JP2015084096A - Antireflective article, image display device, and mold for manufacturing antireflective article - Google Patents

Antireflective article, image display device, and mold for manufacturing antireflective article Download PDF

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祐一 宮崎
Yuichi Miyazaki
祐一 宮崎
松藤 和夫
Kazuo Matsufuji
和夫 松藤
ゆり 下嵜
Yuri Shimozaki
ゆり 下嵜
洋一郎 大橋
Yoichiro Ohashi
洋一郎 大橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antireflective article having a moth-eye structure, in which various characteristics for antireflection in a viewing angle direction can be set.SOLUTION: The antireflective article includes minute projections closely arranged to one another, in which a distance between adjoining minute projections is equal to or less than a shortest wavelength of a wavelength band of targeted electromagnetic waves for antireflection. In the antireflective article, multi-peak minute projections which are minute projections each having a plurality of peaks, and single-peak minute projections which are minute projections each having a single peak are mixed; and a perimeter length of the single-peak minute projection is 90% or more and 100% or less of a perimeter length of the multi-peak minute projection.

Description

本発明は、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下の間隔で多数の微小突起を密接配置して反射防止を図る反射防止物品に関するものである。   The present invention relates to an antireflection article for preventing reflection by closely arranging a large number of minute protrusions at intervals equal to or shorter than the shortest wavelength of an electromagnetic wave wavelength band for preventing reflection.

近年、フィルム形状の反射防止物品である反射防止フィルムに関して、透明基材(透明フィルム)の表面に多数の微小突起を密接して配置することにより、反射防止を図る方法が提案されている(特許文献1〜3参照)。この方法は、いわゆるモスアイ(moth eye(蛾の目))構造の原理を利用したものであり、入射光に対する屈折率を基板の厚み方向に連続的に変化させ、これにより屈折率の不連続界面を消失させて反射防止を図るものである。   In recent years, regarding an antireflection film, which is a film-shaped antireflection article, there has been proposed a method for preventing reflection by arranging a large number of microprotrusions closely on the surface of a transparent substrate (transparent film) (patent) References 1-3). This method utilizes the principle of a so-called moth-eye structure, and the refractive index for incident light is continuously changed in the thickness direction of the substrate, whereby a discontinuous interface of refractive index is obtained. Is eliminated to prevent reflection.

このモスアイ構造に係る反射防止物品では、隣接する微小突起の間隔dが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λmin以下(d≦Λmin)となるように、微小突起が密接して配置される。また各微小突起は、透明基材に植立するように、さらに透明基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように(先細りとなるように)作製される。   In the antireflection article according to this moth-eye structure, the microprojections are closely arranged so that the distance d between adjacent microprojections is equal to or less than the shortest wavelength Λmin (d ≦ Λmin) of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection. The Moreover, each microprotrusion is produced so that a cross-sectional area may become small gradually toward the front end side from a transparent base material so that it may be planted on a transparent base material.

かかる反射防止物品には各種用途が提案されている。例えば、各種画像表示裝置の出光面上に配置して画面における日光等の外光反射を低減して画像視認性を向上させたり、シート又は板状の透明基材上に該微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にITO(酸化インジウム錫)等の透明導電膜を形成した電極を用いてタッチパネルを構成することにより、該タッチパネル電極とこれと隣接する各種部材との間の光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させること等が提案されている。   Various uses have been proposed for such antireflection articles. For example, it can be placed on the light exit surface of various image display devices to reduce external light reflection such as sunlight on the screen to improve image visibility, or to form the microprojections on a sheet or plate-like transparent substrate Furthermore, by constructing a touch panel using an electrode in which a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) is formed on the microprojection group, light reflection between the touch panel electrode and various adjacent members is performed. It has been proposed to reduce the occurrence of interference fringes, ghost images, and the like.

また特許文献4には、この種の反射防止物品に関して、賦型処理時の樹脂の充填不良により微小突起の頂部に複数の頂点が作製される場合であっても、十分に反射防止機能を確保できることが記載されている。   Patent Document 4 also provides a sufficient antireflection function for this type of antireflection article, even when a plurality of vertices are produced at the tops of the microprojections due to poor resin filling during the molding process. It describes what you can do.

ところでこの種のモスアイ構造に係る反射防止物品は、例えば他の物体が接触等した場合に、反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生する。これにより耐擦傷性の向上が求められる。しかしながら耐擦傷性を向上する場合にあっても、当然に、光学特性を劣化させないようにすることが望まれる。   By the way, this type of anti-reflection article with a moth-eye structure has a poor appearance due to local deterioration of the anti-reflection function when other objects come into contact with the object, and white turbidity, scratches, etc. at the contact points. To do. Thereby, improvement in scratch resistance is required. However, even in the case of improving the scratch resistance, naturally, it is desired not to deteriorate the optical characteristics.

特開昭50−70040号公報Japanese Patent Laid-Open No. 50-70040 特表2003−531962号公報Special Table 2003-531962 特許第4632589号公報Japanese Patent No. 4632589 特開2012−037670号公報JP 2012-037670 A

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、モスアイ構造の反射防止物品に関して、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to effectively avoid deterioration of optical properties and improve scratch resistance of an antireflection article having a moth-eye structure.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ね、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させるようにして、さらに単峰性微小突起の周長に対して多峰性微小突起の周長を一定範囲に収める、との着想に至り、本発明を完成するに至った。   The present inventor has conducted extensive research to solve the above-mentioned problems, mixed multi-peak microprojections and single-peak microprojections, and further increased the multi-peak with respect to the circumference of the single-peak microprojections. The idea of keeping the peripheral length of the conductive microprotrusions within a certain range has led to the completion of the present invention.

具体的には、本発明では、以下のようなものを提供する。     Specifically, the present invention provides the following.

(1) 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下である。
(1) In an antireflection article in which microprotrusions are closely arranged, and an interval between the adjacent microprotrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of electromagnetic waves for antireflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The circumference of the monomodal microprojections is 90% or more and 100% or less of the circumference of the multimodal microprojections.

(1)によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させて微小突起を構成することにより、耐擦傷性を向上するようにし、さらに単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避することができる。   According to (1), by forming the microprotrusions by mixing the monomodal microprotrusions and the multimodal microprotrusions, the scratch resistance is improved, and the circumference of the monomodal microprotrusions is further increased. The deterioration of the optical characteristics can be effectively avoided by being 90% or more and 100% or less of the peripheral length of the multimodal microprotrusions.

(2) 微小穴が密接して配置され、隣接する前記微小穴の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起に対応する微細穴と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起に対応する微細穴とが混在しており、
前記単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、前記多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の90%以上、100%以下である。
(2) In the antireflection article in which the microholes are closely arranged, and the interval between the adjacent microholes is equal to or shorter than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A microhole corresponding to a multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a microhole corresponding to a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The perimeter of the microhole corresponding to the monomodal microprotrusion is 90% or more and 100% or less of the perimeter of the microhole corresponding to the multimodal microprotrusion.

(2)によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とにそれぞれ対応する微細穴を混在させることにより、耐擦傷性を向上するようにし、さらに単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の90%以上、100%以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避することができる。   According to (2), the micro-holes corresponding to the single-peak microprojections and the multi-peak micro-protrusions are mixed to improve the scratch resistance, and further, the fine corresponding to the single-peak microprojections. When the perimeter of the hole is 90% or more and 100% or less of the perimeter of the microhole corresponding to the multimodal microprotrusions, it is possible to effectively avoid the deterioration of the optical characteristics.

(3) (1)又は(2)に記載の反射防止物品を画像表示パネルのパネル面に配置する。   (3) The antireflection article according to (1) or (2) is disposed on the panel surface of the image display panel.

(3)によれば、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上してなる反射防止物品により反射防止を図る画像表示装置を提供することができる。   According to (3), it is possible to provide an image display device that effectively prevents deterioration of optical characteristics and prevents reflection by an antireflection article having improved scratch resistance.

(4) 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
前記反射防止物品は、
微小突起が密接して配置され、
隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であり、
前記反射防止物品の製造用金型は、
前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された物である。
(4) A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article,
The antireflective article is
The microprotrusions are closely placed,
The interval between the adjacent minute protrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The circumference of the monomodal microprojections is 90% or more and 100% or less of the circumference of the multimodal microprojections,
The mold for manufacturing the antireflection article is:
The minute holes corresponding to the minute protrusions are closely manufactured.

(4)によれば、賦型処理により反射防止物品を作製する場合にあって、この反射防止物品における光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。   According to (4), in the case of producing an antireflection article by a shaping process, it is possible to effectively avoid deterioration of optical properties in the antireflection article and improve scratch resistance.

(5) 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下である。
(5) A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article,
The minute protrusions are closely arranged, and the interval between the adjacent minute protrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The circumference of the monomodal microprojections is 90% or more and 100% or less of the circumference of the multimodal microprojections.

(5)によれば、単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させることにより、耐擦傷性を向上することができる。また単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であることにより、この金型より生産される反射防止物品について、光学特性の劣化を有効に回避することができる。   According to (5), the scratch resistance can be improved by mixing the single-peak microprojections and the multi-peak microprojections. In addition, since the perimeter of the single-peaked microprojections is 90% or more and 100% or less of the perimeter of the multimodal microprojections, the optical characteristics of the antireflection article produced from this mold are effectively deteriorated. Can be avoided.

モスアイ構造の反射防止物品に関して、モスアイ構造の反射防止物品に関して、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。   Regarding the antireflection article having the moth-eye structure, the deterioration of optical characteristics can be effectively avoided and the scratch resistance can be improved with respect to the antireflection article having the moth-eye structure.

本発明の第1実施形態に係る反射防止物品を示す概念斜視図である。1 is a conceptual perspective view showing an antireflection article according to a first embodiment of the present invention. 隣接突起の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of an adjacent protrusion. 極大点の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the maximum point. ドロネー図を示す図である。It is a figure which shows a Delaunay figure. 隣接突起間距離の計測に供する度数分布図である。It is a frequency distribution diagram used for measurement of the distance between adjacent protrusions. 微小高さの説明に供する度数分布図である。It is a frequency distribution figure with which it uses for description of minute height. 微小突起の谷底の包絡面が凹凸面(うねり)を呈する形態を示す概念断面図である。It is a conceptual sectional view showing the form in which the envelope surface of the valley bottom of the microprojection exhibits an uneven surface (waviness). 図1の反射防止物品の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the antireflection article | item of FIG. 図1の反射防止物品に係るロール版を示す図である。It is a figure which shows the roll plate which concerns on the reflection preventing article of FIG. 図9のロール版の作製工程を示す図である。It is a figure which shows the preparation process of the roll plate of FIG. 多峰性微小突起の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of a multimodal microprotrusion. 多峰性微小突起の写真である。It is a photograph of multimodal microprotrusions. ロール版の作製工程の詳細説明に供する図である。It is a figure where it uses for detailed description of the production process of a roll plate. 周長の計測手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the measurement procedure of circumference. 図14の計測手順の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the measurement procedure of FIG. 周長の計測結果を示す図表である。It is a chart which shows the measurement result of circumference. 図16の計測結果を棒グラフにより示す図である。It is a figure which shows the measurement result of FIG. 16 with a bar graph. 本発明の微小突起の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the microprotrusion of this invention. 図18の平面図、正面図、側面図である。FIG. 19 is a plan view, a front view, and a side view of FIG. 18. 図18とは異なる本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the microprotrusion based on this invention different from FIG. 図20の平面図、正面図、側面図である。It is the top view of FIG. 20, a front view, and a side view.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳述する。なお以下において、適宜、頂点を複数有する微小突起を多峰性微小突起と呼び、頂点が1つのみの微小突起を単峰性の微小突起と呼ぶ。また以下において、単に微小突起と呼称する場合は単峰性微小突起及び多峰性微小突起の両方を包含するものとする。また多峰性微小突起、単峰性の微小突起に係る各頂点を形成する各凸部を、適宜、峰と呼ぶ。また多峰性微小突起において、頂点が2つ、3つのものをそれぞれ適宜2峰の多峰性微小突起、3峰の多峰性微小突起と呼ぶ。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following, a microprotrusion having a plurality of vertices will be referred to as a multimodal microprotrusion, and a microprotrusion having only one apex will be referred to as a unimodal microprotrusion. Further, in the following, when simply referred to as a microprojection, both a single-peak microprojection and a multimodal microprojection are included. Moreover, each convex part which forms each vertex which concerns on a multimodal microprotrusion and a monomodal microprotrusion is called a peak suitably. In the multimodal microprotrusions, those having two vertices and three vertices are appropriately referred to as two multimodal microprotrusions and three multimodal microprotrusions, respectively.

〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る反射防止物品を示す図(概念斜視図)である。この反射防止物品1は、全体形状がフィルム形状により形成された反射防止フィルムである。この実施形態に係る画像表示装置では、この反射防止物品1が画像表示パネルの視聴者側面(パネル面)に貼り付けられて保持され、この反射防止物品1により日光、電燈光等の外来光の画面における反射を低減して視認性を向上する。なお反射防止物品は、その形状を平坦なフィルム形状とする場合に限らず、平坦なシート形状、平板形状(相対的に厚みの薄い順に、フィルム、シート、板と呼称する)とすることもでき、また平坦な形状に代えて、湾曲形状、立体形状を呈したフィルム形状、シート形状、板形状とすることもでき、さらには各種レンズ、各種プリズム等の立体形状のものを用途に応じて適宜採用することができる。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram (conceptual perspective view) showing an antireflection article according to a first embodiment of the present invention. This antireflection article 1 is an antireflection film whose overall shape is formed by a film shape. In the image display device according to this embodiment, the antireflection article 1 is attached to and held on the viewer side surface (panel surface) of the image display panel, and the antireflection article 1 prevents external light such as sunlight and electric light. Visibility is improved by reducing reflection on the screen. The antireflection article is not limited to a flat film shape, but may be a flat sheet shape or a flat plate shape (referred to as a film, a sheet, or a plate in order of relatively small thickness). In addition, instead of a flat shape, a curved shape, a three-dimensional film shape, a sheet shape, or a plate shape can be used, and various lenses, prisms, and other three-dimensional shapes are appropriately used depending on the application. Can be adopted.

ここで反射防止物品1は、透明フィルムの形状(形態)の基材2の表面に多数の微小突起5、5A、5Bを密接配置して作製される。尚、密接配置された複数の微小突起を総称して微小突起群とも呼称する。ここで基材2は、例えばTAC(Triacetylcellulose)、等のセルロース(纖維素)系樹脂、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のアクリル系樹脂、PET(Polyethylene terephthalate)等のポリエステル系樹脂、PP(ポリプロピレン)等のポリオレフィン系樹脂、PVC(ポリ塩化ビニル)等のビニル系樹脂、PC(Polycarbonate)等の各種透明樹脂フィルムを適用することができる。なお上述したように反射防止物品の形状はフィルム形状に限らず、種々の形状を採用可能である。基材2は、このような反射防止物品の形状に応じて、これらの材料の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、PLZT等のセラミックス、石英、螢石等の各種透明無機材料等を適用することができる。   Here, the antireflection article 1 is produced by closely arranging a large number of minute protrusions 5, 5 </ b> A, 5 </ b> B on the surface of the base material 2 in the shape (form) of a transparent film. A plurality of closely arranged microprotrusions is collectively referred to as a microprotrusion group. Here, the base material 2 is, for example, a cellulose resin such as TAC (Triacetylcellulose), an acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), a polyester resin such as PET (Polyethylene terephthalate), or PP (polypropylene). Polyolefin resins such as PVC, vinyl resins such as PVC (polyvinyl chloride), and various transparent resin films such as PC (polycarbonate) can be applied. As described above, the shape of the antireflection article is not limited to the film shape, and various shapes can be employed. Depending on the shape of such an antireflection article, the base material 2 is made of various transparent materials such as soda glass, potassium glass, lead glass, ceramics such as PLZT, quartz, meteorite, etc. An inorganic material or the like can be applied.

