JP2015050374A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バックライト光リサイクルにおいて、反射率の高いメタル配線端部での乱反射光により、配線端部から光漏れが発生し、コントラストが低下する。
【解決手段】表示装置は、第一層と第一層に接する第二層を含む配線層、または遮光層を備え、第一層はバックライト側に対面し、第二層の材料の可視光領域の光反射率は、第一層の材料の可視光領域の光反射率よりも低く、第二層が第一層に接する面における第二層の端部は、断面視で第一層の一番外側の端部より外側に位置する。
【選択図】図４

Description

本開示は、表示装置に関し、例えばバックライトの光リサイクルを行う液晶表示装置に適用可能である。

液晶表示パネルの輝度向上のために、バックライトの光リサイクル（再利用）が提案されている（例えば、特開２０１２−１４５６２８号公報（特許文献１）、特開２００１−２７２６９１号公報（特許文献２）、特開平１１−２３１３１２号公報（特許文献３））。これは、バックライトを遮光してしまうメタル配線のバックライト側の面に、反射率の高い材料を適用し、本来配線に遮光されてしまう光をバックライト側へ反射し、再度バックライトで液晶表示パネルに向けて反射するようにし、光を再利用するものである。

特開２０１２−１４５６２８号公報 特開２００１−２７２６９１号公報 特開平１１−２３１３１２号公報

本願発明者は、バックライトの光リサイクルについて検討した結果、次のような問題があることを見出した。

すなわち、反射率の高いメタル配線端部での乱反射光により、配線端部から光漏れが発生し、コントラストが低下する。

その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、配線層または遮光層を備える。配線層または遮光層は、第一層と第一層に接する第二層を含む。第一層はバックライト側に対面し、第二層の材料の可視光領域の光反射率は、第一層の材料の可視光領域の光反射率よりも低く、第二層が第一層に接する面における第二層の端部は、断面視で第一層の一番外側の端部より外側に位置する。

上記表示装置によれば、光漏れを低減することができる。

比較例１に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。 比較例２に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。 光漏れの推定メカニズムを説明する図である。 実施の形態に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。 実施の形態に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。 実施の形態に係る表示装置の配線構造を示す断面図である。 実施例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。 実施例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。 実施例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例３に係るＴＦＴ基板の断面図である。 実施例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の断面図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 実施例１に係る液晶表示装置を示す図である。

＜比較例＞
まず、本願発明者が見出した光リサイクルの問題について説明する。
図１Ａは比較例１に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。表示装置１０Ａは、バックライト側からゲート配線１１Ａ、配線層１２ａ、１２ｂ、１２ｃを有するソース／ドレイン配線１２Ａを有する。遮光層１１Ａの材料はＭｏＷ（モリブデン・タングステン）、配線層１２ａの材料はＴｉ（チタン）、配線層１２ｂの材料はＡｌ（アルミニウム）、配線層１２ｃの材料はＴｉ／ＴｉＮ（窒化チタン）である。バックライトの光１３が照射されるゲート配線１１Ａ、配線層１２ａの材料は、上述のとおりＭｏＷやＴｉで、その可視光領域の反射率は５０％程度である。すなわち、配線裏面での反射光１４Ａは、バックライトの光１３の５０％程度であり、光リサイクル効率が小さい。図１Ｂは比較例２に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。表示装置１０Ｂは、バックライト側から配線層１１ａ、１１ｂを有するゲート配線１１Ｂ、配線層１２ｂ、１２ｃを有するソース／ドレイン配線１２Ｂを有する。配線層１１ａの材料はＡｌ、配線層１１ｂの材料はＴｉ／ＴｉＮである。バックライトの光１３が照射される配線層１１ａ、配線層１２ｂの材料はいずれもＡｌで、その可視光領域の反射率は８０％程度である。すなわち、配線裏面での反射光１４Ｂは、バックライトの光１３の８０％程度であり、光リサイクル効率が大きい。しかし、比較例２に係る表示装置は配線端で光漏れが発生し、コントラスト低下の問題があることが判明した。

