JP2014219536A - Optical waveguide - Google Patents

Optical waveguide Download PDF

Info

Publication number
JP2014219536A
JP2014219536A JP2013098243A JP2013098243A JP2014219536A JP 2014219536 A JP2014219536 A JP 2014219536A JP 2013098243 A JP2013098243 A JP 2013098243A JP 2013098243 A JP2013098243 A JP 2013098243A JP 2014219536 A JP2014219536 A JP 2014219536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
marker
optical waveguide
core
core pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013098243A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
富生 小川
Tomio Ogawa
富生 小川
大地 酒井
Daichi Sakai
大地 酒井
黒田 敏裕
Toshihiro Kuroda
敏裕 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2013098243A priority Critical patent/JP2014219536A/en
Publication of JP2014219536A publication Critical patent/JP2014219536A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical waveguide that can easily measure the deviation between a core pattern and an upper clad layer of the optical waveguide or the thickness of the core pattern and upper clad layer.SOLUTION: An optical waveguide 10 includes a lower clad layer 20, a core pattern 30 provided on the lower clad layer 20, and an upper clad layer 40, where the upper clad layer 40 further includes a core pattern marker 35 that is partially overlapped on an upper clad pattern 41 formed into a pattern and provided to partially protrude from the upper clad pattern 41.

Description

本発明は、光導波路及び光導波路の検査方法に関する。   The present invention relates to an optical waveguide and a method for inspecting an optical waveguide.

情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インタコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、電気配線板に光伝送路を複合した光電気複合基板の開発がなされている。光伝送路としては、光ファイバに比べ、配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いることが望ましく、中でも、加工性や経済性に優れたポリマー材料を用いた光導波路が有望である。   With the increase in information capacity, development of an optical interconnection technology that uses optical signals not only for communication fields such as trunk lines and access systems but also for information processing in routers and servers is underway. Specifically, in order to use light for short-distance signal transmission between boards in a router or a server device or in a board, an opto-electric composite board in which an optical transmission path is combined with an electric wiring board has been developed. As an optical transmission line, it is desirable to use an optical waveguide that has a higher degree of freedom of wiring and can be densified than an optical fiber, and in particular, an optical waveguide that uses a polymer material with excellent workability and economy. Is promising.

この光導波路には、特許文献1に記載のように、下部クラッド層上にコアパターンを形成し、該コアパターンを上部クラッド層で覆い、該上部クラッド層をパターン化したものがある。
特許文献1に記載の光導波路のように、コア層と上部クラッド層とをパターン化する場合、一般的に、コア層と上部クラッド層は別工程でパターン化される。そのため、光信号の伝送の不具合や光導波路実装の不具合が発生するかどうかを確認するために、それらの層の位置合わせずれ量を把握する必要がある。
また光導波路が、コネクタや各種筐体に嵌合される場合、コアパターンと受発光素子又は別体の光伝送路(例えば光ファイバなど)との間で光信号の授受を行う場合、光導波路を構成する各層の厚みを把握することも重要である。
As described in Patent Document 1, there is a type of optical waveguide in which a core pattern is formed on a lower cladding layer, the core pattern is covered with an upper cladding layer, and the upper cladding layer is patterned.
When the core layer and the upper clad layer are patterned as in the optical waveguide described in Patent Document 1, generally, the core layer and the upper clad layer are patterned in separate steps. For this reason, in order to confirm whether or not a failure in transmitting an optical signal or a failure in mounting an optical waveguide occurs, it is necessary to grasp the misalignment amounts of those layers.
When the optical waveguide is fitted to a connector or various housings, the optical waveguide is used to transmit and receive an optical signal between the core pattern and the light emitting / receiving element or a separate optical transmission path (for example, an optical fiber). It is also important to grasp the thickness of each layer that constitutes.

特開2012−155035号公報JP 2012-155035 A

しかし、特許文献1に記載の光導波路は、コアパターン及び上部クラッド層がともに、透過性の高い樹脂であり、かつ屈折率差も小さいため、別部材として視認することが困難で、それらの位置ずれを測定することが難しかった。また、光導波路の各層の厚みを測定するためには、基板を切断し、切断面にあらわになった各層の厚みを測定していたが、切断面を観察する必要があり作業が煩雑であった。
本発明は、これら課題を解決するためなされたもので、コアパターンの上部クラッド層に対する位置ずれ、コアパターンや上部クラッド層の厚みを容易に測定可能な光導波路、及びそれらの測定方法を提供することを目的とする。
However, in the optical waveguide described in Patent Document 1, since both the core pattern and the upper cladding layer are highly transmissive resins and the refractive index difference is small, it is difficult to visually recognize them as separate members. It was difficult to measure the deviation. In addition, in order to measure the thickness of each layer of the optical waveguide, the substrate was cut and the thickness of each layer exposed on the cut surface was measured. However, it was necessary to observe the cut surface, and the work was complicated. It was.
The present invention has been made to solve these problems, and provides an optical waveguide capable of easily measuring the misalignment of the core pattern with respect to the upper clad layer, the thickness of the core pattern and the upper clad layer, and a measuring method thereof. For the purpose.

本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、コアパターンマーカと、該コアパターンマーカ上に、上部クラッド層がパターン化されてなるクラッドパターンとを設け、さらにコアパターンマーカの一部をクラッドパターンより張り出すようにすることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
(1)下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられたコアパターン及び上部クラッド層とを備える光導波路であって、
前記上部クラッド層がパターン化されてなる上部クラッドパターンに、一部が埋設され、一部が前記上部クラッドパターンから張り出すように設けられたコアパターンマーカを更に備える光導波路。
(2)前記コアパターンマーカの前記上部クラッドパターンから張り出した張出部が、所定の方向に沿って見ると対向するように配置される上記(1)に記載の光導波路。
(3)前記張出部が、前記所定の方向とは異なる方向に沿って見ても対向するように配置される上記(2)に記載の光導波路。
(4)前記上部クラッドパターンが、前記コアパターンを埋設する上部クラッドパターンとは分離して設けられる上部クラッドパターンマーカを備え、
前記コアパターンマーカは、一部が前記上部クラッドパターンマーカに埋設され、一部が前記上部クラッドパターンマーカから張り出すように設けられる上記(1)〜(3)のいずれかに記載の光導波路。
(5)前記コアパターンマーカが、リング状又は枠状に形成され、その内部に前記上部クラッドパターンマーカが充填されている上記(4)に記載の光導波路。
(6)前記コアパターンマーカの輪郭が、前記上部クラッドパターンの輪郭と相似である上記(1)〜(5)のいずれかに記載の光導波路。
(7)厚さ方向に見ると、少なくとも一部が前記コアパターンマーカの外周側に配置される、下部クラッドパターンマーカ及び電気配線マーカの少なくともいずれかが設けられ、前記下部クラッドパターンマーカは、前記下部クラッド層がパターン化してなるものである、上記(1)〜(6)のいずれかに記載の光導波路。
(8)前記上部クラッドパターンから張り出す前記コアパターンマーカの張出部と、前記上部クラッドパターンとの境界にある段差を跨るように、前記張出部及び前記上部クラッドパターンに連続した傾斜面が形成された上記(1)〜(7)のいずれかに記載の光導波路。
(9)前記張出部に設けられた傾斜面と、前記コアパターンマーカに設けられた傾斜面とが、同一平面上にある上記(8)に記載の光導波路。
(10)前記傾斜面が切削加工により形成される上記(8)又は(9)のいずれかに記載の光導波路。
(11)前記コアパターンに傾斜面からなる光路変換ミラーが設けられ、前記コアパターンの傾斜面は、前記張出部に設けられた傾斜面及び前記コアパターンマーカに設けられた傾斜面と同一平面上にある上記(8)〜(10)のいずれかに記載の光導波路。
(12)前記コアパターン及び前記コアパターンマーカがフォトリソグラフィー加工によって形成されてなる上記(1)〜(11)のいずれかに記載の光導波路。
(13)上記(1)〜(12)に記載の光導波路の検査方法であって、
前記コアパターンマーカと前記上部クラッドパターンの互いの位置ずれ量を測定して、その測定値を前記コアパターンと前記上部クラッド層との位置ずれ量とする光導波路の検査方法。
(14)上記(8)〜(11)に記載の光導波路の検査方法であって、
前記光導波路を厚さ方向に観察して、前記張出部の傾斜面の長さを測定し、その長さから前記コアパターンの厚みを測定する光導波路の検査方法。
(15)落射照明及び/又は透過照明を用いて前記光導波路を観察する上記(13)又は(14)に記載の光導波路の検査方法。
を提供するものである。
As a result of intensive studies, the present inventors have provided a core pattern marker and a clad pattern formed by patterning the upper clad layer on the core pattern marker, and a part of the core pattern marker is formed as a clad pattern. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by overhanging, and the present invention has been completed.
That is, the present invention
(1) An optical waveguide comprising a lower cladding layer, and a core pattern and an upper cladding layer provided on the lower cladding layer,
An optical waveguide further comprising a core pattern marker that is partly embedded in an upper clad pattern obtained by patterning the upper clad layer and that part of the upper clad layer extends from the upper clad pattern.
(2) The optical waveguide according to (1), wherein an overhanging portion that protrudes from the upper clad pattern of the core pattern marker is disposed so as to face when viewed along a predetermined direction.
(3) The optical waveguide according to (2), wherein the projecting portions are arranged so as to face each other when viewed along a direction different from the predetermined direction.
(4) The upper clad pattern includes an upper clad pattern marker provided separately from the upper clad pattern in which the core pattern is embedded,
The optical waveguide according to any one of (1) to (3), wherein a part of the core pattern marker is embedded in the upper clad pattern marker, and a part of the core pattern marker is projected from the upper clad pattern marker.
(5) The optical waveguide according to (4), wherein the core pattern marker is formed in a ring shape or a frame shape, and the upper cladding pattern marker is filled therein.
(6) The optical waveguide according to any one of (1) to (5), wherein an outline of the core pattern marker is similar to an outline of the upper cladding pattern.
(7) When viewed in the thickness direction, at least one of a lower cladding pattern marker and an electrical wiring marker, at least a part of which is disposed on the outer peripheral side of the core pattern marker, is provided, The optical waveguide according to any one of (1) to (6) above, wherein the lower cladding layer is patterned.
(8) An inclined surface that is continuous with the protruding portion and the upper cladding pattern so as to straddle a step at the boundary between the protruding portion of the core pattern marker protruding from the upper cladding pattern and the upper cladding pattern. The optical waveguide according to any one of the above (1) to (7).
(9) The optical waveguide according to (8), wherein the inclined surface provided in the projecting portion and the inclined surface provided in the core pattern marker are on the same plane.
(10) The optical waveguide according to any one of (8) and (9), wherein the inclined surface is formed by cutting.
(11) An optical path conversion mirror having an inclined surface is provided on the core pattern, and the inclined surface of the core pattern is flush with the inclined surface provided on the projecting portion and the inclined surface provided on the core pattern marker. The optical waveguide according to any one of (8) to (10) above.
(12) The optical waveguide according to any one of (1) to (11), wherein the core pattern and the core pattern marker are formed by photolithography.
(13) The optical waveguide inspection method according to (1) to (12) above,
A method for inspecting an optical waveguide, wherein the misalignment between the core pattern marker and the upper cladding pattern is measured, and the measured value is used as the misalignment between the core pattern and the upper cladding layer.
(14) The optical waveguide inspection method according to (8) to (11) above,
A method for inspecting an optical waveguide, comprising: observing the optical waveguide in a thickness direction; measuring a length of an inclined surface of the projecting portion; and measuring a thickness of the core pattern from the length.
(15) The method for inspecting an optical waveguide according to (13) or (14), wherein the optical waveguide is observed using epi-illumination and / or transmitted illumination.
Is to provide.

本発明によれば、光導波路においてコアパターンの上部クラッド層に対する位置ずれ、又はコアパターンの厚みを容易に測定できる。   According to the present invention, it is possible to easily measure the misalignment of the core pattern with respect to the upper cladding layer or the thickness of the core pattern in the optical waveguide.

本発明の第1の実施形態に係る光導波路を示す光軸垂直方向の断面図である。It is sectional drawing of the optical axis perpendicular direction which shows the optical waveguide which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る光導波路を示す平面図である。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態において、ずれ量ΔXを検出する方法を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a method for detecting a deviation amount ΔX in the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係る光導波路を示す光軸垂直方向の断面図である。It is sectional drawing of the optical axis perpendicular direction which shows the optical waveguide which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る光導波路を示す平面図である。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る光導波路を示す平面図である。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る光導波路を示す平面図である。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る光導波路を示す光軸垂直方向の断面図である。It is sectional drawing of the optical axis perpendicular direction which shows the optical waveguide which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る光導波路を示す平面図である。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態に係る光導波路を示す光軸垂直方向の断面図であって、切り欠き溝が形成される前の光導波路を示す。It is sectional drawing of the optical axis perpendicular direction which shows the optical waveguide which concerns on the 6th Embodiment of this invention, Comprising: The optical waveguide before a notch groove is formed is shown. 本発明の第6の実施形態に係る光導波路を示す平面図であって、切り欠き溝が形成される前の光導波路を示す。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 6th Embodiment of this invention, Comprising: The optical waveguide before a notch groove is formed is shown. 本発明の第6の実施形態に係る光導波路を示す光軸平行方向の断面図である。It is sectional drawing of the optical axis parallel direction which shows the optical waveguide which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態に係る光導波路を示す平面図であって、切り欠き溝が形成された後の光導波路を示す。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 6th Embodiment of this invention, Comprising: The optical waveguide after a notch groove is formed is shown. 本発明の第6の実施形態に係る光導波路を検査するときの見え方の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the appearance when inspecting the optical waveguide which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7の実施形態に係る光導波路を示す平面図であって、切り欠き溝が形成される前の光導波路を示す。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 7th Embodiment of this invention, Comprising: The optical waveguide before a notch groove is formed is shown. 本発明の第7の実施形態に係る光導波路を示す平面図であって、切り欠き溝が形成された後の光導波路を示す。It is a top view which shows the optical waveguide which concerns on the 7th Embodiment of this invention, Comprising: The optical waveguide after a notch groove is formed is shown. 本発明の第7の実施形態に係る光導波路を検査するときの見え方の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of an appearance when inspecting the optical waveguide which concerns on the 7th Embodiment of this invention.

以下、本発明について実施形態を参照しつつ説明する。
(第1の実施形態)
図1、2は、本発明の第1の実施形態の係る光導波路を説明するための図である。
図1、2に示すように、第1の実施形態に係る光導波路10は、基板11と、基板11の上に形成された下部クラッド層20と、下部クラッド層20の上に形成されたコアパターン30と、コアパターン30を埋設するように、下部クラッド層20の上に形成される上部クラッド層40とを備える。
また、光導波路10は、コアパターンマーカ35を備え、このコアパターンマーカ35と、上部クラッド層40がパターン化されて形成された上部クラッドパターンマーカ45とによって測定用マーカ50が構成される。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments.
(First embodiment)
1 and 2 are views for explaining an optical waveguide according to a first embodiment of the present invention.
As shown in FIGS. 1 and 2, the optical waveguide 10 according to the first embodiment includes a substrate 11, a lower cladding layer 20 formed on the substrate 11, and a core formed on the lower cladding layer 20. The pattern 30 and the upper cladding layer 40 formed on the lower cladding layer 20 are provided so as to embed the core pattern 30.
Further, the optical waveguide 10 includes a core pattern marker 35, and a measurement marker 50 is configured by the core pattern marker 35 and an upper clad pattern marker 45 formed by patterning the upper clad layer 40.

コアパターン30は、図1、2に示すように、例えばY方向に沿って延在する細長の部材であって、複数設けられるが、1つであってもよい。各コアパターン30は、内部に光信号が伝送されて使用されるものである。
上部クラッド層40は、パターン化されて上部クラッドパターン41となるものであり、上部クラッドパターン41は、コアパターン30を内部に埋設するように基板11の中央に設けられたコア埋設用上部クラッドパターン42と、コア埋設用上部クラッドパターンとは分離して設けられた上部クラッドパターンマーカ45とからなる。
本実施形態では、下部クラッド層20が基板11の全面に設けられ、各測定用マーカ50は、その下部クラッド層20上に設けられる。
なお、本実施形態では、下部クラッド層20は、パターン化されず、基板1の全面に設けられる構成を示すが、必要に応じてパターン化されていてもよい。パターン化される場合には、測定マーカ50は、下部クラッド層20上に積層される必要はなく、例えば、一部又は全部が、基板11上に直接形成されてもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, the core pattern 30 is an elongated member extending along the Y direction, for example, and a plurality of core patterns 30 are provided, but one core pattern 30 may be provided. Each core pattern 30 is used by transmitting an optical signal therein.
The upper clad layer 40 is patterned to form an upper clad pattern 41. The upper clad pattern 41 is an upper clad pattern for core embedding provided at the center of the substrate 11 so as to embed the core pattern 30 therein. 42 and an upper clad pattern marker 45 provided separately from the core clad upper clad pattern.
In the present embodiment, the lower cladding layer 20 is provided on the entire surface of the substrate 11, and each measurement marker 50 is provided on the lower cladding layer 20.
In the present embodiment, the lower clad layer 20 is not patterned but is provided on the entire surface of the substrate 1. However, the lower clad layer 20 may be patterned as necessary. In the case of patterning, the measurement marker 50 does not need to be stacked on the lower cladding layer 20, and for example, a part or all of the measurement marker 50 may be directly formed on the substrate 11.

