JP2014241280A - Conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 353
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 282
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 132
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 131
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 131
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 68
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 68
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 48
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 16
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 239
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 20
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 17
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 10
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 9
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 8
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 7
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 7
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000008301 phosphite esters Chemical class 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IDJPKRIELSFBPE-UHFFFAOYSA-N 1-(decyldisulfanyl)decane Chemical compound CCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCC IDJPKRIELSFBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IFGAFLQUAVLERP-UHFFFAOYSA-N 1-(heptyldisulfanyl)heptane Chemical compound CCCCCCCSSCCCCCCC IFGAFLQUAVLERP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- SCIGVHCNNXTQDB-UHFFFAOYSA-N decyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCOP(O)(O)=O SCIGVHCNNXTQDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002019 disulfides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N phosphoric Acid Monooctyl Ester Natural products CCCCCCCCOP(O)(O)=O WRKCIHRWQZQBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- GAYUSSOCODCSNF-UHFFFAOYSA-N 1-(dodecyldisulfanyl)dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCC GAYUSSOCODCSNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBWMRCVCQFLOJ-UHFFFAOYSA-N 1-(hexadecyldisulfanyl)hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCCCC GUBWMRCVCQFLOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 1-(hexyldisulfanyl)hexane Chemical compound CCCCCCSSCCCCCC GJPDBURPGLWRPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVWMIWJCGFMMNP-UHFFFAOYSA-N 1-(nonyldisulfanyl)nonane Chemical compound CCCCCCCCCSSCCCCCCCCC AVWMIWJCGFMMNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 1-(octyldisulfanyl)octane Chemical compound CCCCCCCCSSCCCCCCCC AROCLDYPZXMJPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULLWKWAZWYSPDY-UHFFFAOYSA-N 1-(pentadecyldisulfanyl)pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCCC ULLWKWAZWYSPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVHFXVCJLSWJAO-UHFFFAOYSA-N 1-(tetradecyldisulfanyl)tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCCC PVHFXVCJLSWJAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYVIBJKOSSAQLE-UHFFFAOYSA-N 1-(tridecyldisulfanyl)tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCCCC QYVIBJKOSSAQLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMUJKMHJWGHJA-UHFFFAOYSA-N 1-(undecyldisulfanyl)undecane Chemical compound CCCCCCCCCCCSSCCCCCCCCCCC BMMUJKMHJWGHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLXUQEVXPOZLEX-UHFFFAOYSA-N 1-azidododecane phosphoric acid Chemical compound P(=O)(O)(O)O.C(CCCCCCCCCCC)N=[N+]=[N-] YLXUQEVXPOZLEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEIQOMCWGDNMHM-UHFFFAOYSA-N 5-phenylpenta-2,4-dienoic acid Chemical compound OC(=O)C=CC=CC1=CC=CC=C1 FEIQOMCWGDNMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N Heptane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCS VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WDIKJKHYXWFRHH-UHFFFAOYSA-N P(=O)(O)(O)O.C(C)C(CN=[N+]=[N-])CCCC Chemical compound P(=O)(O)(O)O.C(C)C(CN=[N+]=[N-])CCCC WDIKJKHYXWFRHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDKJGWLFTVQKX-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCC)OP([O-])O BBDKJGWLFTVQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCNHRERMIXAWNV-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical class [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])(O)=O LCNHRERMIXAWNV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHHOHNGQKKDACV-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCC)OP([O-])O WHHOHNGQKKDACV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCMXXDUQYNKLFF-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCC)OP([O-])O VCMXXDUQYNKLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABSVCXFRSABJI-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCC)OP([O-])O JABSVCXFRSABJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGWYVIMJNKKREP-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCC)OP([O-])O PGWYVIMJNKKREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOCQFJJKZMSAFS-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCC)OP([O-])O QOCQFJJKZMSAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHSGQYWFMROMEM-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCC)OP([O-])O NHSGQYWFMROMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBVBTOJORQAHGC-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O JBVBTOJORQAHGC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HUVLDTLWPRCHAO-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCC)OP([O-])O HUVLDTLWPRCHAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGMJMJQDQANQDW-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O PGMJMJQDQANQDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USDJMUUIAHZNRQ-UHFFFAOYSA-M [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])(O)=O USDJMUUIAHZNRQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UEYXBKWWHVDYQY-UHFFFAOYSA-N [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O Chemical compound [Na+].C(CCCCCCCCCCCCCC)OP([O-])O UEYXBKWWHVDYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Sn].[Ag] Chemical compound [Pb].[Sn].[Ag] OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethyl prop-2-enoate Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCOC(=O)C=C RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N aldehydo-D-glucose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVACALAUIQMRDF-UHFFFAOYSA-N dodecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O TVACALAUIQMRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSNDQTNQQQNXRN-UHFFFAOYSA-N dodecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(O)O RSNDQTNQQQNXRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N dodecyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010556 emulsion polymerization method Methods 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N ethenyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC=C GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N ethenyl octadecanoate Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC=C AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound O=C.NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- GGKJPMAIXBETTD-UHFFFAOYSA-N heptyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCOP(O)(O)=O GGKJPMAIXBETTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJHVMIKRCDKKFP-UHFFFAOYSA-N heptyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCOP(O)O AJHVMIKRCDKKFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N heptyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCC[Si](OC)(OC)OC VRINOTYEGADLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N hexyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCOP(O)(O)=O PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXLBKTGZGPVJOO-UHFFFAOYSA-N hexyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCOP(O)O QXLBKTGZGPVJOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- ZVEZMVFBMOOHAT-UHFFFAOYSA-N nonane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCS ZVEZMVFBMOOHAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- WYAKJXQRALMWPB-UHFFFAOYSA-N nonyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCOP(O)(O)=O WYAKJXQRALMWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFRMEUNBMFELSC-UHFFFAOYSA-N nonyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCOP(O)O CFRMEUNBMFELSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCRLWVVFAVLSAP-UHFFFAOYSA-N octyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)O KCRLWVVFAVLSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HIEAVKFYHNFZNR-UHFFFAOYSA-N pentadecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O HIEAVKFYHNFZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVPXDTVTJASRN-UHFFFAOYSA-N pentadecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOP(O)O CFVPXDTVTJASRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- KLEHMHBLPUXXPU-UHFFFAOYSA-M sodium;decyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O KLEHMHBLPUXXPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDSVWTAJRNTSSL-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O JDSVWTAJRNTSSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QDZFJQPFGZWVHR-UHFFFAOYSA-M sodium;hexyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCOP(O)([O-])=O QDZFJQPFGZWVHR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DZNVQXUZTZXYPW-UHFFFAOYSA-M sodium;nonyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCOP(O)([O-])=O DZNVQXUZTZXYPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KOJSOGZMZDBNPG-UHFFFAOYSA-M sodium;octyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCOP(O)([O-])=O KOJSOGZMZDBNPG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZGMLVUQCSRECAE-UHFFFAOYSA-M sodium;undecyl hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCOP(O)([O-])=O