JP2014192782A - Sealing member, sealing auxiliary member, sealing method and sealing auxiliary method - Google Patents

Sealing member, sealing auxiliary member, sealing method and sealing auxiliary method Download PDF

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Fumihiro Shiba
文広 芝
Hiromi Yatsuda
博美 谷津田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing member, a sealing auxiliary member, a sealing method and a sealing auxiliary method, which suppress deterioration in characteristics of an acoustic wave device within an allowable limit and can seal a desired portion on a substrate.SOLUTION: A sealing member includes: an enclosure which is included in an acoustic wave device reflecting the propagation characteristics of a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave to a response and circumferentially formed at a region of a surface of a substrate interposed in the propagation path, as a photoresist; a support which is formed, as the photoresist, together with the enclosure at the inside of the region of the surface; and a lid which is formed, as the photoresist, together with the enclosure and the support and covered and brought into contact with the whole of the top of the enclosure. The enclosure, the support and the lid are integrally formed by subjecting the photoresist to curing treatment.

Description

本発明は、フォトレジストとして形成され、かつ弾性波デバイスにおいて弾性表面波またはバルク波の伝搬路に介在する基板の表面上の部位の封止に供される封止部材と、フォトレジストとして形成され、かつその封止部材と一体となって封止を実現する封止補助部材と、これらの封止部材と封止補助部材とのそれぞれの製法である封止方法と封止補助方法とに関する。   The present invention provides a sealing member formed as a photoresist and used for sealing a portion on the surface of a substrate interposed in a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave in an acoustic wave device, and formed as a photoresist. And it is related with the sealing auxiliary member which implement | achieves sealing integrally with the sealing member, and the sealing method and sealing auxiliary method which are each manufacturing methods of these sealing member and sealing auxiliary member.

SAW(Surface Acoustic Waves:表面弾性波)デバイスの基板上には、送波電極と受波電極とが形成され、これらの送波電極と受波電極との間には伝搬路が形成される。
このような伝搬路上では、伝搬する弾性波のエネルギーの大半が表面または表面下の極めて浅い部分に集中する。
A transmitting electrode and a receiving electrode are formed on a substrate of a SAW (Surface Acoustic Waves) device, and a propagation path is formed between the transmitting electrode and the receiving electrode.
On such a propagation path, most of the energy of the propagating elastic wave is concentrated on the surface or a very shallow portion below the surface.

したがって、SAWデバイスは、このような伝搬路の表面の弾性係数の変化に応じた伝搬速度や位相としてその表面に接する溶液等の量や成分を計測するセンサとして適用され、特に、生体センサとしても活用されつつある。   Therefore, the SAW device is applied as a sensor for measuring the amount and components of a solution or the like in contact with the surface as a propagation speed or phase according to the change in the elastic coefficient of the surface of the propagation path, and particularly as a biological sensor. It is being utilized.

図6は、従来のSAWセンサの構成例を示す図である。
従来のSAWセンサは、図6に示すように、以下の工程を経て製造される。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional SAW sensor.
A conventional SAW sensor is manufactured through the following steps as shown in FIG.

(1) 基板40の表面の内、特定の部位(送波電極41Sと受波電極41Rとがそれぞれ形成される。)の回りには、フォトレジスト(SU8)による囲いとしてダム42S(42R)が形成される。ここに、基板40の表面の内、送波電極41Sと受波電極41Rとで挟まれた領域には、上記表面弾性波の伝搬路43となる。 (1) A dam 42S (42R) is surrounded by a photoresist (SU8) around a specific portion (a transmitting electrode 41S and a receiving electrode 41R are respectively formed) on the surface of the substrate 40. It is formed. Here, the surface acoustic wave propagation path 43 is formed in a region sandwiched between the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R in the surface of the substrate 40.

(2) これらのダム42S(42R)が加熱されることによって、硬化が図られる。
(3) ダム42S(42R)の頂部には、その頂部の形状およびサイズに適合したガラス製のキャップ44S(44R)が載架され、かつ接着剤によりダム42S(42R)との一体化が図られる。
(2) Curing is achieved by heating these dams 42S (42R).
(3) On the top of the dam 42S (42R), a glass cap 44S (44R) suitable for the shape and size of the top is placed, and the dam 42S (42R) is integrated with an adhesive. It is done.

すなわち、送波電極41Sは、一体化されたダム42Sとキャップ44Sとの対によって封止され、かつ送波電極41Rは、同様に一体化されたダム42Rとキャップ44Rとの対によって封止される。   That is, the transmission electrode 41S is sealed by a pair of an integrated dam 42S and a cap 44S, and the transmission electrode 41R is similarly sealed by a pair of an integrated dam 42R and a cap 44R. The

また、送波電極41Sと受波電極41Rとは、伝搬路43とは物理的に隔離される。
したがって、送波電極41Sや受波電極41Rに溶液等が直接接触して生じる短絡、あるいは特性の劣化や精度の低下が回避される。
Further, the transmission electrode 41S and the reception electrode 41R are physically separated from the propagation path 43.
Therefore, a short circuit caused by direct contact of the solution or the like with the transmitting electrode 41S or the receiving electrode 41R, or deterioration in characteristics or accuracy is avoided.

