JP2014203539A - Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing the same, and electronic equipment - Google Patents

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聡一郎 有村
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俊博 木村
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直輝 福岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dye-sensitized solar cell improved in low cost property as a monolithic structure, a method of manufacturing the same, and electronic equipment.SOLUTION: A dye-sensitized solar cell comprises: a first substrate 20M; a counter electrode 19 arranged on the first substrate; a separator 24 formed of an insulation porous body formed so as to cover the counter electrode; a current extraction electrode 10 arranged on the separator; a porous semiconductor layer 130 arranged on the current extraction electrode and having a semiconductor fine particle and a dye molecule; an electrolyte 14 obtained by dissolving a redox electrolyte for immersing the separator, the current extraction electrode, and the porous semiconductor layer; a second substrate 22 arranged above the porous semiconductor layer via a predetermined gap; and a sealing material 16 arranged between the first substrate and the second substrate and sealing the electrolyte.

Description

本発明は、色素増感太陽電池(DSC:Dye-sensitized Solar Cells)に係り、特に、モノリシック構造として低コスト性を向上可能な色素増感太陽電池およびその製造方法、および電子機器に関する。   The present invention relates to a dye-sensitized solar cell (DSC), and more particularly to a dye-sensitized solar cell capable of improving low cost as a monolithic structure, a method for manufacturing the same, and an electronic device.

近年、安価で高性能の太陽電池としてDSCが注目されている。DSCは、スイス・ローザンヌ工科大学のグレツェルが開発したもので、増感色素を表面に担持した酸化チタンを用いることで、光電変換効率が高く、製造コストが安いなどの利点を有することから、次世代の太陽電池として期待されている。この太陽電池は、内部に電解液を封入してあることから、湿式太陽電池とも呼ばれる。   In recent years, DSC has attracted attention as an inexpensive and high-performance solar cell. DSC was developed by Grezell of Lausanne University of Technology in Switzerland, and has the advantages of high photoelectric conversion efficiency and low manufacturing cost by using titanium oxide carrying a sensitizing dye on the surface. It is expected as a solar cell of the next generation. This solar cell is also called a wet solar cell because an electrolyte is sealed inside.

DSCは、増感色素を表面に担持した多孔質の酸化チタン層を備えた作用極と、作用極の酸化チタン層に対向して配置された対極と、作用極と対極との間に充填された電解質溶液(電解液)とを備える(例えば、特許文献1参照。)。   DSC is packed between a working electrode having a porous titanium oxide layer carrying a sensitizing dye on its surface, a counter electrode disposed opposite the titanium oxide layer of the working electrode, and the working electrode and the counter electrode. An electrolyte solution (electrolytic solution) (see, for example, Patent Document 1).

特開平11−135817号JP-A-11-135817

ところが、従来のDSCは、第1基板および第2基板に透明導電膜または導電膜を設けたガラス基板を用いているため、部品コストが嵩むという難点があった。   However, since the conventional DSC uses a glass substrate in which a transparent conductive film or a conductive film is provided on the first substrate and the second substrate, there is a problem that the component cost increases.

本発明の目的は、モノリシック構造として低コスト性を向上可能な色素増感太陽電池およびその製造方法、および電子機器を提供することにある。   The objective of this invention is providing the dye-sensitized solar cell which can improve low cost as a monolithic structure, its manufacturing method, and an electronic device.

上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、第1基板と、前記第1基板上に配置された対極と、前記対極を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、前記セパレータ上に配置された電流取出し電極と、前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、前記セパレータ、前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、前記多孔質半導体層の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材とを備える色素増感太陽電池が提供される。   According to one aspect of the present invention for achieving the above object, the first substrate, a counter electrode disposed on the first substrate, and an insulating porous body formed to cover the counter electrode. A separator, a current extraction electrode disposed on the separator, a porous semiconductor layer disposed on the current extraction electrode and including semiconductor fine particles and dye molecules, the separator, the current extraction electrode, and the porous semiconductor layer An electrolyte solution in which a redox electrolyte is immersed, a second substrate disposed above the porous semiconductor layer with a predetermined gap interposed therebetween, and disposed between the first substrate and the second substrate. A dye-sensitized solar cell comprising a sealing material for sealing the electrolytic solution is provided.

本発明の他の態様によれば、第1基板と、前記第1基板上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、前記第1基板上および前記多孔質半導体層上に配置された電流取出し電極と、前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層の端部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、前記セパレータ上に配置された対極と、前記多孔質半導体層、前記セパレータおよび前記対極を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、前記対極の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材とを備える色素増感太陽電池が提供される。   According to another aspect of the present invention, a first substrate, a porous semiconductor layer disposed on the first substrate and comprising semiconductor fine particles and dye molecules, on the first substrate and on the porous semiconductor layer A current extraction electrode disposed; a separator made of an insulating porous body formed so as to cover an end portion of the current extraction electrode and the porous semiconductor layer; a counter electrode disposed on the separator; An electrolytic solution in which a redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer, the separator, and the counter electrode is dissolved, a second substrate disposed above the counter electrode with a predetermined gap therebetween, the first substrate, and the second substrate Provided is a dye-sensitized solar cell that is disposed between a substrate and a sealing material that seals the electrolytic solution.

本発明の他の態様によれば、第1基板と、前記第1基板上に配置される電流取出し電極と、前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層の全部または一部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、前記セパレータ上に配置された対極と、前記多孔質半導体層、前記セパレータおよび前記対極を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、前記対極の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材とを備える色素増感太陽電池が提供される。   According to another aspect of the present invention, a first substrate, a current extraction electrode disposed on the first substrate, a porous semiconductor layer disposed on the current extraction electrode and comprising semiconductor fine particles and dye molecules, A separator made of an insulating porous body formed so as to cover all or part of the porous semiconductor layer, a counter electrode disposed on the separator, the porous semiconductor layer, the separator, and the counter electrode An electrolytic solution in which a redox electrolyte is immersed, a second substrate disposed above the counter electrode with a predetermined gap therebetween, and disposed between the first substrate and the second substrate. There is provided a dye-sensitized solar cell including a sealing material for sealing a liquid.


本発明の他の態様によれば、第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に対極を形成する工程と、前記対極を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、前記セパレータ上に、電流取出し電極を形成する工程と、前記電流取出し電極上に、多孔質半導体層を形成する工程と、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程とを有する色素増感太陽電池の製造方法が提供される。

According to another aspect of the present invention, after the first substrate is pretreated by a cleaning process, a step of forming a counter electrode on the first substrate, and a porous material made of an insulating ceramic so as to cover the counter electrode A step of forming a separator by sintering, a step of forming a current extraction electrode on the separator, a step of forming a porous semiconductor layer on the current extraction electrode, and immersing the entire device in a dye solution A step of immersing a dye in the porous semiconductor layer, a step of making the first substrate and the second substrate face each other, and bonding them using a sealing material, and the first substrate and the second substrate A method for producing a dye-sensitized solar cell having a step of injecting an electrolytic solution is provided.

本発明の他の態様によれば、第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に半導体微粒子を備える多孔質半導体層を形成する工程と、前記第1基板上および前記多孔質半導体層上に電流取出し電極を形成する工程と、前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層の端部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、前記セパレータ上に、対極を形成する工程と、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程とを有する色素増感太陽電池の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, after the first substrate is pretreated by a cleaning process, a step of forming a porous semiconductor layer including semiconductor fine particles on the first substrate, the first substrate and the porous substrate are formed. Forming a current extraction electrode on the porous semiconductor layer, and sintering and forming a porous separator made of an insulating ceramic so as to cover the current extraction electrode and the end of the porous semiconductor layer And forming a counter electrode on the separator; immersing the entire device in a dye solution; immersing the dye in the porous semiconductor layer; and causing the first substrate and the second substrate to face each other. There is provided a method for producing a dye-sensitized solar cell, which includes a step of bonding using a sealing material, and a step of injecting an electrolytic solution between the first substrate and the second substrate.

本発明の他の態様によれば、第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に透明導電膜から成る電流取出し電極を形成する工程と、前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子を備える多孔質半導体層を形成する工程と、前記多孔質半導体層の全部または一部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、前記セパレータ上に、対極を形成する工程と、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程とを有する色素増感太陽電池の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, after the first substrate is pretreated by a cleaning process, a step of forming a current extraction electrode made of a transparent conductive film on the first substrate is disposed on the current extraction electrode. A step of forming a porous semiconductor layer comprising semiconductor fine particles, and a step of sintering and forming a porous separator made of an insulating ceramic so as to cover all or part of the porous semiconductor layer; Forming a counter electrode on the separator; immersing the entire device in a dye solution; immersing the dye in the porous semiconductor layer; and causing the first substrate and the second substrate to face each other and sealing. Provided is a method for manufacturing a dye-sensitized solar cell, which includes a step of bonding using a stopper and a step of injecting an electrolyte between the first substrate and the second substrate.

本発明の他の態様によれば、上記の色素増感太陽電池を搭載した電子機器が提供される。   According to another aspect of the present invention, an electronic apparatus equipped with the dye-sensitized solar cell is provided.

本発明によれば、モノリシック構造として低コスト性を向上可能な色素増感太陽電池およびその製造方法、および電子機器を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the dye-sensitized solar cell which can improve low cost as a monolithic structure, its manufacturing method, and an electronic device can be provided.

