JP2015070096A - Droplet coating device and droplet coating method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a droplet coating device and a droplet coating method capable of suppressing the number of manufacturing steps and the manufacturing cost.SOLUTION: A droplet coating device 1 includes a coating head 4 as a coating section for discharging the droplets of coating liquid toward a recess formed in a substrate W to be coated, and a control section 5 for controlling the coating head 4 to supply the coating liquid of larger amount than the capacity of the recess to the recess, and to supply the coating liquid of such amount as not flowing over an annular wall to the recess, in a state where the coating liquid is dry to form the annular wall on the substrate W around the recess.

Description

本発明の実施形態は、液滴塗布装置及び液滴塗布方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a droplet coating apparatus and a droplet coating method.

半導体パッケージ(半導体装置)はコンピュータや携帯型情報端末、通信機器などの各種の電子機器に用いられており、この半導体パッケージの小型化や高密度化の要求からBGA(Ball Grid Allay)やCSP(Chip Size/Scale Package)などの表面実装技術が実用化されている。この表面実装技術では、外部接続端子として機能するハンダ(はんだ)バンプが用いられており、半導体パッケージがフリップチップ実装によって基板上に搭載されている。   Semiconductor packages (semiconductor devices) are used in various electronic devices such as computers, portable information terminals, and communication devices. Due to demands for miniaturization and higher density of these semiconductor packages, BGA (Ball Grid Ally) and CSP (CSP) are used. Surface mount technology such as Chip Size / Scale Package has been put into practical use. In this surface mounting technology, solder (solder) bumps that function as external connection terminals are used, and a semiconductor package is mounted on a substrate by flip chip mounting.

前述のハンダバンプを形成する形成方法としては、基材にハンダボールをマウントする方式やハンダペーストを印刷する方式、ハンダを密着させるメッキ方式などがある。ハンダボールをマウントする方式では、基材の各電極にフラックスを塗布し、そのフラックス上にハンダボールを搭載してから、リフロー炉によりハンダボールを溶融してハンダバンプを形成する。また、ペーストを印刷する方式では、基材の各電極にマスクを介してペーストを塗布し、リフロー炉によりペーストを溶融してハンダバンプを形成する。メッキ方法では、リソグラフィ技術によりバンプパターンを形成し、これにメッキを施してハンダバンプを形成する。   As a method for forming the above-described solder bump, there are a method of mounting a solder ball on a substrate, a method of printing a solder paste, a plating method of closely attaching solder, and the like. In the method of mounting a solder ball, a flux is applied to each electrode of a base material, a solder ball is mounted on the flux, and then the solder ball is melted in a reflow furnace to form a solder bump. In the method of printing the paste, the paste is applied to each electrode of the substrate through a mask, and the paste is melted in a reflow furnace to form solder bumps. In the plating method, a bump pattern is formed by a lithography technique, and this is plated to form a solder bump.

特開2004−228375号公報JP 2004-228375 A

しかしながら、前述のハンダボールをマウントする方式では、基材にフラックスを塗布する工程とハンダボールを搭載する工程の2工程がリフロー工程前に必要となるため、製造工程数が多くなってしまう。また、前述のペーストを印刷する方式ではマスクが必要となり、メッキ方式でもリソグラフィ工程が必要となるため、工程や装置が複雑になり、どちらの方式でも製造コストが高くなってしまう。このため、製造工程数及び製造コストを抑えることが求められている。   However, in the above-described method of mounting solder balls, two processes, a process of applying a flux to a base material and a process of mounting solder balls, are required before the reflow process, which increases the number of manufacturing processes. Further, the above-described method for printing the paste requires a mask, and the plating method requires a lithography process. Therefore, the process and the apparatus are complicated, and both methods increase the manufacturing cost. For this reason, it is required to suppress the number of manufacturing steps and the manufacturing cost.

本発明が解決しようとする課題は、製造工程数及び製造コストを抑えることができる液滴塗布装置及び液滴塗布方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a droplet applying apparatus and a droplet applying method capable of suppressing the number of manufacturing steps and manufacturing costs.

本発明の実施形態に係る液滴塗布装置は、塗布対象物に形成された凹部に向け、塗布液の液滴を吐出する塗布部と、凹部の容量より多い量の塗布液を凹部に供給し、この供給された塗布液が凹部の周囲の塗布対象物上で環状の壁を形成するように塗布液が乾燥した状態で、その環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を凹部に供給するように塗布部を制御する制御部とを備える。   A droplet coating apparatus according to an embodiment of the present invention supplies a coating unit that discharges droplets of a coating liquid toward a recess formed in an object to be coated, and a coating liquid in an amount larger than the volume of the recess. In such a state that the coating liquid is dried so that the supplied coating liquid forms an annular wall on the coating object around the recess, an amount of the coating liquid that does not overflow from the annular wall is supplied to the recess. A control unit for controlling the coating unit.

本発明の実施形態に係る液滴塗布方法は、塗布対象物に形成された凹部に向け、塗布液の液滴を吐出する塗布部を用いて、凹部の容量より多い量の塗布液を凹部に供給する工程と、凹部に供給された塗布液が凹部の周囲の塗布対象物上で環状の壁を形成するように塗布液を乾燥させる工程と、凹部の周囲の塗布対象物上に塗布液による環状の壁が形成された状態で、塗布部を用いて環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を凹部に供給する工程とを有する。   A droplet coating method according to an embodiment of the present invention uses a coating unit that discharges droplets of a coating liquid toward a recess formed in an object to be coated, and applies a larger amount of coating liquid to the recess than the volume of the recess. A step of supplying, a step of drying the coating solution so that the coating solution supplied to the recess forms an annular wall on the coating object around the recess, and a coating solution on the coating object around the recess And a step of supplying, to the recess, an amount of coating liquid that does not overflow from the annular wall by using the coating part in a state where the annular wall is formed.

本発明によれば、製造工程数及び製造コストを抑えることができる。   According to the present invention, the number of manufacturing steps and manufacturing costs can be suppressed.

第1の実施形態に係る液滴塗布装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the droplet coating device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る塗布ヘッドの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the coating head which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第1の工程断面図である。It is a 1st process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第2の工程断面図である。It is a 2nd process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第3の工程断面図である。It is a 3rd process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第4の工程断面図である。It is a 4th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第5の工程断面図である。It is a 5th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第6の工程断面図である。It is a 6th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第7の工程断面図である。It is a 7th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第8の工程断面図である。It is an 8th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第9の工程断面図である。It is a 9th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る塗布工程を説明するための第10の工程断面図である。It is a 10th process sectional view for explaining the application process concerning a 1st embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第1の工程断面図である。It is a 1st process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第2の工程断面図である。It is a 2nd process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第3の工程断面図である。It is a 3rd process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第4の工程断面図である。It is a 4th process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第5の工程断面図である。It is a 5th process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第6の工程断面図である。It is a 6th process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第7の工程断面図である。It is a 7th process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る塗布工程を説明するための第8の工程断面図である。It is an 8th process sectional view for explaining the application process concerning a 2nd embodiment.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態について図1ないし図12を参照して説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係る液滴塗布装置1は、塗布対象物としての基材Wを水平状態(図1中、X軸方向及びY軸方向に沿う状態)で支持するステージ2と、そのステージ2をX軸方向に搬送するステージ搬送部3と、ステージ2上の基材Wの塗布面に向けて液滴を吐出(滴下も含む)する塗布ヘッド4と、各部を制御する制御部5とを備えている。   As shown in FIG. 1, the droplet applying apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention has a base material W as an application target in a horizontal state (in FIG. 1, a state along the X axis direction and the Y axis direction). ), A stage transport unit 3 that transports the stage 2 in the X-axis direction, and a coating head 4 that ejects droplets (including droplets) toward the coating surface of the substrate W on the stage 2. And a control unit 5 that controls each unit.

ステージ2は、ステージ搬送部3上に設けられ、X軸方向に移動可能に形成されている。このステージ2の載置面は平坦であり、基材Wはその載置面上に置かれ、静電チャックや吸着チャックなどの機構あるいは自重によって固定される。   The stage 2 is provided on the stage transport unit 3 and is formed to be movable in the X-axis direction. The mounting surface of the stage 2 is flat, and the substrate W is placed on the mounting surface and fixed by a mechanism such as an electrostatic chuck or an adsorption chuck or by its own weight.

ステージ搬送部3は、ステージ2を支持し、その支持したステージ2をX軸方向に案内して移動させる。このステージ搬送部3は制御部5に電気的に接続されており、制御部5による制御に応じて駆動する。なお、ステージ搬送部3としては、例えば、サーボモータを駆動源とする送りねじ式の移動機構やリニアモータを駆動源とするリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。このステージ搬送部3がステージ2と塗布ヘッド4とをステージ2上の基材Wの塗布面に沿って相対移動させる移動装置として機能する。   The stage transport unit 3 supports the stage 2 and guides and moves the supported stage 2 in the X-axis direction. The stage conveyance unit 3 is electrically connected to the control unit 5 and is driven according to control by the control unit 5. For example, a feed screw type moving mechanism using a servo motor as a driving source or a linear motor type moving mechanism using a linear motor as a driving source can be used as the stage transport unit 3. The stage transport unit 3 functions as a moving device that relatively moves the stage 2 and the coating head 4 along the coating surface of the substrate W on the stage 2.

