JP2014228026A - Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing - Google Patents

Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing Download PDF

Info

Publication number
JP2014228026A
JP2014228026A JP2013106349A JP2013106349A JP2014228026A JP 2014228026 A JP2014228026 A JP 2014228026A JP 2013106349 A JP2013106349 A JP 2013106349A JP 2013106349 A JP2013106349 A JP 2013106349A JP 2014228026 A JP2014228026 A JP 2014228026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
roller
base material
bearing
dlc
roller base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013106349A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
雅裕 鈴木
Masahiro Suzuki
雅裕 鈴木
和芳 山川
Kazuyoshi Yamakawa
和芳 山川
和昭 松尾
Kazuaki Matsuo
和昭 松尾
齊藤　利幸
Toshiyuki Saito
利幸 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JTEKT Corp
Original Assignee
JTEKT Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JTEKT Corp filed Critical JTEKT Corp
Priority to JP2013106349A priority Critical patent/JP2014228026A/en
Publication of JP2014228026A publication Critical patent/JP2014228026A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C2360/00—Engines or pumps
    • F16C2360/44—Centrifugal pumps
    • F16C2360/45—Turbo-molecular pumps

Landscapes

  • Rolling Contact Bearings (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a roller for a bearing, a roller bearing, and a method of manufacturing the roller for a bearing, capable of providing a roller base material with a DLC coating on its outer surface without causing adverse effect.SOLUTION: A roller bearing 21 includes a conical roller 24. A rolling face 24A and a large diameter-side end face 24B of the conical roller 24 are respectively covered by DLC-Si coatings 26 on the whole areas. An addition ratio of Si in the DLC-Si coating 26 is 5-25 wt.%, more preferably 10-25 wt.%. The DLC-Si coating 26 is formed by using a DC pulse plasma CVD method generating plasma around a roller base material by applying DV pulse voltage to the roller base material.

Description

この発明は、軸受用ころ、ころ軸受、および軸受用ころの製造方法に関する。   The present invention relates to a bearing roller, a roller bearing, and a method for manufacturing the bearing roller.

従来から、外輪と内輪との間に配置された複数の円すいころを含むころ軸受が知られている（たとえば下記特許文献１）。円すいころの転動面は外輪や内輪と転がり接触し、また、円すいころの端面は、内輪と滑り接触する。外輪や内輪ところの外表面との間には、焼付きの発生を防止するために、潤滑剤が配置されている。   Conventionally, a roller bearing including a plurality of tapered rollers disposed between an outer ring and an inner ring is known (for example, Patent Document 1 below). The rolling surface of the tapered roller is in rolling contact with the outer ring and the inner ring, and the end surface of the tapered roller is in sliding contact with the inner ring. A lubricant is disposed between the outer ring and the outer surface of the inner ring to prevent seizure.

特開２０１２−７２８６９号公報JP 2012-72869 A

軸受け用ころ（ころ）は通常鋼を用いて形成されており、そのため、その外表面の摺動性は悪い。したがって、潤滑剤が非供給状態にあったり、潤滑剤の供給量が減少してたりしている場合には、外輪や内輪と軸受け用ころの外表面との間に、焼付きが発生するおそれがある。
本願発明者らは、軸受用ころにおける焼付けの発生を防止するべく、優れた低摩擦性および摺動性を有するＤＬＣ−Ｓｉ被膜（Ｓｉを含むＤＬＣ（Diamond Like Carbon）被膜）で、軸受用ころの外表面を被覆することを検討している。 Bearing rollers (rollers) are usually made of steel, so that the slidability of the outer surface is poor. Therefore, seizure may occur between the outer ring or the inner ring and the outer surface of the bearing roller when the lubricant is not supplied or the supply amount of the lubricant is reduced. There is.
In order to prevent the occurrence of seizure in the bearing roller, the inventors of the present invention use a DLC-Si coating (DLC (Diamond Like Carbon) coating containing Si) having excellent low friction and sliding properties. We are studying to coat the outer surface.

ところが、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜（ＤＬＣ被膜）の形成のための手法の一つである直流プラズマＣＶＤ（Direct Current Plasma Chemical Vapor Deposition）法では、その処理温度を約５００℃以上に上昇させる必要がある。この処理温度が、約４５０℃程度にある鋼の焼戻し温度を上回るので、軸受用ころの基材（以下、「ころ基材」という。）に焼戻し処理が施されている場合、そのころ基材に悪影響を与えるおそれがある。すなわち、ころ基材の外表面に焼戻し処理が施されている場合、直流プラズマＣＶＤ（Direct Current Plasma Chemical Vapor Deposition）法を用いて、ころ基材の外表面にＤＬＣ−Ｓｉ被膜を形成することはできなかった。また、ころ基材の外表面を高硬度に保つべく、ころ基材の外表面に焼戻し処理を施すのは欠かせない。   However, in the direct current plasma chemical vapor deposition (DC) method, which is one of the methods for forming the DLC-Si film (DLC film), it is necessary to increase the processing temperature to about 500 ° C. or more. Since this treatment temperature exceeds the tempering temperature of steel at about 450 ° C., when the tempering treatment is applied to the bearing roller base material (hereinafter referred to as “roller base material”), the roller base material. May be adversely affected. That is, when the outer surface of the roller base material is tempered, it is possible to form a DLC-Si film on the outer surface of the roller base material using a direct current plasma chemical vapor deposition (DC) method. could not. In order to keep the outer surface of the roller base material high in hardness, it is indispensable to subject the outer surface of the roller base material to a tempering treatment.

そこで、本発明の目的は、ころ基材に悪影響を生じさせることなく、その外表面にＤＬＣ被膜が配置された軸受用ころ、ころ軸受、および軸受用ころの製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a bearing roller, a roller bearing, and a method for manufacturing the bearing roller in which a DLC film is disposed on the outer surface without causing an adverse effect on the roller base material.

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、鋼を用いて形成されて、ころ軸受（２１；１２１）に用いられる軸受用ころ（２４；１２４）であって、前記軸受用ころの転動面（２４Ａ）および端面（２４Ｂ；２４Ｂ，２４ＣＡ）に、当該軸受用ころに直流パルス電圧を印加し当該軸受用ころの周囲にプラズマを発生させる直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて形成されたＤＬＣ被膜（２６）を含み、前記ＤＬＣ被膜には、５〜２５ｗｔ％の比率でＳｉ（ケイ素）が添加されていることを特徴とする、軸受用ころである。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a bearing roller (24; 124) formed of steel and used for a roller bearing (21; 121). Formed on the rolling surface (24A) and end surfaces (24B; 24B, 24CA) of the roller by using a DC pulse plasma CVD method in which a DC pulse voltage is applied to the bearing roller and plasma is generated around the bearing roller. The bearing roller is characterized in that Si (silicon) is added at a ratio of 5 to 25 wt% to the DLC film.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、Ｓｉ（ケイ素）が添加されたＤＬＣ被膜（ＤＬＣ−Ｓｉの被膜。以下、「ＤＬＣ−Ｓｉ被膜」という。）によって、軸受用ころの転動面および端面が被覆されており、これらの転動面および端面が内輪や外輪と摺動する。ＤＬＣ−Ｓｉ被膜は、優れた低摩擦性および摺動性を有している。そのため、低摩擦性および摺動性の優れた転動面および端面を有する軸受用ころを提供することができる。これにより、軸受用ころの外表面における焼付きの発生を抑制または防止できる。 In this section, the alphanumeric characters in parentheses represent reference signs of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited to the embodiments by these reference numerals.
According to this configuration, the rolling surface and the end surface of the bearing roller are covered with the DLC film to which Si (silicon) is added (DLC-Si film, hereinafter referred to as “DLC-Si film”). These rolling surfaces and end surfaces slide with the inner ring and the outer ring. The DLC-Si coating has excellent low friction and slidability. Therefore, it is possible to provide a bearing roller having a rolling surface and an end surface that are excellent in low friction and slidability. Thereby, the occurrence of seizure on the outer surface of the bearing roller can be suppressed or prevented.

また、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜は、直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。直流パルスプラズマＣＶＤ法を採用するので、処理温度が４００℃未満（たとえば２００℃以下）になる。そのため、ころ基材の外表面に焼戻し処理が施されている場合であっても、ころ基材に悪影響を及ぼすことなく、ころ基材の転動面および端面にＤＬＣ−Ｓｉ被膜を配置できる。   Further, the DLC-Si film is formed using a direct current pulse plasma CVD method. Since the DC pulse plasma CVD method is employed, the processing temperature is less than 400 ° C. (for example, 200 ° C. or less). Therefore, even when the outer surface of the roller base material is tempered, the DLC-Si coating can be disposed on the rolling surface and the end surface of the roller base material without adversely affecting the roller base material.

以上により、焼戻し処理が施されたころ基材を有し、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜で転動面が良好に被覆された軸受用ころを提供することができる。
前記の目的を達成するための請求項２に記載の発明は、内輪（２２）と、外輪（２３）と、これら内外輪間に配置された請求項１に記載の軸受用ころとを含むことを特徴とする、ころ軸受（２１；１２１）である。 By the above, the roller for bearings which has the roller base material by which the tempering process was performed, and the rolling surface was coat | covered favorably by the DLC-Si film can be provided.
The invention according to claim 2 for achieving the above object includes the inner ring (22), the outer ring (23), and the bearing roller according to claim 1 disposed between the inner and outer rings. It is a roller bearing (21; 121) characterized by these.

