JP2015099152A - 磁場測定装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の1つは、複数のセル毎に光源を設けなくとも、各セルにポンプ光とプローブ光を供給できるようにすることにある。
本発明によれば、光が分岐されて複数の各セルに導かれる。分配層で光が分岐されて複数のセルに導かれるため、セル毎に複数の光源を設けなくても各セルに光を供給できる。
また、本発明においては、一の前記分配層に前記セル層が積層されており、前記第1光と前記第2光が、前記一の分配層から前記セル層に入射する構成としてもよい。この構成によれば、第1光と第2光がセル層の一方の面側から照射されることとなるので、セルユニットの厚みを抑えることができる。
また、本発明においては、前記分配層は、前記第1光を導く第1分配層と、前記第2光を導く第2分配層を有し、前記第1分配層は、前記セル層に積層され、前記第2層は、前記セル層において前記第1分配層に向いた面と交わる面に接して設けられている構成としてもよい。この構成によれば、一の分配層は、1種類の光を分岐させて導き、他の種類の光を分岐させて導かないので、一の分配層の構成を簡素にできる。
また、本発明においては、前記セルを透過した前記第2光を検出する検出部を有する構成としてもよい。また、本発明においては、前記セルを透過した前記第1光を検出する検出部を有する構成としてもよい。これらの構成によれば、セルユニットで光を検出できるため、セルユニットを備える装置に別途検出部を設けずに済み、装置の構成を簡素にできる。
また、本発明においては、前記分配層は、入射した光の一部を通過させ且つ残りを反射する回折格子を前記セル層に面した側に有し、前記回折格子を通過した光が前記複数のセルに照射される構成としてもよい。
また、本発明においては、前記分配層は、入射した光を第1方向と第2方向へ反射する回折格子を前記セル層に面する面と反対側の面に有し、前記第1方向へ反射された光が前記複数のセルに照射される構成としてもよい。
これらの構成によれば、回折格子により光を分岐させてセルに導くことができるので、光学部品で光の分岐や案内を行う構成と比較して、セルユニットの構成を簡素にできる。
本発明によれば、第1光が第1照射部からセルユニットに照射されると、第1光が分岐されて複数の各セルに導かれる。このため、磁場測定装置において、セル毎に複数の光源を設けなくても各セルに第1光を供給し、セルを通過した第1光を測定することができる。
また、本発明に係る磁場測定装置は、光により励起される原子を内部に有するセルを複数備えたセル層と、前記原子を励起させる入射された第1光を分岐させて前記複数のセルの各々に分岐された前記第1光を導き、入射された第2光を分岐させ、前記複数の各セル内において前記第2光が前記第1光と交差するように分岐された前記第2光を前記複数のセルに導く分配層とを有するセルユニットと、前記セルユニットへ前記第1光を照射する第1照射部と、前記セルユニットへ前記第2光を照射する第2照射部と、前記セルを透過した前記第2光を検出する検出部とを有する。
本発明によれば、第1光が第1照射部からセルユニットに照射されると、第1光が分岐されて複数の各セルに導かれ、第2光がセルユニットに照射されると、第2光が分岐されて複数の各セルに導かれる。分配層で光が分岐されて複数のセルに導かれるため、磁場測定装置において、セル毎に複数の光源を設けなくても各セルに第1光と第2光を供給できる。
図1は、本発明の一実施形態に係る磁場測定装置1の構成を示した図である。磁場測定装置1は、光ポンピング法を用いて磁場を測定する装置である。磁場測定装置1は、第1照射部20、第2照射部30、検出部40、生体により生じた磁場(例えば、心臓2により生じた磁場)がかかるセルユニット10を有する。
なお、図1においては、光ポンピング法に係る部分の構成を示しており、地磁気などの磁気を低減する磁気シールドや、磁気シールド内の残留磁場を低減する複数のヘルムホルツコイル等、周知の構成については図示を省略し、以下、その説明についても省略する。
変換部22は、無偏光のレーザー光を円偏光のレーザー光に変換する手段の一例である。変換部22は、ビームエキスパンダー、コリメートレンズ、偏光板、四分の一波長板などの光学部品を有する。変換部22に入射したレーザー光は、ビームエキスパンダーで広げられ、コリメートレンズで平行光にされる。コリメートレンズから出た平行光は、偏光板で直線偏光にされ、四分の一波長板で円偏光にされる。円偏光にされた光は、光ポンピング法におけるポンプ光として、セルユニット10に照射される。
なお、ポンプ光は、円偏光の成分を有していれば、他の偏光成分を含んでいてもよい。
変換部32は、無偏光のレーザー光を直線偏光のレーザー光に変換する手段の一例である。変換部32は、ビームエキスパンダー、コリメートレンズ、偏光板、半波長板などの光学部品を有する。変換部32に入射したレーザー光は、ビームエキスパンダーで広げられ、コリメートレンズで平行光にされる。コリメートレンズから出た平行光は、偏光板で直線偏光にされ、半波長板で偏光面が回転させられる。半波長板で偏光面が回転させられた直線偏光の光は、光ポンピング法におけるプローブ光としてセルユニット10に照射される。
