JP2015026518A - 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の帯電を低減するとともに安定的に電荷を放出することを目的としている。【解決手段】回路層30が一方の面に形成され、回路層30が形成された面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜32が積層された絶縁基板10を用意する。シャドウマスク38に回路層30を対向させるように、絶縁基板10を配置する。シャドウマスク38を使用した真空成膜プロセスによって、回路層30に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。真空成膜プロセスで、接地された押さえ板40を、導電膜32の凹凸の凸部36に押さえ付けて、回路層30をシャドウマスク38に密着させる。押さえ板40は、凸部36で導電膜32と電気的に接続する。【選択図】図5
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法に関する。
現在、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルは、低分子材料を用いた真空一貫プロセスで製造することが主流になっている。真空一貫プロセスでは、基板が帯電することがある。帯電が発生するのは、蒸着マスクを基板に密着させるために、押さえ板を基板に接触させたり脱離させたりを繰り返すからである。帯電が発生すると、着膜パターン異常や搬送トラブルなどが起きるが、真空一貫プロセスではプロセス槽内に残留ガス(分子)が少ないことから、イオナイザや軟X線等の既存の除電技術を適用することができず、除電が困難である。そこで、基板の帯電を防止する方法又は電荷を逃がす方法が必要である。
特許文献1には、基板の裏面に導電膜を形成することで、帯電する静電気を一様化し、薄膜トランジスタにおける電位差の発生を防止することが開示されている。特許文献2には、薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有する基板の裏面に帯電防止膜を形成することが開示されている。これらによれば、基板に電荷が誘起された場合でも、導電膜又は帯電防止膜を設備筺体(アース)に接触させることにより、電荷を放出することができる。
しかし、平坦な基板の裏面全域で良好なコンタクトを得ることは難しく、生産性向上のためには短時間でより安定的に電荷の放出を行うための工夫が必要である。
本発明は、基板の帯電を低減するとともに安定的に電荷を放出することを目的としている。
(1)本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法は、回路層が一方の面に形成され、前記回路層が形成された前記面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜が積層された絶縁基板を用意する工程と、シャドウマスクに前記回路層を対向させるように、前記絶縁基板を配置する工程と、前記シャドウマスクを使用した真空成膜プロセスによって、前記回路層に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、を含み、前記真空成膜プロセスで、接地された押さえ板を、前記導電膜の前記凹凸の凸部に押さえ付けて、前記回路層を前記シャドウマスクに密着させ、前記押さえ板は、前記凸部で前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする。本発明によれば、押さえ板によって回路層をシャドウマスクに密着させるが、押さえ板は導電膜の凸部を押さえるので、導電膜の全面を押さえるときよりも接触面積が小さくなり、接触による絶縁基板の帯電を低減することができる。また、絶縁基板に誘起された電荷は、導電膜の凸部を介して、押さえ板から放出することができる。
(2)(1)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記絶縁基板と前記導電膜との間に樹脂部が介在し、前記樹脂部によって、前記導電膜に前記凸部が形成されることを特徴としてもよい。
(3)(1)又は(2)に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記絶縁基板と前記導電膜との間に、可視光を吸収する光吸収層が介在していることを特徴としてもよい。
(4)(1)から(3)のいずれか1項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、前記導電膜は、マトリクス状に配列された複数の前記凸部を有することを特徴としてもよい。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する絶縁基板を示す断面図である。
絶縁基板10は、ガラスからなる。絶縁基板10の一方の面には、絶縁基板10からの不純物に対するバリアとなるアンダーコート層12が形成され、その上に半導体層14が形成されている。半導体層14を覆ってゲート絶縁膜16が形成されている。ゲート絶縁膜16の上にはゲート電極18が形成され、ゲート電極18を覆って層間絶縁膜20が形成されている。層間絶縁膜20上には画素電極22が形成されている。画像を表示するための複数の画素を構成するための複数の画素電極22が画像表示領域に配置されている。画素電極22は、層間絶縁膜20を貫通して、半導体層14上のソース電極24及びドレイン電極26の一方に電気的に接続している。また、ソース電極24及びドレイン電極26の他方は、層間絶縁膜20を貫通してその上に形成された電源供給配線(図示せず)に電気的に接続されている。層間絶縁膜20、画素電極22及び電源供給配線上に、絶縁層28が形成されている。絶縁層28は、画素電極22の一部を開口させるように形成されている。絶縁層28によって、画素電極22の一部を囲むバンクが形成される。
絶縁基板10の一方の面には回路層30が形成されている。画素電極22は回路層30の一部である。回路層30は、半導体層14、ソース電極24、ドレイン電極26及びゲート電極18によって構成される薄膜トランジスタを含む。本実施形態では、多面取りのパネル製造方法が想定されており、絶縁基板10から複数のパネルが切り出される。
絶縁基板10の回路層30が形成された面とは反対側の面には、導電膜32が積層されている。絶縁基板10と導電膜32との間に樹脂部34が介在している。樹脂部34は、印刷又はフォトリソグラフィを適用した加工方法で形成することができる。樹脂部34によって、導電膜32に凸部36が形成され、凸部36の無い部分(図1では平坦部)が相対的に凹部になり、導電膜32は凹凸の表面を有する。
図2は、凹凸の表面を有する導電膜32を示す平面図である。導電膜32は、マトリクス状に配列された複数の凸部36を有する。変形例として、レール状(凸条)になるように凸部を設けてもよい。凸部36は、複数のパネルに切り出される絶縁基板10の切断線を避けて設けられる。したがって、凸部36は、完成品のパネルに残ることになる。
図3は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法で使用する製造装置を説明するための図である。
