JP2014107401A - 描画装置、それを用いた物品の製造方法 - Google Patents
描画装置、それを用いた物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014107401A JP2014107401A JP2012258988A JP2012258988A JP2014107401A JP 2014107401 A JP2014107401 A JP 2014107401A JP 2012258988 A JP2012258988 A JP 2012258988A JP 2012258988 A JP2012258988 A JP 2012258988A JP 2014107401 A JP2014107401 A JP 2014107401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- aperture array
- array
- electron beam
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】複数の荷電粒子線の電流密度の調整に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置1は、荷電粒子線36で基板に描画を行うものであり、荷電粒子源10と、荷電粒子源10からの荷電粒子線16が入射するコリメーターレンズ14と、複数の開口が形成され、コリメーターレンズ14を介して入射する荷電粒子線を複数の荷電粒子線25に分割する第1アパーチャアレイ20と、複数の荷電粒子線25がそれぞれ入射する複数の開口が形成された第2アパーチャアレイ23と、複数の荷電粒子線25のそれぞれに対して屈折力を個別に調整可能な複数のレンズを含み、第1アパーチャアレイ20と第2アパーチャアレイ23との間に配置されたレンズアレイ21、22とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】描画装置1は、荷電粒子線36で基板に描画を行うものであり、荷電粒子源10と、荷電粒子源10からの荷電粒子線16が入射するコリメーターレンズ14と、複数の開口が形成され、コリメーターレンズ14を介して入射する荷電粒子線を複数の荷電粒子線25に分割する第1アパーチャアレイ20と、複数の荷電粒子線25がそれぞれ入射する複数の開口が形成された第2アパーチャアレイ23と、複数の荷電粒子線25のそれぞれに対して屈折力を個別に調整可能な複数のレンズを含み、第1アパーチャアレイ20と第2アパーチャアレイ23との間に配置されたレンズアレイ21、22とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。特に半導体集積回路の製造に用いられる描画装置においては、近年の半導体集積回路内の素子の微細化、回路パターンの複雑化、およびパターンデータの大容量化に伴って、描画精度の向上とともに描画スループットの向上が要求されている。これに対応するために、複数の荷電粒子線を同時にラスター偏向させることで任意のパターンを描画するラスター式の描画装置がある。さらに、特許文献1は、荷電粒子線ごとに投射ユニットを備える、いわゆるマルチカラム式の描画装置を開示している。このような描画装置は、投射ユニットが個別に存在することで複数の荷電粒子線全体が集束するクロスオーバーを持たないため、空間電荷効果(クーロン効果)の影響が小さく、荷電粒子線の本数を増やすのに有利である。
ここで、マルチカラム式の描画装置において荷電粒子線の本数を増やすためには、一般的に、複数の投射ユニットの前側(上流側)にある照射光学系中の荷電粒子源からの荷電粒子線の発散角(発散半角)を大きくする必要がある。しかしながら、荷電粒子源からの荷電粒子線の発散角が大きくなると、複数の投射ユニットに照射される荷電粒子線は、照射光学系の収差に起因して照度(電流密度)が不均一となる場合がある。この電流密度の不均一性は、結果として各荷電粒子線間に対しても電流密度の不均一性を生じさせる。なお、電流密度の不均一性は、荷電粒子源そのものに起因するものもある。また、電流密度の不均一性は、電流密度に比例する荷電粒子線の電流量にも不均一性を生じさせる。この荷電粒子線の電流量に不均一性があると、描画装置は、基板上に所望の微細なパターンが描画できない可能性がある。そこで、各荷電粒子線間の電流密度の不均一性を補正する方法として、特許文献2は、ブランキングのON/OFF時間を制御することで描画時間を調整する描画方法を開示している。さらに、特許文献3は、ブランキングのON/OFF時間の制御により描画時間を調整することで、パターンの線幅補正や位置補正を行い、所望の微細なパターンを描画する方法を開示している。
しかしながら、近年、さらなる描画スループット向上のために、荷電粒子線の本数を増やす傾向にあり、荷電粒子源からの荷電粒子線の発散角が大きくなり、結果として電流密度の不均一性もより大きなものとなっている。したがって、特許文献2に示す描画方法でも、ブランキングのON/OFF時間の制御による描画時間の調整レンジをより大きくしたり、または描画時間の調整分解能をより細かくしたりする必要がある。さらに、半導体集積回路内の素子の微細化、および回路パターンの複雑化のために、ブランキングのON/OFF時間の制御による描画時間の調整が、特許文献3に示す描画方法のように、電流密度の不均一性の解消以外にも使用される場合がある。すなわち、特許文献2または3に示す方法では、ブランキングのON/OFF時間の制御による描画時間の調整レンジや調整分解能が不足し、さらなる描画スループットの向上に対応しきれない。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、複数の荷電粒子線の電流密度の調整に有利な描画装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、荷電粒子源と、荷電粒子源からの荷電粒子線が入射するコリメーターレンズと、複数の開口が形成され、コリメーターレンズを介して入射する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第1アパーチャアレイと、複数の荷電粒子線がそれぞれ入射する複数の開口が形成された第2アパーチャアレイと、複数の荷電粒子線のそれぞれに対して屈折力を個別に調整可能な複数のレンズを含み、第1アパーチャアレイと第2アパーチャアレイとの間に配置されたレンズアレイと、を有することを特徴とする。
