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Abstract
Description
本発明は表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
表示装置のひとつとして、画素の光源に有機EL(Electro Luminescence)素子を用いたものがある。たとえばカラー表示装置では、画素の光源として3種類の有機EL素子が設けられる。すなわち(1)赤色の光を出射する赤色有機EL素子、(2)緑色の光を出射する緑色有機EL素子、(3)青色の光を出射する青色有機EL素子が、それぞれ基板上に設けられる。 One display device uses an organic EL (Electro Luminescence) element as a light source of a pixel. For example, in a color display device, three types of organic EL elements are provided as pixel light sources. That is, (1) a red organic EL element that emits red light, (2) a green organic EL element that emits green light, and (3) a blue organic EL element that emits blue light are provided on the substrate. .
基板上には通常、有機EL素子の設けられる領域を規定する隔壁が設けられている。このような隔壁として、たとえば格子状の隔壁が設けられている。上記3種類の有機EL素子は、隔壁に囲まれた領域にそれぞれ整列して配置されている。 On the substrate, a partition wall that defines a region in which the organic EL element is provided is usually provided. As such a partition, for example, a lattice-shaped partition is provided. The three types of organic EL elements are arranged in alignment in the region surrounded by the partition walls.
図10は所定の画素を模式的に示す断面図である。隔壁には、大きく分けて、いわゆる順テーパ形状の隔壁と逆テーパ形状の隔壁とがある。順テーパ形状の隔壁とは、隔壁の側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されたものである。逆テーパ形状の隔壁とは、隔壁の側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されたものである。図10には逆テーパ形状の隔壁51が示されている。
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a predetermined pixel. The partition walls are roughly classified into so-called forward tapered partition walls and reverse tapered partition walls. The forward-tapered partition wall is formed so that the angle formed between the side surface and the bottom surface of the partition wall is an acute angle. The reverse-tapered partition is formed so that the angle formed between the side surface of the partition and the bottom surface is an acute angle. FIG. 10 shows a reverse-tapered
各有機EL素子52は、隔壁に囲まれた領域に、第1の電極53、1または複数の有機EL層54,55および第2の電極56を順次積層することにより形成される。
Each
有機EL層54,55はたとえば塗布法によって形成される。具体的には、有機EL層54,55となる材料を含むインキを、隔壁51に囲まれた領域に塗布し、これを固化することにより形成される。
The
なお、隔壁51に囲まれた領域に塗布されたインキは、第1の電極53表面や隔壁51表面で弾かれる場合もある。このように、インキが第1の電極53表面や隔壁51表面で弾かれると、有機EL層54,55に穴などの欠陥が生じることがある。
The ink applied to the region surrounded by the
逆テーパ形状の隔壁51を用いた場合には、このような問題の発生を抑えることができる。逆テーパ形状の隔壁51を用いた場合、隔壁51と第1の電極53との表面との接する部位は、その先端部57ほど狭くなるように構成されているため、先端部57において毛管現象が生じる。この毛管現象により、インキが全体に広がるという作用が生じ、有機EL層54,55の欠陥の発生を防ぐことができる(たとえば特許文献1参照)。
When the inversely tapered
有機EL素子52は、第1の電極53と第2の電極56間に電圧を印加することにより発光する。そのため第1の電極53および第2の電極56と外部の電源とを電気的に接続する必要がある。
The
第1の電極53はたとえば基板58中に設けられた回路を介して外部の電源と電気的に接続される。
The
他方、第2の電極56は、たとえば隔壁51上に形成される配線等を介して外部の電源と電気的に接続される。具体的には、第2の電極56は、複数の有機EL素子が設けられる表示領域から当該表示領域の外のコンタクト領域まで隔壁上を延在する接続部61と、コンタクト領域に設けられたコンタクト導体62と、基板上に設けられる電極配線63とを介して、外部の電源と接続される。
On the other hand, the
図11は、コンタクト領域を模式的に示す断面図である。上述の隔壁51は、有機EL素子の設けられる領域を規定するだけでなく、表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定するように形成される。なお、有機EL素子の設けられる領域を規定する隔壁51とコンタクトホールを規定する隔壁51とは、たとえばフォトリソグラフィー工程により、同一の工程にて一括して形成される。また、上述の隔壁51上を延在する接続部61およびコンタクトホール中に設けられるコンタクト導体62は、第2の電極56を形成するさいに一括して形成される。
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the contact region. The above-described
このように接続部61およびコンタクト導体62を第2の電極56と同一の工程で形成する場合、接続部61およびコンタクト導体62は、第2の電極56と同一の膜厚となる。そのため、蒸着法などで膜厚の薄い第2の電極61を形成すると、図12に示すように、コンタクト領域において断線が生じるおそれがある。
As described above, when the
このコンタクト領域の断線を防ぐためには、第2の電極の膜厚(すなわち接続部の膜厚)を厚くする必要がある。このように第2の電極の膜厚を厚くする場合、電極の形成に要する時間が長くなるとともに、電極形成時に発光層などに与えるダメージが増加するという問題がある。なお、表示領域では、たとえ薄い膜厚の第2の電極を形成したとしても、隔壁に囲まれた領域には有機EL層54,55が形成されているため、断線の発生を避けることができる。 In order to prevent disconnection of the contact region, it is necessary to increase the thickness of the second electrode (that is, the thickness of the connection portion). When the thickness of the second electrode is increased as described above, there are problems that the time required for forming the electrode becomes longer and damage to the light emitting layer and the like during the electrode formation increases. In the display region, even if the second electrode having a small thickness is formed, the organic EL layers 54 and 55 are formed in the region surrounded by the partition wall, so that occurrence of disconnection can be avoided. .
したがって本発明の目的は、逆テーパ形状の隔壁が備えられる表示装置において、第2の電極(上部電極)の膜厚を薄くすることが可能な表示装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device in which the thickness of the second electrode (upper electrode) can be reduced in a display device provided with an inversely tapered partition.
本発明は、基板と、
前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機EL素子と、
前記有機EL素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、
前記複数の有機EL素子は、第1の電極と、当該第1の電極よりも前記基板から離間して設けられる第2の電極と、前記電極間に設けられる1または複数の有機EL層とを有し、
前記第2の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、
前記隔壁の基板側の端部は、
前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、
前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置に関する。
The present invention comprises a substrate;
A plurality of organic EL elements provided in a display region on the substrate;
A display device that defines a region in which the organic EL element is provided and a partition wall that defines a contact hole provided outside the display region;
The plurality of organic EL elements include a first electrode, a second electrode provided farther from the substrate than the first electrode, and one or more organic EL layers provided between the electrodes. Have
The second electrode has a connection portion extending on the partition wall from the display region to the contact hole,
The end of the partition on the substrate side is
In the display area, an angle formed between the side surface and the bottom surface is formed to be an obtuse angle,
In the region where the contact hole is formed, the present invention relates to a display device in which an angle formed between a side surface and a bottom surface thereof is an acute angle.
また本発明は、前記隔壁の基板側とは反対側の端部は、前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、前記表示装置に関する。
また本発明は、前記第2の電極の基板側の表面は、有機EL素子の中央部から隔壁に近づくにつれて、基板から離間するように形成される、前記表示装置に関する。
The present invention also relates to the display device, wherein an end of the partition opposite to the substrate side is formed so that an angle formed between a side surface and a bottom surface of the display region is an acute angle.
The present invention also relates to the display device, wherein the surface of the second electrode on the substrate side is formed so as to be separated from the substrate as it approaches the partition from the center of the organic EL element.
また本発明は、前記表示装置の製造方法であって、
ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する工程を有する、表示装置の製造方法に関する。
Moreover, this invention is a manufacturing method of the said display apparatus, Comprising:
A negative photoresist is applied on the substrate to form a partition forming film, and the partition forming film is exposed and developed with different exposure amounts in the display region and the region in which the contact hole is provided. The present invention relates to a method for manufacturing a display device, which includes a step of forming the partition wall.
