JP5667555B2 - Conductive fine particles and anisotropic conductive material containing the same - Google Patents

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Description

本発明は導電性微粒子に関し、特に、各種電子機器の電気的接続等に用いた場合にも、導電性能の経時的な劣化を生じ難い導電性微粒子、及び、これを含む異方性導電材料に関する。   The present invention relates to conductive fine particles, and more particularly to conductive fine particles that are less likely to deteriorate with time in conductive performance even when used for electrical connection of various electronic devices, and an anisotropic conductive material including the same. .

従来、液晶表示パネルにおける多数の電極間を一括して接続する方法として異方性導電材料が使用されている。なかでも、導電性微粒子をバインダー樹脂に分散させた異方性導電接着剤組成物(異方性導電ペースト、異方性導電インク等)、或いは異方性導電フィルムが広く用いられている。これらの異方性導電材料に用いられる導電性微粒子としては、有機系又は無機系の基材粒子の表面に金属メッキを施したものや、金属粒子等が挙げられる。   Conventionally, anisotropic conductive materials have been used as a method of connecting a large number of electrodes in a liquid crystal display panel at once. Among these, anisotropic conductive adhesive compositions (anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, etc.) in which conductive fine particles are dispersed in a binder resin, or anisotropic conductive films are widely used. Examples of the conductive fine particles used in these anisotropic conductive materials include those obtained by performing metal plating on the surface of organic or inorganic base particles, metal particles, and the like.

近年、液晶表示パネルの高精細化に伴い、駆動用ICの電極であるバンプ、或いはITO配線は、ますます狭ピッチ化及び狭小化(ファインピッチ化)される流れにある。しかしながら、上記バンプやITO配線を狭ピッチ化及び狭小化すると、異方性導電接着剤中の導電性微粒子が、隣接する電極間で接触し、ショートし易くなるといった問題があり、また、バンプ面積の狭小化により、1つのバンプに捕捉される導電性微粒子の個数が減少し、電極間の接続抵抗が上昇して接続不良を起こすといった問題も生じている。   In recent years, with the high definition of liquid crystal display panels, bumps or ITO wirings that are electrodes of driving ICs are increasingly narrowed and narrowed (fine pitch). However, when the pitch of the bump and the ITO wiring is narrowed and narrowed, there is a problem that the conductive fine particles in the anisotropic conductive adhesive come into contact between adjacent electrodes and are easily short-circuited. As a result of this narrowing, the number of conductive fine particles trapped by one bump is reduced, and there is a problem that the connection resistance between the electrodes is increased to cause connection failure.

このような、所謂ファインピッチ接続における抵抗値上昇等の問題を解決するため、樹脂からなる粒子径の均一な基材粒子の表面に導電性金属層をメッキした導電性微粒子において、基材粒子の粒子径を小さくして、電極に捕捉される導電性微粒子の個数密度を高め、接続抵抗値を低下させる試みがなされている。しかしながら、導電性微粒子の粒子径を小さくすることで、電極間を接続した直後の初期抵抗値は低減できるものの、このような小さな導電性微粒子を使用しても、高温高湿条件下に曝された際に経時的に抵抗値が上昇する。   In order to solve such problems such as an increase in resistance value in so-called fine pitch connection, in the conductive fine particles obtained by plating a conductive metal layer on the surface of a base particle having a uniform particle diameter made of resin, Attempts have been made to reduce the connection resistance value by reducing the particle diameter, increasing the number density of conductive fine particles captured by the electrodes. However, although the initial resistance value immediately after connecting the electrodes can be reduced by reducing the particle size of the conductive fine particles, even if such small conductive fine particles are used, they are exposed to high temperature and high humidity conditions. The resistance value increases with time.

ところで、導電性微粒子において、ハロゲンイオンの含有量を30ppm以下とする技術や(特許文献1)、特定の測定方法により検出されるハロゲンイオンの含有量を30μg/g以下とし、且つ、アルカリ金属イオンの含有量を50μg/gとする技術が提案されている(特許文献2)。これらの技術によれば、基板や半導体素子間の電気的接続を維持し、導通不良を防ぐことが可能とされている。   By the way, in the conductive fine particles, a technique for setting the halogen ion content to 30 ppm or less (Patent Document 1), a halogen ion content detected by a specific measurement method is set to 30 μg / g or less, and an alkali metal ion Has been proposed (Patent Document 2). According to these techniques, it is possible to maintain electrical connection between the substrate and the semiconductor element and prevent poor conduction.

特開2002−93240号公報JP 2002-93240 A 特開2004−14409号公報JP 2004-14409 A

本発明者らは、高温高湿条件下に曝された際に経時的に抵抗値が増大するという上記問題の発生原因を解析したところ、小粒子径化された導電性微粒子では、導電性金属層の膜厚が所定以上に厚くなると、電極間で導電性微粒子が圧縮変形を受けた際に、粒子径の比較的大きな従来の導電性微粒子と比較して、導電性金属層に入るクラック(破断箇所)の密度が増大し、導電性金属層内部に潜在していた特定のハロゲンイオン及びアルカリ金属イオンが導電性微粒子外部に溶出し易くなり、その結果、電極を除々に腐食させ、接続抵抗値が低下することを突き止めた。   The present inventors have analyzed the cause of the above-mentioned problem that the resistance value increases with time when exposed to high temperature and high humidity conditions. When the thickness of the layer becomes greater than a predetermined thickness, when the conductive fine particles are subjected to compressive deformation between the electrodes, cracks that enter the conductive metal layer compared to conventional conductive fine particles having a relatively large particle diameter ( The density of the fractured part) is increased, and certain halogen ions and alkali metal ions that have hidden inside the conductive metal layer are likely to elute to the outside of the conductive fine particles. As a result, the electrodes are gradually corroded, resulting in connection resistance. I found out that the value declined.

なお、上述した様に、特許文献1、2にも、導電性微粒子に含まれるハロゲンイオンやアルカリ金属イオンに起因する電極の腐食や導通不良の問題を解消する技術が開示されている。しかしながら、本発明者らの検討によると、特許文献1、2に開示の技術では、粒子径が小さくなった時(例えば、基材粒子径が3μm以下程度になった時)にハロゲンイオンやアルカリ金属イオンを所望のレベルまで低減することができない事が判明した。そのため微細化、狭小化に対応可能なように導電性微粒子を小粒子径化するほど、ハロゲンイオンやアルカリ金属イオン量の低減が難しくなり、導電性微粒子が高温高湿条件に曝された際の経時的な抵抗値の上昇を防止することは困難になっていた。   As described above, Patent Documents 1 and 2 also disclose techniques for solving the problems of electrode corrosion and poor conduction caused by halogen ions and alkali metal ions contained in conductive fine particles. However, according to the study by the present inventors, in the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2, when the particle size is reduced (for example, when the substrate particle size is about 3 μm or less), halogen ions and alkalis are used. It has been found that metal ions cannot be reduced to the desired level. Therefore, the smaller the particle size of the conductive particles so that they can be made finer and narrower, the more difficult it is to reduce the amount of halogen ions and alkali metal ions, and when the conductive particles are exposed to high temperature and high humidity conditions. It has been difficult to prevent the resistance value from increasing with time.

本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、ファインピッチ接続において、高温高湿条件に曝されても接続抵抗値の顕著な上昇を生じ難い、安定した接続信頼性が得られうる導電性微粒子を提供すること、また、そのような導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供することにある。   The present invention has been made paying attention to the circumstances as described above, and its purpose is to stabilize the connection resistance value in a fine pitch connection, which hardly causes a significant increase in connection resistance even when exposed to high temperature and high humidity conditions. An object of the present invention is to provide conductive fine particles capable of obtaining connection reliability, and to provide an anisotropic conductive material using such conductive fine particles.

上記課題を解決することができた本発明の導電性微粒子とは、樹脂からなる基材粒子と、この基材粒子表面に形成された導電性金属層とを備えた導電性微粒子であって、基材粒子の個数平均粒子径が1.0〜3.0μmであり、導電性金属層の厚みが0.01〜0.10μmであり、塩化物イオンの含有量が25μg/g以下、且つ、ナトリウムイオンの含有量が40μg/g以下であるところに特徴を有する。
上記塩化物イオンの含有量は0μg/g超であるのが好ましく、また、ナトリウムイオンの含有量は0μg/g超であるのが好ましい。
上記基材粒子の粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は10%以下であるのが好ましく、上記基材粒子の10%K値は1000N/mm2以上であるのが望ましい。また、基材粒子の個数平均粒子径は2.5μm以下であるのが好ましい。上記導電性金属層は無電解メッキ膜であるのが好ましい。
本発明には、上記導電性微粒子を含む異方性導電材料も含まれる。
The conductive fine particles of the present invention capable of solving the above-mentioned problems are conductive fine particles comprising substrate particles made of resin and a conductive metal layer formed on the surface of the substrate particles, The number average particle size of the base particles is 1.0 to 3.0 μm, the thickness of the conductive metal layer is 0.01 to 0.10 μm, the chloride ion content is 25 μg / g or less, and It is characterized in that the content of sodium ions is 40 μg / g or less.
The chloride ion content is preferably greater than 0 μg / g, and the sodium ion content is preferably greater than 0 μg / g.
The number-based coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 10% or less, and the 10% K value of the substrate particles is desirably 1000 N / mm 2 or more. The number average particle diameter of the base particles is preferably 2.5 μm or less. The conductive metal layer is preferably an electroless plating film.
The present invention also includes an anisotropic conductive material containing the conductive fine particles.

本発明の導電性微粒子は、粒子径が小さいにも拘わらず、塩化物イオン及びナトリウムイオンの溶出が抑制されている。そのため高温高湿条件に曝されても接続抵抗値の上昇が生じ難く、本発明の導電性微粒子及びこれを用いた異方性導電材料をファインピッチ接続に用いれば、各種電子機器に備えられる電極等の部材間おける接続信頼性が高められる。   Although the conductive fine particles of the present invention have a small particle diameter, elution of chloride ions and sodium ions is suppressed. Therefore, even when exposed to high-temperature and high-humidity conditions, it is difficult for the connection resistance value to increase. If the conductive fine particles of the present invention and the anisotropic conductive material using the same are used for fine-pitch connection, electrodes provided in various electronic devices The connection reliability between members such as the like is improved.

1.導電性微粒子
本発明の導電性微粒子は、樹脂からなる基材粒子と、この基材粒子の表面に形成された導電性金属層とを備えた導電性微粒子であって、基材粒子の個数平均粒子径が1.0〜3.0μmであり、前記導電性金属層の厚みが0.01〜0.10μmであり、塩化物イオンの含有量が25μg/g以下、且つ、ナトリウムイオンの含有量が40μg/g以下であるところに特徴を有する。
1. Conductive fine particles The conductive fine particles of the present invention are conductive fine particles comprising base particles made of resin and a conductive metal layer formed on the surface of the base particles, and the number average of the base particles The particle diameter is 1.0 to 3.0 μm, the thickness of the conductive metal layer is 0.01 to 0.10 μm, the chloride ion content is 25 μg / g or less, and the sodium ion content Is characterized by being 40 μg / g or less.

1−1.塩化物イオン含有量、ナトリウムイオンの含有量
まず、本発明の導電性微粒子における塩化物イオン及びナトリウムイオンの含有量について説明する。本発明では、高温高湿条件に曝されても接続抵抗値が上昇し難い導電性微粒子とするため、塩化物イオン及びナトリウムイオンの含有量をそれぞれ上記範囲内に制限する。これら塩化物イオン及びナトリウムイオンは、環境から混入してきたり、導電性金属層形成工程で使用する試薬(例えば、無電解メッキ法や電解メッキ法で用いられる触媒化試薬、無電解メッキ液など)、或いは水等から混入してくるものであり、これらの量をゼロにすることは困難である。しかしながら、本発明者らは、導電性微粒子における塩化物イオンの含有量を25μg/g以下とし、ナトリウムイオンの含有量を40μg/g以下とすることで、上記問題点が解決できることを見出し、本発明を完成した。
1-1. Chloride ion content, sodium ion content First, the content of chloride ions and sodium ions in the conductive fine particles of the present invention will be described. In the present invention, the content of chloride ions and sodium ions is limited to the above ranges in order to obtain conductive fine particles whose connection resistance value hardly increases even when exposed to high temperature and high humidity conditions. These chloride ions and sodium ions can be mixed from the environment or used in the conductive metal layer forming process (for example, a catalyzing reagent used in the electroless plating method or the electroplating method, an electroless plating solution, etc.) Or it mixes from water etc., and it is difficult to make these quantity zero. However, the present inventors have found that the above problems can be solved by setting the chloride ion content in the conductive fine particles to 25 μg / g or less and the sodium ion content to 40 μg / g or less. Completed the invention.

本発明の導電性微粒子における塩化物イオンの含有量は25μg/g以下であり、好ましくは20μg/g以下であり、より好ましくは15μg/g以下である。塩化物イオンの含有量が上記範囲を超えると、導電性微粒子が高温高湿条件に曝された際に接続抵抗値が上昇する。   The content of chloride ions in the conductive fine particles of the present invention is 25 μg / g or less, preferably 20 μg / g or less, more preferably 15 μg / g or less. When the content of chloride ions exceeds the above range, the connection resistance value increases when the conductive fine particles are exposed to high temperature and high humidity conditions.

本発明の導電性微粒子におけるナトリウムイオンの含有量は40μg/g以下であり、好ましくは35μg/g以下であり、より好ましくは25μg/g以下である。ナトリウムイオンの含有量が上記範囲を超えると、導電性微粒子が高温高湿条件に曝された際に接続抵抗値が上昇する。   The content of sodium ions in the conductive fine particles of the present invention is 40 μg / g or less, preferably 35 μg / g or less, more preferably 25 μg / g or less. When the content of sodium ions exceeds the above range, the connection resistance value increases when the conductive fine particles are exposed to high temperature and high humidity conditions.

上述のように、塩化物イオン及びナトリウムイオンは、基材粒子の製造工程や、導電性金属層の形成工程において混入してくるものであり、これらの量をゼロにすることは困難である。また必要以上に少なくしても、接続抵抗低減効果は飽和する一方で、イオン低減コストが増大する。よって塩化物イオン、ナトリウムイオンの含有量は夫々、例えば、0μg/g超、好ましくは1μg/g程度以上、さらに好ましくは2μg/g程度以上である。   As described above, chloride ions and sodium ions are mixed in the base particle manufacturing process and the conductive metal layer forming process, and it is difficult to reduce these amounts to zero. Further, even if the amount is reduced more than necessary, the effect of reducing the connection resistance is saturated, but the cost for reducing ions is increased. Accordingly, the content of chloride ions and sodium ions is, for example, more than 0 μg / g, preferably about 1 μg / g or more, and more preferably about 2 μg / g or more.

本発明における塩化物イオン及びナトリウムイオンの含有量とは、密閉容器内に、導電性微粒子1gと蒸留水(比抵抗18MΩ・cm)10mLとを加え、120℃で24時間加熱したとき、蒸留水中に抽出された塩化物イオン及びナトリウムイオン量を意味する。なお、蒸留水に抽出された各種イオンの測定方法は特に限定されず、例えば、ICP発光分光分析法(高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法)、イオンクロマトグラフィー等、従来公知の測定方法はいずれも使用できる。詳細な測定方法については、いずれも実施例において説明する。   The content of chloride ions and sodium ions in the present invention means that when 1 g of conductive fine particles and 10 mL of distilled water (specific resistance 18 MΩ · cm) are added to a sealed container and heated at 120 ° C. for 24 hours, Means the amount of chloride ion and sodium ion extracted. In addition, the measurement method of various ions extracted into distilled water is not particularly limited, and any of the conventionally known measurement methods such as ICP emission spectroscopy (high frequency inductively coupled plasma emission spectroscopy), ion chromatography, and the like can be used. Can be used. Detailed measurement methods will be described in the examples.

1−2.導電性金属層
本発明の導電性微粒子は、基材粒子と、この基材粒子の表面に形成された導電性金属層を有しており、当該導電性金属層の厚みは0.01μm以上、0.10μm以下である。導電性金属層の厚みは、好ましくは0.03μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.09μm以下であり、より好ましくは0.08μm以下である。導電性金属層の厚みが0.01μmより小さくなると、導電性が不十分となり接続抵抗値が上昇する。一方、導電性金属層の厚みが0.10μmよりも厚くなると、本発明の導電性微粒子は比較的粒子径の小さなものであるので、粒子径の大きな導電性微粒子に比べて曲率が大きくなるため応力が集中し易くなり、導電性微粒子が圧縮変形を受けた際に導電性金属層に入るクラック(破断箇所)の数が増加し、導電性金属層内部からの塩化物イオン、及びナトリウムイオンの溶出量が増えて、電極を除々に腐食させ、接続抵抗値を低下させる虞がある。
1-2. Conductive metal layer The conductive fine particle of the present invention has a base particle and a conductive metal layer formed on the surface of the base particle, and the thickness of the conductive metal layer is 0.01 μm or more, It is 0.10 μm or less. The thickness of the conductive metal layer is preferably 0.03 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.09 μm or less, more preferably 0.08 μm or less. When the thickness of the conductive metal layer is smaller than 0.01 μm, the conductivity becomes insufficient and the connection resistance value increases. On the other hand, when the thickness of the conductive metal layer is larger than 0.10 μm, the conductive fine particles of the present invention have a relatively small particle size, and therefore the curvature becomes larger than that of the conductive fine particles having a large particle size. The stress tends to concentrate, and the number of cracks (breaking points) entering the conductive metal layer when the conductive fine particles are subjected to compressive deformation increases, and chloride ions and sodium ions from inside the conductive metal layer increase. There is a possibility that the amount of elution increases and the electrodes are gradually corroded to reduce the connection resistance value.