本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子線の電流密度の調整に有利な描画装置を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム(荷電粒子線)をラスター偏向させ、かつ、電子ビームのブランキング(照射のOFF)を個別に制御することで、所定のパターンをウエハ(基板)の所定の位置に描画するラスター式の描画装置とする。さらに、描画装置は、電子ビームごとに投射ユニットを備えた、いわゆるマルチカラム式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、電子ビーム(電子線)に限らず、例えばイオンビーム(イオン線)でもよい。
まず、本発明の第1実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム(荷電粒子線)をラスター偏向させ、かつ、電子ビームのブランキング(照射のOFF)を個別に制御することで、所定のパターンをウエハ(基板)の所定の位置に描画するラスター式の描画装置とする。さらに、描画装置は、電子ビームごとに投射ユニットを備えた、いわゆるマルチカラム式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、電子ビーム(電子線)に限らず、例えばイオンビーム(イオン線)でもよい。
図1は、本実施形態に係る描画装置1の構成を示す概略図である。なお、図1では、ウエハに対する電子ビームのノミナルの照射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。描画装置1は、電子光学系(荷電粒子光学系)と、ウエハ2を保持する基板ステージ3と、描画装置1の各構成要素の動作などを制御する制御部4とを備える。このうち、電子光学系は、以下の3つの光学系にさらに分類される。1つ目の光学系は、電子源などを含む照射光学系(照射系)5である。2つ目の光学系は、照射光学系5から射出された電子ビームをマルチビームに分割するアパーチャアレイや、マルチビームから複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイなどを含むマルチビーム形成光学系(マルチビーム形成系)6である。3つ目の光学系は、上記複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子(例えばブランキング偏向器アレイ)や、これらの開口に対してそれぞれ設けられ、電子ビームをウエハ2上に投射する複数の投射ユニットを含む投射光学系(投射系)7である。なお、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰するため、また高電圧による放電を防止するため、電子光学系を構成する各要素は、真空排気系により内部圧力が調整された不図示の真空容器の内部に設置されている。さらに、ウエハ2は、例えば単結晶シリコンからなる被処理体であり、表面上には感光性のレジスト(感光剤)が塗布されている。
照射光学系5は、電子源(荷電粒子源)10と、ウェーネルト電極11と、アノード電極12と、クロスオーバー調整光学系(クロスオーバー調整系)13と、コリメーターレンズ14とを含む。電子源10は、LaB6またはBaO/W(ディスペンサーカソード)などを電子放出部に含む、いわゆる熱電子型の電子源である。クロスオーバー調整光学系13は、2段の静電レンズで構成されており、各静電レンズは、3枚の電極から構成され、中間電極に負の電位を与え、上下電極が接地される、いわゆるアインツェル型の静電レンズである。ウェーネルト電極11により調整されつつ、アノード電極12により電子源10から引き出された電子ビームは、クロスオーバー調整光学系13による調整を受けて、クロスオーバー(照射系クロスオーバー)15を形成する。コリメーターレンズ14は、クロスオーバー15から広角をもって入射した電子ビーム16を平行化させて、所望の大きさを持った平行ビーム(面積ビーム)とする電子レンズである。
マルチビーム形成光学系6は、照射光学系5側(上流側)から順に、第1アパーチャアレイ20と、第1集束レンズアレイ21と、第2集束レンズアレイ22と、第2アパーチャアレイ23と、第3集束レンズアレイ24とを含む。第1アパーチャアレイ20は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ14から入射した平行ビームをマルチビーム(電子ビーム群、または荷電粒子線群)25(25a、25b、25c)に分割する。第1集束レンズアレイ21、第2集束レンズアレイ22、および第3集束レンズアレイ24は、それぞれアインツェル型の静電レンズアレイである。このうち、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とは、マルチビーム25のそれぞれに対応する複数のレンズを有し、各レンズごとに個別に光学的パワー(屈折力の逆数)、すなわち焦点距離を変更可能とするレンズアレイである。特に、第1集束レンズアレイ21は、マルチビーム25をさらに集束し、一方、第2集束レンズアレイ22は、集束されたマルチビーム25を再び平行化し、第2アパーチャアレイ23に照射させる。第2アパーチャアレイ23は、マトリクス状に配列され、第1アパーチャアレイ20のものよりも小さい複数の円形状の開口を有し、第2集束レンズアレイ22から入射した平行ビームをサブマルチビーム(サブ電子ビーム群)26にさらに分割する。この第2アパーチャアレイ23は、第3集束レンズアレイ24の瞳面を通過する電子ビームの領域を規定する役割も持たせるため、第3集束レンズアレイ24の瞳面の位置(第3集束レンズアレイ24の上流側焦点面の位置)に設置される。第3集束レンズアレイ24は、サブマルチビーム26をさらに集束し、下流側のブランキング偏向器アレイ30上に結像する。