第1の実施の形態に係るDSCの模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of DSC which concerns on 1st Embodiment. 図1のI−I線に沿う模式的断面構造図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line II in FIG. 1. 図1のII−II線に沿う模式的断面構造図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line II-II in FIG. 1. 図1のIII−III線に沿う模式的断面構造図。FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line III-III in FIG. 1. 比較例に係るDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC which concerns on a comparative example. 第1の実施の形態に係るDSCについて、焼結された半導体微粒子層を示す模式的断面構造図。The typical cross-section figure which shows the semiconductor fine particle layer sintered about DSC which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るDSCについて、金属フィルム上に半導体微粒子層を焼結させた状態を示す模式的断面構造図。The typical cross-section figure which shows the state which sintered the semiconductor fine particle layer on the metal film about DSC which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るDSCについて、ガラス基板上に導電膜を介して半導体微粒子層を焼結させた状態を示す模式的断面構造図。The typical cross-section figure which shows the state which sintered the semiconductor fine particle layer on the glass substrate through the electrically conductive film about DSC which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)金属フィルムを前処理する工程図、(b)金属フィルム上に絶縁膜を成膜する工程図、(c)絶縁膜をパターニングする工程図、(d)金属フィルム上にITOおよび触媒層から成る対極を形成する工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 1st Embodiment, Comprising: (a) Process drawing which pre-processes a metal film, (b) Process drawing which forms an insulating film on a metal film, (c) Insulating film Process drawing to pattern, (d) Process drawing which forms the counter electrode which consists of ITO and a catalyst layer on a metal film. 第1の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)対極を覆うように多孔質のセパレータを焼成して形成する工程図、(b)セパレータ上に電流取出し電極を形成する工程図、(c)電流取出し電極上に多孔質半導体層を形成し、色素を担持させる工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 1st Embodiment, Comprising: (a) Process drawing which forms a porous separator by baking so that a counter electrode may be covered, (b) Process which forms an electric current extraction electrode on a separator FIG. 4C is a process chart in which a porous semiconductor layer is formed on a current extraction electrode and a dye is supported. 第1の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、封止材を介して金属フィルムと第2基板とを貼り合わせ、電解液を注入しDSCを完成させる工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 1st Embodiment, Comprising: A metal film and a 2nd board | substrate are bonded together through a sealing material, electrolyte solution is inject | poured, and DSC is completed. 第2の実施の形態に係るDSCの模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of DSC which concerns on 2nd Embodiment. 図13のIV−IV線に沿う模式的断面構造図。FIG. 14 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line IV-IV in FIG. 13. 図13のV−V線に沿う模式的断面構造図。FIG. 14 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line VV in FIG. 13. 図13のVI−VI線に沿う模式的断面構造図。FIG. 14 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line VI-VI in FIG. 13. 第2基板として、ざぐりガラス基板を用いたDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC using the counterbore glass substrate as the 2nd substrate. 第2基板として、ざぐりプラスチック基板を用いたDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC using the counterbore plastic substrate as the 2nd substrate. 第2の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)ガラス基板を前処理する工程図、(b)ガラス基板上に多孔質半導体層をする工程図、(c)ガラス基板および多孔質半導体層上に電流取出し電極を形成する工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 2nd Embodiment, Comprising: (a) Process drawing which pre-processes a glass substrate, (b) Process drawing which forms a porous semiconductor layer on a glass substrate, (c) Glass substrate and FIG. 5 is a process diagram for forming a current extraction electrode on a porous semiconductor layer. 第2の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)電流取出し電極上に多孔質のセパレータを焼成して形成する工程図、(b)セパレータ上に対極を形成する工程図、(c)図20(b)の工程後、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素を多孔質半導体層に吸着させる工程図。It is a DSC manufacturing method according to the second embodiment, (a) a process diagram for firing and forming a porous separator on a current extraction electrode, (b) a process diagram for forming a counter electrode on the separator, (C) After the step of FIG. 20B, the entire device is immersed in a dye solution, and the dye is adsorbed to the porous semiconductor layer. 第2の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、対極をカーボン微粒子で形成する場合を示す工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 2nd Embodiment, Comprising: Process drawing which shows the case where a counter electrode is formed with carbon particulates. 第2の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、対極を導電性微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成する場合を示す工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 2nd Embodiment, Comprising: Process drawing which shows the case where a counter electrode is formed with the sintered compact of electroconductive fine particles and the fine particle of a catalyst substance. 第2の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、封止材を介して第1基板と第2基板とを貼り合わせる工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 2nd Embodiment, Comprising: The process drawing which bonds a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate through a sealing material. 第3の実施の形態に係るDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC which concerns on 3rd Embodiment. 第2基板として、ざぐりガラス基板を用いたDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC using the counterbore glass substrate as the 2nd substrate. 第2基板として、ざぐりプラスチック基板を用いたDSCの模式的断面構造図。The typical cross-section figure of DSC using the counterbore plastic substrate as the 2nd substrate. 第3の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)ガラス基板上に透明導電膜から成る電流取出し電極を形成する工程図、(b)電流取出し電極をパターニングする工程図、(c)電流取出し電極上に多孔質半導体層を形成する工程図、(d)多孔質半導体層上に多孔質のセパレータを焼成して形成する工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 3rd Embodiment, Comprising: (a) Process drawing which forms the current extraction electrode which consists of a transparent conductive film on a glass substrate, (b) Process drawing which patterns a current extraction electrode, c) Process drawing for forming a porous semiconductor layer on the current extraction electrode, (d) Process drawing for forming a porous separator on the porous semiconductor layer by firing. 第3の実施の形態に係るDSCの製造方法であって、(a)セパレータ上に対極を形成する工程図、(b)図28(a)の工程後、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素を多孔質半導体層に吸着させる工程図、(c)封止材を介して第1基板と第2基板とを貼り合わせる工程図。It is a manufacturing method of DSC which concerns on 3rd Embodiment, Comprising: (a) Process drawing which forms a counter electrode on a separator, (b) After the process of FIG. 28 (a), the whole device is immersed in the dye solution. The process figure which makes a porous semiconductor layer adsorb | suck a pigment | dye, (c) The process figure which bonds a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate through a sealing material. 実施の形態に係るDSCの多孔質半導体層の半導体微粒子の模式的構造図。The typical structure figure of the semiconductor fine particle of the porous semiconductor layer of DSC which concerns on embodiment. 実施の形態に係るDSCの動作原理説明図。Explanatory drawing of the principle of operation of the DSC according to the embodiment. 実施の形態に係るDSCの電解液における電荷交換反応に基づく動作原理説明図。The operation principle explanatory drawing based on the charge exchange reaction in the electrolyte solution of DSC which concerns on embodiment. 実施の形態に係るDSCにおいて、多孔質半導体層(12)/色素分子(32)/電解液(14)間のエネルギーポテンシャルダイヤグラム。In DSC which concerns on embodiment, the energy potential diagram between a porous semiconductor layer (12) / dye molecule | numerator (32) / electrolyte solution (14). 実施の形態に係るDSCにおいて、色素分子(32)/電解液(14)間のエネルギーポテンシャルダイヤグラムであって、図26のJ部分の拡大図。In DSC which concerns on embodiment, it is an energy potential diagram between a dye molecule (32) / electrolyte solution (14), Comprising: The enlarged view of the J section of FIG. 実施の形態に係るDSCの各構成材料のエネルギーレベルと発電サイクルを示す説明図。Explanatory drawing which shows the energy level and electric power generation cycle of each component material of DSC which concern on embodiment. 実施の形態に係るDSCに用いられる色素を示す化学構造式であって、(a)indoline系色素(D149)を示す化学構造式、(b)N719を示す化学構造式、(c)D131を示す化学構造式。2 is a chemical structural formula showing a dye used in the DSC according to the embodiment, (a) a chemical structural formula showing an indoleine dye (D149), (b) a chemical structural formula showing N719, and (c) showing a D131. Chemical structural formula. (a)実施の形態に係るDSCにおいて、基本セルを2個直列構成に配置した模式的断面構造図、(b)図36(a)の模式的回路表現。(A) In DSC which concerns on embodiment, the typical cross-section figure which has arrange | positioned two basic cells in series structure, (b) The typical circuit representation of Fig.36 (a). (a)実施の形態に係るDSCにおいて、基本セルを2個並列構成に配置した模式的断面構造図、(b)図37(a)の模式的回路表現。(A) In DSC which concerns on embodiment, the typical cross-section figure which has arrange | positioned two basic cells in parallel structure, (b) The typical circuit expression of Fig.37 (a). 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、第1基板上に複数の内部第1電極が形成された状態を示す平面図。The top view which is 1 process of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, Comprising: The state in which the some internal 1st electrode was formed on the 1st board | substrate. 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、第2基板上に複数の内部第2電極が形成された状態を示す平面図。The top view which is 1 process of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, Comprising: The several internal 2nd electrode was formed on the 2nd board | substrate. 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、第1基板と第2基板を封止材を介して貼り合わせた状態を示す平面図。The top view which is 1 process of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, and shows the state which bonded together the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate through the sealing material. 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、図40のVII−VII線に沿う模式的断面構造図。FIG. 41 is a schematic cross-sectional structure diagram illustrating one step of the DSC manufacturing method according to the embodiment and taken along line VII-VII in FIG. 40. 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、横方向のスクライブラインを形成した状態を示す平面図。The top view which shows 1 step of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, Comprising: The state which formed the scribe line of the horizontal direction. 実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、縦方向のスクライブラインをさらに形成した状態を示す平面図。The top view which is 1 process of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, and shows the state which formed the scribe line of the vertical direction further. (a)第1〜第3の実施の形態に係るDSCのセルを3個形成した構成を示す平面図、(b)3個のセルを直列接続した状態を示す説明図。(A) The top view which shows the structure which formed three cells of DSC concerning the 1st-3rd embodiment, (b) The explanatory view which shows the state which connected three cells in series. (a)第1〜第3の実施の形態に係るDSCのセルを5個、直列接続した状態を示す模式図、(b)図45(a)の説明図、(c)図45(a)の構成例を示す平面図。(A) A schematic diagram showing a state in which five DSC cells according to the first to third embodiments are connected in series, (b) an explanatory view of FIG. 45 (a), and (c) FIG. 45 (a). FIG. (a)第1〜第3の実施の形態に係るDSCのセルをn個、タンデム構成に積層させた状態を示す模式図、(b)図46(a)の説明図。(A) Schematic diagram showing a state in which n DSC cells according to the first to third embodiments are stacked in a tandem configuration, and (b) an explanatory diagram of FIG. (a)第1〜第3の実施の形態に係るDSCのセルをn個、タンデム構成に積層させたものを並列接続した状態を示す模式図、(b)図47(a)の説明図。(A) A schematic diagram showing a state in which n DSC cells according to the first to third embodiments stacked in a tandem configuration are connected in parallel, and (b) an explanatory diagram of FIG. 47 (a). 光線L1、L2、L3の波長を示すグラフ。The graph which shows the wavelength of the light rays L1, L2, and L3. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載したリモコン装置の構成例を示す平面図。The top view which shows the structural example of the remote control device carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載したリモコン装置の側面図。The side view of the remote control device carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載したリモコン装置の他の構成例を示す側面図。The side view which shows the other structural example of the remote control device carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載した卓上デジタル時計の構成例を示す鳥瞰図。The bird's-eye view which shows the structural example of the desktop digital timepiece carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. (a)第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載した電子手帳を開いた状態を示す鳥瞰図、(b)閉じた状態を示す鳥瞰図。(A) The bird's-eye view which shows the state which opened the electronic notebook carrying DSC which concerns on 1st-3rd embodiment, (b) The bird's-eye view which shows the closed state. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載した電子辞書を開いた状態を示す鳥瞰図。The bird's-eye view which shows the state which opened the electronic dictionary carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載したDSC駆動センサモジュールの模式的ブロック構成図。The typical block block diagram of the DSC drive sensor module carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載した別のDSC駆動センサモジュールの模式的ブロック構成図。The typical block block diagram of another DSC drive sensor module carrying DSC which concerns on the 1st-3rd embodiment. 第1〜第3の実施の形態に係るDSCを搭載したDSC駆動センサモジュールを適用したホームエネルギーマネージメントシステム(HEMS:Home Energy Management System)の構成例。The structural example of the home energy management system (HEMS: Home Energy Management System) to which the DSC drive sensor module carrying the DSC according to the first to third embodiments is applied.

次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。   Next, embodiments will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   Further, the embodiments described below exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the embodiments of the present invention include the material, shape, structure, The layout is not specified as follows. Various modifications can be made to the embodiment of the present invention within the scope of the claims.

以下の実施の形態に係るDSCにおいて、「透明」とは、透過率が約50%以上であるものと定義する。また「透明」とは、実施の形態に係るDSCにおいて、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約360nm〜830nm程度、エネルギー約3.45eV〜1.49eV程度に相当し、この領域で透過率が50%以上あれば透明である。   In the DSC according to the following embodiment, “transparent” is defined as a transmittance of about 50% or more. In addition, “transparent” is also used to mean colorless and transparent to visible light in the DSC according to the embodiment. Visible light corresponds to a wavelength of about 360 nm to 830 nm and an energy of about 3.45 eV to 1.49 eV, and is transparent if the transmittance is 50% or more in this region.

[第1の実施の形態]
第1の実施の形態に係るDSC200の模式的平面パターン構成は、図1(a)に示すように表され、そのI−I線に沿う模式的断面構造は、図1(b)に示すように表される。また、II−II線に沿う模式的断面構造図は図3に示すように表され、III−III線に沿う模式的断面構造図は図4に示すように表される。
[First embodiment]
A schematic planar pattern configuration of the DSC 200 according to the first embodiment is expressed as shown in FIG. 1A, and a schematic cross-sectional structure along the line II is shown in FIG. 1B. It is expressed in Further, a schematic cross-sectional structure diagram along the line II-II is represented as shown in FIG. 3, and a schematic cross-sectional structure diagram along the line III-III is represented as shown in FIG.

本実施の形態に係るDSC200は、図1〜図4に示すように、金属フィルムで構成される第1基板20Mと、第1基板20M上に配置されたITO18と、ITO18(対極19)を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータ24と、セパレータ24上に配置された電流取出し電極10と、電流取出し電極10上に配置され、半導体微粒子層120と色素分子Dyeを備える多孔質半導体層130と、セパレータ24、電流取出し電極10および多孔質半導体層130を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液14と、多孔質半導体層130の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板22と、第1基板20Mと第2基板22との間に配置され、電解液14を封止する封止材16とを備える。   The DSC 200 according to the present embodiment covers the first substrate 20M made of a metal film, the ITO 18 disposed on the first substrate 20M, and the ITO 18 (counter electrode 19), as shown in FIGS. Separator 24 made of an insulating porous body formed in this way, current extraction electrode 10 disposed on separator 24, a porous structure including semiconductor fine particle layer 120 and dye molecule Dye disposed on current extraction electrode 10. The porous semiconductor layer 130, the separator 24, the current extraction electrode 10, and the electrolytic solution 14 in which the redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer 130 is dissolved, and the porous semiconductor layer 130 is disposed with a predetermined gap therebetween. A second substrate 22 and a sealing material 16 that is disposed between the first substrate 20M and the second substrate 22 and seals the electrolytic solution 14 are provided.

ここで、ITO18には、触媒物質が混合されている。その結果、ITO18と触媒物質との混合層によって、対極19が形成される。   Here, the ITO 18 is mixed with a catalyst material. As a result, the counter electrode 19 is formed by the mixed layer of the ITO 18 and the catalyst material.

なお、図2に示すように、図上右側において、第1基板20Mと電流取出し電極10との間にはSiO等で構成される絶縁膜23が形成されている。導電性の金属フィルムを第1基板20Mとするため、電流取出し電極10と第1基板20Mの間を絶縁する必要があるためである。 As shown in FIG. 2, an insulating film 23 made of SiO 2 or the like is formed between the first substrate 20M and the current extraction electrode 10 on the right side of the drawing. This is because it is necessary to insulate between the current extraction electrode 10 and the first substrate 20M in order to use the conductive metal film as the first substrate 20M.

封止材16としては、紫外線硬化樹脂等の樹脂が用いられる。   As the sealing material 16, a resin such as an ultraviolet curable resin is used.

また、電解液14を注入した開口部を封止する開口部封止材3bと、開口部に配置され、封止材16と開口部封止材3bとを結合するキャップ封止材3aとを備えている。このキャップ封止材3aと開口部封止材3bは、ともに紫外線硬化樹脂等の樹脂で構成される。   Moreover, the opening part sealing material 3b which seals the opening part which inject | poured the electrolyte solution 14, and the cap sealing material 3a which is arrange | positioned at an opening part and couple | bonds the sealing material 16 and the opening part sealing material 3b. I have. Both the cap sealing material 3a and the opening sealing material 3b are made of a resin such as an ultraviolet curable resin.

図1〜図4に示す例において、第1基板20Mは、所定厚さ(例えば、約0.05〜0.1mm程度)の金属フィルムで構成される。この金属フィルム20Mは、例えばステンレスまたはTiで形成される。これにより、透明導電膜を形成した比較的高コストのガラス基板を第1基板として用いないので、コストを低廉化することができる。また、錆等に強い耐久性を備えたDSC200とすることができる。   In the example shown in FIGS. 1 to 4, the first substrate 20 </ b> M is formed of a metal film having a predetermined thickness (for example, about 0.05 to 0.1 mm). The metal film 20M is made of, for example, stainless steel or Ti. Thereby, since the comparatively high cost glass substrate in which the transparent conductive film was formed is not used as the first substrate, the cost can be reduced. Moreover, it can be set as DSC200 provided with durability strong against rust etc.

また、電流取出し電極10は、透明導電膜、金属蒸着膜または導電性微粒子から成る膜で構成される。なお、透明導電膜は、ITO、FTO、ZnO、SnO2のいずれかで形成される。 The current extraction electrode 10 is formed of a transparent conductive film, a metal vapor deposition film, or a film made of conductive fine particles. The transparent conductive film, ITO, FTO, ZnO, is formed in one of SnO 2.

セパレータ24は、多孔質セラミックで構成されるようにできる。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続することができる。   The separator 24 can be made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed into the separator 24, and the counter electrode 19, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

なお、多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成する。   The porous ceramic is composed of a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19(ITO18で表示:ITOと触媒物質との混合層)は、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19の内部まで浸漬し、電流取出し電極10および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   Further, the counter electrode 19 (indicated by ITO 18: a mixed layer of ITO and a catalyst substance) can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 is immersed in the counter electrode 19, and the electrochemical connection between the current extraction electrode 10 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成される。導電体の微粒子は、例えば、ITOまたはSnO2、または金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。 The porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 or metal fine particles, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon.

また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成するようにしても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成されるようにできる。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。   In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer can be formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

また、第2基板22は、ガラス基板またはプラスチックフィルムで構成される。なお、プラスチックフィルムは、PET樹脂またはPEN樹脂で形成される。これにより、透明導電膜を形成した比較的高コストのガラス基板を第2基板として用いないので、コストを低廉化することができる。   The second substrate 22 is made of a glass substrate or a plastic film. The plastic film is formed of PET resin or PEN resin. Thereby, since the comparatively high cost glass substrate in which the transparent conductive film was formed is not used as the second substrate, the cost can be reduced.

色素Dyeは、レッドダイ(N719)、ブラックダイ(N749)、D131、D205、フタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、indoline系色素(D149)のいずれかで形成される。   The dye Dye is formed of any one of a red dye (N719), a black dye (N749), D131 and D205, a phthalocyanine dye, a porphyrin dye, and an indoline dye (D149).

また、多孔質半導体層130を構成する半導体微粒子は、TiO2、ZnO、WO3、InO3、Nb23、SnO2のいずれかとすることができる。 The semiconductor fine particles constituting the porous semiconductor layer 130 can be any of TiO 2 , ZnO, WO 3 , InO 3 , Nb 2 O 3 , and SnO 2 .

(比較例)
図5には、比較例に係るDSC200Aの模式的断面構造図を示す。
(Comparative example)
FIG. 5 shows a schematic sectional view of a DSC 200A according to a comparative example.

