JP2015041692A - Wiring board and method for manufacturing the same - Google Patents

Wiring board and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2015041692A
JP2015041692A JP2013171747A JP2013171747A JP2015041692A JP 2015041692 A JP2015041692 A JP 2015041692A JP 2013171747 A JP2013171747 A JP 2013171747A JP 2013171747 A JP2013171747 A JP 2013171747A JP 2015041692 A JP2015041692 A JP 2015041692A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
metal layer
layer
wiring board
peeling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013171747A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
進 直之
Susumu Naoyuki
進 直之
貴一 舘野
Kiichi Tateno
貴一 舘野
稲田 禎一
Teiichi Inada
禎一 稲田
幸久 廣山
Yukihisa Hiroyama
幸久 廣山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2013171747A priority Critical patent/JP2015041692A/en
Publication of JP2015041692A publication Critical patent/JP2015041692A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which can be thinned and has good flexibility, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: The wiring board (1) contains a base material part (10) consisting of a metal layer (20) having a first main surface (22), a second main surface (24) and a side surface (24) and formed into the pattern shape, and a first insulation layer (30) arranged around the metal layer (20); a second insulation layer (30) covering the first main surface (22) of the metal layer (20); and a third insulation layer (50) covering the metal layer (20) and the second main surface (24).

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof.

近年、配線基板の薄型化およびフレキシブル化を図るため、配線基板の基材に、表裏両面に銅箔を有する薄い基材が使用されてきた。しかし、このようなフレキシブル配線板では、表面の配線回路を裏面の配線回路に電気的に接続するため、基材に穴を開け、開けた穴にめっき法により金属層を形成する必要がある。このため、表面の配線回路を裏面の配線回路に電気的に接続することが煩雑であった。また、表面の配線回路と裏面の配線回路との間に基材が存在するため、配線基板をさらに薄型化することが難しく、表面から裏面への熱伝導性もよくなかった。   In recent years, in order to reduce the thickness and flexibility of a wiring board, a thin base material having copper foil on both front and back surfaces has been used as the base material of the wiring board. However, in such a flexible wiring board, in order to electrically connect the wiring circuit on the front surface to the wiring circuit on the back surface, it is necessary to make a hole in the base material and form a metal layer in the opened hole by a plating method. For this reason, it is complicated to electrically connect the wiring circuit on the front surface to the wiring circuit on the back surface. Further, since a base material exists between the front surface wiring circuit and the rear surface wiring circuit, it is difficult to further reduce the thickness of the wiring substrate, and the heat conductivity from the front surface to the rear surface is not good.

ところで、配線基板ではないが、熱伝導性および接続信頼性が優れ、薄型化が可能である半導体装置および半導体素子搭載用基材が従来技術として知られている(たとえば、特許文献1および2参照)。特許文献1には、半導体素子が搭載されている導電性金属パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、半導体搭載面と反対側で導電性金属パターンが一部露出している半導体装置が記載されている。また、特許文献2には、剥離性基材上に半導体素子搭載用導電性金属パターンが形成されている半導体素子搭載用基材が記載されている。   By the way, although it is not a wiring board, the semiconductor device and the base material for semiconductor element mounting which are excellent in heat conductivity and connection reliability, and can be reduced in thickness are known as a prior art (for example, refer patent document 1 and 2). ). Patent Document 1 includes a conductive metal pattern on which a semiconductor element is mounted. In a semiconductor device in which these are sealed with a sealing material, the conductive metal pattern is partially exposed on the side opposite to the semiconductor mounting surface. A semiconductor device is described. Patent Document 2 describes a semiconductor element mounting base material in which a semiconductor element mounting conductive metal pattern is formed on a peelable base material.

特開2010−10275号公報JP 2010-10275 A 特開2010−10276号公報JP 2010-10276 A

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特許文献1および2に記載の半導体装置および半導体素子搭載用基材を配線基板に応用することによって、薄型化が可能であり、かつ優れたフレキシブル性を有する配線基板を得られることを見出した。   As a result of intensive studies, the inventors have applied the semiconductor device and the semiconductor element mounting substrate described in Patent Documents 1 and 2 to a wiring board, and can be thinned and have excellent flexibility. It has been found that a wiring board having a property can be obtained.

本発明は、薄型化が可能であり、かつ優れたフレキシブル性を有する配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the wiring board which can be reduced in thickness, and has the outstanding flexibility, and its manufacturing method.

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、以下に示す構成を採用することにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
[1]第1の主面、第2の主面および側面を有しパターン状に形成された金属層と金属層の周囲に配置された第1の絶縁層とからなる基材部、金属層の第1の主面を覆う第2の絶縁層、および金属層の第2の主面を覆う第3の絶縁層を含む配線基板。
[2]金属層の側面が、第1の主面から第2の主面に向けてテーパ形状を有する、上記[1]に記載の配線基板。
[3]金属層の第1の主面の一部および金属層の第2の主面の一部のうちの少なくとも一方は、第2の絶縁層または第3の絶縁層から露出している、上記[1]または[2]に記載の配線基板。
[4]第2の絶縁層および第3の絶縁層のうちの少なくとも一方は、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物からなる、上記[1]〜[3]のいずれかに記載の配線基板。
[5]開口部を有する絶縁層により表面が被覆された導電性基材を用意する工程(A)、めっき法によって、開口部に金属層を形成する工程(B)、一方の面に粘着剤層を有し、可撓性を有する剥離用基材を用意する工程(C)、剥離用基材の粘着剤層を金属層に粘着させ、金属層から導電性基材を剥離する工程(D)、属層が埋設されるように、第1の未硬化絶縁層を剥離用基材上に形成する工程(E)、第1の未硬化絶縁層を硬化させ、第1の硬化絶縁層を形成する工程(F)、金属層および第1の硬化絶縁層から、剥離用基材を剥離する工程(G)、金属層および第1の硬化絶縁層の剥離面上に第2の未硬化絶縁層を形成する工程(H)、および第2の未硬化絶縁層を硬化させ、第2の硬化絶縁層を形成する工程(I)を含む、配線基板の製造方法。
[6]工程(B)において、絶縁層から離れるにしたがって導電性基材の平面方向における断面積が小さくなるように、開口部に金属層を形成する、上記[5]に記載の配線基板の製造方法。
[7]工程(E)および工程(H)において、第1の未硬化絶縁層および第2の未硬化絶縁層の少なくとも一方は、金属層の一部が露出するように形成される、上記[5]または[6]に記載の配線基板の製造方法。
[8]工程(F)および工程(I)において、第1の硬化絶縁層および第2の硬化絶縁層の少なくとも一方から金属層の一部が露出するように、フォトリソグラフ法により硬化絶縁層が形成される、上記[5]または[6]に記載の配線基板の製造方法。
[9]第1の未硬化絶縁層および第2の未硬化絶縁層のうちの少なくとも一方は、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストからなる、上記[5]〜[8]のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above-described problems can be solved by adopting the configuration shown below, and have completed the present invention.
That is, the present invention
[1] A base material portion including a metal layer having a first main surface, a second main surface, and side surfaces formed in a pattern and a first insulating layer disposed around the metal layer, a metal layer A wiring board including a second insulating layer covering the first main surface of the metal layer and a third insulating layer covering the second main surface of the metal layer.
[2] The wiring board according to [1], wherein the side surface of the metal layer has a tapered shape from the first main surface toward the second main surface.
[3] At least one of a part of the first main surface of the metal layer and a part of the second main surface of the metal layer is exposed from the second insulating layer or the third insulating layer. The wiring board according to the above [1] or [2].
[4] At least one of the second insulating layer and the third insulating layer is made of a cured product of a thermosetting and / or active energy ray-curable solder resist, according to the above [1] to [3]. The wiring board in any one.
[5] Step (A) of preparing a conductive substrate whose surface is covered with an insulating layer having an opening, Step (B) of forming a metal layer on the opening by plating, and pressure-sensitive adhesive on one surface A step (C) of preparing a release substrate having a layer and having flexibility, a step of causing the pressure-sensitive adhesive layer of the release substrate to adhere to the metal layer, and peeling the conductive substrate from the metal layer (D ), The step (E) of forming the first uncured insulating layer on the peeling substrate so that the genus layer is embedded, the first uncured insulating layer is cured, and the first cured insulating layer is Step (F) of forming, Step (G) of peeling the substrate for peeling from the metal layer and the first cured insulating layer, Second uncured insulation on the peeling surface of the metal layer and the first cured insulating layer A wiring substrate including a step (H) of forming a layer and a step (I) of curing the second uncured insulating layer to form a second cured insulating layer The method of production.
[6] In the step (B), the metal layer is formed in the opening so that the cross-sectional area in the planar direction of the conductive base material decreases as the distance from the insulating layer increases. Production method.
[7] In the step (E) and the step (H), at least one of the first uncured insulating layer and the second uncured insulating layer is formed such that a part of the metal layer is exposed. [5] or [6].
[8] In step (F) and step (I), the cured insulating layer is formed by photolithography so that a part of the metal layer is exposed from at least one of the first cured insulating layer and the second cured insulating layer. The method for manufacturing a wiring board according to [5] or [6], which is formed.
[9] The above [5] to [8], wherein at least one of the first uncured insulating layer and the second uncured insulating layer is made of a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist. The manufacturing method of the wiring board in any one of.

本発明によれば、薄型化可能であり、優れたフレキシブル性を有する配線基板およびその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wiring board which can be reduced in thickness and has the outstanding flexibility, and its manufacturing method can be provided.

図1は、本発明の一実施形態における配線基板の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す配線基板のA−A’線に沿った断面を示す図である。FIG. 2 is a view showing a cross section taken along line A-A ′ of the wiring board shown in FIG. 1. 図3は、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a wiring board in one embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a wiring board in one embodiment of the present invention. 図5は、ロールツーロール法により工程(A)〜(D)を実施する工程を説明するための図である。Drawing 5 is a figure for explaining the process of carrying out process (A)-(D) by roll to roll method.

以下、図面を参照して、本発明の一実施形態の配線基板を説明するが、本発明は図面に記載されたものに限定されるものではない。図1は、本発明の一実施形態における配線基板1の平面図である。図2は、図1に示す配線基板1のA−A’線に沿った断面を示す図である。   Hereinafter, a wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to those described in the drawings. FIG. 1 is a plan view of a wiring board 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing a cross section taken along the line A-A ′ of the wiring board 1 shown in FIG. 1.

図1および図2に示すように、本発明の一実施形態の配線基板1は、第1の主面22、第2の主面24および側面26を有しパターン状に形成された金属層20と金属層20の周囲に配置された第1の絶縁層30とからなる基材部10、金属層20の第1の主面22を覆う第2の絶縁層40、および金属層20の第2の主面24を覆う第3の絶縁層50を含む。また、第2の絶縁層40は、金属層20の第1の主面22が第2の絶縁層40から露出している開口部42を有し、第3の絶縁層50は、金属層20の第2の主面24が第3の絶縁層50から露出している開口部52を有する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the wiring board 1 according to an embodiment of the present invention has a first main surface 22, a second main surface 24, and a side surface 26, and a metal layer 20 formed in a pattern. And the first insulating layer 30 disposed around the metal layer 20, the second insulating layer 40 covering the first main surface 22 of the metal layer 20, and the second of the metal layer 20. A third insulating layer 50 covering the main surface 24 of the first electrode. The second insulating layer 40 has an opening 42 in which the first main surface 22 of the metal layer 20 is exposed from the second insulating layer 40, and the third insulating layer 50 includes the metal layer 20. The second main surface 24 has an opening 52 exposed from the third insulating layer 50.

(基材部)
基材部10は、配線基板1の基材(コア材)としての機能を有する。上述したように、基材部10は、パターン状に形成された金属層20と金属層20の周囲に配置された第1の絶縁層30とからなる。これにより、配線回路を形成する金属層20自体が配線基板1の基材として機能するので、表面の配線回路と裏面の配線回路との間に基材を設ける必要がない。したがって、配線基板1の薄型化が可能になる。
(Base material part)
The base material part 10 has a function as a base material (core material) of the wiring board 1. As described above, the base material portion 10 includes the metal layer 20 formed in a pattern and the first insulating layer 30 disposed around the metal layer 20. Thereby, since the metal layer 20 itself forming the wiring circuit functions as a base material of the wiring substrate 1, it is not necessary to provide a base material between the wiring circuit on the front surface and the wiring circuit on the back surface. Therefore, the wiring board 1 can be thinned.

(金属層)
金属層20は、所定のパターン形状を有し、配線基板1の配線回路を形成する。金属層20の材料は、導電性を有するものであればとくに限定されない。たとえば、金属層20の材料には、銅、金、銀、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄およびクロム等の導電性金属が挙げられる。金属層20のとくに好ましい材料は銅である。金属層20の材料として銅を用いることによって、配線基板1の熱伝導性を大きくすることができる。これにより、配線基板1に搭載された電子部品から生ずる熱を効率的に放熱することができる。また、金属層20の材料として銅を用いることは、材料の価格や入手の容易さの点からも有利である。なお、金属層20のパターンは、配線基板の用途またはその製造工程に適用するように、適宜設計される。金属層20の厚さはとくに制限はなく、配線基板1の用途により適宜選択することができる。たとえば、金属層20の厚さは、好ましくは3〜150μmであり、より好ましくは5〜100μmであり、さらに好ましくは10〜50μmある。
(Metal layer)
The metal layer 20 has a predetermined pattern shape and forms a wiring circuit of the wiring board 1. The material of the metal layer 20 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, the material of the metal layer 20 includes conductive metals such as copper, gold, silver, aluminum, tungsten, nickel, iron, and chromium. A particularly preferred material for the metal layer 20 is copper. By using copper as the material of the metal layer 20, the thermal conductivity of the wiring board 1 can be increased. Thereby, the heat generated from the electronic components mounted on the wiring board 1 can be efficiently radiated. Also, using copper as the material of the metal layer 20 is advantageous from the viewpoint of the price of the material and the availability. The pattern of the metal layer 20 is appropriately designed so as to be applied to the use of the wiring board or the manufacturing process thereof. The thickness of the metal layer 20 is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the use of the wiring board 1. For example, the thickness of the metal layer 20 is preferably 3 to 150 μm, more preferably 5 to 100 μm, and still more preferably 10 to 50 μm.