塗布ヘッド4は、その内部に収容する塗布液である溶液を複数の液滴として外部に吐出する塗布部として機能する。この塗布ヘッド4はY軸方向に移動可能に形成されており、ステージ2及びステージ搬送部3を跨ぐ門型のコラムなどの支持部材にヘッド搬送部(いずれも図示せず)を介して設けられている。なお、ヘッド搬送部としては、例えば、前述と同様、ねじ式の移動機構やリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。このヘッド搬送部もステージ2と塗布ヘッド4とをステージ2上の基材Wの塗布面に沿って相対移動させる移動装置として機能する。   The coating head 4 functions as a coating unit that discharges a solution, which is a coating solution contained therein, to the outside as a plurality of droplets. The coating head 4 is formed to be movable in the Y-axis direction, and is provided on a support member such as a portal column straddling the stage 2 and the stage transport unit 3 via a head transport unit (both not shown). ing. In addition, as a head conveyance part, it is possible to use a screw type moving mechanism, a linear motor type moving mechanism, etc. like the above-mentioned, for example. This head transport unit also functions as a moving device that relatively moves the stage 2 and the coating head 4 along the coating surface of the substrate W on the stage 2.

なお、前述の塗布ヘッド4はY軸方向に移動可能になっているが、これに限るものではなく、ステージ2と塗布ヘッド4とがステージ2上の基材Wの塗布領域において相対移動すれば良く、例えば、塗布ヘッド4を固定してステージ2をX軸方向及びY軸方向に移動可能にするようにしても良く、逆に、ステージ2を固定して塗布ヘッド4をX軸方向及びY軸方向に移動可能にするようにしても良いし、さらに、ステージ2と塗布ヘッド4とがそれぞれX軸方向及びY軸方向に移動するようにしても良い。   The above-described coating head 4 is movable in the Y-axis direction, but is not limited to this. If the stage 2 and the coating head 4 are relatively moved in the coating region of the substrate W on the stage 2. For example, the stage 2 may be moved in the X axis direction and the Y axis direction by fixing the coating head 4, and conversely, the stage 2 is fixed and the coating head 4 is moved in the X axis direction and Y direction. The stage 2 and the coating head 4 may be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively.

ここで、塗布液としての溶液は、導電性物質(例えば、金属)や分散剤(例えば、有機物)などの溶質と、その溶質を溶解(分散)させる揮発性溶媒とにより構成されている。この溶液の液滴が基材Wの表面上に着弾し、その溶液から溶媒が完全に揮発すると、導電性物質や分散剤などの溶質が残留することになる。なお、金属としては、例えば、錫や金、銀などを用いることが可能である。   Here, the solution as the coating liquid is composed of a solute such as a conductive substance (for example, metal) or a dispersant (for example, an organic substance) and a volatile solvent for dissolving (dispersing) the solute. When the droplets of the solution land on the surface of the substrate W and the solvent is completely volatilized from the solution, solutes such as a conductive substance and a dispersant remain. In addition, as a metal, it is possible to use tin, gold | metal | money, silver, etc., for example.

前述の塗布ヘッド4は、図2に示すように、液滴を吐出するための複数の吐出孔11a及びそれらの吐出孔11aにそれぞれ連通する複数の液室12aを有するノズルプレート11と、そのノズルプレート11が取り付けられるヘッド本体12と、ノズルプレート11とヘッド本体12との間に挟まれて設けられ、各液室12aの容積を変化させる可撓板13と、その可撓板13を変形させる複数の圧電素子14と、それらの圧電素子14を駆動させる圧電素子駆動部15とを備えている。   As shown in FIG. 2, the coating head 4 includes a nozzle plate 11 having a plurality of discharge holes 11a for discharging droplets and a plurality of liquid chambers 12a communicating with the discharge holes 11a, and nozzles thereof. A head main body 12 to which the plate 11 is attached, a flexible plate 13 provided between the nozzle plate 11 and the head main body 12 to change the volume of each liquid chamber 12a, and the flexible plate 13 are deformed. A plurality of piezoelectric elements 14 and a piezoelectric element driving unit 15 that drives the piezoelectric elements 14 are provided.

ノズルプレート11には、複数個の吐出孔11aが長手方向に所定ピッチ(所定間隔)で直線状に並べられて形成されている。これらの吐出孔11aの並び方向が図1中のY軸方向に対して所定角度だけ傾くことが可能になるように塗布ヘッド4が支持部材に設けられている。例えば、塗布ヘッド4が回転機構(図示せず)によりθ方向(図1中のXY平面に沿う回転方向)に回転可能に支持されており、その回転機構によりY軸方向に対して所定角度だけ傾けられる。この所定角度を変更することによって、基材W上でY軸方向に並ぶ各液滴の間隔、すなわちY軸方向の塗布ピッチを調整することが可能である。   The nozzle plate 11 is formed with a plurality of ejection holes 11a arranged in a straight line at predetermined pitches (predetermined intervals) in the longitudinal direction. The coating head 4 is provided on the support member so that the arrangement direction of the discharge holes 11a can be inclined by a predetermined angle with respect to the Y-axis direction in FIG. For example, the coating head 4 is supported by a rotation mechanism (not shown) so as to be rotatable in the θ direction (rotation direction along the XY plane in FIG. 1), and by the rotation mechanism, only a predetermined angle with respect to the Y-axis direction. Tilted. By changing the predetermined angle, it is possible to adjust the interval between the droplets arranged in the Y-axis direction on the substrate W, that is, the coating pitch in the Y-axis direction.

ヘッド本体12には、溶液を収容する各液室12aに加え、それらの液室12aに枝管路(図示せず)を介して連通する主管路12bと、その主管路12bの一端に連通する給液管路12cと、主管路12bの他端に連通する排液管路12dとが形成されている。給液管路12cは溶液タンクから主管路12bに溶液を供給するための流路であり、チューブやパイプなどの供給管を介して溶液タンクに接続されている。また、排液管路12dは主管路12bを通過した溶液を溶液タンクに戻すための流路であり、チューブやパイプなどの排出管を介して前述の溶液タンクに接続されている。   In addition to each liquid chamber 12a for storing the solution, the head main body 12 communicates with the liquid chamber 12a via a branch pipe (not shown) and one end of the main pipe 12b. A liquid supply pipe 12c and a drain pipe 12d communicating with the other end of the main pipe 12b are formed. The liquid supply line 12c is a flow path for supplying the solution from the solution tank to the main line 12b, and is connected to the solution tank via a supply pipe such as a tube or a pipe. The drainage pipe 12d is a flow path for returning the solution that has passed through the main pipe 12b to the solution tank, and is connected to the solution tank via a discharge pipe such as a tube or a pipe.

可撓板13は、その変形により各液室12aの容積を増減させるための板部材である。この可撓板13は撓み変形可能にヘッド本体12に取付けられており、各液室12aの壁部として機能する。なお、ヘッド本体12は矩形枠状に形成されており、その下面側開口部分が可撓板13によって閉塞されている。この可撓板13がノズルプレート11により覆われ、ノズルプレート11と可撓板13との間に各液室12aが形成されている。   The flexible plate 13 is a plate member for increasing or decreasing the volume of each liquid chamber 12a due to the deformation. The flexible plate 13 is attached to the head body 12 so as to be able to bend and deform, and functions as a wall portion of each liquid chamber 12a. The head body 12 is formed in a rectangular frame shape, and the lower surface side opening portion is closed by the flexible plate 13. The flexible plate 13 is covered with the nozzle plate 11, and each liquid chamber 12 a is formed between the nozzle plate 11 and the flexible plate 13.

各圧電素子14は、各液室12aにそれぞれ対向させて可撓板13に固着されている。これらの圧電素子14は圧電素子駆動部15に電気的に接続されており、その圧電素子駆動部15からの電力供給により駆動する。圧電素子14が駆動して伸縮すると、その駆動した圧電素子14に対応する可撓板13の一部が変形するため、その変形に応じて液室12aの容積が増減し、その液室12aに連通する吐出孔11aから液滴が吐出される。この圧電素子14が駆動素子として機能する。   Each piezoelectric element 14 is fixed to the flexible plate 13 so as to face each liquid chamber 12a. These piezoelectric elements 14 are electrically connected to the piezoelectric element driving unit 15 and are driven by power supply from the piezoelectric element driving unit 15. When the piezoelectric element 14 is driven to expand and contract, a part of the flexible plate 13 corresponding to the driven piezoelectric element 14 is deformed, so that the volume of the liquid chamber 12a increases or decreases according to the deformation, and the liquid chamber 12a A droplet is ejected from the communicating ejection hole 11a. This piezoelectric element 14 functions as a drive element.

圧電素子駆動部15は、制御部5に電気的に接続されており、その制御部5からの制御信号を受けて各圧電素子14に個別に電圧を印加することが可能なデバイスである。この圧電素子駆動部15は、制御部5からの制御信号に応じて各圧電素子14を個別に駆動させ、塗布ヘッド4の各吐出孔11aから個々に液滴を吐出させる。   The piezoelectric element driving unit 15 is a device that is electrically connected to the control unit 5 and can apply a voltage to each piezoelectric element 14 in response to a control signal from the control unit 5. The piezoelectric element driving unit 15 individually drives each piezoelectric element 14 in accordance with a control signal from the control unit 5, and ejects droplets individually from each ejection hole 11 a of the coating head 4.