本発明によれば、逆テーパ形状の隔壁が備えられる表示装置において、第2の電極(上部電極)の膜厚を薄くすることが可能な表示装置を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a display device capable of reducing the thickness of the second electrode (upper electrode) in a display device including an inversely tapered partition.
本発明の表示装置は、基板と、前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機EL素子と、前記有機EL素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、前記複数の有機EL素子は、第1の電極と、当該第1の電極よりも前記基板から離間して設けられる第2の電極と、前記電極間に設けられる1または複数の有機EL層とを有し、前記第2の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、前記隔壁の基板側の端部は、前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置である。 The display device of the present invention defines a substrate, a plurality of organic EL elements provided in a display region on the substrate, a region in which the organic EL element is provided, and a contact hole provided outside the display region. The plurality of organic EL elements include a first electrode, a second electrode provided farther from the substrate than the first electrode, and a gap between the electrodes. One or a plurality of organic EL layers provided, and the second electrode has a connecting portion extending on the partition from the display region to the contact hole, and an end of the partition on the substrate side In the display region, the angle formed between the side surface and the bottom surface is formed as an obtuse angle, and in the region where the contact hole is formed, the angle formed between the side surface and the bottom surface is formed into an acute angle. Formed There is a display device.
表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の型の表示装置に適用可能であるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される表示装置について説明する。 There are mainly two types of display devices: an active matrix drive type device and a passive matrix drive type device. Although the present invention can be applied to both types of display devices, in this embodiment, a display device applied to an active matrix drive type display device will be described as an example.
<表示装置の構成>
まず表示装置の構成について説明する。図1は表示装置1の平面図である。表示装置1は主に、基板2と、前記基板1上の表示領域30に設けられる複数の有機EL素子4と、有機EL素子4の設けられる領域を規定するとともに、表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁3とを含んで構成される。
<Configuration of display device>
First, the configuration of the display device will be described. FIG. 1 is a plan view of the
基板2上には表示領域30とコンタクト領域31とが設定される。
A
表示領域30には複数の有機EL素子4が設けられる。本実施形態では隔壁3は、基板2上において、表示領域30およびコンタクト領域31を除く領域では、大略、一面に形成される。また本実施形態では隔壁3は、表示領域30内において、格子状に設けられる。なお他の実施形態としてたとえば隔壁3は表示領域30内においてストライプ状に設けられる。
A plurality of organic EL elements 4 are provided in the
図2は表示領域30の一部を模式的に示す平面図である。図2では隔壁3の設けられている領域にハッチングを施している。図2に示すように本実施形態では隔壁3は格子状に設けられる。また有機EL素子4はそれぞれ隔壁3に囲まれた領域に設けられる。
FIG. 2 is a plan view schematically showing a part of the
図3は表示領域30内において1個の有機EL素子4が設けられる領域を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a region where one organic EL element 4 is provided in the
基板2上には、隔壁3と基板2とによって規定される複数の凹部5が設定される。この凹部5に各有機EL素子4が設けられる。
A plurality of
本実施形態の隔壁3は格子状に設けられる。そのため基板2の厚み方向Zの一方から見て(以下、「平面視で」ということがある。)、複数の凹部5がマトリクス状に配置されている。すなわち凹部5は行方向Xに所定の間隔をあけるとともに、列方向Yにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。各凹部5の平面視における形状はとくに限定されない。たとえば凹部5は、平面視で略矩形および略楕円形に形成される。本実施形態では平面視で略矩形状の凹部5が設けられている。なお本明細書において上記の行方向Xおよび列方向Yは、基板の厚み方向Zに垂直な方向であって、かつ互いに垂直な方向を意味する。
The
なお他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる場合、隔壁は、たとえば行方向Xに延在する複数本の隔壁部材が、列方向Yに所定の間隔をあけて配置されて構成される。この形態ではストライプ状の隔壁と基板とによって、ストライプ状の凹部が規定される。 In the case where a stripe-shaped partition is provided as another embodiment, the partition is configured by, for example, a plurality of partition members extending in the row direction X being arranged at predetermined intervals in the column direction Y. In this embodiment, a stripe-shaped recess is defined by the stripe-shaped partition wall and the substrate.
隔壁3の基板2側の端部3aは、表示領域30では、その側面とその底面との成す角θ1が鈍角となるように形成されている。たとえば列方向Yに延在する隔壁3を、その延在方向(列方向Y)に垂直な平面で切断したときの断面形状は、基板2から離間するにしたがって幅広になるように形成されている。
In the
表示領域30では、隔壁3の側面と基板の表面との成す角度θ1、すなわち隔壁側面の傾斜角θ1は95°〜170°程度であり、100°〜120°が好ましい。なおこの隔壁側面の傾斜角θ1が0°〜90°までの隔壁3はいわゆる順テーパ形状の隔壁と呼称され、隔壁側面の傾斜角θ1が90°〜180°までの隔壁3はいわゆる逆テーパ形状の隔壁と呼称される。すなわち本実施形態では表示領域30には逆テーパ形状の隔壁3が設けられる。
In the
また隔壁3の基板2側とは反対側の端部3bは、前記表示領域30では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されていることが好ましい。すなわち隔壁3は、基板2側の端部3aから基板2側とは反対側の端部3bまで、一貫して逆テーパ形状に形成されているのではなく、基板2側の端部3aは逆テーパ形状に形成され、基板2側とは反対側の端部3bでは順テーパ形状に形成されていることが好ましい。このような形状にすることで、隔壁3と有機EL層との境界領域において第2の電極が断線することを、より防ぐことができる。
Further, the
有機EL素子4は隔壁3によって画成される区画(すなわち凹部5)に設けられる。本実施形態のように格子状の隔壁3が設けられる場合、各有機EL素子4はそれぞれ各凹部5に設けられる。すなわち有機EL素子4は、各凹部5と同様にマトリクス状に配置され、基板2上において、行方向Xに所定の間隔をあけるとともに、列方向Yにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。
The organic EL element 4 is provided in a partition (that is, the recess 5) defined by the
なお他の実施形態としてストライプ状の隔壁が設けられる場合、有機EL素子4は行方向Xに延在する各凹部において、行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される。 In another embodiment, when stripe-shaped partition walls are provided, the organic EL elements 4 are arranged at predetermined intervals in the row direction X in the respective recesses extending in the row direction X.
本実施形態では3種類の有機EL素子4が設けられる。すなわち(1)赤色の光を出射する赤色有機EL素子4R、(2)緑色の光を出射する緑色有機EL素子4G、および(3)青色の光を出射する青色有機EL素子4Bが設けられる。これら3種類の有機EL素子4R,4G,4Bは、たとえば以下の(I)(II)(III)の行を、列方向Yにこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される(図2参照)。
(I)赤色有機EL素子4Rが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
(II)緑色有機EL素子4Gが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
(III)青色有機EL素子4Bが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
In the present embodiment, three types of organic EL elements 4 are provided. That is, (1) a red
(I) Rows in which the red
(II) Rows in which the green
(III) A row in which the blue
なお他の実施の形態として、上記3種類の有機EL素子に加えて、たとえば白色の光を出射する有機EL素子がさらに設けられてもよい。また1種類のみの有機EL素子を設けることによって、モノクロ表示装置を実現してもよい。 As another embodiment, in addition to the above three types of organic EL elements, for example, an organic EL element that emits white light may be further provided. In addition, a monochrome display device may be realized by providing only one type of organic EL element.