なお、本実施の形態に係るDSC200と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。   In addition, about the structure similar to DSC200 which concerns on this Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.

比較例に係るDSC200Aにおいては、第1基板20および第2基板22として、第1電極10および第2電極18を構成する導電膜(TCO等)を予め形成したガラス基板を用いており、コストが嵩んでいた。   In the DSC 200A according to the comparative example, as the first substrate 20 and the second substrate 22, a glass substrate in which conductive films (such as TCO) constituting the first electrode 10 and the second electrode 18 are formed in advance is used, and the cost is low. It was bulky.

また、低コスト性を考慮して、第1基板20および第2基板22として低コストのプラスチックフィルム等を適用しようとしても、これらのフィルムの耐熱温度(例えば、PET樹脂は150℃程度、PEN樹脂は200℃程度)がTiO2の焼結温度(500℃程度)より大幅に低いため、実現することができなかった。 In consideration of low cost, even if low cost plastic films are applied as the first substrate 20 and the second substrate 22, the heat resistance temperature of these films (for example, PET resin is about 150 ° C., PEN resin) Was about 200 ° C.) much lower than the sintering temperature of TiO 2 (about 500 ° C.), and could not be realized.

(多孔質半導体層について)
第1の実施の形態に係るDSCに適用される多孔質半導体層130を構成する半導体微粒子層120の構成例を図6〜図8に示す。
(About porous semiconductor layers)
Configuration examples of the semiconductor fine particle layer 120 constituting the porous semiconductor layer 130 applied to the DSC according to the first embodiment are shown in FIGS.

半導体微粒子層120の模式的断面構造図は図6のように示される。この半導体微粒子層120は、導電性ペースト材料として例えばナノサイズの金属微粒子(例えば、Ag粒子)124とTiOの微粒子(例えば、数nm〜数百nm)を含むペーストを印刷装置やディスペンサ等を用いて基板(例えば、金属フィルム20M)上に塗布し、500℃程度の高温で焼結して形成される。 A schematic cross-sectional structure diagram of the semiconductor fine particle layer 120 is shown in FIG. The semiconductor fine particle layer 120 is formed by using, for example, a printing apparatus or a dispenser as a conductive paste material including a paste containing nano-sized metal fine particles (for example, Ag particles) 124 and TiO 2 fine particles (for example, several nm to several hundred nm). It is used by applying on a substrate (for example, metal film 20M) and sintering at a high temperature of about 500 ° C.

図7は、第1の実施の形態に係るDSC200について、金属フィルム20M上に半導体微粒子層120を焼結させた状態を示す。また、図8は、第1の実施の形態に係るDSC200について、ガラス基板20G上に導電膜10を介して半導体微粒子層120を焼結させた状態を示す。   FIG. 7 shows a state in which the semiconductor fine particle layer 120 is sintered on the metal film 20M in the DSC 200 according to the first embodiment. FIG. 8 shows a state in which the semiconductor fine particle layer 120 is sintered on the glass substrate 20G via the conductive film 10 in the DSC 200 according to the first embodiment.

(第1の実施の形態に係るDSCの製造方法)
次に、第1の実施の形態に係るDSCの製造方法について説明する。
(DSC manufacturing method according to the first embodiment)
Next, a DSC manufacturing method according to the first embodiment will be described.

第1の実施の形態に係るDSCの製造方法は、次の工程からなる、即ち、
(1)金属フィルムから成る第1基板20Mを、洗浄工程によって前処理後、第1基板20M上に対極19(ITO18で表示:ITOと触媒物質との混合層)を形成する工程と、
(2)対極19を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータ24を焼結して形成する工程と、
(3)セパレータ24上に、電流取出し電極10を形成する工程と、
(4)電流取出し電極10上に、多孔質半導体層120を形成する工程と、
(5)デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させて、多孔質半導体層130(120+Dye)を形成する工程と、
(6)第1基板20Mと第2基板22とを互いに対向させ、封止材16を用いて貼り合わせる工程と、
(7)第1基板20Mと第2基板22との間に、電解液14を注入する工程と
を有する。
The DSC manufacturing method according to the first embodiment includes the following steps:
(1) After pre-processing the first substrate 20M made of a metal film by a cleaning process, forming a counter electrode 19 (indicated by ITO 18: mixed layer of ITO and a catalyst material) on the first substrate 20M;
(2) a step of sintering and forming a porous separator 24 made of an insulating ceramic so as to cover the counter electrode 19;
(3) forming the current extraction electrode 10 on the separator 24;
(4) forming a porous semiconductor layer 120 on the current extraction electrode 10;
(5) a step of immersing the entire device in a dye solution, adsorbing the dye Dye to the porous semiconductor layer 120, and forming a porous semiconductor layer 130 (120 + Dye);
(6) a step of causing the first substrate 20M and the second substrate 22 to face each other and bonding using the sealing material 16;
(7) Injecting the electrolytic solution 14 between the first substrate 20M and the second substrate 22.

図9〜図12を参照して、第1の実施の形態に係るDSCの製造方法の具体例について説明する。   A specific example of the DSC manufacturing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

(a)まず、ステンレスやTi等で形成される金属フィルム20Mを前処理する(図10(a))。 (A) First, the metal film 20M formed of stainless steel or Ti is pretreated (FIG. 10A).

(b)金属フィルム20M上にSiO2等で構成される絶縁膜23を形成する(図10(b))。 (B) An insulating film 23 made of SiO 2 or the like is formed on the metal film 20M (FIG. 10B).

(c)エッチングによって絶縁膜23をパターニングする(図10(c))。 (C) The insulating film 23 is patterned by etching (FIG. 10C).

(d)金属フィルム20M上に対極19(ITO18で表示:ITOと触媒物質との混合層)を形成する(図10(d))。 (D) A counter electrode 19 (indicated by ITO 18: mixed layer of ITO and a catalyst substance) is formed on the metal film 20M (FIG. 10 (d)).

(e)対極19を覆うように多孔質のセパレータ24を焼成して形成する(図11(a))。 (E) A porous separator 24 is baked to cover the counter electrode 19 (FIG. 11A).

(f)セパレータ24上に電流取出し電極10を形成する(図11(b))。 (F) The current extraction electrode 10 is formed on the separator 24 (FIG. 11B).

(g)電流取出し電極10上に多孔質半導体層120を形成した後、デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させて、多孔質半導体層130(120+Dye)を形成する(図11(c))。 (G) After forming the porous semiconductor layer 120 on the current extraction electrode 10, the entire device is immersed in the dye solution, and the dye Dye is adsorbed on the porous semiconductor layer 120, and the porous semiconductor layer 130 (120 + Dye). Is formed (FIG. 11C).

(h)封止材16を介して金属フィルム20Mと第2基板22とを貼り合わせ、電解液14を注入しDSCを完成させる(図12・図9)。 (H) The metal film 20M and the second substrate 22 are bonded together through the sealing material 16, and the electrolytic solution 14 is injected to complete the DSC (FIGS. 12 and 9).

ここで、セパレータ24は、多孔質セラミックで構成されるようにできる。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続することができる。   Here, the separator 24 can be made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed into the separator 24, and the counter electrode 19, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成する。   The porous ceramic is composed of a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19(ITO18で表示:ITOと触媒物質との混合層)は、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19の内部まで浸漬し、電流取出し電極10および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   Further, the counter electrode 19 (indicated by ITO 18: a mixed layer of ITO and a catalyst substance) can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 is immersed in the counter electrode 19, and the electrochemical connection between the current extraction electrode 10 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成されるようにできる。導電体の微粒子は、例えば、ITOまたはSnO2、または金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成するようにしても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成される。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。 The porous electrode may be formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 or metal fine particles, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon. In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer is formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

また、第2基板22は、ガラス基板またはPET樹脂またはPEN樹脂等のプラスチックフィルムで構成される。これにより、透明導電膜を形成した比較的高コストのガラス基板を第2基板とする場合に比して、コストを低廉化することができる。   Moreover, the 2nd board | substrate 22 is comprised with plastic films, such as a glass substrate or PET resin, or PEN resin. Thereby, cost can be reduced compared with the case where the comparatively high cost glass substrate in which the transparent conductive film is formed is used as the second substrate.

[第2の実施の形態]
第2の実施の形態に係るDSC200の模式的平面パターン構成は、図13に示すように表され、そのIV−IV線に沿う模式的断面構造は、図14に示すように表される。また、V−V線に沿う模式的断面構造図は図15に示すように表され、VI−VI線に沿う模式的断面構造図は図16に示すように表される。
[Second Embodiment]
A schematic planar pattern configuration of the DSC 200 according to the second embodiment is expressed as shown in FIG. 13, and a schematic cross-sectional structure taken along the line IV-IV is expressed as shown in FIG. Further, a schematic cross-sectional structure diagram along the VV line is expressed as shown in FIG. 15, and a schematic cross-sectional structure diagram along the VI-VI line is expressed as shown in FIG.

本実施の形態に係るDSC200は、図13〜図16に示すように、ガラス基板で構成される第1基板20Gと、第1基板20G上に配置され、半導体微粒子層120と色素分子Dyeを備える多孔質半導体層130と、第1基板20G上および多孔質半導体層130上に配置された電流取出し電極10と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130の端部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータ24と、セパレータ24上に配置された対極19と、多孔質半導体層130、セパレータ24および対極19を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液14と、対極19の上方に所定の間隙を挟んで配置されたガラス基板で構成される第2基板22Gと、第1基板20Gと第2基板22Gとの間に配置され、電解液14を封止する封止材16とを備える。   As shown in FIGS. 13 to 16, DSC 200 according to the present embodiment includes first substrate 20 </ b> G formed of a glass substrate, semiconductor fine particle layer 120 and dye molecule Dye arranged on first substrate 20 </ b> G. Porous semiconductor layer 130, current extraction electrode 10 disposed on first substrate 20G and porous semiconductor layer 130, and insulation formed so as to cover the ends of current extraction electrode 10 and porous semiconductor layer 130 A separator 24 made of a porous material, a counter electrode 19 disposed on the separator 24, an electrolytic solution 14 in which a redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer 130, the separator 24, and the counter electrode 19 is dissolved; It is disposed between a second substrate 22G composed of a glass substrate disposed above with a predetermined gap and between the first substrate 20G and the second substrate 22G. 14 and a sealant 16 for sealing.

なお、図14に示すように、図上右側において、第1基板20Gと封止材16との間には電流取出し電極となる導電膜18が形成されており、対極19と接続される。   As shown in FIG. 14, a conductive film 18 serving as a current extraction electrode is formed between the first substrate 20 </ b> G and the sealing material 16 on the right side of the figure, and is connected to the counter electrode 19.

封止材16としては、紫外線硬化樹脂等の樹脂が用いられる。   As the sealing material 16, a resin such as an ultraviolet curable resin is used.

また、電解液14を注入した開口部を封止する開口部封止材3bと、開口部に配置され、封止材16と開口部封止材3bとを結合するキャップ封止材3aとを備える。このキャップ封止材3aと開口部封止材3bは、ともに紫外線硬化樹脂等の樹脂で構成される。   Moreover, the opening part sealing material 3b which seals the opening part which inject | poured the electrolyte solution 14, and the cap sealing material 3a which is arrange | positioned at an opening part and couple | bonds the sealing material 16 and the opening part sealing material 3b. Prepare. Both the cap sealing material 3a and the opening sealing material 3b are made of a resin such as an ultraviolet curable resin.

第1基板20Gおよび第2基板22Gとして、透明導電膜を予め形成しない通常のガラス基板(素ガラス)を用いるので、コストを低廉化可能である。   As the first substrate 20G and the second substrate 22G, ordinary glass substrates (elementary glass) on which a transparent conductive film is not formed in advance are used, so that the cost can be reduced.

また、電流取出し電極10、18は、透明導電膜、金属蒸着膜または導電性微粒子から成る膜で構成される。なお、透明導電膜は、ITO、FTO、ZnO、SnO2のいずれかで形成される。 The current extraction electrodes 10 and 18 are formed of a transparent conductive film, a metal vapor deposition film, or a film made of conductive fine particles. The transparent conductive film, ITO, FTO, ZnO, is formed in one of SnO 2.

セパレータ24は、多孔質セラミックで構成される。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続することができる。   The separator 24 is made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed into the separator 24, and the counter electrode 19, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

なお、多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成することができる。   The porous ceramic can be composed of a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19は、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19の内部まで浸漬し、電流取出し電極10・18および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   The counter electrode 19 can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 is immersed in the counter electrode 19, and the electrochemical connection between the current extraction electrodes 10 and 18 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成される。導電体の微粒子は、例えば、ITOまたはSnO2、または金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。 The porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 or metal fine particles, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon.

また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成するようにしても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成される。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。   In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer is formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

色素Dyeは、レッドダイ(N719)、ブラックダイ(N749)、D131、D205、フタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、indoline系色素(D149)のいずれかで形成される。   The dye Dye is formed of any one of a red dye (N719), a black dye (N749), D131 and D205, a phthalocyanine dye, a porphyrin dye, and an indoline dye (D149).

また、多孔質半導体層130を構成する半導体微粒子は、TiO2、ZnO、WO3、InO3、Nb23、SnO2のいずれかとすることができる。 The semiconductor fine particles constituting the porous semiconductor layer 130 can be any of TiO 2 , ZnO, WO 3 , InO 3 , Nb 2 O 3 , and SnO 2 .

図17は、第2基板として、ざぐりガラス基板22GZを用いたDSCの模式的断面構造図である。   FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of a DSC using a counterbore glass substrate 22GZ as the second substrate.

ざぐりガラス基板22GZのざぐり部は、ガラス基板上に半導体プロセス等で使用されるフォトレジスト等を塗布・紫外線露光・現像するなどしてパターニングしたものを、フッ化水素酸(フッ酸)に浸漬した後、フォトレジスト等を有機溶剤で洗浄除去することで形成される。   The counterbore part of the counterbore glass substrate 22GZ was soaked in hydrofluoric acid (hydrofluoric acid) that was patterned on the glass substrate by applying a photoresist used in a semiconductor process or the like, exposing it to ultraviolet light, and developing it. Thereafter, the photoresist and the like are formed by washing and removing with an organic solvent.

フォトレジストはフッ酸に耐性があり、フォトレジストの下部のガラスは、フッ酸に侵食されないのでざぐりの形成が可能である。フォトレジストの代わりにフッ酸耐性のある印刷用レジストを印刷でパターン形成しても良い。   The photoresist is resistant to hydrofluoric acid, and the glass under the photoresist is not eroded by hydrofluoric acid, so that a spot can be formed. Instead of the photoresist, a resist for printing resistant to hydrofluoric acid may be formed by printing.