図２は光漏れの推定メカニズムを説明する図である。図２（ａ）は比較例１に係る表示装置の場合、図２（ｂ）は比較例２に係る表示装置の場合である。比較例１に係る表示装置の場合は、バックライト側の配線層１１Ａの材料はＭｏＷ、配線層１２ａの材料はＴｉで反射率が低いため、配線エッジでの乱反射光１５Ａの強度が弱く、光漏れとして認識されない。一方、比較例２に係る表示装置の場合は、バックライト側の配線層１１ａ、配線層１２ｂの材料はいずれもＡｌで反射率が高いため、配線エッジでの乱反射光１５Ｂの強度が強く、光漏れとして認識される。

以下、実施の形態、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。

＜実施の形態＞
図３Ａ、図３Ｂは実施の形態に係る表示装置の配線構造による光リサイクルを説明する図である。図３Ｂは図３Ａの丸破線Ａで囲った部分の拡大図である。実施の形態に係る表示装置３０の配線３１は、バックライト側から配線層（第一層）３１ｄ、配線層（第二層）３１ａ、配線層（第三層）３１ｂ、配線層（第四層）３１ｃを含む。配線層３１ａが配線層３１ｄに接する面における配線層３１ａの端部は、断面視で配線層３１ｄの一番外側の端部より外側に位置する。配線層３１ａ、３１ｂの材料はＡｌ、配線層３１ａの材料はＴｉ、配線層３１ｃの材料はＴｉ／ＴｉＮである。ＡｌはＴｉよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。図３Ｂに示すように配線層３１ｄの配線端で乱反射されたバックライトの光１５は、反射率の低い配線層３１ａに形成される庇３１ａｅで遮光され、光漏れを低減することができる。ただし、ソース／ドレイン配線に適用の場合は、ＡｌのＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）レイヤーへの拡散防止のため、Ｐｏｌｙ−ＳｉのＰ＋レイヤーへのコンタクト底をバリアメタルでふさぐ必要がある。

配線層３１ｄは、光反射層であり、Ａｌの他に、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）など、可視光領域の光反射率が高い材料であればよい。ただし、ＣｕやＡｕは、光が着色するため、白色光を反射するＡｌ、Ａｇが望ましい。配線層３１ａは、光漏れ防止層であり、Ｔｉの他に、ＴｉＮ、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タンタル）、Ｗ（タングステン）、ＷＮ（窒化タングステン）など、オーミック接触性が高く、可視光領域の光反射率の低い材料であればよい。配線層３１ｂは、電気伝導層であり、Ａｌの他に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕなど、電気抵抗の低い材料であればよい。配線層３１ｃは、バリアメタルで、Ｔｉ／ＴｉＮの他に、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＷＮおよびそれらの積層膜など、オーミック接触性が高く、電気伝導層の材料拡散を防止できる材料であればよい。配線層３１ｂは他の配線層よりも膜厚が大きく、配線層３１ｄは配線層３１ａと同程度の膜厚である。配線層３１ｂの膜厚を大きくすることにより、配線抵抗を小さくすることができる。配線層３１ｄの膜厚（ｔ）を小さくすることにより、配線層３１ｄのエッジにおける反射光を配線層３１ａに形成される庇３１ａｅの長さ（Ｌ）が短くても遮光することができる。なお、ｔ＜Ｌであるのが好ましいが、ｔを薄くし、Ｌを長くすることが難しい場合は、ｔ＞Ｌとなる。この場合、ｔが配線層１２ａと同程度の膜厚であるときは、Ｌはｔの１０％程度であってもよい。

図４は実施の形態に係る表示装置の遮光層の構造を示す断面図である。図３Ａ、図３Ｂに示される配線層の構造を遮光層に適用する場合は、配線層３１ｂおよび配線層３１ｃを取り除いた構造にすればよい。すなわち、図４に示すように、遮光層４１は光反射層（金属層、第一層）４１ｄと光漏れ防止層（金属層、第二層）４１ａとで構成される。金属層４１ａ、４１ｄは、それぞれ配線層３１ａ、３１ｄと構造および材料は同じである。

以下の実施例では、液晶表示装置を例に説明するが、液晶表示装置に限定されるものではなく、透過型の表示装置に適用できることはいうまでもない。また、実施例では、ゲート配線が半導体層の上に形成されるトップゲートを例に説明するが、トップゲートに限定されるものではなく、ゲート配線が半導体層の下に形成されるボトムゲートに適用できることはいうまでもない。半導体層としては、低温ポリシリコンの他にアモルファスシリコンであってもよい。

