JP2015049173A - 標準試料およびその作製方法 - Google Patents

標準試料およびその作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015049173A
JP2015049173A JP2013181965A JP2013181965A JP2015049173A JP 2015049173 A JP2015049173 A JP 2015049173A JP 2013181965 A JP2013181965 A JP 2013181965A JP 2013181965 A JP2013181965 A JP 2013181965A JP 2015049173 A JP2015049173 A JP 2015049173A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
standard sample
analysis
substrate
particles
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013181965A
Other languages
English (en)
Inventor
藤 彰 子 伊
Akiko Ito
藤 彰 子 伊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2013181965A priority Critical patent/JP2015049173A/ja
Priority to US14/172,662 priority patent/US9250221B2/en
Publication of JP2015049173A publication Critical patent/JP2015049173A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/40Concentrating samples
    • G01N1/4055Concentrating samples by solubility techniques
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/40Concentrating samples
    • G01N1/4077Concentrating samples by other techniques involving separation of suspended solids
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/40Concentrating samples
    • G01N1/4022Concentrating samples by thermal techniques; Phase changes
    • G01N2001/4027Concentrating samples by thermal techniques; Phase changes evaporation leaving a concentrated sample

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

【課題】分析対象物質が粒子である分析試料の正確な分析を可能とする標準試料およびその作製方法を提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、標準試料の作製方法は、基板上に、第1の層を介して、分析対象元素を含有する第2の層を形成することを含む。さらに、前記方法は、前記第1および第2の層を溶解させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の液滴を形成することを含む。さらに、前記方法は、前記液滴を乾燥させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の粒子を形成することを含む。
【選択図】図2

