JP2014229841A - 描画装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】荷電粒子線の入射により生じるアパーチャアレイ部材の不均一な変形を低減するのに有利な描画装置を提供する。【解決手段】複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を生成するための複数の第1開口が形成されたアパーチャアレイ部材と、前記アパーチャアレイ部材の複数の領域に個別に電位を付与する付与部と、を有し、前記複数の領域のそれぞれは、前記複数の第1開口のうち少なくとも1つの開口に対応する、ことを特徴とする描画装置を提供する。【選択図】図1
Description
本発明は、描画装置及び物品の製造方法に関する。
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置として、1つの荷電粒子線ごとに荷電粒子光学系を備える描画装置が提案されている(特許文献1参照)。このような描画装置は、荷電粒子光学系が個別に存在しているため、複数の荷電粒子線の全てが集束するクロスオーバーを形成しない。従って、空間電荷効果(クーロン効果)の影響が小さいため、荷電粒子線の数を増やして描画時の照射電流を増加させる(即ち、スループットを向上させる)のに有利である。
一方、高スループットを得るために照射電流を増加させることは、複数の荷電粒子線を生成するアパーチャアレイ部材に入射する電流量の増大も引き起こす。アパーチャアレイ部材に入射する電子エネルギーの大半は一般に熱となるため、高スループットを得るために照射電流を増加させる場合、当該熱が問題となりうる。そこで、アパーチャアレイ部材を複数段構成することにより、アパーチャアレイ部材1つあたりに生じる当該熱を低減する技術が提案されている(特許文献2参照)。
しかしながら、荷電粒子線の照射のむらやアパーチャアレイ部材の開口におけるハイドロカーボンの付着に起因する開口率の低下によって、荷電粒子線の最終的な形状を決定するアパーチャアレイ部材に生じる熱量(熱密度)が不均一になってしまう。これは、アパーチャアレイを複数段構成する場合においても同様である。このような熱量の不均一性は、アパーチャアレイ部材において不均一な熱膨張による不均一な変形(開口位置の不均一な変化を含む)を引き起こしてしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、荷電粒子線の入射により生じるアパーチャアレイ部材の不均一な変形を低減するのに有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を生成するための複数の第1開口が形成されたアパーチャアレイ部材と、前記アパーチャアレイ部材の複数の領域に個別に電位を付与する付与部と、を有し、前記複数の領域のそれぞれは、前記複数の第1開口のうち少なくとも1つの開口に対応する、ことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、荷電粒子線の入射により生じるアパーチャアレイ部材の不均一な変形を低減するのに有利な描画装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態における描画装置100の構成を示す概略図である。描画装置100は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う(即ち、基板にパターンを描画する)リソグラフィ装置である。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。
図1は、本発明の第1の実施形態における描画装置100の構成を示す概略図である。描画装置100は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う(即ち、基板にパターンを描画する)リソグラフィ装置である。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。
描画装置100は、荷電粒子源1と、コリメータレンズ2と、第1アパーチャアレイ5と、第2アパーチャアレイ6と、集束レンズアレイ8と、ブランカーアレイ9と、荷電粒子レンズ10とを有する。また、描画装置100は、ストップアパーチャアレイ11と、荷電粒子レンズ12及び13と、偏向器14と、荷電粒子レンズ15と、基板ステージ17と、制御部19と、計測部21とを有する。
荷電粒子源1は、例えば、LaB6やBaO/W(ディスペンサカソード)などを荷電粒子線放出部に含む熱電子型の荷電粒子源である。荷電粒子源1から放射された荷電粒子線2は、コリメータレンズ2によって平行な荷電粒子線4となり、第1アパーチャアレイ5に入射する。
第1アパーチャアレイ5及び第2アパーチャアレイ6は、それぞれ、荷電粒子線4を複数の荷電粒子線7に分割するための(即ち、複数の荷電粒子線7を生成するための)開口を有するアパーチャアレイ部材である。本実施形態では、第1アパーチャアレイ5は、第2のアパーチャアレイ6の複数の開口6aに対応する複数の開口5aを有する。第1アパーチャアレイ5の複数の開口5aのそれぞれの寸法は、第2アパーチャアレイ6の対応する開口6aの寸法よりも大きい。従って、第1アパーチャアレイ5の開口5aを通過した複数の荷電粒子線7は、第2アパーチャアレイ6に入射し、第2アパーチャアレイ6の開口6aによってその形状が成形される。
