（湿式散布）。このような乾式散布又は湿式散布
によって、スペーサ７０３０６を第１の基板７０３０１に均一に散布することができる。

ここで、スペーサ７０３０６として、球状の粒状スペーサを用いた場合について説明した
。ただし、これに限定されず、柱状スペーサを用いることもできる。柱状スペーサは、第
１の基板７０３０１に形成されていてもよいし、第２の基板７０３０７に形成されていて
もよい。あるいは、スペーサの一部が第１の基板７０３０１に形成され、残りが第２の基
板７０３０７に形成されていてもよい。

なお、スペーサがシール材の中に混入していてもよい。こうすることで、液晶のセルギャ
ップを一定に保ちやすくできる。

図７４（Ａ）は、液晶７０３０９を滴下する工程を示した断面図である。脱泡処理が液晶
７０３０９に施された後に、液晶７０３０９がシール材７０３０５の内側に滴下される。

なお、図７４（Ｂ）は、液晶７０３０９を滴下した後の上面図である。シール材７０３０
５が第１の基板７０３０１の外周に沿って形成されているため、液晶７０３０９が漏れる
ことはない。

図７４（Ｃ）は、第１の基板７０３０１と第２の基板７０３０７とを張り合わせる工程を
示した断面図である。第１の基板７０３０１と第２の基板７０３０７とは、真空槽内で張
り合わされる。そして、第１の基板７０３０１と第２の基板７０３０７と間のギャップが
一定となるように、両基板が加圧される。その後、紫外線照射がシール材７０３０５に施
されることによって、シール材７０３０５が硬化する。ここで、表示部をマスクで隠して
、紫外線照射をシール材７０３０５に施すことが望ましい。なぜなら、液晶７０３０９が
紫外線によって劣化することを防止できるからである。その後、アニール処理によって、
再配向処理が液晶７０３０９に施される。こうして、液晶セルが完成する。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１５）
本実施の形態においては、表示装置の画素の構成及び画素の動作について説明する。

図７５（Ａ）、（Ｂ）は、デジタル時間階調駆動の一例を示すタイミングチャートである
。図７５（Ａ）のタイミングチャートは、画素への信号書き込み期間（アドレス期間）と
発光期間（サステイン期間）とが分離されている場合の駆動方法を示す。

なお、１表示領域分の画像を完全に表示するための期間を１フレーム期間という。１フレ
ーム期間は複数のサブフレーム期間を有し、１サブフレーム期間はアドレス期間とサステ
イン期間とを有する。アドレス期間Ｔａ１〜Ｔａ４は、全行分の画素への信号書き込みに
かかかる時間を示し、期間Ｔｂ１〜Ｔｂ４は一行分の画素（又は一画素分）への信号書き
込みにかかる時間を示している。サステイン期間Ｔｓ１〜Ｔｓ４は、画素へ書き込まれた
ビデオ信号にしたがって点灯又は非点灯状態を維持する時間を示し、その長さの比をＴｓ
１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：Ｔｓ４＝２^３：２^２：２^１：２^０＝８：４：２：１としている。ど
のサステイン期間で発光するかによって階調を表現している。

動作について説明する。まず、アドレス期間Ｔａ１において、１行目から順に走査線に画
素選択信号が入力され、画素が選択される。そして、画素が選択されているときに、信号
線から画素へビデオ信号が入力される。そして、画素にビデオ信号が書き込まれると、画
素は再び信号が入力されるまでその信号を保持する。この書き込まれたビデオ信号によっ
てサステイン期間Ｔｓ１における各画素の点灯、非点灯が制御される。同様に、アドレス
期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４において画素へビデオ信号が入力され、そのビデオ信号によ
ってサステイン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４における各画素の点灯、非点灯が制御される
。そして、それぞれのサブフレーム期間において、アドレス期間中は点灯せず、アドレス
期間が終了した後、サステイン期間が始まり、点灯させるための信号が書き込まれている
画素が点灯する。

ここで、図７５（Ｂ）を参照して、ｉ行目の画素行に着目して説明する。まず、アドレス
期間Ｔａ１において、１行目から順に走査線に画素選択信号が入力され、アドレス期間Ｔ
ａ１のうち期間Ｔｂ１（ｉ）においてｉ行目の画素が選択される。そして、ｉ行目の画素
が選択されているときに、信号線からｉ行目の画素へビデオ信号が入力される。そして、
ｉ行目の画素にビデオ信号が書き込まれると、ｉ行目の画素は再び信号が入力されるまで
その信号を保持する。この書き込まれたビデオ信号によってサステイン期間Ｔｓ１におけ
るｉ行目の画素の点灯、非点灯が制御される。同様に、アドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔ
ａ４においてｉ行目の画素へビデオ信号が入力され、そのビデオ信号によってサステイン
期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４におけるｉ行目の画素の点灯、非点灯が制御される。そして
、それぞれのサブフレーム期間において、アドレス期間中は点灯せず、アドレス期間が終
了した後、サステイン期間が始まり、点灯させるための信号が書き込まれている画素が点
灯する。

なお、ここでは４ビット階調を表現する場合について説明したが、ビット数及び階調数は
これに限定されない。なお、点灯の順番はＴｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４である必要は
なく、ランダムでもよいし、複数に分割して発光をさせてもよい。なお、Ｔｓ１、Ｔｓ２
、Ｔｓ３、Ｔｓ４の点灯時間は、２のべき乗にする必要はなく、同じ長さの点灯時間にし
てもよいし、２のべき乗からすこしだけずらしてもよい。

続いて、画素への信号書き込み期間（アドレス期間）と発光期間（サステイン期間）とが
分離されていない場合の駆動方法について説明する。つまり、ビデオ信号の書き込み動作
が完了した行の画素は、次に画素へ信号の書き込み（又は消去）が行われるまで、信号を
保持する。書き込み動作から次にこの画素へ信号の書き込みが行われるまでの期間をデー
タ保持時間という。そして、このデータ保持時間中は画素に書き込まれたビデオ信号に従
って、画素が点灯又は非点灯となる。同じ動作が、最終行まで行われ、アドレス期間が終
了する。そして、データ保持時間が終了した行から順に次のサブフレーム期間の信号書き
込み動作へ移る。

このように、信号書き込み動作が完了しデータ保持時間となると、直ちに画素へ書き込ま
れたビデオ信号に従って画素が点灯又は非点灯となる駆動方法の場合には、データ保持時
間をアドレス期間より短くしようとしても、同時に２行に信号を入力できないため、アド
レス期間を重ならないようにしなければならないので、データ保持時間を短くすることが
できない。よって、その結果、高階調表示を行うことが困難になる。

よって、消去期間を設けることによって、アドレス期間より短いデータ保持時間を設定す
る。消去期間を設けアドレス期間より短いデータ保持時間を設定する場合の駆動方法につ
いて図７６（Ａ）を用いて説明する。

まず、アドレス期間Ｔａ１において、１行目から順に走査線に画素走査信号が入力され、
画素が選択される。そして、画素が選択されているときに、信号線から画素へビデオ信号
が入力される。そして、画素にビデオ信号が書き込まれると、画素は再び信号が入力され
るまでその信号を保持する。この書き込まれたビデオ信号によってサステイン期間Ｔｓ１
における各画素の点灯、非点灯が制御される。ビデオ信号の書き込み動作が完了した行に
おいては、直ちに書き込まれたビデオ信号にしたがって、画素が点灯又は非点灯の状態と
なる。同じ動作が、最終行まで行われ、アドレス期間Ｔａ１が終了する。そして、データ
保持時間が終了した行から順に次のサブフレーム期間の信号書き込み動作へ移る。同様に
、アドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４において画素へビデオ信号が入力され、そのビデ
オ信号によってサステイン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４における各画素の点灯、非点灯が
制御される。そして、サステイン期間ＴＳ４はその終期を消去動作の開始によって設定さ
れる。なぜなら、各行の消去時間Ｔｅに画素に書き込まれた信号の消去が行われると、次
の画素への信号の書き込みが行われるまでは、アドレス期間に画素に書き込まれたビデオ
信号に関わらず、強制的に非点灯となるからである。つまり、消去時間Ｔｅが始まった行
の画素からデータ保持時間が終了する。

ここで、図７６（Ｂ）を参照して、ｉ行目の画素行に着目して説明する。ｉ行目の画素行
において、アドレス期間Ｔａ１において、１行目から順に走査線に画素走査信号が入力さ
れ、画素が選択される。そして、期間Ｔｂ１（ｉ）においてｉ行目の画素が選択されてい
るときに、ｉ行目の画素にビデオ信号が入力される。そして、ｉ行目の画素にビデオ信号
が書き込まれると、ｉ行目の画素は再び信号が入力されるまでその信号を保持する。この
書き込まれたビデオ信号によって、サステイン期間Ｔｓ１（ｉ）におけるｉ行目の画素の
点灯、非点灯が制御される。つまり、ｉ行目にビデオ信号の書き込み動作が完了したら、
直ちに書き込まれたビデオ信号にしたがって、ｉ行目の画素が点灯又は非点灯の状態とな
る。同様に、アドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４においてｉ行目の画素へビデオ信号が
入力され、そのビデオ信号によってサステイン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４におけるｉ行
目の画素の点灯、非点灯が制御される。そして、サステイン期間Ｔｓ４（ｉ）はその終期
を消去動作の開始によって設定される。なぜなら、ｉ行目の消去時間Ｔｓ（ｉ）にｉ行目
の画素に書き込まれたビデオ信号に関わらず、強制的に非点灯となるからである。つまり
、消去時間Ｔｅ（ｉ）が始まるとｉ行目の画素のデータ保持時間が終了する。

よって、アドレス期間とサステイン期間とを分離せずに、アドレス期間より短い高階調且
つデューティー比（１フレーム期間中の点灯期間の割合）の高い表示装置を提供すること
ができる。瞬間輝度を低くすることが可能であるため表示素子の信頼性の向上を図ること
が可能である。

なお、ここでは４ビット階調を表現する場合について説明したが、ビット数及び階調数は
これに限定されない。また、点灯の順番はＴｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４である必要は
なく、ランダムでもよいし、複数に分割して発光をしてもよい。また、Ｔｓ１、Ｔｓ２、
Ｔｓ３、Ｔｓ４の点灯時間は、２のべき乗にする必要はなく、同じ長さの点灯時間にして
もよいし、２のべき乗からすこしだけずらしてもよい。

デジタル時間階調駆動を適用可能な画素の構成及び画素の動作について説明する。

図７７は、デジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。

画素８０３００は、スイッチング用トランジスタ８０３０１、駆動用トランジスタ８０３
０２、発光素子８０３０４及び容量素子８０３０３を有している。スイッチング用トラン
ジスタ８０３０１はゲートが走査線８０３０６に接続され、第１電極（ソース電極及びド
レイン電極の一方）が信号線８０３０５に接続され、第２電極（ソース電極及びドレイン
電極の他方）が駆動用トランジスタ８０３０２のゲートに接続されている。駆動用トラン
ジスタ８０３０２は、ゲートが容量素子８０３０３を介して電源線８０３０７に接続され
、第１電極が電源線８０３０７に接続され、第２電極が発光素子８０３０４の第１電極（
画素電極）に接続されている。発光素子８０３０４の第２電極は共通電極８０３０８に相
当する。

なお、発光素子８０３０４の第２電極（共通電極８０３０８）には低電源電位が設定され
ている。なお、低電源電位とは、電源線８０３０７に設定される高電源電位を基準にして
低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖな
どが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子８０３０
４に印加して、発光素子８０３０４に電流を流して発光素子８０３０４を発光させるため
、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子８０３０４の順方向しきい値電圧以上と
なるようにそれぞれの電位を設定する。

なお、容量素子８０３０３は駆動用トランジスタ８０３０２のゲート容量を代用して省略
することも可能である。駆動用トランジスタ８０３０２のゲート容量については、ソース
領域、ドレイン領域又はＬＤＤ領域などとゲート電極とが重なってオーバーラップしてい
るような領域で容量が形成されていてもよいし、チャネル領域とゲート電極との間で容量
が形成されていてもよい。

走査線８０３０６で画素が選択されているとき、つまりスイッチング用トランジスタ８０
３０１がオンになっているときに信号線８０３０５から画素にビデオ信号が入力される。
そして、ビデオ信号に相当する電圧分の電荷が容量素子８０３０３に蓄積され、容量素子
８０３０３はその電圧を保持する。この電圧は駆動用トランジスタ８０３０２のゲートと
第１電極間の電圧であり、駆動用トランジスタ８０３０２のゲートソース間電圧Ｖｇｓに
相当する。

一般に、トランジスタの動作領域は、線形領域と飽和領域とに分けることが出来る。その
境目は、ドレイン・ソース間電圧をＶｄｓ、ゲートソース間電圧をＶｇｓ、しきい値電圧
をＶｔｈとすると、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＝Ｖｄｓの時になる。（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＞Ｖｄ
ｓの場合は、線形領域であり、Ｖｄｓ、Ｖｇｓの大きさによって電流値が決まる。一方、
（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）＜Ｖｄｓの場合は飽和領域になり、理想的には、Ｖｄｓが変化しても
、電流値はほとんど変わらない。つまり、Ｖｇｓの大きさだけによって電流値が決まる。

ここで、電圧入力電圧駆動方式の場合には、駆動用トランジスタ８０３０２のゲートには
、駆動用トランジスタ８０３０２が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるよ
うなビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ８０３０２は線形領域で動作さ
せる。

よって、駆動用トランジスタ８０３０２がオンするビデオ信号であるときには、理想的に
は電源線８０３０７に設定されている電源電位ＶＤＤをそのまま発光素子８０３０４の第
１の電極に設定する。

つまり、理想的には発光素子８０３０４に印加する電圧を一定にし、発光素子８０３０４
から得られる輝度を一定にする。そして、１フレーム期間内に複数のサブフレーム期間を
設け、サブフレーム期間毎に画素へのビデオ信号の書き込みを行い、サブフレーム期間毎
に画素の点灯又は非点灯を制御し、その点灯しているサブフレーム期間の合計によって、
階調を表現する。

なお、駆動用トランジスタ８０３０２が飽和領域で動作するようなビデオ信号を入力する
ことで、発光素子８０３０４に電流を流すことができる。発光素子８０３０４が電流に応
じて輝度を決定するような素子であれば、発光素子８０３０４の劣化による輝度の低下を
抑制することができる。さらに、ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子８０３０
４にビデオ信号に応じた電流を流すことができる。この場合、アナログ階調駆動を行うこ
とができる。

図７８は、デジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。

画素８０４００は、スイッチング用トランジスタ８０４０１、駆動用トランジスタ８０４
０２、容量素子８０４０３、発光素子８０４０４及び整流素子８０４０９を有している。
スイッチング用トランジスタ８０４０１はゲートが第２の走査線８０４０６に接続され、
第１電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）が信号線８０４０５に接続され、第２電
極（ソース電極及びドレイン電極の他方）が駆動用トランジスタ８０４０２のゲートに接
続されている。駆動用トランジスタ８０４０２は、ゲートが容量素子８０４０３を介して
電源線８０４０７に接続され、ゲートが整流素子８０３０９を介して第２の走査線８０４
１０に接続され、第１電極が電源線８０４０７に接続され、第２電極が発光素子８０４０
４の第１電極（画素電極）に接続されている。発光素子８０４０４の第２電極は共通電極
８０４０８に相当する。

なお、発光素子８０４０４の第２電極（共通電極８０４０８）には低電源電位が設定され
ている。なお、低電源電位とは、電源線８０４０７に設定される高電源電位を基準にして
低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖな
どが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子８０４０
４に印加して、発光素子８０４０４に電流を流して発光素子８０４０４を発光させるため
、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子８０４０４の順方向しきい値電圧以上と
なるようにそれぞれの電位を設定する。

なお、容量素子８０４０３は駆動用トランジスタ８０４０２のゲート容量を代用して省略
することも可能である。駆動用トランジスタ８０４０２のゲート容量については、ソース
領域、ドレイン領域又はＬＤＤ領域などとゲート電極とが重なってオーバーラップしてい
るような領域で容量が形成されていてもよいし、チャネル領域とゲート電極との間で容量
が形成されていてもよい。

なお、整流素子８０４０９として、ダイオード接続したトランジスタを用いることが可能
である。ダイオード接続したトランジスタの他にも、ＰＮ接合のダイオード、ＰＩＮ接合
のダイオード、ショットキー型のダイオード又はカーボンナノチューブで形成されたダイ
オードなどを用いてもよい。ダイオード接続されたトランジスタの極性は、Ｎチャネル型
でもよいし、Ｐチャネル型でもよい。