なお、上記工程(1)〜(3)は、ウェハ上に格子状に配置された複数のSAWセンサについて並行して進められ、そのウェハが最終的にダイシングされることによって、これらのSAWセンサが個別にチップ化される。   The above steps (1) to (3) are performed in parallel for a plurality of SAW sensors arranged in a lattice pattern on the wafer, and the wafer is finally diced, so that these SAW sensors Individually chipped.

なお、本発明に関連性がある先行技術としては、後述する特許文献1に開示されるように、「主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成された素子基板と、前記素子基板の前記主面において前記圧電素子の周囲に配置された支持層と、前記支持層に配置された後、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記素子基板の外周より内側が除去されて、前記素子基板の前記外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するカバーと、前記素子基板より前記カバー側を、前記カバーから前記素子基板の前記主面の周部まで全体的に覆う絶縁性の補強材料と、前記導電パターンに電気的に接続され、前記カバー及び前記補強材料を貫通する導電部材とを備える」ことにより、「小型化しつつ耐湿性を向上することができ、回路基板に実装した後に封止する必要がない」点に特徴がある圧電デバイスがあった。   In addition, as a prior art relevant to the present invention, as disclosed in Patent Document 1 to be described later, “a device substrate having a main surface formed with a piezoelectric element and a conductive pattern connected to the piezoelectric element; A support layer disposed around the piezoelectric element on the principal surface of the element substrate, and the element substrate when disposed on the support layer and viewed from a normal direction of the principal surface of the element substrate. The inner side is removed from the outer periphery of the element substrate, the cover extending from the outer periphery of the element substrate to the outer periphery and the outer periphery of the element substrate at intervals, and the cover side from the element substrate. An insulating reinforcing material that covers the entire area from the cover to the periphery of the main surface of the element substrate, and a conductive member that is electrically connected to the conductive pattern and penetrates the cover and the reinforcing material. " It is possible to improve moisture resistance, there is a piezoelectric device is characterized in the sealing need not be "points after mounting on a circuit board.

特許4210958号公報Japanese Patent No. 4210958

ところで、上述した従来のSAWセンサでは、以下のような要因により、コスト高であり、かつ信頼性や性能に偏差が生じる可能性があった。   By the way, in the conventional SAW sensor described above, due to the following factors, the cost is high, and there is a possibility that deviations may occur in reliability and performance.

(1) ダム42S(42R)の頂部に対するキャップ44S(44R)の載架と、両者間の接着との何れも、1つずつ行われなければならない。
(2) キャップ44S(44R)は、何れも、ガラス板が別途個片化されて形成されるために高価であり、かつ製造工程が複雑となってコスト高となりやすかった。
(1) Both the mounting of the cap 44S (44R) on the top of the dam 42S (42R) and the bonding between them must be performed one by one.
(2) Each of the caps 44S (44R) is expensive because the glass plate is separately formed into individual pieces, and the manufacturing process is complicated, and the cost tends to be high.

(3) キャップ44S(44R)が接着されるべきダム42S(42R)の頂部が微細あるため、そのダム42S(42R)にチッピングが生じている場合には、送波電極41Sや受波電極41Rの封止が不完全となる可能性が高かった。
(4) このようなチッピングの排除には別途工数を要する。
(3) Since the top of the dam 42S (42R) to which the cap 44S (44R) is to be bonded is fine, when the dam 42S (42R) is chipped, the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R The possibility of incomplete sealing was high.
(4) Eliminating such chipping requires additional man-hours.

本発明は、弾性波デバイスの特性の劣化を許容限度内に抑えつつ、基板上の所望の部位を封止できる封止部材、封止補助部材、封止方法および封止補助方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a sealing member, a sealing auxiliary member, a sealing method, and a sealing auxiliary method capable of sealing a desired portion on a substrate while suppressing deterioration of characteristics of an elastic wave device within an allowable limit. With the goal.

請求項1に記載の封止部材では、囲体は、弾性表面波またはバルク波の伝搬路の伝搬特性を応答に反映する弾性波デバイスに備えられ、かつ前記伝搬路に介在する基板の表面の部位に、フォトレジストとして周設される。支持体は、前記表面の内、前記部位の内側に、前記囲体と共に前記フォトレジストとして形成される。蓋体は、前記囲体および前記支持体と共に、前記フォトレジストとして形成され、かつ前記囲体の頂部の全てに被装されて接触する。前記囲体、前記支持体および前記蓋体は、前記フォトレジストの硬化処理により一体化される。   In the sealing member according to claim 1, the enclosure is provided in an acoustic wave device that reflects a propagation characteristic of a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave in a response, and is formed on a surface of a substrate interposed in the propagation path. Around the part, it is provided as a photoresist. The support is formed as the photoresist together with the enclosure on the inside of the portion of the surface. The lid body is formed as the photoresist together with the enclosure body and the support body, and is attached to and touches all the top portions of the enclosure body. The enclosure, the support, and the lid are integrated by curing the photoresist.