第2アパーチャアレイ6の開口6aを通過した複数の荷電粒子線のそれぞれは、集束レンズアレイ8によって集束され、ブランカーアレイ9の上に結像する。ブランカーアレイ9は、個別に制御可能な偏向電極(詳細には、偏向電極対)を含むデバイスである。ブランカーアレイ9は、制御部19の制御下において、第2アパーチャアレイ6からの複数の荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを行う。例えば、荷電粒子線をブランキングしない場合には、ブランカーアレイ9の偏向電極に電圧を印加せず、荷電粒子線をブランキングする場合には、ブランカーアレイ9の偏向電極に電圧を印加する。
ブランカーアレイ9によって偏向された荷電粒子線は、ブランカーアレイ9よりも後段に配置されたストップアパーチャアレイ11によって遮断されてブランキング状態となる。一方、ブランカーアレイ9によって偏向されていない荷電粒子線は、荷電粒子レンズ10、12、13及び15で集束されて基板16の上に結像する。
偏向器14は、互いに対向する電極(対向電極)で構成され、荷電粒子レンズ15によって基板16の上に集束された荷電粒子線を偏向(走査)する。偏向器14は、本実施形態では、X方向及びY方向のそれぞれについて2段の偏向を行うために、4段の対向電極で構成されている。
基板ステージ17は、基板16を保持して移動する。また、基板ステージ17には、荷電粒子レンズ15からの荷電粒子線の電荷量を計測するファラデーカップなどの計測部21が配置されている。
制御部19は、CPUやメモリなどを含み、描画装置100の全体(動作)を制御する。制御部19は、例えば、基板16にパターンを描画する処理を制御する。
パターンを描画する際には、基板16を保持する基板ステージ17をX軸方向に連続的に移動させ、レーザ測長器による実時間での測長結果(基板ステージ17の位置)を基準として基板16の上の荷電粒子線を偏向器14によってY軸方向に偏向する。この際、描画パターンに応じて、ブランカーアレイ9によって荷電粒子線のブランキングを行う。このような動作によって、基板16の上にパターンを高速に描画することができる。
図2を参照して、本実施形態における第2アパーチャアレイ6の構成について詳細に説明する。第2アパーチャアレイ6は、例えば、図2(a)に示すように、荷電粒子線が入射する入射面において、複数の領域25が設定されている。領域25のそれぞれは、複数の開口(第1開口)6aのうち少なくとも1つの開口に対応する。本実施形態では、9つの開口6aに対応して、5行×5列の領域25がベース26の上に設定されている。具体的には、図2(d)に示すように、領域25は、開口26aを有するベース26に対して、絶縁層28を介して結合されている。上述したように、本実施形態では、領域25は、第2アパーチャアレイ6の入射面(荷電粒子源側)に配置されているが、第2アパーチャアレイ6の入射面とは反対側の裏面(基板側)に配置されていてもよい。また、第2アパーチャアレイ6の各領域25には、第2アパーチャアレイ6の領域25のそれぞれに個別に電位を付与する(即ち、各領域25に電圧を印加する)電位付与部27が接続されている。ここで、第2アパーチャアレイ6の領域25(電極)及び電位付与部27は、第2アパーチャアレイ6の領域25に個別に電位を付与する付与部として機能する。
図2(b)は、図2(a)に示す第2アパーチャアレイ6のA−A’断面図である。また、図2(b)は、図2(a)に示す領域25a、25b、25c、25d及び25dに印加する電圧値の一例を示す図である。例えば、図2(b)において、領域25aにおける開口6aの位置が設計位置(仕様)から+X方向に変位し、領域25eにおける開口6aの位置が設計位置から+X方向に変位したと仮定する。この場合、図2(c)に示すように、領域25a、25b、25c、25d及び25dのそれぞれにおける電圧値を変えることで、領域25aにおける開口6aの位置ずれ及び領域25eにおける開口6aの位置ずれを低減することが可能となる。具体的には、領域25aには、電位付与部27によって正電位を付与することで、領域25aにおける開口6aの位置が−X方向に補正され(変位し)、領域25aにおける開口6aの位置ずれを低減することができる。同様に、領域25eには、電位付与部27によって負電位を付与することで、領域25eにおける開口6aの位置が−X方向に補正され(変位し)、領域25eにおける開口6aの位置ずれを低減することができる。また、領域25aと領域25eとの間の領域、例えば、領域25dに対して細分化した電位を付与することで、更に高い精度で領域25eにおける開口6aの位置ずれを低減することができる。
電位付与部27が第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれに付与する電位は、制御部19によって制御される。例えば、制御部19は、第2アパーチャアレイ6の開口6a(即ち、複数の開口のうちの少なくとも1つの開口)の位置に基づいて、第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれに付与する電位を制御する。この際、例えば、制御部19は、第2アパーチャアレイ6の開口6aを介した荷電粒子線の位置(即ち、設計位置からの位置ずれ)に基づいて、第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれに付与する電位を制御する。第2アパーチャアレイ6の開口6aを介した荷電粒子線の位置は、基板ステージ17に配置された計測部21を用いて計測することができる。具体的には、計測部21の計測結果から基板16に入射する荷電粒子線の位置を求め、かかる荷電粒子線の位置から第2アパーチャアレイ6の開口6aを荷電粒子線が通過した位置を特定する。そして、第2アパーチャアレイ6の開口6aを荷電粒子線が通過した位置を、第2アパーチャアレイ6の開口6aの設計位置からの位置ずれに換算すればよい。また、第2アパーチャアレイ6の開口6aの設計位置からの位置ずれは、第1アパーチャアレイ5や第2アパーチャアレイ6における温度分布及び変形量分布などから求めることも可能である。この場合、第1アパーチャアレイ5や第2アパーチャアレイ6の初期状態からの変化量に応じて、第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれに付与する電位を制御する。