ZGMLVUQCSRECAE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010558 suspension polymerization method Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- GEKDEMKPCKTKEC-UHFFFAOYSA-N tetradecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCS GEKDEMKPCKTKEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIXEEBVZRZHOS-UHFFFAOYSA-N tetradecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O KRIXEEBVZRZHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKGSOOKRJKXMF-UHFFFAOYSA-N tetradecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOP(O)O ALKGSOOKRJKXMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000597 tin-copper alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPBROXKVGHZHJV-UHFFFAOYSA-N tridecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCS IPBROXKVGHZHJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N tridecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPNIANVWARHPR-UHFFFAOYSA-N tridecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)O BWPNIANVWARHPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAWDTKLQESXBDN-UHFFFAOYSA-N triethoxy(heptyl)silane Chemical compound CCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC SAWDTKLQESXBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZXOVEZAKDRQJC-UHFFFAOYSA-N triethoxy(nonyl)silane Chemical compound CCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZXOVEZAKDRQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJLGWINGXOQWDC-UHFFFAOYSA-N triethoxy(pentadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC ZJLGWINGXOQWDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBWMWJONYVGXGQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(undecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BBWMWJONYVGXGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=CC1=CC=CC=C1 JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCXXOYOABWDYBF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(pentadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC LCXXOYOABWDYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSYYSIXGDAAPNN-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(tridecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC QSYYSIXGDAAPNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIJFLHYUSJKHKV-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(undecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC LIJFLHYUSJKHKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N tris(prop-2-enyl) benzene-1,2,4-tricarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC=C)C(C(=O)OCC=C)=C1 GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N undecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCS CCIDWXHLGNEQSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAIOGRPEROWKJX-UHFFFAOYSA-N undecyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O VAIOGRPEROWKJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVLKOUSZNPHMIY-UHFFFAOYSA-N undecyl dihydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCOP(O)O MVLKOUSZNPHMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles having substrate particles and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、ニッケル層と、該ニッケル層上に形成されており、かつ平均膜厚300Å以下である金層とを備える導電性粒子が開示されている。この導電性粒子では、金層は最外層である。また、この導電性粒子では、X線光電子分光分析による導電性粒子の表面におけるニッケル及び金の元素組成比(Ni/Au)が0.4以下である。
As an example of the conductive particles,
下記の特許文献2には、コア粒子と、該コア粒子の表面上に形成された導電層とを有し、前記コア粒子が樹脂及び金属の少なくともいずれかで形成されており、前記導電層の表面がリン含有疎水性基を有する導電性粒子が開示されている。特許文献2では、上記導電層としては、ニッケルメッキ層及びニッケル/金メッキ層が挙げられている。但し、特許文献2では、上記ニッケル/金メッキ層は例示にすぎず、特許文献2の実施例では、上記ニッケル/金メッキ層を形成した導電性粒子は記載されていない。
The following
特許文献1,2に記載のような従来の導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続して接続構造体を得た場合に、接続抵抗が高くなることがある。さらに、高温高湿度下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製すると、接続抵抗が高くなることがある。また、接続構造体が高温高湿度下などで長期間保管された場合でも、接続抵抗が高くなることがある。
When conventional conductive particles as described in
また、導電性粒子における最外層が金層である場合には、該導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、上記導電性粒子の分散性が低いことがある。 Further, when the outermost layer in the conductive particles is a gold layer, the dispersibility of the conductive particles may be low when the conductive particles are dispersed in the binder resin.
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した接続構造体において、接続抵抗を低くすることができ、更に長期間保管された導電性粒子を用いて接続構造体を作製したり、接続構造体が長期間保管されたりした場合でも、接続抵抗の上昇を抑えることができる導電性粒子を提供すること、並びに上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide a connection structure in which electrodes are electrically connected to each other, the connection resistance can be lowered, and a connection structure can be produced using conductive particles stored for a long period of time. An object of the present invention is to provide conductive particles capable of suppressing an increase in connection resistance even when the body is stored for a long period of time, and to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
また、本発明の限定的な目的は、バインダー樹脂中に分散させて用いられ、バインダー樹脂中での分散性を高めることができる導電性粒子を提供すること、並びに上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 In addition, a limited object of the present invention is to provide conductive particles that are used by being dispersed in a binder resin, and that can enhance the dispersibility in the binder resin, and to provide a conductive material using the conductive particles. It is to provide materials and connection structures.
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置されており、かつニッケルとリンとを含むニッケル層と、前記ニッケル層の外表面上に配置されており、かつ金を含む金層とを備え、前記金層の厚みが20nm以下であり、前記金層の外表面が防錆処理されている、導電性粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the substrate particles are disposed on the surface of the substrate particles, and the nickel layer includes nickel and phosphorus, and are disposed on the outer surface of the nickel layer. And a gold layer containing gold, wherein the gold layer has a thickness of 20 nm or less, and an electrically conductive particle is provided in which the outer surface of the gold layer is rust-proofed.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面が、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the outer surface of the said gold layer is rust-proofed with the compound which has a C6-C22 alkyl group.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量が5重量%以上である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, content of phosphorus is 5 weight% or more in 100 weight% of the said nickel layer whole.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量が10重量%を超える。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, content of phosphorus exceeds 10 weight% in 100 weight% of the said nickel layer whole.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケル層の厚み方向において、リンが、前記基材粒子側よりも前記金層側の方で多く存在するように偏在している。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, phosphorus is unevenly distributed in the thickness direction of the nickel layer so that phosphorus is present more on the gold layer side than on the base particle side.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の厚みが10nm未満である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the thickness of the said gold layer is less than 10 nm.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the outer surface of the said gold layer is rust-proofed with the compound which does not contain phosphorus.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記ニッケル層がコバルトをさらに含む。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said nickel layer further contains cobalt.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記金層が外表面に、複数の突起を有する。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said gold layer has several protrusion on the outer surface.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記金層の外表面上に配置された絶縁物質を備える。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is equipped with the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of the said gold layer.
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including the above-described conductive particles and a binder resin.
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the A connection portion connecting the second connection target member, and the connection portion is formed of the above-described conductive particles or formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin. There is provided a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置されており、かつニッケルとリンとを含むニッケル層と、上記ニッケル層の外表面上に配置されており、かつ金を含む金層とを備えており、更に、上記金層の厚みが20nm以下であり、かつ上記金層の外表面が防錆処理されているので、電極間を電気的に接続した接続構造体において、接続抵抗を低くすることができる。さらに、長期間保管された導電性粒子を用いて接続構造体を作製したり、接続構造体が長期間保管されたりした場合でも、接続抵抗の上昇を抑えることができる。 The conductive particles according to the present invention are disposed on the surface of the substrate particle, the surface of the substrate particle, and the nickel layer containing nickel and phosphorus, and on the outer surface of the nickel layer. In addition, since the gold layer has a thickness of 20 nm or less and the outer surface of the gold layer is rust-proofed, the electrodes are electrically connected. In the connection structure, the connection resistance can be lowered. Furthermore, an increase in connection resistance can be suppressed even when a connection structure is produced using conductive particles stored for a long period of time or when the connection structure is stored for a long period of time.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置されたニッケル層と、上記ニッケル層の外表面上に配置された金層とを備える。上記ニッケル層は、ニッケルとリンとを含む。上記金層は、金を含む。
(Conductive particles)
The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a base material particle, the nickel layer arrange | positioned on the surface of the said base material particle, and the gold layer arrange | positioned on the outer surface of the said nickel layer. The nickel layer includes nickel and phosphorus. The gold layer includes gold.
