JP2015056677A - Diplexer - Google Patents

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和寛 塚本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To miniaturize a diplexer without increasing an insertion loss, and improve an isolation characteristic of the diplexer.SOLUTION: A diplexer 1 includes: a stack including a plurality of dielectric layers stacked up; a first terminal 2, a second terminal 3 and a common terminal 4 arranged in an outer peripheral part of the stack; a first filter 5 and a second filter 6 disposed inside the stack; and a coupling element C9. The first filter 5 is disposed between the common terminal 4 and the first terminal 2 to selectively pass a first signal of a frequency in a first frequency band. The second filter 6 is disposed between the common terminal 4 and the second terminal 3 to selectively pass a second signal. The coupling element C9 develops capacitive coupling between the first filter 5 and the second filter 6.

Description

本発明は、積層された複数の誘電体層を有する積層体を用いたダイプレクサに関する。   The present invention relates to a diplexer using a laminated body having a plurality of laminated dielectric layers.

近年、携帯電話機やスマートフォンに代表される小型無線通信装置は、小型化が求められている一方で、本来の通信機能の他に、ブルートゥース(登録商標)規格の通信や無線LAN(ローカルエリアネットワーク)用の通信等の他の通信機能を有するものが増えている。   In recent years, miniaturized wireless communication devices typified by mobile phones and smartphones have been required to be miniaturized, but in addition to the original communication function, Bluetooth (registered trademark) standard communication and wireless LAN (local area network) There are an increasing number of devices having other communication functions such as communication.

1台の無線通信装置で、周波数帯域の異なる複数の受信信号を処理するためには、アンテナで受信した複数の受信信号を互いに分離する手段が必要になる。周波数帯域の異なる2つの受信信号を分離する手段としては、ダイプレクサが知られている。   In order to process a plurality of received signals having different frequency bands with a single wireless communication device, means for separating the received signals received by the antenna from each other is required. A diplexer is known as a means for separating two received signals having different frequency bands.

近年、無線通信装置の小型化、省スペース化が市場から要求されており、その通信装置に用いられるダイプレクサの小型化も要求されている。   In recent years, miniaturization and space saving of wireless communication devices have been demanded from the market, and miniaturization of diplexers used in the communication devices has also been demanded.

小型化に適したダイプレクサとしては、特許文献1ないし3に示されるように、積層された複数の誘電体層を有する積層体を用いたものが知られている。このダイプレクサは、積層体の外周部に設けられた第1の端子、第2の端子および共通端子と、積層体の内部に設けられた第1および第2のフィルタを備えている。第1のフィルタは、共通端子と第1の端子との間に設けられている。第2のフィルタは、共通端子と第2の端子との間に設けられている。第1のフィルタは、第1の周波数帯域内の周波数の第1の信号を通過させるものである。第2のフィルタは、第1の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第2の周波数帯域内の周波数の第2の信号を通過させるものである。第1のフィルタは、例えばローパスフィルタまたはバンドパスフィルタである。第2のフィルタは、例えばハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタである。   As a diplexer suitable for miniaturization, as shown in Patent Documents 1 to 3, a diplexer using a laminated body having a plurality of laminated dielectric layers is known. The diplexer includes a first terminal, a second terminal, and a common terminal provided on the outer peripheral portion of the laminated body, and first and second filters provided in the laminated body. The first filter is provided between the common terminal and the first terminal. The second filter is provided between the common terminal and the second terminal. The first filter passes a first signal having a frequency within the first frequency band. The second filter passes a second signal having a frequency in the second frequency band that is a frequency band higher than the first frequency band. The first filter is, for example, a low pass filter or a band pass filter. The second filter is, for example, a high pass filter or a band pass filter.

特開2006−93996号公報JP 2006-93996 A 特開2006−211273号公報JP 2006-2111273 A 特開2007−251106号公報JP 2007-251106 A

積層体を用いたダイプレクサでは、特に小型化しようとすると、第1のフィルタと第2のフィルタが近づき、第1のフィルタと第2のフィルタの間で電磁気的な結合が生じ、その結果、第1の端子と第2の端子の間のアイソレーション特性が悪化しやすくなるという問題点がある。   In a diplexer using a laminated body, particularly when trying to reduce the size, the first filter and the second filter approach each other, and electromagnetic coupling occurs between the first filter and the second filter. There is a problem in that the isolation characteristic between the first terminal and the second terminal tends to deteriorate.

特許文献2には、コンデンサ部に対して積層体の積層方向の両側に第1のインダクタ回路と第2のインダクタ回路を配置して、第1のインダクタ回路と第2のインダクタ回路の干渉を抑制する技術が記載されている。しかし、この技術では、ダイプレクサを小型化しようとすると、コンデンサ部に対して第1および第2のインダクタ回路が近づき、第1および第2のインダクタ回路が発生する磁界がコンデンサ部によって妨げられてしまう。その結果、第1および第2のインダクタ回路のQ値が低下して、ダイプレクサの挿入損失が大きくなるという問題点がある。   In Patent Document 2, the first inductor circuit and the second inductor circuit are arranged on both sides of the stacking direction of the multilayer body with respect to the capacitor unit to suppress interference between the first inductor circuit and the second inductor circuit. The technology to do is described. However, in this technique, when the diplexer is reduced in size, the first and second inductor circuits approach the capacitor unit, and the magnetic field generated by the first and second inductor circuits is hindered by the capacitor unit. . As a result, there is a problem that the Q value of the first and second inductor circuits is lowered and the insertion loss of the diplexer is increased.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、挿入損失を増加させずに小型化でき、且つアイソレーション特性を向上させることができるようにしたダイプレクサを提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a diplexer that can be miniaturized without increasing insertion loss and can improve isolation characteristics.

本発明のダイプレクサは、積層された複数の誘電体層を含む積層体と、積層体の外周部に配置された第1の端子、第2の端子および共通端子と、積層体内に設けられた第1のフィルタおよび第2のフィルタとを備えている。第1のフィルタは、共通端子と第1の端子との間に設けられて、第1の周波数帯域内の周波数の第1の信号と、第1の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第2の周波数帯域内の周波数の第2の信号のうちの、第1の信号を選択的に通過させる。第2のフィルタは、共通端子と第2の端子との間に設けられて、第1の信号と第2の信号のうちの第2の信号を選択的に通過させる。ダイプレクサは、更に、第1のフィルタと第2のフィルタの間で容量結合を生じさせる結合素子を備えている。   A diplexer according to the present invention includes a laminated body including a plurality of laminated dielectric layers, a first terminal, a second terminal, and a common terminal disposed on an outer peripheral portion of the laminated body, and a first terminal provided in the laminated body. 1 filter and a second filter. The first filter is provided between the common terminal and the first terminal, and has a first signal having a frequency within the first frequency band and a second frequency band higher than the first frequency band. The first signal of the second signals having a frequency within the frequency band of is selectively passed. The second filter is provided between the common terminal and the second terminal, and selectively passes the second signal of the first signal and the second signal. The diplexer further includes a coupling element that causes capacitive coupling between the first filter and the second filter.

