JP2014232214A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間を長くし、発光Dutyの向上を図ることを目的とする。【解決手段】発光素子と、第1乃至第3トランジスタと、第1及び第2容量と、を有する画素回路がマトリクス状に配置された表示装置の駆動方法であって、第2容量に前記階調データ電圧を書き込み、第2電源の電圧を第1トランジスタのゲート電極に供給し、階調データ電圧を第1トランジスタのゲート電極に供給し、第1トランジスタを通じて電流を発光素子に供給して発光させることを特徴とする表示装置の駆動方法。【選択図】図2
Description
本発明は電気光学装置における画素回路及びその駆動方法に関する発明である。
近年、CRTディスプレイ(Cathode Ray Tube display)に替わる表示装置として、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display Device:LCD)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の表示装置が多く採用されている。特に有機ELディスプレイは低消費電力、薄型ディスプレイとして非常に注目を集めている。
有機EL素子は、素子に流れる電流によって発光輝度が変化するが、アクティブマトリクスパネルで用いる薄膜トランジスタ(TFT)素子の特性ばらつき(TFT閾値電圧(Vth)ばらつき)によって、画素毎に有機EL素子に流れる電流が異なり、表示ムラとなって表示品位を低下させる要因となる。
そこで、駆動トランジスタ特性ばらつきの表示への影響を抑制するため、画素内に補償回路を設けてトランジスタのVth(閾値)ばらつきを抑えるための技術、いわゆるVth補償技術が開発されている。
例えば特許文献1や特許文献2は、駆動トランジスタ、スイッチトランジスタ、第1容量、発光素子から構成され、ひとつの画素に6個のトランジスタと1個の第1容量から構成され、初期化期間、Vth補償期間、データプログラム期間、発光期間に分かれて駆動するEL表示装置を開示している。
特許文献の画素回路を用いて、例えば3D表示を行うSimultaneous駆動を行う場合、初期化、Vth補償、データプログラムを行う期間は非発光状態であり、また、各画素回路毎に初期化、Vth補償、データプログラムを行う必要があった。そのため、パネルの大型化・高精細化による画素数の増加に伴い、1つの画素回路当たりに割り当てられた上記の動作を行うための時間が短くなってしまう。また、反対に1フレーム期間におけるデータプログラム時間を確保しようとすると、相対的に有機EL素子(発光素子)の発光時間が短くなり(発行Dutyが悪化)、消費電力の増加や、有機EL素子の信頼性低下の原因となる。
また、データプログラムにおいて、画素数が多くなると負荷容量が大きくなるため信号の遅延が大きくなり、正確な階調データをプログラムするためにはより多くの時間が必要になる。上記のように、画素数の増加に伴い1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間は短くなり、正確なデータプログラムができず表示画質が悪化する問題が発生する。
本発明は、初期化、Vth補償を全画面一括で処理を行うことで、1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間を長くし、表示品質及び発光Dutyの向上を図ることを目的とする。
本発明の一実施形態に係る画素回路の駆動方法は、供給された電流によって発光強度が決まる発光素子と、ゲート電極に供給される階調データ電圧に応じて前記発光素子への供給電流の大きさを制御する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1トランジスタの第1端子とに接続された第2トランジスタと、第1端子が前記第1トランジスタの第2端子に接続する第3トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1電源とに接続された第1容量と、前記第3トランジスタの第2端子と前記第1電源とに接続された第2容量と、を有する画素回路がマトリクス状に配置された表示装置の駆動方法であって、前記第2容量に前記階調データ電圧を書き込み、第2電源の電圧を前記第1トランジスタのゲート電極に供給し、前記階調データ電圧を前記第1トランジスタのゲート電極に供給し、前記第1トランジスタを通じて電流を前記発光素子に供給して発光させる動作を行う。
この画素回路の駆動方法によれば、1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間を長くすることができ、表示品質及び発光Dutyの向上を図ることができる。
また、別の好ましい態様において、前記第1トランジスタの第2端子と前記第1電源とに接続された第4トランジスタを有してもよい。
また、別の好ましい態様において、前記第1トランジスタの第1端子と前記発光素子とに接続された第5トランジスタを有してもよい。
また、別の好ましい態様において、前記第3トランジスタの第2端子と信号線とに接続された第6トランジスタを有してもよい。