本発明に係る導電性金属層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、鉄、鉛、アルミニウム、クロム、パラジウム、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、スズ、コバルト、インジウム及びニッケル−リン、ニッケル−ホウ素等の金属や金属化合物、及び、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、金、ニッケル、パラジウム、銀、銅、スズが導電性に優れた導電性微粒子となるため好ましい。また、コスト的な観点からは、ニッケル、ニッケル合金(Ni−Au、Ni−Pd、Ni−Pd−Au、Ni−Ag、Ni−P、Ni−B、Ni−Zn、Ni−Sn、Ni−W、Ni−Co、Ni−Ti);銅、銅合金(CuとFe、Co、Ni、Zn、Sn、In、Ga、Tl、Zr、W、Mo、Rh、Ru、Ir、Ag、Au、Bi、Al、Mn、Mg、P、Bからなる群から選択される少なくとも1種の金属元素との合金、好ましくはAg、Ni、Sn、Znとの合金);銀、銀合金(AgとFe、Co、Ni、Zn、Sn、In、Ga、Tl、Zr、W、Mo、Rh、Ru、Ir、Au、Bi、Al、Mn、Mg、P、Bよりなる群から選択される少なくとも1種の金属元素との合金、好ましくはAg−Ni、Ag−Sn、Ag−Zn);スズ、スズ合金(たとえばSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Cu−Ag、Sn−Zn、Sn−Sb、Sn―Bi―Ag、Sn―Bi―In、Sn−Au、Sn―Pb等)等が好ましい。これらの中でもニッケル及びニッケル合金は、基材粒子との密着性に優れるため好ましい。   Although it does not specifically limit as a metal which comprises the electroconductive metal layer which concerns on this invention, For example, gold, silver, copper, platinum, iron, lead, aluminum, chromium, palladium, nickel, rhodium, ruthenium, antimony, bismuth, germanium , Tin, cobalt, indium, nickel-phosphorus, nickel-boron and other metals and metal compounds, and alloys thereof. Among these, gold, nickel, palladium, silver, copper, and tin are preferable because they are conductive fine particles having excellent conductivity. From the viewpoint of cost, nickel, nickel alloys (Ni—Au, Ni—Pd, Ni—Pd—Au, Ni—Ag, Ni—P, Ni—B, Ni—Zn, Ni—Sn, Ni— W, Ni—Co, Ni—Ti); copper, copper alloy (Cu and Fe, Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Ag, Au, Alloys with at least one metal element selected from the group consisting of Bi, Al, Mn, Mg, P, B, preferably alloys with Ag, Ni, Sn, Zn; silver, silver alloys (Ag and Fe At least one selected from the group consisting of Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Au, Bi, Al, Mn, Mg, P, and B Alloys with other metal elements, preferably Ag-Ni, Ag-Sn, Ag-Z ); Tin, tin alloy (for example, Sn—Ag, Sn—Cu, Sn—Cu—Ag, Sn—Zn, Sn—Sb, Sn—Bi—Ag, Sn—Bi—In, Sn—Au, Sn—Pb, etc.) Etc.) are preferred. Among these, nickel and a nickel alloy are preferable because of excellent adhesion to the base particles.

前記導電性金属層は、単層構造でも、上記例示の金属からなる二以上の層を有する多層構造であってもよい。導電性金属層が多層構造である場合、基材粒子と導電性金属層との密着性の観点から、ニッケル系金属層(ニッケル又はニッケル合金)を最も内側(換言すれば基材粒子の表面)に配するようにすることが好ましい。ニッケル系金属層上に設ける層は特に限定されず、上記例示の金属からなる層を目的に応じて適宜設けることができる。なお、電気的接続に供した際の抵抗を低減させる観点からは、上記例示の金属の中でも、金、パラジウム及び銀よりなる群から選択される1種以上の貴金属からなる層を最表層とするのが好ましい。   The conductive metal layer may have a single-layer structure or a multilayer structure having two or more layers made of the above-described metals. When the conductive metal layer has a multilayer structure, the nickel-based metal layer (nickel or nickel alloy) is the innermost (in other words, the surface of the base particle) from the viewpoint of adhesion between the base particle and the conductive metal layer. It is preferable to arrange it in The layer provided on the nickel-based metal layer is not particularly limited, and a layer made of the above exemplified metal can be appropriately provided depending on the purpose. In addition, from the viewpoint of reducing resistance when subjected to electrical connection, a layer made of one or more kinds of noble metals selected from the group consisting of gold, palladium, and silver is used as the outermost layer among the metals exemplified above. Is preferred.

導電性金属層が多層構造である場合、全ての導電性金属層の膜厚の総和が上述した導電性金属層の厚みの範囲内にあればよい。したがって、各層の厚みは特に限定されるものではないが、基材粒子と導電性金属層との密着性を確保する観点から、例えば、ニッケル系金属層の厚みは、導電性金属層の厚みの総和(100%)に対して40%〜99%であるのが好ましく、より好ましくは50%〜95%であり、さらに好ましくは60%〜90%である。また、貴金属層の厚みは、1%〜60%であるのが好ましく、より好ましくは5%〜50%であり、さらに好ましくは10%〜40%である。   When the conductive metal layer has a multilayer structure, the total thickness of all the conductive metal layers may be in the range of the thickness of the conductive metal layer described above. Therefore, the thickness of each layer is not particularly limited, but from the viewpoint of ensuring the adhesion between the base particles and the conductive metal layer, for example, the thickness of the nickel-based metal layer is the thickness of the conductive metal layer. It is preferably 40% to 99% with respect to the total (100%), more preferably 50% to 95%, and still more preferably 60% to 90%. The thickness of the noble metal layer is preferably 1% to 60%, more preferably 5% to 50%, and still more preferably 10% to 40%.

前記導電性金属層の膜厚は、単層構造、多層構造、いずれの場合であっても、例えば、以下のような方法で求めることができる。以下では、導電性金属層が、第1の導電性金属層(例えば、ニッケル系金属層)、第2の導電性金属層(例えば、貴金属層)の2層構造からなる場合を例に挙げ、具体的に説明する。   The film thickness of the conductive metal layer can be determined by, for example, the following method regardless of whether it is a single layer structure or a multilayer structure. In the following, a case where the conductive metal layer has a two-layer structure of a first conductive metal layer (for example, a nickel-based metal layer) and a second conductive metal layer (for example, a noble metal layer) will be described as an example. This will be specifically described.

まず、導電性微粒子を構成する第1及び第2の導電性金属層を完全に溶解させる。導電性金属層を溶解させる方法は、各層を構成する金属種に応じて適宜選択すればよいが、例えば、第1の導電性金属層がニッケル、第2の導電性金属層が金で構成される場合であれば、導電性微粒子0.05gに王水を8ml添加して80℃で攪拌を行う等の方法を採用することができる。
次に、導電性金属層を溶解させた溶液中における第1及び第2の導電性金属層を構成する金属等の濃度(ここでは、ニッケル、合金元素及び貴金属元素のそれぞれの濃度)を、ICP発光分析装置を用いて分析し、下記式(1)よりニッケル系金属層の厚みを算出する。なお、式中、rは基材粒子の半径(μm)、tはニッケル系金属層の厚み(μm)、dNiはニッケル系金属層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル系金属層成分(ニッケル、ニッケル系金属層に含まれる合金元素)含有率(質量%)、Xは貴金属元素の含有率(質量%)である。
First, the first and second conductive metal layers constituting the conductive fine particles are completely dissolved. The method for dissolving the conductive metal layer may be appropriately selected according to the metal species constituting each layer. For example, the first conductive metal layer is made of nickel and the second conductive metal layer is made of gold. In such a case, a method of adding 8 ml of aqua regia to 0.05 g of conductive fine particles and stirring at 80 ° C. can be employed.
Next, the concentrations of the metals and the like constituting the first and second conductive metal layers in the solution in which the conductive metal layer is dissolved (here, the concentrations of nickel, an alloy element, and a noble metal element) are set to ICP. Analysis is performed using an emission analyzer, and the thickness of the nickel-based metal layer is calculated from the following formula (1). In the formula, r is the radius of the base particle (μm), t is the thickness of the nickel-based metal layer (μm), d Ni is the density of the nickel-based metal layer, d base is the density of the base particle, and W is nickel. System metal layer component (nickel, alloy element contained in nickel metal layer) content (mass%), X is the content (mass%) of noble metal element.

導電性金属層が多層構造の場合、すなわち、上記式(1)においてXが0超である場合には、続いて、下記式(2)より貴金属層の厚みを算出する。なお、式中、aは貴金属層の厚み(μm)、dPrecは貴金属層の密度、d(base+Ni)は、基材粒子にニッケル系金属層を設けた粒子(以下「ニッケル品」と称する)の密度、Xは貴金属元素の含有率(質量%)である。ここで、ニッケル品の密度d(base+Ni)は計算式(3)を使用して算出できる。なお、式中、dNiはニッケル系金属層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル系金属層成分(ニッケル及びニッケル系金属層に含まれる合金元素)含有率(質量%)である。 When the conductive metal layer has a multilayer structure, that is, when X is more than 0 in the above formula (1), the thickness of the noble metal layer is calculated from the following formula (2). In the formula, a is the thickness (μm) of the noble metal layer, d Prec is the density of the noble metal layer, and d (base + Ni) is a particle in which a nickel-based metal layer is provided on the base particle (hereinafter referred to as “nickel product”). Density), X is the content (mass%) of the noble metal element. Here, the density d (base + Ni) of the nickel product can be calculated using the calculation formula (3). In the formula, d Ni is the density of the nickel-based metal layer, d base is the density of the base particle, and W is the nickel-based metal layer component (the alloy element contained in nickel and the nickel-based metal layer) content (% by mass). It is.

上述のように、本発明の導電性微粒子は、微細化、狭小化された電極や配線の電気接続への使用を目的とするものである。したがって、本発明の導電性微粒子の平均粒子径は、個数平均粒子径で、1.1μm以上であるのが好ましく、より好ましくは1.5μm以上、さらに好ましくは2.0μm以上であり、3.2μm以下が好ましく、より好ましくは3.0μm以下、さらに好ましくは2.9μm以下、より一層好ましくは2.8μm、さらに一層好ましくは2.7μm以下、なお一層好ましくは2.6μm以下である。導電性微粒子の個数平均粒子径が上記範囲内であれば、微細化、狭小化された電極や配線を対象とした電気的接続においても好適に使用できる。また前記導電性微粒子の粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は、20%以下であることが好ましく、より好ましくは15%以下、さらに好ましくは10%以下である。なお、導電性微粒子の個数平均粒子径及び粒子径の変動係数(CV値)は、例えば、フロー式粒子像解析装置を用いて求めることができる。   As described above, the conductive fine particles of the present invention are intended for use in electrical connection of miniaturized and narrowed electrodes and wirings. Accordingly, the average particle size of the conductive fine particles of the present invention is preferably a number average particle size of 1.1 μm or more, more preferably 1.5 μm or more, and further preferably 2.0 μm or more. It is preferably 2 μm or less, more preferably 3.0 μm or less, still more preferably 2.9 μm or less, even more preferably 2.8 μm, even more preferably 2.7 μm or less, and even more preferably 2.6 μm or less. If the number average particle diameter of the conductive fine particles is within the above range, it can be suitably used for electrical connection for miniaturized and narrowed electrodes and wirings. The number-based variation coefficient (CV value) of the conductive fine particles is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less. The number average particle size and the coefficient of variation (CV value) of the conductive fine particles can be determined using, for example, a flow type particle image analyzer.

本発明の導電性微粒子は、LCD用導通スペーサ、半導体や電子回路の実装における異方導電接続用の導電性微粒子として、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等の異方性導電材料に好適に用いることができる。   The conductive fine particles of the present invention include conductive spacers for LCD, conductive fine particles for anisotropic conductive connection in the mounting of semiconductors and electronic circuits, anisotropic conductive films, anisotropic conductive pastes, anisotropic conductive adhesives, It can be suitably used for anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive ink.

1−3.基材粒子
上記導電性金属層を形成するためのベースとなる本発明に係る基材粒子は、樹脂成分を含む樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子を用いることで、弾性変形特性に優れた導電性微粒子が得られる。前記樹脂粒子としては、例えば、メラミンホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等のアミノ樹脂;スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル樹脂等のビニル重合体;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類;ポリカーボネート類;ポリアミド類;ポリイミド類;フェノールホルムアルデヒド樹脂;オルガノポリシロキサン等が挙げられる。これらの樹脂粒子を構成する材料は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、製造原料に塩素やナトリウムを実質的に含まない、或いは、たとえこれらの元素を含む場合であっても、その含有量が極めて低いものを原料として使用できるという点から、ビニル重合体、アミノ樹脂、オルガノポリシロキサンが好ましく、ビニル重合体及びアミノ樹脂がより好ましく、特にビニル重合体が好ましい。ビニル重合体を含む材料は、ビニル基が重合して形成された有機系骨格を有し、加圧接続時の弾性変形に優れる。特に、ジビニルベンゼン及び/又はジ(メタ)アクリレートを重合成分として含むビニル重合体は、導電性金属被覆後の粒子強度の低下が少ないため好ましい。
1-3. Base Material Particles The base material particles according to the present invention which are a base for forming the conductive metal layer are preferably resin particles containing a resin component. By using resin particles, conductive fine particles having excellent elastic deformation characteristics can be obtained. Examples of the resin particles include amino resins such as melamine formaldehyde resin, melamine-benzoguanamine-formaldehyde resin, urea formaldehyde resin; vinyl polymers such as styrene resin, acrylic resin, styrene-acrylic resin; polyethylene, polypropylene, poly Polyolefins such as vinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyisobutylene, and polybutadiene; polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; polycarbonates; polyamides; polyimides; phenol formaldehyde resin; The material which comprises these resin particles may be used independently, and may use 2 or more types together. Among these, vinyl polymers are substantially free from chlorine and sodium in the production raw materials, or even if these elements are contained, those having a very low content can be used as raw materials. An amino resin and an organopolysiloxane are preferable, a vinyl polymer and an amino resin are more preferable, and a vinyl polymer is particularly preferable. A material containing a vinyl polymer has an organic skeleton formed by polymerizing vinyl groups, and is excellent in elastic deformation during pressure connection. In particular, a vinyl polymer containing divinylbenzene and / or di (meth) acrylate as a polymerization component is preferable because there is little decrease in particle strength after coating with a conductive metal.

1−3−1.ビニル重合体粒子
ビニル重合体粒子は、ビニル重合体により構成される。ビニル重合体は、ビニル系単量体(ビニル基含有単量体)を重合(ラジカル重合)することによって形成でき、このビニル系単量体は、ビニル系架橋性単量体とビニル系非架橋性単量体とに分けられる。なお、「ビニル基」には、炭素−炭素二重結合のみならず、(メタ)アクリロキシ基、アリル基、イソプロペニル基、ビニルフェニル基、イソプロペニルフェニル基のような官能基と重合性炭素−炭素二重結合から構成される置換基も含まれる。なお、本明細書において「(メタ)アクリロキシ基」、「(メタ)アクリレート」や「(メタ)アクリル」は、「アクリロキシ基及び/又はメタクリロキシ基」、「アクリレート及び/又はメタクリレート」や「アクリル及び/又はメタクリル」を示すものとする。
1-3-1. Vinyl polymer particles The vinyl polymer particles are composed of a vinyl polymer. A vinyl polymer can be formed by polymerizing a vinyl monomer (vinyl group-containing monomer) (radical polymerization). This vinyl monomer is composed of a vinyl crosslinkable monomer and a vinyl non-crosslinked monomer. It is divided into sex monomers. The “vinyl group” includes not only a carbon-carbon double bond but also a functional group such as (meth) acryloxy group, allyl group, isopropenyl group, vinylphenyl group, isopropenylphenyl group, and polymerizable carbon- Substituents composed of carbon double bonds are also included. In this specification, “(meth) acryloxy group”, “(meth) acrylate” and “(meth) acryl” are “acryloxy group and / or methacryloxy group”, “acrylate and / or methacrylate” and “acryl and / Or methacryl ".

前記ビニル系架橋性単量体とは、ビニル基を有し架橋構造を形成し得るものであり、具体的には、1分子中に2個以上のビニル基を有する単量体(単量体(1))、又は、1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基(カルボキシル基、ヒドロキシ基等のプロトン性水素含有基、アルコキシ基等の末端官能基等)を有する単量体(単量体(2))が挙げられる。ただし、単量体(2)によって架橋構造を形成させるには、当該単量体(2)の結合性官能基と反応(結合)可能な相手方単量体の存在が必要である。   The vinyl-based crosslinkable monomer has a vinyl group and can form a crosslinked structure, and specifically, a monomer (monomer having two or more vinyl groups in one molecule). (1)), or having one vinyl group and a binding functional group other than a vinyl group in one molecule (such as a carboxyl group, a protonic hydrogen-containing group such as a hydroxy group, or a terminal functional group such as an alkoxy group). A monomer (monomer (2)) is mentioned. However, in order to form a crosslinked structure with the monomer (2), it is necessary to have a counterpart monomer capable of reacting (binding) with the binding functional group of the monomer (2).