この構成によれば、請求項１に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項１に記載の軸受用ころは、たとえば請求項３記載の製造方法により製造することができる。
請求項３に記載の発明は、軸受用ころ（２４；１２４）の製造方法であって、少なくとも炭素系化合物およびケイ素系化合物を含む原料ガスを処理室（３）内に導入しながら、鋼を用いて形成されるころ基材（２４０）に直流パルス電圧を印加し前記処理室内にプラズマを発生させる直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて、前記ころ基材の外表面に、Ｓｉが添加されたＤＬＣ被膜（２６）を形成する被膜形成工程を含むことを特徴とする、軸受用ころの製造方法である。 According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 1.
The bearing roller according to claim 1 can be manufactured, for example, by the manufacturing method according to claim 3.
Invention of Claim 3 is a manufacturing method of a roller for bearings (24; 124), Comprising: While introducing raw material gas containing at least a carbon system compound and a silicon system compound into processing chamber (3), steel is made. A DLC in which Si is added to the outer surface of the roller base material by using a direct current pulse plasma CVD method in which a direct current pulse voltage is applied to the roller base material (240) formed using the direct current pulse plasma CVD method for generating plasma in the processing chamber. It is a manufacturing method of the roller for bearings characterized by including the film formation process which forms a film (26).

この方法によれば、直流パルスプラズマＣＶＤ法により、ころ基材の外表面にＤＬＣ−Ｓｉ被膜を形成する。直流パルスプラズマＣＶＤ法を採用するので、処理温度が４００℃未満（たとえば２００℃以下）になる。そのため、ころ基材の外表面に焼戻し処理が施されている場合であっても、ころ基材に悪影響を及ぼすことなく、ころ基材の外表面にＤＬＣ被膜を配置できる。   According to this method, the DLC-Si film is formed on the outer surface of the roller base material by direct current pulse plasma CVD. Since the DC pulse plasma CVD method is employed, the processing temperature is less than 400 ° C. (for example, 200 ° C. or less). Therefore, even when the outer surface of the roller base material is tempered, the DLC film can be disposed on the outer surface of the roller base material without adversely affecting the roller base material.

請求項４に記載の発明は、前記ころ基材は円すい形（円すい台形）をなしており、前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、導電性の電極部材（９）の水平面（９Ａ）上に前記ころ基材を、その大径側端面（２４Ｂ）を上方に向けた姿勢で載置するころ基材載置工程をさらに含み、前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項３に記載の軸受用ころの製造方法である。   According to a fourth aspect of the present invention, the roller base material has a conical shape (conical trapezoidal shape), which is executed prior to the film forming step, and is performed in a horizontal plane of the conductive electrode member (9) in the processing chamber. (9A) further includes a roller base material placing step for placing the roller base material in a posture in which the large-diameter side end face (24B) is directed upward, and the coating film forming step is performed via the electrode member. The method for manufacturing a bearing roller according to claim 3, further comprising a step of applying a DC pulse voltage to the roller base material.

この方法によれば、ころ基材が、その大径側端面を上方に向けた姿勢で、すなわち小径側端面（２４Ｃ）を下方に向けた姿勢で水平面上に載置される。そのため、小径側端面を除くころ基材の外表面の全域にＤＬＣ−Ｓｉ被膜を形成できる。これにより、ころ基材の転動面および端面のそれぞれに、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜を、同時にかつ比較的簡単に配置できる。   According to this method, the roller base material is placed on the horizontal surface in a posture in which the large-diameter side end surface is directed upward, that is, in a posture in which the small-diameter side end surface (24C) is directed downward. Therefore, a DLC-Si film can be formed on the entire outer surface of the roller base material excluding the small-diameter side end face. Thereby, a DLC-Si film can be arrange | positioned simultaneously and comparatively easily on each of the rolling surface and end surface of a roller base material.

基材載置工程は、前記電極プレート上に、複数のころ基材を、各ころ基材の大径側端面を上方に向けた姿勢で載置する工程を含んでいてもよい。この場合、複数のころ基材に対し、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜を一括して形成することができる。
請求項５に記載の発明は、前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、前記ころ基材の小径側端面（２４Ｃ）の外周側領域（２４ＣＡ）を除く領域（２４ＣＢ）に、当該小径側端面よりも小径の電極部材（３１）の支持面（３１Ａ）を接触させつつ、当該支持面で前記ころ基材を支持するころ基材支持工程をさらに含み、前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項３に記載の軸受用ころの製造方法である。 The base material placing step may include a step of placing a plurality of roller base materials on the electrode plate in a posture in which the large-diameter side end surface of each roller base material faces upward. In this case, a DLC-Si film can be collectively formed on a plurality of roller base materials.
The invention according to claim 5 is executed prior to the film forming step, and in the processing chamber, in the region (24CB) excluding the outer peripheral side region (24CA) of the small diameter side end surface (24C) of the roller base material, Further comprising a roller base material support step of supporting the roller base material with the support surface while contacting the support surface (31A) of the electrode member (31) having a smaller diameter than the end surface on the small diameter side, The method for manufacturing a bearing roller according to claim 3, comprising a step of applying a direct-current pulse voltage to the roller base material through the electrode member.

この方法によれば、ころ基材の小径側端面の外周側領域を除く領域に、電極部材の支持面を接触させた状態で、当該支持面にころ基材が支持される。そのため、当該接触している領域を除くころ基材の外表面の全域にＤＬＣ−Ｓｉ被膜が形成される。これにより、ころ基材において転動面、大径側端面、および小径側端面の外周側領域のそれぞれに、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜を、同時にかつ比較的簡単に配置できる。   According to this method, the roller base material is supported by the support surface in a state where the support surface of the electrode member is in contact with the region excluding the outer peripheral side region of the small-diameter end surface of the roller base material. Therefore, a DLC-Si film is formed on the entire outer surface of the roller base material excluding the contact area. Thereby, a DLC-Si film can be arrange | positioned simultaneously and comparatively easily to each of the outer peripheral side area | region of a rolling surface, a large diameter side end surface, and a small diameter side end surface in a roller base material.

本発明の一実施形態に係るころ軸受の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the roller bearing which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る円すいころの側面図である。It is a side view of the tapered roller which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る円すいころの断面図である。It is sectional drawing of the tapered roller which concerns on one Embodiment of this invention. ＤＬＣ−Ｓｉ被膜におけるＳｉ添加比率と、当該被膜の摩擦係数との関係を表すグラフである。It is a graph showing the relationship between Si addition ratio in a DLC-Si film, and the friction coefficient of the said film. ＤＬＣ−Ｓｉ被膜の形成の前後の状態をそれぞれ示す円すいころの斜視図である。It is a perspective view of the tapered roller which shows the state before and behind formation of a DLC-Si film, respectively. 本発明の一実施形態に係る製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the plasma CVD apparatus used for the manufacturing method which concerns on one Embodiment of this invention. 図６に示すプラズマＣＶＤ装置のプラズマ電源からころ基材に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the waveform of the direct current | flow pulse voltage applied to a roller base material from the plasma power supply of the plasma CVD apparatus shown in FIG. 本発明の他の実施形態に係る円すいころの断面図である。It is sectional drawing of the tapered roller which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態の変形例を係る製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method which concerns on the modification of other embodiment of this invention.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るころ軸受２１の構成を模式的に示す断面図である。
ころ軸受２１は、リング状の外輪２３と、外輪２３の内周側に配置されるリング状の内輪２２と、外輪２３および内輪２２間に配置されるリング状の保持器（図示しない）と、保持器によって円周方向に間隔を空けて配置される複数の円すいころ（軸受用ころ）２４とを含む。ころ軸受２１は、いわゆる円すいころ軸受である。外輪２３、内輪２２および円すいころ２４は、いずれも鋼を用いて形成される。円すいころ２４では、その直径（大径側の直径）が１０ｍｍ以上の大きさに設定されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a roller bearing 21 according to an embodiment of the present invention.
The roller bearing 21 includes a ring-shaped outer ring 23, a ring-shaped inner ring 22 disposed on the inner peripheral side of the outer ring 23, a ring-shaped cage (not shown) disposed between the outer ring 23 and the inner ring 22, And a plurality of tapered rollers (bearing rollers) 24 arranged at intervals in the circumferential direction by the cage. The roller bearing 21 is a so-called tapered roller bearing. The outer ring 23, the inner ring 22 and the tapered roller 24 are all made of steel. In the tapered roller 24, its diameter (large diameter side diameter) is set to a size of 10 mm or more.