画素８０４００は、図７７に示した画素に、整流素子８０４０９と第２の走査線８０４１
０を追加したものである。よって、図７８に示すスイッチング用トランジスタ８０４０１
、駆動用トランジスタ８０４０２、容量素子８０４０３、発光素子８０４０４、信号線８
０４０５、第１の走査線８０４０６、電源線８０４０７及び共通電極８０４０８は、それ
ぞれ図７７に示したスイッチング用トランジスタ８０３０１、駆動用トランジスタ８０３
０２、容量素子８０３０３、発光素子８０３０４、信号線８０３０５、走査線８０３０６
、電源線８０３０７及び共通電極８０３０８に相当する。したがって、図７８の書き込み
の動作及び発光動作は、図７７で説明した書き込みの動作及び発光動作と同様であるため
、その説明を省略する。

消去動作について説明する。消去動作時には、第２の走査線８０４１０にＨレベルの信号
を入力する。すると、整流素子８０４０９に電流が流れ、容量素子８０４０３によって保
持されていた駆動用トランジスタ８０４０２のゲート電位をある電位に設定することがで
きる。つまり、駆動用トランジスタ８０４０２のゲートの電位を、ある電位に設定し、画
素へ書き込まれたビデオ信号に関わらず、駆動用トランジスタ８０４０２を強制的にオフ
することができる。

なお、第２の走査線８０４１０に入力するＬレベルの信号は、画素に非点灯となるビデオ
信号が書き込まれているときに整流素子８０４０９に電流が流れないような電位とする。
第２の走査線８０４１０に入力するＨレベルの信号は、画素に書き込まれたビデオ信号に
関わらず、駆動用トランジスタ８０４０２がオフするような電位をゲートに設定すること
ができるような電位とする。

なお、整流素子８０４０９として、ダイオード接続したトランジスタを用いることが可能
である。さらに、ダイオード接続したトランジスタの他にも、ＰＮ接合のダイオード、Ｐ
ＩＮ接合のダイオード、ショットキー型のダイオード又はカーボンナノチューブで形成さ
れたダイオードなどを用いてもよい。ダイオード接続されたトランジスタの極性は、Ｎチ
ャネル型でもよいし、Ｐチャネル型でもよい。

図７９は、デジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。

画素８０５００は、スイッチング用トランジスタ８０５０１、駆動用トランジスタ８０５
０２、容量素子８０５０３、発光素子８０５０４及び消去用トランジスタ８０５０９を有
している。スイッチング用トランジスタ８０５０１はゲートが第２の走査線８０５０６に
接続され、第１電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）が信号線８０５０５に接続さ
れ、第２電極（ソース電極及びドレイン電極の他方）が駆動用トランジスタ８０５０２の
ゲートに接続されている。駆動用トランジスタ８０５０２は、ゲートが容量素子８０５０
３を介して電源線８０５０７に接続され、ゲートが消去用トランジスタ８０５０９の第１
電極に接続され、第１電極が電源線８０５０７に接続され、第２電極が発光素子８０５０
４の第１電極（画素電極）に接続されている。消去用トランジスタは、ゲートが第２の走
査線８０５１０に接続され、第２電極が電源線８０５０７に接続されている。発光素子８
０５０４の第２電極は共通電極８０５０８に相当する。

なお、発光素子８０５０４の第２電極（共通電極８０５０８）には低電源電位が設定され
ている。なお、低電源電位とは、電源線８０５０７に設定される高電源電位を基準にして
低電源電位＜高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖな
どが設定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子８０５０
４に印加して、発光素子８０５０４に電流を流して発光素子８０５０４を発光させるため
、高電源電位と低電源電位との電位差が発光素子８０５０４の順方向しきい値電圧以上と
なるようにそれぞれの電位を設定する。

なお、容量素子８０５０３は駆動用トランジスタ８０５０２のゲート容量を代用して省略
することも可能である。駆動用トランジスタ８０５０２のゲート容量については、ソース
領域、ドレイン領域又はＬＤＤ領域などとゲート電極とが重なってオーバーラップしてい
るような領域で容量が形成されていてもよいし、チャネル領域とゲート電極との間で容量
が形成されていてもよい。

画素８０５００は、図７７に示した画素に、消去用トランジスタ８０５０９と第２の走査
線８０５１０を追加したものである。よって、図７９に示すスイッチング用トランジスタ
８０５０１、駆動用トランジスタ８０５０２、容量素子８０５０３、発光素子８０５０４
、信号線８０５０５、第１の走査線８０５０６、電源線８０５０７及び共通電極８０５０
８は、それぞれ図７７に示したスイッチング用トランジスタ８０３０１、駆動用トランジ
スタ８０３０２、容量素子８０３０３、発光素子８０３０４、信号線８０３０５、走査線
８０３０６、電源線８０３０７及び共通電極８０３０８に相当する。したがって、図７９
の書き込みの動作及び発光動作は、図７７で説明した書き込みの動作及び発光動作と同様
であるため、その説明を省略する。

消去動作について説明する。消去動作時には、第２の走査線８０５１０にＨレベルの信号
を入力する。すると、消去用トランジスタ８０５０９がオンして、駆動用トランジスタの
ゲートと第１電極を同電位にすることができる。つまり、駆動用トランジスタ８０５０２
のＶｇｓを０Ｖにすることができる。こうして、駆動用トランジスタ８０５０２を強制的
にオフすることができる。

しきい値電圧補正型と呼ばれる画素の構成及び動作について説明する。しきい値電圧補正
型の画素は、デジタル時間階調駆動及びアナログ階調駆動に適用することができる。

図８０は、しきい値電圧補正型と呼ばれる画素の構成の一例を示す図である。

図８０に示す画素は、駆動用トランジスタ８０６００、第１のスイッチ８０６０１、第２
のスイッチ８０６０２、第３のスイッチ８０６０３、第１の容量素子８０６０４、第２の
容量素子８０６０５及び発光素子８０６２０を有している。駆動用トランジスタ８０６０
０のゲートは、第１の容量素子８０６０４と第１のスイッチ８０６０１とを順に介して信
号線８０６１１と接続されている。駆動用トランジスタ８０６００のゲートは、第２の容
量素子８０６０５を介して電源線８０６１２と接続されている。駆動用トランジスタ８０
６００の第１電極は、電源線８０６１２と接続されている。駆動用トランジスタ８０６０
０の第２電極は、第３のスイッチ８０６０３を介して発光素子８０６２０の第１の電極と
接続されている。駆動用トランジスタ８０６００の第２電極は、第２のスイッチ８０６０
２を介して駆動用トランジスタ８０６００のゲートと接続されている。発光素子８０６２
０の第２の電極は、共通電極８０６２１に相当する。

発光素子８０６２０の第２の電極には低電源電位が設定されている。なお、低電源電位と
は、電源線８０６１２に設定される高電源電位を基準にして低電源電位＜高電源電位を満
たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設定されていても良い。
この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子８０６２０に印加して、発光素子８０
６２０に電流を流して発光素子８０６２０を発光させるため、高電源電位と低電源電位と
の電位差が発光素子８０６２０の順方向しきい値電圧以上となるようにそれぞれの電位を
設定する。なお、第２の容量素子８０６０５は駆動用トランジスタ８０６００のゲート容
量を代用して省略することも可能である。駆動用トランジスタ８０６００のゲート容量に
ついては、ソース領域、ドレイン領域又はＬＤＤ領域などとゲート電極とが重なってオー
バーラップしているような領域で容量が形成されていてもよいし、チャネル領域とゲート
電極との間で容量が形成されていてもよい。なお、第１のスイッチ８０６０１、第２のス
イッチ８０６０２、第３のスイッチ８０６０３は、それぞれ第１の走査線８０６１３、第
２の走査線８０６１４、第３の走査線８０６１４によってオンとオフが制御される。

図８０に示す画素の駆動方法について、動作期間を初期化期間、データ書き込み期間、し
きい値取得期間、発光期間に分割して説明する。

初期化期間では、第２のスイッチ８０６０２及び第３のスイッチ８０６０３がオンする。
そして、駆動用トランジスタ８０６００のゲートの電位が少なくとも電源線８０６１２の
電位よりも低くなる。このとき、第１のスイッチ８０６０１は、オンしていても、オフし
ていてもよい。なお、初期化期間は必ずしも必要ではない。

しきい値取得期間では、第１の走査線８０６１３によって画素が選択される。つまり、第
１のスイッチ８０６０１がオンし、信号線８０６１１からある一定電圧が入力される。こ
のとき、第２のスイッチ８０６０２がオンし、第３のスイッチ８０６０３がオフしている
。したがって、駆動用トランジスタ８０６００はダイオード接続され、駆動用トランジス
タ８０６００の第２電極及びゲートが浮遊状態（フローティング状態）となる。そして、
駆動用トランジスタ８０６００のゲートの電位は、電源線８０６１２の電位から駆動用ト
ランジスタ８０６００のしきい値電圧を引いた値となる。よって、第１の容量素子８０６
０４には駆動用トランジスタ８０６００のしきい値電圧が保持される。第２の容量素子８
０６０５には、駆動用トランジスタ８０６００のゲートの電位と信号線８０６１１から入
力されている一定電圧との電位差が保持される。

データ書き込み期間では、信号線８０６１１からビデオ信号（電圧）が入力される。この
とき、第１のスイッチ８０６０１はオンのままであり、第２のスイッチ８０６０２はオフ
し、第３のスイッチ８０６０３がオフのままである。そして、駆動用トランジスタ８０６
００のゲートは浮遊状態（フローティング状態）となっているので、駆動用トランジスタ
８０６００のゲートの電位は、しきい値取得期間において信号線８０６１１入力される一
定電圧と、データ書き込み期間において信号線８０６１１入力されるビデオ信号との電位
差に応じて変化する。例えば、第１の容量素子８０６０４の容量値＜＜第２の容量素子８
０６０５の容量値であれば、データ書き込み期間における駆動用トランジスタ８０６００
のゲートの電位は、しきい値取得期間における信号線８０６１１の電位とデータ書込み期
間における信号線８０６１１の電位と電位差（変化量）と、電源線８０６１２の電位から
駆動用トランジスタ８０６００のしきい値電圧を引いた値との和とおおむね等しくなる。
つまり、駆動用トランジスタ８０６００のゲートの電位は、駆動用トランジスタ８０６０
０のしきい値電圧を補正した電位となる。

発光期間では、駆動用トランジスタ８０６００のゲートと電源線８０６１２との電位差（
Ｖｇｓ）に応じた電流が発光素子８０６２０に流れる。このとき、第１のスイッチ８０６
０１がオフし、第２のスイッチ８０６０２がオフのままであり、第３のスイッチ８０６０
３がオンする。なお、発光素子８０６２０に流れる電流は、駆動用トランジスタ８０６０
０のしきい値電圧によらず一定である。

なお、図８０に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図８０に示す画素に新た
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。例
えば、第２のスイッチ８０６０２をＰチャネル型トランジスタ又はＮチャネル型のトラン
ジスタで構成し、第３のスイッチ８０６０３を第２のスイッチ８０６０２とは別の極性の
トランジスタで構成し、第２のスイッチ８０６０２及び第３のスイッチ８０６０３を同じ
走査線で制御してもよい。

電流入力型と呼ばれる画素の構成及び動作について説明する。電流入力正型の画素は、デ
ジタル階調駆動及びアナログ階調駆動に適用することができる。

図８１は、電流入力型と呼ばれる画素の構成の一例を示す図である。

図８１に示す画素は、駆動用トランジスタ８０７００、第１のスイッチ８０７０１、第２
のスイッチ８０７０２、第３のスイッチ８０７０３、容量素子８０７０４及び発光素子８
０７３０を有している。駆動用トランジスタ８０７００のゲートは、第２のスイッチ８０
７０２と第１のスイッチ８０７０１とを順に介して信号線８０７１１に接続されている。
駆動用トランジスタ８０７００のゲートは、容量素子８０７０４を介して電源線８０７１
２に接続されている。駆動用トランジスタ８０７００の第１電極は、電源線８０７１２に
接続されている。駆動用トランジスタ８０７００の第２電極は、第１のスイッチ８０７０
１を介して電源線８０７１２に接続されている。駆動用トランジスタ８０７００の第２電
極は、第３のスイッチ８０７０３を介して発光素子８０７３０の第１の電極に接続されて
いる。発光素子８０７３０の第２の電極は、共通電極８０７３１に相当する。

発光素子８０７３０の第２の電極には低電源電位が設定されている。なお、低電源電位と
は、電源線８０７１２に設定される高電源電位を基準にして低電源電位＜高電源電位を満
たす電位であり、低電源電位としては例えばＧＮＤ、０Ｖなどが設定されていても良い。
この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子８０７３０に印加して、発光素子８０
７３０に電流を流して発光素子８０７３０を発光させるため、高電源電位と低電源電位と
の電位差が発光素子８０７３０の順方向しきい値電圧以上となるようにそれぞれの電位を
設定する。なお、容量素子８０７０４は駆動用トランジスタ８０７００のゲート容量を代
用して省略することも可能である。駆動用トランジスタ８０７００のゲート容量について
は、ソース領域、ドレイン領域又はＬＤＤ領域などとゲート電極とが重なってオーバーラ
ップしているような領域で容量が形成されていてもよいし、チャネル領域とゲート電極と
の間で容量が形成されていてもよい。なお、第１のスイッチ８０７０１、第２のスイッチ
８０７０２、第３のスイッチ８０７０３は、それぞれ第１の走査線８０７１３、第２の走
査線８０７１４、第３の走査線８０７３４によってオンとオフが制御される。

図８１に示す画素の駆動方法について、動作期間をデータ書き込み期間、発光期間に分割
して説明する。

データ書き込み期間では、第１の走査線８０７１３によって画素が選択される。つまり、
第１のスイッチ８０７０１がオンし、信号線８０７１１からビデオ信号として電流が入力
される。このとき、第２のスイッチ８０７０２がオンし、第３のスイッチ８０７０３がオ
フする。したがって、駆動用トランジスタ８０７００のゲートの電位は、ビデオ信号に応
じた電位となる。つまり、容量素子８０７０４には、駆動用トランジスタ８０７００がビ
デオ信号と同じ電流を流すような駆動用トランジスタ８０７００のゲート電極とソース電
極との間の電圧が保持される。

次に、発光期間では、第１のスイッチ８０７０１及び第２のスイッチ８０７０２がオフし
、第３のスイッチ８０７０３がオンする。したがって、発光素子８０７３０にはビデオ信
号と同じ値の電流が流れる。

なお、図８１に示す画素構成は、これに限定されない。例えば、図８１に示す画素に新た
にスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加してもよい。例
えば、第１のスイッチ８０７０１をＰチャネル型トランジスタ又はＮチャネル型トランジ
スタで構成し、第２のスイッチ８０７０２を第１のスイッチ８０７０１と同じ極性のトラ
ンジスタで構成し、第１のスイッチ８０７０１及び第２のスイッチ８０７０２を同じ走査
線で制御してもよい。第２のスイッチ８０７０２は駆動用トランジスタ８０７００のゲー
トと信号線８０７１１との間に配置されていてもよい。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１６）
本実施形態においては、表示装置の画素構造について説明する。特に、有機ＥＬ素子を用
いた表示装置の画素構造について説明する。

図８２（Ａ）は、１つの画素に２つのトランジスタを有する画素の上面図（レイアウト図
）の一例である。図８２（Ｂ）は、図８２（Ａ）に示すＸ−Ｘ’の部分の断面図の一例で
ある。

図８２（Ａ）は、第１のトランジスタ６０１０５、第１の配線６０１０６、第２の配線６
０１０７、第２のトランジスタ６０１０８、第３の配線６０１１１、対向電極６０１１２
、コンデンサ６０１１３、画素電極６０１１５、隔壁６０１１６、有機導電体膜６０１１
７、有機薄膜６０１１８及び基板６０１１９を示している。なお、第１のトランジスタ６
０１０５はスイッチング用トランジスタとして、第１の配線６０１０６はゲート信号線と
して、第２の配線６０１０７はソース信号線として、第２のトランジスタ６０１０８は駆
動用トランジスタとして、第３の配線６０１１１は電流供給線として、それぞれ用いられ
るのが好適である。

第１のトランジスタ６０１０５のゲート電極は、第１の配線６０１０６と電気的に接続さ
れ、第１のトランジスタ６０１０５のソース電極及びドレイン電極の一方は、第２の配線
６０１０７と電気的に接続され、第１のトランジスタ６０１０５のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、第２のトランジスタ６０１０８のゲート電極及びコンデンサ６０１１３
の一方の電極と電気的に接続されている。なお、第１のトランジスタ６０１０５のゲート
電極は、複数のゲート電極によって構成されている。こうすることで、第１のトランジス
タ６０１０５のオフ状態におけるリーク電流を低減することができる。

