JP2014241278A - Conductive particles, conductive material, and connection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles having substrate particles and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles. The present invention also relates to a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1では、平均粒径が1〜10μmの基材粒子の表面に、厚さ1〜2nmの下地めっき層と、厚さ20〜100nmの中間めっき層と、厚さ10〜50nmの仕上げめっき層とが順次形成された導電性粒子が開示されている。特許文献1では、上記仕上げめっき層の具体例として、金層及びパラジウム層が挙げられている。特許文献1では、上記基材粒子の表面への上記下地めっき層の形成方法として、スパッタリング法が最適であることが記載されており、更にスパッタリング法以外にも、真空蒸着法やCVD法などの各種めっき法があることが記載される。
As an example of the conductive particles, in
下記の特許文献2には、平均粒径が0.1〜100μmのシリコーンゴム粒子の表面に、貴金属被覆層が物理蒸着法で形成された導電性粒子が開示されている。特許文献2では、上記物理蒸着法としては、真空蒸着法も採用できるが、スパッタリング法を用いることが好ましいことが記載されている。上記貴金属被覆層を形成するための貴金属としては、金、銀、銅、白金、パラジウム及びニッケル等が挙げられている。
特許文献1に記載の導電性粒子では、仕上げめっき層として、パラジウム層を形成して、得られた導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性が低くなるという問題がある。特許文献2に記載の導電性粒子でも、導通信頼性が充分に高くならないことがある。
In the conductive particles described in
本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 The objective of this invention is providing the electroconductive particle which can improve conduction | electrical_connection reliability, when electrodes are electrically connected. Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備え、前記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm2以上であり、前記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、前記パラジウム層100重量%中、パラジウムの含有量が99.9重量%以上である、導電性粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the substrate includes a base particle and a conductive layer disposed on the surface of the base particle, and the compressive elastic modulus when the base particle is compressed by 10% is 1000 N / mm 2. Thus, conductive particles are provided in which the conductive layer has a palladium layer on the outer surface side and the palladium content is 99.9% by weight or more in 100% by weight of the palladium layer.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記パラジウム層の厚みが20nm未満である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the thickness of the said palladium layer is less than 20 nm.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の表面上に直接前記パラジウム層が配置されている。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said palladium layer is directly arrange | positioned on the surface of the said base particle.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又はコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said base particle is a resin particle or a core-shell type organic-inorganic hybrid particle.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、前記有機無機ハイブリッド粒子である。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said base material particle is the said organic-inorganic hybrid particle.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電層が外表面に、複数の突起を有する。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said conductive layer has a some protrusion on the outer surface.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電層の外表面上に配置された絶縁物質を備える。 On the specific situation with the electroconductive particle which concerns on this invention, the said electroconductive particle is equipped with the insulating substance arrange | positioned on the outer surface of the said conductive layer.
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including the above-described conductive particles and a binder resin.
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the A connection portion connecting the second connection target member, and the connection portion is formed of the above-described conductive particles or formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin. There is provided a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と該基材粒子の表面上に配置された導電層とを備え、上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm2以上であり、上記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、上記パラジウム層100重量%中のパラジウムの含有量が99.9重量%以上であるので、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。 The conductive particle according to the present invention includes a base particle and a conductive layer disposed on the surface of the base particle, and a compression elastic modulus when the base particle is compressed by 10% is 1000 N / mm 2 or more. When the conductive layer has a palladium layer on the outer surface side and the palladium content in the palladium layer 100% by weight is 99.9% by weight or more, the electrodes are electrically connected. , Conduction reliability can be improved.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電層とを備える。上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は1000N/mm2以上である。上記導電層は、外表面側にパラジウム層を有する。上記パラジウム層100重量%中、パラジウムの含有量は99.9重量%以上である。
(Conductive particles)
The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a base material particle and the electroconductive layer arrange | positioned on the surface of the said base material particle. The compression elastic modulus (10% K value) when the substrate particles are compressed by 10% is 1000 N / mm 2 or more. The conductive layer has a palladium layer on the outer surface side. In 100% by weight of the palladium layer, the content of palladium is 99.9% by weight or more.
本発明における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。さらに、本発明における上述した構成の採用により、導電性粒子を用いた接続構造体において、冷熱衝撃信頼性を高めることができる。 By employing the above-described configuration in the present invention, conduction reliability can be improved when the electrodes are electrically connected using the conductive particles according to the present invention. Furthermore, by adopting the above-described configuration in the present invention, it is possible to improve the thermal shock reliability in the connection structure using the conductive particles.
上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は1000N/mm2以上である。上記10%K値が高いことは、電極間の導通信頼性の向上に大きく寄与する。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記10%K値は好ましくは1500N/mm2以上、より好ましくは4000N/mm2以上である。上記10%K値の上限は特に限定されない。上記10%K値は15000N/mm2以下であってもよく、10000N/mm2以下であってもよく、6000N/mm2以下であってもよい。 The compression elastic modulus (10% K value) when the substrate particles are compressed by 10% is 1000 N / mm 2 or more. The high 10% K value greatly contributes to the improvement of the conduction reliability between the electrodes. From the viewpoint of enhancing the conduction reliability further, the 10% K value is preferably 1500 N / mm 2 or more, more preferably 4000 N / mm 2 or more. The upper limit of the 10% K value is not particularly limited. The 10% K value may be less than or equal 15000 N / mm 2, may also be 10000 N / mm 2 or less, or may be 6000 N / mm 2 or less.
上記基材粒子における上記圧縮弾性率(10%K値)は、以下のようにして測定できる。 The compression elastic modulus (10% K value) of the substrate particles can be measured as follows.
微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で基材粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。 Using a micro-compression tester, the substrate particles are compressed under the conditions of a smooth indenter end face of a cylinder (diameter 100 μm, made of diamond) at 25 ° C., a compression rate of 0.3 mN / sec, and a maximum test load of 20 mN. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.
10%K値(N/mm2)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:基材粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:基材粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:基材粒子の半径(mm)
10% K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value (N) when the base material particle is 10% compressively deformed
S: Compression displacement (mm) when the substrate particles are 10% compressively deformed
R: radius of base particle (mm)
上記圧縮弾性率は、基材粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。 The compression elastic modulus represents the hardness of the base particle universally and quantitatively. By using the compression elastic modulus, the hardness of the base particle can be expressed quantitatively and uniquely.
上記導電層が単層の導電層である場合には、上記導電層はパラジウム層であり、上記基材粒子の表面上に直接上記パラジウム層が配置されている。上記導電層が多層の導電層である場合には、多層の導電層は、外表面側にパラジウム層を有する。 When the conductive layer is a single conductive layer, the conductive layer is a palladium layer, and the palladium layer is directly disposed on the surface of the base particle. When the conductive layer is a multilayer conductive layer, the multilayer conductive layer has a palladium layer on the outer surface side.
上記パラジウム層100重量%中、パラジウムの含有量は99.9重量%以上である。上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量はかなり高い。上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量がかなり高いことは、電極間の導通信頼性の向上に大きく寄与する。 In 100% by weight of the palladium layer, the content of palladium is 99.9% by weight or more. The palladium content in the palladium layer is quite high. The fact that the palladium content in the palladium layer is quite high greatly contributes to the improvement of the reliability of conduction between the electrodes.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.
図1に示すように、導電性粒子1は、基材粒子2と、導電層3とを備える。導電層3は、パラジウム層である。パラジウム層は最表層である。
As shown in FIG. 1, the
導電層3は、基材粒子2の表面上に直接配置されている。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電層3により被覆された被覆粒子である。
The
導電性粒子1は、芯物質を有さない。導電性粒子1は表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。導電層3は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子1は、導電層3の外表面上に配置された絶縁物質を有していなくてもよい。
The
図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment of the present invention.