図１１は実施例１に係る液晶表示装置を示す図である。実施例１に係る液晶表示装置１００は、アクティブ素子を構成するＴＦＴ（Thin Film Transistor）や画素電極が形成されるＴＦＴ基板１１０と、カラーフィルタ（ＣＦ）やブラックマトリックス（ＢＭ）が形成されるＣＦ基板１２０と、ＴＦＴ基板１１０とＣＦ基板１２０に挟まれる液晶層１３０と、バックライト１４０と、偏光板１５０を備える。ＴＦＴ基板１１０の裏面からバックライト１４０の光が照射され、液晶層１３０およびＣＦ基板１２０のカラーフィルタを透過して表示が行われる。

図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅは実施例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。本実施例に係るＴＦＴ基板および他の実施例および変形例に係るＴＦＴ基板の断面図においては、ガラス基板は省略して記載されている。図５Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した実施例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅは実施例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。実施例１に係るＴＦＴ基板１１０は、ゲート配線に本実施の形態を適用した例である。アンダーコート絶縁膜５４の上にＰｏｌｙ−Ｓｉ５３とＰ＋の活性化領域であるＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａが形成されて、ゲート絶縁膜５５で覆われている。なお、アンダーコート絶縁膜５４の下には、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ５３へのバックライトの光を遮蔽するためのＭｏＷで構成される遮光層５１が形成されている。ゲート絶縁膜５５の上にゲート配線５２が形成されている。ゲート配線５２は、下から順にＡｌ層５２ｄ、Ｔｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃが積層されている。ゲート配線５２は層間絶縁膜５６に覆われている。ソース／ドレイン配線５７が層間絶縁膜５６を貫いてＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａと接続されている。また、ゲート配線５２の引き出し配線５７Ａが層間絶縁膜５６を貫いてゲート配線５２と接続されている。ソース／ドレイン配線５７および引き出し配線５７Ａは、それぞれ下から順にＴｉ層５７ａ、Ａｌ層５７ｂ、Ｔｉ層５７ｃが積層されている。

図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅを参照して、ゲート配線５２の製造方法を以下に説明する。
図５Ｂに示すように、スパッタリングによってゲート絶縁膜５５の上にＡｌ層５２ｄ、Ｔｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃの順に成膜する。図５Ｃに示すように、リソグラフィによってＴｉ層５２ｃの上にフォトレジスト５８をパターニングする。図５Ｄに示すように、ドライエッチングによってフォトレジスト５８をマスクにしてＡｌ層５２ｄ、Ｔｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃを加工する。Ａｌ層５２ｂ、５２ｄはＴｉ５２ａ、５２ｃよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。図５Ｅに示すように、フォトレジスト５８を除去する。

＜変形例１＞
変形例１に係る液晶表示装置は、実施例１に係る液晶表示装置のゲート配線の構造を変更したものである。ゲート配線の構造以外は、実施例１と同じ構造である。

図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅは変形例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。図６Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した変形例１に係るＴＦＴ基板の断面図である。図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅは変形例１に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。変形例１に係るＴＦＴ基板１１０Ａのゲート配線５２Ａは、実施例１のゲート配線５２と同様に下から順にＡｌ層５２ｄ、Ｔｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃが積層されている。しかし、ゲート配線５２Ａの最下層（ボトム）Ａｌ層５２ｄの側壁が、Ｔｉ層５２ａに覆われている。これにより、迷光の遮光効果を実施例１よりも大きくすることができる。

