JP2014222689A - Method and apparatus for manufacturing double-side metal laminated film, and manufacturing method of flexible double-side printed wiring board - Google Patents

Method and apparatus for manufacturing double-side metal laminated film, and manufacturing method of flexible double-side printed wiring board Download PDF

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英一郎 西村
Eiichiro Nishimura
英一郎 西村
大上 秀晴
Hideharu Ogami
秀晴 大上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture within a short time and with high yield a double-side metal laminated film, as an insulation film, which secures adhesion with a copper coating layer even with thickness equal to or less than 20 μm, and has high insulation reliability without creasing the insulation film.SOLUTION: A manufacturing method successively executes: a dehydration processing step of implementing dehydration processing by irradiating at least one surface 1a of an insulation film 1 with ion beams within a vacuum atmosphere and for exhausting generated water vapor; a first surface processing step of implementing surface processing by irradiating the one surface 1a of the insulation film 1 with ion beams; a second surface processing step of implementing surface processing by irradiating another surface 1b with ion beams; a first dry deposition step of successively depositing a base metal layer 2b and a copper membrane layer 3b forming a portion of or all the copper coating layer on any surface of the insulation film 1 according to a dry plating method; and a second dry deposition step of successively depositing a copper membrane layer 3a similarly on the surface where the copper membrane layer 3b has not been deposited.

Description

本発明は、フレキシブル両面プリント配線基板に用いられ、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく銅被膜層が形成されている、両面金属積層フィルムの製造方法および製造装置に関する。また、本発明は、この両面金属積層フィルムを用いたフレキシブル両面プリント配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method and an apparatus for producing a double-sided metal laminate film, which is used in a flexible double-sided printed wiring board and has a copper coating layer formed on both sides of an insulating film without using an adhesive. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the flexible double-sided printed wiring board using this double-sided metal laminated film.

近年、携帯電話やタブレット端末などのモバイル機器に代表される電子機器は、小型化、薄型化、軽量化が急速に進み、これらに使用される材料に対しても、小さなスペースにも部品を収納可能とする高密度で高性能な材料が要求されている。このような要求に応える材料として、耐屈曲性を有するフレキシブル両面プリント配線基板が広汎に使用されている。   In recent years, electronic devices typified by mobile devices such as mobile phones and tablet terminals have been rapidly reduced in size, thickness and weight, and parts can be stored in a small space for the materials used for these devices. There is a demand for high-density, high-performance materials that enable it. A flexible double-sided printed wiring board having bending resistance is widely used as a material that meets such requirements.

しかしながら、高密度化が要求される小型のモバイル機器の可動部などに用いられるフレキシブル両面プリント配線基板に対しては、さらなる狭ピッチ化およびより優れた柔軟性が要求されている。これまでのフレキシブル両面プリント配線基板の構造では、多層化した場合や屈曲半径がより小さい箇所に適用した場合に、長期間の使用後に断線を起こすといった問題が生じている。さらに高い耐屈曲性を実現するために、フレキシブル両面プリント配線基板をさらに薄化させることが要求されている。   However, a flexible double-sided printed wiring board used for a movable portion of a small mobile device that requires high density is required to have a further narrower pitch and better flexibility. In the structure of the flexible double-sided printed wiring board so far, there is a problem that, when it is multilayered or applied to a portion where the bending radius is smaller, disconnection occurs after long-term use. In order to achieve higher bending resistance, it is required to further thin the flexible double-sided printed wiring board.

フレキシブル両面プリント配線基板の材料には、絶縁フィルム上に接着剤を用いて導体層としての銅箔を貼り合わせた3層金属積層フィルム、および、絶縁フィルム上に接着剤を用いることなく、乾式めっき法または湿式めっき法により導体層となる銅被膜層を直接形成した2層金属積層フィルムがある。   The material of the flexible double-sided printed circuit board is a three-layer metal laminated film in which a copper foil as a conductor layer is bonded to an insulating film using an adhesive, and dry plating without using an adhesive on the insulating film. There is a two-layer metal laminated film in which a copper coating layer that becomes a conductor layer is directly formed by a method or a wet plating method.

3層金属積層フィルムの構造では、所望の配線パターンを得るためのエッチングの際に、基板面に垂直な方向だけでなく、平面方向(側壁面)にもエッチングが進行するサイドエッチングが生じ、配線部の断面形状が裾広がりの台形になりやすく、配線パターンの狭ピッチ化が困難である。また、この構造では、導体層の薄化が困難であるという問題もある。   In the structure of the three-layer metal laminated film, when etching to obtain a desired wiring pattern, side etching occurs in which etching proceeds not only in the direction perpendicular to the substrate surface but also in the plane direction (side wall surface). The cross-sectional shape of the part tends to be a trapezoid with a wide base, and it is difficult to narrow the wiring pattern. This structure also has a problem that it is difficult to thin the conductor layer.

このため、このような問題のない2層金属積層フィルムの構造を適用することが主流となっている。ただし、この2層金属積層フィルムの構造では、絶縁フィルムと銅被膜層との密着強度は、その界面に酸化銅(II)(CuO)や酸化銅(I)(Cu2O)などの脆弱層が形成されると著しく低下する。このため、フレキシブル両面プリント配線基板に要求される密着強度を維持するため、絶縁フィルムと銅被膜層との間に、ニッケルやクロムなどからなる合金層(下地金属層)が、乾式めっき処理により形成される。 For this reason, it has become mainstream to apply the structure of the two-layer metal laminated film without such a problem. However, in the structure of this two-layer metal laminated film, the adhesion strength between the insulating film and the copper coating layer is such that a brittle layer such as copper oxide (II) (CuO) or copper oxide (I) (Cu 2 O) is present at the interface. When it is formed, it is significantly reduced. Therefore, in order to maintain the adhesive strength required for flexible double-sided printed wiring boards, an alloy layer (underlying metal layer) made of nickel, chromium, or the like is formed by dry plating between the insulating film and the copper coating layer. Is done.

たとえば、特開平8−139448号公報では、電気めっきによる銅被膜層の形成前に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式めっき処理により、絶縁フィルム上に、クロム、酸化クロム、ニッケルなどの銅以外の金属からなる下地金属層を50Å〜200Å程度の厚さで成膜した後、乾式めっき法による薄い銅層と無電解めっきによる無電化銅めっき被膜とを順次成膜している。   For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-139448, before forming a copper coating layer by electroplating, a dry plating process such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method is used to form chromium, chromium oxide, After a base metal layer made of a metal other than copper such as nickel is formed to a thickness of about 50 to 200 mm, a thin copper layer by a dry plating method and an electroless copper plating film by electroless plating are sequentially formed. Yes.

また、特開平6−120630号公報には、絶縁フィルム基板と銅層の密着性を維持しながら、1種類のエッチング溶液で微細な配線パターンの形成を可能とする観点から、スパッタリング法により、ニッケルの含有量が5at%〜80at%のニッケルークロム合金からなる下地金属層を形成することが示されている。   Japanese Patent Laid-Open No. 6-120630 discloses a nickel method by sputtering from the viewpoint of enabling formation of a fine wiring pattern with a single etching solution while maintaining the adhesion between the insulating film substrate and the copper layer. It is shown that a base metal layer made of a nickel-chromium alloy having a content of 5 at% to 80 at% is formed.

一方、フレキシブル両面プリント配線基板の配線パターンは、サブトラクティブ法などの化学エッチング処理により行うことが一般的である。化学エッチング処理は、化学エッチングによるエッチング工程と、エッチング液の除去のため水洗工程により構成される。銅被覆層の化学エッチングに対応したエッチング液としては、たとえば、塩化第ニ鉄(FeCl3・2H2O)水溶液や塩化第二銅(CuCl2・2H2O)水溶液が挙げられる。 On the other hand, the wiring pattern of the flexible double-sided printed wiring board is generally performed by a chemical etching process such as a subtractive method. The chemical etching process includes an etching process by chemical etching and a water washing process for removing the etching solution. Examples of the etchant corresponding to the chemical etching of the copper coating layer include ferric chloride (FeCl 3 .2H 2 O) aqueous solution and cupric chloride (CuCl 2 .2H 2 O) aqueous solution.

しかしながら、乾式めっき処理前に絶縁フィルムの脱水が不十分であると、下地金属層に水分が取り込まれて、酸化してしまい、十分な化学エッチング処理を行うことができない。このため、導体配線の縁や導体配線間に下地金属層が溶け残り、エッチング残渣と呼ばれる金属成分が残存することに起因して、得られるフレキシブル両面プリント配線基板の絶縁信頼性が低下するといった問題がある。また、下地金属層の酸化により、絶縁フィルムとの密着強度が低下して、下地金属層によるアンカー効果が十分に得られなくなるといった問題もある。   However, if the insulating film is not sufficiently dehydrated before the dry plating process, moisture is taken into the underlying metal layer and oxidized, and sufficient chemical etching process cannot be performed. For this reason, the underlying metal layer remains undissolved between the edges of the conductor wiring and between the conductor wiring, and the insulation reliability of the resulting flexible double-sided printed wiring board is reduced due to the remaining metal component called etching residue. There is. Further, there is a problem that the adhesion strength with the insulating film is lowered due to the oxidation of the base metal layer, and the anchor effect by the base metal layer cannot be sufficiently obtained.

脱水処理に関して、特許第4605454号公報に、ヒータなどの加熱装置を用いて、絶縁フィルムを、真空中にて20℃〜140℃、または、大気中にて100℃〜140℃に加熱し、脱水処理をした後、乾式めっき処理により下地金属層を形成する方法が記載されている。この方法によれば、絶縁フィルムを十分に脱水することができるため、エッチング残渣の発生が防止される。しかしながら、140℃以下の温度では脱水に長時間を要するため、生産性に問題がある。また、熱負荷により、絶縁フィルムにシワが発生してしまうことがあり、これを回避するためには、十分な厚さを有する絶縁フィルムを使用しなければならず、フレキシブル両面プリント配線基板の薄化に対する要求を満足することが困難となる。   Regarding the dehydration treatment, in Japanese Patent No. 4605454, a heating device such as a heater is used to heat the insulating film to 20 ° C. to 140 ° C. in a vacuum or 100 ° C. to 140 ° C. in the air to perform dehydration. A method is described in which a base metal layer is formed by dry plating after the treatment. According to this method, since the insulating film can be sufficiently dehydrated, generation of etching residues is prevented. However, there is a problem in productivity because dehydration takes a long time at a temperature of 140 ° C. or lower. In addition, the insulating film may be wrinkled by a thermal load. To avoid this, an insulating film having a sufficient thickness must be used, and the flexible double-sided printed wiring board is thin. It will be difficult to satisfy the demands for conversion.

これに対して、特開2011―20345号公報には、減圧雰囲気下で、絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、プラズマ処理またはイオンビーム処理を施すことにより、樹脂フィルム中の水分や種々の有機溶媒を除去することができる旨が記載されている。しかしながら、この脱水処理では、処理後の絶縁フィルムは200℃以上の高温となるため、処理後に絶縁フィルムを冷却することが必要となる。   In contrast, JP 2011-20345 A discloses that water or various organic solvents in a resin film can be obtained by performing plasma treatment or ion beam treatment on at least one surface of an insulating film under a reduced pressure atmosphere. It is described that can be removed. However, in this dehydration process, since the insulating film after processing becomes a high temperature of 200 ° C. or higher, it is necessary to cool the insulating film after processing.

一方、アンカー効果の改善に関して、特開平5−251843号公報には、絶縁フィルムであるポリイミドフィルムの表面性状を改質することを目的として、ポリイミドフィルムを、窒素酸化物を含むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空状態を維持したまま、連続的にニッケル−銅合金の極薄膜による下地金属層を形成することが開示されている。しかしながら、グロー放電による絶縁フィルムの表面処理では、下地金属層によるアンカー効果が十分に得られていない。   On the other hand, regarding improvement of the anchor effect, JP-A-5-251843 discloses that the polyimide film is used for glow discharge of a gas containing nitrogen oxide for the purpose of modifying the surface properties of the polyimide film which is an insulating film. It is disclosed that a base metal layer is continuously formed by an ultra-thin film of a nickel-copper alloy while maintaining a vacuum state after exposure for a short time. However, in the surface treatment of the insulating film by glow discharge, the anchor effect by the base metal layer is not sufficiently obtained.

絶縁フィルムの表面処理においても、プラズマ処理法やイオンビーム処理法などを適用することが知られている。たとえば、特開2006−49893号公報には、酸素(O2)−アルゴン(Ar)混合ガスを用いたイオンビームを照射するイオンビーム処理法が開示されている。このように、絶縁フィルムの表面処理にイオンビーム処理法を用いると、絶縁フィルムと下地金属層との密着性を向上させることが可能となる。 It is known that a plasma treatment method, an ion beam treatment method, or the like is applied also to the surface treatment of the insulating film. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-49893 discloses an ion beam processing method in which an ion beam is irradiated using an oxygen (O 2 ) -argon (Ar) mixed gas. As described above, when the ion beam treatment method is used for the surface treatment of the insulating film, the adhesion between the insulating film and the base metal layer can be improved.

このような2層金属積層フィルムの構造を適用して両面金属積層フィルムを製造する場合、特開平5−251843号に開示されているように、絶縁フィルムの一方の表面を改質し、下地金属層を形成し、その上に銅薄膜を形成した後、絶縁フィルムの他方の表面を改質し、下地金属層を形成し、その上に銅薄膜を形成することが、通常行われている。   When a double-sided metal laminated film is manufactured by applying such a double-layered metal laminated film structure, as disclosed in JP-A-5-251843, one surface of the insulating film is modified to form a base metal. Usually, after forming a layer and forming a copper thin film thereon, the other surface of the insulating film is modified to form a base metal layer, and a copper thin film is formed thereon.

特開平8−139448号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-139448 特開平6−120630号公報JP-A-6-120630 特許第4605454号公報Japanese Patent No. 4605454 特開2011―20345号公報JP 2011-20345 A 特開平5−251843号公報JP-A-5-251843 特開2006−49893号公報JP 2006-49893 A

しかしながら、両面金属積層フィルムの製造に際して、絶縁フィルムの脱水処理および表面処理として、プラズマ処理またはイオンビーム処理法を採用した場合であっても、絶縁フィルム表面のシワの発生を十分に抑制することは困難である。特に、フレキシブル両面プリント配線基板のさらなる薄化のために、絶縁フィルムとして厚さ20μm以下のものを使用する場合に、この傾向が顕著となり、フレキシブル両面プリント配線基板の収率が低下することが問題となっている。   However, in the production of double-sided metal laminated film, it is possible to sufficiently suppress the generation of wrinkles on the surface of the insulating film even when a plasma treatment or an ion beam treatment method is employed as the dehydration treatment and surface treatment of the insulation film. Have difficulty. In particular, in order to further reduce the thickness of the flexible double-sided printed wiring board, when using an insulating film having a thickness of 20 μm or less, this tendency becomes prominent and the yield of the flexible double-sided printed wiring board decreases. It has become.

