JP2015095514A

JP2015095514A - Wafer processing tape

Info

Publication number: JP2015095514A
Application number: JP2013233160A
Authority: JP
Inventors: 大久保　恵介; Keisuke Okubo; 恵介大久保; 池谷　卓二; Takuji Iketani; 卓二池谷; 篤史大泉; Atsushi Oizumi
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2013-11-11
Filing date: 2013-11-11
Publication date: 2015-05-18
Anticipated expiration: 2033-11-11
Also published as: JP6278178B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing tape capable of preventing peeling-off of a bonding layer when decoupling a semiconductor wafer and the bonding layer.SOLUTION: The wafer processing tape includes: a substrate layer; an adhesive layer; and a bonding layer in this order. The adhesive strength of the adhesive layer and the bonding layer is enhanced in at least part of a periphery of the bonding layer compared to a center part of the bonding layer.

Description

本発明の実施形態は、ウエハ加工用テープに関する。 Embodiments described herein relate generally to a wafer processing tape.

一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに伸縮性かつ粘着性のあるダイシングテープを貼り付けたのち、半導体ウエハを切断（ダイシング）する工程、ダイシングテープを伸張（エキスパンド）する工程、ダイシングされたチップをピックアップする工程等が行われる。 In general, in a manufacturing process of a semiconductor device, a dicing tape having a stretchable and adhesive property is attached to a semiconductor wafer, and then a semiconductor wafer is cut (diced), a dicing tape is expanded (expanded), and diced. A step of picking up a chip is performed.

上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材層と粘着層とからなるダイシングテープに、接着層（ダイボンドフィルム）が積層されたダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている。 As a wafer processing tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, a dicing die bond film in which an adhesive layer (die bond film) is laminated on a dicing tape composed of a base material layer and an adhesive layer has been proposed.

従来、ダイシング・ダイボンドフィルムを用いる場合、ダイシング工程では、ダイシングブレードを用い半導体ウエハと接着層とを一緒にダイシングしていた。しかし、ダイシングする半導体ウエハの薄肉化により、チップ欠けやチップ割れが問題となってきた。 Conventionally, when a dicing die-bonding film is used, in the dicing process, the semiconductor wafer and the adhesive layer are diced together using a dicing blade. However, chip thinning and chip cracking have become problems due to thinning of the semiconductor wafer to be diced.

近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザ加工装置を用い、非接触にて半導体ウエハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。 In recent years, as a semiconductor wafer cutting method, a so-called stealth dicing method has been proposed in which a semiconductor wafer is cut in a non-contact manner using a laser processing apparatus.

例えば、特許文献１に開示されたステルスダイシング法では、まず、接着層を介在させてダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハを用意する。次いで、半導体ウエハの内部に焦点光を合わせてレーザ光を照射することにより半導体ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成し、改質領域からなる切断予定部を形成する工程が行われる。その後、ダイシングテープをエキスパンドし、切断予定部に沿って半導体ウエハ及び接着層を分断する工程が行われる。 For example, in the stealth dicing method disclosed in Patent Document 1, first, a semiconductor wafer to which a dicing tape is attached with an adhesive layer interposed is prepared. Next, a process of forming a modified region by multiphoton absorption inside the semiconductor wafer by aligning the focus light inside the semiconductor wafer and irradiating the laser beam, and forming a planned cutting portion composed of the modified region is performed. . Then, the process of expanding a dicing tape and dividing | segmenting a semiconductor wafer and an adhesive layer along a cutting plan part is performed.

特許文献１に開示されたステルスダイシング法によれば、レーザ光の照射とダイシングテープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハと接着層とを切断できる。そのため、ダイシングブレードを用いる場合に生じるチップ欠け、チップ割れ等の解消が可能である。したがって、ステルスダイシング法は、例えば５０μｍ以下の薄肉化した半導体ウエハに特に有効である。 According to the stealth dicing method disclosed in Patent Document 1, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be cut in a non-contact manner by laser light irradiation and dicing tape expansion. Therefore, chip chipping, chip cracking, etc. that occur when using a dicing blade can be eliminated. Therefore, the stealth dicing method is particularly effective for a thinned semiconductor wafer having a thickness of 50 μm or less, for example.

しかしながら、ステルスダイシング法では、半導体ウエハ及び接着層を分断する際に、分断の衝撃により、接着層が粘着層から剥離し、飛散したり捲れ上がったりする問題があった。 However, in the stealth dicing method, when the semiconductor wafer and the adhesive layer are divided, there is a problem that the adhesive layer is peeled off from the adhesive layer due to the impact of the division, and is scattered or rolled up.

特許４３５８５０２号公報Japanese Patent No. 4358502

本発明の実施形態は、半導体ウエハと接着層とを分断する際に、接着層の剥離を防止できるウエハ加工用テープを提供することを目的とする。 An object of an embodiment of the present invention is to provide a wafer processing tape that can prevent peeling of an adhesive layer when the semiconductor wafer and the adhesive layer are divided.

本発明の実施形態は、上記課題を解決するために、検討を重ねた結果得られたものであり、基材層、粘着層、及び接着層をこの順に有するウエハ加工用テープであって、前記粘着層と前記接着層との接着強度が、前記接着層の外周部の少なくとも一部において、前記接着層の中央部よりも高められているウエハ加工用テープに関する。
前記ウエハ加工用テープの好ましい形態として、前記接着層の外周部の少なくとも一部が、粘着テープによって前記粘着層に接着されているウエハ加工用テープが挙げられる。
また、他の好ましい形態として、前記接着層の外周部の少なくとも一部が、アンカー効果によって前記粘着層に接着されているウエハ加工用テープが挙げられる。 An embodiment of the present invention is obtained as a result of repeated studies in order to solve the above problems, and is a wafer processing tape having a base layer, an adhesive layer, and an adhesive layer in this order, The present invention relates to a wafer processing tape in which an adhesive strength between an adhesive layer and the adhesive layer is higher than that of a central portion of the adhesive layer in at least a part of an outer peripheral portion of the adhesive layer.
A preferable form of the wafer processing tape is a wafer processing tape in which at least a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer is bonded to the adhesive layer with an adhesive tape.
Another preferred embodiment is a wafer processing tape in which at least a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer is bonded to the adhesive layer by an anchor effect.

本発明の実施形態であるウエハ加工用テープを用いることにより、半導体ウエハと接着層とを分断する際に、接着層の剥離を防止できる。 By using the wafer processing tape according to the embodiment of the present invention, peeling of the adhesive layer can be prevented when the semiconductor wafer and the adhesive layer are divided.

図１は、接着強度を高める前のウエハ加工用テープの一例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a wafer processing tape before the adhesive strength is increased. 図２は、本発明の実施形態であるウエハ加工用テープの一例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention. 図３は、本発明の実施形態であるウエハ加工用テープの一例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing an example of a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention.

以下、図面を参照しながら、好適な実施形態であるウエハ加工用テープについて説明する。なお、図面の説明において同一要素には同符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は理解を容易にするため一部を誇張して描いており、寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。 Hereinafter, a wafer processing tape as a preferred embodiment will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. In addition, the drawings are partially exaggerated for easy understanding, and dimensional ratios do not necessarily match those described.

本実施形態のウエハ加工用テープは、ダイシング工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、ダイボンド工程等の半導体装置製造工程における半導体ウエハ及び当該半導体ウエハから得られる半導体チップの加工に使用できる。 The wafer processing tape of this embodiment can be used for processing a semiconductor wafer and a semiconductor chip obtained from the semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process such as a dicing process, an expanding process, a pick-up process, and a die bonding process.

本実施形態のウエハ加工用テープは、基材層、粘着層、及び接着層をこの順に有する。ウエハ加工用テープは、さらに保護フィルム層等の任意の層を有していてよい。また、各層は、それぞれ二層以上から形成されていてもよい。図１（ａ）は、接着強度を高める前のウエハ加工用テープの一例を示す断面模式図であり、図１（ｂ）は、接着強度を高める前のウエハ加工用テープの一例を示す平面模式図である。図１（ａ）に示すウエハ加工用テープは、基材層１０、粘着層１、接着層２、及び保護フィルム層２０を有し、図１（ｂ）に示すウエハ加工用テープは、基材層１０、粘着層１、及び接着層２を有している。 The wafer processing tape of this embodiment has a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer in this order. The wafer processing tape may further have an arbitrary layer such as a protective film layer. Each layer may be formed of two or more layers. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing an example of a wafer processing tape before increasing the adhesive strength, and FIG. 1B is a schematic plan view showing an example of the wafer processing tape before increasing the adhesive strength. FIG. The wafer processing tape shown in FIG. 1 (a) has a base material layer 10, an adhesive layer 1, an adhesive layer 2, and a protective film layer 20, and the wafer processing tape shown in FIG. It has the layer 10, the adhesion layer 1, and the contact bonding layer 2.