以下、第1の実施形態における各部材についてさらに詳細に説明する。
[基板]
光導波路10は、基板11を有することによって、光導波路に強靱性を付与する効果や、光導波路にダイシングソー等を用いて傾斜面を形成する場合に、光導波路の破断を抑制する効果や、下部クラッド層をパターン化がする際の土台にできる効果がある。
上記の観点から、本発明の光導波路に用い得る基板11の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。
光導波路に柔軟性を付与したい場合には、基板11として柔軟性及び強靭性のある基板1を用いると良く、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。
基板11の厚さは、特に限定はないが、5μm以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすいという利点があり、200μm以下であると低背な光導波路を得られる利点がある。以上の観点から、基板1の厚さは10〜100μmの範囲であることがより好ましい。
光導波路の各層の位置合わせずれ量や、各層の厚みを測定する際に、基板11側から透過光を照射する場合には透過光波長に対して透明な基板1であるとよい。
Hereinafter, each member in the first embodiment will be described in more detail.
[substrate]
The optical waveguide 10 has the substrate 11 to provide the optical waveguide with toughness, and when the optical waveguide is formed with an inclined surface using a dicing saw or the like, the optical waveguide 10 can be prevented from breaking. There is an effect that the lower clad layer can be used as a foundation for patterning.
From the above viewpoint, the material of the substrate 11 that can be used in the optical waveguide of the present invention is not particularly limited, and includes, for example, a glass epoxy resin substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, a metal substrate, and a resin layer. Examples include a substrate, a substrate with a metal layer, a plastic film, a plastic film with a resin layer, a plastic film with a metal layer, and an electric wiring board.
When it is desired to impart flexibility to the optical waveguide, the substrate 1 having flexibility and toughness may be used as the substrate 11, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, and polyamide. Preferable examples include polycarbonate, polyphenylene ether, polyether sulfide, polyarylate, liquid crystal polymer, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone, polyetherimide, polyamideimide, and polyimide.
The thickness of the substrate 11 is not particularly limited, but if it is 5 μm or more, there is an advantage that the strength as a carrier film is easily obtained, and if it is 200 μm or less, there is an advantage that a low-profile optical waveguide can be obtained. From the above viewpoint, the thickness of the substrate 1 is more preferably in the range of 10 to 100 μm.
When measuring the amount of misalignment of each layer of the optical waveguide and the thickness of each layer, when irradiating transmitted light from the substrate 11 side, the substrate 1 is preferably transparent to the transmitted light wavelength.

[下部クラッド層及び上部クラッド層]
下部クラッド層20及び上部クラッド層40は、クラッド層形成用樹脂から形成される。クラッド層形成用樹脂としては、コアパターン30よりも低屈折率で、光及び/又は熱により硬化する樹脂であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂や感光性樹脂を好適に使用することができる。クラッド層形成用樹脂は、下部クラッド層20及び上部クラッド層40それぞれを構成する樹脂は、同一成分であっても異なる成分からなっていてもよく、該樹脂の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。
下部クラッド層20及び上部クラッド層40をパターン化する方法に特に限定はないが、フォトリソグラフィー加工によって形成するとよく、この場合のクラッド層形成用樹脂は感光性樹脂組成物であるとよい。
[Lower cladding layer and upper cladding layer]
The lower clad layer 20 and the upper clad layer 40 are formed from a clad layer forming resin. The resin for forming the cladding layer is not particularly limited as long as it is a resin that has a lower refractive index than the core pattern 30 and is cured by light and / or heat, and a thermosetting resin or a photosensitive resin is preferably used. it can. In the resin for forming the clad layer, the resin constituting each of the lower clad layer 20 and the upper clad layer 40 may be composed of the same component or different components, and the resins having the same refractive index are different. It may be.
The method for patterning the lower clad layer 20 and the upper clad layer 40 is not particularly limited, but may be formed by photolithography, and the clad layer forming resin in this case may be a photosensitive resin composition.

クラッド層形成用樹脂層を積層する方法としては特に限定はなく、例えば、クラッド層形成用樹脂を溶媒に溶解して塗布するなどして積層してもよく、事前に用意したクラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートしてもよい。塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂を常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂を溶媒に溶解して、キャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。   The method for laminating the clad layer forming resin layer is not particularly limited. For example, the clad layer forming resin may be laminated by dissolving the clad layer forming resin in a solvent. A film may be laminated. In the case of application, the method is not limited, and the clad layer forming resin may be applied by a conventional method. The clad layer forming resin film used for laminating can be easily manufactured by, for example, dissolving the clad layer forming resin in a solvent, applying the resin on the carrier film, and removing the solvent.

下部クラッド層20及び上部クラッド層40の厚さに関しては、特に限定されるものではないが、パターン形成後の厚さで、5〜500μmの範囲であることが好ましい。パターン形成後の厚さが5μm以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、500μm以下であると、低背な光導波路を得ることができる。以上の観点から、下部クラッド層20及び下部クラッド層40の厚さは、10〜100μmの範囲であることがより好ましい。下部クラッド層20及び上部クラッド層40を形成するための下部クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さに関しては、上述の厚さのパターンが形成出来れば特に限定するものではないが、均一な膜厚の樹脂フィルムを得やすいという観点から、樹脂フィルムの厚みは、500μm以下であると良い。   The thicknesses of the lower cladding layer 20 and the upper cladding layer 40 are not particularly limited, but the thickness after pattern formation is preferably in the range of 5 to 500 μm. When the thickness after pattern formation is 5 μm or more, the cladding thickness necessary for light confinement can be secured, and when it is 500 μm or less, a low-profile optical waveguide can be obtained. From the above viewpoint, the thickness of the lower cladding layer 20 and the lower cladding layer 40 is more preferably in the range of 10 to 100 μm. The thickness of the lower clad layer forming resin film and the upper clad layer forming resin film for forming the lower clad layer 20 and the upper clad layer 40 is not particularly limited as long as the above-described thickness pattern can be formed. However, the thickness of the resin film is preferably 500 μm or less from the viewpoint of easily obtaining a resin film having a uniform film thickness.

[コアパターン]
コアパターン30としては、例えば、コア層形成用樹脂層を積層し、露光現像することで形成することができる。コア層形成用樹脂は、下部クラッド層20及び上部クラッド層40より高屈折率であり、活性光線によりパターン化し得るものを用いることが好ましい。パターン化する前のコア層形成用樹脂層の形成方法は限定されず、例えば、コア層形成用樹脂を溶媒に溶解して塗布するなどして積層してもよく、事前に用意したコア層形成用樹脂フィルムをラミネートしてもよい。
[Core pattern]
The core pattern 30 can be formed, for example, by laminating a resin layer for forming a core layer and exposing and developing it. The core layer forming resin preferably has a refractive index higher than that of the lower cladding layer 20 and the upper cladding layer 40 and can be patterned by actinic rays. The method for forming the core layer forming resin layer before patterning is not limited. For example, the core layer forming resin may be laminated by dissolving the resin for forming the core layer in a solvent. A resin film may be laminated.

コアパターン30の厚さについては特に限定されないが、形成後のコアパターン30の厚さが、10μm以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、100μm以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。以上の観点から、コアパターン30の厚さは、さらに30〜90μmの範囲であることが好ましく、該厚みを得るために適宜コア層形成用樹脂フィルムの厚さを調整すれば良が、均一な膜厚の樹脂フィルムを得やすいという観点から、樹脂フィルムの厚みは、500μm以下であると良い。
コア層形成用樹脂としては、用いる光信号に対して透明であり、活性光線によりパターンを形成し得るものを用いることが好ましい。
The thickness of the core pattern 30 is not particularly limited. However, if the thickness of the core pattern 30 after the formation is 10 μm or more, the alignment tolerance is increased in coupling with the light emitting / receiving element or the optical fiber after the optical waveguide is formed. If it is 100 μm or less, there is an advantage that the coupling efficiency is improved in coupling with the light emitting / receiving element or the optical fiber after the optical waveguide is formed. From the above viewpoint, the thickness of the core pattern 30 is preferably in the range of 30 to 90 μm, and if the thickness of the resin film for forming the core layer is appropriately adjusted in order to obtain the thickness, the thickness is uniform. From the viewpoint of easily obtaining a resin film having a film thickness, the thickness of the resin film is preferably 500 μm or less.
As the core layer forming resin, it is preferable to use a resin that is transparent to an optical signal to be used and can form a pattern with actinic rays.

[測定用マーカ]
測定用マーカ50は、本実施形態では、下部クラッド層20の上に積層されたコアパターンマーカ35と、上部クラッド層40がパターン化されて形成された上部クラッドパターンマーカ45からなる。コアパターンマーカ35は、一部が上部クラッドパターンマーカ45内に埋設され、一部が上部クラッドパターンマーカ45から張り出すように設けられ、張出部36を形成する。
測定用マーカ50は、光導波路10を検査する際に使用されるもので、光信号を伝送する部材としては使用されない。
[Measurement marker]
In this embodiment, the measurement marker 50 includes a core pattern marker 35 stacked on the lower cladding layer 20 and an upper cladding pattern marker 45 formed by patterning the upper cladding layer 40. The core pattern marker 35 is partly embedded in the upper clad pattern marker 45 and partly provided so as to protrude from the upper clad pattern marker 45, thereby forming an overhang portion 36.
The measurement marker 50 is used when the optical waveguide 10 is inspected, and is not used as a member that transmits an optical signal.

[コアパターンマーカの製造方法]
コアパターンマーカ35は、光信号伝送用に用いるコアパターン30とフォトリソグラフィー加工を用いて同一工程で形成する。具体的には、コアパターンマーカ35は、コアパターン層形成用樹脂を下部クラッド層20上に形成し、露光してパターン化する際に、同一フォトマスクで露光し、その後、エッチング等によってコアパターン30とともにパターン化されて形成される。
これにより、コアパターンマーカ35に対するコアパターン30の相対位置は、設計通りに保たれる。そのため、コアパターンマーカ35の他の部材に対するずれ量は、コアパターン30の他の部材に対する位置合わせずれ量と同じになる。
また、コアパターンマーカ35は、以上の製造方法からも明らかなように、コアパターンと同じ材料(コア層形成用樹脂)で形成されることが好ましく、かつ同じ厚さを有するものである。
[Manufacturing method of core pattern marker]
The core pattern marker 35 is formed in the same process using photolithography processing as the core pattern 30 used for optical signal transmission. Specifically, the core pattern marker 35 is formed by forming a core pattern layer forming resin on the lower clad layer 20 and exposing it to patterning by exposing with the same photomask. 30 and patterned.
Thereby, the relative position of the core pattern 30 with respect to the core pattern marker 35 is maintained as designed. Therefore, the shift amount of the core pattern marker 35 with respect to the other members is the same as the misalignment amount of the core pattern 30 with respect to the other members.
Further, as is apparent from the above manufacturing method, the core pattern marker 35 is preferably formed of the same material (core layer forming resin) as the core pattern and has the same thickness.

[上部クラッドパターンマーカの製造方法]
上部クラッドパターンマーカ45は、コア埋設用上部クラッドパターン42とフォトリソグラフィー加工を用いて同一工程で形成する。
具体的には、上部クラッドパターンマーカ45は、クラッド層形成用樹脂をコアパターン上に形成し、露光してパターン化する際に、同一フォトマスクで露光し、その後、エッチング等によってコア埋設用上部クラッドパターン42ともにパターン化されて形成される。これにより、コア埋設用上部クラッドパターン42と上部クラッドパターンマーカ45の位置の相関が保たれてパターン形成される。そのため、上部クラッドパターンマーカ45の他の部材に対するずれ量は、コア埋設用上部クラッドパターン42の他の部材に対するずれ量と同じになる。
なお、上部クラッドパターンマーカ45は、以上の製造方法からも明らかなように、コア埋設用上部クラッドパターン41と同じ材料で形成されることが好ましく、かつ同じ厚さを有するものである。
[Method for manufacturing upper clad pattern marker]
The upper clad pattern marker 45 is formed in the same process as the core buried upper clad pattern 42 using photolithography.
Specifically, the upper clad pattern marker 45 is formed by forming a resin for forming the clad layer on the core pattern, exposing it with the same photomask when patterning by exposure, and thereafter etching the upper part for core embedding by etching or the like. The clad pattern 42 is patterned and formed. As a result, the pattern is formed while maintaining the correlation between the positions of the core cladding upper cladding pattern 42 and the upper cladding pattern marker 45. Therefore, the shift amount of the upper clad pattern marker 45 with respect to other members is the same as the shift amount of the core-embedded upper clad pattern 42 with respect to other members.
As is apparent from the above manufacturing method, the upper clad pattern marker 45 is preferably formed of the same material as the core burying upper clad pattern 41 and has the same thickness.

[測定用マーカの具体的構造]
次に、測定用マーカについてさらに具体的に説明する。
本実施形態の測定用マーカ50は、円環状のコアパターンマーカ35と、その円環内部を充填し、かつ一部がコアパターンマーカ35の内周部分上に配置されるように積層された上部クラッドパターンマーカ45からなる。そして、上部クラッドパターンマーカ45が積層されないコアパターンマーカ35の外周部分が外部に露出する張出部36となり、張出部36は円環形状をなす。
[Specific structure of measurement marker]
Next, the measurement marker will be described more specifically.
The measurement marker 50 of the present embodiment includes an annular core pattern marker 35 and an upper portion that is stacked so as to fill the inside of the annular ring and a part thereof is disposed on the inner peripheral portion of the core pattern marker 35. The clad pattern marker 45 is included. And the outer peripheral part of the core pattern marker 35 on which the upper clad pattern marker 45 is not laminated becomes an overhanging portion 36 exposed to the outside, and the overhanging portion 36 has an annular shape.

張出部36は、外部に露出し、かつその外周輪郭36Aが、屈折率が異なる下部クラッド層20との境界をなすため、張出部36の外周輪郭36Aは容易に視認可能となる。さらに、張出部36の内周輪郭36Bは、上部クラッドパターンマーカ45との境界線を成す。この境界線は、コアパターンマーカ35と上部クラッドパターンマーカ45がいずれも外部に露出され、かつ互いに屈折率差が異なるため、容易に視認可能となる。   The overhang portion 36 is exposed to the outside, and the outer peripheral contour 36A forms a boundary with the lower clad layer 20 having a different refractive index. Therefore, the outer peripheral contour 36A of the overhang portion 36 is easily visible. Furthermore, the inner peripheral contour 36 </ b> B of the overhang portion 36 forms a boundary line with the upper clad pattern marker 45. The boundary line is easily visible because both the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45 are exposed to the outside and the refractive index difference is different from each other.

ここで張出部36は、所定の方向(例えば、X方向)に沿って見ると、他の部材(上部クラッドパターンマーカ45)を挟んで、互いに対向するように配置される。また、張出部36は、所定の方向と異なる方向(例えば、Y方向)に沿って見ても、他の部材を挟んで互いに対向するように配置される。本実施形態では、このような張出部36の構成により、後述する検査方向によって、2方向(例えば、X、Y方向)のコアパターンの位置ずれ量が容易に検出できる。なお、本明細書において、Y方向は例えばコアパターンと平行方向、X方向はY方向に垂直な方向である。また、Z方向は、基板11の厚さ方向であって、X方向、Y方向のいずれにも垂直な方向である。   Here, the overhang portions 36 are disposed so as to face each other across another member (upper clad pattern marker 45) when viewed along a predetermined direction (for example, the X direction). Further, the overhanging portion 36 is disposed so as to face each other with another member interposed therebetween even when viewed along a direction (for example, the Y direction) different from the predetermined direction. In the present embodiment, with such a configuration of the overhanging portion 36, the amount of misalignment of the core pattern in two directions (for example, the X and Y directions) can be easily detected according to the inspection direction described later. In this specification, the Y direction is a direction parallel to the core pattern, for example, and the X direction is a direction perpendicular to the Y direction. The Z direction is the thickness direction of the substrate 11 and is a direction perpendicular to both the X direction and the Y direction.

[光導波路の検査方法]
次に、図3を用いて光導波路の検査方法を説明する。光導波路を検査する際には、まず、光導波路10に厚さ方向(Z方向)に沿って光を照射する。光導波路10に光を照射すると、張出部36の外周輪郭36A、内周輪郭36Bは容易に視認又は検知される。
次に、外周輪郭36AのX方向に沿う中心点C1と、内周輪郭36BのX方向に沿う中心点C2とを検出し、X方向に沿う中心点C2に対する中心点C1の相対ずれ量△Xを検
出する。なお、本実施形態において中心点C1、C2は、外周輪郭36A、内周輪郭36Bのうち最も距離が長い部分(すなわち、X方向に平行な外周輪郭36A、内周輪郭36Bの径)の中心位置である。
ここで、張出部36の外周輪郭36Aは、コアパターンマーカ35の外周を示すものであり、コアパターンマーカ35の輪郭と認識される一方、内周輪郭36Bは、上部クラッドマーカ45の外周を示すものであり、上部クラッドパターンマーカ45の輪郭と認識される。また、中心点C1、C2の設計位置は、通常、同位置に設計されるので、これら中心点C1,C2のX方向に沿うずれ量△Xが、コアパターンマーカ35の上部クラッドパ
ターンマーカ45に対する相対的な位置ずれ量として検出される。
コアパターンマーカ35及び上部クラッドパターンマーカ45それぞれは、コアパターン30、コア埋設用上部クラッドパターン42それぞれと同時に成形されたものであり、コアパターン30及びコア埋設用上部クラッドパターン42と同様の位置ずれをするものである。そのため、ずれ量△Xは、X方向に沿うコアパターン30の上部クラッドパター
ン41に対する位置ずれ量とすることができる。
同様に、Y方向に沿う、コアパターンマーカ35の上部クラッドパターンマーカ45に対する相対的な位置ずれ量△Yも検出可能で、そのずれ量△YをY方向に沿うコアパター
ン30の上部クラッドパターン41に対する位置ずれ量とすることができる。このように、本実施形態では、簡単な方法で、コアパターン30の上部クラッドパターン41に対する位置ずれ量を検出することができる。
[Inspection method of optical waveguide]
Next, a method for inspecting an optical waveguide will be described with reference to FIG. When inspecting the optical waveguide, first, the optical waveguide 10 is irradiated with light along the thickness direction (Z direction). When light is irradiated onto the optical waveguide 10, the outer peripheral contour 36A and the inner peripheral contour 36B of the overhang portion 36 are easily visually recognized or detected.
Next, a center point C1 along the X direction of the outer peripheral contour 36A and a center point C2 along the X direction of the inner peripheral contour 36B are detected, and a relative deviation amount ΔX of the center point C1 with respect to the center point C2 along the X direction is detected. Is detected. In the present embodiment, the center points C1 and C2 are the center positions of the longest distances among the outer peripheral contour 36A and the inner peripheral contour 36B (that is, the diameter of the outer peripheral contour 36A and the inner peripheral contour 36B parallel to the X direction). It is.
Here, the outer peripheral contour 36 </ b> A of the overhang portion 36 indicates the outer periphery of the core pattern marker 35 and is recognized as the contour of the core pattern marker 35, while the inner peripheral contour 36 </ b> B is the outer periphery of the upper clad marker 45. It is shown and recognized as the contour of the upper clad pattern marker 45. In addition, since the design positions of the center points C1 and C2 are normally designed at the same position, the shift amount ΔX along the X direction of the center points C1 and C2 is relative to the upper clad pattern marker 45 of the core pattern marker 35. It is detected as a relative displacement amount.
Each of the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45 is formed at the same time as each of the core pattern 30 and the core buried upper clad pattern 42, and has the same positional shift as the core pattern 30 and the core buried upper clad pattern 42. It is something to do. Therefore, the deviation amount ΔX can be a positional deviation amount with respect to the upper cladding pattern 41 of the core pattern 30 along the X direction.
Similarly, the relative displacement ΔY of the core pattern marker 35 relative to the upper cladding pattern marker 45 along the Y direction can also be detected, and the displacement ΔY is detected as the upper cladding pattern 41 of the core pattern 30 along the Y direction. The amount of misalignment with respect to. As described above, in this embodiment, it is possible to detect the amount of displacement of the core pattern 30 with respect to the upper cladding pattern 41 by a simple method.