外輪２３の内周には、外輪２３の中心軸線Ｃ１に対し傾斜する外輪側軌道面２３Ａが形成されている。外輪側軌道面２３Ａは、一方（図１の右方）に向かうに従って大径になる平坦テーパ状をなしている。
内輪２２の外周には、内輪２２の中心軸線（中心軸線Ｃ１と同一）に対し傾斜する内輪側軌道面２２Ａが形成されている。内輪側軌道面２２Ａは外輪側軌道面２３Ａに対向する面であり、一方（図１の右方）に向かうに従って大径になる平坦テーパ状をなしている。内輪２２の外周には、軸方向小径側（図１の左方）の端部に、径方向外方に向けて突出する小径側鍔部２７が形成されている。外輪２３の外周には、また、内輪側軌道面２２Ａを挟んで、軸方向大径側（図１の右方）の端部に、径方向外方に向けて突出する大径側鍔部２８が形成されている。小径側鍔部２７の円すいころ２４側の端面には、円すいころ２４の次に述べる小径側端面２４Ｃに接触する小径側内側端面２７Ａが形成されている。大径側鍔部２８の円すいころ２４側の端面には、円すいころ２４の次に述べる大径側端面２４Ｂに接触する大径側内側端面２８Ａが形成されている。 An outer ring-side raceway surface 23 </ b> A that is inclined with respect to the central axis C <b> 1 of the outer ring 23 is formed on the inner periphery of the outer ring 23. The outer ring side raceway surface 23A has a flat taper shape with a larger diameter toward one side (right side in FIG. 1).
On the outer periphery of the inner ring 22, an inner ring side raceway surface 22 </ b> A that is inclined with respect to the central axis of the inner ring 22 (same as the central axis C <b> 1) is formed. The inner ring side raceway surface 22A is a surface facing the outer ring side raceway surface 23A, and has a flat taper shape that increases in diameter toward one side (right side in FIG. 1). On the outer periphery of the inner ring 22, a small-diameter side flange portion 27 that protrudes outward in the radial direction is formed at an end portion on the small-diameter side in the axial direction (left side in FIG. 1). On the outer periphery of the outer ring 23, the large-diameter flange 28 protrudes radially outward at the end on the axially large-diameter side (right side in FIG. 1) with the inner-ring-side raceway surface 22A interposed therebetween. Is formed. A small-diameter inner end surface 27A that contacts a small-diameter side end surface 24C described below of the tapered roller 24 is formed on the end surface of the small-diameter flange portion 27 on the tapered roller 24 side. A large-diameter inner end surface 28 </ b> A that contacts a large-diameter side end surface 24 </ b> B described below of the tapered roller 24 is formed on the end surface of the large-diameter flange portion 28 on the tapered roller 24 side.

図２および図３は、本発明の一実施形態に係る円すいころ２４の側面図および断面図である。円すいころ２４は、円すい形状から頂部を除去した形状（円すい台形）を有するものであって、外輪側軌道面２３Ａおよび内輪側軌道面２２Ａ上を転動する転動面２４Ａと、小径側の端面に形成された小径側端面２４Ｃと、大径側の端面に形成された大径側端面（端面）２４Ｂとを有する。大径側端面２４Ｂには、その中央に、円形の窪みからなる凹部２９が形成されている。   2 and 3 are a side view and a sectional view of a tapered roller 24 according to an embodiment of the present invention. The tapered roller 24 has a shape (conical trapezoidal shape) obtained by removing the top from a conical shape, and includes a rolling surface 24A that rolls on the outer ring side raceway surface 23A and the inner ring side raceway surface 22A, and a small diameter end surface. A small-diameter side end surface 24C formed on the large-diameter side, and a large-diameter side end surface (end surface) 24B formed on the large-diameter side end surface. The large-diameter side end surface 24B has a concave portion 29 formed of a circular depression at the center thereof.

図１〜図３に示すように、内輪２２に対して外輪２３が回転すると、円すいころ２４が外輪２３の外輪側軌道面２３Ａ上と内輪２２の内輪側軌道面２２Ａ上を転動し、円すいころ２４が円周方向に移動する。この回転状態において、円すいころ２４の転動面２４Ａが、外輪２３の外輪側軌道面２３Ａおよび内輪２２の内輪側軌道面２２Ａと転がり接触（摺動）し、かつ円すいころ２４の大径側端面２４Ｂが、内輪２２の大径側内側端面２８Ａと滑り接触（摺動）する。   As shown in FIGS. 1 to 3, when the outer ring 23 rotates with respect to the inner ring 22, the tapered rollers 24 roll on the outer ring side raceway surface 23 </ b> A of the outer ring 23 and the inner ring side raceway surface 22 </ b> A of the inner ring 22. The roller 24 moves in the circumferential direction. In this rotating state, the rolling surface 24A of the tapered roller 24 is in rolling contact (sliding) with the outer ring side raceway surface 23A of the outer ring 23 and the inner ring side raceway surface 22A of the inner ring 22, and the end surface on the large diameter side of the tapered roller 24. 24B is in sliding contact (sliding) with the large-diameter inner end surface 28A of the inner ring 22.

なお、外輪側軌道面２３Ａと内輪側軌道面２２Ａとの間には、潤滑油やグリースなどの潤滑剤が配置されている。
図３に示すように、円すいころ２４の外表面において、転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂは、それぞれ、その全域が、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜（Ｓｉ（ケイ素）が添加されたＤＬＣ被膜）２６によって被覆されている。ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、１０ＧＰａ以上のナノインデンター硬さを有している。ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６の膜厚はたとえば約３μｍである。ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、ＤＬＣを含むために、優れた摺動性を有している。 A lubricant such as lubricating oil or grease is disposed between the outer ring side raceway surface 23A and the inner ring side raceway surface 22A.
As shown in FIG. 3, on the outer surface of the tapered roller 24, the rolling surface 24 </ b> A and the large-diameter side end surface 24 </ b> B are all DLC-Si coating (DLC coating to which Si (silicon) is added) 26. It is covered by. The DLC-Si coating 26 has a nanoindenter hardness of 10 GPa or more. The film thickness of the DLC-Si coating 26 is, for example, about 3 μm. Since the DLC-Si coating 26 contains DLC, it has excellent slidability.

また、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６におけるＳｉの添加比率（ＤＬＣを１としたときの比率）は、５〜２５ｗｔ％、より好ましくは１５〜２５ｗｔ％である。
図４は、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６におけるＳｉ添加比率（ｗｔ％）と、当該被膜２６の（表面の）摩擦係数との関係を表すグラフである。図４では、ボールオンプレート往復動摩擦係数試験機を用いて、鋼製（たとえばＳＵＪ２製）の相手材に、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が表面に配置された基材を試験片としてセットし、速度２Ｈｚおよび荷重１０Ｎの試験条件で摩擦摩耗試験を行った場合を示している。Ｓｉの添加比率が２５ｗｔ％を超えると、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を上手く製膜できないから、当該摩擦摩耗試験では、Ｓｉの添加比率を、０〜２５ｗｔ％の範囲で変化させている。 Moreover, the addition ratio of Si in the DLC-Si coating 26 (the ratio when DLC is set to 1) is 5 to 25 wt%, more preferably 15 to 25 wt%.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the Si addition ratio (wt%) in the DLC-Si coating 26 and the (surface) friction coefficient of the coating 26. In FIG. 4, using a ball-on-plate reciprocating friction coefficient tester, a base material having a DLC-Si coating 26 disposed on the surface is set as a test piece on a steel (for example, SUJ2) counterpart, and the speed is 2 Hz. And the case where the friction wear test was done on the test conditions of load 10N is shown. If the Si addition ratio exceeds 25 wt%, the DLC-Si coating 26 cannot be formed successfully. Therefore, in the frictional wear test, the Si addition ratio is changed in the range of 0 to 25 wt%.

図４に示す結果から、５〜２５ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている場合に、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が良好な摩擦性（低摩擦性。たとえば摩擦係数０．１以下）を発揮することができることが理解される。Ｓｉの添加比率が１５〜２５ｗｔ％であれば、より良好な摩擦性を発揮できるから、より好ましい。
そのため、５〜２５ｗｔ％のＳｉ添加比率を有するＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、優れた低摩擦性を有する。したがって、軌道面２２Ａ，２３Ａおよび大径側内側端面２８Ａにそれぞれ摺動する転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂの表面が、優れた低摩擦性および摺動性を呈する。なお、図１〜図３の実施形態では、円すいころ２４の小径側端面２４ＣにＤＬＣ−Ｓｉ被膜は配置されていない。 From the results shown in FIG. 4, when Si is added at a ratio of 5 to 25 wt%, the DLC-Si coating 26 exhibits good friction (low friction, for example, a friction coefficient of 0.1 or less). It is understood that If the addition ratio of Si is 15 to 25 wt%, it is more preferable because better friction can be exhibited.
Therefore, the DLC-Si film 26 having a Si addition ratio of 5 to 25 wt% has excellent low friction properties. Therefore, the surfaces of the rolling surface 24A and the large-diameter end surface 24B that slide on the raceway surfaces 22A and 23A and the large-diameter inner end surface 28A, respectively, exhibit excellent low friction and slidability. In the embodiment of FIGS. 1 to 3, the DLC-Si film is not disposed on the small diameter side end surface 24 </ b> C of the tapered roller 24.