基材層、保護フィルム層、接着層、及び粘着層について説明する。
［基材層］
基材層１０としてプラスチックフィルムを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、これらのアイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体又は共重合体であるポリオレフィン；ポリテトラフルオロエチレン；ポリビニルアセテート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド、又はこれらから選択される２種以上を含む混合物等から形成されるフィルムが挙げられる。 The base material layer, protective film layer, adhesive layer, and adhesive layer will be described.
[Base material layer]
A plastic film can be used as the base material layer 10. Examples of the plastic film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET); polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) ethyl acrylate copolymer. Polymers, ethylene- (meth) acrylic acid methyl copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid copolymers, polyolefins which are homopolymers or copolymers of α-olefins such as these ionomers; polytetrafluoroethylene A film formed from polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyimide, or a mixture containing two or more selected from these.

基材層１０と粘着層１との密着性を向上させるために、基材層１０の表面に、コロナ処理、クロム酸処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理が施されていてもよい。 In order to improve the adhesion between the base material layer 10 and the adhesive layer 1, the surface of the base material layer 10 is chemically or physically subjected to corona treatment, chromic acid treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, ionizing radiation treatment, etc. Surface treatment may be performed.

基材層１０の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択される。但し、粘着層１を構成する粘着剤として、高エネルギー線（中でも紫外線）硬化性粘着剤を用いる場合は、その高エネルギー線の透過を阻害しない厚みが好ましい。基材層１０の厚さは、例えば１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍであり、さらに好ましくは７０〜１５０μｍである。この範囲は実用的に問題がなく、経済的にも有効な範囲であるといえる。 The thickness of the base material layer 10 is appropriately selected within a range that does not impair workability. However, when a high energy ray (in particular, ultraviolet ray) curable pressure sensitive adhesive is used as the pressure sensitive adhesive constituting the pressure sensitive adhesive layer 1, a thickness that does not inhibit the transmission of the high energy ray is preferable. The thickness of the base material layer 10 is, for example, 10 to 500 μm, preferably 50 to 200 μm, and more preferably 70 to 150 μm. This range has no practical problem and can be said to be an economically effective range.

基材層１０として、温度−１０℃、引張り速度５００ｍｍ／ｍｉｎにおける引張り変形時に降伏点を有さないフィルムを用いることが好ましい。降伏点を有さないことは、低温エキスパンドの際にネッキングの発生を防止でき、基材層が破断しにくくなるという点で好ましい。 As the base material layer 10, it is preferable to use a film having no yield point at the time of tensile deformation at a temperature of −10 ° C. and a tensile speed of 500 mm / min. Not having a yield point is preferable in that necking can be prevented from occurring during low-temperature expansion, and the base material layer is less likely to break.

降伏点を有さないとは、フィルムの引張り試験に基づいて作成された応力ひずみ線図において、傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する点がないことをいう。引張り試験には、例えば、テンシロン万能材料試験機（例えば、株式会社オリエンテック製「ＲＴＣ−１２１０」）を用いることができる。 “No yield point” means that there is no point at which the slope dY / dX changes from a positive value to 0 or a negative value in a stress-strain diagram created based on a tensile test of the film. For the tensile test, for example, a Tensilon universal material testing machine (for example, “RTC-1210” manufactured by Orientec Co., Ltd.) can be used.

基材層１０の形状（平面視形状）は、粘着層１の平面視形状と同じかそれより一回り広い面積を持ち、粘着層１を支持できる形状であり、接着層２と重なり合わない外周部１０ａ（ダイシング用リング載置部となる）を有する形状であることがより好ましい。例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウエハ形状等がある。 The shape (plan view shape) of the base material layer 10 has an area that is the same as or slightly larger than the plan view shape of the pressure-sensitive adhesive layer 1 and can support the pressure-sensitive adhesive layer 1 and does not overlap with the adhesive layer 2. More preferably, it has a shape having a portion 10a (to be a ring mounting portion for dicing). For example, there are a circle, a substantially circle, a rectangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, a wafer shape, and the like.

［保護フィルム層］
保護フィルム層２０として、上述のプラスチックフィルムを用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂からなるフィルムを用いてもよく、フッ素樹脂フィルムは、表面エネルギーが低いために好ましい。 [Protective film layer]
As the protective film layer 20, the above-mentioned plastic film can be used. For example, a film made of a fluororesin such as polytetrafluoroethylene may be used, and the fluororesin film is preferable because of its low surface energy.

保護フィルム層２０と接着層２との間の剥離力を低く抑えるために、保護フィルム層２０は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤により処理されていることが好ましい。このようなフィルムとしては、市販品として、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製のテイジンテトロンフィルム「Ａ−６３」（ＰＥＴフィルム、離型処理剤：変性シリコーン系）、同じく帝人デュポンフィルム株式会社製のテイジンテトロンフィルム「Ａ−３１」（ＰＥＴフィルム、離型処理剤：Ｐｔ系シリコーン系）等がある。 In order to keep the peeling force between the protective film layer 20 and the adhesive layer 2 low, the protective film layer 20 is treated with a release agent such as a silicone-type release agent, a fluorine-type release agent, or a long-chain alkyl acrylate-type release agent. It is preferable that As such a film, as a commercial product, for example, Teijin Tetron film “A-63” (PET film, mold release treatment agent: modified silicone type) manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd., also manufactured by Teijin DuPont Films, Inc. Teijin Tetron film “A-31” (PET film, mold release treatment: Pt silicone) is available.

保護フィルム層２０の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択される。保護フィルム層２０の厚さは、例えば１００μｍ以下、好ましくは１０〜７５μｍ、さらに好ましくは２５〜５０μｍである。この範囲は実用的に問題がなく、経済的にも有効な範囲であるといえる。 The thickness of the protective film layer 20 is appropriately selected as long as workability is not impaired. The thickness of the protective film layer 20 is, for example, 100 μm or less, preferably 10 to 75 μm, and more preferably 25 to 50 μm. This range has no practical problem and can be said to be an economically effective range.

保護フィルム層２０の形状（平面視形状）は、基材層１０より広い面積を持ち、接着層２、粘着層１、及び基材層１０を保護し、支持できる形状であることが好ましい。例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウエハ形状、矩形、長尺状等がある。取扱い性に優れる点で、矩形、長尺状等が好ましい。 The shape of the protective film layer 20 (planar shape) preferably has a larger area than the base material layer 10 and can protect and support the adhesive layer 2, the pressure-sensitive adhesive layer 1, and the base material layer 10. For example, there are a circle, a substantially circle, a rectangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, a wafer shape, a rectangle, a long shape, and the like. From the viewpoint of excellent handleability, a rectangular shape, a long shape and the like are preferable.

［接着層］
接着層２は、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物を用いて形成できる。樹脂組成物としては、例えば、ベース樹脂として、アクリルゴム、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂等のフィルム形成性を有する樹脂と、熱硬化性成分として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、フェノール樹脂等の熱により硬化する樹脂とを含有する組成物が挙げられる。樹脂組成物は、さらに熱硬化性樹脂と反応する硬化剤を含んでもよい。ウエハ加工用テープの用途によっては、接着層２の硬化時間が長いことが好ましく、硬化時間を長くするため、硬化剤は、ポリウレタン系、ポリエステル系等の高分子物質等で被覆され、マイクロカプセル化されていてもよい。また、樹脂組成物は、イミダゾールなどの硬化促進効果を有する硬化促進剤を含んでもよい。各成分は、それぞれ単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。 [Adhesive layer]
The adhesive layer 2 can be formed using a resin composition containing a thermosetting resin. Examples of the resin composition include, as a base resin, a film-forming resin such as acrylic rubber, polyimide resin, and phenoxy resin, and as a thermosetting component, epoxy resin, bismaleimide resin, triazine resin, phenol resin, and the like. And a composition containing a resin curable by heat. The resin composition may further include a curing agent that reacts with the thermosetting resin. Depending on the application of the wafer processing tape, it is preferable that the adhesive layer 2 has a long curing time. In order to increase the curing time, the curing agent is coated with a polymer material such as polyurethane or polyester, and microencapsulated. May be. The resin composition may also contain a curing accelerator having a curing acceleration effect such as imidazole. Each component can be used alone or in combination of two or more.