前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体(1)(1分子中に2個以上のビニル基を有する単量体)の例として、例えば、アリル(メタ)アクリレート等のアリル(メタ)アクリレート類;アルカンジオールジ(メタ)アクリレート(例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブダンジオールジ(メタ)アクリレート等)、ポリアルキレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、デカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタコンタヘクタエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート等)等のジ(メタ)アクリレート類;トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート等のトリ(メタ)アクリレート類;ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等のテトラ(メタ)アクリレート類;ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等のヘキサ(メタ)アクリレート類;ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、及びこれらの誘導体等の芳香族炭化水素系架橋剤(好ましくはジビニルベンゼン等のスチレン系多官能モノマー);N,N−ジビニルアニリン、ジビニルエーテル、ジビニルサルファイド、ジビニルスルホン酸等のヘテロ原子含有架橋剤;等が挙げられる。   Examples of the monomer (1) (monomer having two or more vinyl groups in one molecule) among the vinyl-based crosslinkable monomers include, for example, allyl (meth) acrylate such as allyl (meth) acrylate. ) Acrylates; alkanediol di (meth) acrylate (for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9- Nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, etc.), polyalkylene glycol di (meth) acrylate (for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, Triethylene glycol di (meth) acrylate, decaethylene glycol Di (meth) acrylate, pentadecaethylene glycol di (meth) acrylate, pentacontactor ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) Di (meth) acrylates such as acrylate); tri (meth) acrylates such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate; tetra (meth) acrylates such as pentaerythritol tetra (meth) acrylate; dipentaerythritol hexa Hexa (meth) acrylates such as (meth) acrylate; aromatic hydrocarbon crosslinking agents such as divinylbenzene, divinylnaphthalene, and derivatives thereof (preferably divinylbenzene Styrene polyfunctional monomer); N, N-divinyl aniline, divinyl ether, divinyl sulfide, hetero atom-containing crosslinking agents such as divinyl sulfonic acid; and the like.

これらの中でも、1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート類(多官能(メタ)アクリレート)や、芳香族炭化水素系架橋剤(特にスチレン系多官能モノマー)が好ましい。前記1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート類(多官能(メタ)アクリレート)の中でも、1分子中に2個の(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート(ジ(メタ)アクリレート)が特に好ましい。前記スチレン系多官能モノマーの中では、ジビニルベンゼンのように1分子中に2個のビニル基を有する単量体が好ましい。単量体(1)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Among these, (meth) acrylates (polyfunctional (meth) acrylate) having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule and aromatic hydrocarbon crosslinking agents (especially styrene polyfunctional monomers) are included. preferable. Among (meth) acrylates (polyfunctional (meth) acrylate) having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule, (meth) acrylate having two (meth) acryloyl groups in one molecule (Di (meth) acrylate) is particularly preferred. Among the styrenic polyfunctional monomers, monomers having two vinyl groups in one molecule such as divinylbenzene are preferable. A monomer (1) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系架橋性単量体のうち前記単量体(2)(1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体)としては、例えば、(メタ)アクリル酸等のカルボキシル基を有する単量体;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基含有(メタ)アクリレート類、p−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシ基含有スチレン類等のヒドロキシ基を有する単量体;2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、2−ブトキシエチル(メタ)アクリレート等のアルコキシ基含有(メタ)アクリレート類、p−メトキシスチレン等のアルコキシスチレン類等のアルコキシ基を有する単量体;等が挙げられる。単量体(2)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Among the vinyl-based crosslinkable monomers, the monomer (2) (monomer having one vinyl group and a binding functional group other than vinyl group in one molecule) is, for example, (meth) Monomers having a carboxyl group such as acrylic acid; hydroxy group-containing (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, p -Monomers having hydroxy groups such as hydroxy group-containing styrenes such as hydroxystyrene; alkoxy groups such as 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate Contains (meth) acrylates and alkoxy groups such as alkoxystyrenes such as p-methoxystyrene That monomer; and the like. A monomer (2) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系非架橋性単量体としては、1分子中に1個のビニル基を有する単量体(単量体(3))か、もしくは相手方単量体が存在しない場合の前記単量体(2)(1分子中に1個のビニル基とビニル基以外の結合性官能基を有する単量体)が挙げられる。   The vinyl-based non-crosslinkable monomer is a monomer having one vinyl group in one molecule (monomer (3)) or the monomer in the case where there is no counterpart monomer (2) (monomer having one vinyl group and a binding functional group other than vinyl group in one molecule).

前記ビニル系非架橋性単量体のうち前記単量体(3)(1分子中に1個のビニル基を有する単量体)には、(メタ)アクリレート系単官能モノマーやスチレン系単官能モノマーが含まれる。(メタ)アクリレート系単官能モノマーとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;シクロプロピル(メタ)アクリレート、シクロペンチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、シクロオクチル(メタ)アクリレート、シクロウンデシル(メタ)アクリレート、シクロドデシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、4−t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート等のシクロアルキル(メタ)アクリレート類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、トリル(メタ)アクリレート、フェネチル(メタ)アクリレート等の芳香環含有(メタ)アクリレート類が挙げられ、メチル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレートが好ましい。スチレン系単官能モノマーとしては、スチレン;o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、α−メチルスチレン、エチルスチレン(エチルビニルベンゼン)、p−t−ブチルスチレン等のアルキルスチレン類、o−クロロスチレン、m−クロロスチレン、p−クロロスチレン等のハロゲン基含有スチレン類等が挙げられ、スチレンが好ましい。単量体(3)は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Among the vinyl non-crosslinkable monomers, the monomer (3) (monomer having one vinyl group in one molecule) includes (meth) acrylate monofunctional monomers and styrene monofunctional monomers. Monomers are included. Examples of the (meth) acrylate monofunctional monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, and pentyl (meth) acrylate. , Hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylates such as: cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclooctyl (meth) acrylate, cyclo Cycloalkyl (meth) acrylates such as ndecyl (meth) acrylate, cyclododecyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 4-t-butylcyclohexyl (meth) acrylate; phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate , Aromatic ring-containing (meth) acrylates such as tolyl (meth) acrylate and phenethyl (meth) acrylate, and alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate are preferred. Styrene monofunctional monomers include styrene; alkyl styrenes such as o-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, α-methyl styrene, ethyl styrene (ethyl vinyl benzene), pt-butyl styrene, Examples include halogen group-containing styrenes such as o-chlorostyrene, m-chlorostyrene, and p-chlorostyrene, and styrene is preferable. A monomer (3) may be used independently and may use 2 or more types together.

前記ビニル系単量体としては、少なくとも前記ビニル系架橋性単量体(1)を含む態様が好ましく、中でも前記ビニル系架橋性単量体(1)と前記ビニル系非架橋性単量体(3)とを含む態様(特に単量体(1)と単量体(3)との共重合体)が好ましい。具体的には、構成成分として、スチレン系単官能モノマー、スチレン系多官能モノマー、多官能(メタ)アクリレートから選ばれる少なくとも1種を含む態様が好ましい。さらに好ましくは、スチレン系多官能モノマー及び多官能(メタ)アクリレートを必須構成成分とする態様;スチレン系多官能モノマー及びスチレン系単官能モノマーを必須構成成分とする態様;多官能(メタ)アクリレート及びスチレン系単官能モノマーを必須構成成分とする態様;である。上記態様において、スチレン系単官能モノマーとしてはスチレンが好ましく、スチレン系多官能モノマーとしてはジビニルベンゼンが好ましく、多官能メタ(アクリレート)としてはジ(メタ)アクリレートが好ましい。従って、ジビニルベンゼン及びジ(メタ)アクリレートを必須構成成分とする態様;ジビニルベンゼン及びスチレンを必須構成成分とする態様;ジ(メタ)アクリレート及びスチレンを必須構成成分とする態様が特に好ましい。   The vinyl monomer preferably includes at least the vinyl crosslinkable monomer (1). Among them, the vinyl crosslinkable monomer (1) and the vinyl noncrosslinkable monomer ( 3) (in particular, a copolymer of the monomer (1) and the monomer (3)) is preferable. Specifically, an embodiment including at least one selected from a styrene monofunctional monomer, a styrene polyfunctional monomer, and a polyfunctional (meth) acrylate as a constituent component is preferable. More preferably, an embodiment having a styrene polyfunctional monomer and a polyfunctional (meth) acrylate as essential constituents; an embodiment having a styrene polyfunctional monomer and a styrene monofunctional monomer as essential constituents; a polyfunctional (meth) acrylate and An embodiment having a styrene monofunctional monomer as an essential constituent. In the above embodiment, the styrene monofunctional monomer is preferably styrene, the styrene polyfunctional monomer is preferably divinylbenzene, and the polyfunctional meta (acrylate) is preferably di (meth) acrylate. Therefore, an embodiment having divinylbenzene and di (meth) acrylate as essential components; an embodiment having divinylbenzene and styrene as essential components; and an embodiment having di (meth) acrylate and styrene as essential components are particularly preferable.

前記ビニル重合体粒子は、ビニル重合体の特性を損なわない程度に、他の成分を含んでいてもよい。この場合、ビニル重合体粒子は、ビニル重合体を50質量%以上含むことが好ましく、より好ましくは60質量%以上、さらに好ましくは70質量%以上である。
前記他の成分としては、特に限定されないが、ポリシロキサン成分が好ましい。ビニル重合体粒子に、ポリシロキサン骨格を導入することで、加圧接続時の弾性変形に優れるものとなる。
The vinyl polymer particles may contain other components to the extent that the properties of the vinyl polymer are not impaired. In this case, the vinyl polymer particles preferably contain 50% by mass or more of the vinyl polymer, more preferably 60% by mass or more, and still more preferably 70% by mass or more.
Although it does not specifically limit as said other component, A polysiloxane component is preferable. By introducing a polysiloxane skeleton into the vinyl polymer particles, it is excellent in elastic deformation at the time of pressure connection.

前記ポリシロキサン骨格は、シラン系単量体を用いることによって形成でき、このシラン系単量体はシラン系架橋性単量体とシラン系非架橋性単量体とに分けられる。また、シラン系単量体としてシラン系架橋性単量体を用いると、架橋構造を形成し得る。シラン系架橋性単量体により形成される架橋構造としては、ビニル重合体とビニル重合体とを架橋するもの(第一の形態);ポリシロキサン骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの(第二の形態);ビニル重合体骨格とポリシロキサン骨格とを架橋するもの(第三の形態);が挙げられる。   The polysiloxane skeleton can be formed by using a silane monomer, and the silane monomer is divided into a silane crosslinkable monomer and a silane noncrosslinkable monomer. Moreover, when a silane crosslinkable monomer is used as the silane monomer, a crosslinked structure can be formed. The cross-linked structure formed by the silane cross-linkable monomer includes a cross-link between a vinyl polymer and a vinyl polymer (first form); a cross-link between a polysiloxane skeleton and a polysiloxane skeleton (second In which the vinyl polymer skeleton and the polysiloxane skeleton are cross-linked (third form).

第一の形態(ビニル重合体間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、ジメチルジビニルシラン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン等の2つ以上のビニル基を有するシラン化合物が挙げられる。第二の形態(ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等の4官能性シラン系単量体;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等の3官能性シラン系単量体等が挙げられる。第三の形態(ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体としては、例えば、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシエトキシプロピルトリメトキシシラン等の(メタ)アクリロイル基を有するジ又はトリアルコキシシラン;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン等のビニル基を有するジ又はトリアルコキシシラン;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン;3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン;が挙げられる。これらのシラン系架橋性単量体は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the silane-based crosslinkable monomer that can form the first form (crosslinking between vinyl polymers) include silane compounds having two or more vinyl groups such as dimethyldivinylsilane, methyltrivinylsilane, and tetravinylsilane. Can be mentioned. Examples of the silane crosslinkable monomer that can form the second form (crosslink between polysiloxanes) include tetrafunctional silane single monomers such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, and tetrabutoxysilane. Examples of the polymer include trifunctional silane monomers such as methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxysilane. Examples of the silane-based crosslinkable monomer that can form the third form (crosslinking between vinyl polymer and polysiloxane) include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3- (Meth) acryloyl such as acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxyethoxypropyltrimethoxysilane Di- or trialkoxysilane having a group; di- or trialkoxysilane having a vinyl group such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane; 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, Di- or trialkoxysilanes having an epoxy group such as glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane And di- or trialkoxysilanes having an amino group such as These silane crosslinking monomers may be used alone or in combination of two or more.

前記シラン系非架橋性単量体として、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等のジアルキルシラン等の2官能性シラン系単量体;トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリアルキルシラン等の1官能性シラン系単量体等が挙げられる。これらのシラン系非架橋性単量体は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the silane-based non-crosslinkable monomer include bifunctional silane-based monomers such as dimethyldimethoxysilane and dialkylsilane such as dimethyldiethoxysilane; and trialkylsilanes such as trimethylmethoxysilane and trimethylethoxysilane. And monofunctional silane-based monomers. These silane non-crosslinkable monomers may be used alone or in combination of two or more.

特に前記ポリシロキサン骨格は、ラジカル重合可能な炭素−炭素二重結合(例えば、(メタ)アクリロイル基等のビニル基)を有する重合性ポリシロキサン由来の骨格であることが好ましい。つまり、ポリシロキサン骨格は、構成成分として、少なくとも前記第三の形態(ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体(好ましくは(メタ)アクリロイル基を有するもの、より好ましくは3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン)を加水分解及び縮合することにより形成されたポリシロキサン骨格であることが好ましい。   In particular, the polysiloxane skeleton is preferably a skeleton derived from a polymerizable polysiloxane having a radical-polymerizable carbon-carbon double bond (for example, a vinyl group such as a (meth) acryloyl group). That is, the polysiloxane skeleton is a silane crosslinkable monomer (preferably having a (meth) acryloyl group) capable of forming at least the third form (crosslinking between vinyl polymer and polysiloxane) as a constituent component. More preferably, it is a polysiloxane skeleton formed by hydrolysis and condensation of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane).

前記ビニル重合体粒子に、ポリシロキサン骨格を導入する場合、ビニル系単量体の使用量は、シラン系単量体100質量部に対して100質量部以上が好ましく、より好ましくは200質量部以上、さらに好ましくは300質量部以上であり、700質量部以下が好ましく、より好ましくは600質量部以下、さらに好ましくは500質量部以下である。   When the polysiloxane skeleton is introduced into the vinyl polymer particles, the amount of the vinyl monomer used is preferably 100 parts by mass or more, more preferably 200 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the silane monomer. More preferably, it is 300 parts by mass or more, preferably 700 parts by mass or less, more preferably 600 parts by mass or less, and still more preferably 500 parts by mass or less.

前記ビニル重合体粒子を構成する全単量体に占める架橋性単量体(ビニル系架橋性単量体及びシラン系架橋性単量体の合計)の割合は、弾性変形と復元力に優れる点から、20質量%以上が好ましく、より好ましくは30質量%以上、さらに好ましくは50質量%以上である。架橋性単量体の割合が上記範囲内であれば、優れた弾性変形特性を維持しつつ、復元力を向上させることができる。架橋性単量体の割合の上限は、特に限定されないが、用いる架橋性単量体の種類によっては、架橋性単量体の割合が多すぎると硬くなりすぎて異方導電接続時に圧縮変形させるために高い圧力が必要となる場合がある。そのため、架橋性単量体の割合は、95質量%以下が好ましく、より好ましくは90質量%以下、さらに好ましくは85質量%以下である。   The ratio of the crosslinkable monomer (total of vinyl-based crosslinkable monomer and silane-based crosslinkable monomer) in the total monomers constituting the vinyl polymer particles is excellent in elastic deformation and restoring force. Therefore, 20 mass% or more is preferable, More preferably, it is 30 mass% or more, More preferably, it is 50 mass% or more. When the ratio of the crosslinkable monomer is within the above range, the restoring force can be improved while maintaining excellent elastic deformation characteristics. The upper limit of the ratio of the crosslinkable monomer is not particularly limited, but depending on the type of the crosslinkable monomer used, if the ratio of the crosslinkable monomer is too large, it becomes too hard and compressively deforms during anisotropic conductive connection. Therefore, a high pressure may be required. Therefore, the proportion of the crosslinkable monomer is preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, and still more preferably 85% by mass or less.

前記ビニル重合体粒子は、例えば、ビニル系単量体を重合することによって製造することができるが、具体的には、(i)ビニル系単量体を重合成分として含む単量体組成物を用いて、従来公知の水性懸濁重合、分散重合、乳化重合する方法;(ii)シラン系単量体を用いてビニル基含有ポリシロキサンを得た後、このビニル基含有ポリシロキサンとビニル系単量体とを重合(ラジカル重合)する方法;(iii)シード粒子に、ビニル系単量体を吸収させた後、ビニル系単量体をラジカル重合する、いわゆるシード重合する方法;が好ましい。   The vinyl polymer particles can be produced, for example, by polymerizing a vinyl monomer. Specifically, (i) a monomer composition containing a vinyl monomer as a polymerization component is used. A conventionally known method of aqueous suspension polymerization, dispersion polymerization, emulsion polymerization; (ii) after obtaining a vinyl group-containing polysiloxane using a silane monomer, the vinyl group-containing polysiloxane and the vinyl group Polymerization (radical polymerization) with a monomer; (iii) a so-called seed polymerization method in which a vinyl monomer is radically polymerized after the vinyl monomer is absorbed into the seed particles.