また、別の好ましい態様において、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2電源とに接続された第7トランジスタを有してもよい。
この画素回路の駆動方法によれば、さらに表示装置をより精度よく制御することができ
る。
る。
本発明の一実施形態に係る画素回路は、供給された電流によって発光強度が決まる発光素子と、ゲート電極に供給される階調データ電圧に応じて前記発光素子への供給電流の大きさを制御する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1トランジスタの第1端子とに接続された第2トランジスタと、第1端子が前記第1トランジスタの前記第2端子に接続する第3トランジスタと、前記第1トランジスタの第2端子と第1電源とに接続された第4トランジスタと、前記第1トランジスタの前記第1端子と前記発光素子とに接続された第5トランジスタと、前記第3トランジスタの第2端子と信号線とに接続された第6トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極と第2電源とに接続された第7トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1電源とに接続された第1容量と、前記第3トランジスタの前記第2端子と前記第1電源とに接続された第2容量と、を有する。
この画素回路によれば、1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間を長くすることができ、表示品質及び発光Dutyの向上を図ることができる。
本発明によれば、1つの画素回路当たりのデータプログラムに使える時間を長くし、表示品質及び発光Dutyの向上を図ることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る発光素子を駆動する画素回路及びそれを用いた表示装置について説明する。但し、本発明の発光素子を駆動する画素回路及びそれを用いた表示装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施形態1)
図1〜図5を参照して、実施形態1に係る発光表示装置の構成および動作方法を説明する。図1は本発明の実施形態1に係る電子機器1の構成の一例を示す概略図である。電子機器1は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなど、画像を表示する表示部を有する装置である。電子機器1は、表示装置2、制御部80および電源90を有する。表示装置2は、マトリクス状に配置された画素毎に画素回路100を有する。
図1〜図5を参照して、実施形態1に係る発光表示装置の構成および動作方法を説明する。図1は本発明の実施形態1に係る電子機器1の構成の一例を示す概略図である。電子機器1は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなど、画像を表示する表示部を有する装置である。電子機器1は、表示装置2、制御部80および電源90を有する。表示装置2は、マトリクス状に配置された画素毎に画素回路100を有する。
表示装置2は、各画素回路100における発光素子を発光させて画像を表示し、上記の表示部を構成する。各画素回路100における発光素子は、発光ダイオードを有する(図2参照)。この例では、発光ダイオードは、OLED(Organic Light Emitting Diode)を用いた発光素子であるものとするが、発光素子(発光ダイオード)であれば、OLEDに限られない。また、本実施形態の電子機器1は、三次元(3D)表示を行うためのシャッタ眼鏡200が具備されていてもよい。シャッタ眼鏡200は後述するように3D表示時に表示装置2と同期するように制御される。
なお、図1において、画素回路100は、マトリクス状に配置されているが、この配置でなくてもよい。以下の説明では、画素回路100は、n行m列のマトリクス状に配置されるものとする。表示装置2の詳細については後述する。
制御部80は表示装置2の動作を制御するコントローラである。制御部80は、スキャンドライバ10、エミッション制御ドライバ20、データドライバ30を制御する。また、制御部80は、電子機器1の表示部に表示させる画像を示す画像データが入力され、入力された画像データに基づいて各画素回路100における階調を決定し、決定した階調に応じたデータ電圧(階調データ電圧)を画素回路100に供給することにより各画素回路100の発光素子を発光させるように制御する。なお、制御部80はCPU(Central Processing Unit)、メモリなどを有していてもよい。
電源90は、表示装置2および制御部80など、電子機器1の各部へ電力を供給する。表示装置10における各画素回路100の発光ダイオードのアノードからカソードへの電流は、この電源90から供給される。このとき、電源90は、例えば、後述するアノード電圧ELVDD、カソード電圧ELVSSを供給する。
