JP2015050112A - Conductive fine particle - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive fine particle which has a nickel-containing conductive metal layer on the surface of a base particle and can exert excellent oxidation resistance, essentially without a heat treatment process.SOLUTION: A conductive fine particle consists of a base particle and a conductive metal layer covering the surface of the base particle, and the conductive metal layer contains nickel and phosphorus. Taking the peak area of peaks corresponding to nickel in the metallic state, among peaks obtained by observing the conductive metal layer by the X-ray photoelectron spectroscopy, as Sand the peak area of peaks corresponding to the oxidation state of nickel as S, the content ratio(%) of metallic nickel in the conductive metal layer, determined by [S/(S+S)]×100, is higher than 20% for the conductive fine particle after a 2-h treatment at the temperature of 200°C in an oxidizing atmosphere.

Description

本発明は、特に耐酸化性に優れた導電性微粒子に関するものである。   The present invention relates to conductive fine particles having particularly excellent oxidation resistance.

従来、電子機器の組み立てにおいて、対向する多数の電極や配線間の電気的接続を行うために、異方性導電材料による接続方式が採用されている。異方性導電材料は、導電性微粒子をバインダー樹脂等に混合した材料であり、例えば異方性導電ペースト(ACP)、異方性導電フィルム(ACF)、異方性導電インク、異方性導電シート等がある。この異方性導電材料に用いられる導電性微粒子としては、金属粒子のほか、基材となる樹脂粒子の表面を導電性金属層で被覆したものが使用されている。樹脂粒子と金属層とから構成される導電性微粒子は、表面に形成された導電性を有する金属層によって、電極や配線間の電気的接続を図っている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in assembling electronic devices, a connection method using an anisotropic conductive material has been adopted to make electrical connection between a large number of opposing electrodes and wirings. An anisotropic conductive material is a material in which conductive fine particles are mixed with a binder resin, for example, anisotropic conductive paste (ACP), anisotropic conductive film (ACF), anisotropic conductive ink, anisotropic conductive. There are sheets. As the conductive fine particles used for this anisotropic conductive material, in addition to metal particles, those obtained by coating the surface of resin particles serving as a substrate with a conductive metal layer are used. Conductive fine particles composed of resin particles and a metal layer are electrically connected between electrodes and wirings by a conductive metal layer formed on the surface.

ところで、電子機器は作動中に発熱を伴うことがあり、この場合、電子回路が高温雰囲気に曝され、導電性微粒子も高温に曝されることとなる。また、電子機器内は空気が存在しており、酸化性雰囲気である。そのため、電子機器を作動させると、導電性微粒子が高温の酸化性雰囲気に曝されることとなり、その結果、金属層が酸化され、電極間の抵抗値が上昇してしまうという問題がある。よって、導電性微粒子には高温時耐酸化性が求められる。特に近年、電子機器の演算性能の向上に伴ない発熱量が増大する傾向にあるなか、スマートフォンやタブレット端末など小型集積化された電子機器においては発熱部位が集中して熱が蓄積されやすく、電子機器内部の温度上昇はより顕著になる。また使用時に高温雰囲気に曝される車載用の電子機器(カーナビ等)や太陽電池(タブ線接続)などの用途でも、外部からの熱の影響を受けるため、やはり電子機器内部の温度上昇は顕著になる。よって、このような用途に用いられる導電性微粒子には、特に優れた高温時耐酸化性が要求される。   By the way, an electronic device may generate heat during operation. In this case, the electronic circuit is exposed to a high temperature atmosphere, and the conductive fine particles are also exposed to a high temperature. In addition, air is present in the electronic device, which is an oxidizing atmosphere. Therefore, when the electronic device is operated, the conductive fine particles are exposed to a high-temperature oxidizing atmosphere. As a result, there is a problem that the metal layer is oxidized and the resistance value between the electrodes is increased. Therefore, the conductive fine particles are required to have high temperature oxidation resistance. In particular, in recent years, the amount of heat generation tends to increase as the computing performance of electronic devices increases. In small-sized integrated electronic devices such as smartphones and tablet terminals, heat generation is concentrated and heat is easily accumulated. The temperature rise inside the device becomes more remarkable. Also, in applications such as in-vehicle electronic devices (such as car navigation systems) and solar cells (tab wire connection) that are exposed to a high-temperature atmosphere during use, the temperature rise inside the electronic devices is also significant due to the influence of external heat. become. Therefore, the conductive fine particles used for such applications are required to have particularly excellent high temperature oxidation resistance.

また、上記酸化による抵抗値の上昇は、導電性金属層が易酸化性金属元素であるニッケルからなる場合に、特に顕著である。しかし、一方でニッケルは、安価で入手し易く、メッキ加工が容易で、比較的低抵抗な金属元素であるので、導電性微粒子の表面金属層として使用が望まれている。   The increase in resistance value due to oxidation is particularly remarkable when the conductive metal layer is made of nickel, which is an easily oxidizable metal element. However, nickel is a metal element that is inexpensive and readily available, is easily plated, and has a relatively low resistance. Therefore, it is desired to use nickel as a surface metal layer of conductive fine particles.

そこで、ニッケルのような易酸化性金属元素を最表面に有していても優れた耐酸化性を示す導電性微粒子として、ニッケル粒子を水素還元処理及び/又はエッチング処理した後に、酸素含有気流中で200〜500℃で10〜60分間保持して酸化処理を施した導電性微粒子が提案されている(特許文献1)。   Therefore, after the nickel particles are subjected to hydrogen reduction treatment and / or etching treatment as conductive fine particles exhibiting excellent oxidation resistance even when having an easily oxidizable metal element such as nickel on the outermost surface, Has been proposed for conducting fine particles that have been oxidized for 10 to 60 minutes at 200 to 500 ° C. (Patent Document 1).

特開2010−15756号公報JP 2010-15756 A

しかしながら、上記特許文献1記載の手法は、酸化処理のための熱処理プロセスを必要とするので、樹脂粒子と導電性金属層とから構成される導電性微粒子に適用した場合、基材粒子が耐熱性の低い樹脂で形成されていると、熱処理プロセス中の基材粒子の劣化が懸念される。そのため、実質的に、基材粒子として比較的耐熱性の高いものしか使用できないという制約があった。しかも、上記特許文献1記載の手法は、熱処理プロセスや更には水素還元処理及び/又はエッチング処理を必要とするため、製造時間や製造コスト面でも不利であった。この特許文献1記載の手法で得られる導電性微粒子は、粒子表面を酸化被膜で覆うことにより耐酸化性を向上させたものであり、粒子表面においては金属ニッケルは存在しないものである(段落0036等)。   However, since the technique described in Patent Document 1 requires a heat treatment process for oxidation treatment, when applied to conductive fine particles composed of resin particles and a conductive metal layer, the base particles are heat resistant. If the resin is formed of a low resin, there is a concern about deterioration of the base particles during the heat treatment process. For this reason, there is a limitation that substantially only heat-resistant particles can be used as the base particles. In addition, the method described in Patent Document 1 requires a heat treatment process and further a hydrogen reduction treatment and / or an etching treatment, and is disadvantageous in terms of production time and production cost. The conductive fine particles obtained by the method described in Patent Document 1 have improved oxidation resistance by covering the particle surface with an oxide film, and no metallic nickel is present on the particle surface (paragraph 0036). etc).

本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、基材粒子の表面にニッケルを含む導電性金属層を有し、しかも熱処理プロセスを必須としなくても、優れた耐酸化性を発現しうる導電性微粒子を提供することにある。
本発明の他の目的は、基材粒子の表面にニッケルを含む導電性金属層を有する導電性微粒子であって、耐熱性に優れた基材粒子のみならず、耐熱性の劣る基材粒子を用いた場合でも、優れた耐酸化性を発現しうる導電性微粒子を提供することにある。
The present invention has been made paying attention to the circumstances as described above, and its purpose is to have a conductive metal layer containing nickel on the surface of the base particles, and even if a heat treatment process is not essential, An object of the present invention is to provide conductive fine particles capable of exhibiting excellent oxidation resistance.
Another object of the present invention is a conductive fine particle having a conductive metal layer containing nickel on the surface of the base particle, and not only the base particle having excellent heat resistance but also the base particle having poor heat resistance. An object of the present invention is to provide conductive fine particles that can exhibit excellent oxidation resistance even when used.

上記目的を達成し得た本発明の導電性微粒子とは、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、前記導電性金属層がニッケルおよびリンを含み、かつ、前記導電性金属層をX線光電子分光分析して得られる観測ピークのうち、ニッケルの金属状態に対応するピークのピーク面積をSmetal、ニッケルの酸化状態に対応するピークのピーク面積をSoxideとしたときに下記式;
金属ニッケルの含有比率(%)=[Smetal/(Smetal+Soxide)]×100
で求められる導電性金属層中の金属ニッケルの含有比率(%)が、酸化性雰囲気下、温度200℃で2時間処理した後の導電性微粒子において20%超である点に要旨を有するものである。
The conductive fine particles of the present invention capable of achieving the above object are conductive fine particles having base particles and a conductive metal layer covering the surface of the base particles, wherein the conductive metal layer is Among observation peaks obtained by X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the conductive metal layer containing nickel and phosphorus, the peak area of the peak corresponding to the metal state of nickel corresponds to S metal and the oxidation state of nickel. When the peak area of the peak is S oxide , the following formula:
Metal nickel content ratio (%) = [S metal / (S metal + S oxide )] × 100
The content ratio (%) of metallic nickel in the conductive metal layer required in (1) is more than 20% in the conductive fine particles after being treated at 200 ° C. for 2 hours in an oxidizing atmosphere. is there.

本発明においては、前記導電性金属層100質量%中、リン含有量が5質量%以上であることが好ましい。さらに本発明においては、前記酸化性雰囲気下、温度200℃で2時間処理した後の金属ニッケルの含有比率をNiafter(%)、前記処理前の金属ニッケルの含有比率をNibefore(%)としたときに下記式;金属ニッケルの変化率(%)=[(Nibefore−Niafter)/Nibefore]×100
で求められる金属ニッケルの変化率が70%以下であることが好ましい。
In this invention, it is preferable that phosphorus content is 5 mass% or more in 100 mass% of said electroconductive metal layers. Further, in the present invention, the content ratio of metallic nickel after treatment at a temperature of 200 ° C. for 2 hours in the oxidizing atmosphere is Ni after (%), and the content ratio of metallic nickel before the treatment is Ni before (%). The following formula: change rate of metallic nickel (%) = [(Ni before −Ni after ) / Ni before ] × 100
It is preferable that the change rate of the metallic nickel calculated | required by is 70% or less.

本発明の導電性微粒子は、基材粒子の表面を被覆する導電性金属層がニッケルとともにリンを含み、かつ、所定の条件で加熱処理した後にも導電性金属層中の金属ニッケルの含有比率が20%を超えるので、導電性金属層がニッケルを含むものでありながら、熱処理プロセスを必須としなくても、優れた耐酸化性を発現することができ、その結果、異方性導電材料として酸化性雰囲気で使用した際にも、抵抗値上昇が抑制され、優れた導電性を発揮する。本発明によれば、耐酸化性を向上させるにあたり、耐熱性に制約されることなく基材粒子を選択でき、しかも金属層には安価で入手し易く、メッキ加工が容易なニッケルを使用することができるので、低コストで耐酸化性に優れた導電性微粒子を提供することが可能になる。また本発明で発現される耐酸化性は、極めて優れたものであるので、例えば、スマートフォンやタブレット端末のような小型集積電子機器、カーナビのような車載用電子機器、太陽電池等の特に高い耐酸化性が要求される用途においても、好ましく適用することができる。   In the conductive fine particles of the present invention, the conductive metal layer covering the surface of the substrate particles contains phosphorus together with nickel, and the content ratio of the metal nickel in the conductive metal layer is not limited even after heat treatment under predetermined conditions. Since it exceeds 20%, even though the conductive metal layer contains nickel, it can exhibit excellent oxidation resistance without requiring a heat treatment process, and as a result, oxidized as an anisotropic conductive material. Even when used in a neutral atmosphere, an increase in resistance value is suppressed and excellent conductivity is exhibited. According to the present invention, in order to improve oxidation resistance, base particles can be selected without being restricted by heat resistance, and the metal layer should be made of nickel that is inexpensive and easily available and can be easily plated. Therefore, it is possible to provide conductive fine particles having excellent oxidation resistance at low cost. Further, since the oxidation resistance expressed in the present invention is extremely excellent, for example, small integrated electronic devices such as smartphones and tablet terminals, in-vehicle electronic devices such as car navigation systems, particularly high acid resistance such as solar cells. The present invention can be preferably applied even in applications that require a changeability.

1.導電性微粒子
本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層(以下、「金属層」と称することもある)とを有し、該金属層がニッケルおよびリンを含み、この金属層中の金属ニッケルの含有比率が、酸化性雰囲気下、温度200℃で2時間処理した後の導電性微粒子において20%超であることを特徴とする。このような導電性微粒子は、優れた耐酸化性を有するので、たとえ酸化性雰囲気中で高温に曝されても抵抗値の上昇を招くことなく良好な導電性を維持することができる。
1. Conductive fine particles The conductive fine particles of the present invention have base material particles and a conductive metal layer (hereinafter also referred to as “metal layer”) covering the surface of the base material particles. Contains nickel and phosphorus, and the content ratio of metallic nickel in the metal layer is more than 20% in the conductive fine particles after being treated at 200 ° C. for 2 hours in an oxidizing atmosphere. Since such conductive fine particles have excellent oxidation resistance, even when exposed to high temperatures in an oxidizing atmosphere, good conductivity can be maintained without causing an increase in resistance value.