本発明のダイプレクサにおいて、第1のフィルタは第1の導体層を含み、第2のフィルタは第2の導体層を含んでいてもよい。第1の導体層と第2の導体層は、複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、互いに接触してない。第1の導体層は第1のキャパシタ構成部を含み、第2の導体層は第2のキャパシタ構成部を含んでいる。第1のキャパシタ構成部と第2のキャパシタ構成部は、誘電体層のうちの少なくとも1つの誘電体層を介して対向している。第1のキャパシタ構成部と第2のキャパシタ構成部の間には、いかなる導体層も存在していない。この場合、結合素子は、第1のキャパシタ構成部と第2のキャパシタ構成部と少なくとも1つの誘電体層によって構成されたキャパシタである。第1の導体層は第1の端子に直接接続され、第2の導体層は第2の端子に直接接続されていてもよい。   In the diplexer of the present invention, the first filter may include a first conductor layer, and the second filter may include a second conductor layer. The first conductor layer and the second conductor layer are arranged at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers and are not in contact with each other. The first conductor layer includes a first capacitor component, and the second conductor layer includes a second capacitor component. The first capacitor component and the second capacitor component are opposed via at least one dielectric layer of the dielectric layers. There is no conductor layer between the first capacitor component and the second capacitor component. In this case, the coupling element is a capacitor constituted by a first capacitor component, a second capacitor component, and at least one dielectric layer. The first conductor layer may be directly connected to the first terminal, and the second conductor layer may be directly connected to the second terminal.

本発明のダイプレクサでは、第1のフィルタと第2のフィルタの間には、浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスの他に、結合素子のキャパシタンスが生じる。これらによる共振の共振周波数は、浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスのみによる共振の共振周波数よりも低くなり、第2の周波数帯域に近づく。これにより、本発明によれば、挿入損失を増加させずにダイプレクサを小型化でき、且つダイプレクサのアイソレーション特性を向上させることが可能になるという効果を奏する。   In the diplexer of the present invention, the capacitance of the coupling element is generated between the first filter and the second filter in addition to the stray inductance and stray capacitance. The resonance frequency of resonance by these becomes lower than the resonance frequency of resonance by only the stray inductance and the stray capacitance, and approaches the second frequency band. Thus, according to the present invention, it is possible to downsize the diplexer without increasing the insertion loss and to improve the isolation characteristics of the diplexer.

本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの斜視図である。1 is a perspective view of a diplexer according to an embodiment of the present invention. 下側から見た本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの斜視図である。It is a perspective view of the diplexer concerning one embodiment of the present invention seen from the lower side. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの積層体における1層目ないし5層目の誘電体層の下面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the lower surface of the 1st thru | or 5th dielectric material layer in the laminated body of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの積層体における6層目ないし10層目の誘電体層の下面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the lower surface of the 6th layer thru | or 10th dielectric layer in the laminated body of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの積層体における11層目ないし15層目の誘電体層の下面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the lower surface of the 11th thru | or 15th dielectric material layer in the laminated body of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサにおける結合素子の変形例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the modification of the coupling element in the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 比較例のダイプレクサの特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the characteristic of the diplexer of a comparative example. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the characteristic of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention. 比較例のダイプレクサの特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the characteristic of the diplexer of a comparative example. 本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの特性を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the characteristic of the diplexer which concerns on one embodiment of this invention.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1を参照して、本発明の一実施の形態に係るダイプレクサの回路構成について説明する。本実施の形態に係るダイプレクサ1は、第1の周波数帯域内の周波数の第1の信号と、第1の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第2の周波数帯域内の周波数の第2の信号とを分離するものである。第1の周波数帯域は、例えば、IEEE802.11bやIEEE802.11gにおいて使用される2.4GHz帯である。第2の周波数帯域は、例えば、IEEE802.11aにおいて使用される5GHz帯である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a circuit configuration of a diplexer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The diplexer 1 according to the present embodiment includes a first signal having a frequency within the first frequency band and a second signal having a frequency within the second frequency band that is a higher frequency band than the first frequency band. Are separated from each other. The first frequency band is, for example, a 2.4 GHz band used in IEEE802.11b and IEEE802.11g. The second frequency band is, for example, a 5 GHz band used in IEEE 802.11a.

ダイプレクサ1は、第1の端子2と、第2の端子3と、共通端子4と、第1のフィルタ5と、第2のフィルタ6と、結合素子C9とを備えている。共通端子4には、第1の信号と第2の信号が入力される。第1のフィルタ5は、共通端子4と第1の端子2との間に設けられて、第1の信号と第2の信号のうちの第1の信号を選択的に通過させる。第1のフィルタ5は、例えば、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタである。第2のフィルタ6は、共通端子4と第2の端子3との間に設けられて、第1の信号と第2の信号のうちの第2の信号を選択的に通過させる。第2のフィルタ6は、例えば、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタである。第1の端子2は、第1の信号を出力する。第2の端子3は、第2の信号を出力する。結合素子C9は、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間で容量結合を生じさせる。   The diplexer 1 includes a first terminal 2, a second terminal 3, a common terminal 4, a first filter 5, a second filter 6, and a coupling element C9. A first signal and a second signal are input to the common terminal 4. The first filter 5 is provided between the common terminal 4 and the first terminal 2 and selectively passes the first signal of the first signal and the second signal. The first filter 5 is, for example, a low pass filter or a band pass filter. The second filter 6 is provided between the common terminal 4 and the second terminal 3 and selectively passes the second signal of the first signal and the second signal. The second filter 6 is, for example, a high pass filter or a band pass filter. The first terminal 2 outputs a first signal. The second terminal 3 outputs a second signal. The coupling element C9 causes capacitive coupling between the first filter 5 and the second filter 6.

図1には、第1のフィルタ5がローパスフィルタであり、第2のフィルタ6がバンドパスフィルタであり、結合素子C9は、第1の端子2と第2の端子3との間に設けられたキャパシタである例を示している。以下、この例について詳しく説明する。第1のフィルタ5は、2つのインダクタL1,L2と、2つのキャパシタC1,C2を有している。インダクタL1の一端は、共通端子4に接続されている。インダクタL2の一端とキャパシタC1,C2の各一端は、インダクタL1の他端に接続されている。インダクタL2の他端とキャパシタC1の他端は、第1の端子2に接続されている。キャパシタC2の他端は、グランドに接続されている。   In FIG. 1, the first filter 5 is a low-pass filter, the second filter 6 is a band-pass filter, and the coupling element C <b> 9 is provided between the first terminal 2 and the second terminal 3. An example of a capacitor is shown. Hereinafter, this example will be described in detail. The first filter 5 includes two inductors L1 and L2 and two capacitors C1 and C2. One end of the inductor L1 is connected to the common terminal 4. One end of the inductor L2 and one end of each of the capacitors C1 and C2 are connected to the other end of the inductor L1. The other end of the inductor L2 and the other end of the capacitor C1 are connected to the first terminal 2. The other end of the capacitor C2 is connected to the ground.

第2のフィルタ6は、2つのインダクタL3,L4と、6つのキャパシタC3,C4,C5,C6,C7,C8を有している。キャパシタC3,C5の各一端は、共通端子4に接続されている。インダクタL3の一端とキャパシタC4の一端は、キャパシタC3の他端に接続されている。インダクタL3の他端は、グランドに接続されている。キャパシタC6の一端は、キャパシタC5の他端に接続されている。キャパシタC6の他端は、キャパシタC4の他端に接続されている。インダクタL4の一端とキャパシタC7の一端は、キャパシタC4,C6の各他端に接続されている。インダクタL4の他端とキャパシタC7の他端とキャパシタC8の一端は、第2の端子3に接続されている。キャパシタC8の他端は、グランドに接続されている。   The second filter 6 includes two inductors L3 and L4 and six capacitors C3, C4, C5, C6, C7, and C8. One end of each of the capacitors C3 and C5 is connected to the common terminal 4. One end of the inductor L3 and one end of the capacitor C4 are connected to the other end of the capacitor C3. The other end of the inductor L3 is connected to the ground. One end of the capacitor C6 is connected to the other end of the capacitor C5. The other end of the capacitor C6 is connected to the other end of the capacitor C4. One end of the inductor L4 and one end of the capacitor C7 are connected to the other ends of the capacitors C4 and C6. The other end of the inductor L4, the other end of the capacitor C7, and one end of the capacitor C8 are connected to the second terminal 3. The other end of the capacitor C8 is connected to the ground.