このような構成の塗布ヘッド4は、圧電素子駆動部15による各圧電素子14に対する駆動電圧の印加に応じて、可撓板13の変形により各液室12a内の溶液を対応する吐出孔11aから押し出して液滴として吐出する。この吐出前、各液室12aは溶液により満たされている。   The coating head 4 having such a configuration allows the solution in each liquid chamber 12a to be discharged from the corresponding discharge hole 11a by deformation of the flexible plate 13 in response to application of a driving voltage to each piezoelectric element 14 by the piezoelectric element driving unit 15. Extrude and eject as droplets. Before the discharge, each liquid chamber 12a is filled with the solution.

図1に戻り、制御部5は、ステージ搬送部3や塗布ヘッド4などの各部を制御するマイクロコンピュータ、加えて、塗布に関する塗布情報や各種プログラムを記憶する記憶部(いずれも図示せず)などを備えている。ここで、塗布情報は、ドットパターンなどの所定の塗布パターン、塗布ヘッド4の駆動電圧、吐出周波数(吐出タイミング)及び基材Wの移動速度(塗布速度)に関する情報などを含んでいる。   Returning to FIG. 1, the control unit 5 includes a microcomputer that controls each unit such as the stage conveyance unit 3 and the coating head 4, and also a storage unit (not shown) that stores coating information and various programs related to coating. It has. Here, the application information includes a predetermined application pattern such as a dot pattern, driving voltage of the application head 4, information on the discharge frequency (discharge timing), and the moving speed (application speed) of the substrate W.

制御部5は、塗布情報に基づいてステージ搬送部3や塗布ヘッド4などを制御し、ステージ2上の基材Wと塗布ヘッド4とを相対移動させながら、ステージ2上の基材Wに向けて塗布ヘッド4の各吐出孔11aから溶液の液滴を間欠吐出し、その基材W上の塗布対象領域に液滴のドット列を順次塗布する塗布動作を行う。例えば、ステージ2をX軸方向に移動させつつそのステージ2上の基材Wに対する走査塗布を行い、その一回の走査塗布後、塗布ヘッド4をY軸方向に所定ピッチ(例えば、Y軸方向の塗布ピッチ×吐出孔11aの個数)だけ移動させ、再びステージ2をX軸方向に移動させてそのステージ2上の基材Wに対する走査塗布を行う。この走査塗布を繰り返し、基材W上の塗布対象領域の全領域に対する塗布を行う。   The control unit 5 controls the stage transport unit 3 and the coating head 4 based on the coating information, and moves toward the substrate W on the stage 2 while relatively moving the substrate W on the stage 2 and the coating head 4. Then, droplets of the solution are intermittently ejected from the respective ejection holes 11 a of the coating head 4, and a coating operation for sequentially coating the dot rows of the droplets on the coating target region on the substrate W is performed. For example, while the stage 2 is moved in the X-axis direction, scanning coating is performed on the substrate W on the stage 2, and after one scanning coating, the coating head 4 is moved to a predetermined pitch in the Y-axis direction (for example, the Y-axis direction). And the stage 2 is moved again in the X-axis direction to perform scanning coating on the substrate W on the stage 2. This scanning application is repeated, and the application to the entire application target area on the substrate W is performed.

また、制御部5は、塗布ヘッド4が備える圧電素子駆動部15を介して各圧電素子14の駆動を制御し、所定の駆動電圧や吐出周波数などに基づき、所定の吐出タイミングで各圧電素子14に駆動電圧を印加する。なお、駆動電圧を変更することによって液滴の吐出量を調整することが可能である。また、吐出周波数や基材Wの移動速度を変更することによって基材W上でX軸方向(基材Wの移動方向)に並ぶ各液滴の間隔、すなわちX軸方向の塗布ピッチを調整することが可能である。   Further, the control unit 5 controls the driving of each piezoelectric element 14 via the piezoelectric element driving unit 15 provided in the coating head 4, and each piezoelectric element 14 at a predetermined ejection timing based on a predetermined driving voltage, ejection frequency, and the like. A drive voltage is applied to. Note that the droplet discharge amount can be adjusted by changing the drive voltage. Further, by changing the ejection frequency and the moving speed of the substrate W, the interval between the droplets arranged in the X-axis direction (the moving direction of the substrate W) on the substrate W, that is, the coating pitch in the X-axis direction is adjusted. It is possible.

次に、前述の液滴塗布装置1の導電性バンプ形成に係る塗布動作(塗布方法)について説明するが、まず、塗布対象物となる基材Wについて説明し、その後、塗布工程について説明する。なお、液滴塗布装置1の制御部5が各種のプログラムに基づいて塗布処理を実行する。   Next, a coating operation (coating method) related to the formation of the conductive bumps of the above-described droplet coating apparatus 1 will be described. First, the base material W to be coated is described, and then the coating process is described. Note that the control unit 5 of the droplet applying apparatus 1 executes the applying process based on various programs.

図3に示すように、塗布対象物となる基材Wは、ウェーハなどの基板21と、その基板21上に形成された電極(電極パッド)22と、その電極22を露出させるように積層された絶縁層(例えば樹脂層)23とによって構成されている。この絶縁層23は、電極22を底面に有する凹部(バンクとも呼ばれる)23aを有している。この凹部23aの開口は平面視で例えば丸形状であり、凹部23aの内壁は底面に向かって開口径が小さくなるように徐々に傾斜している。ただし、凹部23aの形状は特に限定されるものではない。   As shown in FIG. 3, the base material W to be coated is laminated so that a substrate 21 such as a wafer, an electrode (electrode pad) 22 formed on the substrate 21, and the electrode 22 are exposed. And an insulating layer (for example, a resin layer) 23. The insulating layer 23 has a recess (also called a bank) 23a having the electrode 22 on the bottom surface. The opening of the recess 23a has, for example, a round shape in plan view, and the inner wall of the recess 23a is gradually inclined so that the opening diameter decreases toward the bottom surface. However, the shape of the recess 23a is not particularly limited.

なお、図3においては、電極22及び凹部23aを一つずつ示しているだけであるが、実際にはそれぞれ複数存在している。例えば、電極22は基板21上にマトリックス状(行列状)に複数設けられており、その電極22が絶縁層23により覆われないように凹部23aは電極22の配置に合わせてマトリックス状に複数設けられている。このマトリックス状に並ぶ複数の凹部23aに塗布ヘッド4によって溶液が供給されるが、このとき、塗布ヘッド4は溶液の液滴を供給可能な範囲内の複数の凹部23aに対して一度に吐出することになる。以下の図面でも、説明の簡略化のため、電極22及び凹部23aを一つずつ示しており、この図面に基づいて基材Wに対する塗布工程を説明する。   In FIG. 3, only one electrode 22 and one recess 23a are shown, but there are actually a plurality of each. For example, a plurality of electrodes 22 are provided in a matrix (matrix) on the substrate 21, and a plurality of recesses 23 a are provided in a matrix according to the arrangement of the electrodes 22 so that the electrodes 22 are not covered with the insulating layer 23. It has been. A solution is supplied by the coating head 4 to the plurality of recesses 23a arranged in a matrix. At this time, the coating head 4 discharges the solution at a time to the plurality of recesses 23a within a range where droplets of the solution can be supplied. It will be. Also in the following drawings, for simplification of explanation, the electrodes 22 and the recesses 23a are shown one by one, and the coating process for the substrate W will be described based on these drawings.

第1の実施形態に係る塗布工程では、まず、基材Wの凹部23a(図3参照)に向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、凹部23aの容量より多い所定量の溶液A1を基材Wの凹部23aに供給する。これにより、図4に示すように、凹部23aに供給された溶液A1は凹部23aから溢れ出し、その凹部23aの周囲の絶縁層23上にまで広がることになる。なお、隣接する凹部23aからそれぞれ漏れ出した溶液が互いに接触することを避ける必要があるため、前述の所定量は、隣接する凹部23aからそれぞれ漏れ出した溶液が互いに接触しない量、例えば、凹部23aの容量の二倍以下に設定されている。   In the coating process according to the first embodiment, first, a droplet of a solution is ejected from the coating head 4 toward the recess 23a (see FIG. 3) of the substrate W, and a predetermined amount of solution A1 larger than the volume of the recess 23a. Is supplied to the recess 23a of the substrate W. As a result, as shown in FIG. 4, the solution A1 supplied to the recess 23a overflows from the recess 23a and spreads over the insulating layer 23 around the recess 23a. In addition, since it is necessary to avoid the solutions leaking from the adjacent recesses 23a from contacting each other, the above-described predetermined amount is an amount in which the solutions leaking from the adjacent recesses 23a do not contact each other, for example, the recesses 23a. It is set to less than twice the capacity.

前述の供給後、溶液A1が徐々に乾燥していく過程(溶液A1の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液A1内に対流(例えば、マランゴニ対流など)が生じているため、溶質が流動して凹部23aの周囲の絶縁層23上に集まり、また、重力により下方に移動して電極22や凹部23aの内壁に沿って層となるように集まる。これにより、図5に示すように、凹部23aの周囲の絶縁層23上には、凹部23aの開口を囲む環状の壁B1が形成され、さらに、その環状の壁B1につながる下地層が凹部23aの内壁及び電極22上に形成される。   In the process in which the solution A1 is gradually dried after the supply (the process in which the volatile solvent of the solution A1 is volatilized), convection (for example, Marangoni convection) is generated in the solution A1 supplied to the recess 23a. As a result, the solute flows and gathers on the insulating layer 23 around the recess 23a, and moves downward due to gravity and gathers in layers along the inner walls of the electrode 22 and the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 5, an annular wall B1 surrounding the opening of the recess 23a is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and an underlying layer connected to the annular wall B1 is formed in the recess 23a. Formed on the inner wall and the electrode 22.