投射光学系7は、マルチビーム形成光学系6側(上流側)から順に、ブランキング偏向器アレイ30と、ストッピングアパーチャアレイ31と、第4集束レンズアレイ32と、偏向器33と、第5集束レンズアレイ34とを含む。ブランキング偏向器アレイ(ブランカー)30は、マトリクス状に配置された複数のブランキング偏向器(偏向電極、より正確には偏向電極対)を有し、電子ビームを個別に偏向可能とする。ストッピングアパーチャアレイ31は、ブランキング偏向器のそれぞれに対応した複数の開口を有し、各ブランキング偏向器により偏向した電子ビームを遮断する。すなわち、ブランキング偏向器アレイ30とストッピングアパーチャアレイ31とにより、電子ビームの照射のON(非ブランキング状態)/OFF(ブランキング状態)動作が実施される。具体的には、各ブランキング偏向器は、電圧が印加されなければ電子ビームを偏向せず、この場合、電子ビームは、そのまま開口を通過する。一方、各ブランキング偏向器は、電圧が印加されれば電子ビームを偏向し、この場合、電子ビームは、開口を通過することができず遮蔽される。第4集束レンズアレイ32および第5集束レンズアレイ34は、ブランキング偏向器アレイ30から入射したサブマルチビーム26を集束し、ウエハ2上に結像させる。第4集束レンズアレイ32および第5集束レンズアレイ34も、上記の集束レンズアレイと同様に、それぞれアインツェル型の静電レンズアレイである。このうち、第5集束レンズアレイ34は、対物レンズアレイであり、投射倍率は、例えば1/100倍程度に設定される。これにより、ブランキング偏向器アレイ30上の中間結像面での電子ビーム35のスポット径がFWHM(半値全幅)で2μmであるとすると、ウエハ2上でのスポット径は、1/100程度に縮小されてFWHMで20nm程度となる。偏向器33は、第4集束レンズアレイ32と第5集束レンズアレイ34との間に配置され、ウエハ2上にてサブマルチビーム26を走査(スキャン)させる。この偏向器33は、対向する電極対によって形成され、例えば、X、Yの各軸方向について2段の偏向を行うため、計4段の対向電極対で構成され得る(図1では、簡単のために2段の偏向器を1ユニットとして図示している)。
基板ステージ3は、ウエハ2を、例えば静電気力により保持しつつ、XY軸方向に可動である。基板ステージ3の位置は、不図示であるが、位置計測器(例えばレーザー測長器)により実時間で計測される。さらに、基板ステージ3は、その表面上に、ウエハ2上の電子ビーム36を検出(計測)して、偏向器33の照射位置指令値と電子ビーム36の照射位置との関係を高精度に認識するために参照される信号を出力する電子ビーム検出部(計測部)37を備える。特に本実施形態では、この電子ビーム検出部37からの信号は、電子ビーム36の電流密度を求める際にも参照される。
制御部4は、主制御部40と、各制御回路と、データ記憶部41とを含む。主制御部40は、描画装置1の各構成要素(各制御回路など)に回線を介して接続され、各構成要素を統括的に制御し得る。各制御回路としては、第1レンズ制御回路42と、描画パターン発生回路43と、ビットマップ変換回路44と、ブランキング指令生成回路45と、偏向信号発生回路46と、信号処理回路47と、ステージ制御回路48と、第2レンズ制御回路49とを含む。第1レンズ制御回路42は、クロスオーバー調整光学系13と、コリメーターレンズ14と、第3集束レンズアレイ24、第4集束レンズアレイ32、第5集束レンズアレイ34の動作を制御する。描画パターン発生回路43は、描画パターンを生成し、ビットマップ変換回路44は、その描画パターンをビットマップデータに変換する。ブランキング指令生成回路45は、このビットマップデータに基づいてブランキング信号(指令情報)を生成する。偏向信号発生回路46は、偏向信号を生成し、この偏向信号を不図示の偏向アンプ部に送信する。この偏向アンプ部は、偏向信号に基づいて偏向器33の動作を制御する。信号処理回路47は、電子ビーム検出部37からの信号を受信し、信号処理を実行して主制御部40へ送信する。ステージ制御回路48は、主制御部40からの指令であるステージ位置座標に基づいて、基板ステージ3への指令目標値を算出し、駆動後の位置がこの目標値となるように基板ステージ3を駆動させる。第2レンズ制御回路49は、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22の動作を制御する。データ記憶部41は、主制御部40が統括し、描画動作などを実施させる際に使用する各種データや、各制御回路などに関わるデータを記憶する。
次に、描画装置1の処理動作について説明する。描画装置1では、特にパターン描画中は、基板ステージ3は、X軸方向に連続的に移動する。これと並行して、偏向器33は、位置計測器による計測結果に基づいてウエハ2上の電子ビーム36をY軸方向に偏向させる。このとき、ブランキング偏向器アレイ30は、所望の描画パターンに応じて電子ビームのブランキングを適宜実施する。このような動作により、ウエハ2上にパターンを高速に描画することができる。
ここで、マルチカラム式の描画装置では、描画スループットの向上のために、電子ビームの使用本数を多くしている。しかしながら、電子ビームの使用本数を増加させるほど、電子源10から照射される電子ビーム16の発散角が大きくなる。この発散角の増大は、下流側の複数の投射ユニットに照射される電子ビームに、照射光学系5の収差に起因して電流密度の不均一性を生じさせる。さらに、電子ビームの電流密度の不均一性は、電子源10そのものに起因するものもある。したがって、なんら対策を取らないならば、第1アパーチャアレイ20により分割された各マルチビーム25a、25b、25cは、第2アパーチャアレイ23上でそれぞれ異なる電流密度となる。また、第2アパーチャアレイ23によりさらに分割されたサブマルチビーム26も、結果としてそれぞれ異なる電流密度となる。さらに、各マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれに対応付けて、サブマルチビーム26を複数本にまとめた電子ビーム群50a、50b、50cについて見ると、電子ビーム群50a、50b、50cごとの平均電流密度も異なることになる。そこで、本実施形態では、以下のように第1アパーチャアレイ20と第2アパーチャアレイ23との間に設置された第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とを利用して、電子ビームの電流密度を調整する。
図2は、本実施形態における電子ビームの電流密度を調整する処理、具体的には電流密度の不均一性を補正する処理の流れを示すフローチャートである。主制御部40は、電流密度の調整処理を開始すると、まず、すべての電子ビームの特性、すなわちウエハ2上に照射されるすべての電子ビーム36の電流密度を取得し、取得した電流密度情報をデータ記憶部41に記憶させる(ステップS101)。このとき、主制御部40は、電子ビーム36の電流密度を、電子ビーム検出部37が各電子ビーム36を検出したときの出力に基づいて信号処理回路47が計算処理を実行して得られた結果から取得する。ここで、電子ビーム36の検出時には、主制御部40は、電子ビーム検出部37の検出面に、検出対象となる電子ビーム36が照射されるように、電子ビーム36の照射制御と、ステージ制御回路48による基板ステージ3の駆動制御とを適宜実行させる。次に、主制御部40は、ステップS101にて記憶された、すべての電子ビーム36、または一部の電子ビーム36の電流密度に基づいて、ウエハ2上に照射される電子ビーム36の電流密度分布を算出する(ステップS102)。