接着層２と半導体ウエハとの接着強度を上げるために、樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよく、カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等のカップリング剤が挙げられる。シラン系カップリング剤としては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランが挙げられる。カップリング剤は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。 In order to increase the adhesive strength between the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer, the resin composition may contain a coupling agent, and examples of the coupling agent include coupling agents such as silane, titanium, and aluminum. Can be mentioned. Examples of the silane coupling agent include γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, and γ-ureidopropyltriethoxysilane. Is mentioned. A coupling agent can be used individually or in combination of 2 or more types.

樹脂組成物には、接着層２の流動性を制御し、弾性率を向上させる観点から、前述した高エネルギー線の透過を維持できる程度にフィラーを加えてもよい。フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等からなるフィラーが挙げられる。フィラーの形状は特に制限されるものではない。フィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。 From the viewpoint of controlling the fluidity of the adhesive layer 2 and improving the elastic modulus, a filler may be added to the resin composition to such an extent that the transmission of the high energy rays described above can be maintained. Examples of the filler include fillers made of aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, and the like. The shape of the filler is not particularly limited. A filler can be used individually or in combination of 2 or more types.

樹脂組成物にイオン捕捉剤を添加してイオン性不純物を吸着させることにより、接着層２の吸湿時の絶縁信頼性を向上させることもできる。イオン捕捉剤としては、例えば、トリアジンチオール系化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すことを防止するため銅害防止剤として知られる化合物や、ジルコニウム系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム系化合物等の無機イオン吸着剤が挙げられる。 By adding an ion scavenger to the resin composition to adsorb ionic impurities, it is possible to improve the insulation reliability of the adhesive layer 2 when absorbing moisture. Examples of the ion scavenger include triazine thiol compounds and bisphenol reducing agents, such as compounds known as copper damage inhibitors to prevent copper ionization and dissolution, zirconium compounds, and antimony bismuth compounds. And inorganic ion adsorbents such as magnesium aluminum compounds.

接着層２を形成する際に、樹脂組成物はワニスの状態にされていてもよい。樹脂組成物をワニス化するための溶剤としては、有機溶媒が好ましく、有機溶媒は、沸点を参考に、接着層を作製する際の揮発性を考慮して選択できる。例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的沸点が低い溶媒は、接着層を作製する際に硬化が進みにくいという点で好ましい。溶媒は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。 When forming the adhesive layer 2, the resin composition may be in a varnish state. As the solvent for varnishing the resin composition, an organic solvent is preferable, and the organic solvent can be selected in consideration of volatility when forming the adhesive layer with reference to the boiling point. For example, a solvent having a relatively low boiling point such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, etc., produces an adhesive layer. At this time, it is preferable in that the curing is difficult to proceed. A solvent can be used individually or in combination of 2 or more types.

接着層２の厚さは、例えば３〜２００μｍ、好ましくは４〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜５０μｍである。３μｍ以上であると、薄い半導体ウエハに対しても十分な接着力を確保でき、また、回路基板の凸電極を良好に埋め込むことができるという点で好ましい。一方、２００μｍ以下であると、半導体装置の小型化の要求に応えることができるという点で好ましい。なお、２００μｍよりも厚くしてもよいが、不経済であり、また、特性上の利点も期待できないという傾向がある。 The thickness of the adhesive layer 2 is, for example, 3 to 200 μm, preferably 4 to 100 μm, and more preferably 5 to 50 μm. When the thickness is 3 μm or more, it is preferable in that a sufficient adhesive force can be secured even for a thin semiconductor wafer, and the convex electrode of the circuit board can be satisfactorily embedded. On the other hand, the thickness of 200 μm or less is preferable in that it can meet the demand for downsizing of the semiconductor device. Although it may be thicker than 200 μm, it is uneconomical and there is a tendency that no advantage in characteristics can be expected.

接着層２の主面の形状（平面視形状）は、円形、略円形、又は半導体ウエハ形状が好ましい。 The shape (planar view shape) of the main surface of the adhesive layer 2 is preferably a circle, a substantially circle, or a semiconductor wafer shape.

接着層２は、硬化反応前（Ｂステージの状態）における動的粘弾性測定による０℃の弾性率が、５００ＭＰａ以上であることが好ましく、１，０００ＭＰａ以上であることがより好ましい。０℃の弾性率が５００ＭＰａ以上であると、分断しやすくなる傾向がある。また、０℃の弾性率は、分断性、取り扱い性等を考慮し、２，０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１，７５０ＭＰａ以下であることがより好ましい。弾性率の測定には、動的粘弾性測定装置（例えば、レオロジ社製「ＤＶＥ−Ｖ４」）を使用できる。 The adhesive layer 2 preferably has an elastic modulus at 0 ° C. as measured by dynamic viscoelasticity before the curing reaction (B stage state) of 500 MPa or more, and more preferably 1,000 MPa or more. When the elastic modulus at 0 ° C. is 500 MPa or more, it tends to be divided easily. Further, the elastic modulus at 0 ° C. is preferably 2,000 MPa or less, more preferably 1,750 MPa or less in consideration of the parting property, handling property, and the like. For measuring the elastic modulus, a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, “DVE-V4” manufactured by Rheology) can be used.

［粘着層］
粘着層１としては、室温（２５℃）及び−１０℃で粘着力があり、接着層２に対し密着力を有するものが好ましい。粘着層１は、粘着剤として機能するベース樹脂を含有する樹脂組成物を用いて形成できる。粘着層１を構成するベース樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂などが挙げられる。糊残りしにくいという観点から、ベース樹脂は、架橋剤などの他の添加剤と反応しうる官能基、例えば、水酸基、カルボキシル基等を有していることが好ましい。ベース樹脂として、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する（すなわち、粘着力が低下する）樹脂を使用してもよい。 [Adhesive layer]
As the pressure-sensitive adhesive layer 1, those having adhesive strength at room temperature (25 ° C.) and −10 ° C. and having adhesive strength to the adhesive layer 2 are preferable. The pressure-sensitive adhesive layer 1 can be formed using a resin composition containing a base resin that functions as a pressure-sensitive adhesive. As base resin which comprises the adhesion layer 1, acrylic resin, various synthetic rubbers, natural rubber, a polyimide resin etc. are mentioned, for example. From the standpoint that it is difficult for adhesive residue to remain, the base resin preferably has a functional group capable of reacting with another additive such as a crosslinking agent, such as a hydroxyl group or a carboxyl group. As the base resin, a resin that is cured by high energy rays such as ultraviolet rays or radiation or heat (that is, the adhesive strength is reduced) may be used.

また、粘着力の調整のため、樹脂組成物は、架橋反応によりベース樹脂の官能基と反応する架橋剤として、好ましくは、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基及びメラミン基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する化合物を含有する。ベース樹脂及び架橋剤は、それぞれ単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。また、反応速度が遅い場合は、適宜にアミンやスズ等の触媒を用いることができる。 In order to adjust adhesive strength, the resin composition is preferably at least one selected from an epoxy group, an isocyanate group, an aziridine group, and a melamine group as a crosslinking agent that reacts with the functional group of the base resin by a crosslinking reaction. Contains a compound having a functional group. The base resin and the cross-linking agent may be used alone or in combination of two or more. Moreover, when reaction rate is slow, catalysts, such as an amine and tin, can be used suitably.

紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化するベース樹脂を使用する場合は、さらに光重合開始剤や熱重合開始剤を添加することが望ましい。また、粘着特性を調整するために、ロジン樹脂系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等の任意成分を適宜含有させてもよい。粘着層１を形成する際に、樹脂組成物はワニス化されていてもよい。ワニスには、接着層２の形成に用いられる上記の溶媒の使用が可能である。 When using a base resin that is cured by high energy rays such as ultraviolet rays or radiation or heat, it is desirable to further add a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator. Moreover, in order to adjust the adhesive properties, optional components such as rosin resin-based, terpene resin-based tackifiers, various surfactants, and the like may be included as appropriate. When forming the adhesion layer 1, the resin composition may be varnished. In the varnish, the above-described solvent used for forming the adhesive layer 2 can be used.

粘着層１の主面の形状（平面視形状）は、接着層２の平面視形状よりも一回り広い面積を持ち、接着層２を支持できる形状で、接着層２と重なり合わない外周部１ａ（ダイシング用リング載置部となる）を有する形状が好ましい。円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウエハ形状等がある。ただし、前記した接着層２の好ましい形状（円形やウエハ形状）との関係から、好ましい形状は円形である。 The shape (plan view shape) of the main surface of the pressure-sensitive adhesive layer 1 has a larger area than the shape of the adhesive layer 2 in plan view, and is a shape that can support the adhesive layer 2 and does not overlap with the adhesive layer 2. A shape having (to become a ring mounting portion for dicing) is preferable. There are circular, substantially circular, quadrangular, pentagonal, hexagonal, octagonal, and wafer shapes. However, the preferable shape is circular because of the relationship with the preferable shape (circular or wafer shape) of the adhesive layer 2 described above.