図2に示すように、金属層20の側面26は、第1の主面22から第2の主面24に向けてテーパ形状を有することが好ましい。これにより、金属層20のアンカー効果により、後述の配線基板の製造方法において、基材部10を後述の剥離用基材から剥離するとき、基材部10から金属層20が外れることを抑制できる。たとえば、第3の絶縁層50よりも第2の絶縁層40を先に形成する場合、金属層20の側面26は、配線基板1の平面方向における金属層20の断面積が第2の主面24に向けて小さくなるようなテーパ形状を有することが好ましい。   As shown in FIG. 2, the side surface 26 of the metal layer 20 preferably has a tapered shape from the first main surface 22 toward the second main surface 24. Thereby, when the base material part 10 is peeled from a base material for peeling described later in the method for manufacturing a wiring board described later, the metal layer 20 can be prevented from coming off from the base material part 10 due to the anchor effect of the metal layer 20. . For example, when the second insulating layer 40 is formed before the third insulating layer 50, the side surface 26 of the metal layer 20 has a cross-sectional area of the metal layer 20 in the plane direction of the wiring board 1 that is the second main surface. It is preferable to have a tapered shape that decreases toward 24.

(第1の絶縁層)
上述したように、第1の絶縁層30は、金属層20の周囲に配置される。これにより、金属層20の側面26により画定される領域は第1の絶縁層30によって埋められていることになるので、基材部10の強度を高くできる。第1の絶縁層30の材料は、絶縁性を有する材料であればとくに限定されない。しかし、金属層20の周囲に容易に配置できることから、第1の絶縁層30の材料は、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物および/または活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物である。なお、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂組成物である。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線などが利用される。
(First insulating layer)
As described above, the first insulating layer 30 is disposed around the metal layer 20. Thereby, since the area | region demarcated by the side surface 26 of the metal layer 20 is filled with the 1st insulating layer 30, the intensity | strength of the base material part 10 can be made high. The material of the first insulating layer 30 is not particularly limited as long as it is an insulating material. However, since it can be easily disposed around the metal layer 20, the material of the first insulating layer 30 is preferably a cured product of a thermosetting resin composition and / or a cured product of an active energy ray curable resin composition. It is. The active energy ray-curable resin composition is a resin composition that is cured by irradiation with active energy rays. As active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.

熱硬化性樹脂組成物には、たとえば、熱重合開始剤を添加したアクリレート系樹脂組成物、メタクリレート系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、フェノール系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、ウレア系樹脂組成物、不飽和エステル系樹脂組成物、アルキド系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物などが挙げられる。また、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物には、アクリレート系樹脂組成物、メタクリレート系樹脂組成物、ウレタンアクリレ−ト系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、エポキシアクリレ−ト系樹脂組成物、エステルアクリレ−ト系樹脂組成物などが挙げられる。   Examples of the thermosetting resin composition include an acrylate resin composition, a methacrylate resin composition, an epoxy resin composition, a phenol resin composition, a melamine resin composition, and a urea resin to which a thermal polymerization initiator is added. Examples thereof include resin compositions, unsaturated ester resin compositions, alkyd resin compositions, and urethane resin compositions. The active energy ray-curable resin composition includes an acrylate resin composition, a methacrylate resin composition, a urethane acrylate resin composition, an epoxy resin composition, and an epoxy acrylate resin composition. And ester acrylate resin compositions.

優れたフレキシブル性を有していることから、とくに好ましい第1の絶縁層30の材料は、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物である。ソルダーレジストとは、はんだによる被覆や部品実装のとき、回路表面に不必要なはんだが付着してしまうことを防止する保護コーティング材である。また、ソルダーレジストは、さらに永久保護マスクとして配線基板の回路を湿度やほこりなどから保護し、電気的トラブルから回路を守る絶縁体機能がある。このようなソルダーレジストには、たとえばPSR−9000 FLXFLX505E(太陽インキ(株)製)などが挙げられる。   Since it has the outstanding flexibility, the material of the especially preferable 1st insulating layer 30 is the hardened | cured material of the thermosetting and / or active energy ray hardening solder resist. The solder resist is a protective coating material that prevents unnecessary solder from adhering to the circuit surface during solder coating or component mounting. Further, the solder resist further has an insulator function as a permanent protection mask, which protects the circuit of the wiring board from humidity and dust and protects the circuit from electrical trouble. Examples of such a solder resist include PSR-9000 FLXFLX505E (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.).

第1の絶縁層の厚さは、好ましくは、金属層20と同じ厚さである。   The thickness of the first insulating layer is preferably the same as that of the metal layer 20.

(第2の絶縁層)
上述したように、第2の絶縁層40は、金属層20の第1の主面22を覆う。これにより、第2の絶縁層40は、ほこり、熱、湿気などの外部環境から金属層20を保護する。第2の絶縁層40の材料は、絶縁性を有する材料であればとくに限定されない。しかし、金属層20の第1の主面22に容易に塗布できることから、第2の絶縁層40の材料は、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物および/または活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物である。優れたフレキシブル性を有していることから、第2の絶縁層40の材料は、とくに好ましくは、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物である。このようなソルダーレジストには、たとえばPSR−9000 FLXFLX505E(太陽インキ(株)製)が挙げられる。第2の絶縁層40の材料は、第1の絶縁層30の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。しかし、第1の絶縁層30と第2の絶縁層40とを同時に形成できるので、第2の絶縁層40の材料は、第1の絶縁層30の材料と同一であることが好ましい。
(Second insulating layer)
As described above, the second insulating layer 40 covers the first main surface 22 of the metal layer 20. Thus, the second insulating layer 40 protects the metal layer 20 from the external environment such as dust, heat, and moisture. The material of the second insulating layer 40 is not particularly limited as long as it is an insulating material. However, since it can be easily applied to the first main surface 22 of the metal layer 20, the material of the second insulating layer 40 is preferably a cured product of a thermosetting resin composition and / or an active energy ray curable resin. It is a cured product of the composition. The material of the second insulating layer 40 is particularly preferably a cured product of a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist because of its excellent flexibility. Examples of such a solder resist include PSR-9000 FLXFLX505E (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.). The material of the second insulating layer 40 may be the same as or different from the material of the first insulating layer 30. However, since the first insulating layer 30 and the second insulating layer 40 can be formed simultaneously, the material of the second insulating layer 40 is preferably the same as the material of the first insulating layer 30.

第1の絶縁層30の材料および第2の絶縁層40の材料として、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物を用いた場合、ソルダーレジストは、金属層20を保護する役割とともに、基材としての役割も果たすので、配線基板1をさらに薄型化することができる。   When a cured product of a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist is used as the material of the first insulating layer 30 and the material of the second insulating layer 40, the solder resist protects the metal layer 20. In addition to the role of serving as a base material, the wiring board 1 can be further reduced in thickness.

(第3の絶縁層)
上述したように、第3の絶縁層50は、金属層20の第2の主面24を覆う。これにより、第3の絶縁層50は、ほこり、熱、湿気などの外部環境から金属層20を保護する。第3の絶縁層50の材料は、絶縁性を有する材料であればとくに限定されない。しかし、金属層20の第2の主面24に容易に塗布できることから、第3の絶縁層50の材料は、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物および/または活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物である。優れたフレキシブル性を有していることから、第3の絶縁層50の材料は、とくに好ましくは、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物である。このようなソルダーレジストには、たとえばPSR−9000 FLXFLX505E(太陽インキ(株)製)が挙げられる。第3の絶縁層50の材料は、第1の絶縁層30の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
(Third insulating layer)
As described above, the third insulating layer 50 covers the second main surface 24 of the metal layer 20. Thus, the third insulating layer 50 protects the metal layer 20 from the external environment such as dust, heat, and moisture. The material of the third insulating layer 50 is not particularly limited as long as it is an insulating material. However, since it can be easily applied to the second main surface 24 of the metal layer 20, the material of the third insulating layer 50 is preferably a cured product of a thermosetting resin composition and / or an active energy ray curable resin. It is a cured product of the composition. Since it has excellent flexibility, the material of the third insulating layer 50 is particularly preferably a cured product of a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist. Examples of such a solder resist include PSR-9000 FLXFLX505E (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.). The material of the third insulating layer 50 may be the same as or different from the material of the first insulating layer 30.

(開口部)
上述したように、開口部42は、金属層20の第1の主面22が第2の絶縁層40から露出している部分であり、開口部52は、金属層20の第2の主面24が第3の絶縁層50から露出している部分である。すなわち、金属層20の第1の主面22の一部は、第2の絶縁層40から露出し、金属層20の第2の主面24の一部は、第3の絶縁層50から露出している。これにより、穴開け加工やめっき処理を実施しなくても、配線基板1の表側と裏側とを電気的に接続させることができる。したがって、生産性に優れ、製造コストが低い薄型の配線基板を提供することができる。
(Aperture)
As described above, the opening 42 is a portion where the first main surface 22 of the metal layer 20 is exposed from the second insulating layer 40, and the opening 52 is the second main surface of the metal layer 20. Reference numeral 24 denotes a portion exposed from the third insulating layer 50. That is, a part of the first main surface 22 of the metal layer 20 is exposed from the second insulating layer 40, and a part of the second main surface 24 of the metal layer 20 is exposed from the third insulating layer 50. doing. Thereby, the front side and the back side of the wiring board 1 can be electrically connected without performing drilling or plating. Therefore, it is possible to provide a thin wiring board having excellent productivity and low manufacturing cost.

なお、配線基板1の表側と裏側とを電気的に接続させる必要がない場合、金属層20の第1の主面22全体を第2の絶縁層40で被覆して第2の絶縁層40に開口部42を形成しなくてもよいし、金属層20の第2の主面24全体を第3の絶縁層50で被覆して第3の絶縁層50に開口部52を形成しなくてもよい。また、配線基板1の側面において金属層20と外部配線とを電気的に接続させる場合、金属層20の第1の主面22全体を第2の絶縁層40で被覆して第2の絶縁層40に開口部42を形成せず、かつ金属層20の第2の主面24全体を第3の絶縁層50で被覆して第3の絶縁層50に開口部52を形成しなくてもよい。   When there is no need to electrically connect the front side and the back side of the wiring board 1, the entire first main surface 22 of the metal layer 20 is covered with the second insulating layer 40 to form the second insulating layer 40. The opening 42 may not be formed, or the entire second main surface 24 of the metal layer 20 may be covered with the third insulating layer 50 and the opening 52 may not be formed in the third insulating layer 50. Good. When the metal layer 20 and the external wiring are electrically connected on the side surface of the wiring substrate 1, the entire first main surface 22 of the metal layer 20 is covered with the second insulating layer 40 and the second insulating layer. The opening 42 is not formed in 40, and the entire second main surface 24 of the metal layer 20 may be covered with the third insulating layer 50, and the opening 52 may not be formed in the third insulating layer 50. .

開口部42,52から露出している金属層20の表面を金属めっき膜で被覆してもよい。これにより、開口部42,52から露出している金属層20の表面と外部配線との間の電気的接続性をさらに向上させることができる。また、開口部42,52から露出している金属層20の表面は金属めっき膜によって外部環境から保護される。接続性および電気伝導性の観点から、好ましい金属めっきは、錫めっきまたはニッケルと金とを組み合わせためっきである。また、金の代わりに、銀またはパラジウムをニッケルと組み合わせて用いることもできる。また、金属めっき膜を形成する代わりに印刷法により金属ペーストを塗布してもよい。   The surface of the metal layer 20 exposed from the openings 42 and 52 may be covered with a metal plating film. Thereby, the electrical connectivity between the surface of the metal layer 20 exposed from the openings 42 and 52 and the external wiring can be further improved. Further, the surface of the metal layer 20 exposed from the openings 42 and 52 is protected from the external environment by the metal plating film. From the viewpoint of connectivity and electrical conductivity, preferred metal plating is tin plating or plating in which nickel and gold are combined. Further, instead of gold, silver or palladium can be used in combination with nickel. Further, instead of forming the metal plating film, a metal paste may be applied by a printing method.

次に、図3を参照して、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法を説明する。図3は、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法を説明するための図である。   Next, with reference to FIG. 3, the manufacturing method of the wiring board in one Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a wiring board in one embodiment of the present invention.

本発明の一実施形態における配線基板の製造方法は、開口部を有する絶縁層により表面が被覆された導電性基材を用意する工程(工程(A))、めっき法によって、開口部に金属層を形成する工程(工程(B))、一方の面に粘着剤層を有し、可撓性を有する剥離用基材を用意する工程(工程(C))、剥離用基材の粘着剤層を金属層に粘着させ、金属層から導電性基材を剥離する工程(工程(D))、金属層が埋設されるように、第1の未硬化絶縁層を剥離用基材上に形成する工程(工程(E))、第1の未硬化絶縁層を硬化させる工程(工程(F))、金属層および硬化した第1の未硬化絶縁層から、剥離用基材を剥離する工程(工程(G))、金属層および硬化した第1の未硬化絶縁層の剥離面上に第2の未硬化絶縁層を形成する工程(工程(H))、および第2の未硬化絶縁層を硬化させる工程(工程(I))を含む。以下、図3および図4を参照して各工程を詳細に説明する。   In one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a wiring board includes a step of preparing a conductive substrate whose surface is covered with an insulating layer having an opening (step (A)), and a metal layer on the opening by plating. Forming step (Step (B)), having a pressure-sensitive adhesive layer on one side and preparing a flexible peeling substrate (Step (C)), peeling layer adhesive layer The first uncured insulating layer is formed on the peeling substrate so that the metal layer is embedded (step (D)) in which the conductive layer is adhered to the metal layer and the conductive substrate is peeled from the metal layer. Process (process (E)), process of curing the first uncured insulating layer (process (F)), process of separating the peeling substrate from the metal layer and the cured first uncured insulating layer (process) (G)), forming a second uncured insulating layer on the release surface of the metal layer and the cured first uncured insulating layer Comprising the step (H)), and a second step of curing the uncured insulating layer (step (I)). Hereafter, each process is demonstrated in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

[工程(A)]
工程(A)では、図3(a)に示すように、開口部114を有する絶縁層112により表面が被覆された導電性基材110を用意する。
[Step (A)]
In step (A), as shown in FIG. 3A, a conductive substrate 110 whose surface is covered with an insulating layer 112 having an opening 114 is prepared.