表示装置2は画素回路100がn行m列のマトリクス状に配置されており、各画素回路はスキャンドライバ10、エミッション制御ドライバ20、データドライバ30によって制御される。ここで、n=1,2,3,・・・、m=1,2,3,・・・であり、例えばn=3であれば3行目に配置された画素回路群を指し、m=3であれば3列目に配置された画素回路群を指す。
スキャンドライバ10、エミッション制御ドライバ20はそれぞれ初期化、Vth補償、データプログラム、発光を実行する行を選択する駆動回路であり、各行の画素回路100に対応して設けられたゲート制御信号線11〜13にゲート制御信号SCAN(n)を供給し、エミッション制御線21〜23にエミッション制御信号EM(n)を供給し、データドライバ30から出力された階調データ電圧VDATA(n)がデータ線31〜33を介して各画素回路に供給される。また、初期化制御信号INITやゲート制御信号GCは全ての画素回路に共通しており、全ての画素回路の初期化又はデータ転送を同じ期間に行うことができる。
図2は本発明の実施形態1における単位画素の回路構成の一例を示す回路図である。図2は、画素回路を構成するトランジスタが全てpチャネル型である場合を示している。一つの画素回路は、駆動トランジスタM1、スイッチトランジスタM2,M6,M7、エミッショントランジスタM3,4、データ転送トランジスタM5、第1容量Cst、第2容量Ct、発光素子D1で構成される。このように、一つの画素回路が7個のトランジスタと、2個の容量と発光素子と、で構成されている。
実施形態1では、ゲート制御信号SCAN(n)はスイッチトランジスタM6を制御し、データプログラム時において第2容量Ctにデータドライバ30から供給される階調データ電圧VDATA(n)を書き込む。本実施例では、データプログラムは発光期間に行われ、各行毎に所定の順番で順次排他的に選択される。また、エミッション制御信号EM(n)はエミッショントランジスタM3,M4を制御し、発光・非発光の制御を行う。また、初期化制御信号INITはスイッチトランジスタM7を制御し、駆動トランジスタM1への初期化電圧VINITの供給を制御することで、画素回路100の初期化のタイミングを制御する。また、ゲート制御信号GCはスイッチトランジスタM2およびデータ転送トランジスタM5を制御し、Vth補償+データ転送のタイミングを制御する。
図2を用いて単位画素100の各々の素子の接続関係を説明する。発光素子D1のカソード側の電極はカソード電源ELVSSに接続されている。駆動トランジスタM1はゲート電極に供給される電圧に応じてD1への供給電流の大きさを制御する。M1のゲート電極とM1の第1端子とにゲート制御信号GCで制御されるスイッチトランジスタM2が接続されている。M1の第2端子とアノード電源ELVDDとには、エミッション制御信号EM(n)で制御されるエミッショントランジスタM3が接続されている。M1の第1端子と発光素子とには、エミッション制御信号EM(n)で制御されるエミッショントランジスタM4が接続されている。M1の第2端子には、ゲート制御信号GCで制御されるスイッチトランジスタM5の第1端子が接続されている。M5の第2端子とデータ線とには、ゲート制御信号SCAN(n)で制御されるスイッチトランジスタM6が接続されている。M1のゲート電極と初期化電源とには、初期化制御信号INITで制御されるスイッチトランジスタM7が接続されている。M1のゲート電極とELVDDとにはM1のゲートに供給された電圧を維持するための第1容量Cstが接続され、M5の第2端子とELVDDとには次のフレーム期間の階調データ電圧を保持する第2容量Ctが接続されている。
以下では、画素回路を動作させる各種信号が、「ローレベル」と「ハイレベル」の論理レベルを示す電圧信号であるものとして説明する。また、以下では、トランジスタが導通することを“トランジスタがオンする”または“トランジスタがオンとなる”と示し、トランジスタが導通しないことを“トランジスタがオフする”または“トランジスタがオフとなる”と示す場合がある。
図3は本発明の実施形態1における単位画素の各動作期間の状態を示す。図4は本発明の実施形態1における発光表示装置のタイミングチャートを示す。図3,4では(a)初期化期間、(b)Vth補償+データ転送期間、(c)データプログラム+発光期間にそれぞれ分かれている。また、図3における矢印は電流の向きを表す。
(a)初期化期間
初期化制御信号INITがローレベルになりスイッチトランジスタM7がオンし、駆動トランジスタM1のゲート電極および第1容量Cstに初期化電圧VINITが供給され、画素回路100の初期化が行われる。この初期化動作は表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができる。初期化動作は初期化制御信号INITがハイレベルになりM7がオフすることで終了する。
初期化制御信号INITがローレベルになりスイッチトランジスタM7がオンし、駆動トランジスタM1のゲート電極および第1容量Cstに初期化電圧VINITが供給され、画素回路100の初期化が行われる。この初期化動作は表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができる。初期化動作は初期化制御信号INITがハイレベルになりM7がオフすることで終了する。