すなわち、本発明が適用された弾性波デバイスは、囲体および支持体だけではなく、蓋体もフォトレジストとして基板上に形成される。また、蓋体は、囲体の頂部の開口部のサイズとその囲体の高さとの比が大きい場合には、弛むことはあっても、支持体によって基板に接触することがない。   That is, in the acoustic wave device to which the present invention is applied, not only the enclosure and the support but also the lid is formed on the substrate as a photoresist. Further, when the ratio of the size of the opening at the top of the enclosure and the height of the enclosure is large, the lid does not come into contact with the substrate by the support, although it may sag.

請求項2に記載の封止補助部材では、囲体は、弾性表面波またはバルク波の伝搬路の伝搬特性を応答に反映する弾性波デバイスに備えられ、かつ前記伝搬路に介在する基板の表面の部位に、フォトレジストとして周設される。支持体は、前記表面の内、前記部位の内側に、前記囲体と共に前記フォトレジストとして形成される。   The sealing auxiliary member according to claim 2, wherein the enclosure is provided in an elastic wave device that reflects a propagation characteristic of a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave in a response, and the surface of the substrate interposed in the propagation path This region is provided as a photoresist. The support is formed as the photoresist together with the enclosure on the inside of the portion of the surface.

すなわち、本発明に係る封止補助部材は、内部の封止のために囲体の頂部に載架されるべき蓋体がフォトレジストとして形成される場合であっても、その囲体および既述の支持体を共にフォトレジストとして基板上に形成する工程の成果物として、後続する工程に対する引き渡しの対象となる。   That is, the sealing auxiliary member according to the present invention includes the enclosure and the above-described case even when the lid to be placed on the top of the enclosure is formed as a photoresist for internal sealing. As a result of the process of forming both of the supports on the substrate as a photoresist, the support is a target for delivery to the subsequent process.

請求項3に記載の封止方法では、弾性表面波またはバルク波が伝搬する基板の表面の内、特定の部位の外周と内部とに、それぞれ囲体と、突起状の支持体とがフォトレジストとして形成される。前記囲体の頂部の全てに接触する蓋体を前記フォトレジストとして形成され、前記フォトレジストの硬化処理により前記囲体、前記支持体および前記蓋体が一体化される。   In the sealing method according to claim 3, a surrounding body and a projecting support body are provided on each of an outer periphery and an inner portion of a specific portion of the surface of the substrate on which the surface acoustic wave or the bulk wave propagates. Formed as. A lid that contacts all of the top of the enclosure is formed as the photoresist, and the enclosure, the support, and the lid are integrated by curing the photoresist.

すなわち、本発明が適用された弾性波デバイスは、囲体および支持体だけではなく、蓋体もフォトレジストとして基板上に形成される。また、蓋体は、囲体の頂部の開口部のサイズとその囲体の高さとの比が大きい場合には、弛むことはあっても、支持体によって基板に接触することがない。   That is, in the acoustic wave device to which the present invention is applied, not only the enclosure and the support but also the lid is formed on the substrate as a photoresist. Further, when the ratio of the size of the opening at the top of the enclosure and the height of the enclosure is large, the lid does not come into contact with the substrate by the support, although it may sag.

請求項4に記載の封止補助方法では、弾性表面波またはバルク波が伝搬する基板の表面の内、特定の部位の外周と内部とに、それぞれ囲体と、突起状の支持体とがフォトレジストとして形成される。   In the sealing auxiliary method according to claim 4, a surrounding body and a projecting support body are respectively provided on the outer periphery and the inside of a specific portion of the surface of the substrate on which the surface acoustic wave or the bulk wave propagates. It is formed as a resist.

すなわち、本発明に係る封止補助部材は、内部の封止のために囲体の頂部に載架されるべき蓋体がフォトレジストとして形成される場合であっても、その囲体および既述の支持体を共にフォトレジストとして基板上に形成する工程の成果物として、後続する工程に対する引き渡しの対象となる。   That is, the sealing auxiliary member according to the present invention includes the enclosure and the above-described case even when the lid to be placed on the top of the enclosure is formed as a photoresist for internal sealing. As a result of the process of forming both of the supports on the substrate as a photoresist, the support is a target for delivery to the subsequent process.

本発明が適用された弾性波デバイスは、柔軟な工程の下で、基板上の所望の部位が安価に確度高く封止され、かつ蓋体がたわんで基板に接触することによる特性や性能の低下が確実に回避される。   The elastic wave device to which the present invention is applied is a low-cost property and performance degradation due to the desired part on the substrate being sealed with high accuracy at low cost and the lid being bent and contacting the substrate under a flexible process. Is definitely avoided.