Description

本発明の実施形態は、標準試料およびその作製方法に関する。
近年、ナノドットと呼ばれる粒子状の物質を用いて例えばメモリセルの電荷蓄積層などを形成したナノドットメモリの研究開発が検討されている。ナノドットメモリの研究開発を行うためには、ナノドットの特性を物理的分析方法や化学的分析方法により分析する必要がある。物理的分析方法においては、ビーム測定等により分析用データの測定を行った後、分析試料に関する測定結果を、分析の基準となる標準試料に関する測定結果と比較することが多い。しかしながら、このような既存の物理的分析方法は、一般に、分析試料と標準試料の分析対象物質が共に薄膜であることを前提としている。そのため、ナノドットを分析対象物質とする分析試料に既存の物理的分析方法を適用すると、正確な分析結果が得られない可能性がある。一方、物質を溶解して分析する化学的分析方法は、物質の溶解前の形状には影響されない。しかしながら、化学的分析方法は、貴金属元素のように溶解が困難な元素を含有するナノドットには適用できない。
特許第3249316号公報
分析対象物質が粒子である分析試料の正確な分析を可能とする標準試料およびその作製方法を提供する。
一の実施形態によれば、標準試料の作製方法は、基板上に、第1の層を介して、分析対象元素を含有する第2の層を形成することを含む。さらに、前記方法は、前記第1および第2の層を溶解させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の液滴を形成することを含む。さらに、前記方法は、前記液滴を乾燥させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の粒子を形成することを含む。
第1実施形態の標準試料の作製方法を示す断面図(1/2)である。 第1実施形態の標準試料の作製方法を示す断面図(2/2)である。 第1実施形態の標準試料の作製方法により作製されたFe粒子の構造を概念的に示した断面図である。 第1実施形態の標準試料の作製方法により作製されたFe粒子の粒径と湿度との関係を示したグラフである。 第1実施形態の標準試料を使用した分析試料の分析結果を示した表である。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1および図2は、第1実施形態の標準試料の作製方法を示す断面図である。本実施形態の標準試料は、例えば、ナノドットを分析対象物質とする分析試料の物理的分析用に使用される。
まず、図1(a)に示すように、塩酸と過酸化水素水の混合溶液(SC−2)を用いて、基板1の表面に化学酸化膜2を形成する。基板1は例えば、シリコン基板である。化学酸化膜2は例えば、シリコン基板の表面の酸化により形成されたシリコン酸化膜である。化学酸化膜2は、第1の層の例である。第1の層は、基板1の表面の自然酸化により形成された自然酸化膜でもよい。
図1(a)は、基板1の表面に平行で、互いに垂直なX方向およびY方向と、基板1の表面に垂直なZ方向とを示している。本明細書においては、+Z方向を上方向として取り扱い、−Z方向を下方向として取り扱う。例えば、基板1と化学酸化膜2との位置関係は、基板1が化学酸化膜2の下方に位置していると表現される。
次に、図1(b)に示すように、基板1を既知濃度(例えば20ppm)のFe(鉄)溶液3中に60秒間浸漬させる。Feは、分析対象元素の例である。Fe溶液3は例えば、原子吸光分析用の標準原液(1000ppm)を50倍希釈して生成する。なお、分析対象元素がN種類(Nは2以上の整数)ある場合には、これらN種類の元素を含有する溶液中に基板1を浸漬させる。分析対象元素の例としては、Au(金)やPt(白金)などの貴金属元素が挙げられる。
次に、図1(c)に示すように、浸漬後の基板1をリンスせずにスピンドライにより乾燥させることで、基板1の表面に化学酸化膜2を介してFe層4を形成する。Fe層4は、第2の層の例である。なお、Fe層4中のFe原子の濃度は、Fe溶液3中のFe原子の濃度により一次的に決定されるため、Fe溶液3のFe原子濃度を制御することにより、所望のFe原子濃度を有するFe層4を形成することが可能である。本実施形態のFe層4のFe原子濃度は、例えば3×1013atoms/cm-2に設定される。
なお、Fe層4は、浸漬法の代わりに、基板1の表面に化学酸化膜2を介して既知濃度のFe溶液3を塗布するスピンコート法により形成してもよい。スピンコート法は、基板1の一方の主面のみにFe層4を形成できるという利点がある。一方、浸漬法は、Fe層4を面内均一に形成できるという利点がある。また、Fe層4は、CVD(Chemical Vapor Deposition)やPVD(Physical Vapor Deposition)により形成してもよい。
次に、図2(a)に示すように、基板1をテフロン(登録商標)製の密閉容器5内に収容し、基板1をHF(フッ化水素)ガス6に30分間さらす。HFガス6は、溶解用ガスの例である。符号5a、5bはそれぞれ、密閉容器5のガス供給口とガス排出口とを示す。
図2(a)の工程においては、Fe層4がHFガス6にさらされて溶解する。さらには、化学酸化膜2がHFガス6にさらされて溶解する。その結果、Fe層4と化学酸化膜2が完全に溶解し、基板1の表面が再び露出される。
基板1がシリコン基板である場合、シリコンが疎水性であることから、図2(a)の工程の結果、基板1の表面に複数の液滴7が形成される(図2(b))。液滴7は、Fe層4に由来するFeと、化学酸化膜2とHFガス6とに由来するHSiFとHOとを含有している。
なお、図2(a)の工程においては、基板1を、HFガス6を含む混合ガスにさらしてもよい。この混合ガスに含まれるガスの例としては、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの希ガスや、乾燥空気や、水蒸気が挙げられる。また、溶解用ガスは、Fe層4と化学酸化膜2とを溶解することが可能なHFガス6以外のガスでもよい。