(導電性基材)
導電性基材110は、絶縁層112の開口部114において、めっき法により表面に金属層を形成する基材である。導電性基材110の材料は、電解めっき法で金属層を表面に形成するのに十分な導電性を有するものであればとくに限定されない。たとえば、導電性基材110の材料に金属を使用してもよい。後の工程で、導電性基材110の表面に形成した金属層から後述の剥離用基材を剥離するので、導電性基材110の材料は、好ましくは、めっき法により形成した金属層との密着力が低く、めっき法により形成した金属層から容易に剥離される材料である。そのような観点から、好ましい導電性基材110の材料には、ステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが挙げられる。さらに導電性基材110の表面に導電性を有する無機材料をコーティングすることがとくに好ましい。
(Conductive substrate)
The conductive substrate 110 is a substrate that forms a metal layer on the surface of the opening 114 of the insulating layer 112 by plating. The material of the conductive substrate 110 is not particularly limited as long as it has sufficient conductivity to form a metal layer on the surface by an electrolytic plating method. For example, a metal may be used for the material of the conductive substrate 110. In a later step, since the peeling substrate described later is peeled from the metal layer formed on the surface of the conductive substrate 110, the material of the conductive substrate 110 is preferably a metal layer formed by a plating method. It is a material that has low adhesion and can be easily peeled off from a metal layer formed by plating. From such a viewpoint, preferable materials for the conductive substrate 110 include stainless steel, chromium-plated cast iron, chromium-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel, and the like. Furthermore, it is particularly preferable to coat the surface of the conductive substrate 110 with a conductive inorganic material.

導電性基材110の形状はプレート形状であってもよい。しかし、導電性基材の形状は、プレート形状に限定されず、シート形状、ロール形状、フープ形状などであってもよい。また、シート形状またはプレート形状の導電性基材を回転体(ロール)に取り付けてロール形状の導電性基材を形成してもよい。この場合、回転体として導電性を有するものを使用し、回転体と導電性基材とが容易に導通することが好ましい。導電性基材がフープ形状である場合は、フープ形状の導電性基材の内側に2〜数個の回転体を設置する構成を考えることができる。導電性基材がロール形状またはフープ形状である場合、めっき法により形成した金属層を連続的に生産することができる。このため、導電性基材がシート形状またはプレート形状である場合と比較して、導電性基材がロール形状またはフープ形状である場合、めっき法により形成した金属層の生産効率が高くなる。この点から、導電性基材は、好ましくはロール形状またはフープ形状を有する。   The shape of the conductive substrate 110 may be a plate shape. However, the shape of the conductive substrate is not limited to a plate shape, and may be a sheet shape, a roll shape, a hoop shape, or the like. Alternatively, a sheet-shaped or plate-shaped conductive substrate may be attached to a rotating body (roll) to form a roll-shaped conductive substrate. In this case, it is preferable that a rotating body having conductivity is used, and the rotating body and the conductive substrate are easily conducted. When the conductive substrate has a hoop shape, a configuration in which two to several rotating bodies are installed inside the hoop-shaped conductive substrate can be considered. When the conductive substrate has a roll shape or a hoop shape, a metal layer formed by a plating method can be continuously produced. For this reason, compared with the case where a conductive base material is a sheet shape or plate shape, when a conductive base material is a roll shape or a hoop shape, the production efficiency of the metal layer formed by the plating method becomes high. From this point, the conductive substrate preferably has a roll shape or a hoop shape.

(絶縁層)
絶縁層112は、導電性基材110を被覆することによって、被覆されている導電性基材110の表面に金属層が形成することを妨げる。これにより、金属層を所定のパターンに形成させることができる。絶縁層112の材料は、金属層が電解めっき法により形成することを妨げることができる程度の絶縁性を有する材料であればとくに限定されない。たとえば、絶縁層112の材料には、Al23およびSiO2等の無機材料およびダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(DLC)がある。耐久性および耐薬品性に優れていることから、絶縁層112の好ましい材料は、ダイヤモンドライクカーボンである。
(Insulating layer)
The insulating layer 112 covers the conductive substrate 110, thereby preventing a metal layer from being formed on the surface of the coated conductive substrate 110. Thereby, a metal layer can be formed in a predetermined pattern. The material of the insulating layer 112 is not particularly limited as long as the material has an insulating property that can prevent the metal layer from being formed by an electrolytic plating method. For example, the material of the insulating layer 112 includes inorganic materials such as Al 2 O 3 and SiO 2 and carbon thin films similar to diamond, so-called diamond-like carbon (DLC). A preferred material for the insulating layer 112 is diamond-like carbon because of its excellent durability and chemical resistance.

絶縁層112の厚さは、開口部114の深さに対応する。また、開口部114の深さは、形成する金属層の厚さに関係する。したがって、絶縁層112の厚さは、形成する金属層の厚さに応じて適宜選択される。たとえば、絶縁層112の厚さは、好ましくは、0.1〜100μmであり、より好ましくは、0.5〜10μmであり、さらに好ましくは、1〜7μmである。絶縁層112の厚さが0.1μm以上であると、絶縁層112にピンホールが発生することを抑制できる。一方、絶縁層112の厚さが100μm以下であると、絶縁層112の形成時間を短くすることができるので、配線基板の製造コストを低減することができる。   The thickness of the insulating layer 112 corresponds to the depth of the opening 114. The depth of the opening 114 is related to the thickness of the metal layer to be formed. Therefore, the thickness of the insulating layer 112 is appropriately selected according to the thickness of the metal layer to be formed. For example, the thickness of the insulating layer 112 is preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 0.5 to 10 μm, and still more preferably 1 to 7 μm. When the thickness of the insulating layer 112 is 0.1 μm or more, generation of pinholes in the insulating layer 112 can be suppressed. On the other hand, when the thickness of the insulating layer 112 is 100 μm or less, the formation time of the insulating layer 112 can be shortened, so that the manufacturing cost of the wiring board can be reduced.

(開口部)
めっき法により金属層は、絶縁層112の開口部114において、導電性基材110の表面に形成する。したがって、開口部114は、配線基板1の金属層20のパターンに対応したパターン形状を有する。開口部114の側面は、導電性基材110から離れるにしたがって開口部の面積が大きくなるようなテーパ状であることが好ましい。これにより、絶縁層112の開口部114において導電性基材110の表面に形成した金属層から導電性基材110を、後の工程で容易に剥離することができる。たとえば、このような形状を有する開口部114を、(a)導電性基材の表面に、除去可能な凸状パターンを形成する工程、(b)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に絶縁層を形成する工程、および(c)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程によって形成することができる(たとえば、特開2008−305703号公報参照)。
(Aperture)
The metal layer is formed on the surface of the conductive substrate 110 in the opening 114 of the insulating layer 112 by plating. Therefore, the opening 114 has a pattern shape corresponding to the pattern of the metal layer 20 of the wiring board 1. The side surface of the opening 114 is preferably tapered so that the area of the opening increases as the distance from the conductive substrate 110 increases. Thereby, the electroconductive base material 110 can be easily peeled in a subsequent process from the metal layer formed on the surface of the electroconductive base material 110 in the opening 114 of the insulating layer 112. For example, the opening 114 having such a shape is formed by (a) forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, and (b) conductive having the removable convex pattern formed thereon. It can be formed by a step of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate and (c) a step of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached (see, for example, JP-A-2008-305703).

(a)導電性基材の表面に、除去可能な凸状パターンを形成する工程
この工程では、フォトリソグラフ法を利用する。具体的には、導電性基材の上に感光性レジスト層を形成し、配線基板の金属層のパターン形状に対応したマスクを通して感光性レジスト層を露光し、露光後の感光性レジスト層を現像する。この現像後の感光性レジスト層が除去可能な凸状パターンになる。また、導電性基材の上に感光性レジスト層を形成し、感光性レジスト層における配線基板の金属層のパターン形状に対応した部分にレーザー光を照射し、レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像することによって、除去可能な凸状パターンを形成してもよい。
(A) Step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate In this step, a photolithographic method is used. Specifically, a photosensitive resist layer is formed on a conductive substrate, the photosensitive resist layer is exposed through a mask corresponding to the pattern shape of the metal layer of the wiring board, and the exposed photosensitive resist layer is developed. To do. The developed photosensitive resist layer becomes a convex pattern that can be removed. In addition, a photosensitive resist layer is formed on a conductive substrate, a portion of the photosensitive resist layer corresponding to the pattern shape of the metal layer of the wiring board is irradiated with laser light, and the photosensitive resist after irradiation with laser light is irradiated. A removable convex pattern may be formed by developing the layer.

(b)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に絶縁層を形成する工程
この工程では、絶縁層としてDLC薄膜を形成する場合、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法およびプラズマCVD法等の化学気相成長法等のドライコーティング法によって、除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に絶縁層を形成することができる。また、絶縁層としてAl23、SiO2のような無機材料を形成する場合、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法やプラズマCVD等の化学気相成長法により、除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に絶縁層を形成することができる。
(B) Step of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed In this step, when forming a DLC thin film as the insulating layer, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plate Conductive base material on which a removable convex pattern is formed by a dry coating method such as a physical vapor deposition method such as a coating method, an arc discharge method or an ionized vapor deposition method, or a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method An insulating layer can be formed on the surface. When an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed as an insulating layer, it is removed by a physical vapor deposition method such as sputtering or ion plating, or a chemical vapor deposition method such as plasma CVD. An insulating layer can be formed on the surface of the conductive substrate on which possible convex patterns are formed.

(c)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程
この工程では、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを使用して、凸状パターンである感光性レジスト層を除去する。凸状パターンを除去すると、凸状パターンの表面に付着している絶縁層も一緒に除去される。これにより、凸状パターンが形成されていた部分に絶縁層112の開口部114が形成される。
(C) The process of removing the convex pattern which the insulating layer has adhered In this process, the photosensitive resist layer which is a convex pattern is used using a commercially available resist stripping solution, inorganic, organic alkali, organic solvent, etc. Remove. When the convex pattern is removed, the insulating layer attached to the surface of the convex pattern is also removed. Thereby, the opening 114 of the insulating layer 112 is formed in the portion where the convex pattern has been formed.

[工程(B)]
工程(B)では、図3(b)に示すように、めっき法によって、開口部114に金属層116を形成する。
[Step (B)]
In step (B), as shown in FIG. 3B, a metal layer 116 is formed in the opening 114 by plating.

(めっき法)
本発明の一実施形態における配線基板の製造方法におけるめっき法には公知の方法を採用することができる。たとえば、めっき法には、電解めっき法および無電解めっき法がある。好ましいめっき法は電解めっき法である。
(Plating method)
A well-known method can be employ | adopted for the plating method in the manufacturing method of the wiring board in one Embodiment of this invention. For example, the plating method includes an electrolytic plating method and an electroless plating method. A preferred plating method is an electrolytic plating method.

(電解めっき法)
電解めっき用の電解浴には、硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴およびシアン化銅浴などが挙げられる。電解めっき用の電解浴に、有機物などの応力緩和剤(光沢剤としての機能も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができる。
(Electrolytic plating method)
Examples of the electrolytic bath for electrolytic plating include a copper sulfate bath, a copper borofluoride bath, a copper pyrophosphate bath, and a copper cyanide bath. If a stress relaxation agent such as an organic substance (also having a function as a brightener) is added to the electrolytic bath for electrolytic plating, the variation in electrodeposition stress can be further reduced.

電解ニッケルめっき法の場合、電解浴にワット浴およびスルファミン酸浴などを使用することができる。形成したニッケル層の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウム等の添加剤をこれらの浴に添加してもよい。さらに、電解金めっき法の場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっき法や、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっき法などを用いることができる。合金めっき法の場合は、金−銅、金−銀、金−コバルト等の2元合金や、金−銅−銀等の3元合金の金属層が形成する。他の金属のめっきについても同様に公知の方法を用いることができる。   In the case of the electrolytic nickel plating method, a Watt bath, a sulfamic acid bath, or the like can be used as the electrolytic bath. In order to adjust the flexibility of the formed nickel layer, additives such as saccharin, paratoluenesulfonamide, sodium benzenesulfonate, and sodium naphthalenetrisulfonate may be added to these baths as necessary. Furthermore, in the case of the electrolytic gold plating method, an alloy plating method using potassium gold cyanide, a pure gold plating method using an ammonium citrate bath or a potassium citrate bath, or the like can be used. In the case of the alloy plating method, a metal layer of a binary alloy such as gold-copper, gold-silver, gold-cobalt, or a ternary alloy such as gold-copper-silver is formed. Similarly, other known methods can be used for plating other metals.

(無電解めっき法)
無電解めっき法には、たとえば、銅めっき法、ニッケルめっき法、錫めっき法、金めっき法、銀めっき法、コバルトめっき法、鉄めっき法などが挙げられる。工業的に利用されている無電解めっき法では、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属層の析出反応に利用する。めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、pH調整剤、pH緩衝材、安定剤などを含む。無電解銅めっき法では、たとえば、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸(EDTA)が用いられる。また、めっき液のpHは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなどによって調整されてもよい。めっき液の緩衝剤として、炭酸塩やリン酸塩が用いられる。めっき液の安定化剤として、1価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、O−フェナントロリン、ネオクプロインなどが用いられる。
(Electroless plating method)
Examples of the electroless plating method include a copper plating method, a nickel plating method, a tin plating method, a gold plating method, a silver plating method, a cobalt plating method, and an iron plating method. In the electroless plating method used industrially, a reducing agent is added to the plating solution, and electrons generated by the oxidation reaction are used for the deposition reaction of the metal layer. The plating solution contains a metal salt, a complexing agent, a reducing agent, a pH adjusting agent, a pH buffer material, a stabilizer, and the like. In the electroless copper plating method, for example, copper sulfate is used as a metal salt, formalin is used as a reducing agent, and Rossel salt or ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) is used as a complexing agent. Further, the pH of the plating solution is mainly adjusted with sodium hydroxide, but may be adjusted with potassium hydroxide, lithium hydroxide, or the like. Carbonates and phosphates are used as buffering agents for the plating solution. As a plating solution stabilizer, cyanide, thiourea, bipyridyl, O-phenanthroline, neocuproine, or the like that is preferentially complexed with monovalent copper is used.

無電解ニッケルめっき法の場合は、たとえば、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤として次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物などが用いられる。還元剤として、次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、形成した金属層中にりんが含有され、形成した金属層の耐食性や耐摩耗性を向上させることができる。また、緩衝剤として、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用することができる。めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが錯化剤として使用される。たとえば、錯化剤には、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、EDTAなどが挙げられる。安定化剤として、硫黄化合物や鉛イオンが使用される。   In the case of the electroless nickel plating method, for example, nickel sulfate is used as a metal salt, and sodium hypophosphite, hydrazine, a borohydride compound, or the like is used as a reducing agent. When sodium hypophosphite is used as the reducing agent, phosphorus is contained in the formed metal layer, and the corrosion resistance and wear resistance of the formed metal layer can be improved. Moreover, a monocarboxylic acid or its alkali metal salt can be used as a buffering agent. What forms a stable soluble complex with nickel ions in the plating solution is used as a complexing agent. For example, complexing agents include acetic acid, lactic acid, tartaric acid, malic acid, citric acid, glycine, alanine, EDTA and the like. Sulfur compounds and lead ions are used as stabilizers.