この環状の壁B1や下地層を形成する溶液は、完全に揮発性溶媒が蒸発した状態ではなく、溶質以外に少量でも揮発性溶媒を含んでいる状態であって流動が停止している半硬化状態になっている。なお、通常用いる溶媒の揮発性は高いため、液滴が凹部23aに着弾した後、数秒で半硬化状態となる。   The solution that forms the annular wall B1 and the base layer is not in a state in which the volatile solvent is completely evaporated, but in a state in which the volatile solvent is contained in a small amount other than the solute, and the flow is stopped semi-cured. It is in a state. In addition, since the volatility of the solvent used normally is high, after a droplet reaches the recessed part 23a, it will be in a semi-hardened state in several seconds.

ここで、基材Wの凹部23aに対して所定量の溶液を供給する際には、一滴の液滴による供給であっても、複数滴による供給であっても良い。複数滴による供給では、所定量よりも少ない量の液滴を連続的に吐出し、それらの液滴量の合計を所定量とする。この複数滴による供給を行う場合には、着弾した液滴が半硬化状態となる前に次の液滴を着弾させる必要がある。このため、吐出周波数は溶液の揮発性に応じ、例えば、揮発性が高くなるほど高く設定される。   Here, when a predetermined amount of solution is supplied to the concave portion 23a of the substrate W, it may be supplied by a single droplet or a plurality of droplets. In the supply by a plurality of droplets, a smaller amount of droplets is continuously ejected, and the total amount of these droplets is set to a predetermined amount. When supplying with a plurality of droplets, it is necessary to land the next droplet before the landed droplet becomes a semi-cured state. For this reason, the ejection frequency is set higher as the volatility increases, for example, according to the volatility of the solution.

次に、図5に示すように、環状の壁B1が凹部23aの周囲の絶縁層23上に形成され、さらに、その環状の壁B1につながる下地層が電極22及び凹部23aの内壁上に形成された状態で、基材Wの凹部23aに向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、環状の壁B1から溢れ出さない量の溶液A2を凹部23aに供給する。これにより、図6に示すように、溶液A2は環状の壁B1を乗り越えずにその環状の壁B1及び下地層上に溜められる。このため、溶液A2が絶縁層23上に溢れ出して広がることはない。   Next, as shown in FIG. 5, an annular wall B1 is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and a base layer connected to the annular wall B1 is formed on the electrode 22 and the inner wall of the recess 23a. In this state, droplets of the solution are discharged from the coating head 4 toward the recess 23a of the substrate W, and an amount of the solution A2 that does not overflow from the annular wall B1 is supplied to the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 6, the solution A2 is stored on the annular wall B1 and the underlying layer without overcoming the annular wall B1. For this reason, the solution A2 does not overflow and spread on the insulating layer 23.

その後、前述と同じように、溶液A2が徐々に乾燥していく過程(溶液A2の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液A2内に対流が生じているため、前述と同様、溶質が流動して凹部23aの周囲の絶縁層23上に集まり、また、重力により凹部23aに溜まるように集まる。このとき、溶液A2と溶液A1の互いの溶媒が混じり合い、溶液A2の溶質が溶液A1の溶質上に積層されるように溜まることになる。このため、凹部23aが溶液により満たされていき、環状の壁B1の高さも高くなる。   Thereafter, in the same way as described above, convection is generated in the solution A2 supplied to the recess 23a in the process of gradually drying the solution A2 (process in which the volatile solvent of the solution A2 volatilizes). As described above, the solute flows and collects on the insulating layer 23 around the recess 23a, and also collects in the recess 23a by gravity. At this time, the mutual solvent of the solution A2 and the solution A1 are mixed, and the solute of the solution A2 is accumulated so as to be stacked on the solute of the solution A1. For this reason, the recess 23a is filled with the solution, and the height of the annular wall B1 is also increased.

この環状の壁B1の高さを所望の高さまで高くするため、環状の壁から溢れ出さない量の溶液を凹部23a上に供給することを所定回数繰り返す。なお、この所定回数の溶液供給は所定間隔で行われるが、この所定間隔は供給後の溶液が半硬化状態になると次の供給が実行されるような間隔である。このような所定回数の溶液供給が行われると、図7に示すように、所望の高さ及び幅の環状の壁B2(壁B1より高い)が形成され、凹部23aが溶液によって満たされる。   In order to increase the height of the annular wall B1 to a desired height, supplying an amount of solution that does not overflow from the annular wall onto the recess 23a is repeated a predetermined number of times. The predetermined number of times of solution supply is performed at a predetermined interval, and this predetermined interval is an interval at which the next supply is executed when the solution after supply is in a semi-cured state. When such a predetermined number of times of solution supply is performed, as shown in FIG. 7, an annular wall B2 (higher than the wall B1) having a desired height and width is formed, and the recess 23a is filled with the solution.

ここまでの工程が所望の壁B2を形成する壁形成工程である。なお、凹部23aに供給された溶液A1内に対流を積極的に発生させて壁B1を高くするためには、ホットプレートやヒータなどの加熱手段によって基材W及び塗布ヘッド4の両方又は一方を加熱し、基材W上の溶液や塗布ヘッド4内の溶液に熱を加えるようにしても良い。   The steps so far are the wall forming steps for forming the desired wall B2. In order to raise the wall B1 by positively generating convection in the solution A1 supplied to the recess 23a, both or one of the substrate W and the coating head 4 is moved by heating means such as a hot plate or a heater. Heat may be applied to the solution on the substrate W or the solution in the coating head 4.

次に、前述の壁形成工程後、図7に示すように、環状の壁B2が凹部23aの周囲の絶縁層23上に形成され、さらに、凹部23aが半硬化状態の溶液により満たれている状態で、基材Wの凹部23aに向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、環状の壁B2から溢れ出さない量の溶液A3を凹部23aに供給する。これにより、図8に示すように、溶液A3は環状の壁B2によってせき止められ、その環状の壁B2の間に溜められる。このため、溶液A3は環状の壁B2を乗り越え、絶縁層23上に溢れ出して広がることはない。このときの溶液A3は略半楕円球状(レンズの平凸形状)になっている。   Next, after the above-described wall forming step, as shown in FIG. 7, an annular wall B2 is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and the recess 23a is filled with a semi-cured solution. In this state, droplets of the solution are discharged from the coating head 4 toward the recess 23a of the substrate W, and an amount of the solution A3 that does not overflow from the annular wall B2 is supplied to the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 8, the solution A3 is dammed by the annular wall B2, and is stored between the annular walls B2. For this reason, the solution A3 gets over the annular wall B2 and does not overflow and spread on the insulating layer 23. At this time, the solution A3 has a substantially semi-elliptical spherical shape (plano-convex shape of the lens).

その後、前述と同じように、溶液A3が徐々に乾燥していく過程(溶液A3の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液A3内で発生する対流は前述に比べ弱く、図9に示すように、半楕円球状の溶液A3は形状を保ちつつ溶媒の揮発に伴って徐々に小さくなる。このとき、溶液A3と従前の溶液の互いの溶媒が混じり合い、溶液A3の溶質が従前の溶液の溶質上に積層されるように溜まることになる。なお、環状の壁B2の高さは維持されている。   Thereafter, in the same manner as described above, the convection generated in the solution A3 supplied to the recess 23a in the process of gradually drying the solution A3 (process in which the volatile solvent of the solution A3 is volatilized) is as described above. As shown in FIG. 9, the semi-elliptical spherical solution A3 is gradually smaller as the solvent evaporates while maintaining its shape. At this time, the mutual solvent of the solution A3 and the previous solution are mixed, and the solute of the solution A3 is accumulated so as to be stacked on the solute of the previous solution. The height of the annular wall B2 is maintained.

所望の高さまで溶液を積層するため、図10に示すように、環状の壁B2から溢れ出さない量の溶液A4を凹部23aに供給することを所定回数繰り返す。なお、この所定回数の溶液供給は所定間隔で行われるが、この所定間隔は供給後の溶液が半硬化状態になると次の供給が実行されるような間隔である。このような所定回数の溶液供給が行われ、凹部23aを満たす溶液が半硬化状態となると、図11に示すように、その半硬化状態の溶液は表面張力によって略半円球状となり、所望の大きさになっている。   In order to laminate the solution to a desired height, as shown in FIG. 10, the supply of the solution A4 in an amount that does not overflow from the annular wall B2 to the recess 23a is repeated a predetermined number of times. The predetermined number of times of solution supply is performed at a predetermined interval, and this predetermined interval is an interval at which the next supply is executed when the solution after supply is in a semi-cured state. When the solution is supplied a predetermined number of times and the solution filling the recess 23a is in a semi-cured state, as shown in FIG. 11, the semi-cured solution becomes a substantially semi-spherical shape due to surface tension, and has a desired size. It has become.

壁形成工程後のここまでの工程が所望の高さまで積層を繰り返す積層工程である。この積層工程において溶液の供給回数(積層回数)を増やすことによって、一回の溶液供給量を少なくし、供給後の溶液内での対流発生を抑えることが可能となるので、希望する形状を得ることが容易となる。なお、積層工程では、液滴サイズは20pl(ピコリットル)台とし、液滴を積層する際の運動エネルギーを軽減するために飛翔速度は10m/s以下であることが望ましい。   The process so far after the wall forming process is a stacking process in which stacking is repeated to a desired height. By increasing the number of times the solution is supplied (number of times of lamination) in this laminating step, it is possible to reduce the amount of solution supplied at one time and suppress the occurrence of convection in the solution after supply, so that a desired shape is obtained. It becomes easy. In the laminating step, it is desirable that the droplet size is on the order of 20 pl (picoliter), and the flying speed is 10 m / s or less in order to reduce the kinetic energy when laminating the droplets.