図５は、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６の形成の前後の状態をそれぞれ示す円すいころ２４の斜視図である。
このような円すいころ２４は、プラズマＣＶＤ装置１における直流パルスプラズマＣＶＤ法の実施により、ころ基材２４０の転動面２４Ａおよび大径側端面２４ＢにＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が配置されることにより、製造される。なお、この明細書において、ころ基材２４０とは、ころ基材２４０の外表面にＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を配置する前の状態の円すいころ２４のことをいう。ころ基材２４０は、鋼（たとえば軸受鋼）を用いて形成され、かつ焼入れ処理および焼戻し処理が施されている。 FIG. 5 is a perspective view of the tapered roller 24 showing the states before and after the formation of the DLC-Si coating 26.
Such a tapered roller 24 has a DLC-Si coating 26 disposed on the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B of the roller base material 240 by performing the direct-current pulse plasma CVD method in the plasma CVD apparatus 1, Manufactured. In this specification, the roller base material 240 refers to the tapered roller 24 in a state before the DLC-Si coating 26 is disposed on the outer surface of the roller base material 240. The roller base material 240 is formed using steel (for example, bearing steel) and is subjected to quenching and tempering.

以上によりこの実施形態では、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６によって、円すいころ２４の転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂが被覆されている。ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、優れた低摩擦性および摺動性を有している。そのため、低摩擦性および摺動性の優れた転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂを有する円すいころ２４を提供することができる。これにより、内輪２２に対する外輪２３の回転状態において、円すいころ２４の転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂにおける焼付きの発生を抑制または防止できる。   As described above, in this embodiment, the rolling surface 24 </ b> A and the large-diameter side end surface 24 </ b> B of the tapered roller 24 are covered with the DLC-Si coating 26. The DLC-Si coating 26 has excellent low friction and slidability. Therefore, it is possible to provide a tapered roller 24 having a rolling surface 24A and a large-diameter side end surface 24B that are excellent in low friction and slidability. Thereby, in the rotation state of the outer ring 23 with respect to the inner ring 22, the occurrence of seizure on the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B of the tapered roller 24 can be suppressed or prevented.

図６は、円すいころ２４の製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置１の構成を模式的に示す図である。プラズマＣＶＤ装置１を用いて、直流パルスプラズマＣＶＤ法により円すいころ２４を製造することができる。
プラズマＣＶＤ装置１は、隔壁２で取り囲まれた処理室３と、基台５と、処理室３内に原料ガスを導入するためのガス導入管６と、処理室３内を真空排気するための排気系７と、処理室３内に導入されたガスをプラズマ化させるための直流パルス電圧を発生させるプラズマ電源８とを備えている。プラズマＣＶＤ装置１は、直流パルスプラズマＣＶＤ法を実施するための装置である。 FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of the plasma CVD apparatus 1 used in the method for manufacturing the tapered roller 24. The tapered roller 24 can be manufactured by the direct-current pulse plasma CVD method using the plasma CVD apparatus 1.
The plasma CVD apparatus 1 includes a processing chamber 3 surrounded by a partition wall 2, a base 5, a gas introduction pipe 6 for introducing a raw material gas into the processing chamber 3, and a vacuum for exhausting the inside of the processing chamber 3. An exhaust system 7 and a plasma power source 8 that generates a DC pulse voltage for converting the gas introduced into the processing chamber 3 into plasma are provided. The plasma CVD apparatus 1 is an apparatus for performing a direct current pulse plasma CVD method.

基台５は、平坦状の水平面９Ａを有する平板状のプレート（電極部材）９と、鉛直方向に延び、プレート９を支持する支持軸１０とを含む。この実施形態では、基台５として、プレート９が上下方向に３つ並んで配置された３段式のものが一例として採用されている。プレート９および支持軸１０は、全体が銅などの導電材料を用いて一体的に形成されている。基台５にはプラズマ電源８の負極が接続されている。   The base 5 includes a flat plate (electrode member) 9 having a flat horizontal surface 9 </ b> A, and a support shaft 10 that extends in the vertical direction and supports the plate 9. In this embodiment, as the base 5, a three-stage type in which three plates 9 are arranged in the vertical direction is adopted as an example. The plate 9 and the support shaft 10 are integrally formed using a conductive material such as copper as a whole. A negative electrode of a plasma power source 8 is connected to the base 5.

また、処理室３の隔壁２は、ステンレス鋼等の導電材料を用いて形成されている。隔壁２には、プラズマ電源８の正極が接続されている。また隔壁２はアース接続されている。また隔壁２と基台５とは絶縁部材１１によって絶縁されている。そのため隔壁２はアース電位に保たれている。プラズマ電源８がオンされて直流パルス電圧が発生されると、隔壁２と基台５との間に電位差が生じる。   Further, the partition wall 2 of the processing chamber 3 is formed using a conductive material such as stainless steel. A positive electrode of a plasma power source 8 is connected to the partition wall 2. The partition wall 2 is grounded. The partition wall 2 and the base 5 are insulated by an insulating member 11. Therefore, the partition wall 2 is kept at the ground potential. When the plasma power supply 8 is turned on and a DC pulse voltage is generated, a potential difference is generated between the partition wall 2 and the base 5.

また、ガス導入管６は、処理室３内における基台５の上方を水平方向に延びている。ガス導入管６の基台５に対向する部分には、ガス導入管６の長手方向に沿って配列された多数の原料ガス吐出孔１２が形成されている。原料ガス吐出孔１２から原料ガスが吐出されることにより、処理室３内に原料ガスが導入される。
ガス導入管６には、成分ガスである原料ガスが供給される。ガス導入管６には、成分ガスの供給源（ガスボンベや液体を収容する容器等）からそれぞれの成分ガスを処理室３に導くための複数の分岐導入管（図示しない）が接続されている。各分岐導入管には、各供給源からの成分ガスの流量を調節するための流量調節バルブ（図示しない）等が設けられている。また供給源のうち液体を収容する容器には、必要に応じて、液体を加熱するための加熱手段（図示しない）が設けられている。 Further, the gas introduction pipe 6 extends in the horizontal direction above the base 5 in the processing chamber 3. A number of source gas discharge holes 12 arranged along the longitudinal direction of the gas introduction pipe 6 are formed in a portion of the gas introduction pipe 6 facing the base 5. By discharging the source gas from the source gas discharge hole 12, the source gas is introduced into the processing chamber 3.
The gas introduction pipe 6 is supplied with a raw material gas that is a component gas. Connected to the gas introduction pipe 6 are a plurality of branch introduction pipes (not shown) for introducing each component gas from the supply source of the component gas (such as a gas cylinder or a container containing liquid) to the processing chamber 3. Each branch introduction pipe is provided with a flow rate adjusting valve (not shown) for adjusting the flow rate of the component gas from each supply source. Moreover, the container which accommodates the liquid among supply sources is provided with the heating means (not shown) for heating a liquid as needed.

排気系７は、処理室３にそれぞれ連通する第１排気管１３および第２排気管１４と、第１開閉バルブ１５、第２開閉バルブ１６および第３開閉バルブ１９と、第１ポンプ１７および第２ポンプ１８とを備えている。
第１排気管１３の途中部には、第１開閉バルブ１５および第１ポンプ１７が、処理室３側からこの順で介装されている。第１ポンプ１７としては、たとえば油回転真空ポンプ（ロータリポンプ）やダイヤフラム真空ポンプなどの低真空ポンプが採用される。油回転真空ポンプは、油によってロータ、ステータおよび摺動翼板などの部品の間の気密空間および無効空間の減少を図る容積移送式真空ポンプである。第１ポンプ１７として採用される油回転真空ポンプとしては、回転翼型油回転真空ポンプや揺動ピストン型真空ポンプが挙げられる。 The exhaust system 7 includes a first exhaust pipe 13 and a second exhaust pipe 14 that communicate with the processing chamber 3, a first on-off valve 15, a second on-off valve 16, a third on-off valve 19, a first pump 17, and a first pump 17. 2 pump 18.
A first opening / closing valve 15 and a first pump 17 are interposed in this order from the processing chamber 3 side in the middle of the first exhaust pipe 13. As the first pump 17, for example, a low vacuum pump such as an oil rotary vacuum pump (rotary pump) or a diaphragm vacuum pump is employed. The oil rotary vacuum pump is a positive displacement vacuum pump that reduces an airtight space and an ineffective space between components such as a rotor, a stator, and a sliding blade with oil. Examples of the oil rotary vacuum pump adopted as the first pump 17 include a rotary blade type oil rotary vacuum pump and a swing piston type vacuum pump.

また第２排気管１４の先端は、第１排気管１３における第１開閉バルブ１５と第１ポンプ１７との間に接続されている。第２排気管１４の途中部には、第２開閉バルブ１６、第２ポンプ１８、および第３開閉バルブ１９が、処理室３側からこの順で介装されている。第２ポンプ１８としては、たとえばターボ分子ポンプ、油拡散ポンプなどの高真空ポンプが採用される。   The tip of the second exhaust pipe 14 is connected between the first opening / closing valve 15 and the first pump 17 in the first exhaust pipe 13. A second opening / closing valve 16, a second pump 18, and a third opening / closing valve 19 are interposed in this order from the processing chamber 3 side in the middle of the second exhaust pipe 14. As the second pump 18, for example, a high vacuum pump such as a turbo molecular pump or an oil diffusion pump is employed.