第２のトランジスタ６０１０８のソース電極及びドレイン電極の一方は、第３の配線６０
１１１と電気的に接続され、第２のトランジスタ６０１０８のソース電極及びドレイン電
極の他方は、画素電極６０１１５と電気的に接続されている。こうすることで、画素電極
６０１１５に流れる電流を、第２のトランジスタ６０１０８によって制御することができ
る。

画素電極６０１１５上には、有機導電体膜６０１１７が設けられ、さらに有機薄膜６０１
１８（有機化合物層）が設けられている。有機薄膜６０１１８（有機化合物層）上には、
対向電極６０１１２が設けられている。なお、対向電極６０１１２は、全ての画素で共通
に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパター
ン形成されていてもよい。

有機薄膜６０１１８（有機化合物層）から発せられた光は、画素電極６０１１５又は対向
電極６０１１２のうちいずれかを透過して発せられる。

図８２（Ｂ）において、画素電極側、すなわちトランジスタ等が形成されている側に光が
発せられる場合を下面放射、対向電極側に光が発せられる場合を上面放射と呼ぶ。

下面放射の場合、画素電極６０１１５は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
逆に、上面放射の場合、対向電極６０１１２は透明導電膜によって形成されるのが好適で
ある。

カラー表示の発光装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子を塗り分
けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に塗り、カラーフィルタによってＲ，Ｇ，Ｂの発光
を得るようにしても良い。

なお、図８２に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素子
の電極の積層順等に関して、図８２に示した構成以外にも、様々な構成をとることができ
る。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶性
の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。

図８３（Ａ）は、１つの画素に３つのトランジスタを有する画素の上面図（レイアウト図
）の一例である。図８３（Ｂ）は、図８３（Ａ） に示すＸ−Ｘ’の部分の断面図の一例
である。

図８３（Ａ）は、基板６０２００、第１の配線６０２０１、第２の配線６０２０２、第３
の配線６０２０３、第４の配線６０２０４、第１のトランジスタ６０２０５、第２のトラ
ンジスタ６０２０６、第３のトランジスタ６０２０７、画素電極６０２０８、隔壁６０２
１１、有機導電体膜６０２１２、有機薄膜６０２１３及び対向電極６０２１４を示す。な
お、第１の配線６０２０１はソース信号線として、第２の配線６０２０２は書込用ゲート
信号線として、第３の配線６０２０３は消去用ゲート信号線として、第４の配線６０２０
４は電流供給線として、第１のトランジスタ６０２０５はスイッチング用トランジスタと
して、第２のトランジスタ６０２０６は消去用トランジスタとして、第３のトランジスタ
６０２０７は駆動用トランジスタとして、それぞれ用いられるのが好適である。

第１のトランジスタ６０２０５のゲート電極は、第２の配線６０２０２と電気的に接続さ
れ、第１のトランジスタ６０２０５のソース電極及びドレイン電極の一方は、第１の配線
６０２０１と電気的に接続され、第１のトランジスタ６０２０５のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、第３のトランジスタ６０２０７のゲート電極と電気的に接続されている
。なお、第１のトランジスタ６０２０５のゲート電極は、複数のゲート電極によって構成
されている。こうすることで、第１のトランジスタ６０２０５のオフ状態におけるリーク
電流を低減することができる。

第２のトランジスタ６０２０６のゲート電極は、第３の配線６０２０３と電気的に接続さ
れ、第２のトランジスタ６０２０６のソース電極及びドレイン電極の一方は、第４の配線
６０２０４と電気的に接続され、第２のトランジスタ６０２０６のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、第３のトランジスタ６０２０７のゲート電極と電気的に接続されている
。なお、第２のトランジスタ６０２０６のゲート電極は、複数のゲート電極によって構成
されている。こうすることで、第２のトランジスタ６０２０６のオフ状態におけるリーク
電流を低減することができる。

第３のトランジスタ６０２０７のソース電極及びドレイン電極の一方は、第４の配線６０
２０４と電気的に接続され、第３のトランジスタ６０２０７のソース電極及びドレイン電
極の他方は、画素電極６０２０８と電気的に接続されている。こうすることで、画素電極
６０２０８に流れる電流を、第３のトランジスタ６０２０７によって制御することができ
る。

画素電極６０２０８上には、有機導電体膜６０２１２が設けられ、さらに有機薄膜６０２
１３（有機化合物層）が設けられている。有機薄膜６０２１３（有機化合物層）上には、
対向電極６０２１４が設けられている。なお、対向電極６０２１４は、全ての画素で共通
に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパター
ン形成されていてもよい。

有機薄膜６０２１３（有機化合物層）から発せられた光は、画素電極６０２０８もしくは
対向電極６０２１４のうちいずれかを透過して発せられる。

図８３（Ｂ）において、画素電極側、すなわちトランジスタ等が形成されている側に光が
発せられる場合を下面放射、対向電極側に光が発せられる場合を上面放射と呼ぶ。

下面放射の場合、画素電極６０２０８は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
逆に、上面放射の場合、対向電極６０２１４は透明導電膜によって形成されるのが好適で
ある。

カラー表示の発光装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子を塗り分
けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に塗り、カラーフィルタによってＲ，Ｇ，Ｂの発光
を得るようにしても良い。

なお、図８３に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素子
の電極の積層順等に関して、図８３に示した構成以外にも、様々な構成をとることができ
る。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶性
の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。

図８４（Ａ）は、１つの画素に４つのトランジスタを有する画素の上面図（レイアウト図
）の一例である。図８４（Ｂ）は、図８４（Ａ） に示すＸ−Ｘ’の部分の断面図の一例
である。

図８４（Ａ）は、基板６０３００、第１の配線６０３０１、第２の配線６０３０２、第３
の配線６０３０３、第４の配線６０３０４、第１のトランジスタ６０３０５、第２のトラ
ンジスタ６０３０６、第３のトランジスタ６０３０７、第４のトランジスタ６０３０８、
画素電極６０３０９、第５の配線６０３１１、第６の配線６０３１２、隔壁６０３２１、
有機導電体膜６０３２２、有機薄膜６０３２３及び対向電極６０３２４を示している。な
お、第１の配線６０３０１はソース信号線として、第２の配線６０３０２は書込用ゲート
信号線として、第３の配線６０３０３は消去用ゲート信号線として、第４の配線６０３０
４は逆方向バイアス用信号線として、第１のトランジスタ６０３０５はスイッチング用ト
ランジスタとして、第２のトランジスタ６０３０６は消去用トランジスタとして、第３の
トランジスタ６０３０７は駆動用トランジスタとして、第４のトランジスタ６０３０８は
逆方向バイアス用トランジスタとして、第５の配線６０３１１は電流供給線として、第６
の配線６０３１２は逆方向バイアス用電源線として、それぞれ用いられるのが好適である
。

第１のトランジスタ６０３０５のゲート電極は、第２の配線６０３０２と電気的に接続さ
れ、第１のトランジスタ６０３０５のソース電極及びドレイン電極の一方は、第１の配線
６０３０１と電気的に接続され、第１のトランジスタ６０３０５のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、第３のトランジスタ６０３０７のゲート電極と電気的に接続されている
。なお、第１のトランジスタ６０３０５のゲート電極は、複数のゲート電極によって構成
されている。こうすることで、第１のトランジスタ６０３０５のオフ状態におけるリーク
電流を低減することができる。

第２のトランジスタ６０３０６のゲート電極は、第３の配線６０３０３と電気的に接続さ
れ、第２のトランジスタ６０３０６のソース電極及びドレイン電極の一方は、第５の配線
６０３１１と電気的に接続され、第２のトランジスタ６０３０６のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、第３のトランジスタ６０３０７のゲート電極と電気的に接続されている
。なお、第２のトランジスタ６０３０６のゲート電極は、複数のゲート電極によって構成
されている。こうすることで、第２のトランジスタ６０３０６のオフ状態におけるリーク
電流を低減することができる。

第３のトランジスタ６０３０７のソース電極及びドレイン電極の一方は、第５の配線６０
３１１と電気的に接続され、第３のトランジスタ６０３０７のソース電極及びドレイン電
極の他方は、画素電極６０３０９と電気的に接続されている。こうすることで、画素電極
６０３０９に流れる電流を、第３のトランジスタ６０３０７によって制御することができ
る。

第４のトランジスタ６０３０８のゲート電極は、第４の配線６０３０４と電気的に接続さ
れ、第４のトランジスタ６０３０８のソース電極及びドレイン電極の一方は、第６の配線
６０３１２と電気的に接続され、第４のトランジスタ６０３０８のソース電極及びドレイ
ン電極の他方は、画素電極６０３０９と電気的に接続されている。こうすることで、画素
電極６０３０９の電位を、第４のトランジスタ６０３０８によって制御することができる
ので、有機導電体膜６０３２２及び有機薄膜６０３２３に、逆方向のバイアスを印加する
ことができる。有機導電体膜６０３２２及び有機薄膜６０３２３などで構成される発光素
子に逆方向のバイアスを印加することによって、発光素子の信頼性を大きく向上させるこ
とができる。

画素電極６０３０９上には、有機導電体膜６０３２２が設けられ、さらに有機薄膜６０３
２３（有機化合物層）が設けられている。有機薄膜６０３２３（有機化合物層）上には、
対向電極６０３２４が設けられている。なお、対向電極６０３２４は、全ての画素で共通
に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパター
ン形成されていてもよい。

有機薄膜６０３２３（有機化合物層）から発せられた光は、画素電極６０３０９もしくは
対向電極６０３２４のうちいずれかを透過して発せられる。

図８４（Ｂ）において、画素電極側、すなわちトランジスタ等が形成されている側に光が
発せられる場合を下面放射、対向電極側に光が発せられる場合を上面放射と呼ぶ。

下面放射の場合、画素電極６０３０９は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
逆に、上面放射の場合、対向電極６０３２４は透明導電膜によって形成されるのが好適で
ある。

カラー表示の発光装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子を塗り分
けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に塗り、カラーフィルタによってＲ，Ｇ，Ｂの発光
を得るようにしても良い。

なお、図８４に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素子
の電極の積層順等に関して、図８４に示した構成以外にも、様々な構成をとることができ
る。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶性
の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１７）
本実施の形態においては、ＥＬ素子の構造について説明する。特に、有機ＥＬ素子の構造
について説明する。

混合接合型のＥＬ素子の構成について説明する。その一例として、正孔注入材料からなる
正孔注入層、正孔輸送材料からなる正孔輸送層、発光材料からなる発光層、電子輸送材料
からなる電子輸送層、電子注入材料からなる電子注入層等が、明確に区別されるような積
層構造ではなく、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料、電子注入材料
等の材料のうち、複数の材料が混合された層（混合層）を有する構成（以下、混合接合型
のＥＬ素子と表記する）について説明する。

図８５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、混合接合型のＥＬ素子の構造を示す模式図
である。なお、陽極１９０１０１と陰極１９０１０２の間に挟まれた層が、ＥＬ層に相当
する。

図８５（Ａ）に、ＥＬ層が正孔輸送材料からなる正孔輸送領域１９０１０３と、電子輸送
材料からなる電子輸送領域１９０１０４とを含み、正孔輸送領域１９０１０３は電子輸送
領域１９０１０４よりも陽極側に位置し、且つ、正孔輸送領域１９０１０３と、電子輸送
領域１９０１０４の間に、正孔輸送材料及び電子輸送材料の両方を含む混合領域１９０１
０５が設けられた構成を示す。

なお、陽極１９０１０１から陰極１９０１０２の方向に、混合領域１９０１０５内の正孔
輸送材料の濃度が減少し、混合領域１９０１０５内の電子輸送材料の濃度が増加すること
を特徴とする。

なお、濃度勾配の設定の仕方は、自由に設定することが可能である。例えば、正孔輸送材
料のみからなる正孔輸送領域１９０１０３が存在せず、正孔輸送材料及び電子輸送材料の
両方を含む混合領域１９０１０５内部で各機能材料の濃度の割合が変化する（濃度勾配を
有する）構成であってもよい。あるいは、正孔輸送材料のみからなる正孔輸送領域１９０
１０３及び電子輸送材料のみからなる電子輸送領域１９０１０４が存在せず、正孔輸送材
料及び電子輸送材料の両方を含む混合領域１９０１０５内部で各機能材料の濃度の割合が
変化する（濃度勾配を有する）構成であってもよい。あるいは、濃度の割合は、陽極又は
陰極からの距離に依存して変化する構成であってもよい。なお、濃度の割合の変化は連続
的であってもよい。

混合領域１９０１０５内に、発光材料が添加された領域１９０１０６を有する。発光材料
によって、ＥＬ素子の発光色を制御することができる。発光材料によって、キャリアをト
ラップすることができる。発光材料としては、キノリン骨格を含む金属錯体、ベンゾオキ
サドール骨格を含む金属錯体、ベンゾチアゾ−ル骨格を含む金属錯体等の他、各種蛍光色
素を用いることができる。これらの発光材料を添加することによって、ＥＬ素子の発光色
を制御することができる。

陽極１９０１０１としては、効率よく正孔を注入するため、仕事関数の大きな電極材料を
用いることが好ましい。例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化イ
ンジウム（ＩＺＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２又はＩｎ_２Ｏ_３等の透明電極を用いることができ
る。あるいは、透光性を有する必要が無いならば、陽極１９０１０１は、不透明の金属材
料でもよい。

正孔輸送材料としては、芳香族アミン系の化合物等を用いることができる。

電子輸送材料としては、キノリン誘導体、８−キノリノール又はその誘導体を配位子とす
る金属錯体（特に、トリス（８−キノリノライト）アルミニウム（Ａｌｑ_３））等を用い
ることができる。

陰極１９０１０２としては、効率よく電子を注入するため、仕事関数の小さな電極材料を
用いることが好ましい。アルミニウム、インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バ
リウム、リチウム等の金属を単体で用いることができる。あるいは、これらの金属の合金
であっても良いし、これらの金属と他の金属との合金であっても良い。

図８５（Ａ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図８５（Ｂ）に示す。なお、図８５（
Ａ）と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。

図８５（Ｂ）では、発光材料が添加された領域を有さない。しかし、電子輸送領域１９０
１０４に添加する材料として、電子輸送性及び発光性の両方を有する材料（電子輸送発光
材料）、例えば、トリス（８−キノリノライト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を用いる構成
とし、発光を行うことができる。

あるいは、正孔輸送領域１９０１０３に添加する材料として、正孔輸送性及び発光性の両
方を有する材料（正孔輸送発光材料）を用いてもよい。

図８５（Ａ）及び図８５（Ｂ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図８５（Ｃ）に示す
。なお、図８５（Ａ）及び図８５（Ｂ）と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略
する。

図８５（Ｃ）において、正孔輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低被占分子軌道との
エネルギー差が大きい正孔ブロッキング性材料が、混合領域１９０１０５内に添加された
領域１９０１０７を有する。正孔ブロッキング性材料が添加された領域１９０１０７を、
混合領域１９０１０５内の発光材料が添加された領域１９０１０６より陰極１９０１０２
側に配置することによって、キャリアの再結合率を上げ、発光効率を上げることができる
。上記、正孔ブロッキング性材料が添加された領域１９０１０７を設ける構成は、特に、
三重光励起子のよる発光（燐光）を利用するＥＬ素子において有効である。

図８５（Ａ）、図８５（Ｂ）及び図８５（Ｃ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図８
５（Ｄ）に示す。なお、図８５（Ａ）、図８５（Ｂ）及び図８５（Ｃ）と同じ部分は同じ
符号を用いて示し、説明は省略する。

図８５（Ｄ）において、電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低被占分子軌道との
エネルギー差が大きい電子ブロッキング性材料が、混合領域１９０１０５内に添加された
領域１９０１０８を有する。電子ブロッキング性材料が添加された領域１９０１０８を、
混合領域１９０１０５内の発光材料が添加された領域１９０１０６より陽極１９０１０１
側に配置することによって、キャリアの再結合率を上げ、発光効率を上げることができる
。上記、電子ブロッキング性材料が添加された領域１９０１０８を設ける構成は、特に、
三重光励起子のよる発光（燐光）を利用するＥＬ素子において有効である。