反射防止物品1は、基材2上に、微小突起群からなる微細な凹凸形状の受容層となる未硬化状態の樹脂層(以下、適宜、受容層と呼ぶ)4を形成し、該受容層4を賦型処理して硬化せしめ、これにより基材2の表面に微小突起が密接して配置される。この実施形態では、この受容層4に、賦型処理に供する賦型用樹脂の1つであるアクリレート系紫外線硬化性樹脂が適用され、基材2上に紫外線硬化性樹脂層4が形成される。反射防止物品1は、この微小突起による凹凸形状により厚み方向に徐々に屈折率が変化するように作製され、モスアイ構造の原理により広い波長範囲で入射光の反射を低減する。   The anti-reflective article 1 forms an uncured resin layer 4 (hereinafter referred to as a receiving layer as appropriate) 4 which forms a fine uneven receiving layer composed of a group of minute protrusions on a base material 2. 4 is subjected to a molding treatment and hardened, whereby the fine protrusions are placed in close contact with the surface of the substrate 2. In this embodiment, an acrylate-based ultraviolet curable resin, which is one of the molding resins used for the molding process, is applied to the receiving layer 4 to form the ultraviolet curable resin layer 4 on the substrate 2. . The antireflection article 1 is manufactured so that the refractive index gradually changes in the thickness direction due to the uneven shape by the microprotrusions, and reduces the reflection of incident light in a wide wavelength range by the principle of the moth-eye structure.

[隣接突起間距離]
なおこれにより反射防止物品1に作製される微小突起は、隣接する微小突起の間隔dが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λmin以下(d≦Λmin)となるよう密接して配置される。この実施形態では、画像表示パネルに配置して視認性を向上させることを主目的とするため、この最短波長は、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長(380nm)に設定され、間隔dは、ばらつきを考慮して100〜300nmとされる。またこの間隔dに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材2側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。反射防止物品1では微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作製すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔dに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。なお「隣り合う」或いは「隣接」の、より正確な定義は以下に基づく。
[Distance between adjacent protrusions]
In this way, the microprotrusions produced in the antireflection article 1 are closely arranged so that the distance d between adjacent microprotrusions is equal to or less than the shortest wavelength Λmin (d ≦ Λmin) of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection. The In this embodiment, since the main purpose is to improve visibility by arranging the image display panel, the shortest wavelength is set to the shortest wavelength (380 nm) in the visible light region in consideration of individual differences and viewing conditions. The distance d is set to 100 to 300 nm in consideration of variation. The adjacent minute protrusions related to the distance d are so-called adjacent minute protrusions, which are in contact with the hem portions of the minute protrusions, which are the base portions on the base 2 side. In the anti-reflective article 1, the minute protrusions are closely arranged so that when a line segment is formed so as to sequentially follow the valley portions between the minute protrusions, a large number of polygonal regions surrounding each minute protrusion are connected in plan view. Thus, a mesh-like pattern is produced. The adjacent minute protrusions related to the distance d are protrusions that share a part of the line segments constituting the mesh pattern. The more accurate definition of “adjacent” or “adjacent” is based on the following.

なお微小突起に関しては、より詳細には以下のように定義される。モスアイ構造による反射防止では、透明基材表面とこれに隣接する媒質との界面における有効屈折率を、厚み方向に連続的に変化させて反射防止を図るものであることから、微小突起に関しては一定の条件を満足することが必要である。この条件のうちの1つである突起の間隔に関して、例えば特開昭50−70040号公報、特許第4632589号公報等に開示のように、微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接する微小突起の間隔dは、突起配列の周期P(d=P)となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλmax、最短波長をλminとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λmin=λmaxであるため、P≦λmaxとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λmin=λminであるため、P≦λminとなる。   The minute protrusions are defined in more detail as follows. In the antireflection by the moth-eye structure, the effective refractive index at the interface between the transparent substrate surface and the adjacent medium is continuously changed in the thickness direction to prevent reflection. It is necessary to satisfy the following conditions. With respect to the protrusion interval, which is one of these conditions, when the minute protrusions are regularly arranged at a constant period as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-70040 and Japanese Patent No. 4632589, the adjacent spaces are adjacent to each other. The interval d between the minute projections to be performed is the projection arrangement period P (d = P). Thus, when the longest wavelength in the visible light band is λmax and the shortest wavelength is λmin, the minimum necessary condition that can exhibit the antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax. P ≦ λmax, and the necessary and sufficient condition that can exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is Λmin = λmin, and therefore P ≦ λmin.

なお波長λmax、λminは、観察条件、光の強度(輝度)、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λmax=780nm及びλmin=380nmとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、d≦300nmであり、より好ましい条件は、斜め方向(基材2表面の法線に対して45度以上に角度をなす方向)から見た場合の白濁感を低減させる点から、d≦200nmとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性(低角度依存性)の確保等の理由から、周期dの下限値は、通常、d≧50nm、好ましくは、d≧100nmとされる。これに対して突起の高さHは、十分な反射防止効果を発現させる観点より、H≧0.2×λmax=156nm(λmax=780nmとして)とされる。   The wavelengths λmax and λmin may have some width depending on observation conditions, light intensity (luminance), individual differences, and the like, but are typically λmax = 780 nm and λmin = 380 nm. A preferable condition that can more reliably exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is d ≦ 300 nm, and a more preferable condition is an oblique direction (at least 45 degrees with respect to the normal of the surface of the substrate 2). D ≦ 200 nm from the viewpoint of reducing the cloudiness when viewed from an angle direction. Note that the lower limit value of the period d is usually d ≧ 50 nm, preferably d ≧ 100 nm, for reasons such as the expression of the antireflection effect and the securing of the isotropic (low angle dependency) of the reflectance. On the other hand, the height H of the protrusion is set to H ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) from the viewpoint of exhibiting a sufficient antireflection effect.

しかしながらこの実施形態のように、微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接する微小突起間の間隔dはばらつきを有することになる。より具体的には、図2に示すように、基材の表面又は裏面の法線方向から見て平面視した場合に、微小突起が一定周期で規則正しく配列されていない場合、突起の繰り返し周期Pによっては隣接突起間の間隔dは規定し得ず、また隣接突起の概念すら疑念が生じることになる。そこでこのような場合、以下のように算定される。   However, when the minute protrusions are irregularly arranged as in this embodiment, the distance d between the adjacent minute protrusions varies. More specifically, as shown in FIG. 2, when viewed from the normal direction of the front or back surface of the substrate, when the microprojections are not regularly arranged at a constant period, the repetition period P of the protrusions In some cases, the distance d between adjacent protrusions cannot be defined, and even the concept of adjacent protrusions is suspicious. Therefore, in such a case, it is calculated as follows.

(1)すなわち先ず、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope(以下、AFMと呼ぶ))又は走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope(以下、SEMと呼ぶ))を用いて突起の面内配列(突起配列の平面視形状)を検出する。なお図2は、実際に原子間力顕微鏡により求められた拡大写真である。AFMのデータには微小突起群の高さの面内分布データを付随するため、この写真は輝度により高さの面内分布を示す写真であると言える。   (1) That is, first, an in-plane arrangement (projection arrangement) of projections using an atomic force microscope (Atomic Force Microscope (hereinafter referred to as AFM)) or a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM). ) Is detected. FIG. 2 is an enlarged photograph actually obtained by an atomic force microscope. Since the AFM data is accompanied by the in-plane distribution data of the height of the microprojections, this photo can be said to be a photo showing the in-plane distribution of height by luminance.

(2)続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点(以下、単に極大点と呼ぶ)を検出する。極大点とは、高さが、其の近傍周辺の何れの点と比べても大(極大値)となる点を意味する。なお極大点を求める方法としては、(a)平面視形状の拡大写真上における平面座標とこれと対応する断面形状から求めた高さデータとを逐次対比して極大点を求める方法、(b)AFMで得られた基材上の平面座標における高さ分布データを2次元画像化してなる平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。図2はAFMによる拡大写真(画像濃度が高さに対応する)であり、図3は、図2に示した拡大写真に係る画像データの処理による極大点の検出結果を示す図であり、この図において黒点により示す個所がそれぞれ各突起の極大点である。なおこの処理では4.5×4.5画素のガウシアン特性によるローパスフィルタにより事前に画像データを処理し、これによりノイズによる極大点の誤検出を防止した。また8画素×8画素による最大値検出用のフィルタを順次スキャンすることにより1nm(=1画素)単位で極大点を求めた。   (2) Subsequently, the maximum point of the height of each protrusion (hereinafter simply referred to as the maximum point) is detected from the obtained in-plane arrangement. The maximum point means a point where the height is larger (maximum value) than any point around the vicinity. As a method for obtaining the maximum point, (a) a method for obtaining the maximum point by sequentially comparing the plane coordinates on the enlarged photograph of the planar view shape and the height data obtained from the corresponding cross-sectional shape, (b) Various methods such as a method of obtaining a local maximum point by image processing of a planar view enlarged photograph obtained by converting the height distribution data in the plane coordinates on the base material obtained by AFM into a two-dimensional image can be applied. FIG. 2 is an enlarged photograph (corresponding to the image density is high) by AFM, and FIG. 3 is a diagram showing a detection result of the maximum point by processing of image data related to the enlarged photograph shown in FIG. In the figure, each point indicated by a black dot is the maximum point of each protrusion. In this process, image data is processed in advance by a low-pass filter having a Gaussian characteristic of 4.5 × 4.5 pixels, thereby preventing erroneous detection of the maximum point due to noise. Further, a maximum point was obtained in units of 1 nm (= 1 pixel) by sequentially scanning a filter for detecting a maximum value of 8 pixels × 8 pixels.

(3)次に検出した極大点を母点とするドロネー図(Delaunary Diagram)を作製する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる3角形の集合体からなる網状図形である。各3角形は、ドロネー3角形と呼ばれ、各3角形の辺(隣接母点同士を結ぶ線分)は、ドロネー線と呼ばれる。図4は、図3から求められるドロネー図(白色の線分により表される図である)を図3による原画像と重ね合わせた図である。ドロネー図は、ボロノイ図(Voronoi diagram)と双対の関係に有る。またボロノイ分割とは、各隣接母点間を結ぶ線分(ドロネー線)の垂直2等分線同士によって画成される閉多角形の集合体からなる網状図形で平面を分割することを言う。ボロノイ分割により得られる網状図形がボロノイ図であり、各閉領域がボロノイ領域である。   (3) Next, a Delaunay diagram (Delaunary Diagram) having the detected maximum point as a generating point is created. Here, Delaunay diagram is obtained by dividing the Voronoi region adjacent to the Voronoi region when the Voronoi division is performed with each local maximum as the generating point, and connecting the adjacent generating points with line segments. This is a net-like figure made up of triangular aggregates. Each triangle is called a Delaunay triangle, and a side of each triangle (a line segment connecting adjacent generating points) is called a Delaunay line. FIG. 4 is a diagram in which the Delaunay diagram (represented by white line segments) obtained from FIG. 3 is superimposed on the original image of FIG. The Delaunay diagram has a dual relationship with the Voronoi diagram. Voronoi division means that a plane is divided by a net-like figure made up of a closed polygon aggregate defined by perpendicular bisectors of line segments (Droney lines) connecting between adjacent generating points. A network figure obtained by Voronoi division is a Voronoi diagram, and each closed region is a Voronoi region.

(4)次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離(以下、隣接突起間距離と呼ぶ)の度数分布を求める。図5は、図4のドロネー図から作製した度数分布のヒストグラムである。なお図2において符号5A及び5Bにより示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作製する。
尚、ここで「峰」とは各頂点近傍領域であって、同一麓部を共有する各頂点間の高さの極小領域である溝g(図11参照)によって区画された該溝gよりも高高度領域を言う。
(4) Next, the frequency distribution of the line segment length of each Delaunay line, that is, the frequency distribution of the distance between adjacent maximum points (hereinafter referred to as the distance between adjacent protrusions) is obtained. FIG. 5 is a histogram of the frequency distribution created from the Delaunay diagram of FIG. In addition, as shown by reference numerals 5A and 5B in FIG. 2, when a concave portion such as a groove exists at the top of the protrusion, or the top is divided into a plurality of peaks, from the obtained frequency distribution, A frequency distribution is created by removing data resulting from a fine structure having a concave portion at the top of the protrusion and a fine structure in which the top is split into a plurality of peaks, and selecting only the data of the protrusion main body itself.
Here, the “peak” is a region near each vertex and is more than the groove g defined by the groove g (see FIG. 11) which is a minimum region between the vertices sharing the same flange. Say high altitude area.

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している多峰性微小突起に係る微細構造においては、このような微細構造を備えてい無い単峰性微小突起の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば図2に示すような微小突起(群)の平面視の拡大写真から、5〜20個程度の互いに隣接する単峰性微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに小さい方向に外れる値(通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が1/2以下のデータ)を除外して度数分布を検出する。図5の例では、隣接極大点間距離が56nm以下のデータ(矢印Aにより示す左端の小山)を除外する。なお図5は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。因みに上述の極大点検用のフィルタの設定により、このような除外する処理を実行してもよい。   Specifically, in the fine structure in which there is a concave portion on the top of the protrusion, or in the fine structure related to a multi-peak microprotrusion in which the top is divided into a plurality of peaks, the single peak property that does not have such a fine structure From the numerical range in the case of a microprotrusion, the distance between adjacent maximum points is clearly greatly different. Thus, by removing the corresponding data using this feature, only the data of the projection body itself is selected and the frequency distribution is detected. More specifically, for example, about 5 to 20 adjacent single-peaked microprojections are selected from an enlarged photograph of a microprojection (group) in plan view as shown in FIG. 2, and the distance between adjacent maximum points is selected. A value that deviates in a direction that is clearly smaller than the numerical range obtained by sampling this value (usually the value is ½ or less of the average distance between adjacent maximum points obtained by sampling) Frequency distribution is detected. In the example of FIG. 5, data having a distance between adjacent maximal points of 56 nm or less (the leftmost small mountain indicated by the arrow A) is excluded. FIG. 5 shows a frequency distribution before performing such exclusion processing. Incidentally, such exclusion processing may be executed by setting the above-described maximum inspection filter.

(5)このようにして求めた隣接突起間距離dの度数分布から平均値dAVG及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値dAVG及び標準偏差σを求めると、図5の例では、平均値dAVG=158nm、標準偏差σ=38nmとなった。これにより隣接突起間距離dの最大値を、dmax=dAVG+2σとし、この例ではdmax=234nmとなる。 (5) The average value d AVG and the standard deviation σ are obtained from the frequency distribution of the distance d between adjacent protrusions thus obtained. Here, when the frequency distribution obtained in this way is regarded as a normal distribution and the average value d AVG and the standard deviation σ are obtained, the average value d AVG = 158 nm and the standard deviation σ = 38 nm are obtained in the example of FIG. As a result, the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is set to dmax = d AVG + 2σ, and in this example, dmax = 234 nm.

なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の(2)により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図6は、このようにして求められる突起付け根位置を基準(高さ0)とした突起高さHの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値HAVG、標準偏差σを求める。ここでこの図6の例では、平均値HAVG=178nm、標準偏差σ=30nmである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値HAVG=178nmとなる。なお図6に示す突起高さHのヒストグラムにおいて、多峰性微小突起の場合は、頂点を複数有していることにより、1つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂点の中から高さの最も高い頂点を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。また麓部を共有する全峰が同一高さの場合は、其の同一の高さを以って該微小突起の高さとする。 The same method is applied to define the height of the protrusion. In this case, a relative height difference of each local maximum point position from a specific reference position is acquired from the local maximum point obtained by the above (2), and is histogrammed. FIG. 6 is a diagram showing a histogram of the frequency distribution of the protrusion height H with the protrusion root position obtained in this way as a reference (height 0). The average value HAVG of the protrusion height and the standard deviation σ are obtained from the frequency distribution based on the histogram. Here in the example of FIG. 6, the mean value H AVG = 178 nm, the standard deviation sigma = 30 nm. Thus in this example, the height of the projections is an average value H AVG = 178 nm. In the histogram of the protrusion height H shown in FIG. 6, in the case of a multi-peak microprotrusion, the plurality of data are mixed for one protrusion because of having a plurality of vertices. Therefore, in this case, the frequency distribution is obtained by adopting the vertex having the highest height from among the plurality of vertices belonging to the same microprotrusion as the protuberance. Moreover, when all the peaks which share a collar part are the same height, let it be the height of this microprotrusion with the same height.

なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底(高さの極小点)を高さ0の基準とする。但し、例えば図7に示すように、谷底の高さが微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でウネリを有する場合等において、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合は、(1)先ず、基材2の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が收束するに足る面積の中で算出する。(2)次いで、該平均値の高さを持ち、基材2の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。(3)その後、該基準面を改めて高さ0として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。   In addition, the reference position when measuring the height of the protrusion described above is based on the valley bottom (minimum point of height) between the adjacent minute protrusions as a reference of height 0. However, for example, as shown in FIG. 7, when the height of the valley bottom has undulation with a period larger than the distance between adjacent projections of the microprojections, etc. ) First, the average value of the height of each valley bottom measured from the front surface or the back surface of the base material 2 is calculated within an area sufficient for the average value to converge. (2) Next, a surface having the height of the average value and parallel to the front surface or the back surface of the substrate 2 is considered as a reference surface. (3) Then, the height of each microprotrusion from the reference surface is calculated by setting the reference surface to a height of 0 again.

突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値dmax=dAVG+2σ、突起の高さの平均値HAVGが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要であることが判った。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、dmax≦Λminとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最短限の条件は、Λmin=λmaxであるため、dmax≦λmaxとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λmin=λminであるため、dmax≦λminとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、dmax≦300nmであり、更に好ましい条件は、dmax≦200nmである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性(低角度依存性)の確保等の理由から、通常、dmax≧50nmであり、好ましくは、dmax≧100nmとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、HAVG≧0.2×λmax=156nm(λmax=780nmとして)とされる。しかしながら実用上十分な程度に反射防止機能を確保する観点からは、平均突起間距離daveを、dave≦λminとしても良い。 If the protrusions are irregularly arranged, when this way the maximum value of the adjacent protrusions distance obtained by dmax = d AVG + 2σ, average H AVG height of projections are arranged regularly It has been found necessary to satisfy the above conditions. Specifically, the condition of the distance between the microprotrusions that exhibits the antireflection effect is dmax ≦ Λmin. The minimum necessary condition that can exhibit the antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax, and therefore dmax ≦ λmax, and the antireflection effect can be achieved for all wavelengths in the visible light band. The necessary and sufficient condition is Λmin = λmin, and therefore dmax ≦ λmin. A preferable condition that can more reliably exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is dmax ≦ 300 nm, and a more preferable condition is dmax ≦ 200 nm. Also, dmax ≧ 50 nm is usually satisfied and dmax ≧ 100 nm is preferable because of the antireflection effect and ensuring the isotropic (low angle dependency) of the reflectance. The height of the protrusion is set to HAVG ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) in order to exhibit a sufficient antireflection effect. However, from the viewpoint of ensuring the antireflection function to a practically sufficient level, the average inter-protrusion distance dave may be set so that dave ≦ λmin.

因みに、図2〜図6の例により説明するとdmax=234nm≦λmax=780nmとなり、dmax≦λmaxの条件を満足して十分に反射防止効果を奏し得ることが判る。また可視光線帯域の最短波長λminが380nmであることから、可視光線の全波長帯域において反射防止効果を発現する十分条件dmax≦λminも満たすことが判る。またdave≦dmaxであることから、dave≦λminの条件も満足していることが判る。また平均突起高さHAVG=178nmであることにより、平均突起高さHAVG≧0.2×λmax=156nmとなり(可視光波長帯域の最長波長λmax=780nmとして)、十分な反射防止効果を実現するための突起の高さに関する条件も満足していることが判る。なお標準偏差σ=30nmであることから、HAVG−σ=148nm<0.2×λmax=156nmとの関係式が成立することから、統計学上、全突起の50%以上、84%以下が、突起の高さに係る条件(178nm以上)の条件を満足していることが判る。なおAFM及びSEMによる観察結果、並びに微小突起の高さ分布の解析結果から、多峰性微小突起は相対的に高さの低い微小突起よりも高さの高い微小突起でより多く生じる傾向にあることが判明した。 2 to 6, dmax = 234 nm ≦ λmax = 780 nm, and it can be seen that the antireflection effect can be sufficiently achieved by satisfying the condition of dmax ≦ λmax. In addition, since the shortest wavelength λmin in the visible light band is 380 nm, it can be seen that the sufficient condition dmax ≦ λmin for exhibiting the antireflection effect in all visible light wavelength bands is also satisfied. Since dave ≦ dmax, it can be seen that the condition of dave ≦ λmin is also satisfied. When the average protrusion the height H AVG = 178 nm Also, the average projection height H AVG ≧ 0.2 × λmax = 156nm becomes (as the longest wavelength .lambda.max = 780 nm in the visible light wavelength band), realizing a sufficient antireflection effect It can be seen that the conditions regarding the height of the protrusions to satisfy are also satisfied. Note since the standard deviation sigma = 30 nm, since the relationship between the H AVG -σ = 148nm <0.2 × λmax = 156nm is satisfied, statistically, more than 50% of the total protrusions, 84% or less It can be seen that the condition of the height of the protrusion (178 nm or more) is satisfied. In addition, from the observation result by AFM and SEM and the analysis result of the height distribution of the microprojections, the multi-peak microprojections tend to be generated more frequently in the microprojections having a higher height than the microprojections having a relatively low height. It has been found.

〔製造工程〕
図8は、この反射防止物品1の製造工程を示す図である。この製造工程10は、樹脂供給工程において、ダイ12により帯状フィルム形態の基材2に微小突起形状の受容層を構成する未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂を塗布する。なお紫外線硬化性樹脂の塗布については、ダイ12による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いてこの製造工程10は、押圧ローラ14により、反射防止物品の賦型用金型であるロール版13の周側面に基材2を加圧押圧し、これにより基材2に未硬化状態で液状のアクリレート系紫外線硬化性樹脂を密着させると共に、ロール版13の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に紫外線硬化性樹脂を充分に充填する。この製造工程は、この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂を硬化させ、これにより基材2の表面に微小突起群を作製する。この製造工程は、続いて剥離ローラ15を介してロール版13から、硬化した紫外線硬化性樹脂と一体に基材2を剥離する。製造工程10は、必要に応じてこの基材2に粘着層等を作製した後、所望の大きさに切断して反射防止物品1を作製する。これにより反射防止物品1は、ロール材による長尺の基材2に、賦型用金型であるロール版13の周側面に作製された微細形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。
〔Manufacturing process〕
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of the antireflection article 1. In the manufacturing process 10, in the resin supply process, an uncured and liquid ultraviolet curable resin that forms a microprojection-shaped receiving layer is applied to the base material 2 in the form of a belt-shaped film by the die 12. In addition, about application | coating of an ultraviolet curable resin, not only the case by the die | dye 12 but various methods are applicable. Subsequently, in this manufacturing process 10, the substrate 2 is pressed and pressed onto the peripheral side surface of the roll plate 13 which is a mold for shaping the antireflection article by the pressing roller 14, and thereby the substrate 2 is uncured. The liquid acrylate-based ultraviolet curable resin is brought into close contact, and the fine concavo-convex recesses formed on the peripheral side surface of the roll plate 13 are sufficiently filled with the ultraviolet curable resin. In this state, in this manufacturing process, the ultraviolet curable resin is cured by irradiation with ultraviolet rays, and thereby a microprojection group is produced on the surface of the substrate 2. In this manufacturing process, the substrate 2 is peeled off from the roll plate 13 through the peeling roller 15 together with the cured ultraviolet curable resin. In the production process 10, an anti-reflection article 1 is produced by producing an adhesive layer or the like on the substrate 2 as necessary, and then cutting it into a desired size. Accordingly, the antireflection article 1 is mass-produced efficiently by sequentially molding the fine shape produced on the peripheral side surface of the roll plate 13 which is a mold for molding on the long base material 2 made of a roll material. The

図9は、ロール版13の構成を示す斜視図である。ロール版13は、円筒形状の金属材料である母材の周側面に、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が作製され、この微細な凹凸形状が上述したように基材2に賦型される。このため母材は、少なくとも周側面に純度の高いアルミニウム層が設けられた円柱形状又は円筒形状の部材が適用される。より具体的に、この実施形態では、母材に中空のステンレスパイプが適用され、直接に又は各種の中間層を介して、純度の高いアルミニウム層が設けられる。なおステンレスパイプに代えて、銅やアルミニウム等のパイプ材等を適用してもよい。ロール版13は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより、母材の周側面に微細穴が密に作製され、この微細穴を掘り進めると共に、開口部に近付くに従ってより大きな径となるようにこの微細穴の穴径を徐々に拡大して凹凸形状が作製される。これによりロール版13は、深さ方向に徐々に穴径が小さくなる微細穴が密に作製され、反射防止物品1には、この微細穴に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる多数の微小突起からなる微小突起群により微細な凹凸形状が作製される。   FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of the roll plate 13. The roll plate 13 has a fine concavo-convex shape formed on the peripheral side surface of the base material, which is a cylindrical metal material, by repeating anodizing treatment and etching treatment, and the fine concavo-convex shape is formed on the substrate 2 as described above. It is shaped. For this reason, a columnar or cylindrical member in which a high-purity aluminum layer is provided at least on the peripheral side surface is used as the base material. More specifically, in this embodiment, a hollow stainless steel pipe is applied to the base material, and a high-purity aluminum layer is provided directly or via various intermediate layers. In addition, it may replace with a stainless steel pipe and may apply pipe materials, such as copper and aluminum. In the roll plate 13, fine holes are densely formed on the peripheral side surface of the base material by repeating the anodizing treatment and the etching treatment, and the fine holes are dug, and the diameter of the roll plate 13 increases as it approaches the opening. The concavo-convex shape is produced by gradually increasing the diameter of the fine holes. As a result, the roll plate 13 is closely formed with fine holes whose diameter gradually decreases in the depth direction, and the diameter of the antireflection article 1 gradually decreases as it approaches the top corresponding to the fine holes. A fine concavo-convex shape is produced by a microprojection group consisting of a large number of microprojections.

〔陽極酸化処理、エッチング処理〕
図10は、ロール版13の製造工程を示す図である。この製造工程は、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化する(電解研磨)。続いてこの工程は、アルミニウム層形成工程において、母材の周側面にアルミニウムをスパッタリングし、純度の高いアルミニウム層を作製する。続いてこの工程は、陽極酸化工程A1、…、AN、エッチング工程E1、…、ENを交互に繰り返して母材を処理し、ロール版13を作製する。
[Anodic oxidation treatment, etching treatment]
FIG. 10 is a diagram illustrating a manufacturing process of the roll plate 13. In this manufacturing process, the peripheral side surface of the base material is made into a super mirror surface by an electrolytic composite polishing method that combines electrolytic elution action and abrasion action by abrasive grains (electrolytic polishing). Subsequently, in this step, in the aluminum layer forming step, aluminum is sputtered on the peripheral side surface of the base material to produce a high-purity aluminum layer. Subsequently, in this process, the base material is processed by alternately repeating the anodic oxidation processes A1,..., AN, and the etching processes E1,.

この製造工程において、陽極酸化工程A1、…、ANでは、陽極酸化法により母材の周側面に微細な穴を作製し、さらにこの作製した微細な穴を掘り進める。ここで陽極酸化工程では、例えば負極に炭素棒、ステンレス板材等を使用する場合のように、アルミニウムの陽極酸化に適用される各種の手法を広く適用することができる。また溶解液についても、中性、酸性の各種溶解液を使用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ(蓚)酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。この製造工程A1、…、ANは、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細な穴をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製する。   In this manufacturing process, in the anodic oxidation steps A1,..., AN, a fine hole is produced on the peripheral side surface of the base material by an anodic oxidation method, and the produced fine hole is further dug. Here, in the anodic oxidation step, various methods applied to the anodic oxidation of aluminum can be widely applied, for example, when a carbon rod, a stainless steel plate, or the like is used for the negative electrode. Further, as the solution, various neutral and acidic solutions can be used, and more specifically, for example, sulfuric acid aqueous solution, oxalic acid aqueous solution, phosphoric acid aqueous solution and the like can be used. In the manufacturing steps A1,..., AN, the fine holes are formed in shapes corresponding to the target depth and the shape of the fine protrusions, respectively, by managing the liquid temperature, the applied voltage, the time for anodization, and the like.

続くエッチング工程E1、…、ENは、金型をエッチング液に浸漬し、陽極酸化工程A1、…、ANにより作製、掘り進めた微細な穴の穴径をエッチングにより拡大し、深さ方向に向かって滑らか、かつ徐々に穴径が小さくなるように、これら微細な穴を整形する。なおエッチング液については、この種の処理に適用される各種エッチング液を広く適用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。これらによりこの製造工程では、陽極酸化処理とエッチング処理とを交互にそれぞれ複数回実行することにより、賦型に供する微細穴を母材の周側面に作製する。尚、陽極酸化処理で用いたシュウ酸水溶液等の陽極酸化処理液自体は、電圧を印加することなく、母材に接触させればエッチング液として機能する。従って、陽極酸化処理液とエッチング液とを同じ液とし、同液を入れた槽中に母材を浸漬したまま、順次、所定時間所定電圧を印加することで陽極酸化処理を行い、電圧無印加で所定時間浸漬することによってエッチング処理を行うこともできる。   In the subsequent etching process E1,..., EN, the mold is immersed in an etching solution, the hole diameter of the fine hole produced and dug in the anodizing process A1,. These fine holes are shaped so that the hole diameter becomes smaller and smoother. As the etching solution, various etching solutions that are applied to this type of treatment can be widely applied. More specifically, for example, a sulfuric acid aqueous solution, an oxalic acid aqueous solution, a phosphoric acid aqueous solution, or the like can be used. As a result, in this manufacturing process, the anodizing process and the etching process are alternately performed a plurality of times, so that fine holes for forming are formed on the peripheral side surface of the base material. The anodizing solution itself such as an oxalic acid aqueous solution used in the anodizing treatment functions as an etching solution if it is brought into contact with the base material without applying a voltage. Therefore, the anodizing treatment solution and the etching solution are the same solution, and the anodizing treatment is performed by sequentially applying a predetermined voltage for a predetermined time while the base material is immersed in a bath containing the same solution, and no voltage is applied. Etching can also be performed by immersing in a predetermined time.