本実施形態では、現像プロセスにおいて、誤差が生じてコアパターンマーカ35もしくは上部クラッドパターン45のいずれかが設計値と異なるサイズで形成されることがある。しかし、本実施形態では、上記のようにそれぞれのパターン(輪郭)の2箇所の中心点と設計値の中心点を比較することによって、位置合わせずれ量を測定している。そのため、各マーカ35、45が、誤差により異なるサイズで形成されても、ずれ量測定の誤差を少なくすることができる。また、2方向(X、Y方向)の位置合わせずれ量を測定できるため、位置合わせずれ量をより正確に検知できる。
なお、上記の光導波路の構成によれば、3方向以上でずれ量を検出できるが、平面上におけるずれ量は2軸のずれ量を測定することで把握可能であるので、2方向のずれ量を検出すればよい。また、位置合わせずれ量を測定する方向は、X、Y方向に限らず、どの方向でもよいが、本実施形態のように直交する2方向の位置ずれ量を検出することが好ましい。
In the present embodiment, an error may occur in the development process, and either the core pattern marker 35 or the upper clad pattern 45 may be formed with a size different from the design value. However, in the present embodiment, the misalignment amount is measured by comparing the two central points of each pattern (contour) with the central point of the design value as described above. For this reason, even when the markers 35 and 45 are formed in different sizes depending on the error, the error in measuring the shift amount can be reduced. Further, since the misalignment amount in two directions (X and Y directions) can be measured, the misalignment amount can be detected more accurately.
According to the configuration of the optical waveguide described above, the amount of deviation can be detected in three or more directions. However, since the amount of deviation on a plane can be grasped by measuring the amount of deviation in two axes, the amount of deviation in two directions. May be detected. Further, the direction in which the misalignment amount is measured is not limited to the X and Y directions, but may be any direction. However, it is preferable to detect the misalignment amounts in two orthogonal directions as in the present embodiment.

また、本実施形態では、コアパターンマーカ35の内周の輪郭は、上部クラッドパターンマーカ45に埋め込まれている。これにより、内周の輪郭は不明瞭化され、誤認測定を防ぐことができる。なお、本実施形態では、上部クラッドパターンマーカ45が、コアパターンマーカ35の内部に充填される構造となっているため、余分なコアパターン35の輪郭は、上記したように上部クラッドパターンマーカ45で埋め込みやすくなる。   In the present embodiment, the contour of the inner periphery of the core pattern marker 35 is embedded in the upper cladding pattern marker 45. As a result, the contour of the inner periphery is obscured, and erroneous measurement can be prevented. In the present embodiment, since the upper clad pattern marker 45 has a structure filled in the core pattern marker 35, the outline of the extra core pattern 35 is formed by the upper clad pattern marker 45 as described above. It becomes easy to embed.

(第2の実施形態)
図4、5は、本発明の第2の実施形態における光導波路を示す。
第2の実施形態において、コアパターンマーカ35は、第1の実施形態と同様の構成を有するが、上部クラッドパターンマーカとコア埋設用上部クラッドパターンは一体に形成され、一体的な上部クラッドパターン41とされる。以下、第2の実施形態について、第1の実施形態との相違点を説明し、第1の実施形態と同様の点はその説明を省略する。
(Second Embodiment)
4 and 5 show an optical waveguide in the second embodiment of the present invention.
In the second embodiment, the core pattern marker 35 has the same configuration as that of the first embodiment, but the upper cladding pattern marker and the upper cladding pattern for burying the core are integrally formed, and the integrated upper cladding pattern 41 is formed. It is said. Hereinafter, the second embodiment will be described with respect to differences from the first embodiment, and the description of the same points as the first embodiment will be omitted.

本実施形態において、上部クラッドパターン41は、円環のコアパターンマーカ35の内部、及びコアパターンマーカ35の内周部分を除く部分に積層されている。すなわち、上部クラッドパターン41は、コアパターン30と、コアパターンマーカ35の外周部分を埋設するように積層されている。そして、上部クラッドパターン41が積層されないコアパターンマーカ35の内周部分は、外部に露出する張出部36となる。張出部36は円環形状をなす。
なお、本実施形態では、コアパターンマーカ35の外周輪郭は、上部クラッドパターン41で埋設されているため、その外周輪郭による誤認測定が低減される。
In the present embodiment, the upper clad pattern 41 is laminated on the inside of the annular core pattern marker 35 and the portion excluding the inner peripheral portion of the core pattern marker 35. That is, the upper clad pattern 41 is laminated so as to embed the outer periphery of the core pattern 30 and the core pattern marker 35. And the inner peripheral part of the core pattern marker 35 in which the upper clad pattern 41 is not laminated | stacked becomes the overhang | projection part 36 exposed outside. The overhanging portion 36 has an annular shape.
In the present embodiment, since the outer peripheral contour of the core pattern marker 35 is embedded in the upper clad pattern 41, erroneous measurement due to the outer peripheral contour is reduced.

本実施形態の張出部36の内周輪郭36B及び外周輪郭36Aは、露出された張出部36と下部クラッド層20等との境界であり、かつ、これらの屈折率が異なるため、厚さ方向に見ると、容易に視認可能となる。そして、本実施形態では、張出部36は、所定の方向(例えば、X方向)及び所定の方向とは異なる方向(例えば、Y方向)それぞれに沿って見ると、下部クラッド層を挟んで、互いに対向するように配置される。
このような張出部35の構成により、本実施形態でも、第1の実施形態と同様に2方向(X、Y方向)のコアパターン30の位置ずれ量が容易に検出できる。位置ずれ量の検出は、内周輪郭36Bが、コアパターンマーカ35の輪郭として認識されるとともに、外周輪郭36Aが、上部クラッドパターン41の輪郭として認識され、これらの中心点が求められて、ずれ量ΔX、ΔYが検出されて行われる。詳しい検出方法は、第1の実施形態と同様であるのでその説明は省略する。
The inner peripheral contour 36B and the outer peripheral contour 36A of the overhang portion 36 of the present embodiment are the boundary between the exposed overhang portion 36 and the lower clad layer 20 and the like, and the refractive indexes thereof are different. When viewed in the direction, it is easily visible. In this embodiment, the overhanging portion 36 sandwiches the lower cladding layer when viewed along a predetermined direction (for example, the X direction) and a direction different from the predetermined direction (for example, the Y direction), respectively. It arrange | positions so that it may mutually oppose.
With such a configuration of the overhanging portion 35, in this embodiment as well, the amount of misalignment of the core pattern 30 in the two directions (X and Y directions) can be easily detected as in the first embodiment. In the detection of the positional deviation amount, the inner peripheral contour 36B is recognized as the contour of the core pattern marker 35, and the outer peripheral contour 36A is recognized as the contour of the upper clad pattern 41. This is done by detecting the quantities ΔX, ΔY. Since the detailed detection method is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.

また、第1及び第2の実施形態では、コアパターンマーク35の輪郭は、上部クラッドパターンマーカ45またはクラッドパターン41の輪郭に相似しており、それにより、位置合わせずれ量の測定が容易となる。
なお、以上の第1及び第2の実施形態のように、コアパターンマーカ35を円環形状とすると、コアパターンマーク35の輪郭は、上部クラッドパターン41又は上部クラッドパターンマーカ45の輪郭に相似しやすくなる。
ただし、上記の第1及び第2の実施形態では、コアパターンマーカ35は、円環形状に限らず、楕円環等のその他のリング形状でもよいし、矩形枠等の四角枠形状、多角形枠形状等の各種枠形状でもよい。
In the first and second embodiments, the contour of the core pattern mark 35 is similar to the contour of the upper clad pattern marker 45 or the clad pattern 41, thereby facilitating measurement of the misalignment amount. .
If the core pattern marker 35 has an annular shape as in the first and second embodiments described above, the outline of the core pattern mark 35 is similar to the outline of the upper cladding pattern 41 or the upper cladding pattern marker 45. It becomes easy.
However, in the first and second embodiments described above, the core pattern marker 35 is not limited to an annular shape, and may be another ring shape such as an elliptical ring, a rectangular frame shape such as a rectangular frame, or a polygonal frame. Various frame shapes such as shapes may be used.

(第3の実施形態)
図6は、本発明の第3の実施形態における光導波路を示す。
以下、第3の実施形態について、第1の実施形態との相違点を説明し、第1の実施形態と同様の点はその説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 6 shows an optical waveguide in the third embodiment of the present invention.
Hereinafter, a difference between the third embodiment and the first embodiment will be described, and the description of the same points as the first embodiment will be omitted.

第3の実施形態において、コアパターンマーカ35は十字形状をなし、コアパターンマーカ35の上に重ねられた上部クラッドパターンマーカ45は、矩形形状をなす。なお、矩形は長方形及び正方形を含む用語として用いる。
上部クラッドパターンマーカ45は、X方向、Y方向に平行な4辺からなるとともに、十字状のコアパターンマーカ35は、中心が上部クラッドパターンマーカ45に埋設されつつ、上部クラッドパターンマーカ45の各辺から四方に張り出した形状を有し、4つの張出部36A〜36Dを形成する。張出部36A、36Cは、上部クラッドマーカ45を挟んでX方向において対向するとともに、張出部36B,36Dは上部クラッドマーカ45を挟んでY方向において対向する。本実施形態では、このような張出部36A〜36Dの構成により、第1の実施形態と同様に、2方向(X、Y方向)のコアパターンの位置ずれ量が容易に検出できる。
In the third embodiment, the core pattern marker 35 has a cross shape, and the upper clad pattern marker 45 superimposed on the core pattern marker 35 has a rectangular shape. In addition, a rectangle is used as a term including a rectangle and a square.
The upper clad pattern marker 45 is composed of four sides parallel to the X direction and the Y direction, and the cross-shaped core pattern marker 35 is embedded in the upper clad pattern marker 45 while the respective sides of the upper clad pattern marker 45 are embedded. The four projecting portions 36A to 36D are formed. The overhang portions 36A and 36C face each other in the X direction with the upper clad marker 45 interposed therebetween, and the overhang portions 36B and 36D face each other in the Y direction across the upper clad marker 45. In the present embodiment, by the configuration of the overhang portions 36A to 36D, the misalignment amount of the core pattern in the two directions (X and Y directions) can be easily detected as in the first embodiment.

すなわち、張出部36A、36Cの先端同士(すなわち、張出部の外周輪郭)のX方向に沿う中心点と、張出部36A、36Cと上部クラッドパターンマーカ45の境界線(張出部の内周輪郭)の中心点とを検出し、それにより、コアパターンマーカの上部クラッドパターンマーカに対する相対位置を検知することができる。   That is, the center point of the ends of the overhang portions 36A and 36C (that is, the outer peripheral contour of the overhang portion) along the X direction and the boundary line between the overhang portions 36A and 36C and the upper clad pattern marker 45 (the overhang portion of the overhang portion). The center point of the inner circumference contour) is detected, whereby the relative position of the core pattern marker with respect to the upper cladding pattern marker can be detected.

(第4の実施形態)
図7は、本発明の第4の実施形態における光導波路を示す。
以下、第4の実施形態について、第1の実施形態との相違点を説明し、第1の実施形態と同様の点はその説明を省略する。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 shows an optical waveguide in the fourth embodiment of the present invention.
Hereinafter, the difference between the fourth embodiment and the first embodiment will be described, and the description of the same points as in the first embodiment will be omitted.

第4の実施形態において、コアパターンマーカ35は、4つの枠辺がX方向、Y方向に平行な矩形の四角枠形状をなすとともに、上部クラッドパターンマーカ45は十字形状をなす。上部クラッドパターンマーカ45は、コアパターン35の中心からX方向、Y方向に沿って四方に延出した十字形状を有し、四方に延出した延出部45A〜45Dは、コアパターンマーカ35の各枠辺を跨ぐように配置される。
このような形状により、コアパターンマーカ35のX方向に平行な枠辺は、延出部45B、45DよりX方向に沿って両側に張り出した部分を有し、その部分が張出部36を構成する。同様に、コアパターンマーカ35のY方向に沿う枠辺は、延出部45A、45CよりX方向に沿って張り出した部分を有し、その部分が張出部36となる。
In the fourth embodiment, the core pattern marker 35 has a rectangular square frame shape in which four frame sides are parallel to the X direction and the Y direction, and the upper clad pattern marker 45 has a cross shape. The upper clad pattern marker 45 has a cross shape extending in four directions along the X direction and the Y direction from the center of the core pattern 35, and the extending portions 45 </ b> A to 45 </ b> D extending in the four directions are provided on the core pattern marker 35. It arrange | positions so that each frame side may be straddled.
With such a shape, the frame side parallel to the X direction of the core pattern marker 35 has a portion that protrudes on both sides along the X direction from the extending portions 45B and 45D, and that portion constitutes the protruding portion 36. To do. Similarly, the frame side along the Y direction of the core pattern marker 35 has a portion projecting along the X direction from the extending portions 45 </ b> A and 45 </ b> C, and this portion becomes the projecting portion 36.

そして、本実施形態では、X方向に沿って、コアパターンマーカ35(張出部36)の外周輪郭36A間の中央点と、張出部36と延出部45B(又は45D)の境界線36B、36B間の中央点とが検出される。そして、これら中央点のずれ量を算出することで、コアパターンマーカ35の上部クラッドパターンマーカ45に対するX方向におけるずれ量ΔXを求めることができる。
同様に、コアパターンマーカ35の上部クラッドパターンマーカ45に対するY方向のずれ量ΔYも求めることができ、これにより、コアパターン30の上部クラッドパターン41に対するずれ量を検出することができる。
In the present embodiment, the center point between the outer peripheral contours 36A of the core pattern marker 35 (the overhang portion 36) and the boundary line 36B between the overhang portion 36 and the extension portion 45B (or 45D) along the X direction. , 36B is detected. Then, by calculating the shift amount of these center points, the shift amount ΔX in the X direction of the core pattern marker 35 with respect to the upper clad pattern marker 45 can be obtained.
Similarly, the amount of deviation ΔY in the Y direction of the core pattern marker 35 with respect to the upper clad pattern marker 45 can also be obtained, whereby the amount of deviation of the core pattern 30 with respect to the upper clad pattern 41 can be detected.

(第5の実施形態)
図8、9は、本発明の第5の実施形態における光導波路を示す。
以下、第5の実施形態について、第1の実施形態との相違点を説明し、第1の実施形態と同様の点はその説明を省略する。
本実施形態の光導波路10は、図8に示すように、下部クラッド層20が、基板11全面に設けられず、パターン化されて形成された下部クラッドパターン21となっている。
(Fifth embodiment)
8 and 9 show an optical waveguide in the fifth embodiment of the present invention.
Hereinafter, the fifth embodiment will be described with respect to differences from the first embodiment, and the description of the same points as the first embodiment will be omitted.
In the optical waveguide 10 of the present embodiment, as shown in FIG. 8, the lower cladding layer 20 is not provided on the entire surface of the substrate 11, but is a lower cladding pattern 21 formed by patterning.

本実施形態における下部クラッドパターン21は、基板11の中央に設けられ、光伝送用のコアパターン30がその上に積層されるコア積層用下部クラッドパターン22と、コア積層用下部クラッドパターン22の両側に設けられ、測定用マーカ50を構成する下部クラッドパターンマーカ25とを備える。下部クラッドパターンマーカ25は、下部クラッドパターン21のコアパターン30、上部クラッドパターン41等に対する相対位置を検出するためのマーカである。
下部クラッドパターンマーカ25は、上部クラッドパターンマーカ45と同様に、フォトリソグラフィー加工により、コア積層用下部クラッドパターン22と同一工程で形成される。したがって、コア積層用下部クラッドパターン22と同一の材料で形成されることが好ましく、同一の厚さを有する。
The lower clad pattern 21 in the present embodiment is provided in the center of the substrate 11, and a core laminated lower clad pattern 22 on which an optical transmission core pattern 30 is laminated, and both sides of the core laminated lower clad pattern 22. And a lower clad pattern marker 25 that constitutes the measurement marker 50. The lower cladding pattern marker 25 is a marker for detecting a relative position of the lower cladding pattern 21 with respect to the core pattern 30, the upper cladding pattern 41, and the like.
Similarly to the upper clad pattern marker 45, the lower clad pattern marker 25 is formed by the same process as the core clad lower clad pattern 22 by photolithography. Therefore, it is preferably formed of the same material as the core cladding lower clad pattern 22 and has the same thickness.