本発明に係る導電性粒子では、上記金層の厚みは20nm以下である。さらに、本発明に係る導電性粒子では、上記金層の外表面は、防錆処理されている。 In the electroconductive particle which concerns on this invention, the thickness of the said gold layer is 20 nm or less. Furthermore, in the electroconductive particle which concerns on this invention, the outer surface of the said gold layer is rust-proofed.
本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができる。特に、導電層がニッケル層と金層とを有するために、接続抵抗が効果的に低くなる。 By adopting the above-described configuration in the conductive particles according to the present invention, when the electrodes are electrically connected using the conductive particles according to the present invention, the connection resistance can be lowered. In particular, since the conductive layer has a nickel layer and a gold layer, the connection resistance is effectively reduced.
さらに、本発明では、高温高湿度下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製したときに、接続抵抗の上昇を抑えることができる。また、接続構造体が高温高湿度下などで長期間保管された場合でも、接続抵抗の上昇を抑えることができる。特に、本発明に係る導電性粒子では、上記金層の外表面が防錆処理されているため、上記金層の厚みが薄くかつ上記金層の内側にニッケル層があるにもかかわらず、接続抵抗の上昇を抑えることができる。また、上記金層の厚みはかなり薄いために、上記導電性粒子では、ピンホール等の存在によって、ニッケル層が部分的に露出することがある。ニッケル層が部分的に露出していたとしても、上記金層の外表面が防錆処理されているため、接続抵抗の上昇を抑えることができる。 Furthermore, in the present invention, when a connection structure is produced using conductive particles stored for a long time under high temperature and high humidity, an increase in connection resistance can be suppressed. In addition, even when the connection structure is stored for a long time under high temperature and high humidity, an increase in connection resistance can be suppressed. In particular, in the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the gold layer is rust-proofed, so that the thickness of the gold layer is thin and the connection is made even though there is a nickel layer inside the gold layer. An increase in resistance can be suppressed. Further, since the gold layer is quite thin, the nickel layer may be partially exposed in the conductive particles due to the presence of pinholes and the like. Even if the nickel layer is partially exposed, an increase in connection resistance can be suppressed because the outer surface of the gold layer is rust-proofed.
上記導電性粒子は、例えば、上記基材粒子の表面上に上記ニッケル層を配置する工程と、上記ニッケル層の外表面上に上記金層を配置する工程と、上記金層の外表面を防錆処理する工程とを経て得ることができる。 The conductive particles include, for example, a step of disposing the nickel layer on the surface of the substrate particle, a step of disposing the gold layer on the outer surface of the nickel layer, and an outer surface of the gold layer. It can be obtained through a process of rust treatment.
さらに、本発明に係る導電性粒子をバインダー樹脂中に分散させた場合に、上記導電性粒子の上記バインダー樹脂中での分散性を高めることができる。 Furthermore, when the electroconductive particle which concerns on this invention is disperse | distributed in binder resin, the dispersibility in the said binder resin of the said electroconductive particle can be improved.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings. In the referenced drawings, the size and thickness are appropriately changed from the actual size and thickness for convenience of illustration.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.
図1に示すように、導電性粒子1は、基材粒子2と、ニッケル層3と、金層4とを備える。ニッケル層3は、ニッケルとリンとを含む。金層4は、金を含む。金層4の厚みは、20nm以下である。ニッケル層3と金層4とは導電層である。金層4は、導電層における最外層である。導電性粒子1では、多層の導電層が形成されている。
As shown in FIG. 1, the
ニッケル層3は、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と金層4との間に、ニッケル層3が配置されている。金層4は、ニッケル層3の外表面上に配置されている。導電性粒子1は、基材粒子2の表面がニッケル層3及び金層4により被覆された被覆粒子である。
The nickel layer 3 is disposed on the surface of the
図示しないが、金層4の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子1は、金層4の外表面に、防錆膜を備える。
Although not shown, the outer surface of the gold layer 4 is rust-proofed. Therefore, the
導電性粒子1は、芯物質を有さない。導電性粒子1は、導電性の表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。ニッケル層3及び金層4は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子1は、金層4の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。
The
また、ニッケル層3は、導電性粒子1では、基材粒子2の表面上に直接積層されている。基材粒子2とニッケル層3との間に他の導電層が配置されていてもよい。基材粒子2の表面上に、他の導電層を介して、ニッケル層3が配置されていてもよい。
Further, the nickel layer 3 is directly laminated on the surface of the
図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention.
図2に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、ニッケル層22と、金層23と、芯物質24と、絶縁物質25とを備える。ニッケル層22は、ニッケルとリンとを含む。金層23は、金を含む。金層23の厚みは20nm以下である。ニッケル層22は、基材粒子2の表面上に配置されている。金層23は、ニッケル層22の外表面上に配置されている。
A
図示しないが、金層23の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子21は、金層23の外表面に、防錆膜を備える。
Although not shown, the outer surface of the
導電性粒子21は、導電性の表面に突起21aを有する。突起21aは複数である。ニッケル層22及び金層23は外表面に、複数の突起22a,23aを有する。複数の芯物質24が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質24はニッケル層22及び金層23内に埋め込まれている。芯物質24は、突起21a,22a,23aの内側に配置されている。ニッケル層22及び金層23は、複数の芯物質24を被覆している。複数の芯物質24によりニッケル層22及び金層23の外表面が隆起されており、突起21a,22a,23aが形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していてもよい。本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面に突起を有していてもよい。また、本発明に係る導電性粒子は、ニッケル層の外表面に突起を有さず、かつ金層の外表面に突起を有していてもよい。
The
導電性粒子21は、金層23の外表面上に配置された絶縁物質25を有する。金層23の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質25により被覆されている。絶縁物質25は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、金層の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。
The
以下、基材粒子及び導電層の詳細を説明する。 Hereinafter, the details of the substrate particles and the conductive layer will be described.
[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。
[Base material particles]
Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be core-shell particles.
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。 The substrate particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. By using these preferable base particles, conductive particles more suitable for electrical connection between the electrodes can be obtained.
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 When connecting between electrodes using the said electroconductive particle, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, the said electroconductive particle is compressed by crimping | bonding. When the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the connection resistance between electrodes becomes still lower.
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Various organic materials are suitably used as the resin for forming the resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene Oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether ether Tons, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. Resin for forming the resin particles can be designed and synthesized, and the hardness of the base particles can be easily controlled within a suitable range, which is suitable for conductive materials and having physical properties at the time of compression. Is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups.
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having the ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer. And a polymer.
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate Esters; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene Is mentioned.
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanure Silane-containing monomers such as triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane It is done.
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。この無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal particles, examples of the inorganic material for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. . This inorganic substance is preferably not a metal. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell. From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance between the electrodes, the base material particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.
上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。 Examples of the material for forming the organic core include the resin for forming the resin particles described above.
上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼結させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。 Examples of the material for forming the inorganic shell include inorganic substances for forming the above-described base material particles. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core by forming a metal alkoxide into a shell by a sol-gel method and then sintering the shell. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of a silane alkoxide.
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。 When the substrate particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles.
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは2μm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電層の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。 The particle diameter of the substrate particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, further preferably 2 μm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, even when the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive layer is increased, small conductive particles can be obtained.
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle diameter of the base particle indicates a diameter when the base particle is a true sphere, and indicates a maximum diameter when the base particle is not a true sphere.