本実施の形態に係るダイプレクサ1では、第1のフィルタ5は、共通端子4に入力された第1の信号および第2の信号のうちの第1の信号を選択的に通過させて、第1の端子2から出力させる。また、第2のフィルタ6は、共通端子4に入力された第1の信号および第2の信号のうちの第2の信号を選択的に通過させて、第2の端子3から出力させる。   In the diplexer 1 according to the present embodiment, the first filter 5 selectively passes the first signal out of the first signal and the second signal input to the common terminal 4 and passes through the first signal. Output from terminal 2. The second filter 6 selectively passes the second signal of the first signal and the second signal input to the common terminal 4 and outputs the second signal from the second terminal 3.

次に、図2および図3を参照して、ダイプレクサ1の構造の概略について説明する。図2は、ダイプレクサ1の斜視図である。図3は、下側から見たダイプレクサ1の斜視図である。ダイプレクサ1は、ダイプレクサ1の構成要素を一体化するための積層体10を備えている。後で詳しく説明するが、積層体10は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。第1のフィルタ5、第2のフィルタ6および結合素子C9は、積層体10内に設けられている。   Next, an outline of the structure of the diplexer 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a perspective view of the diplexer 1. FIG. 3 is a perspective view of the diplexer 1 as viewed from below. The diplexer 1 includes a laminate 10 for integrating the components of the diplexer 1. As will be described in detail later, the multilayer body 10 includes a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor layers that are stacked. The first filter 5, the second filter 6, and the coupling element C <b> 9 are provided in the stacked body 10.

積層体10は、外周部を有する直方体形状をなしている。積層体10の外周部は、上面10Aと、底面10Bと、4つの側面10C〜10Fとを含んでいる。上面10Aと底面10Bは互いに反対側を向き、側面10C,10Dも互いに反対側を向き、側面10E,10Fも互いに反対側を向いている。側面10C〜10Fは、上面10Aおよび底面10Bに対して垂直になっている。積層体10において、上面10Aおよび底面10Bに垂直な方向が、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向である。図2および図3では、この積層方向を、記号Tを付した矢印で示している。   The laminated body 10 has a rectangular parallelepiped shape having an outer peripheral portion. The outer peripheral part of the laminated body 10 includes an upper surface 10A, a bottom surface 10B, and four side surfaces 10C to 10F. The top surface 10A and the bottom surface 10B face opposite sides, the side surfaces 10C and 10D also face opposite sides, and the side surfaces 10E and 10F also face opposite sides. The side surfaces 10C to 10F are perpendicular to the top surface 10A and the bottom surface 10B. In the multilayer body 10, the direction perpendicular to the top surface 10A and the bottom surface 10B is the stacking direction of the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor layers. 2 and 3, this stacking direction is indicated by an arrow with a symbol T attached thereto.

ダイプレクサ1は、第1の端子2、第2の端子3および共通端子4の他に、グランド端子8を備えている。第1の端子2、第2の端子3、共通端子4およびグランド端子8は、積層体10の外周部に配置されている。第1の端子2と第2の端子3は、上面10Aから側面10Cを経由して底面10Bにかけて配置されている。また、第1の端子2と第2の端子3は、上面10Aと側面10Cの間の稜線に平行な方向に並んでいる。共通端子4とグランド端子8は、上面10Aから側面10Dを経由して底面10Bにかけて配置されている。グランド端子8は、グランドに接続される。   The diplexer 1 includes a ground terminal 8 in addition to the first terminal 2, the second terminal 3, and the common terminal 4. The first terminal 2, the second terminal 3, the common terminal 4, and the ground terminal 8 are disposed on the outer peripheral portion of the multilayer body 10. The first terminal 2 and the second terminal 3 are arranged from the upper surface 10A to the bottom surface 10B via the side surface 10C. The first terminal 2 and the second terminal 3 are arranged in a direction parallel to the ridge line between the upper surface 10A and the side surface 10C. The common terminal 4 and the ground terminal 8 are arranged from the upper surface 10A to the bottom surface 10B via the side surface 10D. The ground terminal 8 is connected to the ground.

次に、図4ないし図6を参照して、積層体10について詳しく説明する。積層体10は、積層された15層の誘電体層を有している。以下、この15層の誘電体層を、下から順に1層目ないし15層目の誘電体層と呼ぶ。図4において(a)〜(e)は、それぞれ、1層目ないし5層目の誘電体層の下面を示している。図5において(a)〜(e)は、それぞれ、6層目ないし10層目の誘電体層の下面を示している。図6において(a)〜(e)は、それぞれ、11層目ないし15層目の誘電体層の下面を示している。   Next, the stacked body 10 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 6. The stacked body 10 has 15 stacked dielectric layers. Hereinafter, these 15 dielectric layers are referred to as the first to fifteenth dielectric layers in order from the bottom. 4A to 4E respectively show the lower surfaces of the first to fifth dielectric layers. In FIG. 5, (a) to (e) show the lower surfaces of the sixth to tenth dielectric layers, respectively. 6A to 6E respectively show the lower surfaces of the eleventh to fifteenth dielectric layers.

図4(a)に示した1層目の誘電体層11の下面には、4つの導体層112,113,114,118が形成されている。導体層112,113,114,118には、それぞれ第1の端子2、第2の端子3、共通端子4、グランド端子8が接続されている。   Four conductor layers 112, 113, 114, and 118 are formed on the lower surface of the first dielectric layer 11 shown in FIG. A first terminal 2, a second terminal 3, a common terminal 4, and a ground terminal 8 are connected to the conductor layers 112, 113, 114, and 118, respectively.

図4(b)に示した2層目の誘電体層12の下面には、キャパシタC8の一部を構成する導体層12C8と、導体層121とが形成されている。導体層121は、キャパシタC1の一部を構成するキャパシタ構成部12C1と、キャパシタC2の一部を構成するキャパシタ構成部12C2とを含んでいる。また、誘電体層12には、導体層121に接続されたスルーホール12T1と、導体層12C8に接続されたスルーホール12T2とが形成されている。   On the lower surface of the second dielectric layer 12 shown in FIG. 4B, a conductor layer 12C8 that constitutes a part of the capacitor C8 and a conductor layer 121 are formed. The conductor layer 121 includes a capacitor component 12C1 that forms part of the capacitor C1 and a capacitor component 12C2 that forms part of the capacitor C2. The dielectric layer 12 has a through hole 12T1 connected to the conductor layer 121 and a through hole 12T2 connected to the conductor layer 12C8.