本発明で利用できる無電解めっきは、たとえば、めっき用導電性基材の表面に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度60〜90℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。とくに、導電性基材の材質がNiである場合、無電解めっきするには、表面を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を形成する方法がある。   The electroless plating that can be used in the present invention is, for example, immersed in an electroless copper plating solution at a temperature of about 60 to 90 ° C. after a palladium catalyst is attached to the surface of the electroconductive substrate for plating as necessary. This is a method of performing copper plating. In electroless plating, the substrate is not necessarily conductive. However, when anodizing the substrate, the substrate needs to be conductive. In particular, when the material of the conductive substrate is Ni, electroless plating includes a method in which the surface is anodized and then immersed in an electroless copper plating solution to form copper.

(開口部に形成する金属層)
開口部114に形成する金属層116には、たとえば、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有する金属の金属層などが挙げられる。開口部114に形成する金属層116は、20℃での体積抵抗率(比抵抗)が20μΩ/cm以下の金属を1種類以上含むことが望ましい。金属の価格や金属の入手の容易さを考慮すると、形成する金属層の金属は銅であることがとくに好ましい。また、形成する金属層の金属は金属単体であってもよく、さらに機能性を付与するために2種以上の金属の合金であってもよい。また、形成する金属層の体積抵抗率が高くなりすぎない限り、形成する金属層は金属酸化物を含んでもよい。ただし、体積抵抗率が20μΩ/cm以下である金属が、形成する金属層中の成分としてもっとも多く含まれていることが好ましい。
(Metal layer formed in the opening)
Examples of the metal layer 116 formed in the opening 114 include a metal layer of a metal having conductivity such as silver, copper, gold, aluminum, tungsten, nickel, iron, and chromium. The metal layer 116 formed in the opening 114 desirably includes one or more metals having a volume resistivity (specific resistance) at 20 ° C. of 20 μΩ / cm or less. In view of the price of the metal and the availability of the metal, the metal of the metal layer to be formed is particularly preferably copper. Further, the metal of the metal layer to be formed may be a single metal, or may be an alloy of two or more kinds of metals in order to impart functionality. Further, as long as the volume resistivity of the metal layer to be formed does not become too high, the metal layer to be formed may contain a metal oxide. However, it is preferable that a metal having a volume resistivity of 20 μΩ / cm or less is most contained as a component in the metal layer to be formed.

導電性基材110の表面に形成する金属層116の厚さ(めっき厚さ)は、形成する金属層116が十分な導電性を有すれば、とくに限定されない。たとえば、導電性基材110の表面に形成する金属層116の厚さは、好ましくは3〜150μmであり、より好ましくは5〜100μmであり、さらに好ましくは10〜50μmある。金属層116の厚さが3μm以上であると、配線基板において、金属層が第1の絶縁層に対する十分な密着強度を得ることができる。一方、金属層116の厚さが150μm以下であると、所望の厚さを有する金属層116を短時間に形成させることができ、配線基板の製造コストを低減できる。   The thickness (plating thickness) of the metal layer 116 formed on the surface of the conductive substrate 110 is not particularly limited as long as the metal layer 116 to be formed has sufficient conductivity. For example, the thickness of the metal layer 116 formed on the surface of the conductive substrate 110 is preferably 3 to 150 μm, more preferably 5 to 100 μm, and further preferably 10 to 50 μm. When the thickness of the metal layer 116 is 3 μm or more, sufficient adhesion strength between the metal layer and the first insulating layer can be obtained in the wiring board. On the other hand, when the thickness of the metal layer 116 is 150 μm or less, the metal layer 116 having a desired thickness can be formed in a short time, and the manufacturing cost of the wiring board can be reduced.

絶縁層112から離れるにしたがって導電性基材110の平面方向における断面積が小さくなるように、開口部114に金属層116を形成することが好ましい。これにより、後述の、金属層および硬化した第1の未硬化絶縁層から剥離用基材を剥離する工程(G)において、金属層116のアンカー効果により、硬化した第1の未硬化絶縁層から金属層116が外れることを抑制できる。このように金属層116を形成させるために、絶縁層112よりも金属層116を厚くすることが好ましい。   It is preferable to form the metal layer 116 in the opening 114 so that the cross-sectional area in the planar direction of the conductive substrate 110 decreases as the distance from the insulating layer 112 increases. Thereby, in the process (G) of peeling the base material for peeling from the metal layer and the cured first uncured insulating layer, which will be described later, from the cured first uncured insulating layer due to the anchor effect of the metal layer 116. It is possible to suppress the metal layer 116 from coming off. In order to form the metal layer 116 in this manner, the metal layer 116 is preferably thicker than the insulating layer 112.

[工程(C)]
工程(C)では、図3(c)に示すように、一方の面に粘着剤層122を有し、可撓性を有する剥離用基材120を用意する。剥離用基材120が可撓性を有することにより、後述の工程(G)において、金属層および硬化した第1の未硬化絶縁層から、剥離用基材を容易に剥離することができる。
[Step (C)]
In step (C), as shown in FIG. 3 (c), a peeling substrate 120 having a pressure-sensitive adhesive layer 122 on one surface and having flexibility is prepared. Since the peeling substrate 120 has flexibility, the peeling substrate can be easily peeled from the metal layer and the cured first uncured insulating layer in the step (G) described later.

(剥離用基材)
剥離用基材120は、粘着剤層122を介して、形成した金属層116と粘着する。これにより、金属層116は導電性基材110から剥離される。剥離用基材120の材料は、このときに生じる応力に耐える機械的強度を有し、かつ可撓性を有するものであればとくに限定されない。たとえば、剥離用基材120の材料には、ガラス、プラスチックおよび金属などが挙げられる。
(Peeling substrate)
The peeling substrate 120 adheres to the formed metal layer 116 via the adhesive layer 122. As a result, the metal layer 116 is peeled from the conductive substrate 110. The material of the peeling substrate 120 is not particularly limited as long as it has mechanical strength to withstand the stress generated at this time and has flexibility. For example, the material of the peeling substrate 120 includes glass, plastic, metal, and the like.

ガラスには、たとえば、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラスなどが挙げられる。   Examples of the glass include soda glass, alkali-free glass, and tempered glass.

プラスチックには、たとえば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等の熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂等の熱硬化性樹脂などが挙げられる。   Examples of the plastic include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, and polyetherimide resin. , Polyether ether ketone resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin and other thermoplastic polyester resins, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, poly Thermoplastic resins such as methylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, epoxy resin, phenol resin, melamine resin, Such as a thermosetting resin such as fluororesin and the like.

金属には、たとえば、銅、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、鉄、チタン等の金属ならびにこれらの合金(たとえば42アロイなど)などが挙げられる。好ましい金属には、オーステナイト系ステンレス鋼、フェライト系ステンレス鋼、マルテンサイト系ステンレス鋼等のステンレス鋼(SUS)が挙げられる。めっき法により形成する金属層の金属が銅である場合、オーステナイト系ステンレス鋼であるSUS304の線熱膨張係数が、銅の線熱膨張係数とほぼ同じであるため、剥離用基材120の材料としてSUS304が好ましい。剥離用基材120の線膨張係数が、めっき法により形成した金属層の線熱膨張係数と同等である場合、金属層が熱履歴を受けてもめっき法により形成した金属層に歪みが生じることが少なくなるからである。   Examples of the metal include metals such as copper, aluminum, stainless steel, nickel, iron, titanium, and alloys thereof (for example, 42 alloy). Preferred metals include stainless steels (SUS) such as austenitic stainless steel, ferritic stainless steel and martensitic stainless steel. When the metal of the metal layer formed by plating is copper, the linear thermal expansion coefficient of SUS304, which is an austenitic stainless steel, is almost the same as the linear thermal expansion coefficient of copper. SUS304 is preferred. When the linear expansion coefficient of the peeling substrate 120 is equal to the linear thermal expansion coefficient of the metal layer formed by the plating method, the metal layer formed by the plating method is distorted even if the metal layer receives a thermal history. This is because there are fewer.

剥離用基材120の厚さは、剥離用基材120が可撓性を有すればとくに限定されない。たとえば、剥離用基材120の厚さは、好ましくは、10μm〜1mmであり、より好ましくは、20μm〜0.5mmである。剥離用基材120の厚さが10μm以上であると、配線基板をロールツーロール方式で製造する場合、めっき法により形成した金属層を粘着させた剥離用基材120を流すことによって、その剥離用基材120を、工程間を搬送させることができるので、有利である。一方、剥離用基材120の厚さが1mm以下である場合、剥離用基材120にカールが発生しにくく、所定の工程が終了した剥離用基材を巻き取り、巻物として回収した場合、剥離用基材120に巻き癖がつきにくくなる。   The thickness of the peeling substrate 120 is not particularly limited as long as the peeling substrate 120 has flexibility. For example, the thickness of the peeling substrate 120 is preferably 10 μm to 1 mm, and more preferably 20 μm to 0.5 mm. When the substrate 120 for peeling is 10 μm or more in thickness, when the wiring board is manufactured by a roll-to-roll method, the peeling substrate 120 is adhered by adhering a metal layer formed by a plating method. This is advantageous because the working substrate 120 can be transported between processes. On the other hand, when the thickness of the peeling substrate 120 is 1 mm or less, curling is unlikely to occur in the peeling substrate 120, and when the peeling substrate after the predetermined process is wound up and collected as a scroll, peeling The base material 120 is less likely to be curled.

剥離用基材120の20〜200℃における線熱膨張係数は、めっき法により形成する金属層116の20〜200℃における線熱膨張係数に近いことが好ましい。たとえば、剥離用基材120の20〜200℃における線熱膨張係数は、好ましくは、3.0×10-5/K以下であり、より好ましくは2.5×10-5/K以下であり、さらに好ましくは2.0×10-5/K以下である。 The linear thermal expansion coefficient at 20 to 200 ° C. of the peeling substrate 120 is preferably close to the linear thermal expansion coefficient at 20 to 200 ° C. of the metal layer 116 formed by plating. For example, the linear thermal expansion coefficient at 20 to 200 ° C. of the peeling substrate 120 is preferably 3.0 × 10 −5 / K or less, more preferably 2.5 × 10 −5 / K or less. More preferably, it is 2.0 × 10 −5 / K or less.

(粘着剤層)
粘着剤層122は、めっき法により形成した金属層116に対して適度な密着性と剥離性とを有している必要がある。後述の工程(D)では、めっき法により形成した金属層116は粘着剤層122に粘着するが、後述の工程(G)では、めっき法により形成した金属層116は粘着剤層122から剥がされるからである。また、後述の工程(G)で粘着剤層122が剥離用基材120から剥離すること抑制するために、粘着剤層122は、剥離用基材120に対しては強い密着性を有していることが好ましい。なお、粘着剤層を設ける代わりに、剥離用基材120を構成する材料自体が必要な接着性を有するようにしてもよい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer 122 needs to have appropriate adhesion and peelability to the metal layer 116 formed by plating. In the later-described step (D), the metal layer 116 formed by the plating method adheres to the adhesive layer 122, but in the later-described step (G), the metal layer 116 formed by the plating method is peeled off from the adhesive layer 122. Because. Moreover, in order to suppress that the adhesive layer 122 peels from the base material 120 for peeling in the below-mentioned process (G), the adhesive layer 122 has strong adhesiveness with respect to the base material 120 for peeling. Preferably it is. Instead of providing the pressure-sensitive adhesive layer, the material constituting the peeling substrate 120 may have the necessary adhesiveness.

粘着剤層122に用いる材料としては、熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物などを使用することができる。また、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、活性エネルギー線と熱とを組み合わせて硬化させることもできる。熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、好ましくは500以上である。これらの樹脂組成物の分子量が500以上であると、十分な樹脂組成物の凝集力が確保され、粘着剤層122と金属層116との間の十分な密着性が得られるからである。   As a material used for the pressure-sensitive adhesive layer 122, a thermoplastic resin composition, a thermosetting resin composition, an active energy ray curable resin composition, or the like can be used. Moreover, the active energy ray-curable resin composition can be cured by combining active energy rays and heat. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin composition, the thermosetting resin composition, and the active energy ray curable resin composition is preferably 500 or more. This is because when the molecular weight of these resin compositions is 500 or more, sufficient cohesive force of the resin composition is ensured, and sufficient adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer 122 and the metal layer 116 is obtained.

粘着剤層122に用いる熱可塑性樹脂組成物には、たとえば、天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン等の(ジ)エン類;ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテル等のポリエーテル類;ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネート等のポリエステル類;ポリウレタン;エチルセルロース;ポリ塩化ビニル;ポリ(メタ)アクリロニトリル;ポリスルホン;ポリスルフィド;フェノキシ樹脂;ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート、ポリイソプロピル(メタ)アクリレート、ポリブチル(メタ)アクリレート、ポリ−t−ブチル(メタ)アクリレート、ポリ−2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ポリ−3−エトキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリオキシカルボニルテトラ(メタ)アクリレート、ポリドデシル(メタ)アクリレート、ポリテトラデシル(メタ)アクリレート、ポリ−n−プロピル(メタ)アクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピル(メタ)アクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピル(メタ)アクリレート等のポリ(メタ)アクリル酸エステルなどが挙げられる。これらのポリマーを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマーとして用いてもよいし、以上のポリマーまたはコポリマーを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。   Examples of the thermoplastic resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer 122 include natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, and poly-2- (Di) enes such as t-butyl-1,3-butadiene and poly-1,3-butadiene; polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether; polyvinyl Polyesters such as acetate and polyvinyl propionate; polyurethane; ethyl cellulose; polyvinyl chloride; poly (meth) acrylonitrile; polysulfone; polysulfide; phenoxy resin; polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, polyisopro (Meth) acrylate, polybutyl (meth) acrylate, poly-t-butyl (meth) acrylate, poly-2-ethylhexyl (meth) acrylate, poly-3-ethoxypropyl (meth) acrylate, polyoxycarbonyltetra (meth) Acrylate, polydodecyl (meth) acrylate, polytetradecyl (meth) acrylate, poly-n-propyl (meth) acrylate, poly-3,3,5-trimethylcyclohexyl (meth) acrylate, poly-2-nitro-2-methyl Examples thereof include poly (meth) acrylic acid esters such as propyl (meth) acrylate and poly-1,1-diethylpropyl (meth) acrylate. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more kinds, if necessary, or may be used by blending two or more kinds of the above polymers or copolymers. .