〔耐擦傷性の向上〕
反射防止物品1では、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させることにより、単峰性微小突起のみにより微小突起を構成する場合に比して、耐擦傷性を向上する。ここで多峰性微小突起は、単に頂点を複数有するだけでなく、微小突起を先端側より平面視した場合に、ほぼ中央より外方に向かって放射状に形成された溝により複数の領域に分割され、この複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰であるように形成される。またこの多峰性微小突起は、対応する形状を備えた微細穴の賦型処理により作製される。
[Improved scratch resistance]
In the antireflection article 1, the multi-peak microprojections and the single-peak microprojections are mixed to improve the scratch resistance as compared with the case where the microprojections are constituted by only the single-peak microprojections. Here, the multimodal microprotrusions not only have a plurality of vertices, but are divided into a plurality of regions by grooves formed radially outward from the center when the microprotrusions are viewed from the tip side. Each region of the plurality of regions is formed to be a peak associated with each vertex. In addition, the multimodal microprotrusions are produced by a microhole shaping process having a corresponding shape.

図11は、この頂点を複数有する多峰性微小突起の説明に供する断面図(図11(a))、斜視図(図11(b))、平面図(図11(c))である。なおこの図11は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図11(a)は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図11(b)及び(c)において、xy方向は、基材2の面内方向であり、z方向は微小突起の高さ方向である。反射防止物品1において、多くの微小突起5は、基材2より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積(高さ方向に直交する面(図11においてXY平面と平行な面)で切断した場合の断面積)が小さくなって、頂点が1つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝gが形成され、頂点が2つになったもの(5A)、頂点が3つになったもの(5B)、さらには頂点が4つ以上のもの(図示略)が存在させることができる。そして、これら多峰性微小突起は、複数個の峰が同一の麓部を共有し、その上に位置している。反射防止性能の点からは、多峰性微小突起の高さ方向(図11におけるz方向)に向かって、高さ方向に直行する斷面積が漸次減少する形状とすることが好ましい。なお単峰性微小突起5の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性微小突起5A、5Bの形状は、概略、単峰性微小突起5の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性微小突起5A、5Bの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向(図11ではZ軸方向)を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Z=a+a+・・+a2n2n+・・で近似されるような形状である。 FIG. 11 is a cross-sectional view (FIG. 11 (a)), a perspective view (FIG. 11 (b)), and a plan view (FIG. 11 (c)) for explaining the multimodal microprotrusions having a plurality of vertices. Note that FIG. 11 is a diagram schematically showing for easy understanding, and FIG. 11A is a diagram showing a cross section by a broken line connecting the vertices of continuous minute protrusions. In FIGS. 11B and 11C, the xy direction is the in-plane direction of the substrate 2, and the z direction is the height direction of the microprojections. In the antireflection article 1, many microprotrusions 5 are gradually cut in a cross-sectional area (a plane perpendicular to the height direction (a plane parallel to the XY plane in FIG. 11)) toward the apex away from the base material 2. The cross-sectional area) is reduced, and one vertex is produced. However, in some cases, as if a plurality of microprotrusions were combined, a groove g was formed at the tip, and the apex was two (5A), the apex was three (5B), Furthermore, there can be four or more vertices (not shown). In these multimodal microprotrusions, a plurality of peaks share the same buttocks and are located thereon. From the point of antireflection performance, it is preferable to have a shape in which the wrinkle area perpendicular to the height direction gradually decreases toward the height direction (z direction in FIG. 11) of the multimodal microprotrusions. The shape of the unimodal microprotrusions 5 can be approximated by a round shape at the top like a paraboloid of revolution or a sharp shape at the apex like a cone. On the other hand, the shape of the multimodal microprotrusions 5A and 5B is approximately approximated by a shape in which a groove-shaped recess is cut in the vicinity of the top of the single-peak microprotrusion 5 and the top is divided into a plurality of peaks. The shape of the multi-peak microprotrusions 5A and 5B, or the vertical cross-sectional shape when cutting along a virtual cut surface including a plurality of peaks and including the height direction (Z-axis direction in FIG. 11), has a plurality of maximum points. The shape is approximated by an algebraic curve Z = a 2 X 2 + a 4 X 4 +... + A 2n X 2n +.

このような頂点を複数有する多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して、頂点近傍の寸法及び断面積に対する裾の部分の太さが相対的に太く、多峰性微小突起に比して周長が長い。これにより、多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れていると言える。これにより頂点を複数有する多峰性微小突起が存在する場合、反射防止物品では、単峰性微小突起のみによる場合に比して耐擦傷性が向上するものと考えられる。さらに、具体的に反射防止物品に外力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、外力をより多くの頂点で分散して受ける為、各頂点に加わる外力を低減し、微小突起が損傷し難いようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができる。更に、多峰性微小突起は、外力を先ず各峰部分が受止めて犠牲的に損傷することによって、該多峰性微小突起の峰より低い本体部分、及び該多峰性微小突起よりも高さの低い微小突起の損耗を防ぐ。これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。   The multimodal microprotrusions having a plurality of vertices are relatively thicker than the unimodal microprotrusions in the dimensions and the cross-sectional area in the vicinity of the vertices. The circumference is longer than that. Thereby, it can be said that the multimodal microprotrusions are superior in mechanical strength to the single-peak microprotrusions. As a result, when there are multi-modal microprotrusions having a plurality of vertices, it is considered that the anti-reflective article has improved scratch resistance as compared to the case of using only monomodal micro-protrusions. Furthermore, when external force is applied to the anti-reflective article specifically, compared to the case of only a single-peaked microprojection, the external force is distributed and received at more vertices, so the external force applied to each vertex is reduced. The microprotrusions can be made difficult to be damaged, thereby reducing the local deterioration of the antireflection function and further reducing the appearance defects. Moreover, even if a microprotrusion is damaged, the area of the damaged portion can be reduced. In addition, the multi-peak microprojections are higher than the multi-peak micro-projections and lower body parts than the multi-peak micro-projections by first receiving each external force and sacrificing damage. Prevents wear and tear of small microprojections. This also reduces local deterioration of the antireflection function and further reduces the occurrence of appearance defects.

なお上述した図2〜図6に係る測定結果は、本実施形態に係る反射防止物品の測定結果であり、図5に示す度数分布においては、隣接突起間距離d(横軸の値)について、20nm及び40nmの短距離の極大値と120nm及び164nmの長距離の極大値との2種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体(頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分)の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点(峰)に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性微小突起の存在を見て取ることができる。   2 to 6 described above are measurement results of the antireflection article according to the present embodiment, and in the frequency distribution shown in FIG. 5, the distance d between adjacent protrusions (value on the horizontal axis) There are two types of local maxima, short maxima of 20 nm and 40 nm and long maxima of 120 nm and 164 nm. Among these maximum values, the maximum value of the long distance corresponds to the arrangement of the microprojection bodies (the part from the middle to the heel below the top part), while the maximum value of the short distance exists in the vicinity of the top part. Corresponds to the apex (peak) of. As a result, the presence of multimodal microprotrusions can also be seen from the frequency distribution of the distance between the maximal points.

なお多峰性微小突起は、その存在により耐擦傷性を向上できるものの、充分に存在しない場合には、この耐擦傷性を向上する効果を十分に発揮できないことは言うまでもない。係る観点より、表面に存在する全微小突起中における多峰性微小突起の個数の比率は10%以上とすることが望まれる。特に多峰性微小突起による耐擦傷性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性微小突起の比率は30%以上、好ましくは50%以上であることが望まれる。又、多峰性微小突起の比率を増やすに伴い製造工程の管理の難度が増す為、当該比率は好ましくは90%以下、より好ましくは80%以下とする。また多峰性微小突起が混在する場合にはスティッキングを生じ難くすることができ、その結果、スティッキングによる特性の劣化を有効に回避することができる。またさらに単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合には、アスペクト比の異なる単峰性微小突起を混在させた場合と同様に、広い波長帯域で反射率を低減することができる。なおアスペクト比とは、微小突起の高さHを谷底における径W(幅又は太さと言う事もできる)で除した比、H/Wとして定義される。ここで、谷底における径とは、微小突起の谷底近傍の形状が円柱であれば、該円柱の(底面の)直径と一致する。微小突起の谷底近傍形状が円柱では無く、谷底を連ねた仮想的平面と微小突起とが交叉して得られる底面の径の大きさが面内方向によって異なる場合は、その最大値を該微小突起の径とする。例えば、微小突起の底面形状が楕円の場合は、径はその長径となる。又、微小突起の底面形状が多角形の場合は、径はその最大の対角線長となる。又、谷底部(高さの極小点からなる領域)の幅が径に比べて小さく2割以下の場合には、各微小突起のアスペクト比H/Wの平均値(H/W)aveは、設計上は実質、Have/daveと見做すことができる。   Needless to say, although the multimodal microprotrusions can improve the scratch resistance due to their presence, if they do not exist sufficiently, the effect of improving the scratch resistance cannot be fully exhibited. From such a viewpoint, it is desirable that the ratio of the number of multimodal microprotrusions in all the microprotrusions existing on the surface be 10% or more. In particular, in order to sufficiently exhibit the effect of improving the scratch resistance by the multimodal microprotrusions, the ratio of the multimodal microprotrusions is desired to be 30% or more, preferably 50% or more. Further, since the difficulty of managing the manufacturing process increases as the ratio of the multimodal microprotrusions increases, the ratio is preferably 90% or less, more preferably 80% or less. In addition, when multimodal microprotrusions are mixed, sticking can be made difficult to occur, and as a result, deterioration of characteristics due to sticking can be effectively avoided. Furthermore, when unimodal microprojections are mixed with multimodal microprojections, the reflectance can be reduced over a wide wavelength band, as with unimodal microprojections with different aspect ratios. it can. The aspect ratio is defined as H / W, which is a ratio obtained by dividing the height H of the minute protrusions by the diameter W (also referred to as width or thickness) at the bottom of the valley. Here, the diameter at the bottom of the valley coincides with the diameter (at the bottom) of the column if the shape of the microprotrusion near the bottom of the valley is a column. If the shape of the vicinity of the valley bottom of the microprojection is not a cylinder and the diameter of the bottom surface obtained by crossing the virtual plane connecting the valley bottom and the microprojection differs depending on the in-plane direction, the maximum value is set to the microprojection. Of the diameter. For example, when the bottom shape of the microprojection is an ellipse, the diameter is the major axis. In addition, when the bottom surface shape of the minute protrusion is a polygon, the diameter is the maximum diagonal length. In addition, when the width of the bottom of the valley (region consisting of the minimum point of the height) is smaller than the diameter and 20% or less, the average value (H / W) ave of the aspect ratio H / W of each microprotrusion is In terms of design, it can be substantially regarded as Have / dave.

図12は、頂点が複数の微小突起を示す写真であり、図12(a)は、AFMによるものであり、図12(b)及び(c)は、SEMによるものである。図12(a)では、溝g及び3つの頂点を有する微小突起、及び溝g及び2つの頂点を有する微小突起(2峰の多峰性微小突起)を見て取ることができ、図12(b)では、溝g及び4つの頂点を有する微小突起(4峰の多峰性微小突起)、及び溝g及び2つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図12(c)では、溝g及び3つの頂点を有する微小突起(3峰の多峰性微小突起)、溝g及び2つの頂点を有する微小突起を見て取ることができる。   FIG. 12 is a photograph showing a plurality of minute protrusions at the apex. FIG. 12A is obtained by AFM, and FIGS. 12B and 12C are obtained by SEM. In FIG. 12 (a), a groove g and a microprojection having three vertices, and a microprotrusion having a groove g and two vertices (two-peak multimodal microprotrusions) can be seen, and FIG. In FIG. 12 (c), the groove g and the microprotrusions having four vertices (four-peak multimodal microprotrusions) and the groove g and the microprotrusions having two vertices can be seen. One can see microprojections with three vertices (three-peak multimodal microprojections), groove g and microprojections with two vertices.

〔陽極酸化処理、エッチング処理の詳細〕
図13は、このような単峰性微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合について、図12における陽極酸化処理、エッチング処理を詳細に示す図である。ここで陽極酸化処理の印加電圧と作製される微細穴のピッチとは比例関係である。しかしながら実際上、処理に供するアルミニウムの粒界等により微細穴のピッチは種々にばらつく。但し、この図13においては、このようなばらつきが無いものとして、また微細穴が規則正しい配列により作製されるものとして説明する。なお図13(a)〜(e)は、それぞれ各工程により作製される微細穴を平面視した図、及びa−a線により切り取って示す対応する断面図である。
[Details of anodizing and etching]
FIG. 13 is a diagram showing in detail the anodizing process and the etching process in FIG. 12 in the case where such single-peaked microprojections and multi-peaked microprojections are mixed. Here, the applied voltage of the anodizing treatment is proportional to the pitch of the fine holes to be produced. In practice, however, the pitch of the fine holes varies depending on the grain boundaries of aluminum used for processing. However, in FIG. 13, it is assumed that there is no such variation, and that the fine holes are formed by regular arrangement. FIGS. 13A to 13E are a plan view and a corresponding cross-sectional view cut out along the line aa.

ここで始めにこの実施形態では、低い印加電圧V1により第1の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理(以下、適宜、第1工程と呼ぶ)を実行し、これにより図13(a)に示すように、この低い印加電圧V1に係る基本ピッチによる微細穴f1を作製する。ここでこの第1の陽極酸化処理は、アルミニウムのフラット面に、後続する陽極酸化のきっかけを作製するものである。なおこの場合、必要に応じてこの第1工程のエッチング処理を省略してもよい。   First, in this embodiment, after the first anodizing process is performed with the low applied voltage V1, the etching process (hereinafter referred to as the first process as appropriate) is performed, whereby FIG. As shown, a fine hole f1 with a basic pitch according to this low applied voltage V1 is produced. Here, the first anodic oxidation treatment is to produce a trigger for the subsequent anodic oxidation on the flat surface of aluminum. In this case, the etching process in the first step may be omitted as necessary.

続いてこの実施形態では、第1の陽極酸化時より高い印加電圧V2(V2>V1)により第2の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する(以下、適宜、第2工程と呼ぶ)。ここでこの場合、図13(b)に示すように、印加電圧を上昇させたことにより、第1の陽極酸化処理により作製された微細穴f1のうち、この第2の陽極酸化処理に係る印加電圧に対応する微細穴のみ深さ方向に掘り進められ(符号f2により示す)、エッチング処理されることになる。これによりこの第2の工程により、例えば2段階により印加電圧を可変すれば、深さの異なる分布を呈する微細穴を混在させることができる。   Subsequently, in this embodiment, the second anodic oxidation process is performed with the applied voltage V2 (V2> V1) higher than that during the first anodic oxidation, and then the etching process is performed (hereinafter referred to as a second process as appropriate). ). Here, in this case, as shown in FIG. 13B, the applied voltage related to the second anodic oxidation treatment among the fine holes f1 produced by the first anodic oxidation treatment by increasing the applied voltage. Only the fine hole corresponding to the voltage is dug in the depth direction (indicated by reference numeral f2) and etched. Accordingly, if the applied voltage is varied in two steps, for example, fine holes having different depth distributions can be mixed in the second step.