本発明は、この問題に鑑みて、両面金属積層フィルムの製造において、絶縁フィルムの両側の表面に下地金属層を形成し、両面の下地金属層の上に銅被膜層をそれぞれ形成するに際して、絶縁フィルムと銅被膜層との密着性を十分に確保するとともに、絶縁フィルムにシワが生じることなく、高い絶縁信頼性を有する両面金属積層フィルムを、短時間で、収率よく製造する方法を提供することを目的とする。   In view of this problem, in the production of a double-sided metal laminated film, the present invention forms a base metal layer on both surfaces of an insulating film and forms a copper coating layer on both sides of the base metal layer. Provided is a method for producing a double-sided metal laminated film having high insulation reliability in a short time and in a high yield without sufficiently wrinkling the insulating film while ensuring sufficient adhesion between the film and the copper coating layer. For the purpose.

このような状況に鑑み、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、絶縁フィルムの両面に、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法において、前記絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビームを照射することにより脱水処理を行うとともに、この脱水処理により発生した水蒸気を適切に排気すること、および、該絶縁フィルムの表面の両側に順次イオンビームを照射することにより、該絶縁フィルムの両側の表面処理を行った後、該絶縁フィルムの両面に下地金属層および銅薄膜層を順次成膜することにより、該絶縁フィルムとして厚さ20μm以下のものを使用した場合であっても、シワの発生がなく、かつ、十分な密着性を備えたフレキシブル両面プリント配線基板を、短時間で得ることができるとの知見を得た。本発明は、この知見に基づいてなされたものである。   In view of such circumstances, as a result of intensive studies by the present inventors, after forming a base metal layer on both surfaces of the insulating film by a dry plating method, a copper coating layer is formed on the surface of the base metal layer. In the method for producing a double-sided metal laminated film, dehydration treatment is performed by irradiating at least one surface of the insulation film with an ion beam, water vapor generated by the dehydration treatment is appropriately exhausted, and the insulation film After the surface treatment on both sides of the insulating film is performed by sequentially irradiating both sides of the surface of the insulating film, the base metal layer and the copper thin film layer are sequentially formed on both sides of the insulating film. Even when a film with a thickness of 20 μm or less is used, a flexible double-sided pre-wrinkle that does not wrinkle and has sufficient adhesion The door wiring board to obtain a knowledge that can be obtained in a short time. The present invention has been made based on this finding.

すなわち、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成するに際して、
真空雰囲気中で、前記絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビームを照射し、この際の温度上昇を90℃以下に抑制しつつ脱水処理をするとともに、該脱水処理により生じた水蒸気を排気する脱水処理工程と、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする第1表面処理工程と、
前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする第2表面処理工程と、
表面処理が施された絶縁フィルムのいずれかの表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第1乾式成膜工程と、
前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第2乾式成膜工程と
を備えることを特徴とする。
That is, in the method for producing a double-sided metal laminated film of the present invention, a base metal layer is formed by a dry plating method on both sides of an insulating film without using an adhesive, and then a copper film layer is formed on the surface of the base metal layer. When doing
Dehydration by irradiating at least one surface of the insulating film with an ion beam in a vacuum atmosphere, dehydrating while suppressing the temperature rise to 90 ° C. or less, and exhausting water vapor generated by the dehydration Processing steps;
A first surface treatment step of performing surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
A second surface treatment step of irradiating the other surface of the insulating film with an ion beam for surface treatment;
A first dry composition in which the base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the surface-treated insulating film by a dry plating method. A membrane process;
First, the base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed by dry plating. And 2 dry film forming step.

前記脱水処理工程と第1表面処理工程は同時に行うことが好ましい。   The dehydration process and the first surface treatment process are preferably performed simultaneously.

前記イオンビーム照射は、アルゴン、窒素、酸素、または、これらの群から選ばれる少なくとも2種の混合ガスからなるイオンガスを用いたものであることが好ましく、第1表面処理工程および第2表面処理工程における真空度は、1×10-4Pa〜1Paであることが好ましい。 The ion beam irradiation is preferably performed using an ion gas comprising argon, nitrogen, oxygen, or a mixed gas of at least two selected from these groups, and the first surface treatment step and the second surface treatment. The degree of vacuum in the process is preferably 1 × 10 −4 Pa to 1 Pa.

前記脱水処理工程、第1表面処理工程および第2表面処理工程におけるイオンガスの流量は、1気圧、25℃換算で、40cm3/min〜80cm3/minであることが好ましい。 The dehydration step, the flow rate of the ion gas in the first surface treatment step and the second surface treatment step, 1 atm, at 25 ° C. Conversion is preferably 40cm 3 / min~80cm 3 / min.

また、本発明の両面金属積層フィルム製造装置は、真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備え、
該ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビームを照射して、該絶縁フィルムを脱水処理するための脱水処理イオンガンと、
前記脱水処理により発生した水蒸気を排気するための排気装置と、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする、第1表面処理イオンガンと、
第1表面処理イオンガンの下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1表面処理イオンガンとは逆側に配置され、該絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする、第2表面処理イオンガンと、
第2表面処理イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第1乾式成膜装置と、
第1乾式成膜装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1乾式成膜装置とは逆側に配置され、該絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第2乾式成膜装置と、
を備えることを特徴とする。
Moreover, the double-sided metal laminated film manufacturing apparatus of the present invention comprises a vacuum chamber and a roll-to-roll film processing apparatus disposed in the vacuum chamber,
The roll-to-roll film processing apparatus includes an unwinding roll, a winding roll, and a film track between these rolls,
A dehydrating ion gun for irradiating at least one surface of the insulating film with an ion beam to dehydrate the insulating film;
An exhaust device for exhausting water vapor generated by the dehydration treatment;
A first surface treatment ion gun that performs surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
On the downstream side of the first surface treatment ion gun, disposed on the opposite side of the first surface treatment ion gun across the track of the insulation film, and irradiating the other surface of the insulation film with an ion beam to perform surface treatment. A second surface treatment ion gun;
A base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the insulating film disposed on the downstream side of the second surface treatment ion gun and subjected to the surface treatment. A first dry film forming apparatus for forming a film;
On the downstream side of the first dry film forming apparatus, on the opposite side of the first dry film forming apparatus across the track of the insulating film, on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed A second dry film forming apparatus for sequentially forming a copper thin film layer constituting part or all of the base metal layer and the copper coating layer;
It is characterized by providing.

特に、本発明の両面金属積層フィルム製造装置は、真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備え、
該ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射することにより、脱水処理をするとともに、表面処理をする、第1表面処理イオンガンと、
第1表面処理イオンガンの下流側で、前記脱水処理により生じた水蒸気を排気する排気装置と、
前記排気装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1表面処理イオンガンとは逆側に配置され、該絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射する、第2表面処理イオンガンと、
第2表面処理イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第1乾式成膜装置と、
第1乾式成膜装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1乾式成膜装置とは逆側に配置され、該絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第2乾式成膜装置と、
を備えることを特徴とする。
In particular, the double-sided metal laminated film manufacturing apparatus of the present invention includes a vacuum chamber and a roll-to-roll film processing apparatus disposed in the vacuum chamber,
The roll-to-roll film processing apparatus includes an unwinding roll, a winding roll, and a film track between these rolls,
A first surface treatment ion gun for performing dehydration treatment and surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
An exhaust device for exhausting water vapor generated by the dehydration process downstream of the first surface treatment ion gun;
A second surface treatment ion gun disposed on the opposite side of the first surface treatment ion gun across the track of the insulation film on the downstream side of the exhaust device and irradiating the other surface of the insulation film with an ion beam;
A base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the insulating film disposed on the downstream side of the second surface treatment ion gun and subjected to the surface treatment. A first dry film forming apparatus for forming a film;
On the downstream side of the first dry film forming apparatus, on the opposite side of the first dry film forming apparatus across the track of the insulating film, on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed A second dry film forming apparatus for sequentially forming a copper thin film layer constituting part or all of the base metal layer and the copper coating layer;
It is characterized by providing.

本発明の製造方法によれば、絶縁フィルムとして20μm以下の厚さのものを用いた場合であっても、絶縁フィルムと銅被膜層との密着性を十分に確保するとともに、絶縁フィルムにシワが生じることなく、高い絶縁信頼性を有する両面金属積層フィルムを、短時間で、収率よく製造することができる。   According to the manufacturing method of the present invention, even when an insulating film having a thickness of 20 μm or less is used, sufficient adhesion between the insulating film and the copper coating layer is ensured, and the insulating film is wrinkled. The double-sided metal laminated film having high insulation reliability can be produced in a short time and without yield.

また、本発明により得られた両面金属積層フィルムについて、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法による配線加工により、フレキシブル両面プリント配線基板を得ることが可能である。このような厚さの薄く、優れた耐屈曲性を備えたフレキシブル両面プリント配線基板は、高密度化の要求の高い、小型のモバイル機器などの可動部に好適に適用される。   Moreover, about the double-sided metal laminated film obtained by this invention, it is possible to obtain a flexible double-sided printed wiring board by the wiring process by a subtractive method or a semiadditive method. Such a flexible double-sided printed wiring board having a small thickness and excellent bending resistance is suitably applied to a movable part such as a small-sized mobile device that has a high demand for high density.

図1は、本発明の実施態様を示すフロー図である。FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の別の実施態様を示すフロー図である。FIG. 2 is a flow diagram illustrating another embodiment of the present invention. 図3は、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法を実施するための連続スパッタリング装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a continuous sputtering apparatus for carrying out the method for producing a double-sided metal laminated film of the present invention.

1.両面金属積層フィルムの製造方法
本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法でニッケル合金からなる下地金属層を形成した後、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法である。
1. Method for producing double-sided metal laminated film The method for producing a double-sided metal laminated film according to the present invention comprises forming a base metal layer made of a nickel alloy by dry plating without using an adhesive on both sides of an insulating film, It is a manufacturing method of the double-sided metal laminated film which forms a copper coating layer on the surface of a layer.

特に、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、図1に示すように、真空雰囲気中で、絶縁フィルム(1)の少なくとも一方の表面(1a、1b)にイオンビームを照射し、この際の温度上昇を90℃以下に抑制しつつ脱水処理するとともに、該脱水処理により生じた水蒸気を排気する脱水処理工程と、同様に、絶縁フィルムの一方(1a)の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする第1表面処理工程と、前記絶縁フィルムの他方の表面(1b)にイオンビームを照射し、表面処理をする第2表面処理工程と、表面処理が施された絶縁フィルムのいずれかの表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層(2b)と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層(3b)とを順次成膜する第1乾式成膜工程と、前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面(1a)に、乾式めっき法により、前記下地金属層(2a)と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層(3a)とを順次成膜する第2乾式成膜工程とを備える。   In particular, the method for producing a double-sided metal laminated film of the present invention irradiates at least one surface (1a, 1b) of an insulating film (1) with an ion beam in a vacuum atmosphere as shown in FIG. In the same manner as the dehydration process of exhausting the water vapor generated by the dehydration process while suppressing the temperature rise of 90 ° C. or less, the surface of one of the insulating films (1a) is irradiated with an ion beam, One of a first surface treatment step for performing a surface treatment, a second surface treatment step for irradiating the other surface (1b) of the insulating film with an ion beam to perform the surface treatment, and an insulating film subjected to the surface treatment. A first dry film forming step of sequentially forming the base metal layer (2b) and a copper thin film layer (3b) constituting a part or all of the copper coating layer on the surface of the substrate by dry plating; Insulation fill A copper thin film layer (3a) constituting part or all of the base metal layer (2a) and the copper coating layer by dry plating on the surface (1a) on which the copper thin film layer is not formed; A second dry film forming step of sequentially forming films.

なお、本発明の両面金属積層フィルムの製造方法では、絶縁フィルム(1)の両側の表面(1a、1b)にイオンビームの照射による表面処理を行った後に、下地金属層(2a、2b)および銅薄膜層(3a、3b)の成膜を行えばよく、成膜を行う面の順序は問わない。すなわち、図1に示されるような順序で成膜してもよく、あるいは、絶縁フィルム(1)の両側の表面(1a、1b)にイオンビームの照射による表面処理を行った後に、該絶縁フィルムの一方の表面(1a)に乾式めっき法により、下地金属層(2a)と銅薄膜層(3a)を成膜した後、該絶縁フィルムの他方の表面(1b)に乾式めっき法により、下地金属層(2a)と銅薄膜層(3a)を成膜してもよい。   In addition, in the manufacturing method of the double-sided metal laminated film of this invention, after performing surface treatment by irradiation of an ion beam to the surface (1a, 1b) of both sides of an insulating film (1), a base metal layer (2a, 2b) and The copper thin film layers (3a, 3b) may be formed, and the order of the surfaces on which the films are formed is not limited. That is, the film may be formed in the order as shown in FIG. 1, or the surface of both sides (1a, 1b) of the insulating film (1) is subjected to surface treatment by irradiation with an ion beam, and then the insulating film is formed. After a base metal layer (2a) and a copper thin film layer (3a) are formed on one surface (1a) of the insulating film by dry plating, the base metal is formed on the other surface (1b) of the insulating film by dry plating. The layer (2a) and the copper thin film layer (3a) may be formed.

(絶縁フィルム)
本発明の両面金属積層フィルムの製造方法に使用することができる絶縁フィルムは、一般的なフレキシブル回路基板の製造に使用されている絶縁フィルムであれば、特に限定されることなく使用することができる。好ましくは、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンテレナフタレート(PEN)などのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムの群から選ばれた1種の絶縁フィルムを使用する。
(Insulating film)
The insulating film that can be used in the method for producing a double-sided metal laminate film of the present invention can be used without particular limitation as long as it is an insulating film that is used in the production of a general flexible circuit board. . Preferably, polyimide film, polyamide film, polyester film such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene terephthalate (PEN), polytetrafluoroethylene film, polyphenylene sulfide film, polyethylene naphthalate film, liquid crystal polymer film One insulating film selected from the group of films is used.

特に、フレキシブル両面プリント配線基板に必要とされる、耐熱性、誘電体特性、電気絶縁性、フレキシブル両面プリント配線基板の製造工程や次工程における耐薬品性などを考慮して、その用途に応じて適宜選択することがより好ましい。   In particular, considering the heat resistance, dielectric properties, electrical insulation, flexible double-sided printed wiring board manufacturing process and chemical resistance in the next process, etc. required for flexible double-sided printed wiring board It is more preferable to select appropriately.

このような絶縁フィルムとしては、具体的には、ポリイミド系フィルムでは、東レ・デュポン株式会社製のカプトン(登録商標)、宇部興産株式会社製のユーピレックス(登録商標)、株式会社カネカ製のアピカル(登録商標)、東洋紡績株式会社製のXENO(登録商標)などを挙げることができる。また、芳香族ポリアミド系フィルムであるアラミド系フィルムでは、東レ株式会社製のミクトロン(登録商標)、帝人アドバンストフィルム株式会社製のアラミカ(登録商標)などを挙げることができる。   As such an insulating film, specifically, polyimide films include Kapton (registered trademark) manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., Upilex (registered trademark) manufactured by Ube Industries, Ltd., Apical manufactured by Kaneka Corporation ( Registered trademark), XENO (registered trademark) manufactured by Toyobo Co., Ltd., and the like. Examples of the aramid film that is an aromatic polyamide film include Mikutron (registered trademark) manufactured by Toray Industries, Inc., and Aramica (registered trademark) manufactured by Teijin Advanced Film Co., Ltd.