次に、図2(c)に示すように、液滴7を乾燥させることにより、液滴7中のHSiFとHOとを蒸発させ、基板1の表面に固体状の複数のFe粒子8を形成する。このようにして、本実施形態の標準試料が作製される。Fe粒子8は、分析対象元素を含有する粒子の例である。本実施形態の標準試料の作製方法によれば、Fe粒子8の形状は概ね球形となり、Fe粒子8の直径Dは1nm〜1000nm程度となる。
図3は、第1実施形態の標準試料の作製方法により作製されたFe粒子8の構造を概念的に示した断面図である。
Fe粒子8は、ほぼFe元素のみで形成されており、Fe粒子8の形状は、概ね球形である。符号9は、Fe粒子8に照射された分析用ビームを示す。Fe薄膜に分析ビーム9が照射された場合、分析用ビーム9は規則的に散乱されるのに対し、Fe粒子8に分析用ビーム9が照射された場合、分析用ビーム9は様々な方向に散乱される。
ナノドットを分析対象物質とする分析試料の物理的分析を行う場合、ナノドットに照射された分析用ビーム9は、Fe粒子8に分析用ビーム9が照射された場合と同様に様々な方向に散乱される。よって、本実施形態によれば、図1(a)〜図2(c)の工程により作製された標準試料を使用して、ナノドットを分析対象物質とする分析試料の物理的分析を行うことにより、このような分析試料の正確な分析を行うことが可能となる。
本実施形態に適用可能な物理的分析方法の例としては、RBS法(ラザフォード後方散乱分光法)が挙げられる。RBS法においては、分析用ビーム9として高速イオンビームが使用される。RBS法によれば、分析試料中の原子核での弾性散乱に伴うイオンのエネルギーの変化量が、原子核の質量や位置により異なることを利用して、分析試料の元素組成を得ることができる。
なお、本実施形態の標準試料は、ナノドット以外の粒子を分析対象物質とする分析試料の物理的分析用にも使用可能である。
図4は、第1実施形態の標準試料の作製方法により作製されたFe粒子8の粒径(直径D)と湿度との関係を示したグラフである。図4の湿度は、図2(a)の工程を行う際の密閉容器5内の湿度を示す。
図4に示す点は、Fe粒子8の粒径と湿度の測定結果を示す。また、図4に示す曲線Cは、これらの点をもとに最小自乗法で算出した近似曲線を示す。図4のグラフによれば、Fe粒子8の粒径は、湿度が低いほど小さくなり、湿度が高いほど大きくなることが理解される。密閉容器5内の雰囲気が飽和する程度まで湿度を高くすると、Fe粒子8の粒径は1000nm程度まで増大する。
よって、本実施形態によれば、密閉容器5内の湿度を調整することにより、Fe粒子8の粒径を制御することができる。例えば、粒径の小さなFe粒子8を作製したい場合は、密閉容器5内を低湿度環境に調整する。一方、粒径の大きなFe粒子8を作製したい場合は、密閉容器5内を高湿度環境に調整する。
低湿度環境は例えば、HF(フッ化水素)水溶液をN(窒素)でバブリングした気体を密閉容器5に流すことにより、密閉容器5内にHFガス6を供給することで実現可能である。一方、高湿度環境は例えば、HFガス6として、密閉容器5内にHF水溶液を静置して蒸発したHFガスを使用することで実現可能である。
図5は、第1実施形態の標準試料を使用した分析試料の分析結果を示した表である。
図5は、分析対象物質がナノドットである2つの分析試料A、Bに関する分析結果を示している。分析試料Aのナノドットと分析試料Bのナノドットは、異なる温度で熱処理が行われて作製されたものである。分析試料A、Bに対する物理的分析方法としては、RBS法を採用した。
補正前の濃度は、分析対象物質が薄膜である標準試料を使用して測定されたナノドットの濃度を示す。また、補正後の濃度は、分析対象物質が粒子である標準試料を使用して測定されたナノドットの濃度を示す。後者の場合の標準試料としては、図1(a)〜図2(c)の工程により低湿度環境を利用して作製されたものを使用した。また、化学分析値は、化学的分析方法により算出されたナノドットの濃度を示す。
なお、分析試料A、Bの補正前の濃度、補正後の濃度、化学分析値の各々は、複数回の測定により得られた測定値の平均値である。補正前のσと補正後のσはそれぞれ、補正前の濃度と補正後の濃度の測定値の標準偏差(ばらつき)を示す。
図5によれば、分析対象物質が粒子である標準試料を使用することで、分析対象物質が薄膜である標準試料を使用した場合に比べて、濃度の測定値が、真値に近いと考えられる化学分析値の濃度に近づくことが分かった。さらには、分析対象物質が粒子である標準試料を使用することで、分析対象物質が薄膜である標準試料を使用した場合に比べて、濃度の測定値のばらつきも小さくなることが分かった。
以上のように、本実施形態の標準試料の作製方法は、基板1上に化学酸化膜2を介してFe層4を形成し、化学酸化膜2とFe層4とを溶解させることにより、基板1上に複数の液滴7を形成し、液滴7を乾燥させることにより、基板1上に複数のFe粒子8を形成する。すなわち、本実施形態の標準試料の作製方法は、このような工程により、基板1上に、分析対象元素を含有する複数の粒子8を形成する。
よって、本実施形態によれば、分析対象物質が粒子である分析試料の正確な分析が可能な標準試料を提供することが可能となる。
例えば、分析対象物質が粒子である本実施形態の標準試料を使用することで、分析対象物質が薄膜である標準試料を使用した場合に比べて、正確でばらつきの小さい測定値を得ることが可能となる。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な試料および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した試料および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
1:基板、2:化学酸化膜、3:Fe溶液、4:Fe層、
5:密閉容器、5a:ガス供給口、5b:ガス排出口、6:HFガス、
7:液滴、8:Fe粒子、9:分析用ビーム