本発明において、金属層中の金属ニッケルの含有比率とは、導電性微粒子の金属層をX線光電子分光分析して得られる観測ピークのうち、ニッケルの金属状態に対応するピークのピーク面積をSmetal、ニッケルの酸化状態に対応するピークのピーク面積をSoxideとしたときに下記式;
金属ニッケルの含有比率(%)=[Smetal/(Smetal+Soxide)]×100
で求められるものである。したがって、本発明において、金属層中の金属ニッケルの含有比率とは、金属層中に含有されるニッケル元素のうち金属状態にあるニッケル元素の割合を意味する。
In the present invention, the content ratio of metallic nickel in the metal layer refers to the peak area of the peak corresponding to the metallic state of nickel among the observation peaks obtained by X-ray photoelectron spectroscopic analysis of the metal layer of conductive fine particles. When the peak area of the peak corresponding to the oxidation state of metal and nickel is S oxide , the following formula:
Metal nickel content ratio (%) = [S metal / (S metal + S oxide )] × 100
Is required. Therefore, in the present invention, the content ratio of metallic nickel in the metal layer means the ratio of nickel element in the metal state among the nickel elements contained in the metal layer.

具体的には、例えばX線光電子分光分析のX線源がMgKα線であれば、X線光電子分光分析で得られたスペクトルから検出したNiの2P2/3軌道に帰属するピークを、ニッケルの金属状態に対応するピーク(結合エネルギー852〜854eV)と、ニッケルの酸化状態に対応するピーク(結合エネルギー854〜857eV)にピーク分離し、分離した各ピークについて、式:ピーク面積=ピーク強度×半値幅、に基づきピーク面積(Smetal、Soxide)を算出すればよい。ここでピーク強度とはピークの高さを意味する。なお酸化状態として存在するニッケルに由来するピークが複数存在する場合(NiO、Ni23など)、これらのピーク面積の合計を、酸化状態に対応するピークのピーク面積(Soxide)とすればよい。 Specifically, for example, if the X-ray source of X-ray photoelectron spectroscopy is MgKα ray, the peak attributed to the 2P2 / 3 orbit of Ni detected from the spectrum obtained by X-ray photoelectron spectroscopy is a nickel metal. The peak corresponding to the state (binding energy 852 to 854 eV) and the peak corresponding to the oxidation state of nickel (binding energy 854 to 857 eV) are separated into peaks, and for each separated peak, the formula: peak area = peak intensity × half width , Peak areas (S metal , S oxide ) may be calculated. Here, the peak intensity means the peak height. When there are a plurality of peaks derived from nickel existing as an oxidation state (NiO, Ni 2 O 3, etc.), the sum of these peak areas is defined as the peak area (S oxide ) of the peak corresponding to the oxidation state. Good.

酸化性雰囲気下、温度200℃での2時間の処理(以下「酸化性加熱処理」と称することもある)を施した後の金属層中の金属ニッケルの含有比率は、好ましくは25%以上、より好ましくは40%以上、さらに好ましくは50%以上、最も好ましくは100%である。金属ニッケルの含有比率が高ければ高いほど、より優れた耐酸化性を発現することができる。
なお本発明において酸化性雰囲気とは、通常、空気雰囲気(通常は1気圧の空気)を意味する。したがって、酸化性加熱処理は、通常は空気雰囲気下で行うが、酸素、窒素の濃度が空気と同じまたはほぼ同じ濃度の雰囲気で行うこともできる。
The content ratio of metallic nickel in the metal layer after the treatment for 2 hours at 200 ° C. in an oxidizing atmosphere (hereinafter sometimes referred to as “oxidative heat treatment”) is preferably 25% or more, More preferably, it is 40% or more, more preferably 50% or more, and most preferably 100%. The higher the content ratio of metallic nickel, the more excellent oxidation resistance can be expressed.
In the present invention, the oxidizing atmosphere usually means an air atmosphere (usually air at 1 atm). Therefore, the oxidizing heat treatment is usually performed in an air atmosphere, but can also be performed in an atmosphere having the same or almost the same concentration of oxygen and nitrogen as air.

なお詳しくは後述するが、金属層中の金属ニッケルの含有比率を20%超とするには、例えば、金属層の形成を、錯化剤として少なくとも3種類のジカルボン酸(塩)を含むメッキ液を使用した無電解メッキ法により行い、その際の無電解メッキ反応をフッ素系界面活性剤の存在下で行う一方で、無電解メッキ反応に硫黄系安定剤を使用しない様にすればよい。   As will be described in detail later, in order to increase the content ratio of metallic nickel in the metal layer to more than 20%, for example, a plating solution containing at least three kinds of dicarboxylic acids (salts) as a complexing agent is used. In this case, the electroless plating reaction may be performed in the presence of a fluorosurfactant, while the sulfur-based stabilizer is not used in the electroless plating reaction.

本発明においては、上述した酸化性加熱処理した後の金属ニッケルの含有比率をNiafter(%)とし、前記酸化性加熱処理前の金属ニッケルの含有比率をNibefore(%)としたときに、下記式;
金属ニッケルの変化率(%)
=[(Nibefore−Niafter)/Nibefore]×100
で求められる金属ニッケルの変化率が80%以下であることが好ましい。より好ましくは70%以下、さらに好ましくは50%以下、特に好ましくは30%以下、最も好ましくは20%以下である。従来の導電性微粒子では、たとえ酸化性加熱処理前の金属ニッケル含有比率が高くても、酸化性加熱処理を施すと金属ニッケル量が大幅に減少する傾向があったが(比較例1参照)、本発明の導電性微粒子は、酸化性加熱処理後の金属ニッケルの含有比率が一定以上であることに加え、酸化性加熱処理前後の金属ニッケル量の変化率が小さいという特徴も有する。したがって、本発明では、酸化性雰囲気下で高温に曝された際に金属ニッケルが減少することを考慮して、金属ニッケル量を予め過剰に設定しておかなくても、酸化性加熱処理後の金属ニッケル含有比率を20%超とすることが可能になる。
In the present invention, when the content ratio of metallic nickel after the oxidizing heat treatment described above is Ni after (%) and the content ratio of metallic nickel before the oxidizing heat treatment is Ni before (%), The following formula:
Change rate of nickel metal (%)
= [(Ni before -Ni after ) / Ni before ] × 100
It is preferable that the change rate of metallic nickel calculated | required by is 80% or less. More preferably, it is 70% or less, more preferably 50% or less, particularly preferably 30% or less, and most preferably 20% or less. In the conventional conductive fine particles, even though the metal nickel content ratio before the oxidative heat treatment was high, the amount of metal nickel tended to decrease significantly when the oxidative heat treatment was performed (see Comparative Example 1). The conductive fine particles of the present invention have a feature that the change rate of the amount of metallic nickel before and after the oxidative heat treatment is small, in addition to the metal nickel content ratio after the oxidative heat treatment being a certain level or more. Therefore, in the present invention, in consideration of the reduction of metallic nickel when exposed to high temperature in an oxidizing atmosphere, the amount after metallic heat treatment can be reduced even if the amount of metallic nickel is not set excessively in advance. It becomes possible to make the metal nickel content ratio more than 20%.

なお酸化性加熱処理を施す前の金属層中の金属ニッケルの含有比率は、特に限定されないが、好ましくは40%以上、より好ましくは50%以上、さらに好ましくは60%以上、さらに好ましくは80%以上、最も好ましくは100%である。   The content ratio of metallic nickel in the metal layer before the oxidizing heat treatment is not particularly limited, but is preferably 40% or more, more preferably 50% or more, still more preferably 60% or more, and further preferably 80%. Above, most preferably 100%.

前記導電性微粒子の個数平均粒子径は、1.0μm以上が好ましく、より好ましくは1.1μm以上、さらに好ましくは1.2μm以上、一層好ましくは1.3μm以上、特に好ましくは1.4μm以上であり、50μm以下が好ましく、より好ましくは30μm以下、さらに好ましくは25μm以下、一層好ましくは20μm以下である。また前記導電性微粒子の粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は、10.0%以下が好ましく、より好ましくは8.0%以下、さらに好ましくは5.0%以下、一層好ましくは4.5%以下、特に好ましくは4.0%以下である。なお、導電性微粒子の個数平均粒子径および変動係数は、例えば実施例で後述する方法で測定することができる。   The number average particle diameter of the conductive fine particles is preferably 1.0 μm or more, more preferably 1.1 μm or more, further preferably 1.2 μm or more, still more preferably 1.3 μm or more, and particularly preferably 1.4 μm or more. It is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, still more preferably 25 μm or less, and even more preferably 20 μm or less. The number-based variation coefficient (CV value) of the conductive fine particles is preferably 10.0% or less, more preferably 8.0% or less, still more preferably 5.0% or less, and still more preferably 4%. .5% or less, particularly preferably 4.0% or less. In addition, the number average particle diameter and variation coefficient of the conductive fine particles can be measured, for example, by a method described later in Examples.

導電性微粒子が微細(具体的には、個数平均粒子径が10.0μm未満)になると、一般に、導電性微粒子の接続抵抗値はより上昇しやすくなるが、本発明の導電性微粒子は微細であっても、高温酸化性条件下での接続抵抗値上昇を効果的に抑制できる。よって、本発明の効果が一層顕著となるという点では、導電性微粒子の個数平均粒子径は、10.0μm未満が好ましく、より好ましくは3.2μm以下、さらに好ましくは3.0μm以下、一層好ましくは、2.8μm以下、より一層好ましくは2.7μm以下、さらに一層好ましくは2.6μm以下であり、一方、1.1μm以上が好ましく、1.6μm以上がより好ましい。   When the conductive fine particles become fine (specifically, the number average particle diameter is less than 10.0 μm), the connection resistance value of the conductive fine particles generally tends to increase, but the conductive fine particles of the present invention are fine. Even if it exists, the connection resistance value raise under high temperature oxidizing conditions can be suppressed effectively. Therefore, the number average particle diameter of the conductive fine particles is preferably less than 10.0 μm, more preferably 3.2 μm or less, still more preferably 3.0 μm or less, and still more preferably, in that the effect of the present invention becomes more remarkable. Is 2.8 μm or less, more preferably 2.7 μm or less, and even more preferably 2.6 μm or less, while 1.1 μm or more is preferable and 1.6 μm or more is more preferable.

一方、基材粒子が軟質であると、電極との接触面積が大きくなるため、金属層(ニッケル表面金属層)の酸化状態が接続抵抗値の上昇に顕著に影響する。本発明の導電性微粒子によれば、たとえ基材粒子が軟質であっても、高温酸化性条件下でも接続抵抗値上昇をより効果的に抑制できる。軟質な基材粒子が特に有用となるのは、導電性微粒子の個数平均粒子径が、例えば6.3μm以上、より好ましくは7.3μm以上、さらに好ましくは8.3μm以上の場合である。その場合の上限は、例えば25μm以下、より好ましくは23μm以下、さらに好ましくは20μm以下である。   On the other hand, if the substrate particles are soft, the contact area with the electrode is increased, so that the oxidation state of the metal layer (nickel surface metal layer) significantly affects the increase in the connection resistance value. According to the conductive fine particles of the present invention, even if the substrate particles are soft, an increase in connection resistance value can be more effectively suppressed even under high-temperature oxidizing conditions. The soft base particles are particularly useful when the number average particle diameter of the conductive fine particles is, for example, 6.3 μm or more, more preferably 7.3 μm or more, and further preferably 8.3 μm or more. In this case, the upper limit is, for example, 25 μm or less, more preferably 23 μm or less, and still more preferably 20 μm or less.

1−1.導電性金属層
本発明における金属層は、ニッケルおよびリンを必須の構成元素として含む。具体的には、ニッケルを主成分とするニッケル−リン合金が好ましく、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、その他の元素を含有させることができる。ニッケルは、安価で入手し易く、メッキ加工が容易であるので、これを主成分とすることで、低コストで本発明の導電性微粒子を提供することが可能になる。そしてかかるニッケルにリンを適量含有させると、金属層の酸化を抑制することができる。
1-1. Conductive Metal Layer The metal layer in the present invention contains nickel and phosphorus as essential constituent elements. Specifically, a nickel-phosphorus alloy containing nickel as a main component is preferable, and other elements can be contained as needed within a range not impairing the effects of the present invention. Nickel is inexpensive and easily available, and is easily plated. Therefore, using this as a main component makes it possible to provide the conductive fine particles of the present invention at low cost. When the nickel is contained in an appropriate amount, the metal layer can be prevented from being oxidized.

前記金属層を構成するニッケルの含有量は、金属層100質量%中、80質量%以上が好ましく、より好ましくは85質量%以上であり、95質量%以下が好ましく、より好ましくは92質量%以下、さらに好ましくは88質量%以下である。ニッケル含有量が前記範囲であると、優れた耐酸化性を発現させつつ、安価に導電性微粒子を製造することができる。   The content of nickel constituting the metal layer is preferably 80% by mass or more, more preferably 85% by mass or more, and preferably 95% by mass or less, more preferably 92% by mass or less, in 100% by mass of the metal layer. More preferably, it is 88 mass% or less. When the nickel content is within the above range, conductive fine particles can be produced at low cost while exhibiting excellent oxidation resistance.

前記金属層を構成するリンの含有量は、金属層100質量%中、5質量%以上が好ましく、より好ましくは8質量%以上、さらに好ましくは12質量%以上であり、20質量%以下が好ましく、より好ましくは15質量%以下である。リン含有量が前記範囲であると、優れた耐酸化性を発現させることができる。   The content of phosphorus constituting the metal layer is preferably 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, still more preferably 12% by mass or more, and preferably 20% by mass or less, in 100% by mass of the metal layer. More preferably, it is 15 mass% or less. When the phosphorus content is in the above range, excellent oxidation resistance can be exhibited.