有機EL素子4は、第1の電極6と、当該第1の電極よりも前記基板から離間して設けられる第2の電極10と、前記電極間に設けられる1または複数の有機EL層とを有する。本明細書では第1の電極6と第2の電極10との間に設けられる1または複数の層をそれぞれ有機EL層という。有機EL素子4は有機EL層として少なくとも1層の発光層を備える。なお有機EL素子4は、1層の発光層に加えて、必要に応じて発光層とは異なる有機EL層をさらに備えることもある。たとえば第1の電極6と第2の電極10との間には、有機EL層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などが設けられる。また第1の電極6と第2の電極10との間には2層以上の発光層が設けられることもある。
The organic EL element 4 includes a
有機EL素子4は、陽極および陰極からなる一対の電極として、第1の電極6と第2の電極10とを備える。第1の電極6および第2の電極10のうちの一方の電極は陽極として設けられ、他方の電極は陰極として設けられる。
The organic EL element 4 includes a
本実施形態では一例として、陽極として機能する第1の電極6、正孔注入層として機能する第1の有機EL層7、発光層として機能する第2の有機EL層9、陰極として機能する第2の電極10がこの順で基板2上に積層されて構成される有機EL素子4について説明する。
In the present embodiment, as an example, the
本実施形態では3種類の有機EL素子が設けられるが、これらは第2の有機EL層(本実施形態では発光層)9の構成がそれぞれ異なる。赤色有機EL素子4Rは赤色の光を放射する赤色発光層9Rを備え、緑色有機EL素子4Gは緑色の光を放射する緑色発光層9Gを備え、青色有機EL素子4Bは青色の光を放射する青色発光層9Bを備える。
In the present embodiment, three types of organic EL elements are provided, but these have different configurations of the second organic EL layer (light emitting layer in the present embodiment) 9. The red
本実施形態では第1の電極6は有機EL素子4ごとに設けられる。すなわち有機EL素子4と同数の第1の電極6が基板2上に設けられる。第1の電極6は有機EL素子4の配置に対応して設けられ、有機EL素子4と同様にマトリクス状に配置される。なお本実施形態の隔壁3は、主に第1の電極6を除く領域に格子状に形成されるが、さらに第1の電極6の周縁部を覆うように形成されている(図3参照)。
In the present embodiment, the
正孔注入層に相当する第1の有機EL層7は、凹部5において第1の電極6上にそれぞれ設けられる。この第1の有機EL層7は、必要に応じて、有機EL素子の種類ごとに、その材料または膜厚を異ならせて設けられる。なお第1の有機EL層7の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ膜厚で全ての第1の有機EL層7を形成してもよい。
The first
発光層として機能する第2の有機EL層9は、凹部5において第1の有機EL層7上に設けられる。上述したように発光層は有機EL素子の種類に応じて設けられる。そのため赤色発光層9Rは赤色有機EL素子4Rが設けられる凹部5に設けられ、緑色発光層9Gは緑色有機EL素子4Gが設けられる凹部5に設けられ、青色発光層9Bは青色有機EL素子4Bが設けられる凹部5に設けられる。
The second
第2の電極10は有機EL素子4が設けられる表示領域において全面に形成される。すなわち第2の電極10は、第2の有機EL層9上だけでなく、隔壁3上にも形成され、複数の有機EL素子に亘って連続して形成されている。
The
第2の電極10の基板2側の表面は、有機EL素子4の中央部から隔壁3に近づくにつれて、基板2から離間するように形成されることが好ましい。換言すると、第2の電極10に接する有機EL層9および隔壁3により構成される面が、有機EL素子4の中央部から隔壁3に近づくにつれて、基板2から離間するように形成されることが好ましい。第2の電極10に接する有機EL層9および隔壁3により構成される面がこのように構成されることにより、第2の電極10が、有機EL層9と隔壁3との境界領域で断線することを、より防ぐことができる。
The surface of the
以上の実施形態では隔壁3は、第1の電極6の周縁部を覆って、基板2に接して設けられているが、他の実施形態として、隔壁3と基板2との間に、さらに絶縁膜を設けてもよい。絶縁膜はたとえば隔壁と同様に格子状に形成され、第1の電極6の周縁部を覆って形成される。このような絶縁膜は好ましくは隔壁3よりも親液性を示す材料によって形成される。
In the above embodiment, the
本実施形態では、コンタクト領域31は、表示領域30の行方向Xの一方(図1では左方)に離間した位置において、列方向Yに延在して設けられる。なおコンタクト領域とは本明細書ではコンタクトホールおよびコンタクト導体が設けられる領域を意味する。さらに本実施形態では、コンタクト領域31は、表示領域30の行方向Xの他方(図1では右方)に離間した位置において、列方向Yに延在して設けられる。図4はコンタクト領域31を列方向Yに垂直な平面で切断したときの断面図である。
In the present embodiment, the
前記コンタクトホールが形成される領域では、隔壁の基板側の端部(図4では下端部)は、その側面とその底面との成す角θ2が鋭角となるように形成されている。すなわち本実施形態では、コンタクトホールが形成される領域では、順テーパ形状の隔壁3が設けられる。θ2は5°〜85°程度であり、20°〜60°が好ましい。
In the region where the contact hole is formed, the end portion of the partition wall on the substrate side (lower end portion in FIG. 4) is formed such that the angle θ2 formed between the side surface and the bottom surface is an acute angle. That is, in the present embodiment, the forward tapered
コンタクト領域31では、隔壁3にはコンタクトホールに相当する領域に貫通孔が形成される。この貫通孔は、本実施形態では列方向Yに延在するように形成される。
In the
また基板2上には、貫通孔の基板側の端部(図4では下端)に接する位置に、外部の電源に接続される電極配線20が形成されている。さらに、隔壁3上およびコンタクトホール内には、第2の電極10から一体的に延在する導電体膜が形成される。この導電体膜において、前記表示領域から前記コンタクトホールまで隔壁上を延在する部位を接続部23と称し、コンタクトホールに形成される部位をコンタクト導体22と称する。
On the
このように第2の電極10、接続部23およびコンタクト導体22が一体的に形成され、さらにコンタクト導体22が上記の電極配線20に接続されるため、これら接続部23、コンタクト導体22、電極配線20によって、第2の電極が外部の電源に接続される。
In this way, the
以下、図5〜図8を参照しつつ表示装置の製造方法について説明する。なお図5,6は、図3に対応する領域(表示領域)を示し、図7,8は、図4に対応する領域(コンタクト領域)を示す。 Hereinafter, a method for manufacturing a display device will be described with reference to FIGS. 5 and 6 show a region (display region) corresponding to FIG. 3, and FIGS. 7 and 8 show a region (contact region) corresponding to FIG.
(基板を用意する工程)
本工程では基板2上に第1の電極6と電極配線20とを形成する(図5A,図7A参照)。なお本工程では第1の電極6および電極配線20がそのうえに形成された基板を市場から入手することによって、第1の電極6および電極配線20が形成された基板2を用意してもよい。
(Process for preparing the substrate)
In this step, the
アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機EL素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を本実施形態の基板2として用いることができる。たとえばTFT(Thin Film Transistor)およびキャパシタなどが予め形成された基板を基板として用いることができる。
In the case of an active matrix display device, a substrate on which a circuit for individually driving a plurality of organic EL elements is formed in advance can be used as the
まず基板2上に複数の第1の電極6をマトリクス状に形成するとともに、所定の部位に電極配線20を形成する。第1の電極6は、たとえば基板2上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってマトリクス状にパターニングすることによって形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを基板2上に配置し、このマスクを介して基板2上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより第1の電極6をパターン形成してもよい。また電極配線20は、第1の電極6と同様の方法で、たとえば第1の電極6と同じ工程で第1の電極6と一括して形成される。第1の電極6および電極配線20の材料については後述する(図5A,図7A参照)。
First, a plurality of
(隔壁を形成する工程)
本工程では、ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する。なおコンタクトホールが設けられる領域とは、コンタクト導体が設けられる領域とこの領域の周縁部とを含む領域を意味する。
(Step of forming partition walls)
In this step, a negative photoresist is applied onto the substrate to form a partition forming film, and the partition forming film is exposed with different exposure amounts in the display region and the region in which the contact hole is provided. The partition is formed by development. The region where the contact hole is provided means a region including a region where the contact conductor is provided and a peripheral portion of this region.
まず感光性樹脂を含むインキを前記基板2上に塗布成膜し、隔壁形成用膜8を形成する(図5B,図7B参照)。
First, an ink containing a photosensitive resin is applied and formed on the
インキの塗布方法としては、たとえばスピンコート法やスリットコート法などを挙げることができる。 Examples of the ink application method include spin coating and slit coating.