また、本発明が適用された弾性波デバイスは、基板上の所望の部位が安価に確度高く封止され、特性や性能が低い偏差で高く安定に維持される。   In addition, in the acoustic wave device to which the present invention is applied, a desired portion on the substrate is sealed with high accuracy at low cost, and characteristics and performance are kept high and stable with low deviation.

したがって、本発明が適用された装置では、弾性波デバイスの性能や特性の劣化に起因する総合的な信頼性の低下を伴うことなく、その弾性波デバイスの活用による価格性能比や負荷価値の向上が図られる。   Therefore, in the apparatus to which the present invention is applied, the price / performance ratio and load value are improved by utilizing the acoustic wave device without lowering the overall reliability due to the deterioration of the performance and characteristics of the acoustic wave device. Is planned.

本発明の一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of this invention. 本実施形態における送波電極および受波電極の封止工程のフローチャート図である。It is a flowchart figure of the sealing process of the transmitting electrode and receiving electrode in this embodiment. 本実施形態における支柱の配置例を示す図である。It is a figure which shows the example of arrangement | positioning of the support | pillar in this embodiment. 本実施形態の作用を説明する図である。It is a figure explaining the effect | action of this embodiment. 本発明が適用可能な電極の他の構成を示す図である。It is a figure which shows the other structure of the electrode which can apply this invention. 従来のSAWセンサの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the conventional SAW sensor.

以下、図面に基づいて本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態を示す図である。
図において、図6に示すものと同じものについては、同じ符号を付与し、ここでは、その説明を省略する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
In the figure, the same components as those shown in FIG. 6 are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted here.

本実施形態と図6に示す従来例との構成の相違点は、以下の点にある。
(1) キャップ44S(44R)に代えて頂板11S(11R)が備えられる。
(2) 送波電極41Sの上に支柱12S-1〜12S-5が配置される。
(3) 受波電極41Rの上に支柱12R-1〜12R-5が配置される。
The difference between the present embodiment and the conventional example shown in FIG. 6 is as follows.
(1) A top plate 11S (11R) is provided instead of the cap 44S (44R).
(2) The columns 12S-1 to 12S-5 are disposed on the transmission electrode 41S.
(3) The columns 12R-1 to 12R-5 are disposed on the receiving electrode 41R.

図2は、本実施形態における送波電極および受波電極の封止工程のフローチャートである。
以下、図1および図2を参照して、本実施形態の作用および効果を説明する。
本発明の特徴は、本実施形態では、送波電極41Sおよび受波電極41Rの封止が以下の工程に基づいて実現される点にある。
FIG. 2 is a flowchart of the sealing process of the transmitting electrode and the receiving electrode in the present embodiment.
Hereinafter, the operation and effect of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The feature of the present invention is that, in the present embodiment, sealing of the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R is realized based on the following steps.

(1) 送波電極41Sの上に、支柱12S-1〜12S-5がダム42Sと共にフォトレジスト(SU8)として形成され(図2ステップS1)、これらの支柱12S-1〜12S-5の基板40の表面に対する高さがダム42Sの高さと同じに設定される。 (1) The columns 12S-1 to 12S-5 are formed as a photoresist (SU8) together with the dam 42S on the transmission electrode 41S (step S1 in FIG. 2), and the substrates of these columns 12S-1 to 12S-5 The height with respect to the surface of 40 is set to be the same as the height of the dam 42S.

(2) 送波電極41Rの上に、支柱12R-1〜12R-5がダム42Rと共にフォトレジスト(SU8)として形成され(図2ステップS2)、これらの支柱12R-1〜12R-5の基板40の表面に対する高さがダム42Rの高さと同じに設定される。 (2) Columns 12R-1 to 12R-5 are formed as a photoresist (SU8) together with the dam 42R on the transmission electrode 41R (step S2 in FIG. 2), and the substrates of these columns 12R-1 to 12R-5 The height with respect to the surface of 40 is set to be the same as the height of the dam 42R.

(3) ダム42S、42Rの頂部にSU8製の薄板がラミネート加工により平坦に載架される(図2ステップS3)。 (3) A SU8 thin plate is mounted flat on the top of the dams 42S, 42R by laminating (step S3 in FIG. 2).

(4) この薄板にフォトエッチングが施されることにより、ダム42S、42Rの頂部に頂板11S、11Rがそれぞれフォトレジスト(SU8)として形成される(図2ステップS4)。 (4) By performing photoetching on the thin plate, the top plates 11S and 11R are formed as photoresists (SU8) on the tops of the dams 42S and 42R, respectively (step S4 in FIG. 2).