前記金属層に含有させることができる他の元素としては、特に制限はないが、例えば、金、銀、銅、白金、鉄、鉛、アルミニウム、クロム、パラジウム、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、スズ、コバルト、インジウム等の金属元素が挙げられる。これらの含有量は、金属層100質量%中、50質量%以下が好ましく、より好ましくは40質量%以下、さらに好ましくは30質量%以下である。なお、これら他の金属元素は、ニッケルおよびリンとともに一つの層を形成するものであってもよいし、ニッケル−リン合金で形成された層の表面に別の層を形成するもの(例えばニッケル−リン合金層の表面に金メッキを施した態様など)であってもよい。   Other elements that can be contained in the metal layer are not particularly limited. For example, gold, silver, copper, platinum, iron, lead, aluminum, chromium, palladium, nickel, rhodium, ruthenium, antimony, bismuth. , Metal elements such as germanium, tin, cobalt, and indium. These contents are preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and still more preferably 30% by mass or less, in 100% by mass of the metal layer. These other metal elements may form one layer together with nickel and phosphorus, or may form another layer on the surface of a layer formed of a nickel-phosphorus alloy (for example, nickel- An embodiment in which the surface of the phosphorus alloy layer is plated with gold may be used.

ただし、本発明における金属層は、実質的に硫黄元素を含まないことが重要であり、通常、金属層100質量%中の硫黄含有量は、0.1質量%未満であり、好ましくは0.05質量%以下、さらに好ましくは0.01質量%以下である。硫黄元素が前記範囲より多いと、耐酸化性が不十分となる結果、導電性が低下することとなる。   However, it is important that the metal layer in the present invention does not substantially contain elemental sulfur. Usually, the sulfur content in 100% by mass of the metal layer is less than 0.1% by mass, preferably 0.8%. It is 05 mass% or less, More preferably, it is 0.01 mass% or less. When there is more sulfur element than the said range, as a result that oxidation resistance becomes inadequate, electroconductivity will fall.

なお、前記金属層中に含まれる各元素の含有量は、例えば実施例で後述する方法で測定することができる。   In addition, content of each element contained in the said metal layer can be measured by the method mentioned later in an Example, for example.

前記導電性金属層の厚さ(例えばニッケル−リン合金層の表面に金メッキを施した場合には、ニッケル−リン合金層と金層の合計厚さ)は、0.01μm以上が好ましく、より好ましくは0.03μm以上、さらに好ましくは0.05μm以上であり、0.20μm以下が好ましく、より好ましくは0.18μm以下、さらに好ましくは0.15μm以下である。前記金属層の厚さが上記範囲内であれば、導電性微粒子を異方性導電材料として用いる際に、安定した電気的接続が維持できる。   The thickness of the conductive metal layer (for example, when the surface of the nickel-phosphorus alloy layer is gold-plated, the total thickness of the nickel-phosphorus alloy layer and the gold layer) is preferably 0.01 μm or more, more preferably Is 0.03 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.20 μm or less, more preferably 0.18 μm or less, still more preferably 0.15 μm or less. When the thickness of the metal layer is within the above range, stable electrical connection can be maintained when the conductive fine particles are used as the anisotropic conductive material.

導電性金属層の厚さの測定方法は、特に限定されず、公知の各種方法を採用することができる。例えば、導電性微粒子を直径に沿って切断し、その断面を電子顕微鏡等で観察することにより測定することができるし、金属層を溶解させICP発光分析装置で溶解した金属濃度を分析することにより求めることもできる。後者の方法では、例えばニッケル−リン合金層の表面に金メッキを施した場合などに、各層の厚さを個別に求めることができる。以下、ニッケル−リン合金層の表面に金メッキを施した導電性微粒子の場合を例として、後者の方法について説明する。
すなわち、まず、導電性微粒子に含まれる金属層を液中に完全に溶解させる。ここで金属層を溶解させる方法は、金属種に応じて適宜選択すればよく、例えば、導電性微粒子に王水を添加して加熱下で攪拌を行うなどの方法を採用することができる。次に、溶解させた液中におけるニッケル−リン合金層を構成する金属(ニッケル、リン)の濃度と金の濃度をICP発光分析装置を用いて分析し、下記の式(1)からニッケル−リン合金層の厚みを算出し、下記の式(2)から金層の厚みを算出することができる。
The method for measuring the thickness of the conductive metal layer is not particularly limited, and various known methods can be employed. For example, it can be measured by cutting conductive fine particles along the diameter and observing the cross section with an electron microscope or the like, or by dissolving the metal layer and analyzing the dissolved metal concentration with an ICP emission analyzer. You can ask for it. In the latter method, for example, when the surface of the nickel-phosphorus alloy layer is plated with gold, the thickness of each layer can be obtained individually. Hereinafter, the latter method will be described by taking as an example the case of conductive fine particles in which the surface of the nickel-phosphorus alloy layer is plated with gold.
That is, first, the metal layer contained in the conductive fine particles is completely dissolved in the liquid. Here, the method for dissolving the metal layer may be appropriately selected according to the metal species. For example, a method of adding aqua regia to the conductive fine particles and stirring under heating can be employed. Next, the concentrations of metals (nickel, phosphorus) and gold constituting the nickel-phosphorus alloy layer in the dissolved liquid were analyzed using an ICP emission analyzer, and the nickel-phosphorus was calculated from the following formula (1). The thickness of the alloy layer is calculated, and the thickness of the gold layer can be calculated from the following equation (2).

式(1)中、rは基材粒子の半径(μm)、tはニッケル−リン合金層の厚み(μm)、dNiはニッケル−リン合金層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル−リン合金層の構成成分(ニッケル、リン)の含有率(質量%)、Xは金の含有率(質量%)である。 In the formula (1), r is the radius of the base particle (μm), t is the thickness of the nickel-phosphorus alloy layer (μm), d Ni is the density of the nickel-phosphorus alloy layer, d base is the density of the base particle, W is the content (mass%) of the constituent components (nickel, phosphorus) of the nickel-phosphorus alloy layer, and X is the gold content (mass%).

式(2)中、aは金層の厚み(μm)、dAuは金層の密度、d(base+Ni)は基材粒子にニッケル−リン合金層を設けた粒子(以下「ニッケル品」と称する)の密度、Xは金の含有率(質量%)である。ここで、ニッケル品の密度d(base+Ni)は計算式(3)を使用して算出することができる。なお、式(3)中、dNiはニッケル−リン合金層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル−リン合金層の構成成分(ニッケル、リン)の含有率(質量%)である。 In formula (2), a is the thickness (μm) of the gold layer, d Au is the density of the gold layer, d (base + Ni) is a particle in which a nickel-phosphorus alloy layer is provided on the base particle (hereinafter “nickel product”) X) is the gold content (mass%). Here, the density d (base + Ni) of the nickel product can be calculated using the calculation formula (3). In formula (3), d Ni is the density of the nickel-phosphorus alloy layer, d base is the density of the base particle, and W is the content (mass%) of the constituent components (nickel, phosphorus) of the nickel-phosphorus alloy layer. It is.

1−2.基材粒子
本発明では特許文献1のように金属層形成後に加熱処理を行うことを要しないので、本発明における基材粒子は、その耐熱性に制約されることなく、耐熱性が高い基材粒子から比較的耐熱性が低い基材粒子まで幅広く選択することができる。
具体的には、本発明の基材粒子は、熱分解開始温度が280℃を超える様な粒子(例えば、熱分解開始温度が280〜400℃程度の粒子)であってもよいが、本発明では、熱分解開始温度が、例えば、280℃以下、好ましくは270℃以下(例えば、200〜265℃程度)の粒子であっても使用できる。なお基材粒子の熱分解開始温度は、窒素雰囲気下で熱重量分析を行うことで測定することができる。
1-2. Base Material Particles In the present invention, it is not necessary to perform heat treatment after forming the metal layer as in Patent Document 1, and therefore the base material particles in the present invention are a base material having high heat resistance without being restricted by the heat resistance. A wide selection can be made from particles to base particles having relatively low heat resistance.
Specifically, the base particles of the present invention may be particles having a thermal decomposition starting temperature exceeding 280 ° C. (for example, particles having a thermal decomposition starting temperature of about 280 to 400 ° C.). Then, even particles having a thermal decomposition start temperature of, for example, 280 ° C. or lower, preferably 270 ° C. or lower (for example, about 200 to 265 ° C.) can be used. The thermal decomposition start temperature of the base particles can be measured by performing thermogravimetric analysis under a nitrogen atmosphere.

本発明における基材粒子は、樹脂成分を含む樹脂粒子であることが好ましい。樹脂粒子を用いることで、弾性変形特性に優れた導電性微粒子が得られる。樹脂粒子としては、有機材料のみから構成される樹脂粒子に限られず、有機無機複合材料から構成される樹脂粒子でもよい。   The substrate particles in the present invention are preferably resin particles containing a resin component. By using resin particles, conductive fine particles having excellent elastic deformation characteristics can be obtained. The resin particles are not limited to resin particles composed only of organic materials, but may be resin particles composed of organic-inorganic composite materials.

前記樹脂粒子を構成する有機材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン;スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル樹脂等のビニル重合体;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類;ポリカーボネート類;ポリアミド類;ポリイミド類;フェノールホルムアルデヒド樹脂;メラミンホルムアルデヒド樹脂;メラミンベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂;尿素ホルムアルデヒド樹脂;等が挙げられる。また、有機無機複合材料としては、シリコーン樹脂、前記有機材料とポリシロキサン骨格とを含む材料(例えば、ポリシロキサン骨格とビニル重合体が複合化されてなる材料等)が挙げられる。これらの樹脂粒子を構成する材料は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the organic material constituting the resin particles include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyisobutylene, and polybutadiene; vinyl heavy resins such as styrene resins, acrylic resins, and styrene-acrylic resins. Polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; polycarbonates; polyamides; polyimides; phenol formaldehyde resins; melamine formaldehyde resins; melamine benzoguanamine formaldehyde resins; Examples of the organic / inorganic composite material include a silicone resin and a material containing the organic material and a polysiloxane skeleton (for example, a material in which a polysiloxane skeleton and a vinyl polymer are combined). The material which comprises these resin particles may be used independently, and 2 or more types may be used together.

前記樹脂粒子を構成する材料の中でも、ビニル重合体及び/又はポリシロキサン骨格を含むものが好ましい。ビニル重合体を含む材料は、ビニル基が重合して形成された有機系骨格を有し、加圧接続時の弾性変形に優れる。特に、ジビニルベンゼンを重合成分として含むビニル重合体は、導電性金属被覆後の粒子強度の低下が少ない。また、ポリシロキサン骨格を含む材料は、加圧接続時において被接続体に対する接触圧が優れる。特にポリシロキサン骨格とビニル重合体を複合化した材料は、弾性変形性及び接触圧に優れ、得られる導電性微粒子の接続信頼性がより優れたものとなるため好ましい。   Among the materials constituting the resin particles, those containing a vinyl polymer and / or a polysiloxane skeleton are preferable. A material containing a vinyl polymer has an organic skeleton formed by polymerizing vinyl groups, and is excellent in elastic deformation during pressure connection. In particular, a vinyl polymer containing divinylbenzene as a polymerization component has little decrease in particle strength after coating with a conductive metal. In addition, the material containing the polysiloxane skeleton has excellent contact pressure with respect to the connected body during pressure connection. In particular, a material in which a polysiloxane skeleton and a vinyl polymer are combined is preferable because it is excellent in elastic deformability and contact pressure, and the connection reliability of the obtained conductive fine particles becomes more excellent.

前記ビニル重合体はビニル系単量体(ビニル基含有単量体)を重合(ラジカル重合)することによって形成でき、このビニル系単量体はビニル系架橋性単量体とビニル系非架橋性単量体とに分けられる。また前記ポリシロキサン骨格は、シラン系単量体を用いることによって形成でき、このシラン系単量体はシラン系架橋性単量体とシラン系非架橋性単量体とに分けられる。   The vinyl polymer can be formed by polymerizing a vinyl monomer (vinyl group-containing monomer) (radical polymerization). This vinyl monomer is composed of a vinyl crosslinkable monomer and a vinyl noncrosslinkable. Divided into monomers. The polysiloxane skeleton can be formed by using a silane monomer, and the silane monomer is divided into a silane crosslinkable monomer and a silane noncrosslinkable monomer.

なお、「ビニル基」には、炭素−炭素二重結合のみならず、(メタ)アクリロキシ基、アリル基、イソプロペニル基、ビニルフェニル基、イソプロペニルフェニル基のような官能基と重合性炭素−炭素二重結合から構成される置換基も含まれる。なお、本明細書において「(メタ)アクリロキシ基」、「(メタ)アクリレート」や「(メタ)アクリル」は、「アクリロキシ基及び/又はメタクリロキシ基」、「アクリレート及び/又はメタクリレート」や「アクリル及び/又はメタクリル」を示すものとする。   The “vinyl group” includes not only a carbon-carbon double bond but also a functional group such as (meth) acryloxy group, allyl group, isopropenyl group, vinylphenyl group, isopropenylphenyl group, and polymerizable carbon- Substituents composed of carbon double bonds are also included. In this specification, “(meth) acryloxy group”, “(meth) acrylate” and “(meth) acryl” are “acryloxy group and / or methacryloxy group”, “acrylate and / or methacrylate” and “acryl and / Or methacryl ".