感光性樹脂を含むインキを前記基板上に塗布成膜した後、通常はプリベークを行う。たとえば80℃〜110℃の温度で、60秒〜180秒間、基板を加熱することによってプリベークを行い、溶媒を除去する。 After the ink containing the photosensitive resin is applied and formed on the substrate, it is usually pre-baked. For example, pre-baking is performed by heating the substrate at a temperature of 80 ° C. to 110 ° C. for 60 seconds to 180 seconds to remove the solvent.
つぎに基板2上に所定のパターンの光を遮光するフォトマスク21を配置し、このフォトマスク21を介して、隔壁形成用膜8に対して露光を行う。感光性樹脂には、ポジ型およびネガ型の樹脂があるが、本工程ではネガ型の感光性樹脂を使用する。ネガ型の感光性樹脂を用いた場合には、隔壁形成用膜8のうちで主に隔壁3が形成されるべき部位に光を照射する。
Next, a photomask 21 that shields light of a predetermined pattern is disposed on the
なお、本実施形態では、有機EL素子が設けられる領域とコンタクトホールが設けられる領域とでは、露光量を異ならせて隔壁形成用膜8を露光する。このように露光量を異ならせることによって、表示領域30においては逆テーパ形状の隔壁3を形成し、コンタクト領域31においては順テーパ形状の隔壁3を形成することができる。
In the present embodiment, the
具体的には、分割露光のできないプロキシミティ露光機を用いた場合には、2枚のフォトマスクを用いて、露光領域を分けて、2回の露光を行なう。これにより露光量を異ならせることができる。 Specifically, when a proximity exposure machine that cannot perform division exposure is used, the exposure area is divided using two photomasks, and exposure is performed twice. Thereby, the exposure amount can be varied.
また分割露光の可能なステッパーを使用した場合には、1枚のフォトマスクを用いて、露光領域に応じて露光量を変えることにより、露光量を異ならせることができる。 When a stepper capable of division exposure is used, the exposure amount can be varied by changing the exposure amount according to the exposure area using a single photomask.
本実施形態では、分割露光のできないプロキシミティ露光機を用いる。具体的には、露光領域を第1の露光領域と第2の露光領域とに分けて、それぞれの露光領域に対応する2種類のフォトマスク21を用いて、2回にわけて露光を行なう。 In this embodiment, a proximity exposure machine that cannot perform divided exposure is used. Specifically, the exposure area is divided into a first exposure area and a second exposure area, and exposure is performed in two steps using two types of photomasks 21 corresponding to the respective exposure areas.
図9は露光領域を説明するための表示装置1の平面図である。本実施形態では第1の露光領域は、表示領域30およびこの表示領域30の周縁部32に対応する。図9ではこの表示領域30の周縁部32にハッチングを施している。第2の露光領域は表示領域30を除く領域に対応する。すなわち第2の露光領域はコンタクト領域を含む。なおこの場合、第1の露光領域と第2の露光領域とには、表示領域30の周縁部32において重なりが生じる。そのため表示領域30の周縁部32は2回露光されることになる。
まず第1の露光領域の露光を行なう。図5Cに示すように、基板2上に第1のフォトマスク21aを配置し、このフォトマスク21aを介して光を照射することによって、第1の露光領域において隔壁形成用膜8のうちで主に隔壁3が形成されるべき部位に第1の露光量にて光を照射する。なお本工程では第1のフォトマスク21aによってコンタクト領域31は遮光されている。図5Cでは隔壁形成用膜8に照射する光を模式的に矢印記号で示している。
FIG. 9 is a plan view of the
First, the first exposure area is exposed. As shown in FIG. 5C, the first photomask 21a is arranged on the
つぎに第2の露光領域の露光を行なう。図7Cに示すように、基板上に第2のフォトマスク21bを配置し、このフォトマスク21bを介して光を照射することによって、第2の露光領域において、隔壁形成用膜8のうち主に隔壁3が形成されるべき部位、すなわちコンタクト領域を除く領域に第2の露光量にて光を照射する。なお本工程では第2のフォトマスク21bによってコンタクト領域31および表示領域30は遮光されている。図7Cでは隔壁形成用膜8に照射する光を模式的に矢印記号で示している。
Next, the second exposure area is exposed. As shown in FIG. 7C, a second photomask 21b is arranged on the substrate, and light is irradiated through the photomask 21b, so that mainly in the
なお第1の露光領域と第2の露光領域とが重なる領域には、第1の露光量と第2の露光量とを積算した光量が照射されることになる。 Note that a light amount obtained by integrating the first exposure amount and the second exposure amount is irradiated on the region where the first exposure region and the second exposure region overlap.
一般にネガ型の感光性樹脂の場合、露光量を多くするほど、隔壁側面の傾斜角θ1,θ2が小さくなる傾向にある。そこで第1の露光量は、第2の露光量よりも露光量が少なくなるように設定される。第1の露光量は、傾斜角θ1に応じて設定されるが、たとえば20mJ/m2〜60mJ/m2であり、20mJ/m2〜40mJ/m2がさらに好ましい。 In general, in the case of a negative photosensitive resin, as the exposure amount is increased, the inclination angles θ1 and θ2 of the side walls of the partition wall tend to be smaller. Therefore, the first exposure amount is set so that the exposure amount is smaller than the second exposure amount. First exposure amount is set according to the inclination angle .theta.1, for example, 20mJ / m 2 ~60mJ / m 2 , more preferably 20mJ / m 2 ~40mJ / m 2 .
第2の露光量は、傾斜角θ2に応じて設定されるが、たとえば60mJ/m2〜200mJ/m2であり、80mJ/m2〜100mJ/m2がさらに好ましい。 Second exposure amount is set according to the inclination angle .theta.2, for example, 60mJ / m 2 ~200mJ / m 2 , more preferably 80mJ / m 2 ~100mJ / m 2 .
また傾斜角θ1、θ2は、現像時間を調整することによっても調整することができる。一般にネガ型の感光性樹脂の場合、現像時間を長くするほど傾斜角θ1,θ2が大きくなる傾向にある。またフォトマスクと基板との距離を調整することによっても傾斜角θ1,θ2を調整することができる。一般にネガ型の感光性樹脂の場合、フォトマスクと基板との距離を短くするほど、傾斜角θ1,θ2が90°に近づく傾向にある。 The inclination angles θ1 and θ2 can also be adjusted by adjusting the development time. In general, in the case of a negative photosensitive resin, the inclination angles θ1 and θ2 tend to increase as the development time increases. The inclination angles θ1 and θ2 can also be adjusted by adjusting the distance between the photomask and the substrate. In general, in the case of a negative photosensitive resin, the inclination angles θ1 and θ2 tend to approach 90 ° as the distance between the photomask and the substrate is shortened.
さらに傾斜角θ1,θ2は隔壁形成用膜8の膜厚にも依存することがある。そこで、隔壁形成用膜8の膜厚としては、0.5μm〜1μmが好ましく、0.6μm〜0.7μmがさらに好ましい。
Further, the inclination angles θ1 and θ2 may depend on the film thickness of the partition
つぎに現像を行う。これによって隔壁3がパターン形成される(図6A,図8A参照)。現像後、必要に応じてポストベークを行う。たとえば200℃〜230℃の温度で、15分〜60分間、基板を加熱することによってポストベークを行い、隔壁3を硬化する。
Next, development is performed. As a result, the
以上のように隔壁を形成することにより、表示領域30では逆テーパ形状の隔壁3が形成され、コンタクト領域31では順テーパ形状の隔壁3が形成される。
By forming the partition walls as described above, the inversely tapered
隔壁の形成に使用される感光性樹脂組成物には一般にバインダー樹脂、架橋材、光反応開始材、溶媒、紫外線吸収剤、およびその他の添加剤を配合したものが使用される。 In general, a photosensitive resin composition used for forming the partition walls is a mixture of a binder resin, a crosslinking material, a photoreaction initiator, a solvent, an ultraviolet absorber, and other additives.