(5) 支柱12S-1〜12S-5がダム42Sおよび頂板11Sと共に加熱されることにより、硬化および一体化が図られる(図2ステップS5)。 (5) Curing and integration are achieved by heating the columns 12S-1 to 12S-5 together with the dam 42S and the top plate 11S (step S5 in FIG. 2).

(6) 支柱12R-1〜12R-5がダム42Rおよび頂板11Rと共に加熱されることにより、硬化および一体化が図られる(図2ステップS6)。
なお、上記工程(1)、(2)については、並行して行われてもよく、また、如何なる順序で個別に行われてもよい。
(6) The struts 12R-1 to 12R-5 are heated together with the dam 42R and the top plate 11R to be cured and integrated (step S6 in FIG. 2).
Note that the steps (1) and (2) may be performed in parallel, or may be performed individually in any order.

このような構成のSAWセンサでは、従来例においてダム42S(42R)の頂部に載架されていたガラス製のキャップ44S(44R)に代えて、SU8製の頂板11S(11R)が備えられる。   In the SAW sensor having such a configuration, a SU8 top plate 11S (11R) is provided instead of the glass cap 44S (44R) mounted on the top of the dam 42S (42R) in the conventional example.

さらに、これらの頂板11S(11R)は、既述の加熱により、ダム42S(42R)と一体化され、これらのダム42S(42R)および支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)と共に硬化が図られる。   Further, these top plates 11S (11R) are integrated with the dam 42S (42R) by the heating described above, and these dams 42S (42R) and the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-) are integrated. Curing is achieved with 5).

ところで、上述したラミネート加工および加熱の過程では、ダム42S(42R)の高さ(例えば、50〜200μm)と内壁間の最長の距離(例えば、1000〜2000μm)との比(=「5」〜「40」)が小さいほど、図4に破線で示すように、頂板11S(11R)がそのダム42S(42R)の内側に垂れ下がる可能性が高くなる。   By the way, in the process of laminating and heating described above, the ratio (= “5” to the height (for example, 50 to 200 μm) of the dam 42S (42R) and the longest distance (for example, 1000 to 2000 μm) between the inner walls. As “40”) is smaller, the possibility that the top plate 11S (11R) hangs down to the inside of the dam 42S (42R) increases as shown by the broken line in FIG.

しかし、本実施形態では、頂板11S(11R)は、支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)の頂部によって、基板40や送波電極41S(受波電極41R)に接触することなく支えられる。   However, in the present embodiment, the top plate 11S (11R) is in contact with the substrate 40 and the transmission electrode 41S (the reception electrode 41R) by the tops of the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-5). It is supported without doing.

すなわち、送波電極41S(受波電極41R)は、何れも、共通の素材SU8で構成されて熱処理により一体化や硬化が図られた支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)によって、封止に併せて、伝搬路43との物理的な隔離が図られる。   That is, each of the transmitting electrode 41S (receiving electrode 41R) is composed of a common material SU8, and the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-) which are integrated and cured by heat treatment. According to 5), physical isolation from the propagation path 43 is achieved together with sealing.

また、本実施形態では、素材の共通化と、フォトエッチング(フォトリソグラフィ)による簡便かつ高い精度の製法の採用とにより、従来例に比べて大幅に安価に、性能や特性の偏差の圧縮が図られる。   In addition, in this embodiment, by using a common material and adopting a simple and highly accurate manufacturing method by photolithography (photolithography), it is possible to compress performance and characteristic deviations at a significantly lower cost than conventional examples. It is done.

なお、本実施形態では、図2ステップS1,S2に記載の工程は、1つの工程として並行して行われてもよい。   In the present embodiment, the processes described in steps S1 and S2 in FIG. 2 may be performed in parallel as one process.

また、本実施形態では、支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)は、ダム42S(42R)が形成される工程と異なる工程で形成されてもよい。   Moreover, in this embodiment, support | pillar 12S-1-12S-5 (12R-1-12R-5) may be formed in a process different from the process in which the dam 42S (42R) is formed.

さらに、本実施形態では、図2ステップS3〜S6に記載の工程の全てまたは一部が行われるサイトは、先行する工程(図2ステップS1,S2)が行われるサイトと必ずしも同じでなくてもよく、これらのサイトで中間生成物の運搬あるいは引き渡しが適宜行われてもよい。   Furthermore, in this embodiment, the site where all or part of the processes described in steps S3 to S6 in FIG. 2 are performed is not necessarily the same as the site where the preceding processes (steps S1 and S2 in FIG. 2) are performed. In addition, the intermediate product may be transported or delivered as appropriate at these sites.

また、本実施形態では、図23ステップS5,S6に記載の工程は、1つの工程として並行して行われてもよい。   In the present embodiment, the processes described in steps S5 and S6 in FIG. 23 may be performed in parallel as one process.

さらに、本実施形態では、頂板11S、11Rの載架が所望の確度で実現されるならば、これらの頂板11S、11Rが載架されるべきダム42S、42Rの頂部の高さは、異なってもよい。   Furthermore, in this embodiment, if the mounting of the top plates 11S and 11R is realized with a desired accuracy, the heights of the tops of the dams 42S and 42R on which the top plates 11S and 11R are to be mounted are different. Also good.