下部クラッドパターンマーカ25は、厚さ方向に見たときに、コアパターンマーカ35から張り出す張出部26を有する形状となっていればよく、これにより、少なくとも一部がコアパターンマーカ35の外周側に配置される。本実施形態では、下部クラッドパターンマーカ25は、直径がコアパターンマーカ35の直径よりも大きい円形を呈し、その中心位置がコアパターンマーカ35の中心位置と一致するように設計されている。   The lower clad pattern marker 25 only needs to have a shape having a protruding portion 26 protruding from the core pattern marker 35 when viewed in the thickness direction, whereby at least a part of the outer periphery of the core pattern marker 35 is provided. Placed on the side. In the present embodiment, the lower clad pattern marker 25 is designed to have a circular shape whose diameter is larger than the diameter of the core pattern marker 35, and the center position thereof coincides with the center position of the core pattern marker 35.

[下部クラッドパターンマーカの製造方法]
下部クラッドパターンマーカ25は、コア積層用下部クラッドパターン22とフォトリソグラフィー加工を用いて同一工程で形成すると良い。例えば、クラッド層形成用樹脂を露光してパターン化する際に、同一フォトマスクで露光すると良い。その後、エッチング等によってコア積層用下部クラッドパターン22と下部クラッドパターンマーカ25をパターン化すれば、それぞれの位置の相関が保たれたパターンを形成できる。
[Production method of lower clad pattern marker]
The lower clad pattern marker 25 is preferably formed in the same process as the core laminating lower clad pattern 22 using photolithography. For example, when the clad layer forming resin is exposed and patterned, it is preferable to expose with the same photomask. After that, if the core lamination lower clad pattern 22 and the lower clad pattern marker 25 are patterned by etching or the like, a pattern in which the correlation between the positions is maintained can be formed.

本実施形態では、下部クラッドパターン25に対するコアパターン35の相対位置(ずれ量)が、下部クラッドパターンマーカ25の張出部26の外周輪郭26Aと、コアパターンマーカの張出部36の外周輪郭36Aとを検出することで測定できる。相対位置の検知方法は、上部クラッドパターンに対するコアパターンの相対位置の検知方法と同様であるので、その説明は省略する。同様に、上部クラッドパターン41に対する下部クラッドパターン21の相対位置の検知も可能である。   In the present embodiment, the relative position (shift amount) of the core pattern 35 with respect to the lower cladding pattern 25 is such that the outer peripheral contour 26A of the overhang portion 26 of the lower clad pattern marker 25 and the outer peripheral contour 36A of the overhang portion 36 of the core pattern marker. It can measure by detecting. The method for detecting the relative position is the same as the method for detecting the relative position of the core pattern with respect to the upper clad pattern, and a description thereof will be omitted. Similarly, the relative position of the lower cladding pattern 21 with respect to the upper cladding pattern 41 can be detected.

また、本実施形態では、基板11の下部クラッド層20が形成された面とは反対側に電気配線60を設ける。電気配線60により、本実施形態では光導波路10に各種の電気回路を実装できる。なお、電気配線60は、基板11の下部クラッド層20が形成された面に設けられてもよい。この場合、通常、電気配線60の上に下部クラッド層20が積層される。
電気配線60の形成方法としては、電気配線60を形成する面に金属層を形成し、さらにエッチングレジストを形成し、金属層の不要な箇所をエッチングで除去する方法(サブトラクト法)、めっきレジストを形成し、電気配線60を形成する面の必要な箇所にのみめっきにより電気配線60を形成する方法(アディティブ法)、電気配線60を形成する面に薄い金属層(シード層)を形成し、さらにめっきレジストを形成し、その後、電気めっきで必要な電気配線60を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法(セミアディティブ法)がある。電気配線60の形成方法はいずれの方法を用いても良い。
In the present embodiment, the electrical wiring 60 is provided on the opposite side of the surface of the substrate 11 where the lower cladding layer 20 is formed. In the present embodiment, various electric circuits can be mounted on the optical waveguide 10 by the electric wiring 60. The electrical wiring 60 may be provided on the surface of the substrate 11 where the lower cladding layer 20 is formed. In this case, the lower clad layer 20 is usually laminated on the electric wiring 60.
As a method for forming the electric wiring 60, a metal layer is formed on the surface on which the electric wiring 60 is formed, an etching resist is further formed, and unnecessary portions of the metal layer are removed by etching (subtract method), and a plating resist is formed. And forming a thin metal layer (seed layer) on the surface on which the electric wiring 60 is formed, a method of forming the electric wiring 60 by plating only on a necessary portion of the surface on which the electric wiring 60 is to be formed (additive method), There is a method (semi-additive method) in which a plating resist is formed, and then an electric wiring 60 necessary for electroplating is formed, and then a thin metal layer is removed by etching. Any method may be used for forming the electrical wiring 60.

(セミアディティブ法におけるシード層の形成)
セミアディティブ法によって電気配線60を形成する場合、電気配線60を形成する面にシード層を形成する方法は、蒸着又はめっきによる方法と、金属層を貼り合わせる方法がある。
(Formation of seed layer in semi-additive process)
When forming the electrical wiring 60 by the semi-additive method, there are a method of forming a seed layer on a surface on which the electrical wiring 60 is formed, a method by vapor deposition or plating, and a method of bonding a metal layer.

(蒸着又はめっきによるシード層の形成)
前述の通り、電気配線60を形成する面に蒸着又はめっきによってシード層を形成することができる。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタ、3極スパッタ、4極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。
スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばCr、Ni、Co、Pd、Zr、Ni/Cr、Ni/Cu等の金属を下地金属として用い、5〜50nmスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして200〜500nmスパッタリングしてシード層を形成できる。また、電気配線を形成する面にめっき銅を、0.5〜3μm無電解銅めっきを行い形成することもできる。シード層とシード層を形成する面の接着性を向上させるために、シード層を形成する前、又はシード層を形成する際に、表面粗化処理を行っても良い。
(Formation of seed layer by vapor deposition or plating)
As described above, the seed layer can be formed on the surface on which the electrical wiring 60 is formed by vapor deposition or plating. For example, when a base metal and a thin film copper layer are formed by sputtering as a seed layer, the sputtering apparatus used to form the thin film copper layer is a bipolar sputtering, a three-pole sputtering, a four-pole sputtering, a magnetron sputtering, a mirror. Tron sputtering or the like can be used.
A target used for sputtering is sputtered 5 to 50 nm using, for example, a metal such as Cr, Ni, Co, Pd, Zr, Ni / Cr, or Ni / Cu as a base metal in order to ensure adhesion. Thereafter, a seed layer can be formed by sputtering 200 to 500 nm using copper as a target. Further, plated copper can be formed on the surface on which the electrical wiring is formed by electroless copper plating of 0.5 to 3 μm. In order to improve the adhesion between the seed layer and the surface on which the seed layer is formed, surface roughening may be performed before the seed layer is formed or when the seed layer is formed.

(金属層を貼り合わせる方法)
また、電気配線を形成する面に接着機能がある場合は、前述の通り、金属層をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。
しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属層を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属層を貼り合わせた後にキャリア層を除去する方法等がある。
例えば、前者としてはキャリア銅/ニッケル/薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去し、後者としてはアルミ、銅、絶縁樹脂等をキャリアとしたピーラブル銅箔等が使用でき、5μm以下のシード層を形成できる。
また、厚さ9〜18μmの銅箔を貼り付け、5μm以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
セミアディティブ法における、電気めっきの種類については一般的に使用されるものを使用すればよく、特に限定しないが、電気配線60を形成するためには、めっき金属として銅を使用するのが好ましい。
(Method of bonding metal layers)
When the surface on which the electric wiring is formed has an adhesive function, as described above, the seed layer can be formed by bonding the metal layer by pressing or laminating.
However, since it is very difficult to directly bond a thin metal layer, there are a method of thinning by etching after laminating a thick metal layer, a method of removing a carrier layer after laminating a metal layer with a carrier, etc. is there.
For example, the former has a three-layer copper foil of carrier copper / nickel / thin film copper, the carrier copper is removed with an alkali etching solution, nickel is removed with a nickel etching solution, and the latter is made of aluminum, copper, insulating resin, etc. The peelable copper foil or the like can be used, and a seed layer of 5 μm or less can be formed.
Alternatively, a 9 to 18 μm thick copper foil may be attached and the seed layer may be formed by etching to a uniform thickness so as to be 5 μm or less.
The type of electroplating used in the semi-additive method may be any commonly used one, and is not particularly limited. However, in order to form the electric wiring 60, it is preferable to use copper as the plating metal.

(アディティブ法による電気配線形成)
アディティブ法によって電気配線60を形成する場合も、セミアディティブ法と同様、電気配線60を形成する面の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成されるが、アディティブ法で使用されるめっきは通常、無電解めっきが使用される。
例えば、電気配線60を形成する面に無電解めっき用触媒を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、電気配線60を形成する。
電気配線60と電気配線60を形成する面の接着性を向上させるために、無電解めっき用触媒を付着させる前に、表面粗化処理を行っても良い。
(Electrical wiring formation by additive method)
Even when the electrical wiring 60 is formed by the additive method, as in the semi-additive method, it is formed by plating only on a necessary portion of the surface on which the electrical wiring 60 is formed, but the plating used in the additive method is Usually, electroless plating is used.
For example, after depositing an electroless plating catalyst on the surface on which the electrical wiring 60 is to be formed, a plating resist is formed on a surface portion where plating is not performed, and the substrate is immersed in an electroless plating solution and covered with the plating resist. Electroless plating is performed only on the non-existing portions to form the electric wiring 60.
In order to improve the adhesion between the electric wiring 60 and the surface on which the electric wiring 60 is formed, a surface roughening treatment may be performed before the electroless plating catalyst is attached.

上述のように得られた電気配線60には、さらにNi/Auめっきや、Ni/Pd/Auめっき等の電気配線保護用のめっきを施しても良い。   The electrical wiring 60 obtained as described above may be further subjected to plating for protecting the electrical wiring such as Ni / Au plating or Ni / Pd / Au plating.

[電気配線マーカ]
本実施形態では、基板11の下部クラッド層20が積層された面とは反対側の面には、電気配線60に加えて、電気配線パターンマーカ65が設けられる。電気配線パターンマーカ65は、厚さ方向に見たときに、少なくとも一部がコアパターンマーカ35の外周側に配置するように設けられ、測定用マーカ50を構成する。
電気配線パターンマーカ65の形状としては、特に限定されず、本実施形態では、円形の下部クラッドパターンマーカ25よりもさらに一回り大きい円形を呈し、電気配線パターンマーカ65の中心位置が、コアパターンマーカ35の中心位置と一致するように設計される。
[Electric wiring marker]
In the present embodiment, an electrical wiring pattern marker 65 is provided on the surface of the substrate 11 opposite to the surface on which the lower cladding layer 20 is laminated, in addition to the electrical wiring 60. The electrical wiring pattern marker 65 is provided so as to be arranged at least partially on the outer peripheral side of the core pattern marker 35 when viewed in the thickness direction, and constitutes the measurement marker 50.
The shape of the electric wiring pattern marker 65 is not particularly limited. In the present embodiment, the electric wiring pattern marker 65 has a circular shape that is slightly larger than the circular lower cladding pattern marker 25, and the center position of the electric wiring pattern marker 65 is the core pattern marker. Designed to match the center position of 35.

[電気配線マーカの製造方法]
電気配線マーカ65は、フォトリソグラフィー加工を用いて、電気配線65と同じ材料から同一工程で形成すると良い。例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法を用いる場合は、エッチングレジストやめっきレジストをパターン露光する際に、同一のフォトマスクで露光するとよい。その後、エッチングやめっき等によって電気配線マーカ65と電気配線60をパターン化すれば、それぞれの位置の相関が保たれたパターンを形成できるため、電気配線マーカ65と他のマーカ又はパターンとの位置合わせずれ量は、電気配線60の位置合わせずれ量とすることができる。
例えば、電気配線60とコアパターン35の相対位置は、電気配線マーカ65の外周輪郭65Aと、コアパターンマーカ35(張出部36)の外周輪郭36Aとの相対位置を検出することで検査することが可能である。
[Method for manufacturing electrical wiring marker]
The electrical wiring marker 65 may be formed from the same material as the electrical wiring 65 in the same process using photolithography. For example, when a subtractive method, a semi-additive method, or an additive method is used, the patterning exposure of the etching resist or the plating resist may be performed using the same photomask. After that, if the electric wiring marker 65 and the electric wiring 60 are patterned by etching, plating, or the like, a pattern in which the correlation between the positions is maintained can be formed. Therefore, the electric wiring marker 65 is aligned with another marker or pattern. The deviation amount can be a misalignment amount of the electrical wiring 60.
For example, the relative position between the electric wiring 60 and the core pattern 35 is inspected by detecting the relative position between the outer peripheral contour 65A of the electric wiring marker 65 and the outer peripheral contour 36A of the core pattern marker 35 (the overhang portion 36). Is possible.

なお、本実施形態では、位置合わせずれ量測定の際、光導波路は、落射光を用いて観察する必要がある。電気配線マーカが、他のマーカ(例えば、コアパターンマーカ)の輪郭と重なるが、電気配線マーカは遮光性を有するので、視認方向とは反対側から透過性を使用すると、他のマーカの輪郭が観察できなくなるからである。
したがって、透過光を使用する場合には、電気配線マーカ65は、下部クラッドパターンマーカ25、コアパターンマーカ35、上部クラッドパターンマーカ45の少なくとも測定に用いるマーカもしくはパターンの輪郭と、重ならないように形成する必要があり、例えば、各種リング状、各種枠状にすることが挙げられる。
In the present embodiment, the optical waveguide needs to be observed using incident light when measuring the misalignment amount. The electrical wiring marker overlaps with the contour of another marker (for example, the core pattern marker). However, since the electrical wiring marker has a light shielding property, if the transparency is used from the side opposite to the viewing direction, the contour of the other marker is This is because it becomes impossible to observe.
Therefore, when transmitted light is used, the electrical wiring marker 65 is formed so as not to overlap at least the marker or pattern outline used for measurement of the lower cladding pattern marker 25, the core pattern marker 35, and the upper cladding pattern marker 45. For example, various ring shapes and various frame shapes can be mentioned.

なお、本実施形態では、下部クラッドパターンマーカ25は、省略されてもよいし、電気配線マーカ65が省略されてもよい。下部クラッドパターンマーカが省略される場合、下部クラッド層はパターン化されてもよいし、されていなくてもよい。電気配線マーカが省略される場合には、電気配線も省略されてもよい。   In the present embodiment, the lower cladding pattern marker 25 may be omitted, and the electrical wiring marker 65 may be omitted. When the lower clad pattern marker is omitted, the lower clad layer may or may not be patterned. When the electrical wiring marker is omitted, the electrical wiring may be omitted.

上記各実施形態では、2箇所の中心点を検出し、その中心点に基づいて、位置ずれが検出される例を示したが、2箇所の中心点を検出しなくてもよい。例えば、第1の実施形態では、上部クラッドパターンマーカ45の輪郭の所定の1箇所に対する、コアパターンマーカ35の輪郭の所定の1箇所の相対位置を測定し、その測定値を設計値と対比することで、位置ずれ量を把握してもよい。この場合、コアパターンマーカ35もしくは上部クラッドパターン45のサイズが設計値と異なるサイズで形成されると、誤差が大きくなるが、簡便な方法で位置ずれを検出できる点では好ましい。
その他、ずれ量の検出法方法は、コアパターンマーカ等の輪郭の少なくとも一部に対する、他の部材(例えば、上部クラッドパターン)の輪郭の少なくとも一部の相対位置を検出し、その検出結果を、設計値と比較することで行う方法であれば適宜使用できる。
In each of the embodiments described above, two center points are detected, and the positional deviation is detected based on the center points. However, it is not necessary to detect the two center points. For example, in the first embodiment, the relative position of one predetermined position of the contour of the core pattern marker 35 with respect to the predetermined one position of the contour of the upper clad pattern marker 45 is measured, and the measured value is compared with the design value. Thus, the positional deviation amount may be grasped. In this case, when the size of the core pattern marker 35 or the upper clad pattern 45 is formed with a size different from the design value, the error increases, but it is preferable in that the position shift can be detected by a simple method.
In addition, the deviation amount detection method detects the relative position of at least a part of the contour of another member (for example, the upper clad pattern) with respect to at least a part of the contour of the core pattern marker and the like, Any method can be used as long as the method is performed by comparing with design values.

また、コアパターンマーカ35の形状としては特に限定はないが、厚さ方向から見たときの形状が、上記したリング形状、枠形状、十字状に限らず、四角形等の多角形状、円状、楕円状、星状、星枠状、直線状、曲線状、円弧状、それらを組み合わせた形状等であればよい。
ただし、第1〜第3の実施形態のリング状、十字状、枠状のように、コアパターンマーカ35の面積を小さくすると、コアパターンマーカ35上に形成する上部クラッドパターンマーカ45の上面の平坦性を確保しやすいためより好ましい。各種リング状、各種枠状、十字状のパターン幅は、光信号伝送に用いるコアパターン30の幅±100μm以内であると、より上部クラッドパターンマーカ45の上面の平坦性を確保しやすい。
In addition, the shape of the core pattern marker 35 is not particularly limited, but the shape when viewed from the thickness direction is not limited to the ring shape, the frame shape, and the cross shape described above, but a polygonal shape such as a quadrangle, a circular shape, An elliptical shape, a star shape, a star frame shape, a straight line shape, a curved line shape, an arc shape, a shape obtained by combining them may be used.
However, when the area of the core pattern marker 35 is reduced as in the ring shape, cross shape, and frame shape of the first to third embodiments, the upper surface of the upper clad pattern marker 45 formed on the core pattern marker 35 is flat. It is more preferable because it is easy to ensure the property. If the pattern widths of the various ring shapes, the various frame shapes, and the cross shape are within ± 100 μm of the width of the core pattern 30 used for optical signal transmission, it is easier to ensure the flatness of the upper surface of the upper cladding pattern marker 45.