また、フォトレジスト等を有機溶剤洗浄した後に、酸素プラズマ処理や硫酸への浸漬処理を行い、ざぐり部分に残留する有機残存物を完全に除去することで、ざぐりガラス基板22GZと第1基板20Gとを封止剤16Uを介して接着する際の接着強度が向上する。   Further, after cleaning the photoresist or the like with an organic solvent, an oxygen plasma treatment or an immersion treatment in sulfuric acid is performed to completely remove the organic residue remaining in the spotted portion, so that the spotted glass substrate 22GZ and the first substrate 20G The adhesive strength at the time of adhering through the sealant 16U is improved.

ざぐりガラス基板22GZは、封止材16Uを介して第1基板20Gと接合される。   The counterbore glass substrate 22GZ is bonded to the first substrate 20G via the sealing material 16U.

ざぐりガラス基板22GZを用いることにより密閉性が向上し、信頼性を高めることができる。   By using the counterbore glass substrate 22GZ, the sealing performance is improved and the reliability can be improved.

また、図18は、第2基板として、ざぐりプラスチック基板22Pを用いたDSCの模式的断面構造図である。   FIG. 18 is a schematic sectional view of a DSC using a counterbore plastic substrate 22P as the second substrate.

ざぐりプラスチック基板22Pは、透明樹脂の押出成形等によって成形する。   The counterbore plastic substrate 22P is formed by extrusion molding of a transparent resin or the like.

ざぐりプラスチック基板22Pを用いることにより密閉性が向上し、信頼性を高め、コストを低廉化可能である。   By using the counterbore plastic substrate 22P, the sealing performance is improved, the reliability is improved, and the cost can be reduced.

(第2の実施の形態に係るDSCの製造方法)
次に、第2の実施の形態に係るDSCの製造方法について説明する。
(DSC manufacturing method according to the second embodiment)
Next, a DSC manufacturing method according to the second embodiment will be described.

第2の実施の形態に係るDSCの製造方法は、次の工程からなる、即ち、
(1)ガラス基板で構成される第1基板20Gを、洗浄工程によって前処理後、第1基板20G上に多孔質半導体層120を形成する工程と、
(2)第1基板20G上および多孔質半導体層120上に電流取出し電極10、18を形成する工程と、
(3)電流取出し電極10および多孔質半導体層120の端部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータ24を焼結して形成する工程と、
(4)セパレータ24上に、対極19を形成する工程と、
(5)デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させる工程と、
(6)第1基板20Gと第2基板22とを互いに対向させ、封止材16を用いて貼り合わせる工程と、
(7)第1基板20Gと第2基板22との間に、電解液14を注入する工程と
を有する。
The DSC manufacturing method according to the second embodiment includes the following steps:
(1) forming a porous semiconductor layer 120 on the first substrate 20G after pre-processing the first substrate 20G formed of a glass substrate by a cleaning process;
(2) forming the current extraction electrodes 10 and 18 on the first substrate 20G and the porous semiconductor layer 120;
(3) a step of sintering and forming a porous separator 24 made of an insulating ceramic so as to cover the current extraction electrode 10 and the end of the porous semiconductor layer 120;
(4) forming the counter electrode 19 on the separator 24;
(5) a step of immersing the entire device in a dye solution and adsorbing the dye Dye to the porous semiconductor layer 120;
(6) a step of causing the first substrate 20G and the second substrate 22 to face each other and bonding using the sealing material 16;
(7) Injecting the electrolytic solution 14 between the first substrate 20G and the second substrate 22.

図19〜図24を参照して、第2の実施の形態に係るDSCの製造方法の具体例について説明する。   A specific example of the DSC manufacturing method according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

(a)まず、ガラス基板で構成される第1基板20Gを前処理する(図19(a))。 (A) First, the first substrate 20G made of a glass substrate is pretreated (FIG. 19A).

(b)ガラス基板20G上に多孔質半導体層120を形成する(図19(b))。 (B) The porous semiconductor layer 120 is formed on the glass substrate 20G (FIG. 19B).

(c)ガラス基板20Gおよび多孔質半導体層120上に電流取出し電極10・18を形成する(図19(c))。 (C) The current extraction electrodes 10 and 18 are formed on the glass substrate 20G and the porous semiconductor layer 120 (FIG. 19C).

(d)電流取出し電極10上に多孔質のセパレータ24を焼成して形成する(図20(a))。 (D) A porous separator 24 is baked and formed on the current extraction electrode 10 (FIG. 20A).

(e)セパレータ24上に対極19を形成する(図20(b))。 (E) The counter electrode 19 is formed on the separator 24 (FIG. 20B).

(f)デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させる。結果として、多孔質半導体層130(120+Dye)を得る(図20(c)。 (F) The entire device is immersed in the dye solution, and the dye Dye is adsorbed to the porous semiconductor layer 120. As a result, a porous semiconductor layer 130 (120 + Dye) is obtained (FIG. 20C).

(g)封止材を介して第1基板20Gと第2基板22とを貼り合わせる(図23)。 (G) The first substrate 20G and the second substrate 22 are bonded together through a sealing material (FIG. 23).

(h)電解液14を注入しDSC200を完成させる(図14)。 (H) The electrolytic solution 14 is injected to complete the DSC 200 (FIG. 14).

なお、図21は、対極19をカーボン微粒子19Oで形成する場合を示す。また、図22は、対極19Pを導電性微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成する場合を示す。   FIG. 21 shows a case where the counter electrode 19 is formed of carbon fine particles 19O. FIG. 22 shows a case where the counter electrode 19P is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalyst material fine particles.

ここで、セパレータ24は、多孔質セラミックで構成される。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19Pと、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続することができる。   Here, the separator 24 is made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed to the inside of the separator 24, and the counter electrode 19P, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

多孔質セラミックは、例えば、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成する。   The porous ceramic is made of, for example, a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19Pは、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19Pの内部まで浸漬し、電流取出し電極10および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   The counter electrode 19P can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 can be immersed into the counter electrode 19P, and the electrochemical connection between the current extraction electrode 10 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成される。導電体の微粒子は、例えば、ITOまたはSnO2、または金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成するようにしても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成される。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。 The porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 or metal fine particles, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon. In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer is formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

また、第2基板22は、ガラス基板またはPET樹脂またはPEN樹脂等のプラスチックフィルムで構成される。これにより、透明導電膜を形成した比較的高コストのガラス基板を第2基板とする場合に比して、コストを低廉化可能である。   Moreover, the 2nd board | substrate 22 is comprised with plastic films, such as a glass substrate or PET resin, or PEN resin. Thereby, cost can be reduced compared with the case where a relatively high-cost glass substrate on which a transparent conductive film is formed is used as the second substrate.

[第3の実施の形態]
第3の実施の形態に係るDSC200の模式的断面構造図は、図24のように示される。
[Third embodiment]
A schematic cross-sectional structure diagram of the DSC 200 according to the third embodiment is as shown in FIG.

本実施の形態に係るDSC200は、図24に示すように、ガラス基板で構成される第1基板20Gと、第1基板20G上に配置される電流取出し電極10・18と、電流取出し電極10上に配置され、半導体微粒子層120と色素分子Dyeを備える多孔質半導体層130と、多孔質半導体層130の全部または一部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータ24と、セパレータ24上に配置された対極19と、多孔質半導体層130、セパレータ24および対極19を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液14と、対極19の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板22と、第1基板20Gと前記第2基板22との間に配置され、電解液14を封止する封止材16とを備える。   As shown in FIG. 24, the DSC 200 according to the present embodiment includes a first substrate 20G formed of a glass substrate, current extraction electrodes 10 and 18 disposed on the first substrate 20G, and the current extraction electrode 10 And a separator 24 made of an insulating porous body formed so as to cover all or part of the porous semiconductor layer 130, the semiconductor fine particle layer 120 and the dye molecule Dye. The counter electrode 19 disposed on the separator 24, the electrolyte solution 14 in which the redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer 130, the separator 24 and the counter electrode 19, and the counter electrode 19 are disposed with a predetermined gap therebetween. A second substrate 22 and a sealing material 16 that is disposed between the first substrate 20G and the second substrate 22 and seals the electrolytic solution 14 are provided.

なお、図24に示すように、図上右側において、第1基板20Gと封止材16との間には電流取出し電極となる導電膜18が形成され、対極19と接続される。   As shown in FIG. 24, on the right side of the figure, a conductive film 18 serving as a current extraction electrode is formed between the first substrate 20 </ b> G and the sealing material 16, and connected to the counter electrode 19.

封止材16としては、紫外線硬化樹脂等の樹脂が用いられる。   As the sealing material 16, a resin such as an ultraviolet curable resin is used.

本実施の形態では、第1基板20Gとして、透明導電膜を予め形成しない通常のガラス基板(素ガラス)を用いるので、コストを低廉化可能である。   In the present embodiment, since a normal glass substrate (raw glass) on which a transparent conductive film is not formed in advance is used as the first substrate 20G, the cost can be reduced.

また、電流取出し電極10・18は、透明導電膜、金属蒸着膜または導電性微粒子から成る膜で構成される。なお、透明導電膜は、ITO、FTO、ZnO、SnO2のいずれかで形成される。 The current extraction electrodes 10 and 18 are formed of a transparent conductive film, a metal vapor deposition film, or a film made of conductive fine particles. The transparent conductive film, ITO, FTO, ZnO, is formed in one of SnO 2.

セパレータ24は、多孔質セラミックで構成される。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続可能である。   The separator 24 is made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed into the separator 24, and the counter electrode 19, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

なお、多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成する。   The porous ceramic is composed of a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19は、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19の内部まで浸漬し、電流取出し電極10・18および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   The counter electrode 19 can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 is immersed in the counter electrode 19, and the electrochemical connection between the current extraction electrodes 10 and 18 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成される。導電体の微粒子は、、例えば、ITOまたはSnO2、金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。 The porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 , metal fine particles, and the like, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon.

また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成しても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成される。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。   In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer is formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

色素Dyeは、レッドダイ(N719)、ブラックダイ(N749)、D131、D205、フタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、indoline系色素(D149)のいずれかで形成される。   The dye Dye is formed of any one of a red dye (N719), a black dye (N749), D131 and D205, a phthalocyanine dye, a porphyrin dye, and an indoline dye (D149).

また、多孔質半導体層130を構成する半導体微粒子は、TiO2、ZnO、WO3、InO3、Nb23、SnO2のいずれかとすることができる。 The semiconductor fine particles constituting the porous semiconductor layer 130 can be any of TiO 2 , ZnO, WO 3 , InO 3 , Nb 2 O 3 , and SnO 2 .

図25は、第2基板として、ざぐりガラス基板22GZを用いたDSCの模式的断面構造図である。   FIG. 25 is a schematic cross-sectional structure diagram of a DSC using a counterbore glass substrate 22GZ as the second substrate.

ざぐりガラス基板22GZのざぐり部は、フッ化水素等にガラス板を浸漬して形成される。   The counterbore part of the counterbore glass substrate 22GZ is formed by immersing a glass plate in hydrogen fluoride or the like.

ざぐりガラス基板22GZは、封止材16Uを介して第1基板20Gと接合される。   The counterbore glass substrate 22GZ is bonded to the first substrate 20G via the sealing material 16U.

ざぐりガラス基板22GZを用いることにより密閉性が向上し、信頼性を高めることができる。   By using the counterbore glass substrate 22GZ, the sealing performance is improved and the reliability can be improved.

また、図26は、第2基板として、ざぐりプラスチック基板22Pを用いたDSCの模式的断面構造図である。   FIG. 26 is a schematic sectional view of a DSC using a counterbore plastic substrate 22P as the second substrate.

ざぐりプラスチック基板22Pは、透明樹脂の押出成形等によって成形する。   The counterbore plastic substrate 22P is formed by extrusion molding of a transparent resin or the like.

ざぐりプラスチック基板22Pを用いることにより密閉性が向上し、信頼性を高め、コストを低廉化可能である。   By using the counterbore plastic substrate 22P, the sealing performance is improved, the reliability is improved, and the cost can be reduced.

(第3の実施の形態に係るDSCの製造方法)
次に、第3の実施の形態に係るDSCの製造方法について説明する。
(DSC manufacturing method according to the third embodiment)
Next, a DSC manufacturing method according to the third embodiment will be described.

第3の実施の形態に係るDSCの製造方法は、次の工程からなる、即ち、
(1)ガラス基板で構成される第1基板20Gを、洗浄工程によって前処理後、第1基板20G上に透明導電膜から成る電流取出し電極10・18を形成する工程と、
(2)電流取出し電極10上に多孔質半導体層120を形成する工程と、
(3)多孔質半導体層120の全部または一部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータ24を焼結して形成する工程と、
(4)セパレータ24上に、対極19を形成する工程と、
(5)デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させて、多孔質半導体層130(120+Dye)を形成する工程と、
(6)第1基板20Gとガラス基板で構成される第2基板22Gとを互いに対向させ、封止材16を用いて貼り合わせる工程と、
(7)第1基板20Gと第2基板22Gとの間に、電解液14を注入する工程と
を有する。
The DSC manufacturing method according to the third embodiment includes the following steps:
(1) forming the current extraction electrodes 10 and 18 made of a transparent conductive film on the first substrate 20G after pre-processing the first substrate 20G made of a glass substrate by a cleaning process;
(2) forming a porous semiconductor layer 120 on the current extraction electrode 10;
(3) a step of sintering and forming a porous separator 24 made of an insulating ceramic so as to cover all or part of the porous semiconductor layer 120;
(4) forming the counter electrode 19 on the separator 24;
(5) a step of immersing the entire device in a dye solution, adsorbing the dye Dye to the porous semiconductor layer 120, and forming a porous semiconductor layer 130 (120 + Dye);
(6) a step of causing the first substrate 20G and the second substrate 22G made of a glass substrate to face each other and bonding together using the sealing material 16;
(7) Injecting the electrolytic solution 14 between the first substrate 20G and the second substrate 22G.

図27・図28を参照して、第3の実施の形態に係るDSC200の製造方法の具体例について説明する。   With reference to FIG. 27 and FIG. 28, a specific example of the manufacturing method of the DSC 200 according to the third embodiment will be described.

(a)まず、ガラス基板で構成される第1基板20Gを前処理し、第1基板20G上に透明導電膜から成る電流取出し電極10(18)を形成する(図27(a))。 (A) First, the first substrate 20G made of a glass substrate is pretreated, and the current extraction electrode 10 (18) made of a transparent conductive film is formed on the first substrate 20G (FIG. 27A).

(b)電流取出し電極10・18をエッチングしてパターニングする(図27(b))。 (B) The current extraction electrodes 10 and 18 are etched and patterned (FIG. 27B).

(c)電流取出し電極10上に多孔質半導体層120を形成する(図27(c))。 (C) A porous semiconductor layer 120 is formed on the current extraction electrode 10 (FIG. 27C).