(b)Vth補償+データ転送期間
ゲート制御信号GCがローレベルになりスイッチトランジスタM2およびデータ転送トランジスタM5がオンし、前のフレーム期間に第2容量Ctに書き込まれていた階調データ電圧VDATAがM5→M1→M2を介してM1のゲート電極および第1容量Cstに供給される。ここで、Ctへの階調データ電圧の書き込み方法の詳細は後述する。このとき、M2はM1のゲート電極と第1端子(この状態の時はドレイン電極に該当する)とが接続されたダイオード接続となっており、M1のゲート電極にはVDATAからM1のトランジスタの閾値(Vth)分だけ低い電圧が供給される。この動作はVth補償動作と呼ばれるもので発光時のM1の閾値ばらつきの影響を抑制することができ、データ信号で発光素子D1に流れる電流をより正確に制御することができる。このとき、データ転送動作と同時にVth補償が行われることから、Vth補償+データ転送、もしくはVth補償動作を含むデータ転送動作と呼ぶ。ここで、前のフレーム期間に各画素回路のCtに階調データ電圧が書き込まれているので、このVth補償動作を含むデータ転送動作は表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができる。Vth補償動作を含むデータ転送動作はゲート制御信号GCがハイレベルになりM2およびM5がオフして終了する。
ゲート制御信号GCがローレベルになりスイッチトランジスタM2およびデータ転送トランジスタM5がオンし、前のフレーム期間に第2容量Ctに書き込まれていた階調データ電圧VDATAがM5→M1→M2を介してM1のゲート電極および第1容量Cstに供給される。ここで、Ctへの階調データ電圧の書き込み方法の詳細は後述する。このとき、M2はM1のゲート電極と第1端子(この状態の時はドレイン電極に該当する)とが接続されたダイオード接続となっており、M1のゲート電極にはVDATAからM1のトランジスタの閾値(Vth)分だけ低い電圧が供給される。この動作はVth補償動作と呼ばれるもので発光時のM1の閾値ばらつきの影響を抑制することができ、データ信号で発光素子D1に流れる電流をより正確に制御することができる。このとき、データ転送動作と同時にVth補償が行われることから、Vth補償+データ転送、もしくはVth補償動作を含むデータ転送動作と呼ぶ。ここで、前のフレーム期間に各画素回路のCtに階調データ電圧が書き込まれているので、このVth補償動作を含むデータ転送動作は表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができる。Vth補償動作を含むデータ転送動作はゲート制御信号GCがハイレベルになりM2およびM5がオフして終了する。
(c)データプログラム+発光期間
エミッション制御信号EM(n)がローレベルとなりエミッショントランジスタM3,M4がオンする。また、アノード電源ELVDDから供給された電流のうち第1容量Cstに書き込まれた電圧に基づく電流が駆動トランジスタM1を通じて発光素子D1に供給されてD1を発光させる。また、同じ期間にゲート制御信号SCAN(n)がローレベルとなりスイッチトランジスタM6がオンし、第2容量Ctに次のフレーム期間の階調データ電圧VDATAが供給される。このとき、CtにはVDATAとELVDDの差に起因した電圧が書き込まれ、データがプログラムされた状態になっている。CtへのVDATAの書き込みは発光期間内に各行毎に所定の順番で順次排他的に行われる。ここで、データ転送トランジスタM5がオフしているため、次のフレーム期間の階調データ電圧は発光強度には影響を及ぼさない。発光動作はエミッション制御信号EM(n)がハイレベルになりM3,M4がオフして終了する。
エミッション制御信号EM(n)がローレベルとなりエミッショントランジスタM3,M4がオンする。また、アノード電源ELVDDから供給された電流のうち第1容量Cstに書き込まれた電圧に基づく電流が駆動トランジスタM1を通じて発光素子D1に供給されてD1を発光させる。また、同じ期間にゲート制御信号SCAN(n)がローレベルとなりスイッチトランジスタM6がオンし、第2容量Ctに次のフレーム期間の階調データ電圧VDATAが供給される。このとき、CtにはVDATAとELVDDの差に起因した電圧が書き込まれ、データがプログラムされた状態になっている。CtへのVDATAの書き込みは発光期間内に各行毎に所定の順番で順次排他的に行われる。ここで、データ転送トランジスタM5がオフしているため、次のフレーム期間の階調データ電圧は発光強度には影響を及ぼさない。発光動作はエミッション制御信号EM(n)がハイレベルになりM3,M4がオフして終了する。
上記のように、本実施例の画素回路および駆動方法を行うことで、発光期間中に次のフレーム期間のデータをプログラムすることができる。したがって、従来データプログラムのために必要だった時間を発光期間に使うことができ、発光期間を長く取ることができる。
また、初期化動作やVth補償動作を含むデータ転送動作は、表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができる。したがって、従来は表示装置に存在する画素回路の数だけ必要だった初期化動作やVth補償動作を含むデータ転送動作の動作を1回で行うことができるため、一つの画素回路当たりに使用できる時間を長くしつつ、全体の所要時間を短くすることができる。