最後に、壁形成工程及び積層工程後の基材Wをリフロー炉(リフロー装置)に入れ、基材W上の溶質を溶融させる。これにより、溶液内の溶媒が完全に揮発し、さらに、溶融した溶質が表面張力によって引き寄せられて一体となり(溶質の微粒子が合体する)、図12に示すように、所望の高さ及び幅(所望のアスペクト比)を有する半円形状の導電性バンプ24が形成される。   Finally, the base material W after the wall forming step and the laminating step is put into a reflow furnace (reflow apparatus), and the solute on the base material W is melted. As a result, the solvent in the solution is completely volatilized, and the molten solute is attracted by the surface tension to be integrated (the solute fine particles are combined), and as shown in FIG. 12, the desired height and width ( A semicircular conductive bump 24 having a desired aspect ratio is formed.

このような製造工程では、壁形成工程によって凹部23aの開口を囲む環状の壁B2が所望の高さに形成され、積層工程によって環状の壁B2内の凹部23a上に溶液が順次供給される。この積層工程では、環状の壁B2の内側に溶液が滴下されたとき、その水平方向の流動が環状の壁B2によりせき止められる。最後に、リフロー工程によって溶液内の溶質が溶融して一体となり、導電性バンプ24が凹部23a上に形成される。このようにして溶液の積層が容易となり、所望の高さ及び幅を有する導電性バンプ24を容易に形成することができる。なお、液滴の乾燥を促進するためにステージ2を加熱しながら溶液を滴下することも効果的である。また、溶液の粘度は30mPa・s以上であってその固形分がより多い方がタクト短縮につながる。   In such a manufacturing process, the annular wall B2 surrounding the opening of the recess 23a is formed at a desired height by the wall forming process, and the solution is sequentially supplied onto the recess 23a in the annular wall B2 by the stacking process. In this lamination step, when the solution is dropped inside the annular wall B2, the horizontal flow is blocked by the annular wall B2. Finally, the solute in the solution is melted and integrated by the reflow process, and the conductive bumps 24 are formed on the recesses 23a. Thus, the lamination of the solutions becomes easy, and the conductive bumps 24 having a desired height and width can be easily formed. It is also effective to drop the solution while heating the stage 2 in order to promote drying of the droplet. Further, the viscosity of the solution is 30 mPa · s or more, and the higher the solid content, the shorter the tact.

以上説明したように、第1の実施形態によれば、基材Wに形成された凹部23aにその容量より多い量の溶液を供給し、その後、凹部23aの周囲の基材W上に溶液による環状の壁B1又はB2が形成された状態で、その環状の壁B1又はB2から溢れ出さない量の溶液を凹部23aに供給することによって、所望の高さ及び幅(所望のアスペクト比)を有する導電性バンプ24を形成することが可能となる。このため、製造工程として、基材Wにフラックスを塗布する工程とハンダボールを搭載する工程の2工程をリフロー工程前に必要とせず、塗布工程の1工程だけで良くなるため、製造工程数を抑えることができる。さらに、ペースト印刷やメッキ方式に比べ、マスクやリソグラフィ工程が不要であり、工程や装置が簡略化されるため、製造コストを抑えることができる。   As described above, according to the first embodiment, a larger amount of solution is supplied to the recess 23a formed in the substrate W, and then the solution is applied to the substrate W around the recess 23a. In a state where the annular wall B1 or B2 is formed, by supplying an amount of a solution that does not overflow from the annular wall B1 or B2 to the recess 23a, the desired height and width (desired aspect ratio) are obtained. Conductive bumps 24 can be formed. For this reason, as the manufacturing process, two processes of applying the flux to the substrate W and mounting the solder ball are not required before the reflow process, and only one process of the applying process is required. Can be suppressed. Furthermore, as compared with paste printing and plating methods, a mask and a lithography process are not necessary, and the process and apparatus are simplified, so that the manufacturing cost can be suppressed.

(第2の実施形態)
第2の実施形態について図13ないし図20を参照して説明する。
(Second Embodiment)
A second embodiment will be described with reference to FIGS.

第2の実施形態は基本的に第1の実施形態と同様である。このため、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(塗布工程の流れ)について説明し、第1の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。   The second embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, differences from the first embodiment (application process flow) will be described, and the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be given. Omitted.

第2の実施形態に係る塗布工程では、まず、基材Wの凹部23a(図3参照)に向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、凹部23aの容量より多い所定量の溶液C1を基材Wの凹部23aに供給する。これにより、図13に示すように、凹部23aに供給された溶液C1は凹部23aから溢れ出し、その凹部23aの周囲の絶縁層23上にまで広がることになる。この広がりは、リフロー工程において溶融した溶質が表面張力によって凹部23aの周囲から凹部23a上に戻ることが可能な範囲の広がりである。つまり、この所定量は、凹部23aの容量より多い溶液量であって、凹部23aの周囲の絶縁層23の上に溢れて広がった溶液が、溶液に含まれる溶質が溶融したときの表面張力によって凹部23aの周囲から凹部23a上に戻ることが可能な溶液量である。なお、隣接する凹部23aからそれぞれ漏れ出した溶液が互いに接触することを避ける必要があるため、前述の所定量は、前述の条件を満たす場合でも、隣接する凹部23aからそれぞれ漏れ出した溶液が互いに接触しない量、例えば、凹部23aの容量の二倍以下に設定されている。   In the coating process according to the second embodiment, first, a droplet of a solution is ejected from the coating head 4 toward the recess 23a (see FIG. 3) of the substrate W, and a predetermined amount of solution C1 larger than the volume of the recess 23a. Is supplied to the recess 23a of the substrate W. As a result, as shown in FIG. 13, the solution C1 supplied to the recess 23a overflows from the recess 23a and spreads onto the insulating layer 23 around the recess 23a. This spread is a spread of a range in which the solute melted in the reflow process can return from the periphery of the recess 23a to the recess 23a by the surface tension. That is, the predetermined amount is a solution amount larger than the volume of the recess 23a, and the solution that overflows and spreads on the insulating layer 23 around the recess 23a depends on the surface tension when the solute contained in the solution is melted. This is the amount of solution that can return from the periphery of the recess 23a onto the recess 23a. In addition, since it is necessary to avoid the solutions leaking from the adjacent recesses 23a from contacting each other, even if the above-mentioned predetermined amount satisfies the above-described conditions, the solutions leaking from the adjacent recesses 23a are mutually connected. It is set to an amount that does not contact, for example, twice or less the capacity of the recess 23a.

前述の供給後、溶液C1が徐々に乾燥していく過程(溶液C1の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液C1内に対流(例えば、マランゴニ対流など)が生じているため、溶質が流動して凹部23aの周囲の絶縁層23上に集まり、また、重力により下方に移動して電極22や凹部23aの内壁に沿って層となるように集まる。これにより、図14に示すように、凹部23aの周囲の絶縁層23上には、凹部23aの開口を囲む環状の壁D1が形成され、さらに、その環状の壁D1につながる下地層が凹部23aの内壁及び電極22上に形成される。なお、環状の壁D1の外径や幅は、第1の実施形態に係る環状の壁B1やB2に比べて大きくなっている。   In the process in which the solution C1 is gradually dried after the supply (process in which the volatile solvent of the solution C1 is volatilized), convection (for example, Marangoni convection) is generated in the solution C1 supplied to the recess 23a. As a result, the solute flows and gathers on the insulating layer 23 around the recess 23a, and moves downward due to gravity and gathers in layers along the inner walls of the electrode 22 and the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 14, an annular wall D1 surrounding the opening of the recess 23a is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and an underlying layer connected to the annular wall D1 is formed in the recess 23a. Formed on the inner wall and the electrode 22. The outer diameter and width of the annular wall D1 are larger than those of the annular walls B1 and B2 according to the first embodiment.

この環状の壁D1や下地層を形成する溶液は、第1の実施形態と同様、完全に揮発性溶媒が蒸発した状態ではなく、溶質以外に少量でも揮発性溶媒を含んでいる状態であって流動が停止している半硬化状態になっている。また、基材Wの凹部23aに対して所定量の溶液を供給する際には、第1の実施形態と同様、一滴による供給であっても、複数滴による供給であっても良い。   The solution forming the annular wall D1 and the underlayer is not in a state where the volatile solvent is completely evaporated, but in a state containing the volatile solvent in a small amount other than the solute, as in the first embodiment. It is in a semi-cured state where flow is stopped. Further, when a predetermined amount of solution is supplied to the concave portion 23a of the substrate W, as in the first embodiment, supply by a single drop or supply by a plurality of drops may be used.