図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電層12とを有する。導電層12は、内表面側に第1の導電層12Aと、外表面側に第2の導電層12Bとを有する。第2の導電層12Bは、パラジウム層である。
The conductive particles 11 shown in FIG. 2 have
導電性粒子1と導電性粒子11とでは、導電層のみが異なっている。すなわち、導電性粒子1では、単層の導電層3が形成されているのに対し、導電性粒子11では、多層の導電層12が形成されており、導電層12は第1の導電層12Aと第2の導電層12Bとを有する。
Only the conductive layer is different between the
導電層12は、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電層12Bとの間に、第1の導電層12Aが配置されている。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電層12Aが配置されており、第1の導電層12Aの表面上に第2の導電層12Bが配置されている。
The
図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the third embodiment of the present invention.
図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電層22、芯物質23と、絶縁物質24とを備える。導電層22は、パラジウム層である。導電層22は、基材粒子2の表面上に直接配置されている。
A
導電性粒子21は、導電性の表面に突起21aを有する。突起21aは複数である。導電層22は外表面に、複数の突起22aを有する。複数の芯物質23が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質23は導電層22内に埋め込まれている。芯物質23は、突起21a,22aの内側に配置されている。導電層22は、複数の芯物質23を被覆している。複数の芯物質23により導電層22の外表面が隆起されており、突起21a,22aが形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していてもよい。本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面に突起を有していてもよく、導電層が外表面に突起を有していてもよい。パラジウム層が外表面に突起を有することが好ましい。
The
導電性粒子21は、導電層22の外表面上に配置された絶縁物質24を有する。導電層22の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質24により被覆されている。絶縁物質24は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電層の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。
The
以下、本発明に係る導電性粒子の他の詳細を説明する。 Hereinafter, other details of the conductive particles according to the present invention will be described.
[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。
[Base material particles]
Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metals, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal, or organic-inorganic hybrid particles.
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。 The substrate particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. By using these preferable base particles, conductive particles more suitable for electrical connection between the electrodes can be obtained.
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 When connecting between electrodes using the said electroconductive particle, after arrange | positioning the said electroconductive particle between electrodes, the said electroconductive particle is compressed by crimping | bonding. When the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes still higher.
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Various organic materials are suitably used as the resin for forming the resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene Oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether ether Tons, polyethersulfone, and polymers such as obtained by a variety of polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is polymerized with one or more thereof. Resin for forming the resin particles can be designed and synthesized, and the hardness of the base particles can be easily controlled within a suitable range, which is suitable for conductive materials and having physical properties at the time of compression. Is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups.
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having an ethylenically unsaturated group includes a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable monomer. And so on.
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate Esters; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene Is mentioned.
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanure Silane-containing monomers such as triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane It is done.
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal particles, examples of the inorganic material for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. . The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell.
上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。 Examples of the material for forming the organic core include the resin for forming the resin particles described above.
上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。この無機物は金属ではないことが好ましい。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。 Examples of the material for forming the inorganic shell include inorganic substances for forming the above-described base material particles. This inorganic substance is preferably not a metal. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide.
上記ゾルゲル法の具体的な方法としては、コア、水やアルコール等の溶媒、界面活性剤、及びアンモニア水溶液等の触媒を含む分散液に、テトラエトキシシラン等の無機モノマーを共存させて界面ゾル反応を行う方法、並びに水やアルコール等の溶媒、及びアンモニア水溶液と共存させたテトラエトキシシラン等の無機モノマーによりゾルゲル反応を行った後、コアにゾルゲル反応物をヘテロ凝集させる方法等が挙げられる。上記ゾルゲル法において、上記金属アルコキシドは、加水分解及び重縮合することが好ましい。 As a specific method of the sol-gel method, an interfacial sol reaction is performed by coexisting an inorganic monomer such as tetraethoxysilane in a dispersion containing a core, a solvent such as water or alcohol, a surfactant, and a catalyst such as an aqueous ammonia solution. And a method in which a sol-gel reaction is performed with an inorganic monomer such as tetraethoxysilane coexisting with a solvent such as water or alcohol and an aqueous ammonia solution, and then the sol-gel reaction product is heteroaggregated in the core. In the sol-gel method, the metal alkoxide is preferably hydrolyzed and polycondensed.
上記コアの粒径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは500μm以下、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle size of the core is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, particularly preferably 20 μm or less, and most preferably 10 μm or less. . When the particle size of the core is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, more suitable conductive particles can be obtained by electrical connection between the electrodes, and the base particles can be suitably used for the use of conductive particles. Become. For example, when the core particle size is not less than the lower limit and not more than the upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrodes is sufficiently large, and Aggregated conductive particles are hardly formed when the conductive layer is formed. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the base material particles.
上記コアの粒径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒径測定装置により測定した平均粒径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。 The particle diameter of the core means a diameter when the core is a true sphere, and when the core is a shape other than a true sphere, means a diameter when assuming a true sphere corresponding to the volume. To do. Moreover, the particle size of a core means the average particle size which measured the core with the arbitrary particle size measuring apparatus. For example, a particle size distribution measuring machine using principles such as laser light scattering, electrical resistance value change, and image analysis after imaging can be used.
上記シェルの厚みは、好ましくは100nm以上、より好ましくは200nm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子1個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。 The thickness of the shell is preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. When the thickness of the shell is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, conductive particles more suitable for electrical connection between the electrodes can be obtained, and the base particles can be suitably used for the use of conductive particles. . The thickness of the shell is an average thickness per base particle. The thickness of the shell can be controlled by controlling the sol-gel method.
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。 When the substrate particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the substrate particles are preferably not metal particles.
上記基材粒子の粒子径は、0.1μm以上、5μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が0.1〜5μmの範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電層の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。電極間の間隔をより一層小さくしたり、導電層の厚みを厚くしても、より一層小さい導電性粒子を得たりする観点からは、上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは2μm以上、好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle diameter of the substrate particles is particularly preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is in the range of 0.1 to 5 μm, even when the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive layer is increased, small conductive particles can be obtained. From the viewpoint of obtaining even smaller conductive particles even when the distance between the electrodes is further reduced or the conductive layer is thickened, the average particle diameter of the base particles is preferably 0.5 μm. Above, more preferably 2 μm or more, preferably 3 μm or less. The particle diameter of the base particle indicates a diameter when the base particle is a true sphere, and indicates a maximum diameter when the base particle is not a true sphere.
[導電層]
上記導電層は外表面側にパラジウム層を有する。上記導電層は、パラジウム層以外の導電層(第1の導電層)と、パラジウム層(第2の導電層)とを有していてもよい。
[Conductive layer]
The conductive layer has a palladium layer on the outer surface side. The conductive layer may include a conductive layer (first conductive layer) other than the palladium layer and a palladium layer (second conductive layer).
上記パラジウム層以外の導電層を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。上記導電層中で、これらの金属は合金であってもよい。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、銅又は金が好ましく、ニッケル又は銅がより好ましく、ニッケルが更に好ましい。 The metal for forming the conductive layer other than the palladium layer is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, and molybdenum. , Tin-doped indium oxide (ITO) and solder. In the conductive layer, these metals may be alloys. Especially, since the connection resistance between electrodes can be made still lower, an alloy containing tin, nickel, copper or gold is preferable, nickel or copper is more preferable, and nickel is more preferable.
上記パラジウム層以外の導電層を形成する方法は特に限定されない。上記パラジウム層以外の導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記パラジウム層以外の導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。 The method for forming the conductive layer other than the palladium layer is not particularly limited. Examples of a method for forming a conductive layer other than the palladium layer include a method using electroless plating, a method using electroplating, a method using physical vapor deposition, and a paste containing metal powder or metal powder and a binder. For example, a method of coating the surface. Especially, since formation of electroconductive layers other than the said palladium layer is simple, the method by electroless plating is preferable. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.