粘着層１で、接着層２と重なり合わない外周部１ａは、ダイシング用リングを載置し、固定するのに充分な面積とするのが好適である。 It is preferable that the outer peripheral portion 1a of the pressure-sensitive adhesive layer 1 that does not overlap the adhesive layer 2 has a sufficient area for mounting and fixing a dicing ring.

粘着層１の厚さは、例えば１〜１００μｍ、好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは５〜４０μｍである。１μｍよりも厚いと接着層２との十分な接着力を確保でき、分断時に半導体チップ及び接着層２の飛散を防止する観点から好ましい。一方、１００μｍよりも厚くしてもよいが、不経済であり、また、特性上の利点も期待できないという傾向がある。 The thickness of the adhesion layer 1 is 1-100 micrometers, for example, Preferably it is 2-50 micrometers, More preferably, it is 5-40 micrometers. When the thickness is larger than 1 μm, a sufficient adhesive force with the adhesive layer 2 can be secured, which is preferable from the viewpoint of preventing scattering of the semiconductor chip and the adhesive layer 2 at the time of division. On the other hand, although it may be thicker than 100 μm, it tends to be uneconomical and cannot be expected to have a characteristic advantage.

粘着層１と接着層２とは、分断の際に両者の間で剥離が生じ、接着層２が半導体ウエハ上に飛散し、または、接着層２が捲れ上がり、半導体ウエハ上に乗ることを防止するために、密着していることが好ましい。具体的には、接着強度が高められていない箇所において、粘着層と接着層間の温度２５℃、剥離速度５００ｍｍ／分におけるＴ字剥離強度が、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、０．１５Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。また、Ｔ字剥離強度は、２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。２Ｎ／２５ｍｍ以下であることは、分断後に通常、常温で行われるピックアップ工程において良好なピックアップ性が得られる点でも好ましい。 The adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 are separated from each other at the time of separation, and the adhesive layer 2 is scattered on the semiconductor wafer, or the adhesive layer 2 is swollen and prevented from getting on the semiconductor wafer. In order to do so, it is preferable that they are in close contact. Specifically, the T-peel strength at a temperature of 25 ° C. and a peel rate of 500 mm / min between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is preferably 0.1 N / 25 mm or more at a location where the adhesive strength is not increased. It is more preferably 15 N / 25 mm or more, and further preferably 0.2 N / 25 mm or more. The T-peel strength is preferably 2 N / 25 mm or less, more preferably 1 N / 25 mm or less, and further preferably 0.5 N / 25 mm or less. 2N / 25 mm or less is also preferable in that good pick-up properties can be obtained in a pick-up process usually performed at room temperature after dividing.

分断性向上のために低温でエキスパンドが行われる場合があることを考慮すると、粘着層１と接着層２とは、低温時に密着していることが好ましい。具体的には、接着強度が高められていない箇所において、粘着層と接着層間の−１０℃、剥離速度５００ｍｍ／分におけるＴ字剥離強度が、０．０７Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、０．０８Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。また、Ｔ字剥離強度は、１．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。１．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることは、分断後に通常、常温で行われるピックアップ工程において良好なピックアップ性が得られる点でも好ましい。 Considering that expansion may be performed at a low temperature in order to improve separation, it is preferable that the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 are in close contact at a low temperature. Specifically, the T-shaped peel strength at −10 ° C. and the peel rate of 500 mm / min between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is preferably 0.07 N / 25 mm or more at a location where the adhesive strength is not increased. 0.08 N / 25 mm or more is more preferable, and 0.1 N / 25 mm or more is more preferable. The T-peel strength is preferably 1.5 N / 25 mm or less, more preferably 1 N / 25 mm or less, and further preferably 0.5 N / 25 mm or less. It is preferable that it is 1.5 N / 25 mm or less in that a good pick-up property can be obtained in a pick-up step usually performed at room temperature after dividing.

粘着層１と接着層２のＴ字剥離強度は、以下の方法で測定できる。まず、ラミネーターにより粘着層と接着層を貼り合せた後に、２５ｍｍ幅の矩形のサンプルを切り出す。粘着層に、高エネルギー線硬化型の粘着剤が用いられている場合は、高エネルギー線照射前のサンプルを用いて測定を行う。サンプルを用いて、例えば、テンシロン万能材料試験機（例えば、株式会社オリエンテック製「ＲＴＣ−１２１０」）を用い、温度２５℃又は−１０℃、剥離速度５００ｍｍ／分でＴ字剥離強度を測定する。 The T-shaped peel strength between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 can be measured by the following method. First, after laminating an adhesive layer and an adhesive layer, a rectangular sample having a width of 25 mm is cut out. When a high energy ray-curable adhesive is used for the adhesive layer, measurement is performed using a sample before irradiation with high energy rays. Using the sample, for example, using a Tensilon universal material testing machine (for example, “RTC-1210” manufactured by Orientec Co., Ltd.), the T-peel strength is measured at a temperature of 25 ° C. or −10 ° C. and a peel rate of 500 mm / min. .

ウエハ加工用テープは、例えば以下に述べる方法により作製できる。すなわち、まず保護フィルム層２０上に、接着層２を形成するための樹脂組成物（原料のベース樹脂等を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化したもの）を、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等により塗工し、溶媒を除去して接着層２を形成し、保護フィルム層２０と接着層２とを有する接着シートを得る。別途、支持フィルム上に、粘着層１を形成するための組成物（原料のベース樹脂等を有機溶剤等に溶解させてワニス化したもの）を上記と同様の方法により塗工し、溶媒を除去して、粘着層１を形成する。次いで、粘着層１上に基材層１０を積層し、粘着層１と基材層１０とを有するダイシングテープを得る。接着層２と、粘着層１及び基材層１０とを所期の形状にプリカットするとともに、接着層２上に、支持フィルムを剥離したダイシングテープを、接着層２と粘着層１とが接するように積層する。積層には、一般的なラミネーターを使用でき、例えば、ラミネート温度５０℃〜１００℃、線圧０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．２〜２．０ｍ／分の条件で積層する。これにより、基材層１０、粘着層１、接着層２及び保護フィルム層２０を、この順に有するウエハ加工用テープを得ることができる。 The wafer processing tape can be produced, for example, by the method described below. That is, first, a resin composition for forming the adhesive layer 2 on the protective film layer 20 (a material obtained by dissolving a raw base resin or the like in a solvent such as an organic solvent into a varnish) is applied to a knife coating method or a roll coating. Coating, coating method, gravure coating method, bar coating method, curtain coating method, etc., removing the solvent to form the adhesive layer 2, and obtaining an adhesive sheet having the protective film layer 20 and the adhesive layer 2 . Separately, on the support film, a composition for forming the adhesive layer 1 (raw material base resin or the like dissolved in an organic solvent or the like and varnished) is applied by the same method as above to remove the solvent. Then, the adhesive layer 1 is formed. Next, the base material layer 10 is laminated on the adhesive layer 1 to obtain a dicing tape having the adhesive layer 1 and the base material layer 10. The adhesive layer 2, the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the base material layer 10 are pre-cut into the desired shape, and the dicing tape from which the support film has been peeled is adhered to the adhesive layer 2 so that the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 1 are in contact with each other. Laminate to. For laminating, a general laminator can be used. For example, laminating temperature is 50 ° C. to 100 ° C., linear pressure is 0.5 to 3.0 kgf / cm, and feeding speed is 0.2 to 2.0 m / min. . Thereby, the wafer processing tape which has the base material layer 10, the adhesion layer 1, the contact bonding layer 2, and the protective film layer 20 in this order can be obtained.