なお、本発明は、絶縁フィルムとして、従来から使用されている厚さが40μm以下のものを用いた両面金属積層フィルムの製造においても、上述した効果が得られる。しかしながら、本発明は、特に、従来のものよりも薄い20μm以下、さらには15μm以下の厚さを有する絶縁フィルムを用いた両面金属積層フィルムの製造において、表面処理に起因する絶縁フィルムの表面にシワが発生することを防止することができ、かつ、得られた両面金属積層フィルムにおいて、絶縁フィルムと導体層としての銅被膜層との間の高い密着性を達成することができる。   In addition, the effect mentioned above is acquired also in manufacture of the double-sided metal laminated film using the thing whose thickness is 40 micrometers or less conventionally used as an insulating film as this invention. However, in the present invention, particularly in the production of a double-sided metal laminated film using an insulating film having a thickness of 20 μm or less, and further 15 μm or less, which is thinner than conventional ones, the surface of the insulating film caused by the surface treatment is wrinkled. Can be prevented, and in the obtained double-sided metal laminated film, high adhesion between the insulating film and the copper coating layer as the conductor layer can be achieved.

(処理方法)
本発明の両面金属積層フィルムの製造方法は、所定の大きさに裁断された絶縁フィルムを個別に処理する場合、ロール状に巻回された絶縁フィルムをロール・ツー・ロール方式で搬送しながら処理する場合のいずれにも適用可能である。なお、ロール・ツー・ロール方式とは、ロール状に巻回された絶縁フィルムを設置する巻き出しロールと、それを巻き取る巻き取りロールの間に、絶縁フィルムを保持するための複数のローラと、種々の処理ユニットを適宜配置し、連続的に処理を行う方法である。本発明の両面金属積層フィルムの製造方法を、ロール・ツー・ロール方式で行うことにより、より短時間で効率よく、両面金属積層フィルムを得ることができる。
(Processing method)
The manufacturing method of the double-sided metal laminated film of the present invention is a process in which an insulating film wound in a roll shape is conveyed while being conveyed in a roll-to-roll method when individually processing the insulating film cut into a predetermined size. It is applicable to any of the cases. In addition, the roll-to-roll method is a plurality of rollers for holding an insulating film between an unwinding roll that installs an insulating film wound in a roll shape, and a winding roll that winds the insulating film. In this method, various processing units are arranged as appropriate and processing is performed continuously. By performing the production method of the double-sided metal laminated film of the present invention by a roll-to-roll method, the double-sided metal laminated film can be obtained efficiently in a shorter time.

以下、本発明に両面金属積層フィルムの製造方法について、工程ごとに詳細に説明をする。   Hereinafter, the manufacturing method of a double-sided metal laminated film is demonstrated in detail for every process to this invention.

(1)脱水処理工程
本発明における脱水処理工程は、真空雰囲気中で、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビーム処理をすることにより、脱水処理するとともに、該脱水処理により生じた水蒸気を排気することにより、脱水処理を行うものである。
(1) Dehydration process In the dehydration process of the present invention, at least one surface of the insulating film is subjected to ion beam treatment in a vacuum atmosphere, thereby dehydrating and exhausting water vapor generated by the dehydration. Thus, a dehydration process is performed.

絶縁フィルムの脱水処理としては、プラズマ処理、イオンビーム処理などが知られている。この中でイオンビーム処理は、指向性が高く、イオンのみを放出する点、および、照射された部位のエネルギ密度が高い点が、プラズマ処理と相違する。すなわち、プラズマ処理では、絶縁フィルムを脱水処理する際に、絶縁フィルムがプラズマ雰囲気を通過することになるため、絶縁フィルムがプラズマによりダメージを受けて、フィルム強度が低下するという問題が生じる可能性がある。これに対して、イオンビーム処理では、絶縁フィルムがイオンビーム発生個所のプラズマ中を通過することがないため、このような問題が生じることはない。   As the dehydration treatment of the insulating film, plasma treatment, ion beam treatment, and the like are known. Among these, ion beam processing is different from plasma processing in that directivity is high, only ions are emitted, and the energy density of the irradiated part is high. That is, in the plasma treatment, since the insulating film passes through the plasma atmosphere when the insulating film is dehydrated, there is a possibility that the insulating film is damaged by the plasma and the film strength is lowered. is there. On the other hand, in the ion beam treatment, since the insulating film does not pass through the plasma at the ion beam generation site, such a problem does not occur.

また、プラズマ処理は、処理に時間を要し、後述するロール・ツー・ロール・フィルム処理装置を用いた連続的な処理に適していない。これに対して、イオンビーム処理では、イオンガンから放出されるガスが加速されると同時に、脱水処理を行おうとする絶縁フィルムに電圧が印加され、イオンガンからの発生イオンと絶縁フィルムとの間に引力(attraction force)または斥力(repulsive force)が作用し、電荷変形が行われる。このため、真空雰囲気中での脱水が促進されるので、短時間での脱水が可能となる。これらの理由から、本発明では、絶縁フィルムの脱水処理として、イオンビーム処理を採用している。   Moreover, plasma processing requires time for processing, and is not suitable for continuous processing using a roll-to-roll film processing apparatus described later. In contrast, in ion beam processing, the gas released from the ion gun is accelerated, and at the same time, a voltage is applied to the insulating film to be dehydrated, and the attractive force is generated between the ions generated from the ion gun and the insulating film. Charge deformation is performed by the action of (attraction force) or repulsive force. For this reason, since dehydration in a vacuum atmosphere is promoted, dehydration in a short time becomes possible. For these reasons, in the present invention, ion beam treatment is employed as the dehydration treatment of the insulating film.

なお、イオンビーム処理は、絶縁フィルムの表面の少なくとも一方にすれば十分である。これはイオンビーム処理による脱水処理は、前述の通り、絶縁フィルムを直接加熱するのではなく、電荷変形の効果を利用するものであるためである。ただし、より確実に脱水処理を行う観点から、絶縁フィルムの両面に対して、イオンビーム処理を行ってもよい。   Note that it is sufficient that the ion beam treatment is performed on at least one of the surfaces of the insulating film. This is because the dehydration process by the ion beam process does not directly heat the insulating film as described above but utilizes the effect of charge deformation. However, ion beam treatment may be performed on both surfaces of the insulating film from the viewpoint of performing dehydration treatment more reliably.

イオンビーム処理としては、イオン化した原子または分子が数十keV〜数MeVという高エネルギで加速された状態で絶縁フィルムに衝突し、このイオンが絶縁フィルム内に侵入するイオン注入法(ion implantation)、および、絶縁フィルムの表面に凹凸面が形成されるイオンビーム照射法(ionirradiation)が挙げられるが、本発明ではいずれも適用できる。   As the ion beam treatment, an ion implantation method (ion implantation) in which ionized atoms or molecules collide with the insulating film in a state accelerated by high energy of several tens keV to several MeV, and these ions enter the insulating film, In addition, an ion beam irradiation method (ionirradiation) in which a concavo-convex surface is formed on the surface of the insulating film can be mentioned, and any of them can be applied in the present invention.

なお、イオンビーム処理による絶縁フィルムを脱水処理する場合、絶縁フィルムに対する熱負荷によるシワの発生を防止し、短時間での脱水処理を可能とするため、後述するような種々の条件を適切に制御することが必要となる。   In addition, when the insulating film is dehydrated by ion beam treatment, various conditions as described later are appropriately controlled in order to prevent the generation of wrinkles due to the heat load on the insulating film and enable the dehydrating process in a short time. It is necessary to do.

(イオンガス)
本発明のイオンビームの照射による脱水処理では、イオンガンから放出されるガスとして、生産コストの観点から、アルゴン(Ar)、酸素(O2)、窒素(N2)、または、これらの群から選ばれる少なくとも2種以上の混合ガスを用いることができ、特に、ガスコンタミネーションを防止する観点から、アルゴン(Ar)を用いることが好ましい。
(Ion gas)
In the dehydration treatment by ion beam irradiation of the present invention, the gas released from the ion gun is selected from argon (Ar), oxygen (O 2 ), nitrogen (N 2 ), or these groups from the viewpoint of production cost. In particular, argon (Ar) is preferably used from the viewpoint of preventing gas contamination.

このイオンガスの流量は、1気圧、25℃換算で、好ましくは40cm3/min〜80cm3/min、より好ましくは50cm3/min〜70cm3/minとする。イオンガスの流量が、1気圧、25℃換算で、40cm3/min未満では、放電しないか、または、放電状態が不安定になるという問題が生じるおそれがある。一方、80cm3/minを超えると、放電状態が不安定になり、安定した処理が行えないという問題が生じるおそれがある。 Flow rate of the ion gas is 1 atm, at 25 ° C. terms, preferably 40cm 3 / min~80cm 3 / min, more preferably from 50cm 3 / min~70cm 3 / min. If the flow rate of the ion gas is less than 40 cm 3 / min in terms of 1 atm and 25 ° C., there may be a problem that the discharge is not performed or the discharge state becomes unstable. On the other hand, if it exceeds 80 cm 3 / min, the discharge state becomes unstable, and there is a possibility that a problem that stable treatment cannot be performed arises.

(真空度)
脱水処理工程は、真空雰囲気下で行われるが、このときの真空度は、1Pa以下、好ましくは1×10-4Pa〜1Pa、より好ましくは2×10-4Pa〜0.8Paとすることが必要である。真空度が1Paを超えると、イオン化したガス濃度が相対的に減少して、上述の電荷変形による効果を十分に得ることができないばかりか、真空による乾燥効果も低下するため、乾燥時間が長くなってしまう。なお、真空度の下限は、特に限定されるべきものではないが、高い真空度を得ようとすると、生産コストが増大し、また、所望の真空度に達するまでの時間が長くなるため、生産性が低下する。このため、実用上、1×10-4Pa程度が下限となる。
(Degree of vacuum)
The dehydration process is performed in a vacuum atmosphere, and the degree of vacuum at this time is 1 Pa or less, preferably 1 × 10 −4 Pa to 1 Pa, more preferably 2 × 10 −4 Pa to 0.8 Pa. is necessary. When the degree of vacuum exceeds 1 Pa, the ionized gas concentration is relatively reduced, and not only the effect of the above-described charge deformation cannot be sufficiently obtained, but also the drying effect by vacuum is reduced, so that the drying time becomes longer. End up. The lower limit of the degree of vacuum is not particularly limited. However, if a high degree of vacuum is obtained, the production cost increases, and the time until the desired degree of vacuum is reached increases. Sex is reduced. For this reason, about 1 × 10 −4 Pa is practically the lower limit.

(照射条件)
本発明の脱水処理工程では、脱水処理に伴う絶縁フィルムの温度上昇を90℃以下、好ましくは80℃以下、より好ましくは70℃以下に抑制することが必要となる。脱水処理に伴う温度上昇が90℃を超えると、その後に絶縁フィルムを冷却した場合であっても、熱負荷によるシワの発生を防止することができなかったり、あるいは、冷却に長時間を要するため、処理時間の短縮化を図ることが困難となる。なお、後述する第1表面処理工程および第2表面処理工程においても、絶縁フィルムの温度上昇を上記範囲に抑制することが好ましい。
(Irradiation conditions)
In the dehydration process of the present invention, it is necessary to suppress the temperature rise of the insulating film accompanying the dehydration process to 90 ° C. or less, preferably 80 ° C. or less, more preferably 70 ° C. or less. If the temperature rise due to the dehydration process exceeds 90 ° C., even if the insulating film is subsequently cooled, it is impossible to prevent the generation of wrinkles due to heat load, or it takes a long time for cooling. Therefore, it is difficult to shorten the processing time. In addition, also in the 1st surface treatment process and 2nd surface treatment process which are mentioned later, it is preferable to suppress the temperature rise of an insulating film to the said range.

このように脱水処理に伴う温度上昇を抑制するためには、イオンビームの照射条件を適切に管理する必要がある。イオンビームの照射条件は使用する装置に応じて適宜設定されるべきものであり、特に限定されるものではないが、イオンガンの放電電圧、放電電流、放電電力、ビームガス流量、イオンガン室の圧力、フィルムの送り速度などを選択することにより、イオン粒子のエネルギを、好ましくは1×10-3keV〜1keVとすることが好ましい。また、その照射量を1012ions/cm2〜1016ions/cm2とすることが好ましい。 Thus, in order to suppress the temperature rise accompanying the dehydration process, it is necessary to appropriately manage the ion beam irradiation conditions. The ion beam irradiation conditions should be appropriately set according to the apparatus to be used, and are not particularly limited. However, the ion gun discharge voltage, discharge current, discharge power, beam gas flow rate, ion gun chamber pressure, film By selecting the feed speed of the ion particle, the energy of the ion particles is preferably set to 1 × 10 −3 keV to 1 keV. Further, it is preferable to set the dose and 10 12 ions / cm 2 ~10 16 ions / cm 2.

イオン粒子のエネルギが1×10-3keV未満である場合、または、照射量が1012ions/m2未満である場合には、絶縁フィルム内部の水分が十分に脱水されないおそれがある。一方、イオン粒子のエネルギが1keVを超える場合、または、照射量が1×1016ions/cm2を超える場合には、脱水処理に伴う温度上昇に起因してシワが発生するばかりでなく、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなるため、絶縁フィルムの強度低下、さらには破断という問題が生じるおそれがある。 When the energy of the ion particles is less than 1 × 10 −3 keV or when the irradiation amount is less than 10 12 ions / m 2 , the moisture inside the insulating film may not be sufficiently dehydrated. On the other hand, when the energy of the ion particles exceeds 1 keV, or when the irradiation amount exceeds 1 × 10 16 ions / cm 2 , not only wrinkles are generated due to the temperature rise associated with the dehydration process, but also the insulation. Since damage to the film increases, there is a risk that the strength of the insulating film is reduced and further, there is a problem of breakage.

なお、イオンビームによる処理時間は、絶縁フィルムの厚さなどにより適宜調整されるべきものであるが、上記照射条件の下で、好ましくは3秒間〜60秒間、より好ましくは5秒間〜40秒間とすれば十分である。処理時間が、3秒間未満では、絶縁フィルム内部の水分が十分に脱水されない場合がある。一方、60秒間を超えると、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなる。   The treatment time with the ion beam should be appropriately adjusted depending on the thickness of the insulating film, etc., but preferably 3 seconds to 60 seconds, more preferably 5 seconds to 40 seconds under the irradiation conditions. It is enough. If the treatment time is less than 3 seconds, the moisture inside the insulating film may not be sufficiently dehydrated. On the other hand, if it exceeds 60 seconds, the damage received by the insulating film increases.