バインダー樹脂は、予め重合されたものである。その例としては、自ら重合性を有しない非重合性バインダー樹脂、重合性を有する置換基が導入された重合性バインダー樹脂が挙げられる。バインダー樹脂は、ポリスチレンを標準としてゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で求められる重量平均分子量が5,000〜400,000の範囲にある。 The binder resin is polymerized in advance. Examples thereof include a non-polymerizable binder resin that does not have self-polymerizability and a polymerizable binder resin into which a substituent having polymerizability is introduced. The binder resin has a weight average molecular weight in the range of 5,000 to 400,000 determined by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard.
バインダー樹脂としては、たとえばフェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。バインダー樹脂としては、単量体はそれぞれ単独または2種以上を組み合わせた共重合体を使用することもできる。バインダー樹脂は、上記感光性樹脂を含むインクの全固形分に対して、質量分率で通常5%〜90%である。 Examples of the binder resin include phenol resin, novolac resin, melamine resin, acrylic resin, epoxy resin, and polyester resin. As the binder resin, the monomers may be used alone or in combination of two or more. The binder resin is usually 5% to 90% by mass fraction with respect to the total solid content of the ink containing the photosensitive resin.
架橋材としては、光を照射することによって光重合開始剤から発生した活性ラジカル、酸などによって重合し得る化合物であって、たとえば、重合性炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられる。架橋材は、分子内に重合性炭素−炭素不飽和結合を1個有する単官能の化合物であってもよいし、重合性炭素−炭素不飽和結合を2個またはそれ以上有する2官能または3官能以上の多官能の化合物であってもよい。上記感光性樹脂を含むインクにおいて、架橋材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を100質量部とすると、通常0.1質量部以上70質量部以下である。また上記感光性樹脂を含むインクにおいて光反応開始材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を100質量部とすると、通常1質量部以上30質量部以下である。 Examples of the cross-linking material include compounds that can be polymerized by active radicals, acids, and the like generated from the photopolymerization initiator by irradiation with light, and examples thereof include compounds having a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. The cross-linking material may be a monofunctional compound having one polymerizable carbon-carbon unsaturated bond in the molecule, or bifunctional or trifunctional having two or more polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds. The above polyfunctional compounds may be used. In the ink containing the photosensitive resin, the crosslinking material is usually 0.1 parts by mass or more and 70 parts by mass or less when the total amount of the binder resin and the crosslinking material is 100 parts by mass. In the ink containing the photosensitive resin, the photoreaction initiator is usually 1 part by mass or more and 30 parts by mass or less when the total amount of the binder resin and the crosslinking material is 100 parts by mass.
具体的には、ネガ型の感光性樹脂組成物(日本ゼオン株式会社製ZPN2464)を使用することができる。 Specifically, a negative photosensitive resin composition (ZPN2464 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) can be used.
さらに、感光性樹脂組成物に撥液剤を混合し、撥液剤を含む感光性樹脂組成物を調整してもよい。撥液剤には例えば、ダイキン製撥液剤オプトエース(登録商法)HPシリーズを使用することができる。撥液剤を除く感光性樹脂組成物の全固形分に対する撥液剤の固形分濃度比{(撥液剤/撥液剤を除く感光性樹脂組成物の全固形分)×100}は0.1%〜1.0%(重量)が好ましい。 Furthermore, a liquid repellent may be mixed with the photosensitive resin composition to prepare a photosensitive resin composition containing the liquid repellent. As the liquid repellent, for example, Daikin liquid repellent Optoace (registered commercial method) HP series can be used. The ratio of the solid content concentration of the liquid repellent to the total solid content of the photosensitive resin composition excluding the liquid repellent {(total solid content of the photosensitive resin composition excluding the liquid repellent / liquid repellent) × 100} is 0.1% to 1 0.0% (weight) is preferred.
本感光性樹脂組成物に照射される光(照射光)は、紫外線吸収剤などに吸収されるため、表面側から離間するほど弱くなる。そのため、本感光性樹脂組成物は光照射側(表面側)の方が硬化しやすく、表面側から離間するほど硬化しにくいという特徴がある。そのため、露光量が小さい場合は照射光の届きにくい底面付近は硬化しにくくなり、現像液に曝されることによって、隔壁端部の形状は逆テーパ形状となる。他方、感光性樹脂組成物を厚み方向に亘って硬化させるのに十分な量の露光量で光を照射した場合は、順テーパ形状とすることができる。 Light (irradiation light) irradiated to the present photosensitive resin composition is absorbed by an ultraviolet absorber or the like, and therefore becomes weaker as it is separated from the surface side. Therefore, the photosensitive resin composition is characterized in that the light irradiation side (surface side) is more easily cured and is harder to be cured as it is separated from the surface side. Therefore, when the exposure amount is small, the vicinity of the bottom surface where the irradiated light is difficult to reach is hard to be cured, and when exposed to the developer, the shape of the partition wall end becomes an inversely tapered shape. On the other hand, when light is irradiated with an exposure amount sufficient to cure the photosensitive resin composition in the thickness direction, a forward tapered shape can be obtained.
現像に使用される現像液としては、たとえば塩化カリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液などを挙げることができる。 Examples of the developer used for development include an aqueous potassium chloride solution and an aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution.
隔壁3の形状およびその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば表示領域30における隔壁3の行方向Xまたは列方向Yの幅は、5μm〜50μm程度であり、隔壁3の高さは0.3μm〜5μm程度であり、行方向Xまたは列方向Yに隣り合う隔壁3間の間隔、すなわち凹部5の行方向Xまたは列方向Yの幅は、10μm〜200μm程度である。また第1の電極6の行方向Xまたは列方向Yの幅はそれぞれ10μm〜200μm程度である。
The shape and arrangement of the
コンタクト領域31における隔壁3のコンタクトホールの行方向Xの幅は、3μm〜5000μm程度である。
The width in the row direction X of the contact hole of the
(有機EL層を形成する工程)
本工程では有機EL層を形成する(図6B参照)。本実施形態では1層以上の有機EL層のうち、少なくとも1層の有機EL層を塗布法によって形成する。本実施形態では、第1の有機EL層7および第2の有機EL層9を塗布法によって形成する。
(Process of forming organic EL layer)
In this step, an organic EL layer is formed (see FIG. 6B). In this embodiment, at least one organic EL layer among the one or more organic EL layers is formed by a coating method. In the present embodiment, the first
まず第1の有機EL層7となる材料を含むインキ22を隔壁3に囲まれた領域(凹部5)に供給する。インキは、隔壁3の形状、成膜工程の簡易さ、および成膜性などを勘案して適宜最適な方法によって供給される。インキはたとえばインクジェットプリント法、ノズルコート法、凸版印刷法、凹版印刷法などによって供給される。
First, an
つぎに供給されたインキが固化することによって第1の有機EL層7が形成される。インキの固化は、たとえば自然乾燥、加熱乾燥、真空乾燥によって行うことができる。またインキが、エネルギーを加えることによって重合する材料を含む場合、インキを供給した後に、薄膜を加熱したり、薄膜に光を照射したりすることによって、有機EL層を構成する材料を重合してもよい。このように有機EL層を構成する材料を重合することによって、この有機EL層上に有機EL層をさらに形成する際に使用されるインキに対して、有機EL層を難溶化することができる。
Next, the first
つぎに発光層として機能する第2の有機EL層9を形成する。第2の有機EL層9は第1の有機EL層7と同様に形成することができる。すなわち赤色発光層9R、緑色発光層9G、青色発光層9Bとなる材料を含む3種類のインキを、隔壁3に囲まれた領域にそれぞれ供給し、さらにこれを固化することによって各発光層9R,9G,9Bを形成することができる。
Next, a second
以上のように有機EL層を塗布法で形成することにより、逆テーパ形状の隔壁が設けられるため、隔壁3に囲まれた領域(凹部5)に供給されたインキは、毛細管現象によって、第1の電極6と隔壁3とが接続される先細状の部位7aに吸い込まれるように充填される。この状態を維持したままインキの溶媒が蒸発することによって、第1の電極6と隔壁3とが接続される部位にも有機EL層が形成される。これによって均一な膜厚の有機EL層を得ることができる。
By forming the organic EL layer by the coating method as described above, a reverse-tapered partition wall is provided, so that the ink supplied to the region surrounded by the partition wall 3 (recessed portion 5) is first caused by capillary action. The
そして、第1の電極6と隔壁3とが接続される先細状の部位7aが有機EL層7によって充填されることにより、第2の電極10に接する有機EL層9および隔壁3により構成される面が、有機EL素子4の中央部から隔壁3に近づくにつれて、基板2から離間するように形成される。
The tapered portion 7 a where the
(第2の電極等を形成する工程)
つぎに基板2の所定の領域を除く全領域(少なくとも表示領域30およびコンタクト領域31、並びに表示領域30とコンタクト領域31の間の領域)に導電性薄膜を形成する。これにより第2の電極10、接続部23およびコンタクト導体22が形成される。
(Step of forming second electrode and the like)
Next, a conductive thin film is formed in all regions (at least the
本実施形態では、コンタクト領域31では隔壁3が順テーパ形状に形成されるため、たとえ接続部23およびコンタクト導体22の膜厚が薄い場合であっても、隔壁3の端部でこれらが断線することを防ぐことができる。
In this embodiment, since the
また表示領域30では、隔壁3は逆テーパ形状に形成されているが、隔壁3に囲まれる領域の基板2側の端部は有機EL層7,9によって充填されているため、第2の電極10の膜厚が薄い場合であっても、隔壁3の端部で第2の電極10が断線することを防ぐことができる。
In the
このように、コンタクト領域31では隔壁3を順テーパ形状に形成し、表示領域30では隔壁3を逆テーパ形状に形成することにより、第2の電極10、接続部23およびコンタクト導体22の膜厚を薄くすることができ、これらを形成するために要する時間を従来技術に比べて短縮することができる。
As described above, the
第2の電極10、接続部23およびコンタクト導体22の膜厚は、必要とされる電気抵抗および成膜時間を勘案して設定されるが、10nm〜1μmであり、50nm〜500nmが好ましく、100nm〜200nmがさらに好ましい。