続いてこの実施形態では、第2の陽極酸化時より高い印加電圧V3(V3>V2)により第3の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する(以下、適宜、第3工程と呼ぶ)(図13(c))。ここでこの第3工程は、ピッチの異なる微細穴を作製するための工程である。このためこの工程では、第2の陽極酸化工程における印加電圧V2から徐々に印加電圧を上昇させる。ここでこの印加電圧の上昇を離散的に(段階的に)実行すると、微小突起の高さ分布を離散的に設定することができ、深さの分布が異なる微細穴を混在させることができる。またこの印加電圧の上昇を連続的に変化させると、深さ分布を正規分布に設定することができる。   Subsequently, in this embodiment, the third anodic oxidation process is performed with the applied voltage V3 (V3> V2) higher than that during the second anodic oxidation, and then the etching process is performed (hereinafter referred to as a third process as appropriate). (FIG. 13 (c)). Here, the third step is a step for producing fine holes having different pitches. Therefore, in this step, the applied voltage is gradually increased from the applied voltage V2 in the second anodic oxidation step. Here, when the increase in the applied voltage is executed discretely (stepwise), the height distribution of the microprotrusions can be set discretely, and microholes having different depth distributions can be mixed. Further, when the increase in the applied voltage is continuously changed, the depth distribution can be set to a normal distribution.

さらにこの第3の工程において、陽極酸化に係る特定電圧の印加時間、エッチング処理の時間が、第1、第2工程よりも長く設定され、これにより符号f3により示すように、第1工程、第2工程で作製された微細穴f1、f2を飲み込むように、これら微細穴f1、f2と合体して底部の略平坦な微細穴が作製される。   Further, in this third step, the application time of the specific voltage related to the anodic oxidation and the time of the etching process are set longer than those in the first and second steps, so that the first step, The fine holes f1 and f2 formed in the two steps are combined with the fine holes f1 and f2 so as to form a substantially flat fine hole at the bottom.

続いてこの実施形態では、第3の陽極酸化時より高い印加電圧V4(V4>V3)により第4の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する(以下、適宜、第4工程と呼ぶ)(図13(d))。ここでこの第4工程は、目的とする突起間間隔によるピッチにより微細穴を作製するための工程であり、これによりこの印加電圧V4はこのピッチに対応する電圧である。この第4工程において、印加電圧を上昇させることにより、第3工程により大きく掘り進められた微細穴の一部がさらに一段と掘り進められて、この掘り進められた微細穴が単峰性微小突起に対応する微細穴f4となる。   Subsequently, in this embodiment, after performing the fourth anodic oxidation process with the applied voltage V4 (V4> V3) higher than that in the third anodic oxidation, the etching process is performed (hereinafter, referred to as a fourth process as appropriate). (FIG. 13 (d)). Here, the fourth step is a step for producing a fine hole with a pitch according to a target interprotrusion interval, and the applied voltage V4 is a voltage corresponding to this pitch. In this fourth step, by increasing the applied voltage, a part of the fine hole dug deeply in the third step is further dug further, and the dug fine hole becomes a unimodal microprotrusion. The corresponding fine hole f4 is obtained.

続いてこの実施形態では、第1工程における印加電圧V1により第5の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する(図13(e))。ここでこの第5の工程において、第3工程により底面が平坦面とされた微細穴であって、第4の工程の陽極酸化処理の影響を受けていない微細穴について、底面に微細な穴が複数個形成され、これにより多峰突起用の微細穴f5が作製される。ここでこの第5工程の印加電圧V1の大きさを調整することによって、底面に形成される微細な穴f5の数を増やしたり、減らしたりすることができる。   Subsequently, in this embodiment, the fifth anodic oxidation process is performed by the applied voltage V1 in the first process, and then the etching process is performed (FIG. 13E). Here, in the fifth step, a fine hole whose bottom surface is flattened by the third step and is not affected by the anodizing treatment of the fourth step, a fine hole is formed on the bottom surface. A plurality of microholes f5 for multi-peak protrusions are formed. Here, by adjusting the magnitude of the applied voltage V1 in the fifth step, the number of fine holes f5 formed on the bottom surface can be increased or decreased.

ここでこの一連の工程では、第1及び第2の工程により作製された深さの異なる微細穴f1、f2を、第3の工程で掘り進めて底面の略平坦な微小突起f3を作製し、第4の工程において、単峰性微小突起に係る微細穴を作製し、また第5の工程において、底面が平坦な微小突起f3の底面を加工して単峰性微小突起に係る微細穴を作製していることにより、これら第1〜第4の工程に係る陽極酸化処理の印加電圧、処理時間、エッチング処理の処理時間等を制御して各工程で作製される微細穴の深さ等を制御することにより、微小突起の高さの分布、多峰性微小突起の高さの分布を制御することができる。なおこれら第1〜第5の工程は、必要に応じて省略したり、繰り返したり、工程を一体化してもよいことは言うまでも無い。   In this series of steps, the fine holes f1 and f2 having different depths produced in the first and second steps are dug in the third step to produce a substantially flat microprojection f3 on the bottom surface. In the fourth step, a fine hole related to the single-peaked microprojection is formed, and in the fifth step, the bottom surface of the microprojection f3 having a flat bottom surface is processed to form a microhole related to the single-peaked microprojection. By controlling the applied voltage, the processing time, the etching processing time, etc. of the anodizing treatment according to these first to fourth steps, the depth of the fine hole produced in each step is controlled. By doing so, it is possible to control the height distribution of the microprojections and the height distribution of the multimodal microprojections. Needless to say, these first to fifth steps may be omitted, repeated, or integrated as necessary.

〔光学特性の劣化の防止〕
ところで多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させる場合には、正面方向の反射率、斜め入射光の反射率等の、光学特性の劣化を当然に防止することが望まれる。この実施形態では、単峰性微小突起の周長に対して多峰性微小突起の周長を一定の範囲に収めるようにし、より具体的には、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であるようにし、これにより実用上十分に光学特性の劣化を防止する。
[Preventing deterioration of optical properties]
By the way, when multimodal microprojections and monomodal microprojections are mixed, it is naturally desirable to prevent deterioration of optical characteristics such as the reflectance in the front direction and the reflectance of oblique incident light. In this embodiment, the circumference of the multimodal microprojection is set within a certain range with respect to the circumference of the monomodal microprojection, and more specifically, the circumference of the unimodal microprojection is many. It is made 90% or more and 100% or less of the peripheral length of the ridge-shaped microprotrusions, thereby preventing the deterioration of optical characteristics sufficiently practically.

なお周長は、各微小突起を取り囲む、隣接する微小突起との間の谷の長さにより定義される。周長は、例えば上述の隣接突起間距離の計測に供した2次元の画像データを使用して、図14の処理手順の実行により、当該画像データに係る画素を各微小突起に係る領域に区分して領域分割することにより、微小突起を囲む谷線による網目状の形状が求められ、この網目状の形状による線分より求めることができる。   The circumferential length is defined by the length of the valley surrounding each minute protrusion and between adjacent minute protrusions. For example, by using the two-dimensional image data provided for the above-described measurement of the distance between adjacent protrusions, the perimeter is divided into regions related to each microprojection by executing the processing procedure of FIG. Then, by dividing the region, a mesh shape is obtained by valley lines surrounding the minute projections, and can be obtained from a line segment by the mesh shape.

すなわち図14の処理手順では、始めに並べ替え処理を実行する(ステップSP11)。ここで並べ替え処理は、処理対象である各画素のデータを高さの高い順にソーティングする処理である。この実施の形態では、各画素分を表すデータ構造の要素であるx座標値、y座標値、z座標値に、それぞれ属性、極大値フラグを設定して各画素のデータとし、この各画素のデータを降順にソートして画素リストを作成する。なおここで属性は、各画素の分類結果を示す情報であり、未設定、仮置き、領域境界、クラスIDの4状態である。また極大値フラグは、頂点検出の処理に供するフラグである。これら属性及び極大値フラグは、当初、初期値に設定される。   That is, in the processing procedure of FIG. 14, the rearrangement process is first executed (step SP11). Here, the rearrangement process is a process of sorting the data of each pixel to be processed in descending order. In this embodiment, an x-coordinate value, a y-coordinate value, and a z-coordinate value, which are elements of a data structure representing each pixel, are set with an attribute and a maximum value flag, respectively, to obtain data for each pixel. Sort the data in descending order to create a pixel list. Here, the attribute is information indicating the classification result of each pixel, and is four states of unset, temporary placement, region boundary, and class ID. The maximum value flag is a flag used for vertex detection processing. These attributes and maximum value flags are initially set to initial values.

続いてこの処理は、反復処理(SP12〜SP13の処理)を繰り返し実行することにより、画素リストに登録された各画素のデータを、順次、高さの高い順に選択して分類する。具体的に、この反復処理において、処理対象の画素のデータを選択し、この画素のデータの属性が「仮置き」か否か判定する(ステップSP14)。ここで「仮置き」は、それまでの他の画素データの処理において、今回の処理対象の画素データが、谷又は多峰性突起の溝に係る画素である可能性を有している場合に設定される属性である。   Subsequently, in this process, iterative processes (SP12 to SP13) are repeatedly executed, whereby the data of each pixel registered in the pixel list is sequentially selected and classified in descending order of height. Specifically, in this iterative process, pixel data to be processed is selected, and it is determined whether or not the attribute of the pixel data is “temporary placement” (step SP14). Here, “temporary placement” refers to a case where the pixel data to be processed this time is likely to be a pixel related to a trough or a groove of a multimodal protrusion in the processing of other pixel data so far. The attribute to be set.

ここで処理対象の画素が「仮置き」である場合、この画素の属性を境界領域に設定することにより当該画素を微小突起間の境界(谷である)に設定し(ステップSP15)、次の画素に処理を切り替える。これとは逆に「仮置き」で無い場合、当該画素に隣接する近傍8画素に、既にクラスタIDが設定された画素(反復処理の実行対象となった画素である)が存在するか否か判定する(ステップSP16)。ここで既にクラスタIDが設定された近傍画素が存在しない場合、当該画素を極大値として「極大値フラグ」をtrueに設定し、属性を、(既に設定されたクラスの個数+1)のクラスタIDに設定し(ステップSP17)、次の画素に処理を切り替える。また既にクラスタIDの設定された近傍画素が存在する場合、そのクラスタIDが設定された近傍画素(クラスタリングされた近傍画素)の数が1つかどうかを判定する(ステップSP18)。   Here, when the pixel to be processed is “temporary placement”, by setting the attribute of this pixel to the boundary region, the pixel is set to the boundary (which is a valley) between the minute protrusions (step SP15). Switch processing to pixel. On the other hand, if it is not “temporary placement”, whether or not a pixel having a cluster ID already set (a pixel subjected to an iterative process) exists in the neighboring 8 pixels adjacent to the pixel. Determination is made (step SP16). If there is no neighboring pixel for which the cluster ID has already been set, the pixel is set to the maximum value, the “maximum value flag” is set to true, and the attribute is set to the cluster ID of (number of already set classes + 1). Setting is made (step SP17), and the processing is switched to the next pixel. If there is already a neighboring pixel for which the cluster ID is set, it is determined whether or not the number of neighboring pixels for which the cluster ID is set (clustered neighboring pixels) is one (step SP18).

ここで当該画素数が1つの場合、さらに当該画素に隣接する近傍8画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在するか否か判定し(ステップSP19)、「仮置き」に設定された画素が存在しない場合、クラスタIDが設定されてなる画素のクラスタIDを、当該処理対象画素の属性に設定する(ステップSP20)、これにより処理対象画素を検出された近傍画素の微小突起に分類し、次の画素に処理を切り替える。   Here, when the number of pixels is one, it is further determined whether or not there are pixels whose attributes are set to “temporary placement” in the neighboring eight pixels adjacent to the pixel (step SP19). If the set pixel does not exist, the cluster ID of the pixel for which the cluster ID is set is set in the attribute of the processing target pixel (step SP20), and thereby the minute projection of the neighboring pixel from which the processing target pixel is detected And the processing is switched to the next pixel.

これに対してクラスタIDの設定された近傍画素の数が1つであって、隣接する近傍8画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在する場合、この画素の属性を境界領域に設定し(ステップSP21)、次の画素に処理を切り替える。   On the other hand, if the number of neighboring pixels with the cluster ID set is one and there are pixels with the attribute set to “temporary” in the adjacent eight neighboring pixels, the attribute of this pixel is set as the boundary. The region is set (step SP21), and the processing is switched to the next pixel.

また既にクラスタIDの設定された近傍画素が2つ以上存在する場合、この画素の属性を境界領域に設定し(ステップSP22)、さらに当該画素に隣接する近傍8画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在するか否か判定し(ステップSP23)、「仮置き」に設定された画素が存在しない場合、次の画素に処理を切り替える。   If there are two or more neighboring pixels for which a cluster ID has already been set, the attribute of this pixel is set in the boundary region (step SP22), and the attribute is set to “temporary” for the neighboring eight pixels adjacent to the pixel. Is determined (step SP23), and when there is no pixel set to “temporary placement”, the processing is switched to the next pixel.

これに対してクラスタIDの設定された近傍画素が2つ以上存在することによりこの画素の属性を境界領域に設定し(ステップSP22)、さらに当該画素に隣接する近傍8画素に、属性が「仮置き」に設定された画素が存在する場合、近傍8画素に、属性が未設定でありかつ斜面に位置している画素がないかどうかを判定し(ステップSP24)、このような画素が存在しない場合、次の画素に処理を切り替える。これに対してこのような画素が存在する場合、仮置き設定処理を実行する(ステップSP25)。   On the other hand, since there are two or more neighboring pixels to which the cluster ID is set, the attribute of this pixel is set to the boundary region (step SP22), and the attribute is set to “temporary” for the neighboring eight pixels adjacent to the pixel. When there is a pixel set to “place”, it is determined whether or not there are no pixels whose attributes are not set and located on the slope in the neighboring eight pixels (step SP24). In the case, the processing is switched to the next pixel. On the other hand, if such a pixel exists, temporary placement setting processing is executed (step SP25).

この仮置き設定処理において、この近傍8画素のZ座標値から、これら近傍8画素のXYZ座標値により求められる曲面の法線方向を算出し、この法線方向による法線をXY平面に投影することにより、当該処理対象画素から谷の方向を求める。また近傍8画素のうちで、このようにして求めた谷の方向の画素の属性を「仮置き」に設定する。   In this temporary placement setting process, the normal direction of the curved surface obtained from the XYZ coordinate values of these neighboring 8 pixels is calculated from the Z coordinate values of these neighboring 8 pixels, and the normal line based on this normal direction is projected onto the XY plane. Thus, the direction of the valley is obtained from the processing target pixel. In addition, among the eight neighboring pixels, the attribute of the pixel in the direction of the valley thus obtained is set to “temporary placement”.