Claims (6)

  1. 基板上に、第1の層を介して、分析対象元素を含有する第2の層を形成し、
    前記第1および第2の層を溶解させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の液滴を形成し、
    前記液滴を乾燥させることにより、前記基板上に、前記分析対象元素を含有する複数の粒子を形成する、
    ことを含む標準試料の作製方法。
  2. 前記第1および第2の層を溶解用ガスにさらすことにより、前記第1および第2の層を溶解させる、請求項1に記載の標準試料の作製方法。
  3. 前記溶解用ガスは、フッ化水素を含む、請求項2に記載の標準試料の作製方法。
  4. 前記第1の層は、化学酸化膜または自然酸化膜である、請求項1から3のいずれか1項に記載の標準試料の作製方法。
  5. 前記粒子の直径は、1nm〜1000nmである、請求項1から4のいずれか1項に記載の標準試料の作製方法。
  6. 基板と、
    前記基板上に形成され、分析対象元素を含有し、1nm〜1000nmの直径を有する複数の粒子と、
    を備える標準試料。
JP2013181965A 2013-09-03 2013-09-03 標準試料およびその作製方法 Pending JP2015049173A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013181965A JP2015049173A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 標準試料およびその作製方法
US14/172,662 US9250221B2 (en) 2013-09-03 2014-02-04 Standard sample and method of preparing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013181965A JP2015049173A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 標準試料およびその作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015049173A true JP2015049173A (ja) 2015-03-16

Family

ID=52581304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013181965A Pending JP2015049173A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 標準試料およびその作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9250221B2 (ja)
JP (1) JP2015049173A (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686314A (en) * 1993-12-20 1997-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface processing method effected for total-reflection X-ray fluorescence analysis
JPH1090204A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Fujitsu Ltd 全反射蛍光x線分析に用いる標準試料及びその作成方法
JPH11344424A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Rigaku Industrial Co 標準試料作製方法および標準試料
JP2000321179A (ja) * 1999-05-17 2000-11-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体不純物標準試料及びその作製方法並びに半導体基板の分析方法
JP2001153768A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン基板表面の金属不純物分析方法
JP2002148226A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Rigaku Industrial Co 分析用標準試料とそのデータ取得方法、並びにこの標準試料を用いたx線分析方法および装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395446A (en) 1988-11-21 1995-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor treatment apparatus
JPH03255929A (ja) 1990-03-07 1991-11-14 Hitachi Ltd 粒子線装置の分解能測定試料および測定方法
JP3276676B2 (ja) 1992-06-29 2002-04-22 ホーヤ株式会社 異物検査機評価用基板の製造方法
JP3399671B2 (ja) 1994-12-12 2003-04-21 宮崎沖電気株式会社 全反射蛍光x線分析器用サンプル作製装置とコンタミネーションの凝集方法
JPH0972836A (ja) 1995-09-01 1997-03-18 Sony Corp 全反射蛍光x線分析用試料調製方法及び全反射蛍光x線分析用試料調製装置
JPH11145230A (ja) 1997-11-10 1999-05-28 Sony Corp 多結晶シリコン膜の分析方法
JP2006159126A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液体塗布方法および液体塗布装置
FR2888833B1 (fr) 2005-07-22 2007-08-24 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'etalons de bruit de fond diffus comportant des nano-structures sur une couche mince isolante
US20140014138A1 (en) * 2010-08-16 2014-01-16 Jeffrey J. Spiegelman Gas-liquid phase transition method and apparatus for cleaning of surfaces in semiconductor manufacturing