(d)多孔質半導体層120上に多孔質のセパレータ24を焼成して形成する(図27(d))。 (D) A porous separator 24 is baked and formed on the porous semiconductor layer 120 (FIG. 27D).

(e)セパレータ24上に対極19を形成する(図28(a))。 (E) The counter electrode 19 is formed on the separator 24 (FIG. 28A).

(f)デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、色素Dyeを多孔質半導体層120に吸着させて、多孔質半導体層130(120+Dye)を形成する(図28(b))。 (F) The entire device is immersed in the dye solution, and the dye Dye is adsorbed to the porous semiconductor layer 120 to form the porous semiconductor layer 130 (120 + Dye) (FIG. 28B).

(g)封止材16を介して第1基板20Gとガラス基板で構成される第2基板22Gとを貼り合わせる(図28(c))。 (G) The first substrate 20G and the second substrate 22G made of a glass substrate are bonded to each other through the sealing material 16 (FIG. 28C).

(h)電解液14を注入しDSC200を完成させる(図26)。 (H) The electrolytic solution 14 is injected to complete the DSC 200 (FIG. 26).

ここで、セパレータ24は、多孔質セラミックで構成される。これにより、電解液14がセパレータ24内部まで浸漬し、電解液14を介して対極19と、電流取出し電極10および多孔質半導体層130とを電気化学的に接続可能である。   Here, the separator 24 is made of a porous ceramic. Thereby, the electrolyte solution 14 is immersed into the separator 24, and the counter electrode 19, the current extraction electrode 10, and the porous semiconductor layer 130 can be electrochemically connected via the electrolyte solution 14.

多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体で構成する。   The porous ceramic is composed of a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide.

また、対極19は、多孔質電極とすることができる。これにより、電解液14が対極19の内部まで浸漬し、電流取出し電極10および多孔質半導体層130との電気化学的な接続を向上可能である。   The counter electrode 19 can be a porous electrode. Thereby, the electrolytic solution 14 is immersed in the counter electrode 19, and the electrochemical connection between the current extraction electrode 10 and the porous semiconductor layer 130 can be improved.

なお、多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成される。導電体の微粒子は、例えば、ITOまたはSnO2、または金属微粒子等で構成され、触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成される。また、対極19上に、導電性を高める導電性補助層を形成するようにしても良い。導電性補助層は、例えば、カーボン微粒子層または金属蒸着層(例えば、TiやAu等の蒸着層)で形成される。これにより、電流取り出しの効率を向上可能である。 The porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. The fine particles of the conductor are made of, for example, ITO or SnO 2 or metal fine particles, and the fine particles of the catalyst material are made of Pt or carbon. In addition, a conductive auxiliary layer that increases conductivity may be formed on the counter electrode 19. The conductive auxiliary layer is formed of, for example, a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer (for example, a vapor deposition layer of Ti, Au, or the like). Thereby, the efficiency of current extraction can be improved.

なお、第1、第2の実施の形態と同様に、第2基板として、ざぐりガラス基板22GZやざぐりプラスチック基板22Pを用いて信頼性を向上させても良い。   As in the first and second embodiments, the second substrate may be a counterbore glass substrate 22GZ or a counterbore plastic substrate 22P to improve reliability.

また、第2基板22は、PET樹脂またはPEN樹脂等のプラスチックフィルムで構成される。これにより、透明導電膜を形成した比較的高コストのガラス基板を第2基板とする場合に比して、コストを低廉化可能である。   The second substrate 22 is made of a plastic film such as PET resin or PEN resin. Thereby, cost can be reduced compared with the case where a relatively high-cost glass substrate on which a transparent conductive film is formed is used as the second substrate.

第3の実施の形態に係るDSC200の多孔質半導体層130の半導体微粒子2の模式的構造は、図29に示すように表される。図29に示すように、多孔質半導体層130は、TiO2などからなる半導体微粒子2が互いに結合して複雑なネットワークを形成している。色素分子4は、半導体微粒子2の表面に吸着される。多孔質半導体層130内には、大きさ約100nm以下の細孔が多数存在する。 A schematic structure of the semiconductor fine particles 2 of the porous semiconductor layer 130 of the DSC 200 according to the third embodiment is expressed as shown in FIG. As shown in FIG. 29, in the porous semiconductor layer 130, semiconductor fine particles 2 made of TiO 2 or the like are bonded to each other to form a complex network. The dye molecules 4 are adsorbed on the surface of the semiconductor fine particles 2. A large number of pores having a size of about 100 nm or less exist in the porous semiconductor layer 130.

(動作原理)
実施の形態に係るDSC200の動作原理は、図30に示すように表される。
(Operating principle)
The operation principle of the DSC 200 according to the embodiment is expressed as shown in FIG.

下記の(a)〜(d)の反応が継続して起こることで、起電力が発生し、負荷240に電流が導通する。   When the following reactions (a) to (d) occur continuously, an electromotive force is generated, and a current is conducted to the load 240.

(a)色素分子32が光子(hν)を吸収し、電子(e)を放出し、色素分子32は酸化体DOになる。 (A) The dye molecule 32 absorbs a photon (hν), emits an electron (e ), and the dye molecule 32 becomes an oxidized DO.

(b)Reで表される還元体の酸化還元電解質26が多孔質半導体層130中を拡散して、DOで表される酸化体の色素分子32に接近する。 (B) The reduced redox electrolyte 26 represented by Re diffuses in the porous semiconductor layer 130 and approaches the oxidized dye molecule 32 represented by DO.

(c)酸化還元電解質26から色素分子32に電子(e)が供給される。酸化還元電解質26は、Oxで表される酸化体の酸化還元電解質28になり、色素分子32はDRで表される還元された色素分子30になる。 (C) Electrons (e ) are supplied from the redox electrolyte 26 to the dye molecules 32. The redox electrolyte 26 becomes an oxidized redox electrolyte 28 represented by Ox, and the dye molecule 32 becomes a reduced dye molecule 30 represented by DR.

(d)酸化還元電解質28は、対極19方向に拡散し、対極19より電子を供給されて、Reで表される還元体の酸化還元電解質26になる。 (D) The redox electrolyte 28 diffuses in the direction of the counter electrode 19 and is supplied with electrons from the counter electrode 19 to become a redox electrolyte 26 of a reductant represented by Re.

酸化還元電解質26は、多孔質半導体層130中の入り組んだ空間を拡散しながら色素分子32の近傍に接近する必要がある。   The redox electrolyte 26 needs to approach the vicinity of the dye molecule 32 while diffusing in the complicated space in the porous semiconductor layer 130.

また、実施の形態に係るDSC200の電解液14における電荷交換反応に基づく動作原理は、図31に示すように表される。   Moreover, the principle of operation based on the charge exchange reaction in the electrolyte solution 14 of the DSC 200 according to the embodiment is expressed as shown in FIG.

まず、外部から光照射されると光子(hν)が色素分子32と反応して、色素分子32は基底状態から励起状態へと遷移する。このとき発生した励起電子(e)がTiO2からなる多孔質半導体層130の伝導帯へ注入される。多孔質半導体層130中を導通した電子(e)は、第1電極10Aから外部回路の負荷240を導通し、第2電極18Aへ移動する。第2電極18Aから電解液14中に注入された電子(e)は、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質(I/I3 )と電荷交換される。ヨウ素酸化還元電解質(I/I3 )が電解液14内を拡散し、色素分子32と再反応する。ここで、電荷交換反応は、色素分子表面において、3I→I3 +2eに従って進行し、第2電極18Aにおいて、I3 +2e→3Iに従って進行する。 First, when light is irradiated from the outside, photons (hν) react with the dye molecules 32, and the dye molecules 32 transition from the ground state to the excited state. The excited electrons (e ) generated at this time are injected into the conduction band of the porous semiconductor layer 130 made of TiO 2 . The electrons (e ) conducted in the porous semiconductor layer 130 conduct the load 240 of the external circuit from the first electrode 10A and move to the second electrode 18A. Electrons (e ) injected from the second electrode 18 </ b> A into the electrolytic solution 14 are charge-exchanged with the iodine redox electrolyte (I / I 3 ) in the electrolytic solution 14. The iodine redox electrolyte (I / I 3 ) diffuses in the electrolytic solution 14 and reacts with the dye molecules 32 again. Here, the charge exchange reaction proceeds according to 3I → I 3 + 2e − on the surface of the dye molecule, and proceeds according to I 3 + 2e → 3I − on the second electrode 18A.

電解液14は、溶媒として、例えば、アセトニトリルを使用し、この場合の電解質として、例えば、ヨウ素は、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質I3 として存在する。また、電解質として、例えば、ヨウ化物塩(ヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなど)は、電解液14中のヨウ素酸化還元電解質Iとして存在する。また、電解液14中には、逆電子移動抑制溶液として添加剤(例えば、TBP:ターシャルブチルピリジン)を適用しても良い。 The electrolytic solution 14 uses, for example, acetonitrile as a solvent, and as an electrolyte in this case, for example, iodine exists as an iodine redox electrolyte I 3 in the electrolytic solution 14. Further, as an electrolyte, for example, an iodide salt (lithium iodide, potassium iodide, etc.) exists as an iodine redox electrolyte I in the electrolytic solution 14. Further, an additive (for example, TBP: tertiary butyl pyridine) may be applied to the electrolytic solution 14 as a reverse electron transfer inhibiting solution.

上記の溶質、添加剤を溶媒(アセトニトリル)に溶解させることによって、電解液14を構成することができる。なお、上記の材料は湿式DSCなどに適用可能なものであって、常温溶融塩(イオン性液体)や固体電解質を用いる場合には、構成材料が異なる。   The electrolytic solution 14 can be constituted by dissolving the above solute and additive in a solvent (acetonitrile). In addition, said material is applicable to wet DSC etc., Comprising material differs, when normal temperature molten salt (ionic liquid) and a solid electrolyte are used.

実施の形態に係るDSC200において、多孔質半導体層(130)/色素分子(32)/電解液(14)間のエネルギーポテンシャルダイヤグラムは、図32に示すように表される。また、色素分子(32)/電解液(14)間のエネルギーポテンシャルダイヤグラムであって、図32のJ部分の拡大図は、図33に示すように表される。   In the DSC 200 according to the embodiment, an energy potential diagram between the porous semiconductor layer (130) / the dye molecule (32) / the electrolyte solution (14) is expressed as shown in FIG. Moreover, it is an energy potential diagram between a dye molecule (32) / electrolyte solution (14), Comprising: The enlarged view of J part of FIG. 32 is represented as shown in FIG.

外部から光照射されると光子(hν)により、色素分子32は基底状態HOMOから励起状態LUMOへと遷移する。このとき発生した励起電子(e)がTiO2からなる多孔質半導体層130の伝導帯へ注入される。多孔質半導体層130中を導通した電子(e)は、第1電極10Aから外部回路の負荷240を導通し、第2電極18Aへ移動する。対極19から電解液14中に注入された電子(e)は、電解液14中の酸化還元電解質と電荷交換される。酸化還元電解質が電解液14内を拡散し、色素分子32を還元する。 When irradiated with light from the outside, the dye molecule 32 changes from the ground state HOMO to the excited state LUMO by photons (hν). The excited electrons (e ) generated at this time are injected into the conduction band of the porous semiconductor layer 130 made of TiO 2 . The electrons (e ) conducted in the porous semiconductor layer 130 conduct the load 240 of the external circuit from the first electrode 10A and move to the second electrode 18A. Electrons (e ) injected from the counter electrode 19 into the electrolytic solution 14 are exchanged with the redox electrolyte in the electrolytic solution 14. The redox electrolyte diffuses in the electrolytic solution 14 and reduces the dye molecules 32.

電解液14の酸化還元準位EROと多孔質半導体層130のフェルミ準位Ef間の電位差が最大起電力VMAXである。最大起電力VMAXの値は、電解液14の酸化還元電解質により変化する。酸化還元電解質単独系(ヨウ素酸化還元電解質)の場合には、例えば、0.9V(I,N719)である。電解液14がヨウ素・臭素の混合系酸化還元電解質を含む場合には、図30に示すように、混合比率を調整することで混合系酸化還元電解質の酸化還元電位を、ヨウ素酸化還元電解質の酸化還元電位と臭素酸化還元電解質の酸化還元電位の間の任意の値に調整することができる。 The potential difference between the redox level E RO of the electrolytic solution 14 and the Fermi level E f of the porous semiconductor layer 130 is the maximum electromotive force V MAX . The value of the maximum electromotive force V MAX varies depending on the redox electrolyte of the electrolytic solution 14. In the case of a single redox electrolyte system (iodine redox electrolyte), for example, 0.9 V (I, N719). When the electrolytic solution 14 contains a mixed redox electrolyte of iodine and bromine, as shown in FIG. 30, the redox potential of the mixed redox electrolyte is adjusted by adjusting the mixing ratio to oxidize the iodine redox electrolyte. It can be adjusted to any value between the reduction potential and the redox potential of the bromine redox electrolyte.

実施の形態に係るDSC200の各構成材料のエネルギーレベルと発電サイクルは図34に示すように表される。図34においては、外部から光照射されると光子(hν)により、色素(Dye)の充満帯S0/S+に存在する電子は、導電帯S*に励起され、多孔質半導体層130の伝導帯ECへ電子注入(electron injection)される。伝導帯ECへ電子注入された電子の一部は、再結合(recombination)されて、Dyeの充満帯S0/S+に遷移する。多孔質半導体層130中を導通した電子(e)は、第1電極10Aから外部回路の負荷240を導通し、第2電極18Aへ移動する。対極19から電解液14中に注入された電子(e)は、電解液14中の酸化還元電解質と電荷交換される。酸化還元電解質が電解液14内を拡散し、電子注入により、Dyeの充満帯S0/S+において、色素分子32を還元する。電解液14の酸化還元準位EROと多孔質半導体層130のフェルミ準位Ef間の電位差VOCが最大起電力VMAXである。 The energy level and power generation cycle of each constituent material of the DSC 200 according to the embodiment are expressed as shown in FIG. In FIG. 34, when light is irradiated from the outside, the electrons existing in the full band S 0 / S + of the dye (Dye) are excited by the conduction band S * by the photons (hν), and the porous semiconductor layer 130 Electrons are injected into the conduction band E C. Some of the electrons injected into the conduction band E C are recombined and transition to the Dye full band S 0 / S + . The electrons (e ) conducted in the porous semiconductor layer 130 conduct the load 240 of the external circuit from the first electrode 10A and move to the second electrode 18A. Electrons (e ) injected from the counter electrode 19 into the electrolytic solution 14 are exchanged with the redox electrolyte in the electrolytic solution 14. The redox electrolyte diffuses in the electrolyte solution 14 and reduces the dye molecules 32 in the Dye full zone S 0 / S + by electron injection. The potential difference V OC between the oxidation-reduction level E RO of the electrolytic solution 14 and the Fermi level E f of the porous semiconductor layer 130 is the maximum electromotive force V MAX .