続いて、粘着層と接着層との接着強度を高める方法について説明する。
本実施形態のウエハ加工用テープは、エキスパンド時における接着層２の粘着層１からの剥離を抑制する目的で、粘着層１と接着層２との接着強度が、接着層２の外周部の少なくとも一部において、接着層２の中央部よりも高められている。例えば、図２及び３に示すように、本実施形態のウエハ加工用テープは、接着層２の外周部２ａで、粘着層１と接着層２との接着が補強されている。補強する方法としては、（１）接着層２の外周部２ａの少なくとも一部を粘着テープによって粘着層１に接着する、すなわち、粘着層１と接着層２とを粘着テープで貼り付ける（図２（ａ）及び（ｂ））、（２）接着層２の外周部２ａの少なくとも一部をアンカー効果によって粘着層１に接着する、すなわち、接着層２が粘着層１にアンカリングされている状態になるよう、ピン等により加工する（図３）などが挙げられる。補強によって、接着層の外周部の少なくとも一部において、接着強度が高められる。なお、アンカー効果とは、接着層と粘着層との機械的結合による効果をいい、例えば、接着剤が粘着層表面の孔、凹み等に侵入することによって発揮される。 Next, a method for increasing the adhesive strength between the adhesive layer and the adhesive layer will be described.
The wafer processing tape of this embodiment has an adhesive strength between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 of at least the outer peripheral portion of the adhesive layer 2 for the purpose of suppressing peeling of the adhesive layer 2 from the adhesive layer 1 during expansion. In part, it is higher than the central portion of the adhesive layer 2. For example, as shown in FIGS. 2 and 3, in the wafer processing tape of this embodiment, the adhesion between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 is reinforced at the outer peripheral portion 2 a of the adhesive layer 2. As a method of reinforcement, (1) At least a part of the outer peripheral portion 2a of the adhesive layer 2 is adhered to the adhesive layer 1 with an adhesive tape, that is, the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 are attached with the adhesive tape (FIG. 2). (A) and (b)), (2) At least a part of the outer peripheral portion 2a of the adhesive layer 2 is adhered to the adhesive layer 1 by the anchor effect, that is, the adhesive layer 2 is anchored to the adhesive layer 1 For example, processing with a pin or the like (FIG. 3) can be mentioned. By the reinforcement, the adhesive strength is increased at least at a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer. The anchor effect refers to an effect due to mechanical bonding between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. For example, the anchor effect is exhibited when the adhesive enters a hole, a dent, or the like on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.

粘着層１と接着層２との接着強度を高める方法は特に限定されない。上記（１）のように、粘着層１と接着層２との間の接着力自体は変化しないが、他の部材を用いて粘着層２と接着層１とが接着されている例も本発明の実施形態に含まれる。接着強度が、接着層の外周部の少なくとも一部において、接着層の中央部よりも高められていることは、例えば、上述のＴ字剥離強度の測定により、接着層外周部の剥離強度と接着層中央部の剥離強度とを比較して確認できる。２５℃及び−１０℃の少なくともいずれか一方のＴ字剥離強度の測定によって、接着層の外周部の剥離強度が高いことが確認できれば、接着層の外周部の接着強度が高められているといえる。 The method for increasing the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 is not particularly limited. As in (1) above, the adhesive force itself between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 does not change, but an example in which the adhesive layer 2 and the adhesive layer 1 are bonded using another member is also the present invention. It is included in the embodiment. The fact that the adhesive strength is higher than the central portion of the adhesive layer in at least a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer means that, for example, by measuring the above-mentioned T-shaped peel strength, This can be confirmed by comparing the peel strength at the center of the layer. If it can be confirmed that the peel strength of the outer peripheral portion of the adhesive layer is high by measuring at least one of the T-shaped peel strengths of 25 ° C. and −10 ° C., it can be said that the adhesive strength of the outer peripheral portion of the adhesive layer is increased. .

［方法（１）］
用いる粘着テープとしては、粘着層１と接着層２との接着強度を高めることができれば、特に材質は限定されない。例えば、日東電工株式会社製のポリエステルテープ（透明）「♯３１Ｂ」、日東電工株式会社製のポリエステルテープ（青）「♯３３７」等を用いることができる。 [Method (1)]
The adhesive tape to be used is not particularly limited as long as the adhesive strength between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 can be increased. For example, a polyester tape (transparent) “# 31B” manufactured by Nitto Denko Corporation, a polyester tape (blue) “# 337” manufactured by Nitto Denko Corporation, or the like can be used.

図２（ａ）では、粘着層１と接着層２との界面に、複数枚の粘着テープが貼り付けられている。粘着テープのサイズや貼り付け位置は、特に限定されないが、接着層２には半導体ウエハが貼り付けられること、また、粘着層１にはダイシング用リングが貼り付けられることを考慮したうえで、適宜設定することが好ましい。例えば、幅０．５〜３ｃｍ、長さ２〜４ｃｍの矩形にカットした粘着テープ３０を、粘着テープ３０の幅方向の中央が粘着層及び接着層の界面３にほぼ一致するように、貼り付けることが好ましい。貼り付け枚数は、例えば４〜１６枚とする。 In FIG. 2A, a plurality of adhesive tapes are attached to the interface between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2. There are no particular restrictions on the size or position of the adhesive tape, but it is appropriate to consider that a semiconductor wafer is attached to the adhesive layer 2 and that a dicing ring is attached to the adhesive layer 1. It is preferable to set. For example, the adhesive tape 30 cut into a rectangle having a width of 0.5 to 3 cm and a length of 2 to 4 cm is pasted so that the center in the width direction of the adhesive tape 30 substantially coincides with the interface 3 between the adhesive layer and the adhesive layer. It is preferable. The number of pasted sheets is, for example, 4 to 16 sheets.

Ｔ字剥離強度の測定は、例えば、図２（ａ）に、外周部測定用のサンプル４ａ（幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍ）、中央部測定用のサンプル４ｂ（幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍ）として示した箇所から切り出したウエハ加工用テープを用いて行うことができる。 The measurement of the T-peel strength is shown, for example, in FIG. 2A as a sample 4a (width 25 mm × length 50 mm) for measuring the outer peripheral portion and a sample 4b (width 25 mm × length 50 mm) for measuring the central portion. It can be performed using a wafer processing tape cut out from the spot.

図２（ｂ）では、粘着層１と接着層２との界面４に、リング状の粘着テープ４０が貼り付けられている。リング状の粘着テープ４０の形状は、接着層２の形状に応じて定められ、また、リング状の粘着テープ４０の幅は、例えば１〜３ｃｍとすることが好ましい。リング状の粘着テープ４０は、充分な大きさを有する市販の粘着テープをリング状にカットして得られる。 In FIG. 2 (b), a ring-shaped adhesive tape 40 is attached to the interface 4 between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2. The shape of the ring-shaped pressure-sensitive adhesive tape 40 is determined according to the shape of the adhesive layer 2, and the width of the ring-shaped pressure-sensitive adhesive tape 40 is preferably set to 1 to 3 cm, for example. The ring-shaped adhesive tape 40 is obtained by cutting a commercially available adhesive tape having a sufficient size into a ring shape.

粘着テープ（矩形の粘着テープ３０、リング状の粘着テープ４０）の貼り付けは、基材層１０、粘着層１、接着層２及び保護フィルム層２０を有するウエハ加工テープから、保護フィルム層２を剥離した後に行うことができる。半導体ウエハを貼り付ける前でも後でも構わない。 Adhesion of the adhesive tape (rectangular adhesive tape 30, ring-shaped adhesive tape 40) is performed by removing the protective film layer 2 from the wafer processing tape having the base layer 10, the adhesive layer 1, the adhesive layer 2, and the protective film layer 20. This can be done after peeling. It may be before or after attaching the semiconductor wafer.

［方法（２）］
図３では、接着層２の外周部２ａに、ピンによる加工が施されている。ピンによる加工として、例えば、接着層２の外周部２ａ（粘着層と接着層の界面３より内側のリング状の部分）の複数個所に、ピンを刺し、ウエハ加工用テープに穴５０を開け、その後、ピンを抜くという加工が挙げられる。用いるピンとしては、粘着層１と接着層２との接着強度を高めることができれば、特に材質は限定されない。例えば、市販の縫い針を用いることができる。 [Method (2)]
In FIG. 3, the outer peripheral portion 2a of the adhesive layer 2 is processed with a pin. As processing by pins, for example, pins are pierced at a plurality of locations on the outer peripheral portion 2a of the adhesive layer 2 (ring-shaped portion inside the interface 3 between the adhesive layer and the adhesive layer), and holes 50 are formed in the wafer processing tape. Then, the process of removing a pin is mentioned. The pin used is not particularly limited as long as the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 can be increased. For example, a commercially available sewing needle can be used.

ピンのサイズやピンを刺す位置も、特に限定されないが、接着層２には半導体ウエハが貼り付けられることを考慮したうえで、適宜設定することが好ましい。例えば、接着層２の外周部２ａである幅１〜３ｃｍのリング状部分に、穴の密度が１０〜１００個／ｃｍ^２となるようにピンを刺す。 The size of the pin and the position where the pin is inserted are not particularly limited, but it is preferable to appropriately set the adhesive layer 2 in consideration of the fact that the semiconductor wafer is attached. For example, a pin is inserted into a ring-shaped portion having a width of 1 to 3 cm, which is the outer peripheral portion 2a of the adhesive layer 2, so that the density of the holes is 10 to 100 holes / cm ² .