上記パラジウム層を形成する方法は、パラジウム層100重量%中のパラジウムの含有量を99.9重量%以上にすることができれば特に限定されない。上記パラジウム層を形成する方法としては、バレルスパッタ法及びイオンプレーティング法等が挙げられる。上記パラジウム層は、パラジウムの含有量を上記下限以上にするために、バレルスパッタ法により形成されていることが好ましく、バレルスパッタ法により形成することが好ましい。 The method for forming the palladium layer is not particularly limited as long as the content of palladium in 100% by weight of the palladium layer can be 99.9% by weight or more. Examples of the method for forming the palladium layer include a barrel sputtering method and an ion plating method. The palladium layer is preferably formed by a barrel sputtering method, and is preferably formed by a barrel sputtering method so that the content of palladium is not less than the above lower limit.
上記バレルスパッタ法の好ましい条件としては、真空度:1×10−3Torr以下、Ar流量:5ccm以下、スパッタリング出力:10W/cm2以上、バレル回転数:1〜10rpm、基材粒子の温度:100℃以上の条件が好ましい。 As preferable conditions of the barrel sputtering method, the degree of vacuum is 1 × 10 −3 Torr or less, the Ar flow rate is 5 ccm or less, the sputtering output is 10 W / cm 2 or more, the barrel rotation speed is 1 to 10 rpm, and the temperature of the base particle is: Conditions of 100 ° C. or higher are preferable.
なお、特に無電解めっきによりパラジウム層を形成する場合には、パラジウム層を形成する前の粒子の表面に触媒を多く付ける必要がある場合がある。従って、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、一般に上記パラジウム層におけるパラジウムの含有量は99.9重量%未満になり、99.9重量%以上にはならない。また、無電解めっき法によってパラジウム層を形成した場合には、パラジウム層中に触媒残渣が多く含まれやすい。 In particular, when the palladium layer is formed by electroless plating, it may be necessary to add a large amount of catalyst to the surface of the particles before forming the palladium layer. Therefore, when the palladium layer is formed by the electroless plating method, the palladium content in the palladium layer is generally less than 99.9% by weight and not 99.9% by weight or more. Moreover, when a palladium layer is formed by an electroless plating method, a lot of catalyst residues are easily contained in the palladium layer.
上記パラジウム層の内表面(上記基材粒子側の表面)から厚み方向に外側に向かって厚み5nmの領域において、上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含まないか、又は上記パラジウム層がパラジウム以外の成分を含みかつ上記パラジウム層に含まれるパラジウム以外の成分の含有量は50ppm以下であることが好ましい。この場合に、上記パラジウム以外の成分としては、例えば触媒残渣等が挙げられる。また、上記パラジウム以外の成分としては、硫黄、塩素、及びスズ等が挙げられる。 In the region having a thickness of 5 nm from the inner surface of the palladium layer (the surface on the substrate particle side) toward the outside in the thickness direction, the palladium layer does not contain any component other than palladium, or the palladium layer is other than palladium. The content of components other than palladium, including the components and contained in the palladium layer, is preferably 50 ppm or less. In this case, examples of the component other than palladium include a catalyst residue. Examples of components other than palladium include sulfur, chlorine, and tin.
上記導電層の厚み(導電層が多層である場合には、導電層全体の厚み)は、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは20nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、更に好ましくは500nm以下、特に好ましくは400nm以下、最も好ましくは300nm以下である。上記パラジウム層の厚みは、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、更に好ましくは20nm以上、特に好ましくは50nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、更に好ましくは500nm以下、特に好ましくは400nm以下、最も好ましくは300nm以下である。上記導電層及び上記パラジウム層の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電層及びび上記パラジウム層の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電層との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電層及びパラジウム層が剥離し難くなる。 The thickness of the conductive layer (when the conductive layer is a multilayer, the total thickness of the conductive layer) is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm. Below, more preferably 800 nm or less, still more preferably 500 nm or less, particularly preferably 400 nm or less, and most preferably 300 nm or less. The thickness of the palladium layer is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, still more preferably 500 nm or less, particularly preferably 400 nm or less, most preferably 300 nm or less. When the thickness of the conductive layer and the palladium layer is equal to or greater than the lower limit, the conductivity of the conductive particles is further improved. When the thickness of the conductive layer and the palladium layer is not more than the above upper limit, the difference in thermal expansion coefficient between the base particle and the conductive layer becomes small, and the conductive layer and the palladium layer are difficult to peel from the base particle.
上記パラジウム層の厚みは20nm未満であってもよい。本発明における上述した構成の採用により、上記パラジウム層の厚みが20nm未満であっても、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。上記パラジウム層の厚みが薄いと、パラジウムの使用量が少なくなり、環境負荷を低減できる。 The thickness of the palladium layer may be less than 20 nm. By adopting the above-described configuration in the present invention, even when the thickness of the palladium layer is less than 20 nm, the conduction reliability between the electrodes can be sufficiently enhanced. When the thickness of the palladium layer is thin, the amount of palladium used is reduced and the environmental load can be reduced.
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、更に好ましくは5μm以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 5 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes is sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and the conductive layer When forming the conductive particles, it becomes difficult to form aggregated conductive particles. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the base material particles.
上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle diameter of the conductive particles indicates the diameter when the conductive particles are true spherical, and indicates the maximum diameter when the conductive particles are not true spherical.
本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有することが好ましい。上記導電層は、外表面に突起を有することが好ましい。上記パラジウム層は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、導電性粒子の導電層の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。 The conductive particles according to the present invention preferably have protrusions on the conductive surface. The conductive layer preferably has a protrusion on the outer surface. The palladium layer preferably has a protrusion on the outer surface. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. Furthermore, an oxide film is often formed on the surface of the conductive layer of the conductive particles. By using conductive particles having conductive protrusions, the oxide particles are effectively eliminated by the protrusions by placing the conductive particles between the electrodes and then pressing them. For this reason, an electrode and electroconductive particle can be contacted still more reliably and the connection resistance between electrodes can be made low. Further, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in the resin and used as a conductive material, the conductive particles and the electrodes are insulated by the protrusions of the conductive particles. Substances or resins can be effectively excluded. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved.
上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子1個当たりの上記導電層の外表面の突起は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。 It is preferable that there are a plurality of protrusions. The number of protrusions on the outer surface of the conductive layer per one conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles.
複数の上記突起の平均高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the average height of the protrusions is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively reduced.
[芯物質]
上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって、上記導電層が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電層の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
[Core material]
Since the core substance is embedded in the conductive layer, it is easy for the conductive layer to have a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form protrusions on the surfaces of the conductive particles and the conductive layer, the core substance is not necessarily used.
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、バレルスパッタ法により導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面にバレルスパッタ法により導電層を形成した後、芯物質を付着させ、更にバレルスパッタ法により導電層を形成する方法等が挙げられる。 As the method for forming the protrusions, a core material is attached to the surface of the base particle, and then a conductive layer is formed by barrel sputtering, and a conductive layer is formed by barrel sputtering on the surface of the base particle. Thereafter, a method of attaching a core substance and further forming a conductive layer by barrel sputtering may be used.
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、乾燥させて付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、乾燥させて付着させる方法が好ましい。 As a method of disposing the core substance on the surface of the base particle, for example, the core substance is added to the dispersion of the base particle, and the core substance is applied to the surface of the base particle, for example, van der Waals force. And a method of attaching the core material to the surface of the base material particles by adding a core material to the container containing the base material particles and mechanically acting by rotating the container, etc. Is mentioned. Especially, since the quantity of the core substance to adhere is easy to control, the method of accumulating a core substance on the surface of the base particle in a dispersion liquid, and making it adhere by drying is preferable.
上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。 Examples of the material constituting the core material include conductive materials and non-conductive materials. Examples of the conductive material include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and the like. Among them, metal is preferable because conductivity can be increased and connection resistance can be effectively reduced. The core substance is preferably metal particles.