[導電層]
上記導電性粒子は、上記導電層として、上記ニッケル層を有する。上記ニッケル層には、金属として、ニッケルのみを用いた場合だけでなく、ニッケルと他の金属とを用いた場合も含まれる。上記ニッケル層は、ニッケル合金層であってもよい。
[Conductive layer]
The conductive particles have the nickel layer as the conductive layer. The nickel layer includes not only the case where nickel is used as the metal but also the case where nickel and another metal are used. The nickel layer may be a nickel alloy layer.
上記ニッケル層におけるニッケル以外の金属としては、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム(ITO)等が挙げられる。これらの金属は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of metals other than nickel in the nickel layer include silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, palladium, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, and tungsten. Molybdenum, tin-doped indium oxide (ITO), and the like. As for these metals, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記ニッケル層はニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記ニッケル層全体100重量%中、ニッケルの含有量は50重量%以上であることが好ましい。上記ニッケル層全体100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは65重量%以上、より好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上である。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 The nickel layer preferably contains nickel as a main metal. The content of nickel is preferably 50% by weight or more in 100% by weight of the entire nickel layer. In 100% by weight of the entire nickel layer, the nickel content is preferably 65% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and still more preferably 90% by weight or more. When the nickel content is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes is further reduced.
上記ニッケル層はリンを含む。上記ニッケル層全体100重量%中、リンの含有量は好ましくは2重量%以上、より好ましくは5重量%以上、更に好ましくは10重量%を超え、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下である。リンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗がより一層低くなる。特に、リンの含有量が5重量%以上であると、接続抵抗の信頼性がより一層高くなり、リンの含有量が10重量%を超えると、密着性向上し、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 The nickel layer contains phosphorus. The content of phosphorus is preferably 2% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, still more preferably more than 10% by weight, preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight in 100% by weight of the entire nickel layer. % Or less. When the phosphorus content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance is further lowered. In particular, when the phosphorus content is 5% by weight or more, the reliability of the connection resistance is further increased, and when the phosphorus content exceeds 10% by weight, the adhesion is improved and the reliability of the connection resistance is further improved. It gets even higher.
上記ニッケル層の厚み方向において、基材粒子側(内側)のリンの含有量よりも金層側(外側)のリンの含有量の方が多いように、リンの含有量が勾配を有することが好ましい。上記ニッケル層の厚み方向において、リンが、上記基材粒子側よりも上記金層側の方で多く存在するように偏在していることが好ましい。このような濃度勾配の存在により、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 In the thickness direction of the nickel layer, the phosphorus content may have a gradient so that the phosphorus content on the gold layer side (outside) is higher than the phosphorus content on the base particle side (inside). preferable. In the thickness direction of the nickel layer, phosphorus is preferably unevenly distributed so that more phosphorus is present on the gold layer side than on the base particle side. The existence of such a concentration gradient further increases the reliability of the connection resistance.
上記ニッケル層の厚み方向において、リンが、上記基材粒子側の厚み1/2の領域よりも上記金層側の厚み1/2の領域の方で多く存在するように偏在していることが好ましい。
In the thickness direction of the nickel layer, phosphorus is unevenly distributed so that there is more phosphorus in the region of
上記基材粒子側の厚み1/2の領域全体におけるリンの含有量と、上記金層側の厚み1/2の領域全体におけるリンの含有量との差の絶対値は、好ましくは2重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは19重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。リンの含有量の差の絶対値が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 The absolute value of the difference between the phosphorus content in the entire region having a thickness of 1/2 on the substrate particle side and the phosphorus content in the entire region having a thickness of 1/2 on the gold layer side is preferably 2% by weight. Above, more preferably 5% by weight or more, preferably 19% by weight or less, more preferably 10% by weight or less. When the absolute value of the difference in phosphorus content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the reliability of connection resistance is further enhanced.
上記ニッケル層は、コバルトを含むことが好ましい。上記ニッケル層がコバルトを含むことにより、耐腐食性が向上し、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 The nickel layer preferably contains cobalt. When the nickel layer contains cobalt, the corrosion resistance is improved and the reliability of the connection resistance is further increased.
上記ニッケル層がコバルトを含む場合に、上記ニッケル層全体100重量%中、コバルトの含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.2重量%以上、好ましくは2重量%以下、より好ましくは1重量%以下である。コバルトの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、高温高湿環境での接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。 When the nickel layer contains cobalt, the content of cobalt is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.2% by weight or more, preferably 2% by weight or less, in 100% by weight of the entire nickel layer. More preferably, it is 1% by weight or less. When the cobalt content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the reliability of connection resistance in a high temperature and high humidity environment is further enhanced.
上記ニッケル層の厚みは、好ましくは30nm以上、より好ましくは60nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは100nm以下である。上記ニッケル層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の表面の酸化被膜がより一層効果的に除去され、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記ニッケル層の厚みは、導電性粒子におけるニッケル層の平均厚みを示す。 The thickness of the nickel layer is preferably 30 nm or more, more preferably 60 nm or more, preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less. When the thickness of the nickel layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the oxide film on the surface of the electrode is more effectively removed, and the connection resistance between the electrodes is further reduced. The thickness of the said nickel layer shows the average thickness of the nickel layer in electroconductive particle.
上記導電性粒子は、上記導電層として、上記金層を有する。上記金層には、金属として、金のみを用いた場合だけでなく、金と他の金属とを用いた場合も含まれる。上記金層は、金合金層であってもよい。上記導電性粒子では、導電層の最外層として、金層を備えることが好ましい。上記導電層の最表面に金層が配置されていることが好ましい。 The conductive particles have the gold layer as the conductive layer. The gold layer includes not only the case of using only gold as the metal but also the case of using gold and another metal. The gold layer may be a gold alloy layer. The conductive particles preferably include a gold layer as the outermost layer of the conductive layer. It is preferable that a gold layer is disposed on the outermost surface of the conductive layer.
上記金層における金以外の金属としては、例えば、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム(ITO)等が挙げられる。これらの金属は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the metal other than gold in the gold layer include, for example, silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, palladium, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, and cadmium. , Silicon, tungsten, molybdenum, tin-doped indium oxide (ITO), and the like. As for these metals, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記金層は金を主金属として含むことが好ましい。上記金層全体100重量%中、金の含有量は50重量%以上であることが好ましい。上記金層全体100重量%中、金の含有量は好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上、更に好ましくは99.9重量%以上である。金の含有量が上記下限以上であると、電極と導電性粒子とがより一層適度に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。 The gold layer preferably contains gold as a main metal. The gold content is preferably 50% by weight or more in 100% by weight of the entire gold layer. In 100% by weight of the entire gold layer, the gold content is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and still more preferably 99.9% by weight or more. When the gold content is not less than the above lower limit, the electrode and the conductive particles are more appropriately brought into contact with each other, and the connection resistance between the electrodes is further reduced.