プラズマＣＶＤ装置１を用いてころ基材２４０の外周面２４ＢにＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を形成するには、まず、処理室３内において、各プレート９の水平面９Ａに、複数個のころ基材２４０を、その大径側端面２４Ｂを上方に向けた姿勢で載置する（ころ基材載置工程）。この姿勢では、各ころ基材２４０小径側端面２４Ｃが下方に向いている。
次いで第１、第２および第３開閉バルブ１５，１６，１９を閉じた状態で第１ポンプ１７を駆動させた後、第１開閉バルブ１５を開くことにより処理室３内を真空排気する。処理室３内が第１ポンプ１７によって所定の真空度まで真空排気された時点で第１開閉バルブ１５を閉じるとともに第３開閉バルブ１９を開いて第２ポンプ１８を駆動させた後、第２開閉バルブ１６を開くことにより、第１および第２ポンプ１７，１８によって処理室３内をさらに真空排気する。 In order to form the DLC-Si coating 26 on the outer peripheral surface 24 </ b> B of the roller base material 240 using the plasma CVD apparatus 1, first, in the processing chamber 3, a plurality of roller base materials 240 are formed on the horizontal surface 9 </ b> A of each plate 9. Is placed in a posture in which the large-diameter side end face 24B faces upward (roller base material placing step). In this posture, each roller base material 240 has a small diameter side end surface 24C facing downward.
Next, after the first pump 17 is driven with the first, second and third on-off valves 15, 16, 19 closed, the inside of the processing chamber 3 is evacuated by opening the first on-off valve 15. When the inside of the processing chamber 3 is evacuated to a predetermined vacuum level by the first pump 17, the first opening / closing valve 15 is closed and the third opening / closing valve 19 is opened to drive the second pump 18. By opening the valve 16, the processing chamber 3 is further evacuated by the first and second pumps 17 and 18.

処理室３内が所定の真空度に達した時点で第２開閉バルブ１６を閉じ、第２ポンプ１８を停止させ、第３開閉バルブ１９を閉じるとともに第１開閉バルブ１５を開いて第１ポンプ１７だけで排気を続けながら、原料ガス供給源（図示しない）から原料ガス導入管６を通して原料ガスを処理室３内に導入する。
原料ガスとしては、たとえば炭素系化合物、水素ガス、アルゴンガスおよび有機ケイ素化合物等を加えたものを用いる。炭素系化合物としては、たとえばメタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）等の、常温、常圧下で気体ないし低沸点の液体である炭化水素化合物の１種または２種以上が挙げられる。水素ガスおよびアルゴンガスはプラズマを安定化させる作用をする。またアルゴンガスは、ころ基材２４０の外周面２４Ｂに堆積したＣを押し固めてＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を硬膜化させる作用も有する。有機ケイ素化合物としては、ＴＭＳ（テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４））やシロキサンなどを例示できる。 When the inside of the processing chamber 3 reaches a predetermined degree of vacuum, the second opening / closing valve 16 is closed, the second pump 18 is stopped, the third opening / closing valve 19 is closed, and the first opening / closing valve 15 is opened to open the first pump 17. The raw material gas is introduced into the processing chamber 3 from the raw material gas supply source (not shown) through the raw material gas introduction pipe 6 while continuing the exhaust.
As the raw material gas, for example, a carbon compound, hydrogen gas, argon gas, organosilicon compound, or the like is used. As the carbon-based compound, for example, one kind of hydrocarbon compound that is a gas or a low-boiling-point liquid under normal temperature and normal pressure, such as methane (CH 4 ), acetylene (C 2 H 2 ), and benzene (C 6 H 6 ). Or 2 or more types are mentioned. Hydrogen gas and argon gas act to stabilize the plasma. The argon gas also has an action of hardening the DLC-Si coating 26 by pressing and solidifying C deposited on the outer peripheral surface 24B of the roller base material 240. Examples of the organosilicon compound include TMS (tetramethylsilane (Si (CH 3 ) 4 )) and siloxane.

分岐導入管（図示しない）の流量調節バルブ（図示しない）を調節して、各成分ガスの流量比、および各成分ガスの混合ガスである原料ガスの総流量を調節しながら、原料ガス導入管６を通して原料ガスを処理室３内に導入して、処理室３内の処理圧力を５０Ｐａ以上４００Ｐａ以下、より好ましくは約２００Ｐａに調節する。
次いでプラズマ電源８をオンして、隔壁２と基台５との間に電位差を生じさせることにより、処理室３内にプラズマを発生させる（ＤＬＣ被覆処理。被膜形成工程）。 Adjusting the flow rate adjusting valve (not shown) of the branch introduction pipe (not shown) to adjust the flow rate ratio of each component gas and the total flow rate of the source gas that is a mixed gas of each component gas, The raw material gas is introduced into the processing chamber 3 through 6, and the processing pressure in the processing chamber 3 is adjusted to 50 Pa or more and 400 Pa or less, more preferably about 200 Pa.
Next, the plasma power supply 8 is turned on to generate a potential difference between the partition wall 2 and the base 5, thereby generating plasma in the processing chamber 3 (DLC coating treatment, film formation step).

たとえば直流パルスプラズマＣＶＤ法では、プラズマ電源８をオンすることにより、隔壁２と基台５との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。
図７は、プラズマＣＶＤ装置１のプラズマ電源８からころ基材２４０に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。プラズマ電源８から複数のころ基材２４０に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。直流パルス電圧の設定電圧値は、たとえば１０００Ｖ程度の値に設定される。すなわちプラズマ電源８がオンされると、隔壁２と基台５との間に１０００Ｖの電位差が生じる。言い換えれば１０００Ｖの負極性の直流パルス電圧が、プレート９で水平面９Ａ上に配置された複数のころ基材２４０にそれぞれ印加される。波形がパルス状であるので、このような高電圧が印加されても処理室３内に異常放電は生じず、ころ基材２４０の温度上昇を抑制して、処理温度をたとえば２００℃以下（たとえば１８０℃）に抑制することができる。 For example, in the DC pulse plasma CVD method, plasma is generated by applying a DC pulse voltage between the partition wall 2 and the base 5 by turning on the plasma power supply 8.
FIG. 7 is a graph showing an example of a waveform of a DC pulse voltage applied from the plasma power supply 8 of the plasma CVD apparatus 1 to the roller base material 240. 4 is a graph showing an example of a waveform of a DC pulse voltage applied from a plasma power supply 8 to a plurality of roller base materials 240. The set voltage value of the DC pulse voltage is set to a value of about 1000V, for example. That is, when the plasma power supply 8 is turned on, a potential difference of 1000 V is generated between the partition wall 2 and the base 5. In other words, a negative DC pulse voltage of 1000 V is applied to each of the plurality of roller base materials 240 arranged on the horizontal plane 9A by the plate 9. Since the waveform is pulse-like, abnormal discharge does not occur in the processing chamber 3 even when such a high voltage is applied, the temperature rise of the roller base material 240 is suppressed, and the processing temperature is, for example, 200 ° C. or less (for example, 180 ° C.).

直流パルス電圧においては、そのパルス幅τを周波数ｆの逆数（１／ｆ）で表されるパルス周期で除算した値、つまり式（１）に示すようにパルス幅τを周波数ｆで乗算した値として求められるデューティー比を５％以上、特に５０％程度に設定するのが好ましい。また周波数ｆは２００Ｈｚ以上、２０００Ｈｚ以下に設定するのが好ましい。
デューティー比＝τ×ｆ ・・・（１）
図６に示すように、たとえば直流パルスプラズマＣＶＤ法では、このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスからイオンやラジカルが生成される。そして、隔壁２ところ基材２４０との間の電位差に基づいて、負極性の複数のころ基材２４０の外表面に引き付けられる。そして、ころ基材２４０の転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂにおいて、当該転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂの表面の周囲に、イオンシース（図示しない）が形成される。このイオンシースの電位差でプラズマ中のイオンが加速され、イオンビームとなって、ころ基材２４０の転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂに、それぞれほぼ垂直に衝突する。イオンが繰り返し衝突することにより、ころ基材２４０の転動面２４Ａおよび大径側端面２４ＢにＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が堆積される。 In a DC pulse voltage, a value obtained by dividing the pulse width τ by a pulse period represented by the reciprocal (1 / f) of the frequency f, that is, a value obtained by multiplying the pulse width τ by the frequency f as shown in Equation (1). Is preferably set to 5% or more, particularly about 50%. The frequency f is preferably set to 200 Hz or more and 2000 Hz or less.
Duty ratio = τ × f (1)
As shown in FIG. 6, for example, in the direct-current pulse plasma CVD method, ions and radicals are generated from the raw material gas in the processing chamber 3 by the generation of this plasma. Based on the potential difference between the partition walls 2 and the base material 240, the partition walls 2 are attracted to the outer surfaces of the negative roller base materials 240. An ion sheath (not shown) is formed around the surfaces of the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B on the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B of the roller base material 240. Ions in the plasma are accelerated by the potential difference of the ion sheath to become an ion beam and collide with the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B of the roller base material 240 almost vertically. When the ions repeatedly collide, the DLC-Si coating 26 is deposited on the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B of the roller base material 240.