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。 Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead. Examples include alloys composed of two or more metals such as alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys, and tungsten carbide. Of these, nickel, copper, silver or gold is preferable. The metal for forming the core material may be the same as or different from the metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably includes a metal for forming the conductive layer. The metal for forming the core substance preferably contains nickel. The metal for forming the core substance preferably contains nickel.
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core substance is preferably a lump. Examples of the core substance include a particulate lump, an agglomerate in which a plurality of fine particles are aggregated, and an irregular lump.
上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。 The average diameter (average particle diameter) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the average diameter of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes can be effectively reduced.
上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The “average diameter (average particle diameter)” of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
[絶縁物質]
本発明に係る導電性粒子は、上記導電層の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。上記絶縁物質が、パラジウム層の外表面上に配置されていることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電層の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。
[Insulating material]
The conductive particles according to the present invention preferably include an insulating substance disposed on the outer surface of the conductive layer. The insulating material is preferably disposed on the outer surface of the palladium layer. In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. Note that when the conductive particles are pressurized with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrodes can be easily excluded. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating material between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be easily excluded.
電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 It is preferable that the insulating material is an insulating particle because the insulating material can be more easily removed when the electrodes are pressed.
上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, and thermosetting. Resin, water-soluble resin, and the like.
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。 Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Of these, water-soluble resins are preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.
上記導電層の表面上に絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電層の表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。 Examples of a method for disposing an insulating material on the surface of the conductive layer include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion, spraying, dipping, and vacuum deposition. In particular, since the insulating substance is difficult to be detached, a method of disposing the insulating substance on the surface of the conductive layer through a chemical bond is preferable.
上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電層同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less. When the average diameter of the insulating material is not less than the above lower limit, the conductive layers of the plurality of conductive particles are difficult to contact when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to make the pressure too high in order to eliminate the insulating material between the electrodes and the conductive particles when the electrodes are connected. There is no need for heating.
上記絶縁物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。 The “average diameter (average particle diameter)” of the insulating material indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is obtained using a particle size distribution measuring device or the like.
[防錆処理]
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電層の外表面は防錆処理されていることが好ましく、上記パラジウム層の外表面は防錆処理されていることが好ましい。
[Rust prevention treatment]
From the viewpoint of suppressing the corrosion of the conductive particles and further reducing the connection resistance between the electrodes, the outer surface of the conductive layer is preferably treated with rust, and the outer surface of the palladium layer is treated with rust. It is preferable.
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記パラジウム層の外表面は、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記パラジウム層の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、パラジウム層の表面に、防錆膜を形成できる。 From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the outer surface of the palladium layer is preferably subjected to a rust prevention treatment with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the outer surface of the palladium layer is preferably rust-proofed with an alkyl phosphate compound or an alkyl thiol. By the rust prevention treatment, a rust prevention film can be formed on the surface of the palladium layer.
上記防錆膜は、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物(以下、化合物Aともいう)により形成されていることが好ましい。上記パラジウム層の外表面は、上記化合物Aにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が6以上であると、銅層の外表面に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が22以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Aにおける上記アルキル基の炭素数は16以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。 The rust preventive film is preferably formed of a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms (hereinafter also referred to as compound A). The outer surface of the palladium layer is preferably surface-treated with the compound A. When the carbon number of the alkyl group is 6 or more, rust is more unlikely to occur on the outer surface of the copper layer. When the carbon number of the alkyl group is 22 or less, the conductivity of the conductive particles is increased. From the viewpoint of further improving the conductivity of the conductive particles, the alkyl group in the compound A preferably has 16 or less carbon atoms. The alkyl group may have a linear structure or a branched structure. The alkyl group preferably has a linear structure.
上記化合物Aは、炭素数6〜22のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Aは、炭素数6〜22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数6〜22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数6〜22のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数6〜22のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数6〜22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物Aは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Aの使用により、パラジウム層に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Aは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Aは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The compound A is not particularly limited as long as it has an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The compound A has a phosphate ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, a phosphite ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, and an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. It is preferably at least one selected from the group consisting of alkoxysilanes, alkylthiols having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, and dialkyl disulfides having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. That is, the compound A having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms is at least one selected from the group consisting of phosphate esters or salts thereof, phosphite esters or salts thereof, alkoxysilanes, alkylthiols, and dialkyl disulfides. It is preferable that By using these preferable compounds A, it is possible to further prevent rust from being generated in the palladium layer. From the viewpoint of making rust even more difficult to generate, the compound A is preferably the phosphate ester or salt thereof, phosphite ester or salt thereof, or alkylthiol, and the phosphate ester or salt thereof, Or it is more preferable that it is a phosphite ester or its salt. As for the said compound A, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記化合物Aは、銅層の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Aは、上記絶縁物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、パラジウム層と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記パラジウム層及び上記絶縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、パラジウム層に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。 The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the outer surface of the copper layer. The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the insulating substance. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the palladium layer. The rust preventive film is preferably chemically bonded to the insulating substance. More preferably, the rust preventive film is chemically bonded to both the palladium layer and the insulating material. Due to the presence of the reactive functional group and the chemical bond, the rust preventive film is less likely to be peeled off. As a result, the palladium layer is more unlikely to rust, and the insulating material is exposed from the surface of the conductive particles. It becomes more difficult to detach unintentionally.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphoric acid ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include, for example, phosphoric acid hexyl ester, phosphoric acid heptyl ester, phosphoric acid monooctyl ester, phosphoric acid monononyl ester, phosphoric acid monodecyl ester, Monoundecyl phosphate, monododecyl phosphate, monotridecyl phosphate, monotetradecyl phosphate, monopentadecyl phosphate, monohexyl phosphate monosodium salt, monoheptyl phosphate monosodium Salts, monooctyl phosphate monosodium salt, monononyl phosphate monosodium salt, monodecyl phosphate monosodium salt, monoundecyl phosphate monosodium salt, monododecyl phosphate monosodium salt, Phosphate mono tridecyl ester monosodium salt, phosphate acid mono tetradecyl ester monosodium salt and phosphoric acid mono pentadecyl ester monosodium salt. You may use the potassium salt of the said phosphate ester.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。 Examples of the phosphite ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include, for example, hexyl phosphite ester, heptyl phosphite ester, monooctyl phosphite ester, monononyl phosphite ester, Phosphoric acid monodecyl ester, phosphorous acid monoundecyl ester, phosphorous acid monododecyl ester, phosphorous acid monotridecyl ester, phosphorous acid monotetradecyl ester, phosphorous acid monopentadecyl ester, phosphorous acid monohexyl Ester monosodium salt, phosphorous acid monoheptyl ester monosodium salt, phosphorous acid monooctyl ester monosodium salt, phosphorous acid monononyl ester monosodium salt, phosphorous acid monodecyl ester monosodium salt, phosphorous acid monoun Decyl ester monosodium salt, phosphorous acid Dodecyl ester monosodium salt, phosphorous acid mono-tridecyl ester monosodium salt, phosphorous acid mono-tetradecyl ester monosodium salt and phosphorous acid mono-pentadecyl ester monosodium salt. You may use the potassium salt of the said phosphite.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the alkoxysilane having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, and nonyltri. Methoxysilane, nonyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, undecyltrimethoxysilane, undecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, tridecyltrimethoxysilane, tridecyltriethoxy Examples include silane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, pentadecyltrimethoxysilane, and pentadecyltriethoxysilane.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。 Examples of the alkyl thiol having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyl thiol, heptyl thiol, octyl thiol, nonyl thiol, decyl thiol, undecyl thiol, dodecyl thiol, tridecyl thiol, tetradecyl thiol, pentadecyl. Examples include thiol and hexadecyl thiol. The alkyl thiol preferably has a thiol group at the end of the alkyl chain.