また、本実施形態では、頂板11S、11Rは、SU8製の薄板がラミネート加工されることによってダム42S、42Rの頂部に載架されている。
しかし、このような頂板11S、11Rの載架は、例えば、何らかの装置によって個別に行われてもよい。
In the present embodiment, the top plates 11S and 11R are mounted on the tops of the dams 42S and 42R by laminating a thin plate made of SU8.
However, such mounting of the top plates 11S and 11R may be performed individually by some device, for example.

さらに、本実施形態では、支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)は、損失や特性の劣化が許容されるならば、例えば、図3(a),(b)に例示するように、送波電極41S(受波電極41R)に対してどのように配置されてもよく、かつ形状、寸法、材質の何れもがどのように設定されてもよい。   Furthermore, in the present embodiment, the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-5) are shown in FIGS. 3A and 3B, for example, if loss and deterioration of characteristics are allowed. As illustrated, it may be arranged in any way with respect to the transmitting electrode 41S (receiving electrode 41R), and any of the shape, size, and material may be set.

また、本実施形態では、支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)は、送波電極41S(受波電極41R)または、これらの送波電極41S(受波電極41R)の表面に施されたメッキ(例えば、金メッキ)との適合性が高い素材で形成されてもよい。   Further, in this embodiment, the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-5) are the transmitting electrode 41S (receiving electrode 41R) or the transmitting electrode 41S (receiving electrode 41R). It may be formed of a material having high compatibility with the plating (for example, gold plating) applied to the surface.

さらに、本発明は、送波電極41Sや受波電極41Rが不平衡型の電極である場合に限定されず、例えば、図5に示すように、これらの送波電極41Sや受波電極41Rが平衡型の電極である場合にも、同様に適用可能である。   Furthermore, the present invention is not limited to the case where the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R are unbalanced electrodes. For example, as shown in FIG. 5, the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R The same applies to the case of a balanced electrode.

また、このような場合には、支柱12S-1〜12S-5(12R-1〜12R-5)は、例えば、図5に示すように、外部で接地されるべき電極の上のみに配置されてもよい。   In such a case, the columns 12S-1 to 12S-5 (12R-1 to 12R-5) are disposed only on the electrodes to be grounded externally, for example, as shown in FIG. May be.

さらに、本実施形態では、SU8は、フォトレジストであって所望の厚みによるスピンコートや塗布が可能であり、かつ適度の粘性を有するならば、露光に適用されるべき光の波長、硬化する温度、硬化後における剥離の困難性や物理的な強度の如何にかかわらず、多様な光感光性のレジスト材で代替可能である。   Further, in the present embodiment, the SU 8 is a photoresist, which can be spin-coated or applied with a desired thickness, and has an appropriate viscosity, the wavelength of light to be applied for exposure, the curing temperature, and the like. Regardless of the difficulty of peeling after curing and the physical strength, various photo-sensitive resist materials can be substituted.

また、本実施形態では、封止の対象は、送波電極41Sや受波電極41Rの周辺に限定されず、例えば、基板40の表面または伝搬路43の全域や一部であってもよい。   In the present embodiment, the object to be sealed is not limited to the periphery of the transmitting electrode 41S and the receiving electrode 41R, and may be the entire surface or a part of the propagation path 43, for example.

さらに、本発明は、SAWセンサ(SAW溶液センサを含む)やSAWフィルタ等のSAWデバイスだけではなく、FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)フィルタや多様なMEMS(Micro Electro Mechanical System)デバイス等にも同様に適用可能である。   Furthermore, the present invention applies not only to SAW devices such as SAW sensors (including SAW solution sensors) and SAW filters, but also to FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) filters and various MEMS (Micro Electro Mechanical System) devices. Applicable.

また、本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の範囲において多様な実施形態の構成が可能であり、構成要素の全てまたは一部に如何なる改良が施されてもよい。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations of the embodiments are possible within the scope of the present invention, and any improvements may be made to all or some of the components.

以下、本願に開示された発明の内、「特許請求の範囲」に記載しなかった発明の、構成、作用および効果を「特許請求の範囲」、「課題を解決するための手段」、「発明の効果」の各欄の記載に順じた様式で列記する。
〔請求項5〕
請求項1に記載の封止部材において、
前記弾性波デバイスは、
弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサであり、
前記部位は、
前記表面の内、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサを構成する電極が形成された部位である
ことを特徴とする封止部材。
Hereinafter, among the inventions disclosed in the present application, the configurations, operations, and effects of the inventions not described in the “Claims” are referred to as “Claims”, “Means for Solving the Problems”, “Inventions”. List them in a format consistent with the description in each column.
[Claim 5]
The sealing member according to claim 1,
The acoustic wave device is
A surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor;
The site is
A sealing member, wherein the surface is a portion where an electrode constituting a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor is formed.