前記樹脂粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体(例えばビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計)の割合は、1質量%以上が好ましく、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上である。架橋性単量体の割合が前記範囲であると、得られる導電性微粒子に耐溶剤性を付与することができ、例えばACF形成に用いる際に溶剤の影響による粒子の膨潤や変形を防ぐことができる。一方、架橋性単量体の割合の上限は、特に制限されないが、90質量%以下が好ましく、より好ましくは80質量%以下、さらに好ましくは70質量%以下である。   The ratio of the crosslinkable monomer (for example, the total of the vinyl-based crosslinkable monomer and the silane-based crosslinkable monomer) in the total monomers constituting the resin particles is preferably 1% by mass or more, more preferably. Is 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more. When the ratio of the crosslinkable monomer is within the above range, solvent resistance can be imparted to the obtained conductive fine particles, and for example, when used for ACF formation, swelling and deformation of particles due to the influence of the solvent can be prevented. it can. On the other hand, the upper limit of the ratio of the crosslinkable monomer is not particularly limited, but is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and further preferably 70% by mass or less.

前記樹脂粒子が、ビニル重合体とポリシロキサン骨格を含む有機無機複合材料からなる場合、ビニル系単量体の使用量は、シラン系単量体100質量部に対して1質量部以上が好ましく、より好ましくは5質量部以上、さらに好ましくは10質量部以上であり、5000質量部以下が好ましく、より好ましくは4000質量部以下、さらに好ましくは3000質量部以下である。   When the resin particles are made of an organic-inorganic composite material containing a vinyl polymer and a polysiloxane skeleton, the amount of the vinyl monomer used is preferably 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the silane monomer, More preferably, it is 5 mass parts or more, More preferably, it is 10 mass parts or more, 5000 mass parts or less are preferable, More preferably, it is 4000 mass parts or less, More preferably, it is 3000 mass parts or less.

前記ビニル系架橋性単量体とは、ビニル基を有し架橋構造を形成し得るものであり、具体的には、1分子中に2個以上のビニル基を有する単量体(単量体(1))、または、1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基(カルボキシル基、ヒドロキシ基等のプロトン性水素含有基、アルコキシ基等の末端官能基等)を有する単量体(単量体(2))が挙げられる。ただし、単量体(2)によって架橋構造を形成させるには、当該単量体(2)の結合性官能基と反応(結合)可能な相手方単量体の存在が必要である。   The vinyl-based crosslinkable monomer has a vinyl group and can form a crosslinked structure, and specifically, a monomer (monomer having two or more vinyl groups in one molecule). (1)), or having one vinyl group and a binding functional group other than a vinyl group in one molecule (a protic hydrogen-containing group such as a carboxyl group or a hydroxy group, or a terminal functional group such as an alkoxy group). A monomer (monomer (2)) is mentioned. However, in order to form a crosslinked structure with the monomer (2), it is necessary to have a counterpart monomer capable of reacting (binding) with the binding functional group of the monomer (2).

前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体(1)(1分子中に2個以上のビニル基を有する単量体)の例として、例えば、アリル(メタ)アクリレート等のアリル(メタ)アクリレート類;アルカンジオールジ(メタ)アクリレート(例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレンジ(メタ)アクリレート等)、ポリアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、デカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタコンタヘクタエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート等)等のジ(メタ)アクリレート類;トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート等のトリ(メタ)アクリレート類;ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等のテトラ(メタ)アクリレート類;ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等のヘキサ(メタ)アクリレート類;ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、及びこれらの誘導体等の芳香族炭化水素系架橋剤(好ましくはジビニルベンゼン等のスチレン系多官能モノマー);N,N−ジビニルアニリン、ジビニルエーテル、ジビニルサルファイド、ジビニルスルホン酸等のヘテロ原子含有架橋剤;等が挙げられる。これらの中でも、1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート類(多官能(メタ)アクリレート)や、芳香族炭化水素系架橋剤(特にスチレン系多官能モノマー)が好ましい。前記1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート類の中でも、前記1分子中に3個以上の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレートが特に好ましく、さらにその中でも、1分子中に3個以上のアクリロイル基を有するアクリレートが好ましい。前記スチレン系多官能モノマーの中では、ジビニルベンゼンのように1分子中に2個のビニル基を有する単量体が好ましい。単量体(1)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the monomer (1) (monomer having two or more vinyl groups in one molecule) among the vinyl-based crosslinkable monomers include, for example, allyl (meth) acrylate such as allyl (meth) acrylate. ) Acrylates; alkanediol di (meth) acrylate (for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9- Nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,3-butylene di (meth) acrylate, etc.), polyalkylene glycol di (meth) acrylate (for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, Triethylene glycol di (meth) acrylate, decaethylene glycol di ( ) Acrylate, pentadecaethylene glycol di (meth) acrylate, pentacontahector ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) acrylate Di (meth) acrylates such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate; tetra (meth) acrylates such as pentaerythritol tetra (meth) acrylate; dipentaerythritol hexa (meth) ) Hexa (meth) acrylates such as acrylates; aromatic hydrocarbon-based crosslinking agents such as divinylbenzene, divinylnaphthalene, and derivatives thereof (preferably divinylbenzene Ren-based polyfunctional monomer); N, N-divinyl aniline, divinyl ether, divinyl sulfide, hetero atom-containing crosslinking agents such as divinyl sulfonic acid; and the like. Among these, (meth) acrylates (polyfunctional (meth) acrylate) having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule and aromatic hydrocarbon crosslinking agents (especially styrene polyfunctional monomers) are included. preferable. Among the (meth) acrylates having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule, (meth) acrylates having three or more (meth) acryloyl groups in one molecule are particularly preferable. Among these, acrylates having 3 or more acryloyl groups in one molecule are preferable. Among the styrenic polyfunctional monomers, monomers having two vinyl groups in one molecule such as divinylbenzene are preferable. A monomer (1) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体(2)(1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体)としては、例えば、(メタ)アクリル酸等のカルボキシル基を有する単量体;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基含有(メタ)アクリレート類、p−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシ基含有スチレン類等のヒドロキシ基を有する単量体;2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、2−ブトキシエチル(メタ)アクリレート等のアルコキシ基含有(メタ)アクリレート類、p−メトキシスチレン等のアルコキシスチレン類等のアルコキシ基を有する単量体;等が挙げられる。単量体(2)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Among the vinyl-based crosslinkable monomers, the monomer (2) (monomer having one vinyl group and a binding functional group other than vinyl group in one molecule) is, for example, (meth) Monomers having a carboxyl group such as acrylic acid; hydroxy group-containing (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, p -Monomers having hydroxy groups such as hydroxy group-containing styrenes such as hydroxystyrene; alkoxy groups such as 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate Contains (meth) acrylates and alkoxy groups such as alkoxystyrenes such as p-methoxystyrene That monomer; and the like. A monomer (2) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系非架橋性単量体としては、1分子中に1個のビニル基を有する単量体(単量体(3))か、もしくは相手方単量体が存在しない場合の前記単量体(2)(1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体)が挙げられる。   The vinyl-based non-crosslinkable monomer is a monomer having one vinyl group in one molecule (monomer (3)) or the monomer in the case where there is no counterpart monomer (2) (monomer having one vinyl group and a binding functional group other than vinyl group in one molecule).

前記ビニル系非架橋性単量体のうち前記単量体(3)(1分子中に1個のビニル基を有する単量体)には、(メタ)アクリレート系単官能モノマーやスチレン系単官能モノマーが含まれる。(メタ)アクリレート系単官能モノマーとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;シクロプロピル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロオクチル(メタ)アクリレート、シクロウンデシル(メタ)アクリレート、シクロドデシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、4−t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート等のシクロアルキル(メタ)アクリレート類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、トリル(メタ)アクリレート、フェネチル(メタ)アクリレート等の芳香環含有(メタ)アクリレート類が挙げられ、メチル(メタ)アクリレートなどのアルキル(メタ)アクリレートが好ましい。スチレン系単官能モノマーとしては、スチレン;o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、α−メチルスチレン、p−t−ブチルスチレン等のアルキルスチレン類、o−クロロスチレン、m−クロロスチレン、p−クロロスチレン等のハロゲン基含有スチレン類等が挙げられ、スチレンが好ましい。単量体(3)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Among the vinyl non-crosslinkable monomers, the monomer (3) (monomer having one vinyl group in one molecule) includes (meth) acrylate monofunctional monomers and styrene monofunctional monomers. Monomers are included. Examples of the (meth) acrylate monofunctional monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, and pentyl (meth) acrylate. , Hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylates such as: cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclooctyl (meth) acrylate, cyclo Cycloalkyl (meth) acrylates such as ndecyl (meth) acrylate, cyclododecyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 4-t-butylcyclohexyl (meth) acrylate; phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate And aromatic ring-containing (meth) acrylates such as tolyl (meth) acrylate and phenethyl (meth) acrylate, and alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate are preferred. Styrene monofunctional monomers include styrene; alkyl styrenes such as o-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, α-methyl styrene, pt-butyl styrene, o-chlorostyrene, m-chloro. Examples include halogen group-containing styrenes such as styrene and p-chlorostyrene, and styrene is preferred. A monomer (3) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系単量体としては、少なくとも前記ビニル系架橋性単量体(1)を含む態様が好ましく、中でも前記ビニル系架橋性単量体(1)と前記ビニル系非架橋性単量体(3)とを含む態様(特に単量体(1)と単量体(3)との共重合体)が好ましい。具体的には、構成成分として、スチレン系単官能モノマーを含む態様、スチレン系単官能モノマーと1分子中に2以上の(メタ)アクリロイル基を有する単量体とを含む態様、スチレン系単官能モノマーとスチレン系多官能モノマーとを含む態様が好ましい。中でも、スチレン系単官能モノマーとスチレン系多官能モノマーとを含む態様が好ましい。   The vinyl monomer preferably includes at least the vinyl crosslinkable monomer (1). Among them, the vinyl crosslinkable monomer (1) and the vinyl noncrosslinkable monomer ( 3) (in particular, a copolymer of the monomer (1) and the monomer (3)) is preferable. Specifically, an embodiment containing a styrene monofunctional monomer as a constituent component, an embodiment containing a styrene monofunctional monomer and a monomer having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule, a styrene monofunctional An embodiment containing a monomer and a styrenic polyfunctional monomer is preferred. Among these, an embodiment including a styrene monofunctional monomer and a styrene polyfunctional monomer is preferable.

前記ポリシロキサン骨格は、シラン系単量体を加水分解し縮合反応によりシロキサン結合を生じさせることで形成され、特にシラン系単量体としてシラン系架橋性単量体を用いると、架橋構造を形成し得る。シラン系架橋性単量体により形成される架橋構造としては、有機重合体骨格(例えば、ビニル系重合体骨格)と有機重合体骨格とを架橋するもの(第一の形態);ポリシロキサン骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの(第二の形態);有機重合体骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの(第三の形態);が挙げられる。   The polysiloxane skeleton is formed by hydrolyzing a silane monomer and generating a siloxane bond by a condensation reaction. In particular, when a silane crosslinkable monomer is used as a silane monomer, a crosslinked structure is formed. Can do. Examples of the crosslinked structure formed by the silane-based crosslinking monomer include those that crosslink an organic polymer skeleton (for example, a vinyl polymer skeleton) and an organic polymer skeleton (first form); a polysiloxane skeleton; One that crosslinks a polysiloxane skeleton (second form); one that crosslinks an organic polymer skeleton and a polysiloxane skeleton (third form).

第一の形態(有機重合体間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、ジメチルジビニルシラン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン等の2つ以上のビニル基を有するシラン化合物が挙げられる。第二の形態(ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等の4官能性シラン系単量体;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の3官能性シラン系単量体等が挙げられる。第三の形態(有機重合体−ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシエトキシプロピルトリメトキシシラン等の(メタ)アクリロイル基を有するジ又はトリアルコキシシラン;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン等のビニル基を有するジ又はトリアルコキシシラン;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン;3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン;が挙げられる。これらのシラン系架橋性単量体は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the silane-based crosslinkable monomer that can form the first form (crosslinking between organic polymers) include silane compounds having two or more vinyl groups such as dimethyldivinylsilane, methyltrivinylsilane, and tetravinylsilane. Can be mentioned. Examples of the silane crosslinkable monomer that can form the second form (crosslink between polysiloxanes) include tetrafunctional silane single monomers such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, and tetrabutoxysilane. Examples of the polymer include trifunctional silane monomers such as methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxysilane. Examples of the silane-based crosslinkable monomer that can form the third form (crosslinking between organic polymer and polysiloxane) include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3- (Meth) acryloyl such as acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxyethoxypropyltrimethoxysilane Di- or trialkoxysilanes having a group; di- or trialkoxysilanes having a vinyl group such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane; 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3 Di- or trialkoxysilanes having an epoxy group such as glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, etc. Or a di- or trialkoxysilane having an amino group. These silane crosslinking monomers may be used alone or in combination of two or more.

前記シラン系非架橋性単量体として、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等のジアルキルシラン等の2官能性シラン系単量体;トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリアルキルシラン等の1官能性シラン系単量体等が挙げられる。これらのシラン系非架橋性単量体は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the silane-based non-crosslinkable monomer include bifunctional silane-based monomers such as dimethyldimethoxysilane and dialkylsilane such as dimethyldiethoxysilane; and trialkylsilanes such as trimethylmethoxysilane and trimethylethoxysilane. And monofunctional silane-based monomers. These silane non-crosslinkable monomers may be used alone or in combination of two or more.