このように、描画装置100は、第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれに電位付与部27によって個別に電位を付与することで、第2アパーチャアレイ6の開口6aを通過する荷電粒子線を減速又は加速させる。これにより、第2アパーチャアレイ6に設定された領域25ごとに荷電粒子線の運動エネルギーが調整され、描画装置100の描画性能を維持したまま、第2アパーチャアレイ6の開口6aの位置ずれを低減することができる。
但し、第2アパーチャアレイ6に設定される領域25に関しては、第2アパーチャアレイ6の開口6aの数や分布に応じて異なる。例えば、第2アパーチャアレイ6においてX方向に配置された開口6aの数とY方向に配置された開口6aの数とが異なる場合には、開口6aが多く配置されている方向に対して、多くの領域25を設定するようにしてもよい。
また、本実施形態では、第1アパーチャアレイ5及び第2アパーチャアレイ6の2段のアパーチャアレイによって複数の荷電粒子線を生成している。但し、アパーチャアレイの段数は限定されるものではなく、1段のアパーチャアレイでもよいし、3段以上のアパーチャアレイであってもよい。
<第2の実施形態>
図3は、本発明の第2の実施形態における描画装置100Aの構成を示す概略図である。描画装置100Aは、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う(即ち、基板にパターンを描画する)リソグラフィ装置である。描画装置100Aは、図1に示す描画装置100の構成に加えて、第1シールド電極30と、第2シールド電極31とを有する。
図3は、本発明の第2の実施形態における描画装置100Aの構成を示す概略図である。描画装置100Aは、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う(即ち、基板にパターンを描画する)リソグラフィ装置である。描画装置100Aは、図1に示す描画装置100の構成に加えて、第1シールド電極30と、第2シールド電極31とを有する。
図4を参照して、第1シールド電極30及び第2シールド電極31について説明する。
第1シールド電極30は、図4(a)に示すように、第2アパーチャアレイ6よりも荷電粒子源1の側(基板とは反対の側)、詳細には、第1アパーチャアレイ5と第2アパーチャアレイ6との間に配置される。第1シールド電極30は、第1アパーチャアレイ5の複数の開口5a及び第2アパーチャアレイ6の複数の開口6aのそれぞれに対応する複数の開口(第2開口)30aを有する。第1シールド電極30の複数の開口30aのそれぞれの寸法は、第2アパーチャアレイ6の対応する開口6aの寸法よりも大きい。第1シールド電極30の開口30aを通過した荷電粒子線は、第2アパーチャアレイ6に入射し、第2アパーチャアレイ6の開口6aによってその形状が成形される。
第2シールド電極31は、図4(a)に示すように、第2アパーチャアレイ6よりも基板16の側、詳細には、第2アパーチャアレイ6と集束レンズアレイ8との間に配置される。第2シールド電極31は、第1アパーチャアレイ5の複数の開口5a及び第2アパーチャアレイ6の複数の開口6aのそれぞれに対応する複数の開口(第3開口)31aを有する。第2シールド電極31の複数の開口31aのそれぞれの寸法は、第2アパーチャアレイ6の対応する開口6aの寸法よりも大きい。
第2アパーチャアレイ6に設定された領域25のそれぞれには個別に電位が付与されるため、各領域25における電圧の大きさに応じて、光軸に垂直な方向に電場が発生する場合がある。このような場合、かかる電場によって、荷電粒子線が曲がってしまう可能性がある。
そこで、本実施形態では、第2アパーチャアレイ6に対して、上段(荷電粒子源1の側)及び下段(基板16の側)のそれぞれに、第1シールド電極30及び第2シールド電極31を配置することで、荷電粒子線が曲がってしまうことを低減(防止)している。従って、第1シールド電極30及び第2シールド電極31は、接地するとよいが、この限りではない。
図4(b)は、第2アパーチャアレイ6、第1シールド電極30及び第2シールド電極31の具体的な構成の一例を示す図である。図4(b)に示すように、第1シールド電極30は、第1絶縁層33を介して第2アパーチャアレイ6に結合し、第2シールド電極31は、第2絶縁層34を介して第2アパーチャアレイ6に結合している。この際、第1絶縁層33は、第1シールド電極30の複数の開口30aが形成された領域を内包する開口領域30bを囲む周辺領域30cに配置される。また、第2絶縁層34は、第2シールド電極31の複数の開口31aが形成された領域を内包する開口領域31bを囲む周辺領域31cに配置される。これは、第1絶縁層33及び第2絶縁層34の帯電を防止するためである。また、電場の影響を小さくするために、第1絶縁層33及び第2絶縁層34のそれぞれの厚さは、導通(放電)しない最も薄い厚さにするとよい。なお、第1シールド電極30の複数の開口30aの間の領域において第1絶縁層33を第1シールド電極30に接合し、第2シールド電極31の複数の開口31aの間の領域において第2絶縁層34を第2シールド電極31に接合してもよい。