上記炭素数6〜22のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。 Examples of the dialkyl disulfide having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include dihexyl disulfide, diheptyl disulfide, dioctyl disulfide, dinonyl disulfide, didecyl disulfide, diundecyl disulfide, didodecyl disulfide, ditridecyl disulfide, ditetradecyl disulfide. Examples include decyl disulfide, dipentadecyl disulfide, and dihexadecyl disulfide.
(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the conductive particles described above and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.
上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a light stabilizer. Various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be contained.
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on a conductive film that includes conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.
上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably 99.% or more. It is 99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further increased.
上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, More preferably, it is 10 weight% or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection object members using the conductive particles or using a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the connection portion has the above-described conductivity. The connection structure is preferably formed of particles or formed of a conductive material containing the above-described conductive particles and a binder resin. In the case where conductive particles are used, the connection portion itself is conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.
図4に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。 In FIG. 4, the connection structure using the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention is typically shown with sectional drawing.
図4に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図4では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子11,21等を用いてもよい。
4 includes a first
第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。
The first
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×104〜4.9×106Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, the conductive material is disposed between a first connection target member and a second connection target member to obtain a laminate, and then the laminate is heated and pressurized. Methods and the like. The pressure of the pressurization is about 9.8 × 10 4 to 4.9 × 10 6 Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC.
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in an electronic component.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル(厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子)を用意した。
Example 1
The surface of divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle diameter of 3.0 μm was coated with an inorganic shell (thickness 250 nm) using a condensation reaction by sol-gel reaction. Core-shell type organic-inorganic hybrid particles (base material particles) were prepared.
基材粒子として上記有機無機ハイブリッド粒子を用いて、バレルスパッタすることにより、基材粒子の表面上にパラジウム層(厚み20nm)を形成した。バレルスパッタの条件は、真空度:5×10−4Torr以下、Ar流量:3ccm以下、スパッタリング出力:50W/cm2以上、バレル回転数:6rpm、基材粒子の温度:150℃に設定した。その後、炭素数6〜22のアルキル基を有する化合物を用いて、防錆処理することにより、導電性粒子を得た。
A palladium layer (
(実施例2)
粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。
(Example 2)
Divinylbenzene copolymer resin particles having a particle size of 3.0 μm (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were prepared.
基材粒子を上記樹脂粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles were changed to the resin particles.
(実施例3)
パラジウム層を形成する際に、パラジウム層の厚みを5nmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
Example 3
When forming the palladium layer, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the palladium layer was changed to 5 nm.
(実施例4)
実施例1で得られた有機無機ハイブリッド粒子を用意した。この有機無機ハイブリッド粒子をエッチングし、水洗した。次に、得られた有機無機ハイブリッド粒子及び分散剤を含む分散液と、平均粒径が50〜200nmであるニッケルナノ粒子を含む高分散性のニッケルナノペーストとを混合して、上記有機無機ハイブリッド粒子の表面に、ヘテロ凝集によりニッケルナノ粒子を付着させた。次に、固液分離した後、50℃で5時間真空乾燥を行い、芯物質が付着された有機無機ハイブリッド粒子を得た。
Example 4
The organic-inorganic hybrid particles obtained in Example 1 were prepared. The organic / inorganic hybrid particles were etched and washed with water. Next, the obtained organic-inorganic hybrid particles and a dispersion containing the dispersant are mixed with a highly dispersible nickel nanopaste containing nickel nanoparticles having an average particle size of 50 to 200 nm, and the organic-inorganic hybrid is mixed. Nickel nanoparticles were attached to the surface of the particles by heteroaggregation. Next, after solid-liquid separation, vacuum drying was performed at 50 ° C. for 5 hours to obtain organic-inorganic hybrid particles to which a core substance was adhered.
基材粒子を上記芯物質が付着された有機無機ハイブリッド粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles were changed to organic-inorganic hybrid particles to which the core substance was attached.
(実施例5)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 5)
To a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, condenser and temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water so that the solid content was 5% by weight, and then at 200 rpm. The mixture was stirred and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, an average particle size of 220 nm, and a CV value of 10%.
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion exchange water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of insulating particles.
実施例4で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 4 were dispersed in 500 mL of ion exchange water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 μm mesh filter, the particles were further washed with methanol and dried to obtain conductive particles having insulating particles attached thereto.
走査電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coverage of the insulating particles with respect to the area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated to be 30%.
(比較例1)
粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)3gに対し、アルカリ脱脂を施した後、酸で中和した。pH6.0に調整したカチオン性高分子液100mLに、上記樹脂粒子を添加し、60℃で1時間攪拌した。その後、直径3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で濾過し、水洗を行った。パラジウム触媒(アトテックジャパン社製「アトテックネネオガント834」)8重量%を含むパラジウム触媒化液100mLに、水洗後の樹脂粒子を添加し、35℃で30分攪拌した。その後、直径3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で濾過し、水洗した。パラジウム触媒液へ繰り返し樹脂粒子を添加して、樹脂粒子の表面に十分な量のパラジウム触媒を付与した。次に、水洗後の樹脂粒子をpH6.0に調整した次亜リン酸ナトリウム液3g/Lに添加し、表面が活性化された樹脂粒子(コア粒子)を得た。その後、表面が活性化された樹脂粒子を蒸留水に浸漬し、超音波分散させた。上記の液を直径3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で濾過し、無電解パラジウムめっき液(小島化学薬品社製「パレット」)に、70℃の条件で、表面が活性化された樹脂粒子を浸漬し、無電解パラジウムめっきを行い、樹脂粒子の表面に上、厚み20nmのパラジウム層を形成した。その後、直径3μmのメンブレンフィルタ(ミリポア社製)で濾過し、水洗を3回行った。40℃で7時間真空乾燥した後、解砕により凝集を解して、樹脂粒子の表面上に、厚み20nmのパラジウム層を有する導電性粒子を作製した。
(Comparative Example 1)
Alkaline degreasing was performed on 3 g of divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 3.0 μm, and then neutralized with an acid. The resin particles were added to 100 mL of the cationic polymer solution adjusted to pH 6.0, and stirred at 60 ° C. for 1 hour. Thereafter, the mixture was filtered through a membrane filter having a diameter of 3 μm (manufactured by Millipore) and washed with water. The resin particles after washing with water were added to 100 mL of a palladium-catalyzed solution containing 8% by weight of a palladium catalyst (“Atotech Neneogant 834” manufactured by Atotech Japan), and the mixture was stirred at 35 ° C. for 30 minutes. Thereafter, the solution was filtered through a membrane filter (manufactured by Millipore) having a diameter of 3 μm and washed with water. Resin particles were repeatedly added to the palladium catalyst solution to give a sufficient amount of palladium catalyst to the surface of the resin particles. Next, the resin particles after washing with water were added to 3 g / L of sodium hypophosphite solution adjusted to pH 6.0 to obtain resin particles (core particles) whose surfaces were activated. Thereafter, the resin particles whose surface was activated were immersed in distilled water and ultrasonically dispersed. The above solution is filtered through a membrane filter (made by Millipore) having a diameter of 3 μm, and the resin particles whose surface is activated are applied to an electroless palladium plating solution (“Palette” made by Kojima Chemical Co., Ltd.) at 70 ° C. Immersion and electroless palladium plating were performed to form a 20 nm thick palladium layer on the surface of the resin particles. Thereafter, the mixture was filtered with a membrane filter having a diameter of 3 μm (manufactured by Millipore), and washed with water three times. After vacuum drying at 40 ° C. for 7 hours, aggregation was broken by pulverization to produce conductive particles having a palladium layer with a thickness of 20 nm on the surface of the resin particles.