なお、プローブ光は、直線偏光の成分を有していれば、他の偏光成分を含んでいてもよい。
半波長板41は、セル121を通過したプローブ光の偏光面を回転させる光学部品である。半波長板41で偏光面が回転させられた光は、偏光ビームスプリッター42に入る。
偏光ビームスプリッター42は、プローブ光をP偏光とS偏光に分岐する光学部品である。偏光ビームスプリッターで分離されたP偏光は、直進してセンサー43Aに入射する。一方、偏光ビームスプリッターで分離されたS偏光は、P偏光と直交する方向に進み、センサー43Bに入射する。
センサー43Aとセンサー43Bは、入射した光に応じた電気信号を出力するフォトダイオード等の素子を有している。センサー43Aは、偏光ビームスプリッター42で分岐されたP偏光を検出し、検出した光に応じた電気信号を演算部50へ出力する。また、センサー43Bは、偏光ビームスプリッター42で分岐されたS偏光を検出し、検出した光に応じた電気信号を演算部50へ出力する。
演算部50は、差動増幅器を有しており、センサー43Aから出力された信号と、センサー43Bから出力された信号との差分を増幅した信号を出力する。演算部50から出力された信号を解析することに、生体により生じた磁場の情報を知ることができる。
セルユニット10は、光分配層11、セル層12および受光層13を有しており、光分配層11の上にセル層12が積層され、セル層12の上に受光層13が積層されている。各層は、Z軸方向から見ると形状が正方形となっているが、Z軸方向から見た形状が矩形や矩形以外の形状となっていてもよい。
セル121は、傾けられた状態でセル層12内に位置している。具体的には、セル121は、上面および下面がXY平面に平行であり、側面がXZ平面とYZ平面に平行である状態から、Y軸方向の中心軸を中心に予め定められた角度で回転させた状態でセル層12に配置されている。つまり、セル121は、直交する2つの面が斜めに光分配層11に向けられ、光分配層11に向けられた面と対向する面が斜めに受光層13に向けられた状態となっている。
分岐カプラー111Aには、ポンプ光が入射する。このポンプ光は、分岐カプラー111Aで9つのポンプ光に分岐される。分岐カプラー111Aには、9本の光ファイバー112が接続されている。一本の光ファイバー112には、分岐されたポンプ光のうちの一のポンプ光が入射する。光ファイバー112は、一本の光ファイバーが一つのセル121にポンプ光を導くように配置されている。光ファイバー112において、分岐カプラー111Aに接続されている側と反対側の端部は、セル121において光分配層11の側に向いた一方の面に向けられている。分岐カプラー111Aで分岐されたポンプ光は、光ファイバー112により導かれ、光ファイバー112の端部からセル層12に入り、セル121へ照射される。
なお、光ファイバー112の端部は、出力するポンプ光とプローブ光とがセル121の内部で交差するように位置や向きが設定されている。
磁場測定装置1が測定を開始すると、光源21と光源31からレーザー光が出力される。光源21から出力されたレーザー光は、変換部22で円偏光にされ、ポンプ光としてセルユニット10に到達する。なお、ポンプ光は、X軸のマイナス方向からセルユニット10へ到達する。一方、光源31から出力されたレーザー光は、変換部32で直線偏光にされ、プローブ光としてセルユニット10に到達する。なお、プローブ光は、X軸のプラス方向からセルユニット10へ到達する。
一方、セルユニット10に到達したプローブ光は、分岐カプラー111Bに入る。分岐カプラー111Bに入ったプローブ光は、9本のプローブ光に分岐される。分岐されたプローブ光は、一つのセルに一のプローブ光が到達するように、光ファイバー112でセル121の下方に導かれる。セル121の下方に導かれたプローブ光は、光ファイバー112の端部からセル121に照射される。
セル121に照射されたプローブ光は、セル121内を通過してポンプ光と交差した後、セル121から出て受光層13に到達する。なお、プローブ光は、心臓2による磁場に応じて、直線偏光の偏光面が回転する。
なお、偏光ビームスプリッター42には、9つのプローブ光が入るため、センサー43Aには、9つのP偏光が入射し、センサー43Bには、9つのS偏光が入射する。センサー43Aは、入射した9つのP偏光について、9つのP偏光毎に電気信号を生成して演算部50へ出力する。また、センサー43Bは、入射した9つのS偏光について、9つのS偏光毎に電気信号を生成して演算部50へ出力する。
例えば、セル121−1を通過したプローブ光から分離されたP偏光に対応する電気信号と、このプローブ光から分離されたS偏光に対応する電気信号との差分を増幅した信号を出力する。また、セル121−2を通過したプローブ光から分離されたP偏光に対応する電気信号と、このプローブ光から分離されたS偏光に対応する電気信号との差分を増幅した信号を出力する。なお、他のセル121を通過したプローブ光から得られた電気信号についても、同様に電気信号の差分を増幅した信号を出力する。