図4(c)に示した3層目の誘電体層13の下面には、キャパシタC1の他の一部を構成する導体層13C1と、導体層13Gとが形成されている。導体層13C1は、誘電体層12を介してキャパシタ構成部12C1に対向している。キャパシタC1は、キャパシタ構成部12C1と導体層13C1と誘電体層12とによって構成されている。導体層13Gは、誘電体層12を介してキャパシタ構成部12C2と導体層12C8に対向している。キャパシタC2は、キャパシタ構成部12C2と導体層13Gと誘電体層12とによって構成されている。キャパシタC8は、導体層12C8と導体層13Gと誘電体層12とによって構成されている。また、誘電体層13には、スルーホール12T1に接続されたスルーホール13T1と、スルーホール12T2に接続されたスルーホール13T2と、導体層13C1に接続されたスルーホール13T3と、導体層13Gに接続されたスルーホール13T4とが形成されている。   On the lower surface of the third dielectric layer 13 shown in FIG. 4C, a conductor layer 13C1 constituting another part of the capacitor C1 and a conductor layer 13G are formed. The conductor layer 13C1 faces the capacitor component 12C1 with the dielectric layer 12 in between. The capacitor C1 is constituted by a capacitor component 12C1, a conductor layer 13C1, and a dielectric layer 12. The conductor layer 13G is opposed to the capacitor constituting portion 12C2 and the conductor layer 12C8 with the dielectric layer 12 in between. Capacitor C2 is configured by capacitor component 12C2, conductor layer 13G, and dielectric layer 12. The capacitor C8 is composed of the conductor layer 12C8, the conductor layer 13G, and the dielectric layer 12. Further, the dielectric layer 13 is connected to the through hole 13T1 connected to the through hole 12T1, the through hole 13T2 connected to the through hole 12T2, the through hole 13T3 connected to the conductor layer 13C1, and the conductor layer 13G. Through-holes 13T4 are formed.

図4(d)に示した4層目の誘電体層14には、それぞれスルーホール13T1,13T2,13T3,13T4に接続されたスルーホール14T1,14T2,14T3,14T4が形成されている。   In the fourth dielectric layer 14 shown in FIG. 4D, through holes 14T1, 14T2, 14T3, and 14T4 connected to the through holes 13T1, 13T2, 13T3, and 13T4, respectively, are formed.

図4(e)に示した5層目の誘電体層15の下面には、導体層15G,151が形成されている。導体層15Gは、グランド端子8に直接接続されている。導体層151は、第2の端子3に直接接続されている。導体層151は、インダクタL4の一部を構成するインダクタ構成部15L4と、枝部15Cとを含んでいる。枝部15Cは、インダクタ構成部15L4における第2の端子3の近傍の部分から、第1の端子2と第2の端子3が並ぶ方向、すなわち上面10Aと側面10Cの間の稜線に平行な方向に、第1の端子2の近傍まで延びている。枝部15Cは、その先端の近傍に位置する第2のキャパシタ構成部15C9を含んでいる。第2のキャパシタ構成部15C9については、後で詳しく説明する。導体層151には、スルーホール14T2が接続されている。導体層15Gには、スルーホール14T4が接続されている。また、誘電体層15には、スルーホール14T1に接続されたスルーホール15T1と、インダクタ構成部15L4の先端の近傍部分に接続されたスルーホール15T2と、スルーホール14T3に接続されたスルーホール15T3とが形成されている。   Conductor layers 15G and 151 are formed on the lower surface of the fifth dielectric layer 15 shown in FIG. The conductor layer 15G is directly connected to the ground terminal 8. The conductor layer 151 is directly connected to the second terminal 3. The conductor layer 151 includes an inductor constituting portion 15L4 that constitutes a part of the inductor L4, and a branch portion 15C. The branch portion 15C is a direction in which the first terminal 2 and the second terminal 3 are arranged from a portion in the vicinity of the second terminal 3 in the inductor constituent portion 15L4, that is, a direction parallel to the ridge line between the upper surface 10A and the side surface 10C. Furthermore, it extends to the vicinity of the first terminal 2. The branch portion 15C includes a second capacitor constituting portion 15C9 located in the vicinity of the tip thereof. The second capacitor component 15C9 will be described in detail later. A through hole 14T2 is connected to the conductor layer 151. A through hole 14T4 is connected to the conductor layer 15G. The dielectric layer 15 includes a through hole 15T1 connected to the through hole 14T1, a through hole 15T2 connected to the vicinity of the tip of the inductor component 15L4, and a through hole 15T3 connected to the through hole 14T3. Is formed.

図5(a)に示した6層目の誘電体層16の下面には、インダクタL2の一部を構成する導体層161と、インダクタL4の他の一部を構成する導体層16L4とが形成されている。導体層161は、第1の端子2に直接接続されている。また、導体層161は、第1の端子2の近傍に位置する第1のキャパシタ構成部16C9を含んでいる。第1のキャパシタ構成部16C9については、後で詳しく説明する。導体層161には、スルーホール15T3が接続されている。また、導体層16L4の一端の近傍部分には、スルーホール15T2が接続されている。また、誘電体層16には、スルーホール15T1に接続されたスルーホール16T1と、導体層161の先端の近傍部分に接続されたスルーホール16T2と、導体層16L4の他端の近傍部分に接続されたスルーホール16T3とが形成されている。   On the lower surface of the sixth dielectric layer 16 shown in FIG. 5A, a conductor layer 161 constituting a part of the inductor L2 and a conductor layer 16L4 constituting another part of the inductor L4 are formed. Has been. The conductor layer 161 is directly connected to the first terminal 2. The conductor layer 161 includes a first capacitor component 16C9 located in the vicinity of the first terminal 2. The first capacitor component 16C9 will be described in detail later. A through hole 15T3 is connected to the conductor layer 161. Also, a through hole 15T2 is connected to a portion near one end of the conductor layer 16L4. The dielectric layer 16 is connected to the through hole 16T1 connected to the through hole 15T1, the through hole 16T2 connected to the vicinity of the tip of the conductor layer 161, and the vicinity of the other end of the conductor layer 16L4. Through holes 16T3 are formed.

ここで、図5(a)に示した第1のキャパシタ構成部16C9と図4(e)に示した第2のキャパシタ構成部15C9について詳しく説明する。第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9は、積層体10の複数の誘電体層の積層方向Tから見たときに重なる位置にある。すなわち、第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9は、複数の誘電体層のうちの少なくとも1つの誘電体層を介して対向している。本実施の形態では、特に、第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9は、誘電体層15を介して対向している。第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9の間には、いかなる導体層も存在していない。第1のキャパシタ構成部16C9と、第2のキャパシタ構成部15C9と、それらの間の誘電体層15は、結合素子C9であるキャパシタを構成している。   Here, the first capacitor component 16C9 shown in FIG. 5A and the second capacitor component 15C9 shown in FIG. 4E will be described in detail. The first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9 are in positions that overlap when viewed from the stacking direction T of the plurality of dielectric layers of the stacked body 10. That is, the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9 are opposed to each other via at least one dielectric layer of the plurality of dielectric layers. In the present embodiment, in particular, the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9 are opposed to each other with the dielectric layer 15 in between. There is no conductor layer between the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9. The first capacitor component 16C9, the second capacitor component 15C9, and the dielectric layer 15 therebetween constitute a capacitor that is the coupling element C9.

第1のキャパシタ構成部16C9を含む導体層161は、本発明における第1の導体層に対応する。第2のキャパシタ構成部15C9を含む導体層151は、本発明における第2の導体層に対応する。導体層161と導体層151は、積層方向Tにおける互いに異なる位置に配置され、互いに接触していない。   The conductor layer 161 including the first capacitor component 16C9 corresponds to the first conductor layer in the present invention. The conductor layer 151 including the second capacitor component 15C9 corresponds to the second conductor layer in the present invention. The conductor layer 161 and the conductor layer 151 are arranged at different positions in the stacking direction T and are not in contact with each other.