(比較例2)
シリコーンゴム粒子の調製
下記式(1)で表されるメチルビニルシロキサン(粘度600cP)500gと、下記式(2)で表されるメチルビニルシロキサン(粘度30cP)20gとを用意した。
(Comparative Example 2)
Preparation of Silicone Rubber Particles 500 g of methyl vinyl siloxane (viscosity 600 cP) represented by the following formula (1) and 20 g of methyl vinyl siloxane (
上記式(1)で表されるメチルビニルシロキサン(粘度600cP)500gと、上記式(2)で表されるメチルビニルシロキサン(粘度30cP)20gとを、1Lのガラスビーカーに入れ、ホモミキサーを用いて、2000rpmで撹拌混合した。その後、ポリオキシエチレン(付加モル数=9モル)オクチルフェニルエーテル1g、及び水150gを加えて、6000rpmで撹拌を継続した。この結果、転相が起り、増粘が認められたが、更にそのまま2000rpmで撹拌を行ないながら、水329gを加えて、O/W型エマルジョンを得た。
500 g of methyl vinyl siloxane (viscosity 600 cP) represented by the above formula (1) and 20 g of methyl vinyl siloxane (
次いで、得られたエマルジョンを、錨型撹拌翼による撹拌装置の付いたガラスフラスコに移し、室温(25℃)で撹拌下に、塩化白金酸−オレフィン錯体のトルエン溶液(白金含有量0.05重量%)1gとポリオキシエチレン(付加モル数=9モル)オクチルフェニルエーテル5gとの混合物を添加し、12時間反応を行い、分散液Aを得た。 Next, the obtained emulsion was transferred to a glass flask equipped with a stirrer with a vertical stirring blade, and stirred at room temperature (25 ° C.) under a toluene solution of a chloroplatinic acid-olefin complex (platinum content 0.05 weight). %) 1 g and 5 g of polyoxyethylene (added mole number = 9 mol) octylphenyl ether were added and reacted for 12 hours to obtain dispersion A.
得られた分散液A中の粒子の平均粒径をコールターカウンター(コールターエレクトロニクス社製)を用いて測定したところ、3μmであった。またこの分散液A数gを風乾して、弾性のある白色のゴム粉末(ゴム粒子(1))を得た。 It was 3 micrometers when the average particle diameter of the particle | grains in the obtained dispersion liquid A was measured using the Coulter counter (made by Coulter Electronics Co., Ltd.). Further, several g of this dispersion A was air-dried to obtain elastic white rubber powder (rubber particles (1)).
さらに、3Lのガラスフラスコに、水2290g、上記分散液A580g、及びアンモニア水(濃度28重量%)60gを入れ、水温を10℃とし、翼回転数200rpmの条件で、錨型撹拌翼により撹拌を行った。このときの液のpHは11.2であった。この液にメチルトリメトキシシラン65gを20分かけて滴下し、滴下中に液温を5〜15℃に保ち、更に4時間撹拌を行った。その後、55〜60℃まで加熱し、引き続き1時間撹拌を行い、得られた液を、加圧ろ過器を用いて水の含有量が約30重量%であるケーキ状物とした。次いで、このケーキ状物を、熱風循環乾燥機中で105℃の温度で乾燥し、乾燥物をジェットミルで解砕した。得られた粒子(ゴム粒子(2))を光学顕微鏡で観察したところ、この粒子は球状粒子であった。また、界面活性剤を用いて水に分散させて、粒子の平均粒径をコールターカウンターを用いて測定したところ、粒子の平均粒径は3μmであった。なお、このゴム粒子(2)を構成するシロキサン単位中の88モル%が、ジメチルシロキサン単位であった。 Further, 2290 g of water, 580 g of the above dispersion A, and 60 g of ammonia water (concentration: 28% by weight) are placed in a 3 L glass flask, the water temperature is set to 10 ° C., and stirring is performed with a vertical stirring blade at a blade rotation speed of 200 rpm. went. The pH of the liquid at this time was 11.2. To this liquid, 65 g of methyltrimethoxysilane was dropped over 20 minutes, and the liquid temperature was kept at 5 to 15 ° C. during the dropping, and stirring was further performed for 4 hours. Thereafter, the mixture was heated to 55 to 60 ° C. and subsequently stirred for 1 hour, and the obtained liquid was made into a cake-like product having a water content of about 30% by weight using a pressure filter. Next, the cake was dried at a temperature of 105 ° C. in a hot air circulating dryer, and the dried product was crushed by a jet mill. When the obtained particles (rubber particles (2)) were observed with an optical microscope, the particles were spherical particles. Further, when dispersed in water using a surfactant and the average particle size of the particles was measured using a Coulter counter, the average particle size of the particles was 3 μm. In addition, 88 mol% in the siloxane unit which comprises this rubber particle (2) was a dimethylsiloxane unit.
比較例1では、上記ゴム粉末(2)の表面をパラジウムで被覆した。パラジウムによる被覆は、特許第2909744号公報に記載の装置を用いて行った。 In Comparative Example 1, the surface of the rubber powder (2) was coated with palladium. The coating with palladium was performed using an apparatus described in Japanese Patent No. 2909744.
この装置の略図を図5に示す。また、図6は図5のII−II線に沿う断面図である。 A schematic of this device is shown in FIG. FIG. 6 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
装置の要部は、減圧加熱処理室1、回転式バレル型スパッタリング室2、流体ジェットミル3及び粉末フィルター付捕集器4により構成されている。減圧加熱処理室1は、電気抵抗加熱される容器であって、フィルター5を介して主排気系6及び高度排気系7に連通する。減圧加熱処理室1は減圧加熱処理した微粉末8を回転式バレル型スパッタリング室2に送入する導管10へ落下させるためのスクリューフィーダー9と、これを回転するモーター40とを備える。回転式バレル型スパッタリング室2は、図6に示すように、ボールミルのような構造の回転円筒体であって、支持ロール13と回転モーター14とベルト15とによって回転させられ、制御される。その一方の側壁には、回転軸として機能する軸受機構30を介してシャフト12が挿入され、その先端にターゲット50が対峙して保持されている。また、反対側の側壁からは、回転軸として機能する同様の軸受機構30を介して減圧加熱処理室1に連通する導管10が挿入されている。導管10は、不活性ガス送入パイプ19、排気系6,7に連通している。なお、減圧加熱処理室1と流体ジェットミル3とは、回転式バレル型スパッタリング室2を介して連結する。導管10,11はそれぞれ、弁121及び122を備える。流体ジェットミル3は、モーター20によって高速回転するプロペラ21を備える。流体ジェットミル3の排出側は、弁22を備えた微粉末循環パイプ23に連通し、更に減圧加熱処理室1に連通する。この微粉末循環パイプ23の弁22の下部側から弁24を備えた分岐管により粉末フィルター付捕集器4に連通する。この粉末フィルター付捕集器4は円筒形フィルター25を介して排気系26に連なっている。
The main part of the apparatus includes a reduced pressure
先ず、ゴム粒子(2)500gを回転式バレル型スパッタリング室2に入れ、次いで減圧加熱処理室1を2×10−2Torrに減圧し、弁121を閉じ、弁122を解放して、減圧加熱処理室1とスパッタリング室2との連絡を遮断した。その後、アルゴンガスを不活性ガス送入パイプ19より徐々に送入することによって流体ジェットミル3に搬送し、流体ジェットミル3を使用してゴム粒子(2)を一次粒子に分散し、これを減圧加熱処理室1に捕集した。捕集した微粉末を2×10−2Torrに減圧しつつ、ヒーターで200℃に加熱して、乾燥及び脱ガスを30分間行った。次に、あらかじめアルゴンガスで置換された後に脱気された回転式バレル型スパッタリング室2に微粉末を移送した。移送後、回転式バレル型スパッタリング室2を回転数5rpmで回転しつつ、パラジウムターゲットを使用し、2×10−2Torrの減圧下で二極方式マグネトロン方式によるスパッタリング(電力3kW×2個、周波数13.56MHz)を開始した。1時間でスパッタリング処理後のシリコーンゴム粒子全体の約10重量%のパラジウムが、被覆により形成された。スパッタリングを中止して、前述の流体ジェットミル3により分散及び減圧加熱処理を行った後、再び回転式バレル型スパッタリング室2に移送し、パラジウムのスパッタリングを1時間行った。この工程を5回繰り返してパラジウムを被覆した。スパッタリングによる被覆作業終了後は、不活性ガス送入パイプ19を通して回転式バレル型スパッタリング室2にアルゴンガスを導入しつつ、微粉末を含むアルゴンガス流を粉末フィルター付捕集器4に送り込んで、パラジウム被覆済みのシリコーンゴム粉末(導電性粒子)を得た。
First, 500 g of rubber particles (2) are put into the rotary barrel
(実施例6)
樹脂粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1400N/mm2である樹脂粒子に変更したこと以外は実施例2と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 6)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 2 except that the resin particles were changed to resin particles having a compression modulus of 1400 N / mm 2 when compressed by 10%.