前記製造方法(i)では、ビニル系単量体として、前記2つ以上のビニル基を有するシラン化合物、ビニル基を有するジ又はトリアルコキシシラン等のビニル基を有するシラン化合物を併用してもよい。前記製造方法(ii)においては、少なくとも前記第三の形態を形成し得るシラン系架橋性単量体を用いることによって、ポリシロキサン骨格が導入されたビニル重合体粒子が得られる。   In the said manufacturing method (i), you may use together the silane compound which has vinyl groups, such as the said silane compound which has two or more vinyl groups, and the di- or trialkoxysilane which has a vinyl group as a vinyl-type monomer. . In the production method (ii), vinyl polymer particles into which a polysiloxane skeleton is introduced can be obtained by using a silane-based crosslinkable monomer capable of forming at least the third form.

前記製造方法(iii)において、シード粒子としては、非架橋又は架橋度の低いポリスチレン粒子、ポリシロキサン粒子を用いることが好ましい。シード粒子にポリシロキサン粒子を用いることで、ビニル重合体にポリシロキサン骨格を導入できる。
ポリシロキサン粒子としては、前記第三の形態(ビニル重合体−ポリシロキサン間架橋)を形成し得るシラン系架橋性単量体を含む組成物を、(共)加水分解縮合して得られるポリシロキサン粒子が好ましく、特にビニル基含有ポリシロキサン粒子が好ましい。ポリシロキサン粒子がビニル基を有する場合、得られるビニル重合体粒子が、ビニル重合体とポリシロキサン骨格がポリシロキサンを構成するケイ素原子を介して結合するため、弾性変形性及び接触圧に特に優れたものとなる。ビニル基含有ポリシロキサン粒子は、例えば、ビニル基を有するジ又はトリアルコキシシランを含むシラン系単量体(混合物)を(共)加水分解縮合することによって製造できる。
In the production method (iii), it is preferable to use non-crosslinked or low-crosslinked polystyrene particles or polysiloxane particles as seed particles. By using polysiloxane particles as seed particles, a polysiloxane skeleton can be introduced into the vinyl polymer.
Polysiloxane particles obtained by (co) hydrolytic condensation of a composition containing a silane-based crosslinkable monomer capable of forming the third form (crosslinking between vinyl polymer and polysiloxane) Particles are preferred, and vinyl group-containing polysiloxane particles are particularly preferred. When the polysiloxane particles have a vinyl group, the resulting vinyl polymer particles are particularly excellent in elastic deformation and contact pressure because the vinyl polymer and the polysiloxane skeleton are bonded via the silicon atoms constituting the polysiloxane. It will be a thing. The vinyl group-containing polysiloxane particles can be produced, for example, by (co) hydrolytic condensation of a silane monomer (mixture) containing a vinyl group-containing di- or trialkoxysilane.

また、前記ビニル重合体粒子がポリシロキサン骨格を含む場合、基材粒子に加熱処理を施すことも好ましい態様である。前記加熱処理は空気雰囲気下又は不活性雰囲気下で行うことが好ましく、不活性雰囲気下(例えば、窒素雰囲気下)で行うことがより好ましい。前記加熱処理の温度は120℃(より好ましくは180℃、さらに好ましくは200℃)以上が好ましく、熱分解温度(より好ましくは350℃、さらに好ましくは330℃)以下が好ましい。前記加熱処理の時間は、0.3時間(より好ましくは0.5時間、さらに好ましくは0.7時間)以上が好ましく、10時間(より好ましくは5.0時間、さらに好ましくは3.0時間)以下が好ましい。   Moreover, when the said vinyl polymer particle contains polysiloxane frame | skeleton, it is also a preferable aspect to heat-process a base material particle. The heat treatment is preferably performed in an air atmosphere or an inert atmosphere, and more preferably performed in an inert atmosphere (for example, in a nitrogen atmosphere). The temperature of the heat treatment is preferably 120 ° C. (more preferably 180 ° C., more preferably 200 ° C.) or more, and preferably a thermal decomposition temperature (more preferably 350 ° C., more preferably 330 ° C.) or less. The heat treatment time is preferably 0.3 hours (more preferably 0.5 hours, more preferably 0.7 hours) or more, and preferably 10 hours (more preferably 5.0 hours, still more preferably 3.0 hours). The following are preferred.

1−3−2.アミノ樹脂粒子
アミノ樹脂粒子は、アミノ化合物とホルムアルデヒドとの縮合物により構成されるものが好ましい。
前記アミノ化合物としては、例えば、ベンゾグアナミン、シクロヘキサンカルボグアナミン、シクロヘキセンカルボグアナミン、アセトグアナミン、ノルボルネンカルボグアナミン、スピログアナミン等のグアナミン化合物、メラミン等のトリアジン環構造を有する化合物等の多官能アミノ化合物が挙げられる。これらの中でも、多官能アミノ化合物が好ましく、トリアジン環構造を有する化合物がより好ましく、特にメラミン、グアナミン化合物(特にベンゾグアナミン)が好ましい。前記アミノ化合物は、1種のみを用いても良いし、2種以上を併用しても良い。
1-3-2. Amino resin particles The amino resin particles are preferably composed of a condensate of an amino compound and formaldehyde.
Examples of the amino compounds include benzoguanamine, cyclohexanecarboguanamine, cyclohexenecarboguanamine, acetoguanamine, norbornenecarboguanamine, guanamine compounds such as spiroguanamine, and polyfunctional amino compounds such as compounds having a triazine ring structure such as melamine. . Among these, polyfunctional amino compounds are preferable, compounds having a triazine ring structure are more preferable, and melamine and guanamine compounds (particularly benzoguanamine) are particularly preferable. The amino compound may be used alone or in combination of two or more.

前記アミノ樹脂粒子は、アミノ化合物中、グアナミン化合物を10質量%以上含むことが好ましく、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは50質量%以上である。アミノ化合物中のグアナミン化合物の含有割合が上記範囲であれば、より粒度分布がシャープであり、粒子径が精密にコントロールされたものとなる。なお、アミノ化合物として、グアナミン化合物のみを用いることも好ましい。   The amino resin particles preferably contain 10% by mass or more of a guanamine compound in the amino compound, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 50% by mass or more. When the content ratio of the guanamine compound in the amino compound is within the above range, the particle size distribution is sharper and the particle size is precisely controlled. In addition, it is also preferable to use only a guanamine compound as an amino compound.

アミノ樹脂粒子は、例えば、水性媒体中でアミノ化合物とホルムアルデヒドを反応(付加縮合反応)させることにより得られる。通常、この反応は加熱下(50〜100℃)で行う。また、ドデシルベンゼンスルホン酸、硫酸等の酸触媒の存在下で反応を行うことにより、架橋度を高めることができる。
アミノ樹脂粒子の製造方法としては、例えば、特開2000−256432号公報、特開2002−293854号公報、特開2002−293855号公報、特開2002−293856号公報、特開2002−293857号公報、特開2003−55422号公報、特開2003−82049号公報、特開2003−138023号公報、特開2003−147039号公報、特開2003−171432号公報、特開2003−176330号公報、特開2005−97575号公報、特開2007−186716号公報、特開2008−101040号公報、特開2010−248475号公報等に記載のアミノ樹脂架橋粒子及びその製造方法を適用することが好ましい。
Amino resin particles can be obtained, for example, by reacting an amino compound and formaldehyde in an aqueous medium (addition condensation reaction). Usually, this reaction is performed under heating (50 to 100 ° C.). Further, the degree of crosslinking can be increased by carrying out the reaction in the presence of an acid catalyst such as dodecylbenzenesulfonic acid or sulfuric acid.
Examples of the method for producing amino resin particles include, for example, JP-A No. 2000-256432, JP-A No. 2002-293854, JP-A No. 2002-293855, JP-A No. 2002-293856, and JP-A No. 2002-293857. JP, 2003-55422, JP 2003-82049, JP 2003-138823, JP 2003-147039, JP 2003-171432, JP 2003-176330, It is preferable to apply the amino resin crosslinked particles described in JP-A-2005-97575, JP-A-2007-186716, JP-A-2008-101040, JP-A-2010-248475, and the production method thereof.

具体例としては、前記多官能アミノ化合物とホルムアルデヒドを、水性媒体(好ましくは塩基性の水性媒体)中で反応(付加縮合反応)させて縮合物オリゴマーを生成させ、該縮合物オリゴマーが溶解又は分散する水性媒体にドデシルベンゼンスルホン酸や硫酸等の酸触媒を混合して硬化させることによって、架橋されたアミノ樹脂粒子を製造することができる。縮合物オリゴマーを生成させる段階、架橋構造のアミノ樹脂とする段階は、いずれも、50〜100℃の温度で加熱された状態で行うことが好ましい。また、付加縮合反応を、界面活性剤の存在下で行うことにより、粒度分布のシャープなアミノ樹脂粒子が得られる。   As a specific example, the polyfunctional amino compound and formaldehyde are reacted (addition condensation reaction) in an aqueous medium (preferably a basic aqueous medium) to form a condensate oligomer, and the condensate oligomer is dissolved or dispersed. Crosslinked amino resin particles can be produced by mixing and curing an acid catalyst such as dodecylbenzenesulfonic acid or sulfuric acid in the aqueous medium. It is preferable that both the step of generating the condensate oligomer and the step of preparing the amino resin having a crosslinked structure are performed in a state of being heated at a temperature of 50 to 100 ° C. In addition, amino resin particles having a sharp particle size distribution can be obtained by performing the addition condensation reaction in the presence of a surfactant.

1−3−3.オルガノポリシロキサン粒子
オルガノポリシロキサン粒子は、ビニル基を含有しないシラン系単量体(シラン系架橋性単量体、シラン系非架橋性単量体)の1種又は2種以上を(共)加水分解縮合することによって得られる。
前記ビニル基を含有しないシラン系単量体としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等の3官能性シラン系単量体;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するジ又はトリアルコキシシラン;3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するジ又はトリアルコキシシラン等が挙げられる。
1-3-3. Organopolysiloxane Particles Organopolysiloxane particles (co) hydrolyze one or more silane monomers (silane crosslinkable monomers, silane noncrosslinkable monomers) that do not contain vinyl groups. It is obtained by decomposing and condensing.
Examples of the silane monomer not containing a vinyl group include trifunctional silane monomers such as methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, and phenyltrimethoxysilane. Di- or trialkoxysilanes having an epoxy group such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; Examples thereof include di- or trialkoxysilanes having an amino group such as propyltrimethoxysilane and 3-aminopropyltriethoxysilane.

上述のように、本発明は各種電子機器におけるファインピッチ接続への適用を考慮したものであり、粒子径のより小さな導電性微粒子を対象とするものである。したがって、導電性微粒子の基材となる樹脂粒子(基材粒子)も粒子径が小さく、その個数平均粒子径は、1.0μm以上、3.0μm以下である。個数平均粒子径は、好ましくは1.5μm以上であり、より好ましくは2.0μm以上であり、好ましくは2.8μm以下であり、より好ましくは2.7μm以下、さらに好ましくは2.6μm以下、さらに一層好ましくは2.5μm以下である。基材粒子の粒子径が1.0μmよりも小さくなると、導電性微粒子を圧縮変形させても、電極との十分な接触面積が得られ難くなり接続抵抗値が上昇する。一方、基材粒子の粒子径が3.0μmよりも大きくなると、隣接する導電性微粒子間の接触によるショートが発生し易くなる。   As described above, the present invention is intended for application to fine pitch connection in various electronic devices, and is intended for conductive fine particles having a smaller particle diameter. Accordingly, the resin particles (base particles) serving as the base material for the conductive fine particles have a small particle size, and the number average particle size is 1.0 μm or more and 3.0 μm or less. The number average particle diameter is preferably 1.5 μm or more, more preferably 2.0 μm or more, preferably 2.8 μm or less, more preferably 2.7 μm or less, still more preferably 2.6 μm or less, Still more preferably, it is 2.5 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is smaller than 1.0 μm, it is difficult to obtain a sufficient contact area with the electrode even if the conductive fine particles are compressed and deformed, and the connection resistance value is increased. On the other hand, when the particle diameter of the substrate particles is larger than 3.0 μm, a short circuit due to contact between adjacent conductive fine particles tends to occur.

基材粒子の粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は、20%以下であることが好ましく、より好ましくは15%以下、さらに好ましくは10%以下である。基材粒子の個数平均粒子径、粒子径の個数基準の変動係数(CV値)は、例えば、コールターカウンター法を採用した粒度分布測定装置を用いて求めることができる。またフロー式粒子像解析装置を用いて求めることもできる。   The number-based variation coefficient (CV value) of the particle diameter of the substrate particles is preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less. The number average particle diameter of the base particles and the number-based variation coefficient (CV value) of the particle diameter can be determined using, for example, a particle size distribution measuring apparatus employing a Coulter counter method. It can also be determined using a flow particle image analyzer.

基材粒子の10%K値は1000N/mm2以上であるのが望ましく、より好ましくは4000N/mm2以上、さらに好ましくは5000N/mm2以上であり、70000N/mm2以下であるのが好ましく、より好ましくは60000N/mm2以下であり、さらに好ましくは50000N/mm2以下である。基材粒子の10%K値が小さすぎると、異方性導電材料として用いた際に、周囲のバインダーを十分に排除できなかったり、電極への食い込み具合が弱かったりする結果、低い接続抵抗値を得ることができない虞がある。一方、基材粒子の10%K値が大きすぎると、接続部位に対して電気的に良好な接触状態を確保できない虞がある。 10% K value of the base particles is desirable is 1000 N / mm 2 or more, more preferably 4000 N / mm 2 or more, more preferably 5000N / mm 2 or more, preferably at 70000N / mm 2 or less More preferably, it is 60000 N / mm 2 or less, and further preferably 50000 N / mm 2 or less. If the 10% K value of the base particle is too small, the surrounding binder cannot be removed sufficiently when used as an anisotropic conductive material, or the biting into the electrode is weak, resulting in low connection resistance. There is a possibility that it cannot be obtained. On the other hand, if the 10% K value of the base particles is too large, there is a possibility that an electrically good contact state cannot be secured with respect to the connection site.

なお、基材粒子の10%K値とは、粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率であり、例えば、公知の微小圧縮試験機(例えば、島津製作所製「MCT−W500」など)を用い、室温で粒子の中心方向へ荷重負荷速度2.2295mN/secで荷重をかけ、圧縮変位が粒子径の10%となるまで粒子を変形させたときの圧縮荷重(N)と圧縮変位(mm)を測定し、下記式に基づき求めることができる。   The 10% K value of the base particle is a compression elastic modulus when the particle is compressed by 10%. For example, a known micro-compression tester (for example, “MCT-W500” manufactured by Shimadzu Corporation) is used. , Compressive load (N) and compressive displacement (mm) when a particle is deformed until a compressive displacement is 10% of the particle diameter by applying a load at a load load rate of 2.2295 mN / sec at the center of the particle at room temperature Can be determined based on the following formula.

(ここで、E:圧縮弾性率(N/mm2)、F:圧縮荷重(N)、S:圧縮変位(mm)
、R:粒子の半径(mm)である。)
(Where E: compression modulus (N / mm 2 ), F: compression load (N), S: compression displacement (mm)
, R: radius (mm) of the particle. )

1−4.導電性微粒子の製法
導電性金属層の形成方法は、特に限定されず、例えば、基材粒子表面に無電解メッキ法、電解メッキ法等によってメッキを施す方法;基材粒子表面に真空蒸着、イオンプレーティング、イオンスパッタリング等の物理的蒸着方法により導電性金属層を形成する方法;のような従来公知の方法を採用することができる。これらの中でも特に、無電解メッキ法が、大掛かりな装置を必要とせず容易に導電性金属層を形成できる点で好ましい。以下、無電解めっき法による導電性金属層の形成について詳細に説明する。
1-4. Method for producing conductive fine particles The method for forming the conductive metal layer is not particularly limited. For example, a method in which the surface of the substrate particles is plated by an electroless plating method, an electrolytic plating method, or the like; A conventionally known method such as a method of forming a conductive metal layer by a physical vapor deposition method such as plating or ion sputtering can be employed. Among these, the electroless plating method is particularly preferable because a conductive metal layer can be easily formed without requiring a large-scale apparatus. Hereinafter, the formation of the conductive metal layer by the electroless plating method will be described in detail.

無電解メッキ法により基材粒子に導電性金属層を形成する際には、エッチング処理工程、触媒化処理工程を経た後、無電解メッキ工程を行うことが好ましい。   When the conductive metal layer is formed on the substrate particles by the electroless plating method, it is preferable to perform the electroless plating step after the etching treatment step and the catalyst treatment step.