図5(b)に示した7層目の誘電体層17の下面には、インダクタL2の他の一部を構成する導体層17L2と、インダクタL4の更に他の一部を構成する導体層17L4とが形成されている。導体層17L2の一端の近傍部分には、スルーホール16T2が接続されている。導体層17L4の一端の近傍部分には、スルーホール16T3が接続されている。また、誘電体層17には、スルーホール16T1に接続されたスルーホール17T1と、導体層17L2の他端の近傍部分に接続されたスルーホール17T2と、導体層17L4の他端の近傍部分に接続されたスルーホール17T3とが形成されている。インダクタL4は、インダクタ構成部15L4、導体層16L4,17L4およびスルーホール15T2,16T3によって構成されている。   On the lower surface of the seventh dielectric layer 17 shown in FIG. 5B, a conductor layer 17L2 constituting another part of the inductor L2 and a conductor layer 17L4 constituting another part of the inductor L4. And are formed. A through hole 16T2 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 17L2. A through hole 16T3 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 17L4. The dielectric layer 17 is connected to the through hole 17T1 connected to the through hole 16T1, the through hole 17T2 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 17L2, and the vicinity of the other end of the conductor layer 17L4. Through-holes 17T3 are formed. The inductor L4 includes an inductor component 15L4, conductor layers 16L4 and 17L4, and through holes 15T2 and 16T3.

図5(c)に示した8層目の誘電体層18の下面には、インダクタL2の更に他の一部を構成する導体層18L2と、インダクタL3の一部を構成する導体層18L3とが形成されている。導体層18L2の一端の近傍部分には、スルーホール17T2が接続されている。導体層18L3は、グランド端子8に直接接続されている。また、誘電体層18には、導体層18L2の他端の近傍部分に接続されると共にスルーホール17T1に接続されたスルーホール18T1と、導体層18L3の先端の近傍部分に接続されたスルーホール18T2と、スルーホール17T3に接続されたスルーホール18T3とが形成されている。インダクタL2は、導体層161,17L2,18L2およびスルーホール16T2,17T2によって構成されている。   On the lower surface of the eighth dielectric layer 18 shown in FIG. 5C, a conductor layer 18L2 constituting still another part of the inductor L2 and a conductor layer 18L3 constituting part of the inductor L3 are provided. Is formed. A through hole 17T2 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 18L2. The conductor layer 18L3 is directly connected to the ground terminal 8. The dielectric layer 18 has a through hole 18T1 connected to a portion near the other end of the conductor layer 18L2 and connected to the through hole 17T1, and a through hole 18T2 connected to a portion near the tip of the conductor layer 18L3. And a through hole 18T3 connected to the through hole 17T3. The inductor L2 is composed of conductor layers 161, 17L2, and 18L2 and through holes 16T2 and 17T2.

図5(d)に示した9層目の誘電体層19の下面には、インダクタL3の他の一部を構成する導体層19L3が形成されている。導体層19L3の一端の近傍部分には、スルーホール18T2が接続されている。また、誘電体層19には、スルーホール18T1に接続されたスルーホール19T1と、導体層19L3の他端の近傍部分に接続されたスルーホール19T2と、スルーホール18T3に接続されたスルーホール19T3とが形成されている。   A conductor layer 19L3 constituting another part of the inductor L3 is formed on the lower surface of the ninth dielectric layer 19 shown in FIG. 5 (d). A through hole 18T2 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 19L3. The dielectric layer 19 includes a through hole 19T1 connected to the through hole 18T1, a through hole 19T2 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 19L3, and a through hole 19T3 connected to the through hole 18T3. Is formed.

図5(e)に示した10層目の誘電体層20の下面には、インダクタL1の一部を構成する導体層20L1と、インダクタL3の更に他の一部を構成する導体層20L3とが形成されている。導体層20L1の一端の近傍部分には、スルーホール19T1が接続されている。導体層20L3の一端の近傍部分には、スルーホール19T2が接続されている。また、誘電体層20には、導体層20L1の他端の近傍部分に接続されたスルーホール20T1と、導体層20L3の他端の近傍部分に接続されたスルーホール20T2と、スルーホール19T3に接続されたスルーホール20T3とが形成されている。インダクタL3は、導体層18L3,19L3,20L3およびスルーホール18T2,19T2によって構成されている。   On the lower surface of the tenth dielectric layer 20 shown in FIG. 5E, a conductor layer 20L1 constituting a part of the inductor L1 and a conductor layer 20L3 constituting another part of the inductor L3 are provided. Is formed. A through hole 19T1 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 20L1. A through hole 19T2 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 20L3. The dielectric layer 20 is connected to the through hole 20T1 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 20L1, the through hole 20T2 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 20L3, and the through hole 19T3. The through-hole 20T3 thus formed is formed. The inductor L3 is composed of conductor layers 18L3, 19L3, 20L3 and through holes 18T2, 19T2.

図6(a)に示した11層目の誘電体層21の下面には、インダクタL1の他の一部を構成する導体層21L1が形成されている。導体層21L1の一端の近傍部分には、スルーホール20T1が接続されている。また、誘電体層21には、導体層21L1の他端の近傍部分に接続されたスルーホール21T1と、スルーホール20T2に接続されたスルーホール21T2と、スルーホール20T3に接続されたスルーホール21T3とが形成されている。   On the lower surface of the eleventh dielectric layer 21 shown in FIG. 6A, a conductor layer 21L1 constituting another part of the inductor L1 is formed. A through hole 20T1 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 21L1. The dielectric layer 21 includes a through hole 21T1 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 21L1, a through hole 21T2 connected to the through hole 20T2, and a through hole 21T3 connected to the through hole 20T3. Is formed.

図6(b)に示した12層目の誘電体層22の下面には、インダクタL1の更に他の一部を構成する導体層22L1が形成されている。導体層22L1の一端の近傍部分には、スルーホール21T1が接続されている。また、誘電体層22には、導体層22L1の他端の近傍部分に接続されたスルーホール22T1と、スルーホール21T2に接続されたスルーホール22T2と、スルーホール21T3に接続されたスルーホール22T3とが形成されている。   On the lower surface of the twelfth dielectric layer 22 shown in FIG. 6B, a conductor layer 22L1 constituting still another part of the inductor L1 is formed. A through hole 21T1 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 22L1. The dielectric layer 22 includes a through hole 22T1 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 22L1, a through hole 22T2 connected to the through hole 21T2, and a through hole 22T3 connected to the through hole 21T3. Is formed.

図6(c)に示した13層目の誘電体層23の下面には、インダクタL1の更に他の一部を構成する導体層23L1と、導体層231とが形成されている。導体層23L1の一端の近傍部分には、スルーホール22T1が接続されている。導体層231は、キャパシタC3の一部を構成するキャパシタ構成部23C3と、キャパシタC4の一部を構成するキャパシタ構成部23C4とを含んでいる。導体層231には、スルーホール22T2が接続されている。また、誘電体層23には、導体層23L1の他端の近傍部分に接続されたスルーホール23T1と、スルーホール22T3に接続されたスルーホール23T3とが形成されている。インダクタL1は、導体層20L1,21L1,22L1,23L1およびスルーホール20T1,21T1,22T1によって構成されている。   On the lower surface of the thirteenth dielectric layer 23 shown in FIG. 6 (c), a conductor layer 23L1 constituting still another part of the inductor L1 and a conductor layer 231 are formed. A through hole 22T1 is connected to the vicinity of one end of the conductor layer 23L1. The conductor layer 231 includes a capacitor component 23C3 that forms part of the capacitor C3 and a capacitor component 23C4 that forms part of the capacitor C4. A through hole 22T2 is connected to the conductor layer 231. The dielectric layer 23 has a through hole 23T1 connected to the vicinity of the other end of the conductor layer 23L1, and a through hole 23T3 connected to the through hole 22T3. The inductor L1 is composed of conductor layers 20L1, 21L1, 22L1, 23L1 and through holes 20T1, 21T1, 22T1.