実施の形態に係るDSC200に用いられる色素を示す化学構造式であって、indoline系色素(D149)を示す化学構造式は、図35(a)に示すように表され、N719を示す化学構造式は、図35(b)に示すように表され、D131を示す化学構造式は、図35(c)に示すように表される。   The chemical structural formula showing the dye used in the DSC 200 according to the embodiment, the chemical structural formula showing the indoline dye (D149) is expressed as shown in FIG. 35 (a), and the chemical structural formula showing N719 Is represented as shown in FIG. 35 (b), and the chemical structural formula representing D131 is represented as shown in FIG. 35 (c).

―直列構成―
実施の形態に係るDSC200において、基本セルを2個直列構成に配置した模式的断面構造は、図36(a)に示すように表される。また、図36(a)の模式的回路表現は、図36(b)に示すように表される。
-Series configuration-
In DSC 200 according to the embodiment, a schematic cross-sectional structure in which two basic cells are arranged in series is represented as shown in FIG. The schematic circuit representation of FIG. 36A is expressed as shown in FIG.

基本セルは、図14に示すDSC200を2個接続した構成となっている。即ち、図上、左側のDSCから延設される導電膜18が、右側のDSCの導電膜10となっている。これにより、図30(b)に示すように、基本セル2個は、直列構成に配置される。 The basic cell has a configuration in which two DSCs 200 shown in FIG. 14 are connected. That is, drawing, the conductive film 18 1 which extends from the left side of the DSC, and has a conductive film 10 2 of the right side of the DSC. Thereby, as shown in FIG.30 (b), two basic cells are arrange | positioned in a serial structure.

―並列構成―
実施の形態に係るDSC200において、基本セルを2個並列構成に配置した模式的断面構造は、図37(a)に示すように表される。また、図37(a)の模式的回路表現は、図37(b)に示すように表される。図37(b)に示すように、基本セル2個は、並列構成に配置される。
―Parallel configuration―
In DSC 200 according to the embodiment, a schematic cross-sectional structure in which two basic cells are arranged in a parallel configuration is expressed as shown in FIG. Also, the schematic circuit representation of FIG. 37A is expressed as shown in FIG. As shown in FIG. 37 (b), the two basic cells are arranged in a parallel configuration.

(複数のDSCの製造方法)
実施の形態に係るDSCにおいて、複数のDSCセルの製造方法は、複数個(m×n:但し、mおよびnは整数)のセルを作り込み、分離して複数個のDSC200を得る製造方法である。
(Manufacturing method of a plurality of DSCs)
In the DSC according to the embodiment, a method for manufacturing a plurality of DSC cells is a manufacturing method in which a plurality of (m × n: where m and n are integers) cells are formed and separated to obtain a plurality of DSCs 200. is there.

実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、第1基板20上に複数の内部第1電極1011A・1012A・…・101nA・…・10m1A・10m2A・…・10mnAが形成された状態を示す平面図は、図38に示すように表される。ここで、外部第1電極1011B・1012B・…・101nB・…・10m1B・10m2B・…・10mnBについては、簡単化のため、図示を省略する。 A process of manufacturing a DSC according to the embodiment, which includes a plurality of internal first electrodes 10 11 A, 10 12 A,..., 10 1n A, ..., 10 m1 A, 10 m2 on the first substrate 20. A plan view showing a state where A... 10 mn A is formed is expressed as shown in FIG. Here, the external first electrodes 10 11 B, 10 12 B,..., 10 1n B,..., 10 m1 B, 10 m2 B ,.

実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、第2基板22上に複数の第2電極1811A・1812A・…・181nA・…・18m1A・18m2A・…・18mnAが形成された状態を示す平面図は、図39に示すように表される。ここで、外部第2電極1811B・1812B・…・181nB・…・18m1B・18m2B・…・18mnBについては、簡単化のため、図示を省略する。 In the DSC manufacturing method according to the embodiment, a plurality of second electrodes 18 11 A, 18 12 A,..., 18 1n A, ..., 18 m1 A, 18 m2 A are formed on the second substrate 22. ... 18 A plan view showing a state in which mn A is formed is expressed as shown in FIG. Here, the external second electrodes 18 11 B, 18 12 B,..., 18 1n B,..., 18 m1 B, 18 m2 B ,.

実施の形態に係るDSCの製造方法の一工程であって、プラスチックフィルムで構成される第1基板(作用極側)20と第2基板(対極側)22を封止材16を介して貼り合わせた状態を示す平面図は、図40に示すように表され、図40のVII−VII線に沿う模式的断面構造は、図41に示すように表される。図41では、第1基板(作用極側)20を上方向、第2基板(対極側)を下方向に配置している。   It is one process of the manufacturing method of DSC which concerns on embodiment, Comprising: The 1st board | substrate (working electrode side) 20 and the 2nd board | substrate (counter electrode side) 22 which consist of a plastic film are bonded together through the sealing material 16 A plan view showing the state is represented as shown in FIG. 40, and a schematic cross-sectional structure taken along line VII-VII in FIG. 40 is represented as shown in FIG. In FIG. 41, the first substrate (working electrode side) 20 is arranged upward, and the second substrate (counter electrode side) is arranged downward.

実施の形態に係るDSC200の製造方法の一工程であって、横方向のスクライブラインSL1を形成した状態を示す平面図は、図42に示すように表され、さらに縦方向のスクライブラインSL2を形成した状態を示す平面図は、図43に示すように表される。   FIG. 42 is a plan view showing a state in which the horizontal scribe line SL1 is formed, which is a process of the DSC 200 manufacturing method according to the embodiment, and further forms the vertical scribe line SL2. A plan view showing this state is represented as shown in FIG.

なお、図41に示すように、封止材16の間に基板のみ残る箇所があるが、そこがスクライブラインSL2となり、打撃等のブレークにより各素子に分離される。   As shown in FIG. 41, there is a portion where only the substrate remains between the sealing materials 16, but this becomes a scribe line SL2, which is separated into each element by a break such as hitting.

次いで、図41のように計m×n個のDSCが貼り合わされた状態で、図42に示すように横方向のスクライブラインSL1を形成する。   Next, in a state in which a total of m × n DSCs are bonded as shown in FIG. 41, a horizontal scribe line SL1 is formed as shown in FIG.

具体的には、封止材16が設けられた位置に、スクライビング装置のスクライビングホイールを高精度に位置合わせして各スクライブラインSL1を形成する。   Specifically, each scribing line SL1 is formed by accurately aligning the scribing wheel of the scribing device at the position where the sealing material 16 is provided.

続いて、図43に示すように縦方向のスクライブラインSL2を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 43, a vertical scribe line SL2 is formed.

そして、スクライブラインSL1およびスクライブラインSL2に沿って打撃を与えるなどすると、ガラス材が有する劈開性によりスクライブラインSL1およびスクライブラインSL2に沿って割れて各素子に分離される。   Then, when an impact is given along the scribe line SL1 and the scribe line SL2, etc., the glass material is broken along the scribe line SL1 and the scribe line SL2 and separated into each element due to the cleavage property of the glass material.

なお、図示は省略するが、各素子に分離された後、電解液が注入され、ガラス板の接着や、樹脂の充填等によって封止し、電解液を注入した開口部を塞ぐことで水分等が侵入しないよう処置してDSC200が作り込まれる。   Although not shown in the drawings, after being separated into each element, an electrolyte solution is injected, sealed by adhesion of a glass plate, filling with resin, or the like, and by closing an opening into which the electrolyte solution is injected, moisture or the like DSC 200 is built in such a way that it does not enter.

実施の形態によれば、低コスト性を向上可能な色素増感太陽電池およびその製造方法を提供することができる。   According to the embodiment, it is possible to provide a dye-sensitized solar cell capable of improving the low cost and a manufacturing method thereof.

(適用例)
―バッテリーセル―
次に、図44〜図47を参照して、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200で構成されるバッテリーセル(以下、単に「セル」と呼ぶ)の適用例について説明する。
(Application example)
-Battery cell-
Next, with reference to FIGS. 44 to 47, application examples of a battery cell (hereinafter, simply referred to as “cell”) configured by the DSC 200 according to the first to third embodiments will be described.

図44の(a)は、3個のセルB1〜B3を形成した状態を示す。図44の(a)の例では、面積の等しい3つのセルB1、B2、B3が同一基板内に設けられている。   FIG. 44A shows a state in which three cells B1 to B3 are formed. In the example of FIG. 44A, three cells B1, B2, and B3 having the same area are provided in the same substrate.

この3個のセルB1〜B3は図示しない配線によって、図44の(b)に示すように直列接続される。セルB1〜B3の総電圧Vは、V=V1+V2+V3となり、総電流量Iは、I=I1=I2=I3となる。   The three cells B1 to B3 are connected in series by wiring (not shown) as shown in FIG. The total voltage V of the cells B1 to B3 is V = V1 + V2 + V3, and the total current amount I is I = I1 = I2 = I3.

図45は、5個のセルB1〜B5を並設した状態を示す。   FIG. 45 shows a state in which five cells B1 to B5 are arranged in parallel.

この5個のセルB1〜B5は配線によって、図45の(b)に示すように直列接続される。セルB1〜B5の総電圧Vは、各セルB1〜B5の電圧の総和5Eとなる。   The five cells B1 to B5 are connected in series by wiring as shown in FIG. The total voltage V of the cells B1 to B5 is the sum 5E of the voltages of the cells B1 to B5.

図46は、n個のセルをタンデム構成に積層させた状態を模式的に示す。このn個のセルは、図46の(b)に示すように直列接続される。セルの総電圧Vは、各セルの電圧の総和nEとなる。   FIG. 46 schematically shows a state in which n cells are stacked in a tandem configuration. The n cells are connected in series as shown in FIG. The total cell voltage V is the total voltage nE of the cells.

図47は、n個のセルをタンデム構成に積層させたものを並列接続した状態を模式的に示す。セルの総電圧Vは、直列接続されたセルの電圧の総和nEとなる。   FIG. 47 schematically shows a state in which n cells stacked in a tandem configuration are connected in parallel. The total cell voltage V is the sum nE of the voltages of the cells connected in series.

図48には、紫外線L1の波長領域(波長10〜400nm)、白色光L2の波長領域(波長400〜800nm)、赤外線L3の波長領域(波長600〜1000nm)を示す。第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、L1〜L3の少なくとも1つの領域の光線によって発電機能を発揮させることができる。   FIG. 48 shows the wavelength region of ultraviolet light L1 (wavelength of 10 to 400 nm), the wavelength region of white light L2 (wavelength of 400 to 800 nm), and the wavelength region of infrared light L3 (wavelength of 600 to 1000 nm). The DSC 200 according to the first to third embodiments can exhibit a power generation function by using light rays in at least one region of L1 to L3.

特に、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、低コスト性に優れ低廉化に貢献することができる。   In particular, the DSC 200 according to the first to third embodiments is excellent in low cost and can contribute to cost reduction.

―電子機器―
第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、様々な電子機器に搭載可能である。例えば、リモコン装置、卓上デジタル時計、電子手帳、電子辞書、DSC駆動センサモジュールなどの適用可能である。
-Electronics-
The DSC 200 according to the first to third embodiments can be mounted on various electronic devices. For example, a remote control device, a desktop digital clock, an electronic notebook, an electronic dictionary, a DSC drive sensor module, etc. can be applied.

図49〜図51を参照して、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載したリモコン装置330の構成例について説明する。   With reference to FIGS. 49 to 51, a configuration example of a remote control device 330 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments will be described.

図49および図50に示すように、リモコン装置330は、プラスチック等で構成される筐体38において表裏に貫通する開口部41が形成され、この開口部41からDSC200が臨むように設けられて、太陽電池部39が構成されている。   As shown in FIG. 49 and FIG. 50, the remote control device 330 is provided with an opening 41 penetrating the front and back in a casing 38 made of plastic or the like, and provided with the DSC 200 facing the opening 41, A solar cell unit 39 is configured.

また、リモコン装置330には、太陽電池部39を電源として駆動され、例えば日付や時刻、テレビのチャンネル番号等を表示する液晶部34と、テレビのチャンネルの選択等の操作を行う操作ボタン36が設けられている。   In addition, the remote control device 330 is driven by the solar cell unit 39 as a power source, and includes a liquid crystal unit 34 that displays, for example, date and time, a TV channel number, and an operation button 36 that performs operations such as selecting a TV channel. Is provided.

DSC200は、リモコン装置330の厚み方向の略中央部に水平状態で設けられている。なお、DSC200の第1基板20側、第2基板22側の何れをリモコン装置330の表側または裏側とするかは任意でよい。   The DSC 200 is provided in a horizontal state at a substantially central portion in the thickness direction of the remote control device 330. It should be noted that which of the first substrate 20 side and the second substrate 22 side of the DSC 200 is the front side or the back side of the remote control device 330 may be arbitrary.

図50に示す構成例では、開口部41に、筐体38の表面および裏面と面一となるように、DSC200を保護する透明部材40が嵌め込まれている。これにより、DSC200の表面や裏面にホコリが付着したり、傷つくことが防止される。   In the configuration example shown in FIG. 50, the transparent member 40 that protects the DSC 200 is fitted into the opening 41 so as to be flush with the front and back surfaces of the housing 38. This prevents dust from being attached to or damaged from the front and back surfaces of the DSC 200.

また、開口部41の側面にも透明部材を設けると良い。   A transparent member may be provided on the side surface of the opening 41.

これにより、透明部材40を介して、リモコン装置330の表面側、裏面側および側面側から太陽光や室内光等の外部光が入射するので、DSC200の第1基板20側からの入射光および第2基板22側からの入射光の何れもが、多孔質半導体層130に到達することとなる。したがって、DSC200により、外部光を効率的に利用した発電を行ってリモコン装置330に電力を安定的に供給することができる。   As a result, external light such as sunlight and room light enters from the front surface side, back surface side, and side surface side of the remote control device 330 via the transparent member 40, so that incident light from the first substrate 20 side of the DSC 200 and Any of the incident light from the two substrates 22 side reaches the porous semiconductor layer 130. Therefore, the DSC 200 can stably supply power to the remote control device 330 by generating power efficiently using external light.

特に、テレビやビデオ装置等のリモコン装置330は、置き方によっては、操作ボタン36等が設けられた表側が例えばテーブルの天板等に面するような状態(裏返しの状態)となることがある。   In particular, the remote control device 330 such as a television or a video device may be in a state in which the front side provided with the operation buttons 36 or the like faces, for example, a table top plate or the like (inverted state). .