粘着剤層122に用いる熱硬化性樹脂組成物には、たとえば、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂組成物と架橋剤とを組み合わせたものなどが挙げられる。架橋剤には、たとえば、硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂などが挙げられる。なお、架橋反応速度を増加させる目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を熱硬化性樹脂組成物に添加してもよい。   Examples of the thermosetting resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer 122 include natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, Examples include a combination of a resin composition such as neoprene and polybutadiene and a crosslinking agent. Examples of the crosslinking agent include sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin, phenol resin, formalin resin, Examples thereof include metal oxides, metal chlorides, oximes, and alkylphenol resins. In addition, you may add additives, such as a general purpose vulcanization accelerator, to a thermosetting resin composition in order to increase a crosslinking reaction rate.

また、ほかの熱硬化性樹脂組成物には、硬化剤を利用するもの挙げられる。熱硬化性樹脂組成物には、たとえば、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂組成物などが挙げられる。硬化剤には、たとえば、エポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤、または金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤などが挙げられる。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を熱硬化性樹脂組成物に使用することもできる。具体的には、熱硬化性樹脂組成物の具体的な例には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物などが挙げられる。   Other thermosetting resin compositions include those that use a curing agent. Examples of the thermosetting resin composition include a resin composition having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, and an unsaturated hydrocarbon group. Examples of the curing agent include a curing agent having a functional group such as epoxy group, hydroxyl group, amino group, amide group, carboxyl group, and thiol group, or metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, peroxide. And the like. For the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used in the thermosetting resin composition. Specifically, specific examples of the thermosetting resin composition include a curable acrylic resin composition, an unsaturated polyester resin composition, a diallyl phthalate resin composition, an epoxy resin composition, a polyurethane resin composition, and the like. Can be mentioned.

粘着剤層122に用いる活性エネルギー線硬化性樹脂組成物には、たとえば、アクリル樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、ポリエステル樹脂組成物、ウレタン樹脂組成物などをベースポリマーとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた樹脂組成物などが挙げられる。ラジカル重合性官能基には、たとえば、アクリル基(アクリロイル基)、メタクリル基(メタクリロイル基)、ビニル基、アリル基等の炭素−炭素二重結合などがある。これらのうち、好ましいラジカル重合性官能基反応性は、良好なアクリル基(アクリロイル基)である。また、カチオン重合性官能基には、エポキシ基(グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基)などがあり、好ましいカチオン重合性官能基は、高反応性の脂環式エポキシ基である。具体的な活性エネルギー線硬化性樹脂組成物には、たとえば、アクリルウレタン、エポキシ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、アクリル変性ポリエステルなどが挙げられる。   The active energy ray-curable resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer 122 includes, for example, an acrylic resin composition, an epoxy resin composition, a polyester resin composition, a urethane resin composition, and the like as a base polymer, each of which is radically polymerizable or Examples thereof include a resin composition provided with a cationically polymerizable functional group. Examples of the radical polymerizable functional group include a carbon-carbon double bond such as an acryl group (acryloyl group), a methacryl group (methacryloyl group), a vinyl group, and an allyl group. Among these, preferable radical polymerizable functional group reactivity is a good acrylic group (acryloyl group). The cationically polymerizable functional group includes an epoxy group (glycidyl ether group, glycidylamine group) and the like, and a preferable cationically polymerizable functional group is a highly reactive alicyclic epoxy group. Specific examples of the active energy ray-curable resin composition include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester.

粘着剤層122の粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤等の添加剤を配合してもよい。   Additives such as cross-linking agents, curing agents, diluents, plasticizers, antioxidants, fillers, colorants, UV absorbers and tackifiers are added to the adhesive of the adhesive layer 122 as necessary. May be.

剥離用基材120への粘着剤層122の形成方法としては、製造上容易であることから、剥離用基材120に粘着剤を塗工する方法が好ましい。粘着剤の塗工方法には、たとえば、ダイコート法、ロールコート法、リバースロールコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法などが挙げられる。   As a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer 122 on the peeling substrate 120, a method of applying a pressure-sensitive adhesive to the peeling substrate 120 is preferable because it is easy to manufacture. Examples of the method for applying the adhesive include a die coating method, a roll coating method, a reverse roll coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a comma coating method.

粘着剤層122の厚さは、好ましくは0.5〜100μmであり、より好ましくは3〜30μmであり、さらに好ましくは5〜20μmである。粘着剤層122の厚さが0.5μm以上であると、粘着剤層122は、金属層116に対して十分な密着性を有する。一方、粘着剤層122の厚さが100μm以下であると、密着性が高くなりすぎることがなく、粘着剤層122から金属層116を適切に剥離することができる。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is preferably 0.5 to 100 μm, more preferably 3 to 30 μm, and still more preferably 5 to 20 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is 0.5 μm or more, the pressure-sensitive adhesive layer 122 has sufficient adhesion to the metal layer 116. On the other hand, when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 122 is 100 μm or less, the adhesion does not become too high, and the metal layer 116 can be appropriately peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 122.

粘着剤層122(硬化性樹脂組成物を使用している場合、硬化後の粘着剤層)の20〜200℃における線膨張係数は、好ましくは、3.0×10-5/K以下であり、より好ましくは、2.5×10-5/K以下であり、さらに好ましくは、2.0×10-5/K以下である。また、粘着剤層122の20〜200℃における線膨張係数は、金属層166を構成する金属の線膨張係数に等しいかほぼ等しいことがとくに好ましい。 The linear expansion coefficient at 20 to 200 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer 122 (the pressure-sensitive adhesive layer after curing when a curable resin composition is used) is preferably 3.0 × 10 −5 / K or less. More preferably, it is 2.5 × 10 −5 / K or less, and further preferably 2.0 × 10 −5 / K or less. The linear expansion coefficient of the pressure-sensitive adhesive layer 122 at 20 to 200 ° C. is particularly preferably equal to or substantially equal to the linear expansion coefficient of the metal constituting the metal layer 166.

[工程(D)]
工程(D)では、図3(e)および(f)に示すように、剥離用基材120の粘着剤層122を金属層116に粘着させ、金属層116から導電性基材110を剥離する。
[Step (D)]
In step (D), as shown in FIGS. 3 (e) and 3 (f), the adhesive layer 122 of the peeling substrate 120 is adhered to the metal layer 116, and the conductive substrate 110 is peeled from the metal layer 116. .

具体的には、導電性基材110における金属層116が形成した表面と、剥離用基材120における粘着剤層122が設けられている表面とが対向するようにして剥離用基材120と導電性基材110とを貼り合わせ、その後、剥離用基材120から導電性基材110を剥離する。その結果、金属層116は、剥離用基材120の粘着剤層122に粘着して、導電性基材110から離れる。すなわち、導電性基材110の金属層116は、剥離用基材120に転写される。   Specifically, the surface of the conductive substrate 110 on which the metal layer 116 is formed and the surface of the substrate 120 for peeling on which the pressure-sensitive adhesive layer 122 is provided face each other so that the surface of the peeling substrate 120 and the conductive substrate 110 are electrically conductive. Then, the conductive substrate 110 is peeled off from the peeling substrate 120. As a result, the metal layer 116 sticks to the pressure-sensitive adhesive layer 122 of the peeling substrate 120 and leaves the conductive substrate 110. That is, the metal layer 116 of the conductive substrate 110 is transferred to the peeling substrate 120.

[工程(E)]
工程(E)では、図4(a)に示すように、金属層116が埋設されるように、第1の未硬化絶縁層130を剥離用基材120上に形成する。第1の未硬化絶縁層130を形成する方法には、たとえば、硬化性樹脂組成物を塗布する方法および硬化性樹脂組成物のシートをラミネートする方法などがある。硬化性樹脂組成物を塗布する方法には、たとえば、スクリーン印刷法、ダイコート法、ロールコート法、リバースロールコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法などが挙げられる。第1の未硬化絶縁層130の材料は、第1の絶縁層30および第2の絶縁層40(図2参照)に使用された熱硬化性樹脂組成物および/または活性エネルギー線硬化性樹脂組成物であり、好ましくは、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストである。
[Step (E)]
In the step (E), as shown in FIG. 4A, the first uncured insulating layer 130 is formed on the peeling substrate 120 so that the metal layer 116 is embedded. Examples of the method for forming the first uncured insulating layer 130 include a method of applying a curable resin composition and a method of laminating a sheet of the curable resin composition. Examples of the method for applying the curable resin composition include a screen printing method, a die coating method, a roll coating method, a reverse roll coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a comma coating method. The material of the first uncured insulating layer 130 is the thermosetting resin composition and / or the active energy ray curable resin composition used for the first insulating layer 30 and the second insulating layer 40 (see FIG. 2). Preferably, it is a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist.

スクリーン印刷法などにより、金属層116の一部が露出するように、第1の未硬化絶縁層130を剥離用基材120上に形成してもよい。これにより、フォトリソグラフ法などを使用せずに、外部配線と接続したり、電子部品を搭載したりするための電極パッドを形成することができる。   The first uncured insulating layer 130 may be formed on the peeling substrate 120 so that a part of the metal layer 116 is exposed by a screen printing method or the like. As a result, electrode pads for connecting to external wiring or mounting electronic components can be formed without using a photolithographic method or the like.

[工程(F)]
工程(F)では、第1の未硬化絶縁層130を硬化させ、第1の硬化絶縁層を形成する。たとえば、第1の未硬化絶縁層130を加熱したり、第1の未硬化絶縁層130に活性エネルギー線を照射したりすることによって第1の未硬化絶縁層130を硬化させ、第1の硬化絶縁層を形成する。これにより、配線基板1の第1の絶縁層30と第2の絶縁層40とが形成される(図2参照)。
[Step (F)]
In the step (F), the first uncured insulating layer 130 is cured to form a first cured insulating layer. For example, the first uncured insulation layer 130 is cured by heating the first uncured insulation layer 130 or irradiating the first uncured insulation layer 130 with active energy rays. An insulating layer is formed. Thereby, the 1st insulating layer 30 and the 2nd insulating layer 40 of the wiring board 1 are formed (refer FIG. 2).

工程(F)において、フォトリソグラフ法により、金属層116を被覆する第1の未硬化絶縁層130の一部を除いて第1の未硬化絶縁層130を硬化させ、現像により、硬化させなかった第1の未硬化絶縁層130を除去するようにしてもよい。これにより、外部配線と接続したり、電子部品を搭載したりするための電極パッドを形成することができる。   In the step (F), the first uncured insulating layer 130 was cured by photolithography, except for a part of the first uncured insulating layer 130 covering the metal layer 116, and was not cured by development. The first uncured insulating layer 130 may be removed. Thereby, the electrode pad for connecting with external wiring or mounting an electronic component can be formed.

たとえば、活性エネルギー線を使用して第1の未硬化絶縁層130を硬化させる場合、ネガフィルムなどを使用して、金属層116が第1の未硬化絶縁層130により被覆させたくない部分をマスクする。これにより、活性エネルギー線を第1の未硬化絶縁層130に照射しても、マスクされた部分の第1の未硬化絶縁層130は硬化しない。そして、活性エネルギー線を第1の未硬化絶縁層130に照射した後、硬化していない第1の未硬化絶縁層130を取り除く。これにより、第1の硬化絶縁層から金属層116を露出させることができ、電極パッドなどを形成することができる。   For example, when the first uncured insulating layer 130 is cured using active energy rays, a negative film or the like is used to mask a portion where the metal layer 116 is not desired to be covered with the first uncured insulating layer 130. To do. Thereby, even if the active energy ray is irradiated to the first uncured insulating layer 130, the masked portion of the first uncured insulating layer 130 is not cured. Then, after irradiating the first uncured insulating layer 130 with active energy rays, the uncured first uncured insulating layer 130 is removed. Thereby, the metal layer 116 can be exposed from the first cured insulating layer, and an electrode pad or the like can be formed.

[工程(G)]
工程(G)では、図4(b)に示すように、金属層116および第1の硬化絶縁層132から剥離用基材120を剥離する。このとき、剥離用基材120に設けられた粘着剤層122は、金属層116および第1の硬化絶縁層132の剥離面に残留しないことが好ましい。
[Step (G)]
In the step (G), as shown in FIG. 4B, the peeling substrate 120 is peeled from the metal layer 116 and the first cured insulating layer 132. At this time, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 122 provided on the peeling substrate 120 does not remain on the peeling surface of the metal layer 116 and the first cured insulating layer 132.

[工程(H)]
工程(H)では、図4(c)に示すように、金属層116および第1の硬化絶縁層132の剥離面上に第2の未硬化絶縁層140を形成する。第2の未硬化絶縁層140を形成する方法には、たとえば、硬化性樹脂組成物を塗布する方法および硬化性樹脂組成物のシートをラミネートする方法などがある。硬化性樹脂組成物を塗布する方法には、スクリーン印刷法、ダイコート法、ロールコート法、リバースロールコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法などが挙げられる。第2の未硬化絶縁層140の材料は、第3の絶縁層50(図2参照)に使用された熱硬化性樹脂組成物および/または活性エネルギー線硬化性樹脂組成物であり、好ましくは、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストである。
[Step (H)]
In the step (H), as shown in FIG. 4C, the second uncured insulating layer 140 is formed on the peeling surface of the metal layer 116 and the first cured insulating layer 132. Examples of the method of forming the second uncured insulating layer 140 include a method of applying a curable resin composition and a method of laminating a sheet of the curable resin composition. Examples of the method for applying the curable resin composition include a screen printing method, a die coating method, a roll coating method, a reverse roll coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a comma coating method. The material of the second uncured insulating layer 140 is the thermosetting resin composition and / or the active energy ray curable resin composition used for the third insulating layer 50 (see FIG. 2). It is a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist.

スクリーン印刷法などにより、金属層116の一部が露出するように、金属層116および第1の硬化絶縁層132の剥離面上に第2の未硬化絶縁層140を形成するようにしてもよい。これにより、フォトリソグラフ法などを使用せずに、外部配線と接続したり、電子部品を搭載したりするための電極パッドを形成することができる。また、金属層116の一部が第1の硬化絶縁層132から露出している場合、配線基板の表面と裏面との間を電気的に接続することができる。   The second uncured insulating layer 140 may be formed on the separation surface of the metal layer 116 and the first cured insulating layer 132 so that a part of the metal layer 116 is exposed by a screen printing method or the like. . As a result, electrode pads for connecting to external wiring or mounting electronic components can be formed without using a photolithographic method or the like. In addition, when a part of the metal layer 116 is exposed from the first cured insulating layer 132, the front and back surfaces of the wiring board can be electrically connected.