次に、図14に示すように、環状の壁D1が凹部23aの周囲の絶縁層23上に形成され、さらに、その環状の壁D1につながる下地層が電極22及び凹部23aの内壁上に形成された状態で、基材Wの凹部23aに向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、環状の壁D1から溢れ出さない量の溶液C2を凹部23aに供給する。これにより、図15に示すように、溶液C2は環状の壁D1を乗り越えずにその環状の壁D1及び下地層上に溜められる。このため、溶液C2が絶縁層23上に溢れ出して広がることはない。   Next, as shown in FIG. 14, an annular wall D1 is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and a base layer connected to the annular wall D1 is formed on the electrode 22 and the inner wall of the recess 23a. In this state, droplets of the solution are ejected from the coating head 4 toward the recess 23a of the substrate W, and an amount of the solution C2 that does not overflow from the annular wall D1 is supplied to the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 15, the solution C2 is stored on the annular wall D1 and the underlying layer without overcoming the annular wall D1. For this reason, the solution C2 does not overflow and spread on the insulating layer 23.

その後、前述と同じように、溶液C2が徐々に乾燥していく過程(溶液C2の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液C2内に対流が生じているため、前述と同様、溶質が流動して凹部23aの周囲の絶縁層23上に集まり、また、重力により凹部23aに溜まるように集まる。このとき、溶液C2と溶液C1の互いの溶媒は混じり合い、溶液C2の溶質は溶液C1の溶質上に積層されるように溜まることになる。このため、凹部23aが溶液により満たされていき、環状の壁D1の高さも高くなる。   After that, in the process of gradually drying the solution C2 (the process of volatilization of the volatile solvent of the solution C2) as described above, convection is generated in the solution C2 supplied to the recess 23a. As described above, the solute flows and collects on the insulating layer 23 around the recess 23a, and also collects in the recess 23a by gravity. At this time, the mutual solvents of the solution C2 and the solution C1 are mixed, and the solute of the solution C2 is accumulated so as to be stacked on the solute of the solution C1. For this reason, the recess 23a is filled with the solution, and the height of the annular wall D1 is also increased.

この壁D1の高さを所望の高さまで高くするため、環状の壁から溢れ出さない量の溶液を凹部23aに供給することを所定回数繰り返す。なお、この所定回数の溶液供給は所定間隔で行われるが、この所定間隔は供給後の溶液が半硬化状態になると次の供給が実行されるような間隔である。このような所定回数の溶液供給が行われると、図16に示すように、所望の高さ及び幅の環状の壁D2(壁D1より高い)が形成され、凹部23aが溶液によって満たされる。なお、環状の壁D2の外径や幅は、第1の実施形態に係る環状の壁B1やB2に比べて大きくなっている。   In order to increase the height of the wall D1 to a desired height, the supply of an amount of the solution that does not overflow from the annular wall to the recess 23a is repeated a predetermined number of times. The predetermined number of times of solution supply is performed at a predetermined interval, and this predetermined interval is an interval at which the next supply is executed when the solution after supply is in a semi-cured state. When such a predetermined number of times of solution supply is performed, as shown in FIG. 16, an annular wall D2 having a desired height and width (higher than the wall D1) is formed, and the recess 23a is filled with the solution. The outer diameter and width of the annular wall D2 are larger than those of the annular walls B1 and B2 according to the first embodiment.

ここまでの工程が所望の壁D2を形成する壁形成工程である。なお、凹部23aに供給された溶液C1内に対流を積極的に発生させて壁D1を高くするためには、第1の実施形態と同様、ホットプレートやヒータなどの加熱手段によって基材W及び塗布ヘッド4の両方又は一方を加熱し、基材W上の溶液や塗布ヘッド4内の溶液に熱を加えるようにしても良い。   The steps so far are the wall forming steps for forming the desired wall D2. Note that, in order to positively generate convection in the solution C1 supplied to the recess 23a and raise the wall D1, the substrate W and the substrate W are heated by heating means such as a hot plate or a heater, as in the first embodiment. Both or one of the coating heads 4 may be heated to apply heat to the solution on the substrate W or the solution in the coating head 4.

次に、前述の壁形成工程後、図16に示すように、環状の壁D2が凹部23aの周囲の絶縁層23上に形成され、さらに、凹部23aが半硬化状態の溶液により満たれている状態で、基材Wの凹部23aに向けて塗布ヘッド4から溶液の液滴を吐出し、環状の壁D2から溢れ出さない量の溶液C3を凹部23aに供給する。これにより、図17に示すように、溶液C3は環状の壁D2によってせき止められ、その環状の壁D2の間に溜められる。このため、その溶液C3は環状の壁D2を乗り越え、絶縁層23上に溢れ出して広がることはない。このときの溶液C3は略半楕円球状(レンズの平凸形状)になっている。   Next, after the aforementioned wall forming step, as shown in FIG. 16, an annular wall D2 is formed on the insulating layer 23 around the recess 23a, and the recess 23a is filled with a semi-cured solution. In this state, droplets of the solution are discharged from the coating head 4 toward the recess 23a of the substrate W, and an amount of the solution C3 that does not overflow from the annular wall D2 is supplied to the recess 23a. As a result, as shown in FIG. 17, the solution C3 is dammed by the annular wall D2, and is stored between the annular walls D2. For this reason, the solution C3 does not get over the annular wall D2 and overflow and spread on the insulating layer 23. The solution C3 at this time has a substantially semi-elliptical spherical shape (a plano-convex shape of the lens).

その後、前述と同じように、溶液C3が徐々に乾燥していく過程(溶液C3の揮発性溶媒が揮発していく過程)において、凹部23aに供給された溶液A3内で発生する対流は前述に比べ弱く、図18に示すように、半楕円球状の溶液C3の形状は上部が略平坦な形状(又は上部中央がくぼんだ形状)になる。このとき、溶液C3と従前の溶液の互いの溶媒が混じり合い、溶液C3の溶質は従前の溶液の溶質上に積層されるように溜まることになる。なお、環状の壁D2の高さは維持されている。   Thereafter, in the same way as described above, the convection generated in the solution A3 supplied to the recess 23a in the process of gradually drying the solution C3 (the process of volatilizing the volatile solvent of the solution C3) is as described above. As shown in FIG. 18, the shape of the semi-elliptical spherical solution C3 is substantially flat at the top (or concave at the top center), as shown in FIG. At this time, the solvents of the solution C3 and the previous solution are mixed, and the solute of the solution C3 is accumulated so as to be stacked on the solute of the previous solution. The height of the annular wall D2 is maintained.

所望の高さまで溶液を積層するため、図19に示すように、溶液が流れ落ちない量の溶液C4を凹部23a上に供給することを所定回数繰り返す。なお、この所定回数の溶液供給は所定間隔で行われるが、この所定間隔は供給後の溶液が半硬化状態になると次の供給が実行されるような間隔である。また、供給ごとに徐々に供給量を減らして、溶液が流れ落ちない量の溶液を供給する。このような所定回数の溶液供給が行われ、凹部23aを満たす溶液が半硬化状態となると、図20に示すように、その半硬化状態の溶液は所望の大きさになっている。   In order to stack the solutions to a desired height, as shown in FIG. 19, the supply of the amount of the solution C4 that does not flow down onto the recesses 23a is repeated a predetermined number of times. The predetermined number of times of solution supply is performed at a predetermined interval, and this predetermined interval is an interval at which the next supply is executed when the solution after supply is in a semi-cured state. In addition, the supply amount is gradually reduced for each supply, and an amount of solution that does not flow down is supplied. When the solution is supplied a predetermined number of times and the solution filling the recess 23a is in a semi-cured state, the semi-cured solution has a desired size as shown in FIG.

壁形成工程後のここまでの工程が所望の高さまで積層を繰り返す積層工程である。なお、第1の実施形態と同様、この積層工程において溶液の供給回数(積層回数)を増やすことによって、一回の溶液供給量を少なくし、供給後の溶液内での対流発生を抑えることが可能となるので、希望する形状(例えば、上部が略平坦な形状あるいはくぼんだ形状)を得ることが容易となる。   The process so far after the wall forming process is a stacking process in which stacking is repeated to a desired height. As in the first embodiment, by increasing the number of times of solution supply (number of times of stacking) in this stacking step, the amount of solution supplied at one time can be reduced, and the occurrence of convection in the solution after supply can be suppressed. Therefore, it becomes easy to obtain a desired shape (for example, a shape in which the upper part is substantially flat or a hollow shape).

最後に、壁形成工程及び積層工程後の基材Wをリフロー炉(リフロー装置)に入れ、基材W上の溶質を溶融させる。これにより、溶液内の溶媒が完全に揮発し、さらに、溶融した溶質が表面張力によって引き寄せられて一体となり(溶質の微粒子が合体する)、所望の高さ及び幅(所望のアスペクト比)を有する半円形状の導電性バンプ24が形成される(図12参照)。このとき、溶液に含まれる溶質が溶融したときの表面張力によって凹部23aの周囲から凹部23a上に戻るため(セルフアライメント)、所望の高さ及び幅を有する半円形状の導電性バンプ24を得ることが可能である。したがって、溶質の表面張力によるセルフアライメントによって、基材W上の溶質を集結させて正規の位置に導電性バンプ24を形成することができる。   Finally, the base material W after the wall forming step and the laminating step is put into a reflow furnace (reflow apparatus), and the solute on the base material W is melted. As a result, the solvent in the solution is completely volatilized, and the molten solute is attracted by the surface tension to be united (the solute fine particles are united), and has a desired height and width (desired aspect ratio). A semicircular conductive bump 24 is formed (see FIG. 12). At this time, the semi-circular conductive bump 24 having a desired height and width is obtained because the surface tension when the solute contained in the solution is melted returns from the periphery of the recess 23a to the recess 23a (self-alignment). It is possible. Therefore, the conductive bumps 24 can be formed at regular positions by collecting the solutes on the substrate W by self-alignment due to the surface tension of the solutes.