次に、主制御部40は、第2レンズ制御回路49に対して、電子ビームの電流密度の不均一性が低減されるように、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とにおける光学的パワーを調整させる(ステップS103)。このとき、第2レンズ制御回路49は、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22との光学的パワーを、マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれに対応する各レンズごとに個別に制御する。具体的には、第2レンズ制御回路49は、それぞれ3枚の多孔電極から構成される第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とにおいて、各電極のうち中間の電極の電位を変更することで、光学的パワーを調整し得る。この光学的パワーの調整により、第2アパーチャアレイ23上に照射されるマルチビーム25a、25b、25cのそれぞれの照射面積(径)が調整されることになる。ここで、電子ビームの電流密度は、電子ビームの電流量に比例し、かつ電子ビームの照射面積に反比例する。したがって、光学的パワーの調整前後においてマルチビーム25a、25b、25cの電流量が一定であるとすると、マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれの照射面積を変更することで、第2アパーチャアレイ23上の電流密度を変更することができる。例えば、上記のような電子ビームの電流密度と照射面積との関係から、照射面積が小さくなれば、電流密度が大きくなり、一方、照射面積が大きくなれば、電流密度が小さくなる。一方、マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれに含まれる複数の電子ビームの電流密度の不均一性に関しては、主制御部40は、ブランキング偏向器アレイ30のON/OFF時間を制御し、描画時間を調整することにより補正すればよい。
図3は、本実施形態における電子ビーム36の電流密度を調整する前と後でのマルチビーム25a、25b、25cの状態の一例を示す概略図である。なお、この図3は、図1に示す描画装置1の構成のうち、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22に関連した構成要素を抽出した図であり、マルチビーム25a、25b、25cに関して、点線が調整前の状態を示し、実線が調整後の状態を示す。ここで、電子ビーム群50a、50b、50cのそれぞれの平均電流密度が、調整前で、電子ビーム群50bで最も小さく、次いで電子ビーム群50cで小さく、そして、電子ビーム群50aで最も大きい状態にあるものとする。すなわち、この例では、外側に位置する電子ビーム群の方が、内側に位置する電子ビーム群よりも照度が強い(明るい)ことになる。この場合、主制御部40は、第2レンズ制御回路49に、平均電流密度が最も小さかった電子ビーム群50bに対応するマルチビーム25bに対しては、第2アパーチャアレイ23上で最も照射面積が小さくなるように制御させる。また、電子ビーム群50cに対応するマルチビーム25cに対しては、主制御部40は、第2アパーチャアレイ23上でマルチビーム25bに次いで照射面積が小さくなるように制御させる。そして、電子ビーム群50aに対応するマルチビーム25aに対しては、第2アパーチャアレイ23上で照射面積が最も大きくなるように制御させる。これにより、第2アパーチャアレイ23上のマルチビーム25a、25b、25cの平均電流密度が均一化され、結果的に電子ビーム群50a、50b、50cの平均電流密度も均一化される。
このように、描画装置1は、複数の開口を形成した絞りである特定のアパーチャアレイの間に、マルチビームごとに個別に光学的パワーを可変とするレンズアレイを設置することで、マルチビームの平均電流密度を均一化することができる。そして、上記のとおり、マルチビームのそれぞれに含まれる複数の電子ビームの電流密度の不均一性に関しては、ブランキング偏向器アレイのON/OFF時間を制御し、描画時間を調整することで補正する。すなわち、マルチビーム単位で電流密度の不均一性が低減されることで、このような描画時間の調整においては、必要となる描画時間の調整レンジや調整分解能を従来よりも緩和することができる。
以上のように、本実施形態によれば、複数の荷電粒子線の電流密度の調整に有利な描画装置を提供することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る描画装置について説明する。図4は、本実施形態に係る描画装置60の構成を示す概略図である。描画装置60の特徴は、第1実施形態に係る描画装置1に対して第2アパーチャアレイ23よりも下流側の構成を変更している点にある。なお、描画装置60では、電子源10から第2アパーチャアレイ23までの構成、および制御部4の構成は、描画装置1と同一であり、以下、描画装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。描画装置60は、第2アパーチャアレイ23以下、第3集束レンズアレイ61と、投射アパーチャアレイ62と、ブランキング偏向器アレイ30と、偏向器アレイ63と、ストッピングアパーチャアレイ64と、第4集束レンズアレイ65とを備える。
次に、本発明の第2実施形態に係る描画装置について説明する。図4は、本実施形態に係る描画装置60の構成を示す概略図である。描画装置60の特徴は、第1実施形態に係る描画装置1に対して第2アパーチャアレイ23よりも下流側の構成を変更している点にある。なお、描画装置60では、電子源10から第2アパーチャアレイ23までの構成、および制御部4の構成は、描画装置1と同一であり、以下、描画装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。描画装置60は、第2アパーチャアレイ23以下、第3集束レンズアレイ61と、投射アパーチャアレイ62と、ブランキング偏向器アレイ30と、偏向器アレイ63と、ストッピングアパーチャアレイ64と、第4集束レンズアレイ65とを備える。