[工程(I)]
工程(I)では、第2の未硬化絶縁層140を硬化させ、第2の硬化絶縁層を形成する。たとえば、第2の未硬化絶縁層140を加熱したり、第2の未硬化絶縁層140に活性エネルギー線を照射したりすることによって第2の未硬化絶縁層140を硬化させ、第2の硬化絶縁層を形成する。これにより、配線基板1の第3の絶縁層50が形成される。
[Step (I)]
In the step (I), the second uncured insulating layer 140 is cured to form a second cured insulating layer. For example, the second uncured insulation layer 140 is cured by heating the second uncured insulation layer 140 or irradiating the second uncured insulation layer 140 with active energy rays. An insulating layer is formed. Thereby, the third insulating layer 50 of the wiring substrate 1 is formed.

この工程において、フォトリソグラフ法により、116を被覆する第2の未硬化絶縁層130の一部を除いて第2の未硬化絶縁層140を硬化させ、現像により、硬化させなかった第2の未硬化絶縁層140を除去するようにしてもよい。これにより、外部配線と接続したり、電子部品を搭載したりするための電極パッドを形成することができる。また、金属層116の一部が、第1の硬化絶縁層132から露出している場合、配線基板の表面と裏面との間を電気的に接続することができる。   In this step, the second uncured insulating layer 140 is cured by photolithography, except for a part of the second uncured insulating layer 130 covering 116, and the second uncured uncured layer that has not been cured by development. The cured insulating layer 140 may be removed. Thereby, the electrode pad for connecting with external wiring or mounting an electronic component can be formed. Further, when a part of the metal layer 116 is exposed from the first cured insulating layer 132, the front surface and the back surface of the wiring board can be electrically connected.

たとえば、活性エネルギー線を使用して第2の未硬化絶縁層140を硬化させる場合、ネガフィルムなどを使用して、金属層116が第2の未硬化絶縁層140により被覆させたくない部分をマスクする。これにより、活性エネルギー線を第2の未硬化絶縁層140に照射しても、マスクされた部分の第2の未硬化絶縁層140は硬化しない。そして、活性エネルギー線を第2の未硬化絶縁層140に照射した後、硬化していない第2の未硬化絶縁層140を取り除く。これにより、第2の未硬化絶縁層140の硬化物から金属層116を露出させることができ、電極パッドなどを形成することができる。   For example, when the second uncured insulating layer 140 is cured using active energy rays, a negative film or the like is used to mask a portion where the metal layer 116 is not desired to be covered by the second uncured insulating layer 140. To do. Thereby, even if the active energy ray is irradiated to the second uncured insulating layer 140, the masked portion of the second uncured insulating layer 140 is not cured. Then, after irradiating the second uncured insulating layer 140 with active energy rays, the uncured second uncured insulating layer 140 is removed. Thereby, the metal layer 116 can be exposed from the cured product of the second uncured insulating layer 140, and an electrode pad or the like can be formed.

[その他の工程]
[めっき工程]
配線基板に電極パッドを形成する場合、電極パッドの表面を金属めっき膜で被覆するために、工程(I)の後にめっき工程を実施してもよい。これにより、電極パッドは外部配線と接続されやすくなる。好ましい金属めっきは、錫めっきまたはニッケルと金とを組み合わせためっきである。また、金の代わりに、銀またはパラジウムをニッケルと組み合わせて用いることもできる。また、めっき工程において実施されるめっき法には、電解めっき法、および無電解めっき法などがある。
[Other processes]
[Plating process]
When forming an electrode pad on the wiring board, a plating step may be performed after step (I) in order to cover the surface of the electrode pad with a metal plating film. Thereby, the electrode pad is easily connected to the external wiring. A preferable metal plating is tin plating or plating in which nickel and gold are combined. Further, instead of gold, silver or palladium can be used in combination with nickel. In addition, examples of the plating method performed in the plating process include an electrolytic plating method and an electroless plating method.

[ハンダペースト塗布工程]
配線基板に電極パッドを形成する場合、電極パッドの表面をはんだで被覆するために、工程(I)の後にはんだペースト塗布工程を実施してもよい。これにより、電極パッドは外部配線と接続されやすくなる。はんだペースト塗布工程において実施される塗布方法には、たとえば、はんだペースト印刷法および電気はんだめっき法などがある。
[Solder paste application process]
When forming an electrode pad on a wiring board, a solder paste application step may be performed after step (I) in order to coat the surface of the electrode pad with solder. Thereby, the electrode pad is easily connected to the external wiring. Examples of the application method performed in the solder paste application process include a solder paste printing method and an electric solder plating method.

[切断工程]
工程(I)により、配線基板の集合体が作製される場合、工程(I)の後に集合体を切断して、個片化し、配線基板を作製するために、工程(I)の後に切断工程を実施してもよい。切断工程で実施される切断方法には、たとえば、ダイヤモンドブレードダイシング法がある。
[Cutting process]
When an assembly of wiring boards is manufactured by the step (I), the cutting process is performed after the step (I) in order to cut and separate the aggregates after the step (I) to manufacture the wiring substrate. May be implemented. Examples of the cutting method performed in the cutting process include a diamond blade dicing method.

[変形例]
以上の本発明の一実施形態における配線基板の製造方法における、開口部を有する絶縁層により表面が被覆された導電性基材を用意する工程(工程(A))、めっき法によって、開口部に金属層を形成する工程(工程(B))、一方の面に粘着剤層を有し、可撓性を有する剥離用基材を用意する工程(工程(C))および剥離用基材の粘着剤層を金属層に粘着させ、金属層から導電性基材を剥離する工程(工程(D))をロールツーロール法で実施してもよい。以下、図4を参照して、ロールツーロール法により工程(A)〜(D)を実施する工程を説明する。この工程では、導電性基材として、回転体(ロール)210を用いる。そして、回転体210を用いて、電解めっき法により形成された金属層216から回転体210を連続的に剥離しながら、金属層216が粘着した剥離用基材220を巻物として得る。図5は、ロールツーロール法により工程(A)〜(D)を実施する工程を説明するための図である。
[Modification]
In the method for manufacturing a wiring board according to one embodiment of the present invention described above, the step of preparing a conductive substrate whose surface is covered with an insulating layer having an opening (step (A)), the plating is performed on the opening. A step of forming a metal layer (step (B)), a step of having a pressure-sensitive adhesive layer on one side and preparing a flexible peeling base material (step (C)), and sticking of the peeling base material The step of adhering the agent layer to the metal layer and peeling the conductive substrate from the metal layer (step (D)) may be performed by a roll-to-roll method. Hereafter, with reference to FIG. 4, the process of implementing process (A)-(D) by the roll-to-roll method is demonstrated. In this step, a rotating body (roll) 210 is used as the conductive substrate. Then, using the rotating body 210, the peeling substrate 220 to which the metal layer 216 is adhered is obtained as a scroll while continuously peeling the rotating body 210 from the metal layer 216 formed by the electrolytic plating method. Drawing 5 is a figure for explaining the process of carrying out process (A)-(D) by roll to roll method.

回転体210は、不図示の開口部を有する絶縁層により表面が被覆されている。また、回転体210は金属製が好ましい。さらに、ドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを回転体210として用いることが好ましい。回転体210の表面を形成する材料は、好ましくは、ステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料等のめっき付着性が比較的低い材料である。導電性基材として回転体を用いることによって、金属層が粘着した剥離用基材を連続的に作製して巻物として得ることが可能となる。このため、配線基板の生産性が飛躍的に高くなる。回転体210の下側半分は、めっき槽310の中のめっき液312の中に浸漬している。   The surface of the rotating body 210 is covered with an insulating layer having an opening (not shown). The rotating body 210 is preferably made of metal. Furthermore, it is preferable to use a drum electrode or the like used in the drum electrolytic deposition method as the rotating body 210. The material forming the surface of the rotating body 210 is preferably a material with relatively low plating adhesion such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. By using a rotating body as the conductive base material, it is possible to continuously produce a peeling base material with a metal layer adhered thereto and obtain it as a scroll. For this reason, the productivity of the wiring board is remarkably increased. The lower half of the rotating body 210 is immersed in the plating solution 312 in the plating tank 310.

回転体210に形成した金属層216を剥離用基材に押し当てるために、回転体210の上側に圧着ロール340が設けられている。回転体210と圧着ロール340との間の間隔は、押し当てる圧力により適宜選択される。   In order to press the metal layer 216 formed on the rotating body 210 against the peeling substrate, a pressure-bonding roll 340 is provided on the upper side of the rotating body 210. The interval between the rotating body 210 and the pressure-bonding roll 340 is appropriately selected depending on the pressure applied.

金属層216を粘着した剥離用基材220は巻物330として回収されたとき、金属層216が剥離用基材220から剥がれないようにするために、剥離用基材220の金属層216が粘着している面に、光硬化性樹脂組成物からなるカバーフィルム352を貼り付けてもよい。カバーフィルム352は、巻物350から供給される。また、剥離用基材220に貼り付けられたカバーフィルムを硬化させるために、UV(紫外線)照射装置360が設けられている。ロールツーロール法により工程(A)〜(D)を実施する工程は、以下のように実施される。   When the peeling base material 220 to which the metal layer 216 is adhered is recovered as the scroll 330, the metal layer 216 of the peeling base material 220 is adhered to prevent the metal layer 216 from being peeled from the peeling base material 220. You may affix the cover film 352 which consists of a photocurable resin composition on the surface which has it. The cover film 352 is supplied from the roll 350. In addition, a UV (ultraviolet) irradiation device 360 is provided to cure the cover film attached to the peeling substrate 220. The steps of carrying out steps (A) to (D) by the roll-to-roll method are carried out as follows.

[工程(A)]
工程(A)では、開口部を有する絶縁層により表面が被覆された回転体210が用意される。
[Step (A)]
In the step (A), a rotating body 210 whose surface is covered with an insulating layer having an opening is prepared.

[工程(B)]
工程(B)では、不図示の陽極と回転体210との間に電圧をかけ、回転体210を一定速度で回転させると、回転体210の表面の不図示の絶縁層の開口部に金属層216が形成する。
[Step (B)]
In step (B), when a voltage is applied between an anode (not shown) and the rotating body 210 and the rotating body 210 is rotated at a constant speed, a metal layer is formed in the opening of the insulating layer (not shown) on the surface of the rotating body 210. 216 forms.

[工程(C)]
工程(C)では、不図示の粘着剤層を有する剥離用基材220を、巻物320として用意する。剥離用基材220は、巻物320から供給される。
[Step (C)]
In the step (C), a peeling substrate 220 having a pressure-sensitive adhesive layer (not shown) is prepared as a scroll 320. The peeling substrate 220 is supplied from the scroll 320.

[工程(D)]
工程(D)では、巻物320から供給された剥離用基材220を回転体210と圧着ロール340との間を通過させることによって、不図示の粘着剤層に金属層216を粘着させ、金属層216から回転体210を剥離する。
[Step (D)]
In the step (D), by passing the peeling base material 220 supplied from the scroll 320 between the rotating body 210 and the pressure roll 340, the metal layer 216 is adhered to the adhesive layer (not shown), The rotating body 210 is peeled off from 216.

剥離用基材220に粘着している金属層216が剥がれないようにするために、剥離用基材220の金属層216が粘着している面に、カバーフィルム352を貼り付けてもよい。そして、UV照射装置360からカバーフィルム352に紫外線を照射して、カバーフィルム352を硬化してもよい。カバーフィルム352は、巻物350から供給される。   In order to prevent the metal layer 216 adhered to the peeling substrate 220 from being peeled off, a cover film 352 may be attached to the surface of the peeling substrate 220 to which the metal layer 216 is adhered. Then, the cover film 352 may be cured by irradiating the cover film 352 with ultraviolet rays from the UV irradiation device 360. The cover film 352 is supplied from the roll 350.

金属層216を粘着した剥離用基材220を巻き取り、金属層216を粘着した剥離用基材220を巻物330として回収する。そして、巻物330は次の工程のために搬送される。   The peeling base material 220 to which the metal layer 216 is adhered is wound up, and the peeling base material 220 to which the metal layer 216 is adhered is collected as a scroll 330. The scroll 330 is then transported for the next step.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、実施例は、本発明を限定するものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In addition, an Example does not limit this invention.

[実施例1]
(ネガフィルムの作製)
金属層のテストパターンのネガフィルムを作製した。テストパターンは、外部配線と接続する2個の電極パッドと、2個の電極パッドをつなぐ1本のストライプ状ライン(不透明)からなるユニットを含む。電極パッドのパッドサイズは6mm×4mmであった。ストライプ状ラインの幅は2mmであり、長さは20mmであった。隣接する電極パッド間の距離が1mmとなるように、2つのこのユニットを平行に配置した。この平行に配置した2つのユニットを34×13mmのサイズの試験片に配置した。これを3組平行に配置し、周囲に幅2mmの枠(不透明)を形成した。各電極パッドは、幅0.1mmのラインで枠に連結していた。
[Example 1]
(Production of negative film)
A negative film of the test pattern of the metal layer was produced. The test pattern includes a unit composed of two electrode pads connected to the external wiring and one stripe line (opaque) connecting the two electrode pads. The pad size of the electrode pad was 6 mm × 4 mm. The width of the striped line was 2 mm and the length was 20 mm. The two units were arranged in parallel so that the distance between adjacent electrode pads was 1 mm. The two units arranged in parallel were arranged on a test piece having a size of 34 × 13 mm. Three sets of these were arranged in parallel, and a frame (opaque) having a width of 2 mm was formed around the periphery. Each electrode pad was connected to the frame by a line having a width of 0.1 mm.

(凸状パターンの形成)
レジストフィルム(フォテックRY3315、15μm厚、日立化成(株)製)を44×49mmのステンレス板(SUS316L、#400研磨仕上げ、厚さ500μm、日新製鋼(株)製)の両面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minであった。次いで、ネガフィルムをステンレス板(導電性基材)の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上から、紫外線を250mJ/cm2照射した。さらに、1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、凸状パターン(突起部;高さ15μm)を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため現像されず、全面にレジスト膜が形成されている。
(Formation of convex pattern)
A resist film (Photech RY3315, 15 μm thick, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to both surfaces of a 44 × 49 mm stainless steel plate (SUS316L, # 400 polished finish, thickness 500 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Next, the negative film was allowed to stand on one side of a stainless plate (conductive substrate). Using a UV irradiation device, UV irradiation was performed at 250 mJ / cm 2 from above the stainless steel plate on which the negative film was placed under a vacuum of 600 mmHg or less. Furthermore, it developed by 1% sodium carbonate aqueous solution, and the convex-shaped pattern (protrusion part; height 15 micrometers) was obtained. Note that the surface opposite to the surface on which the pattern is formed is not developed because it is exposed entirely, and a resist film is formed on the entire surface.