図８５（Ｅ）は、図８５（Ａ）、図８５（Ｂ）、図８５（Ｃ）及び図８５（Ｄ）とは異な
る混合接合型のＥＬ素子の構成を示す模式図である。図８５（Ｅ）では、ＥＬ素子の電極
に接するＥＬ層の部分に、金属材料を添加した領域１９０１０９を有する構成の例を示す
。図８５（Ｅ）において、図８５（Ａ）〜図８５（Ｄ）と同じ部分は同じ符号を用いて示
し説明は省略する。図８５（Ｅ）に示す構成は、たとえば、陰極１９０１０２としてＭｇ
Ａｇ（Ｍｇ―Ａｇ合金）を用い、電子輸送材料が添加された電子輸送領域１９０１０４の
、陰極１９０１０２に接する領域にＡｌ（アルミニウム）合金を添加した領域１９０１０
９を有する構成であってもよい。上記構成によって、陰極の酸化を防止し、且つ、陰極か
らの電子の注入効率を高めることができる。こうして、混合接合型のＥＬ素子では、その
寿命を長くすることができる。駆動電圧も低くすることができる。

上記混合接合型のＥＬ素子を作製する手法としては、共蒸着法等を用いることができる。

図８５（Ａ）〜図８５（Ｅ）に示したような混合接合型のＥＬ素子では、明確な層の界面
が存在せず、電荷の蓄積を低減することができる。こうして、その寿命を長くすることが
できる。駆動電圧も低くすることができる。

なお、図８５（Ａ）〜図８５（Ｅ）に示した構成は、自由に組み合わせて実施することが
可能である。

なお、混合接合型のＥＬ素子の構成は、これに限定されない。公知の構成を自由に用いる
ことができる。

なお、ＥＬ素子のＥＬ層を構成する有機材料としては、低分子材料でも高分子材料でもよ
い。あるいは、これらの材料を両方用いてもよい。有機化合物材料として低分子材料を用
いる場合は、蒸着法によって成膜することができる。一方、ＥＬ層として高分子材料を用
いる場合では、高分子材料を溶媒に溶かし、スピン塗布法又はインクジェット方式で成膜
することができる。

ＥＬ層は、中分子材料によって構成されていても良い。本明細書中において、中分子系有
機発光材料とは、昇華性を有さず、かつ、重合度が２０程度以下の有機発光材料を示すも
のとする。ＥＬ層として中分子材料を用いる場合では、インクジェット方式等で成膜する
ことができる。

なお、低分子材料と、高分子材料と、中分子材料とを組み合わせて用いても良い。

ＥＬ素子は、一重項励起子からの発光（蛍光）を利用するものでも、三重項励起子からの
発光（燐光）を利用するものでも、どちらでも良い。

次に、表示装置を製造するための蒸着装置について、図面を参照して説明する。

表示装置は、ＥＬ層を形成して製造されてもよい。ＥＬ層は、エレクトロルミネセンスを
発現する材料を少なくとも一部に含んで形成される。ＥＬ層は機能の異なる複数の層で構
成されても良い。その場合、ＥＬ層は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層などと
も呼ばれる機能の異なる層が組み合わさって構成されていてもよい。

トランジスタが形成された素子基板に、ＥＬ層を形成するための蒸着装置の構成を図８６
に示す。この蒸着装置は、搬送室１９０２６０、１９０２６１に複数の処理室を連結して
いる。処理室には、基板を供給するロード室１９０２６２、基板を回収するアンロード室
１９０２６３、その他、加熱処理室１９０２６８、プラズマ処理室１９０２７２、ＥＬ材
料を蒸着する成膜処理室１９０２６９〜１９０２７５、ＥＬ素子の一方の電極として、ア
ルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする導電膜を形成する成膜処理室１９０２７
６を含んでいる。搬送室と各処理室の間にはゲートバルブ１９０２７７ａ〜１９０２７７
ｍが設けられていて、各処理室の圧力は独立して制御可能とされており、処理室間の相互
汚染を防いでいる。

ロード室１９０２６２から搬送室１９０２６０に導入された基板は、回転自在に設けられ
たアーム方式の搬送手段１９０２６６により、所定の処理室へ搬入される。基板は搬送手
段１９０２６６により、ある処理室から他の処理室へ搬送される。搬送室１９０２６０と
搬送室１９０２６１とは成膜処理室１９０２７０で連結され、ここで搬送手段１９０２６
６と搬送手段１９０２６７により基板の受け渡しが行う。

搬送室１９０２６０及び搬送室１９０２６１に連結する各処理室は減圧状態に保持されて
いる。従って、この蒸着装置では、基板は大気に触れることなく連続してＥＬ層の成膜処
理が行われる。ＥＬ層の成膜処理が終わった表示パネルは、水蒸気などにより劣化する場
合があるので、この蒸着装置では、品質を保持するために大気に触れさせる前に封止処理
を行うための封止処理室１９０２６５が搬送室１９０２６１に連結されている。封止処理
室１９０２６５は大気圧若しくはそれに近い減圧下におかれているので、搬送室１９０２
６１と封止処理室１９０２６５の間にも中間処理室１９０２６４が備えられている。中間
処理室１９０２６４は基板の受け渡しと、室間の圧力を緩衝するために設けられている。

ロード室、アンロード室、搬送室及び成膜処理室には室内を減圧に保持するための排気手
段が備えられている。排気手段としては、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ、拡散ポンプ
など各種の真空ポンプを用いることができる。

図８６の蒸着装置において、搬送室１９０２６０及び搬送室１９０２６１に連結される処
理室の数及びその構成は、ＥＬ素子の積層構造に応じて適宜組み合わせることができる。
以下に、その組み合わせの一例を示す。

加熱処理室１９０２６８は、最初に下部電極又は絶縁隔壁等が形成された基板を加熱して
脱ガス処理を行う。プラズマ処理室１９０２７２は、下地電極表面を希ガス又は酸素プラ
ズマ処理を行う。このプラズマ処理は、表面を清浄化、表面状態の安定化、表面の物理的
若しくは化学的状態（例えば、仕事関数など）を安定化させるために行う。

成膜処理室１９０２６９は、ＥＬ素子の一方の電極と接触する電極バッファ層を形成する
処理室である。電極バッファ層はキャリア注入性（正孔注入若しくは電子注入）があり、
ＥＬ素子の短絡又は暗点欠陥の発生を抑制する層である。代表的には、電極バッファ層は
、有機無機混合材料であって、抵抗率が５×１０^４〜１×１０^６Ωｃｍであり、３０〜３
００ｎｍの厚さに形成される。なお、成膜室１９０２７１は正孔輸送層を成膜する処理室
である。

ＥＬ素子における発光層は、単色発光をする場合と白色発光をする場合とで、その構成が
異なる。蒸着装置において成膜処理室もそれに応じて配置することが好ましい。例えば、
表示パネルに発光色が異なる三種類のＥＬ素子を形成する場合には、各発光色に対応した
発光層を成膜する必要がある。この場合、成膜処理室１９０２７０を第１の発光層の成膜
用として、成膜処理室１９０２７３を第２の発光層の成膜用として、成膜処理室１９０２
７４を第３の発光層の成膜用として用いることができる。発光層ごとに成膜処理室を分け
ることで、異なる発光材料による相互汚染を防止することが出来、成膜処理のスループッ
トを向上させることが出来る。

なお、成膜処理室１９０２７０、成膜処理室１９０２７３、成膜処理室１９０２７４のそ
れそれで、発光色が異なる三種類のＥＬ材料を順次蒸着しても良い。この場合、シャドー
マスクを使い、蒸着する領域に応じて当該マスクをずらして蒸着を行うことになる。

白色発光するＥＬ素子を形成する場合には、異なる発光色の発光層を縦積みにして形成す
る。その場合にも、素子基板が成膜処理室を順次移動して、発光層ごとに成膜することが
できる。あるいは、同じ成膜処理室で異なる発光層を連続して成膜することもできる。

成膜処理室１９０２７６では、ＥＬ層の上に電極を成膜する。電極の形成は、電子ビーム
蒸着法又はスパッタリング法を適用することもできるが、好ましくは抵抗加熱蒸着法を用
いることが好ましい。

電極の形成まで終了した素子基板は、中間処理室１９０２６４を経て封止処理室１９０２
６５に搬入される。封止処理室１９０２６５は、ヘリウム、アルゴン、ネオン、若しくは
窒素などの不活性な気体が充填されており、その雰囲気下で素子基板のＥＬ層が形成され
た側に封止板を貼り付けて封止する。封止された状態において、素子基板と封止板との間
には、不活性気体が充填されていても良いし、樹脂材料を充填しておいても良い。封止処
理室１９０２６５には、シール材を描画するディスペンサ、又は素子基板に対向して封止
板を固定する固定ステージ又はアームなどの機械的要素、樹脂材料を充填するディスペン
サ若しくはスピンコーターなどが備えられている。

図８７は、成膜処理室の内部構成を示す。成膜処理室は減圧下に保たれていて、図８７で
は天板１９０３９１と底板１９０３９２で挟まれる内側が室内であり、減圧状態に保たれ
る室内を示している。

処理室内には、一つ又は複数個の蒸発源が備えられている。組成の異なる複数の層を成膜
する場合、又は異なる材料を共蒸着する場合は、複数個の蒸発源を設けることが好ましい
からである。図８７では、蒸発源１９０３８１ａ、１９０３８１ｂ、１９０３８１ｃが蒸
発源ホルダ１９０３８０に装着されている。蒸発源ホルダ１９０３８０は多関節アーム１
９０３８３によって保持されている。多関節アーム１９０３８３は関節の伸縮によって、
蒸発源ホルダ１９０３８０の位置をその可動範囲内で自在に移動可能としている。あるい
は、蒸発源ホルダ１９０３８０に距離センサ１９０３８２を設け、蒸発源１９０３８１ａ
〜１９０３８１ｃと基板１９０３８９との間隔をモニタして、蒸着時における最適な間隔
を制御しても良い。その場合には、多関節アームに上下方向（Ｚ方向）にも変位する多関
節アームとしても良い。

基板ステージ１９０３８６と基板チャック１９０３８７は一対となって基板１９０３８９
を固定する。基板ステージ１９０３８６はヒータを内蔵させて基板１９０３８９を加熱で
きるように構成しても良い。基板１９０３８９は、基板チャック１９０３８７の禁緩によ
り、基板ステージ１９０３８６に固定されまた搬出入される。蒸着に際しては、必要に応
じて蒸着するパターンに対応して開口部を備えたシャドーマスク１９０３９０を用いるこ
ともできる。その場合、シャドーマスク１９０３９０は、基板１９０３８９と蒸発源１９
０３８１ａ〜１９０３８１ｃの間に配置されるようにする。シャドーマスク１９０３９０
はマスクチャック１９０３８８により、基板１９０３８９と密着若しくは一定の間隔を持
って固定される。シャドーマスク１９０３９０のアライメントが必要な場合には、処理室
内にカメラを配置し、マスクチャック１９０３８８にＸ−Ｙ−θ方向に微動する位置決め
手段を備えることで、その位置合わせを行う。

蒸発源１９０３８１には、蒸着材料を蒸発源に連続して供給する蒸着材料供給手段が付加
されている。蒸着材料供給手段は、蒸発源１９０３８１と離れた位置に配置される材料供
給源１９０３８５ａ、１９０３８５ｂ、１９０３８５ｃと、その両者の間を繋ぐ材料供給
管１９０３８４を有している。典型的には、材料供給源１９０３８５ａ、１９０３８５ｂ
、１９０３８５ｃは蒸発源１９０３８１に対応して設けられている。図８７の場合は、材
料供給源１９０３８５ａと蒸発源１９０３８１ａが対応している。材料供給源１９０３８
５ｂと蒸発源１９０３８１ｂ、材料供給源１９０３８５ｃと蒸発源１９０３８１ｃについ
ても同様である。

蒸着材料の供給方式には、気流搬送方式、エアロゾル方式などが適用できる。気流搬送方
式は、蒸着材料の微粉末を気流に乗せて搬送するもので、不活性ガスなどを用いて蒸発源
１９０３８１に搬送する。エアロゾル方式は、蒸着材料を溶剤中に溶解又は分散させた原
料液を搬送し、噴霧器によりエアロゾル化し、エアロゾル中の溶媒を気化させながら行う
蒸着である。いずれの場合にも、蒸発源１９０３８１には加熱手段が設けられ、搬送され
た蒸着材料を蒸発させて基板１９０３８９に成膜する。図８７の場合、材料供給管１９０
３８４は柔軟に曲げることができ、減圧状態下においても変形しない程度の剛性を持った
細管で構成されている。

気流搬送方式又はエアロゾル方式を適用する場合には、成膜処理室内を大気圧若しくはそ
れ以下であって、好ましくは１３３Ｐａ〜１３３００Ｐａの減圧下で成膜を行えば良い。
成膜処理室内にはヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、若しくは窒素な
どの不活性気体を充填し、又は当該気体を供給しながら（同時に排気しながら）、圧力の
調節を行うことができる。なお、酸化膜を形成する成膜処理室では、酸素、亜酸化窒素な
どの気体を導入して酸化雰囲気としておいても良い。あるいは、有機材料を蒸着する成膜
処理室内には水素などの気体を導入して還元雰囲気にしておいても良い。

その他の蒸着材料の供給方法として、材料供給管１９０３８４の中にスクリューを設け蒸
着材料を蒸発源に向けて連続的に押し出す構成としても良い。

この蒸着装置によれば、大画面の表示パネルであっても、均一性良く、連続して成膜する
ことができる。蒸発源に蒸着材料が無くなる度に、その都度蒸着材料を補給する必要がな
いので、スループットを向上することができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１８）
本実施の形態においては、ＥＬ素子の構造について説明する。特に、無機ＥＬ素子の構造
について説明する。

無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた電界発光層を有し、後者は
、発光材料の薄膜からなる電界発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速され
た電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナ
ー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光と、金属イオン
の内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。一般的に、分散型無機ＥＬではドナー−
アクセプター再結合型発光、薄膜型無機ＥＬ素子では局在型発光である場合が多い。

発光材料は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成される。含有させる不純物元
素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる。発光材料の作製方法として
は、固相法又は液相法（共沈法）などの様々な方法を用いることができる。あるいは、噴
霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆ミセル法又はこれらの
方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども用いることができる
。

固相法は、母体材料と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を秤量し、乳鉢で混合、
電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼
成温度は、７００〜１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温
度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行っ
てもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要とす
るが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。

液相法（共沈法）は、母体材料又は母体材料を含む化合物と、不純物元素又は不純物元素
を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒
子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応が進むことができる。

発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。硫
化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシウ
ム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ_２Ｓ_３）、硫化ガリウム（Ｇａ_２Ｓ_３）、硫化スト
ロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）等を用いることができる。酸化物として
は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）等を用いることができ
る。窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、
窒化インジウム（ＩｎＮ）等を用いることができる。さらに、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）
、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）等も用いることができ、硫化カルシウム−ガリウム（ＣａＧ
ａ_２Ｓ_４）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ_２Ｓ_４）、硫化バリウム−ガリウ
ム（ＢａＧａ_２Ｓ_４）、等の３元系の混晶であってもよい。

局在型発光の発光中心として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テ
ルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セ
リウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などを用いることができる。なお、電荷補償と
して、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。

一方、ドナー−アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第１
の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第２の不純物元素を含む発光材料を用いる
ことができる。第１の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）等を用いることができる。第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｇ）等を用いることができる。

ドナー−アクセプター再結合型発光の発光材料を固相法を用いて合成する場合、母体材料
と、第１の不純物元素又は第１の不純物元素を含む化合物と、第２の不純物元素又は第２
の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を
行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第１の不純物元素又は
第１の不純物元素を含む化合物としては、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、硫化ア
ルミニウム（Ａｌ_２Ｓ_３）等を用いることができ、第２の不純物元素又は第２の不純物元
素を含む化合物としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）、硫化
銀（Ａｇ_２Ｓ）等を用いることができる。焼成温度は、７００〜１５００℃が好ましい。
温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしま
うからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うこと
が好ましい。

固相反応を利用する場合の不純物元素として、第１の不純物元素と第２の不純物元素で構
成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されやすく、
固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余分な不
純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第１の不純物元素と
第２の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化銀（
ＡｇＣｌ）等を用いることができる。

なお、これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０１〜１０ａｔｏｍ％であれ
ばよく、好ましくは０．０５〜５ａｔｏｍ％の範囲である。

薄膜型無機ＥＬの場合、電界発光層は、上記発光材料を含む層であり、抵抗加熱蒸着法、
電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（
ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、原子層エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。

図８８（Ａ）乃至（Ｃ）に発光素子として用いることのできる薄膜型無機ＥＬ素子の一例
を示す。図８８（Ａ）乃至（Ｃ）において、発光素子は、第１の電極層１２０１００、電
界発光層１２０１０２、第２の電極層１２０１０３を含む。