図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅを参照して、ゲート配線５２Ａの製造方法を以下に説明する。
図６Ｂに示すように、スパッタリングによってゲート絶縁膜５５の上にＡｌ層５２ｄ、成膜する。リソグラフィによってＡｌ層５２ｄの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＡｌ層５２ｄを加工する。アッシングによってフォトレジストを除去する。図６Ｃに示すようにＡｌ層５２ｄがゲート絶縁膜５５の上に形成される。図６Ｄに示すように、スパッタリングによってゲート絶縁膜５５およびＡｌ層５２ｄの上に、Ｔｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃの順に成膜する。リソグラフィによってＴｉ層５２ｃの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＴｉ層５２ａ、Ａｌ層５２ｂ、Ｔｉ層５２ｃを加工する。Ａｌ層５２ｂはＴｉ５２ａ、５２ｃよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。フォトレジスト５８を除去する。図６Ｅに示すようにゲート配線５２Ａがゲート絶縁膜５５の上に形成される。本変形例に係るゲート配線の製造法では、ボトムＡｌ層５２ｄの加工のため、実施例１に係るゲート配線の製造法よりもフォトマスクが１枚多く必要となる。

実施例２に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板の構造を除いて、実施例１に係る液晶表示装置１００と同じ構成である。

図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、図７Ｅは実施例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。図７Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した実施例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、図７Ｅは実施例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。実施例２に係るＴＦＴ基板１１０Ｂは、ソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し線に本実施の形態を適用した例である。ＴＦＴ基板１１０Ｂは、ゲート絶縁膜よりも下層の構造は、実施例１と同じである。ゲート絶縁膜５５の上にゲート配線７２が形成されている。ゲート配線７２は、ＭｏＷ層で構成されている。ゲート配線７２は層間絶縁膜５６に覆われている。ソース／ドレイン配線７７が層間絶縁膜５６を貫いてＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａと接続されている。また、ゲート配線７２の引き出し配線７７Ａが層間絶縁膜５６を貫いてゲート配線７２と接続されている。ソース／ドレイン配線７７および引き出し配線７７Ａは、それぞれ下から順にＴｉ層７７ｅ、Ａｌ層７７ｄ、Ｔｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃが積層されている。

図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄ、図７Ｅを参照して、ソース／ドレイン配線７７およびゲート配線の引き出し線７７Ａの製造方法を以下に説明する。
図７Ｂに示すように、ゲート絶縁膜５５および層間絶縁膜５６の所定の位置にコンタクトホール７９を開けて、スパッタリングによってＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａの上、ゲート配線の上、ゲート絶縁膜５６の側壁、層間絶縁膜５６の側壁および上にＴｉ層７７ｅを成膜する。リソグラフィによってＴｉ層７７ｅの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＴｉ層７７ｅを加工する。フォトレジストを除去する。図７Ｃに示すようにコンタクトホール７９にＡｌのＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａへの拡散防止のためのバリアメタルであるＴｉ層７７ｅを形成する。

図７Ｄに示すように、スパッタリングによって層間絶縁膜５６およびＴｉ層７７ｅの上にＡｌ層７７ｄ、Ｔｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃの順に成膜する。リソグラフィによってＴｉ層７７ｃの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＡｌ層７７ｄ、Ｔｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃを加工する。Ａｌ層７７ｂ、７７ｄはＴｉ層７７ａ、７７ｃよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。フォトレジスト５８を除去する。図７Ｅに示すようにソース／ドレイン配線７７および引き出し配線７７Ａを形成する。

＜変形例２＞
変形例２に係る液晶表示装置は、実施例２に係る液晶表示装置のソース／ドレイン配線および引き出し配線の構造を変更したものである。ソース／ドレイン配線および引き出し配線の構造以外は、実施例２と同じ構造である。

図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄ、図８Ｅは変形例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。図８Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した変形例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄ、図８Ｅは変形例２に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。変形例２に係るＴＦＴ基板１１０Ｃのソース／ドレイン配線８７および引き出し配線８７Ａは、層間絶縁膜５６上では、下から順にＡｌ層７７ｄ、Ｔｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃが積層されている。しかし、コンタクトホール内では、下から順にＴｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃが積層されている。コンタクトホール７９内では、Ｔｉ層７７ａがＡｌのＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａへの拡散防止のためのバリアメタルとなっている。これにより、Ｔｉ層７７ｅを省略することができるので、実施例２よりも１層少なくすることができる。