また、イオンビームの照射による脱水処理を行うイオンガンの出力、イオンガンの装置上の相違、イオンガンのガス圧力、絶縁フィルムの厚さや幅や搬送速度などの各種条件により、絶縁フィルムへの適切な処理条件は異なる。このため、得られる両面金属積層フィルムに必要とされる特性や、イオンビーム処理による絶縁フィルムへの熱負荷などを考慮して、適切な処理条件を選択する必要があり、このような処理条件は、予備試験を行った上で選択することが好ましい。   In addition, depending on various conditions such as the output of the ion gun that performs dehydration treatment by ion beam irradiation, differences in the ion gun equipment, gas pressure of the ion gun, thickness and width of the insulating film, and transport speed, appropriate processing conditions for the insulating film Is different. For this reason, it is necessary to select appropriate processing conditions in consideration of the characteristics required for the obtained double-sided metal laminated film and the thermal load on the insulating film by ion beam processing. It is preferable to select after conducting a preliminary test.

(水蒸気の排気)
上記脱水処理により生じた水蒸気が適切に排気されない場合、水分圧が上昇することにより真空度が低下し、また、この水蒸気がスパッタゾーンへ流入することに起因して、エッチング残渣が発生する場合がある。このため、上記脱水処理により生じた水蒸気を排気し、真空度を1Pa以下、好ましくは1×10-4Pa〜1Pa、より好ましくは2×10-4Pa〜0.8Paに維持するともに、このときの水分圧を0.8Pa以下、好ましくは8×10-3Pa〜0.8Paに制御することが必要となる。なお、実際の操業においては、真空度を1Pa以下にすることができれば、このときの水分圧を0.8Pa以下とすることができるため、この真空度を基準として、水蒸気の排気を行うことが好ましい。
(Vapor exhaust)
If the water vapor generated by the dehydration process is not properly exhausted, the degree of vacuum decreases due to an increase in water pressure, and etching residue may be generated due to the water vapor flowing into the sputtering zone. is there. For this reason, the water vapor generated by the dehydration treatment is exhausted, and the degree of vacuum is maintained at 1 Pa or less, preferably 1 × 10 −4 Pa to 1 Pa, more preferably 2 × 10 −4 Pa to 0.8 Pa. It is necessary to control the water pressure at that time to 0.8 Pa or less, preferably 8 × 10 −3 Pa to 0.8 Pa. In actual operation, if the degree of vacuum can be reduced to 1 Pa or less, the water pressure at this time can be reduced to 0.8 Pa or less. Therefore, the water vapor can be exhausted based on the degree of vacuum. preferable.

水蒸気を排気する方法としては、特に限定されることなく、クライオポンプ、クライオコイル、ターボ分子ポンプなどの公知の技術を利用することができる。   A method for exhausting water vapor is not particularly limited, and a known technique such as a cryopump, a cryocoil, a turbo molecular pump, or the like can be used.

(冷却装置)
本発明では、上述の条件に従うことにより、イオンビーム処理による絶縁フィルムの温度上昇を抑制することが可能であるが、絶縁フィルムの厚さや、イオン粒子のエネルギまたは照射量と照射時間の組み合わせによっては、該絶縁フィルムの温度が90℃程度まで上昇することがある。このため、脱水処理後に、絶縁フィルムを冷却し、絶縁フィルムの温度上昇を抑制することが好ましい。冷却手段としては、特に限定されることなく、たとえば、冷却ロールなどの公知の手段を採用することができる。
(Cooling system)
In the present invention, by following the above conditions, it is possible to suppress the temperature rise of the insulating film due to the ion beam treatment, but depending on the thickness of the insulating film and the combination of the energy or irradiation amount of ion particles and the irradiation time. The temperature of the insulating film may rise to about 90 ° C. For this reason, it is preferable to cool an insulating film after a dehydration process and to suppress the temperature rise of an insulating film. The cooling means is not particularly limited, and for example, known means such as a cooling roll can be employed.

特に、本発明では、脱水処理工程のほか、後述する表面処理工程においてもイオンビーム処理を行うため、脱水処理工程前の絶縁フィルムに対する、第2表面処理工程終了後の絶縁フィルムの温度上昇を抑制するように冷却手段を配置することが好ましく、各工程の前後での温度上昇を抑制するように冷却手段を配置することがより好ましい。このような冷却手段を備えることにより、絶縁フィルムの温度上昇を、50℃以下とすることが好ましく、30℃以下とすることがより好ましい。温度上昇が50℃を超えると、絶縁フィルムの熱負荷が大きくなり、シワの発生を防止することができなくなる場合がある。また、絶縁フィルムの冷却に要する時間が長くなり、生産性の向上の妨げとなる場合がある。   In particular, in the present invention, in addition to the dehydration process, the ion beam process is also performed in the surface treatment process to be described later, so the temperature rise of the insulation film after the second surface treatment process is suppressed relative to the insulation film before the dehydration process. It is preferable to dispose the cooling means, and it is more preferable to dispose the cooling means so as to suppress the temperature rise before and after each step. By providing such a cooling means, it is preferable that the temperature rise of an insulating film shall be 50 degrees C or less, and it is more preferable to set it as 30 degrees C or less. When the temperature rise exceeds 50 ° C., the heat load of the insulating film increases, and it may be impossible to prevent the generation of wrinkles. In addition, the time required for cooling the insulating film becomes longer, which may hinder productivity.

なお、絶縁フィルムの温度上昇は、各工程の前後における絶縁フィルムの温度を、放射温度計などを用いて測定することにより求めることができる。   In addition, the temperature rise of an insulating film can be calculated | required by measuring the temperature of the insulating film before and behind each process using a radiation thermometer etc.

(2)表面処理工程
表面処理工程は、脱水工程後に、前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、表面処理(第1表面処理工程)をした後、該絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、表面処理(第2表面処理工程)をする工程であり(図1参照)、これにより、絶縁フィルムの表面を改質し、下地金属層との密着性を高めることができる。
(2) Surface treatment step After the dehydration step, the surface treatment step irradiates one surface of the insulating film with an ion beam to perform surface treatment (first surface treatment step), and then on the other surface of the insulating film. This is a step of performing surface treatment (second surface treatment step) by irradiating with an ion beam (see FIG. 1), thereby modifying the surface of the insulating film and improving the adhesion to the underlying metal layer. .

特開平5−251843号公報に記載されている、従来の両面金属積層フィルムの製造方法のように、絶縁フィルムの一方の表面について、その表面処理と、下地金属層および銅薄膜層の成膜とを行った後に、絶縁フィルムの他方の表面について、その表面処理と、下地金属層および銅薄膜層の成膜とを行った場合、他方の表面についての表面処理と成膜とを行う際に、その表面処理による機械的な負荷が緩和されず、その表面にシワが発生するなどの不具合が起こる可能性がある。このような傾向は、絶縁フィルムとして厚さが40μm以下のものを使用した場合に現れはじめ、特に、該厚さが20μm以下のものを使用した場合に顕著となる。   As in the conventional method for producing a double-sided metal laminated film described in JP-A-5-251843, the surface treatment and the formation of a base metal layer and a copper thin film layer on one surface of an insulating film After performing the surface treatment and film formation of the base metal layer and the copper thin film layer on the other surface of the insulating film, when performing the surface treatment and film formation on the other surface, The mechanical load due to the surface treatment is not relieved, and there is a possibility that problems such as wrinkles occur on the surface. Such a tendency starts to appear when an insulating film having a thickness of 40 μm or less is used, and becomes particularly prominent when a film having a thickness of 20 μm or less is used.

これに対して、本発明では、絶縁フィルムの両側の表面に対して表面処理を行った後、これらの表面処理後の表面のそれぞれに下地金属層および銅薄膜層を成膜している。このため、イオンビームの照射による機械的な負荷が緩和され、絶縁フィルムとして、厚さ20μm以下のものを使用した場合であっても、シワの発生を防止することができ、十分な密着性を有する両面金属積層フィルムを得ることができる。   On the other hand, in this invention, after surface-treating with respect to the surface of the both sides of an insulating film, the base metal layer and the copper thin film layer are formed into each of the surface after these surface treatments. For this reason, the mechanical load due to the irradiation of the ion beam is relieved, and even when an insulating film having a thickness of 20 μm or less is used, the generation of wrinkles can be prevented and sufficient adhesion can be achieved. The double-sided metal laminate film can be obtained.

なお、図1に示される実施態様では、前述の脱水処理工程と第1表面処理工程を、別個の工程としているが、脱水処理工程または第1表面処理工程におけるイオンビームの照射条件を調整することにより、これらの工程を同時的に行うことも可能である(図2参照)。   In the embodiment shown in FIG. 1, the dehydration process and the first surface treatment process described above are separate processes, but the ion beam irradiation conditions in the dehydration process or the first surface treatment process are adjusted. Thus, these steps can be performed simultaneously (see FIG. 2).

イオンビーム処理による表面処理は、脱水処理の場合と同様に、イオンビームの照射による電荷変形を利用したものである。すなわち、イオンビームの照射による電荷変形により、絶縁フィルムの表面の分子の化学結合状態に変化が生じ、さらには、イオンビームの高い指向性に起因して、イオンの衝突により絶縁フィルムにフレッシュな界面が現れ、絶縁フィルムと下地金属層との間に高い密着性が実現されることとなる。   The surface treatment by ion beam treatment uses charge deformation by ion beam irradiation, as in the case of dehydration treatment. That is, due to charge deformation caused by ion beam irradiation, the chemical bonding state of molecules on the surface of the insulating film changes, and due to the high directivity of the ion beam, a fresh interface is formed on the insulating film due to ion collision. Appears, and high adhesion is realized between the insulating film and the underlying metal layer.

表面処理工程におけるイオンビーム処理に使用するイオンガス種およびその流量、並びに、必要とされる真空度、さらには温度上昇を抑制する点については、基本的に、脱水処理工程と同様であるため、ここでの説明は省略し、以下、表面処理をするためのイオンビームの照射条件について説明する。   Since the ion gas species used for the ion beam treatment in the surface treatment step and the flow rate thereof, the degree of vacuum required, and further the temperature rise are basically the same as the dehydration step, The description here is omitted, and the ion beam irradiation conditions for surface treatment will be described below.

表面処理工程では、前述のように絶縁フィルムの化学結合状態に変化を起こすため、および、フレッシュな界面を形成するため、脱水処理工程における場合よりも、イオン粒子のエネルギを大きくすることが必要である。具体的には、イオン粒子のエネルギを、好ましくは5×10-2keV〜1keVとする。一方、その照射量は、脱水処理工程と同程度とすれば十分であり、具体的には、1012ions/cm2〜1016ions/cm2とすることが好ましい。イオン粒子のエネルギが5×10-2keV未満である場合、または、照射量が1012ions/cm2未満である場合は、表面処理による効果が十分に得られないおそれがある。一方、イオン粒子のエネルギが1keVを超える場合、または、照射量が1×1016ions/cm2を超える場合には、脱水処理に伴う温度上昇に起因してシワが発生するばかりでなく、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなるため、絶縁フィルムの強度低下、さらには破断という問題が生じるおそれがある。 In the surface treatment process, as described above, the chemical bond state of the insulating film is changed, and in order to form a fresh interface, it is necessary to increase the energy of ion particles compared to the case of the dehydration process. is there. Specifically, the energy of the ion particles is preferably 5 × 10 −2 keV to 1 keV. On the other hand, it is sufficient that the irradiation amount is approximately the same as that in the dehydration process, and specifically, it is preferably 10 12 ions / cm 2 to 10 16 ions / cm 2 . When the energy of the ion particles is less than 5 × 10 −2 keV, or when the irradiation amount is less than 10 12 ions / cm 2 , the effect of the surface treatment may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the energy of the ion particles exceeds 1 keV, or when the irradiation amount exceeds 1 × 10 16 ions / cm 2 , not only wrinkles are generated due to the temperature rise associated with the dehydration process, but also the insulation. Since damage to the film increases, there is a risk that the strength of the insulating film is reduced and further, there is a problem of breakage.

なお、イオンビームによる処理時間は、絶縁フィルムの厚さなどにより適宜調整されるべきものであるが、上記照射条件の下で、好ましくは1秒間〜30秒間、より好ましくは3秒間〜20秒間とすれば十分である。処理時間が、1秒間未満では、表面処理による効果が十分に得られないおそれがある。また、30秒間を超えると、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなる。   The treatment time with the ion beam should be appropriately adjusted depending on the thickness of the insulating film, etc., but preferably 1 second to 30 seconds, more preferably 3 seconds to 20 seconds under the irradiation conditions. It is enough. If the treatment time is less than 1 second, the effect of the surface treatment may not be sufficiently obtained. Moreover, if it exceeds 30 seconds, the damage which an insulating film receives will become large.

また、図2に示す実施態様のように、脱水処理工程と第1表面処理工程を同時に行う場合には、イオン粒子のエネルギを、好ましくは1×10-2keV〜1keVとする。一方、その照射量は、同様に、脱水処理工程と同程度とすれば十分であり、具体的には、1012ions/cm2〜1016ions/cm2とすることが好ましい。イオン粒子のエネルギが1×10-2keV未満である場合、または、照射量が1012ions/cm2未満である場合は、表面処理による効果が十分に得られないおそれがある。一方、イオン粒子のエネルギが1keVを超える場合、または、照射量が1×1016ions/cm2を超える場合には、脱水処理に伴う温度上昇に起因してシワが発生するばかりでなく、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなるため、絶縁フィルムの強度低下、さらには破断という問題が生じるおそれがある。 Further, as in the embodiment shown in FIG. 2, when the dehydration process and the first surface treatment process are performed simultaneously, the energy of the ion particles is preferably 1 × 10 −2 keV to 1 keV. On the other hand, it is sufficient that the irradiation amount is similar to that in the dehydration process, and specifically, it is preferably 10 12 ions / cm 2 to 10 16 ions / cm 2 . When the energy of the ion particles is less than 1 × 10 −2 keV, or when the irradiation amount is less than 10 12 ions / cm 2 , the effect of the surface treatment may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the energy of the ion particles exceeds 1 keV, or when the irradiation amount exceeds 1 × 10 16 ions / cm 2 , not only wrinkles are generated due to the temperature rise associated with the dehydration process, but also the insulation. Since damage to the film increases, there is a risk that the strength of the insulating film is reduced and further, there is a problem of breakage.

なお、イオンビームによる処理時間は、絶縁フィルムの厚さなどにより適宜調整されるべきものであるが、上記照射条件の下で、好ましくは3秒間〜60秒間、より好ましくは5秒間〜40秒間とすれば十分である。処理時間が、3秒間未満では、表面処理による効果が十分に得られないおそれがある。また、60秒間を超えると、絶縁フィルムが受けるダメージが大きくなる。   The treatment time with the ion beam should be appropriately adjusted depending on the thickness of the insulating film, etc., but preferably 3 seconds to 60 seconds, more preferably 5 seconds to 40 seconds under the irradiation conditions. It is enough. If the treatment time is less than 3 seconds, the effect of the surface treatment may not be sufficiently obtained. Moreover, if it exceeds 60 seconds, the damage which an insulating film receives will become large.