図８８（Ｂ）及び図８８（Ｃ）に示す発光素子は、図８８（Ａ）の発光素子において、電
極層と電界発光層間に絶縁膜を設ける構造である。図８８（Ｂ）に示す発光素子は、第１
の電極層１２０１００と電界発光層１２０１０２との間に絶縁膜１２０１０４を有し、図
８８（Ｃ）に示す発光素子は、第１の電極層１２０１００と電界発光層１２０１０２との
間に絶縁膜１２０１０５、第２の電極層１２０１０３と電界発光層１２０１０２との間に
絶縁膜１２０１０６とを有している。このように絶縁膜は電界発光層を挟持する一対の電
極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。絶縁膜は単層でも
よいし複数層を有する積層でもよい。

なお、図８８（Ｂ）では第１の電極層１２０１００に接するように絶縁膜１２０１０４が
設けられているが、絶縁膜と電界発光層の順番を逆にして、第２の電極層１２０１０３に
接するように絶縁膜１２０１０４を設けてもよい。

分散型無機ＥＬの場合、粒子状の発光材料をバインダ中に分散させ膜状の電界発光層を形
成する。粒子状に加工する。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が
得られない場合は、乳鉢等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、
粒状の発光材料を分散した状態で固定し、電界発光層としての形状に保持するための物質
である。発光材料は、バインダによって電界発光層中に均一に分散し固定される。

分散型無機ＥＬの場合、電界発光層の形成方法は、選択的に電界発光層を形成できる液滴
吐出法、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷など）、又はスピンコート法などの塗
布法、ディッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定され
ることはないが、好ましくは、１０〜１０００ｎｍの範囲である。発光材料及びバインダ
を含む電界発光層において、発光材料の割合は５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下とするよい
。

図８９（Ａ）乃至（Ｃ）に発光素子として用いることのできる分散型無機ＥＬ素子の一例
を示す。図８９（Ａ）における発光素子は、第１の電極層１２０２００、電界発光層１２
０２０２、第２の電極層１２０２０３の積層構造を有し、電界発光層１２０２０２中にバ
インダによって保持された発光材料１２０２０１を含む。

バインダは、絶縁材料を用いることができる。絶縁材料としては、有機材料及び無機材料
を用いることができる。あるいは、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有
機絶縁材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリ
マー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。あるいは、芳香族ポリア
ミド、又はポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱
性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−
Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合
で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル
基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。又は置
換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。あるいは、
ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボ
ラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂（ポリベン
ゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよい。これらの樹脂に、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ_３）、又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）などの高誘電率の微粒子を
適度に混合して誘電率を調整することもできる。

バインダに含まれる無機絶縁材料としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ
）、酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素及び窒素を含むアルミ
ニウム、酸素及び窒素を含む酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）
、ＢａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮ
ｂＯ_３）、ニオブ酸鉛（ＰｂＮｂＯ_３）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、タンタル酸バリ
ウム（ＢａＴａ_２Ｏ_６）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、酸化イットリウム（Ｙ
_２Ｏ_３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、ＺｎＳその他の無機絶縁性材料を含む物質か
ら選ばれた材料で形成することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる
（添加等によって）ことによって、発光材料及びバインダよりなる電界発光層の誘電率を
より制御することができ、より誘電率を大きくすることができる。

作製工程において、発光材料はバインダを含む溶液中に分散される。バインダを含む溶液
の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、電界発光層を形成する方法（各種ウエットプロ
セス）及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製できるような溶媒を適宜選択すればよい
。たとえば、溶媒として有機溶媒等を用いることができる。バインダとしてシロキサン樹
脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡともいう）、３−メトシキ−３メチル−１−ブ
タノール（ＭＭＢともいう）などを溶媒として用いることができる。

図８９（Ｂ）及び図８９（Ｃ）に示す発光素子は、図８９（Ａ）の発光素子において、電
極層と電界発光層間に絶縁膜を設ける構造である。図８９（Ｂ）に示す発光素子は、第１
の電極層１２０２００と電界発光層１２０２０２との間に絶縁膜１２０２０４を有し、図
８９（Ｃ）に示す発光素子は、第１の電極層１２０２００と電界発光層１２０２０２との
間に絶縁膜１２０２０５、第２の電極層１２０２０３と電界発光層１２０２０２との間に
絶縁膜１２０２０６とを有している。このように絶縁膜は電界発光層を挟持する一対の電
極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。絶縁膜は、単層で
もよいし複数層を有する積層でもよい。

図８９（Ｂ）では第１の電極層１２０２００に接するように絶縁膜１２０２０４が設けら
れているが、絶縁膜と電界発光層の順番を逆にして、第２の電極層１２０２０３に接する
ように絶縁膜１２０２０４を設けてもよい。

図８８における絶縁膜１２０１０４、図８９における絶縁膜１２０２０４のような絶縁膜
に用いることのできる材料は、絶縁耐圧が高く、緻密な膜質であることが好ましい。さら
には、誘電率が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化イットリ
ウム（Ｙ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３
）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）、窒化シリ
コン（Ｓｉ_３Ｎ_４）又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）等、若しくはこれらの混合膜又は
２種以上の積層膜を用いることができる。これらの絶縁膜は、スパッタリング、蒸着、Ｃ
ＶＤ等により成膜することができる。絶縁膜はこれら絶縁材料の粒子をバインダ中に分散
して成膜してもよい。バインダ材料は、電界発光層に含まれるバインダと同様な材料、方
法を用いて形成すればよい。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは１０〜１０
００ｎｍの範囲である。

なお、発光素子は、電界発光層を挟持する一対の電極層間に電圧を印加することで発光が
得られるが、直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態１９）
本実施の形態においては、表示装置の一例、特に光学的な取り扱いを行なう場合について
説明する。

図９０（Ａ）及び（Ｂ）に示す背面投影型表示装置１３０１００は、プロジェクタユニッ
ト１３０１１１、ミラー１３０１１２、スクリーンパネル１３０１０１を備えている。そ
の他に、スピーカ１３０１０２、操作スイッチ類１３０１０４を備えていてもよい。この
プロジェクタユニット１３０１１１は、背面投影型表示装置１３０１００の筐体１３０１
１０の下部に配設され、映像信号に基づいて映像を映し出す投射光をミラー１３０１１２
に向けて投射する。背面投影型表示装置１３０１００はスクリーンパネル１３０１０１の
背面から投影される映像を表示する構成となっている。

一方、図９１は、前面投影型表示装置１３０２００を示している。前面投影型表示装置１
３０２００は、プロジェクタユニット１３０１１１と投射光学系１３０２０１を備えてい
る。この投射光学系１３０２０１は前面に配設するスクリーン等に映像を投影する構成と
なっている。

図９０に示す背面投影型表示装置１３０１００、図９１に示す前面投影型表示装置１３０
２００に適用されるプロジェクタユニット１３０１１１の構成を以下に説明する。

図９２は、プロジェクタユニット１３０１１１の一構成例を示している。このプロジェク
タユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１及び変調ユニット１３０３０４を
備えている。光源ユニット１３０３０１は、レンズ類を含んで構成される光源光学系１３
０３０３と、光源ランプ１３０３０２を備えている。光源ランプ１３０３０２は迷光が拡
散しないように筐体内に収納されている。光源ランプ１３０３０２としては、大光量の光
を放射可能な、例えば、高圧水銀ランプ又はキセノンランプなどが用いられる。光源光学
系１３０３０３は、光学レンズ、偏光機能を有するフィルム、位相差を調節するためのフ
ィルム、ＩＲフィルム等を適宜設けて構成される。そして、光源ユニット１３０３０１は
、放射光が変調ユニット１３０３０４に入射するように配設されている。変調ユニット１
３０３０４は、複数の表示パネル１３０３０８、カラーフィルタ、ダイクロイックミラー
１３０３０５、全反射ミラー１３０３０６、プリズム１３０３０９、投射光学系１３０３
１０を備えている。光源ユニット１３０３０１から放射された光は、ダイクロイックミラ
ー１３０３０５で複数の光路に分離される。

各光路には、所定の波長若しくは波長帯の光を透過するカラーフィルタと、表示パネル１
３０３０８が備えられている。透過型である表示パネル１３０３０８は映像信号に基づい
て透過光を変調する。表示パネル１３０３０８を透過した各色の光は、プリズム１３０３
０９に入射し投射光学系１３０３１０を通して、スクリーン上に映像を表示する。なお、
フレネルレンズがミラー及びスクリーンの間に配設されていてもよい。そして、プロジェ
クタユニット１３０１１１によって投射されミラーで反射される投影光は、フレネルレン
ズによって概略平行光に変換され、スクリーンに投影される。

図９３で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、反射型表示パネル１３０４０７、１
３０４０８、１３０４０９を備えた構成を示している。

図９３で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１と変調ユ
ニット１３０４００を備えている。光源ユニット１３０３０１は、図９２と同様の構成で
あってもよい。光源ユニット１３０３０１からの光は、ダイクロイックミラー１３０４０
１、１３０４０２、全反射ミラー１３０４０３により、複数の光路に分けられて、偏光ビ
ームスプリッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６に入射する。偏光ビームスプ
リッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６は、各色に対応する反射型表示パネル
１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９に対応して設けられている。反射型表示パネ
ル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は、映像信号に基づいて反射光を変調する
。反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９で反射された各色の光は
、プリズム１３０３０９に入射することで合成されて、投射光学系１３０４１１を通して
投射される。

光源ユニット１３０３０１から放射された光は、ダイクロイックミラー１３０４０１で赤
の波長領域の光のみを透過し、緑及び青の波長領域の光を反射する。さらに、ダイクロイ
ックミラー１３０４０２では、緑の波長領域の光のみが反射される。ダイクロイックミラ
ー１３０４０１を透過した赤の波長領域の光は、全反射ミラー１３０４０３で反射され、
偏光ビームスプリッタ１３０４０４へ入射し、青の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ
１３０４０５へ入射し、緑の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１３０４０６に入射す
る。偏光ビームスプリッタ１３０４０４、１３０４０５、１３０４０６は、入射光をＰ偏
光とＳ偏光とに分離する機能を有し、且つＰ偏光のみを透過させる機能を有している。反
射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は、映像信号に基づいて、入
射した光を偏光する。

各色に対応する反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９には各色に
対応するＳ偏光のみが入射する。なお、反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、
１３０４０９は液晶パネルであってもよい。このとき、液晶パネルは電界制御複屈折モー
ド（ＥＣＢ）で動作する。そして、液晶分子は基板に対してある角度をもって垂直配向し
ている。よって、反射型表示パネル１３０４０７、１３０４０８、１３０４０９は画素が
オフ状態にある時は入射光の偏光状態を変化させないで反射させるように表示分子が配向
している。そして、画素がオン状態にある時は表示分子の配向状態が変化し、入射光の偏
光状態が変化する。

図９３に示すプロジェクタユニット１３０１１１は、図９０に示す背面投影型表示装置１
３０１００及び、図９１に示す前面投影型表示装置１３０２００に適用することができる
。

図９４で示すプロジェクタユニットは単板式の構成を示している。図９４（Ａ）に示した
プロジェクタユニット１３０１１１は、光源ユニット１３０３０１、表示パネル１３０５
０７、投射光学系１３０５１１、位相差板１３０５０４を備えている。投射光学系１３０
５１１は一つ又は複数のレンズにより構成されている。表示パネル１３０５０７にはカラ
ーフィルタが備えられていてもよい。

図９４（Ｂ）は、フィールドシーケンシャル方式で動作するプロジェクタユニット１３０
１１１の構成を示している。フィールドシーケンシャル方式は、赤、緑、青などの各色の
光を時間的にずらせて順次表示パネルに入射させて、カラーフィルタ無しでカラー表示を
行う方式である。特に、入力信号変化に対する応答速度の大きい表示パネルと組み合わせ
ると、高精細な映像を表示することができる。図９４（Ｂ）では、光源ユニット１３０３
０１と表示パネル１３０５０８の間に、赤、緑、青などの複数のカラーフィルタが備えら
れた回動式のカラーフィルタ板１３０５０５を備えている。

図９４（Ｃ）で示すプロジェクタユニット１３０１１１は、カラー表示の方式として、マ
クロレンズを使った色分離方式の構成を示している。この方式は、マイクロレンズアレイ
１３０５０６を表示パネル１３０５０９の光入射側に備え、各色の光をそれぞれの方向か
ら照明することでカラー表示を実現する方式である。この方式を採用するプロジェクタユ
ニット１３０１１１は、カラーフィルタによる光の損失が少ないので、光源ユニット１３
０３０１からの光を有効に利用することができるという特徴を有している。図９４（Ｃ）
に示すプロジェクタユニット１３０１１１は、表示パネル１３０５０９に対して各色の光
をそれぞれの方向から照明するように、ダイクロイックミラー１３０５０１、ダイクロイ
ックミラー１３０５０２、赤色光用ダイクロイックミラー１３０５０３を備えている。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

（実施の形態２０）
本実施形態においては、電子機器の例について説明する。

図９５は表示パネル９００１０１と、回路基板９００１１１を組み合わせた表示パネルモ
ジュールを示している。表示パネル９００１０１は画素部９００１０２、走査線駆動回路
９００１０３及び信号線駆動回路９００１０４を有している。回路基板９００１１１には
、例えば、コントロール回路９００１１２及び信号分割回路９００１１３などが形成され
ている。表示パネル９００１０１と回路基板９００１１１とは接続配線９００１１４によ
って接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。

表示パネル９００１０１は、画素部９００１０２と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路
のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の
周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成
し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル９００１
０１に実装してもよい。こうすることで、回路基板９００１１１の面積を削減でき、小型
の表示装置を得ることができる。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）又はプリント基板を用いて表示パネル９００１０１に実装してもよ
い。こうすることで、表示パネル９００１０１の面積を小さくできるので、額縁サイズの
小さい表示装置を得ることができる。

例えば、消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にトランジスタを用いて画素部を形成
し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ又はＴＡＢで
表示パネルに実装してもよい。

図９５に示した表示パネルモジュールによって、テレビ受像機を完成させることができる
。図９６は、テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ９００２０１
は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路９００２０２と、映像
信号増幅回路９００２０２から出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変
換する映像信号処理回路９００２０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換する
ためのコントロール回路９００２１２により処理される。コントロール回路９００２１２
は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号を出力する。デジタル駆動する場合には、信号線
側に信号分割回路９００２１３を設け、入力デジタル信号をｍ個（ｍは正の整数）に分割
して供給する構成としても良い。

チューナ９００２０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路９００２０５
に送られ、その出力は音声信号処理回路９００２０６を経てスピーカ９００２０７に供給
される。制御回路９００２０８は受信局（受信周波数）及び音量の制御情報を入力部９０
０２０９から受け、チューナ９００２０１又は音声信号処理回路９００２０６に信号を送
出する。

図９６とは別の形態の表示パネルモジュールを組み込んだテレビ受像器について図９７（
Ａ）に示す。図９７（Ａ）において、筐体９００３０１内に収められた表示画面９００３
０２は、表示パネルモジュールで形成される。なお、スピーカ９００３０３、操作スイッ
チ９００３０４、入力手段９００３０５、センサ９００３０６（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、
電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能
を含むもの）、マイクロフォン９００３０７などが適宜備えられていてもよい。

図９７（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。
筐体９００３１２にはバッテリー及び信号受信器が収められており、そのバッテリーで表
示部９００３１３、スピーカ部９００３１７、センサ９００３１９（力、変位、位置、速
度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）及びマイクロフォン９００３２０を駆動させる。バッテリーは充電器９
００３１０で繰り返し充電が可能となっている。充電器９００３１０は映像信号を送受信
することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。
図９７（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６によって制御される。あるいは、図９
７（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６を操作することによって、充電器９００３
１０に信号を送ることが可能である。つまり、映像音声双方向通信装置であってもよい。
あるいは、図９７（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６を操作することによって、
充電器９００３１０に信号を送り、さらに充電器９００３１０が送信できる信号を他の電
子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能である。つまり、汎用
遠隔制御装置であってもよい。なお、入力手段９００３１８などが適宜備えられていても
よい。なお、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を表示部９００３１
３に適用することができる。

図９８（Ａ）は、表示パネル９００４０１とプリント配線基板９００４０２を組み合わせ
たモジュールを示している。表示パネル９００４０１は、複数の画素が設けられた画素部
９００４０３と、第１の走査線駆動回路９００４０４、第２の走査線駆動回路９００４０
５と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路９００４０６を備えていて
もよい。

プリント配線基板９００４０２には、コントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ
）９００４０８、メモリ９００４０９、電源回路９００４１０、音声処理回路９００４１
１及び送受信回路９００４１２などが備えられている。プリント配線基板９００４０２と
表示パネル９００４０１は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３により接続さ
れている。フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３には、保持容量、バッファ回路
などを設け、電源電圧又は信号にノイズの発生、及び信号の立ち上がり時間の増大を防ぐ
構成としても良い。なお、コントローラ９００４０７、音声処理回路９００４１１、メモ
リ９００４０９、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１０などは、
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル９００４０１に実装する
こともできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板９００４０２の規模を縮小すること
ができる。