この一連の処理により、図15に示すように、この実施形態では、高さの高い画素から順に、隣接8画素の属性の設定を参考にして順次属性を設定して境界Sを検出する。なおこの図15において、(a)及び(e)は、微細突起を平面視した図であり、(b)、(c)及び(d)は、側方より見た図である。この実施形態では、高さの高い画素から順に、隣接8画素の属性の設定を参考にして順次属性を設定することにより、始めに頂点P1係る画素が処理対象に設定されて属性がクラスID=1に設定される(図15(a)及び(b))。続いて図15(c)に示すように、この頂点P1の近傍画素が順次処理対象画素に設定されてクラスID=1が設定され、その後、頂点P2に係る画素が処理対象に設定されて属性がクラスID=2に設定される(図15(c))。またさらにこれら頂点P1及びP2にかかる突起の画素が順次処理対象に設定されて、それぞれクラスID=1又はID=2にクラスタリングされ、境界Sが検出されることになる(図15(d)及び(e))。これによりそれぞれz座標値を備えてなる画素が、微小突起毎のクラスタIDにより分類される。   With this series of processing, as shown in FIG. 15, in this embodiment, the boundary S is detected by setting the attribute sequentially with reference to the attribute setting of the adjacent eight pixels in order from the pixel having the highest height. In FIGS. 15A and 15B, (a) and (e) are views of the fine protrusions in plan view, and (b), (c) and (d) are views seen from the side. In this embodiment, by sequentially setting the attributes with reference to the attribute settings of the adjacent eight pixels in order from the pixel having the highest height, the pixel related to the vertex P1 is first set as the processing target, and the attribute is class ID = Is set to 1 (FIGS. 15A and 15B). Subsequently, as shown in FIG. 15C, the neighboring pixels of the vertex P1 are sequentially set as processing target pixels and class ID = 1 is set, and then the pixel related to the vertex P2 is set as processing target and attributed Is set to class ID = 2 (FIG. 15C). Further, the pixels of the protrusions on the vertices P1 and P2 are sequentially set as processing targets and clustered to class ID = 1 or ID = 2, respectively, and the boundary S is detected (FIG. 15 (d) and (E)). As a result, the pixels each having a z-coordinate value are classified by the cluster ID for each minute protrusion.

この一連の処理により、境界Sに分類された画像データにより隣接微小突起間の谷が検出されることになり、この谷に係る画像データから各微小突起の周囲長さを算出することができる。   Through this series of processing, valleys between adjacent minute protrusions are detected from the image data classified as the boundary S, and the peripheral length of each minute protrusion can be calculated from the image data relating to this valley.

図16は、実施例(データ2)と比較例(データ1)について、周長の計測結果を示す図表である。この図表において、周長の単位はnmであり、「全体」とは、多峰性微小突起及び単峰性微小突起をまとめた周長の計測結果である。また「2峰」及び「3峰」は、それぞれ2峰の多峰性微小突起、3峰の多峰性微小突起についての計測結果であり、「−」は存在しないことを意味する。またデータ2は、図13について上述した第2工程、第3工程、第4工程で陽極酸化処理の印加電圧を連続的に変化させたものであり、また第4工程では、第3工程の印加電圧から電圧を低下させたものである。データ1は、データ2の場合に比して、第1工程〜第4工程で陽極酸化処理の印加電圧を大きく可変し、第5工程では、第4工程の印加電圧から電圧を低下させたものである。また図17は、この図16の計測結果のうちの平均値の計測結果を棒グラフ化したものである。   FIG. 16 is a chart showing circumference measurement results for the example (data 2) and the comparative example (data 1). In this chart, the unit of the perimeter is nm, and the “whole” is a measurement result of the perimeter of the multimodal microprojections and the single-peak microprojections. In addition, “2 peaks” and “3 peaks” are the measurement results for the multimodal microprotrusions of 2 peaks and the multimodal microprojections of 3 peaks, respectively, and “−” means that there is no presence. Data 2 is obtained by continuously changing the applied voltage of the anodizing treatment in the second step, the third step, and the fourth step described above with reference to FIG. 13, and in the fourth step, the application of the third step is performed. The voltage is reduced from the voltage. Compared to the case of data 2, data 1 is a variable in which the applied voltage of the anodizing treatment is greatly varied in the first to fourth steps, and in the fifth step, the voltage is reduced from the applied voltage of the fourth step. It is. FIG. 17 is a bar graph of the average measurement results of the measurement results of FIG.

より具体的に、データ2は、陽極酸化工程とエッチング工程とを5回繰り返した場合であり、第1回目の陽極酸化工程の印加電圧をV1(15V〜35Vの範囲の一定電圧である)とした場合に、第2回目、第3回目、第4回目、第5回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ2V1、3.5V1、5V1、V1とした例である。なお陽極酸化処理は、濃度0.02Mのシュウ酸水溶液を使用して100秒実施した。エッチング工程は、濃度0.02Mのシュウ酸水溶液を使用して45秒間エッチング処理した後、濃度1.0Mのリン酸水溶液を使用して110秒間エッチング処理した。   More specifically, data 2 is the case where the anodizing step and the etching step are repeated five times, and the applied voltage of the first anodizing step is V1 (a constant voltage in the range of 15V to 35V). In this case, the applied voltages in the second, third, fourth, and fifth anodic oxidation steps are 2V1, 3.5V1, 5V1, and V1, respectively. The anodizing treatment was performed for 100 seconds using an oxalic acid aqueous solution having a concentration of 0.02M. In the etching step, an etching process was performed for 45 seconds using an aqueous oxalic acid solution having a concentration of 0.02M, and then an etching process was performed for 110 seconds using an aqueous solution of phosphoric acid having a concentration of 1.0M.

またデータ1は、データ2と同一の繰り返し回数、溶液及び処理時間により陽極酸化工程、エッチング工程を実行したものである。データ1は、第1回目の陽極酸化工程の印加電圧をV1(15V〜35Vの範囲の一定電圧である)とした場合に、第2回目、第3回目、第4回目、第5回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ2.5V1、4V1、6V1、V11/2〜V1とした例である。2回目から4回目の陽極酸化工程では、2回目の陽極酸化処理の開始電圧及び4回目の陽極酸化処理の終了電圧がそれぞれ2.5V1及び6V1となるように設定して、徐々に印加電圧を増大させた。 Data 1 is obtained by performing the anodic oxidation process and the etching process with the same number of repetitions, solution and processing time as data 2. Data 1 shows the second, third, fourth and fifth anodes when the applied voltage in the first anodic oxidation step is V1 (a constant voltage in the range of 15V to 35V). In this example, the applied voltages in the oxidation process are 2.5 V1, 4 V1, 6 V1, and V1 1/2 to V1, respectively. In the second to fourth anodic oxidation steps, the start voltage of the second anodic oxidation treatment and the end voltage of the fourth anodic oxidation treatment are set to 2.5 V1 and 6 V1, respectively, and the applied voltage is gradually increased. Increased.

この図16及び図17によれば、全微小突起の周長は、データ1及びデータ2で概ね等しく、頂点の数の増大により周長が増大していることが判る。また分散、標準偏差についてみると、データ2に比してデータ1の方がばらつきが大きいことが判る。種々に検討した結果、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であるようにすれば光学特性の劣化を充分に防止できることが判った。ここでデータ1及びデータ2では、単峰性微小突起の周長の平均値が120.5nm、118.2nmであり、多峰性微小突起の周長の平均値が144.3nm、130.3nmであることにより、データ2あっては、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の91%となり、90%以上100%以下の範囲内にあるのに対し、データ1では、単峰性微小突起の周長が81%となり、多峰性微小突起の周長の90%以上100%以下の範囲外(該範囲未満)である。これによりデータ1では光学特性が劣化することが判る。   According to FIGS. 16 and 17, it can be seen that the perimeters of all the microprojections are substantially the same in data 1 and data 2, and the perimeter increases as the number of vertices increases. Further, regarding the variance and standard deviation, it can be seen that data 1 has a larger variation than data 2. As a result of various examinations, it was found that deterioration of optical characteristics can be sufficiently prevented if the circumference of the single-peak microprojections is 90% or more and 100% or less of the circumference of the multi-peak microprojections. . Here, in data 1 and data 2, the average values of the circumferences of the single-peaked microprojections are 120.5 nm and 118.2 nm, and the average values of the circumferences of the multi-peaked microprojections are 144.3 nm and 130.3 nm. Therefore, in the data 2, the circumference of the single-peaked microprojection is 91% of the circumference of the multi-modal microprojection, which is in the range of 90% to 100%. In No. 1, the perimeter of the monomodal microprojections is 81%, and is outside the range of 90% to 100% of the perimeter of the multimodal microprojections (less than this range). As a result, it can be seen that the optical characteristics of the data 1 deteriorate.

なお従来の反射防止物品では、反射率の計測に係る光学特性の計測と、微小突起の観察による局所的な観察により評価しているものの、これらの相関を図ることが困難であった。しかしながらこの実施形態では、反射防止物品の光学特性を、平面視に係る局所計測結果により評価することが可能になり、これにより反射防止物品の検討に種々の利便を図ることができる。   In addition, although the conventional antireflection article is evaluated by measurement of optical characteristics related to reflectance measurement and local observation by observation of microprojections, it is difficult to achieve a correlation between these. However, in this embodiment, it becomes possible to evaluate the optical characteristics of the antireflection article based on the local measurement result in a plan view, and various conveniences can be achieved for the examination of the antireflection article.

以上の構成によれば、多峰性微小突起と単峰性微小突起とを混在させるようにして、単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であることにより、光学特性の劣化を有効に回避して、耐擦傷性を向上することができる。   According to the above configuration, the perimeter of the single-peak microprojections is 90% or more of the perimeter of the multi-peak microprojections by mixing the multi-peak microprojections and the single-peak microprojections, 100 By being less than or equal to%, it is possible to effectively avoid deterioration of optical characteristics and improve scratch resistance.

〔第2実施形態〕
この実施形態では、第1実施形態で上述した微小突起の密接配置に代えて、この微小突起を密接配置した形状を転写した形状による微小穴の密接配置により反射防止物品が作製される。このためこの実施形態では、第1実施形態で上述したロール版をマザーのロール版に設定して、このマザーのロール版の周側面の微細凹凸形状を転写して量産用のロール版が作製され、この量産用のロール版より反射防止物品が作製される。従ってこの量産用のロール版においては、微小突起の密接配置により構成され、さらに単峰性微小突起と多峰性微小突起との混在により構成される。
[Second Embodiment]
In this embodiment, instead of the close arrangement of the microprotrusions described above in the first embodiment, the antireflection article is produced by close placement of microholes by a shape obtained by transferring the close arrangement of the microprotrusions. For this reason, in this embodiment, the roll plate described above in the first embodiment is set as a mother roll plate, and a roll plate for mass production is produced by transferring the fine uneven shape on the peripheral side surface of the mother roll plate. An antireflection article is produced from the roll plate for mass production. Therefore, this roll plate for mass production is constituted by close arrangement of microprojections, and further comprises a mixture of monomodal microprojections and multimodal microprojections.

この実施形態では、この反射防止物品は、多峰性微小突起に対応する微細穴と単峰性微小突起に対応する微細穴との混在により構成される。また単峰性微小突起に係る微細穴の周長が、多峰性微小突起に係る微細穴の周長の90%以上、100%以下であるように設定される。   In this embodiment, the antireflective article is composed of a mixture of micro holes corresponding to multimodal microprojections and microholes corresponding to monomodal microprojections. In addition, the circumference of the microhole related to the single-peak microprojection is set to be 90% or more and 100% or less of the circumference of the microhole related to the multimodal microprojection.

この実施形態では、微小突起の密接配置に代えて、微細穴の密接配置により反射防止を図ることにより、反射防止物品の生産に係る賦型用金型について、耐擦傷性を向上することができる、またこの金型より生産される反射防止物品については、光学特性の劣化を有効に回避することができる。   In this embodiment, the scratch resistance can be improved with respect to the molding die for the production of the antireflection article by preventing the reflection by the close arrangement of the fine holes instead of the close arrangement of the fine protrusions. In addition, for the antireflection article produced from this mold, it is possible to effectively avoid the deterioration of optical characteristics.

〔微小突起の具体的形状〕
図18及び図19は、上述の第1実施形態における実際の微小突起の形状を示す斜視図(図18)、平面図(図19(a))、正面図(図19(b))及び側面図(図19(c))である。これら図18及び図19は、等高線図である。上述したように、複数回の陽極酸化処理における印加電圧を切り替えることにより、この図18及び図19による微小突起においては、高さの大きく異なる3つの峰が合体して1つの微小突起が形成されており、ほぼ中央より外方に向かって形成された3本の放射状の溝(沢状の極小部)によりこの3つの峰に係る領域に分割されて微小突起が作製されていることが判る。なおこの図18及び図19は、AFMによる計測結果によるデータを部分的に選択して詳細に示したものである。またこの図18及び図19における数字の単位はnmである。X座標及びY座標は、所定の基準位置からの座標値である。
[Specific shape of minute protrusions]
18 and 19 are a perspective view (FIG. 18), a plan view (FIG. 19 (a)), a front view (FIG. 19 (b)), and a side view showing the actual shape of the minute protrusions in the first embodiment described above. It is a figure (FIG.19 (c)). These FIG. 18 and FIG. 19 are contour maps. As described above, by switching the applied voltage in a plurality of anodic oxidation treatments, in the microprotrusions according to FIGS. 18 and 19, three peaks having greatly different heights are combined to form one microprotrusion. It can be seen that microprojections are produced by dividing the region into three peak areas by three radial grooves (swelled local minimum portions) formed outward from the center. FIG. 18 and FIG. 19 show in detail a partial selection of data based on the measurement result by AFM. The unit of the numbers in FIGS. 18 and 19 is nm. The X coordinate and the Y coordinate are coordinate values from a predetermined reference position.

図20及び図21は、図18及び図19との対比により、本実施形態における微小突起の他の計測結果を示す図である。この図20及び図21の微小突起においては、ほぼ高さの等しい3つの峰が合体して1つの微小突起が作製され、該3つの峰は、頂部のほぼ中央部より外方に向かって延びた3本の放射状の溝によって区分されていることが判る。   20 and 21 are diagrams showing other measurement results of the microprotrusions in the present embodiment in comparison with FIGS. 18 and 19. 20 and 21, the three peaks having substantially the same height are combined to form one minute projection, and the three peaks extend outward from the substantially central portion of the top portion. It can be seen that it is divided by three radial grooves.

なおこのようにして観察される結果によれば、多峰性微小突起における各峰の内側においては、各峰の外側に比して表面の粗さが荒いように観察され、多峰性微小突起は、このように峰の内側と外側との粗さの相違により、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起との相違を見て取ることができる。なおこれらの斜視図等において、等高線が表されていない箇所は、計測の都合上、データが得られていない箇所である。   In addition, according to the results observed in this way, the inner surface of each peak in the multimodal microprotrusions is observed to have a rougher surface than the outer surface of each peak. In this way, the difference in the roughness between the inner side and the outer side of the peak can be seen from the difference from the multi-peak microprotrusions caused by the poor filling of the resin during the molding process. In these perspective views and the like, portions where no contour lines are represented are portions where data is not obtained for convenience of measurement.

〔耐擦傷性の評価〕
表1は、耐擦傷性の評価結果を示す図である。第1実施形態による反射防止物品を単峰性微小突起のみによる同様の突起高さ分布による反射防止物品との比較によるものである。なお単峰性微小突起のみの反射防止物品における比較例1は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を第2の工程以下においても第1の工程と同一の一定電圧とすることにより、データ2の高さ分布と同様の高さ分布により作製した比較例であり、高さ分布がいわゆる正規分布の特性によるものである。また単峰性微小突起のみによる比較例2の反射防止物品は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を2段階の切り替えにより実行して、データ1の高さ分布と同様の高さ分布により作製した比較例であり、高さ分布がいわゆる双峰性の特性によるものである。
[Evaluation of scratch resistance]
Table 1 shows the evaluation results of the scratch resistance. This is because the antireflection article according to the first embodiment is compared with the antireflection article having the same protrusion height distribution using only the single-peak microprotrusions. In Comparative Example 1 in the antireflection article having only single-peaked microprojections, the applied voltage of the repetitive anodizing treatment is set to the same constant voltage as that in the first step even in the second step and below. It is a comparative example produced by a height distribution similar to the height distribution, and the height distribution is due to the characteristics of so-called normal distribution. In addition, the antireflection article of Comparative Example 2 using only single-peaked microprojections was manufactured with a height distribution similar to the height distribution of Data 1 by executing the applied voltage of repeated anodizing treatment by switching between two steps. This is a comparative example, and the height distribution is due to the so-called bimodal characteristics.