The film thicknesses of the
また前述したように第2の電極10の基板2側の表面は、有機EL素子4の中央部から隔壁3に近づくにつれて、基板2から離間するように形成される。換言すると、第2の電極10に接する有機EL層9および隔壁3により構成される面が、有機EL素子4の中央部から隔壁3に近づくにつれて、基板2から離間するように形成される。第2の電極10に接する有機EL層9および隔壁3により構成される面がこのように構成されることにより、第2の電極10が、有機EL層9と隔壁3との境界領域で断線することを防ぐことができる。
As described above, the surface of the
<有機EL素子の構成>
以下では有機EL素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機EL素子は、有機EL層として少なくとも1層の発光層を有するが、上述したように有機EL層として、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などを有する。
<Configuration of organic EL element>
Below, the structure of an organic EL element is demonstrated in detail. The organic EL element has at least one light emitting layer as an organic EL layer. As described above, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, a hole block layer, an electron transport can be used as the organic EL layer. A layer, an electron injection layer, and the like.
本実施の形態の有機EL素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
f)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
h)陽極/発光層/電子注入層/陰極
i)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
An example of a layer structure that can be taken by the organic EL element of the present embodiment is shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / electron injection layer / cathode e) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode f) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode g ) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode h) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode i) Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer / Cathode (Here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are adjacently stacked. The same applies hereinafter.)
なお上述の実施形態では陽極として機能する第1の電極が、第2の電極に対して基板寄りに配置される形態の有機EL素子について説明したが、本発明は陰極として機能する第1の電極が、第2の電極に対して基板寄りに配置される形態の有機EL素子にも適用することができる。また有機EL素子は、たとえば上記のa)〜i)の態様において、陽極から順次積層して陰極を最後に積層する形態、または陰極から順次積層して陽極を最後に積層する形態をとりうる。 In the above-described embodiment, the organic EL element in which the first electrode functioning as the anode is disposed closer to the substrate than the second electrode has been described. However, the present invention is the first electrode functioning as the cathode. However, the present invention can also be applied to an organic EL element that is disposed closer to the substrate with respect to the second electrode. In addition, in the above-described embodiments a) to i), the organic EL element can take a form in which the cathode is laminated sequentially from the anode and the cathode is laminated last, or a cathode is laminated sequentially from the cathode and the anode is laminated last.
<基板>
基板には、有機EL素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、たとえばガラス基板、プラスチック基板、高分子フィルム基板、およびシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。
<Board>
As the substrate, a substrate that is not chemically changed in the process of manufacturing the organic EL element is suitably used. For example, a glass substrate, a plastic substrate, a polymer film substrate, a silicon substrate, and a laminate of these are used. .
<陽極>
発光層から放射される光が陽極を通って外界に出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
<Anode>
In the case of an organic EL element having a configuration in which light emitted from the light emitting layer is emitted to the outside through the anode, an electrode exhibiting optical transparency is used for the anode. As the electrode exhibiting light transmittance, a thin film of metal oxide, metal sulfide, metal or the like can be used, and an electrode having high electrical conductivity and light transmittance is preferably used. Specifically, a thin film made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used. Among these, ITO, IZO Or a thin film made of tin oxide is preferably used. Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.
<陰極>
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
<Cathode>
A material for the cathode is preferably a material having a low work function, easy electron injection into the light emitting layer, and high electrical conductivity. Further, in the organic EL element configured to extract light from the anode side, the material of the cathode is preferably a material having high reflectivity with respect to visible light in order to reflect the light emitted from the light emitting layer to the anode side by the cathode. As the cathode, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a group 13 metal of the periodic table, or the like can be used. Examples of cathode materials include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like. A metal, two or more alloys of the metals, one or more of the metals, and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin An alloy, graphite, or a graphite intercalation compound is used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys, calcium-aluminum alloys, and the like. it can. As the cathode, a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide or a conductive organic material can be used. Specifically, examples of the conductive metal oxide include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, and IZO, and examples of the conductive organic substance include polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, and the like. The cathode may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated. The electron injection layer may be used as a cathode.
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。 Examples of the method for producing the cathode include a vacuum deposition method and an ion plating method.
陽極または陰極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。なお陽極および陰極のうちで第2の電極として設けられる電極は、前述したとおり、その厚みは必要とされる電気抵抗および成膜時間を勘案して設定されるが、10nm〜1μmであり、50nm〜500nmが好ましく、100nm〜200nmがさらに好ましい。 The film thickness of the anode or cathode is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. . Of the anode and the cathode, the electrode provided as the second electrode is set in consideration of the required electric resistance and film formation time as described above, but is 10 nm to 1 μm, and 50 nm. ˜500 nm is preferable, and 100 nm to 200 nm is more preferable.
なお電極配線20、接続部23およびコンタクト導体22は、陰極および陽極の材料として例示した材料を使用することができる。さらに接続部23およびコンタクト導体22は、第2の電極と同じ材料を用いて同一の工程で形成することが好ましい。また電極配線20は第1または第2の電極と同じ材料を用いて形成する必要はないが、第1または第2の電極よりも電気抵抗が小さくなるように形成することが好ましく、またコンタクト導体22との接触抵抗が小さくなるように形成することが好ましい。
For the
<正孔注入層>
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
<Hole injection layer>
Examples of the hole injection material constituting the hole injection layer include oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamine compounds, starburst amine compounds, phthalocyanine compounds, amorphous carbon, Examples thereof include polyaniline and polythiophene derivatives.
正孔注入層の成膜方法としては、たとえば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。たとえば正孔注入材料を含む溶液を所定の塗布法によって塗布成膜し、さらにこれを固化することによって正孔注入層を形成することができる。 Examples of the method for forming the hole injection layer include film formation from a solution containing a hole injection material. For example, a hole injection layer can be formed by coating a film containing a hole injection material by a predetermined coating method and solidifying the solution.
正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole injection layer is appropriately set in consideration of required characteristics and process simplicity, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
<正孔輸送層>
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Hole transport layer>
As the hole transport material constituting the hole transport layer, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, Triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or Examples thereof include derivatives thereof.