エッチング処理工程
エッチング処理工程では、例えばクロム酸、無水クロム酸−硫酸混合液、過マンガン酸等の酸化剤;塩酸、硫酸、フッ酸、硝酸等の強酸;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリ溶液;等を用いて、基材粒子の表面に親水性を付与し、その後の無電解メッキ液に対するぬれ性を高める。また、基材粒子の表面に微小な凹凸を形成させ、その凹凸のアンカー効果によって、後述する無電解メッキ工程後の基材粒子と導電性金属層との密着性の向上を図る。
Etching treatment step In the etching treatment step, for example, an oxidizing agent such as chromic acid, chromic anhydride-sulfuric acid mixture, permanganic acid; strong acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, nitric acid; strong acid such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc. Using an alkaline solution; etc., hydrophilicity is imparted to the surface of the substrate particles, and the wettability to the subsequent electroless plating solution is increased. Further, minute irregularities are formed on the surface of the substrate particles, and the adhesion effect between the substrate particles and the conductive metal layer after the electroless plating process described later is aimed at by the anchor effect of the irregularities.

触媒化処理工程
触媒化処理工程では、基材粒子の表面にメッキ析出の基点となる触媒層(パラジウム触媒などの層)を形成する。触媒層を形成する方法は特に限定されず、無電解メッキ用として市販されている触媒化試薬を用いて行えばよい。例えば、二塩化パラジウムと二塩化スズとを含む溶液を触媒化試薬とし、これに基材粒子を浸漬することにより基材粒子表面に触媒金属を吸着させ、その後、硫酸や塩酸などの酸や水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液で前記パラジウムイオンを還元することにより、基材粒子表面にパラジウム核を析出させる方法(キャタリスト−アクセレレーション法)や、スズイオン(Sn2+)を含有する溶液(二塩化スズ溶液など)に基材粒子を接触させることによりスズイオンを基材粒子表面に吸着させた後、パラジウムイオン(Pd2+)を含有する溶液(二塩化パラジウム溶液など)に浸漬させることにより、基材粒子表面にパラジウム核を析出させる方法(センシタイジング−アクチベーティング法)等が好ましく採用される。
なお、前記スズイオン含有溶液やパラジウムイオン含有溶液に基材粒子を浸漬する際の液温及び浸漬時間は、各イオンが基材粒子に充分に吸着できる範囲で適宜調整すればよく、特に限定されないが、例えば、液温は10℃〜60℃が好ましく、浸漬時間は1分〜120分が好ましい。
Catalytic Treatment Step In the catalytic treatment step, a catalyst layer (a layer of palladium catalyst or the like) that serves as a base point for plating deposition is formed on the surface of the substrate particles. The method for forming the catalyst layer is not particularly limited, and may be performed using a commercially available catalyzing reagent for electroless plating. For example, a solution containing palladium dichloride and tin dichloride is used as a catalyzing reagent, and the catalyst particles are adsorbed on the surface of the substrate particles by immersing the substrate particles in the reagent, and then an acid or water such as sulfuric acid or hydrochloric acid is used. A method of depositing palladium nuclei on the surface of the substrate particles by reducing the palladium ions with an alkali solution such as sodium oxide (catalyst-acceleration method) or a solution containing tin ions (Sn 2+ ) (dichloride dichloride) The base material particles are brought into contact with the base material particles by contacting the base material particles with a tin solution, etc., and then immersed in a solution containing palladium ions (Pd 2+ ) (such as a palladium dichloride solution). A method of depositing palladium nuclei on the particle surface (sensitizing-activating method) or the like is preferably employed.
The liquid temperature and immersion time when immersing the substrate particles in the tin ion-containing solution or palladium ion-containing solution may be adjusted as appropriate as long as each ion can be sufficiently adsorbed to the substrate particles, and is not particularly limited. For example, the liquid temperature is preferably 10 ° C to 60 ° C, and the immersion time is preferably 1 minute to 120 minutes.

無電解メッキ工程
無電解メッキ工程では、前記触媒化処理工程にて触媒層(例えばパラジウム核)を形成した基材粒子(以下「触媒化基材粒子」と称する)表面に、無電解メッキ処理を施して導電性金属層を形成する。無電解メッキ処理は、還元剤と所望の金属塩を溶解したメッキ液中に触媒化基材粒子を浸漬することにより、触媒を起点として、メッキ液中の金属イオンを還元剤で還元し、基材粒子表面に所望の金属を析出させて、導電性金属層を形成するものである。
Electroless Plating Step In the electroless plating step, electroless plating treatment is performed on the surface of the base material particles (hereinafter referred to as “catalyzed base material particles”) on which the catalyst layer (for example, palladium nucleus) is formed in the catalytic treatment step. To form a conductive metal layer. In the electroless plating treatment, the catalytic base material particles are immersed in a plating solution in which a reducing agent and a desired metal salt are dissolved, and the metal ions in the plating solution are reduced with the reducing agent from the catalyst. A desired metal is deposited on the surface of the material particles to form a conductive metal layer.

前記無電解メッキ工程では、まず、触媒化基材粒子を水に十分に分散させ、触媒化基材粒子の水性スラリーを調製する。ここで、安定した導電特性を発現させるためには、触媒化基材粒子を、メッキ処理を行う水性媒体に十分に分散させておくことが好ましい。触媒化基材粒子が凝集した状態で無電解メッキ処理を行うと、基材粒子同士の接触面に未処理面(導電性金属層が存在しない面)が生じるからである。触媒化基材粒子を水性媒体に分散させる手段としては、例えば、通常攪拌装置、高速攪拌装置、コロイドミル又はホモジナイザーのような剪断分散装置など従来公知の分散手段を採用すればよく、必要に応じて超音波や分散剤(界面活性剤等)を併用してもよい。   In the electroless plating step, first, the catalyst base material particles are sufficiently dispersed in water to prepare an aqueous slurry of the catalyst base material particles. Here, in order to develop stable conductive characteristics, it is preferable that the catalyst base material particles are sufficiently dispersed in an aqueous medium to be plated. This is because when the electroless plating treatment is performed in a state where the catalyst base material particles are aggregated, an untreated surface (a surface on which no conductive metal layer is present) is formed on the contact surface between the base material particles. As a means for dispersing the catalyzed substrate particles in the aqueous medium, for example, a conventionally known dispersing means such as a normal stirring device, a high-speed stirring device, a shearing dispersion device such as a colloid mill or a homogenizer may be employed. In addition, an ultrasonic wave or a dispersant (such as a surfactant) may be used in combination.

次に、所望の導電性金属の塩、還元剤、錯化剤及び各種添加剤等を含有する無電解メッキ液に、上記で調製した触媒化基材粒子の水性スラリーを添加することにより、無電解メッキ反応を生じさせる。無電解メッキ反応は、触媒化基材粒子の水性スラリーを添加すると速やかに開始する。また、この反応には水素ガスの発生を伴うので、水素ガスの発生が認められなくなった時点をもって無電解メッキ反応を終了すればよい。無電解メッキ反応の終了後、反応系内から導電性金属層が形成された基材粒子を取り出し、必要に応じて洗浄、乾燥を施すことにより、導電性微粒子を得ることができる。   Next, an aqueous slurry of the catalyzed substrate particles prepared above is added to an electroless plating solution containing a desired conductive metal salt, reducing agent, complexing agent, various additives, and the like. Causes an electroplating reaction. The electroless plating reaction starts quickly when an aqueous slurry of catalyzed substrate particles is added. Moreover, since this reaction is accompanied by the generation of hydrogen gas, the electroless plating reaction may be terminated when the generation of hydrogen gas is not recognized. After the electroless plating reaction is completed, the conductive fine particles can be obtained by taking out the substrate particles on which the conductive metal layer is formed from the reaction system and washing and drying as necessary.

前記無電解メッキ液に含有させる導電性金属塩としては、導電性金属層を構成する金属として例示した金属の塩化物、硫酸塩、酢酸塩等が挙げられる。例えば、導電性金属層としてニッケル層を形成する場合には、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等のニッケル塩等を無電解メッキ液に含有させればよい。導電性金属塩は1種のみであってもよいし2種以上であってもよい。無電解メッキ液中における導電性金属塩の濃度は、所望の膜厚の導電性金属層が形成されるように、基材粒子のサイズ(表面積)等を考慮して適宜決定すればよい。   Examples of the conductive metal salt contained in the electroless plating solution include metal chlorides, sulfates, acetates and the like exemplified as the metal constituting the conductive metal layer. For example, when a nickel layer is formed as the conductive metal layer, a nickel salt such as nickel chloride, nickel sulfate, or nickel acetate may be included in the electroless plating solution. Only one type of conductive metal salt may be used, or two or more types may be used. What is necessary is just to determine suitably the density | concentration of the electroconductive metal salt in an electroless plating liquid in consideration of the size (surface area) of a base particle, etc. so that the electroconductive metal layer of a desired film thickness may be formed.

前記無電解メッキ液に含有させる還元剤としては、例えば、ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、グリオキシル酸、ヒドラジン等が挙げられる。還元剤は1種のみであってもよいし2種以上であってもよい。   Examples of the reducing agent contained in the electroless plating solution include formaldehyde, sodium hypophosphite, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride, potassium tetrahydroborate, glyoxylic acid, hydrazine, and the like. . Only one reducing agent may be used, or two or more reducing agents may be used.

前記無電解メッキ液に含有させる錯化剤としては、導電性金属のイオンに対して錯化作用のある化合物が使用できる。例えば、ニッケルに対して錯化作用のある化合物としては、クエン酸、ヒドロキシ酢酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、グルコン酸またはそれらのアルカリ金属塩やアンモニウム塩などのカルボン酸(塩);グリシン等のアミノ酸;エチレンジアミン、アルキルアミン等のアミン酸;その他のアンモニウム、EDTA、ピロリン酸(塩);などが挙げられる。錯化剤は1種のみであってもよいし2種以上であってもよい。
前記無電解メッキ液のpHは、限定されないが、好ましくは4〜14である。
As the complexing agent contained in the electroless plating solution, a compound having a complexing action on ions of conductive metal can be used. For example, compounds having a complexing action on nickel include citric acid, hydroxyacetic acid, tartaric acid, malic acid, lactic acid, gluconic acid or carboxylic acids (salts) such as alkali metal salts and ammonium salts thereof; Amino acids; amine acids such as ethylenediamine and alkylamine; other ammonium, EDTA, pyrophosphate (salt); and the like. Only one type of complexing agent may be used, or two or more types may be used.
The pH of the electroless plating solution is not limited, but is preferably 4-14.

無電解メッキ工程は、必要に応じて繰返し行ってもよい。例えば金属種の異なる無電解メッキ液を用いて無電解メッキ工程を繰返すことにより、基材粒子の表面に異種金属を幾層にも被覆できる。例えば、基材粒子にニッケルメッキを施してニッケル被覆粒子を得た後、該ニッケル被覆粒子をさらに無電解金メッキ液に投入して金置換メッキを行うことにより、最外層が金層で覆われ、その内側にニッケル層を有する導電性微粒子が得られる。   The electroless plating process may be repeated as necessary. For example, by repeating the electroless plating process using electroless plating solutions having different metal types, the surface of the substrate particles can be coated with several layers of different kinds of metals. For example, after nickel plating is performed on the substrate particles to obtain nickel-coated particles, the nickel-coated particles are further poured into an electroless gold plating solution to perform gold displacement plating, whereby the outermost layer is covered with a gold layer, Conductive fine particles having a nickel layer inside are obtained.

なお、前記導電性金属層は、基材粒子表面の少なくとも一部を被覆していればよいが、導電性金属層の表面には、実質的な割れや、導電性金属層が形成されていない面が存在しないことが好ましい。ここで、「実質的な割れや、導電性金属層が形成されていない面」とは、電子顕微鏡(倍率1000倍)を用いて任意の10000個の導電性粒子の表面を観察したときに、導電性金属層の割れ、および、基材粒子表面の露出が、実質的に目視で観察されないことを意味する。   In addition, although the said conductive metal layer should just coat | cover at least one part of the base-material particle | grain surface, the substantial crack and the conductive metal layer are not formed in the surface of a conductive metal layer. It is preferred that no surface be present. Here, “substantially cracked or a surface on which no conductive metal layer is formed” means that when the surface of any 10,000 conductive particles is observed using an electron microscope (1000 times magnification), It means that the crack of the conductive metal layer and the exposure of the surface of the base material particles are not substantially visually observed.

脱イオン処理工程
上述のようにして得られる導電性微粒子は、環境や試薬(無電解メッキ法や電解メッキ法で用いる触媒化試薬、無電解メッキ液など)などに由来する塩化物イオンやナトリウムイオンを含有しており、塩化物イオンの含有量は、例えば、50μg/g〜2000μg/g程度(特に50μg/g〜500μg/g程度)である。またナトリウムイオンの含有量は、例えば、50μg/g〜2000μg/g程度(特に50μg/g〜500μg/g程度)である。そこで本発明では、基材粒子の表面に導電性金属層を形成した後、得られた導電性微粒子をアルコール/水混合溶媒を用いて熱処理する(脱イオン処理工程)。水にアルコールを加えた混合溶媒で熱処理することにより、塩化物イオンやナトリウムイオンの除去能力を高めることができ、導電性微粒子の粒径が小さくても、これらイオンの濃度を所定値以下にすることが可能となる。
Deionization process The conductive fine particles obtained as described above are chloride ions and sodium ions derived from the environment and reagents (catalytic reagents used in electroless plating methods and electrolytic plating methods, electroless plating solutions, etc.). The chloride ion content is, for example, about 50 μg / g to 2000 μg / g (particularly about 50 μg / g to 500 μg / g). The content of sodium ions is, for example, about 50 μg / g to 2000 μg / g (particularly about 50 μg / g to 500 μg / g). Therefore, in the present invention, after a conductive metal layer is formed on the surface of the substrate particles, the obtained conductive fine particles are heat-treated using an alcohol / water mixed solvent (deionization process step). By heat-treating with a mixed solvent in which alcohol is added to water, the ability to remove chloride ions and sodium ions can be increased, and even if the particle size of the conductive fine particles is small, the concentration of these ions is kept below a predetermined value. It becomes possible.

なお、塩化物イオンやナトリウムイオンといったハロゲンイオン及びアルカリ金属イオン量を低減する手段として、特許文献1、2では、導電性微粒子の製造工程で用いる材料をハロゲンイオン及びアルカリ金属イオンの含有量の少ないものを選択して用いる方法や、導電性微粒子の製造工程として、導電性微粒子を加圧下、100℃以上の蒸留水を用いて洗浄する工程を導入する方法等が提案されている。しかしながら、無電解メッキ法や電解メッキ法において、ハロゲンイオンやアルカリ金属イオンを完全に排除することは現実的ではない。また、さらなる微細化、狭小化に対応可能な小粒径の導電性微粒子では、上記方法によっても塩化物イオンやナトリムイオンを十分に低減できず、高温高湿条件に曝されると導電特性が経時的に劣化することが本発明者らの検討の中で判明した。   As means for reducing the amount of halogen ions and alkali metal ions such as chloride ions and sodium ions, Patent Documents 1 and 2 disclose that materials used in the manufacturing process of conductive fine particles have a low content of halogen ions and alkali metal ions. There have been proposed a method of selecting and using a method, and a method of introducing a step of washing conductive fine particles with distilled water at 100 ° C. or higher under pressure, as a production step of conductive fine particles. However, it is not realistic to completely eliminate halogen ions and alkali metal ions in the electroless plating method and the electrolytic plating method. In addition, the conductive fine particles having a small particle size that can cope with further miniaturization and narrowing cannot sufficiently reduce chloride ions and sodium ions even by the above-mentioned method, and the conductive characteristics are not good when exposed to high temperature and high humidity conditions. It became clear in the examination of the present inventors that it deteriorates with time.

そこで、本発明者らはさらに検討を重ね、アルコール/水混合溶媒を用いて導電性微粒子を熱処理することで、粒子径の小さな導電性微粒子であっても、塩化物イオンやナトリウムイオンといったハロゲンやアルカリ金属イオン含有量を低減できることを見出した。すなわち、導電性微粒子の粒子径が小さくなると、水系媒体への導電性微粒子の分散性が低下し、特に、水のみを媒体として用いた熱処理では、導電性微粒子の表面の水(媒体)に対する濡れ性が低いため、上記イオン成分の除去が不十分になるものと考えられる。そこで、本発明では、導電性微粒子を熱処理する媒体(処理媒体ともいう)の一部にアルコールを使用することにより、処理媒体の表面張力を低下させ、導電性微粒子と処理媒体との濡れ性を高めることで、効果的なイオン除去を実現しているのである。   Therefore, the present inventors have further studied and heat-treating the conductive fine particles using an alcohol / water mixed solvent, so that even if the conductive fine particles have a small particle diameter, halogen such as chloride ion or sodium ion or the like. It has been found that the alkali metal ion content can be reduced. That is, when the particle size of the conductive fine particles is reduced, the dispersibility of the conductive fine particles in the aqueous medium is lowered. In particular, in the heat treatment using only water as a medium, the surface of the conductive fine particles is wetted with water (medium). Therefore, it is considered that the removal of the ion component is insufficient. Therefore, in the present invention, alcohol is used as a part of a medium (also referred to as a processing medium) for heat-treating the conductive fine particles, thereby reducing the surface tension of the processing medium and improving the wettability between the conductive fine particles and the processing medium. By increasing it, effective ion removal is realized.