図6(d)に示した14層目の誘電体層24の下面には、導体層241,242が形成されている。導体層241は、誘電体層23を介してキャパシタ構成部23C3に対向している。キャパシタC3は、キャパシタ構成部23C3と導体層241と誘電体層23とによって構成されている。導体層242には、スルーホール23T3が接続されている。導体層242は、誘電体層23を介してキャパシタ構成部23C4に対向している。キャパシタC4は、キャパシタ構成部23C4と導体層242と誘電体層23とによって構成されている。また、誘電体層24には、導体層241に接続されると共にスルーホール23T1に接続されたスルーホール24T1が形成されている。キャパシタC4は、キャパシタ構成部23C4と導体層242と誘電体層24とによって構成されている。   Conductor layers 241 and 242 are formed on the lower surface of the fourteenth dielectric layer 24 shown in FIG. The conductor layer 241 faces the capacitor component 23C3 with the dielectric layer 23 interposed therebetween. The capacitor C3 is configured by a capacitor component 23C3, a conductor layer 241 and a dielectric layer 23. A through hole 23T3 is connected to the conductor layer 242. The conductor layer 242 faces the capacitor component 23C4 with the dielectric layer 23 interposed therebetween. The capacitor C4 includes a capacitor component 23C4, a conductor layer 242, and a dielectric layer 23. The dielectric layer 24 has a through hole 24T1 connected to the conductor layer 241 and connected to the through hole 23T1. The capacitor C4 includes a capacitor component 23C4, a conductor layer 242, and a dielectric layer 24.

図6(e)に示した15層目の誘電体層25の下面には、導体層251,254と、キャパシタC7の一部を構成する導体層25C7とが形成されている。導体層251は、キャパシタC5の一部を構成するキャパシタ構成部25C5と、キャパシタC6の一部を構成するキャパシタ構成部25C6とを含んでいる。キャパシタ構成部25C5は、誘電体層24を介して導体層241に対向している。キャパシタC5は、導体層241とキャパシタ構成部25C5と誘電体層24とによって構成されている。キャパシタ構成部25C6は、誘電体層24を介して導体層242に対向している。キャパシタC6は、導体層242とキャパシタ構成部25C6と誘電体層24とによって構成されている。導体層25C7は、第2の端子3に直接接続されている。導体層25C7は、誘電体層24を介して導体層242に対向している。キャパシタC7は、導体層242,25C7と誘電体層24とによって構成されている。導体層254は、共通端子4に直接接続されている。また、導体層254には、スルーホール24T1が接続されている。   Conductor layers 251 and 254 and a conductor layer 25C7 constituting a part of the capacitor C7 are formed on the lower surface of the fifteenth dielectric layer 25 shown in FIG. 6 (e). The conductor layer 251 includes a capacitor component 25C5 that constitutes a part of the capacitor C5 and a capacitor component 25C6 that constitutes a part of the capacitor C6. The capacitor component 25C5 faces the conductor layer 241 with the dielectric layer 24 in between. The capacitor C5 is configured by the conductor layer 241, the capacitor component 25 C 5, and the dielectric layer 24. The capacitor component 25C6 faces the conductor layer 242 with the dielectric layer 24 in between. The capacitor C6 is constituted by a conductor layer 242, a capacitor constituting unit 25C6, and a dielectric layer 24. The conductor layer 25C7 is directly connected to the second terminal 3. The conductor layer 25C7 faces the conductor layer 242 with the dielectric layer 24 in between. The capacitor C7 is composed of conductor layers 242, 25C7 and a dielectric layer 24. The conductor layer 254 is directly connected to the common terminal 4. The through hole 24T1 is connected to the conductor layer 254.

1層目ないし15層目の誘電体層11〜25が、それぞれの下面が下に向いた姿勢で、下から順に積層されて、第1および第2のフィルタ5,6を含む積層体10が構成される。そして、この積層体10の外周部に対して端子2,3,4,8が形成されて、図1および図2に示したダイプレクサ1が完成する。   The first to fifteenth dielectric layers 11 to 25 are stacked in order from the bottom with the respective lower surfaces facing downward, and the stacked body 10 including the first and second filters 5 and 6 is formed. Composed. Then, terminals 2, 3, 4, and 8 are formed on the outer peripheral portion of the laminate 10, and the diplexer 1 shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

図7は、本実施の形態に係るダイプレクサ1における結合素子C9の変形例を示す説明図である。図7において、(a)は5層目の誘電体層15の下面を示し、(b)は6層目の誘電体層16の下面を示している。この変形例では、図7(a)に示したように、導体層151は、図4(e)に示した枝部15Cよりも短い枝部15Cを有している。枝部15Cは、その先端の近傍に位置する第2のキャパシタ構成部15C9を含んでいる。   FIG. 7 is an explanatory diagram showing a modification of the coupling element C9 in the diplexer 1 according to the present embodiment. 7A shows the lower surface of the fifth dielectric layer 15, and FIG. 7B shows the lower surface of the sixth dielectric layer 16. In this modification, as shown in FIG. 7A, the conductor layer 151 has a branch portion 15C shorter than the branch portion 15C shown in FIG. The branch portion 15C includes a second capacitor constituting portion 15C9 located in the vicinity of the tip thereof.

変形例では、図7(b)に示したように、導体層161は、インダクタL2の一部を構成するインダクタ構成部16L2と、枝部16Cとを含んでいる。枝部16Cは、インダクタ構成部16L2における第1の端子2の近傍の部分から、第1の端子2と第2の端子3が並ぶ方向、すなわち上面10Aと側面10Cの間の稜線に平行な方向に、第2のキャパシタ構成部15C9の近傍まで延びている。枝部16Cは、その先端の近傍に位置する第1のキャパシタ構成部16C9を含んでいる。   In the modification, as shown in FIG. 7B, the conductor layer 161 includes an inductor component 16L2 that constitutes a part of the inductor L2, and a branch portion 16C. The branch portion 16C is a direction in which the first terminal 2 and the second terminal 3 are arranged from a portion in the vicinity of the first terminal 2 in the inductor constituting portion 16L2, that is, a direction parallel to a ridge line between the upper surface 10A and the side surface 10C. Furthermore, it extends to the vicinity of the second capacitor component 15C9. The branch portion 16C includes a first capacitor constituting portion 16C9 located in the vicinity of the tip thereof.

図7に示した変形例において、第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9は、積層方向Tから見たときに重なる位置にある。すなわち、第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9は、誘電体層15を介して対向している。第1のキャパシタ構成部16C9と第2のキャパシタ構成部15C9の間には、いかなる導体層も存在していない。第1のキャパシタ構成部16C9と、第2のキャパシタ構成部15C9と、それらの間の誘電体層15は、結合素子C9であるキャパシタを構成している。   In the modification shown in FIG. 7, the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9 are in positions that overlap when viewed from the stacking direction T. That is, the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9 are opposed to each other with the dielectric layer 15 in between. There is no conductor layer between the first capacitor component 16C9 and the second capacitor component 15C9. The first capacitor component 16C9, the second capacitor component 15C9, and the dielectric layer 15 therebetween constitute a capacitor that is the coupling element C9.