(参考例A)
比較例1の導電性粒子1gを蒸留水1000mL(比抵抗18MΩ)に分散させ、撹拌機付オートクレーブに入れて0.1MPaの加圧下、121℃で10時間攪拌洗浄した。その後、濾別乾燥させて、導電性粒子を得た。
(Reference Example A)
1 g of the conductive particles of Comparative Example 1 was dispersed in 1000 mL of distilled water (
(実施例7)
攪拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン4.1gと、ビニルトリメトキシシラン19.2gと、シリコーンアルコキシオリゴマー(信越化学工業社製「X−41−1053」、メトキシ基とエトキシ基とエポキシ基と珪素原子に直接結合したアルキル基とを有する、重量平均分子量:約1600)0.7gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液2.4mL添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−17atm、400℃で2時間焼成して、有機無機ハイブリッド粒子を得た。得られた有機無機ハイブリッド粒子の粒子径は3.5μmであった。
(Example 7)
In a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer, 300 g of a 0.13% by weight aqueous ammonia solution was placed. Next, 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyltrimethoxysilane, silicone alkoxy oligomer (“X-41-1053” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., methoxy group, A mixture of 0.7 g of weight average molecular weight (about 1600) having an ethoxy group, an epoxy group and an alkyl group directly bonded to a silicon atom was slowly added. After the hydrolysis and condensation reaction proceeded with stirring, 2.4 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution was added, then the particles were isolated from the aqueous ammonia solution, and the resulting particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10 −17 atm, Firing at 400 ° C. for 2 hours gave organic-inorganic hybrid particles. The obtained organic / inorganic hybrid particles had a particle size of 3.5 μm.
上記基材粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate particles were used.
(実施例8)
粒子径が2.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル(厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子)を用意した。この基材粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 8)
Core-shell type organic-inorganic hybrid particles in which the surface of divinylbenzene copolymer resin particles (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a particle size of 2.0 μm is coated with an inorganic shell (thickness: 250 nm) using a condensation reaction by a sol-gel reaction. (Base material particles) were prepared. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles were used.
(実施例9)
冷却管、温度計、滴下口を備えた四つ口フラスコに、イオン交換水804重量部と、25%アンモニア水1.2重量部と、メタノール336.6重量部とを入れ、攪拌下、滴下口から3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM503」)80重量部及びメタノール59.4重量部の混合液を添加して、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子(重合性ポリシロキサン粒子)の乳濁液を調製した。反応開始から2時間後、得られたポリシロキサン粒子の乳濁液をサンプリングし、粒子径を測定したところ、粒子径は2.25μmであった。
Example 9
In a four-necked flask equipped with a cooling tube, a thermometer, and a dropping port, 804 parts by weight of ion-exchanged water, 1.2 parts by weight of 25% ammonia water, and 336.6 parts by weight of methanol are added dropwise with stirring. Hydrolysis of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane by adding a mixed solution of 80 parts by weight of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (“KBM503” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 59.4 parts by weight of methanol from the mouth, A condensation reaction was performed to prepare an emulsion of polysiloxane particles having a methacryloyl group (polymerizable polysiloxane particles). Two hours after the start of the reaction, the obtained emulsion of polysiloxane particles was sampled and the particle size was measured. The particle size was 2.25 μm.
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩(第一工業製薬社製「ハイテノール(登録商標)NF−08」)の20%水溶液2重量部をイオン交換水80重量部で溶解した溶液に、シアヌル酸トリアリル(TAC)80重量部、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業社製:「V−65」)1.6重量部を溶解した溶液を加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製した。 Next, 2 parts by weight of 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated ammonium sulfate ester ammonium salt (“HITENOL (registered trademark) NF-08” manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier is dissolved in 80 parts by weight of ion-exchanged water. In this solution, 80 parts by weight of triallyl cyanurate (TAC) and 1.6 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (“W-65” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) are dissolved. The resulting solution was added and emulsified and dispersed to prepare an emulsion of monomer components.
得られた乳化液を、重合性ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行った。乳化液の添加から1時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、重合性ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認された。 The obtained emulsion was added to an emulsion of polymerizable polysiloxane particles and further stirred. One hour after the addition of the emulsified liquid, the mixed liquid was sampled and observed with a microscope. As a result, it was confirmed that the polymerizable polysiloxane particles absorbed the monomer and were enlarged.
次いで、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の20%水溶液8重量部、イオン交換水20.6重量部を加え、窒素雰囲気下で反応液を65℃まで昇温させて、65℃で2時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った。ラジカル重合後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、120℃で2時間真空乾燥させて重合体粒子である基材粒子を得た。得られた重合体粒子の粒子径は3.1μmであった。 Next, 8 parts by weight of 20% aqueous solution of polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate ammonium salt and 20.6 parts by weight of ion-exchanged water were added, and the reaction solution was heated to 65 ° C. in a nitrogen atmosphere. Holding for 2 hours, radical polymerization of the monomer component was performed. The emulsion after radical polymerization was subjected to solid-liquid separation, and the obtained cake was washed with ion-exchanged water and methanol, and then vacuum-dried at 120 ° C. for 2 hours to obtain base particles as polymer particles. The particle diameter of the obtained polymer particles was 3.1 μm.
上記基材粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate particles were used.
(評価)
(1)基材粒子の上記圧縮弾性率(10%K値)
基材粒子の上記圧縮弾性率(10%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(Evaluation)
(1) The above-mentioned compression elastic modulus (10% K value) of the base particle
The compression elastic modulus (10% K value) of the substrate particles was measured by the above-described method using a micro compression tester (“Fischerscope H-100” manufactured by Fischer).
(2)パラジウム層100重量%中のパラジウムの含有量
60%硝酸5mLと37%塩酸10mLとの混合液に、導電性粒子5gを加え、パラジウム層を完全に溶解させ、溶液を得た。得られた溶液を用いて、パラジウムの含有量をICP−MS分析器(日立製作所社製)により分析した。
(2) Content of palladium in 100% by weight of palladium layer 5 g of conductive particles were added to a mixed solution of 5 mL of 60% nitric acid and 10 mL of 37% hydrochloric acid to completely dissolve the palladium layer to obtain a solution. Using the obtained solution, the content of palladium was analyzed by an ICP-MS analyzer (manufactured by Hitachi, Ltd.).
(3)パラジウム層の内表面(基材粒子側の表面)から厚み方向に外側に向かって厚み5nmの領域Rのパラジウム以外の成分の含有量
パラジウム層の厚み方向における各成分の含有量の分布を測定した。パラジウム層の内表面(基材粒子側の表面)から厚み方向に外側に向かって厚み5nmの領域Rにおいて、パラジウム以外の成分の含有量を評価した。
(3) Content of components other than palladium in region R having a thickness of 5 nm from the inner surface of the palladium layer (the surface on the base particle side) toward the outer side in the thickness direction Distribution of the content of each component in the thickness direction of the palladium layer Was measured. In the region R having a thickness of 5 nm from the inner surface of the palladium layer (the surface on the base particle side) to the outer side in the thickness direction, the content of components other than palladium was evaluated.