上記金層の厚みは、20nm以下であれば特に限定されない。上記金層の厚みは、好ましくは15nm以下、より好ましくは10nm未満、好ましくは3nm以上、より好ましくは5nm以上である。上記金層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗の上昇を効果的に抑えることができ、更に導電性粒子のバインダー樹脂中での分散性をより一層高めることができる。また、上記金層の厚みが10nm未満であって上記金層の厚みがかなり薄くても、上記金層の外表面が防錆処理されているため、上記金層の厚みが薄くかつ上記金層の内側にニッケル層があるにもかかわらず、接続抵抗の上昇を抑えることができる。 The thickness of the gold layer is not particularly limited as long as it is 20 nm or less. The thickness of the gold layer is preferably 15 nm or less, more preferably less than 10 nm, preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more. When the thickness of the gold layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, an increase in connection resistance can be effectively suppressed, and dispersibility of the conductive particles in the binder resin can be further enhanced. Further, even if the thickness of the gold layer is less than 10 nm and the thickness of the gold layer is very thin, the outer surface of the gold layer is treated with rust prevention, so that the thickness of the gold layer is small and the gold layer In spite of the presence of the nickel layer, the increase in connection resistance can be suppressed.
上記導電層を形成する方法は特に限定されない。上記導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。 The method for forming the conductive layer is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive layer include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating the surface of particles with metal powder or a paste containing metal powder and a binder. Is mentioned. Especially, since formation of the said conductive layer is simple, the method by electroless plating is preferable. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、更に好ましくは5μm以下である。上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。上記導電性粒子の粒子径は3μm以下であることも好ましい。 The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 5 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large, and the conductive Aggregated conductive particles are less likely to be formed when the layer is formed. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the base material particles. The particle diameter of the conductive particles is also preferably 3 μm or less.
上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle diameter of the conductive particles indicates the diameter when the conductive particles are true spherical, and indicates the maximum diameter when the conductive particles are not true spherical.
本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有することが好ましい。上記ニッケル層は、外表面に突起を有することが好ましい。上記金層は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。 The conductive particles according to the present invention preferably have protrusions on the conductive surface. The nickel layer preferably has a protrusion on the outer surface. The gold layer preferably has a protrusion on the outer surface. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. By using conductive particles having conductive protrusions, the oxide particles are effectively eliminated by the protrusions by placing the conductive particles between the electrodes and then pressing them. For this reason, an electrode and electroconductive particle can be contacted still more reliably and the connection resistance between electrodes can be made still lower. Further, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in the resin and used as a conductive material, the conductive particles and the electrodes are insulated by the protrusions of the conductive particles. Substances or resins can be effectively excluded. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved.
上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子1個当たりの上記導電層の外表面の突起は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。 It is preferable that there are a plurality of protrusions. The number of protrusions on the outer surface of the conductive layer per one conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles.
複数の上記突起の平均高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the average height of the protrusions is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.
[芯物質]
上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって、上記導電層(上記金層)が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電層の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
[Core material]
Since the core substance is embedded in the conductive layer, it is easy for the conductive layer (the gold layer) to have a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form protrusions on the surfaces of the conductive particles and the conductive layer, the core substance is not necessarily used.
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電層を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電層を形成する方法等が挙げられる。 As the method for forming the protrusions, a core material is attached to the surface of the base particle, and then a conductive layer is formed by electroless plating, and a conductive layer is formed on the surface of the base particle by electroless plating. Thereafter, a method of attaching a core substance and further forming a conductive layer by electroless plating may be used.
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。 As a method of disposing the core substance on the surface of the base particle, for example, the core substance is added to the dispersion of the base particle, and the core substance is applied to the surface of the base particle, for example, van der Waals force. And a method in which a core substance is added to a container containing base particles, and a core substance is attached to the surface of the base particles by mechanical action such as rotation of the container. . Especially, since the quantity of the core substance to adhere is easy to control, the method of making a core substance accumulate and adhere on the surface of the base particle in a dispersion liquid is preferable.
上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。 Examples of the material constituting the core material include conductive materials and non-conductive materials. Examples of the conductive material include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and the like. Among them, metal is preferable because conductivity can be increased and connection resistance can be effectively reduced. The core substance is preferably metal particles.
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。 Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead. Examples include alloys composed of two or more metals such as alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys, and tungsten carbide. Of these, nickel, copper, silver or gold is preferable. The metal for forming the core material may be the same as or different from the metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably includes a metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably contains nickel. The metal for forming the core substance preferably contains nickel.
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably a lump. Examples of the core substance include a particulate lump, an agglomerate in which a plurality of fine particles are aggregated, and an irregular lump.
上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average diameter (average particle diameter) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the average diameter of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.
上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The “average diameter (average particle diameter)” of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
[絶縁物質]
本発明に係る導電性粒子は、上記導電層(上記金層)の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。
[Insulating material]
The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating substance disposed on the outer surface of the conductive layer (the gold layer). In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. Note that when the conductive particles are pressurized with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrodes can be easily excluded. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating material between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be easily excluded.
電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 It is preferable that the insulating material is an insulating particle because the insulating material can be more easily removed when the electrodes are pressed.
上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, and thermosetting. Resin, water-soluble resin, and the like.
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。 Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Of these, water-soluble resins are preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.
上記導電層の外表面上に絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電層の外表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。 Examples of a method for disposing an insulating material on the outer surface of the conductive layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion, spraying, dipping, and vacuum deposition. Among these, since the insulating substance is difficult to be detached, a method of disposing the insulating substance on the outer surface of the conductive layer through a chemical bond is preferable.
上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電層同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less. When the average diameter of the insulating material is not less than the above lower limit, the conductive layers of the plurality of conductive particles are difficult to contact when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to make the pressure too high in order to eliminate the insulating material between the electrodes and the conductive particles when the electrodes are connected. There is no need for heating.
上記絶縁物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。 The “average diameter (average particle diameter)” of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is obtained using a particle size distribution measuring device or the like.
[防錆処理]
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点から、上記金層の外表面は防錆処理されている。
[Rust prevention treatment]
From the viewpoint of suppressing the corrosion of the conductive particles and further reducing the connection resistance between the electrodes, the outer surface of the gold layer is subjected to a rust prevention treatment.
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金層の外表面は、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記金層の表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数6〜22のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記金層の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、金層の外表面に、防錆膜を形成できる。 From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the outer surface of the gold layer is preferably subjected to a rust prevention treatment with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The surface of the gold layer may be antirust treated with a compound containing no phosphorus, or may be antirust treated with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms and containing no phosphorus. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the outer surface of the gold layer is preferably rust-proofed with an alkyl phosphate compound or an alkyl thiol. By the rust prevention treatment, a rust prevention film can be formed on the outer surface of the gold layer.
上記防錆膜は、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物(以下、化合物Aともいう)により形成されていることが好ましい。上記金層の外表面は、上記化合物Aにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が6以上であると、導電層全体で錆がより一層生じ難くなり、特にニッケル層に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が22以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Aにおける上記アルキル基の炭素数は16以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。 The rust preventive film is preferably formed of a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms (hereinafter also referred to as compound A). The outer surface of the gold layer is preferably surface-treated with the compound A. When the number of carbon atoms of the alkyl group is 6 or more, rust is less likely to occur in the entire conductive layer, and in particular, rust is more unlikely to occur in the nickel layer. When the carbon number of the alkyl group is 22 or less, the conductivity of the conductive particles is increased. From the viewpoint of further improving the conductivity of the conductive particles, the alkyl group in the compound A preferably has 16 or less carbon atoms. The alkyl group may have a linear structure or a branched structure. The alkyl group preferably has a linear structure.