図5に本発明の実施形態1における駆動方法を示す。図5では初期化動作とVth補償動作を含むデータ転送動作とを表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行う。発光期間中に表示に関わる全ての画素回路に対して線順次的にデータプログラム動作を行うことで、全画素回路で非発光と発光とを繰り返し、図5に示すようなSimultaneous駆動で動作をおこなう。
図5では、特に三次元(3D)表示を行う場合の表示方法を示している。Simultaneous駆動では制御部80で表示装置2とシャッタ眼鏡200とを同時に制御することで立体的な画像を提供する。
具体的には、図5に示すように最初の1フレーム期間では、表示装置2は右眼用のデータを表示し、それと同期するようにシャッタ眼鏡200の右眼が透過状態、左眼が非透過状態となり、右眼にのみ右眼用の画像データが視認される。次のフレーム期間では、表示装置2は左眼用の画像データを表示し、それと同期するようにシャッタ眼鏡200の左眼が透過状態、右眼が非透過状態となり、左眼にのみ左眼用の画像データが視認される。このように、右眼には右眼用の画像データを、左眼には左眼用の画像データを送ることで立体的な画像を表示する。
本実施形態によると、初期化動作とVth補償動作を含むデータ転送動作とに必要な時間以外は発光期間に割り当てることができる。初期化動作とVth補償動作を含むデータ転送動作とに必要な時間は1msec以下、好ましくは100μsec以下あればよい。表示装置を60Hzで表示させた場合、1フレーム期間は約16.7msecであるので、1フレーム期間の90%以上を発光期間に使用することができる。つまり、90%以上の発光Duty駆動をすることができる。
ここで、初期化動作とVth補償動作を含むデータ転送動作との非発光期間は任意で設定することができ、例えば3D表示を行う場合は、右眼用のデータが左眼に、又は左眼用のデータが右眼に視認されない程度に非発光期間を設定してもよい。
本実施形態で説明した本発明の画素回路の駆動方法は実施例の一つであり、本実施形態の駆動方法に限定されず、目的を逸脱しない範囲でさまざまな駆動方法を採用することができる。
例えば、本実施形態では発光期間中に表示に関わる全ての画素回路に対してデータプログラムを行う例を示したが、発光期間中に全ての画素回路にデータプログラムされず、一部の画素回路のデータプログラムが非発光期間中に行われてもよく、全てのデータプログラムが非発光期間中に行われてもよい。そのような場合でも、少なくともVth補償動作を含むデータ転送動作を表示に関わる全ての画素回路に対して同じ期間に行うことができるため、全体のVth補償動作を含むデータ転送動作の動作期間を短くすることができる。
また、本実施形態では、スイッチトランジスタM2とデータ転送トランジスタM5を同時制御しているが、それぞれのトランジスタを個別に制御してもよい。
また、エミッショントランジスタM3,M4を同時制御しているが、それぞれのトランジスタを個別に制御してもよい。
また、本実施形態におけるタイミングチャートでは、(a)〜(c)の各期間の切り替わりが同時に行われる動作を例示したが、本発明の目的が達成できる範囲内で各信号のタイミングをずらすことができる。
例えば、実施形態1の初期化期間において、エミッショントランジスタM4がオンした状態でスイッチトランジスタM7がオンすると、駆動トランジスタM1が多くの電流を流してしまう。その結果、黒浮きなどの問題が生じ、コントラストが低下してしまう。したがって、M3,M4をオフした以後にM7をオンすることが好ましい。
また、実施形態1のVth補償+データ転送期間において、M7がオンした状態でスイッチトランジスタM2およびデータ転送トランジスタM5をオンすると、第2容量Ctに書き込まれたデータをM1のゲートおよび第1容量Cstに転送することができなくなる。したがって、M7をオフした以後にM2,M5をオンすることが好ましい。
また、M2,M5をオンした状態でエミッショントランジスタM3,M4をオンすると、M1のゲートおよび第1容量Cstに転送された階調データが書き換えられてしまう。したがって、M2,M5をオフした以後にM3,M4をオンすることが好ましい。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1:電子機器、 2:表示装置、 10:スキャンドライバ、 20:エミッション制御ドライバ、 30:データドライバ、 80:制御部、 90:電源、 100:画素回路、 200:シャッタ眼鏡、 11,12,13,14:ゲート制御信号線、 21,22,23,24:エミッション制御線、 31,32,33,34:データ線
Claims (7)
- 供給された電流によって発光強度が決まる発光素子と、
ゲート電極に供給される階調データ電圧に応じて前記発光素子への供給電流の大きさを制御する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1トランジスタの第1端子とに接続された第2トランジスタと、