図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄ、図８Ｅを参照して、ソース／ドレイン配線８７および引き出し配線８７Ａの製造方法を以下に説明する。
図８Ｂに示すように、ゲート絶縁膜５５および層間絶縁膜５６の所定の位置にコンタクトホール７９を開けて、スパッタリングによってＰｏｌｙ−Ｓｉ５３ａの上、ゲート配線の上、ゲート絶縁膜５６の側壁、層間絶縁膜５６の側壁および上にＡｌ層７７ｄを成膜する。リソグラフィによってＡｌ層７７ｄの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＡｌ層７７ｄを加工する。フォトレジストを除去する。図８Ｃに示すように層間絶縁膜５６にＡｌ層７７ｄを形成する。

図８Ｄに示すように、スパッタリングによって層間絶縁膜５６およびＡｌ層７７ｄの上にＴｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃの順に成膜する。リソグラフィによってＴｉ層７７ｃの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＡｌ層７７ｄ、Ｔｉ層７７ａ、Ａｌ層７７ｂ、Ｔｉ層７７ｃを加工する。Ａｌ層７７ｂ、７７ｄはＴｉ層７７ａ、７７ｃよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。フォトレジストを除去する。図８Ｅに示すようにソース／ドレイン配線８７および引き出し配線８７Ａを形成する。

実施例３に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板の構造を除いて、実施例１に係る液晶表示装置と同じ構成である。

図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄは実施例３に係るＴＦＴ基板の断面図である。図９Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した実施例２に係るＴＦＴ基板の断面図である。図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄは実施例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。実施例３に係るＴＦＴ基板１１０Ｄは、遮光層に本実施の形態を適用した例である。ＴＦＴ基板１１０Ｄは、アンダーコート絶縁膜５４から層間絶縁膜５６までは実施例２と、ソース／ドレイン配線５７および引き出し配線５７Ａは実施例１と同じである。遮光層９１はアンダーコート絶縁膜５４下に形成されている。遮光層９１は、下から順にＡｌ層９１ｂ、Ｔｉ層９１ｃが積層されている。

図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄを参照して、遮光層９１の製造方法を以下に説明する。
図９Ｂに示すように、スパッタリングによって基板上にＡｌ層９１ｂ、Ｔｉ層９１ｃの順に成膜する。図９Ｃに示すように、リソグラフィによってＴｉ層９１ｃの上にフォトレジスト９８をパターニングする。図９Ｄに示すように、ドライエッチングによってフォトレジスト９８をマスクにしてＡｌ層９１ｂ、Ｔｉ層９１ｃを加工する。Ａｌ層９１ｂはＴｉ９１ｃよりエッチングレートが速い（大きい）ので、オーバエッチングにより庇構造を得ることができる。フォトレジスト９８を除去する。図９Ｄに示すように遮光層９１を形成する。

＜変形例３＞
変形例３に係る液晶表示装置は、実施例３に係る液晶表示装置の遮光層の構造を変更したものである。遮光層の構造以外は実施例３と同じ構造である。

図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅは変形例３に係るＴＦＴ基板の断面図である。図１０Ａはソース／ドレイン配線およびゲート配線の引き出し配線まで形成した変形例３に係るＴＦＴ基板の断面図である。図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅは変形例３に係るＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。変形例３に係るＴＦＴ基板１１０Ｅの遮光層９１Ａは、実施例３の遮光層９１と同様に下から順にＡｌ層９１ｂ、Ｔｉ層９１ｃが積層されている。しかし、遮光層９１ＡのＡｌ層９１ｂの側壁が、Ｔｉ層９１ｃに覆われている。これにより、迷光の遮光効果を実施例３よりも大きくすることができる。

図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅを参照して、遮光層９１Ａの製造方法を以下に説明する。
図１０Ｂに示すように、スパッタリングによって基板上にＡｌ層９１ｂを成膜する。リソグラフィによってＡｌ層９１ｂの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＡｌ層９１ｂを加工する。アッシングによってフォトレジストを除去する。図１０Ｃに示すようにＡｌ層９１ｂが基板上に形成される。図１０Ｄに示すように、スパッタリングによって基板およびＡｌ層９１ｂの上に、Ｔｉ層９１ｃを成膜する。リソグラフィによってＴｉ層９１ｃの上にフォトレジストをパターニングする。ドライエッチングによってフォトレジストをマスクにしてＴｉ層９１ｃを加工する。アッシングによってフォトレジストを除去する。図１０Ｅに示すように遮光層９１Ａが基板上に形成される。本変形例に係る遮光層の製造法では、Ａｌ層９１ｂの加工のため、実施例３に係るゲート配線の製造法よりもフォトマスクが１枚多く必要となる。