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686314A (en) * 1993-12-20 1997-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface processing method effected for total-reflection X-ray fluorescence analysis
JP3249316B2 (ja) * 1993-12-20 2002-01-21 株式会社東芝 全反射蛍光x線分析が行われる被測定体の表面処理方法
JPH1090204A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Fujitsu Ltd 全反射蛍光x線分析に用いる標準試料及びその作成方法
JPH11344424A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Rigaku Industrial Co 標準試料作製方法および標準試料
JP2000321179A (ja) * 1999-05-17 2000-11-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体不純物標準試料及びその作製方法並びに半導体基板の分析方法
JP2001153768A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン基板表面の金属不純物分析方法
JP2002148226A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Rigaku Industrial Co 分析用標準試料とそのデータ取得方法、並びにこの標準試料を用いたx線分析方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150059496A1 (en) 2015-03-05
US9250221B2 (en) 2016-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Plant et al. Atomic structure control of size-selected gold nanoclusters during formation
Shim et al. Highly sensitive and selective H2 and NO2 gas sensors based on surface-decorated WO3 nanoigloos
Acharyya et al. Alcohol sensing performance of ZnO hexagonal nanotubes at low temperatures: A qualitative understanding
Shishiyanu et al. Sensing characteristics of tin-doped ZnO thin films as NO2 gas sensor
Harris et al. Sulfur isotope fractionation during oxidation of sulfur dioxide: gas-phase oxidation by OH radicals and aqueous oxidation by H 2 O 2, O 3 and iron catalysis
Opila et al. Thin films and interfaces in microelectronics: composition and chemistry as function of depth
Liu et al. Kinetic study of heterogeneous reaction of deliquesced NaCl particles with gaseous HNO3 using particle-on-substrate stagnation flow reactor approach
KR101089066B1 (ko) 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법
Sub Kim et al. Promotion of acceptor formation in SnO2 nanowires by e-beam bombardment and impacts to sensor application
Choi et al. Electrochemical properties of silver nanoparticle doped aminosilica nanocomposite
CN106596505A (zh) 一种检测农药的表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
Mastromatteo et al. Quantification of phosphorus diffusion and incorporation in silicon nanocrystals embedded in silicon oxide
US20140193585A1 (en) Method for Modifying Probe Tip
Mhamdi et al. Study of n-WO 3/p-porous silicon structures for gas-sensing applications
CN106770162A (zh) 一种检测甜味剂的表面增强拉曼散射的基底及其制备方法和应用
Xu et al. Simulation and Experimental Study on Metal Microstructure of Meniscus‐Confined Electrodeposition
Wang et al. On-chip electrocatalytic microdevices
Ayvazyan et al. NO2 gas sensor based on pristine black silicon formed by reactive ion etching
Hernández et al. Hybrid ZnO/SWNT nanostructures based gas sensor
Han et al. Role of the electrolyte layer in CMOS-compatible and oxide-based vertical three-terminal ECRAM
Brophy et al. Ultra Responsive NO2 silicon nanowires gas sensor
Rogojevic et al. Interactions between nanoporous silica and copper
US9250221B2 (en) Standard sample and method of preparing same
Shvartsev et al. Influence of solution volume on the dissolution rate of silicon dioxide in hydrofluoric acid
Zhang et al. α‐Fe2O3 nanospindles loaded with ZnO nanocrystals: Synthesis and improved gas sensing performance

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160607