上記アルコール/水混合溶媒に使用するアルコールとしては、炭素数1〜4の直鎖状又は分枝鎖状の低級アルコールが好ましく、具体的には、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール及びブタノール等が挙げられる。これらのアルコールは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。これらの中でも、メタノール、エタノール又はイソプロパノールは、導電性微粒子と処理媒体との濡れ性が高められ、導電性微粒子からイオン分を効率よく除去できるため好ましい。   The alcohol used in the alcohol / water mixed solvent is preferably a linear or branched lower alcohol having 1 to 4 carbon atoms, specifically, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, butanol, etc. Is mentioned. These alcohols may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them. Among these, methanol, ethanol, or isopropanol is preferable because wettability between the conductive fine particles and the treatment medium is improved and ions can be efficiently removed from the conductive fine particles.

アルコール/水混合溶媒におけるアルコールの配合量は、アルコールと水の総量100体積%に対して、1.0体積%以上であるのが好ましく、より好ましくは3.0体積%以上であり、さらに好ましくは5.0体積%以上であり、90体積%以下であるのが好ましく、より好ましくは80体積%以下であり、さらに好ましくは70体積%以下である。アルコールの配合量が上記範囲から外れると、十分なイオン除去効果が得られない場合がある。   The blending amount of the alcohol in the alcohol / water mixed solvent is preferably 1.0% by volume or more, more preferably 3.0% by volume or more, further preferably 100% by volume based on the total amount of alcohol and water. Is 5.0% by volume or more, preferably 90% by volume or less, more preferably 80% by volume or less, and still more preferably 70% by volume or less. If the blending amount of the alcohol is out of the above range, a sufficient ion removal effect may not be obtained.

また、上記洗浄媒体として使用する水は、ハロゲンイオンやアルカリ金属イオンの含有量が少ないものが好ましく、例えば、フィルターやイオン交換膜、逆浸透膜など、各種ろ材を備えた超純水装置で処理した超純水(比抵抗18MΩ・cm以上)を用いることが推奨される。   In addition, the water used as the cleaning medium preferably has a low content of halogen ions or alkali metal ions. For example, the water is treated with an ultrapure water apparatus equipped with various filter media such as a filter, an ion exchange membrane, and a reverse osmosis membrane. It is recommended to use ultrapure water (specific resistance of 18 MΩ · cm or more).

なお、洗浄工程で使用するアルコール/水混合溶媒には、アルコール、水以外の成分が含まれていてもよく、例えば、アルコール以外の有機溶媒(トルエン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル類、ヘキサン等の脂肪族炭化水素等)、導電性微粒子の分散性を向上させる分散剤(高分子分散剤、界面活性剤等)が挙げられる。なお、これらの成分の配合量は、アルコール/水混合溶媒100部に対して0.1部以上、10部以下とするのが好ましい。   In addition, the alcohol / water mixed solvent used in the washing step may contain components other than alcohol and water. For example, organic solvents other than alcohol (aromatic hydrocarbons such as toluene, acetone, methyl ethyl ketone, etc. Ketones, esters such as ethyl acetate, aliphatic hydrocarbons such as hexane, etc.) and dispersants (polymer dispersants, surfactants, etc.) that improve the dispersibility of the conductive fine particles. In addition, it is preferable that the compounding quantity of these components shall be 0.1 part or more and 10 parts or less with respect to 100 parts of alcohol / water mixed solvents.

アルコール/水混合溶媒の使用量は、導電性微粒子100部に対して200部以上、10000部以下とするのが好ましい。より好ましくは300部以上、さらに好ましくは500部以上であり、より好ましくは9000部以下、さらに好ましくは8000部以下である。アルコール/水混合溶媒の使用量が少なすぎると十分なイオン除去効果が得られ難く、一方、多量に使用しても、使用量に見合った効果は得られ難く、多量の処理液が排出されるため、環境にも経済的にも好ましくない。   The amount of the alcohol / water mixed solvent used is preferably 200 parts or more and 10,000 parts or less with respect to 100 parts of the conductive fine particles. More preferably, it is 300 parts or more, More preferably, it is 500 parts or more, More preferably, it is 9000 parts or less, More preferably, it is 8000 parts or less. If the use amount of the alcohol / water mixed solvent is too small, it is difficult to obtain a sufficient ion removal effect. On the other hand, even if it is used in a large amount, it is difficult to obtain an effect commensurate with the use amount, and a large amount of processing solution is discharged. Therefore, it is not preferable in terms of environment and economy.

また、脱イオン処理工程は、上記アルコール/水混合溶媒を100℃以上に加熱して実施する。好ましくは105℃以上であり、より好ましくは110℃以上、さらに好ましくは120℃以上であり、好ましくは200℃以下であり、より好ましくは180℃以下であり、さらに好ましくは170℃以下である。アルコール/水混合溶媒の温度が低すぎると、イオン除去効果が不十分になる虞があり、一方、高すぎると、導電性金属層がダメージを受けたり、導電性金属層の酸化により、導電性微粒子として使用した際に抵抗値が高くなってしまう虞がある。さらに、脱イオン処理工程は加圧下で行ってもよい。脱イオン処理工程の実施時間は0.5時間以上であるのが好ましく、より好ましくは1時間以上であり、50時間以下であるのが好ましく、より好ましくは20時間以下である。脱イオン処理の時間が上記範囲外では、イオン除去効果が不十分となったり、また、脱イオン処理工程が非効率的になる虞がある。   Further, the deionization treatment step is performed by heating the alcohol / water mixed solvent to 100 ° C. or higher. Preferably it is 105 degreeC or more, More preferably, it is 110 degreeC or more, More preferably, it is 120 degreeC or more, Preferably it is 200 degreeC or less, More preferably, it is 180 degreeC or less, More preferably, it is 170 degreeC or less. If the temperature of the alcohol / water mixed solvent is too low, the effect of removing ions may be insufficient. On the other hand, if the temperature is too high, the conductive metal layer may be damaged or oxidized due to the oxidation of the conductive metal layer. When used as fine particles, the resistance value may increase. Further, the deionization process may be performed under pressure. The duration of the deionization process is preferably 0.5 hours or longer, more preferably 1 hour or longer, preferably 50 hours or shorter, more preferably 20 hours or shorter. If the deionization time is outside the above range, the ion removal effect may be insufficient, or the deionization process may become inefficient.

脱イオン処理工程は、導電性微粒子がアルコール/水混合溶媒中に分散した状態で実施される限り特に限定されず、バッチ式、連続式のいずれで行ってもよい。なお、本発明に係る脱イオン処理工程は100℃以上の加熱条件下で実施するものであるので、アルコールや水が気化し、処理媒体の組成が変動するのを防ぐ観点からは、バッチ式で実施するのが好ましい。また、同様の理由から、脱イオン処理工程は、オートクレーブ等の従来公知の密閉可能な装置で実施するのが好ましい。脱イオン処理工程は、導電性微粒子の分散液を攪拌しながら行ってもよい。   The deionization process is not particularly limited as long as the conductive fine particles are dispersed in an alcohol / water mixed solvent, and the deionization process may be performed either batchwise or continuously. In addition, since the deionization process according to the present invention is performed under a heating condition of 100 ° C. or more, from the viewpoint of preventing alcohol and water from vaporizing and changing the composition of the processing medium, it is a batch type. It is preferable to carry out. For the same reason, the deionization process is preferably carried out with a conventionally known sealable device such as an autoclave. You may perform a deionization process process, stirring the dispersion liquid of electroconductive fine particles.

脱イオン処理工程は、導電性金属層形成後(例えば、無電解メッキ工程後)に行う。なお、無電解メッキ工程を繰り返し実施する場合は、脱イオン処理工程の実施時期及び回数は特に限定されず、その都度、脱イオン処理工程を実施してもよいし、また、最初の無電解メッキ工程後、2回目以降の無電解メッキ工程後等、任意の段階で1回以上実施してもよい。塩化物イオン及びナトリウムイオン量を効率よく低減させる観点からは、最初の無電解メッキ工程後及び/又は最後の無電解メッキ工程後に脱イオン処理工程を実施するのが好ましく、また、最後の無電解メッキ工程後に脱イオン処理工程を実施するのがより好ましい。   The deionization process is performed after the conductive metal layer is formed (for example, after the electroless plating process). When the electroless plating process is repeatedly performed, the timing and number of times of the deionization process are not particularly limited, and the deionization process may be performed each time, or the first electroless plating process may be performed. After the process, it may be carried out once or more at any stage such as after the second and subsequent electroless plating processes. From the viewpoint of efficiently reducing the amount of chloride ions and sodium ions, it is preferable to carry out a deionization treatment step after the first electroless plating step and / or after the last electroless plating step. More preferably, a deionization process is performed after the plating process.

2.突起を有する導電性微粒子
本発明の導電性微粒子は、その表面が平滑であっても凹凸状であってもよいが、異方性導電材料などとして使用する際に、バインダー樹脂を効果的に排除して電極との接続を行える点で、複数の突起を有することが好ましい。突起を有することで、導電性微粒子を電極間の接続に用いた際の接続信頼性を高めることができる。
2. Conductive fine particles having protrusions The conductive fine particles of the present invention may have a smooth surface or an uneven shape, but when used as an anisotropic conductive material, the binder resin is effectively excluded. Thus, it is preferable to have a plurality of protrusions in that the connection with the electrode can be performed. By having the protrusion, connection reliability when the conductive fine particles are used for connection between the electrodes can be improved.

導電性微粒子の表面に突起を形成させる方法としては、(1)基材粒子合成における重合工程において、高分子の相分離現象を利用して表面に突起の形成された基材粒子を得た後、無電解メッキにより導電性金属層を形成させる方法;(2)基材粒子表面に、金属粒子、金属酸化物粒子等の無機粒子或いは有機重合体からなる有機粒子を付着させた後、無電解メッキにより導電性金属層を形成させる方法;(3)基材粒子表面に無電解メッキを行った後、金属粒子、金属酸化物粒子等の無機粒子或いは有機重合体からなる有機粒子を付着させ、さらに無電解メッキを行う方法;(4)無電解メッキ反応時におけるメッキ浴の自己分解を利用して、基材粒子表面に突起の核となる金属を析出させ、さらに無電解メッキを行うことによって、突起部を含む導電性金属層が連続皮膜となった導電性金属層を形成する方法;等が挙げられる。   As a method of forming protrusions on the surface of the conductive fine particles, (1) after obtaining base particles having protrusions on the surface using a phase separation phenomenon of a polymer in a polymerization step in base particle synthesis A method of forming a conductive metal layer by electroless plating; (2) electroless after depositing inorganic particles such as metal particles and metal oxide particles or organic particles made of an organic polymer on the surface of the substrate particles; A method of forming a conductive metal layer by plating; (3) after performing electroless plating on the surface of the substrate particles, and attaching organic particles made of inorganic particles or organic polymers such as metal particles and metal oxide particles; (4) Utilizing the self-decomposition of the plating bath during the electroless plating reaction, depositing a metal that forms the core of the protrusion on the surface of the substrate particles, and further performing the electroless plating , Protrusion How the conductive metal layer to form a conductive metal layer which becomes continuous film comprising; and the like.

導電性微粒子が有する突起の高さは20nm〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは30nm〜800nm、さらに好ましくは40nm〜600nm、特に好ましくは50nm〜500nmである。突起の高さが前記範囲であると、接続信頼性が一層向上する。なお、突起の高さは、任意の導電性微粒子10個を電子顕微鏡で観察して求める。具体的には、観察される導電性微粒子の周縁部の突起について、導電性微粒子1個につき任意の10個の突起高さを測定し、その測定値を算術平均することにより求められる。   The height of the protrusions of the conductive fine particles is preferably 20 nm to 1000 nm, more preferably 30 nm to 800 nm, still more preferably 40 nm to 600 nm, and particularly preferably 50 nm to 500 nm. When the height of the protrusion is within the above range, the connection reliability is further improved. The height of the protrusion is determined by observing 10 arbitrary conductive fine particles with an electron microscope. Specifically, for the protrusions on the periphery of the conductive fine particles to be observed, the height of any ten protrusions per conductive fine particle is measured, and the measured value is obtained by arithmetic averaging.

突起の数は特に限定されないが、高い接続信頼性を確保する点から導電性微粒子の表面を電子顕微鏡で観察したときの任意の正投影面において、少なくとも1個以上の突起を有することが好ましく、より好ましくは5個以上、さらに好ましくは10個以上である。   The number of protrusions is not particularly limited, but it is preferable to have at least one protrusion on any orthographic projection surface when the surface of the conductive fine particles is observed with an electron microscope from the viewpoint of ensuring high connection reliability. More preferably 5 or more, and still more preferably 10 or more.

3.絶縁被覆導電性微粒子
本発明の導電性微粒子は、表面の少なくとも一部に絶縁層を有する態様(絶縁被覆導電
性微粒子)であってもよい。このように表面の導電性金属層にさらに絶縁層が積層されて
いると、高密度回路の形成時や端子接続時等に生じやすい横導通を防ぐことができる。
3. Insulating Coated Conductive Fine Particle The conductive fine particle of the present invention may be in an embodiment having an insulating layer on at least a part of the surface (insulating coated conductive fine particle). If an insulating layer is further laminated on the conductive metal layer on the surface in this way, it is possible to prevent lateral conduction that is likely to occur when a high-density circuit is formed or when a terminal is connected.

絶縁層の厚さは0.005μm〜1μmが好ましく、より好ましくは0.01μm〜0.8μmである。絶縁層の厚さが前記範囲内であれば、導電性微粒子による導通特性を良好に維持しつつ、粒子間の電気絶縁性が良好となる。   The thickness of the insulating layer is preferably 0.005 μm to 1 μm, more preferably 0.01 μm to 0.8 μm. When the thickness of the insulating layer is within the above range, the electrical insulation between the particles becomes good while maintaining the conduction characteristics by the conductive fine particles.

絶縁層としては、導電性微粒子の粒子間における絶縁性が確保でき、一定の圧力及び/又は加熱により容易にその絶縁層が崩壊あるいは剥離するものであれば特に限定されず、例えば、ポリエチレン等のポリオレフィン類;ポリメチル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート重合体及び共重合体;ポリスチレン;等の熱可塑性樹脂やその架橋物;エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂;ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂及びこれらの混合物;シリコーン樹脂等の有機化合物、或いはシリカ、アルミナ等の無機化合物が挙げられる。   The insulating layer is not particularly limited as long as the insulating property between the particles of the conductive fine particles can be ensured, and the insulating layer can be easily collapsed or peeled off by a certain pressure and / or heating. Polyolefins; (meth) acrylate polymers and copolymers such as polymethyl (meth) acrylate; polystyrene; thermoplastic resins such as polystyrene; and cross-linked products thereof; thermosetting resins such as epoxy resins, phenol resins, and melamine resins; polyvinyl alcohol Water-soluble resins such as, and mixtures thereof; organic compounds such as silicone resins; or inorganic compounds such as silica and alumina.

絶縁層は、単層であっても、複数の層からなるものであってもよい。例えば、単一又は複数の皮膜状の層が形成されていてもよいし、絶縁性を有する粒状、球状、塊状、鱗片状、その他の形状の粒子を導電性金属層の表面に付着させた層であってもよいし、さらには、導電性金属層の表面を化学修飾することにより形成された層であってもよく、又は、これらが組み合わされたものであってもよい。これらの中でも絶縁性を有する粒子(以下、「絶縁粒子」という。)が導電性金属層表面に付着した態様が好ましい。   The insulating layer may be a single layer or a plurality of layers. For example, a single or a plurality of film-like layers may be formed, or a layer in which particles having an insulating property, spherical shape, block shape, scale shape, or other shape are attached to the surface of the conductive metal layer Further, it may be a layer formed by chemically modifying the surface of the conductive metal layer, or a combination thereof. Among these, a mode in which insulating particles (hereinafter referred to as “insulating particles”) adhere to the surface of the conductive metal layer is preferable.

絶縁粒子の平均粒子径は、導電性微粒子の平均粒子径や絶縁被覆導電性微粒子の用途によって適宜選択されるが、絶縁粒子の平均粒子径は0.005μm〜1μmの範囲であることが好ましく、より好ましくは0.01μm〜0.8μmである。絶縁粒子の平均粒子径が0.005μmより小さくなると、複数の導電性微粒子間の導電層同士が接触しやすくなり、1μmより大きくなると対向する電極間に導電性微粒子が挟み込まれた際に発揮するべき導電性が不十分となる虞がある。   The average particle diameter of the insulating particles is appropriately selected depending on the average particle diameter of the conductive fine particles and the use of the insulating coated conductive fine particles, but the average particle diameter of the insulating particles is preferably in the range of 0.005 μm to 1 μm. More preferably, it is 0.01 micrometer-0.8 micrometer. When the average particle diameter of the insulating particles is smaller than 0.005 μm, the conductive layers between the plurality of conductive fine particles are easily brought into contact with each other. When the average particle diameter is larger than 1 μm, it is exhibited when the conductive fine particles are sandwiched between the opposing electrodes. There is a possibility that the electrical conductivity should be insufficient.