上部クラッドパターンマーカ45の形状としてはコアパターンマーカ35を露出させ、張出部36を形成可能なマーカであれば特に限定はないが、厚さ方向から見たときの形状は、上記した円状、矩形状、十字状以外にも、各種多角形状、矩形枠状等の多角形枠状、楕円状、円形又は楕円等を呈するリング状、星状、星枠状、直線状、曲線状、円弧状、それらを組み合わせた形状等でもよい。
下部クラッドパターンマーカ25の形状としては、コアパターンマーカ35と同様の形状であればよい。ただし、下部クラッドパターンマーカ25は、一般的に厚みが薄いため、コアパターンマーカ35や上部クラッドパターンマーカ45の上面の平坦性に影響を及ぼすことが少ないため、平坦性確保のために各種リング形状、各種各形状にしなくても良いが、影響を与える厚みの場合にはリング形状としてもよい。
The shape of the upper clad pattern marker 45 is not particularly limited as long as it is a marker capable of exposing the core pattern marker 35 and forming the overhang portion 36, but the shape when viewed from the thickness direction is the circular shape described above. In addition to rectangles and crosses, various polygonal shapes, polygonal frame shapes such as rectangular frame shapes, elliptical shapes, ring shapes that exhibit circular shapes or ellipses, star shapes, star frame shapes, linear shapes, curved shapes, circles, etc. An arc shape, the shape which combined them, etc. may be sufficient.
The shape of the lower clad pattern marker 25 may be the same shape as the core pattern marker 35. However, since the lower clad pattern marker 25 is generally thin, it hardly affects the flatness of the upper surface of the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45, so that various ring shapes can be used to ensure flatness. The various shapes may not be used, but in the case of a thickness that affects the shape, a ring shape may be used.

(第6の実施形態)
次に、図10〜14を用いて本発明の第6の実施形態について説明する。上記各実施形態では、測定用マーカ50は、位置ずれ量を検出するために形成されたが、本実施形態では、コアパターンや上部クラッドパターンの厚さを検出するために利用される。以下、本発明の第6の実施形態について、第1の実施形態との相違点を説明する。
(Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each of the above embodiments, the measurement marker 50 is formed to detect the amount of displacement, but in this embodiment, it is used to detect the thickness of the core pattern or the upper cladding pattern. Hereinafter, a difference between the sixth embodiment of the present invention and the first embodiment will be described.

本実施形態では、各測定用マーカ50のコアパターンマーカ35は、矩形状のものが2つ間隔をあけて設けられ、その上に矩形の上部クラッドパターンマーカ45が配置される。上部クラッドマーカ45は、矩形の各コアパターンマーカ35の略半分を覆うように設けられる。そして、各コアパターンマーカ35は、Y方向に平行な上部クラッドマーカ45の側辺からX方向外側に張り出すように設けられ、張出部36を形成する。各コアパターンマーカ45は、Y方向において、上部クラッドパターンマーカ45よりも短く、Y方向においては上部クラッドパターンマーカ45がコアパターンマーカ35より張り出している。
また、コアパターンマーカ35の厚みは、上部クラッドマーカ45の厚みよりも小さく、そのため、張出部36と、コアパターンマーカの境界には、段差47がある。
本実施形態では、これらコアパターンマーカ35及び上部クラッドパターンマーカ45は、後述する切り欠き溝70によりその一部が切り取られた形状となる。
In the present embodiment, two rectangular patterns of core pattern markers 35 of each measurement marker 50 are provided with an interval therebetween, and a rectangular upper cladding pattern marker 45 is disposed thereon. The upper clad marker 45 is provided so as to cover substantially half of each rectangular core pattern marker 35. Each core pattern marker 35 is provided so as to protrude outward in the X direction from the side of the upper clad marker 45 parallel to the Y direction, and forms an extended portion 36. Each core pattern marker 45 is shorter than the upper clad pattern marker 45 in the Y direction, and the upper clad pattern marker 45 protrudes from the core pattern marker 35 in the Y direction.
Further, the thickness of the core pattern marker 35 is smaller than the thickness of the upper clad marker 45, so that there is a step 47 at the boundary between the overhang portion 36 and the core pattern marker.
In the present embodiment, the core pattern marker 35 and the upper cladding pattern marker 45 have a shape in which a part thereof is cut out by a notch groove 70 described later.

本実施形態では、光導波路10には、V字形の切り欠き溝70が形成される。
切り欠き溝70は、測定用マーカ50、50、及びコア埋設用上部クラッドパターン42に埋設されたコアパターン30を横断するように刻設される。すなわち、コア埋設用上部クラッドパターン42に埋設されたコアパターン30は、V形に切り取られた形状を呈し、溝側面である2つの傾斜面70A、70Bには、コア埋設用上部クラッドパターン42及び下部クラッド層20に取り囲まれたコアパターン30があり、そのコアパターン30により光路変換ミラー75が形成される。光路変換ミラー75は、空気反射ミラーであっても良いし、傾斜面に反射金属層を形成した金属反射ミラーであっても良い。
また、測定用マーカ50は、同様にV形に切り取られた形状を呈することになり、切り欠き溝70の溝側面である傾斜面70A,70Bには、上部クラッドパターンマーカ45及びコアクラッドマーカ35の両方が露出される。これにより、傾斜面70A,70Bはそれぞれ、張出部36及び上部クラッドパターンマーカ45の境界にある段差47を跨りつつ、同一平面上に設けられ、張出部35及び上部クラッドパターンマーカ45も傾斜面となる。そして、これらの傾斜面は、光路変換ミラー12の傾斜面とも同一平面上に配置される。
切り欠き溝70は、上部クラッド層40側から下部クラッド層20に食い込む深さまで刻設される。したがって、傾斜面70A,70Bには、下部クラッド層20の傾斜面も含まれる。下部クラッド層20の傾斜面70A、70Bは、X方向に沿って連続しており、例えば、測定用マーカ50においては、コアパターンマーカ35よりも両側に延出するように設けられる。
なお、傾斜面70A、70Bは、光軸方向に対して45°で傾く傾斜面であるが、45°以外であってもよく、0°より大きく90°未満であれば可能である。
切り欠き溝70の形成方法としては特に限定はなく、レーザアブレーションや、ダイシングソーによる切削加工によって形成できる。ダイシングソーで形成すると、効率的に傾斜面が形成できるためより好ましい。
In the present embodiment, a V-shaped notch groove 70 is formed in the optical waveguide 10.
The notch groove 70 is cut so as to cross the core pattern 30 embedded in the measurement markers 50, 50 and the core-embedded upper cladding pattern 42. That is, the core pattern 30 embedded in the core-embedded upper cladding pattern 42 has a V-shaped shape, and the two inclined surfaces 70A and 70B, which are groove side surfaces, have the core-embedded upper cladding pattern 42 and There is a core pattern 30 surrounded by the lower cladding layer 20, and an optical path conversion mirror 75 is formed by the core pattern 30. The optical path conversion mirror 75 may be an air reflection mirror or a metal reflection mirror in which a reflective metal layer is formed on an inclined surface.
Similarly, the measurement marker 50 has a V-shaped shape, and the upper clad pattern marker 45 and the core clad marker 35 are formed on the inclined surfaces 70A and 70B, which are the groove side surfaces of the notch groove 70. Both are exposed. As a result, the inclined surfaces 70A and 70B are provided on the same plane across the step 47 at the boundary between the overhang portion 36 and the upper clad pattern marker 45, and the overhang portion 35 and the upper clad pattern marker 45 are also inclined. It becomes a surface. These inclined surfaces are arranged on the same plane as the inclined surface of the optical path conversion mirror 12.
The notch groove 70 is cut from the upper clad layer 40 side to a depth that bites into the lower clad layer 20. Accordingly, the inclined surfaces 70A and 70B include the inclined surface of the lower cladding layer 20. The inclined surfaces 70 </ b> A and 70 </ b> B of the lower cladding layer 20 are continuous along the X direction. For example, the measurement marker 50 is provided so as to extend to both sides of the core pattern marker 35.
The inclined surfaces 70A and 70B are inclined surfaces that are inclined at 45 ° with respect to the optical axis direction, but may be other than 45 °, and may be greater than 0 ° and less than 90 °.
The method for forming the notch groove 70 is not particularly limited, and can be formed by laser ablation or cutting by a dicing saw. Forming with a dicing saw is more preferable because an inclined surface can be formed efficiently.

また、切り欠き溝70は、張出部36及び上部クラッドパターンマーカ45の全ての上面が取り除かれるように設けられず、張出部36及び上部クラッドパターンマーカ45の上面の一部は残されている。したがって、各上部クラッドパターンマーカ45及びコアパターンマーカ35の傾斜面の上端はそれぞれ、張出部36及び上部クラッドパターンマーカ45の上面36U,45Uに接続する。上面36U,45Uは、それぞれ下部クラッド層に平行な面である。   Further, the cutout groove 70 is not provided so that all the upper surfaces of the overhang portion 36 and the upper clad pattern marker 45 are removed, and a part of the upper surface of the overhang portion 36 and the upper clad pattern marker 45 is left. Yes. Accordingly, the upper ends of the inclined surfaces of the upper clad pattern marker 45 and the core pattern marker 35 are connected to the overhang portion 36 and the upper surfaces 36U and 45U of the upper clad pattern marker 45, respectively. The upper surfaces 36U and 45U are surfaces parallel to the lower cladding layer.

本実施形態では、上記したように段差47を跨るように傾斜面70Aが形成される。そのため、図14に示すように、光導波路を厚さ方向に見ても、上部クラッドパターンマーカ45の傾斜面と、張出部36の上端との接続部分に段差47’があるように見える。これは、上部クラッドパターンマーカ45が相対的に厚いため、上部クラッドパターンマーカ45の傾斜面のY方向に沿う長さが必然的に長くなり、その部分が段差47’として視認されるためである。   In the present embodiment, the inclined surface 70A is formed so as to straddle the step 47 as described above. Therefore, as shown in FIG. 14, even when the optical waveguide is viewed in the thickness direction, there appears to be a step 47 ′ at the connection portion between the inclined surface of the upper clad pattern marker 45 and the upper end of the overhang portion 36. This is because since the upper clad pattern marker 45 is relatively thick, the length of the inclined surface of the upper clad pattern marker 45 along the Y direction is inevitably long, and that portion is visually recognized as a step 47 ′. .

[コアパターンの厚み測定方法]
本実施形態では、以下のように、測定用マーカ50に設けられた傾斜面からコアパターンの厚みを測定することができる。
すなわち、本実施形態では、光導波路を厚さ方向に観察して、傾斜面70Aにおける、張出部36の長さL1を測定する。長さL1は、コアパターンマーカ35と下部クラッド層20の境界から、コアパターンマーカ35の上端までの長さである。
ここで、光導波路は厚さ方向に見ると、傾斜面70Aにおける、コアパターンマーカ35と下部クラッド層20の境界は、下部クラッド層20がコアパターンマーカ35よりも両側に延出するため、容易に認識できる。また、上記した段差47’により、コアパターンマーカ35の上端も容易に認識できる。そのため、上記長さL1の測定は容易である。
上記長さL1は、コアパターンの厚みに換算できる。傾斜面が、0°より大きく90°より小さい範囲の角度θで傾く場合には、長さ×tanθがコアパターンの厚みとなる。
また、上記傾斜面の角度は45°である場合、上記長さL1は、コアパターンの厚みとなる。
[Method for measuring core pattern thickness]
In the present embodiment, the thickness of the core pattern can be measured from the inclined surface provided on the measurement marker 50 as follows.
That is, in this embodiment, the optical waveguide is observed in the thickness direction, and the length L1 of the overhang portion 36 on the inclined surface 70A is measured. The length L <b> 1 is a length from the boundary between the core pattern marker 35 and the lower cladding layer 20 to the upper end of the core pattern marker 35.
Here, when the optical waveguide is viewed in the thickness direction, the boundary between the core pattern marker 35 and the lower cladding layer 20 on the inclined surface 70A is easy because the lower cladding layer 20 extends to both sides of the core pattern marker 35. Can be recognized. In addition, the upper end of the core pattern marker 35 can be easily recognized by the step 47 ′ described above. Therefore, the measurement of the length L1 is easy.
The length L1 can be converted into the thickness of the core pattern. When the inclined surface is inclined at an angle θ in a range larger than 0 ° and smaller than 90 °, the length × tan θ is the thickness of the core pattern.
Further, when the angle of the inclined surface is 45 °, the length L1 is the thickness of the core pattern.

[上部クラッドパターンの厚み測定方法]
測定用マーカ50から上部クラッドパターンの厚みの測定は、まず、コアパターンマーカ35の上に積層された上部クラッドパターンマーカ45の厚みを検出する。具体的には、傾斜面70Aにおいて、コアパターンマーカ35の上端から上部クラッドパターンマーカ45の上面45Uと傾斜面との境界までの長さL2を測定する。その長さL2は、長さL1と同様に、コアパターンマーカ35上に積層された上部クラッドパターンマーカ45の厚みに換算できる。
このとき、段差47’があるため、コアパターンマーカ35の上端は容易に認識できる。また、上部クラッドパターンマーカ45の上面45Uと傾斜面は、互いに光の透過や反射率が異なり見え方が異なり、また上記段差47’があることから、上面45Uと傾斜面70Aの境界は容易に認識できる。
その後、コアパターンマーカ35上に積層された上部クラッドパターンマーカ45の厚みを、上記コアパターンマーカの厚みに加算することで、上部クラッドパターンの厚みは測定できる。
また、別の方法として、傾斜面70Aにおける、下部クラッド層20から上部クラッドパターンの上面45Uまでの長さL3を測定してもよい。長さの測定方法は、上記と同様であるので省略する。
なお、以上の長さL1〜L3の測定は、傾斜面70Aの上にあるマーカを用いた例を説明したが、傾斜面70Bの上にあるマーカを用いる場合も同様である。
[Method for measuring the thickness of the upper cladding pattern]
Measurement of the thickness of the upper clad pattern from the measurement marker 50 first detects the thickness of the upper clad pattern marker 45 laminated on the core pattern marker 35. Specifically, on the inclined surface 70A, the length L2 from the upper end of the core pattern marker 35 to the boundary between the upper surface 45U of the upper cladding pattern marker 45 and the inclined surface is measured. The length L2 can be converted into the thickness of the upper clad pattern marker 45 laminated on the core pattern marker 35, similarly to the length L1.
At this time, since there is a step 47 ′, the upper end of the core pattern marker 35 can be easily recognized. Further, since the upper surface 45U and the inclined surface of the upper clad pattern marker 45 have different light transmission and reflectance and look different from each other, and have the step 47 ′, the boundary between the upper surface 45U and the inclined surface 70A can be easily formed. Can be recognized.
Thereafter, the thickness of the upper clad pattern can be measured by adding the thickness of the upper clad pattern marker 45 laminated on the core pattern marker 35 to the thickness of the core pattern marker.
As another method, the length L3 from the lower cladding layer 20 to the upper surface 45U of the upper cladding pattern on the inclined surface 70A may be measured. Since the length measurement method is the same as described above, the description thereof is omitted.
In addition, although the example which used the marker on the inclined surface 70A demonstrated the measurement of the above length L1-L3, it is the same also when using the marker on the inclined surface 70B.

厚みを測定する面視方向は、下側(基板の裏面)からでも、上側(基板の表面)からでも良いが、基板11に透過性がない場合には、上側から測定するとよい。測定時に用いる照明は、透過照明でも落射照明でもそれらを任意の割合で混在させてもよいが、透過照明を用いると傾斜面での透過照明光の屈折又は/及び反射により、図14に示すように、傾斜面が暗部になりコントラストが明瞭になるため、より測定が容易となるため好ましい。   The planar direction for measuring the thickness may be from the lower side (back surface of the substrate) or from the upper side (front surface of the substrate), but when the substrate 11 is not transmissive, it may be measured from the upper side. The illumination used at the time of measurement may be a transmission illumination or an epi-illumination, and they may be mixed at an arbitrary ratio. However, when the transmission illumination is used, as shown in FIG. Furthermore, since the inclined surface becomes a dark part and the contrast becomes clear, it is preferable because the measurement becomes easier.

(第7の実施形態)
次に、図15〜17を用いて本発明の第7の実施形態について、第6の実施形態との相違点を説明する。
第7の実施形態では、上部クラッドパターン41は、X方向において3分割され、第1〜第3の上部クラッドパターン41A〜41Cからなり、中央の第2の上部クラッドパターン41Bは、コアパターン30及び各測定用マーカ50の中央側のコアパターンマーカ35の中央側の略半分を埋設させる。第1及び第3の上部クラッドパターン41A,41Cは、各測定用マーカ50の端部側のコアパターンマーカ35の端部側の略半分を埋設させる。
したがって、各測定用マーカ50において、中央側のコアパターンマーカ35は、第2の上部クラッドパターン41Bから端部側に向けて張り出す張出部36を有する。また、各測定用マーカ50における端部側のコアパターンマーカ35は、第1又は第3の上部クラッドパターン41A,41Cから中央側に向けて張り出す張出部36を有する。
(Seventh embodiment)
Next, a difference between the seventh embodiment of the present invention and the sixth embodiment will be described with reference to FIGS.
In the seventh embodiment, the upper clad pattern 41 is divided into three in the X direction, and is composed of first to third upper clad patterns 41A to 41C. The second upper clad pattern 41B at the center includes the core pattern 30 and Approximately half of the center side of the core pattern marker 35 on the center side of each measurement marker 50 is embedded. The first and third upper clad patterns 41 </ b> A and 41 </ b> C embed substantially half of the end side of the core pattern marker 35 on the end side of each measurement marker 50.
Accordingly, in each measurement marker 50, the core pattern marker 35 on the center side has an overhang portion 36 that projects from the second upper clad pattern 41B toward the end side. In addition, the core pattern marker 35 on the end side of each measurement marker 50 has an overhang portion 36 that projects from the first or third upper clad pattern 41A, 41C toward the center side.