この表1において、スチールウールの欄は、押し付け力100g及び200gによりスチールウールを押し付けて往復させた後の表面の変化を目視により確認した結果である。二重丸の印は、目視上傷、濁りは見られないとの評価が得られたものであり、×の印は、目視上、6本以上の傷が観察されるものである。なお評価の範囲は、1辺5cmの矩形の領域である。これにより多峰性微小突起により充分に耐擦傷性が向上していることが判る。   In Table 1, the column of steel wool is the result of visually confirming the change in the surface after the steel wool was pressed and reciprocated with a pressing force of 100 g and 200 g. The double circle mark was evaluated to be visually free of scratches and turbidity, and the x mark was visually observed for 6 or more scratches. The evaluation range is a rectangular area with a side of 5 cm. It can be seen that the scratch resistance is sufficiently improved by the multimodal microprotrusions.

また乾拭きの欄は、指紋を付着させた後、不織布を用いて溶剤を含まない乾いた状態での拭きを50往復させた時の、5°正反射率ΔY(%)である。指紋を付着させた状態で、5°正反射率が4%となるように設定した。なお不織布は、KBセーレン社製、ザヴィーナミニマックス(登録商標)150mm□を使用した。また何ら指紋による汚れを付着させない状態における5°正反射率の初期値は、0.5%であった。この検討結果によれば、多峰性微小突起により付着した汚れがふき取り易くなって反射防止性能を指紋付着前に近い状態にまで回復していることが判り、このことは多峰性微小突起を設けた場合には、微小突起の付け根側に汚れが深くもぐり込まないことによるものと考えられる。これにより指紋に対する耐汚染性(易拭取り性)にも向上が見られる。   Further, the column of dry wiping shows 5 ° regular reflectance ΔY (%) when fingerprints are attached and then wiping in a dry state not containing a solvent is reciprocated 50 times using a nonwoven fabric. With the fingerprint attached, the 5 ° regular reflectance was set to 4%. As the nonwoven fabric, Savina Minimax (registered trademark) 150 mm □ manufactured by KB Seiren Co., Ltd. was used. In addition, the initial value of the 5 ° regular reflectance in a state where no dirt due to fingerprints was attached was 0.5%. According to the results of this study, it was found that the dirt attached by the multimodal microprotrusions was easily wiped off, and the antireflection performance was restored to a state close to that before the fingerprint attachment. In the case where it is provided, it is considered that the dirt does not penetrate deeply into the base side of the minute protrusion. This also improves the stain resistance (easy wiping property) against fingerprints.

〔他の実施形態〕
以上、本発明の実施に好適な具体的な構成を詳述したが、本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述の実施形態の構成を種々に変更し、さらには従来構成と組み合わせることができる。
Other Embodiment
The specific configuration suitable for the implementation of the present invention has been described in detail above. However, the present invention can be variously modified from the configuration of the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention, and further the conventional configuration. Can be combined.

すなわち上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との所定回数繰り返す場合について述べたが、本発明はこれに限らず、最後の処理を陽極酸化処理とする場合にも広く適用することができる。   That is, in the above-described embodiment, the case where the anodizing treatment and the etching treatment are repeated a predetermined number of times has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to the case where the final treatment is anodizing treatment. .

また上述の実施形態では、反射防止物品を液晶表示パネル、電場発光表示パネル、プラズマ表示パネル等の各種画像表示パネルの表側面に配置して視認性を向上する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば液晶表示パネルの裏面側に配置してバックライトから液晶表示パネルへの入射光の反射損失を低減させる場合(入射光利用効率を増大させる場合)にも広く適用することができる。尚、ここで画像表示パネルの表面側とは、該画像表示パネルの画像光の出光面であり、画像観察者側の面でもある。又、画像表示パネルの裏面側とは、該画像表示パネルの表面の反対側面であり、バックライト(背面光源)を用いる透過型画像表示裝置の場合は、該バックライトからの照明光の入光面でもある。   Further, in the above-described embodiment, the case where the antireflection article is arranged on the front side surface of various image display panels such as a liquid crystal display panel, an electroluminescent display panel, a plasma display panel, and the like is described, but the present invention is described. However, the present invention is not limited to this. For example, it can be widely applied to a case where the reflection loss of incident light from the backlight to the liquid crystal display panel is reduced by reducing the reflection loss of incident light from the backlight (increasing incident light utilization efficiency). it can. Here, the surface side of the image display panel is a light output surface of the image display panel and also a surface on the image observer side. The back side of the image display panel is the opposite side of the surface of the image display panel. In the case of a transmissive image display apparatus using a backlight (back light source), the incident light from the backlight is incident. It is also a surface.

また上述の実施形態では、賦型用樹脂にアクリレート系の紫外線硬化性樹脂を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、エポキシ系、ポリエステル系等の各種紫外線硬化性樹脂、或いはアクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電子線硬化性樹脂、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用する場合にも広く適用することができ、さらには例えば加熱したアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性の樹脂を押圧して賦型する場合等にも広く適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where an acrylate-based ultraviolet curable resin is applied to the shaping resin has been described. However, the present invention is not limited thereto, and various ultraviolet curable resins such as epoxy-based and polyester-based resins, or Also when using various materials such as acrylate-based, epoxy-based, polyester-based electron beam curable resins, urethane-based, epoxy-based, polysiloxane-based thermosetting resins, and various types of curing resins The present invention can be widely applied. Further, for example, the present invention can also be widely applied in the case of molding by pressing a thermoplastic resin such as a heated acrylic resin, polycarbonate resin, or polystyrene resin.

また、上述の実施形態では、図1に図示の如く、基材2の一方の面上に受容層(紫外線硬化性樹脂層)4を積層してなる積層体の該受容層4上に微小突起群5、5A、5B、・・を賦形し、該受容層4を硬化せしめて反射防止物品1を形成している。層構成としては2層の積層体となる。但し、本発明は、かかる形態のみに限定される訳では無い。本発明の反射防止物品1は、図示は略すが、基材2の一方の面上に、他の層を介さずに直接、微小突起群5、5A、5B、・・を賦形した単層構成であっても良い。或いは、基材2の一方の面に1層以上の中間層(層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる層。プライマー層、アンカー層等とも呼称される。)を介して受容層4を形成し、該受容層表面に微小突起群5、5A、5B、・・を賦形した3層以上の積層体であっても良い。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 1, microprojections are formed on the receiving layer 4 of the laminate formed by laminating the receiving layer (ultraviolet curable resin layer) 4 on one surface of the substrate 2. The groups 5, 5A, 5B,... Are shaped and the receiving layer 4 is cured to form the antireflection article 1. The layer structure is a two-layer laminate. However, the present invention is not limited to such a form. Although not shown, the antireflection article 1 of the present invention is a single layer in which the microprojections 5, 5A, 5B,... Are directly formed on one surface of the substrate 2 without interposing another layer. It may be a configuration. Alternatively, one or more intermediate layers on one surface of the substrate 2 (layers that improve substrate surface performance such as interlayer adhesion, coating suitability, surface smoothness, etc. Also referred to as primer layer, anchor layer, etc. .) May be formed, and a laminate of three or more layers in which the microprotrusions 5, 5A, 5B,... Are formed on the surface of the receptor layer may be used.

更に、上述の実施形態では、図1にも図示の如く、基材2の一方の面上にのみ(直接或いは他の層を介して)微小突起群5、5A、5B、・・を形成しているが、本発明はかかる形態には限定され無い。基材2の両面上に(直接或いは他の層を介して)各々微小突起群5、5A、5B、・・を形成した構成であっても良い。基材2の両面上に微小突起群5、5A、5B、・・を有する形態の場合、該微小突起群を一方の面上にのみ該微小突起群を有する形態に比べ、反射防止性能が大きく向上する。例えば、空気と基材2自体との界面に於ける光の反射率が4%であり、微小突起群と空気との界面に於ける光の反射率が0.2%である場合、基材2の表(又は裏)面から裏(又は表)面に透過する光に対する表裏両面を合計した反射率は、微小突起群を有する層(受容層4)と基材2との界面の反射率の寄与を0%と見做すと、
(1)基材の表裏両面上に微小突起群が無い場合は、8%。
(2)基材の一方の面上にのみ微小突起群を有する場合は、4.2%。
(3)基材の表裏両面上に微小突起群を有する場合は、0.4%。
となる。
また、図示は略すが、図1等に図示の如き本発明の反射防止物品1において、基材2の微小突起群形成面とは反対側の面(図1においては基材2の下側面)に各種接着剤層を形成し、更に該接着剤層表面に離型フィルム(離型紙)を剥離可能に積層してなる接着加工品の形態とすることも出来る。かかる形態においては、離型フィルムを剥離除去して接着剤層を露出せしめ、該接着剤層により所望の物品の所望の表面上に本発明の反射防止物品1を貼り合わせ、積層することが出来、簡便に所望の物品に反射防止性能を付与することが出来る。接着剤としては、粘着剤(感圧接着剤)、2液硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、熱熔融型接着剤等の公知の接着形態のものが各種使用出来る。
Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 1, the microprojections 5, 5A, 5B,... Are formed only on one surface of the base material 2 (directly or via another layer). However, the present invention is not limited to such a form. The microprojection groups 5, 5A, 5B,... May be formed on both surfaces of the substrate 2 (directly or via other layers). In the case of the form having the microprojection groups 5, 5A, 5B,... On both surfaces of the substrate 2, the antireflection performance is larger than the form in which the microprojection group is provided only on one surface. improves. For example, when the reflectance of light at the interface between air and the substrate 2 itself is 4% and the reflectance of light at the interface between the minute protrusions and the air is 0.2%, The total reflectance of the front and back surfaces with respect to light transmitted from the front (or back) surface to the back (or front) surface of 2 is the reflectance at the interface between the layer having the fine protrusion group (receiving layer 4) and the substrate 2 Assuming that the contribution of is 0%,
(1) 8% when there are no microprojections on both sides of the substrate.
(2) 4.2% when the microprojection group is provided only on one surface of the substrate.
(3) 0.4% in the case of having microprojections on both the front and back surfaces of the substrate.
It becomes.
Although not shown, in the antireflection article 1 of the present invention as shown in FIG. 1 and the like, the surface opposite to the surface on which the microprojections are formed of the substrate 2 (the lower surface of the substrate 2 in FIG. 1). Various adhesive layers are formed on the adhesive layer, and a release film (release paper) is laminated on the surface of the adhesive layer so as to be peelable. In such a form, the release film is peeled and removed to expose the adhesive layer, and the antireflection article 1 of the present invention can be laminated and laminated on the desired surface of the desired article by the adhesive layer. The antireflection performance can be easily imparted to a desired article. As the adhesive, various types of known adhesive forms such as a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive), a two-component curable adhesive, an ultraviolet curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a hot melt adhesive can be used. .

また、図示は略すが、図1等に図示の如き本発明の反射防止物品1において、微小突起群5、5A、5B、・・形成面上に剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工乃至施工を行い、しかる後に適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることも出来る。かかる形態においては、保管、搬送等の間に微小突起群が損傷乃至は汚染して反射防止性能が低下することを防止することが出来る。   Although not shown, in the antireflection article 1 of the present invention as shown in FIG. 1 etc., the microprojections 5, 5 A, 5 B,... The protective film may be peeled and removed at an appropriate time after carrying, carrying, buying and selling, post-processing or construction. In such a form, it is possible to prevent the antireflection performance from being deteriorated due to damage or contamination of the microprojection group during storage, transportation and the like.

また、上述の実施形態では、図1に示すように、各隣接微小突起間の谷底(高さの極小点)を連ねた面は高さが一定な平面であったが、本発明はこれに限らず、図7に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λmax以上の周期D(すなわちD>λmaxである)でうねった構成としてもよい。又該周期的なうねりは、基材2の表裏面に平行なXY平面における1方向(例えばX方向)のみでこれと直交する方向(例えばY方向)には一定高さであっても良いし、或いはXY平面における2方向(X方向及びY方向)共にうねりを有していても良い。D>λmaxを満たす周期Dでうねった凹凸面6が多数の微小突起からなる微小突起群に重畳することによって、微小突起群で完全に反射防止し切れずに残った反射光を散乱し、殘留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、以って、反射防止効果を一段と向上させることができる。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 1, the surface connecting the valley bottoms (minimum points of height) between adjacent minute protrusions is a flat surface having a constant height. Not limited to this, as shown in FIG. 7, the envelope surface connecting valleys between the microprotrusions may be wavy with a period D (that is, D> λmax) equal to or longer than the longest wavelength λmax of the visible light band. Further, the periodic undulation may have a constant height in only one direction (for example, the X direction) in the XY plane parallel to the front and back surfaces of the substrate 2 and in a direction perpendicular to the same (for example, the Y direction). Alternatively, both directions in the XY plane (X direction and Y direction) may have undulations. The uneven surface 6 that undulates with a period D satisfying D> λmax is superimposed on a microprojection group composed of a large number of microprojections, so that the reflected light remaining without being completely prevented from being reflected by the microprojection group is scattered, so that Reflected light, particularly specularly reflected light, can be made more difficult to visually recognize, and the antireflection effect can be further improved.

尚、係る凹凸面6の周期Dが全面に亙って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をDAVG、標準偏差をΣとしたときの、
MIN=DAVG―2Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Dの代わりとして設計する。即ち、微小突起群の殘留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
MIN>λmax
又、該凹凸の高低差に相当するJIS B0601(1994年)規定のRz値(10点平均粗さ)は、
Rz≧λmin
である。通常、D又はDMINは1〜600μm、好ましくは10〜300μmとされる。又、通常、Rzは0.4〜5μmとされる。
各微小突起の谷底を連ねた包絡面形が、D(又はDMIN)>λmax、なる凹凸面6を呈する樣な微小突起群を形成する具体的な製造方法の一例を挙げると以下の通りである。即ち、ロール版13の製造工程において、円筒(又は円柱)形状の母材の表面にサンドブラスト又はマット(つや消し)メッキによって凹凸面6の凹凸形状に対応する凹凸形状を賦形する。次いで、該凹凸形状の面上に、直接或いは必要に応じて適宜の中間層を形成した後、アルミニウム層を積層する。その後、該凹凸形状表面に対応した表面形状を賦形されたアルミニウム層に上述の実施形態と同様にして陽極酸化処理及びエッチング処理を施して微小突起5、5A、5Bを含む微小突起群を形成する。
In addition, when the period D of the uneven surface 6 is not constant over the entire surface and has a distribution, the frequency distribution of the distance between the protrusions is obtained for the uneven surface, and the average value is D AVG and the standard deviation is Σ. When
D MIN = D AVG -2Σ
Designed as an alternative to period D with a minimum inter-protrusion distance defined as That is, conditions that can sufficiently exhibit the scattering effect of the reflected light of the microprojections are as follows:
D MIN > λmax
Also, the Rz value (10-point average roughness) defined in JIS B0601 (1994) corresponding to the height difference of the unevenness is
Rz ≧ λmin
It is. Usually, D or D MIN is 1 to 600 μm, preferably 10 to 300 μm. Usually, Rz is set to 0.4 to 5 μm.
An example of a specific manufacturing method for forming a concavo-convex microprojection group having an uneven surface 6 in which the envelope surface connecting the valley bottoms of each microprojection is D (or D MIN )> λmax is as follows. is there. That is, in the manufacturing process of the roll plate 13, a concavo-convex shape corresponding to the concavo-convex shape of the concavo-convex surface 6 is formed on the surface of a cylindrical (or columnar) base material by sandblasting or mat (matte) plating. Next, an appropriate intermediate layer is formed directly or if necessary on the uneven surface, and then an aluminum layer is laminated. Thereafter, an aluminum layer formed with a surface shape corresponding to the uneven surface is subjected to anodizing treatment and etching treatment in the same manner as in the above embodiment to form a microprojection group including microprojections 5, 5A, 5B. To do.