以上のように、表面処理工程では、絶縁フィルムの厚さ、得られる両面金属積層フィルムに必要とされる特性、イオンビーム処理による絶縁フィルムへの熱負荷などを考慮して、適切な処理条件を選択する必要があり、このような処理条件は、予備試験を行った上で選択することが好ましい。   As described above, in the surface treatment process, considering the thickness of the insulation film, the characteristics required for the obtained double-sided metal laminated film, the heat load on the insulation film by ion beam treatment, etc., appropriate treatment conditions are set. It is necessary to select, and it is preferable to select such processing conditions after conducting a preliminary test.

(3)乾式成膜工程
乾式成膜工程は、絶縁フィルム(1)の両側の表面(1a、1b)に、イオンビームの照射による表面処理を行った後に、乾式めっき法により下地金属層(2a、2b)および銅薄膜層(3a、3b)の成膜を行う工程である。
(3) Dry film forming process The dry film forming process is performed by subjecting the surfaces (1a, 1b) on both sides of the insulating film (1) to surface treatment by irradiation with an ion beam, followed by dry plating to form a base metal layer (2a 2b) and copper thin film layers (3a, 3b).

(乾式めっき法)
乾式めっき法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法などを使用することができるが、取扱いの容易性、生産性やコストの観点から、スパッタリング法によって、下地金属層および銅薄膜層を成膜することが好ましい。
(Dry plating method)
As the dry plating method, a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and the like can be used. From the viewpoint of ease of handling, productivity, and cost, the base metal layer and It is preferable to form a copper thin film layer.

スパッタリング法を採用した場合のスパッタリングの条件は、適宜選択されるものであるが、たとえば、絶縁フィルムとして厚さ10μm〜20μmのポリイミド樹脂を使用し、膜厚0.01μm〜10μm程度のニッケル合金からなる下地金属層および銅薄膜層を連続して形成する場合には、到達真空度を0.1Pa以下、スパッタガス圧を0.5Pa〜5.0Paとして成膜することが好ましい。なお、投入電力などの他の条件については、ターゲットの種類、サイズまたは目的とする膜厚などによって異なるため、予備試験などを行った上で適宜選択することが好ましい。このようなスパッタリングの条件は、第1乾式成膜工程および第2乾式成膜工程で同等である。   The sputtering conditions when the sputtering method is employed are appropriately selected. For example, a polyimide resin having a thickness of 10 μm to 20 μm is used as the insulating film, and a nickel alloy having a thickness of about 0.01 μm to 10 μm is used. In the case where the underlying metal layer and the copper thin film layer are continuously formed, it is preferable to form the film at an ultimate vacuum of 0.1 Pa or less and a sputtering gas pressure of 0.5 Pa to 5.0 Pa. Note that other conditions such as input power vary depending on the type, size, or target film thickness of the target, and therefore it is preferable to select them appropriately after conducting a preliminary test or the like. The sputtering conditions are the same in the first dry film forming process and the second dry film forming process.

(下地金属層)
下地金属層は、絶縁フィルムと銅被膜層の密着性やフレキシブル両面プリント配線基板の絶縁信頼性の向上に寄与する。このような下地金属層として、ニッケル系合金を使用することが好ましい。特に、下地金属層の耐食性を向上させる観点から、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト、タングステンから選択される1種以上の元素を添加したニッケル合金を使用することが好ましい。これらの中でも、ニッケルークロム合金が好ましく、そのクロムの含有量が15質量%〜25質量%であることがより好ましく、15質量%〜22質量%であることがさらに好ましい。このようなニッケルークロム合金は、高い絶縁信頼性を有し、かつ、配線パターンを容易に形成することができる。
(Underlying metal layer)
The base metal layer contributes to improvement in adhesion between the insulating film and the copper coating layer and insulation reliability of the flexible double-sided printed wiring board. As such a base metal layer, it is preferable to use a nickel-based alloy. In particular, from the viewpoint of improving the corrosion resistance of the base metal layer, it is preferable to use a nickel alloy to which one or more elements selected from chromium, vanadium, titanium, molybdenum, cobalt, and tungsten are added. Among these, a nickel-chromium alloy is preferable, and the chromium content is more preferably 15% by mass to 25% by mass, and further preferably 15% by mass to 22% by mass. Such a nickel-chromium alloy has high insulation reliability and can easily form a wiring pattern.

下地金属層の膜厚は、該下地金属層を形成する金属または合金の種類や組成、フレキシブル両面プリント配線基板や配線の加工性、配線に要求される密着性や絶縁信頼性から適宜選択するものであるが、本発明では3nm〜50nmとすることが好ましく、5nm〜40nmとすることがより好ましく、7nm〜30nmとすることがさらに好ましい。下地金属層の膜厚が3nm未満では、配線部以外の金属層をフラッシュエッチングなどで除去し、配線パターンを形成した場合に、エッチング液が金属層を浸食し、絶縁フィルムと金属層の間に染み込み、配線が浮き上がってしまう場合がある。一方、下地金属層の膜厚が50nmを超えると、フラッシュエッチングなどで最終的に配線を作製する場合、金属層が完全に除去されずに残存し、配線間の絶縁不良を発生させるおそれがある。   The thickness of the underlying metal layer is appropriately selected from the type and composition of the metal or alloy forming the underlying metal layer, the flexible double-sided printed wiring board and the workability of the wiring, the adhesion required for the wiring, and the insulation reliability. However, in the present invention, it is preferably 3 nm to 50 nm, more preferably 5 nm to 40 nm, and even more preferably 7 nm to 30 nm. When the thickness of the underlying metal layer is less than 3 nm, when the metal layer other than the wiring portion is removed by flash etching or the like and the wiring pattern is formed, the etching solution erodes the metal layer, and between the insulating film and the metal layer. There is a case where the wiring penetrates and the wiring rises. On the other hand, if the thickness of the underlying metal layer exceeds 50 nm, when the wiring is finally produced by flash etching or the like, the metal layer may remain without being completely removed, resulting in an insulation failure between the wirings. .

(銅薄膜層)
銅薄膜層は、配線加工によりフレキシブル両面プリント配線基板の配線となる銅被膜層の一部または全部を構成する。この銅薄膜層は、下地金属層を成膜した後、その表面にスパッタリング法などの乾式めっき法により成膜される。
(Copper thin film layer)
The copper thin film layer constitutes part or all of the copper coating layer that becomes the wiring of the flexible double-sided printed wiring board by wiring processing. The copper thin film layer is formed on the surface by a dry plating method such as a sputtering method after the base metal layer is formed.

銅薄膜層の膜厚は、好ましくは0.01μm〜1μm、より好ましくは0.03μm〜0.7μm、さらに好ましくは0.05μm〜0.35μmとする。銅薄膜層の厚さが0.01μm未満では、配線部の電気導電性に問題が発生しやすくなったり、強度上の問題が生じたりする場合がある。一方、乾式めっき法による成膜速度は電気めっき法の成膜速度に比べて遅いため、乾式めっき法により1μmを超えて成膜しようとすると、生産性が低下する。   The thickness of the copper thin film layer is preferably 0.01 μm to 1 μm, more preferably 0.03 μm to 0.7 μm, and still more preferably 0.05 μm to 0.35 μm. When the thickness of the copper thin film layer is less than 0.01 μm, a problem may easily occur in the electrical conductivity of the wiring portion, or a problem in strength may occur. On the other hand, since the film formation rate by the dry plating method is slower than the film formation rate by the electroplating method, if the film formation exceeds 1 μm by the dry plating method, the productivity is lowered.

(4)湿式成膜工程
両面金属積層フィルムの銅被膜層の膜厚は、フレキシブル両面プリント配線基板の配線方法の選択、すなわち、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法のどちらを選択するかにより決まるものである。セミアディティブ法により配線パターンを形成する場合は、銅被膜層の膜厚が1μm程度で十分であるため、銅被膜層は、乾式成膜工程のみによって形成しても生産性が悪化するという問題は生じない。しかしながら、サブトラクティブ法により配線パターンを形成する場合には、1μmを超える膜厚を有する銅被膜層が必要とされる場合があり、このような場合に、乾式成膜工程のみで銅被膜層を形成しようとすると、その成膜速度との関係で生産性が著しく低下することが考えられる。このため、下地金属層の表面に1μmを超えて銅被膜層を成膜しようとする場合は、湿式成膜工程をさらに備えることが好ましく、このような湿式成膜は電気めっき法によって行うことがより好ましい。
(4) Wet film formation process The film thickness of the copper coating layer of the double-sided metal laminate film is determined by the choice of the wiring method of the flexible double-sided printed wiring board, that is, the subtractive method or the semi-additive method. is there. When a wiring pattern is formed by the semi-additive method, a copper film layer thickness of about 1 μm is sufficient. Therefore, even if the copper film layer is formed only by a dry film forming process, productivity is deteriorated. Does not occur. However, when a wiring pattern is formed by a subtractive method, a copper coating layer having a film thickness exceeding 1 μm may be required. In such a case, the copper coating layer is formed only by a dry film forming process. It is conceivable that the productivity is remarkably reduced due to the film formation rate when it is formed. For this reason, when it is going to form a copper film layer exceeding 1 micrometer on the surface of a base metal layer, it is preferable to further provide a wet film-forming process, and such wet film-forming can be performed by an electroplating method. More preferred.

銅被膜層の膜厚は0.01μm〜35μmの範囲とすることが好ましく、0.3μm〜15μmの範囲とすることがより好ましく、0.3μm〜12μmの範囲とすることがさらに好ましい。銅被膜層の膜厚が0.01μm未満であると、配線部の電気導電性に問題が発生しやすくなり、また、強度上の問題が生じたりする可能性がある。一方、膜厚が35μmを超えて厚くなると、ヘヤークラックや反りなどが生じて密着性が低下する場合があるほか、サイドエッチングの影響が大きくなり、狭ピッチ化が難しくなる場合もある。なお、電気めっき法としては、特に限定されることはなく、たとえば、硫酸銅水溶液中で公知の電気めっき方法を使用することができる。   The film thickness of the copper coating layer is preferably in the range of 0.01 μm to 35 μm, more preferably in the range of 0.3 μm to 15 μm, and even more preferably in the range of 0.3 μm to 12 μm. If the film thickness of the copper coating layer is less than 0.01 μm, a problem may easily occur in the electrical conductivity of the wiring portion, and a problem in strength may occur. On the other hand, when the film thickness exceeds 35 μm, hair cracks, warpage, and the like may occur and adhesion may be reduced, and the influence of side etching may be increased, and narrowing the pitch may be difficult. In addition, it does not specifically limit as an electroplating method, For example, a well-known electroplating method can be used in copper sulfate aqueous solution.

2.両面金属積層フィルムの製造装置
本発明において、第1表面処理工程および第2表面処理工程は、絶縁フィルムに対して、一方向から照射できるイオンガンを備えたロール・ツー・ロール・フィルム処理装置によって行うことが好ましい。さらに、本発明において、スパッタリング装置を備えた連続スパッタリング装置において、脱水処理工程、第1表面処理工程、第2表面処理工程、第1乾式成膜工程および第2乾式成膜工程のすべてを連続的に行えるようにすることが好ましい。
2. In the present invention, the first surface treatment step and the second surface treatment step are performed by a roll-to-roll film processing apparatus provided with an ion gun that can irradiate the insulating film from one direction. It is preferable. Furthermore, in the present invention, in the continuous sputtering apparatus provided with the sputtering apparatus, all of the dehydration process, the first surface treatment process, the second surface treatment process, the first dry film formation process, and the second dry film formation process are continuously performed. It is preferable to be able to do this.

このような本発明の製造方法、特に図1に表される実施態様を実施するための一例として、連続スパッタリング装置(4)の概略図を図3に示す。連続スパッタリング装置(4)は、真空チャンバ(5)と、この真空チャンバ(5)内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備える。このロール・ツー・ロール・フィルム装置は、巻き出しロール(6)と、巻き取りロール(7)と、これらのロール間のフィルム軌道とを備える。   As an example for carrying out such a manufacturing method of the present invention, particularly the embodiment shown in FIG. 1, a schematic view of a continuous sputtering apparatus (4) is shown in FIG. The continuous sputtering apparatus (4) includes a vacuum chamber (5) and a roll-to-roll film processing apparatus disposed in the vacuum chamber (5). This roll-to-roll film device comprises an unwinding roll (6), a winding roll (7), and a film track between these rolls.

このロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロール(6)と、巻き取りロール(7)との間に、絶縁フィルム(1)を脱水処理する脱水処理イオンガン(8)と、脱水処理イオンガン(8)の下流側に配置され、絶縁フィルム(1)の一方の表面にイオンビームを照射する第1表面処理イオンガン(9a)と、第1表面処理イオンガン(9a)の下流側で、フィルム軌道を挟んで第1表面処理イオンガン(9a)とは逆側に配置され、絶縁フィルム(1)の他方の表面にイオンビームを照射する第2表面処理イオンガン(9b)と、第2表面処理イオンガン(9b)の下流側に配置され、表面処理が施された絶縁フィルム(1)のいずれかの表面に、下地金属層(2b)と銅薄膜層(3b)とを順次成膜する、第1乾式成膜装置(70)と、第1乾式成膜装置(70)の下流側で、フィルム軌道を挟んで第1乾式成膜装置(70)とは逆側に配置され、絶縁フィルム(1)の銅薄膜層が成膜されていない側の表面に記下地金属層(2a)と銅薄膜層(3a)を順次成膜する、第2乾式成膜装置(71)とを少なくとも備える。   This roll-to-roll film processing apparatus includes a dehydrating ion gun (8) for dehydrating the insulating film (1) between the unwinding roll (6) and the winding roll (7), and a dehydrating process. A first surface treatment ion gun (9a) disposed on the downstream side of the ion gun (8) and irradiating one surface of the insulating film (1) with an ion beam, and a film on the downstream side of the first surface treatment ion gun (9a) A second surface treatment ion gun (9b) disposed on the opposite side of the first surface treatment ion gun (9a) across the orbit and irradiating the other surface of the insulating film (1) with an ion beam; and a second surface treatment ion gun A base metal layer (2b) and a copper thin film layer (3b) are sequentially formed on any surface of the insulating film (1) disposed on the downstream side of (9b) and subjected to surface treatment. Dry deposition equipment (70) and a copper thin film layer of the insulating film (1) disposed downstream of the first dry film forming apparatus (70) and on the opposite side of the first dry film forming apparatus (70) across the film track. At least a second dry deposition apparatus (71) for sequentially depositing the base metal layer (2a) and the copper thin film layer (3a) on the surface on which no film is formed.