第1端子が前記第1トランジスタの第2端子に接続する第3トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1電源とに接続された第1容量と、
前記第3トランジスタの第2端子と前記第1電源とに接続された第2容量と、
を有する画素回路がマトリクス状に配置された表示装置の駆動方法であって、
前記第2容量に前記階調データ電圧を書き込み、
第2電源の電圧を前記第1トランジスタのゲート電極に供給し、
前記第2容量に書き込まれた前記階調データ電圧を前記第1トランジスタのゲート電極に供給し、
前記第1トランジスタを通じて電流を前記発光素子に供給して発光させること、
を含むことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 前記第1トランジスタの第2端子と前記第1電源とに接続された第4トランジスタを有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置の駆動方法。
- 前記第1トランジスタの第1端子と前記発光素子とに接続された第5トランジスタを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置の駆動方法。
- 前記第3トランジスタの第2端子と前記階調データ電圧を供給する信号線とに接続された第6トランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかの請求項に記載の表示装置の駆動方法。
- 前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2電源とに接続された第7トランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかの請求項に記載の表示装置の駆動方法。
- 前記発光素子が発光している期間の一部で前記第2容量に前記階調データ電圧を書き込むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかの請求項に記載の表示装置の駆動方法。
- 供給された電流によって発光強度が決まる発光素子と、
ゲート電極に供給される階調データ電圧に応じて前記発光素子への供給電流の大きさを制御する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1トランジスタの第1端子とに接続された第2トランジスタと、
第1端子が前記第1トランジスタの前記第2端子に接続する第3トランジスタと、
前記第1トランジスタの第2端子と第1電源とに接続された第4トランジスタと、
前記第1トランジスタの前記第1端子と前記発光素子とに接続された第5トランジスタと、
前記第3トランジスタの第2端子と信号線とに接続された第6トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極と第2電源とに接続された第7トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極と前記第1電源とに接続された第1容量と、
前記第3トランジスタの前記第2端子と前記第1電源とに接続された第2容量と、
を有する画素回路を備える表示装置。
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JP2013113087A JP2014232214A (ja) | 2013-05-29 | 2013-05-29 | 表示装置及びその駆動方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20170080906A (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화소 구동 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
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2013
- 2013-05-29 JP JP2013113087A patent/JP2014232214A/ja active Pending
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KR20170080906A (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화소 구동 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102459247B1 (ko) | 2015-12-31 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화소 구동 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
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