第3集束レンズアレイ61は、マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれに対応した複数のレンズを有し、各レンズの光学的パワーが、マルチビーム25a、25b、25cがストッピングアパーチャアレイ64上に集束するように設定される。投射アパーチャアレイ(第3アパーチャアレイ)62は、第3集束レンズアレイ61を通過したマルチビーム25a、25b、25cをさらにサブマルチビーム66に分割する。第3集束レンズアレイ24の各レンズの光学的パワーが上記のように設定されているので、これらのサブマルチビーム66は、ストッピングアパーチャアレイ64上に集束することになる。ブランキング偏向器アレイ30は、第1実施形態の場合と同様のものであり、図4では、サブマルチビーム66のうち、ブランキング偏向器アレイ30により偏向された電子ビーム66aと、偏向されていない電子ビーム66bとを例示している。偏向器アレイ63は、第1実施形態における偏向器33と同様にサブマルチビーム66の偏向を実施する。この偏向器アレイ63は、より単純には、共通の印加電圧で駆動され、電極構造は、例えばくし歯状の対向電極で構成される。ストッピングアパーチャアレイ64は、第4集束レンズアレイ65の前側焦点面に配置され、かつサブマルチビーム66に対して1つの開口を有し、第4集束レンズアレイ65の瞳面を通過する電子ビームの領域を規定する。サブマルチビーム66のうち、この開口を通過した電子ビームは、第4集束レンズアレイ65により集束され、ウエハ2面上に結像する(電子ビーム67)。第4集束レンズアレイ65は、対物レンズアレイであり、投射アパーチャアレイ62の開口パターンをウエハ2面上に縮小投射する。ここで、投射倍率は、例えば1/100倍程度に設定される。これにより、投射アパーチャアレイ62の開口径が2.5μmであるとすると、ウエハ2上でのスポット径は、1/100程度に縮小されてFWHMで25nm程度となる。
ここで、第1実施形態と同様に、第1アパーチャアレイ20により分割されたマルチビーム25a、25b、25cは、第2アパーチャアレイ23上でそれぞれ異なる電流密度であると想定する。このとき、各マルチビーム25a、25b、25cのそれぞれに対応付けて、サブマルチビーム66を複数本にまとめた電子ビーム群68a、68b、68cについて見ると、電子ビーム群68a、68b、68cごとの平均電流密度も異なる。そこで、本実施形態においても、主制御部40は、第1実施形態と同様に、第1アパーチャアレイ20と第2アパーチャアレイ23との間に設置された第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とを利用した、電子ビームの電流密度を調整する。
図5は、本実施形態における電子ビーム67の電流密度を調整する前と後でのマルチビーム25a、25b、25cの状態の一例を示す概略図である。なお、この図5は、図4に示す描画装置60の構成のうち、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22に関連した構成要素を抽出した図であり、マルチビーム25a、25b、25cに関して、点線が調整前の状態を示し、実線が調整後の状態を示す。ここでは、第1実施形態での図3にて例示した場合とは異なり、内側に位置する電子ビーム群の方が、外側に位置する電子ビーム群よりも照度が強い(明るい)場合とする。つまり、電子ビーム群68a、68b、68cのそれぞれの平均電流密度は、調整前で、電子ビーム群68bで最も大きく、次いで電子ビーム群68cで大きく、そして、電子ビーム群68aで最も小さい状態にあるものとする。この場合は、主制御部40は、平均電流密度が最も大きかった電子ビーム群68bに対応するマルチビーム25bに対しては、第2アパーチャアレイ23上で最も照射面積が大きくなるように、第2レンズ制御回路49に制御させる。また、電子ビーム群68cに対応するマルチビーム25cに対しては、主制御部40は、第2アパーチャアレイ23上で、マルチビーム25bに次いで照射面積が大きくなるように制御させる。そして、電子ビーム群68aに対応するマルチビーム25aに対しては、第2アパーチャアレイ23上で照射面積が最も小さくなるように制御させる。これにより、本実施形態においても、第2アパーチャアレイ23上のマルチビーム25a、25b、25cの平均電流密度が均一化され、結果的に電子ビーム群68a、68b、68cの平均電流密度も均一化される。すなわち、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とが、第1アパーチャアレイ20と第2アパーチャアレイ23との間に設置されていれば、描画装置60の全体構成が第1実施形態と異なっている場合でも、第1実施形態と同様の効果を奏する。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る描画装置について説明する。図6は、本実施形態に係る描画装置80の構成を示す概略図である。なお、図6において、描画装置60と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。描画装置80の特徴は、第2実施形態に係る描画装置60に対して、以下の構成を変更している点にある。描画装置60からの変更点として、まず、第1アパーチャアレイ20と投射アパーチャアレイ(第3アパーチャアレイ)62との間には、第2アパーチャアレイ23および第3集束レンズアレイ61が存在しない。さらに、描画装置80では、ブランキング偏向器アレイ30とストッピングアパーチャアレイ64との間に、第1実施形態における第3集束レンズアレイ61とは異なる新たな第3集束レンズアレイ81が追加されている。なお、構成要素の表現として、本実施形態では第2アパーチャアレイ23が存在しないので、ストッピングアパーチャアレイ64を新たな第2アパーチャアレイということもできる。ここで、第3集束レンズアレイ81は、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22と同様に、マルチビーム66ごとに個別に光学的パワーを変更可能とするものである。この場合、マルチビーム25a、25b、25cは、投射アパーチャアレイ62により、さらにサブマルチビーム66へと分割される。そして、これらのサブマルチビーム26は、ブランキング偏向器アレイ30を通過した後、第3集束レンズアレイ81により、ストッピングアパーチャアレイ64上に集束される。特に本実施形態では、第3集束レンズアレイ81は、サブマルチビーム26が適切にストッピングアパーチャアレイ64上に集束させるように設置されるものである。描画装置80がこのような構成を有するものであっても、主制御部40は、第2実施形態と同様の制御を実行することで、第1実施形態と同様の効果を奏する。