巻き出しロール(6)から巻き出された絶縁フィルム(1)は、ガイドロール(10)を介して脱水処理イオンガン(8)の前に搬送され、イオンビームが照射されることにより脱水処理される(脱水処理工程)。なお、このとき生じた水蒸気は、排気装置(25)により、真空チャンバ(5)の外へ排気される。その後、絶縁フィルム(1)は、張力センサロール(20)およびガイドロール(11)を介して、第1および第2表面処理イオンガン(9a、9b)の前に搬送され、その両側表面(1a、1b)に対して第1および第2表面処理イオンガン(9a、9b)によってイオンビームが照射されることにより、表面処理が施される(第1および第2表面処理工程)。なお、脱水処理工程の前と第1表面処理工程の後、さらに、第1表面処理工程の前と第2表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇を、それぞれ50℃以内とするために、冷却ロールを使用する場合には、たとえば、脱水処理イオンガン(8)と第1表面処理イオンガン(9a)の間、および、第1表面処理イオンガン(9a)と第2表面処理イオンガン(9b)の間に、それぞれ冷却ロールを配置することが好ましく、張力センサロール(20)およびガイドロール(11)に、冷却ロールとしての機能を有するものを使用することがより好ましい。   The insulating film (1) unwound from the unwinding roll (6) is conveyed before the dehydration ion gun (8) through the guide roll (10), and dehydrated by being irradiated with an ion beam. (Dehydration process). The water vapor generated at this time is exhausted out of the vacuum chamber (5) by the exhaust device (25). Thereafter, the insulating film (1) is conveyed in front of the first and second surface-treated ion guns (9a, 9b) via the tension sensor roll (20) and the guide roll (11), and both side surfaces (1a, Surface treatment is performed by irradiating the ion beam with the first and second surface-treated ion guns (9a, 9b) on 1b) (first and second surface treatment steps). In order to keep the temperature rise of the insulating film before the dehydration process and after the first surface treatment process, and before the first surface treatment process and after the second surface treatment process, within 50 ° C., respectively, When the cooling roll is used, for example, between the dehydration ion gun (8) and the first surface treatment ion gun (9a), and between the first surface treatment ion gun (9a) and the second surface treatment ion gun (9b). It is preferable to dispose a cooling roll respectively, and it is more preferable to use a tension sensor roll (20) and a guide roll (11) having a function as a cooling roll.

このように絶縁フィルム(1)は、少なくとも一方の表面(1aまたは1b)に脱水処理をされた後、両側表面(1a、1b)について表面処理をされ、ガイドロール(12)およびフィードロール(30)を介して、第1乾式成膜装置(70)へ搬送される。第1乾式成膜装置(70)では、冷却キャンロール(40)上で、その表面(1b)に、スパッタリングカソード(50、51)を用いたスパッタリング法により、下地金属層(2b)および銅薄膜層(3b)が成膜されることとなる(第1乾式成膜工程)。   As described above, the insulating film (1) is subjected to dehydration treatment on at least one surface (1a or 1b), and then subjected to surface treatment on both side surfaces (1a, 1b), and the guide roll (12) and the feed roll (30). ) To the first dry film forming apparatus (70). In the first dry-type film forming apparatus (70), the base metal layer (2b) and the copper thin film are formed on the cooling can roll (40) by the sputtering method using the sputtering cathode (50, 51) on the surface (1b). The layer (3b) is formed (first dry film forming step).

さらに、ガイドロール(13)、張力センサロール(21)、ガイドロール(14〜16)およびフィードロール(31)を介して、第2乾式成膜装置(71)へ搬送される。第2乾式成膜装置(71)では、冷却キャンロール(41)上で、その表面(1a)に、スパッタリングカソード(60、61)を用いたスパッタリング法により、下地金属層(2a)および銅薄膜層(3a)が成膜されることとなる(第2乾式成膜工程)。   Furthermore, it is conveyed to a 2nd dry-type film-forming apparatus (71) through a guide roll (13), a tension sensor roll (21), a guide roll (14-16), and a feed roll (31). In the second dry film forming apparatus (71), the base metal layer (2a) and the copper thin film are formed on the cooling can roll (41) by the sputtering method using the sputtering cathode (60, 61) on the surface (1a). The layer (3a) is formed (second dry film forming step).

このように絶縁フィルム(1)は、その両側表面(1a、1b)に下地金属層(2a、2b)および銅薄膜層(3a、3b)が成膜された後、ガイドロール(17)、張力センサロール(22)およびガイドロール(18)を介して、巻き取りロール(7)によって巻き取られる。   As described above, the insulating film (1) is formed on the both side surfaces (1a, 1b) with the base metal layer (2a, 2b) and the copper thin film layer (3a, 3b), then the guide roll (17), tension It is wound up by a winding roll (7) through a sensor roll (22) and a guide roll (18).

図3のような連続スパッタリング装置(4)では、真空チャンバ(5)の形状は問わないが、1×10-4Pa〜1Paの範囲に減圧された状態を保持できることが必要である。また、巻き出しロール(6)および巻き取りロール(7)としては、パウダクラッチなどによるトルク制御により絶縁フィルム(1)の張力のバランスを保つことができるものを使用する。さらに、冷却キャンロール(40、41)およびフィードロール(30、31)としては、サーボモータによる動力を備えるものを使用する。また、張力センサロール(21)、ガイドロール(16、18)としては、駆動ロールとしての機能を備えたものを使用する。 In the continuous sputtering apparatus (4) as shown in FIG. 3, the shape of the vacuum chamber (5) is not limited, but it is necessary to be able to maintain a reduced pressure in the range of 1 × 10 −4 Pa to 1 Pa. In addition, as the unwinding roll (6) and the winding roll (7), those capable of maintaining the balance of the tension of the insulating film (1) by torque control using a powder clutch or the like are used. Further, as the cooling can roll (40, 41) and the feed roll (30, 31), those provided with power by a servo motor are used. Further, as the tension sensor roll (21) and the guide rolls (16, 18), those having a function as a drive roll are used.

なお、巻き出しロール(6)とガイドロール(10)の間、ガイドロール(12)とフィードロール(30)の間、ガイドロール(16)とフィードロール(31)の間に仕切りを設け、巻き出しロール(6)、第1および第2表面処理イオンガン(9a、9b)、スパッタリングカソード(50、51)、スパッタリングカソード(60、61)の雰囲気を区切って、それぞれの工程での雰囲気を変更することも可能である。   A partition is provided between the unwinding roll (6) and the guide roll (10), between the guide roll (12) and the feed roll (30), and between the guide roll (16) and the feed roll (31). The atmosphere in each step is changed by dividing the atmosphere of the discharge roll (6), the first and second surface treatment ion guns (9a, 9b), the sputtering cathode (50, 51), and the sputtering cathode (60, 61). It is also possible.

なお、図2に表される実施態様を実施する場合には、脱水処理イオンガン(8)を省略し、第1表面処理イオンガン(9a)により、脱水処理と第1表面処理を行うように連続スパッタリング装置(4)を構成すればよい。この場合、第1表面処理イオンガン(9a)の下流側に排気装置(25)を配置する必要がある。また、図3に表される連続スパッタリング装置(4)であっても、脱水処理イオンガン(8)と第1表面処理イオンガン(9a)のいずれか一方のみを使用し、その表面処理イオンガンにより、脱水処理と第1表面処理を行うとともに、その表面処理イオンガンの下流側に排気装置を配置することで、図2に表される実施態様を実施することができる。   In the case of carrying out the embodiment shown in FIG. 2, the dehydration ion gun (8) is omitted, and the continuous sputtering is performed so that the dehydration process and the first surface treatment are performed by the first surface treatment ion gun (9a). What is necessary is just to comprise an apparatus (4). In this case, it is necessary to dispose the exhaust device (25) on the downstream side of the first surface treatment ion gun (9a). Further, even in the continuous sputtering apparatus (4) shown in FIG. 3, only one of the dehydration ion gun (8) and the first surface treatment ion gun (9a) is used, and dehydration is performed by the surface treatment ion gun. The embodiment shown in FIG. 2 can be implemented by performing the treatment and the first surface treatment and disposing the exhaust device downstream of the surface treatment ion gun.

3.フレキシブル両面プリント配線基板の製造方法
フレキシブル両面プリント配線基板は、両面金属積層フィルムをサブトラクティブ法またはセミアディティブ法で配線加工することによって製造するができる。
3. Manufacturing method of flexible double-sided printed wiring board A flexible double-sided printed wiring board can be manufactured by wiring a double-sided metal laminate film by a subtractive method or a semi-additive method.

これらの方法については従来技術と同様であるため、詳細な説明は省略するが、いずれの方法においても、配線部以外の下地金属層および銅被覆層はエッチング処理により除去されるため、絶縁フィルムと密着する下地金属層が、該絶縁フィルム中に含まれる水分により酸化すれば、エッチング処理により下地金属層を完全に除去することができず、導通不良を起こす場合がある。また、下地金属層の酸化は、絶縁フィルムとの密着性の低下を引き起こす場合もある。本発明では、上述した脱水処理工程を行うことにより、シワの発生を抑制しつつ、絶縁フィルム中の水分を短時間で除去することができるため、下地金属層の酸化による問題を解消するとともに、フレキシブル両面プリント配線基板の生産性を向上させることができる。   Since these methods are the same as those in the prior art, detailed description is omitted, but in any method, the base metal layer and the copper coating layer other than the wiring portion are removed by the etching process, so that the insulating film and If the adherent base metal layer is oxidized by moisture contained in the insulating film, the base metal layer cannot be completely removed by the etching process, which may cause poor conduction. Further, the oxidation of the base metal layer may cause a decrease in adhesion with the insulating film. In the present invention, by performing the above-described dehydration process, it is possible to remove the moisture in the insulating film in a short time while suppressing the generation of wrinkles, so that the problem due to the oxidation of the underlying metal layer is solved, Productivity of the flexible double-sided printed wiring board can be improved.

なお、銅被膜層の膜厚は、サブトラクティブ法により配線加工をする場合は、配線の膜厚に相当する膜厚が必要となるため、上述したように、乾式成膜工程の後に、さらに湿式成膜工程が必要となる場合がある。一方、セミアディティブ法により配線加工をする場合は、膜厚は電着に必要な導電性を確保できればよく、さらに配線に不要な箇所はソフトエッチングで除去されることを考慮すれば、1μmもあれば十分である。このため、乾式成膜工程のみとしても問題が生じることはないが、配線部の電気伝導性の信頼性やより高い強度を確保する観点から、1μm以上の銅被膜層を形成する場合には、乾式成膜工程と湿式成膜工程の両工程を組み合わせることも可能である。   In addition, since the film thickness of a copper coating layer needs the film thickness equivalent to the film thickness of wiring, when carrying out wiring processing by a subtractive method, as mentioned above, it is further wet after a dry-type film-forming process. A film forming process may be required. On the other hand, in the case of wiring processing by the semi-additive method, the film thickness is only required to ensure the conductivity necessary for electrodeposition, and further, the portion unnecessary for wiring is considered to be removed by soft etching. It is enough. For this reason, there is no problem even if only the dry film forming step, but from the viewpoint of ensuring the reliability and higher strength of the electrical conductivity of the wiring portion, when forming a copper film layer of 1 μm or more, It is also possible to combine both the dry film forming process and the wet film forming process.

また、フレキシブル両面プリント配線基板では、絶縁フィルムの厚さは薄いほうが、フレキシブル性や、スルーホールの加工性から有利である。これは、絶縁フィルムの厚さが薄い方が、両面の配線パターンの位置ズレを低減することができ、また、スルーホールの穴開け加工をする際に、ポリイミドなどの絶縁フィルムを薬液でエッチングする必要があるからである。この点、本発明によるフレキシブル両面プリント配線基板の製造方法によれば、厚さが20μm以下の絶縁フィルムを使用することができ、従来必要とされた40μm程度の厚さの絶縁フィルムと比べて、耐屈曲性において、きわめて有利であるといえる。   Moreover, in the flexible double-sided printed wiring board, the thinner the insulating film, the more advantageous from the viewpoints of flexibility and workability of through holes. This is because the thinner the insulating film is, the smaller the misalignment of the wiring patterns on both sides can be. Also, when drilling through holes, the insulating film such as polyimide is etched with a chemical solution. It is necessary. In this regard, according to the method for manufacturing a flexible double-sided printed wiring board according to the present invention, an insulating film having a thickness of 20 μm or less can be used, compared with an insulating film having a thickness of about 40 μm that has been conventionally required. It can be said that it is extremely advantageous in bending resistance.

なお、スルーホールをレーザなどで穴あけ加工することもできるが、レーザ加工に伴い加工部にバリが発生し、このバリを除去するための工程を追加することが必要となり、生産性の悪化やコストの上昇といった問題が生じる。   Although through holes can be drilled with a laser or the like, burrs are generated in the processed part due to laser processing, and it is necessary to add a process for removing these burrs. The problem of rising.

以下、実施例を用いて本発明について、さらに詳細に説明する。なお、実施例および比較例における(a)シワの判定、および、(b)ピール強度(引きはがし強さ)の測定は以下の手法により行った。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In the examples and comparative examples, (a) determination of wrinkles and (b) measurement of peel strength (peeling strength) were performed by the following methods.

(a)シワの判定
スパッタリング装置から取り出した状態で、両面金属積層フィルムの表面を目視で観察することにより行った。この観察の結果については、表2に、シワが発見されなかったもの、および、両面金属積層フィルムの性能に影響を及ぼさない程度の微細なシワがわずかながら発見されたものを「良好(○)」、両面金属積層フィルムの性能に影響を及ぼす程度のシワが発見されたものを「不良(×)」として表した。
(A) Judgment of wrinkles It was performed by visually observing the surface of the double-sided metal laminated film in a state of being taken out from the sputtering apparatus. The results of this observation are shown in Table 2 as “Good (◯)” in which no wrinkles were found and in which slight wrinkles that did not affect the performance of the double-sided metal laminated film were found slightly. "A wrinkle having a degree of influence on the performance of the double-sided metal laminated film was found as" bad (x) ".

(b)エッチング残渣測定
得られた両面金属積層フィルムに対して、配線パターンをサブトラクティブ法により形成した。具体的には、試料のリード幅は1mmとし、両面金属積層フィルムの銅被膜層の表面に感光性レジスト(東京応化工業株式会社製、PMERP−RH30PM)を塗布し、幅1mmのパターンを形成するよう露光した。その後、濃度0.3質量%の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、塩化第2鉄溶液(比重40°ボーメ、温度43℃)に2分間浸漬後、水洗し、乾燥した。その後、濃度4質量%の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジストの剥離を行った。得られた配線パターンを目視により観察し、リード間の下地金属層であるNi−20質量%Cr層の溶け残り(エッチング残渣と)の有無を確認した。この結果については、表2に、エッチング残渣が全くないものを「良好(○)」、エッチング残差が1ヵ所で見つかったものは「不良(×)」として表した。
(B) Measurement of etching residue A wiring pattern was formed on the obtained double-sided metal laminated film by a subtractive method. Specifically, the lead width of the sample is 1 mm, and a photosensitive resist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., PMERP-RH30PM) is applied to the surface of the copper coating layer of the double-sided metal laminated film to form a pattern with a width of 1 mm. So exposed. Thereafter, the film was developed with an aqueous sodium carbonate solution having a concentration of 0.3% by mass, immersed in a ferric chloride solution (specific gravity 40 ° Baume, temperature 43 ° C.) for 2 minutes, washed with water, and dried. Thereafter, the resist was peeled off using a 4% by mass aqueous sodium hydroxide solution. The obtained wiring pattern was visually observed, and it was confirmed whether there was any undissolved residue (with etching residue) of the Ni-20 mass% Cr layer, which was the underlying metal layer between the leads. The results are shown in Table 2 as “good (◯)” when there is no etching residue, and as “bad (×)” when the etching residual is found in one place.