(絶縁層の形成)
PBII/D装置(TypeIII、(株)栗田製作所製)によりDLC膜をステンレス板に形成した。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスでステンレス板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層をステンレス板の上に成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が5〜6μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した。
(Formation of insulating layer)
A DLC film was formed on a stainless steel plate using a PBII / D apparatus (Type III, manufactured by Kurita Seisakusho Co., Ltd.). A stainless steel plate with a resist film attached thereto was put in the chamber, the inside of the chamber was evacuated, and then the stainless steel plate surface was cleaned with argon gas. Next, hexamethyldisiloxane was introduced into the chamber, and an intermediate layer was formed on the stainless steel plate to a thickness of 0.1 μm. Subsequently, toluene, methane, and acetylene gas were introduce | transduced, and the DLC layer was formed on the intermediate | middle layer so that a film thickness might be set to 5-6 micrometers.

(開口部の形成(絶縁層の付着した凸状パターンの除去))
絶縁層が付着したステンレス板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。これにより、凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜を剥離した。一部凸状パターンが剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより凸状パターンをすべて除去することができた。これにより、ステンレス板上の絶縁層に開口部が形成された。開口部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その開口部側面の傾斜角は概ね45度であった。開口部の深さは5〜6μmであった。また、開口部は、ネガフィルムの電極パッド、ストライプ状ラインおよび枠に対応して形成された。電極パッドに対応する開口部のサイズは6mm×4mmであり、ストライプ状ラインおよび枠に対応する開口部の幅は2mmであった。
(Formation of opening (removal of convex pattern with insulating layer attached))
The stainless steel plate with the insulating layer adhered was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (10%, 50 ° C.) and left for 8 hours with occasional rocking. As a result, the resist film forming the convex pattern and the DLC film adhering thereto were peeled off. Since some of the convex patterns were difficult to peel off, all the convex patterns could be removed by lightly rubbing with a cloth. As a result, an opening was formed in the insulating layer on the stainless steel plate. The shape of the opening is wider toward the opening direction, and the inclination angle of the side surface of the opening is approximately 45 degrees. The depth of the opening was 5 to 6 μm. Moreover, the opening part was formed corresponding to the electrode pad, stripe line, and frame of the negative film. The size of the opening corresponding to the electrode pad was 6 mm × 4 mm, and the width of the opening corresponding to the stripe line and the frame was 2 mm.

(銅めっき)
ステンレス板の開口部が形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けたステンレス板を陰極として、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト(株)製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、電流密度を10A/dm2として、ステンレス板に形成した金属層の厚さがほぼ35μmになるまでめっき処理を続けた。絶縁層の開口部の中に、および開口部からあふれるように金属層が形成した。
(Copper plating)
An adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the surface (back surface) where the opening of the stainless steel plate was not formed. An electrolytic bath for electrolytic copper plating (copper sulfate (pentahydrate) 250 g / L, sulfuric acid 70 g / L, Cubelite AR (Hagiwara Eugelite) (Additional product, Inc.) 4ml / L aqueous solution, 30 ° C), current density is 10A / dm 2 , and plating process is continued until the thickness of the metal layer formed on the stainless steel plate is about 35μm It was. A metal layer was formed in and over the opening of the insulating layer.

(活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の調製)
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた500cm3の三つ口フラスコに、以下に記載する配合組成物1を投入した。そして、配合組成物1を穏やかに撹拌しながら、60℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、60℃で8時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ MOI(2−イソシアナトエチルメタクリレート;昭和電工(株)製)5重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら50℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液1を得た。
(Preparation of active energy ray-curable resin composition)
Formulation composition 1 described below was charged into a 500 cm 3 three-necked flask equipped with a thermometer, a cooling tube, and a nitrogen introduction tube. Then, the composition 1 is heated to 60 ° C. with gentle stirring to initiate polymerization, and stirred at reflux for 60 hours at 60 ° C. while bubbling with nitrogen, and has a hydroxyl group in the side chain. An acrylic resin was obtained. Thereafter, 5 parts by weight of Karenz MOI (2-isocyanatoethyl methacrylate; manufactured by Showa Denko KK) is added and reacted at 50 ° C. with gentle stirring, and a reactive polymer having a photopolymerizable functional group in the side chain. Solution 1 was obtained.

(配合組成物1)
2−エチルヘキシルメタクリレート 70重量部
ブチルアクリレート 15重量部
2−ヒドロキシエチルメタクリレート 10重量部
アクリル酸 5重量部
アゾビスイソブチロニトリル 0.1重量部
トルエン 60重量部
酢酸エチル 60重量部
(Composition composition 1)
2-ethylhexyl methacrylate 70 parts by weight Butyl acrylate 15 parts by weight 2-hydroxyethyl methacrylate 10 parts by weight Acrylic acid 5 parts by weight Azobisisobutyronitrile 0.1 part by weight Toluene 60 parts by weight Ethyl acetate 60 parts by weight

得られた反応性ポリマー1は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は800,000であった。   The obtained reactive polymer 1 had a methacryloyl group in the side chain, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography was 800,000.

反応性ポリマーの溶液1の100重量部(固形分)に光重合開始剤として2−メチル−1[4−メチルチオ]フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン(商品名イルガキュア907、チバガイギー(株))を1重量部、イソシアネート系架橋剤(商品名コロネートL−38ET、日本ポリウレタン(株)製)を3重量部、トルエンを50重量部添加し、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物1を得た。   2-methyl-1 [4-methylthio] phenyl] -2-morpholinopropan-1-one (trade name Irgacure 907, Ciba Geigy (as a photopolymerization initiator) was added to 100 parts by weight (solid content) of the solution 1 of the reactive polymer. 1 part by weight), 3 parts by weight of an isocyanate-based cross-linking agent (trade name Coronate L-38ET, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), and 50 parts by weight of toluene are added to obtain an active energy ray-curable resin composition 1. Obtained.

(粘着層を有する剥離用基材の作製)
得られた樹脂組成物1を、厚さ50μm、120mm角の剥離用基材であるSUS304の表面に、乾燥後の膜厚が15μmになるように塗布した。そして、紫外線硬化性を有する粘着剤層を形成して剥離用基材上に形成した。樹脂組成物1の乾燥条件は80℃で10分間であった。
(Preparation of substrate for peeling having adhesive layer)
The obtained resin composition 1 was applied to the surface of SUS304, which is a peeling substrate having a thickness of 50 μm and a 120 mm square, so that the film thickness after drying was 15 μm. And the adhesive layer which has ultraviolet curing property was formed, and it formed on the base material for peeling. The drying condition of the resin composition 1 was 10 minutes at 80 ° C.

(金属層の転写)
剥離用基材における粘着剤層が形成された面と、ステンレス板における銅めっきを施した面とが重なるように、ロールラミネータを用いて剥離用基材およびステンレス板を貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.5m/分であった。次いで、剥離用基材に貼り合わせたステンレス板を剥離したところ、ステンレス板上に形成した銅からなる金属層が剥離用基材の粘着剤層に転写された。次いで、剥離用基材における金属層が転写された面に12μm厚のPETフィルムE−5100(東洋紡(株)製)をロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.5m/minの加工条件で貼り合わせた。さらに、剥離用基材の金属層が転写された面に1J/cm2の照射量で紫外線を照射した。
(Metal layer transfer)
The peeling base material and the stainless steel plate were bonded using a roll laminator so that the surface of the peeling base material on which the pressure-sensitive adhesive layer was formed and the surface of the stainless steel plate that had been subjected to copper plating overlapped. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Subsequently, when the stainless steel plate bonded to the peeling base material was peeled off, the metal layer made of copper formed on the stainless steel plate was transferred to the adhesive layer of the peeling base material. Next, a 12 μm-thick PET film E-5100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) is processed on the surface of the peeling substrate on which the metal layer is transferred at a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Bonded with conditions. Further, the surface of the peeling substrate on which the metal layer was transferred was irradiated with ultraviolet rays at a dose of 1 J / cm 2 .

金属層が転写された剥離用基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)を使用して観察した。6mm×4mmのサイズの電極パッドに対応する金属層のサイズは6050×4050μmであった。2mmの幅のストライプ状ラインに対応する金属層の幅は2050μmであった。2mmの幅の枠に対応する金属層の幅は2050μmであった。金属層は、ほぼ5μmの深さで接着層に埋没していた。   A part of the substrate for peeling onto which the metal layer was transferred was cut out, and the cross section was observed using a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). The size of the metal layer corresponding to the electrode pad having a size of 6 mm × 4 mm was 6050 × 4050 μm. The width of the metal layer corresponding to the striped line having a width of 2 mm was 2050 μm. The width of the metal layer corresponding to the 2 mm wide frame was 2050 μm. The metal layer was buried in the adhesive layer at a depth of approximately 5 μm.

テストパターンは100枚作製した。テストパターンを作製するために、2枚目からはめっき工程と転写工程とを行えばよく、枚数毎にパターニングする必要がないため、テストパターンを100枚作製する作業は比較的短時間で終了した。   100 test patterns were produced. In order to produce the test pattern, the plating process and the transfer process may be performed from the second sheet, and it is not necessary to perform patterning for each number of sheets. Therefore, the work for producing 100 test patterns was completed in a relatively short time. .

(ソルダーレジストパターンの作製)
金属層の縁部をソルダーレジストで覆うため、まず、剥離用基材の金属層が存在する面全面に感光性液状ソルダーレジスト(太陽インキ(株)製、商品名:PSR−9000 FLX505E)をスクリーン印刷で塗布し、温度80℃、25分間熱処理をした。仮硬化後のソルダーレジストの厚さは15μmであった。
(Preparation of solder resist pattern)
In order to cover the edge of the metal layer with a solder resist, first, a photosensitive liquid solder resist (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd., trade name: PSR-9000 FLX505E) is screened on the entire surface of the peeling base material on which the metal layer is present. It was applied by printing and heat-treated at a temperature of 80 ° C. for 25 minutes. The thickness of the solder resist after provisional curing was 15 μm.

次に、マスクを装着してソルダーレジストに露光し、現像して不要な部分のソルダーレジストを除去した。金属層縁部に対するソルダーレジストのオーバラップ量を0.5mmとして、外部配線に接続される電極パッドの開口寸法を5×3mmとした。金属層のその他の部分は、ストライプ状ラインおよび枠を含めて、ソルダーレジストに被覆されるようにした。その後、ソルダーレジストを温度150℃、60分間乾燥した。   Next, a mask was attached, the solder resist was exposed, and developed to remove unnecessary portions of the solder resist. The overlap amount of the solder resist with respect to the metal layer edge was 0.5 mm, and the opening size of the electrode pad connected to the external wiring was 5 × 3 mm. The other part of the metal layer was covered with the solder resist including stripe lines and frames. Thereafter, the solder resist was dried at a temperature of 150 ° C. for 60 minutes.

(配線基板の製造)
金属層およびソルダーレジストから剥離用基材を剥離した。この剥離作業は容易に実施できた。このとき、粘着剤層は剥離用基材(SUS基材)に全て残っており、粘着剤層は金属層およびソルダーレジストに残留していなかった。次いで、剥離面の金属層をソルダーレジストで覆うため、剥離面の金属層が存在する面全面に感光性液状ソルダーレジスト(太陽インキ(株)製、商品名:PSR−9000 FLX505E)をスクリーン印刷で塗布し、温度80℃で25分間乾燥した。乾燥後のソルダーレジストの厚さは15μmであった。
(Manufacture of wiring boards)
The base material for peeling was peeled from the metal layer and the solder resist. This peeling operation was easily performed. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer remained on the peeling substrate (SUS substrate), and the pressure-sensitive adhesive layer did not remain on the metal layer and the solder resist. Next, in order to cover the metal layer on the release surface with a solder resist, a photosensitive liquid solder resist (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd., trade name: PSR-9000 FLX505E) is screen-printed on the entire surface where the metal layer on the release surface exists. It was applied and dried at a temperature of 80 ° C. for 25 minutes. The thickness of the solder resist after drying was 15 μm.

次に、マスクを装着して剥離面に露光し、現像して不要な部分のソルダーレジストを除去した。金属層縁部に対するソルダーレジストのオーバラップ量を0.5mmとして、外部配線に接続される電極パッドの開口寸法を5×3mmとした。金属層のその他の部分は、ストライプ状ラインおよび枠を含めて、ソルダーレジストに被覆されるようにした。その後、ソルダーレジストを温度150℃、60分間乾燥した。   Next, a mask was attached, the peeled surface was exposed, and developed to remove unnecessary portions of the solder resist. The overlap amount of the solder resist with respect to the metal layer edge was 0.5 mm, and the opening size of the electrode pad connected to the external wiring was 5 × 3 mm. The other part of the metal layer was covered with the solder resist including stripe lines and frames. Thereafter, the solder resist was dried at a temperature of 150 ° C. for 60 minutes.

次いで、無電解めっき法によって、表裏の金属層が露出している箇所に、3μm厚の錫めっき膜を形成した。   Next, a tin plating film having a thickness of 3 μm was formed on the portions where the front and back metal layers were exposed by an electroless plating method.

所定のサイズ(34×13mm)に切断して実施例1の配線基板を得た。   The wiring board of Example 1 was obtained by cutting into a predetermined size (34 × 13 mm).

[比較例1]
厚さ100μmのポリイミドフィルムの両面に厚さ12μmの銅箔をラミネートしたフレキシブル基板を準備した。次いで、銅箔の表裏を電気的に接続するため所定の位置にドリルでφ0.3mmの貫通穴を開けた。電解銅めっき法により貫通穴を塞ぐように貫通穴の中にめっき膜を形成した。同時に表裏銅箔の表面全面にめっきを形成した。
[Comparative Example 1]
A flexible substrate was prepared by laminating a 12 μm thick copper foil on both sides of a 100 μm thick polyimide film. Next, in order to electrically connect the front and back of the copper foil, a φ0.3 mm through hole was drilled at a predetermined position. A plated film was formed in the through hole so as to close the through hole by electrolytic copper plating. At the same time, plating was formed on the entire surface of the front and back copper foils.