特に前記ポリシロキサン骨格は、ラジカル重合可能な炭素−炭素二重結合(例えば、(メタ)アクリロイル基等のビニル基)を有する重合性ポリシロキサン由来の骨格であることが好ましい。つまり、ポリシロキサン骨格は、構成成分として、少なくとも前記第三の形態(有機重合体−ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体(好ましくは(メタ)アクリロイル基を有するもの、より好ましくは3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン)を加水分解及び縮合することにより形成されたポリシロキサン骨格であることが好ましい。   In particular, the polysiloxane skeleton is preferably a skeleton derived from a polymerizable polysiloxane having a radical-polymerizable carbon-carbon double bond (for example, a vinyl group such as a (meth) acryloyl group). That is, the polysiloxane skeleton is a silane crosslinkable monomer (preferably having a (meth) acryloyl group) capable of forming at least the third form (crosslinking between the organic polymer and the polysiloxane) as a constituent component. More preferably, it is a polysiloxane skeleton formed by hydrolysis and condensation of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane).

なお前記樹脂粒子を構成する各単量体の構成比は、特に限定されるものではなく、基材粒子に求められる特性(例えば、硬度、圧縮時の回復率、耐熱性など)に応じて、適宜設定すればよい。   In addition, the composition ratio of each monomer constituting the resin particle is not particularly limited, and depends on characteristics (for example, hardness, recovery rate during compression, heat resistance, etc.) required for the base particle, What is necessary is just to set suitably.

前記樹脂粒子の製造方法としては、乳化重合、懸濁重合、分散重合、シード重合、ゾルゲルシード重合法等が採用できるが、シード重合やゾルゲルシード重合法は粒度分布を小さくすることができるため好ましい。なお、上記ゾルゲルシード重合法とは、シード重合の一態様であって、特に、シード粒子がゾルゲル法により合成される場合を意味する。例えば、アルコキシシランの加水分解縮合反応により得られたポリシロキサンをシード粒子とする場合等が挙げられる。したがって、シード重合には、シード粒子が、有機材料からなる場合と、有機材料と無機材料とが複合された材料からなる場合(ゾルゲルシード重合法の場合)とが存在する。例えば、前記樹脂粒子がビニル重合体骨格とポリシロキサン骨格を有するものである場合、その製造方法としては、ラジカル重合性基を有する架橋性シラン単量体を加水分解、縮合反応を行って重合性ポリシロキサン粒子を調製した後、該重合性ポリシロキサン粒子に前記ビニル系有単量体等を吸収させ重合する方法が好ましく採用される。   As the method for producing the resin particles, emulsion polymerization, suspension polymerization, dispersion polymerization, seed polymerization, sol-gel seed polymerization method and the like can be adopted, but seed polymerization and sol-gel seed polymerization method are preferable because the particle size distribution can be reduced. . The sol-gel seed polymerization method is an embodiment of seed polymerization, and particularly means that seed particles are synthesized by the sol-gel method. For example, the case where polysiloxane obtained by the hydrolysis condensation reaction of alkoxysilane is used as seed particles can be used. Therefore, the seed polymerization includes a case where the seed particles are made of an organic material and a case where the seed particles are made of a material in which an organic material and an inorganic material are combined (in the case of a sol-gel seed polymerization method). For example, in the case where the resin particles have a vinyl polymer skeleton and a polysiloxane skeleton, the production method thereof is to polymerize a crosslinkable silane monomer having a radical polymerizable group by hydrolysis and condensation reaction. After preparing the polysiloxane particles, a method of polymerizing the polymerizable polysiloxane particles by absorbing the vinyl monomer and the like is preferably employed.

前記基材粒子は、表面が親水性であることが好ましい。表面が親水性であれば、後述する無電解メッキ液に対する濡れ性が高く、基材粒子表面に均一に導電性金属層を形成できる。また親水化処理により樹脂粒子表面に微小な凹凸が形成された場合、その凹凸のアンカー効果によって、基材粒子と導電性金属層との密着性が一層向上するという効果も得られる。
表面が親水性である基材粒子は、上述した樹脂粒子に親水化処理を施すことにより得られる。親水化処理の方法は、特に限定されず、従来公知の方法を採用でき、例えば、クロム酸、無水クロム酸−硫酸混合液、過マンガン酸等の酸化剤;塩酸、硫酸、フッ酸、硝酸等の強酸;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリ溶液;その他市販の種々の親水化剤(エッチング剤)を用いる方法や、オゾンガス処理等の気相処理が挙げられる。
The substrate particles preferably have a hydrophilic surface. If the surface is hydrophilic, the wettability to the electroless plating solution described later is high, and a conductive metal layer can be uniformly formed on the surface of the substrate particles. Moreover, when the micro unevenness | corrugation is formed in the resin particle surface by the hydrophilization process, the effect that the adhesiveness of a base particle and an electroconductive metal layer improves further by the anchor effect of the unevenness | corrugation is also acquired.
The substrate particles having a hydrophilic surface can be obtained by subjecting the above-described resin particles to a hydrophilic treatment. The method of the hydrophilization treatment is not particularly limited, and a conventionally known method can be adopted. For example, oxidizer such as chromic acid, chromic anhydride-sulfuric acid mixed solution, permanganic acid; hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, nitric acid, etc. A strong alkaline solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide; a method using various other commercially available hydrophilizing agents (etching agents), and gas phase treatment such as ozone gas treatment.

前記基材粒子(樹脂粒子)の個数平均粒子径は、1.0μm以上が好ましく、より好ましくは1.1μm以上、さらに好ましくは1.2μm以上、一層好ましくは1.3μm以上であり、50μm以下が好ましく、より好ましくは30μm以下、さらに好ましくは25μm以下、一層好ましくは20μm以下である。前記基材粒子の粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は、10.0%以下が好ましく、より好ましくは8.0%以下、さらに好ましくは5.0%以下、一層好ましくは4.5%以下、特に好ましくは4.0%以下である。なお、基材粒子の個数平均粒子径および変動係数は、実施例で後述する方法で測定することができる。   The number average particle diameter of the substrate particles (resin particles) is preferably 1.0 μm or more, more preferably 1.1 μm or more, still more preferably 1.2 μm or more, still more preferably 1.3 μm or more, and 50 μm or less. More preferably, it is 30 micrometers or less, More preferably, it is 25 micrometers or less, More preferably, it is 20 micrometers or less. The number-based variation coefficient (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 10.0% or less, more preferably 8.0% or less, still more preferably 5.0% or less, and still more preferably 4. 5% or less, particularly preferably 4.0% or less. In addition, the number average particle diameter and variation coefficient of the base particles can be measured by the method described later in Examples.

基材粒子が微細(具体的には、個数平均粒子径が10.0μm未満)であると、それに準じて導電性微粒子も微細になるので、上述したように本発明の効果がより顕著になる。よって、基材粒子の個数平均粒子径は、10.0μm未満が好ましく、より好ましくは3.0μm以下、さらに好ましくは2.8μm以下、一層好ましくは、2.8μm未満、より一層好ましくは2.7μm以下、さらに一層好ましくは2.6μm以下、特に好ましくは2.5μm以下であり、一方、1.0μm以上が好ましく、1.5μm以上がより好ましい。   If the substrate particles are fine (specifically, the number average particle diameter is less than 10.0 μm), the conductive fine particles become fine accordingly, so that the effect of the present invention becomes more remarkable as described above. . Therefore, the number average particle diameter of the base particles is preferably less than 10.0 μm, more preferably 3.0 μm or less, even more preferably 2.8 μm or less, still more preferably less than 2.8 μm, and even more preferably 2. 7 μm or less, still more preferably 2.6 μm or less, particularly preferably 2.5 μm or less, while 1.0 μm or more is preferable, and 1.5 μm or more is more preferable.

他方、上述したように、本発明の効果がより顕著になる態様として基材粒子が軟質である態様があり、その場合の導電性微粒子の好ましい個数平均粒子径は6.3μm以上、25μm以下である。この点に鑑みれば、基材粒子の個数平均粒子径は、6μm以上であることが好ましく、より好ましくは7μm以上、さらに好ましくは8μm以上である。この場合、上限は25μm以下が好ましく、より好ましくは23μm以下、さらに好ましくは20μm以下である。   On the other hand, as described above, as an aspect in which the effect of the present invention becomes more prominent, there is an aspect in which the base particles are soft, and the preferable number average particle diameter of the conductive fine particles in that case is 6.3 μm or more and 25 μm or less. is there. In view of this point, the number average particle diameter of the base particles is preferably 6 μm or more, more preferably 7 μm or more, and further preferably 8 μm or more. In this case, the upper limit is preferably 25 μm or less, more preferably 23 μm or less, and still more preferably 20 μm or less.

前記基材粒子(樹脂粒子)の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、球状、回転楕円体状、金平糖状、薄板状、針状、まゆ状等のいずれでも良いが、球状が好ましく、特に真球状が好ましい。   The shape of the substrate particles (resin particles) is not particularly limited, and may be any of a spherical shape, a spheroid shape, a confetti shape, a thin plate shape, a needle shape, an eyebrow shape, etc., and a spherical shape is preferable. In particular, a true spherical shape is preferable.

1−3.導電性微粒子の製法
本発明の導電性微粒子は、前記基材粒子表面に無電解メッキ法により金属層を形成することで製造できる。無電解メッキ法によれば、金属層中の金属ニッケルの含有比率を上述した範囲に制御して耐酸化性に優れる導電性金属層を備えた本発明の導電性微粒子を得やすく、しかも大掛かりな装置を必要とせず容易に金属層を形成できる。
そして本発明では、前記無電解メッキを施すに際して、(i)錯化剤として少なくとも3種類のジカルボン酸(塩)を使用すること、(ii)無電解メッキ反応をフッ素系界面活性剤の存在下で行うこと、及び(iii)無電解メッキ反応を硫黄系安定剤を使用せずに行うことが重要である。これら(i)〜(iii)を全て満たす条件で無電界メッキを施せば、酸化性加熱処理後の金属層中の金属ニッケルの含有比率を20%超とすることができる。以下、無電解メッキ法について説明する。
1-3. Production Method of Conductive Fine Particles The conductive fine particles of the present invention can be produced by forming a metal layer on the surface of the substrate particles by an electroless plating method. According to the electroless plating method, it is easy to obtain the conductive fine particles of the present invention having a conductive metal layer excellent in oxidation resistance by controlling the content ratio of metallic nickel in the metal layer to the above-mentioned range, and it is not large. A metal layer can be easily formed without requiring an apparatus.
In the present invention, when the electroless plating is performed, (i) at least three kinds of dicarboxylic acids (salts) are used as a complexing agent, and (ii) the electroless plating reaction is performed in the presence of a fluorosurfactant. And (iii) performing the electroless plating reaction without using a sulfur-based stabilizer. If electroless plating is performed under conditions satisfying all of (i) to (iii), the content ratio of metallic nickel in the metal layer after the oxidative heat treatment can be made to exceed 20%. Hereinafter, the electroless plating method will be described.

触媒化工程
まず、無電解メッキに供される基材粒子には、触媒化処理が施される。前記触媒化処理では、基材粒子表面に貴金属イオンを捕捉させた後、これを還元して前記貴金属を基材粒子表面に担持させる。触媒化処理に供される基材粒子としては、上述した表面が親水性である基材粒子が好ましい。基材粒子自体が貴金属イオンの捕捉能を有さない場合、触媒化を行う前に、表面改質処理を行うことも好ましい。表面改質処理は、表面処理剤を溶解した水又は有機溶媒に、基材粒子を接触させることで行うことができる。ここで前記表面処理剤としては、例えば、アミン塩、四級アンモニウム塩等のカチオン系界面活性剤のほか、後述するフッ素系界面活性剤が好ましく用いられる。
Catalytic Step First, the base material particles subjected to electroless plating are subjected to a catalytic treatment. In the catalyzing treatment, noble metal ions are captured on the surface of the substrate particles, and then reduced to support the noble metal on the surface of the substrate particles. As the base particles to be subjected to the catalyst treatment, the above-described base particles having a hydrophilic surface are preferable. In the case where the substrate particles themselves do not have the ability to capture noble metal ions, it is also preferable to perform a surface modification treatment before the catalytic conversion. The surface modification treatment can be performed by bringing the substrate particles into contact with water or an organic solvent in which the surface treatment agent is dissolved. Here, as the surface treatment agent, for example, in addition to cationic surfactants such as amine salts and quaternary ammonium salts, fluorine surfactants described later are preferably used.

前記触媒化処理方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液を触媒化試薬とし、これに基材粒子を浸漬することにより基材粒子表面に触媒金属を吸着させ、その後、硫酸や塩酸等の酸や水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液で前記パラジウムイオンを還元することにより、基材粒子表面にパラジウムを析出させる方法(キャタリスト−アクセレータ法)や、基材粒子をスズイオン(Sn2+)を含有する溶液と接触させることにより、スズイオンを基材粒子表面に吸着させた後、パラジウムイオン(Pd2+)を含有する溶液に浸漬させることにより、基材粒子表面にパラジウムを析出させる方法(センシタイジング−アクチベーティング法)等が挙げられる。 As the catalyst treatment method, for example, a solution containing palladium chloride and tin chloride is used as a catalyst reagent, and the catalyst particles are adsorbed on the surface of the substrate particles by immersing the substrate particles in the solution. By reducing the palladium ions with an acid solution such as hydrochloric acid or an alkali solution such as sodium hydroxide, palladium is deposited on the surface of the substrate particles (catalyst-accelerator method), or the substrate particles are treated with tin ions (Sn 2+). ) Is caused to be deposited on the surface of the substrate particles by allowing the tin ions to be adsorbed on the surface of the substrate particles and then immersed in a solution containing palladium ions (Pd 2+ ). (Sensitizing-activating method) and the like.