プリント配線基板９００４０２に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１４
を介して、各種制御信号の入出力が行われる。そして、アンテナとの間の信号の送受信を
行うためのアンテナ用ポート９００４１５が、プリント配線基板９００４０２に設けられ
ている。

図９８（Ｂ）は、図９８（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール
は、メモリ９００４０９としてＶＲＡＭ９００４１６、ＤＲＡＭ９００４１７、フラッシ
ュメモリ９００４１８などが含まれている。ＶＲＡＭ９００４１６にはパネルに表示する
画像のデータが、ＤＲＡＭ９００４１７には画像データ又は音声データが、フラッシュメ
モリには各種プログラムが記憶されている。

電源回路９００４１０は、表示パネル９００４０１、コントローラ９００４０７、中央処
理装置（ＣＰＵ）９００４０８、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９、送受
信回路９００４１２を動作させる電力を供給する。ただし、パネルの仕様によっては、電
源回路９００４１０に電流源が備えられている場合もある。

中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８は、制御信号生成回路９００４２０、デコーダ９０
０４２１、レジスタ９００４２２、演算回路９００４２３、ＲＡＭ９００４２４、中央処
理装置（ＣＰＵ）９００４０８用のインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９などを有
している。インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９を介して中央処理装置（ＣＰＵ）
９００４０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ９００４２２に保持された後、演算
回路９００４２３、デコーダ９００４２１などに入力される。演算回路９００４２３では
、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９
００４２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路９００４２０に入力され
る。制御信号生成回路９００４２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生
成し、演算回路９００４２３において指定された場所、具体的にはメモリ９００４０９、
送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、コントローラ９００４０７などに
送る。

メモリ９００４０９、送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、コントロー
ラ９００４０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に
説明する。

入力手段９００４２５から入力された信号は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１
４を介してプリント配線基板９００４０２に実装された中央処理装置（ＣＰＵ）９００４
０８に送られる。制御信号生成回路９００４２０は、ポインティングデバイス又はキーボ
ードなどの入力手段９００４２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ９００４１６に
格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ９００４０７に送
付する。

コントローラ９００４０７は、パネルの仕様に合わせて中央処理装置（ＣＰＵ）９００４
０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル９００４０
１に供給する。コントローラ９００４０７は、電源回路９００４１０から入力された電源
電圧、又は中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓ
ｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り
替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル９００４０１に供給する。

送受信回路９００４１２では、アンテナ９００４２８において電波として送受信される信
号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔ
ａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ
Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいてもよい。送受信回路９０
０４１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、中央処理装置（ＣＰＵ
）９００４０８からの命令に従って、音声処理回路９００４１１に送られる。

中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は
、音声処理回路９００４１１において音声信号に復調され、スピーカ９００４２７に送ら
れる。マイク９００４２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路９００４１１にお
いて変調され、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８からの命令に従って、送受信回路９
００４１２に送られる。

コントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１
０、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９を、本実施形態のパッケージとして
実装することができる。

勿論、本実施の形態はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをは
じめ、鉄道の駅又は空港などにおける情報表示盤、街頭における広告表示盤など特に大面
積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

次に、図９９を参照して、携帯電話の構成例について説明する。

表示パネル９００５０１はハウジング９００５３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジン
グ９００５３０は表示パネル９００５０１のサイズに合わせて、形状又は寸法を適宜変更
することができる。表示パネル９００５０１を固定したハウジング９００５３０はプリン
ト基板９００５３１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル９００５０１はＦＰＣ９００５１３を介してプリント基板９００５３１に接続
される。プリント基板９００５３１には、スピーカ９００５３２、マイクロフォン９００
５３３、送受信回路９００５３４、ＣＰＵ、コントローラなどを含む信号処理回路９００
５３５及びセンサ９００５４１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離
、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流
量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）が形成されている
。このようなモジュールと、入力手段９００５３６、バッテリー９００５３７を組み合わ
せ、筐体９００５３９に収納する。表示パネル９００５０１の画素部は筐体９００５３９
に形成された開口窓から視認できように配置する。

表示パネル９００５０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周
波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路
（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣ
チップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル９００５０１に実装しても
良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）又は
プリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このような構成とすることで、表示
装置の低消費電力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることがで
きる。携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

図９９に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する
機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部
に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の
携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバ
イブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発
生する機能を有する。なお、図９９に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。

図１００で示す携帯電話機は、操作スイッチ類９００６０４、マイクロフォン９００６０
５などが備えられた本体（Ａ）９００６０１と、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パ
ネル（Ｂ）９００６０９、スピーカ９００６０６、センサ９００６１１（力、変位、位置
、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度
、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定
する機能を含むもの）、入力手段９００６１２などが備えられた本体（Ｂ）９００６０２
とが、蝶番９００６１０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）９００６０８と
表示パネル（Ｂ）９００６０９は、回路基板９００６０７と共に本体（Ｂ）９００６０２
の筐体９００６０３の中に収納される。表示パネル（Ａ）９００６０８及び表示パネル（
Ｂ）９００６０９の画素部は筐体９００６０３に形成された開口窓から視認できるように
配置される。

表示パネル（Ａ）９００６０８と表示パネル（Ｂ）９００６０９は、その携帯電話機９０
０６００の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パ
ネル（Ａ）９００６０８を主画面とし、表示パネル（Ｂ）９００６０９を副画面として組
み合わせることができる。

本実施形態に係る携帯電話機は、その機能又は用途に応じてさまざまな態様に変容し得る
。例えば、蝶番９００６１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機と
しても良い。操作スイッチ類９００６０４、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パネル
（Ｂ）９００６０９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏するこ
とができる。表示部を複数個そなえた情報表示端末に本実施形態の構成を適用しても、同
様な効果を得ることができる。

図１００に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示す
る機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示
部に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）
によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他
の携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて
様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々な
データの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて
バイブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が
発生する機能を有する。なお、図１００に示した携帯電話が有する機能はこれに限定され
ず、様々な機能を有することができる。

本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用すること
ができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器
として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）
、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄ
ｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装
置）などが挙げられる。

図１０１（Ａ）はディスプレイであり、筐体９００７１１、支持台９００７１２、表示部
９００７１３、入力手段９００７１４、センサ９００７１５（力、変位、位置、速度、加
速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電
流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を
含むもの）、マイクロフォン９００７１６、スピーカ９００７１７、操作キー９００７１
８、ＬＥＤランプ９００７１９等を含む。図１０１（Ａ）に示すディスプレイは、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図１
０１（Ａ）に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有するこ
とができる。

図１０１（Ｂ）はカメラであり、本体９００７３１、表示部９００７３２、受像部９００
７３３、操作キー９００７３４、外部接続ポート９００７３５、シャッターボタン９００
７３６、入力手段９００７３７、センサ９００７３８（力、変位、位置、速度、加速度、
角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン９００７３９、スピーカ９００７４０、ＬＥＤランプ９００７４１
等を含む。図１０１（Ｂ）に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影
する機能を有する。撮影した画像（静止画、動画）を自動で補正する機能を有する。撮影
した画像を記録媒体（外部又はデジタルカメラに内臓）に保存する機能を有する。撮影し
た画像を表示部に表示する機能を有する。なお、図１０１（Ｂ）に示すカメラが有する機
能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図１０１（Ｃ）はコンピュータであり、本体９００７５１、筐体９００７５２、表示部９
００７５３、キーボード９００７５４、外部接続ポート９００７５５、ポインティングデ
バイス９００７５６、入力手段９００７５７、センサ９００７５８（力、変位、位置、速
度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００７５９、スピーカ９００７６０、ＬＥＤランプ
９００７６１、リーダ／ライタ９００７６２等を含む。図１０１（Ｃ）に示すコンピュー
タは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する
。様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信又
は有線通信などの通信機能を有する。通信機能を用いて様々なコンピュータネットワーク
に接続する機能を有する。通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有
する。なお、図１０１（Ｃ）に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々
な機能を有することができる。

図１０８（Ａ）はモバイルコンピュータであり、本体９０１４１１、表示部９０１４１２
、スイッチ９０１４１３、操作キー９０１４１４、赤外線ポート９０１４１５、入力手段
９０１４１６、センサ９０１４１７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線
、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフ
ォン９０１４１８、スピーカ９０１４１９、ＬＥＤランプ９０１４２０等を含む。図１０
８（Ａ）に示すモバイルコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など
）を表示部に表示する機能を有する。表示部にタッチパネルの機能を有する。カレンダー
、日付又は時刻などを表示する機能を表示部に有する。様々なソフトウェア（プログラム
）によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて
様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々な
データの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図１０８（Ａ）に示すモバイルコンピ
ュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図１０８（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）
であり、本体９０１４３１、筐体９０１４３２、表示部Ａ９０１４３３、表示部Ｂ９０１
４３４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部９０１４３５、操作キー９０１４３６、スピー
カ部９０１４３７、入力手段９０１４３８、センサ９０１４３９（力、変位、位置、速度
、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場
、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機
能を含むもの）、マイクロフォン９０１４４０、ＬＥＤランプ９０１４４１等を含む。表
示部Ａ９０１４３３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ９０１４３４は主として文字
情報を表示することができる。

図１０８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体９０１４５１、表示部９０１４５
２、イヤホン９０１４５３、支持部９０１４５４、入力手段９０１４５５、センサ９０１
４５６（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、
におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１４５７、スピーカ
９０１４５８等を含む。図１０８（Ｃ）に示すゴーグル型ディスプレイは、外部から取得
した画像（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、
図１０８（Ｃ）に示すゴーグル型ディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な
機能を有することができる。

図１０９（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９０１５１１、表示部９０１５１２、スピー
カ部９０１５１３、操作キー９０１５１４、記憶媒体挿入部９０１５１５、入力手段９０
１５１６、センサ９０１５１７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離
、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流
量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン
９０１５１８、ＬＥＤランプ９０１５１９等を含む。図１０９（Ａ）に示す携帯型遊技機
は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能
を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図
１０９（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する
ことができる。

図１０９（Ｂ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、本体９０１５３１、表示部
９０１５３２、操作キー９０１５３３、スピーカ９０１５３４、シャッターボタン９０１
５３５、受像部９０１５３６、アンテナ９０１５３７、入力手段９０１５３８、センサ９
０１５３９（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温
度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１５４０、ＬＥ
Ｄランプ９０１５４１等を含む。図１０９（Ｂ）に示すテレビ受像機付きデジタルカメラ
は、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。撮影した画像を自動
で補正する機能を有する。アンテナから様々な情報を取得する機能を有する。撮影した画
像、又はアンテナから取得した情報を保存する機能を有する。撮影した画像、又はアンテ
ナから取得した情報を表示部に表示する機能を有する。なお、図１０１（Ｈ）に示すテレ
ビ受像機付きデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。

図１１０は携帯型遊技機であり、筐体９０１６１１、第１表示部９０１６１２、第２表示
部９０１６１３、スピーカ部９０１６１４、操作キー９０１６１５、記録媒体挿入部９０
１６１６、入力手段９０１６１７、センサ９０１６１８（力、変位、位置、速度、加速度
、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの）、マイクロフォン９０１６１９、ＬＥＤランプ９０１６２０等を含む。図１１０に
示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示
部に表示する機能を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を
有する。なお、図１１０に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機
能を有することができる。

図１０１（Ａ）乃至（Ｃ）、図１０８（Ａ）乃至（Ｃ）、図１０９（Ａ）乃至（Ｃ）、及
び図１１０に示したように、電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有する
ことを特徴とする。このような電子機器は、画質が向上された表示部を有することができ
る。さらに、動画ボケの問題を低減することができる。さらに、フリッカの問題を低減す
ることができる。さらに、特に液晶を用いた表示部を有する電子機器は、視野角が向上さ
れた表示部を有することができる。さらに、応答速度が向上された表示部を有することが
できる。さらに、消費電力が低減された表示部を有することができるため、消費電力が低
減された電子機器を得ることができる。さらに、製造コストが低減された表示部を有する
ことができるため、製造コストが低減された電子機器を得ることができる。

次に、半導体装置の応用例を説明する。

図１０２に、半導体装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図１０２は、筐
体９００８１０、表示部９００８１１、操作部であるリモコン装置９００８１２、スピー
カ部９００８１３等を含む。半導体装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設
置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。

図１０３に、建造物内に半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。
表示パネル９００９０１は、ユニットバス９００９０２と一体に取り付けられており、入
浴者は表示パネル９００９０１の視聴が可能になる。表示パネル９００９０１は入浴者が
操作することで情報を表示する機能を有する。広告又は娯楽手段として利用できる機能を
有する。

なお、半導体装置は、図１０３で示したユニットバス９００９０２の側壁だけではなく、
様々な場所に設置することができる。たとえば、鏡面の一部又は浴槽自体と一体にするな
どとしてもよい。このとき、表示パネル９００９０１の形状は、鏡面又は浴槽の形状に合
わせたものとなっていてもよい。

図１０４に、半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。表示パネル
９０１００２は、柱状体９０１００１の曲面に合わせて湾曲させて取り付けられている。
なお、ここでは柱状体９０１００１を電柱として説明する。

図１０４に示す表示パネル９０１００２は、人間の視点より高い位置に設けられている。
電柱のように屋外で繰り返し林立している建造物に表示パネル９０１００２を設置するこ
とで、不特定多数の視認者に広告を行なうことができる。ここで、表示パネル９０１００
２は、外部からの制御により、同じ画像を表示させること、及び瞬時に画像を切替えるこ
とが容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が期待できる。表示パネル
９０１００２に自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても、視認性の高い表示
媒体として有用であるといえる。電柱に設置することで、表示パネル９０１００２の電力
供給手段の確保が容易である。災害発生時などの非常事態の際には、被災者に素早く正確
な情報を伝達する手段ともなり得る。

なお、表示パネル９０１００２としては、たとえば、フィルム状の基板に有機トランジス
タなどのスイッチング素子を設けて表示素子を駆動することにより画像の表示を行なう表
示パネルを用いることができる。

なお、本実施形態において、建造物として壁、柱状体、ユニットバスを例としたが、本実
施形態はこれに限定されず、様々な建造物に半導体装置を設置することができる。

次に、半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。

図１０５は、半導体装置を、自動車と一体にして設けた例について示した図である。表示
パネル９０１１０２は、自動車の車体９０１１０１と一体に取り付けられており、車体の
動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナ
ビゲーション機能を有していてもよい。

なお、半導体装置は、図１０５で示した車体９０１１０１だけではなく、様々な場所に設
置することができる。たとえば、ガラス窓、ドア、ハンドル、シフトレバー、座席シート
、ルームミラー等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０１１０２の形状は、設
置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。

図１０６は、半導体装置を、列車車両と一体にして設けた例について示した図である。

図１０６（ａ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスに表示パネル９０１２０２を設
けた例について示した図である。従来の紙による広告に比べて、広告切替えの際に必要と
なる人件費がかからないという利点がある。表示パネル９０１２０２は、外部からの信号
により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、たとえ
ば、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替えることが
でき、より効果的な広告効果が期待できる。

図１０６（ｂ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスの他に、ガラス窓９０１２０３
、及び天井９０１２０４に表示パネル９０１２０２を設けた例について示した図である。
このように、半導体装置は、従来では設置が困難であった場所に容易に設置することが可
能であるため、効果的な広告効果を得ることができる。半導体装置は、外部からの信号に
より表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、広告切替
え時のコスト及び時間が削減でき、より柔軟な広告の運用及び情報伝達が可能となる。

なお、半導体装置は、図１０６で示したドア９０１２０１、ガラス窓９０１２０３、及び
天井９０１２０４だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、つり革
、座席シート、てすり、床等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０１２０２の
形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。

図１０７は、半導体装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図である
。

図１０７（ａ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井９０１３０１に表示パネル９０１３０
２を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示パネル９０１３０２は、
天井９０１３０１とヒンジ部９０１３０３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部
９０１３０３の伸縮により乗客は表示パネル９０１３０２の視聴が可能になる。表示パネ
ル９０１３０２は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。広告又は娯楽手段
として利用できる機能を有する。図１０７（ｂ）に示すように、ヒンジ部を折り曲げて天
井９０１３０１に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる。なお、
緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させることで、情報伝達手段及び誘導灯としても利
用可能である。

なお、半導体装置は、図１０７で示した天井９０１３０１だけではなく、様々な場所に設
置することができる。たとえば、座席シート、座席テーブル、肘掛、窓等と一体にしても
よい。多数の人が同時に視聴できる大型の表示パネルを、機体の壁に設置してもよい。こ
のとき、表示パネル９０１３０２の形状は、設置するもの形状に合わせたものとなってい
てもよい。