上記化合物Aは、炭素数6〜22のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Aは、炭素数6〜22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数6〜22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数6〜22のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数6〜22のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数6〜22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物Aは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Aの使用により、導電層に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Aは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Aは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The compound A is not particularly limited as long as it has an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The compound A has a phosphate ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, a phosphite ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, and an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. It is preferably at least one selected from the group consisting of alkoxysilanes, alkylthiols having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, and dialkyl disulfides having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. That is, the compound A having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms is at least one selected from the group consisting of phosphate esters or salts thereof, phosphite esters or salts thereof, alkoxysilanes, alkylthiols, and dialkyl disulfides. It is preferable that By using these preferable compounds A, it is possible to further prevent rust from being generated in the conductive layer. From the viewpoint of making rust even more difficult to generate, the compound A is preferably the phosphate ester or salt thereof, phosphite ester or salt thereof, or alkylthiol, and the phosphate ester or salt thereof, Or it is more preferable that it is a phosphite ester or its salt. As for the said compound A, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記化合物Aは、ニッケル層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましく、金層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Aは、上記絶縁物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、金層と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記金層及び上記絶縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、金層に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。 The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the outer surface of the nickel layer, and preferably has a reactive functional group capable of reacting with the outer surface of the gold layer. The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the insulating substance. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the gold layer. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the insulating substance. More preferably, the rust preventive film is chemically bonded to both the gold layer and the insulating material. Due to the presence of the reactive functional group and the chemical bond, the rust preventive film is less likely to be peeled off. It becomes more difficult to detach unintentionally.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphoric acid ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include, for example, phosphoric acid hexyl ester, phosphoric acid heptyl ester, phosphoric acid monooctyl ester, phosphoric acid monononyl ester, phosphoric acid monodecyl ester, Monoundecyl phosphate, monododecyl phosphate, monotridecyl phosphate, monotetradecyl phosphate, monopentadecyl phosphate, monohexyl phosphate monosodium salt, monoheptyl phosphate monosodium Salts, monooctyl phosphate monosodium salt, monononyl phosphate monosodium salt, monodecyl phosphate monosodium salt, monoundecyl phosphate monosodium salt, monododecyl phosphate monosodium salt, Phosphate mono tridecyl ester monosodium salt, phosphate acid mono tetradecyl ester monosodium salt and phosphoric acid mono pentadecyl ester monosodium salt. You may use the potassium salt of the said phosphate ester.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphite ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include, for example, hexyl phosphite ester, heptyl phosphite ester, monooctyl phosphite ester, monononyl phosphite ester, Phosphoric acid monodecyl ester, phosphorous acid monoundecyl ester, phosphorous acid monododecyl ester, phosphorous acid monotridecyl ester, phosphorous acid monotetradecyl ester, phosphorous acid monopentadecyl ester, phosphorous acid monohexyl Ester monosodium salt, phosphorous acid monoheptyl ester monosodium salt, phosphorous acid monooctyl ester monosodium salt, phosphorous acid monononyl ester monosodium salt, phosphorous acid monodecyl ester monosodium salt, phosphorous acid monoun Decyl ester monosodium salt, phosphorous acid Dodecyl ester monosodium salt, phosphorous acid mono-tridecyl ester monosodium salt, phosphorous acid mono-tetradecyl ester monosodium salt and phosphorous acid mono-pentadecyl ester monosodium salt. You may use the potassium salt of the said phosphite.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the alkoxysilane having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, and nonyltri. Methoxysilane, nonyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, undecyltrimethoxysilane, undecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, tridecyltrimethoxysilane, tridecyltriethoxy Examples include silane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, pentadecyltrimethoxysilane, and pentadecyltriethoxysilane.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。 Examples of the alkyl thiol having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyl thiol, heptyl thiol, octyl thiol, nonyl thiol, decyl thiol, undecyl thiol, dodecyl thiol, tridecyl thiol, tetradecyl thiol, pentadecyl. Examples include thiol and hexadecyl thiol. The alkyl thiol preferably has a thiol group at the end of the alkyl chain.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。 Examples of the dialkyl disulfide having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include dihexyl disulfide, diheptyl disulfide, dioctyl disulfide, dinonyl disulfide, didecyl disulfide, diundecyl disulfide, didodecyl disulfide, ditridecyl disulfide, ditetradecyl disulfide. Examples include decyl disulfide, dipentadecyl disulfide, and dihexadecyl disulfide.
(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the conductive particles described above and a binder resin. The conductive particles are preferably used by being dispersed in a binder resin, and are preferably used as a conductive material by being dispersed in a binder resin. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.
上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a light stabilizer. Various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be contained. The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on a conductive film that includes conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.
上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably 99.% or more. It is 99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further increased.
上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, More preferably, it is 10 weight% or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection object members using the conductive particles or using a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the connection portion has the above-described conductivity. The connection structure is preferably formed of particles or formed of a conductive material containing the above-described conductive particles and a binder resin. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.
図3に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。 In FIG. 3, the connection structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention is typically shown with sectional drawing.
図3に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図3では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子21等を用いてもよい。
A
第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。
The first
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×104〜4.9×106Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, the conductive material is disposed between a first connection target member and a second connection target member to obtain a laminate, and then the laminate is heated and pressurized. Methods and the like. The pressure of the pressurization is about 9.8 × 10 4 to 4.9 × 10 6 Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC.
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in an electronic component.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
導電性粒子を得るために、下記の基材粒子を用意した。 In order to obtain conductive particles, the following substrate particles were prepared.
基材粒子A:樹脂粒子;粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)
基材粒子B:有機無機ハイブリッド粒子;粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル(厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子
基材粒子C:樹脂粒子;粒子径が2.25μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子
Base particle A: resin particle; divinylbenzene copolymer resin particle having a particle size of 3.0 μm (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)
Base particle B: organic / inorganic hybrid particle; surface of divinylbenzene copolymer resin particle (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 3.0 μm is used for condensation reaction by sol-gel reaction Core-shell type organic-inorganic hybrid particles coated with an inorganic shell (thickness 250 nm) Base material particle C: resin particle; divinylbenzene copolymer resin particle having a particle diameter of 2.25 μm
防錆処理をするために、以下の防錆剤(化合物)を用いた。 In order to carry out a rust prevention treatment, the following rust preventives (compounds) were used.
防錆剤A:2−エチルヘキシルアジッドホスフェイト
防錆剤B:ラウリルアジッドホスフェイト
防錆剤C:ステアリアジッドホスフェイト
Rust inhibitor A: 2-ethylhexyl azide phosphate Rust inhibitor B: Lauryl azide phosphate Rust inhibitor C: Steariazide phosphate
(実施例1)
(1)ニッケル層の作製
次亜リン酸ナトリウムを含む前期無電解ニッケルめっき液を用意した。さらに、次亜リン酸ナトリウムを含む後期無電解ニッケルめっき液を用意した。前期無電解ニッケルめっき液及び後期無電解ニッケルめっき液に硫酸コバルトを添加して用いた。
Example 1
(1) Preparation of nickel layer An electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite was prepared. Further, a late electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite was prepared. Cobalt sulfate was added to the first electroless nickel plating solution and the second electroless nickel plating solution.
上記基材粒子Aと、硫酸コバルトが添加された前期無電解ニッケルめっき液と硫酸コバルトが添加された後期無電解ニッケルめっき液とを用いて、無電解めっき処理することにより、樹脂粒子の表面上にニッケル層(厚み80nm)が形成された粒子を得た。 By performing electroless plating treatment using the base material particle A, the early electroless nickel plating solution to which cobalt sulfate is added, and the latter electroless nickel plating solution to which cobalt sulfate is added, Particles having a nickel layer (thickness 80 nm) formed thereon were obtained.