また、図4(c)に示すように、第1絶縁層33を第1シールド電極30の周辺領域30cのみに配置し、第2絶縁層34を第2シールド電極31の周辺領域31cのみに配置してもよい。この場合、第1絶縁層33及び第2絶縁層34が荷電粒子線の通過領域から離れているため、荷電粒子線の数の増加によって第2アパーチャアレイ6の開口6aのピッチが狭くなるような場合などにおいて構成が容易となる。また、上述したように、第1絶縁層33及び第2絶縁層34の帯電を防止することもできる。
本発明の効果は、例えば、以下のようなシミュレーションで確認することができる。0.2mmの厚さを有するシリコン(Si)基板に、5kVの電圧で加速された荷電粒子線を入射させる。シリコン基板は、所定の条件で冷却されている。この場合、シリコン基板には、荷電粒子線の入射によって、最大で3.816μmの熱変形が生じる。
一方、シリコン基板の電位を0.5kVだけ下げて、5.5kVの電圧で加速された荷電粒子線をシリコン基板に入射させた場合を考える。この場合、シリコン基板には、荷電粒子線の入射によって、最大で3.840μmの熱変形が生じる。また、シリコン基板の電位を0.5kVだけ上げて、4.5kVの電圧で加速された荷電粒子線をシリコン基板に入射させた場合を考える。この場合、シリコン基板には、荷電粒子線の入射によって、最大で3.793μmの熱変形が生じる。このように、所定の条件下において、加速電圧5kVに対して±10%の電位の調整(付与)によって、シリコン基板の熱変形量を±0.6%程度変化させることができる。
このように、描画装置100や描画装置100Aは、複数の荷電粒子線を生成するアパーチャアレイの変形や開口位置の変化を低減するのに有利であるため、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置100又は100Aを用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程(描画を行われた基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
Claims (9)
- 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線を生成するための複数の第1開口が形成されたアパーチャアレイ部材と、
前記アパーチャアレイ部材の複数の領域に個別に電位を付与する付与部と、
を有し、
前記複数の領域のそれぞれは、前記複数の第1開口のうち少なくとも1つの開口に対応する、ことを特徴とする描画装置。 - 前記アパーチャアレイ部材に関して前記基板とは反対の側に配置され、前記複数の第1開口にそれぞれ対応する複数の第2開口を有する第1シールド電極と、
前記アパーチャアレイ部材に関して前記基板の側に配置され、前記複数の第1開口にそれぞれに対応する複数の第3開口を有する第2シールド電極と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。 - 前記複数の第2開口それぞれの寸法及び前記複数の第3開口それぞれの寸法は、前記複数の第1開口のうちの対応する開口の寸法より大きい、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。
- 前記第1シールド電極は、第1絶縁層を介して前記アパーチャアレイ部材に結合し、
前記第2シールド電極は、第2絶縁層を介して前記アパーチャアレイ部材に結合している、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の描画装置。 - 前記第1絶縁層は、前記複数の第2開口が形成された領域を囲む前記第1シールド電極の周辺領域に接合し、
前記第2絶縁層は、前記複数の第3開口が形成された領域を囲む前記第2シールド電極の周辺領域に接合している、ことを特徴とする請求項4に記載の描画装置。 - 前記第1絶縁層は、前記複数の第2開口の間の領域において前記第1シールド電極に接合し、
前記第2絶縁層は、前記複数の第3開口の間の領域において前記第2シールド電極に接合している、ことを特徴とする請求項5に記載の描画装置。 - 前記複数の第1開口のうちの少なくとも1つの開口の位置に基づいて、前記付与部が前記複数の領域に個別に付与する電位を制御する制御部を有する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記複数の第1開口のうちの少なくとも1つの開口を介した荷電粒子線の位置を計測する計測部と、
前記計測部の計測結果に基づいて、前記付与部が前記複数の領域に個別に付与する電位を制御する制御部と、を有することを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の描画装置。 - 請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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2014
- 2014-05-22 US US14/284,707 patent/US20140349235A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017216338A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140349235A1 (en) | 2014-11-27 |
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