第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載したリモコン装置330では、透明部材40を介して、リモコン装置330の表面側、裏面側および側面側から太陽光や室内光等の外部光が入射するので、装置の表面または裏面から光線が入射すればDSC200は発電機能を発揮する。したがって、裏返しの状態でリモコン装置330が置かれた場合であっても、安定して電力を供給することができ、使用者の利便性を向上させることができる。   In the remote control device 330 on which the DSC 200 according to the first to third embodiments is mounted, external light such as sunlight and indoor light is transmitted from the front surface side, back surface side, and side surface side of the remote control device 330 via the transparent member 40. Since the light is incident, the DSC 200 exhibits a power generation function when a light beam enters from the front surface or the back surface of the apparatus. Therefore, even when the remote control device 330 is placed in an upside down state, power can be stably supplied, and convenience for the user can be improved.

なお、DSC200で発電された電力は、液晶部34に直接供給されるのではなく、バッテリーなどに蓄電された後、このバッテリーなどから供給可能である。   The electric power generated by the DSC 200 is not directly supplied to the liquid crystal unit 34, but can be supplied from the battery after being stored in the battery.

図48に示すリモコン装置330の変形例では、透明部材40を省き、支持部38a、38bによってDSC200を支持する構成としている。なお、太陽電池部39の側部は筐体38の一部によって覆われている。   48, the transparent member 40 is omitted, and the DSC 200 is supported by the support portions 38a and 38b. In addition, the side part of the solar cell part 39 is covered with a part of the housing 38.

図51に示すリモコン装置330では、太陽電池部39の表裏から入射する光線(hνf)、(hνr)によってDSC200は発電機能を発揮する。なお、2枚以上のDSC200を重ね合わせ、配線によって直列接続等するようにしてもよい。   In the remote control device 330 shown in FIG. 51, the DSC 200 exhibits a power generation function by light rays (hνf) and (hνr) incident from the front and back of the solar cell unit 39. Two or more DSCs 200 may be overlapped and connected in series by wiring.

図52を参照して、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した卓上デジタル時計50の構成例について説明する。   With reference to FIG. 52, a configuration example of a desktop digital timepiece 50 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments will be described.

卓上デジタル時計50は、透明なアクリル板等で構成される側面形状が三角形の筐体54の一平面に、デジタル式の時計表示を行う時計部52と、DSC200が設けられている。   The desktop digital timepiece 50 is provided with a timepiece unit 52 for performing digital timepiece display and a DSC 200 on one plane of a case 54 having a triangular side surface formed of a transparent acrylic plate or the like.

DSC200は、筐体54に2ヶ所の開口部43が形成され、この各開口部43からDSC200が臨むように設けられている。   The DSC 200 is provided with two openings 43 formed in the housing 54 so that the DSC 200 faces the openings 43.

図52に示す構成例では、各開口部43に取付けられるDSC200は、フレーム56を介して2つのセルが並設されている。特には限定されないが、DSC200の各セルは配線によって直列接続として、電圧および電流を稼ぐようにできる。   In the configuration example shown in FIG. 52, the DSC 200 attached to each opening 43 has two cells arranged in parallel via a frame 56. Although not particularly limited, each cell of the DSC 200 can be connected in series by wiring to gain voltage and current.

卓上デジタル時計50が備えるDSC200は、図52に示すように、正面側から入射する光線(hνf)および透明な筐体54を介して裏面側から入射する光線(hνr)の何れによっても発電機能を発揮することができる。   As shown in FIG. 52, the DSC 200 included in the tabletop digital timepiece 50 has a power generation function by using either a light ray (hνf) incident from the front side or a light ray (hνr) incident from the back side through the transparent casing 54. It can be demonstrated.

したがって、卓上デジタル時計50を置く場所の自由度が高まると共に、外部光を有効に利用して時計部52に安定して電力を供給することができる。   Accordingly, the degree of freedom of the place where the desktop digital timepiece 50 is placed is increased, and power can be stably supplied to the timepiece unit 52 by effectively using the external light.

図53を参照して、実施の形態に係るDSC200を搭載した電子手帳80の構成例について説明する。   With reference to FIG. 53, the structural example of the electronic notebook 80 carrying DSC200 which concerns on embodiment is demonstrated.

電子手帳80は、各種入力を行う操作ボタン36や各種情報を表示する液晶部34を備える本体部80bと、本体部80bと蝶番部80cを介して開閉自在に取付けられるDSC200を備えた蓋部80aとから構成されている。   The electronic notebook 80 includes an operation button 36 for performing various inputs and a main body 80b having a liquid crystal unit 34 for displaying various information, and a lid 80a having a DSC 200 that can be freely opened and closed via the main body 80b and the hinge 80c. It consists of and.

蓋部80aには、蓋部80a自体を表裏に貫通する開口部45が形成され、この開口部45からDSC200が臨むように設けられている。DSC200は、複数のセルを接続した構成とすることもできる。   The lid portion 80a is formed with an opening 45 penetrating the lid portion 80a itself on the front and back sides so that the DSC 200 faces the opening portion 45. The DSC 200 may be configured by connecting a plurality of cells.

電子手帳80が備えるDSC200は、図53(a)に示すように蓋部80aを開いた状態においては、表裏両面から入射する光線の何れによっても発電機能を発揮し、本体部80bに安定した電力を供給することができる。   As shown in FIG. 53 (a), the DSC 200 provided in the electronic notebook 80 exhibits a power generation function by any of the light rays incident from both the front and back surfaces when the lid portion 80a is opened, and stable power is supplied to the main body portion 80b. Can be supplied.

一方、図53(b)に示すように蓋部80aを閉じた状態においても、DSC200は、表面側からの入射光によって発電機能を発揮し、例えば本体部80b側が備えるリチウムイオン電池等の二次電池を充電することができる。   On the other hand, even when the lid portion 80a is closed as shown in FIG. 53 (b), the DSC 200 exhibits a power generation function by incident light from the front surface side, for example, a secondary battery such as a lithium ion battery provided on the main body portion 80b side. The battery can be charged.

このように、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した電子手帳80によれば、外部光を効率的に利用することができ、使用者の利便性を向上させることができる。   As described above, according to the electronic notebook 80 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments, the external light can be used efficiently and the convenience for the user can be improved.

また、例えば、蓋部の両面に従来の太陽電池を配置する場合に比して、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した電子手帳80は大型化することがなく、また一つのDSC200で足りるため製造コストを低減することができる。   In addition, for example, the electronic notebook 80 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments is not increased in size as compared with the case where conventional solar cells are arranged on both sides of the lid portion. Since one DSC 200 is sufficient, the manufacturing cost can be reduced.

図54を参照して、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した電子辞書90の構成例について説明する。   With reference to FIG. 54, a configuration example of electronic dictionary 90 equipped with DSC 200 according to the first to third embodiments will be described.

電子辞書90は、各種入力を行う操作ボタン36aおよびDSC200を備える本体部90bと、本体部90bと蝶番部90cを介して開閉自在に取付けられる各種情報を表示する液晶部34およびDSC200を備えた蓋部90aとから構成されている。   The electronic dictionary 90 includes an operation button 36a for performing various inputs and a main body 90b including the DSC 200, a liquid crystal unit 34 for displaying various information that can be freely opened and closed via the main body 90b and the hinge 90c, and a lid including the DSC 200. Part 90a.

蓋部90aおよび本体部90bには、表裏に貫通する開口部46が形成され、この各開口部46からDSC200が臨むように設けられている。DSC200は、複数のセルを接続した構成とすることもできる。   The lid portion 90a and the main body portion 90b are formed with openings 46 penetrating the front and back surfaces so that the DSC 200 faces each opening portion 46. The DSC 200 may be configured by connecting a plurality of cells.

図54に示すように蓋部90aを開いた状態においては、蓋部90a側のDSC200は表裏両面から入射する光線の何れによっても発電機能を発揮し、また本体部90b側のDSC200は表面側から入射する光線によって発電機能を発揮する。したがって、液晶部34や本体部90bが備える演算装置等に安定した電力を供給することができる。   As shown in FIG. 54, in the state where the lid 90a is opened, the DSC 200 on the lid 90a side exhibits a power generation function by any light incident from both the front and back surfaces, and the DSC 200 on the main body 90b side The power generation function is demonstrated by the incident light. Therefore, stable power can be supplied to the arithmetic unit and the like included in the liquid crystal unit 34 and the main body 90b.

一方、蓋部90aを閉じた状態においても、蓋部90a側のDSC200は、表面側からの入射光によって発電機能を発揮し、例えば本体部90b側が備える二次電池を充電することができる。   On the other hand, even when the lid 90a is closed, the DSC 200 on the lid 90a side exhibits a power generation function by incident light from the front side, and can charge, for example, a secondary battery provided on the main body 90b side.

また、例えば、蓋部90a側が下となるように電子辞書90が置かれた場合であっても、本体部90bのDSC200は、表面側からの入射光によって発電機能を発揮するので、例えば本体部90b側が備える二次電池を充電することができる。   For example, even when the electronic dictionary 90 is placed with the lid 90a side down, the DSC 200 of the main body 90b exhibits a power generation function by incident light from the front side. The secondary battery provided on the 90b side can be charged.

このように、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した電子辞書90によれば、外部光を効率的に利用することができ、使用者の利便性を向上させることができる。   As described above, according to the electronic dictionary 90 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments, the external light can be used efficiently and the convenience for the user can be improved.

また、例えば、蓋部や本体の両面に従来の太陽電池を配置する場合に比して、電子辞書90は大型化することがなく、また一つのDSC200で足りるため製造コストを低減することができる。   Further, for example, the electronic dictionary 90 does not increase in size as compared with the case where conventional solar cells are arranged on both sides of the lid and the main body, and the manufacturing cost can be reduced because one DSC 200 is sufficient. .

なお、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した電子辞書90のDSC200の配置の仕方は、同様の構造を備えるゲーム機器やノート型パソコン等の各種電子機器に適用することが可能である。   The arrangement of the DSC 200 in the electronic dictionary 90 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments can be applied to various electronic devices such as game machines and notebook computers having the same structure. It is.

特に、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、低コスト性に優れ、電子辞書90等の各種電子機器の低廉化に貢献することができる。   In particular, the DSC 200 according to the first to third embodiments is superior in cost effectiveness to the DSC 200 according to the first to third embodiments, and contributes to the reduction in cost of various electronic devices such as the electronic dictionary 90. be able to.

(センサネットワークへの応用)
無線通信モジュールやDSC、センサなどを組み合わせたセンサネットワークを構築することができる。30m程度の範囲の通信距離であれば、波長帯域としては、例えば、315MHzや868MHzを適用可能である。さらに、100m程度の範囲の通信距離であれば、波長帯域としては、例えば、920MHzを適用可能である。
(Application to sensor network)
A sensor network combining a wireless communication module, DSC, sensor, and the like can be constructed. If the communication distance is in the range of about 30 m, for example, 315 MHz or 868 MHz can be applied as the wavelength band. Furthermore, if the communication distance is in the range of about 100 m, for example, 920 MHz can be applied as the wavelength band.

第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載したDSC駆動センサモジュール800は、図55に示すように、DSCモジュール801と、無線通信モジュール805とを備える。DSCモジュール801は、室内光で発電可能なDSC直列若しくは並列セルDSC1・DSC2を備え、センサ駆動電源として機能する。無線通信モジュール805は、無線センサノード804を搭載し、センシングと無線通信を行うことができる。   As shown in FIG. 55, a DSC drive sensor module 800 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments includes a DSC module 801 and a wireless communication module 805. The DSC module 801 includes DSC series or parallel cells DSC1 and DSC2 that can generate electric power with room light, and functions as a sensor driving power source. The wireless communication module 805 is equipped with a wireless sensor node 804 and can perform sensing and wireless communication.

第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載した別のDSC駆動センサモジュール807の模式的ブロック構成は、図56に示すように、DSCモジュール801と、無線通信モジュール805と、蓄電部806とを備える。DSCモジュール801は、室内光で発電可能なDSC直列若しくは並列セルDSC1・DSC2・DSC3・DSC4を備え、センサ駆動電源として機能する。蓄電部806には、電気二重層キャパシタ(EDLC:Electrical Double Layer Capacitor)808および制御IC809が搭載される。DSCモジュール801において発電された電力を蓄電部806に蓄積することで、安定的に無線通信モジュール805に電力を供給可能である。   As shown in FIG. 56, a schematic block configuration of another DSC drive sensor module 807 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments includes a DSC module 801, a wireless communication module 805, and a power storage unit 806. With. The DSC module 801 includes DSC series or parallel cells DSC1, DSC2, DSC3, and DSC4 that can generate electric power with room light, and functions as a sensor driving power source. The power storage unit 806 is equipped with an electric double layer capacitor (EDLC) 808 and a control IC 809. By accumulating the electric power generated in the DSC module 801 in the power storage unit 806, the electric power can be stably supplied to the wireless communication module 805.

第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載したDSC駆動センサモジュール800を適用したホームエネルギーマネージメントシステム(HEMS:Home Energy Management System)900の構成例は、図57に示すように表される。   A configuration example of a home energy management system (HEMS) 900 to which the DSC driving sensor module 800 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments is applied is expressed as shown in FIG. .

各DSC駆動センサモジュール800では、温度/湿度センサ、照度センサなどのセンシング情報、PC930・TV901・エアコン940(エアコンコントローラ903)・太陽電池902などの利用状況が収集され、無線通信によって、センサ情報受信器920にデータ送信される。センサ情報受信器920においては、データ受信、エネルギーの利用状況の把握などのための信号処理が実施される。   Each DSC drive sensor module 800 collects sensing information such as a temperature / humidity sensor and an illuminance sensor, and usage statuses of the PC 930, the TV 901, the air conditioner 940 (air conditioner controller 903), the solar battery 902, etc., and receives sensor information by wireless communication. Data is transmitted to the device 920. In the sensor information receiver 920, signal processing for data reception, grasping of energy usage status, and the like is performed.

第1〜第3の実施の形態に係るDSC200を搭載したDSC駆動センサモジュール800を適用したホームエネルギーマネージメントシステム900によれば、建物910全体の屋内環境に合わせて電力供給をコントロールすることができる。   According to the home energy management system 900 to which the DSC driving sensor module 800 equipped with the DSC 200 according to the first to third embodiments is applied, the power supply can be controlled in accordance with the indoor environment of the entire building 910.

特に、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、第1〜第3の実施の形態に係るDSC200は、低コスト性に優れ、DSC駆動センサモジュール807等の低廉化に貢献することができる。   In particular, the DSC 200 according to the first to third embodiments is superior in cost effectiveness to the DSC 200 according to the first to third embodiments, and contributes to a reduction in the cost of the DSC drive sensor module 807 and the like. it can.