次に、本発明の第3実施形態に係る描画装置について説明する。図6は、本実施形態に係る描画装置80の構成を示す概略図である。なお、図6において、描画装置60と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。描画装置80の特徴は、第2実施形態に係る描画装置60に対して、以下の構成を変更している点にある。描画装置60からの変更点として、まず、第1アパーチャアレイ20と投射アパーチャアレイ(第3アパーチャアレイ)62との間には、第2アパーチャアレイ23および第3集束レンズアレイ61が存在しない。さらに、描画装置80では、ブランキング偏向器アレイ30とストッピングアパーチャアレイ64との間に、第1実施形態における第3集束レンズアレイ61とは異なる新たな第3集束レンズアレイ81が追加されている。なお、構成要素の表現として、本実施形態では第2アパーチャアレイ23が存在しないので、ストッピングアパーチャアレイ64を新たな第2アパーチャアレイということもできる。ここで、第3集束レンズアレイ81は、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22と同様に、マルチビーム66ごとに個別に光学的パワーを変更可能とするものである。この場合、マルチビーム25a、25b、25cは、投射アパーチャアレイ62により、さらにサブマルチビーム66へと分割される。そして、これらのサブマルチビーム26は、ブランキング偏向器アレイ30を通過した後、第3集束レンズアレイ81により、ストッピングアパーチャアレイ64上に集束される。特に本実施形態では、第3集束レンズアレイ81は、サブマルチビーム26が適切にストッピングアパーチャアレイ64上に集束させるように設置されるものである。描画装置80がこのような構成を有するものであっても、主制御部40は、第2実施形態と同様の制御を実行することで、第1実施形態と同様の効果を奏する。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る描画装置について説明する。図7は、本実施形態に係る描画装置90の構成を示す概略図である。なお、図7において、上記各実施形態に係る描画装置と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。上記各実施形態では、マルチビームごとに個別に光学的パワーを変更可能とする第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22を、第1アパーチャアレイ20と、第2アパーチャアレイ23または投射アパーチャアレイ62との間に配置している。これに対して、描画装置90の特徴は、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22を、投射アパーチャアレイ62とストッピングアパーチャアレイ64との間で、かつ、ブランキング偏向器アレイ30の下流側に配置している点にある。この例でも、第3実施形態に係る描画装置80と同様に、第1アパーチャアレイ20と投射アパーチャアレイ62との間には、第2アパーチャアレイ23および第3集束レンズアレイ61が存在しない。したがって、本実施形態においても、ストッピングアパーチャアレイ64を新たな第2アパーチャアレイということもできる。ここで、コリメーターレンズ14により平行化された電子ビームは、第1アパーチャアレイ20により分割されてマルチビーム25となる。マルチビーム25は、そのまま投射アパーチャアレイ62に照射され、投射アパーチャアレイ62により、さらにサブマルチビーム66へと分割される。そして、サブマルチビーム66は、各マルチビーム25に対応した単位で、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とにより、ストッピングアパーチャアレイ64上に集束される。このように、描画装置90では、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とは、各マルチビーム25に対応した単位のサブマルチビーム66に対して光学的パワーを調整可能としている。これにより、描画装置90は、サブマルチビーム66をストッピングアパーチャアレイ64上に適切に集束させることができるので、結果的に、第1実施形態と同様の効果を奏する。
次に、本発明の第4実施形態に係る描画装置について説明する。図7は、本実施形態に係る描画装置90の構成を示す概略図である。なお、図7において、上記各実施形態に係る描画装置と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。上記各実施形態では、マルチビームごとに個別に光学的パワーを変更可能とする第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22を、第1アパーチャアレイ20と、第2アパーチャアレイ23または投射アパーチャアレイ62との間に配置している。これに対して、描画装置90の特徴は、第1集束レンズアレイ21および第2集束レンズアレイ22を、投射アパーチャアレイ62とストッピングアパーチャアレイ64との間で、かつ、ブランキング偏向器アレイ30の下流側に配置している点にある。この例でも、第3実施形態に係る描画装置80と同様に、第1アパーチャアレイ20と投射アパーチャアレイ62との間には、第2アパーチャアレイ23および第3集束レンズアレイ61が存在しない。したがって、本実施形態においても、ストッピングアパーチャアレイ64を新たな第2アパーチャアレイということもできる。ここで、コリメーターレンズ14により平行化された電子ビームは、第1アパーチャアレイ20により分割されてマルチビーム25となる。マルチビーム25は、そのまま投射アパーチャアレイ62に照射され、投射アパーチャアレイ62により、さらにサブマルチビーム66へと分割される。そして、サブマルチビーム66は、各マルチビーム25に対応した単位で、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とにより、ストッピングアパーチャアレイ64上に集束される。このように、描画装置90では、第1集束レンズアレイ21と第2集束レンズアレイ22とは、各マルチビーム25に対応した単位のサブマルチビーム66に対して光学的パワーを調整可能としている。これにより、描画装置90は、サブマルチビーム66をストッピングアパーチャアレイ64上に適切に集束させることができるので、結果的に、第1実施形態と同様の効果を奏する。