集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。透過型電子顕微鏡FE−TEM(日本電子社製「JEM−2010FEF」)を用いて、エネルギー分散型X線分析装置(EDS)により、パラジウム層におけるパラジウム層以外の成分の含有量を測定した。 Using a focused ion beam, a thin film slice of the obtained conductive particles was prepared. The content of components other than the palladium layer in the palladium layer was measured by an energy dispersive X-ray analyzer (EDS) using a transmission electron microscope FE-TEM (“JEM-2010FEF” manufactured by JEOL Ltd.).
(4)導通信頼性
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート1009」)10重量部と、アクリルゴム(重量平均分子量約80万)40重量部と、メチルエチルケトン200重量部と、マイクロカプセル型硬化剤(旭化成ケミカルズ社製「HX3941HP」)50重量部と、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン社製「SH6040」)2重量部とを混合し、導電性粒子を含有量が3重量%となるように添加し、分散させ、樹脂組成物を得た。
(4)
得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ50μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに塗布し、70℃の熱風で5分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは12μmであった。 The obtained resin composition was applied to a 50 μm-thick PET (polyethylene terephthalate) film whose one surface was released from the mold, and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to produce an anisotropic conductive film. The thickness of the obtained anisotropic conductive film was 12 μm.
得られた異方性導電フィルムを5mm×5mmの大きさに切断した。切断された異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するアルミニウム電極(高さ0.2μm、L/S=20μm/20μm)を有するガラス基板(幅3cm、長さ3cm)のアルミニウム電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じアルミニウム電極を有する2層フレキシブルプリント基板(幅2cm、長さ1cm)を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板と2層フレキシブルプリント基板との積層体を、10N、180℃、及び20秒間の圧着条件で熱圧着し、接続構造体を得た。なお、ポリイミドフィルムにアルミニウム電極が直接形成されている2層フレキシブルプリント基板を用いた。得られた接続構造体を85℃及び85%の高温高湿環境に、かつ接続箇所に10mAの直流電流を通電した状態で500時間放置した後の接続抵抗を測定した。
The obtained anisotropic conductive film was cut into a size of 5 mm × 5 mm. The cut anisotropic conductive film is formed of a glass substrate (
接続抵抗の測定:
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。また、接続抵抗から導通信頼性を下記の基準で判定した。
Connection resistance measurement:
The connection resistance between the opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by the 4-terminal method. Moreover, the conduction | electrical_connection reliability was determined on the following reference | standard from connection resistance.
[導通信頼性の評価基準]
○○:接続抵抗が2.0Ω以下
○:接続抵抗が2.0Ωを超え、3.0Ω以下
△:接続抵抗が3.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Evaluation criteria for conduction reliability]
○○: Connection resistance is 2.0Ω or less ○: Connection resistance exceeds 2.0Ω, 3.0Ω or less △: Connection resistance exceeds 3.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance exceeds 5.0Ω
(5)環境負荷(コスト)
実施例1〜9、比較例1及び参考例Aの手順で導電性粒子を得た場合には、比較例2の手順で導電性粒子を得た場合と比べて、環境負荷をかなり小さくすることができ、かつ製造コストが低かった。
(5) Environmental load (cost)
When conductive particles are obtained by the procedures of Examples 1 to 9, Comparative Example 1 and Reference Example A, the environmental load is considerably reduced as compared to the case of obtaining conductive particles by the procedure of Comparative Example 2. The manufacturing cost was low.
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
(6)冷熱衝撃信頼性:接続抵抗
得られた接続構造体を冷熱衝撃試験機(エスペック社製「TSA−72ES」)に放置し、−40℃,30分/100℃,30分を交互に繰り返す条件に、接続構造体を1000サイクルさらした後、対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。接続抵抗から、冷熱衝撃信頼性を下記の基準で判定した。
(6) Thermal shock reliability: connection resistance The obtained connection structure is left in a thermal shock tester (“TSA-72ES” manufactured by Espec Co., Ltd.) and alternately at −40 ° C., 30 minutes / 100 ° C., 30 minutes. After 1000 cycles of the connection structure under repeated conditions, the connection resistance between the opposing electrodes was measured by the 4-terminal method. From the connection resistance, the thermal shock reliability was determined according to the following criteria.
[冷熱衝撃信頼性の判定基準]
○○○:接続抵抗が5.5Ω以下
○○:接続抵抗が5.5Ωを超え、6.0Ω以下
○:接続抵抗が6.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×:接続抵抗が15.0Ωを超える
[Criteria for thermal shock reliability]
○○○: Connection resistance is 5.5Ω or less ○○: Connection resistance exceeds 5.5Ω and 6.0Ω or less ○: Connection resistance exceeds 6.0Ω and 10.0Ω or less Δ: Connection resistance is 10.0Ω Over 15.0Ω ×: Connection resistance exceeds 15.0Ω
結果を下記の表2に示す。 The results are shown in Table 2 below.
上記表1,2に示す結果から、パラジウム層の厚みが20nm以下であって、パラジウム層が薄くても、実施例1〜9の導電性粒子では、導通信頼性及び冷熱衝撃信頼性に優れることがわかる。なお、実施例1〜9では、導通信頼性の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例1〜5及び7〜9の導電性粒子よりも実施例6の導電性粒子の方が、接続抵抗は高かった。基材粒子の10%K値が比較的低いためであると考えられる。また、実施例1,4,5では、導通信頼性の評価結果はいずれも「○○」であるが、実施例1の導電性粒子よりも実施例4,5の導電性粒子の方が、接続抵抗が低かった。導電層の外表面に突起があるためである。また、実施例5の導電性粒子では、接続されてはならない電極間が接続され難く、絶縁信頼性に優れていた。導電層の外表面に絶縁物質が配置されているためである。 From the results shown in Tables 1 and 2 above, even when the palladium layer has a thickness of 20 nm or less and the palladium layer is thin, the conductive particles of Examples 1 to 9 are excellent in conduction reliability and thermal shock reliability. I understand. In Examples 1 to 9, the conductive reliability evaluation results are all “◯◯”, but the conductive particles of Example 6 are more conductive than the conductive particles of Examples 1 to 5 and 7 to 9. However, the connection resistance was high. This is probably because the 10% K value of the base particles is relatively low. In Examples 1, 4 and 5, the conductive reliability evaluation results are all “◯◯”, but the conductive particles of Examples 4 and 5 are more conductive than the conductive particles of Example 1. Connection resistance was low. This is because there are protrusions on the outer surface of the conductive layer. Moreover, in the electroconductive particle of Example 5, it was difficult to connect between the electrodes which should not be connected, and it was excellent in insulation reliability. This is because an insulating material is disposed on the outer surface of the conductive layer.
1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電層(パラジウム層)
11…導電性粒子
12…導電層
12A…第1の導電層
12B…第2の導電層(パラジウム層)
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電層(パラジウム層)
22a…突起
23…芯物質
24…絶縁物質
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ...
21 ... Conductive particles 21a ... Protrusions 22 ... Conductive layer (palladium layer)
22a ...
Claims (9)
前記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm2以上であり、
前記導電層が外表面側にパラジウム層を有し、
前記パラジウム層100重量%中、パラジウムの含有量が99.9重量%以上である、導電性粒子。 Comprising base material particles and a conductive layer disposed on the surface of the base material particles,
The compression elastic modulus when compressing the substrate particles by 10% is 1000 N / mm 2 or more,
The conductive layer has a palladium layer on the outer surface side,
The electroconductive particle whose content of palladium is 99.9 weight% or more in 100 weight% of said palladium layers.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connecting portion is formed of the conductive particles according to any one of claims 1 to 7, or is formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin.
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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