JP2015104499A5 - - Google Patents

Description

本発明の一態様では、前記第１の圧電体層は、前記平面視において、前記基板上の面積よりも前記第１の開口上の面積の方が大きくてもよい。

また、指向性とは、超音波の入射方向に応じて受信感度が異なる性質のことである。即ち、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、指向性が異なる超音波トランスデューサー素子では、超音波の入射方向に対する受信感度の分布が異なるということである。例えば、第２の指向性は図５（Ａ）に対応し、正面方向での受信感度が最大となっている。一方、第１の指向性は図５（Ｂ）に対応し、正面よりも右側方向での受信感度が最大となっている。

第１の圧電体層６０ａは、例えばＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）薄膜により形成され、第１の電極層４０ａの少なくとも一部を覆うように設けられる。なお、第１の圧電体層６０ａの材料は、ＰＺＴに限定されるものではなく、例えばチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ _３ ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ _３ ）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ、Ｌａ）ＴｉＯ _３ ）などを用いてもよい。

図１２で後述のように、超音波トランスデューサーデバイス２００は第１〜第ｎのユニットとして例えば第１〜第６４のユニット（チャンネルＣＨ１〜ＣＨ６４）を含む。各ユニットは、第１の超音波トランスデューサー素子（図１３のＵＥ１１〜ＵＥ１８）と第２の超音波トランスデューサー素子（図１３のＵＥ２１〜ＵＥ４８）と第３の超音波トランスデューサー素子（図１３のＵＥ５１〜ＵＥ５８）を含む。

Claims (13)

1. 第１の開口及び第２の開口が設けられる基板と、
   前記第１の開口に対応して前記基板に形成される第１の超音波トランスデューサー素子と、
   前記第２の開口に対応して前記基板に形成される第２の超音波トランスデューサー素子と、
   を含み、
   前記第１の開口は、スキャン方向に対応する第１の方向側の第１の縁部及び前記第１の方向とは反対の第２の方向側の第２の縁部を有し、
   前記第１の超音波トランスデューサー素子は、
   前記第１の開口を閉塞する第１の振動膜と、
   前記基板の厚み方向からの平面視において、前記第１の開口の前記第１の縁部を覆うように前記第１の振動膜上に設けられる第１の圧電体層と、
   を有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
2. 請求項１において、
   前記第２の超音波トランスデューサー素子は、
   前記第２の開口を閉塞する第２の振動膜と、
   前記平面視において、前記第２の開口の前記第１の方向側の第３の縁部及び前記第２の方向側の第４の縁部のいずれにも重ならずに前記第２の振動膜上に設けられる第２の圧電体層と、
   を有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
3. 請求項２において、
   前記第１の超音波トランスデューサー素子は、
   基準方向に対して前記第１の方向側に傾いた方向の指向性で超音波を受信し、
   前記第２の超音波トランスデューサー素子は、
   前記基準方向の指向性で超音波を受信することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
4. 請求項２又は３において、
   前記第１の振動膜と前記第２の振動膜は、同一平面に形成されることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
5. 請求項１又は２において、
   前記基板に設けられる第３の開口に対応して、前記基板に形成される第３の超音波トランスデューサー素子を含み、
   前記第３の超音波トランスデューサー素子は、
   前記第３の開口を閉塞する第３の振動膜と、
   前記平面視において、前記第３の開口の第１の方向側の第５の縁部及び前記第２の方向側の第６の縁部のうち、前記第６の縁部を覆うように前記第３の振動膜上に設けられる第３の圧電体層と、
   を有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
6. 請求項５において、
   前記第１の超音波トランスデューサー素子は、
   基準方向に対して前記第１の方向側に傾いた方向の指向性で超音波を受信し、
   前記第３の超音波トランスデューサー素子は、
   前記基準方向に対して前記第２の方向側に傾いた方向の指向性で超音波を受信することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
7. 請求項５又は６において、
   前記第１の振動膜と前記第３の振動膜は、同一平面に形成されることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記第１の圧電体層は、前記平面視において、前記基板上の面積よりも前記第１の開口上の面積の方が大きいことを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
9. 基準方向とは異なる第１の指向方向の指向性を有し、超音波の受信を行う第１の超音波トランスデューサー素子と、
   前記基準方向である第２の指向方向の指向性を有し、超音波の送信又は送信及び受信を行う第２の超音波トランスデューサー素子と、
   を含むことを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
10. 請求項９において、
    前記基準方向とは異なる第３の指向方向の指向性を有し、超音波の受信を行う第３の超音波トランスデューサー素子を含み、
    前記基準方向は、前記第１の指向方向と前記第３の指向方向の間の方向であることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載された超音波トランスデューサーデバイスと、
    前記第１の超音波トランスデューサー素子が受信した第１の受信信号に基づいて超音波画像を生成する処理部と、
    を含むことを特徴とする超音波測定装置。
12. 請求項２乃至４のいずれかに記載された超音波トランスデューサーデバイスと、
    前記第１の超音波トランスデューサー素子が受信した第１の受信信号又は前記第１の受信信号から得られる第１の受信データである第１の受信情報により、前記第２の超音波トランスデューサー素子が受信した第２の受信信号又は前記第２の受信信号から得られる第２の受信データである第２の受信情報を補正処理する処理部と、
    を含むことを特徴とする超音波測定装置。
13. 請求項１乃至１０のいずれかに記載された超音波トランスデューサーデバイスと、
    前記第１の超音波トランスデューサー素子が受信した第１の受信信号に基づいて超音波画像を生成する処理部と、
    前記超音波画像を表示する表示部と、
    を含むことを特徴とする超音波画像装置。