このような製造工程では、壁形成工程によって凹部23aの開口を囲む環状の壁D2が所望の高さ及び幅に形成され、積層工程によって環状の壁D2内の凹部23a上に溶液が順次供給される。この積層工程では、環状の壁D2の内側に最初の溶液が滴下されたとき、その水平方向の流動が環状の壁D2によりせき止められ、その後、溶液は流れ落ちないように順次積層されていく。最後に、リフロー工程によって溶液内の溶質が溶融し、そのときの表面張力によって凹部23aの周囲から凹部23a上まで戻って一体となり、導電性バンプ24が凹部23a上に形成される。このようにして溶液の積層が容易となり、所望の高さ及び幅を有する導電性バンプ24を容易に形成することができる。さらに、積層工程の最初の溶液供給においては、例えば凹部23aの容量の二倍以上の液滴を滴下することも可能となり、スループットを短縮することができる。なお、第1の実施形態と同様、液滴の乾燥を促進するためにステージ2を加熱しながら溶液を滴下することも効果的である。また、溶液の粘度は30mPa・s以上であってその固形分がより多い方がタクト短縮につながる。   In such a manufacturing process, the annular wall D2 surrounding the opening of the recess 23a is formed to a desired height and width by the wall forming process, and the solution is sequentially supplied onto the recess 23a in the annular wall D2 by the stacking process. The In this laminating step, when the first solution is dropped inside the annular wall D2, the horizontal flow is blocked by the annular wall D2, and then the solutions are sequentially laminated so as not to flow down. Finally, the solute in the solution is melted by the reflow process, and the surface tension at that time returns from the periphery of the recess 23a to the recess 23a to be integrated, and the conductive bump 24 is formed on the recess 23a. Thus, the lamination of the solutions becomes easy, and the conductive bumps 24 having a desired height and width can be easily formed. Furthermore, in the initial solution supply in the stacking step, for example, it is possible to drop more than twice the volume of the recess 23a, and the throughput can be shortened. As in the first embodiment, it is also effective to drop the solution while heating the stage 2 in order to promote drying of the droplet. Further, the viscosity of the solution is 30 mPa · s or more, and the higher the solid content, the shorter the tact.

以上説明したように、第2の実施形態によれば、前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、基材Wに形成された凹部23aに対し、その凹部23aの周囲の基材W上に溶液を溢れさせて環状の壁D1を形成する量であって、凹部23aから周囲に溢れ出して絶縁層23の上に広がった溶液が、溶液に含まれる溶質が溶融したときの表面張力によって凹部23aの周囲から凹部23a上に戻ることが可能な量の溶液を供給し、その後、凹部23aの周囲の基材W上に溶液による環状の壁D1又はD2が形成された状態で、その環状の壁D1又はD2から溢れ出さない量の溶液を凹部23aに供給することによって、所望の高さ及び幅(所望のアスペクト比)を有する導電性バンプ24を形成することが可能となる。このため、製造工程として、基材Wにフラックスを塗布する工程とハンダボールを搭載する工程の2工程をリフロー工程前に必要とせず、塗布工程の1工程だけで良くなるため、製造工程数を抑えることができる。さらに、ペースト印刷やメッキ方式に比べ、マスクやリソグラフィ工程が不要であり、工程や装置が簡略化されるため、製造コストを抑えることができる。   As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. In other words, the amount of the recess 23a formed in the base material W overflows the base material W around the recess 23a to form the annular wall D1, and overflows from the recess 23a to the periphery. The solution spread on the insulating layer 23 supplies an amount of solution that can return from the periphery of the recess 23a to the recess 23a by the surface tension when the solute contained in the solution is melted, and then the recess 23a By supplying an amount of solution that does not overflow from the annular wall D1 or D2 to the recess 23a in a state where the annular wall D1 or D2 is formed on the surrounding substrate W, the desired height and Conductive bumps 24 having a width (desired aspect ratio) can be formed. For this reason, as the manufacturing process, two processes of applying the flux to the substrate W and mounting the solder ball are not required before the reflow process, and only one process of the applying process is required. Can be suppressed. Furthermore, as compared with paste printing and plating methods, a mask and a lithography process are not necessary, and the process and apparatus are simplified, so that the manufacturing cost can be suppressed.

なお、前述の第1又は第2の実施形態においては、溶液の液滴の着弾位置を凹部23aの底面の中央に設定しているが、これに限るものではなく、その中央位置から所定距離(例えば、数μm)だけずらした位置にしても良い。この所定距離は、液滴の直径が凹部23aの開口の直径以上である場合に、塗布ヘッド4の吐出孔11aから吐出されて基材Wに着弾する前の液滴の投影像と凹部23aの開口領域とが重ならない領域(空気逃げ領域)が存在するように設定されている。これにより、液滴が凹部23aに着弾するときに凹部23aの開口を塞ぐような状態が発生せず、凹部23a内の空気は空気逃げ領域から外部に流出されるため、凹部23a内に空気が残留することを抑止することが可能となる。このため、空気残留によるバンプ形状の悪化を抑え、所望の高さ及び幅を有する導電性バンプ24を確実に形成することができる。   In the first or second embodiment described above, the landing position of the liquid droplet of the solution is set at the center of the bottom surface of the recess 23a. However, the present invention is not limited to this, and a predetermined distance (from the center position) For example, the position may be shifted by several μm). When the diameter of the liquid droplet is equal to or larger than the diameter of the opening of the concave portion 23a, the predetermined distance is a projection image of the liquid droplet discharged from the discharge hole 11a of the coating head 4 and landing on the substrate W, and the concave portion 23a. It is set so that there is a region (air escape region) that does not overlap the opening region. As a result, a state in which the opening of the recess 23a is not blocked when the liquid droplets land on the recess 23a does not occur, and the air in the recess 23a flows out from the air escape area to the outside. It is possible to suppress the remaining. For this reason, it is possible to suppress the deterioration of the bump shape due to residual air and to reliably form the conductive bump 24 having a desired height and width.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

なお、上述の実施形態において、溶液は、導電性物質や分散剤などの溶質と、その溶質を溶解させる揮発性溶媒とにより構成されるものとしていたが、これに限らず、立体画像等を形成するために用いる他の溶質、溶媒によって構成される溶液であっても良い。この用途に用いた場合は、画像を正確に形成することができる。   In the above-described embodiment, the solution is composed of a solute such as a conductive substance or a dispersant and a volatile solvent that dissolves the solute. However, the present invention is not limited to this, and a three-dimensional image or the like is formed. It may be a solution composed of other solutes and solvents used for the purpose. When used for this purpose, an image can be formed accurately.

また、上述の実施形態において、液滴塗布装置1は、凹部23aに対して溶液の液滴を吐出するときに、ステージ2の移動(塗布ヘッド4とステージ2との相対移動)を停止させても良いし、移動させたままでも良い。例えば、凹部23aに1滴で必要量の溶液を供給するときには、ステージ2を移動させたまま、凹部23aが塗布ヘッド4のノズル11aの下を通過するタイミングに合わせて当該ノズル11aから溶液を吐出させるようにすれば良いし、複数滴で必要量の溶液を供給するときには、凹部23aが塗布ヘッド4のノズル11aの真下に到達した時点でステージ2の移動を停止させ、当該ノズル11aから溶液を複数滴吐出させ、吐出が完了したら再びステージ2を移動させるようにしても良い。もっとも、凹部23aに1滴で必要量の溶液を供給するときでも、ステージ2の移動を停止させて溶液を吐出させるようにしても良い。   In the above-described embodiment, the droplet applying apparatus 1 stops the movement of the stage 2 (relative movement between the application head 4 and the stage 2) when discharging the droplet of the solution to the recess 23a. It can be left as it is. For example, when a required amount of solution is supplied to the recess 23a by one drop, the solution is discharged from the nozzle 11a in accordance with the timing when the recess 23a passes under the nozzle 11a of the coating head 4 while the stage 2 is moved. When supplying the required amount of solution with a plurality of drops, the movement of the stage 2 is stopped when the recess 23a reaches just below the nozzle 11a of the coating head 4, and the solution is discharged from the nozzle 11a. A plurality of droplets may be discharged, and the stage 2 may be moved again when the discharge is completed. However, even when a required amount of solution is supplied to the recess 23a by one drop, the movement of the stage 2 may be stopped and the solution may be discharged.

また、基材Wに設けられた各凹部23a内に仮硬化状態の溶液を複数積層しているが、各層の形成は、機材W上の全ての凹部23aに1層目を形成する溶液を供給した後に、2層目を形成する溶液を供給するというように、基材W単位で1層ずつ形成するようにしても良いし、基材W上の凹部23aを複数個の凹部23aからなるいくつかのグループに分割し、そのグループ単位で1層ずつ形成するようにしても良い。仮硬化状態の溶液の層の形成を基材W単位で行うか、複数個の凹部23aからなるグループ単位で行うかは、凹部23a内に供給された溶液が、積層に適した仮硬化状態に達するに要する時間に応じて決定すればよい。例えば、積層に適した仮硬化状態に数秒で達するのに対して、基材W上の全ての凹部23aに溶液を供給するには数十秒を要するのであれば、基材W上の凹部23aを前述した数秒間で溶液を供給可能な数のグループ単位に分け、そのグループ単位で壁形成工程及び積層工程を行うようにすれば良い。   In addition, a plurality of pre-cured solutions are stacked in each concave portion 23a provided on the base material W, but each layer is formed by supplying a solution for forming the first layer in all the concave portions 23a on the equipment W. After that, a solution for forming the second layer may be supplied so that one layer is formed for each substrate W, and the number of the recesses 23a on the substrate W may be any number of recesses 23a. It is also possible to divide into such groups and form one layer at a time for each group. Whether the solution layer in the temporarily cured state is formed in units of the substrate W or in units of groups including the plurality of recesses 23a is determined depending on whether the solution supplied in the recesses 23a is in a temporarily cured state suitable for stacking. What is necessary is just to determine according to the time required to reach. For example, if it takes several tens of seconds to supply the solution to all the recesses 23a on the substrate W while reaching the pre-cured state suitable for lamination in several seconds, the recesses 23a on the substrate W May be divided into a number of group units capable of supplying the solution in a few seconds, and the wall forming step and the laminating step may be performed in units of the group units.