演算部50から出力された信号を解析することにより、一つのセルを用いる場合と比較して、磁場を広い範囲で測定することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、他の様々な形態で実施可能である。例えば、上述の実施形態を以下のように変形して本発明を実施してもよい。なお、上述した実施形態及び以下の変形例は、各々を組み合わせてもよい。
例えば、光分配層11をセルユニット10の側面にも設け、セルユニット10の下面側からプローブ光をセル層12に照射し、ポンプ光をセルユニット10の側面から照射してもよい。
光分配層11Aは、上述した光分配層11と同様に分岐カプラー111Bと光ファイバー112を有する。なお、光分配層11Aは、分岐カプラー111Aを備えていない。また、光分配層11Bは、分岐カプラー111Aと光ファイバー112を有する。
また、ポンプ光が入射する分岐カプラー111Aは、入射するポンプ光を3つに分岐させる。分岐カプラー111Aには、3本の光ファイバー112が接続されている。光ファイバー112は、一本の光ファイバーが一つのセル121にポンプ光を導くように配置されている。3つに分岐されたポンプ光は、光ファイバー112で導かれ、セル121−1〜121−3の側面に照射される。
この構成においても、一つの光源21で複数のセル121にポンプ光を供給できる。また、一つの光源31で複数のセル121にプローブ光を供給できる。なお、図4においては、セル121は一列のみとなっているが、本変形例に係るセルユニット10Aを複数列ならべてもよい。
図5は、本変形例に係る光分配層11Cの模式図である。図5において、矢印は、レーザー光の進行方向を示している。光分配層11Cは、透明なガラスや樹脂などレーザー光が透過する材料で形成された導光体113と、レーザー光を分岐させる膜114−1〜114−Nで構成されている。
膜114−1〜114−Nは、誘電体の多層膜であり、入射する光の一部を反射し、残りの光を透過して光を分岐させる。膜114−1〜114−Nで反射されて分岐された光が均等になるように、膜114−1〜114−Nの反射率は調整されている。また、膜の角度と位置は、セル121に照射されるように設定されている。
なお、N番目の膜に入射するレーザー光の光パワーをPinN、N番目の膜で反射されたレーザー光の光パワーをPoutN、N番目の膜の反射率をRNとし、膜での吸収がないものと仮定すると、透過率は、1−RNで表され、以下の数1〜数4の式が成り立つ。
図6は、変形例に係る光分配層11Dの模式図である。図6において、矢印は、レーザー光の進行方向を示している。光分配層11Dは、透明なガラスや樹脂などレーザー光が透過する材料で形成された導光体113と、回折格子115で構成されている。なお、導光体113の上面の端部には、レーザー光が入射する三角プリズム116が設けられている。この構成においては、レーザー光は、三角プリズム116を通過して導光体113に入る。導光体113に入ったレーザー光は、導光体113の下面で全反射され、回折格子115に到達する。
回折格子115に到達した光は、一部が回折格子115を通過し、残りの光が回折格子115で反射される。回折格子115で反射された光は、再度導光体113の下面で全反射され、再び回折格子115に到達する。このように、レーザー光が回折格子115で分岐されながら導光体113の内部を進むことにより、レーザー光が複数に分岐されて光分配層11Dの外部に出力される。なお、回折格子115は、通過した光がセル121に照射されるように設定されている。
図8は、上述した構成とは別の角度で傾けられたセル121の一例を示した図である。この構成においては、セル121の中心を通り鉛直方向に沿ったZ軸を想定する。そして、このZ軸と、セル121の中心を通り直交する3本の各レーザー光L1〜L3とのなす角度θが各々同じ角度となるようにセル121を傾けてもよい。
また、この構成にあっては、レーザー光L1〜L3を、ポンプ光にする状態とプローブ光にする状態とに切り替えられる構成とし、セル121を通過したレーザー光L1〜L3毎に、検出部40を設けるようにしてもよい。
この構成において、例えば、レーザー光L1をポンプ光、レーザー光L2をプローブ光として磁場を測定したあと、レーザー光L1をポンプ光、レーザー光L3をプローブ光として磁場を測定してもよい。また、この後で、レーザー光L2をポンプ光、レーザー光L1をプローブ光として磁場を測定したあと、レーザー光L2をポンプ光、レーザー光L3をプローブ光として磁場を測定してもよい。本変形例においては、このようにポンプ光とプローブ光の方向を順番に切り替えて磁場を測定してもよい。
また、上述した実施形態においては、検出部40へプローブ光を導く光ファイバー131をセル層12の上面に配置し、セル層12の上面には透明なガラスまたは樹脂で形成された層を設けなくてもよい。