なお、本実施形態において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体につ
いて例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、
電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。半導
体装置は、外部からの信号により、移動体内における表示パネルの表示を瞬時に切り替え
ることが可能であるため、移動体に半導体装置を設置することにより、移動体を不特定多
数の顧客を対象とした広告表示板、災害発生時の情報表示板、等の用途に用いることが可
能となる。

なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（
一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、
又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各
々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させるこ
とが出来る。

同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図
で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行
うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の
形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場
合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、
詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示
している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合
わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。

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１７２４ 領域
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１７３４ 領域
１７３５ 領域
１７３６ 領域
１７４１ 領域
１７４２ 点
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１８０４ 領域
１８０５ 領域
１８０６ 領域
１８０７ 範囲
１８０８ 範囲
１８０９ ベクトル
１８１０ ベクトル
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１８１４ 画像
１８１５ 領域
１８１６ 領域
１８１７ 領域
１８１８ 領域
１８１９ 範囲
１８２０ 範囲
１８２１ ベクトル
１８２２ ベクトル
１８２３ ベクトル
１９００ 外部画像信号
１９０１ 水平同期信号
１９０２ 垂直同期信号
１９０３ 画像信号
１９０４ ソーススタートパルス
１９０５ ソースクロック
１９０６ ゲートスタートパルス
１９０７ ゲートクロック
１９０８ 周波数制御信号
１９１１ 制御回路
１９１２ ソースドライバ
１９１３ ゲートドライバ
１９１４ 表示領域
１９１５ 画像処理回路
１９１６ タイミング発生回路
１９２０ 検出回路
１９２１ メモリ
１９２２ メモリ
１９２３ メモリ
１９２４ 輝度制御回路
１９２５ 高速処理回路
１９２６ メモリ
２００１ 画像
２００２ 画像
２００３ 画像
２００４ 領域
２００５ 領域
２００６ 領域
２００７ 領域
２００８ 領域
２００９ 領域
２０１０ ベクトル
２０１１ ベクトル
２０２１ 画像
２０２２ 画像
２０２３ 画像
２０２４ 矢印
２０２５ 矢印
２０２６ 矢印
２０３１ 画像
２０３２ 画像
２０３３ 画像
２０４１ 画像
２０４２ 画像
２０４３ 画像
２０５１ 画像
２０５２ 画像
２０５３ 画像
２１０１ 画像
２１０２ 画像
２１０３ 画像
２１０４ 画像
２１０５ 画像
２１１１ 画像
２１１２ 画像
２１１３ 画像
２１１４ 画像
２１１５ 画像
２１１６ 画像
２１１７ 画像
２１２１ 画像
２１２２ 画像
２１２３ 画像
２１２４ 画像
２１２５ 画像
２２０１ 画像
２２０２ 画像
２２０３ 画像
２２１１ 画像
２２１２ 画像
２２１３ 画像
２２２１ 画像
２２２２ 画像
２２２３ 画像
２２３１ 画像
２２３２ 画像
２２３３ 画像
２２４１ 画像
２２４３ 画像
２４００ ＳＯＩ基板
２４０１ 半導体基板
２４０２ 半導体基板
２４０３ イオンドーピング層
２４０４ イオン
２４１０ ベース基板
２４２０ 絶縁層
２４２２ 接合層
２４２４ 窒素含有絶縁層
２４２６ 酸化シリコン層
２４３０ ＳＯＩ層
２４５０ 絶縁層
２４５２ バリア層
２４５４ 接合層
１００５０６ 不純物領域
１０７３２０ ＦＰＣ
１０７３２１ ＩＣチップ
１１０１１１ 基板
１１０１１２ 絶縁膜
１１０１１３ 半導体層
１１０１１４ 半導体層
１１０１１５ 半導体層
１１０１１６ 絶縁膜
１１０１１７ ゲ−ト電極
１１０１１８ 絶縁膜
１１０１１９ 絶縁膜
１１０１２１ サイドウォ−ル
１１０１２２ マスク
１１０１２３ 導電膜
１１０１３１ 絶縁膜
１１０２０１ 基板
１１０２０２ 絶縁膜
１１０２０３ 導電層
１１０２０４ 導電層
１１０２０５ 導電層
１１０２０６ 半導体層
１１０２０７ 半導体層
１１０２０８ 半導体層
１１０２０９ 絶縁膜
１１０２１０ 絶縁膜
１１０２１１ 導電層
１１０２１２ 導電層
１１０２２０ トランジスタ
１１０２２１ 容量素子
１１０３０１ 基板
１１０３０２ 絶縁膜
１１０３０３ 導電層
１１０３０４ 導電層
１１０３０６ 半導体層
１１０３０７ 半導体層
１１０３０８ 半導体層
１１０３０９ 導電層
１１０３１０ 導電層
１１０３１１ 導電層
１１０３１２ 導電層
１１０３２０ トランジスタ
１１０３２１ 容量素子
１１０４０１ 基板
１１０４０２ 絶縁膜
１１０４０３ 導電層
１１０４０４ 導電層
１１０４０６ 半導体層
１１０４０７ 半導体層
１１０４０８ 半導体層
１１０４０９ 導電層
１１０４１０ 導電層
１１０４１１ 導電層
１１０４１２ 絶縁膜
１１０４２０ トランジスタ
１１０４２１ 容量素子
１１０５０１ 基板
１１０５０２ 絶縁膜
１１０５０３ 導電層
１１０５０４ 導電層
１１０５１４ 絶縁膜
１１０５０５ 不純物領域
１１０５０６ 不純物領域
１１０５０７ 不純物領域
１１０５０８ ＬＤＤ領域
１１０５０９ ＬＤＤ領域
１１０５１０ チャネル形成領域
１１０５１１ 絶縁膜
１１０５１２ 導電層
１１０５１３ 導電層
１１０５２０ トランジスタ
１１０５２１ 容量素子
１１０６００ 半導体基板
１１０６０２ 絶縁膜
１１０６０４ 領域
１１０６０６ 領域
１１０６０７ ｐウェル
１１０６３２ 絶縁膜
１１０６３６ 導電膜
１１０６３８ 導電膜
１１０６４０ ゲート電極
１１０６４２ ゲート電極
１１０６４８ レジストマスク
１１０６５０ チャネル形成領域
１１０６５２ 不純物領域
１１０６６６ レジストマスク
１１０６６８ チャネル形成領域
１１０６７０ 不純物領域
１１０６７２ 絶縁膜
１１０６７４ 配線
１１０８００ 基板
１１０８０２ 絶縁膜
１１０８０４ 絶縁膜
１１０８０６ レジストマスク
１１０８０８ 凹部
１１０８１０ 絶縁膜
１１０８１１ 絶縁膜
１１０８１２ 領域
１１０８１３ 領域
１１０８１５ ｐウェル
１１０８３２ 絶縁膜
１１０８３４ 絶縁膜
１１０８３６ 導電膜
１１０８３８ 導電膜
１１０８４０ 導電膜
１１０８４２ 導電膜
１１０８５４ サイドウォール
１１０８５６ チャネル形成領域
１１０８５８ 不純物領域
１１０８６０ 低濃度不純物領域
１１０８６２ チャネル形成領域
１１０８６４ 不純物領域
１１０８６６ 低濃度不純物領域
１１０８７７ 絶縁膜
１１０８７８ 開口部
１１０８８０ 導電膜
１７０１００ 基板
１７０１０１ 画素部
１７０１０２ 画素
１７０１０３ 走査線側入力端子
１７０１０４ 信号線側入力端子
１７０１０５ 走査線駆動回路
１７０１０６ 信号線駆動回路
１７０２００ ＦＰＣ
１７０２０１ ＩＣチップ
１７０３００ 基板
１７０３０１ 画素部
１７０３０３ 信号線駆動回路
１７０３１０ 基板
１７０３２０ ＦＰＣ
１７０３２１ シール材
１７０４０１ ＩＣチップ
１１０８８２ａ 導電膜
１７０３０２ａ 走査線駆動回路
１７０３０２ｂ 走査線駆動回路
１７０５０１ａ ＩＣチップ
１７０５０１ｂ ＩＣチップ
１０１０１ 基板
１０１０２ 絶縁膜
１０１０３ 導電層
１０１０４ 絶縁膜
１０１０５ 半導体層
１０１０６ 半導体層
１０１０７ 導電層
１０１０８ 絶縁膜
１０１０９ 導電層
１０１１０ 配向膜
１０１１２ 配向膜
１０１１３ 導電層
１０１１４ 遮光膜
１０１１５ カラーフィルタ
１０１１６ 基板
１０１１７ スペーサ
１０１１８ 液晶分子
１０２０１ 基板
１０２０２ 絶縁膜
１０２０３ 導電層
１０２０４ 絶縁膜
１０２０５ 半導体層
１０２０６ 半導体層
１０２０７ 導電層
１０２０８ 絶縁膜
１０２０９ 導電層
１０２１０ 配向膜
１０２１２ 配向膜
１０２１３ 導電層
１０２１４ 遮光膜
１０２１５ カラーフィルタ
１０２１６ 基板
１０２１７ スペーサ
１０２１８ 液晶分子
１０２１９ 配向制御用突起
１０２３１ 基板
１０２３２ 絶縁膜
１０２３３ 導電層
１０２３４ 絶縁膜
１０２３５ 半導体層
１０２３６ 半導体層
１０２３７ 導電層
１０２３８ 絶縁膜
１０２３９ 導電層
１０２４０ 配向膜
１０２４２ 配向膜
１０２４３ 導電層
１０２４４ 遮光膜
１０２４５ カラーフィルタ
１０２４６ 基板
１０２４７ スペーサ
１０２４８ 液晶分子
１０２４９ 電極切り欠き部
１０３０１ 基板
１０３０２ 絶縁膜
１０３０３ 導電層
１０３０４ 絶縁膜
１０３０５ 半導体層
１０３０６ 半導体層
１０３０７ 導電層
１０３０８ 絶縁膜
１０３０９ 導電層
１０３１０ 配向膜
１０３１２ 配向膜
１０３１４ 遮光膜
１０３１５ カラーフィルタ
１０３１６ 基板
１０３１７ スペーサ
１０３１８ 液晶分子
１０３３１ 基板
１０３３２ 絶縁膜
１０３３３ 導電層
１０３３４ 絶縁膜
１０３３５ 半導体層
１０３３６ 半導体層
１０３３７ 導電層
１０３３８ 絶縁膜
１０３３９ 導電層
１０３４０ 配向膜
１０３４２ 配向膜
１０３４３ 導電層
１０３４４ 遮光膜
１０３４５ カラーフィルタ
１０３４６ 基板
１０３４７ スペーサ
１０３４８ 液晶分子
１０３４９ 絶縁膜
１０４０１ 走査線
１０４０２ 映像信号線
１０４０３ 容量線
１０４０４ トランジスタ
１０４０５ 画素電極
１０４０６ 画素容量
１０５０１ 走査線
１０５０２ 映像信号線
１０５０３ 容量線
１０５０４ トランジスタ
１０５０５ 画素電極
１０５０６ 画素容量
１０５０７ 配向制御用突起
１０５１１ 走査線
１０５１２ 映像信号線
１０５１３ 容量線
１０５１４ トランジスタ
１０５１５ 画素電極
１０５１６ 画素容量
１０５１７ 電極切り欠き部
１０６０１ 走査線
１０６０２ 映像信号線
１０６０３ 共通電極
１０６０４ トランジスタ
１０６０５ 画素電極
１０６１１ 走査線
１０６１２ 映像信号線
１０６１３ 共通電極
１０６１４ トランジスタ
１０６１５ 画素電極
２０１０１ バックライトユニット
２０１０２ 拡散板
２０１０３ 導光板
２０１０４ 反射板
２０１０５ ランプリフレクタ
２０１０６ 光源
２０１０７ 液晶パネル
２０２０１ バックライトユニット
２０２０２ ランプリフレクタ
２０２０３ 冷陰極管
２０２１１ バックライトユニット
２０２１２ ランプリフレクタ
２０２１３ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２２１ バックライトユニット
２０２２２ ランプリフレクタ
２０２２３ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２２４ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２２５ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２３１ バックライトユニット
２０２３２ ランプリフレクタ
２０２３３ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２３４ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０２３５ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
２０３００ 偏光フィルム
２０３０１ 保護フィルム
２０３０２ 基板フィルム
２０３０２ 基板フィルム
２０３０３ ＰＶＡ偏光フィルム
２０３０４ 基板フィルム
２０３０５ 粘着剤層
２０３０６ 離型フィルム
２０４０１ 映像信号
２０４０２ 制御回路
２０４０３ 信号線駆動回路
２０４０４ 走査線駆動回路
２０４０５ 画素部
２０４０６ 照明手段
２０４０７ 電源
２０４０８ 駆動回路部
２０４１０ 走査線
２０４１２ 信号線
２０４３１ シフトレジスタ
２０４３２ ラッチ
２０４３３ ラッチ
２０４３４ レベルシフタ
２０４３５ バッファ
２０４４１ シフトレジスタ
２０４４２ レベルシフタ
２０４４３ バッファ
２０５００ バックライトユニット
２０５０１ 拡散板
２０５０２ 遮光板
２０５０３ ランプリフレクタ
２０５０４ 光源
２０５０５ 液晶パネル
２０５１０ バックライトユニット
２０５１１ 拡散板
２０５１２ 遮光板
２０５１３ ランプリフレクタ
２０５１４ 光源
２０５１５ 液晶パネル
３０１０２ 遅延回路
３０１０３ 補正回路
３０１０４ 出力画像信号
３０１０５ エンコーダ
３０１０６ メモリ
３０１０７ デコーダ
３０１０８ ＬＵＴ
３０１０９ ＬＵＴ
３０１１０ 加算器
３０１１１ 減算器
３０１１２ 乗算器
３０１１３ 加算器
３０２０１ トランジスタ
３０２０２ 補助容量
３０２０３ 表示素子
３０２０４ 映像信号線
３０２０５ 走査線
３０２０６ コモン線
３０２１１ トランジスタ
３０２１２ 補助容量
３０２１３ 表示素子
３０２１４ 映像信号線
３０２１５ 走査線
３０２１６ コモン線
３０２１７ コモン線
３０３０１ 拡散板
３０３０２ 冷陰極管
３０３１１ 拡散板
３０３１２ 光源
３０４０１ 破線
３０４０２ 実線
３０５０１ 破線
３０５０２ 実線
４０１００ 画素
４０１０１ トランジスタ
４０１０２ 液晶素子
４０１０３ 容量素子
４０１０４ 配線
４０１０５ 配線
４０１０６ 配線
４０１０７ 対向電極
４０１１０ 画素
４０１１１ トランジスタ
４０１１２ 液晶素子
４０１１３ 容量素子
４０１１４ 配線
４０１１５ 配線
４０１１６ 配線
４０２００ 画素
４０２０１ トランジスタ
４０２０２ 液晶素子
４０２０３ 容量素子
４０２０４ 配線
４０２０５ 配線
４０２０６ 配線
４０２０７ 対向電極
４０２１０ 画素
４０２１１ トランジスタ
４０２１２ 液晶素子
４０２１３ 容量素子
４０２１４ 配線
４０２１５ 配線
４０２１６ 配線
４０２１７ 対向電極
４０３００ サブ画素
４０３０１ トランジスタ
４０３０２ 液晶素子
４０３０３ 容量素子
４０３０４ 配線
４０３０５ 配線
４０３０６ 配線
４０３０７ 対向電極
４０３１０ サブ画素
４０３１１ トランジスタ
４０３１２ 液晶素子
４０３１３ 容量素子
４０３１５ 配線
４０３１６ 配線
４０３１７ 対向電極
４０３２０ 画素
５０１００ 液晶層
５０１０１ 基板
５０１０２ 基板
５０１０３ 偏光板
５０１０４ 偏光板
５０１０５ 電極
５０１０６ 電極
５０２００ 液晶層
５０２０１ 基板
５０２０２ 基板
５０２０３ 偏光板
５０２０４ 偏光板
５０２０５ 電極
５０２０６ 電極
５０２１０ 液晶層
５０２１１ 基板
５０２１２ 基板
５０２１３ 偏光板
５０２１４ 偏光板
５０２１５ 電極
５０２１６ 電極
５０３００ 液晶層
５０３０１ 基板
５０３０２ 基板
５０３０３ 偏光板
５０３０４ 偏光板
５０３０５ 電極
５０３０６ 電極
５０３１０ 液晶層
５０３１１ 基板
５０３１２ 基板
５０３１３ 偏光板
５０３１４ 偏光板
５０３１５ 電極
５０３１６ 電極
５０４００ 液晶層
５０４０１ 基板
５０４０２ 基板
５０４０３ 偏光板
５０４０４ 偏光板
５０４０５ 電極
５０４０６ 電極
５０４１０ 液晶層
５０４１１ 基板
５０４１２ 基板
５０４１３ 偏光板
５０４１４ 偏光板
５０４１５ 電極
５０４１６ 電極
５０４１７ 絶縁膜
５０５０１ 画素電極
５０５０３ 突起物
５０６０１ 画素電極
５０６０２ 画素電極
５０６１１ 画素電極
５０６１２ 画素電極
５０６３１ 画素電極
５０６３２ 画素電極
５０６４１ 画素電極
５０６４２ 画素電極
５０７０１ 画素電極
５０７０２ 画素電極
５０７１１ 画素電極
５０７１２ 画素電極
５０７３１ 画素電極
５０７３２ 画素電極
５０７４１ 画素電極
５０７４２ 画素電極
７０１０１ 基板
７０１０２ 配向膜
７０１０３ ローラ
７０１０４ ラビング用ローラ
７０１０５ シール材
７０１０６ スペーサ
７０１０７ 基板
７０１０８ 配向膜
７０１０９ 液晶
７０１１０ 樹脂
７０１１３ 液晶注入口
７０３０１ 基板
７０３０２ 配向膜
７０３０３ ローラ
７０３０４ ラビング用ローラ
７０３０５ シール材
７０３０６ スペーサ
７０３０７ 基板
７０３０８ 配向膜
７０３０９ 液晶
１０６０１３ 共通電極
１８０１００ 表示装置
１８０１０１ 画素部
１８０１０２ 画素
１８０１０３ 信号線駆動回路
１８０１０４ 走査線駆動回路
２０５１４ａ 光源（Ｒ）
２０５１４ｂ 光源（Ｇ）
２０５１４ｃ 光源（Ｂ）
３０１０１ａ 入力画像信号
３０１０１ｂ 入力画像信号
５０２１１７ 突起物
５０２１１８ 突起物
６０１０５ トランジスタ
６０１０６ 配線
６０１０７ 配線
６０１０８ トランジスタ
６０１１１ 配線
６０１１２ 対向電極
６０１１３ コンデンサ
６０１１５ 画素電極
６０１１６ 隔壁
６０１１７ 有機導電体膜
６０１１８ 有機薄膜
６０１１９ 基板
６０２００ 基板
６０２０１ 配線
６０２０２ 配線
６０２０３ 配線
６０２０４ 配線
６０２０５ トランジスタ
６０２０６ トランジスタ
６０２０７ トランジスタ
６０２０８ 画素電極
６０２１１ 隔壁
６０２１２ 有機導電体膜
６０２１３ 有機薄膜
６０２１４ 対向電極
６０３００ 基板
６０３０１ 配線
６０３０２ 配線
６０３０３ 配線
６０３０４ 配線
６０３０５ トランジスタ
６０３０６ トランジスタ
６０３０７ トランジスタ
６０３０８ トランジスタ
６０３０９ 画素電極
６０３１１ 配線
６０３１２ 配線
６０３２１ 隔壁
６０３２２ 有機導電体膜
６０３２３ 有機薄膜
６０３２４ 対向電極
８０３００ 画素
８０３０１ スイッチング用トランジスタ
８０３０２ 駆動用トランジスタ
８０３０３ 容量素子
８０３０４ 発光素子
８０３０５ 信号線
８０３０６ 走査線
８０３０７ 電源線
８０３０８ 共通電極
８０３０９ 整流素子
８０４００ 画素
８０４０１ スイッチング用トランジスタ
８０４０２ 駆動用トランジスタ
８０４０３ 容量素子
８０４０４ 発光素子
８０４０５ 信号線
８０４０６ 走査線
８０４０７ 電源線
８０４０８ 共通電極
８０４０９ 整流素子
８０４１０ 走査線
８０５００ 画素
８０５０１ スイッチング用トランジスタ
８０５０２ 駆動用トランジスタ
８０５０３ 容量素子
８０５０４ 発光素子
８０５０５ 信号線
８０５０６ 走査線
８０５０７ 電源線
８０５０８ 共通電極
８０５０９ 消去用トランジスタ
８０５１０ 走査線
８０６００ 駆動用トランジスタ
８０６０１ スイッチ
８０６０２ スイッチ
８０６０３ スイッチ
８０６０４ 容量素子
８０６０５ 容量素子
８０６１１ 信号線
８０６１２ 電源線
８０６１３ 走査線
８０６１４ 走査線
８０６２０ 発光素子
８０６２１ 共通電極
８０７００ 駆動用トランジスタ
８０７０１ スイッチ
８０７０２ スイッチ
８０７０３ スイッチ
８０７０４ 容量素子
８０７１１ 信号線
８０７１２ 電源線
８０７１３ 走査線
８０７１４ 走査線
８０７３０ 発光素子
８０７３１ 共通電極
８０７３４ 走査線
１２０１００ 電極層
１２０１０２ 電界発光層
１２０１０３ 電極層
１２０１０４ 絶縁膜
１２０１０５ 絶縁膜
１２０１０６ 絶縁膜
１２０２００ 電極層
１２０２０１ 発光材料
１２０２０２ 電界発光層
１２０２０３ 電極層
１２０２０４ 絶縁膜
１２０２０５ 絶縁膜
１２０２０６ 絶縁膜
１３０１００ 背面投影型表示装置
１３０１０１ スクリーンパネル
１３０１０２ スピーカ
１３０１０４ 操作スイッチ類
１３０１１０ 筐体
１３０１１１ プロジェクタユニット
１３０１１２ ミラー
１３０２００ 前面投影型表示装置
１３０２０１ 投射光学系
１３０３０１ 光源ユニット
１３０３０２ 光源ランプ
１３０３０３ 光源光学系
１３０３０４ 変調ユニット
１３０３０５ ダイクロイックミラー
１３０３０６ 全反射ミラー
１３０３０８ 表示パネル
１３０３０９ プリズム
１３０３１０ 投射光学系
１３０４００ 変調ユニット
１３０４０１ ダイクロイックミラー
１３０４０２ ダイクロイックミラー
１３０４０３ 全反射ミラー
１３０４０４ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０５ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０６ 偏光ビームスプリッタ
１３０４０７ 反射型表示パネル
１３０４１１ 投射光学系
１３０５０１ ダイクロイックミラー
１３０５０２ ダイクロイックミラー
１３０５０３ 赤色光用ダイクロイックミラー
１３０５０４ 位相差板
１３０５０５ カラーフィルタ板
１３０５０６ マイクロレンズアレイ
１３０５０７ 表示パネル
１３０５０８ 表示パネル
１３０５０９ 表示パネル
１３０５１１ 投射光学系
１９０１０１ 陽極
１９０１０２ 陰極
１９０１０３ 正孔輸送領域
１９０１０４ 電子輸送領域
１９０１０５ 混合領域
１９０１０６ 領域
１９０１０７ 領域
１９０１０８ 領域
１９０１０９ 領域
１９０２６０ 搬送室
１９０２６１ 搬送室
１９０２６２ ロード室
１９０２６３ アンロード室
１９０２６４ 中間処理室
１９０２６５ 封止処理室
１９０２６６ 搬送手段
１９０２６７ 搬送手段
１９０２６８ 加熱処理室
１９０２６９ 成膜処理室
１９０２７０ 成膜処理室
１９０２７１ 成膜室
１９０２７２ プラズマ処理室
１９０２７３ 成膜処理室
１９０２７４ 成膜処理室
１９０２７６ 成膜処理室
１９０３８０ 蒸発源ホルダ
１９０３８１ 蒸発源
１９０３８２ 距離センサ
１９０３８３ 多関節アーム
１９０３８４ 材料供給管
１９０３８６ 基板ステージ
１９０３８７ 基板チャック
１９０３８８ マスクチャック
１９０３８９ 基板
１９０３９０ シャドーマスク
１９０３９１ 天板
１９０３９２ 底板
９００１０１ 表示パネル
９００１０２ 画素部
９００１０３ 走査線駆動回路
９００１０４ 信号線駆動回路
９００１１１ 回路基板
９００１１２ コントロール回路
９００１１３ 信号分割回路
９００１１４ 接続配線
９００２０１ チューナ
９００２０２ 映像信号増幅回路
９００２０３ 映像信号処理回路
９００２０５ 音声信号増幅回路
９００２０６ 音声信号処理回路
９００２０７ スピーカ
９００２０８ 制御回路
９００２０９ 入力部
９００２１２ コントロール回路
９００２１３ 信号分割回路
９００３０１ 筐体
９００３０２ 表示画面
９００３０３ スピーカ
９００３０４ 操作スイッチ
９００３０５ 入力手段
９００３０６ センサ
９００３０７ マイクロフォン
９００３１０ 充電器
９００３１２ 筐体
９００３１３ 表示部
９００３１６ 操作キー
９００３１７ スピーカ部
９００３１８ 入力手段
９００３１９ センサ
９００３２０ マイクロフォン
９００４０１ 表示パネル
９００４０２ プリント配線基板
９００４０３ 画素部
９００４０４ 走査線駆動回路
９００４０５ 走査線駆動回路
９００４０６ 信号線駆動回路
９００４０７ コントローラ
９００４０８ 中央処理装置（ＣＰＵ）
９００４０９ メモリ
９００４１０ 電源回路
９００４１１ 音声処理回路
９００４１２ 送受信回路
９００４１３ フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）
９００４１４ インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４１５ アンテナ用ポート
９００４１６ ＶＲＡＭ
９００４１７ ＤＲＡＭ
９００４１８ フラッシュメモリ
９００４１９ インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４２０ 制御信号生成回路
９００４２１ デコーダ
９００４２２ レジスタ
９００４２３ 演算回路
９００４２４ ＲＡＭ
９００４２５ 入力手段
９００４２６ マイク
９００４２７ スピーカ
９００４２８ アンテナ
９００５０１ 表示パネル
９００５１３ ＦＰＣ
９００５３０ ハウジング
９００５３１ プリント基板
９００５３２ スピーカ
９００５３３ マイクロフォン
９００５３４ 送受信回路
９００５３５ 信号処理回路
９００５３６ 入力手段
９００５３７ バッテリー
９００５３９ 筐体
９００５４１ センサ
９００６００ 携帯電話機
９００６０１ 本体（Ａ）
９００６０２ 本体（Ｂ）
９００６０３ 筐体
９００６０４ 操作スイッチ類
９００６０５ マイクロフォン
９００６０６ スピーカ
９００６０７ 回路基板
９００６０８ 表示パネル（Ａ）
９００６０９ 表示パネル（Ｂ）
９００６１０ 蝶番
９００６１１ センサ
９００６１２ 入力手段
９００７１１ 筐体
９００７１２ 支持台
９００７１３ 表示部
９００７１４ 入力手段
９００７１５ センサ
９００７１６ マイクロフォン
９００７１７ スピーカ
９００７１８ 操作キー
９００７１９ ＬＥＤランプ
９００７３１ 本体
９００７３２ 表示部
９００７３３ 受像部
９００７３４ 操作キー
９００７３５ 外部接続ポート
９００７３６ シャッターボタン
９００７３７ 入力手段
９００７３８ センサ
９００７３９ マイクロフォン
９００７４０ スピーカ
９００７４１ ＬＥＤランプ
９００７５１ 本体
９００７５２ 筐体
９００７５３ 表示部
９００７５４ キーボード
９００７５５ 外部接続ポート
９００７５６ ポインティングデバイス
９００７５７ 入力手段
９００７５８ センサ
９００７５９ マイクロフォン
９００７６０ スピーカ
９００７６１ ＬＥＤランプ
９００７６２ リーダ／ライタ
９００８１０ 筐体
９００８１１ 表示部
９００８１２ リモコン装置
９００８１３ スピーカ部
９００９０１ 表示パネル
９００９０２ ユニットバス
９０１００１ 柱状体
９０１００２ 表示パネル
９０１１０１ 車体
９０１１０２ 表示パネル
９０１２０１ ドア
９０１２０２ 表示パネル
９０１２０３ ガラス窓
９０１２０４ 天井
９０１３０１ 天井
９０１３０２ 表示パネル
９０１３０３ ヒンジ部
９０１４１１ 本体
９０１４１２ 表示部
９０１４１３ スイッチ
９０１４１４ 操作キー
９０１４１５ 赤外線ポート
９０１４１６ 入力手段
９０１４１７ センサ
９０１４１８ マイクロフォン
９０１４１９ スピーカ
９０１４２０ ＬＥＤランプ
９０１４３１ 本体
９０１４３２ 筐体
９０１４３３ 表示部Ａ
９０１４３４ 表示部Ｂ
９０１４３５ 読み込み部
９０１４３６ 操作キー
９０１４３７ スピーカ部
９０１４３８ 入力手段
９０１４３９ センサ
９０１４４０ マイクロフォン
９０１４４１ ＬＥＤランプ
９０１４５１ 本体
９０１４５２ 表示部
９０１４５３ イヤホン
９０１４５４ 支持部
９０１４５５ 入力手段
９０１４５６ センサ
９０１４５７ マイクロフォン
９０１４５８ スピーカ
９０１５１１ 筐体
９０１５１２ 表示部
９０１５１３ スピーカ部
９０１５１４ 操作キー
９０１５１５ 記憶媒体挿入部
９０１５１６ 入力手段
９０１５１７ センサ
９０１５１８ マイクロフォン
９０１５１９ ＬＥＤランプ
９０１５３１ 本体
９０１５３２ 表示部
９０１５３３ 操作キー
９０１５３４ スピーカ
９０１５３５ シャッターボタン
９０１５３６ 受像部
９０１５３７ アンテナ
９０１５３８ 入力手段
９０１５３９ センサ
９０１５４０ マイクロフォン
９０１５４１ ＬＥＤランプ
９０１６１１ 筐体
９０１６１２ 表示部
９０１６１３ 表示部
９０１６１４ スピーカ部
９０１６１５ 操作キー
９０１６１６ 記録媒体挿入部
９０１６１７ 入力手段
９０１６１８ センサ
９０１６１９ マイクロフォン
９０１６２０ ＬＥＤランプ
１９０２７７ａ ゲートバルブ
１９０３８１ａ 蒸発源
１９０３８１ｂ 蒸発源
１９０３８１ｃ 蒸発源
１９０３８５ａ 材料供給源
１９０３８５ｂ 材料供給源
１９０３８５ｃ 材料供給源