(2)金層の形成
無電解金めっき処理することにより、上記ニッケル層の外表面上に金層(厚み9nm)が形成された粒子を得た。
(2) Formation of gold layer Electroless gold plating treatment was performed to obtain particles in which a gold layer (thickness 9 nm) was formed on the outer surface of the nickel layer.
(3)防錆処理
上記防錆剤Aを用いて、粒子を分散させることにより、上記金層の外表面が防錆処理された導電性粒子を得た。
(3) Rust prevention treatment By using the above rust preventive agent A, particles were dispersed to obtain conductive particles whose outer surface of the gold layer was subjected to a rust prevention treatment.
(実施例2〜12)
無電解ニッケルめっき液の組成によってニッケル層におけるニッケル、リン及びコバルトの含有量を下記の表1に示すように設定したこと、ニッケル層及び金層の厚みを下記の表1に示すように設定したこと、並びに防錆剤の種類を下記の表1に示すように設定したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Examples 2 to 12)
According to the composition of the electroless nickel plating solution, the contents of nickel, phosphorus and cobalt in the nickel layer were set as shown in Table 1 below, and the thicknesses of the nickel layer and the gold layer were set as shown in Table 1 below. In addition, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of rust inhibitor was set as shown in Table 1 below.
なお、コバルトを含むニッケル層を形成するために、無電解ニッケルめっき液に硫酸コバルトを添加して用いた。 In addition, in order to form the nickel layer containing cobalt, cobalt sulfate was added to the electroless nickel plating solution.
ニッケル層の厚み方向において濃度勾配を設けなかった実施例8では、実施例1で用いた前期無電解ニッケルめっき液のみ用いて、液中のニッケルイオン濃度とリン濃度とが一定なるように保持して、めっき処理を行った。 In Example 8 where no concentration gradient was provided in the thickness direction of the nickel layer, only the previous electroless nickel plating solution used in Example 1 was used, and the nickel ion concentration and phosphorus concentration in the solution were kept constant. Then, the plating process was performed.
実施例10では、基材粒子として、粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル(厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子B)を用いた。 In Example 10, the surface of divinylbenzene copolymer resin particles having a particle diameter of 3.0 μm (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) is used as a base particle, using a condensation reaction by a sol-gel reaction. Core-shell type organic-inorganic hybrid particles (base particle B) coated with an inorganic shell (thickness 250 nm) were used.
(実施例13)
上記基材粒子Aをエッチングし、水洗した。次に、パラジウム触媒を8重量%含むパラジウム触媒化液100mL中に上記基材粒子Aを添加し、攪拌した。その後、ろ過し、洗浄した。pH6の0.5重量%ジメチルアミンボラン液に上記基材粒子Aを添加し、パラジウムが付着された基材粒子Aを得た。
(Example 13)
The base particle A was etched and washed with water. Next, the base particle A was added to 100 mL of a palladium-catalyzed solution containing 8% by weight of a palladium catalyst and stirred. Then, it filtered and wash | cleaned. The base material particle A was added to a 0.5 wt% dimethylamine borane solution having a pH of 6 to obtain base material particles A to which palladium was attached.
パラジウムが付着された基材粒子Aをイオン交換水300mL中で3分間攪拌し、分散させ、分散液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径100nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを得た。 The base particle A to which palladium was adhered was stirred and dispersed in 300 mL of ion exchange water for 3 minutes to obtain a dispersion. Next, 1 g of metallic nickel particle slurry (average particle size 100 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain substrate particles A to which a core substance was adhered.
芯物質が付着された基材粒子Aを用いて、ニッケル層及び金層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that the nickel layer and the gold layer were formed using the base particle A to which the core substance was attached.
(実施例14)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 14)
To a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, condenser and temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water so that the solid content was 5% by weight, and then at 200 rpm. The mixture was stirred and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, an average particle size of 220 nm, and a CV value of 10%.
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion exchange water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.
実施例13で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 13 were dispersed in 500 mL of ion exchange water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 μm mesh filter, the particles were further washed with methanol and dried to obtain conductive particles having insulating particles attached thereto.
走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coverage of the insulating particles with respect to the area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated to be 30%.
(参考例A)
参考例Aでは、リンを含まないニッケル層を形成した。
(Reference Example A)
In Reference Example A, a nickel layer containing no phosphorus was formed.
無電解ニッケルめっき液の組成によってニッケル層におけるニッケル、ボロン及びコバルトの含有量を下記の表1に示すように設定したこと、ニッケル層及び金層の厚みを下記の表1に示すように設定したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 According to the composition of the electroless nickel plating solution, the contents of nickel, boron and cobalt in the nickel layer were set as shown in Table 1 below, and the thicknesses of the nickel layer and gold layer were set as shown in Table 1 below. Except that, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.
なお、ボロンを含むニッケル層を形成するために、ジメチルアミンボランを含む無電解ニッケルめっき液を用いた。 An electroless nickel plating solution containing dimethylamine borane was used to form a nickel layer containing boron.
(比較例1)
金層の厚みを25nmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 1)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the gold layer was changed to 25 nm.
(比較例2)
防錆処理を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the rust prevention treatment was not performed.
(実施例15)
基材粒子Aを基材粒子Cに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 15)
Except having changed the base material particle A into the base material particle C, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.
(実施例16)
無電解めっきによってニッケル層を形成する際、無電解ニッケルめっき液に硫酸コバルトを添加しなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 16)
When forming the nickel layer by electroless plating, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that cobalt sulfate was not added to the electroless nickel plating solution.
(実施例17)
無電解めっきによってニッケル層を形成する際、次亜リン酸ナトリウムと硫酸コバルトとを含む前期無電解ニッケルめっき液を用いて、ニッケル層の厚みが80nmになるように、液中のニッケルイオン濃度、リン濃度が一定なるように保持して、めっき処理を行ったこと、並びに無電解ニッケルめっき液に硫酸コバルトを添加しなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 17)
When forming a nickel layer by electroless plating, using a previous electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite and cobalt sulfate, the nickel ion concentration in the solution is adjusted so that the thickness of the nickel layer is 80 nm, Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the plating treatment was performed with the phosphorus concentration kept constant, and that cobalt sulfate was not added to the electroless nickel plating solution.
(実施例18〜20)
ニッケル、コバルトの含有量を表1に示すように調整したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Examples 18 to 20)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the contents of nickel and cobalt were adjusted as shown in Table 1.
(評価)
(1)ニッケル層100重量%中のニッケル、リン、ボロン及びコバルトの含有量
集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。透過型電子顕微鏡FE−TEM(日本電子社製「JEM−2010FEF」)を用いて、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)により、ニッケル層におけるニッケル、リン、ボロン及びコバルトの各含有量を測定した。
(Evaluation)
(1) Content of nickel, phosphorus, boron and cobalt in 100% by weight of nickel layer A thin film slice of the obtained conductive particles was prepared using a focused ion beam. Using a transmission electron microscope FE-TEM (“JEM-2010FEF” manufactured by JEOL Ltd.), each content of nickel, phosphorus, boron and cobalt in the nickel layer is measured by an energy dispersive X-ray analyzer (EDS). did.