一方で、各ころ基材２４０が、小径側端面２４Ｃを下方に向けた姿勢で水平面９Ａ上に載置されているので、各ころ基材２４０の小径側端面２４Ｃに、ＤＬＣ被膜（ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６）は形成されない。
その後、予め定める被膜形成時間（被膜形成工程の処理時間）が終了した時点で、プラズマ電源８をオフするとともに、原料ガスの導入を停止した後、第１ポンプ１７による排気を続けながら常温まで冷却する。次いで第１開閉バルブ１５を閉じ、代わってリークバルブ（図示しない）を開いて処理室３内に外気を導入して処理室３内を常圧に戻した後、処理室３から円すいころ２４を取り出す。これにより、転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂの全域がＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６によって被覆された円すいころ２４が製造される。 On the other hand, since each roller base material 240 is mounted on the horizontal surface 9A in a posture in which the small diameter side end surface 24C faces downward, a DLC coating (DLC-Si) is formed on the small diameter side end surface 24C of each roller base material 240. The coating 26) is not formed.
Thereafter, when a predetermined film formation time (process time of the film formation process) is completed, the plasma power source 8 is turned off, and after the introduction of the source gas is stopped, the first pump 17 continues to be exhausted and cooled to room temperature. To do. Next, the first opening / closing valve 15 is closed, and instead, a leak valve (not shown) is opened to introduce outside air into the processing chamber 3 to return the processing chamber 3 to normal pressure. Take out. Thereby, the tapered roller 24 in which the entire area of the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B is covered with the DLC-Si coating 26 is manufactured.

以上によりこの実施形態によれば、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。直流パルスプラズマＣＶＤ法を採用するので、処理温度が２００℃以下になる。そのため、ころ基材２４０に焼戻し処理が施されている場合であっても、ころ基材２４０に悪影響を及ぼすことなく、ころ基材２４０の転動面２４Ａおよび大径側端面２４ＢにＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を配置できる。   As described above, according to this embodiment, the DLC-Si film 26 is formed using the direct-current pulse plasma CVD method. Since the direct current pulse plasma CVD method is employed, the processing temperature becomes 200 ° C. or lower. Therefore, even when the tempering process is performed on the roller base material 240, the DLC-Si is not applied to the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B of the roller base material 240 without adversely affecting the roller base material 240. A coating 26 can be placed.

また、直流パルスプラズマＣＶＤ法がプラズマＣＶＤをベースとする処理であるため、ＤＬＣ被膜処理後における転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂの表面粗さを、それぞれ、ＤＬＣ被膜処理前における転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂの表面粗さと同等粗さにすることができる。
また、ころ基材２４０が、その大径側端面２４Ｂを上方に向けた姿勢で、すなわち小径側端面２４Ｃを下方に向けた姿勢で水平面９Ａ上に載置される。そのため、小径側端面２４Ｃを除くころ基材２４０の外表面の全域（転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂを含む）にＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を形成できる。これにより、転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂのそれぞれに、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を、同時に、かつ比較的簡単に配置できる。 In addition, since the direct-current pulse plasma CVD method is a process based on plasma CVD, the surface roughness of the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B after the DLC film processing is set to the rolling surface before the DLC film processing, respectively. The surface roughness of 24A and the large-diameter side end surface 24B can be made equal to the surface roughness.
Further, the roller base material 240 is placed on the horizontal surface 9A in a posture in which the large-diameter side end surface 24B is directed upward, that is, in a posture in which the small-diameter side end surface 24C is directed downward. Therefore, the DLC-Si coating 26 can be formed on the entire outer surface of the roller base material 240 (including the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B) except for the small diameter side end surface 24C. Thereby, the DLC-Si coating 26 can be simultaneously and relatively easily arranged on each of the rolling surface 24A and the large-diameter side end surface 24B.

また、水平面９Ａ上に複数のころ基材２４０が配置された状態で直流パルスプラズマＣＶＤ法が実施されるので、複数のころ基材２４０に対し、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を一括して形成することができる。
図８は、本発明の他の実施形態に係る円すいころ１２４の断面図である。
図８において、前述した実施形態に示された各部に対応する部分には、前述した実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。図８に示すころ軸受１２１では、円すいころ２４に代えて円すいころ１２４が採用されている点で、ころ軸受２１（図１参照）と相違しており、それ以外の構成はころ軸受２１と同等である。 In addition, since the DC pulse plasma CVD method is performed in a state where the plurality of roller base materials 240 are arranged on the horizontal surface 9A, the DLC-Si coating 26 is formed on the plurality of roller base materials 240 in a lump. Can do.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a tapered roller 124 according to another embodiment of the present invention.
In FIG. 8, portions corresponding to the respective portions shown in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above-described embodiment, and description thereof is omitted. The roller bearing 121 shown in FIG. 8 is different from the roller bearing 21 (see FIG. 1) in that a tapered roller 124 is used instead of the tapered roller 24, and other configurations are the same as the roller bearing 21. It is.

円すいころ１２４は、円すい形状から頂部を除去した形状（円すい台形）を有するもので、外輪側軌道面２３Ａおよび内輪側軌道面２２Ａ上を転動する転動面２４Ａと、小径側の端面に形成された小径側端面２４Ｃと、大径側の端面に形成された大径側端面２４Ｂとを有する。小径側端面２４Ｃには円形の窪みからなる凹部２９が形成されている。円すいころ２４の外表面において、転動面２４Ａおよび大径側端面２４Ｂだけでなく、小径側端面２４Ｃにおける外周側領域（端面）２４ＣＡにもＤＬＣ−Ｓｉ被膜（Ｓｉ（ケイ素）が添加されたＤＬＣ被膜）２６が配置されている点で、円すいころ１２４は円すいころ２４（図３等）と相違しており、それ以外の点において、円すいころ１２４の構成は円すいころ２４と共通している。円すいころ１２４の構成において円すいころ２４と共通する部分には、図１〜図５と共通の参照符号を付し説明を省略する。なお、円すいころ２４の小径側端面２４Ｃにおける円形の内周側領域２４ＣＢ（外周側領域２４ＣＡを除く領域）には、ＤＬＣ被膜２６は配置されていない。   The tapered roller 124 has a shape (conical trapezoidal shape) obtained by removing the top from the conical shape, and is formed on a rolling surface 24A that rolls on the outer ring side raceway surface 23A and the inner ring side raceway surface 22A, and an end surface on the small diameter side. The small-diameter-side end surface 24C and the large-diameter-side end surface 24B formed on the large-diameter-side end surface are provided. A concave portion 29 formed of a circular depression is formed on the small diameter side end face 24C. On the outer surface of the tapered roller 24, not only the rolling surface 24A and the large diameter side end surface 24B but also the outer peripheral side region (end surface) 24CA of the small diameter side end surface 24C is a DLC-Si coating (Si (silicon) added DLC). The tapered roller 124 is different from the tapered roller 24 (FIG. 3 and the like) in that the coating 26 is disposed, and the configuration of the tapered roller 124 is the same as that of the tapered roller 24 in other points. Parts common to the tapered roller 24 in the configuration of the tapered roller 124 are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 5 and description thereof is omitted. In addition, the DLC film 26 is not arrange | positioned in the circular inner peripheral side area | region 24CB (area | region except outer peripheral side area | region 24CA) in the small diameter side end surface 24C of the tapered roller 24. FIG.

また、円すいころ２４の場合と同様、円すいころ１２４においても、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６の膜厚はたとえば約３μｍであり、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６におけるＳｉの添加比率は、５〜２５ｗｔ％、より好ましくは１５〜２５ｗｔ％である。
図９は、円すいころ１２４の製造方法を模式的に示す図である。この製造方法は、図６に示すプラズマＣＶＤ装置１とほぼ同等のＣＶＤ装置を用いて行われる。図９では、各プレート９には、水平面９Ａから、導電材料を用いて形成された第１支持部材（電極部材）３１が鉛直上方に向けて立設されている。図９では、各第１支持部材３１は断面円形の棒材であり、その上端面には、水平平坦面からなる支持面３１Ａが形成されている。第１支持部材３１を設ける点で、円すいころ１２４の製造方法に採用されるＣＶＤ装置はプラズマＣＶＤ装置１と相違しており、それ以外の点において、プラズマＣＶＤ装置１の構成と共通している。 As in the case of the tapered roller 24, also in the tapered roller 124, the thickness of the DLC-Si coating 26 is about 3 μm, for example, and the addition ratio of Si in the DLC-Si coating 26 is more preferably 5 to 25 wt%. Is 15 to 25 wt%.
FIG. 9 is a diagram schematically showing a method for manufacturing the tapered roller 124. This manufacturing method is performed using a CVD apparatus substantially equivalent to the plasma CVD apparatus 1 shown in FIG. In FIG. 9, on each plate 9, a first support member (electrode member) 31 formed using a conductive material is erected vertically upward from a horizontal plane 9A. In FIG. 9, each first support member 31 is a rod having a circular cross section, and a support surface 31 </ b> A made of a horizontal flat surface is formed on the upper end surface thereof. The CVD apparatus employed in the method for manufacturing the tapered roller 124 is different from the plasma CVD apparatus 1 in that the first support member 31 is provided, and is otherwise in common with the configuration of the plasma CVD apparatus 1. .