絶縁粒子の平均粒子径における変動係数(CV値)は、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下、最も好ましくは20%以下である。CV値が40%を超えると導通性が不十分となる虞がある。   The coefficient of variation (CV value) in the average particle diameter of the insulating particles is preferably 40% or less, more preferably 30% or less, and most preferably 20% or less. If the CV value exceeds 40%, the conductivity may be insufficient.

絶縁粒子の平均粒子径は、導電性微粒子の平均粒子径の1/1000以上、1/5以下であることが好ましい。絶縁粒子の平均粒子径が前記範囲であると、導電性微粒子の表面に均一に絶縁粒子層を形成させることができる。また、粒子径の異なる2種類以上の絶縁粒子を使用してもよい。   The average particle diameter of the insulating particles is preferably 1/1000 or more and 1/5 or less of the average particle diameter of the conductive fine particles. When the average particle diameter of the insulating particles is within the above range, the insulating particle layer can be uniformly formed on the surface of the conductive fine particles. Two or more kinds of insulating particles having different particle diameters may be used.

絶縁粒子はその表面に導電性微粒子への付着性を高めるため官能基を有していても良い。前記官能基としては、アミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、リン酸基、シラノール基、アンモニウム基、スルホン酸基、チオール基、ニトロ基、ニトリル基、オキサゾリン基、ピロリドン基、スルホニル基、水酸基等が挙げられる。   The insulating particles may have a functional group on the surface in order to improve adhesion to the conductive fine particles. Examples of the functional group include amino group, epoxy group, carboxyl group, phosphoric acid group, silanol group, ammonium group, sulfonic acid group, thiol group, nitro group, nitrile group, oxazoline group, pyrrolidone group, sulfonyl group, and hydroxyl group. Can be mentioned.

導電性微粒子表面における絶縁粒子の被覆率(絶縁被覆導電性微粒子の正投影面)は、好ましくは1%以上98%以下、より好ましくは5%以上95%以下である。絶縁粒子による導電性微粒子の被覆率が前記範囲であることにより、充分な導通性を確保しつつ、隣接する絶縁被覆導電性微粒子間を確実に絶縁することができる。なお、上記被覆率は、例えば電子顕微鏡を用いて任意の100個の絶縁被覆導電性微粒子表面を観察したときに、絶縁被覆導電性微粒子の正投影面における絶縁粒子の被覆されている部分と樹脂粒子の被覆されていない部分の面積比率を測定することにより評価できる。   The coverage of insulating particles on the surface of the conductive fine particles (the orthographic surface of the insulating coated conductive fine particles) is preferably 1% to 98%, more preferably 5% to 95%. When the coverage of the conductive fine particles by the insulating particles is in the above range, it is possible to reliably insulate adjacent insulating coated conductive fine particles while ensuring sufficient electrical conductivity. Note that the coverage is determined by, for example, observing the surface of any 100 insulating coated conductive fine particles using an electron microscope, and the portion of the orthographic projection surface of the insulating coated conductive fine particles coated with the insulating particles and the resin. It can be evaluated by measuring the area ratio of the uncoated part of the particles.

4.異方性導電材料
本発明の導電性微粒子は、異方性導電材料として有用である。
前記異方性導電材料としては、前記導電性微粒子がバインダー樹脂に分散してなるものが挙げられる。異方性導電材料の形態は特に限定されず、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等様々な形態が挙げられる。これらの異方性導電材料を相対向する基材同士や電極端子間に設けることにより、良好な電気的接続が可能になる。なお、本発明の導電性微粒子を用いた異方性導電材料には、液晶表示素子用導通材料(導通スペーサー及びその組成物)も含まれる。
4). Anisotropic Conductive Material The conductive fine particles of the present invention are useful as an anisotropic conductive material.
Examples of the anisotropic conductive material include those obtained by dispersing the conductive fine particles in a binder resin. The form of the anisotropic conductive material is not particularly limited, and examples thereof include various forms such as an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive paste, an anisotropic conductive adhesive, and an anisotropic conductive ink. By providing these anisotropic conductive materials between opposing substrates or between electrode terminals, good electrical connection can be achieved. The anisotropic conductive material using the conductive fine particles of the present invention includes a conductive material for a liquid crystal display element (conductive spacer and composition thereof).

前記バインダー樹脂としては、絶縁性の樹脂であれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体等の熱可塑性樹脂;エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。   The binder resin is not particularly limited as long as it is an insulating resin. For example, thermoplastic resins such as acrylic resin, styrene resin, ethylene-vinyl acetate resin, styrene-butadiene block copolymer; epoxy resin, phenol resin And thermosetting resins such as urea resin, polyester resin, urethane resin, and polyimide resin.

バインダー樹脂組成物には、必要に応じて充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤(顔料、染料)、酸化防止剤、各種カップリング剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤、熱伝導向上剤、有機溶剤等を配合することができる。   For binder resin compositions, fillers, softeners, accelerators, anti-aging agents, colorants (pigments, dyes), antioxidants, various coupling agents, light stabilizers, UV absorbers, lubricants as necessary. Further, an antistatic agent, a flame retardant, a heat conduction improver, an organic solvent, and the like can be blended.

なお、前記異方性導電材料は、前記バインダー樹脂中に導電性微粒子を分散させ、所望の形態とすることで得られるが、例えば、バインダー樹脂と導電性微粒子とを別々に使用し、接続しようとする基材間や電極端子間に導電性微粒子をバインダー樹脂とともに存在させることによって接続してもかまわない。   The anisotropic conductive material can be obtained by dispersing conductive fine particles in the binder resin to obtain a desired form. For example, the binder resin and the conductive fine particles are separately used for connection. The conductive fine particles may be present together with the binder resin between the base materials and between the electrode terminals.

前記異方性導電材料において、導電性微粒子の含有量は、用途に応じて適宜決定すればよいが、例えば、異方性導電材料の全量に対して0.01体積%以上が好ましく、より好ましくは0.03体積%以上、さらに好ましくは0.05体積%以上であり、50体積%以下が好ましく、より好ましくは30体積%以下、さらに好ましくは20体積%以下である。導電性微粒子の含有量が少なすぎると、充分な電気的導通が得られ難い場合があり、一方、導電性微粒子の含有量が多すぎると、導電性微粒子同士が接触してしまい、異方性導電材料としての機能が発揮され難い場合がある。   In the anisotropic conductive material, the content of the conductive fine particles may be appropriately determined according to the use. For example, the volume is preferably 0.01% by volume or more, more preferably based on the total amount of the anisotropic conductive material. Is 0.03% by volume or more, more preferably 0.05% by volume or more, preferably 50% by volume or less, more preferably 30% by volume or less, and still more preferably 20% by volume or less. If the content of the conductive fine particles is too small, it may be difficult to obtain sufficient electrical continuity. On the other hand, if the content of the conductive fine particles is too large, the conductive fine particles are in contact with each other, and anisotropy is caused. The function as a conductive material may be difficult to be exhibited.

前記異方性導電材料におけるフィルム膜厚、ペーストや接着剤の塗工膜厚、印刷膜厚等については、使用する導電性微粒子の粒子径と、接続すべき電極の仕様とを考慮し、接続すべき電極間に導電性微粒子が狭持され、且つ接続すべき電極が形成された接合基板同士の空隙がバインダー樹脂層により充分に満たされるように、適宜設定することが好ましい。   Regarding the film thickness in the anisotropic conductive material, the coating thickness of the paste or adhesive, the printed film thickness, etc., considering the particle diameter of the conductive fine particles to be used and the specifications of the electrodes to be connected. It is preferable to set appropriately so that the conductive fine particles are held between the electrodes to be connected and the gap between the bonding substrates on which the electrodes to be connected are formed is sufficiently filled with the binder resin layer.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples, but may be appropriately modified within a range that can meet the purpose described above and below. Of course, it is possible to implement them, and they are all included in the technical scope of the present invention.

1.評価方法
1−1.個数平均粒子径、変動係数(CV値)
<シード粒子、基材粒子>
粒度分布測定装置(ベックマンコールター社製、「コールターマルチサイザーIII型」)により30000個の粒子の粒子径を測定し、個数基準の平均粒子径、粒子径の標準偏差を求めるとともに、下記式に従って粒子径の個数基準のCV値(変動係数)を算出した。
粒子の変動係数(%)=100×(粒子径の標準偏差/個数基準平均粒子径)
1. Evaluation method 1-1. Number average particle size, coefficient of variation (CV value)
<Seed particles, substrate particles>
Measure the particle size of 30000 particles with a particle size distribution measuring device (“Coulter Multisizer III type”, manufactured by Beckman Coulter, Inc.) to obtain the average particle size based on the number and the standard deviation of the particle size. The CV value (coefficient of variation) based on the number of diameters was calculated.
Particle variation coefficient (%) = 100 × (standard deviation of particle diameter / number-based average particle diameter)

なお、基材粒子では、基材粒子0.005部に界面活性剤(第一工業製薬社製、「ハイテノール(登録商標) N−08」)の1%水溶液20部を加え、超音波で10分間分散させた分散液を測定試料とした。シード粒子では、加水分解、縮合反応で得られた分散液を、界面活性剤(第一工業製薬社製、「ハイテノール(登録商標) N−08」)の1%水溶液により希釈したものを測定試料とした。   In addition, in the base particle, 20 parts of a 1% aqueous solution of a surfactant (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., “Hytenol (registered trademark) N-08”) is added to 0.005 part of the base particle. A dispersion liquid dispersed for 10 minutes was used as a measurement sample. For seed particles, a dispersion obtained by hydrolysis and condensation reaction was diluted with a 1% aqueous solution of a surfactant (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., “Hitenol (registered trademark) N-08”). A sample was used.

1−2.導電性金属層の厚み
導電性微粒子0.05gを王水8mlと混合し、温度80℃で攪拌して、導電性微粒子の導電性金属層を完全に溶解させた。次いで、導電性金属層が溶解した溶液中におけるニッケル又はニッケルと金、及び、その他の合金元素の濃度をICP発光分析装置(理学電機社製、CIROS120)により分析し、下記式(1)からニッケル層の厚みを算出した。
1-2. The thickness of the conductive metal layer 0.05 g of the conductive fine particles was mixed with 8 ml of aqua regia and stirred at a temperature of 80 ° C. to completely dissolve the conductive metal layer of the conductive fine particles. Next, the concentration of nickel or nickel and gold and other alloy elements in the solution in which the conductive metal layer was dissolved was analyzed with an ICP emission analyzer (CIROS120, manufactured by Rigaku Corporation). The layer thickness was calculated.

なお、式中、rは基材粒子の半径(μm)、tはニッケル層の厚み(μm)、dNiはニッケル層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル層成分(ニッケル、リン)含有率(質量%)、Xは金の含有率(質量%)である。 In the formula, r is the radius of the base particle (μm), t is the thickness of the nickel layer (μm), d Ni is the density of the nickel layer, d base is the density of the base particle, and W is the nickel layer component (nickel) , Phosphorus) content (mass%), X is the gold content (mass%).

導電性金属層が2層以上の多層構造であり、上記Xが0超である場合には、下記式(2’)から金層の厚みを算出した。
When the conductive metal layer has a multilayer structure of two or more layers and the X is more than 0, the thickness of the gold layer was calculated from the following formula (2 ′).

なお、式中、aは金層の厚み(μm)、dAuは金層の密度、d(base+Ni)はニッケル品(ニッケル層+基材粒子)の密度、Xは金の含有率(質量%)である。ここで、ニッケル品の密度d(base+Ni)は上記計算式(3)を使用して算出した。なお、式中、dNiはニッケル層の密度、dbaseは基材粒子の密度、Wはニッケル層成分(ニッケル、リン)含有率(質量%)である。 In the formula, a is the thickness of the gold layer (μm), d Au is the density of the gold layer, d (base + Ni) is the density of the nickel product (nickel layer + base particle), and X is the gold content ( Mass%). Here, the density d (base + Ni) of the nickel product was calculated using the above formula (3). In the formula, d Ni is the density of the nickel layer, d base is the density of the base particles, and W is the nickel layer component (nickel, phosphorus) content (% by mass).

1−3.導電性微粒子に含まれる塩化物イオン及びナトリウムイオンの含有量
ステンレス鋼製の外筒と、テフロン(登録商標)製の内筒を有するテフロン(登録商標)内筒型密閉容器(耐圧硝子工業株式会社製)の内筒容器を蒸留水で洗浄した後、精秤した1gの導電性微粒子と、蒸留水(比抵抗18MΩ・cm)10mLとを加えた後、当該容器を密閉した。この容器を120℃の電気オーブン内で24時間加熱した後、容器を開封し、得られた抽出液を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、この溶液中の塩化物イオン、ナトリウムイオン量をICP発光分析装置(DIONEX社製、ICS−2000)にて測定した。
導電性微粒子を用いなかったこと以外は同様にしてブランク試験を行い、導電性微粒子1g当たりの溶出イオン量を算出した。
1-3. Content of chloride ion and sodium ion contained in conductive fine particles Teflon (registered trademark) inner cylinder type airtight container (pressure-resistant glass industry Co., Ltd.) having a stainless steel outer cylinder and a Teflon (registered trademark) inner cylinder After the inner cylindrical container (made) was washed with distilled water, 1 g of precisely weighed conductive fine particles and 10 mL of distilled water (specific resistance 18 MΩ · cm) were added, and then the container was sealed. The container was heated in an electric oven at 120 ° C. for 24 hours, then the container was opened, and the resulting extract was filtered through a 0.1 μm membrane filter. The amount of chloride ions and sodium ions in the solution was determined by ICP. Measured with an emission spectrometer (ICS-2000, manufactured by DIONEX).
A blank test was performed in the same manner except that the conductive fine particles were not used, and the amount of eluted ions per 1 g of the conductive fine particles was calculated.

1−4.抵抗値評価
エポキシ樹脂(三井化学株式会社製、ストラクトボンド(登録商標)XN−5A)100gに、導電性微粒子1g、及び、基材粒子の直径の70%に相当する直径のシリカ粒子を0.5g添加し、均一に攪拌して樹脂ペースト(異方性導電接着剤)を作製した。
この樹脂ペーストを、ITO電極が形成された2枚のガラス基板間のITO電極が交差する部分に挟み込み、160℃、50kg/cm2の圧力で30分の熱圧着を行った後、四端子法により初期抵抗値(Ω)の測定を行った。次いで、85℃、相対湿度85%の恒温恒湿器に入れ、100時間放置後に、再度、抵抗値(高温高湿処理後抵抗値(Ω))を測定した。また、測定された初期抵抗値、高温高湿処理後抵抗値の値を基に、下記式より、抵抗値上昇率を算出し、抵抗値上昇率が20%以下のものを◎、20%超、30%以下のものを○、30%超のものを×として判定した。
抵抗値上昇率(%)=100×[(高温高湿処理後抵抗値(Ω))−(初期抵抗値(Ω)]/(初期抵抗値(Ω))
1-4. Resistance Value Evaluation 0.1 g of conductive fine particles 1 g and silica particles having a diameter corresponding to 70% of the diameter of the base particles are added to 100 g of an epoxy resin (manufactured by Mitsui Chemicals, Structbond (registered trademark) XN-5A). 5 g was added and stirred uniformly to prepare a resin paste (anisotropic conductive adhesive).
This resin paste is sandwiched between the ITO electrodes between the two glass substrates on which the ITO electrodes are formed and subjected to thermocompression bonding at 160 ° C. and a pressure of 50 kg / cm 2 for 30 minutes. Was used to measure the initial resistance value (Ω). Next, the sample was placed in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and a relative humidity of 85%, and after standing for 100 hours, the resistance value (resistance value after high temperature and high humidity treatment (Ω)) was measured again. Also, based on the measured initial resistance value and the resistance value after high-temperature and high-humidity treatment, the resistance value increase rate is calculated from the following formula, and when the resistance value increase rate is 20% or less, ◎, more than 20% , 30% or less was evaluated as ○, and more than 30% as ×.
Resistance value increase rate (%) = 100 × [(resistance value after high-temperature and high-humidity treatment (Ω)) − (initial resistance value (Ω)] / (initial resistance value (Ω))

2.基材粒子の作製
2−1.合成例1
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水1800部と、25%アンモニア水24部、メタノール550部を入れ、攪拌下、滴下口から3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン50部及びメタノール50部の混合液を添加して、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、オルガノポリシロキサン粒子の乳濁液を調製した。
2. 2. Production of substrate particles 2-1. Synthesis example 1
In a four-necked flask equipped with a condenser, a thermometer, and a dropping port, 1800 parts of ion-exchanged water, 24 parts of 25% aqueous ammonia and 550 parts of methanol are placed, and 3-methacryloxypropyltrimethoxy is added from the dropping port with stirring. A mixed liquid of 50 parts of silane and 50 parts of methanol was added, and hydrolysis and condensation reaction of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane was performed to prepare an emulsion of organopolysiloxane particles.