また、本発明においては、セルユニット10に偏光板や半波長板、四分の一波長板などを配置し、セル121にレーザー光が入射する前に円偏光や直線偏光の状態を整えるようにしてもよい。
例えば、非線形磁気光学効果(NMOR:Nonlinear Magneto-Optical Rotation)を利用して磁場を測定する場合、直線偏光にされた1本のレーザー光を一つのセルに照射し、セル内の原子を励起させる。また、セルを通過したレーザー光を検光子に案内し、検光子で分岐された光を測定することにより、磁場の測定が行われる。
このため、非線形磁気光学効果を利用して磁場の測定を行う場合、磁場測定装置は、1本のレーザー光を複数本のレーザー光に分岐する光分配層、即ち、上述した光分配層11A〜11Eのいずれかを備えるセルユニットを用いて磁場の測定を行う。
なお、本変形例においては、上述した検光子と、検光子を通過した光を検知するフォトダイオードを受光層13に配置してもよい。
この構成によれば、多段に配置されたセルユニット10によって磁場勾配を測定することが可能となる。具体的には、心臓2に近いセルユニット10は、心臓2からの磁場と、心臓2からの磁場以外の環境磁場とを測定し、心臓2から遠いセルユニット10は、環境磁場を測定することとなる。心臓2に近いセルユニット10で得た測定結果と、心臓2から遠いセルユニット10で得た測定結果との差を取ることにより、環境磁場の影響を除き心臓2により生じた磁場を測定することができる。
なお、本実施形態に係るセルユニットによれば、セル121と光分配層11とが一体化されているため、セルと、光を分配する構成とを別個に設ける場合と比較して、セルが多段に配置される方向の高さを抑えることができ、装置の構成をコンパクトにすることができる。
Claims (12)
- 光により励起される原子を内部に有するセルを複数備えたセル層と、
入射された第1光を分岐させ、分岐された前記第1光を前記複数のセルの各々に導く分配層と
を有するセルユニット。 - 前記分配層は、入射された第2光を分岐させ、前記複数の各セル内において前記第2光が前記第1光と交差するように、分岐された前記第2光を前記複数のセルに導くことを特徴とする請求項1に記載のセルユニット。
- 一の前記分配層に前記セル層が積層されており、前記第1光と前記第2光が、前記一の分配層から前記セル層に入射することを特徴とする請求項2に記載のセルユニット。
- 前記分配層は、前記第1光を導く第1分配層と、前記第2光を導く第2分配層を有し、前記第1分配層は、前記セル層に積層され、前記第2層は、前記セル層において前記第1分配層に向いた面と交わる面に接して設けられていること
を特徴とする請求項2に記載のセルユニット。 - 前記セルを透過した前記第2光を検出する検出部を有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のセルユニット。
- 前記セルを透過した前記第1光を検出する検出部を有することを特徴とする請求項1に記載のセルユニット。
- 前記分配層は、入射した光を反射および透過する膜を複数有し、入射した前記光が進む方向に前記膜が並べられ、前記複数の膜で反射された光が前記複数のセルに照射されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のセルユニット。
- 前記分配層は、入射した光の一部を通過させ且つ残りを反射する回折格子を前記セル層に面した側に有し、前記回折格子を通過した光が前記複数のセルに照射されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のセルユニット。
- 前記分配層は、入射した光を第1方向と第2方向へ反射する回折格子を前記セル層に面する面と反対側の面に有し、前記第1方向へ反射された光が前記複数のセルに照射されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のセルユニット。
- 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のセルユニットが多段に配置されたセルユニット群。
- 光により励起される原子を内部に有するセルを複数備えたセル層と、入射された第1光を分岐させ、分岐された前記第1光を前記複数のセルの各々に導く分配層とを有するセルユニットと、
前記セルユニットへ前記第1光を照射する第1照射部と、
前記セルを透過した前記第1光を検出する検出部と
を有する磁場測定装置。 - 光により励起される原子を内部に有するセルを複数備えたセル層と、前記原子を励起させる入射された第1光を分岐させて前記複数のセルの各々に分岐された前記第1光を導き、入射された第2光を分岐させ、前記複数の各セル内において前記第2光が前記第1光と交差するように分岐された前記第2光を前記複数のセルに導く分配層とを有するセルユニットと、
前記セルユニットへ前記第1光を照射する第1照射部と、
前記セルユニットへ前記第2光を照射する第2照射部と、
前記セルを透過した前記第2光を検出する検出部と