請求項5に記載の封止部材では、請求項1に記載の封止部材において、前記弾性波デバイスは、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサである。前記部位は、前記表面の内、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサを構成する電極が形成された部位である。   The sealing member according to claim 5 is the sealing member according to claim 1, wherein the acoustic wave device is a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor. The said site | part is a site | part in which the electrode which comprises a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor is formed in the said surface.

すなわち、本発明に係る弾性表面波フィルタまたは弾性表面波センサは、電極が封止され、その電極が他の部位と物理的に隔離される。   That is, in the surface acoustic wave filter or surface acoustic wave sensor according to the present invention, the electrode is sealed, and the electrode is physically isolated from other parts.

したがって、このような電極の封止の不完全性と、その封止に伴う特性や性能の劣化との何れもが安価に確度高く回避される。
〔請求項6〕
請求項1または請求項5に記載の封止部材において、
前記支持体の形状、サイズ、配置、個数の全てまたは一部は、
前記弾性波デバイスの特性の劣化が許容される形態に設定された
ことを特徴とする封止部材。
Therefore, both imperfect sealing of the electrode and deterioration of characteristics and performance associated with the sealing can be avoided with high accuracy at low cost.
[Claim 6]
In the sealing member according to claim 1 or 5,
All or part of the shape, size, arrangement, number of the support is
A sealing member characterized in that it is set in a form in which deterioration of characteristics of the acoustic wave device is allowed.

請求項6に記載の封止部材では、請求項1または請求項5に記載の封止部材において、前記支持体の形状、サイズ、配置、個数の全てまたは一部は、前記弾性波デバイスの特性の劣化が許容される形態に設定される。   The sealing member according to claim 6 is the sealing member according to claim 1 or 5, wherein all or part of the shape, size, arrangement, and number of the support are characteristics of the acoustic wave device. It is set to a form in which the deterioration of is allowed.

すなわち、本発明に係る封止部材によれば、囲体の頂部の開口部のサイズと、その囲体の高さとの如何にかかわらず、この頂部に載架された蓋体がたわんで基板に接触することと、本発明が適用された弾性波デバイスの特性が許容限度を超えて劣化することとの何れもが確度高く回避される。   That is, according to the sealing member of the present invention, regardless of the size of the opening at the top of the enclosure and the height of the enclosure, the lid mounted on the top is bent to the substrate. Both the contact and the deterioration of the characteristics of the elastic wave device to which the present invention is applied exceed an allowable limit can be avoided with high accuracy.

したがって、本発明は、多様な構成およびサイズの弾性波デバイスに柔軟に適用可能となり、価格性能比および総合的な信頼性に向上に寄与する。
〔請求項7〕
請求項2に記載の封止部材において、
前記弾性波デバイスは、
弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサであり、
前記部位は、
前記表面の内、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサを構成する電極が形成された部位である
ことを特徴とする封止補助部材。
Therefore, the present invention can be flexibly applied to acoustic wave devices having various configurations and sizes, and contributes to an improvement in price / performance ratio and overall reliability.
[Claim 7]
The sealing member according to claim 2,
The acoustic wave device is
A surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor;
The site is
A sealing auxiliary member, wherein the surface is an area where an electrode constituting a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor is formed.

請求項7に記載の封止補助部材では、請求項2に記載の封止部材において、前記弾性波デバイスは、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサである。前記部位は、前記表面の内、弾性表面波フィルタまたは弾性表面波生体センサを構成する電極が形成された部位である。   The auxiliary sealing member according to claim 7 is the sealing member according to claim 2, wherein the acoustic wave device is a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor. The said site | part is a site | part in which the electrode which comprises a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave biosensor is formed in the said surface.

すなわち、本発明に係る弾性表面波フィルタまたは弾性表面波センサは、製造の工程にかかわる制約が緩和されるにもかかわらず、電極の封止と、その電極と他の部位と物理的な隔離とが柔軟に可能となる。   That is, the surface acoustic wave filter or the surface acoustic wave sensor according to the present invention is not limited to the sealing of the electrode and the physical isolation from the electrode and other parts, although the restrictions on the manufacturing process are relaxed. Is possible flexibly.

したがって、このような電極の封止の不完全性と、その封止に伴う特性や性能の劣化との何れもが安価に確度高く回避される。
〔請求項8〕
請求項2または請求項7に記載の封止補助部材において、
前記支持体の形状、サイズ、配置、個数の全てまたは一部は、
前記弾性波デバイスの特性の劣化が許容される形態に設定された
ことを特徴とする封止補助部材。
Therefore, both imperfect sealing of the electrode and deterioration of characteristics and performance associated with the sealing can be avoided with high accuracy at low cost.
[Claim 8]
In the sealing auxiliary member according to claim 2 or 7,
All or part of the shape, size, arrangement, number of the support is
The sealing auxiliary member is set in a form in which deterioration of characteristics of the acoustic wave device is allowed.