次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩(第一工業製薬社製、「ハイテノール(登録商標) NF−08」)の20%水溶液35.0部をイオン交換水200部で溶解した溶液に、スチレン120部、ジビニルベンゼン960(新日鉄化学社製、ジビニルベンゼン含量96質量%、ビニル系非架橋性単量体(エチルビニルベンゼン等)4%含有品)30部及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業社製、「V−65」)2.5部を溶解した溶液を加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製した。
乳化分散の開始から2時間後、得られた乳化液を、ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から2時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認された。
Next, 35.0 parts of a 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate ammonium salt ("Haitenol (registered trademark) NF-08" manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier is added with 200 parts of ion-exchanged water. In the dissolved solution, 120 parts of styrene, 30 parts of divinylbenzene 960 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., containing 96% by weight of divinylbenzene, 4% of vinyl-based non-crosslinkable monomer (such as ethyl vinylbenzene)) and 2,2 A solution in which 2.5 parts of '-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., “V-65”) is dissolved is added and emulsified and dispersed to prepare an emulsion of monomer components. did.
Two hours after the start of emulsification dispersion, the obtained emulsion was added to the emulsion of polysiloxane particles, and further stirred. Two hours after the addition of the emulsified liquid, the mixed liquid was sampled and observed with a microscope. As a result, it was confirmed that the polysiloxane particles were enlarged by absorbing the monomer.

次いで、窒素雰囲気下で反応液を65℃まで昇温させて、65℃で2時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、80℃で12時間真空乾燥させて基材粒子(1)を得た。この基材粒子(1)の粒子径をコールターマルチサイザーIII型(ベックマンコールター社製)で測定したところ、個数平均粒子径は2.5μm、変動係数(CV値)は3.8%であった。   Next, the reaction solution was heated to 65 ° C. in a nitrogen atmosphere and held at 65 ° C. for 2 hours to perform radical polymerization of the monomer component. The emulsion after radical polymerization was subjected to solid-liquid separation, and the obtained cake was washed with ion-exchanged water and methanol, and then vacuum-dried at 80 ° C. for 12 hours to obtain substrate particles (1). When the particle size of the substrate particles (1) was measured with a Coulter Multisizer III type (manufactured by Beckman Coulter, Inc.), the number average particle size was 2.5 μm and the coefficient of variation (CV value) was 3.8%. .

2−2.合成例2
ポリシロキサン粒子(シード粒子)の乳濁液を調整するにあたり、イオン交換水の使用量を1600部に、メタノールの使用量を800部に変更したこと以外は合成例1と同様の手法により基材粒子(2)を得た。この基材粒子(2)の粒子径を コールターマルチサイザーIII型(ベックマンコールター社製)で測定したところ、個数平均粒子径は3.0μm、変動係数(CV値)は3.5%であった。
2-2. Synthesis example 2
In preparing the emulsion of polysiloxane particles (seed particles), the base material was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the amount of ion-exchanged water was changed to 1600 parts and the amount of methanol used was changed to 800 parts. Particles (2) were obtained. When the particle size of the substrate particles (2) was measured with a Coulter Multisizer III type (manufactured by Beckman Coulter, Inc.), the number average particle size was 3.0 μm and the coefficient of variation (CV value) was 3.5%. .

3.導電性微粒子の製造
3−1.実施例1
<導電性微粒子の作製>
ビーカーに「ピンクシューマー(日本カニゼン株式会社製:塩化スズ水溶液)」50部と、イオン交換水400部を入れ混合した。別途、イオン交換水50部に予め水酸化ナトリウム水溶液を用いてエッチング処理を行った基材粒子(1)10部を超音波分散させたものを準備し、この分散液を前記混合液に投入し、30℃で10分間攪拌して懸濁液とした後、これを固液分離して得られたケーキを、イオン交換水、メタノールの順で洗浄し、窒素雰囲気下100℃で2時間真空乾燥を行った。
3. 3. Production of conductive fine particles 3-1. Example 1
<Preparation of conductive fine particles>
In a beaker, 50 parts of “Pink Summer (manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd .: tin chloride aqueous solution)” and 400 parts of ion-exchanged water were mixed. Separately, 50 parts of ion-exchanged water was prepared by ultrasonically dispersing 10 parts of base material particles (1) previously etched using a sodium hydroxide aqueous solution, and this dispersion was added to the mixture. After stirring for 10 minutes at 30 ° C. to obtain a suspension, the cake obtained by solid-liquid separation was washed with ion-exchanged water and methanol in this order, and dried in a vacuum at 100 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere. Went.

次に、乾燥後の粒子10部を、イオン交換水50部に超音波分散させ、これを、「レッドシューマー(日本カニゼン株式会社製:塩化パラジウム水溶液)」100部とイオン交換水350部とを混合した溶液に投入し、30℃で10分間攪拌して懸濁液とした。この懸濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールの順で洗浄し、窒素雰囲気下100℃で2時間真空乾燥を行い、基材粒子(1)の表面にパラジウムを吸着させた。   Next, 10 parts of the dried particles are ultrasonically dispersed in 50 parts of ion-exchanged water, and 100 parts of “Red Schumer (Nihon Kanisen Co., Ltd .: palladium chloride aqueous solution)” and 350 parts of ion-exchanged water are mixed. The mixed solution was added and stirred at 30 ° C. for 10 minutes to obtain a suspension. This suspension was subjected to solid-liquid separation, and the resulting cake was washed with ion-exchanged water and methanol in that order, and vacuum-dried at 100 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere, so that palladium was deposited on the surface of the base particle (1). Adsorbed.

パラジウムにより活性化された基材粒子(1)をイオン交換水500部と混合し、超音波処理を30分間行い、粒子を十分分散させて微粒子懸濁液を得た。微粒子懸濁液の攪拌下、温度50℃で、硫酸ニッケル6水和物50g/L、次亜リン酸ナトリウム1水和物40g/L、クエン酸ナトリウム50g/Lを含有する無電解メッキ液を徐々に微粒子懸濁液に添加して、基材粒子(1)の無電解ニッケルメッキを行った。基材粒子表面に0.09μmの厚みのニッケルメッキ層が形成された時点で無電解メッキ液の滴下を終了した。得られたニッケルメッキ基材粒子を濾別し、イソプロパノール50ml/蒸留水950mlからなる混合溶媒に超音波分散させ、撹拌機付オートクレーブ内で、120℃で10時間攪拌(脱イオン処理)した。その後、濾別して100℃で1時間真空乾燥を行い、導電性微粒子(1)を得た。得られた導電性微粒子におけるニッケル系金属層の厚さ及び金層の厚さを測定したところ、表1に示す通りであった。   The substrate particles (1) activated with palladium were mixed with 500 parts of ion-exchanged water, subjected to ultrasonic treatment for 30 minutes, and the particles were sufficiently dispersed to obtain a fine particle suspension. An electroless plating solution containing nickel sulfate hexahydrate 50 g / L, sodium hypophosphite monohydrate 40 g / L, and sodium citrate 50 g / L at a temperature of 50 ° C. while stirring the fine particle suspension. The base particles (1) were electroless nickel plated by gradually adding to the fine particle suspension. When the nickel plating layer having a thickness of 0.09 μm was formed on the surface of the substrate particles, dropping of the electroless plating solution was completed. The obtained nickel-plated base particles were separated by filtration, ultrasonically dispersed in a mixed solvent consisting of 50 ml of isopropanol / 950 ml of distilled water, and stirred (deionization treatment) at 120 ° C. for 10 hours in an autoclave equipped with a stirrer. Then, it filtered and vacuum-dried at 100 degreeC for 1 hour, and obtained electroconductive fine particles (1). The thickness of the nickel-based metal layer and the thickness of the gold layer in the obtained conductive fine particles were measured and as shown in Table 1.

3−2.実施例2
無電解メッキ工程後のニッケルメッキ基材粒子に対して、イソプロパノール50ml/蒸留水950mlからなる混合溶媒での脱イオン処理を2回繰り返し行ったこと以外は、実施例1と同様の手法により導電性微粒子(2)を得た。
3-2. Example 2
The nickel-plated substrate particles after the electroless plating step were made conductive by the same method as in Example 1 except that the deionization treatment with a mixed solvent consisting of 50 ml of isopropanol / 950 ml of distilled water was repeated twice. Fine particles (2) were obtained.

3−3.実施例3
無電解メッキ工程後のニッケルメッキ基材粒子に対して、イソプロパノール50ml/蒸留水950mlからなる混合溶媒での脱イオン処理を3回繰り返し行ったこと以外は、実施例1と同様の手法により導電性微粒子(3)を得た。
3-3. Example 3
The nickel-plated substrate particles after the electroless plating step were made conductive by the same method as in Example 1 except that the deionization treatment with a mixed solvent consisting of 50 ml of isopropanol / 950 ml of distilled water was repeated three times. Fine particles (3) were obtained.

3−4.実施例4
実施例1と同様の手法により無電解メッキ工程を行った後、脱イオン処理工程を行うことなく得られたニッケルメッキ粒子を、5g/Lのシアン化金カリウム、12g/Lクエン酸三ナトリウム、10g/Lエチレンジアミン4酢酸4ナトリウムを含有する置換金メッキ液に加え、金メッキ厚みが0.02μmになるまで置換金メッキを行った。得られたニッケル・金メッキ基材粒子を濾別し、イソプロパノール50ml/蒸留水950mlからなる混合溶媒に超音波分散させ、撹拌機付オートクレーブ内で、120℃で10時間攪拌(脱イオン処理)した。その後、濾別して100℃で1時間真空乾燥を行い、導電性微粒子(4)を得た。
3-4. Example 4
After performing the electroless plating step by the same method as in Example 1, 5 g / L potassium gold cyanide, 12 g / L trisodium citrate, In addition to the displacement gold plating solution containing 10 g / L ethylenediaminetetraacetic acid 4 sodium salt, displacement gold plating was performed until the gold plating thickness became 0.02 μm. The obtained nickel / gold-plated base particles were separated by filtration, ultrasonically dispersed in a mixed solvent consisting of 50 ml of isopropanol / 950 ml of distilled water, and stirred (deionization treatment) at 120 ° C. for 10 hours in an autoclave equipped with a stirrer. Then, it filtered and vacuum-dried at 100 degreeC for 1 hour, and obtained electroconductive fine particles (4).

3−5.実施例5
基材粒子として合成例2で得られた基材粒子(2)を用いたこと以外は、実施例1と同様の手法により導電性微粒子(5)を得た。
3-5. Example 5
Conductive fine particles (5) were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles (2) obtained in Synthesis Example 2 were used as the base particles.

3−6.実施例6
実施例5で得られたニッケルメッキ基材粒子を用いたこと以外は、実施例4と同様の手法により、ニッケル・金メッキされた導電性微粒子(6)を得た。
3-6. Example 6
Except for using the nickel-plated substrate particles obtained in Example 5, nickel-gold plated conductive fine particles (6) were obtained in the same manner as in Example 4.

3−7.実施例7
無電解メッキ工程後のニッケルメッキ基材粒子に対して、イソプロパノール30ml/蒸留水970mlからなる混合溶媒での脱イオン処理を行ったこと以外は、実施例1と同様の手法により導電性微粒子(7)を得た。
3-7. Example 7
Conductive fine particles (7) were obtained in the same manner as in Example 1 except that the nickel-plated substrate particles after the electroless plating step were deionized with a mixed solvent of 30 ml of isopropanol / 970 ml of distilled water. )

3−8.実施例8
無電解メッキ工程後のニッケルメッキ基材粒子に対して、イソプロパノール10ml/蒸留水990mlからなる混合溶媒での脱イオン処理を3回行ったこと以外は、実施例1と同様の手法により導電性微粒子(8)を得た。
3-8. Example 8
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1 except that the nickel-plated substrate particles after the electroless plating step were subjected to deionization treatment with a mixed solvent consisting of 10 ml of isopropanol / 990 ml of distilled water three times. (8) was obtained.

3−9.比較例1
無電解メッキ工程の終了後、ニッケルメッキ基材粒子を濾別して真空乾燥を行い、比較導電性微粒子(1)を得た。なお、比較例1では、アルコール/水の混合溶媒での脱イオン処理は実施しなかった。
3-9. Comparative Example 1
After completion of the electroless plating process, the nickel-plated substrate particles were filtered and vacuum dried to obtain comparative conductive fine particles (1). In Comparative Example 1, deionization treatment with an alcohol / water mixed solvent was not performed.

3−10.比較例2
イソプロパノール50ml/蒸留水950mlからなる混合溶媒に代えて蒸留水1000mlを用いたこと以外は、実施例1と同様の手法により比較導電性微粒子(2)を得た。
3-10. Comparative Example 2
Comparative conductive fine particles (2) were obtained in the same manner as in Example 1 except that 1000 ml of distilled water was used instead of the mixed solvent consisting of 50 ml of isopropanol / 950 ml of distilled water.

3−11.比較例3
基材粒子表面に0.11μmの厚みのニッケルメッキ層が形成されるまで無電解メッキ液の滴下を行ったこと以外は、実施例1と同様の手法により比較導電性微粒子(3)を得た。
3-11. Comparative Example 3
Comparative electroconductive fine particles (3) were obtained in the same manner as in Example 1 except that the electroless plating solution was dropped until a nickel plating layer having a thickness of 0.11 μm was formed on the surface of the substrate particles. .

3−12.比較例4
比較例3で得られた比較導電性微粒子(3)(厚み0.11μm)を用いたこと以外は、実施例4と同様の手法により、ニッケル・金メッキされた比較導電性微粒子(4)を得た。
3-12. Comparative Example 4
By using the same method as in Example 4 except that the comparative conductive fine particles (3) (thickness: 0.11 μm) obtained in Comparative Example 3 were used, nickel / gold plated comparative conductive fine particles (4) were obtained. It was.

表1、2より、導電性金属層の厚みが所定範囲内であり、且つ、塩化物イオン及びナトリウムイオンの含有量が低減されている実施例1〜8の導電性微粒子は、比較例の比較導電性微粒子に比べて、高温高湿処理前後における抵抗値の上昇が抑えられており、これらの導電性微粒子は、各種用途に用いても経時的な電極等の腐食や導通不良を生じ難いものと考えられる。特に、水/アルコール混合溶媒による脱イオン処理を複数回行った実施例2、3では、他の実施例と比べても塩化物イオン、ナトリウムイオンの含有量が低レベルに抑えられており、抵抗値の上昇率も小さなものであった。   From Tables 1 and 2, the conductive fine particles of Examples 1 to 8 in which the thickness of the conductive metal layer is within a predetermined range and the contents of chloride ions and sodium ions are reduced are compared with the comparative examples. Compared to conductive fine particles, the increase in resistance before and after high-temperature and high-humidity treatment is suppressed, and these conductive fine particles are less likely to cause corrosion or poor conduction of electrodes over time even when used in various applications. it is conceivable that. In particular, in Examples 2 and 3 in which deionization treatment with a water / alcohol mixed solvent was performed a plurality of times, the content of chloride ions and sodium ions was suppressed to a low level as compared with other examples, and resistance was reduced. The rate of increase in value was also small.

なお、比較例3、4の比較導電性微粒子は、抵抗値評価前の塩化物イオン、ナトリウムイオン量はともに少ないものであったが、抵抗値上昇率は、76.9%(比較例3)、177.8%(比較例4)と大きな値を示していた。これは、比較導電性微粒子(3)、(4)の導電性金属層が厚かったため、高温高湿処理中に導電性金属層にクラックが生じ、導電性微粒子の深部に存在していた上記イオン分が経時的に滲出したためと考えられる。   The comparative conductive particles of Comparative Examples 3 and 4 had a small amount of chloride ions and sodium ions before the resistance value evaluation, but the resistance value increase rate was 76.9% (Comparative Example 3). 177.8% (Comparative Example 4) was a large value. This is because the conductive metal layers of the comparative conductive fine particles (3) and (4) were thick, so that cracks occurred in the conductive metal layer during the high-temperature and high-humidity treatment, and the ions existed in the deep part of the conductive fine particles. This is probably because the minute oozes out over time.

本発明の導電性微粒子は、粒子径が小さいにも拘わらず、塩化物イオン及びナトリウムイオンの溶出が抑制されている。そのため高温高湿条件に曝されても接続抵抗値の上昇を生じ難いものである。したがって、本発明の導電性微粒子及びこれを含む異方性導電材料をファインピッチ接続に用いれば、各種電子機器に備えられる電極等の部材間おける接続信頼性が高められるものと考えられる。   Although the conductive fine particles of the present invention have a small particle diameter, elution of chloride ions and sodium ions is suppressed. Therefore, even when exposed to high temperature and high humidity conditions, the connection resistance value is unlikely to increase. Therefore, if the conductive fine particles of the present invention and the anisotropic conductive material including the same are used for fine pitch connection, it is considered that the connection reliability between members such as electrodes provided in various electronic devices can be improved.

Claims (2)

樹脂からなる基材粒子と、この基材粒子表面に形成された導電性金属層とを備えた導電性微粒子であって、
基材粒子の個数平均粒子径が1.0〜3.0μmであり、
前記導電性金属層の厚みが0.01〜0.10μmであり、
塩化物イオンの含有量が25μg/g以下、且つ、ナトリウムイオンの含有量が40μg/g以下であることを特徴とする導電性微粒子。
Conductive fine particles comprising base particles made of resin and a conductive metal layer formed on the surface of the base particles,
The number average particle diameter of the base particles is 1.0 to 3.0 μm,
The conductive metal layer has a thickness of 0.01 to 0.10 μm,
Conductive fine particles having a chloride ion content of 25 µg / g or less and a sodium ion content of 40 µg / g or less.
請求項1に記載の導電性微粒子を含むことを特徴とする異方性導電材料。   An anisotropic conductive material comprising the conductive fine particles according to claim 1.
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