(物品の製造方法)
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1 描画装置
2 ウエハ
10 荷電粒子源
14 コリメーターレンズ
20 第1アパーチャアレイ
21 第1集束レンズアレイ
22 第2集束レンズアレイ
23 第2アパーチャアレイ
2 ウエハ
10 荷電粒子源
14 コリメーターレンズ
20 第1アパーチャアレイ
21 第1集束レンズアレイ
22 第2集束レンズアレイ
23 第2アパーチャアレイ
Claims (7)
- 荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源からの荷電粒子線が入射するコリメーターレンズと、
複数の開口が形成され、前記コリメーターレンズを介して入射する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第1アパーチャアレイと、
前記複数の荷電粒子線がそれぞれ入射する複数の開口が形成された第2アパーチャアレイと、
前記複数の荷電粒子線のそれぞれに対して屈折力を個別に調整可能な複数のレンズを含み、前記第1アパーチャアレイと前記第2アパーチャアレイとの間に配置されたレンズアレイと、
を有することを特徴とする描画装置。 - 前記第2アパーチャアレイは、前記複数の荷電粒子線のそれぞれをさらに分割する複数の開口が形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記第1アパーチャアレイと前記第2アパーチャアレイとの間に、前記複数の荷電粒子線のそれぞれをさらに分割する複数の開口が形成された第3アパーチャアレイを有し、
前記レンズアレイは、前記第3アパーチャアレイと前記第2アパーチャアレイとの間に配置されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。 - 前記第3アパーチャアレイによって得られた複数の荷電粒子線を個別に偏向するブランキング偏向器を有し、
前記第2アパーチャアレイは、前記ブランキング偏向器により偏向された荷電粒子線を遮蔽するストッピングアパーチャアレイである、
ことを特徴とする請求項3に記載の描画装置。 - 前記第3アパーチャアレイによって得られた複数の荷電粒子線を前記ストッピングアパーチャアレイの対応する開口に対して集束する集束レンズアレイを有する、ことを特徴とする請求項4に記載の描画装置。
- 前記複数の荷電粒子線の電流密度を個別に計測する計測部と、
前記計測部の出力に基づいて前記複数のレンズぞれぞれの屈折力を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の描画装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012258988A JP2014107401A (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012258988A JP2014107401A (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014107401A true JP2014107401A (ja) | 2014-06-09 |
Family
ID=51028637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012258988A Pending JP2014107401A (ja) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | 描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014107401A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199758A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビームの照射方法及びマルチ荷電粒子ビームの調整方法 |
JP2018073916A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2018520495A (ja) * | 2015-07-22 | 2018-07-26 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
WO2020064035A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-system zur stromregulierung von einzel-teilchenstrahlen |
CN111487594A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-04 | 中国民航大学 | 一种基于粒子群优化的圆阵列波束形成方法 |
EP4117012A1 (en) * | 2021-07-07 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method |
WO2024045789A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种法拉第杯和带电粒子束测量方法 |
-
2012
- 2012-11-27 JP JP2012258988A patent/JP2014107401A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11587758B2 (en) | 2015-07-22 | 2023-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP2018520495A (ja) * | 2015-07-22 | 2018-07-26 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
US11887807B2 (en) | 2015-07-22 | 2024-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US10879031B2 (en) | 2015-07-22 | 2020-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP2017199758A (ja) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置、マルチ荷電粒子ビームの照射方法及びマルチ荷電粒子ビームの調整方法 |