本実施形態でも、上部クラッドパターン41A〜41Cと、コアパターンマーカ35との境界は、段差47がある。そのため、切り欠き溝70が設けられることで、厚さ方向に見たとき、段差47’により、傾斜面70Aにおける長さL1〜L3が容易に測定可能となる。   Also in the present embodiment, the boundary between the upper clad patterns 41 </ b> A to 41 </ b> C and the core pattern marker 35 has a step 47. Therefore, by providing the notch groove 70, the lengths L1 to L3 on the inclined surface 70A can be easily measured by the step 47 'when viewed in the thickness direction.

なお、第6及び第7の実施形態におけるコアパターンマーカ35及び上部クラッドパターンマーカ45の形状も、上記で列挙した形状であればよい。ただし、上部クラッドパターン41の厚みの平坦性が、精度の良い厚み測定結果を得るためには重要になるため、コアパターンマーカ35の形状は、線状、弧状、各種リング状、各種枠状等の面積の小さいパターンであることがより好ましい。
また、第6及び第7の実施形態における測定用マーカ50では、第1〜第5の実施形態における測定用マーカのように、張出部36が2方向において対向するように設けられる必要はなく、上記した第6及び第7の実施形態における測定用マーカでも、張出部36は、X方向において対向するのみである。もちろん、一方向においても対向する必要はない。
In addition, the shapes of the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45 in the sixth and seventh embodiments may be the shapes listed above. However, since the flatness of the thickness of the upper clad pattern 41 is important for obtaining an accurate thickness measurement result, the core pattern marker 35 has a linear shape, an arc shape, various ring shapes, various frame shapes, and the like. It is more preferable that the pattern has a small area.
Further, in the measurement markers 50 in the sixth and seventh embodiments, unlike the measurement markers in the first to fifth embodiments, the protruding portions 36 do not have to be provided to face each other in two directions. In the measurement markers in the sixth and seventh embodiments described above, the overhanging portion 36 only faces in the X direction. Of course, it is not necessary to face in one direction.

以上の各実施形態においては、測定用マーカ50は、コアパターン30を両側から挟み込むように2つ設けられため、この2つの測定用マーカ50それぞれでずれ量や、厚みを検出することができ、高い精度でずれ量や厚みを検出できる。ただし、測定用マーカ50は、2つ設けられる必要はなく、1つであってもよい。   In each of the above-described embodiments, two measurement markers 50 are provided so as to sandwich the core pattern 30 from both sides, so that the shift amount and thickness can be detected by each of the two measurement markers 50. The displacement and thickness can be detected with high accuracy. However, two measurement markers 50 need not be provided, and may be one.

[遮光層]
上記各実施形態において、測定用マーカの所定の部位には、遮光層を設けてもよい。遮光層を設けることにより、各層間の境界線や傾斜面の段差が明瞭に認識しやすくなる。遮光層は、例えばコアパターンマーカ35、及び上部クラッドパターンマーカ45に積層されてもよいし、コアパターンマーカ35とその周囲にある上部クラッドパターン41上に積層されてもよい。遮光層の種類としては、測定に用いる光源波長に対して遮光性を有していればよく、紫外線吸収樹脂層、可視光線吸収樹脂層、赤外線吸収樹脂層等の遮光性樹脂や、Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Pd等の金属層が好適に挙げられる。遮光性樹脂の形成方法としては、遮光性樹脂ワニスを塗布したり、遮光性樹脂フィルムをラミネートしたりして形成できる。金属層の形成方法としては、めっき、蒸着、スパッタ等を用いれば良い。遮光層を形成して、位置合わせずれ量や各層の厚みを測定する場合には、落射照明を用いると良い。
[Shading layer]
In each of the above embodiments, a light shielding layer may be provided at a predetermined portion of the measurement marker. By providing the light shielding layer, it becomes easy to clearly recognize the boundary line between each layer and the step of the inclined surface. The light shielding layer may be laminated on the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45, for example, or may be laminated on the core pattern marker 35 and the upper clad pattern 41 around it. As the kind of the light shielding layer, it is only necessary to have a light shielding property with respect to the wavelength of the light source used for the measurement, such as a light shielding resin such as an ultraviolet absorbing resin layer, a visible light absorbing resin layer, an infrared absorbing resin layer, Au, Ag. A metal layer such as Cu, Al, Cr, Ni, or Pd is preferably used. The light-shielding resin can be formed by applying a light-shielding resin varnish or laminating a light-shielding resin film. As a method for forming the metal layer, plating, vapor deposition, sputtering, or the like may be used. In the case where a light shielding layer is formed and the amount of misalignment and the thickness of each layer are measured, epi-illumination is preferably used.

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
実施例1
<クラッド層形成用樹脂フィルムの作製>
[(A)(メタ)アクリルポリマー(ベースポリマー)の作製]
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部及び乳酸メチル23質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を65℃に上昇させ、メチルメタクリレート47質量部、ブチルアクリレート33質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート16質量部、メタクリル酸14質量部、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)3質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部、及び乳酸メチル23質量部の混合物を3時間かけて滴下後、65℃で3時間撹拌し、さらに95℃で1時間撹拌を続けて、(A)(メタ)アクリルポリマーの溶液(固形分45質量%)を得た。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded.
Example 1
<Preparation of a resin film for forming a cladding layer>
[Production of (A) (meth) acrylic polymer (base polymer)]
46 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate and 23 parts by mass of methyl lactate were weighed in a flask equipped with a stirrer, a cooling pipe, a gas introduction pipe, a dropping funnel, and a thermometer, and stirred while introducing nitrogen gas. . The liquid temperature was raised to 65 ° C., 47 parts by weight of methyl methacrylate, 33 parts by weight of butyl acrylate, 16 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate, 14 parts by weight of methacrylic acid, 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile ) A mixture of 3 parts by mass, 46 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate and 23 parts by mass of methyl lactate was added dropwise over 3 hours, followed by stirring at 65 ° C. for 3 hours, and further stirring at 95 ° C. for 1 hour. A) A (meth) acrylic polymer solution (solid content: 45% by mass) was obtained.

[重量平均分子量の測定]
(A)(メタ)アクリルポリマーの重量平均分子量(標準ポリスチレン換算)をGPC(東ソー株式会社製「SD−8022」、「DP−8020」及び「RI−8020」)を用いて測定した結果、3.9×104であった。なお、カラムは日立化成工業株式会社製「Gelpack GL−A150−S」及び「Gelpack GL−A160−S」を使用した。
[酸価の測定]
(A)(メタ)アクリルポリマーの酸価を測定した結果、79mgKOH/gであった。なお、酸価は(A)(メタ)アクリルポリマー溶液を中和するのに要した0.1mol/L水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。
[Measurement of weight average molecular weight]
(A) As a result of measuring the weight average molecular weight (in terms of standard polystyrene) of (meth) acrylic polymer using GPC (“SD-8022”, “DP-8020” and “RI-8020” manufactured by Tosoh Corporation), 3 9 × 10 4 . As the column, “Gelpack GL-A150-S” and “Gelpack GL-A160-S” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. were used.
[Measurement of acid value]
As a result of measuring the acid value of (A) (meth) acrylic polymer, it was 79 mgKOH / g. The acid value was calculated from the amount of 0.1 mol / L potassium hydroxide aqueous solution required to neutralize the (A) (meth) acrylic polymer solution. At this time, the point at which the phenolphthalein added as an indicator changed color from colorless to pink was defined as the neutralization point.

[クラッド層形成用樹脂ワニスの調合]
ベースポリマーとして、前記(A)(メタ)アクリルポリマー溶液(固形分45質量%)84質量部(固形分38質量部)、(B)光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン(メタ)アクリレート(新中村化学工業株式会社製「U−200AX」)33質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン(メタ)アクリレート(新中村化学工業株式会社製「UA−4200」)15質量部、(C)熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液(固形分75質量%)(住化バイエルウレタン株式会社製「スミジュールBL3175」)20質量部(固形分15質量部)、(D)光重合開始剤として、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン(チバ・ジャパン株式会社製「イルガキュア2959」)1質量部、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(チバ・ジャパン株式会社製「イルガキュア819」)1質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート23質量部を撹拌しながら混合した。孔径2μmのポリフロンフィルタ(アドバンテック東洋株式会社製「PF020」)を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
[Preparation of resin varnish for forming clad layer]
As a base polymer, 84 parts by mass (solid content 38 parts by mass) of the (A) (meth) acrylic polymer solution (solid content 45% by mass), (B) urethane (meth) acrylate having a polyester skeleton as a photocuring component ( Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. “U-200AX”) 33 parts by mass, urethane (meth) acrylate having a polypropylene glycol skeleton (Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. “UA-4200”) 15 parts by mass, (C) heat As a curing component, 20 parts by mass of a polyfunctional block isocyanate solution (solid content: 75% by mass) obtained by protecting an isocyanurate type trimer of hexamethylene diisocyanate with methyl ethyl ketone oxime (“Sumijour BL3175” manufactured by Sumika Bayer Urethane Co., Ltd.) 15 parts by mass of solid content), (D) as photopolymerization initiator, 1- 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one (“Irgacure 2959” manufactured by Ciba Japan KK), 1 part by weight, bis (2,4,6- 1 part by mass of trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (“Irgacure 819” manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) and 23 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate as an organic solvent for dilution were mixed with stirring. After pressure filtration using a polyflon filter having a pore diameter of 2 μm (“PF020” manufactured by Advantech Toyo Co., Ltd.), degassing was performed under reduced pressure to obtain a resin varnish for forming a cladding layer.

<クラッド層形成用樹脂フィルムの作製>
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるPETフィルム(東洋紡績株式会社製「コスモシャインA4100」、厚さ50μm)の非処理面上に、塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、100℃で20分乾燥後、カバーフィルムとして表面離型処理PETフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製「ピューレックスA31」、厚さ25μm)を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。
このとき、クラッド層形成用樹脂ワニスより形成される樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、その膜厚については後述する。
<Preparation of a resin film for forming a cladding layer>
The resin varnish for forming a clad layer obtained above is coated on a non-treated surface of a PET film (Toyobo Co., Ltd. “Cosmo Shine A4100”, thickness 50 μm) as a carrier film. MC, manufactured by Hirano Tech Seed Co., Ltd.), dried at 100 ° C. for 20 minutes, and then a surface release treatment PET film (“Purex A31” manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd., 25 μm thick) is pasted as a cover film. A resin film for forming a cladding layer was obtained.
At this time, the thickness of the resin layer formed from the clad layer forming resin varnish can be arbitrarily adjusted by adjusting the gap of the coating machine, and the film thickness will be described later.

<コア層形成用樹脂フィルムの作製>
(A)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)26質量部、(B)光重合性化合物として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(商品名:A−BPEF、新中村化学工業株式会社製)36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート(商品名「EA−1020」、新中村化学工業株式会社製)36質量部、(C)光重合開始剤として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド(商品名「イルガキュア819」、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、及び1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン(商品名「イルガキュア2959」、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上述のクラッド層形成用樹脂ワニスの調合と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスを調合した。その後、上記と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるPETフィルム(東洋紡績株式会社製、商品名:コスモシャインA1517、厚さ:16μm)の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いでカバーフィルムとして離型PETフィルム(商品名「ピューレックスA31」、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。
このとき、コア層形成用樹脂ワニスより形成される樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、その膜厚については後述する。
<Preparation of core layer forming resin film>
(A) As a base polymer, 26 parts by mass of phenoxy resin (trade name: Phenototo YP-70, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), (B) 9,9-bis [4- (2-acryloyl) as a photopolymerizable compound Oxyethoxy) phenyl] fluorene (trade name: A-BPEF, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 parts by mass, and bisphenol A type epoxy acrylate (trade name “EA-1020”, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 1 part by mass of (C) photopolymerization initiator, 1 part by mass of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name “Irgacure 819”, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one (trade name “ Lugacure 2959 "(manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1 part by weight, except for using 40 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as an organic solvent, in the same manner and under the same conditions as the above-mentioned preparation of the resin varnish for forming a cladding layer A resin varnish for forming a core layer was prepared. Thereafter, pressure filtration and degassing under reduced pressure were performed in the same manner and conditions as described above.
The resin layer varnish for core layer formation obtained above is the same as the above production example on the non-treated surface of a PET film (Toyobo Co., Ltd., trade name: Cosmo Shine A1517, thickness: 16 μm) as a carrier film. Then, a release PET film (trade name “Purex A31”, Teijin DuPont Films Co., Ltd., thickness: 25 μm) is pasted as a cover film so that the release surface is on the resin side. A resin film for layer formation was obtained.
At this time, the thickness of the resin layer formed from the resin varnish for forming the core layer can be arbitrarily adjusted by adjusting the gap of the coating machine, and the film thickness will be described later.

<第1の実施形態(図1、2)の光導波路の作製例> <Example of Fabrication of Optical Waveguide of First Embodiment (FIGS. 1 and 2)>

[下部クラッド層の形成]
基板11として150mm×150mmのポリイミドフィルム(ポリイミド;ユーピレックスRN(宇部日東化成製)、厚み;25μm)を用い、その一方の面上に、上記で得られた15μm厚みのクラッド層形成用樹脂フィルムのカバーフィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ((株)名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。続いて、紫外線露光機((株)オーク製作所製、EXM−1172)を用いて、クラッド層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム側から紫外線(波長365nm)を3.0J/cm2で照射し、キャリアフィルムを剥離後、170℃で1時間加熱乾燥及び硬化し、下部クラッド層20を形成した
[Formation of lower cladding layer]
A 150 mm × 150 mm polyimide film (polyimide; Upilex RN (manufactured by Ube Nitto Kasei), thickness: 25 μm) was used as the substrate 11, and the 15 μm-thick clad layer-forming resin film obtained above was formed on one surface thereof. After peeling the cover film, using a vacuum pressurization laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), evacuating to 500 Pa or less, pressure 0.4 MPa, temperature 110 ° C., pressurization time 30 seconds. The film was heat-pressed and laminated under the conditions. Subsequently, ultraviolet rays (wavelength 365 nm) were irradiated at 3.0 J / cm 2 from the carrier film side of the resin film for forming the clad layer using an ultraviolet exposure machine (EXM-1172, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.), and the carrier After peeling off the film, it was dried and cured at 170 ° C. for 1 hour to form the lower cladding layer 20.

[コアパターンの形成]
次いで、上記で形成した下部クラッド層形成面側から、上記で得られた50μm厚さのコア層形成用樹脂フィルムを、カバーフィルムを剥離した後に、ロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件をラミネートし、次いで上記の真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度70℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着した。
[Formation of core pattern]
Next, the 50 μm-thick core layer-forming resin film obtained above is peeled off from the lower clad layer forming surface side formed above, and then the roll laminator (HLM, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd., HLM) is removed. -1500) is laminated under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 50 ° C., and a laminating speed of 0.2 m / min, and then the above-described vacuum pressure laminator (manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., MVLP-500) is used. After vacuuming below, thermocompression bonding was performed under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 70 ° C., and a pressurization time of 30 seconds.

続いて、開口部(50mm×50μm×3本、外周がφ400μmで内周φが300μmのリング状)を有するネガ型フォトマスクを介し、キャリアフィルム側から上記紫外線露光機を用いて、紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2で照射し、次いで80℃で5分間露光後加熱を行った。その後、キャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N−ジメチルアセトアミド=8/2、質量比)を用いてエッチングした。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥し、コアパターン302とコアパターンマーカ35を形成した。 Subsequently, ultraviolet rays (wavelengths) were passed from the carrier film side through the negative photomask having openings (50 mm × 50 μm × 3, a ring shape having an outer periphery of φ400 μm and an inner periphery of 300 μm) from the carrier film side. 365 nm) at 0.8 J / cm 2 and then post-exposure heating at 80 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the PET film as the carrier film was peeled off and etched using a developer (propylene glycol monomethyl ether acetate / N, N-dimethylacetamide = 8/2, mass ratio). Then, it wash | cleaned using the washing | cleaning liquid (isopropanol), and heat-dried at 100 degreeC for 10 minute (s), and the core pattern 302 and the core pattern marker 35 were formed.

[上部クラッド層の形成]
上記で形成したコアパターン形成面側から、上記で得られた65μm厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムを、カバーフィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。
続いて、開口部(50mm×1.1mm×1箇所、φ350μmの円×2箇所)を有するネガ型フォトマスクを介し、コアパターンマーカ303とφ350μmの円の開口部を位置合わせしてクラッド層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム側から紫外線(波長365nm)を350mJ/cm2で照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液(1%炭酸カリウム水溶液)を用いて、上部クラッド層形成用樹脂を除去して、水洗浄を行った。更に上記紫外線露光機を用いて3.0J/cm2で照射し、170℃で1時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。これによりコア埋設用上部クラッドパターン42とφ350μmの上部クラッドパターンマーカ45を形成した。
[Formation of upper cladding layer]
The 65 μm-thick clad layer-forming resin film obtained above was peeled off from the core pattern forming surface side formed as described above, and then the vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) was peeled off. ), And was vacuum-bonded to 500 Pa or less, and then thermocompression bonded under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 110 ° C., and a pressurization time of 30 seconds to laminate.
Subsequently, the core pattern marker 303 is aligned with the opening of the φ350 μm circle through a negative photomask having openings (50 mm × 1.1 mm × 1 place, φ350 μm circle × 2 places) to form a clad layer The resin film was irradiated with ultraviolet rays (wavelength 365 nm) at 350 mJ / cm 2 from the carrier film side. Thereafter, the carrier film was peeled off, and the resin for forming the upper cladding layer was removed using a developer (1% aqueous potassium carbonate solution), followed by washing with water. Further, irradiation with 3.0 J / cm 2 was performed using the above ultraviolet exposure machine, and heat drying and curing operations were performed at 170 ° C. for 1 hour. As a result, an upper cladding pattern 42 for burying the core and an upper cladding pattern marker 45 having a diameter of 350 μm were formed.