また上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型処理用の金型を作製する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトリソグラフィーの手法を適用して賦型処理用の金型を作製する場合にも広く適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where the mold for the shaping process is manufactured by repeating the anodizing process and the etching process has been described. However, the present invention is not limited to this, and the photolithography technique is applied. The present invention can also be widely applied to molds for mold processing.

また上述の実施形態では、ロール版を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止物品を生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による賦型用金型を使用した枚葉の処理により反射防止物品を作成する場合等、賦型処理に係る工程、金型は、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。   Moreover, although the above-mentioned embodiment described the case where the anti-reflective article by a film shape was produced by the shaping process using a roll plate, this invention is not limited to this, The transparent base material which concerns on the shape of an anti-reflective article Depending on the shape, for example, when creating an antireflection article by processing a sheet using a shaping mold with a specific curved shape, such as a flat plate, the process related to the shaping process, the mold is the antireflection article It can change suitably according to the shape of the transparent base material which concerns on a shape.

また上述の実施形態では、画像表示パネルの表側面、或いは照明光の入射面にフィルム形状による反射防止物品を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々の用途に適用することができる。具体的には、画像表示パネルの画面上に間隙を介して設置されるタッチパネル、各種の窓材、各種光学フィルタ等による表面側部材の裏面(画像表示パネル側)に配置する用途に適用することができる。なおこの場合には、画像表示パネルと表面側部材との間の光の干渉によるニュートンリング等の干渉縞の発生の防止、画像表示パネルの出光面と表面側部材の入光面側との間の多重反射によるゴースト像の防止、さらには画面から出光されてこれら表面側部材に入光する画像光について、反射損失の低減等の効果を奏することができる。   In the above-described embodiment, the case where the antireflection article with the film shape is arranged on the front side surface of the image display panel or the incident surface of the illumination light has been described. However, the present invention is not limited to this and is applied to various applications. be able to. Specifically, it should be applied to applications that are placed on the back surface (image display panel side) of the surface side member such as a touch panel, various window materials, various optical filters, etc. installed on the screen of the image display panel through a gap. Can do. In this case, it is possible to prevent interference fringes such as Newton rings due to light interference between the image display panel and the surface side member, and between the light emission surface of the image display panel and the light incident surface side of the surface side member. Thus, it is possible to prevent ghost images due to multiple reflections, and to achieve effects such as reduction of reflection loss with respect to image light emitted from the screen and entering these surface side members.

或いは、タッチパネルを構成する透明電極を、フィルム或いは板状の透明基材上に本発明特定の微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にITO(酸化インジウム錫)等の透明導電膜を形成したものを用いることが出来る。この場合には、該タッチパネル電極とこれと隣接する対向電極又は各種部材との間での光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させる効果を奏することが出来る。   Alternatively, a transparent electrode constituting the touch panel is formed on a film or plate-like transparent substrate with a group of microprojections specific to the present invention, and a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) is further formed on the group of microprojections. The formed one can be used. In this case, it is possible to prevent light reflection between the touch panel electrode and the counter electrode or various members adjacent to the touch panel electrode, thereby reducing the occurrence of interference fringes, ghost images, and the like.

また店舗のショウウインドウや商品展示箱、美術館の展示物の展示窓や展示箱等に使用する硝子板表面(外界側)、或いは表面及び裏面(商品又は展示物側面)の両面に配置するようにしても良い。なおこの場合、該硝子板表面の光反射防止による商品、美術品等の顧客や観客に対する視認性を向上することができる。   In addition, it is arranged on the glass plate surface (external side) used for the store show window and product display box of the store, the display window and display box of the exhibition of the museum, or both of the front and back surfaces (product or display side). May be. In this case, it is possible to improve the visibility for customers and spectators of products, artworks, etc. by preventing light reflection on the surface of the glass plate.

また眼鏡、望遠鏡、写真機、ビデオカメラ、銃砲の照準鏡(狙撃用スコープ)、双眼鏡、潜望鏡等の各種光学機器に用いるレンズ又はプリズムの表面に配置する場合にも広く適用することができる。この場合、レンズ又はプリズム表面の光反射防止による視認性を向上することができる。またさらに書籍の印刷部(文字、写真、図等)表面に配置する場合にも適用して、文字等の表面の光反射を防止し、文字等の視認性向上することができる。また看板、ポスター、其の他各種店頭、街頭、外壁等における各種表示(道案内、地図、或いは禁煙、入口、非常口、立入禁止等)の表面に配置して、これらの視認性を向上することができる。またさらに白熱電球、発光ダイオード、螢光燈、水銀燈、EL(電場発光)等を用いた照明器具の窓材(場合によっては、拡散板、集光レンズ、光学フィルタ等も兼ねる)の入光面側に配置するようにして、窓材入光面の光反射を防止し、光源光の反射損失を低減し、光利用効率を向上することができる。またさらに時計、其の他各種計測機器の表示窓表面(表示観察者側)に配置して、これら表示窓表面の光反射を防止し、視認性を向上することができる。   Further, the present invention can be widely applied to the case where the lens or prism is used on various optical devices such as glasses, a telescope, a camera, a video camera, a gun sighting mirror (sniper scope), binoculars, a periscope, and the like. In this case, the visibility by preventing light reflection on the lens or prism surface can be improved. Furthermore, it can also be applied to the case where it is arranged on the surface of a printed part (characters, photos, drawings, etc.) of a book to prevent light reflection on the surface of characters and the like and improve the visibility of characters and the like. In addition, it should be placed on the surface of signs (posters, posters, various other stores, streets, exterior walls, etc.) (road guidance, maps, smoking cessation, entrances, emergency exits, no entry, etc.) to improve visibility. Can do. In addition, a light entrance surface of a window material for a lighting fixture using incandescent bulbs, light emitting diodes, fluorescent lamps, mercury lamps, EL (electroluminescence), etc. (in some cases, it also serves as a diffuser plate, condenser lens, optical filter, etc.) By arranging it on the side, it is possible to prevent the light reflection of the light incident surface of the window material, reduce the reflection loss of the light source light, and improve the light utilization efficiency. Furthermore, it can arrange | position on the display window surface (display observer side) of a timepiece and other various measuring devices, the light reflection of these display window surfaces can be prevented, and visibility can be improved.

またさらに、自動車、鉄道車両、船舶、航空機等の乗物の操縦室(運転室、操舵室)の窓の室内側、室外側、あるいはその両側の表面に配置して窓における室内外光を反射防止して、操縦者(運転者、操舵者)の外界視認性を向上することができる。またさらに、防犯等の監視、銃砲の照準、天体観測等に用いる暗視装置のレンズないしは窓材表面に配置して、夜間、暗闇での視認性を向上することができる。   Furthermore, it is placed on the inside, outside, or both sides of the windows of the cockpits (driver's cabs, wheelhouses) of vehicles such as automobiles, railway vehicles, ships, and aircraft to prevent reflection of indoor and outdoor light from the windows. Thus, it is possible to improve the visibility of the outside world of the driver (driver, driver). Furthermore, it can be arranged on the surface of a night vision device lens or window material used for crime prevention monitoring, gun sighting, astronomical observation, etc. to improve visibility at night and in the dark.

またさらに、住宅、店舗、事務所、学校、病院等の建築物の窓、扉、間仕切、壁面等を構成する透明基板(窓硝子等)の表面(室内側、室外側、あいはその両側)の表面に配置して、外界の視認性、あるいは採光効率を向上することができる。またさらに、各種店舗、美術館、博物館等で用いる商品乃至展示品を収納し、展示する各種の展示箱乃至ショウケースの透明窓(又は扉)部の表面、裏面、又は表裏両面に配置して、展示する商品乃至展示品の視認性向上することができる。またさらに、温室、農業用ビニールハウスの透明シート、ないしは透明板(窓材)の表面に配置して、太陽光の採光効率を向上することができる。さらにまた、太陽電池表面に配置して、太陽光の利用効率(発電効率)を向上することができる。   Furthermore, the surface of the transparent substrate (window glass, etc.) that constitutes windows, doors, partitions, wall surfaces, etc. of buildings such as houses, stores, offices, schools, hospitals, etc. (inside, outside, or both sides) It is possible to improve the visibility of the outside world or the daylighting efficiency. Furthermore, it stores products or exhibits used in various stores, museums, museums, etc., and arranges them on the front, back, or both sides of the transparent window (or door) of various display boxes or showcases to be displayed, It is possible to improve the visibility of products to be displayed or exhibits. Furthermore, it can arrange | position on the surface of a greenhouse, the transparent sheet | seat of an agricultural greenhouse, or a transparent board (window material), and can improve the sunlight lighting efficiency. Furthermore, it can arrange | position on the solar cell surface and can improve the utilization efficiency (power generation efficiency) of sunlight.

またさらに、上述の実施形態においては、反射防止を図る電磁波の波長帯域を、専ら、可視光線帯域(の全域又は一部帯域)としたが、本発明はこれに限らず、反射防止を図る電磁波の波長帯域を赤外線、紫外線等の可視光線以外の波長帯域に設定しても良い。その場合は前記の各条件式中において、電磁波の波長帯域の最短波長Λminを、それぞれ、赤外線、紫外線等の波長帯域における反射防止効果を希望する最短波長に設定すれば良い。例えば、最短波長Λminが850nmの赤外線帯域の反射防止を希望する場合は、隣接突起間距離d(乃至は其の最大値dmax)を850nm以下、例えば、d(dmax)=800nmと設計すれば良い。尚、この場合は、可視光線帯域(380〜780nm)においては反射防止効果は期待し得ず、專ら波長850nm以上の赤外線に対しての反射防止効果を奏する反射防止物品が得られる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection is exclusively the visible light band (all or part of the visible light band), but the present invention is not limited to this, and the electromagnetic wave for preventing reflection. May be set to a wavelength band other than visible light rays such as infrared rays and ultraviolet rays. In that case, the shortest wavelength Λmin in the wavelength band of the electromagnetic wave may be set to the shortest wavelength in which the antireflection effect in the wavelength band of infrared rays, ultraviolet rays, etc. is desired in each conditional expression. For example, when it is desired to prevent reflection in the infrared band where the shortest wavelength Λmin is 850 nm, the distance d between adjacent protrusions (or its maximum value dmax) may be designed to be 850 nm or less, for example, d (dmax) = 800 nm. . In this case, an antireflection effect cannot be expected in the visible light band (380 to 780 nm), and an antireflection article exhibiting an antireflection effect for infrared rays having a wavelength of 850 nm or more can be obtained.

以上例示の各種実施形態において、硝子板等の透明基板の表面、裏面、或いは表裏両面に本発明のフィルム状の反射防止物品を配置する場合、該透明基板の全面に亙って配置、被覆する以外に、一部分の領域にのみ配置することも出来る。かかる例としては、例えば、1枚の窓硝子について、其の中央部分の正方形領域において、室内側表面にのみフィルム状の反射防止物品を粘着剤で貼着し、その他領域には反射防止物品を貼着し無い場合を挙げることが出来る。透明基板の一部分の領域にのみ反射防止物品を配置する形態の場合は、特別な表示や衝突防止柵等の設置無しでも、該透明基板の存在を視認し易くして、人が該透明基板に衝突、負傷する危険性を低減する効果、及び室内(屋内)の覗き見防止と該透明基板の(該反射防止物品の配置領域における)透視性とが両立出来ると言う効果を奏し得る。   In the various exemplary embodiments described above, when the film-shaped antireflection article of the present invention is disposed on the front surface, back surface, or both front and back surfaces of a transparent substrate such as a glass plate, it is disposed and covered over the entire surface of the transparent substrate. In addition, it can be arranged only in a partial area. As an example of this, for example, for a single window glass, a film-shaped antireflection article is attached to the indoor side surface only with an adhesive in a square area at the center, and an antireflection article is provided in the other areas. The case where it does not stick can be mentioned. In the case where the antireflection article is arranged only in a partial area of the transparent substrate, it is easy to visually recognize the presence of the transparent substrate without special display or a collision prevention fence, etc. The effect of reducing the risk of collision and injury, and the effect that both the prevention of peeping indoors (indoors) and the transparency of the transparent substrate (in the region where the antireflection article is disposed) can be achieved.

1 反射防止物品
2 基材
4 紫外線硬化性樹脂層、受容層
5、5A、5B 微小突起
6 凹凸面
10 製造工程
12 ダイ
13 ロール版
14、15 ローラ
g 溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anti-reflective article 2 Base material 4 Ultraviolet curable resin layer, receiving layer 5, 5A, 5B Minute protrusion 6 Uneven surface 10 Manufacturing process 12 Die 13 Roll plate 14, 15 Roller g Groove

Claims (5)

微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下である
反射防止物品。
In the antireflection article in which the microprotrusions are closely arranged and the interval between the adjacent microprotrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
An antireflective article in which the perimeter of the single-peak microprojections is 90% or more and 100% or less of the perimeter of the multimodal microprojections.
微小穴が密接して配置され、隣接する前記微小穴の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起に対応する微細穴と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起に対応する微細穴とが混在しており、
前記単峰性微小突起に対応する微細穴の周長が、前記多峰性微小突起に対応する微細穴の周長の90%以上、100%以下である
反射防止物品。
In the antireflection article in which the minute holes are closely arranged and the interval between the adjacent minute holes is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A microhole corresponding to a multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a microhole corresponding to a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The antireflection article, wherein the perimeter of the microhole corresponding to the monomodal microprojection is 90% or more and 100% or less of the perimeter of the microhole corresponding to the multimodal microprotrusion.
請求項1又は請求項2に記載の反射防止物品を画像表示パネルのパネル面に配置した
画像表示装置。
The image display apparatus which has arrange | positioned the antireflection article | item of Claim 1 or Claim 2 on the panel surface of an image display panel.
反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
前記反射防止物品は、
微小突起が密接して配置され、
隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下であり、
前記反射防止物品の製造用金型は、
前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された
反射防止物品の製造用金型。
A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article,
The antireflective article is
The microprotrusions are closely placed,
The interval between the adjacent minute protrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
The circumference of the monomodal microprojections is 90% or more and 100% or less of the circumference of the multimodal microprojections,
The mold for manufacturing the antireflection article is:
A mold for manufacturing an antireflective article, in which fine holes corresponding to the fine protrusions are in close contact with each other.
反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
頂点を複数有する微小突起である多峰性微小突起と、頂点が1つの微小突起である単峰性微小突起とが混在しており、
単峰性微小突起の周長が、多峰性微小突起の周長の90%以上、100%以下である
反射防止物品の製造用金型。
A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article,
The minute protrusions are closely arranged, and the interval between the adjacent minute protrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
A multi-peak microprojection that is a microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection that is a microprojection that has one vertex are mixed,
A mold for manufacturing an antireflective article, wherein the circumference of a single-peak microprojection is 90% or more and 100% or less of the circumference of a multimodal microprojection.
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