JP2018073916A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
WO2020064035A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-system zur stromregulierung von einzel-teilchenstrahlen |
US11562880B2 (en) | 2018-09-27 | 2023-01-24 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Particle beam system for adjusting the current of individual particle beams |
CN111487594A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-04 | 中国民航大学 | 一种基于粒子群优化的圆阵列波束形成方法 |
WO2023280552A1 (en) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method |
EP4117012A1 (en) * | 2021-07-07 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method |
TWI824604B (zh) * | 2021-07-07 | 2023-12-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子光學裝置、帶電粒子設備及方法 |
WO2024045789A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种法拉第杯和带电粒子束测量方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8704192B2 (en) | Drawing apparatus and method of manufacturing article | |
US6903353B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus | |
US10784070B2 (en) | Charged particle beam device, field curvature corrector, and methods of operating a charged particle beam device | |
JP2014107401A (ja) | 描画装置、それを用いた物品の製造方法 | |
JP2013074088A (ja) | 荷電粒子線描画装置、描画データ生成方法、描画データ生成プログラム、それを用いた物品の製造方法 | |
JP4612838B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置およびその露光方法 | |
JP2000012438A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
KR20220079969A (ko) | 하전 입자 빔 디바이스 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키는 방법 | |
US8993985B2 (en) | Drawing apparatus and method of manufacturing article | |
US10451976B2 (en) | Electron beam irradiation apparatus and electron beam dynamic focus adjustment method | |
JP5159035B2 (ja) | レンズアレイ及び該レンズアレイを含む荷電粒子線露光装置 | |
JP5836646B2 (ja) | 描画装置、および、物品の製造方法 | |
US20150044615A1 (en) | Drawing data generating method, processing apparatus, storage medium, drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2014082171A (ja) | 照射系、描画装置および物品の製造方法 | |
US20150037731A1 (en) | Drawing apparatus and article manufacturing method | |
JP2022162802A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
US20140349235A1 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
JP4143204B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2016115850A (ja) | リソグラフィ装置および方法ならびに物品の製造方法 | |
JP4356064B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置および該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP7468795B1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR20120128106A (ko) | 묘화 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP7480918B1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP7480917B1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2004153294A (ja) | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、および、デバイス製造方法 |