無電解メッキ工程
無電解メッキでは、前記触媒化処理によってパラジウム触媒を吸着させた触媒化基材粒子表面に、導電性金属層を形成する。具体的には、錯化剤と、リン系還元剤と、ニッケル塩とを含有する無電解メッキ液を用いて無電解メッキ反応を行うことにより、ニッケル−リン合金層を形成できる。
Electroless plating step In electroless plating, a conductive metal layer is formed on the surface of the catalyst base material particles on which the palladium catalyst is adsorbed by the catalyst treatment. Specifically, the nickel-phosphorus alloy layer can be formed by performing an electroless plating reaction using an electroless plating solution containing a complexing agent, a phosphorus-based reducing agent, and a nickel salt.

無電解メッキ工程においては、上記(i)の条件、すなわち無電解メッキ液が錯化剤として少なくとも3種類のジカルボン酸(塩)を含むことが重要である。ジカルボン酸としては、例えば、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸等のジカルボン酸が挙げられる。またこれらの塩としては、例えば、アルカリ金属(リチウム、ナトリウム、カリウム)塩、アンモニウム塩等が挙げられる。3種以上のジカルボン酸(塩)の組合せとしては、酒石酸、リンゴ酸及びコハク酸を含む組合せが好ましい。なお錯化剤としては、3種以上のジカルボン酸(塩)とともに、例えば、ヒドロキシ酢酸、乳酸、グルコン酸等のモノカルボン酸;クエン酸等のトリカルボン酸;またはこれらの塩(アルカリ金属(リチウム、ナトリウム、カリウム)塩、アンモニウム塩等)等を併用してもよい。   In the electroless plating step, it is important that the above condition (i), that is, the electroless plating solution contains at least three kinds of dicarboxylic acids (salts) as a complexing agent. Examples of the dicarboxylic acid include dicarboxylic acids such as tartaric acid, malic acid, and succinic acid. Moreover, as these salts, alkali metal (lithium, sodium, potassium) salt, ammonium salt etc. are mentioned, for example. As a combination of three or more kinds of dicarboxylic acids (salts), a combination containing tartaric acid, malic acid and succinic acid is preferable. As the complexing agent, together with three or more kinds of dicarboxylic acids (salts), for example, monocarboxylic acids such as hydroxyacetic acid, lactic acid and gluconic acid; tricarboxylic acids such as citric acid; or salts thereof (alkali metal (lithium, Sodium, potassium) salt, ammonium salt, etc.) may be used in combination.

前記錯化剤の使用量は、前記ニッケル塩100質量部に対して、100質量部以上が好ましく、より好ましくは150質量部以上、さらに好ましくは200質量部以上であり、500質量部以下が好ましく、より好ましくは450質量部以下、さらに好ましくは400質量部以下である。   The amount of the complexing agent used is preferably 100 parts by mass or more, more preferably 150 parts by mass or more, still more preferably 200 parts by mass or more, and preferably 500 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the nickel salt. More preferably, it is 450 mass parts or less, More preferably, it is 400 mass parts or less.

無電解メッキ工程においては、上記(ii)の条件、すなわち無電解メッキ反応をフッ素系界面活性剤の存在下で行うことが重要である。
フッ素系界面活性剤としては、例えば、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルスルホン酸塩、パーフルオロアルキルリン酸エステル、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルアンモニウムヨウ化物、パーフルオロアルキルアミンオキサイド等が挙げられる。フッ素系界面活性剤は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
フッ素系界面活性剤を反応系内に添加する方法としては、基材粒子の表面処理剤として添加する方法;水性スラリーを調製する際に、基材粒子を分散させるために添加する方法;無電解メッキ液に配合しておく方法が挙げられる。
In the electroless plating step, it is important to perform the above condition (ii), that is, the electroless plating reaction in the presence of a fluorosurfactant.
Examples of the fluorosurfactant include perfluoroalkyl trimethyl ammonium salt, perfluoroalkyl sulfonate, perfluoroalkyl phosphate, perfluoroalkyl carboxylate, perfluoroalkyl ammonium iodide, perfluoroalkylamine oxide. Etc. Only 1 type may be used for a fluorochemical surfactant and it may use 2 or more types together.
As a method of adding a fluorosurfactant into the reaction system, a method of adding as a surface treatment agent for base particles; a method of adding to disperse base particles when preparing an aqueous slurry; The method of mix | blending with plating solution is mentioned.

前記フッ素系界面活性剤の各方法における使用量は、特に限定されないが、基材粒子100質量部に対して、1質量部以上が好ましく、より好ましくは2.5質量部以上、さらに好ましくは5質量部以上であり、20質量部以下が好ましく、より好ましくは18質量部以下、さらに好ましくは14質量部以下である。   Although the usage-amount in each method of the said fluorosurfactant is not specifically limited, 1 mass part or more is preferable with respect to 100 mass parts of base material particles, More preferably, it is 2.5 mass parts or more, More preferably, 5 It is at least 20 parts by mass, more preferably at most 18 parts by mass, even more preferably at most 14 parts by mass.

無電解メッキ工程においては、上記(iii)の条件、すなわち無電解メッキ反応を硫黄系安定剤不使用の下で行うことが重要である。一般に、無電解メッキ液は一度の使用で廃棄されるものではなく、複数回の無電解メッキ反応に再利用されるのが通常であるが、使用回数を重ねるにつれて無電解メッキ液は徐々に劣化する。そこで、無電解メッキ液には通常、複数回の再利用に耐えうるよう硫黄系安定剤が添加される。しかし、本発明者らの検討によれば、3種類のジカルボン酸(塩)とフッ素系界面活性剤を使用する場合に硫黄系安定剤まで使用したのでは、メッキ層の耐酸化性が十分に向上しないことが判明した。そこで本発明では、この硫黄系安定剤を使用しないこととした。   In the electroless plating step, it is important to perform the above condition (iii), that is, the electroless plating reaction without using a sulfur-based stabilizer. In general, the electroless plating solution is not discarded after a single use, but is usually reused for multiple electroless plating reactions, but the electroless plating solution gradually deteriorates as the number of uses increases. To do. Therefore, a sulfur-based stabilizer is usually added to the electroless plating solution so that it can withstand multiple reuses. However, according to the study by the present inventors, when using three types of dicarboxylic acid (salt) and a fluorine-based surfactant, even when using a sulfur-based stabilizer, the oxidation resistance of the plating layer is sufficient. It turned out not to improve. Therefore, in the present invention, this sulfur stabilizer is not used.

無電解メッキ工程では、まず、触媒化基材粒子を水に十分に分散させ、触媒化基材粒子の水性スラリーを調製する。このとき、均一なニッケル層を形成するためには、触媒化基材粒子を、メッキ処理を行う水性媒体に十分分散させておくことが好ましい。基材粒子の分散性を向上させるには、界面活性剤等の分散剤を添加することが好ましく、この分散剤として前述したフッ素系界面活性剤を用いることが好ましい。このほかに、触媒化基材粒子を水性媒体に分散させる手段として、例えば、通常攪拌装置、高速攪拌装置、コロイドミル又はホモジナイザーのような剪断分散装置等従来公知の分散手段を採用してもよく、必要に応じて超音波を併用してもよい。   In the electroless plating step, first, the catalyst base material particles are sufficiently dispersed in water to prepare an aqueous slurry of the catalyst base material particles. At this time, in order to form a uniform nickel layer, it is preferable that the catalyzed base material particles are sufficiently dispersed in an aqueous medium to be plated. In order to improve the dispersibility of the substrate particles, it is preferable to add a dispersant such as a surfactant, and it is preferable to use the above-mentioned fluorosurfactant as the dispersant. In addition, as a means for dispersing the catalyzed substrate particles in the aqueous medium, for example, a conventionally known dispersing means such as a normal stirring device, a high-speed stirring device, a shearing dispersion device such as a colloid mill or a homogenizer may be employed. If necessary, ultrasonic waves may be used in combination.

次に、ニッケル塩、リン系還元剤、錯化剤及び各種添加剤等を含有する無電解メッキ液を、上記で調製した触媒化基材粒子の水性スラリーに添加することにより、無電解メッキ反応を生じさせる。なお、無電解メッキ液または触媒化基材粒子の水性スラリーの少なくとも一方にはフッ素系界面活性剤が含有されている。無電解メッキ反応は、触媒化基材粒子の水性スラリーに無電解メッキ液を添加すると速やかに開始する。また、この反応には水素ガスの発生を伴うので、水素ガスの発生が完全に認められなくなった時点をもって無電解メッキ反応を終了すればよい。無電解メッキ反応の終了後、反応系内から導電性金属層が形成された基材粒子を取り出し、必要に応じて洗浄、乾燥を施すことにより、導電性微粒子を得ることができる。   Next, an electroless plating reaction containing an electroless plating solution containing a nickel salt, a phosphorus-based reducing agent, a complexing agent and various additives is added to the aqueous slurry of the catalyzed base particles prepared above, thereby Give rise to In addition, at least one of the electroless plating solution or the aqueous slurry of the catalyzed base particles contains a fluorosurfactant. The electroless plating reaction starts rapidly when the electroless plating solution is added to the aqueous slurry of the catalyzed substrate particles. Moreover, since this reaction is accompanied by the generation of hydrogen gas, the electroless plating reaction may be terminated when the generation of hydrogen gas is not completely recognized. After the electroless plating reaction is completed, the conductive fine particles can be obtained by taking out the substrate particles on which the conductive metal layer is formed from the reaction system and washing and drying as necessary.

前記無電解メッキ液に含まれるニッケル塩としては、例えば、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等が挙げられる。ニッケル塩は1種のみであってもよいし2種以上であってもよい。無電解メッキ液中におけるニッケル塩の濃度は、所望の膜厚の導電性金属層が形成されるように、基材粒子のサイズ(表面積)等を考慮して適宜決定すればよい。
前記還元剤は、リン源となるものであることが好ましく、例えば、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩が好ましく用いられる。還元剤は1種のみであってもよいし2種以上であってもよい。
Examples of the nickel salt contained in the electroless plating solution include nickel chloride, nickel sulfate, and nickel acetate. There may be only one kind of nickel salt, or two or more kinds. The concentration of the nickel salt in the electroless plating solution may be appropriately determined in consideration of the size (surface area) of the base particles so that a conductive metal layer having a desired thickness is formed.
The reducing agent is preferably a phosphorus source. For example, hypophosphites such as sodium hypophosphite are preferably used. Only one reducing agent may be used, or two or more reducing agents may be used.

前記無電解メッキは、水性スラリーに徐々に添加する(滴下する)ことが好ましい。無電解メッキ液の滴下速度は適宜調整すればよいが、基材粒子100質量部に対して、ニッケル塩の添加量を5質量部/min以上とすることが好ましく、より好ましくは10質量部/min以上、さらに好ましくは15質量部/min以上であり、35質量部/min以下とすることが好ましく、より好ましくは30質量部/min以下、さらに好ましくは25質量部/min以下である。   The electroless plating is preferably gradually added (dropped) to the aqueous slurry. The dropping rate of the electroless plating solution may be adjusted as appropriate, but the addition amount of the nickel salt is preferably 5 parts by mass / min or more, more preferably 10 parts by mass / min with respect to 100 parts by mass of the base particles. It is min or more, more preferably 15 parts by mass / min or more, preferably 35 parts by mass / min or less, more preferably 30 parts by mass / min or less, and further preferably 25 parts by mass / min or less.

前記無電解メッキ液を、水性スラリーに滴下する際の液温は、適宜調整すればよいが、液温は50℃以上100℃未満が好ましい。また、前記無電解メッキ液のpHは、限定されないが、好ましくは4〜14である。なお、無電解メッキ液のpHは、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア水等のアルカリ性水溶液、硫酸、塩酸等の酸性水溶液を適宜添加することで調整できる。   The liquid temperature when the electroless plating solution is dropped into the aqueous slurry may be appropriately adjusted, but the liquid temperature is preferably 50 ° C. or higher and lower than 100 ° C. The pH of the electroless plating solution is not limited, but is preferably 4-14. The pH of the electroless plating solution can be adjusted by appropriately adding an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, or aqueous ammonia, or an acidic aqueous solution such as sulfuric acid or hydrochloric acid.

無電解メッキ工程は、必要に応じて繰返し行ってもよい。例えば金属種の異なる無電解メッキ液を用いて無電解メッキ工程を繰返すことにより、基材粒子の表面に異種金属を幾層にも被覆できる。例えば、基材粒子にニッケルメッキを施した後、得られたニッケル被覆粒子をさらに無電解金メッキ液に投入して金置換メッキを行うことにより、最外層が金層で覆われ、その内側にニッケル−リン層を有する導電性微粒子が得られる。   The electroless plating process may be repeated as necessary. For example, by repeating the electroless plating process using electroless plating solutions having different metal types, the surface of the substrate particles can be coated with several layers of different kinds of metals. For example, after nickel plating is applied to the base particles, the obtained nickel-coated particles are further poured into an electroless gold plating solution to perform gold displacement plating, so that the outermost layer is covered with a gold layer, and the nickel layer is covered with nickel. -Conductive fine particles having a phosphorus layer are obtained.