上述した実施例および変形例の種々の組み合わせや置き換えを行ってもよい。例えば、実施例１または変形例１のゲート配線構造と、実施例２または変形例２のソース／ドレイン配線構造を組み合わせてもよい。また、実施例１、変形例１、実施例２または変形例２の遮光層の構造を実施例３または変形例３の遮光層の構造に置き換えてもよい。さらに、実施例１または変形例１のゲート配線構造と、実施例２または変形例２のソース／ドレイン配線構造を組み合わせて、遮光層の構造を実施例３または変形例３の遮光層の構造に置き換えてもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

１０Ｃ・・・液晶表示装置
１１Ｃ・・・遮光層
１２Ｃ・・・配線
１２ａ・・・配線層（光漏れ防止層、金属層）
１２ｂ・・・配線層（電気伝導層）
１２ｃ・・・配線層（バリアメタル）
１２ｄ・・・配線層（光反射層、金属層）
１３・・・バックライトの光
１４・・・配線裏面での反射光

Claims (14)

1. 表示装置は、配線層または遮光層を備え、
   前記配線層または遮光層は、第一層と前記第一層に接する第二層を含み、
   前記第一層はバックライト側に対面し、
   前記第二層の材料の可視光領域の光反射率は、前記第一層の材料の可視光領域の光反射率よりも低く、
   前記第二層が前記第一層に接する面における前記第二層の端部は、断面視で前記第一層の一番外側の端部より外側に位置する。
2. 請求項１の表示装置において、
   前記配線層は、前記第二層に接し、配線材料の拡散防止および電気的接続を良好にするための第三層をさらに備え、
   前記第二層は、前記第一層と前記第三層の間に位置する。
3. 請求項１の表示装置において、
   前記配線層は、第四層をさらに備え、
   前記第四層はバックライト側と対面する面と反対側の層であり、
   前記第四層の材料は、配線材料の拡散を防止するのに適したもの、あるいは電極との電気的接続を良好にするのに適したものである。
4. 請求項３の表示装置において、
   前記第四層は前記第三層と接する。
5. 請求項１の表示装置において、
   前記第一層の材料は、ＡｌまたはＡｇまたはＣｕまたはＡｕである。
6. 請求項１の表示装置において、
   前記第二層の材料は、ＴｉまたはＴｉＮまたはＴａＮまたはＷまたはＷＮである。
7. 請求項２の表示装置において、
   前記第三層の材料は、ＡｌまたはＡｇまたはＣｕまたはＡｕである。
8. 請求項３の表示装置において、
   前記第四層の材料は、ＴｉまたはＴｉＮまたはＴａＮまたはＷまたはＷＮまたはそれらの積層である。
9. 請求項１の表示装置において、
   前記配線層は、ゲート配線層またはソース／ドレイン配線層である。
10. 請求項１の表示装置において、
    前記第一層の側壁部は前記第二層に接している。
11. 表示装置の製造方法は以下の工程を含む：
    （ａ）第一層を成膜する工程；
    （ｂ）前記第一層の上に第二層を成膜する工程；
    （ｃ）前記第一層と前記第二層をエッチングする工程；
    ここで、前記第二層の材料の可視光領域の光反射率は、前記第一層の材料の可視光領域の光反射率よりも低く、
    前記第一層の材料のエッチングレートは前記第二層の材料のエッチングレートよりも大きい。
12. 請求項１１の表示装置の製造方法において、
    前記第一層のエッチングと前記第二層のエッチングを同一工程で行う。
13. 請求項１１の表示装置の製造方法において、
    前記第一層のエッチングは、前記（ｂ）工程よりも前に行う。
14. 請求項１１の表示装置の製造方法は、さらに以下の工程を含む：
    （ｄ）前記（ｃ）工程の前に、前記第二層の上に第三層を成膜する工程；
    （ｅ）前記第三層の上に第四層を成膜する工程；
    ここで、前記第三層および第四層の材料は、配線材料の拡散を防止するのに適したもの、あるいは電極との電気的接続を良好にするのに適した組み合わせものである。

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