[位置合わせずれ量の測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側の各層形成面垂直方向から視認し、白色のハロゲンランプの透過照明によって測定用マーカを視認したところ良好であった。そこで測定用マーカを用いてコアパターンマーカ35に対する上部クラッドパターンマーカ45の位置合わせずれ量の測定を行った。上部クラッドパターンマーカ45の位置ずれ量は△X=+
3.9μm、△Y=+1.5μmであった。光導波路を切断して、別途コアパターン30
とコア埋設用上部クラッドパターン42との位置合わせずれ量を測定したところ、上記ΔX及びΔYともに、実測値と±0.5μm以内の相関が確認できた。
[Measurement of misalignment]
The obtained optical waveguide was visually recognized from the direction perpendicular to each layer formation surface on the upper clad layer side, and the measurement marker was visually confirmed by transmitted illumination of a white halogen lamp. Therefore, the misalignment amount of the upper clad pattern marker 45 with respect to the core pattern marker 35 was measured using the measurement marker. The positional deviation amount of the upper cladding pattern marker 45 is ΔX = +
It was 3.9 μm and ΔY = + 1.5 μm. The optical waveguide is cut and a core pattern 30 is separately provided.
As a result of measuring the misalignment amount between the core embedded upper cladding pattern 42 and the core embedding core 42, the correlation between the measured value and ± 0.5 μm was confirmed for both ΔX and ΔY.

[その他の方向からの視認性]
得られた光導波路を下部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの落射照明によって、測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところ上部クラッド層側からの視認したときと同様に良好であった。
[Visibility from other directions]
The obtained optical waveguide is viewed from the vertical direction of each layer forming surface on the lower clad layer side by epi-illumination of a white halogen lamp, and when the measurement marker is viewed from the vertical direction of each layer forming surface, the same as when viewed from the upper clad layer side It was good.

[その他の方向からの視認性]
得られた光導波路を下部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの透過照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところ上部クラッド層側からの視認したときと同様に良好であった。
[Visibility from other directions]
The obtained optical waveguide was viewed from the vertical direction of each layer formation surface on the lower clad layer side by the transmitted illumination of a white halogen lamp, and when the measurement marker was viewed from the vertical direction of each layer formation surface, the same as when viewed from the upper clad layer side It was good.

実施例2
実施例1において、さらにφ600μmを開口させたメタルマスクを測定用マーカ5に位置合わせをして、蒸着装置(株式会社ファースト技研製「RE−0025」)を用いて遮光層としてAuを0.5μm蒸着させる工程をした。
Example 2
In Example 1, the metal mask having an opening of φ600 μm is aligned with the measurement marker 5, and Au is 0.5 μm as a light shielding layer using a vapor deposition apparatus (“RE-0025” manufactured by First Giken Co., Ltd.). A process of vapor deposition was performed.

[位置合わせずれ量の測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの落射照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところより良好であった。そこで測定用マーカを用いてコアパターンマーカ35に対する上部クラッドパターンマーカ45の位置合わせずれ量の測定を行った。上部クラッドパターンマーカ45の位置ずれ量は△X=+3.8μm、△Y=+1.5μmであった。光導波路を切断して、別
途コアパターン30とコア埋設用上部上部クラッドパターン42との位置合わせずれ量を測定したところ、上記ΔX及びΔYともに、実測値と±0.5μm以内の相関が確認できた
実施例3
<第5の実施形態(図8、図9)の光導波路の作製例>
[電気配線付き基板の形成]
金属箔付きの透明基板11として100mm×100mmの片面銅箔ポリイミドフィルム(新日鉄住金株式会社製、商品名:MC12−25−00CEM(銅箔は古河電気工業株式会社製、商品名:F2−WS))の銅箔面に感光性ドライフィルム(日立化成製、商品名:フォテック、厚さ:25μm)をロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度110℃、ラミネート速度1.0m/minの条件をラミネートした。その後、紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)を用いて、開口部(50mm×150μm×1箇所、φ500μmの円×2箇所)を有するネガ型フォトマスクを介して紫外線(波長365nm)を350mJ/cm2で照射した。その後、ドライフィルムのキャリアフィルムを剥離し、現像液(1%炭酸ナトリウム水溶液)を用いて、未硬化のドライフィルムを現像除去し、次いで塩化第二鉄水溶液にて、銅箔をエッチングした。さらに剥離液(3%水酸化ナトリウム水溶液)にて、硬化したドライフィルムを剥離除去し、直線状の電気配線60とφ500μmの電気配線マーカ65を形成した。
[Measurement of misalignment]
The obtained optical waveguide was better when the measurement marker was viewed from the vertical direction of each layer formation surface by the epi-illumination of a white halogen lamp from the vertical direction of each layer formation surface on the upper clad layer side. Therefore, the misalignment amount of the upper clad pattern marker 45 with respect to the core pattern marker 35 was measured using the measurement marker. The positional deviation amount of the upper clad pattern marker 45 was ΔX = + 3.8 μm and ΔY = + 1.5 μm. When the optical waveguide was cut and the misalignment amount between the core pattern 30 and the upper upper cladding pattern 42 for core embedding was measured separately, both the above ΔX and ΔY could be confirmed to have a correlation within ± 0.5 μm with the measured values. Example 3
<Example of Fabrication of Optical Waveguide of Fifth Embodiment (FIGS. 8 and 9)>
[Formation of substrate with electrical wiring]
100 mm × 100 mm single-sided copper foil polyimide film (made by Nippon Steel & Sumikin Co., Ltd., trade name: MC12-25-00CEM (copper foil is made by Furukawa Electric Co., Ltd., trade name: F2-WS) ) Using a roll laminator (manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd., HLM-1500) with a photosensitive dry film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: Photec, thickness: 25 μm) on the copper foil surface of pressure) 0.4 MPa, temperature 110 Lamination was performed at a temperature of 1 ° C. and a laminating speed of 1.0 m / min. Then, using an ultraviolet exposure machine (EXM-1172 manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.), ultraviolet rays (wavelength 365 nm) through a negative photomask having openings (50 mm × 150 μm × 1 location, φ500 μm circle × 2 locations). ) At 350 mJ / cm 2 . Thereafter, the carrier film of the dry film was peeled off, the uncured dry film was developed and removed using a developer (1% aqueous sodium carbonate solution), and then the copper foil was etched with an aqueous ferric chloride solution. Further, the hardened dry film was peeled and removed with a stripping solution (3% sodium hydroxide aqueous solution) to form a linear electrical wiring 60 and an electrical wiring marker 65 of φ500 μm.

[下部クラッド層の形成]
基板11の電気配線60形成面と反対側の面に、上記で得られた15μm厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムを、カバーフィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。その後、紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)を用いて、開口部(50mm×1mm×1箇所、φ450μmの円×2箇所)を有するネガ型フォトマスクを介し、電気配線マーカ65とφ450μmの円の開口部を位置合わせしてクラッド層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム側から紫外線(波長365nm)を350mJ/cm2で照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液(1%炭酸カリウム水溶液)を用いて、下部クラッド層形成用樹脂を除去して、水洗浄を行った。更に上記紫外線露光機を用いて3.0J/cm2で照射し、170℃で1時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。これにより下部クラッドパターン22とφ450μmの下部クラッドパターンマーカ25を形成した。
[Formation of lower cladding layer]
After the cover film is peeled off the 15 μm-thick clad layer-forming resin film obtained above on the surface of the substrate 11 opposite to the surface on which the electric wiring 60 is formed, a vacuum pressure laminator (manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd. , MVLP-500), and evacuated to 500 Pa or less, and then laminated by thermocompression bonding under conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 110 ° C., and a pressurization time of 30 seconds. Thereafter, the electrical wiring marker 65 is passed through a negative photomask having openings (50 mm × 1 mm × 1 place, φ450 μm circle × 2 places) using an ultraviolet exposure machine (EXM-1172, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.). And an opening of a circle of φ450 μm were aligned, and ultraviolet light (wavelength 365 nm) was irradiated at 350 mJ / cm 2 from the carrier film side of the clad layer forming resin film. Thereafter, the carrier film was peeled off, and the lower clad layer forming resin was removed using a developer (1% aqueous potassium carbonate solution), followed by washing with water. Further, irradiation with 3.0 J / cm 2 was performed using the above ultraviolet exposure machine, and heat drying and curing operations were performed at 170 ° C. for 1 hour. Thus, the lower clad pattern 22 and the lower clad pattern marker 25 having a diameter of 450 μm were formed.

[コアパターンの形成]
次いで、上記で形成した下部クラッド層形成面側から、上記で得られた65μm厚さのコア層形成用樹脂フィルムを、カバーフィルムを剥離した後に、ロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件をラミネートし、次いで上記の真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度70℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着した。
[Formation of core pattern]
Next, the 65 μm-thick core layer-forming resin film obtained above is peeled off from the lower clad layer forming surface side formed above, and then the roll laminator (HLM manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd., HLM) is peeled off. -1500) is laminated under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 50 ° C., and a laminating speed of 0.2 m / min, and then the above-described vacuum pressure laminator (manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd., MVLP-500) is used. After vacuuming below, thermocompression bonding was performed under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 70 ° C., and a pressurization time of 30 seconds.

続いて、開口部(50mm×50μm×3本、外周がφ400μmで内周φが300μmのリング状)を有するネガ型フォトマスクを介し、リング状開口部中心と、電気配線マーカ602の中心とを位置合わせし、キャリアフィルム側から上記紫外線露光機を用いて、紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2で照射し、次いで80℃で5分間露光後加熱を行った。その後、キャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N−ジメチルアセトアミド=8/2、質量比)を用いてエッチングした。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥し、コアパターン30とコアパターンマーカ35を形成した。 Subsequently, the center of the ring-shaped opening and the center of the electrical wiring marker 602 are passed through a negative photomask having openings (50 mm × 50 μm × 3, ring shape with an outer periphery of φ400 μm and an inner periphery of 300 μm). Alignment was performed, and irradiation with ultraviolet rays (wavelength 365 nm) was performed at 0.8 J / cm 2 from the carrier film side using the above-described ultraviolet exposure machine, followed by heating at 80 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the PET film as the carrier film was peeled off and etched using a developer (propylene glycol monomethyl ether acetate / N, N-dimethylacetamide = 8/2, mass ratio). Then, it wash | cleaned using the washing | cleaning liquid (isopropanol), and heat-dried at 100 degreeC for 10 minute (s), and the core pattern 30 and the core pattern marker 35 were formed.

[上部クラッド層の形成]
上記で形成したコアパターン形成面側から、上記で得られた85μm厚さのクラッド層形成用樹脂フィルムを、カバーフィルムを剥離した後に、真空加圧式ラミネータ(株式会社名機製作所製、MVLP−500)を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110℃、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。
続いて、開口部(50mm×1.1mm×1箇所、φ350μmの円×2箇所)を有するネガ型フォトマスクを介し、電気配線マーカ65とφ350μmの円の開口部を位置合わせしてクラッド層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム側から紫外線(波長365nm)を350mJ/cm2で照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液(1%炭酸カリウム水溶液)を用いて、上部クラッド層形成用樹脂を除去して、水洗浄を行った。更に上記紫外線露光機を用いて3.0J/cm2で照射し、170℃で1時間加熱乾燥及び硬化作業を行った。これによりコア埋設用上部クラッドパターン42とφ350μmの上部クラッドパターンマーカ45を形成した。
[Formation of upper cladding layer]
After removing the cover film from the 85 μm-thick clad layer forming resin film obtained above from the core pattern forming surface side formed above, a vacuum pressure laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) ), And was vacuum-bonded to 500 Pa or less, and then thermocompression bonded under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 110 ° C., and a pressurization time of 30 seconds to laminate.
Subsequently, via a negative photomask having openings (50 mm × 1.1 mm × 1 place, φ350 μm circle × 2 places), the electrical wiring marker 65 and the φ350 μm circle opening are aligned to form a clad layer The resin film was irradiated with ultraviolet rays (wavelength 365 nm) at 350 mJ / cm 2 from the carrier film side. Thereafter, the carrier film was peeled off, and the resin for forming the upper cladding layer was removed using a developer (1% aqueous potassium carbonate solution), followed by washing with water. Further, irradiation with 3.0 J / cm 2 was performed using the above ultraviolet exposure machine, and heat drying and curing operations were performed at 170 ° C. for 1 hour. As a result, an upper cladding pattern 42 for burying the core and an upper cladding pattern marker 45 of φ350 μm were formed.

[位置合わせずれ量の測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側から白色のハロゲンランプの落射照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところやや良好であった。そこで測定用マーカを用いてコアパターンマーカ35に対する各層のパターンマーカの位置合わせずれ量の測定を行った。電気配線マーカ65は△X=+2.5μm、△Y=−2.2μm、下部
クラッドパターンマーカ25は△X=−5.5μm、△Y=−1.7μm、上部クラッド
パターンマーカ45は△X=+1.2μm、△Y=−0.4μmであった。これらは、実
際に測定したコアパターン30と各層のパターンとの位置合わせずれ量とX方向、Y方向共に±0.5μm以内の相関が確認できた。
[Measurement of misalignment]
When the obtained optical waveguide was viewed from the direction perpendicular to each layer formation surface by epi-illumination of a white halogen lamp from the upper clad layer side, it was slightly better. Therefore, the amount of misalignment of the pattern marker of each layer with respect to the core pattern marker 35 was measured using the measurement marker. The electrical wiring marker 65 is ΔX = + 2.5 μm, ΔY = −2.2 μm, the lower cladding pattern marker 25 is ΔX = −5.5 μm, ΔY = −1.7 μm, and the upper cladding pattern marker 45 is ΔX. = + 1.2 μm, ΔY = −0.4 μm. These confirmed the correlation between the actually measured misalignment amount of the core pattern 30 and the pattern of each layer and the correlation within ± 0.5 μm in both the X direction and the Y direction.

実施例4
<第5の実施形態(図10〜14)の光導波路の作製例>
実施例1において、コアパターンマーカ35の形状を100μm(X方向)×500μm(Y方向)×2本(間隙150μm)×2箇所にし、上部クラッドパターンマーカ45の形状を250μm(X方向)×700μm(Y方向)×2箇所にし、コアパターンマーカ35の間隙中心に上部クラッドパターンマーカ45が配置されるように形成した以外は同様の方法で光導波路を作製した。
Example 4
<Example of Fabrication of Optical Waveguide of Fifth Embodiment (FIGS. 10-14)>
In Example 1, the shape of the core pattern marker 35 is 100 μm (X direction) × 500 μm (Y direction) × 2 (gap 150 μm) × 2 locations, and the shape of the upper cladding pattern marker 45 is 250 μm (X direction) × 700 μm. An optical waveguide was manufactured in the same manner except that the upper clad pattern marker 45 was formed in the center of the gap of the core pattern marker 35 in the (Y direction) × 2 locations.

[傾斜面の形成]
得られた光導波路の上部クラッド層40形成面側から、測定用マーカ50及びクラッド層に埋設したコアパターン30を横断するように、下部クラッド層表面から7μmの深さまで、ダイシングソー(DAC552、株式会社ディスコ社製)を用いて対向した45°の傾斜面70A,70Bを設けた。
[Formation of inclined surface]
A dicing saw (DAC552, stock) is formed to a depth of 7 μm from the surface of the lower cladding layer so as to cross the measurement marker 50 and the core pattern 30 embedded in the cladding layer from the upper cladding layer 40 forming surface side of the obtained optical waveguide. 45 ° inclined surfaces 70A and 70B opposed to each other using a disco company).

[厚みの測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側の各層形成面垂直方向から視認し、白色のハロゲンランプの透過照明によって測定用マーカ50を視認したところ図14に示すようにコントラストが明確になり極めて視認性が良好であった。そこで、段差47を利用してコアパターンマーカ35と、コアパターンマーカ35上に形成された上部クラッドパターンマーカ45の厚みを測定した。その結果、コアパターンマーカ35の厚みは、50.0μm、上部クラッドパターンマーカ45の厚みは16.2μmであった。コアパターン30とその近傍のコア埋設用上部クラッドパターン42の厚みも合わせて実測したところ、±0.3μm以内の相関が確認できた。
[Measurement of thickness]
The obtained optical waveguide was viewed from the direction perpendicular to each layer formation surface on the upper clad layer side, and when the measurement marker 50 was viewed by transmitted illumination of a white halogen lamp, the contrast became clear as shown in FIG. Was good. Therefore, the thickness of the core pattern marker 35 and the upper clad pattern marker 45 formed on the core pattern marker 35 was measured using the step 47. As a result, the thickness of the core pattern marker 35 was 50.0 μm, and the thickness of the upper clad pattern marker 45 was 16.2 μm. When the thickness of the core pattern 30 and the thickness of the core cladding upper cladding pattern 42 in the vicinity thereof were also measured, a correlation within ± 0.3 μm could be confirmed.

[その他の方向からの視認性]
得られた光導波路を下部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの落射照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところ上部クラッド層側からの視認したときよりやや劣るものの良好であった。
[Visibility from other directions]
When the obtained optical waveguide is viewed from the vertical direction of each layer formation surface from the vertical direction of each layer formation surface when viewed from the vertical direction of each layer formation surface by epi-illumination of a white halogen lamp from the vertical direction of each layer formation surface on the lower cladding layer side, it is slightly inferior The thing was good.

[その他の方向からの視認性]
得られた光導波路を下部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの透過照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところ上部クラッド層側からの視認したときと同様に極めて良好であった。
[Visibility from other directions]
The obtained optical waveguide was viewed from the vertical direction of each layer formation surface on the lower clad layer side by the transmitted illumination of a white halogen lamp, and when the measurement marker was viewed from the vertical direction of each layer formation surface, the same as when viewed from the upper clad layer side It was very good.