正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole transport layer is set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. .
<発光層>
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば103〜108程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
<Light emitting layer>
The light emitting layer is usually formed of an organic substance that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or an organic substance and a dopant that assists the organic substance. The dopant is added, for example, in order to improve the luminous efficiency and change the emission wavelength. In addition, the organic substance which comprises a light emitting layer may be a low molecular compound or a high molecular compound, and when forming a light emitting layer by the apply | coating method, it is preferable that a light emitting layer contains a high molecular compound. The number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound constituting the light emitting layer is, for example, about 10 3 to 10 8 . Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer include the following dye materials, metal complex materials, polymer materials, and dopant materials.
(色素系材料)
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(Dye material)
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like.
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、たとえばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Ir, Pt, etc. as a central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline. Examples include metal complexes having a structure as a ligand, such as iridium complexes, platinum complexes, etc., metal complexes having light emission from a triplet excited state, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc A complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, and the like can be given.
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
(Polymer material)
As polymer materials, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole derivatives, the above dye materials and metal complex light emitting materials are polymerized. The thing etc. can be mentioned.
発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。 The thickness of the light emitting layer is usually about 2 nm to 200 nm.
<電子輸送層>
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
<Electron transport layer>
As the electron transport material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra. Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, etc. Can be mentioned.
電子輸送層の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the electron transport layer is appropriately set in consideration of the required characteristics and the simplicity of the film forming process, and is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm. .
<電子注入層>
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、およびこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばLiF/Caなどを挙げることができる。
<Electron injection layer>
As a material constituting the electron injection layer, an optimal material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alloy containing one or more of alkali metals, alkaline earth metals, alkali metals and alkaline earth metals, Examples include alkali metal or alkaline earth metal oxides, halides, carbonates, and mixtures of these substances. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Examples thereof include barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and magnesium carbonate. An electron injection layer may be comprised by the laminated body which laminated | stacked two or more layers, for example, LiF / Ca etc. can be mentioned.
電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。 The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.
上述の各有機EL層は、たとえばノズルプリンティング法、インクジェットプリンティング法、凸版印刷法、凹版印刷法などの塗布法や、真空蒸着法、スパッタリング法、またはCVD法などによって形成することができる。なお有機EL層が複数ある場合、少なくとも1層の有機EL層は塗布法によって形成される。 Each organic EL layer described above can be formed by, for example, a coating method such as a nozzle printing method, an ink jet printing method, a relief printing method, an intaglio printing method, a vacuum deposition method, a sputtering method, or a CVD method. When there are a plurality of organic EL layers, at least one organic EL layer is formed by a coating method.
なお塗布法では、各有機EL層となる有機EL材料を含むインキを塗布成膜し、さらにこれを固化することによって有機EL層を形成するが、その際に使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水などが用いられる。 In the coating method, an ink containing an organic EL material to be each organic EL layer is applied and formed into an organic EL layer by further solidifying the ink. For example, chloro solvents such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve An ester solvent such as acetate and water are used.
(実施例1)
まずITO薄膜からなる第1の電極(陽極)および電極配線が予めパターン形成されたTFT基板を用意した(図5A,図7A参照)。
Example 1
First, a TFT substrate in which a first electrode (anode) made of an ITO thin film and electrode wirings were previously patterned was prepared (see FIGS. 5A and 7A).
つぎにネガ型の感光性樹脂溶液(日本ゼオン株式会社製ZPN2464)に撥液剤2(ダイキン製 撥液剤オプトエース(登録商法)HPシリーズ)を混合し、撥液材入りの感光性樹脂溶液を調整した。感光性樹脂に対する撥液剤の固形分濃度比は0.2%(重量)とした。つぎに、用意したTFT基板の表面上に撥液材入りの感光性樹脂溶液をスピンコータにより塗布成膜し、さらに、ホットプレート上において110℃で90秒間加熱することによってプリベーク処理を行い、溶媒を蒸発させた(図5B,図7B参照)。 Next, the negative type photosensitive resin solution (ZPN2464 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) is mixed with the liquid repellent 2 (Daikin liquid repellent Opt-Ace (registered commercial method) HP series) to prepare the photosensitive resin solution containing the liquid repellent material. did. The solid content concentration ratio of the liquid repellent to the photosensitive resin was 0.2% (weight). Next, a photosensitive resin solution containing a liquid repellent material is applied and formed on the surface of the prepared TFT substrate by a spin coater, and further prebaked by heating on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to remove the solvent. It evaporated (refer FIG. 5B and FIG. 7B).
つぎにプロキシミティ露光機用フォトマスクA、フォトマスクBを用意した。フォトマスクAを用いて第1の露光領域(表示領域30およびこの表示領域30の周縁部32)を露光量40mJ/cm2で露光した(図5C,図9参照)。続いてフォトマスクBを用いて第2の露光領域(表示領域30を除く領域)を80mJ/cm2で露光した。(図7C,図9参照)。具体的には第2の露光領域において、コンタクト領域を除く領域を露光した。その後、110℃で60秒間露光後ベーク(PEB)を行った。続いて現像液(株式会社トクヤマ製SD-1(TMAH2.38wt%))を用いてシャワーにより50秒間現像し、未露光部分の感光性樹脂を除去した。さらにポストベークとして230℃で30分間加熱し、樹脂を硬化させた。これにより、表示領域内では逆テーパ形状の隔壁が形成され、表示領域外(カソードコンタクト領域を含む)では順テーパ形状の隔壁が形成された(図6A,図8A参照)。
Next, a photomask A and a photomask B for proximity exposure machine were prepared. Using the photomask A, the first exposure region (the
隔壁の膜厚は0.7μmとした。上述したように隔壁側面の傾斜角θ1、θ2は膜厚にも依存することがあり、本実施例のように膜厚が0.7μmの場合は、40mJ/cm2以下で逆テーパ形状となり、80mJ/cm2以上では順テーパ形状の隔壁が形成できた。表示領域30では、隔壁3の側面と基板の表面との成す角度θ1は150°であった。コンタクトホールが形成される領域では、隔壁3の側面と基板の表面との成す角度θ2は25°であった。
The partition wall thickness was 0.7 μm. As described above, the inclination angles θ1 and θ2 on the side walls of the partition wall may depend on the film thickness. When the film thickness is 0.7 μm as in this example, an inversely tapered shape is obtained at 40 mJ / cm 2 or less. At 80 mJ / cm 2 or more, a forward-tapered partition wall could be formed. In the
なお、隔壁頂面とアニソールとの接触角は50°であった。また第1の電極(ITO薄膜)表面と、純水との接触角は25°であった。 The contact angle between the top surface of the partition wall and anisole was 50 °. The contact angle between the surface of the first electrode (ITO thin film) and pure water was 25 °.
つぎに第1の有機EL層として正孔注入層を形成した。まずオゾン水製造装置(ロキテクノ社製 FA-1000ZW12-5C)を用いて、基板表面をオゾン水(濃度:2ppm、処理時間:5分)で洗浄した。この洗浄によって、第1の電極(ITO薄膜)表面と純水との接触角が5°以下にまで低下し、第1の電極(ITO薄膜)表面に十分な濡れ性を付与することができた。つぎにインクジェット装置(ULVAC社製 Litlex142P)を用いてインキ(固形分濃度1.5重量%のポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)水分散液(バイエル社製 AI4083))を、各凹部に塗布した。インキは、接触角の高い隔壁の頂面によって弾かれるため、この頂面を伝わって隣の領域に溢れ出ることが防がれ、凹部内に収容された。他方、凹部に収容されたインキは、毛細管現象によって第1の電極と隔壁とが接続される先細状の部位に吸い込まれるように充填され、凹部内に均一に広がった。この基板を200℃で焼成することにより、均一な膜厚の正孔注入層(膜厚50nm)を形成した(図6B参照)。ここでの膜厚とは凹部の中心の膜厚を意味する。 Next, a hole injection layer was formed as a first organic EL layer. First, the surface of the substrate was washed with ozone water (concentration: 2 ppm, treatment time: 5 minutes) using an ozone water production apparatus (FA-1000ZW12-5C manufactured by Loki Techno Co., Ltd.). By this cleaning, the contact angle between the surface of the first electrode (ITO thin film) and pure water was reduced to 5 ° or less, and sufficient wettability could be imparted to the surface of the first electrode (ITO thin film). . Next, an ink (poly (ethylenedioxythiophene) (PEDOT) / polystyrene sulfonic acid (PSS) aqueous dispersion having a solid content concentration of 1.5% by weight (Bayer AI4083) using an inkjet device (Litlex142P manufactured by ULVAC) ) Was applied to each recess. Since the ink was repelled by the top surface of the partition wall having a high contact angle, the ink was prevented from overflowing to the adjacent area through this top surface and was accommodated in the recess. On the other hand, the ink accommodated in the concave portion was filled so as to be sucked into a tapered portion where the first electrode and the partition wall were connected by capillary action, and spread uniformly in the concave portion. The substrate was baked at 200 ° C. to form a hole injection layer (film thickness 50 nm) with a uniform film thickness (see FIG. 6B). The film thickness here means the film thickness at the center of the recess.