Claims (5)

1. 画素部と、第１の駆動方法又は第２の駆動方法をユーザ設定に応じて切り替える機能を有する装置と、を有する液晶表示装置であって、
   前記画素部は、液晶素子を含む画素を有し、
   前記第１の駆動方法では、１フレーム期間は、第１の期間と、第２の期間と、第３の期間と、第４の期間と、を有し、
   前記第１の駆動方法では、前記第１の期間において、第１の画像を表示するための第１の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第１の駆動方法では、前記第２の期間において、第２の画像を表示するための第２の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第１の駆動方法では、前記第３の期間において、第３の画像を表示するための第３の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第１の駆動方法では、前記第４の期間において、第４の画像を表示するための第４の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第１の画像データは、前記第３の画像データと異なる画像データであり、
   前記第１の画像データは、前記第２の画像データと同じ画像データであり、
   前記第３の画像データは、前記第４の画像データと同じ画像データであり、
   前記第１の画像又は前記第２の画像の一方は、前記第１の画像又は前記第２の画像の他方よりも暗い画像であり、
   前記第３の画像又は前記第４の画像の一方は、前記第３の画像又は前記第４の画像の他方よりも暗い画像であり、
   前記第２の駆動方法では、１フレーム期間は、第５の期間と、第６の期間と、第７の期間と、第８の期間と、を有し、
   前記第２の駆動方法では、前記第５の期間において、第５の画像を表示するための第５の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第２の駆動方法では、前記第６の期間において、第６の画像を表示するための第６の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第２の駆動方法では、前記第７の期間において、第７の画像を表示するための第７の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第２の駆動方法では、前記第８の期間において、第８の画像を表示するための第８の画像データが前記画素部に書き込まれ、
   前記第５の画像データ、前記第６の画像データ、前記第７の画像データ及び前記第８の画像データのそれぞれは、互いに異なる画像データであることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１において、
   バックライトを有し、
   前記第１の画像、前記第２の画像、前記第３の画像及び前記第４の画像のそれぞれの明るさは、前記バックライトによって制御されることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第６の画像データ、前記第７の画像データ及び前記第８の画像データのそれぞれは、動き補償によって求められた画像データであることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置と、
   ＦＰＣと、
   を有することを特徴とするモジュール。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置、又は請求項４に記載されたモジュールと、
   操作スイッチ又はバッテリーと、
   を有することを特徴とする電子機器。

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