実施例5
実施例4において、さらに800μm角を開口させたメタルマスクを厚み測定用マーカに位置合わせをして、蒸着装置(株式会社ファースト技研製「RE−0025」)を用いて遮光層としてAuを0.5μm蒸着させる工程をした。
Example 5
In Example 4, a metal mask having an opening of 800 μm square was aligned with a thickness measurement marker, and Au was used as a light-shielding layer by using an evaporation device (“RE-0025” manufactured by First Giken Co., Ltd.) as a light shielding layer. A process of 5 μm vapor deposition was performed.

[厚みの測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側の各層形成面垂直方向から白色のハロゲンランプの落射照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところ良好であった。そこでコアパターンマーカ35の傾斜面と、上部クラッドパターンマーカ45の傾斜面との間の段差47を利用してコアパターンマーカ35と、コアパターンマーカ303上に形成された上部クラッドパターン403の厚みを測定した。その結果、コアパターンマーカの厚みは、50.0μm、上部クラッドパターンマーカ403の厚みは16.2μmであった。コアパターン302とその近傍の上部クラッドパターン402の厚みを合わせて実測したところ、±0.3μm以内の相関が確認できた。
[Measurement of thickness]
When the obtained optical waveguide was viewed from the vertical direction of each layer formation surface from the vertical direction of each layer formation surface by the epi-illumination of a white halogen lamp from the vertical direction of each layer formation surface on the upper clad layer side, it was good. Therefore, the thickness of the core clad marker 35 and the upper clad pattern 403 formed on the core pattern marker 303 is set using the step 47 between the slanted surface of the core pattern marker 35 and the slanted surface of the upper clad pattern marker 45. It was measured. As a result, the thickness of the core pattern marker was 50.0 μm, and the thickness of the upper cladding pattern marker 403 was 16.2 μm. When the thickness of the core pattern 302 and the thickness of the upper clad pattern 402 in the vicinity thereof were measured together, a correlation within ± 0.3 μm could be confirmed.

比較例1
実施例1において、上部クラッドパターンマーカ403をφ600μmにした以外は同様の方法で、光導波路を作製し、上部クラッドパターンマーカ403に完全に埋設されたコアパターンマーカ303を形成した。
[位置合わせずれ量の測定]
得られた光導波路を上部クラッド層側から白色のハロゲンランプの落射照明によって測定用マーカを各層形成面垂直方向から視認したところコアパターンマーカ303の輪郭が不明瞭で測定できなかった。透過照明で行っても同様の結果であった。
Comparative Example 1
In Example 1, an optical waveguide was manufactured by the same method except that the upper clad pattern marker 403 was changed to φ600 μm, and the core pattern marker 303 completely embedded in the upper clad pattern marker 403 was formed.
[Measurement of misalignment]
When the obtained optical waveguide was viewed from the upper clad layer side by epi-illumination with a white halogen lamp from the direction perpendicular to each layer formation surface, the outline of the core pattern marker 303 was unclear and could not be measured. Similar results were obtained even with transmitted illumination.

比較例2
実施例4において、光導波路を形成した後に、傾斜面を形成せず、上記のダイシングソー(株式会社ディスコ社製「DAC552」)を用いて各層形成面に対するブレードの角度が90°のブレードを用い、基板を切断して光導波路断面をあらわにした。得られた基板を断面方向から観察し、コア層と上部クラッド層の厚みを測定した結果、実施例4と同様の結果が得られたが、測定時の基板の保持が煩雑で作業性が悪かった。
Comparative Example 2
In Example 4, after forming the optical waveguide, an inclined surface is not formed, and a blade whose angle with respect to each layer forming surface is 90 ° is used by using the above-mentioned dicing saw (“DAC552” manufactured by DISCO Corporation). Then, the substrate was cut to reveal the cross section of the optical waveguide. As a result of observing the obtained substrate from the cross-sectional direction and measuring the thicknesses of the core layer and the upper clad layer, the same results as in Example 4 were obtained. However, holding the substrate during measurement was complicated and workability was poor. It was.

本発明の光導波路は、光導波路のコアパターンと上部クラッド層とのずれを容易に測定可能な光導波路、光導波路のコアパターンと上部クラッド層の厚みを容易に測定可能な光導波路、及びそれらの検査方法であるため、各種光学装置、光インタコネクション等の幅広い分野に適用可能である。   An optical waveguide according to the present invention includes an optical waveguide capable of easily measuring the deviation between the core pattern of the optical waveguide and the upper cladding layer, an optical waveguide capable of easily measuring the thickness of the core pattern of the optical waveguide and the upper cladding layer, and Therefore, it can be applied to various fields such as various optical devices and optical interconnections.

10 光導波路
11 基板
20 下部クラッド層
21 下部クラッドパターン
30 コアパターン
35 コアパターンマーカ
36 張出部
40 上部クラッド層
41 上部クラッドパターン
45 上部クラッドパターンマーカ
47 段差
50 測定用マーカ
60 電気配線
65 電気配線マーカ
70 光路変換ミラー
70A、70B 傾斜面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Optical waveguide 11 Board | substrate 20 Lower clad layer 21 Lower clad pattern 30 Core pattern 35 Core pattern marker 36 Overhang | projection part 40 Upper clad layer 41 Upper clad pattern 45 Upper clad pattern marker 47 Step 50 Measurement marker 60 Electric wiring 65 Electric wiring marker 70 Optical path conversion mirror 70A, 70B Inclined surface

Claims (15)

下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられたコアパターン及び上部クラッド層とを備える光導波路であって、
前記上部クラッド層がパターン化されてなる上部クラッドパターンに、一部が埋設され、一部が前記上部クラッドパターンから張り出すように設けられたコアパターンマーカを更に備える光導波路。
An optical waveguide comprising a lower cladding layer, and a core pattern and an upper cladding layer provided on the lower cladding layer,
An optical waveguide further comprising a core pattern marker that is partly embedded in an upper clad pattern obtained by patterning the upper clad layer and that part of the upper clad layer extends from the upper clad pattern.
前記コアパターンマーカの前記上部クラッドパターンから張り出した張出部が、所定の方向に沿って見ると対向するように配置される請求項1に記載の光導波路。   2. The optical waveguide according to claim 1, wherein an overhanging portion protruding from the upper clad pattern of the core pattern marker is disposed so as to face when viewed along a predetermined direction. 前記張出部が、前記所定の方向とは異なる方向に沿って見ても対向するように配置される請求項2に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 2, wherein the protruding portions are arranged so as to face each other even when viewed along a direction different from the predetermined direction. 前記上部クラッドパターンが、前記コアパターンを埋設する上部クラッドパターンとは分離して設けられる上部クラッドパターンマーカを備え、
前記コアパターンマーカは、一部が前記上部クラッドパターンマーカに埋設され、一部が前記上部クラッドパターンマーカから張り出すように設けられる請求項1〜3のいずれかに記載の光導波路。
The upper clad pattern comprises an upper clad pattern marker provided separately from the upper clad pattern in which the core pattern is buried,
4. The optical waveguide according to claim 1, wherein a part of the core pattern marker is embedded in the upper clad pattern marker and a part of the core pattern marker protrudes from the upper clad pattern marker.
前記コアパターンマーカが、リング状又は枠状に形成され、その内部に前記上部クラッドパターンマーカが充填されている請求項4に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 4, wherein the core pattern marker is formed in a ring shape or a frame shape, and the upper clad pattern marker is filled therein. 前記コアパターンマーカの輪郭が、前記上部クラッドパターンの輪郭と相似である請求項1〜5のいずれかに記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 1, wherein an outline of the core pattern marker is similar to an outline of the upper clad pattern. 厚さ方向に見ると、少なくとも一部が前記コアパターンマーカの外周側に配置される、下部クラッドパターンマーカ及び電気配線マーカの少なくともいずれかが設けられ、前記下部クラッドパターンマーカは、前記下部クラッド層がパターン化してなるものである、請求項1〜6のいずれかに記載の光導波路。   When viewed in the thickness direction, at least one of a lower clad pattern marker and an electrical wiring marker is provided, at least a part of which is disposed on the outer peripheral side of the core pattern marker, and the lower clad pattern marker is provided on the lower clad layer The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide is patterned. 前記上部クラッドパターンから張り出す前記コアパターンマーカの張出部と、前記上部クラッドパターンとの境界にある段差を跨るように、前記張出部及び前記上部クラッドパターンに連続した傾斜面が形成された請求項1〜7のいずれかに記載の光導波路。   An inclined surface that is continuous with the protruding portion and the upper cladding pattern is formed so as to straddle the step at the boundary between the protruding portion of the core pattern marker protruding from the upper cladding pattern and the upper cladding pattern. The optical waveguide according to claim 1. 前記張出部に設けられた傾斜面と、前記コアパターンマーカに設けられた傾斜面とが、同一平面上にある請求項8に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 8, wherein the inclined surface provided in the projecting portion and the inclined surface provided in the core pattern marker are on the same plane. 前記傾斜面が切削加工により形成される請求項8又は9のいずれかに記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 8, wherein the inclined surface is formed by cutting. 前記コアパターンに傾斜面からなる光路変換ミラーが設けられ、
前記コアパターンの傾斜面は、前記張出部に設けられた傾斜面及び前記コアパターンマーカに設けられた傾斜面と同一平面上にある請求項8〜10のいずれかに記載の光導波路。
An optical path conversion mirror having an inclined surface is provided in the core pattern,
11. The optical waveguide according to claim 8, wherein the inclined surface of the core pattern is on the same plane as the inclined surface provided on the projecting portion and the inclined surface provided on the core pattern marker.
前記コアパターン及び前記コアパターンマーカがフォトリソグラフィー加工によって形成されてなる請求項1〜11のいずれかに記載の光導波路。 The optical waveguide according to claim 1, wherein the core pattern and the core pattern marker are formed by photolithography. 請求項1〜12に記載の光導波路の検査方法であって、
前記コアパターンマーカと前記上部クラッドパターンの互いの位置ずれ量を測定して、その測定値を前記コアパターンと前記上部クラッド層との位置ずれ量とする光導波路の検査方法。
An inspection method for an optical waveguide according to claim 1,
A method for inspecting an optical waveguide, wherein the misalignment between the core pattern marker and the upper cladding pattern is measured, and the measured value is used as the misalignment between the core pattern and the upper cladding layer.
請求項8〜11に記載の光導波路の検査方法であって、
前記光導波路を厚さ方向に観察して、前記張出部の傾斜面の長さを測定し、その長さから前記コアパターンの厚みを測定する光導波路の検査方法。
The optical waveguide inspection method according to claim 8, wherein:
A method for inspecting an optical waveguide, comprising: observing the optical waveguide in a thickness direction; measuring a length of an inclined surface of the projecting portion; and measuring a thickness of the core pattern from the length.
落射照明及び/又は透過照明を用いて前記光導波路を観察する請求項13又は14に記載の光導波路の検査方法。   The optical waveguide inspection method according to claim 13 or 14, wherein the optical waveguide is observed using epi-illumination and / or transmitted illumination.
JP2013098243A 2013-05-08 2013-05-08 Optical waveguide Pending JP2014219536A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013098243A JP2014219536A (en) 2013-05-08 2013-05-08 Optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013098243A JP2014219536A (en) 2013-05-08 2013-05-08 Optical waveguide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014219536A true JP2014219536A (en) 2014-11-20

Family

ID=51938022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013098243A Pending JP2014219536A (en) 2013-05-08 2013-05-08 Optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014219536A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015087475A (en) * 2013-10-29 2015-05-07 日東電工株式会社 Optical/electrical hybrid substrate, and manufacturing method thereof
JP2018106095A (en) * 2016-12-28 2018-07-05 日東電工株式会社 Photo-electric hybrid substrate
WO2019187020A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 日東電工株式会社 Photoelectric mixed substrate, connector kit, and method for manufacturing same
JP2020016780A (en) * 2018-07-26 2020-01-30 京セラ株式会社 Light guide and optical circuit board
WO2024009457A1 (en) * 2022-07-07 2024-01-11 日本電信電話株式会社 Optical waveguide device and method for manufacturing same
WO2024047740A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 日本電信電話株式会社 Waveguide device inspection system

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522706A (en) * 1978-08-02 1980-02-18 Yokogawa Hokushin Electric Corp Film constitution inspecting method of multilayer film interference filter
JPH08313244A (en) * 1995-05-19 1996-11-29 Toyota Motor Corp Method of measuring thickness of thin film
JP2002022414A (en) * 2000-07-10 2002-01-23 Hitachi Chem Co Ltd Step inspecting apparatus and method of manufacturing optical guide device
JP2002169042A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Nec Corp Optical waveguide coupling structure, optical waveguide and its manufacturing method, and optical device part having optical waveguide and its manufacturing method
JP2003209041A (en) * 2002-01-15 2003-07-25 Seiko Epson Corp Measuring method of aligning accuracy of pattern, forming method of pattern, manufacturing method of electro-optical device and manufacturing method of semiconductor device
JP2003344680A (en) * 2002-05-23 2003-12-03 Nec Corp Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP2004134545A (en) * 2002-10-10 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
JP2007133011A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Nec Corp Optical coupling structure, manufacturing method therefor, and optical module
WO2008136285A1 (en) * 2007-04-27 2008-11-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing photoelectric composite substrate, photoelectric composite substrate produced by the method, and photoelectric composite module using the substrate
JP2010020180A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Nec Corp Optical waveguide device and method of manufacturing the same
US20110286701A1 (en) * 2010-05-24 2011-11-24 Nitto Denko Corporation Optical connection structure and production method of optical waveguide to be used for the optical connection structure
JP2013046018A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Dainippon Kaken:Kk Positioning method of substrate

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522706A (en) * 1978-08-02 1980-02-18 Yokogawa Hokushin Electric Corp Film constitution inspecting method of multilayer film interference filter
JPH08313244A (en) * 1995-05-19 1996-11-29 Toyota Motor Corp Method of measuring thickness of thin film
JP2002022414A (en) * 2000-07-10 2002-01-23 Hitachi Chem Co Ltd Step inspecting apparatus and method of manufacturing optical guide device
JP2002169042A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Nec Corp Optical waveguide coupling structure, optical waveguide and its manufacturing method, and optical device part having optical waveguide and its manufacturing method
JP2003209041A (en) * 2002-01-15 2003-07-25 Seiko Epson Corp Measuring method of aligning accuracy of pattern, forming method of pattern, manufacturing method of electro-optical device and manufacturing method of semiconductor device
JP2003344680A (en) * 2002-05-23 2003-12-03 Nec Corp Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP2004134545A (en) * 2002-10-10 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device
JP2007133011A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Nec Corp Optical coupling structure, manufacturing method therefor, and optical module
WO2008136285A1 (en) * 2007-04-27 2008-11-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing photoelectric composite substrate, photoelectric composite substrate produced by the method, and photoelectric composite module using the substrate
JP2010020180A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Nec Corp Optical waveguide device and method of manufacturing the same
US20110286701A1 (en) * 2010-05-24 2011-11-24 Nitto Denko Corporation Optical connection structure and production method of optical waveguide to be used for the optical connection structure
JP2013046018A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Dainippon Kaken:Kk Positioning method of substrate

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015087475A (en) * 2013-10-29 2015-05-07 日東電工株式会社 Optical/electrical hybrid substrate, and manufacturing method thereof
JP2018106095A (en) * 2016-12-28 2018-07-05 日東電工株式会社 Photo-electric hybrid substrate
JP7101454B2 (en) 2016-12-28 2022-07-15 日東電工株式会社 Optical / electric mixed circuit board
WO2019187020A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 日東電工株式会社 Photoelectric mixed substrate, connector kit, and method for manufacturing same
CN111919155A (en) * 2018-03-30 2020-11-10 日东电工株式会社 Opto-electric hybrid board, connector kit, and method for manufacturing connector kit
US11320613B2 (en) 2018-03-30 2022-05-03 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board, connector kit, and producing method of connector kit
JP2020016780A (en) * 2018-07-26 2020-01-30 京セラ株式会社 Light guide and optical circuit board
JP7027276B2 (en) 2018-07-26 2022-03-01 京セラ株式会社 Optical waveguide and optical circuit board
WO2024009457A1 (en) * 2022-07-07 2024-01-11 日本電信電話株式会社 Optical waveguide device and method for manufacturing same
WO2024047740A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 日本電信電話株式会社 Waveguide device inspection system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6123681B2 (en) Optical waveguide with mirror, optical fiber connector, and manufacturing method thereof
JP2014219536A (en) Optical waveguide
US9513434B2 (en) Optical waveguide and manufacturing method thereof
JP5691493B2 (en) Optical fiber connector and manufacturing method thereof
JP5966470B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP5736743B2 (en) Optical fiber connector and manufacturing method thereof
JP5707969B2 (en) Optical waveguide with mirror and manufacturing method thereof, flexible waveguide with mirror and manufacturing method thereof, optical fiber connector with mirror and manufacturing method thereof
JP5691561B2 (en) Optical fiber connector and manufacturing method thereof
WO2014073707A1 (en) Optical waveguide, optical waveguide manufacturing method, and optical module
JP5834926B2 (en) Manufacturing method of optical fiber connector
JP2015043050A (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP2012181266A (en) Optical fiber connector and method of manufacturing the same
JP5716416B2 (en) Optical fiber connector and manufacturing method thereof
JP2012133236A (en) Optical fiber connector and manufacturing method therefor
JP2015203841A (en) Light guide and production method of the same
JP2014115481A (en) Optical waveguide, position recognition method, and inspection method
JP6069836B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP6048032B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP5776333B2 (en) Optical fiber connector and manufacturing method thereof
JP2015025953A (en) Optical fiber connector, manufacturing method therefor, and optical fiber cable with the same
JP2012128271A (en) Optical fiber connector
JP2013142828A (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP2013142827A (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP2012150345A (en) Optical fiber wiring board and composite substrate of optical fiber electric wiring
JP2012159677A (en) Optical fiber wiring board and optical fiber electrical wiring composite substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160405

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161206

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170808