ピンは、基材層１０、粘着層１、接着層２、及び保護フィルム層２０を有するウエハ加工テープに刺すことができる。また、保護フィルム層２を剥離した後に刺してもよく、この場合、半導体ウエハを貼り付ける前でも後でも構わない。 The pins can be inserted into a wafer processing tape having the base material layer 10, the adhesive layer 1, the adhesive layer 2, and the protective film layer 20. Further, the protective film layer 2 may be stabbed after peeling, and in this case, it may be before or after the semiconductor wafer is attached.

以上により得られたウエハ加工用テープは、ステルスダイシング法による半導体ウエハ及び接着層の分断に好ましく用いられる。ステルスダイシング法は、特に、極薄の半導体ウエハを切断するために適した方式であり、ステルスダイシング法によればチッピング発生を抑制できることが知られている。ステルスダイシング法は次にように行われる。 The wafer processing tape obtained as described above is preferably used for dividing a semiconductor wafer and an adhesive layer by a stealth dicing method. The stealth dicing method is a method particularly suitable for cutting an extremely thin semiconductor wafer, and it is known that the generation of chipping can be suppressed by the stealth dicing method. The stealth dicing method is performed as follows.

一例を示すと、ステルスダイシング法では、まず、半導体ウエハ内部に集光点を合わせ半導体ウエハにレーザ光を照射し、半導体ウエハ内部に多光子吸収による脆弱な改質部を形成する。半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する予定のライン（「分割予定ライン」ともいう。）に沿ってレーザ光の照射位置を移動させると、分割予定ラインに沿った改質部（「ダイシングライン」ともいう。）を形成できる（レーザ光照射工程）。次いで、半導体ウエハの裏面（回路が形成されていない面）にウエハ加工用テープを貼り付けた後、ウエハ加工用テープを引き伸ばす（エキスパンド工程）。半導体ウエハの裏面にウエハ加工用テープを貼り付けた後に、半導体ウエハにダイシングラインを形成してもよい。レーザ光照射工程及びエキスパンド工程としては、公知の一般的な方法を適用できる。分断性の観点から、エキスパンド工程は低温、好ましくは−３０〜０℃、より好ましくは−２０〜−１０℃で行う。 For example, in the stealth dicing method, first, a condensing point is aligned inside the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is irradiated with laser light to form a fragile modified portion by multiphoton absorption inside the semiconductor wafer. When the irradiation position of the laser beam is moved along a line (also referred to as a “division line”) that is to divide the semiconductor wafer into individual semiconductor chips, a modified portion (“dicing line”) along the division line. (Also referred to as a laser light irradiation step). Next, after affixing the wafer processing tape to the back surface (surface on which no circuit is formed) of the semiconductor wafer, the wafer processing tape is stretched (expanding step). A dicing line may be formed on the semiconductor wafer after a wafer processing tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer. Known general methods can be applied as the laser light irradiation step and the expanding step. From the viewpoint of fragmentability, the expanding step is performed at a low temperature, preferably -30 to 0 ° C, more preferably -20 to -10 ° C.

引き伸ばしにより、半導体ウエハに外部応力が与えられ、分割予定ラインに沿って半導体ウエハ及び接着層が分断され、個々の接着層付き半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう。）に分断されると共に、チップの間隔が広げられる。 By stretching, an external stress is applied to the semiconductor wafer, the semiconductor wafer and the adhesive layer are divided along the scheduled division lines, and are divided into individual semiconductor chips with an adhesive layer (hereinafter also simply referred to as “chips”). , The chip spacing is widened.

本発明の実施形態であるウエハ加工用テープを用いることによって、分断の衝撃による接着層の飛散及び捲り上がりを防止し、歩留の低下を抑えることができる。 By using the wafer processing tape according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the adhesive layer from being scattered and rolled up due to a splitting impact, and to suppress a decrease in yield.

得られたチップは、半導体装置の製造に用いられる。チップは、粘着層からピックアップされ（ピックアップ工程）、被着体にダイボンディングされる（ダイボンディング工程）。被着体としては、半導体チップ搭載用支持部材、他の半導体チップ等が挙げられ、半導体チップ搭載用支持部材としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等からなるプラスチックフィルム；ガラス不織布基材で強化されたポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；アルミナ等のセラミックス；表面に有機レジスト層が設けられた有機基板；配線付き有機基板等が挙げられる。ダイボンディング後、封止材による封止等を行い（封止工程）、半導体装置が製造される。さらに他の工程を経てもよい。ピックアップ工程、ダイボンディング工程、及び封止工程としては、公知の一般的な方法を適用できる。 The obtained chip is used for manufacturing a semiconductor device. The chip is picked up from the adhesive layer (pickup process) and die bonded to the adherend (die bonding process). Examples of the adherend include a semiconductor chip mounting support member and other semiconductor chips. Examples of the semiconductor chip mounting support member include lead frames such as 42 alloy lead frames and copper lead frames; polyimide resins, epoxy Plastic film made of resin, etc .; Plastic film such as polyimide resin and epoxy resin reinforced with glass nonwoven fabric substrate; Ceramics such as alumina; Organic substrate with organic resist layer provided on the surface; Organic substrate with wiring, etc. . After die bonding, sealing with a sealing material or the like is performed (sealing process) to manufacture a semiconductor device. Furthermore, you may pass through another process. As the pick-up process, die bonding process, and sealing process, known general methods can be applied.

本発明を以下の実施例に基づき、さらに詳細に説明する。本発明は、これらの実施例に制限されるものではない。 The present invention will be described in more detail based on the following examples. The present invention is not limited to these examples.

（ダイシングテープの作製）
粘着剤には、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得て使用した。この合成したアクリル共重合体の質量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱化学（株）製、マイテックＮＹ７３０Ａ−Ｔ）１０質量部を配合し、溶媒として酢酸エチル及びメチルエチルケトンを用い、粘着剤ワニスを調製した。得られた粘着剤ワニスを、表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルムＡ−３１、厚さ２５μｍ）上に、乾燥時の粘着層の厚さが１０μｍになるよう塗工し乾燥させた。さらに、エチレン−メタクリル酸共重合体の分子間を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂フィルム（三井・デュポンポリケミカル（株）製、ハイミラン１７０６を押出したフィルム、厚さ８０μｍ）を粘着層上にラミネートし、ダイシングテープを得た。 (Production of dicing tape)
For the pressure-sensitive adhesive, an acrylic copolymer using 2-ethylhexyl acrylate and methyl methacrylate as main monomers and hydroxyethyl acrylate and acrylic acid as functional group monomers was obtained by a solution polymerization method and used. The synthesized acrylic copolymer had a mass average molecular weight of 400,000 and a glass transition point of -38 ° C. 10 parts by mass of a polyfunctional isocyanate cross-linking agent (Mittech NY730A-T, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) is blended with 100 parts by mass of this acrylic copolymer, and an adhesive varnish is used using ethyl acetate and methyl ethyl ketone as solvents. Prepared. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer at the time of drying the obtained pressure-sensitive adhesive varnish on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Tetron Film A-31, thickness 25 μm) whose surface was subjected to release treatment Was coated and dried to a thickness of 10 μm. Further, an ionomer resin film (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., extruded film of high milan 1706, thickness 80 μm) in which the ethylene-methacrylic acid copolymer molecules are crosslinked with metal ions is laminated on the adhesive layer. Dicing tape was obtained.

（接着シートの作製）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）１００質量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）５．４質量部、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ（東都化成（株）製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５７）１６．２質量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１５．３質量部、ＮＵＣＡ−１８９（日本ユニカー（株）製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１質量部、ＮＵＣＡ−１１６０（日本ユニカー（株）製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３質量部、及びシクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気した。得られた接着剤ワニスを、表面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルムＡ−３１、厚さ７５μｍ）上に、乾燥時の接着層の厚さが２０μｍになるよう塗布し、接着シートを得た。 (Preparation of adhesive sheet)
HTR-860P-3 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, glycidyl group-containing acrylic rubber, molecular weight 1 million, Tg-7 ° C.) 100 parts by mass, YDCN-703 (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., o-cresol novolak type epoxy) Resin, epoxy equivalent 210) 5.4 parts by mass, YDCN-8170C (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 157) 16.2 parts by mass, Plyofen LF2882 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) ), Bisphenol A novolak resin) 15.3 parts by mass, NUCA-189 (Nihon Unicar Co., Ltd., γ-mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.1 part by mass, NUCA-1160 (Nihon Unicar Co., Ltd.) (γ-ureidopropyltriethoxysilane) 0.3 parts by mass, and cyclohexanone Stir and mix and vacuum degas. The thickness of the adhesive layer at the time of drying on the obtained adhesive varnish on polyethylene terephthalate (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Tetron Film A-31, thickness 75 μm) whose surface was subjected to release treatment Was applied to give an adhesive sheet.