図８および図９に示すように、支持面３１Ａの直径Ｄ１（図９参照）は、円すいころ１２４の小径側端面２４Ｃの直径ＤＳ（図９参照）よりも小径である。より具体的には、支持面３１Ａの直径Ｄ１は、円すいころ１２４の小径側端面２４Ｃの内周側領域２４ＣＢとほぼ同径に設定されている。このＣＶＤ装置を用いて円すいころ１２４を製造する場合には、各ころ基材２４０が、その大径側端面２４Ｂを上方に向けた姿勢で、すなわち小径側端面２４Ｃを下方に向けた姿勢で第１支持部材３１に支持される。このとき、ころ基材２４０の小径側端面２４Ｃの内周側領域２４ＣＢに支持面３１Ａが接触している。そして、プラズマ電源８（図６参照）がオンされることにより、隔壁２と基台５との間に大きな電位差が生じ、導電性の各第１支持部材３１を介して、支持面３１Ａ上に配置支持された各ころ基材２４０に印加される。こうして、前述の直流パルス電圧がころ基材２４０に印加されることにより、各ころ基材２４０の転動面２４Ａ、大径側端面２４Ｂおよび小径側端面２４Ｃの外周側領域２４ＣＡに、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が配置される。   As shown in FIGS. 8 and 9, the diameter D1 (see FIG. 9) of the support surface 31A is smaller than the diameter DS (see FIG. 9) of the small diameter side end surface 24C of the tapered roller 124. More specifically, the diameter D1 of the support surface 31A is set to be substantially the same diameter as the inner peripheral region 24CB of the small diameter side end surface 24C of the tapered roller 124. When the tapered roller 124 is manufactured using this CVD apparatus, each roller base material 240 has a posture in which the large-diameter side end surface 24B faces upward, that is, the small-diameter side end surface 24C faces downward. 1 supported by a support member 31. At this time, the support surface 31A is in contact with the inner peripheral side region 24CB of the small diameter side end surface 24C of the roller base member 240. Then, when the plasma power supply 8 (see FIG. 6) is turned on, a large potential difference is generated between the partition wall 2 and the base 5, and the support surface 31A is formed on each of the conductive first support members 31. It is applied to each roller base material 240 that is arranged and supported. Thus, by applying the DC pulse voltage to the roller base material 240, the DLC-Si is applied to the outer peripheral region 24CA of the rolling surface 24A, the large diameter side end surface 24B and the small diameter side end surface 24C of each roller base material 240. A coating 26 is disposed.

この実施形態によれば、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６は、直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。直流パルスプラズマＣＶＤ法を採用するので、処理温度が２００℃以下になる。そのため、ころ基材２４０に焼戻し処理が施されている場合であっても、ころ基材２４０に悪影響を及ぼすことなく、ころ基材２４０の転動面２４Ａ、大径側端面２４Ｂおよび外周側領域２４ＣＡにＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を配置できる。   According to this embodiment, the DLC-Si film 26 is formed using a direct-current pulse plasma CVD method. Since the direct current pulse plasma CVD method is employed, the processing temperature becomes 200 ° C. or lower. Therefore, even when the tempering process is performed on the roller base material 240, the rolling contact surface 24A, the large diameter side end surface 24B, and the outer peripheral side region of the roller base material 240 are not adversely affected. The DLC-Si coating 26 can be disposed at 24CA.

また、直流パルスプラズマＣＶＤ法がプラズマＣＶＤをベースとする処理であるため、ＤＬＣ被膜処理後における転動面２４Ａ、大径側端面２４Ｂおよび外周側領域２４ＣＡの表面粗さを、それぞれ、ＤＬＣ被膜処理前における転動面２４Ａ、大径側端面２４Ｂおよび外周側領域２４ＣＡの表面粗さと同等粗さにすることができる。
また、ころ基材２４０の小径側端面２４Ｃの内周側領域２４ＣＢに、第１支持部材３１の支持面３１Ａを接触させた状態で、当該支持面３１Ａにころ基材２４０が支持される。そのため、小径側端面２４Ｃの内周側領域２４ＣＢを除く、ころ基材２４０の外表面の全域に、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を形成できる。これにより、ころ基材２４０において転動面２４Ａ、大径側端面２４Ｂ、および小径側端面２４Ｃの外周側領域のそれぞれに、ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を、同時に、かつ比較的簡単に配置できる。 Further, since the direct-current pulse plasma CVD method is a process based on plasma CVD, the surface roughness of the rolling surface 24A, the large diameter side end surface 24B, and the outer peripheral side region 24CA after the DLC film processing is determined by the DLC film processing, respectively. The surface roughness of the rolling surface 24A, the large-diameter side end surface 24B, and the outer peripheral side region 24CA in the front can be made equal to the surface roughness.
Further, the roller base material 240 is supported by the support surface 31A in a state where the support surface 31A of the first support member 31 is brought into contact with the inner peripheral side region 24CB of the small-diameter side end surface 24C of the roller base material 240. Therefore, the DLC-Si coating 26 can be formed on the entire outer surface of the roller base member 240 excluding the inner peripheral side region 24CB of the small diameter side end surface 24C. Thereby, in the roller base material 240, the DLC-Si coating 26 can be simultaneously and relatively easily arranged in each of the outer peripheral side regions of the rolling surface 24A, the large diameter side end surface 24B, and the small diameter side end surface 24C.

以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の図９に示す実施形態において、図１０に示すように、ＣＶＤ装置を用いた処理時に各ころ基材２４０が、第１支持部材３１および第２支持部材３２によって上下に挟まれつつ支持されていてもよい。第２支持部材３２は、導電材料を用いて形成され、第１支持部材３１が鉛直下方に向けて垂下する棒材である。図１０では、各第２支持部材３２は断面円形の棒材である。その下端面３２Ａは水平平坦面からなる。この支持状態において、ころ基材２４０の大径側端面２４Ｂの凹部２９に第２支持部材３２が差し込まれ、凹部２９の底面、下端面３２Ａが接触している。 As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, in the embodiment shown in FIG. 9 described above, as shown in FIG. 10, each roller base material 240 is sandwiched between the first support member 31 and the second support member 32 during processing using the CVD apparatus. It may be supported. The second support member 32 is a bar formed by using a conductive material, and the first support member 31 hangs vertically downward. In FIG. 10, each second support member 32 is a rod having a circular cross section. The lower end surface 32A is a horizontal flat surface. In this support state, the second support member 32 is inserted into the concave portion 29 of the large-diameter side end surface 24B of the roller base member 240, and the bottom surface and the lower end surface 32A of the concave portion 29 are in contact with each other.

また、前述の各実施形態において、ＤＬＣ被覆処理に先立って、Ｓｉ（ケイ素）の添加濃度が互いに異なる複数（たとえば５つ）の層が積層されて構成される中間層を形成することができる。この場合、原料ガスに含まれる有機ケイ素化合物の流量割合を変化させることにより、各層におけるＳｉの添加濃度を異ならせることにより、Ｓｉの添加濃度の勾配がある傾斜膜（中間傾斜膜）に設けることができる。   Further, in each of the above-described embodiments, an intermediate layer formed by laminating a plurality of (for example, five) layers having different Si (silicon) addition concentrations can be formed prior to the DLC coating process. In this case, by changing the flow rate ratio of the organosilicon compound contained in the raw material gas, the Si addition concentration in each layer is varied to provide a gradient film (intermediate gradient film) with a gradient of Si addition concentration. Can do.

また、前述の各実施形態において、直流パルスプラズマＣＶＤ法を実施してころ基材２４０の外表面にＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６を形成するのに先立って、ころ基材２４０の外表面（ＤＬＣ−Ｓｉ被膜２６が配置される表面）をイオンボンバード処理してもよい。イオンボンバード処理を実施する場合は、たとえば処理室３内にアルゴンガスおよび水素ガスを導入しながらプラズマ電源８をオンすることによりプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室３内においてアルゴンガスからイオンやラジカルが生成するとともに、電位差に基づいてころ基材２４０の外表面に打ち付けられて、ころ基材２４０の外表面に吸着された異分子等をスパッタリング除去したり、外表面を活性化したり原子配列等を改質したりできる。   Further, in each of the above-described embodiments, prior to forming the DLC-Si coating 26 on the outer surface of the roller base material 240 by performing the DC pulse plasma CVD method, the outer surface (DLC-Si) of the roller base material 240 is formed. The surface on which the coating 26 is disposed may be subjected to ion bombardment. When performing ion bombardment processing, for example, plasma is generated by turning on the plasma power supply 8 while introducing argon gas and hydrogen gas into the processing chamber 3. Due to the generation of the plasma, ions and radicals are generated from the argon gas in the processing chamber 3, and the foreign molecules are struck against the outer surface of the roller base material 240 based on the potential difference and adsorbed on the outer surface of the roller base material 240. Etc. can be removed by sputtering, the outer surface can be activated, or the atomic arrangement can be modified.