本実施形態では、シャドウマスク38を使用した真空成膜プロセス(蒸着・スパッタリングなど)を行って低分子の材料を成膜する。図3に示すように、シャドウマスク38に回路層30を対向させるように、絶縁基板10を配置する。シャドウマスク38とは反対側には、押さえ板40が配置されており、絶縁基板10をシャドウマスク38の方向に押し付けて両者を密着させるようになっている。なお、押さえ板40の上(絶縁基板10とは反対側)にはマグネット42が備えてあり、磁力でシャドウマスク38を吸着することで密着力が増強される。押さえ板40は、接地(アース)されている。
図4は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法を説明するための図である。シャドウマスク38を使用した真空成膜プロセス(蒸着・スパッタリングなど)では、図4に示すように、押さえ板40によって絶縁基板10(詳しくは回路層30)をシャドウマスク38に密着させる。回路層30とシャドウマスク38が密着することでシャドウイングの効果が得られる。
ただし、絶縁基板10とシャドウマスク38の接触及び剥離によって絶縁基板10が帯電する。接触及び剥離は、製造プロセスにおいて10〜20回は行われる。絶縁基板10が帯電すると、シャドウマスク38が絶縁基板10に貼りついてしまい、完全に剥離しないまま(一部が接触したまま)、シャドウマスク38と絶縁基板10とが摺り動くことになり、絶縁基板10に傷を付けるおそれがある。あるいは、絶縁基板10の搬送トラブルの原因にもなり、帯電によって異物を吸着することもあり得る。そこで、本実施形態では、接地(アース)された押さえ板40で電荷を放出するようになっている。
図5は、図4に示す構造の一部を拡大した図である。図5に示すように、押さえ板40は、導電膜32の凹凸の凸部36を押さえる。押さえ板40は、接地(アース)されており、凸部36で導電膜32と電気的に接続するので、導電膜32を介して絶縁基板10に誘起された電荷を放出することができる。導電膜32は、凸部36を有するので、相対的な凹部(例えば平坦部)と押さえ板40との間に隙間が形成される。隙間があることで、異物の挟み込みを防止することができる。
本実施形態によれば、押さえ板40によって回路層30をシャドウマスク38に密着させるが、押さえ板40は導電膜32の凸部36を押さえるので、導電膜32の全面を押さえるときよりも接触面積が小さくなり、接触による絶縁基板10の帯電を低減することができる。また、絶縁基板10に誘起された電荷は、導電膜32の凸部36を介して、押さえ板40から放出することができる。そして、シャドウマスク38を使用した真空成膜プロセス(蒸着・スパッタリングなど)を行う。
図6は、真空成膜プロセスで形成された有機エレクトロルミネッセンス素子を示す図である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも発光層44を含み、さらに、電子輸送層46、正孔輸送層48、電子注入層50及び正孔注入層52のうち少なくとも一層を含んでもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する少なくとも一層は、有機材料からなる。その後、公知のプロセスを経て、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルを製造することができる。
図7は、本発明を適用した実施形態の変形例1を説明する図である。この変形例では、絶縁基板110と導電膜132との間に、可視光を吸収する光吸収層154が介在している。有機エレクトロルミネッセンス素子の下には画素電極22(図6参照)があり、画素電極22の下に図示しない反射膜があるが、反射膜は、全面にあるわけではなく、絶縁層28の下には反射膜がない。そのため、光が漏れるのを防止するため、図7に示す例では光吸収層154を設けてある。光吸収層154の材料は、例えば、ブラックマトリクスの材料であってもよく、金属であってもよいし、黒色の顔料が分散された樹脂であってもよい。光吸収層154は、光を反射するのではなく、可視光を吸収するので、光が反射して隣の画素に入射して混色が発生することがない。
図8は、本発明を適用した実施形態の変形例2を説明する図である。この変形例では、導電膜232は、その周縁に沿って一列で並ぶ複数の凸部236を有する。言い換えると、導電膜232は、周縁部のみに凸部236が形成され、中央部には凸部236が形成されないようになっている。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 絶縁基板、12 アンダーコート層、14 半導体層、16 ゲート絶縁膜、18 ゲート電極、20 層間絶縁膜、22 画素電極、24 ソース電極、26 ドレイン電極、28 絶縁層、30 回路層、32 導電膜、34 樹脂部、36 凸部、38 シャドウマスク、40 押さえ板、42 マグネット、44 発光層、46 電子輸送層、48 正孔輸送層、50 電子注入層、52 正孔注入層、110 絶縁基板、132 導電膜、154 光吸収層、232 導電膜、236 凸部。
Claims (4)
- 回路層が一方の面に形成され、前記回路層が形成された前記面とは反対側の面に、凹凸の表面を有する導電膜が積層された絶縁基板を用意する工程と、
シャドウマスクに前記回路層を対向させるように、前記絶縁基板を配置する工程と、
前記シャドウマスクを使用した真空成膜プロセスによって、前記回路層に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
を含み、
前記真空成膜プロセスで、接地された押さえ板を、前記導電膜の前記凹凸の凸部に押さえ付けて、前記回路層を前記シャドウマスクに密着させ、
前記押さえ板は、前記凸部で前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。 - 請求項1に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記絶縁基板と前記導電膜との間に樹脂部が介在し、前記樹脂部によって、前記導電膜に前記凸部が形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。 - 請求項1又は2に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記絶縁基板と前記導電膜との間に、可視光を吸収する光吸収層が介在していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法において、
前記導電膜は、マトリクス状に配列された複数の前記凸部を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
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JP2013155605A JP2015026518A (ja) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
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WO2016178370A1 (ja) * | 2015-05-07 | 2016-11-10 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜電子デバイスの製造方法 |
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