上記で得たダイシングテープと接着シートを用い、ウエハ加工用テープを作製した。ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングテープと、接着シートとを、プリカットした後に、粘着層と接着層とが接するように貼り合わせ、アイオノマー樹脂フィルム（基材層）、粘着層、接着層、及びポリエチレンテレフタレートフィルム（保護フィルム層）を有するウエハ加工用テープを得た。貼り合わせは、ラミネーターを用い、温度８０℃、線圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍｍ／分の条件で行った。なお、接着層は、１２インチウエハへ適応可能なサイズの円形状にカットし、基材層及び粘着層は、接着層よりも大きい円形状であって、外周部にダイシング用リングを載置可能な形状にした。 A wafer processing tape was prepared using the dicing tape and adhesive sheet obtained above. After pre-cutting the dicing tape from which the polyethylene terephthalate film has been peeled off and the adhesive sheet, the adhesive layer and the adhesive layer are bonded together so that the ionomer resin film (base material layer), the adhesive layer, the adhesive layer, and polyethylene terephthalate A wafer processing tape having a film (protective film layer) was obtained. Lamination was performed using a laminator under conditions of a temperature of 80 ° C., a linear pressure of 1.0 kgf / cm, and a feed rate of 0.5 mm / min. The adhesive layer is cut into a circular shape with a size that can be applied to a 12-inch wafer, and the base material layer and the adhesive layer are larger than the adhesive layer, and a dicing ring can be placed on the outer periphery. It was made into a shape.

基材層の降伏点、接着層の弾性率、及び粘着層と接着層とのＴ字剥離強度の測定方法及び測定結果を以下に示す。 The measurement method and measurement results of the yield point of the base material layer, the elastic modulus of the adhesive layer, and the T-shaped peel strength between the adhesive layer and the adhesive layer are shown below.

（降伏点）
上記で用いたアイオノマー樹脂フィルムを、幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍに切り出し、テンシロン万能材料試験機（株式会社オリエンテック製「ＲＴＣ−１２１０」）を用い、チャック間距離４０ｍｍ、温度−１０℃、引張速度５００ｍｍ／分の条件で引張り試験を行った。フィルムが破断するまでのひずみと応力を測定し、みずみをＸ軸、応力をＹ軸にそれぞれプロットした。降伏点（傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する点）は確認されなかった。 (Yield point)
The ionomer resin film used above was cut into a width of 10 mm and a length of 60 mm, and a tensilon universal material testing machine ("RTC-1210" manufactured by Orientec Co., Ltd.) was used. A tensile test was performed under the condition of 500 mm / min. The strain and stress until the film broke were measured, and the plot was plotted on the X axis and the stress on the Y axis. The yield point (the point at which the slope dY / dX changes from a positive value to 0 or a negative value) was not confirmed.

（弾性率）
上記で得た接着シートから、幅４ｍｍ×長さ２０ｍｍの接着層を切り出し、評価用サンプルとした。動的粘弾性測定装置（例えば、レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用い、チャック間距離１０ｍｍ、測定温度範囲−５０〜３００℃、昇温速度３℃／分、引張りモード、周波数１０Ｈｚの条件で、０℃における弾性率を測定した。弾性率は５５０ＭＰａであった。 (Elastic modulus)
From the adhesive sheet obtained above, an adhesive layer having a width of 4 mm and a length of 20 mm was cut out and used as an evaluation sample. Using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (for example, DVE-V4 manufactured by Rheology), the distance between chucks is 10 mm, the measurement temperature range is −50 to 300 ° C., the heating rate is 3 ° C./min, the tension mode, and the frequency is 10 Hz. The elastic modulus at 0 ° C. was measured. The elastic modulus was 550 MPa.

（Ｔ字剥離強度）
上記で得たウエハ加工用シートからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層の中央部から幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍの評価用サンプルを切り出した。評価用サンプルに、紫外線を照射せずにテンシロン万能材料試験機（株式会社オリエンテック製「ＲＴＣ−１２１０」）を用い、温度２５℃及び−１０℃、剥離速度５００ｍｍ／分の条件でＴ字剥離強度を測定した。２５℃におけるＴ字剥離強度は０．１３Ｎ／２５ｍｍ、０℃におけるＴ字剥離強度は０．０８Ｎ／２５ｍｍであった。 (T-shaped peel strength)
After peeling the polyethylene terephthalate film from the wafer processing sheet obtained above, an evaluation sample having a width of 25 mm and a length of 50 mm was cut out from the center of the adhesive layer. The sample for evaluation was peeled off by T-shaped peeling using a Tensilon universal material testing machine ("RTC-1210" manufactured by Orientec Co., Ltd.) at temperatures of 25 ° C and -10 ° C and a peeling rate of 500 mm / min. The strength was measured. The T-shaped peel strength at 25 ° C. was 0.13 N / 25 mm, and the T-shaped peel strength at 0 ° C. was 0.08 N / 25 mm.

（実施例１）
ウエハ加工用テープからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層に、ダイシングラインが形成された厚さ５０μｍの１２インチ半導体ウエハを、ラミネート温度８０℃、線圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍｍ／分の条件で貼り付けた。接着層の外周部を、２ｃｍ×３ｃｍの粘着テープ（日東電工株式会社製、ポリエステルテープ♯３１Ｂ）８枚を、粘着テープの幅方向の中央が粘着層及び接着層の界面にほぼ一致するようにそれぞれ用い、粘着層に貼り付け、接着層と粘着層の接着強度を高めた。接着強度が高められたことは、以下により確認した。その後、同様に作成したウエハ加工用テープを用いて冷却エキスパンド評価を行った。 Example 1
After the polyethylene terephthalate film was peeled off from the wafer processing tape, a 12-inch semiconductor wafer having a thickness of 50 μm and a dicing line formed on the adhesive layer was laminated at a lamination temperature of 80 ° C., a linear pressure of 1.0 kgf / cm, and a feed rate of 0. Affixed at 5 mm / min. The outer periphery of the adhesive layer is 8 pieces of 2 cm × 3 cm adhesive tape (Nitto Denko Corporation, polyester tape # 31B) so that the center in the width direction of the adhesive tape substantially coincides with the interface between the adhesive layer and the adhesive layer. Each was used and affixed to the adhesive layer to increase the adhesive strength between the adhesive layer and the adhesive layer. It was confirmed by the following that the adhesive strength was increased. Then, the cooling expand evaluation was performed using the tape for wafer processing produced similarly.

接着層の外周部から、貼り付けた粘着テープに沿って、幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍの評価用サンプルを切り出した。前記のＴ字剥離強度の測定方法と同様に、温度２５℃及び−１０℃のＴ字剥離強度を測定した。接着層の外周部の温度２５℃及び−１０℃におけるＴ字剥離強度は、いずいれも接着層の中央部のＴ字剥離強度より高い値を示した。 A sample for evaluation having a width of 25 mm and a length of 50 mm was cut out from the outer peripheral portion of the adhesive layer along the attached adhesive tape. Similar to the method for measuring the T-shaped peel strength, the T-shaped peel strength at a temperature of 25 ° C. and −10 ° C. was measured. The T-shaped peel strength at temperatures of 25 ° C. and −10 ° C. at the outer peripheral portion of the adhesive layer was higher than the T-shaped peel strength at the central portion of the adhesive layer.

（実施例２）
ウエハ加工用テープからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層に、ダイシングラインが形成された厚さ５０μｍの１２インチ半導体ウエハを、ラミネート温度８０℃、線圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍｍ／分の条件で貼り付けた。粘着テープ（日東電工株式会社製、ポリエステルテープ♯３１Ｂ）をカットし、リング状の粘着テープ（幅２ｃｍ）を得た。接着層の外周部を、リング状の粘着テープを用いて粘着層に貼り付け、接着層と粘着層の接着強度を高めた。接着強度が高められたことは、以下により確認した。その後、同様に作成したウエハ加工用テープを用いて冷却エキスパンド評価を行った。 (Example 2)
After the polyethylene terephthalate film was peeled off from the wafer processing tape, a 12-inch semiconductor wafer having a thickness of 50 μm and a dicing line formed on the adhesive layer was laminated at a lamination temperature of 80 ° C., a linear pressure of 1.0 kgf / cm, and a feed rate of 0. Affixed at 5 mm / min. The pressure-sensitive adhesive tape (manufactured by Nitto Denko Corporation, polyester tape # 31B) was cut to obtain a ring-shaped pressure-sensitive adhesive tape (width 2 cm). The outer peripheral part of the adhesive layer was attached to the adhesive layer using a ring-shaped adhesive tape to increase the adhesive strength between the adhesive layer and the adhesive layer. It was confirmed by the following that the adhesive strength was increased. Then, the cooling expand evaluation was performed using the tape for wafer processing produced similarly.