以上説明したように、本発明によれば、低コスト性を向上させることのできる色素増感太陽電池およびその製造方法および電子機器を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a dye-sensitized solar cell, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus that can improve the low cost.

[その他の実施の形態]
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
[Other embodiments]
As described above, the embodiments have been described. However, it should be understood that the descriptions and drawings constituting a part of this disclosure are illustrative and do not limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。   As described above, the present invention includes various embodiments not described herein.

本発明の色素増感太陽電池は、低コスト性を向上させることができ、小型軽量高効率の電源として適用することによって、様々な電子機器、ワイヤレスセンサネットワークシステムなどに適用可能である。   The dye-sensitized solar cell of the present invention can improve the low cost, and can be applied to various electronic devices, wireless sensor network systems, and the like by being applied as a small, light and highly efficient power source.

3a…キャップ封止材
3b…開口部封止材
2…半導体微粒子
4、30、32…色素分子
10…電流取出し電極(第1電極、導電膜)
10A・101A・102A・103A・104A…内部第1電極
10B・101B・102B・103B・104B…外部第1電極
14…電解液(電荷輸送層)
16、16U…封止材
18…導電膜(第2電極)
18A…内部第2電極
18B・181B・182B・183B・184B…外部第2電極
19、19P…対極
19O…カーボン微粒子
20、20G,20M…第1基板
22、22G…第2基板
22GZ…ざぐりガラス基板
22P…ざぐりプラスチック基板
23…絶縁膜
24…セパレータ
26、28…酸化還元電解質
30、32…色素分子
31、311…セル
120…多孔質半導体層(半導体微粒子層、TiO2膜)
122…半導体微粒子(TiO2粒子)
124…金属微粒子(Ag粒子)
130・1301・1302・1303・1304…多孔質半導体層(120+Dye)
200、200A…色素増感太陽電池(DSC)
240…負荷
Dye…色素
3a ... Cap sealing material 3b ... Opening sealing material 2 ... Semiconductor fine particles 4, 30, 32 ... Dye molecule 10 ... Current extraction electrode (first electrode, conductive film)
10A, 10 1 A, 10 2 A, 10 3 A, 10 4 A ... first internal electrode 10B, 10 1 B, 10 2 B, 10 3 B, 10 4 B, external first electrode 14 ... electrolyte (charge) Transport layer)
16, 16U ... Sealing material 18 ... Conductive film (second electrode)
18A: Internal second electrodes 18B, 18 1 B, 18 2 B, 18 3 B, 18 4 B ... External second electrodes 19, 19P ... Counter electrode 19O ... Carbon fine particles 20, 20G, 20M ... First substrates 22, 22G ... Second substrate 22GZ ... Spot glass substrate 22P ... Spot plastic substrate 23 ... Insulating film 24 ... Separator 26, 28 ... Redox electrolyte 30, 32 ... Dye molecule 31, 311 ... Cell 120 ... Porous semiconductor layer (semiconductor fine particle layer, TiO2) 2 membranes)
122 ... Semiconductor fine particles (TiO 2 particles)
124 ... Metal fine particles (Ag particles)
130 - 130 1 - 130 2 - 130 3 - 130 4 ... porous semiconductor layer (120 + Dye)
200, 200A ... Dye-sensitized solar cell (DSC)
240 ... Load Dye ... Dye

Claims (27)

第1基板と、
前記第1基板上に配置された対極と、
前記対極を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、
前記セパレータ上に配置された電流取出し電極と、
前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、
前記セパレータ、前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、
前記多孔質半導体層の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材と
を備えることを特徴とする色素増感太陽電池。
A first substrate;
A counter electrode disposed on the first substrate;
A separator made of an insulating porous body formed so as to cover the counter electrode;
A current extraction electrode disposed on the separator;
A porous semiconductor layer disposed on the current extraction electrode and comprising semiconductor fine particles and dye molecules;
An electrolytic solution in which a redox electrolyte for immersing the separator, the current extraction electrode, and the porous semiconductor layer is dissolved;
A second substrate disposed above the porous semiconductor layer with a predetermined gap therebetween;
A dye-sensitized solar cell, comprising: a sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and sealing the electrolytic solution.
第1基板と、
前記第1基板上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、
前記第1基板上および前記多孔質半導体層上に配置された電流取出し電極と、
前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層の端部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、
前記セパレータ上に配置された対極と、
前記多孔質半導体層、前記セパレータおよび前記対極を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、
前記対極の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材と
を備えることを特徴とする色素増感太陽電池。
A first substrate;
A porous semiconductor layer disposed on the first substrate and comprising semiconductor fine particles and dye molecules;
A current extraction electrode disposed on the first substrate and on the porous semiconductor layer;
A separator made of an insulating porous body formed so as to cover an end portion of the current extraction electrode and the porous semiconductor layer;
A counter electrode disposed on the separator;
An electrolytic solution in which a redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer, the separator and the counter electrode is dissolved;
A second substrate disposed above the counter electrode with a predetermined gap therebetween;
A dye-sensitized solar cell, comprising: a sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and sealing the electrolytic solution.
第1基板と、
前記第1基板上に配置される電流取出し電極と、
前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子と色素分子を備える多孔質半導体層と、
前記多孔質半導体層の全部または一部を覆うように形成される絶縁性の多孔質体から成るセパレータと、
前記セパレータ上に配置された対極と、
前記多孔質半導体層、前記セパレータおよび前記対極を浸漬させる酸化還元電解質を溶解した電解液と、
前記対極の上方に所定の間隙を挟んで配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置され、前記電解液を封止する封止材と
を備えることを特徴とする色素増感太陽電池。
A first substrate;
A current extraction electrode disposed on the first substrate;
A porous semiconductor layer disposed on the current extraction electrode and comprising semiconductor fine particles and dye molecules;
A separator made of an insulating porous body formed so as to cover all or part of the porous semiconductor layer;
A counter electrode disposed on the separator;
An electrolytic solution in which a redox electrolyte for immersing the porous semiconductor layer, the separator and the counter electrode is dissolved;
A second substrate disposed above the counter electrode with a predetermined gap therebetween;
A dye-sensitized solar cell, comprising: a sealing material disposed between the first substrate and the second substrate and sealing the electrolytic solution.
前記第1基板はガラス基板で構成されることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の色素増感太陽電池。   The said 1st board | substrate is comprised with a glass substrate, The dye-sensitized solar cell of Claim 2 or Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記第1基板は、所定厚さの金属フィルムで構成されることを特徴とする請求項1に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 1, wherein the first substrate is made of a metal film having a predetermined thickness. 前記金属フィルムは、ステンレスまたはTiで形成されることを特徴とする請求項5に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 5, wherein the metal film is made of stainless steel or Ti. 前記電流取出し電極は、透明導電膜、金属蒸着膜または導電性微粒子から成る膜で構成されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 3, wherein the current extraction electrode includes a transparent conductive film, a metal vapor deposition film, or a film made of conductive fine particles. 前記透明導電膜は、ITO、FTO、ZnO、SnO2のいずれかで形成されることを特徴とする請求項7に記載の色素増感太陽電池。 The transparent conductive film, ITO, FTO, ZnO, dye-sensitized solar cell according to claim 7, characterized in that formed in one of SnO 2. 前記セパレータは、多孔質セラミックで構成されることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 8, wherein the separator is made of a porous ceramic. 前記多孔質セラミックは、酸化アルミニウムまたは二酸化ケイ素の微粒子を含む焼結体であることを特徴とする請求項9に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 9, wherein the porous ceramic is a sintered body containing fine particles of aluminum oxide or silicon dioxide. 前記対極は、多孔質電極とされることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 10, wherein the counter electrode is a porous electrode. 前記多孔質電極は、導電体の微粒子と触媒物質の微粒子の焼結体で形成されることを特徴とする請求項11に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 11, wherein the porous electrode is formed of a sintered body of conductive fine particles and catalytic fine particles. 前記導電体の微粒子はITOまたはSnO2で構成され、前記触媒物質の微粒子はPtまたは炭素で構成されることを特徴とする請求項12に記載の色素増感太陽電池。 The fine particles of the conductor is composed of ITO or SnO 2, fine particles of the catalyst material the dye-sensitized solar cell according to claim 12, characterized in that it is composed of Pt or carbon. 前記対極上に、導電性を高める導電性補助層が形成されていることを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 13, wherein a conductive auxiliary layer for increasing conductivity is formed on the counter electrode. 前記導電性補助層は、カーボン微粒子層または金属蒸着層で形成されることを特徴とする請求項14に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 14, wherein the conductive auxiliary layer is formed of a carbon fine particle layer or a metal vapor deposition layer. 前記第2基板は、ガラス基板またはプラスチックフィルムで構成されることを特徴とする請求項1〜15の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The said 2nd board | substrate is comprised with a glass substrate or a plastic film, The dye-sensitized solar cell of any one of Claims 1-15 characterized by the above-mentioned. 前記第2基板は、ざぐり構造を有することを特徴とする請求項1〜16の何れか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 16, wherein the second substrate has a counterbore structure. 前記プラスチックフィルムは、PET樹脂またはPEN樹脂で形成されることを特徴とする請求項16に記載の色素増感太陽電池。   The dye-sensitized solar cell according to claim 16, wherein the plastic film is formed of PET resin or PEN resin. 前記色素は、レッドダイ(N719)、ブラックダイ(N749)、D131、D205、フタロシアニン系色素、ポルフィリン系色素、indoline系色素(D149)のいずれかで形成されることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池。   The dye is formed of any one of a red dye (N719), a black dye (N749), D131, D205, a phthalocyanine dye, a porphyrin dye, and an indoline dye (D149). The dye-sensitized solar cell of any one of these. 前記半導体微粒子は、TiO2、ZnO、WO3、InO3、Nb23、SnO2のいずれかで形成されることを特徴とする請求項1〜19のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池。 The dye enhancement according to claim 1, wherein the semiconductor fine particles are formed of any one of TiO 2 , ZnO, WO 3 , InO 3 , Nb 2 O 3 , and SnO 2. Sensitive solar cell. 前記封止材の外部の前記第1基板上に配置された外部第1電極と、
前記封止材の外部の前記第2基板上に配置された外部第2電極と
を備えることを特徴とする請求項1〜20のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池。
An external first electrode disposed on the first substrate outside the sealing material;
The dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 20, further comprising an external second electrode disposed on the second substrate outside the sealing material.
前記外部第1電極と前記外部第2電極とを前記封止材の外部の側壁に沿って前記第1基板および前記第2基板間に配置された接続電極を備え、
前記色素増感太陽電池の複数のセルを、前記接続電極を介して直列接続したことを特徴とする請求項21に記載の色素増感太陽電池。
A connection electrode disposed between the first substrate and the second substrate along the outer side wall of the sealing material, the external first electrode and the external second electrode;
The dye-sensitized solar cell according to claim 21, wherein a plurality of cells of the dye-sensitized solar cell are connected in series via the connection electrode.
前記外部第1電極と前記外部第2電極とを前記封止材の外部の側壁に沿って前記第1基板および前記第2基板間に配置された絶縁層を備え、
前記色素増感太陽電池の複数のセルを、前記絶縁層を介して並列接続したことを特徴とする請求項21に記載の色素増感太陽電池。
An insulating layer disposed between the first substrate and the second substrate along the outer side wall of the sealing material, the external first electrode and the external second electrode;
The dye-sensitized solar cell according to claim 21, wherein a plurality of cells of the dye-sensitized solar cell are connected in parallel via the insulating layer.
第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に対極を形成する工程と、
前記対極を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、
前記セパレータ上に、電流取出し電極を形成する工程と、
前記電流取出し電極上に、多孔質半導体層を形成する工程と、
デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、
前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程と
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。
Forming a counter electrode on the first substrate after pre-processing the first substrate by a cleaning step;
A step of sintering and forming a porous separator made of an insulating ceramic so as to cover the counter electrode;
Forming a current extraction electrode on the separator;
Forming a porous semiconductor layer on the current extraction electrode;
Immersing the entire device in a dye solution, immersing the dye in the porous semiconductor layer; and
A step of causing the first substrate and the second substrate to face each other and bonding using a sealing material;
Injecting electrolyte solution between said 1st board | substrate and said 2nd board | substrate, The manufacturing method of the dye-sensitized solar cell characterized by the above-mentioned.
第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に半導体微粒子を備える多孔質半導体層を形成する工程と、
前記第1基板上および前記多孔質半導体層上に電流取出し電極を形成する工程と、
前記電流取出し電極および前記多孔質半導体層の端部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、
前記セパレータ上に、対極を形成する工程と、
デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、
前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程と
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。
Forming a porous semiconductor layer comprising semiconductor fine particles on the first substrate after pre-processing the first substrate by a cleaning step;
Forming a current extraction electrode on the first substrate and the porous semiconductor layer;
A step of sintering and forming a porous separator made of an insulating ceramic so as to cover the ends of the current extraction electrode and the porous semiconductor layer;
Forming a counter electrode on the separator;
Immersing the entire device in a dye solution, immersing the dye in the porous semiconductor layer; and
A step of causing the first substrate and the second substrate to face each other and bonding using a sealing material;
Injecting electrolyte solution between said 1st board | substrate and said 2nd board | substrate, The manufacturing method of the dye-sensitized solar cell characterized by the above-mentioned.
第1基板を、洗浄工程によって前処理後、前記第1基板上に透明導電膜から成る電流取出し電極を形成する工程と、
前記電流取出し電極上に配置され、半導体微粒子を備える多孔質半導体層を形成する工程と、
前記多孔質半導体層の全部または一部を覆うように、絶縁性のセラミックからなる多孔質のセパレータを焼結して形成する工程と、
前記セパレータ上に、対極を形成する工程と、
デバイス全体を色素溶液に浸漬させて、前記多孔質半導体層に色素を浸漬する工程と、
前記第1基板と第2基板とを互いに対向させ、封止材を用いて貼り合わせる工程と、
前記第1基板と前記第2基板との間に、電解液を注入する工程と
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。
Forming a current extraction electrode made of a transparent conductive film on the first substrate after pre-processing the first substrate by a cleaning step;
Forming a porous semiconductor layer provided on the current extraction electrode and comprising semiconductor fine particles; and
A step of sintering and forming a porous separator made of an insulating ceramic so as to cover all or part of the porous semiconductor layer;
Forming a counter electrode on the separator;
Immersing the entire device in a dye solution, immersing the dye in the porous semiconductor layer; and
A step of causing the first substrate and the second substrate to face each other and bonding using a sealing material;
Injecting electrolyte solution between said 1st board | substrate and said 2nd board | substrate, The manufacturing method of the dye-sensitized solar cell characterized by the above-mentioned.
請求項1〜23のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池を搭載したことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the dye-sensitized solar cell according to any one of claims 1 to 23.
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