なお本発明の導電性微粒子には、表面の少なくとも一部に絶縁性樹脂層を設けることもできる。つまり、前記導電性金属層の表面にさらに絶縁性樹脂層を形成した態様であってもよい。このように表面の導電性金属層にさらに絶縁性樹脂層が積層されていると、高密度回路の形成時や端子接続時などに生じやすい横導通を防ぐことができる。
また本発明の導電性微粒子には、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、シランカップリング剤や有機化合物等による表面処理を施すこともできる。
The conductive fine particles of the present invention can be provided with an insulating resin layer on at least a part of the surface. That is, the aspect which further formed the insulating resin layer on the surface of the said electroconductive metal layer may be sufficient. When the insulating resin layer is further laminated on the conductive metal layer on the surface in this way, it is possible to prevent the lateral conduction that is likely to occur when a high-density circuit is formed or when a terminal is connected.
Further, the conductive fine particles of the present invention can be subjected to a surface treatment with a silane coupling agent, an organic compound or the like as necessary within a range not impairing the effects of the present invention.

2.異方性導電材料
本発明の導電性微粒子は、異方性導電材料に好ましく用いることができる。異方性導電材料としては、前記導電性微粒子がバインダー樹脂に分散してなるものが挙げられる。異方性導電材料の形態は特に限定されず、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インクなど様々な形態が挙げられる。これらの異方性導電材料を相対向する基材同士や電極端子間に設けることにより、良好な電気的接続が可能になる。なお、本発明の導電性微粒子を用いた異方性導電材料には、液晶表示素子用導通材料(導通スペーサーおよびその組成物)も含まれる。
2. Anisotropic Conductive Material The conductive fine particles of the present invention can be preferably used for an anisotropic conductive material. Examples of the anisotropic conductive material include those obtained by dispersing the conductive fine particles in a binder resin. The form of the anisotropic conductive material is not particularly limited, and examples thereof include various forms such as an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive paste, an anisotropic conductive adhesive, and an anisotropic conductive ink. By providing these anisotropic conductive materials between opposing substrates or between electrode terminals, good electrical connection can be achieved. The anisotropic conductive material using the conductive fine particles of the present invention includes a conductive material for a liquid crystal display element (conductive spacer and composition thereof).

前記バインダー樹脂としては、絶縁性の樹脂であれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体などの熱可塑性樹脂;グリシジル基を有するモノマーやオリゴマーおよびイソシアネートなどの硬化剤との反応により硬化する硬化性樹脂組成物;光や熱により硬化する硬化性樹脂組成物;等が挙げられる。なお、異方性導電材料は、前記バインダー樹脂中に導電性微粒子を分散させ、所望の形態とすることで得られるが、例えば、バインダー樹脂と導電性微粒子とを別々に使用し、接続しようとする基材間や電極端子間に導電性微粒子をバインダー樹脂とともに存在させることによって接続してもかまわない。   The binder resin is not particularly limited as long as it is an insulating resin. For example, thermoplastic resins such as acrylic resins, ethylene-vinyl acetate resins, styrene-butadiene block copolymers; monomers and oligomers having a glycidyl group; Examples thereof include a curable resin composition that is cured by a reaction with a curing agent such as isocyanate; a curable resin composition that is cured by light or heat; The anisotropic conductive material can be obtained by dispersing conductive fine particles in the binder resin to obtain a desired form. For example, the binder resin and the conductive fine particles are used separately to try to connect them. You may connect by making electroconductive fine particles exist with binder resin between the base material to perform or between electrode terminals.

本発明の導電性微粒子を含む異方性導電材料において、導電性微粒子の含有量は、用途に応じて適宜決定すればよいが、例えば、異方性導電材料の全量に対して1体積%以上が好ましく、より好ましくは2体積%以上、さらに好ましくは5体積%以上であり、50体積%以下が好ましく、より好ましくは30体積%以下、さらに好ましくは20体積%以下である。導電性微粒子の含有量が少なすぎると、充分な電気的導通が得られ難い場合があり、一方、導電性微粒子の含有量が多すぎると、導電性微粒子同士が接触してしまい、異方性導電材料としての機能が発揮され難い場合がある。   In the anisotropic conductive material containing the conductive fine particles of the present invention, the content of the conductive fine particles may be appropriately determined according to the application, for example, 1% by volume or more based on the total amount of the anisotropic conductive material. More preferably, it is 2 volume% or more, More preferably, it is 5 volume% or more, 50 volume% or less is preferable, More preferably, it is 30 volume% or less, More preferably, it is 20 volume% or less. If the content of the conductive fine particles is too small, it may be difficult to obtain sufficient electrical continuity. On the other hand, if the content of the conductive fine particles is too large, the conductive fine particles are in contact with each other, and anisotropy is caused. The function as a conductive material may be difficult to be exhibited.

本発明でいう異方性導電材料におけるフィルム膜厚、ペーストや接着剤の塗工膜厚、印刷膜厚等については、使用する導電性微粒子の粒子径と、接続すべき電極の仕様とを考慮し、接続すべき電極間に導電性微粒子が狭持され、且つ接続すべき電極が形成された接合基板同士の空隙がバインダー樹脂層により充分に満たされるように、適宜設定することが好ましい。   Regarding the film thickness in the anisotropic conductive material referred to in the present invention, the coating thickness of the paste or adhesive, the print thickness, etc., consider the particle size of the conductive fine particles to be used and the specifications of the electrode to be connected. In addition, it is preferable that the conductive fine particles are sandwiched between the electrodes to be connected and that the gap between the bonding substrates on which the electrodes to be connected are formed is sufficiently filled with the binder resin layer.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
なお実施例および比較例における各種分析および導電性評価は下記の方法で行った。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples, but may be appropriately modified within a range that can meet the purpose described above and below. Of course, it is possible to implement them, and they are all included in the technical scope of the present invention.
In addition, various analyzes and conductivity evaluation in Examples and Comparative Examples were performed by the following methods.

<基材粒子の熱分解開始温度>
熱分析装置(Buruker社製「TG−DTA2000−SA」)を用いて、窒素雰囲気下で基材粒子の熱重量(TG)測定を行い、その重量減少開始温度を熱分解開始温度とした。
<Thermal decomposition start temperature of the base particles>
Using a thermal analyzer (“TG-DTA2000-SA” manufactured by Burker), the thermogravimetric (TG) measurement of the substrate particles was performed under a nitrogen atmosphere, and the weight reduction start temperature was defined as the thermal decomposition start temperature.

<基材粒子およびシード粒子の個数平均粒子径、変動係数(CV値)>
粒度分布測定装置(ベックマンコールター社製「コールターマルチサイザーIII型」)により30000個の粒子の粒子径を測定し、個数基準の平均粒子径、粒子径の標準偏差を求めるとともに、下記式に従って粒子径の個数基準のCV値(変動係数)を算出した。
粒子の変動係数(%)=100×(粒子径の標準偏差/個数基準平均粒子径)
なお、基材粒子の測定では、基材粒子0.005質量部に界面活性剤(第一工業製薬社製「ハイテノール(登録商標)N−08」)の1質量%水溶液20質量部を加え、超音波で10分間分散処理を施すことにより得られた分散液を測定試料とした。シード粒子の測定では、加水分解、縮合反応で得られたシード粒子分散液を、界面活性剤(第一工業製薬社製「ハイテノール(登録商標)N−08」)の1質量%水溶液により希釈したものを測定試料とした。
<Number average particle diameter of base particles and seed particles, coefficient of variation (CV value)>
Measure the particle size of 30000 particles with a particle size distribution measuring device (“Coulter Multisizer III type” manufactured by Beckman Coulter, Inc.), obtain the average particle size based on the number and the standard deviation of the particle size, and determine the particle size according to the following formula: The number-based CV value (coefficient of variation) was calculated.
Particle variation coefficient (%) = 100 × (standard deviation of particle diameter / number-based average particle diameter)
In the measurement of the base particles, 20 parts by weight of a 1% by weight aqueous solution of a surfactant (“Hitenol (registered trademark) N-08” manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) was added to 0.005 parts by weight of the base particles. A dispersion obtained by applying a dispersion treatment with ultrasonic waves for 10 minutes was used as a measurement sample. In the measurement of seed particles, the seed particle dispersion obtained by hydrolysis and condensation reaction is diluted with a 1% by mass aqueous solution of a surfactant ("Haitenol (registered trademark) N-08" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.). This was used as a measurement sample.

<導電性微粒子の個数平均粒子径、変動係数(CV値)>
フロー式粒子像解析装置(シスメックス社製「FPIA(登録商標)−3000」)を用いて、導電性微粒子3000個の粒子径(μm)を測定し、個数基準の平均粒子径と粒子径の標準偏差を求めるとともに、上記基材粒子の場合と同様の式に従って粒子径の個数基準のCV値(変動係数)を算出した。
<Number average particle diameter of conductive fine particles, coefficient of variation (CV value)>
Using a flow-type particle image analyzer ("FPIA (registered trademark) -3000" manufactured by Sysmex Corporation), the particle diameter (μm) of 3000 conductive fine particles is measured, and the number-based average particle diameter and particle diameter standard While calculating | requiring a deviation, according to the same formula as the case of the said base material particle | grains, the CV value (coefficient of variation) of the particle | grain number basis was computed.

<導電性金属層の厚さ>
導電性微粒子0.02gに王水20mLを加え、加熱することにより金属層を溶解させた後、濾別した。得られた濾液中の金属層成分についてICP発光分析装置を用いて分析し、下記式から金属層(ニッケル層)の厚みを算出した。なお、式中、rは基材粒子の半径(μm)、tはニッケル層の厚み、dNiはニッケル層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル層成分(ニッケル、リン)含有率(質量%)である。
<Thickness of conductive metal layer>
20 mL of aqua regia was added to 0.02 g of conductive fine particles, and the metal layer was dissolved by heating, followed by filtration. The metal layer component in the obtained filtrate was analyzed using an ICP emission analyzer, and the thickness of the metal layer (nickel layer) was calculated from the following formula. In the formula, r is the radius (μm) of the base particle, t is the thickness of the nickel layer, d Ni is the density of the nickel layer, d base is the density of the base particle, and W is the nickel layer component (nickel, phosphorus). It is a content rate (mass%).

<導電性金属層の組成(Ni,P,S含有量)>
導電性微粒子0.02gに王水20mLを加え、加熱することにより金属層を溶解させた後、濾別した。得られた濾液をICP発光分析装置(超音波ネブライザー使用)を用いて分析し、ニッケル、リンおよび硫黄の含有量を測定した。そして、ニッケル、リンおよび硫黄の合計含有量に対する各元素量(Ni,P,S)の比率(質量%)を、含有量として求めた。
<Composition of conductive metal layer (Ni, P, S content)>
20 mL of aqua regia was added to 0.02 g of conductive fine particles, and the metal layer was dissolved by heating, followed by filtration. The obtained filtrate was analyzed using an ICP emission analyzer (using an ultrasonic nebulizer), and the contents of nickel, phosphorus and sulfur were measured. And the ratio (mass%) of each element amount (Ni, P, S) with respect to the total content of nickel, phosphorus, and sulfur was calculated | required as content.

<金属ニッケル含有比率>
得られた導電性微粒子について、200℃の空気雰囲気下において2時間加熱する処理の前後における導電性金属層の金属ニッケル含有比率を、X線光電子分光分析装置(ESCA)(日本電子社製「JPS−9000MC」)を使用したX線光電子分光分析により測定した。測定は、X線源としてMgKα線を使用し、管電圧:10.0kV、管電流:10.0mA、スキャン回数40の条件で行った。
具体的には、得られたスペクトルについて、Ni 2p3/2軌道に帰属するピークを検出し、金属状態ニッケルに対応するピーク(結合エネルギー852〜854eV)と、酸素原子と結合したニッケル(NiO、Ni23)に対応するピーク(結合エネルギー854〜857eV)にピーク分離を行った。分離後の各ピークについて、下式に基づき金属状態ニッケルに対応するピークのピーク面積(Smetal)、酸素原子と結合したニッケルに対応するピークのピーク面積(Soxide)を求め、得られた値から下式により金属状態ニッケルに対応するピークの面積比率(%)を算出した。
<Metal nickel content ratio>
About the obtained electroconductive fine particles, the metal nickel content ratio of the electroconductive metal layer before and after the process of heating for 2 hours in an air atmosphere at 200 ° C. was measured using an X-ray photoelectron spectrometer (ESCA) (“JPS” manufactured by JEOL Ltd.). -9000MC ")). The measurement was performed using MgKα rays as an X-ray source, tube voltage: 10.0 kV, tube current: 10.0 mA, and scan count 40.
Specifically, for the obtained spectrum, a peak attributed to the Ni 2p3 / 2 orbital is detected, and a peak corresponding to the metallic state nickel (binding energy 852 to 854 eV) and nickel bonded to an oxygen atom (NiO, Ni Peak separation was performed on the peak corresponding to 2 O 3 ) (binding energy: 854 to 857 eV). For each peak after separation, the peak area (S metal ) of the peak corresponding to nickel in the metallic state and the peak area (S oxide ) corresponding to nickel bonded to the oxygen atom are obtained based on the following formula, and the obtained values From the following equation, the peak area ratio (%) corresponding to the metallic nickel was calculated.

<異方性導電ペースト(ACP)とした時の導電性評価:抵抗値ρ(f)>
導電性微粒子10質量部に、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂(三菱化学社製「JER828」)100質量部、硬化剤(三新化学社製「サンエイド(登録商標)SI−150」)2質量部及びトルエン100質量部を加えた。この混合物をステンレス製2枚攪拌羽根を用いて300rpmで10分間攪拌、分散させ、異方性導電ペーストを作製した。
得られた異方性導電ペーストをバーコーターで抵抗測定用のITO配線を有したガラス基板に塗布し、さらに同一の基板で挟み込み、5MPa、150℃の圧着条件で熱圧着した後、電極間の抵抗値(Ω)を測定し、これを異方性導電ペースト(ACP)における抵抗値ρ(f)とした。
<Electrical conductivity evaluation when using anisotropic conductive paste (ACP): resistance value ρ (f)>
10 parts by mass of conductive fine particles, 100 parts by mass of an epoxy resin (“JER828” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as a binder resin, 2 parts by mass of a curing agent (“Sun Aid (registered trademark) SI-150” manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) and 100 parts by mass of toluene was added. This mixture was stirred and dispersed at 300 rpm for 10 minutes using two stainless steel stirring blades to prepare an anisotropic conductive paste.
The obtained anisotropic conductive paste was applied to a glass substrate having an ITO wiring for resistance measurement with a bar coater, and sandwiched between the same substrates, followed by thermocompression bonding under a pressure bonding condition of 5 MPa and 150 ° C., and then between the electrodes. The resistance value (Ω) was measured and used as the resistance value ρ (f) in the anisotropic conductive paste (ACP).