ニッケル層全体における含有量と、ニッケル層の基材粒子側の厚み1/2の領域における含有量と、ニッケル層の金層側の厚み1/2の領域における含有量とを求めた。
The content of the entire nickel layer, the content of the nickel layer in the region of
(2)バインダー樹脂中での導電性粒子の分散性
得られた導電性粒子を含有量が10重量%となるように、三井化学社製「ストラクトボンドXN−5A」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
(2) Dispersibility of conductive particles in binder resin The obtained conductive particles were added to “Strectbond XN-5A” manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd. and dispersed so that the content was 10% by weight. An anisotropic conductive paste was prepared.
作製直後の異方性導電ペーストを150℃で10秒放置した。放置後の異方性導電ペーストを観察して、バインダー樹脂中での導電性粒子の分散性を下記の基準で判定した。 The anisotropic conductive paste immediately after production was left at 150 ° C. for 10 seconds. The anisotropic conductive paste after standing was observed, and the dispersibility of the conductive particles in the binder resin was determined according to the following criteria.
[バインダー樹脂中での導電性粒子の分散性の判定基準]
○○:粒子1000個中の5個以上凝集物がない
○:粒子1000個中の5個以上凝集物が1〜5個
△:粒子1000個中の5個以上凝集物が6〜10個
×:粒子1000個中の5個以上凝集物が11個以上
[Criteria for dispersibility of conductive particles in binder resin]
◯: There is no aggregate of 5 or more in 1000 particles ○: 1 to 5 aggregates of 5 or more in 1000 particles Δ: 6 to 10 aggregates of 5 or more in 1000 particles × : 11 or more aggregates of 5 or more of 1000 particles
(3)初期の接続抵抗
得られた導電性粒子を含有量が10重量%となるように、三井化学社製「ストラクトボンドXN−5A」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
(3) Initial connection resistance The obtained conductive particles are added to “Strectbond XN-5A” manufactured by Mitsui Chemicals so that the content becomes 10% by weight. Produced.
L/Sが30μm/30μmであるITO電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが30μm/30μmである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。 A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern having an L / S of 30 μm / 30 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern with L / S of 30 μm / 30 μm on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ30μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて異方性導電ペースト層を185℃で硬化させて、接続構造体を得た。 On the said transparent glass substrate, the anisotropic conductive paste immediately after preparation was applied so that it might become thickness of 30 micrometers, and the anisotropic conductive paste layer was formed. Next, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 1 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. It hardened | cured at 185 degreeC and the connection structure was obtained.
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗を、4端子法により測定した。2つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。 The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The average value of the two connection resistances was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The initial connection resistance was determined according to the following criteria.
[初期の接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗が2.0Ω以下
○:接続抵抗が2.0Ωを超え、3.0Ω以下
△:接続抵抗が3.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Initial connection resistance criteria]
○○: Connection resistance is 2.0Ω or less ○: Connection resistance exceeds 2.0Ω, 3.0Ω or less △: Connection resistance exceeds 3.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance exceeds 5.0Ω
(4)信頼性試験後の接続抵抗(導通信頼性)
上記(3)初期の接続抵抗の評価で得られた接続構造体を、85℃及び相対湿度85%の条件で放置した。放置開始から100時間後に、上記(3)初期の接続抵抗の評価と同様に電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。信頼性試験後の接続抵抗を下記の基準で判定した。
(4) Connection resistance after reliability test (conduction reliability)
The connection structure obtained by the above (3) evaluation of the initial connection resistance was left at 85 ° C. and a relative humidity of 85%. 100 hours after the start of standing, the connection resistance between the electrodes was measured by the four-terminal method in the same manner as the above (3) evaluation of the initial connection resistance. The connection resistance after the reliability test was determined according to the following criteria.
[信頼性試験後の接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%未満
○:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が125%以上、150%未満
△:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が150%以上、200%未満
×:接続抵抗(放置前)の平均値に比べ、接続抵抗(放置後)の平均値が200%以上
[Criteria for connection resistance after reliability test]
○○: Less than 125% average connection resistance (after leaving) compared to the average value of connection resistance (before leaving) ○: Average of connection resistance (after leaving) compared to the average value of connection resistance (before leaving) Value: 125% or more and less than 150% Δ: Compared with the average value of connection resistance (before leaving), the average value of connection resistance (after leaving) is 150% or more and less than 200% ×: Average of connection resistance (before leaving) The average value of connection resistance (after leaving) is 200% or more
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
なお、上記(4)信頼性試験後の接続抵抗の評価では、得られた接続構造体を85℃及び相対湿度85%の条件で放置した。接続構造体を得る前の導電性粒子を85℃及び相対湿度85%の条件で放置した後に、接続構造体を得た場合にも、接続抵抗の上昇傾向について、上記(4)信頼性試験後の接続抵抗の評価結果と同様の傾向が見られた。 In the evaluation of the connection resistance after the above (4) reliability test, the obtained connection structure was left under conditions of 85 ° C. and relative humidity 85%. Even after obtaining the connection structure after leaving the conductive particles before obtaining the connection structure under the conditions of 85 ° C. and 85% relative humidity, the above-mentioned (4) after the reliability test The same tendency as the evaluation result of the connection resistance was observed.
参考例Aのニッケルボロンタイプ金めっき粒子では、分散性、初期の接続抵抗、信頼性試験後の接続抵抗のいずれも良好であったが、実施例1の粒子と比較した場合には、若干劣る傾向が見られた。 In the nickel boron type gold-plated particles of Reference Example A, the dispersibility, initial connection resistance, and connection resistance after the reliability test were all good, but slightly inferior when compared with the particles of Example 1. There was a trend.
なお、実施例13,14の導電性粒子では、接続抵抗がかなり低かった。導電層の外表面に突起があるためである。また、実施例14の導電性粒子では、接続されてはならない電極間が接続され難く、絶縁信頼性に優れていた。導電層の外表面に絶縁物質が配置されているためである。 In addition, in the conductive particles of Examples 13 and 14, the connection resistance was considerably low. This is because there are protrusions on the outer surface of the conductive layer. Moreover, in the electroconductive particle of Example 14, it was difficult to connect between the electrodes which should not be connected, and it was excellent in insulation reliability. This is because an insulating material is disposed on the outer surface of the conductive layer.
1…導電性粒子
2…基材粒子
3…ニッケル層
4…金層
21…導電性粒子
21a…突起
22…ニッケル層
22a…突起
23…金層
23a…突起
24…芯物質
25…絶縁物質
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基材粒子の表面上に配置されており、かつニッケルとリンとを含むニッケル層と、
前記ニッケル層の外表面上に配置されており、かつ金を含む金層とを備え、
前記金層の厚みが20nm以下であり、
前記金層の外表面が防錆処理されている、導電性粒子。 Substrate particles,
A nickel layer disposed on the surface of the substrate particles and containing nickel and phosphorus;
A gold layer disposed on the outer surface of the nickel layer and comprising gold;
The gold layer has a thickness of 20 nm or less;
Conductive particles in which the outer surface of the gold layer is rust-proofed.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connecting portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 10, or is formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin.
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013102360 | 2013-05-14 | ||
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JP2014100437A JP6357347B2 (en) | 2013-05-14 | 2014-05-14 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014241280A true JP2014241280A (en) | 2014-12-25 |
JP6357347B2 JP6357347B2 (en) | 2018-07-11 |
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Country Status (1)
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