接着層の外周部から、貼り付けたリング状の粘着テープに沿って、幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍの評価用サンプルを切り出した。前記のＴ字剥離強度の測定方法と同様に、温度２５℃及び−１０℃のＴ字剥離強度を測定した。接着層の外周部の温度２５℃及び−１０℃におけるＴ字剥離強度は、いずいれも接着層の中央部のＴ字剥離強度より高い値を示した。 A sample for evaluation having a width of 25 mm and a length of 50 mm was cut out from the outer peripheral portion of the adhesive layer along the attached ring-shaped adhesive tape. Similar to the method for measuring the T-shaped peel strength, the T-shaped peel strength at a temperature of 25 ° C. and −10 ° C. was measured. The T-shaped peel strength at temperatures of 25 ° C. and −10 ° C. at the outer peripheral portion of the adhesive layer was higher than the T-shaped peel strength at the central portion of the adhesive layer.

（実施例３）
ウエハ加工用テープの接着層の外周部（粘着層と接着層の界面より内側の幅１ｃｍのリング状の部分）に、縫い針を用い、ウエハ加工用テープを貫通する穴を開けることにより、アンカー効果を生じさせ、接着層と粘着層の接着強度を高めた。穴の数は、２５個／ｃｍ^２とした。接着強度が高められたことは、以下により確認した。ウエハ加工用テープからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層に、ダイシングラインが形成された厚さ５０μｍの１２インチ半導体ウエハを、ラミネート温度８０℃、線圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍ／分の条件で貼り付けた。その後、同様に作成したウエハ加工用テープを用いて冷却エキスパンド評価を行った。 (Example 3)
By using a sewing needle in the outer periphery of the wafer processing tape adhesive layer (ring-shaped part having a width of 1 cm inside the interface between the adhesive layer and the adhesive layer), a hole penetrating the wafer processing tape is used to An effect was produced, and the adhesive strength between the adhesive layer and the adhesive layer was increased. The number of holes was 25 / cm ² . It was confirmed by the following that the adhesive strength was increased. After the polyethylene terephthalate film was peeled off from the wafer processing tape, a 12-inch semiconductor wafer having a thickness of 50 μm and a dicing line formed on the adhesive layer was laminated at a lamination temperature of 80 ° C., a linear pressure of 1.0 kgf / cm, and a feed rate of 0. Pasting was performed at 5 m / min. Then, the cooling expand evaluation was performed using the tape for wafer processing produced similarly.

接着層の外周部から、穴を開けたリング状の部分に沿って、幅２５ｍｍ×長さ５０ｍｍの評価用サンプルを切り出した。前記のＴ字剥離強度の測定方法と同様に、温度２５℃及び−１０℃のＴ字剥離強度を測定した。接着層の外周部の温度２５℃及び−１０℃におけるＴ字剥離強度は、いずいれも接着層の中央部のＴ字剥離強度より高い値を示した。 A sample for evaluation having a width of 25 mm and a length of 50 mm was cut out from the outer peripheral portion of the adhesive layer along a ring-shaped portion having a hole. Similar to the method for measuring the T-shaped peel strength, the T-shaped peel strength at a temperature of 25 ° C. and −10 ° C. was measured. The T-shaped peel strength at temperatures of 25 ° C. and −10 ° C. at the outer peripheral portion of the adhesive layer was higher than the T-shaped peel strength at the central portion of the adhesive layer.

（比較例１）
ウエハ加工用テープからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層に、ダイシングラインが形成された厚さ５０μｍの１２インチ半導体ウエハを、ラミネート温度８０℃、線圧１．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍ／分の条件で貼り付けた。その後、ウエハ加工用テープを用いて冷却エキスパンド評価を行った。 (Comparative Example 1)
After the polyethylene terephthalate film was peeled off from the wafer processing tape, a 12-inch semiconductor wafer having a thickness of 50 μm and a dicing line formed on the adhesive layer was laminated at a lamination temperature of 80 ° C., a linear pressure of 1.0 kgf / cm, and a feed rate of 0. Pasting was performed at 5 m / min. Then, the cooling expand evaluation was performed using the tape for wafer processing.

冷却エキスパンド評価には、株式会社ディスコ製「ＤＤＳ２３００ＦｕｌｌｙＡｕｔｏｍａｔｉｃＤｉｅＳｅｐａｒａｔｏｒ」を用いた。条件を下記に示す。 For the cooling expansion evaluation, “DDS2300 Full Automatic Die Separator” manufactured by DISCO Corporation was used. The conditions are shown below.

エキスパンド条件
冷却温度（Temperature）：−１５℃
冷却時間（Cooling Time）：６０秒
エキスパンド量（Height）：１０ｍｍ
エキスパンド速度（Speed）：１００ｍｍ／秒
待機時間（Waiting time）：１０秒 Expanding conditions Cooling temperature (Temperature): -15 ° C
Cooling time: 60 seconds Expanding amount (Height): 10 mm
Expanding speed (Speed): 100 mm / second Waiting time: 10 seconds

エキスパンド後の接着層を観察し、分断の際に、粘着層との間で剥離が生じ、接着層が半導体ウエハ上に飛散し、又は、接着層が捲れ上がり、半導体ウエハ上に乗っていないか確認した。実施例１〜３で得たウエハ加工用シートでは、接着層が粘着層から剥がれていなかった。比較例１で得たウエハ加工用シートでは、接着層が粘着層から剥がれ、接着層が半導体ウエハ上に飛散し、かつ、捲れ上がり半導体ウエハ上に乗っていた。
以上の結果より、実施例１〜３は、歩留向上に関して効果があることが確認された。また、エキスパンド温度、エキスパンド速度等を変更させた場合にも、本発明の実施形態であるウエハ加工用シートを用いた場合には、剥離が防止され、高い歩留で半導体ウエハを切断できた。 When the adhesive layer after expansion is observed, separation occurs between the adhesive layer and the adhesive layer scatters on the semiconductor wafer, or the adhesive layer rises and is not on the semiconductor wafer. confirmed. In the wafer processing sheets obtained in Examples 1 to 3, the adhesive layer was not peeled off from the adhesive layer. In the wafer processing sheet obtained in Comparative Example 1, the adhesive layer was peeled off from the adhesive layer, and the adhesive layer was scattered on the semiconductor wafer and rolled up and placed on the semiconductor wafer.
From the above results, it was confirmed that Examples 1 to 3 were effective in improving yield. Even when the expansion temperature, the expansion speed, and the like were changed, when the wafer processing sheet according to the embodiment of the present invention was used, peeling was prevented and the semiconductor wafer could be cut at a high yield.

１粘着層
１ａ粘着層の外周部
２接着層
２ａ接着層の外周部
２ｂ接着層の中央部
３粘着層と接着層の界面
４ａ外周部測定用のサンプル
４ｂ中央部測定用のサンプル
１０基材層
１０ａ基材層の外周部
２０保護フィルム層
３０矩形の粘着テープ
４０リング状の粘着テープ
５０穴 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive layer 1a Outer peripheral part 2 of adhesive layer Adhesive layer 2a Outer peripheral part 2b of adhesive layer Center part 3 of adhesive layer 4a Interface 4a of adhesive layer and adhesive layer Sample 4b for outer peripheral part measurement Sample 10 for central part measurement Base material layer 10a Peripheral part 20 of base material layer Protective film layer 30 Rectangular adhesive tape 40 Ring-shaped adhesive tape 50 Hole

Claims

A wafer processing tape having a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer in this order, wherein the adhesive layer has an adhesive strength between at least a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer. Wafer processing tape that is raised higher than the center.

The wafer processing tape according to claim 1, wherein at least a part of an outer peripheral portion of the adhesive layer is bonded to the adhesive layer with an adhesive tape.

The wafer processing tape according to claim 1, wherein at least a part of an outer peripheral portion of the adhesive layer is bonded to the adhesive layer by an anchor effect.