なお、導体層151が枝部15Cを有さず、積層方向Tから見たときに導体層161の枝部16Cの一部が導体層151の一部に重なるようにして、結合素子C9であるキャパシタを形成してもよい。   Note that the conductor layer 151 does not have the branch portion 15C, and the coupling element C9 is configured such that a part of the branch portion 16C of the conductor layer 161 overlaps a part of the conductor layer 151 when viewed from the stacking direction T. A capacitor may be formed.

次に、比較例のダイプレクサと比較しながら、本実施の形態に係るダイプレクサ1の効果について説明する。比較例のダイプレクサでは、積層方向Tから見たときに導体層151,161が互いに重なる部分を有していない。すなわち、比較例のダイプレクサは、結合素子C9を備えていない。比較例のダイプレクサのその他の構成は、本実施の形態に係るダイプレクサ1と同じである。   Next, effects of the diplexer 1 according to the present embodiment will be described while comparing with the diplexer of the comparative example. In the diplexer of the comparative example, when viewed from the stacking direction T, the conductor layers 151 and 161 do not have a portion overlapping each other. That is, the diplexer of the comparative example does not include the coupling element C9. Other configurations of the diplexer of the comparative example are the same as those of the diplexer 1 according to the present embodiment.

比較例のダイプレクサでは、特に小型化しようとすると、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6が近づき、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間で電磁気的な結合が生じ、その結果、第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性が悪化しやすくなる。アイソレーション特性の悪化は、第1の周波数帯域よりも第2の周波数帯域で顕著に生じる。第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間で電磁気的な結合が生じるということは、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間に浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスが生じるということである。この浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスが生じると、これらによって並列共振が生じる。一般的に、この浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスによる並列共振の共振周波数は、第2の周波数帯域よりも高い周波数になる。   In the diplexer of the comparative example, when trying to reduce the size in particular, the first filter 5 and the second filter 6 approach each other, and electromagnetic coupling occurs between the first filter 5 and the second filter 6. The isolation characteristic between the first terminal 2 and the second terminal 3 tends to deteriorate. The deterioration of the isolation characteristic occurs more significantly in the second frequency band than in the first frequency band. The fact that electromagnetic coupling occurs between the first filter 5 and the second filter 6 means that stray inductance and stray capacitance occur between the first filter 5 and the second filter 6. When this stray inductance and stray capacitance occur, they cause parallel resonance. In general, the resonance frequency of the parallel resonance due to the stray inductance and the stray capacitance is higher than the second frequency band.

本実施の形態に係るダイプレクサ1では、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間には、浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスの他に、結合素子C9のキャパシタンスが生じる。これら浮遊インダクタンス、浮遊キャパシタンスおよび結合素子C9のキャパシタンスによる並列共振の共振周波数は、浮遊インダクタンスおよび浮遊キャパシタンスのみによる並列共振の共振周波数よりも低くなり、第2の周波数帯域に近づく。これにより、本実施の形態によれば、比較例に比べて、第2の周波数帯域およびその近傍における第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性が向上する。   In the diplexer 1 according to the present embodiment, a capacitance of the coupling element C9 is generated between the first filter 5 and the second filter 6 in addition to the stray inductance and stray capacitance. The resonance frequency of the parallel resonance due to the stray inductance, the stray capacitance, and the capacitance of the coupling element C9 is lower than the resonance frequency of the parallel resonance due to the stray inductance and the stray capacitance alone, and approaches the second frequency band. Thereby, according to this Embodiment, the isolation characteristic between the 1st terminal 2 and the 2nd terminal 3 in a 2nd frequency band and its vicinity improves compared with a comparative example.

なお、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間の電磁気的な結合を遮断するために、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間にグランド層を設けると、特にダイプレクサ1を小型化すると、インダクタが発生する磁界がグランド層によって妨げられ、その結果、インダクタのQ値が低下して、ダイプレクサ1の挿入損失が増加するという問題が生じる。   If a ground layer is provided between the first filter 5 and the second filter 6 in order to cut off the electromagnetic coupling between the first filter 5 and the second filter 6, the diplexer 1 is particularly provided. When the size is reduced, the magnetic field generated by the inductor is hindered by the ground layer. As a result, the Q value of the inductor is lowered, and the insertion loss of the diplexer 1 is increased.

これに対し、本実施の形態では、第1のフィルタ5と第2のフィルタ6の間の電磁気的な結合をグランド層によって遮断するのではなく、この結合と結合素子C9とを用いて、第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性を向上させる。そのため、本実施の形態によれば、ダイプレクサ1を小型化しても、インダクタが発生する磁界がグランド層によって妨げられることによるダイプレクサ1の挿入損失の増加が発生しない。   On the other hand, in the present embodiment, the electromagnetic coupling between the first filter 5 and the second filter 6 is not blocked by the ground layer, but using this coupling and the coupling element C9, The isolation characteristic between the first terminal 2 and the second terminal 3 is improved. Therefore, according to the present embodiment, even if the diplexer 1 is downsized, the insertion loss of the diplexer 1 due to the magnetic field generated by the inductor being hindered by the ground layer does not occur.

以上のことから、本実施の形態によれば、挿入損失を増加させずにダイプレクサ1を小型化でき、且つダイプレクサ1のアイソレーション特性を向上させることが可能になる。   From the above, according to the present embodiment, the diplexer 1 can be reduced in size without increasing the insertion loss, and the isolation characteristics of the diplexer 1 can be improved.

以下、比較例のダイプレクサと本実施の形態に係るダイプレクサ1の特性を比較した第1および第2の実験の結果について説明する。第1の実験では、比較例のダイプレクサと本実施の形態に係るダイプレクサ1のそれぞれについて、第1のフィルタ5の入力端(共通端子4側の端)と第2のフィルタ6の入力端(共通端子4側の端)を切り離した状態で、第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性を測定した。その結果、図8および図9に示す。図8は、比較例のダイプレクサにおけるアイソレーション特性を示し、図9は、本実施の形態に係るダイプレクサ1のアイソレーション特性を示している。図8および図9において、横軸は周波数、縦軸は減衰量である。   Hereinafter, the results of the first and second experiments comparing the characteristics of the diplexer of the comparative example and the diplexer 1 according to the present embodiment will be described. In the first experiment, for each of the diplexer of the comparative example and the diplexer 1 according to the present embodiment, the input end of the first filter 5 (end on the common terminal 4 side) and the input end of the second filter 6 (common) The isolation characteristic between the first terminal 2 and the second terminal 3 was measured in a state where the terminal 4 side end) was cut off. The results are shown in FIGS. FIG. 8 shows the isolation characteristics of the diplexer of the comparative example, and FIG. 9 shows the isolation characteristics of the diplexer 1 according to the present embodiment. 8 and 9, the horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents attenuation.

図8および図9から、本実施の形態に係るダイプレクサ1では、比較例のダイプレクサに比べて、特に第2の周波数帯域(5GHz帯)およびその近傍におけるアイソレーション特性が向上していることが分かる。   8 and 9, it can be seen that the diplexer 1 according to the present embodiment has improved isolation characteristics particularly in the second frequency band (5 GHz band) and in the vicinity thereof as compared with the diplexer of the comparative example. .