請求項8に記載の封止補助部材では、請求項2または請求項7に記載の封止補助部材において、前記支持体の形状、サイズ、配置、個数の全てまたは一部は、前記弾性波デバイスの特性の劣化が許容される形態に設定される。   The sealing auxiliary member according to claim 8 is the sealing auxiliary member according to claim 2 or 7, wherein all or part of the shape, size, arrangement, and number of the support are the acoustic wave device. It is set to a form in which the deterioration of the characteristics of is allowed.

すなわち、本発明に係る弾性波デバイスは、囲体の頂部の開口部のサイズと、その囲体の高さとの如何にかかわらず、製造の工程にかかわる制約が緩和され、この頂部に載架された蓋体がたわんで基板に接触することと、特性が許容限度を超えて劣化することとの何れもが確度高く回避される。   In other words, the acoustic wave device according to the present invention has a restriction on the manufacturing process alleviated regardless of the size of the opening at the top of the enclosure and the height of the enclosure, and is mounted on the top. Both of the contact of the lid with the substrate and the deterioration of the characteristics exceeding the allowable limit can be avoided with high accuracy.

したがって、本発明は、多様な構成およびサイズの弾性波デバイスに柔軟に適用可能となり、価格性能比および総合的な信頼性に向上に寄与する。   Therefore, the present invention can be flexibly applied to acoustic wave devices having various configurations and sizes, and contributes to an improvement in price / performance ratio and overall reliability.

11R,11S 頂板
12R,12S 支柱
40 基板
41R 受波電極
41S 送波電極
42R,42S ダム
43 伝搬路
44R,44S キャップ
11R, 11S Top plate 12R, 12S Post 40 Substrate 41R Receive electrode 41S Transmit electrode 42R, 42S Dam 43 Propagation path 44R, 44S Cap

Claims (4)

弾性表面波またはバルク波の伝搬路の伝搬特性を応答に反映する弾性波デバイスに備えられ、かつ前記伝搬路に介在する基板の表面の部位に、フォトレジストとして周設された囲体と、
前記表面の内、前記部位の内側に、前記囲体と共に前記フォトレジストとして形成された支持体と、
前記囲体および前記支持体と共に、前記フォトレジストとして形成され、かつ前記囲体の頂部の全てに被装されて接触する蓋体とを備え、
前記囲体、前記支持体および前記蓋体は、
前記フォトレジストの硬化処理により一体化された
ことを特徴とする封止部材。
An envelope provided as an photoresist on a portion of the surface of the substrate that is provided in an elastic wave device that reflects the propagation characteristics of a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave in a response, and is interposed in the propagation path;
A support formed as the photoresist together with the enclosure on the inside of the surface of the surface;
A cover body that is formed as the photoresist together with the enclosure body and the support body and is in contact with the top of the enclosure;
The enclosure, the support and the lid are
A sealing member, which is integrated by a curing process of the photoresist.
弾性表面波またはバルク波の伝搬路の伝搬特性を応答に反映する弾性波デバイスに備えられ、かつ前記伝搬路に介在する基板の表面の部位に、フォトレジストとして周設された囲体と、
前記表面の内、前記部位の内側に、前記囲体と共に前記フォトレジストとして形成された支持体と
を備えたことを特徴とする封止補助部材。
An envelope provided as an photoresist on a portion of the surface of the substrate that is provided in an elastic wave device that reflects the propagation characteristics of a propagation path of a surface acoustic wave or a bulk wave in a response, and is interposed in the propagation path;
A sealing auxiliary member comprising: a support body formed as the photoresist together with the enclosure on the inner side of the surface of the surface.
弾性表面波またはバルク波が伝搬する基板の表面の内、特定の部位の外周と内部とに、それぞれ囲体と、突起状の支持体とをフォトレジストとして形成し、
前記囲体の頂部の全てに接触する蓋体を前記フォトレジストとして形成し、
前記フォトレジストの硬化処理により前記囲体、前記支持体および前記蓋体を一体化する
ことを特徴とする封止方法。
On the surface of the substrate on which the surface acoustic wave or bulk wave propagates, a surrounding body and a projecting support are formed as a photoresist on the outer periphery and inside of a specific part, respectively,
A lid that contacts all of the top of the enclosure is formed as the photoresist,
The sealing method, wherein the enclosure, the support and the lid are integrated by curing the photoresist.
弾性表面波またはバルク波が伝搬する基板の表面の内、特定の部位の外周と内部とに、それぞれ囲体と、突起状の支持体とをフォトレジストとして形成する
ことを特徴とする封止補助方法。
Sealing aid characterized by forming an enclosure and a projecting support as a photoresist on the outer periphery and inside of a specific part of the surface of the substrate on which surface acoustic waves or bulk waves propagate. Method.
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