<導電性微粒子の導電性評価:抵抗値ρ(p)>
導電性微粒子を試料粒子とし、島津微小圧縮試験機(島津製作所社製「MCT−W200」;抵抗測定キット付属装置)を用いて、室温(25℃)において抵抗値(Ω)を測定した。具体的には、試料台上に散布した試料粒子1個について、直径50μmの円形平板圧子を用いて、粒子の中心方向へ一定の負荷速度(2.6mN/秒(0.27gf/秒))で荷重をかけて測定を行った。10回測定を行い、粒子径の50%圧縮変形時の抵抗値の平均値を求め、これを導電性微粒子の抵抗値ρ(p)とした。
<Conductivity evaluation of conductive fine particles: resistance value ρ (p)>
Using conductive fine particles as sample particles, a resistance value (Ω) was measured at room temperature (25 ° C.) using a Shimadzu micro-compression tester (“MCT-W200” manufactured by Shimadzu Corporation; attached to a resistance measurement kit). Specifically, with respect to one sample particle spread on the sample stage, a constant loading speed (2.6 mN / second (0.27 gf / second)) toward the center of the particle using a circular plate indenter with a diameter of 50 μm. The measurement was performed with a load applied. The measurement was performed 10 times, the average value of the resistance values at the time of 50% compression deformation of the particle diameter was determined, and this was set as the resistance value ρ (p) of the conductive fine particles.

なお、上記の導電性評価(抵抗値ρ(f)および抵抗率ρ(p))に供する導電性微粒子は、製造後、相対湿度65%±10%、室温20℃±5℃の空気雰囲気下で保管した。   The conductive fine particles used for the above-described conductivity evaluation (resistance value ρ (f) and resistivity ρ (p)) are manufactured under an air atmosphere at a relative humidity of 65% ± 10% and a room temperature of 20 ° C. ± 5 ° C. Stored in.

(基材粒子の製造)
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水1800質量部および25質量%アンモニア水24質量部を入れ、次いで、攪拌下、滴下口から3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン100質量部およびメタノール600質量部の混合液を添加して、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行い、シード粒子とするメタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子(重合性ポリシロキサン粒子)の乳濁液を調製した。このポリシロキサン粒子の個数平均粒子径は4.71μmであった。
(Manufacture of substrate particles)
Into a four-necked flask equipped with a condenser, a thermometer, and a dropping port, 1800 parts by mass of ion-exchanged water and 24 parts by mass of 25% by mass ammonia water are added, and then, 3-methacryloxypropyltrimethoxy is added from the dropping port with stirring. A mixed liquid of 100 parts by mass of silane and 600 parts by mass of methanol is added to perform hydrolysis and condensation reaction of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane to form polysiloxane particles (polymerizable polysiloxane) having methacryloyl groups as seed particles. Particle) emulsion. The number average particle diameter of the polysiloxane particles was 4.71 μm.

次いで、乳化剤としてのポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩(第一工業製薬社製「ハイテノール(登録商標)NF−08」)の20質量%水溶液10質量部をイオン交換水400質量部で希釈した溶液に、単量体成分としてスチレン470質量部およびジビニルベンゼン(新日鐡化学社製「DVB960」;ジビニルベンゼン含量96質量%)30質量部と、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業社製「V−65」)4.8質量部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製した。この乳化液を2時間攪拌した後、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加し、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から1時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察したところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認された。   Subsequently, 10 parts by mass of a 20% by mass aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate ammonium salt (“HITENOL (registered trademark) NF-08” manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier is added to 400 parts by mass of ion-exchange water. In a solution diluted with styrene, 470 parts by mass of styrene and 30 parts by mass of divinylbenzene (“DVB960” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd .; 96% by mass of divinylbenzene) as monomer components, 2,2′-azobis (2, 4-Dimethylvaleronitrile) (“V-65” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (4.8 parts by mass) was added and emulsified and dispersed to prepare an emulsion of monomer components. After stirring this emulsion for 2 hours, it was added to the emulsion of the polysiloxane particles and further stirred. One hour after the addition of the emulsified liquid, the mixed liquid was sampled and observed with a microscope. As a result, it was confirmed that the polysiloxane particles were enlarged by absorbing the monomer.

次に、得られた混合液に、上記と同じポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の20質量%水溶液96質量部と、イオン交換水500質量部とを加え、窒素雰囲気下で65℃まで昇温させた後、65℃で2時間保持することにより、単量体成分のラジカル重合を行った。そして、ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下80℃で4時間乾燥処理して、重合体粒子を得た。この重合体粒子に水酸化ナトリウム等によりエッチング処理を施して親水化処理し、得られた粒子を基材粒子とした。この基材粒子の個数平均粒子径は9.02μm、変動係数(CV値)は3.6%であり、熱分解開始温度は263℃であった。   Next, 96 parts by mass of a 20% by mass aqueous solution of the same polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate ammonium salt and 500 parts by mass of ion-exchanged water are added to the obtained mixed liquid, and 65 ° C. in a nitrogen atmosphere. After the temperature was raised to 65 ° C., the monomer component was radically polymerized by holding at 65 ° C. for 2 hours. Then, the emulsion after radical polymerization was subjected to solid-liquid separation, and the obtained cake was washed with ion-exchanged water and methanol, and then dried at 80 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere to obtain polymer particles. The polymer particles were subjected to an etching treatment with sodium hydroxide or the like for hydrophilic treatment, and the obtained particles were used as base particles. The number average particle diameter of the substrate particles was 9.02 μm, the coefficient of variation (CV value) was 3.6%, and the thermal decomposition starting temperature was 263 ° C.

(実施例1)
上記で得た基材粒子23gをフッ素系界面活性剤(パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩)3gにて処理して、基材粒子の表面を改質した。次いで、水洗した後、得られた粒子を、塩化パラジウム100mg/L、塩化スズ10g/Lおよび濃塩酸100mL/Lからなる水溶液に浸漬し、ろ過および水洗を行った後、10質量%塩酸で処理して、基材粒子表面にパラジウム触媒を坦持させた。
次いで、得られた基材粒子を水洗した後、フッ素系界面活性剤(パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩)を1.5g含有する純水中に加えてスラリーを作製した。このスラリーを、95℃に加温した純水2000mL中に投入して撹拌することにより、基材粒子分散液を調製した。
(Example 1)
23 g of the substrate particles obtained above were treated with 3 g of a fluorosurfactant (perfluoroalkyltrimethylammonium salt) to modify the surface of the substrate particles. Next, after washing with water, the obtained particles were immersed in an aqueous solution consisting of 100 mg / L of palladium chloride, 10 g / L of tin chloride and 100 mL / L of concentrated hydrochloric acid, filtered and washed with water, and then treated with 10% by mass hydrochloric acid. Then, the palladium catalyst was supported on the surface of the base material particles.
Next, the obtained base particles were washed with water, and then added to pure water containing 1.5 g of a fluorosurfactant (perfluoroalkyltrimethylammonium salt) to prepare a slurry. The slurry was put into 2000 mL of pure water heated to 95 ° C. and stirred to prepare a base particle dispersion.

次に、得られた基材粒子分散液を撹拌しながら、該基材粒子分散液に、以下の組成で調製した無電解ニッケルメッキ液2000mLを160mL/minの滴下速度で滴下した。無電解ニッケルメッキ液は、硫酸ニッケル30g/L、リンゴ酸30g/L、酒石酸30g/L、コハク酸30g/L、および次亜リン酸ナトリウム30g/Lの各濃度となるよう調製した。なお、滴下に供する無電解ニッケルメッキ液はpH4.5に調整し、95℃に加温しておいた。無電解ニッケルメッキ液の滴下終了後、60分間撹拌を継続して反応を完結させた。その後、生じた無電解メッキ粒子をろ過し、水洗、乾燥を施して、導電性微粒子(1)を得た。この導電性微粒子(1)の個数平均粒子径は9.32μm、変動係数(CV値)は3.8%であり、導電性金属層(Ni−P層)の厚さは150nmであった。
導電性微粒子(1)についての分析および評価結果を表1に示す。
Next, while stirring the obtained base particle dispersion, 2000 mL of an electroless nickel plating solution prepared with the following composition was dropped into the base particle dispersion at a dropping rate of 160 mL / min. The electroless nickel plating solution was prepared to have concentrations of nickel sulfate 30 g / L, malic acid 30 g / L, tartaric acid 30 g / L, succinic acid 30 g / L, and sodium hypophosphite 30 g / L. In addition, the electroless nickel plating solution used for dripping was adjusted to pH 4.5 and heated to 95 ° C. After completion of dropping of the electroless nickel plating solution, stirring was continued for 60 minutes to complete the reaction. Thereafter, the generated electroless plating particles were filtered, washed with water, and dried to obtain conductive fine particles (1). The number average particle diameter of the conductive fine particles (1) was 9.32 μm, the coefficient of variation (CV value) was 3.8%, and the thickness of the conductive metal layer (Ni—P layer) was 150 nm.
Table 1 shows the analysis and evaluation results of the conductive fine particles (1).

(比較例1)
実施例1において、無電解ニッケルメッキ液を調製するにあたり、硫黄系添加剤を質量基準で30ppm含有させたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性微粒子(c1)を得た。この導電性微粒子(c1)の個数平均粒子径は9.32μm、変動係数(CV値)は3.9%であり、導電性金属層(Ni−P層)の厚さは150nmであった。
導電性微粒子(c1)についての分析および評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
In Example 1, in preparing the electroless nickel plating solution, conductive fine particles (c1) were obtained in the same manner as in Example 1, except that 30 ppm of the sulfur-based additive was contained on a mass basis. The number average particle diameter of the conductive fine particles (c1) was 9.32 μm, the coefficient of variation (CV value) was 3.9%, and the thickness of the conductive metal layer (Ni—P layer) was 150 nm.
Table 1 shows the analysis and evaluation results of the conductive fine particles (c1).

上記表1から、たとえ錯化剤として3種類のジカルボン酸(塩)を用い、無電解反応をフッ素系界面活性剤の存在下で行ったとしても、硫黄系安定剤を使用してしまうと、酸化性処理後の金属ニッケルの含有比率は20%を超えず、そのような導電性微粒子では、抵抗値が大幅に上昇することがわかる。   From Table 1 above, even if three types of dicarboxylic acids (salts) are used as complexing agents and the electroless reaction is performed in the presence of a fluorosurfactant, if a sulfur stabilizer is used, The content ratio of metallic nickel after the oxidation treatment does not exceed 20%, and it can be seen that the resistance value increases significantly with such conductive fine particles.

Claims (3)

基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、
前記導電性金属層がニッケルおよびリンを含み、かつ、
前記導電性金属層をX線光電子分光分析して得られる観測ピークのうち、ニッケルの金属状態に対応するピークのピーク面積をSmetal、ニッケルの酸化状態に対応するピークのピーク面積をSoxideとしたときに下記式;
金属ニッケルの含有比率(%)=[Smetal/(Smetal+Soxide)]×100
で求められる導電性金属層中の金属ニッケルの含有比率(%)が、酸化性雰囲気下、温度200℃で2時間処理した後の導電性微粒子において20%超であることを特徴とする導電性微粒子。
Conductive fine particles having substrate particles and a conductive metal layer covering the surface of the substrate particles,
The conductive metal layer comprises nickel and phosphorus; and
Of the observation peaks obtained by X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the conductive metal layer, the peak area of the peak corresponding to the nickel metal state is S metal , and the peak area of the peak corresponding to the nickel oxidation state is S oxide . When the following formula:
Metal nickel content ratio (%) = [S metal / (S metal + S oxide )] × 100
The content ratio (%) of metallic nickel in the conductive metal layer required in (1) is more than 20% in the conductive fine particles after being treated at 200 ° C. for 2 hours in an oxidizing atmosphere. Fine particles.
前記導電性金属層100質量%中、リン含有量が5質量%以上である請求項1に記載の導電性微粒子。   2. The conductive fine particle according to claim 1, wherein a phosphorus content is 5% by mass or more in 100% by mass of the conductive metal layer. 前記酸化性雰囲気下、温度200℃で2時間処理した後の金属ニッケルの含有比率をNiafter(%)、前記処理前の金属ニッケルの含有比率をNibefore(%)としたときに下記式;
金属ニッケルの変化率(%)
=[(Nibefore−Niafter)/Nibefore]×100
で求められる金属ニッケルの変化率が70%以下である請求項1または2に記載の導電性微粒子。
When the content ratio of metallic nickel after treatment for 2 hours at a temperature of 200 ° C. in the oxidizing atmosphere is Ni after (%) and the content ratio of metallic nickel before the treatment is Ni before (%), the following formula:
Change rate of nickel metal (%)
= [(Ni before -Ni after ) / Ni before ] × 100
The electroconductive fine particles according to claim 1 or 2, wherein the rate of change of metallic nickel obtained by (1) is 70% or less.
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