第2の実験では、比較例のダイプレクサと本実施の形態に係るダイプレクサ1のそれぞれについて、第1のフィルタ5の入力端と第2のフィルタ6の入力端を接続した状態で、以下の4つの特性を測定した。4つの特性とは、共通端子4の反射減衰特性、共通端子4と第1の端子2の間の通過減衰特性、共通端子4と第2の端子3の間の通過減衰特性、および第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性である。第2の実験の結果、図10および図11に示す。図10は、比較例のダイプレクサにおける4つの特性を示し、図11は、本実施の形態に係るダイプレクサ1における4つの特性を示している。図10および図11において、横軸は周波数、縦軸は減衰量である。   In the second experiment, with respect to each of the diplexer of the comparative example and the diplexer 1 according to the present embodiment, in the state where the input end of the first filter 5 and the input end of the second filter 6 are connected, the following four Characteristics were measured. The four characteristics are the reflection attenuation characteristic of the common terminal 4, the pass attenuation characteristic between the common terminal 4 and the first terminal 2, the pass attenuation characteristic between the common terminal 4 and the second terminal 3, and the first This is an isolation characteristic between the terminal 2 and the second terminal 3. The result of the second experiment is shown in FIG. 10 and FIG. FIG. 10 shows four characteristics in the diplexer of the comparative example, and FIG. 11 shows four characteristics in the diplexer 1 according to the present embodiment. 10 and 11, the horizontal axis represents frequency, and the vertical axis represents attenuation.

図10では、符号31を付した曲線が共通端子4の反射減衰特性を示し、符号32を付した曲線が共通端子4と第1の端子2の間の通過減衰特性を示し、符号33を付した曲線が共通端子4と第2の端子3の間の通過減衰特性を示し、符号34を付した曲線が第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性を示している。   In FIG. 10, the curve labeled 31 indicates the return attenuation characteristic of the common terminal 4, the curve labeled 32 indicates the pass attenuation characteristic between the common terminal 4 and the first terminal 2, and is labeled 33. The curved line indicates the passing attenuation characteristic between the common terminal 4 and the second terminal 3, and the curved line denoted by reference numeral 34 indicates the isolation characteristic between the first terminal 2 and the second terminal 3.

図11では、符号41を付した曲線が共通端子4の反射減衰特性を示し、符号42を付した曲線が共通端子4と第1の端子2の間の通過減衰特性を示し、符号43を付した曲線が共通端子4と第2の端子3の間の通過減衰特性を示し、符号44を付した曲線が第1の端子2と第2の端子3の間のアイソレーション特性を示している。   In FIG. 11, the curve denoted by reference numeral 41 indicates the reflection attenuation characteristic of the common terminal 4, and the curve denoted by reference numeral 42 indicates the pass attenuation characteristic between the common terminal 4 and the first terminal 2, and is denoted by reference numeral 43. The curved line indicates the passing attenuation characteristic between the common terminal 4 and the second terminal 3, and the curved line denoted by reference numeral 44 indicates the isolation characteristic between the first terminal 2 and the second terminal 3.

図10および図11から、本実施の形態に係るダイプレクサ1では、比較例のダイプレクサに比べて、特に第2の周波数帯域(5GHz帯)およびその近傍におけるアイソレーション特性が向上していることが分かる。また、図11から、本実施の形態に係るダイプレクサ1では、アイソレーション特性以外の特性も優れていることが分かる。   10 and 11, it can be seen that the diplexer 1 according to the present embodiment has improved isolation characteristics particularly in the second frequency band (5 GHz band) and in the vicinity thereof as compared with the diplexer of the comparative example. . Further, it can be seen from FIG. 11 that the diplexer 1 according to the present embodiment is excellent in characteristics other than the isolation characteristics.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第1のキャパシタ構成部を含む第1の導体層は、第1の端子2に直接接続された導体層に限らず、第1の端子2に直接接続されてはいないが、第1のフィルタ5を構成する導体層であってもよい。同様に、第2のキャパシタ構成部を含む第2の導体層は、第2の端子3に直接接続された導体層に限らず、第2の端子3に直接接続されてはいないが、第2のフィルタ6を構成する導体層であってもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible. For example, the first conductor layer including the first capacitor component is not limited to the conductor layer directly connected to the first terminal 2 but is not directly connected to the first terminal 2. The conductor layer which comprises the filter 5 may be sufficient. Similarly, the second conductor layer including the second capacitor component is not limited to the conductor layer directly connected to the second terminal 3, but is not directly connected to the second terminal 3. It may be a conductor layer constituting the filter 6.

1…ダイプレクサ、2…第1の端子、3…第2の端子、4…共通端子、5…第1のフィルタ、6…第2のフィルタ、C9…結合素子、10…積層体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Diplexer, 2 ... 1st terminal, 3 ... 2nd terminal, 4 ... Common terminal, 5 ... 1st filter, 6 ... 2nd filter, C9 ... Coupling element, 10 ... Laminated body.

Claims (3)

積層された複数の誘電体層を含む積層体と、
前記積層体の外周部に配置された第1の端子、第2の端子および共通端子と、
前記積層体内に設けられた第1のフィルタおよび第2のフィルタとを備えたダイプレクサであって、
前記第1のフィルタは、前記共通端子と前記第1の端子との間に設けられて、第1の周波数帯域内の周波数の第1の信号と、前記第1の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第2の周波数帯域内の周波数の第2の信号のうちの、前記第1の信号を選択的に通過させ、
前記第2のフィルタは、前記共通端子と前記第2の端子との間に設けられて、前記第1の信号と前記第2の信号のうちの前記第2の信号を選択的に通過させ、
前記ダイプレクサは、更に、前記第1のフィルタと前記第2のフィルタの間で容量結合を生じさせる結合素子を備えたことを特徴とするタイプレクサ。
A laminate including a plurality of laminated dielectric layers;
A first terminal, a second terminal and a common terminal disposed on the outer periphery of the laminate;
A diplexer comprising a first filter and a second filter provided in the laminate,
The first filter is provided between the common terminal and the first terminal, and has a first signal having a frequency within a first frequency band and a frequency band higher than the first frequency band. Selectively passing the first signal out of the second signal having a frequency within the second frequency band of
The second filter is provided between the common terminal and the second terminal, and selectively passes the second signal of the first signal and the second signal,
The diplexer further comprises a coupling element for generating capacitive coupling between the first filter and the second filter.
前記第1のフィルタは第1の導体層を含み、
前記第2のフィルタは第2の導体層を含み、
前記第1の導体層と前記第2の導体層は、前記複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、互いに接触せず、
前記第1の導体層は第1のキャパシタ構成部を含み、
前記第2の導体層は第2のキャパシタ構成部を含み、
前記第1のキャパシタ構成部と前記第2のキャパシタ構成部は、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも1つの誘電体層を介して対向し、
前記第1のキャパシタ構成部と前記第2のキャパシタ構成部の間には、いかなる導体層も存在せず、
前記結合素子は、前記第1のキャパシタ構成部と前記第2のキャパシタ構成部と前記少なくとも1つの誘電体層によって構成されたキャパシタであることを特徴とする請求項1記載のダイプレクサ。
The first filter includes a first conductor layer;
The second filter includes a second conductor layer;
The first conductor layer and the second conductor layer are disposed at different positions in the stacking direction of the plurality of dielectric layers, do not contact each other,
The first conductor layer includes a first capacitor component;
The second conductor layer includes a second capacitor component;
The first capacitor component and the second capacitor component are opposed via at least one dielectric layer of the plurality of dielectric layers,
There is no conductor layer between the first capacitor component and the second capacitor component,
2. The diplexer according to claim 1, wherein the coupling element is a capacitor configured by the first capacitor component, the second capacitor component, and the at least one dielectric layer.
前記第1の導体層は前記第1の端子に直接接続され、前記第2の導体層は前記第2の端子に直接接続されていることを特徴とする請求項2記載のダイプレクサ。   The diplexer according to claim 2, wherein the first conductor layer is directly connected to the first terminal, and the second conductor layer is directly connected to the second terminal.
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