(c)ピール強度の測定
初期ピール強度は、(b)と同様にして配線パターンを形成した後、IPC−TM−650、NUMBER2.4.9に準拠した測定方法で行った。このときの測定条件は、ピールの角度を90°とした。
(C) Measurement of peel strength The initial peel strength was measured by a measurement method based on IPC-TM-650 and NUMBER 2.4.9 after forming a wiring pattern in the same manner as in (b). The measurement conditions at this time were such that the peel angle was 90 °.

また、耐熱ピール強度は、初期ピール強度と同じ形状の試料を150℃で168時間保持後、取り出し、室温になるまで冷却した後、初期ピール強度と同じく、ピールの角度を90°として、そのピール強度を測定した。   Also, the heat-resistant peel strength is the same as the initial peel strength. After holding the sample at 150 ° C. for 168 hours, taking it out and cooling it to room temperature, the peel angle is 90 ° as with the initial peel strength. The strength was measured.

表2に、得られた両面金属積層フィルムの両表面(1a、1b)の初期ピール強度および耐熱試験後のピール強度(耐熱ピール強度)のいずれもが400N/m以上であれば「良好(○)」、400N/m未満のものがあった場合には「不良(×)」として表した。   In Table 2, if both the initial peel strength on both surfaces (1a, 1b) of the obtained double-sided metal laminate film and the peel strength after the heat test (heat-resistant peel strength) are 400 N / m or more, “good (○ ) ”, And when there was less than 400 N / m, it was expressed as“ bad (×) ”.

(実施例1)
絶縁フィルム(1)として、厚さ12.5μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製、カプトン50EN)を使用して、図3に示されるような連続スパッタリング装置(4)を使用して、両面金属積層フィルムを作製した。なお、実施例1では、第1表面処理イオンガン(9a)は使用せず、脱水処理イオンガン(8)により、絶縁フィルムの一方の表面(1a)に対して脱水処理と第1表面処理を行った後、第2表面処理イオンガン(9b)により第2表面処理を行い、その後、両側の表面(1a、1b)に対して、下地金属層(2a、2b)および銅薄膜層(3a、3b)を成膜した。
Example 1
As the insulating film (1), using a polyimide film having a thickness of 12.5 μm (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., Kapton 50EN), using a continuous sputtering apparatus (4) as shown in FIG. A metal laminated film was produced. In Example 1, the first surface treatment ion gun (9a) was not used, and the dehydration treatment and the first surface treatment were performed on one surface (1a) of the insulating film by the dehydration treatment ion gun (8). Thereafter, the second surface treatment is performed by the second surface treatment ion gun (9b), and then the base metal layers (2a, 2b) and the copper thin film layers (3a, 3b) are applied to the surfaces (1a, 1b) on both sides. A film was formed.

具体的には、上記ポリイミドフィルム(1)を連続スパッタリング装置(4)に設置して、該装置(4)を0.1Paまで真空排気した後、脱水処理イオンガン(8)(アノードレイヤーソース型)により、ポリイミドフィルム(1)の一方の表面(1a)にイオンビームを照射し、脱水処理および第1表面処理を行った。このとき、使用したガス種は酸素ガス(O2)であり、その流量は、1気圧、25℃換算で、60cm3/minであった。また、イオンガスの放電電力を200W(放電電圧:1500V、放電電流:133mA)に調整した。このときのイオンビームによる処理時間は、搬送速度を調整することにより10秒間に調整した。イオンビームを照射した後、排気装置(25)により、1×10-4Paまで真空排気した。なお、このとき、排気装置として、ターボ分子ポンプ(三菱重工業株式会社製)およびクライオコイル(株式会社マック製)を使用した(脱水処理工程、第1表面処理工程)。 Specifically, the polyimide film (1) is placed in a continuous sputtering apparatus (4), the apparatus (4) is evacuated to 0.1 Pa, and then dehydrated ion gun (8) (anode layer source type). Thus, one surface (1a) of the polyimide film (1) was irradiated with an ion beam to perform dehydration treatment and first surface treatment. At this time, the gas type used was oxygen gas (O 2 ), and its flow rate was 60 cm 3 / min in terms of 1 atm and 25 ° C. The discharge power of the ion gas was adjusted to 200 W (discharge voltage: 1500 V, discharge current: 133 mA). The treatment time with the ion beam at this time was adjusted to 10 seconds by adjusting the transport speed. After irradiation with an ion beam, the exhaust device (25) was evacuated to 1 × 10 −4 Pa. At this time, a turbo molecular pump (manufactured by Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.) and a cryocoil (manufactured by Mac Co., Ltd.) were used as the exhaust device (dehydration process, first surface treatment process).

その後、第2表面処理イオンガン(9b)によりイオンビームを照射することにより、ポリイミドフィルム(1)の他方の表面(1b)を表面処理した(第2表面処理工程)。このとき、使用したガス種は酸素ガス(O2)であり、その流量は、1気圧、25℃換算で、60cm3/minであった。また、イオンガスの放電電力を200W(放電電圧:1500V、放電電流:133mA)に調整するとともに、搬送速度を調整することにより、イオンビームによる処理時間を10秒間に調整した。なお、本実施例では、脱水処理工程直後の絶縁フィルムの温度上昇は70℃であったが、張力センサロール(20)として、冷却ロールとしての機能を有するものを使用した結果、脱水処理工程前の絶縁フィルムの温度に対する、表面処理工程終了後の絶縁フィルムの温度上昇を30℃程度に抑制することができた。 Then, the other surface (1b) of the polyimide film (1) was surface-treated by irradiating an ion beam with the second surface treatment ion gun (9b) (second surface treatment step). At this time, the gas type used was oxygen gas (O 2 ), and its flow rate was 60 cm 3 / min in terms of 1 atm and 25 ° C. In addition, the discharge power of the ion gas was adjusted to 200 W (discharge voltage: 1500 V, discharge current: 133 mA), and the treatment speed by the ion beam was adjusted to 10 seconds by adjusting the transport speed. In this example, the temperature rise of the insulating film immediately after the dehydration process was 70 ° C. However, as a result of using a tension sensor roll (20) having a function as a cooling roll, before the dehydration process. The temperature rise of the insulating film after completion of the surface treatment process with respect to the temperature of the insulating film could be suppressed to about 30 ° C.

第2表面処理工程の後、ポリイミドフィルム(1)は、スパッタリング装置(70)の前に搬送され、スパッタリングカソード(50)にNi―20質量%Cr合金をターゲットとして装着するとともに、スパッタリングカソード(51)にCuターゲットを装着して、スパッタリング法により、下地金属層(2b)および銅薄膜層(3b)の成膜を行った(第1乾式成膜工程)。その後、ポリイミドフィルム(1)は、スパッタリング装置(71)に搬送され、スパッタリングカソード(60)にNi―20質量%Cr合金をターゲットとして装着するとともに、スパッタリングカソード(61)にCuターゲットを装着して、スパッタリング法により下地金属層(2a)および銅薄膜層(3a)の成膜を行った(第2乾式成膜工程)。このときの下地金属層(2a、2b)の膜厚は10nm、銅薄膜層(3a、3b)の膜厚は0.1μmであった。なお、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。   After the second surface treatment step, the polyimide film (1) is transported before the sputtering apparatus (70), and the sputtering cathode (51) is mounted with a Ni-20 mass% Cr alloy as a target and the sputtering cathode (51). The Cu target was attached to the substrate, and the base metal layer (2b) and the copper thin film layer (3b) were formed by sputtering (first dry film forming step). Thereafter, the polyimide film (1) is conveyed to the sputtering device (71), and a Ni-20 mass% Cr alloy is mounted on the sputtering cathode (60) as a target, and a Cu target is mounted on the sputtering cathode (61). The base metal layer (2a) and the copper thin film layer (3a) were formed by sputtering (second dry film forming step). At this time, the thickness of the base metal layer (2a, 2b) was 10 nm, and the thickness of the copper thin film layer (3a, 3b) was 0.1 μm. The time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound up by the winding roll (7) was 10 minutes.

第2乾式成膜工程の後、得られた両面金属積層フィルムを連続スパッタリング装置(4)から取り出し、その表面を目視で観察することにより(a)シワの判定を行った結果、シワの発生は確認されなかった。   After the second dry film forming step, the obtained double-sided metal laminated film is taken out from the continuous sputtering apparatus (4), and the surface is visually observed. It was not confirmed.

この両面金属積層フィルムに対して、硫酸酸性硫酸銅水溶液を用いた電気めっき法により、膜厚8μmの銅めっき層を成膜し、サブトラクティブ法により配線パターンを形成することにより、フレキシブル両面プリント配線基板を得た。このフレキシブル両面プリント配線基板の表面を目視で観察することにより、(b)エッチング残渣測定を行った結果、エッチング残渣は発見されなかった。   Flexible double-sided printed wiring by forming a copper plating layer with a film thickness of 8μm on this double-sided metal laminated film by electroplating using sulfuric acid copper sulfate aqueous solution and forming a wiring pattern by subtractive method A substrate was obtained. By visually observing the surface of this flexible double-sided printed wiring board, (b) etching residue measurement was performed, and as a result, no etching residue was found.

さらに、得られたフレキシブル両面プリント配線基板に対して、(c)ピール強度の測定した結果、両面の初期ピール強度、耐熱ピール強度ともに400N/m以上であった。これらの結果を表2に示す。   Furthermore, as a result of measuring the (c) peel strength of the obtained flexible double-sided printed wiring board, both the initial peel strength and the heat-resistant peel strength on both sides were 400 N / m or more. These results are shown in Table 2.

(実施例2〜7)
使用したイオンガスの種類、ガス流量を表1に記載されたように調整したこと以外は、実施例1と同様にして、脱水処理および表面処理をすることにより、両面金属積層フィルムを得た。なお、実施例2〜7においても、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Examples 2 to 7)
A double-sided metal laminate film was obtained by performing dehydration treatment and surface treatment in the same manner as in Example 1 except that the type of ion gas used and the gas flow rate were adjusted as described in Table 1. In Examples 2 to 7, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes. .

これらの両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For these double-sided metal laminated films, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(実施例8)
脱水処理イオンガン(8)の照射条件を調整することにより、該脱水処理イオンガン(8)では脱水処理のみを行い、第1表面処理イオンガン(9a)により、第1表面処理を行ったこと以外は、実施例1と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、実施例8では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Example 8)
By adjusting the irradiation conditions of the dehydration ion gun (8), the dehydration ion gun (8) only performs dehydration treatment, and the first surface treatment ion gun (9a) performs the first surface treatment, In the same manner as in Example 1, a double-sided metal laminated film was obtained. In Example 8, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(実施例9)
張力センサロール(20)の冷却ロールとしての出力(冷却力)を調整することにより、脱水処理の前と第2の表面処理工程の後の絶縁フィルムの温度上昇が60℃程度となるように調整したこと以外は、実施例1と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、実施例9では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
Example 9
By adjusting the output (cooling power) of the tension sensor roll (20) as a cooling roll, the temperature rise of the insulating film before the dehydration process and after the second surface treatment process is adjusted to about 60 ° C. Except having done, it carried out similarly to Example 1, and obtained the double-sided metal laminated film. In Example 9, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(実施例10)
脱水処理工程および表面処理工程において、イオンガスの流量を、1気圧、25℃換算で、40cm3/minとしたこと以外は、実施例1と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。実施例10では、イオンビーの照射に際して放電状態がやや不安定となり、処理中にマイクロアークの発生が見られた。なお、実施例10では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Example 10)
In the dehydration treatment step and the surface treatment step, a double-sided metal laminated film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the flow rate of the ion gas was 40 cm 3 / min in terms of 1 atm and 25 ° C. In Example 10, the discharge state became slightly unstable upon irradiation with ion beams, and micro arcs were observed during the treatment. In Example 10, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound up by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(実施例11)
脱水処理工程および表面処理工程において、イオンガスの流量を、1気圧、25℃換算で、80cm3/minとしたこと以外は、実施例1と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。実施例11では、イオンビーの照射に際して放電状態がやや不安定となり、処理中にマイクロアークの発生が見られた。なお、実施例11では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Example 11)
In the dehydration treatment step and the surface treatment step, a double-sided metal laminated film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the flow rate of the ion gas was 80 cm 3 / min in terms of 1 atm and 25 ° C. In Example 11, the discharge state became slightly unstable upon irradiation with ion beams, and micro arcs were generated during the treatment. In Example 11, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(比較例1)
脱水処理イオンガン(8)による脱水処理の代わりに、0.1Paまで真空排気した後、絶縁フィルムを、真空チャンバ(5)内に10秒間放置することにより真空乾燥を行ったこと以外は、実施例8と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、比較例1では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Comparative Example 1)
Instead of dehydration treatment using the dehydration ion gun (8), the examples were the same except that after vacuum evacuation to 0.1 Pa, the insulating film was left in the vacuum chamber (5) for 10 seconds for vacuum drying. In the same manner as in Example 8, a double-sided metal laminated film was obtained. In Comparative Example 1, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(比較例2)
脱水処理イオンガン(8)による脱水処理の代わりに、赤外線ヒータを使用して、絶縁フィルムを50℃に加熱し、この温度で10秒間の加熱乾燥を行ったこと、および、張力センサロール(20)の冷却ロールとしての出力(冷却力)を低く調整したこと以外は、実施例8と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、比較例2では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Comparative Example 2)
Insulation film was heated to 50 ° C. using an infrared heater instead of dehydration treatment with an ion gun (8), and was heated and dried at this temperature for 10 seconds, and a tension sensor roll (20) A double-sided metal laminate film was obtained in the same manner as in Example 8 except that the output (cooling power) as a cooling roll was adjusted to be low. In Comparative Example 2, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(比較例3)
脱水処理イオンガン(8)による脱水処理の代わりに、赤外線ヒータを使用して、絶縁フィルムを100℃に加熱し、この温度で10秒間の加熱乾燥を行ったこと以外は、比較例2と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、比較例3では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Comparative Example 3)
In place of the dehydration treatment by the deionization ion gun (8), an infrared heater was used to heat the insulating film to 100 ° C., and heat drying at this temperature for 10 seconds was performed in the same manner as in Comparative Example 2. Thus, a double-sided metal laminated film was obtained. In Comparative Example 3, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定を行った。なお、比較例3では、(a)シワの測定において、両面金属フィルムの表面にシワが発見されため、(c)ピール強度の測定は行わなかった。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) the etching residue measurement was performed. In Comparative Example 3, in (a) the measurement of wrinkles, wrinkles were found on the surface of the double-sided metal film, and (c) the peel strength was not measured. These results are shown in Table 2.