そして、プラズマＣＶＤ装置１（図６参照）を用いた一連の処理の一例として、イオンボンバード処理、中間層形成処理およびＤＬＣ被覆処理を順次に実行することが考えられる。この場合、プラズマＣＶＤ装置１内の昇温開始からイオンボンバード処理の開始まで約４０分間、イオンボンバード処理の処理時間を約１時間、中間層形成処理の処理時間を約２５分間、およびＤＬＣ被覆処理の処理時間を約４０分間とすることができる。ＤＬＣ被覆処理におけるアルゴンガス、炭素系化合物、有機ケイ素化合物および水素ガスの流量比は３：５：０．３：３である。   As an example of a series of processes using the plasma CVD apparatus 1 (see FIG. 6), it is conceivable to sequentially perform an ion bombardment process, an intermediate layer formation process, and a DLC coating process. In this case, about 40 minutes from the start of the temperature rise in the plasma CVD apparatus 1 to the start of the ion bombard process, the process time of the ion bombard process is about 1 hour, the process time of the intermediate layer forming process is about 25 minutes, and the DLC coating process The processing time can be about 40 minutes. The flow rate ratio of argon gas, carbon compound, organosilicon compound, and hydrogen gas in the DLC coating treatment is 3: 5: 0.3: 3.

また、前記のイオンボンバード処理においては、プラズマ電源８から印加される直流パルス電圧を、１００Ｖと２５００Ｖとの間で段階的（たとえば７００Ｖ、１０００Ｖ、１５００Ｖ、２０００Ｖおよび２５００Ｖの５段階）に経時変化させるものであってもよい。
また、軸受用ころが円すいころ２４，１２４であるとして説明したが、本発明は、円柱状を有する円柱ころにも適用することができる。 Further, in the ion bombardment process, the DC pulse voltage applied from the plasma power supply 8 is changed over time in a stepwise manner between 100V and 2500V (for example, 700V, 1000V, 1500V, 2000V, and 2500V). It may be a thing.
Further, the bearing rollers are described as the tapered rollers 24 and 124, but the present invention can also be applied to a cylindrical roller having a cylindrical shape.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

３…処理室、９…プレート（電極部材）、９Ａ…水平面、２１…ころ軸受、２２…内輪、２２…外輪、２４…円すいころ（軸受用ころ）、２４Ａ…転動面、２４Ｂ…大径側端面（端面）、２４Ｃ…小径側端面、２４ＣＡ…外周側領域（端面）、２４ＣＢ…内周側領域（外周側領域を除く領域）、２６…ＤＬＣ被膜、３１…第１支持部材（電極部材）、３１Ａ…支持面、１２１…ころ軸受、１２４…軸受用ころ、２４０…ころ基材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Processing chamber, 9 ... Plate (electrode member), 9A ... Horizontal surface, 21 ... Roller bearing, 22 ... Inner ring, 22 ... Outer ring, 24 ... Tapered roller (bearing roller), 24A ... Rolling surface, 24B ... Large diameter Side end face (end face), 24C ... small diameter side end face, 24CA ... outer peripheral side area (end face), 24CB ... inner peripheral side area (area excluding outer peripheral side area), 26 ... DLC coating, 31 ... first support member (electrode member) ), 31A ... support surface, 121 ... roller bearing, 124 ... roller for bearing, 240 ... roller base material

Claims (5)

鋼を用いて形成されて、ころ軸受に用いられる軸受用ころであって、
前記軸受用ころの転動面および端面に、当該軸受用ころに直流パルス電圧を印加し当該軸受用ころの周囲にプラズマを発生させる直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて形成されたＤＬＣ被膜を含み、
前記ＤＬＣ被膜には、５〜２５ｗｔ％の比率でＳｉが添加されていることを特徴とする、軸受用ころ。 A roller for a bearing formed of steel and used for a roller bearing,
A rolling surface and an end surface of the bearing roller include a DLC film formed using a DC pulse plasma CVD method in which a DC pulse voltage is applied to the bearing roller to generate plasma around the bearing roller,
A roller for bearings, wherein Si is added to the DLC film at a ratio of 5 to 25 wt%. 内輪と、
外輪と、
これら内外輪間に配置された請求項１に記載の軸受用ころとを含むことを特徴とする、ころ軸受。 Inner ring,
Outer ring,
A roller bearing comprising: the bearing roller according to claim 1 disposed between the inner and outer rings. 軸受用ころの製造方法であって、
少なくとも炭素系化合物およびケイ素系化合物を含む原料ガスを処理室内に導入しながら、鋼を用いて形成されるころ基材に直流パルス電圧を印加し前記処理室内にプラズマを発生させる直流パルスプラズマＣＶＤ法を用いて、前記ころ基材の外表面に、Ｓｉが添加されたＤＬＣ被膜を形成する被膜形成工程を含むことを特徴とする、軸受用ころの製造方法。 A method for manufacturing a bearing roller, comprising:
DC pulse plasma CVD method in which a source pulse gas containing at least a carbon-based compound and a silicon-based compound is introduced into a processing chamber, and a DC pulse voltage is applied to a roller base formed using steel to generate plasma in the processing chamber. A method for producing a bearing roller, comprising: a film forming step of forming a DLC film to which Si is added on the outer surface of the roller base material. 前記ころ基材は円すい形をなしており、
前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、導電性の電極部材の水平面上に前記ころ基材を、その大径側端面を上方に向けた姿勢で載置するころ基材載置工程をさらに含み、
前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項３に記載の軸受用ころの製造方法。 The roller base material has a conical shape,
Roller base material placement that is performed prior to the coating formation step and places the roller base material on the horizontal surface of the conductive electrode member in the processing chamber with the large-diameter end face facing upward. Further comprising a step,
The said film formation process includes the process of applying a direct-current pulse voltage to the said roller base material through the said electrode member, The manufacturing method of the roller for bearings of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、前記ころ基材の小径側端面の外周側領域を除く領域に、当該小径側端面よりも小径の電極部材の支持面を接触させつつ、当該支持面で前記ころ基材を支持するころ基材支持工程をさらに含み、
前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項３に記載の軸受用ころの製造方法。 It is performed prior to the film forming step, and in the processing chamber, while contacting the supporting surface of the electrode member having a smaller diameter than the end surface on the small diameter side, in the region excluding the outer peripheral side region of the small diameter side end surface of the roller base material, A roller base material supporting step of supporting the roller base material with the support surface;
The said film formation process includes the process of applying a direct-current pulse voltage to the said roller base material through the said electrode member, The manufacturing method of the roller for bearings of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
JP2013106349A 2013-05-20 2013-05-20 Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing Pending JP2014228026A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013106349A JP2014228026A (en) 2013-05-20 2013-05-20 Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013106349A JP2014228026A (en) 2013-05-20 2013-05-20 Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014228026A true JP2014228026A (en) 2014-12-08

Family

ID=52128077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013106349A Pending JP2014228026A (en) 2013-05-20 2013-05-20 Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014228026A (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319784A (en) * 1999-05-07 2000-11-21 Riken Corp Sliding component and its production
JP2005195150A (en) * 2004-01-09 2005-07-21 Koyo Seiko Co Ltd Rolling device
JP2009222141A (en) * 2008-03-17 2009-10-01 Jtekt Corp Tapered roller bearing
JP2011026660A (en) * 2009-07-24 2011-02-10 Jtekt Corp Sliding member and method for producing the same
JP2011252179A (en) * 2010-05-31 2011-12-15 Jtekt Corp Method of producing coated member
JP2012215289A (en) * 2011-03-25 2012-11-08 Jtekt Corp Roller bearing

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319784A (en) * 1999-05-07 2000-11-21 Riken Corp Sliding component and its production
JP2005195150A (en) * 2004-01-09 2005-07-21 Koyo Seiko Co Ltd Rolling device
JP2009222141A (en) * 2008-03-17 2009-10-01 Jtekt Corp Tapered roller bearing
JP2011026660A (en) * 2009-07-24 2011-02-10 Jtekt Corp Sliding member and method for producing the same
JP2011252179A (en) * 2010-05-31 2011-12-15 Jtekt Corp Method of producing coated member
JP2012215289A (en) * 2011-03-25 2012-11-08 Jtekt Corp Roller bearing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6071020B2 (en) Manufacturing method of covering member
JP5741891B2 (en) DLC film forming method
JP5892387B2 (en) Manufacturing method of covering member
US8445077B2 (en) Method of producing coated member
JP2012082477A (en) Dlc-coated member
WO2013118822A1 (en) Device for forming carbon film and method for forming carbon film
US20200408261A1 (en) Rolling bearing and method of manufacturing the same
US20210317877A1 (en) Rolling bearing, wheel support device, and wind power generation rotor shaft support device
JP6238053B2 (en) Sliding member
JP2009185336A (en) Amorphous carbon film and method for forming the same
JP2014228026A (en) Roller for bearing, roller bearing, and method of manufacturing roller for bearing
EP3845769B1 (en) Double-row self-aligning roller bearing and main shaft support device for wind generation equipped with same
US11542985B2 (en) Rolling bearing and wind power generation rotor shaft support device
JP2014201392A (en) Roller and manufacturing method thereof
JP2011026660A (en) Sliding member and method for producing the same
JP5557011B2 (en) Manufacturing method of covering member
WO2018164139A1 (en) Rolling bearing and method for producing same
JP2016098422A (en) Carbon based film, slide member including the same and method for manufacturing slide member
JP2016084491A (en) Slide system and slide member
JP5880474B2 (en) Vacuum deposition system
JP5696889B2 (en) Manufacturing method of covering member
JP2010132937A (en) Surface modifying method of stainless steel material
Wang et al. Batch treatment of industrial components using plasma immersion ion implantation and deposition
JP2024014629A (en) rolling bearing
TWI388690B (en) A vacuum chamber and a deposition process using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170105

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170720