つぎに3種類の発光層を形成した。まず赤色の光を放射する高分子発光材料1を、その濃度が0.8wt%となるように有機溶媒に混合して、赤インキを調整した。同様に、緑色の光を放射する高分子発光材料2を、その濃度が0.8wt%となるように有機溶媒に混合して、緑インキを調整した。そして青色の光を放射する高分子発光材料2を、その濃度が0.8wt%となるように有機溶媒に混合して、青インキを調整した。これら赤、緑、青インキをそれぞれインクジェット装置(ULVAC社製 Litrex142P)を用いて所定の凹部内に塗布した。インキは、接触角の高い隔壁の頂面によって弾かれるため、この頂面を伝わって隣の領域に溢れ出ることが防がれ、凹部内に収容された。他方、凹部に収容されたインキは、毛細管現象によって第1の電極と隔壁とが接続される先細状の部位に吸い込まれるように充填され、凹部内に均一に広がった。この基板を130℃で焼成することにより、均一な膜厚の発光層(膜厚60nm)を形成した(図6B参照)。なお高分子発光材料として、たとえばサメイション製のものを使用して発光層を形成することもできる。
Next, three types of light emitting layers were formed. First, the polymer light-emitting
次にNaF(2nm)からなる層、Mg(2nm)からなる層、Al(200nm)からなる層を真空蒸着法によって順次積層し、第2の電極(陰極)、接続部およびコンタクト導体を形成した。その後、封止基板を貼り合せて、有機EL素子を封止し、表示装置を作製した。 Next, a layer made of NaF (2 nm), a layer made of Mg (2 nm), and a layer made of Al (200 nm) were sequentially laminated by a vacuum vapor deposition method to form a second electrode (cathode), a connection portion, and a contact conductor. . Then, the sealing substrate was bonded together, the organic EL element was sealed, and the display apparatus was produced.
上記発光層が形成された後の画素周囲の隔壁の下部は有機EL層で埋められ、隔壁表面から有機EL層表面に亘って段差のない形状が得られた。そのため、全ての有機EL素子に亘って連なる、膜厚が200nmからなるAlの第2の電極が形成された。このように画素周囲が逆テーパ形状の隔壁であっても薄い膜厚の陰極が断線することはなかった。さらに、カソードコンタクト領域は隔壁自体が順テーパ形状に形成されているので、薄い膜厚の接続部およびコンタクト導体であっても、これらが断線することはなかった。作製した表示装置は、有機EL素子が設けられた全発光領域内において正常に発光することが確認された。 The lower part of the partition wall around the pixel after the light emitting layer was formed was filled with an organic EL layer, and a shape without a step was obtained from the partition surface to the organic EL layer surface. Therefore, an Al second electrode having a film thickness of 200 nm was formed continuously over all organic EL elements. Thus, even if the periphery of the pixel is a reverse-tapered partition wall, the thin cathode does not break. Further, since the partition wall itself is formed in a forward taper shape in the cathode contact region, even a thin connection portion and contact conductor are not disconnected. It was confirmed that the manufactured display device normally emitted light in the entire light emitting region provided with the organic EL element.
1 表示装置
2 基板
3 隔壁
3a 隔壁3の基板2側の端部
3b 隔壁3の基板2側とは反対側の端部
4 有機EL素子
5 凹部
6 第1の電極
7 第1の有機EL層(正孔注入層)
7a 先細状の部位
8 隔壁形成用膜
9 第2の有機EL層(発光層)
10 第2の電極
20 電極配線
21 フォトマスク
21a 第1のフォトマスク
21b 第2のフォトマスク
22 コンタクト導体
23 接続部
30 表示領域
31 コンタクト領域
32 周縁部
51 隔壁
52 有機EL素子
53 第1の電極
54 有機EL層
55 有機EL層
56 第2の電極
57 先端部
58 基板
61 接続部
62 コンタクト導体
63 電極配線
DESCRIPTION OF
7a Tapered
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記基板上の表示領域に設けられる複数の有機EL素子と、
前記有機EL素子の設けられる領域を規定するとともに、前記表示領域外に設けられるコンタクトホールを規定する隔壁とを有する表示装置であって、
前記複数の有機EL素子は、第1の電極と、当該第1の電極よりも前記基板から離間して設けられる第2の電極と、前記電極間に設けられる1または複数の有機EL層とを有し、
前記第2の電極は、前記表示領域から前記コンタクトホールまで前記隔壁上を延在する接続部を有し、
前記隔壁の基板側の端部は、
前記表示領域では、その側面とその底面との成す角が鈍角となるように形成され、
前記コンタクトホールが形成される領域では、その側面とその底面との成す角が鋭角となるように形成されている、表示装置。 A substrate,
A plurality of organic EL elements provided in a display region on the substrate;
A display device that defines a region in which the organic EL element is provided and a partition wall that defines a contact hole provided outside the display region;
The plurality of organic EL elements include a first electrode, a second electrode provided farther from the substrate than the first electrode, and one or more organic EL layers provided between the electrodes. Have
The second electrode has a connection portion extending on the partition wall from the display region to the contact hole,
The end of the partition on the substrate side is
In the display area, an angle formed between the side surface and the bottom surface is formed to be an obtuse angle,
In the region where the contact hole is formed, the display device is formed such that an angle formed between the side surface and the bottom surface is an acute angle.
ネガ型のフォトレジストを基板上に塗布して隔壁形成用膜を形成し、表示領域とコンタクトホールが設けられる領域とで露光量を異ならせて、前記隔壁形成用膜を露光し、現像することにより前記隔壁を形成する工程を有する、表示装置の製造方法。 A method for manufacturing the display device according to claim 1,
A negative photoresist is applied on the substrate to form a partition forming film, and the partition forming film is exposed and developed with different exposure amounts in the display region and the region in which the contact hole is provided. The manufacturing method of the display apparatus which has the process of forming the said partition by.
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Families Citing this family (1)
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06208137A (en) * | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thin film transistor matrix |
WO2004062323A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
JP2007128041A (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-24 | Samsung Sdi Co Ltd | Flat panel display apparatus |
JP2007227289A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | Electrooptic device, method of manufacturing same and electronic device |
JP2011060785A (en) * | 1999-04-02 | 2011-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method for producing the same |
JP2012014856A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Display device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060133670A (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-27 | 삼성전자주식회사 | Luminescence device and method of manufacturing thereof and display substrate having the same |
KR101386055B1 (en) * | 2006-06-19 | 2014-04-16 | 소니 주식회사 | Luminous display device, and its manufacturing method |
JP5024220B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTRONIC DEVICE |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06208137A (en) * | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture of thin film transistor matrix |
JP2011060785A (en) * | 1999-04-02 | 2011-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent display device and method for producing the same |
WO2004062323A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
JP2007128041A (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-24 | Samsung Sdi Co Ltd | Flat panel display apparatus |
JP2007227289A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | Electrooptic device, method of manufacturing same and electronic device |
JP2012014856A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Display device |
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