を有する磁場測定装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017090169A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社日立製作所 | 磁場計測装置および方法 |
JP2017191040A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 磁場計測装置及び磁場計測方法 |
CN111025206A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-17 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种基于原子磁共振的静磁场空间分布测量系统及方法 |
JP2022512417A (ja) * | 2018-12-10 | 2022-02-03 | 中科知影(北京)科技有限公司 | マルチチャネル原子磁気検出器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202679A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Teijin Seiki Co Ltd | 光センサ |
JP2008277279A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Panasonic Corp | 面状照明装置とそれを用いた液晶表示装置 |
JP2009518657A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-05-07 | インテル・コーポレーション | 光学磁力計アレイならびにそれを製造および使用する方法 |
JP2009123729A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
JP2009236599A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Canon Inc | 光ポンピング磁力計 |
JP2009236598A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Canon Inc | 原子磁力計及び磁力計測方法 |
-
2014
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202679A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Teijin Seiki Co Ltd | 光センサ |
JP2009518657A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-05-07 | インテル・コーポレーション | 光学磁力計アレイならびにそれを製造および使用する方法 |
JP2008277279A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Panasonic Corp | 面状照明装置とそれを用いた液晶表示装置 |
JP2009123729A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
JP2009236599A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Canon Inc | 光ポンピング磁力計 |
JP2009236598A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Canon Inc | 原子磁力計及び磁力計測方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017090169A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社日立製作所 | 磁場計測装置および方法 |
JP2017191040A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 磁場計測装置及び磁場計測方法 |
JP2022512417A (ja) * | 2018-12-10 | 2022-02-03 | 中科知影(北京)科技有限公司 | マルチチャネル原子磁気検出器 |
US11448712B2 (en) | 2018-12-10 | 2022-09-20 | Cognitive Medical Imaging Ltd. | Multi-channel atomic magnetic detector |
JP7291328B2 (ja) | 2018-12-10 | 2023-06-15 | 中科知影(北京)科技有限公司 | マルチチャネル原子磁気検出器 |
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