(比較例4)
脱水処理イオンガン(8)による脱水処理の代わりに、赤外線ヒータを使用して、絶縁フィルムを50℃に加熱し、搬送速度を調整することにより、この温度で50秒間の加熱乾燥を行ったこと以外は、比較例2と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、比較例4では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、50分間であった。
(Comparative Example 4)
Dehydration treatment Instead of dehydration treatment with an ion gun (8), using an infrared heater, the insulating film was heated to 50 ° C., and the conveyance speed was adjusted, so that heating and drying were performed at this temperature for 50 seconds. Obtained a double-sided metal laminate film in the same manner as in Comparative Example 2. In Comparative Example 4, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 50 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定、および、(c)ピール強度の測定を行った。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) measurement of etching residue and (c) measurement of peel strength were performed. These results are shown in Table 2.

(比較例5)
イオンガスの放電電力を400W(放電電圧:2500V、放電電流:160mA)に調整したこと以外は、実施例1と同様にして、両面金属積層フィルムを得た。なお、比較例5では、脱水処理工程直後の絶縁フィルムの温度上昇は100℃であったが、張力センサロール(20)として、冷却ロールとしての機能を有するものを使用した結果、脱水処理工程前の絶縁フィルムの温度に対する、表面処理工程終了後の絶縁フィルムの温度上昇を30℃程度に抑制した。また、比較例5では、絶縁フィルム(1)が、巻き出しロール(6)から巻き出されてから、巻き取りロール(7)により巻き取られるまでの時間は、10分間であった。
(Comparative Example 5)
A double-sided metal laminate film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the discharge power of the ion gas was adjusted to 400 W (discharge voltage: 2500 V, discharge current: 160 mA). In Comparative Example 5, the temperature rise of the insulating film immediately after the dehydration process was 100 ° C. However, as a result of using a tension sensor roll (20) having a function as a cooling roll, before the dehydration process. The temperature rise of the insulating film after completion of the surface treatment process relative to the temperature of the insulating film was suppressed to about 30 ° C. In Comparative Example 5, the time from when the insulating film (1) was unwound from the unwinding roll (6) to when it was wound by the winding roll (7) was 10 minutes.

この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、(a)シワの測定を行った。また、この両面金属積層フィルムに対して、実施例1と同様に、配線パターンを形成し、(b)エッチング残渣測定を行った。なお、比較例5では、(a)シワの測定において、両面金属フィルムの表面にシワが発見されため、(c)ピール強度の測定は行わなかった。これらの結果を表2に示す。   For this double-sided metal laminate film, (a) wrinkles were measured in the same manner as in Example 1. Moreover, the wiring pattern was formed with respect to this double-sided metal laminated film similarly to Example 1, and (b) the etching residue measurement was performed. In Comparative Example 5, in (a) the measurement of wrinkles, wrinkles were found on the surface of the double-sided metal film, and (c) the peel strength was not measured. These results are shown in Table 2.

(評価)
本発明の技術的範囲に属する実施例1〜9は、シワが存在せず、かつ、エッチング残渣も存在しなかった。また、初期ピール強度および耐熱ピール強度も優れたものであることが確認された。
(Evaluation)
In Examples 1 to 9 belonging to the technical scope of the present invention, there was no wrinkle and no etching residue. Moreover, it was confirmed that the initial peel strength and the heat-resistant peel strength are also excellent.

また、実施例10および11により得られた両面金属積層フィルムは、実用上問題のない特性を有していることが確認されたが、処理中に、放電状態がやや不安定となり、マイクロアークの発生が見られた。これらの結果から、イオンガスの流量が40cm3/min未満、あるいは、80cm3/minを超えると、放電状態がさらに不安定となり、次第に、均一なイオンビーム処理が困難となることが予測される。 In addition, it was confirmed that the double-sided metal laminated films obtained in Examples 10 and 11 had practically no problem characteristics, but the discharge state became slightly unstable during processing, and the microarc Occurrence was seen. From these results, it is predicted that when the flow rate of the ion gas is less than 40 cm 3 / min or more than 80 cm 3 / min, the discharge state becomes more unstable and gradually uniform ion beam processing becomes difficult. .

比較例1は、脱水処理を真空乾燥により行ったため、絶縁フィルムの脱水が十分に進行せず、サブトラクティブ法による配線パターンの形成後に、リード間でエッチング残渣が見られた。   In Comparative Example 1, since the dehydration process was performed by vacuum drying, the dehydration of the insulating film did not proceed sufficiently, and etching residues were observed between the leads after the formation of the wiring pattern by the subtractive method.

比較例2および3は、脱水処理を赤外線ヒータによる加熱で行った例である。比較例2では、加熱温度が50℃と低温であったため脱水が進行せず、比較例1と同様に、配線パターンの形成後に、エッチング残渣が見られた。比較例3は、加熱温度が100℃と高温であったため、スパッタリング法による下地金属層形成後に、シワの発生が確認された。   Comparative Examples 2 and 3 are examples in which the dehydration process was performed by heating with an infrared heater. In Comparative Example 2, since the heating temperature was as low as 50 ° C., dehydration did not proceed, and etching residues were observed after the formation of the wiring pattern as in Comparative Example 1. In Comparative Example 3, since the heating temperature was as high as 100 ° C., generation of wrinkles was confirmed after the formation of the base metal layer by the sputtering method.

比較例4は、脱水処理を赤外線ヒータにより、十分に時間をかけて行った例である。このため、比較例4では、絶縁フィルムが、巻き出しロールから巻き出されてから、巻き取りロールにより巻き取られるまでの時間が、実施例1〜12の5倍程度となった。   Comparative Example 4 is an example in which the dehydration process was performed using an infrared heater over a sufficiently long time. For this reason, in Comparative Example 4, the time from when the insulating film was unwound from the unwinding roll until it was wound up by the take-up roll was about five times that of Examples 1-12.

比較例5は、従来のイオンビーム照射による方法で脱水処理工程を行った例であり、脱水処理の直後において、絶縁フィルムの温度上昇は100℃程度まで達していた。このため、その後に、冷却ロールにより十分に冷却した場合であっても、下地金属層形成後のシワの発生を十分に抑制することができなかった。   Comparative Example 5 is an example in which the dehydration process is performed by a conventional ion beam irradiation method. Immediately after the dehydration process, the temperature rise of the insulating film reaches about 100 ° C. For this reason, even if it was a case where it cooled enough with a cooling roll after that, generation | occurrence | production of the wrinkle after base metal layer formation was not fully suppressed.

1 絶縁フィルム
1a、1b 表面
2a、2b 下地金属層
3a、3b 銅薄膜層
4 連続スパッタリング装置
5 真空チャンバ
6 巻き出しロール
7 巻き取りロール
8 脱水処理イオンガン
9a 第1表面処理イオンガン
9b 第2表面処理イオンガン
10〜18 ガイドロール
20〜22 張力センサロール
25 排気装置
30、31 フィードロール
40、41 冷却キャンロール
50、51 スパッタリングカソード
60、61 スパッタリングカソード
70 第1乾式成膜装置
71 第2乾式成膜装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating film 1a, 1b Surface 2a, 2b Underlying metal layer 3a, 3b Copper thin film layer 4 Continuous sputtering apparatus 5 Vacuum chamber 6 Unwinding roll 7 Winding roll 8 Dehydration ion gun 9a First surface treatment ion gun 9b Second surface treatment ion gun 10-18 Guide roll 20-22 Tension sensor roll 25 Exhaust device 30, 31 Feed roll 40, 41 Cooling can roll 50, 51 Sputtering cathode 60, 61 Sputtering cathode 70 First dry film forming device 71 Second dry film forming device

Claims (7)

絶縁フィルムの両面に接着剤を介することなく、乾式めっき法で下地金属層を形成した後に、該下地金属層の表面に銅被膜層を形成する両面金属積層フィルムの製造方法であって、
真空雰囲気中で、前記絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビームを照射し、この際の温度上昇を90℃以下に抑制しつつ脱水処理をするとともに、該脱水処理により生じた水蒸気を排気する脱水処理工程と、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする第1表面処理工程と、
前記絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする第2表面処理工程と、
表面処理が施された絶縁フィルムのいずれかの表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第1乾式成膜工程と、
前記絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、乾式めっき法により、前記下地金属層と前記銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する第2乾式成膜工程とを備える、
両面金属積層フィルムの製造方法。
A method for producing a double-sided metal laminate film in which a copper coating layer is formed on the surface of the base metal layer after forming the base metal layer by dry plating without using an adhesive on both sides of the insulating film,
Dehydration by irradiating at least one surface of the insulating film with an ion beam in a vacuum atmosphere, dehydrating while suppressing the temperature rise to 90 ° C. or less, and exhausting water vapor generated by the dehydration Processing steps;
A first surface treatment step of performing surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
A second surface treatment step of irradiating the other surface of the insulating film with an ion beam for surface treatment;
A first dry composition in which the base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the surface-treated insulating film by a dry plating method. A membrane process;
First, the base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed by dry plating. 2 dry film forming step,
A method for producing a double-sided metal laminate film.
前記脱水処理工程と第1表面処理工程を同時に行う、請求項1に記載の両面金属積層フィルムの製造方法。   The manufacturing method of the double-sided metal laminated film of Claim 1 which performs the said dehydration process process and a 1st surface treatment process simultaneously. 前記イオンビーム照射が、アルゴン、窒素、酸素、または、これらの群から選ばれる少なくとも2種の混合ガスからなるイオンガスを用いたものである、請求項1または2に記載の両面金属積層フィルムの製造方法。   The double-sided metal laminate film according to claim 1 or 2, wherein the ion beam irradiation uses an ion gas composed of at least two kinds of mixed gases selected from argon, nitrogen, oxygen, or a group thereof. Production method. 第1表面処理工程および第2表面処理工程における真空度が1×10-4Pa〜1Paである、請求項1〜3のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。 The manufacturing method of the double-sided metal laminated film in any one of Claims 1-3 whose vacuum degree in a 1st surface treatment process and a 2nd surface treatment process is 1 * 10 < -4 > Pa-1Pa. 脱水処理工程、第1表面処理工程および第2表面処理工程におけるイオンガスの流量を、1気圧、25℃換算で、40cm3/min〜80cm3/minとする、請求項1〜4のいずれかに記載の両面金属積層フィルムの製造方法。 Dehydration processing step, the flow rate of the ion gas in the first surface treatment step and the second surface treatment step, 1 atm, at 25 ° C. terms, and 40cm 3 / min~80cm 3 / min, claim 1 The manufacturing method of the double-sided metal laminated film of description. 両面金属積層フィルムを製造するための装置であって、
真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備え、
該ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にイオンビームを照射し、該絶縁フィルムを脱水処理する脱水処理イオンガンと、
前記脱水処理により発生した水蒸気を排気するための排気装置と、
前記絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする、第1表面処理イオンガンと、
第1表面処理イオンガンの下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1表面処理イオンガンとは逆側に配置され、該絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射し、表面処理をする、第2表面処理イオンガンと、
第2表面処理イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第1乾式成膜装置と、
第1乾式成膜装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1乾式成膜装置とは逆側に配置され、該絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第2乾式成膜装置と、
を備える、
両面金属積層フィルムの製造装置。
An apparatus for producing a double-sided metal laminate film,
A vacuum chamber, and a roll-to-roll film processing apparatus disposed in the vacuum chamber,
The roll-to-roll film processing apparatus includes an unwinding roll, a winding roll, and a film track between these rolls,
A dehydrating ion gun for irradiating at least one surface of the insulating film with an ion beam and dehydrating the insulating film;
An exhaust device for exhausting water vapor generated by the dehydration treatment;
A first surface treatment ion gun that performs surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
On the downstream side of the first surface treatment ion gun, disposed on the opposite side of the first surface treatment ion gun across the track of the insulation film, and irradiating the other surface of the insulation film with an ion beam to perform surface treatment. A second surface treatment ion gun;
A base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the insulating film disposed on the downstream side of the second surface treatment ion gun and subjected to the surface treatment. A first dry film forming apparatus for forming a film;
On the downstream side of the first dry film forming apparatus, on the opposite side of the first dry film forming apparatus across the track of the insulating film, on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed A second dry film forming apparatus for sequentially forming a copper thin film layer constituting part or all of the base metal layer and the copper coating layer;
Comprising
Manufacturing equipment for double-sided metal laminate film.
両面金属積層フィルムを製造するための装置であって、
真空チャンバと、該真空チャンバ内に配置されるロール・ツー・ロール・フィルム処理装置とを備え、
該ロール・ツー・ロール・フィルム処理装置は、巻き出しロールと、巻き取りロールと、これらのロール間のフィルム軌道とを備えるとともに、
絶縁フィルムの一方の表面にイオンビームを照射することにより、脱水処理をするとともに、表面処理をする、第1表面処理イオンガンと、
第1表面処理イオンガンの下流側で、前記脱水処理により生じた水蒸気を排気する排気装置と、
前記排気装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1表面処理イオンガンとは逆側に配置され、該絶縁フィルムの他方の表面にイオンビームを照射する、第2表面処理イオンガンと、
第2表面処理イオンガンの下流側に配置され、表面処理が施された前記絶縁フィルムのいずれかの表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層とを順次成膜する、第1乾式成膜装置と、
第1乾式成膜装置の下流側で、前記絶縁フィルムの軌道を挟んで第1乾式成膜装置とは逆側に配置され、該絶縁フィルムの銅薄膜層が成膜されていない側の表面に、下地金属層と銅被膜層の一部または全部を構成する銅薄膜層を順次成膜する、第2乾式成膜装置と、
を備える、
両面金属積層フィルムの製造装置。
An apparatus for producing a double-sided metal laminate film,
A vacuum chamber, and a roll-to-roll film processing apparatus disposed in the vacuum chamber,
The roll-to-roll film processing apparatus includes an unwinding roll, a winding roll, and a film track between these rolls,
A first surface treatment ion gun for performing dehydration treatment and surface treatment by irradiating one surface of the insulating film with an ion beam;
An exhaust device for exhausting water vapor generated by the dehydration process downstream of the first surface treatment ion gun;
A second surface treatment ion gun disposed on the opposite side of the first surface treatment ion gun across the track of the insulation film on the downstream side of the exhaust device and irradiating the other surface of the insulation film with an ion beam;
A base metal layer and a copper thin film layer constituting a part or all of the copper coating layer are sequentially formed on any surface of the insulating film disposed on the downstream side of the second surface treatment ion gun and subjected to the surface treatment. A first dry film forming apparatus for forming a film;
On the downstream side of the first dry film forming apparatus, on the opposite side of the first dry film forming apparatus across the track of the insulating film, on the surface of the insulating film on which the copper thin film layer is not formed A second dry film forming apparatus for sequentially forming a copper thin film layer constituting part or all of the base metal layer and the copper coating layer;
Comprising
Manufacturing equipment for double-sided metal laminate film.
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