さらに、塗布ヘッド4のノズル11aに同時に対向させることが可能な複数の凹部23aの単位で壁形成工程及び積層工程を行うようにしても良い。すなわち、基材W上に行列状に形成された凹部23aのうち、1列目に位置する凹部23aを塗布ヘッド4のノズル11a列の下に位置付けるようにステージ2を移動させ、この位置においてノズル11aの直下に位置する複数の凹部23aに対して壁形成工程及び積層工程を行い、その後、2列目に位置する凹部23aを塗布ヘッド4のノズル11a列の下に位置付けるようにステージ2を移動させ、1列目と同様に、ノズル11aの直下に位置する複数の凹部23aに対して壁形成工程及び積層工程を行うという具合である。   Furthermore, the wall forming step and the laminating step may be performed in units of a plurality of recesses 23a that can simultaneously face the nozzles 11a of the coating head 4. That is, the stage 2 is moved so that the recesses 23a located in the first row among the recesses 23a formed in a matrix on the substrate W are positioned below the nozzles 11a row of the coating head 4, and the nozzles are moved at this position. The wall forming process and the laminating process are performed on the plurality of recesses 23a located directly below 11a, and then the stage 2 is moved so that the recesses 23a positioned in the second row are positioned below the nozzles 11a row of the coating head 4 In the same manner as in the first row, the wall forming process and the laminating process are performed on the plurality of recesses 23a located immediately below the nozzle 11a.

また、上述した実施形態において、溶液の乾燥は、溶液中から完全に揮発性溶媒が蒸発した状態ではなく、揮発性溶媒を含んでいる状態であって流動が停止している半硬化状態とするように行うものとしたが、これに限られるものではなく、揮発性溶媒が完全に蒸発した状態としてもよく、要は、凹部23aの周囲に溶液の壁が形成され、そして、壁形成工程及び積層工程後のリフロー工程において、溶融した溶質が表面張力によって一体となることが可能であれば良い。   In the above-described embodiment, the drying of the solution is not a state in which the volatile solvent is completely evaporated from the solution, but a state in which the volatile solvent is contained and the flow is stopped. However, the present invention is not limited to this, and the volatile solvent may be completely evaporated. In short, a solution wall is formed around the recess 23a, and the wall forming step and In the reflow process after the lamination process, it is only necessary that the molten solute can be integrated by surface tension.

1 液滴塗布装置
4 塗布ヘッド
5 制御部
23a 凹部
B1 壁
B2 壁
D1 壁
D2 壁
W 基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Droplet coating device 4 Coating head 5 Control part 23a Recessed part B1 Wall B2 Wall D1 Wall D2 Wall W Base material

Claims (8)

塗布対象物に形成された凹部に向け、塗布液の液滴を吐出する塗布部と、
前記凹部の容量より多い量の塗布液を前記凹部に供給し、この供給された塗布液が前記凹部の周囲の前記塗布対象物上で環状の壁を形成するように前記塗布液が乾燥した状態で、その環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を前記凹部に供給するように前記塗布部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする液滴塗布装置。
An application part for discharging droplets of an application liquid toward a recess formed in the application object;
A state in which the coating liquid is dried such that an amount of the coating liquid larger than the volume of the concave portion is supplied to the concave portion, and the supplied coating liquid forms an annular wall on the coating object around the concave portion. And a control unit for controlling the coating unit so as to supply the coating liquid in an amount that does not overflow from the annular wall to the recess,
A droplet applying apparatus comprising:
前記制御部は、前記環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を前記凹部に供給することを繰り返すように前記塗布部を制御することを特徴とする請求項1に記載の液滴塗布装置。   2. The droplet coating apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the coating unit to repeatedly supply an amount of coating liquid that does not overflow from the annular wall to the concave portion. 前記塗布対象物は、半導体ウェーハであり、前記塗布液は、導電性物質及び揮発性溶媒を含むことを特徴とする請求項2に記載の液滴塗布装置。   The droplet coating apparatus according to claim 2, wherein the application target is a semiconductor wafer, and the coating liquid includes a conductive substance and a volatile solvent. 前記凹部の容量より多い量は、前記凹部の周囲の前記半導体ウェーハ上に前記塗布液を溢れさせて前記環状の壁を形成する量であって、前記塗布液に含まれる導電性物質が溶融したときの表面張力によって、前記壁を形成する前記塗布液に含まれる導電性物質が、前記凹部の周囲から前記凹部上に戻ることが可能な量であることを特徴とする請求項3に記載の液滴塗布装置。   The amount larger than the capacity of the recess is an amount that forms the annular wall by overflowing the coating solution on the semiconductor wafer around the recess, and the conductive substance contained in the coating solution is melted. The conductive material contained in the coating liquid forming the wall is an amount capable of returning from the periphery of the concave portion to the concave portion depending on the surface tension at the time. Droplet applicator. 塗布対象物に形成された凹部に向け、塗布液の液滴を吐出する塗布部を用いて、前記凹部の容量より多い量の塗布液を前記凹部に供給する工程と、
前記凹部に供給された塗布液が前記凹部の周囲の前記塗布対象物上で環状の壁を形成するように前記塗布液を乾燥させる工程と、
前記凹部の周囲の前記塗布対象物上に前記塗布液による環状の壁が形成された状態で、前記塗布部を用いて前記環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を前記凹部に供給する工程と、
を有することを特徴とする液滴塗布方法。
Supplying an amount of coating liquid larger than the volume of the concave portion to the concave portion using a coating portion that discharges droplets of the coating liquid toward the concave portion formed in the application target;
Drying the coating solution so that the coating solution supplied to the recess forms an annular wall on the coating object around the recess;
Supplying an amount of coating liquid that does not overflow from the annular wall using the coating unit in a state where an annular wall made of the coating liquid is formed on the object to be coated around the recess. When,
A droplet coating method comprising:
前記環状の壁から溢れ出さない量の塗布液を前記凹部に供給する工程を繰り返すことを特徴とする請求項5に記載の液滴塗布方法。   6. The droplet coating method according to claim 5, wherein the step of supplying an amount of the coating liquid that does not overflow from the annular wall to the concave portion is repeated. 前記塗布対象物は、半導体ウェーハであり、前記塗布液は、導電性物質及び揮発性溶媒を含むことを特徴とする請求項6に記載の液滴塗布方法。   The droplet application method according to claim 6, wherein the application target is a semiconductor wafer, and the application liquid contains a conductive substance and a volatile solvent. 前記凹部の容量より多い量は、前記凹部の周囲の前記半導体ウェーハ上に前記塗布液を溢れさせて前記環状の壁を形成する量であって、前記塗布液に含まれる導電性物質が溶融したときの表面張力によって、前記壁を形成する前記塗布液に含まれる導電性物質が、前記凹部の周囲から前記凹部上に戻ることが可能な量であることを特徴とする請求項7に記載の液滴塗布方法。   The amount larger than the capacity of the recess is an amount that forms the annular wall by overflowing the coating solution on the semiconductor wafer around the recess, and the conductive substance contained in the coating solution is melted. The amount of the conductive material contained in the coating liquid that forms the wall can be returned from the periphery of the recess to the recess due to the surface tension at the time. Droplet application method.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148495A (en) * 1994-11-25 1996-06-07 Fujitsu Ltd Semiconductor device, manufacture thereof, and adhesion evaluation method of semiconductor device bump
JP2003218149A (en) * 2002-01-22 2003-07-31 Seiko Epson Corp Manufacturing method for electronic parts, electronic parts, manufacturing method for semiconductor device, and electronic instrument
JP2004228375A (en) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp Method of forming bump, device and electronic apparatus
JP2005028276A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Seiko Epson Corp Film forming method, device producing method, electro-optical device, and electronic device
JP2010238825A (en) * 2009-03-30 2010-10-21 Murata Mfg Co Ltd Conductive ink, method of forming bump, and electronic component

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148495A (en) * 1994-11-25 1996-06-07 Fujitsu Ltd Semiconductor device, manufacture thereof, and adhesion evaluation method of semiconductor device bump
JP2003218149A (en) * 2002-01-22 2003-07-31 Seiko Epson Corp Manufacturing method for electronic parts, electronic parts, manufacturing method for semiconductor device, and electronic instrument
JP2004228375A (en) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp Method of forming bump, device and electronic apparatus
JP2005028276A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Seiko Epson Corp Film forming method, device producing method, electro-optical device, and electronic device
JP2010238825A (en) * 2009-03-30 2010-10-21 Murata Mfg Co Ltd Conductive ink, method of forming bump, and electronic component

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