次いで、このめっき膜の表面に保護膜として感光性フィルム103(フォテックRY3237、37μm厚、日立化成(株)製)をラミネートした後、その上部に実施例1の作製に使用したネガフィルムと同一のネガフィルムを配置させて、実施例1と同様な方法で紫外線を照射して露光した。その後、現像処理することで、実施例1の作製で使用したネガフィルムの電極パッドおよびストライプ状ラインに対応した、感光性フィルムのパターンが形成された。   Next, after the photosensitive film 103 (Photech RY3237, 37 μm thickness, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was laminated as a protective film on the surface of the plating film, the same negative film as that used in the manufacture of Example 1 was formed on the upper part. A negative film was placed and exposed by irradiating with ultraviolet rays in the same manner as in Example 1. Then, the pattern of the photosensitive film corresponding to the electrode pad and striped line of the negative film used by preparation of Example 1 was formed by developing.

次に、感光性フィルムから露出しためっきをエッチング液で除去し、次いで残った感光性フィルムを剥離したところ、ほぼネガフィルムに対応した銅箔のパターンが形成された。   Next, the plating exposed from the photosensitive film was removed with an etching solution, and then the remaining photosensitive film was peeled off. As a result, a copper foil pattern substantially corresponding to the negative film was formed.

実施例1と同様に100枚のテストパターンを作製した。1枚のテストパターンを作製するたびに、穴開けから銅めっき、パターニング、エッチング、剥離までの作業を繰返し行う必要があり、100枚のテストパターンの作製に多大な時間を費やした。   100 test patterns were produced in the same manner as in Example 1. Every time one test pattern was produced, it was necessary to repeat the operations from drilling to copper plating, patterning, etching, and peeling, and a great deal of time was spent on producing 100 test patterns.

次いで、実施例1と同様に基板の表裏にソルダーレジストの硬化物を形成した後、無電解めっき法により電極パッドの表面に3μm厚の錫めっきを形成した。最後に、実施例1と同様に切断して比較例1の配線基板を得た。   Next, after forming a hardened solder resist on the front and back of the substrate in the same manner as in Example 1, a tin plating with a thickness of 3 μm was formed on the surface of the electrode pad by electroless plating. Finally, the wiring board of Comparative Example 1 was obtained by cutting in the same manner as in Example 1.

[結果]
(1)実施例1には、パターン状に形成された金属層の間に基材が存在しないため、実施例1は、薄型化可能であり、熱伝導性に優れていた。また、実施例1の構造が、金属層の両面を、柔軟性を有する絶縁層で覆う構造であるため、実施例1をフレキシブル配線板として使用することが可能となった。一方、比較例1には、表面の金属層と裏面の金属層との間に基材(ポリイミドフィルム)が存在するため、比較例1の薄型化には限界があり、比較例1の熱伝導性を高めることが難しかった。また、比較例1には、機材が存在するため、比較例1を、実施例1ほどに、フレキシブルにすることはできなかった。
(2)実施例1では、配線基板の表面と裏面とを電気的に接続するための穴開け加工やめっき処理が不要であった。一方、比較例1では、表面の配線回路と裏面の配線回路とを電気的に接続するための穴開け加工およびめっき処理が必要であり、製造コストが高くなる。
(3)実施例1では、転写によってパターン状の金属層を配線基板に形成するので、フォトリソグラフ法により金属層のパターンを配線基板に形成する必要がなく、製造コストを低くすることができた。このため、実施例1をロールツーロール法により製造することができ、さらに生産性を高めることができる。一方、比較例1では、一つの配線基板を作製するたびにフォトリソグラフ法により金属層のパターンを配線基板に形成する必要があるので、製造コストが高くなった。また、比較例1をロールツーロール法により製造することができず、生産性を高めることが難しい。
[result]
(1) In Example 1, since a base material does not exist between the metal layers formed in a pattern, Example 1 can be thinned and has excellent thermal conductivity. Moreover, since the structure of Example 1 is a structure which covers both surfaces of a metal layer with the insulating layer which has a softness | flexibility, it became possible to use Example 1 as a flexible wiring board. On the other hand, since Comparative Example 1 has a base material (polyimide film) between the metal layer on the front surface and the metal layer on the back surface, there is a limit to reducing the thickness of Comparative Example 1, and the heat conduction of Comparative Example 1 is limited. It was difficult to improve sex. Further, since Comparative Example 1 has equipment, Comparative Example 1 could not be made as flexible as Example 1.
(2) In Example 1, drilling and plating for electrically connecting the front surface and the back surface of the wiring board were unnecessary. On the other hand, in Comparative Example 1, a drilling process and a plating process for electrically connecting the wiring circuit on the front surface and the wiring circuit on the back surface are necessary, and the manufacturing cost increases.
(3) In Example 1, since the patterned metal layer was formed on the wiring board by transfer, it was not necessary to form the metal layer pattern on the wiring board by the photolithographic method, and the manufacturing cost could be reduced. . For this reason, Example 1 can be manufactured by the roll-to-roll method, and productivity can be improved further. On the other hand, in Comparative Example 1, since it is necessary to form a metal layer pattern on the wiring board by photolithography every time one wiring board is manufactured, the manufacturing cost is increased. Further, Comparative Example 1 cannot be produced by the roll-to-roll method, and it is difficult to increase productivity.

1 配線基板
10 基材部
20,116,216 金属層
22 第1の主面
24 第2の主面
26 側面
30 第1の絶縁層
40 第2の絶縁層
42,52,114 開口部
50 第3の絶縁層
110 導電性基材
112 絶縁層
120,220 剥離用基材
122 粘着剤層
130 第1の未硬化絶縁層
132 第1の硬化絶縁層
140 第2の未硬化絶縁層
210 回転体
310 めっき槽
312 めっき液
320,330,350 巻物
340 圧着ロール
352 カバーフィルム
360 UV照射装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 10 Base material part 20,116,216 Metal layer 22 1st main surface 24 2nd main surface 26 Side surface 30 1st insulating layer 40 2nd insulating layer 42,52,114 Opening part 50 3rd Insulating layer 110 Conductive base material 112 Insulating layer 120, 220 Stripping base material 122 Adhesive layer 130 First uncured insulating layer 132 First cured insulating layer 140 Second uncured insulating layer 210 Rotating body 310 Plating Tank 312 Plating solution 320, 330, 350 Scroll 340 Press roll 352 Cover film 360 UV irradiation device

Claims (9)

第1の主面、第2の主面および側面を有しパターン状に形成された金属層と前記金属層の周囲に配置された第1の絶縁層とからなる基材部、
前記金属層の前記第1の主面を覆う第2の絶縁層、および
前記金属層の前記第2の主面を覆う第3の絶縁層を含む配線基板。
A base material portion comprising a metal layer having a first main surface, a second main surface and side surfaces and formed in a pattern, and a first insulating layer disposed around the metal layer;
A wiring board comprising: a second insulating layer covering the first main surface of the metal layer; and a third insulating layer covering the second main surface of the metal layer.
前記金属層の前記側面が、前記第1の主面から前記第2の主面に向けてテーパ形状を有する、請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the side surface of the metal layer has a tapered shape from the first main surface toward the second main surface. 前記金属層の第1の主面の一部および前記金属層の第2の主面の一部のうちの少なくとも一方は、前記第2の絶縁層または前記第3の絶縁層から露出している、請求項1または2に記載の配線基板。   At least one of a part of the first main surface of the metal layer and a part of the second main surface of the metal layer is exposed from the second insulating layer or the third insulating layer. The wiring board according to claim 1 or 2. 前記第2の絶縁層および前記第3の絶縁層のうちの少なくとも一方は、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストの硬化物からなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板。   At least one of the second insulating layer and the third insulating layer is made of a cured product of a thermosetting and / or active energy ray-curable solder resist. Wiring board as described in. 開口部を有する絶縁層により表面が被覆された導電性基材を用意する工程(A)、
めっき法によって、前記開口部に金属層を形成する工程(B)、
一方の面に粘着剤層を有し、可撓性を有する剥離用基材を用意する工程(C)、
前記剥離用基材の粘着剤層を前記金属層に粘着させ、前記金属層から前記導電性基材を剥離する工程(D)、
前記金属層が埋設されるように、第1の未硬化絶縁層を前記剥離用基材上に形成する工程(E)、
前記第1の未硬化絶縁層を硬化させ、第1の硬化絶縁層を形成する工程(F)、
前記金属層および前記第1の硬化絶縁層から、前記剥離用基材を剥離する工程(G)、
前記金属層および前記第1の硬化絶縁層の剥離面上に第2の未硬化絶縁層を形成する工程(H)、および
前記第2の未硬化絶縁層を硬化させ、第2の硬化絶縁層を形成する工程(I)を含む、配線基板の製造方法。
Preparing a conductive substrate whose surface is covered with an insulating layer having an opening (A),
Forming a metal layer in the opening by plating (B),
A step (C) of having a pressure-sensitive adhesive layer on one surface and preparing a flexible peeling substrate;
Adhering the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate for peeling to the metal layer and peeling the conductive substrate from the metal layer (D),
A step (E) of forming a first uncured insulating layer on the peeling substrate so that the metal layer is embedded;
Curing the first uncured insulating layer to form a first cured insulating layer (F),
A step (G) of peeling the peeling substrate from the metal layer and the first cured insulating layer;
A step (H) of forming a second uncured insulating layer on a release surface of the metal layer and the first cured insulating layer; and a second cured insulating layer by curing the second uncured insulating layer. A method for manufacturing a wiring board, comprising the step (I) of forming a substrate.
前記工程(B)において、前記絶縁層から離れるにしたがって前記導電性基材の平面方向における断面積が小さくなるように、前記開口部に金属層を形成する、請求項5に記載の配線基板の製造方法。   6. The wiring board according to claim 5, wherein in the step (B), a metal layer is formed in the opening so that a cross-sectional area in a planar direction of the conductive base material decreases as the distance from the insulating layer increases. Production method. 前記工程(E)および工程(H)において、前記第1の未硬化絶縁層および前記第2の未硬化絶縁層の少なくとも一方は、前記金属層の一部が露出するように形成される、請求項5または6に記載の配線基板の製造方法。   In the step (E) and the step (H), at least one of the first uncured insulating layer and the second uncured insulating layer is formed so that a part of the metal layer is exposed. Item 7. A method for manufacturing a wiring board according to Item 5 or 6. 前記工程(F)および前記工程(I)において、前記第1の硬化絶縁層および前記第2の硬化絶縁層の少なくとも一方から前記金属層の一部が露出するように、フォトリソグラフ法により前記硬化絶縁層が形成される、請求項5または6に記載の配線基板の製造方法。   In the step (F) and the step (I), the curing is performed by photolithography so that a part of the metal layer is exposed from at least one of the first cured insulating layer and the second cured insulating layer. The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein an insulating layer is formed. 前記第1の未硬化絶縁層および前記第2の未硬化絶縁層のうちの少なくとも一方は、熱硬化性および/または活性エネルギー線硬化性のソルダーレジストからなる、請求項5〜8のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。   9. At least one of the first uncured insulating layer and the second uncured insulating layer is made of a thermosetting and / or active energy ray curable solder resist. The manufacturing method of the wiring board as described in an item.
JP2013171747A 2013-08-21 2013-08-21 Wiring board and method for manufacturing the same Pending JP2015041692A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013171747A JP2015041692A (en) 2013-08-21 2013-08-21 Wiring board and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013171747A JP2015041692A (en) 2013-08-21 2013-08-21 Wiring board and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015041692A true JP2015041692A (en) 2015-03-02

Family

ID=52695683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013171747A Pending JP2015041692A (en) 2013-08-21 2013-08-21 Wiring board and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015041692A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7348046B2 (en) 2019-01-21 2023-09-20 アキレス株式会社 Manufacturing method for plated products

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7348046B2 (en) 2019-01-21 2023-09-20 アキレス株式会社 Manufacturing method for plated products

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011141652A (en) Touch panel display device
JP2015041693A (en) Multilayer wiring board and method for manufacturing the same, and laminated coil component
TWI364079B (en)
TWI617708B (en) Manufacturing method of copper foil with carrier, laminated body, printed wiring board, and manufacturing method of electronic equipment
JP2010034540A (en) Electrode base material for solar cell
JP2016063117A (en) Electromagnetic wave shield film, electromagnetic wave shield film-attached flexible printed wiring board, and manufacturing methods thereof
US7115989B2 (en) Adhesive sheet for producing a semiconductor device
JP2006278963A (en) Semiconductor device, its manufacturing method and adhesive sheet for manufacturing the same
JP2011134961A (en) Semiconductor device, wiring base material for mounting and connecting semiconductor element, wiring board for mounting semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5176111B2 (en) Manufacturing method of wiring board mounted on semiconductor device
TW201212743A (en) Composite metal layer provided with supporting body metal foil, wiring board using the composite metal layer, method for manufacturing the wiring board, and method for manufacturing semiconductor package using the wiring board
JP5626419B2 (en) Conductive substrate for plating, manufacturing method thereof, manufacturing method of substrate with conductor layer pattern using the same, substrate with conductor layer pattern, translucent electromagnetic wave shielding member
JP2006032686A (en) Manufacturing method of conductor layer pattern and electromagnetic wave shielding body
JP4324029B2 (en) Laminated film having metal film and adhesive layer and method for producing the same
JP2015041692A (en) Wiring board and method for manufacturing the same
JP2012033704A (en) Electromagnetic wave shield method of electronic component using electromagnetic wave shield film for electronic component
JP5333822B2 (en) Conductive substrate for plating, conductor layer pattern using the same or method for producing substrate with conductor layer pattern, substrate with conductor layer pattern, and electromagnetic wave shielding member
JP2013016763A (en) Semiconductor element mounting member and semiconductor device
JP2011134960A (en) Semiconductor device, method for manufacturing the same, wiring base material for connecting semiconductor element, wiring board for mounting semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2009277987A (en) Film-carrier tape for mounting electronic component and its manufacturing method, and semiconductor device
JP5327511B2 (en) Substrate for mounting semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2011142159A (en) Apparatus including electronic circuit element and method of manufacturing the same, wiring base material for connection of the electronic circuit element, as well as wiring board with the apparatus including the electronic circuit element and method of manufacturing the same
JP2011134850A (en) Semiconductor device, wiring base material for mounting semiconductor element, and method for manufacturing the same
JP2011134851A (en) Semiconductor device, method for manufacturing the same, wiring base material for connecting semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2014022583A (en) Method of manufacturing piezoelectric element device